一種精胺酸酶製劑於製備藥物的用途，該藥物用於與天冬醯胺酸降低調配物合併使用於抑制具有低天冬醯胺酸酶表現之癌症細胞，其中 <br/>該精胺酸酶製劑包含人類精胺酸酶1及經PEG修飾的人類精胺酸酶1，其中該經PEG修飾的人類精胺酸酶1包含對應於SEQ ID NO 1之胜肽序列，該胜肽序列與分子量為20 kDa的單聚乙二醇基團共價連結，且其中該人類精胺酸酶1與該經PEG修飾的人類精胺酸酶1的比例為1：10或更少，且其中該經PEG修飾的人類精胺酸酶1不包含一多組胺酸序列。
如請求項1所述之用途，其中該天冬醯胺酸降低調配物包含天冬醯胺酸酶或修飾的天冬醯胺酸酶。
如請求項1所述之用途，其中該藥物進一步用於與麩醯胺酸降低調配物合併使用。
如請求項3所述之用途，其中該麩醯胺酸降低調配物包含胺基轉移酶抑制劑。
如請求項1所述之用途，其中該聚乙二醇基團是支鏈的。
如請求項1所述之用途，其中該經PEG修飾的人類精胺酸酶1包含選自於錳、鎳及鈷所組成群組的金屬輔因子。
一種選擇性組蛋白去乙醯酶3(HDAC3)抑制劑之用途，其係用於製備用於與免疫治療劑組合使用以抑制癌細胞增殖或誘導癌細胞死亡或治療癌症之藥物，其中：該選擇性HDAC3抑制劑抑制HDAC3的活性大於抑制不為HDAC3之組蛋白去乙醯酶的活性；該選擇性HDAC3抑制劑之量有效地增加MHC II類蛋白質在至少一種癌細胞中的表現；該選擇性HDAC3抑制劑之量有效地以協同方式抑制該等癌細胞增殖或誘導該等癌細胞死亡；該等癌細胞為腎癌細胞或淋巴瘤細胞且該癌症為腎癌或淋巴瘤；該免疫治療劑為抗程式化細胞死亡1蛋白質(PD-1)抗體、抗程式化細胞死亡1蛋白質配位體1(PD-L1)抗體或抗細胞毒性T淋巴球相關蛋白4(CTLA-4)抗體；相較於單獨使用的該選擇性HDAC3抑制劑或該免疫治療劑，該選擇性HDAC3抑制劑與該免疫治療劑協同作用以治療該癌症；且該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物，或其醫藥學上可接受之鹽或水合物：<img align="absmiddle" height="125px" width="198px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>，其中：W<sub>1</sub>為F；W<sub>2</sub>、W<sub>3</sub>及W<sub>4</sub>中之每一者為氫；X<sub>1</sub>及X<sub>5</sub>各自獨立地選自氫、鹵素及C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；X<sub>3</sub>為NR<sup>1</sup>C(O)R<sup>2</sup>；X<sub>2</sub>及X<sub>4</sub>中之一者為氫；X<sub>2</sub>及X<sub>4</sub>中之另一者為氫或鹵素；R<sup>1</sup>係選自氫及C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；及R<sup>2</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基。
一種免疫治療劑之用途，其係用於製備用於與選擇性組蛋白去乙醯酶3(HDAC3)抑制劑組合使用以抑制癌細胞增殖或誘導癌細胞死亡或治療癌症之藥物，其中：該選擇性HDAC3抑制劑與該免疫治療劑之組合量有效地以協同方式治療該癌症；有需要之個體已投與選擇性組蛋白去乙醯酶3(HDAC3)抑制劑；該選擇性HDAC3抑制劑抑制HDAC3的活性大於抑制不為HDAC3之組蛋白去乙醯酶的活性；該選擇性HDAC3抑制劑之量有效地增加MHC II類蛋白質在至少一種癌細胞中的表現；該免疫治療劑之量有效地抑制該等癌細胞增殖或誘導該等癌細胞死亡；該等癌細胞為腎癌細胞或淋巴瘤細胞且該癌症為腎癌或淋巴瘤；該免疫治療劑為抗程式化細胞死亡1蛋白質(PD-1)抗體、抗程式化細胞死亡1蛋白質配位體1(PD-L1)抗體或抗細胞毒性T淋巴球相關蛋白4(CTLA-4)抗體；相較於單獨使用的該選擇性HDAC3抑制劑或該免疫治療劑，該選擇性HDAC3抑制劑與該免疫治療劑協同作用以治療該癌症；且該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物，或其醫藥學上可接受之鹽或水合物：<img align="absmiddle" height="131px" width="191px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>，其中：W<sub>1</sub>為F；W<sub>2</sub>、W<sub>3</sub>及W<sub>4</sub>中之每一者為氫；X<sub>1</sub>及X<sub>5</sub>各自獨立地選自氫、鹵素及C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；X<sub>3</sub>為NR<sup>1</sup>C(O)R<sup>2</sup>；X<sub>2</sub>及X<sub>4</sub>中之一者為氫；X<sub>2</sub>及X<sub>4</sub>中之另一者為氫或鹵素；R<sup>1</sup>係選自氫及C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；及R<sup>2</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基。
一種選擇性組蛋白去乙醯酶3(HDAC3)抑制劑與免疫治療劑之用途，其係用於製備用於抑制癌細胞增殖或誘導癌細胞死亡或治療癌症之藥物，其中：該選擇性HDAC3抑制劑與該免疫治療劑之組合量有效地以協同方式治療該癌症；有需要之個體已投與選擇性組蛋白去乙醯酶3(HDAC3)抑制劑；該選擇性HDAC3抑制劑抑制HDAC3的活性大於抑制不為HDAC3之組蛋白去乙醯酶的活性；該選擇性HDAC3抑制劑之量有效地增加MHC II類蛋白質在至少一種癌細胞中的表現；該免疫治療劑之量有效地抑制該等癌細胞增殖或誘導該等癌細胞死亡；該等癌細胞為腎癌細胞或淋巴瘤細胞且該癌症為腎癌或淋巴瘤；該免疫治療劑為抗程式化細胞死亡1蛋白質(PD-1)抗體、抗程式化細胞死亡1蛋白質配位體1(PD-L1)抗體或抗細胞毒性T淋巴球相關蛋白4(CTLA-4)抗體；相較於單獨使用的該選擇性HDAC3抑制劑或該免疫治療劑，該選擇性HDAC3抑制劑與該免疫治療劑協同作用以治療該癌症；且該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物，或其醫藥學上可接受之鹽或水合物：<img align="absmiddle" height="137px" width="188px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>，其中：W<sub>1</sub>為F；W<sub>2</sub>、W<sub>3</sub>及W<sub>4</sub>中之每一者為氫；X<sub>1</sub>及X<sub>5</sub>各自獨立地選自氫、鹵素及C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；X<sub>3</sub>為NR<sup>1</sup>C(O)R<sup>2</sup>；X<sub>2</sub>及X<sub>4</sub>中之一者為氫；X<sub>2</sub>及X<sub>4</sub>中之另一者為氫或鹵素；R<sup>1</sup>係選自氫及C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基；及R<sup>2</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症與MHC II類蛋白質之表現減少相關。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症為腎癌。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症為非霍奇金淋巴瘤。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症為B細胞非霍奇金淋巴瘤。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症為彌漫性大B細胞淋巴瘤。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症為濾泡性淋巴瘤。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該癌症為霍奇金氏淋巴瘤。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該個體為人類。
如請求項1至3中任一項之用途，其中X<sub>3</sub>為NHC(O)R<sup>2</sup>。
如請求項12之用途，其中X<sub>3</sub>為NHC(O)CH<sub>3</sub>。
如請求項1至3中任一項之用途，其中X<sub>1</sub>及X<sub>5</sub>各自為氫。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物，或其醫藥學上可接受之鹽或水合物：<figure><img align="absmiddle" height="69px" width="242px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>
如請求項1至3中任一項之用途，其中該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="155px" width="306px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項12之用途，其中該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="147px" width="304px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項15之用途，其中該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="155px" width="295px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>
如請求項12之用途，其中該選擇性HDAC3抑制劑為下式之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="195px" width="342px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該免疫治療劑為抗PD-1抗體。
如請求項20之用途，其中該抗PD-1抗體為尼沃單抗(nivolumab)、皮立珠單抗(pidilizumab)、派姆單抗(pembrolizumab)、MEDI-0680、REGN2810或AMP-224。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該免疫治療劑為抗PD-L1抗體。
如請求項22之用途，其中該抗PD-L1抗體為阿特珠單抗(atezolizumab)、德瓦魯單抗(durvalumab)、BMS-936559或阿維魯單抗(avelumab)。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該免疫治療劑為抗CTLA-4抗體。
如請求項24之用途，其中該抗CTLA-4抗體為伊匹單抗(ipilimumab)或曲美單抗(tremelimumab)。
如請求項1至3中任一項之用途，其中以重量計，該選擇性HDAC3抑制劑之量相對於該免疫治療劑之量的比率在0.1與10之間，包括端點。
一種核酸分子，包括編碼一RNA引導的核酸酶(RGN)多肽的一多核苷酸，其中該多核苷酸包括編碼一RGN多肽的一核苷酸序列，該RGN多肽包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中編碼一RGN多肽的該多核苷酸可操作地連接至與該多核苷酸異源的一啟動子。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中在與能夠與一標的DNA序列雜合的一引導RNA(gRNA)結合時，該RGN多肽以一RNA引導的序列專一性方式結合該標的DNA序列。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中該核酸分子為一RNA多核苷酸。
如申請專利範圍第4項所述的核酸分子，其中該RNA多核苷酸為一mRNA。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中該RGN多肽包括如SEQ ID NO：11所示的該胺基酸序列。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中該RGN多肽是無核酸酶活性的、或作用為一切口酶。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中該RGN多肽可操作地與一鹼基編輯多肽融合。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中該RGN多肽可操作地與一異源多肽融合。
如申請專利範圍第9項所述的核酸分子，其中該異源多肽可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
如申請專利範圍第1項所述的核酸分子，其中該RGN多肽可操作地與一效應域融合，且其中該效應域是一剪切域、一去胺酶域或一表現調節域。
如申請專利範圍第11項所述的核酸分子，其中該效應域可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
一種包括如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的核酸分子的載體。
如申請專利範圍第13項所述的載體，其中該載體更包括編碼一引導RNA的至少一核苷酸序列，以及其中該引導RNA包括一CRISPR RNA，該CRISPR RNA包括一CRISPR重複序列，該CRISPR重複序列包括與SEQ ID NO：12具有至少95%序列一致性的一核苷酸序列，其中該RGN多肽包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列。
如申請專利範圍第14項所述的載體，其中該引導RNA進一步包括一tracrRNA，該tracrRNA包括與SEQ ID NO：13具有至少95%序列一致性的一核苷酸序列，其中該RGN多肽包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列。
一種用於結合一標的DNA序列的系統，該系統包括：a)能夠與該標的DNA序列雜合的一或更多引導RNA(gRNA)、或編碼該一或更多gRNA的一或更多核苷酸序列；以及b)一RNA引導的核酸酶(RGN)多肽或編碼該RGN多肽的一核苷酸序列，該RGN多肽包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中編碼該一或更多引導RNA以及編碼該RGN多肽的該些核苷酸序列的至少其中之一可操作地連接至與該核苷酸序列異源的一啟動子。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中該一或更多gRNA與該標的DNA序列雜合，以及其中該一或更多gRNA與該RGN多肽形成一複合物，從而引導該RGN多肽與該標的DNA序列結合。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中該RGN多肽包括如SEQ ID NO：11所示的該胺基酸序列。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中該RGN多肽是無核酸酶活性的、或作用為一切口酶。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中該RGN多肽可操作地連接到一鹼基編輯多肽。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中該RGN多肽可操作地與一異源多肽融合。
如申請專利範圍第22項所述的系統，其中該異源多肽可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
如申請專利範圍第16項所述的系統，其中該RGN多肽可操作地與一效應域融合，且其中該效應域為一剪切域、一去胺酶域或一表現調節域。
如申請專利範圍第24項所述的系統，其中該效應域可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
如申請專利範圍第16項至第25項中任一項所述的系統，其中該系統更包括一或更多供體多核苷酸或編碼該一或更多供體多核苷酸的一或更多核苷酸序列。
一種用於在體外結合一標的DNA序列的方法，包括遞送如申請專利範圍第16項至第26項中任一項所述的系統至該標的DNA序列或包括該標的DNA序列的一細胞。
一種用於在體外剪切及/或修飾一標的DNA序列的方法，包括將該標的DNA序列與以下接觸：a)一RNA引導的核酸酶(RGN)多肽，其中該RGN包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列；以及b)能夠將(a)的該RGN多肽靶向該標的DNA序列的一或更多引導RNA。
如申請專利範圍第28項所述的方法，其中該一或更多引導RNA與該標的DNA序列雜合，從而引導該RGN多肽與該標的DNA序列結合，並且發生該標的DNA序列的剪切及/或修飾。
如申請專利範圍第29項所述的方法，其中該修飾的標的DNA序列包括異源DNA插入該標的DNA序列。
如申請專利範圍第29項所述的方法，其中該修飾的標的DNA序列包括從該標的DNA序列中缺失至少一核苷酸。
如申請專利範圍第29項所述的方法，其中該修飾的標的DNA序列包括該標的DNA序列中的至少一核苷酸的突變。
一種RNA引導的核酸酶(RGN)多肽，包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列。
如申請專利範圍第33項所述的RGN多肽，其中該RGN多肽包括如SEQ ID NO：11所示的該胺基酸序列。
如申請專利範圍第33項所述的RGN多肽，其中該RGN多肽可操作地與一異源多肽融合。
如申請專利範圍第35項所述的RGN多肽，其中該異源多肽可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
如申請專利範圍第35項所述的RGN多肽，其中該異源多肽包括一去胺酶域。
如申請專利範圍第33項所述的RGN多肽，其中該RGN多肽可操作地與一效應域融合，且其中該效應域為一剪切域、一去胺酶域或一表現調節域。
如申請專利範圍第38項所述的RGN多肽，其中該效應域可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
一種RNA多核苷酸，包括編碼一RNA引導的核酸酶(RGN)多肽的一核苷酸序列，該RGN多肽包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列。
如申請專利範圍第40項所述的RNA多核苷酸，其中該核苷酸序列包括至少一合成核糖核苷酸類似物。
如申請專利範圍第40項所述的RNA多核苷酸，其中該RGN多肽包括如SEQ ID NO：11所示的該胺基酸序列。
如申請專利範圍第40項所述的RNA多核苷酸，其中該RNA多核苷酸進一步包括編碼一鹼基編輯多肽的一核苷酸序列，其中該鹼基編輯多肽可操作地連接到編碼該RGN多肽的該核苷酸序列。
如申請專利範圍第40項所述的RNA多核苷酸，其中該RNA多核苷酸是一mRNA。
一種融合多肽，包括：(A)一RNA引導的核酸酶(RGN)多肽，包括與SEQ ID NO：11具有至少95%序列一致性的一胺基酸序列；以及(B)一異源多肽。
如申請專利範圍第45項所述的融合多肽，其中該RGN多肽是無核酸酶活性的、或作用為一切口酶。
如申請專利範圍第45項所述的融合多肽，其中該RGN多肽包括SEQ ID NO：11的該胺基酸序列。
如申請專利範圍第45項所述的融合多肽，其中該異源多肽是一鹼基編輯多肽。
如申請專利範圍第45項所述的融合多肽，其中該異源多肽是一效應域，且其中該效應域是一剪切域、一去胺酶域或一表現調節域。
如申請專利範圍第45項所述的融合多肽，其中該異源多肽可操作地與該RGN多肽的一N端、一C端或一內部位置融合。
如申請專利範圍第45項所述的融合多肽，其中該融合多肽進一步包括一或更多核定位訊號。
一種核酸分子，包括編碼如申請專利範圍第45項至第51項中任一項所述的融合多肽的一多核苷酸。
一種包括如申請專利範圍第52項的核酸分子的載體。
一種RNA多核苷酸，包括編碼如申請專利範圍第45項至第51項中任一項所述的融合多肽的一核苷酸序列。
如申請專利範圍第54項所述的RNA多核苷酸，其中該RNA多核苷酸是一mRNA。
一種結合CD137及第二抗原之多專一性抗體分子，其中該抗體分子之CD137抗原結合位址包含下列之互補性決定區域(CDRs)1至6： <br/> (i) 抗體<b>FS30-10-16</b>之互補性決定區域(CDRs)1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>30</b><b>、32</b><b>、38</b><b>、17</b><b>、19</b><b>及22</b>內；<br/> (ii) 抗體<b>FS30-10-3</b>之互補性決定區域(CDRs)1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>30</b><b>、32</b><b>、34</b><b>、17</b><b>、19</b><b>及22</b>內；<br/> (iii) 抗體<b>FS30-10-12</b>之互補性決定區域(CDRs)1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>30</b><b>、32</b><b>、36</b><b>、17</b><b>、19</b><b>及22</b>內；<br/> (iv) 抗體<b>FS30-35-14</b>之互補性決定區域(CDRs)1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>62</b><b>、64</b><b>、66</b><b>、17</b><b>、19</b><b>及23</b>內；或<br/> (v) 抗體<b>FS30-5-37</b>之互補性決定區域(CDRs)1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>7</b><b>、9</b><b>、11</b><b>、17</b><b>、19</b><b>及21</b>內； <br/> 其中該等CDR序列係根據ImMunoGeneTics(IMGT)編號方式來定義；<br/> 其中該抗體分子包含結合該第二抗原的一第二抗原結合位址，其座落於該抗體分子的一CH3域內，其中該第二抗原結合位址包含一第一序列、一第二序列及/或一第三序列，其中該第一序列、該第二序列及該第三序列係分別座落於該CH3域的AB結構環、CD結構環及EF結構環內；及<br/> 其中該抗體分子已經修飾以降低或廢除該抗體分子的一CH2域與一個或更多個Fcγ受體的結合；及<br/> 其中該抗體分子於該第二抗原存在下能活化一免疫細胞上的該CD137；以及<br/> 其中該第二抗原是一免疫細胞抗原，其存在一T細胞、一腫瘤浸潤型白血球(TIL)、一骨髓譜系細胞、一NK細胞或一B細胞上。
一種結合CD137及第二抗原之多專一性抗體分子，其中該抗體分子之CD137抗原結合位址包含下列之CDRs 1至6：<br/> (i) 抗體<b>FS30-10-16</b>之CDRs 1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>31</b><b>、33</b><b>、39</b><b>、18</b><b>、20</b><b>及22</b>內； <br/> (ii) 抗體<b>FS30-10-3</b>之CDRs 1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>31</b><b>、33</b><b>、35</b><b>、18</b><b>、20</b><b>及22</b>內； <br/> (iii) 抗體<b>FS30-10-12</b>之CDRs 1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>31</b><b>、33</b><b>、37</b><b>、18</b><b>、20</b><b>及22</b>內； <br/> (iv) 抗體<b>FS30-35-14</b>之CDRs 1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>63</b><b>、65</b><b>、67</b><b>、18</b><b>、20</b><b>及23</b>內；或 <br/> (v) 抗體<b>FS30-5-37</b>之CDRs 1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>8</b><b>、10</b><b>、12</b><b>、18</b><b>、20</b><b>及21</b>內； <br/> 其中該等CDR序列係根據Kabat編號方式來定義；<br/> 其中該抗體分子包含結合該第二抗原的一第二抗原結合位址，其座落於該抗體分子的一CH3域內，其中該第二抗原結合位址包含一第一序列、一第二序列及/或一第三序列，其中該第一序列、該第二序列及該第三序列係分別座落於該CH3域的AB結構環、CD結構環及EF結構環內；且<br/> 其中該抗體分子已經修飾以降低或廢除該抗體分子的該CH2域與一個或更多個Fcγ受體的結合；且<br/> 其中該抗體分子於該第二抗原存在下能活化一免疫細胞上的該CD137；以及<br/> 其中該第二抗原是一免疫細胞抗原，其存在一T細胞、一腫瘤浸潤型白血球(TIL)、一骨髓譜系細胞、一NK細胞或一B細胞上。
如請求項1或2之多專一性抗體分子，其中該抗體分子包含下列之該重鏈可變異(VH)域及該輕鏈可變異(VL)域：<br/> (i) 抗體<b>FS30-10-16</b>之重鏈可變異(VH)域及輕鏈可變異(VL)域，其分別列於序列辨識編號：<b>54</b>及<b>48</b>內；<br/> (ii) 抗體<b>FS30-10-3</b>之重鏈可變異(VH)域及輕鏈可變異(VL)域，其分別列於序列辨識編號：<b>28</b>及<b>48</b>內；<br/> (iii) 抗體<b>FS30-10-12</b>之重鏈可變異(VH)域及輕鏈可變異(VL)域，其分別列於序列辨識編號：<b>44</b>及<b>48</b>內；<br/> (iv) 抗體<b>FS30-35-14</b>之重鏈可變異(VH)域及輕鏈可變異(VL)域，其分別列於序列辨識編號：<b>60</b>及<b>70</b>內；或 <br/> (v) 抗體<b>FS30-5-37</b>之重鏈可變異(VH)域及輕鏈可變異(VL)域，其分別列於序列辨識編號：<b>5</b>及<b>15</b>內。
如請求項3之多專一性抗體分子，其中該抗體分子包含下列之輕鏈：<br/> (i) 抗體<b>FS30-10-16</b>之輕鏈，其列於序列辨識編號：<b>46</b>內；<br/> (ii) 抗體<b>FS30-10-3</b>之輕鏈，其列於序列辨識編號：<b>46</b>內；<br/> (iii) 抗體<b>FS30-10-12</b>之輕鏈，其列於序列辨識編號：<b>46</b>內；<br/> (iv) 抗體<b>FS30-35-14</b>之輕鏈，其列於序列辨識編號：<b>68</b>內；<br/> (v) 抗體<b>FS30-5-37</b>之輕鏈，其列於序列辨識編號：<b>13</b>內。
如請求項4之多專一性抗體分子，其中該抗體分子包含一重鏈，該重鏈包含一CH3域，且其中該CH3域包含一離胺酸殘基(K)於最接近該CH3域序列之C端處。
如請求項1或2之多專一性抗體分子，其中該抗體分子之該CD137抗原結合位址包含抗體<b>FS30-10-16</b>之CDRs 1至6，其分別列於序列辨識編號：<b>30</b><b>、32</b><b>、38</b><b>、17</b><b>、19</b><b>及22</b>內，或分別列於序列辨識編號：<b>31</b><b>、33</b><b>、39</b><b>、18</b><b>、20</b><b>及22</b>內。
如請求項3之多專一性抗體分子，其中該抗體分子包含抗體<b>FS30-10-16</b>之該VH及VL域，其分別列於序列辨識編號：<b>54</b>及<b>48</b>內。
如請求項5之多專一性抗體分子，其中該抗體分子包含分別列於序列辨識編號：<b>46</b>內之輕鏈。
如請求項1或2之多專一性抗體分子，其中該骨髓譜系細胞包括一抗原呈現細胞(APC)。
如請求項1或2之多專一性抗體分子，其中該第二抗原係存在一T細胞上之免疫細胞抗原。
如請求項1或2之多專一性抗體分子，其中該抗體分子不會結合一個或更多個Fcγ受體。
一種複合物(conjugate)，其包含如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子及一生物活性分子。
一種核酸分子，其編碼如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子。
一種載體，其包含如請求項13之核酸分子。
一種重組宿主細胞，其包含如請求項13之核酸分子或如請求項14之載體。
一種生產如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子之方法，其包含於用於生產該多專一性抗體分子的條件下培養如請求項15之重組宿主細胞。
一種藥學組成物，其包含如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子或如請求項12之複合物，以及一藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子或如請求項12之複合物在製備用於治療一個體的癌症或一感染性疾病之醫藥品的用途。
一種如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子供用於活體外偵測一樣本內CD137的存在之用途。
一種活體外偵測或診斷一個體的癌症的方法，該方法包含使用如請求項1至11中任一項之多專一性抗體分子來偵測從該個體獲得的一腫瘤樣本內，包含CD137於其等之細胞表面的細胞。
一種二酐，其具有下列化學式：<figure><img align="absmiddle" height="388px" width="673px" file="d10053.TIF" alt="化學式ed10053.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10053.png"/></figure>
一種聚醯胺酸，其具有式II之重複單元，<figure><img align="absmiddle" height="174px" width="353px" file="d10054.TIF" alt="化學式ed10054.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10054.png"/></figure>其中：R<sup>a</sup>在每次出現時是相同或不同的，並且表示一個四羧酸組分殘基；以及R<sup>b</sup>在每次出現時是相同或不同的，並且表示一個芳香族二胺殘基；其中10~100mol%的R<sup>a</sup>係來自一種或多種如請求項1之二酐的二酐殘基。
一種聚醯胺酸組成物，其包含(a)如請求項2之聚醯胺酸；以及(b)高沸點非質子溶劑，其中該高沸點非質子溶劑具有高於130℃的沸點。
一種聚醯亞胺，其具有式III之重複單元，<figure><img align="absmiddle" height="176px" width="352px" file="d10055.TIF" alt="化學式ed10055.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10055.png"/></figure>其中：R<sup>a</sup>在每次出現時是相同或不同的，並且表示一個四羧酸組分殘基；以及R<sup>b</sup>在每次出現時是相同或不同的，並且表示一個芳香族二胺殘基；其中10~100mol%的R<sup>a</sup>係來自一種或多種如請求項1之二酐的二酐殘基。
一種聚醯亞胺膜，其包含如請求項4之聚醯亞胺。
一種具有至少一個層的有機電子裝置，該至少一個層包含如請求項5之聚醯亞胺膜。
如請求項6之有機電子裝置，其中，該層在選自由裝置基板、濾色片的基板、覆蓋膜、以及觸控式螢幕面板所組成的群組中之裝置部件中使用。
一種CD3陽性CD8陽性CD4陰性CD197陽性CD45RA陰性細胞之製造方法，係包含下列步驟：在CD3/TCR複合體促效劑、纖網蛋白或其改變體、及CD30促效劑的存在下，培養CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞之步驟(I)，其中，纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子。
如申請專利範圍第1項所述之製造方法，係更包含下列步驟：在CD3/TCR複合體促效劑及纖網蛋白或其改變體的不存在下，並且在CD30促效劑的存在下，培養經步驟(I)培養之CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞之步驟(II)。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞係源自源自多能性幹細胞。
如申請專利範圍第3項所述之製造方法，其中，前述多能性幹細胞係iPS細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞係表現嵌合抗原受體之CD3陽性細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞係γTCR陽性及/或δTCR陽性細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3/TCR複合體促效劑係CD3促效劑及/或TCR促效劑。
如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中，前述CD3促效劑係抗CD3促效劑抗體或其結合片段。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中，前述抗CD3促效劑抗體或其結合片段係從UCHT1殖株產生之抗CD3促效劑抗體或其結合片段。
如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中，前述TCR促效劑係選自由抗TCR抗體或其結合片段、HLA/胜肽複合體或其多聚體、及HLA/超級抗原複合體或其多聚體所組成群組中之至少一種。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中，前述抗CD3促效劑抗體或其結合片段係被固相化於培養容器。
如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中，前述抗CD3促效劑抗體或其結合片段的固相化係藉由使1 ng/ml至50000 ng/ml之該抗CD3促效劑抗體或其結合片段與培養容器接觸而進行。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述纖網蛋白或其改變體係TaKaRa-Bio公司的RetroNectin(註冊商標)。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述纖網蛋白或其改變體係被固相化於培養容器。
如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中，前述纖網蛋白或其改變體的固相化係藉由使1至150μg/mL之該纖網蛋白或其改變體與培養容器接觸而進行。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD30促效劑係選自由抗CD30促效劑抗體或其結合片段及CD30配位體或其結合片段所組成群組中之至少一種。
如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中，前述抗CD30促效劑抗體或其結合片段係被含有於培養基中。
如申請專利範圍第17項所述之製造方法，其中，前述培養基中之前述抗CD30促效劑抗體或其結合片段的濃度係1 ng/ml至1000 ng/ml。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，培養基係含有選自IL-7、IL-15、IL-18及IL-21中之至少一種。
如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中，培養基含有IL-7、IL-15、IL-18及IL-21。
如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中，培養基更含有TL1A及/或IL-12。
一種CD3陽性CD8陽性CD4陰性CD197陽性CD45RA陰性細胞之擴大培養方法，係包含下列步驟：在CD3/TCR複合體促效劑、纖網蛋白或其改變體、及CD30促效劑的存在下，培養CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞之步驟，其中，纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子。
一種CD3陽性CD8陽性CD4陰性CD197陽性CD45RA陰性細胞之擴大培養用套組，係包含下列(1)及(2)： <br/>(1) 固相化有CD3/TCR複合體促效劑及纖網蛋白或其改變體之培養容器、以及 <br/>(2)含有CD30促效劑之培養基，其中， <br/>纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性CD8陽性CD4陰性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子。
一種經改造T細胞，其包含：(a)編碼經遺傳改造抗原受體之核酸，該抗原受體專一性地結合至來自HPV之抗原；及(b)編碼抗PD-1抗體之核酸，該抗PD-1抗體包含1)重鏈可變區之SEQ ID NO：1所示CDR1、SEQ ID NO：2所示CDR2及SEQ ID NO：3所示CDR3；以及2)輕鏈可變區之SEQ ID NO：4所示CDR1、SEQ ID NO：5所示CDR2及SEQ ID NO：6所示CDR3。
如請求項1之經改造T細胞，其中該抗原係HPV之E6或E7。
如請求項1之經改造T細胞，其中該抗PD-1抗體係單鏈可變片段(scFv)。
如請求項1之經改造T細胞，其中該經改造T細胞包含與PD-1編碼核酸互補之序列。
如請求項1之經改造T細胞，其中該經改造T細胞包含與PD-1編碼核酸互補之反義寡核苷酸。
如請求項1之經改造T細胞，其中該抗PD-1抗體係組成型地表現(constitutively expressed)。
一種核酸，其包含(a)編碼經遺傳改造抗原受體之序列，該抗原受體專一性地結合至來自HPV之抗原；及(b)編碼抗PD-1抗體之序列，該抗PD-1抗體包含1)重鏈可變區之SEQ ID NO：1所示CDR1、SEQ ID NO：2所示CDR2及SEQ ID NO：3所示CDR3；以及2)輕鏈可變區之SEQ ID NO：4所示CDR1、SEQ ID NO：5所示CDR2及SEQ ID NO：6所示CDR3。
如請求項7之核酸，其中該抗原係HPV之E6或E7。
一種載體，其包含如請求項7或8之核酸。
如請求項9之載體，其中載體係反轉錄病毒載體或慢病毒載體。
一種產生經遺傳改造之T細胞之方法，其包含將載體引入至包含T細胞之細胞群體中，該載體包含a)編碼專一性地結合至一抗原之經遺傳改造抗原受體之核酸，其中該抗原受體專一性地結合至來自HPV之抗原，以及(b)編碼抗PD-1抗體之核酸，該抗PD-1抗體包含1)重鏈可變區之SEQ ID NO：1所示CDR1、SEQ ID NO：2所示CDR2及SEQ ID NO：3所示CDR3；以及2)輕鏈可變區之SEQ ID NO：4所示CDR1、SEQ ID NO：5所示CDR2及SEQ ID NO：6所示CDR3。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至6中任一項之經改造T細胞及醫藥上可接受之載劑。
一種如請求項12之醫藥組合物之用途，其用於製備用於治療有需要個體之癌症之藥劑，其中該個體要被投與治療有效量之該醫藥組合物。
如請求項13之用途，其中該癌症表現HPV之E6或E7。
如請求項13之用途，其中該癌症係子宮頸癌或頭頸癌。
如請求項13之用途，其中該癌症係口咽之癌症。
如請求項13之用途，其中該癌症係肛門之癌症。
如請求項13之用途，其中該癌症係肛管之癌症。
如請求項13之用途，其中該癌症係肛門直腸之癌症。
如請求項13之用途，其中該癌症係陰道、陰門或陰莖之癌症。
如請求項13至20中任一項之用途，其中該個體要被進一步投與治療有效量之包含化學療法或輻射之現有療法。
如請求項21之用途，其中該醫藥組合物及該現有療法係依序或同時投與。
如請求項1至6中任一項之經改造T細胞，其中該經遺傳改造抗原受體是T細胞受體。
一種抗PD-1抗體，其包含1)重鏈可變區之SEQ ID NO：1所示CDR1、SEQ ID NO：2所示CDR2及SEQ ID NO：3所示CDR3；以及2)輕鏈可變區之SEQ ID NO：4所示CDR1、SEQ ID NO：5所示CDR2及SEQ ID NO：6所示CDR3。
如請求項24之抗PD-1抗體，其中該抗體是scFv。
如請求項25之抗PD-1抗體，其中該scFv包含由連接體肽連結之重鏈可變區(VH)及輕鏈可變區(VL)。
如請求項26之抗PD-1抗體，其中該scFv內之該VH、VL及連接體肽具有VH-連接體-VL或VL-連接體-VH之順序。
如請求項26之抗PD-1抗體，其中該連接體肽是GS連接體。
一種核酸，其編碼如請求項24至28中任一項之抗PD-1抗體。
一種交叉偶聯反應用觸媒，係使用於交叉偶聯反應， <br/>具有：由合成樹脂構成之擔體部，及藉由化學鍵結固定於該擔體部之有機金屬錯合物部； <br/>該有機金屬錯合物部之配位中心為Pd， <br/>該有機金屬錯合物部之前驅物之有機金屬錯合物具有下式(M1)表示之結構， <br/>該擔體部之前驅物之合成樹脂前驅物具有下式(M2)表示之結構， <br/>該交叉偶聯反應用觸媒具有相當於將該有機金屬錯合物與該合成樹脂前驅物之作為反應物之下式(M3)表示之縮合反應之產物之下式(P1)表示之結構； <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="293px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="146px" width="198px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="32px" width="198px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="290px" width="432px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(P1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>可相同亦可不同，各別為烷基， <br/>R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>可為相同亦可為不同，各別為選自於由氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳基、羥基、羥化基(hydroxylate group)、硫代羧基、二硫代羧基、磺基、亞磺酸基、氧化羰基、胺甲醯基、肼羰基、甲脒基、氰基、異氰基、氰氧基、異氰氧基、硫代氰氧基、異硫代氰氧基、甲醯基、側氧基、硫代甲醯基、硫基(thioxo)、巰基、胺基、亞胺基、肼基、烯丙氧基、硫醚基、硝基、及矽基構成之群組中之至少1種之取代基， <br/>X表示可配位於該配位中心之Pd的鹵素原子， <br/>R<sup>7</sup>表示可配位於該配位中心之Pd的具有π鍵結之碳數3之取代基、或選自胺化合物、膦化合物、腈化合物、或硫化合物之配位子， <br/>RS1表示該式(M2)表示之於末端具有-CH<sub>2</sub>OH基之該合成樹脂前驅物的主鏈， <br/>式(M1)及式(M3)中，X、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>係表示與該式(P1)中之X、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>相同之取代基，式(M3)中，RS1表示與該式(P1)中之RS1相同之該合成樹脂前驅物之主鏈。
一種交叉偶聯反應用觸媒，係使用於交叉偶聯反應， <br/>具有：由合成樹脂構成之擔體部，及藉由化學鍵結固定於該擔體部之有機金屬錯合物部； <br/>該有機金屬錯合物部之配位中心為Pd， <br/>該有機金屬錯合物部之前驅物之有機金屬錯合物具有下式(M1)表示之結構， <br/>該擔體部之前驅物之合成樹脂前驅物具有下式(M4)表示之結構， <br/>該交叉偶聯反應用觸媒具有相當於將該有機金屬錯合物與該合成樹脂前驅物之作為反應物之縮合反應之產物之下式(P2)表示之結構： <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="294px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="146px" width="198px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="45px" width="300px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(P2)及式(M1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>可相同亦可不同，各別為烷基， <br/>R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>可為相同亦可為不同，各別為選自於由氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳基、羥基、羥化基、硫代羧基、二硫代羧基、磺基、亞磺酸基、氧化羰基、胺甲醯基、肼羰基、甲脒基、氰基、異氰基、氰氧基、異氰氧基、硫代氰氧基、異硫代氰氧基、甲醯基、側氧基、硫代甲醯基、硫基、巰基、胺基、亞胺基、肼基、烯丙氧基、硫醚基、硝基、及矽基構成之群組中之至少1種之取代基， <br/>X表示可配位於該配位中心之Pd的鹵素原子， <br/>R<sup>7</sup>表示可配位於該配位中心之Pd的具有π鍵結之碳數3之取代基、或選自胺化合物、膦化合物、腈化合物、或硫化合物之配位子， <br/>式(P2)及式(M4)中，RS2表示與下式(P1)中之RS1相同之該合成樹脂前驅物之主鏈； <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="293px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該式(P1)中，X、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>係表示與該式(P2)及式(M1)中之X、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>相同之取代基， <br/>RS1表示下式(M2)表示之於末端具有-CH<sub>2</sub>OH基之合成樹脂前驅物的主鏈， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="198px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種交叉偶聯反應用觸媒，係使用於交叉偶聯反應， <br/>具有：由合成樹脂構成之擔體部，及藉由化學鍵結固定於該擔體部之有機金屬錯合物部； <br/>該有機金屬錯合物部之配位中心為Pd， <br/>該有機金屬錯合物部之前驅物之有機金屬錯合物具有下式(M1)表示之結構， <br/>該擔體部之前驅物之合成樹脂前驅物具有下式(M5)表示之結構， <br/>該交叉偶聯反應用觸媒具有相當於將該有機金屬錯合物與該合成樹脂前驅物之作為反應物之縮合反應之產物之下式(P3)表示之結構： <br/><img align="absmiddle" height="147px" width="361px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="146px" width="198px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="50px" width="298px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(P3)及式(M1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>可相同亦可不同，各別為烷基， <br/>R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>可為相同亦可為不同，各別為選自於由氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、炔基、芳基、羥基、羥化基、硫代羧基、二硫代羧基、磺基、亞磺酸基、氧化羰基、胺甲醯基、肼羰基、甲脒基、氰基、異氰基、氰氧基、異氰氧基、硫代氰氧基、異硫代氰氧基、甲醯基、側氧基、硫代甲醯基、硫基、巰基、胺基、亞胺基、肼基、烯丙氧基、硫醚基、硝基、及矽基構成之群組中之至少1種之取代基， <br/>X表示可配位於該配位中心之Pd的鹵素原子， <br/>R<sup>7</sup>表示可配位於該配位中心之Pd的具有π鍵結之碳數3之取代基、或選自胺化合物、膦化合物、腈化合物、或硫化合物之配位子， <br/>式(P3)及式(M5)中，RS3表示與下式(P1)中之RS1相同之該合成樹脂前驅物之主鏈； <br/><img align="absmiddle" height="144px" width="293px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該式(P1)中，X、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>係表示與該式(P3)及式(M1)中之X、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>相同之取代基， <br/>RS1表示下式(M2)表示之於末端具有-CH<sub>2</sub>OH基之合成樹脂前驅物的主鏈， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="198px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項3之交叉偶聯反應用觸媒，該式(P3)表示之結構為下式(P4)表示之結構： <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="332px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(P4)中，iPr表示異丙基，Me表示甲基，RS3表示與該式(P1)中之RS1相同之該合成樹脂前驅物之主鏈。
如請求項1至4中任一項之交叉偶聯反應用觸媒，係使用於C-N交叉偶聯反應。
一種融合蛋白，其包含：特異性結合腫瘤相關抗原的第一結合域；以及特異性結合CD47蛋白的第二結合域；其中，該第二結合域包含人SIRPα變體1的第33位至第149位胺基酸之序列SEQ ID NO：50的突變體，該突變體與SEQ ID NO：50所示的序列相比，在選自下組的胺基酸殘基處包含胺基酸取代：(1)I61V、E77N、QS2S、K83R和E84H；(2)I61F、V63I、K83R、E84K和V132I；(3)I61F、D95H、L96S、G109H和V132S；(4)I61F、D95H、L96S、K98R、G109H和V132S；(5)I61L、E77Q、E84D、V93A、R107N和V132I；(6)I61L、V63I、Q82G、E84G、D95R、L96S、N100D和V132I。
如申請專利範圍第1項所述的融合蛋白，其中該突變體的胺基酸序列選自SEQ ID NO：52、53、60、61、62和64中的任一項。
如申請專利範圍第1項所述的融合蛋白，其中該第一結合域包含抗體或其抗原結合片段或變體。
如申請專利範圍第1項所述的融合蛋白，其中該腫瘤相關抗原選自以下組：CD38、AXL和Trop2。
如申請專利範圍第4項所述的融合蛋白，其中該第一結合域包含CD38抗體或其抗原結合片段，其中該CD38抗體或其抗原結合片段包含HCDR1-3和LCDR1-3，該HCDR1-3的胺基酸序列依次為SEQ ID NO：4、SEQ ID NO：5和SEQ ID NO：6，該LCDR1-3的胺基酸序列依次為SEQ ID NO：1、SEQ ID NO：2和SEQ ID NO：3。
如申請專利範圍第4項所述的融合蛋白，其中該第一結合域包含AXL抗體或其抗原結合片段，其中該AXL抗體或其抗原結合片段包含HCDR1-3和LCDR1-3，該HCDR1-3的胺基酸序列依次為SEQ ID NO：25、SEQ ID NO：26和SEQ ID NO：27，該LCDR1-3的胺基酸序列依次為SEQ ID NO：22、SEQ ID NO：23和SEQ ID NO：24。
如申請專利範圍第4項所述的融合蛋白，其中該第一結合域包含Trop2抗體或其抗原結合片段，其中該Trop2抗體或其抗原結合片段包含HCDR1-3和LCDR1-3，該HCDR1-3的胺基酸序列依次為SEQ ID NO：39、SEQ ID NO：40和SEQ ID NO：41，該LCDR1-3的胺基酸序列依次為SEQ ID NO：36、SEQ ID NO：37和SEQ ID NO：38。
如申請專利範圍第1項所述的融合蛋白，其中該第一結合域位於所述第二結合域的N端。
如申請專利範圍第8項所述的融合蛋白，其中該融合蛋白還包含連接子，該連接子位於所述第一結合域的C端且位於該第二結合域的N端。
如申請專利範圍第1項所述的融合蛋白，其包含至少2個該第二結合域，其中該每個該第二結合域分別位於該第一結合域的C端。
如申請專利範圍第1至10項中任一項所述的融合蛋白，其包含兩條第一多肽鏈和兩條第二多肽鏈，其中：(1)該第一多肽鏈和該第二多肽鏈的胺基酸序列分別如SEQ ID NO：11和SEQ ID NO：75所示；(2)該第一多肽鏈和該第二多肽鏈的胺基酸序列分別如SEQ ID NO：11和SEQ ID NO：76所示；(3)該第一多肽鏈和該第二多肽鏈的胺基酸序列分別如SEQ ID NO：46和SEQ ID NO：78所示；或者(4)該第一多肽鏈和該第二多肽鏈的胺基酸序列分別如SEQ ID NO：32和SEQ ID NO：77所示。
一種分離的核酸分子，其編碼如申請專利範圍第1至11項中任一項所述的融合蛋白。
一種載體，其包含如申請專利範圍第12項所述的核酸分子。
一種組成物，其包含如申請專利範圍第1至11項中任一項所述的融合蛋白，或如申請專利範圍第12項所述的核酸分子，以及視需要地藥學上可接受的賦形劑。
一種如申請專利範圍第1至11項中任一項所述的融合蛋白、如申請專利範圍第12項所述的核酸分子、如申請專利範圍第13項所述的載體、或如申請專利範圍第14項所述的組成物在製備藥物中的用途，其中該藥物用於治療腫瘤或自體免疫疾病。
如申請專利範圍第15項所述的用途，其中該腫瘤包括多發性骨髓瘤、白血病、非霍奇金淋巴瘤、霍奇金淋巴瘤、神經膠質瘤、生殖細胞瘤、肉瘤、間皮瘤、胎盤瘤、腦癌、骨癌、皮膚癌、鼻咽癌、肺癌、口腔癌、食道癌、胃癌、肝癌、胰腺癌、前列腺癌、腸癌、乳腺癌、宮頸癌、卵巢癌和/或睾丸癌，該自體免疫疾病包括慢性淋巴性甲狀腺炎、甲狀腺功能亢進、胰島素依賴型糖尿病、重症肌無力、慢性潰瘍性結腸炎、惡性貧血伴慢性萎縮性胃炎、肺出血腎炎綜合症、尋常天皰瘡、類天皰瘡、原發性膽汁性肝硬變、多發性腦脊髓硬化症、急性特發性多神經炎、系統性紅斑狼瘡、類風濕性關節炎、硬皮病和/或結節性多動脈炎。
一種固體經口劑型，其包含325mg乙醯胺基酚及97.5mg異布洛芬(ibuprofen)或500mg乙醯胺基酚及150mg異布洛芬，其中該異布洛芬具有介於1與9μm之間之[D50]，其中該異布洛芬係藉由包括將異布洛芬與乙醯胺基酚及表面活性劑一起噴射研磨之方法製備，且其中異布洛芬在該固體經口劑型中之溶解率係當使用USP裝置II(槳片)，設定在50rpm之旋轉速度，於900mL 50mM pH 5.8磷酸鹽緩衝液中，於37℃下測試時，其中80%或以上之異布洛芬在15分鐘或更短時間內溶解。
如請求項1之固體經口劑型，其中該異布洛芬具有介於1與3μm之間之[D10]。
如請求項1之固體經口劑型，其中該異布洛芬具有介於3與16μm之間之[D90]。
如請求項1之固體經口劑型，其中該異布洛芬具有介於2與8μm之間之[D50]、介於1與3μm之間之[D 10]及介於4與16μm之間之[D90]。
如請求項1之固體經口劑型，其中至少85%至95%之異布洛芬在15分鐘或更短時間內溶解。
如請求項1之固體經口劑型，其中至少95%至100%之異布洛芬在10分鐘或更短時間內溶解。
如請求項1之固體經口劑型，其中該劑型係錠劑。
如請求項7之固體經口劑型，其中該錠劑經塗佈。
如請求項1之固體經口劑型，其中[D90]對[D50]比率介於4：1與1.5：1之間。
如請求項1之固體經口劑型，其中[D90]對[D50]比率介於3：1與1.5：1之間。
如請求項1之固體經口劑型，其中[D50]對[D10]比率介於4：1與1.5：1之間。
如請求項1之固體經口劑型，其中[D50]對[D10]比率介於3：1與1.5：1之間。
如請求項1之固體經口劑型，其中該固體經口劑型係經塗佈錠劑。
如請求項1之固體經口劑型，其係藉由包括噴射研磨包含21-23% wt/wt異布洛芬及73-75% wt/wt乙醯胺基酚之組合物之方法製備。
如請求項1之固體經口劑型，其中該表面活性劑係月桂基硫酸鈉。
一種如請求項1之固體經口劑型之用途，該固體經口劑型包含325mg乙醯胺基酚及97.5mg異布洛芬，其用於製造供治療疼痛之藥劑，其中該固體經口劑型係以1、2或3個單位之劑量投與。
如請求項16之用途，其中該藥劑係每天投與1、2、3或4次。
一種如請求項1之固體經口劑型之用途，該固體經口劑型包含500mg乙醯胺基酚及150mg異布洛芬，其用於製造供治療疼痛之藥劑，其中該固體經口劑型係以1或2個單位之劑量投與。
如請求項18之用途，其中該藥劑係每天投與1、2、3或4次。
如請求項16之用途，其中該疼痛係輕度至中度急性疼痛。
一種O/W型乳化組合物，其包含成分(A)、成分(B)、成分(E)、及成分(F)，並且含有成分(C)及成分(D)，且黏度未達10,000mPa‧s，成分(A)：磷酸腺苷及/或其鹽；成分(B)：丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯共聚物；成分(C)：選自膨潤型增黏劑、胺基甲酸酯締合型增黏劑、及其混合物之水溶性高分子，上述膨潤型增黏劑選自聚丙烯酸鈉、聚丙烯酸銨、丙烯醯胺/丙烯酸鈉共聚物、乙烯基吡咯啶酮/2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸共聚物、聚丙烯醯胺與聚丙烯酸鈉之混合物、丙烯酸鈉/2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸共聚物、丙烯酸羥基乙酯/2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸共聚物及其混合物，上述胺基甲酸酯締合型增黏劑選自(PEG-240/癸基十四醇聚醚-20/HDI)共聚物、(PEG-150/硬脂醇/SMDI)共聚物、(PEG-150/癸醇/SMDI)共聚物、聚胺基甲酸酯-59、及其混合物；成分(D)：選自胺丁三醇、胺基甲基丙二醇、胺基甲基丙醇、及其混合物之作為有機鹼之pH值調整劑；成分(E)：油分；成分(F)：水。
如請求項1之O/W型乳化組合物，其中成分(B)為分子量10萬~500萬之丙烯酸甲基丙烯酸烷基酯共聚物。
如請求項1之O/W型乳化組合物，其不含無機鹼之pH值調整劑、或包含無機鹼之pH值調整劑，且無機鹼之pH值調整劑/成分(D)(重量比)為0.1以下。
如請求項1之O/W型乳化組合物，其中成分(E)包含成分(G)，該成分(G)選自如下成分：熔點為30℃以上之非晶性高熔點油劑，其選自熔點為30℃以上之非晶性三酸甘油酯、熔點為30℃以上之非晶性脂肪酸固醇酯、凡士林、及其混合物；油性成分之膠化劑，其選自脂肪酸菊粉、脂肪酸糊精、聚甘油、二丁基乙基己醯基麩胺醯胺、二丁基月桂醯麩胺醯胺、二月桂醯麩胺醯離胺酸鈉、(乙烯基二甲聚矽氧烷/甲聚矽氧烷倍半矽氧烷)交聯聚合物、PEG/PPG-19/19二甲聚矽氧烷、及其混合物；聚矽氧觸感改良劑，其選自胺基改性聚矽氧、聚矽氧蠟、聚醚改性聚矽氧、高聚合二甲聚矽氧烷、聚矽氧乳液、聚矽氧粉末、及其混合物；及其混合物；且於成分(E)中含有成分(G)0.1~50重量%。
如請求項4之O/W型乳化組合物，其含有成分(G)0.1~5重量%。
如請求項1之O/W型乳化組合物，其不含無機鹼之pH值調整劑、或包含無機鹼之pH值調整劑，且無機鹼之pH值調整劑/成分(D)(重量比)為0.1以下，成分(E)包含成分(G)，該成分(G)選自如下成分：熔點為30℃以上之非晶性高熔點油劑，其選自熔點為30℃以上之非晶性三酸甘油酯、熔點為30℃以上之非晶性脂肪酸固醇酯、凡士林、及其混合物；油性成分之膠化劑，其選自脂肪酸菊粉、脂肪酸糊精、聚甘油、二丁基乙基己醯基麩胺醯胺、二丁基月桂醯麩胺醯胺、二月桂醯麩胺醯離胺酸鈉、(乙烯基二甲聚矽氧烷/甲聚矽氧烷倍半矽氧烷)交聯聚合物、PEG/PPG-19/19二甲聚矽氧烷、及其混合物；聚矽氧觸感改良劑，其選自胺基改性聚矽氧、聚矽氧蠟、聚醚改性聚矽氧、高聚合二甲聚矽氧烷、聚矽氧乳液、聚矽氧粉末、及其混合物；及其混合物；且於成分(E)中含有成分(G)0.1~50重量%。
如請求項6之O/W型乳化組合物，其含有成分(G)0.1~5重量%。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其pH值為5.5~7.5。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其中成分(B)為(丙烯酸酯類/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物；成分(C)為交聯型聚丙烯酸鈉及/或(PEG-240/癸基十四醇聚醚-20/HDI)共聚物；且黏度為1,500~10,000mPa‧s。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其中成分(B)為(丙烯酸酯類/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物；成分(D)為胺丁三醇；且黏度為1,500~10,000mPa‧s，且pH值為6~7。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其中成分(B)為(丙烯酸酯類/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物；成分(C)為交聯型聚丙烯酸鈉及/或(PEG-240/癸基十四醇聚醚-20/HDI)共聚物；成分(D)為胺丁三醇；且黏度為1,500~10,000mPa‧s，且pH值為6~7。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其中成分(C)/成分(A)(重量比)為0.01~30。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其中成分(C)/(成分(A)+成分(B))(重量比)為0.005~20。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其中成分(C)/成分(B)(重量比)為0.05~60。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其含有成分(A)0.001~10重量%，含有成分(B)0.05~2重量%，含有成分(E)0.1~50重量%。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其含有成分(C)0.01~10重量%。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其含有如下成分：成分(A)：磷酸腺苷及/或其鹽0.4~3.5重量%；成分(B)：(丙烯酸酯類/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物0.2~0.4重量%；成分(C)：交聯型聚丙烯酸鈉及/或(PEG-240/癸基十四醇聚醚-20/HDI)共聚物0.04~0.8重量%；成分(E)：油分5~8重量%；且黏度為1,500~10,000mPa‧s。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其含有如下成分：成分(A)：磷酸腺苷及/或其鹽0.4~3.5重量%；成分(B)：(丙烯酸酯類/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物0.2~0.4重量%；成分(D)：胺丁三醇、及/或胺基甲基丙二醇；成分(E)：油分5~8重量%；且黏度為1,500~10,000mPa‧s，且pH值為6~7。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其含有如下成分：成分(A)：磷酸腺苷及/或其鹽0.4~3.5重量%；成分(B)：(丙烯酸酯類/丙烯酸烷基(C10-30)酯)交聯聚合物0.2~0.4重量%；成分(C)：交聯型聚丙烯酸鈉及/或(PEG-240/癸基十四醇聚醚-20/HDI)共聚物0.04~0.8重量%；成分(D)：胺丁三醇、及/或胺基甲基丙二醇；成分(E)：油分5~8重量%；且黏度為1,500~10,000mPa‧s，且pH值為6~7。
如請求項1至7中任一項之O/W型乳化組合物，其進而含有成分(H)：水溶性保濕劑。
一種細胞培養用支架材料，其包含具有聚乙烯醇縮醛樹脂部、連結子部、及肽部之含肽聚乙烯醇縮醛樹脂，上述聚乙烯醇縮醛樹脂部與上述肽部係經由上述連結子部結合，上述肽部具有細胞黏著性胺基酸序列，細胞培養用支架材料之羥值為1100mgKOH/g以下，且細胞培養用支架材料之酸值為1400mgKOH/g以下。
一種細胞培養用支架材料，其包含具有聚乙烯醇縮醛樹脂部、連結子部、及肽部之含肽聚乙烯醇縮醛樹脂，上述聚乙烯醇縮醛樹脂部與上述肽部係經由上述連結子部結合，上述肽部具有細胞黏著性胺基酸序列，上述含肽聚乙烯醇縮醛樹脂之羥值為1100mgKOH/g以下，且上述含肽聚乙烯醇縮醛樹脂之酸值為1400mgKOH/g以下。
如請求項1或2之細胞培養用支架材料，其中上述含肽聚乙烯醇縮醛樹脂中，肽部之含有率為0.01莫耳%以上。
如請求項1或2之細胞培養用支架材料，其中上述細胞黏著性胺基酸序列至少具有RGD序列、YIGSR序列或PDSGR序列。
如請求項1或2之細胞培養用支架材料，其中上述細胞黏著性胺基酸序列至少具有下述式(1)所表示之RGD序列：Arg-Gly-Asp-X 式(1)上述式(1)中，X表示Gly、Ala、Val、Ser、Thr、Phe、Met、Pro或Asn。
如請求項1或2之細胞培養用支架材料，其中上述肽部包含3個以上10個以下之胺基酸。
如請求項1或2之細胞培養用支架材料，其中上述連結子部係源自連結子之結構部分，且上述連結子為具有聚合性不飽和基之羧酸。
一種細胞培養用容器，其具備容器本體、及如請求項1至7中任一項之細胞培養用支架材料，且上述細胞培養用支架材料配置於上述容器本體之表面上。
一種聚合物-聚合物複合拋光墊，可用於拋光或平坦化半導體、光學和磁性基底中至少一個的基底，該聚合物-聚合物複合拋光墊包括以下項：拋光層，該拋光層具有用於對該基底進行拋光或平坦化的拋光表面；形成該拋光層的聚合物基質，該聚合物基質具有拉伸強度，該聚合物基質包括氣體填充或液體填充的聚合物微元件；以及在該氣體填充或液體填充的聚合物微元件之間嵌入該聚合物基質中的氟聚合物顆粒，該氟聚合物顆粒的拉伸強度低於該聚合物基質的拉伸強度，其中金剛石磨料材料切割該氟聚合物，以形成減少數量的在1至10μm尺寸範圍內的墊碎屑顆粒；其中嵌入該聚合物基質中的該氟聚合物顆粒占該聚合物-聚合物複合拋光墊的2至30體積百分比。
如請求項1所述之聚合物-聚合物複合拋光墊，其中該氟聚合物具有比該聚合物基質更負的ζ電位，在蒸餾水中在pH 7下優先吸引帶正電的磨料顆粒所測量的。
如請求項1所述之聚合物-聚合物複合拋光墊，其中當使用陽離子帶電磨料顆粒時，該氟聚合物顆粒從陽離子顆粒漿料中吸引帶正電的顆粒，以提高拋光去除速率。
如請求項1所述之聚合物-聚合物複合拋光墊，其中當使用陰離子帶電磨料顆粒時，該氟聚合物顆粒從陰離子顆粒漿料中吸引帶負電的顆粒，以提高拋光去除速率。
一種聚合物-聚合物複合拋光墊，可用於拋光或平坦化半導體、光學和磁性基底中至少一個的基底，該聚合物-聚合物複合拋光墊包括以下項：拋光層，該拋光層具有用於對該基底進行拋光或平坦化的拋光表面；形成該拋光層的聚合物基質，該聚合物基質具有拉伸強度，該聚合物基質包括氣體填充或液體填充的聚合物微元件；以及在該氣體填充或液體填充的聚合物微元件之間嵌入該聚合物基質中的氟聚合物顆粒，該微元件具有小於150μm的重均直徑，且以0至50vol.%的孔隙率摻入該拋光層中，該氟聚合物顆粒的拉伸強度低於該聚合物基質的拉伸強度，其中金剛石磨料材料切割該氟聚合物，以形成減少數量的在1至10μm尺寸範圍內的墊碎屑顆粒；其中嵌入該聚合物基質中的該氟聚合物顆粒占該聚合物-聚合物複合拋光墊的2至30體積百分比。
如請求項5所述之聚合物-聚合物複合拋光墊，其中該氟聚合物具有比該聚合物基質更負的ζ電位，如在蒸餾水中在pH 7下優先吸引帶正電的磨料顆粒所測量的。
如請求項5所述之聚合物-聚合物複合拋光墊，其中當使用陽離子帶電磨料顆粒時，該氟聚合物顆粒從陽離子顆粒漿料中吸引帶正電的顆粒，以提高拋光去除速率。
如請求項5所述之聚合物-聚合物複合拋光墊，其中當使用陰離子帶電磨料顆粒時，該氟聚合物顆粒從陰離子顆粒漿料中吸引帶負電的顆粒，以提高拋光去除速率。
一種用於形成在真空處理中使用的一腔室部件之方法，包含以下步驟： <br/>獲得一真空處理腔室的該腔室部件，該腔室部件包含： <br/>一表面，其中該表面為一金屬；及 <br/>透過該腔室部件的該表面中形成的一凹口，該凹口具有從約0.5mm至約10mm之範圍的一深度及從約1mm至約15mm之範圍的一寬度，該深度為從該表面至該凹口的一底部；及 <br/>使用一雷射處置拋光該凹口的該底部，以形成具有1微米或更小的一Ra數之一拋光的底部； <br/>其中該雷射處置為雷射燒蝕，包含將該凹口的該底部表面暴露至一雷射輻射，且其中該雷射輻射具有從約每秒0.01公尺至約每秒30公尺之範圍的一掃描率。
如請求項1所述之方法，其中該腔室部件為一基板支撐件，而配置成保持用於在該真空處理腔室中處理的一基板。
如請求項2所述之方法，其中該凹口為一溝槽。
如請求項1所述之方法，其中該雷射輻射具有從約0.4瓦至約400瓦之範圍的一功率。
如請求項1所述之方法，其中該表面來自鋁或不銹鋼。
如請求項1所述之方法，其中該凹口藉由銑削形成。
一種用於處置在真空處理中使用的一腔室部件之方法，包含以下步驟： <br/>獲得一真空處理腔室的該腔室部件，該腔室部件包含： <br/>一表面，其中該表面為金屬； <br/>一凹口，透過該表面而形成；及 <br/>一刮痕，佈置於該凹口的一底部表面中，該凹口具有從約0.5mm至約10mm之範圍的一深度及從約1mm至約15mm之範圍的一寬度，該深度為從該表面至該底部表面；及 <br/>使用一雷射處置從該凹口的該底部表面移除該刮痕，以形成具有1微米或更小的一Ra數之一拋光的底部表面； <br/>其中該雷射處置為雷射燒蝕，包含將該凹口的該底部表面暴露至一雷射輻射，且其中該雷射輻射具有從約每秒0.01公尺至約每秒30公尺之範圍的一掃描率。
如請求項7所述之方法，其中該腔室部件為一基板支撐件，而配置成保持用於在該真空處理腔室中處理的一基板。
如請求項8所述之方法，其中該凹口為一溝槽。
如請求項7所述之方法，其中該雷射輻射具有從約0.4瓦至約400瓦之範圍的一功率。
如請求項10所述之方法，其中該雷射輻射具有從約10飛秒至約100奈秒之範圍的一脈衝時期。
如請求項11所述之方法，其中該雷射輻射具有從約1KHz至約10MHz之範圍的一重複率。
一種用於處置在真空處理中使用的一基板支撐件之方法，包含以下步驟： <br/>獲得一真空處理腔室的該基板支撐件，該基板支撐件包含： <br/>一表面，其中該表面為一金屬； <br/>一密封溝槽，透過該表面而形成，該密封溝槽配置成容納一密封件（seal）；及 <br/>一刮痕，在該密封溝槽的一底部表面中，該密封溝槽具有從約0.5mm至約10mm之範圍的一深度及從約1mm至約15mm之範圍的一寬度，該深度為從該表面至該底部表面；及 <br/>使用一雷射處置從該密封溝槽的該底部表面移除該刮痕，以形成具有1微米或更小的一Ra數之一拋光的底部表面； <br/>其中該雷射處置包含引導雷射輻射至該密封溝槽的該底部表面，且其中該雷射輻射具有從約每秒0.01公尺至約每秒30公尺之範圍的一掃描率。
如請求項13所述之方法，其中該雷射輻射具有從約0.4瓦至約400瓦之範圍的一功率。
如請求項14所述之方法，其中該雷射輻射具有從約10飛秒至約100奈秒之範圍的一脈衝時期。
如請求項15所述之方法，其中該雷射輻射具有從約1KHz至約10MHz之範圍的一重複率。
一種形成結構之方法，該方法包含：提供基板，該基板視情況於其上包括一或多個中間層；將組成物施加至該基板，或若存在該一或多個中間層，則將組成物施加至該一或多個中間層上，以便形成矽硬質罩幕層，該組成物包含分散或溶解於溶劑系統中之聚矽氧烷，該聚矽氧烷包含：黏著促進單體，其具有選自以下中之一或兩者之結構：<figure><img align="absmiddle" height="150px" width="296px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>其中：各R單獨地選自C<sub>1</sub>至約C<sub>6</sub>烷基及氫；n為1至約6；且各X單獨地選自縮水甘油氧基、環氧樹脂、環氧環烷基、丁二酸酐或乙醯胺基部分；以及以下中之一或兩者：表面改質單體，其具有選自以下中之一或兩者之結構：<figure><img align="absmiddle" height="141px" width="313px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure>其中：各R<sub>1</sub>單獨地選自C<sub>1</sub>至約C<sub>6</sub>烷基且選自C<sub>6</sub>至約C<sub>20</sub>芳基；各R<sub>2</sub>單獨地選自C<sub>1</sub>至約C<sub>6</sub>烷基及氫；各R<sub>3</sub>單獨地選自C<sub>1</sub>至約C<sub>6</sub>烷基及氫；m為1至約6；且各Y單獨地選自乙醯氧基、酯或芳基部分；以及緻密化單體，其具有選自以下中之一者、兩者或三者之結構：<figure><img align="absmiddle" height="146px" width="440px" file="d10012.TIF" alt="化學式ed10012.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10012.png"/></figure>其中各R<sub>4</sub>單獨地選自C<sub>1</sub>至約C<sub>6</sub>烷基及氫；視情況在該矽硬質罩幕層上形成六甲基二矽氧烷上底漆層；若存在該六甲基二矽氧烷上底漆層，則在其上形成光阻層，或若不存在六甲基二矽氧烷上底漆層，則在該矽硬質罩幕層上形成光阻層；以及使該光阻層之至少一部分經受EUV輻射。
如請求項1之方法，其中該聚矽氧烷包含該表面改質單體及該緻密化單體中之兩者。
如請求項1之方法，其中該聚矽氧烷包含：約2mol%至約50mol%之黏著促進單體；約5mol%至約90mol%之表面改質單體；以及約0mol%至約80mol%之緻密化單體。
如請求項1之方法，其中該聚矽氧烷包含：約2mol%至約50mol%之黏著促進單體；約0mol%至約70mol%之表面改質單體；以及約2mol%至約90mol%之緻密化單體。
如請求項1之方法，其中該聚矽氧烷包含：約0.01mol%至約30mol%之黏著促進單體；約0mol%至約70mol%之表面改質單體；以及約30mol%至約95mol%之緻密化單體。
如請求項1之方法，其中該基板選自由以下組成之群：矽、SiGe、SiO<sub>2</sub>、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、SiON、SiCO：H、鋁、鎢、矽化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、氮化鉭、Ti<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、鉿、HfO<sub>2</sub>、釕、磷化銦、玻璃及前述之混合物。
如請求項1之方法，其進一步包含在該使該光阻層經受EUV輻射之後，在該光阻層中形成圖案。
如請求項7之方法，其進一步包含將該圖案轉印至該矽硬質罩幕層；若存在該等中間層，則將該圖案轉印至該等中間層；以及將該圖案轉印至該基板。
如請求項1之方法，其中存在中間層，且該中間層為富碳層。
如請求項1至9中任一項之方法，其中該溶劑系統由以下組成：丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、乳酸乙酯、環己酮、γ-丁內酯、甲基異丁基甲醇或其混合物。
一種形成結構之方法，該方法包含：提供基板，該基板視情況於其上包括一或多個中間層；將組成物施加至該基板，或若存在該一或多個中間層，則將組成物施加至該一或多個中間層上，以便形成矽硬質罩幕層，該組成物包含分散或溶解於溶劑系統中之聚矽氧烷，該聚矽氧烷包含：黏著促進單體，其包含環氧樹脂官能性三烷氧基矽烷、酸酐官能性三烷氧基矽烷、乙醯胺基官能性三烷氧基矽烷或其混合物；以及以下中之一或兩者：四烷氧基矽烷；或表面改質單體，其選自二烷氧基矽烷、三烷氧基矽烷或其組合；視情況在該矽硬質罩幕層上形成六甲基二矽氧烷上底漆層；若存在該六甲基二矽氧烷上底漆層，則在其上形成光阻層，或若不存在六甲基二矽氧烷上底漆層，則在該矽硬質罩幕層上形成光阻層；以及使該光阻層之至少一部分經受EUV輻射。
如請求項11之方法，其中該四烷氧基矽烷選自四乙氧基矽烷或正矽酸四甲酯中之一或兩者。
如請求項11之方法，其中該黏著促進單體選自(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷、5,6-環氧己基-三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)-乙基三甲氧基矽烷、[3-(三乙氧基矽烷基)丙基]-丁二酸酐、(3-乙醯胺基丙基)-三甲氧基矽烷或其混合物。
如請求項11之方法，該聚矽氧烷包含該四烷氧基矽烷及該表面改質單體兩者。
如請求項11之方法，其中該表面改質單體選自甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基-矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯乙基-三甲氧基矽烷、2-(甲氧羰基)乙基三甲氧基-矽烷、乙醯氧基乙基三甲氧基矽烷、乙基-三甲氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷或其混合物。
如請求項11之方法，其中該聚矽氧烷包含：約2mol%至約50mol%之黏著促進單體；約5mol%至約90mol%之表面改質單體；以及約0mol%至約80mol%之緻密化單體。
如請求項11之方法，其中該聚矽氧烷包含：約2mol%至約50mol%之黏著促進單體；約0mol%至約70mol%之表面改質單體；以及約2mol%至約90mol%之緻密化單體。
如請求項11之方法，其中該聚矽氧烷包含：約0.01mol%至約30mol%之黏著促進單體；約0mol%至約70mol%之表面改質單體；以及約30mol%至約95mol%之緻密化單體。
如請求項11之方法，其中該基板選自由以下組成之群：矽、SiGe、SiO<sub>2</sub>、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、SiON、SiCO：H、鋁、鎢、矽化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、氮化鉭、Ti<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、鉿、HfO<sub>2</sub>、釕、磷化銦、玻璃及前述之混合物。
如請求項11之方法，其進一步包含在該使該光阻層經受EUV輻射之後，在該光阻層中形成圖案。
如請求項11之方法，其中存在中間層，且該中間層為富碳層。
如請求項11至21中任一項之方法，其中該溶劑系統由以下組成：丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、乳酸乙酯、環己酮、γ-丁內酯、甲基異丁基甲醇或其混合物。
如請求項1至5中任一項之方法，其中該聚矽氧烷具有1,000至8,000g/mol之重量平均分子量。
如請求項23之方法，其中該聚矽氧烷具有1,500至5,000g/mol之重量平均分子量。
如請求項11或12之方法，其中該聚矽氧烷具有1,000至8,000g/mol之重量平均分子量。
如請求項25之方法，其中該聚矽氧烷具有1,500至5,000g/mol之重量平均分子量。
如請求項1至5中任一項之方法，其中該聚矽氧烷包含5mol%至35mol%之黏著促進單體。
如請求項27之方法，其中該聚矽氧烷包含10mol%至20mol%之黏著促進單體。
如請求項28之方法，其中該聚矽氧烷包含40mol%至70mol%之表面改質單體。
如請求項11或12之方法，其中該聚矽氧烷包含5mol%至35mol%之黏著促進單體。
如請求項30之方法，其中該聚矽氧烷包含10mol%至20mol%之黏著促進單體。
如請求項31之方法，其中該聚矽氧烷包含40mol%至70mol%之表面改質單體。
如請求項1至5中任一項之方法，其中該組成物進一步包含添加劑，其選自氯化苄基三乙銨、溴化第三丁基鏻、溴化乙基三苯基鏻或三乙氧基-3-(2-咪唑啉-1-基)丙基矽烷中之一或多者。
如請求項11或12之方法，其中該組成物進一步包含添加劑，其選自氯化苄基三乙銨、溴化第三丁基鏻、溴化乙基三苯基鏻或三乙氧基-3-(2-咪唑啉-1-基)丙基矽烷中之一或多者。
如請求項1至5中任一項之方法，其中該組成物基本上由聚矽氧烷、溶劑系統及光酸產生劑組成。
如請求項11或12之方法，其中該組成物基本上由聚矽氧烷、溶劑系統及光酸產生劑組成。
一種半導體發光元件，係具備：<br/>n型半導體層，係由n型AlGaN系半導體材料所構成；<br/>活性層，係由AlGaN系半導體材料所構成，且設置於前述n型半導體層的第一上表面；<br/>n側接觸電極，係與前述n型半導體層的第二上表面接觸地設置；<br/>n側電極覆蓋層，係由Ti或TiN所構成，且將前述n側接觸電極的上表面以及側面覆蓋；<br/>p型半導體層，係設置於前述活性層上；<br/>p側接觸電極，係由Rh所構成，且與前述p型半導體層的上表面接觸；<br/>p側電極覆蓋層，係由Ti或TiN所構成，且將前述p側接觸電極的上表面以及側面覆蓋；<br/>第一保護層，係由SiO<sub>2</sub>或SiON所構成，具有設置於前述p側電極覆蓋層的上表面的一部分之第一p側墊開口，且於與前述第一p側墊開口不同處將前述p側電極覆蓋層的上表面以及側面覆蓋；<br/>第二保護層，係由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>所構成，具有與前述第一p側墊開口連通的第二p側墊開口，且於與前述第二p側墊開口不同處將前述第一保護層、前述p型半導體層的側面以及前述活性層的側面覆蓋；<br/>第三保護層，係由SiO<sub>2</sub>所構成，具有設置於前述p側電極覆蓋層上的第三p側墊開口以及設置於前述n側電極覆蓋層上的n側墊開口，且於與前述第三p側墊開口不同處中將前述第二保護層覆蓋，並且於與前述n側墊開口不同處將前述n側電極覆蓋層覆蓋；<br/>p側墊電極，係於前述第一p側墊開口或者前述第三p側墊開口中與前述p側電極覆蓋層接觸；以及<br/>n側墊電極，係設置於前述n側墊開口。
如請求項1所記載之半導體發光元件，其中前述第二保護層係具有設置於前述n型半導體層的前述第二上表面的一部分之n側接觸開口，且進一步地在與前述n側接觸開口不同處將前述n型半導體層的前述第二上表面覆蓋；<br/>前述n側接觸電極係於前述n側接觸開口中與前述n型半導體層的前述第二上表面接觸，且於前述n側接觸開口的外緣中設置於前述第二保護層的上側。
如請求項1或2所記載之半導體發光元件，其中前述p側電極覆蓋層係以與前述p型半導體層接觸的方式設置；<br/>前述第一保護層係進一步地於與設置有前述p側接觸電極以及前述p側電極覆蓋層之處不同處將前述p型半導體層之前述上表面覆蓋。
如請求項1或2所記載之半導體發光元件，其中前述n側墊電極係於前述n側墊開口中與前述n側電極覆蓋層接觸。
如請求項1或2所記載之半導體發光元件，其中前述第一保護層係未與前述n型半導體層接觸。
一種半導體發光元件的製造方法，係具備：<br/>形成活性層的步驟，係於由n型AlGaN系半導體材料所構成的n型半導體層的第一上表面形成前述活性層，且前述活性層由AlGaN系半導體材料所構成；<br/>於前述活性層上形成p型半導體層的步驟；<br/>形成p側接觸電極的步驟，前述p側接觸電極係由Rh所構成且與前述p型半導體層的上表面接觸；<br/>形成p側電極覆蓋層的步驟，前述p側電極覆蓋層係由Ti或TiN所構成且將前述p側接觸電極覆蓋；<br/>形成第一保護層的步驟，前述第一保護層係由SiO<sub>2</sub>或SiON所構成且將前述p型半導體層的上表面覆蓋並且將前述p側電極覆蓋層的上表面以及側面覆蓋；<br/>於與已形成有前述p側接觸電極的區域不同的區域中將前述第一保護層、前述p型半導體層以及前述活性層去除，使前述n型半導體層的第二上表面露出的步驟；<br/>形成第二保護層的步驟，前述第二保護層係由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>所構成且將前述第一保護層、前述p型半導體層的側面以及前述活性層的側面覆蓋；<br/>形成n側接觸電極的步驟，前述n側接觸電極係與前述n型半導體層的前述第二上表面接觸；<br/>形成n側電極覆蓋層的步驟，前述n側電極覆蓋層係由Ti或TiN所構成且將前述n側接觸電極的上表面以及側面覆蓋；<br/>形成將前述p側接觸電極上的前述第二保護層貫通的第二p側墊開口的步驟；<br/>形成將前述p側接觸電極上的前述第一保護層貫通且與前述第二p側墊開口連通的第一p側墊開口的步驟；<br/>形成第三保護層的步驟，前述第三保護層係由SiO<sub>2</sub>所構成且於前述第一p側墊開口形成後將於前述第一p側墊開口中露出的前述p側電極覆蓋層、前述第二保護層以及前述n側電極覆蓋層覆蓋；<br/>形成將前述p側電極覆蓋層上的前述第三保護層貫通的第三p側墊開口並且形成將前述n側電極覆蓋層上的前述第三保護層貫通的n側墊開口的步驟；<br/>於前述第三p側墊開口之形成後形成p側墊電極的步驟，前述p側墊電極係接觸於前述第一p側墊開口或者前述第三p側墊開口露出的前述p側電極覆蓋層；以及<br/>於前述n側墊開口形成n側墊電極的步驟。
如請求項6所記載之半導體發光元件的製造方法，其中前述第二保護層係形成為進一步地將前述n型半導體層的前述第二上表面覆蓋；<br/>前述半導體發光元件的製造方法進一步具備：形成n側接觸開口的步驟，前述n側接觸開口係將設置於前述n型半導體層的前述第二上表面的一部分之前述第二保護層貫通；<br/>前述n側接觸電極係以於前述n側接觸開口的外緣中設置於前述第二保護層的上側之方式來形成。
一種積體電路結構，包含： <br/> 在基板上方的第一半導體子鰭上方的第一垂直排列的水平奈米線和所述第一垂直排列的水平奈米線上方的第一介電質覆蓋層，其中所述第一介電質覆蓋層和所述第一垂直排列的水平奈米線中的奈米線具有錐形側壁； <br/> 在橫向地相鄰於所述第一半導體子鰭的第二半導體子鰭上方的第二垂直排列的水平奈米線和所述第二垂直排列的水平奈米線上方的第二介電質覆蓋層，其間不具有經去除的鰭位置，其中所述第二介電質覆蓋層和所述第二垂直排列的水平奈米線中的奈米線具有錐形側壁； <br/> 橫向地在所述第一半導體子鰭和所述第二半導體子鰭之間的第一隔離結構，所述第一隔離結構具有最大高度和最大寬度，其中所述最大高度與所述最大寬度之比小於3：1； <br/> 在橫向地相鄰於所述第二半導體子鰭的第三半導體子鰭上方的第三垂直排列的水平奈米線和所述第三垂直排列的水平奈米線上方的第三介電質覆蓋層，其間具有經去除的鰭位置，所述經去除的鰭位置包含所述基板中的起伏，其中所述第三介電質覆蓋層和所述第三垂直排列的水平奈米線中的奈米線具有錐形側壁；以及 <br/> 橫向地在所述第二半導體子鰭和所述第三半導體子鰭之間的第二隔離結構，其中所述第二隔離結構是從所述第二半導體子鰭到所述第三半導體子鰭且在所述基板中的起伏上方的連續隔離結構。
如請求項1的積體電路結構，其中所述第一隔離結構的最大高度與最大寬度之比小於2：1。
如請求項2的積體電路結構，其中所述第一隔離結構的最大高度與最大寬度之比小於1：1。
如請求項1的積體電路結構，其中所述第一半導體子鰭和所述第二半導體子鰭中之各者具有最大高度和最大寬度，其中所述最大高度與所述最大寬度之比小於3：1。
如請求項4的積體電路結構，其中所述第一半導體子鰭和所述第二半導體子鰭中之各者的最大高度與最大寬度之比小於2：1。
如請求項5的積體電路結構，其中所述第一半導體子鰭和所述第二半導體子鰭中之各者的最大高度與最大寬度之比小於1：1。
如請求項1的積體電路結構，還包含： <br/> 在所述第一垂直排列的水平奈米線上方的第一閘極堆疊；以及 <br/> 在所述第二垂直排列的水平奈米線上方的第二閘極堆疊。
如請求項7的積體電路結構，還包含： <br/> 在所述第一垂直排列的水平奈米線的第一和第二端並且在所述第一閘極堆疊的第一和第二側面的第一對磊晶源極或汲極結構；以及 <br/> 在所述第二垂直排列的水平奈米線的第一和第二端並且在所述第二閘極堆疊的第一和第二側面的第二對磊晶源極或汲極結構。
如請求項8的積體電路結構，其中所述第一和第二對磊晶源極或汲極結構為第一和第二對離散磊晶源極或汲極結構。
如請求項8的積體電路結構，其中所述第一和第二對磊晶源極或汲極結構為第一和第二對非離散磊晶源極或汲極結構。
如請求項1的積體電路結構，其中所述第一和第二半導體子鰭包含塊狀矽基板的一部分。
一種裝置用硬化性黏著片，其具有含有下述(A)成分及(B)成分的接著劑層， <br/>(A) 成分︰具有乙烯基的聚苯醚樹脂， <br/>(B)成分︰具有2個在末端具有雙鍵的烴基、且具有三聚異氰酸酯骨架或甘脲骨架的雜環骨架的化合物，且具有三聚異氰酸酯骨架的（B）成分為下述式(7)所示的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="377px" width="552px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(7)中，R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>係分別獨立地表示末端具有雙鍵的烴基，R<sup>23</sup>係表示碳數1~15的飽和烴基、碳數1~15的烷氧基取代烷基)。
一種裝置用硬化性黏著片，其具有含有下述(A)成分、(B)成分及(C)成分的接著劑層， <br/>(A) 成分︰具有乙烯基的聚苯醚樹脂，10~50質量%， <br/>(B)成分︰具有2個在末端具有雙鍵的烴基、且具有三聚異氰酸酯骨架或甘脲骨架的雜環骨架的化合物，6~50質量%，其中，且具有三聚異氰酸酯骨架的（B）成分為下述式(7)所示的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="377px" width="552px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(7)中，R<sup>21</sup>、R<sup>22</sup>係分別獨立地表示末端具有雙鍵的烴基，R<sup>23</sup>係表示碳數1~15的飽和烴基、碳數1~15的烷氧基取代烷基) <br/>(C)成分：改質聚烯烴樹脂，40~80質量%。
一種裝置用硬化性黏著片，其具有含有下述(A)成分、(B)成分及(D)成分的接著劑層， <br/>(A)成分︰具有乙烯基的聚苯醚樹脂， <br/>(B)成分︰具有2個在末端具有雙鍵的烴基、且具有三聚異氰酸酯骨架或甘脲骨架的雜環骨架的化合物， <br/>(D)成分︰陽離子聚合起始劑。
一種裝置用硬化性黏著片，其具有含有下述(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分的接著劑層， <br/>(A)成分︰具有乙烯基的聚苯醚樹脂，10~50質量%， <br/>(B)成分︰具有2個在末端具有雙鍵的烴基、且具有三聚異氰酸酯骨架或甘脲骨架的雜環骨架的化合物，6~50質量%， <br/>(C)成分：改質聚烯烴樹脂，40~80質量%， <br/>(D)成分︰陽離子聚合起始劑。
如請求項1~4任一者所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述(B)成分的分子量為1,000以下。
如請求項1~4任一者所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述(B)成分係以下述式所表示的化合物： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="121px" width="192px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R係表示碳數5~15的飽和烴基。
如請求項1或3所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述接著劑層含有烯烴系樹脂作為黏合劑樹脂。
如請求項1或3所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述接著劑層含有具有反應性官能基的樹脂作為黏合劑樹脂。
如請求項1或2所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述接著劑層，更包含下述(D)成分： <br/>(D)成分︰陽離子聚合起始劑。
如請求項1~4任一者所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述接著劑層，係含有具有環狀醚基化合物的層、或不含具有環狀醚基化合物的層，具有環狀醚基化合物的含量在接著劑層中未滿5質量%。
如請求項1~4任一者所述之裝置用硬化性黏著片，其中上述接著劑層，係含有在25°C為液體的化合物的層，在25℃為液體的化合物含量，在接著劑層中為5質量%以上。
如請求項11所述之裝置用硬化性黏著片，其中在25°C為液體的化合物的至少1種係具有2個在末端具有雙鍵的烴基、且具有三聚異氰酸酯骨架或甘脲骨架的雜環骨架的化合物。
如請求項12所述之裝置用硬化性黏著片，其中具有2個在末端具有雙鍵的烴基、具有三聚異氰酸酯骨架或甘脲骨架的雜環骨架、且在25°C為液體的化合物的含量，係在25°C為液體的化合物的全量中的90質量%以上。
一種表面處理裝置，是於表面處理槽具備有至少1個以上之板狀的攪拌板，並使該攪拌板相對於被電鍍物進行往復移動，用以攪拌上述被電鍍物近旁之表面處理液的表面處理裝置，其特徵為： <br/>上述攪拌板，其複數的方棒是沿著上述被電鍍物而設在上述表面處理液的深度方向或是水平方向上，並以一定的間隔形成為一體， <br/>於上述攪拌板之端部的至少1邊，設有用以排開液體的切液部。
如請求項1所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述切液部的形狀，於該切液部之厚度方向的斷面，為前端尖細形狀或是圓形狀。
如請求項2所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述方棒，於該方棒之厚度方向的斷面，是相對於上述被電鍍物設有曲面， <br/>上述曲面，是相對於上述被電鍍物，交互地設為朝向左及朝向右。
如請求項1至3中之任一項所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述間隔，是形成為10~30mm。
如請求項3所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述方棒，是5~10mm的方形。
如請求項5所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述曲面，其半徑R為3~10mm。
如請求項1至3中之任一項所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述攪拌板與上述被電鍍物的距離為10~30mm。
如請求項1至3中之任一項所述的表面處理裝置，其中， <br/>更具備用以使上述攪拌板在移動速度為35~600 mm/s、行程為50~200mm的條件下，進行往復移動的動力手段。
如請求項1至3中之任一項所述的表面處理裝置，其中， <br/>上述攪拌板，是設在被電鍍物的兩側。
一種表面處理方法，是使用至少1個以上之板狀的攪拌板，並使該攪拌板相對於被電鍍物進行往復移動，用以攪拌上述被電鍍物近旁之表面處理液的表面處理方法，其特徵為： <br/>上述攪拌板，其複數的方棒是沿著上述被電鍍物而設在上述表面處理液的深度方向或是水平方向上，並以一定的間隔形成為一體， <br/>於上述攪拌板之端部的至少1邊，設有用以排開液體的切液部。
一種攪拌板，是相對於被電鍍物進行往復移動，用以攪拌上述被電鍍物近旁的表面處理液之板狀的攪拌板，其特徵為： <br/>上述攪拌板，其設於單方向之複數的方棒是以一定的間隔形成為一體， <br/>於上述攪拌板之端部的至少1邊，設有用以排開液體的切液部。
一種化合物(R)-2-[3-[4-胺基-3-(2-氟-4-苯氧基-苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-1-基]哌啶-1-羰基]-4-甲基-4-[4-(氧呾-3-基)哌<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>-1-基]戊-2-烯腈之用途，其係用於製造用於治療天皰瘡之藥物，其中該藥物係每日兩次投予至人類患者達至少14天，以提供每次投予至少400mg之該化合物之劑量，其中該人類患者之特徵在於在投予該藥物之前患有復發性天皰瘡。
如請求項1之用途，其中該藥物係每日兩次投予至該人類患者達14至84天，以提供至少400mg之該化合物之劑量。
如請求項1之用途，其中該藥物係與劑量小於或等於0.5mg/kg/天的第一皮質類固醇併用而投與至該人類患者。
如請求項3之用途，其中該第一皮質類固醇係選自潑尼松(prednisone)、潑尼松龍(prednisolone)及甲基潑尼松龍(methylprednisolone)。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該人類患者之特徵在於在投予該藥物之前之天皰瘡疾病活性指數(PDAI)皮膚分數為8分至60分。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該人類患者之特徵在於在投予該藥物之前，具有小於或等於0.5mg/kg/天之第二皮質類固醇之維持劑量。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該化合物包含(R)-2-[3-[4-胺基-3-(2-氟-4-苯氧基-苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-1-基]哌啶-1-羰基]-4-甲基-4-[4-(氧呾-3-基)哌<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>-1-基]戊-2-烯腈之(E)異構物。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該化合物包含(R)-2-[3-[4-胺基-3-(2-氟-4-苯氧基-苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-1-基]哌啶-1-羰基]-4-甲基-4-[4-(氧呾-3-基)哌<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>-1-基]戊-2-烯腈之(Z)異構物。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該化合物包含(R)-2-[3-[4-胺基-3-(2-氟-4-苯氧基-苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-1-基]哌啶-1-羰基]-4-甲基-4-[4-(氧呾-3-基)哌<img align="absmiddle" height="19px" width="20px" file="d10004.TIF" alt="其他非圖式ed10004.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10004.png"/>-1-基]戊-2-烯腈之(E)及(Z)異構物之混合物。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係用於治療尋常天皰瘡。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係用於治療落葉型天皰瘡。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係用於減少該人類患者之平均每日皮質類固醇用量。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係用於癒合至少50%之已建立的天皰瘡病灶。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係用於預防新的天皰瘡病灶形成。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係用於減少天皰瘡疾病活性指數皮膚分數。
如請求項15之用途，其中該藥物係用於減少至少20%之天皰瘡疾病活性指數皮膚分數。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該人類患者之特徵在於在投予該藥物之後，天皰瘡疾病活性指數皮膚分數為0或1。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係進一步達成天皰瘡之疾病活性控制。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係進一步達成天皰瘡鞏固期結束。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該藥物係經口投予至該人類患者。
一種組成物，其包含：環烯烴；開環複分解聚合觸媒；及至少40wt.%之導熱粒子，該等導熱粒子係選自氧化鋁、三水合氧化鋁、碳化矽、氮化硼、氮化鋁、石墨、氧化鋅、或其組合；其中該等導熱粒子之至少20vol.%具有不大於10微米的粒徑，且該等導熱粒子之至少10vol.%具有至少30微米的粒徑；其中該組成物在固化之後具有至少1W/M*K之導熱率。
如請求項1之組成物，其中該等導熱粒子之至少50vol.%具有不大於10微米的粒徑。
如請求項1或2之組成物，其中該等導熱粒子之至少10vol.%具有至少50微米的粒徑。
如請求項1或2之組成物，其中該組成物進一步包含具有範圍從大於10微米至小於30微米之中等粒徑的導熱粒子。
如請求項1或2之組成物，其中該環烯烴包含具有至少兩個碳-碳雙鍵的環狀部分。
如請求項1或2之組成物，其中該環烯烴包含選自環戊二烯及其寡聚物之部分。
如請求項1或2之組成物，其中該環烯烴進一步包含環狀單烯烴或烷基降莰烯。
如請求項1或2之組成物，其進一步包含異氰酸酯助黏劑、分散劑、官能性彈性體、及其組合。
如請求項8之組成物，其中該異氰酸酯助黏劑係多元醇與MDI之反應產物，其中該多元醇在主鏈中具有一或多個氧原子。
如請求項1或2之組成物，其中該組成物具有下列物理性質中之一或多者：i)至少70℃之玻璃轉移溫度；ii)在140℃下至少1MPa之對鋁的重疊剪切黏著性；iii)小於4之介電常數；iv)小於0.005的tan△；及v)小於5.5之密度/體積%填料。
如請求項1或2之組成物，其中該組成物係黏著劑。
一種包含基材及設置於該基材之表面上之經固化之組成物之物品，其中該經固化之組成物係如請求項1至11中任一項之組成物之反應產物。
如請求項12之物品，其中該基材係金屬基材。
一種電池組模組，其包含複數個電池組單元，該複數個電池組單元藉由如請求項1至11中任一項之組成物之第一層連接至第一基板。
一種半導體裝置，其包括： <br/>電子裝置，其包括第一裝置側、與所述第一裝置側相對的第二裝置側和在所述第一裝置側與所述第二裝置側之間延伸的第一橫向裝置側；和 <br/>基板，其包括面朝所述第二裝置側的第一基板側、與所述第一基板側相對的第二基板側和在所述第一基板側與所述第二基板側之間延伸的第一橫向基板側， <br/>其中所述基板包括： <br/>第一導電圖案（CP1），其包括面朝所述電子裝置的第一CP1側、與所述第一CP1側相對的第二CP1側和在所述第一CP1側與所述第二CP1側之間延伸的第一橫向CP1側； <br/>第一阻擋結構，其位於所述第一橫向CP1側上，其中所述第一阻擋結構包括金屬； <br/>第二導電圖案（CP2），其包括面朝所述第二CP1側的第一CP2側、與所述第一CP2側相對的第二CP2側和在所述第一CP2側與所述第二CP2側之間延伸的第一橫向CP2側；以及 <br/>第一介電質，其橫向地圍繞整個所述第二導電圖案（CP2）， <br/>其中所述第一CP2橫向側不含金屬阻擋結構。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一導電圖案（CP1）包括第一銅層； <br/>所述第二導電圖案（CP2）包括第二銅層；以及 <br/>所述第一阻擋結構包括接觸所述第一橫向CP1側的氧化物。
根據請求項2所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋結構抑制所述第一銅層的銅的橫向遷移。
根據請求項1所述的半導體裝置，其包括接觸所述第二CP2側的一部分的介電質。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一CP1側不含所述第一阻擋結構；且 <br/>所述第一阻擋結構覆蓋所述第二CP1側的大部分。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一導電圖案（CP1）包括CP1軌跡和從所述CP1軌跡垂直地延伸的CP1通孔； <br/>所述第一阻擋結構橫向地圍繞所述CP1軌跡和所述CP1通孔；以及 <br/>所述基板包括介電材料，其中所述介電材料的單一層橫向地圍繞所述CP1軌跡和所述CP1通孔。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋結構包括： <br/>第一阻擋氧化物，其接觸所述第一橫向CP1側，所述第一阻擋氧化物包括橫向地背離所述第一橫向CP1側的第一橫向側；和 <br/>第一晶種金屬，其接觸所述第一阻擋氧化物的所述第一橫向側。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一阻擋結構覆蓋大部分的所述第二CP1側。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中： <br/>所述基板不含半導體材料；以及 <br/>所述電子裝置焊接至所述基板。
根據請求項1所述的半導體裝置，其進一步包括第三導電圖案（CP3），所述第三導電圖案包括： <br/>面朝所述第二CP1側的第一CP3側、與所述第一CP3側相對且面朝所述第一CP2側的第二CP3側和在所述第一CP3側與所述第二CP3側之間延伸的第一橫向CP3側；和 <br/>第二阻擋結構，其位於所述第一橫向CP3側上，其中所述第二阻擋結構包括金屬， <br/>其中： <br/>所述第一阻擋結構覆蓋所述第二CP1側的大部分；且 <br/>所述第二阻擋結構覆蓋所述第一CP3側的大部分或所述第二CP3側的大部分。
根據請求項1所述的半導體裝置，其進一步包括耦合到所述第二CP2側的基底互連件，其中所述基底互連件包括襯墊。
一種半導體裝置，其包括： <br/>電子裝置，其包括第一裝置側、與所述第一裝置側相對的第二裝置側和在所述第一裝置側與所述第二裝置側之間延伸的第一橫向裝置側；和 <br/>基板，其包括面朝所述第二裝置側的第一基板側、與所述第一基板側相對的第二基板側和在所述第一基板側與所述第二基板側之間延伸的第一橫向基板側， <br/>其中所述基板包括： <br/>第一金屬軌跡（MT1），其包括面朝所述電子裝置的第一MT1側、與所述第一MT1側相對的第二MT1側和在所述第一MT1側與所述第二MT1側之間延伸的第一橫向MT1側； <br/>第二金屬軌跡（MT2），其包括面朝所述電子裝置的第一MT2側、與所述第一MT2側相對的第二MT2側和在所述第一MT2側與所述第二MT2側之間延伸的第一橫向MT2側；和 <br/>第一阻擋結構，其位於所述第一橫向MT1側上且橫向地定位在所述第一橫向MT1側與所述第一橫向MT2側之間，其中所述第一阻擋結構包括： <br/>金屬層：以及 <br/>氧化層，其中所述氧化物接觸所述第一橫向MT1側。
根據請求項12所述的半導體裝置，其進一步包括位於所述第一橫向MT2側上且橫向地定位在所述第一橫向MT2側與所述第一橫向MT1側之間的第二阻擋結構，其中所述第二阻擋結構包括： <br/>第二金屬層；以及 <br/>第二氧化層，其中所述第二氧化層接觸所述第一橫向MT2側。
根據請求項13所述的半導體裝置，其進一步包括： <br/>從所述第二MT1側延伸的第一導電通孔；以及 <br/>橫向地定位在所述第一阻擋結構與所述第二阻擋結構之間的介電材料，其中所述介電材料包括橫向地圍繞整個所第一金屬軌跡（MT1）和所述第一導電通孔的單一層介電材料。
根據請求項12所述的半導體裝置，其中： <br/>所述第一金屬軌跡包括銅； <br/>所述第二金屬軌跡包括銅； <br/>所述第一阻擋結構的所述金屬層包括鈦；以及 <br/>所述第一阻擋結構的所述氧化層包括氧化鈦。
根據請求項12所述的半導體裝置，其包括直接在所述電子裝置和所述基板之間的底部填充物。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>提供電子裝置，所述電子裝置包括第一裝置側、與所述第一裝置側相對的第二裝置側和在所述第一裝置側與所述第二裝置側之間延伸的第一橫向裝置側；和 <br/>提供基板，所述基板包括面朝所述第二裝置側的第一基板側、與所述第一基板側相對的第二基板側和在所述第一基板側與所述第二基板側之間延伸的第一橫向基板側， <br/>其中所述基板包括： <br/>第一導電圖案（CP1），其包括面朝所述電子裝置的第一CP1側、與所述第一CP1側相對的第二CP1側和在所述第一CP1側與所述第二CP1側之間延伸的第一橫向CP1側； <br/>第一阻擋結構，其位於所述第一橫向CP1側上，其中所述第一阻擋結構包括金屬； <br/>第二導電圖案（CP2），其包括面朝所述第二CP1側的第一CP2側、與所述第一CP2側相對的第二CP2側和在所述第一CP2側與所述第二CP2側之間延伸的第一橫向CP2側；以及 <br/>第一介電層，其橫向地圍繞整個所述第二導電圖案（CP2）；以及 <br/>其中所述第一CP2橫向側不含金屬阻擋結構。
根據請求項17所述的方法，其中： <br/>所述第一CP1側不含所述第一阻擋結構；且 <br/>所述第一阻擋結構覆蓋所述第二CP1側的大部分。
根據請求項17所述的方法，其中： <br/>所述第一導電圖案（CP1）包括CP1軌跡和從所述CP1軌跡垂直地延伸的CP1通孔； <br/>所述第一阻擋結構橫向地圍繞所述CP1軌跡和所述CP1通孔；以及 <br/>所述基板包括介電材料，其中所述介電材料中的單一層橫向地圍繞所述CP1軌跡和所述CP1通孔。
根據請求項17所述的方法，其中所述第一阻擋結構包括： <br/>第一阻擋氧化物，其接觸所述第一橫向CP1側，所述第一阻擋氧化物包括橫向地背離所述第一橫向CP1側的第一橫向側；和 <br/>第一晶種金屬，其接觸所述第一阻擋氧化物的所述第一橫向側。
一種氧化反應或氨氧化反應氣體分布板，其包括金屬板、在上述金屬板中央區域設置之開孔(稱為中央開孔)及在上述金屬板外緣區域設置之開孔(稱為外緣開孔)，其中上述中央開孔之孔徑D1(單位係mm)與上述外緣開孔之孔徑D1'(單位係mm)之比值D1/D1'滿足關係式1.06<img align="absmiddle" height="16px" width="11px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>D1/D1'<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>1.01，其中上述金屬板為金屬平板，其中至少一個上述中央開孔具有噴嘴(稱為中央噴嘴)，其中上述中央噴嘴係中空管，上述中央噴嘴之起始端嵌入上述中央開孔而垂直連接於上述金屬板並與上述中央開孔同軸，上述中央噴嘴之末端具有銳孔(稱為中央銳孔)，至少一個上述外緣開孔具有噴嘴(稱為外緣噴嘴)，其中上述外緣噴嘴係中空管，上述外緣噴嘴之起始端嵌入上述外緣開孔而垂直連接於上述金屬板並與上述外緣開孔同軸，上述外緣噴嘴之末端具有銳孔(稱為外緣銳孔)，其中設上述中央銳孔之孔徑為d(單位係mm)，上述外緣銳孔之孔徑為d'(單位係mm)，則(d'/D1')/(d/D1)=1.01-1.10，其中設上述金屬板的外周緣上任意一點與上述金屬板的中心點之間的直線距離為R，將上述金屬板上與上述中心點直線距離為r的所有點圍繞而成之區域稱為中央區域，將上述中央區域與上述外周緣之間的區域稱為外緣區域，則r/R值為0.7-0.85。
如請求項1之氣體分布板，其中各上述中央開孔之孔徑D1彼此相同或不同，各自獨立地為16-60mm，及/或，各上述外緣開孔之孔徑D1'彼此相同或不同，各自獨立地為15-58mm。
如請求項1之氣體分布板，其中各上述中央開孔之孔徑D1彼此相同或不同，各自獨立地為20-56mm，及/或，各上述外緣開孔之孔徑D1'彼此相同或不同，各自獨立地為19-54mm。
如請求項1之氣體分布板，其中各上述中央開孔之孔徑D1彼此不同，各自獨立地為22-52mm，及/或，各上述外緣開孔之孔徑D1'彼此相同，為21-50mm。
如請求項1之氣體分布板，其中上述中央開孔之數量為16-100個/平方公尺上述中央區域，及/或，上述外緣開孔之數量為2-50個/平方公尺上述外緣區域，及/或，上述中央開孔之數量占上述金屬板上全部開孔數量的70-99%。
如請求項1之氣體分布板，其中上述中央開孔之數量為18-44個/平方公尺上述中央區域，及/或，上述外緣開孔之數量為4-25個/平方公尺上述外緣區域，及/或，上述中央開孔之數量占上述金屬板上全部開孔數量的80-95%。
如請求項1之氣體分布板，其中上述中央區域單位面積上之上述中央開孔之數量係基本上相同的。
如請求項1之氣體分布板，其中上述中央開孔及/或上述外緣開孔基本上按照正方形、等邊三角形、等邊菱形或者同心圓形的形式排布。
如請求項1之氣體分布板，其中上述中央開孔及/或上述外緣開孔基本上按照正方形或等邊三角形的形式排布。
如請求項1之氣體分布板，其中任意緊鄰的兩個上述中央開孔之間的距離彼此相同或不同，各自獨立地為100-300mm，及/或，任意緊鄰的兩個上述外緣開孔之間的距離彼此相同或不同，各自獨立地為100-300mm。
如請求項1之氣體分布板，其中任意緊鄰的兩個上述中央開孔之間的距離彼此相同或不同，各自獨立地為125-285mm，及/或，任意緊鄰的兩個上述外緣開孔之間的距離彼此相同或不同，各自獨立地為125-285mm。
如請求項1之氣體分布板，其中任意緊鄰的兩個上述中央開孔之間的距離彼此相同，為150-270mm，及/或，任意緊鄰的兩個上述外緣開孔之間的距離彼此相同，為150-270mm。
如請求項1之氣體分布板，其中上述金屬板具有基本上圓形形狀，上述圓形之直徑為5-29m，並且上述金屬板之厚度為5-40mm。
如請求項1之氣體分布板，其中上述金屬板具有基本上圓形形狀，及/或，上述圓形之直徑為7-20m，及/或，上述金屬板之厚度為10-35mm。
如請求項1之氣體分布板，其中全部上述中央開孔具有上述中央噴嘴，及/或，全部上述外緣開孔具有上述外緣噴嘴。
如請求項1或15之氣體分布板，其中各上述中央銳孔之孔徑d彼此相同或不同，各自獨立地為5-20mm，及/或，各上述外緣銳孔之孔徑d'彼此相同或不同，各自獨立地為5-20mm，及/或，上述中央銳孔之孔徑d與上述外緣銳孔之孔徑d'相同或不同，及/或，d/d'滿足關係式1.10<img align="absmiddle" height="15px" width="12px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>d/d'<img align="absmiddle" height="15px" width="12px" file="d10004.TIF" alt="其他非圖式ed10004.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10004.png"/>1.00。
如請求項16之氣體分布板，其中各上述中央銳孔之孔徑d彼此相同或不同，各自獨立地為7-18mm，及/或，各上述外緣銳孔之孔徑d'彼此相同或不同，各自獨立地7-18mm，及/或，d/d'滿足關係式1.04<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>d/d'<img align="absmiddle" height="19px" width="12px" file="d10006.TIF" alt="其他非圖式ed10006.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10006.png"/>1.00。
如請求項16之氣體分布板，其中各上述中央銳孔之孔徑d彼此相同，為10-16mm，及/或，各上述外緣銳孔之孔徑d'彼此相同，為10-16mm。
如請求項16之氣體分布板，其中上述中央噴嘴及/或上述外緣噴嘴之噴射角α為2°-20°。
如請求項16之氣體分布板，其中上述中央噴嘴及/或上述外緣噴嘴之噴射角α為5°-14°。
如請求項16之氣體分布板，其中上述中央噴嘴及/或上述外緣噴嘴之長度為80-300mm。
如請求項16之氣體分布板，其中上述中央噴嘴及/或上述外緣噴嘴之長度為120-240mm。
如請求項1之氣體分布板，其中各上述中央噴嘴之內徑D2彼此相同或不同，各自獨立地為6-50mm，及/或，各上述外緣噴嘴之內徑D2'彼此相同或不同，各自獨立地為5-48mm。
如請求項1之氣體分布板，其中各上述中央噴嘴之內徑D2彼此相同或不同，各自獨立地為10-47mm，及/或，各上述外緣噴嘴之內徑D2'彼此相同或不同，各自獨立地為9-45mm。
如請求項1之氣體分布板，其中各上述中央噴嘴之內徑D2彼此相同，為12-44mm，及/或，各上述外緣噴嘴之內徑D2'彼此相同，為11-42mm。
如請求項1之氣體分布板，其為氧化反應或氨氧化反應氣體分布板。
一種流體化裝置，其至少包括外殼、由上述外殼限定之流體化裝置內腔、以及在上述流體化裝置內腔中設置之氣體分布板，其中上述氣體分布板係如請求項1之氣體分布板。
如請求項27之流體化裝置，其中上述流體化裝置為流體化床反應器。
如請求項27之流體化裝置，其中上述流體化裝置內腔具有固體顆粒床層，其中上述氣體分布板之壓降△Pd(單位係MPa)為上述固體顆粒床層之壓降△Pb(單位係MPa)的62-120%。
如請求項29之流體化裝置，其中上述固體顆粒為催化劑顆粒，及/或，上述氣體分布板之壓降△Pd(單位係MPa)為上述固體顆粒床層之壓降△Pb(單位係MPa)的65-115%。
如請求項29或30之流體化裝置，其中上述氣體分布板之壓降△Pd(單位係MPa)為上述固體顆粒床層之壓降△Pb(單位係MPa)的68-110%。
一種氧化反應或氨氧化反應方法，其包括以如請求項1之氣體分布板作為氧化性氣體分布板或者在如請求項27之流體化床裝置中使進料與上述氧化性氣體發生氧化反應或氨氧化反應而生成氧化或氨氧化產物之步驟。
如請求項32之方法，其中上述氧化性氣體為空氣或氧氣，及/或，上述進料為丙烯，及/或，上述氧化或氨氧化產物為環氧丙烷或丙烯腈。
一種氣體分布方法，其包括藉由如請求項1之氣體分布板自其一側向另一側輸送氣體之步驟，其中氣體通過上述外緣開孔之流速不低於氣體通過上述中央開孔之流速。
一種工件加工用片材，其為具有基材、及層積在該基材的一面側的黏著劑層之工件加工用片材，其特徵在於， <br/>該基材為由聚對苯二甲酸丁二酯及熱塑性聚酯‧彈性體樹脂之至少一種構成的薄膜， <br/>在120℃加熱4小時後的該基材在23℃的楊氏係數為400MPa以上、600MPa以下， <br/>在120℃的該基材的儲存模數E’為100MPa以上、200MPa以下。
一種工件加工用片材，其為具有基材、及層積在該基材的一面側的黏著劑層之工件加工用片材，其特徵在於， <br/>該基材為由聚對苯二甲酸丁二酯及熱塑性聚酯‧彈性體樹脂之至少一種構成的薄膜， <br/>在120℃加熱4小時後的該基材在23℃的斷裂伸長度為200%以上、750%以下， <br/>在120℃的該基材的儲存模數E’為100MPa以上、200MPa以下。
如請求項1或2之工件加工用片材，其同時滿足 <br/>在120℃加熱4小時後的該基材在23℃的楊氏係數為400MPa以上600MPa以下，且 <br/>在120℃加熱4小時後的該基材在23℃的斷裂伸長度為200%以上750%以下。
如請求項1或2之工件加工用片材，其中，該基材的厚度為50μm以上、200μm以下。
如請求項1或2之工件加工用片材，其中，該黏著劑層由活性能量線硬化性黏著劑所形成。
如請求項1或2之工件加工用片材，其係使用於具有下述步驟之工件加工方法：在該黏著劑層的與該基材為相反的面側，以層積加工前或加工後的工件的狀態，加熱該工件加工用片材。
一種已加工工件的製造方法，其特徵在於，具有： <br/>在如請求項1或2之工件加工用片材的該黏著劑層的與該基材為相反側的面，貼合工件之貼合步驟； <br/>透過在該工件加工用片材上切割該工件，獲得該工件成為單片化的加工後工件之切割步驟； <br/>將該加工後工件以貼合於該工件加工用片材上的狀態，提供於伴隨加熱的處理之加熱步驟；以及 <br/>從該工件加工用片材拾取該加工後的工件之拾取步驟。
一種用於處置與烘烤基板的烘烤設備，包括： <br/>一基部； <br/>兩個或更多個軸，該兩個或更多個軸接觸該設備的該基部，該兩個或更多個軸中的每個軸具有設置在其上的延伸部，該兩個或更多個軸中的每個軸的該等延伸部可操作以支撐設置在該兩個或更多個軸之間的一個或多個基板，該兩個或更多個軸中的每個軸具有一第一端部與一第二端部； <br/>一蓋件，該蓋件包含設置在其中的一個或多個加熱元件，其中該蓋件包含以下各者中的一者： <br/>一致動器，該致動器可操作以將該蓋件從一升高位置移動到一降低位置，處於該降低位置的該蓋件接觸該基部以在該蓋件與該基部之間形成一處理空間，該兩個或更多個軸的該第二端部與該蓋件所接觸的該相同基部接觸；及 <br/>一被致動的門，該被致動的門耦接至該蓋件，該被致動的門可操作以從一開啟位置移動到一關閉位置，處於該關閉位置的該被致動的門接觸該蓋件以在該蓋件、該兩個或更多個軸、與該基部之間形成該處理空間，該蓋件接觸該基部與該兩個或更多個軸。
如請求項1所述之設備，其中可以將該處理空間加熱至約50℃至約600℃之間的一溫度。
如請求項1所述之設備，其中該一個或多個加熱元件包括一陶瓷加熱器、一橡膠加熱器和一玻璃纖維加熱器。
如請求項1所述之設備，其中該兩個或更多個軸中的每個軸包括1至5個延伸部。
一種用於處置與烘烤基板的烘烤設備，包括： <br/>一基部； <br/>一基板支撐件，該基板支撐件設置在該基部上，該基板支撐件包含： <br/>一個或多個加熱元件；及 <br/>升舉銷，該等升舉銷可操作以支撐一基板； <br/>一蓋件，該蓋件包含： <br/>耦接在其上的一邊緣支架，該邊緣支架包含一連續環，該連續環在該蓋件與該基板支撐件之間延伸，該環具有一內直徑與一外直徑，該外直徑對應於該基板的外直徑；及 <br/>一致動器，該致動器可操作以將該蓋件從一升高位置移動到一降低位置，以將該環從位於該基板上方且與該基板相距一第一距離的一第一位置移動到位於該基板上方且與該基板相距一第二距離的一第二位置，其中該第二位置小於該第一位置；及 <br/>一處理空間，當處於該降低位置的該蓋件接觸該基部時，該處理空間在該蓋件和該基部之間形成。
如請求項5所述之設備，其中該設備進一步包括一固持板，該固持板設置在該基板支撐件上。
如請求項6所述之設備，其中該固持板包括穿過其中設置的通道，該等通道與一泵連通（in communication with）以形成一真空系統。
如請求項7所述之設備，其中該固持板包括一陶瓷，雲母（mica）或陶瓷和金屬材料的一混合物。
如請求項8所述之設備，其中該固持板藉由軌道相對於該一個或多個加熱元件定位。
如請求項9所述之設備，其中該一個或多個加熱元件是一加熱板。
如請求項5所述之設備，其中當該蓋件處於該降低位置時，該環接觸該基板的端部。
一種用於處置與烘烤基板的方法，包括以下步驟： <br/>將一個或多個基板設置在一烘烤設備中的兩個軸的延伸部上，該兩個軸中的每個軸的該等延伸部可操作以支撐設置在該兩個軸之間的該一個或多個基板，該兩個軸接觸該烘烤設備的一基部，該兩個軸中的每個軸具有一第一端部與一第二端部； <br/>在該烘烤設備中形成一處理空間，其中形成該處理空間的步驟包含以下步驟中的一者： <br/>經由一致動器在一升高位置與一降低位置之間移動該烘烤設備的一蓋件，處於該降低位置的該蓋件接觸該基部以在該蓋件與該基部之間形成該處理空間，該兩個或更多個軸的該第二端部與該蓋件所接觸的該相同基部接觸； <br/>將與該蓋件耦接的一致動器門從一開啟位置移動到一關閉位置，該關閉位置接觸該蓋件以在該蓋件、該兩個或更多個軸、與該基部之間形成該處理空間，該蓋件接觸該基部與該兩個或更多個軸；及 <br/>用該烘烤設備的該蓋件中設置的一個或多個加熱元件加熱該處理空間，該等加熱元件均勻地或實質均勻地加熱該一個或多個基板。
如請求項12所述之方法，進一步包括以下步驟：升高該烘烤設備的該蓋件以移除該一個或多個基板。
如請求項12所述之方法，其中加熱該處理空間的該步驟包括以下步驟：將該處理空間中的一溫度從約40℃增加到約800℃。
如請求項12所述之方法，其中加熱該處理空間的該步驟包括以下步驟：將該處理空間中的一溫度從約800℃減少到約40℃。
如請求項12所述之方法，其中加熱該處理空間的該步驟包括以下步驟：將該處理空間中的一溫度維持在約80℃至約300℃。
一種毫米波通訊系統，包括：第一微電子組件；第二微電子組件；以及波導，其在該第一微電子組件和該第二微電子組件之間通訊耦接，其中，該波導包含：第一材料，其包括開口，其中，該開口在該第一材料內並由其包圍，以及其中，該開口沿著該波導的縱向方向在橫截面上改變，以及第二材料，其中，該第一材料沿著該波導的一部分在該第二材料和該開口之間，該部分短於該波導的長度，以及該第二材料的介電質常數小於該第一材料的介電質常數。
如請求項1之毫米波通訊系統，還包括在該開口中的空氣或在該開口中的第三材料，其中，該第三材料的介電質常數小於該第一材料的該介電質常數。
如請求項1之毫米波通訊系統，其中，該波導是毫米波介電質波導。
如請求項1之毫米波通訊系統，其中，該第一材料包含塑料或陶瓷。
如請求項1之毫米波通訊系統，其中，該第二材料包含發泡體。
如請求項1之毫米波通訊系統，其中，該開口是第一開口，以及該波導還包含在該第一材料中的第二開口，其沿著該波導縱向延伸。
如請求項1之毫米波通訊系統，其中，該波導是在纜線中的多個波導中的一個。
如請求項1之毫米波通訊系統，還包括封裝基板或中介物，其中，該波導被包含在該封裝基板或該中介物中。
一種毫米波介電質波導，包括：第一材料，其包括開口，其中，該開口在該第一材料內並由其包圍，以及其中該開口沿著該毫米波介電質波導的縱向方向在橫截面上改變；以及第二材料，其中，該第一材料沿著該毫米波介電質波導的一部分在該第二材料和該開口之間，該部分短於該毫米波介電質波導的長度，以及該第二材料的介電質常數小於該第一材料的介電質常數。
如請求項9之毫米波介電質波導，其中，該開口是第一開口，以及該毫米波介電質波導還包含在該第一材料中的第二開口，其沿著該毫米波介電質波導縱向延伸。
如請求項10之毫米波介電質波導，其中，該第二開口沿著該毫米波介電質波導的縱向方向在橫截面上改變。
如請求項9之毫米波介電質波導，還包括：在該開口中的空氣。
如請求項9之毫米波介電質波導，還包括：在該開口中的第三材料，其中，該第三材料的介電質常數小於該第一材料的該介電質常數。
如請求項9之毫米波介電質波導，其中，該開口與該毫米波介電質波導的相對端部間隔開。
如請求項9之毫米波介電質波導，其中，該第二材料包圍在該部分之外的該第一材料。
一種毫米波通訊系統，包括：第一微電子組件；第二微電子組件；以及毫米波介電質波導，其在該第一微電子組件和該第二微電子組件之間通訊耦接，其中，該毫米波介電質波導不包含金屬塗層，以及其中，該毫米波介電質波導包含：第一材料，其包括開口，其中，該開口在該第一材料內並由其包圍，該開口沿著該毫米波介電質波導縱向延伸，該開口在沿著該毫米波介電質波導的縱向方向的第一位置處具有第一面積，該開口在沿著該毫米波介電質波導的該縱向方向的第二位置處具有第二面積，該第一面積不同於該第二面積，以及該第一位置不同於該第二位置，以及第二材料，其中，該第一材料在該第二材料和該開口之間，以及該第二材料的介電質常數小於該第一材料的介電質常數。
如請求項16之毫米波通訊系統，其中，該第一材料包含塑料或陶瓷。
如請求項16之毫米波通訊系統，其中，該第二材料包含發泡體。
如請求項16之毫米波通訊系統，其中，該毫米波介電質波導是在纜線中的多個毫米波介電質波導中的一個。
如請求項16之毫米波通訊系統，還包括封裝基板或中介物，其中，該毫米波介電質波導被包含在該封裝基板或該中介物中。
一種口用組成物，其包含：雞肉萃取物；及第II型水解膠原蛋白，該雞肉萃取物含有組胺酸、肌肽及甲肌肽，其中該組胺酸的量係0.1至1重量%，該肌肽的量係0.01至0.3重量%，且該甲肌肽的量係0.05至0.5重量%，及其中該口用組成物中之該第II型水解膠原蛋白的量係0.1至5重量%。
如請求項1之口用組成物，其中該第II型水解膠原蛋白係衍生自雞軟骨。
如請求項1或2之口用組成物，其中該第II型水解膠原蛋白具有3000至6000之重量平均分子量。
如請求項1或2之口用組成物，其中該第II型水解膠原蛋白含有低分子量肽及高分子量肽，該低分子量肽具有小於3000之分子量，該高分子量肽具有3000或超過3000之分子量。
如請求項4之口用組成物，其中該低分子量肽對該高分子量肽(低分子量肽/高分子量)以重量計之含量比係85/15至97/3。
如請求項1或2之口用組成物，其中該口用組成物係飲料。
如請求項1或2之口用組成物，其中該口用組成物係選自由保健組成物及美容組成物所組成之群組中之至少一者。
一種改善含有雞肉萃取物之組成物的風味之方法，該方法包含：添加第II型水解膠原蛋白至含有雞肉萃取物之組成物中，其中添加該第II型水解膠原蛋白，以使該第II型水解膠原蛋白在該組成物中的量係0.1至5重量%。
如請求項8之方法，其中該雞肉萃取物含有組胺酸、肌肽及甲肌肽，且該組胺酸在該組成物中的量係0.1至1重量%，該肌肽在該組成物中的量係0.01至0.3重量%，且該甲肌肽在該組成物中的量係0.05至0.5重量%。
如請求項8或9之方法，其中該第II型水解膠原蛋白係衍生自雞軟骨。
如請求項8或9之方法，其中該第II型水解膠原蛋白具有3000至6000之重量平均分子量。
如請求項8或9之方法，其中該第II型水解膠原蛋白含有低分子量肽及高分子量肽，該低分子量肽具有小於3000之分子量，該高分子量肽具有3000或超過3000之分子量。
如請求項12之方法，其中該低分子量肽對該高分子量肽(低分子量肽/高分子量肽)以重量計之含量比係85/15至97/3。
一種第II型水解膠原蛋白用於生產用於雞肉萃取物之風味改善劑之用途，其中添加該第II型水解膠原蛋白，以使該第II型水解膠原蛋白在該風味改善劑中的量係0.1至5重量%。
一種第II型水解膠原蛋白用於生產含有濃化肉萃取物之口用組成物之風味改善劑的用途，其中添加該第II型水解膠原蛋白，以使該第II型水解膠原蛋白在該組成物中的量係0.1至5重量%。
一種研磨布，其係具備不織布及含浸於該不織布中之聚胺酯樹脂作為形成研磨布之形成材料者，且<br/>上述研磨布之表觀密度為0.30～0.50 g/cm<sup>3</sup>，<br/>針對上述研磨布之自表面至背面每100 μm與該表面平行之薄切面，拍攝2個2000 μm×2000 μm之測定面(2個測定面係不同處)，於各測定面中，抽選168個100 μm×100 μm之面，於抽選出的100 μm×100 μm之各面所測出之上述形成材料之存在比率之標準偏差為21.7%以下。
如請求項1之研磨布，其壓縮率為5%以下。
如請求項1或2之研磨布，其中上述形成材料之存在比率之平均值為22～45%。
如請求項1或2之研磨布，其風阻值為23 mmH<sub>2</sub>O以上。
一種用於藉由一圓編紡機製造一筒狀紡織物品(1)之製程，該筒狀紡織物品指定表示用於鞋襪之一上半部(U)，該製程包含以下步驟：<br/> 配置具有至少一個喂紗及支撐多個針之一針固持器的一圓紡機，界定一圓針床，可操作該圓針床以拾取由該至少一個喂紗分配之線及形成編織織物；該針固持器可相對於該喂紗旋轉，且該喂紗最接近該針固持器配置；<br/> 規劃該紡織機以便界定待製造之一筒狀紡織物品(1)，該筒狀紡織物品以自一第一開口端(2)開始之一無縫方式縱向延伸且由連續的多個縫合列(W)組成；<br/> 以該圓紡機編織以根據以上提到之規劃步驟製造指定表示用於鞋襪之一上半部(U)的該筒狀紡織物品(1)，其中該編織步驟包含至少下列步驟：<br/> A)使用該針床之一針段或所有該等針製造屬於該紡織物品之一第一織物(10)的該第一開口端(2)，該第一開口端(2)指定表示一上半部之一尖端；<br/> B)製造該第一織物(10)之一尖部部分(3)，該尖部部分包含一定數目的縫合列且係由一縫合凸出部(4)所構成，該縫合凸出部係在呈連續列的每列先使用遞增或遞減的針數，然後每列使用遞減或遞增的針數而獲得，該第一織物之該尖部部分指定表示適合於容納或圍封其腳尖或部分的該上半部之一部分；<br/> C)任擇地，沿著該第一織物(10)之縱向展開製造完整筒狀編織織物(5)之一無凸出部部分，該無凸出部部分包含各別數目的縫合列，且其中針對各列，該生產之編織織物具有一閉合圓構型；<br/> D)製造屬於該第一織物(10)且指定表示適合於圍封或覆蓋腳之頸部/腳背之至少一部分的該上半部(U)之一部分之一凸片(T)，其中製造一凸片(T)之該步驟涉及中斷該等先前列之處理，且針對一定數目的縫合列使用該針床之一針段或所有該等針繼續編織，因此生產表示該凸片(T)之一經編織插入物；<br/> E)製造該第一織物之(10)一中間部分(6)，該中間部分包含各別數目的縫合列且指定表示適合於圍封該腳之腳底及側之至少部分的該上半部之一部分，該第一織物(10)之該中間部分(6)具有指定位於該腳之該頸部之至少一部分處的一縱向開口(7)，及在該縱向開口(7)之側上的兩個側緣(8)，其中該第一織物之該中間部分(6)係藉由對於一定數目的縫合列，在操作中使用該針床之一各別針段來製造，該針段包含高達包括該針床之所有該等針之數量的一較佳針數，有可能針對該中間部分中所包含之各列改變該各別針段；<br/> F)製造該第一織物(10)之一端部分(9)，該端部分包含一定數目的縫合列及由各使用呈各別連續列的每列首先增加或減少的針數及每列接著減少或增加的針數獲得的一或多個縫合凸出部(11)所組成，該第一織物(10)之該端部分(9)指定表示適合於容納或圍封其腳後跟或部分的該上半部之一部分；<br/> 其中：<br/> 在步驟D及E中，該凸片(T)及該中間部分(6)之該縱向開口(7)經製造，使得其在對應於該上半部(U)之一縱向展開的一方向上皆具有一實質上同時縱向展開；<br/> 該編織步驟整體製造出一體的、單件的該筒狀紡織物品(1)；<br/> 該等步驟係連續地執行，使得在各步驟與接著之步驟之間從不中斷處理。
如請求項1所述之製程，其中步驟D及E相關於彼此無縫地製造該凸片(T)及該中間部分(6)，使得在自該筒狀紡織物品產生之該上半部中，該凸片(T)至少部分由該中間部分(6)之該等側緣(8)覆蓋或懸伸，及/或其中步驟D及E相關於彼此無縫地製造該凸片(T)及該中間部分(6)，使得在自該筒狀紡織物品(1)產生之該上半部中，該凸片(T)位於該縱向開口(7)下方；<br/> 及/或其中步驟D及E製造與該紡織物品(1)之其餘部分成整體的一凸片(T)，及/或其中該凸片(T)可自該中間部分(6)之該縱向開口(7)突起，亦即，在自該筒狀物品產生之該上半部中，在該縱向開口之該等兩個邊緣之間的區域中，該凸片未被完全覆蓋且可在該中間部分之該縱向開口處自外部接取。
如請求項1所述之製程，其中：<br/> 步驟A為在藉由該圓紡機之該編織步驟中執行之第一步驟，該紡織物品之該編織自該第一開口端(2)開始，或<br/> 步驟A為在藉由該圓紡機之該編織步驟中執行之最後一個步驟，該紡織物品之該編織結束於該第一開口端(2)；<br/> 及/或其中：<br/> 該編織步驟涉及按一次序A - B - C - D - E - F之順序來在各步驟與接著之步驟之間無縫地執行該等步驟，或<br/> 該編織步驟涉及按一次序F - E - D - C - B - A之順序來在各步驟與接著之步驟之間無縫地執行該等步驟，<br/> 其中在以上提到之順序中，步驟C係可選的。
如請求項1、2或3所述之製程，其中步驟D係由以一交替運動操作之一紡織機執行，以經由該針固持器在一個方向上與在相反方向上之繞轉之一交替、選擇用於製造該凸片之該圓針床之一針段及在各繞轉中使用此段之一定數目的針或針集合來製造該凸片(T)，及/或其中在步驟D中，在該紡織機之一交替運動中在各繞轉中使用之該針數可按以便將該凸片沿著其縱向展開逐列成形之此方式變化，及/或其中在步驟D中，在該紡織機之該交替運動中使用的該段之針可包含高達該針床之所有該等針之一最大數目的任何較佳針數，及/或其中當獲得該凸片(T)之所要的長度時，步驟D結束，其中卸載用於製造該凸片自身之該等針，該凸片結束於一自由邊緣，亦即，未連接至該紡織物品之其他部分，且表示該凸片之該插入物由在於步驟D之開始時製造之該縫合部處連接至該紡織物品之一單一織物層組成。
如請求項1、2或3所述之製程，其中步驟D：<br/> 開始於藉由以一交替運動來選擇用於製造該凸片(T)之一區段的針，且在此區段內，一定數目的針於該凸片的整個處理過程中係保持在閒置位置，而該凸片係藉由該區段中之其餘針來製造；<br/> 續而藉由以一連續方式縱向展開該凸片而達最終延伸兩倍之一延伸；<br/> 結束於由先前保持在該閒置位置中之前述該等針恢復處理，使得在步驟D中進行之最後一個縫合部位於在步驟D中進行之第一縫合部處；<br/> 以此方式，該凸片(T)由一雙織物組成，亦即，沿著一折疊線(49)相互折疊之兩個織物層(42、43)，該折疊線實質上對應於穿過步驟D半途製造之該縫合部，<br/> 及/或其中製造該雙織物凸片(T)使得在步驟D中之紡織處理能以與步驟D自身開始所用相同之針數來結束。
如請求項1、2或3所述之製程，其中步驟D涉及在此項技術中已知的藉由術語「按鈕」進行之紡織處理，其允許在同一位置中開始及結束凸片(T)，與紡織物品(1)之其餘處無縫，亦即，與在步驟C或B及E中製造之織物無縫，及/或其中在步驟D中，中斷該處理之該步驟涉及停止在該等先前列中在操作中相鄰的一定數目的針，及/或其中在步驟D中，繼續編織之該步驟涉及僅以該針床之一個針區段繼續。
如請求項1、2或3所述之製程，其中若步驟D製造由一雙織物組成之一凸片，則該凸(T)片具有兩個自由側向邊緣(44、45)，各者沿著該雙織物凸片(T)之全部縱向展開而延伸，該等兩個側向邊緣為線形或經成形，該雙織物凸片在該等兩個側向邊緣(44、45)處具有兩個側向開口(46、47)，<br/> 或其中，若步驟D製造由一雙織物組成之一凸片(T)，則該凸片具有兩個側向邊緣，各者沿著該雙織物凸片之該全部縱向展開而延伸，其中：<br/> 藉由在該閒置位置中插入一或多個標度，亦即，減少操作中之該針數且留下該等排除之針，針對該凸片(T)之該縱向延伸部之一第一半製造該等兩個側向邊緣(44、45)，亦即，直至該折疊線(49)，其中該編織織物保留於針頭中；<br/> 針對該凸片之該縱向延伸部之一第二半製造該等兩個側向邊緣(44、45)，亦即，超過該折疊線(49)，從而逐漸恢復該等以上提到之標度，亦即，增加操作中之該針數且將先前排除的該等針之該等編織縫合部重新連接至在該等側向邊緣之該第二半中製造的該編織織物；<br/> 因此獲得一雙織物凸片(T)，其中該等兩個側向邊緣(44、45)中之各者具有沿著該縱向展開在其第一半與其第二半之間的系帶(48)，使得在該雙織物凸片之該等側向邊緣上，存在一或多個閉合縫合部(48)，各對應於一各別編織織物標度。
如請求項1、2或3所述之製程，其中步驟E係藉由以一交替運動操作之紡織機執行，以經由該針固持器在一個方向上與在該相反方向上之繞轉之一交替來製造該第一織物之中間部分，在各繞轉中使用該圓針床之具有各別針數的一特定針區段，該各別針數至多為該針床之所有的針，及/或其中在步驟E中，在該紡織機之一交替運動中在各繞轉中使用之該針數可按以便使該第一織物之該中間部分(6)及該縱向開口(7)逐列成形之此方式變化，<br/> 及/或其中步驟E提供在製造該編織織物過程中使用的該針數之一逐漸變化，以便給予該第一織物(10)之該中間部分(6)之該以上提到之縱向開口(7)一「V」形狀，及/或其中：<br/> 若該第一織物之該中間部分(6)係在步驟D後且在步驟F前製造，亦即，藉由首先製造該縱向開口(7)之一最終頂點，則步驟E中的該針數之該逐漸變化可為該針數之逐漸減少，<br/> 若該第一織物之該中間部分(6)係在步驟F後且在步驟D前製造，亦即，藉由最後製造該縱向開口(7)之一最終頂點，則步驟E中的該針數之該逐漸變化可為該針數之逐漸增加。
如請求項1、2或3所述之製程，其中在自步驟D至步驟E之過渡中，發生正使用的針之一替換，亦即，在步驟D中，使用屬於一針區段之針來使該凸片(T)靠近在步驟E中製造之該縱向開口(7)，及/或針屬於在該第一織物(10)之該中間部分(6)之該縱向開口(7)之界定期間在步驟E中未使用之一針區段，因此使該凸片(T)至少部分由該中間部分(6)之該等側緣(8)重疊，且反之亦然，該中間部分之該縱向開口(7)至少部分展示在其下之該凸片(T)，<br/> 及/或其中若在步驟E中製造該第一織物之該中間部分不影響該床中之所有該等針，則在該縱向開口之該界定中不使用的該等針中之一或多者對應於在步驟D中對製造該凸片(T)有作用之針，<br/> 及/或其中，若在步驟D中製造該凸片尚未影響該床中之所有該等針，則在步驟E中，為了製造該第一織物之該中間部分，使用屬於在步驟D中對於製造凸片未選擇的該區段的針之至少一些針。
如請求項1、2或3所述之製程，其中該編織步驟包含下列步驟中之一或多者：<br/> F')與在步驟F中製造的該第一織物(10)之該端部分(9)無縫地製造該紡織物品(1)之一第二織物(20)之一初始部分(29)，該初始部分相關於該第一織物(10)以一無縫方式縱向延伸，該第二織物(20)之該初始部分(29)包含一定數目的縫合列及由各使用呈各別連續列的每列首先增加或減少的針數及每列接著減少或增加的針數獲得的一或多個縫合凸出部所組成，該第二織物之該初始部分(29)指定表示適合於容納或圍封其腳後跟或部分的該上半部(U)之一部分；<br/> E')製造該第二織物(20)之一中間部分(26)，該中間部分包含各別數目的縫合列且指定表示適合於圍封該腳之腳底及側之至少部分的該上半部之一部分，該第二織物(20)之該中間部分(26)具有指定位於該腳之該頸部之至少一部分處的一各別縱向開口(27)，及在該縱向開口(27)之該等側上的兩個側緣(28)，其中對於一定數目的縫合列，藉由在操作中使用該針床之一各別針區段來製造該第二織物(20)之該中間部分(26)，該針區段包含高達包括該針床之所有該等針之數量的一較佳針數，有可能針對該中間部分中包含之各列改變該各別針區段；<br/> C')任擇地，沿著該第二織物(20)之縱向展開製造完整筒狀編織織物(25)之一無凸出部部分，該無凸出部部分包含各別數目的縫合列，且其中針對各列，該生產之編織織物具有一閉合圓構型；<br/> B')製造該第二織物(20)之一尖部部分(23)，該尖部部分包含一定數目的縫合列及由使用呈連續列的每列首先增加或減少的針數及每列接著減少或增加的針數獲得的一縫合凸出部(24)所組成，該第二織物之該尖部部分指定表示適合於容納或圍封其腳尖或部分的該上半部之一部分；<br/> A)使用該針床之一針區段或所有該等針製造對應於該第二織物(20)之一個端部的該紡織物品(1)之一第二開口端(22)，該第二開口端指定表示一上半部之一尖端。
如請求項10所述之製程，其中該紡織物品(1)之該第二開口端(22)相關於該第一開口端(2)縱向相對，且其中該筒狀紡織物品(1)在該第一端與該第二端之間按一單一件無縫地展開，及/或其中該紡織物品之該第一開口端及該第二開口端表示藉由該圓紡機且根據該規劃步驟的該編織步驟之一開頭及一結尾，或反之表示一結尾及一開頭，及/或其中該第二織物(20)不包含經組配以界定在步驟D中在該第一織物中製造的類型之一凸片之編織織物部分或步驟，或該第二織物不包含由該中間部分之該等側緣覆疊之一凸片，及/或其中如與該第一織物(10)相比，該第二織物(20)係以一相反方式製造，亦即，該第二織物(20)以一鏡像方式且無縫地自該第一織物(10)之該端部分(9)之端部、自其初始部分(29)開始展開，及/或其中該第二織物(20)藉由相同步驟且按相關於該第一織物之相反順序製造，惟在製造該第二織物過程中不存在之步驟D除外。
如請求項10所述之製程，其中該第二織物(20)係對稱的且在結構上關於該第一織物(10)為鏡像，該凸片例外，亦即，該第二織物包含與藉由相同步驟製造之該第一織物相同的部分，該凸片例外，且其中：<br/> 在步驟A中製造之該第一開口端(2)與在步驟A'中製造之該第二開口端(22)相互對應，兩個開口端皆指定為表示一上半部之一個尖端或位於一上半部之一個尖端處；及/或<br/> 在步驟B中製造的該第一織物(10)之該尖部部分(3)與在步驟B'中製造的該第二織物(20)之該尖部部分(23)相互對應，兩個尖部部分指定表示該上半部之一部分或位於該一部分處，該上半部之該一部分適合於容納或圍封其腳尖或部分；及/或<br/> 任擇地，在步驟C中製造的該第一織物(10)之完整筒狀編織織物(5)之該部分與在步驟C'中製造的該第二織物(20)之完整筒狀編織織物(25)之該部分相互對應；及/或<br/> 在步驟E中製造的該第一織物(10)之該中間部分(6)與在步驟E'中製造的該第二織物(20)之該中間部分(26)相互對應，且特別是，具有指定位於該腳之該頸部之同一部分處的對應的縱向開口(7、27)，及在該各別縱向開口之該等側上的對應的側緣(8、28)，兩個中間部分指定表示該上半部之一部分或位於該一部分處，該上半部之該一部分適合於圍封該腳之該腳底及該等側之至少部分；及/或<br/> 在步驟F中製造的該第一織物(10)之該端部分(9)與在步驟F'中製造的該第二織物(20)之該初始部分(29)相互對應，兩個尖部部分指定表示該上半部之一部分或位於該一部分處，該上半部之該一部分適合於容納或圍封該腳之該後跟或其部分。
如請求項10所述之製程，其中：<br/> 步驟A'為在藉由該圓紡機之該編織步驟中執行之最後一個步驟，該紡織物品之該編織結束於屬於該第二織物的該紡織物品之該第二開口端，或<br/> 步驟A'為在藉由該圓紡機之該編織步驟中執行之第一步驟，該紡織物品之該編織開始於屬於該第二織物的該紡織物品之該第二開口端；<br/> 及/或其中：<br/> 該編織步驟涉及按一次序A - B - C - D - E - F - F' - E' - C' - B' - A'之順序來在各步驟與接著之步驟之間無縫地執行該等步驟，或<br/> 該編織步驟涉及按一次序A' - B' - C' - E' - F' - F - E - D - C - B - A之順序來在各步驟與接著之步驟之間無縫地執行該等步驟，<br/> 其中在該等以上提到之順序中，步驟C及C'係可選的。
如請求項10所述之製程，其中該紡織物品(1)之該第一織物(10)為包含該凸片(T)之織物，而該第二織物(20)為無該凸片之織物，且其中該第一織物(10)包含一外部表面(31)及一內部表面(32)，且該第二織物(20)包含一各別外部表面(91)及一各別內部表面(92)，其中該第一織物(10)之該外部表面(31)連接至該第二織物(20)之該外部表面(91)且在該第二織物(20)之該外部表面(91)中無縫地連續，且該第一織物之該內部表面(32)連接至該第二織物之該內部表面(92)且在該第二織物之該內部表面中無縫地連續，<br/> 且其中該製程包含，在藉由該圓紡機製造該筒狀紡織物品之該編織步驟後，操縱且折疊該紡織物品以製造一上半部之一步驟，且按一方式使得：<br/> 為包含該凸片(T)之該織物的該第一織物(10)係沿著一折疊剖面在該第二織物(20)內部折疊；<br/> 該第一織物之該內部(32)接觸該第二織物之該內部(92)，在該上半部在使用中之情況下，兩者皆不接觸該使用者之腳或該上半部之該外部；<br/> 該第一織物(10)之該外部(31)在該第二織物(20)內部折疊，使得在該上半部在使用中之情況下，該第一織物之該外部(31)面向該使用者之腳；<br/> 該第二織物(20)之該外部(91)表示在該上半部在使用中之情況下該上半部之一外部表面；<br/> 且其中該第一織物(10)為指定在該第二織物(20)內部折疊之織物。
如請求項14所述之製程，其中，在操縱且折疊該紡織物品之該步驟後，表示該第二織物(20)之該等部分匹配且接觸表示該第一織物(10)之該等對應的部分，且特別是：<br/> 在步驟A中製造之該第一開口端(22)匹配在步驟A'中製造之該第二開口端(22)，從而獲得一雙層開口端；及/或<br/> 在步驟B中製造的該第一織物(10)之該尖部部分(3)匹配在步驟B'中製造的該第二織物(20)之該尖部部分(23)，從而獲得一雙層尖部部分(53)；及/或<br/> 任擇地，在步驟C中製造的該第一織物(10)之完整筒狀編織織物(5)之該部分匹配在步驟C'中製造的該第二織物(20)之完整筒狀編織織物(25)之該部分，從而獲得一雙層完整筒狀編織織物(55)；及/或<br/> 在步驟E中製造的該第一織物(10)之該中間部分(6)匹配在步驟E'中製造的該第二織物(20)之該中間部分(26)，從而獲得一雙層中間部分(56)；<br/> 該第一織物(10)之該縱向開口(7)匹配該第二織物(20)之該縱向開口(27)，從而獲得一雙層縱向開口(57)；<br/> 該第一織物(10)之該中間部分之該等側緣(8)匹配該第二織物(20)之該中間部分之該等側緣(28)，從而獲得雙層側緣(58)；及/或<br/> 在步驟F中製造的該第一織物(10)之該端部分(9)匹配在步驟F'中製造的該第二織物(20)之該初始部分(29)，從而獲得一雙層端部分(59)。
如請求項14所述之製程，其中，在操縱且折疊該紡織物品(1)以製造一上半部(U)之該步驟後，該凸片(T)位於該第一織物(10)及該第二織物(20)之兩個縱向開口(7、27)下方，且至少部分由該第一織物及該第二織物之該等中間部分(6、26)之兩對側緣(8、28)覆蓋或懸伸，及/或其中該紡織物品之該操縱以完成該雙織物上半部(U)之該製造設想，包含該凸片(T)之該第一織物(10)插入於無該凸片之該第二織物(20)內部，使得屬於該第一織物之該凸片至少部分在該雙層縱向開口(57)下方，及/或其中該凸片(T)自該第一織物(10)之該外部突起，該第一織物之該外部接著變為該上半部之該內部。
如請求項10所述之製程，其中：<br/> 在步驟E中，藉由在該閒置位置中插入一或多個標度，亦即，減少操作中之該針數且留下該等排除之針，製造該第一織物(10)之該縱向開口(7)之該等兩個側緣(8)，其中該編織織物保留於該針頭中；<br/> 隨後，在步驟E'中，藉由逐漸恢復在步驟E中引入的該等以上提到之標度，亦即，增加操作中之該針數且將先前排除的該等針之編織縫合部重新連接至在步驟E中製造的該編織織物，製造該第二織物(20)之該縱向開口(27)之該等兩個側緣(28)；<br/> 因此，獲得一雙織物中間部分，其中該第一織物之該等兩個側緣(8)中之各者具有沿著該等邊緣之該縱向展開的至該第二織物之該對應的側緣(28)之系帶，使得一旦已操縱該筒狀物品(1)以製造一雙織物上半部(U)，則該第一織物及該第二織物之該等對應的側緣對具有一或多個閉合縫合部(70)，各對應於一各別編織織物標度，<br/> 及/或其中該等系帶(70)定位於該第一織物與該第二織物之間的折疊剖面上，亦即，沿著該第一織物在該第二織物內部折疊之線。
如請求項1、2或3所述之製程，包含閉合該第一織物之該第一開口端(2)之一步驟，<br/> 及/或其中閉合該第一端之該步驟可在自製造該紡織物品之該紡織機卸載該物品前或在該紡織物品之該卸載後直接發生於該紡織機處，及/或其中該方法包含閉合該第二織物之該第二開口端(22)之一步驟，及/或其中閉合該第二端之該步驟可在自製造該紡織物品之該紡織機卸載該物品前或在卸載該紡織物品後直接發生於該紡織機處。
一種以一筒狀紡織物品(1)製造的鞋襪之上半部(U)，其中該筒狀紡織物品(1)係藉由如請求項1至18中任一項所述之一製程來獲得。
一種黏著帶，其具備：基材；以及黏著劑層，其配置於上述基材之一面； <br/>上述基材由聚四氟乙烯(PTFE)或四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)構成，並且係具有50～180 μm之厚度之非壓延之切削片材， <br/>將厚度方向之絕緣破壞電壓設為X(單位：kV)，將根據藉由拉伸試驗所得之應力-應變曲線而求出之初始彈性係數設為Y(單位：N/mm)時， <br/>滿足式：Y≦2.75X－13.75， <br/>上述絕緣破壞電壓X為14.0 kV以上，上述初始彈性係數Y為30.0 N/mm以下。
如請求項1之黏著帶，其中上述初始彈性係數Y為15.5 N/mm以下。
如請求項1之黏著帶，其中賦予150%之拉伸伸長率時之厚度方向之絕緣破壞電壓為5 kV以上。
如請求項1之黏著帶，其係用於電源纜線之絕緣帶。
如請求項1之黏著帶，其用於電源纜線之維修。
如請求項4之黏著帶，其中上述電源纜線為電動潛油泵之纜線。
如請求項1之黏著帶，其於使用導電性連接構件連接電源纜線之電力線彼此時，以至少一部分與上述連接構件之通電部分相接之方式，捲繞於上述連接構件之周圍而使用。
如請求項7之黏著帶，其中上述初始彈性係數Y為15.5 N/mm以下。
如請求項7之黏著帶，其斷裂伸長率為150%以上。
如請求項7之黏著帶，其中斷裂伸長率為340%以上，於賦予50 mm之拉伸伸長時之拉伸應力為20 N/25 mm以上34 N/25 mm以下。
如請求項7之黏著帶，其中上述基材包含FEP。
如請求項1之黏著帶，其於使用導電性連接構件連接電源纜線之電力線彼此時，在與上述連接構件之通電部分介隔絕緣構件而相隔之狀態下，捲繞於上述連接構件之周圍而使用。
如請求項12之黏著帶，其刺紮強度為3.5 N以上。
如請求項12之黏著帶，其自背面黏著力為3 N/25 mm以上。
如請求項12之黏著帶，其中上述黏著劑層包含丙烯酸系黏著劑， <br/>斷裂伸長率為620%以下，賦予50 mm之拉伸伸長時之拉伸應力為60 N/25 mm以上。
如請求項15之黏著帶，其自背面黏著力為10 N/25 mm以上。
如請求項12之黏著帶，其中上述黏著劑層包含聚矽氧系黏著劑， <br/>斷裂伸長率為280%以下，賦予50 mm之拉伸伸長時之拉伸應力為56.5 N/25 mm以上。
如請求項12之黏著帶，其中上述基材包含PTFE。
如請求項12之黏著帶，其係以上述絕緣構件與上述連接構件之通電部分相接之方式，捲繞於上述連接構件之周圍之另一黏著帶。
如請求項19之黏著帶，其中上述另一黏著帶係如請求項7至11中任一項之黏著帶。
一種用於製造複數個光子積體電路之方法，其包含： <br/>形成第一光子電路，藉由： <br/>將氫氣及濺鍍氣體注入至一濺鍍系統之腔室中；及 <br/>基於將該氫氣及該濺鍍氣體注入至該腔室中，將氫化半導體材料之至少一個層濺鍍至安置於該濺鍍系統之該腔室中的基板上，直至該氫化半導體材料之該至少一個層具有滿足臨限值之厚度為止，其中該濺鍍系統之該腔室中的溫度在自145攝氏度至150攝氏度之範圍內；及 <br/>在該氫化半導體材料之該至少一個層的頂部上形成第二光子電路。
如請求項1之方法，其中該氫化半導體材料之該至少一個層包括非晶形氫化矽（a-Si:H）材料。
如請求項1之方法，其中使用反應性磁控濺鍍將該氫化半導體材料之該至少一個層濺鍍至該基板上。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>使用反應性離子蝕刻來蝕刻該氫化半導體材料之該至少一個層的表面，以形成波導結構。
如請求項4之方法，其進一步包含： <br/>在該氫化半導體材料之該至少一個層的經蝕刻表面上沉積額外材料層，以形成用於該波導結構之限制層。
如請求項1之方法，其中： <br/>該氫化半導體材料之該至少一個濺鍍層具有第一折射率，且 <br/>該方法進一步包含： <br/>在該氫化半導體材料之該至少一個濺鍍層上沉積具有小於該第一折射率之第二折射率的材料之額外層，以形成光學濾光片結構。
如請求項1之方法，其中該氫化半導體材料之該至少一個濺鍍層具有在自800奈米至1100奈米之範圍內的波長下滿足臨限值的一或多個光學性質。
如請求項7之方法，其中該氫化半導體材料之該至少一個濺鍍層的該一或多個光學性質在大於1100奈米之波長下滿足該臨限值。
如請求項7之方法，其中該一或多個光學性質包括透射率、吸收或折射率中之至少一者。
一種用於製造光子積體電路之方法，其包含： <br/>在濺鍍系統之腔室中之溫度在自145攝氏度至150攝氏度之範圍內時，將氫氣及濺鍍氣體注入至該腔室中；及 <br/>基於將該氫氣及該濺鍍氣體注入至該腔室中，將氫化矽（Si:H）之層濺鍍至安置於該腔室中之基板上， <br/>其中該Si:H之濺鍍層具有在9xx奈米波長範圍中滿足臨限值的一或多個光學性質。
如請求項10之方法，其中該9xx奈米波長範圍包括在自800奈米至1100奈米之範圍內的波長。
如請求項10之方法，其中將該Si:H之該層濺鍍至該基板上，直至該Si:H之該濺鍍層之厚度滿足臨限值為止。
如請求項10之方法，其中該Si:H之該濺鍍層之該一或多個光學性質在1550奈米波長範圍中滿足該臨限值。
如請求項10之方法，其中使用反應性磁控濺鍍將該Si:H之該層濺鍍至該基板上。
如請求項10之方法，其中相對於單晶矽，該Si:H之該濺鍍層在該9xx奈米波長範圍中具有較高透射率、較低吸收或較高折射率中之一或多者。
如請求項10之方法，其中相對於藉由電漿增強型化學氣相沉積而沉積之Si:H，該Si:H之該濺鍍層在該9xx奈米波長範圍中具有較高透射率、較低吸收或較高折射率中之一或多者。
一種用於製造光子積體電路之方法，其包含： <br/>由濺鍍系統將氫氣及濺鍍氣體注入至包括基板及由半導體材料形成之至少一個靶材的腔室中， <br/>其中將該氫氣及該濺鍍氣體注入至該腔室中使得使用反應性磁控濺鍍將該半導體材料之氫化層濺鍍至該基板上，直至該半導體材料之該氫化層具有滿足臨限值之厚度為止，其中該濺鍍系統之該腔室中的溫度在自145攝氏度至150攝氏度之範圍內；及 <br/>使用反應性離子蝕刻來圖案化該半導體材料之該氫化層的表面，以形成平面波導結構。
如請求項17之方法，其中該平面波導結構具有空氣包層。
如請求項17之方法，其進一步包含： <br/>在該半導體材料之該氫化層之經蝕刻表面上沉積額外層，以形成用於該平面波導結構之限制層。
一種樹脂層形成用活性能量線硬化性樹脂組成物，其是包括樹脂層及無機層的積層體的樹脂層形成用活性能量線硬化性樹脂組成物，其特徵在於，所述活性能量線硬化性樹脂組成物含有具有(甲基)丙烯醯基的多分支型高分子化合物(A)，所述多分支型高分子化合物(A)為選自由具有樹枝狀聚合物結構的化合物、具有超枝化結構的化合物、及具有星型結構的化合物所組成的群組中的一種以上，所述多分支型高分子化合物(A)的每一分子的平均(甲基)丙烯醯基數為10個~32個的範圍，所述多分支型高分子化合物(A)的重量平均分子量(Mw)為1,000~10,000的範圍，相對於所述樹脂層形成用活性能量線硬化性樹脂組成物整體為100質量份，所述多分支型高分子化合物(A)的含量為於1質量份~80質量份，更含有具有碳酸酯結構的(甲基)丙烯酸化合物、具有環狀結構的(甲基)丙烯酸化合物、一分子中具有一個或兩個(甲基)丙烯醯基以及一分子中具有烷二醇結構的化合物中的任一者或多種。
一種硬化物，其為如請求項1所述的活性能量線硬化性樹脂組成物的硬化物。
如請求項2所述的硬化物，其中阿貝數νD為53以上。
如請求項2所述的硬化物，其中波長589nm下的折射率nD為1.48以上。
一種積層體，其特徵在於包括：樹脂層，包含如請求項2至請求項4中任一項所述的硬化物；以及無機層。
一種透鏡，其特徵在於包含如請求項5所述的積層體。
一種用於改善除草劑之有效性的農用化學組成物，其包含：<br/> a) 至少一除草劑、其鹽、異構物或衍生物；<br/> b) 至少一非離子界面活性劑，其中該至少一非離子界面活性劑係選自下列中之一或多者：醇乙氧基化物、烷基氧化胺、烷基葡糖醯胺(alkyl glucamide)、脂肪酸甲酯、乙氧基化三苯乙烯酚及烷基醯胺；及<br/> c) 至少一電解質，<br/> 其中該農用化學組成物包括該農用化學組成物之總重量的0.1%至50% w/w的非離子界面活性劑、0.01%至30% w/w的電解質，且<br/> 其中除草劑係選自下列中之一或多者：<br/> 嘉磷塞(glyphosate)、固殺草(glufosinate)及其鹽。
如請求項1所述之農用化學組成物，其中除草劑係固殺草及其鹽。
如請求項2所述之農用化學組成物，其中固殺草及其鹽係選自固殺草銨鹽、固殺草鈉鹽、d-固殺草及l-固殺草中之一或多者。
如請求項1所述之農用化學組成物，其中除草劑係嘉磷塞及其鹽。
如請求項4所述之農用化學組成物，其中嘉磷塞鹽係嘉磷塞異丙銨鹽。
如請求項1所述之農用化學組成物，其中非離子界面活性劑係選自：d-葡萄糖醇, 1-去氧-1-(甲胺基)-,N-C8-10醯基衍生物；辛醯基/己醯基甲基葡糖醯胺、蓖麻油乙氧基化酯肪酸、癸基氧化胺及肉豆蔻基氧化胺/二甲基氧化胺。
如請求項1所述之農用化學組成物，其中電解質係選自鹼金屬鹽或鹼土金屬鹽。
如請求項7所述之農用化學組成物，其中電解質係選自：氯化鎂、硫酸鎂、氯化鉀、硫酸鉀、氯化鈉、碳酸鈉、氯酸鈉、硝酸鈉、硫酸鈉、氯化鈣、碳酸鈣及硝酸鈣。
如請求項1所述之農用化學組成物，其進一步包含選自下列的陰離子界面活性劑：直鏈烷基苯磺酸鹽、烷基酯磺酸鹽、烷基硫酸鹽、烷基烷氧基硫酸鹽、烷基磺酸鹽、烷基芳基醚硫酸鹽、烷基萘磺酸鹽、磺琥珀酸鹽、及牛磺酸鹽、以及其混合物。
一種防制非所欲植物之方法，該方法包含向該等植物或向其場所施用除草有效量的如請求項1所述之農用化學組成物。
一種處理液，其係含有氟化物離子源、氧化劑及添加劑，其中 <br/>前述添加劑係選自包括聚苯乙烯磺酸及其鹽、除了聚乙烯亞胺以外的含有氮原子之聚合物、己二甲胺鹽、鯨蠟基三甲基氯化銨、聚氧乙烯月桂胺、酚磺酸福馬林縮合物及其鹽、芳基酚磺酸福馬林縮合物及其鹽、聚氧乙烯烷基醚磺酸及其鹽、聚氧乙烯月桂基醚磷酸及其鹽、聚氧乙烯烷基苯醚磷酸及其鹽、月桂基二甲胺基乙酸甜菜鹼、二甲基月桂基氧化胺、矽化合物、烷基胺、芳香族胺、以及含氮雜環化合物之群組中的1種以上， <br/>前述除了聚乙烯亞胺以外的含有氮原子之聚合物係選自包括聚烯丙胺、聚乙烯基胺、二甲胺·環氧鹵丙烷系聚合物、聚二烯丙基胺、聚二甲基二烯丙基銨鹽、聚（4-乙烯基吡啶）、聚鳥胺酸、聚賴胺酸、聚精胺酸、聚組胺酸、聚乙烯基咪唑及聚甲基二烯丙基胺之群組中的1種以上， <br/>前述矽化合物係選自包括矽烷醇化合物、肟基矽烷、二矽氮烷及矽氧烷之群組中的1種以上， <br/>前述烷基胺係選自包括四伸乙五胺、五伸乙六胺、四甲基乙二胺、六亞甲二胺、甲胺、二甲胺、三甲胺、三乙胺、硬脂胺及苯乙胺之群組中的1種以上， <br/>前述芳香族胺係選自包括苯胺及甲苯胺之群組中的1種以上， <br/>前述含氮雜環化合物係選自包括吡咯啶、哌啶、哌𠯤、嗎福林、吡咯、吡唑、嘧啶、㗁唑、4-二甲胺基吡啶及氯化十二烷基吡啶鎓之群組中的1種以上， <br/>前述處理液係針對含有SiGe之被處理物來使用且去除前述被處理物中含有之SiGe的至少一部分之處理液， <br/>前述SiGe中的Si與Ge的元素比在Si:Ge=95:5～50:50的範圍內。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述除了聚乙烯亞胺以外的含有氮原子之聚合物。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述聚氧乙烯烷基醚磺酸及其鹽中的至少任一個， <br/>前述聚氧乙烯烷基醚磺酸係選自包括聚氧乙烯月桂基醚磺酸、聚氧乙烯油基醚磺酸及聚氧乙烯辛基十二烷基醚磺酸之群組中的1種以上。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述聚氧乙烯月桂基醚磷酸及其鹽中的至少任一個。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述矽化合物。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述矽烷醇化合物係選自包括三甲基矽烷醇、二甲基矽烷二醇、二苯基矽烷二醇、矽烷三醇、3-胺基丙基矽烷三醇、甲基矽烷三醇、2-甲基-2-丙基矽烷三醇、甲基乙酸酯矽烷三醇、2-（氯乙基）乙酸酯矽烷三醇及3-（羥丙基）矽烷三醇之群組中的1種以上。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述肟基矽烷係選自包括二（乙基醛肟）矽烷、單（乙基醛肟）矽烷、三（乙基醛肟）矽烷、四（乙基醛肟）矽烷、甲基三（甲基乙基酮肟）矽烷、甲基甲苯磺醯基（乙醯肟）矽烷、甲基三（甲基異丁基酮肟）矽烷、二甲基二（甲基乙基酮肟）矽烷、三甲基（甲基乙基酮肟）矽烷、四（甲基乙基酮肟）矽烷、四（甲基異丁基酮肟）矽烷、乙烯基三（甲基乙基酮肟）矽烷、甲基乙烯基二（甲基乙基酮肟）矽烷、甲基乙烯基二（環己酮肟）矽烷、乙烯基三（甲基異丁基酮肟）矽烷及苯基三（甲基乙基酮肟）矽烷之群組中的1種以上。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述二矽氮烷為六甲基二矽氮烷。
如請求項1所述之處理液，其中 <br/>前述矽氧烷係選自包括六甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、十甲基環五矽氧烷及十二甲基環六矽氧烷之群組中的1種以上。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述烷基胺。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述芳香族胺。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述添加劑含有前述含氮雜環化合物。
如請求項1或2所述之處理液，其係進一步含有有機溶劑。
如請求項13所述之處理液，其中 <br/>前述有機溶劑係選自包括乙二醇、丙二醇、丁基二乙二醇、1,4-丁二醇、三丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、二乙二醇正丁醚、己氧基丙胺、聚（氧乙烯）二胺、二甲基亞碸、四氫糠醇、甘油、環丁碸、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單異丙醚、二乙二醇單異丁醚、二乙二醇單苄醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇二甲醚、聚乙二醇單甲醚、二乙二醇甲乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇單丁醚、單丙醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單異丙醚、二丙二醇單丁醚、二丙二醇二異丙醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1,1-二甲氧基乙烷、2-（2-丁氧基乙氧基）乙醇、甲醇、乙醇、異丙醇及1-丁醇之群組中的1種以上。
如請求項13所述之處理液，其中 <br/>前述有機溶劑係選自包括丙二醇及環丁碸之群組中的1種以上。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述氧化劑係過氧化物。
如請求項1或2所述之處理液，其中 <br/>前述氧化劑的含量相對於處理液的總質量小於10質量%。
如請求項1或2所述之處理液，其係針對含有SiGe之被處理物來使用且去除前述被處理物中含有之SiGe的至少一部分之處理液。
如請求項1或2所述之處理液，其係針對含有包含Cu、Co、W、AlO<sub>x</sub>、AlN、AlO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>、WO<sub>x</sub>、Ti、TiN、ZrO<sub>x</sub>、HfO<sub>x</sub>及TaO<sub>x</sub>中的任意1種以上之金屬硬罩之被處理物來使用， <br/>另外，所表示之數為x=1～3、y=1～2。
一種處理液收容體，其係具有容器及收容於前述容器內之如請求項1至19之任一項所述之處理液，其中 <br/>前述容器具有對前述容器內的壓力進行調整之脫氣機構。
一種輻射源，其包含： <br/>一雷射系統，其包含： <br/>一第一雷射源，其經組態以產生一第一雷射光束； <br/>一第二雷射源，其經組態以產生一第二雷射光束； <br/>一雙通路放大器，其經組態以： <br/>沿一共同光束路徑執行該第一雷射光束之雙通路放大；及 <br/>沿該共同光束路徑執行該第二雷射光束之雙通路放大；及 <br/>一第一聲光調變器，其沿該共同光束路徑安置；該第一聲光調變器經組態以： <br/>沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收該第一雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收該第二雷射光束； <br/>基於該第一雷射光束之一第一波長而產生一經修改第一雷射光束； <br/>基於該第二雷射光束之一第二波長而產生一經修改第二雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑將該經修改第一雷射光束輸出至該雙通路放大器；及 <br/>沿該共同光束路徑將該經修改第二雷射光束輸出至該雙通路放大器。
如請求項1之輻射源，其中該第一雷射光束包含一預脈衝雷射光束。
如請求項2之輻射源，其中該第二雷射光束包含一主脈衝雷射光束。
如請求項3之輻射源，其中該雷射系統經組態以： <br/>運用該預脈衝雷射光束照射一燃料目標以產生一經修改燃料目標；及 <br/>運用該主脈衝雷射光束照射該經修改燃料目標以在一電漿形成區處產生一電漿。
如請求項1之輻射源，其中： <br/>該雷射系統進一步包含一電光調變器，其安置於該第二雷射源與該雙通路放大器之間；且 <br/>該電光調變器經組態以： <br/>沿該共同光束路徑輸出該第一雷射光束；及 <br/>沿該共同光束路徑輸出該第二雷射光束。
如請求項5之輻射源，其中該電光調變器包含： <br/>一第一單晶電光調變器； <br/>一第二單晶電光調變器；及 <br/>一第三單晶電光調變器。
如請求項5之輻射源，其中該電光調變器包含： <br/>一單晶電光調變器；及 <br/>一雙晶電光調變器。
如請求項5之輻射源，其中該電光調變器包含一三晶電光調變器。
如請求項5之輻射源，其中： <br/>該雷射系統進一步包含一第二聲光調變器，其沿該共同光束路徑安置於該電光調變器與該雙通路放大器之間；且 <br/>該第二聲光調變器經組態以： <br/>沿該共同光束路徑自該電光調變器接收該第一雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑自該電光調變器接收該第二雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑將該第一雷射光束輸出至該雙通路放大器；及 <br/>沿該共同光束路徑將該第二雷射光束輸出至該雙通路放大器。
如請求項9之輻射源，其中： <br/>該第二聲光調變器經進一步組態以： <br/>以一第一繞射角輸出該第一雷射光束；及 <br/>以一第二繞射角輸出該第二雷射光束；且 <br/>該第二繞射角約等於該第一繞射角。
如請求項1之輻射源，其中： <br/>該第一雷射光束包含該第一波長；且 <br/>該第二雷射光束包含不同於該第一波長之該第二波長。
如請求項1之輻射源，其中： <br/>該第一聲光調變器經進一步組態以： <br/>基於一第一無線電波之一第一射頻而產生經組態以繞射該第一雷射光束之一第一聲柵； <br/>基於一第二無線電波之一第二射頻而產生經組態以繞射該第二雷射光束之一第二聲柵； <br/>基於該第一聲柵而以一第一繞射角輸出該第一雷射光束；及 <br/>基於該第二聲柵而以一第二繞射角輸出該第二雷射光束； <br/>該第一波長與該第一射頻之一第一數學乘積約等於該第二波長與該第二射頻之一第二數學乘積；且 <br/>該第二繞射角約等於該第一繞射角。
如請求項1之輻射源，其中該雙通路放大器經進一步組態以： <br/>基於以下各者執行該第一雷射光束之該雙通路放大： <br/>該第一雷射光束之一第一放大；及 <br/>該經修改第一雷射光束之一第二放大；且 <br/>基於以下各者執行該第二雷射光束之該雙通路放大： <br/>該第二雷射光束之一第三放大；及 <br/>該經修改第二雷射光束之一第四放大。
如請求項1之輻射源，其中： <br/>該雷射系統進一步包含一雷射隔離系統，其沿該共同光束路徑安置於該雙通路放大器下游；且 <br/>該雷射隔離系統經組態以： <br/>沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收一經雙通路放大之第一雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收一經雙通路放大之第二雷射光束； <br/>基於該經雙通路放大之第一雷射光束而產生一經隔離第一雷射光束；及 <br/>基於該經雙通路放大之第二雷射光束而產生一經隔離第二雷射光束。
如請求項14之輻射源，其中： <br/>該經隔離第一雷射光束包含大於10,000倍之一第一隔離因數；且 <br/>該經隔離第二雷射光束包含大於10,000倍之一第二隔離因數。
如請求項14之輻射源，其中該雷射隔離系統包含一第三聲光調變器，其沿該共同光束路徑安置於該雙通路放大器下游。
如請求項1之輻射源，其中： <br/>該第一雷射光束包含該第一波長；且 <br/>該第二雷射光束包含大於該第一波長之該第二波長。
一種用於雷射光束之雙通路放大之裝置，其包含： <br/>一第一雷射源，其經組態以產生一第一雷射光束； <br/>一第二雷射源，其經組態以產生一第二雷射光束； <br/>一雙通路放大器，其經組態以： <br/>沿一共同光束路徑執行該第一雷射光束之雙通路放大；及 <br/>沿該共同光束路徑執行該第二雷射光束之雙通路放大；及 <br/>一聲光調變器，其沿該共同光束路徑安置；該聲光調變器經組態以： <br/>沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收該第一雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收該第二雷射光束； <br/>基於該第一雷射光束之一第一波長而產生一經修改第一雷射光束； <br/>基於該第二雷射光束之一第二波長而產生一經修改第二雷射光束； <br/>沿該共同光束路徑將該經修改第一雷射光束輸出至該雙通路放大器；及 <br/>沿該共同光束路徑將該經修改第二雷射光束輸出至該雙通路放大器。
一種用於雷射光束之雙通路放大之方法，其包含： <br/>由一第一雷射源產生一第一雷射光束； <br/>由一第二雷射源產生一第二雷射光束； <br/>由一雙通路放大器沿一共同光束路徑執行該第一雷射光束之雙通路放大； <br/>由該雙通路放大器沿該共同光束路徑執行該第二雷射光束之雙通路放大； <br/>由一聲光調變器沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收該第一雷射光束； <br/>由該聲光調變器沿該共同光束路徑自該雙通路放大器接收該第二雷射光束； <br/>由該聲光調變器基於該第一雷射光束之一第一波長而產生一經修改第一雷射光束； <br/>由該聲光調變器基於該第二雷射光束之一第二波長而產生一經修改第二雷射光束； <br/>由該聲光調變器沿該共同光束路徑將該經修改第一雷射光束輸出至該雙通路放大器；及 <br/>由該聲光調變器沿該共同光束路徑將該經修改第二雷射光束輸出至該雙通路放大器。
一種製作衣服(1)之方法，該衣服特別是一針織物或類似衣服，該衣服至少具有一主幹(T)、一右袖(MD)及一左袖(MS)，該方法包含以下步驟：<br/> 配置一圓形紡織機；<br/> 藉由該圓形紡織機生產一管狀織物製品(3)，該管狀織物製品具有實質上具有圓柱形表面之一形狀，該圓柱形表面在一上邊緣(4)與一下邊緣(5)之間圍繞該製品之一中心軸(X)連續延伸，且其中在該管狀織物製品(3)上可界定一前側(6)及一後側(7)，該前側與該後側相對於一中間平面(A)彼此分開；<br/> 在該管狀織物製品(3)上界定或識別多條裁剪線(51、52、53、54)；<br/> 沿著該等多條裁剪線裁剪該管狀織物製品(3)，以界定及彼此分離該管狀織物製品(3)之多個織物部(11、21、31、41)，每個織物部屬於該前側(6)，或屬於該後側(7)，或部分屬於該前側及部分屬於該後側；其中該等織物部藉由該等裁剪線彼此分離，但其在該管狀織物製品(3)中保持至少部分連接；<br/> 接合該管狀織物製品(3)之該等織物部以獲得該衣服之該主幹(T)、該右袖(MD)及該左袖(MS)；<br/> 其中在該接合之步驟之後，自該管狀織物製品(3)獲得的該衣服(1)在該主幹(T)與該右袖(MD)及該左袖(MS)之間具有在該織物中缺乏針腳或不連續的通道區域，即自該主幹(T)之該織物至該右袖(MD)及該左袖(MS)之該織物至少部分不中斷地存在的通道。
如請求項1所述的方法，其中該主幹(T)與該右袖(MD)及該左袖(MS)之間的該等前述通道區域係該衣服之在該前側(6)及該後側(7)兩者置放於肩部與腋窩之間的區域，及/或其中在該衣服(1)之前部及背部，該織物均係自該主幹(T)直接通至該等衣袖(MD、MS)，而不存在右袖窿或左袖窿，及/或其中該中間平面(A)實質上將該管狀織物製品(3)垂直分為兩半部分，分別對應於該前側(6)及該後側(7)。
如請求項1所述的方法，其中該等織物部至少包含：<br/> 一前主幹部(11)，屬於該管狀織物製品(3)之該前側(6)；<br/> 一後主幹部(21)，屬於該管狀織物製品(3)之該後側(7)；<br/> 一右袖部(31)，包含該前側(6)及該後側(7)之織物，且與該中間平面(A)相交；<br/> 一左袖部(41)，包含該前側(6)及該後側(7)之織物，且在該中心軸(X)之相對側上相對於該右袖部(31)與該中間平面(A)相交；<br/> 且其中接合該等織物部之步驟包含：<br/> 將該前主幹部(11)接合至該後主幹部(21)，以形成該衣服之該主幹(T)，該主幹具有至少部分管狀形狀；<br/> 閉合該右袖部(31)以製作一右袖(MD)，該右袖具有至少部分管狀形狀；<br/> 閉合該左袖部(41)以製作一左袖(MS)，該左袖具有至少部分管狀形狀，<br/> 及/或其中裁剪該管狀織物製品(3)之步驟藉由沿著該管狀織物製品圍繞該中心軸(X)的一圓周延伸部而實現一主幹部(11、21)與一袖部(31、41)之間的一交替。
如請求項1所述的方法，其中在生產一管狀織物製品(3)之步驟中，生產一單個管狀織物製品(3)允許完全製作該衣服(1)之該主幹(T)及該等袖子(MD、MS)，及/或其中該主幹(T)、該右袖(MD)及該左袖(MS)在單件織物中整體上至少部分地相互接合及連續，且其從未彼此卸開或分離，及/或其中在裁剪該管狀織物製品(3)之步驟之後，該等織物部(11、21、31、41)彼此並未完全分開或脫離，而是保留至少部分地接合在單件的該管狀織物製品中，及/或其中自生產一管狀織物製品(3)之步驟至該衣服(1)之該生產或包裝結束，從未有自該下邊緣(5)至該上邊緣或反之地縱向裁剪該管狀織物製品(3)之一步驟，亦未有將該管狀織物製品(3)打開成為一件平整織物之一步驟，及/或其中在裁剪該管狀織物製品(3)之步驟中，該等裁剪線不會導致該管狀製品本身開口，即，該管狀織物製品(3)保持至少一個管狀織物部連續並整個圍繞該中心軸(X)閉合。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中在該管狀織物製品(3)上界定或識別多條裁剪線之步驟包含以下操作中的一或多個：<br/> 在構造步驟中，例如藉由相對於該管狀織物製品之相鄰部具有不同顏色的織線，在該管狀織物製品(3)上設計該等裁剪線(51、52、53、54)；<br/> 在裁剪該管狀織物製品之步驟之前及/或期間，例如藉由能夠界定並使該等裁剪線可見的一光學光照或雷射裝置，在該管狀織物製品(3)上顯示或投射出該等裁剪線(51、52、53、54)；<br/> 為一自動裁剪機器進行規劃，例如在此機器之一控制軟體中，在其內部界定該等裁剪線(51、52、53、54)，使得其能夠在該管狀織物製品(3)上操作並自動形成該等裁剪線；<br/> 在裁剪該管狀織物製品之步驟之前及/或期間，在該管狀織物製品上追蹤該等裁剪線(51、52、53、54)，<br/> 及/或其中在該管狀織物製品(3)上界定或識別多條裁剪線(51、52、53、54)之步驟可在裁剪該管狀織物製品之步驟中直接執行，例如由操作員手動執行。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中該等裁剪線(51、52、53、54)全部自該管狀織物製品(3)之該下邊緣(5)開始並向該上邊緣(4)延伸，及/或其中自該下邊緣(5)延伸之該等裁剪線在到達該上邊緣(4)之前終止於該管狀織物製品，即，其不在該上邊緣上終止或通達該上邊緣，及/或其中接合該等織物部之步驟藉由在欲接合之該等織物部之間實現針腳等方式進行，及/或其中每個該等裁剪線產生屬於兩個相鄰織物部之兩個織物邊緣，該等兩個邊緣位於該裁剪線之側面，且其中該等多條裁剪線包含至少一條第一裁剪線(51)、一條第二裁剪線(52)、一條第三裁剪線(53)及一條第四裁剪線(54)，其中：<br/> 該第一裁剪線(51)位於該管狀織物製品(3)之該前側(6)，將該前主幹部(11)及該右袖部(31)彼此分開，從而獲得該前主幹部(11)之一右緣(12)及該右袖部(31)之一前緣(32)；<br/> 該第二裁剪線(52)位於該管狀織物製品(3)之該前側(6)，將該前主幹部(11)及該左袖部(41)彼此分開，從而獲得該前主幹部(11)之一左緣(13)及該左袖部(41)之一前緣(42)；<br/> 該第三裁剪線(53)位於該管狀織物製品(3)之該後側(7)，將該後主幹部(21)及該右袖部(31)彼此分開，從而獲得該後主幹部(21)之一右緣(22)及該右袖部(31)之一後緣(33)；<br/> 該第四裁剪線(54)位於該管狀織物製品(3)之該後側(7)，將該後主幹部(21)及該左袖部(41)彼此分開，從而獲得該後主幹部(21)之一左緣(23)及該左袖部(41)之一後緣(43)，<br/> 及/或其中該等裁剪線(51、52、53、54)中的一或多條可為各種形狀或起伏的，以便獲得成品衣服中該主幹(T)及/或該等袖子(MD、MS)的一特定三維形狀。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中在沿著第一裁剪線(51)、第二裁剪線(52)、第三裁剪線(53)及第四裁剪線(54)裁剪該管狀織物製品之步驟之後：<br/> 該前主幹部(11)在其右緣(12)與左緣(13)之間側向延伸，且完全在該前側(6)；<br/> 該後主幹部(21)在其右緣(22)與左緣(23)之間側向延伸，且完全在該後側(7)；<br/> 該右袖部(31)在其前緣(32)與後緣(33)之間側向延伸，從而在該前側(6)與該後側(7)之間共用；<br/> 該左袖部(41)在其前緣(42)與後緣(43)之間側向延伸，從而在該前側(6)與該後側(7)之間共用；<br/> 及/或其中在接合該管狀織物製品之該等織物部的步驟中：<br/> 該前主幹部(11)之該右緣(12)藉由一第一接合線(61)與該後主幹部(21)之個別右緣(22)接合；<br/> 該前主幹部(11)之該左緣(13)藉由一第二接合線(62)與該後主幹部(21)之個別左緣(23)接合；<br/> 以此方式，該第一接合線(61)及該第二接合線(62)完成該前主幹部(11)與該後主幹部(21)之連接，從而形成該衣服之該主幹(T)；<br/> 該右袖部(31)之該前緣(32)藉由一第三接合線(63)與同一右袖部(31)之該後緣(33)接合；<br/> 該左袖部(41)之該前緣(42)藉由一第四接合線(64)與同一左袖部(41)之該後緣(43)接合；<br/> 以此方式，該第三接合線(63)閉合並完成該衣服之該右袖(MD)，該第四接合線(64)閉合並完成該衣服之該左袖(MS)，<br/> 及/或其中該第一接合線(61)、該第二接合線(62)、該第三接合線(63)及該第四接合線(64)係該等兩個相關織物邊緣之間的針腳，或其係藉由類似的方法，例如貼合、黏合或熔合來實現的。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其包含以下步驟：<br/> 在該第一接合線(61)與該第三接合線(63)之間的一位置，將一右嵌件插入該管狀織物製品(3)，使得該右嵌件介於該第一接合線與該第三接合線之間並連接該第一接合線及該第三接合線，在穿上衣服時，該右嵌件將位於使用者之右腋窩處；<br/> 在該第二接合線(62)與該第四接合線(64)之間的一位置，將一左嵌件插入該管狀製品(3)，使得該左嵌件介於該第二接合線與該第四接合線之間並連接該第二接合線及該第四接合線，在穿上衣服時，該左嵌件將位於該使用者之左腋窩處，<br/> 及/或其中該右嵌件及該左嵌件係組配供用於：<br/> 消除該第一接合線及該第三接合線之間以及該第二接合線及該第四接合線之間分別存在的不連續性；及/或<br/> 防止該衣服中在穿上衣服時位於該使用者之腋窩處的兩個區域中出現接合線，例如針腳；及/或<br/> 在該衣服本身之在穿上衣服時位於該使用者之腋窩處的該等兩個區域中適當地塑形該衣服；<br/> 及/或其中該右嵌件及該左嵌件由透氣織物及/或加強織物製成。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其包含沿著一或多條接合線在特定位置將一或多個嵌件插入該管狀織物製品(3)之步驟，及/或其中每個該等嵌件將沿著一特定接合線插在其所處的位置，局部中斷該接合線之連續性，及/或其中一第一嵌件可沿該第一接合線(61)插入，以便為該衣服提供一右側嵌件，及/或其中一第二嵌件可沿該第三接合線(63)插入，以便為該衣服提供一左側嵌件，及/或其中該嵌件係組配來在其所在該衣服本身之區域內適當地塑形該衣服(1)，及/或為此區域提供特殊彈性或壓縮性或透氣性及/或特定美學或技術特徵。
如請求項1至4中任一項所述的方法，包含適當地調整該主幹(T)及該右袖(MD)及該左袖(MS)的尺寸的一步驟，使得該左袖及該右袖比該衣服之該主幹長，及/或其中在衣服(1)完成的情況下，該右袖(MD)及該左袖(MS)之個別下端的長度方向的延伸終止於低於該主幹(T)之下端，及/或其中在生產一管狀織物製品之該步驟中執行該調整尺寸之步驟，使得該管狀織物製品之在該等裁剪後將形成該右袖部(31)及該左袖部(41)的部分比該管狀織物製品之在該等裁剪後將形成該前主幹部(11)及該後主幹部(21)的部分長，或其中該調整尺寸之步驟包含去除該前主幹部(11)之一下部(15)及該後主幹部(21)之一個別下部(25)的一步驟，使得此等部分相對於該右袖部(31)及該左袖部(41)縮短，從而獲得比該等袖子短的一主幹(T)，及/或其中在去除該前主幹部(11)之一下部(15)及後主幹部(21)之一下部(25)的步驟中，去除的部分係自該管狀織物製品(3)之該下邊緣(5)開始裁剪的水平條。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其包含在該衣服(1)之該主幹(T)的該下邊緣製作一雙褶邊(81)的一步驟，及/或其中該方法包含在兩個該右袖(MD)及該左袖(MS)中之每一者的個別下端製作個別雙褶邊(82、83)的一步驟，及/或其中藉由在該管狀織物製品之該下邊緣(5)處獲得一雙層織物或袖口，製作一雙褶邊之該步驟與生產該管狀織物製品之步驟同時進行，使得該管狀織物製品(3)已經被製作成具有由整個圓周延伸部之雙層織物製得的整個下邊緣(5)，且在裁剪該管狀織物製品及接合所獲得的該等織物部之步驟之後，該主幹(T)及/或該右袖(MD)及/或該左袖(MS)的下端已經具有一個別的雙褶邊(81、82、83)。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中該等多條裁剪線包含一第五裁剪線(55)及一第六裁剪線(56)，其中：<br/> 該第五裁剪線自該管狀織物製品(3)之該前側(6)的該上邊緣(4)開始，朝著該下邊緣(5)下降至一特定高度(75)，再上升至該管狀織物製品(3)之該後側(7)的該上邊緣(4)終止，該第五裁剪線(55)至少部分垂直地疊加於該右袖部(31)上；<br/> 該第六裁剪線自該管狀織物製品(3)之該前側(6)的該上邊緣(4)開始，朝著該下邊緣(5)下降至一特定高度(76)，再上升至該管狀織物製品(3)之該後側(7)的該上邊緣(4)終止，該第六裁剪線(56)至少部分垂直地疊加於該左袖部(41)上；<br/> 其中該第五裁剪線(55)及該第六裁剪線(56)相對於該中心軸(X)界定於該管狀織物製品(3)之相對側上，<br/> 及/或其中在沿著該第五裁剪線(55)及該第六裁剪線(56)裁剪該管狀織物製品之步驟之後：<br/> 在該前側(6)上獲得一右前肩緣，在該後側(7)上獲得一右後肩緣；<br/> 在該前側(6)上獲得一左前肩緣，在該後側(7)上獲得一左後肩緣，<br/> 及/或其中在接合該管狀織物製品之該等織物部的步驟中：<br/> 該右前肩緣與該右後肩緣藉由形成右肩之一第五接合線(65)接合；<br/> 該左前肩緣與該左後肩緣藉由形成左肩之一第六接合線(66)接合；<br/> 使得該第五接合線及該第六接合線完成該前主幹部(11)及該後主幹部(21)之上部的連接，從而獲得該衣服之主幹(T)頂部的該等肩部，<br/> 及/或其中在該第五接合線(65)與該第六接合線(66)之間存在頸部開口。
一種衣服(1)，特別是至少具有一主幹(T)、一右袖(MD)及一左袖(MS)之一針織物或類似衣服，藉由如請求項1至12中任一項所述的方法製作。
一種衣服(1)，特別是至少具有一主幹(T)、一右袖(MD)及一左袖(MS)之一針織物或類似衣服，由一管狀織物製品(3)製成，較佳地藉由圓形紡織機獲得，其中：<br/> 製成該衣服之該管狀織物製品(3)具有實質上具有圓柱形表面之一形狀，該圓柱形表面在一上邊緣(4)與一下邊緣(5)之間圍繞該製品之一中心軸(X)連續延伸，且其中在該管狀織物製品(3)上可界定一前側(6)及一後側(7)，該前側與該後側相對於一中間平面(A)彼此分開；<br/> 該管狀織物製品(3)沿著多條裁剪線(51、52、53、54)裁剪，以界定及彼此分離該管狀織物製品之多個織物部(11、21、31、41)，每個織物部屬於該前側(6)，或屬於該後側(7)，或部分屬於該前側(6)及部分屬於該後側(7)；其中該等織物部藉由該等裁剪線彼此分離，但其在該管狀織物製品中至少部分連接；<br/> 該管狀織物製品之該等織物部(11、21、31、41)例如藉由針腳接合，以獲得該衣服之該主幹(T)、該右袖(MD)及該左袖(MS)；<br/> 其中在接合該等織物部之後獲得的該衣服(1)在該主幹(T)與該右袖(MD)及該左袖(MS)之間具有在該織物中缺乏針腳或不連續的通道區域，即自該主幹(T)之該織物至該右袖(MD)及該左袖(MS)之該織物至少部分不中斷地存在的通道。
如請求項14所述的衣服，其中該主幹(T)與該右袖(MD)及該左袖(MS)之間的該等前述通道區域係該衣服之在該前側(6)及該後側(7)兩者置放於肩部與腋窩之間的區域，及/或其中在該衣服(1)之前部及背部，該織物均係自該主幹(T)直接通至該等衣袖(MD、MS)，而不存在右袖窿或左袖窿，及/或其中該衣服之該右袖(MD)及該左袖(MS)比該主幹(T)長，及/或其中在衣服完成的情況下，該右袖(MD)及該左袖(MS)之個別下端的長度方向的延伸終止於低於該主幹(T)之該下端。
一種電子元件封裝，包括：<br/> 包括複數個互連的一基板；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第一整合元件；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第二整合元件；及<br/> 透過該複數個互連耦合至該基板的表面的一互連整合元件，其中該互連整合元件包含一晶粒基板、至少一個介電層與複數個互連，<br/> 其中該互連整合元件和該基板被配置成為該第一整合元件的一電信號提供延伸穿過至少該基板、隨後穿過該互連整合元件、返回穿過該基板、並回到該第二整合元件的一電路徑，<br/> 其中該互連整合元件位於該第一整合元件與該第二整合元件之間，且該第一整合元件和該互連整合元件耦合至該基板的一第一表面。
如請求項1之封裝，其中該晶粒基板包括矽、玻璃及/或石英。
如請求項1之封裝，其中該互連整合元件包括沒有電晶體的一晶粒。
如請求項1之封裝，<br/> 其中該第一整合元件、該互連整合元件、該第二整合元件和該基板被配置成在該第一整合元件與該第二整合元件之間為一第二電信號提供一第二電路徑，使得該第二電路徑延伸穿過至少該基板、隨後穿過該互連整合元件並返回穿過該基板，並且<br/> 其中該互連整合元件被配置為該第一整合元件與該第二整合元件之間用於至少該電信號與該第二電信號的一橋接器。
如請求項1之封裝，其中該互連整合元件和該基板被配置成為該第一整合元件的該電信號提供電路徑，使得用於該電信號的該電路徑（i）穿過該互連整合元件的一前側進入，（ii）行進穿過該互連整合元件中的至少一個互連，並且（iii）穿過該互連整合元件的該前側離開。
如請求項1之封裝，其中該封裝被納入到從包括以下各項的一組中選擇的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）設備、以及一機動交通工具中的一設備。
一種電子元件封裝，包括：<br/> 包括複數個互連的一基板；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第一整合元件；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第二整合元件；及<br/> 透過該複數個互連耦合至該基板的表面的一互連整合元件，其中該互連整合元件包含一晶粒基板、至少一個介電層與複數個互連，<br/> 其中該互連整合元件和該基板被配置成為該第一整合元件的一電信號提供延伸穿過至少該基板、隨後穿過該互連整合元件、返回穿過該基板、並回到該第二整合元件的一電路徑，<br/> 其中該互連整合元件位於該第一整合元件與該第二整合元件之間，其中該基板包括一第一表面和一第二表面，並且其中該第一整合元件和該互連整合元件耦合至該基板的該第二表面。
如請求項7之封裝，其中該晶粒基板包括矽、玻璃及/或石英。
如請求項7之封裝，其中該互連整合元件包括沒有電晶體的一晶粒。
如請求項7之封裝，<br/> 其中該第一整合元件、該互連整合元件、該第二整合元件和該基板被配置成在該第一整合元件與該第二整合元件之間為一第二電信號提供一第二電路徑，使得該第二電路徑延伸穿過至少該基板、隨後穿過該互連整合元件並返回穿過該基板，並且<br/> 其中該互連整合元件被配置為該第一整合元件與該第二整合元件之間用於至少該電信號與該第二電信號的一橋接器。
如請求項7之封裝，其中該互連整合元件和該基板被配置成為該第一整合元件的該電信號提供電路徑，使得用於該電信號的該電路徑（i）穿過該互連整合元件的一前側進入，（ii）行進穿過該互連整合元件中的至少一個互連，並且（iii）穿過該互連整合元件的該前側離開。
如請求項7之封裝，其中該封裝被納入到從包括以下各項的一組中選擇的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）設備、以及一機動交通工具中的一設備。
一種電子裝備，包括：<br/> 包括複數個互連的一基板；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第一整合元件；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第二整合元件；及<br/> 透過該複數個互連耦合至該基板的一表面的用於整合元件互連的構件，其中該互連整合元件包含一晶粒基板、至少一個介電層與複數個互連，<br/> 其中該用於整合元件互連的構件和該基板被配置成為該第一整合元件的一電信號提供延伸穿過至少該基板、隨後穿過該用於整合元件互連的構件、返回穿過該基板、並回到該第二整合元件的一電路徑，<br/> 其中該用於整合元件互連的構件位於該第一整合元件與該第二整合元件之間，且該第一整合元件和該用於整合元件互連的構件耦合至該基板的一第一表面。
如請求項13之裝備，其中該晶粒基板包括矽、玻璃及/或石英。
如請求項13之裝備，其中該用於整合元件互連的構件包括沒有一電晶體的一晶粒。
如請求項13之裝備，<br/> 其中該第一整合元件、該用於整合元件互連的構件、該第二整合元件和該基板被配置成在該第一整合元件與該第二整合元件之間為一第二電信號提供一第二電路徑，使得該第二電路徑行進穿過至少該基板、隨後穿過該用於整合元件互連的構件並返回穿過該基板，並且<br/> 其中該用於整合元件互連的構件被配置為該第一整合元件與該第二整合元件之間針對用於該電信號與該第二電信號的至少該電路徑的一橋接器。
如請求項13之裝備，其中該用於整合元件互連的構件和該基板被配置成為該第一整合元件的該電信號提供電路徑，使得用於該電信號的該電路徑（i）穿過該用於整合元件互連的構件的一前側進入，（ii）行進穿過該用於整合元件互連的構件中的至少一個互連，並且（iii）穿過該用於整合元件互連的構件的該前側離開。
如請求項13之裝備，其中該裝備被納入到從包括以下各項的一組中選擇的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）設備、以及一機動交通工具中的一設備。
一種電子裝備，包括：<br/> 包括複數個互連的一基板；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第一整合元件；<br/> 耦合至該基板的該複數個互連的一第二整合元件；及<br/> 透過該複數個互連耦合至該基板的一表面的用於整合元件互連的構件，其中該互連整合元件包含一晶粒基板、至少一個介電層與複數個互連，<br/> 其中該用於整合元件互連的構件和該基板被配置成為該第一整合元件的一電信號提供延伸穿過至少該基板、隨後穿過該用於整合元件互連的構件、返回穿過該基板、並回到該第二整合元件的一電路徑，<br/> 其中該用於整合元件互連的構件位於該第一整合元件與該第二整合元件之間，其中該第一整合元件和該用於整合元件互連的構件耦合至該基板的一第二表面。
如請求項19之裝備，其中該晶粒基板包括矽、玻璃及/或石英。
如請求項19之裝備，其中該用於整合元件互連的構件包括沒有一電晶體的一晶粒。
如請求項19之裝備，<br/> 其中該第一整合元件、該用於整合元件互連的構件、該第二整合元件和該基板被配置成在該第一整合元件與該第二整合元件之間為一第二電信號提供一第二電路徑，使得該第二電路徑行進穿過至少該基板、隨後穿過該用於整合元件互連的構件並返回穿過該基板，並且<br/> 其中該用於整合元件互連的構件被配置為該第一整合元件與該第二整合元件之間針對用於該電信號與該第二電信號的至少該電路徑的一橋接器。
如請求項19之裝備，其中該用於整合元件互連的構件和該基板被配置成為該第一整合元件的該電信號提供電路徑，使得用於該電信號的該電路徑（i）穿過該用於整合元件互連的構件的一前側進入，（ii）行進穿過該用於整合元件互連的構件中的至少一個互連，並且（iii）穿過該用於整合元件互連的構件的該前側離開。
如請求項19之裝備，其中該裝備被納入到從包括以下各項的一組中選擇的一設備中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）設備、以及一機動交通工具中的一設備。
一種用於製造一電子元件封裝的方法，包括：<br/> 提供包括複數個互連的一基板；<br/> 將一第一整合元件耦合至該基板的該複數個互連；<br/> 將一第二整合元件耦合至該基板的該複數個互連；及<br/> 透過該基板的該複數個互連將一互連整合元件耦合至該基板的一表面，其中該互連整合元件包含一晶粒基板、至少一個介電層與複數個互連，<br/> 其中該互連整合元件和該基板被配置成為該第一整合元件的一電信號提供行進穿過至少該基板、隨後穿過該互連整合元件、返回穿過該基板、並回到該第二整合元件的一電路徑，<br/> 其中該互連整合元件位於該第一整合元件與該第二整合元件之間，且該第一整合元件和該互連整合元件耦合至該基板的一第一表面。
如請求項25之方法，其中該第一整合元件、該互連整合元件和該基板被配置成為該第一整合元件的該電信號提供電路徑，使得用於該電信號的該電路徑（i）穿過該互連整合元件的一前側進入，（ii）行進穿過該互連整合元件中的至少一個互連，並且（iii）穿過該互連整合元件的該前側離開。
一種螢光體粒子，係由SCASN構成之Micro LED用或Mini LED用的螢光體粒子，<br/> 該螢光體粒子係氧含有率為3.7質量%以上，<br/> 藉由以下之片材製作程序製成的硬化片材，滿足下列光學特性；<br/> 片材製作程序<br/> (1)使用自轉公轉混合機將40質量份之該螢光體粒子、及60質量份之東麗道康寧公司製的聚矽氧樹脂OE-6630進行攪拌處理及脫泡處理，藉此獲得均勻的混合物；<br/> (2)獲得將該(1)獲得之混合物滴加於透明的第一氟樹脂薄膜，並在該滴加物上再重疊透明的第二氟樹脂薄膜而成的片狀物，將此片狀物使用具有該第一氟樹脂薄膜與該第二氟樹脂薄膜之厚度合計再加上50μm之間隙的滾輪，成形為未硬化片材；<br/> (3)將該(2)獲得之未硬化片材以150℃、60分鐘的條件加熱，之後，將該第一氟樹脂薄膜及該第二氟樹脂薄膜予以剝離，獲得膜厚50±5μm的硬化片材；<br/> 光學特性<br/> 令由在450nm至460nm的範圍內具有峰值波長的藍色LED發出之藍色光在峰值波長時的強度為Ii[W/nm]，並令該藍色光照射於該硬化片材的其中一面側時從該硬化片材的另一面側發出的光在450nm至460nm的範圍內的峰值波長的強度為It[W/nm]且在600nm至650nm的範圍內的峰值波長的強度為Ip[W/nm]時，It/Ii為0.2以下，且Ip/Ii為0.05以上。
如請求項1之螢光體粒子，其中，<br/> 令以雷射繞射散射法測定之體積基準累積50%的粒徑及體積基準累積90%的粒徑分別為D<sub>50</sub>及D<sub>90</sub>時，D<sub>50</sub>為5μm以下，D<sub>90</sub>為10μm以下；<br/> 惟，D<sub>50</sub>及D<sub>90</sub>，係使用將該螢光體粒子0.5g投入包含有六偏磷酸鈉0.05質量%的離子交換水溶液100mL中，並對其使用振盪頻率19.5±1kHz、振幅31±5μm的超音波均化器，將尖端配置於液體的中央部進行3分鐘之分散處理後而獲得的液體測得的數值。
如請求項1或2之螢光體粒子，其中，<br/> 波長700nm的光的光吸收率為20%以下。
一種複合體，具備如請求項1至3中任一項之螢光體粒子，以及將該螢光體粒子予以密封的密封材料。
一種發光裝置，具備發出激發光的發光元件，以及將該激發光的波長予以變換之如請求項4之複合體。
一種自發光型顯示器，具備如請求項5之發光裝置。
一種線狀黏著劑貼附裝置，其將捲繞於捲取體之線狀黏著劑一面捲出一面壓抵於對象物，且具備： <br/>輔助機構，其具備張力調整器件，對自上述捲取體捲出之上述線狀黏著劑於捲出方向上施加外力； <br/>按壓部，其將張力經過調整之上述線狀黏著劑壓抵於上述對象物。
如請求項1之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>上述輔助機構係設置於將上述線狀黏著劑自上述捲取體搬送至上述按壓部之路徑中，將上述線狀黏著劑夾入並對上述線狀黏著劑施加於上述捲出方向上拉伸之拉伸力。
如請求項2之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>上述輔助機構具有將上述線狀黏著劑夾入彼此之間之第一滾筒及第二滾筒， <br/>上述第一滾筒藉由來自驅動源之驅動力或以手動之方式進行旋轉， <br/>上述第二滾筒係與上述第一滾筒之旋轉連動地旋轉，且 <br/>上述第一滾筒及上述第二滾筒夾擠上述線狀黏著劑而將其朝旋轉方向拉伸。
如請求項3之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>上述輔助機構進而具有彈性體，該彈性體安裝於上述第二滾筒，將上述第二滾筒壓抵於上述第一滾筒。
如請求項2之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>上述輔助機構具有： <br/>第三滾筒及第四滾筒，其等可於彼此之間夾緊上述線狀黏著劑以及解除上述線狀黏著劑之夾緊；及 <br/>第五滾筒，其配置於上述路徑中之上述捲取體與上述第三及第四滾筒之間； <br/>上述第五滾筒能夠以將自上述捲取體經過上述第五滾筒到達上述第三及第四滾筒之路徑加長之方式移位，且 <br/>藉由上述第五滾筒之上述移位將上述線狀黏著劑捲出，上述線狀黏著劑被上述第三及第四滾筒夾緊並供給至上述按壓部，於上述第三及第四滾筒之夾緊解除後，上述按壓部將上述線狀黏著劑壓抵於上述對象物。
如請求項1之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>上述輔助機構使上述捲取體於上述捲出方向上旋轉而對上述線狀黏著劑施加將上述線狀黏著劑送出之擠出力。
如請求項6之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>上述輔助機構係與捲繞於上述捲取體之上述線狀黏著劑或上述捲取體之外周面接觸，使上述捲取體於上述捲出方向上旋轉。
如請求項1至7中任一項之線狀黏著劑貼附裝置，其中 <br/>於上述輔助機構與上述按壓部之間的搬送上述線狀黏著劑之路徑中不存在對上述線狀黏著劑施加張力之構件。
如請求項1至7中任一項之線狀黏著劑貼附裝置，其進而具備噴嘴， <br/>上述噴嘴具有：內壁面，其劃分形成筒狀之內部空間；及前端，其於上述內壁面之一端具有使上述內部空間與外部相通之前端開口； <br/>上述按壓部將通過上述內部空間自上述前端開口導出至上述外部之上述線狀黏著劑壓抵於上述對象物，且 <br/>包圍上述前端之上述前端開口之周部中之複數個部位作為上述按壓部發揮功能。
如請求項1至7中任一項之線狀黏著劑貼附裝置，其進而具備： <br/>移位部，其安裝於上述按壓部，藉由在按壓方向上移位而使上述按壓部移位；及 <br/>吸收機構，其吸收上述按壓方向上之相對於上述移位部之移位的上述按壓部之移位。
一種線狀黏著劑貼附方法，其使用如請求項1至10中任一項之線狀黏著劑貼附裝置，將上述線狀黏著劑貼附於上述對象物。
一種用於一擴增實境或虛擬實境顯示器之平面平板波導，其包括： <br/>一輸入繞射光學元件； <br/>一輸出繞射元件，其包括一光子晶體中之複數個光學結構，其中該光學結構具有對於一周圍波導介質之一不同折射率，其中該輸入繞射光學元件沿一輸入光路徑將光耦合朝向該複數個光學結構； <br/>該平面平板波導之一第一主表面，及該平面平板波導之一第二主表面，該第二主表面平行於該第一主表面，其中光藉由在該第一與第二主表面之間經歷全內反射而沿該輸入光路徑透過該平面平板波導朝向該輸出繞射元件傳播； <br/>其中該複數個光學結構經配置以一陣列位於該平面平板波導之平行於該第一主表面及該第二主表面之一平面中，該陣列經構形以： <br/>接收來自該輸入光路徑之光； <br/>將該光之一第一部分繞射成相對於該輸入光路徑成一角度以提供跨該平面平板波導之該平面之2D擴展；且 <br/>將該光之一第二部分繞射出該平面平板波導之該平面， <br/>其中該複數個光學結構之該等光學結構之至少一者在垂直於該平面平板波導之該平面之一方向上具有一高度，其中該高度沿平行於該平面平板波導之該平面之一或多個方向變動，藉此，與該平面平板波導之該第二主表面相比，引起該光之該第二部分優先地從該平面平板波導之該第一主表面繞射。
如請求項1之平面平板波導，其中該複數個光學結構之該等光學結構之至少一者之該高度沿平行於該平面平板波導之該平面之一或多個方向連續變動。
如請求項1之平面平板波導，其中該複數個光學結構之該至少一者在其高度中具有一不連續。
如請求項3之平面平板波導，其中該複數個光學結構之該至少一者包括複數個不連續。
如請求項1至4中之任一項之平面平板波導，其中該複數個光學結構之至少一些光學結構之一高度變動不同於該複數個光學結構之其他光學結構之該高度變動。
如請求項5之平面平板波導，其中來自該平面平板波導之一第一區域中之該複數個光學結構之一第一光學結構子集包括一第一光學結構高度變動，且來自該平面平板波導之一第二區域中之該複數個光學結構之一第二光學結構子集包括與該第一光學結構高度變動不同之一第二光學結構高度變動，且該第一區域沿該平面平板波導之該平面相對於該第二區域錯位。
如請求項5之平面平板波導，其中該輸入光路徑界定該平面平板波導之該平面中之一第一軸，且該等光學結構透過其在高度上變動之該一或多個方向與該輸入光路徑成一角度。
如請求項7之平面平板波導，其中來自該平面平板波導之一第一區域中之該複數個光學結構之一第一光學結構子集包括一第一光學結構高度變動，且來自該平面平板波導之一第二區域中之該複數個光學結構之一第二光學結構子集包括與該第一光學結構高度變動不同之一第二光學結構高度變動，且該第一區域沿該平面平板波導之該平面相對於該第二區域錯位，其中該等光學結構之該第一光學結構子集透過其在高度中變動之該方向可與該輸入光路徑成一第一角度且該等光學結構之該第二光學結構子集在高度中之變動之該方向可與該輸入光路徑成一第二角度，其中該第一區域及該第二區域沿自光入射於該輸出繞射元件之一點延伸之該輸入光路徑形成之一線分離。
如請求項1至4中之任一項之平面平板波導，其中該複數個光學結構之至少一者經配置使得該至少一光學結構之該高度在遠離光入射於該至少一光學結構上之一點之一方向上具有一負梯度。
如請求項1至4中之任一項之平面平板波導，其中該複數個光學結構之至少一者經配置使得該至少一光學結構之該高度在遠離光入射於該至少一光學結構上之一點之一方向上具有一正梯度。
如請求項1至4中任一項之波導，其中當在該平面平板波導之該平面中觀看時，該複數個光學結構可分別具有一形狀，其包括具有不同角度處之各自法向量之複數個實質上直側。
一種擴增實境或虛擬實境顯示器，其包括一平面平板波導，該平面平板波導包括： <br/>一輸入繞射光學元件，其用以將光耦合進入該平面平板波導； <br/>一輸出繞射元件，其包含一光子晶體中之複數個光學結構，其中該光學結構具有對於一周圍波導介質之一不同折射率，其中該輸入繞射光學元件沿一輸入光路徑將光耦合朝向該複數個光學結構； <br/>該平面平板波導之一第一主表面，及該平面平板波導之一第二主表面，該第二主表面平行於該第一主表面，其中光藉由在該第一與第二主表面之間經歷全內反射而沿該輸入光路徑透過該平面平板波導朝向該輸出繞射元件傳播； <br/>其中該複數個光學結構經配置以一陣列位於該平面平板波導之平行於該第一主表面及該第二主表面之一平面中，該陣列經構形以： <br/>接收來自該輸入光路徑之光； <br/>將該光之一第一部分繞射成相對於該輸入光路徑成一角度以提供跨該平面平板波導之該平面之2D擴展；且 <br/>將該光之一第二部分繞射出該平面平板波導之該平面， <br/>其中該複數個光學結構之該等光學結構之至少一者在垂直於該平面平板波導之該平面之一方向上具有一高度，其中該高度沿平行於該平面平板波導之該平面之一或多個方向變動，藉此，與該平面平板波導之該第二主表面相比，引起該光之該第二部分優先地從該平面平板波導之該第一主表面繞射。
一種用於一擴增實境或虛擬實境顯示器之一平面平板波導之製造方法，其包括以下步驟： <br/>提供包括一輸入繞射光學元件及一輸出繞射元件之平面平板波導，該輸出繞射元件包括一光子晶體中之複數個光學結構，其中該光學結構具有對於一周圍波導介質之一不同折射率，其中該輸入繞射光學元件沿一輸入光路徑將光耦合朝向該複數個光學結構； <br/>配置該複數個光學結構，其中該平面平板波導包括該平面平板波導之一第一主表面及該平面平板波導之一第二主表面，該第二主表面平行於該第一主表面，其中光藉由經歷該第一與第二主表面之間的全內反射而沿該輸入光路徑透過該平面平板波導朝向該輸出繞射元件傳播； <br/>其中該複數個光學結構經配置以一陣列位於該平面平板波導之平行於該第一主表面及該第二主表面之一平面中，該陣列經構形以： <br/>接收來自該輸入光路徑之光； <br/>將該光之一第一部分繞射成相對於該輸入光路徑成一角度以提供跨該平面平板波導之該平面之2D擴展；且 <br/>將該光之一第二部分繞射出該平面平板波導之該平面， <br/>其中該複數個光學結構之該等光學結構之至少一者在垂直於該平面平板波導之該平面之一方向上具有一高度，其中該高度沿平行於該平面平板波導之該平面之一或多個方向變動，藉此，與該平面平板波導之該第二主表面相比，引起該光之該第二部分優先地從該平面平板波導之該第一主表面繞射。
一種掃描系統，包括：<br/> 一掃描腔室；<br/> 一第一旋轉驅動器，設置在該掃描腔室中並且配置為繞著一第一軸而旋轉；<br/> 一第二旋轉驅動器，設置在該掃描腔室中並且配置為與該第一旋轉驅動器同步地繞著該第一軸而旋轉；<br/> 一桿與鉸鏈系統，設置在該掃描腔室中並且機械連接至一基板固持件，該桿與鉸鏈系統係配置為將該第一旋轉驅動器及該第二旋轉驅動器之旋轉運動轉換成該基板固持件之平面運動；及<br/> 一扭轉驅動器，配置為使該基板固持件旋轉。
如請求項1之掃描系統，其中該扭轉驅動器係配置為使該基板固持件繞著與該基板固持件之一表面為正交之一中心軸而旋轉。
如請求項1之掃描系統，更包括一處理腔室，其中該基板固持件係設置在該處理腔室中，及其中該掃描腔室係配置為在第一壓力下加壓，且該處理腔室係配置為在不同於該第一壓力之第二壓力下加壓。
如請求項1之掃描系統，更包括一處理腔室，其中該基板固持件係設置在該處理腔室中，及其中該掃描系統係配置為使設置在該基板固持件上之一晶圓在該平面運動期間暴露於一離子束。
如請求項4之掃描系統，其中該基板固持件之該平面運動與該基板固持件之該表面為共平面。
如請求項4之掃描系統，其中該掃描系統係配置為使設置在該基板固持件上之一晶圓在該平面運動期間、以恆定的傾斜角度及扭轉角度而暴露。
如請求項1之掃描系統，更包括：<br/> 一處理腔室，該基板固持件係設置在該處理腔室中；及<br/> 一可旋轉的饋通件，剛性地附接至該掃描腔室之一壁上並且包括附接至該處理腔室之一壁之一相對側。
如請求項7之掃描系統，其中該掃描腔室係配置為繞著一軸而旋轉，該軸係通過該可旋轉的饋通件之中心、且垂直於該可旋轉的饋通件之一可旋轉部件所附接至之該處理腔室之該壁。
如請求項1之掃描系統，其中該桿與鉸鏈系統包括：<br/> 一第一鉸鏈、一第二鉸鍊及一第三鉸鏈，該第一鉸鏈、該第二鉸鏈及該第三鉸鏈係配置為繞著該第一軸而旋轉；<br/> 一第一桿連桿，將該第二旋轉驅動器可旋轉地連接至該第三鉸鏈；<br/> 一第二桿連桿，可旋轉地連接該第二鉸鍊及該第三鉸鏈；<br/> 一第三桿連桿，可旋轉地連接該第一鉸鍊及該第二鉸鏈；<br/> 一第四桿連桿，將該第一旋轉驅動器可旋轉地連接至該第一鉸鏈；及<br/> 一第五桿連桿，支撐該基板固持件，該第五桿連桿係透過該第三鉸鏈而連接至該第二桿連桿，其中該第五桿連桿為帶狀的桿連桿。
如請求項9之掃描系統，其中該第一桿連桿為帶狀的桿連桿。
一種掃描系統，包括：<br/> 一第一旋轉驅動器，配置為繞著一第一軸而旋轉；<br/> 一第二旋轉驅動器，配置為與該第一旋轉驅動器同步地繞著該第一軸而旋轉；<br/> 五桿連桿，包括一帶狀的桿連桿，該帶狀的桿連桿透過三鉸鏈而將該第一旋轉驅動器及該第二旋轉驅動器連接至一基板固持件，其中該第一旋轉驅動器及該第二旋轉驅動器之旋轉運動係配置為使用該五桿連桿及該三鉸鏈而轉換成沿著該基板固持件之一表面上之一平面之運動，該五桿連桿係繞著該三鉸鏈而旋轉，該平面具有平行於該第一軸之一表面法線；及<br/> 一扭轉驅動器，配置為使該基板固持件繞著與該基板固持件之一表面為正交之一中心軸而旋轉。
如請求項11之掃描系統，其中該扭轉驅動器係嵌入該五桿連桿之一桿連桿中，其中該五桿連桿之該桿連桿之一端係附接至該基板固持件，且相反端係附接至該三鉸鏈其中一者。
如請求項11之掃描系統，其中該扭轉驅動器係嵌入該五桿連桿之一第一桿連桿中，其中該第一桿連桿之一端係附接至該第二旋轉驅動器，且相反端係附接至該三鉸鏈其中一者。
如請求項11之掃描系統，其中該扭轉驅動器與該第二旋轉驅動器為同軸的。
一種晶圓之掃描方法，該方法包括：<br/> 將該晶圓放置在一處理腔室內之一基板固持件上，該晶圓係相對於該處理腔室之一可旋轉的饋通件之一參考軸而以一第一扭轉角度放置；及<br/> 執行一第一遍掃描，其係藉由將該晶圓暴露於一離子束同時同步地驅動設置在一掃描腔室中之二旋轉驅動器，以從該二旋轉驅動器之旋轉運動而產生該晶圓之平面運動，其中當執行該第一遍掃描時，該晶圓係持續定向於該第一扭轉角度。
如請求項15之晶圓之掃描方法，更包括在該第一遍掃描之該平面運動期間，將從一離子源至該晶圓之該離子束之路徑距離保持在恆定距離。
如請求項15之晶圓之掃描方法，更包括，在執行該第一遍掃描之後，設定一第二扭轉角度並且將該處理腔室內之該晶圓旋轉至該第二扭轉角度、並且同步地驅動該二旋轉驅動器以執行一第二遍掃描，其中該第二遍掃描係以該第二扭轉角度在該晶圓之所有主表面上加以執行。
如請求項15之晶圓之掃描方法，更包括：<br/> 旋轉一可旋轉的饋通件以旋轉該掃描腔室、包括該二旋轉驅動器及該基板固持件之一晶圓掃描機、及該晶圓，以便設定一第一傾斜角度，其中該第一遍掃描係以該第一扭轉角度及該第一傾斜角度在該晶圓之整個表面上加以執行。
如請求項18之晶圓之掃描方法，更包括：<br/> 在執行該第一遍掃描之後，設定一第二傾斜角度；及<br/> 執行一第二遍掃描，其中該第二遍掃描係以該第一扭轉角度及該第二傾斜角度在該晶圓之整個表面上加以執行。
一種用於解碼的方法，包括： <br/>獲得(601)包括一部分的視訊資料，該部分包括高級語法元素，該語法元素中的至少一者提供指示在該視訊資料中是否允許使用與該高級語法元素對應的一編碼工具或特徵的一資訊；以及 <br/>從被包含在該部分中的一高級語法元素確定(603)是否允許使用一編碼工具或特徵來對該視訊資料進行解碼，其中該部分表示一般約束資訊且該編碼工具或特徵允許將一相同分層樹中的至少一二叉樹與一三叉樹進行組合。
一種用於編碼的方法，包括： <br/>獲得(501)視訊資料之中要編碼的一視訊序列和一編碼約束集合；以及 <br/>根據表示該編碼約束集合的該資料來設定(502)包括高級語法元素的該視訊資料的一部分中的一高級語法元素的一值，該語法元素中的至少一者提供指示是否允許使用與該高級語法元素對應的一編碼工具或特徵來對該視訊序列進行編碼的一資訊，其中該部分表示一般約束資訊且該編碼工具或特徵允許將至少一二叉樹與一三叉樹進行組合。
一種用於解碼的裝置，其包括： <br/>用於獲得(601)包括一部分的視訊資料的裝置，該部分包括高級語法元素，該語法元素中的至少一者提供指示在該視訊資料中是否允許使用與該高級語法元素對應的一編碼工具或特徵的一資訊；以及 <br/>用於從被包含在該部分中的一高級語法元素確定(603)是否允許使用一編碼工具或特徵來對該視訊資料進行解碼的裝置，其中該部分表示一般約束資訊且該編碼工具或特徵允許將至少一二叉樹與一三叉樹進行組合。
一種用於編碼的裝置，其包括： <br/>用於獲得(501)視訊資料中要編碼的一視訊序列和一編碼約束集合的裝置；以及 <br/>用於根據表示該編碼約束集合的該資料來設定(502)包括高級語法元素的該視訊資料之一部分中的一高級語法元素的一值的裝置，該語法元素中的至少一者提供指示是否允許使用與該高級語法元素對應的一編碼工具或特徵來對該視訊序列進行編碼的一資訊，其中該部分表示一般約束資訊且該編碼工具或允許將至少一二叉樹與一三叉樹進行組合。
一種包括如請求項3或請求項4所述的裝置的設備。
一種產生一訊號之方法，該訊號包括表示包括高級語法元素的視訊資料之一部分的資料，該語法元素中的至少一者提供指示在該視訊資料中是否允許使用與該高級語法元素對應的一編碼工具或特徵的一資訊；其中，該部分表示一般約束資訊且該編碼工具或特徵是至少一二叉樹與一三叉樹之一組合。
一種電腦程式，包括用於實施如請求項1或請求項2所述的方法的程式碼指令。
一種儲存用於實施如請求項1或請求項2所述的方法的程式碼指令的資訊儲存媒體。
一種一配送系統中之資訊處理方法，該資訊處理方法包括： <br/>在一儲存器中儲存特定物品的第一購買價格資訊，以及該等特定物品和履行中心的第一購買數量資訊； <br/>接收在該等履行中心之該等特定物品之第一購買資訊，該第一購買資訊相關於自一供應商向該履行中心之一購買，該第一購買資訊包含第一價格資訊及第一數量資訊； <br/>確認相關於一特定物品及一特定履行中心之一預設事件，其中該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之一改變，或回應於該第一購買數量資訊及第一履行中心數量資訊之間之差異而發生； <br/>確認與該特定物品自該供應商之一第二購買相關之第二購買價格資訊及第二數量資訊，其中若該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，該第二購買為一虛擬購買； <br/>當該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，基於該第一購買價格資訊及該第一數量資訊，產生與自該特定履行中心虛擬地將該特定物品運出相關之運出資訊； <br/>基於該第二購買價格資訊及該第二數量資訊產生與該特定物品相關之第二購買資訊；及 <br/>基於第一VAT資訊、第一虛擬VAT資訊及第二VAT資訊產生最終VAT資訊，其中該第一VAT資訊由該第一購買資訊產生，該第一虛擬VAT資訊由該運出資訊產生，及該第二VAT資訊由該第二購買資訊產生； <br/>其中該第一履行中心數量資訊相關於放入至該履行中心中的該特定物品之一數量；及 <br/>其中藉由該第一購買數量資訊與該第一數量資訊之間的一差異判定該第二數量資訊。
如請求項1之資訊處理方法， <br/>其中當該預設事件回應於該第一購買數量資訊及該第一履行中心數量資訊之間之該差異而發生時，該第二購買價格資訊與該第一購買價格資訊相同；且 <br/>其中當該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，基於與該特定物品相關之該銷售價格資訊來確認該第二購買價格資訊。
如請求項1之資訊處理方法，其進一步包括： <br/>基於一第二購買資訊判定與對應於該第一購買資訊之該履行中心中之該特定物品相關之顯示資訊，及 <br/>基於該顯示資訊之該判定，將該顯示資訊與該特定物品相關聯。
如請求項1之資訊處理方法，其進一步包括： <br/>在該儲存器中將對應於與該特定物品相關之該運出資訊之與該特定物品相關之識別資訊設定為與對應於該第二購買資訊之該特定物品相關之識別資訊。
如請求項1之資訊處理方法，其中第一購買識別資訊對應於與該特定物品相關之該第一購買資訊， <br/>其中第二購買識別資訊對應於與該特定物品相關之該第二購買資訊，及 <br/>其中該第一購買識別資訊對應於該第二購買識別資訊。
如請求項1之資訊處理方法，其中，當該預設事件回應於該第一購買數量資訊及該第一履行中心數量資訊之間之該差異而發生時，該第一購買價格資訊及該第二購買價格資訊相同；及 <br/>其中當該預設事件回應於該第一購買數量資訊及該第一履行中心數量資訊之間之該差異而發生時，該第一購買數量資訊大於該第二數量資訊。
如請求項1之資訊處理方法，其中當該第一購買價格資訊及該第二購買價格資訊不同時，該第一數量資訊及該第二數量資訊相同。
如請求項1之資訊處理方法，其中該第一購買資訊、該第二購買資訊及該運出資訊至少部分不同。
一種一配送系統之電子裝置，該電子裝置包括一處理器， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>在一儲存器中儲存特定物品的第一購買價格資訊，以及該等特定物品和履行中心的第一購買數量資訊； <br/>接收在該等履行中心之該等特定物品之第一購買資訊，該第一購買資訊相關於自一供應商向該履行中心之一購買，該第一購買資訊包含第一價格資訊及第一數量資訊； <br/>確認相關於一特定物品及一特定履行中心之一預設事件，其中該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之一改變，或回應於該第一購買數量資訊及第一履行中心數量資訊之間之差異而發生； <br/>確認與該特定物品自該供應商之一第二購買相關之第二購買價格資訊及第二數量資訊，其中若該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，該第二購買為一虛擬購買； <br/>當該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，基於該第一購買價格資訊及該第一數量資訊，產生與自該特定履行中心虛擬地將該特定物品運出相關之運出資訊； <br/>基於該第二購買價格資訊及該第二數量資訊產生與該特定物品相關之第二購買資訊；及 <br/>基於第一VAT資訊、第一虛擬VAT資訊及第二VAT資訊產生最終VAT資訊，其中該第一VAT資訊由該第一購買資訊產生，該第一虛擬VAT資訊由該運出資訊產生，及該第二VAT資訊由該第二購買資訊產生； <br/>其中該第一履行中心數量資訊相關於放入至該履行中心中的該特定物品之一數量；及 <br/>其中藉由該第一購買數量資訊與該第一數量資訊之間的一差異判定該第二數量資訊。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括經組態以儲存電腦可讀指令之一媒體， <br/>其中當該等電腦可讀指令藉由一處理器執行時，該處理器經組態以執行包括以下之步驟： <br/>在一儲存器中儲存特定物品的第一購買價格資訊，以及該等特定物品和履行中心的第一購買數量資訊； <br/>接收在該等履行中心之該等特定物品之第一購買資訊，該第一購買資訊相關於自一供應商向該履行中心之一購買，該第一購買資訊包含第一價格資訊及第一數量資訊； <br/>確認相關於一特定物品及一特定履行中心之一預設事件，其中該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之一改變，或回應於該第一購買數量資訊及第一履行中心數量資訊之間之差異而發生； <br/>確認與該特定物品自該供應商之一第二購買相關之第二購買價格資訊及第二數量資訊，其中若該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，該第二購買為一虛擬購買； <br/>當該預設事件回應於與該特定物品相關之銷售價格資訊之該改變發生時，基於該第一購買價格資訊及該第一數量資訊，產生自該特定履行中心虛擬地將與該特定物品運出相關之運出資訊； <br/>基於該第二購買價格資訊及該第二數量資訊產生與該特定物品相關之第二購買資訊；及 <br/>基於第一VAT資訊、第一虛擬VAT資訊及第二VAT資訊產生最終VAT資訊，其中該第一VAT資訊由該第一購買資訊產生，該第一虛擬VAT資訊由該運出資訊產生，及該第二VAT資訊由該第二購買資訊產生； <br/>其中該第一履行中心數量資訊相關於放入至該履行中心中的該特定物品之一數量；及 <br/>其中藉由該第一購買數量資訊與該第一數量資訊之間的一差異判定該第二數量資訊。
一種無阻障金屬金屬配線構造之製造方法，其藉由在形成有第一配線槽及寬度比前述第一配線槽還大之第二配線槽的絕緣層上堆積金屬間化合物，而以前述金屬間化合物至少填滿前述第一配線槽；<br/>以前述金屬間化合物填滿前述第一配線槽後，將與前述金屬間化合物不同的第二金屬堆積於前述金屬間化合物上，而以前述第二金屬填滿前述第二配線槽；<br/>進行平坦化工序，研磨前述第二金屬及前述金屬間化合物至前述絕緣層露出為止；之後，<br/>進行高度調整工序，將前述第二金屬、前述金屬間化合物及前述絕緣層研磨至前述第一配線槽內的前述金屬間化合物之高度達到既定高度為止。
如請求項1之製造方法，其中，<br/>前述平坦化工序係使用第一研磨液來進行，該第一研磨液具有前述金屬間化合物之去除率比前述絕緣層之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述高度調整工序係使用第二研磨液來進行，該第二研磨液具有前述金屬間化合物之去除率等於或比前述絕緣層之去除率還低的去除率選擇比。
如請求項1之製造方法，其中，<br/>前述平坦化工序係使用第一研磨液來進行，該第一研磨液具有前述第二金屬及前述金屬間化合物之去除率比前述絕緣層之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述高度調整工序係使用第二研磨液來進行，該第二研磨液具有前述第二金屬及前述金屬間化合物之去除率等於或比前述絕緣層之去除率還低的去除率選擇比。
如請求項1之製造方法，其中，前述平坦化工序包含：<br/>第一平坦化工序，將前述第二金屬研磨至前述金屬間化合物露出為止；及<br/>第二平坦化工序，將前述第二金屬及前述金屬間化合物研磨至前述絕緣層露出為止。
如請求項4之製造方法，其中，<br/>前述第一平坦化工序係使用第一研磨液來進行，該第一研磨液具有前述第二金屬之去除率比前述金屬間化合物之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述第二平坦化工序係使用第二研磨液來進行，該第二研磨液具有前述第二金屬及前述金屬間化合物之去除率比前述絕緣層之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述高度調整工序係使用第三研磨液來進行，該第三研磨液具有前述第二金屬及前述金屬間化合物之去除率等於或比前述絕緣層之去除率還低的去除率選擇比。
一種無阻障金屬金屬配線構造之製造方法，其藉由在形成有第一配線槽及寬度比前述第一配線槽還大之第二配線槽的絕緣層上堆積金屬間化合物，而以前述金屬間化合物至少填滿前述第一配線槽；<br/>以前述金屬間化合物填滿前述第一配線槽後，在前述金屬間化合物上形成晶種層；<br/>在前述晶種層上堆積與前述金屬間化合物不同的第二金屬，而以前述第二金屬填滿前述第二配線槽；<br/>進行平坦化工序，研磨前述第二金屬、前述晶種層及前述金屬間化合物至前述絕緣層露出為止；之後，<br/>進行高度調整工序，將前述第二金屬、前述晶種層、前述金屬間化合物及前述絕緣層研磨至前述第一配線槽內的前述金屬間化合物之高度達到既定高度為止的工序。
如請求項6之製造方法，其中，<br/>前述平坦化工序係使用第一研磨液來進行，該第一研磨液具有前述第二金屬、前述晶種層及前述金屬間化合物之去除率比前述絕緣層之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述高度調整工序係使用第二研磨液來進行，該第二研磨液具有前述第二金屬、前述晶種層及前述金屬間化合物之去除率等於或比前述絕緣層之去除率還低的去除率選擇比。
如請求項6之製造方法，其中，前述平坦化工序包含：<br/>第一平坦化工序，將前述第二金屬及前述晶種層研磨至前述金屬間化合物露出為止，及<br/>第二平坦化工序，將前述第二金屬、前述晶種層及前述金屬間化合物研磨至前述絕緣層露出為止。
如請求項8之製造方法，其中，<br/>前述第一平坦化工序係使用第一研磨液來進行，該第一研磨液具有前述第二金屬及前述晶種層之去除率比前述金屬間化合物之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述第二平坦化工序係使用第二研磨液來進行，該第二研磨液具有前述第二金屬、前述晶種層及前述金屬間化合物之去除率比前述絕緣層之去除率還高的去除率選擇比；<br/>前述高度調整工序係使用第三研磨液來進行，該第三研磨液具有前述第二金屬、前述晶種層及前述金屬間化合物之去除率等於或比前述絕緣層之去除率還低的去除率選擇比。
如請求項1至9中任一項之製造方法，其中，前述金屬間化合物為CuAl<sub>2</sub>或NiAl。
一種無阻障金屬金屬配線構造，其具備：<br/>絕緣層，其形成有第一配線槽及寬度比前述第一配線槽還大之第二配線槽；及<br/>金屬間化合物，填滿前述第一配線槽整體；以及<br/>填滿前述第二配線槽內的金屬間化合物及第二金屬。
如請求項11之無阻障金屬金屬配線構造，其中，前述第二金屬為銅、鈦或氮化鈦。
如請求項11之無阻障金屬金屬配線構造，其中，前述第一配線槽的寬度小於7nm。
如請求項11之無阻障金屬金屬配線構造，其中，填滿前述第一配線槽的前述金屬間化合物為CuAl<sub>2</sub>或NiAl。
一種用於在一電漿處理系統中界定、偵測或特徵化一事件之系統，其包含： <br/>一組件， <br/>一資料獲取裝置，其以操作方式耦接至該組件且被配置以記錄來自該組件之資料，該資料包含： <br/>在一時段內對該組件之一或多個操作特徵之量測結果；及 <br/>對系統故障事件之複數個指示； <br/>一計算裝置，其被配置以： <br/>自該資料獲取裝置接收該資料； <br/>分析該資料； <br/>基於該一或多個操作特徵之該些量測結果與該些系統故障事件之間的相關性而判定一操作點之一臨限值，該操作點包含： <br/>在一特定時間下對該一或多個操作特徵之該些量測結果； <br/>其中該臨限值表示一待決系統故障事件在一指定時間窗內會達到一經界定信賴度；且 <br/>提供一通知以對該組件執行預防性維護， <br/>其中該組件包含一匹配網路，且其中該匹配網路包含跨該匹配網路之傳輸線安置的分流元件及沿著該些傳輸線中之一者串聯安置之串聯元件。
如請求項1之系統，其中該一或多個操作特徵包含以下各者中之一或多者： <br/>電流； <br/>電壓； <br/>溫度；及 <br/>阻抗。
如請求項1之系統，其中該組件進一步包含一電源、一電源供應器及/或一產生器及/或其組合。
如請求項1之系統，其進一步包含： <br/>複數個額外組件；及 <br/>複數個額外資料獲取裝置，且其中該資料進一步包含： <br/>來自該複數個額外組件中之每一者之額外量測結果；及 <br/>對來自該組件及該複數個額外組件中之每一者之系統故障的額外指示。
如請求項4之系統，其中該複數個額外組件中之至少一些係在不同地理位置中。
如請求項1之系統，其中該判定係藉由一機器學習程式來實施。
如請求項6之系統，其中該機器學習程式自動地產生一演算法以設定該臨限值。
如請求項6之系統，其中該機器學習程式自一使用者接收輸入以輔助該判定。
如請求項1之系統，其中該計算裝置係一遠端伺服器；且其中： <br/>在該遠端伺服器處針對用於一特定應用之一特定類型之組件而產生用於事件界定、偵測及特徵化的一演算法；該系統進一步包含： <br/>一本端部署之組件，其被配置以操作在該遠端伺服器處針對用於該特定應用之該特定類型之組件而產生的用於事件偵測之該演算法，同時該本端部署之組件不連接至該遠端伺服器。
一種用於偵測電弧作用之方法，該方法包含： <br/>記錄來自一組件之資料，該資料包含： <br/>在一時段內對該組件之一或多個操作特徵之量測結果；及 <br/>對系統故障事件之複數個指示； <br/>接收該資料； <br/>分析該資料； <br/>至少部分地基於接收的該資料而判定一事件是否已發生；及 <br/>提供對該事件之一通知； <br/>其中該事件在一電漿腔室中包含一微電弧作用事件， <br/>其中該組件包含一電漿產生器和一匹配網路，且其中該匹配網路包含跨該匹配網路之傳輸線安置的分流元件及沿著該些傳輸線中之一者串聯安置之串聯元件。
如請求項10之方法，其進一步包含： <br/>將該資料自該組件傳輸至一遠端伺服器， <br/>其中該判定係在該遠端伺服器處執行。
如請求項10之方法，其進一步包含： <br/>記錄來自複數個額外電漿產生器之資料；及 <br/>自複數個額外資料獲取裝置獲取資料，且 <br/>其中該資料進一步包含： <br/>來自該複數個額外電漿產生器中之每一者之額外量測結果；及 <br/>對來自該電漿產生器及該複數個額外電漿產生器之系統故障之額外指示。
如請求項12之方法，其中該複數個額外電漿產生器中之至少一些係在不同地理位置中。
如請求項10之方法，其中該判定係藉由一機器學習程式來實施。
如請求項14之方法，其進一步包含： <br/>藉由該機器學習程式自動地產生一演算法以設定一操作點之一臨限值。
如請求項14之方法，其進一步包含： <br/>藉由該機器學習程式自一使用者接收輸入以輔助該判定。
如請求項10之方法，其進一步包含： <br/>在一遠端伺服器處針對用於一特定應用之一特定類型之組件而產生用於預防性維護的一演算法；及： <br/>將該演算法傳送至一可本端部署之組件； <br/>對該可本端部署之組件進行本端部署，及 <br/>在該遠端伺服器處針對用於該特定應用之該特定類型之組件而操作用於事件識別的演算法，同時該可本端部署之組件不連接至該遠端伺服器。
一種非暫時性有形電腦可讀取儲存媒體，其經編碼有處理器可讀取指令以執行一用於界定、識別或特徵化一事件之方法，該方法包含： <br/>記錄來自一組件之資料，該資料包含： <br/>在一時段內對該組件之一或多個操作特徵之量測結果；及 <br/>對系統故障事件之複數個指示； <br/>接收該資料； <br/>分析該資料； <br/>基於對該一或多個操作特徵之該些量測結果與該些系統故障事件的分析而判定一操作點之一臨限值，該操作點包含： <br/>在一特定時間下對該一或多個操作特徵之該些量測結果； <br/>其中該臨限值表示一待決系統故障事件在一指定時間窗內會達到一經界定信賴度；且 <br/>提供一通知以對該組件執行預防性維護， <br/>其中該組件包含一匹配網路，且其中該匹配網路包含跨該匹配網路之傳輸線安置的分流元件及沿著該些傳輸線中之一者串聯安置之串聯元件。
如請求項18之非暫時性有形電腦可讀取儲存媒體，其中所執行的該方法進一步包含： <br/>記錄來自複數個額外組件之資料；及 <br/>自複數個額外資料獲取裝置獲取資料，且其中該資料進一步包含： <br/>來自該複數個額外組件中之每一者之額外量測結果；及 <br/>對來自該組件及該複數個額外組件中之每一者之系統故障的額外指示。
一種藉由一電子設備提供與物品廢棄相關之資訊之方法，該方法包括： <br/>確認關於一履行中心中廢棄之一物品之資訊，關於該物品之該資訊包含該物品之一代碼壽命及該物品之一平均銷售量； <br/>基於關於該物品之該資訊來確認廢棄該物品之一原因；及 <br/>提供指示廢棄該物品之該原因之資訊， <br/>其中廢棄該物品之該原因包含與該物品之一最小訂單數量相關之一第一廢棄原因、與該履行中心相關之一第二廢棄原因、與該物品之一銷售狀態相關之一第三廢棄原因、與該物品之一裝運狀態相關之一第四廢棄原因、基於該物品之一銷售量之一預測誤差之一第五廢棄原因及基於該物品之過度訂購之一第六廢棄原因之至少一者， <br/>其中關於該物品之該資訊進一步包含對應於該物品之一最小訂單數量，且 <br/>該廢棄原因之該確認包括當該最小訂單數量大於該物品之該代碼壽命與該物品在該代碼壽命內之該平均銷售量之一乘積時，判定廢棄該物品之該原因。
如請求項1之方法，其中廢棄該物品之該原因之該確認包括以確認基於該第一廢棄原因至該第六廢棄原因之一優先級判定之一廢棄原因之一順序確認廢棄該物品之該原因。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>當廢棄該物品之該原因係該第一廢棄原因時， <br/>基於該物品之該平均銷售量來確認該物品在一第一時段內之一第一平均銷售量及指示該物品在緊接著該第一時段的一第二時段內之該平均銷售量之一第二平均銷售量；及 <br/>當該第二平均銷售量小於或等於該第一平均銷售量時，基於該第一平均銷售量及該第二平均銷售量來計算對應於該物品之一適當最小訂單數量。
如請求項3之方法，其中當該第二平均銷售量大於該第一平均銷售量時，該物品之一曝光優先級增加。
如請求項3之方法，其中當該第二平均銷售量大於該第一平均銷售量時，在一主頁上曝光該物品。
如請求項1之方法，其中該第二廢棄原因包含與該物品之一接收延遲相關之一第一廢棄子原因、與該物品之一存放延遲相關之一第二廢棄子原因及與該物品之丟失相關之一第三廢棄子原因。
如請求項6之方法，其中關於該物品之該資訊包含該物品在該履行中心中之一卸載完成時間、該物品之一經排程接收時間、該物品之一卸載量及該物品之一經確認數量，且 <br/>該方法進一步包括當該物品之該卸載量大於或等於該經確認數量之一特定百分比且該物品之該卸載完成時間與該物品之該經排程接收時間之間的一差異係一特定時間或更長時，將廢棄該物品之該原因判定為該第二廢棄原因之該第一廢棄子原因。
如請求項1之方法，其中關於該物品之該資訊包含該物品之一卸載量及該物品在該履行中心中之一存放數量，且 <br/>該方法進一步包括當該物品之該卸載量大於該物品之該存放數量且該物品之一存放完成時間與該物品之一卸載完成時間之間的一差異係一特定時間或更長時，將廢棄該物品之該原因判定為一第二廢棄子原因。
如請求項8之方法，其中當廢棄該物品之一時間與接收該物品之一時間之間的一差異係該特定時間或更長時，該廢棄原因之該判定包括將廢棄該物品之該原因判定為一第三廢棄子原因。
如請求項9之方法，其中關於該物品之該資訊包含：一第一最大銷售量，其指示該物品在一第一時段內之日銷售量當中之一最大銷售量；一第二最大銷售量，其指示該物品在緊接著該第一時段的一第二時段內之日銷售量當中之一最大銷售量；一第一平均銷售量，其指示該物品在該第一時段內之一平均銷售量；及一第二平均銷售量，其指示該物品在該第二時段內之一平均銷售量，且 <br/>該廢棄原因之該判定進一步包括當該第二最大銷售量小於或等於該第一最大銷售量之一特定百分比且該第二平均銷售量小於或等於該第一平均銷售量之一特定百分比時，將廢棄該物品之該原因判定為該第五廢棄原因。
如請求項10之方法，其中該廢棄原因之該判定進一步包括： <br/>確認該物品之一訂單數量；及 <br/>當該訂單數量大於該物品之該代碼壽命與該物品在該代碼壽命內之該平均銷售量之一乘積時，將廢棄該物品之該原因判定為該第六廢棄原因。
如請求項11之方法，其中基於藉由從一特定時段內之該物品之一預測接收數量與該物品之一安全庫存數量之一總和減去該特定時段內之該物品之一預測廢棄數量及該物品之一最小成本之一最大值而獲得之一值來判定該訂單數量。
如請求項12之方法，其進一步包括： <br/>當廢棄該物品之該原因係該第六廢棄原因時，基於該代碼壽命及該平均銷售量減少該物品之該安全庫存數量。
如請求項1之方法，其中廢棄該物品之該原因之該確認包括基於用於基於關於該物品之該資訊判定該廢棄原因之一決策樹來確認廢棄該物品之該原因。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>報告包含廢棄該物品之該原因之廢棄資訊。
如請求項15之方法，其中該報告包括向對應於廢棄該物品之該原因之一對象報告指示廢棄該物品之該原因之該資訊。
一種用於提供與物品廢棄相關之資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一記憶體，其中儲存至少一個程式；及 <br/>一處理器，其經組態以確認關於一履行中心中廢棄之一物品之資訊，基於關於該物品之該資訊來確認廢棄該物品之一原因，且提供指示廢棄該物品之該原因之資訊， <br/>其中廢棄該物品之該原因包含與該物品之一最小訂單數量相關之一第一廢棄原因、與該履行中心相關之一第二廢棄原因、與該物品之一銷售狀態相關之一第三廢棄原因、與該物品之一裝運狀態相關之一第四廢棄原因、基於該物品之一銷售量之一預測誤差之一第五廢棄原因及基於該物品之過度訂購之一第六廢棄原因之至少一者， <br/>當確認該廢棄原因時，該處理器經組態以當該最小訂單數量大於該物品之該代碼壽命與該物品在該代碼壽命內之該平均銷售量之一乘積時，判定廢棄該物品之該原因。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括一媒體，該媒體經組態以儲存電腦可讀指令， <br/>其中當該等電腦可讀指令由一處理器執行時，該處理器經組態以執行： <br/>確認關於一履行中心中廢棄之一物品之資訊； <br/>基於關於該物品之該資訊來確認廢棄該物品之一原因；及 <br/>提供指示廢棄該物品之該原因之資訊， <br/>其中廢棄該物品之該原因包含與該物品之一最小訂單數量相關之一第一廢棄原因、與該履行中心相關之一第二廢棄原因、與該物品之一銷售狀態相關之一第三廢棄原因、與該物品之一裝運狀態相關之一第四廢棄原因、基於該物品之一銷售量之一預測誤差之一第五廢棄原因及基於該物品之過度訂購之一第六廢棄原因之至少一者， <br/>當確認該廢棄原因時，該處理器經組態以當該最小訂單數量大於該物品之該代碼壽命與該物品在該代碼壽命內之該平均銷售量之一乘積時，判定廢棄該物品之該原因。
一種醚的製造方法，係於下述觸媒的存在下，以分子狀氫還原羧酸酯，而製造使該羧酸酯之－C(=O)O－基變換成－CH<sub>2</sub>O－基而得之對應的醚； <br/>觸媒：以下述M<sup>1</sup>與M<sup>2</sup>作為金屬物種並載持於下述載體的觸媒； <br/>M<sup>1</sup>：鉑； <br/>M<sup>2</sup>：鉬、錸、鎢或釩； <br/>載體：氧化鋯、氧化鈦、氧化鈰或羥磷灰石。
如請求項1所述之醚的製造方法，其中，前述羧酸酯為下述式(1)所表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="420px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>表示氫原子、或於與式中之羰基相鄰部位具有碳原子的有機基，R<sup>2</sup>表示於與式中之氧原子鍵結部位具有碳原子的有機基。
如請求項1或2所述之醚的製造方法，其中，觸媒係含有相對於作為金屬物種的M<sup>1</sup> 1莫耳為0.05至1莫耳的範圍之M<sup>2</sup>作為金屬物種。
如請求項1或2所述之醚的製造方法，其中，羧酸酯為選自由脂肪族羧酸、脂環式羧酸、芳香族羧酸及雜環式羧酸所組成群組中之羧酸、與選自由脂肪族醇、脂環式醇、芳香族醇、雜環式醇及酚類所組成群組中之含羥基化合物的酯。
一種酯還原觸媒，係以下述M<sup>1</sup>與M<sup>2</sup>作為金屬物種並載持於下述載體者，該酯還原觸媒係用於使羧酸酯還原，以得到使該羧酸酯之－C(=O)O－基變換成－CH<sub>2</sub>O－基而得之對應的醚； <br/>M<sup>1</sup>：鉑； <br/>M<sup>2</sup>：鉬、錸、鎢或釩； <br/>載體：氧化鋯、氧化鈦、氧化鈰或羥磷灰石。
如請求項5所述之酯還原觸媒，其中，羧酸酯為選自由脂肪族羧酸、脂環式羧酸、芳香族羧酸及雜環式羧酸所組成群組中之羧酸、與選自由脂肪族醇、脂環式醇、芳香族醇、雜環式醇及酚類所組成群組中之含羥基化合物的酯。
一種包含化合物(I)之游離鹼的結晶固體形式， <br/><img align="absmiddle" height="127px" width="169px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I)， <br/>其係選自由以下所組成之群： <br/>(a) 指定為固體形式A之結晶固體形式，其中該結晶固體形式展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的X射線粉末繞射(XRPD)圖案：5.0°、9.7°、12.7°、13.6°及16.1°； <br/>(b) 指定為固體形式B之結晶固體形式，其中該結晶固體形式展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：5.9°、8.8°、11.6°、14.7°及19.5°；及 <br/>(c) 指定為固體形式C之結晶固體形式，其中該結晶固體形式展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：5.8°、8.7°、11.0°、13.6°及20.2°。
一種化合物(I)之醫藥學上可接受之鹽之結晶固體形式， <br/><img align="absmiddle" height="127px" width="169px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I)。 <br/>其中該醫藥學上可接受之鹽為化合物(I)之鹽酸鹽； <br/>其中該結晶固體形式係選自由以下所組成之群： <br/>(a) 指定為普拉替尼(pralsetinib)之結晶鹽酸鹽之固體形式5-A的結晶固體形式，其中該結晶固體形式展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：5.0°、6.1°、9.1°、9.9°及14.7°； <br/>(b) 指定為普拉替尼之結晶鹽酸鹽之固體形式5-B的結晶固體形式，其中該結晶固體形式展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：6.1、8.9、9.5、15.0及16.6；及 <br/>(c) 指定為普拉替尼之結晶鹽酸鹽之固體形式5-C的結晶固體形式，其中該結晶固體形式展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：6.4°、8.5°、8.9°、9.6°及17.3°。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式為固體形式A且為無水。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式為固體形式A且展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：5.0°、9.7°、12.7°、13.6°及16.1°。
如請求項4之固體形式，其特徵在於在6.8、19.2、19.5及23.5之角度(2θ ± 0.2)處具有額外繞射的XRPD圖案。
如請求項4或5之固體形式，其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項4或5之固體形式，其進一步特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. 在約205℃處觀測到吸熱事件之差示掃描量熱法(DSC)溫譜圖；及 <br/>b. 根據DVS在2-95%相對濕度之間約10%之可逆質量變化。
如請求項4或5之固體形式，其特徵在於XRPD圖案A且其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項4或5之固體形式，其藉由包括選自由以下組成之群之步驟的方法獲得： <br/>a. 在醇、丙酮或ACN中形成漿液； <br/>b. 在IPA及1-丙醇中蒸發結晶及冷卻結晶；及 <br/>c. 在丙酮:水中再結晶。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式為固體形式B並展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的X射線粉末繞射(XRPD)圖案：5.9°、8.8°、11.6°、14.7°及19.5°。
如請求項10之固體形式，其特徵在於在17.0、17.6及22.2之角度(2θ ± 0.2)處具有額外繞射的XRPD圖案。
如請求項10或11之固體形式，其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項10或11之固體形式，其進一步特徵在於包括在約149℃(±0.2度)下起始之吸熱，接著162℃(±0.2度)下起始之放熱，及在約205°C(±0.2度)下起始之熔化。
如請求項10或11之固體形式，其特徵在於XRPD圖案B且特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項10或11之固體形式，其藉由包括加熱呈固體形式C之普拉替尼游離鹼之樣品至約150℃之步驟的方法獲得。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式為固體形式C且為水合物。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式為固體形式C並展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：5.8、8.7、11.0、13.6及20.2。
如請求項16或17之固體形式，其特徵在於在11.6、14.5、22.2及23.2之角度(2θ ± 0.2)處具有額外繞射的XRPD圖案。
如請求項16或17之固體形式，其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項16或17之固體形式，其進一步特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. 可在約122°C、127°C及206°C處觀測到吸熱事件之差示掃描量熱法(DSC)溫譜圖；及 <br/>b. 根據DVS在2-95%相對濕度之間約1.4%之可逆質量變化。
如請求項16或17之固體形式，其特徵在於XRPD圖案C。
如請求項16或17之固體形式，其藉由包含選自由以下所組成之群之步驟的方法獲得： <br/>a. 在水及甲醇中形成漿液及接著再結晶；及 <br/>b. 在丙酮/IPA/甲醇及水中再結晶。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之丙酮酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案1-A或XRPD圖案1-B；及 <br/>b. 藉由TGA/DSC量測之單一吸熱，其中起始為95.43℃且相關質量損失為3.2 wt. %，接著為9.9 wt. %之質量損失，直至在300℃下操作結束。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之MSA鹽固體形式，其特徵在於XRPD圖案2-A、XRPD圖案2-B、XRPD圖案2-C或XRPD圖案2-D。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之檸檬酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案3-A；及 <br/>b. 藉由TGA/DSC量測之三次廣泛吸熱，其中起始為124.4℃、153.7℃及195.9℃且相關質量損失分別為3.8 wt. %、9.8 wt. %及4.6 wt. %。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之反丁烯二酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案4-A或XRPD圖案4-B或XRPD圖案4-C或XRPD圖案4-D；及 <br/>b. 藉由TGA/DSC量測之三次廣泛吸熱，其中起始為111.8℃、167.9℃及203.2℃，其中第一次吸熱具有約3.5 wt. %之質量損失，第二次吸熱具有約0.3 wt. %之質量損失，且第三次吸熱具有約6.2 wt. %之質量損失。
如請求項2之固體形式，其中該固體形式為普拉替尼之結晶鹽酸鹽之固體形式5-A並展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：5.0°、6.1°、9.1°、9.9°及14.7°。
如請求項27之固體形式，其特徵在於在13.8、15.3、17.2、18.1、19.6、20.3、20.7、21.8、24.2、25.6及26. 3之角度(2θ ± 0.2)處具有額外繞射的XRPD圖案。
如請求項27或28之固體形式，其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/><br/><br/>。
如請求項27或28之固體形式，其進一步特徵在於以下一或多者：非常廣泛之吸熱，其中起始溫度為70.9℃(±0.2度)，且在240.5℃(±0.2度)處有急遽吸熱。
如請求項27或28之固體形式，其特徵在於XRPD圖案5-A。
如請求項27或28之固體形式，其藉由包括自EtOAc及IPA:水(9:1 Vol)中之該HCl鹽之漿液中分離固體之方法來獲得。
如請求項2之固體形式，其中該固體形式為普拉替尼之結晶鹽酸鹽之固體形式5-B並展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：6.1、8.9、9.5、15.0及16.6。
如請求項33之固體形式，其特徵在於在17.2、17.9、18.4、19.8、25.8及28.3之角度(2θ ± 0.2)處具有額外繞射的XRPD圖案。
如請求項33或34之固體形式，其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項33或34之固體形式，其進一步特徵在於具以下特徵之TGA/DSC溫譜圖：與起始為88.7℃ (±0.2度)之廣泛吸熱相關的3.4 wt. %之初始質量損失，以及自第一次廣泛吸熱結束至起始為244.2℃ (±0.2°之熔化結束觀測到6.7 wt. %之第二個質量損失事件。
如請求項33或34之固體形式，其特徵在於XRPD圖案5-B。
如請求項33或34之固體形式，其藉由包括自EtOAc及IPA:水(9:1 Vol)分離固體之方法來獲得。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之鹽酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. 在大約(±0.2度) 6.1°、8.9°、9.5°、15.0°、16.6°之2θ角處包含特徵繞射峰之XRPD圖案；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC溫譜圖：與起始為88.7℃ (±0.2度)之廣泛吸熱相關的3.4 wt. %之初始質量損失，以及自第一次廣泛吸熱結束至起始為244.2℃ (±0.2°之熔化結束觀測到6.7 wt. %之第二個質量損失事件。
如請求項2之固體形式，其中該固體形式為普拉替尼之結晶鹽酸鹽之固體形式5-C並展現具有以大約以下(±0.2)之2θ度數表示之特徵峰的XRPD圖案：6.4°、8.5°、8.9°、9.6°及17.3°。
如請求項40之固體形式，其特徵在於在11.5、16.7及19.2之角度(2θ ± 0.2)處具有額外繞射的XRPD圖案。
如請求項40或41之固體形式，其特徵在於在如下相同或基本上相同之角度(2θ ± 0.2)處具有峰及對應晶格面距(A ± 0.2)如下的XRPD圖案： <br/>。
如請求項40或41之固體形式，其進一步特徵在於以下之一或多個： <br/>(a) 觀測到起始為86.8℃ (±0.2度)、224.1℃ (±0.2度)及241.7℃ (±0.2度)之DSC；及 <br/>(b) 3.4 wt. %之初始質量損失及2 wt. %之第二個質量損失事件。
如請求項40或41之固體形式，其特徵在於XRPD圖案5-C。
如請求項40或41之固體形式，其藉由包括乾燥所分離之固體形式5-B之方法來獲得。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之糖精鹽固體形式，其特徵在於XRPD圖案6-A。
一種龍膽酸與(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之固體形式鹽，其特徵在於XRPD圖案7-A。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之順丁烯二酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案8-A；及 <br/>b. 藉由TGA/DSC量測之吸熱，其中起始為188.5℃，具有2.3 wt. %之相關質量損失，以及為196.1℃，具有6.5 wt.%之相關質量損失。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之草酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案9-A；及 <br/>b. 藉由TGA/DSC量測之2.4 wt. %之逐漸質量損失，直至起始為約231.8℃之熔化事件。
一種水楊酸與(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之鹽，其呈特徵在於XRPD圖案10-A之固體形式，或呈非晶形固體形式。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之戊二酸鹽固體形式，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案11-A或XRPD圖案11-B；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：單一吸熱，其中起始為約177.8℃且自實驗開始至熔化結束，質量損失為約0.3 wt. %。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之硫酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者：包含XRPD圖案12-A、XRPD圖案12-B、XRPD圖案12-C、XRPD圖案12-D、XRPD圖案12-E、XRPD圖案12-F、XRPD圖案12-G或XRPD圖案12-H之XRPD圖案。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之硫酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案12-A；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：起始為81.7℃、159.7℃及207.6℃之吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之硫酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案12-B；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：單一吸熱，其中起始為184.9℃，有證據表明在260℃以上分解。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之硫酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案12-C；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：在126.5℃、154.7℃及186.4℃下之吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之硫酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案12-E；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：在約119.0℃及約169.6℃下之吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之酒石酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者：包含XRPD圖案13-A、XRPD圖案13-B及XRPD圖案13-C之XRPD圖案。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之酒石酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案13-A；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：在約150.1℃下之單一吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之酒石酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案13-B；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：在約99.3℃、127.6℃及169.3℃下之吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之酒石酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案13-C；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：在約77.3℃及132.4℃下之吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之磷酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案14-A；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：約113.3℃之吸熱及約1.1 wt. %之相關質量損失，及在約198.4及237.5℃下之具有約1.6 wt. %之組合質量損失的兩次吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之琥珀酸鹽，其特徵在於以下中之一或多者： <br/>a. XRPD圖案15-A；及 <br/>b. 特徵在於以下之TGA/DSC：在約126.8℃及約150.9℃下之吸熱。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之脲鹽，其特徵在於XRPD圖案16-A。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之槲皮素二水合物鹽，其特徵在於XRPD圖案17-A。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之苯磺酸鹽，其特徵在於XRPD圖案18-A或XRPD圖案18-B。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之氫溴酸鹽，其特徵在於XRPD圖案19-A、XRPD圖案19-B或XRPD圖案19-C。
一種(順式)-N-((S)-1-(6-(4-氟-1H-吡唑-1-基)吡啶-3-基)乙基)-1-甲氧基-4-(4 甲基-6-(5-甲基-1H-吡唑-3-基胺基)嘧啶-2-基)環己烷甲醯胺之硝酸鹽，其特徵在於XRPD圖案20-A。
一種光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(1)： <br/>0.0005≦E' <sub>265</sub><sub>℃</sub>/E' <sub>100</sub><sub>℃</sub>≦0.0050 (1) <br/>(式中，E' <sub>265</sub><sub>℃</sub>及E' <sub>100</sub><sub>℃</sub>分別表示利用下述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)於265℃及100℃下之儲存模數(Pa))，且 <br/>進而滿足下述關係式(3)或(4)： <br/>Y＜6300000(130≦X＜150) (3) <br/>Y＜160000X－17000000(150≦X≦190) (4) <br/>(式(3)、(4)中，X表示藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))， <br/>(硬化體之製作方法) <br/>將樹脂成形物於150℃下加熱4分鐘，使其成形，然後於150℃下加熱3小時，藉此獲得硬化體。
如請求項1之光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(5)： <br/>0.70＜R <sub>450 nm</sub>＜1.00 (5) <br/>(式中，R <sub>450 nm</sub>表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))。
如請求項1或2之光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(6)及(7)： <br/>0.80＜R <sub>400 nm</sub>/R <sub>450 nm</sub>＜1.00 (6) <br/>0.10＜R <sub>300 nm</sub>/R <sub>450 nm</sub>＜0.50 (7) <br/>(各式中，R <sub>300 nm</sub>、R <sub>400 nm</sub>及R <sub>450 nm</sub>分別表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長300 nm、400 nm及450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))。
如請求項1或2之光半導體密封用樹脂成形物，其中藉由上述方法製成硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)之情形時之波長450 nm下之直線透過率為70%以上。
如請求項1或2之光半導體密封用樹脂成形物，其包含熱硬化性樹脂、硬化劑、熱硬化性樹脂與硬化劑之反應物、及硬化促進劑。
如請求項5之光半導體密封用樹脂成形物，其進而包含多元醇及多元醇與硬化劑之反應物。
如請求項1或2之光半導體密封用樹脂成形物，其包含選自由具有下述式(I)所表示之結構單元(I)的化合物、具有下述式(II)所表示之結構單元(II)的化合物、及具有下述式(III)所表示之結構單元(III)的化合物所組成之群中之至少1種， <br/>式(I)： <br/><img align="absmiddle" height="132px" width="320px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，A <sup>1</sup>表示包含2個以上之環結構之有機基；R <sup>1a</sup>表示包含環氧樹脂之殘基之部位；R <sup>1b</sup>表示氫原子或與R <sup>1a</sup>鍵結之鍵結鍵)， <br/>式(II)： <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="323px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，A <sup>2</sup>表示有機基；R <sup>2a</sup>表示包含具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)的環氧樹脂之殘基之部位；R <sup>2b</sup>表示氫原子或與R <sup>2a</sup>鍵結之鍵結鍵)， <br/>式(III)： <br/><img align="absmiddle" height="101px" width="305px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，A <sup>3</sup>表示有機基；R <sup>3a</sup>表示具有非芳香族環之有機基)。
一種光半導體密封材，其係使如請求項1至7中任一項之光半導體密封用樹脂成形物成形而獲得。
一種光半導體裝置，其具備光半導體元件及將該光半導體元件密封之如請求項8之光半導體密封材。
一種光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(1)： <br/>0.0005≦E' <sub>265</sub><sub>℃</sub>/E' <sub>100</sub><sub>℃</sub>≦0.0050 (1) <br/>(式中，E' <sub>265</sub><sub>℃</sub>及E' <sub>100</sub><sub>℃</sub>分別表示利用下述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)於265℃及100℃下之儲存模數(Pa))，且 <br/>進而滿足下述關係式(6)及(7)： <br/>0.80＜R <sub>400 nm</sub>/R <sub>450 nm</sub>＜1.00 (6) <br/>0.10＜R <sub>300 nm</sub>/R <sub>450 nm</sub>＜0.50 (7) <br/>(式(6)、(7)中，R <sub>300 nm</sub>、R <sub>400 nm</sub>及R <sub>450 nm</sub>分別表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長300 nm、400 nm及450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))， <br/>(硬化體之製作方法) <br/>將樹脂成形物於150℃下加熱4分鐘，使其成形，然後於150℃下加熱3小時，藉此獲得硬化體。
如請求項10之光半導體密封用樹脂成形物，其中藉由上述方法製成硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之情形時之玻璃轉移溫度為130℃以上，且滿足下述關係式(2)： <br/>Y＜160000X－14500000 (2) <br/>(式中，X表示上述硬化體之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))。
如請求項10或11之光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(5)： <br/>0.70＜R <sub>450 nm</sub>＜1.00 (5) <br/>(式中，R <sub>450 nm</sub>表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))。
如請求項10或11之光半導體密封用樹脂成形物，其中藉由上述方法製成硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)之情形時之波長450 nm下之直線透過率為70%以上。
如請求項10或11之光半導體密封用樹脂成形物，其包含熱硬化性樹脂、硬化劑、熱硬化性樹脂與硬化劑之反應物、及硬化促進劑。
如請求項14之光半導體密封用樹脂成形物，其進而包含多元醇及多元醇與硬化劑之反應物。
如請求項10或11之光半導體密封用樹脂成形物，其包含選自由具有下述式(I)所表示之結構單元(I)的化合物、具有下述式(II)所表示之結構單元(II)的化合物、及具有下述式(III)所表示之結構單元(III)的化合物所組成之群中之至少1種， <br/>式(I)： <br/><img align="absmiddle" height="132px" width="320px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，A <sup>1</sup>表示包含2個以上之環結構之有機基；R <sup>1a</sup>表示包含環氧樹脂之殘基之部位；R <sup>1b</sup>表示氫原子或與R <sup>1a</sup>鍵結之鍵結鍵)， <br/>式(II)： <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="323px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，A <sup>2</sup>表示有機基；R <sup>2a</sup>表示包含具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)的環氧樹脂之殘基之部位；R <sup>2b</sup>表示氫原子或與R <sup>2a</sup>鍵結之鍵結鍵)， <br/>式(III)： <br/><img align="absmiddle" height="101px" width="305px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，A <sup>3</sup>表示有機基；R <sup>3a</sup>表示具有非芳香族環之有機基)。
一種光半導體密封材，其係使如請求項10至16中任一項之光半導體密封用樹脂成形物成形而獲得。
一種光半導體裝置，其具備光半導體元件及將該光半導體元件密封之如請求項17之光半導體密封材。
一種具式(I)化合物之結晶型II， <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="136px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其特徵在於X射線粉末繞射(XRPD)圖案包含在16.5、22.8及24.6 ° 2θ (± 0.2° 2θ)處之峰。
如請求項<b>1</b>之結晶型II，其中該XRPD圖案進一步在10.1、10.8、12.8、13.7、17.7及19.0 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處包含一或多個峰。
如請求項<b>1</b>之結晶型II，其中該XRPD圖案進一步在10.1、10.8、12.8、13.7、17.7及19.0 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處包含三個或更多個峰。
如請求項<b>1</b>之結晶型II，其中該XRPD圖案進一步在10.1、10.8、12.8、13.7、17.7及19.0 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處包含五個或更多個峰。
如請求項<b>1</b>之結晶型II，其中該X射線粉末繞射圖案實質上與圖3一致。
如請求項<b>1</b>之結晶型II，其實質上不含式(I)化合物之其他結晶型或非晶型。
如請求項<b>1</b>至<b>6</b>中任一項之結晶型II，其進一步特徵在於差示掃描量熱法(DSC)溫度記錄圖 (thermogram)包含在約166.5℃之吸熱峰。
如請求項<b>1</b>至<b>6</b>中任一項之結晶型II，其進一步特徵在於熔融起始點為約157.4℃，其係藉由差示掃描量熱法(DSC)溫度記錄圖(thermogram)所測定。
如請求項7之結晶型II，其中該DSC溫度記錄圖實質上與圖4一致。
一種具式(I)化合物之結晶型I， <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="130px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其特徵在於X射線粉末繞射(X-ray powder diffraction；XRPD)圖案包含在11.1、13.8、18.6、20.1、23.0及24.8 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處之峰。
如請求項<b>10</b>之結晶型I，其中該XRPD圖案進一步在11.6、14.7、15.4、16.6、17.0、19.3、21.3、22.1、24.8、26.6、27.3及29.1 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處包含一或多個峰。
如請求項<b>10</b>之結晶型I，其中該XRPD圖案進一步在11.6、14.7、15.4、16.6、17.0、19.3、21.3、22.1、24.8、26.6、27.3及29.1 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處包含三個或更多個峰。
如請求項<b>10</b>之結晶型I，其中該XRPD圖案進一步包含在11.6、14.7、15.4、16.6、17.0、19.3、21.3、22.1、24.8、26.6、27.3及29.1 ° 2θ (± 0.2 ° 2θ)處包含五個或更多個峰。
如請求項<b>10</b>之結晶型I，其中該X射線粉末繞射圖案實質上與圖1一致。
如請求項<b>10</b>之結晶型I，其實質上不含式(I)化合物之其他結晶型或非晶型。
如請求項<b>10</b>至<b>15</b>中任一項之結晶型I，其特徵進一步在於藉由差示掃描量熱法(differential scanning calorimetry；DSC)溫度記錄圖包含在約163.9℃之吸熱峰。
如請求項<b>10</b>至<b>15</b>中任一項之結晶型I，其特徵進一步在於熔融起始點(melting point onset)為約155.1℃，其係藉由差示掃描量熱法溫度記錄圖(DSC)所測定。
如請求項16之結晶型I，其中該DSC溫度記錄圖實質上與圖2一致。
一種醫藥組合物，其包含如請求項<b>1</b>至<b>18</b>中任一項之結晶型及醫藥上可接受之賦形劑。
一種式 I'化合物或其醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="69px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>X<sup>1</sup> 是 N 或 CH； <br/>X<sup>3</sup> 是 N 或 CR<sup>3</sup>； <br/>R<sup>1</sup> 是2,3-二氫苯并呋喃基、2-羥基環戊基、3-羥基環戊基、1-(四氫呋喃-2-基)乙基、1-四氫呋喃-3-基-乙基、1-吡啶-2-基-乙基、氧雜環庚烷-3-基、1,4-二氧雜環庚烷-6-基、二氫-1H-吲哚-4-基、1-(氧雜環丁烷-3-基)乙基、1-(㗁唑-5-基)乙基、吲唑-4-基、氧雜螺[2.5]辛基、4-甲基㗁唑-5-基、2-甲氧基-苯基、3-甲基-苯基、3-氟-2-甲氧基苯基、2-甲基苄腈、2-甲氧基苄腈、2-乙氧基苄腈、3-氯苯基、4-氟-2-甲基苯基、3-氟-2-甲基苯基、3-氟苯基、2-氟苯基、2,6-二氟苯基、2,3-二甲基苯基、2,3-二氟苯基、2-氟-3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3,5-二氟苯基、3,4-二氟苯基、2-三氟甲基-苯基、3-(氟甲基)-2-甲基苯基、3-乙基苯基、3-氯-2-氟苯基、2-氯-5-氟苯基、2-氯-4-氟苯基、2,3-二氯苯基、苯并[d]㗁唑-4-基、苯并[d]咪唑基、苯并[d]噻唑-7-基、2-側氧基哌啶-4-基、2-甲基吡唑-3-基、1-乙基-1H-吡唑-5-基、2-氰吡啶 (picolinonitrile)、2-甲氧基吡啶-3-基、2-(三氟甲基)吡啶-3-基、4-甲基吡啶-3-基、4-氟-2-甲氧基吡啶-3-基、吲哚基、2-氯吡啶-3-基、6-甲氧基吡啶-2-基、4-甲基嘧啶-5-基、三氟甲氧基吡啶-2-基、二氫苯并呋喃基、四氫呋喃基、4-甲基四氫呋喃-3-基、甲基-四氫-2H-哌喃-3-基、6,7-二氫-5H-吡咯并[1,2-c]咪唑-7-基、四氫-2H-哌喃-3-基、四氫-2H-哌喃-4-基或 4-甲基噻唑-5-基， <br/>R<sup>2</sup> 是氫；胺基；(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2a</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2b</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2c</sup> 取代；雜環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2d</sup> NR<sup>2f</sup>R<sup>2g</sup> 取代；或苯基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2e</sup> 取代； <br/>R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d </sup>和 R<sup>2e</sup> 各自獨立地選自鹵素、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基和鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基； <br/>R<sup>2f</sup> 和 R<sup>2g</sup> 各自獨立地選自氫或 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基； <br/>R<sup>3</sup> 是氫；鹵素；氰基；胺基；(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基R<sup>3a</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基R<sup>3b</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>3c</sup> 取代；雜環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>3d</sup> 取代；或苯基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>3e</sup> 取代； <br/>R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>3d </sup>和 R<sup>3e</sup> 各自獨立地選自鹵素、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基和鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基； <br/>R<sup>4</sup> 是氫；氰基；鹵素；胺基；(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>4a</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>4b</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>4c</sup> 取代；雜環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>4d</sup> 取代；-CO<sub>2</sub>R<sup>4a</sup>；或 -CONR<sup>4b</sup>R<sup>4c</sup>； <br/>R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>、R<sup>4c</sup> 和 R<sup>4d</sup>、R<sup>4e</sup> 各自獨立地選自氫和 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基。
如請求項 1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 X<sup>3</sup> 是 CR<sup>3</sup>。
如請求項 1之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 X<sup>1</sup> 是 N。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 是 2,3-二氫苯并呋喃基、2-羥基環戊基、3-羥基環戊基、1-(四氫呋喃-2-基)乙基、1-四氫呋喃-3-基-乙基、1-吡啶-2-基-乙基、1-(氧雜環丁烷-3-基)乙基、1-(㗁唑-5-基)乙基、氧雜螺[2.5]辛基、4-甲基㗁唑-5-基、2-甲氧基-苯基、3-甲基-苯基、3-氟-2-甲氧基苯基、2-甲基苄腈、2-甲氧基苄腈、2-乙氧基苄腈、4-氟-2-甲基苯基、3-氟苯基、2-氟苯基、2,6-二氟苯基、2,3-二氟苯基、3-甲氧基苯基、3,5-二氟苯基、3-乙基苯基、2-側氧基哌啶-4-基、2-甲基吡唑-3-基、1-乙基-1H-吡唑-5-基、2-氰吡啶 (picolinonitrile)、2-甲氧基吡啶-3-基、2-(三氟甲基)吡啶-3-基、4-甲基吡啶-3-基、4-氟-2-甲氧基吡啶-3-基、2-氯吡啶-3-基、6-甲氧基吡啶-2-基、4-甲基嘧啶-5-基、四氫呋喃基、4-甲基四氫呋喃-3-基、四氫-2H-哌喃-3-基、四氫-2H-哌喃-4-基或 4-甲基噻唑-5-基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 是 2,3-二氫苯并呋喃基、氧雜螺[2.5]辛基、氧雜環庚烷-3-基、3-甲基-苯基、2-甲基-苯基、2-甲基苄腈、2-氯苯基、苯基、2-甲基吡啶-3-基、4-甲基吡啶-3-基、4 2-氯吡啶-3-基、甲基-四氫-2H-哌喃-3-基或 4-甲基嘧啶-5-基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>1</sup> 是 2,3-二氫苯并呋喃基、氧雜螺[2.5]辛基、3-甲基-苯基、2-甲基-苯基、2-甲基苄腈、2-氯苯基、苯基、2-甲基吡啶-3-基、4-甲基吡啶-3-基、4 2-氯吡啶-3-基或 4-甲基嘧啶-5-基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2</sup> 是氫；鹵素；胺基；(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2a</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2b</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2c</sup> 取代；雜環烷基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2d</sup> 取代；或苯基，其係未經取代或經一個或多個取代基 R<sup>2e</sup> 取代；且 <br/>R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup> 和 R<sup>2e</sup> 各自獨立地選自鹵素、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基和鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2</sup> 是 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基，其係未經取代或經一個 R<sup>2a</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基、或雜環烷基，其係未經取代或經一個或兩個 R<sup>2d</sup> 取代；或苯基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2</sup> 是(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷氧基、環丙基，其係未經取代或經一個 R<sup>2a</sup> 取代；環丁基，其係未經取代或經一個 R<sup>2a</sup> 取代；環戊基，其係未經取代或經一個 R<sup>2a</sup> 取代；(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>) 環烷基-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷氧基、4,5-二氫呋喃-3-基、7-氮雜雙環[2.2.1]庚-7-基、3-氮雜雙環[2.2.1]庚-3-基、四氫呋喃基、四氫哌喃基或四氫吖唉基，其係未經取代或經一個或兩個 R<sup>2d</sup> 取代；或苯基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2</sup> 是 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷氧基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷氧基、環丙基，其係未經取代或經鹵素或 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基取代；環丁基、環戊基、環丙基氧基、4,5-二氫呋喃-3-基、7-氮雜雙環[2.2.1]庚-7-基、3-氮雜雙環[2.2.1]庚-3-基、四氫呋喃基、四氫哌喃基或四氫吖唉基，其係未經取代或經一個或兩個 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基取代。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2</sup> 是鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基、鹵代 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷氧基、或環丙基，其係未經取代或經鹵素或 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基取代。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2</sup> 是三氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或環丙基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup> 和 R<sup>2e</sup> 各自獨立地選自鹵素和 (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup> 和 R<sup>2e</sup> 各自獨立地選自鹵素和 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2a</sup>、R<sup>2b</sup>、R<sup>2c</sup>、R<sup>2d</sup> 和 R<sup>2e</sup> 各自獨立地選自氯基、氟基和甲基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>2f</sup> 和 R<sup>2g</sup> 各自獨立地選自氫或 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>3</sup> 是氫、鹵素或氰基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>3</sup> 是氫、氯基、氟基或氰基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>3</sup> 是氫。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>3a</sup>、R<sup>3b</sup>、R<sup>3c</sup>、R<sup>3d</sup> 和 R<sup>3e</sup> 各自獨立地選自鹵素和 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>4</sup> 是氫、氰基、鹵素、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>) 烷氧基或 -CONR<sup>4b</sup>R<sup>4c</sup>。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>4</sup> 是氫、氰基、氯基、氟基或 (C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>) 烷基。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>4</sup> 是氫。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中 R<sup>4b</sup> 或 R<sup>4c</sup> 是氫。
一種化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由下列所組成之群組： <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(鄰甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲氧基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(三級丁基)-1-(鄰甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-甲氧基苯基)-7-苯基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(3,3-二氟四氫吖唉-1-基)-1-(鄰甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(四氫呋喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-側氧基哌啶-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((順)-2-甲基四氫呋喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(鄰甲苯基)吡啶并[4,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基苯基)喹唑啉-2-酮， <br/>7-環丙基-1-(2-甲基苯基)喹唑啉-2,4-二酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(鄰甲苯基)嘧啶并[4,5-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2,4-二酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲氧基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-6-氟-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>7-環丙基-1-(2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2,4-二酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)2-氰吡啶， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(氧雜環己烷-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[1-(氧戊環-3-基)乙基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-氟-2-甲氧基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>4-胺基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-丙-2-基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-6-氯-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲氧基苄腈， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-乙氧基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1-(四氫呋喃-2-基)乙基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(氧雜環丁烷-3-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2,4-二酮， <br/>4-胺基-7-((1RS,2RS)-2-甲基環丙基)-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環戊基-1-(2-甲基-3-吡啶基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((1SR,2RS)-2-羥基環戊基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-2-環戊基-7-(鄰甲苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-6-酮；甲酸， <br/>4-胺基-7-環戊基-1-(4-甲基嘧啶-5-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-氟-2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(3R)-氧雜環己烷-3-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(3S)-氧雜環己烷-3-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-甲基四氫呋喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-2-側氧基-1-(鄰甲苯基)-1,2-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-5-甲醯胺， <br/>4-胺基-1-(2-甲氧基-3-吡啶基)-7-四氫哌喃-2-基-吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-[(1S,4R)-3-氮雜雙環[2.2.1]庚-3-基]-1-(2-甲基吡唑-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮；甲酸， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[外消旋-(2R,3S)-2-甲基氧戊環-3-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丁基-1-(2-甲基-3-吡啶基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮；甲酸， <br/>4-胺基-7-環丙基氧基-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2-酮， <br/>4-胺基-7-(7-氮雜雙環[2.2.1]庚-7-基)-1-(4-甲基噻唑-5-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮；甲酸， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-羥基環戊基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲基)-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-[(1R,2S)-2-氟環丙基]-1-(2-甲基-3-吡啶基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-2-側氧基-1,2-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-6-甲腈， <br/>3-(4-胺基-7-異丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲氧基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-2-側氧基-1-(鄰甲苯基)-1,2-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-5-甲腈， <br/>4-胺基-7-甲氧基-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(三氟甲氧基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(4,5-二氫呋喃-3-基)-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(四氫呋喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-甲基噻唑-5-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-甲基嘧啶-5-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-(三氟甲基)吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡唑-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-4-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>(R)-4-胺基-1-(四氫-2H-哌喃-3-基)-7-(三氟甲基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-乙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-[(1S,2R)-2-氟環丙基]-1-[(3R)-四氫哌喃-3-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-甲基㗁唑-5-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>3-(4-胺基-6-氯-7-異丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲氧基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((R)-1-((S)-四氫呋喃-3-基)乙基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((R)-1-((R)-四氫呋喃-3-基)乙基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(2-氟丙-2-基)-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2-酮， <br/>4-胺基-5-甲氧基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(三氟甲基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-氟-2-甲氧基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-5-氟-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(三氟甲基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-氯-1-(鄰甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-7-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>1-胺基-4-(2-甲氧基苯基)-6-(三氟甲基)-3H-吡啶并[1,2-c]嘧啶-3-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(1R)-1-[(3S)-氧戊環-3-基]乙基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(1R)-1-[(3R)-氧戊環-3-基]乙基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>3-(4-胺基-6-氯-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲氧基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-氧雜螺[2.5]辛-8-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-6-氯-7-環丙基-1-(2-甲氧基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-氟-2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-乙基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(間甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3,5-二氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(6-甲氧基吡啶-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-甲氧基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-苯基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1-(㗁唑-5-基)乙基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-2-側氧基-7-(三氟甲基)喹唑啉-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>3-(4-胺基-2-側氧基-7-(三氟甲基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,6-二氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[1-(氧雜環丁烷-3-基)乙基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1-吡啶-2-基乙基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(2-甲基-3-吡啶基)-7-(2,2,2-三氟乙基)喹唑啉-2-酮鹽酸鹽， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(四氫-2H-哌喃-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯吡啶-3-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-2-環戊基-7-(2-甲基-3-吡啶基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-6-酮， <br/>4-胺基-5-氯-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(三氟甲基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(3-氟-2-甲基苯基)-7-(三氟甲基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1H-吲哚-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[6-(三氟甲氧基)吡啶-2-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-4-基)-7-(三氟甲基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(3-氯-2-氟苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(2,3-二氫-1-苯并呋喃-4-基)-7-(三氟甲氧基)喹唑啉-2-酮， <br/>4-胺基-1-(3-氟-2-甲基苯基)-7-(三氟甲氧基)喹唑啉-2-酮， <br/>3-[4-胺基-2-側氧基-7-(三氟甲氧基)喹唑啉-1-基]-2-甲基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫-1H-吲哚-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯-5-氟苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯-4-氟苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,5-二氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(乙基胺基)-1-(鄰甲苯基)喹唑啉-2-酮， <br/>4-胺基-1-(3-氯苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)苄腈， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(4-氧雜螺[2.5]辛-8-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>1-胺基-4-(2-氯苯基)-6-(三氟甲基)吡啶并[1,2-c]嘧啶-3-酮， <br/>4-胺基-1-(苯并[d]㗁唑-4-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3,4-二氟苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(鄰甲苯基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-氯苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(8S)-4-氧雜螺[2.5]辛-8-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(8R)-4-氧雜螺[2.5]辛-8-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(1H-苯并[d]咪唑-4-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1H-吲唑-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯吡啶-3-基)-7-(二氟甲氧基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯吡啶-3-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯吡啶-3-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(間甲苯基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(2-氟-3-甲基苯基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-(三氟甲基)苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-(氟甲基)-2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯-3-甲基苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(3-氯-2-甲基苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氯苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-氟-3-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-氟苄腈， <br/>(S)-4-胺基-7-環丙基-1-(氧雜環庚烷-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>(R)-4-胺基-7-環丙基-1-(氧雜環庚烷-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-羥基-2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(3-氟-2-甲基苯基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[外消旋-(2S,3S)-2-甲基四氫哌喃-3-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(苯并[d]噻唑-7-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((2S,3R)-2-甲基四氫-2H-哌喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((2R,3S)-2-甲基四氫-2H-哌喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>(-)-4-胺基-1-(2-氯-3-氟苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>(+)-4-胺基-1-(2-氯-3-氟苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>(-)-4-胺基-1-(2-氯苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>(+)-4-胺基-1-(2-氯苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-6-(二氟甲氧基)-1-(鄰甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(6,7-二氫-5H-吡咯并[1,2-c]咪唑-7-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮；甲酸， <br/>4-(2-氯苯基)-6-環丙基-1-亞胺基-吡啶并[1,2-c]嘧啶-3-酮；甲酸， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[2-(三氟甲氧基)苯基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯-3-吡啶基)-7-(三氟甲氧基)喹唑啉-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(6-(二氟甲氧基)吡啶-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(1,4-二氧雜環庚烷-6-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-氟-2-甲基苯基)喹唑啉-2-酮。
如請求項 1 至 3 中任一項之化合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由下列所組成之群組： <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(鄰甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2-甲基吡啶-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>3-(4-胺基-7-環丙基-2-側氧基吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-4-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(3-氟-2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(氧雜環己烷-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(2-甲基吡啶-3-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-甲基吡啶-3-基)-7-(三氟甲氧基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-4-基)喹唑啉-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(2,3-二氫苯并呋喃-7-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯苯基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(4-氧雜螺[2.5]辛-8-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-1-(2-氯吡啶-3-基)-7-環丙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-(二氟甲氧基)-1-(2-甲基苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>3-(4-胺基-2-側氧基-7-(三氟甲基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-1(2H)-基)-2-甲基苄腈， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-(間甲苯基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(8S)-4-氧雜螺[2.5]辛-8-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-[(8R)-4-氧雜螺[2.5]辛-8-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-酮， <br/>(R)-4-胺基-7-環丙基-1-(氧雜環庚烷-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮， <br/>4-胺基-7-環丙基-1-((2S,3R)-2-甲基四氫-2H-哌喃-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-2(1H)-酮。
一種醫藥組成物，其包含如請求項 1 至 26 中任一項之式 I' 化合物或其醫藥上可接受之鹽，以及一種或多種醫藥上可接受之賦形劑。
一種如請求項 1 至 26 中任一項之式 I' 化合物或其醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備治療或預防肺腺癌、黑色素瘤、胰腺癌、頭頸部鱗狀細胞癌、肺鱗狀細胞癌、食道癌、多形性神經膠質母細胞瘤及間皮瘤之藥物。
如請求項 28之用途，其中該藥物係用於治療、預防及/或延遲肺腺癌、肺鱗狀細胞癌、胰腺癌、多形性神經膠質母細胞瘤、及頭頸部鱗狀細胞癌的進展。
一種用於在一爐內支撐複數個半導體晶圓之晶圓舟，其包括： <br/>一垂直桿； <br/>一指狀物集合，其沿著一指狀物軸自該垂直桿徑向向內延伸，該指狀物軸延伸於以一縱向中心軸為中心之一圓之一弦，該弦不與該晶圓舟之該縱向中心軸相交，該集合之各指狀物包括： <br/>一長形區段，其自該垂直桿延伸；及 <br/>一接觸突起，其係朝向該指狀物之一遠端安置於該長形區段上以接觸且支撐一半導體晶圓，該接觸突起之至少一部分相對於該長形區段凸起，該接觸突起係圓柱形，且自該接觸突起之側，沿著該指狀物軸線延伸至一頂點之高度為增大，該接觸突起包括一圓形表面，用以支撐且接觸一半導體晶圓。
如請求項1之晶圓舟，其中該接觸突起具有3 mm至20 mm之一寬度、10 mm至50 mm之一長度，且自該接觸突起至該晶圓舟之一縱向中心軸之距離為自75 mm至125 mm。
如請求項1之晶圓舟，其中該接觸突起具有8 mm之一寬度、30 mm之一長度，且自該接觸突起至該晶圓舟之一縱向中心軸之距離為100 mm。
如請求項1之晶圓舟，其中該垂直桿係一第一桿，該指狀物集合係一第一指狀物集合，且該弦係一第一弦，該晶圓舟包括： <br/>一第二垂直桿； <br/>一第二指狀物集合，其沿著一第二指狀物軸自該第二垂直桿徑向向內延伸，該第二指狀物軸延伸於該圓之一第二弦上方，該第二弦不與該晶圓舟之該縱向中心軸相交，該第二集合之各指狀物包括： <br/>一長形區段，其自該第二垂直桿延伸；及 <br/>一接觸突起，其係朝向該指狀物之一遠端安置於該長形區段上以接觸且支撐一半導體晶圓，該接觸突起之至少一部分相對於該長形區段凸起。
如請求項4之晶圓舟，其進一步包括： <br/>一第三垂直桿； <br/>一第三指狀物集合，其沿著一第三指狀物軸自該第三垂直桿徑向向內延伸，該第三指狀物軸延伸於該圓之一第三弦上方，該第三弦與該晶圓舟之該縱向中心軸相交，該第三集合之各指狀物包括： <br/>一長形區段，其自該第三垂直桿延伸；及 <br/>一接觸突起，其係朝向該指狀物之一遠端安置於該長形區段上以接觸且支撐一半導體晶圓，該接觸突起之至少一部分相對於該長形區段凸起。
如請求項5之晶圓舟，其中各指狀物之該遠端圍繞該晶圓舟間隔約120°。
如請求項5之晶圓舟，其中該第一集合、該第二集合及該第三集合之各者之該等接觸突起圍繞該晶圓舟間隔120°。
如請求項1之晶圓舟，其中該接觸突起具有一縱向接觸突起軸、沿著該縱向接觸突起軸之一長度、及垂直於該長度之一寬度，各接觸突起之該寬度為3 mm至20 mm，各接觸突起之該長度為10 mm至50 mm，且自該接觸突起至該晶圓舟之一縱向中心軸之距離為75 mm至125 mm。
一種經口用醫藥組成物，包括ART-001(塞拉貝西普)、無機酸或有機酸、以及親水性聚合物，其中，前述無機酸或有機酸至少包括磷<br/> 酸。
如請求項1所述之經口用醫藥組成物，其中，無機酸或有機酸係更包括選自鹽酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、抗壞血酸、反丁烯二酸、琥珀酸、天門冬酸、乳酸、乙酸、麩胺酸、以及己二酸之1種或2種以上之酸。
如請求項1所述之經口用醫藥組成物，其中，親水性聚合物係選自聚乙烯醇、普維酮、羥丙甲纖維素、共聚普維酮、羥丙纖維素、聚乙烯醇/聚乙二醇/接枝共聚物、羥丙甲纖維素鄰苯二甲酸酯、以及羥丙甲纖維素乙酸酯琥珀酸酯之1種或2種以上之聚合物。
如請求項1所述之經口用醫藥組成物，其中，ART-001(塞拉貝西普)之含有率為2至40質量%之範圍。
如請求項1所述之經口用醫藥組成物，其中，相對於ART-001(塞拉貝西普)1質量份，無機酸或有機酸的含量比為0.1至10質量份之範圍。
如請求項1所述之經口用醫藥組成物，其中，相對於ART-001(塞拉貝西普)1質量份，親水性聚合物的含量比為0.02至5質量份之範圍。
如請求項1所述之經口用醫藥組成物，其為乾糖漿劑。
一種製造請求項1至7中任一項所述之經口用醫藥組成物之方法，係包括將含有ART-001(塞拉貝西普)、無機酸或有機酸、以及親水性聚合物之混合物濕式造粒、乾燥。
一種用於測試半導體積體電路(IC)之方法，所述方法包括： <br/>將測試樣式掃描到所述半導體IC的內部電路中，所述半導體IC的所述內部電路包括邊際測量感測器； <br/>利用所述邊際測量感測器來測量邊際，所述邊際是根據在所述半導體IC的一測試信號路徑以及一延遲的信號路徑之間的比較的一特徵來測量的，所述延遲的信號路徑是所述測試信號路徑被延遲一可調整的延遲時間的一信號， <br/>其中，藉由每一個所述測試樣式導致延遲時間的增量的調整來引入所述可調整的延遲時間；以及 <br/>掃描出所述邊際測量感測器的輸出。
如請求項1之方法，其中，測量的步驟包括： <br/>在信號路徑組合器處接收所述半導體IC的複數個信號路徑；以及 <br/>組合接收到的所述半導體IC的所述複數個信號路徑以提供所述測試信號路徑。
如請求項1之方法，其中，測量所述邊際的步驟包括根據在所述半導體IC的所述測試信號路徑以及所述延遲的信號路徑之間針對於不同的延遲時間的多個比較來識別一延遲時間臨界值。
如請求項1之方法，其中，所述方法構成所述半導體IC的結構測試，其中所述邊際測量感測器包括資料暫存器，其構成所述結構測試的一掃描鏈的部分，所述方法進一步包括： <br/>藉由重置所述資料暫存器來配置所述結構測試； <br/>在所述資料暫存器中儲存一延遲的所測量的所述特徵；以及 <br/>其中，所述掃描出的步驟包括從所述資料暫存器掃描出所述延遲的所測量的所述特徵。
如請求項4之方法，其中： <br/>所述資料暫存器是在所述邊際測量感測器的輸出的第一資料暫存器，並且所述第一資料暫存器被重置，以藉由掃入重置樣式來配置所述結構測試；或者 <br/>所述資料暫存器是第二資料暫存器，所述第二資料暫存器從在所述邊際測量感測器的輸出的第一資料暫存器接收所述延遲的所測量的所述特徵，並且所述第二資料暫存器被重置，以藉由所述第一資料暫存器的輸出來配置所述結構測試。
如請求項1之方法，其中所述測試樣式是利用自動測試樣式產生(ATPG)來產生的，且其中所述掃描出的步驟是利用ATPG移位模式來執行的。
如請求項1之方法，其中，比較的所述特徵包括以下的一或多者：通過或失敗狀況；延遲臨界值比較結果；延遲指示；或者最壞情況延遲指示。
如請求項1之方法，其中，將所述測試樣式掃描到所述半導體IC的所述內部電路中是藉由具有第一頻率的掃描時脈來控制的，並且其中所述半導體IC在所述邊際的所述測量被執行的期間之操作是藉由具有第二頻率的捕捉時脈來控制的，所述第二頻率高於所述第一頻率。
如請求項1之方法，進一步包括操作在特性分析模式中，其中： <br/>所述邊際的所述測量包括在自動測試設備以及評估板的每一者處，針對於複數個結構測試樣式中的每一個結構測試樣式來判斷和耦接至所述邊際測量感測器的一或多個信號路徑相關的最小邊際； <br/>比較針對於所述自動測試設備以及所述評估板的每一者所判斷的所述最小邊際；以及 <br/>將所述自動測試設備以及所述評估板的效能進行關聯。
如請求項1之方法，進一步包括藉由設定用於所述邊際測量感測器的所述可調整的延遲時間至一臨界值以及利用所述臨界值來根據所測量的所述邊際來分類所述半導體IC而操作在大量製造(HVM)模式中。
一種被配置以測試半導體積體電路(IC)之測試器裝置，其藉由： <br/>將來自所述測試器裝置的測試樣式掃描到邊際測量感測器中，所述邊際測量感測器構成所述半導體IC的內部電路的部分；以及 <br/>從所述半導體IC掃描出所述邊際測量感測器的輸出並且掃描到所述測試器裝置，藉以在所述測試器裝置處接收由所述邊際測量感測器執行的一或多個邊際的測量，每一個邊際是根據在所述半導體IC的一測試信號路徑以及一延遲的信號路徑之間的比較的一特徵來測量的，所述延遲的信號路徑是所述測試信號路徑被延遲一可調整的延遲時間的一信號，其中，藉由每一個所述測試樣式導致延遲時間的增量的調整來引入所述可調整的延遲時間。
如請求項11之測試器裝置，其中，比較的所述特徵包括以下的一或多者：通過或失敗狀況；延遲臨界值比較結果；延遲指示；或者最壞情況延遲指示。
如請求項11之測試器裝置，其中，所述一或多個邊際的測量中的每一個測量藉由以下步驟來執行： <br/>在所述半導體IC的信號路徑組合器處接收所述半導體IC的複數個信號路徑；以及 <br/>組合接收到的所述半導體IC的所述複數個信號路徑以提供所述測試信號路徑。
如請求項11之測試器裝置，其中，所述一或多個邊際的測量中的每一個測量藉由根據在所述半導體IC的所述測試信號路徑以及所述延遲的信號路徑之間針對於不同的延遲時間的多個比較來識別一延遲時間臨界值而執行。
一種半導體積體電路(IC)，其包括： <br/>結構測試電路，其被配置以接收測試樣式，並且在所述半導體IC的功能電路上執行一或多個結構測試；以及 <br/>邊際測量感測器，其被配置以測量邊際，所述邊際包括在所述半導體IC的一測試信號路徑以及一延遲的信號路徑之間的比較的一特徵，所述延遲的信號路徑是所述測試信號路徑被延遲一可調整的延遲時間的一信號，其中，藉由每一個所述測試樣式導致延遲時間的增量的調整來引入所述可調整的延遲時間。
如請求項15之半導體IC，其中，比較的所述特徵包括以下的一或多者：通過或失敗狀況；延遲臨界值比較結果；延遲指示；以及最壞情況延遲指示。
如請求項15之半導體IC，其中，測量所述邊際包括根據在所述半導體IC的所述測試信號路徑以及所述延遲的信號路徑之間針對於不同的延遲時間的多個比較來識別一延遲時間臨界值。
如請求項15之半導體IC，其中所述邊際測量感測器包括資料暫存器，其構成所述一或多個結構測試的一掃描鏈的部分，且其中所述一或多個結構測試包括： <br/>藉由重置所述資料暫存器來配置所述一或多個結構測試； <br/>在所述資料暫存器中儲存一延遲的所測量的所述特徵；以及 <br/>從所述資料暫存器掃描出所述延遲的所測量的所述特徵。
如請求項18之半導體IC，其中，所述資料暫存器是在所述邊際測量感測器的輸出的第一資料暫存器，並且所述第一資料暫存器被重置，以藉由掃入重置樣式來配置所述一或多個結構測試。
如請求項18之半導體IC，其中，所述資料暫存器是第二資料暫存器，所述第二資料暫存器從在所述邊際測量感測器的輸出的第一資料暫存器接收所述延遲的所測量的所述特徵，並且所述第二資料暫存器被重置，以藉由所述第一資料暫存器的輸出來配置所述一或多個結構測試。
一種光學成像系統，由物側至像側依序包含：<br/> 一第一透鏡，具有正屈折力；<br/> 一第二透鏡，具有屈折力；<br/> 一第三透鏡，具有正屈折力；<br/> 一第四透鏡，具有屈折力；<br/> 一第五透鏡，具有屈折力；<br/> 一第六透鏡，具有屈折力； <br/> 一第七透鏡，具有屈折力；<br/> 一成像面，其中該光學成像系統具有屈折力的透鏡為七枚且所有透鏡之材質為塑膠，該第五透鏡至該第七透鏡中至少一透鏡具有正屈折力，該第一透鏡至該第七透鏡的焦距分別為f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7，該光學成像系統的焦距為f，該光學成像系統之入射瞳直徑為HEP，該第一透鏡物側面至該成像面於光軸上具有一距離HOS，該第一透鏡物側面至該第七透鏡像側面於光軸上具有一距離InTL，該光學成像系統之最大可視角度的一半為HAF，該光學成像系統於該成像面上垂直於光軸具有一最大成像高度HOI，該第一透鏡至該第七透鏡於1/2 HEP高度且平行於光軸之厚度分別為ETP1、ETP2、ETP3、ETP4、ETP5、ETP6以及ETP7，前述ETP1至ETP7的總和為SETP，該第一透鏡至該第七透鏡於光軸之厚度分別為TP1、TP2、TP3、TP4、TP5、TP6以及TP7，前述TP1至TP7的總和為STP，其滿足下列條件2.0≦f/HEP≦2.6；5 deg＜HAF≦10 deg；1≦HOS/HOI≦10以及0.5≦SETP/STP ＜2.5。
如請求項1所述之光學成像系統，其中該第五透鏡以及該第六透鏡具有一空隙間隔。
如請求項1所述之光學成像系統，其中該第一透鏡之物側面於光軸上為為凸面以及像側面於光軸上凸面。
如請求項1所述之光學成像系統，其中該第一透鏡與第二透鏡於光軸上的厚度分別為TP1以及TP2，其滿足下列條件：0.4≦TP1 / TP2≦5.5。
如請求項1所述之光學成像系統，其中該第六透鏡與第七透鏡於光軸上的厚度分別為TP6以及TP7，其滿足下列條件： 0.25≦TP6 / TP7≦3.5。
如請求項1所述之光學成像系統，其中該光學成像系統於結像時之TV畸變為TDT，在該成像面上之光軸、0.3HOI以及0.7HOI三處於空間頻率55 cycles/mm之調制轉換對比轉移率(MTF數值)分別以MTFE0、MTFE3以及MTFE7表示，其滿足下列條件：MTFE0≧0.2；MTFE3≧0.01；以及MTFE7≧0.01；│TDT│＜ 250 %。
如請求項1所述之光學成像系統，其中更包括一光圈，並且於該光圈至該成像面於光軸上具有一距離InS，其滿足下列公式：0.45≦InS/HOS≦0.71。
一種光學成像系統，由物側至像側依序包含：<br/> 一第一透鏡，具有正屈折力，其像側面於光軸上為凸面；<br/> 一第二透鏡，具有屈折力；<br/> 一第三透鏡，具有正屈折力；<br/> 一第四透鏡，具有屈折力；<br/> 一第五透鏡，具有屈折力；<br/> 一第六透鏡，具有屈折力； <br/> 一第七透鏡，具有正屈折力；<br/> 一成像面，其中該光學成像系統具有屈折力的透鏡為七枚且所有透鏡之材質為塑膠，該第五透鏡及該第六透鏡中至少一透鏡具有正屈折力，該第一透鏡至該第七透鏡的焦距分別為f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7，該光學成像系統的焦距為f，該光學成像系統之入射瞳直徑為HEP，該第一透鏡物側面至該成像面於光軸上具有一距離HOS，該第一透鏡物側面至該第七透鏡像側面於光軸上具有一距離InTL，該光學成像系統之最大可視角度的一半為HAF，該光學成像系統於該成像面上垂直於光軸具有一最大成像高度HOI，該第一透鏡物側面上於1/2 HEP高度的座標點至該成像面間平行於光軸之水平距離為ETL，該第一透鏡物側面上於1/2 HEP高度的座標點至該第七透鏡像側面上於1/2 HEP高度的座標點間平行於光軸之水平距離為EIN，其滿足下列條件：2.0≦f/HEP≦2.6；5 deg＜HAF≦10 deg；1≦HOS/HOI≦10以及0.2≦EIN/ETL＜ 1。
如請求項8所述之光學成像系統，其中該第五透鏡以及該第六透鏡具有一空隙間隔。
如請求項8所述之光學成像系統，其中該第三透鏡與該第四透鏡之間於光軸上的距離為IN34，該第四透鏡與該第五透鏡之間於光軸上的距離為IN45，其滿足下列條件：1.2≦ IN34 / IN45≦13。
如請求項8所述之光學成像系統，其中該更包括一光圈，該光圈位於該第二透鏡以及該第三透鏡之間。
如請求項8所述之光學成像系統，其中更包括一光圈，並且於該光圈至該成像面於光軸上具有一距離InS，其滿足下列公式：0.45≦InS/HOS≦0.71。
如請求項8所述之光學成像系統，其中該光學成像系統於該成像面上垂直於光軸具有一最大成像高度HOI，在該成像面上之光軸、0.3HOI以及0.7HOI三處於空間頻率110 cycles/mm之調制轉換對比轉移率(MTF數值)分別以MTFQ0、MTFQ3以及MTFQ7表示，其滿足下列條件：MTFQ0≧0.2；MTFQ3≧0.01；以及MTFQ7≧0.01；HOI＞1.0 mm。
如請求項8所述之光學成像系統，其中該第一透鏡之物側面於光軸上為凸面。
一種光學成像系統，由物側至像側依序包含：<br/> 一第一透鏡，具有正屈折力，其物側面以及像側面於光軸上均為凸面；<br/> 一第二透鏡，具有屈折力；<br/> 一第三透鏡，具有正屈折力；<br/> 一第四透鏡，具有屈折力；<br/> 一第五透鏡，具有正屈折力；<br/> 一第六透鏡，具有正屈折力； <br/> 一第七透鏡，具有屈折力；<br/> 一成像面，其中該光學成像系統具有屈折力的透鏡為七枚且所有透鏡之材質為塑膠，該第一透鏡至該第七透鏡的焦距分別為f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7，該光學成像系統的焦距為f，該光學成像系統之入射瞳直徑為HEP，該第一透鏡物側面至該成像面於光軸上具有一距離HOS，該第一透鏡物側面至該第七透鏡像側面於光軸上具有一距離InTL，該光學成像系統之最大可視角度的一半為HAF，該光學成像系統於該成像面上垂直於光軸具有一最大成像高度HOI，該第一透鏡物側面上於1/2 HEP高度的座標點至該成像面間平行於光軸之水平距離為ETL，該第一透鏡物側面上於1/2 HEP高度的座標點至該第七透鏡像側面上於1/2 HEP高度的座標點間平行於光軸之水平距離為EIN，其滿足下列條件：2.0≦f/HEP≦2.6；5 deg＜HAF≦10 deg；1≦HOS/HOI≦10以及0.2≦EIN/ETL＜ 1。
如請求項15所述之光學成像系統，其中該第一透鏡與第二透鏡於光軸上的厚度分別為TP1以及TP2，其滿足下列條件：0.4≦TP1 / TP2≦5.5。
如請求項15所述之光學成像系統，其中該第三透鏡與該第四透鏡之間於光軸上的距離為IN34，該第四透鏡與該第五透鏡之間於光軸上的距離為IN45，其滿足下列條件：1.2≦ IN34 / IN45≦13。
如請求項15所述之光學成像系統，其中該光學成像系統於結像時之TV畸變為TDT，在該成像面上之光軸、0.3HOI以及0.7HOI三處於空間頻率55 cycles/mm之調制轉換對比轉移率(MTF數值)分別以MTFE0、MTFE3以及MTFE7表示，其滿足下列條件：MTFE0≧0.2；MTFE3≧0.01；以及MTFE7≧0.01；│TDT│＜ 250 %。
如請求項15所述之光學成像系統，其中該光學成像系統更包括一光圈、一影像感測元件，該影像感測元件設置於該成像面後，並且於該光圈至該成像面於光軸上具有一距離InS其滿足下列公式：0.45≦InS/HOS≦0.71。
一種自然換氣裝置(1)，係利用自然風來對建築物內進行換氣者，該自然換氣裝置(1)具有： <br/>框架(4)，係設有連通建築物內外的通口(2)；及 <br/>作動構件(5)，係將通口(2)進行開閉； <br/>作動構件(5)係可沿著與含有通口(2)的面平行且彼此成直角的第一方向及第二方向、以及與含有通口(2)的面成垂直的第三方向進行移動； <br/>前述自然換氣裝置(1)係更含有： <br/>驅動部(9,21,22)，係使作動構件(5)沿著第一方向驅動而移動以對通口(2)進行開啟、閉合；及 <br/>操作部(13,14)，係引導作動構件(5)的移動； <br/>操作部(13,14)係含有引導作動構件(5)的第二方向的移動的橫方向引導板(13)、及引導作動構件(5)的第三方向的移動的垂直方向引導板(14)； <br/>自然換氣裝置(1)係構成為，在藉由作動構件(5)而將通口(2)閉合之狀態下，當藉由驅動部(9,21,22)使作動構件(5)朝第一方向的一方驅動時，作動構件(5)會以藉由垂直方向引導板(14)沿著第三方向移動而遠離通口(2)、並且藉由橫方向引導板(13)沿著第二方向移動而遠離通口(2)的方式，將通口(2)開啟； <br/>自然換氣裝置(1)係構成為，在藉由作動構件(5)而將通口(2)開啟之狀態下，當藉由驅動部(9,21,22)使作動構件(5)朝第一方向的另一方驅動時，作動構件(5)會以藉由垂直方向引導板(14)沿著第三方向移動而接近通口(2)、並且藉由橫方向引導板(13)沿著第二方向移動而接近通口(2)的方式，將前述通口(2)閉合。
如請求項1所述之自然換氣裝置(1)，其中，橫方向引導板(13)係具有在沿著第一方向傾斜之狀態下往第二方向延伸的引導孔(16)，作動構件(5)係具有銷構件(17)，該銷構件(17)係沿著第三方向延伸而可移動地嵌合至引導孔(16)；藉此，引導作動構件(5)的第二方向的移動。
如請求項1或2所述之自然換氣裝置(1)，其中，垂直方向引導板(14)係兩個為一組並以彼此面對面的狀態配置，且在彼此面對面之側具有呈彎折並沿著第一方向延伸的引導溝(18)，引導溝(18)係含有沿著第一方向延伸並且在第一方向及第三方向彼此錯開的第一部分(18a)及第二部分(18b)、以及連接第一部分(18a)與第二部分(18b)的傾斜部分(18c)，作動構件(5)係含有沿著第二方向延伸的支持桿(20)，支持桿(20)的兩端部以可移動的方式嵌合至彼此面對面的垂直方向引導板(14)的引導溝(18)；藉此，引導作動構件(5)的第三方向的移動。
如請求項1或2所述之自然換氣裝置(1)，其中，第一方向及第二方向為水平方向，第三方向為上下方向。
一種人力驅動車用曲柄臂， <br/>上述曲柄臂，具有：長邊方向參考線及與上述長邊方向參考線垂直的橫邊方向中心線； <br/>上述長邊方向參考線朝上述曲柄臂的長邊方向延伸， <br/>上述橫邊方向中心線朝上述曲柄臂的橫邊方向延伸； <br/>上述曲柄臂具備有：具有讓曲柄軸通過的第1開口的曲柄軸安裝部、具有讓踏板軸通過的第2開口的踏板軸安裝部、及在上述長邊方向配置在上述曲柄軸安裝部及上述踏板軸安裝部之間的主體； <br/>上述第1開口具有第1中心軸心； <br/>上述曲柄軸安裝部具有：通過上述第1中心軸心且沿著上述橫邊方向測定的第1外周長度； <br/>上述第2開口具有第2中心軸心； <br/>上述主體具有最大部，上述最大部具有沿著上述橫邊方向測定的最大外周長度； <br/>上述長邊方向參考線通過上述第1中心軸心及上述第2中心軸心， <br/>上述橫邊方向中心線，通過上述第1中心軸心與上述第2中心軸心之間的中心點， <br/>上述最大外周長度為上述曲柄臂的最大外周長度， <br/>上述主體具有與上述長邊方向參考線重疊的中空部； <br/>上述主體的上述最大部至少局部包圍上述中空部； <br/>第1長邊方向距離定義為：在上述長邊方向從上述第1中心軸心起至上述第2中心軸心的距離； <br/>第2長邊方向距離定義為：在上述長邊方向從上述第1中心軸心起至上述長邊方向參考線上的上述最大部的距離； <br/>上述最大外周長度相對於上述第1外周長度的長度比為1.05以上， <br/>上述第2長邊方向距離相對於上述第1長邊方向距離的距離比為0.3以上。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述距離比為0.5以下。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述距離比為0.35以上0.45以下。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述長度比為1.2以上。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述長度比為3.0以下。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述曲柄軸安裝部及上述踏板軸安裝部分別與上述主體為不同構件。
如請求項6的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述主體的材料包含非金屬材料。
如請求項7的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述主體的材料包含纖維強化塑膠。
如請求項6的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述曲柄軸安裝部的材料及上述踏板軸安裝部的材料分別包含金屬材料。
如請求項9的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述曲柄軸安裝部的材料及上述踏板軸安裝部的材料分別包含鋁。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述曲柄軸安裝部、上述踏板軸安裝部、及上述主體為一體成形的單一元件。
如請求項11的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述曲柄軸安裝部的材料、上述踏板軸安裝部的材料、及上述主體的材料分別包含金屬材料。
如請求項12的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述曲柄軸安裝部的材料、上述踏板軸安裝部的材料、及上述主體的材料分別包含鋁或鎂。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述主體具有與上述中空部連通的開口。
如請求項14的人力驅動車用曲柄臂，其中，在上述曲柄臂安裝於上述人力驅動車的安裝狀態，上述開口朝向上述人力驅動車的中心面。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，進一步具備有：配置在上述中空部的力量感應器。
如請求項16的人力驅動車用曲柄臂，其中，上述力量感應器包含應變計。
如請求項1的人力驅動車用曲柄臂，其中，進一步具備有鏈輪安裝部， <br/>上述鏈輪安裝部包含複數的花鍵齒。
一種人力驅動車用曲柄組件，具備有： <br/>請求項1至18中任一項的上述曲柄臂、 <br/>及在上述曲柄組件的組裝狀態安裝於上述曲柄臂的上述曲柄軸。
如請求項19的人力驅動車用曲柄組件，其中，上述曲柄軸包含有曲柄臂安裝部， <br/>上述曲柄臂安裝部藉由壓入方式插入於上述曲柄軸安裝部的上述第1開口。
如請求項19的人力驅動車用曲柄組件，其中，上述曲柄軸包含有曲柄臂安裝部， <br/>上述曲柄臂安裝部插入於上述曲柄軸安裝部的上述第1開口，且藉由黏接劑安裝於上述曲柄軸安裝部的上述第1開口。
一種半導體密封用環氧樹脂組成物，其包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑及硬化促進劑，以及(C)具有蒽構造而不具有N、S及鹵素原子之螢光劑；前述硬化劑包括選自由甲基六氫鄰苯二甲酸酐、烷基化四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-4-環己烯-1,2-二羧酸酐、甲基降冰片烯二酸酐、經烯基取代之琥珀酸酐、甲基橋亞甲基四氫鄰苯二甲酸酐及戊二酸酐所成群之至少一種之酸酐系硬化劑，前述硬化促進劑為咪唑系硬化促進劑。
如請求項1之半導體密封用環氧樹脂組成物，其進而包含(D)填料。
如請求項1或2之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中前述(C)具有蒽構造而不具有N、S及鹵素原子之螢光劑包含選自由9,10-二乙氧基蒽及9,10-二丁氧基蒽所成之群之至少一者。
如請求項1或2之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中藉由波長395nm的光照射所得之圖像的亮度值之閾值範圍為120~140時，經二值化之比例為70%以上。
如請求項1或2之半導體密封用環氧樹脂組成物，其中相對於前述(A)環氧樹脂之環氧基1當量，可與該環氧基反應之前述(B)成分之硬化劑及硬化促進劑中之活性基合計為0.5~1.5當量。
一種半導體裝置，其包含如請求項1至5中任一項之半導體密封用環氧樹脂組成物作為密封劑。
一種顯示裝置，包括： <br/>一第一基板，該第一基板設置有複數個子像素； <br/>複數個濾色層，該複數個濾色層配置於該第一基板上； <br/>一堤層，該堤層配置於該濾色層上，包括配置於該子像素的邊界的一第一堤； <br/>一顏色控制結構物，該顏色控制結構物包括在該濾色層中配置於該第一堤所環繞區域內的複數個透光層及複數個波長變換層； <br/>一發光元件層，該發光元件層配置於該濾色層與該顏色控制結構物之間； <br/>一反射層，該反射層配置於該顏色控制結構物上；及 <br/>一第一電極和一第二電極，該第一電極和該第二電極配置於該濾色層上，且至少一部分配置於同一平面上；該發光元件層包括兩端部配置於該第一電極及該第二電極上的複數個發光元件。
如請求項1所述之顯示裝置，其中， <br/>該濾色層包括配置於一第一子像素的一第一濾色層及配置於一第二子像素的一第二濾色層， <br/>該發光元件層包括配置於該第一子像素的一第一發光元件層及配置於該第二子像素的一第二發光元件層， <br/>該顏色控制結構物包括配置於該第一子像素的一第一透光層及配置於該第二子像素的一第一波長變換層。
如請求項2所述之顯示裝置，其中， <br/>從該第一發光元件層釋放的光經該透光層，在該反射層反射，通過該第一濾色層射出到該第一基板的下面， <br/>從該第二發光元件層釋放的光經該第一波長變換層，在該反射層反射，通過該第二濾色層射出到該第一基板的下面。
如請求項3所述之顯示裝置，其中， <br/>該發光元件層釋放一第一色的光， <br/>該第一子像素射出該第一色的光，該第二子像素射出與該第一色不同的一第二色的光。
如請求項4所述之顯示裝置，其中， <br/>該濾色層進一步包括配置於一第三子像素的一第三濾色層， <br/>該發光元件層進一步包括配置於該第三子像素的一第三發光元件層， <br/>該顏色控制結構物進一步包括配置於該第三子像素的一第二波長變換層， <br/>該第三子像素射出與該第一色及該第二色不同的一第三色的光。
如請求項2所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括一遮光構件，該遮光構件以環繞該第一濾色層和該第二濾色層的方式配置，沿厚度方向與該第一堤重疊。
如請求項6所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括一電路層，該電路層配置於該第一基板與該濾色層之間，包括至少一第一電晶體和複數個配線， <br/>該第一電極及該第二電極分別與該至少一第一電晶體及該複數個配線電氣連接。
如請求項7所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括配置於該濾色層與該電路層之間的一第一平坦化層， <br/>該濾色層直接配置於該第一平坦化層上。
如請求項8所述之顯示裝置，其中， <br/>該第一電極透過貫通該遮光構件和該第一平坦化層的一第一接觸孔而與該第一電晶體電氣連接， <br/>該第二電極透過貫通該遮光構件和該第一平坦化層的一第二接觸孔而與該配線電氣連接。
如請求項7所述之顯示裝置，其中， <br/>該電路層的該第一電晶體和該配線沿厚度方向與該第一堤重疊地配置。
如請求項1所述之顯示裝置，其中， <br/>該第一堤環繞該子像素地配置， <br/>該發光元件層的該發光元件配置於該子像素內， <br/>該透光層及該波長變換層在該第一堤所環繞區域內配置於該發光元件上。
如請求項11所述之顯示裝置，其中， <br/>該堤層進一步包括複數個第二堤，該複數個第二堤在該第一堤所環繞區域內配置於該濾色層上， <br/>該第一電極與該第二電極分別配置於該第二堤上，且至少一部分直接配置於該濾色層上。
如請求項12所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括配置於該濾色層與該第二堤上的一第一絕緣層， <br/>該第一堤直接配置於該第一絕緣層上。
如請求項13所述之顯示裝置，其中， <br/>該第一絕緣層配置為部分地覆蓋該發光元件層的該第一電極及該第二電極。
如請求項1所述之顯示裝置，其中， <br/>該反射層配置於該第一堤上。
如請求項15所述之顯示裝置，其中， <br/>該反射層包括金屬材料或低折射材料。
如請求項15所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括配置於該反射層上的一封裝層， <br/>該封裝層包括一第一無機封裝層、配置於該第一無機封裝層上的一第二無機封裝層及配置於該第一無機封裝層與該第二無機封裝層之間的一有機封裝層。
如請求項1所述之顯示裝置，其中， <br/>該發光元件層進一步包括一第一接觸電極及一第二接觸電極，該第一接觸電極與該發光元件的一端部及該第一電極接觸，該第二接觸電極與該發光元件的另一端部及該第二電極接觸。
一種顯示裝置，包括： <br/>複數個子像素，該複數個子像素沿一第一方向及一第二方向排列； <br/>一堤層，該堤層配置於該子像素的邊界，沿該第一方向及該第二方向延長； <br/>一第一濾色層和一第二濾色層，該第一濾色層配置於一第一子像素，該第二濾色層配置於位於該第一子像素的該第二方向上的一第二子像素； <br/>一發光元件層，該發光元件層包括一第一電極和一第二電極及複數個發光元件，該第一電極和該第二電極分別配置於該第一子像素及該第二子像素並向該第一方向延長，該複數個發光元件的兩端部配置於該第一電極和該第二電極上； <br/>一顏色控制結構物，該顏色控制結構物包括該堤層所環繞區域中配置於該第一子像素的一透光層及配置於該第二子像素的一第一波長變換層；及 <br/>一反射層，該反射層覆蓋該顏色控制結構物和該堤層地配置。
如請求項19所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括一遮光構件，該遮光構件與該堤層重疊地配置，且環繞該第一濾色層及該第二濾色層。
如請求項20所述之顯示裝置，其中， <br/>該遮光構件的寬度小於該堤層的寬度，該第一濾色層及該第二濾色層部分地與該堤層重疊。
如請求項21所述之顯示裝置，其中， <br/>該透光層與該第一波長變換層沿該第二方向測量的寬度，分別小於該第一濾色層及該第二濾色層的沿該第二方向測量的寬度。
如請求項20所述之顯示裝置，其中， <br/>進一步包括一第三濾色層和一第二波長變換層，該第三濾色層配置於位於該第二子像素的該第二方向上的一第三子像素，該第二波長變換層配置於該第三子像素。
如請求項20所述之顯示裝置，其中， <br/>該第一濾色層和該第二濾色層沿該第一方向延長，且橫跨該堤層地配置，該遮光構件具有沿該第一方向延長的形狀。
一種由以下化學式1-1至化學式1-4中的任一者表示的雜環化合物：<figure><img align="absmiddle" height="344px" width="453px" file="d10062.TIF" alt="化學式ed10062.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10062.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="387px" width="398px" file="d10063.TIF" alt="化學式ed10063.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10063.png"/></figure>[化學式1-3]<figure><img align="absmiddle" height="288px" width="418px" file="d10064.TIF" alt="化學式ed10064.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10064.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="384px" width="533px" file="d10065.TIF" alt="化學式ed10065.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10065.png"/></figure>其中，在化學式1-1至化學式1-4中，Y1為O；或者S；L1與L2彼此相同或不同，並且各自獨立地為直接鍵；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的伸雜芳基，m及n各自為0至3的整數，並且當m及n各自為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同；N-Het是由以下化學式3-1至化學式3-4中的一者表示；Ar1與Ar2彼此相同或不同，並且各自獨立地為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基；Rp與Rq彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；或者具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基，p及q各自為0至3的整數，並且當p及q各自為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同；<figure><img align="absmiddle" height="298px" width="304px" file="d10066.TIF" alt="化學式ed10066.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10066.png"/></figure>[化學式3-2]<figure><img align="absmiddle" height="251px" width="403px" file="d10067.TIF" alt="化學式ed10067.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10067.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="347px" width="335px" file="d10068.TIF" alt="化學式ed10068.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10068.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="324px" width="453px" file="d10069.TIF" alt="化學式ed10069.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10069.png"/></figure>在化學式3-1至化學式3-4中，X1為CR1或N，X2為CR2或N，X3為CR3或N，X5為CR5或N，Z1為O；或者S，R1至R9彼此相同或不同，並且各自獨立地選自由以下組成的群組：氫；氘；鹵素；氰基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的烯基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的炔基；具有1至20個碳原子的經取代或未經取代的烷氧基；具有3至60個碳原子的經取代或未經取代的環烷基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜環烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基；-P(=O)R10R12；以及NR13R14，或者彼此相鄰的二或更多個基團彼此鍵結以形成經取代或未經取代的脂族或芳族烴環或雜環，R10、R12、R13和R14彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基，<img align="absmiddle" height="67px" width="82px" file="d10070.TIF" alt="其他非圖式ed10070.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10070.png"/>是連接至化學式1-1至化學式1-4中的任一者的位點，在化學式3-1中，X1、X3及X5中的至少一者為N，在化學式3-2中，X1、X2及X5中的至少一者為N，在化學式3-3中，X1至X3中的至少一者為N，且在化學式3-4中，X1、X2及X5中的至少一者為N。
如請求項1所述的雜環化合物，其中所述經取代或未經取代是指未經取代或經選自由以下組成的群組中的一或多個取代基取代：氘；氰基；鹵素基；具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈烷基；具有2至60個碳原子的直鏈或支鏈烯基；具有2至60個碳原子的直鏈或支鏈炔基；具有3至60個碳原子的單環或多環環烷基；具有2至60個碳原子的單環或多環雜環烷基；具有6至60個碳原子的單環或多環芳基；具有2至60個碳原子的單環或多環雜芳基；-SiRR'R"；-P(=O)RR'；具有1至20個碳原子的烷基胺；具有6至60個碳原子的單環或多環芳基胺；及具有2至60個碳原子的單環或多環雜芳基胺，或者經連接選自上述取代基中的兩個或更多個取代基的取代基取代，並且R、R'及R"彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素；具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基。
如請求項1所述的雜環化合物，其中Ar1與Ar2彼此相同或不同，並且各自獨立地為經取代或未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的三聯苯基；經取代或未經取代的芴基；或者經取代或未經取代的萘基。
如請求項1所述的雜環化合物，其中Rp及Rq是氫。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1-1至化學式1-4中的任一者由以下化合物中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="814px" width="639px" file="d10071.TIF" alt="化學式ed10071.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10071.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="840px" width="645px" file="d10072.TIF" alt="化學式ed10072.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10072.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="833px" width="646px" file="d10073.TIF" alt="化學式ed10073.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10073.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="803px" width="640px" file="d10074.TIF" alt="化學式ed10074.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10074.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="812px" width="649px" file="d10075.TIF" alt="化學式ed10075.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10075.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="798px" width="652px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="837px" width="632px" file="d10077.TIF" alt="化學式ed10077.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10077.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="814px" width="642px" file="d10078.TIF" alt="化學式ed10078.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10078.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="766px" width="654px" file="d10079.TIF" alt="化學式ed10079.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10079.png"/></figure>
一種有機發光元件，包括：第一電極；第二電極；以及一或多個有機材料層，設置於所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述有機材料層的一或多個層包含如請求項1至請求項5中任一項所述的雜環化合物。
如請求項6所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包括一或多個發光層，並且所述發光層包含所述雜環化合物。
如請求項7所述的有機發光元件，其中所述發光層包含二或更多種主體材料，並且所述主體材料中的至少一者包含所述雜環化合物作為發光材料的主體材料。
如請求項6所述的有機發光元件，更包括選自由發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、電洞輔助層及電洞阻擋層組成的群組中的一層、兩層或更多層。
如請求項6所述的有機發光元件，其中所述有機材料層包含由化學式1-1至化學式1-4中的任一者表示的雜環化合物作為第一化合物，並且更包含由以下化學式2表示的雜環化合物作為第二化合物：<figure><img align="absmiddle" height="338px" width="397px" file="d10080.TIF" alt="化學式ed10080.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10080.png"/></figure>在化學式2中，Y2為O；或者S；L3與L4彼此相同或不同，並且各自獨立地為直接鍵；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的伸雜芳基，a及b各自為0至3的整數，並且當a及b各自為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同；N-Het為經取代或未經取代並且包含一或多個N的單環或多環雜環基團；Ar3為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基；且Rr與Rs彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；或者具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基，r為0至2的整數，並且當r為2時，括弧中的取代基彼此相同或不同，s為0至6的整數，並且當s為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同。
如請求項10所述的有機發光元件，其中化學式2由以下化合物中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="826px" width="631px" file="d10081.TIF" alt="化學式ed10081.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10081.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="836px" width="590px" file="d10082.TIF" alt="化學式ed10082.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10082.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="836px" width="686px" file="d10083.TIF" alt="化學式ed10083.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10083.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="847px" width="601px" file="d10084.TIF" alt="化學式ed10084.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10084.png"/></figure>
一種有機發光元件的有機材料層的組成物，所述組成物包含：如請求項1所述的由化學式1-1至化學式1-4中的任一者表示的雜環化合物；以及由以下化學式2表示的雜環化合物：<figure><img align="absmiddle" height="335px" width="377px" file="d10085.TIF" alt="化學式ed10085.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10085.png"/></figure>其中，在化學式2中，Y2為O；或者S；L3與L4彼此相同或不同，並且各自獨立地為直接鍵；具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的伸芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的伸雜芳基，a及b各自為0至3的整數，並且當a及b各自為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同；N-Het為經取代或未經取代並且包含一或多個N的單環或多環雜環基團；Ar3為具有6至60個碳原子的經取代或未經取代的芳基；或者具有2至60個碳原子的經取代或未經取代的雜芳基；且Rr與Rs彼此相同或不同，並且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；或者具有1至60個碳原子的經取代或未經取代的烷基，r為0至2的整數，並且當r為2時，括弧中的取代基彼此相同或不同，s為0至6的整數，並且當s為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同。
如請求項12所述的有機發光元件的有機材料層的組成物，其中，在所述組成物中，由化學式1-1至化學式1-4中的任一者表示的雜環化合物：由化學式2表示的雜環化合物具有1：10至10：1的重量比。
一種式(I-1)化合物或其可藥用鹽，<figure><img align="absmiddle" height="218px" width="253px" file="d10056.TIF" alt="化學式ed10056.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10056.png"/></figure>其中，R<sub>1</sub>選自氫、氘、鹵素、任選地被氘取代的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；R<sub>2</sub>各自獨立地選自氫；R<sub>5</sub>選自C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；R<sub>6a</sub>和R<sub>6b</sub>各自獨立地選自氫、氘、氯原子和氟原子；R<sub>7</sub>為<img align="absmiddle" height="52px" width="47px" file="d10153.TIF" alt="其他非圖式ed10153.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10153.png"/>；R<sub>8</sub>選自氫；或者R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>與其共同連接的原子一起形成雜環A<img align="absmiddle" height="87px" width="116px" file="d10154.TIF" alt="其他非圖式ed10154.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10154.png"/>；m為1-3的整數。
如請求項1所述的式(I-1)化合物或其可藥用鹽，其為<figure><img align="absmiddle" height="205px" width="674px" file="d10057.TIF" alt="化學式ed10057.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10057.png"/></figure>
一種製備如請求項1所述的式(I-1)化合物或其可藥用鹽的方法，包括如下步驟：<figure><img align="absmiddle" height="281px" width="549px" file="d10058.TIF" alt="化學式ed10058.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10058.png"/></figure>式(I-a)所示的化合物與式(I-b)-1所示化合物在鹼性條件下反應得到式(I-c)-1所示化合物；式(I-c)-1所示化合物經還原反應得到式(I-d)-1所示化合物；式(I-d)-1所示化合物與式(I-e)-1所示化合物在酸性條件下經閉環反應得到式(I-1)所示化合物；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6a</sub>、R<sub>6b</sub>、R<sub>7</sub>、R<sub>8</sub>、m和n的定義如請求項1所述；且Y選自鹵素。
一種製備如請求項1所述的式(I-1)化合物或其可藥用鹽的方法，包括如下步驟：<figure><img align="absmiddle" height="288px" width="560px" file="d10059.TIF" alt="化學式ed10059.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10059.png"/></figure>式(I-a)所示的化合物與式(I-b)-1所示化合物在鹼性條件下反應得到式(I-c)-1所示化合物；式(I-c)-1所示化合物經還原反應得到式(I-d)-1所示化合物；式(I-d)-1所示化合物與式(I-f)-1所示化合物在酸性條件下經閉環反應得到式(I-g)-1所示化合物；式(I-g)-1所示化合物在催化劑作用下反應得到式(I-1)所示化合物；該催化劑選自鈀/碳、雷尼鎳、四-三苯基膦鈀、二氯化鈀、醋酸鈀、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀、1,1'-雙(二苄基磷)二氯二戊鐵鈀、三(二亞苄基丙酮)二鈀或、2-雙環己基膦-2',6'-二甲氧基聯苯、[1,1"-雙(二-第三丁基膦基)二茂鐵]二氯合鈀(II)、碘化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅、和三氟甲磺酸銅；R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6a</sub>、R<sub>6b</sub>、R<sub>7</sub>和m的定義如請求項1所述；且Y、和Z各自獨立地選自鹵素。
一種醫藥組成物，包含如請求項1或2所述的化合物或其可藥用鹽，和至少一種藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1或2所述的化合物或其可藥用鹽或者如請求項5所述的醫藥組成物在製備治療與P2X3活性相關的疾病的藥物中的用途。
如請求項6所述的用途，該疾病選自疼痛、泌尿道疾病和咳嗽。
一種人力驅動車用煞車控制裝置，具備有：第1連接部、第2連接部、第3連接部、閥部； <br/>上述第1連接部可與煞車操作裝置連接； <br/>上述第2連接部可與煞車動作裝置連接； <br/>上述第3連接部將上述第1連接部及上述第2連接部連接； <br/>上述閥部設置於上述第3連接部且用來控制上述第1連接部、上述第2連接部、及上述第3連接部的內部的流體移動； <br/>在上述煞車操作裝置未連接於上述第1連接部且上述煞車動作裝置未連接於上述第2連接部的狀態，在上述第3連接部的內部充填有上述流體。
如請求項1的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，具備有密封構件， <br/>上述密封構件，在上述煞車操作裝置未連接於上述第1連接部且上述煞車動作裝置未連接於上述第2連接部的狀態，將充填有上述流體的上述第3連接部密封。
一種人力驅動車用煞車控制裝置，具備有：第1連接部、第2連接部、第3連接部、閥部、密封構件； <br/>上述第1連接部可與煞車操作裝置連接； <br/>上述第2連接部可與煞車動作裝置連接； <br/>上述第3連接部將上述第1連接部及上述第2連接部連接； <br/>上述閥部設置於上述第3連接部且用來控制上述第1連接部、上述第2連接部、及上述第3連接部的內部的流體移動； <br/>上述密封構件，在上述煞車操作裝置未連接於上述第1連接部且上述煞車動作裝置未連接於上述第2連接部的狀態，將充填有上述流體的上述第3連接部密封。
如請求項2或3的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述密封構件具備有：設置於上述第1連接部的第1密封構件、及設置於上述第2連接部的第2密封構件。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第1連接部包含煞車軟管， <br/>上述煞車軟管包含：與上述第3連接部連接的第1端部、及與上述第1端部為相反側的第2端部； <br/>上述第1密封構件設置在上述煞車軟管之中的上述第2端部。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第2連接部與上述第3連接部形成為一體。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第1密封構件可裝卸地設置於上述第1連接部。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第2密封構件可裝卸地設置於上述第2連接部。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第1密封構件及上述第2密封構件的至少一個具備有第1尖端部，上述第1尖端部可將外部的密封構件貫穿。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第1密封構件及上述第2密封構件的至少一個具備有膜部，上述膜部可藉由具有第2尖端部的外部構件貫穿。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第1密封構件及上述第2密封構件的其中一方具備有第1尖端部，上述第1尖端部可將外部的密封構件貫穿； <br/>上述第1密封構件及上述第2密封構件的另一方具備有膜部，上述膜部可藉由具有第2尖端部的外部構件貫穿。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第1密封構件使用於第1關閉狀態與第1開啟狀態， <br/>在上述煞車操作裝置未連接於上述第1連接部的狀態，上述第1密封構件為上述第1關閉狀態， <br/>在上述煞車操作裝置連接於上述第1連接部的狀態，上述第1密封構件為上述第1開啟狀態。
如請求項4的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述第2密封構件使用於第2關閉狀態與第2開啟狀態， <br/>在上述煞車動作裝置未連接於上述第2連接部的狀態，上述第2密封構件為上述第2關閉狀態， <br/>在上述煞車動作裝置連接於上述第2連接部的狀態，上述第2密封構件為上述第2開啟狀態。
如請求項2或3的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述密封構件使用於關閉狀態與開啟狀態， <br/>根據上述煞車操作裝置連接於上述第1連接部的情形、及上述煞車動作裝置連接於上述第2連接部的情形的至少其中一方，讓上述密封構件從上述關閉狀態成為上述開啟狀態。
如請求項2或3的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述密封構件具備有膨脹吸收部， <br/>上述膨脹吸收部，因應於上述第1連接部、上述第2連接部、及上述第3連接部的內部所充填的上述流體的體積變化，來使收容上述流體的容量變化。
如請求項15的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述密封構件，包含用來覆蓋上述膨脹吸收部的覆蓋部。
如請求項1至3中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，具備有膨脹吸收部， <br/>上述膨脹吸收部，因應於上述第1連接部、上述第2連接部、及上述第3連接部的內部所充填的上述流體的體積變化，來使收容上述流體的容量變化。
如請求項15的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述膨脹吸收部包含：具有伸縮性的構件。
如請求項17的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述膨脹吸收部包含：具有伸縮性的構件。
一種用於將一驅動單元連接至一車輪以使得該驅動單元能夠驅動該車輪繞該車輪之一中心軸線旋轉的設備，其中該車輪包括一輪轂和該輪轂上的一轉子盤安裝構件，且其中該轉子盤安裝構件適於附接一盤式制動系統的一轉子盤，該設備包括：一驅動部件，其包括一用於安裝至該車輪之該轉子盤安裝構件之構件，使得該驅動部件繞該中心軸線之旋轉驅動該輪轂繞該中心軸線之旋轉；一安裝部件，其安裝於該驅動部件上且可相對於該中心軸線獨立於該驅動部件旋轉；一驅動元件，其係安裝於該安裝部件上，該驅動元件具有相對於該安裝部件固定地安置的一驅動元件軸線，且用於耦接至該驅動單元，使得該驅動單元可驅動該驅動元件繞該驅動元件軸線旋轉；一防止構件，其用於防止該安裝部件繞該中心軸線旋轉；其中該驅動部件包括與該驅動元件耦接之耦接構件，使得該驅動元件之該旋轉得以驅動該驅動部件之該旋轉，其中該驅動部件具有在該驅動部件安裝在該車輪上時背離該車輪之一第一側，其中該耦接構件及該驅動元件至少部分地位於該第一側中之一凹入區域中，且其中該驅動部件係用於代替該轉子盤而安裝。
如請求項1之設備，其中該安裝部件安裝於該驅動部件上，藉此當該驅動部件安裝於該車輪上時，該驅動部件是位於該安裝部件與該車輪之輪輻之間。
如請求項1之設備，其中該驅動部件之該第一側具有一平坦表面。
如請求項1之設備，其中該耦接構件及該驅動元件耦接於該凹入區域中。
如請求項1之設備，其中該驅動部件包含圍繞該中心軸線周向地延伸之至少一個圓柱形壁，該耦接構件安裝於該圓柱形壁上。
如請求項1之設備，其中該驅動元件包含一第一齒輪，且該耦接構件包含一第二齒輪，該第二齒輪用於與該第一齒輪囓合，使得該第一齒輪之旋轉得以驅動該驅動部件之旋轉。
如請求項6之設備，其中該第二齒輪為圍繞該中心軸線延伸之一內部齒輪，其中其齒向內突出。
如請求項6之設備，其中該第二齒輪圍繞該中心軸線延伸，其中其齒向外突出。
如前述請求項6至8中任一項之設備，其中該第一齒輪安裝於該安裝部件上。
如請求項6至9中任一項之設備，其中該驅動單元係可拆卸的，使得該驅動單元之一驅動軸可與該第一齒輪分離且該驅動單元可與該安裝部件分離。
如請求項1之設備，其中該安裝部件延伸穿越該凹入區域，從而大體上覆蓋該凹入區域之一開放側。
如請求項1之設備，其中該驅動部件包括經構型用於與該盤式制動系統之一卡鉗機構一起使用的一徑向延伸環形轉子盤部分，其中該平坦表面包含該環形轉子盤部分之一表面。
如請求項1之設備，其更包含在該驅動部件與該安裝部件之間的一軸承總成，其中該驅動部件及該安裝部件各自固定至該軸承總成，從而使得該安裝部件能夠相對於該中心軸線獨立於該驅動部件旋轉。
如請求項13之設備，其中該軸承總成至少部分地位於該凹入區域中。
一種將一驅動系統之一驅動單元連接至一車輪之一輪轂上的一轉子盤安裝構件的方法，該驅動系統包括：一驅動部件，其安裝至該轉子盤安裝構件，使得該驅動部件繞該車輪之一中心軸線的旋轉驅動該輪轂繞該中心軸線之旋轉，其中該轉子盤安裝構件適於附接一盤式制動系統的一轉子盤，一安裝部件，其安裝於該驅動部件上且可相對於該中心軸線獨立於該驅動部件旋轉；一驅動元件，其係安裝於該安裝部件上，該驅動元件具有平行於該中心軸線之一驅動元件軸線，該驅動元件軸線相對於該安裝部件固定地安置，其中該驅動部件包括與該驅動元件耦接之耦接構件，使得該驅動元件之旋轉驅動該驅動部件之旋轉；該方法包含：將該驅動單元附接至該安裝部件，其包括將該驅動單元之一驅動軸耦接至該驅動元件，使得該驅動軸之旋轉可驅動該驅動元件繞該驅動元件軸線之該旋轉，其中該驅動部件包括一用於安裝至該輪轂上之該轉子盤安裝構件之構件，且該驅動部件係用於代替該轉子盤而安裝。
一種電子設備，其包含：<br/>一第一電阻器；<br/>一放大器，其具有耦合至該第一電阻器之一第一輸入、及用以接收一經比例調整射極-基極電壓之一第二輸入；以及<br/>一第二電阻器，其具有可變電阻值，其中該第二電阻器係耦合至該放大器之該第一輸入及一輸出，其中該放大器之該輸出係一能帶間隙參考。
如請求項1之電子設備，其中該放大器係具有不平衡輸入對尺寸或不平衡偏置電流之一不平衡放大器。
如請求項1之電子設備，其中該放大器包含：<br/>一第一輸入電晶體，其具有一第一尺寸；<br/>一第二輸入電晶體，其具有一第二尺寸，其中該第一尺寸比該第二尺寸大n倍；<br/>一電流鏡，其耦合至該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體；以及<br/>一電流源，其耦合至該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體。
如請求項3之電子設備，其中該電流鏡包含：<br/>一第三電晶體，其係二極體連接並耦合至該第一輸入電晶體，其中該第三電晶體具有一第三尺寸；以及<br/>一第四電晶體，其耦合至該第三電晶體及該第二輸入電晶體，其中該第四電晶體具有一第四尺寸，其中該第四尺寸比該第三尺寸大m倍。
如請求項1至4中任一項之電子設備，其中該經比例調整射極-基極電壓係一第一經比例調整射極-基極電壓，其中該電子設備包含用以將該放大器之該輸出與一第二經比例調整射極-基極電壓作比較之一比較器。
如請求項5之電子設備，其更包含用以接收該比較器之一輸出並用以產生一數位代碼之一逐次逼近邏輯，其中該數位代碼根據該比較器之該輸出而改變。
如請求項6之電子設備，其中該數位代碼係一第一數位代碼，其中該電子設備包含用以選擇該第一數位代碼或一第二數位代碼其中一者之一多工器，其中該多工器之一輸出是用來調整該第二電阻器之該可變電阻值。
如請求項7之電子設備，其中當該多工器選擇該第一數位代碼時，該第一數位代碼指出該電子設備之一溫度。
如請求項5之電子設備，其更包含用以產生該第一經比例調整射極-基極電壓及該第二經比例調整射極-基極電壓之一電路系統，其中該電路系統包含：<br/>一電阻分壓器；<br/>一電流源，其耦合至該電阻分壓器；以及<br/>一電晶體，其耦合至該電流源及該電阻分壓器，其中該電阻分壓器具有用以提供該第一經比例調整射極-基極電壓之一第一分接頭、及用以提供該第二經比例調整射極-基極電壓之一第二分接頭。
如請求項9之電子設備，其中該電晶體係一PNP雙載子接面電晶體(BJT)或一p型金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體中之一者。
一種電子設備，其包含：<br/>一放大器，其具有一不平衡輸入對尺寸或不平衡偏置電流，其中該放大器之輸入之間的一電壓差係一與絕對溫度成比例(PTAT)的電壓，並且其中該放大器之一輸出係一能帶間隙電壓；以及<br/>一比較器，其耦合至該放大器之該輸出，其中該比較器用來將該能帶間隙電壓與一經比例調整射極-基極電壓作比較。
如請求項11之電子設備，其中該經比例調整射極-基極電壓係一第一經比例調整射極-基極電壓，其中該放大器之該等輸入包括：<br/>一第一輸入，其耦合至一第一電阻器及一第二電阻器；以及<br/>一第二輸入，其用來接收一第二經比例調整射極-基極電壓。
如請求項12之電子設備，其中該放大器包含：<br/>一第一輸入電晶體，其具有一第一尺寸，其中該第一輸入電晶體係耦合至該第二輸入；<br/>一第二輸入電晶體，其具有一第二尺寸，其中該第二輸入電晶體係耦合至該第一輸入，其中該第一尺寸比該第二尺寸大n倍；<br/>一電流鏡，其耦合至該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體；以及<br/>一電流源，其耦合至該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體。
如請求項13之電子設備，其中該電流鏡包含：<br/>一第三電晶體，其係二極體連接並耦合至該第一輸入電晶體，其中該第三電晶體具有一第三尺寸；以及<br/>一第四電晶體，其耦合至該第三電晶體及該第二輸入電晶體，其中該第四電晶體具有一第四尺寸，其中該第四尺寸比該第三尺寸大m倍。
如請求項11至14中任一項之電子設備，其更包含用以接收該比較器之一輸出並用以產生一數位代碼之一逐次逼近邏輯，其中該數位代碼根據該比較器之該輸出而改變。
一種電子系統，其包含：<br/>一記憶體；<br/>一處理器，其耦合至該記憶體；以及<br/>一無線介面，其用來允許該處理器與另一裝置通訊，其中該處理器包括可操作以作用為能帶間隙參考或一數位溫度計之一設備，其中該設備包括：<br/>一第一電阻器；<br/>一放大器，其具有耦合至該第一電阻器之一第一輸入、及用以接收一經比例調整射極-基極電壓之一第二輸入；以及<br/>一第二電阻器，其具有可變電阻值，其中該第二電阻器係耦合至該放大器之該第一輸入及一輸出，其中該放大器之該輸出係一能帶間隙參考。
如請求項16之電子系統，其中該放大器係具有不平衡輸入對尺寸或不平衡偏置電流之一不平衡放大器。
如請求項16之電子系統，其中該放大器包含：<br/>一第一輸入電晶體，其具有一第一尺寸；<br/>一第二輸入電晶體，其具有一第二尺寸，其中該第一尺寸比該第二尺寸大n倍；<br/>一電流鏡，其耦合至該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體；以及<br/>一電流源，其耦合至該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體。
如請求項18之電子系統，其中該電流鏡包含：<br/>一第三電晶體，其係二極體連接並耦合至該第一輸入電晶體，其中該第三電晶體具有一第三尺寸；以及<br/>一第四電晶體，其耦合至該第三電晶體及該第二輸入電晶體，其中該第四電晶體具有一第四尺寸，其中該第四尺寸比該第三尺寸大m倍。
如請求項16至19中任一項之電子系統，其中該經比例調整射極-基極電壓係一第一經比例調整射極-基極電壓，其中該設備包含用以將該放大器之該輸出與一第二經比例調整射極-基極電壓作比較之一比較器。
一種用於生成具有化學式(I)的化合物之方法， <img align="absmiddle" height="140px" width="106px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)<br/> 其中R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br；<br/> R<sup>7</sup>是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基，<br/> 該方法包括：<br/> a) 選擇性地在有機溶劑的存在下，具有化學式(II)的化合物與溴化劑反應， 以製備一具有化學式(III)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="84px" width="89px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)<br/> 其中X是鹵素，<br/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="89px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III) <br/> 其中X是鹵素，<br/> b)具有化學式(III)的化合物與烷氧基化試劑反應，以製備一具有化學式(IV)的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="95px" width="91px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IV)；<br/> 或者任擇地，a)具有化學式(II)的化合物與烷氧基化試劑反應，以製備一具有化學式(IV-a)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="90px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)<br/> 其中X是鹵素，<br/><img align="absmiddle" height="84px" width="88px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IV-a)<br/> b) 溴化化合物(IV-a)以製備一具有化學式(IV)的化合物，<br/> c)具有化學式(IV)的化合物之脫羧反應，以製備一具有化學式(V)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="110px" width="48px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (V)<br/> d)在鹼之存在下，具有化學式(VI)的吡啶與具有化學式(V)的化合物反應，<br/><img align="absmiddle" height="84px" width="57px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VI)<br/> 其中R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br。
根據請求項1的方法，其中該溴化劑係選自於由下列所構成的群組：NBS、Br<sub>2</sub>、二溴二甲基乙內醯脲、三溴異氰尿酸、N-溴酞醯亞胺、N-溴糖精、溴異氰尿酸單鈉鹽水合物、二溴異氰尿酸(DBI)、溴二甲基鋶溴化物、5,5-二溴米氏酸(CAS RN: 66131-14-4)、雙(2,4,6-三甲基吡啶)-<img align="absmiddle" height="25px" width="26px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>六氟磷酸鹽、一氯化溴，以及此等的混合物。
根據請求項1的方法，其中該溴化劑是NBS或Br<sub>2</sub>。
根據請求項1的方法，其中該烷氧基化試劑係選自於由下列所構成的群組：C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>醇的鹼金屬氧化物，或者在一種鹼之存在的C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>醇。
根據請求項1的方法，其中該鹼係選自於由下列所構成的群組：甲氧化鈉、甲氧化鉀、乙氧化鈉、乙氧化鉀、三級丁氧化鉀、三級丁氧化鋰、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸鈉、碳酸鋰、氫氧化鈉、氫氧化鋰、氫氧化鉀，以及此等的混合物。
根據請求項1的方法，其中該有機溶劑係選自於由下列所構成的群組：經選擇性地鹵化之芳香族烴、經選擇性地鹵化之烴、酮類、腈類、酯類、醯胺類、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>醇、碸類、亞碸類、碳酸酯類、尿素以及此等的混合物。
一種用於化合物(VII)之製備的方法：<br/><img align="absmiddle" height="144px" width="85px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VII)<br/> 其中R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br；<br/> 該方法包括具有化學式(I)的化合物與一氧化劑反應：<br/><img align="absmiddle" height="140px" width="106px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)<br/> 其中R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br；R<sup>7</sup>是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基。
根據請求項7的方法，其中該氧化劑係選自於由下列所構成的群組：氧氣、空氣、臭氧、過氧化氫、過氧化苯甲醯、三級丁基過氧化物、間氯過氧苯甲酸、過氧乙酸、過氧苯甲酸、單過氧酞酸鎂、過氧化單硫酸鉀鹽、過錳酸鈉、過錳酸鉀，以及此等的混合物。
根據請求項7的方法，其中該具有化學式(VII)的化合物係藉由具有化學式(I)的化合物與一氧化劑在催化劑之存在下的反應而被獲得。
根據請求項9的方法，其中該催化劑係選自於由下列所構成的群組：N-羥基琥珀醯亞胺、N-羥基酞醯亞胺、N-羥基苯並三唑、硫酸氫四乙銨、氯化三乙基苄銨、溴化四苯鏻、PEGs、冠醚、亞硝酸鈉、三級丁基亞硝酸酯、乙酸鈷(II)、乙酸錳(II)，以及此等的混合物。
根據請求項7的方法，其係在選自於由下列所構成之群組中的溶劑之存在下來予以執行：水、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>醇、羧酸類暨其酯類、氯化烴、亞碸類、碸類、醯胺類、醚類、酮類、腈類、吡啶，以及此等的混合物。
根據請求項11的方法，其中該溶劑係選自於由下列所構成的群組：水、三級丁醇、四氫呋喃、乙酸乙酯、N,N-二甲基甲醯胺、乙腈，以及此等的混合物。
一種具有化學式(III)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="97px" width="91px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III)<br/> 其中X是鹵素，R<sup>7</sup>是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基。
一種具有化學式(IV)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="105px" width="98px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IV)<br/> 其中R<sup>7</sup>是氫、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基。
一種具有化學式(V)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="48px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (V)<br/> 其中R<sup>7</sup>是C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基。
一種用於製備具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺之方法：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="233px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIII)<br/> 其中<br/> X是N；R<sup>1</sup>是CH<sub>3</sub>、Cl、Br或F；<br/> R<sup>2</sup>是H、F、Cl、Br或CN；<br/> R<sup>3</sup>是Br；<br/> R<sup>4a</sup>是H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、環丙基甲基或1-環丙基乙基；<br/> R<sup>4b</sup>是H或CH<sub>3</sub>；<br/> R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br，<br/> 使用根據請求項1至6之中任何一項所製備之具有化學式(I)的化合物。
一種用於製備具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺之方法：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="233px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIII)<br/> 其中<br/> X是N；R<sup>1</sup>是CH<sub>3</sub>、Cl、Br或F；<br/> R<sup>2</sup>是H、F、Cl、Br或CN；<br/> R<sup>3</sup>是Br；<br/> R<sup>4a</sup>是H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、環丙基甲基或1-環丙基乙基；<br/> R<sup>4b</sup>是H或CH<sub>3</sub>；<br/> R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br，<br/> 其中該方法包括根據請求項7至12之中任何一項之方法製備具有化學式(VII)的化合物以及使用該具有化學式(VII)的化合物製備該具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺。
一種用於製備具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺之方法：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="233px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIII)<br/> 其中<br/> X是N；R<sup>1</sup>是CH<sub>3</sub>、Cl、Br或F；<br/> R<sup>2</sup>是H、F、Cl、Br或CN；<br/> R<sup>3</sup>是Br；<br/> R<sup>4a</sup>是H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、環丙基甲基或1-環丙基乙基；<br/> R<sup>4b</sup>是H或CH<sub>3</sub>；<br/> R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br，<br/> 其中該方法包括根據請求項1之方法製備具有化學式(III)的化合物以及使用該具有化學式(III)的化合物製備該具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺。
一種用於製備具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺之方法：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="233px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIII)<br/> 其中<br/> X是N；R<sup>1</sup>是CH<sub>3</sub>、Cl、Br或F；<br/> R<sup>2</sup>是H、F、Cl、Br或CN；<br/> R<sup>3</sup>是Br；<br/> R<sup>4a</sup>是H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、環丙基甲基或1-環丙基乙基；<br/> R<sup>4b</sup>是H或CH<sub>3</sub>；<br/> R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br，<br/> 其中該方法包括根據請求項1之方法製備具有化學式(IV)的化合物以及使用該具有化學式(IV)的化合物製備該具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺。
一種用於製備具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺之方法：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="233px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VIII)<br/> 其中<br/> X是N；R<sup>1</sup>是CH<sub>3</sub>、Cl、Br或F；<br/> R<sup>2</sup>是H、F、Cl、Br或CN；<br/> R<sup>3</sup>是Br；<br/> R<sup>4a</sup>是H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、環丙基甲基或1-環丙基乙基；<br/> R<sup>4b</sup>是H或CH<sub>3</sub>；<br/> R<sup>5</sup>是H、F、Cl或Br；以及<br/> R<sup>6</sup>是H、F、Cl或Br，<br/> 其中該方法包括根據請求項1之方法製備具有化學式(V)的化合物以及使用該具有化學式(V)的化合物製備該具有化學式(VIII)的鄰胺基苯甲醯胺。
一種硬化性樹脂組成物，其係包含選自包括聚醯亞胺前驅物、聚苯并<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>唑前驅物及聚醯胺醯亞胺前驅物之群組中的至少1種樹脂及 <br/>具有烷氧基甲矽烷基之光鹼產生劑， <br/>其中所述聚醯亞胺前驅物包含下述式（2）所表示之重複單元，且所述聚苯并<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>唑前驅物包含下述式（3）所表示之重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="253px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（2）中，A<sup>1</sup>及A<sup>2</sup>分別獨立地表示氧原子或-NH-，R<sup>111</sup>表示2價的有機基，R<sup>115</sup>表示4價的有機基，R<sup>113</sup>及R<sup>114</sup>分別獨立地表示氫原子或1價的有機基； <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="196px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（3）中，R<sup>121</sup>表示2價的有機基，R<sup>122</sup>表示4價的有機基，R<sup>123</sup>及R<sup>124</sup>分別獨立地表示氫原子或1價的有機基， <br/>其中前述光鹼產生劑為下述式（1-1）～式（1-3）中的任一個所表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="275px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1-1）中，X<sup>1</sup>表示具有羥基或羧基之芳基，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>表示氫原子或碳數1～12的烴基，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構，Y<sup>1</sup>表示2價的連接基，Z<sup>1</sup>表示烷氧基甲矽烷基； <br/>式（1-2）中，X<sup>2</sup>表示經取代或未經取代的蒽結構或具有硝基之芳基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分別獨立地表示氫原子或碳數1～12的烴基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>可以鍵結而形成環結構，Y<sup>2</sup>表示2價的連接基，Z<sup>2</sup>表示烷氧基甲矽烷基； <br/>式（1-3）中，X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>分別獨立地表示經取代或未經取代的芳基，R<sup>5</sup>表示1價的有機基，R<sup>6</sup>～R<sup>9</sup>分別獨立地表示氫原子、碳數1～12的烴基或具有烷氧基甲矽烷基之基團，R<sup>6</sup>～R<sup>9</sup>中的至少2個可以鍵結而形成環結構，R<sup>6</sup>～R<sup>9</sup>中的至少1個為具有烷氧基甲矽烷基之基團。
如請求項1所述之硬化性樹脂組成物，其中 <br/>前述光鹼產生劑為藉由波長100～600nm的光的作用而產生鹼之化合物。
如請求項1或請求項2所述之硬化性樹脂組成物，其中 <br/>前述光鹼產生劑為分子量2,000以下的化合物。
如請求項1或請求項2所述之硬化性樹脂組成物，其係進一步包含具有烷氧基甲矽烷基而不具有光鹼產生能的化合物。
如請求項1或請求項2所述之硬化性樹脂組成物，其係進一步包含不具有烷氧基甲矽烷基的光鹼產生劑。
如請求項1或請求項2所述之硬化性樹脂組成物，其係包含作為具有聚合性基及唑基之化合物之化合物B。
如請求項1或請求項2所述之硬化性樹脂組成物，其係包含作為不具有聚合性基而具有唑基之化合物之化合物C。
如請求項7所述之硬化性樹脂組成物，其中 <br/>化合物C由式（C-1）或式（C-2）表示， <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="251px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（C-1）中，Z<sup>1</sup>～Z<sup>4</sup>分別獨立地表示=CR<sup>7</sup>-或氮原子，R<sup>1</sup>表示氫原子或1價的有機基，R<sup>7</sup>表示氫原子或1價的有機基，在式（C-1）所表示之結構中不包含聚合性基； <br/>式（C-2）中，Z<sup>5</sup>～Z<sup>6</sup>分別獨立地表示=CR<sup>8</sup>-或氮原子，R<sup>2</sup>～R<sup>6</sup>分別獨立地表示氫原子或1價的有機基，R<sup>8</sup>表示氫原子或1價的有機基，在式（C-2）所表示之結構中不包含聚合性基。
如請求項1或請求項2所述之硬化性樹脂組成物，其係用於形成再配線層用層間絕緣膜。
一種硬化物，其係將請求項1至請求項9之任一項所述之硬化性樹脂組成物硬化而成。
一種積層體，其係包括2層以上的由請求項10所述之硬化物形成之層，並且在由前述硬化物形成之層之間的任一個之間包括金屬層。
一種硬化物之製造方法，其係包括將請求項1至請求項9之任一項所述之硬化性樹脂組成物適用於基板上而形成膜之膜形成步驟。
如請求項12所述之硬化物之製造方法，其係包括選擇性地曝光前述膜之曝光步驟及使用顯影液對前述膜進行顯影而形成圖案之顯影步驟。
如請求項13所述之硬化物之製造方法，其在前述顯影步驟之後，進一步包括對藉由前述顯影而獲得之圖案進行曝光之顯影後曝光步驟。
如請求項12所述之硬化物之製造方法，其係包括在50～450℃下對前述膜進行加熱之加熱步驟。
一種半導體元件，其係包含請求項10所述之硬化物。
一種光鹼產生劑，其係由下述式（1-1）～式（1-3）中的任一個表示， <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="275px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1-1）中，X<sup>1</sup>表示具有羥基或羧基之芳基，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>表示氫原子或碳數1～12的烴基，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>可以鍵結而形成環結構，Y<sup>1</sup>表示2價的連接基，Z<sup>1</sup>表示烷氧基甲矽烷基； <br/>式（1-2）中，X<sup>2</sup>表示經取代或未經取代的蒽結構或具有硝基之芳基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分別獨立地表示氫原子或碳數1～12的烴基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>可以鍵結而形成環結構，Y<sup>2</sup>表示2價的連接基，Z<sup>2</sup>表示烷氧基甲矽烷基； <br/>式（1-3）中，X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>分別獨立地表示經取代或未經取代的芳基，R<sup>5</sup>表示1價的有機基，R<sup>6</sup>～R<sup>9</sup>分別獨立地表示氫原子、碳數1～12的烴基或具有烷氧基甲矽烷基之基團，R<sup>6</sup>～R<sup>9</sup>可以鍵結而形成環結構，R<sup>6</sup>～R<sup>9</sup>中的至少1個為具有烷氧基甲矽烷基之基團。
一種有機導電薄膜之製造方法，其具備下述步驟：製備塗液的步驟，其中該塗液係包含：酸系有機導電性高分子、鹼中和劑及液狀媒介，且其於25℃之pH值係4.0~6.5；塗布步驟，其係將該塗液塗布於基材層上；與去除步驟，其係自所塗布的該塗液去除該液狀媒介，由塗布於該基材層上之該塗液所形成的酸系有機導電性高分子層中源自鹼中和劑之陽離子含量係0.5~5.0mg/cm<sup>3</sup>。
如請求項1之製造方法，其中該酸系有機導電性高分子包含聚噻吩系導電性高分子。
如請求項1或2之製造方法，其中該鹼中和劑包含氨。
一種有機導電薄膜，其具備：基材層，與在基材層上的酸系有機導電性高分子層，且在該酸系有機導電性高分子層中源自鹼中和劑之陽離子含量係0.5~5.0mg/cm<sup>3</sup>。
如請求項4之薄膜，其中該酸系有機導電性高分子包含聚噻吩系導電性高分子。
如請求項4或5之薄膜，其中該源自鹼中和劑之陽離子包含銨離子。
如請求項4或5之薄膜，其中該基材層包含樹脂基材或玻璃基材。
如請求項4或5之薄膜，其係被使用來作為電磁波抑制片材的電阻被膜或電子裝置中的電路材料。
一種積層體，其具備：如請求項4至8中任一項之薄膜、介電體層，與電磁波遮蔽層。
一種插頭，係沿預定之插拔方向對插座進行插拔者；<br/>該插頭係具備：對前述插座之插入部進行插拔的端子部；<br/>前述端子部係具有：<br/>接觸件；以及<br/>保持前述接觸件的固持部；<br/>前述固持部係具有：凸緣部，係於夾著前述接觸件的至少一方，其前端部係比前述接觸件的插入方向前端更朝前述插入方向突出，且沿與前述插拔方向正交之預定的正交方向突出；以及主部，係與前述凸緣部鄰接；<br/>前述凸緣部的前端部具有倒角部；<br/>前述倒角部係發揮使前述插入部的開口與前述前端部進行對位之功能；<br/>前述凸緣部係對已被插入至前述插入部之前述端子部的前述正交方向的位置進行定位；<br/>前述接觸件為呈現沿前述主部之表面彎折之形狀的面狀導電體。
如請求項1所述之插頭，其中，前述固持部的前述前端部係具有漸縮面(tapered surface)。
如請求項1或2所述之插頭，其中，在於前述正交方向分離的位置具備兩個前述端子部。
如請求項3所述之插頭，其中，於前述兩個端子部之間具備複數個接觸銷。
如請求項1或2所述之插頭，係具備一個端子部及複數個接觸銷。
一種連接器，係具備：<br/>請求項1至5中任一項所述之插頭；以及<br/>供前述插頭沿前述插拔方向插拔的前述插座。
一種插座，係供請求項1至5中任一項所述之插頭的前述端子部插拔，藉此可與該插頭做電性連接。
一種電子設備，其包含：<br/> 一主板，其包含一第一表面，該第一表面在該主板之一第一邊緣及該主板之一第二邊緣之間延伸，其中該第二邊緣係相對於該第一邊緣，該第一表面包含一第一部分、一第二部分及一第三部分，該第一部份延伸至該第一邊緣，該第二部分延伸至該第二邊緣，且該第三部分在該第一部分及該第二部分之間；<br/> 一第一翼形板，其藉由一第一可撓性連接器沿著該第一邊緣電耦接至該主板，其中該第一翼形板係安置在該第三部分上，其中該第一可撓性連接器水平地橫跨該第一部分而延伸至該第一翼形板及該第一邊緣之各者，以及其中該第一翼形板相對於主板以不平行之一第一角度配置；<br/> 一第二翼形板，其藉由一第二可撓性連接器沿著該第二邊緣電耦接至該主板，其中該第二翼形板係安置在該第三部分上，其中該第二可撓性連接器水平地橫跨該第二部分而延伸至該第二翼形板及該第二邊緣之各者，以及其中該第二翼形板相對於主板以不平行之一第二角度配置；以及<br/> 一實質上三角形熱傳導支撐結構，其安置在該第三部分上，其中<br/> 該實質上三角形熱傳導支撐結構係不與該第一部分及該第二部分接觸，<br/> 當以垂直於該主板之該第一表面的方向觀看時，該實質上三角形熱傳導支撐結構投影至該主板所形成之輪廓係位於該第三部分上，而不位於該第一部分及該第二部分上，以及<br/> 該實質上三角形熱傳導支撐結構係與該主板、該第一翼形板及該第二翼形板中之各者的各別之第一側機械及熱連通。
如請求項1之電子設備，其中該熱傳導支撐結構提供一內部氣流通道。
如請求項2之電子設備，其中該熱傳導支撐結構包含具有一實質上三角形內部氣流通道之一實質上三角形金屬擠製件。
如請求項1之電子設備，其進一步包含：<br/> 一熱傳導殼體，其安置於該主板、該第一翼形板、該第二翼形板及該熱傳導支撐結構周圍，該熱傳導殼體與該主板、該第一翼形板及該第二翼形板中之各者的各別第二側機械及熱連通。
如請求項4之電子設備，其中該熱傳導殼體包含：<br/> 一第一壁，其具有與該第一角度相同之一角度且經定位成與該第一翼形板之該第二側機械及熱連通；以及<br/> 一第二壁，其具有與該第二角度相同之一角度且經定位成與該第二翼形板之該第二側機械及熱連通。
如請求項5之電子設備，其中該熱傳導殼體包含：<br/> 第一組鰭片，其安置於該第一壁之一外部側上；以及<br/> 第二組鰭片，其安置於該第二壁之一外部側上。
一種醫藥組合物用於製備用以進行治療的藥物的用途，該醫藥組合物用以抑制一個體對活性劑治療的一免疫反應或者用以於一個體中抑制一活性劑的中和化，該活性劑包含至少一PEG；<br/> 該醫藥組合物包含一化合物及至少一醫藥學上可接受的賦形劑，該化合物包含一生物聚合物框架及一或多個聚乙二醇（PEG）鏈，該一或多個PEG鏈中的至少一個PEG鏈具有一分子量介於100～10,000 Da之間，該生物聚合物框架選自由α1球蛋白、α2球蛋白、β球蛋白及白蛋白所組成的群組，或者該生物聚合物框架為針對CD163蛋白具有特異性的抗體或其CD163結合片段。
如請求項1之醫藥組合物的用途，其中，該活性劑為一蛋白質或胜肽；或者其中，該活性劑為一病毒載體。
如請求項1或2之醫藥組合物的用途，其中，該活性劑為一核苷酸─脂質粒子、一核苷酸─聚合物粒子、一核苷酸─脂質─聚合物粒子或一核苷酸。
一種醫藥組合物用於製備用以螯合存在於一個體中的一或多個抗體的藥物的用途，其中，該一或多個抗體為抗PEG抗體；且該醫藥組合物係被投予該個體；<br/> 該醫藥組合物包含一化合物及至少一醫藥學上可接受的賦形劑，該化合物包含一生物聚合物框架及一或多個聚乙二醇（PEG）鏈，該一或多個PEG鏈中的至少一個PEG鏈具有一分子量介於100～10,000 Da之間，該生物聚合物框架選自由α1球蛋白、α2球蛋白、β球蛋白及白蛋白所組成的群組，或者該生物聚合物為針對CD163蛋白具有特異性的抗體或其CD163結合片段。
一種醫藥組合物，包含一化合物、至少一醫藥學上可接受的賦形劑及一活性劑該化合物包含一生物聚合物框架及一或多個聚乙二醇（PEG）鏈，該一或多個PEG鏈中的至少一個PEG鏈具有一分子量介於100～10,000 Da之間，該生物聚合物框架選自由α1球蛋白、α2球蛋白、β球蛋白及白蛋白所組成的群組，或者該生物聚合物為針對CD163蛋白具有特異性的抗體或其CD163結合片段，該活性劑包含至少一PEG。
如請求項5之醫藥組合物，其中，該活性劑為一病毒載體或一蛋白質或胜肽。
如請求項5之醫藥組合物，其中，該活性劑為一核苷酸─脂質粒子、一核苷酸─聚合物粒子、一核苷酸─脂質─聚合物粒子或一核苷酸。
一種如請求項5～7中任一項之醫藥組合物用於製備於以一活性劑進行治療的一所需個體中，用以抑制以該活性劑進行治療所造成的免疫反應的藥物的用途，其中，該醫藥組合物的化合物於該個體中為非免疫原性的；且該醫藥組合物係被投予該個體。
一種製備酯系組成物之方法，該方法包含：將多羧酸及至少一種具有3至12個烷基碳原子之一元醇置入混合器以形成反應混合物(S1)；以及將該反應混合物連續置入其中總共N個反應器串聯連接之反應單元，以從第一反應器至第N反應器連續製造反應產物(S2)，其中，滿足以下式子1至3：<figure><img align="absmiddle" height="74px" width="102px" file="d10012.TIF" alt="數學式ed10012.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10012.png"/></figure>[式子2]P<sub>1</sub>>P<sub>N</sub><figure><img align="absmiddle" height="70px" width="106px" file="d10013.TIF" alt="數學式ed10013.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10013.png"/></figure>其中，於以上式子1至3中，P<sub>x</sub>為第x反應器之壓力，上述n1為2至N之整數，上述N為3或更高之整數，P<sub>1</sub>為0.3barg至1.0barg，與P<sub>N</sub>為0barg至0.5barg，E<sub>x</sub>=[{置入該第x反應器之一元醇的莫耳數-(c*置入該第x反應器之多羧酸的莫耳數)}/(c*置入該第一反應器之多羧酸的莫耳數)]*100%，以及c為一分子之該多羧酸中所包含之羧酸基團的數目，以及E<sub>1</sub>為10至100%，以及E<sub>N</sub>為10至200%。
如請求項1之方法，其中，該步驟S2進一步滿足以下式子4：<figure><img align="absmiddle" height="75px" width="107px" file="d10014.TIF" alt="數學式ed10014.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10014.png"/></figure>其中，於以上式子4中，T<sub>m</sub>為該混合器之溫度，以及T<sub>x</sub>為該第x反應器之溫度。
如請求項1之方法，其進一步包含選自由下列所組成之群組中之至少一步驟：於該步驟S1與該步驟S2之間將觸媒添加至該反應混合物(S1-1)；於該步驟S1之前將觸媒添加至多羧酸及醇(S1-2)；以及將觸媒添加至該步驟S2之該第一反應器(S2a)。
如請求項3之方法，其進一步包含將觸媒添加至選自該步驟S2之該第二至第N反應器當中之至少一個反應器(S2b)。
如請求項3之方法，其中，該觸媒為鈦酸四烷酯(tetraalkyl titanate)。
如請求項2之方法，其中T<sub>m</sub>為20至200℃，T<sub>1</sub>為150至230℃，以及T<sub>N</sub>為180至250℃。
如請求項1之方法，其中，上述N為3至5之整數。
如請求項1之方法，其進一步包含：將該反應產物連續移入分離單元以去除未反應之醇(S3)；以及將自該分離單元去除之該未反應之醇置回選自該反應單元之反應器當中之至少一個反應器(S4)。
如請求項8之方法，其進一步包含將至少一種具有3至12個烷基碳原子之一元醇置入其中去除該未反應之醇的該反應產物以進行轉酯化反應(S5)，其中，在該步驟S5輸入的該醇與在該步驟S1輸入的該醇不同。
如請求項1之方法，其中，該多羧酸為選自由下列所組成之群組中之至少一者：二羧酸、三羧酸、及四羧酸。
如請求項10之方法，其中：該二羧酸為選自由下列所組成之群組中之至少一者：具有2至10個碳原子之直鏈二羧酸、對苯二甲酸、鄰苯二甲酸酐、間苯二甲酸、環己烷二羧酸、其酐、及其衍生物；該三羧酸為選自由下列所組成之群組中之至少一者：檸檬酸、偏苯三甲酸(trimellitate acid)、環己烷三羧酸、其酐、及其衍生物；以及該四羧酸為選自由下列所組成之群組中之至少一者：苯四羧酸、呋喃四羧酸、環己烷四羧酸、四氫呋喃四羧酸、其酐、及其衍生物。
一種噴頭組件，用於一基板處理腔室中，其包含：一冷硬板，具有安置於其中的相互流體地獨立的複數個遞迴式氣體路徑及安置於其中的一或多個冷卻通道，其中該複數個遞迴式氣體路徑中之每一者流體地耦接至延伸至該冷硬板之一第一側的一單一氣體入口及延伸至該冷硬板之一第二側的複數個氣體出口；及一加熱板，其耦接至該冷硬板，其中該加熱板包括：安置於其中的一或多個加熱元件，自其一頂表面延伸至該加熱板內流體地獨立安置的複數個氣室的複數個第一氣體分佈孔，該複數個第一氣體分佈孔對應於該冷硬板的該複數個氣體出口；及自該複數個氣室延伸至該加熱板的一下表面的複數個第二氣體分佈孔。
如請求項1所述之噴頭組件，其進一步包含一上電極，其耦接至該加熱板且具有自其一頂表面在對應於該加熱板之該複數個第二氣體分佈孔之位置的位置延伸至該上電極的一下表面的複數個第三氣體分佈孔。
如請求項2所述之噴頭組件，其進一步包含安置於該冷硬板與該加熱板之間的一第一熱墊片及安置於該加熱板與該上電極之間的一第二熱墊片。
如請求項1所述之噴頭組件，其中沿該冷硬板的兩個層安置該複數個遞迴式氣體路徑。
如請求項1所述之噴頭組件，其中該冷硬板包括一氣體板，其具有耦接至一頂板的一第一側及耦接至一冷卻板的一第二側及在與該氣體板相對的一側上耦接至該冷卻板的一底板，其中在該氣體板的該第一側及該第二側上安置該複數個遞迴式氣體路徑中之至少一者，且其中該一或多個冷卻通道安置於該冷卻板中。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭組件，其中該複數個遞迴式氣體路徑中之每一者具有自該單一氣體入口至該複數個氣體出口中之每一氣體出口的一基本上相等的流徑。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭組件，其中該加熱板的該一或多個加熱元件界定該噴頭組件的兩個或兩個以上加熱區。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭組件，其中該加熱板包括具有容納該一或多個加熱元件的複數個通道的一第一板，耦接至該第一板以覆蓋該複數個通道的一第二板，及在與該第一板相對的一側上耦接至該第二板的一第三板，該第三板具有界定該複數個氣室的第二複數個通道。
如請求項1至5中任一項所述之噴頭組件，其中該複數個遞迴式氣體路徑包括四個遞迴式氣體路徑，且該複數個氣室包括四個氣室以在該噴頭組件的一下表面處界定四個氣體分佈區。
一種噴頭組件，用於一製程腔室中，其包含：一冷硬板，具有安置於其中的一或多個冷卻通道；一加熱板，其耦接至該冷硬板，該加熱板中嵌入有一或多個加熱元件；及一上電極，其耦接至該加熱板，其中該噴頭組件包括相互流體地獨立的複數個氣流路徑，其中該複數個氣流路徑中之每一者自該冷硬板的一上表面上的一氣體入口延伸至該冷硬板中的一遞迴式流徑，穿過複數個第一氣體分佈孔延伸至該冷硬板的一下表面上的複數個出口，延伸至複數個氣室及該加熱板的複數個第二氣體分佈孔，且延伸穿過該上電極的複數個第三氣體分佈孔。
如請求項10所述之噴頭組件，其進一步包含安置於該冷硬板與該加熱板之間的一第一熱墊片，其中該第一熱墊片包括與該加熱板的該複數個第一氣體分佈孔的位置對應的複數個開口。
如請求項10所述之噴頭組件，其中在該冷硬板中的該遞迴式流徑與該加熱板之間安置該一或多個冷卻通道。
如請求項10至12中任一項所述之噴頭組件，其中該冷硬板及該加熱板由鋁製成，且該上電極由矽製成。
如請求項10至12中任一項所述之噴頭組件，其中該複數個氣流路徑中之每一者的該遞迴式流徑放置在兩個或兩個以上平面內。
如請求項10至12中任一項所述之噴頭組件，其中該上電極的該複數個第三氣體分佈孔具有約10密耳至約50密耳的一直徑。
一種製程腔室，其包含：一腔室主體，其界定其中的一內部容積；一基板支撐件，其安置於該內部容積中以支撐一基板；及一噴頭組件，其安置於該內部容積中與該基板支撐件相對，其中該噴頭組件包含：一冷硬板，具有安置於其中的相互流體地獨立的複數個遞迴式氣體路徑及安置於其中的一或多個冷卻通道，其中該複數個遞迴式氣體路徑中之每一者流體地耦接至延伸至該冷硬板之一第一側的一單一氣體入口及延伸至該冷硬板之一第二側的複數個氣體出口；一加熱板，其耦接至該冷硬板，其中該加熱板包括：嵌入於其中的一或多個加熱元件，自其一頂表面延伸至該加熱板內流體地獨立安置的複數個氣室的複數個第一氣體分佈孔，該複數個第一氣體分佈孔對應於該冷硬板的該複數個氣體出口；及自該複數個氣室延伸至該加熱板的一下表面的複數個第二氣體分佈孔；及一上電極，其耦接至該加熱板且具有複數個第三氣體分佈孔，其中每一者流體地耦接至該加熱板的該複數個第二氣體分佈孔中之一者。
如請求項16所述之製程腔室，其中該複數個遞迴式氣體路徑為兩個或四個遞迴式氣體路徑。
如請求項16所述之製程腔室，其中沿兩個或兩個以上層安置該複數個遞迴式氣體路徑中之至少一者。
如請求項16至18中任一項所述之製程腔室，其中該上電極包括對應於安置於該內部容積中的一襯墊的一階梯狀內表面的一階梯狀外表面。
如請求項16至18中任一項所述之製程腔室，其進一步包含安置於該加熱板與該冷硬板之間的一第一熱墊片。
一種阻劑下層膜形成組成物，其包含聚合物與酸觸媒A，其中前述聚合物為包含下述式(2)所示之單位構造(A)的聚合物，該酸觸媒A為具有氟烷基之有機酸或具有氟烷基之有機酸鹽，前述有機酸為氟乙酸類或全氟烷基磺酸類，前述有機酸鹽為前述有機酸之無機鹽、有機胺鹽或鎓鹽；<figure><img align="absmiddle" height="149px" width="412px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>式(2)中，Ar<sup>1</sup>及Ar<sup>2</sup>係各自表示苯環或萘環，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係各自為該等環上之氫原子之取代基，選自由鹵素原子、硝基、胺基、羥基、碳原子數1至10之烷基、碳原子數2至10之烯基、碳原子數6至40之芳基、及該等之組合所成群者，且，該烷基、該烯基及該芳基表示亦可包含醚鍵、酮鍵、或酯鍵之有機基，R<sup>3</sup>為選自由氫原子、碳原子數1至10之烷基、碳原子數2至10之烯基、碳原子數6至40之芳基、及該等之組合所成群者，且，該烷基、該烯基及該芳基表示可包含醚鍵、酮鍵、或酯鍵之有機基，R<sup>4</sup>為選自由碳原子數6至40之芳基及雜環基所成群者，且，該芳基及該雜環基表示可經鹵素原子、硝基、胺基、碳原子數1至10之烷基、碳原子數1至10之烷氧基、碳原子數6至40之芳基、甲醯基、羧基、或羥基所取代之有機基，R<sup>5</sup>為選自由氫原子、碳原子數1至10之烷基、碳原子數6至40之芳基、及雜環基所成群者，且，該烷基、該芳基及該雜環基為可經鹵素原子、硝基、胺基、或羥基所取代之有機基，且R<sup>4</sup>與R<sup>5</sup>亦可與該等所鍵結之碳原子一同形成環，n<sub>1</sub>及n<sub>2</sub>係各自為0至3之整數。
如請求項1之阻劑下層膜形成組成物，其中前述酸觸媒A為1分子內具有3個以上之氟原子之有機酸或有機酸鹽。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中前述酸觸媒A為磺酸或磺酸鹽。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中前述具有氟烷基之有機酸鹽為吡啶鎓鹽。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中前述酸觸媒A為三氟甲烷磺酸或三氟甲烷磺酸鹽。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中更包含酸觸媒B，該酸觸媒B為下述式(1)所示之具有羥基之芳基磺酸鹽化合物；<figure><img align="absmiddle" height="201px" width="317px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>式中，Ar表示芳香族碳環，該芳香族碳環為苯環或由苯環之縮合環所構成之縮合多環，R係各自為芳香族碳環上之氫原子之取代基，且表示硝基、胺基、羧基、鹵素原子、碳原子數1至10之烷氧基、碳原子數1至10之烷基、碳原子數2至10之烯基、碳原子數6至40之芳基、包含酮鍵之有機基、包含酯鍵之有機基，或組成該等而成之基；m1為0至(2+2n)之整數，m2及m3係各自為1至(3+2n)之整數，(m1+m2+m3)表示2至(4+2n)之整數；前述縮合多環中之苯環之數為2至6之整數；X<sup>+</sup>表示NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、第1級銨離子、第2級銨離子、第3級銨離子、第4級銨離子、鋶離子，或錪陽離子。
如請求項6之阻劑下層膜形成組成物，其中Ar為苯環。
如請求項6之阻劑下層膜形成組成物，其中X<sup>+</sup>為銨離子。
如請求項6之阻劑下層膜形成組成物，其中R為甲基，或羧基。
如請求項6之阻劑下層膜形成組成物，其中m1為0，m2及m3係各自為1。
如請求項1或請求項2之阻劑下層膜形成組成物，其中更包含交聯劑。
一種阻劑下層膜，其係藉由如請求項1至請求項11中任一項之阻劑下層膜形成組成物所形成者。
一種製造半導體所使用之阻劑圖型之形成方法，其係包含：將如請求項1至請求項11中任一項之阻劑下層膜形成組成物塗佈於半導體基板上進行燒成而形成阻劑下層膜之步驟。
如請求項13之阻劑圖型之形成方法，其中前述燒成步驟係以250℃以下進行燒成後，升溫至高於250℃之溫度再進行燒成之2階段燒成步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其係包含：由如請求項1至請求項11中任一項之阻劑下層膜形成組成物將阻劑下層膜形成於半導體基板上之步驟、於其上形成阻劑膜之步驟、藉由對該阻劑膜照射光或電子線與顯影而形成阻劑圖型之步驟、藉由經形成之阻劑圖型來蝕刻該阻劑下層膜之步驟，及藉由經圖型化之阻劑下層膜來加工半導體基板之步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其係包含：由如請求項1至請求項11中任一項之阻劑下層膜形成組成物將阻劑下層膜形成於半導體基板上之步驟、於其上形成硬遮罩之步驟、更於其上形成阻劑膜之步驟、藉由對該阻劑膜照射光或電子線與顯影而形成阻劑圖型之步驟、藉由經形成之阻劑圖型來蝕刻前述硬遮罩之步驟、藉由經圖型化之硬遮罩來蝕刻前述阻劑下層膜之步驟，及藉由經圖型化之阻劑下層膜來加工半導體基板之步驟。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在彼此關聯的一第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中監測第一下行鏈路控制資訊，該第一下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第一共享通道通訊；<br/> 在彼此關聯的一第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中監測第二下行鏈路控制資訊，該第二下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第二共享通道通訊；<br/> 決定對應於該第一共享通道通訊的一第一參考時間，其中該第一參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；<br/> 決定對應於該第二共享通道通訊的一第二參考時間，其中該第二參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；及<br/> 至少部分地基於該第一參考時間與該第二參考時間並根據該第一下行鏈路控制資訊和該第二下行鏈路控制資訊來進行通訊。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一回饋程序辨識符相關聯，並且該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二回饋程序辨識符相關聯。
根據請求項1之方法，其中該第一參考時間與該第二參考時間決定用於被排程通訊的一按次序序列規則，使得：<br/> 回應於該第一參考時間早於該第二參考時間，在由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊；或<br/> 回應於該第二參考時間早於該第一參考時間，在由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊。
根據請求項1之方法，其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一組傳輸時間段相關聯，而該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二組傳輸時間段相關聯。
根據請求項1之方法，其中該第一共享通道通訊和該第二共享通道通訊包括：上行鏈路通訊、下行鏈路通訊或兩者。
根據請求項1之方法，其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與該第一下行鏈路控制資訊的一第一組重複相關聯，而該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與該第二下行鏈路控制資訊的一第二組重複相關聯。
一種用於一網路設備處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在彼此關聯的一第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中向一使用者設備（UE）傳輸第一下行鏈路控制資訊，該第一下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第一共享通道通訊；<br/> 在彼此關聯的一第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中向該UE傳輸第二下行鏈路控制資訊，該第二下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第二共享通道通訊；<br/> 決定對應於該第一共享通道通訊的一第一參考時間，其中該第一參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；<br/> 決定對應於該第二共享通道通訊的一第二參考時間，其中該第二參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；及<br/> 至少部分地基於該第一參考時間與該第二參考時間並根據該第一下行鏈路控制資訊和該第二下行鏈路控制資訊來與該UE進行通訊。
根據請求項7之方法，<br/> 其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一回饋程序辨識符相關聯，並且該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二回饋程序辨識符相關聯。
根據請求項7之方法，其中該第一參考時間與該第二參考時間決定用於被排程通訊的一按次序序列規則，使得：<br/> 回應於該第一參考時間早於該第二參考時間，在由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊；或<br/> 回應於該第二參考時間早於該第一參考時間，在由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊。
根據請求項7之方法，其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一組傳輸時間段相關聯，而該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二組傳輸時間段相關聯。
根據請求項7之方法，其中該第一共享通道通訊和該共享通道第二通訊包括：上行鏈路通訊、下行鏈路通訊或兩者。
根據請求項7之方法，其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與該第一下行鏈路控制資訊的一第一組重複相關聯，而該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與該第二下行鏈路控制資訊的一第二組重複相關聯。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一或多個處理器，<br/> 與該一或多個處理器耦合的一或多個記憶體；及<br/> 儲存在該一或多個記憶體中的多個指令，該等多個指令可由該一或多個處理器執行以：<br/> 在彼此關聯的一第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中監測第一下行鏈路控制資訊，該第一下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第一共享通道通訊；<br/> 在彼此關聯的一第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中監測第二下行鏈路控制資訊，該第二下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第二共享通道通訊；<br/> 決定對應於該第一共享通道通訊的一第一參考時間，其中該第一參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；<br/> 決定對應於該第二共享通道通訊的一第二參考時間，其中該第二參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；及<br/> 至少部分地基於該第一參考時間與該第二參考時間並根據該第一下行鏈路控制資訊和該第二下行鏈路控制資訊來進行通訊。
根據請求項13之裝置，其中：<br/> 該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一回饋程序辨識符相關聯，並且該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二回饋程序辨識符相關聯。
根據請求項13之裝置，其中該第一參考時間與該第二參考時間決定用於被排程通訊的一按次序序列規則，使得：<br/> 回應於該第一參考時間早於該第二參考時間，在由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊；或<br/> 回應於該第二參考時間早於該第一參考時間，在由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊。
根據請求項13之裝置，其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一組傳輸時間段相關聯，而該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二組傳輸時間段相關聯。
根據請求項13之裝置，其中該第一共享通道通訊和該第二共享通道通訊包括：上行鏈路通訊、下行鏈路通訊或兩者。
一種用於一網路設備處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一或多個處理器，<br/> 與該一或多個處理器耦合的一或多個記憶體；及<br/> 儲存在該一或多個記憶體中的多個指令，該等多個指令可由該一或多個處理器執行以：<br/> 在彼此關聯的一第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中向一使用者設備（UE）傳輸第一下行鏈路控制資訊，該第一下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第一共享通道通訊；<br/> 在彼此關聯的一第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中向該UE傳輸第二下行鏈路控制資訊，該第二下行鏈路控制資訊排程針對該UE的一第二共享通道通訊；<br/> 決定對應於該第一共享通道通訊的一第一參考時間，其中該第一參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；<br/> 決定對應於該第二共享通道通訊的一第二參考時間，其中該第二參考時間是一實體下行鏈路控制通道結束符號，該實體下行鏈路控制通道結束符號是該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選中的一最後實體下行鏈路控制通道候選的一最後符號；及<br/> 至少部分地基於該第一參考時間與該第二參考時間並根據該第一下行鏈路控制資訊和該第二下行鏈路控制資訊來與該UE進行通訊。
根據請求項18之裝置，<br/> 其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一回饋程序辨識符相關聯，並且該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二回饋程序辨識符相關聯。
根據請求項18之裝置，其中該第一參考時間與該第二參考時間決定用於被排程通訊的一按次序序列規則，使得：<br/> 回應於該第一參考時間早於該第二參考時間，在由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊；或<br/> 回應於該第二參考時間早於該第一參考時間，在由該第一下行鏈路控制資訊所排程的該第一共享通道通訊被通訊之前，通訊由該第二下行鏈路控制資訊所排程的該第二共享通道通訊。
根據請求項18之裝置，其中該第一複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第一組傳輸時間段相關聯，而該第二複數個實體下行鏈路控制通道候選與一第二組傳輸時間段相關聯。
根據請求項18之裝置，其中該第一共享通道通訊和該第二共享通道通訊包括：上行鏈路通訊、下行鏈路通訊或兩者。
一種發光器件，包括： <br/> 第一電極； <br/> 第二電極；以及 <br/> 該第一電極與該第二電極之間的發光層， <br/> 其中，該發光層包含在室溫下發射磷光的有機金屬錯合物、以及發射螢光的發光材料， <br/> 該有機金屬錯合物包括： <br/> 具有選自碳原子數為3以上且12以下的具有支鏈的烷基、成環碳原子數為3以上且10以下的取代或未取代的環烷基和碳原子數為3以上且12以下的三烷基矽基中的至少一個第一取代基的配體；以及 <br/> 選自銥和鉑的過渡金屬， <br/> 該發光材料的吸收光譜在第一波長λabs(nm)處具有最長波長的端部， <br/> 該有機金屬錯合物的磷光光譜在第二波長λp(nm)處具有最短波長的端部， <br/> 並且，該第一波長λabs(nm)比該第二波長λp(nm)長。
如請求項1之發光器件， <br/> 其中該配體包括： <br/> 作為構成原子包含與該過渡金屬共價鍵的原子的六員環的第一環；以及 <br/> 作為構成原子包含與該過渡金屬配位的原子的五員環或六員環的第二環， <br/> 並且至少一個該第一取代基鍵合於該第一環和該第二環中的至少一方。
如請求項1之發光器件， <br/> 其中該配體是苯基吡啶骨架， <br/> 並且該第一取代基鍵合於該苯基吡啶骨架的碳。
如請求項1之發光器件， <br/> 其中該有機金屬錯合物不包括碳原子數為2以上的正烷基。
如請求項1之發光器件， <br/> 其中該第一波長λabs(nm)與該第二波長λp(nm)的關係由下述數學式(1)表示， <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="738px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之發光器件， <br/> 其中該發光材料的螢光光譜在第三波長λf(nm)處具有最短波長的端部， <br/> 並且該第三波長λf(nm)與該第二波長λp(nm)的關係由下述數學式(2)表示， <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="745px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種發光器件，包括： <br/> 第一電極； <br/> 第二電極；以及 <br/> 該第一電極與該第二電極之間的發光層， <br/> 其中，該發光層包含在室溫下發射磷光的有機金屬錯合物、以及發射螢光的發光材料， <br/> 該有機金屬錯合物包括： <br/> 具有選自碳原子數為3以上且12以下的具有支鏈的烷基、成環碳原子數為3以上且10以下的取代或未取代的環烷基和碳原子數為3以上且12以下的三烷基矽基中的至少一個第一取代基的配體；以及 <br/> 選自銥和鉑的過渡金屬， <br/> 該有機金屬錯合物不包括碳原子數為2以上的正烷基， <br/> 該發光材料包括選自甲基、碳原子數為3以上且12以下的具有支鏈的烷基、成環碳原子數為3以上且10以下的取代或未取代的環烷基和碳原子數為3以上且12以下的三烷基矽基中的至少一個第二取代基， <br/> 並且，該有機金屬錯合物的磷光光譜與該發光材料的吸收光譜重疊。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該配體包括： <br/> 作為構成原子包含與該過渡金屬共價鍵的原子的六員環的第一環；以及 <br/> 作為構成原子包含與該過渡金屬配位的原子的五員環或六員環的第二環， <br/> 並且至少一個該第一取代基鍵合於該第一環和該第二環中的至少一方。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該發光材料還包括： <br/> 3環以上且10環以下的稠合芳香環或3環以上且10環以下的稠合雜芳環；以及 <br/> 五個以上的該第二取代基， <br/> 並且五個以上的該第二取代基中的至少五個該第二取代基分別獨立為碳原子數為3以上且12以下的具有支鏈的烷基、成環碳原子數為3以上且10以下的取代或未取代的環烷基和碳原子數為3以上且12以下的三烷基矽基中的任一個。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該發光材料還包括： <br/> 3環以上且10環以下的稠合芳香環或3環以上且10環以下的稠合雜芳環；以及 <br/> 三個以上的該第二取代基， <br/> 並且三個以上的該第二取代基中的至少三個該第二取代基不與該稠合芳香環或該稠合雜芳環直接鍵合，並分別獨立為碳原子數為3以上且12以下的具有支鏈的烷基、成環碳原子數為3以上且10以下的取代或未取代的環烷基和碳原子數為3以上且12以下的三烷基矽基中的任一個。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該發光材料包括： <br/> 3環以上且10環以下的稠合芳香環或3環以上且10環以下的稠合雜芳環；以及 <br/> 二芳基胺基， <br/> 該3環以上且10環以下的稠合芳香環或該3環以上且10環以下的稠合雜芳環鍵合於該二芳基胺基的氮原子， <br/> 並且該第二取代基鍵合於該二芳基胺基的芳基。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該第二取代基中的該具有支鏈的烷基為二級烷基或三級烷基。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該第二取代基中的該具有支鏈的烷基的碳原子數為3或4。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該第二取代基中的該環烷基的碳原子數為3以上且6以下。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該第二取代基中的該三烷基矽基為三甲基矽基。
如請求項7之發光器件， <br/> 其中該第二取代基進一步包括重氫。
如請求項1至16中任一項之發光器件， <br/> 其中該第一取代基中的該具有支鏈的烷基為二級烷基或三級烷基。
如請求項1至16中任一項之發光器件， <br/> 其中該第一取代基進一步包括重氫。
如請求項1至16中任一項之發光器件， <br/> 其中該發光層還包含主體材料， <br/> 並且該發光材料為客體材料。
如請求項1至16中任一項之發光器件，其中該有機金屬錯合物是由下述通式(G0)表示， <br/><img align="absmiddle" height="301px" width="570px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中： <br/> L為配體； <br/> n為1以上且3以下的整數； <br/> R<sup>101</sup>至R<sup>108</sup>分別獨立為氫或分別獨立為碳原子數為3以上且12以下的二級烷基或三級烷基、碳原子數為3以上且10以下的環烷基和碳原子數為3以上且12以下的三烷基矽基中的任一個的取代基；以及 <br/> R<sup>101</sup>至R<sup>108</sup>中的至少一個為該取代基。
一種發光裝置，包括： <br/> 請求項1至16中任一項之發光器件；以及 <br/> 電晶體或基板。
一種顯示裝置，包括： <br/> 請求項1至16中任一項之發光器件；以及 <br/> 電晶體或基板。
一種照明設備，包括： <br/> 請求項21之發光裝置；以及 <br/> 外殼。
一種電子裝置，包括： <br/> 請求項22之顯示裝置；以及 <br/> 感測器、操作按鈕、揚聲器和麥克風中的至少一個。
一種包含脂肪酸酯之聚山梨醇酯20組成物，其包含1.0%或更少的己酸酯、大於或等於2.6%且小於或等於6.6%的辛酸酯、大於或等於2.4%且小於或等於6.4%的癸酸酯、大於或等於55.0%且小於或等於60.0%的月桂酸酯、大於或等於14.1%且小於或等於18.1%的肉豆蔻酸酯、大於或等於7.0%且小於或等於10.9%的棕櫚酸酯以及小於或等於2.0%的硬脂酸酯。
如請求項1之組成物，其包含大於或等於3%、或大於或等於3.5%、或大於或等於4%、或大於或等於4.6%且小於或等於6.6%的辛酸酯。
如請求項1之組成物，其包含大於或等於2.6%、或大於或等於3%、或大於或等於3.5%、或大於或等於4%、或大於或等於4.4%且小於或等於6.4%的癸酸酯。
如請求項1之組成物，其包含大於或等於56%、或大於或等於57%、或大於或等於58%且小於或等於60%的月桂酸酯。
如請求項1之組成物，其包含大於或等於14.1%且小於或等於18%、或小於或等於17%、或小於或等於16%、或小於或等於15%的肉豆蔻酸酯。
如請求項1之組成物，其包含大於或等於7%且小於10.9%、或小於或等於10%、或小於或等於9%、或小於或等於8%的棕櫚酸酯。
如請求項1之組成物，其包含小於或等於1.5%、或小於或等於1%的硬脂酸酯。
如請求項1之組成物，其不包含可偵測之硬脂酸酯。
如請求項1之組成物，其包含1%或更少的己酸酯、約4.6%的辛酸酯、約4.8%的癸酸酯、約57.0%的月桂酸酯、約16.2%的肉豆蔻酸酯、約9.4%的棕櫚酸酯且不含可偵測之硬脂酸酯。
如請求項1之組成物，其包含1%或更少的己酸酯、3.7%至5.2%的辛酸酯、3.7%至5.2%的癸酸酯、56.3%至57.2%的月桂酸酯、15.9%至16.9%的肉豆蔻酸酯、8.8%至9.7%的棕櫚酸酯且不含可偵測之硬脂酸酯。
如請求項1之組成物，其包含1%或更少的己酸酯、3.5%至5.5%的辛酸酯、3.5%至5.5%的癸酸酯、55%至58%的月桂酸酯、15%至17.5%的肉豆蔻酸酯、8.5%至10%的棕櫚酸酯以及約0.1%或更少的硬脂酸酯。
如請求項1之組成物，其進一步包含大於或等於5.8%且小於或等於9.8%的油酸酯以及小於或等於2.0%的亞麻油酸酯。
一種醫藥調配物，其包含藥物及醫藥上可接受之賦形劑，其中該醫藥上可接受之賦形劑包含：包含脂肪酸酯之聚山梨醇酯20組成物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含：1.0%或更少的己酸酯、大於或等於2.6%且小於或等於6.6%的辛酸酯、大於或等於2.4%且小於或等於6.4%的癸酸酯、大於或等於55.0%且小於或等於60.0%的月桂酸酯、大於或等於14.1%且小於或等於18.1%的肉豆蔻酸酯、大於或等於7.0%且小於或等於10.9%的棕櫚酸酯以及小於或等於2.0%的硬脂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物是該調配物之0.01%至0.12%(w/v)。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物是該調配物之0.01%至0.08%、或0.03%至0.1%、0.04%至0.07%(w/v)。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物是該調配物之約0.01%、0.02%、0.03%、0.04%、0.05%、0.06%、0.07%、0.08%、0.09%、0.10%、0.11%或0.12%(w/v)。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含大於或等於3%、或大於或等於3.5%、或大於或等於4%、或大於或等於4.6%且小於或等於6.6%的辛酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含大於或等於2.6%、或大於或等於3%、或大於或等於3.5%、或大於或等於4%、或大於或等於4.4%且小於或等於6.4%的癸酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含大於或等於56%、或大於或等於57%、或大於或等於58%且小於或等於60%的月桂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含大於或等於14.1%且小於或等於18%、或小於或等於17%、或小於或等於16%、或小於或等於15%的肉豆蔻酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含大於或等於7%且小於10.9%、或小於或等於10%、或小於或等於9%、或小於或等於8%的棕櫚酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含小於或等於1.5%或小於或等於1%的硬脂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯不包含可偵測之硬脂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含1%或更少的己酸酯、約4.6%的辛酸酯、約4.8%的癸酸酯、約57.0%的月桂酸酯、約16.2%的肉豆蔻酸酯、約9.4%的棕櫚酸酯且不含可偵測之硬脂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含1%或更少的己酸酯、3.7%至5.2%的辛酸酯、3.7%至5.2%的癸酸酯、56.3%至57.2%的月桂酸酯、15.9%至17.0%的肉豆蔻酸酯、8.8%至9.8%的棕櫚酸酯且不含可偵測之硬脂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯包含1%或更少的己酸酯、3.5%至5.5%的辛酸酯、3.5%至5.5%的癸酸酯、55%至58%的月桂酸酯、15%至17.5%的肉豆蔻酸酯、8.5%至10%的棕櫚酸酯及約0.1%或更少的硬脂酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該聚山梨醇酯20組成物之該等脂肪酸酯進一步包含大於或等於5.8%且小於或等於9.8%的油酸酯以及小於或等於2.0%的亞麻油酸酯。
如請求項13之醫藥調配物，其中該調配物具有一種或多種以下特性：a.當與包含經受相同儲存條件之標準聚山梨醇酯20組成物之調配物相比時，該調配物包含更少的由脂肪酸酯降解產生之游離脂肪酸顆粒；b.藉由該調配物中游離脂肪酸之金屬晶核生成所產生之游離脂肪酸顆粒數目，少於藉由包含另外具有相同內容物及儲存條件相同之標準聚山梨醇酯20組成物之調配物中的游離脂肪酸之金屬晶核生成所產生之游離脂肪酸顆粒數目；及c.其中該調配物中脂肪酸酯之降解引起相對於包含標準聚山梨醇酯20組成物之組成物或調配物中之游離脂肪酸顆粒形成而言延遲之游離脂肪酸顆粒形成。
如請求項13之醫藥調配物，其進一步包含較高級酯降解藥物產品，其中與在包含另外具有相同內容物且在相同條件下儲存之標準聚山梨醇酯20組成物之HOE降解藥物產品調配物中相比，在觀測到游離脂肪酸顆粒形成之前，多至超過10%的脂肪酸酯可降解為游離脂肪酸。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一裝置層堆疊，該裝置層堆疊具有至少三裝置層，該至少三裝置層包括：<br/> 一下裝置層，<br/> 一或更多中間裝置層，垂直堆疊於該下裝置層上方，以及<br/> 一上裝置層，垂直堆疊於該一或更多中間裝置層上方，每一裝置層具有一場效應電晶體的至少一橫向環繞式閘極溝道；<br/> 一第一互連線，該第一互連線位於該裝置層堆疊下方；<br/> 一第二互連線，該第二互連線位於該裝置層堆疊上方；<br/> 一底部接觸部，該底部接觸部將該第一互連線連接至來自該裝置層堆疊的一或更多第一裝置端子；以及<br/> 一頂部接觸部，該頂部接觸部將該第二互連線連接至來自該裝置層堆疊的一或更多第二裝置端子，<br/> 其中該一或更多第二裝置端子包含該一或更多中間裝置層中之一第一中間裝置層之一中間裝置端子，在該第一中間裝置層上方及在該上裝置層下方之該一或更多中間裝置層中之任何第二中間裝置層係從該第一中間裝置層及該下裝置層上方之該一或更多中間裝置層中之任何第三裝置層偏移一距離，使得該中間裝置端子橫向延伸超過一上裝置端子及該第二中間裝置層的一長度，以將該頂部接觸部連接至該中間裝置端子，且不接觸該第二中間裝置層或該上裝置層。
如請求項1之半導體裝置，其中該一或更多第一裝置端子是該下裝置層中的一下裝置端子。
如請求項1之半導體裝置，其中該一或更多第一裝置端子及該一或更多第二裝置端子為閘極。
如請求項1之半導體裝置，其中該裝置層堆疊中之垂直相鄰裝置層其中至少一者共用一共用裝置端子。
如請求項1之半導體裝置，更包括絕緣材料，該絕緣材料位於該裝置層堆疊中之垂直相鄰裝置層其中至少一雙者的複數裝置端子之間，且將該複數裝置端子電性隔開。
如請求項1之半導體裝置，更包括一電力軌，該電力軌定位成提供電力至該裝置層堆疊。
如請求項1之半導體裝置，其中該一或更多第一裝置端子及該一或更多第二裝置端子為源極及汲極其中至少一者。
一種形成半導體裝置的方法，該方法包括：<br/> 形成彼此垂直隔開之奈米溝道之堆疊；<br/> 形成一第一互連線，該第一互連線位於該奈米溝道之堆疊下方；<br/> 產生一底部接觸部，該底部接觸部連接至該第一互連線；<br/> 從該奈米溝道之堆疊形成環繞式閘極溝道，其中該環繞式閘極溝道形成一裝置層堆疊，該裝置層堆疊具有至少三裝置層，該至少三裝置層包括：<br/> 一下裝置層，<br/> 一或更多中間裝置層，垂直堆疊於該下裝置層上方，以及<br/> 一上裝置層，垂直堆疊於該一或更多中間裝置層上方，<br/> 利用該底部接觸部將該第一互連線連接至來自該裝置層堆疊的一或更多第一裝置端子；以及<br/> 利用一頂部接觸部將一第二互連線連接至來自該裝置層堆疊的一或更多第二裝置端子，該第二互連線形成於該裝置層堆疊上方，<br/> 其中該一或更多第一裝置端子是該下裝置層中的一下裝置端子。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，其中該一或更多第一裝置端子及該一或更多第二裝置端子為閘極。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，其中該一或更多第二裝置端子是以下至少一者：該上裝置層中的一上裝置端子及該一或更多中間裝置層中的一中間裝置端子。
如請求項10之形成半導體裝置的方法，更包括：<br/> 在該一或更多第二裝置端子包括該中間裝置端子的一情形中，使該中間裝置端子橫向延伸超過以下者的一長度：(1)該上裝置端子、以及(2)來自該一或更多中間裝置層、且位於該中間裝置端子上方的任何額外的中間裝置端子，以將該頂部接觸部連接至該中間裝置端子，且不接觸該額外的中間裝置端子或該上裝置端子。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，更包括形成一電力軌，該電力軌定位成提供電力至該裝置層堆疊。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，其中產生該底部接觸部包括：<br/> 形成該底部接觸部的一圖案、利用犧牲材料填充該圖案、以及利用金屬取代該犧牲材料。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，其中形成該第一互連線包括：<br/> 形成該第一互連線的一圖案、利用犧牲材料填充該圖案、以及利用金屬取代該犧牲材料。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，其中該一或更多第一裝置端子及該一或更多第二裝置端子為源極及汲極其中至少一者。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，其中該裝置層堆疊中之垂直相鄰裝置層其中至少一者共用一共用裝置端子。
如請求項8之形成半導體裝置的方法，更包括利用絕緣材料將該裝置層堆疊中之垂直相鄰裝置層其中至少一者的複數裝置端子電性隔開。
一種處理一基板之方法，包含以下步驟：<br/>在一腔室的一處理空間中將其上具有一基板之一基板支撐件從一第一位置致動至一第二位置，該第二位置距離一蓋約5英吋至6英吋；<br/>將一氣體引導至一腔室的一處理空間；<br/>提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的該蓋；<br/>在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一偏壓電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約40 MHz；及<br/>在佈置於該基板支撐件上的一基板上沉積一膜，其中該膜包含約3,000埃或更大的一厚度。
如請求項1所述之方法，其中該膜以一持續沉積處理沉積在該基板上。
如請求項2所述之方法，其中在該腔室的一腔室部件的一表面上的該膜包含5,000埃或更大的一厚度。
如請求項3所述之方法，其中該膜為一非晶碳膜。
如請求項3所述之方法，進一步包含以下步驟：基於該膜的一預定沉積率調整該第一RF功率。
如請求項1所述之方法，其中該氣體為一含碳氣體。
如請求項1所述之方法，其中提供該第一RF功率包含以下步驟：提供約200W至約1KW的RF功率。
如請求項1所述之方法，其中提供該第二RF功率包含以下步驟：提供約1kW至6kW的RF功率至該偏壓電極。
如請求項1所述之方法，其中藉由一第一RF源提供該第一RF功率，且藉由一第二RF源提供該第二RF功率，且藉由一第三RF源提供一第三RF功率，其中該第二RF源包含約40 MHz或更少的一第二RF頻率，且該第三RF源包含約40 kHz至2 MHz的一第三RF頻率，其中該第一RF功率、該第二RF功率及該第三RF功率彼此同時提供。
一種用於清潔一腔室之方法，包含以下步驟：<br/>將一氣體引導至該腔室的一處理空間；<br/>提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋；<br/>在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約20 MHz，其中從該基板支撐件的一上部表面至該腔室的一蓋的一最上內部表面的一距離為約1英吋至約15英吋；及<br/>移除佈置於該腔室的一腔室部件的一表面上的一膜的至少一部分。
如請求項10所述之方法，其中該氣體為一含氧氣體。
如請求項10所述之方法，其中提供該第一RF功率包含以下步驟：提供約1W至約3KW的RF功率。
如請求項10所述之方法，其中提供該第二RF功率包含以下步驟：提供約1500W至約6000W的RF功率至該電極。
如請求項10所述之方法，其中在該移除步驟期間該腔室的一壓力為約0.5 mTorr至約10 Torr。
一種處理一基板之方法，包含以下步驟：<br/>在一腔室的一處理空間中將其上具有一基板之一基板支撐件從一第一位置致動至一第二位置，該第二位置距離一蓋約5英吋至6英吋；<br/>將一氣體引導至一腔室的一處理空間；<br/>提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的該蓋；<br/>在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約40 MHz；及<br/>在佈置於該基板支撐件上的該基板上及一腔室部件的至少一個表面上沉積具有約5 KÅ至約3 µm的一厚度的一膜。
如請求項15所述之方法，其中該第一RF功率及該第二RF功率彼此同時提供。
如請求項15所述之方法，其中該氣體包含乙炔。
如請求項15所述之方法，其中該膜包含非晶碳。
一種在一處理腔室中使用的系統，包含在該系統的一記憶體中儲存的一演算法，其中該演算法包含數個指令，當藉由一處理器執行時，造成執行如請求項15所述之方法。
一種X射線源裝置，包括：<br/> 一陽極；<br/> 一電子束陰極系統，該電子束陰極系統包含複數個相鄰設置陰極裝置，每一相鄰設置陰極裝置被設置成將複數個電子束的其中之一從其朝向該陽極上之複數個相鄰設置預定焦點中一對應者發射；以及<br/> 一偏轉器裝置，該偏轉器裝置與該電子束陰極系統相鄰地被安置，以操縱藉由該電子束陰極系統發射的一或多個電子束與該陽極的相互作用，該偏轉器裝置被設置成將藉由該電子束陰極系統中一第一陰極裝置發射的該電子束重新導向至該陽極上的一第二預定焦點，該第二預定焦點對應於該電子束陰極系統之一第二陰極裝置且該第二預定焦點相鄰該第一陰極裝置所對應該陽極上的一第一預定焦點。
如請求項1所述的裝置，其中該偏轉器裝置被設置成形成一電場或一磁場，以操縱藉由該電子束陰極系統發射的該一或多個電子束。
如請求項1所述的裝置，其中該偏轉器裝置被設置成實體地操縱藉由該電子束陰極系統發射的該一或多個電子束。
如請求項1所述的裝置，其中該偏轉器裝置被設置成形成一電場或一磁場，以及實體地操縱該電場或磁場，以操縱藉由該電子束陰極系統發射的該一或多個電子束。
如請求項1所述的裝置，其中該偏轉器裝置界定複數個偏轉器部，每一個偏轉器部對應於該複數個陰極裝置中多於一個陰極裝置，每一個偏轉器部被設置成操縱藉由該等陰極裝置中對應的多於一個陰極裝置集體發射的電子束。
如請求項1所述的裝置，其中該偏轉器裝置被設置成將藉由該等陰極裝置中每一個陰極裝置發射的電子束重新導向至該陽極上的該等預定焦點中一個預定焦點，該一個預定焦點與該等陰極裝置中每一個陰極裝置的該對應預定焦點相鄰。
一種形成一X射線源裝置的方法，包括：<br/> 設置包含複數個相鄰設置陰極裝置的一電子束陰極系統，以將複數個電子束從該電子束陰極系統朝向一陽極發射，以使得每一相鄰設置陰極裝置被設置成將該複數個電子束的其中之一從其朝向該陽極上之複數個相鄰設置預定焦點中一對應者發射；以及<br/> 與該電子束陰極系統相鄰地安置一偏轉器裝置，該偏轉器裝置被設置成操縱藉由該電子束陰極系統發射的一或多個電子束與該陽極的相互作用，以使得該偏轉器裝置被設置成將藉由該電子束陰極系統中一第一陰極裝置發射的該電子束重新導向至該陽極上的一第二預定焦點，該第二預定焦點對應於該電子束陰極系統之一第二陰極裝置且該第二預定焦點相鄰該第一陰極裝置所對應該陽極上的一第一預定焦點。
如請求項7所述的方法，包括設置該偏轉器裝置，以形成一電場或一磁場，以操縱藉由該電子束陰極系統發射的該一或多個電子束。
如請求項7所述的方法，包括設置該偏轉器裝置，以實體地操縱藉由該電子束陰極系統發射的該一或多個電子束。
如請求項7所述的方法，包括設置該偏轉器裝置，以形成一電場或一磁場，且實體地操縱該電場或磁場，以操縱藉由該電子束陰極系統發射的該一或多個電子束。
如請求項7所述的方法，其中該偏轉器裝置界定複數個偏轉器部，每一個偏轉器部對應於該複數個陰極裝置中多於一個陰極裝置，且其中該方法包括將每一個偏轉器部設置成操縱藉由該等陰極裝置中對應的多於一個陰極裝置集體發射的該等電子束。
如請求項7所述的方法，包括將該偏轉器裝置設置成將藉由該等陰極裝置中每一個陰極裝置發射的該等電子束重新導向至該陽極上的該等預定焦點中一個預定焦點，該一個預定焦點與該等陰極裝置中每一個陰極裝置的該對應預定焦點相鄰。
一種圖像顯示用導光板，其具有積層體及全像層，上述積層體依序具備樹脂基材、增黏塗層及障壁層，上述障壁層以氮氧化矽作為主成分，且藉由X射線光電子光譜法(XPS)所求出之上述障壁層中之氮元素組成超過0 atm%且為25 atm%以下。
如請求項1之圖像顯示用導光板，其中上述樹脂基材包含選自由聚(甲基)丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、環狀聚烯烴系樹脂及聚碳酸酯系樹脂所組成之群中之至少1種樹脂。
如請求項1或2之圖像顯示用導光板，其中上述增黏塗層包含選自由丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂及聚酯系樹脂所組成之群中之至少1種樹脂。
如請求項1至3中任一項之圖像顯示用導光板，其中上述積層體於上述樹脂基材之兩表面具有硬塗層。
如請求項1至4中任一項之圖像顯示用導光板，其中上述積層體之全光線透過率為90%以上。
如請求項1至5中任一項之圖像顯示用導光板，其中上述積層體之霧度未達0.1%。
如請求項1至6中任一項之圖像顯示用導光板，其中藉由分光色度計所測定之上述積層體之b﹡未達0.5。
如請求項1至7中任一項之圖像顯示用導光板，其中上述積層體之水蒸氣透過率未達0.01 g/m <sup>2</sup>/day。
一種氟樹脂薄膜，特徵在於其在升溫速度10℃/min之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且<br/> 該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且，<br/> 在令薄膜厚度(mm)為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值(%)為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B點(0.25,50.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。
一種氟樹脂薄膜，特徵在於其在升溫速度10℃/min之升溫過程所測定之示差掃描熱量測定(DSC)中，結晶熔解曲線於339℃~355℃與370℃~390℃之溫度範圍表現出源自聚四氟乙烯的吸熱峰值，且<br/> 該結晶熔解曲線於較339℃低溫側未表現出源自聚四氟乙烯之吸熱峰值；並且，<br/> 在令薄膜厚度(mm)為x軸、且令遵循ISO14782測定之霧度值(%)為y軸的xy正交座標中，該氟樹脂薄膜所具有的薄膜厚度及霧度值，係在連結A點(0.01,10.0)、B’點(0.25,70.0)、C點(0.25,99.5)、D點(0.01,50.0)之直線所包圍之四角形範圍內。
如請求項1或2之氟樹脂薄膜，其中從前述結晶熔解曲線中在339℃~355℃之溫度範圍的吸熱峰值與在370℃~390℃之溫度範圍的吸熱峰值算出之熔解能的比為3比1~30比1。
如請求項1或2之氟樹脂薄膜，其在30GHz下之相對介電常數為2.1以下。
如請求項1或2之氟樹脂薄膜，其在30GHz下之介電損耗正切為0.001以下。
如請求項1或2之氟樹脂薄膜，其在30℃~250℃下之薄膜XY方向的線膨脹係數為100ppm/℃以下。
如請求項1或2之氟樹脂薄膜，其薄膜厚度為10μm~250μm。
一種式(I)化合物或其立體異構物或其鹽， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="69px" file="ed10307.jpg" alt="ed10307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其中： <br/>- n選自0、1及2； <br/>- 每一<img align="absmiddle" height="2px" width="8px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表視情況存在之雙鍵，其中最多3個<img align="absmiddle" height="2px" width="8px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>同時係雙鍵； <br/>- R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；-C(O)H；-C(O)R<sup>3</sup>；-C(O)OR<sup>4</sup>；-C(O)NR<sup>5</sup>R<sup>6</sup>；-S(O)<sub>2</sub>R<sup>3a</sup>；-S(O)R<sup>4a</sup>；-S(O)2NR<sup>5a</sup>R<sup>6a</sup>；-S(O)(NR<sup>5a</sup>)R<sup>4a</sup>；-S(NR<sup>5a</sup>)(NR<sup>6a</sup>)R<sup>3a</sup>；及-P(O)R<sup>5b</sup>R<sup>6b</sup>； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基及該C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、三氟甲基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)C<sub>1-6</sub>烷基、-CONH<sub>2</sub>、-CONHC<sub>1-6</sub>烷基、-CON(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>C<sub>1-6</sub>烷基、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>NHC<sub>1-6</sub>烷基、-SO<sub>2</sub>N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-S(O)(NH)C<sub>1-6</sub>烷基、-S(O)(NC<sub>1-6</sub>烷基)C<sub>1-6</sub>烷基、-S(NH)(NH)C<sub>1-6</sub>烷基、-S(O)(NH)C1-6烷基、-S(O)(NC1-6烷基)C1-6烷基、-S(NH)(NH)C1-6烷基、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- R<sup>2</sup>選自氫；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；及C<sub>1-6</sub>雜烷基； <br/>- R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>可一起形成(4員、5員、6員或7員)雜環，其可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、三氟甲基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-C(O)OC<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)C<sub>1-6</sub>烷基、-CONH<sub>2</sub>、-CONHC<sub>1-6</sub>烷基、-CON(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>C<sub>1-6</sub>烷基、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>NHC<sub>1-6</sub>烷基、-SO<sub>2</sub>N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-S(O)(NH)C1-6烷基、-S(O)(NC1-6烷基)C1-6烷基、-S(NH)(NH)C1-6烷基、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- 每一R<sup>3</sup>及R<sup>3a</sup>獨立地選自羥基；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；及C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基及該C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：烷基、環烷基、烯基、炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NH烷基及-N(烷基)<sub>2</sub>； <br/>- 每一R<sup>4</sup>及R<sup>4a</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；及C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基及該C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：烷基、環烷基、烯基、炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NH烷基及-N(烷基)<sub>2</sub>； <br/>- 每一R<sup>5</sup>、R<sup>5a</sup>、R<sup>5b</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>6a</sup>及R<sup>6b</sup>獨立地選自氫；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；及C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基及該C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：烷基、環烷基、烯基、環烯基、炔基、環炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NH烷基及-N(烷基)<sub>2</sub>； <br/>且其中每一R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>或R<sup>5a</sup>及R<sup>6a</sup>可一起形成(4員、5員、6員或7員)雜環，其可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：烷基、環烷基、烯基、環烯基、炔基、環炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NH烷基及-N(烷基)<sub>2</sub>； <br/>-環A選自芳基；雜芳基；C<sub>3-9</sub>環烷基；及雜環； <br/>其中該芳基、該雜芳基、該C<sub>3-9</sub>環烷基及該雜環經一或多個R<sup>7</sup>取代； <br/>- 每一R<sup>7</sup>獨立地選自鹵素；羥基；硫氫基；=O；=S；-OZ1；-SZ1；-SCF3；-SF5；-CF<sub>3</sub>；-OCF<sub>3</sub>；-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>；-NZ3Z4；-NZ3C(O)Z1；氰基；-C(O)Z2；--C(O)OZ<sup>1</sup>；-C(O)NZ<sup>3</sup>Z<sup>4</sup>；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- X<sup>1</sup>選自CR<sup>8</sup>；N；及NR<sup>8a</sup>；其中當X<sup>2</sup>及/或X<sup>4</sup>係C=O或C=S時，X<sup>1</sup>僅可為NR<sup>8a</sup>； <br/>- X<sup>2</sup>選自CR<sup>9</sup>；N；及NR<sup>9a</sup>；其中當X<sup>1</sup>及/或X<sup>3</sup>係C=O或C-SH時，X<sup>2</sup>僅可為NR<sup>9a</sup>； <br/>- X<sup>3</sup>選自CH；及N； <br/>- X<sup>4</sup>選自CH；及N； <br/>其中X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>中之最多2者可同時為N (分別地，對於X<sup>1</sup>選自N及NR<sup>8a</sup>，對於X<sup>2</sup>選自N及NR<sup>9a</sup>，對於X<sup>3</sup>選自N，且對於X<sup>4</sup>選自N)； <br/>- R<sup>8</sup>選自鹵素；羥基；硫氫基；=O；=S；-OZ1a；-SZ1a；-SCF3；-SF5；-S(O)Z1a；-S(O)(NZ3a)Z1a；-S(NZ3a)(NZ3a)Z1a；-S(O)2Z2a；-S(O)2NZ3aZ4a；-CF<sub>3</sub>；-OCF<sub>3</sub>；-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>；硝基；-NZ3aZ4a；-NZ3aS(O)2Z1a；-NZ3aC(O)Z1a；-NZ3aC(O)NZ3aZ4a；氰基；-C(O)Z2a；-C(O)OZ1a；-C(O)NZ3aZ4a；-C(O)H；-P(O)Z<sup>3a</sup>Z<sup>4a</sup>；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基C<sub>2-6</sub>炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- R<sup>9</sup>為氫； <br/>- 每一R<sup>8a</sup>及R<sup>9a</sup>獨立地選自氫；羥基；硫氫基；-OZ1a；-SZ1a；-SCF3；-SF5；-S(O)Z1a；-S(O)(NZ3a)Z1a；-S(NZ3a)(NZ3a)Z1a；-S(O)2Z2a；-S(O)2NZ3aZ4a；-CF<sub>3</sub>；-OCF<sub>3</sub>；-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>；硝基；-NZ3aZ4a；-NZ3aS(O)2Z2a；-NZ3aC(O)Z1a；-NZ3aC(O)NZ3aZ4a；氰基；-C(O)Z2a；-C(O)OZ1a；-C(O)NZ3aZ4a；-C(O)H；-P(O)Z<sup>3a</sup>Z<sup>4a</sup>；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基C<sub>2-6</sub>炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- 每一Z<sup>1</sup>及Z<sup>1a</sup>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基C<sub>2-6</sub>炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- 每一Z<sup>2</sup>及Z<sup>2a</sup>獨立地選自羥基；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基C<sub>2-6</sub>炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>- 每一Z<sup>3</sup>、Z<sup>3a</sup>、Z<sup>4</sup>及Z<sup>4a</sup>獨立地選自氫；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>5-9</sub>環炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基C<sub>2-6</sub>炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>5-9</sub>環炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>； <br/>且其中每一Z<sup>3</sup>及Z<sup>4</sup>或Z<sup>3a</sup>及Z<sup>4a</sup>可一起形成(4員、5員、6員或7員)雜環，其可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>。
如請求項1之化合物，其中n係0。
如請求項1之化合物，其中n係1。
如請求項1至3中任一項之化合物，其中R<sup>1</sup>選自-C(O)R<sup>3</sup>；及-S(O)<sub>2</sub>R<sup>3a</sup>。
如請求項1至3中任一項之化合物，其中R<sup>3</sup>及R<sup>3a</sup>獨立地選自C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>5-9</sub>環烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；及C<sub>5-9</sub>環炔基； <br/>其中該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>5-9</sub>環烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基及該C<sub>5-9</sub>環炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：烷基、環烷基、烯基、炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-烷基、-OCF3、-CHF<sub>2</sub>、-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH；NH<sub>2</sub>；-NH烷基及-N(烷基)<sub>2</sub>。
如請求項1至3中任一項之化合物，其中環A係雜芳基。
如請求項1至3中任一項之化合物，其中環A係芳基。
如請求項1至3中任一項之化合物，其中R<sup>8</sup>選自羥基；硫氫基；-OZ1a；-SZ1a；-SCF3；-SF5；-S(O)Z1a；-S(O)(NZ3a)Z1a；-S(NZ3a)(NZ3a)Z1a；-S(O)2Z2a；-S(O)2NZ3aZ4a；-CF<sub>3</sub>；-OCF<sub>3</sub>；-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>；硝基；-NZ3aZ4a；-NZ3aS(O)2Z2a；-NZ3aC(O)Z1a；-NZ3aC(O)NZ3aZ4a；氰基；-C(O)Z2a；-C(O)OZ1a；-C(O)NZ3aZ4a；-C(O)H；-P(O)Z<sup>3a</sup>Z<sup>4a</sup>；C<sub>1-6</sub>烷基；C<sub>3-9</sub>環烷基；C<sub>2-6</sub>烯基；C<sub>2-6</sub>炔基；C<sub>1-6</sub>雜烷基；C<sub>2-6</sub>雜烯基；C<sub>2-6</sub>雜炔基；芳基；雜芳基；雜環；芳基C<sub>1-6</sub>烷基；芳基C<sub>2-6</sub>烯基；芳基C<sub>2-6</sub>炔基；芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基；雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基；雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>烯基；雜環-C<sub>2-6</sub>炔基；雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基；雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基；及雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基； <br/>其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>3-9</sub>環烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>雜烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烯基、該C<sub>2-6</sub>雜炔基、該芳基、該雜芳基、該雜環、該芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該芳基炔基、該芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>炔基、該雜芳基C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜烯基、該雜芳基C<sub>2-6</sub>雜炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>烯基、該雜環-C<sub>2-6</sub>炔基、該雜環-C<sub>1-6</sub>雜烷基、該雜環-C<sub>2-6</sub>雜烯基及該雜環-C<sub>2-6</sub>雜炔基可未經取代或經一或多個選自以下之取代基取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-9</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、羥基、=O、鹵素、-SH、=S、-CF<sub>3</sub>、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-OCF<sub>3</sub>、-CHF<sub>2</sub>；-OCHF<sub>2</sub>、氰基、硝基、-C(O)OH、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1-6</sub>烷基及-N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>。
一種化合物或其立體異構物或其鹽，其選自： <br/>及其立體異構物及其鹽。
一種化合物或其立體異構物或其鹽，其係 <br/><br/>或其立體異構物或其鹽。
一種如請求項1至10中任一項之化合物或其立體異構物或其鹽於製備藥物之用途，該藥物係用於預防或治療動物、哺乳動物或人類之YAP/TAZ-TEAD活化介導之病症。
如請求項11之用途，其中該等YAP/TAZ-TEAD活化介導之病症選自包含以下之群：癌症、纖維化及YAP/TAZ-TEAD活化介導之先天性病症。
如請求項11之用途，其中該等YAP/TAZ-TEAD活化介導之病症選自肺癌、乳癌、頭頸癌、食管癌、腎癌、膀胱癌、結腸癌、卵巢癌、子宮頸癌、子宮內膜癌、肝癌(包括但不限於膽道癌)、皮膚癌、胰臟癌、胃癌(gastric cancer)、腦癌及前列腺癌、間皮瘤及/或肉瘤。
如請求項11之用途，其中該等YAP/TAZ-TEAD活化介導之病症選自聽神經瘤、急性白血病、急性淋巴球性白血病、急性骨髓細胞性白血病(單核球性白血病、骨髓母細胞性白血病、腺癌、血管肉瘤、星形細胞瘤、骨髓單核球性白血病及前骨髓細胞性白血病)、急性T細胞白血病、基底細胞癌、膽管癌、支氣管癌、軟骨肉瘤、脊索瘤、絨毛膜癌、慢性白血病、慢性淋巴球性白血病、慢性骨髓細胞性(顆粒球性)白血病、慢性骨髓性白血病、結腸直腸癌、顱咽管瘤、囊腺癌、瀰漫性大B細胞淋巴瘤、不良增生性變化(dysproliferative change) (發育不良及化生)、胚胎性癌、子宮內膜癌、內皮肉瘤、室管膜瘤、上皮癌、紅血球性白血病、食管癌、雌激素受體陽性乳癌、原發性血小板過多症、尤文氏腫瘤(Ewing’s tumor)、纖維肉瘤、濾泡性淋巴瘤、生殖細胞睪丸癌、神經膠質瘤、神經膠質母細胞瘤、神經膠質肉瘤、重鏈病、血管母細胞瘤、肝細胞瘤、肝細胞癌、激素不敏感前列腺癌、平滑肌肉瘤、白血病、脂肪肉瘤、淋巴管內皮肉瘤、淋巴管肉瘤、淋巴母細胞性白血病、淋巴瘤(霍奇金氏淋巴瘤(Hodgkin’s lymphoma)及非霍奇金氏淋巴瘤)、膀胱、乳房、結腸、肺、卵巢、胰臟、前列腺、皮膚及子宮之惡性病及過度增生性病症、T細胞或B細胞源淋巴惡性病、髓樣癌、髓母細胞瘤、黑色素瘤、腦膜瘤、間皮瘤、多發性骨髓瘤、骨髓性白血病、骨髓瘤、黏液肉瘤、神經母細胞瘤、NUT中線癌(NMC)、非小細胞肺癌、寡樹突神經膠質瘤、口腔癌、骨原性肉瘤、乳頭狀腺癌、乳頭狀癌、松果體瘤、真性紅血球增多症、直腸癌、腎細胞癌、視網膜母細胞瘤、橫紋肌肉瘤、肉瘤、皮脂腺癌、精細胞瘤、小細胞肺癌、實體腫瘤(癌及肉瘤)、小細胞肺癌、胃癌(stomach cancer)、鱗狀細胞癌、滑膜瘤、汗腺癌、甲狀腺癌、瓦登斯特隆巨球蛋白血症(Waldenstrom’s macroglobulinemia)、睪丸腫瘤、子宮癌及威爾姆氏腫瘤(Wilms’ tumor)。
如請求項11至14中任一項之用途，其中該藥物係與一或多種選自以下之其他藥物組合投與：EGFR抑制劑、MEK抑制劑、AXL抑制劑、B-RAF抑制劑或RAS抑制劑。
一種在具有離子源室之離子源中產生鋁離子之方法，該方法包括： <br/>在含有鋁摻雜劑源之離子源室中，使以下物質流入至該離子源室中： <br/>選自BF<sub>3</sub>、PF<sub>3</sub>、PF<sub>5</sub>、GeF<sub>4</sub>、XeF<sub>2</sub>、CF<sub>4</sub>B<sub>2</sub>F<sub>4</sub>、SiF<sub>4</sub>、Si<sub>2</sub>F<sub>6</sub>、AsF<sub>3</sub>、AsF<sub>5</sub>、XeF<sub>4</sub>、XeF<sub>6</sub>、WF<sub>6</sub>、MoF<sub>6</sub>、C<sub>n</sub>F<sub>2n+2</sub>、C<sub>n</sub>F<sub>2n</sub>、C<sub>n</sub>F<sub>2n-2</sub>、C<sub>n</sub>H<sub>x</sub>F<sub>2n+2-x</sub>、C<sub>n</sub>H<sub>x</sub>F<sub>2n-x</sub>、C<sub>n</sub>H<sub>x</sub>F<sub>2n-2-x</sub>(n=1、2、3...，x=0、1、2...)、COF<sub>2</sub>、SF<sub>6</sub>、SF<sub>4</sub>、SeF<sub>6</sub>、NF<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>F<sub>4</sub>、HF、F<sub>2</sub>或其等之組合之含氟氣體，及 <br/>含氫氣體，其中使該含氫氣體以在最大離子束電流之10至30%之量流動至該離子源，及 <br/>在該離子源室內產生鋁離子，其中該鋁摻雜劑源包括選自以下之固體鋁靶：氧化鋁、氮化鋁、碳化鋁、硼化鋁及此等之組合。
如請求項1之方法，其中含氫氣體及含氟氣體係基於總的含氫氣體及含氟氣體以含氫氣體2 (體積)%至60 (體積)%之相對量流入該離子源室中。
如請求項1之方法，其中含氫氣體及含氟氣體係基於總的含氫氣體及含氟氣體以含氫氣體5 (體積)%至60 (體積)%之相對量流入該離子源室中。
如請求項1之方法，其中含氫氣體流入至該離子源作為共伴氣體使該離子源之操作壽命相對於由該離子源在無含氫氣體之情況下之可比較操作引起之操作壽命延長至少10%。
如請求項1之方法，其中含氫氣體流入至該離子源作為共伴氣體使該離子源之突波相對於由該離子源在無含氫氣體之情況下之可比較操作引起之突波量減少至少20%。
如請求項1之方法，其包括：自該含氟氣體產生中性或離子化含氟物質，且使該含氟物質與該鋁靶反應以產生鋁離子。
如請求項1之方法，其中該離子源室包括： <br/>內部，其由內表面界定，該等內表面包含側壁、底部及頂部，及 <br/>內部處之陰極及對陰極， <br/>其中內表面包括鎢或鉬。
如請求項1之方法，其中： <br/>該含氟氣體係PF<sub>3</sub>、PF<sub>5</sub>或GeF<sub>4</sub>，及 <br/>該含氫氣體係H<sub>2</sub>。
如請求項1之方法，其中： <br/>該含氟氣體係PF<sub>5</sub>，及 <br/>該含氫氣體係H<sub>2</sub>。
如請求項1之方法，其中該含氫氣體係選自H<sub>2</sub>、PH<sub>3</sub>、AsH<sub>3</sub>、SiH<sub>4</sub>、B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>、CH<sub>4</sub>、NH<sub>3</sub>、GeH<sub>4</sub>、或A<sub>x</sub>H<sub>y </sub>(A係除H外之任何元素，x、y=1、2、3、4、5、6、7、8、9或10)及其等之組合。
一種在離子源室中形成鋁離子之方法，該方法包括： <br/>使選自PF<sub>3</sub>及PF<sub>5</sub>之含氟氣體流入至含有鋁摻雜劑源之離子源室中， <br/>使含氫氣體流動，其中使該含氫氣體以在最大離子束電流之10至30%之量流動至該離子源，及 <br/>在該離子源室內產生鋁離子，其中該鋁摻雜劑源包括選自以下之固體鋁靶：氧化鋁、氮化鋁、碳化鋁、硼化鋁及此等之組合。
一種光造形用樹脂組成物，調配紫外線硬化樹脂(A)、無機顏料(B)及光聚合起始劑而成，所述光造形用樹脂組成物的特徵在於，所述無機顏料(B)，比重為：2.0≦ρ≦6.0且具有粒徑D50≦5μm、D90≦20μm的粒度分佈，且光造形用樹脂組成物的25℃下的黏度為100mPa．s以上，其中相對於100質量份的所述紫外線硬化樹脂(A)，所述無機顏料(B)的含量為0.1質量份至0.205質量份，且所述光聚合起始劑的含量為1.1質量份至5質量份，所述光聚合起始劑不包含1-羥基環己基-苯基酮，且所述光造形用樹脂組成物更包含選自2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲基硫代苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦及二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦中的至少一種。
如請求項1所述的光造形用樹脂組成物，其中所述紫外線硬化樹脂(A)包含由下述式(I)表示的改質雙酚A二甲基丙烯酸酯，<figure><img align="absmiddle" height="107px" width="598px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，同一分子中的多個R<sup>1</sup>可相同亦可不同，m及n分別獨立地表示1以上的整數，m+n為4~40。
一種樹脂造形物，使如請求項1至請求項2中任一項所述的光造形用樹脂組成物光硬化而成。
如請求項3所述的樹脂造形物，其中，使用光線照射方向厚度1mm的試樣切片進行測定時，所述樹脂造形物的總光線透過率小於60%。
一種微電子裝置，其包括： <br/>一不導電基板； <br/>一閘極電極，其定位於該基板上且包括具有小於0.5 nm之一均方根粗糙度之頂面，該閘極電極包含無機材料； <br/>一閘極絕緣體，其定位於該閘極電極上且具有該閘極電極之該頂面之一對應均方根粗糙度，該閘極絕緣體包含無機材料且具有在5 nm至25 nm之間之一厚度；及 <br/>一半導體材料，其定位於該閘極絕緣體上且具有一厚度，該半導體材料包含無機材料， <br/>其中該閘極電極包含一非晶材料或一結晶材料。
如請求項1之微電子裝置，其中該閘極電極包含鈦鋁(TiAl<sub>3</sub>)。
如請求項1之微電子裝置，其中該閘極電極具有小於90 nm之一厚度。
如請求項3之微電子裝置，其中該閘極電極具有小於25 nm之一厚度且該閘極絕緣體具有小於15 nm之一厚度。
如請求項1之微電子裝置，其中該閘極絕緣體包含氧化鋁(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)。
如請求項1之微電子裝置，其中該半導體材料包含一通道區域，其中該閘極絕緣體定位於該通道區域與該閘極電極之間。
如請求項6之微電子裝置，其中該通道區域具有小於50 nm之一厚度。
如請求項6之微電子裝置，其中該半導體材料包含氧化銦鎵鋅(InGaZnO)或非晶矽。
如請求項6之微電子裝置，其進一步包括： <br/>一源極電極，其與該半導體材料接觸；及 <br/>一汲極電極，其與該半導體材料接觸， <br/>其中該源極電極及該汲極電極兩者定位於該半導體材料上方或下方。
如請求項1之微電子裝置，其中該半導體材料之該厚度係小於50 nm。
如請求項9之微電子裝置，其中該源極電極包含無機材料且該汲極電極包含無機材料。
一種微電子裝置，其包括： <br/>一不導電基板； <br/>一第一閘極電極，其定位於該基板上且包括具有小於0.5 nm之一均方根粗糙度之頂面； <br/>一第一閘極絕緣體，其定位於該第一閘極電極上，具有該第一閘極電極之該頂面之一對應均方根粗糙度並具有在5 nm至25 nm之間之一厚度； <br/>一半導體材料，其定位於該第一閘極絕緣體上且具有一厚度； <br/>一第二閘極絕緣體，其定位於該半導體材料上；及 <br/>一第二閘極電極，其定位於該第二閘極絕緣體上， <br/>其中該第一閘極電極包含一非晶材料或一結晶材料。
如請求項12之微電子裝置，其進一步包括： <br/>一源極電極，其與該半導體材料接觸；及 <br/>一汲極電極，其與該半導體材料接觸， <br/>其中該源極電極及該汲極電極兩者定位於該半導體材料上方或下方。
如請求項13之微電子裝置，其中該第一閘極電極、該第二閘極電極、該源極電極及該汲極電極包含無機材料， <br/>其中該第一閘極絕緣體及該第二閘極絕緣體包含無機材料，且 <br/>其中該半導體材料包含無機材料。
一種多鏈路設備（MLD），包括：<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 至少一個處理器，耦合到該至少一個記憶體，該至少一個處理器和該至少一個記憶體被配置為：<br/> 在不隸屬於該MLD的一第一無線站與隸屬於該MLD的一第二無線站之間建立一通訊鏈路；及<br/> 經由該通訊鏈路與該第一無線站通訊，其中在隸屬於該MLD的一第三無線站正在通訊的同時，該通訊鏈路不可操作用於該MLD。
根據請求項1之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：將與該MLD或隸屬於該MLD的一或多個無線站相關聯的一狀態的一指示傳輸到一存取點（AP）MLD，該MLD已被執行與該AP MLD的關聯。
根據請求項1之MLD，其中在該通訊鏈路正在通訊的同時，該第三無線站不可操作。
根據請求項2之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 回應於該狀態的該指示，從隸屬於一AP MLD的一存取點接收一第一訊框，該第一訊框請求向隸屬於該MLD的該第三無線站發送資料；及<br/> 回應於該第一訊框而採取一或多個動作。
根據請求項4之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 向隸屬於該AP MLD的該存取點傳輸一第二訊框，該第二訊框指示隸屬於一AP MLD的該存取點閒置而能夠向該MLD傳輸資料；及<br/> 基於該第二訊框的該傳輸，經由該第三無線站從隸屬於一AP MLD的該存取點接收資料。
根據請求項4之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 在一如下通道上經由該第三無線站接收該第一訊框，在該通道中，隸屬於該AP MLD的該存取點正在與該第三無線站通訊；及<br/> 在該通道上經由該第三無線站傳輸該第二訊框。
根據請求項4之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：若該第二無線站正在與該第一無線站通訊，則忽略該第一訊框。
根據請求項4之MLD，其中該狀態指示：在從該AP MLD到隸屬於該MLD的該第三無線站的一傳輸之前，啟用該第一訊框的傳輸。
根據請求項4之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為向該存取點或該AP MLD傳輸對該狀態的一更新，該更新指示：在從該AP MLD到隸屬於該MLD的該第三無線站的傳輸之前，禁用該第一訊框的傳輸。
根據請求項2之MLD，其中該指示經由一訊框、一管理訊框或一控制訊框的一媒體存取控制（MAC）標頭的一控制欄位來傳輸。
一種存取點，包括：<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 至少一個處理器，耦合到該至少一個記憶體，該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 從一多鏈路設備（MLD）接收與該MLD或隸屬於該MLD的一或多個無線站相關聯的一狀態的一指示，<br/> 基於該狀態向該MLD傳輸一第一訊框，該第一訊框請求向隸屬於該MLD的該一或多個無線站發送資料，以及<br/> 若該存取點從該MLD接收到授予發送該資料的許可的一第二訊框，則向該一或多個無線站傳輸該資料。
根據請求項11之存取點，其中該MLD已被執行與一存取點（AP）MLD的關聯，該存取點隸屬於該AP MLD，並且該狀態指示：在從該AP MLD到隸屬於該MLD的該一或多個無線站的一傳輸之前，啟用該第一訊框的傳輸。
根據請求項11之存取點，其中該MLD已被執行與一AP MLD的關聯，該存取點隸屬於該AP MLD，並且其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為從該MLD接收對該狀態的一更新，該更新指示：在從該AP MLD到隸屬於該MLD的該一或多個無線站的一傳輸之前，禁用該第一訊框的傳輸。
根據請求項13之存取點，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 在一如下通道上向該一或多個無線站傳輸該第一訊框，在該通道中，隸屬於該AP MLD的該存取點正在與該一或多個無線站通訊；及<br/> 在該通道上從該一或多個無線站接收該第二訊框。
根據請求項11之存取點，其中該指示經由一訊框、一管理訊框或一控制訊框的一媒體存取控制（MAC）標頭的一控制欄位來接收。
一種多鏈路設備（MLD），包括：<br/> 至少一個記憶體；及<br/> 至少一個處理器，耦合到該至少一個記憶體，該至少一個處理器和該至少一個記憶體被配置為：<br/> 向一存取點或一存取點（AP）MLD傳輸與隸屬於該MLD的一第一無線站相關聯的一第一指示，以及<br/> 在該第一指示的傳輸之後，經由一第二無線站與一第三無線站之間的一直接鏈路與該第二無線站通訊，該第三無線站隸屬於該MLD，其中在該第一無線站正在通訊的同時，該直接鏈路不可操作用於該MLD。
根據請求項16之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 向該存取點或該AP MLD傳輸關於以下內容的一第二指示：該第一無線站在結束與該第二無線站的該通訊之後，處於活躍模式。
根據請求項17之MLD，其中該至少一個處理器和該至少一個記憶體亦被配置為：<br/> 在該第二指示的該傳輸之後，經由該第一無線站與該存取點通訊。
根據請求項16之MLD，其中：<br/> 當該第一無線站未在通訊時，經由該第三無線站與該第二無線站的該通訊發生；或者<br/> 當該第三無線站未在通訊時，經由該第一無線站與該存取點的該通訊發生。
根據請求項16之MLD，其中該第一指示包括以下項中的至少一項：<br/> 關於該第一無線站處於省電模式的一指示；<br/> 禁用到該第一無線站的一第一鏈路的一指示；或者<br/> 移除一動態鏈路集中的到該第一無線站的一第二鏈路的一指示。
根據請求項16之MLD，其中該第一指示經由一訊框、一管理訊框或一控制訊框的一媒體存取控制（MAC）標頭的一控制欄位來傳輸。
一種由一多鏈路設備（MLD）進行無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在一第一無線站與隸屬於該MLD的一第二無線站之間建立一直接鏈路；及<br/> 經由該直接鏈路與該第一無線站通訊，其中在隸屬於該MLD的一第三無線站正在通訊的同時，該直接鏈路不可操作用於該MLD。
根據請求項22之方法，亦包括以下步驟：將與該MLD或隸屬於該MLD的一或多個無線站相關聯的一狀態的一指示傳輸到一存取點（AP）MLD，該MLD已被執行與該AP MLD的一關聯。
根據請求項23之方法，其中在該直接鏈路正在通訊的同時，該第三無線站不可操作。
根據請求項23之方法，亦包括以下步驟：<br/> 回應於該狀態的該指示，從隸屬於該AP MLD的一存取點接收一第一訊框，該第一訊框請求向隸屬於該MLD的該第三無線站發送資料；及<br/> 回應於該第一訊框而採取一或多個動作。
根據請求項25之方法，亦包括以下步驟：<br/> 向隸屬於該MLD的該存取點傳輸一第二訊框，該第二訊框指示該存取點閒置而能夠向該MLD傳輸資料；及<br/> 基於該第二訊框的該傳輸，經由該第三無線站從隸屬於該MLD的該存取點接收資料。
根據請求項26之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在一如下通道上經由該第三無線站接收該第一訊框，在該通道中，隸屬於該AP MLD的該存取點正在與該第三無線站通訊；及<br/> 在該通道上經由該第三無線站傳輸該第二訊框。
根據請求項26之方法，亦包括以下步驟：若該第二無線站正在與該第一無線站通訊，則忽略該第一訊框。
根據請求項26之方法，其中該狀態指示：在從該AP MLD到隸屬於該MLD的該第三無線站的一傳輸之前，啟用該第一訊框的傳輸。
根據請求項26之方法，亦包括以下步驟：向該存取點或該AP MLD傳輸對該狀態的一更新，該更新指示：在從該AP MLD到隸屬於該MLD的該第三無線站的一傳輸之前，禁用該第一訊框的傳輸。
一種用於將一可印刷介質沈積在一溝槽中的沈積系統，該溝槽設置於一工件之一表面內，該沈積系統包含：一沈積頭，其包括一沈積面；及一驅動單元，用於提供在該沈積頭與該工件之間的在與該工件之該表面橫交之一方向上的相對移動；<br/> 該沈積頭包含：<br/> 一主體，其包括至少一第一沈積腔室，該第一沈積腔室至少部份地由該主體中之一凹部所界定且延伸至一第一孔，該第一孔係在該沈積面中且在至少二閘門元件間；<br/> 一第一加壓機構，其作用在該第一沈積腔室上且組配成在使用時施加一第一工作壓力在收容於該第一沈積腔室中的該可印刷介質上；及<br/> 至少一第一安裝件，其設置在該主體上；<br/> 該至少二閘門元件包括一第一閘門元件，該第一閘門元件包含一第一刀片，該第一刀片由該第一安裝件朝向該至少二閘門元件之另一閘門元件延伸以關閉該第一刀片與該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的該第一孔而呈一關閉狀態，<br/> 該第一刀片係組配成響應於一施加之第一工作壓力而彎曲以至少部份地開啟該第一孔；且<br/> 其中該驅動單元係配置成在使用時調整該主體與該工件之該表面間的一相對位置，以便維持該工件之該表面與該第一刀片及該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的一齊平接觸同時呈一彎曲狀態；<br/> 其中該至少二閘門元件之另一閘門元件包括一分隔壁，該分隔壁縱向地延伸通過該凹部以界定與該第一沈積腔室橫向地分開之一第二沈積腔室；<br/> 該第二沈積腔室延伸至一第二孔，該第二孔係在該沈積面中且在該至少二閘門元件之另一閘門元件與又一閘門元件間，<br/> 該又一閘門元件包含一第二刀片，該第二刀片由一對應之第二安裝件朝向該至少二閘門元件之另一閘門元件延伸，而該第二安裝件係設置在該主體上且越過該凹部而與該第一安裝件相對，以關閉該第二刀片與該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的該第二孔而呈一關閉狀態，<br/> 該沈積系統更包含一第二加壓機構，該第二加壓機構作用在該第二沈積腔室上，且組配成在使用時施加一第二工作壓力在收容於該第二沈積腔室中之一可印刷介質上，該第二刀片係組配成響應於一施加之第二工作壓力而彎曲以至少部份地開啟該第二孔。
如請求項1之沈積系統，其中該第一安裝件係配置成在使用時依據至少該第一工作壓力來調整該第一刀片相對該主體之一位置及/或方位，以便在使用時至少部份地抵消該第一刀片之終端與該工件之該表面間的一接觸壓力，以便在使用時維持該工件之該表面與該第一刀片及該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的一齊平接觸。
如請求項1之沈積系統，其中該第一安裝件包含一縮回機構，該縮回機構係配置成在使用時使該對應刀片以沿著該刀片之一方向縮回。
如請求項1之沈積系統，更包含一滑動元件，該滑動元件係設置在該至少二閘門元件之另一閘門元件之終端且沿著該沈積面延伸，並且配置成在關閉狀態沿著該滑動元件之相對終端接觸該第一刀片與該第二刀片之終端，該滑動元件提供一長接觸面用以在使用時沿著該工件之表面接觸及滑動。
如請求項1之沈積系統，其中該第一孔與該第二孔係以一距離互相橫向地分開，該距離係在1與10毫米間之一範圍內。
如請求項1之沈積系統，其配置成：藉由施加一正工作壓力至對應沈積腔室中之一對應沈積腔室及施加一負壓力至對應沈積腔室中之另一對應沈積腔室，在使用時由該第一沈積腔室與該第二沈積腔室中之一沈積腔室沈積一清潔劑，且透過該第一沈積腔室與第二沈積腔室中之另一沈積腔室至少部份地回收該清潔劑。
如請求項1之沈積系統，其中該至少二閘門元件之另一閘門元件包含另一刀片，該另一刀片由一對應安裝件朝向該第一刀片之終端延伸，該對應安裝件係設置在該主體上越過該凹部而與該第一安裝件相對。
一種沈積系統總成，其包含如請求項1之一第一沈積系統及如請求項6之一第二沈積系統，且配置成連續地沈積：一清潔劑，用以清潔設置在一工件之一表面內的數個溝槽；及一高固體含量可印刷介質，用以填充經清潔的該等溝槽。
一種用於沈積一可印刷介質在一溝槽中的方法，該溝槽設置於一工件之一表面內，而該方法係藉由如請求項1至7中任一項之一沈積系統進行，該方法包含以下步驟：<br/> 施加一第一工作壓力在收容於該第一沈積腔室中之一可印刷介質上，以彎曲該第一刀片俾以至少部份地開啟該第一孔，同時提供在該主體與該工件之間的在與該工件之該表面橫交的一方向上的一相對移動，以便維持該工件之該表面與該第一刀片及該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的一齊平接觸；及<br/> 提供在該沈積頭與該工件之間的在沿著該工件之該表面的一橫向方向上的一相對移動，以引導該沈積頭越過該等溝槽。
如請求項9之方法，且該方法更包含以下步驟：<br/> 施加一第二工作壓力在收容於該第二沈積腔室中之一可印刷介質上，以彎曲該第二刀片俾以在施加該第二工作壓力時至少部份地開啟該第二孔，<br/> 其中當該沈積頭被引導越過該等溝槽時，若以沿著一橫向移動之方向觀看，該第一孔在前且該第二孔在後，則該第一工作壓力比該第二工作壓力高，或其中若該第二孔在前且該第一孔在後，則該第二工作壓力比該第一工作壓力高。
如請求項10之方法，其中該沈積系統係如請求項3，且該方法包含以下步驟：<br/> 使該第一刀片以沿著該刀片之一方向縮回，以至少部份地抵消該第一刀片之終端與該工件之該表面間的一接觸壓力。
如請求項11之方法，其中該沈積系統係如請求項6者，且其中該可印刷介質係一清潔劑，且該方法更包含以下步驟：當施加該第一工作壓力時，施加一負壓力之一第二工作壓力至該第二沈積腔室以回收該清潔劑之至少一部份。
如請求項9之方法，更包含以下步驟：在中斷該齊平接觸前，關閉至少部份地開啟之該第一孔及/或該第二孔。
一種如請求項6之沈積系統之用來將可溶或吸收物質由一工件移除的用途，該用途包含：<br/> 藉由施加一適當第一工作壓力，由該第一沈積腔室沈積適用於該物質之一清潔劑的一可印刷介質在該工件上；及藉由施加一適當第二工作壓力，透過該第二沈積腔室回收經沈積之該可印刷介質之至少一部份。
一種用於將一可印刷介質沈積在一溝槽中的沈積系統，該溝槽設置於一工件之一表面內，該沈積系統包含：一沈積頭，其包括一沈積面；及一驅動單元，用於提供在該沈積頭與該工件之間的在與該工件之該表面橫交之一方向上的相對移動；<br/> 該沈積頭包含：<br/> 一主體，其包括至少一第一沈積腔室，該第一沈積腔室至少部份地由該主體中之一凹部所界定且延伸至一第一孔，該第一孔係在該沈積面中且在至少二閘門元件間；<br/> 一第一加壓機構，其作用在該第一沈積腔室上且組配成在使用時施加一第一工作壓力在收容於該第一沈積腔室中的該可印刷介質上；及<br/> 至少一第一安裝件，其設置在該主體上；<br/> 該至少二閘門元件包括一第一閘門元件，該第一閘門元件包含一第一刀片，該第一刀片由該第一安裝件朝向該至少二閘門元件之另一閘門元件延伸以關閉該第一刀片與該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的該第一孔而呈一關閉狀態，<br/> 該第一刀片係組配成響應於一施加之第一工作壓力而彎曲以至少部份地開啟該第一孔；且<br/> 其中該驅動單元係配置成在使用時調整該主體與該工件之該表面間的一相對位置，以便維持該工件之該表面與該第一刀片及該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的一齊平接觸同時呈一彎曲狀態；<br/> 其中該第一安裝件係配置成在使用時依據至少該第一工作壓力來調整該第一刀片相對該主體之一位置及/或方位，以便在使用時至少部份地抵消該第一刀片之終端與該工件之該表面間的一接觸壓力，以便在使用時維持該工件之該表面與該第一刀片及該至少二閘門元件之另一閘門元件的終端間的一齊平接觸。
一種記憶體設備，包括： <br/>記憶體位元單元的第一核心； <br/>記憶體位元單元的第二核心； <br/>預解碼電路裝置，由所述第一核心和所述第二核心共用；以及 <br/>列解碼器，耦接到所述預解碼電路裝置、所述第一核心和所述第二核心，所述列解碼器包括第一置位-復位（SR）鎖存器和第二SR鎖存器，所述第一SR鎖存器經由第一反向器耦接到所述第一核心的第一字線，所述第二SR鎖存器經由第二反向器耦接到所述第二核心的第二字線； <br/>其中所述第一SR鎖存器包括： <br/> 第一電晶體，所述第一電晶體閘極耦接到所述第一字線且設置於VDD與所述第一反向器的輸入之間，以及 <br/> 第二電晶體，所述第二電晶體閘極耦接到所述第一字線且設置於接地與所述第一反向器的所述輸入之間。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中： <br/>所述第二電晶體漏極耦接到所述第一反向器的所述輸入。
根據請求項2所述的記憶體設備，其中： <br/><br/>所述第二SR鎖存器的第三電晶體閘極耦接到所述第二字線且漏極耦接到所述第二反向器的輸入。
根據請求項1所述的記憶體件，其中所述第二電晶體包括負通道金屬氧化物半導體（NMOS）器件。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括： <br/>第一上拉電晶體，所述第一上拉電晶體通過所述第一反相器耦接到所述第一字線，其中所述第一上拉電晶體閘極耦接到第一復位訊號。
根據請求項5所述的記憶體設備，其中所述第一上拉電晶體包括正通道金屬氧化物半導體（PMOS）器件。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括： <br/>第一下拉電晶體，所述第一下拉電晶體閘極耦接到第一置位訊號。
根據請求項7所述的記憶體設備，其中所述第一下拉電晶體包括負通道金屬氧化物半導體（NMOS）器件。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一電晶體包括正通道金屬氧化物半導體（PMOS）器件。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括： <br/>第一正通道金屬氧化物半導體（PMOS）電晶體，所述第一POMS電晶體閘極耦接到反或閘的輸出，並且通過所述第一反相器進一步耦接到所述第一字線。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括： <br/>第一負通道金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體，所述第一NMOS電晶體閘極耦接到反或閘的輸出，並且通過所述第一反相器進一步耦接到所述第一字線且進一步被漏極耦接到所述第二電晶體。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括： <br/>第一正通道金屬氧化物半導體（PMOS）電晶體，所述第一POMS電晶體閘極耦接到第一置位訊號，並且通過所述第一反相器進一步耦接到所述第一字線且源極耦接到所述第一電晶體。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括： <br/>第一負通道金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體，所述第一NMOS電晶體閘極耦接到第一復位訊號，並且進一步耦接到接地且漏極耦接到所述第二電晶體。
根據請求項1所述的記憶體設備，其中所述第一SR鎖存器包括第一多個交叉耦接的反或閘。
一種在分時記憶體架構中執行的方法，所述方法包括： <br/>驅動記憶體位元單元的第一核心中的第一字線，包括：通過使用第一置位訊號來置位第一置位-復位（SR）鎖存器； <br/>將所述第一字線的電壓保持在導通狀態，包括：將所述第一字線的電壓施加到所述第一SR鎖存器中的第一電晶體的閘極，其中所述第一電晶體漏極耦接到第一反向器的輸入，並且其中所述第一SR鎖存器通過所述第一反向器耦接到所述第一字線； <br/>驅動記憶體位元單元的第二核心中的第二字線，包括：通過使用第二置位訊號來置位第二SR鎖存器； <br/>將所述第二字線的電壓保持在所述導通狀態，包括：將所述第二字線的電壓施加到所述第二SR鎖存器中的第二電晶體的閘極，其中所述第二電晶體漏極耦接到第二反向器的輸入，並且其中所述第二SR鎖存器通過所述第二反向器耦接到所述第二字線；以及 <br/>在驅動所述第一字線之後，通過改變所述第一SR鎖存器的第一復位訊號來關斷所述第一字線。
根據請求項15所述的方法，還包括： <br/>在驅動所述第二字線之後，通過改變所述第二SR鎖存器的第二復位訊號來關斷所述第二字線。
根據請求項15所述的方法，還包括： <br/>在所述第一字線達到所述導通狀態之後，移除所述第一置位訊號。
根據請求項15所述的方法，還包括： <br/>在所述第二字線達到所述導通狀態之後，移除所述第二置位訊號。
根據請求項15所述的方法，其中所述第一復位訊號包括有效低訊號。
一種單晶片系統（SOC），包括： <br/>分時記憶體設備，具有記憶體位元單元的第一核心和記憶體位元單元的第二核心； <br/>用於將位址位元轉換為預解碼訊號的構件；以及 <br/>用於接收所述預解碼訊號、並且根據所述預解碼訊號來訪問所述分時記憶體設備中的資料的構件，所述接收構件包括列解碼器的陣列，所述陣列中的每個列解碼器具有第一置位-復位（SR）鎖存器和第二SR鎖存器，所述第一SR鎖存器耦接到所述第一核心，所述第二SR鎖存器耦接到所述第二核心， <br/>其中所述陣列中的第一列解碼器包含：耦接到字線的反向器，並且其中相應第一SR鎖存器包括： <br/> 第一電晶體，所述第一電晶體閘極耦接到所述字線且設置於VDD與所述反向器的輸入之間，以及 <br/> 第二電晶體，所述第二電晶體閘極耦接到所述字線且設置於接地與所述反向器的所述輸入之間。
根據請求項20所述的SOC，其中所述接收構件包括多個反或閘，所述多個反或閘中的每個反或閘被佈置在相應的SR鎖存器輸入處，並且耦接到所述轉換構件。
根據請求項20所述的SOC，其中所述陣列中的所述第一列解碼器包括：第一上拉電晶體，所述第一上拉電晶體耦接到所述反相器的所述輸入和電力軌以及所述第二電晶體。
根據請求項20所述的SOC，其中所述陣列中的所述第一列解碼器包括交叉耦接的反或閘的佈置。
一種單晶片系統（SOC），包括： <br/>記憶體位元單元的第一核心； <br/>記憶體位元單元的第二核心；以及 <br/>多個列解碼器，由所述第一核心和所述第二核心共用，其中所述多個列解碼器中的第一列解碼器包括第一置位-復位（SR）鎖存器和第二SR鎖存器，所述第一SR鎖存器經由第一反向器耦接到所述第一核心的第一字線，所述第二SR鎖存器經由第二反向器耦接到所述第二核心的第二字線， <br/>其中所述第一SR鎖存器包括： <br/> 第一電晶體，所述第一電晶體閘極耦接到所述第一字線且設置於電力軌與所述第一反向器的輸入之間，以及 <br/> 第二電晶體，所述第二電晶體閘極耦接到所述第一字線且設置於接地與所述第一反向器的所述輸入之間。
根據請求項24所述的SOC，其中所述第一列解碼器包括：第一上拉電晶體，所述第一上拉電晶體耦接到所述第一反相器的輸入和所述電力軌，且其中所述多個列解碼器的第二列解碼器包括：第二上拉電晶體，所述第二上拉電晶體耦接到所述第二反相器的輸入和所述電力軌，以及第三電晶體，所述第三電晶體閘極耦接到所述第二字線且設置於所述電力軌與所述第二反向器的輸入之間。
根據請求項25所述的SOC，其中所述第二電晶體包括負通道金屬氧化物半導體（NMOS）器件，所述NMOS器件將所述第一反相器的輸入耦接到接地。
根據請求項25所述的SOC，其中所述第一上拉電晶體閘極耦接到第一復位訊號。
根據請求項27所述的SOC，其中所述第一上拉電晶體包括正通道金屬氧化物半導體（PMOS）器件。
一種用以接合至少一件物品的物品攜具，該攜具包括：<br/> 一片設有至少一個物品接合部件的頂板片；<br/> 一對鉸接到該頂板片的側板片；以及<br/> 一對端板片，該對端板片各自橋接於該等側板片之間，其中該等端板片中的至少一片是沿著一易斷線以至少部分可分離的方式連接到該頂板片。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該易斷線是沿著該頂板片的一端緣延伸到底，以致該至少一片端板片與該頂板片可完全地分離。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該易斷線是沿著該頂板片的一端緣延伸一部分，以致該至少一片端板片與該頂板片可部分地分離。
如申請專利範圍第3項所述之物品攜具，其中該易斷線未觸及該至少一片端板片的對向兩端。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該易斷線包括至少一個線段，該線段則包含穿過該頂板片的該端緣之一中點的一裂縫。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該等側板片各自在其端部的一處是被固定到該至少一片端板片。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該等側板片各自在其端部的一處是利用一鎖固件而被連接到該至少一片端板片。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該頂板片包括至少二個斜角角隅，且該頂板片的該端緣是延伸於該等斜角角隅之間。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該易斷線形成該等端板片中的該至少一片與該頂板片之間的一鉸接部，該鉸接部可斷開而使一攜運把手易於展開，該攜運把手則有一部分是由該等端板片中的該至少一片形成。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該易斷線形成該等端板片中的該至少一片與該頂板片之間的一鉸接部，該鉸接部在將一攜運把手展開時即被斷開，該攜運把手則有一部分是由該等端板片中的該至少一片形成。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該易斷線形成該等端板片中的該至少一片與該頂板片之間的一鉸接部，該鉸接部在將一攜運把手展開後可斷開，該攜運把手則有一部分是由該等端板片中的該至少一片形成。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該物品攜具進一步包括一用以圍住該至少一件物品的綑綁結構，該綑綁結構則包括一第一區段及一第二區段，該第一區段包含：<br/> 一片連接到該頂板片的第一側板片；以及<br/> 一個鉸接到該第一側板片的橋接部，<br/> 其中該第二區段包含：<br/> 一片連接到該頂板片且至少可部分地斷開的外端板片；<br/> 一片鉸接到該外端板片並設成在與該外端板片一疊合位置的內端板片；以及<br/> 一個與該第一區段的該橋接部接合的橋式接合部件，其中該橋式接合部件至少是由該等內及外端板片提供，以致在該等內及外端板片之間的該橋接部至少有一部分是與該等內及外端板片設成貼面配置。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其中該物品攜具進一步包括一用以圍住該至少一件物品的綑綁結構，該綑綁結構則包括一第一區段及一第二區段，該第一區段包含：<br/> 一片連接到該頂板片的第一側板片；以及<br/> 一個鉸接到該第一側板片的橋接部，<br/> 其中該第二區段含有：<br/> 一片連接到該頂板片且至少可部分斷開的端板片；<br/> 其中該第一區段的該橋接部是被固定到該端板片並與其設成貼面配置。
如申請專利範圍第1項所述之物品攜具，其進一步包括一用以圍住該至少一件物品的綑綁結構，該綑綁結構則包括一第一區段及一第二區段，該第一區段包含：<br/> 一片連接到該頂板片且至少可部分地斷開的第一端板片；以及<br/> 一個鉸接到該第一端板片的橋接部，<br/> 其中該第二區段含有：<br/> 一片鉸接到該頂板片的側板片；<br/> 其中該第一區段的該橋接部是被固定到該側板片並與其設成貼面配置。
一種包括一頂部接合式攜具及至少一件物品的包裝，該攜具包括：<br/> 一片具有至少一物品接合部件據以固持一件對應物品的頂板片；<br/> 一對鉸接到該頂板片的側板片；以及<br/> 一對端板片，該對端板片各自橋接於該等側板片之間，其中該等端板片中的至少一片是沿著一易斷線以至少部分可分離的方式連接到該頂板片，以及其中該等端板片中的該至少一片構成一攜運把手的一部分，且該易斷線包括至少一個易裂連接元件，而在啟用該攜運把手前，該至少一個易裂連接元件係保持完好。
一種用以形成一頂部接合式攜具的胚片，該胚片包括：<br/> 一片具有至少一個物品接合部件的頂板片；<br/> 一對鉸接到該頂板片的側板片；以及<br/> 一對端板片，該對端板片各自橋接於該等側板片之間，其中該等端板片中的至少一片是沿著一易斷線以至少部分可分離的方式連接到該頂板片，以致在形成一頂部接合式攜具時，該易斷線能保持不斷裂。
一種顯示驅動設備，該顯示驅動設備被配置為向一顯示面板提供一信號，該顯示面板在一主動期間和一空白期間被驅動，在該主動期間中輸入對應一影像資料之一源極訊號，在該空白期間中不輸入該源極訊號，該顯示驅動設備包括：<br/> 一輸出緩衝器單元，該輸出緩衝器單元被配置為在該主動期間內輸出該源極訊號到該顯示面板，並且在該空白期間內輸出一邊沿信號到該顯示面板；以及<br/> 一低壓差單元，該低壓差單元被配置為供應該邊沿信號到該輸出緩衝器單元，<br/> 其中，該輸出緩衝器單元包括一緩衝器、一第一開關以及一第二開關，該緩衝器被配置為輸出該源極訊號或該邊沿信號到該顯示面板，該第一開關被配置為切換於該低壓差單元與該緩衝器的一輸入線之間的一連接，該第二開關被配置為切換於該低壓差單元與該緩衝器的一輸出線之間的連接，以及<br/> 該緩衝器根據該第一開關和該第二開關中的每一個的一切換狀態來開啟或關閉，<br/> 當該第一開關和該第二開關之其中一個導通時，該輸出緩衝器單元輸出該邊沿信號，以及<br/> 當該第一開關和該第二開關皆關斷時，該輸出緩衝器單元輸出該源極訊號。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中，<br/> 當該第一開關導通並且該第二開關關斷時，該緩衝器開啟，以及<br/> 當該第一開關關斷並且該第二開關導通時，該緩衝器關閉。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中，<br/> 當該第一開關導通並且該第二開關關斷時，該輸出緩衝器單元從該低壓差單元接收該邊沿信號，並緩衝和輸出所接收的該邊沿信號，以及<br/> 當該第一開關關斷並且該第二開關導通時，該輸出緩衝器單元輸出從該低壓差單元接收的該邊沿信號。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中，當該第一開關關斷並且該第二開關關斷時，該緩衝器開啟以接收來自該緩衝器的該輸入線連接的一數位類比轉換器的該源極訊號，並且緩衝和輸出所接收的該源極訊號。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中，該邊沿信號在該源極訊號的一範圍中具有一中間值。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中，<br/> 當該第一開關導通並且該第二開關關斷時，該輸出緩衝器單元在該緩衝器開啟的一第一邊沿模式中操作並輸出該邊沿信號，<br/> 當該第一開關關斷並且該第二開關導通時，該輸出緩衝器單元在該緩衝器關閉的一第二邊沿模式中操作並輸出該邊沿信號，以及<br/> 該邊沿信號在該輸出緩衝器單元的該第一邊沿模式和該第二邊沿模式中具有相同值，並且在該輸出緩衝器單元的彼此不同的該第一邊沿模式中具有不同值並且在該輸出緩衝器單元的彼此不同的該第二邊沿模式中具有不同值。
如請求項6所述的顯示驅動設備，其中，<br/> 該空白期間包括一第一邊沿期間、一第二邊沿期間和一跳幀期間，以及<br/> 該輸出緩衝器單元在該第一邊沿期間內以該第一邊沿模式驅動並且在該跳幀期間和該第二邊沿期間內以該第二邊沿模式驅動。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中該第一開關根據使該源極訊號能夠輸入到該顯示面板的一資料啟動信號週期性地導通。
如請求項1所述的顯示驅動設備，其中該第二開關在該第一開關關斷的一時間點導通，並且在使該源極訊號能夠輸入到該顯示面板的一資料啟動信號開始的一時間點關斷。
一種向顯示面板提供信號的顯示驅動方法，該顯示面板在一主動期間和一空白期間被驅動，在該主動期間中輸入對應一影像資料之一源極訊號，在該空白期間中不輸入該源極訊號，該顯示驅動方法包括：<br/> 在一操作中，一輸出緩衝器單元以一第一邊沿模式操作使得一緩衝器開啟，並且該輸出緩衝器單元向該顯示面板輸出一邊沿信號；以及<br/> 在另一個該操作中，該輸出緩衝器單元以一第二邊沿模式操作使得該輸出緩衝器單元的該緩衝器關閉，並且該輸出緩衝器單元向該顯示面板輸出所該邊沿信號；以及<br/> 在又另一個該操作中，該輸出緩衝器單元以一主動模式操作使得該輸出緩衝器單元的該緩衝器開啟，並且該輸出緩衝器單元向該顯示面板輸出具有像素資訊的源極訊號。
根據請求項10所述的顯示驅動方法，其中，<br/> 在該輸出緩衝器單元以該第一邊沿模式操作的該操作中，該輸出緩衝器單元的一第一開關導通並且該輸出緩衝器單元的一第二開關關斷，<br/> 在該輸出緩衝器單元以該第二邊沿模式操作的另一個該操作，該第一開關關斷並且該第二開關導通，並且<br/> 在該輸出緩衝器單元以該主動模式操作的又另一個該操作中，該第一開關關斷並且該第二開關關斷。
如請求項11所述的顯示驅動方法，其中，<br/> 該第二開關根據該第一開關的一切換狀態來導通，並且<br/> 該第二開關根據使該源極訊號能夠輸入到該顯示面板的一資料啟動信號來週期性地關斷。
如請求項10所述的顯示驅動方法，其中，該輸出緩衝器單元的一第一開關根據使該源極訊號能夠輸入到該顯示面板的一資料啟動信號來週期性地導通。
如請求項10所述的顯示驅動方法，其中該邊沿信號在該源極訊號的一電壓範圍內具有一中間值。
如請求項10所述的顯示驅動方法，其中該邊沿信號在該輸出緩衝器單元的該第一邊沿模式和該第二邊沿模式中具有相同值，並且在該輸出緩衝器單元的彼此不同的該第一邊沿模式中具有不同值，並且在該輸出緩衝器單元的彼此不同的該第二邊沿模式中具有不同值。
如請求項10所述的顯示驅動方法，其中，<br/> 在該輸出緩衝器單元以該第一邊沿模式操作的該操作的一第一邊沿期間中，該顯示面板被驅動，以及<br/> 在該輸出緩衝器單元以該第二邊沿模式操作的該操作的一第二邊沿期間和一跳幀期間中，該顯示面板被驅動。
一種異常檢測裝置，是檢測傳達電動機輸出之旋轉力的動力傳達機構之異常，前述異常檢測裝置具備：<br/> 第1旋轉位置檢測器，用於檢測前述動力傳達機構的輸入軸的旋轉角；<br/> 第2旋轉位置檢測器，用於檢測前述動力傳達機構的輸出軸的旋轉角；<br/> 動作控制部，控制前述電動機的動作；及<br/> 檢測部，依據前述第1旋轉位置檢測器的輸出及前述第2旋轉位置檢測器的輸出，來檢測前述動力傳達機構的異常，<br/> 前述動作控制部是將前述電動機控制成：使從前述第2旋轉位置檢測器的輸出所取得的位置，對應於已規定在動作程式的位置，<br/> 前述檢測部包含：<br/> 變數設定部，依據前述第1旋轉位置檢測器的輸出、前述第2旋轉位置檢測器的輸出、及前述動力傳達機構的減速比，來設定包含角度差的變數，前述角度差是從前述第1旋轉位置檢測器的輸出所取得的旋轉角與從前述第2旋轉位置檢測器的輸出所取得的旋轉角之差；及<br/> 判定部，依據前述變數來判定前述動力傳達機構是否為異常。
如請求項1之異常檢測裝置，其中前述變數設定部是將前述角度差設定為前述變數。
如請求項1之異常檢測裝置，其中前述變數設定部是將現在的前述動力傳達機構的前述角度差與前述動力傳達機構為正常時之事先規定的前述角度差之差或比算出作為前述變數。
如請求項1之異常檢測裝置，其中前述變數設定部是將現在的前述動力傳達機構的前述角度差與前述動力傳達機構為正常時之事先規定的前述角度差之差，除以前述動力傳達機構為正常時之事先規定的前述角度差後的值，算出作為前述變數。
如請求項2之異常檢測裝置，其中前述檢測部包含扭轉角算出部，前述扭轉角算出部依據施加於前述動力傳達機構的轉矩來算出輸入軸與輸出軸之間的扭轉角度，<br/> 前述變數設定部是將從前述角度差減去扭轉角度後的值算出作為前述變數。
一種異常檢測裝置，是檢測傳達電動機輸出之旋轉力的動力傳達機構之異常，前述異常檢測裝置具備：<br/> 第1旋轉位置檢測器，用於檢測前述動力傳達機構的輸入軸的旋轉角；<br/> 第2旋轉位置檢測器，用於檢測前述動力傳達機構的輸出軸的旋轉角；<br/> 動作控制部，控制前述電動機的動作；及<br/> 檢測部，依據前述第1旋轉位置檢測器的輸出，來檢測前述動力傳達機構的異常，<br/> 前述動作控制部是將前述電動機控制成：使從前述第2旋轉位置檢測器的輸出所取得的位置，對應於已規定在動作程式的位置，<br/> 前述檢測部包含：<br/> 變數設定部，設定變數，前述變數不包含從前述第2旋轉位置檢測器的輸出所取得的旋轉角，而包含從前述第1旋轉位置檢測器的輸出所取得的旋轉角；及<br/> 判定部，依據前述變數來判定前述動力傳達機構是否為異常。
如請求項6之異常檢測裝置，其中前述變數設定部是將從前述第1旋轉位置檢測器的輸出所取得的旋轉角除以減速比後的旋轉角算出作為前述變數。
如請求項6之異常檢測裝置，其中前述變數設定部是將從前述第1旋轉位置檢測器輸出的旋轉角設定為前述變數。
如請求項6之異常檢測裝置，其中前述變數設定部是將從現在的前述第1旋轉位置檢測器的輸出所取得的旋轉角與前述動力傳達機構為正常時之從前述第1旋轉位置檢測器的輸出所取得之事先規定的旋轉角之差，算出作為前述變數。
如請求項1至9中任一項之異常檢測裝置，其中前述判定部是在前述變數脫離事先規定的判定範圍時，判定為前述動力傳達機構為異常。
如請求項1至9中任一項之異常檢測裝置，其中前述判定部是在相對於作業的執行次數或驅動時間之前述變數的變化率已脫離事先規定的判定範圍時，判定為前述動力傳達機構為異常。
如請求項1至9中任一項之異常檢測裝置，其中前述檢測部包含推定部，前述推定部推定在將來發生異常的作業的執行次數或驅動時間，<br/> 前述推定部是依據相對於過去的作業的執行次數或驅動時間之前述變數的值，來算出顯示前述變數的變化傾向之近似線，並且將近似線脫離事先規定的判定範圍時的作業的執行次數或驅動時間，推定為在將來發生異常的作業的執行次數或驅動時間。
一種學習模型生成方法，其係取得膀胱中之杭納氏（Hunner）病變之內視鏡影像資料作為指導資料， <br/>進而包含正常膀胱之內視鏡影像資料及雖不存在杭納氏病變但並非正常膀胱之內視鏡影像資料作為指導資料， <br/>使用上述指導資料， <br/>生成學習模型，該學習模型將膀胱內視鏡影像作為輸入並將該膀胱內視鏡影像中之杭納氏病變之位置指出作為輸出。
如請求項1之學習模型生成方法，其進而包含膀胱內存在之空氣之內視鏡影像資料作為指導資料。
如請求項1或2之學習模型生成方法，其中，上述指導資料中之上述內視鏡影像資料包含窄頻帶光觀察影像與白色光觀察影像兩者。
如請求項3之學習模型生成方法，其進而包含所輸入之膀胱內視鏡之膀胱是否為正常膀胱之判定作為輸出。
一種用於指出杭納氏病變之程式，其係使電腦執行如下處理： 取得膀胱中之杭納氏病變之內視鏡影像資料， <br/>向學習模型中輸入目標膀胱內視鏡影像，而輸出杭納氏病變之位置指出，該學習模型將膀胱內視鏡影像作為輸入並將內視鏡影像中之杭納氏病變之位置指出資料作為輸出， <br/>上述學習模型進而包含正常膀胱之內視鏡影像資料及雖非正常膀胱但不存在杭納氏病變之內視鏡影像資料作為指導資料。
如請求項5之程式，其中，上述指導資料中之上述內視鏡影像資料包含窄頻帶光觀察影像與白色光觀察影像兩者。
如請求項5或6之程式，其進而包含膀胱內存在之空氣之內視鏡影像資料作為指導資料。
如請求項6之程式，其進而包含對是否為正常膀胱進行判斷並輸出之處理。
一種已學習之模型，其係使用了利用膀胱內視鏡系統所取得之膀胱內視鏡影像者，其具備： <br/>輸入層，其被輸入膀胱內視鏡影像； <br/>輸出層，其將內視鏡影像中之杭納氏病變之位置指出資料作為輸出；及 <br/>中間層，其使用指導資料學習了參數，該指導資料將膀胱中之杭納氏病變之內視鏡影像資料作為輸入，將膀胱影像中之杭納氏病變之位置指出資料作為輸出；且 <br/>進而包含正常膀胱之內視鏡影像資料及雖不存在杭納氏病變但並非正常膀胱之內視鏡影像資料作為指導資料， <br/>該模型用於使電腦以如下方式發揮功能：將目標膀胱內視鏡影像輸入至上述輸入層，於上述中間層進行運算，並輸出影像中之杭納氏病變之位置指出資料。
如請求項9之已學習之模型，其進而包含膀胱內存在之空氣之內視鏡影像資料作為指導資料。
如請求項9或10之已學習之模型，其中，上述指導資料中之上述內視鏡影像資料包含窄頻帶光觀察影像與白色光觀察影像兩者。
如請求項9或10之已學習之模型，其進而包含正常膀胱或異常膀胱之判定作為輸出。
一種膀胱內視鏡之控制裝置，其記錄有請求項5至8中任一項之程式。
一種膀胱內視鏡之控制裝置，其記錄有請求項9至12中任一項之已學習之模型。
一種電漿處理裝置，係在生成電漿之處理容器的處理室中，處理基板，該電漿處理裝置，其特徵係，具有： <br/> 電漿產生用高頻電源； <br/> 載置台，載置前述基板，並被電性連接於偏壓用高頻電源； <br/> 金屬製之保護構件，被覆接地的前述處理容器中之排氣用貫通孔的內壁面即露出面之至少一部分，並具備有接地電位，該排氣用貫通孔，係被設置於構成前述處理容器的底板； <br/> 第一接地電位構件，經由金屬製之第一緊固構件緊固前述保護構件的一端，並相接於前述處理容器的一部分且具備有接地電位；及 <br/> 第二接地電位構件，經由金屬製之第二緊固構件緊固前述保護構件的另一端，並相接於前述處理容器的另一部分且具備有接地電位， <br/> 在藉由前述偏壓用高頻電源對前述載置台施加了偏壓用高頻電壓時，前述保護構件與前述第一接地電位構件與前述第二接地電位構件，係形成相對於前述載置台之對向電極的一部分， <br/> 前述保護構件之另一端，係藉由前述第二緊固構件，經由具備了橫孔與縱孔的金屬製之連結構件被緊固於前述第二接地電位構件，前述連結構件，係藉由第三緊固構件被緊固於前述保護構件，並藉由前述第二緊固構件被緊固於前述第二接地電位構件。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述第一緊固構件與前述第二緊固構件之數量為相同數量。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述第一緊固構件與前述第二緊固構件皆為緊固螺絲。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， 前述保護構件，係被覆前述排氣用貫通孔的前述內壁面之筒狀的第一內壁被覆板。
如請求項4之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述第一接地電位構件，係被覆前述底板之上面的底板被覆板， <br/> 前述第二接地電位構件，係至少包含有：金屬製之排氣管，被設置於前述排氣用貫通孔的下方。
如請求項5之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述第二接地電位構件，係更包含有：金屬製之排氣網，被覆前述排氣管的上端開口。
如請求項6之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述第二接地電位構件，係更包含有：筒狀之第二內壁被覆板，被覆前述排氣管的內壁面。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述排氣網，係具有框部，前述框部，係具備有框部貫通孔， <br/> 在前述排氣網之上面，係載置有前述連結構件， <br/> 在前述第二內壁被覆板之一部分，係設置有被覆板貫通孔， <br/> 藉由被插通於前述橫孔之第三緊固構件，緊固前述連結構件與前述第一內壁被覆板， <br/> 前述第二緊固構件被插通於前述縱孔與前述框部貫通孔與前述被覆板貫通孔，且前述第二緊固構件的前端被固定於前述排氣管，藉此，前述連結構件與前述排氣網與前述第二內壁被覆板被緊固於前述排氣管， <br/> 前述第三緊固構件和前述第一緊固構件與前述第二緊固構件之數量為相同數量。
如請求項8之電漿處理裝置，其中， <br/> 前述第三緊固構件為緊固螺絲。
一種電漿處理裝置之製造方法，係在生成電漿之處理容器的處理室中，處理基板，該電漿處理裝置之製造方法，其特徵係，具有： <br/> 「使前述處理容器接地，對前述處理容器安裝電漿產生用高頻電源與載置前述基板的載置台，並藉由具備有接地電位的金屬製之保護構件，被覆前述處理容器中之排氣用貫通孔的內壁面即露出面之至少一部分，該排氣用貫通孔，係被設置於構成前述處理容器的底板」的工程；及 <br/> 對偏壓用高頻電源電性連接前述載置台的工程， <br/> 在藉由前述保護構件進行被覆之工程中，係將前述保護構件的一端經由金屬製之第一緊固構件緊固於第一接地電位構件，並將前述保護構件的另一端經由金屬製之第二緊固構件緊固於第二接地電位構件，該第一接地電位構件，係相接於前述處理容器的一部分且具備有接地電位，該第二接地電位構件，係相接於前述處理容器的另一部分且具備有接地電位， <br/> 在藉由前述偏壓用高頻電源對前述載置台施加了偏壓用高頻電壓時，前述保護構件與前述第一接地電位構件與前述第二接地電位構件，係形成相對於前述載置台之對向電極的一部分。
如請求項10之電漿處理裝置之製造方法，其中， <br/> 前述第一緊固構件與前述第二緊固構件之數量為相同數量。
如請求項10或11之電漿處理裝置之製造方法，其中， <br/> 前述第一緊固構件與前述第二緊固構件皆為緊固螺絲。
一種電漿處理方法，係在生成電漿之處理容器的處理室中，處理基板， <br/> 使前述處理容器接地， <br/> 前述處理容器，係具有： <br/> 載置台，載置前述基板，並被電性連接於偏壓用高頻電源； <br/> 金屬製之保護構件，被覆排氣用貫通孔的內壁面即露出面之至少一部分，並具備有接地電位，該排氣用貫通孔，係被設置於構成前述處理容器的底板； <br/> 第一接地電位構件，經由金屬製之第一緊固構件緊固前述保護構件的一端，並相接於前述處理容器的一部分且具備有接地電位；及 <br/> 第二接地電位構件，經由金屬製之第二緊固構件緊固前述保護構件的另一端，並相接於前述處理容器的另一部分且具備有接地電位， <br/> 在藉由前述偏壓用高頻電源對前述載置台施加了偏壓用高頻電壓時，前述保護構件與前述第一接地電位構件與前述第二接地電位構件，係形成相對於前述載置台之對向電極的一部分， <br/> 前述保護構件之另一端，係藉由前述第二緊固構件，經由具備了橫孔與縱孔的金屬製之連結構件被緊固於前述第二接地電位構件，前述連結構件，係藉由第三緊固構件被緊固於前述保護構件，並藉由前述第二緊固構件被緊固於前述第二接地電位構件， <br/> 該電漿處理方法，其特徵係，具有： <br/> 「將前述基板載置於前述載置台，並在前述處理室生成前述電漿」的工程； <br/> 「對前述載置台施加偏壓用高頻電壓，並將前述保護構件設成為相對於前述載置台之對向電極的一部分」的工程；及 <br/> 「對前述基板進行電漿處理」的工程。
一種針對在一製作程序中有用的一計量工具產生一角度校準因子(ACF)之方法，該方法包括： <br/>提供該計量工具，該計量工具包括： <br/>一載台；及<br/>一殼體；<br/>量測該載台相對於該殼體之一旋轉定向；以及 <br/>至少部分地基於該旋轉定向針對該載台產生該ACF； <br/>將一樣本定位在該計量工具內； <br/>用該計量工具量測該樣本，藉此產生至少一個輸出信號，該樣本安裝在該載台上且該載台在該量測期間具有該旋轉定向，其中該量測包含在一計量頭處接收來自該樣本之光，其中量測該樣本進一步包括量測形成於該樣本上之至少一個非旋轉對稱之未對齊目標； <br/>至少部分地基於該ACF及該輸出信號而產生該樣本之至少一個品質參數值，其中該品質參數值是形成於該樣本上之至少兩個層之間的一未對齊、形成於該樣本上之一或多個特徵之一尺寸、或形成於該樣本上之多個特徵之間的一或多個空間之一尺寸；以及 <br/>藉由使用該品質參數值來調整一微影步驟以改進該樣本上之各層之間的未對齊。
如請求項1之方法，其中該將該樣本定位在該計量工具內進一步包括： <br/>將該樣本安裝在該載台上；及 <br/>相對於該殼體移動該載台。
如請求項1之方法，其中該品質參數值係形成於該樣本上之至少一第一層與形成於該樣本上之一第二層之間的一未對齊。
如請求項1之方法，其中該品質參數值係形成於該樣本上之至少一個特徵之一尺寸。
如請求項1之方法，其中該品質參數值係形成於該樣本上之特徵之間的至少一個空間之一尺寸。
如請求項1之方法，其中該量測該載台相對於該殼體之該旋轉定向進一步包括： <br/>量測該載台之一第一部分與該殼體之間的一第一線性距離； <br/>量測該載台之一第二部分與該殼體之間的一第二線性距離；以及 <br/>至少部分地基於該第一線性距離及該第二線性距離而計算該載台相對於該殼體之該旋轉定向。
如請求項1之方法，其中該輸出信號是由該樣本反射或折射的輻射。
一種用於產生一角度校準因子(ACF)之系統，該系統包括： <br/>一計量工具，其包括： <br/>一載台；及 <br/>一殼體；以及 <br/>一角度監測子系統(AMSS)，其操作以量測該載台相對於該殼體之一旋轉定向且至少部分地基於該旋轉定向而產生該ACF，其中量測形成於一樣本上之至少一個非旋轉對稱之未對齊目標，其中該角度監測子系統包含： <br/>至少兩個輻射發射器-接收器對，其中該等輻射發射器-接收器對發射並接收雷射光； <br/>至少一個輻射反射器；及 <br/>一品質參數產生器(QPG)，其中該角度監測子系統將該ACF提供至該品質參數產生器，其中該品質參數產生器操作以至少部分地基於該ACF及由該計量工具產生之該樣本之一輸出信號而產生該樣本之一品質參數值，其中該品質參數值是形成於該樣本上之至少兩個層之間的一未對齊、形成於該樣本上之一或多個特徵之一尺寸、或形成於該樣本上之多個特徵之間的一或多個空間之一尺寸，以及其中該品質參數產生器經組態以判定指令藉由使用該品質參數值來調整一微影步驟從而改進該樣本上之各層之間的未對齊。
如請求項8之系統，其中： <br/>該等輻射發射器-接收器對各自固定地安裝在該載台上；且 <br/>該輻射反射器固定地安裝在該殼體上。
如請求項8之系統，其中： <br/>該等輻射發射器-接收器對各自固定地安裝在該殼體上；且 <br/>該輻射反射器固定地安裝在該載台上。
如請求項8之系統，其中該角度監測子系統包括至少兩個編碼器。
如請求項8之系統，其中該載台可相對於該殼體移動。
如請求項8之系統，其中該計量工具包括以下各項中之一者： <br/>一基於成像之未對齊計量工具； <br/>一基於散射測量之未對齊計量工具； <br/>一臨界尺寸計量工具； <br/>一形狀計量工具； <br/>一膜計量工具； <br/>一電子束計量工具；或 <br/>一基於x射線之計量工具。
如請求項8之系統，其中該品質參數值係形成於該樣本上之該等特徵之至少一個特徵之一尺寸。
如請求項8之系統，其中該品質參數值係形成於該樣本上之特徵之間的該等空間之至少一個空間之一尺寸。
如請求項8之系統，其中該品質參數值係形成於該樣本上之至少一第一層與形成於該樣本上之一第二層之間的一未對齊。
如請求項8之系統，其中該樣本包括一半導體裝置晶圓。
如請求項8之系統，其中該輸出信號是由該樣本反射或折射的輻射。
一種供與如請求項8之系統搭配使用之未對齊目標，該未對齊目標用來計算形成於該樣本上之至少一第一層與形成於該樣本上之一第二層之間的一未對齊。
一種異常探測系統，包含探測製造裝置的異常之異常探測裝置、以及診斷該製造裝置的狀態之診斷裝置，該異常探測系統包含： <br/>控制裝置，執行該製造裝置的運轉控制，將示意該運轉控制的內容之運轉資料傳送至該異常探測裝置； <br/>感測器，檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量，將示意檢測的該物理量之時序的感測值資料輸出至該異常探測裝置；以及 <br/>資料庫，儲存包含該運轉資料、該感測值資料、以及該製造裝置的狀態在內的資訊； <br/>其中，該異常探測裝置包含： <br/>第1通訊部，接收從該控制裝置傳送的該運轉資料； <br/>取得部，取得從該感測器輸出的該感測值資料；以及 <br/>處理部，算出該取得部取得的該感測值資料的統計量，基於算出的該統計量、以及接收的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>其中，該第1通訊部將該運轉資料以及該感測值資料傳送至該診斷裝置； <br/>其中，該診斷裝置包含： <br/>第2通訊部，接收從該異常探測裝置傳送的該運轉資料以及該感測值資料；以及 <br/>診斷處理部，基於該第2通訊部接收的該運轉資料以及該感測值資料、連同該資料庫當中儲存的資訊，診斷該製造裝置的狀態； <br/>其中，該第2通訊部將該診斷處理部執行的診斷結果傳送至該異常探測裝置； <br/>其中，該異常探測裝置的該第1通訊部，接收該診斷處理部執行的該診斷結果，將該處理部執行的判定結果、該統計量、以及該診斷處理部執行的該診斷結果，傳送至該控制裝置。
如請求項1之異常探測系統， <br/>其中，該資料庫當中儲存的該製造裝置的狀態，包含該製造裝置或該製造裝置的零件的壽命相關的資訊、以及該製造裝置或該零件的異常相關的資訊； <br/>其中，該診斷處理部診斷該製造裝置或該零件的壽命或異常的有無。
如請求項1或2之異常探測系統， <br/>其中，該診斷裝置包含： <br/>學習模型，當該感測值資料輸入時，輸出該製造裝置或產品的特徵量； <br/>其中，該診斷處理部藉由將接收的該感測值資料輸入至該學習模型得到的特徵量、以及將該資料庫當中儲存的該感測值資料輸入至該學習模型得到的特徵量進行比較，來診斷該製造裝置的狀態。
如請求項3之異常探測系統， <br/>其中，該第2通訊部接收示意該診斷處理部執行的該診斷結果的適當與否或正確的診斷結果之回授資訊； <br/>其中，該診斷處理部基於接收的該回授資訊，使該學習模型追加學習，或更新基於該特徵量的診斷基準。
如請求項1或2之異常探測系統， <br/>其中，該第1通訊部或該第2通訊部接收示意該運轉資料以及該感測值資料對應的該製造裝置的狀態之資訊； <br/>其中，該異常探測裝置或該診斷裝置將接收的該狀態與該運轉資料以及該感測值資料對應，並記憶於該資料庫。
一種成形機系統，包含： <br/>如請求項1至5任一項之異常探測系統；以及 <br/>成形機； <br/>其中，該異常探測系統被設置以探測該成形機的異常。
一種異常探測裝置，探測製造裝置的異常，該異常探測裝置包含： <br/>通訊部，接收從執行該製造裝置的運轉控制之控制裝置所傳送，示意該運轉控制的內容之運轉資料； <br/>取得部，取得從檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量之感測器輸出的時序的感測值資料；以及 <br/>處理部，算出該取得部取得的該感測值資料的統計量，基於算出的該統計量、以及取得的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>其中，該通訊部將該運轉資料以及該感測值資料，傳送至診斷該製造裝置的狀態之外部的診斷裝置； <br/>其中，該通訊部接收從該診斷裝置傳送的診斷結果，將該處理部執行的判定結果、該統計量、以及接收的該診斷結果傳送至該控制裝置。
一種異常探測方法，由電腦執行檢測製造裝置的異常之處理，該電腦執行下列處理： <br/>接收從執行該製造裝置的運轉控制之控制裝置所傳送，示意該運轉控制的內容之運轉資料； <br/>取得從檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量之感測器輸出的時序的感測值資料； <br/>算出取得的該感測值資料的統計量； <br/>基於算出的該統計量、以及取得的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>將該運轉資料以及該感測值資料，傳送至診斷該製造裝置的狀態之外部的診斷裝置；以及 <br/>接收從該診斷裝置傳送的診斷結果，將示意異常的有無之判定結果、該統計量、以及接收的該診斷結果傳送至該控制裝置。
一種記錄並可讀取電腦程式的記錄媒體，用以使電腦執行檢測製造裝置的異常之處理，該記錄並可讀取電腦程式的記錄媒體用以使該電腦執行下列處理： <br/>接收從執行該製造裝置的運轉控制之控制裝置所傳送，示意該運轉控制的內容之運轉資料； <br/>取得從檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量之感測器輸出的時序的感測值資料； <br/>算出取得的該感測值資料的統計量； <br/>基於算出的該統計量、以及取得的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>將該運轉資料以及該感測值資料，傳送至診斷該製造裝置的狀態之外部的診斷裝置；以及 <br/>接收從該診斷裝置傳送的診斷結果，將示意異常的有無之判定結果、該統計量、以及接收的該診斷結果傳送至該控制裝置。
一種用於袋的高壓釜滅菌設施，該袋設置有一可撓容器(42)以及具有一縱向軸線的一剛性連接部分，該可撓容器(42)藉由一焊接件(S)連接至該剛性連接部分，該焊接件(S)包含在實質上垂直於該連接部分的該縱向軸線的一平面中，該平面被稱為焊接件平面，該設施包括一高壓釜滅菌殼體以及一支撐件(50)，該支撐件(50)包含：至少一個支撐板(52)，該至少一個支撐板(52)經組態以將至少一個袋(12)裝設在該高壓釜滅菌殼體中，該袋意欲安置在該支撐板(52)上，該剛性連接部分經定向為與該支撐板(52)相對；以及一保持工具(O1, O2, O3, O4)，該保持工具(O1, O2, O3, O4)意欲以儘可能靠近該連接部分的方式安置在該可撓容器(42)上並且緊固至在該袋(12)的任一側上的該支撐板(52)，以便限制該可撓容器(42)相對於該剛性連接部分的移位。
如請求項1所述之高壓釜滅菌設施，其中該支撐件(50)包含若干疊置的支撐板(52)以及與該每一支撐板(52)相關聯的至少一個保持工具(O1, O2, O3, O4)。
如請求項1或2所述之高壓釜滅菌設施，其中該保持工具(O1, O2, O3, O4)在正交於一支撐板(52)的一方向上的尺寸小於兩個疊置的支撐板(52)之間的距離。
一種用於如請求項1至3中任一項所述之高壓釜滅菌設施的保持工具，包括：一第一部分(60)，該第一部分(60)設置有一平坦面(62)，該平坦面(62)意欲安置在該剛性連接部分附近以及該袋附近，使得該平坦面(62)在或實質上在該焊接件平面中；以及一第二部分，該第二部分設置有一彎曲面(64)，該彎曲面(64)意欲藉由遠離該支撐板(52)移動而定向，其中該第一部分(60)包括具有多邊形截面的一管，該平坦面(62)藉由該管的至少一面形成，且其中該第二部分的該彎曲面(64)包括一彎曲板及確保其剛性的加強件(65)。
如請求項4所述之保持工具，其中該第一部分(60)的橫向尺寸至少等於該袋的該可撓容器(42)的橫向尺寸。
如請求項4或5所述之保持工具，包括用於與該設施的一支撐板(52)嚙合(61)的構件。
如請求項4或5所述之保持工具，包括意欲至少部分地圍繞該袋的該剛性連接部分的構件(66, 68)。
如請求項4或5所述之保持工具，包括緊固構件(69)，該緊固構件(69)以該第一部分(60)的該平坦面(62)包含在該焊接件平面中的方式以一給定的相對位置緊固至該剛性連接部分。
一種用於一高壓釜滅菌設施的一支撐件的一支撐板與如請求項4至8所述之保持工具的組件。
一種用於一高壓釜滅菌設施的一支撐件的一支撐板與如請求項4、5、7或8所述之保持工具的組件，其中該保持工具包括用於與該設施的一支撐板(52)嚙合(61)的構件，且該支撐板包括用於與嚙合該保持工具的構件協作的構件。
一種實施如請求項1至3中任一項所述之高壓釜滅菌設施以及如請求項4至8中任一項所述之保持工具的高壓釜滅菌方法，包括以下步驟：<br/> 將至少一個袋定位在一支撐板上；<br/> 將該保持工具定位在該袋上；<br/> 將裝載有該袋及該保持工具的該支撐板定位在一高壓釜殼體中；<br/> 執行一高壓釜週期；<br/> 移除該袋。
如請求項11所述之高壓釜滅菌方法，其中該袋為流體密封傳輸袋。
一種電力放大器(power amplifier)，其包括：一放大器級，其包括：一扼流圈(choke)，其經組態以自該放大器級之一輸入接收一電流；一諧振網路，其耦合至該扼流圈之一輸出且經組態以將一輸出電流提供至該電力放大器之一負載；及一第一開關，其經組態以當接通(turned on)時將該扼流圈之該輸出短接(short)至電路接地；一電力切換級，其經組態以將一電源耦合至該放大器級之該輸入且包括可操作以當接通時將該放大器級之該輸入耦合至電路接地之一第二開關；及一控制器，其經組態以根據界定該輸出電流之一循環(cycle)之一時序(timing sequence)來控制該第一開關及該第二開關之操作，其中該第一開關在該循環之一第一階段期間接通，在該循環之該第一階段之後的該循環之一第二階段期間接通且在該循環之該第二階段之後的該循環之一第三階段期間切斷(turned off)，且其中該第二開關在該循環之該第一階段期間切斷，在該循環之該第二階段期間接通且在該循環之該第三階段期間接通。
如請求項1之電力放大器，其中該時序之一持續時間對應於該輸出電流之該循環之一週期。
如請求項1之電力放大器，其中該電力切換級進一步包括在該電源與該放大器級之該輸入之間提供一耦合的一二極體。
如請求項1之電力放大器，其中該電力切換級進一步包括當接通時在該電源與該放大器級之該輸入之間提供一耦合的一第三開關，且其中該控制器經進一步組態以控制該第三開關之操作。
如請求項4之電力放大器，其中該第三開關在該循環之該第一階段期間接通且在該循環之該第二階段期間及該循環之該第三階段期間切斷。
如請求項4之電力放大器，其中當該第二開關切斷時，該第三開關接通。
如請求項6之電力放大器，其中該控制器經進一步組態以：控制提供至該電力放大器之一輸出之電力位準，其中使用經提供以控制該第二開關及該第三開關之操作之控制信號之可變工作循環(variable duty cycles)來控制電力位準。
如請求項7之電力放大器，其中基於代表該諧振網路中量測之電感的一回饋信號來組態該等控制信號之各者的一工作循環。
如請求項1之電力放大器，其中該控制器經進一步組態以：基於包含於該電力放大器之該負載中之一個或多個傳輸線圈之一數量及類型而對提供至該第一開關之一控制信號進行脈衝寬度調變。
如請求項1之電力放大器，其中該電力放大器之該負載包含一多器件無線充電器件(multi-device wireless charging device)之一個或多個傳輸線圈。
如請求項1之電力放大器，其進一步包括：一第二放大器級，其包括：一第二扼流圈，其經組態以自該放大器級之一輸入接收一電流；及一第四開關，其經組態以當接通時將該第二扼流圈之該輸出短接至電路接地，其中該控制器經組態以根據界定該輸出電流之一循環之該時序控制該第四開關之操作，且其中該控制器經組態以將與提供至該第一開關之一控制信號異相(out of phase)180°之一控制信號提供至該第四開關。
如請求項1之電力放大器，其進一步包括：一第一調諧元件，其包括：一第一調諧電容；及一第一調諧開關，其經組態以將該第一調諧電容耦合於電路接地與該扼流圈之該輸出之間，其中該控制器經組態以根據代表該諧振網路中量測之電感的一回饋信號來控制該第一調諧開關之操作。
如請求項1之電力放大器，其進一步包括：一第二調諧元件，其包括：一第二調諧電容；及一第二調諧開關，其經組態以將該第二調諧電容與該諧振網路中之一電容並聯連接，其中該控制器經組態以根據代表該諧振網路中量測之電感的一回饋信號來控制該第二調諧開關之操作。
如請求項1之電力放大器，其中該電力放大器之一輸出耦合至一無線充電器件之一傳輸線圈。
一種用於放大一充電器件中之電力(power)之方法，其包括：組態一放大器級中之一扼流圈以自該放大器級之一輸入接收一電流；組態耦合至該扼流圈之一輸出之一諧振網路以將一輸出電流提供至該充電器件之一負載；組態一第一開關以當接通時將該扼流圈之該輸出短接至電路接地；組態一電力切換級以將一電源耦合至該放大器級之該輸入；組態該電力切換級中之一第二開關以當接通時將該放大器級之該輸入耦合至電路接地；及根據界定該輸出電流之一循環之一時序控制該第一開關及該第二開關之操作，其包含：組態該第一開關以在該循環之一第一階段期間接通，在該循環之該第一階段之後的該循環之一第二階段期間接通且在該循環之該第二階段之後的該循環之一第三階段期間切斷，及組態該第二開關以在該循環之該第一階段期間切斷，在該循環之該第二階段期間接通，且在該循環之該第三階段期間接通。
如請求項15之方法，其中該時序之一持續時間對應於該輸出電流之該循環之一週期。
如請求項15之方法，其進一步包括：組態該電力切換級中之一二極體以在該電源與該放大器級之該輸入之間提供一耦合。
如請求項15之方法，其進一步包括：組態該電力切換級中之一第三開關以在該電源與該放大器級之該輸入之間提供一耦合；及根據該時序控制該第三開關之操作。
如請求項18之方法，其進一步包括：組態該第三個開關以在該循環之該第一階段期間接通，在該循環之該第二階段期間切斷，且在該循環之該第三階段期間切斷。
如請求項18之方法，其進一步包括：組態該第三開關以當該第二開關切斷時接通。
如請求項20之方法，其進一步包括：組態該充電器件以控制提供至該充電器件之一輸出之電力位準，其中使用經提供以控制該第二開關及該第三開關之操作之控制信號之可變工作循環來控制電力位準。
如請求項20之方法，其進一步包括：基於代表該諧振網路中量測之電感的一回饋信號而組態該等控制信號之各者的一工作循環。
如請求項15之方法，其進一步包括：基於包含於該充電器件之該負載中之一個或多個傳輸線圈之一數量及類型而對提供至該第一開關之一控制信號進行脈衝寬度調變。
如請求項15之方法，其中該充電器件之該負載包含一多器件無線充電器件之一個或多個傳輸線圈。
如請求項15之方法，其進一步包括：組態提供於一第二放大器級中之一第二扼流圈以自該放大器級之一輸入接收一電流；組態一第四開關以當接通時將該第二扼流圈之該輸出短接至電路接地；組態該電力切換級以將一電源耦合至該第二放大器級之該輸入；及根據界定該輸出電流之該循環之該時序控制該第四開關之操作，包含將一第一信號提供至該第一開關之一閘極及將一第二信號提供至該第四開關之一閘極，其中該第二信號與該第一信號異相180°。
如請求項15之方法，其進一步包括藉由以下調諧與該第一開關並聯耦合的一第一電容器：判定經組態以與該第一電容器並聯耦合的複數個電容器中之一第一組調諧電容器；及對於該第一組調諧電容器中之各調諧電容器，閉合與該各調諧電容器串聯連接之一開關。
如請求項26之方法，其中基於該充電器件之電感負載來組態該組第一調諧電容器。
如請求項15之方法，其進一步包括藉由以下調諧該諧振網路中之一第二電容器：判定經組態以與該第二電容器並聯耦合的複數個電容器中之一第二組調諧電容器；及對於該第二組調諧電容器中之各第一調諧電容器，閉合與該各調諧電容器串聯連接之一開關。
如請求項28之方法，其中基於該充電器件之電感負載來組態該第二組調諧電容器。
如請求項15之方法，其中該電力放大器之一輸出耦合至一無線充電器件之一傳輸線圈。
一種電漿源組件，包含： <br/>一第一電極，包含一導電板，該導電板具有一頂部表面、一底部表面及一外部周圍邊緣； <br/>一第二電極，包含一導電板，該導電板具有一頂部表面、一底部表面及一外部周圍邊緣； <br/>一介電間隔件，將該第一電極及該第二電極分開，且佈置於該第一電極的該外部周圍邊緣及該第二電極的該外部周圍邊緣處，該第二電極以一反應接合的陶瓷材料製成且其中包含複數個孔洞；及 <br/>一功率饋送，電氣連接至該第一電極。
如請求項1所述之電漿源組件，其中該反應接合的陶瓷材料包含浸潤填充（infiltrated）至一初始材料中的一元素。
如請求項2所述之電漿源組件，其中該反應接合的陶瓷材料包含反應接合的碳化矽。
如請求項2所述之電漿源組件，其中該複數個孔洞包含細長溝槽，該等細長溝槽具有一寬度及大於該寬度的一長度。
如請求項4所述之電漿源組件，其中該長度為在該寬度的2至3倍的一範圍中。
如請求項5所述之電漿源組件，其中該第二電極頂部表面具有一面積，且該複數個細長溝槽界定大於68%的該第二電極頂部表面的該面積的一開放面積（open area）。
如請求項4所述之電漿源組件，其中該等孔洞為雷射形成的孔洞。
如請求項7所述之電漿源組件，其中孔洞為雷射鑽鑿的孔洞。
如請求項4所述之電漿源組件，其中孔洞為超音波加工的孔洞。
如請求項1所述之電漿源組件，其中該第一電極及該第二電極間隔開來，以在該第一電極及該第二電極之間提供一間隙。
一種電漿源組件，包含： <br/>一第一電極，包含一導電板，該導電板具有一頂部表面、一底部表面及一外部周圍邊緣； <br/>一第二電極，包含一導電板，該導電板具有一頂部表面、一底部表面及一外部周圍邊緣； <br/>一介電間隔件，將該第一電極及該第二電極分開，且佈置於該第一電極的該外部周圍邊緣及該第二電極的該外部周圍邊緣處，該第二電極以反應接合的碳化矽製成且其中包含複數個孔洞，且其中該複數個孔洞包含細長溝槽，該等細長溝槽具有一寬度及在該寬度的2至3倍大的一範圍中的一長度；及 <br/>一功率饋送，電氣連接至該第一電極。
一種在一基板處理腔室中處理一基板之方法，該方法包含以下步驟： <br/>在該基板處理腔室中放置一基板，該基板處理腔室包含：包含一導電板的一第一電極，該導電板具有一頂部表面、一底部表面、一外部周圍邊緣及允許一氣體流動通過的複數個孔洞； <br/>包含一導電板的一第二電極，該導電板以一反應接合的陶瓷材料製成，具有一頂部表面、一底部表面、一外部周圍邊緣、允許一氣體流動通過的複數個孔洞； <br/>一介電間隔件，將該第一電極及該第二電極分開，且佈置於該第一電極的該外部周圍邊緣及該第二電極的該外部周圍邊緣處；及 <br/>一功率饋送，電氣連接至該第一電極；及 <br/>在該第一電極及該第二電極之間形成一電漿。
如請求項12所述之方法，其中該反應接合的陶瓷材料包含浸潤填充（infiltrated）至一初始材料中的一元素。
如請求項13所述之方法，其中該反應接合的陶瓷材料包含反應接合的碳化矽。
如請求項13所述之方法，其中該複數個孔洞包含細長溝槽，該等細長溝槽具有一寬度及大於該寬度的一長度。
如請求項15所述之方法，其中該長度為在該寬度的2至3倍的一範圍中。
如請求項16所述之方法，其中該第二電極頂部表面具有一面積，且該複數個細長溝槽界定大於68%的該第二電極頂部表面的該面積的一開放面積。
如請求項15所述之方法，其中該等孔洞為雷射形成的孔洞。
如請求項18所述之方法，其中該等孔洞為雷射鑽鑿的孔洞。
如請求項15所述之方法，其中孔洞為超音波加工的孔洞。
一種聚酯樹脂，含有： <br/>包含來自下式(1)表示之螺甘油之單元a1及來自乙二醇之單元a2的二醇構成單元、及 <br/>包含來自對苯二甲酸及/或其酯之單元b的二羧酸構成單元； <br/>將該單元a1及單元a2之合計量作為基準時，該單元a1之含量係5～60莫耳%，且該單元a2之含量係40～95莫耳%， <br/>將該二羧酸構成單元之總量作為基準時，該單元b之含量為80～100莫耳%， <br/>且符合下述條件(1)至(3)： <br/>(1)使用苯酚與1,1,2,2-四氯乙烷之重量比為6：4之混合溶劑於25℃所測定之該聚酯樹脂之極限黏度V1為0.45～0.85dl/g； <br/>(2)將該聚酯樹脂於240℃下維持5分鐘後以剪切速度122(1/s)實施擠製操作時，在該操作之前後之極限黏度下降率(V1-V2)/V1為3%以下，此處，V2表示在該操作後依循該(1)所測定之極限黏度； <br/>(3)藉由差示掃描量熱計測定之該聚酯樹脂之玻璃轉移溫度為90℃以上，且降溫時結晶化放熱峰部之熱量為5J/g以下； <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="188px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之聚酯樹脂，其中，該單元b之含量係95～100莫耳%。
如請求項1或2之聚酯樹脂，其中，將該單元a1及單元a2之合計量作為基準時，該單元a1之含量係15～60莫耳%，且該單元a2之含量係40～85莫耳%。
一種聚酯樹脂之製造方法，係製造如請求項1或2之聚酯樹脂，包含下述步驟： <br/>酯化反應步驟，使該乙二醇與該對苯二甲酸及/或其酯反應，獲得前驅物酯、及 <br/>添加步驟，對於該前驅物酯添加該螺甘油； <br/>該添加步驟中該前驅物酯之溫度為195℃以下， <br/>該螺甘油之含水率為0.1質量%以下， <br/>在該添加步驟中，使用具備攪拌葉之攪拌手段，於以下式(A)及(B)表示之條件下進行攪拌： <br/>0.7011×Log(螺甘油添加速度(kg/hr))+1.339+0.5≧攪拌葉前端速度(m/s)≧0.7011×Log(螺甘油添加速度(kg/hr))+1.339-0.5…式(A) <br/>0.5≦攪拌葉前端速度(m/s)…式(B)。
如請求項4之聚酯樹脂之製造方法，其中，該螺甘油之儲存、運送及添加係在鈍性氣體環境下進行。
一種經表面修飾病毒衣殼，其包含以下一或多者： <br/>經由連接子與病毒衣殼蛋白共價綴合的配位體， <br/>該連接子包含： <br/>包含環狀部分之交聯部分，其係藉由選自二苄基環辛炔(DIBO)、二苯并氮雜環辛炔(DBCO)及聯芳氮雜環辛炔酮(BARAC)之交聯劑反應性成對的第一成員與係為疊氮化物或硝酮之交聯劑反應性成對的第二成員之間的反應形成；及 <br/>一或多個間隔子，各間隔子包含1至20個乙二醇單體； <br/>其中該連接子共價連接至該衣殼蛋白一級序列之離胺酸胺基酸殘基的ε胺基。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該交聯部分係藉由該交聯劑反應性成對的該第一成員與該第二成員的反應形成，其中該反應係應變促進之炔烴-疊氮化物環加成(strain-promoted alkyne-azide cycloaddition，SPAAC)反應或應變促進之炔烴-硝酮環加成(strain-promoted alkyne-nitrone cycloaddition，SPANC)反應。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該交聯部分包含以下中至少一個：八員環及三唑環。
如請求項2之經表面修飾病毒衣殼，其中該反應係應變促進之炔烴-疊氮化物環加成(SPAAC)反應。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該交聯劑反應性成對的該第一成員係DBCO。
如請求項5之經表面修飾病毒衣殼，其中該一或多個間隔子包含2至8個乙二醇單體。
如請求項6之經表面修飾病毒衣殼，其中該一或多個間隔子中之一者包含4個乙二醇單體。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該配位體選自細胞介素、生長因子、凝集素、毒素、單鏈抗體、多鏈抗體或抗原結合抗體片段、肽及其組合。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該連接子經由該配位體之一級胺基共價連接至該配位體。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該病毒衣殼之蛋白質序列已經突變以減弱或消除該衣殼與哺乳動物細胞多醣或蛋白多醣的結合。
如請求項1之經表面修飾病毒衣殼，其中該病毒衣殼選自腺病毒衣殼、腺相關病毒衣殼、逆轉錄病毒衣殼、慢病毒衣殼、單純疱疹病毒衣殼及桿狀病毒衣殼。
如請求項11之經表面修飾病毒衣殼，其中該病毒衣殼係腺相關病毒(AAV)衣殼。
一種根據式I的經表面修飾病毒衣殼： <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="499px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/><img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係病毒衣殼； <br/>Y及Y'獨立地係連接部分； <br/>n及n'獨立地係0或1至50的整數； <br/>Sp及Sp'獨立地係乙二醇單體； <br/>L係配位體； <br/>x係配位體與衣殼之比率，該比率在1至500的範圍內；且 <br/>Q係： <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="329px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，Z為7或8員環狀或雜環結構。
如請求項13之經表面修飾病毒衣殼，其中x在100-200的範圍內。
如請求項13之經表面修飾病毒衣殼，其中x在130-170的範圍內。
一種歧管，包括： <br/>一適配器板，該適配器板包括一第一主表面、與該第一主表面相對的一第二主表面，以及一開口，該開口從該第一主表面延伸穿過該適配器板至該第二主表面； <br/>一或多個氣室，該一或多個氣室設置在該適配器板內，該一或多個氣室形成在該適配器板中的該第一主表面與該第二主表面之間，該一或多個氣室藉由一或多個噴嘴流體耦接至該開口； <br/>一或多個氣體通道，該一或多個氣體通道形成在該適配器板中，該一或多個氣體通道中的每一個氣體通道從該適配器板的一第三表面延伸至該一或多個氣室； <br/>一偏轉器，該偏轉器從包括該一或多個噴嘴的一出口的該適配器板的一表面延伸至該適配器板的該開口的一底表面，並且其中該一或多個噴嘴朝向該偏轉器定向；以及 <br/>一凹槽，該凹槽形成在該第一主表面中，該凹槽形成在該第一主表面中並環繞該開口。
如請求項1所述之歧管，其中該適配器板包括用於容納緊固件的複數個緊固件開口，該複數個緊固件開口設置為圍繞該適配器板的一周邊從該第一主表面至該第二主表面。
如請求項1所述之歧管，其中該一或多個氣室包括約2至約9個氣室，其中每個氣室包括1至8個噴嘴。
如請求項1所述之歧管，其中該歧管包括： <br/>一可移除插件，該可移除插件設置在該適配器板內，其中該可移除插件包括該一或多個氣室和該一或多個噴嘴。
如請求項1所述之歧管，其中該偏轉器包括一防護罩，該防護罩延伸至該適配器板的該開口中，其中包括該一或多個噴嘴的該出口的該適配器板的該表面基本上與該開口的該底表面共面。
如請求項1所述之歧管，其中該開口是矩形的，並且其中該偏轉器包括一防護罩，該防護罩與該開口的一底表面基本上平行且共面。
如請求項6所述之歧管，進一步包括在該防護罩的一前沿之間的一間隙，該間隙小於在該適配器板的該第一主表面與該適配器板的該第二主表面之間的一距離。
如請求項1所述之歧管，進一步包括該適配器板的一表面，該表面包括一或多個噴嘴出口，其中該表面與該適配器板的該開口的一底表面基本上共面。
如請求項1所述之歧管，進一步包括一或多個流量控制閥，其中該一或多個流量控制閥中的每個流量控制閥流耦接至該一或多個氣室的一相應氣室，並且其中每個流量控制閥被獨立地控制。
如請求項1所述之歧管，其中該一或多個氣室中的每個氣室都具有設置在其中的不同數量的噴嘴。
一種製程系統，包括： <br/>一製程腔室，該製程腔室包括一基板支撐件； <br/>一氣體組件，該氣體組件包括： <br/>一歧管，該歧管具有一第一主表面和與該第一主表面相對的一第二主表面，以及一開口，該開口從該第一主表面延伸穿過該歧管至該第二主表面； <br/>一或多個氣體通道，該一或多個氣體通道形成在該歧管中並與該製程腔室的一處理體積流體連通，其中該歧管在該第二主表面處耦接至該製程腔室，該一或多個氣體通道由一或多個噴嘴耦接至該開口；以及 <br/>一偏轉器，該偏轉器從包括該一或多個噴嘴的一出口的該適配器板的一表面延伸至該適配器板的該開口的一底表面，並且其中該一或多個噴嘴朝向該偏轉器定向； <br/>主機門，該主機門在該第一主表面處耦接至該歧管。
如請求項11所述之製程系統，進一步包括一或多個流量控制閥，其中該一或多個流量控制閥中的每個流量控制閥流體耦接至一相應的氣體管線，其中該一或多個流量控制閥中的至少兩個流量控制閥被獨立地控制。
如請求項11所述之製程系統，其中該歧管進一步包括一或多個氣室，該一或多個氣室設置在該歧管內，該一或多個氣室形成在該歧管中的該第一主表面與該第二主表面之間，該一或多個氣室藉由一或多個噴嘴流體耦接至該開口。
如請求項11所述之製程系統，其中該偏轉器，該偏轉器被配置為將來自每個噴嘴的氣體重定向至該處理體積中。
如請求項14所述之製程系統，其中該偏轉器進一步包括一防護罩，其中該防護罩被設置成距離每個噴嘴約1至約3 mm。
如請求項15所述之製程系統，其中該偏轉器形成一開口，該開口流體耦接至該製程腔室的一開口。
如請求項11所述之製程系統，其中該製程腔室是一磊晶腔室或一自由基氧化腔室。
如請求項11所述之製程系統，進一步包括一氣體源，該氣體源流體耦接至該等氣體通道中的每個氣體通道。
一種氣流系統，包括： <br/>一歧管，該歧管包括一第一主表面；一第二主表面；一開口，該開口從該第一主表面延伸至該第二主表面；以及一或多個氣室，該一或多個氣室設置在該歧管內的該第一主表面與該第二主表面之間，該等氣室中的每個氣室包括一或多個噴嘴，該一或多個噴嘴與該第二主表面流體連通； <br/>一偏轉器，該偏轉器從包括該一或多個噴嘴的一出口的該適配器板的一表面延伸至該適配器板的該開口的一底表面，並且其中該一或多個噴嘴朝向該偏轉器定向； <br/>一或多個氣體管線，該一或多個氣體管線從該歧管的一第三表面延伸至該一或多個氣室，其中該等氣體管線中的至少兩個氣體管線被獨立地控制； <br/>一傳送系統主機門，該傳送系統主機門耦接至該第一主表面；以及 <br/>一製程腔室，該製程腔室包括一腔室開口，其中該腔室開口與該一或多個噴嘴流體連通。
一種電磁波衰減薄膜，係於毫米波之特定頻帶中使用，該電磁波衰減薄膜具備：介電質基材，其具有前面及背面；薄膜導電層，其配置於前述前面；及平板電感器，其配置於前述背面；且前述薄膜導電層包含離散配置的複數個金屬板，前述金屬板的厚度小於或等於前述金屬板的表皮深度。
如請求項1之電磁波衰減薄膜，其中前述電磁波衰減薄膜係在將前述金屬板的厚度設為T，且將表皮深度設為d時滿足下述公式(1)，且於27GHz~34GHz頻帶中使用，-1.0≦ln(T/d)≦0.0...(1)。
如請求項1之電磁波衰減薄膜，其中前述電磁波衰減薄膜係在將前述金屬板的厚度設為T，且將表皮深度設為d時滿足下述公式(2)，且於35GHz~50GHz頻帶中使用，-2.0≦ln(T/d)≦-0.5...(2)。
如請求項1之電磁波衰減薄膜，其中前述電磁波衰減薄膜係在將前述金屬板的厚度設為T，且將表皮深度設為d時滿足下述公式(3)，且於57GHz~90GHz頻帶中使用，-2.5≦ln(T/d)≦-1.0...(3)。
如請求項1之電磁波衰減薄膜，其中前述電磁波衰減薄膜係於27GHz~34GHz頻帶中使用，前述介電質基材係於前述前面具有凹凸，該凹凸係由相對較低之凹陷部分的第一區域、及相對較高的第二區域構成，前述薄膜導電層係包含配置於前述第一區域之複數個金屬板，前述第一區域係離散配置，前述第二區域係配置於複數個前述第一區域間。
如請求項1之電磁波衰減薄膜，其中前述電磁波衰減薄膜係於35GHz~50GHz頻帶中使用，前述介電質基材係於前述前面具有凹凸，該凹凸係由相對較低之凹陷部分的第一區域、及相對較高的第二區域構成，前述薄膜導電層係包含配置於前述第一區域之複數個金屬板，前述第一區域係離散配置，前述第二區域係配置於複數個前述第一區域間。
如請求項1之電磁波衰減薄膜，其中前述電磁波衰減薄膜係於57GHz~90GHz頻帶中使用，前述介電質基材係於前述前面具有凹凸，該凹凸係由相對較低之凹陷部分的第一區域、及相對較高的第二區域構成，前述薄膜導電層係包含配置於前述第一區域之複數個金屬板，前述第一區域係離散配置，前述第二區域係配置於複數個前述第一區域間。
如請求項1至7中任一項之電磁波衰減薄膜，其中前述薄膜導電層及前述平板電感器係於前述介電質基材之厚度方向分離。
如請求項1至7中任一項之電磁波衰減薄膜，其中具備貼合層以取代前述平板電感器。
如請求項1至7中任一項之電磁波衰減薄膜，其中前述金屬板具有呈對向的一對邊。
如請求項10之電磁波衰減薄膜，其中前述金屬板之呈對向的一對邊的長度為0.25mm以上且4mm以下。
如請求項1至7中任一項之電磁波衰減薄膜，其中於前述薄膜導電層上具備上塗層。
如請求項12之電磁波衰減薄膜，其中前述上塗層係用以與傳播電磁波之空氣層取得阻抗匹配。
如請求項1至7中任一項之電磁波衰減薄膜，其中前述金屬板係由銀、銅、鋁中的任一者構成。
如請求項1至7中任一項之電磁波衰減薄膜，其中相同形狀及相同大小之複數個前述金屬板係隔開既定範圍之值的距離而配置。
一種二次電池的電極用添加劑，其係由硼酸衍生物所構成，前述硼酸衍生物為下述式(1)表示之芳基硼酸、與具有2個以上選自由羥基、羰基、異氰酸酯基及胺基所成之群組中之至少1種的反應性基之反應性化合物的反應物，<br/><img align="absmiddle" height="234px" width="316px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，Ar表示可具有取代基之芳基或可具有取代基之雜芳基)。
如請求項1之二次電池的電極用添加劑，其中，上述Ar為可具有取代基之苯基。
如請求項2之二次電池的電極用添加劑，其中，芳基硼酸係以下述式(2)表示，<br/><img align="absmiddle" height="327px" width="429px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>分別獨立表示氫原子、烷基、酯基、甘醇鏈、烷氧基或羥基)。
如請求項2或3之二次電池的電極用添加劑，其中，反應性化合物為選自由三羥甲基甲烷、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、甘油、甘露醇、季戊四醇、二季戊四醇、二胺萘、苯二胺、N-甲基亞胺基二乙酸、草酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、琥珀酸、檸檬酸、異檸檬酸、草醯琥珀酸、草醯乙酸、烏頭酸、p-甲苯磺醯基異氰酸酯、氯磺醯異氰酸酯、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯醇共聚物及其衍生物所成之群組中之至少1種。
如請求項2或3之二次電池的電極用添加劑，其中，反應性化合物具有3個以上之上述反應性基。
如請求項5之二次電池的電極用添加劑，其中，反應性化合物具有3個以上之羥基。
如請求項1之二次電池的電極用添加劑，其中，硼酸衍生物包含以下述式(3)表示或下述式(4)表示之重複單位，<br/><img align="absmiddle" height="305px" width="685px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，Ar表示與上述相同意義，R<sup>6</sup>表示氫原子、甲基或乙基)。
如請求項3之二次電池的電極用添加劑，其中，硼酸衍生物包含以下述式(5)表示或下述式(6)表示之重複單位，<br/><img align="absmiddle" height="412px" width="851px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>表示與上述相同意義，R<sup>6</sup>表示氫原子、甲基或乙基)。
如請求項3之二次電池的電極用添加劑，其中，硼酸衍生物係以下述式(7)表示，<br/><img align="absmiddle" height="360px" width="497px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>~R<sup>5</sup>表示與上述相同意義，R<sup>6</sup>表示氫原子、甲基或乙基)。
一種電極組成物，包含如請求項1~9中任一項之二次電池的電極用添加劑、與活性物質。
如請求項10之電極組成物，其係進一步包含與如請求項1~9中任一項之二次電池的電極用添加劑不同的第二添加劑。
如請求項11之電極組成物，其中，第二添加劑為選自由水、含有羥基之化合物、以及包含氮原子及羰基構造之化合物所成之群組中之至少1種。
如請求項11或12之電極組成物，其中，第二添加劑為選自由聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯醇及其衍生物、以及聚乙烯醇共聚物及其衍生物所成之群組中之至少1種。
如請求項10之電極組成物，其中，活性物質為包含Li及Ni之氧化物，為正極用之組成物。
如請求項14之電極組成物，其中，二次電池的電極用添加劑包含0.01~10.0質量%。
如請求項10之電極組成物，其中，活性物質為選自由石墨、Si、SiO、鈦酸鋰(LTO)及金屬Li所成之群組中之至少1種，為負極用之組成物。
如請求項16之電極組成物，其中，二次電池的電極用添加劑包含0.02~10.0質量%。
一種二次電池用電極，其係具有集電基板、與形成在此集電基板的至少一側的面之活性物質層，上述活性物質層以如請求項10~13中任一項之電極組成物形成而成。
一種二次電池用正極，其係具有集電基板、與形成在此集電基板的至少一側的面之活性物質層，上述活性物質層以如請求項14~15中任一項之電極組成物形成而成。
如請求項19之二次電池用正極，其中，在充放電後之二次電池的電極，藉由XPS測定(將源自C1s之C-C峰值定為284eV並規格化)求出之C-F峰值(686±1.25eV)的強度與LiF峰值(683.5±1.25eV)的強度之強度比([C-F]/[LiF])為3.0以上。
一種二次電池用負極，其係具有集電基板、與形成在此集電基板的至少一側的面之活性物質層，上述活性物質層以如請求項16或17之電極組成物形成而成。
一種二次電池，其係具備選自由如請求項18之二次電池用電極、如請求項19或20之二次電池用正極，及如請求項21之二次電池用負極所成之群組中之至少1種的電極。
如請求項22之二次電池，其係鋰離子二次電池。
如請求項22之二次電池，其係全固體電池。
一種電極組成物之製造方法，其係包含如請求項1~9中任一項之二次電池的電極用添加劑與活性物質之電極組成物之製造方法，其特徵為<br/>將調製該組成物時之最高到達溫度定為60~200℃。
如請求項25之電極組成物之製造方法，其係將最高到達溫度定為60~150℃。
如請求項26之電極組成物之製造方法，其係將最高到達溫度定為60~125℃。
一種式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物， <img align="absmiddle" height="67px" width="108px" file="ed10967.jpg" alt="ed10967.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I <br/>其中： <br/>X為O或S； <br/>Y為O或S； <br/>A<sup>1</sup>、A<sup>2</sup>、A<sup>3</sup>及A<sup>4</sup>各自獨立地為N、CH或CR<sup>1</sup>；條件係A<sup>1</sup>、A<sup>2</sup>、A<sup>3</sup>及A<sup>4</sup>中之至少一者為CR<sup>1</sup>； <br/>每一R<sup>1</sup>獨立地為鹵基、氰基、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、-N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-OR<sup>11</sup>、-C(O)R<sup>11</sup>、-C(O)OR<sup>11</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>R<sup>11</sup>、-NR<sup>11</sup>S(O)<sub>0-2</sub>-R<sup>11</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>C(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>C(O)R<sup>11</sup>、-OC(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>或-NR<sup>11</sup>C(O)OR<sup>11</sup>；其中每一C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基獨立地視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代；或 <br/>任兩個毗鄰R<sup>1</sup>與其所連接之原子一起形成環烷基、雜環基、芳基或雜芳基環；其中該環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基獨立地視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代； <br/>R<sup>2</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、-OR<sup>11</sup>、-N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)R<sup>11</sup>、-C(O)OR<sup>11</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>-R<sup>11</sup>、-NR<sup>11</sup>S(O)<sub>0-2</sub>-R<sup>11</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>C(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>C(O)OR<sup>11</sup>、-NR<sup>11</sup>C(O)R<sup>11</sup>、-OC(O)R<sup>11</sup>、-OC(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、鹵基或氰基；其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代； <br/>R<sup>3</sup>為氫、鹵基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代；或 <br/>R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>一起形成C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基環；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代； <br/>R<sup>4</sup>為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代；或 <br/>R<sup>5</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代；或 <br/>R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>一起形成雜環基或雜芳基環，其視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代； <br/>R<sup>6</sup>為氫、鹵基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>雜烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基；其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烷基、該C<sub>3-10</sub>環烷基或該雜環基可進一步視情況經1至5個Z<sup>1b</sup>取代； <br/>R<sup>7</sup>為氫、鹵基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>雜烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基；其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基、該C<sub>2-6</sub>炔基、該C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、該C<sub>2-6</sub>雜烷基、該C<sub>3-10</sub>環烷基或該雜環基可進一步視情況經1至5個Z<sup>1b</sup>取代； <br/>或R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>接合形成C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基環；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基環可進一步視情況經1至5個Z<sup>1b</sup>取代； <br/>R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>各自獨立地為氫、鹵基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基，其中每一C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基獨立地視情況經1至5個Z<sup>1</sup>取代；或 <br/>R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>一起形成C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基環；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代； <br/>每一Z<sup>1</sup>獨立地為鹵基、氰基、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、-N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-OR<sup>11</sup>、-C(O)R<sup>11</sup>、-C(O)OR<sup>11</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>R<sup>11</sup>、-NR<sup>11</sup>S(O)<sub>0-2</sub>-R<sup>11</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>C(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>11</sup>C(O)R<sup>11</sup>、-OC(O)N(R<sup>11</sup>)<sub>2</sub>或-NR<sup>11</sup>C(O)OR<sup>11</sup>；其中每一C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基獨立地視情況經1至5個Z<sup>1a</sup>取代； <br/>每一R<sup>11</sup>獨立地為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中R<sup>11</sup>之每一C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基獨立地視情況經1至5個Z<sup>1a</sup>取代； <br/>每一Z<sup>1a</sup>獨立地為羥基、鹵基、氰基、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、-N(R<sup>13</sup>)<sub>2</sub>、-OR<sup>13</sup>、-C(O)R<sup>13</sup>、-C(O)OR<sup>13</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>R<sup>13</sup>、-NR<sup>13</sup>S(O)<sub>0-2</sub>-R<sup>13</sup>、-S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>13</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>13</sup>S(O)<sub>0-2</sub>N(R<sup>13</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>13</sup>C(O)N(R<sup>13</sup>)<sub>2</sub>、-C(O)N(R<sup>13</sup>)<sub>2</sub>、-NR<sup>13</sup>C(O)R<sup>13</sup>、-OC(O)N(R<sup>13</sup>)<sub>2</sub>或-NR<sup>13</sup>C(O)OR<sup>13</sup>；其中每一C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基獨立地視情況經1至5個Z<sup>1b</sup>取代； <br/>每一R<sup>13</sup>獨立地為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中R<sup>13</sup>之每一C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基獨立地視情況經1至5個Z<sup>1b</sup>取代； <br/>每一Z<sup>1b</sup>獨立地為鹵基、氰基、羥基、-SH、-NH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、-L-C<sub>1-6</sub>烷基、-L-C<sub>2-6</sub>烯基、-L-C<sub>2-6</sub>炔基、-L-C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、-L-C<sub>3-10</sub>環烷基、-L-雜環基、-L-芳基或-L-雜芳基；且 <br/>每一L獨立地為-O-、-NH-、-S-、-S(O)-、-S(O)<sub>2</sub>-、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)-、-N(C<sub>2-6</sub>烯基)-、-N(C<sub>2-6</sub>炔基)-、-N(C<sub>1-6</sub>鹵代烷基)-、-N(C<sub>3-10</sub>環烷基)-、-N(雜環基)-、-N(芳基)-、-N(雜芳基)-、-C(O)-、-C(O)O-、-C(O)NH-、-C(O)N(C<sub>1-6</sub>烷基)-、-C(O)N(C<sub>2-6</sub>烯基)-、-C(O)N(C<sub>2-6</sub>炔基)-、-C(O)N(C<sub>1-6</sub>鹵代烷基)-、-C(O)N(C<sub>3-10</sub>環烷基)-、-C(O)N(雜環基)-、-C(O)N(芳基)-、-C(O)N(雜芳基)-、-NHC(O)-、-NHC(O)O-、-NHC(O)NH-、-NHS(O)-或-S(O)<sub>2</sub>NH-； <br/>其中Z<sup>1b</sup>及L之每一C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基及雜芳基進一步獨立地視情況經1至5個羥基、鹵基、氰基、羥基、-SH、-NH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中X為O。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中Y為O
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中X及Y為O。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中X為O且Y為S。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中X為S且Y為O。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中X及Y為S。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式IA表示： <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="108px" file="ed10968.jpg" alt="ed10968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>IA。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中A<sup>1</sup>、A<sup>2</sup>、A<sup>3</sup>及A<sup>4</sup>中之至少一者為N。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式IB表示： <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="120px" file="ed10969.jpg" alt="ed10969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>IB。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>4</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>4</sup>為氫或甲基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>5</sup>為C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基獨立地視情況經1至5個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>5</sup>為(1-(2,2-二氟乙基)環丁基)甲基、(1-甲基-1H-咪唑-2-基)甲基、(1-甲基-1H-吡唑-4-基)甲基、(1-甲基-1H-吡唑-5-基)甲基、(1R,2R,4S)-7-氧雜二環[2.2.1]庚-2-基、(1S,2R,4R)-7-氧雜二環[2.2.1]庚-2-基、(2-(三氟甲基)吡啶-3-基)甲基、[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、[1,2,4]三唑并[4,3-a]吡啶-6-基、[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡嗪-2-基、7-氯-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、7-(三氟甲基)-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、6-氯-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、6-氟-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、6-甲氧基-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、1-(2-羥基-2-甲基丙基)環丙基、1-(2-甲氧基乙基)-1H-吡唑-4-基、1-(2-甲氧基乙基)-3-六氫吡啶基、1-(6-氯嗒嗪-3-基)六氫吡啶-4-基、1-(羥基甲基)環丙基、1-(甲氧基羰基)六氫吡啶-3-基、1,1-二側氧基硫雜環丁-3-基、1,3,5-三嗪-2-基、1,3-二甲基-1H-吡唑-5-基、1,6-萘啶-2-基、1,7-萘啶-6-基、1,8-萘啶-2-基、1-二環[2.2.2]辛烷基、1-環丁基六氫吡啶-3-基、1-環丙基六氫吡啶-3-基、1-乙基-6-側氧基-3-六氫吡啶基、1-乙基六氫吡啶-3-基、1H-苯并[d][1,2,3]三唑-5-基、1H-苯并[d]咪唑-2-基、1H-苯并[d]咪唑-6-基、1H-吲唑-3-基、1H-吲唑-5-基、1H-吲唑-6-基、1H-吲哚-6-基、1H-吡咯并[2,3-b]吡啶-5-基、1-甲基-1H-1,2,4-三唑-5-基、1-甲基-1H-苯并[d]咪唑-5-基、1-甲基-1H-吲唑-5-基、1-甲基-1H-吡唑并[4,3-b]吡啶-5-基、1-甲基-2-氧雜二環[2.1.1]己-4-基、1-甲基-2-側氧基-4-六氫吡啶基、1-甲基-5-側氧基-吡咯啶-3-基、1-甲基-6-側氧基-3-六氫吡啶基、1-甲基-6-側氧基-3-吡啶基、1-苯基-1H-吡唑-5-基、1-苯基環丙基、2-(1H-咪唑-1-基)乙基、2-(4-氟苯基)-2-羥基乙基、2-(二氟甲氧基)苯基、2-(甲基磺醯胺基)乙基、2-(甲基磺醯基)乙基、2,2-二氟苯并[d][1,3]二氧雜環戊烯-5-基、2,3-二氫-1H-茚-2-基、2,3-二氫苯并呋喃-5-基、2,6-二甲基嘧啶-4-基、2-氯-4-(甲基磺醯基)苯基、2-氰基丙-2-基、2-環丙基四氫吡喃-4-基、2-羥基-2-甲基-丙基、2-甲基-2H-吡唑并[4,3-b]吡啶-5-基、2-甲基苯并[d]噻唑-6-基、2-嗎啉基乙基、2-氧雜二環[2.2.2]辛-4-基、2-氧雜螺[3.3]庚-6-基、3-(1-羥基-1-甲基-乙基)-1-二環[1.1.1]戊烷基、3-(2-甲基噻唑-4-基)苯基、3-(二氟甲氧基)環丁基、3-(二氟甲基)環丁基、3-(羥基甲基)環丁基、3-(三氟甲基)-1-二環[1.1.1]戊烷基、3-(三氟甲基)環丁基、3,3,3-三氟丙基、3,3-二氟環丁基、3,4-二甲基異噁唑-5-基、3,5-二氟-2-吡啶基、3-氰基-1-二環[1.1.1]戊烷基、3-氰基環丁基、3-環丙基-1H-吡唑-5-基、3-環丙基-1-甲基-1H-吡唑-5-基、3-氟-5-(1H-吡唑-1-基)吡啶-2-基、3-氟-5-(三氟甲基)吡啶-2-基、3-氟-5-甲醯基吡啶-2-基、3-氟吡啶-4-基、3-羥基-3-(三氟甲基)環丁基、3-羥基-3-甲基丁基、3-羥基-3-甲基環丁基、3-羥基環己基、3-甲基-1-苯基-1H-吡唑-5-基、3-甲基環丁基、4-(1H-四唑-5-基)苯基、4-(2-甲基噻唑-4-基)嘧啶-2-基、4,4-二氟環己基、4,5,6,7-四氫-1H-吲唑-6-基、4,5,6,7-四氫吡唑并[1,5-a]吡啶-5-基、4,5-二甲基嘧啶-2-基、4,6-二甲基吡啶-2-基、4-氰基嘧啶-2-基、4-羥基-1-二環[2.2.2]辛烷基、4-甲基吡啶-2-基、5-(二氟甲氧基)-2-吡啶基、5-(二氟甲基)吡啶-2-基、5-(吡啶-2-基)嘧啶-2-基、5-(三氟甲基)嘧啶-2-基、5-(二氟甲氧基)嘧啶-2-基、5,7-二氫呋喃并[3,4-d]嘧啶-2-基、5-氯-3-氟吡啶-2-基、5-氯吡啶-2-基、5-氯嘧啶-2-基、5-氰基-3-氟吡啶-2-基、5-氰基苯并[d]噁唑-2-基、5-氰基吡啶-2-基、5-氰基嘧啶-2-基、5-環丙基嘧啶-2-基、5-環丁基嘧啶-2-基、5-乙基嘧啶-2-基、5-氟-4-甲基嘧啶-2-基、5-氰基-4-甲基嘧啶-2-基、5-氟吡啶-2-基、5-氟嘧啶-2-基、5-氟嘧啶-4-基、5-碘嘧啶-2-基、5-甲氧基嘧啶-2-基、5-甲基-2-側氧基-1,2-二氫吡啶-3-基、5-甲基嘧啶-2-基、5-吡唑-1-基嘧啶-2-基、5-(四氫呋喃-3-基)嘧啶-2-基、5-(1-甲基-1H-吡唑-4-基)嘧啶-2-基、6,7-二氫-5H-吡咯并[1,2-b][1,2,4]三唑-2-基、5-氟噻唑-2-基、6-氯嗒嗪-3-基、6-氟苯并[d]噁唑-2-基、6-氰基苯并[d]噁唑-2-基、6-甲基吡嗪-2-基、6-甲基吡啶-2-基、6-側氧基-1,6-二氫嘧啶-2-基、苯并[d]噁唑-2-基、苯并[d]噁唑-5-基、苯并[d]噻唑-5-基、苯并[d]噻唑-6-基、環丁基甲基、咪唑并[1,2-a]吡嗪-6-基、咪唑并[1,2-a]吡啶-5-基、咪唑并[1,2-a]吡啶-8-基、咪唑并[1,2-b]嗒嗪-6-基、咪唑并[1,5-a]吡啶-6-基、異喹啉-4-基、異喹啉-6-基、異喹啉-7-基、異喹啉-8-基、異噁唑并[4,5-b]吡啶-5-基、異噁唑并[5,4-b]吡啶-6-基、噁唑-2-基甲基、噁唑并[4,5-b]吡啶-2-基、噁唑并[4,5-c]吡啶-2-基、噁唑并[5,4-b]吡啶-2-基、噁唑并[5,4-c]吡啶-2-基、氧雜環丁-3-基甲基、苯基、吡唑并[1,5-a]嘧啶-5-基、吡啶-4-基甲基、嘧啶-2-基、喹唑啉-2-基、喹啉-2-基、喹啉-3-基、喹啉-5-基、喹啉-6-基、螺[2.3]己-5-基、[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡嗪-8-基、[1,2,4]三唑并[4,3-a]吡嗪-8-基、[1,3]噻唑并[5,4-d]嘧啶-5-基、1-(1-甲基吡唑-3-基)吡咯啶-3-基、1-(1-甲基吡唑-4-基)六氫吡啶-3-基、1-(1-甲基吡唑-4-基)吡咯啶-3-基、1-(2,2,2-三氟乙基)-1,2,4-三唑-3-基、1-(2,2,2-三氟乙基)六氫吡啶-4-基、1-(2,2-二氟乙基)六氫吡啶-4-基、1-(3,3,3-三氟丙基)六氫吡啶-4-基、1-(氧雜環丁-3-基)六氫吡啶-3-基、1-(氧雜環丁-3-基)吡咯啶-3-基、1,2,4-苯并三嗪-3-基、1,2-苯并噻唑-6-基、1,2-苯并噁唑-3-基、1,5-二甲基-1,2,4-三唑-3-基、1,7-萘啶-8-基、1-氮雜二環[2.2.2]辛-3-基、1-苄基吡咯啶-3-基、1-環丙基-1,2,4-三唑-3-基、1-乙基-1-氮雜螺[3.3]庚-6-基、1-乙基吡咯啶-3-基、1-甲基-1,2,4-三唑-3-基、1-甲基-2-側氧基吡咯啶-3-基、1-甲基-6-側氧基嗒嗪-3-基、1-甲基六氫吡啶-3-基、1-甲基吡唑并[3,4-d]嘧啶-6-基、1-苯基-1,2,4-三唑-3-基、1-丙-2-基-1,2,4-三唑-3-基、1-嗒嗪-3-基六氫吡啶-4-基、1-吡啶-2-基六氫吡啶-4-基、1-吡啶-3-基六氫吡啶-4-基、1-嘧啶-2-基六氫吡啶-4-基、2-甲基咪唑并[1,2-b]嗒嗪-6-基、2-側氧基吡咯啶-3-基、3-(1H-吡唑-5-基)環丁基、3-(甲氧基甲基)環丁基、3-氯-5-氰基吡啶-2-基、3-氰基-5-氟吡啶-2-基、3-氟-5-甲基吡啶-2-基、3-氟咪唑并[1,2-a]吡啶-2-基、3-氟吡唑并[1,5-a]吡啶-2-基、3-甲氧基-3-甲基環丁基、3-甲氧基吡啶-2-基、3-甲基咪唑并[1,2-b]嗒嗪-6-基、3-甲基吡唑并[1,5-a]吡啶-2-基、3-苯基環丁基、3-苯基甲氧基環丁基、4,4-二甲基-5H-1,3-噁唑-2-基、4,5,6,7-四氫-1,3-苯并噁唑-2-基、4-氰基-1,3-苯并噁唑-2-基、4-甲氧基嘧啶-2-基、4-甲基-3-側氧基吡嗪-2-基、4-甲基-4-氮雜螺[2.5]辛-7-基、4-甲基-5-側氧基吡嗪-2-基、5-(2,2-二氟環丙基)嘧啶-2-基、5-(2,3-二氫呋喃-4-基)嘧啶-2-基、5-(二氟甲基)-3-氟吡啶-2-基、5-(甲氧基甲氧基)嘧啶-2-基、5-(氧雜環丁-3-基)嘧啶-2-基、5-(氧雜環戊-2-基)嘧啶-2-基、5-(三氟甲基)-1,3-苯并噁唑-2-基、5,5-二甲基-4H-1,3-噁唑-2-基、5,6,7,8-四氫-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、5,6-二氫呋喃并[2,3-d]嘧啶-2-基、5-氰基-3-氟-4-甲基吡啶-2-基、5-氰基-3-氟-6-甲基吡啶-2-基、5-氰基-3-甲基吡啶-2-基、5-氟-2-甲氧基嘧啶-4-基、5-氟-6-甲氧基嘧啶-4-基、5-甲基-1-苯基-1,2,4-三唑-3-基、5-吡咯啶-1-基嘧啶-2-基、6-(二氟甲氧基)吡啶-3-基、6-(三氟甲基)-1,3-苯并噁唑-2-基、6,7-二氫-4H-吡唑并[5,1-c][1,4]噁嗪-2-基、6,8-二氫-5H-吡喃并[3,4-d]嘧啶-2-基、6-氰基-4-氟吡啶-3-基、6-氰基吡啶-3-基、6-氟-1,3-苯并噁唑-2-基、6-氟吡唑并[1,5-a]嘧啶-5-基、6-甲氧基吡啶-3-基、7,8-二氫-5H-吡喃并[4,3-d]嘧啶-2-基、7-甲基吡唑并[1,5-a]嘧啶-5-基、8-氯-[1,2,4]三唑并[1,5-a]吡啶-2-基、1-(乙氧基羰基)六氫吡啶-4-基、咪唑并[1,2-a]吡嗪-8-基、咪唑并[1,2-a]吡啶-2-基、咪唑并[1,2-a]嘧啶-7-基、咪唑并[1,2-c]嘧啶-5-基、吡嗪-2-基、吡唑并[1,5-a]吡啶-2-基、嗒嗪-4-基、1-(第三丁氧基羰基)-1-氮雜螺[3.3]庚-6-基或6-側氧基-1,6-二氫嗒嗪-3-基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>一起形成雜環基或雜芳基環，其視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>9</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>9</sup>為氫或甲基且R<sup>10</sup>為氫。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式II表示： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="143px" file="ed10970.jpg" alt="ed10970.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>II <br/>其中： <br/>p為1、2、3或4；且 <br/>環A為C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式III表示： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="143px" file="ed10971.jpg" alt="ed10971.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>III <br/>其中： <br/>p為1、2、3或4；且 <br/>環A為C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>4</sup>為氫或甲基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>6</sup>為氫。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>7</sup>為氫。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>接合形成C<sub>3-10</sub>環烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式IV表示： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="143px" file="ed10972.jpg" alt="ed10972.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>IV <br/>其中： <br/>p為1、2、3或4；且 <br/>環A為C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式V表示： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="143px" file="ed10973.jpg" alt="ed10973.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>V <br/>其中： <br/>p為1、2、3或4；且 <br/>環A為C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式VI表示： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="143px" file="ed10974.jpg" alt="ed10974.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>VI <br/>其中： <br/>p為1、2、3或4；且 <br/>環A為C<sub>3-10</sub>環烷基、雜環基、芳基或雜芳基；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基、該雜環基、該芳基或該雜芳基視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式VII表示： <br/><img align="absmiddle" height="62px" width="143px" file="ed10975.jpg" alt="ed10975.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>VII。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>一起形成C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基環；其中該C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基獨立地視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>一起形成C<sub>3-10</sub>環烷基，其視情況經鹵基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基取代。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>2</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或-OR<sup>11</sup>，其中R<sup>11</sup>為視情況經1至5個Z<sup>1a</sup>取代之C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>3</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>2</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基且R<sup>3</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物由式VIII表示： <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="133px" file="ed10976.jpg" alt="ed10976.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>VIII。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中每一R<sup>1</sup>獨立地為鹵基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基或雜環基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、該C<sub>2-6</sub>烯基及該C<sub>3-10</sub>環烷基獨立地視情況經1至8個Z<sup>1</sup>取代；或任兩個毗鄰R<sup>1</sup>與其所連接之原子一起形成環烷基、雜環基、芳基或雜芳基環。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中每一R<sup>1</sup>獨立地為氟、溴、氯、碘、氰基、乙基、乙烯基、二氟甲基、三氟甲基、1-氟乙基、1,1-二氟乙基、甲氧基、氟甲氧基、二氟甲氧基、環丙基、環丁基、環丙基甲基、氧雜環丁-3-基、2,2-二氟環丙-1-基、1-氰基環丙基及1-甲基環丙基、1-氟-2-(三氟甲基)環丙基、乙炔基、1-氟乙烯基、1-氟環丙基、2-氟環丙基或1,2-二氟環丙基；或兩個毗鄰R<sup>1</sup>與其所連接之原子一起形成噻吩。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，其中該化合物係選自以下： <br/><br/><b><br/></b><b><br/></b><b><br/></b>
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至37中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物，以及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項38之醫藥組合物之用途，其用於製造用以治療有需要之個體的疾病或疾患之藥劑，其中該疾病或疾患為阿茲海默氏病(Alzheimer disease)、動脈粥樣硬化、氣喘、過敏性氣道發炎、隱熱蛋白相關週期症候群、痛風、發炎性腸病及相關病症、非酒精性脂肪肝病(NAFLD)、非酒精性脂肪性肝炎(NASH)、高血壓、心肌梗塞、多發性硬化、實驗性自體免疫性腦炎、草酸鹽誘發之腎病變、流行性感冒感染後之過度發炎、移植物抗宿主病、中風、矽肺病、1型糖尿病、肥胖誘發之發炎或胰島素抗性、類風濕性關節炎、骨髓發育不良症候群、接觸性過敏、屈公病病毒(chikungunya virus)引發之關節發炎或創傷性腦損傷。
如請求項39之用途，其中該疾病為非酒精性脂肪肝病(NAFLD)或非酒精性脂肪性肝炎(NASH)。
如請求項39之用途，其中該疾病為阿茲海默氏病。
一種如請求項1至37中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物之用途，其用於製造用以治療疾病或疾患之藥劑，其中該疾病或疾患選自阿茲海默氏病、動脈粥樣硬化、氣喘、過敏性氣道發炎、隱熱蛋白相關週期症候群、痛風、發炎性腸病及相關病症、非酒精性脂肪肝病(NAFLD)、非酒精性脂肪性肝炎(NASH)、高血壓、心肌梗塞、多發性硬化、實驗性自體免疫性腦炎、草酸鹽誘發之腎病變、流行性感冒感染後之過度發炎、移植物抗宿主病、中風、矽肺病、1型糖尿病、肥胖誘發之發炎或胰島素抗性、類風濕性關節炎、骨髓發育不良症候群、接觸性過敏、屈公病病毒引發之關節發炎或創傷性腦損傷。
一種如請求項1至37中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物之用途，其用於製造用以治療神經退化性疾病之藥劑。
一種製備如請求項1之式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物之方法，其包括使式I-1化合物與式I-2化合物在適於提供式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物之條件下接觸： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="45px" file="ed11380.jpg" alt="ed11380.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-1 <img align="absmiddle" height="31px" width="43px" file="ed11381.jpg" alt="ed11381.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-2 <br/>其中LG為脫離基，且其餘變數係如請求項1所定義。
一種製備如請求項1之式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物之方法，其包括使式I-4化合物與式I-5化合物在適於提供式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、同位素富集之類似物、立體異構物或立體異構物混合物之條件下接觸： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="66px" file="ed11382.jpg" alt="ed11382.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-4 <img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="ed11383.jpg" alt="ed11383.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I-5 <br/>其中R<sup>z</sup>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基，且其餘變數係如請求項1所定義。
一種半導體晶圓搭載用基材，其具有含有彈性體樹脂之彈性體層、及室溫(23℃)下之拉伸儲存模數高於上述彈性體層之非彈性體層， <br/>上述彈性體層於室溫下之拉伸儲存模數為10 MPa以上且100 MPa以下， <br/>上述半導體晶圓搭載用基材於-15℃下之斷裂伸長率為300%以上，且於-15℃下之斷裂強度為20 N/10 mm以上。
如請求項1之半導體晶圓搭載用基材，其中 <br/>上述彈性體樹脂為烯烴系彈性體樹脂。
如請求項1或2之半導體晶圓搭載用基材，其 <br/>厚度為90 μm以上且130 μm以下。
一種切晶帶，其具備 <br/>基材、 <br/>及積層於上述基材上之黏著劑層，且 <br/>上述基材為如請求項1至3中任一項之半導體晶圓搭載用基材。
一種切晶黏晶膜，其具備： <br/>於基材上積層黏著劑層而成之切晶帶、及 <br/>積層於上述切晶帶之上述黏著劑層上之黏晶層，且 <br/>上述基材為如請求項1至3中任一項之半導體晶圓搭載用基材。
一種脆性材料基板之加工方法，其包含劃線步驟，前述劃線步驟對於脆性材料基板之表面，以離開前述基板之端緣而靠向內側之位置為劃線開始點，按壓固定刀之刻劃工具，使其以用不伴隨裂痕之溝渠線畫出閉合曲線之方式周繞移動並返回至前述劃線開始點，而加工出劃線，且與前述劃線連續地，在前述劃線開始點位置畫出曲率半徑為0.5 mm以下之轉向部K而轉向後，加工出分離用劃線，將於厚度方向上行進之裂痕誘導至前述溝渠線之槽。
如請求項1之脆性材料基板之加工方法，其中前述閉合曲線包含直線部分及曲線部分，前述劃線開始點位置包含於直線部分中。
如請求項2之脆性材料基板之加工方法，其中前述分離用劃線在前述轉向部K轉向後畫成直線，隔著前述轉向部K而包含前述閉合曲線之前述劃線開始點位置之直線部分、與前述分離用劃線之直線所成之彎曲角度為20ﾟ～90ﾟ。
如請求項1至3中任一項之脆性材料基板之加工方法，其中前述脆性材料基板係板厚為200 μm以下之玻璃基板。
一種脆性材料基板之分斷方法，其包含： <br/>劃線步驟，其對於脆性材料基板之表面，以離開前述基板之端緣而靠向內側之位置為劃線開始點，按壓固定刀之刻劃工具，使其以用不伴隨裂痕之溝渠線畫出閉合曲線之方式周繞移動並返回至前述劃線開始點，而加工出劃線，且與前述劃線連續地，在前述劃線開始點位置畫出曲率半徑為0.5 mm以下之轉向部K而轉向後，加工出分離用劃線，將於厚度方向上行進之裂痕誘導至前述溝渠線之槽；及 <br/>裂斷步驟，其藉由沿前述劃線施加應力，而切出由前述閉合曲線包圍之區域。
一種呈乳膏、軟膏、液體或凝膠形式之傷口癒合組成物，其包含： <br/>第一成分，其選自重量濃度在0.08%至38%範圍內之三氯乙酸； <br/>第二成分，其選自重量濃度在0.01%至5%範圍內之29-31% w/w過氧化氫水溶液，或三氯過氧乙酸，其中： <br/>三氯乙酸與過氧化氫之間的相對莫耳比率為4.34至4.74；或 <br/>三氯過氧乙酸與三氯乙酸之間的相對分子比率為3.6至4.0； <br/>該組成物具有pH值為2.6至3.6。
如請求項1之組成物，其呈乳膏形式，含有20-25% w/w水、5-12% w/w液體石蠟、3-7% w/w丙二醇、8-12% w/w甘油、10-14% w/w之28-32% w/v氨水溶液及1-2% w/w聚山梨醇酯60。
如請求項1或2之組成物，其呈軟膏形式，含有5-12% w/w水、0.5-1.5% w/w月桂基硫酸鈉、10-15% w/w丙二醇、20-30% w/w硬脂醇、20-30% w/w白石蠟脂、4-6% w/w之28-32% w/v氨水及0.02%與0.05% w/w之間濃度的一或多種防腐劑。
如請求項3之組成物，其中，不使用防腐劑。
如請求項1之組成物，其呈液體形式，含有38-99% w/w水、0.001-0.5% w/w EDTA二鈉鹽、0.025-15% w/w甘油、0.03-14% w/w之28-32% w/v氨水、0.005-5%w/w增稠及調質劑。
如請求項1之組成物，其呈凝膠形式，含有25-35% w/w乙醇、11-15% w/w丙二醇、10-14% w/w之28-32% w/v氨水、2-5% w/w二乙二醇單乙醚及1-4%w/w肉豆寇醇。
如請求項1之組成物，其經0.9% w/v NaCl水溶液稀釋。
如請求項1之組成物，其中，三氯過氧乙酸藉由將過氧化氫添加至三氯乙酸中而原位製備。
一種請求項1至8中任一項之組成物用於製備治療未癒合傷口及緩慢癒合傷口之藥物的用途。
一種由一車輛的一處理器執行的用於偵測一車聯網路（V2X）系統中的不當行為狀況的方法，包括以下步驟：<br/> 從另一個V2X系統參與者接收一V2X訊息，其中該V2X訊息包含關於該車輛周圍之一環境的資料；<br/> 將該接收到的V2X訊息中包含的資料與一本端維護或儲存的本端動態地圖（LDM）資料模型進行比較，以偵測不當行為狀況；<br/> 回應於基於該比較偵測到一不當行為狀況，產生標識該不當行為狀況的一不當行為報告；<br/> 將該產生的不當行為報告發送給一不當行為管理機構；<br/> 監控該車輛中的複數個感測器以採集關於該車輛周圍之一環境的附加資料；<br/> 至少部分地基於從該等複數個感測器採集的該附加資料的一聚合，來產生表示該車輛周圍之該環境的該LDM資料模型；及<br/> 將該LDM資料模型儲存在記憶體中。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：<br/> 回應於決定未偵測到一不當行為狀況：<br/> 基於在該LDM資料模型中觀察到的物件動態中的至少一項或從該V2X訊息接收的新資料輸入執行計算；<br/> 修改該LDM資料模型以合併包括在該接收到的V2X訊息中的計算和資料；及<br/> 用該修改的LDM資料模型替換記憶體中維護或儲存的該LDM資料模型。
根據請求項1之方法，其中將該產生的不當行為報告發送給一不當行為管理機構之步驟包括以下步驟：發送該LDM資料模型的一表示。
根據請求項3之方法，其中該LDM資料模型的該表示包括該LDM資料模型的一不完整資料集。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：從該不當行為管理機構接收回饋，其中該回饋包括用於減輕該不當行為狀況的糾正措施。
根據請求項1之方法，其中該接收到的V2X訊息中包括的關於該車輛周圍之該環境的該資料包括交通資訊。
根據請求項1之方法，其中該接收到的V2X訊息中包括的關於該車輛周圍之該環境的該資料包括基於全球導航衛星系統資料的鄰近車輛的位置資訊。
根據請求項1之方法，其中該接收到的V2X訊息中包括的關於該車輛周圍之該環境的該資料包括詳細說明道路幾何形狀和街道設施的地圖資料。
根據請求項1之方法，其中將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況之步驟包括以下步驟：決定該接收到的V2X訊息中包括的任何資料是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型中的資訊衝突。
根據請求項1之方法，其中將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況之步驟包括以下步驟：<br/> 在該本端維護或儲存的LDM資料模型中選擇資料元素的一子集，用於與該接收到的V2X訊息中包括的資料進行比較；及<br/> 決定該接收到的V2X訊息中包括的任何資料是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型內的該選擇的資料元素的子集衝突。
根據請求項1之方法，其中將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況之步驟包括以下步驟：決定發送該接收到的V2X訊息的一鄰近車輛的狀態或位置資訊是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型中該鄰近車輛的狀態或位置資訊衝突。
一種車聯網路（V2X）處理設備，包括：<br/> 配置有處理器可執行指令的一處理器，用於：<br/> 從另一個V2X系統參與者接收一V2X訊息，其中該V2X訊息包含關於一車輛周圍之一環境的資料，在該車輛中安裝有該V2X處理設備；<br/> 將該接收到的V2X訊息中包含的資料與一本端維護或儲存的本端動態地圖（LDM）資料模型進行比較，以偵測不當行為狀況；<br/> 回應於基於該比較偵測到一不當行為狀況，產生標識該不當行為狀況的一不當行為報告；<br/> 將該產生的不當行為報告發送給一不當行為管理機構；<br/> 監控該車輛中的複數個感測器以採集關於該車輛周圍之一環境的附加資料；<br/> 至少部分地基於從該等複數個感測器採集的該附加資料的一聚合，來產生表示該車輛周圍之該環境的該LDM資料模型；及<br/> 將該LDM資料模型儲存在記憶體中。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該處理器還配置有處理器可執行指令以：<br/> 回應於決定未偵測到一不當行為狀況，基於在該LDM資料模型中觀察到的物件動態中的至少一項或從該V2X訊息接收的新資料輸入執行計算；<br/> 修改該LDM資料模型以合併包括在該接收到的V2X訊息中的計算和資料；及<br/> 用該修改的LDM資料模型替換記憶體中維護或儲存的該LDM資料模型。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該處理器還配置有處理器可執行指令，以將該LDM資料模型的一表示包括在發送給該不當行為管理機構的該產生的不當行為報告中。
根據請求項14之V2X處理設備，其中該LDM資料模型的該表示包括該LDM資料模型的一不完整資料集。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該處理器還配置有處理器可執行指令以接收來自該不當行為管理機構的回饋，其中該回饋包括用於減輕該不當行為狀況的糾正措施。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該接收到的V2X訊息中包括的關於該車輛周圍之該環境的該資料包括交通資訊。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該接收到的V2X訊息中包括的關於該車輛周圍之該環境的該資料包括基於全球導航衛星系統資料的鄰近車輛的位置資訊。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該接收到的V2X訊息中包括的關於該車輛周圍之該環境的該資料包括詳細說明道路幾何形狀和街道設施的地圖資料。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該處理器還配置有處理器可執行指令，以將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較，以偵測不當行為狀況，來決定該接收到的V2X訊息中包括的任何資料是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型中的資訊衝突。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該處理器還配置有處理器可執行指令，以經由下述方式將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況：<br/> 在該本端維護或儲存的LDM資料模型中選擇資料元素的一子集，用於與該接收到的V2X訊息中包括的資料進行比較；及<br/> 決定該接收到的V2X訊息中包括的任何資料是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型內的該選擇的資料元素的子集衝突。
根據請求項12之V2X處理設備，其中該處理器還配置有處理器可執行指令，以將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較，以偵測不當行為狀況，來決定發送該接收到的V2X訊息的一鄰近車輛的狀態或位置資訊是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型中該鄰近車輛的狀態或位置資訊衝突。
一種車聯網路（V2X）處理設備，包括：<br/> 用於從另一個V2X系統參與者接收一V2X訊息的構件，其中該V2X訊息包含關於一車輛周圍之一環境的資料，在該車輛中安裝有該V2X處理設備；<br/> 用於將該接收到的V2X訊息中包含的資料與一本端維護或儲存的本端動態地圖（LDM）資料模型進行比較，以偵測不當行為狀況的構件；<br/> 用於回應於基於該比較偵測到一不當行為狀況，產生標識該不當行為狀況的一不當行為報告的構件；<br/> 用於將該產生的不當行為報告發送給一不當行為管理機構的構件；<br/> 用於監控該車輛中的複數個感測器以採集關於該車輛周圍之一環境的附加資料的構件；<br/> 用於至少部分地基於從該等複數個感測器採集的該附加資料的一聚合來產生表示該車輛周圍之該環境的該LDM資料模型的構件；及<br/> 用於儲存該LDM資料模型的構件。
根據請求項23之V2X處理設備，還包括：<br/> 用於回應於決定未偵測到一不當行為狀況，基於在該LDM資料模型中觀察到的物件動態中的至少一項或從該V2X訊息接收的新資料輸入執行計算的構件；<br/> 用於修改該LDM資料模型以合併包括在該接收到的V2X訊息中的計算和資料的構件；及<br/> 用於用該修改的LDM資料模型替換記憶體中維護或儲存的該LDM資料模型的構件。
根據請求項23之V2X處理設備，其中用於將該產生的不當行為報告發送給一不當行為管理機構的構件包括用於發送該LDM資料模型的一表示的構件。
根據請求項23之V2X處理設備，還包括用於從該不當行為管理機構接收回饋的構件，其中該回饋包括用於減輕該不當行為狀況的糾正措施。
根據請求項23之V2X處理設備，其中用於將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況的構件包括：用於決定該接收到的V2X訊息中包括的任何資料是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型中的資訊衝突的構件。
根據請求項23之V2X處理設備，其中用於將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況的構件包括：<br/> 用於在該本端維護或儲存的LDM資料模型中選擇資料元素的一子集，用於與該接收到的V2X訊息中包括的資料進行比較的構件；及<br/> 用於決定該接收到的V2X訊息中包括的任何資料是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型內的該選擇的資料元素的子集衝突的構件。
根據請求項23之V2X處理設備，其中用於將該接收到的V2X訊息中包括的資料與該本端維護或儲存的LDM資料模型進行比較以偵測不當行為狀況的構件包括：用於決定發送該接收到的V2X訊息的一鄰近車輛的狀態或位置資訊是否與該本端維護或儲存的LDM資料模型中該鄰近車輛的狀態或位置資訊衝突的構件。
一種回旋式纜線類保護導引裝置，其係具有：面向環狀空間的外側面的外周部；面向該環狀空間的內側面的內周部；及配置在該環狀空間，而且包含可沿著該環狀空間的周方向移動的移動端、與配置在該環狀空間的預定的位置的固定端的纜線類保護導引構件；及插入該內周部的內側的旋轉軸，該回旋式纜線類保護導引裝置之特徵為：在該環狀空間係配置以與該周方向呈垂直的旋轉軸方向延伸的柱狀的軌道導引滾輪，該軌道導引滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉，該移動端設在比該固定端更遠離該旋轉軸的位置。
如請求項1之回旋式纜線類保護導引裝置，其中，該外周部係具有以該旋轉軸方向延伸，而且面向該環狀空間的外側面的複數柱狀的外側滑動提升滾輪，該複數柱狀的外側滑動提升滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉。
一種回旋式纜線類保護導引裝置，其係具有：面向環狀空間的外側面的外周部；面向該環狀空間的內側面的內周部；及配置在該環狀空間，而且包含可沿著該環狀空間的周方向移動的移動端、與配置在該環狀空間的預定的位置的固定端的纜線類保護導引構件，該回旋式纜線類保護導引裝置之特徵為：在該環狀空間係配置以與該周方向呈垂直的旋轉軸方向延伸的柱狀的軌道導引滾輪，該軌道導引滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉，該外周部係具有以該旋轉軸方向延伸，而且面向該環狀空間的外側面的複數柱狀的外側滑動提升滾輪，該複數柱狀的外側滑動提升滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉。
如請求項1至3中任一項之回旋式纜線類保護導引裝置，其中，該內周部係具有以該旋轉軸方向延伸，而且面向該環狀空間的內側面的複數柱狀的內側滑動提升滾輪，該複數柱狀的內側滑動提升滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉。
一種回旋式纜線類保護導引裝置，其係具有：面向環狀空間的外側面的外周部；面向該環狀空間的內側面的內周部；及配置在該環狀空間，而且包含可沿著該環狀空間的周方向移動的移動端、與配置在該環狀空間的預定的位置的固定端的纜線類保護導引構件，該回旋式纜線類保護導引裝置之特徵為：在該環狀空間係配置以與該周方向呈垂直的旋轉軸方向延伸的柱狀的軌道導引滾輪，該軌道導引滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉，該內周部係具有以該旋轉軸方向延伸，而且面向該環狀空間的內側面的複數柱狀的內側滑動提升滾輪，該複數柱狀的內側滑動提升滾輪係因該移動端移動而與該纜線類保護導引構件作接觸旋轉。
一種III型膠原蛋白產生促進劑，其包含含有下述式化1所表示之異硬脂醇抗壞血酸磷酸酯或其金屬鹽及水解蛋殼膜成分作為水溶性成分之組合物，且異硬脂醇抗壞血酸磷酸酯或其金屬鹽/水解蛋殼膜成分之比率以質量比計為1/1～1/8； <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="318px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，上述式中之M為氫原子或一價金屬離子。
如請求項1之III型膠原蛋白產生促進劑，其包含將上述組合物作為微粒子膠囊之構成成分，並使油溶性成分內包於上述微粒子膠囊而成之微粒子膠囊化製劑。
一種抗老化化妝料，其含有如請求項1或2之III型膠原蛋白產生促進劑作為有效成分。
一種皮膚用皮膜形成組成物，係含有下述成分(A)及(B)： <br/>(A)從著色顏料及體質顏料中選擇1種或2種以上的粉體； <br/>(B)平均纖維徑0.1μm以上且7μm以下、長寬比(平均纖維長/平均纖維徑)27以上且250以下的纖維，且相對於皮膜形成組成物全體為0.1質量%以上且10質量%以下； <br/>成分(B)與成分(A)的質量比(B/A)係0.02以上且0.4以下； <br/>成分(B)係水不溶性聚合物的纖維； <br/>且該皮膚用皮膜形成組成物係含有： <br/>(C)(C1)水及非揮發性之於20℃呈液狀油劑； <br/>成分(C)中的(C1)水含量相對於皮膜形成組成物全體係10質量%以上且70質量%以下； <br/>成分(C)含量相對於皮膜形成組成物全體係15質量%以上且90質量%以下。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(B)係具有從聚乙烯丁醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯樹脂、聚乳酸等聚酯以及聚胺基甲酸酯樹脂中選擇1種或2種以上水不溶性聚合物的纖維。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(A)含量相對於皮膜形成組成物全體係0.5質量%以上且98質量%以下。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(C)中的非揮發性之於20℃呈液狀油劑係從酯油、醚油、烴油、高級醇、氟油及非揮發性聚矽氧油中選擇1種或2種以上的油劑。
如請求項1之皮膚用皮膜形成組成物，其中，成分(A)係含有著色顏料。
一種皮膚表面上的皮膜之製造方法，係包括有將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物使用於皮膚的步驟。
一種皮膜，係含有請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物。
一種乳化型化妝料之使用，係將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物使用為乳化型化妝料。
一種供彩妝及/或紫外線防禦之使用，係將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物塗抹於皮膚。
一種供彩妝及/或紫外線防禦之使用，係將請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物塗抹於臉部。
一種皮膚用皮膜形成組成物之使用，係請求項1至5中任一項之皮膚用皮膜形成組成物的使用，供使用於在皮膚表面上製造含粉體化妝皮膜。
一種由一接收實體執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步驟： <br/>接收定義一定位資源集合的一定位資源波束配置，每個定位資源由一發送/接收點TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>至少基於該波束特性集合，在該不同時間對該不同波束執行定位量測；及 <br/>將定位資訊發送到該TRP，該定位資訊包括至少一些該定位量測、一定位估計或其組合。
根據請求項1之方法，其中該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合，該至少一個波束特性包括一方位角的離開角、仰角的一離開角、一相對發送功率、一半功率角或其組合。
根據請求項1之方法，其中該定位資源集合包括一定位參考訊號PRS、一探測參考訊號SRS、一通道狀態資訊參考訊號CSI-RS或一解調參考訊號DMRS中的至少一個。
根據請求項1之方法，其中該定位資源集合包括一下行鏈路DL定位資源、一上行鏈路UL定位資源或一側行鏈路SL定位資源中的至少一個。
根據請求項1之方法，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義每個波束的波束特性集合。
根據請求項1之方法，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義該不同波束之一的一第一波束特性集合和將被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性以計算該不同波束中的另一個的一第二波束特性集合的至少一個偏移。
根據請求項6之方法，其中該至少一個偏移對於該定位資源集合之每個定位資源是相同的。
根據請求項6之方法，其中該定位資源集合中的一個定位資源的至少一個偏移不同於該定位資源集合中的另一定位資源的至少一個偏移。
根據請求項6之方法，其中該至少一個偏移包括一個偏移。
根據請求項9之方法，其中對於多次重複，在一第i次重複中，一值（i-1）*（偏移）被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性，以計算一第i個波束的該波束特性集合中的至少一個特性。
根據請求項6之方法，其中該至少一個偏移包括兩個偏移，對於兩個特性中的每一個一個偏移。
根據請求項11之方法，其中在該不同時間對該不同波束執行定位量測包括保持一個偏移恆定，同時為每個連續波束量測修改另一偏移。
根據請求項11之方法，其中在該不同時間對該不同波束執行定位量測包括為每個連續波束傳輸修改兩個偏移。
根據請求項11之方法，其中該兩個偏移包括一方位角偏移和一仰角偏移。
根據請求項1之方法，其中該定位資訊包括一參考訊號接收功率RSRP量測、一到達時間ToA量測、一服務品質QoS量測或一離開角AoD中的至少一個。
根據請求項1之方法，其中該接收實體包括一使用者設備UE或一基地台BS。
根據請求項1之方法，其中該TRP包括一使用者設備UE或一基地台BS。
一種由一發送/接收點TRP執行的無線通訊的方法，該方法包括以下步驟： <br/>向一接收實體發送定義一定位資源集合的一定位資源波束配置，每個定位資源由該TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合；及 <br/>從該接收實體接收定位資訊，該定位資訊包括至少一些該定位資源的量測、一定位估計或其組合。
根據請求項18之方法，其中該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合，該至少一個波束特性包括方位角的一離開角、仰角的一離開角、一相對發送功率、一半功率角或其組合。
根據請求項18之方法，其中該定位資源集合包括一定位參考訊號PRS、一探測參考訊號SRS、一通道狀態資訊參考訊號CSI-RS或一解調參考訊號DMRS中的至少一個。
根據請求項18之方法，其中該定位資源集合包括一下行鏈路DL定位資源、一上行鏈路UL定位資源或一側行鏈路SL定位資源中的至少一個。
根據請求項18之方法，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義每個波束的波束特性集合。
根據請求項18之方法，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義該不同波束之一的一第一波束特性集合和將被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性以計算該不同波束中的另一個的一第二波束特性集合的至少一個偏移。
根據請求項23之方法，其中該至少一個偏移對於該定位資源集合之每個定位資源是相同的。
根據請求項23之方法，其中該定位資源集合中的一個定位資源的至少一個偏移不同於該定位資源集合中的另一定位資源的至少一個偏移。
根據請求項23之方法，其中該至少一個偏移包括一個偏移。
根據請求項26之方法，其中對於多次重複，在一第i次重複中，一值（i-1）*（偏移）被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性，以計算一第i個波束的該波束特性集合中的至少一個特性。
根據請求項18之方法，其中該至少一個偏移包括兩個偏移，對於兩個特性中的每一個一個偏移。
根據請求項28之方法，其中根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合包括保持一個偏移恆定，同時為每個連續波束傳輸修改另一偏移。
根據請求項28之方法，其中根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合包括為每個連續波束傳輸修改兩個偏移。
根據請求項28之方法，其中該兩個偏移包括一方位角偏移和一仰角偏移。
根據請求項18之方法，其中該定位資訊包括一參考訊號接收功率RSRP量測、一到達時間ToA量測、一服務品質QoS量測或一離開角AoD中的至少一個。
根據請求項18之方法，其中該TRP包括一使用者設備UE或一基地台BS。
根據請求項18之方法，其中該接收實體包括一使用者設備UE或一基地台BS。
一種接收實體RE，包括： <br/>一記憶體； <br/>至少一個收發器；和 <br/>通訊地耦合到該記憶體和該至少一個收發器的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為： <br/>接收定義一定位資源集合的一定位資源波束配置，每個定位資源由一發送/接收點TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>至少基於該波束特性集合，在該不同時間對該不同波束執行定位量測；及 <br/>將定位資訊發送到該TRP，該定位資訊包括至少一些該定位量測、一定位估計或其組合。
根據請求項35之RE，其中該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合，該至少一個波束特性包括方位角的一離開角、仰角的一離開角、一相對發送功率、一半功率角或其組合。
根據請求項35之RE，其中該定位資源集合包括一定位參考訊號PRS、一探測參考訊號SRS、一通道狀態資訊參考訊號CSI-RS或一解調參考訊號DMRS中的至少一個。
根據請求項35之RE，其中該定位資源集合包括一下行鏈路DL定位資源、一上行鏈路UL定位資源或側行鏈路SL定位資源中的至少一個。
根據請求項35之RE，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義每個波束的波束特性集合。
根據請求項35之RE，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義該不同波束之一的一第一波束特性集合和將被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性以計算該不同波束中的另一個的一第二波束特性集合的至少一個偏移。
根據請求項40之RE，其中該至少一個偏移對於該定位資源集合之每個定位資源是相同的。
根據請求項40之RE，其中該定位資源集合中的一個定位資源的至少一個偏移不同於該定位資源集合中的另一定位資源的至少一個偏移。
根據請求項40之RE，其中該至少一個偏移包括一個偏移。
根據請求項43之RE，其中對於多次重複，在一第i次重複中，一值（i-1）*（偏移）被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性，以計算一第i個波束的該波束特性集合中的至少一個特性。
根據請求項40之RE，其中該至少一個偏移包括兩個偏移，對於兩個特性中的每一個一個偏移。
根據請求項45之RE，其中在該不同時間對該不同波束執行定位量測包括保持一個偏移恆定，同時為每個連續波束量測修改另一偏移。
根據請求項45之RE，其中在該不同時間對該不同波束執行定位量測包括為每個連續波束傳輸修改兩個偏移。
根據請求項45之RE，其中該兩個偏移包括一方位角偏移和一仰角偏移。
根據請求項35之RE，其中該定位資訊包括一參考訊號接收功率RSRP量測、一到達時間ToA量測、一服務品質QoS量測或一離開角AoD中的至少一個。
根據請求項35之RE，其中該接收實體包括一使用者設備UE或一基地台BS。
根據請求項35之RE，其中該TRP包括一使用者設備UE或一基地台BS。
一種發送/接收點TRP，包括： <br/>一記憶體； <br/>至少一個收發器；和 <br/>通訊地耦合到該記憶體和該至少一個收發器的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為： <br/>向一接收實體發送定義一定位資源集合的一定位資源波束配置，每個定位資源由該TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合；及 <br/>從該接收實體接收定位資訊，該定位資訊包括至少一些該定位資源的量測、一定位估計或其組合。
根據請求項52之TRP，其中該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合，該至少一個波束特性包括方位角的一離開角、仰角的一離開角、一相對發送功率、一半功率角或其組合。
根據請求項52之TRP，其中該定位資源集合包括定位參考訊號PRS、探測參考訊號SRS、通道狀態資訊參考訊號CSI-RS或解調參考訊號DMRS中的至少一個。
根據請求項52之TRP，其中該定位資源集合包括一下行鏈路DL定位資源、一上行鏈路UL定位資源或一側行鏈路SL定位資源中的至少一個。
根據請求項52之TRP，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義每個波束的波束特性集合。
根據請求項52之TRP，其中該定位資源波束配置為每個定位資源定義該不同波束之一的一第一波束特性集合和將被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性以計算該不同波束中的另一個的一第二波束特性集合的至少一個偏移。
根據請求項57之TRP，其中該至少一個偏移對於該定位資源集合之每個定位資源是相同的。
根據請求項57之TRP，其中該定位資源集合中的一個定位資源的至少一個偏移不同於該定位資源集合中的另一定位資源的至少一個偏移。
根據請求項57之TRP，其中該至少一個偏移包括一個偏移。
根據請求項60之TRP，其中對於多次重複，在一第i次重複中，一值（i-1）*（偏移）被應用於該第一波束特性集合中的至少一個特性，以計算一第i個波束的波束特性集合中的至少一個特性。
根據請求項52之TRP，其中該至少一個偏移包括兩個偏移，對於兩個特性中的每一個一個偏移。
根據請求項62之TRP，其中根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合包括保持一個偏移恆定，同時為每個連續波束傳輸修改另一偏移。
根據請求項62之TRP，其中根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合包括為每個連續波束傳輸修改兩個偏移。
根據請求項62之TRP，其中該兩個偏移包括一方位角偏移和一仰角偏移。
根據請求項52之TRP，其中該定位資訊包括一參考訊號接收功率RSRP量測、一到達時間ToA量測、一服務品質QoS量測或一離開角AoD中的至少一個。
根據請求項52之TRP，其中該TRP包括一使用者設備UE或一基地台BS。
根據請求項52之TRP，其中該接收實體包括一使用者設備UE或一基地台BS。
一種接收實體RE，包括： <br/>用於接收定義一定位資源集合的一定位資源波束配置的部件，每個定位資源由一發送/接收點TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>用於至少基於該波束特性集合在該不同時間對該不同波束執行定位量測的部件；及 <br/>用於將定位資訊發送到該TRP的部件，該定位資訊包括至少一些該定位量測、一定位估計或其組合。
一種發送/接收點TRP，包括： <br/>用於向一接收實體發送定義一定位資源集合的一定位資源波束配置的部件，每個定位資源由該TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>用於根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合的部件；及 <br/>用於從該接收實體接收定位資訊的部件，該定位資訊包括至少一些該定位資源的量測、一定位估計或其組合。
一種儲存一指令集合的非暫時性電腦可讀取媒體，該指令集合包括一或多個指令，該等指令在由一接收實體RE的一或多個處理器執行時，使得該RE： <br/>接收定義一定位資源集合的一定位資源波束配置，每個定位資源由一發送/接收點TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>至少基於該波束特性集合，在該不同時間對該不同波束執行定位量測；及 <br/>將定位資訊發送到該TRP，該定位資訊包括至少一些該定位量測、一定位估計或其組合。
一種儲存一指令集合的非暫時性電腦可讀取媒體，該指令集合包括一或多個指令，該等指令在由一發送/接收點TRP的一或多個處理器執行時，使得該TRP： <br/>向一接收實體發送定義一定位資源集合的一定位資源波束配置，每個定位資源由該TRP在不同時間使用不同波束來發送，該不同波束中的每一個具有一波束特性集合，該波束特性集合在至少一個波束特性上不同於該不同波束中的另一個的波束特性集合； <br/>根據該定位資源波束配置發送該定位資源集合；及 <br/>從該接收實體接收定位資訊，該定位資訊包括至少一些該定位資源的量測、一定位估計或其組合。
一種導引RNA(gRNA)支架，其包含與SEQ ID NO: 2292具至少90%序列一致性之序列，其中相對於SEQ ID NO: 2239，該序列包含C9、U11、U24、A29、U54、G64、A88及A95之修飾。
如請求項1之gRNA支架，其中： <br/>(a) 相對於SEQ ID NO: 2239之序列的位置64處C之插入及A88G取代解決延伸莖之不對稱凸出元件，從而增強該gRNA支架之該延伸莖的穩定性； <br/>(b) U11C、U24C及A95G之取代增加該gRNA支架之三聯體區之穩定性；或 <br/>(c) A29C之取代增加假結莖之穩定性。
如請求項1或2之gRNA支架，其包含GCCGCUUACGGACUUCGGUCCGUAAGAGGC (SEQ ID NO: 1286)之延伸莖序列。
一種導引RNA(gRNA)支架，其包含選自由SEQ ID NO: 2292、2291、2307、2281-2290、2293-2306、2308-2332及2353-2398組成之群的序列。
一種gRNA，其包含如請求項1至4中任一項之gRNA支架，及在該gRNA支架之3'端處與目標核酸序列互補之靶向序列，其中該靶向序列具有15、16、17、18、19、20、21或22個核苷酸，其中該gRNA能夠與第2類第V型CRISPR蛋白形成核糖核蛋白(RNP)複合物。
一種基因編輯對，其包含如請求項5之gRNA支架，及第2類第V型CRISPR蛋白。
一種核酸，其包含編碼如請求項1至4中任一項之gRNA支架或如請求項5之gRNA。
一種載體，其包含如請求項1至4中任一項之gRNA支架或如請求項5之gRNA。
如請求項8之載體，其中該載體： <br/>(a) 包含啟動子；及/或 <br/>(b) 係選自由以下組成之群：反轉錄病毒載體、慢病毒載體、腺病毒載體、腺相關病毒(AAV)載體、單純疱疹病毒(HSV)載體、質體、微型環、奈米質體、DNA載體、RNA載體及脂質奈米粒子(LNP)。
一種宿主細胞，其包含如請求項8或9之載體。
一種修飾細胞中之目標核酸之活體外或離體方法，其包含使該細胞之該目標核酸與以下接觸：i)如請求項6之基因編輯對；ii)如請求項6之基因編輯對以及供體模板；iii)一或多個編碼或包含(i)或(ii)之該基因編輯對之核酸；iv)包含(i)或(ii)之該核酸之載體； 或v) (i)至(iv)中之兩者或更多者之組合，其中該目標核酸之該接觸修飾該目標核酸。
如請求項11之方法： <br/>(a) 其包含使該目標與包含第一及第二或複數個gRNA之複數個基因編輯對接觸，該等gRNA包含與該目標核酸之不同或重疊區域互補之靶向序列；或 <br/>(b) 其包含使該目標與複數個編碼基因編輯對之核酸接觸，該等基因編輯對包含第一及第二或複數個gRNA，該等gRNA包含與該目標核酸之不同或重疊區域互補之靶向序列； <br/>其中該接觸包含結合該目標核酸及在該目標核酸中引入一或多個雙股斷裂，其中該修飾包含在該目標核酸中引入突變、插入或缺失。
如請求項11或12之方法，其中該修飾發生於基因之對偶基因中具有突變的個體之該細胞中，其中該突變在該個體中引起疾病或病症，其中該修飾： <br/>(a) 將該突變變為該基因之野生型對偶基因或引起功能性基因產物之表現；或 <br/>(b) 減弱或剔除引起該個體中之該疾病或病症之該基因的該對偶基因。
如請求項13之方法，其中該細胞： <br/>(a) 相對於該個體為自體的；或 <br/>(b) 相對於該個體為同種異體自體的。
如請求項11或12之方法，其中該載體： <br/>(a) 為腺相關病毒(AAV)載體，其中該AAV為AAV1、AAV2、AAV3、AAV4、AAV5、AAV6、AAV7、AAV8、AAV9、AAV10、AAV-Rh74或AAVRh10；或 <br/>(b) 為慢病毒載體。
一種組合物，其包含： <br/>(a) 如請求項1至4中任一項之gRNA支架或如請求項5之gRNA、緩衝劑、核酸酶抑制劑、蛋白酶抑制劑、脂質體、治療劑、標記、標記觀測試劑或前述之任何組合；或 <br/>(c) 如請求項6之基因編輯對、緩衝劑、核酸酶抑制劑、蛋白酶抑制劑、脂質體、治療劑、標記、標記觀測試劑或前述之任何組合。
一種套組，其包含如請求項6之基因編輯對、緩衝劑、核酸酶抑制劑、蛋白酶抑制劑、脂質體、治療劑、標記、標記觀測試劑或前述之任何組合。
一種包含如請求項6之基因編輯對之組合物的用途，其係用於製備用於治療患有疾病之個體的藥物。<sub> </sub>
一種光硬化性樹脂片材，其包含(A)高分子化合物及(B)低分子化合物， <br/>高分子化合物(A)之重量平均分子量為10,000～1,000,000， <br/>環氧基、氧雜環丁基及光聚合起始基分別獨立地存在於高分子化合物(A)或低分子化合物(B)中， <br/>光硬化性樹脂片材中之高分子化合物(A)之含量為85質量%以上， <br/>低分子化合物(B)之分子量未達1,000，且 <br/>低分子化合物(B)係包含氧雜環丁基之化合物。
如請求項1之光硬化性樹脂片材，其於25℃下之儲存模數G'為50,000 Pa以上。
如請求項1或2之光硬化性樹脂片材，其中25℃下之硬化物之波長400 nm之光透過率為70%以上，且對波長589 nm之光線之折射率為1.40以上。
如請求項1或2之光硬化性樹脂片材，其中高分子化合物(A)係選自由聚(甲基)丙烯酸樹脂、苯氧基樹脂、聚胺酯樹脂、矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂及聚醯亞胺樹脂所組成之群中之至少1種。
如請求項1或2之光硬化性樹脂片材，其中低分子化合物(B)為光酸產生劑。
一種光學材料，其係使如請求項1至5中任一項之光硬化性樹脂片材硬化而獲得。
一種積層構件，其具有波長850 nm下之直線透過率為80%以上之玻璃構件、 <br/>位於上述玻璃構件上之包含樹脂之接合層、及 <br/>位於上述接合層上之Si-SiC構件， <br/>上述Si-SiC構件於20～200℃時之平均線膨脹係數α為2.85～4.00 ppm/℃，且 <br/>上述樹脂包含選自環氧樹脂、矽酮樹脂、氟樹脂及聚醯亞胺樹脂之1種或2種以上。
如請求項1之積層構件，其中上述玻璃構件於20～200℃時之平均線膨脹係數β為1.50～5.00 ppm/℃。
如請求項1或2之積層構件，其中用氧化物基準之莫耳百分率表示，上述玻璃構件包含55.0～85.0莫耳%之SiO<sub>2</sub>、1.5～14.5莫耳%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3.0～14.0莫耳%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、及0～3.5莫耳%之P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>， <br/>用氧化物基準之莫耳百分率表示，上述玻璃構件中之上述SiO<sub>2</sub>、上述Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、上述B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及上述P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>之合計含量為70.0～97.0%。
如請求項3之積層構件，其中上述玻璃構件所含之上述B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>之含量為8.5莫耳%以下。
如請求項1或2之積層構件，其中用氧化物基準之莫耳百分率表示，上述玻璃構件包含0～13.0莫耳%之Na<sub>2</sub>O。
如請求項1或2之積層構件，其中用氧化物基準之莫耳百分率表示，上述玻璃構件包含0.0001～0.0115莫耳%之Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1或2之積層構件，其中上述玻璃構件於波長850 nm下之直線透過率為90%以上。
如請求項1或2之積層構件，其中上述玻璃構件之厚度為2～40 mm， <br/>上述Si-SiC構件之厚度為0.5～15 mm。
如請求項1或2之積層構件，其中上述Si-SiC構件於20℃時之熱導率為190～300 W/m・K。
如請求項1或2之積層構件，其中自上述Si-SiC構件於20～200℃時之平均線膨脹係數α減去上述玻璃構件於20～200℃時之平均線膨脹係數β所得值之絕對值｜α－β｜為2.00 ppm/℃以下。
如請求項1或2之積層構件，其中上述Si-SiC構件之楊氏模數為300～420 GPa。
如請求項1或2之積層構件，其中上述Si-SiC構件之金屬Si含有比率為8～60質量%。
如請求項1或2之積層構件，其中上述樹脂之耐熱溫度為120～300℃。
如請求項1或2之積層構件，其中上述接合層於20～200℃時之平均線膨脹係數γ為2～200 ppm/℃。
如請求項1或2之積層構件，其密度為2.40～2.85 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1或2之積層構件，其翹曲量為0.25 mm以下。
如請求項1或2之積層構件，其進而具有設置於上述Si-SiC構件上之第2接合層、及 <br/>經由上述第2接合層與上述Si-SiC構件接合之第2 Si-SiC構件。
一種聚乙烯多層膜，包括內層（I）、外層（O）、以及位於該內層與該外層之間的芯層（C），其中 <br/>該內層（I）包含成分AI，該成分AI是線性低密度乙烯聚合物，並且其中， <br/>該內層（I）進一步包含成分BI，其中 <br/>該成分BI是成分BI1或成分BI2中的一種；其中，該成分BI1是線性低密度至中密度聚乙烯，其密度高於該成分AI的密度且在915 kg/m<sup>3</sup>至940 kg/m<sup>3</sup>之間，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.05至1.0 g/10min；並且，該成分BI2是高密度聚乙烯，其密度為950至970 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.2至2.0 g/10 min， <br/>該芯層（C）包含成分AC，該成分AC是高密度聚乙烯，其密度為950至970 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.2至2.0 g/10min，並且其中， <br/>該外層（O）包含成分AO，該成分AO是線性低密度乙烯聚合物，並且其中， <br/>該膜根據ASTM F 2029和ASTM F 88測量的在5N的密封起始溫度為102℃至120℃，並且其中，該膜根據ISO 2813在60°測量的光澤度值為至少90，並且其中，該膜根據ASTM D882測量的縱向（MD）拉伸模數（1%割線模數）為500至700 MPa。
如請求項1所述之膜，其中，該成分AI和/或該成分AO是乙烯共聚物，其密度為910 kg/m<sup>3</sup>至925 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.5至2.0 g/10min。
如請求項2所述之膜，其中，該成分AI和/或該成分AO是乙烯三元共聚物，其密度為910 kg/m<sup>3</sup>至925 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.5至2.0 g/10min。
如請求項1所述之膜，其中，該成分BI2和/或該成分AC的密度為955至965 kg/m<sup>3</sup>，並且/或者，該成分BI2和/或該成分AC根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.4至1.5 g/10min。
如請求項1所述之膜，其中，該成分AC以最高90 wt%的量存在於該芯層（C）中。
如請求項1所述之膜，其中，該芯層（C）進一步包含成分BC，該成分BC是線性低密度乙烯聚合物。
如請求項6所述之膜，其中，該成分BC是乙烯共聚物，其密度為910 kg/m<sup>3</sup>至925 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.5至2.0 g/10min。
如請求項7所述之膜，其中，該成分BC是乙烯三元共聚物，其密度為910 kg/m<sup>3</sup>至925 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.5至2.0 g/10min。
如請求項6至8中任一項所述之膜，其中，該成分AI和/或該成分AO和/或該成分BC的密度為910 kg/m<sup>3</sup>至920 kg/m<sup>3</sup>，並且，該成分AI和/或該成分AO和/或該成分BC根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為1.0至2.0 g/10 min。
如請求項1所述之膜，其中，該外層（O）包含成分BO，該成分BO是線性低密度聚乙烯，其密度為915 kg/m<sup>3</sup>至930 kg/m<sup>3</sup>，且其根據ISO 1133測量的MFR<sub>2</sub>為0.05至1.0 g/10 min。
如請求項10所述之膜，其中，該內層（I）包含成分CI且/或該外層（O）包含成分CO，其中，該成分CI和/或該成分CO是LDPE，其根據ISO 1133測量的密度為918 kg/m<sup>3</sup>至928 kg/m<sup>3</sup>。
如請求項11所述之膜，其中，該成分AI和/或該成分AO以45至75 wt%的量存在於相應的層中，並且/或者其中，該成分BI和/或該成分BO以20至40 wt%的量存在於相應的層中，並且/或者其中，該成分CI和/或該成分CO以5至15 wt%的量存在於相應的層中。
如請求項1所述之膜，其中，該膜根據ASTM D1003測量的霧度值小於12%。
如請求項1所述之膜，其中，該膜的厚度為20至35微米，並且/或者，該膜包括最多五層，並且/或者，該膜可以透過吹膜或鑄膜製程製造。
如請求項1所述之膜，其中，該膜根據ASTM F-1249在37.8℃、90%濕度測量的濕氣透過率不大於12 g/m<sup>2</sup>/天。
一種包括如請求項1至15中任一項所述之膜的層合物。
如請求項16所述之層合物，進一步包括密封劑膜，其中該密封劑膜包含乙烯聚合物。
一種如請求項16或17所述之層合物於包裝物品的用途。
一種如請求項1至15中任一項所述之膜於包裝物品的用途。
一種口罩，其包括：<br/> 覆蓋罩，其經成形以覆蓋佩戴者的鼻子和嘴巴，且界定在前述覆蓋罩和前述佩戴者的皮膚之間的內部空間；<br/> 輸入扇，其經耦接至前述覆蓋罩，其中前述輸入扇經組態以從外部抽吸空氣進入前述內部空間；<br/> 輸出扇，其經耦接至前述覆蓋罩，其中前述輸出扇經組態以將空氣排出前述內部空間，其中前述輸入扇和前述輸出扇中的至少一者包括風扇罩，前述風扇罩包括：<br/> 至少一開口，以允許空氣流動；及<br/> 透光窗，其圍繞前述至少一開口；以及<br/> 光信號構件，其裝配到前述風扇罩的空腔內，其中前述光信號構件經配置以從前述透光窗在遠離前述佩戴者的臉部的方向上發射光。
如請求項1所述之口罩，其中前述輸入扇及前述輸出扇經對稱配置以繞著前述覆蓋罩的垂直中心線。
如請求項1所述之口罩，其中前述輸入扇經定位至前述覆蓋罩，使得被抽吸進入前述內部空間的前述空氣被導引朝向前述佩戴者的前述鼻子和前述嘴巴中的至少一者。
如請求項1所述之口罩，其中前述輸出扇經定位至前述覆蓋罩，使得前述輸出扇抽出從前述佩戴者的前述鼻子和前述嘴巴中的至少一者呼出的空氣。
如請求項1所述之口罩，其進一步包括：<br/> 輸入空氣引導構件，其經耦接至前述輸入扇並延伸進入前述內部空間，前述輸入空氣引導構件適用於將氣流從前述輸入扇導引至前述佩戴者的前述鼻子和前述嘴巴中的至少一者；以及<br/> 輸出空氣引導構件，其經耦接至前述輸出扇並延伸進入前述內部空間，前述輸出空氣引導構件適用於將氣流從前述佩戴者的前述鼻子和前述嘴巴中的至少一者導引至前述輸出扇。
如請求項1所述之口罩，其中前述輸入扇包括經組態以固持過濾器元件的過濾器固持件，前述過濾器元件用於過濾被抽吸進入前述內部空間的前述空氣。
如請求項1所述之口罩，其中前述輸出扇包括經組態以固持過濾器元件的過濾器固持件，前述過濾器元件用於過濾從前述佩戴者的前述鼻子和前述嘴巴中的至少一者呼出的空氣。
如請求項1所述之口罩，其中前述覆蓋罩對於流體為無法滲透的及/或實質上透明的。
如請求項1所述之口罩，其中前述覆蓋罩具有形成在其中的入口通孔及出口通孔，其中前述輸入扇經裝配至前述入口通孔，且其中前述輸出扇經裝配至前述出口通孔。
如請求項1所述之口罩，其進一步包括：<br/> 至少一個安裝構件，其在前述覆蓋罩之上邊緣的附近，其中至少一個前述安裝構件經組態以可移除地將眼罩固定在前述覆蓋罩的上方，用以覆蓋前述佩戴者的眼睛。
如請求項10所述之口罩，其進一步包括：<br/> 前述眼罩。
如請求項11所述之口罩，其中前述眼罩為可撓性的，以符合前述覆蓋罩的形狀。
如請求項1所述之口罩，其進一步包括：<br/> 光發射器配置，其經耦接至前述覆蓋罩，用以照明前述佩戴者的臉部。
如請求項1所述之口罩，其中，前述光信號構件包括光引導件，前述光引導件配置成與前述透光窗對準。
如請求項1所述之口罩，其中前述風扇罩包括：<br/> 頂蓋，其包括前述至少一開口以允許空氣流動；<br/> 前蓋外殼，其裝配在前述頂蓋周圍；以及<br/> 後蓋外殼，其中前述透光窗設置在前述頂蓋和前述前蓋外殼中的至少一者上，且前述光信號構件經配置在前述前蓋外殼和前述後蓋外殼之間。
如請求項15所述之口罩，其中前述前蓋外殼周向地圍繞前述頂蓋，並包括適用於接收前述光信號構件的圓周溝槽。
如請求項1所述之口罩，其進一步包括：<br/> 無線收發裝備和電連接器之一經耦接至前述光信號構件，其中前述無線收發裝備和前述電連接器之一經組態以接收包括操作指令的數據，<br/> 其中前述光信號構件經組態以根據在所接收的前述數據中的前述操作指令來操作。
如請求項1所述之口罩，其進一步包括：<br/> 皮膚緩衝墊，其經配置沿著前述覆蓋罩的周邊，其中前述皮膚緩衝墊適用於抵靠前述佩戴者的前述皮膚，用以從外部密封前述內部空間。
如請求項18所述之口罩，其中前述皮膚緩衝墊包括可壓縮材料，用以符合前述佩戴者的臉部的形狀。
一種製造口罩之方法，前述方法包括以下步驟：<br/> 提供經成形以覆蓋佩戴者的鼻子和嘴巴的覆蓋罩，其中前述覆蓋罩界定前述覆蓋罩與前述佩戴者的皮膚之間的內部空間；<br/> 耦接輸入扇至前述覆蓋罩，其中前述輸入扇經組態以從外部抽吸空氣進入前述內部空間；<br/> 耦接輸出扇至前述覆蓋罩，其中前述輸出扇經組態以將空氣排出前述內部空間，其中前述輸入扇和前述輸出扇中的至少一者包括風扇罩，前述風扇罩包括：<br/> 至少一開口，以允許空氣流動；及<br/> 透光窗，其圍繞前述至少一開口；以及<br/> 裝配光信號構件到前述風扇罩的空腔內，前述光信號構件經配置以從前述透光窗在遠離前述佩戴者的臉部的方向上發射光。
一種用於操作一壓鑄機之方法，該壓鑄機具有一鑄造模(1)、一鑄造腔室(2)、依一可軸向移動方式配置於該鑄造腔室中之一鑄造活塞(3)、通向該鑄造腔室且具有一關斷閥(5)之一熔融入口通道(4)及自該鑄造腔室通向該鑄造模之一熔融出口通道(6)，其中， <br/>為了執行一各自鑄造程序，在一模具填充階段，該關斷閥關閉，該鑄造腔室中之該鑄造活塞自一鑄造開始位置(GS)前進至一填充結束位置(FP)以便經由該熔融出口通道將熔融材料(14)壓入至該鑄造模中，且在一隨後再填充階段，該關斷閥打開，將該鑄造活塞移動回至該鑄造開始位置以便經由該熔融入口通道給該鑄造腔室供應熔融材料， <br/>其特徵在於 <br/>一關閉噴嘴(19)，其在該再填充階段保持關閉，用於該熔融出口通道(6)中，且在該模具填充階段，該關斷閥(5)保持關閉，該鑄造活塞(3)首先自該鑄造開始位置(GS)移動回至一額外行程位置(ZH)且隨後自該額外行程位置經由該鑄造開始位置前進至該填充結束位置(FP)，其中該關閉噴嘴在該鑄造活塞返回移動至該額外行程位置期間保持關閉且僅在該鑄造活塞再次前進時才打開。
如請求項1之方法，其中進一步言之，在一鑄件冷卻階段期間，隨著該鑄造活塞之該返回移動，在該模具填充階段之後之一後續壓力階段之後，該再填充階段開始，且在該再填充階段開始時，該關斷閥已打開。
如請求項1或2之方法，其中進一步言之，該關閉噴嘴之該關閉包括一熔融插塞形成程序，且該關閉噴嘴之該打開包括一熔融插塞移除程序。
如請求項1或2之方法，其中進一步言之，該關閉噴嘴之該打開及關閉包括一噴嘴通道關閉主體之一對應受控致動。
如請求項1或2之方法，其中進一步言之，對於該關斷閥，使用可由一控制單元控制之一關斷控制閥，或使用於其關閉位置中經預加載之一止回閥。
一種壓鑄機，其具有 <br/>一鑄造模(1)， <br/>一鑄造腔室(2)， <br/>一鑄造活塞(3)，其依一可軸向移動方式配置於該鑄造腔室中， <br/>一熔融入口通道(4)，其通向該鑄造腔室， <br/>一關斷閥(5)，其位於該熔融入口通道中， <br/>一熔融出口通道(6)，其自該鑄造腔室通向該鑄造模，及 <br/>一控制單元(7)，其用於控制該鑄造活塞， <br/>其中，為了執行一各自鑄造程序，該控制單元(7)及該關斷閥(5)經組態以對於一模具填充階段使該關斷閥進入一關閉位置(VS)且控制該鑄造腔室(2)中之該鑄造活塞(3)自一鑄造開始位置(GS)前進至一填充結束位置(FP)以便經由該熔融出口通道(6)將熔融材料(14)壓入至該鑄造模(1)中，且對於一隨後再填充階段使該關斷閥進入一打開位置(VO)且控制將該鑄造活塞移動回至該鑄造開始位置，以便經由該熔融入口通道給該鑄造腔室供應熔融材料， <br/>其特徵在於 <br/>一關閉噴嘴(19)設置於該熔融出口通道(6)中及 <br/>該控制單元(7)、該關斷閥(5)及該關閉噴嘴進一步經組態以在該再填充階段保持該關閉噴嘴關閉，且在該模具填充階段，該關斷閥保持關閉，以將該鑄造活塞(3)首先自該鑄造開始位置(GS)移動回至一額外行程位置(ZH)且隨後自該額外行程位置經由該鑄造開始位置前進至該填充結束位置(FP)，且此時使該關閉噴嘴在該鑄造活塞返回移動至該額外行程位置期間保持關閉且僅在該鑄造活塞再次前進時才打開。
如請求項6之壓鑄機，其中進一步言之，該關閉噴嘴具有一熔融插塞形成噴嘴部分及/或在其通道橫截面方面可依一可控方式變化之一噴嘴部分。
如請求項6或7之壓鑄機，其中進一步言之，該關斷閥呈可由該控制單元控制之一關斷控制閥之形式或於其關閉位置中經預加載之一止回閥之形式。
如請求項8之壓鑄機，其中進一步言之，一閥致動器(16)由該控制單元啟動用於致動該關斷控制閥。
如請求項6或7之壓鑄機，其中進一步言之，一閥感測器單元(18)用於感測該關斷閥及/或該關閉噴嘴之一或多個量測變量。
一種基材處理系統，包含：<br/> 第一罐及第二罐，配置以在一原子層沉積(ALD)序列的一劑量步驟期間供應一反應物至一處理腔室；<br/> 第一閥及第二閥，配置以將該第一罐及該第二罐分別連接至該處理腔室；及<br/> 一控制器，配置以：<br/> 藉由啟動該第一閥以在該ALD序列的該劑量步驟期間從該第一罐供應一第一脈衝的該反應物至該處理腔室；以及<br/> 藉由啟動該第二閥以在該ALD序列的該劑量步驟期間從該第二罐供應一第二脈衝的該反應物至該處理腔室。
如請求項1之系統，進一步包含：<br/> 一第三罐，配置以在該ALD序列的一淨化步驟期間供應一淨化氣體至該處理腔室；及<br/> 一第三閥，配置以將該第三罐連接至該處理腔室；<br/> 其中該控制器係配置以藉由啟動該第三閥以在該ALD序列的該淨化步驟期間從該第三罐供應一第三脈衝的該淨化氣體至該處理腔室，以及<br/> 其中在該劑量步驟中供應該第二脈衝的該反應物之後供應該第三脈衝。
一種錨固件，是線材的末端的錨固件，並具有：<br/> 桶形構件，以樹脂或砂漿所構成，且具有前端漸細形狀的貫通孔；<br/> 複數個楔形構件，分別具有滑接於前述貫通孔的內周面之前端漸細形狀的外周面，且相互協同合作來夾持前述線材；及<br/> 補強構件，包含在前述桶形構件的圓周方向上延伸之部分，<br/> 前述桶形構件是藉由預浸體所構成，前述預浸體為了具有朝和前述貫通孔的前端漸細形狀相同方向分階段地成為前端漸細之外周面而捲繞成圓筒狀，<br/> 前述預浸體包含樹脂製的母材以及含浸於前述母材之纖維，<br/> 前述補強構件是藉由預浸體所包含之前述纖維所構成。
如請求項1之錨固件，其中各個楔型構件是以樹脂或纖維強化樹脂所構成。
如請求項1或2之錨固件，其中前述補強構件包含埋設於桶形構件之纖維。
如請求項1之錨固件，其中前述預浸體是藉由複數個帶狀體所構成，前述複數個帶狀體配置成在前述貫通孔的軸線方向的一部分在徑方向上相互重疊。
一種錨固件，是線材的末端的錨固件，並具有：<br/> 桶形構件，以樹脂或砂漿所構成，且具有前端漸細形狀的貫通孔；<br/> 複數個楔形構件，分別具有滑接於前述貫通孔的內周面之前端漸細形狀的外周面，且相互協同合作來夾持前述線材；及<br/> 補強構件，包含在前述桶形構件的圓周方向上延伸之部分，<br/> 前述補強構件包含用來包圍該桶形構件而設置在前述桶形構件的外周之環狀體，<br/> 前述桶形構件是藉由纖維強化樹脂所構成， <br/> 前述環狀體是藉由具有比構成前述桶形構件之纖維強化樹脂更高的楊氏模數之纖維強化樹脂所構成。
一種錨固件，是線材的末端的錨固件，並具有：<br/> 桶形構件，以樹脂或砂漿所構成，且具有前端漸細形狀的貫通孔；<br/> 複數個楔形構件，分別具有滑接於前述貫通孔的內周面之前端漸細形狀的外周面，且相互協同合作來夾持前述線材；及<br/> 補強構件，包含在前述桶形構件的圓周方向上延伸之部分，<br/> 前述補強構件包含用來包圍該桶形構件而設置在前述桶形構件的外周之環狀體，<br/> 前述環狀體在前述貫通孔的軸線方向上局部地設置。
一種錨固件，是線材的末端的錨固件，並具有：<br/> 桶形構件，以樹脂或砂漿所構成，且具有前端漸細形狀的貫通孔；<br/> 複數個楔形構件，分別具有滑接於前述貫通孔的內周面之前端漸細形狀的外周面，且相互協同合作來夾持前述線材；及<br/> 補強構件，包含在前述桶形構件的圓周方向上延伸之部分，<br/> 前述桶形構件具有圓筒形狀的外周面，<br/> 前述補強構件包含捲繞於前述桶形構件的外周面之螺旋圍束體，<br/> 前述桶形構件是由纖維強化樹脂所構成，<br/> 前述螺旋圍束體是藉由具有比構成前述桶形構件之纖維強化樹脂更高的楊氏模數之纖維強化樹脂所構成。
如請求項7之錨固件，其中前述桶形構件在外周面具有螺旋溝，<br/> 前述螺旋圍束體是嵌合於前述螺旋溝。
一種錨固件，是線材的末端的錨固件，並具有：<br/> 桶形構件，以樹脂或砂漿所構成，且具有前端漸細形狀的貫通孔；<br/> 複數個楔形構件，分別具有滑接於前述貫通孔的內周面之前端漸細形狀的外周面，且相互協同合作來夾持前述線材；及<br/> 補強構件，包含在前述桶形構件的圓周方向上延伸之部分，<br/> 前述桶形構件具有圓錐形狀的外周面，<br/> 前述補強構件包含嵌合於前述桶形構件的前述外周面之環狀圍束體，<br/> 前述桶形構件是由纖維強化樹脂所構成，<br/> 前述環狀圍束體是由具有比構成前述桶形構件之纖維強化樹脂更高的楊氏模數之纖維強化樹脂所構成。
如請求項9之錨固件，其中前述環狀圍束體之前述桶形構件的前述圓錐形狀的前端漸細側之端面包含正交於前述桶形構件的軸線方向之面。
一種預力混凝土，具有：<br/> 長方體形狀的混凝土塊；<br/> 線材，貫通前述混凝土塊的長邊方向；及<br/> 如請求項1至10中任一項之錨固件，設置於前述混凝土塊的長邊方向的兩端部，且供前述線材的端部卡止。
如請求項11之預力混凝土，其中前述錨固件埋設於前述混凝土塊。
如請求項11之預力混凝土，其中前述錨固件是安裝於前述混凝土塊，用來使前述桶形構件的內端抵接於前述混凝土塊的端面，讓前述桶形構件的外周面朝向外側露出。
一種藉由循環沉積製程沉積來自第4族至第6族中任一者的過渡金屬於基板上之方法，該方法包含：<br/> 於一反應腔室中提供一基板；<br/> 在氣相中向該反應腔室提供一過渡金屬前驅物；及<br/> 在氣相中向該反應腔室提供一反應物，以形成一過渡金屬於該基板上，且至少60%的該過渡金屬沉積為元素金屬；<br/> 其中該過渡金屬前驅物包含來自第4族至第6族中任一者的過渡金屬，且該反應物包含一選自Ge或Sn的第14族元素。
如請求項1所述之方法，其中該過渡金屬前驅物包含一第6族過渡金屬。
如請求項2所述之方法，其中該第6族過渡金屬是鉬或鎢。
如請求項2所述之方法，其中該第6族過渡金屬是鉬。
如請求項1所述之方法，其中該過渡金屬前驅物包含一金屬有機前驅物或一有機金屬前驅物。
如請求項5所述之方法，其中該過渡金屬前驅物包含一附加配體。
如請求項6所述之方法，其中該附加配體是鹵化物。
如請求項5所述之方法，其中該過渡金屬前驅物包含苯或環戊二烯基。
如請求項1所述之方法，其中該反應物包含一有機基團。
如請求項1所述之方法，其中該反應物具有一通用化學式R<sub>a</sub>MX<sub>b</sub>或R<sub>c</sub>X<sub>d</sub>M-MR<sub>c</sub>X<sub>d</sub>，其中a為0-3；b為4-a；c為0、1或2；d為3-c；R是烴；M是Ge或Sn；且每個X獨立地為任何配體。
如請求項10所述之方法，其中R是烷基或芳基。
如請求項10所述之方法，其中X是氫、取代或未取代的烷基或芳基或鹵素。
如請求項12所述之方法，其中X是取代的烷基或芳基，且其中該取代基係與M相同。
如請求項1所述之方法，其中該過渡金屬前驅物以脈衝的方式供應，該反應物以脈衝的方式供應，並於該過渡金屬前驅物與該反應物的連續脈衝之間吹驅該反應腔室。
如請求項1所述之方法，其中該反應腔室中的壓力為介於0.1與100托之間。
如請求項1所述之方法，其中該循環沉積製程包含一熱沉積製程。
如請求項1所述之方法，其中該基板包含一電介質表面且過渡金屬沉積於該電介質表面上。
如請求項1所述之方法，其中該過渡金屬沉積於該基板上作為一層。
一種藉由循環沉積製程產生的過渡金屬層，該循環沉積製程包含：<br/> 於一反應腔室中提供一基板；<br/> 在氣相中向該反應腔室提供一過渡金屬前驅物；及<br/> 在氣相中向該反應腔室提供一反應物，以形成一過渡金屬於該基板上，且至少60%的該過渡金屬沉積為元素金屬；<br/> 其中該過渡金屬前驅物包含來自第4族至第6族中任一者的過渡金屬，且該反應物包含一選自Ge或Sn的第14族元素。
如請求項19所述之過渡金屬層，其具有電阻率為從約15 μΩcm至約300 μΩcm。
一種用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成，其包含： <br/> 一或多個反應腔室，其構造及配置成容置一基板； <br/> 一前驅物注入器系統，其構造及配置成在氣相中向該一或多個反應腔室之其中一者提供一過渡金屬前驅物及/或一反應物； <br/> 其中該沉積總成包含一前驅物器皿，該前驅物器皿構造及配置成包含一過渡金屬前驅物，該過渡金屬前驅物包含來自第4族至第6族中任一者的過渡金屬；及 <br/> 一反應物器皿，其構造及配置成包含一含有選自Ge或Sn的第14族元素的反應物；及 <br/> 該沉積總成構造及配置成經由該前驅物注入器系統向該反應腔室提供該過渡金屬前驅物及/或該反應物，以沉積一過渡金屬於該基板上，且至少60%的該過渡金屬沉積為元素金屬。
一種光半導體裝置，係具備：<br/> 光半導體元件；<br/> 殼體，係隔出有容置前述光半導體元件之光源室，於前述光半導體元件的前表面設置開口；<br/> 窗構件，係設置為封閉前述開口；<br/> 窗固定構件，係安裝於前述殼體，將前述窗構件夾在前述殼體與前述窗固定構件之間而固定；及<br/> 第一密封構件，係將前述殼體與前述窗構件之間密封；<br/> 前述殼體包括：<br/> 本體部，係於前述窗構件的厚度方向與前述窗固定構件重疊；及<br/> 延伸部，係從前述本體部往與前述厚度方向正交之方向延伸；<br/> 前述延伸部係具有：氣體交換孔，係用於交換前述光源室內的氛圍氣體；<br/> 前述光源室係藉由將前述氣體交換孔密閉而可密閉。
如請求項1所記載之光半導體裝置，其中前述氣體交換孔係在前述延伸部中於前述厚度方向呈開口。
如請求項2所記載之光半導體裝置，其中進一步具備外部連接器，前述外部連接器係與前述光半導體元件電連接；<br/> 前述外部連接器係在前述延伸部中插入至於前述厚度方向貫穿的安裝孔。
如請求項1至3中任一項所記載之光半導體裝置，其中前述本體部包含用於冷卻前述光半導體元件之散熱機構。
如請求項1至3中任一項所記載之光半導體裝置，其中前述光源室內的氛圍氣體的氧氣濃度為30體積%以上。
如請求項1至3中任一項所記載之光半導體裝置，其中前述光源室內的氛圍氣體的水分濃度為0.1體積%以下。
如請求項1至3中任一項所記載之光半導體裝置，其中進一步具備第二密封構件，前述第二密封構件係將前述窗構件與前述窗固定構件之間密封。
一種光半導體裝置的製造方法，係具備：<br/> 將光半導體元件容置於光源室內，使得設置於隔出有前述光源室之殼體之開口係位於前述光半導體元件的前表面之步驟；<br/> 使用窗構件、窗固定構件及第一密封構件將前述開口密閉之步驟，前述窗構件係封閉前述開口，前述窗固定構件係將前述窗構件夾在前述殼體與前述窗固定構件之間而固定，前述第一密封構件係將前述殼體與前述窗構件之間密封；<br/> 透過設置於前述殼體的延伸部之氣體交換孔交換前述光源室內的氛圍氣體之步驟，前述延伸部係從於前述窗構件的厚度方向與前述窗固定構件重疊的前述殼體的本體部往與前述厚度方向正交之方向延伸；及<br/> 密閉前述氣體交換孔之步驟。
如請求項8所記載之光半導體裝置的製造方法，其中進一步具備：從前述氣體交換孔將高壓的氛圍氣體導入至前述光源室內並確認前述光源室的密閉性之步驟。
一種用於持留用於一氣相沉積製程之一前驅物之前驅物膠囊，其中該前驅物膠囊包括<br/> 一外殼，配置以界定一前驅物空間，且其中<br/> 該外殼係為蒸氣可滲透，以允許蒸氣形式的前驅物在汽化條件下離開該前驅物膠囊，<br/> 其中該外殼係包括金屬。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係配置以將非汽化的前驅物實質上保留在該前驅物空間中。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係包括供汽化前驅物離開該前驅物膠囊的開口。
如請求項1之前驅物膠囊，該前驅物膠囊係配置以可裝載在用於執行一氣相沉積製程的一前驅物容器中。
如請求項3之前驅物膠囊，其中該等開口的最大剖面係為50微米至50毫米。
如請求項3之前驅物膠囊，其中該外殼之表面積的至少50%係為蒸氣可滲透。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係包括一塗層。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該前驅物空間係具有自1立方公分至20立方公分的體積。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係包括朝該前驅物空間之內部延伸的突出物。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係具有一實質上球形形狀。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係具有一寬度及一長度，且該外殼之該寬度與該長度比係自1：1至1：20。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係具有實質上球柱形形狀。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係具有一實質上圓柱形形狀。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係具有一長度及一寬度，且該長度係為自1公分至20公分。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係配置且佈局成用以持留一固態前驅物。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係具有一長度及一寬度，且該寬度係為自0.4公分至10公分。
如請求項1之前驅物膠囊，其中該外殼係建構且佈局成可打開，以允許將前驅物填充至該前驅物膠囊中。
如請求項16之前驅物膠囊，其中該外殼係由可相對彼此移動以打開該前驅物膠囊的部件所建構成。
一種含有至少兩個用於保存用於一氣相沉積製程之一前驅物的前驅物膠囊的前驅物容器，其中該至少兩個前驅物膠囊包括如請求項1之前驅物膠囊。
一種如請求項19之前驅物容器，係建構且佈局成在30°C至500°C的一汽化溫度下操作，且該前驅物膠囊外殼之材料係選擇為可耐受該汽化溫度。
一種氣相沉積總成，包括如請求項19之前驅物容器。
一種將一固態前驅物裝載至一前驅物容器中的方法，該方法包括提供用於持留用於含有一前驅物組成物之一氣相沉積製程的一前驅物的複數個前驅物膠囊，以及<br/> 將至少兩個之該等前驅物膠囊插入該前驅物容器中；其中<br/> 該等前驅物膠囊係包括配置以界定一前驅物空間的一外殼，且其中該外殼係為蒸氣可滲透，以允許汽化形式的前驅物在汽化條件下離開該前驅物膠囊。
一種焊膏，包含助焊劑與由焊料合金所構成之合金粉末（D）；前述助焊劑含有松香系樹脂（A）、活性劑（B）及溶劑（C），前述溶劑（C）含有常溫下黏度為200mPa･s以上400mPa･s以下的碳數12以上之脂肪酸酯（C-1）；<br/> 其中松香系樹脂（A）相對於助焊劑總量的摻合量為15質量%以上50質量%以下；<br/> 其中活性劑（B）相對於助焊劑總量的摻合量為1質量%以上30質量%以下；<br/> 其中（C-1）相對於助焊劑總量的摻合量為4質量%以上8質量%以下；<br/> 其中合金粉末（D）相對於焊膏總量的摻合量為88質量%至90質量%。
如請求項1所述之焊膏，其中前述常溫下黏度為200mPa･s以上400mPa･s以下的碳數12以上之脂肪酸酯（C-1），其結構中含有具有2個以上之羥基的多元醇（C-1a）與碳數12以上22以下的脂肪酸（C-1b）的酯鍵。
如請求項2所述之焊膏，其中前述具有2個以上之羥基的多元醇（C-1a）為三羥甲基丙烷、季戊四醇及聚甘油中的至少任一者，以及<br/> 前述碳數12以上22以下的脂肪酸（C-1b）為異硬脂酸。
如請求項2或3所述之焊膏，其中前述常溫下黏度為200mPa･s以上400mPa･s以下的碳數12以上之脂肪酸酯（C-1）為前述具有2個以上之羥基的多元醇（C-1a）與前述碳數12以上22以下的脂肪酸（C-1b）的三酯或四酯。
如請求項1或2所述之焊膏，其中前述常溫下黏度為200mPa･s以上400mPa･s以下的碳數12以上之脂肪酸酯（C-1）係選自三羥甲基丙烷三異硬脂酸酯、季戊四醇四異硬脂酸酯及三異硬脂酸二甘油酯中的至少一者。
如請求項3所述之焊膏，其中前述常溫下黏度為200mPa･s以上400mPa･s以下的碳數12以上之脂肪酸酯（C-1）係選自三羥甲基丙烷三異硬脂酸酯、季戊四醇四異硬脂酸酯及三異硬脂酸二甘油酯中的至少一者。
如請求項4之焊膏，其中前述常溫下黏度為200mPa･s以上400mPa･s以下的碳數12以上之脂肪酸酯（C-1）係選自三羥甲基丙烷三異硬脂酸酯、季戊四醇四異硬脂酸酯及三異硬脂酸二甘油酯中的至少一者。
一種焊料凸塊，其係使用如請求項1至7中任一項所述之焊膏所形成。
一種用於一基板(4)之一化學及/或電解之表面處理之一製程流體(28)的分配系統(1)，其包括： <br/>一分配本體(3)，及 <br/>一基板固持件(2)， <br/>其中該基板固持件(2)具有一基板固持件長度(L)及一基板固持件寬度(W)且經組態以固持該待處理基板(4)， <br/>其中該分配本體(3)包括用於一製程流體(28)及/或一電流之數個開口(7、9)，其中該數個開口(7、9)包括多個噴射孔(7)及多個排出孔(9)， <br/>其中該分配本體(3)及該基板固持件(2)可相對於彼此移動， <br/>其中該分配本體(3)具有一分配本體長度(l)及一分配本體寬度(w)，及 <br/>其中該分配本體長度(l)小於該基板固持件長度(L)， <br/>其中該分配本體(3)包括：面朝向該基板固持件(2)之一正面，以及相反於該正面之一背面， <br/>該正面與該背面形成一空間於該正面與該背面之間， <br/>該等噴射孔(7)係提供在該分配本體(3)之該正面上， <br/>當該基板(4)被該基板固持件(2)固持時，該等噴射孔(7)將該製程流體(28)從一入口以朝著該基板(4)的方向引導進入該分配本體(3)內之該空間中， <br/>該等排出孔(9)係提供作為該正面與該背面之間的貫穿孔，而且允許具有電流的該製程流體(28)在該分配本體(3)之該正面與該背面之間流動。
如請求項1之分配系統(1)，其包括經配置於該基板固持件(2)之相對側上的至少兩個分配本體(3)。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該基板固持件長度(L)係該分配本體長度(l)的倍數。
如請求項1之分配系統(1)，其包括彼此相鄰地配置於該基板固持件(2)之一側上的多個分配本體(3)，其中該多個分配本體之該分配本體長度(l)的總和等於或大於該基板固持件長度(L)。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該分配本體長度(l)相當於該基板固持件長度(L)之50%或更少。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該分配本體寬度(w)基本上等於或大於該基板固持件寬度(W)。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該分配本體(3)可相對於該基板固持件(2)移動。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該基板固持件(2)可相對於該分配本體(3)移動。
如請求項1或2之分配系統(1)，進一步包括經組態以使該分配本體(3)及該基板固持件(2)相對於彼此移動之一驅動單元。
如請求項9之分配系統(1)，其中該驅動單元經組態以使該分配本體(3)及該基板固持件(2)彼此平行地移動。
如請求項9之分配系統(1)，其中該驅動單元經組態以使該分配本體(3)及該基板固持件(2)相對於彼此以一角度移動。
如請求項9之分配系統(1)，其中該驅動單元經組態以驅動該分配本體(3)及/或該基板固持件(2)。
如請求項9之分配系統(1)，其中該驅動單元經組態以驅動該分配本體(3)與該基板固持件(2)相對於彼此之間沿著該基板固持件長度(L)之一掃描運動。
如請求項9之分配系統(1)，其中該驅動單元經組態以驅動該分配本體與該基板固持件(2) 相對於彼此之間沿著該基板固持件寬度(W)及/或沿著該基板固持件長度(L)之一攪動運動。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該等排出孔(9)經組態以從該基板固持件(2)排出該製程流體(28)。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該分配本體(3)包括至少一個陽極(12)。
如請求項1或2之分配系統(1)，其中該基板固持件(2)及/或該基板(4)係一陰極。
如請求項1或2之分配系統(1)，進一步包括： <br/>一沖洗單元(33)，其經組態以提供一液體以沖洗該基板固持件(2)及/或該基板(4)，及/或 <br/>一乾燥單元(34)，其經組態以提供一氣流以乾燥該基板固持件(2)及/或該基板(4)， <br/>其中該沖洗單元(33)及/或該乾燥單元(34)係配置於該分配本體(3)處，或係提供為與該分配本體(3)分開之一單獨部分。
一種用於一基板(4)之一化學及/或電解之表面處理的處理線(16)，其包括： <br/>如請求項1至19中任一項之至少一分配系統(1)，及 <br/>至少一鍍覆站(21、21’)， <br/>其中該基板(4)在一輸送方向(X)上被導引通過該鍍覆站(20、21’)，及 <br/>其中該待處理基板(4)之一表面(8)係以實質上垂直於該輸送方向(X)配置，或 <br/>其中該待處理基板(4)之該表面(8)係與該輸送方向(X)實質上對準。
一種用於一基板(4)之一化學及/或電解之表面處理的分配方法，其包括： <br/>提供具有用於一製程流體(28)及/或一電流之數個開口(7、9)之一分配本體(3)，其中該數個開口(7、9)包括多個噴射孔(7)及多個排出孔(9)， <br/>提供經組態以固持該待處理基板(4)之一基板固持件(2)， <br/>其中該基板固持件(2)具有一基板固持件長度(L)及一基板固持件寬度(W)，該分配本體(3)具有一分配本體長度(l)及一分配本體寬度(w)，且該分配本體長度(l)小於該基板固持件長度(L)，及 <br/>使該分配本體(3)及該基板固持件(2)相對於彼此移動， <br/>其中該分配本體(3)進一步包括：面朝向該基板固持件(2)之一正面，以及相反於該正面之一背面， <br/>該正面與該背面形成一空間於該正面與該背面之間， <br/>該等噴射孔(7)係提供在該分配本體(3)之該正面上， <br/>當該基板(4)被該基板固持件(2)固持時，該等噴射孔(7)將該製程流體(28)從一入口以朝著該基板(4)的方向引導進入該分配本體(3)內之該空間中， <br/>該等排出孔(9)係提供作為該正面與該背面之間的貫穿孔，而且允許具有電流的該製程流體(28)在該分配本體(3)之該正面與該背面之間流動。
一種形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，包含：<br/> 在約1 Torr或更低的壓力下將基板暴露於一處理氣體，該處理氣體包含碳氫化合物前驅物氣體；以及<br/> 藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)處理在該基板上沉積AHM膜，其中該PECVD處理包括在噴淋頭與基座之間引燃電漿，其中該噴淋頭與該基座分隔約0.85英吋或更大的間隙。
如請求項1之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體包含具有至多約50g/mol之分子量的化合物。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體包含具有至少約0.5之C:H比的化合物。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體包含乙炔(C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>)。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體具有在該處理氣體之壓力的約1%至約5%之間的分壓。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該方法係在多站反應器中進行。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該方法係在單站反應器中進行。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該AHM膜的內應力為至多約-1400 MPa。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該AHM膜的模數為至少約80 GPa。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，其中該AHM膜的密度為至少約1.5 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1或2中任一項之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，更包含將所沉積之該AHM膜圖案化並且蝕刻經圖案化之該AHM膜以界定該基板中之該AHM膜的特徵部。
如請求項11之形成可灰化硬遮罩(AHM)膜之方法，更包含蝕刻位在該AHM膜下方的該基板中之膜層。
一種電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)反應器，包含：<br/> 一基座，其係配置以固持一晶圓；<br/> 一噴淋頭，其係配置以將處理氣體分配至該基座與該噴淋頭之間的間隙中，該間隙係與該晶圓相鄰；以及<br/> 一基座抬升機構，其係配置以相對於該噴淋頭而將該基座平移至用以在該噴淋頭與該基座之間引燃電漿的至少第一位置及第二位置，其中，處於該第一位置時，該基座與該噴淋頭分隔不超過約0.70英吋，且其中，處於該第二位置時，該基座與該噴淋頭分隔不小於約1.45英吋。
如請求項13之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)反應器，其中該基座包含複數抬升銷孔洞，該PECVD反應器更包含：<br/> 複數抬升銷，其係配置以至少部分地穿過該基座的該複數抬升銷孔洞並且將該晶圓自該基座的上表面抬起；以及<br/> 銷件抬升機構，其係機械式地耦合至該複數抬升銷，且係配置以升高和降低該複數抬升銷。
如請求項13或14中任一項之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)反應器，更包含至少部分地包圍該噴淋頭及該基座的腔室壁，其中該基座與該噴淋頭分隔一第一距離，其中該基座與該等腔室壁分隔一第二距離，且其中該第一距離為該第二距離之大小的至少55%。
一種生產直接還原鐵 (direct reduced iron; DRI)的方法，包括： <br/>操作一氫直接還原 (direct reduction; DR)設備，其中鐵礦石在一富氫空氣的一豎爐中還原，該豎爐與設置為接收來自該豎爐頂部氣體的一程序氣體迴路連接，在一加熱器裝置中加熱頂部氣體之前對其進行處理，並將含有至少85體積%氫氣的一還原氣體返回該爐，其中將一氫氣流添加到該加熱器裝置上游的該程序氣體迴路中； <br/>操作一工業設備產生含一氧化碳氣體及/或廢熱及/或熱氣體，其中該工業設備包括一天然氣DR設備，其使用重整天然氣從鐵礦石中生產DRI，該天然氣DR設備包括另一豎爐和另一程序氣體迴路，該另一程序氣體迴路包括一加熱器-重整器裝置，其從天然氣中產生一合成氣作為還原氣體送入該另一豎爐， <br/>其中至少部分該氫氣流由以下至少一種產生： <br/>電解裝置配置成從該工業設備的一或多個元件回收的蒸汽及/或使用從此一或多個元件排放的廢熱及/或熱氣體產生的蒸汽中產生氫氣；以及 <br/>煤氣轉化反應器裝置配置成將該工業設備至少一元件排放的含一氧化碳氣體轉化為氫氣並除去二氧化碳。
如請求項1所述的方法，包括從該天然氣DR設備回收熱量以在該電解裝置中產生蒸汽並產生氫氣。
如請求項2所述的方法，其中熱回收裝置係設置在該天然氣DR設備的該另一程序氣體迴路上，特別是從該豎爐出來後與頂部氣體接觸，以從回收的頂部氣體中回收熱量並產生蒸汽，並送入該電解裝置。
如請求項2所述的方法，其中熱回收裝置係配置從該天然氣DR設備的該程序氣體迴路的該加熱器-重整器裝置的煙氣中回收熱量，特別是在該天然氣DR設備的一煙囪前，以產生蒸汽。
如請求項2所述的方法，其中熱回收裝置係配置從該天然氣DR設備產生的熱DRI中回收熱量，以產生蒸汽。
如請求項1或2所述的方法，其中該工業設備包括一電弧爐及熱回收裝置配置從該電弧爐排放的廢熱及/或熱氣體中回收熱量以產生蒸汽，並可能從下游設備中回收。
如請求項1或2所述的方法，包括從該天然氣DR設備提取含一氧化碳氣體，並將該提取含一氧化碳氣體送入一媒氣轉化反應器裝置。
如請求項7所述的方法，其中一第一含一氧化碳氣體流係從一壓縮機裝置下游的該程序氣體迴路中提取及/或一第二含一氧化碳氣體流係從該程序氣體迴路中的一除塵裝置之後提取。
如請求項1或2所述的方法，包括藉由設置在該氫DR設備的一或多個位置的熱回收裝置來回收熱量，並將所產生的蒸汽送入該電解裝置。
如請求項9所述的方法，其中熱回收裝置係設置在該氫DR設備的該另一程序氣體迴路上，特別是從該另一豎爐出來後與頂部氣體接觸，以從回收的頂部氣體中回收熱量並產生蒸汽送入該電解裝置。
如請求項9所述的方法，其中熱回收裝置係設置從該氫DR設備產生的熱DRI中回收熱量，以產生蒸汽送入該電解裝置。
如請求項1或2所述的方法，其中該工業設備包括一燒結設備 (sinter plant)、一焦爐設備 (coke oven plant)、一電弧爐 (Electric Arc Furnace; EAF)、一高爐 (Blast Furnace; BF)、一埋弧爐 (Submerged arc furnace; SAF)、連鑄機 (continuous casters)、軋機 (rolling mills)、鹼性氧氣爐 (Basic Oxygen Furnace; BOF)等其中的一個或多個。
如請求項1或2所述的方法，其中該程序氣體迴路包括該加熱器裝置上游的氣體凈化裝置和壓縮機裝置，該氫氣流添加是在該壓縮機裝置和該加熱器裝置之間完成。
如請求項1或2所述的方法，其中添加到該氫DR設備的該程序氣體迴路中的該氫氣流含有90至100體積%氫氣：並且可選來自其他來源的氫氣送入該氫DR設備。
一種用於生產直接還原鐵 (direct reduced iron; DRI)的設備 (plant)，包括： <br/>一工業設備，包括至少一產生含一氧化碳氣體、廢熱及/或蒸汽及/或熱氣體的元件； <br/>一氫直接還原 (direct reduction; DR)設備，包括一豎爐，在其中鐵礦石在一氫還原空氣中還原，以及一程序氣體迴路，係設置接收來自該豎爐的頂部氣體，在一加熱器裝置中加熱頂部氣體之前對其進行處理，並將含有至少80體積%氫氣的一還原氣體返回該爐，其中將一氫氣流添加到該加熱器裝置上游的該程序氣體迴路中； <br/>氫生產裝置包括至少一種： <br/>電解裝置配置從該工業設備的一或多個元件回收的蒸汽中產生氫氣及/或從配置從此一或多個元件所排放的廢熱及/或熱氣體產生蒸汽的熱回收裝置產生的蒸汽中產生氫氣； <br/>媒氣轉化反應器裝置配置為將該工業設備排放的含一氧化碳氣體轉化為氫氣並除去二氧化碳； <br/>其中由該氫生產裝置產生的該氫氣流至少部分被送入該氫DR設備，以添加到該程序氣體迴路中； <br/>其中該工業設備包括一天然氣DR設備，其使用重整天然氣從鐵礦石中生產DRI，該天然氣DR設備包括另一豎爐和另一程序氣體迴路，該另一程序氣體迴路包括一加熱器-重整器裝置，其從天然氣中產生一合成氣作為還原氣體送入該另一豎爐。
一種以金屬對物品進行電鍍之方法，該方法包含下列步驟：於含有前述金屬的離子和有機化合物添加劑的鍍覆浴中進行通電之步驟； <br/>其中，前述鍍覆浴係具備前述物品作為陰極，且具備導電性基材作為陽極，該導電性基材係於表面形成有含鎳及鐵的氧化物的層， <br/>前述含氧化物的層中之Ni的原子百分比為1%至15%，前述含氧化物的層中之Fe的原子百分比為30%至40%。
如請求項1所述之方法，其中，前述金屬包含鋅。
如請求項1或2所述之方法，其中，前述鍍覆浴為鹼性鍍覆浴。
如請求項1或2所述之方法，其中，前述導電性基材含有鎳及鐵中之至少一種。
如請求項1或2所述之方法，其中，前述物品的表面形成有鋅或者鋅合金皮膜。
如請求項1或2所述之方法，其中，前述有機化合物添加劑包含選自由胺系螯合劑、光澤劑、平滑劑以及消泡劑所組成的群組中之至少一種。
如請求項6所述之方法，其中，前述胺系螯合劑包含選自由亞烷基胺化合物、其環氧烷加成物以及烷醇胺化合物所組成的群組中之至少一種。
如請求項1或2所述之方法，其中，前述含氧化物的層係藉由下述導電性基材的氧化而形成者：具有含鎳及鐵的鍍覆皮膜之導電性基材、具有含鎳的鍍覆皮膜且含鐵之導電性基材、具有含鐵的鍍覆皮膜且含鎳之導電性基材、或者含鎳及鐵之導電性基材。
如請求項8所述之方法，其中，前述含鎳及鐵之鍍覆皮膜、前述含鎳之鍍覆皮膜、或者前述含鐵之鍍覆皮膜係使用含有糖精或者其鹽之鍍覆浴所形成者。
如請求項1或2所述之方法，其中，前述含氧化物的層進一步含有磷原子或者硼原子。
一種以金屬對物品進行電鍍之系統，其包含：含有前述金屬的離子和有機化合物添加劑之鍍覆浴； <br/>其中，前述鍍覆浴係具備前述物品作為陰極，且具備導電性基材作為陽極，該導電性基材係於表面形成有含鎳及鐵的氧化物的層， <br/>前述含氧化物的層中之Ni的原子百分比為1%至15%，前述含氧化物的層中之Fe的原子百分比為30%至40%。
一種包含導電性基材的電極之製作方法，該電極係包含於表面形成有含鎳及鐵的氧化物或者氮化物的層之導電性基材；該製作方法包含下列步驟： <br/>對於具有含鎳及鐵的鍍覆皮膜之導電性基材、具有含鎳的鍍覆皮膜且含鐵之導電性基材、具有含鐵的鍍覆皮膜且含鎳之導電性基材、或者含鎳及鐵之導電性基材，施以氧化處理或氮化處理，而使含鎳及鐵的氧化物或者氮化物的層形成於前述導電性基材的表面之步驟。
如請求項12所述之製作方法，該製作方法進一步包含下列步驟：使用含有糖精或者其鹽之鍍覆浴形成前述含鎳及鐵的鍍覆皮膜、前述含鎳之鍍覆皮膜、或者前述含鐵的鍍覆皮膜之步驟。
一種電極之修復方法，該電極係包含於表面形成有含鎳及鐵的氧化物的層之導電性基材，且前述表面中前述含氧化物的層之一部分具有缺損； <br/>該修復方法包含下列步驟：在空氣中或者氧化環境下加熱前述電極之步驟； <br/>前述導電性基材在前述含鎳及鐵的氧化物的層之下方具有含鎳及鐵的鍍覆皮膜，或者在含鐵且含前述鎳及鐵的氧化物的層之下方具有含鎳之鍍覆皮膜，或者在含鎳且含前述鎳及鐵的氧化物的層之下方具有含鐵之鍍覆皮膜，或者含鎳及鐵。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>基板； <br/>第1配線層，其包含第1導電層及第2導電層； <br/>第2配線層，其設置於上述基板與上述第1配線層之間；及 <br/>記憶胞陣列層，其設置於上述基板與上述第2配線層之間，包含記憶胞陣列區域及周邊區域；且 <br/>上述記憶胞陣列層具備： <br/>複數個第3導電層，其等位於上述記憶胞陣列區域，並列於與上述基板之表面交叉之第1方向； <br/>半導體層，其於上述第1方向延伸，且與上述複數個第3導電層對向；及 <br/>電荷蓄積層，其設置於上述複數個第3導電層、與上述半導體層之間；且 <br/>上述第2配線層具備： <br/>第4導電層，其位於上述記憶胞陣列區域，連接於上述半導體層之上述第1方向之一端部；及 <br/>第5導電層，其位於上述周邊區域，與上述第1導電層對向，電性連接於上述第2導電層；且 <br/>上述半導體記憶裝置具備： <br/>於上述第4導電層與上述第5導電層之間設置之絕緣層； <br/>相互連接之第1晶片及第2晶片；及 <br/>鈍化膜，其設置於上述第1晶片之背面； <br/>上述第1晶片具備： <br/>上述記憶胞陣列層； <br/>上述第1配線層，其相對於上述記憶胞陣列層，設置於上述第1方向之一側；及 <br/>複數個第1貼合電極，其等相對於上述記憶胞陣列層，設置於上述第1方向之另一側； <br/>上述第2晶片具備： <br/>上述基板； <br/>複數個電晶體，其等設置於上述基板之表面； <br/>複數個第2貼合電極，其等電性連接於上述複數個電晶體；且 <br/>上述複數個第1貼合電極連接於上述複數個第2貼合電極， <br/>於上述鈍化膜具有開口，上述第1導電層自上述開口露出， <br/>自上述開口露出之上述第1導電層係作為接合焊墊發揮功能， <br/>上述第1導電層與上述第5導電層係作為旁路電容器發揮功能， <br/>上述第1導電層與上述第5導電層係：於自上述第1方向觀察時與上述鈍化膜之上述開口重疊之區域相對向。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1配線層具備第6導電層； <br/>上述半導體記憶裝置具備設置於上述第1配線層、與上述第2配線層之間之第1接點及第2接點； <br/>上述第6導電層經由上述第1接點與上述第4導電層連接； <br/>上述第2導電層經由上述第2接點與上述第5導電層連接。
如請求項1之半導體記憶裝置，其具備： <br/>第1接合焊墊；且 <br/>上述第2導電層包含上述第1接合焊墊。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>基板； <br/>第1配線層，其包含第1導電層； <br/>第2配線層，其設置於上述基板與上述第1配線層之間；及 <br/>記憶胞陣列層，其設置於上述基板與上述第2配線層之間，包含記憶胞陣列區域及周邊區域；且 <br/>上述記憶胞陣列區域具備： <br/>複數個第3導電層，其等並列於與上述基板之表面交叉之第1方向； <br/>半導體層，其於上述第1方向延伸，且與上述複數個第3導電層對向；及 <br/>電荷蓄積層，其設置於上述複數個第3導電層、與上述半導體層之間；且 <br/>上述周邊區域具備於上述第1方向延伸之第3接點及第4接點； <br/>上述第2配線層具備： <br/>第4導電層，其位於上述記憶胞陣列區域，連接於上述半導體層之上述第1方向之一端部；及 <br/>第5導電層，其位於上述周邊區域，與上述第1導電層對向； <br/>上述第1導電層電性連接於上述第3接點； <br/>上述第5導電層電性連接於上述第4接點；且 <br/>上述半導體記憶裝置具備： <br/>於上述第4導電層與上述第5導電層之間設置之絕緣層； <br/>相互連接之第1晶片及第2晶片； <br/>鈍化膜，其設置於上述第1晶片之背面； <br/>上述第1晶片具備： <br/>上述記憶胞陣列層； <br/>上述第1配線層，其相對於上述記憶胞陣列層，設置於上述第1方向之一側；及 <br/>複數個第1貼合電極，其等相對於上述記憶胞陣列層，設置於上述第1方向之另一側； <br/>上述第2晶片具備： <br/>上述基板； <br/>複數個電晶體，其等設置於上述基板之表面； <br/>複數個第2貼合電極，其等電性連接於上述複數個電晶體；且 <br/>上述複數個第1貼合電極連接於上述複數個第2貼合電極， <br/>於上述鈍化膜具有開口，上述第1導電層自上述開口露出， <br/>自上述開口露出之上述第1導電層係作為接合焊墊發揮功能， <br/>上述第1導電層與上述第5導電層係作為旁路電容器發揮功能， <br/>上述第1導電層與上述第5導電層係：於自上述第1方向觀察時與上述鈍化膜之上述開口重疊之區域相對向。
如請求項1至4中任一項之半導體記憶裝置，其具備： <br/>第2接合焊墊；且 <br/>上述第1導電層包含上述第2接合焊墊。
如請求項1至4中任一項之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述半導體記憶裝置具備電容元件； <br/>上述第1導電層包含上述電容元件之一者之電極板； <br/>上述第5導電層包含上述電容元件之另一者之電極板。
如請求項1至4中任一項之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第4導電層及上述第5導電層包含多晶矽。
如請求項1至4中任一項之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1導電層自上述第1方向觀察，包含與上述第5導電層重置之部分。
如請求項1至4中任一項之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第4導電層自上述第1方向觀察，包含與上述半導體層重置之部分。
如請求項1至4中任一項之半導體記憶裝置，其中 <br/>對上述第1導電層及上述第5導電層中之任一者供給第1電壓，對另一者供給大於上述第1電壓之第2電壓。
一種印刷配線板之製造方法，包含下述之步驟， <br/>(A)準備附保護薄膜之接著薄片之步驟，該附保護薄膜之接著薄片包含：由支撐體及接合於該支撐體的樹脂組成物層所組成的接著薄片、與以接合於該接著薄片之樹脂組成物層之方式來設置的保護薄膜； <br/>(B)剝離保護薄膜之步驟；及 <br/>(C)將樹脂組成物層為已露出的接著薄片，以樹脂組成物層接合於電路基板之方式來進行配置之步驟， <br/>在步驟(B)中，在剝離保護薄膜之前將附保護薄膜之接著薄片進行加溫。
如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中，在步驟(B)中，於剝離保護薄膜時，附保護薄膜之接著薄片之保護薄膜的表面溫度為26℃以上110℃以下。
如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中，在步驟(B)中，於剝離保護薄膜時，附保護薄膜之接著薄片之保護薄膜的表面溫度為80℃以下。
如請求項1之印刷配線板之製造方法，其中，包含下述之步驟， <br/>(D)將電路基板上為暫時附著有接著薄片的積層體進行加熱及加壓，使接著薄片層合處理至電路基板之步驟；及 <br/>(E)將樹脂組成物層進行熱硬化來形成絕緣層之步驟。
一種暫時附著裝置，其係將附保護薄膜之接著薄片之保護薄膜剝離，將樹脂組成物層為已露出的接著薄片，以樹脂組成物層接合於電路基板之方式來暫時附著於電路基板上的暫時附著裝置，該附保護薄膜之接著薄片包含：由支撐體及接合於該支撐體的樹脂組成物層所組成的接著薄片、與以接合於該接著薄片之樹脂組成物層之方式來設置的保護薄膜， <br/>暫時附著裝置具備將附保護薄膜之接著薄片進行加溫的加溫手段。
一種包含指令之至少一非暫態電腦可讀儲存媒體，該等指令當被執行時致使至少一個處理器至少進行下列動作：<br/>調用一探索代理以識別平台資源裝置；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第一者；<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第一者的工作負載，產生第一最佳化量度，該等第一最佳化量度對應於一第一路徑；<br/>將第一語義資訊嵌入至該工作負載，該第一語義資訊包括對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第一者的最佳化圖資訊及平台結構資訊；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第二者；<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的該工作負載，產生第二最佳化量度，該等第二最佳化量度對應於一第二路徑；<br/>將第二語義資訊嵌入至該工作負載，該第二語義資訊包括對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的最佳化圖資訊及平台結構資訊；以及<br/>在運行時間期間基於對應於該第一經識別平台資源裝置及該第二經識別平台資源裝置的(a)服務等級協議(SLA)資訊及(b)利用率資訊，選擇該第一路徑或該第二路徑。
如請求項1之至少一非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該等指令當被執行時致使該至少一個處理器：<br/>判定對應於該等平台資源裝置中之該第一者及該第二者的一利用率偏差；<br/>比較該利用率偏差與該SLA資訊；以及<br/>將該工作負載遷移至該第一路徑或該第二路徑中之一者以滿足該SLA資訊之至少一個臨限值。
如請求項1或2之至少一非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該SLA資訊包括潛時量度、功率消耗量度、資源成本量度或準確度量度中之至少一者。
如請求項1之至少一非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該等指令當被執行時致使該至少一個處理器在產生該等第一最佳化量度及該等第二最佳化量度時，判定參與經識別之該等平台資源裝置的租戶之一數量。
如請求項4之至少一非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該等指令當被執行時致使該至少一個處理器將對應於租戶之該數量的資訊與該第一語義資訊及該第二語義資訊一起嵌入。
如請求項1之至少一非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該等指令當被執行時致使該至少一個處理器回應於不足的SLA準則而向一租戶提供小額支付。
一種用以最佳化一工作負載之方法，該方法包含：<br/>調用一探索代理以識別平台資源裝置；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第一者；<br/>針對對應於經識別該等平台資源裝置中之該第一者的該工作負載，產生第一最佳化量度，該等第一最佳化量度對應於一第一路徑；<br/>將第一語義資訊嵌入至該工作負載，該第一語義資訊包括對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第一者的最佳化圖資訊及平台結構資訊；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第二者；<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的該工作負載，產生第二最佳化量度，該等第二最佳化量度對應於一第二路徑；<br/>將第二語義資訊嵌入至該工作負載，該第二語義資訊包括對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的最佳化圖資訊及平台結構資訊；以及<br/>在運行時間期間基於對應於該第一經識別平台資源裝置及該第二經識別平台資源裝置的(a)服務等級協議(SLA)資訊及(b)利用率資訊，選擇該第一路徑或該第二路徑。
如請求項7之方法，其進一步包括：<br/>判定對應於該等平台資源裝置中之該第一者及該第二者的一利用率偏差；<br/>比較該利用率偏差與該SLA資訊；以及<br/>將該工作負載遷移至該第一路徑或該第二路徑中之一者以滿足該SLA資訊之至少一個臨限值。
如請求項7至8中任一項之方法，其中該SLA資訊包括潛時量度、功率消耗量度、資源成本量度或準確度量度中之至少一者。
如請求項7之方法，其中產生該等第一最佳化量度及該等第二最佳化量度進一步包括判定參與經識別之該等平台資源裝置之租戶的一數量。
如請求項10之方法，其進一步包括將對應於租戶之該數量的資訊與該第一語義資訊及該第二語義資訊一起嵌入。
如請求項7或10中任一項之方法，其進一步包括回應於偵測到不足的SLA參數而向一租戶提供小額支付。
一種用以最佳化一工作負載之設備，其包含：<br/>代理管理電路系統，其用以：<br/>調用一探索代理以識別平台資源裝置；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第一者；<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第一者的該工作負載，產生第一最佳化量度，該等第一最佳化量度對應於一第一路徑；以及<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第二者；以及<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的該工作負載，產生第二最佳化量度，該等第二最佳化量度對應於一第二路徑；<br/>基準管理電路系統，其用以將第二語義資訊嵌入至該工作負載，該第二語義資訊包括對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的最佳化圖資訊及平台結構資訊；以及<br/>重組態管理電路系統，其用以在運行時間期間基於對應於該第一經識別平台資源裝置及該第二經識別平台資源裝置的(a)服務等級協議(SLA)資訊及(b)利用率資訊，選擇該第一路徑或該第二路徑。
如請求項13之設備，其中該重組態管理電路系統係用以：<br/>判定對應於該等平台資源裝置中之該第一者及該第二者的一利用率偏差；<br/>比較該利用率偏差與該SLA資訊；以及<br/>將該工作負載遷移至該第一路徑或該第二路徑中之一者以滿足該SLA資訊之至少一個臨限值。
如請求項13至14中任一項之設備，其中該SLA資訊包括潛時量度、功率消耗量度、資源成本量度或準確度量度中之至少一者。
如請求項13之設備，其中產生該等第一最佳化量度及該等第二最佳化量度進一步包括判定參與經識別之該等平台資源裝置之租戶的一數量。
如請求項16之設備，其中該基準管理電路系統係用以將對應於租戶之該數量的資訊與該第一語義資訊及該第二語義資訊一起嵌入。
一種用以最佳化一工作負載之系統，其包含：<br/>用於管理代理之構件，該構件用以：<br/>調用一探索代理以識別平台資源裝置；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第一者；<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第一者的該工作負載，產生第一最佳化量度，該等第一最佳化量度對應於一第一路徑；<br/>選擇經識別之該等平台資源裝置中之一第二者；以及<br/>針對對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的該工作負載，產生第二最佳化量度，該等第二最佳化量度對應於一第二路徑；<br/>用於管理基準之構件，該構件用以將第二語義資訊嵌入至該工作負載，該第二語義資訊包括對應於經識別之該等平台資源裝置中之該第二者的最佳化圖資訊及平台結構資訊；以及<br/>用於管理重組態之構件，該構件用以在運行時間期間基於對應於該第一經識別平台資源裝置及該第二經識別平台資源裝置的(a)服務等級協議(SLA)資訊及(b)利用率資訊，選擇該第一路徑或該第二路徑。
如請求項18之系統，其中該用於管理重組態之構件係用以：<br/>判定對應於該等平台資源裝置中之該第一者及該第二者的一利用率偏差；<br/>比較該利用率偏差與該SLA資訊；以及<br/>將該工作負載遷移至該第一路徑或該第二路徑中之一者以滿足該SLA資訊之至少一個臨限值。
如請求項18至19中任一項之系統，其中該SLA資訊包括潛時量度、功率消耗量度、資源成本量度或準確度量度中之至少一者。
如請求項18之系統，其中產生該等第一最佳化量度及該等第二最佳化量度進一步包括判定參與經識別之該等平台資源裝置之租戶的一數量。
如請求項21之系統，其中該用於管理基準之構件係用以將對應於租戶之該數量的資訊與該第一語義資訊及該第二語義資訊一起嵌入。
一種自主移動機器人，其係藉由搭載之攝像部讀取沿著移動路徑配置之標誌，且由前述標誌導引而移動者；其具備：<u/><br/>計算部，其具有限定範圍探索模式，該限定範圍探索模式係根據前述標誌之登錄位置，於前述攝像部拍攝之攝像圖像之一部分設定第一掃描範圍，且自前述第一掃描範圍中探索前述標誌；<br/>於無法以前述限定範圍探索模式檢測出前述標誌之情況下，前述計算部係於前述攝像圖像整體設定第二掃描範圍，且切換至自前述第二掃描範圍中探索前述標誌之整體範圍探索模式，以探索前述標誌。<u/>
如請求項1之自主移動機器人，其中，於無法以前述限定範圍探索模式或前述整體範圍探索模式檢測出前述標誌之情況下，前述計算部係設定追蹤前述標誌之第三掃描範圍，且切換至自前述第三掃描範圍中探索前述標誌之追蹤模式，以探索前述標誌。
如請求項2之自主移動機器人，其中，於無法以前述追蹤模式檢測出前述標誌之情況下，前述計算部係設定與已檢測出前述標誌之最後之前述第三掃描範圍相同範圍之第四掃描範圍，且切換至自前述第四掃描範圍中進行複數次前述標誌之再探索之再探索模式，以探索前述標誌。
如請求項3之自主移動機器人，其中，於前述再探索模式時，停止移動。
如請求項3之自主移動機器人，其中，於無法以前述再探索模式檢測出前述標誌之情況下，前述計算部係切換至前述整體範圍探索模式，以探索前述標誌。
如請求項4之自主移動機器人，其中，於無法以前述再探索模式檢測出前述標誌之情況下，前述計算部係切換至前述整體範圍探索模式，以探索前述標誌。
如請求項1至6中任一項之自主移動機器人，其中，前述標誌係沿著前述移動路徑配置有複數個，<br/>前述標誌之登錄位置係對應於前述複數個標誌各者而設定，<br/>每當切換導引前述自主移動機器人之前述標誌時，前述計算部係將前述標誌之登錄位置切換至對應於該標誌之登錄位置，進行前述限定範圍探索模式之前述標誌之探索。
如請求項1至6中任一項之自主移動機器人，其中，於檢測出前述標誌之情況下，前述計算部係將該標誌之檢測位置更新為下一次探索之前述標誌之登錄位置。
如請求項8之自主移動機器人，其中，前述計算部係於前述限定範圍探索模式中，於根據更新後之前述標誌之登錄位置而探索前述標誌之情況下，將上述第一掃描範圍設定為較前一次之前述限定範圍探索模式之第一掃描範圍更小。
一種硬化性樹脂組成物，其係用於在含有含氮化合物之層之主面的至少一部分製造永久膜，且含有樹脂(A)、熱酸產生劑(B)與溶劑(S)之硬化性樹脂組成物，其中前述樹脂(A)，具備：具有酚性羥基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位及具有羧基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位之至少一方，與具有環氧基的構成單位；前述含有含氮化合物之層，含有包含具有孤電子對之氮原子的含氮化合物。
一種硬化性樹脂組成物之應用，其係用於在含有含氮化合物之層之主面的至少一部分製造永久膜，且前述硬化性樹脂組成物，係含有樹脂(A)、熱酸產生劑(B)與溶劑(S)，其中前述樹脂(A)，具備：具有酚性羥基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位及具有羧基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位之至少一方，與具有環氧基的構成單位；前述含有含氮化合物之層，含有包含具有孤電子對之氮原子的含氮化合物。
一種如請求項1之硬化性樹脂組成物之應用，其係用於形成微透鏡。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中前述樹脂(A)，包含具有酚性羥基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位及具有羧基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位之至少一方，與具有環氧基的構成單位之共聚物。
如請求項2或3之應用，其中前述樹脂(A)，包含具有酚性羥基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位及具有羧基經酸解離性基保護之化學結構的構成單位之至少一方，與具有環氧基的構成單位之共聚物。
一種如請求項1或4之硬化性樹脂組成物之硬化物。
一種硬化膜之製造方法，其包含於含有含氮化合物之層之主面的至少一部分，形成含有如請求項1或4之硬化性樹脂組成物的塗膜，與將前述塗膜加熱而形成硬化膜。
一種微透鏡之製造方法，其中前述製造方法包含於具有含有包含具有孤電子對之氮原子的含氮化合物之含有含氮化合物之層的基板上之前述含有含氮化合物之層之主面的至少一部分，形成含有如請求項1或4之硬化性樹脂組成物的塗膜、將前述塗膜加熱而形成硬化膜、於前述硬化膜上，形成按照所形成之透鏡的形狀之形狀的遮罩，與藉由將前述遮罩與前述硬化膜一併蝕刻，形成轉印有前述遮罩之形狀的透鏡。
如請求項8之微透鏡之製造方法，其中前述基板之表層之前述含有含氮化合物之層係以選自由綠色彩色濾光片、藍色彩色濾光片，或紅色彩色濾光片所成之群的彩色濾光片所構成，且於前述彩色濾光片上形成前述塗膜。
一種煞車系統（10），其係具備由騎乘者操作之至少1個操作子（12）之跨騎式車輛（100）用之煞車系統（10），且具備： <br/>機構部（40），其包含以至少對應上述操作子（12）之運動之摩擦力對上述跨騎式車輛（100）之車輪進行制動之摩擦賦予裝置（50）； <br/>上述機構部（40）進而包含：操作子運動感測器（92），其檢測上述操作子（12）之上述運動；及致動器（41），其與上述摩擦賦予裝置（50）一起單元化； <br/>上述煞車系統（10）進而具備：控制部（62），其於常用煞車時，根據上述操作子運動感測器（92）之檢測結果控制上述致動器（41）之輸出，使由上述摩擦賦予裝置（50）賦予上述車輪之上述摩擦力變化； <br/>於上述致動器（41）為非通電狀態時，藉由上述摩擦賦予裝置（50）之摩擦材料（51）被施力向摩擦力增加之方向，從而由上述摩擦賦予裝置（50）制動上述車輪。
如請求項1之煞車系統（10），其中， <br/>於上述致動器（41）為通電狀態時，由上述摩擦賦予裝置（50）賦予上述車輪之上述摩擦力隨著該致動器（41）之輸出之增加而減少。
如請求項1或2之煞車系統（10），其中， <br/>上述控制部（62）與使賦予不同於上述車輪之另一車輪之摩擦力變化之另一控制部（61）一起單元化。
如請求項1或2之煞車系統（10），其中， <br/>上述控制部（62）與上述摩擦賦予裝置（50）及上述致動器（41）一起單元化。
如請求項1或2之煞車系統（10），其中， <br/>上述控制部（62）與上述操作子運動感測器（92）一起單元化。
如請求項1或2之煞車系統（10），其中， <br/>上述控制部（62）於控制上述車輪之滑移的滑移控制動作時，控制上述致動器（41）之輸出，使由上述摩擦賦予裝置（50）賦予上述車輪之上述摩擦力變化。
如請求項6之煞車系統（10），其中， <br/>上述滑移控制動作包含執行防鎖死煞車控制之動作。
如請求項6之煞車系統（10），其中， <br/>上述滑移控制動作包含執行空轉抑制控制之動作。
如請求項6之煞車系統（10），其中， <br/>上述滑移控制動作包含執行側滑抑制控制之動作。
如請求項1或2之煞車系統（10），其中， <br/>上述摩擦賦予裝置（50）所制動之上述車輪為上述跨騎式車輛（100）之後輪（4）。
一種跨騎式車輛（100），具備： <br/>請求項1至10中任一項之煞車系統（10）。
一種對升糖素受體、類升糖素肽-1(glucagon-likepeptide-1，GLP-1)受體及葡萄糖依賴性促胰島素多肽(glucose-dependent insulinotropic polypeptide，GIP)受體具有活性之肽，該肽包含選自由SEQ ID NOs：1至12所組成之群組中的序列的任一者。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含選自由SEQ ID NOs：1至6和9至11所組成群組的任一序列，以及相較於天然的人類GLP-1、升糖素及GIP之活性，該肽對於GLP-1受體、升糖素受體及GIP受體具有10%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含SEQ ID NOs：2或6的序列，以及相較於天然的人類GLP-1、升糖素及GIP之活性，該肽對於GLP-1受體、升糖素受體及GIP受體具有70%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含選自由SEQ ID NOs：2、6、7、11和12所組成群組的任一序列，以及相較於天然的人類GLP-1之活性，該肽對於GLP-1受體具有70%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含選自由SEQ ID NOs：1、2、3、5和6所組成群組的任一序列，以及相較於天然的人類升糖素之活性，該肽對於升糖素受體具有70%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含選自由SEQ ID NOs：2、4和6所組成群組的任一序列，以及相較於天然的人類GIP之活性，該肽對於GIP受體具有70%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含選自由SEQ ID NOs：1、2、3和5所組成群組的任一序列，以及相較於天然的升糖素之活性，該肽對於升糖素受體具有100%或更高的活性，同時，相較於天然GLP-1及GIP之活性，該肽對於GLP-1受體及GIP受體二者均具有10%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，該肽包含選自由SEQ ID NOs：2、4和6所組成群組的任一序列，以及相較於天然GIP之活性，該肽對於GIP受體具有100%或更高的活性，同時，相較於天然GLP-1及升糖素之活性，該肽對於GLP-1受體及升糖素受體二者均具有10%或更高的活性。
如請求項1所述的肽，其中，其N-末端起位置12之胺基酸及位置16之胺基酸，或位置16之胺基酸及位置20之胺基酸形成環。
如請求項1所述的肽，其中，該肽之C-末端係經醯胺化的。
一種下列化學式1所示之長效接合物：[化學式1]X-L-F其中，X表示如請求項1至10中任一項所述的肽；L表示包含乙二醇重複單元之連接子，F表示免疫球蛋白Fc區，以及「-」表示X與L之間以及L與F之間的共價鍵。
如請求項11所述的長效接合物，其中，該免疫球蛋白Fc區為源自IgG、IgA、IgD、IgE、或IgM、或其組合、或其雜合體之免疫球蛋白Fc區。
如請求項11所述的長效接合物，其中，該免疫球蛋白Fc區為IgG4 Fc區。
如請求項11所述的長效接合物，其中，該免疫球蛋白Fc區係無糖基化的。
如請求項11所述的長效接合物，其中，L中的該乙二醇重複單元部分之分子量範圍在1kDa至100kDa之間。
如請求項11所述的長效接合物，其中，L為聚乙二醇。
如請求項11所述的長效接合物，其中，F為二聚體免疫球蛋白Fc區。
如請求項17所述的長效接合物，其中，一個X分子係經由包含乙二醇重複單元之連接子共價連接至該二聚體免疫球蛋白Fc區的一個Fc區。
如請求項17所述的長效接合物，其中，該包含乙二醇重複單元之連接子的一端係僅連接至該二聚免疫球蛋白Fc區的兩條Fc區鏈的一條Fc區鏈。
一種用於預防或治療代謝症候群之醫藥組成物，該醫藥組成物包含如請求項1至10中任一項所述的肽。
如請求項20所述的醫藥組成物，其中，該肽為長效接合物的形式，其為下列化學式1所示：[化學式1]X-L<sub>a</sub>-F其中，X表示如請求項1至10中任一項所述的肽；L表示包含乙二醇重複單元之連接子；F表示免疫球蛋白Fc區；以及「-」表示X與L之間以及L與F之間的共價鍵。
如請求項20所述的醫藥組成物，其中，該代謝症候群係選自由以下組成之群組的一者或多者：葡萄糖耐受性受損、高膽固醇血症、血脂異常、肥胖、糖尿病、高血壓、血脂異常誘發型動脈硬化、動脈粥狀硬化、動脈硬化及冠狀動脈心臟病。
一種編碼如請求項1至10中任一項所述的肽的多核苷酸。
一種如請求項1至10中任一項所述的肽、如請求項11至19中任一項所述的長效接合物或包含該肽或該長效接合物的醫藥組成物於製備用於預防或治療代謝症候群之藥物的用途。
如請求項24所述的用途，其中，該長效接合物為下列化學式1所示：[化學式1]X-L<sub>a</sub>-F其中，X表示如請求項1至10中任一項所述的肽；L表示包含乙二醇重複單元之連接子；F表示免疫球蛋白Fc區；以及「-」表示X與L之間以及L與F之間的共價鍵。
如請求項24或25所述的用途，其中，該代謝症候群係選自由葡萄糖耐受性受損、高膽固醇血症、血脂異常、肥胖、糖尿病、高血壓、血脂異常誘發型動脈硬化、動脈粥狀硬化、動脈硬化及冠狀動脈心臟病所組成群組之一或多者。
一種二次電池用黏結劑，其係由含有聚四氟乙烯樹脂及單層奈米碳管之混合粉末構成，且 <br/>上述聚四氟乙烯樹脂及單層奈米碳管之重量比為99.9：0.1～80：20。
如請求項1之二次電池用黏結劑，其中，上述聚四氟乙烯樹脂之標準比重為2.11～2.20。
如請求項1或2之二次電池用黏結劑，其中，上述單層奈米碳管之平均纖維長為未達100 μm。
如請求項1或2之二次電池用黏結劑，其中，上述單層奈米碳管之平均外徑為2.5 nm以下。
如請求項1或2之二次電池用黏結劑，其中，上述單層奈米碳管之G/D比為2以上。
如請求項1或2之二次電池用黏結劑，其中，上述黏結劑之水分含量為1000 ppm以下。
如請求項1或2之二次電池用黏結劑，其藉由元素分析所測定之氟相對於碳之元素比（F/C比）為0.4以上3.0以下。
如請求項1或2之二次電池用黏結劑，其中，上述二次電池係鋰離子二次電池。
一種二次電池電極製作用組成物，其含有請求項1至8中任一項之二次電池用黏結劑及電極活性物質，且係實質上不含液體介質之粉末形狀。
如請求項9之二次電池電極製作用組成物，其中，上述電極活性物質係正極活性物質。
一種二次電池用電極合劑，其係由請求項9或10之二次電池電極製作用組成物構成。
一種二次電池用電極，其使用有請求項11之二次電池用電極合劑。
如請求項12之二次電池用電極，其具有聚四氟乙烯樹脂，該聚四氟乙烯樹脂係原纖維直徑之中央值為20 nm以上之纖維狀結構。
一種二次電池，其具有請求項12或13之二次電池用電極。
如請求項14之二次電池，其中，上述二次電池係鋰離子二次電池。
一種二次電池用黏結劑之製造方法，其將水用於分散溶劑，並將聚四氟乙烯樹脂分散液與單層奈米碳管分散液均勻混合後進行乾燥，而製成混合粉末。
如請求項16之二次電池用黏結劑之製造方法，其中，乾燥方法係噴霧乾燥。
一種二次電池用電極之製造方法，其使用請求項1至8中任一項之二次電池用黏結劑，與活性物質粉末加以混合，而製備實質上不含液體介質之粉末形狀之電極製作用組成物，使用所獲得之電極製作用組成物，藉由對粉末形狀之電極製作用組成物施加剪切應力而片狀化。
如請求項18之二次電池用電極之製造方法，其中，上述片狀化係於含有溶劑量相對於電極製作用組成物為10質量%以下時進行。
一種乳化組成物，其含有以下之成分(A)、(B)及(C)： <br/>(A)選自羥丙基、羥丁基及醯胺基中之取代基於每一葡萄糖上取代3個以上且5個以下之具有纖維素骨架之聚合物，且平均分子量為40,000～2,500,000之聚合物 0.1~6質量%； <br/>(B)液狀二元醇 3~12質量%； <br/>(C)選自神經鞘胺醇、神經鞘胺醇之鹽、類神經鞘胺醇、類神經鞘胺醇之鹽、陰離子界面活性劑及四級銨鹽型陽離子界面活性劑中之1種或2種以上之化合物 0.1~1.5質量%； <br/>上述陰離子界面活性劑為碳數12～24之N-醯基麩胺酸或其鹽； <br/>成分(B)包含選自丙二醇(propylene glycol)、二丙二醇、1,3-丁二醇、丙二醇(propanediol)、戊二醇中之1種以上； <br/>成分(A)相對於成分(C)之質量比率(A)/(C)為1～6。
如請求項1之乳化組成物，其中，成分(A)為羥丙基纖維素。
如請求項1或2之乳化組成物，其中，成分(A)相對於成分(B)之質量比率(A)/(B)為0.05～0.25。
如請求項1或2之乳化組成物，其中，成分(C)為包含選自植物鞘胺醇、植物鞘胺醇之鹽、1-(2-羥乙胺基)-3-異硬脂氧基-2-丙醇、1-(2-羥乙胺基)-3-異硬脂氧基-2-丙醇之鹽、N-硬脂醯基-L-麩胺酸鹽、二烷基二甲基銨鹽中之1種或2種以上。
如請求項1或2之乳化組成物，其形成α型構造之凝膠。
如請求項1或2之乳化組成物，其進而含有(D)甘油脂肪酸酯。
如請求項1或2之乳化組成物，其進而含有(E)高級醇。
如請求項1或2之乳化組成物，其進而含有(F)腦醯胺類。
如請求項1或2之乳化組成物，其中，成分(A)之含量為0.2～6質量%；成分(B)之含量為4.5~10.5質量%；成分(C)之含量為0.2~1質量%。
一種化妝料，其含有以下之成分(A)、(B)及(C)： <br/>(A)平均分子量為40,000~2,500,000之羥丙基纖維素0.1~6質量%，其係於每一葡萄糖上取代有2.4個以上且5個以下之羥丙基； <br/>(B)液狀二元醇2~15質量%； <br/>(C)具有羧基之水溶性聚合物0.001質量%以上；且 <br/>成分(C)相對於成分(A)之質量比率(C)/(A)為0.001～0.15。
如請求項1之化妝料，其中，成分(C)為丙烯酸系聚合物。
如請求項1或2之化妝料，其為皮膚化妝料。
一種食物產品，係包含：<br/>一主體，其係用於保持一食物成分，該主體具有限定較大之一開口端和較小之封閉端的一壁，該食物成分可以透過該開口端放置在該主體中，<br/>該壁透過以下步驟形成：<br/>將一第一食品材料層、一第二食品材料層和佈置於該第一食品材料層與該第二食品材料層之間的餡料食品材料的一組合體捲起，使得該組合體呈一形狀；以及<br/>加熱該組合體，以保持該組合體的該形狀；<br/>其中該第二食品材料層具有相較於該第一食品材料層的一較小尺寸，且該第一食品材料層以及該第二食品材料層的上週邊大體上對齊，使得該第一食品材料層的一下週邊部分暴露，以降低該組合體的重疊。
如請求項1所述之食物產品，其中該主體由該壁組成。
如請求項1所述之食物產品，其中該主體具有大致圓錐形的形狀。
如請求項1所述之食物產品，其中該主體具有大致截頭圓錐形的形狀。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該較小之封閉端係透過向內折疊該組合體的一週邊的一部分而形成。
如請求項5所述之食物產品，其中該組合體的該捲起包括向內折疊該組合體的一週邊之兩橫向側與該部分，且一週邊的該部分為該組合體的一底端。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該第一食品材料層和該第二食品材料層中的至少一個係大致圓形。
如請求項7所述之食物產品，其中該第一食品材料層與該第二食品材料層中之一係大致圓形，而另一係扇形。
如請求項1-4任一項所述之食物產品，其中折疊線在該組合體的一內表面上被形成，使得該組合體可折疊同時保持該組合體的完整性。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該第一食品材料層與該第二食品材料層係為一熟的食品材料。
如請求項10所述之食物產品，其中該第一食品材料層與該第二食品材料層係為一熟麵團。
如請求項11所述之食物產品，其中該第一食品材料層與該第二食品材料層係為一食品材料片。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該組合體相對較軟，而該壁相對較硬。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該餡料食品材料大體上佔據了該第一食品材料層與該第二食品材料層之間的整個空間。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該餡料食品材料不同於該第一食品材料層與該第二食品材料層。
如請求項1至請求項4中任一項所述之食物產品，其中該餡料食品材料係為一可融化食品材料。
一種用於製備如請求項1至16中任一項所述食物產品的烘烤裝置，該烘烤裝置使用一第一食品材料片做為該第一食品材料層以及使用一第二食品材料片做為該第二食品材料層，該烘烤裝置係包含：<br/>一容器，其係用於容納該第一食品材料片、該第二食品材料片、以及被佈置於其間的一餡料食品材料，該容器係具有：<br/>一上端，捲起的該組合體可透過該上端放置在該容器中，<br/>一下端，其小於該上端，及<br/>一壁，其具有一內表面，該內表面橫跨該上端和該下端延伸且被佈置成接觸和支撑放置在該容器的內部之捲起的該組合體；以及<br/>一加熱元件，其係設置於該內表面附近和後面，藉以透過該內表面向放置在該容器內之捲起的該組合體施加熱量，進而將捲起的該組合體烘烤成具有與該內表面的形狀相對應的一形狀，其中該第二食品材料片具有相較於該第一食品材料片的一較小尺寸，且該第一食品材料片以及該第二食品材料片的上週邊大體上對齊，使得該第一食品材料層的一下週邊部分暴露，以降低捲起的該組合體的重疊；<br/>其中，該容器係包含透過該內表面之一通風口，藉以在捲起的該組合體之烘烤期間允許空氣從外部進入該容器。
如請求項17所述之烘烤裝置，其中該通風口設置於該容器之該下端附近。
如請求項18所述之烘烤裝置，其中該通風口係包含穿過該容器之該壁的孔。
如請求項17所述之烘烤裝置，其中該通風口在該容器的該內表面的至少一部分上並沿該容器的該內表面的該至少一部分延伸。
如請求項20所述之烘烤裝置，其中該通風口係包含至少一延伸至該容器的該上端和該下端間之通道。
如請求項21所述之烘烤裝置，其中該通風口係包含複數該通道，該等通道彼此規則地間隔開。
如請求項17至請求項22中任一項所述之烘烤裝置，其中該內表面線性地橫跨該容器的該上端和該下端延伸。
如請求項23所述之烘烤裝置，其中該容器具有大體倒錐形的形狀。
如請求項24所述之烘烤裝置，其中該容器具有倒截頭圓錐形的形狀。
如請求項17至請求項22中任一項所述之烘烤裝置，其中該加熱元件圍繞該容器延伸。
如請求項26所述之烘烤裝置，其中該加熱元件為蝸卷形。
如請求項17至請求項22中任一項所述之烘烤裝置，係包含一壓具，該壓具適於被插入該容器，以用於施加力以使該食品材料片抵靠該容器的該內表面，從而保持該食品材料片與該內表面間之接觸。
如請求項28所述之烘烤裝置，其中該壓具係具有與該容器的形狀和尺寸互補之一主體。
如請求項29所述之烘烤裝置，其中該主體具有大體倒錐形的形狀。
如請求項30所述之烘烤裝置，其中該主體具有倒截頭圓錐形的形狀。
如請求項29所述之烘烤裝置，其中該壓具係包含連接到該主體之手柄，該手柄沿該主體的縱向軸線延伸。
如請求項32所述之烘烤裝置，其中該主體係由金屬製成。
如請求項32所述之烘烤裝置，其中該手柄係由非金屬製成。
如請求項29所述之烘烤裝置，其中該主體係為具有開放外表面之中空結構。
如請求項29所述之烘烤裝置，其中該主體係包含從該主體之中心軸線延伸的複數突起。
如請求項36所述之烘烤裝置，其中該等突起係呈複數翅片之形式。
如請求項37所述之烘烤裝置，其中各翅片係為實心。
如請求項37所述之烘烤裝置，其中各翅片係由金屬絲形成。
如請求項29所述之烘烤裝置，其中該主體係呈籠狀形式。
如請求項29所述之烘烤裝置，其中該主體包含在其外週邊上並圍繞其外週邊的複數邊緣，該等邊緣大體橫跨該主體之相對端延伸。
如請求項41所述之烘烤裝置，其中該等邊緣線性地橫跨該主體之相對端延伸。
如請求項17至請求項22中任一項所述之烘烤裝置，還包含：一殼體，該容器設置於該殼體中。
如請求項43所述之烘烤裝置，包含複數該容器和相應的加熱元件，其上端佈置於該殼體之上表面上。
一種製作如請求項1至請求項16中任一項所述之食物產品的方法，係包含以下步驟：<br/>將該第一食品材料層、該第二食品材料層以及設置在該第一食品材料層與該第二食品材料層間的該餡料食品材料的該組合體捲起，其中該第二食品材料層具有相較於該第一食品材料層的一較小尺寸，且該第一食品材料層以及該第二食品材料層的上週邊大體上對齊，使得該第一食品材料層的一下週邊部暴露，以降低該組合體的重疊；以及<br/>將該組合體放置在如請求項17至請求項44中任一項所述之烘烤裝置的該容器中，藉以加熱該組合體，進而形成該食物產品。
如請求項45所述之方法，其中捲起該組合體之步驟包含以下步驟：<br/>將該餡料食品材料放置在該第一食品材料層與該第二食品材料層之間以形成該組合體；<br/>然後，不管順序如何，<br/>向內折疊該組合體的橫向側；<br/>向內折疊在相對橫向側之間的該組合體的週邊的一部分；以及<br/>將相對的橫向側向內折疊，從而形成具有該較小封閉端的該組合體。
如請求項45或請求項46所述之方法，還包含將該烘烤裝置的一壓具插入該容器以施加力以將該組合體抵靠在該容器的該內表面上，從而保持該組合體與該內表面間之接觸以進行烘烤。
如請求項47所述之方法，還包含在將該壓具插入該容器之前預熱該壓具之步驟。
如請求項48所述之方法，其中預熱該壓具之步驟包含將該壓具插入該容器以進行預熱。
如請求項49所述之方法，<br/>其中在將該壓具插入該容器的步驟之後並且在將該組合體放置在該容器中的步驟之前，該方法還包含：將經過預熱之該壓具從該容器中取出之步驟，以及<br/>其中在將該組合體放置在該容器中的步驟之後，該方法還包含將經過預熱之該壓具重新插入該容器以施加力以將該組合體抵靠在該容器的該內表面上的步驟，從而保持該第一食品材料層與該第二食品材料層分別與該容器之該內表面和該壓具之外表面接觸以進行烘烤。
一種板狀玻璃元件(1)，其具有第一表面(2)及與該第一表面(2)相對佈置的第二表面(3)以及至少一個貫穿該等表面(2、3)中的至少一個的空隙(10)，其中，該空隙(10)在縱向(L)及橫向(Q)上延伸，該空隙(10)之縱向(L)橫向於被該空隙(10)貫穿的表面(2、3)， <br/>其特徵在於： <br/>被該空隙(10)貫穿的表面(2、3)具有以下特徵中的至少一個： <br/>-該表面(2、3)具有至少部分地環繞該空隙(10)的至少一個相對於該表面(2、3)的高度偏差(20)，其中，特別是相對於深度或高度之該高度偏差(20)之值|Δh|大於0.005 μm以及/或者小於0.1 μm， <br/>-被該空隙(10)貫穿的表面(2、3)具有小於15 nm的平均粗糙度(Ra)， <br/>-該表面(2、3)與該空隙(10)之間的棱邊(40)構建為無凸起， <br/>-該空隙(10)之壁部(11)具有數個圓頂形凹陷。
如請求項1之板狀玻璃元件(1)， <br/>其中， <br/>該高度偏差(20)具有以下特徵中的至少一個： <br/>-該高度偏差(20)完全包圍該空隙(10)， <br/>-該高度偏差(20)構建為該空隙(10)之壁部(11)的縮短部， <br/>-該高度偏差(20)形成凹部或凸起， <br/>-該高度偏差(20)之面(22)與被該/該等空隙(10)貫穿的第一表面(2)形成鈍角， <br/>-該高度偏差具有橫向尺寸，其大於5 μm以及/或者小於5 mm。
如請求項1之板狀玻璃元件(1)， <br/>其中，該玻璃元件(1)具有大於10 μm以及/或者小於4 mm的厚度(D)。
如請求項1之板狀玻璃元件(1)， <br/>其中，具有以下特徵中的至少一個： <br/>-該空隙(10)構建為通道(15)，該通道穿過該玻璃元件(1)自該第一表面(2)延伸至該第二表面(3)並且貫穿該二個表面(2、3)。
如請求項1之板狀玻璃元件(1)， <br/>其中， <br/>透過數個穿過該玻璃元件(1)自該第一表面(2)延伸至該第二表面(3)並且直接相鄰接的通孔(15)而形成一個棱邊(40)，該棱邊形成該玻璃元件(1)之至少部分包圍該玻璃元件(1)的外棱，或者該玻璃元件(1)之至少部分包圍該空隙(10)的內棱，其中，該棱邊(40)具有數個圓頂形凹陷。
如請求項1之板狀玻璃元件(1)， <br/>其中，具有以下特徵中的一個： <br/>-該高度偏差(20)係對稱地成形， <br/>-該高度偏差(20)係不對稱地成形。
如請求項1之板狀玻璃元件(1)， <br/>其中，具有以下特徵中的一個： <br/>-該玻璃元件(1)之內棱具有數個圓頂形凹陷，並且該玻璃元件(1)之第一表面(2)及第二表面(3)構建為無圓頂， <br/>-該玻璃元件(1)之內棱具有高於該玻璃元件(1)之第一表面(2)及第二表面(3)的平均粗糙度(Ra)。
一種請求項1至7中任一項之玻璃元件(1)之應用，其係用於製造電光功能之氣密封裝的組件、微流控單元、壓力感測器及/或攝影機成像模組。
一種改質板狀玻璃元件(1)之表面(2、3)的方法，該玻璃元件具有第一表面(2)及與該第一表面(2)相對佈置的第二表面(3)以及至少一個貫穿該等表面(2、3)中的至少一個的空隙(10)，其中，該空隙(10)在縱向(L)及橫向(Q)上延伸，該空隙(10)之縱向(L)橫向於被該空隙(10)貫穿的表面(2、3)，其中，在該方法中： <br/>-提供該玻璃元件(1)， <br/>-由超短脈衝雷射器(101)之雷射束(100)在該玻璃元件(1)中產生至少一個絲狀通道(15)，其中，該通道之縱向(L)橫向於該玻璃元件(1)之表面， <br/>-將該玻璃元件(1)之被該通道貫穿的表面(2、3)曝露於蝕刻介質(200)，該蝕刻介質以一定的去除率去除該玻璃元件(1)之玻璃，其中，該通道被該蝕刻介質拓寬，從而形成空隙(10)， <br/>-其中，用該蝕刻來產生被該空隙(10)貫穿的表面(2、3)的以下特徵中的至少一個： <br/>該表面(2、3)具有至少部分地環繞該空隙(10)的至少一個相對於該表面(2、3)的高度偏差(20)，其中，特別是相對於深度或高度之該高度偏差(20)之值|Δh|大於0.005 μm以及/或者小於0.1 μm， <br/>被該空隙(10)貫穿的表面(2、3)具有小於15 nm的平均粗糙度(Ra)， <br/>該表面(2、3)與該空隙(10)之間的棱邊(40)構建為無凸起， <br/>該空隙(10)之壁部(11)具有數個圓頂形凹陷。
如請求項9之方法， <br/>其中， <br/>使得該蝕刻介質(200)發生運動，從而透過該蝕刻介質(200)之運動來加快或降低該去除率。
如請求項10之方法， <br/>其中，具有以下特徵中的至少一個： <br/>-使得該玻璃元件(1)不發生旋轉地在一或數個空間方向上或其組合上在蝕刻槽中進行運動， <br/>-該玻璃元件(1)沿具有至少一個方向反轉的路徑進行運動， <br/>-使得該玻璃元件(1)圍繞橫向於、特別是垂直於該蝕刻介質(200)之運動方向的軸線旋轉， <br/>-使得該玻璃元件(1)圍繞垂直於該第一及/或第二表面(2、3)的軸線旋轉。
如請求項9之方法， <br/>其中， <br/>使得該蝕刻介質(200)在該玻璃元件(1)之表面(2、3)上的至少一個定義區域內改質並且使得此區域內的去除率與包圍之區域相比發生變化。
如請求項9之方法， <br/>其中， <br/>透過產生空間上及/或時間上之溫度梯度來調節該去除率。
如請求項9之方法， <br/>其中， <br/>透過該玻璃元件在該蝕刻介質(200)內之空間佈置方案來調節該去除率，特別是以與重力或該蝕刻介質(200)之運動方向相關的方式為之。
如請求項9之方法， <br/>其中， <br/>透過選擇玻璃組成與蝕刻介質(200)之組成的組合來調節該去除率。
一種具備胴體部之容器，其中該胴體部具有彎曲部，<br/> 該胴體部係以至少一片之積層體構成，<br/> 該積層體依序包含基材、底漆層、接著劑層、及密封劑層，在該底漆層之該密封劑層側的主面之至少一部分具有以靜電印墨組成物構成的印刷部，<br/> 且該接著劑層包含含有多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者。
如請求項1之容器，其在該彎曲部具有該印刷部。
如請求項1或2之容器，其中該多元醇包含脂肪族聚酯多元醇，該環氧化合物包含在兩末端具有環氧基者。
如請求項1或2之容器，其中該環氧化合物包含2官能的脂環式環氧化合物。
如請求項1或2之容器，其中該聚異氰酸酯包含苯二甲基二異氰酸酯衍生物。
如請求項1或2之容器，其進一步具備與該胴體部連接的口栓。
如請求項6之容器，其中該口栓具有筒狀的流出口、及由該流出口的下端之周緣朝外側擴展的凸緣。
如請求項1或2之容器，其中該胴體部係以一片該積層體構成。
如請求項1或2之容器，其中該胴體部係以成為側面薄片之兩片該積層體與成為底面薄片之一片該積層體構成。
一種加熱用包裝袋，其係以依序具有基材、底漆層、靜電印墨層、接著劑層、及密封劑層之積層體構成的加熱處理用之包裝袋，該接著劑層包含含有多元醇、聚異氰酸酯及環氧化合物的接著劑組成物及其硬化物之至少一者。
如請求項10之加熱用包裝袋，其中該底漆層包含聚乙烯亞胺樹脂。
如請求項10或11之加熱用包裝袋，其在外周部包含將兩片積層體的該密封劑層彼此接著的密封部，<br/> 該密封部係該靜電印墨層的印墨被覆率為300%以下。
如請求項10或11之加熱用包裝袋，其中該多元醇包含脂肪族聚酯多元醇，該環氧化合物包含在兩末端具有環氧基者。
如請求項10或11之加熱用包裝袋，其中該環氧化合物包含2官能的脂環式環氧化合物。
如請求項10或11之加熱用包裝袋，其中該聚異氰酸酯包含苯二甲基二異氰酸酯衍生物。
一種水性生物聚合物分散體組成物，其特徵係包含：<br/> 兩種或更多種生物聚合物的共混物，該生物聚合物由聚己內酯（PCL）及一種或多種其他生物聚合物組成，該一種或多種其他生物聚合物選自由以下組成的群組：聚己二酸-對苯二甲酸丁二醇酯（PBAT）、聚丁二酸丁二醇酯（PBS）、聚丁二酸-己二酸丁二醇酯（PBSA）、聚乳酸（PLA）、聚(3-羥基丁酸酯)（PHB），及其混合物；<br/> 穩定劑，其選自由以下組成的群組：聚乙烯醇、脂肪醇乙氧化物、環氧乙烷/環氧丙烷（EO/PO）嵌段共聚物、脂肪酸鹽，及其混合物；<br/> 交聯劑，其中該交聯劑為雙官能羧酸或雙官能醛；<br/> 選擇性的流變學調節劑；<br/> 選擇性的其他成分；以及<br/> 水。
如請求項1所述之組成物，其中，該兩種或更多種生物聚合物為聚己內酯（PCL）及一種或多種其他生物聚合物，該一種或多種其他生物聚合物選自由以下組成的群組：聚丁二酸丁二醇酯（PBS）、聚丁二酸-己二酸丁二醇酯（PBSA），及其混合物。
如請求項1所述之組成物，其中，該聚己內酯（PCL）與一種或多種其他生物聚合物的重量比在以下範圍內：約60:40至約1:20。
如請求項1所述之組成物，其中，該生物聚合物以下述的量存在於分散體中：10wt%至80wt%。
如請求項1所述之組成物，其還包含蠟或增黏劑，該蠟或增黏劑選自由以下組成的群組：巴西棕櫚蠟、蜂蠟、聚乙烯、聚乙烯共聚物、氧化聚乙烯、氧化聚乙烯共聚物、聚醚、羊毛脂、蟲膠、石蠟、小燭樹蠟、微晶蠟、大豆蠟、褐煤蠟、松香酯、萜烯樹脂、萜烯-酚樹脂、萜烯酚、季戊四醇松香酯、改性萜烯樹脂、聚萜烯、酚改性的苯乙烯及α-甲基苯乙烯的共聚物、烴樹脂，及其混合物。
如請求項1所述之組成物，其中該穩定劑為聚乙烯醇。
如請求項1所述之組成物，其中，該穩定劑以下述的量存在於該分散體中：1wt%至6wt%。
如請求項1所述之組成物，其中，該流變學調節劑選自結合增稠劑。
如請求項1所述之組成物，其中，該流變學調節劑選自由以下組成的群組：黃原膠、纖維素醚、羧甲基纖維素、瓜爾膠、多糖、完全水解的聚丙烯酸、聚氨酯增稠劑，及其混合物。
如請求項1所述之組成物，其中，該交聯劑選自由以下組成的群組：草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸、十六烷二酸、二十一烷二酸、二十二烷二酸、三十烷二酸、順丁烯二酸、富馬酸、乙炔二羧酸、戊烯二酸、癒傷酸、黏康酸、戊炔二酸、檸康酸、中康酸、伊康酸、丙醇二酸、中草酸、蘋果酸、酒石酸、草乙酸、天冬胺酸、α-羥戊二酸、阿拉伯糖酸、丙酮二甲酸、α-酮戊二酸、麩胺酸、二胺庚二酸、醣二酸、丙二醛、丁二醛、戊二醛、異檸檬酸、烏頭酸、丙烷-1,2,3-三羧酸、1,3,5-苯三甲酸，及其混合物。
如請求項1所述之組成物，其中，該交聯劑選自由以下組成的群組：己二酸、順丁烯二酸、乙二醛、檸檬酸，及其混合物。
如請求項1所述之組成物，其中該交聯劑以0.05wt%至3wt%的量存在。
如請求項5所述之組成物，其中，該蠟的量為1wt%至12wt%。
一種製造經生物聚合物塗覆的纖維素製品的方法，其特徵係該方法包含以下步驟：<br/> 將如請求項1至13中任一項所述之水性生物聚合物分散體組成物施加到纖維素基材的表面，以形成經塗覆的基材；<br/> 使水從該經塗覆的基材蒸發，以形成乾燥且經塗覆的基材；以及<br/> 加熱該乾燥且經塗覆的基材以固化該組成物，從而形成經生物聚合物膜塗覆的製品。
一種經塗覆的製品，其特徵係包含纖維素基材，該基材以由如請求項1至13中任一項所述之水性生物聚合物分散體組成物形成的膜塗覆。
一種偏光板之製造方法，包含以下步驟：<br/> 將複數片偏光板疊合而形成工件；及<br/> 使用螺旋銼刀來加工該工件之外周面，使該偏光板之偏光件端面依循ISO 25178所得之面粗度Sdr為11%以上。
如請求項1之製造方法，其在將前述螺旋銼刀之旋轉數設為S(rpm)、將進給速度設為F(mm/分鐘)時，S/F為14以上。
如請求項1或2之製造方法，其中前述螺旋銼刀不具有餘隙角，且刀尖之寬度為0.1mm以上。
如請求項1或2之製造方法，其包含一切削步驟，其係以前述螺旋銼刀之刀的背面側在旋轉方向上游側之方式進行。
如請求項1或2之製造方法，其中前述偏光板更具有：表面保護薄膜，其係以可剝離之方式暫時黏附於其中一側；黏著劑層，其係配置於另一側；及分離件，其係以可剝離之方式暫時黏附於該黏著劑層；<br/> 該製造方法係使該表面保護薄膜位於前述螺旋銼刀之切削屑的排出方向來疊合該偏光板而形成前述工件。
如請求項1或2之製造方法，其包含一以前述螺旋銼刀加工前述工件之外周面的步驟，所述外周面位在與前述偏光板所含偏光件之吸收軸方向相交之方向。
如請求項6之製造方法，其包含一以端銑刀加工前述工件之外周面之步驟，所述外周面位在與前述偏光板所含偏光件之吸收軸方向實質上平行之方向。
如請求項1或2之製造方法，其中前述利用螺旋銼刀進行之加工包含形成異形之步驟；並且，該螺旋銼刀形成該異形時之進給速度小於該螺旋銼刀加工該異形以外之部分的進給速度。
一種偏光板，具有偏光件與配置於該偏光件之至少一側的保護層；<br/> 該偏光板之一對規定外緣且互相對向之邊中，其中一邊的該偏光件端面依循ISO 25178所得之面粗度Sdr(S)為11%以上，且該Sdr(S)與另一邊的該偏光件端面之面粗度Sdr(E)滿足下述關係：<br/> Sdr(S)-Sdr(E)≦3%。
一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於該銅箔之至少一面的表面處理層， <br/>該表面處理層以下述式（1）表示之Sk之變化率為28.2～45.0%： <br/>Sk之變化率＝（P2－P1）/P2×100 ・・・（1） <br/>式中，P1係應用截止值λs為2 μm之λs濾波器而算出之Sk，P2係不應用該λs濾波器而算出之Sk， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Sa為0.20～0.40 μm， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Sq為0.20～0.60 μm， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Ssk為-1.10～0.60， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Sku為2.50～4.50。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該Sk之變化率為28.2～40.0%。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該Sk之變化率為28.2～36.0%。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該Sku為2.90～4.10。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層含有粗化處理層。
一種覆銅積層板，其具備如請求項1至5中任一項之表面處理銅箔及接著於該表面處理銅箔之該表面處理層的樹脂基材。
一種印刷配線板，其具備對如請求項6之覆銅積層板之該表面處理銅箔進行蝕刻而形成的電路圖案。
一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於該銅箔之至少一面的表面處理層， <br/>該表面處理層以下述式（1）表示之Sk之變化量為0.210～0.600 μm， <br/>Sk之變化量＝P2－P1 ・・・（1） <br/>式中，P1係應用截止值λs為2 μm之λs濾波器而算出之Sk，P2係不應用該λs濾波器而算出之Sk， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Sa為0.20～0.40 μm， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Sq為0.20～0.60 μm， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Ssk為-1.10～0.60， <br/>該表面處理層不應用該λs濾波器而算出之Sku為2.50～4.50。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該Sk之變化量為0.210～0.500 μm。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該Sk之變化量為0.210～0.410 μm。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該Sku為2.90～4.10。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層含有粗化處理層。
一種覆銅積層板，其具備如請求項1至5中任一項之表面處理銅箔及接著於該表面處理銅箔之該表面處理層的樹脂基材。
一種印刷配線板，其具備對如請求項6之覆銅積層板之該表面處理銅箔進行蝕刻而形成的電路圖案。
一種從一渦輪機之一渦輪移除或安裝一渦輪葉片之設備，該設備包含： <br/>一操作頭，其經組態以接合一渦輪葉片基部之一軸向側壁； <br/>一致動器，其經組態以移動該操作頭以選擇性地接合該渦輪葉片基部之該軸向側壁，且對該渦輪葉片基部賦予一軸向力以移除或安裝該渦輪葉片；及 <br/>一支撐豎架，其經組態以將該致動器實質上垂直地定位在該渦輪機中就位的該渦輪葉片上方； <br/>其中該致動器包括： <br/>一安裝構件，其經組態以耦接至該支撐豎架； <br/>一滑動系統，其經組態以相對於該安裝構件可滑動地移動該操作頭；及 <br/>一線性致動器，其經組態以選擇性地相對於該安裝構件軸向地移動該滑動系統以施加該軸向力； <br/>其中該操作頭包括操作性地耦接至該致動器之一臂，且其中該致動器進一步包括一耦接器，該耦接器經組態以選擇性地將該安裝構件定位於一第一狀態與一第二狀態之間： <br/>在該第一狀態中，該安裝構件軸向地且樞轉地固定至該支撐豎架之一軸向延伸支撐構件，且該臂實質上垂直地相鄰於複數個渦輪葉片級之一第一級延伸，且 <br/>在該第二狀態中，該安裝構件可相對於該軸向延伸支撐構件樞轉，以將該臂徑向地定位在該渦輪上的任何渦輪葉片外，且可沿該支撐豎架之該軸向延伸支撐構件軸向地移動， <br/>其中，在該第二狀態中，該致動器可沿該軸向延伸支撐構件移動，用於相對於該複數個渦輪葉片之一不同的第二級定位。
如請求項1之設備，其中該支撐豎架安裝至該渦輪葉片定位於其中的該渦輪機之一部分，該渦輪機之該部分包括係下列中之至少一者的一結構：相鄰於該渦輪；或該渦輪定位於其中。
如請求項2之設備，其中該支撐豎架安裝至該渦輪定位於其中的一下半接頭罩殼之相對側，及相鄰於該渦輪的一排氣罩。
如請求項1之設備，其中該支撐豎架包括複數個可調整支撐構件，該複數個可調整支撐構件經組態以容納複數個不同的渦輪。
如請求項1之設備，其中該操作頭包括操作性地耦接至該致動器的一垂直延伸之臂，其中該垂直延伸之臂係長度可調整的。
如請求項5之設備，其進一步包含一振動總成，該振動總成包括耦接至該垂直延伸之臂之一振動驅動機構。
如請求項5之設備，其中該操作頭包括經組態以接合該渦輪葉片基部之該軸向側壁的一接合元件。
一種從一渦輪移除或安裝一渦輪葉片之設備，該設備包含： <br/>一操作頭，其經組態以接合一渦輪葉片基部之一軸向側壁，該操作頭包括一臂； <br/>一致動器，其經組態以移動該操作頭以選擇性地接合該渦輪葉片基部之該軸向側壁，且對該渦輪葉片基部賦予一軸向力，以從該渦輪移除該渦輪葉片或將該渦輪葉片安裝於該渦輪中；及 <br/>一支撐豎架，其經組態以將該致動器實質上垂直地定位在該渦輪葉片上方， <br/>其中該致動器進一步包括： <br/>一安裝構件，其經組態以耦接至該支撐豎架；及 <br/>一耦接器，其經組態以選擇性地將該安裝構件定位於一第一狀態與一第二狀態之間： <br/>在該第一狀態中，該安裝構件軸向地且樞轉地固定至該支撐豎架之一軸向延伸支撐件，且該臂實質上垂直地相鄰於複數個渦輪葉片級之一第一級延伸，且 <br/>在該第二狀態中，該安裝構件可相對於該軸向延伸支撐構件樞轉，以將該臂徑向地定位在該渦輪上的任何渦輪葉片外，且可沿該支撐豎架之該軸向延伸支撐構件軸向地移動， <br/>其中，在該第二狀態中，該致動器可沿該軸向延伸支撐構件移動，用於相對於該複數個渦輪葉片之一不同的第二級定位。
如請求項8之設備，其進一步包含一振動總成，該振動總成包括耦接至該臂的一振動驅動機構。
如請求項8之設備，其中該支撐豎架包括複數個可調整支撐構件，該複數個可調整支撐構件經組態以容納複數個不同的渦輪。
如請求項8之設備，其中該操作頭包括操作性地耦接至該致動器的一垂直延伸之臂，其中該垂直延伸之臂係選自一組不同長度臂。
如請求項11之設備，其中該致動器進一步包括： <br/>一滑動系統，其經組態以相對於該安裝構件可滑動地移動該操作頭；及 <br/>一線性致動器，其經組態以選擇性地相對於該安裝構件軸向地移動該滑動系統。
如請求項8之設備，其中該支撐豎架安裝至該渦輪定位於其中的一半接頭罩殼之相對側，及相鄰於該渦輪的一排氣罩。
一種用於從一渦輪機之一渦輪安裝或移除一渦輪葉片之方法，該方法包含： <br/>將一設備安裝至一渦輪機之一部分，該設備包括一操作頭、一致動器、及一支撐豎架，該操作頭經組態以接合一渦輪葉片基部之一軸向側壁，該致動器經組態以移動該操作頭以選擇性地接合該渦輪葉片基部之該軸向側壁，且對該渦輪葉片基部賦予一軸向力，該支撐豎架經組態以將該致動器及該操作頭實質上垂直地定位在該渦輪葉片上方；及 <br/>藉由透過該操作頭對該渦輪葉片基部施加該軸向力以相對於該渦輪機機械地致動該渦輪葉片基部，使得該渦輪葉片基部轉移至渦輪葉片之一第一級的一轉子輪中或離開該轉子輪； <br/>其中該操作頭包括從該致動器延伸的一臂，且進一步包括： <br/>第一次旋轉該致動器，以使該臂從相鄰於渦輪葉片之該第一級之該轉子輪的一第一操作位置旋轉至徑向地在該渦輪上之任何渦輪葉片外的一位置； <br/>將該致動器沿該支撐豎架之一軸向延伸支撐構件軸向地移動至一不可操作位置，在該不可操作位置中，該臂徑向地在相鄰於該渦輪機之渦輪葉片之一不同的第二級的一空間外且軸向地在該空間上方； <br/>第二次旋轉該致動器，以使該臂從該不可操作位置旋轉至相鄰於渦輪葉片之該不同的第二級的一第二操作位置；及 <br/>重複藉由透過該操作頭對該渦輪葉片基部施加該軸向力以相對於該渦輪機機械地致動該渦輪葉片基部，使得一渦輪葉片基部轉移至渦輪葉片之該不同的第二級的一轉子輪中或離開該轉子輪。
如請求項14之方法，其進一步包含： <br/>將一振動總成耦接至該設備之該操作頭；及 <br/>與施加該軸向力同時地振動該渦輪葉片基部。
如請求項14之方法，其進一步包含在機械地致動該渦輪葉片基部之前移動該操作頭以接合該渦輪葉片基部。
如請求項16之方法，其中該安裝包括將該支撐豎架安裝至該渦輪定位於其中的一半接頭罩殼之相對側，及相鄰於該渦輪機中之該渦輪的一排氣罩。
一種電壓調節模組(VRM)，所述電壓調節模組包括： <br/> 第一層，所述第一層被構造成輸出基於降壓電壓的經調節電壓，所述第一層具有第一凹部； <br/> 與所述第一層堆疊的第二層，所述第二層包括多個有源部件，所述多個有源部件被構造成接收電壓、基於所述電壓生成所述降壓電壓、並且將所述降壓電壓提供給所述第一層，所述第二層具有與所述第一凹部重疊的第二凹部，所述第一凹部具有比所述第二凹部更大的占地面積；以及 <br/> 多個觸點，所述多個觸點在所述第一層上並被構造成輸出所述經調節電壓。
根據請求項1所述的VRM，其中，所述多個觸點包括球栅陣列。
根據請求項2所述的VRM，其中，所述球栅陣列用底部填充物包封。
根據請求項1所述的VRM，所述VRM進一步包括與所述第一層和所述第二層堆疊的第三層，所述第三層包括多個有源部件。
根據請求項4所述的VRM，其中，所述第三層具有第三凹部，所述第三凹部所具有的面積與所述第二凹部的面積基本上相同。
根據請求項1所述的VRM，其中，所述第一層包括多個分立部件，所述多個分立部件被構造成使所述降壓電壓的電流倍增。
根據請求項6所述的VRM，其中，所述分立部件包括無源電路元件。
一種多晶片模組，所述多晶片模組包括： <br/> 多個集成電路(IC)管芯； <br/> 電壓調節模組(VRM)陣列，其中，所述VRM陣列布置成使得在所述VRM陣列中的一組相鄰VRM之間存在包括沉孔的開口，並且其中，所述VRM中的每個VRM與所述多個IC管芯中的相應的IC管芯堆疊；以及 <br/> 緊固件，所述緊固件位於所述VRM陣列中的所述一組相鄰VRM之間的所述開口中。
根據請求項8所述的多晶片模組，其中，所述VRM陣列中的每個所述VRM包括以底部填充物包封的球栅陣列。
根據請求項8所述的多晶片模組，其中，所述一組VRM中的每個所述VRM具有第一層和第二層，其中，所述第一層比所述第二層距所述緊固件具有更大的間隙，並且其中，所述第一層包括無源部件，且所述第二層包括有源部件。
一種多晶片模組，所述多晶片模組包括： <br/> 多個集成電路(IC)管芯； <br/> 多個電壓調節模組(VRM)，其中，所述VRM中的每個VRM與所述多個IC管芯中的相應IC管芯堆疊；以及 <br/> 多個緊固件，所述多個緊固件位於所述多個VRM中的VRM之間的開口中； <br/> 其中，所述多個VRM中的第一VRM包括： <br/> 第一層，所述第一層被構造成輸出基於降壓電壓的經調節電壓，所述第一層具有第一凹部； <br/> 與所述第一層堆疊的第二層，所述第二層包括多個有源部件，所述多個有源部件被構造成接收電壓並將所述降壓電壓提供給所述第一層，所述第二層具有與所述第一凹部重疊的第二凹部，所述第一層比所述第二層距所述多個緊固件中的第一緊固件具有更大的間隙，所述第一緊固件位於所述開口中的第一開口中，所述第一開口至少部分地由所述第一凹部和所述第二凹部限定；以及 <br/> 多個觸點，所述多個觸點在所述第一層上並電連接到所述多個IC管芯中的與所述第一VRM堆疊的第一IC管芯，所述多個觸點被構造成將所述經調節電壓提供給所述第一IC管芯。
根據請求項11所述的多晶片模組，其中，所述多個觸點包括球栅陣列。
根據請求項12所述的多晶片模組，其中，所述球栅陣列用底部填充物包封。
根據請求項13所述的多晶片模組，其中，所述第一層的所述間隙被構造成阻礙所述底部填充物堵塞所述第一凹部。
根據請求項13所述的多晶片模組，其中，所述底部填充物形成從所述第一層的邊緣朝向所述緊固件延伸的帶狀物。
根據請求項15所述的多晶片模組，其中，所述帶狀物從所述第一層的所述邊緣朝向所述緊固件延伸的距離小於所述第一層的間隙與所述第二層的間隙之間的距離。
根據請求項11所述的多晶片模組，其中，所述第一層包括多個無源電路元件，所述多個無源電路元件被構造成使降壓的電壓的電流倍增。
根據請求項11所述的多晶片模組，其中，所述緊固件包括螺栓。
根據請求項11所述的多晶片模組，所述多晶片模組進一步包括被構造成主動冷卻所述VRM的冷卻系統。
根據請求項11所述的多晶片模組，其中，晶圓上系統(SoW)包括所述IC管芯。
根據請求項20所述的多晶片模組，所述多晶片模組進一步包括形成在所述SoW的與所述第一層和所述第二層相對的一側上的熱耗散結構。
一種半導體晶圓之溫度控制裝置，具備： <br/>載置部，該載置部具有載置半導體晶圓之載置面，以俯視觀之，該載置面具有相互區隔之複數個區域； <br/>溫度調整部，該溫度調整部對該載置部的溫度於每個該複數個區域獨立地進行調整； <br/>溫度檢測部，至少在該複數個區域中的一個區域設有複數個該溫度檢測部，該溫度檢測部檢測藉由該溫度調整部進行了溫度調整之該區域的溫度；以及 <br/>控制部，該控制部監視該複數個溫度檢測部之檢測溫度，並在所監視的複數個檢測溫度之中選擇每單位時間之溫度變化大者，基於所選擇的檢測溫度控制該溫度調整部。
如請求項1所記載之半導體晶圓之溫度控制裝置，其中，以俯視觀之，該載置面形成為圓形； <br/>以俯視觀之，該複數個溫度檢測部為配置成分別在該載置面之周向及徑向彼此分離。
如請求項2所記載之半導體晶圓之溫度控制裝置，其中，該複數個區域具備： <br/>中央區域，該中央區域以俯視觀之係設於該載置面的中央，並以俯視觀之形成為圓形；以及 <br/>複數個外側區域，以俯視觀之，該複數個外側區域在該中央區域的徑向外側沿周向而相互區隔，並以俯視觀之形成為弧形； <br/>該溫度檢測部於該複數個區域各設有複數個， <br/>以俯視觀之，該複數個溫度檢測部為配置成分別在該中央區域及該複數個外側區域彼此分離。
如請求項1或2所記載之半導體晶圓之溫度控制裝置，其中，該溫度檢測部於該複數個區域各設有複數個， <br/>該控制部基於所選擇的檢測溫度，控制該複數個區域中以俯視觀之為彼此相鄰的兩個區域中之一個的該溫度調整部，同時控制該相鄰的兩個區域中之另一個的該溫度調整部。
如請求項1或2所記載之半導體晶圓之溫度控制裝置，其中，該載置部形成為於第一面具有該載置面的板狀， <br/>該溫度調整部設於第二面，該第二面在該載置部中與設有該載置面之一側為相反側， <br/>該載置部具有在該第二面開口之凹部， <br/>該溫度調整部具有與該凹部相連的貫通孔， <br/>該溫度檢測部經由該貫通孔配置於該凹部。
如請求項1或2所記載之半導體晶圓之溫度控制裝置，其中，該溫度調整部具備熱電元件。
一種半導體晶圓之溫度控制方法，其中： <br/>所監視的溫度，以俯視觀之為相互區隔之複數個區域中的至少一個區域之複數處的溫度， <br/>將半導體晶圓載置於具有該複數個區域之載置面， <br/>在監視的複數處的溫度之中選擇每單位時間之溫度變化大者， <br/>基於選擇的溫度調整該區域的溫度。
一種三維(3D)裝置，該裝置包含：第一層，其包含第一單晶電晶體；由下述覆蓋第二層，其包含第二單晶電晶體，其中該第一層由該第二層覆蓋；第三層，其包含第三單晶電晶體，其中該第二層由該第三層覆蓋；第四層，其包含第四單晶電晶體，其中該第三層由該第四層覆蓋；第一鍵合區，其包含第一氧化物至氧化物鍵，其中該第一鍵合區係設置在該第一層與該第二層之間；第二鍵合區，其包含第二氧化物至氧化物鍵，其中該第二鍵合區係設置在該第二層與該第三層之間；第三鍵合區，其包含第三氧化物至氧化物鍵，其中該第三鍵合區係設置在該第三層與該第四層之間；其中該第二層、該第三層、及該第四層各包含至少一記憶體單元陣列，其中該至少一記憶體單元陣列係DRAM型記憶體，其中該第一層包含用以與外部裝置通訊的串列器/串並轉換器(SerDes)電路，以及其中該第一層、該第二層、該第三層、及該第四層係經由氧化物對氧化物鍵直接在部分製造的裝置層之間單片原位鍵合，而無需使用中介層或完整的晶粒堆疊。
如請求項1之3D裝置，其中該第二鍵合區包含金屬至金屬鍵。
如請求項1之3D裝置，其中該第一層包含用以傳輸將要寫入至該至少一記憶體單元之資料的電路。
如請求項1之3D裝置，更包含：導電柱，其用以將該第一層連接至該第四層。
如請求項1之3D裝置，其中該第一層包含與外部裝置接觸的連接，以及其中該接觸係在該第一層的底部。
如請求項1之3D裝置，其中該第二單晶電晶體包含至少兩側閘極。
一種三維(3D)裝置，該裝置包含：第一3D裝置，其包含：第一層，其包含第一單晶電晶體；第二層，其包含第二單晶電晶體，其中該第一層由該第二層覆蓋；以及第二3D裝置，包含：第三層，其包含第三單晶電晶體；第四層，其包含第四單晶電晶體，其中該第三層由該第四層覆蓋；以及其中該第二層包含串列器/串並轉換器(SerDes)電路；第一鍵合區，其包含氧化物至氧化物鍵，該第一鍵合區設置在該第一層與該第二層之間；第二鍵合區，其包含氧化物至氧化物鍵，該第二鍵合區設置在該第二層與該第三層之間，以及其中該第一層、該第二層、該第三層、及該第四層係經由氧化物對氧化物鍵直接在部分製造的裝置層之間單片原位鍵合，而無需使用中介層或完整的晶粒堆疊。
如請求項7之第一3D裝置，其中該第二層包含至少一記憶體單元陣列。
如請求項7之第一3D裝置，其中該第一層包含與外部裝置接觸的連接，以及其中該接觸係在該第一層的底部。
如請求項7之第一3D裝置，其中該第一鍵合區更包含金屬至金屬鍵。
如請求項7之第一3D裝置，其中該第二單晶電晶體包含至少兩側閘極。
一種三維(3D)裝置，該裝置包含：第一層，其包含第一單晶電晶體；第二層，其包含第二單晶電晶體，其中該第一層由該第二層覆蓋；以及鍵合區，其包含混合鍵，該鍵合區設置在該第一層與該第二層之間，其中該第二單晶電晶體包含至少兩側閘極，以及其中該第二層包含SRAM記憶體單元陣列，其中該第一層包含與外部裝置接觸的連接，其中該第二層包含串列器/串並轉換器(SerDes)電路；其中該第一層包含第一晶粒區尺寸及該第二層包含第二晶粒區尺寸，以及其中該第一晶粒區尺寸明顯大於該第二晶粒區尺寸。
如請求項12之3D裝置，其中該接觸係在該第一層的底部。
如請求項12之3D裝置，更包含：金屬層，其設置在該第二層之間，其中該金屬層被連接以向該複數個第二電晶體供電。
如請求項12之3D裝置，其中該第二層包含FinFET電晶體。
一種半導體元件，包含：<br/> 一基材；<br/> 至少一元件，形成於該基材之上；<br/> 一層間介電層，於該基材之上；<br/> 一層間金屬介電層，於該層間介電層上且於該至少一元件上方，該層間金屬介電層包含：<br/> 至少一第一介電層，位於該基材之上且包含一第一介電常數值；<br/> 至少一第二介電層，位於該至少一第一介電層之上且包含一第二介電常數值，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 一虛設圖案，包含一第一導電圖案與一第二導電圖案，其中該第一導電圖案於該至少一第一介電層中具有一第一虛設圖案密度，且該第二導電圖案位於該至少一第二介電層中且包含一第二虛設圖案密度，<br/> 其中該第一虛設圖案密度大於該第二虛設圖案密度。
如請求項1所述之半導體元件，更包含複數個主動結構，其中該虛設圖案設於二或多個該些主動結構之間。
如請求項1所述之半導體元件，其中該至少一第一介電層包含複數個低k介電層，該第一導電圖案包含複數個虛設金屬線，該些虛設金屬線設於該些低k介電層中，該些虛設金屬線透過複數個虛設介層窗彼此電性連接，該些虛設金屬線與該些虛設介層窗不具有與電路功能有關之功能。
一種製造半導體元件之方法，包含：<br/> 提供一基材；<br/> 提供至少一第一介電層於該基材之上，該至少一第一介電層包含一第一介電常數值；<br/> 提供至少一第二介電層於該至少一第一介電層之上，該至少一第二介電層包含一第二介電常數值，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 提供一虛設圖案，該虛設圖案包含一第一導電圖案與一第二導電圖案，該第一導電圖案於該至少一第一介電層中且具有一第一圖案密度，且該第二導電圖案位於該至少一第二介電層中且包含一第二圖案密度，<br/> 其中該第一圖案密度等於或大於該第二圖案密度。
一種半導體封裝，包含：<br/> 一基材；<br/> 至少一元件，形成於該基材之上；<br/> 一層間介電層，位於該基材之上；<br/> 一層間金屬介電層，於該層間介電層上且於該至少一元件上方，該層間金屬介電層包含：<br/> 複數個第一介電層，位於該層間介電層之上，該些第一介電層具有一第一介電常數值；<br/> 複數個第二介電層，位於該些第一介電層之上，該些第二介電層具有一第二介電常數值，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 一虛設圖案，包含一第一虛設導電圖案與一第二虛設導電圖案，該第一虛設導電圖案位於該些第一介電層中且具有一第一虛設圖案密度，且該第二虛設導電圖案位於該些第二介電層中且具有一第二虛設圖案密度，<br/> 其中該第一虛設圖案密度大於該第二虛設圖案密度。
一種半導體封裝，包含：<br/> 一基材；<br/> 至少一元件，形成於該基材之上；<br/> 一層間介電層，於該基材之上；<br/> 一層間金屬介電層，於該層間介電層上且於該至少一元件上方，該層間金屬介電層包含：<br/> 複數個第一介電層，位於該基材之上，該些第一介電層具有一第一介電常數值；<br/> 複數個第二介電層，位於該些第一介電層之上，該些第二介電層具有一第二介電常數值，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 一虛設圖案，包含一第一虛設導電圖案與一第二虛設導電圖案，該第一虛設導電圖案位於該些第一介電層中且具有一第一虛設圖案密度，且該第二虛設導電圖案位於該些第二介電層中且具有一第二虛設圖案密度，<br/> 其中該第一虛設圖案密度大於該第二虛設圖案密度。
一種半導體元件，包含：<br/> 一第一晶粒，包含：<br/> 一基材；<br/> 至少一第一介電層，位於該基材之上且包含一第一介電常數值；<br/> 至少一第二介電層，位於該至少一第一介電層之上且包含一第二介電常數值，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 一虛設圖案，包含一第一導電圖案與一第二導電圖案，該第一導電圖案於該至少一第一介電層中且具有一第一圖案密度，且該第二導電圖案於該至少一第二介電層中且具有一第二圖案密度，其中該第一圖案密度等於或大於該第二圖案密度；以及<br/> 一第二晶粒，垂直地安裝於該第一晶粒之上。
一種製造半導體元件之方法，包含：<br/> 提供一第一半導體晶粒，該第一半導體晶粒包含一虛設圖案結構及一平坦界面層，該虛設圖案結構具有一第一導電圖案與一第二導電圖案，該第一導電圖案於至少一第一介電層中且具有一第一圖案密度，該第二導電圖案於至少一第二介電層中且具有一第二圖案密度，該至少一第二介電層於該至少一第一介電層上，該平坦界面層於該至少一第二介電層之上，其中該第一圖案密度等於或大於該第二圖案密度；<br/> 提供一第二半導體晶粒，其中該第二半導體晶粒包含一接合件，該接合件具有與該第二半導體晶粒之一平坦側表面齊平之一邊緣表面；以及<br/> 垂直地安裝該第二半導體晶粒於該第一半導體晶粒之該平坦界面層之上。
一種半導體封裝，包含：<br/> 一第一晶粒，包含：<br/> 一基材；<br/> 複數個第一介電層，位於該基材之上，該些第一介電層具有一第一介電常數值； <br/> 複數個第二介電層，位於該些第一介電層之上，該些第二介電層具有一第二介電常數值，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 一虛設圖案，包含一第一虛設導電圖案及一第二虛設導電圖案，該第一虛設導電圖案位於該些第一介電層中且具有一第一圖案密度，該第二虛設導電圖案位於該些第二介電層中且具有一第二圖案密度，其中該第一圖案密度大於該第二圖案密度；以及<br/> 一第二晶粒，垂直地安裝在該第一晶粒上。
一種半導體封裝，包含：<br/> 一第一晶粒，包含：<br/> 一基材；<br/> 複數個第一介電層，位於該基材之上，該些第一介電層以一第一介電常數值為特徵； <br/> 複數個第二介電層，位於該些第一介電層之上，該些第二介電層以一第二介電常數值為特徵，該第二介電常數值大於該第一介電常數值；以及<br/> 一虛設圖案，包含：<br/> 一第一虛設導電圖案，位於該些第一介電層中<br/> 以及<br/> 一第二虛設導電圖案，位於該些第二介電層中，其中該第一虛設導電圖案以一第一圖案密度為特徵，該第二虛設導電圖案以一第二圖案密度為特徵，該第一圖案密度大於該第二圖案密度；以及<br/> 一第二晶粒，垂直地安裝於該第一晶粒之上。
一種半導體裝置用Al接合線，其係包含總計3質量ppm以上500質量ppm以下之Pd、Pt中之1種以上者，且對上述接合線之包含線軸且與線軸方向平行之剖面之結晶方位進行測定之結果，相對於線軸方向之角度差為15度以下之＜100＞結晶方位之方位比率為30%以上90%以下。
如請求項1之半導體裝置用Al接合線，其拉伸強度為25 MPa以上85 MPa以下。
如請求項1之半導體裝置用Al接合線，其進而包含總計3質量ppm以上10000質量ppm以下之Si、Au、Ag中之1種以上。
如請求項3之半導體裝置用Al接合線，其至少包含Au。
如請求項1之半導體裝置用Al接合線，其進而包含總計3質量ppm以上700質量ppm以下之Fe、Mg中之1種以上。
如請求項1之半導體裝置用Al接合線，其中Al之含量為98質量%以上。
如請求項1之半導體裝置用Al接合線，其中其餘部分包含Al及不可避免之雜質。
一種半導體裝置，其包括如請求項1至7中任一項之半導體裝置用Al接合線。
一種製造半導體裝置的方法，包含在一基板之一表面之上塗覆一底部抗反射塗層組合物，其中該底部抗反射塗層組合物包含一聚合物，該聚合物包含源自一苯乙烯單體式(I)的重複單元：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NH<sub>2</sub>、-NHR、-NR<sub>2</sub>、-SH、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；以及其中y為2至5；以及 <br/>一交聯劑。
如請求項1所述之方法，其中該底部抗反射塗層組合物進一步包含一溶劑或一光酸產生劑。
如請求項1所述之方法，其中該基板為反射性的；或 <br/>其中該表面包括複數個三維結構，且該底部抗反射塗層組合物填充該些三維結構之間的縫隙；或<br/>其中該基板為金屬。
一種製造半導體裝置的方法，包含以下步驟: <br/>在一表面之上塗覆一底部抗反射塗層，其中該底部抗反射塗層包含一聚合物，該聚合物包含源自一苯乙烯單體式(I)的重複單元：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NH<sub>2</sub>、-NHR、-NR<sub>2</sub>、-SH、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；以及其中y為2至5； <br/>塗覆一光阻層於該底部抗反射塗層之上；<br/>在該光阻層中形成一遮罩圖案；以及<br/>藉由蝕刻將該遮罩圖案轉印至該底部抗反射塗層。
如請求項4所述之方法，其中該底部抗反射塗層係塗覆至一金屬層的表面，且更包含: <br/>移除該光阻層；<br/>藉由蝕刻將該遮罩圖案轉印至該金屬層；以及<br/>移除該底部抗反射塗層。
一種底部抗反射塗層組合物，包含: <br/>一聚合物，該聚合物包含源自一苯乙烯單體式(I)的重複單元：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NH<sub>2</sub>、-NHR、-NR<sub>2</sub>、-SH、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；以及<br/>其中y為2至5；以及<br/>一交聯劑。
如請求項6所述之底部抗反射塗層組合物，更包含一溶劑、一酸產生劑或一染料。
一種製造半導體裝置的方法，包含以下步驟: <br/>將一底部抗反射塗層聚合物與交聯劑結合；<br/>其中該底部抗反射塗層聚合物包含源自一苯乙烯單體式(I)的重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NH<sub>2</sub>、-NHR、-NR<sub>2</sub>、-SH、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；以及其中y為2至5。
一種半導體裝置，包含: <br/>一晶圓基板；以及 <br/>一底部抗反射塗層於該晶圓基板的一表面上； <br/>其中該底部抗反射塗層包含一聚合物，該聚合物源自一苯乙烯單體式(I)的重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NH<sub>2</sub>、-NHR、-NR<sub>2</sub>、-SH、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；以及其中y為2至5。
一種底部抗反射塗層組合物，包含: <br/>一聚合物，該聚合物由以下各者形成:<br/>(A)具有至少兩個親水性取代基的一苯乙烯單體，其中該苯乙烯單體如下式(I)：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NH<sub>2</sub>、-NHR、-NR<sub>2</sub>、-SH、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；其中y為2至5，或<br/>(B)具有並非羥基之僅一個親水性取代基的一苯乙烯單體，其中該苯乙烯單體如下式(I)：<br/><img align="absmiddle" height="179px" width="152px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/>其中每一個X為一親水性取代基係獨立地選自於由-NHR、-(C=O)H、-(C=O)R、-CO-NR<sub>2</sub>、-NR-(C=O)R、-SO<sub>3</sub>、-SO<sub>4</sub>及-PO<sub>4</sub>，及其鹽類，及其取代基所組成的群組，其中R係獨立地為氫、烷基、烯基、炔基或芳香基；其中y為1；以及<br/>一交聯劑。
一種光學用黏著膠帶，具有積層有基材與黏著劑層之積層結構，該基材具有第1面及第2面，且該黏著劑層係位於前述基材之第1面；<br/> 該光學用黏著膠帶之特徵在於：<br/> 構成前述基材之素材係選自於由聚酯系樹脂、聚碸、聚芳酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、透明聚醯亞胺、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、及乙烯-丙烯共聚物所構成群組之一種以上；<br/> 將前述光學用黏著膠帶在60℃且相對濕度90%之環境下加熱500小時後，其寬度方向之尺寸變化率與機械方向之尺寸變化率的平均值在±0.15%以內；<br/> 前述黏著劑層在下述剪切試驗中求算之復原率為95%以下；<br/> ＜剪切試驗＞<br/> 測定應變量A(%)與應變量B(%)，並由下述式算出復原率(%)，該應變量A(%)係在60℃下從厚度2mm、直徑7.9mm之圓盤狀黏著劑層上下施加扭轉方向之剪切力500Pa 600秒鐘後的應變量，而應變量B(%)係後續在剪切力0Pa下維持1800秒鐘後的應變量；<br/> 復原率(%)=(應變量A-應變量B)/應變量A×100。
如請求項1之光學用黏著膠帶，令將前述光學用黏著膠帶在60℃且相對濕度90%之環境下加熱500小時後，其寬度方向之尺寸變化率與機械方向之尺寸變化率的平均值為C[%]，且<br/> 將前述光學用黏著膠帶之前述黏著劑層貼合於厚度50µm之PET薄膜後切斷成10cm見方而得積層體，令將該積層體在60℃且相對濕度90%之環境下加熱500小時後的下述最大捲曲量為D[mm]，此時滿足下述式：<br/> ｜C×D｜≦3<br/> ・最大捲曲量：以使前述積層體之捲曲凸起面在下側之方式置於水平面上，將4個角落之翹曲中最高者作為最大捲曲量D[mm]；以使前述積層體之前述PET薄膜側在下側之方式置於水平面上且令如此所測得之最大捲曲量為+，並且，以使前述積層體之前述基材側在下側之方式置於水平面上且令如此所測得之最大捲曲量為-。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述黏著劑層之應變量A為3%以上。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述黏著劑層之應變量B為0.1%以上。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述基材之玻璃轉移點(Tg)為60℃以上。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述黏著劑層之玻璃轉移點(Tg)為-10℃以下。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，將前述光學用黏著膠帶從60℃且相對濕度30%加濕成60℃且相對濕度60%後，其濕度膨脹率為0.1%以下。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述基材之濕度膨脹係數為5×10<sup>-5</sup>/%RH以下。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述基材之第2面係業經抗反射處理及/或防眩處理。
如請求項1或2之光學用黏著膠帶，其中前述黏著劑層係包含丙烯酸系聚合物之丙烯酸系黏著劑層。
一種影像顯示裝置，積層有如請求項1至10中任一項之光學用黏著膠帶與影像顯示面板。
一種拼接顯示器，係排列有複數片如請求項11之影像顯示裝置者。
一種無規共聚合物，其僅具有由下式(A)、(B)及(C)所示之構造單元： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="556px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>相同地或不同地表示氫原子或C<sub>1-3</sub>烷基，R<sup>4</sup>表示 <br/>C<sub>1-3</sub>烷基，R<sup>5</sup>表示氫原子、C<sub>1-18</sub>烷基、可具有取代基之3～8員環烷基、金剛烷基、可具有取代基之C<sub>6-18</sub>芳基、或可具有取代基之5～10員雜芳基，X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>相同地或不同地表示氧原子、硫原子或N-R<sup>7</sup>，R<sup>6</sup>表示氫原子、脫離基或連接子，R<sup>7</sup>表示氫原子或C<sub>1-3</sub>烷基，m表示1～100之整數，n表示0～3之整數]。
一種無規共聚合物，其係僅藉由下述通式(1)～(3)所示之3種單體之聚合而形成： <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="134px" width="576px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>相同地或不同地表示氫原子或C<sub>1-3</sub>烷基，R<sup>4</sup>表示 <br/>C<sub>1-3</sub>烷基，R<sup>5</sup>表示氫原子、C<sub>1-18</sub>烷基、可具有取代基之3～8員環烷基、金剛烷基、可具有取代基之C<sub>6-18</sub>芳基、或可具有取代基之5～10員雜芳基，X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>相同地或不同地表示氧原子、硫原子或N-R<sup>7</sup>，R<sup>6</sup>表示氫原子、脫離基或連接子，R<sup>7</sup>表示氫原子或C<sub>1-3</sub>烷基，m表示1～100之整數，n表示0～3之整數]。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>1</sup>為氫原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>2</sup>為氫原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>3</sup>為氫原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>4</sup>為甲基。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>5</sup>為可具有取代基之C<sub>6-18</sub>芳基。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>5</sup>為苯基。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>6</sup>為氫原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>6</sup>之脫離基為下式(4)： <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="101px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，R<sup>6</sup>之連接子為下式(5)～(7)： <br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="522px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，X<sup>1</sup>為氧原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，X<sup>2</sup>為氧原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，X<sup>3</sup>為氧原子。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，m為4～22之整數。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，n為1。
如請求項1或2之無規共聚合物，其中，構造單元(A)、(B)、(C)之比率為相對於(A)1質量份由0.01～100質量份之(B)及0.1～100質量份之(C)構成。
如請求項2之無規共聚合物，其係相對於單體(1)1質量份，使0.01～100質量份之單體(2)與0.1～100質量份之單體(3)聚合而成。
如請求項1或2之無規共聚合物，其數量平均分子量為5000～150000。
一種單鏈奈米顆粒(single chain nanoparticle)，其包含請求項1或2之無規共聚合物。
一種醫藥組成物，其包含請求項1或2之無規共聚合物。
一種用於基板處理的加熱系統，包含：<br/> 一第一加熱器，包含一連續加熱線圈；<br/> 一第一加熱器桿，耦接到該第一加熱器的一第一連接點；<br/> 一第二加熱器桿，耦接到該第一加熱器的一第二連接點，其中該第一加熱器桿及該第二加熱器桿的每一者經配置為螺旋連接到該第一加熱器上並且包含穿過其設置的一通路；<br/> 一插座，在與該第一加熱器相對的一遠端處耦接到該第一加熱器桿或該第二加熱器桿的一者，該插座包含：<br/> 一饋通，耦接到該第一加熱器桿或該第二加熱器桿並且包含流體耦接到穿過該第一加熱器桿或該第二加熱器桿設置的該通路的一饋通惰性氣體通路；及<br/> 一冷卻板，在該饋通的至少一部分周圍設置。
如請求項1所述的加熱系統，其中該插座係耦接到該第一加熱器桿的一第一插座並且一第二插座耦接到該第二加熱器桿。
如請求項2所述的加熱系統，其中該第二插座包含：<br/> 一第二饋通，耦接到該第二加熱器桿並且包含流體耦接到穿過該第二加熱器桿設置的一通路的一第二饋通惰性氣體通路；及<br/> 一第二冷卻板，在該第二饋通的至少一部分周圍設置。
如請求項1所述的加熱系統，其中該冷卻板進一步包含：<br/> 一冷卻板惰性氣體通路，在鄰近該饋通的一第一表面與一第二表面之間形成；<br/> 一連接通道，在該冷卻板的該第一表面中設置並且流體連接該冷卻板惰性氣體通路及該饋通惰性氣體通路；及<br/> 一冷卻通道，穿過該冷卻板設置。
如請求項1所述的加熱系統，其中該第一加熱器桿進一步包含：<br/> 一第一螺紋區段，在一第一遠端上，經配置為接合該第一加熱器；<br/> 一第二螺紋區段，在一第二遠端上；及<br/> 一緊固區段，在該第一加熱器桿的一中心軸件與該第一螺紋區段之間設置。
如請求項1所述的加熱系統，其中該插座進一步包含：<br/> 一電力線，耦接到該饋通；及<br/> 一淨化氣體源，流體耦接到該饋通惰性氣體通路。
如請求項1所述的加熱系統，其中該饋通係一鎳饋通。
如請求項1所述的加熱系統，其中該第一加熱器桿及該第二加熱器桿的每一者係一碳基材料。
一種用於耦接到一基板處理腔室中的一加熱器桿的插座組件，包含：<br/> 一饋通，包含：<br/> 一空腔，含有一陰螺紋區段並且經配置為接收一加熱器桿；及<br/> 一饋通惰性氣體通路，流體耦接到該空腔；及<br/> 一冷卻板，在該饋通的至少一部分周圍設置並且包含：<br/> 一冷卻板惰性氣體通路；<br/> 一連接通道，在該冷卻板的一表面中設置並且流體連接該冷卻板惰性氣體通路及該饋通惰性氣體通路；及<br/> 一冷卻通道，穿過該冷卻板設置。
如請求項9所述的插座組件，其中該饋通包含一金屬或一金屬合金。
如請求項10所述的插座組件，其中該饋通包含一鎳材料。
如請求項9所述的插座組件，進一步包含：<br/> 一電力線，耦接到該饋通；及<br/> 一淨化氣體源，流體耦接到該饋通惰性氣體通路。
如請求項12所述的插座組件，其中該電力線藉由在該饋通上的一突起周圍設置的一蓋耦接到該饋通。
如請求項9所述的插座組件，進一步包含鄰近該饋通的一表面設置的一饋通絕緣器。
如請求項14所述的插座組件，其中該饋通絕緣器包含一石英、一玻璃、或一陶瓷材料。
如請求項14所述的插座組件，其中該饋通絕緣器包含在該饋通絕緣器的一內表面上設置的一加熱器桿密封環。
如請求項9所述的插座組件，其中一第一密封環及一第二密封環在該連接通道的相對側面上設置並且在該饋通與該冷卻板之間形成一密封。
一種用於基板處理的加熱系統，包含：<br/> 一第一加熱器，包含一連續加熱線圈；<br/> 一第一加熱器桿，耦接到該第一加熱器的一第一連接點；<br/> 一第二加熱器桿，耦接到該第一加熱器的一第二連接點，其中該第一加熱器桿及該第二加熱器桿的每一者包含穿過其設置的一通路；<br/> 一插座，耦接到該第一加熱器桿或該第二加熱器桿的一者，該插座包含：<br/> 一饋通，耦接到該第一加熱器桿或該第二加熱器桿並且包含流體耦接到穿過該第一加熱器桿或該第二加熱器桿設置的該通路的一饋通惰性氣體通路；及<br/> 一冷卻板，在該饋通的至少一部分周圍設置，該冷卻板包含流體耦接到該饋通惰性氣體通路的一冷卻板惰性氣體通路，及穿過該冷卻板設置的一冷卻通道。
如請求項18所述的加熱系統，其中該第一加熱器及該第一加熱器桿與該第二加熱器桿的至少一部分包括其上設置的一塗層。
如請求項19所述的加熱系統，其中該塗層包含一碳化矽(SiC)塗層或熱分解氮化硼(pBN)塗層。
一種水性乳液，其包含連續水相及不連續油相，該不連續油相包含具有互穿網狀結構(IPN)之粒子，該等粒子包含： <br/>i) 至少10 wt% MQ樹脂，其實質上不含自由基可聚合官能基且具有8000至50,000之重量平均分子量，其中該MQ樹脂具有大於0.7:1之M矽氧基單元與Q矽氧基單元之數目比； <br/>ii) 至少25 wt%聚有機矽氧烷，其具有500至100,000之重量平均分子量且實質上不含Q矽氧基單元；及 <br/>iii) 1至50 wt%有機聚合物，其具有0至150℃之玻璃轉移溫度且其中該有機聚合物包含有機單體之反應產物，其中該等有機單體係選自下列中之一或多者：丙烯酸酯、乙烯酯、乙烯芳烴、烯烴、及鹵乙烯。
如請求項1之乳液，其中該等乙烯系不飽和有機單體包含丙烯酸酯及乙烯芳烴。
如請求項1之乳液，其中MQ樹脂與聚有機矽氧烷之重量比係1:0.5至1:5。
如請求項1之乳液，其進一步特徵在於實質上不含環狀矽氧烷。
一種製造包含連續水相及不連續油相之水性乳液之方法，該方法包括下列步驟： <br/>(1)獲得或製備包含不連續油相之水性乳液，該不連續油相包含粒子，該等粒子包含：i) 至少10 wt% MQ樹脂，其實質上不含自由基可聚合官能基且具有8000至50,000之重量平均分子量，其中該MQ樹脂具有大於0.7:1之M矽氧基單元與Q矽氧基單元之數目比；ii) 至少25 wt%聚有機矽氧烷，其具有500至100,000之重量平均分子量且實質上不含Q矽氧基單元；及iii)1至50 wt%有機聚合物，其具有0至150℃之玻璃轉移溫度且其中該有機聚合物包含有機單體之反應產物，其中該等有機單體係選自下列中之一或多者：丙烯酸酯、乙烯酯、乙烯芳烴、烯烴、及鹵乙烯； <br/>(2)聚合該等乙烯系不飽和有機單體以在該等粒子內形成互穿網狀結構。
如請求項5之方法，其中該聚合步驟包含將起始劑添加至該乳液並加熱該乳液之步驟。
一種經如請求項5之方法塗佈之紡織品。
一種無限反射鏡裝置，包括：<br/> 第一反射鏡，具有第一凸起反射表面；以及<br/> 第二反射鏡，具有第二凸起反射表面，<br/> 其中所述第一反射鏡與所述第二反射鏡間隔開預定距離，<br/> 其中所述第一凸起反射表面與所述第二凸起反射表面彼此面對。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，其中所述第一凸起反射表面具有菲涅耳透鏡結構。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，其中所述第二凸起反射表面是局部透明的。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，更包括設置於所述第一反射鏡與所述第二反射鏡之間的空間中的光源。
如請求項4所述的無限反射鏡裝置，其中所述光源設置於所述第一反射鏡或所述第二反射鏡的周邊處。
如請求項4所述的無限反射鏡裝置，其中所述光源包括安裝於印刷電路板上的多個發光二極體光發射器。
如請求項6所述的無限反射鏡裝置，更包括設置於所述多個發光二極體光發射器前面的色散透鏡。
如請求項4所述的無限反射鏡裝置，更包括反射構件，所述反射構件設置於所述光源附近，以用於將所述光源所產生的光朝向所述第一反射鏡與所述第二反射鏡之間的空間的中心反射。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，其中小於50毫米寬的凸起的所述第一凸起反射表面的半徑介於600毫米與1200毫米之間。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，其中所述第二反射鏡具有選自正方形、圓形及菱形的形狀。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，其中所述第一反射鏡由衝壓金屬片材製成。
如請求項1所述的無限反射鏡裝置，其中所述第一反射鏡由使用金屬層濺鍍的模製塑膠製成，以形成所述第一凸起反射表面。
一種無限反射鏡裝置，包括：<br/> 第一反射鏡，具有第一凸起反射表面；<br/> 局部透明的第二反射鏡，具有第二凸起反射表面，其中所述第一反射鏡與所述第二反射鏡間隔開預定距離；以及<br/> 光源，設置於所述第一反射鏡與所述第二反射鏡之間的空間中，<br/> 其中所述第一凸起反射表面與所述第二凸起反射表面彼此面對。
如請求項13所述的無限反射鏡裝置，其中所述光源包括安裝於印刷電路板上的多個發光二極體光發射器及設置於所述多個發光二極體光發射器前面的色散透鏡。
如請求項13所述的無限反射鏡裝置，更包括反射構件，所述反射構件設置於所述光源附近，以用於將所述光源所產生的光朝向所述第一反射鏡與所述第二反射鏡之間的所述空間的中心反射。
一種無限反射鏡裝置，包括：<br/> 第一反射鏡，具有固定至具有前開口的後框架的底部的第一凸起反射表面，所述第一凸起反射表面面對所述後框架的所述前開口；<br/> 局部透明的第二反射鏡，固定至緊固至所述後框架的所述前開口的前聚光圈，其中所述第二反射鏡與所述第一反射鏡保持預定距離，且所述第二反射鏡具有第二凸起反射表面；以及<br/> 光源，在所述第一反射鏡與所述第二反射鏡之間的空間中被設置成靠近所述後框架的內側壁，<br/> 其中所述第一凸起反射表面與所述第二凸起反射表面彼此面對。
如請求項16所述的無限反射鏡裝置，其中所述光源包括安裝於印刷電路板上的多個發光二極體光發射器，在所述多個發光二極體光發射器前面設置有色散透鏡。
如請求項16所述的無限反射鏡裝置，更包括反射構件，所述反射構件設置於所述光源附近，以用於將所述光源所產生的光朝向所述第一反射鏡與所述第二反射鏡之間的所述空間的中心反射。
一種偏光板之製造方法，係製造偏光板的方法，該製造方法包含：<br/> 對該偏光板之端部進行雷射加工；及<br/> 在60℃～70℃及85%RH～95%RH之環境下對該經雷射加工之偏光板處理20分鐘以上且1小時以下；<br/> 該偏光板具有：以含二色性物質之聚乙烯醇系樹脂構成的偏光件、與配置於該偏光件之至少一側的保護層；且<br/> 該偏光板包含熔融切斷部，前述熔融切斷部為雷射加工部；<br/> 該保護層是環狀烯烴系樹脂薄膜；<br/> 並且，在從該熔融切斷部起算20μm以內之區域中，波長530nm下之主透射率K2為15%以下。
如請求項1之偏光板之製造方法，其中在前述熔融切斷部中形成有前述偏光件之壁厚部，該壁厚部之厚度大於前述偏光件其他部分。
如請求項1或2之偏光板之製造方法，其中在從前述熔融切斷部起算20μm以內之區域中，波長730nm下之前述主透射率K2為40%以下。
如請求項1或2之偏光板之製造方法，其中在從前述熔融切斷部起算20μm以內之區域中，波長730nm下之前述主透射率K2為10%以上。
如請求項4之偏光板之製造方法，其中在除從前述熔融切斷部起算20μm以內之區域外之部分中，波長730nm下之前述主透射率K2為10%以下。
如請求項1或2之偏光板之製造方法，其中前述偏光件之厚度為20μm以下。
如請求項1或2之偏光板之製造方法，其係藉由前述熔融切斷部形成有異形。
一種化合物或其鹽，其係選自由以下化合物所組成之群，(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-[(1R)-2-羥基-1-{4-[4-(羥基甲基)-1,3-噻唑-5-基]苯基}乙基]-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(2-側氧基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="17px" file="d10004.TIF" alt="其他非圖式ed10004.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10004.png"/>唑啶-3-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-2-{[1-(2,2-二氟乙基)哌啶-4-基]氧基}-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="16px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(1-甲基-1H-吡唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="d10006.TIF" alt="其他非圖式ed10006.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10006.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺、(4R)-1-{(2S)-2-[4-(4-{[(6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-{[(2R,3R)-3-甲氧基丁烷-2-基]氧基}喹唑啉-8-基)氧基]甲基}苯基)-1H-1,2,3-三唑-1-基]-3-甲基丁醯基}-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10007.TIF" alt="其他非圖式ed10007.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10007.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]-2-氟苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺、及(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10012.TIF" alt="其他非圖式ed10012.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10012.png"/>唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群之化合物，(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10008.TIF" alt="其他非圖式ed10008.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10008.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10009.TIF" alt="其他非圖式ed10009.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10009.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-[(1R)-2-羥基-1-{4-[4-(羥基甲基)-1,3-噻唑-5-基]苯基}乙基]-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10010.TIF" alt="其他非圖式ed10010.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10010.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(2-側氧基-1,3-<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10011.TIF" alt="其他非圖式ed10011.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10011.png"/>唑啶-3-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-2-{[1-(2,2-二氟乙基)哌啶-4-基]氧基}-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10013.TIF" alt="其他非圖式ed10013.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10013.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(1-甲基-1H-吡唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10014.TIF" alt="其他非圖式ed10014.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10014.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-{4-[4-({[(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-{[(2R,3R)-3-甲氧基丁烷-2-基]氧基}喹唑啉-8-基]氧基}甲基)苯基]-1H-1,2,3-三唑-1-基}-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="d10015.TIF" alt="其他非圖式ed10015.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10015.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]-2-氟苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺、及(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10016.TIF" alt="其他非圖式ed10016.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10016.png"/>唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物係選自由以下所組成之群之化合物，(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10017.TIF" alt="其他非圖式ed10017.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10017.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10018.TIF" alt="其他非圖式ed10018.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10018.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-[(1R)-2-羥基-1-{4-[4-(羥基甲基)-1,3-噻唑-5-基]苯基}乙基]-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10019.TIF" alt="其他非圖式ed10019.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10019.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(2-側氧基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10020.TIF" alt="其他非圖式ed10020.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10020.png"/>唑啶-3-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-2-{[1-(2,2-二氟乙基)哌啶-4-基]氧基}-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="17px" file="d10021.TIF" alt="其他非圖式ed10021.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10021.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(1-甲基-1H-吡唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10022.TIF" alt="其他非圖式ed10022.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10022.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-{4-[4-({[(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-{[(2R,3R)-3-甲氧基丁烷-2-基]氧基}喹唑啉-8-基]氧基}甲基)苯基]-1H-1,2,3-三唑-1-基}-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10023.TIF" alt="其他非圖式ed10023.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10023.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]-2-氟苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺、(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺、及(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10024.TIF" alt="其他非圖式ed10024.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10024.png"/>唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10025.TIF" alt="其他非圖式ed10025.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10025.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10026.TIF" alt="其他非圖式ed10026.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10026.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-[(1R)-2-羥基-1-{4-[4-(羥基甲基)-1,3-噻唑-5-基]苯基}乙基]-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="d10027.TIF" alt="其他非圖式ed10027.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10027.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(2-側氧基-1,3-<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="d10028.TIF" alt="其他非圖式ed10028.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10028.png"/>唑啶-3-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-2-{[1-(2,2-二氟乙基)哌啶-4-基]氧基}-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10029.TIF" alt="其他非圖式ed10029.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10029.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(1-甲基-1H-吡唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10030.TIF" alt="其他非圖式ed10030.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10030.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-{(2S)-2-[4-(4-{[(6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-{[(2R,3R)-3-甲氧基丁烷-2-基]氧基}喹唑啉-8-基)氧基]甲基}苯基)-1H-1,2,3-三唑-1-基]-3-甲基丁醯基}-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="17px" file="d10031.TIF" alt="其他非圖式ed10031.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10031.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]-2-氟苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺。
如請求項1之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10032.TIF" alt="其他非圖式ed10032.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10032.png"/>唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10033.TIF" alt="其他非圖式ed10033.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10033.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10034.TIF" alt="其他非圖式ed10034.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10034.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-[(1R)-2-羥基-1-{4-[4-(羥基甲基)-1,3-噻唑-5-基]苯基}乙基]-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="d10035.TIF" alt="其他非圖式ed10035.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10035.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(2-側氧基-1,3-<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10036.TIF" alt="其他非圖式ed10036.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10036.png"/>唑啶-3-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-2-{[1-(2,2-二氟乙基)哌啶-4-基]氧基}-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10037.TIF" alt="其他非圖式ed10037.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10037.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(1-甲基-1H-吡唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10038.TIF" alt="其他非圖式ed10038.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10038.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-{4-[4-({[(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-{[(2R,3R)-3-甲氧基丁烷-2-基]氧基}喹唑啉-8-基]氧基}甲基)苯基]-1H-1,2,3-三唑-1-基}-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10039.TIF" alt="其他非圖式ed10039.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10039.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]-2-氟苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺。
如請求項2之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7M)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10040.TIF" alt="其他非圖式ed10040.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10040.png"/>唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10041.TIF" alt="其他非圖式ed10041.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10041.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10042.TIF" alt="其他非圖式ed10042.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10042.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-[(1R)-2-羥基-1-{4-[4-(羥基甲基)-1,3-噻唑-5-基]苯基}乙基]-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10043.TIF" alt="其他非圖式ed10043.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10043.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(2-側氧基-1,3-<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10044.TIF" alt="其他非圖式ed10044.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10044.png"/>唑啶-3-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-2-{[1-(2,2-二氟乙基)哌啶-4-基]氧基}-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10045.TIF" alt="其他非圖式ed10045.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10045.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(1-甲基-1H-吡唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10046.TIF" alt="其他非圖式ed10046.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10046.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-{4-[4-({[(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-{[(2R,3R)-3-甲氧基丁烷-2-基]氧基}喹唑啉-8-基]氧基}甲基)苯基]-1H-1,2,3-三唑-1-基}-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10047.TIF" alt="其他非圖式ed10047.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10047.png"/>烷-4-基)氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]-2-氟苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-噻唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-N-{(1R)-1-[4-(1-乙基-1H-吡唑-5-基)苯基]-2-羥基乙基}-4-羥基-L-脯胺醯胺。
如請求項3之化合物或其鹽，其中該化合物為(4R)-1-[(2S)-2-(4-{4-[({(7P)-6-環丙基-4-[(1S,4S)-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基]-7-(6-氟-5-甲基-1H-吲唑-4-基)-2-[(2S)-2-甲氧基丙氧基]喹唑啉-8-基}氧基)甲基]苯基}-1H-1,2,3-三唑-1-基)-3-甲基丁醯基]-4-羥基-N-{(1R)-2-羥基-1-[4-(4-甲基-1,3-<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10048.TIF" alt="其他非圖式ed10048.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10048.png"/>唑-5-基)苯基]乙基}-L-脯胺醯胺。
一種醫藥組合物，其含有如請求項1至36中任一項之化合物或其鹽、及1種以上之製藥學上容許之賦形劑。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 複數位元單元，耦合至複數位元線、複數字元線、複數源極線、及一控制線；<br/> 其中該些位元單元中之一第一位元單元及該些位元單元中之一第二位元單元耦合至該些位元線中之一第一位元線；<br/> 該第一位元單元分別耦合至該些源極線中之一第一源極線及該控制線；及<br/> 該第二位元單元分別耦合至該些源極線中之一第二源極線及該控制線；<br/> 其中該第一源極線不同於該第二源極線；<br/> 其中該第一位元單元包含一第一電晶體；<br/> 其中該第二位元單元包含一第二電晶體；<br/> 其中該第一電晶體通過一連接線耦接該第二電晶體，該連接線配置為浮置的。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一位元單元耦合至該些字元線中之一第一字元線並耦合至該控制線；<br/> 其中該第二位元單元耦合至該些字元線中之一第二字元線並耦合至該控制線；<br/> 其中該該第一電晶體包含耦合至一第一電壓位準的一第一電力線的一第一閘極，該第一電壓位準關閉該第一電晶體；<br/> 其中該第二電晶體包含耦合至一第二電壓位準的一第二電力線的一第二閘極，該第二電壓位準關閉該第二電晶體；<br/> 其中該第一電晶體包含一第一源極，該第一源極配置為浮置的；<br/> 其中該第二電晶體包含一第二源極，該第二源極配置為浮置的。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該些位元單元中之一第三位元單元及該些位元單元中之一第四位元單元耦合至該些位元線中之一第二位元線；<br/> 其中該第三位元單元耦合至該第一源極線；<br/> 其中該第四位元單元耦合至該第二源極線；<br/> 其中該第一位元單元、該第二位元單元、該第三位元單元、及該第四位元單元各個耦合至該控制線；<br/> 其中該第三位元單元包含一第三電晶體，該第三電晶體包含耦合至一第一電壓位準的一第一電力線的一第三閘極，該第一電壓位準關閉該第三電晶體；<br/> 其中該第四位元單元包含一第四電晶體，該第四電晶體包含耦合至一第二電壓位準的一第二電力線的一第四閘極，該第二電壓位準關閉該第四電晶體；<br/> 其中該第一電晶體經由一第一連接線耦合至該第二電晶體，該第一連接線配置為浮置的；<br/> 其中該第三電晶體經由一第二連接線耦合至該第四電晶體，該第二連接線配置為浮置的。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一位元單元包含：<br/> 一電容器，耦合至該第一位元線；<br/> 該第一電晶體，耦合至該電容器及該控制線；及<br/> 一第三電晶體，耦合至該第一電晶體、該些字元線中之一第一字元線、及該第一源極線。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一源極線配置為用於一電壓位準的一源極線訊號，該電壓位準高於一接地電壓位準，其中該第一位元單元包含一電容器；<br/> 其中該電壓位準係一第一電壓位準；<br/> 其中該第一位元線具有一第二電壓位準；<br/> 其中一電壓差等於該第二電壓位準減去該第一電壓位準；<br/> 其中該電壓差不大於該電容器的一崩潰電壓。
一種記憶體裝置，其包含：<br/> 複數位元單元，耦合至一位元線、複數字元線、複數源極線、及一控制線；<br/> 其中複數位元單元中之一多個位元單元耦合至該些源極線中之一源極線以及分別耦合至該控制線；<br/> 其中該些源極線中之該源極線配置為用於高於一接地電壓位準的一電壓位準的一源極線訊號；<br/> 其中該些位元單元中的一第一位元單元包含一第一電晶體；<br/> 其中該些位元單元中的一第二位元單元包含一第二電晶體；<br/> 其中該第一電晶體通過一連接線耦接該第二電晶體，該連接線不是該位元線且配置為浮置的。
一種用記憶體電路的操作方法，其中該記憶體電路包含複數位元單元，耦合至複數位元線，該些位元單元中之一第一位元單元及該些位元單元中之一第二位元單元耦合至該些位元線中之一第一位元線，<br/> 其中該第一位元單元包含一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體的一汲極耦合至該第二電晶體的一源極，<br/> 其中該第二位元單元包含一第三電晶體，該第三電晶體通過一連接線耦接該第一電晶體，該連接線配置為浮置的；該方法包含以下步驟：<br/> 將一第一電壓位準的一第一訊號供應至該第一電晶體的一閘極，該第一電壓位準關閉該第一電晶體；<br/> 將一第二電壓位準的一第二訊號供應至該第二電晶體的一閘極，該第二電壓位準關閉該第二電晶體；及<br/> 將一第三電壓位準的一第三訊號供應至該第一電晶體的該汲極及該第二電晶體的該源極間的一連接點，該第三電壓位準高於一接地電壓位準。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 複數位元單元，耦合至複數位元線、複數字元線、複數源極線、及一控制線；<br/> 其中該些位元單元中之一第一位元單元及該些位元單元中之一第二位元單元耦合至該些位元線中之一第一位元線；<br/> 其中該第一位元單元包含串聯的一第一電晶體、一第二電晶體及一第三電晶體，該第一電晶體耦接該控制線，該第二電晶體耦接該些字元線中的一第一字元線，以及該第三電晶體耦接一參考電壓線；<br/> 其中該第二位元單元包含串聯的一第四電晶體、一第五電晶體及一第六電晶體，該第四電晶體耦接該控制線，該第五電晶體耦接該些字元線中的一第二字元線，以及該第六電晶體耦接該參考電壓線；<br/> 其中該第三電晶體通過一連接線耦接該第六電晶體，該連接線配置為浮置的。
一種記憶體電路，其包含:<br/> 複數位元單元，耦合至複數位元線、複數字元線、複數源極線、及一控制線；<br/> 其中該些位元單元中之一第一位元單元及該些位元單元中之一第二位元單元耦合至該些位元線中之一第一位元線；<br/> 其中該第一位元單元分別耦接該些源極線中的一第一源極線以及該控制線；<br/> 其中該第二位元單元分別耦接該些源極線中的一第二源極線以及該控制線；<br/> 其中該第一位元單元包含一第一氧化物擴散層；<br/> 其中該第二位元單元包含一第二氧化物擴散層； <br/> 其中該第一氧化物擴散層連接至該第二氧化物擴散層。
一種記憶體裝置，其包含:<br/> 複數位元單元，耦合至複數位元線、複數字元線、複數源極線、及一控制線；<br/> 其中該些位元單元中之一第一位元單元、一第二位元單元、一第三位元單元及一第四位元單元耦接至該些源極線中的一者且分別耦接至該控制線；<br/> 其中該第一位元單元通過一第一連接線耦接該第二位元單元，該第一連接線耦接該些源極線中的該者；<br/> 其中該第三位元單元通過一第二連接線耦接該第四位元單元，該第二連接線耦接該些源極線中的該者；<br/> 其中該些源極線中的該者具有高於一接地電壓的一訊號電壓的一源極線訊號。
一種使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，包括：<br/> 接收該基板，該基板具有暴露材料，其中該材料包括過渡金屬；以及<br/> 藉由執行複數循環的該混合型ALE處理以選擇性蝕刻該材料，其中各循環包括：<br/> a) 執行氣相表面改質步驟以對該材料的暴露表面進行化學改質並在該材料上提供自限制經改質表面層，其中該氣相表面改質步驟包括將該基板暴露至氣相氧化反應物以對該材料的該暴露表面進行氧化且透過自限制氧化反應在該材料上形成自限制氧化層；以及<br/> b) 執行液相溶解步驟以選擇性溶解該材料的該自限制氧化層，其中該液相溶解步驟包括將一或更多液相反應物分配至該基板的表面上，以溶解該自限制氧化層，且其中所述將該一或更多液相反應物分配係包含將溶解在第一液體溶劑中的錯合試劑分配至該基板的該表面上，其中該錯合試劑接合至該自限制氧化層以在該材料上形成經錯合物接合的經改質表面層；<br/> 其中該一或更多液相反應物係在該基板暴露至該氣相氧化反應物時被分配至該基板的該表面上；<br/> 其中該一或更多液相反應物藉由從該基板的該表面取代該氣相氧化反應物而將該氣相表面改質步驟及該液相溶解步驟做出區隔；<br/> 其中該自限制氧化反應係形成該自限制氧化層，且在將該一或更多液相反應物分配至該基板的該表面上之前防止該材料的該暴露表面進一步氧化；以及<br/> 其中步驟a)至步驟b)係重複進行一或多次，直到從該基板去除所欲量的該材料。
如請求項1之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中所述將該一或更多液相反應物分配係包括將第二液體溶劑分配至該基板的該表面上，以溶解該經錯合物接合的經改質表面層及移除該自限制氧化層。
如請求項2之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中該第一液體溶劑與該第二液體溶劑係相同的。
如請求項2之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中該第一液體溶劑與該第二液體溶劑係不同溶劑。
如請求項1之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中各循環更包括在執行該液相溶解步驟以選擇性溶解該材料的該經錯合物接合的經改質表面層過後，將該基板的該表面乾燥。
如請求項5之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中所述將該基板的該表面乾燥包括將該基板旋轉乾燥以將該一或更多液相反應物從該基板的該表面沖除，並且在後續氣相表面改質步驟中將該材料的該暴露表面再次暴露至該氣相反應物。
一種使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，包括：<br/> 接收該基板，該基板具有暴露多晶材料；以及<br/> 藉由執行複數循環的該混合型ALE處理而選擇性蝕刻該多晶材料，其中各循環包括：<br/> a) 將該多晶材料的暴露表面進行化學改質以提供經改質表面層，其中所述暴露表面係藉由使用氣相氧化劑以進行化學改質，從而氧化該多晶材料且透過自限制氧化反應在該多晶材料上形成自限制經氧化層；<br/> b) 將錯合試劑接合至在該多晶材料上形成的該自限制經氧化層以提供經錯合物接合的經改質表面層；以及<br/> c) 藉由將該經錯合物接合的經改質表面層暴露至液體溶劑，該液體溶劑溶解該經錯合物接合的經改質表面層而不溶解該經錯合物接合的經改質表面層下方的該多晶材料，藉以選擇性移除該多晶材料的該經錯合物接合的經改質表面層；<br/> 其中該自限制氧化反應係形成該自限制經氧化層，且在將該經錯合物接合的經改質表面層暴露至該液體溶劑之前防止該多晶材料進一步氧化。
如請求項7之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中在各循環期間，b)及c)係至少部分暫時重疊地執行。
如請求項8之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中該液體溶劑包含該錯合試劑，且其中該經錯合物接合的經改質表面層可溶解於該液體溶劑中。
如請求項7之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中在各循環期間，b)及c)係依序執行而無暫時重疊。
如請求項10之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中該錯合試劑可溶解在第一液體溶劑中，其中該第一液體溶劑與用於溶解該經錯合物接合的經改質表面層的該液體溶劑不同，且其中該經錯合物接合的經改質表面層不溶解在該第一液體溶劑中，但可溶解於該液體溶劑中。
如請求項7之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中該多晶材料包括過渡金屬。
如請求項7之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，更包括：<br/> 將步驟a)至c)重複至少一次，直到從該基板去除所欲量的該多晶材料。
一種使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，包括：<br/> 接收該基板，該基板具有暴露的鉬(Mo)金屬；以及<br/> 藉由執行複數循環的該混合型ALE處理而選擇性蝕刻該Mo金屬，其中各循環包括：<br/> a) 將該Mo金屬的暴露表面進行化學改質以提供經改質表面層，其中所述暴露表面係藉由使用包含臭氧的氣相氧化劑以進行化學改質，從而氧化該Mo金屬且透過自限制氧化反應在該Mo金屬上形成自限制鉬氧化物層；<br/> b) 將錯合試劑接合至在該Mo金屬上形成的該自限制鉬氧化物層以提供經錯合物接合的經改質表面層；以及<br/> c) 藉由將該經錯合物接合的經改質表面層暴露至液體溶劑以選擇性移除該Mo金屬的該經錯合物接合的經改質表面層，該液體溶劑溶解該經錯合物接合的經改質表面層而不溶解該經錯合物接合的經改質表面層下方的該Mo金屬，<br/> 其中該自限制氧化反應係形成該自限制鉬氧化物層，且在將該經錯合物接合的經改質表面層暴露至該液體溶劑之前防止該Mo金屬進一步氧化；以及<br/> 其中b)及c)至少部分係暫時重疊的。
如請求項14之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，更包括：<br/> 將步驟a)至c)重複至少一次，直到從該基板去除所欲量的該Mo金屬。
如請求項14之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，其中該液體溶劑包含該錯合試劑，且其中該經錯合物接合的經改質表面層可溶解於該液體溶劑中。
如請求項14之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，更包括：<br/> d) 淋洗該基板以移除過量液體溶劑及未接合錯合試劑；以及<br/> e) 使用氣流、旋轉乾燥步驟及/或乾燥試劑將該基板乾燥。
如請求項17之使用混合型原子層蝕刻(ALE)處理以蝕刻基板的方法，更包括：<br/> 將步驟a)至e)重複至少一次，直到從該基板去除所欲量的該Mo金屬。
一種包含安全元件的系統單晶片（SoC）的操作方法，所述操作方法包括： <br/>回應於所述系統單晶片的電力的接通而產生隨機數； <br/>將儲存於所述系統單晶片的唯讀記憶體（ROM）中的第一設定碼傳輸至種子表管理器； <br/>藉由所述種子表管理器基於所述第一設定碼設定種子表操作策略； <br/>將儲存於所述系統單晶片的所述唯讀記憶體中的第二設定碼傳輸至密鑰種子表管理器； <br/>藉由所述密鑰種子表管理器基於所述第二設定碼設定密鑰種子表操作策略； <br/>基於所述隨機數產生種子表，產生所述種子表是基於所述種子表操作策略； <br/>基於所述隨機數產生密鑰種子表，產生所述密鑰種子表是基於所述密鑰種子表操作策略； <br/>藉由對應於自所述種子表所擷取的目標位址值的第一資料種子值遮罩第一資料； <br/>自所述密鑰種子表擷取對應於所述目標位址值的密鑰種子值以產生第一變化加密密鑰； <br/>藉由自密鑰暫存器輸入的所述第一變化加密密鑰加密經遮罩的所述第一資料；以及 <br/>將加密的經遮罩的所述第一資料寫入至對應於自所述種子表所擷取的所述目標位址值的外部記憶體的目標位址，且 <br/>其中所述第一資料種子值或所述第一變化加密密鑰中的至少一者動態地改變。
如請求項1所述的系統單晶片的操作方法，其中產生所述隨機數包含動態地產生所述隨機數。
如請求項1所述的系統單晶片的操作方法，其中所述種子表操作策略包含可變範圍方案、可變位置方案或所述種子表中包含的表元素的變化週期中的至少一者。
如請求項1所述的系統單晶片的操作方法，更包括： <br/>藉由使用第二變化加密密鑰解密自所述外部記憶體接收的第二資料；以及 <br/>藉由對應於所述第二資料的位址值的第二資料種子值來去遮罩經解密的所述第二資料。
如請求項4所述的系統單晶片的操作方法，其中所述第二變化加密密鑰或所述第二資料種子值中的至少一者是基於所述隨機數而產生，且不同於所述第一變化加密密鑰及所述第一資料種子值兩者。
如請求項1所述的系統單晶片的操作方法，其中所述第一資料是自非揮發性記憶體裝置讀取且藉由第一儲存加密密鑰解密的資料。
一種連接至外部記憶體的系統單晶片（SoC），所述系統單晶片包括： <br/>安全元件電路，包含中央處理單元及經組態以輸出目標位址值及寫入命令的處理電路， <br/>其中所述處理電路經組態以， <br/>回應於所述系統單晶片的電力的接通而產生隨機數， <br/>將儲存於所述系統單晶片的唯讀記憶體（ROM）中的第一設定碼傳輸至種子表管理器， <br/>藉由所述種子表管理器基於所述第一設定碼設定種子表操作策略， <br/>將儲存於所述系統單晶片的所述唯讀記憶體中的第二設定碼傳輸至密鑰種子表管理器， <br/>藉由所述密鑰種子表管理器基於所述第二設定碼設定密鑰種子表操作策略， <br/>基於所述隨機數產生資料種子表，產生所述資料種子表是基於所述種子表操作策略， <br/>基於所述隨機數產生密鑰種子表，產生所述密鑰種子表是基於所述密鑰種子表操作策略， <br/>藉由對應於所述資料種子表的所述目標位址值的資料種子值遮罩第一資料， <br/>自所述密鑰種子表擷取對應於所述目標位址值的密鑰種子值以產生第一變化加密密鑰， <br/>藉由所述第一變化加密密鑰加密經遮罩的所述第一資料，以及 <br/>將加密的經遮罩的所述第一資料及反重放計數器（ARC）儲存在所述外部記憶體中， <br/>其中所述資料種子值或所述第一變化加密密鑰中的至少一者經組態以基於所述種子表操作策略而動態地改變，且 <br/>其中每當傳輸加密的經遮罩的所述第一資料時，所述反重放計數器增加值。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述外部記憶體包含揮發性記憶體，所述揮發性記憶體包含經組態以儲存加密的經遮罩的所述第一資料的安全區域，及經組態以儲存未加密的通用資料的普通區域。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述資料種子表及所述密鑰種子表根據動態改變的隨機數而產生，以及 <br/>所述安全元件電路包含： <br/>資料區塊電路，經組態以擷取所述資料種子值且遮罩所述第一資料； <br/>密鑰區塊電路，經組態以擷取對應於所述目標位址值的所述密鑰種子值； <br/>密鑰暫存器，經組態以儲存所述密鑰種子值作為所述第一變化加密密鑰；以及 <br/>加密引擎電路，經組態以藉由儲存的所述第一變化加密密鑰加密經遮罩的所述第一資料且將加密的經遮罩的所述第一資料輸出至所述外部記憶體。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述資料種子表根據動態改變的隨機數而產生，且所述密鑰種子表為預定表，以及 <br/>所述安全元件電路包含： <br/>資料區塊電路，經組態以藉由所述資料種子值遮罩所述第一資料； <br/>密鑰區塊電路，經組態以擷取對應於所述目標位址值的所述密鑰種子值； <br/>密鑰暫存器，經組態以儲存所述密鑰種子值作為所述第一變化加密密鑰；以及 <br/>加密引擎電路，經組態以藉由儲存的所述第一變化加密密鑰加密經遮罩的所述第一資料且將加密的經遮罩的所述第一資料輸出至所述外部記憶體。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述資料種子表包含第一表，且所述密鑰種子表根據動態改變的隨機數而產生，以及 <br/>所述安全元件電路包含： <br/>資料區塊電路，經組態以擷取對應於所述目標位址值的所述資料種子值且藉由所述資料種子值遮罩所述第一資料； <br/>密鑰區塊電路，經組態以擷取所述密鑰種子值； <br/>密鑰暫存器，儲存所述密鑰種子值作為所述第一變化加密密鑰；以及 <br/>加密引擎電路，經組態以藉由儲存的所述第一變化加密密鑰加密經遮罩的所述第一資料且將加密的經遮罩的所述第一資料輸出至所述外部記憶體。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述種子表操作策略包含可變範圍方案、可變位置方案或所述資料種子表中包含的表元件的變化週期中的至少一者。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述系統單晶片經組態以將所述種子表操作策略應用於所述資料種子表或所述密鑰種子表中的至少一者。
如請求項7所述的系統單晶片，其中所述系統單晶片連接至專用記憶體及非揮發性記憶體中的每一者，所述非揮發性記憶體經組態以儲存至少一個第一儲存加密密鑰， <br/>所述處理電路進一步經組態以， <br/>藉由自所述專用記憶體接收的第一儲存加密密鑰加密第二資料，以及 <br/>將加密的所述第二資料寫入至所述非揮發性記憶體。
如請求項14所述的系統單晶片，其中所述系統單晶片經組態以回應於所述系統單晶片的電力斷開，加密儲存於所述安全元件電路的內部記憶體或所述外部記憶體中的所述第二資料，且將加密的所述第二資料寫入至所述非揮發性記憶體。
一種安全元件電路的操作方法，所述操作方法包括： <br/>回應於所述安全元件電路的電力接通，以時間相依方式產生隨機數， <br/>將儲存於所述安全元件電路的唯讀記憶體（ROM）中的第一設定碼傳輸至資料種子表管理器， <br/>藉由所述資料種子表管理器基於儲存於唯讀記憶體中的所述第一設定碼設定資料種子表操作策略， <br/>將儲存於所述安全元件電路的所述唯讀記憶體中的第二設定碼傳輸至密鑰種子表管理器， <br/>藉由所述密鑰種子表管理器基於儲存於所述唯讀記憶體中的所述第二設定碼設定密鑰種子表操作策略， <br/><br/>根據所述資料種子表策略設定對應於所述隨機數的資料種子表； <br/>根據所述密鑰種子表策略設定對應於所述隨機數的密鑰種子表； <br/>自非揮發性記憶體裝置讀取第一資料； <br/>藉由對應於外部記憶體的目標位址的資料種子值遮罩所述第一資料；以及 <br/>將經遮罩的所述第一資料寫入至所述外部記憶體的所述目標位址， <br/>其中自所述非揮發性記憶體裝置讀取的所述第一資料為加密的。
如請求項16所述的安全元件電路的操作方法，其中所述資料種子表策略包含可變範圍方案、可變位置方案或所述資料種子表中包含的表元素的變化週期中的至少一者。
如請求項16所述的安全元件電路的操作方法，其中遮罩所述第一資料包含： <br/>使用用於所述非揮發性記憶體裝置的第一變化加密密鑰解密讀取的所述第一資料； <br/>自設定的所述資料種子表擷取對應於目標位址值的所述資料種子值； <br/>使用所述資料種子值遮罩經解密的所述第一資料；以及 <br/>使用所儲存的加密密鑰加密經遮罩的所述第一資料， <br/>其中自設定的所述資料種子表的所述目標位址值與所述外部記憶體的所述目標位址相符。
如請求項18所述的安全元件電路的操作方法，更包括： <br/>讀取儲存於所述外部記憶體中的第二資料； <br/>使用第一儲存加密密鑰解密所述第二資料；以及 <br/>藉由所述資料種子值去遮罩經解密的所述第二資料。
如請求項18所述的安全元件電路的操作方法，其中當所述安全元件電路的所述電力接通時，所述操作方法更包含 <br/>回應於所述電力接通，設定所述密鑰種子表操作策略； <br/>根據所述密鑰種子表操作策略設定對應於所述隨機數的所述密鑰種子表；以及 <br/>自所述密鑰種子表擷取第一儲存加密密鑰，所述第一儲存加密密鑰對應於所述目標位址值。
一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： <br/> 研磨墊，具有與基板接觸而研磨前述基板的研磨面； <br/> 槽，收容前述研磨墊的前述研磨面，儲存將前述研磨面洗淨的洗淨液，在底壁具有與前述研磨墊之前述研磨面對向的透明壁； <br/> 攝像部，經由前述槽之前述透明壁，對前述研磨墊的前述研磨面進行拍攝；及 <br/> 圖像處理部，處理由前述攝像部拍攝到的圖像資料，並檢測前述研磨墊的磨耗， <br/> 前述圖像處理部，係在針對前述圖像資料的每個亮度進行計測之像素數的概率分佈中，在概率最高的亮度超過預先設定之第1亮度或低於預先設定之第2亮度的情況下，檢測前述研磨面的磨耗。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/> 前述研磨墊之前述研磨面，係包含有用以抑制堵塞之線狀的溝， <br/> 前述圖像處理部，係在由前述圖像資料所提取出的前述溝的尺寸低於預先設定之值的情況下，檢測前述研磨面的磨耗。
如請求項2之基板處理裝置，其中，具備有： <br/> 照明部，對前述研磨墊的前述研磨面照射光；及 <br/> 照明移動部，在取得調查前述概率分佈之前述圖像資料的位置與取得調查前述溝的尺寸之前述圖像資料的位置之間，使前述照明部沿著前述攝像部的光軸移動。
如請求項2之基板處理裝置，其中， <br/> 沿著前述攝像部的光軸而隔開間隔地具備有複數個照明部，該照明部，係對前述研磨墊的前述研磨面照射光， <br/> 並具備有：照明控制部，在取得調查前述概率分佈之前述圖像資料的情況下與取得調查前述溝的尺寸之前述圖像資料的情況下，切換動作的前述照明部。
如請求項3之基板處理裝置，其中， <br/> 前述照明部，係以包圍前述攝像部之光軸的方式，被形成為環狀。
一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： <br/> 研磨墊，具有與基板接觸而研磨前述基板的研磨面； <br/> 槽，收容前述研磨墊的前述研磨面，儲存將前述研磨面洗淨的洗淨液，在底壁具有與前述研磨墊之前述研磨面對向的透明壁； <br/> 攝像部，經由前述槽之前述透明壁，對前述研磨墊的前述研磨面進行拍攝；及 <br/> 圖像處理部，處理由前述攝像部拍攝到的圖像資料，並檢測前述研磨墊的磨耗， <br/> 前述研磨墊之前述研磨面，係包含有用以抑制堵塞之線狀的溝， <br/> 前述圖像處理部，係在由前述圖像資料所提取出的前述溝的尺寸低於預先設定之值的情況下，檢測前述研磨面的磨耗。
如請求項1~6中任一項之基板處理裝置，其中， <br/> 前述攝像部，係在洗淨液儲存於前述槽的狀態下，直接對前述研磨墊的前述研磨面進行拍攝。
如請求項1~6中任一項之基板處理裝置，其中，具備有： <br/> 噴嘴，將吹散附著於前述研磨墊之前述研磨面的前述洗淨液之氣體供給至前述槽的內部， <br/> 前述攝像部，係在前述研磨墊之前述研磨面已乾燥的狀態下，對前述研磨面進行拍攝。
如請求項1~6中任一項之基板處理裝置，其中，具備有： <br/> 供給管，將前述洗淨液供給至前述槽的內部；及排出管，從前述槽的內部排出前述洗淨液。
一種研磨墊檢查裝置，其特徵係，具備有： <br/> 攝像部，經由「收容具有與基板接觸而研磨前述基板之研磨面的研磨墊之前述研磨面，儲存將前述研磨面洗淨的洗淨液，在底壁具有與前述研磨墊的前述研磨面對向之透明壁」的槽之前述透明壁，對前述研磨墊之前述研磨面進行拍攝；及 <br/> 圖像處理部，處理由前述攝像部拍攝到的圖像資料，並檢測前述研磨墊的磨耗， <br/> 前述圖像處理部，係在針對前述圖像資料的每個亮度進行計測之像素數的概率分佈中，在概率最高的亮度超過預先設定之第1亮度或低於預先設定之第2亮度的情況下，檢測前述研磨面的磨耗。
一種研磨墊檢查裝置，其特徵係，具備有： <br/> 攝像部，經由「收容具有與基板接觸而研磨前述基板之研磨面的研磨墊之前述研磨面，儲存將前述研磨面洗淨的洗淨液，在底壁具有與前述研磨墊的前述研磨面對向之透明壁」的槽之前述透明壁，對前述研磨墊之前述研磨面進行拍攝；及 <br/> 圖像處理部，處理由前述攝像部拍攝到的圖像資料，並檢測前述研磨墊的磨耗， <br/> 前述研磨墊之前述研磨面，係包含有用以抑制堵塞之線狀的溝， <br/> 前述圖像處理部，係在由前述圖像資料所提取出的前述溝的尺寸低於預先設定之值的情況下，檢測前述研磨面的磨耗。
一種研磨墊檢查方法，其特徵係，包含有： <br/> 使用如請求項10或11之研磨墊檢查裝置，檢查前述研磨墊。
一種切削裝置，具備：<br/> 切削單元，將切削刀片裝設於主軸來切削晶片被塑模樹脂埋設之封裝基板；<br/> 工作夾台，被該切削刀片的退刀溝將保持面區劃成複數個區域，吸引保持該封裝基板之吸引孔在該保持面的該區域開口；及<br/> 移動單元，使該切削單元與該工作夾台相對地移動，<br/> 前述切削裝置更具備靜電抑制部，前述靜電抑制部會抑制由該工作夾台的該保持面與該封裝基板之間的間隙之真空漏氣所產生之靜電，<br/> 該工作夾台是在金屬製的本體部鋪設作為該保持面之樹脂層而構成，<br/> 該靜電抑制部是水供給部，前述水供給部位於對向於該保持面的位置，且以所供給之電阻率值比純水更低之水來對該本體部與該樹脂層進行電性地連結，<br/> 使該切削刀片朝該封裝基板切入到侵入該退刀溝為止，來將該封裝基板分割成封裝器件晶片。
一種切削裝置，具備：<br/> 切削單元，將切削刀片裝設於主軸來切削晶片被塑模樹脂埋設之封裝基板；<br/> 工作夾台，被該切削刀片的退刀溝將保持面區劃成複數個區域，吸引保持該封裝基板之吸引孔在該保持面的該區域開口；及<br/> 移動單元，使該切削單元與該工作夾台相對地移動，<br/> 前述切削裝置更具備靜電抑制部，前述靜電抑制部會抑制由該工作夾台的該保持面與該封裝基板之間的間隙之真空漏氣所產生之靜電，<br/> 該工作夾台是在金屬製的本體部鋪設樹脂層，該樹脂層形成有該退刀溝及該吸引孔，該樹脂層的正面為保持該封裝基板的保持面，並且該靜電抑制部是具有導電性之該樹脂層，<br/> 該樹脂層是以具備導電性之接著劑固定在金屬製的該本體部，<br/> 使該切削刀片朝該封裝基板切入到侵入該退刀溝為止，來將該封裝基板分割成封裝器件晶片。
如請求項1或2之切削裝置，其中該工作夾台具備第1工作夾台與第2工作夾台，搬送單元會在其中一個該工作夾台所吸引保持之封裝基板處於加工中時，對另一個該工作夾台搬出加工後的封裝基板並搬入加工前的封裝基板，且該封裝基板會在加工前以受到吸引保持之狀態來待機。
一種製備鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A之方法，其包含下列步驟： <br/> (a) 在催化劑系統存在下縮合原料苯酚與原料丙酮，其中該催化劑系統包含離子交換樹脂催化劑與含硫之共催化劑， <br/> 其特徵在於相較於該原料苯酚之總重量，步驟(a)中存在之苯乙酮的量係高於2 ppm且等於或低於2000 ppm，且該催化劑系統包含在方法步驟(a)開始時該催化劑系統中至少部分的含硫之共催化劑既不與該離子交換樹脂催化劑共價結合亦不離子結合；以及該含硫之共催化劑係選自於由巰丙酸、硫化氫、烷基硫化物類、巰基烷基吡啶類、巰基烷基胺類、四氫噻唑類、胺苯硫酚類及其混合物所構成之群組。
如請求項1之方法，其特徵在於該催化劑系統包含在方法步驟(a)開始時該催化劑系統中至少75 mol-%的含硫之共催化劑既不與該離子交換樹脂催化劑共價結合亦不離子結合。
如請求項1或2之方法，其特徵在於苯乙酮係存在於整個方法步驟(a)中。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該方法另外包含下列步驟： <br/> (b) 將步驟(a)後所得的混合物分離成包含鄰，對-、鄰，鄰-或對，對-雙酚A中至少一者的雙酚A餾份和苯酚餾份，其中該苯酚餾份包含未反應苯酚與苯乙酮。
如請求項4之方法，其特徵在於在步驟(b)中的分離係使用結晶技術進行。
如請求項4之方法，其特徵在於該方法包含以下額外步驟： <br/> (c) 使用至少部分步驟(b)中獲得的苯酚餾份作為步驟(a)中的浸提物。
如請求項1或2之方法，其特徵在於存在於步驟(a)中之苯乙酮係以原料苯酚中之雜質被導入方法步驟(a)中。
一種製備聚碳酸酯之方法，其包含下列步驟： <br/> (i) 根據如請求項1至7中任一項之方法獲得鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A，以及 <br/> (ii)聚合步驟(i)中獲得的鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A，視情況地在至少一額外單體存在下以獲得聚碳酸酯。
如請求項8之方法，其特徵在於該方法步驟(i)更包含純化鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A之步驟，以降低鄰，對-、鄰，鄰-及/或對，對-雙酚A中苯乙酮的量。
如請求項9之方法，其特徵在於該純化步驟係使用結晶技術進行。
一種積體電路，包括： <br/>第一電源線，其在第一方向上延伸且在不同於所述第一方向的第二方向上彼此間隔開； <br/>第二電源線，其在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上置放於彼此鄰近的所述第一電源線之間；以及 <br/>解耦合填充單元，其在所述第二方向上置放於彼此鄰近的所述第一電源線之間，其中： <br/>所述解耦合填充單元包含由閘電極以及包含第一導電型的第一源極/汲極區的去封蓋（decap）電晶體形成的解耦合電容器區， <br/>所述閘電極連接至所述第二電源線， <br/>所述第一源極/汲極區連接至所述第一電源線，且 <br/>所述第二電源線穿過所述解耦合電容器區。
如請求項1所述的積體電路，其中： <br/>所述解耦合填充單元包含解耦合緩衝器區，所述解耦合緩衝器區沿著在所述第二方向上延伸的解耦合填充單元邊界限定， <br/>所述第二電源線穿過所述解耦合緩衝器區， <br/>所述解耦合緩衝器區包含不同於所述第一導電型的第二導電型的緩衝器源極/汲極區，且 <br/>所述緩衝器源極/汲極區處於浮動狀態。
如請求項2所述的積體電路，其中： <br/>所述解耦合電容器區包含：（1）在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此間隔開的上部電容器區及下部電容器區；以及（2）連接電容器區，其連接所述上部電容器區與所述下部電容器區，且 <br/>所述上部電容器區及所述下部電容器區在所述第一方向上的寬度大於所述連接電容器區在所述第一方向上的寬度。
如請求項2所述的積體電路，其中所述解耦合電容器區具有I形狀。
如請求項1所述的積體電路，其中： <br/>所述解耦合填充單元更包含在所述第二方向上延伸的解耦合分接頭區， <br/>所述第二電源線穿過所述解耦合分接頭區， <br/>所述解耦合分接頭區包含所述第一導電型的分接頭源極/汲極區，且 <br/>所述分接頭源極/汲極區連接至所述第二電源線。
如請求項5所述的積體電路，更包括： <br/>標準單元，其在所述第一方向上與所述解耦合填充單元形成邊界， <br/>所述標準單元包含：第二_1電晶體，包含所述第一導電型的多個第二_1源極/汲極區；以及第二_2電晶體，包含不同於所述第一導電型的第二導電型的多個第二_2源極/汲極區， <br/>所述第二_1源極/汲極區中的一或多者連接至所述第一電源線，且 <br/>所述第二_2源極/汲極區中的一或多者連接至所述第二電源線。
如請求項1所述的積體電路，其中： <br/>所述去封蓋電晶體為p型電晶體，且 <br/>所述第二電源線連接至接地電壓。
如請求項1所述的積體電路，其中： <br/>所述去封蓋電晶體為n型電晶體，且 <br/>所述第一電源線中的每一者連接至接地電壓。
一種積體電路，包括： <br/>第一電源線，其在第一方向上延伸且在不同於所述第一方向的第二方向上彼此間隔開； <br/>第二電源線，其在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上置放於彼此鄰近的所述第一電源線之間； <br/>解耦合填充單元，其在所述第二方向上置放於彼此鄰近的所述第一電源線之間，且包含在所述第二方向上延伸的閘電極；以及 <br/>標準單元，其置放於所述第一電源線與所述第二電源線之間，且在所述第一方向上與所述解耦合填充單元形成邊界，其中： <br/>所述解耦合填充單元包含解耦合電容器區、解耦合緩衝器區以及解耦合分接頭區， <br/>所述解耦合緩衝器區沿著在所述第二方向上延伸的解耦合填充單元邊界限定， <br/>所述解耦合分接頭區限定於所述解耦合電容器區與所述解耦合緩衝器區之間， <br/>所述解耦合電容器區由所述閘電極以及包含第一導電型的第一源極/汲極區的去封蓋電晶體形成， <br/>所述解耦合分接頭區包含所述第一導電型的分接頭源極/汲極區， <br/>所述解耦合緩衝器區包含不同於所述第一導電型的第二導電型的緩衝器源極/汲極區， <br/>所述標準單元具有：第一主動區，其鄰近於所述第一電源線且具有所述第一導電型的第二_1源極/汲極區；以及第二主動區，其鄰近於所述第二電源線且具有所述第二導電型的第二_2源極/汲極區， <br/>所述閘電極及所述分接頭源極/汲極區中的每一者連接至所述第二電源線， <br/>所述第一源極/汲極區連接至所述第一電源線，且 <br/>所述第二電源線穿過所述解耦合電容器區、所述解耦合分接頭區以及所述解耦合緩衝器區。
一種積體電路，包括： <br/>第一電源線，其在第一方向上延伸且在不同於所述第一方向的第二方向上彼此間隔開； <br/>第二電源線，其在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上置放於彼此鄰近的所述第一電源線之間；以及 <br/>解耦合填充單元，其在所述第二方向上置放於彼此鄰近的所述第一電源線之間，其中： <br/>所述解耦合填充單元包含在所述第二方向上延伸的多個閘電極，以及在所述第一方向上延伸的第一多通道主動圖案及第二多通道主動圖案， <br/>所述第二多通道主動圖案中的每一者在所述第一方向上與對應第一多通道主動圖案分離， <br/>所述解耦合填充單元包含解耦合電容器區、解耦合緩衝器區以及解耦合分接頭區， <br/>所述解耦合緩衝器區沿著在所述第二方向上延伸的解耦合填充單元邊界限定， <br/>所述解耦合分接頭區限定於所述解耦合電容器區與所述解耦合緩衝器區之間， <br/>所述解耦合電容器區由所述第一多通道主動圖案當中的第一多通道主動圖案、所述閘電極以及包含所述第一多通道主動圖案上的p型源極/汲極區的p型電晶體形成， <br/>所述解耦合分接頭區包含所述第二多通道主動圖案當中的第二多通道主動圖案上的p型分接頭源極/汲極區， <br/>所述解耦合緩衝器區包含所述第二多通道主動圖案當中的第二多通道主動圖案上的n型緩衝器源極/汲極區， <br/>所述p型電晶體的所述閘電極連接至所述第二電源線， <br/>所述p型電晶體的所述p型源極/汲極區及所述p型分接頭源極/汲極區中的每一者連接至所述第一電源線，且 <br/>所述第二電源線連接至接地電壓。
一種儲存系統，包括：<br/> 主儲存裝置，具有第一功能和第二功能，所述第一功能配置為作為獨立磁碟冗餘陣列(Redundant Array of Independent Disks, RAID)控制器操作，用以基於由主機確定的RAID級別來產生儲存資料的命令；<br/> 從儲存裝置，具有至少一第三功能，所述第三功能配置為根據從所述主儲存裝置分發的所述命令來儲存所述資料；以及<br/> 控制器集線器，將所述從儲存裝置聯接到所述主儲存裝置，<br/> 其中所述主儲存裝置：<br/> 在所述主儲存裝置接收到來自所述主機的命令處理請求時透過所述控制器集線器將所述命令傳送到所述從儲存裝置；並且<br/> 當回應於所述命令處理請求，所述主儲存裝置和所述從儲存裝置的操作完成時，向所述主機傳輸完成佇列即CQ，並且<br/> 其中，所述第二功能配置為作為由所述第一功能控制的另一個從儲存裝置操作，並且其中，所述從儲存裝置和根據所述第二功能操作的所述主儲存裝置，在根據所述第一功能作為所述RAID控制器操作的所述主儲存裝置的控制下，接收和儲存從所述主機接收的不同資料段。
如請求項1所述的儲存系統，其中，所述主儲存裝置進一步控制所述從儲存裝置，使得所述資料被條串化到所述從儲存裝置和所述主儲存裝置。
如請求項1所述的儲存系統，其中，所述主儲存裝置進一步控制所述從儲存裝置，使得將所述資料鏡像到所述從儲存裝置和所述主儲存裝置。
如請求項1所述的儲存系統，其中，所述主儲存裝置進一步生成並在其中儲存用於所述資料的錯誤校正的奇偶校驗位。
如請求項1所述的儲存系統，其中，所述主儲存裝置和所述從儲存裝置中的至少一個進一步在其中儲存用於所述資料的錯誤校正的奇偶校驗位。
如請求項1所述的儲存系統，<br/> 其中所述命令處理請求包括用於讀取所述主儲存裝置和所述從儲存裝置中儲存的所述資料的讀取請求，<br/> 其中所述主儲存裝置進一步從其自身讀取與所述讀取請求相對應的所述資料的一個資料段或者多個資料段，並將從所述主儲存裝置讀取的所述一個資料段或者多個資料段傳輸到主機記憶體，並且<br/> 其中所述從儲存裝置進一步從其自身讀取與所述讀取請求相對應的所述資料的一個資料段或者多個資料段，並將從所述從儲存裝置讀取的所述資料段傳輸到所述主機記憶體。
如請求項1所述的儲存系統，<br/> 其中所述命令處理請求包括用於將所述資料儲存到所述主儲存裝置和所述從儲存裝置的寫入請求，<br/> 其中所述主儲存裝置進一步從主機記憶體接收與所述寫入請求相對應的所述資料的一個資料段或多個資料段，並在其中儲存從所述主機記憶體接收的所述一個資料段或多個資料段，並且<br/> 其中所述從儲存裝置進一步從所述主機記憶體接收與所述寫入請求相對應的所述資料的一個資料段或多個資料段，並在其中儲存從所述主機記憶體接收的所述一個資料段或多個資料段。
如請求項1所述的儲存系統，其中，當回應於所述命令處理請求，所述從儲存裝置的所述操作完成時，所述從儲存裝置進一步向所述主儲存裝置通知所述從儲存裝置的所述操作完成。
如請求項1所述的儲存系統，其中，所述控制器集線器進一步支援所述主儲存裝置與所述從儲存裝置之間的點對點路由即P2P路由。
如請求項9所述的儲存系統，其中，所述控制器集線器進一步使用根據週邊組件互連即PCI或高速PCI即PCIe的協定。
一種操作儲存系統的方法，所述儲存系統包括具有第一功能和第二功能的主儲存裝置、具有至少一第三功能的從儲存裝置，和控制器集線器，所述控制器集線器將所述主儲存裝置聯接到所述從儲存裝置，所述第一功能配置為作為獨立磁碟冗餘陣列(Redundant Array of Independent Disks, RAID)控制器操作，用以基於由主機確定的RAID級別來產生儲存資料的命令，所述第二功能配置為作為由所述第一功能控制的另一個從儲存裝置操作，所述方法包括：<br/> 由所述主儲存裝置接收來自主機的命令處理請求；<br/> 由所述主儲存裝置的所述第一功能，根據預定的獨立磁碟冗餘陣列級別即RAID級別透過所述控制器集線器來分發所述命令處理請求；<br/> 在作為所述RAID控制器操作的所述主儲存裝置的所述第一功能的控制下，由所述主儲存裝置的所述第二功能和所述從儲存裝置的所述第三功能，對與所述命令處理請求相對應的不同資料段執行操作；並且<br/> 當所述操作完成時由所述主儲存裝置向所述主機傳輸完成佇列即CQ。
如請求項11所述的方法，其中，分發所述命令處理請求包括：將命令分發到所述從儲存裝置，使得待儲存的資料被條串化到所述從儲存裝置和所述主儲存裝置。
如請求項11所述的方法，其中，分發所述命令處理請求包括：將命令分發到所述從儲存裝置，使得待儲存的資料被鏡像到所述從儲存裝置和所述主儲存裝置。
如請求項11所述的方法，其中，執行所述操作包括：由所述主儲存裝置生成並在其中儲存用於資料的錯誤校正的奇偶校驗位。
如請求項11所述的方法，其中，執行所述操作包括：由所述主儲存裝置和所述從儲存裝置中的至少一個在其中儲存用於資料的錯誤校正的奇偶校驗位。
如請求項11所述的方法，<br/> 其中所述命令處理請求包括用於讀取所述主儲存裝置和所述從儲存裝置中儲存的資料的讀取請求，並且<br/> 其中執行所述操作包括：<br/> 由所述主儲存裝置和所述從儲存裝置，從其自身中讀取與所述讀取請求相對應的資料；並且<br/> 由所述主儲存裝置和所述從儲存裝置，將所讀取的資料傳輸到主機記憶體。
如請求項11所述的方法，<br/> 其中所述命令處理請求包括用於將資料儲存到所述主儲存裝置和所述從儲存裝置的寫入請求，並且<br/> 其中執行所述操作包括：<br/> 由所述主儲存裝置和所述從儲存裝置，從主機記憶體接收與所述寫入請求相對應的資料；並且<br/> 由所述主儲存裝置和所述從儲存裝置，在其中儲存所述資料。
如請求項11所述的方法，進一步包括：當回應於所述命令處理請求，所述從儲存裝置的所述操作完成時，所述從儲存裝置向所述主儲存裝置通知所述從儲存裝置的所述操作完成。
如請求項11所述的方法，其中，所述分發透過所述主儲存裝置與所述從儲存裝置之間的點對點路由即P2P路由來執行。
如請求項19所述的方法，其中，所述分發透過根據週邊組件互連即PCI或高速PCI即PCIe的協定來執行。
一種缺陷去除裝置，其具有： <br/>表面缺陷測量部，具有射出用於進行半導體基板上的缺陷的檢測之入射光之第1光源部、及<br/>依據藉由前述入射光因前述半導體基板上的缺陷而反射或散射而輻射之輻射光來檢測前述半導體基板上的缺陷之檢測部；<br/>去除部，在前述半導體基板上照射雷射光而去除前述缺陷；及<br/>對準部，調整前述入射光和前述雷射光的光軸，<br/>前述入射光和前述雷射光藉由前述對準部調整光軸並射出到前述半導體基板上， <br/>其中， <br/>前述表面缺陷測量部具有：受光部，接受前述輻射光；及聚光透鏡，使前述輻射光聚集在前述受光部，並且<br/>具有對前述缺陷射出前述雷射光時配置在前述聚光透鏡與前述半導體基板的前述表面之間之檔門。
如請求項1所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>前述去除部對由前述表面缺陷測量部檢測出之缺陷射出前述雷射光。
如請求項1所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>藉由前述對準部，前述入射光和雷射光被調整為相同光軸而射出到前述半導體基板上。
如請求項1至請求項3之任一項所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>前述對準部具有：<br/>光學元件，射入有前述入射光及前述雷射光，並使所射入之前述入射光及前述雷射光向同一方向射出，並且分離所射入之前述入射光及前述雷射光，使分離了前述入射光之第1分離光和分離了前述雷射光之第2分離光向同一方向射出；<br/>第1反射鏡，使前述入射光射入前述光學元件；<br/>第2反射鏡，使前述雷射光射入前述光學元件；及<br/>光檢測器，對藉由前述光學元件分離之前述入射光的前述第1分離光和前述雷射光的前述第2分離光至少檢測光強度，<br/>前述第1反射鏡及前述第2反射鏡能夠調整傾斜度。
如請求項1至請求項3之任一項所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>前述表面缺陷測量部獲得前述半導體基板上的前述缺陷的位置資訊。
如請求項1至請求項3之任一項所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>前述表面缺陷測量部具有記憶前述位置資訊之記憶部。
如請求項1至請求項3之任一項所述之缺陷去除裝置，其具有： <br/>供給部，向前述半導體基板的表面上供給載氣。
如請求項1至請求項3之任一項所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>前述入射光為連續振盪之雷射光。
如請求項1至請求項3之任一項所述之缺陷去除裝置，其中 <br/>前述雷射光為脈衝振盪之雷射光。
一種缺陷去除方法，其具有： <br/>檢測步驟，射出用於進行半導體基板上的缺陷的檢測之入射光，從而檢測前述半導體基板上的缺陷；及<br/>去除步驟，將與前述入射光調整了光軸之雷射光射出到前述半導體基板上，從而去除前述缺陷， <br/>其中， <br/>前述檢測步驟中，使用受光部及聚光透鏡來檢測前述半導體基板上的缺陷，前述受光部接受藉由前述入射光因前述半導體基板上的前述缺陷而反射或散射而輻射之輻射光，前述聚光透鏡使前述輻射光聚集在前述受光部，<br/>前述去除步驟中，在前述聚光透鏡與前述半導體基板的表面之間配置檔門，並對前述檢測出之前述缺陷射出前述雷射光。
如請求項10所述之缺陷去除方法，其中 <br/>前述去除步驟中，對前述檢測步驟中檢測出之前述缺陷在與前述入射光相同光軸上射出前述雷射光。
如請求項10所述之缺陷去除方法，其中 <br/>在前述檢測步驟之前或前述去除步驟之前，進行調整前述入射光和前述雷射光的前述光軸之調整步驟。
如請求項10至請求項12之任一項所述之缺陷去除方法，其中 <br/>前述去除步驟中，在向前述半導體基板的表面上供給了載氣之狀態下去除前述缺陷。
如請求項10至請求項12之任一項所述之缺陷去除方法，其中 <br/>前述檢測步驟中，獲得前述半導體基板上的前述缺陷的位置資訊。
如請求項10至請求項12之任一項所述之缺陷去除方法，其中 <br/>前述入射光為連續振盪之雷射光。
如請求項10至請求項12之任一項所述之缺陷去除方法，其中 <br/>前述雷射光為脈衝振盪之雷射光。
一種圖案形成方法，其具有： <br/>使用藉由請求項10至請求項16之任一項所述之缺陷去除方法去除了表面上的缺陷之半導體基板，並在前述半導體基板的表面形成光阻膜之步驟；及<br/>在前述光阻膜上形成圖案之步驟。
一種電子元件的製造方法，其具有： <br/>使用藉由請求項10至請求項16之任一項所述之缺陷去除方法去除了表面上的缺陷之半導體基板，並在前述半導體基板的表面形成光阻膜之步驟；及<br/>在前述光阻膜上形成電子元件的圖案之步驟。
一種第一無線通訊設備（102；104；200；302；304），包括：<br/>一介面，其被配置為：<br/>接收一第一無線傳輸，該第一無線傳輸包括一傳輸TX參數資訊元素IE；及<br/>接收一第二無線傳輸；及<br/>一處理系統，其被配置為：<br/>獲得用於與該TX參數IE相關聯的一或多個第二無線通訊設備的一或多個傳輸參數，其中該第二無線傳輸是來自該一或多個第二無線通訊設備中的一個第二無線通訊設備；及<br/>獲得與該第二無線傳輸和該一或多個傳輸參數相關聯的一或多個無線感測量測。
根據請求項1之第一無線通訊設備，其中該處理系統亦被配置為：驗證與該第一無線傳輸中的一訊息完整性碼MIC相關聯的、該TX參數IE的一完整性。
根據請求項2之第一無線通訊設備，其中該MIC被配置為：驗證與該第一無線傳輸相關聯的至少一存取類別AC或訊務串流TS欄位的一完整性。
根據請求項1之第一無線通訊設備，其中該第一無線傳輸是從一存取點AP獲得的，該TX參數IE指示該一或多個第二無線通訊設備之每一者第二無線通訊設備具有靜態傳輸參數，並且該第二無線傳輸是從該一或多個第二無線通訊設備中的一個第二無線通訊設備獲得的。
根據請求項1之第一無線通訊設備，其中該第一無線傳輸包括從一非AP站STA獲得的一訊框，並且該第二無線傳輸是從該非AP STA獲得的。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該訊框被包括在一聚合媒體存取控制MAC協定資料單元A-MPDU中。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該訊框包括一聚合實體層PHY協定資料單元PPDU A-PPDU的一初始PPDU。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該訊框包括以一基本調制和譯碼方案MCS傳輸的一公共訊框。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該TX參數IE是與從該非AP STA接收的每個傳輸一起獲得的。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該TX參數IE是從該非AP STA週期性地獲得的。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該TX參數IE指示該非AP STA的一傳輸功率。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該TX參數IE指示以下各項中的一項或多項：由該非AP STA使用的多輸入多輸出MIMO預編碼的變化，以及由該非AP STA使用的波束成形和天線選擇設置的變化，其中在該TX參數IE中的一索引指示由該非AP STA使用的該MIMO預編碼或波束成形和天線選擇設置的一變化。
根據請求項5之第一無線通訊設備，其中該TX參數IE指示自該非AP STA傳輸包括一TX參數IE的一先前訊框以來該非AP STA是否已經移動。
一種用於由一第一無線通訊設備的一裝置執行的無線通訊的方法（1000），包括以下步驟：<br/>接收（1010）一第一無線傳輸，該第一無線傳輸包括一傳輸TX參數資訊元素IE；<br/>獲得（1020）用於與該TX參數IE相關聯的一或多個第二無線通訊設備的一或多個傳輸參數；<br/>從該一或多個第二無線通訊設備中的一個第二無線通訊設備接收（1030）一第二無線傳輸；及<br/>獲得（1040）與該第二無線傳輸和該一或多個傳輸參數相關聯的一或多個無線感測量測。
一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該等指令在由一第一無線通訊設備的一或多個處理器執行時使得該第一無線通訊設備執行包括以下各項的操作：<br/>接收一第一無線傳輸，該第一無線傳輸包括一傳輸TX參數資訊元素IE；<br/>獲得用於與該TX參數IE相關聯的一或多個第二無線通訊設備的一或多個傳輸參數；<br/>從該一或多個第二無線通訊設備中的一個第二無線通訊設備接收一第二無線傳輸；及<br/>獲得與該第二無線傳輸和該一或多個傳輸參數相關聯的一或多個無線感測量測。
一種用於在卡片上印刷之噴墨印表機，其包括：<br/> 一印表機框架，該印表機框架包括一底部框架；<br/> 一支撐托架，該支撐托架安裝在該底部框架上，用於支撐待印刷之一卡片；<br/> 一印刷台，該印刷台安裝至該印表機框架，用於在該卡片之正面上進行噴墨印刷，該印刷台包括至少一個列印頭；以及<br/> 一離子發生器，該離子發生器安裝至該印表機框架，用於發出傳送至該卡片之該正面的帶電離子，<br/> 其中在印刷之前及期間以一可變工作循環及一可變強度致動該離子發生器。
如請求項1所述之噴墨印表機，其中該離子發生器係交替地發出帶正電離子及帶負電離子之一空氣電離器。
如請求項2所述之噴墨印表機，其中該等發出之帶電離子的極性以一預定時間週期改變，以防止該等帶正電離子及帶負電離子在到達該卡片之該正面之前互相中和。
如請求項1所述之噴墨印表機，其中該離子發生器係用於發出具有一唯一極性之帶電離子的一單極離子發生器，並且該等帶電離子能夠以擴散方式到達該卡片之該正面。
如請求項4所述之噴墨印表機，其中該單極離子發生器包括：<br/> 一離子發生器殼體，該離子發生器殼體具有用於允許該等生成之帶電離子離開之一孔；<br/> 一對電極，該對電極收容在該離子發生器殼體內；<br/> 一對電端子，每個電極具有一個電端子，該對電端子與該噴墨印表機上之一離子發生器電源模組連接。
如請求項1至5中任一項所述之噴墨印表機，其中該噴墨印表機包括用於安裝該離子發生器之一安裝支架，並且該安裝支架固定至該底部框架。
如請求項1至5中任一項所述之噴墨印表機，其中該印表機框架進一步包括藉由側面框架而與該底部框架連接之一頂部框架；並且該離子發生器固定至該頂部框架。
如請求項1至5中任一項所述之噴墨印表機，其中該噴墨印表機進一步包括一導向板；該支撐托架配置在該導向板上並且由該導向板引導以在一第一位置與一第二位置之間移動，在該第一位置，該支撐托架不面向該列印頭，在該第二位置，該支撐托架面向該列印頭；該印刷台能夠橫向地移動至該導向板上方之該導向板；並且該離子發生器離開該印刷台之移動路徑。
如請求項8所述之噴墨印表機，其中當該支撐托架係在該第二位置時，該離子發生器在該底部框架中之正交投影與該支撐托架在該底部框架中之正交投影之中心成一直線。
如請求項1至5中任一項所述之噴墨印表機，其中該噴墨印表機進一步包括：<br/> 一儲存區，該儲存區用於儲存至少一張待印刷之卡片；以及<br/> 一提取台，該提取台用於將該卡片自該儲存區提取至該支撐托架。
一種具有用於執行量子位元量測或讀出之一LC諧振器電路之量子裝置，該裝置包括： <br/>一半導體層； <br/>一介電層，其安置於該半導體層上且與該半導體層形成一功能介面； <br/>一第一金屬區域，其安置於該介電層上；及 <br/>一第二金屬區域，其安置於該介電層上且與該第一金屬區域橫向分離； <br/>其中該第一及第二金屬區域經配置為電連接，使得可在該功能介面處之該第一及第二金屬區域下方誘發形成具有一第一狀態及一第二狀態之一量子位元之一雙量子點； <br/>其中該雙量子點在該LC諧振器電路中提供一電容器且該雙量子點之電容取決於該量子位元之狀態； <br/>其中該第一金屬區域在該LC諧振器電路中提供一電感器；且 <br/>其中該LC諧振器電路之諧振頻率取決於該量子位元之該狀態，使得可量測或推斷該量子位元之該狀態。
如請求項1之量子裝置，其中該第一金屬區域包括一超導體。
如請求項1或2之量子裝置，其進一步包括： <br/>一電源，其經組態以依對應於該LC諧振器電路之一諧振頻率之一頻率供應電力；及 <br/>一探針，其連接至該第一及/或第二金屬區域且經組態以量測通過該LC諧振器電路之電力傳輸以推斷該量子位元之該狀態。
如請求項1或2之量子裝置，其中該第一金屬區域在該LC諧振器電路中提供一第一電感器且該第二金屬區域在該LC諧振器電路中提供一第二電感器。
如請求項1或2之量子裝置，其進一步包括覆蓋該第一金屬區域之一遮罩層。
如請求項1或2之量子裝置，其中該半導體層包括一奈米線，且其中該第一及第二金屬區域安置於該奈米線之對置側上，使得該第一及第二金屬區域之各者與該奈米線之一個邊緣部分重疊且包含遠離該奈米線延伸之各自部分。
如請求項6之量子裝置，其進一步包括： <br/>第三及第四金屬區域，其等安置於該介電層上； <br/>其中該第三及第四金屬區域安置於該奈米線之對置側上，使得該第三及第四金屬區域之各者與該奈米線之一個邊緣部分重疊且包含遠離該奈米線延伸之各自部分； <br/>其中該第三及第四金屬區域沿該奈米線之縱向軸線與該第一及第二金屬區域橫向分離； <br/>其中該第一及第二金屬區域經配置為電連接，使得可在該功能介面處之該第一及第二金屬區域下方誘發一第一雙量子點；且 <br/>其中該第三及第四金屬區域經配置為電連接，使得可在該功能介面處之該第三及第四金屬區域下方誘發一第二雙量子點。
如請求項7之量子裝置，其中該第三及第四金屬區域之各者之電感大於該第一及第二金屬區域之各者之電感。
如請求項1或2之量子裝置，其中該半導體層包括一奈米線，且其中該第一及第二金屬區域沿該奈米線之該縱向軸線橫向分離。
如請求項1或2之量子裝置，其中該介電層包括一薄區域及一厚區域且其中該功能介面形成於該半導體層與該介電層之該薄區域之間。
一種用於使用如請求項1至10中任一項之裝置來執行量子位元量測或讀出之方法，其包括以下步驟： <br/>將第一及第二偏壓電位分別施加至該第一及第二金屬區域以誘發一雙量子點以在該功能介面處之該第一及第二金屬區域下方形成具有一第一狀態及一第二狀態之一量子位元，其中該第一及第二偏壓電位實質上相同； <br/>依一選定頻率將一信號施加至該第一金屬區域； <br/>將一偏壓差施加於該第一與第二金屬區域之間；及 <br/>量測該第一或第二金屬區域處之電力傳輸，其中該量測用於量測或推斷該量子位元之狀態。
如請求項11之方法，其中該選定頻率係當該雙量子點之電容最大時之該電路之該諧振頻率。
如請求項11或12之方法，其中該方法以低於20開爾文之一溫度執行。
一種組裝如請求項1至10中任一項之量子裝置之方法，其包括以下步驟： <br/>將一介電層安置於一半導體層上以形成一功能介面；及 <br/>將一第一金屬區域安置於該介電層上；及 <br/>將一第二金屬區域安置於該介電層上，與該第一金屬區域橫向分離； <br/>其中該第一及第二金屬區域經組態為電連接，使得可在該功能介面處之該第一及第二金屬區域下方誘發形成具有一第一狀態及一第二狀態之一量子位元之一雙量子點； <br/>其中該雙量子點在該LC諧振器電路中提供一電容器且該雙量子點之電容取決於該量子位元之狀態； <br/>其中該第一金屬區域在該LC諧振器電路中提供一電感器；且 <br/>其中該LC諧振器電路之諧振頻率取決於該量子位元之該狀態，使得可量測或推斷該量子位元之該狀態。
一種蝕刻堆疊的方法，包括：<br/> 應用非金屬氣體以蝕刻該堆疊的第一含氮層；<br/> 在判斷到達第一氧化物層後，中斷該非金屬氣體的該應用，其中該第一氧化物層位於該第一含氮層下方；<br/> 應用含金屬氣體以蝕刻該第一氧化物層；<br/> 在判斷將到達第二含氮層後，中斷該含金屬氣體的該應用，其中該第二含氮層位於該第一氧化物層下方；以及<br/> 應用該非金屬氣體以蝕刻該第二含氮層。
如請求項1之蝕刻堆疊的方法，其中當該第一氧化物層正在被蝕刻時為到達該第一氧化物層，其中當到達距離該第一氧化物層的頂表面一預定深度時，該第一氧化物層正在被蝕刻。
如請求項1之蝕刻堆疊的方法，其中所述蝕刻該第一含氮層係持續進行，直到在該第一氧化物層中形成凹陷部，其中在判斷在該第一氧化物層中形成該凹陷部後，中斷該非金屬氣體的該應用。
如請求項3之蝕刻堆疊的方法，其中該凹陷部具有預定深度。
如請求項1之蝕刻堆疊的方法，更包括：<br/> 供應低頻射頻(LF RF)信號，其具有所述蝕刻該第一含氮層所用的第一主參數位準及第二主參數位準；<br/> 當蝕刻該第一氧化物層時，修改該第一主參數位準至第三主參數位準，以及修改該第二主參數位準至第四主參數位準。
如請求項5之蝕刻堆疊的方法，其中該第二主參數位準低於該第一主參數位準，該第四主參數位準低於該第三主參數位準，其中該第三主參數位準大於該第一主參數位準，該第四主參數位準大於該第二主參數位準。
如請求項5之蝕刻堆疊的方法，更包括：<br/> 供應高頻RF(HF RF)信號，其具有所述蝕刻該第一含氮層所用的第一輔助參數位準及第二輔助參數位準；<br/> 當蝕刻該第一氧化物層時，修改該第一輔助參數位準至第三輔助參數位準，以及修改該第二輔助參數位準至第四輔助參數位準。
如請求項7之蝕刻堆疊的方法，其中該第二輔助參數位準低於該第一輔助參數位準，該第四輔助參數位準低於該第三輔助參數位準，其中該第三輔助參數位準大於該第一輔助參數位準，該第四輔助參數位準大於該第二輔助參數位準。
如請求項8之蝕刻堆疊的方法，其中該第一主參數位準比該第一輔助參數位準的比率介於0.75與1.25之間，其中該第二主參數位準比該第二輔助參數位準的比率介於0.75與1.25之間。
如請求項8之蝕刻堆疊的方法，其中該第三主參數位準比該第三輔助參數位準的比率介於2與4之間，其中該第四主參數位準比該第四輔助參數位準的比率介於2與4之間。
如請求項1之蝕刻堆疊的方法，其中該含金屬氣體包括羰基化物或金屬氟化物。
如請求項11之蝕刻堆疊的方法，其中該金屬氟化物為六氟化鎢。
如請求項11之蝕刻堆疊的方法，其中該含金屬氣體與氟碳化物或三氟化氮(NF<sub>3</sub>)一起應用。
如請求項1之蝕刻堆疊的方法，其中該非金屬氣體包括氫氟碳化物。
如請求項1之蝕刻堆疊的方法，更包括：<br/> 將蝕刻該第二含氮層所使用的該非金屬氣體的該應用中斷；<br/> 應用該含金屬氣體以蝕刻第二氧化物層，其中該第二氧化物層位於該第二含氮層下方。
如請求項15之蝕刻堆疊的方法，更包括：<br/> 在判斷到達第三含氮層附近的預定面後，將蝕刻該第二氧化物層所用的該含金屬氣體的該應用中斷，其中該第三含氮層位於該第二氧化物層下方；以及<br/> 在將蝕刻該第二氧化物層所用的該含金屬氣體的該應用中斷後，應用該非金屬氣體以蝕刻該第三含氮層。
一種用於蝕刻堆疊的控制器，包括：<br/> 處理器，配置以：<br/> 控制著藉由應用非金屬氣體以對該堆疊的第一含氮層進行的蝕刻；<br/> 在判斷到達第一氧化物層後，中斷該非金屬氣體的該應用，其中該第一氧化物層位於該第一含氮層下方；<br/> 控制著藉由應用含金屬氣體以對該第一氧化物層進行的蝕刻；<br/> 在判斷將到達第二含氮層後，中斷該含金屬氣體的該應用，其中在到達該第二含氮層之前，該含金屬氣體的該應用以對該第一氧化物層進行蝕刻被中斷，其中該第二含氮層位於該第一氧化物層下方；以及<br/> 控制著藉由應用該非金屬氣體以對該第二含氮層進行的蝕刻；以及<br/> 記憶裝置，耦接至該處理器。
如請求項17之用於蝕刻堆疊的控制器，其中該非金屬氣體的該應用係受控制的，直到在該第一氧化物層中形成凹陷部，其中在判斷在該第一氧化物層中形成該凹陷部後，中斷該非金屬氣體的該應用。
如請求項17之用於蝕刻堆疊的控制器，其中該處理器係配置以：<br/> 控制低頻射頻(LF RF)產生器，以供應LF RF信號，其具有用以蝕刻該第一含氮層的第一主參數位準及第二主參數位準；<br/> 修改該第一主參數位準至第三主參數位準，以及修改該第二主參數位準至第四主參數位準，以蝕刻該第一氧化物層。
如請求項19之用於蝕刻堆疊的控制器，其中該處理器係配置以：<br/> 控制高頻(HF) RF產生器，以供應HF RF信號，其具有用以蝕刻該第一含氮層的第一輔助參數位準及第二輔助參數位準；<br/> 當蝕刻該第一氧化物層時，修改該第一輔助參數位準至第三輔助參數位準，以及修改該第二輔助參數位準至第四輔助參數位準。
一種用於蝕刻堆疊的電漿系統，包括：<br/> 第一氣體源，配置以儲存含金屬氣體；<br/> 第二氣體源，配置以儲存非金屬氣體；<br/> 電漿腔室，經由第一氣體線而耦接至該第一氣體源，及經由第二氣體線而耦接至該第二氣體源；以及<br/> 主電腦，耦接至該第一氣體線及該第二氣體線，其中該主電腦係配置以：<br/> 控制著藉由應用該非金屬氣體以對該堆疊的第一含氮層進行的蝕刻；<br/> 在判斷到達第一氧化物層後，中斷該非金屬氣體的該應用，其中該第一氧化物層位於該第一含氮層下方；<br/> 控制著藉由應用該含金屬氣體以對該第一氧化物層進行的蝕刻；<br/> 在判斷將到達第二含氮層後，中斷該含金屬氣體的該應用，其中在到達該第二含氮層之前，該含金屬氣體的該應用以對該第一氧化物層進行蝕刻被中斷，其中該第二含氮層位於該第一氧化物層下方；以及<br/> 控制著藉由應用該非金屬氣體以對該第二含氮層進行的蝕刻。
如請求項21之用於蝕刻堆疊的電漿系統，更包括：<br/> 低頻射頻(LF RF)產生器，配置以產生LF RF信號；<br/> 高頻RF (HF RF)產生器，配置以產生HF RF信號；<br/> 阻抗匹配電路，耦接至該LF RF產生器及該HF RF產生器，其中該阻抗匹配電路係配置以接收該LF RF信號及該HF RF信號而輸出經修改RF信號，其中該電漿腔室與該阻抗匹配電路耦接以接收該經修改RF信號，其中該主電腦係配置以：<br/> 控制該LF RF產生器，以供應該LF RF信號，其具有用以蝕刻該第一含氮層的第一主參數位準及第二主參數位準；<br/> 修改該第一主參數位準至第三主參數位準，以及修改該第二主參數位準至第四主參數位準，以蝕刻該第一氧化物層；<br/> 控制該HF RF產生器，以供應該HF RF信號，其具有用以蝕刻該第一含氮層的第一輔助參數位準及第二輔助參數位準；以及<br/> 修改該第一輔助參數位準至第三輔助參數位準，以及修改該第二輔助參數位準至第四輔助參數位準，以蝕刻該第一氧化物層。
一種蝕刻堆疊的方法，包括：<br/> 應用含金屬氣體以蝕刻氧化物層；<br/> 在判斷將到達含矽層後，中斷該含金屬氣體的該應用，其中該含矽層位於該氧化物層下方；以及<br/> 應用非金屬氣體以蝕刻該含矽層。
如請求項23之蝕刻堆疊的方法，其中當該氧化物層正在被蝕刻時為到達該氧化物層，其中當到達距離該氧化物層的頂表面一預定深度時，該氧化物層正在被蝕刻。
如請求項23之蝕刻堆疊的方法，其中該含矽層為矽氮化物層或多晶矽層。
如請求項23之蝕刻堆疊的方法，其中該含金屬氣體包括羰基化物或金屬氟化物。
如請求項26之蝕刻堆疊的方法，其中該金屬氟化物為六氟化鎢。
如請求項23之蝕刻堆疊的方法，其中該含金屬氣體與氟碳化物或三氟化氮(NF<sub>3</sub>)一起應用。
如請求項23之蝕刻堆疊的方法，其中該非金屬氣體包括氫氟碳化物。
一種光半導體元件密封用片材，其係用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材， <br/>上述光半導體元件密封用片材具備基材部、及設置於上述基材部之一個面且用於密封上述光半導體元件之密封部； <br/>上述密封部具有在密封光半導體元件時位於光半導體元件側之表面之放射線非硬化性黏著劑層、及積層於上述放射線非硬化性黏著劑層之放射線硬化性樹脂層；且 <br/>上述光半導體元件密封用片材依次具備上述基材部、上述放射線硬化性樹脂層、及上述放射線非硬化性黏著劑層。
如請求項1之光半導體元件密封用片材，其中上述放射線硬化性樹脂層比上述放射線非硬化性黏著劑層更厚。
如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其中上述密封部含有包含著色劑之層。
如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其具備具有防眩性及/或抗反射性之層。
如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其具備將聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分之層。
如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其中在上述放射線硬化性樹脂層之硬化後截面中，在溫度23℃下利用奈米壓痕法測得之硬度為1.4 MPa以上。
一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之如請求項1至6中任一項之光半導體元件密封用片材之上述放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物。
如請求項7之光半導體裝置，其為液晶畫面之背光裝置。
一種圖像顯示裝置，其具備如請求項8之背光裝置及顯示面板。
如請求項7之光半導體裝置，其為自發光型顯示裝置。
一種圖像顯示裝置，其具備如請求項10之自發光型顯示裝置。
一種光半導體裝置之製造方法，其具備對積層體進行切割而獲得光半導體裝置之切割步驟，上述積層體具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之如請求項1至6中任一項之光半導體元件密封用片材之上述放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物。
如請求項12之光半導體裝置之製造方法，其進而具備對積層體照射放射線以使上述放射線硬化性樹脂層硬化而獲得上述硬化物之放射線照射步驟，上述積層體具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之上述光半導體元件密封用片材。
如請求項13之光半導體裝置之製造方法，其具備密封步驟：將上述光半導體元件密封用片材與設置於上述基板上之上述光半導體元件貼合，並藉由上述密封部對上述光半導體元件進行密封；其後進行上述放射線照射步驟。
如請求項12之光半導體裝置之製造方法，其進而具備拼貼步驟：將上述切割步驟所獲得之複數個光半導體裝置以在平面方向上接觸之方式進行排列。
一種晶片電連接器，其包括<br/> 基板，係由絕緣材料構成，設有上表面、與上表面相對設置的下表面，以及貫通所述上、下表面的端子孔；及<br/> 複數端子，係呈陣列式排佈；<br/> 其中，所述端子包括坐落於所述基板上表面的坐落部、設置于端子孔內的固持部、向上傾斜延伸並位於基板上表面上方的彈性臂，所述彈性臂的末端具有晶片接觸部；所述固持部具有複數與端子孔的內壁面相抵接而將所述固持部固定於端子孔內的抵接點，所述固持部包括豎直延伸的固持本體、設置於固持本體兩側的側臂，所述側臂包括由固持本體兩側朝固持本體同一側面的前方向內彎折並向上傾斜延伸的延伸臂，所述延伸臂與固持本體的交接處形成兩前述抵接點，所述側臂還包括連接於至少一延伸臂末端的調節臂，所述調節臂與所述延伸臂呈夾角設置並向外傾斜延伸，所述端子能夠通過改變側臂的變形量而於調節臂的自由端也形成有所述抵接點，且所述端子能夠與至少兩種不同型狀的端子孔配接。
如請求項1所述之晶片電連接器，其中所述端子既能夠與橫截面為圓型的端子孔配接，又能夠與橫截面為矩型的端子孔配接。
如請求項1所述之晶片電連接器，其中所述調節臂和延伸臂均呈片狀。
如請求項3所述之晶片電連接器，其中兩所述側臂均設置有延伸臂，且所述側臂於固持本體兩側呈對稱設置。
如請求項4所述之晶片電連接器，其中所述調節臂於向外傾斜延伸的同時向上傾斜延伸。
如請求項1所述之晶片電連接器，其中所述固持本體於與延伸臂交接處的上方設有分別位於其兩側緣的第一缺口，且所述固持本體與延伸臂交接處的下方設有分別位於其兩側緣的第二缺口。
如請求項1所述之晶片電連接器，其中所述坐落部包括與固持本體位於同一平面且由所述固持本體豎直向上延伸的坐落本體，所述彈性臂由所述坐落本體上方向上並向固持本體的其中一側面方向傾斜延伸，所述彈性臂和所述側臂位於所述固持本體所在面的同一側。
如請求項7所述之晶片電連接器，其中所述坐落部還包括位於坐落本體其中一側緣的料帶連接部，所述料帶連接部包括由坐落本體向外延伸超過端子孔外周且與坐落本體位於同一平面的搭接部，以及由搭接部向坐落本體其中一側面方向彎折的彎折部，所述彎折部與所述側臂位於固持本體所在面的同一側。
如請求項1所述之晶片電連接器，其中所述端子還包括接腳，所述接腳包括由固持本體豎直向下延伸的焊臂以及連接于焊臂下方的錫球焊接部，所述錫球焊接部與所述側臂位於固持本體所在面的同一側。
如請求項1所述之晶片電連接器，其中所述基板採用用來製造印刷電路板的材料製成。
一種異常檢測裝置，其具備：<br/> 輸入部，其取得用於觀測電離圈之電子數之複數個觀測站各者之觀測值；及<br/> 控制部，其判定前述觀測值之異常；且<br/> 前述控制部，<br/> 自前述複數個觀測站中選擇中心觀測站，<br/> 基於與前述中心觀測站相隔之距離，而自前述複數個觀測站中選擇複數個周邊觀測站，<br/> 基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值，而算出前述中心觀測站之預測觀測值，<br/> 算出前述預測觀測值、與前述中心觀測站之實測值之推定誤差，<br/> 基於前述推定誤差，而判定前述中心觀測站之前述實測值是否為異常。
如請求項1之異常檢測裝置，其進一步具備記憶部，該記憶部儲存第1距離之資訊、及第2距離之資訊；且<br/> 基於與前述中心觀測站相隔之距離，而自前述複數個觀測站中選擇前述複數個周邊觀測站，包含自與前述中心觀測站相隔之距離為前述第1距離以上、且為前述第2距離以下之區域中選擇前述複數個周邊觀測站。
如請求項2之異常檢測裝置，其中前述記憶部進一步儲存第3距離之資訊；且<br/> 基於與前述中心觀測站相隔之距離，而自前述複數個觀測站中選擇前述複數個周邊觀測站，包含：<br/> 將前述周邊觀測站各者判定為假想重物；<br/> 算出所選擇之前述複數個周邊觀測站之重物之重心之位置；及<br/> 以自前述中心觀測站至前述重心之距離為前述第3距離以下之方式，選擇前述複數個周邊觀測站。
如請求項1至3中任一項之異常檢測裝置，其中基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值，包含：基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值之平均值，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值。
如請求項1至3中任一項之異常檢測裝置，其中基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值，包含：基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值之中位數，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值。
如請求項1至3中任一項之異常檢測裝置，其中選擇前述中心觀測站，包含：選擇前述複數個觀測站中所含之觀測站各者作為前述中心觀測站；且<br/> 算出前述推定誤差，包含：重複算出選擇前述觀測站各者作為前述中心觀測站之情形之前述推定誤差。
如請求項6之異常檢測裝置，其中基於前述推定誤差，而判定前述中心觀測站之前述實測值是否為異常，包含：<br/> 算出前述中心觀測站之前述推定誤差、與位於前述中心觀測站之周邊之複數個前述觀測站之前述推定誤差之相關值；及<br/> 基於前述相關值為預設之臨限值以上，而判定為前述中心觀測站之前述實測值為異常。
如請求項6之異常檢測裝置，其中基於前述推定誤差，而判定前述中心觀測站之前述實測值是否為異常，包含：<br/> 算出前述中心觀測站之前述推定誤差、與位於前述中心觀測站之周邊之複數個前述觀測站之前述推定誤差之相關值；<br/> 算出前述中心觀測站之前述相關值之中位數及標準偏差；<br/> 基於前述中位數及前述標準偏差，而算出表示前述中心觀測站之前述相關值及前述中位數之差異之程度之相對值；及<br/> 基於前述相對值為預設之臨限值以上，而判定為前述中心觀測站之前述實測值為異常。
如請求項1至3中任一項之異常檢測裝置，其進一步具備輸出警報之輸出部；且<br/> 前述輸出部基於前述中心觀測站之前述實測值被判定為異常，而輸出警報。
一種異常檢測方法，其係檢測電離圈之電子數之異常者，且包含下述步驟：<br/> 取得用於觀測電離圈之電子數之複數個觀測站各者之觀測值；<br/> 自前述複數個觀測站中選擇中心觀測站；<br/> 基於與前述中心觀測站相隔之距離，而自前述複數個觀測站中選擇複數個周邊觀測站；<br/> 基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值，而算出前述中心觀測站之預測觀測值；<br/> 算出前述預測觀測值、與前述中心觀測站之實測值之推定誤差；及<br/> 基於前述推定誤差，而判定前述中心觀測站之前述實測值是否為異常。
如請求項10之異常檢測方法，其中基於與前述中心觀測站相隔之距離，而自前述複數個觀測站中選擇前述複數個周邊觀測站之步驟，包含下述步驟：自與前述中心觀測站相隔之距離為第1距離以上、且為第2距離以下之區域中選擇前述複數個周邊觀測站。
如請求項11之異常檢測方法，其中基於與前述中心觀測站相隔之距離，而自前述複數個觀測站中選擇前述複數個周邊觀測站之步驟包含下述步驟：<br/> 將前述周邊觀測站各者判定為假想重物；<br/> 算出所選擇之前述複數個周邊觀測站之重物之重心之位置；及<br/> 以自前述中心觀測站至前述重心之距離為第3距離以下之方式，選擇前述複數個周邊觀測站。
如請求項10至12中任一項之異常檢測方法，其中基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值之步驟，包含下述步驟：基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值之平均值，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值。
如請求項10至12中任一項之異常檢測方法，其中基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值之步驟，包含下述步驟：基於前述複數個周邊觀測站各者之前述觀測值之中位數，而算出前述中心觀測站之前述預測觀測值。
如請求項10至12中任一項之異常檢測方法，其中選擇前述中心觀測站之步驟，包含下述步驟：選擇前述複數個觀測站中所含之觀測站各者作為前述中心觀測站；且<br/> 算出前述推定誤差之步驟，包含下述步驟：重複算出選擇前述觀測站各者作為前述中心觀測站之情形之前述推定誤差。
如請求項15之異常檢測方法，其中基於前述推定誤差，而判定前述中心觀測站之前述實測值是否為異常之步驟包含下述步驟：<br/> 算出前述中心觀測站之前述推定誤差、與位於前述中心觀測站之周邊之複數個前述觀測站之前述推定誤差之相關值；及<br/> 基於前述相關值為預設之臨限值以上，而判定為前述中心觀測站之前述實測值為異常。
如請求項15之異常檢測方法，其中基於前述推定誤差，而判定前述中心觀測站之前述實測值是否為異常之步驟包含下述步驟：<br/> 算出前述中心觀測站之前述推定誤差、與位於前述中心觀測站之周邊之複數個前述觀測站之前述推定誤差之相關值；<br/> 算出前述中心觀測站之前述相關值之中位數及標準偏差；<br/> 基於前述中位數及前述標準偏差，而算出表示前述中心觀測站之前述相關值及前述中位數之差異之程度之相對值；及<br/> 基於前述相對值為預設之臨限值以上，而判定為前述中心觀測站之前述實測值為異常。
如請求項10至12中任一項之異常檢測方法，其進一步包含下述步驟：基於前述中心觀測站之前述實測值被判定為異常，而輸出警報。
一種異常檢測程式，其用於使電腦執行請求項10至12中任一項之異常檢測方法。
一種影像感測器，包括： <br/>像素隔離結構，安置於半導體基底上，所述像素隔離結構界定多個像素區； <br/>所述半導體基底的光電轉換區，安置於所述多個像素區中的每一者上； <br/>所述半導體基底的浮動擴散區，與所述光電轉換區間隔開； <br/>轉移閘極，安置於所述多個像素區中的每一者上的所述光電轉換區與所述浮動擴散區之間； <br/>介電層，安置於所述半導體基底上且覆蓋所述轉移閘極； <br/>多個主動圖案，彼此間隔開且安置於所述介電層的頂表面上；以及 <br/>多個像素電晶體，安置於所述多個主動圖案的對應主動圖案上， <br/>其中所述多個主動圖案中的至少一者與所述光電轉換區重疊。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述轉移閘極垂直地穿過所述半導體基底的一部分且具有在低於所述半導體基底的頂表面的水平處的底表面。
如請求項1所述的影像感測器，其中 <br/>所述浮動擴散區與所述光電轉換區垂直地間隔開且重疊，且 <br/>所述轉移閘極具有圍繞所述浮動擴散區的環形形狀。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述多個像素電晶體中的每一者包含： <br/>像素閘極，橫跨所述多個主動圖案；以及 <br/>多個源極/汲極區，在所述像素閘極的相對側上的所述多個主動圖案中。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述多個主動圖案中的每一者包含： <br/>水平部分，在所述介電層上；以及 <br/>柱狀部分，在垂直方向上自所述水平部分突出至所述半導體基底的頂表面， <br/>其中所述多個像素電晶體中的每一者包含： <br/>像素閘極，圍繞所述多個主動圖案中的主動圖案的所述柱狀部分的一部分；以及 <br/>多個源極/汲極區，在所述垂直方向上彼此間隔開的所述多個主動圖案中。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述多個像素電晶體中的每一者包含： <br/>像素閘極，圍繞所述多個主動圖案中的每一者的相對側壁及頂表面；以及 <br/>多個源極/汲極區，在所述像素閘極的相對側上的所述多個主動圖案中。
如請求項1所述的影像感測器，其中 <br/>所述多個像素區包含第一像素區、第二像素區、第三像素區以及第四像素區，且 <br/>所述浮動擴散區在所述第一像素區、所述第二像素區、所述第三像素區以及所述第四像素區的所述光電轉換區之間共用。
如請求項7所述的影像感測器，其中所述像素隔離結構包含： <br/>多個第一部分，在第一方向上延伸且彼此間隔開；以及 <br/>多個第二部分，在第二方向上延伸且彼此間隔開，所述第二方向與所述第一方向相交， <br/>其中所述多個第一部分中的至少一者及所述多個第二部分中的至少一者與所述浮動擴散區間隔開。
如請求項1所述的影像感測器，其中 <br/>所述多個主動圖案在所述介電層上彼此間隔開，且 <br/>所述影像感測器更包括在所述多個主動圖案中的相鄰主動圖案之間的內埋介電層。
如請求項1所述的影像感測器，更包括： <br/>多個第一接觸插塞，耦接至所述多個像素電晶體；以及 <br/>多個第二接觸插塞，與所述多個主動圖案間隔開且穿過所述介電層，所述第二接觸插塞耦接至所述轉移閘極及所述浮動擴散區。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述多個像素電晶體包含重置電晶體、雙轉換增益電晶體、源極隨耦器電晶體以及選擇電晶體。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述介電層包含： <br/>第一介電層，覆蓋所述轉移閘極；以及 <br/>第二介電層，安置於所述多個主動圖案中的主動圖案與所述第一介電層之間，所述第二介電層耦接至所述第一介電層。
一種影像感測器，包括： <br/>光電轉換電路層，包含在第一半導體基底中且界定像素區的像素隔離結構、安置於所述像素區上的光電轉換區、在所述第一半導體基底中且與所述光電轉換區間隔開的浮動擴散區以及安置於所述光電轉換區與所述浮動擴散區之間的所述第一半導體基底上的轉移閘極； <br/>像素電路層，包含安置於介電層上的多個主動圖案及安置於所述主動圖案上的多個像素電晶體，所述主動圖案中的至少一者與所述光電轉換區重疊，且所述像素電晶體中的至少一者連接至所述浮動擴散區；以及 <br/>邏輯電路層，包含安置於第二半導體基底上且連接至所述像素電晶體的多個邏輯電路， <br/>其中所述像素電路層的底表面接合至所述光電轉換電路層的頂表面，且 <br/>其中所述像素電路層的頂表面接合至所述邏輯電路層的頂表面。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述介電層安置於所述主動圖案與所述轉移閘極之間。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述光電轉換電路層更包含安置於所述第一半導體基底上且接合至所述像素電路層的所述介電層的第一介電層，所述第一介電層覆蓋所述轉移閘極。
如請求項13所述的影像感測器，更包括穿透所述第一半導體基底或所述第二半導體基底且將所述邏輯電路層連接至所述像素電路層的通孔。
如請求項13所述的影像感測器，其中 <br/>所述像素電路層更包含連接至所述像素電晶體的多個第一接合襯墊， <br/>所述邏輯電路層更包含連接至所述邏輯電路的多個第二接合襯墊，且 <br/>所述多個第一接合襯墊與所述多個第二接合襯墊接觸。
如請求項13所述的影像感測器，其中所述像素電晶體包含重置電晶體、雙轉換增益電晶體、源極隨耦器電晶體及/或選擇電晶體。
如請求項13所述的影像感測器，更包括： <br/>多個第一接觸插塞，耦接至所述像素電晶體；以及 <br/>多個第二接觸插塞，與所述主動圖案間隔開，所述多個第二接觸插塞穿過所述介電層且耦接至所述轉移閘極及所述浮動擴散區。
一種影像感測器，包括： <br/>像素隔離結構，界定半導體基底上的第一像素區、第二像素區、第三像素區以及第四像素區； <br/>第一光電轉換區、第二光電轉換區、第三光電轉換區以及第四光電轉換區，在所述半導體基底中且分別安置於所述第一像素區、所述第二像素區、所述第三像素區以及所述第四像素區上； <br/>浮動擴散區，在所述半導體基底中且與所述第一光電轉換區、所述第二光電轉換區、所述第三光電轉換區以及所述第四光電轉換區間隔開； <br/>第一轉移閘極、第二轉移閘極、第三轉移閘極以及第四轉移閘極，安置於所述第一像素區、所述第二像素區、所述第三像素區以及所述第四像素區上且分別安置於所述浮動擴散區與所述第一光電轉換區、所述第二光電轉換區、所述第三光電轉換區以及所述第四光電轉換區之間，所述第一轉移閘極、所述第二轉移閘極、所述第三轉移閘極以及所述第四轉移閘極中的每一者具有在低於所述半導體基底的頂表面的水平處的底表面； <br/>第一介電層，安置於所述半導體基底上且覆蓋所述第一轉移閘極、所述第二轉移閘極、所述第三轉移閘極以及所述第四轉移閘極； <br/>第二介電層，接合至所述第一介電層的頂表面； <br/>多個主動圖案，在所述第二介電層上彼此間隔開，所述多個主動圖案中的至少一者與所述第一光電轉換區、所述第二光電轉換區、所述第三光電轉換區與所述第四光電轉換區中的至少一者重疊； <br/>多個像素電晶體，在所述多個主動圖案的對應主動圖案上，所述多個像素電晶體包含重置電晶體、雙轉換增益電晶體、源極隨耦器電晶體以及選擇電晶體； <br/>多個第一接觸插塞，耦接至所述多個像素電晶體；以及 <br/>多個第二接觸插塞，與所述多個主動圖案間隔開且穿過所述第一介電層及所述第二介電層，所述多個第二接觸插塞耦接至所述第一轉移閘極、所述第二轉移閘極、所述第三轉移閘極以及所述第四轉移閘極以及所述浮動擴散區。
一種六方晶氮化硼粉末，係以水作為吸附種而測定出的BET比表面積(S<sub>W</sub>)、與以氮作為吸附種而測定出的BET比表面積(S<sub>N</sub>)之比(S<sub>W</sub>/S<sub>N</sub>)為0.07以下者。
如請求項1所述之六方晶氮化硼粉末，其係硼溶析量40ppm以下、鈉溶析量1ppm以下、鈣溶析量50ppm以下者。
如請求項1或2所述之六方晶氮化硼粉末，其係平均粒徑為1至150μm，且以氮作為吸附種而測定出的BET比表面積(S<sub>N</sub>)為15m<sup>2</sup>/g以下者。
一種樹脂組成物，係包含請求項1至3中任一項所述之六方晶氮化硼粉末及樹脂。
如請求項4所述之樹脂組成物，其中，前述樹脂組成物為散熱材用。
一種六方晶氮化硼粉末之製造方法，係包含下列步驟：使硼溶析量為60ppm以下之粗六方晶氮化硼粉末在露點溫度-85℃以下之氮環境下並在1300℃以上、2200℃以下進行加熱處理。
一種附相位差層之偏光板，其具有： <br/>偏光板，其包括偏光元件及於該偏光元件之至少一側之保護層；第1相位差層，其配置於該偏光板之與視認側之相反側；及第2相位差層，其經由接著劑層貼合於該第1相位差層之與該偏光板之相反側；且 <br/>該第1相位差層係除C板以外之相位差層，該第2相位差層係C板， <br/>該接著劑層包含活性能量線硬化型接著劑，該接著劑之硬化收縮率為5%以上。
一種附相位差層之偏光板，其具有： <br/>偏光板，其包括偏光元件及於該偏光元件之至少一側之保護層；第1相位差層，其配置於該偏光板之與視認側之相反側；及第2相位差層，其經由接著劑層貼合於該第1相位差層之與該偏光板之相反側；且 <br/>該第1相位差層係除C板以外之相位差層，該第2相位差層係C板， <br/>該第1相位差層與該第2相位差層之積層體經退火處理。
如請求項1或2之附相位差層之偏光板， <br/>其中上述第1相位差層顯示nx＞ny≧nz之折射率特性，Re(550)為100 nm～200 nm，且滿足Re(450)＜Re(550)之關係，且 <br/>上述第2相位差層顯示nz＞nx=ny之折射率特性， <br/>此處，Re(450)及Re(550)分別為於23℃下以波長450 nm及550 nm之光測定所得之面內相位差。
如請求項3之附相位差層之偏光板，其中上述第1相位差層及上述第2相位差層係液晶化合物之配向固化層。
一種製造方法，其係如請求項1之附相位差層之偏光板之製造方法，且包括： <br/>於第1基材形成上述第1相位差層； <br/>於第2基材形成上述第2相位差層；及 <br/>經由活性能量線硬化型接著劑，將該第1基材及該第1相位差層之積層體之該第1相位差層與該第2基材及該第2相位差層之積層體之該第2相位差層進行貼合，而形成中間積層體； <br/>該活性能量線硬化型接著劑之硬化收縮率為5%以上。
如請求項5之製造方法，其中包括，當形成上述中間積層體時使上述第1相位差層之Re(550)增加0.5 nm以上。
一種製造方法， <br/>其係如請求項2之附相位差層之偏光板之製造方法，且包括： <br/>於第1基材形成上述第1相位差層； <br/>於第2基材形成上述第2相位差層； <br/>經由活性能量線硬化型接著劑，將該第1基材及該第1相位差層之積層體之該第1相位差層與該第2基材及該第2相位差層之積層體之該第2相位差層進行貼合，而形成中間積層體；及 <br/>對該中間積層體進行退火處理。
如請求項7之製造方法，其中上述退火處理之處理溫度為80℃以上，處理時間為1分鐘以上。
如請求項7或8之製造方法，其包括藉由上述退火處理使上述第1相位差層之Re(550)增加0.5 nm以上。
一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1至4中任一項之附相位差層之偏光板。
一種LC介質，其包含＞0重量%且≤0.02重量%之濃度之一或多種式I化合物 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="207px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中該等個別基團彼此獨立地且每次出現時相同或不同地具有下列含義 <br/>P CW=CH-CO-O-， <br/>W H、F、Cl、CF<sub>3</sub>或具有1至5個C原子之烷基， <br/>Sp<sup>1</sup>，Sp<sup>2</sup>，Sp<sup>3</sup> 間隔基團或單鍵，該間隔基團係選自由-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-O-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-O-CO-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>及-CO-O-(CH)<sub>2</sub>-組成之群，其中該O原子或該CO基團連接至苯環， <br/>L F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰CH<sub>2</sub>-基團視情況以使得O-及/或S-原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、CR<sup>0</sup>=CR<sup>00</sup>-、-C≡C-、<img align="absmiddle" height="16px" width="33px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="38px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="51px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>置換，且其中一或多個H原子各視情況經P-Sp-、F或Cl置換，其中Sp具有如Sp<sup>1</sup>、Sp<sup>2</sup>或Sp<sup>3</sup>之意義， <br/>r、s 0、1、2、3或4， <br/>及另外包含一或多種式II化合物 <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="180px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中該等個別基團彼此獨立地且每次出現時相同或不同地具有下列含義 <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup> 具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰CH<sub>2</sub>-基團視情況以使得O-及/或S-原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、CR<sup>0</sup>=CR<sup>00</sup>-、-C≡C-、<img align="absmiddle" height="16px" width="33px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="38px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="51px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>置換，且其中一或多個H原子各視情況經F或Cl置換， <br/>A<sup>1</sup>、A<sup>2</sup> 選自下列式之基團 <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="240px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="124px" width="246px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup> -CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CO-O-、-O-CO-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、-CF=CF-、-CH=CH-CH<sub>2</sub>O-或單鍵， <br/>L<sup>1</sup>、L<sup>2</sup>、L<sup>3</sup>、L<sup>4</sup> F、Cl、OCF<sub>3</sub>、CF<sub>3</sub>、CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>F或CHF<sub>2</sub>， <br/>Y H、F、Cl、CF<sub>3</sub>、CHF<sub>2</sub>或CH<sub>3</sub>， <br/>L<sup>C</sup> CH<sub>3</sub>或OCH<sub>3</sub>， <br/>a1 1或2， <br/>a2 0或1。
如請求項1之LC介質，其中於該等式I化合物中，P為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
如請求項1或2之LC介質，其中於該等式I化合物中，L表示F、Cl、CN或OCH<sub>3</sub>。
如請求項1之LC介質，其中於該等式I化合物中，至少一個基團Sp不同於單鍵。
如請求項1之LC介質，其中該等式I化合物選自下列子式： <br/><img align="absmiddle" height="292px" width="205px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="90px" width="205px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中P具有如請求項1或2之含義，且L具有如請求項3之含義，且Sp’具有如請求項1中給定之Sp之含義中之一者，惟不同於單鍵。
如請求項1之LC介質，其中該等式I化合物選自下列子式： <br/><img align="absmiddle" height="228px" width="249px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="403px" width="249px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之LC介質，其中其含有一或多種選自由式IIA、IIB、IIC及IID化合物組成之群之式II化合物 <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="206px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>2A</sup>及R<sup>2B </sup> 各彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF<sub>3</sub>單取代或至少經鹵素單取代，此外，其中此等基團中之一或多個CH<sub>2</sub>基團可以使得O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、<img align="absmiddle" height="16px" width="33px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="38px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="51px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-C≡C-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-OC-O-或-O-CO-置換， <br/>L<sup>1</sup>至L<sup>4</sup> 各彼此獨立地表示F、Cl、CF<sub>3</sub>或CHF<sub>2</sub>， <br/>Y 表示H、F、Cl、CF<sub>3</sub>、CHF<sub>2</sub>或CH<sub>3</sub>， <br/>Z<sup>2</sup>、Z<sup>2B</sup>及Z<sup>2D </sup>各彼此獨立地表示單鍵、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-COO-、-OCO-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、-CF=CF-、-CH=CHCH<sub>2</sub>O-， <br/>p 表示0、1或2，且 <br/>q 每次出現時，相同或不同地表示0或1。
如請求項1之LC介質，其中其另外包含一或多種式III化合物 <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="188px" file="ed10179.jpg" alt="ed10179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup> 各彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中此等基團中之一或多個CH<sub>2</sub>基團可各彼此獨立地以使得O原子彼此不直接連接之方式經<img align="absmiddle" height="16px" width="33px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="38px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="51px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="39px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-O-、-S-、-C≡C-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-OC-O-或-O-CO-置換，且此外，其中一或多個H原子可經鹵素置換， <br/>A<sup>3</sup> 每次出現時，彼此獨立地表示 <br/>a) 1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中一個或兩個非相鄰CH<sub>2</sub>基團可經-O-或-S-置換， <br/>b) 1,4-伸苯基，其中一個或兩個CH基團可經N置換，或 <br/>c)選自由以下組成之群之基團：螺[3.3]庚烷-2,6-二基、1,4-雙環[2.2.2]辛烯、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基， <br/>其中該等基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代， <br/>n 表示0、1或2， <br/>Z<sup>1</sup> 每次出現時，彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CH=CH-CH<sub>2</sub>O-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵， <br/>L<sup>11</sup>及L<sup>12 </sup>各彼此獨立地表示F、Cl、CF<sub>3</sub>或CHF<sub>2</sub>，且 <br/>W 表示O或S。
如請求項1之LC介質，其中其另外包含一或多種式IV化合物 <br/><img align="absmiddle" height="21px" width="179px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>41</sup> 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有2至7個C原子之未經取代之烯基，且 <br/>R<sup>42</sup> 表示具有1至7個C原子之未經取代之烷基或具有1至6個C原子之未經取代之烷氧基，或具有2至7個C原子之未經取代之烯基。
如請求項1之LC介質，其中其包含一或多種式IV-3化合物 <br/><img align="absmiddle" height="22px" width="189px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>「alkyl」 表示具有1至7個C原子之烷基，且 <br/>「alkenyl」 表示具有2至5個C原子之烯基。
如請求項1之LC介質，其中其另外包含一或多種式V化合物 <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="202px" file="ed10181.jpg" alt="ed10181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>51</sup>及R<sup>52</sup> 彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基，具有1至7個C原子之烷氧基，或具有2至7個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基， <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="44px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="45px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同地表示 <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="154px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>Z<sup>51</sup>、Z<sup>52 </sup>各彼此獨立地表示-CH<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，且 <br/>n 為1或2。
如請求項1之LC介質，其中其另外包含一或多種選自由穩定劑及對掌性摻雜劑組成之群之添加劑。
一種製備如請求項1至12中任一項之LC介質之方法，其包含將如請求項1至6中任一項中所定義之一或多種式I化合物與如請求項1或11中任一項中所定義之一或多種式II、III、IV及/或V化合物，及視情況與另外液晶化合物及/或添加劑混合之步驟。
一種LC顯示器，其包含如請求項1至12中任一項中所定義之LC介質。
如請求項14之LC顯示器，其為VA、IPS、FFS或UV2A模式之顯示器。
如請求項14或15之LC顯示器，其中其包含兩個基板，其中至少一者對光透明，在各基板上提供之一電極或在該等基板中之僅一者上提供之兩個電極，及位於該等基板之間之如請求項1至12中任一項中之LC介質之層。
一種產生用於織動動作之信號之裝置，其係產生用於藉由機器人使工具沿預設之作業路徑移動、且使該工具朝與該作業路徑交叉之方向搖動之織動動作之信號者，且具備： <br/>輸入受理部，其受理用以使上述機器人搖動上述工具之織動信號之參數之輸入； <br/>信號產生部，其產生具有上述輸入受理部所受理之上述參數的織動信號； <br/>參數取得部，其取得對上述信號產生部所產生之上述織動信號執行了用以去除高頻成分之濾波處理之該織動信號之上述參數，作為濾波處理後參數； <br/>條件判定部，其判定上述濾波處理後參數是否滿足預設之條件；及 <br/>參數調整部，其於上述條件判定部判定為不滿足上述條件之情形時，以滿足該條件之方式調整上述輸入受理部所受理之上述參數；且 <br/>上述信號產生部產生具有經上述參數調整部調整之上述參數的上述織動信號。
如請求項1之產生用於織動動作之信號之裝置，其中 <br/>上述條件判定部於上述濾波處理後參數為特定之容許範圍外之情形時，判定為不滿足上述條件； <br/>上述參數調整部以可使上述濾波處理後參數與上述輸入受理部所受理之上述參數一致之方式，調整該參數。
如請求項2之產生用於織動動作之信號之裝置，其中上述參數調整部以如下方式調整上述複數個參數，即，根據上述輸入受理部所受理之複數個上述參數之優先順序，使與該優先順序較高之第1上述參數對應之上述濾波處理後參數與該第1參數一致，另一方面，容許與上述優先順序較該第1參數低之第2上述參數對應之上述濾波處理後參數與該第2參數不同。
如請求項3之產生用於織動動作之信號之裝置，其中 <br/>上述輸入受理部進而受理上述優先順序之輸入； <br/>上述參數調整部根據上述輸入受理部所受理之上述優先順序，調整上述複數個參數。
如請求項1至4中任一項之產生用於織動動作之信號之裝置，其進而具備： <br/>動作取得部，其取得表示依照具有上述濾波處理後參數之上述織動信號使上述機器人執行上述織動動作時之該機器人之動作狀態的動作狀態參數；且 <br/>上述條件判定部於上述動作取得部取得之上述動作狀態參數超過特定容許值之情形時，判定為不滿足上述條件； <br/>上述參數調整部以上述動作狀態參數不超過上述容許值之方式，調整上述參數。
如請求項5之產生用於織動動作之信號之裝置，其中上述動作狀態參數包含上述機器人之速度、加速度、及躍度中之至少1者。
如請求項1至4中任一項之產生用於織動動作之信號之裝置，其中 <br/>上述參數包含以下至少1者： <br/>上述織動信號之振幅； <br/>上述織動信號之頻率； <br/>上述織動信號之相位；及 <br/>規定將工具維持在上述織動動作中之上述工具之搖動動作之端點之時間的端點停止時間。
一種控制裝置，其具備：如請求項1至7中任一項之產生用於織動動作之信號之裝置；且以使該裝置執行上述織動動作之方式控制上述機器人。
如請求項8之控制裝置，其進而具備： <br/>主動作指令產生部，其產生用以使上述機器人將上述工具朝上述作業路徑之方向移動之主動作指令； <br/>濾波器部，其對上述信號產生部產生之上述織動信號執行上述濾波處理；及 <br/>織動動作指令產生部，其藉由對上述主動作指令應用由上述濾波器部執行上述濾波處理後之上述織動信號，而產生用以使上述機器人執行上述織動動作之織動動作指令。
一種產生用於織動動作之信號之方法，其係產生用於藉由機器人使工具沿預設之作業路徑移動、且使該工具朝與該作業路徑交叉之方向搖動之織動動作之信號者，且 <br/>使處理器 <br/>受理用以使上述機器人搖動上述工具之織動信號之參數之輸入； <br/>產生具有所受理之上述參數的上述織動信號； <br/>取得對所產生之上述織動信號執行了用以去除高頻成分之濾波處理之該織動信號之上述參數，作為濾波處理後參數； <br/>判定上述濾波處理後參數是否滿足預設之條件； <br/>於判定為不滿足上述條件之情形時，以滿足該條件之方式調整所受理之上述參數； <br/>產生具有調整後之上述參數的上述織動信號。
一種轉移膜（10），具有包含一主結構漆（18）的一載體膜（12）及設置於該載體膜（12）上且可以自該載體膜（12）剝離的一轉移層（14），該轉移層（14）包含一表覆層（16），<br/> 其特徵在於，<br/> 該主結構漆（18）設置於該載體膜（12）朝向該轉移層（14）的一側且具有一複製的主結構，該主結構漆（18）具有可以被UV輻射固化的組分；及<br/> 該表覆層（16）包含一結構化部分，該結構化部分具有與該複製的主結構互補之一結構；<br/> 該轉移層（14）中設置於該表覆層（16）遠離該載體膜（12）的一側之各層具有該表覆層（16）的至少80%之延展度，該表覆層（16）係由聚合物形成，該聚合物單獨地或組合地選自：（a）聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚丙烯酸甲酯與聚偏二氟乙烯的共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯與聚偏二氟乙烯的共聚物 ；及/或（b）多元醇、聚氨酯（PU）、聚氨酯（PU）與多元醇的共聚物、聚氨酯（PU）與聚丙烯酸酯的共聚物。
如請求項1之轉移膜（10），其中，該主結構漆（18）及/或該表覆層（16）至少局部地具有一浮雕結構。
如請求項2之轉移膜（10），其中，該浮雕結構具有一設計及/或下列輪廓形狀中的一或數個：矩形輪廓、正弦形輪廓、鋸齒形輪廓、半球形輪廓或閃耀結構。
如請求項2或3之轉移膜（10），其中，該浮雕結構形成為或包含一啞光結構、一繞射結構、一折射結構及/或一巨觀結構。
如請求項2或3之轉移膜（10），其中，該浮雕結構包含一微結構。
如請求項2或3之轉移膜（10），其中，該浮雕結構包含一巨觀結構。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該載體膜（12）具有一載體層（20），該載體層（20）設置於該載體膜（12）遠離該轉移層（14）的一側。
如請求項7之轉移膜（10），其中，<br/> 該載體層（20）係由ABS、ABS/PC、PET、PC、PMMA、PE及/或PP所形成；及/或<br/> 該載體層（20）的層厚為介於5～100 µm之間。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該主結構漆（18）具有一結構深度介於0.2～30 µm之間。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該主結構漆（18）具有一熱塑性漆。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）係由長鏈聚合物所形成。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）具有耐化學性高的表面。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）具有一光澤度介於1～98之間。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）為透明的及/或具有一透射度至少為25%。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）具有一延展度至少為50%。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）具有一耐溫性高達250℃。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，<br/> 一剝離層（22）設置於該表覆層（16）及該主結構漆（18）之間；及/或<br/> 該表覆層（16）及/或該主結構漆（18）具有添加劑，該添加劑提供用於使該主結構漆（18）自該表覆層（16）剝離所必要的分離力。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該表覆層（16）及該複製的主結構之間存在該分離力，該分離力介於3～40 N/m之間。
如請求項1之轉移膜（10），其中，該轉移層（14）具有一中介層（24），該中介層（24）設置於該表覆層（16）遠離該載體膜（12）的一側。
如請求項1之轉移膜（10），其中，該中介層（26）設置於該載體膜（12）中的該主結構漆（18）及該載體層（20）之間。
如請求項19或20之轉移膜（10），其中，該轉移層（24）的該中介層及/或該載體膜（26）的該中介層具有組分，該組分單獨地或組合地選自：可交聯的丙烯酸酯、聚酯樹脂、醇酸樹脂及其改質物、胺基樹脂、醯胺基樹脂及酚醛樹脂。
如請求項19之轉移膜（10），其中，該轉移層的該中介層（24）具有一層厚介於0.1～10 µm之間。
如請求項1～3中任一項之轉移膜（10），其中，該轉移膜（10）具有至少一個裝飾層（28）、至少一個金屬化層（30）、至少一個複製層及/或至少一個黏著層或打底層（32）。
一種轉移膜（10）的製造方法，用以製造獲得如請求項1～23中任一項之轉移膜（10），<br/> 其特徵在於，<br/> 於該主結構漆（18）中設置或產生該複製的主結構；及<br/> 將該表覆層（16）施覆至該複製的主結構上，在該表覆層（16）中形成與該載體膜（12）的該複製的主結構互補之該結構。
如請求項24之方法，其中，該複製的主結構為一主浮雕結構。
如請求項24或25之方法，其中，<br/> 將該主結構漆（18）施覆至一載體層（20）上。
如請求項26之方法，其中，印刷形成該主結構漆（18）。
如請求項26之方法，其中，將該主結構漆（18）整面或部分地施覆至該載體層（20）上。
如請求項26之方法，其中，於該載體層（20）上未施覆有主結構漆（18）的區域中，至少局部地施覆另一漆（19）。
如請求項26之方法，其中，預處理該載體層（20），以改善該載體層（20）及該主結構漆（18）之間的附著力。
如請求項24或25之方法，其中，在製造該轉移膜（10）的過程中，使該主結構漆（18）交聯及/或固化。
如請求項24或25之方法，其中，<br/> 將其他的層施覆於該表覆層（16）上；及/或<br/> 於該載體層（20）上印刷一中介層（26）。
如請求項24或25之方法，其中，將至少一個金屬化層（30）施覆至該轉移層（14）上。
如請求項24或25之方法，其中，在製造該轉移膜（10）的過程中，使該表覆層（16）交聯及/或固化。
一種轉移膜（10）的用途，該轉移膜（10）係如請求項1～23中任一項之轉移膜（10）或根據如請求項24～34中任一項之方法所製成的轉移膜（10），係應用於嵌件成型法、IMD法、熱壓印法、層壓法及/或IML法的用途。
一種用於製造以轉移膜（10）的轉移層（14）裝飾之塑膠製品（50）或膜製品（40）的方法，該轉移膜（10）為如請求項1～23中任一項之轉移膜（10），包含下列一或數個步驟：<br/> 提供該轉移膜（10），<br/> 將該載體膜（12）連同該複製的主結構一起自該轉移膜（10）的該轉移層（14）剝離，<br/> 得到一經裝飾的塑膠製品（50）或一膜製品（40）。
如請求項36之方法，另包含以下步驟：將該轉移膜（10）設置於一射出成型模具中。
如請求項36之方法，另包含以下步驟：以一塑膠注模料（51）對該轉移膜（10）進行回注。
如請求項36～38中任一項之方法，另包含以下步驟：將該轉移膜（10）施覆至一基材（33）上。
如請求項36～38中任一項之方法，其中，該轉移膜（10）的該結構深度減最多30%。
如請求項36～38中任一項之方法，另包含以下步驟：對該轉移膜（10）的該轉移層（14）進行衝壓或雷射切割。
如請求項36～38中任一項之方法，另包含以下步驟：加熱該轉移膜（10）。
如請求項36～38中任一項之方法，另包含以下步驟：將該轉移膜（10）固定在該射出成型模具中。
如請求項39之方法，另包含以下步驟：將包含該基材（33）的該轉移膜（10）暫時儲存及/或捲起來。
如請求項36～38中任一項之方法，另包含以下步驟：使該轉移膜（10）變形。
一種硬化性組成物，其包含： <br/>(a)1分子中具有2個以上(甲基)丙烯醯基之活性能量線硬化性多官能單體100質量份、 <br/>(b)在包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈之僅單末端上隔著聚(氧伸烷基)基而具有活性能量線聚合性基，且重量平均分子量為1500至3500之全氟聚醚0.05質量份至2質量份，及 <br/>(c)因活性能量線而產生自由基之聚合起始劑1質量份至20質量份； <br/>前述包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈具有下述式[1]所示之構造， <br/>前述(b)全氟聚醚化合物為下述式[2]所示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="281px" width="1211px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[1]中，m為重複單位-(CF <sub>2</sub>CF <sub>2</sub>O)-之數，及n為重複單位-(CF <sub>2</sub>O)-之數，且滿足5≦(m+n)≦30，m及n係各自獨立表示0以上之整數，在具有兩者之重複單位之情況，該等重複單位係以嵌段鍵結、無規鍵結，或，嵌段鍵結及無規鍵結進行鍵結而成，q表示氧伸乙基之數且為2至20之整數； <br/><img align="absmiddle" height="319px" width="1379px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[2]中，m、n及q係與前述式[1]之定義為同義，A表示具有前述活性能量線聚合性基之下述式[A1]或式[A2]所示之末端基； <br/><img align="absmiddle" height="646px" width="803px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[A1]及式[A2]中，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>係各自獨立表示氫原子或甲基，＊表示與前述式[2]所示之化合物中之胺基甲酸酯鍵之鍵結處。
一種硬化性組成物，其包含： <br/>(a)1分子中具有2個以上(甲基)丙烯醯基之活性能量線硬化性多官能單體100質量份； <br/>(b)全氟聚醚0.05質量份至2質量份，該全氟聚醚為在包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈之僅單末端上具有與聚(氧伸烷基)基鍵結之羥基之數平均分子量為1500至3000之原料全氟聚醚，與具有與該羥基反應之官能基及活性能量線聚合性基之化合物的反應生成物；及 <br/>(c)因活性能量線而產生自由基之聚合起始劑1質量份至20質量份； <br/>前述包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈具有下述式[1]所示之構造， <br/>前述(b)全氟聚醚化合物為下述式[2]所示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="281px" width="1211px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[1]中，m為重複單位-(CF <sub>2</sub>CF <sub>2</sub>O)-之數，及n為重複單位-(CF <sub>2</sub>O)-之數，且滿足5≦(m+n)≦30，m及n係各自獨立表示0以上之整數，在具有兩者之重複單位之情況，該等重複單位係以嵌段鍵結、無規鍵結，或，嵌段鍵結及無規鍵結進行鍵結而成，q表示氧伸乙基之數且為2至20之整數； <br/><img align="absmiddle" height="319px" width="1379px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[2]中，m、n及q係與前述式[1]之定義為同義，A表示具有前述活性能量線聚合性基之下述式[A1]或式[A2]所示之末端基； <br/><img align="absmiddle" height="646px" width="803px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[A1]及式[A2]中，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>係各自獨立表示氫原子或甲基，＊表示與前述式[2]所示之化合物中之胺基甲酸酯鍵之鍵結處。
如請求項2之硬化性組成物，其中前述(b)全氟聚醚之重量平均分子量為1500至3500者。
如請求項1至請求項3中任一項之硬化性組成物，其中前述式[1]中，m及n係各自獨立表示1以上之整數。
如請求項1至請求項3中任一項之硬化性組成物，其中更包含(d)溶劑。
一種硬化膜，其係由如請求項1至請求項5中任一項之硬化性組成物所得者。
一種硬塗覆薄膜，其係在薄膜基材之至少一側之面具有硬塗覆層，且該硬塗覆層係由如請求項6之硬化膜所構成。
如請求項7之硬塗覆薄膜，其中在前述薄膜基材之表面與前述硬塗覆層之間具有硬塗覆層之下層，且該薄膜基材為樹脂製薄膜。
如請求項7或請求項8之硬塗覆薄膜，其中前述硬塗覆層具有1μm至20μm之膜厚。
一種硬塗覆薄膜之製造方法，其包含： <br/>將如請求項1至請求項5中任一項之硬化性組成物塗佈於薄膜基材上而形成塗膜之步驟，及 <br/>對該塗膜照射活性能量線使其硬化而形成硬塗覆層之步驟。
一種硬塗覆薄膜之製造方法，其包含：將如請求項5之硬化性組成物塗佈於薄膜基材上而形成塗膜之步驟、藉由加熱而從該塗膜去除前述溶劑之步驟，及，對該塗膜照射活性能量線使其硬化而形成硬塗覆層之步驟。
如請求項10或請求項11之硬塗覆薄膜之製造方法，其中更包含：在前述薄膜基材之表面形成硬塗覆層之下層之步驟，其中該薄膜基材為樹脂製薄膜，且在該硬塗覆層之下層上形成前述塗膜。
一種全氟聚醚化合物，其係在包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈之僅單末端上隔著聚(氧伸烷基)基而具有前述活性能量線聚合性基，且重量平均分子量為1500至3500，其中 <br/>前述包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈具有下述式[1]所示之構造， <br/>前述全氟聚醚化合物為下述式[2]所示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="281px" width="1211px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[1]中，m為重複單位-(CF <sub>2</sub>CF <sub>2</sub>O)-之數，及n為重複單位-(CF <sub>2</sub>O)-之數，且滿足5≦(m+n)≦30，m及n係各自獨立表示0以上之整數，在具有兩者之重複單位之情況，該等重複單位係以嵌段鍵結、無規鍵結，或，嵌段鍵結及無規鍵結進行鍵結而成，q表示氧伸乙基之數且為2至20之整數； <br/><img align="absmiddle" height="319px" width="1379px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[2]中，m、n及q係與前述式[1]之定義為同義，A表示具有前述活性能量線聚合性基之下述式[A1]或式[A2]所示之末端基； <br/><img align="absmiddle" height="646px" width="803px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[A1]及式[A2]中，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>係各自獨立表示氫原子或甲基，＊表示與前述式[2]所示之化合物中之胺基甲酸酯鍵之鍵結處。
一種全氟聚醚化合物，其係在包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈之僅單末端上具有與聚(氧伸烷基)基鍵結之羥基之數平均分子量為1500至3000之原料全氟聚醚，與具有與該羥基反應之官能基及活性能量線聚合性基之化合物的反應生成物，其中 <br/>前述包含聚(氧全氟伸烷基)基之分子鏈具有下述式[1]所示之構造， <br/>前述全氟聚醚化合物為下述式[2]所示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="281px" width="1211px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[1]中，m為重複單位-(CF <sub>2</sub>CF <sub>2</sub>O)-之數，及n為重複單位-(CF <sub>2</sub>O)-之數，且滿足5≦(m+n)≦30，m及n係各自獨立表示0以上之整數，在具有兩者之重複單位之情況，該等重複單位係以嵌段鍵結、無規鍵結，或，嵌段鍵結及無規鍵結進行鍵結而成，q表示氧伸乙基之數且為2至20之整數； <br/><img align="absmiddle" height="319px" width="1379px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[2]中，m、n及q係與前述式[1]之定義為同義，A表示具有前述活性能量線聚合性基之下述式[A1]或式[A2]所示之末端基； <br/><img align="absmiddle" height="646px" width="803px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式[A1]及式[A2]中，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>係各自獨立表示氫原子或甲基，＊表示與前述式[2]所示之化合物中之胺基甲酸酯鍵之鍵結處。
如請求項14之全氟聚醚化合物，其係重量平均分子量為1500至3500。
如請求項13至請求項15中任一項之全氟聚醚化合物，其中前述式[1]中，m及n係各自獨立表示1以上之整數。
一種重塗機，係將經供給之粉末鋪設至粉末床，並具備：<br/> 主軸，係以相對於前述粉末床的表面平行的軸為中心而轉動；<br/> 移動機構，係使前述主軸沿著與前述主軸正交且與前述表面平行的移動方向移動；<br/> 粉末引導部，係沿著相對於前述移動方向預先設定的傾斜角度而設置於前述主軸的周圍；及<br/> 複數個筒狀的轉換部，複數個前述轉換部係於前述主軸的周圍及前述粉末引導部的內側沿著軸向連接；<br/> 前述粉末引導部係固定於前述轉換部的外周部。
如請求項1所記載之重塗機，其中前述粉末引導部係沿著距離前述主軸的中心預先設定的距離的圓周而具有前端部。
如請求項1所記載之重塗機，其中前述粉末引導部係於前述主軸的周圍形成為螺旋狀。
如請求項1至3中任一項所記載之重塗機，其中前述主軸係具有複數個前述粉末引導部，複數個前述粉末引導部係彼此平行鄰接而形成於前述主軸的周圍。
如請求項1至3中任一項所記載之重塗機，其中前述主軸係具有複數個前述粉末引導部，各個前述粉末引導部所具有的前述傾斜角度互不相同。
如請求項1所記載之重塗機，其中前述主軸係設定為複數個區域沿著軸向連接，並依每個前述區域而具有不同形狀的前述粉末引導部。
如請求項1所記載之重塗機，其中前述主軸係於軸向端部側具備第一粉末引導部且於比前述端部側還中央側具備第二粉末引導部，前述第一粉末引導部係具有第一傾斜角度，前述第二粉末引導部係具有小於前述第一傾斜角度的第二傾斜角度。
如請求項1所記載之重塗機，其中進一步具備整平板，前述整平板係配置於前述移動方向中的前述主軸的前方，前述整平板的主表面係朝向前述移動方向的前方，且前述整平板的一端部係與前述粉末床的前述表面平行接觸。
如請求項1所記載之重塗機，其中進一步具備壓粉輥，前述壓粉輥係與前述主軸平行地配置於前述移動方向中前述主軸的後方之圓柱狀構件，且與前述粉末床的前述表面平行接觸。
如請求項1所記載之重塗機，其中進一步具備壓粉板，前述壓粉板係配置於前述移動方向中的前述主軸的後方，並具有與前述粉末床的前述表面平行接觸之壓粉面。
一種粉末積層造形裝置，係至少具備：如請求項1所記載之重塗機；及<br/> 粉末床支撐部，係支撐前述重塗機所形成之前述粉末床。
一種電路基板，特徵在於：其係將形成有金屬層之絕緣基板透過耐熱性接著層予以積層的多層配線基板；<br/> 由無機材構成之前述絕緣基板中之第1絕緣基板為以下構成：形成有沿積層方向挖空的埋入部，且於前述埋入部內嵌有半導體元件；<br/> 該電路基板構成如下：前述半導體元件之外部電極係藉由充填於前述絕緣基板中之第2絕緣基板中的導電性糊料來連接。
如請求項1之電路基板，其中前述半導體元件為光器件，於前述第1絕緣基板上安裝有第1電子零件，並於前述第1絕緣基板上形成有光波導，前述第1電子零件與前述光器件連接，且前述光器件與前述光波導結合。
如請求項1之電路基板，其中前述無機材為玻璃，且前述接著層係由熱塑性樹脂構成。
如請求項1之電路基板，其中前述接著層中之至少接著前述第1絕緣基板之層形成為積層結構，密著於前述第1絕緣基板之第1層係由熱硬化性樹脂構成，且密著於前述第1層之第2層係由熱塑性樹脂構成。
如請求項2之電路基板，其構成如下：前述光器件具有第1外部電極與第2外部電極，前述第1外部電極連接於充填於前述絕緣基板中之第2絕緣基板中的導電性糊料，且前述第2外部電極連接於前述第1電子零件。
一種電子機器，具有如請求項1至5中任一項之電路基板。
一種電路基板之製造方法，特徵在於：係將形成有金屬層之絕緣基板透過耐熱性接著層予以積層來製造多層配線基板；<br/> 由無機材構成之前述絕緣基板中之第1絕緣基板形成有沿積層方向挖空的埋入部，且<br/> 在積層前述第1絕緣基板後，於前述埋入部內嵌半導體元件，並藉由充填於前述絕緣基板中之第2絕緣基板中的導電性糊料來連接前述半導體元件之外部電極。
如請求項7之電路基板之製造方法，其中前述半導體元件為光器件，於前述第1絕緣基板上形成光波導，將前述光器件與前述光波導結合，並且，於前述第1絕緣基板上安裝第1電子零件且連接前述第1電子零件與前述光器件。
如請求項7之電路基板之製造方法，其中前述無機材為玻璃，且前述接著層係由熱塑性樹脂構成。
如請求項7之電路基板之製造方法，其中前述接著層中之至少接著前述第1絕緣基板之層形成為積層結構，密著於前述第1絕緣基板之第1層係由熱硬化性樹脂構成，且密著於前述第1層之第2層係由熱塑性樹脂構成。
如請求項8之電路基板之製造方法，其中前述光器件具有第1外部電極與第2外部電極，將前述第1外部電極連接於充填於前述絕緣基板中之第2絕緣基板中的導電性糊料，且將前述第2外部電極連接於前述第1電子零件。
如請求項7至11中任一項之電路基板之製造方法，其係藉由蝕刻形成前述埋入部。
如請求項8之電路基板之製造方法，其係藉由圖案化或離子交換處理來形成前述光波導。
一種影像訊號處理器，包括： <br/>命令佇列電路，被配置成儲存多個命令且依序逐個提供所述多個命令，所述多個命令中的每一命令包括與多個影像單元中的每一影像單元對應的中斷控制值，所述多個命令是自控制處理器接收； <br/>影像處理引擎，被配置成接收所述多個影像單元且基於自所述命令佇列電路依序提供的所述多個命令依序處理所述多個影像單元；以及 <br/>中斷控制電路，被配置成自所述命令佇列電路接收所述中斷控制值，基於所述中斷控制值確定多個中斷事件訊號之中的一或多個輸出中斷事件訊號，且基於所述一或多個輸出中斷事件訊號產生中斷訊號。
如請求項1所述的影像訊號處理器，其中所述中斷控制電路被配置成基於所述每一命令中所包括的所述中斷控制值來針對所述每一影像單元確定所述一或多個輸出中斷事件訊號。
如請求項1所述的影像訊號處理器，其中所述中斷控制電路被配置成； <br/>基於所述中斷控制值確定所述多個中斷事件訊號之中的一或多個日誌中斷事件訊號；以及 <br/>儲存關於所述一或多個日誌中斷事件訊號的啟用的中斷日誌資訊，且 <br/>其中所述中斷控制電路被配置成在所述每一影像單元被處理成儲存與所述每一影像單元對應的單元中斷資訊時累積所述一或多個日誌中斷事件訊號的啟用。
如請求項3所述的影像訊號處理器，其中所述每一命令更包括指示所述每一影像單元的影像單元辨識符，且 <br/>其中所述中斷控制電路被配置成： <br/>自所述命令佇列電路接收所述影像單元辨識符；以及 <br/>儲存包括單元影像辨識符的所述單元中斷資訊。
如請求項1所述的影像訊號處理器，其中所述中斷控制電路包括： <br/>決策位元產生器，被配置成基於所述中斷控制值產生指示所述一或多個輸出中斷事件訊號的多個輸出決策位元； <br/>輸出中斷累積電路，被配置成基於所述多個中斷事件訊號及所述多個輸出決策位元來產生指示所述一或多個輸出中斷事件訊號的啟用的多個輸出狀態位元；以及 <br/>中斷產生器，被配置成基於所述多個輸出狀態位元產生所述中斷訊號。
如請求項5所述的影像訊號處理器，其中所述輸出中斷累積電路包括： <br/>輸出決策暫存器電路，被配置成儲存自所述決策位元產生器提供的所述多個輸出決策位元； <br/>輸出比較電路，被配置成藉由對各所述多個輸出決策位元與各所述多個中斷事件訊號進行比較來產生各所述多個輸出狀態位元；以及 <br/>輸出狀態暫存器電路，被配置成儲存所述多個輸出狀態位元。
如請求項5所述的影像訊號處理器，其中所述決策位元產生器被配置成基於所述中斷控制值進一步產生指示所述多個中斷事件訊號之中的一或多個日誌中斷事件訊號的多個日誌決策位元，且 <br/>其中所述中斷控制電路更包括： <br/>日誌中斷累積電路，被配置成基於所述多個中斷事件訊號及所述多個日誌決策位元來產生指示所述一或多個日誌中斷事件訊號的啟用的多個日誌狀態位元；以及 <br/>日誌儲存器，被配置成儲存包括所述多個日誌狀態位元的中斷日誌資訊。
如請求項7所述的影像訊號處理器，其中所述每一命令更包括指示所述每一影像單元的影像單元辨識符，且 <br/>其中所述日誌儲存器被配置成： <br/>自所述命令佇列電路接收所述影像單元辨識符；以及 <br/>針對所述每一影像單元儲存包括單元影像辨識符的單元中斷資訊。
如請求項7所述的影像訊號處理器，其中所述日誌中斷累積電路包括： <br/>日誌決策暫存器電路，被配置成儲存自所述決策位元產生器提供的所述多個日誌決策位元； <br/>日誌比較電路，被配置成藉由對各所述多個日誌決策位元與各所述多個中斷事件訊號進行比較來產生各所述多個日誌狀態位元；以及 <br/>日誌狀態暫存器電路，被配置成儲存所述多個日誌狀態位元。
一種影像處理系統，包括： <br/>控制處理器，被配置成基於中斷訊號產生多個命令且執行中斷服務常式，所述多個命令中的每一命令包括與多個影像單元中的每一影像單元對應的中斷控制值；以及 <br/>影像訊號處理器，被配置成處理所述多個影像單元且產生所述中斷訊號，所述影像訊號處理器包括： <br/>命令佇列電路，被配置成儲存所述多個命令且依序逐個提供所述多個命令，所述每一命令包括與所述每一影像單元對應的中斷控制值； <br/>影像處理引擎，被配置成接收所述多個影像單元且基於自所述命令佇列電路依序提供的所述多個命令依序處理所述多個影像單元；以及 <br/>中斷控制電路，被配置成自所述命令佇列電路接收所述中斷控制值，基於所述中斷控制值確定多個中斷事件訊號之中的一或多個輸出中斷事件訊號，且基於所述一或多個輸出中斷事件訊號產生所述中斷訊號。
一種電漿處理裝置，包含：<br/> 電漿處理室；<br/> 基板支持部，配置在該電漿處理室內；<br/> 環狀擋板，配置成包圍該基板支持部，並具有複數個開口；<br/> 第1無孔環狀平板，配置在該環狀擋板的下方，且固定於該電漿處理室的側壁；<br/> 第2無孔環狀平板，配置在該第1無孔環狀平板的下方，且具有環狀重疊部分，該環狀重疊部分，與該第1無孔環狀平板的一部分在縱方向上重疊，且在該第2無孔環狀平板與該基板支持部的側壁之間形成了環狀的間隙，該環狀的間隙具有1.0mm以下的寬度；<br/> 壓力檢出器，檢出該電漿處理室內的壓力；以及<br/> 至少1個致動器，根據該檢出壓力，令該第2無孔環狀平板在縱方向上移動，以改變該第1無孔環狀平板與該第2無孔環狀平板之間的距離。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，<br/> 該複數個開口，在俯視下被該第1無孔環狀平板與該第2無孔環狀平板的其中至少1個所遮蔽。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，<br/> 更包含：控制部，控制該至少1個致動器，以在該檢出壓力比設定壓力更高時令該距離加長，並在該檢出壓力比該設定壓力更低時令該距離縮短。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，<br/> 該第1無孔環狀平板與該環狀擋板之間的距離在40mm以上。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，<br/> 該環狀重疊部分，具有5～10mm的寬度。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，<br/> 該第1無孔環狀平板，具有第1寬度；<br/> 該第2無孔環狀平板，具有比該第1寬度更大的第2寬度。
一種電漿處理裝置，包含：<br/> 電漿處理室；<br/> 基板支持部，配置在該電漿處理室內；<br/> 環狀擋板，配置成包圍該基板支持部，並具有複數個開口；<br/> 第1無孔環狀平板，配置在該環狀擋板的下方，且固定於該基板支持部的側壁；<br/> 第2無孔環狀平板，配置在該第1無孔環狀平板的下方，且具有環狀重疊部分，該環狀重疊部分，與該第1無孔環狀平板的一部分在縱方向上重疊，且在該第2無孔環狀平板與該電漿處理室的側壁之間形成了環狀的間隙，該環狀的間隙具有1.0mm以下的寬度；<br/> 壓力檢出器，檢出該電漿處理室內的壓力；以及<br/> 至少1個致動器，根據該檢出壓力，令該第2無孔環狀平板在縱方向上移動，以改變該第1無孔環狀平板與該第2無孔環狀平板之間的距離。
如請求項7之電漿處理裝置，其中，<br/> 該複數個開口，在俯視下被該第1無孔環狀平板與該第2無孔環狀平板的其中至少1個所遮蔽。
如請求項7或8之電漿處理裝置，其中，<br/> 更包含：控制部，控制該至少1個致動器，以在該檢出壓力比設定壓力更高時令該距離加長，並在該檢出壓力比該設定壓力更低時令該距離縮短。
如請求項7或8之電漿處理裝置，其中，<br/> 該第1無孔環狀平板與該環狀擋板之間的距離在40mm以上。
如請求項7或8之電漿處理裝置，其中，<br/> 該環狀重疊部分，具有5～10mm的寬度。
如請求項7或8之電漿處理裝置，其中，<br/> 該第1無孔環狀平板，具有第1寬度；<br/> 該第2無孔環狀平板，具有比該第1寬度更大的第2寬度。
一種墨水套組，其係包含預處理墨水及水性墨水且用於將各墨水噴墨噴出至基材上之記錄方式者，而且 <br/>上述預處理墨水包含陽離子性化合物及與該陽離子性化合物不同之樹脂，該樹脂之至少一部分以樹脂乳液之形式存在， <br/>上述墨水套組所包含之各墨水之靜態表面張力滿足以下關係， <br/>預處理墨水之靜態表面張力S<sub>P</sub>＜水性墨水之靜態表面張力S<sub>C</sub>。
如請求項1之墨水套組，其進而包含外覆墨水，且 <br/>上述墨水套組所包含之各墨水之靜態表面張力滿足以下關係， <br/>外覆墨水之靜態表面張力S<sub>O</sub>≦預處理墨水之靜態表面張力S<sub>P</sub>＜水性墨水之靜態表面張力S<sub>C</sub>。
如請求項2之墨水套組，其中上述水性墨水之靜態表面張力S<sub>C</sub>與上述外覆墨水之靜態表面張力S<sub>O</sub>之差為0.6 mN/m以上。
如請求項1至3中任一項之墨水套組，其係用於以1途徑方式將各墨水噴墨噴出至基材上之記錄方式。
一種記錄方法，其係使用如請求項1至4中任一項之墨水套組之噴墨記錄方法，且 <br/>以1途徑方式將上述墨水套組所包含之各墨水噴墨噴出至基材上。
如請求項5之記錄方法，其中使於噴出上述墨水套組所包含之各墨水之噴出部之間不具備乾燥機構，而將各墨水噴墨噴出至基材上。
一種印刷物之製造方法，其係使用如請求項1至4中任一項之墨水套組者，而且 <br/>以1途徑方式將上述墨水套組所包含之各墨水噴墨噴出至基材上。
如請求項7之印刷物之製造方法，其中使於噴出上述墨水套組所包含之各墨水之噴出部之間不具備乾燥機構，而將各墨水噴墨噴出至基材上。
一種裝置，其係將包含預處理墨水及水性墨水且各墨水之靜態表面張力滿足以下關係之墨水套組噴出至基材上者，且以沿著上述基材之搬送方向的方式依序具備： <br/>噴出上述預處理墨水之預處理墨水噴出部、及 <br/>噴出上述水性墨水之水性墨水噴出部； <br/>上述預處理墨水包含陽離子性化合物及與該陽離子性化合物不同之樹脂，該樹脂之至少一部分以樹脂乳液之形式存在， <br/>預處理墨水之靜態表面張力S<sub>P</sub>＜水性墨水之靜態表面張力S<sub>C</sub>。
如請求項9之裝置，其於上述預處理墨水噴出部與上述水性墨水噴出部之間不具備乾燥機構。
一種裝置，其係噴出包含預處理墨水、水性墨水及外覆墨水且各墨水之靜態表面張力滿足以下關係之墨水套組者，且以沿著基材之搬送方向的方式依序具備：噴出上述預處理墨水之預處理墨水噴出部、 <br/>噴出上述水性墨水之水性墨水噴出部、及 <br/>將上述外覆墨水噴出至上述基材上之外覆墨水噴出部； <br/>上述預處理墨水包含陽離子性化合物及與該陽離子性化合物不同之樹脂，該樹脂之至少一部分以樹脂乳液之形式存在， <br/>外覆墨水之靜態表面張力S<sub>O</sub>≦預處理墨水之靜態表面張力S<sub>P</sub>＜水性墨水之靜態表面張力S<sub>C</sub>。
如請求項11之裝置，其於上述水性墨水噴出部與上述外覆墨水噴出部之間不具備乾燥機構。
如請求項11之裝置，其於上述預處理墨水噴出部與上述水性墨水噴出部之間不具備乾燥機構。
如請求項11之裝置，其於上述水性墨水噴出部與上述外覆墨水噴出部之間及上述預處理墨水噴出部與上述水性墨水噴出部之間不具備乾燥機構。
一種物品分類方法，是使沿著主搬送方向搬送來的物品，在規定的分配區域中，選擇性地沿著相對於前述主搬送方向而傾斜的傾斜搬送方向行進，藉此進行分類的物品分類方法，<br/> 前述物品分類方法具有以下特徵：<br/> 當要使用設置為在前述主搬送方向上移動並且在正交於前述主搬送方向的寬度方向上移動自如的物品橫推體，使前述物品沿著前述傾斜搬送方向行進的情況下，使前述物品橫推體在前述分配區域中在前述寬度方向上加速後慣性移動，使該慣性移動中的前述物品橫推體接觸前述物品。
如請求項1之物品分類方法，其使用沿著前述主搬送方向排列的複數個前述物品橫推體，<br/> 在要使前述物品沿著前述傾斜搬送方向行進的情況下，使複數個前述物品橫推體接觸1個前述物品。
如請求項1或2之物品分類方法，其是使用傾斜引導體，前述傾斜引導體具有隨著前述寬度方向中之從對應於前述分配區域的位置起算的分開距離變大而相對於前述主搬送方向的傾斜角度變大的部分，<br/> 在要使前述物品沿著前述傾斜搬送方向行進的情況下，藉由前述傾斜引導體，來引導已接觸前述物品後的前述物品橫推體之沿著前述傾斜搬送方向的行進。
如請求項1或2之物品分類方法，其中前述物品橫推體伴隨著支撐前述物品的物品支撐體之在前述主搬送方向上的移動，而在前述主搬送方向上移動。
一種物品分類裝置，具備：<br/> 物品支撐體，形成沿著主搬送方向移動的搬送面，且支撐已被載置於前述搬送面的物品；及<br/> 複數個物品橫推體，配置成沿著前述主搬送方向排列，各個前述物品橫推體是設置為相對於前述物品支撐體而在正交於前述主搬送方向的寬度方向上移動自如，<br/> 根據使前述物品在規定的分配區域中沿著前述主搬送方向直進、或者沿著相對於前述主搬送方向而傾斜的傾斜搬送方向行進，而使前述物品的行進路線分歧來進行分類，<br/> 前述物品分類裝置具有以下特徵：<br/> 在要使前述物品沿著前述傾斜搬送方向行進的情況下，使前述物品橫推體在前述分配區域中在前述寬度方向上加速後慣性移動，使該慣性移動中的前述物品橫推體接觸前述物品。
如請求項5之物品分類裝置，其更具備：<br/> 直進引導體，引導前述物品橫推體之沿著前述主搬送方向的直進移動；<br/> 傾斜引導體，引導前述物品橫推體之沿著相對於前述主搬送方向而傾斜的前述傾斜搬送方向的移動；及<br/> 分配機構，配置在前述直進引導體的引導路徑與前述傾斜引導體的引導路徑之分歧部，分配使前述物品橫推體沿著前述直進引導體直進或沿著前述傾斜引導體行進，<br/> 在前述分配機構要使前述物品橫推體沿著前述傾斜引導體行進的情況下，使前述物品橫推體在前述寬度方向上加速後慣性移動。
一種原子層沉積法用之薄膜形成用原料，其係含有下述一般式(1)表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="496px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>分別獨立表示具有直鏈或分枝之碳原子數1~4之烷基，A<sup>1</sup>表示具有直鏈或分枝之碳原子數1~5之伸烷基，x1表示0~2之整數，y1表示1~3之整數，M表示鋅原子；惟，排除A<sup>1</sup>表示直鏈之碳原子數3之伸烷基，x1為0，y1為2，且R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>為甲基之化合物)。
一種原子層沉積法用之薄膜形成用原料，其係含有下述一般式(1)表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="496px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>分別獨立表示具有直鏈或分枝之碳原子數1~4之烷基，A<sup>1</sup>表示具有直鏈或分枝之碳原子數1~5之伸烷基，x1表示0~2之整數，y1表示1~3之整數，M表示銦原子；惟，排除x1為2，y1為1，且R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>為甲基之化合物；排除A<sup>1</sup>表示直鏈之碳原子數3之伸烷基，x1為2，y1為1，R<sup>1</sup>表示具有直鏈或分枝之碳原子數1~3之烷基，且R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>為甲基或乙基之化合物)。
一種薄膜之製造方法，其係藉由原子層沉積法，於基體的表面製造含有銦原子之薄膜或含有鋅原子之薄膜之方法，其特徵為包含： <br/> 將使如請求項1或2之原子層沉積法用之薄膜形成用原料氣化之原料氣體，吸附在前述基體的表面，形成前驅體薄膜之步驟1、與 <br/> 排氣未反應的原料氣體之步驟2、與 <br/> 使前述前驅體薄膜與反應性氣體反應，於前述基體的表面形成含有銦原子之薄膜或含有鋅原子之薄膜之步驟3。
如請求項3之薄膜之製造方法，其中，前述反應性氣體為氧化性氣體，且前述含有銦原子之薄膜為氧化銦，或前述含有鋅原子之薄膜為氧化鋅。
如請求項4之薄膜之製造方法，其中，前述氧化性氣體為含有選自由水蒸氣、氧及臭氧所成之群組中之至少一種的氣體。
一種下述一般式(2)表示之鋅化合物， <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="445px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(2)中，R<sup>4</sup>表示甲基或乙基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>分別獨立表示具有直鏈或分枝之碳原子數2~4之烷基，A<sup>2</sup>表示具有直鏈或分枝之碳原子數1~4之伸烷基)。
一種用於降低眼部副作用的藥學組成物，該藥學組成物包含：<br/> 包含一種或多種脂質的脂質混合物；<br/> 一種達有效劑量的治療劑或其藥學上可接受的鹽類；及<br/> 一種包含玻尿酸的生物相容水凝膠，<br/> 其中，該玻尿酸的濃度在自0.01% (w/v)至0.75% (w/v)的範圍內；<br/> 其中，該藥學組成物的黏度於20°C下為15至 220 mPa·S；<br/> 其中，該治療劑是一抗血管新生劑或一抗發炎劑；以及<br/> 其中，該眼部副作用包含玻璃體混濁。
如請求項1的藥學組成物，其中該玻尿酸的分子量介於4 kDa至8000 kDa。
如請求項1的藥學組成物，其中該玻尿酸的濃度在自0.09% (w/v)至0.5% (w/v)的範圍內。
如請求項1的藥學組成物，其中該脂質混合物包含一種或多種選自由下列磷脂質所組成的群組：1,2-二油醯基-sn-丙三醇-3-磷脂醯膽鹼（DOPC）及二油醯基磷脂醯甘油（DOPG）。
如請求項4的藥學組成物，其中該脂質混合物進一步包含膽固醇。
如請求項1的藥學組成物，該藥學組成物的製備方法包含：<br/> 提供該脂質混合物和該治療劑於一懸浮液中；及<br/> 混合該懸浮液和一包含該生物相容水凝膠的溶液，<br/> 藉此形成一脂質奈米顆粒與該生物相容水凝膠的混合物。
如請求項1的藥學組成物，其中該抗血管新生劑是選自由貝伐單抗(bevacizumab)、蘭尼單抗(ranibizumab)、阿柏西普(aflibercept)、溴珠單抗(brolucizumab)和培加他尼(pegaptanib)所組成的群組。
如請求項1的藥學組成物，其中該抗發炎劑是選自由皮質酮(cortisone)、氫化皮質酮(hydrocortisone)、醋酸氫化皮質酮(hydrocortisone acetate)、二甲丙酸替柔皮質醇(tixocortol pivalate)、氟洛皮質醇(fluocinolone)、去氫皮質醇(prednisolone)、甲基培尼皮質醇(methylprednisolone)、強體松(prednisone)、丙酮特安皮質醇(triamcinolone acetonide)、特安皮質醇(triamcinolone)、莫米松(mometasone)、安西奈德(amcinonide)、布地奈德(budesonide)、地索奈德(desonide)、氟洛奈皮質醇(fluocinonide)、丙酮氟洛皮質醇(fluocinolone acetonide)、哈西奈德(halcinonide)、倍他米松(betamethasone)、倍他米松磷酸鈉(betamethasone sodium phosphate)、地塞米松(dexamethasone)、地塞米松磷酸鈉(dexamethasone sodium phosphate，DSP)、氟可龍(fluocortolone)、17-氫化可體松丁酸酯(hydrocortisone-17-butyrate)、17-氫化可體松戊酸酯(hydrocortisone-17-valerate)、二丙酸安氯皮質醇(aclometasone dipropionate)、戊酸倍他米松(betamethasone valerate)、二丙酸倍他米松(betamethasone dipropionate)、潑尼卡酯(prednicarbate)、17-可洛貝他松丁酸酯(clobetasone-17-butyrate)、17-可洛貝他索丙酸酯(clobetasol-17-propionate)、己酸氟可龍(fluocortolone caproate)、新戊酸氟可龍(fluocortolone pivalate)、醋酸氟潑尼汀(fluprednidene acetate)、二氟潑尼酯(difluprednate)、氯替波諾(loteprednol)、氟美皮質醇(fluorometholone)、甲羥松利美索龍(medrysone rimexolone)、貝可皮質醇(beclomethasone)、氯波諾醇(cloprednol)、可的伐唑(cortivazol)、 去氧皮質醇(deoxycortone)、二氟可的龍(difluorocortolone)、氟克諾龍(fluclorolone)、氟氫可的松(fludrocortisone)、氟米松(flumethasone)、氟尼縮松(flunisolide)、氟氫縮松(flurandrenolone)、甲潑尼松(meprednisone)和帕拉米松(paramethasone)所組成的群組。
如請求項1的藥學組成物，其中該一種或多種脂質的含量於每毫升藥學組成物中是介於2 μmol至200 μmol。
如請求項1的藥學組成物，其中該一種或多種脂質的含量於每毫升藥學組成物中是介於60 μmol至100 μmol。
如請求項1的藥學組成物，該藥學組成物包含的一種或多種脂質的濃度是50 mM至150 mM；該玻尿酸的濃度是0.05%至0.75% (w/v)；且其中該藥學組成物的黏度於37°C下為5至100 mPa·S。
一種如請求項1至11中任一項的藥學組成物用以製造用於減少對有需求之個體因玻璃體內投予該藥學組成物引起的玻璃體混濁之醫藥品的用途。
如請求項12的用途，其中該有需求之個體是承受了至少一種選自由下列病症所組成的群組：視網膜疾病(retinal diseases)、黃斑部病變(macular degeneration)、老年性黃斑部病變(age-related macular degeneration)、黃斑囊樣水腫(cystoid macular edema，CME)、糖尿病性黃斑病變(diabetic maculopathy)、增殖性糖尿病視網膜病變(proliferative diabetic retinopathy，PDR)、糖尿病性黃斑水腫(diabetic macular edema)、視網膜靜脈阻塞(retinal vein occlusions，RVO)、新生血管性青光眼(neovascular glaucoma，NVG)、視網膜血管瘤(retinal vascular tumors)、脈絡膜血管瘤(choroidal hemangiomas)、脈絡膜黑色素瘤(choroidal melanoma)、血管增生性眼部腫瘤(vasoproliferative ocular tumor)、虹膜黑色素瘤(Iris melanoma)、放射性視網膜病變(radiation retinopathy)、中心性漿液性脈絡膜視網膜病變(central serous chorioretinopathy，CSR)、早產兒視網膜病變(retinopathy of prematurity，ROP)、眼內炎(endophthalmitis)、葡萄膜炎(uveitis)及視網膜炎(retinitis)。
一種插座組件（110），其包含：<br/> 一電氣連接結構（112），其具有一絕緣體（130），該絕緣體具有一上表面（132）和一下表面（134），該絕緣體包括多個穿越其間的孔徑（136），該電氣連接結構包括多個主接點（124），其收容在多個對應孔徑中；以及多個輔助接點（126），其收容在多個對應孔徑中，該等主接點之每一者包括一主傳導性聚合物柱（152），其具有分別用於電氣連接第一與第二電子封裝（102、104）的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144），該等輔助接點之每一者包括一輔助傳導性聚合物柱（154），其具有分別用於電氣連接該等第一與第二電子封裝的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144）；<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有一第一形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有與該第一形狀不同的一第二形狀； <br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有一第三形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有與該第三形狀不同的一第四形狀；且<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱（152）之該等上接觸尖端（142）具有一圓形形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱（154）之該等上接觸尖端具有一非圓形形狀，且其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端（144）具有一圓形形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有一非圓形形狀。
如請求項1所述之插座組件（110），其中該等輔助傳導性聚合物柱（154）之該等上與下接觸尖端（142、144）具有一矩形狀。
如請求項1所述插座組件（110），其中該等輔助傳導性聚合物柱（154）之該等上與下接觸尖端（142、144）通常為環狀。
如請求項1所述之插座組件（110），其中該等主傳導性聚合物柱（152）之該等上接觸尖端（142）為具有一第一直徑的圓形，且該等輔助傳導性聚合物柱（154）之該等上接觸尖端為具有不同於該第一直徑的一第二直徑的圓形，且其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端（144）為具有一第三直徑的圓形，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端為具有不同於該第三直徑的第四直徑的圓形。
一種插座組件（110），其包含：<br/> 一電氣連接結構（112），其具有一絕緣體（130），該絕緣體具有一上表面（132）和一下表面（134），該絕緣體包括多個穿越其間的孔徑（136），該電氣連接結構包括多個主接點（124），其收容在多個對應孔徑中；以及多個輔助接點（126），其收容在多個對應孔徑中，該等主接點之每一者包括一主傳導性聚合物柱（152），其具有分別用於電氣連接第一與第二電子封裝（102、104）的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144），該等輔助接點之每一者包括一輔助傳導性聚合物柱（154），其具有分別用於電氣連接該等第一與第二電子封裝的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144）；<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有一第一形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有與該第一形狀不同的一第二形狀； <br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有一第三形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有與該第三形狀不同的一第四形狀；且<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱（152）之每一者包括一上部位（146），其在該上表面（132）與該等上接觸尖端（142）之間；以及一下部位（148），其在該下表面（134）與該等下接觸尖端（144）之間，該等上部位為截頭圓錐狀，該等下部位為截頭圓錐狀。
如請求項5所述之插座組件（110），其中該等輔助傳導性聚合物柱（154）之每一者包括一上部位（146），其在該上表面（132）與該等上接觸尖端（142）之間；以及一下部位（148），其在該下表面（134）與該等下接觸尖端（144）之間，該等上部位為截頭圓錐狀，該等下部位為截頭圓錐狀。
如請求項5所述之插座組件（110），其中該等輔助傳導性聚合物柱（154）之每一者包括一上部位（146），其在該上表面（132）與該等上接觸尖端（142）之間；以及一下部位（148），其在該下表面（134）與該等下接觸尖端（144）之間，該等上部位為平行管狀，該等下部位為梯形狀。
一種插座組件（110），其包含：<br/> 一電氣連接結構（112），其具有一絕緣體（130），該絕緣體具有一上表面（132）和一下表面（134），該絕緣體包括多個穿越其間的孔徑（136），該電氣連接結構包括多個主接點（124），其收容在多個對應孔徑中；以及多個輔助接點（126），其收容在多個對應孔徑中，該等主接點之每一者包括一主傳導性聚合物柱（152），其具有分別用於電氣連接第一與第二電子封裝（102、104）的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144），該等輔助接點之每一者包括一輔助傳導性聚合物柱（154），其具有分別用於電氣連接該等第一與第二電子封裝的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144）；<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有一第一形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有與該第一形狀不同的一第二形狀； <br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有一第三形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有與該第三形狀不同的一第四形狀；且<br/> 其中該等主與輔助傳導性聚合物柱（152、154）之該等上接觸尖端（142）通常為共面（coplanar），且其中該等主與輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端（144）通常為非共面。
一種插座組件（110），其包含：<br/> 一電氣連接結構（112），其具有一絕緣體（130），該絕緣體具有一上表面（132）和一下表面（134），該絕緣體包括多個穿越其間的孔徑（136），該電氣連接結構包括多個主接點（124），其收容在多個對應孔徑中；以及多個輔助接點（126），其收容在多個對應孔徑中，該等主接點之每一者包括一主傳導性聚合物柱（152），其具有分別用於電氣連接第一與第二電子封裝（102、104）的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144），該等輔助接點之每一者包括一輔助傳導性聚合物柱（154），其具有分別用於電氣連接該等第一與第二電子封裝的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144）；<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有一第一形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有與該第一形狀不同的一第二形狀； <br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有一第三形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有與該第三形狀不同的一第四形狀；且<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱（152）之該等上接觸尖端（142）具有一第一表面區域（180），且該等輔助傳導性聚合物柱（154）之該等上接觸尖端具有與該第一表面區域不同的一第二表面區域（182），且其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端（144）具有一第三表面區域（184），且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有與該第三表面區域不同的一第四表面區域（186）。
如請求項9所述之插座組件（110），其中該第二表面區域（182）為該第一表面區域（180）的至少兩倍，且該第四表面區域（186）為該第三表面區域（184）的至少兩倍。
如請求項1所述之插座組件（110），其中每個輔助傳導性聚合物柱（154）圍繞在該上表面（132）上方並在該下表面（134）下方兩者的該主傳導性聚合物柱（152）之至少一者，以將該所圍繞至少一主傳導性聚合物柱與至少一其他主傳導性聚合物柱隔離。
一種插座組件（110），其包含：<br/> 一電氣連接結構（112），其具有一絕緣體（130），該絕緣體具有一上表面（132）和一下表面（134），該絕緣體包括多個穿越其間的孔徑（136），該電氣連接結構包括多個主接點（124），其收容在多個對應孔徑中；以及多個輔助接點（126），其收容在多個對應孔徑中，該等主接點之每一者包括一主傳導性聚合物柱（152），其具有分別用於電氣連接第一與第二電子封裝（102、104）的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144），該等輔助接點之每一者包括一輔助傳導性聚合物柱（154），其具有分別用於電氣連接該等第一與第二電子封裝的多個上接觸尖端（142）和多個下接觸尖端（144）；<br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有一第一形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等上接觸尖端具有與該第一形狀不同的一第二形狀； <br/> 其中該等主傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有一第三形狀，且該等輔助傳導性聚合物柱之該等下接觸尖端具有與該第三形狀不同的一第四形狀；且<br/> 其更包含一插座框架（114），其耦合到該絕緣體（130），該插座框架具有一構造成相對於該電氣連接結構（112）以收容及定向該第一電子封裝（102）的插座開口（118）。
如請求項1所述之插座組件（110），其中該等輔助傳導性聚合物柱（154）為電氣共用，以針對該等主傳導性聚合物柱（152）提供屏蔽。
如請求項1所述之插座組件（110），其中該等輔助傳導性聚合物柱（154）具有大於該等主傳導性聚合物柱（152）的體積，該等輔助傳導性聚合物柱具有高於該等主傳導性聚合物柱的載流能力。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收從該無線通訊設備請求一基於觸發（TB）的實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）的一觸發訊框，該觸發訊框攜帶指示被分配用於該無線通訊設備的一音調數量（N）的資源元素（RU）分配資訊並且攜帶指示該N個音調被分配用於一連續傳輸還是一分散式傳輸的音調分佈資訊；<br/> 基於該N個音調被分配用於該連續傳輸還是該分散式傳輸，根據一第一音調計畫或一第二音調計畫來將該N個音調分別映射到與一無線通道相關聯的N個次載波索引，其中該第一音調計畫指示該無線通訊設備將該N個音調映射到一連續次載波索引集合，並且其中該第二音調計劃指示該無線通訊設備將該N個音調映射到非連續次載波索引；及<br/> 基於該N個音調到該N個次載波索引的該映射來在該無線通道上傳輸該TB PPDU。
根據請求項1之方法，其中該N個音調表示一或多個RU。
根據請求項2之方法，其中該一或多個RU之每一者RU是根據該第一音調計畫而被映射到一相應的連續次載波索引集合的。
根據請求項2之方法，其中該一或多個RU之每一者RU是根據該第二音調計畫而被映射到該非連續次載波索引的。
根據請求項1之方法，其中該RU分配資訊和該音調分佈資訊被攜帶在一使用者資訊欄位中，該使用者資訊欄位攜帶特定於該無線通訊設備的資訊。
根據請求項5之方法，其中該RU分配資訊是由該使用者資訊欄位的一RU分配子欄位的一值來指示的，並且該音調分佈資訊是由一分散式傳輸位元的一值來指示的。
根據請求項1之方法，其中該RU分配資訊被攜帶在一使用者資訊欄位中，並且該音調分佈資訊被攜帶在一共用資訊欄位或一特殊使用者資訊欄位中，該共用資訊欄位或該特殊使用者資訊欄位攜帶對於與該觸發訊框相關聯的每個使用者共同的資訊。
根據請求項7之方法，其中該RU分配資訊是由該使用者資訊欄位的一RU分配子欄位的一值來指示的，並且該音調分佈資訊是由一分散式傳輸位元的一值來指示的。
根據請求項7之方法，其中該RU分配資訊是由該使用者資訊欄位的一RU分配子欄位的一值來指示的，並且該音調分佈資訊包括一位元映像，該位元映像的每個位元指示該無線通道的一相應子通道被分配用於連續傳輸還是分散式傳輸。
根據請求項1之方法，其中該TB PPDU包括具有一通用信號欄位（U-SIG）的一實體層前序信號，該U-SIG攜帶指示該N個音調被分配用於該連續傳輸還是該分散式傳輸的分散式信號傳遞資訊。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊地耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼的至少一個記憶體，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時被配置為：<br/> 接收從該無線通訊設備請求一基於觸發（TB）的實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）的一觸發訊框，該觸發訊框攜帶指示被分配用於該無線通訊設備的一音調數量（N）的資源元素（RU）分配資訊並且攜帶指示該N個音調被分配用於一連續傳輸還是一分散式傳輸的音調分佈資訊；<br/> 基於該N個音調被分配用於該連續傳輸還是該分散式傳輸，根據一第一音調計畫或一第二音調計畫來將該N個音調分別映射到與一無線通道相關聯的N個次載波索引，其中該第一音調計畫指示該無線通訊設備將該N個音調映射到一連續次載波索引集合，並且其中該第二音調計劃指示該無線通訊設備將該N個音調映射到非連續次載波索引；及<br/> 基於該N個音調到該N個次載波索引的該映射來在該無線通道上傳輸該TB PPDU。
根據請求項11之無線通訊設備，其中該N個音調表示一或多個RU，該一或多個RU之每一者RU是根據該第一音調計畫而被映射到一相應的連續次載波索引集合的以及根據該第二音調計畫而被映射到該非連續次載波索引的。
根據請求項11之無線通訊設備，其中該RU分配資訊和該音調分佈資訊被攜帶在一使用者資訊欄位中，該使用者資訊欄位攜帶特定於該無線通訊設備的資訊。
根據請求項11之無線通訊設備，其中該RU分配資訊被攜帶在一使用者資訊欄位中，並且該音調分佈資訊被攜帶在一共用資訊欄位或一特殊使用者資訊欄位中，該共用資訊欄位或該特殊使用者資訊欄位攜帶對於與該觸發訊框相關聯的每個使用者共同的資訊。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收具有一實體層前序信號的一實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU），該實體層前序信號之後跟隨有一資料有效負荷，該實體層前序信號攜帶指示與該PPDU相關聯的一無線通道的一頻寬的頻寬資訊並且攜帶指示該PPDU是作為一連續傳輸還是一分散式傳輸來傳輸的分散式信號傳遞資訊；<br/> 基於該PPDU是作為該連續傳輸還是該分散式傳輸來傳輸的，根據一第一音調計畫或一第二音調計畫來分別從與該無線通道相關聯的一數量（N）的次載波索引解映射該PPDU，其中該PPDU是根據該第一音調計畫從一或多個連續次載波索引集合解映射的並且是根據該第二音調計畫從非連續次載波索引解映射的；及<br/> 基於該經解映射的PPDU來恢復該資料有效負荷。
根據請求項15之方法，其中該一或多個連續次載波索引集合之每一者連續次載波索引集合表示一相應的資源元素（RU）。
根據請求項15之方法，其中該分散式信號傳遞資訊是由一分散式信號傳遞位元的一值來指示的。
根據請求項15之方法，其中該分散式信號傳遞資訊包括一位元映像，該位元映像的每個位元指示該無線通道的一相應子通道是與連續傳輸還是分散式傳輸相關聯。
根據請求項15之方法，其中該分散式信號傳遞資訊被攜帶在一通用信號欄位（U-SIG）中，該U-SIG攜帶用於解釋該實體層前序信號的一或多個後續欄位的資訊。
根據請求項15之方法，其中該分散式信號傳遞資訊被攜帶在緊跟在該實體層前序信號中的一U-SIG之後的一非傳統信號欄位的一共用欄位中，該共用欄位攜帶對於與該PPDU相關聯的每個使用者共同的資訊。
根據請求項15之方法，其中該分散式信號傳遞資訊被攜帶在緊跟在該實體層前序信號中的一U-SIG之後的一非傳統信號欄位的一使用者欄位中，該使用者欄位攜帶特定於該無線通訊設備的資訊。
根據請求項15之方法，亦包括以下步驟：<br/> 傳輸請求該PPDU的一觸發訊框，該觸發訊框攜帶指示該無線通道被分配用於該連續傳輸還是該分散式傳輸的音調分佈資訊，該PPDU是回應於該觸發訊框而接收的。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊地耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼的至少一個記憶體，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器結合該至少一個數據機執行時被配置為：<br/> 接收具有一實體層前序信號的一實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU），該實體層前序信號之後跟隨有一資料有效負荷，該實體層前序信號攜帶指示與該PPDU相關聯的一無線通道的一頻寬的頻寬資訊並且攜帶指示該PPDU是作為一連續傳輸還是一分散式傳輸來傳輸的分散式信號傳遞資訊；<br/> 基於該PPDU是作為該連續傳輸還是該分散式傳輸來傳輸的，根據一第一音調計畫或一第二音調計畫來分別從與該無線通道相關聯的一數量（N）的次載波索引解映射該PPDU，其中該PPDU是根據該第一音調計畫從一或多個連續次載波索引集合解映射的並且是根據該第二音調計畫從非連續次載波索引解映射的；及<br/> 基於該經解映射的PPDU來恢復該資料有效負荷。
根據請求項23之無線通訊設備，其中該一或多個連續次載波索引集合之每一者連續次載波索引集合表示一相應的資源元素（RU）。
根據請求項23之無線通訊設備，其中該分散式信號傳遞資訊是由一分散式信號傳遞位元的一值來指示的。
根據請求項23之無線通訊設備，其中該分散式信號傳遞資訊包括一位元映像，該位元映像的每個位元指示該無線通道的一相應子通道是與連續傳輸還是分散式傳輸相關聯。
根據請求項23之無線通訊設備，其中該分散式信號傳遞資訊被攜帶在一通用信號欄位（U-SIG）中，該U-SIG攜帶用於解釋該實體層前序信號的一或多個後續欄位的資訊。
根據請求項23之無線通訊設備，其中該分散式信號傳遞資訊被攜帶在緊跟在該實體層前序信號中的一U-SIG之後的一非傳統信號欄位的一共用欄位中，該共用欄位攜帶對於與該PPDU相關聯的每個使用者共同的資訊。
根據請求項23之無線通訊設備，其中該分散式信號傳遞資訊被攜帶在緊跟在該實體層前序信號中的一U-SIG之後的一非傳統信號欄位的一使用者欄位中，該使用者欄位攜帶特定於該無線通訊設備的資訊。
一種用於由一發射器設備的一裝置執行的無線感測的方法，包括以下步驟：<br/> 對一接收器設備發送用於一無線通道上的一感測操作的探測參數，該等探測參數指示用於該接收器設備的一通道報告傳輸時間；<br/> 在該無線通道上向該接收器設備發送探測序列，該等探測序列被配置用於獲得該無線通道的一通道狀態資訊（CSI）；<br/> 在與該接收器設備的一通道報告相關聯的該無線通道上發送或接收一或多個非探測訊框；<br/> 發送從該接收器設備請求該通道報告的一訊框；及<br/> 從該接收器設備接收根據該通道報告傳輸時間來發送的該通道報告，該通道報告包括回應於至少該等探測序列的該無線通道的CSI。
如請求項1所述的方法，其中該一或多個非探測訊框包括由與該發射器設備或該接收器設備相關聯的一無線通訊設備在該無線通道上發送的訊框。
如請求項1所述的方法，其中該一或多個非探測訊框包括不標識該接收器設備的一觸發訊框、不標識該接收器設備的一輪詢訊框、一清除發送（CTS）訊框、一請求發送（RTS）觸發訊框、一緩衝器狀態請求輪詢（BSRP）觸發訊框、一頻寬查詢報告輪詢（BQRP）訊框、一服務品質（QoS）空訊框，或一認可（ACK）訊框。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 向該接收器設備發送對用於發送該等探測序列的發送參數的一指示，其中該通道報告進一步是回應於所指示的該等發送參數的。
如請求項4所述的方法，其中對該等發送參數的該指示是在一空資料封包通告（NDPA）中在該無線通道上發送的，該等探測序列是在一空資料封包（NDP）中在該無線通道上發送的，並且該NDPA指示由該發射器設備請求的一通道報告類型。
如請求項5所述的方法，其中該通道報告類型是以下各項中的一項：一經壓縮的波束成形報告（CBR）、包括未經壓縮CSI的一通道報告、包括根據所指示的該等發送參數進行正規化的CSI的一通道報告，或包括根據由該接收器設備用於接收該NDP的接收參數進行正規化的CSI的一通道報告。
如請求項5所述的方法，其中所指示的該通道報告類型包括利用指示以下各項中的一或多項的編碼參數進行編碼的CSI：用於該CSI的一最小量化級別、用於該CSI的一最大量化級別、要用於對該通道報告中的每一個正交分頻多工（OFDM）音調進行編碼的一指定位元數量、要在該通道報告中包括的OFDM音調的一子集、一頻寬分配、一資源元素（RU）分配、一音調封包值、一空間串流數量，或一或多個天線索引。
如請求項5所述的方法，其中該NDP、該訊框和該通道報告是在一相同的傳輸機會（TXOP）期間在該無線通道上發送的。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 對該接收器設備發送該無線通道上的該等探測參數，該等探測參數指示以下各項中的一或多項：該等探測序列和該訊框的相應傳輸之間的一最小時間段、該等探測序列和該訊框的相應傳輸之間的一最大時間段、該等探測序列和該通道報告的相應傳輸之間的一最小時間段、該等探測序列和該通道報告的相應傳輸之間的一最大時間段、針對該接收器設備將產生該通道報告的條件，或針對該接收器設備延遲對該通道報告的傳輸的條件。
如請求項9所述的方法，其中該等探測序列和該訊框的相應傳輸之間的該最小時間段與該等探測序列和該通道報告的相應傳輸之間的該最小時間段相同，並且該等探測序列和該訊框的相應傳輸之間的該最大時間段與該等探測序列和該通道報告的相應傳輸之間的該最大時間段相同。
如請求項9所述的方法，其中該等探測參數允許該接收器設備在該時間段期間發送回應於該等探測序列的空訊框，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 在該時間段期間從該接收器設備接收一或多個空訊框。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 一處理系統；及<br/> 一介面，其被配置為：<br/> 對一接收器設備輸出用於一無線通道上的一感測操作的探測參數，該等探測參數指示用於該接收器設備的一通道報告傳輸時間；<br/> 在該無線通道上向該接收器設備輸出探測序列，該等探測序列被配置用於獲得該無線通道的通道狀態資訊（CSI）；<br/> 在與該接收器設備的一通道報告相關聯的該無線通道上輸出或獲得一或多個非探測訊框；<br/> 輸出從該接收器設備請求該通道報告的一訊框；及<br/> 從該接收器設備獲得根據該通道報告傳輸時間來發送的該通道報告，該通道報告包括回應於至少該等探測序列的該無線通道的CSI。
如請求項12所述的無線通訊設備，其中該一或多個非探測訊框包括不標識該接收器設備的一觸發訊框、不標識該接收器設備的一輪詢訊框、一清除發送（CTS）訊框、一請求發送（RTS）觸發訊框、一緩衝器狀態請求輪詢（BSRP）觸發訊框、一頻寬查詢報告輪詢（BQRP）訊框、一服務品質（QoS）空訊框，或一認可（ACK）訊框。
如請求項12所述的無線通訊設備，其中該介面進一步被配置為：<br/> 向該接收器設備輸出對用於發送該等探測序列的發送參數的一指示，其中該通道報告進一步是回應於所指示的該等發送參數的。
如請求項14所述的無線通訊設備，其中對該等發送參數的該指示是在一空資料封包通告（NDPA）中在該無線通道上發送的，該等探測序列是在一空資料封包（NDP）中在該無線通道上發送的，並且該NDPA指示由該無線通訊設備請求的一通道報告類型。
一種用於由一發射器設備的一裝置執行的無線感測的方法，包括以下步驟：<br/> 對一接收器設備發送用於一無線通道上的一感測操作的探測參數，該等探測參數指示用於該接收器設備的一通道報告傳輸時間；<br/> 在該無線通道上向該接收器設備發送探測序列，該等探測序列被配置用於獲得該無線通道的通道狀態資訊（CSI）；及<br/> 從該接收器設備接收根據該通道報告傳輸時間發送的一通道報告，該通道報告包括回應於至少該等探測序列的該無線通道的CSI。
如請求項16所述的方法，其中該通道報告傳輸時間指示該接收器設備的一通道報告處理時間。
如請求項16所述的方法，其中該等探測序列是在一第一傳輸機會（TXOP）期間在該無線通道上發送的，並且該通道報告是在一第二TXOP期間在該無線通道上發送的。
如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 向該接收器設備發送對用於發送該等探測序列的該等發送參數的一指示，其中該通道報告進一步是回應於所指示的該等發送參數的。
如請求項19所述的方法，其中對該等發送參數的該指示是在一空資料封包通告（NDPA）中在該無線通道上發送的，該等探測序列是在一空資料封包（NDP）中在該無線通道上發送的，並且該NDPA指示由該發射器設備請求的一通道報告類型。
如請求項20所述的方法，其中該NDPA指示該接收器設備在產生該通道報告時是否將使用所指示的該等發送參數。
如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 在由該探測參數指示的一時間處向該接收器設備發送請求該通道報告的一訊框。
如請求項22所述的方法，其中對該NDP、該訊框和該通道報告的傳輸是在該無線通道上的一可用性訊窗中排程的。
如請求項16所述的方法，其中該等探測參數指示針對該接收器設備將產生該通道報告的條件或針對該接收器設備將延遲該通道報告傳輸的條件中的一或多項。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 一處理系統；及<br/> 一介面，其被配置為：<br/> 輸出用於在一無線通道上與一接收器設備的一感測操作的探測參數，該等探測參數指示用於該接收器設備的一通道報告傳輸時間；<br/> 在該無線通道上向該接收器設備輸出探測序列，該等探測序列被配置用於獲得該無線通道的通道狀態資訊（CSI）；及<br/> 從該接收器設備獲得根據該通道報告傳輸時間發送的一通道報告，該通道報告包括回應於至少該等探測序列的該無線通道的CSI。
如請求項25所述的無線通訊設備，其中該介面進一步被配置為：<br/> 輸出對用於在該無線通道上發送該等探測序列的發送參數的一指示，其中該通道報告進一步是回應於所指示的該等發送參數的。
如請求項26所述的無線通訊設備，其中對該等發送參數的該指示是在一空資料封包通告（NDPA）中在該無線通道上發送的，該等探測序列是在一空資料封包（NDP）中在該無線通道上發送的，並且該NDPA指示由該無線通訊設備請求的一通道報告類型。
如請求項27所述的無線通訊設備，其中該介面進一步被配置為：<br/> 在由該等探測參數指示的一時間處向該接收器設備輸出請求該通道報告的一訊框。
如請求項28所述的無線通訊設備，其中該NDP的輸出、該訊框的輸出和對該通道報告的傳輸是在該無線通道上的一可用性訊窗內排程的。
如請求項29所述的無線通訊設備，其中該可用性訊窗的一持續時間對應於該接收器設備的一通道報告處理時間。
一種組成物，其包含： <br/> 活性劑前藥，其包含： <br/> 1) 式KC-(Ⅲa)所示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="203px" width="415px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> 其中： <br/> X代表含酮型類鴉片之殘基，其中該酮之對應的烯醇基團的氫原子被連接至-C(O)-NR<sup>5</sup>-(C(R<sup>1</sup>)(R<sup>2</sup>))<sub>n</sub>-NR<sup>3</sup>R<sup>4</sup>之共價鍵取代； <br/> R<sup>5</sup>係選自烷基、經取代之烷基、芳烷基、經取代之芳烷基、芳基和經取代之芳基； <br/> 各R<sup>1</sup>係獨立選自氫、烷基、經取代之烷基、芳基、經取代之芳基、醯基和胺醯基； <br/> 各R<sup>2</sup>係獨立選自氫、烷基、經取代之烷基、芳基、經取代之芳基、醯基和胺醯基； <br/> 或者R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所接附之碳一起形成環烷基、經取代之環烷基、芳基、或經取代之芳基，或者在相鄰碳原子上的二個R<sup>2</sup>或R<sup>3</sup>基團與其所接附之碳原子一起形成環烷基、經取代之環烷基、芳基、或經取代之芳基； <br/> n為從2至4之整數； <br/> R<sup>3</sup>為氫或(1-4C)烷基； <br/> R<sup>4</sup>為<img align="absmiddle" height="144px" width="306px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/> 各R<sup>6</sup>係獨立選自氫、烷基、經取代之烷基、芳基、經取代之芳基、芳烷基、經取代之芳烷基、雜烷基、經取代之雜烷基、雜芳基、經取代之雜芳基、雜芳烷基和經取代之雜芳烷基，或者視需要地，R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>與其所鍵結之原子一起形成環雜烷基或經取代之環雜烷基環； <br/> 各W係獨立地為-NR<sup>8</sup>-、-O-或-S-； <br/> 各R<sup>8</sup>係獨立選自氫、烷基、經取代之烷基、芳基和經取代之芳基，或者視需要地，各R<sup>6</sup>和R<sup>8</sup>獨立地與其所鍵結之原子一起形成環雜烷基或經取代之環雜烷基環； <br/> p為從1至100之整數；且 <br/> R<sup>7</sup>係選自氫、烷基、經取代之烷基、醯基、經取代之醯基、烷氧羰基、經取代之烷氧羰基、芳基、經取代之芳基、芳烷基和經取代之芳烷基； <br/> 或鹽、水合物或溶劑化物；或 <br/> 2)式PC-(I)所示之化合物： <br/> X-C(O)-NR<sup>1</sup>-(C(R<sup>2</sup>)(R<sup>3</sup>))<sub>n</sub>-NH-C(O)-CH(R<sup>4</sup>)-NH(R<sup>5</sup>) (PC-(I)) <br/> 或其醫藥上可接受之鹽，其中： <br/> X代表酚型類鴉片之殘基，其中該酚羥基之氫原子被連接至-C(O)-NR<sup>1</sup>-(C(R<sup>2</sup>)(R<sup>3</sup>))<sub>n</sub>-NH-C(O)-CH(R<sup>4</sup>)-NH(R<sup>5</sup>)之共價鍵取代； <br/> R<sup>1</sup>代表(1-4C)烷基； <br/> R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自獨立地代表氫原子或(1-4C)烷基； <br/> n代表2或3； <br/> R<sup>4</sup>代表-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH(C=NH)NH<sub>2</sub>或 <br/>-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>，R<sup>4</sup>所接附之碳原子的構型對應於L-胺基酸中的構型；且 <br/> R<sup>5</sup>代表氫原子、N-醯基、或胺基酸、二肽或胺基酸或二肽之N-醯基衍生物之殘基；或 <br/> 3) 式AM-(I)所示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="241px" width="524px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中 <br/> R<sup>1</sup>係選自氫、烷基、經取代之烷基、芳基、經取代之芳基、芳烷基、經取代之芳烷基、雜烷基、經取代之雜烷基、雜芳基、經取代之雜芳基、雜芳烷基和經取代之雜芳烷基；且 <br/> R<sup>2</sup>為醯基、經取代之醯基、或肽之N-醯基衍生物； <br/> 或其鹽、水合物或溶劑化物；和 <br/> 口服組成物，其包含納法莫司他(nafamostat)或其醫藥上可接受之鹽，其中該組成物包含多種控釋型珠粒，各珠粒包含： <br/> 核心； <br/> 活性劑層，其包含納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽；和 <br/> 控釋層，其包含一或多種聚合物，該一或多種聚合物之配製量足以提供經控制釋放的該納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1之組成物，其中該核心包含纖維素聚合物、或二氧化矽、或選自由下列所組成之群組的糖：葡萄糖、蔗糖、乳糖、甘露糖醇、木糖醇和山梨糖醇。
如請求項1之組成物，其中該活性劑層進一步包含黏合劑。
如請求項1之組成物，其中該控釋層包含下列者之組合： <br/> 丙烯酸酯共聚物A，其包含聚(丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸氯三甲基銨乙酯)，每100 g聚合物包含50 mEq之季銨基團；和 <br/> 丙烯酸酯共聚物B，其包含聚(丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸氯三甲基銨乙酯)，每100g聚合物包含25 mEq之季銨基團。
如請求項4之組成物，其中該控釋層包含： <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：95重量%之丙烯酸酯共聚物B和5重量%之丙烯酸酯共聚物A； <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：93重量%之丙烯酸酯共聚物B和7重量%之丙烯酸酯共聚物A； <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：92重量%之丙烯酸酯共聚物B和8重量%之丙烯酸酯共聚物A； <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：90重量%之丙烯酸酯共聚物B和10重量%之丙烯酸酯共聚物A； <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：87重量%之丙烯酸酯共聚物B和13重量%之丙烯酸酯共聚物A； <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：80重量%之丙烯酸酯共聚物B和20重量%之丙烯酸酯共聚物A；或 <br/> 丙烯酸酯共聚物，其包含：70重量%之丙烯酸酯共聚物B和30重量%之丙烯酸酯共聚物A。
如請求項1之組成物，其中該控釋層中之該多種珠粒中的每一者之含量為5重量%至30重量%。
如請求項1之組成物，其中該活性劑層和該控釋層中一或多者進一步包含塑化劑。
如請求項1之組成物，其中該多種珠粒中的每一者包含5重量%至20重量%的納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1之組成物，其中該組成物包含多種控釋型珠粒，各珠粒包含： <br/> 微晶型纖維素核心； <br/> 活性劑層，其包含納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽和水溶性甲基纖維素聚合物；和 <br/> 控釋層，其包含： <br/> 第一聚合物，其包含聚(丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸氯三甲基銨乙酯)，每100 g聚合物含有50 mEq之季銨基團； <br/> 第二聚合物，其包含聚(丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸氯三甲基銨乙酯)，每100 g聚合物含有25 mEq之季銨基團； <br/> 檸檬酸三乙酯；及 <br/> 助滑劑，其係選自微粉化滑石粉和syloid， <br/> 其中該控釋層經配製以提供經控制釋放之納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項9之組成物，其中該控釋層經配製以提供在投予後6小時內釋放60%或更多之納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項9之組成物，其中該控釋層經配製以提供在第一預定期間以第一速率釋放納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽，隨後在第二預定期間以第二速率釋放納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項1之組成物，其進一步包含立即釋放型之納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽，其對個體提供立即釋放之納法莫司他或其醫藥上可接受之鹽。
一種如請求項1至12中任一項之組成物之用於製造供治療疼痛的藥物之用途。
一種基板支持部，包含：<br/> 基座；<br/> 第1流路，在該基座之中央部於該基座之底面開口；<br/> 第2流路，包圍該第1流路之周圍並在該基座之底面開口；<br/> 第3流路，與該第1流路連通，並從該基座之中央部朝向外周部配置；以及，<br/> 第4流路，與該第2流路連通，並從該基座之中央部朝向外周部配置，並在該基座之外周部與該第3流路連通；<br/> 於該第1流路與該第2流路之間，從該基座的底面向上方劃設第1隔熱空間。
如請求項1所述之基板支持部，其中，<br/> 該第1流路與該第2流路配置於同軸上。
如請求項1或2所述之基板支持部，其中，<br/> 分別配置複數之該第3流路及該第4流路，於複數之該第3流路之間形成將各個該第3流路分隔之複數之散熱片，於複數之該第4流路之間形成將各個該第4流路分隔之複數之散熱片，將各個該第3流路及各個該第4流路分隔之複數之該散熱片的剖面積係愈朝向該基座之外周部愈大。
如請求項1或2所述之基板支持部，其中，<br/> 於該第3流路與該第4流路之間劃設第2隔熱空間。
如請求項1或2所述之基板支持部，其中，<br/> 該第2流路之剖面積相對於該第1流路之剖面積的比值係0.8~1.2。
如請求項1或2所述之基板支持部，其中，<br/> 該第3流路之高度愈朝向該基座之外周部愈短。
如請求項1或2所述之基板支持部，其中，<br/> 在該第1流路、該第2流路、該第3流路及該第4流路中的至少任一流路內配置擴散構件。
如請求項7所述之基板支持部，其中，<br/> 該擴散構件具有凹部及/或凸部。
一種基板處理裝置，包含：<br/> 基板支持部；<br/> 該基板支持部包含：<br/> 基座；<br/> 第1流路，在該基座之中央部於該基座之底面開口；<br/> 第2流路，包圍該第1流路之周圍並在該基座之底面開口；<br/> 第3流路，與該第1流路連通，並從該基座之中央部朝向外周部配置；以及，<br/> 第4流路，與該第2流路連通，並從該基座之中央部朝向外周部配置，並在該基座之外周部與該第3流路連通；且<br/> 該基板支持部，於該第1流路與該第2流路之間，從該基座的底面向上方劃設第1隔熱空間。
如請求項9所述之基板處理裝置，其中，<br/> 該第1流路與該第2流路配置於同軸上。
如請求項9或10所述之基板處理裝置，其中，<br/> 分別配置複數之該第3流路及該第4流路，於複數之該第3流路之間形成將各個該第3流路分隔之複數之散熱片，於複數之該第4流路之間形成將各個該第4流路分隔之複數之散熱片，將各個該第3流路及各個該第4流路分隔之複數之該散熱片的剖面積係愈朝向該基座之外周部愈大。
如請求項9或10所述之基板處理裝置，其中，<br/> 於該第3流路與該第4流路之間劃設第2隔熱空間。
如請求項9或10所述之基板處理裝置，其中，<br/> 該第2流路之剖面積相對於該第1流路之剖面積的比值係0.8~1.2。
如請求項9或10所述之基板處理裝置，其中，<br/> 該第3流路之高度愈朝向該基座之外周部愈短。
如請求項9或10所述之基板處理裝置，其中，<br/> 在該第1流路、該第2流路、該第3流路及該第4流路中的至少任一流路內配置擴散構件。
如請求項15所述之基板處理裝置，其中，<br/> 該擴散構件具有凹部及/或凸部。
一種快速週邊元件互連(PCIe)裝置，包括：<br/> 複數個通路，包括複數個埠；以及<br/> 鏈路控制器，設置包括所述複數個通路的鏈路，其中所述鏈路被設置成具有包括除了所述複數個通路之中的故障通路之外的所有其餘通路的鏈路寬度，確定所述所有其餘通路的通路編號，以使所述通路編號依序地增大或減小，並且透過所述複數個埠向形成所述複數個通路的複數個其他埠提供所述所有其餘通路的所述通路編號，<br/> 其中所述複數個通路之中的所述故障通路具有無法與所述複數個通路之中的未發生故障的所述所有其餘通路形成所述鏈路的狀態。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中，所述鏈路控制器包括設置所述鏈路的鏈路訓練狀態機(LTSSM)。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中，當所述鏈路處於檢測狀態時，所述鏈路控制器透過與所述檢測狀態相對應的鏈路設置操作來檢測所述故障通路，並且對所述所有其餘通路執行與所述檢測狀態相對應的所述鏈路設置操作。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中，當所述鏈路處於輪詢狀態時，所述鏈路控制器透過與所述輪詢狀態相對應的鏈路設置操作來檢測所述故障通路，並且對所述所有其餘通路執行與所述輪詢狀態相對應的所述鏈路設置操作。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中，當所述鏈路處於配置狀態時，所述鏈路控制器對所述所有其餘通路執行與所述配置狀態相對應的鏈路設置操作。
如請求項5所述的PCIe裝置，其中，所述鏈路控制器分別確定處於所述配置狀態的所述鏈路的鏈路編號和所述所有其餘通路的所述通路編號。
如請求項6所述的PCIe裝置，其中，所述鏈路控制器透過通路編號協商操作來確定所述所有其餘通路的所述通路編號。
如請求項6所述的PCIe裝置，其中，所述鏈路控制器透過所述複數個埠向所述複數個其他埠提供所述鏈路編號。
如請求項8所述的PCIe裝置，其中，所述鏈路控制器透過使用訓練序列有序集將所述鏈路編號和所述所有其餘通路的所述通路編號提供到所述複數個其他埠。
一種計算系統：包括：<br/> 第一PCIe裝置，包括複數個下游埠；<br/> 第二PCIe裝置，包括複數個上游埠；以及<br/> 鏈路，包括複數個通路，所述複數個通路包括所述複數個下游埠和所述複數個上游埠，<br/> 其中所述第一PCIe裝置將所述鏈路設置成具有包括除了所述複數個通路之中的故障通路之外的所有其餘通路的鏈路寬度，確定所述所有其餘通路的通路編號，以使所述通路編號依序地增大或減小，並且透過所述複數個下游埠向所述複數個上游埠提供所述所有其餘通路的所述通路編號，<br/> 其中所述第二PCIe裝置接收所述所有其餘通路的所述通路編號，並且<br/> 其中所述故障通路具有所述故障通路無法與所述所有其餘通路形成所述鏈路的狀態。
如請求項10所述的計算系統，其中，所述第一PCIe裝置包括用於設置所述鏈路的鏈路訓練狀態機(LTSSM)。
如請求項10所述的計算系統，其中，當所述鏈路處於檢測狀態時，所述第一PCIe裝置透過與所述檢測狀態相對應的鏈路設置操作來檢測所述故障通路，並且對所述所有其餘通路執行與所述檢測狀態相對應的所述鏈路設置操作。
如請求項10所述的計算系統，其中，當所述鏈路處於輪詢狀態時，所述第一PCIe裝置透過與所述輪詢狀態相對應的鏈路設置操作來檢測所述故障通路，並且對所述所有其餘通路執行與所述輪詢狀態相對應的所述鏈路設置操作。
如請求項10所述的計算系統，其中，當所述鏈路處於配置狀態時，所述第一PCIe裝置對所述所有其餘通路執行與所述配置狀態相對應的鏈路設置操作。
如請求項14所述的計算系統，其中，所述第一PCIe裝置確定處於所述配置狀態的所述鏈路的鏈路編號和所述所有其餘通路的通路編號。
如請求項15所述的計算系統，其中，所述第一PCIe裝置透過通路編號協商操作來確定所述所有其餘通路的所述通路編號。
如請求項10所述的計算系統，<br/> 其中所述第二PCIe裝置接收所述鏈路編號。
如請求項17所述的計算系統，其中，所述第一PCIe裝置透過訓練序列有序集向所述複數個上游埠提供所述鏈路編號和所述所有其餘通路的所述通路編號。
一種用於在過濾裝置中使用的過濾匣(1)，該過濾裝置係用於過濾液體，該過濾匣(1)包括一外殼(2)及一過濾介質(3)，該過濾介質(3)設置於該外殼(2)內，該外殼(2)包括一入口(5)與一出口(6)，使得該液體的流體可通過該入口(5)進入該外殼(2)內，並接著在該液體流通過該出口(6)而離開該外殼(2)之前會通過位於該外殼(2)內的該過濾介質(3)，其特徵在於：該過濾匣(1)包括一蓋子(8)，該蓋子(8)係以於一啟動位置與一使用位置之間可位移的方式安裝於該外殼(2)上，在該啟動位置，該蓋子(8)形成一啟動隔間(10)，該啟動隔間(10)係流體連接至該外殼(2)的一啟動埠(19)，在該使用位置具有該啟動隔間(10)之經減小的體積，該蓋子(8)包括一啟動開口(11)及一使用開口(20)，以及其中該蓋子(8)可自該啟動位置位移至該使用位置，使得於該啟動位置，可經由該蓋子(8)的該啟動開口(11)使該蓋子(8)內側的該啟動隔間(10)充填液體，其中，該蓋子(8)的位移使該蓋子(8)的該啟動開口(11)關閉，並減少該啟動隔間(10)的體積，以迫使至少該流體(液體)的一部分從該啟動隔間(10)經過該啟動埠(19)而進入該外殼(2)，並接著通過該過濾介質(3)，直到該蓋子(8)位於該使用位置且接觸到該外殼(2)，使得該蓋子(8)的該使用開口(20)係與該外殼(2)的該入口(5)重疊，並允許流體(液體)通過該入口(5)而進到該外殼(2)，<br/> 其中，該過濾匣(1)包括一正向導引，用於導引該蓋子(8)相對於該外殼的位移。
如請求項1之過濾匣(1)，其中，該過濾匣(1)包括一正向維持器，以保持該蓋子(8)於該使用位置中。
如請求項1至2中任一項之過濾匣(1)，其中，該外殼(2)有一側表面(4)及一外殼端面(9)，該外殼端面(9)係面對著該蓋子(8)，該蓋子(8)在一側是關閉的且具有一側表面(12)，該側表面(12)係適於圍繞該外殼(2)的該側表面(4)，該蓋子(8)圍繞該外殼端面(9)及該外殼(2)的該側表面(4)的一部分。
如請求項3之過濾匣(1)，其中，該外殼(2)具有圓柱形形狀，該蓋子(8)具有中空圓柱形形狀，該蓋子(8)的該側表面(12)的一內徑等於或大於該外殼(2)的該側表面(4)的一外徑。
如請求項1之過濾匣(1)，其中，該正向導引包括一溝槽(13)，該溝槽(13)係位於該外殼(2)或該蓋子(8)之該側表面(4, 12)上。
如請求項5之過濾匣(1)，其中，該溝槽(13)包括一啟動區(15)及一排氣區(16)，該啟動區(15)在靠近該啟動位置處迫使該蓋子(8)旋轉位移，該排氣區(16)迫使該蓋子(8)朝向該使用位置軸向位移。
如請求項6之過濾匣(1)，其中，位於該側表面(4, 12)中的該溝槽(13)包含一螺旋形圓弧區段，該螺旋形圓弧區段提供該蓋子(8)相對於該外殼(2)一同時軸向位移與旋轉位移。
如請求項1之過濾匣(1)，其中，該啟動開口(11)係位於該蓋子(8)的該側表面(12)靠近該蓋子(8)的該關閉側，該外殼(2)的該啟動埠(19)係位於面向該蓋子(8)的該外殼端面(9)，該外殼(2)的該出口(6)係位於與面向該蓋子(8)的該外殼端面(9)相對的一外殼端面。
如請求項1之過濾匣(1)，其中，該使用開口(20)係位於該蓋子(8)之與該蓋子(8)的該關閉側相對的該側表面(12)，該外殼(2)的該入口(5)係位於該外殼(2)的該側表面(4)，使得設置在該使用位置的蓋子(8)的該使用開口(20)係與該外殼(2)的該入口(5)重疊，且允許液體通過該使用開口(20)及重疊的該入口(5)進入該外殼(2)。
如請求項1至2中任一項之過濾匣(1)，其中，該蓋子(8)包括一把手，用於該蓋子(8)相對於該外殼(2)的手動位移。
一種用於微服務分配之設備，其包含：<br/> 多個經分解資料中心資源；及<br/> 一基礎設施處理單元(IPU)電路，其通訊地耦接至該等多個經分解資料中心資源，以在一排程過程期間從一編配控制器接收包括組態資訊之一組態檔案，並且構成用於分配微服務叢集之該等多個經分解資料中心資源之一平台。
如請求項1之設備，其中一微服務係基於藉由該微服務所提供之資源需求而在該等經分解資料中心資源中之一或多者處被排程。
如請求項1之設備，其中該IPU電路發現該等多個經分解資料中心資源且執行對其之管理。
如請求項3之設備，其中該IPU電路將與該等多個經分解資料中心資源中之每一者相關聯之資訊報告至該編配控制器。
如請求項4之設備，其中該IPU電路鑑認及認證該等多個經分解資料中心資源。
如請求項5之設備，其中該IPU電路與該等多個經分解資料中心資源中之每一者建立一通訊會話。
如請求項1之設備，其中該IPU電路在一經分解資料中心資源處曝露一虛擬化資源端點。
如請求項7之設備，其中該IPU電路向該編配控制器傳輸指示該經分解資料中心資源已經構成之一訊息，且自該編配控制器接收用於一微服務之一執行環境之一規格。
如請求項8之設備，其中該IPU電路自一登錄檔擷取與包括於該組態檔案中之該組態資訊相關聯之一或多個影像，且將該一或多個影像傳送至該經分解資料中心資源。
一種用於微服務分配之方法，其包含：<br/> 在一排程過程期間，在一基礎設施處理單元(IPU)電路處從一編配控制器接收包括組態資訊之一組態檔案；及<br/> 該IPU電路構成用於分配微服務叢集之多個經分解資料中心資源之一平台。
如請求項10之方法，其進一步包含該IPU電路發現該等多個經分解資料中心資源並且對其執行管理。
如請求項11之方法，其進一步包含該IPU電路管理該等多個經分解資料中心資源。
如請求項12之方法，其進一步包含該IPU電路將與該等多個經分解資料中心資源中之每一者相關聯之資訊報告至該編配控制器。
如請求項13之方法，其進一步包含該IPU電路鑑認及認證該等多個經分解資料中心資源。
如請求項14之方法，其進一步包含該IPU電路與該等多個經分解資料中心資源中之每一者建立一通訊會話。
如請求項10之方法，其進一步包含該IPU電路:<br/> 向該編配控制器傳輸指示經分解資料中心資源已經構成之一訊息；及<br/> 從該編配控制器接收用於一微服務之一執行環境之一規格。
如請求項16之方法，其進一步包含該IPU電路從一登錄檔擷取與包括於該組態檔案中之該組態資訊相關聯之一或多個影像及將該一或多個影像傳送至該經分解資料中心資源。
一種基礎設施處理單元(IPU)電路，其包含：<br/> 資源管理電路，其通訊地耦接至多個經分解資料中心資源；及<br/> 協調電路，其通訊地耦接至一編配控制器，以在一排程過程期間從該編配控制器接收包括組態資訊之一組態檔案，並且構成用於分配微服務叢集之該等多個經分解資料中心資源之一平台。
如請求項18之IPU電路，其中資源管理電路發現該等多個經分解資料中心資源且執行對其之管理。
如請求項19之IPU電路，其中該資源管理電路將與該等多個經分解資料中心資源中之每一者相關聯之資訊報告至該編配控制器。
如請求項20之IPU電路，其中該資源管理電路與該等多個經分解資料中心資源中之每一者建立一通訊會話。
一種具有指令儲存於其上之至少一電腦可讀媒體，該等指令在由一或多個處理器執行時使得該等處理器用以：<br/> 在一基礎設施處理單元(IPU)電路處執行佈建，以在一排程過程期間從一編配控制器接收包括組態資訊之一組態檔案，並且構成用於分配微服務叢集之多個經分解資料中心資源；及<br/> 基於藉由一微服務所提供之資源需求，經由該IPU執行用以構成該等經分解資料中心資源中之一或多者的編配。
如請求項22之電腦可讀媒體，其中執行該佈建包含發現及管理該等多個經分解資料中心資源。
一種安裝金屬配件，其係用以將輻射空調裝置的隔熱面板安裝於建築物的天花板面的安裝金屬配件，包含：沿一方向延伸的第1框、與第1框相分隔且平行配置的第2框，以及架設於前述第1框與前述第2框之間的第3框及第4框，其中前述第1框至前述第4框之各者具有用以螺固於前述天花板面的多個貫通孔，前述多個貫通孔為了對設置於前述天花板面之背側之沿一方向平行延伸的多個天花板骨架進行前述螺固，自前述第1框至前述第4框之各者之一端朝向另一端，沿著長邊方向連續排列。
如請求項1所述之安裝金屬配件，其中前述第1框至前述第4框具有ㄇ字形的剖面形狀。
如請求項1或2所述之安裝金屬配件，其中前述多個貫通孔包含：於前述第1框至前述第4框之各者的長邊方向之中心線上分隔而配設的多個第1貫通孔，以及夾著前述中心線而配置於兩側的多個第2貫通孔，前述多個第1貫通孔與前述多個第2貫通孔在前述第1框至前述第4框之各者的長邊方向上交錯配置。
一種隔熱面板的安裝結構，其係在將輻射空調裝置的隔熱面板安裝於建築物的天花板面時之隔熱面板的安裝結構，包含：由沿第1方向延伸的第1框、與前述第1框相分隔且平行配置的第2框、架設於前述第1框與前述第2框之間並沿與前述第1方向交叉之第2方向延伸的第3框及第4框而成的安裝金屬配件，以及固定於前述第1至第4框之至少1個框的隔熱面板，其中前述第1框至前述第4框之各者具有用以螺固於前述天花板面的多個貫通孔，前述多個貫通孔為了對設置於前述天花板面之背側之沿一方向平行延伸的多個天花板骨架進行前述螺固，自前述第1框至前述第4框之各者之一端朝向另一端，沿著長邊方向連續排列，前述隔熱面板與前述天花板面之間夾著前述安裝金屬配件而配置，並透過前述多個貫通孔之一個以上螺固於前述多個天花板骨架。
如請求項4所述之隔熱面板的安裝結構，其中前述第1框至前述第4框具有ㄇ字形的剖面形狀。
如請求項4或5所述之隔熱面板的安裝結構，其中前述多個貫通孔包含：於前述第1框至前述第4框之各者的長邊方向之中心線上分隔而配設的多個第1貫通孔，以及夾著前述中心線而配置於兩側的多個第2貫通孔，前述多個第1貫通孔與前述多個第2貫通孔在前述第1框至前述第4框之各者的長邊方向上交錯配置。
如請求項4所述之隔熱面板的安裝結構，其中前述隔熱面板於與前述第1至第4框重疊的部分設置有凹槽。
如請求項4所述之隔熱面板的安裝結構，其中前述隔熱面板由經分割的多個隔熱面板而成，前述多個隔熱面板之中，第1隔熱面板插入至配置成自天花板擁有間隙而安裝於壁面的空調機與前述天花板之間，前述第3框沿著前述第1隔熱面板的前端設置。
如請求項8所述之隔熱面板的安裝結構，其中前述多個隔熱面板包含：前述第1隔熱面板、鄰接於前述第1隔熱面板的第2隔熱面板，以及鄰接於前述第2隔熱面板的第3隔熱面板，前述第2隔熱面板與前述第3隔熱面板，其中一者於上側具有第1凸狀部，另一者於下側具有第2凸狀部，前述第1凸狀部與前述第2凸狀部具有相互齧合的嵌合部，在前述嵌合部之外側螺固於前述第1框及前述第2框。
一種輻射空調裝置，其包含：安裝於壁面的空調機；安裝於天花板的安裝金屬配件，前述安裝金屬配件包含自前述空調機沿第1方向延伸的第1框及與前述第1框相分隔且平行配置的第2框、架設於前述第1框與前述第2框之間並沿與前述第1方向交叉之第2方向延伸的第3框及第4框；以及固定於前述安裝金屬配件的隔熱面板；其中前述安裝金屬配件之前述第1框至前述第4框之各者具有用以螺固於天花板面的多個貫通孔，前述多個貫通孔為了對設置於前述天花板面之背側之沿一方向平行延伸的多個天花板骨架進行前述螺固，自前述第1框至前述第4框之各者之一端朝向另一端，沿著長邊方向連續排列，前述隔熱面板與前述天花板面之間夾著前述安裝金屬配件而配置，並透過前述多個貫通孔之一個以上螺固於前述多個天花板骨架。
如請求項10所述之輻射空調裝置，其具有前述第1框至前述第4框具有ㄇ字形的剖面形狀。
如請求項10或11所述之輻射空調裝置，其中前述多個貫通孔包含：於前述第1框至前述第4框之各者的長邊方向之中心線上分隔而配設的多個第1貫通孔，以及夾著前述中心線而配置於兩側的多個第2貫通孔；前述多個第1貫通孔與前述多個第2貫通孔在前述第1框至前述第4框之各者的長邊方向上交錯配置。
如請求項10所述之輻射空調裝置，其中前述隔熱面板於與前述第1至第4框重疊的部分設置有凹槽。
如請求項10所述之輻射空調裝置，其中前述隔熱面板由經分割的多個隔熱面板而成，前述多個隔熱面板之中，第1隔熱面板插入至前述天花板與前述空調機之間，前述第3框沿著前述第1隔熱面板的前端設置。
如請求項14所述之輻射空調裝置，其中前述多個隔熱面板包含：前述第1隔熱面板、鄰接於前述第1隔熱面板的第2隔熱面板，以及鄰接於前述第2隔熱面板的第3隔熱面板，前述第2隔熱面板與前述第3隔熱面板，其中一者於上側具有第1凸狀部，另一者於下側具有第2凸狀部，前述第1凸狀部與前述第2凸狀部具有相互齧合的嵌合部，在前述嵌合部之外側螺固於前述第1框及前述第2框。
一種基板支撐設備，包含一支撐體，該支撐體包含：<br/> 一基板支撐表面，該基板支撐表面包含：<br/> 一外支撐表面，<br/> 一凹進表面，設置在該外支撐表面的內側，以及<br/> 複數個支撐突起，從該凹進表面延伸，該複數個支撐突起具有複數個支撐表面；<br/> 複數個銷孔，用以在其中接收升舉銷；以及<br/> 複數個升高表面，設置在該凹進表面與該複數個支撐表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面具有一外徑與一內徑，該內徑垂直對齊該複數個銷孔中的一相應銷孔的一側表面，該外徑垂直對齊該複數個支撐突起中的一支撐突起的一側表面，及每個升舉銷的一最高表面設置以在每個升高表面下方延伸。
如請求項1所述之基板支撐設備，其中每個銷孔的一上部垂直表面直接接觸一相應升高表面的該內徑。
如請求項1所述之基板支撐設備，其中該基板支撐設備進一步包括嵌入一基座中的一或多個電阻加熱器。
如請求項1所述之基板支撐設備，其中該複數個銷孔中的每個相應銷孔包含具有一內表面的一垂直部分及具有將該內表面過渡到該升高表面的一錐形表面的一錐形部分。
如請求項1所述之基板支撐設備，其中該複數個支撐表面設置在相對於該凹進表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該凹進表面的一第二高度處，並且該第二高度小於該第一高度。
如請求項5所述之基板支撐設備，其中該複數個升高表面中的每個升高表面與圍繞該升高表面的一相應圓柱帶的一或多個側壁相交。
一種基板支撐設備，包含一支撐體，該支撐體包含：<br/> 一基板支撐表面，該基板支撐表面包含：<br/> 一外支撐表面，<br/> 一凹進表面，設置在該外支撐表面的內側，以及<br/> 複數個支撐突起，從該凹進表面延伸，該複數個支撐突起具有複數個支撐表面；<br/> 複數個銷孔，用以在其中接收升舉銷；以及<br/> 複數個升高表面，設置在該凹進表面與該複數個支撐表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面圍繞該複數個銷孔中的一相應銷孔設置；<br/> 其中該複數個支撐表面設置在相對於該凹進表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該凹進表面的一第二高度處，該第二高度係該第一高度之分數，並且該分數在0.3至0.8之一範圍內。
一種基板支撐設備，包含一支撐體，該支撐體包含：<br/> 一基板支撐表面，該基板支撐表面包含：<br/> 一外支撐表面，<br/> 一凹進表面，設置在該外支撐表面的內側，以及<br/> 複數個支撐突起，從該凹進表面延伸，該複數個支撐突起具有複數個支撐表面；<br/> 複數個銷孔，用以在其中接收升舉銷；以及<br/> 複數個升高表面，設置在該凹進表面與該複數個支撐表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面圍繞該複數個銷孔中的一相應銷孔設置；<br/> 其中該複數個支撐表面設置在相對於該凹進表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該凹進表面的一第二高度處，該第一高度在25微米至35微米之一範圍內，並且該第二高度在7微米至24微米之一範圍內。
如請求項8所述之基板支撐設備，其中該複數個升高表面中的每個升高表面的一外徑係0.2吋（5.08 mm）或更大。
一種基板支撐設備，包含一支撐體，該支撐體包含：<br/> 一基板支撐表面，該基板支撐表面包含：<br/> 一基底表面，及<br/> 複數個支撐突起，從該基底表面延伸，該複數個支撐突起具有複數個支撐表面；<br/> 複數個銷孔，用以在其中接收升舉銷；以及<br/> 複數個升高表面，設置在該基底表面與該複數個支撐表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面具有一外徑與一內徑，該內徑垂直對齊該複數個銷孔中的一相應銷孔的一側表面，和該外徑垂直對齊該複數個支撐突起中的一支撐突起的一側表面，及每個升舉銷的一最高表面設置以在每個升高表面下方延伸。
如請求項10所述之基板支撐設備，其中每個銷孔的一上部垂直表面直接接觸一相應升高表面的該內徑。
如請求項10所述之基板支撐設備，其中該複數個支撐突起係弧形的升高淺凹。
如請求項10所述之基板支撐設備，其中該複數個支撐表面設置在相對於該基底表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該基底表面的一第二高度處，並且該第二高度小於該第一高度。
如請求項13所述之基板支撐設備，其中該複數個升高表面中的每個升高表面與圍繞該升高表面的一相應圓柱帶的一或多個側壁相交。
一種基板支撐設備，包含一支撐體，該支撐體包含：<br/> 一基板支撐表面，該基板支撐表面包含：<br/> 一基底表面，及<br/> 複數個支撐突起，從該基底表面延伸，該複數個支撐突起具有複數個支撐表面；<br/> 複數個銷孔，用以在其中接收升舉銷；以及<br/> 複數個升高表面，設置在該基底表面與該複數個支撐表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面圍繞該複數個銷孔中的一相應銷孔設置；<br/> 其中該複數個支撐表面設置在相對於該基底表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該基底表面的一第二高度處，該第二高度係該第一高度之分數，並且該分數在0.3至0.8之一範圍內。
一種基板支撐設備，包含一支撐體，該支撐體包含：<br/> 一基板支撐表面，該基板支撐表面包含：<br/> 一基底表面，及<br/> 複數個支撐突起，從該基底表面延伸，該複數個支撐突起具有複數個支撐表面；<br/> 複數個銷孔，用以在其中接收升舉銷；以及<br/> 複數個升高表面，設置在該基底表面與該複數個支撐表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面圍繞該複數個銷孔中的一相應銷孔設置；<br/> 其中該複數個支撐表面設置在相對於該基底表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該基底表面的一第二高度處，其中該第一高度在25微米至35微米之一範圍內，並且該第二高度在7微米至24微米之一範圍內。
如請求項16所述之基板支撐設備，其中該複數個升高表面中的每個升高表面的一外徑係0.2吋（5.08 mm）或更大。
一種處理基板的方法，包含以下步驟：<br/> 將一基板定位在一處理腔室內設置的一基板支撐設備的一或多個支撐表面上，該定位步驟包含以下步驟： <br/> 相對於設置在該基板支撐設備的複數個銷孔中的複數個升舉銷移動該基板支撐設備；以及<br/> 對該基板進行一基板處理操作，該基板處理操作包含：<br/> 加熱該基板支撐設備，以及 <br/> 透過複數個空腔向該基板傳熱，該等空腔位於該基板與設置在該基板支撐設備的一或多個支撐表面與一或多個凹進表面之間的複數個升高表面之間，該複數個升高表面的每個升高表面圍繞該複數個銷孔的一相應銷孔設置。
如請求項18所述之方法，其中該一或多個支撐表面係從該一或多個凹進表面延伸的複數個支撐柱的部分，該一或多個支撐表面設置在相對於該一或多個凹進表面的一第一高度處，該複數個升高表面設置在相對於該一或多個凹進表面的一第二高度處，並且該第二高度小於該第一高度。
如請求項18所述之方法，其中該一或多個支撐表面係從該一或多個凹進表面延伸的複數個升起的淺凹的部分，該複數個升高表面形成於相對於該一或多個支撐表面的一第一深度處，該一或多個凹進表面形成於相對於該一或多個支撐表面的一第二深度處，並且該第二深度大於該第一深度。
一種用於由無溶劑聚有機矽氧烷球粒製備聚矽氧壓敏黏合劑基底之水性分散液的方法，該方法包含： <br/>1）提供一擠出機，該擠出機包含具有第一進料端口、第二進料端口及帶有模頭之出口的機筒；加熱構件，經組態以加熱該機筒；以及容納於該機筒內的螺桿機構，其中該第一進料端口及該第二進料端口經組態以將起始材料引入該擠出機，該螺桿機構能夠混合來自該第一進料端口及該第二進料端口的該等起始材料且將其輸送至該出口，該第一進料端口位於該第二進料端口的上游，且該第二進料端口位於該出口的上游； <br/>2）經由該第一進料端口將i）至少一部分無溶劑聚二有機矽氧烷樹膠添加至該擠出機中，及經由該第二進料端口將ii）無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂添加至該擠出機中，其中以使得樹脂:樹膠之重量比為2.1:1至5:1之量添加該樹膠及該樹脂； <br/>3）在該機筒中混合該無溶劑聚二有機矽氧烷樹膠及該無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂，且同時在200℃至250℃之溫度下加熱該機筒，從而形成混合物； <br/>4）輸送該混合物穿過該出口處之該模頭，從而形成股； <br/>5）冷卻離開該模頭之該股，及 <br/>6）粉碎該股，從而製備該等無溶劑聚有機矽氧烷球粒； <br/>7）將以下各者饋入至分散設備中：包含步驟6）中製備之該等球粒的起始材料；視情況額外聚二有機矽氧烷樹膠，其量足以將樹脂:樹膠比調節至0.4:1至3:1；選自由陰離子界面活性劑、非離子界面活性劑及其組合組成之群的界面活性劑；及水；其限制條件為該界面活性劑不包括磺酸及其鹽衍生物、長鏈羧酸界面活性劑及其鹽、脂肪酸胺及醯胺以及其鹽及衍生物、烷基葡萄糖苷及直鏈聚矽氧聚醚；及 <br/>8）在該分散設備中混合及加熱來自步驟7）之該起始材料；從而產生該聚矽氧壓敏黏合劑基底之水性分散液。
如請求項1之方法，其進一步包含：在步驟2）之前製備溶劑性聚有機矽酸鹽樹脂且使該溶劑性聚有機矽酸鹽樹脂脫揮發物以形成該無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂。
如請求項1之方法，其中該無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂包含單元式(R<sup>1</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>w</sub>(R<sup>2</sup><sub>3</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>x</sub>(SiO<sub>4/2</sub>)<sub>y</sub>X<sub>z</sub>，其中各R<sup>2</sup>係獨立地選自由1至18個碳原子的烷基及6至18個碳原子的芳基組成之群；各R<sup>2</sup>係獨立選擇之2至18個碳原子的烯基；X表示可水解取代基；下標w≥0，下標x＞4，下標y＞1，下標z≥0，其限制條件為數量（w+x+y+z）足以使該樹脂之數目平均分子量為2,000公克/莫耳至15,000公克/莫耳。
如請求項1之方法，該無溶劑聚二有機矽氧烷樹膠包含單元式(R<sup>3</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>a</sub>(R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)b(R<sup>2</sup>SiO<sub>3/2</sub>)<sub>c</sub>，其中各R<sup>2</sup>係獨立地選自由1至18個碳原子的烷基及6至18個碳原子的芳基組成之群，且各R<sup>3</sup>為可固化基團，下標a≥2，下標b＞5000，且下標c≥0，其限制條件為數量（a+b+c）足以提供數目平均分子量為150,000 g/mol至1,000,000 g/mol之該樹膠。
如請求項1之方法，其中在該第一進料端口中添加所有該樹膠。
如請求項1之方法，其中在該第二進料端口中添加0至15%之該樹膠。
如請求項1之方法，其中使用水下粒化機進行步驟5）及6）。
如請求項1之方法，其中步驟7）中之該分散設備為另一擠出機。
一種用於製備聚矽氧壓敏黏合劑組合物之水性分散液的方法，其中該方法包含： <br/>I）實踐如請求項1-8中任一項之方法以形成該聚矽氧壓敏黏合劑基底之水性分散液，及 <br/>II）將額外起始材料添加至該聚矽氧壓敏黏合劑基底之水性分散液，其中該額外起始材料係選自由自由基引發劑、溶劑、塗料添加劑及其組合組成之群；從而形成聚矽氧壓敏黏合劑組合物之水性分散液。
如請求項9之方法，其中存在該塗料添加劑，且該塗料添加劑係選自由以下組成之群：消泡劑、潤濕劑及pH調節添加劑。
一種用於製備黏合劑製品之方法，其包含： <br/>視情況1）處理基板之表面， <br/>2）實踐如請求項9或請求項10之方法以形成該聚矽氧壓敏黏合劑組合物之水性分散液，且將該聚矽氧壓敏黏合劑組合物之水性分散液塗佈於該基板之該表面上， <br/>視情況3）移除全部或一部分水及若存在之溶劑，以在該基板之表面上形成該壓敏黏合劑組合物之層，及 <br/>4）固化該聚矽氧壓敏黏合劑組合物以形成聚矽氧壓敏黏合劑。
一種用於製備無溶劑聚有機矽氧烷球粒之方法，其包含： <br/>1）提供一擠出機，該擠出機包含具有第一進料端口、第二進料端口及帶有模頭之出口的機筒；加熱構件，經組態以加熱該機筒；以及容納於該機筒內的螺桿機構，其中該第一進料端口及該第二進料端口經組態以將起始材料引入該擠出機，該螺桿機構能夠混合來自該第一進料端口及該第二進料端口的該等起始材料且將其輸送至該出口，該第一進料端口位於該第二進料端口的上游，且該第二進料端口位於該出口的上游； <br/>2）經由該第一進料端口將i）至少一部分無溶劑聚二有機矽氧烷樹膠添加至該擠出機中，及經由該第二進料端口將ii）無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂添加至該擠出機中，其中以使得樹脂:樹膠之重量比為2.1:1至5:1之量添加該樹膠及該樹脂； <br/>3）在該機筒中混合該無溶劑聚二有機矽氧烷樹膠及該無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂，且同時在200℃至250℃之溫度下加熱該機筒，從而形成混合物； <br/>4）輸送該混合物穿過該出口處之該模頭，從而形成股； <br/>5）冷卻離開該模頭之該股，及 <br/>6）粉碎該股，從而製備該等無溶劑聚有機矽氧烷球粒。
如請求項12之方法，其中該無溶劑聚有機矽酸鹽樹脂包含單元式(R1R22SiO1/2)w(R23SiO1/2)x(SiO4/2)yXz，其中各R2係獨立地選自由1至18個碳原子的烷基及6至18個碳原子的芳基組成之群；各R2係獨立選擇之2至18個碳原子的烯基；X表示可水解取代基；下標w≥0，下標x＞4，下標y＞1，下標z≥0，其限制條件為數量（w+x+y+z）足以使該樹脂之數目平均分子量為2,000公克/莫耳至15,000公克/莫耳。
如請求項12或請求項13之方法，該無溶劑聚二有機矽氧烷樹膠包含單元式(R<sup>3</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>1/2</sub>)<sub>a</sub>(R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO<sub>2/2</sub>)<sub>b</sub>(R<sup>2</sup>SiO<sub>3/2</sub>)<sub>c</sub>，其中各R<sup>2</sup>係獨立地選自由1至18個碳原子的烷基及6至18個碳原子的芳基組成之群，且各R<sup>3</sup>為可固化基團，下標a≥2，下標b＞5000，且下標c≥0，其限制條件為數量（a+b+c）足以提供數目平均分子量為150,000公克/莫耳至1,000,000公克/莫耳之該樹膠。
如請求項14之方法，其中該樹脂:樹膠之重量比為2.1:1至3.5:1。
一種聚醯亞胺前驅物組成物，含有： <br/>相對於全部重複單元，下述通式(1)表示之重複單元之含量為70莫耳%以上之聚醯亞胺前驅物，及 <br/>下述通式(2)表示之咪唑化合物； <br/>該通式(2)表示之咪唑化合物之含量，相對於該聚醯亞胺前驅物100質量份，為4.0～40質量份， <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="168px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，X<sup>1</sup>為具有至少1個降莰烷骨架之4價基，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子、碳數1～6之烷基或碳數3～9之烷基矽基；式(2)中，L<sup>1</sup>及L<sup>2</sup>各自獨立地為選自於由氫原子、及碳數1～6之烷基構成之群組中之至少一種，n為1。
如請求項1之聚醯亞胺前驅物組成物，其中，該通式(1)中的X<sup>1</sup>係選自由式(3)表示之4價基、式(5)表示之4價基、及式(6)表示之4價基構成之群組中之至少一種， <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="183px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之聚醯亞胺前驅物組成物，其中，該通式(1)中的X<sup>1</sup>為式(3)表示之4價基， <br/><img align="absmiddle" height="23px" width="74px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之聚醯亞胺前驅物組成物，其中，該通式(2)表示之咪唑化合物係選自由1-苄基咪唑及1-苄基-2-甲基咪唑構成之群組中之至少一種。
如請求項1或2之聚醯亞胺前驅物組成物，其中，含有相對於聚醯亞胺前驅物之全部重複單元為90莫耳%以上之該通式(1)表示之重複單元。
一種清漆，含有如請求項1至5中任一項之聚醯亞胺前驅物組成物及有機溶劑。
一種聚醯亞胺薄膜，係將如請求項6之清漆塗布在支持體上並進行加熱而獲得。
一種聚醯亞胺薄膜之製造方法，係將如請求項6之清漆塗布在支持體上並進行加熱。
如請求項7之聚醯亞胺薄膜，該聚醯亞胺薄膜含有聚醯亞胺樹脂，該聚醯亞胺樹脂含有相對於聚醯亞胺樹脂之全部重複單元為70莫耳%以上之通式(4)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="98px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(4)中，X<sup>1</sup>為具有至少1個降莰烷骨架之4價基。
如請求項9之聚醯亞胺薄膜，其中，該通式(4)中的X<sup>1</sup>係選自由式(3)表示之4價基、式(5)表示之4價基、及式(6)表示之4價基構成之群組中之至少一種， <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="183px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9或10之聚醯亞胺薄膜，其中，該通式(4)中的X<sup>1</sup>為式(3)表示之4價基， <br/><img align="absmiddle" height="23px" width="74px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7或9之聚醯亞胺薄膜，其中，聚醯亞胺薄膜之厚度為20μm以下。
一種感光性樹脂，係如下述通式(1)所示， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="266px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (1) <br/>其中，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、及R<sub>4</sub>獨立地表示氫原子、碳數1至5之烷基、鹵原子或苯基，E表示-CR<sub>x</sub>R<sub>y</sub>-、-CO-、-SO<sub>2</sub>-、-O-、-S-、-SS-、-SO-、-OCO-、-SiR<sub>x</sub>R<sub>y</sub>-或直接鍵，R<sub>x</sub>及R<sub>y</sub>表示氫、鹵原子、可經鹵原子取代之碳數1至12之烴基，R<sub>x</sub>及R<sub>y</sub>可分別鍵結並形成環，A表示4價四羧酸殘基，G<sub>1</sub>表示碳數1以上之伸烷基，D表示氫原子或下述通式(2)所示之取代基，n<sub>1</sub>及n<sub>2</sub>獨立地表示0以上之整數，J表示氫原子或下述通式(3)所示之取代基，但通式(1)中複數個D中的1個以上表示下述通式(2)所示之取代基，D中的J的1個以上表示下述通式(3)所示之取代基， <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="57px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (2) <br/>其中，G<sub>2</sub>獨立地表示單鍵、或碳數1以上之伸烷基，R<sub>5</sub>表示氫原子或甲基，Q表示碳數2至8之3價烴基，又，n<sub>3</sub>表示1以上之整數，n<sub>3</sub>為2以上時，式中複數個G<sub>2</sub>可為相同或相異， <br/><img align="absmiddle" height="19px" width="57px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (3) <br/>其中，L表示2或3價羧酸殘基，n<sub>4</sub>表示1或2。
一種感光性樹脂組成物，係含有下述(i)至(ii)： <br/>(i)請求項1所述之感光性樹脂； <br/>(ii)光聚合起始劑。
如請求項2所述之感光性樹脂組成物，其更含有(iii)至少具有1個以上乙烯性不飽和鍵之光聚合性單體。
如請求項2或3所述之感光性樹脂組成物，其更含有(iv)分散質。
一種硬化物，係使請求項2至4中任一項所述之感光性樹脂組成物硬化所獲得。
一種彩色濾光片，係含有請求項5所述之硬化物。
一種請求項1所述之感光性樹脂之製造方法，其係使含有雙-羥基(烷氧基)基之化合物(A)與四羧酸類或其酸二酐(B)進行反應，而製造含有羧基之化合物 (AB)， <br/>接著，使前述含有羧基之化合物(AB)與具有聚合性不飽和基之環氧乙烷化合物(環氧化合物)(C)進行反應，而製造具有聚合性不飽和基之化合物(ABC)， <br/>繼而，使前述具有聚合性不飽和基之化合物(ABC)與二羧酸類、三羧酸類或其酸單酐(D)進行反應； <br/>其中， <br/>前述(A)成分與前述(B)成分之莫耳比(B/A)為50%以上且未達100%， <br/>前述(C)成分與前述化合物(AB)之莫耳比[C/(AB)]為50%至250%，且使前述(C)成分與前述化合物(AB)進行至少1個反應， <br/>前述(D)成分與前述化合物(ABC)之莫耳比[D/(ABC)]為10至500%，且使通式(1)中至少1個D成為具有羧基及聚合性不飽和基之取代基。
一種積體電路(IC)總成，包括： <br/> 前段製程(FEOL)層，包括複數個FEOL裝置； <br/> 背側電力輸送結構，包括耦合至各個該複數個FEOL裝置之複數個電力互連； <br/> 後段製程(BEOL)層，包括耦合至該複數FEOL裝置之一或多者的複數個BEOL互連，其中該複數個BEOL互連包含第一BEOL互連及第二BEOL互連； <br/> 玻璃支撐結構，包括具有耦合至該第一BEOL互連之第一端子且具有耦合至該第二BEOL互連之第二端子的薄膜裝置；及 <br/> 在該BEOL層與該玻璃支撐結構之間的接合介面， <br/> 其中： <br/> 該FEOL層介於該背側電力輸送結構與該BEOL層之間， <br/> 該BEOL層介於該FEOL層與該玻璃支撐結構之間，且 <br/> 該薄膜裝置之至少一部分延伸穿過該接合介面。
如請求項1之IC總成，其中，該薄膜裝置係電阻器、電容器、或電感器之一。
如請求項1之IC總成，其中，該接合介面包含氧。
如請求項1之IC總成，其中： <br/> 該複數個FEOL裝置包含FEOL電晶體，其具有源極區域及汲極區域，且 <br/> 該複數個電力互連之至少一個電力互連被耦合至該源極區域或該汲極區域。
如請求項1之IC總成，其中，該背側電力輸送結構包含絕緣體材料，其圍封該複數電力互連之至少部分。
如請求項1之IC總成，其中，該BEOL層包含一或多個記憶體層，該一或多個記憶體層包含包括薄膜電晶體之記憶體胞。
如請求項1之IC總成，其進一步包括： <br/> 導電互連，其延伸穿過該接合介面， <br/> 其中該薄膜裝置之該第一端子經由該導電互連而被耦合至該第一BEOL互連。
如請求項1之IC總成，其中，該接合介面是混合式接合介面。
如請求項1之IC總成，其進一步包括層，該層包含複數個IC裝置及互連，其中： <br/> 該層位在該玻璃支撐結構與該接合介面之間， <br/> 該接合介面位在該層與該BEOL層之間，且 <br/> 該層之該複數個IC裝置及互連的至少一者被耦合至該複數個BEOL互連之一或多者。
如請求項9之IC總成，其中，該接合介面包含： <br/> 與該層之一或多個部分相接觸的部分，及 <br/> 與該BEOL層之一或多個部分相接觸的部分。
如請求項9之IC總成，其中： <br/> 該層之至少一個互連與該BEOL互連之至少一個互連的橫截面之各者係大致上梯形，其包含兩個平行邊，其中一者為短邊而另一者為長邊， <br/> 針對該層之該至少一個互連的該梯形，該短邊比該長邊較靠近於該玻璃支撐結構，且 <br/> 針對該BEOL互連之該至少一個互連的該梯形，該長邊比該短邊較靠近於該玻璃支撐結構。
如請求項11之IC總成，其中： <br/> 該電力互連之至少一個互連之橫截面係梯形，其包含兩個平行邊，其中一者為短邊而另一者為長邊，且 <br/> 針對該電力互連之該至少一個互連的該梯形，該短邊比該長邊較靠近於該玻璃支撐結構。
一種積體電路(IC)總成，包括： <br/> 第一層，包括複數個電晶體； <br/> 電力輸送結構，包括耦合至該等電晶體之至少一者的複數個電力互連； <br/> 第二層，包括耦合至該複數個電晶體之一或多者的複數個導電互連，其中該第一層介於該電力輸送結構與該第二層之間； <br/> 玻璃結構，包括具有耦合至該複數個互連之至少一者的端子之裝置；及 <br/> 在該第二層與該玻璃結構之間的接合介面， <br/> 其中： <br/> 該複數個互連之該至少一者延伸穿過該接合介面，或者 <br/> 該裝置之該端子經由延伸穿過該接合介面之導電互連而被耦合至該複數個互連之該至少一者。
如請求項13之IC總成，其中，該裝置係電晶體、記憶體胞、電阻器、電容器、電感器之一。
如請求項13之IC總成，其中，該接合介面包含氧。
一種積體電路(IC)總成，包括： <br/> 第一層，包括複數個裝置，其中該複數個裝置包含電晶體或記憶體胞； <br/> 互連結構，包括耦合至該複數個裝置之一或多者的複數個導電互連； <br/> 第二層，包括第一導電互連及第二導電互連； <br/> 玻璃層，包括具有耦合至該第一導電互連之第一端子且具有耦合至該第二導電互連之第二端子的裝置； <br/> 在該第二層與該玻璃層之間的接合介面；及 <br/> 第三導電互連，延伸穿過該接合介面， <br/> 其中： <br/> 該第一層介於該互連結構與該第二層之間， <br/> 該第二層介於該第一層與該玻璃層之間，及 <br/> 該裝置之該第一端子經由該第三導電互連而被耦合至該第一導電互連。
如請求項16之IC總成，其中，該裝置之至少一部分延伸穿過該接合介面。
如請求項16之IC總成，其中，該裝置係電晶體、記憶體胞、電阻器、電容器、電感器之一。
如請求項16之IC總成，其中，該接合介面是混合式接合介面。
如請求項16之IC總成，其中，該接合介面包含氧。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意的一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述輸出端子配置在前述自旋轉矩產生層的與前述任意一方向大致正交之方向的兩端。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述電子裝置還具備穿隧阻障層及參照層， <br/>前述穿隧阻障層對於前述非共線反鐵磁性層連接於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述參照層對於前述穿隧阻障層連接於與前述非共線反鐵磁性層相反側的面， <br/>前述輸出端子配置於前述參照層。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、第1端子及第2端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層、中間層及非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序積層而構成者， <br/>前述自旋轉矩產生層具有實質上固定之磁結構，磁化方向被定義為其有效磁化方向， <br/>前述中間層由非磁性材料形成， <br/>前述非共線反鐵磁性層在與前述磁化方向正交之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述自旋轉矩產生層中，與前述中間層相反側的面連接於前述第1端子， <br/>前述非共線反鐵磁性層中，與前述中間層相反側的面連接於前述第2端子。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述自旋轉矩產生層包含Ta、W、Hf、Pt、Ir中的任一者， <br/>關於前述非共線反鐵磁性層，其直徑為200 nm以下，並且，由包含Mn和Sn之合金、包含Mn和Ge之合金、包含Mn和Ir之合金、包含Mn和Pt之合金中的任一者形成。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述輸出端子配置在前述自旋轉矩產生層的與前述任意一方向大致正交之方向的兩端， <br/>前述自旋轉矩產生層包含Ta、W、Hf、Pt、Ir中的任一者， <br/>關於前述非共線反鐵磁性層，其直徑為200nm以下，並且，由包含Mn和Sn之合金、包含Mn和Ge之合金、包含Mn和Ir之合金、包含Mn和Pt之合金中的任一者形成。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述電子裝置還具備穿隧阻障層及參照層， <br/>前述穿隧阻障層對於前述非共線反鐵磁性層連接於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述參照層對於前述穿隧阻障層連接於與前述非共線反鐵磁性層相反側的面， <br/>前述輸出端子配置於前述參照層， <br/>前述自旋轉矩產生層包含Ta、W、Hf、Pt、Ir中的任一者， <br/>關於前述非共線反鐵磁性層，其直徑為200nm以下，並且，由包含Mn和Sn之合金、包含Mn和Ge之合金、包含Mn和Ir之合金、包含Mn和Pt之合金中的任一者形成。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、第1端子及第2端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層、中間層及非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序積層而構成者， <br/>前述自旋轉矩產生層具有實質上固定之磁結構，磁化方向被定義為其有效磁化方向， <br/>前述中間層由非磁性材料形成， <br/>前述非共線反鐵磁性層在與前述磁化方向正交之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述自旋轉矩產生層中，與前述中間層相反側的面連接於前述第1端子， <br/>前述非共線反鐵磁性層中，與前述中間層相反側的面連接於前述第2端子， <br/>前述自旋轉矩產生層包含Ta、W、Hf、Pt、Ir中的任一者， <br/>關於前述非共線反鐵磁性層，其直徑為200 nm以下，並且，由包含Mn和Sn之合金、包含Mn和Ge之合金、包含Mn和Ir之合金、包含Mn和Pt之合金中的任一者形成。
如請求項1至8中任一項之電子裝置，其中 <br/>前述電子裝置作為振盪元件、檢波元件、亂數產生元件或記憶體元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述非共線反鐵磁性層設置有複數個，且將該些非共線反鐵磁性層電性連接， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述輸出端子配置在前述自旋轉矩產生層的與前述任意一方向大致正交之方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層設置有複數個，且將該些非共線反鐵磁性層電性連接， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述電子裝置還具備穿隧阻障層及參照層， <br/>前述穿隧阻障層對於前述非共線反鐵磁性層連接於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述參照層對於前述穿隧阻障層連接於與前述非共線反鐵磁性層相反側的面， <br/>前述輸出端子配置於前述參照層， <br/>前述非共線反鐵磁性層設置有複數個，且將該些非共線反鐵磁性層電性連接， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、第1端子及第2端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層、中間層及非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序積層而構成者， <br/>前述自旋轉矩產生層具有實質上固定之磁結構，磁化方向被定義為其有效磁化方向， <br/>前述中間層由非磁性材料形成， <br/>前述非共線反鐵磁性層在與前述磁化方向正交之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述自旋轉矩產生層中，與前述中間層相反側的面連接於前述第1端子， <br/>前述非共線反鐵磁性層中，與前述中間層相反側的面連接於前述第2端子， <br/>前述非共線反鐵磁性層設置有複數個，且將該些非共線反鐵磁性層電性連接， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述電子裝置還具備第2自旋轉矩產生層， <br/>前述第2自旋轉矩產生層對於前述非共線反鐵磁性層相鄰設置於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述輸出端子配置在前述自旋轉矩產生層的與前述任意一方向大致正交之方向的兩端， <br/>前述電子裝置還具備第2自旋轉矩產生層， <br/>前述第2自旋轉矩產生層對於前述非共線反鐵磁性層相鄰設置於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置，其特徵為，具備本體、輸入端子及輸出端子， <br/>前述本體係自旋轉矩產生層與非共線反鐵磁性層以該順序或相反順序的積層方向積層在基板上而構成者， <br/>前述輸入端子配置在前述自旋轉矩產生層的與積層面平行的任意一方向的兩端， <br/>前述非共線反鐵磁性層在前述任意一方向與前述積層方向所成之平面中具有非共線磁序，且利用作用於前述非共線反鐵磁性層之自旋轉矩， <br/>前述電子裝置還具備穿隧阻障層及參照層， <br/>前述穿隧阻障層對於前述非共線反鐵磁性層連接於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述參照層對於前述穿隧阻障層連接於與前述非共線反鐵磁性層相反側的面， <br/>前述輸出端子配置於前述參照層， <br/>前述電子裝置還具備第2自旋轉矩產生層， <br/>前述第2自旋轉矩產生層對於前述非共線反鐵磁性層相鄰設置於與前述自旋轉矩產生層相反側的面， <br/>前述電子裝置作為振盪元件或檢波元件而使用。
一種電子裝置的製造方法，其特徵為，係請求項1至8、10至16中任一項所述之電子裝置的製造方法，包括： <br/>將基板搭載在載台之步驟； <br/>在基板上堆積自旋轉矩產生層之步驟； <br/>在前述載台的表面保持300度以上之狀態下堆積非共線反鐵磁性層之步驟； <br/>進行熱處理以使前述基板加熱到300度以上之步驟；及 <br/>進行微細加工之步驟。
一種電子裝置的使用方法，其特徵為，係將請求項1至8、10至16中任一項所述之電子裝置作為振盪元件而使用之方法，且 <br/>在輸入端子之間導入直流電流。
一種電子裝置的使用方法，其特徵為，係將請求項1至8、10至16中任一項所述之電子裝置作為檢波元件而使用之方法，且 <br/>在輸入端子之間導入交流電流。
一種電子裝置的使用方法，其特徵為，係將請求項1至8、10至16中任一項所述之電子裝置作為亂數產生元件而使用之方法，且 <br/>在輸入端子之間輸入脈衝寬度為10奈秒以上的脈衝電流。
一種電子裝置的使用方法，其特徵為，係將請求項1至8、10至16中任一項所述之電子裝置作為記憶體元件而使用之方法，且 <br/>在輸入端子之間輸入脈衝寬度為0.1奈秒以上且2奈秒以下的脈衝電流。
一種形成一堆疊的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在一基板之該堆疊上形成一封裝層，該基板具有至少一個特徵，該封裝層包含氮化矽(SiN)或碳氮化矽(SiCN)中之一或多者；及<br/> 氧化該封裝層以形成具有在自4.0至小於7.0的一範圍中的一介電常數的一介電層，<br/> 其中該基板包含一硫屬化物、碳及一金屬中之一或多者以及該堆疊包含對空氣或水分敏感的至少一種材料，並且該堆疊及該基板之各者為實質上未損壞的。
如請求項1所述之方法，其中在不破壞真空的情況下在一處理系統中執行形成該封裝層及氧化該封裝層。
如請求項1所述之方法，其中該堆疊為一相變隨機存取記憶體(PCRAM)堆疊。
如請求項1所述之方法，其中該基板包含硒(Se)、碲(Te)、硫(S)、銻(Sb)、砷(As)、銦(In)、鍺(Ge)、鎢(W)、碳(C)、氮(N)及矽(Si)中之一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該至少一個特徵具有大於或等於1:1的一深寬比。
如請求項1所述之方法，其中形成該封裝層之步驟包含以下步驟：將該基板曝露於一矽前驅物及一氮前驅物，且視情況曝露於一電漿。
如請求項6所述之方法，其中該矽前驅物選自二碘矽烷(DIS)、二氯矽烷(DCS)、四溴化矽、四碘化矽、含碘前驅物、無鹵素矽前驅物、假鹵素矽前驅物、含硫矽前驅物、胺基矽烷前驅物、矽烷前驅物及其衍生物中之一或多者。
如請求項6所述之方法，其中該氮前驅物選自氮氣(N<sub>2</sub>)、氨(NH<sub>3</sub>)、聯胺(N<sub>2</sub>H<sub>4</sub>)、胺、NR<sub>x</sub>H<sub>y</sub>（其中R含有碳）、H<sub>2</sub>N-R-NH<sub>2</sub>（其中R含有碳）及其衍生物中之一或多者。
如請求項6所述之方法，其中該電漿包含氮(N<sub>2</sub>)、氫(H<sub>2</sub>)、氨(NH<sub>3</sub>)、氦(H<sub>2</sub>)及氬(Ar)中之一或多者。
如請求項1所述之方法，其中氧化該封裝層之步驟包含以下步驟：將該封裝層曝露於一含氧電漿及一氧化劑中之一或多者。
如請求項10所述之方法，其中該含氧電漿選自氧(O<sub>2</sub>)電漿、氧/氬(O<sub>2</sub>/Ar)電漿、氧/氦(O<sub>2</sub>/He)電漿、二氧化碳(CO<sub>2</sub>)電漿、一氧化碳(CO)電漿及氧化亞氮(N<sub>2</sub>O)電漿中之一或多者。
如請求項10所述之方法，其中該氧化劑選自氧(O<sub>2</sub>)、水(H<sub>2</sub>O)、過氧化氫(H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>)、臭氧(O<sub>3</sub>)及氧化亞氮(N<sub>2</sub>O)中之一或多者。
如請求項10所述之方法，其中該介電層包含氮氧化矽(SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>)及碳氮氧化矽(SiC<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)中之一或多者。
如請求項1所述之方法，其進一步包含以下步驟：重複該方法，直至該封裝層具有大於或等於10Å的一厚度。
一種形成一堆疊的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 將一基板上的該堆疊順序地曝露於一矽前驅物及一氮前驅物且視情況曝露於一電漿，以形成一封裝層於該堆疊上，該封裝層包含氮化矽及碳氮化矽中之一或多者，該基板具有一深寬比大於或等於1:1的至少一個特徵；及<br/> 將該封裝層曝露於一含氧電漿及一氧化劑中之一或多者以形成包含氮氧化矽(SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>)及碳氮氧化矽(SiC<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)中之一或多者的一介電層，該介電層具有在自4.0至小於7.0的一範圍中的一介電常數，其中該基板包含一硫屬化物、碳及一金屬中之一或多者以及該堆疊包含對空氣或水分敏感的至少一種材料。
如請求項15所述之方法，其中在不破壞真空的情況下在一處理系統中執行形成該封裝層及氧化該封裝層。
如請求項15所述之方法，其中該基板包含硒(Se)、碲(Te)、硫(S)、銻(Sb)、砷(As)、銦(In)、鍺(Ge)、鎢(W)、碳(C)、氮(N)及矽(Si)中之一或多者。
如請求項15所述之方法，其中該矽前驅物選自二碘矽烷(DIS)、二氯矽烷(DCS)、四溴化矽、四碘化矽、含碘前驅物、無鹵素矽前驅物、假鹵素矽前驅物、含硫矽前驅物、胺基矽烷前驅物、矽烷前驅物及其衍生物中之一或多者，其中該氮前驅物選自氮氣(N<sub>2</sub>)、氨(NH<sub>3</sub>)、聯胺(N<sub>2</sub>H<sub>4</sub>)、胺、NR<sub>x</sub>H<sub>y</sub>（其中R含有碳）、H<sub>2</sub>N-R-NH<sub>2</sub>（其中R含有碳）及其衍生物中之一或多者，且其中該電漿包含氮(N<sub>2</sub>)、氫(H<sub>2</sub>)、氨(NH<sub>3</sub>)、氦(He)及氬(Ar)中之一或多者。
如請求項15所述之方法，其進一步包含以下步驟：在將該封裝層曝露於該含氧電漿及該氧化劑中之一或多者之前沖洗該基板的該矽前驅物及該氮前驅物。
如請求項15所述之方法，其進一步包含以下步驟：重複該方法，直至該封裝層具有大於或等於10Å的一厚度。
一種電子部件製造用成套材料，其具有：感光性玻璃糊劑（A），其在基材表面形成具有規定寬度的槽部的玻璃層；以及感光性導電糊劑（B），其在所述玻璃層的槽部形成導電層， <br/>所述感光性玻璃糊劑（A）包含玻璃粉末（A1）、光固化性樹脂（A2）和紫外線吸收劑（A3）， <br/>所述感光性導電糊劑（B）包含導電性粉末（B1）、光固化性樹脂（B2）和紫外線吸收劑（B3）， <br/>所述感光性玻璃糊劑（A）的所述紫外線吸收劑（A3）和所述感光性導電糊劑（B）的所述紫外線吸收劑（B3）均含有偶氮系染料， <br/>將所述感光性玻璃糊劑（A）的總重量設為100質量%時，所述紫外線吸收劑（A3）的含量為0.2質量%以上， <br/>將所述感光性導電糊劑（B）的總重量設為100質量%時，所述紫外線吸收劑（B3）的含量為0.15質量%以下。
如請求項1所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述玻璃粉末（A1）包含將B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SiO<sub>2</sub>作為主成分的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>系玻璃。
如請求項2所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>系玻璃以氧化物換算的質量比計含有5～20質量%的所述B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，並且含有20～70質量%的所述SiO<sub>2</sub>。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，將所述感光性玻璃糊劑（A）的總重量設為100質量%時，所述玻璃粉末（A1）的含量為30質量%以上且60質量%以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，將所述感光性玻璃糊劑（A）的總重量設為100質量%時，所述紫外線吸收劑（A3）的含量為1.0質量%以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述偶氮系染料包含選自黃色系染料及紅色系染料中的至少一種。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性玻璃糊劑（A）還包含光聚合起始劑（A4）。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性玻璃糊劑（A）還包含有機黏結劑（A5）。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性玻璃糊劑（A）還包含分散介質（A6）。
如請求項9所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述分散介質（A6）是沸點為150℃以上且250℃以下的有機溶劑。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述導電性粉末（B1）包含銀系顆粒。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性導電糊劑（B）中的所述導電性粉末（B1）的含量為74質量%以上。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，將所述感光性導電糊劑（B）的總重量設為100質量%時，所述紫外線吸收劑（B3）的含量為0.001質量%以上且0.15質量%以下。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性導電糊劑（B）還包含光聚合起始劑（B4）。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性導電糊劑（B）還包含有機黏結劑（B5）。
如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料，其中，所述感光性導電糊劑（B）還包含分散介質（B6）。
一種包括玻璃固化膜及導電固化膜的複合體，其具備： <br/>生片，其為基材的前驅物； <br/>玻璃固化膜，其配置於所述生片上，且是如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料中所包含的感光性玻璃糊劑（A）光固化而成的；以及 <br/>導電固化膜，其配置於所述生片上，且是如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料中所包含的感光性導電糊劑（B）光固化而成的， <br/>在所述玻璃固化膜設置有規定圖案的槽部，在該槽部的內部形成有所述導電固化膜。
一種包括玻璃層及導電層的複合體，其具備： <br/>基材； <br/>玻璃層，其配置於所述基材表面，且包含如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料中所包含的感光性玻璃糊劑（A）的鍛燒體；以及 <br/>導電層，其配置於所述基材表面，且包含如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料中所包含的感光性導電糊劑（B）的鍛燒體， <br/>在所述玻璃層設置有規定圖案的槽部，在該槽部的內部形成有所述導電層。
一種電子部件的製造方法，其是使用如請求項1至請求項3中任一項所述的電子部件製造用成套材料來製造電子部件的方法，所述製造方法包括： <br/>將所述感光性玻璃糊劑（A）賦予至生片上後，進行曝光和顯影，由此形成具有規定圖案的槽部的玻璃固化膜的步驟； <br/>將所述感光性導電糊劑（B）填充至所述玻璃固化膜的所述槽部後，進行曝光和顯影，由此形成導電固化膜的步驟；以及 <br/>對所述生片、所述玻璃固化膜和所述導電固化膜進行鍛燒的步驟。
一種織機，具備： <br/>一對側框架，分別設置支撐經紗軸的經軸支架且支撐打緯裝置：以及 <br/>驅動機構，旋轉驅動包括經軸齒輪的前述經紗軸； <br/>各前述側框架由支撐前述打緯裝置的主體框架以及固定於前述主體框架且支撐前述經軸支架的送出框架構成； <br/>前述驅動機構安裝於前述主體框架。
如請求項1所記載之織機，其中前述驅動機構包括經由齒輪構件與前述經軸齒輪連結的驅動傳遞軸，並且以在形成於前述主體框架的貫通孔插通前述驅動傳遞軸的形式安裝於前述主體框架； <br/>前述貫通孔形成為長孔。
一種加工裝置，其將正面具有由多條分割預定線所劃分之多個元件之被加工物沿著該分割預定線進行加工，且具備： <br/>保持台，其保持被加工物； <br/>加工單元，其加工保持於該保持台之被加工物； <br/>攝像單元，其拍攝保持於該保持台之被加工物；以及 <br/>控制單元， <br/>該控制單元具有： <br/>廣域影像顯示部，其使藉由該攝像單元所拍攝之相鄰之多個區域的影像合併，並作為表示比該攝像單元的視野更廣的區域之廣域影像而顯示於顯示單元；以及 <br/>目標登錄部，其將該廣域影像中已特定之大於該攝像單元的視野之該元件的任意圖案登錄作為檢測該分割預定線之目標， <br/>其中，合併前的該攝像單元所拍攝之該影像的範圍小於該圖案。
如請求項1之加工裝置，其中，該控制單元， <br/>透過該廣域影像顯示部接收該顯示單元中所顯示之該廣域影像的顯示區域的寬度的設定輸入，或移動該顯示區域的輸入，藉此將該顯示區域進行調整，並透過該廣域影像顯示部，於該顯示單元顯示該圖案的整體， <br/>且透過該目標登錄部接收該廣域影像在該顯示區域中登錄作為該目標之範圍的變更的輸入，並接收登錄該範圍的選擇，藉此透過該目標登錄部，將該廣域影像在該顯示區域中的該範圍登錄作為該目標。
如請求項1或2之加工裝置，其中， <br/>該控制單元進一步具有：分割預定線登錄部，其將包含寬度大於該攝像單元的視野之該分割預定線在寬度方向的兩端而形成之該廣域影像中已選擇之該分割預定線的位置登錄作為加工預定位置， <br/>合併前的該攝像單元所拍攝之該影像的寬度小於該分割預定線的寬度。
如請求項3之加工裝置，其中，該控制單元， <br/>透過該廣域影像顯示部接收該顯示單元中所顯示之該廣域影像的顯示區域的寬度的設定輸入，或移動該顯示區域的輸入，藉此將該顯示區域進行調整，並透過該廣域影像顯示部，於該顯示單元顯示該分割預定線在寬度方向的兩端， <br/>且透過該分割預定線登錄部接收該廣域影像在該顯示區域中登錄作為該加工預定位置之範圍的變更的輸入，並接收登錄該範圍的選擇，藉此透過該分割預定線登錄部，將該廣域影像在該顯示區域中的該範圍之中央的座標登錄作為該加工預定位置。
如請求項3之加工裝置，其中， <br/>該控制單元在實施確認加工後的加工槽的品質之切口檢查之際，將包含寬度大於該攝像單元的視野之該加工槽在寬度方向的兩端而形成之該廣域影像顯示於該顯示單元， <br/>合併前的該攝像單元所拍攝之該影像的寬度小於該加工槽的寬度。
如請求項5之加工裝置，其中，該控制單元， <br/>透過該廣域影像顯示部在與透過該分割預定線登錄部登錄該加工預定位置之際相同的顯示區域，將包含該加工槽在寬度方向的兩端而形成之該廣域影像顯示於該顯示單元。
一種判定方法，判定磨石工具或加工條件的適當與否，前述判定方法之特徵在於具有以下步驟：<br/> 寫入步驟，使用該磨石工具並依照加工條件來實施加工，並對配設在該磨石工具或容置該磨石工具之盒子的IC標籤寫入該磨石工具的複數個加工資訊，前述複數個加工資訊分別包含：被該磨石工具所加工之被加工物的資訊、以該磨石工具加工該被加工物之該加工條件、與加工該被加工物時的該磨石工具的消耗量；<br/> 消耗傾向資訊製作步驟，將已在該寫入步驟中寫入該IC標籤之該加工資訊讀出，並由從該加工資訊求出之該被加工物的累積加工量與對應於該累積加工量之該磨石工具的累積消耗量之關係，來特定出該磨石工具的消耗傾向，並製作消耗傾向資訊；及<br/> 判定步驟，依據在該消耗傾向資訊製作步驟中所製作出之該消耗傾向資訊，來實施該磨石工具或該加工條件之對該被加工物的適當與否之判定。
一種寫入方法，將磨石工具的加工資訊寫入IC標籤，前述寫入方法之特徵在於進行以下步驟：<br/> 使用該磨石工具並依照加工條件來實施加工；<br/> 對配設在該磨石工具或容置該磨石工具之盒子的IC標籤寫入該磨石工具的加工資訊，前述磨石工具的加工資訊包含：被該磨石工具所加工之被加工物的資訊、以該磨石工具加工該被加工物之該加工條件、與加工該被加工物時的該磨石工具的消耗量。
一種判定方法，判定磨石工具或加工條件的適當與否，前述判定方法之特徵在於具有以下步驟：<br/> 消耗傾向資訊製作步驟，將寫入有加工資訊之配設在該磨石工具或容置該磨石工具之盒子的IC標籤的該加工資訊讀出，並由從該加工資訊求出之該被加工物的累積加工量與對應於該累積加工量之該磨石工具的累積消耗量之關係，特定出該磨石工具的消耗傾向，並製作消耗傾向資訊，其中前述加工資訊包含：被磨石工具所切削之被加工物的資訊、以該磨石工具加工該被加工物之加工條件、與加工該被加工物時的該磨石工具的消耗量；及<br/> 判定步驟，依據在該消耗傾向資訊製作步驟中所製作出之該消耗傾向資訊，來實施該磨石工具或該加工條件之對該被加工物的適當與否之判定。
如請求項1或3之判定方法，其中在該消耗傾向資訊製作步驟中，是製作表示該磨石工具的消耗傾向之圖表。
如請求項1或3之判定方法，其中在該判定步驟中，是藉由對和該磨石工具之成為基準的消耗傾向相關之基準消耗傾向資訊、與該消耗傾向資訊進行比較，來實施該判定。
如請求項5之判定方法，其中在該消耗傾向資訊製作步驟中，是製作作為該消耗傾向資訊而發揮功能之圖表，<br/> 在該判定步驟中，是藉由比較作為該基準消耗傾向資訊而發揮功能之基準圖表、與該圖表來實施該判定。
如請求項1或3之判定方法，其中該磨石工具是切削刀片。
如請求項4之判定方法，其中該磨石工具是切削刀片。
如請求項5之判定方法，其中該磨石工具是切削刀片。
如請求項6之判定方法，其中該磨石工具是切削刀片。
一種用於一操作人工神經網路的方法，包括以下步驟：<br/> 經由一第一電路，從一或多個感測器接收一輸入資料串流；<br/> 當一第二電路處於休眠狀態時，經由該第一電路來偵測該輸入資料串流的一第一輸入和該輸入資料串流的一第二輸入之間是否已經發生一狀態改變，該第二輸入是對於該輸入資料串流的該第一輸入的一下一後續輸入；及<br/> 回應於偵測到該狀態改變，經由該第一電路觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的一分類。
根據請求項1之方法，其中該分類不同於經由該第一電路偵測到的一狀態。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：經由該第一電路觸發該第二電路以提取該輸入資料串流的至少該第二輸入的一特徵集合。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：經由該第一電路來計算該第一輸入和該第二輸入之間的一相似度得分，該狀態改變是基於該相似度得分來偵測的。
根據請求項4之方法，還包括以下步驟：經由該第一電路將該相似度得分與預定義閾值進行比較；及回應於該相似度得分低於該預定義閾值，偵測已經發生該狀態改變。
根據請求項4之方法，其中該相似度得分是基於從包括一峰值訊雜比、一結構相似度和一餘弦相似度的組中選擇的一度量的。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：回應於經過一預定義時間段而未偵測到該狀態改變，經由該第一電路來觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的該分類。
根據請求項1之方法，還包括以下步驟：經由該第一電路觸發該第二電路以返回到該休眠狀態，以及將用於該輸入資料串流的至少一個後續輸入的一後續分類設置為等於用於該輸入資料串流的一先前輸入的先前計算的分類。
一種用於一操作人工神經網路的裝置，包括：<br/> 一輸入裝置，其用於從一或多個感測器接收輸入一資料串流；<br/> 一狀態改變偵測設備，其用於當一第二電路處於一休眠狀態時，偵測該輸入資料串流的一第一輸入和該輸入資料串流的一第二輸入之間是否已經一發生狀態改變，該第二輸入是對於該輸入資料串流的該第一輸入的下一後續輸入；及<br/> 一控制設備，其用於回應於偵測到該狀態改變，觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的一分類。
根據請求項9之裝置，其中該第二電路包括一特徵提取器，並且該控制設備觸發該特徵提取器以提取該輸入資料串流的至少該第二輸入的一特徵集合。
根據請求項9之裝置，其中該狀態改變偵測設備計算該第一輸入和該第二輸入之間的一相似度得分，該狀態改變是基於該相似度得分來偵測的。
根據請求項11之裝置，其中該狀態改變偵測設備將該相似度得分與一預定義閾值進行比較，並且回應於該相似度得分低於該預定義閾值，偵測已經發生該狀態改變。
根據請求項12之裝置，其中回應於針對該第二輸入和一第三輸入計算的一第二相似度得分超過該預定義閾值，該控制設備觸發該第二電路以返回到該休眠狀態。
根據請求項11之裝置，其中該相似度得分是基於從包括一峰值訊雜比、一結構相似度和一餘弦相似度的組中選擇的一度量來計算的。
根據請求項9之裝置，其中回應於經過一預定義時間段而未偵測到該狀態改變，該控制設備觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的該分類。
根據請求項9之裝置，其中該狀態改變偵測設備包括一二元分類器。
一種用於一操作人工神經網路的裝置，包括：<br/> 用於經由一第一電路，從一或多個感測器接收一輸入資料串流的構件；<br/> 用於當一第二電路處於一休眠狀態時，經由該第一電路來偵測該輸入資料串流的一第一輸入和該輸入資料串流的一第二輸入之間是否已經發生一狀態改變的構件，該第二輸入是對於該輸入資料串流的該第一輸入的下一後續輸入；及<br/> 用於回應於偵測到該狀態改變，經由該第一電路觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的一分類的構件。
根據請求項17之裝置，還包括：用於經由該第一電路觸發該第二電路以提取該輸入資料串流的至少該第二輸入的一特徵集合的構件。
根據請求項17之裝置，還包括：用於經由該第一電路來計算該第一輸入和該第二輸入之間的一相似度得分的構件，該狀態改變是基於該相似度得分來偵測的。
根據請求項19之裝置，還包括：用於經由該第一電路將該相似度得分與一預定義閾值進行比較的構件；及用於回應於該相似度得分低於該預定義閾值，偵測已經發生該狀態改變的構件。
根據請求項20之裝置，其中該相似度得分是基於從包括一峰值訊雜比、一結構相似度和一餘弦相似度的組中選擇的一度量的。
根據請求項17之裝置，還包括：用於回應於經過預定義時間段而未偵測到一狀態改變，經由該第一電路觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的該分類的構件。
根據請求項17之裝置，還包括：用於經由該第一電路觸發該第二電路以返回到該休眠狀態的構件。
一種具有編碼在其上的程式碼的非暫時性電腦可讀取媒體，該程式碼由一處理器執行並且包括：<br/> 用於經由一第一電路，從一或多個感測器接收一輸入資料串流的程式碼；<br/> 用於當一第二電路處於一休眠狀態時，經由該第一電路來偵測該輸入資料串流的一第一輸入和該輸入資料串流的一第二輸入之間是否已經發生一狀態改變的程式碼，該第二輸入是對於該輸入資料串流的該第一輸入的一下一後續輸入；及<br/> 用於回應於偵測到該狀態改變，經由該第一電路觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的一分類的程式碼。
根據請求項24之非暫時性電腦可讀取媒體，還包括：用於經由該第一電路觸發該第二電路以提取該輸入資料串流的至少該第二輸入的一特徵集合的程式碼。
根據請求項24之非暫時性電腦可讀取媒體，還包括：用於經由該第一電路來計算該第一輸入和該第二輸入之間的一相似度得分的程式碼，該狀態改變是基於該相似度得分來偵測的。
根據請求項26之非暫時性電腦可讀取媒體，還包括用於以下操作的程式碼：經由該第一電路將該相似度得分與預定義閾值進行比較；及回應於該相似度得分低於該預定義閾值，偵測已經發生該狀態改變。
根據請求項26之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該相似度得分是基於從包括一峰值訊雜比、一結構相似度和一餘弦相似度的組中選擇的一度量的。
根據請求項24之非暫時性電腦可讀取媒體，還包括：用於回應於經過預定義時間段而未偵測到狀態改變，經由該第一電路觸發該第二電路以執行對該輸入資料串流的該分類的程式碼。
根據請求項24之非暫時性電腦可讀取媒體，還包括：用於經由該第一電路觸發該第二電路以返回到該休眠狀態的程式碼。
一種光學積層體，其係依序包含第1基材膜、第1應力緩和層、偏光層、黏接著層、相位差層、第2應力緩和層、及第2基材膜者，並且 <br/>第1基材膜之厚度為50～120 μm， <br/>位於第1應力緩和層與第2應力緩和層之間之層的合計厚度為20 μm以下， <br/>第1基材膜之23℃下之彈性模數為2,500～6,000 MPa， <br/>第1應力緩和層與鄰接於第1應力緩和層之和第1基材膜為相反側之面之層之間可剝離，且第2基材膜為可剝離之基材膜， <br/>其中將包含自第1基材膜至第1應力緩和層為止之層的積層體(積層體a)自光學積層體剝離時之剝離力(F1)與將第2基材膜自光學積層體剝離時之剝離力(F2)滿足式(2)： <br/>0.02(N/25 mm)≦｜F1－F2｜ (2)。
如請求項1之光學積層體，其中於第1應力緩和層與偏光層之間進而包含防擴散層。
如請求項1或2之光學積層體，其中偏光層係含有顯示層列液晶相之聚合性液晶化合物與二色性色素之聚合性液晶組合物之液晶硬化層。
如請求項1或2之光學積層體，其中相位差層係聚合性液晶化合物於相對於基材面內水平之方向上配向之狀態下硬化之水平配向液晶硬化層。
如請求項2之光學積層體，其中包含自第1基材膜至第1應力緩和層為止之層的積層體(積層體a)之膜厚(T1)與包含自位於第1應力緩和層與偏光層之間之防擴散層至第2應力緩和層為止之層的積層體(積層體b)之膜厚(T2)滿足式(1)： <br/>T1/T2≧1.5 (1)。
如請求項2之光學積層體，其中防擴散層之厚度為5 μm以下。
如請求項1或2之光學積層體，其中於偏光層與第2應力緩和層之間進而包含：聚合性液晶化合物於相對於基材面內垂直之方向上配向之狀態下硬化之垂直配向液晶硬化層。
一種安裝構造，其係筆具之安裝構造，且該安裝構造具備： <br/>第1零件；及 <br/>第2零件，其插著於上述第1零件之端部所設置之插著孔；且 <br/>上述第2零件具備小徑部、設置於上述小徑部之前方之大徑部、及設置於上述小徑部與上述大徑部之間之第1外段部； <br/>上述插著孔具備小徑孔部、與設置於上述小徑孔部之前方之內段部； <br/>上述小徑部插著或鬆插於上述小徑孔部； <br/>上述第1外段部與上述內段部抵接；且 <br/>上述小徑孔部具備自該小徑孔部之內表面突出之復位部，上述復位部於上述第2零件插著時可因與上述小徑部接觸而變形； <br/>於上述第1零件中上述內段部係沿周向而形成。
如請求項1之安裝構造，其中 <br/>上述復位部設置於上述小徑孔部之內表面之後端。
如請求項1之安裝構造，其中 <br/>上述插著孔進而具備設置於上述內段部之前方之大徑孔部， <br/>上述大徑部插著或遊隙嵌入上述大徑孔部。
如請求項1之安裝構造，其中上述復位部以周狀且等間隔地於上述小徑孔部配設複數個。
如請求項1之安裝構造，其中上述復位部之前端部之橫剖面為R形狀。
如請求項1之安裝構造，其中 <br/>上述第2零件於上述第1外段部之後方具備卡合溝槽，於上述卡合溝槽之後端具備第2外段部，上述復位部卡合於上述第2外段部，將上述第2零件於軸向上防脫卡合。
如請求項1至6中任一項之安裝構造，其中 <br/>上述第1零件為筆具本體， <br/>上述第2零件為筆尖， <br/>上述插著孔設置於上述筆具本體之前部。
如請求項1至6中任一項之安裝構造，其中 <br/>上述第1零件為上述筆具之軸筒或筆蓋， <br/>上述第2零件為軟質構件，其係包含矽氧樹脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)樹脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)樹脂、氟樹脂、氯丁二烯樹脂、腈樹脂、聚酯樹脂、乙烯-丙烯-二烯橡膠(EPDM)中任一者之彈性合成樹脂； <br/>上述插著孔設置於上述軸筒之尾端或上述筆蓋之閉塞端。
一種筆具，其特徵在於具備請求項8記載之安裝構造，且形成熱變色性之筆跡。
一種軟質構件，其特徵在於其係包含矽氧樹脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)樹脂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS)樹脂、氟樹脂、氯丁二烯樹脂、腈樹脂、聚酯樹脂、乙烯-丙烯-二烯橡膠(EPDM)中任一者之彈性合成樹脂，且與上述插著孔一起構成如請求項8記載之安裝構造。
一種使稻作的稻米產量相對於未經治療之稻作的稻米產量增加之方法，該方法包含將天竺葵酸膽鹼或包含天竺葵酸膽鹼之組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地，其中在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後，將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
如請求項1之方法，其中該稻作選自由以下組成之群：水稻(<i>Oryza sativa</i>)、西非栽培稻(<i>Oryza glaberrima</i>)、澳洲稻(<i>Oryza australiensis</i>)、巴司稻(<i>Oryza barthii</i>)、短花稻(<i>Oryza brachyantha</i>)、雙弧稻(<i>Oryza coarctata</i>)、艾氏稻(<i>Oryza eichingeri</i>)、大穎稻(<i>Oryza grandiglumis</i>)、闊葉稻(<i>Oryza latifolia</i>)、長穎稻(<i>Oryza longiglumis</i>)、長藥稻(<i>Oryza longistaminata</i>)、梅氏稻(<i>Oryza meyeriana</i>)、微粒稻(<i>Oryza minuta</i>)、新喀里多尼亞稻(<i>Oryza neocaledonica</i>)、亞洲稻(<i>Oryza officinalis</i>)、東非野生稻(<i>Oryza punctata</i>)、立特來稻(<i>Oryza ridleyi</i>)、宿根稻(<i>Oryza rufipogon</i>)、史氏稻(<i>Oryza schlechteri</i>)、沼生菰(<i>Zizania palustris</i>)、水生菰(<i>Zizania aquatica</i>)、德克薩斯菰(<i>Zizania texana</i>)、菰(<i>Zizania latifolia</i>)及叢集野稻(<i>Porteresia coarctata</i>)。
如請求項1或2之方法，其中該組合物係水性組合物；係濃縮物，其包含在5.0% (w/v)與70% (w/v)之間的天竺葵酸膽鹼；係可噴霧液體，其包含在0.001% (w/v)與5.0% (w/v)之間的天竺葵酸膽鹼；及/或進一步包含一或多種助劑，其係選自溶劑、載劑、界面活性劑、黏著劑(sticker)、防凍劑、增稠劑、緩衝劑、消泡劑、抗氧化劑、防腐劑、芳香劑或著色劑。
如請求項1或2之方法，其中該方法包含將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作的整個地上部分。
如請求項1或2之方法，其中在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後的同一天，將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
如請求項1或2之方法，其中在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後，且在該稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之強度為至多25%之前，將天竺葵酸膽鹼或該組合物第一次施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
如請求項1或2之方法，其中將天竺葵酸膽鹼或該組合物噴霧於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地上，及/或其中將天竺葵酸膽鹼以0.01 kg/ha至10.0 kg/ha的濃度施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
一種天竺葵酸膽鹼或包含天竺葵酸膽鹼之組合物用於使稻作的稻米產量相對於未經治療之稻作的稻米產量增加之用途，其中天竺葵酸膽鹼或該組合物在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
一種控制稻作或其部分的稻熱病、紋枯病或其合併之方法，該方法包含將天竺葵酸膽鹼或包含天竺葵酸膽鹼之組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地，其中在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後，將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
如請求項9之方法，其中該稻作選自由以下組成之群：水稻、西非栽培稻、澳洲稻、巴司稻、短花稻、雙弧稻、艾氏稻、大穎稻、闊葉稻、長穎稻、長藥稻、梅氏稻、微粒稻、新喀里多尼亞稻、亞洲稻、東非野生稻、立特來稻、宿根稻、史氏稻、沼生菰、水生菰、德克薩斯菰、菰及叢集野稻。
如請求項9或10之方法，其中該組合物係水性組合物；係濃縮物，其包含在5.0% (w/v)與70% (w/v)之間的天竺葵酸膽鹼；係可噴霧液體，其包含在0.001% (w/v)與5.0% (w/v)之間的天竺葵酸膽鹼；及/或進一步包含一或多種助劑，其係選自溶劑、載劑、界面活性劑、黏著劑、防凍劑、增稠劑、緩衝劑、消泡劑、抗氧化劑、防腐劑、芳香劑或著色劑。
如請求項9或10之方法，其中該方法包含將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作的整個地上部分。
如請求項9或10之方法，其中在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後的同一天，將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
如請求項9或10之方法，其中在該稻作或其部分上顯現該稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後，且在該稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之強度為至多25%之前，將天竺葵酸膽鹼或該組合物第一次施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
如請求項9或10之方法，其中將天竺葵酸膽鹼或該組合物噴霧於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地上，及/或其中將天竺葵酸膽鹼以0.01 kg/ha至10.0 kg/ha的濃度施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
一種天竺葵酸膽鹼或包含天竺葵酸膽鹼之組合物在控制稻作或其部分的稻熱病、紋枯病或其合併中之用途，其中在該稻作或其部分上顯現稻熱病、紋枯病或其合併的症狀之後，將天竺葵酸膽鹼或該組合物施加於該稻作、其部分或該稻作的生長所在地。
一種樹脂組成物，包含：<br/> 預反應物(A)，使分子內具有羥基之聚苯醚化合物(a1)與分子內具有酸酐基之酸酐(a2)預先反應而成；及<br/> 硬化性樹脂(B)，包含分子內具有不飽和雙鍵之反應性化合物，<br/> 前述酸酐(a2)之碳數為6以上且25以下，<br/> 前述酸酐(a2)之酸酐基相對於前述聚苯醚化合物(a1)之羥基的當量比為1.5以下，且<br/> 相對於前述預反應物(A)及前述硬化性樹脂(B)之合計100質量份，前述硬化性樹脂(B)之含量為20~85質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述酸酐(a2)包含分子內具有1個以上環狀酸酐基之酸酐。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述預反應物(A)包含業經具有1個以上酯鍵及羧基之取代基進行末端改質的酯・羧基改質聚苯醚化合物。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述硬化性樹脂(B)包含馬來醯亞胺化合物(B1)及前述馬來醯亞胺化合物(B1)以外之反應性化合物(B2)。
如請求項4之樹脂組成物，其中相對於前述預反應物(A)及前述硬化性樹脂(B)之合計100質量份，前述馬來醯亞胺化合物(B1)之含量為10~70質量份，且<br/> 相對於前述預反應物(A)及前述硬化性樹脂(B)之合計100質量份，前述反應性化合物(B2)之含量為10~70質量份。
如請求項4之樹脂組成物，其中前述反應性化合物(B2)包含選自於由下列所構成群組中之至少1種：業經具有不飽和雙鍵之取代基進行末端改質的不飽和雙鍵改質聚苯醚化合物、烯丙基化合物、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、聚丁二烯化合物及苯乙烯化合物。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述硬化性樹脂(B)更包含苯并<img align="absmiddle" height="25px" width="39px" file="d10011.TIF" alt="ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/>化合物。
如請求項1之樹脂組成物，其更包含無機充填材。
如請求項8之樹脂組成物，其中前述無機充填材經矽烷耦合劑進行表面處理。
一種預浸體，具備：如請求項1之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及纖維質基材。
一種附樹脂之薄膜，具備：樹脂層，包含如請求項1之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及支持薄膜。
一種附樹脂之金屬箔，具備：樹脂層，包含如請求項1之樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物；及金屬箔。
一種覆金屬積層板，具備：絕緣層，包含如請求項1之樹脂組成物之硬化物；及金屬箔。
一種配線板，具備：絕緣層，包含如請求項1之樹脂組成物之硬化物；及配線。
一種覆金屬積層板，具備：絕緣層，包含如請求項10之預浸體之硬化物；及金屬箔。
一種配線板，具備：絕緣層，包含如請求項10之預浸體之硬化物；及配線。
一種預浸漬積層體，其係使熱固性樹脂或熱塑性樹脂含浸於不連續強化纖維之預浸漬體(A)、與使熱塑性樹脂含浸於不連續強化纖維之預浸漬體(B)連接而積層，同時於至少一方的表面配置有該預浸漬體(A)而成之預浸漬積層體；<br/> 其中，連接之預浸漬體(A)與預浸漬體(B)的至少一部分的組合形成滿足下述(1)及(2)的至少一方之重複區域；<br/> 預浸漬體(B)所含之不連續強化纖維為網形態；<br/> 預浸漬體(A)具有複數切口，預浸漬體(A)所含之不連續強化纖維係藉由該切口而切斷單向排列之連續強化纖維，形成單向排列之纖維束而成；<br/> 預浸漬體(B)具有切斷該網形態的不連續強化纖維的至少一部分之複數切口；<br/> 藉由在該預浸漬體(A)中形成該切口之切口區域、與在該預浸漬體(B)中形成該切口之切口區域重複，形成該重複區域而成；<br/> 將該重複區域中該預浸漬體(A)、該預浸漬體(B)所具有之每1m<sup>2</sup>換算之切口長的和分別設為Ca[m/m<sup>2</sup>]、Cb[m/m<sup>2</sup>]時，滿足0.1≦Cb/Ca＜5；<br/> (1)預浸漬體(B)所含之不連續強化纖維的纖維長的變異係數比預浸漬體(A)所含之不連續強化纖維的纖維長的變異係數更大；<br/> (2)預浸漬體(B)具有切斷預浸漬體(B)所含之不連續強化纖維之複數切口，同時預浸漬體(B)所含之不連續強化纖維的二維定向角(angle of orientation)的平均值比預浸漬體(A)所含之不連續強化纖維的二維定向角的平均值更大。
如請求項1之預浸漬積層體，其中，在該重複區域中，預浸漬體(A)所含之不連續強化纖維的平均纖維長比預浸漬體(B)所含之不連續強化纖維的平均纖維長更長。
如請求項1之預浸漬積層體，其中，在該重複區域中，以根數換算計，預浸漬體(B)所含之不連續強化纖維的50%以上具有預浸漬體(A)所含之強化纖維的平均纖維長以下的纖維長。
如請求項1之預浸漬積層體，其中，在該切口區域中，該預浸漬體(A)及該預浸漬體(B)的切口在平面圖中以固定的圖案形成；<br/> 在該重複區域中，將該預浸漬體(A)的切口圖案與該預浸漬體(B)的切口圖案投影於厚度方向時，兩者的切口的至少一部分交叉。
如請求項1至3中任一項之預浸漬積層體，其中，該預浸漬體(A)及該預浸漬體(B)係相對於預浸漬積層體的積層方向的中心對稱地積層之積層構造。
一種複合結構體之製造方法，其包含將包含如請求項1至5中任一項之預浸漬積層體之預形體加熱及加壓。
如請求項6之複合結構體之製造方法，其具有：<br/> 加熱該預浸漬體(B)的熱塑性樹脂至熔融或軟化之溫度為止同時加壓之加熱及加壓步驟；與<br/> 緩和壓力，藉由該預浸漬體(B)所含之該不連續強化纖維的起毛力使該預浸漬體(B)的體積增加之膨脹步驟。
如請求項7之複合結構體之製造方法，其中，將由下述所決定之該預浸漬體(B)的該重複區域的標準膨脹體積設為Y，將該預浸漬體(B)的該重複區域的流動膨脹體積設為Z時，以成為Y＞Z的方式進行膨脹步驟；<br/> 標準膨脹體積Y：僅加熱該預浸漬體(B)的該重複區域至內部的平均溫度成為於該加熱及加壓步驟加熱之溫度以上為止，在維持該狀態的情況下於大氣壓力下保持1小時所得之纖維強化樹脂結構體的體積[mm<sup>3</sup>]；<br/> 流動膨脹體積Z：源自該膨脹步驟結束時的該預浸漬體(B)的該重複區域之層的體積[mm<sup>3</sup>]。
一種複合結構體，其具有使如請求項1至5中任一項之預浸漬積層體成形而成之層結構。
如請求項9之複合結構體，其中，源自該預浸漬體(B)之層包含空隙。
一種LGPS系固體電解質之製造方法，其特徵為包含下列步驟： <br/>將平均粒徑(D50)為0.1~5μm之Li<sub>3</sub>PS<sub>4</sub>結晶與平均粒徑(D50)為0.1~5μm之由Li元素、Sn元素、及S元素構成的結晶進行混合來製作前驅物，及 <br/>將該前驅物以300~700℃進行加熱處理。
如請求項1之LGPS系固體電解質之製造方法，其中，得到的LGPS系固體電解質之平均粒徑(D50)為0.5~5μm。
如請求項1或2之LGPS系固體電解質之製造方法，其中，該LGPS系固體電解質在X射線繞射(CuKα：λ=1.5405Å)中，至少於2θ=20.18°±0.50°、20.44°±0.50°、26.96°±0.50°、及29.58°±0.50°之位置具有峰部。
如請求項1或2之LGPS系固體電解質之製造方法，其中，該Li<sub>3</sub>PS<sub>4</sub>結晶為β-Li<sub>3</sub>PS<sub>4</sub>。
如請求項1或2之LGPS系固體電解質之製造方法，其係於鈍性氣體環境下實施該加熱處理步驟。
如請求項1或2之LGPS系固體電解質之製造方法，其中，該LGPS系固體電解質含有具有由Li元素及S元素構成的八面體O、由選自由P及Sn構成之群組中之一種以上之元素及S元素構成的四面體T<sub>1</sub>、及由P元素及S元素構成的四面體T<sub>2</sub>，且該四面體T<sub>1</sub>及該八面體O共稜，該四面體T<sub>2</sub>及該八面體O共頂點之結晶結構作為主體。
如請求項1或2之LGPS系固體電解質之製造方法，其中，該由Li元素、Sn元素、及S元素構成的結晶為具有Li<sub>4</sub>SnS<sub>4</sub>之組成的結晶。
一種使用人工智慧的物件識別方法，用於識別一攝影裝置以一第一拍攝角度所拍攝的一第一影像中的物件，該物件識別方法包括下列步驟：<br/>A.通過一影像處理晶片決定該第一拍攝角度與一預設的第二拍攝角度之間的差異值；<br/>B.當該差異值大於一預設值時，該影像處理晶片將該第一影像轉換成視角為該第二拍攝角度的一第二影像；以及<br/>C.該影像處理晶片將該第二影像提供至一人工智慧模型進行辨識；<br/>其中，該第二拍攝角度是訓練該人工智慧模型時所使用的影像的拍攝角度；<br/>其中，該人工智慧模型是用以識別該第二影像中的車輛；<br/>其中，該步驟A包括：<br/>該影像處理晶片從該第一影像中找出一中心點以及一定位標記；以及<br/>該影像處理晶片根據該定位標記、該中心點與一預設定位點的位置，計算該差異值。
如請求項1所述的使用人工智慧的物件識別方法，其中該人工智慧模型是依據該第二拍攝角度取得的影像資料訓練而得。
請求項1所述的使用人工智慧的物件識別方法，其中該步驟B包括讓該影像處理晶片使用以下公式將該第一影像轉換成該第二影像：<br/>Xp=(X-Lpm)*((Lpm+Lpc)/Lpc)*αx+βx ；以及<br/>Yp=(Y-Hpm)*((Lpm+Lpc)/Lpc)*αy+βy；<br/>其中，X與Y為該第一影像中各像素點的座標，Xp與Yp為該第二影像中各像素點的座標，Lpm為該定位標記與該預設定位點在水平方向的距離， Lpc為該預設定位點與該中心點在水平方向的距離，Hpm為該定位標記與該預設定位點在垂直方向的距離，αx、βx、αy和βy為預設值。
請求項1所述的使用人工智慧的物件識別方法，其中該步驟B包括：<br/>B1.該影像處理晶片根據該差異值產生一透視轉換矩陣，以及<br/>B2.該影像處理晶片根據該透視轉換矩陣將該第一影像轉換為該第二影像。
請求項1所述的使用人工智慧的物件識別方法，其中該步驟B包括讓該影像處理晶片使用透視轉換將該第一影像轉換為該第二影像。
一種攝影裝置，包括：<br/>一鏡頭；<br/>一光學感測器，連接該鏡頭，用以產生一第一影像；<br/>一影像處理晶片，連接該光學感測器，判斷該鏡頭目前的一第一拍攝角度與一預設的第二拍攝角度之間的差異值，並且當該差異值大於一預設值時，將該第一影像轉換成視角為該第二拍攝角度的一第二影像；以及<br/>一人工智慧模型，連接該影像處理晶片，用以辨識該第二影像中的車輛；<br/>其中，該第二拍攝角度是訓練該人工智慧模型時所使用的影像的拍攝角度；<br/>其中，該影像處理晶片從該第一影像中找出一中心點以及一定位標記，並且根據該定位標記、該中心點與一預設定位點的位置，計算該差異值。
如請求項6所述的攝影裝置，其中該人工智慧模型是依據該第二拍攝角度取得的影像資料訓練而得。
請求項6所述的攝影裝置，其中該影像處理晶片包括使用以下公式將該第一影像轉換成該第二影像：<br/>Xp=(X-Lpm)*((Lpm+Lpc)/Lpc)*αx+βx ；以及<br/>Yp=(Y-Hpm)*((Lpm+Lpc)/Lpc)*αy+βy；<br/>其中，X與Y為該第一影像中各像素點的座標，Xp與Yp為該第二影像中各像素點的座標，Lpm為該定位標記與該預設定位點在水平方向的距離， Lpc為該預設定位點與該中心點在水平方向的距離，Hpm為該定位標記與該預設定位點在垂直方向的距離，αx、βx、αy和βy為預設值。
請求項6所述的攝影裝置，其中該影像處理晶片根據該差異值產生一透視轉換矩陣，以及根據該透視轉換矩陣將該第一影像轉換為該第二影像。
請求項6所述的攝影裝置，其中該影像處理晶片包括使用透視轉換將該第一影像轉換為該第二影像。
一種紅色著色組合物，其包含著色劑(A)、樹脂(B)、聚合性化合物(C)、聚合起始劑(D)及溶劑(E)， <br/>上述著色劑(A)包含滿足條件(X)之橙色著色劑(A-1)、紅色著色劑(A-2)、及選自由含有金屬之偶氮色素、異吲哚啉色素及香豆素色素所組成之群中之至少1種以上之黃色著色劑(A-3)， <br/>上述紅色著色劑(A-2)包含選自由C.I.顏料紅177及C.I.顏料紅269所組成之群中之至少1種以上， <br/>於著色劑(A)之總量中，上述橙色著色劑(A-1)之含有率超過10質量%， <br/>相對於橙色著色劑(A-1)100質量份，黃色著色劑(A-3)之含量為250質量份以下， <br/>[條件(X)] <br/>製備僅包含橙色著色劑(A-1)作為著色劑，且固形物成分中，橙色著色劑(A-1)之含有率達到10質量%之組合物(X-1)，對由上述組合物(X-1)形成之膜厚1 μm之彩色濾光片測定吸光度時， <br/>波長480 nm下之吸光度為0.40以上， <br/>波長530 nm下之吸光度為0.55以上， <br/>波長580 nm下之吸光度為0.20以下。
如請求項1之紅色著色組合物，其中上述紅色著色劑(A-2)滿足條件(Y)， <br/>[條件(Y)] <br/>製備僅包含紅色著色劑(A-2)作為著色劑，且固形物成分中，紅色著色劑(A-2)之含有率達到10質量%之組合物(Y)，對由上述組合物(Y)形成之膜厚1 μm之彩色濾光片測定吸光度時， <br/>波長440 nm下之吸光度為0.30以下， <br/>波長480 nm下之吸光度未達0.50， <br/>波長530 nm下之吸光度為0.30以上， <br/>波長580 nm下之吸光度為0.10以上。
如請求項1或2之紅色著色組合物，其中上述黃色著色劑(A-3)滿足條件(Z)， <br/>[條件(Z)] <br/>製備僅包含黃色著色劑(A-3)作為著色劑，且固形物成分中，黃色著色劑(A-3)之含有率達到10質量%之組合物(Z-1)，對由上述組合物(Z-1)形成之膜厚1 μm之彩色濾光片測定吸光度時， <br/>波長440 nm下之吸光度為0.50以上， <br/>波長480 nm下之吸光度為0.20以上， <br/>波長530 nm下之吸光度為0.10以下， <br/>波長580 nm下之吸光度為0.10以下。
如請求項1或2之紅色著色組合物，其中上述橙色著色劑(A-1)包含選自C.I.顏料橙43及C.I.顏料橙64之至少1種以上。
如請求項1或2之紅色著色組合物，其中上述黃色著色劑(A-3)包含選自由C.I.顏料黃139、C.I.顏料黃150及C.I.顏料黃185所組成之群中之至少1種以上。
一種彩色濾光片，其由如請求項1至5中任一項之紅色著色組合物形成。
一種顯示裝置，其包含如請求項6之彩色濾光片。
一種固體拍攝元件，其包含如請求項6之彩色濾光片。
一種半導體裝置用接合線，其包含：芯材，其包含Cu或Cu合金；及被覆層，其形成於該芯材表面，含有Cu以外之導電性金屬； <br/>該被覆層於被覆層之厚度方向上，在芯材側具有以Pd為主成分之區域，且於將該被覆層之厚度設為d(nm)時從導線表面起深度0.5d之範圍具有包含Ni與Pd之區域， <br/>該被覆層之厚度d為10 nm以上130 nm以下， <br/>相對於導線整體而言的Ni之濃度C<sub>Ni</sub>(質量%)與Pd之濃度C<sub>Pd</sub>(質量%)之比C<sub>Ni</sub>/C<sub>Pd</sub>為0.02以上0.7以下， <br/>導線之深度方向之濃度分佈中顯示Ni之最大濃度之位置處於從導線表面起深度0.5d之範圍，且該Ni之最大濃度為10原子%以上。
如請求項1之半導體裝置用接合線，其中被覆層於被覆層之厚度方向上，在導線表面側含有Au。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中相對於導線整體而言的Pd、Ni、Au之合計濃度C<sub>M</sub>(質量%)與Pd之濃度C<sub>Pd</sub>(質量%)之比C<sub>Pd</sub>/C<sub>M</sub>為0.5以上。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中導線之深度方向之濃度分佈中，Pd之最大濃度為80原子%以上。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中導線之深度方向之濃度分佈係一面從導線表面起藉由Ar濺鍍向深度方向刻蝕，一面在下述＜條件＞下藉由歐皆電子能譜法(AES)測定而獲得， <br/>＜條件＞以導線之寬度之中心成為測定面之寬度之中心的方式進行定位，且測定面之寬度為導線直徑之5%以上15%以下，測定面之長度為測定面之寬度之5倍。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中使用導線形成無空氣焊球(FAB：Free Air Ball)時，測定該FAB之與壓接接合方向垂直之剖面之結晶方位所得的結果中，相對於壓接接合方向之角度差為15度以下之＜100＞結晶方位之比率為30%以上。
如請求項6之半導體裝置用接合線，其中相對於壓接接合方向之角度差為15度以下之＜100＞結晶方位之比率為50%以上。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其包含選自由B、P及Mg所組成之群中之1種以上之元素(以下稱作「第1添加元素」)，且相對於導線整體而言的第1添加元素之總計濃度為1質量ppm以上100質量ppm以下。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其包含選自由Se、Te、As及Sb所組成之群中之1種以上之元素(以下稱作「第2添加元素」)，且相對於導線整體而言的第2添加元素之總計濃度為1質量ppm以上100質量ppm以下。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其包含選自由Ga、Ge及In所組成之群中之1種以上之元素(以下稱作「第3添加元素」)，且相對於導線整體而言的第3添加元素之總計濃度為0.011質量%以上1.5質量%以下。
一種半導體裝置，其包含如請求項1至10中任一項之半導體裝置用接合線。
一種半導體裝置用接合線，其包含：芯材，其包含Cu或Cu合金；及被覆層，其形成於該芯材表面，含有Cu以外之導電性金屬； <br/>該被覆層於被覆層之厚度方向上，在芯材側具有以Pd為主成分之區域，且於將該被覆層之厚度設為d(nm)時從導線表面起深度0.5d之範圍具有包含Ni與Pd之區域， <br/>該被覆層之厚度d為10 nm以上130 nm以下， <br/>相對於導線整體而言的Ni之濃度C<sub>Ni</sub>(質量%)與Pd之濃度C<sub>Pd</sub>(質量%)之比C<sub>Ni</sub>/C<sub>Pd</sub>為0.02以上0.7以下， <br/>導線之深度方向之濃度分佈中顯示Ni之最大濃度之位置處於從導線表面起深度0.5d之範圍，且該Ni之最大濃度為10原子%以上， <br/>滿足以下之條件(i)、(ii)之至少一者： <br/>(i)相對於導線整體而言的In之濃度為1質量ppm以上100質量ppm以下； <br/>(ii)相對於導線整體而言的Ag之濃度為1質量ppm以上500質量ppm以下。
如請求項1之半導體裝置用接合線，其中被覆層於被覆層之厚度方向上，在導線表面側含有Au。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中相對於導線整體而言的Pd、Ni、Au之合計濃度C<sub>M</sub>(質量%)與Pd之濃度C<sub>Pd</sub>(質量%)之比C<sub>Pd</sub>/C<sub>M</sub>為0.5以上。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中導線之深度方向之濃度分佈中，Pd之最大濃度為80原子%以上。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中導線之深度方向之濃度分佈係一面從導線表面藉由Ar濺鍍向深度方向刻蝕，一面在下述＜條件＞下藉由歐皆電子能譜法(AES)測定而獲得， <br/>＜條件＞以導線之寬度之中心成為測定面之寬度之中心的方式進行定位，且測定面之寬度為導線直徑之5%以上15%以下，測定面之長度為測定面之寬度之5倍。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其中使用導線形成無空氣焊球(FAB：Free Air Ball)時，測定該FAB之與壓接接合方向垂直之剖面之結晶方位所得的結果中，相對於壓接接合方向之角度差為15度以下之＜100＞結晶方位之比率為30%以上。
如請求項6之半導體裝置用接合線，其中相對於壓接接合方向之角度差為15度以下之＜100＞結晶方位之比率為50%以上。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其包含選自由B、P及Mg所組成之群中之1種以上之元素(以下稱作「第1添加元素」)，且相對於導線整體而言的第1添加元素之總計濃度為1質量ppm以上100質量ppm以下。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其包含選自由Se、Te、As及Sb所組成之群中之1種以上之元素(以下稱作「第2添加元素」)，且相對於導線整體而言的第2添加元素之總計濃度為1質量ppm以上100質量ppm以下。
如請求項1或2之半導體裝置用接合線，其包含選自由Ga及Ge所組成之群中之1種以上之元素(以下稱為「第3添加元素」)，且相對於導線整體而言的第3添加元素之總計濃度為0.011質量%以上1.5質量%以下。
一種半導體裝置，其包含如請求項1至10中任一項之半導體裝置用接合線。
一種成像元件，其具備： <br/>基材，其具有彎曲之第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；以及 <br/>反射器陣列，其設置於上述基材上；且 <br/>上述反射器陣列包含具有沿著第1方向而設置之複數個兩面正交反射器之複數個反射器列， <br/>上述複數個反射器列係於與上述第1方向相交之第2方向上相互隔開間隔而平行地排列， <br/>上述複數個兩面正交反射器分別包含： <br/>第1反射面，其係以反射來自上述第1面之側之光之方式設置；及 <br/>第2反射面，其係以與上述第1反射面正交之方式設置，且係以將來自上述第1反射面之反射光向上述第1面之側反射之方式設置； <br/>於上述複數個反射器列之各者中， <br/>上述第1反射面與上述第2反射面相交之直線和包含上述第1方向及上述第2方向之假想平面之間之角度設定為大於0°小於90°之值， <br/>上述第1反射面與上述假想平面之間之角度設定為大於45°小於90°之值， <br/>上述複數個反射器列包含第1反射器列，該第1反射器列於上述複數個反射器列中，上述直線與上述假想平面之間之角度被設定為最小之值， <br/>上述複數個反射器列中剩餘之反射器列係自上述第1反射器列沿著上述第2方向朝一方向離得越遠，上述直線與上述假想平面之間之角度被設定為越大之值。
如請求項1之成像元件，其中於上述基材中，上述第1面自包含上述第2方向及第3方向之平面觀察時，係以朝向上述第2面之側凸起之方式設置， <br/>上述第3方向與上述第1方向及上述第2方向正交， <br/>上述反射器陣列設置於上述第1面上， <br/>上述複數個反射器列之上述直線與上述第1面之間之角度設定為彼此相等之值。
如請求項1之成像元件，其中上述基材具有透光性， <br/>上述第2面自包含上述第2方向及第3方向之平面觀察時，係以自上述第1面之側凸起之方式設置， <br/>上述第3方向與上述第1方向及上述第2方向正交， <br/>上述反射器陣列設置於上述第2面上， <br/>上述複數個反射器列之上述直線與上述第2面之間之角度設定為彼此相等之值。
如請求項1之成像元件，其中於上述複數個反射器列中鄰接而配置之反射器列之間設置有光吸收構件。
如請求項1之成像元件，其中上述基材包含光吸收構件。
如請求項1之成像元件，其進而具備以覆蓋上述反射器陣列之方式設置之保護層。
一種圖像顯示裝置，其具備： <br/>成像元件；及 <br/>向上述成像元件照射光之光源；且 <br/>上述成像元件包含： <br/>基材，其具有第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；以及反射器陣列，其設置於上述基材； <br/>上述反射器陣列包含具有沿著第1方向而設置之複數個兩面正交反射器之複數個反射器列， <br/>上述複數個反射器列係於與上述第1方向相交之第2方向上相互隔開間隔而平行地排列， <br/>上述複數個兩面正交反射器分別包含：第1反射面，其係以反射來自上述第1面之側之光之方式設置；及第2反射面，其係以與上述第1反射面正交之方式設置，且係以將來自上述第1反射面之反射光向上述第1面之側反射之方式設置； <br/>於上述複數個反射器列之各者中，上述第1反射面與上述第2反射面相交之直線和包含上述第1方向及上述第2方向之假想平面之間之角度設定為大於0°小於90°之值， <br/>上述第1反射面與上述假想平面之間之角度設定為大於45°小於90°之值， <br/>上述複數個反射器列包含第1反射器列，該第1反射器列於上述複數個反射器列中，上述直線與上述假想平面之間之角度被設定為最小之值， <br/>上述複數個反射器列中剩餘之反射器列係自上述第1反射器列沿著上述第2方向朝一方向離得越遠，上述直線與上述假想平面之間之角度被設定為越大之值， <br/>上述光源設置於上述第1面側， <br/>上述複數個兩面正交反射器之各者係以如下方式設置：自上述光源出射之光中經上述第1反射面反射1次後之反射光之一部分朝向上述第2反射面行進，上述反射光之其他部分朝向上述第2面側行進。
如請求項7之圖像顯示裝置，其中於上述基材中，上述第1面自包含上述第2方向及第3方向之平面觀察時，包含朝向上述第2面之側凸起之圓弧， <br/>上述光源與上述反射器陣列之間之距離小於上述圓弧之中心至上述成像元件之距離， <br/>上述第3方向與上述第1方向及上述第2方向正交。
如請求項7之圖像顯示裝置，其中於上述基材中，上述第2面自包含上述第2方向及第3方向之平面觀察時，包含自上述第1面之側凸起之圓弧， <br/>上述光源與上述反射器陣列之間之距離小於上述圓弧之中心至上述成像元件之距離， <br/>上述第3方向與上述第1方向及上述第2方向正交。
如請求項7之圖像顯示裝置，其進而具備設置於上述光源與上述成像元件之間之光學元件。
如請求項7之圖像顯示裝置，其進而具備設置於上述成像元件與可藉由上述成像元件而形成之成像之間之窗構件。
如請求項11之圖像顯示裝置，其中上述窗構件包含透光性材料，且 <br/>上述透光性材料具有等於50%或小於50%之霧度值。
一種研磨用組成物，其係包含研磨粒、水與疏水性分散介質之研磨用組成物， <br/>前述研磨粒為平均二次粒徑0.05μm以上15μm以下之氧化鋁， <br/> 前述疏水性分散介質包含選自由正烷烴、異烷烴、環烷烴及萜烯系烴所成之群組的至少二種有機溶劑，且FPI閃點為30℃以上100℃以下， <br/>前述疏水性分散介質，包含閃點超過45℃且65℃以下之有機溶劑或閃點超過65℃且未達100℃之有機溶劑，與閃點100℃以上180℃以下之有機溶劑。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述疏水性分散介質在20℃下的蒸氣壓為0.004kPa以上2kPa以下。
一種研磨用組成物，其係包含研磨粒、水與疏水性分散介質之研磨用組成物， <br/> 前述研磨粒為平均二次粒徑0.05μm以上15μm以下之氧化鋁， <br/> 前述疏水性分散介質包含選自由正烷烴、異烷烴、環烷烴及萜烯系烴所成之群組的至少二種有機溶劑，且20℃下的蒸氣壓為0.004kPa以上2kPa以下， <br/> 疏水性分散介質，包含蒸氣壓0.01kPa以上0.1kPa以下之疏水性分散介質，與蒸氣壓0.001kPa以下之疏水性分散介質。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其中前述疏水性分散介質之FPI閃點為50℃以上80℃以下。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其中前述疏水性分散介質之FPI閃點為64℃以上74℃以下。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其中相對於研磨用組成物之總質量，前述疏水性分散介質係以15質量%以上40質量%以下被含有。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其進一步包含界面活性劑。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述氧化鋁之α化率為50%以上。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其中前述研磨粒之平均二次粒徑為0.05μm以上10μm以下。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其中相對於研磨用組成物之總質量，前述研磨粒係以5質量%以上30質量%以下被含有。
如請求項1～3中任一項之研磨用組成物，其係使用於對鉛筆硬度為F以下之樹脂材料的精細研磨中。
一種研磨用組成物之製造方法，其包含： <br/> 準備包含選自由正烷烴、異烷烴、環烷烴及萜烯系烴所成之群組的至少二種有機溶劑，以及20℃下的蒸氣壓為0.004kPa以上2kPa以下的疏水性分散介質，或FPI閃點為30℃以上100℃以下的疏水性分散介質之步驟；與 <br/> 混合前述疏水性分散介質、水與研磨粒之步驟；且 <br/>前述FPI閃點為30℃以上100℃以下的疏水性分散介質，包含閃點超過45℃且65℃以下之有機溶劑或閃點超過65℃且未達100℃之有機溶劑，與閃點100℃以上180℃以下之有機溶劑， <br/>前述20℃下的蒸氣壓為0.004kPa以上2kPa以下的疏水性分散介質，包含蒸氣壓0.01kPa以上0.1kPa以下之疏水性分散介質，與蒸氣壓0.001kPa以下之疏水性分散介質。
一種研磨方法，其使用如請求項1～11中任一項之研磨用組成物或經由如請求項12之製造方法所得之研磨用組成物，將研磨對象物進行研磨。
如請求項13之研磨方法，其中前述研磨對象物包含選自由樹脂材料、合金材料及玻璃材料所成之群組的至少一種。
一種研磨方法，其使用如請求項1～11中任一項之研磨用組成物或經由如請求項12之製造方法所得之研磨用組成物，以羊毛拋光輪及/或海綿拋光輪研磨塗裝面。
一種長效接合物，其係包含由下述化學式1表示的介白素-2類似物之長效接合物：[化學式1]X-L<sub>a</sub>-F其中，X係與阿地介白素相比，對介白素-2β受體具有增加的結合親和力之介白素-2類似物；L為聚乙二醇連接子；a為0或自然數，條件為當a為2或更大時，每個L彼此獨立；F為二聚體形式的免疫球蛋白Fc區；以及-表示X與L之間以及L與F之間的共價鍵；其中，該介白素-2類似物包含對應於天然介白素-2之位置1、12、18、19、20、22、32、35、38、42、43、45、48、49、61、68、69、74、76、80、81、82、84、85、86、87、88、89、91、92、94、95、96、125、126及133的一個或多個胺基酸經過修飾的序列；其中，該介白素-2類似物為下列類似物中之任一者：(a)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及32之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(b)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及35之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(c)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及38之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(d)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及42之胺基酸經由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(e)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及43之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(f)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及48之胺基酸經由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(g)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及49之胺基酸經由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(h)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及76之胺基酸經由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(i)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、81、92、94及96之胺基酸經由不同胺基酸所取代類似物；(j)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125及87由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(k)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38及42之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(l)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38及80之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(m)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38及84之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(n)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、19、38及42之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(o)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、12、38及42之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(p)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及61之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(q)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及84之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(r)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及88之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(s)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及89之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(t)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及91之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(u)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及94之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(v)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42及126之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(w)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、80及84之胺基酸經由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(x)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、94及96之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(y)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(z)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、61、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(aa)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ab)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、80、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ac)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、81、84及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ad)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、20、38、42、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ae)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(af)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、74、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ag)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、81、84及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ah)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、81、88及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ai)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(aj)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、80、81、85及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ak)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且胺基酸位置125、38、80、81、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(al)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(am)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、45、74、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(an)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、74、80、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物-2；(ao)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81、84及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ap)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、45、80、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(aq)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ar)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、42、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(as)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、61、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(at)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、69、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(au)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、85、86、91及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(av)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(aw)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ax)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除之胺基酸經移除並且位置125、38、42、45、74、80、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ay)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、68、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(az)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、69、74、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(ba)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、84、85、86、91及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bb)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、85、86、92、94及96之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bc)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、19、22、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bd)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、38、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(be)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、61、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bf)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、68、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bg)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、35、38、42、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bh)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、45、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bi)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81、85、86、91及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bj)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81、85、86、92及95之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bk)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、35、38、42、74、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bl)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、43、61、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bm)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81、85、86、91、92及95之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bn)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、35、38、42、74、80、81、82、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bo)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(bp)天然介白素-2中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、85及86之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物。
如請求項1項所述之長效接合物，其中，與阿地介白素相比，該介白素-2類似物對介白素-2α受體具有改變之結合親和力。
如請求項1所述之長效接合物，其中，一個或多個胺基酸經加成至對應於位置133之胺基酸。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物係天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除且位置125之胺基酸由不同胺基酸取代者。
如請求項4所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物進一步包含1至10個胺基酸取代。
如請求項5所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物包含位置18、19、20、22、38、42、43、45、61、68、69、74、80、81、84、85、86、88、89、91、92、94及96的一個或多個胺基酸進一步由不同胺基酸所取代者。
如請求項5所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物包含位置18、22、38、42、61、68、80、81、85、86及92的一個或多個胺基酸進一步由不同胺基酸所取代者。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該胺基酸取代係選自由下列胺基酸取代所組成的群組之任一者：(a)位置12之胺基酸取代為纈胺酸或苯丙胺酸之取代；(b)位置18之胺基酸取代為精胺酸之取代；(c)位置19之胺基酸取代為酪胺酸、纈胺酸、苯丙胺酸或精胺酸之取代；(d)位置20之胺基酸取代為纈胺酸或苯丙胺酸之取代；(e)位置22之胺基酸取代為麩胺酸所取代；(f)位置32之胺基酸取代為半胱胺酸之取代；(g)位置35之胺基酸取代為半胱胺酸或麩胺酸之取代；(h)位置38之胺基酸取代為丙胺酸或天門冬胺酸之取代；(i)位置42之胺基酸取代為離胺酸、丙胺酸或色胺酸之取代；(j)位置43之胺基酸取代為半胱胺酸、麩胺酸或麩醯胺酸之取代；(k)位置45之胺基酸取代為丙胺酸之取代；(l)位置48之胺基酸取代為半胱胺酸之取代；(m)位置49之胺基酸取代為半胱胺酸之取代；(n)位置61之胺基酸取代為麩醯胺酸、精胺酸或天門冬胺酸之取代；(o)位置68之胺基酸取代為天門冬胺酸或麩醯胺酸之取代；(p)位置69之胺基酸取代為甘胺酸之取代；(q)位置74之胺基酸取代為組胺酸或丙胺酸之取代；(r)位置76之胺基酸取代為半胱胺酸之取代；(s)位置80之胺基酸取代為苯丙胺酸、酪胺酸、纈胺酸、天門冬胺酸或色胺酸之取代；(t)位置81之胺基酸取代為天門冬胺酸、麩胺酸或天門冬醯胺之取代；(u)位置82之胺基酸取代為甘胺酸或纈胺酸之取代；(v)位置84之胺基酸取代為麩胺酸、纈胺酸或苯丙胺酸之取代；(w)位置85之胺基酸取代為纈胺酸、丙胺酸、甘胺酸、色胺酸、酪胺酸、蘇胺酸、異白胺酸、麩胺酸或苯丙胺酸之取代；(x)位置86之胺基酸取代為纈胺酸、丙胺酸、甘胺酸或白胺酸之取代；(y)位置87之胺基酸取代為半胱胺酸之取代；(z)位置88之胺基酸取代為麩醯胺酸、纈胺酸或苯丙胺酸之取代；(aa)位置89之胺基酸取代為苯丙胺酸之取代；(ab)位置91之胺基酸取代為蘇胺酸、苯丙胺酸或麩胺酸之取代；(ac)位置92之胺基酸取代為苯丙胺酸、白胺酸、酪胺酸或色胺酸之取代；(ad)位置94之胺基酸取代為苯丙胺酸或纈胺酸之取代；(ae)位置95之胺基酸取代為天門冬胺酸之取代；(af)位置96之胺基酸取代為苯丙胺酸、纈胺酸或異白胺酸之取代；(ag)位置125之胺基酸取代為絲胺酸之取代；及(ah)位置126之胺基酸取代為蘇胺酸之取代。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物係下列類似物之任一者：(a)天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(b)天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除並且位置125、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(c)天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(d)天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除並且位置125、38、42、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(e)天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、61、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物；(f)天然介白素-2類似物中位置1之胺基酸經移除並且位置125、18、22、68、80、81、85、86及92之胺基酸由不同胺基酸所取代之介白素-2類似物。
如請求項9所述之長效接合物，其中，該胺基酸取代係由下列胺基酸取代所組成的群組選出之任一者：(a)位置18之胺基酸取代為精胺酸之取代；(b)位置22之胺基酸取代為麩胺酸之取代；(c)位置38之胺基酸取代為丙胺酸之取代；(d)位置42之胺基酸取代為離胺酸之取代；(e)位置61之胺基酸取代為天門冬胺酸之取代；(f)位置68之胺基酸取代為天門冬胺酸之取代；(g)位置80之胺基酸取代為苯丙胺酸之取代；(h)位置81之胺基酸取代為麩胺酸之取代；(i)位置85之胺基酸取代為纈胺酸之取代；(j)位置86之胺基酸取代為纈胺酸之取代；(k)位置92之胺基酸取代為苯丙胺酸之取代；及(l)位置125之胺基酸取代為絲胺酸之取代。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該免疫球蛋白Fc區係衍生自IgG、IgA、IgD、IgE、IgM或其組合，或其雜合體。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該免疫球蛋白Fc區為IgG4區。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該免疫球蛋白Fc區為非糖基化者。
如請求項1所述之長效接合物，其中，該L含有乙二醇重複單元，以及該乙二醇重複單元部分的式量為範圍1kDa至100kDa。
如請求項1項所述之長效接合物，其中，該長效接合物係一個X分子藉由聚乙二醇連接子與二聚體免疫球蛋白Fc區的一個Fc區共價鍵結之長效接合物。
一種介白素-2類似物之長效接合物，其係由下述化學式2表示：[化學式2]X-Z-Fc其中，X係包含SEQ ID NOs：3至106的胺基酸序列選出的任一多肽序列的介白素-2類似物；Z為分子量2kDa至30kDa的聚乙二醇連接子；Fc為二聚體形式的免疫球蛋白Fc區；及-表示X與Z之間以及Z與Fc之間的共價鍵；其中，該長效接合物為其Z的一端與二聚體Fc區中的僅一條多肽鏈共價連接，並且一個X分子與Z的另一端共價連接之長效接合物。
如請求項16所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物包含由SEQ ID NOs：10、13、14、15、16、17、20、21、22、32、35、36、42、53、54、56、58、59、60、62、71、72、74、75、76、77、78、85、87、89、91、92、93、94、95、98、99、100、101、103、104、105及106之胺基酸序列所組成的群組選出之任一序列。
如請求項16所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物包含由SEQ ID NOs：10、13、14、16、17、20、21、22、32、35、36、42、53、54、87、89、91、92、93、94、98、99、100、101、103、104及105之胺基酸序列所組成的群組選出之任一序列。
如請求項16所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物包含由SEQ ID NOs：22、42、53、87、105及106之胺基酸序列所組成的群組選出之任一序列。
如請求項16所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物在其C端進一步包含一個或多個胺基酸。
一種介白素-2類似物之長效接合物，其係由下述化學式3表示：[化學式3]X<i>'</i>-Z-Fc其中，X<i>'</i>為包含由下述通式1表示之胺基酸序列的介白素-2類似物：[通式1]<img align="absmiddle" height="197px" width="681px" file="d10029.TIF" alt="ed10029.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10029.png"/><img align="absmiddle" height="26px" width="100px" file="d10030.TIF" alt="其他非圖式ed10030.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10030.png"/>(通式1，SEQ ID NO：212)上述通式1中，X1為缺失；X18為白胺酸(L)或精胺酸(R)；X19為白胺酸(L)或酪胺酸(Y)；X22為麩胺酸(E)或麩醯胺酸(Q)；X38為丙胺酸(A)、天門冬胺酸(D)或精胺酸(R)；X42為丙胺酸(A)、苯丙胺酸(F)、離胺酸(K)或色胺酸(W)；X43為麩胺酸(E)、離胺酸(K)或麩醯胺酸(Q)；X45為丙胺酸(A)或酪胺酸(Y)；X61為天門冬胺酸(D)、麩胺酸(E)、麩醯胺酸(Q)或精胺酸(R)；X68為天門冬胺酸(D)或麩胺酸(E)；X74為組胺酸(H)或麩醯胺酸(Q)；X80為苯丙胺酸(F)、白胺酸(L)、纈胺酸(V)或酪胺酸(Y)；X81為天門冬胺酸(D)、麩胺酸(E)或精胺酸(R)；X84為天門冬胺酸(D)或麩胺酸(E)；X85為丙胺酸(A)、麩胺酸(E)、甘胺酸(G)、白胺酸(L)、纈胺酸(V)、色胺酸(W)或酪胺酸(Y)；X86為丙胺酸(A)、甘胺酸(G)、異白胺酸(I)或纈胺酸(V)；X91為蘇胺酸(T)或纈胺酸(V)；X92為苯丙胺酸(F)、異白胺酸(I)或酪胺酸(Y)；X94為苯丙胺酸(F)或白胺酸(L)；X96為苯丙胺酸(F)或白胺酸(L)；Z為具有分子量2kDa至30kDa的聚乙二醇連接子；Fc為二聚體形式的免疫球蛋白Fc區；及-表示X<i>'</i>與Z之間以及Z與Fc之間的共價鍵；其中，該長效接合物為其Z的一端與二聚體Fc區中的僅一條多肽鏈共價連接，並且一個X<i>'</i>分子與Z的另一端共價連接之長效接合物。
如請求項21所述之長效接合物，其中，上述通式1中，X43為離胺酸(K)；X45為酪胺酸(Y)；X61為天門冬胺酸(D)、麩胺酸(E)或麩醯胺酸(Q)；X68為麩胺酸(E)；X74為麩醯胺酸(Q)；X80為苯丙胺酸(F)或白胺酸(L)；X85為白胺酸(L)、纈胺酸(V)或酪胺酸(Y)；X86為異白胺酸(I)或纈胺酸(V)；及X92為苯丙胺酸(F)或異白胺酸(I)。
如請求項21所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物在其C端進一步包含一個或多個胺基酸。
一種介白素-2類似物之長效接合物，其係由下述化學式4表示：[化學式4]X<i>"</i>-Z-Fc其中，X<i>"</i>為包含由下述通式2表示之胺基酸序列的介白素-2類似物：[通式2]<img align="absmiddle" height="153px" width="670px" file="d10031.TIF" alt="ed10031.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10031.png"/><img align="absmiddle" height="29px" width="539px" file="d10032.TIF" alt="其他非圖式ed10032.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10032.png"/>(通式2，SEQ ID NO：213)X1為缺失；X18為白胺酸(L)或精胺酸(R)；X22為麩胺酸(E)或麩醯胺酸(Q)；X38為丙胺酸(A)或精胺酸(R)；X42為苯丙胺酸(F)或離胺酸(K)；X61為天門冬胺酸(D)或麩胺酸(E)；X68為天門冬胺酸(D)或麩胺酸(E)；X81為天門冬胺酸(D)或麩胺酸(E)；X85為白胺酸(L)或纈胺酸(V)；X86為異白胺酸(I)或纈胺酸(V)；Z為具有分子量2kDa至30kDa的聚乙二醇連接子；Fc為二聚體形式的免疫球蛋白Fc區；及-表示X<i>"</i>與Z之間以及Z與Fc之間的共價鍵；其中，該長效接合物係Z的一端與該二聚體Fc區中的僅一條多肽鏈共價連接，並且一個X<i>"</i>分子與Z的另一端共價連接之長效接合物。
如請求項24所述之長效接合物，其中，該介白素-2類似物包含由SEQ ID NOs：22、42、53、87、105及106之胺基酸序列所組成的群組選出之任一序列。
一種用於預防或治療癌症的醫藥組成物，其包含藥學有效量之如請求項1或16中所述的長效接合物及藥學上可接受的賦形劑。
如請求項26所述之醫藥組成物，其中，該介白素-2類似物係選自由SEQ ID NOs：22、42、53、87、105及106所組成的群組。
如請求項26所述之醫藥組成物，其中，該癌症係選自由轉移性腎細胞癌、轉移性黑色素瘤、結腸直腸癌、肝癌、卵巢癌、胰癌、膽囊癌、腎癌、結腸直腸癌、肺癌、皮膚癌、黑色素瘤、乳癌、膀胱癌及胃癌所組成的群組。
如請求項26所述之醫藥組成物，其中，該醫藥組成物展現下列性質之一者或多者：(i)相對於阿地介白素的高血液暴露；(ii)與阿地介白素相比，具有高的腫瘤生長抑制活性；(iii)與阿地介白素相比，具有高的記憶T細胞生成反應。
如請求項26所述之醫藥組成物，其中，該醫藥組成物經腹膜內、靜脈內、肌肉內、皮下、皮內、口服、局部、鼻內、肺內或直腸內途徑給藥。
如請求項26所述之醫藥組成物，其中，該醫藥組成物以範圍1週至1個月之時間間隔給藥。
一種操作一定位估計實體的方法，包括以下步驟：<br/> 獲取第一時序資訊，該第一時序資訊與在一目標使用者設備（UE）和一網路元件之間通訊的一第一定位參考信號（RS-P）的一第一到達時間（TOA）量測相關聯，該網路元件具有一第一時基；<br/> 獲取第二時序資訊，該第二時序資訊與在該目標UE和一參考UE之間通訊的一第二RS-P的一第二TOA量測相關聯，該參考UE與一已知位置相關聯並且具有不同於該第一時基的一第二時基；<br/> 決定該第一時基和該第二時基之間的一偏差，此係基於由具有一未知位置的一量測實體量測得的來自該網路元件以及該參考UE的信號之間的一到達時間差（TDOA）；及<br/> 至少部分地基於該第一時序資訊、該第二時序資訊和該偏差，經由一TDOA定位技術來決定該目標UE的一定位估計。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 獲取第三時序資訊，該第三時序資訊與在該目標UE和一第一無線節點之間通訊的一第三RS-P的一第三TOA量測相關聯；及<br/> 獲取第四時序資訊，該第四時序資訊與在該目標UE和一第二無線節點之間通訊的一第四RS-P的一第四TOA量測相關聯，<br/> 其中該定位估計的該決定亦基於該第三時序資訊和該第四時序資訊。
根據請求項2之方法，其中該第一無線節點和該第二無線節點包括至少一個其他網路元件、與至少一個其他已知位置相關聯的至少一個其他參考UE或其一組合。
根據請求項1之方法，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和下行鏈路TDOA（SL+DL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一下行鏈路定位參考信號（DL-PRS），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項1之方法，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和上行鏈路TDOA（SL+UL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一用於定位的上行鏈路探測參考（UL-SRS-P），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於該UL-SRS-P或一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項1之方法，其中該定位估計實體對應於該網路元件、該參考UE、一位置管理功能（LMF）、一位置伺服器、該目標UE或其一組合。
根據請求項1之方法，其中結合該定位估計決定的一觸發來觸發該偏差決定。
根據請求項1之方法，其中獨立於觸發該定位估計決定並且在觸發該定位估計決定的一閾值時間段內觸發該偏差決定。
根據請求項1之方法，其中亦基於另一網路元件和該參考UE之間的基於相應已知位置的一估計傳播時間與該另一網路元件和該參考UE之間的一量測傳播時間之間的一差來決定該偏差。
一種定位估計實體，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 至少一個收發器；及<br/> 至少一個處理器，通訊耦接到該記憶體和該至少一個收發器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 獲取第一時序資訊，該第一時序資訊與在一目標使用者設備（UE）和一網路元件之間通訊的一第一定位參考信號（RS-P）的一第一到達時間（TOA）量測相關聯，該網路元件具有一第一時基；<br/> 獲取第二時序資訊，該第二時序資訊與在該目標UE和一參考UE之間通訊的一第二RS-P的一第二TOA量測相關聯，該參考UE與一已知位置相關聯並且具有不同於該第一時基的一第二時基；<br/> 決定該第一時基和該第二時基之間的一偏差，此係基於由具有一未知位置的一量測實體量測得的來自該網路元件以及該參考UE的信號之間的一到達時間差（TDOA）；及<br/> 至少部分地基於該第一時序資訊、該第二時序資訊和該偏差，經由一TDOA定位技術來決定該目標UE的一定位估計。
根據請求項10之定位估計實體，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 獲取第三時序資訊，該第三時序資訊與在該目標UE和一第一無線節點之間通訊的一第三RS-P的一第三TOA量測相關聯；及<br/> 獲取第四時序資訊，該第四時序資訊與在該目標UE和一第二無線節點之間通訊的一第四RS-P的一第四TOA量測相關聯，<br/> 其中該定位估計的該決定亦基於該第三時序資訊和該第四時序資訊。
根據請求項11之定位估計實體，其中該第一無線節點和該第二無線節點包括至少一個其他網路元件、與至少一個其他已知位置相關聯的至少一個其他參考UE或其一組合。
根據請求項10之定位估計實體，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和下行鏈路TDOA（SL+DL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一下行鏈路定位參考信號（DL-PRS），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項10之定位估計實體，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和上行鏈路TDOA（SL+UL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一用於定位的上行鏈路探測參考（UL-SRS-P），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於該UL-SRS-P或一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項10之定位估計實體，其中該定位估計實體對應於該網路元件、該參考UE、一位置管理功能（LMF）、一位置伺服器、該目標UE或其一組合。
根據請求項10之定位估計實體，其中結合該定位估計決定的一觸發來觸發該偏差決定。
根據請求項10之定位估計實體，其中獨立於觸發該定位估計決定並且在觸發該定位估計決定的一閾值時間段內觸發該偏差決定。
根據請求項10之定位估計實體，其中亦基於另一網路元件和該參考UE之間的基於相應已知位置的一估計傳播時間與該另一網路元件和該參考UE之間的一量測傳播時間之間的一差來決定該偏差。
一種定位估計實體，包括：<br/> 用於獲取第一時序資訊的構件，該第一時序資訊與在一目標使用者設備（UE）和一網路元件之間通訊的一第一定位參考信號（RS-P）的一第一到達時間（TOA）量測相關聯，該網路元件具有一第一時基；<br/> 用於獲取與在該目標UE和一參考UE之間通訊的一第二RS-P的一第二TOA量測相關聯的第二時序資訊的構件，該參考UE與一已知位置相關聯並且具有不同於該第一時基的一第二時基；<br/> 用於決定該第一時基和該第二時基之間的一偏差的構件，該決定係基於由具有一未知位置的一量測實體量測得的來自該網路元件以及該參考UE的信號之間的一到達時間差（TDOA）；及<br/> 用於至少部分地基於該第一時序資訊、該第二時序資訊和該偏差，經由一TDOA定位技術來決定該目標UE的一定位估計的構件。
根據請求項19之定位估計實體，亦包括：<br/> 用於獲取第三時序資訊的構件，該第三時序資訊與在該目標UE和一第一無線節點之間通訊的一第三RS-P的一第三TOA量測相關聯；及<br/> 用於獲取第四時序資訊的構件，該第四時序資訊與在該目標UE和一第二無線節點之間通訊的一第四RS-P的一第四TOA量測相關聯，<br/> 其中該定位估計的該決定亦基於該第三時序資訊和該第四時序資訊。
根據請求項20之定位估計實體，其中該第一無線節點和該第二無線節點包括至少一個其他網路元件、與至少一個其他已知位置相關聯的至少一個其他參考UE或其一組合。
根據請求項19之定位估計實體，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和下行鏈路TDOA（SL+DL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一下行鏈路定位參考信號（DL-PRS），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項19之定位估計實體，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和上行鏈路TDOA（SL+UL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一用於定位的上行鏈路探測參考（UL-SRS-P），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於該UL-SRS-P或一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項19之定位估計實體，其中該定位估計實體對應於該網路元件、該參考UE、一位置管理功能（LMF）、一位置伺服器、該目標UE或其一組合。
根據請求項19之定位估計實體，其中結合該定位估計決定的一觸發來觸發該偏差決定。
根據請求項19之定位估計實體，其中獨立於觸發該定位估計決定並且在觸發該定位估計決定的一閾值時間段內觸發該偏差決定。
根據請求項19之定位估計實體，其中亦基於另一網路元件和該參考UE之間的基於相應已知位置的一估計傳播時間與該另一網路元件和該參考UE之間的一量測傳播時間之間的一差來決定該偏差。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，儲存有電腦可執行指令，當由一定位估計實體執行該等電腦可執行指令時，使得該定位估計實體：<br/> 獲取第一時序資訊，該第一時序資訊與在一目標使用者設備（UE）和一網路元件之間通訊的一第一定位參考信號（RS-P）的一第一到達時間（TOA）量測相關聯，該基地站具有一第一時基；<br/> 獲取與在該目標UE和一參考UE之間通訊的一第二RS-P的一第二TOA量測相關聯的第二時序資訊，該參考UE與一已知位置相關聯並且具有不同於該第一時基的一第二時基；<br/> 決定該第一時基和該第二時基之間的一偏差，此係基於由具有一未知位置的一量測實體量測得的來自該網路元件以及該參考UE的信號之間的一到達時間差（TDOA）；及<br/> 至少部分地基於該第一時序資訊、該第二時序資訊和該偏差，經由一TDOA定位技術來決定該目標UE的一定位估計。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該一或多個指令亦使得該定位估計實體：<br/> 獲取第三時序資訊，該第三時序資訊與在該目標UE和一第一無線節點之間通訊的一第三RS-P的一第三TOA量測相關聯；及<br/> 獲取第四時序資訊，該第四時序資訊與在該目標UE和一第二無線節點之間通訊的一第四RS-P的一第四TOA量測相關聯，<br/> 其中該定位估計的該決定亦基於該第三時序資訊和該第四時序資訊。
根據請求項29之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該第一無線節點和該第二無線節點包括至少一個其他網路元件、與至少一個其他已知位置相關聯的至少一個其他參考UE或其一組合。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和下行鏈路TDOA（SL+DL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一下行鏈路定位參考信號（DL-PRS），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，<br/> 其中該TDOA定位技術是一混合側鏈路和上行鏈路TDOA（SL+UL-TDOA）定位技術，<br/> 其中該第一RS-P對應於一用於定位的上行鏈路探測參考（UL-SRS-P），並且<br/> 其中該第二RS-P對應於該UL-SRS-P或一側鏈路PRS（SL-PRS）。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該定位估計實體對應於該網路元件、該參考UE、一位置管理功能（LMF）、一位置伺服器、該目標UE或其一組合。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，其中結合該定位估計決定的一觸發來觸發該偏差決定。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，其中獨立於觸發該定位估計決定並且在觸發該定位估計決定的一閾值時間段內觸發該偏差決定。
根據請求項28之非暫時性電腦可讀取媒體，其中亦基於另一網路元件和該參考UE之間的基於相應已知位置的一估計傳播時間與該另一網路元件和該參考UE之間的一量測傳播時間之間的一差來決定該偏差。
一種身體貼附用片材，其具有凝膠層， <br/>該凝膠層含有以下成分(A)～(D)： <br/>(A)水、 <br/>(B)羧甲基纖維素或其鹽、 <br/>(C)鋁原子、 <br/>(D)聚乙烯醇， <br/>該凝膠層中之成分(A)之含量為50質量%以上85質量%以下， <br/>該凝膠層中之成分(D)之含量為8質量%以上， <br/>質量比[(B)/(C)]為70以上800以下。
如請求項1之身體貼附用片材，其中上述凝膠層中具有上述成分(B)藉由上述成分(C)進行交聯而成之交聯結構。
如請求項1或2之身體貼附用片材，其中上述成分(D)之重量平均分子量為150,000以下。
如請求項1或2之身體貼附用片材，其中上述成分(D)之皂化度為75莫耳%以上。
如請求項1或2之身體貼附用片材，其中上述凝膠層根據JIS Z0237：2009於傾斜板之角度30°、溫度23℃、50%R.H.之條件下進行之滾球黏性試驗中之球號為15以上30以下。
如請求項1或2之身體貼附用片材，其中上述凝膠層於溫度25℃、頻率0.1 Hz之動態黏彈性測定中之損耗正切為0.20以上。
一種具有凝膠層之身體貼附用片材之製造方法，其依次包括下述步驟(I)～步驟(III)： <br/>步驟(I) 製備凝膠形成用組合物之步驟，該凝膠形成用組合物係調配以下成分(A)、(B)、(C1)及(D)： <br/>(A)水、 <br/>(B)羧甲基纖維素或其鹽、 <br/>(C1)含鋁化合物、<b> </b><br/>(D)聚乙烯醇 <br/>而成， <br/>成分(A)之調配量為50質量%以上85質量%以下， <br/>成分(D)之調配量為8質量%以上， <br/>質量比[(B)/(C1)]為25以上140以下； <br/>步驟(II) 於基材與剝離膜之間填充上述凝膠形成用組合物，製作依次具有基材、凝膠形成用組合物層、及剝離膜之積層片材之步驟；及 <br/>步驟(III) 將上述積層片材密封於包裝體內，繼而於該包裝體內使上述凝膠形成用組合物層交聯之步驟。
一種快速週邊組件互連(PCIe)裝置，包括：<br/> 複數個通用功能，根據所述複數個通用功能中的每一個的功能類型來執行與PCIe介面相關聯的操作，所述複數個通用功能中的每一個對應於用於提供所述PCIe裝置的物理資源的獨立操作單元，並且被編程為從複數個功能類型中選擇的功能類型；以及<br/> 功能類型控制器，基於從主機提供的功能類型設置資訊來確定所述複數個通用功能中的每一個的功能類型。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中所述複數個通用功能中的通用功能包括：<br/> 配置空間，包括用於配置所述通用功能以執行所述操作的暫存器；以及<br/> 操作控制器，根據所述通用功能的所確定的功能類型來控制所述通用功能執行所述操作。
如請求項2所述的PCIe裝置，其中所述功能類型控制器基於所述功能類型設置資訊透過改變所述通用功能的配置空間中包括的所述暫存器的值來從所述複數個功能類型中確定所述通用功能的功能類型。
如請求項2所述的PCIe裝置，其中所述功能類型控制器基於所述暫存器的值之中的指示將要致能的能力的指針值，來致能與針對所述通用功能確定的功能類型相關聯的能力，失能不與針對所述通用功能確定的功能類型相關聯的能力，以及對所述暫存器之中的能力被失能的暫存器執行時脈閘控。
如請求項2所述的PCIe裝置，其中所述功能類型控制器將所述通用功能的功能類型確定為物理功能(PF)類型、虛擬功能(VF)類型和失能所述操作的失能功能類型中的一種。
如請求項5所述的PCIe裝置，其中當所述通用功能被確定為所述失能功能類型時，所述功能類型控制器失能所述通用功能的所述配置空間中包括的暫存器，並對失能的暫存器執行時脈閘控。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中所述功能類型設置資訊包括以下中的至少一項：被確定為物理功能類型的通用功能的數量、被確定為虛擬功能類型的通用功能的數量、被確定為失能功能類型的通用功能的數量、以及指示所述複數個通用功能中的每一個與各個功能類型之間的映射關係的功能類型映射資訊。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中被確定為物理功能類型的第一通用功能基於所述第一通用功能的配置空間中包括的基位址暫存器(BAR)來執行所述操作。
如請求項8所述的PCIe裝置，其中所述第一通用功能基於包括在所述第一通用功能的配置空間中的、與所述操作相對應的暫存器來執行所述操作，並且所述第一通用功能回應於從所述主機提供的針對所述第一通用功能的重設請求來對所述第一通用功能執行重設操作。
如請求項8所述的PCIe裝置，進一步包括：默認物理功能，包括所述默認物理功能的配置空間中包括的基位址暫存器，<br/> 其中被確定為虛擬功能類型的第二通用功能具有從所述默認物理功能和所述第一通用功能之中選擇的相關聯的功能，並基於包括在所述相關聯的功能的配置空間中的基位址暫存器來執行所述操作。
如請求項10所述的PCIe裝置，其中所述相關聯的功能是單根I/O虛擬化(SR-IOV)能力致能功能，以及<br/> 其中根據所述相關聯的功能的SR-IOV能力暫存器中包括的虛擬功能(VF)致能值來致能所述第二通用功能。
如請求項10所述的PCIe裝置，其中所述第二通用功能基於包括在所述相關聯的功能的配置空間中的、與所述操作相對應的暫存器來執行所述操作。
如請求項10所述的PCIe裝置，其中所述第二通用功能回應於以下中的至少一項來對所述第二通用功能執行重設操作：從所述主機提供的針對所述相關聯的功能的重設請求，針對所述第二通用功能的重設請求，以及對所述相關聯的功能的VF致能值的清除操作。
如請求項1所述的PCIe裝置，其中所述操作包括以下中的至少一項：從所述主機接收命令並向所述主機提供對所述命令的回應的資料處理操作；檢測錯誤並報告錯誤的錯誤處理操作；以及管理功能的電力的電力管理操作。
一種用於操作快速週邊組件互連(PCIe)裝置的方法，所述PCIe裝置包括執行與PCIe介面相關聯的操作的複數個通用功能對應於用於提供所述PCIe裝置的物理資源的獨立操作單元，所述方法包括：<br/> 從主機接收功能類型設置資訊；<br/> 基於所述功能類型設置資訊，分別確定所述複數個通用功能的複數個功能類型，每個功能類型是物理功能(PF)類型、虛擬功能(VF)類型和失能所述操作的失能功能類型中的一種；以及<br/> 根據所述複數個功能類型來分別控制所述複數個通用功能執行所述操作。
如請求項15所述的方法，其中根據所述複數個功能類型分別控制所述複數個通用功能包括：基於所述功能類型設置資訊來改變所述複數個通用功能的各自的配置空間中包括的暫存器的值。
如請求項16所述的方法，其中控制所述複數個通用功能包括：控制所述複數個通用功能之中的被確定為物理功能類型的第一通用功能，以基於與所述操作相對應的暫存器來執行所述操作，該暫存器包括在所述第一通用功能的配置空間中。
如請求項16所述的方法，其中控制所述複數個通用功能包括：控制所述複數個通用功能之中的被確定為虛擬功能類型的第二通用功能，以基於包括在與所述第二通用功能相關聯的功能的配置空間中的、與所述操作相對應的暫存器來執行所述操作。
如請求項16所述的方法，其中控制所述複數個通用功能包括：失能所述複數個通用功能之中的被確定為失能功能類型的第三通用功能的配置空間中包括的暫存器。
一種快速週邊組件互連(PCIe)裝置，包括：<br/> 第一通用功能，根據物理功能(PF)類型來執行與快速週邊組件互連(PCIe)介面相關聯的操作；<br/> 第二通用功能，根據所述物理功能類型或虛擬功能(VF)類型來執行與所述PCIe介面相關聯的操作；以及<br/> 功能類型控制器，基於從主機提供的功能類型設置資訊，將所述第二通用功能的功能類型從物理功能類型改變為虛擬功能類型或從虛擬功能類型改變為物理功能類型，<br/> 其中，所述第一通用功能和所述第二通用功能對應於用於提供所述PCIe裝置的物理資源的獨立操作單元。
一種用於聚合部件（polymeric part）的溶脹（swelling）溶劑溶液，包括：<br/> 按體積計介於5%和95%之間的正辛烷；<br/> 按體積計介於5%和95%之間的庚烷異構物，且<br/> 其中基於該聚合部件的期望溶脹時間而選擇該溶脹溶劑溶液的正辛烷及該庚烷異構物的量。
如請求項1所述之溶脹溶劑溶液，該庚烷異構物為正庚烷。
如請求項1所述之溶脹溶劑溶液，包括按體積計介於70%和90%之間的正辛烷。
如請求項1所述之溶脹溶劑溶液，包括按體積計介於75%和85%之間的正辛烷。
如請求項1所述之溶脹溶劑溶液，進一步包括按體積計介於5%和95%之間的壬烷異構物，例如正壬烷。
一種用於溶脹及附接聚合部件之方法，包括：<br/> 提供一聚合部件；<br/> 將該聚合部件放置於如請求項1所述之溶脹溶劑溶液中，以溶脹該聚合部件；以及<br/> 將該聚合部件附接一第二部件。
如請求項6所述之方法，其中該第二部件是一第二聚合部件。
如請求項6所述之方法，其中該第二部件是一非聚合部件。
如請求項6所述之方法，進一步包括：重複該提供、放置及附接，以溶脹及附接複數個聚合部件。
一種電晶體，包括：<br/>閘極結構；<br/>通道層，下伏於所述閘極結構並包括二維材料；<br/>源極/汲極接觸件，側向地與所述閘極結構間隔開並側向地設置在所述通道層旁邊，從而在水平方向上直接地或間接地接觸所述通道層；以及<br/>間隙壁，側向地插設於所述閘極結構和所述源極/汲極接觸件之間。
如請求項1所述的電晶體，還包括：<br/>中間接觸圖案，側向地與所述通道層鄰接並設置在所述間隙壁和所述閘極結構下方，所述源極/汲極接觸件側向地與所述中間接觸圖案鄰接，並且所述中間接觸圖案包括是另一種二維材料。
如請求項1所述的電晶體，其中所述通道層包括第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，並且下伏於所述閘極結構的所述第一部分具有第一厚度，所述第一厚度小於在所述間隙壁下方的所述第二部分的第二厚度。
如請求項1所述的電晶體，其中所述源極/汲極接觸件中的每一個包括側向地鄰接所述通道層的第一接點材料層和設置在所述第一接點材料層上的第二接點材料層，其中所述第一接點材料層包括半金屬二維材料。
一種半導體裝置，包括：<br/>閘極結構；<br/>源極/汲極接觸件，側向地與所述閘極結構間隔開；<br/>通道層，下伏於所述閘極結構的內部部分；以及<br/>中間接觸圖案，下伏於所述閘極結構的外部部分並與所述通道層鄰接，所述中間接觸圖案的內部側壁與所述通道層接觸，所述中間接觸圖案的外部側壁與所述源極/汲極接觸件接觸，其中所述中間接觸圖案包括第一二維材料。
如請求項5所述的半導體裝置，其中所述通道層包括不同於所述第一二維材料的第二二維材料。
如請求項5所述的半導體裝置，其中所述閘極結構的最大側向尺寸大於所述通道層的最大側向尺寸。
如請求項5所述的半導體裝置，其中所述閘極結構包括具有著落在所述通道層上的突出底部部分的T形剖面。
一種半導體結構，包括：<br/>半導體基底；<br/>電晶體，設置在所述半導體基底上並包括：<br/>閘極結構；<br/>通道層，下伏於所述閘極結構；<br/>中間接觸圖案，下伏於所述閘極結構並側向地與所述通道層鄰接，並且所述中間接觸圖案包括第一二維材料；以及<br/>源極/汲極接觸件，側向地耦接到所述中間接觸圖案；以及<br/>底部介電層，上覆於所述半導體基底並將所述通道層和所述中間接觸圖案與所述半導體基底分開。
如請求項9所述的半導體結構，其中所述閘極結構的內部部分與所述通道層重疊，並且所述閘極結構的外部部分與所述中間接觸圖案重疊。
一種用於監控電池之狀態之半導體裝置，上述半導體裝置包括： <br/>預測單元，其經組態以自在當前時間之上述電池之當前溫度預測上述電池在放電終止時之第一溫度，且輸出考量上述第一溫度的上述電池之第一電壓；及 <br/>剩餘量偵測單元，其經組態以基於由上述預測單元輸出之上述電池之上述第一電壓及在上述當前時間之上述電池之電流來偵測上述電池之剩餘量， <br/>其中上述預測單元獲得在上述當前時間之上述電池之當前電壓、在預定之期間的上述電池之上述當前電壓之電壓變化率，基於上述電壓變化率來計算自上述當前時間直至上述電池之上述當前電壓被預期達到上述放電終止時之放電終止電壓的放電時間，且基於在上述預定之期間的上述電池之第三溫度之變化率及上述放電時間來預測上述電池之上述第一溫度。
如請求項1之半導體裝置， <br/>其中上述剩餘量偵測單元將基於藉由使用上述第一溫度及上述當前溫度之溫度轉換而獲得之溫度的上述電池之內部電阻資訊通知給上述預測單元，且 <br/>其中上述預測單元基於上述電池之上述當前電壓、上述通知的內部電阻資訊、及上述電池之上述電流，來輸出考量上述第一溫度的上述電池之上述第一電壓。
如請求項2之半導體裝置， <br/>其中自安裝於上述電池上之電池溫度偵測電路將上述電池之上述當前溫度通知給上述預測單元，自耦合至上述電池之電流偵測電路通知上述電池之上述電流，且自耦合至上述電池之電壓量測電路通知上述電池之上述當前電壓。
一種用於監控電池之狀態之半導體裝置，上述半導體裝置包括： <br/>預測單元，其經組態以預測在放電終止時之上述電池之第一溫度且判定考量預測之上述第一溫度的上述電池之第二溫度；及 <br/>剩餘量偵測單元，其經組態以將與由上述預測單元判定之考量上述放電終止時之上述第一溫度的上述電池之上述第二溫度對應之上述電池之內部電阻資訊通知給上述預測單元， <br/>其中上述預測單元獲得在當前時間之上述電池之當前電壓，基於上述電池之上述當前電壓、上述電池之上述內部電阻資訊及上述電池之電流來獲得考量上述電池之上述第一溫度的上述電池之第一電壓，且將上述電池之上述第一電壓輸出至上述剩餘量偵測單元，且 <br/>其中上述預測單元獲得在預定之期間的上述電池之上述當前電壓之電壓變化率，基於上述電壓變化率獲得自上述當前時間直至上述電池之上述當前電壓被預期達到上述放電終止時之放電終止電壓的放電時間，且基於在上述預定之期間的上述電池之第三溫度之變化率及上述放電時間來預測上述電池之上述第一溫度。
如請求項4之半導體裝置， <br/>其中自安裝於上述電池上之電池溫度偵測電路將上述電池之上述第二溫度通知給上述預測單元，自耦合至上述電池之電流偵測電路通知上述電池之上述電流，且自耦合至上述電池之電壓量測電路通知上述電池之上述當前電壓。
如請求項5之半導體裝置， <br/>其中上述預測單元計算上述電池之上述電流與上述內部電阻資訊之乘積，且基於上述計算乘積及上述電池之上述當前電壓來輸出考量上述第一溫度的上述電池之上述當前電壓。
一種快速週邊組件互連(Peripheral Component Interconnect Express, PCIe)功能，所述PCIe功能包括：<br/> 存取標識資訊控制器，生成用於允許存取所述PCIe功能的第一存取標識資訊，並且向已經分配了所述PCIe功能的分配系統映像提供所述第一存取標識資訊，所述分配系統映像是複數個系統映像中的一個；以及<br/> 資料包接收器，從目標系統映像接收包括目標標識資訊的資料包，所述目標標識資訊指示從所述複數個系統映像之中選擇的所述目標系統映像；以及<br/> 存取允許確定器，基於由所述存取標識資訊控制器提供的所述第一存取標識資訊和由所述資料包接收器提供的所述目標標識資訊之間的比較結果來確定是否允許存取所述目標系統映像。
如請求項1所述的PCIe功能，其中所述PCIe功能是物理功能、虛擬功能和基礎功能中的一種。
如請求項1所述的PCIe功能，其中所述目標標識資訊被包括在所述資料包的前綴中。
如請求項1所述的PCIe功能，其中當所述第一存取標識資訊與所述目標標識資訊彼此一致時，所述存取允許確定器允許存取所述目標系統映像，或<br/> 當所述第一存取標識資訊與所述目標標識資訊彼此不一致時，所述存取允許確定器向所述目標系統映像提供完成方中止(completer abort, CA)資訊。
如請求項1所述的PCIe功能，其中所述PCIe功能為第一PCIe功能，並且所述存取標識資訊控制器包括：<br/> 存取標識資訊生成器，根據隨機數生成方案來生成隨機數，其中所述隨機數用於生成所述第一存取標識資訊；<br/> 存取標識資訊儲存裝置，儲存所述第一存取標識資訊；以及<br/> 存取標識資訊提供器，向所述分配系統映像提供所述第一存取標識資訊。
如請求項5所述的PCIe功能，其中所述存取標識資訊生成器基於與第二PCIe功能中使用的種子不同的種子來生成所述隨機數，所述第二PCIe功能與所述第一PCIe功能不同。
如請求項5所述的PCIe功能，其中所述存取標識資訊生成器從第二PCIe功能接收所述第二PCIe功能的存取標識資訊，並且當所述第二PCIe功能的存取標識資訊與由所述存取標識資訊生成器生成的所述第一存取標識資訊彼此一致時，重新生成所述PCIe功能的所述第一存取標識資訊。
如請求項5所述的PCIe功能，其中所述存取標識資訊生成器在生成所述第一存取標識資訊之後的預定時間處生成第二存取標識資訊，<br/> 其中所述存取標識資訊儲存裝置儲存所述第二存取標識資訊，並且<br/> 其中所述存取標識資訊提供器向所述分配系統映像提供所述第二存取標識資訊。
如請求項8所述的PCIe功能，其中當所述第一存取標識資訊和所述第二存取標識資訊被儲存在所述存取標識資訊儲存裝置中時：<br/> 當所述第二存取標識資訊或所述第一存取標識資訊與所述目標標識資訊一致時，所述存取允許確定器允許存取所述目標系統映像，或<br/> 當所述第二存取標識資訊與所述目標標識資訊不一致並且所述第一存取標識資訊與所述目標標識資訊不一致時，所述存取允許確定器向所述目標系統映像提供完成方中止(CA)資訊。
如請求項8所述的PCIe功能，其中當所述資料包接收器接收到包括與所述第二存取標識資訊一致的目標標識資訊的資料包時，所述存取標識資訊儲存裝置移除所述第一存取標識資訊。
如請求項10所述的PCIe功能，其中當所述第二存取標識資訊與所述目標標識資訊彼此一致時，所述存取允許確定器允許存取所述目標系統映像，或<br/> 當所述第二存取標識資訊與所述目標標識資訊彼此不一致時，所述存取允許確定器向所述目標系統映像提供完成方中止(CA)資訊。
如請求項5所述的PCIe功能，其中所述存取標識資訊提供器透過使用以下中的一項來向所述分配系統映像提供所述第一存取標識資訊：供應商定義訊息、供應商定義能力、由使用者定義的新PCIe能力、系統管理器匯流排(System Manager bus, SMbus)上的管理組件傳輸協定(Management Component Transport Protocol, MCTP)、以及PCIe上的MCTP。
一種計算系統：包括：<br/> 複數個快速週邊組件互連(Peripheral Component Interconnect Express, PCIe)功能，所述複數個PCIe功能中的每一者包括：<br/> 存取標識資訊儲存裝置，被配置為儲存存取標識資訊；<br/> 資料包接收器，被配置為接收包括目標標識資訊的資料包，所述目標標識資訊指示目標系統映像；<br/> 存取允許確定器，被配置為確定是否允許存取所述目標系統映像；以及<br/> 存取標識資訊提供器，被配置為向所述存取允許確定器提供已儲存的所述存取標識資訊；以及<br/> 主機，包括複數個系統映像，所述主機執行：<br/> 生成所述存取標識資訊，所述存取標識資訊用於允許存取所述複數個PCIe功能之中的被分配給所述複數個系統映像中的相應系統映像的PCIe功能，並且<br/> 向所述PCIe功能提供所述存取標識資訊，並且<br/> 其中，所述存取標識資訊儲存裝置被配置為儲存從所述主機提供的所述存取標識資訊；<br/> 其中，所述資料包接收器被配置為接收資料包，所述資料包包括所述目標標識資訊，所述目標系統映像是所述複數個系統映像中的一個；並且<br/> 其中，所述存取允許確定器被配置為基於由所述存取標識資訊提供器提供的所述存取標識資訊和由所述資料包接收器提供的所述目標標識資訊之間的比較結果來確定是否允許存取所述目標系統映像。
如請求項13所述的計算系統，其中所述相應系統映像儲存所述存取標識資訊，生成包括所述存取標識資訊的資料包，並向所述PCIe功能提供所述資料包以存取所述PCIe功能。
如請求項14所述的計算系統，其中所述存取標識資訊被包括在所述資料包的前綴中。
如請求項13所述的計算系統，其中所述主機進一步包括：虛擬化中介，管理所述複數個系統映像。
如請求項16所述的計算系統，其中由所述相應系統映像和所述虛擬化中介中的一個生成所述存取標識資訊。
如請求項13所述的計算系統，其中所述主機透過使用以下中一項來向所分配的PCIe功能提供所述存取標識資訊：供應商定義訊息、供應商定義能力、由使用者定義的新PCIe能力、系統管理器匯流排(System Manager bus, SMbus)上的管理組件傳輸協定(Management Component Transport Protocol, MCTP)、以及PCIe上的MCTP。
一種用於操作快速週邊組件互連(Peripheral Component Interconnect Express, PCIe)功能的方法，所述PCIe功能被分配給複數個系統映像中的一個，所述方法包括：<br/> 由存取標識資訊控制器生成用於允許存取所述PCIe功能的存取標識資訊；<br/> 由所述存取標識資訊控制器向分配系統映像提供所述存取標識資訊；<br/> 由資料包接收器從目標系統映像接收資料包，所述資料包包括指示所述複數個系統映像之中的所述目標系統映像的目標標識資訊；並且<br/> 由存取允許確定器基於由所述存取標識資訊控制器提供的所述存取標識資訊和由所述資料包接收器提供的所述目標標識資訊之間的比較結果來確定是否允許存取所述目標系統映像。
如請求項19所述的方法，其中所述目標標識資訊被包括在所述資料包的前綴中。
一種X光管，其具備：<br/>框體；<br/>電子槍，其於上述框體內出射電子束；<br/>靶材，其於上述框體內因上述電子束入射而產生X光；及<br/>窗構件，其密封上述框體之開口，使上述X光透過；<br/>上述窗構件由單晶金剛石形成為板狀，<br/>上述單晶金剛石之[100]方向處於與上述窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係。
如請求項1之X光管，其中<br/>上述單晶金剛石之[010]方向及[001]方向處於與垂直於上述窗構件之上述厚度方向之面以未達45度之角度相交之關係。
如請求項1或2之X光管，其中<br/>上述窗構件具有與上述框體之內部為相反側之第1表面，<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與垂直於上述第1表面之方向以未達45度之角度相交之關係。
如請求項1或2之X光管，其中<br/>上述窗構件安裝於上述框體之上述開口周圍之安裝面，<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與垂直於上述安裝面之方向以未達45度之角度相交之關係。
如請求項1或2之X光管，其中<br/>上述窗構件具有上述框體之內部側之第2表面，<br/>上述靶材形成於上述第2表面。
如請求項3之X光管，其中<br/>上述窗構件具有上述框體之內部側之第2表面，<br/>上述靶材形成於上述第2表面。
如請求項5之X光管，其中<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述電子束入射至上述靶材之方向以未達45度之角度相交之關係。
如請求項6之X光管，其中<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述電子束入射至上述靶材之方向以未達45度之角度相交之關係。
如請求項1或2之X光管，其中<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
如請求項5之X光管，其中<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
如請求項7之X光管，其中<br/>上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
一種X光產生裝置，其具備：<br/>如請求項1至11中任一項之X光管；及<br/>電源部，其將電壓施加於上述電子槍。
一種窗構件之製造方法，其具備：<br/>第1形成步驟，其藉由磊晶成長，形成具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板；及<br/>取出步驟，其自上述單晶金剛石基板取出板狀之窗構件；且<br/>於上述取出步驟中，以單晶金剛石之[100]方向與上述窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之方式，自上述單晶金剛石基板取出上述窗構件。
一種窗構件之製造方法，其具備：<br/>準備步驟，其準備種基板，該種基板具有處於與(100)面以未達45度之角度相交之關係之主面；<br/>第1形成步驟，其藉由磊晶成長，於上述種基板之上述主面形成單晶金剛石基板；及<br/>取出步驟，其藉由沿著與上述單晶金剛石基板之厚度方向垂直之方向實施切出，自上述單晶金剛石基板取出板狀之窗構件。
如請求項13或14之窗構件之製造方法，其進而具備：<br/>第2形成步驟，其於上述厚度方向之上述窗構件之一表面，形成藉由電子束之入射而產生X光之靶材。
如請求項13或14之窗構件之製造方法，其中<br/>上述單晶金剛石之[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
如請求項15之窗構件之製造方法，其中<br/>上述單晶金剛石之[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
一種絕緣電線，包括： <br/>導體；以及 <br/>絕緣層，積層於所述導體的外周側， <br/>所述絕緣層包括液晶聚酯， <br/>所述絕緣層的氧氣通透率為1×10<sup>-15</sup> mol/m<sup>2</sup>．Pa．s以下， <br/>所述絕緣層的厚度為2 μm以上50 μm以下。
如請求項1所述的絕緣電線，其中 <br/>所述液晶聚酯包括來自下述(A)、(B)、(C)的結構單元， <br/>(A)芳香族羥基羧酸 <br/>(B)芳香族二羧酸 <br/>(C)選自芳香族二醇、芳香族二胺以及具有酚性羥基的芳香族胺的至少一者的化合物。
如請求項2所述的絕緣電線，其中 <br/>所述液晶聚酯包括來自下述(A’)、(B’)、(C’)的結構單元， <br/>(A’)-O-Ar<sup>1</sup>-CO- <br/>(B’)-CO-Ar<sup>2</sup>-CO- <br/>(C’)-X-Ar<sup>3</sup>-Y- <br/>其中，Ar<sup>1</sup>表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基，Ar<sup>2</sup>表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或由多個芳香族基縮合而成的基，Ar<sup>3</sup>表示伸苯基或由多個芳香族基縮合而成的基，X與Y分別表示-O-或-NH-。
如請求項3所述的絕緣電線，其中 <br/>所述液晶聚酯包括來自下述(A’)、(B’)、(C’’)的結構單元， <br/>(A’)-O-Ar<sup>1</sup>-CO- <br/>(B’)-CO-Ar<sup>2</sup>-CO- <br/>(C’’)-NH-Ar<sup>3</sup>-Y- <br/>其中，Ar<sup>1</sup>表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基，Ar<sup>2</sup>表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或由多個芳香族基縮合而成的基，Ar<sup>3</sup>表示伸苯基或由多個芳香族基縮合而成的基，Y表示-O-或-NH-。
如請求項4所述的絕緣電線，其中 <br/>構成所述(C’’)的單體包括芳香族羥胺及芳香族羥醯胺。
如請求項5所述的絕緣電線，其中 <br/>基於構成所述(C’’)的單體總量為100莫耳%，所述芳香族羥胺的使用量為30~90莫耳%，所述芳香族羥醯胺的使用量為10~70莫耳%。
如請求項1所述的絕緣電線，其中 <br/>所述絕緣層的氧氣通透率為8×10<sup>-16</sup> mol/m<sup>2</sup>．Pa．s以下。
如請求項1所述的絕緣電線，其中 <br/>所述絕緣層的氧氣通透率為5×10<sup>-16</sup> mol/m<sup>2</sup>．Pa．s以下。
一種絕緣電線的製造方法，製造如請求項1至8中任一項所述的絕緣電線，所述絕緣電線的製造方法包括： <br/>塗佈步驟，於所述導體的外周側塗佈液狀組成物，所述液狀組成物包括液晶聚酯以及非質子性溶劑；以及 <br/>加熱步驟，對塗佈有所述液狀組成物的所述導體進行加熱。
一種線圈，包括如請求項1至8中任一項所述的絕緣電線。
一種電子機器，包括如請求項10所述的線圈。
一種浮點運算電路的操作方法，包括： <br/>回應於接收第一指令，藉由對第一輸入、第二輸入以及第三輸入進行融合乘法及加法運算來產生第一輸出；以及 <br/>回應於接收第二指令，藉由對第四輸入、第五輸入以及第六輸入中的一個輸入求逆來產生第二輸出， <br/>其中產生所述第二輸出包括： <br/>根據所述一個輸入產生轉換因子及簡化值； <br/>藉由使用所述浮點運算電路進行基於所述簡化值的逆運算來產生簡化輸出；以及 <br/>藉由使用所述轉換因子對所述簡化輸出進行逆轉換運算來產生所述第二輸出。
如請求項1所述的操作方法，其中所述逆轉換運算包括將所述簡化輸出與所述轉換因子一起相乘。
如請求項1所述的操作方法，其中所述逆運算基於牛頓-拉福森方法。
如請求項3所述的操作方法，其中所述簡化值屬於約0.5至約1.0的範圍。
如請求項1所述的操作方法，其中藉由進行基於所述簡化值的所述逆運算至少兩次來產生所述簡化輸出包括： <br/>藉由進行基於所述第一指令的所述融合乘法及加法運算兩次來進行一次所述逆運算。
如請求項1所述的操作方法，其中根據所述一個輸入產生所述轉換因子及所述簡化值包括： <br/>藉由將所述一個輸入與所述轉換因子一起相乘來產生所述簡化值。
如請求項6所述的操作方法，其中根據所述一個輸入產生所述轉換因子及所述簡化值取決於所述一個輸入屬於正規範圍還是屬於次正規範圍而不同地進行。
如請求項7所述的操作方法，其中，在根據所述一個輸入產生所述轉換因子及所述簡化值時， <br/>回應於屬於所述正規範圍的所述一個輸入，所述轉換因子具有藉由自指數偏差值減去所述一個輸入的指數值及1而獲得的值作為指數值。
如請求項7所述的操作方法，其中，在根據所述一個輸入產生所述轉換因子及所述簡化值時， <br/>回應於屬於所述次正規範圍的所述一個輸入，所述轉換因子具有藉由將指數偏差值加至所述一個輸入的尾數值的零計數且自其減去2而獲得的值作為指數值。
如請求項1所述的操作方法，其中所述簡化值的指數值固定為-1。
如請求項1所述的操作方法，其中無論所述一個輸入屬於正規範圍還是屬於次正規範圍，所述簡化值固定為屬於所述正規範圍。
一種浮點運算電路的操作方法，包括： <br/>基於第二運算模式計算除法運算的除數的逆值；以及 <br/>基於第一運算模式進行被除數與所述除數的逆值的乘法運算， <br/>其中基於所述第二運算模式計算所述除法運算的所述除數的所述逆值包括： <br/>在所述第二運算模式中，根據所述除數產生轉換因子及簡化值； <br/>藉由對所述簡化值進行逆運算來產生簡化輸出；以及 <br/>藉由使用所述轉換因子對所述簡化輸出進行逆轉換運算來產生所述逆值。
如請求項12所述的操作方法，其中所述第一運算模式支持融合乘法及加法運算。
如請求項12所述的操作方法，其中所述除數、所述除數的所述逆值以及所述被除數包括基於電機電子工程師學會（IEEE）754標準的二進制符號值、二進制指數值以及二進制尾數值。
一種積體電路，包括： <br/>第一暫存器； <br/>第二暫存器； <br/>第三暫存器； <br/>第四暫存器； <br/>第五暫存器；以及 <br/>浮點運算電路， <br/>其中，在第一運算模式中，所述浮點運算電路藉由將所述第一暫存器的值與所述第二暫存器的值一起相乘產生第一中間值，藉由將所述第三暫存器的值與所述第一中間值相加產生輸出值，且將所述輸出值儲存於所述第四暫存器中， <br/>其中，在第二運算模式的第一階段中，所述浮點運算電路根據所述第二暫存器的值產生簡化值及轉換因子，將所述簡化值儲存於所述第四暫存器中，且將所述轉換因子儲存於所述第五暫存器中， <br/>在所述第二運算模式的第二階段中，所述浮點運算電路進行基於儲存於所述第四暫存器中的所述簡化值的逆運算，以產生簡化輸出並將所述簡化輸出儲存於所述第四暫存器中， <br/>在所述第二運算模式的第三階段中，所述浮點運算電路將所述簡化輸出與儲存於所述第五暫存器中的所述轉換因子相乘，以產生最終輸出並將所述最終輸出儲存於所述第四暫存器中，且 <br/>其中將具有與儲存於所述第四暫存器中的值的符號相反的符號的值傳送至所述第一暫存器。
如請求項15所述的積體電路，其中所述第一暫存器、所述第二暫存器、所述第三暫存器、所述第四暫存器、所述第五暫存器以及所述浮點運算電路用數位信號處理器、類神經處理器或電腦視覺處理器實施。
一種藉由一或多個計算系統進行之方法，其包括： <br/>從第一客戶端系統接收第一使用者輸入，所述第一使用者輸入包括和助理機器人相關的喚醒單詞； <br/>設定所述助理機器人（xbot）進入監聽模式，其中當所述助理機器人在所述監聽模式中，連續非視覺回授經由所述第一客戶端系統來提供； <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，從所述第一客戶端系統接收第二使用者輸入，所述第二使用者輸入包括使用者發聲； <br/>根據所述使用者發聲的完成來判斷所述第二使用者輸入已經結束； <br/>設定所述助理機器人進入不活躍模式，其中當所述助理機器人在所述不活躍模式中，所述連續非視覺回授經由所述第一客戶端系統而被中斷；以及 <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，經由所述第一客戶端系統來提供連續視覺回授。
如請求項1之方法，其中所述一或多個計算系統包括所述第一客戶端系統。
如請求項1之方法，其中所述一或多個計算系統包括與所述第一客戶端系統配對的隨附裝置。
如請求項3之方法，其中當所述喚醒單詞被接收到時，所述隨附裝置是在鎖住狀態中。
如請求項3之方法，其中所述助理機器人和在所述隨附裝置上執行的隨附應用程式相關。
如請求項5之方法，其中所述隨附應用程式在所述隨附裝置上執行為背景應用程式，並且其中所述隨附應用程式被所述隨附裝置容許來利用低於臨界能力的計算能力。
如請求項5之方法，其進一步包括： <br/>響應於所述連續非視覺回授來執行所述隨附應用程式為前景應用程式；以及 <br/>增加所述隨附應用程式被容許利用的計算能力為大於臨界能力的計算能力。
如請求項1之方法，其中所述第一客戶端系統包括智慧型手機、智慧型眼鏡、擴增實境(AR)眼鏡、虛擬實境(VR)頭戴式裝置、或是智慧型手錶中的一或多個。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>在提供所述連續非視覺回授之前，經由所述第一客戶端系統響應於所述第一使用者輸入以提供最初非視覺回授，其中所述最初非視覺回授指出所述助理機器人的所述監聽模式的起始。
如請求項1之方法，其中所述連續非視覺回授是根據聲音、振動、或是觸覺中的一或多個。
如請求項1之方法，其中所述連續視覺回授是根據和所述助理機器人相關的圖像、所述監聽模式的視覺指示、或是光中的一或多個。
如請求項1之方法，其中所述一或多個計算系統包括與所述第一客戶端系統配對的隨附裝置，其中所述方法進一步包括： <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，經由所述隨附裝置來提供連續視覺回授。
如請求項12之方法，其中所述連續視覺回授是根據和所述助理機器人相關的圖像、所述監聽模式的視覺指示、或是光中的一或多個。
一種體現軟體之電腦可讀取非暫態儲存媒體，當所述軟體被執行時在運作上以： <br/>從第一客戶端系統接收第一使用者輸入，所述第一使用者輸入包括和助理機器人相關的喚醒單詞； <br/>設定所述助理機器人進入監聽模式，其中當所述助理機器人在所述監聽模式中，連續非視覺回授經由所述第一客戶端系統來提供； <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，從所述第一客戶端系統接收第二使用者輸入，所述第二使用者輸入包括使用者發聲； <br/>根據所述使用者發聲的完成來判斷所述第二使用者輸入已經結束； <br/>設定所述助理機器人進入不活躍模式，其中當所述助理機器人在所述不活躍模式中，所述連續非視覺回授經由所述第一客戶端系統而被中斷；以及 <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，經由所述第一客戶端系統來提供連續視覺回授。
如請求項14之電腦可讀取非暫態儲存媒體，其中所述第一客戶端系統包括智慧型手機、智慧型眼鏡、擴增實境(AR)眼鏡、虛擬實境(VR)頭戴式裝置、或是智慧型手錶中的一或多個。
如請求項14之電腦可讀取非暫態儲存媒體，其中當所述軟體被執行時進一步在運作上以： <br/>在提供所述連續非視覺回授之前，經由所述第一客戶端系統響應於所述第一使用者輸入以提供最初非視覺回授，其中所述最初非視覺回授指出所述助理機器人的所述監聽模式的起始。
一種包括一或多個處理器以及耦接至所述一或多個處理器的非暫態記憶體之系統，其包括藉由所述一或多個處理器可執行的指令，當所述一或多個處理器執行所述指令時在運作上以： <br/>從第一客戶端系統接收第一使用者輸入，所述第一使用者輸入包括和助理機器人相關的喚醒單詞； <br/>設定所述助理機器人進入監聽模式，其中當所述助理機器人在所述監聽模式中，連續非視覺回授經由所述第一客戶端系統來提供； <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，從所述第一客戶端系統接收第二使用者輸入，所述第二使用者輸入包括使用者發聲； <br/>根據所述使用者發聲的完成來判斷所述第二使用者輸入已經結束； <br/>設定所述助理機器人進入不活躍模式，其中當所述助理機器人在所述不活躍模式中，所述連續非視覺回授經由所述第一客戶端系統而被中斷；以及 <br/>當所述助理機器人在所述監聽模式中，經由所述第一客戶端系統來提供連續視覺回授。
如請求項17之系統，其中所述第一客戶端系統包括智慧型手機、智慧型眼鏡、擴增實境(AR)眼鏡、虛擬實境(VR)頭戴式裝置、或是智慧型手錶中的一或多個。
如請求項17之系統，其中當所述一或多個處理器執行所述指令時進一步在運作上以： <br/>在提供所述連續非視覺回授之前，經由所述第一客戶端系統響應於所述第一使用者輸入以提供最初非視覺回授，其中所述最初非視覺回授指出所述助理機器人的所述監聽模式的起始。
一種檢查系統，以具備有可載置容器的載置台、及對已載置於前述載置台的前述容器進行氣體的供給的氣體供給裝置的容器收納設備，來進行前述氣體的流動的檢查，<br/> 前述檢査系統具有以下的特徵：<br/> 具備有：<br/> 檢查單元，構成為可載置於前述載置台；及<br/> 判定部，<br/> 前述容器具備形成有前述氣體的流入口的容器流入部，<br/> 前述氣體供給裝置具備有：<br/> 供氣部，配置於前述載置台，以連接於已載置在前述載置台的前述容器的前述容器流入部；<br/> 供氣配管，連接於前述供氣部；及<br/> 供氣流量控制部，控制前述氣體的流量，以使通過前述供氣配管而供給到前述供氣部的前述氣體的流量成為規定的供氣流量，<br/> 前述檢查單元具備：<br/> 檢查流入部，在該檢查單元載置於前述載置台的狀態下連接於前述供氣部；<br/> 流入配管，連接於前述檢查流入部；及<br/> 流入流量測量部，測量從前述檢查流入部通過前述流入配管而流入之前述氣體的流量即流入流量，<br/> 前述流入配管對前述流入流量測量部之前述流入流量的測量處在下游側呈大氣開放，<br/> 前述判定部基於前述供氣流量和前述流入流量的差，來判定前述供氣部和前述檢查流入部的連接部分中之前述氣體的洩漏狀態。
如請求項1之檢查系統，其中前述載置台具備將前述容器導引到前述載置台中之規定的位置的導引部，<br/> 前述容器具備被前述導引部導引的容器被導引部，<br/> 前述檢查單元具備具有和前述容器被導引部相同的形狀及構造，且被前述導引部導引的檢查被導引部，<br/> 前述檢查流入部具有和前述容器流入部相同的形狀及構造。
如請求項1或2之檢查系統，其中前述容器收納設備更具備有從已載置於前述載置台的前述容器進行前述氣體的排出的氣體排出裝置，<br/> 前述容器更具備有形成有前述氣體的流出口的容器流出部，<br/> 前述氣體排出裝置具備：<br/> 排氣部，配置於前述載置台，以連接於已載置在前述載置台的前述容器的前述容器流出部；<br/> 排氣配管，連接於前述排氣部；及<br/> 排氣流量控制部，控制前述氣體的流量，以使從前述排氣部流動到前述排氣配管的前述氣體的流量成為規定的排氣流量，<br/> 前述檢查單元更具備有：<br/> 檢查流出部，在該檢查單元載置於前述載置台的狀態下連接於前述排氣部；及<br/> 流出流量測量部，測量朝前述檢查流出部流動之前述氣體的流量即流出流量，<br/> 前述判定部基於前述排氣流量和前述流出流量的差，來判定前述排氣部和前述檢查流出部的連接部分中之前述氣體的洩漏狀態。
如請求項3之檢查系統，其中在前述排氣配管設置有氣流生成部，前述氣流生成部生成從前述排氣部朝向前述排氣配管的氣流。
一種檢查系統，以具備有可載置容器的載置台、及從已載置於前述載置台的前述容器進行氣體的排出的氣體排出裝置的容器收納設備，來進行前述氣體的流動的檢查，<br/> 前述檢査系統具有以下的特徵：<br/> 具備有：<br/> 檢查單元，構成為可載置於前述載置台；及<br/> 判定部，<br/> 前述容器具備形成有前述氣體的流出口的容器流出部，<br/> 前述氣體排出裝置具備有：<br/> 排氣部，配置於前述載置台，以連接於已載置在前述載置台的前述容器的前述容器流出部；<br/> 排氣配管，連接於前述排氣部；及<br/> 排氣流量控制部，控制前述氣體的流量，以使從前述排氣部流動到前述排氣配管的前述氣體的流量成為規定的排氣流量，<br/> 前述檢查單元具備：<br/> 檢查流出部，在該檢查單元載置於前述載置台的狀態下連接於前述排氣部；<br/> 流出配管，連接於前述檢查流出部；及<br/> 流出流量測量部，測量通過前述流出配管而朝前述檢查流出部流動之前述氣體的流量即流出流量，<br/> 前述流出配管對前述流出流量測量部之前述流出流量的測量處在上游側呈大氣開放，<br/> 前述判定部基於前述排氣流量和前述流出流量的差，來判定前述排氣部和前述檢查流出部的連接部分中之前述氣體的洩漏狀態。
如請求項5之檢查系統，其中前述載置台具備將前述容器導引到前述載置台中之規定的位置的導引部，<br/> 前述容器具備被前述導引部導引的容器被導引部，<br/> 前述檢查單元具備具有和前述容器被導引部相同的形狀及構造，且被前述導引部導引的檢查被導引部，<br/> 前述檢查流出部具有和前述容器流出部相同的形狀及構造。
如請求項5或6之檢查系統，其中在前述排氣配管設置有氣流生成部，前述氣流生成部生成從前述排氣部朝向前述排氣配管的氣流。
一種水性外用組成物，包含（A）菸鹼酸苄酯、（B）肉豆蔻酸異丙酯及（C）薄荷醇，所述（C）成分相對於所述（A）成分1重量份的含量為10重量份以上且600重量份以下，所述（A）成分相對於所述（B）成分1重量份的含量為0.005重量份以上且0.2重量份以下。
如請求項1所述的水性外用組成物，其中，所述（A）成分的含量為0.011重量%以上。
如請求項1或請求項2所述的水性外用組成物，為洗劑、乳液劑、凝膠劑或乳膏劑。
一種光學濾波器，其具有使可見區域的光線與一部分近紅外線區域的光線透過的基材，且滿足下述（c）的必要條件， 所述基材具有包含樹脂與色素的樹脂層， <br/>所述基材滿足下述（a）及（b）的必要條件， <br/>所述樹脂層包含在波長620 nm～760 nm具有吸收極大波長的化合物（S）、以及在波長761 nm～850 nm具有吸收極大波長的化合物（Z）， <br/>（a）在波長600 nm～950 nm的區域中，自基材的垂直方向測定時的透過率自超過2%成為2%以下的最長波長（Xa）、與自基材的垂直方向測定時的透過率自小於2%成為2%以上的最短波長（Xb）的差為80 nm以上； <br/>（b）在波長450 nm～570 nm的區域中，自基材的垂直方向測定時的透過率的平均值為70%以上； <br/>（c）在波長600 nm以上的區域具有光線阻止頻帶Za、光線透過頻帶Zb、光線阻止頻帶Zc，各頻帶的中心波長為Za＜Zb＜Zc，所述Za中的自基材的垂直方向測定時的最小透過率分別為1%以下，所述Zb中的自基材的垂直方向測定時的最大透過率（Tb）為45%以上，Zc中的自基材的垂直方向測定時的最小透過率分別為15%以下， <br/>Zb是指在波長750 nm以上且1050 nm以下，自光學濾波器的垂直方向測定時的透過率自30%以下成為超過30%的最短波長Zb1、至自超過30%成為30%以下的最長波長Zb2為止的波長頻帶， <br/>Zc是指在波長850 nm以上且1200 nm以下，自光學濾波器的垂直方向測定時的透過率自超過20%成為20%以下的最短波長Zc1、至自小於20%成為20%以上的最長波長Zc2為止的波長頻帶。
如請求項1所述的光學濾波器，其中，所述化合物（Z）為選自由方酸內鎓系化合物、酞菁系化合物、萘酞菁系化合物、花青系化合物、克酮鎓系化合物、及聚次甲基系化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
如請求項1所述的光學濾波器，是在所述樹脂層中包含兩種以上的化合物（S）而成。
如請求項1所述的光學濾波器，其中，所述樹脂為選自由環狀(聚)烯烴系樹脂、芳香族聚醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、芴聚碳酸酯系樹脂、芴聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂、氟化芳香族聚合物系樹脂、(改性)丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、烯丙基酯系硬化型樹脂、倍半矽氧烷系紫外線硬化型樹脂、丙烯酸系紫外線硬化型樹脂及乙烯基系紫外線硬化型樹脂所組成的群組中的至少一種。
如請求項1所述的光學濾波器，其中，所述基材在作為支撐體的樹脂制基板或玻璃基板上具有所述樹脂層。
如請求項1所述的光學濾波器，其中，所述基材進而包含在所述Xb+50 nm～Xb+250 nm的波長區域具有吸收極大波長的化合物（N）。
如請求項1所述的光學濾波器，其特徵在於：所述光學濾波器進而滿足下述必要條件（d）， <br/>（d）在光線透過頻帶Zb的長波長側，自光學濾波器的垂直方向測定時的透過率成為所述Tb的一半的最短波長的值（Ye）、與自相對於光學濾波器的垂直方向而為30°的角度測定時的透過率成為所述Tb的一半的最短波長的值（Yf）的差的絕對值｜Ye-Yf｜小於35 nm。
如請求項1所述的光學濾波器，其中，在所述基材的至少一面側具有電介質多層膜。
如請求項8所述的光學濾波器，其特徵在於：所述電介質多層膜是不同的材料層交替地層疊而成，所述材料層的折射率的差為0.8以下。
一種固體攝像裝置，包括如請求項1所述的光學濾波器。
一種照相機模組，包括如請求項1所述的光學濾波器。
一種可電連接至一負載之微電網，其包括： <br/>兩個或更多個電力發電機群集，其等各具有至少一個電力發電機，包含具有至少一第一電力發電機之一第一電力發電機群集； <br/>兩個或更多個電力輸出單元，其等各電連接至該兩個或更多個電力發電機群集之一各自者，包含電連接至該第一電力發電機群集之一第一電力輸出單元； <br/>一能量儲存單元，其電連接至該第一電力輸出單元；及 <br/>一控制裝置，其經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，該等操作包括： <br/>判定該能量儲存單元之一能量可用性是否小於一能量可用性臨限值； <br/>回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性小於該能量可用性臨限值而計算該第一電力發電機群集之一第一共享倍增因數； <br/>使用該第一共享倍增因數來計算該第一電力發電機群集之一共享電力需求，其中該共享電力需求小於一分佈式電力需求；及 <br/>設定該第一電力發電機群集之該分佈式電力需求，使得： <br/>該第一電力輸出單元回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性小於一能量可用性臨限值而輸出從該能量儲存單元接收之該分佈式電力需求與該共享電力需求之間之差之電力的量，且 <br/>該第一電力輸出單元回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性不小於一能量可用性臨限值而輸出從該第一電力發電機群集接收之滿足該分佈式電力需求之電力的量。
如請求項1之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，該等操作進一步包括設定該第一電力發電機群集之該共享電力需求，使得該第一電力輸出單元輸出從該第一電力發電機群集接收的滿足該共享電力需求的電力的量。
如請求項1之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，該等操作進一步包括： <br/>使用冗餘電力發電機，回應於從至少一電力發電機之減少電輸出而繼續供應電力。
如請求項1之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，使得設定該第一電力發電機群集之該分佈式電力需求包括將該分佈式電力需求設定為平均地除以該等電力輸出單元之數目的量。
如請求項1之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作使得計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數包括： <br/>判定該能量儲存單元之該能量可用性的量；及 <br/>使用該能量儲存單元之該能量可用性的量來計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數。
如請求項1之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，該等操作進一步包括判定該能量儲存單元之該能量可用性是否均衡， <br/>其中回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性小於該能量可用性臨限值而計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數進一步包括回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性不均衡而計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數。
如請求項1之微電網，其中該能量儲存單元包括一電能儲存單元、機械能儲存單元、一電機能儲存單元、一電化學能儲存單元或一熱能儲存單元之至少一者。
如請求項7之微電網，其中： <br/>該第一電力發電機包括一燃料電池發電機； <br/>該至少兩個輸出單元之各者含有一反相器； <br/>該能量儲存單元包括一電池、電容器或超級電容器之至少一者；且 <br/>該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作使得判定該能量儲存單元之該能量可用性包括判定該電池、電容器或超級電容器之該至少一者之一充電狀態。
如請求項1之微電網，其中該第一電力發電機包括一燃料電池發電機、一燃燒發電機、一光伏電池、一聚光太陽能系統、一風力渦輪機、一地熱渦輪機、一水力渦輪機、一燃氣渦輪機、一核反應器、一交流發電機或一感應發電機之至少一者。
一種管理跨電連接至一負載之一微電網中之電力發電機之電力需求分佈之方法，該方法包括： <br/>判定一能量儲存單元之一能量可用性是否小於一能量可用性臨限值，其中該能量儲存單元電連接至複數個電力輸出單元之一第一電力輸出單元； <br/>回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性小於一能量可用性臨限值而計算複數個電力發電機群集之一第一電力發電機群集之一第一共享倍增因數，其中該第一電力發電機群集包含電連接至該第一電力輸出單元之至少一第一電力發電機； <br/>使用該第一共享倍增因數來計算該第一電力發電機群集之一共享電力需求，其中該共享電力需求小於一分佈式電力需求；及 <br/>設定該第一電力發電機群集之該分佈式電力需求，使得： <br/>該第一電力輸出單元回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性小於一能量可用性臨限值而輸出從該能量儲存單元接收之該分佈式電力需求與該共享電力需求之間之差之電力的量，且 <br/>該第一電力輸出單元回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性不小於一能量可用性臨限值而輸出從該第一電力發電機群集接收之滿足該分佈式電力需求之電力的量。
如請求項10之方法，其進一步包括設定該第一電力發電機群集之該共享電力需求，使得該第一電力輸出單元輸出從該第一電力發電機群集接收之滿足該共享電力需求之電力的量。
如請求項10之方法，其進一步包括： <br/>使用冗餘電力發電機，回應於從至少一電力發電機之減少電輸出而繼續供應電力。
如請求項10之方法，其中設定該第一電力發電機之該分佈式電力需求包括將該分佈式電力需求設定為平均地除以該等電力輸出單元之數目的量。
如請求項10之方法，其中計算該第一電力發電機群集之一第一共享倍增因數包括： <br/>判定該能量儲存單元之該能量可用性的量；及 <br/>使用該能量儲存單元之該能量可用性的量來計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數。
如請求項14之方法，其中： <br/>該等發電機包括燃料電池發電機； <br/>該能量儲存單元包括一電池、電容器或超級電容器之至少一者；且 <br/>判定該能量儲存單元之該能量可用性的量包括判定該電池、電容器或超級電容器之該至少一者之一充電狀態。
如請求項10之方法，其進一步包括判定該能量儲存單元之該能量可用性是否均衡， <br/>其中回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性小於該能量可用性臨限值而計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數進一步包括回應於判定該能量儲存單元之該能量可用性不均衡而計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數。
一種可電連接至一負載之微電網，其包括： <br/>兩個或更多個電力發電機群集，其等各具有至少一個燃料電池電力發電機，包含具有至少一第一燃料電池發電機之一第一電力發電機群集； <br/>兩個或更多個電力輸出單元，其等各含有電連接至該兩個或更多個電力發電機群集之一各自者之一反相器，包含電連接至該第一電力發電機群集之一第一電力輸出單元； <br/>一電池，其電連接至該第一電力輸出單元；及 <br/>一控制裝置，其經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，該等操作包括： <br/>判定該電池之一能量可用性是否小於一能量可用性臨限值； <br/>回應於判定該電池之該能量可用性小於該能量可用性臨限值而計算該第一電力發電機群集之一第一共享倍增因數； <br/>使用該第一共享倍增因數來計算該第一電力發電機群集之一共享電力需求，其中該共享電力需求小於一分佈式電力需求； <br/>組態該第一電力輸出單元以輸出從該第一電力發電機群集接收之滿足該共享電力需求之電力的量； <br/>回應於判定該電池之該能量可用性小於一能量可用性臨限值而組態該第一電力輸出單元以輸出從該電池接收之該分佈式電力需求與該共享電力需求之間之差之電力的量；及 <br/>回應於判定該電池之該能量可用性不小於一能量可用性臨限值而組態該第一電力輸出單元以輸出從該第一電力發電機群集接收之滿足該分佈式電力需求之電力的量。
如請求項17之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，使得組態該第一電力輸出單元以輸出從該第一電力發電機群集接收之滿足該共享電力需求之電力的量包括設定該第一電力發電機群集之該共享電力需求。
如請求項17之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作使得計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數包括： <br/>判定該電池之該能量可用性的量；及 <br/>使用該電池之該能量可用性的量來計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數。
如請求項19之微電網，其中該控制裝置經組態成具有控制裝置可執行程式碼，其經組態以導致該控制裝置執行操作，該等操作進一步包括判定該電池之該能量可用性是否均衡， <br/>其中回應於判定該電池之該能量可用性小於該能量可用性臨限值而計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數進一步包括回應於判定該電池之該能量可用性不均衡而計算該第一電力發電機群集之該第一共享倍增因數。
一種(S)-N-(3-(2-(((R)-1-羥基丙-2-基)胺基)-6-嗎啉基吡啶-4-基)-4-甲基苯基)-3-(2,2,2-三氟乙基)吡咯啶-1-甲醯胺鹽酸鹽之固體形式，以下將其描述為化合物2，<br/><img align="absmiddle" height="119px" width="72px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 化合物2<br/> 其中該固體形式為結晶且其中該固體形式展示選自9.7° ± 0.3、11.1° ± 0.3、13.9° ± 0.3、15.8° ± 0.3、18.5° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.2° ± 0.3、21.7° ± 0.3、22.0° ± 0.3、22.5° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示在19.7° ± 0.3之2-θ值處之X-射線粉末繞射反射。
如請求項2之固體形式，其中該固體形式展示在11.1° ± 0.3及21.2° ± 0.3之2-θ值處之X-射線粉末繞射反射。
如請求項2或3之固體形式，其中該固體形式展示在15.8° ± 0.3及22.0° ± 0.3之2-θ值處之X-射線粉末繞射反射。
如請求項2之固體形式，其中該固體形式展示在13.9° ± 0.3、18.5° ± 0.3、21.7° ± 0.3及22.5° ± 0.3之2-θ值處之X-射線粉末繞射反射。
如請求項2之固體形式，其中該固體形式展示在9.7° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之2-θ值處之X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示選自9.7° ± 0.3、11.1° ± 0.3、13.9° ± 0.3、15.8° ± 0.3、18.5° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.2° ± 0.3、21.7° ± 0.3、22.0° ± 0.3、22.5° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之至少兩個X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示選自9.7° ± 0.3、11.1° ± 0.3、13.9° ± 0.3、15.8° ± 0.3、18.5° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.2° ± 0.3、21.7° ± 0.3、22.0° ± 0.3、22.5° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之至少三個X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示選自9.7° ± 0.3、11.1° ± 0.3、13.9° ± 0.3、15.8° ± 0.3、18.5° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.2° ± 0.3、21.7° ± 0.3、22.0° ± 0.3、22.5° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之至少四個X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示選自9.7° ± 0.3、11.1° ± 0.3、13.9° ± 0.3、15.8° ± 0.3、18.5° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.2° ± 0.3、21.7° ± 0.3、22.0° ± 0.3、22.5° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之至少五個X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示選自9.7° ± 0.3、11.1° ± 0.3、13.9° ± 0.3、15.8° ± 0.3、18.5° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.2° ± 0.3、21.7° ± 0.3、22.0° ± 0.3、22.5° ± 0.3、23.3° ± 0.3及23.8° ± 0.3之至少六個X-射線粉末繞射反射。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示如圖3中所示之X-射線粉末繞射圖。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示包含在229.9℃ ± 5.0處之吸熱峰之示差掃描量熱法溫譜圖。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示如圖4中所示之示差掃描量熱法溫譜圖。
如請求項1之固體形式，其中藉由熱重分析所測定，該固體形式展示上至160℃ ± 10.0小於1.0% ± 0.5之重量損失。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式展示如圖4中所示之熱重分析溫譜圖。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式實質上不含有其他結晶或非晶型形式。
如請求項17之固體形式，其中其他結晶或非晶型形式之量為5% (w/w)或更少。
如請求項1之固體形式，其中該固體形式實質上不含有雜質。
如請求項19之固體形式，其中雜質之量為2%或更少。
一種(S)-N-(3-(2-(((R)-1-羥基丙-2-基)胺基)-6-嗎啉基吡啶-4-基)-4-甲基苯基)-3-(2,2,2-三氟乙基)吡咯啶-1-甲醯胺氫溴酸鹽之固體形式，以下將其描述為化合物3，<br/><img align="absmiddle" height="118px" width="72px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 化合物3<br/> 其中該固體形式為結晶且其中該固體形式展示選自12.2° ± 0.3、17.1° ± 0.3、19.7° ± 0.3、21.1° ± 0.3、21.9° ± 0.3、23.2° ± 0.3、24.0° ± 0.3、27.3° ± 0.3及28.7° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射。
一種(S)-N-(3-(2-(((R)-1-羥基丙-2-基)胺基)-6-嗎啉基吡啶-4-基)-4-甲基苯基)-3-(2,2,2-三氟乙基)吡咯啶-1-甲醯胺4-甲基苯磺酸鹽之固體形式，以下將其描述為化合物4，<br/><img align="absmiddle" height="118px" width="86px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 化合物4<br/> 其中該固體形式為結晶且其中該固體形式展示選自5.7° ± 0.3、6.1° ± 0.3、7.2° ± 0.3、9.3° ± 0.3、12.1° ± 0.3、12.7° ± 0.3、14.5° ± 0.3、15.0° ± 0.3、15.5° ± 0.3、16.6° ± 0.3、17.9° ± 0.3、18.5° ± 0.3及19.9° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射或選自5.2° ± 0.3、6.1° ± 0.3、6.8° ± 0.3、10.5° ± 0.3、11.9° ± 0.3、12.5° ± 0.3、12.9° ± 0.3、16.3° ± 0.3、17.1° ± 0.3、17.2° ± 0.3、18.5° ± 0.3、18.8° ± 0.3、19.2° ± 0.3及21.1° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射。
一種(S)-N-(3-(2-(((R)-1-羥基丙-2-基)胺基)-6-嗎啉基吡啶-4-基)-4-甲基苯基)-3-(2,2,2-三氟乙基)吡咯啶-1-甲醯胺磷酸鹽之固體形式，以下將其描述為化合物5，<br/><img align="absmiddle" height="119px" width="73px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 化合物5<br/> 其中該固體形式為結晶且其中該固體形式展示選自5.9° ± 0.3、6.9° ± 0.3、9.1° ± 0.3、11.9° ± 0.3、13.8° ± 0.3、18.3° ± 0.3、19.2° ± 0.3、20.4° ± 0.3、20.7° ± 0.3、21.9° ± 0.3、22.7° ± 0.3、24.0° ± 0.3、25.8° ± 0.3及26.6° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射。
一種(S)-N-(3-(2-(((R)-1-羥基丙-2-基)胺基)-6-嗎啉基吡啶-4-基)-4-甲基苯基)-3-(2,2,2-三氟乙基)吡咯啶-1-甲醯胺硫酸鹽之固體形式，以下將其描述為化合物6，<br/><img align="absmiddle" height="119px" width="71px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 化合物6<br/> 其中該固體形式為結晶且其中該固體形式展示選自3.2° ± 0.3、3.3° ± 0.3、4.6° ± 0.3、6.8° ± 0.3、7.1° ± 0.3、8.0° ± 0.3、12.5° ± 0.3、15.7° ± 0.3、16.0° ± 0.3及19.9° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射或選自7.2° ± 0.3、9.5° ± 0.3、14.5° ± 0.3、15.8° ± 0.3、16.1° ± 0.3、19.1° ± 0.3、19.3° ± 0.3、19.9° ± 0.3及21.9° ± 0.3之至少一個X-射線粉末繞射反射。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1、21、22、23或24中任一項之固體形式及醫藥上可接受之賦形劑。
如請求項25之醫藥組合物，其進一步包含崩解劑。
如請求項26之醫藥組合物，其中該崩解劑為交聯羧甲基纖維素鈉。
一種如請求項1、21、22、23或24中任一項之固體形式或如請求項25之醫藥組合物之用途，其用於製造用於治療癌症或贅生性疾病之藥劑。
一種外用組成物，含有非類固醇性抗炎症藥、0.02重量%～0.3重量%的壬酸香草醯胺、0.04重量%～0.3重量%的菸鹼酸苄酯及薄荷醇，所述非類固醇性抗炎症藥為選自由雙氯芬酸及其鹽所組成的群組中的至少一種。
如請求項1所述的外用組成物，為液劑、乳膏劑、洗劑、凝膠劑或乳液劑。
一種硬化性組合物，其包含：由下式(1m)表示之交聯劑、及具有能夠與該交聯劑交聯之2個以上交聯性官能基之硬化性化合物， <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="371px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(上式中，M為單鍵或可具有取代基之碳數1～20之伸烷基；苯環可具有取代基；苯環上之乙烯基之取代位置為間位；n為2～4之整數；R為氫原子、羥基或有機基，於R為有機基時，與Si鍵結之原子為C)。
如請求項1之硬化性組合物，其中R為可具有取代基之碳數1～18之烷基。
一種預浸體，其包含：纖維基材、及如請求項1或2之硬化性組合物之半硬化物或硬化物。
一種積層體，其包含：基材、及含有如請求項1或2之硬化性組合物之硬化性組合物層。
一種積層體，其包含：基材、及含有如請求項1或2之硬化性組合物之半硬化物或硬化物之含(半)硬化物之層。
如請求項4或5之積層體，其中上述基材為樹脂膜或金屬箔。
一種覆金屬之積層板，其包含：含有如請求項1或2之硬化性組合物之硬化物之絕緣層、及金屬箔。
一種配線基板，其包含：含有如請求項1或2之硬化性組合物之硬化物之絕緣層、及配線。
一種表面處理方法，其特徵在於：其係使氣體與被處理體之表面接觸者，且 <br/>上述氣體包含β-二酮、第一添加氣體及第二添加氣體， <br/>上述第一添加氣體為NO，上述第二添加氣體為選自由O<sub>2</sub>及NO<sub>2</sub>所組成之群中之至少1種， <br/>使上述氣體與上述被處理體之表面所存在之金屬之氧化物接觸。
如請求項1之表面處理方法，其係使上述氣體不伴隨電漿狀態地與被處理體之表面接觸。
一種乾式蝕刻方法，其特徵在於：其係使蝕刻氣體與形成於被處理體之表面之包含金屬之氧化物之被蝕刻膜接觸並不伴隨電漿狀態地進行蝕刻者，且 <br/>上述蝕刻氣體包含β-二酮、第一添加氣體及第二添加氣體， <br/>上述第一添加氣體為NO，上述第二添加氣體為選自由O<sub>2</sub>及NO<sub>2</sub>所組成之群中之至少1種。
如請求項3之乾式蝕刻方法，其中使上述蝕刻氣體與上述被蝕刻膜接觸時之上述被蝕刻膜之溫度為250℃以上400℃以下。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述蝕刻氣體中所包含之β-二酮之量為10體積%以上90體積%以下。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述蝕刻氣體中所包含之第一添加氣體之量為0.1體積%以上50體積%以下。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述蝕刻氣體中所包含之第二添加氣體之量為5體積%以上40體積%以下。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述金屬之氧化物中之金屬係選自由第4族金屬、第12族金屬、第13族金屬及第14族金屬所組成之群中之至少1種。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述金屬之氧化物係選自由鉿氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物、鎵氧化物、鋁氧化物、銦氧化物、及鋅氧化物所組成之群中之至少1種。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述被蝕刻膜係選自由鉿氧化物膜、鋯氧化物膜、鈦氧化物膜、鎵氧化物膜、鋁氧化物膜、銦氧化物膜及鋅氧化物膜所組成之群中之至少1種。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述β-二酮係選自由六氟乙醯丙酮、三氟乙醯丙酮及乙醯丙酮所組成之群中之至少1種。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中上述蝕刻氣體進而包含選自由N<sub>2</sub>、Ar、He、Ne及Kr所組成之群中之至少1種惰性氣體。
如請求項3或4之乾式蝕刻方法，其中於使上述蝕刻氣體與上述被蝕刻膜接觸時，供置放形成有上述被蝕刻膜之被處理體之處理容器內之壓力處於0.1 kPa以上101.3 kPa以下之壓力範圍內。
一種清潔方法，其特徵在於：其係藉由使氣體與基板處理裝置之處理容器內之堆積於該處理容器之表面的附著物接觸而除去該附著物者，且 <br/>上述氣體包含β-二酮、第一添加氣體及第二添加氣體， <br/>上述第一添加氣體為NO，上述第二添加氣體為選自由O<sub>2</sub>及NO<sub>2</sub>所組成之群中之至少1種， <br/>上述附著物為金屬之氧化物。
如請求項14之清潔方法，其中上述金屬之氧化物中之金屬係選自由第4族金屬、第12族金屬、第13族金屬及第14族金屬所組成之群中之至少1種。
如請求項14或15之清潔方法，其中上述金屬之氧化物係選自由鉿氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物、鎵氧化物、鋁氧化物、銦氧化物、及鋅氧化物所組成之群中之至少1種。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：其係包括使蝕刻氣體與基板上之包含金屬之氧化物之被蝕刻膜反應並不伴隨電漿狀態地進行蝕刻之工序者，且 <br/>上述蝕刻氣體包含β-二酮、第一添加氣體及第二添加氣體， <br/>上述第一添加氣體為NO，上述第二添加氣體為選自由O<sub>2</sub>及NO<sub>2</sub>所組成之群中之至少1種。
如請求項17之半導體裝置之製造方法，其中上述被蝕刻膜係選自由鉿氧化物膜、鋯氧化物膜、鈦氧化物膜、鎵氧化物膜、鋁氧化物膜、銦氧化物膜及鋅氧化物膜所組成之群中之至少1種。
一種蝕刻裝置，其特徵在於具備：載置部，其設置於可加熱之處理容器內，且載置表面形成有包含金屬之氧化物之被蝕刻膜之被處理體； <br/>β-二酮供給部，其將β-二酮供給至上述處理容器內； <br/>第一添加氣體供給部，其將第一添加氣體供給至上述處理容器內；及 <br/>第二添加氣體供給部，其將第二添加氣體供給至上述處理容器內；且 <br/>上述第一添加氣體為NO，上述第二添加氣體為選自由O<sub>2</sub>及NO<sub>2</sub>所組成之群中之至少1種。
如請求項19之蝕刻裝置，其進而具備將惰性氣體供給至上述處理容器內之惰性氣體供給部。
如請求項19或20之蝕刻裝置，其中上述被蝕刻膜係選自由鉿氧化物膜、鋯氧化物膜、鈦氧化物膜、鎵氧化物膜、鋁氧化物膜、銦氧化物膜及鋅氧化物膜所組成之群中之至少1種。
一種乾式蝕刻方法，其特徵在於：其係使蝕刻氣體與形成於被處理體之表面之包含金屬或上述金屬之氧化物之被蝕刻膜接觸並不伴隨電漿狀態地進行蝕刻者，且 <br/>上述蝕刻氣體包含β-二酮、第一添加氣體及第二添加氣體， <br/>上述第一添加氣體為NO，上述第二添加氣體為選自由O<sub>2</sub>及NO<sub>2</sub>所組成之群中之至少1種， <br/>上述金屬或上述金屬之氧化物係選自由第13族金屬、第14族金屬及該等金屬之氧化物所組成之群中之至少1種。
一種垂直定向真空幫浦，其包括： <br/>一定子，其包括一第一定子部分及定位於該第一定子部分上之一第二定子部分； <br/>該第一定子部分包括： <br/>一第一壁，其形成該定子之一底部壁； <br/>一或多個側壁，其從該第一壁向上延伸，其中該第一壁及該一或多個側壁為一單一單體式品項且界定一內部腔；及 <br/>一出口通道，其經形成穿過該一或多個側壁之一側壁，該出口通道具有在該一或多個側壁之該側壁之一內表面處的一開口，該出口通道用於容許一流體從該內部腔流至該定子之該至少一部分之一外側；其中 <br/>該第一壁之一內表面鄰接該出口通道之該開口；且 <br/>該出口通道在具有一向下定向分量之一方向上從該出口通道之該開口延伸；且 <br/>該第二定子部分包括： <br/>一第二壁，其形成該定子之一頂部壁；及 <br/>一或多個進一步側壁，其從該第二壁向下延伸，其中該第二壁及該一或多個進一步側壁為一單一單體式品項； <br/>該第一定子部分之該一或多個側壁附接至該第二定子部分之該一或多個進一步側壁，使得該第一壁、該一或多個側壁、該第二壁及該一或多個進一步側壁界定一內部腔室；且 <br/>該定子進一步包括經穿過該一或多個側壁之一側壁形成的一入口通道，該入口通道用於容許一流體從該定子之該外側流入該內部腔室中。
如請求項1之垂直定向真空幫浦，其中該第一壁之該內表面之一最低點鄰接該出口通道之該開口。
如請求項1之垂直定向真空幫浦，其中該第一壁之該內表面朝向該開口傾斜或實質上為平坦的。
如請求項1之垂直定向真空幫浦，其中該第一壁包括一或多個穿孔，該一或多個穿孔之各者用於接納一各自轉子軸。
如請求項1之垂直定向真空幫浦，其中該第一壁包括與該內表面相對之一外表面，該第一壁之該外表面包括一或多個凹部。
如請求項5之垂直定向真空幫浦，其中該第一壁之該外表面中之該一或多個凹部包括選自由以下者組成之凹部之群組之一或多個凹部：用於接納一O形環之一環形凹槽及經構形以接納一熱絕緣間隔件之一凹部。
如請求項6之垂直定向真空幫浦，其中該第二壁包括一或多個穿孔，該一或多個穿孔之各者用於接納一各自轉子軸。
如請求項6之垂直定向真空幫浦，其中該第二壁包括一外表面，該第二壁之該外表面包括一或多個凹部。
如請求項8之垂直定向真空幫浦，其中該第二壁之該外表面中之該一或多個凹部包括選自由以下者組成之凹部之該群組之一或多個凹部：用於接納一O形環之一環形凹槽及經構形以接納一熱絕緣間隔件之一凹部。
如請求項6之垂直定向真空幫浦，其中該定子進一步包括安置於該第一壁抑或該第二壁內之一洩壓閥。
如請求項10之垂直定向真空幫浦，其中： <br/>該定子進一步包括形成於該第二壁內之一通道； <br/>該通道包括在該通道之一第一端處之一第一開口及在該通道之一第二端處之一第二開口； <br/>該通道之該第一開口及該第二開口形成於該第二壁之一內表面中；及 <br/>該洩壓閥安置於該通道內。
如請求項1之垂直定向真空幫浦，其包括： <br/>一或多個轉子軸，其延伸穿過該第一壁與該第二壁之間之該定子之該內部腔室；及 <br/>一或多個轉子，各轉子安裝於該等轉子軸之一各自轉子軸上。
如請求項12之垂直定向真空幫浦，其中： <br/>該一或多個轉子界定該內部腔室之一吸入側及該內部腔室之一排氣側； <br/>該定子進一步包括形成於該第二壁內之一通道； <br/>該通道包括在該通道之一第一端處之一第一開口及在該通道之一第二端處之一第二開口； <br/>該通道之該第一開口形成於該內部腔室之該排氣側處之該第二壁之一內表面中； <br/>該通道之該第二開口形成於該內部腔室之該吸入側處之該第二壁之該內表面中；及 <br/>該真空幫浦進一步包括安置於該通道內之一洩壓閥。
如請求項12之垂直定向真空幫浦，其中 <br/>該第一壁包括一外表面，該第一壁之該外表面包括形成於其中之一或多個凹部； <br/>該真空幫浦進一步包括： <br/>一第一O形環及/或一第一熱絕緣間隔件，其安置於形成在該第一壁之該外表面中之該一或多個凹部內；及 <br/>一第一端板，其用於支撐該一或多個轉子軸，該第一端板面向該第一壁之該外表面且抵靠該第一O形環及/或該第一熱絕緣間隔件安置，使得該第一端板與該第一壁之該外表面間隔開。
如請求項12之垂直定向真空幫浦，其中 <br/>該第二壁包括一外表面，該第二壁之該外表面包括形成於其中之一或多個凹部； <br/>該真空幫浦進一步包括： <br/>一第二O形環及/或一第二熱絕緣間隔件，其安置於形成在該第二壁之該外表面中之該一或多個凹部內；及 <br/>一第二端板，其用於支撐該一或多個轉子軸，該第二端板面向該第二壁之該外表面且抵靠該第二O形環及/或該第二熱絕緣間隔件安置，使得該第二端板與該第二壁之該外表面間隔開。
如請求項1之垂直定向真空幫浦，其中該垂直定向真空幫浦為一羅茨型(Roots-type)真空幫浦。
一種用於一垂直定向真空幫浦之一定子，其包括： <br/>複數個壁，其等在其等之間界定一泵送腔室之至少一部分； <br/>一通道，其經形成於該複數個壁之該等壁之一或多者內，該通道包括在該通道之一第一端處之一第一開口及在該通道之一第二端處之一第二開口，該第一開口係在該等壁之該一或多者之一內表面中之一開口，該第一開口係與該泵送腔室流體連通；及 <br/>一洩壓閥，其經安置於該通道內； <br/>其中該複數個壁包括： <br/>一頂端壁；及 <br/>一或多個側壁，其從該頂端壁向下延伸，其中該頂端壁及該一或多個側壁界定一內部腔； <br/>其中： <br/>該通道係形成於該頂端壁中； <br/>該第一開口係形成於該頂端壁之一內表面中，且該第二開口係形成於該頂端壁之該內表面中； <br/>該第一開口係定位於該泵送腔室之一排氣側處； <br/>該第二開口係定位於該泵送腔室之一吸入側處； <br/>該頂端壁包括一或多個穿孔，該一或多個穿孔之各者用於接納一各自轉子軸；且 <br/>該頂端壁及該一或多個側壁係一單體式品項。
如請求項1之定子，其中該洩壓閥係定位於一殼體中，該殼體可經由該定子之一外表面中之一孔隙從該定子移除。
如請求項1之定子，進一步包括一入口通道，該入口通道經形成穿過該一或多個側壁之一側壁，用於容許一流體從該定子之一外側流入該內部腔中。
如請求項1之定子，其中該頂端壁包括一外表面，該頂端壁之該外表面包括一或多個凹部。
如請求項4之定子，其中該一或多個凹部係選自由以下者組成之凹部的群組：用於接納一O形環之一環形凹槽，及經構形以接納一熱絕緣間隔件之一凹部。
如請求項5之定子，進一步包括： <br/>一O形環及/或一或多個熱絕緣間隔件，其係安置於該一或多個凹部內；及 <br/>一端板，用於支撐一或多個轉子軸，該端板面向該端壁之該外表面且係抵靠該O形環及/或該一或多個熱絕緣間隔件安置，使得該端板與該端壁之該外表面間隔開。
一種垂直定向真空幫浦，其包括： <br/>如請求項1至6中任一項之定子； <br/>一或多個轉子軸，其垂直延伸穿過該定子之該泵送腔室；及 <br/>一或多個轉子，各轉子係安裝於該等轉子軸之一各自轉子軸上。
一種用於形成具有一平坦頂部輪廓的一間隔物層的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 執行一沉積製程，該沉積製程包含在一圖案化心軸層的頂表面上且在該圖案化心軸層的側壁上的一間隔物層之上保形地沉積一覆蓋層； <br/> 使用一含氟蝕刻氣體執行一蝕刻製程，該蝕刻製程包含：<br/> 從該圖案化心軸層的該等頂表面和該覆蓋層的肩部移除該覆蓋層；以及<br/> 移除該間隔物層的肩部；以及<br/> 同時移除該圖案化心軸層與剩餘的該覆蓋層。
如請求項1所述之方法，其中該沉積製程及該蝕刻製程係在無真空中斷的情況下於一電感耦合電漿(ICP)蝕刻腔室中執行。
如請求項1所述之方法，其中該間隔物層包含氮化矽。
如請求項1所述之方法，其中該圖案化心軸層包含一含碳材料。
如請求項1所述之方法，其中該覆蓋層包含氧化矽。
如請求項1所述之方法，其中該含氟蝕刻氣體包含氟甲烷(CH<sub>3</sub>F)。
一種用於形成具有一平坦頂部輪廓的一間隔物層的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 使用一第一含氟蝕刻氣體執行一主蝕刻製程，該主蝕刻製程包含：<br/> 從一經圖案化心軸層的頂表面移除一間隔物層的部分，僅在該經圖案化心軸層的側壁上留下該間隔物層的部分；<br/> 執行一沉積製程，該沉積製程包含在該圖案化心軸層的該等頂表面上且在該圖案化心軸層的該側壁上的該間隔物層之上保形地沉積一覆蓋層；<br/> 使用一第二含氟蝕刻氣體執行一過蝕刻製程，該過蝕刻製程包含：<br/> 從該圖案化心軸層的該等頂表面和該間隔物層的肩部移除該覆蓋層並；以及<br/> 移除該間隔物層的該肩部；以及<br/> 同時移除該圖案化心軸層與剩餘的該覆蓋層。
如請求項7所述之方法，其中該主蝕刻製程、該沉積製程及該過蝕刻製程係在無真空中斷的情況下於一電感耦合電漿(ICP)蝕刻腔室中執行。
如請求項7所述之方法，其中該間隔物層包含氮化矽。
如請求項7所述之方法，其中該圖案化心軸層包含一含碳材料。
如請求項7所述之方法，其中該覆蓋層包含氧化矽。
如請求項7所述之方法，其中該第一含氟蝕刻氣體包含氟仿(CHF<sub>3</sub>)。
如請求項7所述之方法，其中該第二含氟蝕刻氣體包含氟甲烷(CH<sub>3</sub>F)。
一種用於形成具有一平坦頂部輪廓的一間隔物層的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 執行一第一蝕刻製程，該第一蝕刻製程包含使用一第一含氟蝕刻氣體從一圖案化心軸層的頂表面移除一間隔物層的部分，僅在該經圖案化心軸層的側壁上留下該間隔物層的部分；<br/> 執行一沉積製程，該沉積製程包含在該圖案化心軸層的該等頂表面上且在該圖案化心軸層的該側壁上的該間隔物層之上保形地沉積一覆蓋層；<br/> 執行一第二蝕刻製程，該第二蝕刻製程包含使用一第二含氟蝕刻氣體從該圖案化心軸層的該等頂表面和該覆蓋層的肩部移除該覆蓋層並且移除該間隔物層的肩部；以及<br/> 執行一第三蝕刻製程，該第三蝕刻製程包含移除該圖案化心軸層與剩餘的該覆蓋層。
如請求項14所述之方法，其中該第一蝕刻製程、該沉積製程、該第二蝕刻製程，及該第三蝕刻製程係在無中斷的情況下於一電感耦合電漿(ICP)蝕刻腔室中執行。
如請求項14所述之方法，其中該間隔物層包含氮化矽。
如請求項14所述之方法，其中該圖案化心軸層包含一含碳材料。
如請求項14所述之方法，其中該覆蓋層包含氧化矽。
如請求項14所述之方法，其中該第一含氟蝕刻氣體包含氟仿(CHF<sub>3</sub>)。
如請求項14所述之方法，其中該第二含氟蝕刻氣體包含氟甲烷(CH<sub>3</sub>F)。
一種用於一真空泵送系統之流體路徑模組，該流體路徑模組包括： <br/>一第一流體入口； <br/>一第二流體入口； <br/>一流體出口； <br/>一第一流體線路，其耦合於該第一流體入口與該流體出口之間； <br/>一第二流體線路，其耦合於該第二流體入口與該流體出口之間； <br/>一第一限流器，其經組態以限制一流體流通過其，該第一限流器沿該第一流體線路安置； <br/>一真空泵，其沿該第二流體線路安置；及 <br/>一或多個閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第一流體線路或該第二流體線路， <br/>一第二限流器，其經組態以限制一流體流通過其，該第二限流器沿該第二流體線路安置； <br/>一旁通線路，其與該第二限流器平行配置以藉此允許一流體流繞過該第二限流器；及 <br/>一或多個另外閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過該第二限流器或該旁通線路。
如請求項1之流體路徑模組，其中： <br/>該一或多個閥包括： <br/>一第一閥；及 <br/>一第二閥； <br/>該第一閥沿該第一流體線路安置；且 <br/>該第二閥沿該第一流體線路安置。
如請求項1之流體路徑模組，其中該第二限流器及該旁通線路沿該第二流體線路安置於該真空泵與該流體出口之間。
如請求項1之流體路徑模組，其中該一或多個另外閥包括安置於該真空泵與該第二限流器及該旁通線路之間的一三通閥。
如請求項1或2之流體路徑模組，其中該真空泵係一渦輪泵。
如請求項1或2之流體路徑模組，其進一步包括經組態以控制該一或多個閥之操作之一閥控制器。
如請求項1或2之流體路徑模組，其進一步包括： <br/>一或多個另外第一流體入口； <br/>一或多個另外第二流體入口； <br/>一或多個另外流體出口； <br/>一或多個另外第一流體線路，各另外第一流體線路耦合於一各自另外第一流體入口與一另外流體出口之間； <br/>一或多個另外第二流體線路，各另外第二流體線路耦合於一各自第二流體入口與一另外流體出口之間； <br/>一或多個另外第一限流器，其等經組態以限制一流體流通過其，各另外第一限流器沿一各自另外第一流體線路安置； <br/>一或多個另外真空泵，各另外真空泵沿一各自另外第二流體線路安置；及 <br/>一或多個另外閥，其等經組態以可選擇地導引一流體流通過一另外第一流體線路或一另外第二流體線路。
如請求項7之流體路徑模組，其進一步包括一流體線路歧管，其中該流體出口及該一或多個另外流體出口流體耦合至該流體線路歧管。
一種真空泵送系統，其包括： <br/>一半導體處理工具，其包括一處理室； <br/>如請求項1至8中任一項之流體路徑模組，其中該第一流體入口及該第二流體入口流體耦合至該處理室；及 <br/>一泵，其操作地耦合至該流體出口。
如請求項9之系統，其中： <br/>該半導體處理工具進一步包括一或多個另外處理室； <br/>該系統進一步包括一或多個另外流體路徑模組，各另外流體路徑模組係如請求項1至8中任一項之流體路徑模組，其中各另外流體路徑模組之第一流體入口及第二流體入口流體耦合至一各自另外處理室； <br/>該系統進一步包括一流體線路歧管，其中該流體路徑模組之該流體出口及該等流體路徑模組之各者流體耦合至該流體線路歧管；且 <br/>該泵操作地耦合至該流體線路歧管。
一種操作用於一真空泵送系統之一流體路徑模組之方法，該流體路徑模組係如請求項1至8中任一項之流體路徑模組，該方法包括： <br/>控制該一或多個閥導引一流體流通過該第一流體線路且防止或抵制流體流通過該第二流體線路；及 <br/>回應於滿足一或多個條件，控制該一或多個閥允許一流體流通過該第二流體線路且防止或抵制流體流通過該第一流體線路，且藉由該真空泵泵送流體通過該第二流體線路。
如請求項11之方法，其中該一或多個條件包括流體耦合至該第一流體輸入及該第二流體入口之一腔室中之一壓力低於一第一臨限壓力之一條件。
如請求項11或12之方法，其中： <br/>該流體路徑模組係如請求項1或如依附於請求項1之任何請求項；且 <br/>該方法進一步包括： <br/>控制該一或多個另外閥導引一流體流通過該第二限流器且防止或抵制流體流通過該旁通線路；及 <br/>回應於滿足一或多個另外條件，控制該一或多個另外閥允許一流體流通過該旁通線路且防止或抵制流體流通過該第二限流器。
如請求項13之方法，其中該一或多個另外條件包括該真空泵之一泵送室中之一壓力低於一第二臨限壓力之一條件。
一種螺絲（10），其包含螺杆（12），該螺杆（12）具有芯徑並過渡到尾尖（14），其中，該尾尖（14）從該螺杆（12）的承載區開始漸縮，此外，該尾尖（14）終止於最尖端（16），其中，該最尖端（16）位於螺絲中心軸（MA）上，其中，該螺絲（10）具有螺紋（18），用於將該螺絲沿旋緊方向與部件旋緊，此外，該螺紋（18）延伸到該尾尖（14）中，其中，進一步限定出螺絲中心面（ME），此外，在該尾尖（14）處藉由至少該尾尖中的刃口形成至少兩個刃（20、22），其中，順向該旋緊方向的第一刃（20）及逆向該旋緊方向的第二刃（22）位於該螺絲中心面（ME）的兩側，其中，兩個刃（20、22）藉由表面（30、50）相連接，其中，該表面（30、50）在其橫截面中具有輪廓線（K），其中，該刃（20、22）之間的該螺絲中心面（ME）與該表面（30、50）形成交線（S），其中，從該最尖端（16）起，該交線（S）與該螺絲中心軸（MA）的距離（A）至少增長到使其等於二分之一芯徑D<sub>K</sub>，其中，該交線（S）距該螺絲中心軸D<sub>K</sub>/4處的交點（A1）與距該螺絲中心軸D<sub>K</sub>/2處的最近交點（A2）在螺絲縱向上相距長度（L），其中，該長度（L）大於D<sub>K</sub>/3，其中，在該長度（L）大於D<sub>K</sub>/3的範圍內，該第一刃（20）處螺絲外側的切線（T）與該輪廓線（K）圍成的刃角（α）隨著該交線（S）距該中心軸（MA）的距離增大而增大。
如請求項1所述之螺絲，其中，該長度（L）大於D<sub>K</sub>/2。
如請求項1至2中任一項所述之螺絲，其中，該輪廓線（K）基本上呈直線或凸曲線。
如請求項1所述之螺絲，其中，該尾尖具有圓錐形的基本形狀，使得橫截面中該刃在與該輪廓線的相對側上連成圓形。
如請求項1所述之螺絲，其中，該交線（S）的距離（A）至少從二分之一螺絲尾尖朝向螺頭方向連續遞增。
如請求項1所述之螺絲，其中，該交線（S）的距離（A）的連續遞增至少在一倍芯徑D<sub>K</sub>的軸向長度上延伸。
如請求項1所述之螺絲，其中，從該最尖端（16）起，該刃（20、22）距該中心面的距離朝向螺頭方向遞增。
如請求項1所述之螺絲，其中，在該距離（A2）為D<sub>K</sub>/2的範圍內，該交線具有如此的斜率，即該切線與該螺絲中心軸（MA）所圍成的出角小於45°。
如請求項1所述之螺絲，其中，該交線（S）在面向該最尖端（16）的末端處距該中心軸的距離（A）小於或等於該芯徑D<sub>K</sub>的25％。
如請求項1所述之螺絲，其中，在該交線（S）從0.4 D<sub>K</sub>至0.5 D<sub>K</sub>的距離範圍（A）內，該交線（S）位於該承載區內，此外，在向外排擠方向上以及在朝向螺頭方向的縱向方向上都發生去除材料的排擠作用。
如請求項2所述之螺絲，其中，該交線（S）的距離（A）連續遞增區域遵循圓半徑。
如請求項1所述之螺絲，其中，在該交線（S）超出徑向距離D<sub>K</sub>/2的延續中，該螺杆（12）的承載區中的螺紋亦相應地被削除。
如請求項1所述之螺絲，其中，該交線（S）在該螺杆的圓柱部分中的一點處距該中心軸的距離為D<sub>K</sub>/2。
如請求項1所述之螺絲，其中，該螺紋具有螺距（P），此外，該交線（S）距該中心軸（MA）達距離D<sub>K</sub>/2的點與螺紋牙頂到承載區過渡區域之間的距離至多等於該螺距（P）的2.5倍。
一種由式(I)表示之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物， <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="271px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>G<sup>1</sup>為N； <br/>G<sup>2</sup>為CR<sup>G2</sup>； <br/>G<sup>3</sup>為CR<sup>G3</sup>； <br/>G<sup>4</sup>為CR<sup>G4</sup>； <br/>G<sup>5</sup>為CR<sup>G5</sup>或N； <br/>各R<sup>G2</sup>、R<sup>G3</sup>、R<sup>G4</sup>及R<sup>G5</sup>係獨立地選自由以下組成之群：H、鹵基、CN、C<sub>1-7</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>環烷基、C<sub>1-3</sub>鹵烷基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基、-O-C<sub>1-3</sub>鹵烷基、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>及具有1-3個選自由O、N及S組成之群之雜原子環頂點之4至8員雜環烷基，且其中該環烷基及該雜環烷基經0-3個獨立地選自以下的基團取代：鹵基、CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基及OH； <br/>R<sup>1</sup>係選自由以下組成之群：H、C<sub>1-4</sub>烷基、及NH<sub>2</sub>； <br/>A為選自由以下組成之群之稠環：氮雜環庚烷、哌啶、環庚烷、環己烷、環戊烷、1,4-氧氮雜環庚烷、氧雜環庚烷、四氫哌喃、1,4-二氮雜環庚烷、雙環[4.2.1]壬烷、雙環[4.1.1]辛烷、螺[4.6]十一烷、1-氮雜螺[4.6]十一烷、及環辛烷，其中之各者未經取代或經1至4個R<sup>2</sup>取代，且進一步經0或1個鄰接於氮原子之側氧基(=O)取代； <br/>B為選自由以下組成之群之稠環：1,4-氧氮雜環庚烷、環庚烷、四氫哌喃、異噻唑啶1,1-二氧化物、氧雜環庚烷、1,4,5-氧硫氮雜環庚烷4,4-二氧化物、環己烷、環戊烷、氮雜環庚烷、吡咯啶、哌啶、哌𠯤、𠰌啉、二氮雜環庚烷及1,3-二氧戊環，其中之各者未經取代或經1至4個R<sup>4</sup>取代；且進一步經0或1個鄰接於氮原子之側氧基(=O)取代； <br/>各R<sup>2</sup>係獨立地選自由以下組成之群：鹵基、OH、C<sub>1-7</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>烯基、C<sub>3-7</sub>炔基、C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-7</sub>烷基、-C(O)-C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-7</sub>伸烷基-OH、-Y<sup>1</sup>-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-Y<sup>1</sup>-O-C<sub>3-7</sub>環烷基、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-7</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、4至8員雜環烷基及-NR<sup>a</sup>-(4至8員雜環烷基)，其中該4至8員雜環烷基具有1-3個選自由O、N及S組成之群之雜原子環頂點，且其中該環烷基及該雜環烷基經0-3個獨立地選自以下的基團取代：鹵基、CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基及OH；<sup> </sup><br/>下標n為0、1、2或3； <br/>各R<sup>3</sup>係獨立地選自由以下組成之群：鹵素、CN、C<sub>1-7</sub>烷基、C<sub>2-7</sub>烯基、C<sub>3-7</sub>炔基、C<sub>3-7</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、C<sub>1-6</sub>鹵羥烷基、-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-O-C<sub>3-7</sub>環烷基、-O-C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-X<sup>1</sup>-CN、-X<sup>1</sup>-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-O-Y<sup>1</sup>-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-X<sup>1</sup>-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-O-Y<sup>1</sup>-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-C(O)-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-S(O)<sub>2</sub>-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-S(O)(NH)-C<sub>1-7</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-7</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-7</sub>鹵烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>3-7</sub>環烷基、-S(O)<sub>2</sub>-Y<sup>1</sup>-O-C<sub>1-3</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-(4至8員雜環烷基)、-C(O)NH-(4至8員雜環烷基)、4至8員雜環烷基及-O-X<sup>1</sup>-(4至8員雜環烷基)，其中該4至8員雜環烷基具有1-2個選自由O、N及S組成之群之雜原子環頂點；且其中該環烷基及該雜環烷基經0-3個獨立地選自以下的基團取代：鹵基、CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基及OH； <br/>各R<sup>4</sup>係獨立地選自由以下組成之群：H、鹵素、羥基、CN、C<sub>1-7</sub>烷基、C<sub>2-7</sub>烯基、C<sub>3-7</sub>炔基、C<sub>3-7</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、C<sub>1-6</sub>鹵羥烷基、-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-O-C<sub>3-7</sub>環烷基、-O-C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-X<sup>1</sup>-CN、-X<sup>1</sup>-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-4</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>-C(O)-C<sub>1-7</sub>烷基、-NR<sup>a</sup>-C(O)-C<sub>3-7</sub>環烷基、-NR<sup>a</sup>-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-7</sub>烷基及-NR<sup>a</sup>-S(O)<sub>2-</sub>C<sub>3-7</sub>環烷基，其中-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-NR<sup>a</sup>-C(O)-C<sub>1-7</sub>烷基、-NR<sup>a</sup>-C(O)-C<sub>3-7</sub>環烷基、-NR<sup>a</sup>-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-7</sub>烷基及-NR<sup>a</sup>- S(O)<sub>2</sub>-C<sub>3-7</sub>環烷基不與氮環頂點直接連接以形成N-N鍵； <br/>或與共同碳連接之兩個R<sup>4</sup>組合以形成未經取代或經1-3個獨立地選自F、Cl、OH及CH<sub>3</sub>之成員取代的C<sub>3-6</sub>螺環烷基； <br/>各X<sup>1</sup>為C<sub>1-7</sub>伸烷基或C<sub>3-7</sub>伸環烷基； <br/>各Y<sup>1</sup>為C<sub>2-7</sub>伸烷基或C<sub>3-7</sub>伸環烷基，其中兩個連接的雜原子不與共同碳原子連接； <br/>各R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>係獨立地選自由以下組成之群：H、C<sub>1-7</sub>烷基、C<sub>1-7</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基C<sub>1-4</sub>烷基及C<sub>3-7</sub>環烷基；或 <br/>R<sup>a</sup>及R<sup>b</sup>與其所連接之氮一起形成4-8員雜環烷基環，其具有0-2個選自由O、N及S組成之群之額外雜原子環頂點，且經0-3個獨立地選自以下的基團取代：鹵素、CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基、側氧基及OH。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中G<sup>2</sup>為CH或CF；及/或，其中G<sup>3</sup>係選自由以下組成之群：CH、CF及C(CH<sub>3</sub>)；及/或，其中G<sup>4</sup>為CH或CCl；及/或，其中G<sup>5</sup>為CH或N。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中G<sup>2</sup>為CH。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中G<sup>3</sup>為CH。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中G<sup>4</sup>為CH。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中G<sup>5</sup>為CH。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環A具有選自由以下組成之群之式： <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="380px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中之各者經1至4個R<sup>2</sup>取代。
如請求項<b>7</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環A具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="196px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項<b>8</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物，其中一個R<sup>2</sup>為吡咯啶基，其未經取代或經1至3個獨立地選自由以下組成之群之取代基取代：鹵素、CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基、側氧基及OH。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中環B係選自由以下組成之群：1,4-氧氮雜環庚烷、四氫哌喃、異噻唑啶1,1-二氧化物、1,4,5-氧硫氮雜環庚烷4,4-二氧化物、氮雜環庚烷及吡咯啶，其中之各者未經取代或經1至3個R<sup>4</sup>取代；且進一步經0或1個鄰接於氮原子之側氧基(=O)取代。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中各R<sup>4</sup>係獨立地選自由以下組成之群：鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基及OH，或與共同碳連接之兩個R<sup>4</sup>組合以形成未經取代或經1-3個獨立地選自F、Cl、OH及CH<sub>3</sub>之成員取代的C<sub>3-6</sub>螺環烷基。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環A具有選自由以下組成之群的式： <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="392px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="89px" width="312px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項<b>12</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環A經額外1至2個R<sup>2</sup>取代。
如請求項<b>12</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環A具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="56px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項<b>12</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中連接至氮之R<sup>2</sup>係選自由以下組成之群：C<sub>1-7</sub>烷基、C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-7</sub>烷基、-C(O)-C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-7</sub>伸烷基-OH、-Y<sup>1</sup>-O-C<sub>1-7</sub>烷基、-Y<sup>1</sup>-O-C<sub>3-7</sub>環烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>1-7</sub>烷基、-S(O)<sub>2</sub>-C<sub>3-7</sub>環烷基、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b </sup>及4至8員雜環烷基，其中4至8員雜環烷基具有1-3個選自由O、N及S組成之群之雜原子環頂點，且其中該環烷基及該雜環烷基經0-3個獨立地選自以下的基團取代：鹵基、CN、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、-O-C<sub>1-4</sub>烷基及OH。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環B具有選自由以下組成之群的式： <br/><img align="absmiddle" height="101px" width="596px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中之各者未經取代或經1至2個R<sup>4</sup>取代。
如請求項<b>16</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環B為 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="73px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環B具有選自由以下組成之群的式： <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="348px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中之各者未經取代或經1至4個R<sup>4</sup>取代。
如請求項<b>18</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環B經1至4個R<sup>4</sup>取代，R<sup>4</sup>中之各者係獨立地選自由以下組成之群：鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵烷基及OH。
如請求項<b>1</b><b>至</b><b>3</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中稠環B具有選自由以下組成之群的式： <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="382px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中之各者未經取代或經1至3個R<sup>4</sup>取代。
如請求項<b>20</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其中各R<sup>4</sup>係獨立地選自由以下組成之群：C<sub>1-4</sub>烷基及C<sub>1-4</sub>鹵烷基。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="721px" width="658px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="354px" width="640px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="156px" width="487px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物。
如請求項<b>1</b>之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，其係選自由以下組成之群： <br/><br/>；或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物。
一種醫藥組合物，其包含如請求項<b>1</b><b>至</b><b>23</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項<b>1</b><b>至</b><b>23</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物或如請求項<b>24</b>之醫藥組合物之用途，其係用於製備用於治療至少部分地由AXL介導之疾病、病症或病狀之藥物。
如請求項25之用途，其中該疾病、病症或病狀為癌症。
如請求項25或26之用途，其中該藥物係與至少一種額外治療劑組合使用。
如請求項<b>27</b>之用途，其中該至少一種額外治療劑包含一或多種獨立地選自由以下組成之群之藥劑：CD47-SIRPα路徑抑制劑(例如抗CD47抗體)、HIF抑制劑(例如HIF-2α抑制劑)、免疫檢查點抑制劑、靶向腺苷之胞外產生之藥劑、放射治療及化學治療劑。
一種組合，其包含如請求項<b>1</b><b>至</b><b>23</b>中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或其水合物，及至少一種額外治療劑。
如請求項<b>29</b>之組合，其中該至少一種額外治療劑包含一或多種獨立地選自由以下組成之群之藥劑：CD47-SIRPα路徑抑制劑(例如抗CD47抗體)、HIF抑制劑(例如HIF-2α抑制劑)、免疫檢查點抑制劑、靶向腺苷之胞外產生之藥劑、放射治療及化學治療劑。
一種樹脂組成物，含有氰酸酯化合物(A)、馬來醯亞胺化合物(B)、及被覆表面之氧化鈦(C)， <br/>該氰酸酯化合物(A)之含量相對於樹脂組成物中之樹脂固體成分之合計100質量份為1~65質量份， <br/>該馬來醯亞胺化合物(B)之含量相對於樹脂組成物中之樹脂固體成分之合計100質量份為15~85質量份。
如請求項1之樹脂組成物，其中，該氰酸酯化合物(A)包含選自由苯酚酚醛清漆型氰酸酯化合物、萘酚芳烷基型氰酸酯化合物、伸萘基醚型氰酸酯化合物、二甲苯樹脂型氰酸酯化合物、雙酚M型氰酸酯化合物、雙酚A型氰酸酯化合物、二烯丙基雙酚A型氰酸酯化合物、雙酚E型氰酸酯化合物、雙酚F型氰酸酯化合物、及聯苯芳烷基型氰酸酯化合物、以及該等氰酸酯化合物之預聚物或聚合物構成之群組中之1種以上。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中，該馬來醯亞胺化合物(B)包含選自由雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)-苯基)丙烷、雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、下式(2)表示之馬來醯亞胺化合物、及下式(3)表示之馬來醯亞胺化合物構成之群組中之1種以上， <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="429px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(2)中，R <sup>1</sup>各自獨立地表示氫原子或甲基，n1為1~10之整數， <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="429px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(3)中，R <sup>2</sup>各自獨立地表示氫原子、碳數1~5之烷基、或苯基，n2為平均值且表示1＜n2≦5。
如請求項1或2之樹脂組成物，更包含選自由環氧化合物、苯酚化合物、改性聚伸苯醚化合物、經烯基取代之納迪克醯亞胺(nadiimide)化合物、氧雜環丁烷樹脂、苯并㗁𠯤化合物、及具可聚合之不飽和基之化合物構成之群組中之1種以上之熱硬化性樹脂或化合物。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中，該被覆表面之氧化鈦(C)在氧化鈦粒子之表面具有有機層及/或無機氧化物層。
如請求項5之樹脂組成物，其中，該有機層與該無機氧化物層之合計量相對於該被覆表面之氧化鈦(C)100質量%為0.1~10質量%。
如請求項5之樹脂組成物，其中，該無機氧化物層係選自由含有二氧化矽之層、含有氧化鋯之層、及含有氧化鋁之層構成之群組中之1種以上。
如請求項7之樹脂組成物，其中，該被覆表面之氧化鈦(C)在該無機氧化物層之表面更具有該有機層。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中，該被覆表面之氧化鈦(C)之含量相對於樹脂組成物中之樹脂固體成分之合計100質量份為50~500質量份。
如請求項1或2之樹脂組成物，更含有和該被覆表面之氧化鈦(C)不同的填充材。
如請求項10之樹脂組成物，其中，該填充材包含選自由二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、氮化鋁、氮化硼、軟水鋁石、氫氧化鋁、鉬酸鋅、聚矽氧橡膠粉末、及聚矽氧複合粉末構成之群組中之1種以上。
如請求項10之樹脂組成物，其中，該填充材之含量相對於樹脂組成物中之樹脂固體成分之合計100質量份為50~300質量份。
如請求項4之樹脂組成物，其中，該環氧化合物包含選自由聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、及伸萘基醚型環氧樹脂構成之群組中之1種以上。
如請求項1或2之樹脂組成物，係用於印刷配線板。
一種預浸體，包含： <br/>基材；及 <br/>含浸或塗佈於該基材之如請求項1至14中任一項之樹脂組成物。
一種樹脂片，包含如請求項1至14中任一項之樹脂組成物。
一種疊層板，包含選自由如請求項15之預浸體、及如請求項16之樹脂片構成之群組中之1種以上。
一種覆金屬箔疊層板，包含： <br/>如請求項17之疊層板，及 <br/>配置在該疊層板之單面或兩面之金屬箔。
一種印刷配線板，具有： <br/>絕緣層，及配置在該絕緣層之單面或兩面之導體層； <br/>該絕緣層包含如請求項1至14中任一項之樹脂組成物之硬化物。
一種影像處理裝置，包括： <br/>影像訊號處理器，用於對自照相機接收的原始影像進行處理；以及 <br/>記憶體，用於儲存所述原始影像的前一訊框以及藉由所述處理產生的中間影像， <br/>其中所述影像訊號處理器： <br/>估測所述前一訊框與當前訊框之間的初始全域運動向量， <br/>接收所述原始影像中的聚焦區域資訊， <br/>基於所述聚焦區域資訊將所述原始影像劃分成前景（FG）區域及背景（BG）區域， <br/>藉由基於所述前景區域及所述背景區域以劃分方式更新所述初始全域運動向量來產生最終全域運動向量， <br/>藉由將所述最終全域運動向量應用於所述前一訊框來執行運動補償，以及 <br/>藉由將經運動補償的所述前一訊框與所述當前訊框融合來輸出最終影像。
如請求項1所述的影像處理裝置，其中所述聚焦區域資訊是使用神經網路自所述原始影像偵測的物體的特徵區域。
如請求項2所述的影像處理裝置，其中當所述物體是人時，所述聚焦區域資訊是面部區域資訊。
如請求項1所述的影像處理裝置，其中所述聚焦區域資訊是自神經網路處理單元接收。
如請求項1所述的影像處理裝置，其中估測所述初始全域運動向量包括： <br/>將所述原始影像分割成巨集區塊，以及 <br/>為所述巨集區塊中的每一巨集區塊估測所述前一訊框與所述當前訊框之間的光流資訊。
如請求項5所述的影像處理裝置，其中所述光流資訊包括所述前一訊框與所述當前訊框之間的運動向量場、亮度差及邊緣強度資訊。
如請求項5所述的影像處理裝置，其中估測所述初始全域運動向量包括自所述光流資訊移除超出預設臨限值的離群值。
如請求項7所述的影像處理裝置，其中所述離群值是自所述前景區域的第一全域運動向量及所述背景區域的第二全域運動向量中的每一者單獨偵測且然後被移除。
如請求項5所述的影像處理裝置，其中將所述原始影像劃分成所述前景區域及所述背景區域包括： <br/>藉由將包括所述聚焦區域資訊的所述前景區域、所述背景區域及灰色區域彼此劃分來產生每一巨集區塊的標籤圖。
如請求項9所述的影像處理裝置，其中估測所述初始全域運動向量更包括基於第一全域運動向量、第二全域運動向量及光流資訊更新所述灰色區域的運動向量。
一種影像處理裝置，包括： <br/>照相機模組，用於輸出由前置照相機捕獲的原始影像； <br/>神經處理單元，用於自所述原始影像偵測聚焦區域資訊；以及 <br/>應用處理器，用於根據所述聚焦區域資訊將每一區域的所述原始影像分離，產生自初始全域運動向量更新的最終全域運動向量且輸出應用所述最終全域運動向量的最終影像，其中所述應用處理器被配置成： <br/>將所述原始影像分割成包括多個列及多個行的多個巨集區塊， <br/>藉由對所述多個巨集區塊中的每一巨集區塊的前一訊框與當前訊框進行比較來估測所述初始全域運動向量， <br/>根據所述聚焦區域資訊將所述原始影像劃分成前景區域、背景區域及灰色區域， <br/>自所述前景區域的第一全域運動向量及所述背景區域的第二全域運動向量中的每一者移除離群值，以及 <br/>藉由基於所述離群值已被移除的所述第一全域運動向量及所述第二全域運動向量更新所述灰色區域來產生所述最終全域運動向量。
如請求項11所述的影像處理裝置，其中所述應用處理器為每一巨集區塊產生指示所述前景區域、所述背景區域及所述灰色區域的標籤圖。
如請求項12所述的影像處理裝置，其中所述灰色區域是所述多個巨集區塊之中的其值在開始時未被確定為所述前景區域或所述背景區域的區域。
如請求項11所述的影像處理裝置，其中所述前景區域是其中捕獲包括所述聚焦區域資訊的物體的塊的區域。
如請求項11所述的影像處理裝置，其中所述應用處理器基於所述離群值已被移除的所述第一全域運動向量及所述第二全域運動向量來校正所述多個巨集區塊中的屬於所述灰色區域的各巨集區塊的運動向量。
如請求項11所述的影像處理裝置，其中所述應用處理器使用所述最終全域運動向量對所述前一訊框執行運動補償且產生所述最終影像以將經運動補償的所述前一訊框與所述當前訊框融合。
一種影像訊號處理器，包括： <br/>預處理區塊，用於自照相機模組接收原始影像，以對所述原始影像的格式進行變換； <br/>運動估測區塊，用於將經變換的所述原始影像分割成多個巨集區塊且估測前一訊框與當前訊框之間的初始全域運動向量； <br/>運動估測即時演算法區塊（ME RTA區塊），用於基於聚焦區域資訊產生已將所述多個巨集區塊劃分成多個區域的標籤圖且基於所述標籤圖輸出自所述初始全域運動向量更新的最終全域運動向量； <br/>運動補償區塊，用於基於所述最終全域運動向量對所述前一訊框執行運動補償；以及 <br/>混合器，用於輸出藉由將經運動補償的所述前一訊框與所述當前訊框融合而獲得的最終影像。
如請求項17所述的影像訊號處理器，其中所述運動估測即時演算法區塊包括： <br/>區域分割區塊，用於基於所述聚焦區域資訊自經變換的所述原始影像的光流資訊產生所述標籤圖； <br/>全域運動估測區塊，用於使用所述標籤圖為所述多個區域中的每一區域產生全域運動向量；以及 <br/>局部運動估測區塊，用於自每一區域的所述全域運動向量移除離群值且對所述初始全域運動向量進行細化以輸出所述最終全域運動向量。
如請求項18所述的影像訊號處理器，其中： <br/>所述多個區域包括前景區域、背景區域及灰色區域，且 <br/>所述局部運動估測區塊基於所述離群值已被移除的所述前景區域的第一全域運動向量及所述背景區域的第二全域運動向量來校正所述灰色區域的運動向量。
如請求項17所述的影像訊號處理器，其中所述聚焦區域資訊是自神經網路處理單元接收。
一種電動工具扭力補償控制方法，該電動工具包含一馬達、一驅動模組及一控制器，該電動工具扭力補償控制方法包含下列步驟： <br/>(A) 該控制器讀取一段數設定，並根據該段數設定輸出一控制信號，以控制該驅動模組驅動該馬達運轉，該段數設定相關於一轉速上限值及一轉速下限值； <br/>(B) 該控制器於該馬達之轉速低於該轉速下限值時，將該控制信號之占空比調升一預定調升值；及 <br/>(C) 該控制器於該馬達之轉速高於該轉速上限值時，將該控制信號之占空比調降一預定調降值，該預定調降值依步驟(C)執行次數逐漸增加。
如請求項1所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，該預定調降值具有一初始值，該預定調降值係依步驟(C)連續執行的次數由該初始值開始逐漸增加，且中斷連續執行步驟(C)之控制後，再次執行步驟(C)時，則該預定調降值重新由該初始值逐漸增加。
如請求項1所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，該控制器根據該電動工具空載時之占空比、及該預定調升值之累積值與該預定調降值之累積值的差值，調整該控制信號之占空比。
如請求項3所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，於該預定調升值之累積值與該預定調降值之累積值的差值小於一低預定值時，將該差值設定為0。
如請求項3所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，於該預定調升值之累積值與該預定調降值之累積值的差值大於一高預定值時，將該差值設定為該高預定值。
如請求項3所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，該控制器於一扳機停止按壓時，重置該預定調降值。
如請求項1所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，該預定調降值以等差逐漸增加。
如請求項1所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，該控制器儲存複數該段數設定，每一該段數設定還相關於一電流閾值，且每一段數設定之該電流閾值、該轉速上限值與該轉速下限值皆不相同。
如請求項8所述的電動工具扭力補償控制方法，其中，該控制器於該馬達之電流值大於對應之該電流閾值且符合步驟(B)或步驟(C)之判斷條件時，進行步驟(B)或步驟(C)之占空比調整，該控制器於該馬達之電流值低於對應之該電流閾值且符合步驟(C)之判斷條件時，進行步驟(C)之占空比調整。
一種電動工具，包含： <br/>一馬達； <br/>一驅動模組，電連接該馬達； <br/>一轉速偵測電路，對應該馬達設置，並感測該馬達之轉速； <br/>一電流偵測電路，用以偵測該馬達之電流；及 <br/>一控制器，信號連接該驅動模組、該轉速偵測電路與該電流偵測電路，儲存複數段數設定，每一該段數設定相關於一轉速上限值及一轉速下限值，該控制器輸出一控制信號以控制該驅動模組驅動該馬達運轉，並執行如請求項1~9中任一項所述的電動工具扭力補償控制方法。
一種蝕刻劑組成物，其包含：氧化劑；有機三級胺或四級胺；鹼性化合物；以及溶劑， <br/> 前述有機三級胺或四級胺係選自由雙(2-嗎啉代乙基)醚(Bis(2-morpholinoethyl)Ether)、乙氧化椰油胺(Coconut amine ethoxylate)、月桂基二甲基氧化胺 <br/>(Lauryldimethylamine oxide)、乙氧化牛脂胺(Tallow amine ethoxylate)、N-月桂基二乙醇胺(N-Lauryldiethanolamine)及硬脂基二乙醇胺(Stearyldiethanolamine)所成群組之至少一者， <br/> 該蝕刻劑組成物的pH值為7以上。
如請求項1之蝕刻劑組成物，其中，前述氧化劑為過氧化氫。
如請求項1之蝕刻劑組成物，其中，前述鹼性化合物係選自由氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化鈉及四甲基氫氧化銨(TMAH)所成群組之至少一者。
如請求項1之蝕刻劑組成物，其中，前述鹼性化合物為氫氧化銨。
如請求項1之蝕刻劑組成物，其進而包含螯合劑。
如請求項5之蝕刻劑組成物，其中，前述螯合劑係選自由乙二胺四乙酸(EDTA)、羥基乙叉二膦酸(HEDP)、二伸乙基三胺五乙酸(DTPA)及(1,2-伸環己基二氮基)四乙酸(CDTA)所成群組之至少一者。
如請求項5之蝕刻劑組成物，其中，前述氧化劑的含量為10~20重量%，前述有機三級胺或四級胺的含量為0.5~2重量%，前述鹼性化合物的含量為0.01~0.5重量%，前述螯合劑的含量為0.01~0.5重量%。
一種樹脂片，其被覆基板的正面並保護該基板，且特徵在於，具有：<br/> 樹脂薄膜層，其對於用以形成該樹脂片而配設之液狀樹脂，在該液狀樹脂的整體施加僅外表面會硬化之強度的能量而僅使其外表面硬化，藉此設於該樹脂片的外表面且具有可撓性；以及<br/> 未硬化的液狀樹脂層，其被完全包圍並封入該樹脂薄膜層，<br/> 該樹脂片能以沿著該基板的正面的凹凸形狀之方式變形，且能藉由從外部施加其他能量而完全硬化。
如請求項1之樹脂片，其中，該能量為紫外線或熱。
一種樹脂片的製造方法，該樹脂片能變形而被覆基板的正面並保護該基板，且能藉由從外部施加能量而硬化，該樹脂片的製造方法的特徵在於，具有：<br/> 液狀樹脂配設步驟，其將能藉由從外部施加該能量而硬化的液狀樹脂配設於平坦面上；以及<br/> 表面硬化步驟，其從外部對該液狀樹脂施加不會整體硬化之強度的該能量，藉此僅使該液狀樹脂的外表面硬化而形成樹脂薄膜層，並在該樹脂薄膜層的內部殘留未硬化之該液狀樹脂。
如請求項3之樹脂片的製造方法，其中，該液狀樹脂為紫外線硬化樹脂或熱固性樹脂。
一種樹脂被覆方法，其係以樹脂片被覆具有凹凸之基板的正面之對於該基板的樹脂被覆方法，且特徵在於，具備：<br/> 樹脂片準備步驟，其準備樹脂片，該樹脂片係藉由從外部對液體的樹脂施加該樹脂不會整體硬化之強度的能量，而在該樹脂的內部殘留液體狀態的該樹脂並僅使外表面硬化所形成；<br/> 樹脂被覆步驟，其使由該樹脂片準備步驟所準備之該樹脂片模仿該基板的該凹凸，並以該樹脂片被覆該基板的正面；以及<br/> 樹脂硬化步驟，其在該樹脂被覆步驟後，從外部對被覆於該基板之該樹脂片施加該能量，而使該樹脂片的整體硬化。
如請求項5之樹脂被覆方法，其中，進一步具備：<br/> 加工步驟，其在該樹脂被覆步驟後，將該基板的背面進行加工；以及<br/> 剝離步驟，其將被覆於該基板且已硬化之該樹脂片從該基板進行剝離。
如請求項6之樹脂被覆方法，其中，該加工步驟中，使用具備研削磨石之研削輪將該基板的該背面進行研削。
如請求項5至7中任一項之樹脂被覆方法，其中，該樹脂為紫外線硬化樹脂或熱固性樹脂。
一種顯示面板用基材，其包含將像素彼此隔開之隔壁， <br/>前述隔壁為包含有機樹脂之組成物， <br/>前述隔壁的寬度為1μm以上， <br/>前述隔壁的高度與前述隔壁的寬度之比為1以上，前述隔壁的軟化溫度為300℃以上。
如請求項1所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁的彈性模數為4GPa以上。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁的彈性模數為5GPa以上。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁的雙鍵值為2.0mmol/g以下。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁的雙鍵值為0.08mmol/g以下。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁的雙鍵值為0.01mmol/g以上。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁在丙二醇單甲醚乙酸酯中的溶解度為0.1g/L以下。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述隔壁在丙二醇單甲醚乙酸酯中的溶解度為0.05g/L以下。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述組成物包含具有選自包括乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯基及順丁烯二醯亞胺基之群組中之至少1種聚合性基之化合物。
如請求項1或請求項2所述之顯示面板用基材，其包含包覆前述隔壁表面的至少一部分之遮光膜。
如請求項10所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述遮光膜的厚度為50nm以上。
如請求項10所述之顯示面板用基材，其中 <br/>前述遮光膜為金屬，前述遮光膜的厚度為10nm以上、200nm以下。
一種顯示面板，其包含請求項1至請求項12之任一項所述之顯示面板用基材。
一種顯示面板用基材的製造方法，其中 <br/>前述顯示面板用基材包含將像素彼此隔開之隔壁，前述隔壁為包含有機樹脂之組成物，前述隔壁的寬度為1μm以上，前述隔壁的高度與前述隔壁的寬度之比為1以上，前述隔壁的軟化溫度為300℃以上， <br/>前述顯示面板用基材的製造方法包括： <br/>準備包括偽支撐體及包含感光性層之轉印層的轉印膜之步驟； <br/>貼合前述轉印膜與基板並在前述基板上依序配置前述轉印層及前述偽支撐體之步驟； <br/>對前述轉印層進行圖案曝光之步驟；及 <br/>對前述轉印層實施顯影處理並形成構成前述隔壁的圖案之步驟。
如請求項14所述之顯示面板用基材的製造方法，其包括將配置於前述基板上之前述偽支撐體剝離之步驟。
如請求項14或請求項15所述之顯示面板用基材的製造方法，其包括加熱前述隔壁之步驟。
如請求項14或請求項15所述之顯示面板用基材的製造方法，其包括用遮光膜包覆前述隔壁表面的至少一部分之步驟。
一種用於製造顯示面板用基材之轉印膜，其包括：偽支撐體；及 <br/>包含感光性層之轉印層， <br/>曝光後的前述感光性層的軟化溫度為300℃以上。
如請求項18所述之用於製造顯示面板用基材之轉印膜，其中 <br/>前述感光性層在感光波長的透射率為30%以上。
一種無塵室間的搬送物捆包用的捆包材料，在半導體工廠的作成潔淨氣氛的無塵室間，當搬送FOUP或FOSB也就是搬送物的時候，在將前述搬送物載置於可移動的搬送台車上的狀態下，將前述搬送物與前述搬送台車的一部分一起捆包，該捆包材料的特徵在於：包含具有防塵性和防濕性的無塵布。
一種無塵室間的搬送物的捆包方法，其特徵在於：在半導體工廠的作成潔淨氣氛的無塵室間，當搬送FOUP或FOSB也就是搬送物的時候，在將前述搬送物載置於可移動的搬送台車上的狀態下，使用一種包含具有防塵性和防濕性的無塵布之捆包材料，將前述搬送物與前述搬送台車的一部分一起捆包。
一種無塵室間的搬送物的搬送方法，在半導體工廠的作成潔淨氣氛的無塵室間，將搬送物搬送，該搬送方法的特徵在於：藉由請求項2所述的捆包方法將前述搬送物捆包，並將該捆包後的搬送物在前述無塵室間進行搬送。
一種線性頭模組，係具備有： <br/> 複數之線性馬達，係各別具有具備輸出軸部之可動子；和 <br/> 複數之檢測部，係各別檢測出前述輸出軸部之推力軸線方向之位置；和 <br/> 單一之電路基板，係被設置有複數之前述檢測部；和 <br/> 被檢測部，係被設置在各個的前述可動子處， <br/> 前述被檢測部，係經由安裝台座而被固定在前述可動子處， <br/> 當從前述推力軸線方向來作觀察時，前述安裝台座之從前述輸出軸部起所延伸之方向，係與前述輸出軸部和前述電路基板所相互對向之方向相異。
如請求項1所記載之線性頭模組，其中， <br/> 前述被檢測部，係被搭載於前述安裝台座之前端面處， <br/> 當從前述推力軸線方向來作觀察時，從前述輸出軸部之中心起而朝向前述前端面之中心延伸的虛擬線，係相對於前述檢測部之垂線而有所交叉。
如請求項1所記載之線性頭模組，其中， <br/> 前述可動子，係具備有： <br/> 前述安裝台座，係被安裝有前述被檢測部；和 <br/> 金屬製之締結構件，係將前述安裝台座締結於前述輸出軸部之前述推力軸線方向之其中一側之端面處， <br/> 前述安裝台座，係具備有： <br/> 金屬製之被締結部，係被包夾於前述輸出軸部的前述推力軸線方向之前述其中一側之前述端面與前述締結構件之間；和 <br/> 樹脂製之安裝部，係具備有被設置在從前述推力軸線而偏離之位置處之安裝有前述被檢測部之安裝面。
如請求項3所記載之線性頭模組，其中， <br/> 前述安裝部，係具備有被與前述被締結部作連結並且朝向與前述推力軸線相交叉之方向來延伸的連結部， <br/> 前述安裝面，係被設置在從前述連結部起而朝向前述推力軸線方向之另外一側延伸之台座部處。
如請求項3所記載之線性頭模組，其中， <br/> 前述安裝台座，係藉由埋入(insert)成形而被形成。
一種用於在具有等離子體源和質譜儀的半導體製作期間在工藝氣體中檢測自由基的方法，所述質譜儀具有離子源，所述方法包括： <br/>將離子與所述工藝氣體分離； <br/>確定在其中測量所述工藝氣體的固定電子能量； <br/>連續地對半導體製作元件中的工藝氣體進行採樣； <br/>使用所述質譜儀來在所述固定電子能量處執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的第一測量，其中所述第一測量是在所述等離子體源關閉的情況下執行的； <br/>使用所述質譜儀來在所述固定電子能量處執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的第二測量，其中所述第二測量是在所述等離子體源開啟的情況下執行的； <br/>將在經採樣的工藝氣體中存在的自由基的量確定為所述第二測量與所述第一測量之間的差。
如請求項1所述的方法，其中確定所述固定電子能量包括： <br/>在其中所述等離子體源關閉的電子能量的範圍內執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的多個測量； <br/>在其中所述等離子體源開啟的電子能量的範圍內執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的多個測量； <br/>針對其中所述等離子體源開啟的測量與所述等離子體源關閉的測量之間的差最大的自由基而確定電子能量；以及 <br/>將所確定的電子能量設置為所述固定電子能量。
如請求項1所述的方法，進一步包括：將所述離子源結構化成經由氣密連接而連接到所述半導體製作元件。
如請求項2所述的方法，進一步包括：根據在經採樣的工藝氣體中檢測到的自由基的所確定的量來調整一個或多個半導體製造工藝變數。
如請求項1所述的方法，其中第一和第二測量資料被輸出到控制器且被顯示在圖形化使用者介面上。
如請求項1所述的方法，其中所述離子源是電子碰撞離子源。
一種用於在具有等離子體源的半導體製作元件的工藝氣體中檢測自由基的方法，所述方法包括： <br/>將具有離子源的質譜儀結構化成經由氣密連接而連接到所述半導體製作元件； <br/>從所述工藝氣體移除離子； <br/>確定在其中測量所述工藝氣體的所設置的電子能量； <br/>連續地對所述半導體製作元件中的工藝氣體進行採樣； <br/>使用所述質譜儀來在所設置的電子能量處執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的第一測量，其中所述第一測量是在所述等離子體源關閉的情況下執行的； <br/>使用所述質譜儀來在所設置的電子能量處執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的第二測量，其中所述第二測量是在所述等離子體源開啟的情況下執行的； <br/>將在經採樣的工藝氣體中存在的自由基的量確定為所述第二測量與所述第一測量之間的差。
如請求項7所述的方法，其中確定所設置的電子能量包括： <br/>在其中所述等離子體源關閉的電子能量的範圍內執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的多個測量； <br/>在其中所述等離子體源開啟的電子能量的範圍內執行所述半導體製作元件中的經採樣的工藝氣體的多個測量； <br/>針對其中所述等離子體源開啟的測量與所述等離子體源關閉的測量之間的差最大的自由基而確定電子能量；以及 <br/>將所確定的電子能量設置為所設置的電子能量。
如請求項7所述的方法，進一步包括：根據在經採樣的工藝氣體中檢測到的自由基的量來調整一個或多個半導體製造工藝變數。
如請求項7所述的方法，其中第一和第二測量資料被輸出到控制器且被顯示在圖形化使用者介面上。
如請求項7所述的方法，其中所述離子源是電子碰撞離子源。
一種用於將至少一個刷毛無錨固件地固定在刷毛載體中的相關聯的、構成為盲孔的開口（12）中的方法，所述刷毛載體作為稍後的刷子的一部分由塑膠製成，所述刷子具有正面（18），所述開口（12）從所述正面起伸展到所述刷毛載體（10）中，其中至少一個所述刷毛具有加厚的固定端部（24），其特徵在於以下步驟：<br/> （a）將具有加厚的固定端部（24）的至少一個刷毛首先從所述刷毛載體（10）的正面（18）起推入所述開口（12）中，其中所述刷毛載體（10）具有環境溫度，<br/> （b）借助於變形工具（26）將衝擊脈衝施加到所述開口（12）的正面的開口邊緣（20）的部分環周或整個環周上，所述邊緣對所述開口（12）的正面的口部限界，和<br/> （c）通過所述衝擊脈衝在僅在所述口部上減小所述開口（12）的橫截面，而不在所述開口（12）的底部側的端部區域中減小橫截面的情況下，使所述開口邊緣（20）塑性變形至小於加厚的所述固定端部（24）的橫截面的橫截面。
如請求項1所述的方法，其中，將所述衝擊脈衝在小於250毫秒的作用時間上施加到所述刷毛載體（10）上。
如請求項1或2所述的方法，其中，在具有多個開口（12）的刷子中，對所述開口（12）單獨地依次裝備與其相關聯的至少一個刷毛。
如請求項3所述的方法，其中，所述變形工具填充所有開口（12），並且通過塑性變形將所述刷毛固定在所述開口（12）中。
如請求項3所述的方法，其中，使用在與所述刷毛載體（10）的接觸區域中管狀地構成的變形工具（26），以便使所述開口邊緣（20）以封閉環繞的方式變形，或者使用具有多個彼此間隔開的挺杆（50）的變形工具（26），所述挺杆使所述開口邊緣（20）部段地變形。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述變形工具（26）具有用於刷毛的多個容納部，並且將所述刷毛同時推入相關聯的開口（12）中，並且使所述開口的開口邊緣（20）通過衝擊脈衝塑性地變形。
如請求項6所述的方法，其中，使用具有多個環形或環部段形的正面的延伸部（70）的變形工具（26），其中每個延伸部（70）與一個開口（12）相關聯，並且所述延伸部（70）使所述開口（12）的正面的開口邊緣（20）至少部段地塑性變形。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述變形工具（26）垂直於口部橫截面撞向所述刷毛載體（10），或者所述變形工具（26）具有多個相互間隔開的挺杆（50），所述挺杆從側向外部朝向開口邊緣（20）傾斜地並且同時向內撞向所述刷毛載體（10）。
如請求項1或2所述的方法，其中，使用具有正面（18）的刷毛載體（10），所述正面是彎曲的，並且所述開口（12）傾斜於在所述開口（12）的區域中的正面（18）上的切線伸展，其中所述正面（18）具有鄰接於所述開口（12）的平坦的接觸面，所述接觸面以70至90°的角度相對於所述開口（12）的中心軸線伸展，其中所述變形工具（26）撞向所述接觸面。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述變形工具具有平坦的正面（18），所述變形工具借助所述正面撞向所述刷毛載體（10）和/或在正面錐形地變細或者在端側具有錐形的凹槽（72），所述凹槽形成用於至少一個所述刷毛的容納部。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述變形工具（26）通過置於運動中的驅動機構獲得其動能，或者所述驅動機構通過伺服馬達或凸輪驅動，或者所述變形工具直接通過伺服馬達或凸輪驅動。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述變形工具（26）具有置於所述正面（18）上的接觸部分（80）以及具有衝擊部分（82），所述衝擊部分撞向所述接觸部分（80），以便將所述接觸部分撞入所述刷毛載體（10）中。
如請求項1或2所述的方法，其特徵在於，所述變形工具撞入到所述正面（18）中0.2mm-3mm深。
如請求項1或2所述的方法，其中，首先借助於輸送工具（60）將至少一個所述刷毛引入所述開口（12）中，並且然後借助所述變形工具（26）將所述刷毛錨固在所述刷毛載體（10）中。
如請求項1所述的方法，其中，將所述衝擊脈衝在小於50毫秒的作用時間上施加到所述刷毛載體（10）上。
如請求項11所述的方法，其中，所述變形工具（26）通過飛輪（76）獲得其動能。
一種用於製造刷子和用於執行如請求項1或2所述的方法的裝置，所述裝置具有：用於所述刷毛載體（10）的保持裝置（32），所述刷毛載體在背面貼靠在所述保持裝置（32）上；以及變形工具（26），所述變形工具構成為用於撞向所述刷毛載體（10）的正面（18）並且使所述刷毛載體變形。
如請求項17所述的裝置，其中，設有輸送工具（60），所述輸送工具將刷毛推入其開口（12）中。
如請求項17所述的裝置，其中，所述變形工具（26）具有置於所述正面（18）上的接觸部分（80）以及具有衝擊部分（82），所述衝擊部分撞向所述接觸部分（80），以便將所述接觸部分推入所述刷毛載體（10）中。
如請求項17所述的裝置，其中，所述開口（12）具有中心軸線（A），所述中心軸線傾斜於在所述開口（12）的區域中的正面（18）上的切線伸展，其中所述正面（18）具有鄰接於所述開口（12）的平坦的接觸面（90），所述接觸面以70°至90°的角度相對於所述開口（12）的中心軸線（A）伸展，其中所述變形工具（26）能撞向所述接觸面（90）。
如請求項17所述的裝置，其中，所述變形工具被分開，並且存在從側面進入到所述變形工具（26）中的刷毛輸送裝置（100）。
一種馬桶座裝置，具備：<br/> 馬桶座，繞著第一軸旋轉來進行開閉；<br/> 馬桶座驅動組件，開閉驅動前述馬桶座；<br/> 馬桶座角度檢測組件，檢測前述馬桶座對第一基準角度的角度；及<br/> 控制組件，控制前述馬桶座驅動組件，<br/> 前述控制組件具備：<br/> 角度取得部，從前述馬桶座角度檢測組件取得前述馬桶座的角度；<br/> 角速度導出部，依據來自前述角度取得部的輸出，來導出前述馬桶座的角速度；及<br/> 驅動控制部，控制前述馬桶座驅動組件的動作，<br/> 在前述馬桶座朝關閉方向通過預定的第一角度時，在前述馬桶座的角速度在第一目標角速度以上的情況下，前述驅動控制部使前述馬桶座驅動組件產生制動性的第一轉矩，在前述馬桶座的角速度未達第一目標角速度的情況下，前述驅動控制部使前述馬桶座驅動組件產生輔助性的第一轉矩，並且將前述馬桶座驅動組件控制成維持前述馬桶座的關閉動作直到前述馬桶座成為關閉狀態為止。
如請求項1之馬桶座裝置，其更具備：<br/> 馬桶蓋，繞著與前述第一軸平行的第二軸旋轉來進行開閉；<br/> 馬桶蓋驅動組件，開閉驅動前述馬桶蓋；及<br/> 馬桶蓋角度檢測組件，檢測前述馬桶蓋對第二基準角度的角度，<br/> 前述角度取得部從前述馬桶蓋角度檢測組件取得前述馬桶蓋的角度，<br/> 前述角速度導出部依據來自前述角度取得部的輸出，來導出前述馬桶蓋的角速度，<br/> 前述驅動控制部在前述馬桶座為關閉狀態，且前述馬桶蓋朝關閉方向通過預定的第二角度時，使前述馬桶蓋驅動組件產生與前述馬桶蓋的角速度因應的第二轉矩，並且將前述馬桶蓋驅動組件控制成維持前述馬桶蓋的關閉動作直到前述馬桶蓋成為關閉狀態為止。
如請求項2之馬桶座裝置，其更具備：<br/> 人檢測組件，檢測前述馬桶座之周邊的人的存在，<br/> 前述控制組件具備：<br/> 存在取得部，從前述人檢測組件取得前述馬桶座之周邊的人的存在，<br/> 前述驅動控制部在從人存在的狀態成為人不存在的狀態之後，在預定的第一時間後，使前述馬桶蓋驅動組件產生關閉方向的第三轉矩。
如請求項1至3中任一項之馬桶座裝置，其中前述控制組件具備：<br/> 基準角度更新部，依據在前述馬桶座為關閉狀態時從前述馬桶座角度檢測組件取得的角度，來更新前述第一基準角度。
一種液體回收系統，其包含： <br/>槽，其在垂直方向上設置於比使用液體之使用點下方側，並儲存該液體； <br/>管道，其連接該使用點與該槽，並讓該液體從該使用點回到該槽； <br/>第一壓力調整部，其設置於該管道之第一位置，且第一壓力檢測器用以檢測比該第一位置上游側之第一壓力；及 <br/>第二壓力調整部，其設置於比該管道之該第一位置下游側且於垂直方向上之下側的第二位置，且第二壓力檢測器用以檢測比該第一位置下游側且比該第二位置上游側之第二壓力； <br/>其中，該第一壓力調整部調整該第一壓力，以降低該第一壓力與該第二壓力之壓力差，且該第二壓力調整部調整該第二壓力，以降低該第二壓力與該第二壓力調整部之下游側之該管道內之壓力的壓力差。
如請求項1所述的液體回收系統，其中該第一位置設定為比該管道之垂直方向上之中央部上側， <br/>該第二位置設定為比該中央部下側。
如請求項1或請求項2所述的液體回收系統，其中該第二位置在垂直方向上設定為與該槽之水位相同高度、或者比該槽之水位低的高度。
如請求項1或請求項2所述的液體回收系統，其中該第二位置設定在下游側之壓力為固定正壓之高度。
如請求項1或請求項2所述的液體回收系統，其中該第一壓力調整部以該第一壓力成為預設之上游壓力之方式來調整該第一壓力。
如請求項1或請求項2所述的液體回收系統，其中該第二壓力調整部以該第二壓力成為預設之中間壓力之方式來調整該第二壓力。
如請求項1或請求項2所述的液體回收系統，其中該第二壓力調整部以該第二壓力與大氣壓之差為預設值之方式來調整該第二壓力。
一種液體供給系統，其包含： <br/>如請求項1~7任一項所述的液體回收系統； <br/>處理部，其設置於該槽與該使用點之間，並用以處理儲存於該槽之該液體；及 <br/>使用供給路徑，其將於該處理部處理後之該液體供給至該使用點。
如請求項8所述的液體供給系統，更包含： <br/>一次處理部，其連接該槽，並用以一次處理原水；及 <br/>一次供給路徑，其將於該一次處理部處理後之一次處理液供給至該槽。
一種壓力調整方法，其係調整管道之壓力，該管道連接使用液體之使用點與在垂直方向上設置於比該使用點下方側並儲存該液體之槽，且讓該液體從該使用點回到該槽，及 <br/>將該管道之第一位置之第一壓力調整至預設之上游壓力，同時將比該管道之該第一位置下游側且於垂直方向上之下游側的第二位置之第二壓力調整至預設之中間壓力，以降低該第一壓力與該第二壓力之壓力差，且降低該第二壓力與該第二位置之下游側之該管道內之壓力的壓力差。
一種電子系統，包括： <br/>一或多個處理器集群和第一記憶體； <br/>電源管理積體電路（PMIC）； <br/>耦合到該一或多個處理集群的第二記憶體； <br/>分佈在該電子系統上的複數個電力感測器，其中該等電力感測器被配置為從該電子系統的複數個電力域收集複數個電力取樣，每個電力取樣包括與一相應的電力域相關聯的溫度、功耗和電流值中的至少一項；及 <br/>耦合到該複數個電力感測器的一電源管理引擎，其中該電源管理引擎被配置為進行以下操作： <br/>（1）從該複數個電力域接收該複數個電力取樣； <br/>（2）基於對應的電力感測器的位置來處理該等電力取樣，以產生一或多個電力分佈和複數個電力節流閥值； <br/>（3）基於該一或多個電力分佈，經由在一韌體級別上決定複數個電力域的電力預算並且根據該等電力預算啟用該複數個電力域的操作，來實現具有一第一速率的一全域電力控制操作；及 <br/>（4）基於該一或多個電力分佈，使得該複數個電力域能夠基於該複數個電力節流閥值在一硬體級別上實現複數個局部電力控制操作，該等局部電力控制操作具有大於該第一速率的一第二速率。
根據請求項1之電子系統，其中： <br/>每個處理器集群包括一或多個相應的處理器和一集群快取記憶體； <br/>該第一記憶體耦合到該一或多個處理集群以從該一或多個處理器集群接收資料存取請求； <br/>該PMIC被配置為向該一或多個處理器集群和該第二記憶體提供複數個電力軌； <br/>該第二記憶體被配置為從該複數個處理集群接收該第一記憶體未滿足的針對該第一記憶體的資料取回請求； <br/>該複數個電力感測器包括用於量測溫度值的複數個溫度感測器以及用於量測功耗和電流值的複數個活動監測器單元（AMU）。
根據請求項1之電子系統，其中： <br/>該等電力域之每一者電力域包括該一或多個處理器集群、該第一記憶體、該PMIC和該第二記憶體的一不同子集；及 <br/>每個局部電力控制操作被配置為基於從由被設置在一相應的電力域上的一電力感測器子集收集的一電力取樣子集產生的一對應的局部電力分佈來在該相應的電力域上實現，該相應的電力域被配置為從該電源管理引擎接收一相應的電力節流閥值，該一或多個電力分佈包括該對應的局部電力分佈。
根據請求項1之電子系統，其中該一或多個處理器集群和該第一記憶體整合在一片上系統（SoC）上，並且該SoC與該PMIC整合在一整合半導體裝置中。
根據請求項4之電子系統，其中該整合半導體裝置、該第二記憶體和該電源管理引擎組裝在一主電路板上。
根據請求項5之電子系統，其中該主電路板亦包括以下各項中的一項或多項：一系統控制、可管理性和調試（CMD）部件、一安全處理器和一輸入/輸出（IO）控制器。
根據請求項1之電子系統，其中每個域是由一或多個電力軌驅動的，該電源管理引擎被配置為針對每個電力軌進行以下操作： <br/>收集相應的一組電流值；及 <br/>根據關於該相應的一組電流值已經大於一第一閥值電流達一第一持續時間或者大於一第二閥值電流達一第二持續時間的一決定，在相應域的相應的電力軌上啟用一電力節流動作； <br/>其中該第一閥值電流大於該第二閥值電流，並且該第一持續時間短於該第二持續時間。
根據請求項1之電子系統，其中： <br/>每個節流動作包括以下各項中的一項或多項：架構節流、電力軌縮放和時鐘節流； <br/>架構節流被應用以週期性地阻止去往包括DRAM的相應域的傳輸量，或者抑制在包括一處理器單元的相應域中的高電流尖峰； <br/>一時鐘節流被應用以降低相應域的時鐘頻率；及 <br/>效能點節流被應用以聯合地調整相應域的時鐘頻率和電源電壓。
根據請求項1之電子系統，其中每個節流動作與針對與相應域相對應的一電力值子集的一節流閥值相關聯，該電源管理引擎被配置為根據一預定義的電源管理策略，決定與該相應域的相應的節流動作相關聯的節流閥值，從而允許該相應域根據關於該相應域的該電力值子集超過該節流閥值的一決定來實現該相應的節流動作。
根據請求項1之電子系統，在該韌體級別上決定該複數個電力域的該等電力預算亦包括： <br/>針對複數個處理器之每一者處理器選擇複數個預定義的電力效能狀態（P狀態）中的一個電力效能狀態，該等P狀態之每一者P狀態對應於該處理器的預定義的一組電力和效能設置。
根據請求項1之電子系統，其中： <br/>該一或多個電力分佈包括追蹤該電子系統的該複數個電力域的一子集或所有電力域的一平均功耗或一平均總電流的一系統電力分佈；及 <br/>該電源管理引擎被配置為根據該系統電力分佈，基於針對一電力控制速率的一要求、該全域電力控制操作的該第一速率和該等局部電力控制操作的該第二速率，來啟用該全域電力控制操作和該複數個局部電力控制操作，使得該系統電力分佈被控制在針對該電子系統的該複數個電力域的子集或所有電力域的一預定義的上限以下。
根據請求項1之電子系統，其中： <br/>該一或多個電力分佈包括追蹤一第一電力域的一電流的一局部電流分佈；及 <br/>該電源管理引擎被配置為根據該局部電流分佈，基於針對一電力控制速率的一要求、該全域電力控制操作的該第一速率和該等局部電力控制操作的該第二速率，來啟用該全域電力控制操作和專注於該第一電力域的局部電力控制操作，使得該局部電力分佈被控制在針對該第一電力域的一預定義的電流限制以下。
根據請求項1之電子系統，其中基於該一或多個電力分佈，該電源管理引擎被配置為啟用該全域電力控制操作和該等局部電力控制操作以滿足針對一電力控制速率的一要求。
一種由一電子系統的一電源管理引擎實現的方法，該電子系統具有一或多個處理器集群和第一記憶體、電源管理積體電路（PMIC）、耦合到該一或多個處理集群的第二記憶體、分佈在該電子系統上的複數個電力感測器以及耦合到該複數個電力感測器的電源管理引擎，其中該等電力感測器被配置為從該電子系統的複數個電力域收集複數個電力取樣，每個電力取樣包括與一相應的電力域相關聯的溫度、功耗和電流值中的至少一項，該方法包括以下步驟： <br/>從該複數個電力域接收該複數個電力取樣； <br/>基於對應的電力感測器的位置來處理該等電力取樣，以產生一或多個電力分佈和複數個電力節流閥值； <br/>基於該一或多個電力分佈，經由在一韌體級別上決定複數個電力域的電力預算並且根據該等電力預算啟用該複數個電力域的操作，來實現具有一第一速率的一全域電力控制操作；及 <br/>基於該一或多個電力分佈，使得該複數個電力域能夠基於該複數個電力節流閥值在一硬體級別上實現複數個局部電力控制操作，該等局部電力控制操作具有大於該第一速率的一第二速率。
根據請求項14之方法，其中： <br/>每個處理器集群包括一或多個相應的處理器和一集群快取記憶體； <br/>該第一記憶體耦合到該一或多個處理集群以從該一或多個處理器集群接收資料存取請求； <br/>該PMIC被配置為向該一或多個處理器集群和該第二記憶體提供複數個電力軌； <br/>該第二記憶體被配置為從該複數個處理集群接收該第一記憶體未滿足的針對該第一記憶體的資料取回請求；並且 <br/>該複數個電力感測器包括用於量測溫度值的複數個溫度感測器以及用於量測功耗和電流值的複數個活動監測器單元（AMU）。
根據請求項14之方法，其中： <br/>該等電力域之每一者電力域包括該一或多個處理器集群、該第一記憶體、該PMIC和該第二記憶體的一不同子集；及 <br/>每個局部電力控制操作被配置為基於從由被設置在一相應的電力域上的一電力感測器子集收集的一電力取樣子集產生的一對應的局部電力分佈來在該相應的電力域上實現，該相應的電力域被配置為從該電源管理引擎接收一相應的電力節流閥值，該一或多個電力分佈包括該對應的局部電力分佈。
根據請求項14之方法，其中該一或多個處理器集群和該第一記憶體整合在一片上系統（SoC）上，並且該SoC與該PMIC整合在一整合半導體裝置中。
根據請求項14之方法，其中每個域是由一或多個電力軌驅動的，該方法亦包括針對每個電力軌進行以下操作： <br/>收集相應的一組電流值；及 <br/>根據關於該相應的一組電流值已經大於一第一閥值電流達一第一持續時間或者大於一第二閥值電流達一第二持續時間的一決定，在相應域的相應的電力軌上啟用一電力節流動作； <br/>其中該第一閥值電流大於該第二閥值電流，並且該第一持續時間短於該第二持續時間。
一種用於一電子系統的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該電子系統具有一或多個處理器集群和第一記憶體、電源管理積體電路（PMIC）、耦合到該一或多個處理集群的第二記憶體、分佈在該電子系統上的複數個電力感測器以及耦合到該複數個電力感測器的電源管理引擎，其中該等電力感測器被配置為從該電子系統的複數個電力域收集複數個電力取樣，每個電力取樣包括與一相應的電力域相關聯的溫度、功耗和電流值中的至少一項，該非暫時性電腦可讀取儲存媒體具有儲存在其上的指令，該等指令在由該電源管理引擎執行時使得該電源管理引擎執行以下操作： <br/>從該複數個電力域接收該複數個電力取樣； <br/>基於對應的電力感測器的位置來處理該等電力取樣，以產生一或多個電力分佈和複數個電力節流閥值； <br/>基於該一或多個電力分佈，經由在一韌體級別上決定複數個電力域的電力預算並且根據該等電力預算啟用該複數個電力域的操作，來實現具有一第一速率的一全域電力控制操作；及 <br/>基於該一或多個電力分佈，使得該複數個電力域能夠基於該複數個電力節流閥值在一硬體級別上實現複數個局部電力控制操作，該等局部電力控制操作具有大於該第一速率的一第二速率。
一種用於在一電子系統處管理電力的裝置，該電子系統具有一或多個處理器集群和第一記憶體、電源管理積體電路（PMIC）、耦合到該一或多個處理集群的第二記憶體、分佈在該電子系統上的複數個電力感測器以及電源管理引擎，其中該等電力感測器被配置為從該電子系統的複數個電力域收集複數個電力取樣，每個電力取樣包括與一相應的電力域相關聯的溫度、功耗和電流值中的至少一項，並且該電源管理引擎耦合到該複數個電力感測器，該裝置包括： <br/>用於從該複數個電力域接收該複數個電力取樣的單元； <br/>用於基於對應的電力感測器的位置來處理該等電力取樣，以產生一或多個電力分佈和複數個電力節流閥值的單元； <br/>用於基於該一或多個電力分佈，經由在一韌體級別上決定複數個電力域的電力預算並且根據該等電力預算啟用該複數個電力域的操作，來實現具有一第一速率的一全域電力控制操作的單元；及 <br/>用於基於該一或多個電力分佈，使得該複數個電力域能夠基於該複數個電力節流閥值在一硬體級別上實現複數個局部電力控制操作的單元，該等局部電力控制操作具有大於該第一速率的一第二速率。
一種組成物，含有樹脂、以及下述式（i）所表示的化合物（Z）， <br/><br/>kCn<sup>+</sup>･An<sup>k-</sup> （i） <br/><br/>式（i）中，Cn<sup>+</sup>為下述式（II）所表示的一價陽離子，An<sup>k-</sup>為陰離子，k為陰離子的價數， <br/><br/><img align="absmiddle" height="104px" width="257px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（II）中，X獨立地為氧原子、硫原子、硒原子、或碲原子， <br/>Y<sub>A</sub>及Y<sub>C</sub>分別獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、硝基、-OR<sup>D</sup>、-NR<sup>E</sup>R<sup>F</sup>、醯胺基、醯基胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q<sup>1</sup>、-N=N-Q<sup>1</sup>、-S-Q<sup>2</sup>、-SSQ<sup>2</sup>、或-SO<sub>2</sub>Q<sup>3</sup>， <br/>Y<sub>B</sub>為氫原子、鹵素原子、羧基、硝基、-OR<sup>D</sup>、-NR<sup>E</sup>R<sup>F</sup>、醯胺基、醯基胺基、醯亞胺基、氰基、矽烷基、-Q<sup>1</sup>、-N=N-Q<sup>1</sup>、-S-Q<sup>2</sup>、-SSQ<sup>2</sup>、或-SO<sub>2</sub>Q<sup>3</sup>， <br/>Q<sup>1</sup>獨立地為一價烴基，Q<sup>2</sup>及Q<sup>3</sup>獨立地為氫原子或一價烴基， <br/>R<sup>1</sup>～R<sup>6</sup>分別獨立地為氫原子、鹵素原子、磺基、氰基、硝基、羧基、磷酸基、-NR<sup>g</sup>R<sup>h</sup>、-SR<sup>i</sup>、-SO<sub>2</sub>R<sup>i</sup>、-OSO<sub>2</sub>R<sup>i</sup>、-C(O)R<sup>i</sup>、-OC(O)R<sup>i</sup>、-OR<sup>i</sup>、-R<sup>i</sup>， <br/>在同一芳香環內鄰接的R<sup>1</sup>～R<sup>6</sup>可彼此鍵結而形成碳數6～14的芳香族烴基、可包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一個的4員～7員的脂環基、或者包含氮原子、氧原子或硫原子的至少一個的碳數3～14的雜芳香族基，這些芳香族烴基、脂環基及雜芳香族基可具有碳數1～15的脂肪族烴基或鹵素原子，另外所述脂環基也可具有=O， <br/>R<sup>D</sup>為碳數1～15的烴基，R<sup>E</sup>及R<sup>F</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1～15的烴基，R<sup>E</sup>與R<sup>F</sup>也可鍵結而形成環結構， <br/>R<sup>g</sup>及R<sup>h</sup>分別獨立地為氫原子、-C(O)R<sup>i</sup>、-OC(O)R<sup>i</sup>、-OR<sup>i</sup>、-R<sup>i</sup>， <br/>R<sup>i</sup>獨立地為一價烴基， <br/>所述陰離子選自下述（X-21）、（X-24）、（X-29）、及（X-33）中的陰離子， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="61px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（X-21） <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="66px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（X-24） <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="71px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（X-29） <br/><img align="absmiddle" height="7px" width="34px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（X-33）。
一種光學構件，具有基材（i），所述基材（i）包括包含如請求項1所述的組成物的樹脂層。
如請求項2所述的光學構件，其中所述基材（i）為如下基材： <br/>單層基材（i-1），包含含有所述化合物（Z）的樹脂層； <br/>積層基材（i-2），為包含兩層以上的樹脂層的基材且所述兩層以上的樹脂層中的至少一個為含有所述化合物（Z）的樹脂層；或者 <br/>積層基材（i-3），包含玻璃支撐體以及含有所述化合物（Z）的樹脂層。
如請求項2或請求項3所述的光學構件，其中關於所述基材（i），波長600 nm以上的區域中的自垂直方向測定的透過率自超過50%變成50%以下的最短波長（IR<sub>50</sub>） <br/>處於（1）610 nm～700 nm的範圍。
如請求項2或請求項3所述的光學構件，其中關於所述基材（i），波長600 nm以上的區域中的自垂直方向測定的透過率自超過50%變成50%以下的最短波長（IR<sub>50</sub>） <br/>處於（2）700 nm～820 nm的範圍。
如請求項2所述的光學構件，進而具有電介質多層膜。
如請求項6所述的光學構件，為近紅外線截止濾波器、紅外線透過濾波器、或者選擇性地透過可見光線與一部分近紅外線的光學構件。
一種固體攝像裝置，包括如請求項6所述的光學構件。
一種光學傳感器裝置，包括如請求項6所述的光學構件。
一種電路基板用樹脂膜的剝離劑，含有：成分（A），式（1）所表示的化合物； <br/>成分（B），其為碳數為1以上且6以下且分子量為30以上且120以下的脂肪族醇； <br/>成分（C），其為式（2）所表示的化合物的防鏽劑；以及 <br/>水，所述電路基板用樹脂膜的剝離劑中， <br/>所述電路基板用樹脂膜的剝離劑的pH為13.0以上且小於14.0， <br/>相對於所述電路基板用樹脂膜的剝離劑的總質量，所述成分（A）的含量為0.1質量%以上且5質量%以下，所述成分（B）的含量為5質量%以上且40質量%以下，所述成分（C）的含量為0.5質量%以上且2質量%以下，所述水的含量為50質量%以上且90質量%以下， <br/><br/>R<sup>1</sup>-O-(A<sup>1</sup>O)a-H ･･･式（1） <br/><br/>（在式（1）中，R<sup>1</sup>表示碳數為6以上且10以下的分支烷基，A<sup>1</sup>O表示碳數為2以上且3以下的氧伸烷基，作為所述氧伸烷基的平均加成莫耳數的a為2以上且15以下的數）， <br/><br/><img align="absmiddle" height="44px" width="64px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>･･･式（2） <br/><br/>（在式（2）中，R<sup>2</sup>表示氫原子、甲基或羧基）。
如請求項1所述的電路基板用樹脂膜的剝離劑，其中所述成分（A）包含式（1）中R<sup>1</sup>為碳數6以上且8以下的分支烷基的化合物（a1）以及R<sup>1</sup>為碳數9或10的分支烷基的化合物（a2）， <br/>化合物（a1）與化合物（a2）的質量比為（a1）/（a2）= 97/3～80/20。
如請求項1所述的電路基板用樹脂膜的剝離劑，其中所述防鏽劑為式（2）所表示的化合物，其中所述成分（B）包含在分子內具有一個羥基的脂肪族醇（b1）以及在分子內具有兩個以上羥基的脂肪族醇（b2）， <br/>脂肪族醇（b1）與脂肪族醇（b2）的質量比為（b1）/（b2）= 97/3～90/10。
一種電路基板的製造方法，具有： <br/>準備在至少一個面形成有樹脂膜的電路基板的步驟；以及 <br/>使如請求項1至請求項3中任一項所述的電路基板用樹脂膜的剝離劑與所述樹脂膜接觸的步驟。
一種半導體基板的熱氧化膜形成方法，是在半導體基板上形成熱氧化膜的方法，該方法的特徵在於，具有以下步驟： <br/>第一相關關係取得步驟，預先準備複數片半導體基板，該半導體基板具有藉由清洗所形成的化學氧化膜，並且前述化學氧化膜中包含的OH基的量各自不同，然後以相同的熱氧化處理條件對前述複數片半導體基板進行熱氧化處理來形成熱氧化膜，取得前述化學氧化膜中的OH基的量與前述熱氧化膜的厚度的相關關係來作為第一相關關係； <br/>第二相關關係取得步驟，對於以相同的清洗條件進行清洗後改變乾燥條件來形成化學氧化膜而得的複數片半導體基板，分別測定前述化學氧化膜中的OH基的量，取得乾燥條件與化學氧化膜中的OH基的量的相關關係來作為第二相關關係； <br/>第三相關關係取得步驟，使用前述第一相關關係和第二相關關係，來取得半導體基板的清洗後的乾燥條件與熱氧化膜的厚度的相關關係作為第三相關關係； <br/>乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟，使用前述第三相關關係來確定乾燥條件和熱氧化處理條件，以使前述熱氧化膜形成對象的半導體基板的熱氧化膜的厚度成為規定的厚度； <br/>清洗步驟，實行前述熱氧化膜形成對象的半導體基板的清洗；及， <br/>乾燥步驟和熱氧化膜形成步驟，使用在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中所確定的乾燥條件和熱氧化處理條件來實行前述清洗步驟後的前述熱氧化膜形成對象的半導體基板的乾燥和熱氧化處理。
如請求項1所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將前述熱氧化處理條件確定為與前述第一相關關係取得步驟中的前述熱氧化處理條件相同的條件。
如請求項1所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，進一步具有熱氧化膜厚度推估步驟，該熱氧化膜厚度推估步驟是設定半導體基板的乾燥條件的初始值，假設對熱氧化膜形成對象的半導體基板以與前述初始值相同的乾燥條件和前述第一相關關係取得步驟中的前述熱氧化處理條件進行處理，使用前述第三相關關係來推估此時的熱氧化膜的厚度； <br/>在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，根據前述熱氧化膜厚度推估步驟中推估的熱氧化膜厚度來確定乾燥條件和熱氧化處理條件。
如請求項3所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為乾燥條件的乾燥溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述乾燥條件的乾燥溫度的前述初始值更高的乾燥溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為乾燥條件的乾燥溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述乾燥條件的乾燥溫度的前述初始值更低的乾燥溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為乾燥條件的乾燥溫度確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述乾燥條件的乾燥溫度的前述初始值相同的乾燥溫度。
如請求項3所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為乾燥條件的乾燥時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述乾燥條件的乾燥時間的前述初始值更長的乾燥時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為乾燥條件的乾燥時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述乾燥條件的乾燥時間的前述初始值更短的乾燥時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為乾燥條件的乾燥時間確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述乾燥條件的乾燥時間的前述初始值相同的乾燥時間。
如請求項3所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間更短的熱處理時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間更長的熱處理時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間相同的熱處理時間。
如請求項4所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間更短的熱處理時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間更長的熱處理時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間相同的熱處理時間。
如請求項5所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間更短的熱處理時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間更長的熱處理時間， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理時間確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理時間相同的熱處理時間。
如請求項3所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度更低的熱處理溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度更高的熱處理溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度相同的熱處理溫度。
如請求項4所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度更低的熱處理溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度更高的熱處理溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度相同的熱處理溫度。
如請求項5所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，在前述熱氧化膜厚度推估步驟中， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更厚時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度更低的熱處理溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度比前述規定的厚度更薄時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為比前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度更高的熱處理溫度， <br/>當前述所推估的熱氧化膜的厚度為與前述規定的厚度相同的厚度時，在前述乾燥條件和熱氧化處理條件確定步驟中，將作為熱氧化處理條件的熱處理溫度確定為與前述熱氧化膜厚度推估步驟的前述熱處理條件中的熱處理溫度相同的熱處理溫度。
如請求項1所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，將前述規定的厚度設為1～10nm。
如請求項1所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，使用衰減全反射測定用稜鏡來實行前述化學氧化膜的衰減全反射傅立葉轉換紅外線測定，根據3300cm<sup>－</sup><sup>1</sup>附近的OH基的吸光度來計算前述OH基的量。
如請求項1～13中任一項所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法，其中，將前述半導體基板設為矽晶圓，將前述熱氧化膜設為矽氧化膜。
一種半導體裝置的製造方法，是使用根據請求項1～14中任一項所述之半導體基板的熱氧化膜形成方法所製得的附有熱氧化膜之半導體基板來製造半導體裝置。
一種塑化劑組成物，其包含根據以下式(I)的化合物之混合物 <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="101px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其中基團R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、及R<sub>3</sub>各自獨立選自由正戊基、2-甲基丁基、及3-甲基丁基所組成的群組， <br/>其中存在於該混合物中者係呈30至95 mol%的比例的來自由正戊基、2-甲基丁基、及3-甲基丁基所組成的群組的一個基團以及呈5至70 mol%的比例的來自所具體指出的群組的另外一個基團或另外兩個基團，在各例子中基於根據式(I)的化合物之所有基團R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、及R<sub>3</sub>。
如請求項1之塑化劑組成物，其中基團R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、及R<sub>3</sub>相同。
如請求項1之塑化劑組成物，其中存在於該混合物中者係呈40至95 mol%的比例的來自由正戊基、2-甲基丁基、及3-甲基丁基所組成的群組的一個基團以及呈5至60 mol%的比例的來自所具體指出的群組的另外一個基團或另外兩個基團，在各例子中基於根據式(I)的化合物之所有基團R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、及R<sub>3</sub>。
如請求項1或3之塑化劑組成物，其中該2-甲基丁基基團以最大60 mol%的比例存在於該混合物中，在各例子中基於根據式(I)的化合物之所有基團R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、及R<sub>3</sub>。
如請求項1或2之塑化劑組成物，其中該塑化劑組成物包含選自由苯甲酸烷基酯、己二酸二烷基酯、甘油酯、檸檬酸三烷基酯、醯化檸檬酸三烷基酯、二苯甲酸二醇酯、1,2,4-苯三甲酸之三烷基酯、對酞酸二烷基酯、酞酸二烷基酯、呋喃二羧酸之酯、二脫水己醣醇（dianhydrohexitol）之二烷醯基酯、環氧化脂肪酸烷基酯、聚合物塑化劑、及1,2-、1,3-或1,4-環己烷二羧酸之二烷基酯所組成的群組的另外的塑化劑。
如請求項5之塑化劑組成物，其中該另外的塑化劑選自由苯甲酸C8-至C13-烷基酯、己二酸C4-至C10-二烷基酯、具有C4至C9-烷基基團的檸檬酸三烷基酯、1,2,4-苯三甲酸C4-至C10-三烷基酯、對酞酸C4-至C9-二烷基酯、酞酸C4-至C13-二烷基酯、及1,2-、1,3-或1,4-環己烷二羧酸之C4-至C10-二烷基酯所組成的群組。
如請求項1或2之塑化劑組成物，其除了根據上述式(I)的化合物之混合物外尚包含1,2-或1,4-環己烷二羧酸酯。
如請求項1或2之塑化劑組成物，其除了根據上述式(I)的化合物之混合物外尚包含對酞酸二-乙基己基酯（DOTP）。
如請求項1或2之塑化劑組成物，其除了根據上述式(I)的化合物之混合物外尚包含選自由對酞酸二丁酯、對酞酸二(異)戊酯、苯甲酸異癸酯、苯甲酸異壬酯、檸檬酸乙醯基三丁基酯、檸檬酸三丁酯、二苯甲酸二丙二醇酯、二苯甲酸二乙二醇酯、二苯甲酸三乙二醇酯、及其等中之二或多者之混合物所組成的群組的快速膠化塑化劑。
一種如請求項1至9中任一項之塑化劑組成物之用途，其係作為用於聚合物的塑化劑。
如請求項10之用途，其係用於PVC或含氯乙烯的聚合物。
一種塑膠組成物，其包含一或多種選自由聚氯乙烯、氯乙烯與乙酸乙烯酯或與丙烯酸丁酯的共聚物、聚甲基丙烯酸烷基酯（PAMA）、聚乙烯丁醛（PVB）、聚胺甲酸酯、多硫化物、聚乳酸（PLA）、聚羥丁醛（PHB）、及硝化纖維素所組成的群組的聚合物以及如請求項1至6中之任一項之塑化劑組成物。
如請求項12之塑膠組成物，其中該塑膠組成物至少包含PVC作為聚合物。
一種清洗組成物，包含多羧酸、螯合劑、磺酸以及水， <br/>所述多羧酸相對於所述螯合劑的質量比為10～200， <br/>所述多羧酸相對於所述磺酸的質量比為70～1000， <br/>pH值為0.10～4.00， <br/>電導率為0.08 mS/cm～11.00 mS/cm， <br/>其中，所述磺酸包含具有碳數10的烷基的烷基苯磺酸A、具有碳數11的烷基的烷基苯磺酸B、具有碳數12的烷基的烷基苯磺酸C以及具有碳數13的烷基的烷基苯磺酸D。
如請求項1所述的清洗組成物，其中，所述多羧酸包含具有兩個～三個羧基的多羧酸。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，其中，所述多羧酸更包含具有羥基的多羧酸。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，其中，所述多羧酸包含檸檬酸。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，其中，所述多羧酸的含量相對於清洗組成物的總質量而為0.1質量%～35質量%。
如請求項1所述的清洗組成物，其中，所述烷基苯磺酸B的含量相對於所述烷基苯磺酸A～所述烷基苯磺酸D的合計質量而為20質量%～50質量%。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，其中，所述螯合劑具有膦酸基。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，其中，所述多羧酸相對於所述螯合劑的質量比為30～100。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，其中，所述多羧酸相對於所述磺酸的質量比為70～600。
如請求項1或請求項2所述的清洗組成物，更包含磷酸根離子， <br/>所述磷酸根離子的含量相對於清洗組成物的總質量而為0.001質量%～1.0質量%。
一種半導體基板的清洗方法，使用如請求項1至請求項10中任一項所述的清洗組成物對半導體基板進行清洗。
一種半導體元件的製造方法，包括如請求項11所述的半導體基板的清洗方法。
一種仿西式炒蛋食品，係含有膠化物及流體狀組成物； <br/> 前述膠化物包含選自豆乳、燕麥奶及杏仁奶中的一種以上之植物性奶與海藻酸鈣，且經海藻酸鈣所膠化；<br/> 前述流體狀組成物包含前述植物性奶；<br/> 其中，前述膠化物中之海藻酸鈣之含量為0.2%以上至1.2%以下，前述流體狀組成物之含量為10%以上至50%以下。
如請求項1所記載之仿西式炒蛋食品，其中前述膠化物進而包含食物纖維。
如請求項1或2所記載之仿西式炒蛋食品，其中前述膠化物進而包含食用油脂。
如請求項1或2所記載之仿西式炒蛋食品，其中前述膠化物中之源自前述植物性奶之蛋白質之含量為0.5%以上至5.0%以下。
一種仿蛋烹調品食品，係包含如請求項1至6中任一項所記載之仿西式炒蛋食品。
一種仿西式炒蛋食品之製造方法，包含下述步驟：<br/> 透過混合植物性奶與海藻酸及/或其鹽製備膠化物之原料混合液之步驟；<br/> 使前述原料混合液膠化來製備膠化物之步驟；<br/> 製備流體狀組成物之步驟；以及<br/> 將前述膠化物與前述流體狀組成物組合之步驟；<br/> 其中，前述膠化物包含選自豆乳、燕麥奶及杏仁奶中的一種以上之植物性奶與海藻酸鈣；<br/> 前述流體狀組成物包含前述植物性奶；<br/> 前述原料混合液中之海藻酸及/或其鹽之含量為0.2%以上至1.2%以下；以及<br/> 前述仿西式炒蛋食品中前述流體狀組成物之含量為10%以上至50%以下。
一種用於由一接收設備進行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一發送設備接收針對一無線訊號的一通道序列的一潛在表示；及<br/> 經由一解碼器將一實體傳播通道模型應用於該潛在表示，以重構針對該無線訊號的該通道序列，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和。
根據請求項1之方法，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一延遲和一複數幅度。
根據請求項1之方法，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一發射器（Tx）陣列回應和一接收器（Rx）陣列回應。
根據請求項3之方法，其中該Tx陣列回應和該Rx陣列回應分別表示為方位發射角和天頂發射角以及方位到達角和天頂到達角的可學習函數。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：經由額外的可學習神經網路層來擷取由該實體傳播通道模型未擷取的對該無線訊號的額外影響。
根據請求項5之方法，其中該等額外影響包括一接收器（Rx）鏈衝激回應和一發射器（Tx）鏈衝激回應。
根據請求項1之方法，其中該潛在表示是作為通道狀態回饋來發送給該接收設備的。
根據請求項1之方法，其中所重構的通道序列包括跨越經由一保護頻帶分開的複數個頻帶的一連續通道回應。
根據請求項1之方法，其中該潛在表示包括延遲、複數幅度、發射角和到達角的一集合中的一項或多項。
根據請求項1之方法，其中該潛在表示包括一經編碼的通道序列，以及該接收設備使用該解碼器來從該潛在表示重構該通道序列。
根據請求項10之方法，其中該解碼器是基於該實體傳播通道模型的一神經網路。
根據請求項10之方法，亦包括以下步驟：在該接收設備處獨立於在該發送設備處的一編碼器來訓練該解碼器。
一種用於由一發送設備進行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 經由一編碼器接收包括針一對無線訊號的一通道序列的一輸入；<br/> 經由該編碼器處理該通道序列，以產生針對該無線訊號的該通道序列的一潛在表示，該潛在表示包括映射到一實體傳播通道模型的一參數的至少一個元素，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和；及<br/> 向一接收設備發送該潛在表示。
根據請求項13之方法，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一延遲和一複數幅度。
根據請求項14之方法，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一發射器（Tx）陣列回應和一接收器（Rx）陣列回應。
根據請求項15之方法，其中該Tx陣列回應和該Rx陣列回應分別表示為方位發射角和天頂發射角以及方位到達角和天頂到達角的可學習函數。
根據請求項13之方法，其中該潛在表示是作為通道狀態回饋來發送給該接收設備的。
根據請求項13之方法，其中該編碼器包括一神經網路。
根據請求項13之方法，其中該發送設備聯合地訓練一編碼器-解碼器對，使得該編碼器-解碼器對的該編碼器和一第二解碼器的一級聯重構在該編碼器處輸入的該通道序列。
一種用於由一接收設備進行的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 耦合到該記憶體的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 從一發送設備接收針對一無線訊號的一通道序列的一潛在表示；及<br/> 經由一解碼器將一實體傳播通道模型應用於該潛在表示，以重構針對該無線訊號的該通道序列，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和。
根據請求項20之裝置，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一延遲和一複數幅度。
根據請求項20之裝置，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一發射器（Tx）陣列回應和一接收器（Rx）陣列回應。
根據請求項22之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：將該Tx陣列回應和該Rx陣列回應分別表示為方位發射角和天頂發射角以及方位到達角和天頂到達角的可學習函數。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：經由額外的可學習神經網路層來擷取由該實體傳播通道模型未擷取的對該無線訊號的額外影響。
根據請求項24之裝置，其中該等額外影響包括一接收器（Rx）鏈衝激回應和一發射器（Tx）鏈衝激回應。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：經由該接收設備來接收作為通道狀態回饋的該潛在表示。
根據請求項20之裝置，其中所重構的通道序列包括跨越經由一保護頻帶分開的複數個頻帶的一連續通道回應。
根據請求項20之裝置，其中該潛在表示包括延遲、複數幅度、發射角和到達角的一集合中的一項或多項。
根據請求項20之裝置，其中該潛在表示包括一經編碼的通道序列，以及該接收設備使用該解碼器來從該潛在表示重構該通道序列。
根據請求項29之裝置，其中該解碼器是基於該實體傳播通道模型的一神經網路。
根據請求項29之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：在該接收設備處獨立於在該發送設備處的一編碼器來訓練該解碼器。
一種用於由一發送設備進行的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 耦合到該記憶體的至少一個處理器，該至少一個處理器被配置為：<br/> 經由一編碼器接收包括針對一無線訊號的一通道序列的一輸入；<br/> 經由該編碼器處理該通道序列，以產生針對該無線訊號的該通道序列的一潛在表示，該潛在表示包括映射到一實體傳播通道模型的一參數的至少一個元素，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和；及<br/> 向一接收設備發送該潛在表示。
根據請求項32之裝置，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一延遲和一複數幅度。
根據請求項33之裝置，其中該等多徑分量之每一者多徑分量具有一發射器（Tx）陣列回應和一接收器（Rx）陣列回應。
根據請求項34之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：將該Tx陣列回應和該Rx陣列回應分別表示為方位發射角和天頂發射角以及方位到達角和天頂到達角的可學習函數。
根據請求項32之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：將該潛在表示作為通道狀態回饋發送給該接收設備。
根據請求項32之裝置，其中該編碼器包括一神經網路。
根據請求項32之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：經由該發送設備聯合地訓練一編碼器-解碼器對，使得該編碼器-解碼器對的該編碼器和一第二解碼器的一級聯重構在該編碼器處輸入的該通道序列。
一種用於由一接收設備進行的無線通訊的裝置，包括：<br/> 用於從一發送設備接收針對一無線訊號的一通道序列的一潛在表示的單元；及<br/> 用於經由一解碼器將一實體傳播通道模型應用於該潛在表示，以重構針對該無線訊號的該通道序列的單元，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和。
一種用於由一發送設備進行的無線通訊的方法，包括：<br/> 用於接收包括針對一無線訊號的一通道序列的一輸入的單元；<br/> 用於經由一編碼器處理該通道序列，以產生針對該無線訊號的該通道序列的一潛在表示的單元，該潛在表示包括映射到一實體傳播通道模型的一參數的至少一個元素，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和；及<br/> 用於向一接收設備發送該潛在表示的單元。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其具有在其上編碼的用於由一接收設備進行的無線通訊的程式碼，該程式碼由一處理器執行並且包括：<br/> 用於從一發送設備接收針對一無線訊號的一通道序列的一潛在表示的程式碼；及<br/> 用於經由一解碼器將一實體傳播通道模型應用於該潛在表示，以重構針對該無線訊號的該通道序列的程式碼，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其具有在其上編碼的用於由一發送設備進行的無線通訊的程式碼，該程式碼由一處理器執行並且包括：<br/> 用於接收包括針對一無線訊號的一通道序列的一輸入的程式碼；<br/> 用於經由一編碼器處理該通道序列，以產生針對該無線訊號的該通道序列的一潛在表示的程式碼，該潛在表示包括映射到一實體傳播通道模型的一參數的至少一個元素，其中該實體傳播通道模型包括多徑分量的一總和；及<br/> 用於向一接收設備發送該潛在表示的程式碼。
一種分散液之製造方法，係將熱熔融性四氟乙烯系聚合物之粉體進行乾式碎解，做成前述四氟乙烯系聚合物之粒子，並在液態物質存在下將有機樹脂及無機粒子中之至少一者與前述粒子進行濕式混合，而獲得包含前述有機樹脂及前述無機粒子中之至少一者與前述粒子的黏彈性體；<br/> 將所獲得之黏彈性體進一步與有機樹脂或無機粒子混合而獲得分散液。
一種分散液之製造方法，係將熱熔融性四氟乙烯系聚合物之粉體進行乾式碎解，做成前述四氟乙烯系聚合物之粒子，並將前述粒子與熱硬化性樹脂之清漆以使前述熱硬化性樹脂之質量相對於前述四氟乙烯系聚合物之質量的比為0.1以上之方式進行濕式混合，而獲得包含前述粒子與前述熱硬化性樹脂之黏彈性體；<br/> 將所獲得之黏彈性體進一步與有機樹脂或無機粒子混合而獲得分散液。
如請求項1或2之製造方法，其係以選自於由下述所構成群組中之至少1種混合機來進行前述乾式碎解：亨氏混合機、加壓捏合機、班布瑞密閉式混合機、自轉公轉混合機、行星式混合機、球磨機、磨碎機、籃式磨機、混砂機、砂磨機、Dyno-Mill、DISPERMAT、SC-Mill、釘磨機、攪拌磨機、微細流體均質機、Nanomizer、Ultimizer、溶解器、分散機及高速葉輪分散機。
如請求項1或2之製造方法，其係在前述四氟乙烯系聚合物之玻璃轉移點以下之溫度下進行前述乾式碎解。
如請求項1或2之製造方法，其係以選自於由下述所構成群組中之至少1種混合機來進行前述濕式混合：亨氏混合機、加壓捏合機、班布瑞密閉式混合機、自轉公轉混合機、行星式混合機、球磨機、磨碎機、籃式磨機、混砂機、砂磨機、Dyno-Mill、DISPERMAT、SC-Mill、釘磨機、攪拌磨機、微細流體均質機、Nanomizer、Ultimizer、超音波均質機、溶解器、分散機、高速葉輪分散機及薄膜旋轉型高速混合機。
如請求項1或2之製造方法，其係在前述四氟乙烯系聚合物之玻璃轉移點以上之溫度下進行前述濕式混合。
如請求項1或2之製造方法，其中前述四氟乙烯系聚合物之玻璃轉移點為60至150℃。
如請求項1或2之製造方法，其中前述有機樹脂為熱硬化性樹脂。
如請求項1或2之製造方法，其中前述有機樹脂係選自於由下述所構成群組中之至少1種芳香族樹脂：芳香族環氧樹脂、酚樹脂、芳香族聚醯亞胺樹脂、芳香族聚醯亞胺樹脂之前驅物、芳香族聚醯胺醯亞胺樹脂及芳香族聚醯胺醯亞胺樹脂之前驅物。
如請求項1之製造方法，其中前述濕式混合進行如下：在液態物質存在下將前述粒子與前述無機粒子進行濕式混合，並進一步將前述有機樹脂進行濕式混合。
如請求項1之製造方法，其中前述濕式混合進行如下：將前述粒子與包含有機樹脂及無機粒子中之至少一者的液態組成物進行濕式混合。
如請求項11之製造方法，其中前述液態組成物至少包含有機樹脂；前述濕式混合中，前述有機樹脂之質量相對於前述四氟乙烯系聚合物之質量的比為0.1以上；前述黏彈性體中，前述四氟乙烯系聚合物之質量與前述有機樹脂之質量的總含量為40質量%以上。
一種環氧樹脂改質劑，係含有嵌段共聚合物的環氧樹脂改質劑，其特徵為：<br/> 前述嵌段共聚合物為具有A嵌段及B嵌段的A-B-A型三嵌段共聚合物，其中該A嵌段具有下述通式(1)所表示的結構單元(a-1)及源自具有鏈狀烷基的(甲基)丙烯酸酯的結構單元(a-2)；該B嵌段具有源自選自由具有鏈狀烷基的(甲基)丙烯酸酯、及具有環狀烷基的(甲基)丙烯酸酯所組成的群組的至少1種之乙烯基單體的結構單元(b)，<br/> 其中，前述A嵌段之含有率在前述嵌段共聚合物全體100質量%中為30質量%~70質量%，前述B嵌段之含有率在前述嵌段共聚合物全體100質量%中為30質量%~70質量%，<br/> 各A嵌段中的前述通式(1)所表示的結構單元(a-1)之含有率在A嵌段100質量%中為85質量%以上、小於100質量%，前述源自具有鏈狀烷基的(甲基)丙烯酸酯的結構單元(a-2)之含有率在A嵌段100質量%中為大於0質量%且15質量%以下，<br/> [化1]<br/><img align="absmiddle" height="104px" width="457px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 〔於通式(1)中，R<sup>1</sup>為氫原子或甲基；0≦n≦10，Q為4員環~6員環之環狀醚基或環狀硫醚基〕。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述A嵌段之結構單元(a-2)為源自具有分支鏈狀烷基的(甲基)丙烯酸酯的結構單元。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述A嵌段之結構單元(a-1)為源自選自由(甲基)丙烯酸四氫糠酯、嗎啉基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸嗎啉基乙酯、(甲基)丙烯酸(3-乙基氧呾-3-基)甲酯、(甲基)丙烯酸(2-甲基-2-乙基-1,3-二氧雜環戊烷-4-基)甲酯、環狀三羥甲基丙烷縮甲醛(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-〔(2-四氫哌喃基)氧基〕乙酯、1,3-二㗁烷-(甲基)丙烯酸酯所組成的群組的至少1種的結構單元。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中構成前述嵌段共聚合物的2個A嵌段中，將結構單元(a-1)之含有率高的A嵌段設為A1嵌段，將結構單元(a-1)之含有率低的A嵌段設為A2嵌段時，A1嵌段相對於A2嵌段的質量比(A1嵌段/A2嵌段)為0.8~1.2。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述A嵌段之含有率在前述嵌段共聚合物全體100質量%中為40質量%~60質量%，前述B嵌段之含有率在前述嵌段共聚合物全體100質量%中為40質量%~60質量%。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述B嵌段之結構單元(b)為源自具有碳數11~20之鏈狀烷基的(甲基)丙烯酸酯的結構單元。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述B嵌段之結構單元(b)之含有率在B嵌段100質量%中為80質量%以上、100質量%以下。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述B嵌段的結構單元(b)之含有率，在B嵌段100質量%中為95質量%以上且100質量%以下。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述嵌段共聚合物之重量平均分子量(Mw)為10,000以上、小於200,000。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述嵌段共聚合物之分子量分布(Mw/Mn)為2.0以下。
如請求項1所述之環氧樹脂改質劑，其中前述嵌段共聚合物係利用活性自由基聚合而被聚合者。
一種環氧樹脂組成物，其含有環氧樹脂、硬化劑、及如請求項1至11中任一項所述之環氧樹脂改質劑。
如請求項12所述之環氧樹脂組成物，其中前述環氧樹脂改質劑的含量以前述A-B-A型三嵌段共聚合物之換算量計，相對於環氧樹脂及硬化劑之合計量100質量份，為1質量份~25質量份。
一種黏著劑，其係由如請求項12所述之環氧樹脂組成物構成。
一種底部填充劑材料，其係由如請求項12所述之環氧樹脂組成物構成。
一種樹脂硬化物，其將如請求項12所述之環氧樹脂組成物硬化而製成。
一種一氧化碳之製造方法，其包括在固體酸觸媒的存在下藉由甲酸或甲酸烷基酯中的至少一者的原料的分解反應產生一氧化碳之步驟， <br/>前述固體酸觸媒具有590m<sup>2</sup>/g以下的BET比表面積， <br/>前述固體酸觸媒為質子型沸石。
如請求項1所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>前述質子型沸石的Si/Al原子比為1～200。
如請求項1或請求項2所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>前述原料的分解反應在100～300℃下進行。
如請求項1所述之一氧化碳之製造方法，其中， <br/>前述固體酸觸媒具有480m<sup>2</sup>/g以下的BET比表面積。
一種一氧化碳的製造裝置，其在固體酸觸媒的存在下藉由甲酸或甲酸烷基酯中的至少一者的原料的分解反應產生一氧化碳， <br/>前述一氧化碳的製造裝置具備收容前述固體酸觸媒並且在前述固體酸觸媒的存在下藉由前述原料的分解反應產生一氧化碳之反應器， <br/>前述固體酸觸媒具有590m<sup>2</sup>/g以下的BET比表面積， <br/>前述固體酸觸媒為質子型沸石。
如請求項5所述之一氧化碳的製造裝置，其中， <br/>前述質子型沸石的Si/Al原子比為1～200。
如請求項5所述之一氧化碳的製造裝置，其中， <br/>前述固體酸觸媒具有480m<sup>2</sup>/g以下的BET比表面積。
一種殘材判定方法，使用藉由外觀檢查裝置得到的圖像判定殘材，該殘材是在晶圓背面形成硬雷射標記後，或是在前述硬雷射標記形成後對前述背面進行研磨後，發生於前述背面的硬雷射標記周邊，上述方法包含以下步驟： <br/>步驟A，自藉由前述外觀檢查裝置得到的灰階圖像算出基準亮度； <br/>步驟B，自前述灰階圖像抽出包含前述硬雷射標記的硬雷射標記印字區域； <br/>步驟C，自前述抽出的硬雷射標記印字區域將前述硬雷射標記的點部分排除； <br/>步驟D，以前述基準亮度為基準，自已經排除前述硬雷射標記的點部分的前述硬雷射標記印字區域抽出前述殘材的區域；以及， <br/>步驟E，基於前述抽出的殘材的區域，判定前述硬雷射標記印字區域中有無前述殘材。
如請求項1所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟A中，算出前述灰階圖像內的未刻印前述硬雷射標記的部分的亮度平均值，來作為前述基準亮度。
如請求項1所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟B中， <br/>預先設定像素亮度的閾值(特定框)，該閾值(特定框)可檢測在前述灰階圖像內以圍繞前述硬雷射標記印字區域的方式來顯示的白色特定框； <br/>將該閾值(特定框)以上的區域判定為前述白色特定框來加以檢測； <br/>將該檢測到的白色特定框所圍繞的區域作為前述硬雷射標記印字區域而加以抽出。
如請求項2所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟B中， <br/>預先設定像素亮度的閾值(特定框)，該閾值(特定框)可檢出在前述灰階圖像內以圍繞前述硬雷射標記印字區域的方式來顯示的白色特定框； <br/>將該閾值(特定框)以上的區域判定為前述白色特定框來加以檢測； <br/>將該檢測到的白色特定框所圍繞的區域作為前述硬雷射標記印字區域而加以抽出。
如請求項1所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟C中， <br/>預先根據構成前述硬雷射標記的點區域與該點區域的像素亮度的關係，設定像素亮度的閾值(點區域)，該閾值(點區域)能夠僅抽出前述點區域； <br/>將該閾值(點區域)以下的像素亮度的區域判定為前述點區域而加以抽出； <br/>將該抽出的點區域的外周擴大1像素量以上的區域作為前述點部分而加以排除。
如請求項2所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟C中， <br/>預先根據構成前述硬雷射標記的點區域與該點區域的像素亮度的關係，設定像素亮度的閾值(點區域)，該閾值(點區域)能夠僅抽出前述點區域； <br/>將該閾值(點區域)以下的像素亮度的區域判定為前述點區域而加以抽出； <br/>將該抽出的點區域的外周擴大1像素量以上的區域作為前述點部分而加以排除。
如請求項3所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟C中， <br/>預先根據構成前述硬雷射標記的點區域與該點區域的像素亮度的關係，設定像素亮度的閾值(點區域)，該閾值(點區域)能夠僅抽出前述點區域； <br/>將該閾值(點區域)以下的像素亮度的區域判定為前述點區域而加以抽出； <br/>將該抽出的點區域的外周擴大1像素量以上的區域作為前述點部分而加以排除。
如請求項4所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟C中， <br/>預先根據構成前述硬雷射標記的點區域與該點區域的像素亮度的關係，設定像素亮度的閾值(點區域)，該閾值(點區域)能夠僅抽出前述點區域； <br/>將該閾值(點區域)以下的像素亮度的區域判定為前述點區域而加以抽出； <br/>將該抽出的點區域的外周擴大1像素量以上的區域作為前述點部分而加以排除。
如請求項1～8中任一項所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟D中， <br/>預先求出比前述基準亮度更高亮度的殘材與該高亮度的殘材的像素亮度的關係，以及比前述基準亮度更低亮度的殘材與該低亮度的殘材的像素亮度的關係，並且以前述基準亮度為基準設定像素亮度的閾值(高亮度殘材)與像素亮度的閾值(低亮度殘材)，該閾值(高亮度殘材)能夠抽出前述高亮度殘材，且該閾值(低亮度殘材)能夠抽出前述低亮度殘材； <br/>將前述閾值(高亮度殘材)以上的像素亮度的區域與前述閾值(低亮度殘材)以下的像素亮度的區域判定為前述殘材區域而加以抽出。
如請求項1～8中任一項所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟E中， <br/>預先求出前述硬雷射標記印字區域中的前述殘材的區域的面積比例與元件製造步驟中的起因於殘材的品質不良的關係，且設定前述起因於殘材的品質不良發生的殘材的面積比例的閾值(具有殘材)； <br/>自前述抽出的殘材的區域的像素數，求出前述硬雷射標記印字區域中的前述殘材的區域的面積比例； <br/>當該殘材的區域的面積比例在前述閾值(具有殘材)以上時，判定為具有殘材。
如請求項9所述之殘材判定方法，其中： <br/>前述步驟E中， <br/>預先求出前述硬雷射標記印字區域中的前述殘材的區域的面積比例與元件製造步驟中的起因於殘材的品質不良的關係，且設定前述起因於殘材的品質不良發生的殘材的面積比例的閾值(具有殘材)； <br/>自前述抽出的殘材的區域的像素數，求出前述硬雷射標記印字區域中的前述殘材的區域的面積比例； <br/>當該殘材的區域的面積比例在前述閾值(具有殘材)以上時，判定為具有殘材。
一種晶圓，在背面具有硬雷射標記，該晶圓具有： <br/>藉由請求項1～11中任一項所述的殘材判定方法判定成沒有前述殘材的前述硬雷射標記印字區域。
一種用於站點的電腦化庫存及退返物件協調的方法，包括： <br/> 產生交互式使用者介面，所述交互式使用者介面包括多個交互式元素； <br/> 自資料庫的記錄讀取一包裹識別符，其中所述包裹識別符包括指示所述包裹識別符與不被在所述站點的工作者取得包裹相關聯的狀態； <br/> 提示所述交互式使用者介面上的顯示器執行協調； <br/> 接收與所述包裹識別符交互的掃描事件； <br/> 向所述包裹識別符指派錯誤狀態； <br/> 基於所述錯誤狀態更新所述記錄； <br/> 經由所述交互式使用者介面接收關於具有所述錯誤狀態的所述記錄的現行狀態的輸入；以及 <br/> 基於所述輸入產生所述記錄的最終狀態。
如請求項1所述的方法，其中接收所述掃描事件包括將指令轉送至在所述站點處的行動裝置，所述指令經組態以顯示指令以掃描與在一天的第一時間處在所述站點處存在的包裹相關聯的第二包裹識別符。
如請求項2所述的方法，其中所述第一時間為子夜。
如請求項2所述的方法，其中所述第一時間對應於遞送輪班的結束。
如請求項2所述的方法，更包括： <br/> 接收與在所述第一時間處在所述站點處存在的包裹相關聯的所有所述包裹識別符已經掃描的指示。
如請求項1所述的方法，其中接收所述掃描事件更包括自遠端裝置接收所述掃描事件。
如請求項1所述的方法，其中所述記錄包括具有與用於遞送的包裹相關聯的包裹識別符的第一記錄。
如請求項1所述的方法，其中所述記錄包括具有與用於退返的包裹相關聯的包裹識別符的第二記錄。
如請求項1所述的方法，更包括多個包裹以重複請求項1的所有步驟。
如請求項9所述的方法，其中所述交互式使用者介面更顯示具有所述錯誤狀態的所述包裹識別符的數量以及執行的協調過程的數量。
一種用於站點處的庫存物件協調過程的電腦化系統，包括： <br/> 至少一個處理器；以及 <br/> 至少一個非暫時性儲存媒體，其包括在由所述至少一個處理器執行時使得所述至少一個處理器執行請求項1至請求項10的所述方法。
一種玻璃纖維用玻璃組成物，其係對於玻璃纖維用玻璃組成物之全量，含有 <br/> 45.60~59.00質量%之範圍之SiO<sub>2</sub>， <br/> 0.00~8.00質量%之範圍之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>， <br/> 10.00~16.00質量%之範圍之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>， <br/> 17.00~25.00質量%之範圍之CaO， <br/> 0.01~9.50質量%之範圍之TiO<sub>2</sub>， <br/> 未達0.03質量%之範圍之P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>， <br/> 0.00~9.50質量%之範圍之ZnO， <br/> 0.00~2.00質量%之範圍之SO<sub>3</sub>， <br/> 合計含有0.01~11.50質量%之範圍之ZnO及SO<sub>3</sub>， <br/> 0.10質量%之範圍之F<sub>2</sub>， <br/> 0.60質量%之範圍之MgO， <br/> 合計含有0.00~2.00質量%之範圍之Li<sub>2</sub>O、Na<sub>2</sub>O及K<sub>2</sub>O， <br/> 前述SiO<sub>2</sub>之含有率SI、前述B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>之含有率B、前述TiO<sub>2</sub>之含有率T、前述ZnO之含有率Z，及前述SO<sub>3</sub>之含有率SO滿足下式(1)， <br/> <img align="absmiddle" height="87px" width="1072px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。<b> </b>
如請求項1之玻璃纖維用玻璃組成物，其中，前述SiO<sub>2</sub>之含有率SI、前述B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>之含有率B、前述TiO<sub>2</sub>之含有率T、前述ZnO之含有率Z，及前述SO<sub>3</sub>之含有率SO滿足下式(2)， <br/> <img align="absmiddle" height="94px" width="1083px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種玻璃纖維，其係由如請求項1或請求項2之玻璃纖維用玻璃組成物所構成。
一種玻璃纖維強化樹脂成形品，其係含有如請求項3之玻璃纖維。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 對一增強型廣播服務（EBCS）資訊訊框進行廣播，該EBCS資訊訊框通告由該無線通訊設備提供的一或多個EBCS服務；及<br/> 傳輸具有一標頭的一封包，在該標頭之後跟隨有攜帶與該一或多個EBCS服務中的一第一EBCS服務相關聯的資料的一資料部分，該標頭攜帶指示該資料意欲針對與該無線通訊設備相關聯的無線站（STA）和與該無線通訊設備不相關聯的STA的EBCS信號傳遞，其中該 EBCS 信號傳遞被攜帶在一媒體存取控制（MAC）標頭中，該 MAC 標頭包括具有一類型子欄位和一子類型子欄位的一訊框控制欄位，該類型子欄位和該子類型子欄位共同地指示該封包的一類型，該 EBCS 信號傳遞包括被攜帶在該類型子欄位和該子類型子欄位中的、指示該封包是一 ECBS 資料訊框的若干值。
根據請求項1之方法，其中該MAC標頭包括一接收器位址（RA）欄位，該類型子欄位和該子類型子欄位共同地指示該封包的該類型。
根據請求項2之方法，其中該EBCS信號傳遞包括被攜帶在該RA欄位中的一EBCS接收器位址，該EBCS接收器位址不同於辨識被廣播給與該無線通訊設備相關聯的全部使用者的封包的一廣播位址。
根據請求項3之方法，其中對於由該無線通訊設備提供的該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務，該EBCS接收器位址是相同的。
根據請求項3之方法，其中該EBCS接收器位址對於該第一EBCS服務是唯一的。
根據請求項5之方法，其中該EBCS接收器位址是根據託管該第一EBCS服務的一主機設備的一MAC位址或一網際網路協定（IP）位址推導的。
根據請求項1之方法，其中該EBCS資訊訊框亦攜帶指示與該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務相關聯的資料傳輸的一時序的一訊務通告，該訊務通告包括一位元映像，該位元映像指示該一或多個EBCS服務中的何者EBCS服務在一相應的遞送訊務指示訊息（DTIM）時段期間被排程用於資料傳輸。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 對一信標訊框進行廣播，該信標訊框攜帶指示與該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務相關聯的資料傳輸的一時序的一訊務通告。
根據請求項8之方法，其中該訊務通告包括一位元映像，該位元映像指示該一或多個EBCS服務中的何者EBCS服務在一相應的DTIM時段期間被排程用於資料傳輸。
根據請求項8之方法，其中該訊務通告被攜帶在該信標訊框中的不同於一訊務指示圖（TIM）元素的一元素中。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個處理器；及<br/> 至少一個記憶體，其與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器執行時被配置為：<br/> 對一增強型廣播服務（EBCS）資訊訊框進行廣播，該EBCS資訊訊框通告由該無線通訊設備提供的一或多個EBCS服務；及<br/> 傳輸具有一標頭的一封包，在該標頭之後跟隨有攜帶與該一或多個EBCS服務中的一第一EBCS服務相關聯的資料的一資料部分，該標頭攜帶指示該資料意欲針對與該無線通訊設備相關聯的無線站（STA）和與該無線通訊設備不相關聯的STA的EBCS信號傳遞，其中該 EBCS 信號傳遞被攜帶在一媒體存取控制（MAC）標頭中，該 MAC 標頭包括具有一類型子欄位和一子類型子欄位的一訊框控制欄位，該類型子欄位和該子類型子欄位共同地指示該封包的一類型，該 EBCS 信號傳遞包括被攜帶在該類型子欄位和該子類型子欄位中的、指示該封包是一 ECBS 資料訊框的若干值。
根據請求項11之無線通訊設備，其中該EBCS信號傳遞被攜帶在一媒體存取控制（MAC）標頭中，該MAC標頭包括一接收器位址（RA）欄位，該EBCS信號傳遞包括被攜帶在該RA欄位中的一EBCS廣播位址，該EBCS廣播位址不同於辨識被廣播給與該無線通訊設備相關聯的全部使用者的封包的一廣播位址。
根據請求項11之無線通訊設備，其中該EBCS資訊訊框亦攜帶指示與該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務相關聯的資料傳輸的一時序的一訊務通告，該訊務通告包括一位元映像，該位元映像指示該一或多個EBCS服務中的何者EBCS服務在一相應的遞送訊務指示訊息（DTIM）時段期間被排程用於資料傳輸。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收一增強型廣播服務（EBCS）資訊訊框，該EBCS資訊訊框通告由一第一存取點（AP）提供的一或多個EBCS服務；及<br/> 從該第一AP接收具有一標頭的一第一封包，在該標頭之後跟隨有攜帶與該一或多個EBCS服務中的一第一EBCS服務相關聯的資料的一資料部分，該標頭攜帶指示該資料意欲針對與該第一AP相關聯的無線站（STA）和與該第一AP不相關聯的STA的EBCS信號傳遞，其中該 EBCS 信號傳遞被攜帶在一媒體存取控制（MAC）標頭中，該 MAC 標頭包括具有一類型子欄位和一子類型子欄位的一訊框控制欄位，該類型子欄位和該子類型子欄位共同地指示該封包的一類型，該 EBCS 信號傳遞包括被攜帶在該類型子欄位和該子類型子欄位中的、指示該封包是一 ECBS 資料訊框的若干值。
根據請求項14之方法，其中該MAC標頭包括一接收器位址（RA）欄位，該類型子欄位和該子類型子欄位共同地指示該第一封包的一類型。
根據請求項15之方法，其中該EBCS信號傳遞包括被攜帶在該RA欄位中的一EBCS接收器位址，該EBCS接收器位址不同於辨識被廣播給與該無線通訊設備相關聯的全部使用者的封包的一廣播位址。
根據請求項16之方法，其中對於由該無線通訊設備提供的該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務，該EBCS接收器位址是相同的。
根據請求項16之方法，其中該EBCS接收器位址對於該第一EBCS服務是唯一的。
根據請求項18之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從一第二AP接收攜帶與該第一EBCS服務相關聯的資料的一第二封包，該第二封包具有被設置為該EBCS接收器位址的一RA欄位。
根據請求項14之方法，其中該EBCS資訊訊框亦攜帶指示與該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務相關聯的資料傳輸的一時序的一訊務通告，該訊務通告包括一位元映像，該位元映像指示該一或多個EBCS服務中的何者EBCS服務在一相應的遞送訊務指示訊息（DTIM）時段期間被排程用於資料傳輸，該方法亦包括以下步驟：<br/> 基於由該訊務通告指示的該等資料傳輸的該時序來從一低功率狀態喚醒。
根據請求項14之方法，亦包括以下步驟：<br/> 從該第一AP接收一信標訊框，該信標訊框攜帶指示與該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務相關聯的資料傳輸的一時序的一訊務通告；及<br/> 基於由該訊務通告指示的該等資料傳輸的該時序來從一低功率狀態喚醒。
根據請求項21之方法，其中該訊務通告包括一位元映像，該位元映像指示該一或多個EBCS服務中的何者EBCS服務在一相應的DTIM時段期間被排程用於資料傳輸。
根據請求項21之方法，其中該訊務通告被攜帶在該信標訊框中的不同於一訊務指示圖（TIM）元素的一新元素中。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個處理器；及<br/> 至少一個記憶體，其與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼，該處理器可讀取代碼在由該至少一個處理器執行時被配置為：<br/> 接收一增強型廣播服務（EBCS）資訊訊框，該EBCS資訊訊框通告由一第一存取點（AP）提供的一或多個EBCS服務；及<br/> 從該第一AP接收具有一標頭的一封包，在該標頭之後跟隨有攜帶與該一或多個EBCS服務中的一第一EBCS服務相關聯的資料的一資料部分，該標頭攜帶指示該資料意欲針對與該第一AP相關聯的無線站（STA）和與該第一AP不相關聯的STA的EBCS信號傳遞，其中該 EBCS 信號傳遞被攜帶在一媒體存取控制（MAC）標頭中，該 MAC 標頭包括具有一類型子欄位和一子類型子欄位的一訊框控制欄位，該類型子欄位和該子類型子欄位共同地指示該封包的一類型，該 EBCS 信號傳遞包括被攜帶在該類型子欄位和該子類型子欄位中的、指示該封包是一 ECBS 資料訊框的若干值。
根據請求項24之無線通訊設備，其中該EBCS信號傳遞被攜帶在一媒體存取控制（MAC）標頭中，該MAC標頭包括一接收器位址（RA）欄位，該EBCS信號傳遞包括被攜帶在該RA欄位中的一EBCS廣播位址，該EBCS廣播位址不同於辨識被廣播給與該無線通訊設備相關聯的全部使用者的封包的一廣播位址。
根據請求項24之無線通訊設備，其中該EBCS資訊訊框亦攜帶指示與該一或多個EBCS服務之每一者EBCS服務相關聯的資料傳輸的一時序的一訊務通告，該訊務通告包括一位元映像，該位元映像指示該一或多個EBCS服務中的何者EBCS服務在一相應的遞送訊務指示訊息（DTIM）時段期間被排程用於資料傳輸，該處理器可讀取代碼的執行亦被配置為：<br/> 基於由該訊務通告指示的該等資料傳輸的該時序來從一低功率狀態喚醒。
一種驅動裝置的控制方法，其特徵在於，該驅動裝置藉由線性馬達驅動目標物體，其中該線性馬達包括其中排列有多個線圈的定子以及設有該目標物體的動子，該控制方法包括： <br/> 第一驅動，藉由該線性馬達在預定範圍內驅動該動子； <br/> 在該第一驅動後，改變該定子相對於該預定範圍的位置；以及 <br/> 第二驅動，在該改變後，藉由該線性馬達在該預定範圍內驅動該動子， <br/> 其中，當在該第一驅動中以預定方向加速該動子時，向該多個線圈中的第一線圈供給第一電流，並且 <br/> 其中，當在該第二驅動中以該預定方向加速該動子時，向該第一線圈供給小於該第一電流的第二電流。
根據請求項1所述的控制方法，其中， <br/> 在該第一驅動及該第二驅動之間的時段，該定子相對於該預定範圍的該位置被改變，以使得該定子和該動子之間的相位角被改變90°。
根據請求項1所述的控制方法，其中： <br/> 該動子包括沿著該多個線圈的排列方向排列的多個磁體，並且 <br/> 在該第一驅動及該第二驅動之間的時段，該定子相對於該預定範圍的該位置被改變了該多個磁體的排列節距的一半的距離。
根據請求項1所述的控制方法，其中， <br/> 在該第一驅動中在該目標物體的驅動操作的次數達到閾值的情況下，該定子相對於該預定範圍的該位置在該第一驅動及該第二驅動之間的時段變化。
根據請求項1所述的控制方法，其中， <br/> 在該第一驅動中在該線性馬達的溫度達到閾值的情況下，該定子相對於該預定範圍的該位置在該第一驅動及該第二驅動之間的時段變化。
根據請求項1所述的控制方法，其中， <br/> 在該第一驅動中在該多個線圈中的至少一個線圈的電氣特性達到閾值的情況下，該定子相對於該預定範圍的該位置在該第一驅動及該第二驅動之間的時段變化，並且 <br/> 該電氣特性包括電阻值、電壓值、電流值和電感值中的至少一個。
根據請求項1所述的控制方法，其中， <br/> 在該第一驅動中在指示出該目標物體的驅動狀態的測量值與目標值之間的差達到閾值的情況下，該定子相對於該預定範圍的該位置在該第一驅動及該第二驅動之間的時段變化，並且 <br/> 該驅動狀態包括速度、加速度和位置中的至少一個。
根據請求項1所述的控制方法，其中， <br/> 該線性馬達是多相勵磁驅動型線性馬達。
根據請求項1所述的控制方法，其中： <br/> 該多個線圈包括該第一線圈及與該第一線圈相鄰的第二線圈，用於在該預定範圍內加速該動子，並且 <br/> 改變該第一線圈和該第二線圈的輸出比率，使得在該第二驅動中該第一線圈的輸出比率由在該第一驅動中該第一線圈的輸出比率減小，並且在該第二驅動中該第二線圈的輸出比率由在該第一驅動中該第一線圈的輸出比率增加。
根據請求項1所述的控制方法，其中： <br/> 該多個線圈包括第三線圈及與該第三線圈相鄰的第四線圈，用於在該預定範圍內減速該動子，並且 <br/> 改變該第三線圈和該第四線圈的輸出比率，使得在該第二驅動中該第三線圈的輸出比率由在該第一驅動中該第三線圈的輸出比率減小，並且在該第二驅動中該第四線圈的輸出比率由在該第一驅動中該第四線圈的輸出比率增加。
根據請求項1所述的控制方法，其中： <br/> 當在該第一驅動中以該預定方向加速該動子時，向該多個線圈中與該第一線圈相鄰的第二線圈供給第三電流，並且 <br/> 當在該第二驅動中以該預定方向加速該動子時，向該第二線圈供給大於該第三電流的第四電流。
根據請求項1所述的控制方法，還包括：基於該目標物體的驅動操作的次數、該線性馬達的溫度、該多個線圈中至少一個的電氣特性以及指示該目標物體的驅動狀態的測量值中的至少一個，確定是否在該第一驅動及該第二驅動之間的時段內改變該定子的該位置。
一種驅動目標物體的驅動裝置，包括： <br/> 線性馬達，包括其中排列有多個線圈的定子以及設有該目標物體的動子； <br/> 移動機構，被配置成使該定子沿著該多個線圈的排列方向移動；以及 <br/> 控制器，被配置成控制該線性馬達及該移動機構， <br/> 其中，該控制器被配置成： <br/> 執行藉由該線性馬達在預定範圍內驅動該動子的第一驅動處理， <br/> 在該第一驅動處理後，執行藉由該移動機構改變該定子相對於該預定範圍的位置的改變處理，並且 <br/> 在該改變處理後，執行藉由該線性馬達在該預定範圍內驅動該動子的第二驅動處理， <br/> 其中，該控制器被配置成當在該第一驅動處理中以預定方向加速該動子時，向該多個線圈中的第一線圈供給第一電流並且當在該第二驅動處理中以該預定方向加速該動子時，向該第一線圈供給小於該第一電流的第二電流。
根據請求項13所述的驅動裝置， <br/> 其中，該控制器被配置成： <br/> 當在該第一驅動中以該預定方向加速該動子時，向該多個線圈中與該第一線圈相鄰的第二線圈供給第三電流，並且 <br/> 當在該第二驅動中以該預定方向加速該動子時，向該第二線圈供給大於該第三電流的第四電流。
根據請求項13所述的驅動裝置，其中，該控制器被配置成基於該目標物體的驅動操作的次數、該線性馬達的溫度、該多個線圈中至少一個的電氣特性以及指示該目標物體的驅動狀態的測量值中的至少一個，確定是否在該第一驅動及該第二驅動之間的時段內改變該定子的該位置。
一種在基板上形成圖案的光刻裝置，其特徵在於，包括： <br/> 在請求項13至14中任一項定義的驅動裝置， <br/> 其中，驅動裝置驅動作為要被驅動的目標物體的、保持基板或包括要轉印到基板上的圖案的原版的載置台。
一種物品製造方法，其特徵在於，該方法包括： <br/> 通過使用根據請求項16所述的光刻裝置在基板上形成圖案； <br/> 加工其上已形成圖案的基板以製造物品。
一種自行車變速器系統，其包括： <br/>一記憶體，其經組態以儲存與至少一個變速器及至少一個鏈輪總成相關之資訊； <br/>一攝影機，其經組態以捕獲一目標鏈輪總成及包含一致動器之一目標變速器之一影像；及 <br/>一控制器，其經組態以基於該資訊及由該攝影機捕獲之該影像來識別一預設距離與一實際距離之間的一距離差且經組態以基於該距離差來控制該致動器， <br/>該預設距離經界定於儲存於該記憶體中之該資訊中，且 <br/>該實際距離經界定於該目標變速器與該目標鏈輪總成之間； <br/>其中該目標鏈輪總成包含複數個鏈輪， <br/>該目標變速器包含一導滑輪，且 <br/>該控制器控制該致動器以調整界定於該複數個鏈輪之所有鏈輪之鏈輪齒與該目標變速器之該導滑輪之一滑輪齒之間的該實際距離。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該至少一個鏈輪總成包含複數個鏈輪總成，且 <br/>該至少一個變速器包含複數個變速器。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該資訊包含與複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之識別相關之資訊及與複數個變速器之各變速器之識別相關之資訊。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該至少一個鏈輪總成包含複數個鏈輪總成， <br/>該至少一個變速器包含複數個變速器， <br/>該資訊包含與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之識別相關之資訊及與該複數個變速器之各變速器之識別相關之資訊， <br/>基於由該攝影機捕獲之該影像，該控制器比較與該複數個鏈輪總成之該識別相關之該資訊及與該複數個變速器之該識別相關之該資訊與該目標鏈輪總成及該目標變速器以選擇該複數個鏈輪總成之一者及該複數個變速器之一者， <br/>該複數個鏈輪總成之該一者對應於該目標鏈輪總成，且 <br/>該複數個變速器之該一者對應於該目標變速器。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該至少一個鏈輪總成包含複數個鏈輪總成， <br/>該至少一個變速器包含複數個變速器， <br/>該資訊包含與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之識別相關之資訊及與該複數個變速器之各變速器之識別相關之資訊， <br/>該控制器顯示該複數個鏈輪總成及該複數個變速器之一清單，使得一使用者可手動選擇該複數個鏈輪總成之一者及該複數個變速器之一者， <br/>該複數個鏈輪總成之該一者對應於該目標鏈輪總成，且 <br/>該複數個變速器之該一者對應於該目標變速器。
如請求項4或5之自行車變速器系統，其中 <br/>與該複數個變速器之各變速器之該識別相關之該資訊及與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之該識別相關之該資訊各包含一型號。
如請求項4或5之自行車變速器系統，其中 <br/>與該複數個變速器之各變速器之該識別相關之該資訊及與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之該識別相關之該資訊包含該複數個變速器之各變速器之一形狀及該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之一形狀。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該至少一個鏈輪總成包含複數個鏈輪總成， <br/>該至少一個變速器包含複數個變速器， <br/>該資訊包含與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之該識別相關之資訊及與該複數個變速器之各變速器之該識別相關之資訊， <br/>該控制器基於提供至該目標鏈輪總成及該目標變速器之至少一者之至少一個QR碼來將該目標鏈輪總成及該目標變速器識別為該複數個鏈輪總成之一者及該複數個變速器之一者。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該控制器控制該致動器，使得該導滑輪之該滑輪齒定位於該複數個鏈輪之一者之該鏈輪齒正下方。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成相關之該資訊包含與該複數個鏈輪總成之該各鏈輪總成中之各相鄰鏈輪之間的距離相關之資訊。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成相關之該資訊包含與該複數個鏈輪總成之各鏈輪總成之一鏈輪總數相關之資訊。
如請求項1之自行車變速器系統，其中 <br/>該變速器包含 <br/>一基部構件，其經組態以附接至自行車， <br/>一可移動構件，其可相對於該基部構件移動， <br/>一連桿機構，其操作地連接該基部構件及該可移動構件，及 <br/>一鏈條導件，其圍繞一鏈條導件旋轉軸線可旋轉地連接至該可移動構件，該鏈條導件包含一張緊輪，其圍繞不同於該鏈條導件旋轉軸線及該導滑輪軸線之一張緊輪旋轉軸線可旋轉地附接至該鏈條導件；且 <br/>其中該導滑輪圍繞不同於該鏈條導件旋轉軸線之一導滑輪軸線可旋轉地附接至該鏈條導件。
一種無塵室，其特徵在於具備：儲藏區，其設置有物品管理庫；<br/> 前述物品管理庫，具備上側開放部；下側排氣口，其構成為能夠調整開口率；搬送裝置；及，物品進出口；<br/> 前述搬送裝置，具備搬送台車及移載機器人，該移載機器人構成為能夠在前述物品進出口接受和轉交物品；前述搬送裝置，藉由前述搬送台車來進行自走，且構成為使前述移載機器人的高度對準於目的的高度； <br/> 前述儲藏區的頂板部，具備調節片，其包含具有防止帶電效果之樹脂製的板或片材；及，空氣吹出口；<br/> 前述物品管理庫的前述上側開放部及前述空氣吹出口，構成為以藉由前述調節片來包圍的方式連接，<br/> 並且，將自前述空氣吹出口供給的空氣，通過前述上側開放部且直接地供給到前述物品管理庫內，以不會自前述物品進出口排出的方式來調整前述下側排氣口的開口率，並以自前述空氣吹出口通過前述上側開放部直到前述下側排氣口構成為層流而流動的方式自前述下側排氣口排出。
如請求項1所述之無塵室，其中，由前述物品管理庫來管理的物品，是FOUP或FOSB。
一種衣物乾衣機，具備：<br/> 外槽，彈性支撐於殼體內，且形成有與外部相通的排水部；<br/> 熱泵裝置，將空氣除濕並加熱；<br/> 循環流路，連接有前述外槽與前述熱泵裝置；<br/> 風扇，使前述熱泵裝置產生負壓，而使前述循環流路產生空氣的流動；及<br/> 排水流路，從設置於前述熱泵裝置的入口往下方延伸到設置於前述外槽的出口，以將在前述熱泵裝置產生的除濕水朝前述外槽排水，<br/> 前述循環流路具有使前述外槽的空氣流入前述熱泵裝置的第1循環流路，<br/> 前述第1循環流路連接於設於前述外槽的開口及設於前述熱泵裝置的空氣入口，<br/> 前述空氣入口與前述排水流路的前述入口不同，<br/> 前述開口與前述排水流路的前述出口不同，<br/> 前述排水流路是與前述第1循環流路分開設置，且在使前述風扇動作而進行的乾燥運轉時，因應於由前述出口的壓力與前述入口的壓力之差所造成之壓力梯度，形成將來自前述熱泵裝置的前述除濕水積存於預定的基準位置的儲水部。
一種衣物乾衣機，具備：<br/> 外槽，彈性支撐於殼體內，且形成有與外部相通的排水部；<br/> 熱泵裝置，將空氣除濕並加熱；<br/> 循環流路，連接有前述外槽與前述熱泵裝置；<br/> 風扇，使前述熱泵裝置產生負壓，而使前述循環流路產生空氣的流動；及<br/> 排水流路，從設置於前述熱泵裝置的入口往下方延伸到設置於前述外槽的出口，以將在前述熱泵裝置產生的除濕水朝前述外槽排水，<br/> 前述循環流路具有使前述外槽的空氣流入前述熱泵裝置的第1循環流路，<br/> 前述第1循環流路連接於設於前述外槽的開口及設於前述熱泵裝置的空氣入口，<br/> 前述空氣入口與前述排水流路的前述入口不同，<br/> 前述開口與前述排水流路的前述出口不同，<br/> 前述排水流路是與前述第1循環流路分開設置，且具有從前述出口側朝向前述入口側擴徑的擴徑部，<br/> 並且以前述擴徑部為基準，形成將來自前述熱泵裝置的前述除濕水積存於預定的基準位置的儲水部。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其中前述排水流路在前述出口與前述基準位置之間具有彎曲部。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其中前述排水流路至少在從前述入口到前述基準位置的區間中，均一地往下方延伸。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其中前述排水流路在前述風扇停止時，從前述入口到前述出口隨時連通。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其在前述熱泵裝置內設置壁部，前述壁部相向於前述排水流路的前述入口，且接收前述除濕水。
如請求項6之衣物乾衣機，其在前述壁部中，使遠離前述入口之位置的端部往下方傾斜。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其中前述排水流路的前述出口在設置狀態下，設置於比前述外槽的中心軸更上方的位置。
如請求項2之衣物乾衣機，其中前述擴徑部的側壁從前述入口側朝向前述出口側傾斜。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其中前述排水流路具有伸縮件的部分。
如請求項1或2之衣物乾衣機，其中前述排水流路在乾燥運轉時，因應於流入前述儲水部的前述除濕水的重量超過從前述除濕水的下方作用之空氣的壓力的情況，將前述除濕水的一部分朝向前述出口排水。
一種洗衣機，具備：<br/> 如請求項1至11中任一項之衣物乾衣機；<br/> 供水部，將洗滌水供給至前述外槽；及<br/> 控制部，控制洗滌及乾燥運轉。
一種硬化性樹脂組成物，其特徵在於含有： <br/>硬化性樹脂（A）；以及 <br/>選自由具有下述通式（2-1）所表示的結構的硬化性樹脂（B1）及下述通式（2-2）所表示的硬化性化合物（B2）所組成的群組中的一種以上； <br/>所述硬化性樹脂（A）為選自由如下硬化性樹脂所組成的群組中的一種以上： <br/>下述通式（A1）所表示的硬化性樹脂（A1）； <br/>具有下述通式（A2a）所表示的重複結構及下述通式（A2b）所表示的末端結構的硬化性樹脂（A2）；以及 <br/>具有下述通式（A3a）所表示的重複結構及下述通式（A3b）所表示的末端結構的硬化性樹脂（A3）； <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="107px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（A1）中，Ra分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，W為碳數2～15的烴，n為3～5的整數； <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="136px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（A2a）或通式（A2b）中，Ra分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，X表示烴基，Y表示下述通式（Y1）～通式（Y3）中的任一者； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="94px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（Y1）～通式（Y3）中，Z表示脂環式基、芳香族基或雜環基； <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="131px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（A3b）中，Ra分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基； <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="101px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="28px" width="87px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（2-1）、通式（2-2）中，Rb分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，V為乙烯基，k表示0～4的整數，l表示1～4的整數，m表示0～2的整數。
如請求項1所述的硬化性樹脂組成物，其中所述硬化性樹脂（A）的質量、和所述硬化性樹脂（B1）與所述硬化性化合物（B2）的合計質量以質量比計為99：1～10：90。
如請求項1或2所述的硬化性樹脂組成物，其中所述通式（1）中，至少一個取代基Ra位於取代基M的鄰位。
如請求項3所述的硬化性樹脂組成物，其中所述通式（1）是由下述通式（1-1）所表示； <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="168px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（1-1）中，Ra分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基。
如請求項1或2所述的硬化性樹脂組成物，其中所述通式（2-1）是由下述通式（2-1-1）所表示； <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="141px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（2-1-1）中，Rb分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基或芳烷基，V為乙烯基，k'表示0～2的整數，l'表示1～2的整數，m表示0～2的整數。
如請求項1或2所述的硬化性樹脂組成物，其中所述通式（2-2）是由下述通式（2-2-1）所表示； <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="129px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述通式（2-2-1）中，Rb分別獨立地為碳數1～12的烷基、芳基或芳烷基，V為乙烯基，k'表示0～2的整數，l'表示1～2的整數，m表示0～2的整數。
一種硬化物，是使如請求項1至6中任一項所述的硬化性樹脂組成物發生硬化反應而獲得。
一種清漆，是利用有機溶劑將如請求項1至6中任一項所述的硬化性樹脂組成物稀釋而成者。
一種預浸體，具有增強基材、以及含浸於所述增強基材中的如請求項8所述的清漆的半硬化物。
一種電路基板，是將如請求項9所述的預浸體及銅箔積層，並進行加熱壓接成型而獲得。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一下電極設於一基底上；<br/> 一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction, MTJ)設於該下電極上；<br/> 一第二遮蓋層設於該MTJ上，其中該第二遮蓋層包含釕；<br/> 一阻擋層設於該第二遮蓋層上，其中該阻擋層包含氮化鎢或鈷鎢合金；<br/> 一第三遮蓋層設於該阻擋層上，其中該第三遮蓋層包含鉭，且該第三遮蓋層與該阻擋層不包含相同金屬；以及<br/> 一上電極設於該第三遮蓋層上。
如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第一遮蓋層設於該MTJ上，其中該第二遮蓋層設於該第一遮蓋層上。
如申請專利範圍第2項所述之半導體元件，其中該第一遮蓋層包含金屬氧化物。
如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中該第二遮蓋層以及該上電極包含相同材料。
如申請專利範圍第1項所述之半導體元件，其中該第二遮蓋層厚度小於該上電極厚度。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一下電極設於一基底上；<br/> 一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction, MTJ)設於該下電極上；<br/> 一第二遮蓋層設於該MTJ上，其中該第二遮蓋層包含釕；<br/> 一高熵層設於該第二遮蓋層上；以及<br/> 一上電極設於該高熵層上，其中該上電極包含釕，且該上電極與該高熵層不包含相同金屬。
如申請專利範圍第6項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第一遮蓋層設於該MTJ上，其中該第二遮蓋層設於該第一遮蓋層上。
如申請專利範圍第7項所述之半導體元件，其中該第一遮蓋層包含金屬氧化物。
如申請專利範圍第6項所述之半導體元件，其中該第二遮蓋層厚度小於該上電極厚度。
一種形成一接觸之方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在一基板上的一電晶體的暴露的一源極/汲極區域上沉積一功函數層，該功函數層包含鈦及選自釩與錳的一金屬，鈦與該金屬在該源極/汲極區域上形成一導電矽化物，該導電矽化物具有V<sub>x</sub>Ti<sub>y</sub>Si<sub>z</sub>的一通式或Mn<sub>x</sub>Ti<sub>y</sub>Si<sub>z</sub>的一通式。
一種半導體元件，包含：<br/> 一源極/汲極區域，在一基板上，該源極/汲極區域包含矽；<br/> 一功函數層，在該源極/汲極區域上，該功函數層具有V<sub>x</sub>Ti<sub>y</sub>Si<sub>z</sub>的一通式或Mn<sub>x</sub>Ti<sub>y</sub>Si<sub>z</sub>的一通式；及<br/> 一金屬接觸，在該功函數層上。
一種物理不可仿製功能產生器，包括： <br/>基底；以及 <br/>多個半導體單元，其中每個所述半導體單元包括： <br/>隔離結構，位在所述基底中，且具有第一突出部與凹陷，其中所述第一突出部與所述凹陷彼此相鄰； <br/>第一導線，位在所述第一突出部與所述凹陷上方；以及 <br/>第二導線，位在所述第一導線上方，其中 <br/>至少一個短路隨機地存在於至少一個所述半導體單元中的至少一個所述第一導線與至少一個所述第二導線之間。
如請求項1所述的物理不可仿製功能產生器，其中所述第一導線更位在所述基底的部分頂面上方。
如請求項1所述的物理不可仿製功能產生器，其中所述第一導線具有第二突出部，且所述第二突出部位在所述第一突出部的正上方。
如請求項3所述的物理不可仿製功能產生器，其中與所述第二導線短路的所述第一導線的所述第二突出部與所述第二導線直接接觸。
如請求項1所述的物理不可仿製功能產生器，其中各個所述半導體單元更包括： <br/>介電層，位在所述第一導線與所述隔離結構之間。
如請求項1所述的物理不可仿製功能產生器，其中多個所述半導體單元中的多個所述第一導線彼此分離。
如請求項1所述的物理不可仿製功能產生器，其中多個所述半導體單元中的多個所述第二導線彼此分離。
如請求項1所述的物理不可仿製功能產生器，其中所述第一突出部的頂面高於所述基底的頂面。
一種物理不可仿製功能產生器的製造方法，包括： <br/>提供基底；以及 <br/>形成多個半導體單元，其中每個所述半導體單元包括： <br/>隔離結構，位在所述基底中，且具有第一突出部與凹陷，其中所述第一突出部與所述凹陷彼此相鄰； <br/>第一導線，位在所述第一突出部與所述凹陷上方；以及 <br/>第二導線，位在所述第一導線上方，其中 <br/>至少一個短路隨機地存在於至少一個所述半導體單元中的至少一個所述第一導線與至少一個所述第二導線之間。
如請求項9所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述第一導線具有第二突出部，且所述第二突出部位在所述第一突出部的正上方。
如請求項9所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述第一突出部與所述凹陷的形成方法包括： <br/>在所述隔離結構上形成圖案化罩幕層；以及 <br/>利用所述圖案化罩幕層作為罩幕，移除部分所述隔離結構，而形成所述第一突出部與所述凹陷。
如請求項11所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述圖案化罩幕層包括圖案化硬罩幕層或圖案化光阻層。
如請求項12所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述圖案化罩幕層為所述圖案化硬罩幕層，且所述圖案化罩幕層的形成方法包括進行沉積製程、微影製程與蝕刻製程。
如請求項12所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述圖案化罩幕層為所述圖案化光阻層，且所述圖案化罩幕層的形成方法包括進行微影製程。
如請求項11所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中部分所述隔離結構的移除方法包括濕式蝕刻法。
如請求項9所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述第一突出部與所述凹陷的形成方法包括： <br/>在所述隔離結構上形成圖案化光阻層； <br/>利用所述圖案化光阻層作為罩幕，對所述隔離結構進行離子植入製程，而在所述隔離結構中形成植入區與非植入區； <br/>移除所述圖案化光阻層；以及 <br/>對所述隔離結構進行蝕刻製程，而形成所述第一突出部與所述凹陷，其中在所述蝕刻製程中，所述植入區中的所述隔離結構的蝕刻速率小於所述非植入區中的所述隔離結構的蝕刻速率。
如請求項16所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述蝕刻製程包括濕式蝕刻製程。
如請求項9所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述第一突出部與所述凹陷的形成方法包括： <br/>在所述隔離結構上形成圖案化光阻層； <br/>利用所述圖案化光阻層作為罩幕，對所述隔離結構進行離子植入製程，而在所述隔離結構中形成植入區與非植入區； <br/>移除所述圖案化光阻層；以及 <br/>對所述隔離結構進行蝕刻製程，而形成所述第一突出部與所述凹陷，其中在所述蝕刻製程中，所述植入區中的所述隔離結構的蝕刻速率大於所述非植入區中的所述隔離結構的蝕刻速率。
如請求項18所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，其中所述蝕刻製程包括濕式蝕刻製程。
如請求項9所述的物理不可仿製功能產生器的製造方法，更包括： <br/>在所述第一導線與所述隔離結構之間形成介電層。
一種吸塵器，是構成為吸引塵埃的吸塵器，其具備： <br/>馬達，構成為產生驅動力； <br/>旋轉葉片部，構成為被前述馬達旋轉驅動而產生吸入塵埃的吸入氣流； <br/>貯塵室，容置有捕捉前述吸入氣流所包含的塵埃之過濾部，並且貯留前述過濾部所捕捉的塵埃；及 <br/>馬達控制部，控制前述馬達， <br/>前述貯塵室是構成為接受回收裝置的吸引力，而可將前述貯塵室內的塵埃排出至前述回收裝置，前述回收裝置是構成為吸引前述貯塵室內的塵埃， <br/>前述馬達控制部是構成為執行旋轉抑制控制，前述旋轉抑制控制是抑制前述旋轉葉片部因前述回收裝置的吸引力所產生的回收氣流而旋轉的控制。
如請求項1之吸塵器，其中前述馬達包含有：轉子，連接於前述旋轉葉片部；複數個線圈；及馬達電路，構成為可將電流供給至前述複數個線圈， <br/>前述馬達電路具有成為開啟狀態與關閉狀態的複數個開關元件， <br/>前述旋轉抑制控制包含：藉由前述馬達控制部來控制前述複數個開關元件，以形成前述複數個線圈互相電連接的閉合電路， <br/>起因於前述轉子與前述旋轉葉片部一起旋轉時在前述複數個線圈產生的電動勢，而使電流在前述閉合電路中流動，藉此使前述旋轉葉片部及前述轉子的旋轉能量消耗於來自前述閉合電路的發熱。
如請求項1之吸塵器，其中前述馬達包含有：轉子，連接於前述旋轉葉片部；複數個線圈；及馬達電路，構成為可將電流供給至前述複數個線圈， <br/>前述馬達電路具有成為開啟狀態與關閉狀態的複數個開關元件， <br/>前述旋轉抑制控制包含：藉由前述馬達控制部來控制前述複數個開關元件，以使電流在前述複數個線圈當中的至少1個線圈中流動而產生靜磁場， <br/>當前述轉子位於預定的旋轉位置時，是被產生有前述靜磁場的前述至少1個線圈磁性地吸引。
如請求項3之吸塵器，其更具備： <br/>電池，連接於前述馬達電路；及 <br/>蓄電量檢測部，檢測前述電池的蓄電量， <br/>前述吸塵器更具備回收指示部，前述回收指示部是以前述蓄電量檢測部所檢測的前述蓄電量高於預定的閾值為條件，來對前述回收裝置發出塵埃回收的指示， <br/>前述回收裝置是因應於來自前述回收指示部的指示而開始前述貯塵室內的塵埃的吸引。
如請求項4之吸塵器，其中前述馬達控制部是構成為以前述蓄電量檢測部所檢測的前述蓄電量高於前述預定的閾值為條件，而使電流從前述電池流動至前述複數個線圈當中的至少1個線圈，來產生前述靜磁場。
如請求項4或5之吸塵器，其中若前述蓄電量檢測部所檢測的前述蓄電量並未高於前述預定的閾值，則前述馬達控制部控制前述複數個開關元件以形成前述複數個線圈相互電連接的閉合電路， <br/>起因於前述轉子與前述旋轉葉片部一起旋轉時在前述複數個線圈產生的電動勢，而使電流在前述閉合電路中流動，藉此使前述旋轉葉片部及前述轉子的旋轉能量消耗於來自前述閉合電路的發熱。
如請求項4或5之吸塵器，其更具備充電電路，前述充電電路是構成為在前述吸塵器已連接於前述回收裝置的狀態下從前述回收裝置接受電力，並且將該電力充電至前述電池。
如請求項2至4中任一項之吸塵器，其更具備操作部，前述操作部是被操作而用於指示前述馬達的作動， <br/>當前述操作部被操作以指示前述馬達的作動時，前述馬達控制部是控制前述複數個開關元件，以一面通過前述馬達電路將電流供給至前述複數個線圈，一面從前述複數個線圈產生使前述轉子旋轉的旋轉磁場。
一種反應裝置，係具備：<br/> 窯部，係具有供給口、送出口、筒部以及擋板，前述供給口係位於前述窯部的一端側並接收被供給的原料，前述送出口係位於前述窯部的另一端側並送出反應生成物，前述筒部係可旋轉地沿著前述窯部的中心軸延伸，前述擋板係設置為從前述筒部的內壁通過包含前述中心軸之中央區域；<br/> 驅動部，係以前述中心軸為旋轉中心使前述窯部旋轉；以及<br/> 加熱部，係將前述窯部的外周部加熱； <br/> 前述窯部係構成為使得所接收的預定的原料一邊接觸前述擋板一邊沿著前述中心軸而被搬送往前述送出口；<br/> 前述擋板係具有：比前述原料的粒徑還大的複數個凹部或是能夠供前述原料通過的大小之複數個孔部；<br/> 前述窯部中，形成於作為前述送出口的附近之第三區域之前述擋板所具有的前述凹部或前述孔部的數量係設定為比形成於作為比前述第三區域更遠離前述送出口之第四區域之前述擋板所具有的前述凹部或前述孔部的數量多。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板係形成樑，前述樑係以於將前述內壁中橫跨前述中心軸而對向的兩處連接的方式延伸。
如請求項1所記載之反應裝置，其中當將前述筒部投影至與前述中心軸正交的平面時，前述擋板係擋住圓筒內部的三分之一以上的面積。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板係於前述原料所接觸的接觸面包含複數個凸部。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板係於前述原料所接觸的接觸面具有比前述原料的粒徑大的複數個凹部。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板係具有前述原料能夠通過的大小之複數個孔部。
如請求項1至6中任一項所記載之反應裝置，其中前述窯部中，複數個前述擋板係螺旋狀地形成於前述內壁。
如請求項7所記載之反應裝置，其中前述窯部係設定為：於作為前述供給口的附近之第一區域中形成為螺旋狀之前述擋板的第一導程角係比於作為比前述第一區域更遠離前述供給口之第二區域中形成為螺旋狀之前述擋板的第二導程角大。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板係於內部包含：循環路徑，係使藉由前述加熱部控制為預定的溫度的流體循環。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板中，與前述原料接觸的接觸面係由含有碳或陶瓷之構件所構成。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述擋板係於與前述原料接觸的接觸面的內層包含以金屬為主成分之構件。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述加熱部係能夠將前述窯部的內部溫度從室溫加熱至攝氏1500度。
如請求項1所記載之反應裝置，其中前述窯部中，前述筒部的延伸方向係具有相對水平方向為-90度至+90度範圍的傾斜。
一種反應系統，係將作為如請求項7所記載之反應裝置之第一反應裝置以及第二反應裝置予以串聯連接。
一種反應系統，係具備：<br/> 造粒裝置，係對原料施加壓力以製造造粒物；以及<br/> 如請求項7所記載之反應裝置，係接收前述造粒物以製造反應生成物。
一種電池用材料製造系統，係具備：<br/> 如請求項7所記載之反應裝置，係製造固體電解質以作為反應生成物；<br/> 捏合物製造裝置，係將前述固體電解質與黏合劑樹脂捏合並連續擠出，藉此製造捏合物；以及<br/> 片製造裝置，係將前述捏合物成形為片狀以製造電解質片。
一種電池製造系統，係具備：<br/> 如請求項16所記載之電池用材料製造系統；以及<br/> 層壓機，係將含有正極活性物質之電極片層壓至前述電池用材料製造系統所製造的前述電解質片。
一種固體電解質製造系統，係具備：<br/> 如請求項7所記載之反應裝置，係製造固體電解質以作為反應生成物；<br/> 捏合物製造裝置，係將前述固體電解質與黏合劑樹脂捏合並連續擠出，藉此製造捏合物；以及<br/> 片製造裝置，係將前述捏合物成形為片狀以製造片狀的前述固體電解質。
一種反應裝置，係具備：<br/> 窯部，係具有供給口、送出口、筒部以及擋板，前述供給口係位於前述窯部的一端側並接收被供給的原料，前述送出口係位於前述窯部的另一端側並送出反應生成物，前述筒部係可旋轉地沿著前述窯部的中心軸延伸，前述擋板係設置為從前述筒部的內壁通過包含前述中心軸之中央區域；<br/> 驅動部，係以前述中心軸為旋轉中心使前述窯部旋轉；以及<br/> 加熱部，係將前述窯部的外周部加熱； <br/> 前述窯部係構成為使得所接收的預定的原料一邊接觸前述擋板一邊沿著前述中心軸而被搬送往前述送出口；<br/> 前述窯部中，複數個前述擋板係螺旋狀地形成於前述內壁；<br/> 前述窯部係設定為：於作為前述供給口的附近之第一區域中形成為螺旋狀之前述擋板的第一導程角係比於作為比前述第一區域更遠離前述供給口之第二區域中形成為螺旋狀之前述擋板的第二導程角大。
一種反應生成物製造方法，係用以：<br/> 準備窯部，前述窯部係具有供給口、送出口、筒部以及擋板，前述供給口係位於前述窯部的一端側並接收被供給的原料，前述送出口係位於前述窯部的另一端側並送出反應生成物，前述筒部係可旋轉地沿著前述窯部的中心軸延伸，前述擋板係設置為從前述筒部的內壁通過包含前述中心軸之中央區域；<br/> 將前述窯部的內部加熱至預定的溫度；<br/> 從前述供給口供給前述原料；<br/> 藉由使前述窯部以前述中心軸為旋轉中心旋轉，從而一邊使前述原料接觸前述擋板一邊將前述原料沿著前述中心軸往前述送出口搬送；以及<br/> 從前述送出口送出反應生成物；<br/> 前述擋板係具有：比前述原料的粒徑還大的複數個凹部或是能夠供前述原料通過的大小之複數個孔部；<br/> 前述窯部中，形成於作為前述送出口的附近之第三區域之前述擋板所具有的前述凹部或前述孔部的數量係設定為比形成於作為比前述第三區域更遠離前述送出口之第四區域之前述擋板所具有的前述凹部或前述孔部的數量多。
一種反應生成物製造方法，係用以：<br/> 準備窯部，前述窯部係具有供給口、送出口、筒部以及擋板，前述供給口係位於前述窯部的一端側並接收被供給的原料，前述送出口係位於前述窯部的另一端側並送出反應生成物，前述筒部係可旋轉地沿著前述窯部的中心軸延伸，前述擋板係設置為從前述筒部的內壁通過包含前述中心軸之中央區域；<br/> 將前述窯部的內部加熱至預定的溫度；<br/> 從前述供給口供給前述原料；<br/> 藉由使前述窯部以前述中心軸為旋轉中心旋轉，從而一邊使前述原料接觸前述擋板一邊將前述原料沿著前述中心軸往前述送出口搬送；以及<br/> 從前述送出口送出反應生成物；<br/> 前述窯部中，複數個前述擋板係螺旋狀地形成於前述內壁；<br/> 前述窯部係設定為：於作為前述供給口的附近之第一區域中形成為螺旋狀之前述擋板的第一導程角係比於作為比前述第一區域更遠離前述供給口之第二區域中形成為螺旋狀之前述擋板的第二導程角大。
一種加工裝置，具備：<br/> 保持單元，保持被加工物；<br/> 加工單元，對已保持在該保持單元之被加工物進行加工；<br/> 移動單元，使該保持單元與該加工單元相對地移動；<br/> 振動檢測單元；及<br/> 控制單元，控制前述各構成要素，<br/> 該振動檢測單元包含：<br/> 光源；<br/> 干涉單元，將來自該光源之光往被測定構件照射，而生成包含該被測定構件的干涉圖案之干涉圖案圖像，前述干涉圖案是因反射光與參照光的干涉而產生，前述反射光為：將該光分歧為二道且經分歧之一道光在該被測定構件上反射之反射光，前述參照光為：從經分歧之另一道光生成之參照光；及<br/> 拍攝單元，對藉由該干涉單元所生成之被測定構件的該干涉圖案圖像進行拍攝，<br/> 該控制單元具有：<br/> 記憶部，記憶藉由該拍攝單元在預定的時間點所拍攝到的第一干涉圖案圖像、與在和該第一干涉圖案圖像不同的時間點所拍攝到的第二干涉圖案圖像；<br/> 比較部，對已記憶於該記憶部之該第一干涉圖案圖像與該第二干涉圖案圖像進行比較；及<br/> 振動檢測部，依據已藉由該比較部比較之該第一干涉圖案圖像以及該第二干涉圖案圖像來檢測振動。
如請求項1之加工裝置，其中該控制單元更具有三維圖像生成部，前述三維圖像生成部是依據在和拍攝方向平行的方向上改變該拍攝單元的位置而拍攝到的複數個干涉圖案圖像，來生成該被測定構件的三維圖像。
如請求項1或2之加工裝置，其中該被測定構件是保持被加工物之保持單元。
一種振動檢測方法，是檢測振動之振動檢測方法，具備有以下步驟：<br/> 光照射步驟，對被測定構件照射光；<br/> 拍攝步驟，拍攝包含干涉圖案之干涉圖案圖像，前述干涉圖案是因反射光與參照光的干涉而產生，前述反射光為：將該光分歧為二道且經分歧之一道光在該被測定構件上反射之反射光，前述參照光為：從經分歧之另一道光生成之參照光；<br/> 記憶步驟，記憶在該拍攝步驟中所拍攝到的干涉圖案圖像；<br/> 比較步驟，對在預定的時間點所拍攝到的第一干涉圖案圖像、與在和該第一干涉圖案圖像不同的時間點所拍攝到的第二干涉圖案圖像進行比較；及<br/> 振動檢測步驟，依據已在該比較步驟中比較之第一干涉圖案圖像以及第二干涉圖案圖像來檢測振動。
如請求項4之振動檢測方法，其中該被測定構件具有目標圖案，<br/> 在該拍攝步驟中是拍攝包含該目標圖案之干涉圖案圖像，<br/> 在該比較步驟中進一步對在預定的時間點所拍攝到的第一干涉圖案圖像中的第一目標圖案的位置、與在和該第一干涉圖案圖像不同的時間點所拍攝到的第二干涉圖案圖像中的第二目標圖案的位置進行比較。
一種用於在一半導體裸晶中形成一有源導孔的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 形成通過該裸晶的一導孔，該導孔具有一第一端和一第二端；<br/> 在該導孔的該第一端處形成一源極觸點；<br/> 在該導孔內且在該源極觸點上方形成一源極-通道界面構件，其中該源極-通道界面構件包括一半導體材料，並且其中該源極-通道界面構件是藉由氧化該源極觸點來形成的；<br/> 在該導孔內且在該源極-通道界面構件上方形成一半導體層；<br/> 在該導孔內且在該半導體層上方形成一閘極介電體；<br/> 在該導孔內且在該閘極介電體上方形成一閘極觸點；<br/> 形成位於該導孔的該第二端處且與該閘極觸點接觸的一閘極電極，以將該閘極觸點與一控制電路電性連接；以及<br/> 在該導孔的該第二端處形成一汲極觸點，該汲極觸點與該半導體層接觸。
如請求項1所述的方法，其中該源極觸點由濺射形成。
如請求項1所述的方法，其中該半導體層由原子層沉積形成。
如請求項3所述的方法，其中該半導體層包括氧化錫。
如請求項1所述的方法，其中該有源導孔是在一產線後段（back end of line）製程中形成的。
如請求項1所述的方法，其中該導孔是一局部導孔、一全域導孔或一通矽導孔中的一者。
如請求項1所述的方法，其中該半導體層不包覆該導孔的該第二端處的該閘極觸點，以暴露該閘極觸點的一表面，以用於連接該閘極電極。
如請求項7所述的方法，其中該半導體層在已完成的該有源導孔中不包覆該導孔的該第二端處的該閘極觸點。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：形成位於該導孔的該第二端處且與該汲極觸點接觸的一汲極電極，其中該汲極電極和該閘極電極形成在同一平面內。
一種抗蝕劑底層膜形成用組成物，含有： <br/>[A]化合物，含有金屬原子以及選自由有機酸、羥基酸酯、β-二酮、α,α-二羧酸酯及胺化合物所組成的群組中的至少一種的[x]化合物； <br/>聚合物，具有下述式（1）所表示的第一結構單元及下述式（2）所表示的第二結構單元；以及 <br/>溶媒， <br/>相對於抗蝕劑底層膜形成用組成物中所含有的所有成分，[A]化合物的含有比例為2質量%～30質量%， <br/>相對於[A]化合物10質量份，聚合物的含有比例為0.00001質量份～2質量份， <br/>相對於[A]化合物及溶媒的合計量，溶媒的含量為50質量%～99質量%， <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="346px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>為氫原子、或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基；R<sup>2</sup>為經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基； <br/><br/><img align="absmiddle" height="168px" width="363px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（2）中，R<sup>3</sup>為氫原子、或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基；L為單鍵或二價連結基；Ar為自經取代或未經取代的環員數6～20的芳香環中去除（n+1）個氫原子而成的基；R<sup>4</sup>為碳數1～10的一價羥基烷基或羥基；n為0～8的整數；於n為2以上的情況下，多個R<sup>4</sup>相同或不同。
如請求項1所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中R<sup>2</sup>為經取代或未經取代的碳數1～20的一價鏈狀烴基。
如請求項1或請求項2所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中R<sup>2</sup>為經取代的碳數1～20的一價鏈狀烴基，所述鏈狀烴基所具有的氫原子的一部分或全部經氟原子取代。
如請求項1或請求項2所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中式（2）中，n為1～8的整數，至少一個R<sup>4</sup>為單羥基烷基。
如請求項4所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述單羥基烷基為單羥基甲基。
如請求項1或請求項2所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述第一結構單元於構成所述聚合物的所有結構單元中所佔的含有比例為10莫耳%以上且90莫耳%以下。
如請求項1或請求項2所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述第二結構單元於構成所述聚合物的所有結構單元中所佔的含有比例為10莫耳%以上且90莫耳%以下。
如請求項1或請求項2所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述[A]化合物中所含的金屬原子屬於週期表第3族～第16族。
如請求項1或請求項2所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述[A]化合物中所含的金屬原子屬於週期表第4族。
一種半導體基板的製造方法，包括： <br/>於基板上直接或間接地塗敷抗蝕劑底層膜形成用組成物的塗敷步驟； <br/>於藉由所述塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜上直接或間接地形成抗蝕劑圖案的步驟；以及 <br/>藉由以所述抗蝕劑圖案為遮罩的蝕刻而於所述抗蝕劑底層膜上形成圖案的步驟， <br/>所述抗蝕劑底層膜形成用組成物含有： <br/>[A]化合物，含有金屬原子以及選自由有機酸、羥基酸酯、β-二酮、α,α-二羧酸酯及胺化合物所組成的群組中的至少一種的[x]化合物； <br/>聚合物，具有下述式（1）所表示的第一結構單元及下述式（2）所表示的第二結構單元；以及 <br/>溶媒， <br/>相對於抗蝕劑底層膜形成用組成物中所含有的所有成分，[A]化合物的含有比例為2質量%～30質量%， <br/>相對於[A]化合物10質量份，聚合物的含有比例為0.00001質量份～2質量份， <br/>相對於[A]化合物及溶媒的合計量，溶媒的含量為50質量%～99質量%， <br/><br/><img align="absmiddle" height="141px" width="346px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>為氫原子、或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基；R<sup>2</sup>為經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基； <br/><br/><img align="absmiddle" height="168px" width="363px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（2）中，R<sup>3</sup>為氫原子、或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基；L為單鍵或二價連結基；Ar為自經取代或未經取代的環員數6～20的芳香環中去除（n+1）個氫原子而成的基；R<sup>4</sup>為碳數1～10的一價羥基烷基或羥基；n為0～8的整數；於n為2以上的情況下，多個R<sup>4</sup>相同或不同。
如請求項10所述的半導體基板的製造方法，其中於所述形成抗蝕劑圖案的步驟之前更包括如下步驟： <br/>於藉由所述塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜上直接或間接地形成有機底層膜的步驟。
如請求項10或請求項11所述的半導體基板的製造方法，其中於所述形成抗蝕劑圖案的步驟之前更包括如下步驟： <br/>於藉由所述塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜上直接或間接地形成含矽膜的步驟。
一種抗蝕劑底層膜的形成方法，包括如下步驟： <br/>於基板上直接或間接地塗敷抗蝕劑底層膜形成用組成物的步驟， <br/>所述抗蝕劑底層膜形成用組成物含有： <br/>[A]化合物，含有金屬原子以及選自由有機酸、羥基酸酯、β-二酮、α,α-二羧酸酯及胺化合物所組成的群組中的至少一種的[x]化合物； <br/>聚合物，具有下述式（1）所表示的第一結構單元及下述式（2）所表示的第二結構單元；以及 <br/>溶媒， <br/>相對於抗蝕劑底層膜形成用組成物中所含有的所有成分，[A]化合物的含有比例為2質量%～30質量%， <br/>相對於[A]化合物10質量份，聚合物的含有比例為0.00001質量份～2質量份， <br/>相對於[A]化合物及溶媒的合計量，溶媒的含量為50質量%～99質量%， <br/><br/><img align="absmiddle" height="141px" width="346px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>為氫原子、或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基；R<sup>2</sup>為經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基； <br/><br/><img align="absmiddle" height="168px" width="363px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（2）中，R<sup>3</sup>為氫原子、或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基；L為單鍵或二價連結基；Ar為自經取代或未經取代的環員數6～20的芳香環中去除（n+1）個氫原子而成的基；R<sup>4</sup>為碳數1～10的一價羥基烷基或羥基；n為0～8的整數；於n為2以上的情況下，多個R<sup>4</sup>相同或不同。
一種加熱炊具，其對內鍋內的食材進行加熱烹調，其特徵在於，<br/> 該加熱炊具具備：<br/> 主體部，其用於收容前述內鍋；<br/> 蓋部，其安裝於前述主體部之上並覆蓋前述內鍋；<br/> 閥構件，其使連通前述內鍋的內部和外部的連通路徑開閉；以及<br/> 開閥機構，其根據規定的操作驅動前述閥構件，從而打開前述連通路徑，<br/> 前述主體部具有供前述蓋部載置的載置面，<br/> 前述蓋部從安裝於前述主體部之上並與前述主體部卡定著的第1狀態起在與前述載置面平行的旋轉方向上相對於前述主體部旋轉，從而成為解除與前述主體部之間的卡定而能夠從前述主體部之上拆卸的第2狀態，<br/> 前述規定的操作包括用於從前述第1狀態成為前述第2狀態所進行的前述蓋部的旋轉，<br/> 前述主體部具有隨著向前述旋轉方向行進而朝向前述蓋部那一側傾斜的傾斜部，<br/> 前述開閥機構包括驅動構件，該驅動構件隨著用於從前述第1狀態成為前述第2狀態所進行的前述蓋部的旋轉而移動，從而驅動前述閥構件來打開前述連通路徑，<br/> 前述驅動構件具有在前述旋轉過程中與前述傾斜部抵接的部分，前述驅動構件在前述旋轉過程中沿著前述傾斜部移動，從而驅動前述閥構件。
如請求項1之加熱炊具，其特徵在於，<br/> 前述驅動構件構成為前述部分相對於前述蓋部的與前述主體部的前述載置面相對的面向前述主體部那一側突出。
如請求項1之加熱炊具，其特徵在於，<br/> 前述傾斜部以相對於前述載置面向前述蓋部那一側突出的方式構成，<br/> 前述蓋部具有在前述蓋部安裝於前述主體部時收納前述傾斜部的槽。
如請求項3之加熱炊具，其特徵在於，<br/> 前述驅動構件的前述部分配置於前述槽的內側。
如請求項1至4中任一項之加熱炊具，其特徵在於，<br/> 前述主體部具有：銷構件，其能夠向前述蓋部那一側突出；和致動器，其驅動前述銷構件進行突出動作，<br/> 前述驅動構件構成為，在前述第1狀態下，隨著前述致動器對前述銷構件進行的突出驅動而移動，從而驅動前述閥構件，<br/> 前述傾斜部設置於前述銷構件的在前述旋轉方向上的旁邊。
如請求項1至4中任一項之加熱炊具，其特徵在於，<br/> 該加熱炊具還具備為了使氣體從前述內鍋的內部向機外排氣而供使用者按下的按鈕，<br/> 前述規定的操作包括前述按鈕的按下。
如請求項1至4中任一項之加熱炊具，其特徵在於，<br/> 前述主體部具有能夠收容前述內鍋的收容部，<br/> 前述蓋部具有覆蓋前述收容部的內蓋，<br/> 在前述第1狀態下，從前述收容部的周緣部朝向外側突出來的凸緣與從前述內蓋的周緣部突出來的爪部卡合，從而使前述主體部與前述蓋部卡定，<br/> 在前述第2狀態下，前述蓋部從前述第1狀態起在前述旋轉方向上相對於前述主體部旋轉，從而解除前述凸緣與前述爪部之間的卡合而解除前述主體部與前述蓋部之間的卡定。
一種液晶配向劑，含有聚合物(A)， <br/>該聚合物(A)係選自由聚醯亞胺前驅物、及係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物之聚醯亞胺構成之群組中之1種以上， <br/>該聚醯亞胺前驅物係藉由使含有選自由四羧酸二酐及其衍生物構成之群組中之至少一個化合物(惟四羧酸二醯亞胺二酯化合物除外)及下式(1)表示之二醯亞胺二酯化合物(B)之四羧酸衍生物成分、與二胺成分予以聚合反應而獲得， <br/>該聚合物(A)具有來自該二醯亞胺二酯化合物(B)之下式(1A)表示之基， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="113px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>X<sub>1</sub>表示來自非環族脂肪族四羧酸二酐或脂環族四羧酸二酐或該等之衍生物之4價有機基，R各自獨立地表示碳數1~5之1價有機基， <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="71px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R表示碳數1~5之1價有機基，＊表示和X<sub>1</sub>鍵結之原子鍵。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該式(1)中之X<sub>1</sub>，表示來自具有碳數4~16之非環族脂肪族烴基或碳數4~16之脂環族脂肪族烴基之四羧酸二酐或其衍生物之4價有機基。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該式(1)中之X<sub>1</sub>表示下式(x-1)~式(x-18)中之任一者， <br/><img align="absmiddle" height="183px" width="182px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數2~6之烯基、碳數2~6之炔基、含有氟原子之碳數1~6之1價有機基、碳數1~6之烷氧基、碳數2~6之烷氧基烷基、碳數2~6之烷氧基羰基、或苯基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地表示氫原子或甲基， <br/>式(x-9)中之 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="65px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>表示單鍵、或雙鍵。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該二醯亞胺二酯化合物(B)表示下式(b-1)~(b-9)表示之化合物之至少任一者， <br/><img align="absmiddle" height="197px" width="213px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該四羧酸衍生物成分含有下式(2)表示之四羧酸二酐， <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="66px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>X表示選自由下式(x-1)~(x-18)、及(xr-1)~(xr-2)構成之群組中之結構， <br/><img align="absmiddle" height="183px" width="182px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="35px" width="163px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數2~6之烯基、碳數2~6之炔基、含有氟原子之碳數1~6之1價有機基、碳數1~6之烷氧基、碳數2~6之烷氧基烷基、碳數2~6之烷氧基羰基、或苯基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地表示氫原子或甲基， <br/>式(x-9)中之 <br/><img align="absmiddle" height="17px" width="65px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>表示單鍵、或雙鍵， <br/>j及k為0或1之整數，A<sub>1</sub>及A<sub>2</sub>各自獨立地表示單鍵、-O-、-CO-、-COO-、伸苯基、磺醯基、或醯胺基，多個A<sub>2</sub>可各相同也可不同，＊1係鍵結於其中一酸酐基之原子鍵，＊2係鍵結於另一酸酐基之原子鍵。
如請求項5之液晶配向劑，其中，該式(x-1)係選自由下式(x1-1)~(x1-6)構成之群組， <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="224px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>＊1係鍵結於其中一酸酐基之原子鍵，＊2係鍵結於另一酸酐基之原子鍵。
如請求項1之液晶配向劑，其中，該二胺成分含有下式(3)表示之二胺， <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="99px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>Ar<sub>1</sub>、及Ar<sub>1’</sub>各表示苯環、聯苯結構、或萘環，該苯環、該聯苯結構、或該萘環上之1個以上之氫原子也可被1價基取代，L<sub>1</sub>及L<sub>1’</sub>各表示單鍵、-O-、-C(＝O)-、或-O-C(＝O)-，A表示-CH<sub>2</sub>-、碳數2~12之伸烷基、或該伸烷基之碳-碳鍵之間插入了-O-、-C(＝O)-O-、及-O-C(＝O)-中之至少任一基而成之2價有機基，A擁有之任意氫原子也可被鹵素原子取代。
一種液晶配向膜之製造方法，包括下列步驟： <br/>將如請求項1至7中任一項之液晶配向劑塗佈在基板，進行煅燒並對於獲得之膜照射放射線。
如請求項8之液晶配向膜之製造方法，其中，該煅燒之煅燒溫度為150~250℃。
一種液晶配向膜，係由如請求項1至7中任一項之液晶配向劑形成而成。
一種液晶顯示元件，具備如請求項10之液晶配向膜。
如請求項11之液晶顯示元件，其係IPS驅動方式或FFS驅動方式。
一種聚合物，係選自由聚醯亞胺前驅物、及係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物之聚醯亞胺構成之群組中之1種以上， <br/>該聚醯亞胺前驅物係藉由使含有選自由四羧酸二酐及其衍生物構成之群組中之至少一個化合物(惟四羧酸二醯亞胺二酯化合物除外)及下式(1)表示之二醯亞胺二酯化合物之四羧酸衍生物成分、與二胺成分予以聚合反應而獲得， <br/>該聚合物具有來自該二醯亞胺二酯化合物之下式(1A)表示之基， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="113px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>X<sub>1</sub>表示來自非環族脂肪族四羧酸二酐或脂環族四羧酸二酐或該等之衍生物之4價有機基，R各自獨立地表示碳數1~5之1價有機基， <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="71px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R表示碳數1~5之1價有機基，＊表示和X<sub>1</sub>鍵結之原子鍵。
如請求項13之聚合物，其中，該式(1)中之X<sub>1</sub>表示來自具有碳數4~16之非環族脂肪族烴基或碳數4~16之脂環族脂肪族烴基之四羧酸二酐或其衍生物之4價有機基。
如請求項13之聚合物，其中，該式(1)表示之二醯亞胺二酯化合物係下式(b-1)~(b-6)及式(b-8)表示之化合物之任一者， <br/><img align="absmiddle" height="156px" width="202px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種光子數目分辨偵測器(PNRD)，其包括：<br/>一波導，其具有經連接以接收用於偵測之光子之一輸入；及<br/>多個奈米線，其等在隔開位置處跨該波導橫向延伸，該等奈米線之各者包括在該PNRD之一操作溫度超導之一材料，該等奈米線之各者與一電阻組件串聯連接以提供一分支，該等分支彼此並聯電連接，<br/>其中在該操作溫度，該奈米線之一電時間常數足夠小以引起在該奈米線吸收一光子時鎖存至一鎖存狀態。
如請求項1之PNRD，其中該多個奈米線之不同者依不同角度跨該波導橫向延伸。
如請求項1之PNRD，其中該多個奈米線與該波導之間的漸逝耦合(evanescent couplings)係：<br/>足夠強，使得在該輸入處進入該波導之任何光子將由該多個奈米線之一者吸收之一概率係至少65%，及<br/>足夠弱，使得在該輸入處進入該波導之任何光子將由該多個奈米線之任何特定者吸收之一概率小於5%。
如請求項1之PNRD，其中該多個奈米線具有不超過1000 nm之長度。
如請求項1之PNRD，其中該等奈米線依相對於垂直在+60度至-60度之範圍內之角度跨該波導延伸。
如請求項1之PNRD，其包括一波長選擇性光纖，其藉由一光學耦合來耦合至該波導之該輸入。
如請求項1之PNRD，其包括藉由一光學耦合來耦合至該波導之該輸入之一光纖，其中該光學耦合包括一帶通濾波器。
如請求項1之PNRD，其中該波導經圖案化以產生一諧振結構。
如請求項1之PNRD，其中該等電阻組件與該等奈米線熱隔離。
如請求項1之PNRD，其中該等分支藉由沿該波導之對置側延伸之第一及第二超導導體並聯連接。
如請求項1至10中任一項之PNRD，其包括一電源，其經連接以跨該等分支施加一電壓。
如請求項11之PNRD，其中該電源係一交流(AC)電源供應器且其中該等電阻組件包括提供無功阻抗之若干裝置。
如請求項11之PNRD，其包括可操作以將該等分支冷卻至使該等分支係超導體之溫度之一致冷器，其中該電源位於由該致冷器冷卻之一容體外部。
如請求項11之PNRD，其包括一或多個濾波器，其中該電源包括由一控制器控制之一數位轉類比轉換器(DAC)且該一或多個濾波器係經連接以過濾該DAC之一輸出。
如請求項11之PNRD，其中該電源經組態以輸出一脈衝電壓，且每一電阻組件係可控制以調整對應分支中之一偏壓電流。
如請求項11之PNRD，其包括一電流監測器，其經連接以監測由該等分支自該電源汲取之一電流。
如請求項16之PNRD，其包括一控制器，該控制器經連接以在分別在光子輸送至該PNRD之前及光子輸送至該PNRD之後的第一及第二時間自該電流監測器獲得該電流之量測且藉由處理該電流之該等量測之間的一差來計算該等光子之一數目N。
如請求項17之PNRD，其中該控制器經組態以藉由運算以下來計算光子之該數目：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="74px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中I<sub>START</sub>係該第一時間之該量測電流，I<sub>MEASURE</sub>係該第二時間之該量測電流，且ΔI由以下給出：ΔI=I<sub>BIAS</sub>-I<sub>LATCH</sub>，其中I<sub>BIAS</sub>係一未鎖存狀態中之該等奈米線之一者之一偏壓電流且I<sub>LATCH</sub>係該奈米線處於鎖存狀態中時該等奈米線之該一者中之一電流。
如請求項1之PNRD，其中該PNRD之該等分支分成複數個群組，該等群組之各者之該等分支並聯連接，且該PNRD包括用於該複數個群組之各者之一電源供應器及電流監測器。
一種用於偵測及計數光子之方法，該方法包括：<br/>將具有多個奈米線之一波導冷卻至使該等奈米線係超導之一溫度，該多個奈米線在隔開位置處跨該波導橫向延伸；<br/>使一偏壓電流通過該等奈米線之各者，其中該偏壓電流低於該奈米線之一臨界電流；<br/>將至少一個光子導引至該波導中且允許該光子由該等奈米線之一者漸逝吸收；<br/>在該等奈米線之該一者吸收該光子之後，將該奈米線鎖存於一電阻狀態中；及<br/>量測由該等奈米線汲取之一總電流且處理該量測總電流以計數該光子。
一種保護膜形成膜，係用以在藉由將工件進行加工而獲得之工件加工物的任一處形成保護膜；<br/> 前述工件為晶圓或半導體裝置面板；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，前述保護膜形成膜之硬化物的400nm至700nm之全波長區域的光的反射率為20%以上，前述保護膜形成膜之硬化物的一側的面或兩面的算術平均高度Sa為100nm以下；<br/> 當前述保護膜形成膜為非硬化性的情況，前述保護膜形成膜的400nm至700nm之全波長區域的光的反射率為20%以上，前述保護膜形成膜的一側的面或兩面的算術平均高度Sa為100nm以下。
一種保護膜形成膜，係用以在藉由將工件進行加工而獲得之工件加工物的任一處形成保護膜；<br/> 前述工件為晶圓或半導體裝置面板；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，前述保護膜形成膜之硬化物的400nm至700nm之全波長區域的光的反射率為20%以上，前述保護膜形成膜之硬化物的自380nm至780nm之波長區域的光的反射率所算出之Yxy表色系統中的x值為0.26至0.34，且前述Yxy表色系統中的y值為0.26至0.34；<br/> 當前述保護膜形成膜為非硬化性的情況，前述保護膜形成膜的400nm至700nm之全波長區域的光的反射率為20%以上，前述保護膜形成膜的自380nm至780nm之波長區域的光的反射率所算出之Yxy表色系統中的x值為0.26至0.34，且前述Yxy表色系統中的y值為0.26至0.34。
一種保護膜形成膜，係用以在藉由將工件進行加工而獲得之工件加工物的任一處形成保護膜；<br/> 前述工件為晶圓或半導體裝置面板；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，前述保護膜形成膜之硬化物的400nm至700nm之全波長區域的光的反射率為20%以上，前述保護膜形成膜之硬化物的自380nm至780nm之波長區域的光的反射率所算出之Yxy表色系統中的Y值為20以上；<br/> 當前述保護膜形成膜為非硬化性的情況，前述保護膜形成膜的400nm至700nm之全波長區域的光的反射率為20%以上，前述保護膜形成膜的自380nm至780nm之波長區域的光的反射率所算出之Yxy表色系統中的Y值為20以上。
如請求項1至3中任一項所記載之保護膜形成膜，其中前述保護膜形成膜含有白色顏料。
如請求項1至3中任一項所記載之保護膜形成膜，其中當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，前述保護膜形成膜之硬化物的400nm至700nm之波長區域的光的反射率的最大值為25%以上；<br/> 當前述保護膜形成膜為非硬化性的情況，前述保護膜形成膜的400nm至700nm之波長區域的光的反射率的最大值為25%以上。
如請求項1至3中任一項所記載之保護膜形成膜，其中前述工件加工物為發光元件中的晶片。
一種保護膜形成用複合片，係具備：支撐片、及設置於前述支撐片之一側的面上的保護膜形成膜；<br/> 前述保護膜形成膜為如請求項1至6中任一項所記載之保護膜形成膜。
一種具保護膜之工件加工物的製造方法，前述具保護膜之工件加工物係具備：藉由將工件進行加工而獲得之工件加工物、及設置於前述工件加工物的任一處之保護膜；<br/> 前述工件為晶圓或半導體裝置面板；<br/> 前述保護膜係由如請求項7所記載之保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜所形成；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，前述保護膜形成膜之硬化物為前述保護膜，當前述保護膜形成膜為非硬化性的情況，貼附於前述工件的任一處後的前述保護膜形成膜為前述保護膜；<br/> 前述製造方法係具有以下步驟：貼附步驟，係藉由將前述保護膜形成用複合片中的前述保護膜形成膜貼附至作為前述工件的目標之處，來製作在前述工件設置有前述保護膜形成用複合片而成之第1積層體；<br/> 加工步驟，係在前述貼附步驟之後，藉由將前述工件進行加工來製作前述工件加工物；以及<br/> 切斷步驟，係在前述貼附步驟之後，將前述保護膜形成膜或保護膜進行切斷；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，進而具有硬化步驟，係在前述貼附步驟之後，藉由使前述保護膜形成膜加以硬化來形成前述保護膜。
一種具保護膜之工件加工物的製造方法，前述具保護膜之工件加工物係具備：藉由將工件進行加工而獲得之工件加工物、及設置於前述工件加工物的任一處之保護膜；<br/> 前述工件為晶圓或半導體裝置面板；<br/> 前述保護膜係由如請求項1至6中任一項所記載之保護膜形成膜所形成；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，前述保護膜形成膜之硬化物為前述保護膜，當前述保護膜形成膜為非硬化性的情況，貼附於前述工件的任一處後的前述保護膜形成膜為前述保護膜；<br/> 前述製造方法係具有以下步驟：貼附步驟，係藉由將前述保護膜形成膜貼附至作為前述工件的目標之處，來製作在前述工件設置有前述保護膜形成膜或保護膜而成之第2積層體；<br/> 加工步驟，係在前述貼附步驟之後，藉由將前述工件進行加工來製作前述工件加工物；以及<br/> 切斷步驟，係在前述貼附步驟之後，將前述保護膜形成膜或保護膜進行切斷；<br/> 當前述保護膜形成膜為硬化性的情況，進而具有硬化步驟，係在前述貼附步驟之後，藉由使前述保護膜形成膜加以硬化來形成前述保護膜。
一種奧西曲匹（obicetrapib）或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，用於製造用於預防性及/或治療性治療罹患心血管疾病（CVD）或處於罹患心血管疾病（CVD）的風險下的個體的方法中的藥劑，化合物具有以下結構式： <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="263px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中個體為高強度他汀（high-intensity statin；HIS）療法的弱反應者且其中所述方法更包括伴隨他汀療法，其中對HIS療法的弱反應性是指接受HIS療法的個體未能達到35% LDL-C降低。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中高強度他汀療法表示在正常反應性個體中顯示LDL-C降低≥50%的他汀方案。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括經口投與奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括以4毫克至25毫克的劑量經口投與奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物，或以等效劑量經口投與奧西曲匹的鹽或水合物。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括以5毫克的劑量經口投與奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物，或以等效劑量經口投與奧西曲匹的鹽或水合物。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括以10毫克的劑量經口投與奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物，或以等效劑量經口投與奧西曲匹的鹽或水合物。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括每日一次投與奧西曲匹或其鹽或水合物。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括以70毫克至90毫克的範圍內的日劑量投與阿托伐他汀（atorvastatin）。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括以30毫克至50毫克的範圍內的日劑量投與羅素他汀（rosuvastatin）。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中個體在連續HIS療法的至少3個月之後具有升高的至少70毫克/分升的LDL-C血漿含量。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法有效於及/或意欲使LDL-C血漿含量相對於基線降低至少25毫克/分升，其中基線定義為開始用奧西曲匹作為HIS療法的附加物進行治療。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中待治療的個體在連續HIS療法的至少3個月之後具有升高的至少70毫克/分升的ApoB血漿含量。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法有效於及/或意欲使ApoB血漿含量相對於基線降低至少25毫克/分升，其中基線定義為開始用奧西曲匹作為HIS療法的附加物進行治療。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中所述方法包括在至少六個月的時段期間，重複投與含有奧西曲匹或其鹽或水合物的醫藥組成物。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中個體為罹患糖尿病、高血壓、高膽固醇血症、超重/肥胖症及/或代謝症候群的個體。
如請求項1所述的奧西曲匹或其醫藥學上可接受的鹽或水合物的用途，其中個體罹患動脈粥樣硬化性心血管疾病（ASCVD）或處於罹患動脈粥樣硬化性心血管疾病（ASCVD）的風險。
一種樹脂組合物，其係包含烯烴系聚合物A、聚合物B-1、及聚合物B-2者，且 <br/>上述聚合物B-1係具有150～220℃之熔點之聚(3-羥基烷酸酯)系聚合物， <br/>上述聚合物B-2係具有180～220℃之熔點之芳香族聚酯， <br/>相對於上述烯烴系聚合物A、上述聚合物B-1及上述聚合物B-2之合計100質量份，上述烯烴系聚合物A之含量為70～95質量份，上述聚合物B-1之含量為1～15質量份，上述聚合物B-2之含量為1～25質量份。
如請求項1之樹脂組合物，其中相對於上述烯烴系聚合物A、上述聚合物B-1及上述聚合物B-2之合計100質量份，上述烯烴系聚合物A之含量為80～90質量份，上述聚合物B-1之含量為1～10質量份，上述聚合物B-2之含量為1～20質量份。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述烯烴系聚合物A係丙烯均聚物。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述聚合物B-1包含3-羥基丁酸酯之結構單元。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述聚合物B-1相對於羥基烷酸酯之全部結構單元(100莫耳%)，包含50莫耳%以上之3-羥基丁酸酯之結構單元。
一種清洗裝置，其特徵在於，具備： <br/>保持台，其具有保持板狀工件之保持面，並以通過該保持面的中心且與該保持面垂直之直線作為旋轉軸進行旋轉； <br/>清洗噴嘴，其從保持於該保持台之該板狀工件的上方對該板狀工件供給水； <br/>防水壁，其以將配置該保持台及該清洗噴嘴之清洗空間的上側開放之方式圍繞該清洗空間；以及 <br/>搬送機構，其將該板狀工件搬入該保持台，且／或從該保持台搬出該板狀工件， <br/>該搬送機構具有： <br/>保持部，其保持該板狀工件；以及 <br/>蓋部，其配置於該保持部的上方， <br/>該蓋部包含： <br/>多孔板，其設置於該保持部側；以及 <br/>基板，其形成有與該多孔板及吸引源連通之吸引路徑。
一種用於對樣品進行度量的基於光學的系統，所述樣品具有折射率為<i>n</i><sub>s</sub>的基板以及兩個或更多個內部小平面，所述兩個或更多個內部小平面嵌入在所述基板中、標稱地平行、並且相對於所述樣品的外部且平坦的第一表面大約垂直，所述系統包括第一光學元件（FOE）和光學裝置，所述光學裝置包括光源、光學設備和光感測部件；<br/> 其中，所述FOE具有大約等於<i>n</i><sub>s</sub>的折射率並且包括外部且平坦的第一表面和外部且平坦的第二表面，所述第二表面與所述FOE的第一表面相對並且相對於所述FOE的第一表面以銳角第一傾角傾斜；<br/> 其中，所述光學裝置被配置成使得能夠將所述樣品和/或所述FOE定位成使得所述FOE的第二表面與所述樣品的第一表面相鄰，並且當被如此定位時，由所述光源生成的第一多個光束將與所述FOE的第一表面大約垂直地照射在所述FOE的第一表面上；<br/> 其中，所述FOE還被配置成將在所述第一多個光束中的光束穿過所述FOE、透射到所述樣品中並且從所述內部小平面反射一次之後從所述樣品出射的第二多個光束聚焦在所述光感測部件上，從而使得能夠測量所述第二多個光束中的光束之間的角度偏差；以及<br/> 其中，所述第二多個光束中的光束之間的角度偏差指示所述內部小平面之間的平行度偏差。
如請求項1所述的系統，其中，所述光學設備包括准直透鏡或准直透鏡組件，所述准直透鏡或准直透鏡元件被配置成對由所述光源生成的光束進行准直，從而製備所述第一多個光束，並且/或者<br/> 其中，所述光學設備包括聚焦透鏡或聚焦透鏡組件，所述聚焦透鏡或聚焦透鏡元件被配置成將所述第二多個光束中的光束聚焦在所述光感測部件上。
如請求項2所述的系統，其中，所述光源是鐳射源。
如請求項1所述的系統，其中，所述光感測部件包括圖像感測器，所述圖像感測器被配置成感測所述第二多個光束；並且/或者<br/> 其中，所述光感測部件包括目鏡元件。
如請求項1所述的系統，其中，所述光學裝置被配置成使得能夠將所述樣品和所述FOE定位成使得所述樣品的第一表面上的第一區域與所述FOE的第二表面完全接觸，所述第一區域由所述樣品的包括所述內部小平面的部分限定。
如請求項1所述的系統，其中，所述樣品是一維反射波導或二維反射波導。
如請求項1所述的系統，其中，所述FOE是棱鏡。
如請求項1所述的系統，其中，所述光學裝置還包括可平移的開縫或開孔的光學掩模和/或多個快門，所述光學掩模和/或所述多個快門被配置成使得能夠一次一個地檢查所述內部小平面。
如請求項4所述的系統，其中，感測的資料包括構成由所述第二多個光束中的光束分別在所述圖像感測器上引起的光斑的圖元的測量強度。
如請求項9所述的系統，還包括計算模組，所述計算模組被配置成基於所述感測的資料來計算所述內部小平面之間的平行度偏差。
如請求項10所述的系統，其中，作為計算所述平行度偏差的一部分，所述計算模組被配置成基於所述感測的資料來計算所述第二多個光束中的光束之間的所述角度偏差。
如請求項10所述的系統，其中，所述計算模組被配置成計算參量ε<sub>avg</sub>和/或ε<sub>max</sub>，其中，ε<sub>avg</sub>等於<img align="absmiddle" height="13px" width="40px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，並且ε<sub>max</sub>等於<img align="absmiddle" height="14px" width="47px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="196px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，並且<img align="absmiddle" height="20px" width="126px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="25px" width="81px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指定第<i>i</i>光斑和第<i>j</i>光斑在所述圖像感測器上的位置的一組二維向量，<i>N</i>是所述內部小平面的數量，<i>M</i> = <i>N</i> · (<i>N</i> - 1)/2，並且<i>f</i>是被配置成將所述返回光束聚焦在所述圖像感測器上的聚焦透鏡或聚焦透鏡組件的焦距。
如請求項10所述的系統，其中，所述光學裝置還包括可平移的開縫或開孔的光學掩模和/或多個快門，所述光學掩模和/或所述多個快門被配置成使得能夠一次一個地檢查所述內部小平面，並且其中，所述計算模組被配置成計算所述兩個或更多個內部小平面中的成對內部小平面之間的平行度偏差。
如請求項13所述的系統，其中，計算所述成對內部小平面之間的平行度偏差包括：計算所述成對內部小平面中的每對內部小平面中的內部小平面之間的俯仰偏差{ε<i><sub>ij</sub></i><sub>, p</sub>}<i><sub>i</sub></i><sub>, <i>j</i></sub> 和/或滾轉偏差{ε<i><sub>ij</sub></i><sub>, r</sub>}<i><sub>i</sub></i><sub>, <i>j</i></sub>，其中，索引<i>i</i>和<i>j</i>涉及不同的內部小平面對，並且ε<i><sub>ij</sub></i><sub>, p</sub>和ε<i><sub>ij</sub></i><sub>, r</sub>分別是所述內部小平面中的第<i>i</i>內部小平面與第<i>j</i>內部小平面之間的俯仰偏差和滾轉偏差。
如請求項14所述的系統，其中，分別經由ε<i><sub>ij</sub></i><sub>, p</sub> = δ<i><sub>ij</sub></i><sub>, p</sub>/(2<i>n</i><sub>s</sub>) = (<i>x<sub>i</sub></i> - <i>x<sub>j</sub></i>)/(2<i>n</i><sub>s</sub> · <i>f</i>)和ε<i><sub>ij</sub></i><sub>, r</sub> = δ<i><sub>ij</sub></i><sub>, r</sub>/(2<i>n</i><sub>s</sub>) = (<i>y<sub>i</sub></i> - <i>y<sub>j</sub></i>)/(2<i>n</i><sub>s</sub> · <i>f</i>)來計算所述ε<i><sub>ij</sub></i><sub>,p</sub>和所述ε<i><sub>ij</sub></i><sub>,r</sub>，其中，δ<i><sub>ij</sub></i><sub>, p</sub>是由所述第<i>i</i>內部小平面的反射引起的所述第二多個光束中的第<i>i</i>光束與由所述第<i>j</i>內部小平面的反射引起的所述第二多個光束中的第<i>j</i>光束之間的俯仰偏差，δ<i><sub>ij</sub></i><sub>, r</sub>是所述第二多個光束中的第<i>i</i>光束與所述第二多個光束中的第<i>j</i>光束之間的滾轉偏差，<img align="absmiddle" height="25px" width="81px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指定由所述第二多個光束中的光束引起的光斑在所述圖像感測器上的位置的一組二維向量，所述指數<i>k</i>標記所述光束，<i>N</i>是所述內部小平面的數量，並且<i>f</i>是被配置成將所述第二多個光束中的光束聚焦在所述圖像感測器上的聚焦透鏡或聚焦透鏡組件的焦距。
如請求項1所述的系統，其中，所述光學裝置被配置成使得能夠將所述樣品和/或所述FOE定位成使得所述樣品的第一表面上的第一區域與所述FOE的第二表面完全接觸，所述第一區域由所述樣品的包括所述內部小平面的部分限定。
如請求項1所述的系統，其中，所述FOE的第一表面用抗反射塗層塗覆。
如請求項1所述的系統，其中，所述光學裝置包括自准直儀，所述自准直儀被配置成生成所述第一多個光束並且將所述第二多個光束中的光束聚焦在所述光感測部件上。
如請求項1至18中任一項所述的系統，其中，所述第二多個光束包括經由所述樣品的第一表面以及經由所述FOE從所述樣品返回的光束。
如請求項19所述的系統，其中，所述樣品包括與所述樣品的第一表面相對的外部且平坦的第二表面，並且其中，在經由所述樣品的第一表面從所述樣品出射之前，所述返回光束從所述樣品的第二表面被反射。
如請求項20所述的系統，其中，所述樣品的內部小平面與所述樣品的第一表面正交，並且所述樣品的第二表面平行於所述樣品的第一表面。
如請求項21所述的系統，其中，所述樣品的相鄰內部小平面以規則間隔間隔開，並且所述第一傾角大約等於（90° - arctan(2<i>d</i><sub>1</sub>/<i>d</i><sub>2</sub>)），其中，<i>d</i><sub>1</sub>是所述樣品的第一表面與所述樣品的第二表面之間的距離，並且<i>d</i><sub>2</sub>是所述樣品的相鄰內部小平面之間的距離。
如請求項1至15中任一項所述的系統，其中，所述樣品包括與所述樣品的第一表面相對的外部且平坦的第二表面，並且其中，所述第二多個光束包括經由所述樣品的第二表面從所述樣品出射的光束。
如請求項23所述的系統，還包括第二光學元件（SOE），所述SOE具有大約等於<i>n</i><sub>s</sub>的折射率並且包括外部且平坦的第一表面和外部且平坦的第二表面，所述第二表面與所述SOE的第一表面相對並且相對於所述SOE的第一表面以銳角第二傾角傾斜；並且<br/> 其中，所述光學裝置附加地被配置成使得能夠將所述樣品和/或所述SOE定位成使得所述SOE的第二表面與所述樣品的第二表面相鄰。
如請求項24所述的系統，其中，所述第二多個光束包括在經由所述樣品的第二表面從所述樣品出射並且透射到所述SOE中之後經由所述SOE的第一表面從所述SOE出射的光束。
如請求項25所述的系統，其中，所述光學裝置還被配置成使得能夠將所述樣品和/或所述SOE定位成使得所述樣品的第一表面上的第一區域與所述FOE的第二表面完全接觸，並且所述樣品的與所述第一區域相對的第二區域與所述SOE的第二表面完全接觸，所述第一區域和所述第二區域由所述樣品的包括所述內部小平面的部分限定。
如請求項26所述的系統，其中，所述樣品的內部小平面與所述樣品的第一表面正交，並且所述樣品的第二表面平行於所述樣品的第一表面。
如請求項27所述的系統，其中，所述第二傾角大約等於所述第一傾角，使得所述第二多個光束中的每個光束與所述SOE的第一表面大約垂直地從所述SOE出射。
如請求項28所述的系統，其中，所述樣品的相鄰內部小平面以規則間隔間隔開，並且所述第一傾角和所述第二傾角中的每一個都等於約（90° - arctan(<i>d</i><sub>1</sub>/<i>d</i><sub>2</sub>)），其中，<i>d</i><sub>1</sub>是所述樣品的第一表面與所述樣品的第二表面之間的距離，並且<i>d</i><sub>2</sub>是所述樣品的相鄰內部小平面之間的距離。
如請求項24所述的系統，其中，所述SOE是棱鏡。
如請求項24所述的系統，其中，所述FOE的第一表面和所述SOE的第一表面用抗反射塗層塗覆。
一種用於驗證樣品的內部小平面之間的平行度的基於光學的方法，所述方法包括以下階段：<br/> 提供樣品，所述樣品包括具有折射率<i>n</i><sub>s</sub>的透光基板以及兩個或更多個內部小平面，所述兩個或更多個內部小平面嵌入在所述基板中，標稱地平行並且與所述樣品的外部且平坦的第一表面大約正交；<br/> 提供具有大約等於<i>n</i><sub>s</sub>的折射率的第一光學元件（FOE），所述FOE包括外部且平坦的第一表面和外部且平坦的第二表面，所述第二表面與所述FOE的第一表面相對並且相對於所述FOE的第一表面以銳角第一傾角傾斜；<br/> 將所述樣品和所述FOE定位成使得所述FOE的第二表面與所述樣品的第一表面相鄰；<br/> 將第一多個光束與所述FOE的第一表面大約垂直地投射在所述FOE的第一表面上；<br/> 獲得第二多個光束，所述第二多個光束在所述第一多個光束中的每個光束穿過所述FOE，透射到所述樣品中並且從所述內部小平面反射一次之後從所述樣品出射；<br/> 感測所述第二多個光束；以及<br/> 基於感測的資料，計算所述內部小平面中的至少一些內部小平面之間的至少一個平行度偏差。
一種連接器，其具備： <br/>導電性之複數個信號接點，其分別連接於沿同一方向延伸之複數個同軸纜線之信號導體，且在垂直於上述同一方向的排列方向上並排； <br/>導電性之接地接點； <br/>絕緣殼體，其保持上述複數個信號接點、及上述接地接點；及 <br/>導電性之殼，其覆蓋上述絕緣殼體之至少一部分；且 <br/>上述複數個信號接點之各者具有： <br/>接點連接部，其連接於上述複數個同軸纜線之任一者之信號導體；及 <br/>接點接觸部，其從上述接點連接部向上述信號導體的端所朝著的方向延伸，並接觸對方連接器之信號接點； <br/>上述接地接點具有： <br/>接地連接部，其連接於上述複數個同軸纜線之外部導體；及 <br/>接地接觸部，其從上述接地連接部向上述信號導體的端所朝著的方向延伸，並接觸上述對方連接器之接地接點； <br/>上述殼具有殼板，其從與上述對方連接器之信號接點及上述對方連接器之接地接點相反的一側，對向於上述複數個信號接點及上述接地接點； <br/>於在上述排列方向相鄰之2個信號接點之間，藉由上述接地接點與上述殼板形成壁部，於上述壁部中，上述接地接點與上述殼板接觸。
如請求項1之連接器，其中上述接地連接部位於沿著上述排列方向的上述兩個信號接點之接點連接部之間， <br/>上述接地接觸部位於沿著上述排列方向的上述兩個信號接點之接點接觸部之間， <br/>上述殼板在上述接地連接部及上述接地接觸部兩處均接觸於上述接地接點。
如請求項1或2之連接器，其中在上述同一方向上，上述接地接點之長度為上述兩個信號接點之長度以上。
如請求項1或2之連接器，其中在與上述同一方向及上述排列方向垂直的正交方向上，上述接地接點之高度高於述2個信號接點的高度。
如請求項1或2之連接器，其中上述絕緣殼體位於上述複數個信號接點與上述殼板之間， <br/>上述接地接點貫通上述絕緣殼體而接觸於上述殼板。
如請求項1或2之連接器，其中上述接地接點與上述殼係在沿著上述同一方向及上述排列方向之面中面接觸。
如請求項1或2之連接器，其中上述殼板具有： <br/>基板，其沿著上述排列方向延伸；及 <br/>伸出部，其從上述基板向上述信號導體之端所朝著的方向伸出；且 <br/>上述接地接點與上述基板及上述伸出部雙方均面接觸。
如請求項7之連接器，其中 <br/>在上述排列方向上，上述伸出部之寬度大於上述接地接點之寬度。
如請求項1或2之連接器，其中上述殼板在與上述複數個信號接點及上述接地接點對向之方向的相反側，具有與上述對方連接器之殼接觸的殼接觸面。
如請求項1或2之連接器，其中上述接地接點、上述殼、及上述複數個信號接點係藉由上述絕緣殼體一體設置。
一種製備塗覆基板的方法，包括： <br/>(a)提供一多孔基板，其中該多孔基板在一表面的至少一區域上具有至少一表面密封層； <br/>(b)施加至少一水性懸浮液到該至少一表面密封層上，其中該至少一水性懸浮液包括至少一難熔金屬碳化物及水；以及 <br/>(c)在步驟(b)之後對該多孔基板進行一燒結製程， <br/>其中該多孔基板包括或由下列所組成之群組的材料所組成：石墨、C/SiC纖維複合材料、SiC/SiC纖維複合材料、碳化陶瓷(carbidic ceramics)、氮化陶瓷(nitridic ceramics)、氧化陶瓷(oxidic ceramics)及其混合物， <br/>其中該至少一表面密封層是選自由熱解碳層(pyrolytical carbon layers)、矽層、硼化鋯層、氮化鉭層、碳化矽層、氮化矽層及其組合所組成之群組。
如請求項1所述之製備方法，其中 <br/>該多孔基板包括或由下述材料所組成：均壓石墨(iso-graphite)；及/或 <br/>該至少一難熔金屬碳化物選自由碳化鈦、碳化鋯、碳化鉿、碳化釩、碳化鈮、碳化鉭、碳化鉻、碳化鉬、碳化鎢及其混合物所組成之群組。
如請求項1或請求項2中任一項所述之製備方法，其中該至少一難熔金屬碳化物以顆粒形式存在於該至少一水性懸浮液中，其中該至少一難熔金屬碳化物的顆粒的平均粒度(d50值)在0.2 µm至2 µm的範圍。
如請求項1或請求項2中任一項所述之製備方法，其中位於該多孔基板的該表面的該至少一區域上的多個孔隙入口被該至少一表面密封層緻密地封閉，使得： <br/>在設置有該至少一表面密封層的該至少一區域中的該多孔基板的氣體滲透率的值為最多1E-16 m <sup>2</sup>；及/或 <br/>在設置有該至少一表面密封層的該至少一區域中的該多孔基板的氣體滲透率為未設置有該表面密封層的該多孔基板的氣體滲透率的最多10 %。
如請求項1或請求項2中任一項所述之製備方法，其中在步驟(a)中是藉由下列方式提供具有該至少一表面密封層的該多孔基板： <br/>用至少一可聚合樹脂(polymerizable resin)浸漬該多孔基板的該表面的至少一部份，並隨後碳化該至少一可聚合樹脂；及/或 <br/>用至少一聚矽烷(polysilane)浸漬該多孔基板的該表面的至少一部份，並隨後熱解該至少一聚矽烷；及/或 <br/>用矽滲入該多孔基板的多個孔隙，並將至少一部分的矽轉化為碳化矽；及/或 <br/>藉由化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)沉積至少一保護層於該多孔基板上，其中該至少一保護層選自由熱解碳層、碳化矽層、氮化矽層及其組合的膜層所組成之群組；及/或 <br/>藉由噴塗製程沉積至少一保護層於該多孔基板上，該至少一保護層選自由矽層、硼化鋯層、氮化鉭層及其組合所組成之群組。
如請求項1或請求項2中任一項所述之製備方法，其中該至少一水性懸浮液為： <br/>相對於該至少一水性懸浮液的總重量，包括60至90 wt%的該至少一難熔金屬碳化物；及/或 <br/>相對於該至少一水性懸浮液的總重量，包括0.01至0.5 wt%的一分散劑；及/或 <br/>相對於該至少一水性懸浮液的總重量，包括0.01至5 wt%的一接合劑；及/或 <br/>藉助一分散裝置混合其成分所製備。
如請求項1或請求項2中任一項所述之製備方法，其中在步驟(b)中的施加該至少一水性懸浮液是藉由浸漬、刷塗或噴塗施加。
如請求項1或請求項2中任一項所述之製備方法，其中在步驟(c)中的該燒結製程是在下列條件下進行： <br/>在2100 °C至2500 °C的溫度下；及/或 <br/>在1小時至15小時的保持時間下；及/或 <br/>在0.1 bar至10 bar的壓力下；及/或 <br/>在氬氣氛下。
一種塗覆基板，包括一多孔基板、至少一表面密封層及至少一保護層，該至少一表面密封層配置在該多孔基板的一表面的至少一區域上，該至少一保護層配置在該至少一表面密封層上並包括至少一難熔金屬碳化物， <br/>其中該多孔基板包括或由下列所組成之群組的材料所組成：石墨、C/SiC纖維複合材料、SiC/SiC纖維複合材料、碳化陶瓷、氮化陶瓷、氧化陶瓷及其混合物， <br/>其中該至少一表面密封層是選自由熱解碳層、矽層、硼化鋯層、氮化鉭層、碳化矽層、氮化矽層及其組合所組成之群組。
如請求項9所述之塗覆基板，其中該至少一保護層具有一平均膜厚，該平均膜厚至少20 μm。
如請求項9或請求項10中任一項所述之塗覆基板，其中該至少一保護層的一平均膜厚的標準差低於6 %。
如請求項9或請求項10中任一項所述之塗覆基板，其中該塗覆基板是(is)藉由如請求項1所述之製備方法製造。
一種如請求項9至請求項12中任一項所述之塗覆基板在半導體長晶中的用途。
一種輸入裝置，其包括：<br/> 可旋轉構件；<br/> 虛擬滾動控制器，其經組態以回應於前述可旋轉構件的旋轉速度超過直接控制模式閾值而選擇虛擬滾動模式作為滾動輸入模式，並在前述滾動輸入模式中輸出輸出速度；<br/> 其中，回應於前述旋轉速度從最大輸入值下降到零，前述輸出速度在巡航狀態中維持最大輸出值達巡航時間段，並在斜降狀態中下降到零，其中，前述巡航時間段取決於前述最大輸入值；<br/> 其中，前述虛擬滾動控制器進一步經組態以基於前述輸出速度生成虛擬位置計數；以及<br/> 主機介面塊，其經組態以將所生成虛擬位置計數發送至可連接到前述輸入裝置的計算裝置。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，前述虛擬滾動控制器進一步經組態以基於前述可旋轉構件的前述旋轉速度從由直接控制模式及虛擬滾動模式組成的組中選擇滾動輸入模式。
如請求項2所述之輸入裝置，其進一步包括：<br/> 位置控制模組，其經組態以基於前述可旋轉構件的旋轉量生成滾動位置計數，<br/> 其中，前述主機介面塊經組態以回應於前述虛擬滾動控制器選擇前述直接控制模式作為前述滾動輸入模式而將所生成滾動位置計數發送至前述計算裝置。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，前述虛擬位置計數在比前述可旋轉構件的旋轉持續時間更長的持續時間內不為零。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，回應於前述可旋轉構件的前述旋轉速度增加到前述最大輸入值，前述輸出速度在斜升狀態中增加並達到前述最大輸出值，其中，根據與前述斜升狀態相關聯的輸出函數，前述斜升狀態中的前述輸出速度取決於前述旋轉速度和加速度因子。
如請求項5所述之輸入裝置，其中，前述加速度因子係通過驅動器軟體使用者可定義的。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，根據與前述巡航狀態相關聯的輸出函數，前述巡航狀態中的前述輸出速度取決於前述旋轉速度的前述最大輸入值。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，根據與前述斜降狀態相關聯的輸出函數，前述斜降狀態中的前述輸出速度取決於通過驅動器軟體使用者可定義的減速因子。
如請求項1所述之輸入裝置，其進一步包括智慧型滾動能力，以基於前述旋轉速度在自由輪轉模式與阻力輪轉模式之間切換。
如請求項2所述之輸入裝置，其進一步包括：<br/> 一或多個光發射器；以及<br/> 光發射器控制電路，其經組態以基於前述滾動輸入模式控制前述光發射器的操作。
如請求項1所述之輸入裝置，其進一步包括：<br/> 編碼器，其經組態以基於前述可旋轉構件的旋轉生成脈衝；以及<br/> 輪速度測量模組，其經組態以基於所生成脈衝的平均頻率確定前述旋轉速度。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，當前述可旋轉構件的前述旋轉速度轉為負輸入速度且其值超過快速斜降閾值時，前述輸出速度開始以增加的減速率下降到零。
如請求項12所述之輸入裝置，其中，當前述可旋轉構件的前述旋轉速度為前述負輸入速度且其值超過制動閾值時，前述輸出速度降到零，其中，前述制動閾值大於前述快速斜降閾值。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，回應於前述可旋轉構件的前述旋轉速度從零增加到較低最大輸入值，隨後下降到零，隨後增加到前述最大輸入值，及隨後下降到零，前述輸出速度從零增加到較低最大輸出值，隨後在初始巡航狀態中維持前述較低最大輸出值達初始巡航時間段，隨後增加到前述最大輸出值，隨後在前述巡航狀態中維持前述最大輸出值達前述巡航時間段，及隨後在前述斜降狀態中下降到零，<br/> 其中，前述較低最大輸入值低於前述最大輸入值，且前述較低最大輸出值低於前述最大輸出值。
如請求項1所述之輸入裝置，其中，回應於前述可旋轉構件的前述旋轉速度從零增加到前述最大輸入值，隨後下降到零，隨後增加到較低最大輸入值，及隨後下降到零，前述輸出速度在斜升狀態中從零增加到前述最大輸出值，隨後在前述巡航狀態中維持前述最大輸出值達前述巡航時間段，隨後在第二巡航狀態中維持前述最大輸出值達第二巡航時間段，及隨後在前述斜降狀態中下降到零，<br/> 其中，前述較低最大輸入值低於前述最大輸入值。
一種對計算裝置提供滾動輸入的方法，前述方法包括以下步驟：<br/> 回應於可旋轉構件的旋轉速度超過直接控制模式閾值而選擇虛擬滾動模式作為滾動輸入模式，並在前述滾動輸入模式中藉由虛擬滾動控制器來輸出輸出速度，其中，回應於前述旋轉速度從最大輸入值下降到零，前述輸出速度在巡航狀態中維持最大輸出值達巡航時間段，並在斜降狀態中下降到零，其中，前述巡航時間段取決於前述最大輸入值；<br/> 基於前述輸出速度生成虛擬位置計數；以及<br/> 藉由主機介面塊將所生成虛擬位置計數發送至連接到前述輸入裝置的計算裝置。
如請求項16所述之方法，其進一步包括以下步驟：<br/> 基於前述可旋轉構件的前述旋轉速度，從由直接控制模式及虛擬滾動模式組成的組中選擇滾動輸入模式；以及<br/> 回應於選擇前述虛擬滾動模式作為前述滾動輸入模式，將所生成虛擬位置計數發送至前述計算裝置。
如請求項16所述之方法，其中，回應於前述可旋轉構件的前述旋轉速度增加到前述最大輸入值，前述輸出速度在斜升狀態中增加並達到前述最大輸出值，其中，根據與前述斜升狀態相關聯的輸出函數，前述斜升狀態中的前述輸出速度取決於前述旋轉速度和使用者可定義的加速度因子。
如請求項16所述之方法，其中，根據與前述巡航狀態相關聯的輸出函數，前述巡航狀態中的前述輸出速度取決於前述旋轉速度的前述最大輸入值。
如請求項16所述之方法，其中，根據與前述斜降狀態相關聯的輸出函數，前述斜降狀態中的前述輸出速度取決於使用者可定義的減速因子。
一種電解槽，包括至少二個電解電池，每個電解電池包括配備有陽極之陽極半電池、配備有陰極之陰極半電池，及設置在該陽極與該陰極間之隔板；陰極半電池及陽極半電池係分別具有陽極框架(100)及陰極框架(200)，每個框架具有內表面及外表面，陽極框架之內表面(101)面向陰極框架之內表面(201)；陽極框架及陰極框架各自包括饋給入口(111,211)及饋給出口(112,212)，分別用以將電解液饋給至陽極室及陰極室中，饋給入口與饋給出口係經由饋給通道(110,210)相連接；及陽極框架及陰極框架各自包括排放入口(121,221)及排放出口(122,222)，用以將電解液分別排出陽極室及陰極室，排放入口與排放出口係經由排放通道(120,220)相連接；其特徵在於，陽極之饋給通道及排放通道(110,120)係形成在陽極框架之內表面(101)上；陰極之饋給通道及排放通道(210,220)係形成在陰極框架(200)之內表面(201)上；陽極饋給出口(112)及陽極排放入口(121)緊靠陽極框架(100)之外表面(102)；及陰極饋給出口(212)及陰極排放入口(221)緊靠陰極框架(200)之外表面(202)。
如申請專利範圍第1項之電解槽，其中該陽極之饋給通道及排放通道及該陰極之饋給及排放通道係分別沿著陽極框架及陰極框架之內表面顯出至少一次方向改變。
如申請專利範圍第1或2項之電解槽，其中該陽極及陰極之饋給通道及排放通道具有總長度至少為內部歧管與電極室間之距離L<sub>M-C</sub>之兩倍，及較佳具有總長度為2至50 L<sub>M-C</sub>。
如申請專利範圍第1或2項之電解槽，其中該隔板係隔膜或薄膜。
如申請專利範圍第1或2項之電解槽，其中該等電解電池中之每一者係設置於零間隙配置中。
如申請專利範圍第1或2項之電解槽，其中該陽極及/或該陰極係多孔結構或一塊導電材料。
如申請專利範圍第1或2項之電解槽，其中陽極室及陰極室之饋給出口係連接至收集器(500,501,550,551)及連接至分別在陽極框架及陰極框架之外表面上形成之一組分配通道(401,402,403)。
如申請專利範圍第1或2項之電解槽，其中該至少二個電解電池係透過內部歧管以液壓連接。
如申請專利範圍第8項之電解槽，其中該等陽極(或陰極)饋給(或排放)通道中之至少一者係連接至歧管孔(351,352,355,356)，其中該等陽極(或陰極)饋給(或排放)通道中之至少一者相對於連接點切線之垂線以角度α與該歧管孔交切，α不為零且包括在-90°至+90°之間。
一種如先前申請專利範圍中任一項之電解槽用以執行鹼性水電解或用於陰離子交換膜水電解應用之用途。
一種製造如申請專利範圍第1至9中任一項之電解槽之方法，其中藉由銑削或機器加工片材，或藉由模製、3D列印或其組合以製造陽極框架及陰極框架。
如申請專利範圍第11項之方法，其中藉由以下方法中之任一者以得到該等陽極(及陰極)饋給(及排放)通道：雕刻、銑削、模製、3D列印、機器加工，或其任何組合。
一種用於電解電池之電極框架，包括通道(120)，該通道係在連接點(122)連接至歧管孔(351)，其中該通道在連接點之方向相對於歧管孔在該連接點之切線之垂線形成角度α,α不為零且包括在-90°至+90°之間。
如申請專利範圍第13項之電極框架，其中α不為零且包括在-80°至-20°之間，及+20°至+80°之間，較佳在-70°至-30°之間，及+30°至+70°之間。
一種研磨墊，係由含有略球狀之氣泡的發泡體所構成的研磨墊，其特徵為， <br/> 若令墊子構成材料的密度為DMg/cm<sup>3</sup>，則本研磨墊的密度是在0.36DM以上0.70DM以下之範圍內，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)是被調整成45μm以下； <br/> 研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下， <br/> 前述發泡體的蕭氏A硬度是在70至95之範圍內， <br/> 前述發泡體為含異氰酸酯基之化合物與活性氫化合物進行反應(高分子化或交聯)而成之聚胺酯發泡體所構成， <br/> 前述含異氰酸酯基之化合物的含有比率，以莫耳比(當量比)，相對於活性氫化合物係為0.9～1.2。
一種研磨墊，係由含有略球狀之氣泡的發泡體所構成的研磨墊，其特徵為， <br/> 若令墊子構成材料的密度為DMg/cm<sup>3</sup>，則本研磨墊的密度是在0.36DM以上0.70DM以下之範圍內，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口部直徑之變異(標準差σ1)是被調整成45μm以下，研磨墊之表面上所被形成的，基於氣泡的開口所圍繞之部分的面積取近似圓形之際的直徑之變異(標準差σ2)是被調整成35μm以下。
如請求項1所記載之研磨墊，其中，前述聚胺酯發泡體的平均氣泡徑不超過150μm。
一種半導體記憶體結構，包含：<br/> 一基底，其上具有一元件單元區和鄰近所述元件單元區的一接觸形成區；<br/> 一記憶單元電晶體，設置在所述元件單元區內的所述基底上，其中，所述記憶單元電晶體包含一多晶矽閘極和位於所述多晶矽閘極和所述基底之間的一電荷存儲結構，其中所述多晶矽閘極包含位於所述接觸形成區內的一延伸部；<br/> 一第一側壁子，設置在所述元件單元區內的所述多晶矽閘極的側壁上，其中，所述第一側壁子具有一第一高度；<br/> 一第二側壁子，設置在所述接觸形成區內的所述多晶矽閘極的所述延伸部的側壁上，其中，所述第二側壁子具有一第二高度，其高於所述第一側壁子的所述第一高度；<br/> 一接觸蝕刻停止層，覆蓋所述接觸形成區內的所述延伸部和所述元件單元區內的所述多晶矽閘極；<br/> 一層間介電層，覆蓋所述接觸形成區和所述元件單元區內的所述接觸蝕刻停止層；<br/> 一接觸插塞，位於所述層間介電層中並且與所述接觸形成區內的所述多晶矽閘極的所述延伸部直接接觸，其中，所述接觸插塞被所述接觸蝕刻停止層圍繞包覆；以及<br/> 一氧化層，設置於所述接觸插塞與所述第二側壁子之間，其中，所述氧化層與所述接觸蝕刻停止層直接接觸，且所述接觸插塞的整個側壁被該氧化層覆蓋。
根據請求項1所述的半導體記憶體結構，其中，所述接觸形成區位於一溝槽隔離區上並且與所述元件單元區相連。
根據請求項2所述的半導體記憶體結構，其中，所述多晶矽閘極的所述延伸部是直接設置在所述溝槽隔離區上的。
根據請求項1所述的半導體記憶體結構，其中，所述接觸形成區內的所述延伸部的閘極長度等於所述元件單元區內的所述多晶矽閘極的閘極長度。
根據請求項1所述的半導體記憶體結構，其中，所述電荷存儲結構包含氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜。
根據請求項1所述的半導體記憶體結構，其中，所述接觸蝕刻停止層包含碳化矽。
一種半導體處理方法，包括以下步驟： <br/>提供一含矽前驅物到一半導體處理腔室的一處理區域； <br/>在界定該半導體處理腔室的該處理區域的表面上沉積一含矽層； <br/>在該半導體處理腔室的該處理區域內形成一含氫前驅物的一電漿；和 <br/>在設置在該半導體處理腔室的該處理區域內的一基板上沉積一含矽材料。
如請求項1所述之半導體處理方法，進一步包括以下步驟： <br/>隨後於沉積該含矽層，將該基板輸送到該半導體處理腔室的該處理區域中。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該半導體處理腔室的該處理區域由一面板界定，且其中該含矽層形成在面對該半導體處理腔室的該處理區域的該面板的一表面上。
如請求項1所述之半導體處理方法，進一步包括以下步驟： <br/>在形成該含氫前驅物的該電漿的同時，增加該半導體處理腔室的該處理區域內的一壓力。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該半導體處理腔室的該處理區域被界定在一面板和一基板支撐件之間，其中該面板被維持在一第一溫度，且其中該基板支撐件被維持在大於該第一溫度的一第二溫度。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含矽層進一步包括氮、碳、和/或一摻雜劑。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含氫前驅物包括雙原子氫。
如請求項1所述之半導體處理方法，進一步包括以下步驟： <br/>在形成該含氫前驅物的該電漿之前中止輸送該含矽前驅物。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含矽層是透過以一第一電漿功率實行的電漿增強沉積來沉積。
如請求項9所述之半導體處理方法，其中形成該含氫前驅物的該電漿是以大於該第一電漿功率的一第二電漿功率實行的。
一種半導體處理方法，包括以下步驟： <br/>提供一含矽前驅物到一半導體處理腔室的一處理區域； <br/>在該半導體處理腔室的該處理區域內形成該含矽前驅物的一電漿； <br/>在該半導體處理腔室的該處理區域內沉積一含矽層； <br/>中止輸送該含矽前驅物； <br/>在該半導體處理腔室的該處理區域內形成一含氫前驅物的一電漿；和 <br/>在設置在該半導體處理腔室的該處理區域內的一基板上沉積一含矽材料。
如請求項11所述之半導體處理方法，進一步包括以下步驟： <br/>隨後於沉積該含矽層，將該基板輸送到該半導體處理腔室的該處理區域中。
如請求項11所述之半導體處理方法，進一步包括以下步驟： <br/>在形成該含氫前驅物的該電漿的同時，增加該半導體處理腔室的該處理區域內的一壓力。
如請求項11所述之半導體處理方法，其中該含矽層進一步包括氮、碳、和/或一摻雜劑，且其中該含氫前驅物包括雙原子氫。
如請求項11所述之半導體處理方法，其中形成該含矽前驅物的該電漿是以一第一電漿功率實行的，且其中形成該含氫前驅物的該電漿是以大於該第一電漿功率的一第二電漿功率實行的。
如請求項11所述之半導體處理方法，其中該半導體處理方法是在大於或約200℃的一基板溫度下實行的。
一種半導體處理方法，包括以下步驟： <br/>提供一含矽前驅物到一半導體處理腔室的一處理區域； <br/>在該半導體處理腔室的該處理區域內沉積一含矽層； <br/>隨後於沉積該含矽層，提供一基板至該半導體處理腔室的該處理區域中； <br/>在該半導體處理腔室的該處理區域內形成一含氫前驅物的一電漿；和 <br/>在設置在該半導體處理腔室的該處理區域內的該基板上沉積一含矽材料。
如請求項17所述之半導體處理方法，其中該含矽層進一步包括氮、碳、和/或一摻雜劑，且其中該含氫前驅物包括雙原子氫。
如請求項17所述之半導體處理方法，其中該含矽層是透過以一第一電漿功率實行的電漿增強沉積來沉積的，且其中形成該含氫前驅物的該電漿是以大於該第一電漿功率的一第二電漿功率實行的。
如請求項17所述之半導體處理方法，其中該半導體處理腔室的該處理區域被界定在一面板和一基板支撐件之間，其中該含矽層沉積在該面板上，其中該面板被維持在一第一溫度，且其中該基板支撐件被維持在大於該第一溫度的一第二溫度。
一種沖廁裝置，其特徵為：具備： <br/> 殼體，設置在馬桶的上面； <br/> 鎖定部，限制前述殼體相對於前述馬桶的移動；及 <br/> 解除部，解除前述鎖定部的限制， <br/> 前述解除部具有： <br/> 操作部；及 <br/> 傳達部，將賦予前述操作部的操作力傳達到前述鎖定部， <br/> 前述操作部設置在從前述殼體的下端朝向上方或者下方遠離的位置。
如請求項1的沖廁裝置，其中 <br/> 前述操作部具有使用者操作的操作面， <br/> 前述操作面設置在從前述殼體的下端朝向上方或者下方遠離的位置。
如請求項1或2的沖廁裝置，其中 <br/> 前述操作部位在與前述鎖定部於上下方向相異的位置， <br/> 前述傳達部具有沿著上下方向延伸的延伸部。
如請求項3的沖廁裝置，其中 <br/> 前述傳達部具有： <br/> 第1部位，從前述操作部沿著水平方向延伸； <br/> 前述延伸部，從前述第1部位延伸；及 <br/> 第2部位，從前述延伸部朝向前述鎖定部延伸， <br/> 前述殼體具有： <br/> 第1導引部，導引前述第1部位；及 <br/> 第2導引部，導引前述第2部位。
如請求項4的沖廁裝置，其中 <br/> 前述鎖定部具有： <br/> 外殼部；及 <br/> 爪部，限制在前述外殼部內所設置的前述殼體之移動， <br/> 前述傳達部具有第3部位，其從前述第2部位朝向前述鎖定部內延伸，並且使前述爪部移動， <br/> 前述外殼部具有第3導引部，其導引前述第3部位。
如請求項4的沖廁裝置，其中 <br/> 前述延伸部從前述第1部位朝向前述第2部位斜向朝下方延伸。
如請求項6的沖廁裝置，其中 <br/> 前述延伸部從前述操作部的操作面之上下高度的中央位置朝向前述第2部位延伸， <br/> 前述延伸部的上下方向之尺寸為從前述操作部的前述操作面之上端至下端為止的高度之一半以上。
如請求項7的沖廁裝置，其中 <br/> 前述延伸部的左右方向之尺寸為上下方向之尺寸以上。
如請求項1或2的沖廁裝置，其中 <br/> 前述操作部配置在從前述殼體的下端沿著上下方向距離1mm以上的位置。
如請求項1或2的沖廁裝置，其具有； <br/> 馬桶蓋，以可開閉的方式設置在前述殼體， <br/> 前述操作部設置在從前述殼體的下端朝向上方遠離的位置， <br/> 前述馬桶蓋成為關閉狀態時，前述操作部由前述馬桶蓋所覆蓋。
一種功率元件，包含：<br/>第一導電型的基底；<br/>第一導電型的離子井，位於所述基底中；<br/>第一導電型的基體區，位於所述離子井中；<br/>第二導電性的源極摻雜區，位於所述基體區中；<br/>第二導電性的汲極摻雜區，位於所述離子井中；以及<br/>複數個閘極，設置在所述源極摻雜區和所述汲極摻雜區之間的所述基底上，其中，所述複數個閘極沿第一方向彼此平行延伸，又其中，所述複數個閘極包含與所述源極摻雜區相鄰的第一閘極、與所述汲極摻雜區相鄰的第二閘極、以及位於所述第一閘極和所述第二閘極之間的疊閘結構，其中，所述疊閘結構包含浮置閘和疊置在所述浮置閘上的控制閘。
根據請求項1所述的功率元件，其中，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型。
根據請求項1所述的功率元件，其中，所述第一導電型的離子井為深P型井。
根據請求項3所述的功率元件，其中，另包含：<br/>在所述深P型井下方的所述基底中的深N型井。
根據請求項1所述的功率元件，其中，所述疊閘結構與所述第一閘極和所述第二閘極絕緣。
根據請求項1所述的功率元件，其中，所述浮置閘從所述控制閘的底部沿第二方向突出。
根據請求項1所述的功率元件，其中，在所述浮置閘和所述控制閘之間設置有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層。
根據請求項1所述的功率元件，其中，所述複數個閘極為多晶矽閘極。
根據請求項1所述的功率元件，其中，另包含：<br/>第一閘極接觸，電連接至所述第一閘極；<br/>第二閘極接觸，電連接至所述第二閘極；<br/>浮置閘接觸，電連接至所述浮置閘；<br/>源極接觸，電連接至所述源極摻雜區；以及<br/>汲極接觸，電連接至所述汲極摻雜區。
根據請求項1所述的功率元件，其中，另包含：<br/>具有第二導電性的漂移區，位於所述離子井中，其中，所述漂移區與所述基體區間隔開，又其中，所述第一閘極位於所述基體區和所述漂移區之間。
一種形成功率元件的方法，包含：<br/>提供第一導電型的基底；<br/>在所述基底中形成第一導電型的離子井；<br/>在所述離子井中形成第一導電型的基體區；<br/>在所述基體區中形成第二導電性的源極摻雜區；<br/>在所述離子井中形成第二導電性的汲極摻雜區；以及<br/>在所述源極摻雜區和所述汲極摻雜區之間的所述基底上形成複數個閘極，其中，所述複數個閘極沿第一方向彼此平行延伸，又其中，所述複數個閘極包含與所述源極摻雜區相鄰的第一閘極、與所述汲極摻雜區相鄰的第二閘極、以及位於所述第一閘極和所述第二閘極之間的疊閘結構，其中，所述疊閘結構包含浮置閘和層疊在所述浮置閘上的控制閘。
根據請求項11所述的方法，其中，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型。
根據請求項11所述的方法，其中，所述第一導電型的離子井是深P型井。
根據請求項13所述的方法，其中，另包含：<br/>在所述深P型井下方的所述基底中形成深N型井。
根據請求項11所述的方法，其中，所述疊閘結構與所述第一閘極和所述第二閘極絕緣。
根據請求項11所述的方法，其中，所述浮置閘從所述控制閘的底部沿第二方向突出。
根據請求項11所述的方法，其中，在所述浮置閘和所述控制閘之間設置有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層。
根據請求項11所述的方法，其中，所述複數個閘極是多晶矽閘極。
根據請求項11所述的方法，其中，另包含：<br/>形成與所述第一閘極電連接的第一閘極接觸；<br/>形成與所述第二閘極電連接的第二閘極接觸；<br/>形成與所述浮置閘電連接的浮置閘接觸；<br/>形成與所述源極摻雜區電連接的源極接觸；以及<br/>形成與所述汲極摻雜區電連接的汲極接觸。
根據請求項11所述的方法，其中，另包含：<br/>在所述離子井中形成具有第二導電性的漂移區，其中所述漂移區與所述基體區間隔開。
一種功率元件的佈局結構，包含：<br/>基底；<br/>擴散區，位於所述基底中，所述擴散區被溝槽隔離區包圍；<br/>源極摻雜區和汲極摻雜區，位於所述擴散區中；以及<br/>複數個閘極，設置在所述源極摻雜區和所述汲極摻雜區之間的所述基底上，其中，所述複數個閘極彼此平行延伸並橫跨所述擴散區，其中，所述複數個閘極包含與所述源極摻雜區相鄰的第一閘極、與所述汲極摻雜區相鄰的第二閘極、以及位於所述第一閘極和所述第二閘極之間的疊閘結構，其中，所述疊閘結構包含浮置閘和層疊在所述浮置閘上的控制閘。
一種廢塑料的處理裝置，係具備：<br/> 筒狀的處理爐，係具有：供給口，係用以於上游側中接收處理對象物；以及排出口，係用以於下游側中排出殘渣；<br/> 溫度控制區域，係包含加熱裝置或冷卻裝置，並對前述處理爐於前述供給口與前述排出口之間的中間部中的預定的位置的溫度進行控制；<br/> 螺桿，係以藉由從前述處理爐的上游側延伸至下游側而能夠將由前述供給口所供給之前述處理對象物朝向前述排出口搬送之方式旋轉；<br/> 第一分解區域，係包含第一回收口，前述第一回收口係用以將於前述中間部中的預定的區域中由前述處理對象物所分離出的第一流體提取至前述處理爐之外；以及<br/> 第二分解區域，係包含第二回收口，前述第二回收口係用以將於比前述第一分解區域還下游側中由前述處理對象物所分離出且與為前述第一流體不同流體之第二流體提取至前述處理爐之外；<br/> 前述螺桿中，前述第二分解區域中的進給螺桿部的螺距比前述第一分解區域中的前述進給螺桿部的螺距還短。
如請求項1所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述溫度控制區域係控制前述處理爐的溫度，使得前述第二分解區域的溫度變得比前述第一分解區域的溫度還高。
如請求項2所記載之廢塑料的處理裝置，其中進一步具備驅動裝置，前述驅動裝置係設定為能夠改變前述螺桿的轉速。
如請求項1所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述螺桿中，前述中間部中的軸部的直徑係沿著進給方向變化。
如請求項1至3中任一項所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述螺桿中，預定的第三搬送區域中的軸部的第一直徑係設定為比前述第三搬送區域還下游側之第四搬送區域中的前述軸部的第二直徑還小。
如請求項1至3中任一項所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述螺桿係具有凸部，前述凸部係具有基於對前述處理對象物進行滯留、攪拌、混合、捏合或粉碎之目的而相對於進給方向呈0度以上至180度以下範圍的角度之表面或排列。
如請求項1至3中任一項所記載之廢塑料的處理裝置，其中於前述處理爐的內部中具備平行配置的複數個前述螺桿。
如請求項1至3中任一項所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述處理爐係進一步於前述中間部中具有流體供給口，前述流體供給口係用以將第三流體供給至前述處理爐中，前述第三流體係包含與前述第一流體或前述第二流體相同成分或不同成分。
如請求項8所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述處理爐係於前述第一回收口與前述第二回收口之間具有前述流體供給口。
如請求項9所記載之廢塑料的處理裝置，其中前述螺桿係於比前述流體供給口還上游側具有凸部，前述凸部係具有基於對前述處理對象物進行滯留、攪拌、混合、捏合或粉碎之目的而相對於進給方向呈0度以上至180度以下範圍的角度之表面或排列。
如請求項1至3中任一項所記載之廢塑料的處理裝置，其中進一步於前述排出口的後段具備泵，前述泵係用以一邊控制前述處理爐的內部的壓力，一邊將前述殘渣強制性排出。
一種廢塑料的處理方法，係從供給口將處理對象物接收至筒狀的處理爐，前述處理爐具有：前述供給口，係用以於上游側接收前述處理對象物；以及排出口，係用以於下游側中排出殘渣；<br/> 藉由從前述處理爐的上游側延伸至下游側之螺桿，將前述處理對象物朝向前述排出口搬送；<br/> 控制前述處理爐中前述供給口與前述排出口之間的中間部中的預定的位置的溫度；<br/> 從前述處理爐回收第一流體，前述第一流體係於設於前述中間部之第一分解區域中由前述處理對象物所分離出；<br/> 從前述處理爐回收第二流體，前述第二流體係於位於前述第一分解區域的下游側之第二分解區域中由前述處理對象物所分離出且為與前述第一流體不同流體；<br/> 將已通過前述第二分解區域之前述殘渣從前述排出口排出；<br/> 前述螺桿中，前述第二分解區域中的進給螺桿部的螺距比前述第一分解區域中的前述進給螺桿部的螺距還短。
如請求項12所記載之廢塑料的處理方法，其中控制前述處理爐的溫度，使得前述第二分解區域的溫度變得比前述第一分解區域的溫度還高。
如請求項12或13所記載之廢塑料的處理方法，其中前述處理爐係從流體供給口接收第三流體，前述流體供給口係進一步地設於設在前述第一分解區域之第一回收口與設在前述第二分解區域之第二回收口之間，前述第三流體係包含與前述第一流體或前述第二流體相同成分或不同成分。
一種甾體化合物在製備治療飛蚊症的藥物中的用途，其特徵在於，所述甾體化合物具有如式I所示的結構，或為式I所示結構的化合物的立體異構體、互變異構體、藥學上可接受的鹽，<br/><img align="absmiddle" height="115px" width="177px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式I<br/> 其中，X選自C<sub>6</sub>芳基；<br/> n個Q各自獨立地為羥基；<br/> n為1。
如請求項1所述之用途，其中，所述式I所示結構的化合物為以下化合物：<br/>
一種組合物在製備治療飛蚊症的藥物中的用途，其特徵在於，所述組合物包括如請求項1或2所述之甾體化合物；及藥學上可接受的載體、賦形劑、稀釋劑、輔劑或媒介物中的一種或多種。
一種用於連續噴墨列印之光致發光安全墨水，其中該墨水在25℃下具有1.5 mPa·s至6 mPa·s之一黏度，並且包含：<br/><b>a)</b> 1 wt-%至6 wt-%之未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒<br/> 其中<br/><b>X</b>選自由Y<sup>3+</sup>及Gd<sup>3+</sup>組成之群；<br/><b>Z</b>選自由Er<sup>3+</sup>、Tm<sup>3+</sup>及Ho<sup>3+</sup>組成之群；<br/> 0＜y+z≤0.4；<br/> 及0≤z≤0.1，<br/> 並且其中當藉由掃描電子顯微術量測時，該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒具有30 nm至70 nm之間之一平均直徑；<br/><b>b)</b> 1.5 wt-%至10 wt-%之一分散劑，該分散劑選自由一聚乙烯醇縮醛樹脂、一含有60 wt-%至95 wt-%的氯乙烯之氯乙烯共聚物、一聚胺甲酸酯樹脂、一硝化纖維素樹脂、一酯纖維素樹脂、一(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物及前述者之混合物組成之群；<br/><b>c)</b> 80 wt-%至90 wt-%之一有機溶劑，該有機溶劑選自由一酮、一醇、一酯及前述者之混合物組成之群；及<br/><b>d)</b> 0.1 wt-%至1 wt-%之一導電鹽，<br/> 其中重量百分數基於該光致發光安全墨水之總重量。
如請求項1所述之光致發光安全墨水，其中0.1≤y≤0.35。
如請求項2所述之光致發光安全墨水，其中<b>Z</b>表示Er<sup>3+</sup>，0.01≤z≤0.1，並且y≥z。
如請求項2所述之光致發光安全墨水，其中<b>Z</b>表示Tm<sup>3+</sup>，0.01≤z≤0.05，並且y≥z。
如請求項1至4中任一項所述之光致發光安全墨水，其中<b>X</b>表示Y<sup>3+</sup>。
如請求項1所述之光致發光安全墨水，進一步包含：<br/><b>e)</b> 多達7 wt-%之一流變改性劑，該流變改性劑選自由一含有60 wt-%至95 wt-%的氯乙烯之聚氯乙烯共聚物、一纖維素樹脂及前述者之混合物組成之群，其中重量百分數基於該光致發光安全墨水之總重量。
如請求項1所述之光致發光安全墨水，其中該分散劑選自由一聚乙烯醇縮醛樹脂、一含有60 wt-%至95 wt-%的氯乙烯之氯乙烯共聚物、一(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物及前述者之混合物組成之群，並且以4 wt-%至10 wt-%之量存在於該光致發光噴墨安全墨水中，其中重量百分數基於該光致發光安全墨水之總重量。
一種生產如請求項1所述之用於連續噴墨列印之光致發光安全墨水之過程，包括以下步驟：<br/><b>i)</b> 提供呈一粉末、或呈一漿料之未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒，其中<b>X</b>、<b>Z</b>、<b>y</b>及<b>z</b>具有如請求項1中定義之含義，並且其中當藉由掃描電子顯微術量測時，該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒具有30 nm至70 nm之間之一平均直徑；<br/><b>ii)</b> 提供一分散劑於一有機溶劑中之一溶液，其中該分散劑選自由一聚乙烯醇縮醛樹脂、一含有60 wt-%至95 wt-%的氯乙烯之氯乙烯共聚物、一聚胺甲酸酯樹脂、一硝化纖維素樹脂、一酯纖維素樹脂、一(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物及前述者之混合物組成之群；並且該有機溶劑選自由一酮、一醇、一酯及前述者之混合物組成之群；<br/><b>iii)</b> 將該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒分散於步驟<b>ii)</b>提供之溶液中以便獲得一分散液；及<br/><b>iv)</b> 向步驟<b>iii)</b>獲得之分散液添加<br/> 基於該光致發光安全墨水之總重量，0.1 wt-%至1 wt-%之一導電鹽。
如請求項8所述之過程，其中步驟<b>iv)</b>進一步向步驟<b>iii)</b>獲得之分散液添加一有機溶劑，該有機溶劑選自由一酮、一醇、一酯及前述者之混合物組成之群。
如請求項8所述之過程，其中步驟<b>iv)</b>進一步向步驟<b>iii)</b>獲得之分散液添加，基於該光致發光安全墨水之總重量，多達7 wt-%之一流變改性劑，該流變改性劑選自由一含有60 wt-%至95 wt-%的氯乙烯之聚氯乙烯共聚物、一纖維素樹脂及前述者之混合物組成之群。
如請求項8所述之過程，其中步驟<b>iv)</b>進一步向步驟<b>iii)</b>獲得之分散液添加一著色劑，以便提供用於連續噴墨列印之光致發光安全墨水。
如請求項8所述之過程，其中步驟<b>i)</b>包括以順序<b>i-1)</b>至<b>i-3)</b>進行的以下步驟：<br/><b>i-1)</b>將氟化銨於乙二醇中之一第一溶液與含有乙二醇中之氯化鈉、X(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>及Yb(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>之一第二溶液混合，其中<b>X</b>及<b>Z</b>具有如請求項1中定義之含義，以形成一混合物；<br/><b>i-2)</b> 將步驟<b>i-1)</b>獲得之混合物在120℃至170℃之一溫度下攪拌至少兩小時以形成未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒；及<br/><b>i-3)</b> 分離呈一粉末、或呈一漿料之未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒。
如請求項12所述之過程，其中該第二溶液進一步含有Z(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>。
如請求項12所述之過程，其中步驟<b>i</b><b>-3)</b>包括以下步驟：<br/> i-4) 添加水，隨後離心以形成一上清液並且使該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒沉澱，並且隨後傾析該上清液；及<br/> i-5) 將該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒乾燥以便產生呈一粉末之未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒；<br/> 或<br/><b>i-6)</b> 將該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒分散於一有機溶劑中，該有機溶劑選自由一酮、一醇、一酯及前述者之混合物組成之群，隨後離心以形成一上清液並且使該等未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒沉澱，並且隨後傾析該上清液以便產生呈一漿料之未封端NaX<sub>1-y-z</sub>F<sub>4</sub>Yb<sub>y</sub>Z<sub>z</sub>奈米顆粒。
如請求項14所述之過程，其中步驟<b>i-5)</b>進一步包括：在250℃至350℃之間之一溫度下使該粉末經受一熱處理達1至3小時。
如請求項14所述之過程，其中步驟<b>i-4)</b>進行至少兩次，或至少三次。
一種在一物品、或一有價文件上製造一光致發光安全特徵之過程，其中該過程包括以下步驟：<br/> - 藉由連續噴墨列印，將如請求項1至7中任一項所述之光致發光安全墨水施加於該物品、或該有價文件之基材之一表面上，以便形成一光致發光安全墨水層，及<br/> - 將該光致發光安全墨水層乾燥以提供該光致發光安全特徵。
一種受保護物品，該受保護物品帶有藉由如請求項17所述之過程獲得之光致發光安全特徵。
如請求項18所述之受保護物品，該受保護物品選自化妝品、保健品、藥品、酒精及非酒精飲料、菸草製品、食品、電氣/電子製品、汽車備件、奢侈品及珠寶。
一種有價文件，該有價文件帶有藉由如請求項17所述之過程獲得之光致發光安全特徵。
如請求項20所述之有價文件，該有價文件選自紙幣、契據、票據、支票、憑單、印花稅票、標籤、協議、身份證件、存取文件，及化妝品、保健品、藥品、酒精及非酒精飲料、菸草製品、食品、電氣/電子製品、織物、汽車備件、建築材料、農用化學品、奢侈品或珠寶之包裝材料。
一種正型光阻組成物，其係包括包含氟取代基之主鏈切斷型之共聚物A、包含氟取代基之主鏈切斷型之共聚物B與溶劑的正型光阻組成物，其中前述共聚物A具有由下述式（I）所表示之單體單元（I）：『化1』<img align="absmiddle" height="113px" width="89px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［式（I）中，L為具有氟原子之2價之連結基，Ar為亦可具有取代基之芳環基］，以及由下述式（II）所表示之單體單元（II）：『化2』<img align="absmiddle" height="80px" width="89px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［式（II）中，R<sup>1</sup>為烷基，R<sup>2</sup>為氫原子、烷基、鹵原子、鹵化烷基、羥基或羧酸基，p為0以上且5以下之整數，在存在多個R<sup>2</sup>的情況下，此等可彼此相同亦可相異］；前述共聚物B具有由下述式（III）所表示之單體單元（III）：『化3』<img align="absmiddle" height="96px" width="91px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>［式（III）中，R<sup>3</sup>為氫原子、烷基、鹵原子、鹵化烷基、氰基、烷氧基、醯基或烷酯基，R<sup>4</sup>為氟原子之數量為5或7之有機基］，以及前述單體單元（II）；前述共聚物A之表面自由能與前述共聚物B之表面自由能的差為4 mJ／m<sup>2</sup>以上，在前述正型光阻組成物中的前述共聚物B相對於前述共聚物A及前述共聚物B之質量之合計的質量比例以及將前述正型光阻組成物塗布於基板上而形成之正型光阻膜的膜厚滿足由下述式（1）所表示的關係：B／（A＋B）×100（%）≧5.6／T×100（%）．．．（1）［式（1）中，A表示在正型光阻組成物中的共聚物A之質量，B表示在正型光阻組成物中的共聚物B之質量，T表示正型光阻膜之膜厚（nm）］。
如請求項1所述之正型光阻組成物，其實質上不含重量平均分子量（Mw）未達1000之成分。
如請求項1所述之正型光阻組成物，其更滿足由下述式（2）所表示的關係：18.0／T×100（%）≧B／（A＋B）×100（%）．．．（2）［式（2）中，A表示在正型光阻組成物中的共聚物A之質量，B表示在正型光阻組成物中的共聚物B之質量，T表示正型光阻膜之膜厚（nm）］。
一種電源控制電路，係應用於一電源供應裝置，該電源控制電路包含： <br/>一非鎖定型電源開關； <br/>一電容器，電性連接至該非鎖定型電源開關； <br/>一電源連接單元，電性連接至該電容器； <br/>一電源轉換器，電性連接至該電源連接單元；及 <br/>一自保持控制單元，電性連接至該電源轉換器及該電源連接單元， <br/>其中，當該非鎖定型電源開關接地且該電容器充滿電且該自保持控制單元被控制為不導通時，該電容器停止經由該電源連接單元被該電源供應裝置充電且該電源控制電路進入一休眠模式。
如請求項1所述之電源控制電路，更包含： <br/>一放電單元，電性連接至該非鎖定型電源開關、該電容器及該電源連接單元。
如請求項2所述之電源控制電路，其中，該放電單元包含： <br/>一放電端二極體，電性連接至該電源連接單元及該電容器；及 <br/>一放電端電阻，電性連接至該非鎖定型電源開關、該電容器、該放電端二極體及該電源連接單元。
如請求項3所述之電源控制電路，其中，該電源連接單元包含： <br/>一連接端電晶體開關，電性連接至該電源轉換器； <br/>一連接端第一電阻，電性連接至該連接端電晶體開關； <br/>一連接端第二電阻，電性連接至該連接端電晶體開關及該連接端第一電阻； <br/>一連接端二極體，電性連接至該連接端第二電阻及該電容器；及 <br/>一連接端第三電阻，電性連接至該連接端電晶體開關、該連接端第一電阻及該連接端第二電阻。
如請求項4所述之電源控制電路，更包含： <br/>一微控制器，電性連接至該電源轉換器， <br/>其中，該自保持控制單元包含： <br/>一控制端電晶體開關，電性連接至該微控制器；及 <br/>一控制端二極體，電性連接至該控制端電晶體開關及該電源連接單元。
一種電動釘槍裝置，係應用於一電源供應裝置，該電動釘槍裝置包含： <br/>一非鎖定型電源開關； <br/>一電容器，電性連接至該非鎖定型電源開關； <br/>一電源連接單元，電性連接至該電容器； <br/>一電源轉換器，電性連接至該電源連接單元； <br/>一自保持控制單元，電性連接至該電源轉換器及該電源連接單元；及 <br/>一電動釘槍電路，電性連接至該電源轉換器， <br/>其中，當該非鎖定型電源開關接地且該電容器充滿電且該自保持控制單元被控制為不導通時，該電容器停止經由該電源連接單元被該電源供應裝置充電且該電動釘槍裝置進入一休眠模式。
如請求項6所述之電動釘槍裝置，更包含： <br/>一放電單元，電性連接至該非鎖定型電源開關、該電容器及該電源連接單元。
如請求項7所述之電動釘槍裝置，其中，該放電單元包含： <br/>一放電端二極體，電性連接至該電源連接單元及該電容器；及 <br/>一放電端電阻，電性連接至該非鎖定型電源開關、該電容器、該放電端二極體及該電源連接單元。
如請求項8所述之電動釘槍裝置，其中，該電源連接單元包含： <br/>一連接端電晶體開關，電性連接至該電源轉換器； <br/>一連接端第一電阻，電性連接至該連接端電晶體開關； <br/>一連接端第二電阻，電性連接至該連接端電晶體開關及該連接端第一電阻； <br/>一連接端二極體，電性連接至該連接端第二電阻及該電容器；及 <br/>一連接端第三電阻，電性連接至該連接端電晶體開關、該連接端第一電阻及該連接端第二電阻。
如請求項9所述之電動釘槍裝置，更包含： <br/>一微控制器，電性連接至該電源轉換器， <br/>其中，該自保持控制單元包含： <br/>一控制端電晶體開關，電性連接至該微控制器；及 <br/>一控制端二極體，電性連接至該控制端電晶體開關及該電源連接單元。
如請求項6所述之電動釘槍裝置，其中，該電動釘槍電路包含一人機介面，該人機介面電性連接至該電源轉換器，該非鎖定型電源開關係整合至該人機介面。
如請求項6所述之電動釘槍裝置，更包含： <br/>一安全開關，電性連接至該電源轉換器， <br/>其中，該非鎖定型電源開關係整合至該安全開關。
一種吹氣槍，包括： <br/>一主體殼體，設置有排出空氣的噴嘴； <br/>一單元容納室，以將脈衝吹氣單元和連續吹氣單元中的任一個都選擇性地容納的方式形成於該主體殼體，該脈衝吹氣單元將從外部供給到間歇用輸入端部的空氣間歇地輸出到間歇輸出端部，該連續吹氣單元將從外部供給到連續用輸入端部的空氣連續地輸出到連續輸出端部； <br/>一單元更換蓋，設置於該主體殼體，用於開閉該單元容納室；以及 <br/>一手動閥，設置於該主體殼體的内部，並通過觸發桿被切換為開狀態和閉狀態，在該開狀態下，從該脈衝吹氣單元或者該連續吹氣單元排出的空氣排出到該噴嘴，在該閉狀態下停止該排出， <br/>該吹氣槍能夠適用於朝向對象物連續地排出空氣的連續吹氣槍和間歇地排出空氣的脈衝吹氣槍的任一方。
如請求項1所述的吹氣槍，其中，該手動閥具有將該間歇輸出端部和該連續輸出端部中的任一方都選擇性地安裝的一安裝部，該主體殼體具有將該間歇用輸入端部和該連續用輸入端部中的任一方都選擇性地安裝的一輸入端安裝部。
如請求項1所述的吹氣槍，其中，該脈衝吹氣單元設置有一節流閥和操作該節流閥的一操作旋鈕，在該主體殼體設置有用於操作該操作旋鈕的一貫通孔。
如請求項1所述的吹氣槍，其中，該脈衝吹氣單元具有：一間歇輸出端部，安裝於該手動閥的一嵌合孔；以及一間歇用輸入端部，由一大徑凸緣、一輸入接頭以及比該輸入接頭和該大徑凸緣的直徑小的一小徑部構成，該連續吹氣單元具有：一連續輸出端部，安裝於該手動閥的該嵌合孔；以及一連續用輸入端部，由一大徑凸緣、一輸入接頭以及比該輸入接頭和該大徑凸緣的直徑小的一小徑部構成，用於安裝該脈衝吹氣單元的該小徑部或者該連續吹氣單元的該小徑部的一卡合孔設置於該主體殼體。
如請求項1所述的吹氣槍，其中，在該主體殼體中設置安裝有該噴嘴的一噴嘴支架，在該噴嘴支架中形成一連通室，該連通室將從該手動閥流出的空氣引導到該噴嘴中所設置的一排出流路，在該噴嘴支架中設置一放電電極，通過該放電電極與相對電極之間產生電暈放電，使得流過該排出流路的一空氣離子化，其中該噴嘴作為該相對電極。
一種式（I）所表示的(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺或其藥劑學上可接受的鹽用於製造實性瘤治療用醫藥組成物之用途，其中 <br/>(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺或其藥劑學上可接受的鹽按1天2次、每次以(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺計約10 mg至約150 mg的投與量，與對抑制消化系統症狀有效量的5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑向人類受試者聯合投與， <br/>所述消化系統症狀係由向人類受試者投與(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺或其藥劑學上可接受的鹽所引起的消化系統症狀， <br/><img align="absmiddle" height="146px" width="288px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>所述消化系統症狀係選自噁心及嘔吐中的至少一種。
如請求項1所述的用途，其中(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺或其藥劑學上可接受的鹽係按每次以(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺計約120 mg的投與量投與。
如請求項1所述的用途，其中所述實性瘤治療用醫藥組成物與所述5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑同時或分別地聯合投與。
如請求項1所述的用途，其中所述5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑係選自由阿紮司瓊、昂丹司瓊、吲地司瓊、雷莫司瓊、格拉司瓊及帕洛諾司瓊所組成之群組中的至少一種或其藥劑學上可接受的鹽。
如請求項1所述的用途，其中所述實性瘤治療用醫藥組成物與以1天劑量計約0.1 mg～約100 mg的投與量的所述5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑聯合投與。
如請求項1所述的用途，其中所述5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑係選自鹽酸雷莫司瓊及鹽酸格拉司瓊中的至少一種。
如請求項1所述的用途，其中所述5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑係鹽酸格拉司瓊，按1天1次、以格拉司瓊計約2 mg的投與量聯合投與。
如請求項1所述的用途，其中所述5-HT<sub>3</sub>受體拮抗劑係鹽酸雷莫司瓊，按1天1次、以雷莫司瓊計約0.1 mg的投與量投與。
如請求項1所述的用途，其中(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺或其藥劑學上可接受的鹽係(6S,9aS)-N-苄基-8-({6-[3-(4-乙基哌<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1-基)四氫吖唉-1-基]吡啶-2-基}甲基)-6-(2-氟-4-羥基苄基)-4,7-二側氧基-2-(丙-2-烯-1-基)六氫-2H-吡<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>并[2,1-c][1,2,4]三<img align="absmiddle" height="25px" width="21px" file="d10006.TIF" alt="ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/>-1(6H)-甲醯胺。
一種偏光膜，係於聚乙烯醇系樹脂膜吸附配向有二色性色素，其中， <br/>視感度修正單體穿透率Ty為43.20%以上43.80%以下， <br/>視感度修正偏光度Py為99.9970%以上99.9990%以下， <br/>穿透軸方向中，膜厚的最大值與最小值之差為2.1μm以下， <br/>在穿透軸方向之端區中的膜厚的最大值與在穿透軸方向之中央區中的膜厚的最大值之差為2.1μm以下。
如請求項1所述之偏光膜，其中，穿透軸方向之長度為800mm以上2500mm以下。
如請求項1所述之偏光膜，其中，在穿透軸方向之中央區中的平均膜厚為5μm以上30μm以下。
如請求項1所述之偏光膜，其中，在穿透軸方向之中央區中的平均膜厚為16μm以上29μm以下。
一種偏光板，係於請求項1至4中任一項所述之偏光膜之單面或雙面積層有保護膜。
一種像素，包括：<br/> 半導體基板，該半導體基板包括浮動擴散區域和光電二極體區域；以及，在該半導體基板的前表面和與該前表面相對的後表面之間的：第一溝槽和在分隔方向上與該第一溝槽相鄰的第二溝槽，該分隔方向(a)平行於該前表面並且(b)在垂直於該前表面的平面內，<br/> 該第一溝槽和該第二溝槽中的每一個(a)在該浮動擴散區域和該光電二極體區域之間並且(b)從該前表面延伸至該半導體基板中，<br/> 在該分隔方向上，在該第一溝槽和該第二溝槽之間的頂部平均間隔超過了在該第一溝槽和該第二溝槽之間的底部平均間隔，該頂部平均間隔在該前表面和該半導體基板中的第一深度之間的深度處，該底部平均間隔在超過該第一深度的深度處。
如請求項1所述的像素，其中該第一深度在0.18微米和0.22微米之間。
如請求項1所述的像素，其中該底部平均間隔小於或等於0.11微米。
如請求項1所述的像素，其中該頂部平均間隔大於或等於0.14微米。
如請求項1所述的像素，其中該第一溝槽和該第二溝槽分別具有相對於該前表面的第一溝槽深度和第二溝槽深度，該第一深度在該第一溝槽深度和該第二溝槽深度中的每一個的三分之一和三分之二之間。
如請求項1所述的像素，其中溝槽寬度與該頂部平均間隔之比在1.0和1.5之間，該溝槽寬度是在該分隔方向上和在該前表面的平面內的該第一溝槽的第一寬度和該第二溝槽的第二寬度中的至少一個。
如請求項1所述的像素，其中溝槽寬度與該底部平均間隔之比在0.5和0.8之間，該溝槽寬度是在該分隔方向上和在該前表面的平面內的該第一溝槽的第一寬度和該第二溝槽的第二寬度中的至少一個。
如請求項1所述的像素，其中在該分隔方向上：(i)該第一溝槽具有隨該前表面下方的深度變化而基本均勻的寬度，以及(ii)該第二溝槽具有隨該前表面下方的深度變化而不均勻的寬度。
如請求項1所述的像素，其中<br/> 該半導體基板包括在該前表面和該後表面之間的限定出該第一溝槽的第一凹面，<br/> 在該平面中，該第一凹面是梯形的並且包括跨越在該前表面和該第一溝槽的深度之間的兩個相對的側壁表面，該兩個相對的側壁表面中的至少一個和該前表面之間的角度相對於90度的偏差小於2度。
如請求項1所述的像素，其中在該分隔方向上：該第一溝槽和該第二溝槽中的每一個具有隨該前表面下方的深度變化而不均勻的寬度。
如請求項1所述的像素，其中在該分隔方向上並且在小於該第一深度的深度處，該第一溝槽和該第二溝槽中的每一個具有隨該前表面下方的深度變化而基本均勻的寬度。
如請求項1所述的像素，其中在該分隔方向上並且在超過該第一深度的深度處，該第一溝槽和該第二溝槽中的每一個具有隨該前表面下方的深度變化而不均勻的寬度。
如請求項1所述的像素，其中在該平面內且在該第一深度下方，該第一溝槽和該第二溝槽中的至少一個的截面形狀為以下各項中的一種：矩形、梯形、圓形、橢圓形及其任何組合。
如請求項1所述的像素，還包括：<br/> 平面閘，該平面閘在該第一溝槽和該第二溝槽之間的該前表面的溝槽間區域上並且跨越在該第一溝槽和該第二溝槽之間；<br/> 第一垂直閘，該第一垂直閘至少部分地填充該第一溝槽並且電連接至該平面閘；和<br/> 第二垂直閘，該第二垂直閘至少部分地填充該第二溝槽並且電連接至該平面閘。
如請求項14所述的像素，其中<br/> 該半導體基板包括在該前表面和該後表面之間的分別限定出該第一溝槽和該第二溝槽的第一凹面和第二凹面，<br/> 該平面閘、該第一垂直閘和該第二垂直閘構成閘極，並且該像素還包括：<br/> 閘介質層，該閘介質層位於該閘極與(i)該第一凹面和該第二凹面以及(ii)該溝槽間區域中的每一個之間。
一種像素單元，包括：<br/> 半導體基板，該半導體基板包括浮動擴散區域、多個光電二極體和前表面；和<br/> 多個轉移閘，該多個轉移閘中的每一個(i)位於該半導體基板的表面上，(ii)將該多個光電二極體中的相應光電二極體耦接至該浮動擴散區域，並且(iii)包括平面閘、第一垂直閘和在分隔方向上從該第一垂直閘橫向移置的第二垂直閘，該第一垂直閘和該第二垂直閘中的每一個從該平面閘延伸至該半導體基板中，該第一垂直閘和該第二垂直閘接近該多個光電二極體中的該相應光電二極體，<br/> 在該分隔方向上，在該第一垂直閘和該第二垂直閘之間的以及在該前表面和該半導體基板中的第一深度之間的頂部平均間隔超過了在超過該第一深度的深度處的在該第一垂直閘和該第二垂直閘之間的底部平均間隔，該分隔方向平行於該前表面並且在(i)垂直於該前表面和(ii)與該第一垂直閘和該第二垂直閘兩者相交的平面中。
如請求項16所述的像素單元，其中<br/> 該浮動擴散區域從該前表面延伸至該半導體基板中的接面深度；<br/> 該多個光電二極體中的每一個設置在該半導體基板中的第二深度處，該第二深度大於該浮動擴散區域的該接面深度，<br/> 該第一深度大於該浮動擴散區域的該接面深度並且小於該多個光電二極體中的每一個的該第二深度。
一種用於創建影像感測器的偽影減少像素的方法，該方法括：<br/> 確定像素單元的第一閘間距，在該第一閘間距處光暈偽影小於光暈閾值；<br/> 確定該像素單元的第二閘間距，在該第二閘間距處影像延遲偽影小於影像延遲閾值；和<br/> 在基板中並且鄰近該基板的光電二極體區域形成溝槽對，在相對於該基板的頂表面的第一深度上方的在該溝槽之間的第一平均間距等於該第一閘間距，在該第一深度下方的在該溝槽之間的第二平均間距等於該第二閘間距。
如請求項18所述的方法，還包括：<br/> 在該基板中植入浮動擴散區域，該浮動擴散區域延伸至超過該第一深度的接面深度，該溝槽對中的每個溝槽在該浮動擴散區域和該光電二極體區域之間。
如請求項18所述的方法，還包括：<br/> 鄰近該溝槽對，在該基板中在超過該第一深度的深度處植入該光電二極體區域；<br/> 在該光電二極體區域和該浮動擴散區域之間，在該基板中植入摻雜的光暈區域至小於或等於該第一深度的接面深度。
一種雷達系統(100)，具有至少一設計成雷達感測器之可活動式安裝之定位感測器(1.1、10.1)；及一手段，用以判定至少一定位感測器(1.1、10.1)之定位感測器位置，<br/> 其特徵在：<br/> 該至少一定位感測器(1.1、10.1)具有一產生非均勻輻射特性之手段，其設計成其所形成之定位輻射波瓣(1.3)具有一信號振幅，該振幅取決於一第一定位角(50)，使信號振幅具有一定位信號曲線(52)，而該定位信號曲線(52)取決於一第二定位信號(54)；<br/> 非均勻輻射特性在該第一定位角方向及/或在第二定位角方向具有不規則曲線，以便能根據非均勻輻射特性從定位信號曲線推斷出第二定位角。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該第一定位角(50)設置於一方位角方向，且該第二定位角(54)設置於一仰角方向。
如請求項1或2之雷達系統，其中<br/> 輻射特性之非均勻性在於，不同之該第二定位角(54)之定位信號曲線(52)之相關性之最大值各小於或等於0.5，較佳為小於或等於0.3，特佳為小於或等於0.1。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該產生一非均勻性輻射特性之手段由一遮罩(1.2)構成。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該產生一非均勻性輻射特性之手段由一具有一天線陣列之發射天線及/或接收天線構成，該天線陣列具有眾多天線單元，而各個天線單元至少部分以相互間不規則距離設置，及/或指向不同方向，及/或至少部分設在不同平面上。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該定位輻射波瓣(1.3)具有一第二開口角(56)，至少90°，最好至少120°，且該定位輻射波瓣(1.3)之第二開口角(56)對該定位輻射波瓣(1.3)之第一開口角(58)之比值大於5：1，最好大於10：1。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該至少一定位感測器(1.1、10.1)設在一轉子(3.1)上，該轉子(3.1)可相對於一定子(4.1)轉動，且判定一定位感測器位置之手段構建成檢測該轉子(3.1)相對於該定子(4.1)之位置。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該判定定位感測器位置之手段由一編碼器系統構成，具有至少一讀取頭(3.2.1、3.2.2)及一實物量具(4.2)。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該雷達系統(100)具有一定位計算單元(3.3.1、3.3.2)，其構建成判定一反射之定位信號(71)之第二定位成分及一距離值(72)。
如請求項9之雷達系統，其中<br/> 第一定位成分由一方位角(74)構成，且該第二定位成分由一仰角(74)構成。
如請求項9之雷達系統，其中<br/> 該定位計算單元(3.3.1、3.3.2)構建成將一第二反射之定位信號與一相同定位成分之第一定位信號比較，並僅進一步處理不同的信號組成部分。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該雷達系統(100)具有至少一識別感測器(2.1、20.1)，用以識別一物體(8)，而藉由至少一識別感測器(2.1、20.1)可產生一識別輻射波瓣(2.2)，且該至少一識別感測器(2.1、20.1)設計成固定之雷達感測器。
如請求項12之雷達系統，其中<br/> 該識別輻射波瓣(2.2)具有一第一開口(64)，至少90°，較佳為至少120°，且該識別輻射波瓣(2.2)具有一第二開口(62)，至少90°，較佳為至少120°。
如請求項12之雷達系統，其中<br/> 該至少一識別感測器(2.1、20.1)設置於定子(4.1)上。
如請求項12之雷達系統，其中<br/> 雷達系統(100)具有至少一識別單元(4.3.1、4.3.2)，其構建成識別一反射之識別信號之雷達特徵。
如請求項12之雷達系統，其中<br/> 雷達系統(100)具有一中央計算單元(5)，其構建成將反射之識別信號關聯到該反射之定位信號(71)。
一種用於判定空間中之物體的方法(800)，藉由至少一設計成定位感測器(1.1、10.1)之可活動式裝設且具有一非均勻輻射特性之雷達感測器，來判定空間中一物體(8)，具有以下步驟：<br/> • 發射一定位輻射波瓣(1.3)，<br/> • 同時偵測一具有反射振幅之反射之定位信號(71)，及一所屬之定位感測器位置，<br/> • 在該至少一定位感測器(1.1、10.1)改變其定位感測器位置當中，多次重複前述步驟，<br/> • 由反射振幅及所屬之定位感測器位置建立一反射信號曲線，<br/> • 由反射信號曲線與定位感測器之非均勻輻射特性，判定該反射之定位感測器信號(71)之一第二定位成分，<br/> • 非均勻輻射特性在該第一定位角方向及/或在第二定位角方向具有不規則曲線，以便能根據非均勻輻射特性從定位信號曲線推斷出第二定位角。
如請求項17之方法，其中<br/> 該第二定位成分由一仰角構成。
如請求項17或18之方法，其中<br/> 藉由所屬之定位感測器信號判定一第一定位成分，及/或由該反射之定位信號(71)之運行時間，判定一距離值(72)。
如請求項19之方法，其中<br/> 該第一定位成分由一方位角(74)構成。
如請求項17之方法，其中<br/> 該定位輻射波瓣(1.3)之發射及/或該反射之定位信號(71)之偵測係藉由該至少一定位感測器(1.1、10.1)進行。
如請求項19之方法，其中<br/> 將一第二反射之定位信號與一具有相同第一定位成分之第一反射之定位信號比較。
如請求項17之方法，其中<br/> 該反射振幅構建成複合反射振幅，該複合反射振幅具有該反射振幅以及反射相位。
如請求項17之方法，其中<br/> 該方法具有以下步驟：<br/> • 藉由一構建成一識別感測器(2.1、20.1)之固定的雷達感測器，發射一識別輻射波瓣(2.2)，<br/> • 偵測一具有雷達特徵之反射之識別信號，<br/> • 識別雷達特徵，<br/> • 將該反射之識別信號關聯到該反射之定位信號(71)上。
如請求項24之方法，其中<br/> 藉由一輻射成形法處理該反射之識別信號。
如請求項1之雷達系統，其中<br/> 該雷達系統(100)構建成執行如請求項17至25中任一項之方法(800)。
一種電阻式記憶體裝置，包括：<br/> 一介電層；<br/> 一通孔連接結構，設置在該介電層中；<br/> 一堆疊結構，設置在該通孔連接結構與該介電層上；<br/> 一絕緣結構，在一垂直方向上貫穿該堆疊結構且將該堆疊結構劃分成一第一儲存單元以及一第二儲存單元，其中該第一儲存單元包括一第一底電極，該第二儲存單元包括一第二底電極，該第一底電極與該第二底電極通過該絕緣結構而彼此分離，且該通孔連接結構與該第一底電極以及該第二底電極電性連接；以及<br/> 一間隙子結構，設置在該堆疊結構的側壁上，其中該絕緣結構與該間隙子結構直接連接。
如請求項1所述之電阻式記憶體裝置，其中該堆疊結構包括一第一導電層，該第一底電極為該第一導電層的一第一部分，且該第二底電極為該第一導電層的一第二部分。
如請求項2所述之電阻式記憶體裝置，其中該堆疊結構還包括：<br/> 一第二導電層，在該垂直方向上設置在該第一導電層之上；以及<br/> 一可變電阻(variable resistance)材料，在該垂直方向上設置在該第一導電層與該第二導電層之間，其中該絕緣結構在該垂直方向上貫穿該第二導電層、該可變電阻材料以及該第一導電層。
如請求項3所述之電阻式記憶體裝置，其中該第一儲存單元還包括一第一上電極與一第一可變電阻層，該第二儲存單元還包括一第二上電極與一第二可變電阻層，該第一可變電阻層在該垂直方向上設置在該第一底電極與該第一上電極之間，且該第二可變電阻層在該垂直方向上設置在該第二底電極與該第二上電極之間。
如請求項4所述之電阻式記憶體裝置，其中該第一可變電阻層為該可變電阻材料的一第一部分，該第二可變電阻層為該可變電阻材料的一第二部分，且該可變電阻材料的該第一部分與該可變電阻材料的該第二部分通過該絕緣結構而彼此分離。
如請求項4所述之電阻式記憶體裝置，其中該第一上電極為該第二導電層的一第一部分，該第二上電極為該第二導電層的一第二部分，且該第二導電層的該第一部分與該第二導電層的該第二部分通過該絕緣結構而彼此分離。
如請求項4所述之電阻式記憶體裝置，其中該絕緣結構與該第一底電極、該第二底電極、該第一可變電阻層、該第二可變電阻層、該第一上電極、該第二上電極以及該通孔連接結構直接連接。
如請求項1所述之電阻式記憶體裝置，其中該絕緣結構在該垂直方向上設置在該通孔連接結構上，且該絕緣結構的一底表面在該垂直方向上低於該通孔連接結構的一上表面。
如請求項1所述之電阻式記憶體裝置，其中，該絕緣結構中具有一接縫。
如請求項1所述之電阻式記憶體裝置，其中該間隙子結構在與該垂直方向正交的方向上圍繞該堆疊結構。
一種電阻式記憶體裝置的製作方法，包括：<br/> 在一介電層中形成一通孔連接結構；<br/> 在該通孔連接結構與該介電層上形成一堆疊結構；以及<br/> 形成一絕緣結構，該絕緣結構在一垂直方向上貫穿該堆疊結構且將該堆疊結構劃分成一第一儲存單元以及一第二儲存單元，其中該第一儲存單元包括一第一底電極，該第二儲存單元包括一第二底電極，該第一底電極與該第二底電極通過該絕緣結構而彼此分離，且該通孔連接結構與該第一底電極以及該第二底電極電性連接。
如請求項11所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中形成該堆疊結構的方法包括：<br/> 在該通孔連接結構與該介電層上形成一第一導電層：<br/> 在該第一導電層上形成一可變電阻(variable resistance)材料；<br/> 在該可變電阻材料上形成一第二導電層；以及<br/> 對該第二導電層、該可變電阻材料以及該第一導電層進行一圖案化製程，其中該第二導電層、該可變電阻材料以及該第一導電層被該圖案化製程圖案化而成為該堆疊結構的至少一部分。
如請求項12所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中形成該絕緣結構的方法包括：<br/> 形成一溝槽，該溝槽在該垂直方向上貫穿該第二導電層、該可變電阻材料以及該第一導電層；<br/> 形成一絕緣材料，其中該絕緣材料的一部分形成在該溝槽中，且該絕緣材料的另一部分形成在該溝槽之外；以及<br/> 對該絕緣材料進行一平坦化製程，其中形成在該溝槽之外的該絕緣材料被該平坦化製程移除。
如請求項13所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中該通孔連接結構的一部分被形成該溝槽的步驟移除，且該絕緣結構的一底表面在該垂直方向上低於該通孔連接結構的一上表面。
如請求項13所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中該平坦化製程是在該圖案化製程之前進行，且形成在該溝槽中的該絕緣材料被該圖案化製程圖案化而成為該絕緣結構。
如請求項12所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中該第一底電極為該第一導電層的一第一部分，且該第二底電極為該第一導電層的一第二部分。
如請求項12所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中該第一儲存單元還包括一第一上電極與一第一可變電阻層，該第二儲存單元還包括一第二上電極與一第二可變電阻層，該第一可變電阻層在該垂直方向上設置在該第一底電極與該第一上電極之間，且該第二可變電阻層在該垂直方向上設置在該第二底電極與該第二上電極之間。
如請求項17所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中該第一可變電阻層為該可變電阻材料的一第一部分，該第二可變電阻層為該可變電阻材料的一第二部分，且該可變電阻材料的該第一部分與該可變電阻材料的該第二部分通過該絕緣結構而彼此分離。
如請求項17所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，其中該第一上電極為該第二導電層的一第一部分，該第二上電極為該第二導電層的一第二部分，且該第二導電層的該第一部分與該第二導電層的該第二部分通過該絕緣結構而彼此分離。
如請求項11所述之電阻式記憶體裝置的製作方法，還包括：<br/> 在該堆疊結構的側壁上形成一間隙子結構，其中該絕緣結構與該間隙子結構直接連接。
一種電阻式記憶體裝置，包括：<br/> 一介電層；<br/> 一通孔連接結構，設置在該介電層中；<br/> 一堆疊結構，設置在該通孔連接結構與該介電層上；以及<br/> 一絕緣結構，在一垂直方向上貫穿該堆疊結構且將該堆疊結構劃分成一第一儲存單元以及一第二儲存單元，其中該第一儲存單元包括一第一底電極，該第二儲存單元包括一第二底電極，該第一底電極與該第二底電極通過該絕緣結構而彼此分離，且該通孔連接結構與該第一底電極以及該第二底電極電性連接，<br/> 其中，該絕緣結構在該垂直方向上設置在該通孔連接結構上，且該絕緣結構的一底表面在該垂直方向上低於該通孔連接結構的一上表面。
一種織機，具備旋轉軸，前述旋轉軸經由設置在各側框架內的軸承相對於各前述側框架被支撐從而架設於一對前述側框架，且前述旋轉軸由被各前述側框架支撐的實心軸狀的軸部和位於兩個前述軸部之間的中空管狀的主體部構成；<br/> 前述織機係具備軸承構造體，前述軸承構造體在前述旋轉軸的軸線方向上設於前述側框架間的兩個前述軸部的存在範圍的至少一方，且包括用於嵌插前述軸部的滾動軸承和支撐前述滾動軸承的支撐體。
一種玻璃物品的製造裝置，包括移送熔融玻璃的移送管，所述玻璃物品的製造裝置的特徵在於，<br/>所述移送管包括：管狀部，供熔融玻璃於內部流動；以及電極部，安裝於所述管狀部的外周側且於所述管狀部中流通電流，<br/>所述管狀部具有沿著管軸方向延伸的接縫部，<br/>於所述管狀部安裝環狀的肋部，<br/>所述肋部於所述管狀部的周向上的中途具有接縫部，<br/>所述管狀部的接縫部的位置與所述肋部的接縫部的位置於所述管狀部的周向上不同。
如請求項1所述的玻璃物品的製造裝置，其中，所述移送管構成管狀部的管軸方向沿著上下方向的攪拌槽，於設置於所述管狀部的熔融玻璃的流入口及流出口，自外部分別連接有流入管及流出管。
如請求項2所述的玻璃物品的製造裝置，其中，所述管狀部的接縫部的位置與所述流入口及所述流出口各自的位置於所述管狀部的周向上不同。
如請求項2或請求項3所述的玻璃物品的製造裝置，其中，所述肋部的接縫部的位置與所述流入口及所述流出口各自的位置於所述管狀部的周向上不同。
如請求項2或請求項3所述的玻璃物品的製造裝置，其中，所述流入口的位置與所述流出口的位置於俯視時隔著所述管狀部的管軸相向，所述管狀部的接縫部的位置與所述肋部的接縫部的位置於俯視時隔著自所述流入口至所述流出口的假想直線路徑相向。
如請求項1至請求項3中任一項所述的玻璃物品的製造裝置，其中，所述管狀部由鉑或鉑合金形成，所述肋部由強化鉑或強化鉑合金形成。
一種玻璃物品的製造方法，包括使用如請求項1至請求項6中任一項所述的玻璃物品的製造裝置所包括的移送管移送熔融玻璃的步驟。
一種經被覆之氮化鋯粒子，其係具有：氮化鋯粒子、被覆前述氮化鋯粒子表面的至少一部分的氧化物層、及散布在前述氧化物層表面或內部的碳微粒子， <br/> 表面附著碳的含有率在0.10質量%以上5.0質量%以下的範圍內， <br/> 平均一次粒徑在47nm以上141nm的範圍內。
如請求項1之經被覆之氮化鋯粒子，其中前述氧化物層的厚度在5nm以上40nm以下的範圍內。
一種經被覆之氮化鋯粒子，其係具有：氮化鋯粒子、被覆前述氮化鋯粒子表面的至少一部分的氧化物層、及散布在前述氧化物層表面或內部的碳微粒子， <br/> 表面附著碳的含有率在0.10質量%以上5.0質量%以下的範圍內， <br/> 其中藉由下述方法所測得的波長365nm的光線的透過率相對於波長600nm的光線的透過率之比為3.0以上， <br/>(測定方法) <br/> 將經被覆之氮化鋯粒子在溫度為30℃且相對濕度為90%RH的環境下靜置72小時；使靜置後的經被覆之氮化鋯粒子分散於丙二醇單甲醚乙酸酯，調製出濃度50質量ppm的分散液；測定所調製出的分散液之波長365nm的光線的透過率相對於波長600nm的光線的透過率之比。
一種黑色紫外線硬化型有機組成物，其係包含紫外線硬化型有機物與分散於前述紫外線硬化型有機物的黑色顏料之黑色紫外線硬化型有機組成物，並且 <br/> 前述黑色顏料為如請求項1～3中任一項之經被覆之氮化鋯粒子。
如請求項4之黑色紫外線硬化型有機組成物，其中前述紫外線硬化型有機物為選自由丙烯酸單體、丙烯酸寡聚物、環氧化物單體、環氧寡聚物所成的群組的至少一種有機物。
一種薄膜形成用原料，其含有下述一般式(2)所示之鉬化合物； <br/><img align="absmiddle" height="229px" width="613px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>21</sup>表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之含氟原子之烷基，L<sup>2</sup>表示下述一般式(L-3)或(L-4)所示之基，m表示1~4之整數；但，m為4時，R<sup>21</sup>表示氟原子數為1~8之碳原子數1~5之含氟原子之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="405px" width="776px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>22</sup>~R<sup>32</sup>係各自獨立表示氫原子、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之含氟原子之烷基，＊表示鍵結處。
一種薄膜之製造方法，其使用薄膜形成用原料，在基體表面形成含有鉬原子之薄膜，其中該薄膜形成用原料含有下述一般式(1)所示之鉬化合物； <br/><img align="absmiddle" height="229px" width="635px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>1</sup>表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之含氟原子之烷基，L<sup>1</sup>表示下述一般式(L-1)或(L-2)所示之基，n表示1~4之整數；但，n為4時，R<sup>1</sup>表示碳原子數1~5之含氟原子之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="406px" width="796px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>2</sup>~R<sup>12</sup>係各自獨立表示氫原子、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之含氟原子之烷基，＊表示鍵結處。
如請求項2之薄膜之製造方法，其包含：原料導入步驟及薄膜形成步驟； <br/> 該原料導入步驟係將使前述薄膜形成用原料氣化而得之原料氣體導入至設置有基體之成膜室內； <br/> 該薄膜形成步驟係使前述原料氣體所含之一般式(1)所示之薄膜形成用原料進行分解及/或化學反應而在前述基體表面形成含有鉬原子之薄膜。
如請求項3之薄膜之製造方法，其中在前述原料導入步驟及薄膜形成步驟之間，包含使用前述薄膜形成用原料在前述基體表面形成前驅物薄膜的前驅物薄膜形成步驟， <br/> 前述薄膜形成步驟為使前述前驅物薄膜與反應性氣體進行反應而在前述基體表面形成含有鉬原子之薄膜的步驟。
一種下述一般式(2)所示之鉬化合物； <br/><img align="absmiddle" height="229px" width="613px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>21</sup>表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之含氟原子之烷基，L<sup>2</sup>表示下述一般式(L-3)或(L-4)所示之基，m表示1~4之整數； <br/> 但，m為4時，R<sup>21</sup>表示氟原子數為1~8之碳原子數1~5之含氟原子之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="405px" width="776px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>22</sup>~R<sup>32</sup>係各自獨立表示氫原子、碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之含氟原子之烷基，＊表示鍵結處。
一種附相位差層之偏光板，其具有： <br/>第一偏光板，其包含第一偏光元件； <br/>第一相位差層，其相鄰於上述第一偏光板配置且折射率特性顯示nz＞nx＞ny之關係；及 <br/>第二相位差層，其相鄰於上述第一相位差層配置且折射率特性顯示nx＞ny＝nz之關係； <br/>上述第一偏光元件之吸收軸與上述第一相位差層之慢軸實質上正交， <br/>上述第一偏光元件之吸收軸與上述第二相位差層之慢軸實質上平行， <br/>上述第一相位差層之面內相位差Re(550)為145 nm以上且225 nm以下， <br/>上述第一相位差層之Nz係數為-1.0以上且-0.1以下， <br/>上述第二相位差層之面內相位差Re(550)為170 nm以上且250 nm以下。
一種圖像顯示裝置，其具備： <br/>圖像顯示單元；及 <br/>相對於上述圖像顯示單元配置於視認側之如請求項1之附相位差層之偏光板。
如請求項2之圖像顯示裝置，其中上述圖像顯示單元為液晶單元， <br/>上述液晶單元之驅動模式為IPS模式。
如請求項3之圖像顯示裝置，其中上述圖像顯示裝置具備相對於上述圖像顯示單元配置於與上述附相位差層之偏光板相反之側之第二偏光板， <br/>上述第二偏光板包含第二偏光元件， <br/>上述第一偏光元件之吸收軸與上述液晶單元之初始配向方向實質上正交， <br/>上述第二偏光元件之吸收軸與上述液晶單元之初始配向方向實質上平行。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一層間絕緣層；<br/> 複數電阻層，該複數電阻層各設置成與該層間絕緣層的一上表面接觸且該複數電阻層設置成在一第一方向上彼此間隔開；以及<br/> 一佈線層，該佈線層至少設置在該複數電阻層的上方或下方，以在平面圖中與該複數電阻層重疊，<br/> 其中，該複數電阻層包括多個第一電阻層和多個第二電阻層，該第二電阻層的每一者在該第一方向上具有的寬度小於該第一電阻層的每一者在該第一方向上具有的寬度，<br/> 其中，該佈線層包括：<br/> 一第一下佈線層，其與該複數電阻層之一端部的每一者電性連接；<br/> 一第二下佈線層，其與該複數電阻層之另一端部的每一者電性連接；及<br/> 一第一佈線部分及一第二佈線部分，其係彼此平行延伸，該第一佈線部分及該第二佈線部分在平面圖中係設置在該第一下佈線層與該第二下佈線層之間，<br/> 其中，該第一佈線部分在平面圖中與該第一電阻層及該第二電阻層重疊，且<br/> 其中，該第二佈線部分在平面圖中與該第一電阻層重疊，且在平面圖中不與該第二電阻層重疊，<br/> 其中，該第一電阻層包括在平面圖中與該佈線層重疊的第一重疊區域，<br/> 其中，該第二電阻層包括在平面圖中與該佈線層重疊的第二重疊區域，以及<br/> 其中，該第二重疊區域的面積的總值除以該第二電阻層之每一者沿該第一方向的寬度所獲得的數值小於該第一重疊區域的面積的總值除以該第一電阻層之每一者沿該第一方向的寬度所獲得的數值。
如請求項1的半導體裝置，其中，在平面圖中，在設置該複數電阻層的一區域中，該第一電阻層設置在該第二電阻層的內側。
如請求項1的半導體裝置，在與該第一方向正交的一第二方向上，該第一重疊區域的每一者的寬度大於該第二重疊區域的每一者在該第二方向上的寬度。
如請求項1的半導體裝置，其中，該佈線層形成在該複數電阻層下方。
如請求項1的半導體裝置，其中，該佈線層形成在該複數電阻層上方。
如請求項1的半導體裝置，其中，該佈線層設置在該複數電阻層上方及下方。
如請求項1的半導體裝置，其中，該第一電阻層及該第二電阻層的每一者係由含有金屬的材料製成。
如請求項7的半導體裝置，其中，該第一電阻層及該第二電阻層的每一者中所包括的材料包括選自由以下者組成之群組的至少一者：矽鉻(SiCr)、碳摻雜矽鉻(SiCrC)、鎳鉻(NiCr)、氮化鈦(TiN)、和氮化鉭(TaN)。
一種電磁閥控制裝置，係複數電磁閥模組(161-16n)串聯連接於通訊模組(12)的電磁閥控制裝置(10)，其特徵為： <br/> 具備發送線(32)與接收線(40)與切換線(42)，前述發送線、前述接收線及前述切替線係橫跨前述通訊模組及複數前述電磁閥模組； <br/> 前述電磁閥模組，係具備第1通訊電路(22)及第2通訊電路(24)； <br/> 前述第2通訊電路的輸入端子(26)係連接於前述發送線； <br/> 前述第2通訊電路的輸出端子(28)係連接於前述接收線； <br/> 從前述通訊模組發送至前述發送線的電磁閥控制訊號，係透過前述電磁閥模組的前述第1通訊電路接收，關於診斷資訊的訊號與前述電磁閥控制訊號一起從前述第1通訊電路發送至前述發送線； <br/> 對於除了結束端的前述電磁閥模組(16n)之外的前述電磁閥模組的前述第2通訊電路，從位於下一段的前述電磁閥模組的前述切換線輸入訊號； <br/> 未從前述切換線輸入訊號之結束端的前述電磁閥模組的前述第2通訊電路，係將前述電磁閥控制訊號及複數前述電磁閥模組的前述診斷資訊相關的訊號，透過前述接收線傳達至前述通訊模組； <br/> 前述電磁閥模組，係具備電磁閥控制電路(20)，並且具備從前述切換線分歧而到達前述電磁閥控制電路的電磁閥控制電路用電力線(47)。
如請求項1所記載之電磁閥控制裝置，其中， <br/> 前述第2通訊電路，係具備輸出賦能端子(30)，除了結束端的前述電磁閥模組之外的前述電磁閥模組的前述第2通訊電路的前述輸出賦能端子，係連接於前述切換線。
如請求項2所記載之電磁閥控制裝置，其中， <br/> 前述電磁閥模組，係具備從前述切換線分歧的第1分歧切換線(44)，與從前述第2通訊電路的前述輸出賦能端子延伸的第2分歧切換線(46)； <br/> 除了結束端的前述電磁閥模組之外的前述電磁閥模組的前述第2分歧切換線的端部，係連接於下一段的前述電磁閥模組的前述第1分歧切換線的端部。
如請求項1所記載之電磁閥控制裝置，其中， <br/> 前述發送線，係由傳輸時脈訊號的第1通訊線(34)、傳輸選擇訊號的第2通訊線(36)、傳輸前述電磁閥控制訊號及前述診斷資訊相關的訊號的第3通訊線(38)所構成。
一種觸控板，其包括：<br/> 一底板，其設有一控制晶片；<br/> 一感應基板，其設置於該底板上並設有多條感應跡線，該感應基板具有一第一側面及一第二側面，其中該底板設置於該感應基板之第二側面，所述感應跡線設置於該感應基板之第一側面；<br/> 至少一連接板，其可彎曲的連接於該底板與該感應基板之間，所述連接板連接於該感應基板之第二側面，所述連接板上設有多條延伸線，各所述延伸線對應其中一所述感應跡線，各所述延伸線之兩端分別與該底板之控制晶片及相對應之感應跡線形成電連接，所述感應跡線藉由貫穿該感應基板之數個導電貫孔與所述連接板之對應的延伸線形成電連接，所述連接板之材質與該感應基板之材質相異，各所述感應跡線之線寬大於各所述延伸線之線寬；及<br/> 一蓋體，其設置於該感應基板之第一側面。
如請求項1所述之觸控板，其中各所述感應跡線係於端部設有一導線，各所述感應跡線透過其導線與相對應之延伸線形成電連接，各所述感應跡線之寬度大於各所述導線之寬度，各所述導線之寬度大於各所述延伸線之寬度。
如請求項1所述之觸控板，其中各所述延伸線與相對應之感應跡線間的電連接係透過導電膜相連接。
如請求項2所述之觸控板，其中各所述延伸線與相對應之感應跡線之導線間的電連接係透過導電膜相連接。
如請求項1至4中任一項所述之觸控板，其中該感應基板為一薄膜，所述感應跡線以印刷成型於該感應基板上。
如請求項1至4中任一項所述之觸控板，其中所述連接板為一軟性電路板，所述延伸線以蝕刻製程成型於所述連接板上。
一種觸控板，其包括：<br/> 一底板，其設有一控制晶片；<br/> 一感應基板，其設置於該底板上並設有多條感應跡線，該感應基板具有一第一側面及一第二側面，其中該底板設置於該感應基板之第二側面，所述感應跡線包含有多條第一感應跡線及多條第二感應跡線，所述第一感應跡線呈平行間隔設置，所述第二感應跡線呈平行間隔設置，所述第一感應跡線與所述第二感應跡線呈縱橫交錯設置；<br/> 一第一連接板及一第二連接板，其可彎曲的連接於該底板與該感應基板之間，所述第一連接板及所述第二連接板上設有多條延伸線，各所述延伸線對應其中一所述感應跡線，所述第一感應跡線與該第一連接板之對應的延伸線形成電連接，所述第二感應跡線與該第二連接板之對應的延伸線形成電連接，所述連接板之材質與該感應基板之材質相異，各所述感應跡線之線寬大於各所述延伸線之線寬；及<br/> 一蓋體，其設置於該感應基板之第一側面。
如請求項7所述之觸控板，其中各所述感應跡線係於端部設有一導線，各所述感應跡線透過其導線與相對應之延伸線形成電連接，各所述感應跡線之寬度大於各所述導線之寬度，各所述導線之寬度大於各所述延伸線之寬度。
如請求項7所述之觸控板，其中各所述延伸線與相對應之感應跡線間的電連接係透過導電膜相連接。
如請求項8所述之觸控板，其中各所述延伸線與相對應之感應跡線之導線間的電連接係透過導電膜相連接。
如請求項7至10中任一項所述之觸控板，其中該感應基板為一薄膜，所述感應跡線以印刷成型於該感應基板上。
如請求項7至10中任一項所述之觸控板，其中所述連接板為一軟性電路板，所述延伸線以蝕刻製程成型於所述連接板上。
如請求項7至10中任一項所述之觸控板，其中所述第一感應跡線設置於該感應基板之第一側面，所述第二感應跡線設置於該感應基板之第二側面，該第一連接板及該第二連接板連接於該感應基板之第二側面，所述第一感應跡線藉由貫穿該感應基板之數個導電貫孔與該第一連接板之對應的延伸線形成電連接。
一種晶圓載置台，包括： <br/>陶瓷基材，於頂面具有晶圓載置面，內藏有電極； <br/>冷卻基材，於內部形成冷媒流道； <br/>接合層，將該陶瓷基材的底面與該冷卻基材的頂面加以接合； <br/>埋頭孔，在上下方向貫穿該接合層及該冷卻基材，具有細孔徑的孔上部、粗孔徑的孔下部、以及在該孔上部與該孔下部之間的孔段差部，該孔上部通過該冷媒流道的形成區域； <br/>埋頭絶緣管，插入該埋頭孔，具有細孔徑的管上部、粗孔徑的管下部、以及在該管上部與該管下部之間的管段差部； <br/>接合端子，上端接合於該電極，並插入該埋頭絶緣管；以及 <br/>插座，配置在該埋頭絶緣管的該管下部內，並具有彈性支撐部，該彈性支撐部在不與該接合端子的下端面抵接的情況下，彈性支撐該接合端子的外周面； <br/>該插座的底面之直徑，大於該管上部之直徑； <br/>該彈性支撐部具有沿著圓周方向隔著間隔直立設置的複數個板片構件、以及從外側緊固該複數個板片構件的彈性構件。
如請求項1之晶圓載置台，其中， <br/>該孔上部的長度比起該孔下部更長。
如請求項1之晶圓載置台，其中， <br/>該插座接觸該管段差部。
如請求項1之晶圓載置台，其中， <br/>該彈性支撐部具有複數個板片彈簧。
如請求項4之晶圓載置台，其中， <br/>該複數個板片彈簧沿著圓周方向隔著間隔直立設置。
如請求項1之晶圓載置台，其中， <br/>該接合端子的直徑為該插座之底面的直徑之一半以下。
如請求項1之晶圓載置台，其中， <br/>該插座的底面係朝向中心凹陷的形狀。
如請求項1之晶圓載置台，其中， <br/>該插座具有可供插頭插入的插頭插入口。
一種脫模薄膜，其具有構成至少一個脫模面之脫模層與緩衝層積層而成的積層結構，該脫模薄膜中，<br/> 該脫模層包含30質量%以上聚酯樹脂，且該聚酯樹脂為包含聚對苯二甲酸丁二酯-聚四亞甲基二醇共聚物共聚（PBT-PTMG共聚物）者，<br/> 該緩衝層包含：選自聚對苯二甲酸乙二酯樹脂（PET）、聚對苯二甲酸乙二酯二醇樹脂（PETG）、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂（PBT）、聚對苯二甲酸三亞甲基酯樹脂（PTT）及聚對苯二甲酸六亞甲基酯樹脂（PHT）中之1種或2種以上；以及選自乙烯系共聚物、α-烯烴系聚合物、α-烯烴系共聚物、聚醚碸（PES）、聚苯硫醚（PPS）、聚甲基戊烯樹脂、橡膠成分中之1種或2種以上，且具有海島結構，<br/> 滿足以下的要件1，<br/> （要件1）將對該脫模薄膜用動態黏彈性測定裝置（拉伸模式，頻率1Hz，升溫速度5℃/min）測定之70℃下的儲存彈性係數設為A1，將該脫模薄膜在175℃、120秒、2MPa的條件下處理之後的該儲存彈性係數設為A2時，<br/> 滿足A2/A1≥1.2的關係。
一種脫模薄膜，其具有構成至少一個脫模面之脫模層與緩衝層積層而成的積層結構，該脫模薄膜中，<br/> 該脫模層包含30質量%以上聚酯樹脂，且該聚酯樹脂為包含聚對苯二甲酸丁二酯樹脂（PBT）及其共聚物者，<br/> 該緩衝層包含選自乙烯-丙烯酸甲酯共聚物（EMA）及低密度聚乙烯（LDPE）中之1種或2種，且具有海島結構，<br/> 滿足以下的要件1，<br/> （要件1）將對該脫模薄膜用動態黏彈性測定裝置（拉伸模式，頻率1Hz，升溫速度5℃/min）測定之70℃下的儲存彈性係數設為A1，將該脫模薄膜在175℃、120秒、2MPa的條件下處理之後的該儲存彈性係數設為A2時，<br/> 滿足A2/A1≥1.2的關係。
如請求項1或2之脫模薄膜，其中，<br/> 該脫模層包含選自聚對苯二甲酸乙二酯樹脂（PET）、聚對苯二甲酸乙二酯二醇樹脂（PETG）、聚對苯二甲酸三亞甲基酯樹脂（PTT）及聚對苯二甲酸六亞甲基酯樹脂（PHT）中之1種或2種以上作為該聚酯樹脂。
如請求項2之脫模薄膜，其中，<br/> 該緩衝層包含選自聚對苯二甲酸乙二酯樹脂（PET）、聚對苯二甲酸乙二酯二醇樹脂（PETG）、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂（PBT）、聚對苯二甲酸三亞甲基酯樹脂（PTT）及聚對苯二甲酸六亞甲基酯樹脂（PHT）中之1種或2種以上。
如請求項1或2之脫模薄膜，其中，<br/> 該緩衝層的厚度（μm）相對於該脫模薄膜整體的厚度（μm）為50～90%。
如請求項1或2之脫模薄膜，其滿足以下的要件2，<br/> （要件2）將對該脫模薄膜用動態黏彈性測定裝置（拉伸模式、頻率1Hz、升溫速度5℃/min）測定之70℃下的損耗彈性係數設為B1，將該脫模薄膜在175℃、120秒、2MPa的條件下處理之後的該損耗彈性係數設為B2時，滿足B1＜B2的關係。
如請求項1或2之脫模薄膜，其滿足以下的要件3，<br/> （要件3）將對該脫模薄膜用動態黏彈性測定裝置（拉伸模式、頻率1Hz、升溫速度5℃/min）測定之100℃下的儲存彈性係數設為C1，將該脫模薄膜在175℃、120秒、2MPa的條件下處理之後的該儲存彈性係數設為C2時，滿足C2/C1≥1.3的關係。
如請求項1或2之脫模薄膜，其滿足以下的要件4，<br/> （要件4）將對該脫模薄膜用動態黏彈性測定裝置（拉伸模式、頻率1Hz、升溫速度5℃/min）測定之150℃下的儲存彈性係數設為D1，將該脫模薄膜在175℃、120秒、2MPa的條件下處理之後的該儲存彈性係數設為D2時，滿足D2/D1≥1.2的關係。
如請求項1或2之脫模薄膜，其中，<br/> 該脫模面的算術平均粗糙度Ra為0.1～3.5μm。
如請求項1或2之脫模薄膜，其中，<br/> 該脫模薄膜的厚度為50～200μm。
如請求項1或2之脫模薄膜，其適用於卷對卷方式。
如請求項1或2之脫模薄膜，其適用於快速加壓方式。
一種成型品的製造方法，包括：<br/> 以請求項1或2之脫模薄膜的該一個脫模面成為對象物側之方式，在該對象物上配置該脫模薄膜之步驟；及<br/> 對配置有該脫模薄膜之該對象物進行熱壓之步驟。
如請求項13之成型品的製造方法，其中，<br/> 在配置該脫模薄膜之該步驟中，該對象物的配置該脫模薄膜之面由包含熱硬化性樹脂之材料形成。
如請求項13之成型品的製造方法，其中，<br/> 該成型品為撓性電路基板。
一種脫模薄膜的再利用方法，具有：<br/> 將在請求項13之成型品的製造方法中使用之該脫模薄膜進行粉碎，加工成脫模薄膜用原料之步驟；及<br/> 使用該脫模薄膜用原料，形成第二脫模薄膜之步驟。
如請求項16之脫模薄膜的再利用方法，其中，<br/> 該第二脫模薄膜具有第二脫模層及形成於該第二脫模層上之第二緩衝層，<br/> 該第二緩衝層由該脫模薄膜用原料形成。
一種第二脫模薄膜的製造方法，具有：<br/> 將在請求項13之成型品的製造方法中使用之該脫模薄膜進行粉碎，加工成薄膜用原料之步驟；及<br/> 使用該薄膜用原料，形成第二脫模薄膜之步驟。
如請求項18之第二脫模薄膜的製造方法，其中，<br/> 該第二脫模薄膜具有第二脫模層及形成於該第二脫模層上之第二緩衝層，<br/> 該第二緩衝層由該薄膜用原料形成。
一種半導體基板的製造方法，包括： <br/>於基板上直接或間接地塗敷抗蝕劑底層膜形成用組成物的步驟； <br/>於所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟所形成的抗蝕劑底層膜上塗敷含金屬的抗蝕劑膜形成用組成物的步驟； <br/>利用放射線對所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟所形成的抗蝕劑膜進行曝光的步驟；以及 <br/>至少對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟，其中 <br/>所述抗蝕劑底層膜形成用組成物含有： <br/>具有下式(i)所表示的部分結構的聚合物，及 <br/>溶劑； <br/><img align="absmiddle" height="164px" width="183px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(i)中，Y<sup>1</sup>為選自由磺醯基、羰基及烷二基所組成的群組的二價基，Y<sup>2</sup>為選自由磺醯基、羰基及單鍵所組成的群組的二價基，其中Y<sup>1</sup>為烷二基時Y<sup>2</sup>為磺醯基或羰基，Y<sup>2</sup>為單鍵時Y<sup>1</sup>為磺醯基或羰基；R<sup>1</sup>為碳數1～20的一價有機基；X<sup>+</sup>為一價鎓陽離子；*為與所述聚合物中的其他結構鍵結的鍵。
如請求項1所述的半導體基板的製造方法，其中所述聚合物具有下式(1)所表示的重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="257px" width="239px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，R<sup>a</sup>為氫原子或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基，L<sup>1</sup>為單鍵或烷二基以外的二價連結基，Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>、R<sup>1</sup>及X<sup>+</sup>與所述式(i)為相同含義。
如請求項2所述的半導體基板的製造方法，其中所述L<sup>1</sup>為碳數6～20的二價芳香族烴基。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，於所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟前更包括：對所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟所形成的所述抗蝕劑底層膜於200℃以上的溫度下進行加熱的步驟。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，其中所述放射線為KrF準分子雷射、電子束或極紫外光。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，其中所述抗蝕劑底層膜的膜厚為20 nm以下。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，其中於對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟中所使用的顯影液為鹼性液。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，於所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟前更包括： <br/>於基板上直接或間接地形成含矽膜的步驟。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，其中所述金屬選自錫及鋯至少其中之一。
如請求項1~3中任一項所述的半導體基板的製造方法，其中Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>皆為磺醯基時，R<sup>1</sup>為碳數6~20的一價芳香族烴基。
一種抗蝕劑底層膜形成用組成物，含有 <br/>具有下式(i)所表示的部分結構的聚合物、及 <br/>溶劑； <br/><img align="absmiddle" height="163px" width="177px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(i)中，Y<sup>1</sup>為選自由磺醯基、羰基及烷二基所組成的群組的二價基，Y<sup>2</sup>為選自由磺醯基、羰基及單鍵所組成的群組的二價基，其中Y<sup>1</sup>為烷二基時Y<sup>2</sup>為磺醯基或羰基，Y<sup>2</sup>為單鍵時Y<sup>1</sup>為磺醯基或羰基；R<sup>1</sup>為碳數1～20的一價有機基；X<sup>+</sup>為一價鎓陽離子；*為與所述聚合物中的其他結構鍵結的鍵， <br/>所述聚合物具有下式(W-1)或下式(W-2)所表示的重複單元(W)： <br/><img align="absmiddle" height="225px" width="519px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(W-1)中，R<sup>w1</sup>表示與式中的兩個碳原子一起形成的環員數6～20的環結構；式(W-2)中，R<sup>w2</sup>表示與式中的一個碳原子一起形成的環員數4～20的環結構。
如請求項11所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述聚合物具有下式(1)所表示的重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="257px" width="239px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，R<sup>a</sup>為氫原子或者經取代或未經取代的碳數1～20的一價烴基，L<sup>1</sup>為單鍵或烷二基以外的二價連結基，Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>、R<sup>1</sup>及X<sup>+</sup>與所述式(i)為相同含義。
如請求項12所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述L<sup>1</sup>為碳數6～20的二價芳香族烴基。
如請求項11~13中任一項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述R<sup>1</sup>為氟原子或氟化烴基鍵結於與Y<sup>2</sup>鄰接的碳原子上的碳數1～20的一價有機基。
如請求項11~13中任一項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述聚合物更具有下式(2)所表示的重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="298px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(2)中，R<sup>3</sup>為氫原子或者經取代或未經取代的碳數1~20的一價烴基，L<sup>3</sup>為單鍵或二價連結基，R<sup>4</sup>為碳數1~20的一價有機基。
如請求項11~13中任一項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>皆為磺醯基時，R<sup>1</sup>為碳數6~20的一價芳香族烴基。
如請求項15所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述L<sup>3</sup>為單鍵，所述R<sup>4</sup>為經取代或未經取代的一價芳香族烴基或者經取代或未經取代的一價雜環基。
如請求項12或13所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述式(1)所表示的重複單元於構成所述聚合物的所有重複單元中所佔的含有比例為1莫耳%以上100莫耳%以下。
如請求項11~13中任一項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述聚合物於所述抗蝕劑底層膜形成用組成物中的所述溶劑以外的成分中所佔的含有比例為10質量%以上。
如請求項11~13中任一項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，更含有交聯劑。
如請求項20所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述交聯劑於所述抗蝕劑底層膜形成用組成物中的所述溶劑以外的成分中所佔的含有比例為10質量%以上。
一種蝕刻方法，其使用包含鏻鹽(A)之蝕刻液，相對於矽鍺而選擇性地溶解矽， <br/>上述鏻鹽(A)為四級鏻鹽，且該四級鏻鹽之四個烷基為相同烷基。
如請求項1之蝕刻方法，其中鏻鹽(A)包含氫氧化四丁基鏻。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述蝕刻液中之鏻鹽(A)之濃度為0.1 mol/L以上。
如請求項3之蝕刻方法，其中上述蝕刻液中之鏻鹽(A)之濃度為0.3 mol/L以上。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述蝕刻液進而包含螯合劑(B)。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述蝕刻液進而包含水溶混性溶劑(C)。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述蝕刻液進而包含水(D)。
一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：使用如請求項1至7中任一項之蝕刻方法，蝕刻包含矽及矽鍺之結構體。
一種環繞式閘極型電晶體之製造方法，其包括如下步驟：使用如請求項1至7中任一項之蝕刻方法，蝕刻包含矽及矽鍺之結構體。
一種經組態以減少電遷移之半導體電路，其包括： <br/>一電力軌，其位於一第一層上； <br/>一接地軌，其位於該第一層上； <br/>一電力指狀物(power finger)，其位於一第二層上； <br/>一接地指狀物，其位於該第二層上； <br/>一單元，其位於該第二層上，該單元電連接至該電力指狀物及該接地指狀物，使得該單元經由該電力指狀物接收電力； <br/>一或多個電力通孔，其將該電力軌物理及電連接(physically and electrically connecting)至該電力指狀物，該一或多個電力通孔自該第一層延伸至該第二層，從而將該電力軌連接至該電力指狀物；及 <br/>一或多個接地通孔，其將該接地軌物理及電連接至該接地指狀物，該一或多個接地通孔自該第一層延伸至該第二層，從而將該接地軌連接至該接地指狀物。
如請求項1之電路，其中存在連接至各電力指狀物之兩個電力通孔及連接至各接地指狀物之兩個接地通孔。
如請求項1之電路，其進一步包括經配置以形成一電路之兩個或更多個單元。
如請求項1之電路，其中一絶緣層介於該第一層與該第二層之間。
如請求項1之電路，其中一或多個電力通孔之一數量係基於該單元之電流消耗(current consumption)。
如請求項1之電路，其中該第一層位於該第二層上方。
一種具減少電遷移(reduced electromigration)之基於單元之電路，其包括： <br/>兩個或更多個單元，其等經配置於一電路中，各單元包括： <br/>自各單元延伸之一第一指狀物，該第一指狀物在與該單元相同之層級上； <br/>自各單元延伸之一第二指狀物，該第二指狀物在與該單元及該第一指狀物相同之層級上； <br/>一或多個第一互連件，其物理及電連接至該第一指狀物； <br/>一或多個第二互連件，其物理及電連接至該第二指狀物； <br/>一第一軌，其在與該單元、第一指狀物及第二指狀物不同之一層級上，該第一軌電連接至該一或多個第一互連件；及 <br/>一第二軌，其在與該單元、第一指狀物及第二指狀物不同之一層級上，該第二軌電連接至該一或多個第二互連件。
如請求項7之電路，其中該等第一指狀物及第二指狀物各包括經設定大小為將電流自該第一軌或該第二軌傳導至該單元之一導電跡線。
如請求項7之電路，其中電遷移由於該第一指狀物處於與該第一軌不同之一層級上而減少。
如請求項7之電路，其中該第一軌包括一正電壓軌。
如請求項7之電路，其中該第二軌包括一負電壓軌。
如請求項7之電路，其中該一或多個第一互連件及該一或多個第二互連件係一或多個通孔。
如請求項7之電路，其中該第一軌及該第二軌位於比該單元更高之一層級處。
一種用於在一電子電路電力供應路徑中減少電遷移之方法，其包括： <br/>在一第一層上形成具有單元之一配置之一電路； <br/>形成一或多個電力供應指狀物及將其電連接至該等單元之一或多者，該一或多個電力供應指狀物在該第一層上； <br/>形成一或多個接地指狀物及將其電連接至該等單元之一或多者，該一或多個接地指狀物在該第一層上； <br/>在該第一層上方形成一或多個絶緣層； <br/>在該一或多個絶緣層中形成一或多個電力供應通孔，該一或多個電力供應通孔物理及電連接至至少一個電力供應指狀物； <br/>在該一或多個絶緣層中形成一或多個接地通孔，該一或多個接地通孔物理及電連接至至少一個接地指狀物； <br/>在該一個或多個絶緣層上形成一電力供應軌，該電力供應軌電連接至該一或多個電力供應通孔，其中將該電力供應軌設置在與該一或多個電力供應指狀物不同之一層上係減少電遷移；及 <br/>在該一或多個絶緣層上形成一接地軌，該接地軌電連接至該一或多個接地通孔。
如請求項14之方法，其中該等單元之該配置係互連的。
如請求項14之方法，其中該接地軌係處於一負電壓。
如請求項14之方法，其中該兩個通孔電連接至各指狀物。
如請求項14之方法，其中該第一層更靠近一基板。
一種剝離夾具，其將黏貼於板狀的被加工物的第二面之與該被加工物同等的直徑之保護片從該第二面剝離，該被加工物的第一面係透過保持片而被固定於環狀的框架的開口， <br/>該剝離夾具具備： <br/>下表面部，其載置於該保持片上； <br/>上表面部，其連同已黏貼於該被加工物的該第二面之該保護片的剝離用膠膜黏貼面一起構成一面；以及 <br/>抵接部，其具有與該被加工物的外周形狀對應之形狀且具有與該被加工物的厚度對應之厚度，並抵接於該被加工物的外周部， <br/>該上表面部具有超過黏貼於該保護片且將該保護片剝離之該剝離用膠膜的寬度之寬度，且係以拒絕該剝離用膠膜的黏貼之材料所構成，該下表面部係以拒絕該保持片的黏貼之材料所構成， <br/>該剝離夾具的在該抵接部與該被加工物的外周緣相向時的與該被加工物的徑向平行的方向的長度形成為比該框架的開口與該被加工物的該外周緣之間的徑向的間隔更長。
如請求項1之剝離夾具，其中，該抵接部的該厚度比該被加工物的該厚度與該保護片的厚度的合計厚度更薄。
如請求項1或2之剝離夾具，其中，該上表面部具有在厚度隨著遠離該抵接部而變厚之方向形成有傾斜度之部分。
如請求項1或2之剝離夾具，其中，在該下表面部形成有撤離凹部， <br/>該撤離凹部被形成為下述形狀：在將該剝離夾具配置於緊鄰該被加工物的位置並覆蓋該保持片時，在與該被加工物所裝設之該框架對應之位置，裁切成比該框架的徑向的寬度更寬且比該框架的厚度更厚。
一種片剝離方法，其使用請求項1至4中任一項之剝離夾具將黏貼於板狀的被加工物的第二面之與該被加工物同等的直徑之保護片從該第二面剝離，該被加工物的第一面係透過保持片而被固定於環狀的框架的開口， <br/>該片剝離方法具備： <br/>被加工物保持步驟，其以卡盤台並隔著該保持片而保持已被固定於該框架之該被加工物； <br/>剝離夾具配置步驟，其在實施該被加工物保持步驟後，將該剝離夾具配置於緊鄰被保持於該卡盤台之該被加工物的位置並覆蓋該保持片； <br/>剝離用膠膜黏貼步驟，其將黏貼於該保護片之長條形的剝離用膠膜從該保護片的比外周緣更靠近中心側的位置起推壓至緊鄰該被加工物的該剝離夾具，而將該剝離用膠膜黏貼於該保護片；以及 <br/>剝離步驟，其將已黏貼於該保護片之該剝離用膠膜從該保護片的外周朝向中心拉起，而將該保護片從該被加工物剝離， <br/>在將該剝離用膠膜黏貼於該保護片直至該保護片的最外周為止時，防止該剝離用膠膜黏貼於該保持片。
一種片剝離裝置，其將黏貼於板狀的被加工物的第二面之與該被加工物同等的直徑之保護片從該第二面剝離，該被加工物的第一面係透過保持片而被固定於環狀的框架的開口， <br/>該片剝離裝置具備： <br/>卡盤台，其以保持面並隔著該保持片而保持該被加工物； <br/>請求項1至4中任一項之剝離夾具，其在緊鄰被保持於該卡盤台之該被加工物的位置覆蓋該保持片； <br/>供給單元，其供給黏貼於該保護片之剝離用膠膜； <br/>推壓單元，其將該剝離用膠膜從該保護片的比外周緣更靠近中心側的位置起推壓至緊鄰該被加工物的該剝離夾具，而將該剝離用膠膜黏貼於該保護片；以及 <br/>剝離單元，其將已黏貼於該保護片之該剝離用膠膜拉起，而從該被加工物剝離該保護片， <br/>在將該剝離用膠膜黏貼於該保護片直至該保護片的最外周為止時，防止該剝離用膠膜黏貼於該保持片。
一種鎳系合金粉末，其係以質量%計，由 <br/> Ni：40.00~70.00%、 <br/> Cr：15.00~25.00%、 <br/> Mo：0.10~12.00%、 <br/> Nb：3.00~7.00%、 <br/> Al：0.10~1.50%、 <br/> Ti：0.10~2.00%、 <br/> Si：0.01~0.40%、 <br/> C：0.001~0.15%、 <br/> B：0.0002~0.0040%、 <br/> S：0~0.002%、 <br/> W、Co的1種以上：共計0~7.00%，及 <br/> Fe及無可避免之雜質：其餘部分， <br/> 所構成的鎳系合金粉末，其中， <br/>前述鎳系合金粉末的平均粒徑(D<sub>50</sub>)為10μm以上100μm以下， <br/> 下式： <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="442px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，[C]、[Cr]、[Mo]、[W]、[Co]、[Nb]、[Al]、[Ti]及[B]分別表示前述鎳系合金粉末中之C、Cr、Mo、W、Co、Nb、Al、Ti及B的含有率(質量%)) <br/> 所定義之A1值為204.5以上，且 <br/> 下式： <br/><img align="absmiddle" height="101px" width="446px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，[C]、[Cr]、[Mo]、[W]、[Co]、[Nb]、[Al]、[Ti]、[B]及[S]分別表示前述鎳系合金粉末中之C、Cr、Mo、W、Co、Nb、Al、Ti、B及S的含有率(質量%)) <br/> 所定義之A2值為200以下。
一種積層造形體，其係使用如請求項1之鎳系合金粉末而得到。
一種晶棒切割方法，包括：調整晶棒的晶向，將調整後的晶棒通過樹脂條黏結在工件板上，該晶棒的延伸方向與該工件板平行；利用容器罩住該晶棒，該容器與該工件板之間形成容納空間，該晶棒位於該容納空間內，該容器具有一遠離該工件板一側的開口；通過該開口向該容納空間內加入液態樹脂，該液態樹脂包覆至少部分該晶棒；對該液態樹脂進行固化，形成包覆該晶棒的樹脂塊；拆除該容器，將包覆該晶棒的樹脂塊送入線切設備進行線切割，得到多個包覆有樹脂的矽片，去除該矽片上包覆的樹脂；其中，該調整晶棒的晶向包括：測試該晶棒的晶向是否為目標晶向；在該晶棒的晶向為目標晶向時，停止調整；在該晶棒的晶向不是目標晶向時，繼續調整該晶棒的晶向；其中，該容器在第一方向上的截面為規則的圖形，且在第二方向上的尺寸保持不變，以緩解切割時產生的應力，緩解矽片翹曲及彎曲；該規則的圖形為矩形或橢圓形，該第一方向垂直於該工件板，且垂直於該晶棒的延伸方向，該第二方向與切割線的延伸方向平行。
如請求項1所述之晶棒切割方法，其中，通過該開口向該容納空間內加入液態樹脂包括：在3分鐘內加入該液態樹脂。
如請求項1所述之晶棒切割方法晶棒切割方法，其中，該液態樹脂包覆全部該晶棒。
如請求項3所述之晶棒切割方法晶棒切割方法，其中，該液態樹脂的液面與該晶棒的最高點之間的垂直距離為3公分至5公分。
一種晶棒切割裝置，包括：晶棒調整組件，用於調整晶棒的晶向；固定元件，用於將調整後的晶棒通過樹脂條黏結在工件板上，該晶棒的延伸方向與該工件板平行；樹脂注入組件，用於利用容器罩住該晶棒，該容器與該工件板之間形成容納空間，該晶棒位於該容納空間內，該容器具有一遠離該工件板一側的開口；通過該開口向該容納空間內加入液態樹脂，該液態樹脂包覆至少部分該晶棒；固化元件，用於對該液態樹脂進行固化，形成包覆該晶棒的樹脂塊；切割組件，用於拆除該容器，將包覆該晶棒的樹脂塊送入線切設備進行線切割，得到多個包覆有樹脂的矽片，去除該矽片上包覆的樹脂；其中，該晶棒調整組件用於測試該晶棒的晶向是否為目標晶向；在該晶棒的晶向為目標晶向時，停止調整；在該晶棒的晶向不是目標晶向時，繼續調整該晶棒的晶向；其中，該容器在第一方向上的截面為規則的圖形，且在第二方向上的尺寸保持不變，以緩解切割時產生的應力，緩解矽片翹曲及彎曲；該規則的圖形為矩形或橢圓形，該第一方向垂直於該工件板，且垂直於該晶棒的延伸方向，該第二方向與切割線的延伸方向平行。
如請求項5所述之晶棒切割裝置，其中，該樹脂注入組件用於在3分鐘內加入該液態樹脂。
一種晶圓之加工方法，前述晶圓在正面側形成有複數個器件，且前述晶圓之外周端部已被倒角，前述晶圓之加工方法具備以下步驟：<br/> 保持步驟，將該晶圓以可沿著該晶圓的圓周方向旋轉，且該正面朝向上方之狀態來保持；及<br/> 加工步驟，在該保持步驟之後，在一邊從設置於圓環狀的第1切削刀片的周圍之第1液體供給單元供給切削液，一邊使旋轉之該第1切削刀片的下端部切入該晶圓的該外周端部的狀態下，從設置於有別於該第1切削刀片而設置的圓環狀的第2切削刀片的周圍之第2液體供給單元對該晶圓的該正面的中心供給洗淨液並且使該晶圓旋轉，藉此一邊形成如覆蓋該晶圓的該正面之該洗淨液的膜，一邊對該晶圓的該外周端部進行加工。
如請求項1之晶圓之加工方法，其更具備紫外線照射步驟，前述紫外線照射步驟是在該加工步驟之前對該晶圓的該正面照射紫外線來賦與親水性。
如請求項1或2之晶圓之加工方法，其中在該加工步驟中，是交互地重複實施切入步驟與旋轉步驟，<br/> 前述切入步驟是讓旋轉的該切削刀片的該下端部之在該晶圓的該外周端部中的自該正面起算的深度變大，<br/> 前述旋轉步驟是使該晶圓旋轉至少1圈。
一種衛生用品，其特徵在於，其係穿著者穿戴之衛生用品，且具備： <br/>片材，其具有與上述穿著者之肌膚接觸之接觸面； <br/>上述片材包含於疏水性合成纖維之內部含有親水性樹脂之第1纖維、與於纖維表面具有表面積增大結構且含有異形剖面纖維、捲縮纖維及熱收縮性纖維中任一者之第2纖維中之至少一者，於上述接觸面塗佈有具親水性之肌膚護理用之藥液。
如請求項1之衛生用品，其中 <br/>上述第1纖維與上述第2纖維之單絲纖度設定為2 dtex以下。
如請求項1或2之衛生用品，其中 <br/>上述片材於位於上述接觸面之相反側之非接觸面積層有第2片材；且 <br/>上述第2片材包含上述第1纖維與上述第2纖維中之至少一者。
如請求項3之衛生用品，其中 <br/>上述片材藉由熱壓印加工壓著於上述第2片材； <br/>上述熱壓印加工之壓著圖案，於俯視下呈直徑之長度為1 mm以上5 mm以下之圓形形狀，或於俯視下呈各邊之長度為1 mm以上5 mm以下之矩形形狀；且 <br/>相鄰之上述壓著圖案彼此之間隔設定為5 mm以下。
如請求項3之衛生用品，其中 <br/>上述片材經由均一地塗佈於上述片材與上述第2片材之間之接著劑，接著於上述第2片材。
如請求項1或2之衛生用品，其具備： <br/>正面材，其具有上述片材且對向於上述穿著者；與吸收構件，其配置於上述正面材之非肌膚側，並吸收上述穿著者之體液；且 <br/>上述正面材經由均一地塗佈於上述正面材與上述吸收構件之間之接著劑，接著於上述吸收構件。
如請求項3之衛生用品，其具備： <br/>正面材，其具有上述片材且對向於上述穿著者；與吸收構件，其配置於上述正面材之非肌膚側，並吸收上述穿著者之體液；且 <br/>上述正面材經由均一地塗佈於上述正面材與上述吸收構件之間之接著劑，接著於上述吸收構件。
如請求項4之衛生用品，其具備： <br/>正面材，其具有上述片材且對向於上述穿著者；與吸收構件，其配置於上述正面材之非肌膚側，並吸收上述穿著者之體液；且 <br/>上述正面材經由均一地塗佈於上述正面材與上述吸收構件之間之接著劑，接著於上述吸收構件。
如請求項5之衛生用品，其具備： <br/>正面材，其具有上述片材且對向於上述穿著者；與吸收構件，其配置於上述正面材之非肌膚側，並吸收上述穿著者之體液；且 <br/>上述正面材經由均一地塗佈於上述正面材與上述吸收構件之間之接著劑，接著於上述吸收構件。
一種充電系統的控制方法，包含步驟：<br/> (a) 由該充電系統提供一充電晶片，用以給一待充電裝置進行充電，且該充電晶片於一待機模式時，以一喚醒週期執行一喚醒任務而開始對該充電晶片進行檢測；<br/> (b) 於該喚醒任務中，該充電晶片執行多個喚醒子任務，該多個喚醒子任務分別對該充電晶片進行不同運作參數的取樣，其中，該多個喚醒子任務分別具有一優先級，該多個喚醒子任務所對應的該優先級是可調整的；以及<br/> (c) 該充電晶片依據每一該喚醒子任務的該優先級設定每一該喚醒子任務的工作週期，其中，該充電晶片以每一該工作週期執行對應的該喚醒子任務，其中，不同該優先級的該喚醒子任務的該工作週期的長度不同。
如請求項1所述的充電系統的控制方法，其中，在該多個喚醒子任務中，具有較高的該優先級的該喚醒子任務所對應的該工作週期較短。
如請求項2所述的充電系統的控制方法，還包括步驟：於該喚醒任務中，該充電晶片檢查該多個喚醒子任務所對應的該工作週期是否到期並執行該工作週期已到期的該喚醒子任務。
如請求項1所述的充電系統的控制方法，其中，該多個喚醒子任務所對應的該工作週期各自皆為該喚醒週期的正整數倍。
如請求項4所述的充電系統的控制方法，其中，具有最高的該優先級的該喚醒子任務所對應的該工作週期與該喚醒週期相同。
一種充電系統，包含：<br/> 一充電晶片，用以給一待充電裝置進行充電，其中，該充電晶片於一待機模式時，以一喚醒週期執行一喚醒任務而開始對該充電晶片進行檢測，<br/> 其中，於該喚醒任務中，該充電晶片執行多個喚醒子任務，該多個喚醒子任務分別對該充電晶片進行不同運作參數的取樣，其中，該多個喚醒子任務分別具有一優先級，該多個喚醒子任務所對應的該優先級是可調整的，其中，每一該喚醒子任務分別具有與其優先級相對應的一工作週期，該充電晶片以每一該工作週期執行對應的該喚醒子任務，且不同優先級的該喚醒子任務的該工作週期的長度不同。
如請求項6所述的充電系統，其中，在該多個喚醒子任務中，具有較高的該優先級的該喚醒子任務所對應的該工作週期較短。
如請求項7所述的充電系統，其中，於該待機模式時，該充電晶片檢查該多個喚醒子任務所對應的該工作週期是否到期並執行該工作週期已到期的該喚醒子任務。
如請求項6所述的充電系統，其中，該多個喚醒子任務的該工作週期各自皆為該喚醒週期的正整數倍。
如請求項9所述的充電系統，其中，具有最高的該優先級的該喚醒子任務所對應的該工作週期與該喚醒週期相同。
一種積層光學膜之製造方法，其中， <br/>該製造方法係在進行旋轉之一對貼合輥之間，使第1光學膜、接著劑層、及第2光學膜以在連結前述一對貼合輥間的方向依此順序排列之狀態進行導入而貼合前述第1光學膜與前述第2光學膜； <br/>前述第1光學膜係依序具備第1光學功能層、及第2光學功能層； <br/>前述第2光學功能層為包含液晶塗佈型偏光片之偏光片層； <br/>在貼合時， <br/>前述第1光學膜之前述第2光學功能層側朝向前述接著劑層側； <br/>前述第2光學功能層之寬度係小於前述第1光學功能層之寬度； <br/>前述第1光學功能層係位於內包前述第2光學功能層之存在寬度之位置； <br/>前述接著劑層之寬度係小於前述第1光學功能層之寬度，且小於前述第2光學膜之寬度，並且大於前述第2光學功能層之寬度； <br/>前述第1光學功能層及前述第2光學膜係位於內包前述接著劑層之存在寬度之位置； <br/>前述接著劑層係位於內包前述第2光學功能層之寬度之位置，並且，構成前述接著劑層之接著劑係從前述第2光學功能層之兩端部朝前述第1光學功能層側進入而接觸前述第1光學功能層。
如請求項1所述之製造方法，其中，前述第1光學功能層之厚度、與前述第2光學功能層之厚度的合計為1μm至8μm。
如請求項1或2所述之製造方法，其中， <br/>前述一對貼合輥之寬度係大於前述第1光學膜及前述第2光學膜之無論任一者的寬度， <br/>前述一對貼合輥係位於內包前述第1光學膜及前述第2光學膜之存在寬度之位置。
如請求項1或2所述之製造方法，其中，前述液晶塗佈型偏光片為包含二色性色素、及至少具有一個聚合性基之聚合性液晶化合物的聚合性液晶組成物之硬化物。
如請求項1或2所述之製造方法，其中， <br/>前述第1光學膜係在前述第1光學功能層之與前述第2光學功能層側為相反側具備剝離基材膜， <br/>前述第1光學功能層為形成於前述剝離基材膜上之硬塗層。
如請求項1或2所述之製造方法，其中，前述第1光學膜係更具備塗佈於前述第2光學功能層上所設置的被覆層。
如請求項1或2所述之製造方法，其中， <br/>前述第2光學膜係由複數個層所構成， <br/>前述複數個層係包含相位差層。
如請求項1或2所述之製造方法，其中， <br/>前述接著劑為活性能量線硬化型接著劑， <br/>該製造方法具備對已通過前述一對貼合輥之間的積層體照射活性能量線而使前述接著劑硬化之硬化步驟。
一種靜電夾盤，其包含： <br/>一底板； <br/>一陶瓷板，其固定至該底板且包括嵌入於該陶瓷板中之一電極；及 <br/>一樹脂層，其接合該底板與該陶瓷板且包括一或多種黏合劑， <br/>其中在該一或多種黏合劑之至少一者中，於-150℃至250℃之溫度範圍中與一損耗正切之一極值對應的溫度係-70℃或更低；且 <br/>在-60℃或更低之低溫下上述樹脂層之儲存模數之值維持在與上述樹脂層在室溫下之儲存模數之值相同之水準。
如請求項1之靜電夾盤，其中，該一或多種黏合劑之該至少一者在-60℃下具有0.5W/mK或更高的導熱率。
如請求項1之靜電夾盤，其中，該一或多種黏合劑之該至少一者含有一填料。
如請求項1之靜電夾盤，其中，該樹脂層具有：<br/>一第一黏合劑，其施加至該底板，及 <br/>一第二黏合劑，其施加在該第一黏合劑與該陶瓷板之間，且 <br/>其中在該第一黏合劑及該第二黏合劑之至少一者中，於-150℃至250℃之溫度範圍中與該損耗正切之該極值對應的溫度係-70℃或更低。
如請求項4之靜電夾盤，其中，在該第一黏合劑及該第二黏合劑中之一者中，於-150℃至250℃之溫度範圍中與該損耗正切之該極值對應的溫度係-70℃或更低，且 <br/>其中該第一黏合劑及該第二黏合劑中之另一者在熱固之前的黏度及在熱固之後的儲存彈性模數係大於該第一黏合劑及該第二黏合劑中之該一者。
如請求項5之靜電夾盤，其中，該第一黏合劑及該第二黏合劑中之另一者的厚度係大於該第一黏合劑及該第二黏合劑中之該一者的厚度。
如請求項1之靜電夾盤，其中，進而具備： <br/>在樹脂層之上表面或下表面上提供的一矽烷耦合層。
一種染著調控方法，包含：<br/> 將一染著條件輸入一中控系統；<br/> 該中控系統根據該染著條件與一染著速率關係模型給出對應的一建議參數以及一目標染著率曲線，其中該建議參數包含一建議循環時間；<br/> 將該建議參數輸入一染色機台，並對一布疋進行一第一階段染色程序；<br/> 在完成該第一階段染色程序之後，利用一染著率監視模組計算該布疋之一第一染著率；<br/> 該中控系統比對該布疋之該第一染著率與該目標染著率曲線；以及<br/> 在當該布疋之該第一染著率與該目標染著率曲線之間的一差值大於一預設值時，修正該建議循環時間。
如請求項1所述之染著調控方法，其中修正該建議循環時間包括：<br/> 在當該布疋之該第一染著率落後該目標染著率曲線時，增加該建議循環時間。
如請求項1所述之染著調控方法，其中修正該建議循環時間包括：<br/> 在當該布疋之該第一染著率超前該目標染著率曲線時，縮減該建議循環時間。
如請求項1所述之染著調控方法，其中修正該建議循環時間包括：<br/> 修正該染色機台之一主泵浦的轉速與一帶布輪的轉速。
如請求項1所述之染著調控方法，更包含以經修正之該建議循環時間對該布疋進行一第二階段染色程序。
如請求項1所述之染著調控方法，更包含建立該染著速率關係模型，其中建立該染著速率關係模型包含以下步驟:<br/> (a)找出該染色機台之一主泵浦的轉速與一帶布輪的轉速之一匹配上限值；<br/> (b)以該匹配上限值配合至少一操作變因進行複數次循環；<br/> (c)評估該些循環的染著狀態，決定低於該匹配上限值的一經調降匹配值；以及<br/> (d)以該匹配上限值或是該經調降匹配值作為一參考循環時間。
如請求項6所述之染著調控方法，更包含重複多次步驟(a)至步驟(d)，以得到複數個參考循環時間，從而建立該染著速率關係模型。
如請求項6所述之染著調控方法，其中該至少一操作變因包含升溫條件、降溫條件、持溫條件、噴嘴間隙及其組合。
如請求項1所述之染著調控方法，其中利用一染著率監視模組計算該布疋之一第一染著率包含:<br/> 在該染色機台之一布頭端以一光譜儀量測穿透一染液分流管路中之一染液的光線的光強度。
如請求項1所述之染著調控方法，更包含將該染著條件以及經修正的該建議循環時間記錄於該中控系統中。
一種預浸體，是片狀纖維基材含浸有樹脂而成的預浸體，所述片狀纖維基材包含均勻地分散不連續的碳纖維（A）與不連續的有機纖維（B）， <br/>於所述片狀纖維基材中，不連續的碳纖維（A）的含有率為60重量%～80重量%，不連續的有機纖維（B）的含有率為20重量%～40重量%， <br/>相對於100重量份的預浸體，所述片狀纖維基材為5重量份～65重量份，所述樹脂為35重量份～95重量份，所述預浸體滿足以下的條件1～條件3中的任一者； <br/>條件1：所述樹脂為熱塑性樹脂（C），所述有機纖維（B）的熔點Tmb（℃）與所述熱塑性樹脂（C）的熔點Tmc（℃）的差（Tmb-Tmc）為20℃～200℃ <br/>條件2：所述樹脂為熱硬化性樹脂（D），所述有機纖維（B）的熔點Tmb（℃）與所述熱硬化性樹脂（D）的硬化溫度Tmd（℃）的差（Tmb-Tmd）為20℃～400℃ <br/>條件3：所述有機纖維（B）不具有熔點。
如請求項1所述的預浸體，其中，於所述樹脂的軟化時，以面外方向的平均膨脹率250%～800%膨脹。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述片狀纖維基材的單位面積重量為10 g/m<sup>2</sup>～200 g/m<sup>2</sup>。
如請求項3所述的預浸體，其中，所述單位面積重量的變異係數（CV）為0.1%～10%。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述片狀纖維基材更包含0.1重量%～10重量%的黏合劑樹脂（E）。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述片狀纖維基材為抄紙基材。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述碳纖維（A）的平均纖維長度為1 mm～15 mm。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述有機纖維（B）的平均纖維長度為4 mm～20 mm。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述有機纖維（B）是包含選自聚酯系樹脂、聚芳基醚酮系樹脂、芳香族聚醯胺系樹脂及聚伸芳基硫醚系樹脂中的樹脂的纖維。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述有機纖維（B）的直徑為15 μm～50 μm。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述有機纖維（B）的拉伸強度為1 GPa～6 GPa。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述有機纖維（B）的拉伸斷裂伸長率為2.5%～100%。
如請求項1所述的預浸體，其中，於所述條件1下，所述有機纖維（B）的熔點Tmb（℃）與所述熱塑性樹脂（C）的熔點Tmc（℃）的差（Tmb-Tmc）為50℃～160℃。
如請求項1所述的預浸體，其中，於所述條件1下，所述熱塑性樹脂（C）選自聚烯烴樹脂、聚醯胺樹脂及聚伸芳基硫醚樹脂中。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述預浸體的樹脂含浸率為80%～100%。
如請求項1所述的預浸體，其中，所述預浸體的拉伸強度的最大值σ<sub>Max</sub>與最小值σ<sub>Min</sub>的比（σ<sub>Max</sub>/σ<sub>Min</sub>）為1～2。
一種預製件，積層有至少一張如請求項1所述的預浸體而成。
一種纖維強化樹脂成形品，是將如請求項17所述的預製件成形而成。
一種用於無線通信中的高速同步的方法，所述方法包括： <br/>基於多個輸入樣本計算對應於第一符號持續時間的多個第一相關值，所述多個輸入樣本自所接收信號產生； <br/>基於所述多個第一相關值及對應於在所述第一符號持續時間之前的第二符號持續時間的多個第二相關值而計算分別對應於所述多個輸入樣本的多個相位差； <br/>基於所述多個相位差更新分別對應於所述多個輸入樣本的多個累積相位差；以及 <br/>基於更新的所述多個累積相位差偵測符號邊界。
如請求項1所述的方法，其中所述多個第一相關值及所述多個第二相關值為複數， <br/>其中計算所述多個相位差包括： <br/>自所述多個第一相關值獲得第一相關值及自所述多個第二相關值獲得第二相關值，所述第一相關值及所述第二相關值對應於輸入樣本的相同索引； <br/>計算獲得的所述第二相關值的複共軛；以及 <br/>將獲得的所述第一相關值乘以獲得的所述第二相關值的計算的所述複共軛。
如請求項1所述的方法，其中所述多個相位差及所述多個累積相位差為複數， <br/>其中更新所述多個累積相位差包括： <br/>自所述多個相位差獲得相位差及自所述多個累積相位差獲得累積相位差，所述相位差及所述累積相位差對應於輸入樣本的相同索引；以及 <br/>對獲得的所述相位差及獲得的所述累積相位差求和。
如請求項3所述的方法，其中更新所述多個累積相位差更包括當所述第一符號持續時間為初始符號持續時間時，將所述累積相位差設定為零。
如請求項1所述的方法，其中偵測所述符號邊界包括： <br/>基於所述多個第一相關值及更新的所述多個累積相位差而更新多個累積相關值； <br/>識別更新的所述多個累積相關值中的最大值；以及 <br/>判定對應於所述最大值的輸入樣本的索引。
如請求項5所述的方法，其中更新所述多個累積相位差更包括： <br/>基於更新的所述累積相位差校正所述累積相關值；以及 <br/>對所述第一相關值及校正的所述累積相關值求和。
如請求項5所述的方法，其中偵測所述符號邊界更包括： <br/>將所述最大值與第一參考值進行比較；以及 <br/>當所述最大值小於所述第一參考值時，判定所述符號邊界不可偵測。
如請求項1所述的方法，其中所述符號邊界的偵測更包括： <br/>識別更新的所述多個累積相位差中的最大值；以及 <br/>判定對應於所述最大值的輸入樣本的索引。
如請求項8所述的方法，其中偵測所述符號邊界更包括： <br/>將所述最大值與第二參考值進行比較；以及 <br/>當所述最大值小於所述第二參考值時，判定所述符號邊界不可偵測。
如請求項1所述的方法，其中所述第一符號持續時間及所述第二符號持續時間中的各者對應於包含於同步（SYNC）欄位中的單一符號的持續時間，所述同步欄位包含於同步標頭（SHR）中。
一種用於無線通信中的高速同步的設備，所述設備包括： <br/>第一緩衝器，經組態以儲存自所接收信號產生且對應於第一符號持續時間的多個輸入樣本； <br/>處理電路，經組態以基於所述多個輸入樣本計算分別對應於所述多個輸入樣本的多個第一相關值； <br/>第二緩衝器，經組態以儲存對應於在所述第一符號持續時間之前的第二符號持續時間的多個第二相關值；以及 <br/>第三緩衝器，經組態以儲存分別對應於所述多個輸入樣本的多個累積相位差， <br/>其中所述處理電路進一步經組態以： <br/>基於所述多個第一相關值及所述多個第二相關值而計算分別對應於所述多個輸入樣本的多個相位差； <br/>基於所述多個相位差更新所述多個累積相位差；以及 <br/>基於更新的所述多個累積相位差偵測符號邊界。
如請求項11所述的設備，其中所述多個第一相關值及所述多個第二相關值為複數， <br/>其中所述處理電路進一步經組態以 <br/>自所述第二緩衝器讀取第二相關值，所述第二相關值對應於輸入樣本的對應於第一相關值的相同索引；以及 <br/>藉由將所述第一相關值乘以讀取的所述第二相關值的複共軛來計算所述多個相位差。
如請求項11所述的設備，其中所述多個相位差及所述多個累積相位差為複數， <br/>其中所述處理電路進一步經組態以 <br/>自所述第三緩衝器讀取累積相位差，所述累積相位差對應於與所述多個相位差中的一者對應的輸入樣本的相同索引；以及 <br/>藉由對所述多個相位差中的所述一者及讀取的所述累積相位差求和來更新所述多個累積相位差。
如請求項13所述的設備，其中所述處理電路進一步經組態以當所述第一符號持續時間為初始符號持續時間時，將所述累積相位差設定為零。
如請求項11所述的設備，其中所述處理電路進一步經組態以 <br/>基於所述多個第一相關值及更新的所述多個累積相位差而更新多個累積相關值； <br/>識別更新的所述多個累積相關值中的最大值；以及 <br/>判定對應於所述最大值的輸入樣本的索引。
如請求項15所述的設備，更包括：第四緩衝器，經組態以儲存多個累積相關值， <br/>其中所述處理電路進一步經組態以 <br/>自所述第四緩衝器讀取所述累積相關值； <br/>基於更新的所述累積相位差校正讀取的所述累積相關值；以及 <br/>藉由對所述第一相關值及校正的所述累積相關值求和來更新所述多個累積相關值。
如請求項11所述的設備，其中所述處理電路進一步經組態以判定對應於更新的所述多個累積相位差的最大值的樣本輸入的索引。
如請求項11所述的設備，其中所述處理電路進一步經組態以識別對應於偵測的所述符號邊界的第一相關值的相位，且判定識別的所述相位為初始相位。
如請求項11所述的設備，其中所述處理電路進一步經組態以基於所述第一符號持續時間及對應於偵測的所述符號邊界的累積相位差而計算載波頻率偏移。
一種用於無線通信中的高速同步的設備，所述設備包括： <br/>記憶體，儲存一系列指令；以及 <br/>至少一個處理器，經組態以藉由執行所述系列指令而進行以下操作： <br/>計算對應於第一符號持續時間且分別對應於多個輸入樣本的多個第一相關值，所述多個輸入樣本自所接收信號產生； <br/>基於所述多個第一相關值及對應於在所述第一符號持續時間之前的第二符號持續時間的多個第二相關值而計算分別對應於所述多個輸入樣本的多個相位差； <br/>基於所述多個相位差更新分別對應於所述多個輸入樣本的多個累積相位差；以及 <br/>基於更新的所述多個累積相位差偵測符號邊界。
一種支撐板之去除方法，包含以下步驟： <br/>硬化步驟，對包含若照射紫外線即硬化之未硬化狀態的硬化材、且已將可供該紫外線穿透之支撐板接著於板狀構件之接著層，從該支撐板側來照射該紫外線而讓該接著層的該硬化材硬化； <br/>空孔形成步驟，在該硬化步驟之後，從該支撐板側對該接著層照射穿透該支撐板且被該硬化材吸收之波長的雷射光束，而在該接著層的和該支撐板接觸之面上形成複數個空孔；及 <br/>支撐板去除步驟，在該空孔形成步驟之後，以該面為交界將該支撐板從該接著層剝離，而從已接著於該板狀構件之該接著層去除該支撐板。
如請求項1之支撐板之去除方法，其中在該空孔形成步驟中，以在該面內相鄰之被照射區域不重疊的方式來照射脈衝狀的該雷射光束。
如請求項1或2之支撐板之去除方法，其中在該空孔形成步驟中，是從該面的端部起依序形成複數個該空孔。
如請求項1或2之支撐板之去除方法，其更包含接著層去除步驟，前述接著層去除步驟是在該支撐板去除步驟之後，將該接著層從該板狀構件剝離，而去除該接著層。
如請求項3之支撐板之去除方法，其更包含接著層去除步驟，前述接著層去除步驟是在該支撐板去除步驟之後，將該接著層從該板狀構件剝離，而去除該接著層。
一種板狀構件之加工方法，包含以下步驟： <br/>硬化步驟，對包含若照射紫外線即硬化之未硬化狀態的硬化材、且已將可供該紫外線穿透之支撐板接著於板狀構件之接著層，從該支撐板側來照射該紫外線而讓該接著層的該硬化材硬化； <br/>空孔形成步驟，在該硬化步驟之後，從該支撐板側對該接著層照射穿透該支撐板且被該硬化材吸收之波長的雷射光束，而在該接著層的和該支撐板接觸之面上形成複數個空孔； <br/>支撐板去除步驟，在該空孔形成步驟之後，以該面為交界將該支撐板從該接著層剝離，而從已接著於該板狀構件之該接著層去除該支撐板；及 <br/>加工步驟，在該空孔形成步驟之前，對該板狀構件進行加工。
如請求項6之板狀構件之加工方法，其中在該空孔形成步驟中，以在該面內相鄰之被照射區域不重疊的方式來照射射脈衝狀的該雷射光束。
如請求項6或7之板狀構件之加工方法，其中在該空孔形成步驟中，是從該面的端部起依序形成複數個該空孔。
如請求項6或7之板狀構件之加工方法，其更包含接著層去除步驟，前述接著層去除步驟是在該支撐板去除步驟之後，將該接著層從該板狀構件剝離，而去除該接著層。
如請求項8之板狀構件之加工方法，其更包含接著層去除步驟，前述接著層去除步驟是在該支撐板去除步驟之後，將該接著層從該板狀構件剝離，而去除該接著層。
一種式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="101px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>之用途，其係用於製造治療有需要之個體之癌症之藥劑，其中該藥劑係以該式(I)之化合物之治療有效量經口投與，其中該治療有效量為約100 mg至約400 mg，每天兩次(BID)，且其中該藥劑係用於和與選自氟維司群及來曲唑之內分泌治療劑投與。
如請求項1之用途，其中該治療有效量為約100 mg至約300 mg，每天兩次(BID)。
如請求項1之用途，其中該治療有效量為約300 mg至約400 mg BID。
如請求項2之用途，其中該治療有效量為約100 mg BID。
如請求項2之用途，其中該治療有效量為約200 mg BID。
如請求項3之用途，其中該治療有效量為約300 mg BID。
如請求項3之用途，其中該治療有效量為約400 mg BID。
如請求項1之用途，其中該個體罹患乳癌、卵巢癌、輸卵管癌、原發性腹膜癌、膀胱癌、子宮癌、前列腺癌、肺癌、食道癌、頭頸癌、大腸直腸癌、腎癌、肝癌、胰臟癌、胃癌及甲狀腺癌。
如請求項8之用途，其中該癌症為選自以下中之任一者或多者的乳癌：激素受體陽性(HR+)、激素受體陰性(HR-)、人類表皮生長因子受體2陰性(HER2-)、人類表皮生長因子受體2陽性(HER2+)、HR+/HER2-、ER-/HR+、ER+/HER2-及三陰性乳癌(TNBC)。
如請求項8之用途，其中該乳癌為HR+、HER2-乳癌或轉移性乳癌(mBC)。
如請求項1之用途，其中該癌症為非小細胞肺癌(NSCLC)、前列腺癌、大腸直腸癌、脂肪肉瘤或特徵在於CDK4及/或CCND1之擴增或過度表現之腫瘤。
如請求項1之用途，其中該式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽係以錠劑或膠囊形式投與。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽係連續地投與。
如請求項1至12中任一項之用途，其中向該個體投與該內分泌治療劑且隨後投與該式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該個體先前已用化學療法、放射療法及/或手術切除治療。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該個體先前已用CDK4/6抑制劑治療。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該個體先前已用內分泌治療劑治療。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該個體經間歇投與式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1至12中任一項之用途，其中該個體以治療週期投藥，該等治療週期之間具有或不具有停藥期。
如請求項19中任一項之用途，其中該治療週期可為約7天、約14天、約21天、約28天或約35天。
如請求項20中任一項之用途，其中該治療週期包含在具有約一週停藥期的情況下投與28天。
如請求項19中任一項之用途，其中該個體在3週給藥、1週停藥之給藥排程下，間歇經投與式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項22中任一項之用途，其中該個體經投與6至8個治療週期。
一種醫藥組合物之用途，其係用於製造治療有需要之個體之癌症之藥劑，其中該醫藥組合物包含式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="101px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>及內分泌治療劑，其中該藥劑係以該醫藥組合物之治療有效量投與，其中該式(I)之化合物之治療有效量為約100 mg至約400mg BID，且其中該內分泌治療劑係選自氟維司群及來曲唑。
如請求項24之用途，其中該治療有效量為約100 mg至約300 mg，每天兩次(BID)。
如請求項24或25之用途，其中該個體先前已用化學療法、放射療法及/或手術切除治療。
如請求項24或25之用途，其中該個體先前已用CDK4/6抑制劑治療。
如請求項24或25之用途，其中該個體先前已用內分泌治療劑治療。
如請求項24或25之用途，其中該個體罹患乳癌、卵巢癌、輸卵管癌、原發性腹膜癌、膀胱癌、子宮癌、前列腺癌、肺癌、食道癌、頭頸癌、大腸直腸癌、腎癌、肝癌、胰臟癌、胃癌及甲狀腺癌。
如請求項24或25之用途，其中該癌症為選自以下中之任一者或多者的乳癌：激素受體陽性(HR+)、激素受體陰性(HR-)、人類表皮生長因子受體2陰性(HER2-)、人類表皮生長因子受體2陽性(HER2+)、HR+/HER2-、ER-/HR+、ER+/HER2-及三陰性乳癌(TNBC)。
如請求項24或25之用途，其中該癌症為NSCLC、前列腺癌、大腸直腸癌、脂肪肉瘤或特徵在於CDK4及/或CCND1之擴增或過度表現之腫瘤。
一種位移檢測裝置(10)，用以檢測第2構件(14)相對於第1構件(12)在預定方向的位移，並具備： <br/>第1板構件(20-1)，其於該預定方向延伸； <br/>第2板構件(20-2)，其於該預定方向延伸；及 <br/>感測器(22)，其檢測位移； <br/>該第1板構件之兩端部與該第2板構件之兩端部相互連接， <br/>該第1板構件及該第2板構件各自具有安裝於該第1構件之第1端部(24)、及安裝於該第2構件之第2端部(26)作為兩端部，且具有介於兩端部之間的中間部(28)， <br/>於該第1板構件之該中間部與該第2板構件的該中間部之間形成間隙(G)， <br/>該感測器檢測該間隙之變動， <br/>當該第2構件於該預定方向位移時，該間隙之變動量大於該第2構件之位移量。
如請求項1之位移檢測裝置，其中， <br/>該第1板構件之該中間部及該第2板構件之該中間部各自具有： <br/>固持部(30)，其固持該感測器； <br/>第1傾斜部(32)，其位於該固持部與該第1端部之間，並對該預定方向傾斜；及 <br/>第2傾斜部(34)，其位於該固持部與該第2端部之間，並對該預定方向傾斜。
如請求項2之位移檢測裝置，其中， <br/>該第1傾斜部及該第2傾斜部各自具有一個以上之孔(36、38)。
如請求項1之位移檢測裝置，其中， <br/>該第1板構件之該中間部及該第2板構件之該中間部各自具有： <br/>固持部，其固持該感測器；及 <br/>一個以上之孔，其形成於該固持部以外之部分。
如請求項1之位移檢測裝置，其具備： <br/>固定部(40)，其將該第1板構件之該第1端部與該第2板構件之該第1端部相互固定。
如請求項5之位移檢測裝置，其中， <br/>該固定部具有將二個該第1端部夾住並相互按壓的第1固定構件(42)及第2固定構件(44)， <br/>該第2固定構件藉由與該第1固定構件接觸，而將該第1固定構件定位。
如請求項1之位移檢測裝置，其中， <br/>該第1板構件之該中間部及該第2板構件之該中間部各自具有： <br/>固持部，其固持該感測器； <br/>第1傾斜部，其位於該固持部與該第1端部之間，並對該預定方向傾斜；及 <br/>第2傾斜部，其位於該固持部與該第2端部之間，並對該預定方向傾斜； <br/>該感測器係靜電容量值按照一對之對向電極(22a、22b)之間的距離之變化而變化的靜電容量感測器， <br/>在與該預定方向正交之寬度方向的各該對向電極之長度，比在該寬度方向之該第1傾斜部的長度及該第2傾斜部之長度更長。
如請求項1之位移檢測裝置，其中， <br/>該第1板構件之該中間部及該第2板構件之該中間部，各自具有固持該感測器之固持部， <br/>該感測器係靜電容量值按照一對之對向電極之間的距離之變化而變化的靜電容量感測器， <br/>該固持部藉由加強板(52)予以加強。
如請求項8之位移檢測裝置，其中， <br/>該加強板介於該固持部與該對向電極之間。
如請求項8之位移檢測裝置，其中， <br/>該加強板安裝於該固持部之安裝該對向電極的面之反面。
一種重組抗體，含有CD3抗體的可變區和B7H6抗體的可變區，其中： <br/>所述CD3抗體的可變區包括輕鏈可變區和重鏈可變區，其中，所述CD3抗體的所述輕鏈可變區的互補決定區（CDR）LCDR1，LCDR2和LCDR3的序列分別具有如SEQ ID NO: 1-3所示，所述CD3抗體的所述重鏈可變區的互補決定區HCDR1，HCDR2和HCDR3的序列分別具有如SEQ ID NO: 4-6所示的序列； <br/>所述B7H6抗體的可變區包括輕鏈可變區和重鏈可變區，其中，所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的互補決定區LCDR1，LCDR2和LCDR3的序列分別如SEQ ID NO: 7-9所示，所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的互補決定區HCDR1，HCDR2和HCDR3的序列分別如SEQ ID NO: 10-12所示。
如請求項1所述的重組抗體，其中所述CD3抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 13所示，並且所述CD3抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 14所示。
如請求項1所述的重組抗體，其中所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 20所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 23所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 16所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 22所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 16所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 23所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 16所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 24所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 16所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 25所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 17所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 22所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 17所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 23所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 17所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 24所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 17所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 25所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 19所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 22所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 19所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 23所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 19所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 24所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 19所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 25所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 20所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 22所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 20所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 24所示；或 <br/>所述B7H6抗體的所述輕鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 20所示，並且所述B7H6抗體的所述重鏈可變區的序列如SEQ ID NO: 25所示。
如請求項1所述的重組抗體，其中進一步包括連接肽； <br/>所述連接肽具有SEQ ID NO: 46所示的胺基酸序列。
如請求項4所述的重組抗體，所述連接肽的N端與所述CD3抗體輕鏈可變區的C端相連，所述連接肽的C端與所述CD3抗體重鏈可變區的N端相連。
如請求項4所述的重組抗體，所述連接肽的N端與所述B7H6輕鏈可變區的C端相連，所述連接肽的C端與所述B7H6重鏈可變區的N端相連。
如請求項1所述的重組抗體，其中還含有第一Fc區和第二Fc區，所述第一Fc區和第二Fc區的至少一部分來自於鼠源抗體、靈長目源抗體或其突變體的至少之一。
如請求項7所述的重組抗體，其中所述第一Fc區和第二Fc區的至少一部分來自人源IgG或其突變體； <br/>所述第一Fc區和第二Fc區的至少一部分來自人源IgG1或其突變體。
如請求項7所述的重組抗體，其中所述第一Fc區與野生型IgG1 Fc區相比具有S384C突變和T396W突變中的至少之一。
如請求項9所述的重組抗體，其中所述第二Fc區與野生型IgG1 Fc區相比具有Y380C突變、T397S突變、L399A突變和Y408V突變中的至少之一。
如請求項7所述的重組抗體，其中所述第一抗體Fc區具有如SEQ ID NO:47所示的胺基酸序列，所述第二抗體Fc區具有如SEQ ID NO:48所示的胺基酸序列。
一種重組抗體，其中具有SEQ ID NO：49和63所示的胺基酸序列。
一種核酸，其中所述核酸編碼請求項1-12任一項所述的重組抗體。
如請求項13所述的核酸，其中具有SEQ ID NO：69所示的核苷酸序列，以及SEQ ID NO：70-87所示的核苷酸序列中的至少之一。
一種表達載體，其中所述表達載體攜帶請求項13或14所述的核酸分子。
一種重組細胞，其中所述重組細胞攜帶請求項13或14所述的核酸分子、請求項15所述的表達載體或請求項1-12任一項所述的重組抗體。
一種組合物，其中包括：請求項1-12任一項所述的重組抗體、請求項13或14所述的核酸分子、請求項15所述的表達載體或請求項16所述的重組細胞。
如請求項1-12任一項所述的重組抗體，其中所述重組抗體用於製備用於治療或預防癌症的藥物。
如請求項18所述的重組抗體，其中所述癌症包括下列中的至少之一：直腸癌、非小細胞肺癌、乳腺癌和肝癌。
一種藥物，其中包括：請求項1-12任一項所述的重組抗體、請求項13或14所述的核酸分子、請求項15所述的表達載體、請求項16所述的重組細胞或請求項17所述的組合物，所述藥物用於治療或預防癌症。
如請求項20所述的藥物，其中所述癌症包括下列中的至少之一：直腸癌、非小細胞肺癌、乳腺癌和肝癌。
一種試劑盒，其中包括：請求項1-12任一項所述的重組抗體。
如請求項22所述的試劑盒，其中所述試劑盒用於診斷直腸癌、非小細胞肺癌、乳腺癌和肝癌中的至少之一。
一種冷卻單元，其係半導體器件之檢查時使用之冷卻單元；且 <br/>具備用於將上述半導體器件之熱予以散熱之外套；且 <br/>上述外套具有中央部、與位於上述中央部之周圍之外側部； <br/>於上述中央部，形成有供來自上述半導體器件之光通過之開口； <br/>上述外側部具有與配置有上述半導體器件之載台接觸之接觸部； <br/>於上述外套，形成有用於冷卻上述半導體器件之冷卻流體流通之供給流路；且 <br/>於上述外套，形成有上述外側部之內側與上述外套之外部之間之空氣可流通之通氣路徑； <br/>於上述外套之上述中央部與上述外側部之間，形成有溝槽部； <br/>上述通氣路徑連接於上述溝槽部。
如請求項1之冷卻單元，其中上述通氣路徑經由配置於上述溝槽部之通氣構件連接於上述溝槽部。
如請求項2之冷卻單元，其中上述通氣構件具有連接於上述通氣路徑之內部空間； <br/>上述內部空間於上述通氣構件之側面開口並連接於上述溝槽部。
如請求項3之冷卻單元，其中上述通氣構件具有包含上述側面之本體部、與罩體； <br/>上述罩體以相對於上述側面突出之方式配置於上述本體部上。
如請求項1至4中任一項之冷卻單元，其中上述溝槽部以上述冷卻流體自上述中央部之上表面流下之方式構成； <br/>於上述溝槽部，連接有排出至外部之上述冷卻流體流通之排出流路。
一種冷卻單元，其係半導體器件之檢查時使用之冷卻單元；且 <br/>具備用於將上述半導體器件之熱予以散熱之外套；且 <br/>上述外套具有中央部、與位於上述中央部之周圍之外側部； <br/>於上述中央部，形成有供來自上述半導體器件之光通過之開口； <br/>上述外側部具有與配置有上述半導體器件之載台接觸之接觸部； <br/>於上述外套，形成有用於冷卻上述半導體器件之冷卻流體流通之供給流路；且 <br/>於上述外套，形成有上述外側部之內側與上述外套之外部之間之空氣可流通之通氣路徑； <br/>上述通氣路徑始終開放。
一種物鏡模組，其具備： <br/>如請求項1至6中任一項之冷卻單元； <br/>浸沒透鏡，其配置於上述開口；及 <br/>物鏡，其與上述浸沒透鏡對向。
如請求項7之物鏡模組，其進而具備： <br/>固持器，其安裝於上述物鏡，保持上述浸沒透鏡； <br/>第1賦能構件，其設置於上述固持器，將上述浸沒透鏡對上述物鏡之相反側賦能；及 <br/>第2賦能構件，其設置於上述外套，不對上述浸沒透鏡作用賦能力而將上述外套向上述載台賦能。
一種半導體檢查裝置，其具備：如請求項1至6中任一項之冷卻單元； <br/>浸沒透鏡，其配置於上述開口； <br/>載台，其配置有上述半導體器件； <br/>物鏡，其與上述浸沒透鏡對向；及 <br/>光檢測器，其經由上述浸沒透鏡及上述物鏡檢測來自上述半導體器件之光。
一種頂針，包括： <br/>殼體，頂部設置有凸起； <br/>夾持棒，設置於所述殼體內部，所述夾持棒的頂端延伸至所述凸起，並通過所述凸起對待夾持件進行夾持，所述夾持棒的材料為記憶合金。
如請求項1所述的頂針，其中，進一步包括： <br/>階梯孔，設置於所述殼體內部，所述階梯孔的上孔延伸至所述凸起內部，所述夾持棒與所述階梯孔的上孔過盈配合； <br/>堵頭，設置於所述殼體內部，與所述階梯孔的下孔緊配合。
如請求項2所述的頂針，其中，所述階梯孔的上孔直徑小於下孔的直徑。
如請求項1所述的頂針，其中，所述夾持棒的記憶合金被預先訓練為使得所述夾持棒的溫度超過記憶合金的相變溫度時，由初始的豎直狀態變形為朝向待夾持件的彎曲狀態。
如請求項1或4所述的頂針，其中，所述夾持棒的溫度超過記憶合金材料的相變溫度時，夾持棒的彎曲值根據記憶合金發生熱變形的變形量和待夾持件發生振動的位移量來共同調節。
如請求項1所述的頂針，其中，所述記憶合金的材料選用雙向記憶合金鎳鈦諾。
如請求項1所述的頂針，其中，所述殼體選用耐腐蝕耐高溫的材料。
如請求項2所述的頂針，其中，所述堵頭的材料與所述殼體的材料一致。
一種晶圓夾持裝置，包括： <br/>晶圓卡盤，用於放置晶圓； <br/>請求項1至8項中任意一項所述的頂針，設置於所述晶圓卡盤的外周，用於抵住晶圓的側壁以夾持晶圓。
如請求項9所述的晶圓夾持裝置，其特徵在於，所述頂針為多個，所述多個頂針均勻分佈於所述晶圓卡盤的外周。
一種用於半導體計量之方法，該方法包括： <br/>自初始計量量測判定一第一訓練樣本集，其中該等初始計量量測包含依兩個方位角之光譜，以及視情況，偏斜； <br/>藉由在與該第一訓練樣本集相對之方位角資料上相加一負參考值來製備一額外工具所誘發之偏移訓練樣本； <br/>堆疊來自該第一訓練樣本集之原始方位角資料及一第二訓練樣本集中之相對角度資料； <br/>將至少一個機器學習演算法應用於該第一訓練樣本集及該第二訓練樣本集以導出一估算模型； <br/>以嵌入於收集依僅一個方位角之光譜之線上晶圓處之工具所誘發之偏移校正獲得獨立疊對；及 <br/>使用該估算模型來提供具有工具所誘發之偏移之獨立疊對之估算。
如請求項1之方法，其中該額外工具所誘發之偏移訓練樣本係基於外部計量之方法之一參考。
如請求項1之方法，其中該額外工具所誘發之偏移訓練樣本係用於無參考方法之一自校準疊對。
如請求項1之方法，其中該機器學習演算法係一線性模型、一神經網路或一卷積網路之一者。
如請求項1之方法，其中該機器學習演算法係一模型輔助方法、一無模型方法、一基於參考之方法或一自校準配方。
如請求項5之方法，其中一工具所誘發之偏移信號用於校準一系統參數。
如請求項1之方法，其中依兩個方位角之該光譜係從一光譜橢圓偏光儀、一軟x射線反射計、一小角度x射線散射計或一成像系統收集。
如請求項1之方法，其中該等初始計量量測包含在一X方向及垂直於該X方向之一Y方向上之一傾斜。
如請求項1之方法，其中使用該估算模型包含判定非零疊對及/或邊緣放置誤差。
如請求項1之方法，其中該機器學習演算法係使用具有臨界尺寸、高度、側壁角或薄膜分散之資料來進一步訓練。
如請求項1之方法，其中針對多個工具判定具有該工具所誘發之偏移之該獨立疊對。
如請求項1之方法，其中該兩個方位角分離180°。
如請求項1之方法，其中該判定、該製備、該堆疊、該應用或該使用之至少一者係由至少一個處理器來執行。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存經組態以指示一處理器執行如請求項1之方法之一程式。
一種包括如請求項14之非暫時性電腦可讀媒體之計量模組。
一種半導體計量系統，其包括： <br/>一計量模組，其包含一處理器，其中該計量模組包括一估算模型，該估算模型經組態以提供在所接收之晶圓上具有工具所誘發之偏移之獨立疊對之一估算，其中該估算模型使用至少一個機器學習演算法，且其中該估算係基於僅一個方位角光譜，且該估算模型係基於依兩個方位角之光譜， <br/>其中該估算模型係基於來自初始計量量測之一第一訓練樣本集及一額外工具所誘發之偏移訓練樣本藉由應用於經計算訓練資料之該機器學習演算法導出，其中該等初始計量量測包含依兩個方位角之該光譜，以及視情況，偏斜，且其中該額外工具所誘發之偏移訓練樣本係依具有一負參考值之與該第一訓練樣本集相對之方位角資料。
如請求項16之半導體計量系統，其中該處理器經進一步組態以： <br/>堆疊來自該第一訓練樣本集之原始方位角資料及一第二訓練樣本集中之該相對角資料；及 <br/>以嵌入於收集依僅一個方位角之光譜之線上晶圓處之工具所誘發之偏移校正獲得獨立疊對。
如請求項16之半導體計量系統，其中該機器學習演算法係使用臨界尺寸、高度、側壁角或薄膜分散來進一步訓練。
如請求項16之半導體計量系統，其中該兩個方位角分離180°。
如請求項16之半導體計量系統，其中該機器學習演算法係一線性模型、一神經網路或一卷積網路之一者。
如請求項16之半導體計量系統，其中該機器學習演算法係一模型輔助方法、一無模型方法、一基於參考之方法或一自校準配方。
如請求項16之半導體計量系統，其中該計量模組經進一步組態以判定非零疊對及/或邊緣放置誤差。
一種顯示裝置，包括： <br/>一基板，包括一表面； <br/>一第一發光單元和一第二發光單元設置在所述表面上； <br/>一第一彩色濾光元件設置在所述第一發光單元上，其中所述第一彩色濾光元件的一顏色是藍色；以及 <br/>一第二彩色濾光元件設置在所述第二發光單元上，其中所述第二彩色濾光元件的一顏色和所述第一彩色濾光元件的所述顏色不同， <br/>其中所述第一彩色濾光元件具有一第一寬度，所述第一彩色濾光元件和所述第一發光單元之間具有一第一距離，所述第二彩色濾光元件具有一第二寬度，所述第二彩色濾光元件和所述第二發光單元之間具有一第二距離， <br/>其中所述第一寬度、所述第二寬度、所述第一距離及所述第二距離符合一方程式1： <br/>[方程式1] <br/>tan <sup>-1</sup>[(W1/2)/D1] ＞ tan <sup>-1</sup>[(W2/2)/D2]， <br/>其中W1代表所述第一寬度，W2代表所述第二寬度，D1代表所述第一距離，且D2代表所述第二距離。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一寬度、所述第二寬度、所述第一距離及所述第二距離符合一方程式2： <br/>[方程式2] <br/>0° ≤ tan <sup>-1</sup>[(W1/2)/D1] - tan <sup>-1</sup>[(W2/2)/D2] ≤ 10°。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一寬度及所述第一距離符合一方程式3： <br/>[方程式3] <br/>28° ≤ tan <sup>-1</sup>[(W1/2)/D1] ≤ 61°。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二彩色濾光元件的所述顏色是紅色，且所述第二寬度及所述第二距離符合一方程式4： <br/>[方程式4] <br/>23° ≤ tan <sup>-1</sup>[(W2/2)/D2] ≤ 58°。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二彩色濾光元件的所述顏色是綠色，且所述第二寬度及所述第二距離符合一方程式5： <br/>[方程式5] <br/>22° ≤ tan <sup>-1</sup>[(W2/2)/D2] ≤ 56°。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一彩色濾光元件的一面積對所述第一發光單元的一面積的一比值是大於或等於1.2並小於或等於9。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一彩色濾光元件的所述第一寬度對所述第一發光單元的一寬度的一比值是大於或等於1.2並小於或等於9。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的一俯視圖中，所述第一彩色濾光元件的一輪廓具有一曲線。
如請求項8所述的顯示裝置，其中所述曲線的一曲率半徑是大於或等於8微米並小於或等於22微米。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一彩色濾光元件具有一曲面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在所述顯示裝置的一俯視圖中，所述第一發光單元的一輪廓被所述第一彩色濾光元件的一輪廓所環繞，且所述第一彩色濾光元件的所述輪廓和所述第一發光單元的所述輪廓相似。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括： <br/>一第一分隔壁，設置在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間，所述第一分隔壁具有一第一側面和一第一底面，所述第一側面相鄰於所述第一發光單元，且所述第一底面和所述第一側面連接；以及 <br/>一第二分隔壁，設置在所述第一彩色濾光元件和所述第二彩色濾光元件之間，所述第二分隔壁具有一第二側面和一第二底面，所述第二側面相鄰於所述第一彩色濾光元件，且所述第二底面和所述第二側面連接， <br/>其中所述第一側面和所述第一底面之間具有一第一角度，所述第二側面和所述第二底面之間具有一第二角度，且所述第一角度對所述第二角度的一比值是大於或等於0.8並小於或等於1.2。
一種頭髮保健組合物，包括有效量的香蕉花提取物以及一載劑，其中該香蕉花提取物為下式(I)所示的化合物I、下式(II)所示的化合物II或其組合：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)；以及<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="94px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)。
一種香蕉花提取物，為下式(I)所示的化合物I、下式(II)所示的化合物II或其組合：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="94px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)；以及<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="94px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)。
一種香蕉花提取物的用途，其用於製備頭髮保健組合物，其中該香蕉花提取物為下式(I)所示的化合物I、下式(II)所示的化合物II或其組合：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)；以及<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="94px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)。
如請求項3所述的用途，其中該香蕉花提取物具有提升髮根直徑尺寸的作用。
如請求項3所述的用途，其中該香蕉花提取物具有減少落髮量的作用。
如請求項3所述的用途，其中該香蕉花提取物具有提升毛囊穩定性的作用。
如請求項3所述的用途，其中該香蕉花提取物具有抑制二氫睪固酮(DHT)生成的作用。
如請求項3所述的用途，其中該香蕉花提取物具有促進生髮的作用。
如請求項3所述的用途，其中該香蕉花提取物具有提高毛囊細胞增生的作用。
一種鍍金液的再生處理方法，其特徵在於，通過使鍍金液與具有亞胺基二乙酸基或胺基亞甲基膦酸基的螯合樹脂接觸，從前述鍍金液中去除鐵離子，前述鍍金液含有氰化金鹽、還原劑即甲醛或其前驅體、以及鐵氰化合物，且前述鍍金液不含有具有兩個以上亞胺基二乙酸基或胺基亞甲基膦酸基的螯合化合物。
如請求項1所記載之鍍金液的再生處理方法，其中前述螯合樹脂是以聚苯乙烯樹脂為母材的樹脂，其具有前述亞胺基二乙酸基或前述胺基亞甲基膦酸基作為官能團。
如請求項1或2所記載之鍍金液的再生處理方法，其中前述鍍金液含有下述通式（1）或下述通式（2）所表示的胺化合物［化學式1］R <sub>1</sub>－NH－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>－NH－R <sub>2</sub>（1）［化學式2］R <sub>3</sub>－（CH <sub>2</sub>－NH－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>－NH－CH <sub>2</sub>） <sub>n</sub>－R <sub>4</sub>（2）於此，在通式（1）和通式（2）中，R <sub>1</sub>、R <sub>2</sub>、R <sub>3</sub>以及R <sub>4</sub>表示－OH、－CH <sub>3</sub>、－CH <sub>2</sub>OH、－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>OH、－CH <sub>2</sub>N（CH <sub>3</sub>） <sub>2</sub>、－CH <sub>2</sub>NH（CH <sub>2</sub>OH）、－CH <sub>2</sub>NH（C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>OH）、－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>NH（CH <sub>2</sub>OH）、－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>NH（C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>OH）、－CH <sub>2</sub>N（CH <sub>2</sub>OH） <sub>2</sub>、－CH <sub>2</sub>N（C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>OH） <sub>2</sub>、－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>N（CH <sub>2</sub>OH） <sub>2</sub>、或－C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>N（C <sub>2</sub>H <sub>4</sub>OH） <sub>2</sub>，可以相同也可以不同，n為1～4的整數。
如請求項1或2所記載之鍍金液的再生處理方法，其中前述鐵氰化合物為從五氰基亞硝醯基鐵(III)酸或其鹽、五氰基氨絡物鐵(II)酸或其鹽、六氰化鐵(II)酸或其鹽、以及六氰化鐵(III)酸或其鹽所構成的組中選擇的至少一種。
如請求項4所記載之鍍金液的再生處理方法，其中前述鐵氰化合物是亞鐵氰化鉀和鐵氰化鉀中的至少一種。
一種含有乙烯醇結構單元與碳數3～5的烯烴結構單元之乙烯醇共聚物，該共聚物滿足熔點與最低熱封溫度的差為45℃以上、及該最低熱封溫度為80℃以下的至少一者，且滿足以下的式，<br/> 0.744≦{U1/R1}/{U2/R2}≦0.990或<br/> 1.010≦{U1/R1}/{U2/R2}≦1.313<br/> 此處，<br/> U1係由使該乙烯醇共聚物乙醯化所得之共聚物的凝膠滲透層析測定中從折射率檢測器所得之層析圖算出Mn，於利用以下的式所規定之分子量MU1的從紫外線吸收檢測器所得之層析圖的波峰強度的值，<br/> Log<sub>10</sub>MU1=Log<sub>10</sub>(Mn)+0.5<br/> R1係由使該乙烯醇共聚物乙醯化所得之共聚物的該凝膠滲透層析測定中從該折射率檢測器所得之層析圖算出Mn，於利用以下的式所規定之分子量MR1的從該折射率檢測器所得之層析圖的波峰強度的值，<br/> Log<sub>10</sub>MR1=Log<sub>10</sub>(Mn)+0.5<br/> U2係由使該乙烯醇共聚物乙醯化所得之共聚物的該凝膠滲透層析測定中從該折射率檢測器所得之層析圖算出Mn，於利用以下的式所規定之分子量MU2的從該紫外線吸收檢測器所得之層析圖的波峰強度的值，<br/> Log<sub>10</sub>MU2=Log<sub>10</sub>(Mn)−0.5<br/> R2係由使該乙烯醇共聚物乙醯化所得之共聚物的該凝膠滲透層析測定中從該折射率檢測器所得之層析圖算出Mn，於利用以下的式所規定之分子量MR2的從該折射率檢測器所得之層析圖的波峰強度的值，<br/> Log<sub>10</sub>MR2=Log<sub>10</sub>(Mn)−0.5<br/> 而且Mn為由從該折射率檢測器所得之層析圖所算出之使該乙烯醇共聚物乙醯化所得之共聚物的數量平均分子量。
如請求項1之乙烯醇共聚物，其中前述烯烴結構單元係選自包含丙烯單元、1-丁烯單元、順-2-丁烯單元、反-2-丁烯單元、2-甲基丙烯單元、1-戊烯單元、順-2-戊烯單元、反-2-戊烯單元、2-甲基-1-丁烯單元、2-甲基-2-丁烯單元、及3-甲基-1-丁烯單元的群組中之至少一個結構單元。
如請求項2之乙烯醇共聚物，其中前述烯烴結構單元係選自包含丙烯單元、1-丁烯單元、順-2-丁烯單元、反-2-丁烯單元、及2-甲基丙烯單元的群組中之至少一個結構單元。
如請求項3之乙烯醇共聚物，其中前述烯烴結構單元為丙烯單元。
如請求項3之乙烯醇共聚物，其中前述烯烴結構單元為2-甲基丙烯單元。
如請求項1至5中任一項之乙烯醇共聚物，其中前述烯烴結構單元的含有率為0.1～60莫耳%。
如請求項1至5中任一項之乙烯醇共聚物，其中使前述乙烯醇共聚物乙醯化所得之共聚物的數量平均分子量(Mn)為400～200000。
如請求項1至5中任一項之乙烯醇共聚物，其皂化度為50～100莫耳%。
如請求項1至5中任一項之乙烯醇共聚物，其中前述乙烯醇結構單元的含有率為75～99莫耳%。
如請求項1至5中任一項之乙烯醇共聚物，其進一步含有前述乙烯醇結構單元以外的含羥基之結構單元。
如請求項1至5中任一項之乙烯醇共聚物，其進一步含有乙烯結構單元。
一種樹脂組成物，其含有如請求項1至11中任一項之乙烯醇共聚物。
如請求項12之樹脂組成物，其進一步含有選自包含具有40～100%的皂化度之聚乙烯醇、具有40～100%的皂化度之改性聚乙烯醇、具有40～100%的皂化度之乙烯-乙烯醇共聚物、具有40～100%的皂化度之聚乙烯縮丁醛、澱粉、澱粉衍生物、纖維素及纖維素衍生物的群組中之至少一種高分子。
一種樹脂成形體，其含有如請求項12或13之樹脂組成物。
如請求項14之樹脂成形體，其係薄膜。
如請求項14之樹脂成形體，其係纖維。
如請求項14之樹脂成形體，其係氣體阻隔材料。
如請求項14之樹脂成形體，其係偏光薄膜。
如請求項14之樹脂成形體，其係水溶性基材。
一種乙烯醇共聚物的製造方法，該乙烯醇共聚物含有乙烯醇結構單元與碳數3～5的烯烴結構單元，且滿足熔點與最低熱封溫度的差為45℃以上、及該最低熱封溫度為80℃以下的至少一者，<br/> 該製造方法包含：使烯烴與乙酸乙烯酯在該烯烴的壓力會變動之條件下聚合而得到粗共聚物之步驟、<br/> 使該粗共聚物皂化之步驟。
如請求項20之乙烯醇共聚物的製造方法，其中前述烯烴的壓力的平均變動速度為1.0×10<sup>-5</sup>Pa/分鐘以上。
一種式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，<figure><img align="absmiddle" height="220px" width="337px" file="d10345.TIF" alt="化學式ed10345.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10345.png"/></figure>其中：R<sup>1</sup>係選自鹵素、-OH、-CN及-CONH<sub>2</sub>；R<sup>1a</sup>係H；或R<sup>1</sup>及R<sup>1a</sup>連同其所連接之原子一起形成另外包含1、2或3個選自N、O及S之雜原子的3至10員雜芳基環；R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；或R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>連同其所連接之原子一起形成另外包含1、2或3個選自N、O及S之雜原子的3至10員雜環基環；各R<sup>4</sup>獨立地選自鹵素、-OH、-CN、-NO<sub>2</sub>、-COOH、-CH<sub>2</sub>CN、CH<sub>2</sub>N(R<sup>8</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基)、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基)、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、-OH、-OP(O)(OH)<sub>2</sub>、-OC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-C(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-OC(O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-S(O)<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-S(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)及S(O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sup>5</sup>係選自<img align="absmiddle" height="65px" width="85px" file="d10551.TIF" alt="其他非圖式ed10551.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10551.png"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="85px" file="d10552.TIF" alt="其他非圖式ed10552.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10552.png"/>及<img align="absmiddle" height="25px" width="56px" file="d10553.TIF" alt="其他非圖式ed10553.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10553.png"/>；各R<sup>6</sup>獨立地選自鹵素、-OH、-CN、-COOH、-CH<sub>2</sub>CN、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>8</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、-OH、-OP(O)(OH)<sub>2</sub>、-OC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-OC(O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及S(O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>；各R<sup>7</sup>獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、芳基；其中烷基或芳基視情況經一或多個獨立地選自以下之取代基取代：鹵素、-OH、-CN、-COOH、-CH<sub>2</sub>CN、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>8</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、-OH、-OP(O)(OH)<sub>2</sub>、-OC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-OC(O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及S(O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>；或兩個R<sup>7</sup>連同其所結合之氮原子及任何插入原子一起形成雜環；其中雜環視情況經一或多個獨立地選自以下之取代基取代：鹵素、-OH、-CN、-COOH、-CH<sub>2</sub>CN、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>8</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、-OH、-OP(O)(OH)<sub>2</sub>、-OC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-OC(O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及S(O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sup>8</sup>係選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基、芳基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基；R<sup>9</sup>係選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、-(CH<sub>2</sub>)<sub>1-6</sub>OR<sup>8</sup>、C<sub>3-8</sub>環烷基、芳基、雜環；其中烷基、環烷基、芳基或雜環視情況經一或多個獨立地選自以下之取代基取代：鹵素、-OH、-CN、-COOH、-CH<sub>2</sub>CN、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷氧基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基、-O-(C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)炔基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、-OH、-OP(O)(OH)<sub>2</sub>、-OC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-OC(O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-NH<sub>2</sub>、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHC(O)(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-C(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基、-S(O)NH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基及S(O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)<sub>2</sub>；其中，x係選自0、1、2、3之整數；y係選自0、1、2、3之整數；m係選自0、1及2之整數；各n係獨立地選自1、2、3之整數；芳基係具有1至3個芳族環之環狀芳族烴基；雜環係具有一或多個選自O、N、S、P、Se及B之雜原子的飽和或部分不飽和之3-10員單環系統、7-12員雙環系統(稠合環、橋接環或螺環)或11-14員三環系統(稠合環、橋接環或螺環)。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物具有式(I')：<figure><img align="absmiddle" height="225px" width="345px" file="d10346.TIF" alt="化學式ed10346.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10346.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物係式(II)之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="221px" width="399px" file="d10347.TIF" alt="化學式ed10347.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10347.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物係式(II')之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="375px" file="d10348.TIF" alt="化學式ed10348.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10348.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物具有式(II-A)：<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="387px" file="d10349.TIF" alt="化學式ed10349.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10349.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物具有式(II')：<figure><img align="absmiddle" height="224px" width="399px" file="d10350.TIF" alt="化學式ed10350.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10350.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物具有式(II-A-A)、式(II-A-B)或式(II-A-C)：<figure><img align="absmiddle" height="227px" width="421px" file="d10351.TIF" alt="化學式ed10351.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10351.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="220px" width="403px" file="d10352.TIF" alt="化學式ed10352.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10352.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="224px" width="399px" file="d10353.TIF" alt="化學式ed10353.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10353.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其中化合物具有式(II-B-A)、式(II-B-B)、式(II-B-C)：<figure><img align="absmiddle" height="229px" width="427px" file="d10354.TIF" alt="化學式ed10354.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10354.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="221px" width="408px" file="d10355.TIF" alt="化學式ed10355.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10355.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="225px" width="408px" file="d10356.TIF" alt="化學式ed10356.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10356.png"/></figure>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，其選自：<figure><img align="absmiddle" height="396px" width="612px" file="d10625.TIF" alt="表格ed10625.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10625.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="950px" width="614px" file="d10626.TIF" alt="表格ed10626.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10626.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="920px" width="611px" file="d10627.TIF" alt="表格ed10627.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10627.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="902px" width="614px" file="d10628.TIF" alt="表格ed10628.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10628.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="902px" width="612px" file="d10629.TIF" alt="表格ed10629.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10629.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="899px" width="613px" file="d10630.TIF" alt="表格ed10630.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10630.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="896px" width="611px" file="d10631.TIF" alt="表格ed10631.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10631.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="893px" width="614px" file="d10632.TIF" alt="表格ed10632.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10632.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="888px" width="609px" file="d10633.TIF" alt="表格ed10633.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10633.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="903px" width="613px" file="d10634.TIF" alt="表格ed10634.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10634.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="864px" width="613px" file="d10635.TIF" alt="表格ed10635.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10635.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="931px" width="611px" file="d10636.TIF" alt="表格ed10636.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10636.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="923px" width="611px" file="d10637.TIF" alt="表格ed10637.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10637.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="899px" width="612px" file="d10638.TIF" alt="表格ed10638.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10638.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="931px" width="613px" file="d10639.TIF" alt="表格ed10639.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10639.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="421px" width="612px" file="d10640.TIF" alt="表格ed10640.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10640.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至9中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或立體異構物，及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項10之醫藥組成物，其進一步包含另外的醫藥活性劑。
一種滾筒用腐蝕裝置，其包含： <br/>處理槽； <br/>夾持手段，其可旋轉地把持被處理滾筒之長邊方向兩端並收容於前述處理槽； <br/>至少一個腐蝕液供給管，其從前述被處理滾筒的長邊方向外表面隔著特定距離而設置，且與前述長邊方向外表面平行，能夠朝前述被處理滾筒的軸方搖動；以及 <br/>複數個噴霧噴嘴，其並列於前述腐蝕液供給管，用以將腐蝕液從前述腐蝕液供給管噴霧； <br/>該滾筒用腐蝕裝置，使通過前述腐蝕液供給管之內部並從噴霧噴嘴所噴霧的前述腐蝕液一邊搖動一邊接觸於前述被處理滾筒之表面，而對前述被處理滾筒之表面進行腐蝕的裝置， <br/>前述噴霧噴嘴為能夠噴出橢圓形噴霧樣式噴霧的橢圓形噴霧噴嘴， <br/>在前述被處理滾筒之表面上複數個橢圓形噴霧樣式一邊被搖動一邊被噴霧， <br/>前述橢圓形噴霧樣式的橢圓形之長軸，是被形成為相對於前述被處理滾筒的長邊方向之中心軸傾斜。
如請求項1所記載的滾筒用腐蝕裝置，其中，前述橢圓形噴霧樣式的橢圓形之長軸，是被形成為相對於前述被處理滾筒之長邊方向的中心軸傾斜1°~89°。
如請求項1所記載的滾筒用腐蝕裝置，其中，前述橢圓形噴霧樣式的橢圓形之長軸，相對於前述被處理滾筒之長邊方向的中心軸傾斜1°~60°。
如請求項1所記載的滾筒用腐蝕裝置，其中，前述腐蝕液供給管為2支，隔著前述被處理滾筒相對向而設置。
如請求項1所記載的滾筒用腐蝕裝置，其中，前述被處理滾筒為凹版印刷用的被製版滾筒。
一種滾筒用腐蝕方法，其特徵為，使用如請求項1~5中任一項所記載的滾筒用腐蝕裝置，對前述被處理滾筒的表面進行腐蝕。
如請求項6所記載的滾筒用腐蝕方法，其中，附著於前述被處理滾筒的表面且隨意流動於前述被處理滾筒之表面上的腐蝕液的流向，是在前述被處理滾筒的長邊方向，並且往前述形成為傾斜的前述橢圓形噴霧樣式所傾斜之側流動。
如請求項7所記載的滾筒用腐蝕方法，其中，前述腐蝕液供給管為2支，隔著前述被處理滾筒相對向而設置，從前述相對向而設置的前述腐蝕液供給管一邊被搖動一邊對前述被處理滾筒的表面被噴霧成前述複數個橢圓形噴霧樣式，且從前述相對向的前述2支腐蝕液供給管被噴霧並附著於前述被處理滾筒的表面且在前述被處理滾筒之長邊方向上隨意流動於前述被處理滾筒之表面上的腐蝕液的流向，係包含彼此為相反方向的流向。
一種凹版滾筒的製造方法，其特徵為，使用如請求項6所記載的滾筒用腐蝕方法所製造而成。
一種非揮發性記憶胞，其具備： <br/>汲極擴散層，其於基板表面之面方向延設，且電性連接有位元線； <br/>源極擴散層，其與上述汲極擴散層並排於上述面方向延設，且電性連接有源極線； <br/>柱狀之1個或複數個記憶體閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域； <br/>柱狀之汲極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述汲極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>柱狀之源極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述源極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>多層絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接而設置； <br/>汲極側選擇閘極絕緣層，其與上述汲極側選擇閘極電極相接而設置； <br/>源極側選擇閘極絕緣層，其與上述源極側選擇閘極電極相接而設置；及 <br/>半導體層，其設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域，且分別與上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層、上述多層絕緣層、上述汲極擴散層、及上述源極擴散層相接；且 <br/>上述多層絕緣層具有：第1記憶體閘極絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接；電荷累積層，其與上述第1記憶體閘極絕緣層相接；及第2記憶體閘極絕緣層，其與上述電荷累積層及上述半導體層相接；且設置於上述記憶體閘極電極之側面， <br/>上述汲極側選擇閘極絕緣層設置於上述汲極側選擇閘極電極之側面， <br/>上述源極側選擇閘極絕緣層設置於上述源極側選擇閘極電極之側面， <br/>上述半導體層分別與上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層、上述多層絕緣層、上述汲極擴散層、及上述源極擴散層之各側面相接， <br/>上述多層絕緣層中，上述第1記憶體閘極絕緣層與上述記憶體閘極電極之側面相接，上述電荷累積層與上述第1記憶體閘極絕緣層之側面相接，上述第2記憶體閘極絕緣層與上述電荷累積層之側面及上述半導體層之側面相接， <br/>上述汲極側選擇閘極絕緣層沿周向遍及整周設置於上述汲極側選擇閘極電極之側面， <br/>上述源極側選擇閘極絕緣層沿周向遍及整周設置於上述源極側選擇閘極電極之側面， <br/>上述多層絕緣層沿周向遍及整周設置於上述記憶體閘極電極之側面。
如請求項1之非揮發性記憶胞，其中 <br/>上述半導體層 <br/>具有包圍上述汲極側選擇閘極絕緣層之側面之汲極側周邊區域、包圍上述源極側選擇閘極絕緣層之側面之源極側周邊區域、及包圍上述多層絕緣層之側面之記憶體周邊區域，且上述汲極側周邊區域、上述源極側周邊區域及上述記憶體周邊區域連設。
如請求項2之非揮發性記憶胞，其中 <br/>俯視時自上述汲極側選擇閘極絕緣層至上述汲極側周邊區域之外表面之距離、自上述源極側選擇閘極絕緣層至上述源極側周邊區域之外表面之距離、及自上述多層絕緣層至上述記憶體周邊區域之外表面之距離分別未達40 nm。
如請求項3之非揮發性記憶胞，其中 <br/>上述半導體層具備： <br/>記憶體汲極區域連設部，其將相鄰之上述記憶體周邊區域與上述汲極側周邊區域連設；及 <br/>記憶體源極區域連設部，其將相鄰之上述記憶體周邊區域與上述源極側周邊區域連設。
如請求項2之非揮發性記憶胞，其中 <br/>上述半導體層中 <br/>俯視時自上述汲極側選擇閘極絕緣層至與上述汲極側選擇閘極絕緣層相鄰之上述多層絕緣層之距離為25 nm以上100 nm以下， <br/>俯視時自上述源極側選擇閘極絕緣層至與上述源極側選擇閘極絕緣層相鄰之上述多層絕緣層之距離為25 nm以上100 nm以下。
一種非揮發性記憶胞，其具備： <br/>汲極擴散層，其於基板表面之面方向延設，且電性連接有位元線； <br/>源極擴散層，其與上述汲極擴散層並排於上述面方向延設，且電性連接有源極線； <br/>柱狀之1個或複數個記憶體閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域； <br/>柱狀之汲極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述汲極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>柱狀之源極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述源極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>多層絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接而設置； <br/>汲極側選擇閘極絕緣層，其與上述汲極側選擇閘極電極相接而設置； <br/>源極側選擇閘極絕緣層，其與上述源極側選擇閘極電極相接而設置；及 <br/>半導體層，其設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域，且分別與上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層、上述多層絕緣層、上述汲極擴散層、及上述源極擴散層相接；且 <br/>上述多層絕緣層具有：第1記憶體閘極絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接；電荷累積層，其與上述第1記憶體閘極絕緣層相接；及第2記憶體閘極絕緣層，其與上述電荷累積層及上述半導體層相接， <br/>上述汲極側選擇閘極電極、上述源極側選擇閘極電極及上述記憶體閘極電極中 <br/>擴徑部與徑小於上述擴徑部之縮徑部沿軸向交替形成， <br/>於上述擴徑部之側面，分別介隔上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層或上述多層絕緣層而設有上述半導體層，於上述縮徑部之側面，分別介隔上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層或上述多層絕緣層而設有層間絕緣層。
一種非揮發性記憶胞，其具備： <br/>汲極擴散層，其於基板表面之面方向延設，且電性連接有位元線； <br/>源極擴散層，其與上述汲極擴散層並排於上述面方向延設，且電性連接有源極線； <br/>柱狀之1個或複數個記憶體閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域； <br/>柱狀之汲極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述汲極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>柱狀之源極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述源極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>多層絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接而設置； <br/>汲極側選擇閘極絕緣層，其與上述汲極側選擇閘極電極相接而設置； <br/>源極側選擇閘極絕緣層，其與上述源極側選擇閘極電極相接而設置；及 <br/>半導體層，其設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域，且分別與上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層、上述多層絕緣層、上述汲極擴散層、及上述源極擴散層相接；且 <br/>上述多層絕緣層具有：第1記憶體閘極絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接；電荷累積層，其與上述第1記憶體閘極絕緣層相接；及第2記憶體閘極絕緣層，其與上述電荷累積層及上述半導體層相接， <br/>該非揮發性記憶胞具備： <br/>柱狀之輔助閘極電極，其介隔上述絕緣層而立設於上述基板之上；及 <br/>輔助閘極絕緣層，其設置於上述輔助閘極電極之側面，且將上述輔助閘極電極與上述半導體層、上述汲極擴散層及上述源極擴散層電性分離；且 <br/>於上述汲極側選擇閘極電極、上述源極側選擇閘極電極及上述記憶體閘極電極之各側面，分別介隔上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層或上述多層絕緣層、上述半導體層、上述輔助閘極絕緣層，配置有上述輔助閘極電極。
如請求項7之非揮發性記憶胞，其中 <br/>上述輔助閘極電極為與上述汲極側選擇閘極電極對向配置之汲極側輔助閘極電極、與上述源極側選擇閘極電極對向配置之源極側輔助閘極電極、及與上述記憶體閘極電極對向配置之記憶體側輔助閘極電極， <br/>上述汲極側輔助閘極電極、上述源極側輔助閘極電極、及上述記憶體側輔助閘極電極獨立構成。
一種非揮發性半導體記憶裝置，其係將於基板表面之面方向矩陣狀配置之複數個非揮發性記憶胞沿與面方向正交之垂直方向階層狀配置者，且 <br/>上述複數個非揮發性記憶胞之各者具備： <br/>汲極擴散層，其於上述面方向延設，且電性連接有位元線； <br/>源極擴散層，其與上述汲極擴散層並排於上述面方向延設，且電性連接有源極線； <br/>柱狀之1個或複數個記憶體閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域； <br/>柱狀之汲極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述汲極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>柱狀之源極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述源極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>多層絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接而設置； <br/>汲極側選擇閘極絕緣層，其與上述汲極側選擇閘極電極相接而設置； <br/>源極側選擇閘極絕緣層，其與上述源極側選擇閘極電極相接而設置；及 <br/>半導體層，其設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域，且分別與上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層、上述多層絕緣層、上述汲極擴散層、及上述源極擴散層相接；且 <br/>上述多層絕緣層具有：第1記憶體閘極絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接；電荷累積層，其與上述第1記憶體閘極絕緣層相接；及第2記憶體閘極絕緣層，其與上述電荷累積層及上述半導體層相接， <br/>同樣排列於上述垂直方向之不同階層之上述複數個非揮發性記憶胞 <br/>分別共有上述汲極側選擇閘極電極及上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極電極及上述源極側選擇閘極絕緣層、上述記憶體閘極電極及上述多層絕緣層，且上述非揮發性記憶胞具有以下構成： <br/>於上述基板之上，沿上述垂直方向將半導體層與層間絕緣層交替積層， <br/>形成有於上述垂直方向貫通積層之上述半導體層與上述層間絕緣層之複數個孔， <br/>於上述孔設置：介隔絕緣層而立設於上述基板上之柱狀之汲極側選擇閘極電極、與設置於上述汲極側選擇閘極電極之側面之汲極側選擇閘極絕緣層， <br/>於其他上述孔設置介隔絕緣層而立設於上述基板上之柱狀之源極側選擇閘極電極、與設置於上述源極側選擇閘極電極之側面之源極側選擇閘極絕緣層， <br/>於其他上述孔設置介隔絕緣層而立設於上述基板上之柱狀之記憶體閘極電極、與設置於上述記憶體閘極電極之側面之多層絕緣層。
一種非揮發性半導體記憶裝置，其係將於基板表面之面方向矩陣狀配置之複數個非揮發性記憶胞沿與面方向正交之垂直方向階層狀配置者，且 <br/>上述複數個非揮發性記憶胞之各者具備： <br/>汲極擴散層，其於上述面方向延設，且電性連接有位元線； <br/>源極擴散層，其與上述汲極擴散層並排於上述面方向延設，且電性連接有源極線； <br/>柱狀之1個或複數個記憶體閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域； <br/>柱狀之汲極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述汲極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>柱狀之源極側選擇閘極電極，其介隔絕緣層而立設於上述基板之上，且設置於上述源極擴散層與上述記憶體閘極電極間之區域； <br/>多層絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接而設置； <br/>汲極側選擇閘極絕緣層，其與上述汲極側選擇閘極電極相接而設置； <br/>源極側選擇閘極絕緣層，其與上述源極側選擇閘極電極相接而設置；及 <br/>半導體層，其設置於並排之上述汲極擴散層與上述源極擴散層間之區域，且分別與上述汲極側選擇閘極絕緣層、上述源極側選擇閘極絕緣層、上述多層絕緣層、上述汲極擴散層、及上述源極擴散層相接；且 <br/>上述多層絕緣層具有：第1記憶體閘極絕緣層，其與上述記憶體閘極電極相接；電荷累積層，其與上述第1記憶體閘極絕緣層相接；及第2記憶體閘極絕緣層，其與上述電荷累積層及上述半導體層相接， <br/>該非揮發性半導體記憶裝置具備： <br/>複數個汲極擴散層，其等按照每個階層分別於行方向延設，且連接於同一行之上述非揮發性記憶胞之半導體層； <br/>複數個源極擴散層，其等按照每個階層分別與上述汲極擴散層並排而於行方向延設，且連接於同一行之上述非揮發性記憶胞之上述半導體層； <br/>複數個位元線，其等按照每個階層分別於行方向延設，且連接於同一行之上述汲極擴散層；及 <br/>複數個源極線，其等按照每個階層與上述位元線並排於行方向延設，且連接於同一行之上述源極擴散層；且 <br/>於上述基板之上，沿上述垂直方向交替積層有上述半導體層、上述汲極擴散層、上述源極擴散層、設有上述位元線及上述源極線之層、及層間絕緣層。
一種雙特異性抗體構築體，其包含結合於目標細胞表面上之人類δ樣3(DLL3)的第一結合域及結合於T細胞表面上之人類CD3的第二結合域，其中該第一結合域結合於位於SEQ ID NO:258之胺基酸序列內的DLL3之抗原決定基，且其中該雙特異性抗體構築體具有以基於細胞之細胞毒性分析測定為≤1000 pM之EC<sub>50</sub>。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該第一結合域進一步結合於獼猴DLL3。
如請求項2之雙特異性抗體構築體，其中該獼猴DLL3為食蟹猴(<i>Macaca fascicularis</i>) DLL3。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該第二結合域進一步結合於獼猴CD3。
如請求項4之雙特異性抗體構築體，其中該第二結合域結合於人類CD3ε及獼猴CD3ε。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該第二結合域結合於人類CD3ε及白鬢狨(<i>Callithrix jacchus</i>)、棉頂狨(<i>Saguinus Oedipus</i>)或松鼠猴(<i>Saimiri sciureus</i>) CD3ε。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該第二結合域結合於包含在人類CD3ε細胞外域之胺基酸殘基1-27內之抗原決定基。
如請求項7之雙特異性抗體構築體，其中該抗原決定基包含至少胺基酸殘基Gln-Asp-Gly-Asn-Glu (SEQ ID NO: 555)。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該基於細胞之細胞毒性分析包括以1:10之比率組合DLL3陽性人類SHP-77細胞及經刺激之人類CD8陽性T細胞，將該組合之SHP-77細胞及CD8陽性T細胞以該雙特異性分子培育，及於培育18小時後進行51-鉻(51Cr)釋放分析。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該基於細胞之細胞毒性分析包括以1:10之比率組合DLL3陽性人類SHP-77細胞及未經刺激之PBMC，將該組合之SHP-77細胞及PBMC以該雙特異性分子培育，及於培育48小時後進行碘化丙錠(PI)FACS分析。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該雙特異性抗體構築體具有EC<sub>50</sub>≤ 100 pM。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該雙特異性抗體構築體呈選自由以下組成之群的型式：(scFv)<sub>2</sub>、scFv-單域mAb及雙功能抗體。
如請求項12之雙特異性抗體構築體，其中該雙特異性抗體構築體呈(scFv)<sub>2</sub>型式。
如請求項12之雙特異性抗體構築體，其中該雙特異性抗體構築體呈scFv-單域mAb型式。
如請求項12之雙特異性抗體構築體，其中該雙特異性抗體構築體呈雙功能抗體型式。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該第一結合域、第二結合域或兩者呈Fab型式。
如請求項1之雙特異性抗體構築體，其中該抗體構築體為單鏈多肽。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體構築體及一或多種醫藥上可接受之賦形劑。
一種套組，其包含如請求項18之醫藥組合物及視情況之使用說明。
一種如請求項1至17中任一項之雙特異性抗體構築體之用途，其係用於製備治療表現DLL3之腫瘤、癌症疾病或轉移性癌症疾病之藥物。
如請求項20之用途，其中該腫瘤或癌症疾病為小細胞肺癌(SCLC)、非小細胞肺癌(SCLC)、神經膠質瘤、神經膠母細胞瘤、黑素瘤、神經內分泌前列腺癌、神經內分泌胰臟癌、肝母細胞瘤、肝細胞癌或前述之轉移性癌症疾病。
如請求項21之用途，其中該腫瘤或癌症疾病為SCLC、神經內分泌胰臟癌或黑素瘤。
一種處理自主機計算裝置至儲存裝置的命令的方法，所述方法包括： <br/>由所述儲存裝置對來自所述主機計算裝置的命令進行辨識，所述命令包括邏輯位址； <br/>偵測條件； <br/>基於偵測所述條件，由所述儲存裝置向所述主機計算裝置發出請求將所述邏輯位址轉換成實體位址； <br/>由所述儲存裝置將所述實體位址儲存於高速緩衝記憶體中；以及 <br/>基於所述實體位址根據所述命令傳送資料。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>由所述儲存裝置因應於辨識出所述命令而起動第一定時器，其中所述條件包括對所述第一定時器的逾時進行偵測。
如請求項2所述的方法，其中所述第一定時器的長度短於對所述命令進行處理的預測潛時。
如請求項2所述的方法，其中所述第一定時器的長度是基於欲處理的有效命令的數目而以動態方式進行計算。
如請求項2所述的方法，更包括： <br/>由所述儲存裝置對第二定時器進行設定； <br/>對所述第二定時器的逾時進行偵測；以及 <br/>基於所述第二定時器的所述逾時，由所述儲存裝置請求所述將所述邏輯位址轉換成所述實體位址，其中所述第二定時器的長度是基於完成在所述儲存裝置對所述命令進行處理期間的事件的預期長度。
如請求項5所述的方法，其中所述事件包括調用錯誤復原動作。
如請求項1所述的方法，其中所述命令包括用於自所述儲存裝置讀取所述資料的命令，其中所述邏輯位址用於將所述資料儲存於所述主機計算裝置的記憶體位置中。
如請求項1所述的方法，更包括： <br/>對所述命令的執行進度進行監測，其中所述偵測所述條件包括確定出已到達里程碑。
如請求項8所述的方法，其中所述監測包括對針對所述命令執行的多個步驟進行監測。
如請求項8所述的方法，其中所述里程碑包括完成對來自所述儲存裝置的一或多個記憶體胞元的訊號的感測。
一種儲存裝置，包括： <br/>高速緩衝記憶體；以及 <br/>處理器，耦合至所述高速緩衝記憶體，所述處理器被配置成執行邏輯，所述邏輯使所述處理器進行以下操作： <br/>對來自主機計算裝置的命令進行辨識，所述命令包括邏輯位址； <br/>偵測條件； <br/>基於偵測所述條件，向所述主機計算裝置發出請求將所述邏輯位址轉換成實體位址； <br/>將所述實體位址儲存於所述高速緩衝記憶體中；以及 <br/>基於所述實體位址根據所述命令傳送資料。
如請求項11所述的儲存裝置，其中所述邏輯更使所述處理器進行以下操作： <br/>因應於辨識出所述命令而起動第一定時器，其中使所述處理器對所述條件進行偵測的所述邏輯包括使所述處理器對所述第一定時器的逾時進行偵測的邏輯。
如請求項12所述的儲存裝置，其中所述第一定時器的長度短於對所述命令進行處理的預測潛時。
如請求項12所述的儲存裝置，其中所述邏輯使所述處理器基於欲處理的有效命令的數目而以動態方式計算所述第一定時器的長度。
如請求項12所述的儲存裝置，其中所述邏輯更使所述處理器進行以下操作： <br/>對第二定時器進行設定； <br/>對所述第二定時器的逾時進行偵測；以及 <br/>基於所述第二定時器的所述逾時，所述邏輯使所述處理器請求所述將所述邏輯位址轉換成所述實體位址，其中所述第二定時器的長度是基於完成在所述儲存裝置對所述命令進行處理期間的事件的預期長度。
如請求項15所述的儲存裝置，其中所述事件包括調用錯誤復原動作。
如請求項11所述的儲存裝置，其中所述命令包括用於自所述儲存裝置讀取所述資料的命令，其中所述邏輯位址用於將所述資料儲存於所述主機計算裝置的記憶體位置中。
如請求項11所述的儲存裝置，其中所述邏輯更使所述處理器進行以下操作： <br/>對所述命令的執行進度進行監測，其中所述偵測所述條件包括確定出已到達里程碑。
如請求項18所述的儲存裝置，其中使所述處理器進行監測的所述邏輯包括使所述處理器對針對所述命令執行的多個步驟進行監測的邏輯。
如請求項18所述的儲存裝置，其中所述里程碑包括完成對來自所述儲存裝置的一或多個記憶體胞元的訊號的感測。
一種柔性基板結構，沿一軸心捲收呈一捲收狀態或釋放呈一展開狀態；該柔性基板結構於該展開狀態定義有垂直於該軸心的一縱向，該柔性基板結構於該捲收狀態定義有垂直於該軸心的一徑向；該柔性基板結構包括： <br/>一基板，具有相對之一第一表面與一第二表面，該基板沿平行該軸心的方向定義相對之一第一端緣與一第二端緣； <br/>一工作圖層，設於該基板；以及 <br/>一柔性結構，設於該基板的該第二表面，該柔性結構包括一支持層及位於該支持層與該基板間之一複合層，該支持層與該複合層保持貼附，該複合層具有多個可撓曲段，各該可撓曲段平行於該軸心，各該可撓曲段連接該基板之該第一端緣與該第二端緣；該柔性結構沿該縱向定義一截面；其中，當該柔性基板結構於該捲收狀態時，該柔性結構之該截面具有多個波浪形變。
如請求項1所述的柔性基板結構，其中，該複合層定義多個弱形變部、以及連接該些弱形變部之一個或多個強形變部，該些弱形變部與該或該些強形變部沿該基板的該第二表面呈同層且交錯設置，該些弱形變部沿縱向呈斷續（continual）排列，各該可撓曲段為該或該些強形變部之一部分。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，在該截面中，該強形變部的數量為多個，相鄰兩該強形變部之間具有其中一該弱形變部。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，該些弱形變部沿平行軸心的方向呈斷續（continual）排列。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，該些弱形變部定義一厚度，該厚度保持固定。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，該複合層包括一第一材料與一第二材料，該第一材料與該第二材料分別定義一黏彈性與一降伏點，該第一材料的該黏彈性小於該第一材料的該降伏點，該第二材料的該黏彈性小於該第二材料的該降伏點，該第一材料的該黏彈性小於該第二材料的該黏彈性；該些弱形變部包含該第一材料、或更包括該第二材料，該些強形變部包含該第二材料、或更包括該第一材料。
如請求項1所述的柔性基板結構，其中，當該柔性基板結構於該展開狀態時，該支持層沿該縱向的方向之抗拉伸性大於該工作圖層沿該縱向的方向之抗拉伸性。
如請求項1所述的柔性基板結構，其中，該支持層之可彎曲性大於該工作圖層之可彎曲性。
如請求項1所述的柔性基板結構，其中，該支持層的材料包括不織布。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，該支持層對應該些弱形變部與該些強形變部分別定義一第一厚度與一第二厚度，該第一厚度大於該第二厚度。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，該支持層對應該些弱形變部定義多個弱彎折部、對應該或該些強形變部定義一個或多個強彎折部；該些弱彎折部之可彎曲性小於該或該些強彎折部之可彎曲性。
如請求項2所述的柔性基板結構，其中，該支持層對應該些弱形變部定義多個弱彎折部、對應該或該些強形變部定義一個或多個強彎折部；該些弱彎折部之硬度大於該或該些強彎折部之硬度。
如請求項12所述的柔性基板結構，其中，該些弱彎折部為多個支撐條；該或該些強彎折部為連接該些支撐條之多個支撐線，該些支撐線的可彎曲性大於該些支撐條的可彎曲性。
如請求項1所述的柔性基板結構，更包括一柔性層，接設該第一表面。
如請求項1所述的柔性基板結構，其中，該工作圖層位於或鄰近該柔性基板結構之一應力中性軸。
一種柔性基板結構，沿一軸心捲收呈一捲收狀態或釋放呈一展開狀態；該柔性基板結構於該展開狀態定義有垂直於該軸心的一縱向，該柔性基板結構於該捲收狀態定義有垂直於該軸心的一徑向；該柔性基板結構包括： <br/>一基板，具有相對之一第一表面與一第二表面，該基板沿平行該軸心的方向定義相對之一第一端緣與一第二端緣； <br/>一工作圖層，設於該基板；以及 <br/>一柔性結構，設於該基板的該第二表面； <br/>其中，該柔性結構沿該縱向定義一截面；其中，當該柔性基板結構於該捲收狀態時，該柔性結構之該截面具有多個波浪形變。
如請求項16所述的柔性基板結構，該柔性結構包括一支持層及位於該支持層與該基板間之一複合層，該支持層與該複合層保持貼附。
如請求項16所述的柔性基板結構，其中，該柔性結構具有多個可撓曲段，各該可撓曲段平行於該軸心，各該可撓曲段連接該基板之該第一端緣與該第二端緣。
如請求項17所述的柔性基板結構，其中，該複合層定義多個弱形變部、以及連接該些弱形變部之一個或多個強形變部，該些弱形變部與該或該些強形變部沿該基板的該第二表面呈同層且交錯設置，該些弱形變部沿縱向呈斷續（continual）排列。
如請求項17所述的柔性基板結構，其中，該支持層於該捲收狀態與該展開狀態沿該縱向分別定義一最小抗形變應力、與一最大抗形變應力。
如請求項17所述的柔性基板結構，其中，該支持層定義有一非線性彈性係數。
一種柔性基板結構，沿一軸心捲收呈一捲收狀態或釋放呈一展開狀態；該柔性基板結構於該展開狀態定義有垂直於該軸心的一縱向，該柔性基板結構於該捲收狀態定義有垂直於該軸心的一徑向；該柔性基板結構包括： <br/>一基板，具有相對之一第一表面與一第二表面，該基板沿平行該軸心的方向定義相對之一第一端緣與一第二端緣； <br/>一工作圖層，設於該基板；以及 <br/>一柔性結構，設於該基板的該第二表面； <br/>其中，該柔性結構包括一支持層及位於該支持層與該基板間之一複合層，該支持層與該複合層保持貼附；該支持層定義有一非線性彈性係數。
如請求項22所述的柔性基板結構，其中，當該柔性基板結構於該展開狀態時，該支持層沿該縱向的方向有應力收縮，當該柔性基板結構於該捲收狀態時，該支持層沿該縱向的方向有應力釋放。
一種電子裝置，包括： <br/>多個電子元件；以及 <br/>一如請求項1、16、22任一項所述的柔性基板結構，其中，該些電子元件設於該基板且電連接至該工作圖層。
如請求項第24項所述的電子裝置，其中，該工作圖層與該些電子元件設於該基板之該第一表面。
一種電子裝置，包括： <br/>多個電子元件；以及 <br/>一如請求項14所述的柔性基板結構，其中，該些電子元件設於該基板且電連接至該工作圖層； <br/>其中，該柔性層包覆各該電子元件之至少一部分。
一種雷射回焊方法，使用雷射光照射裝置來將半導體晶片連接於基板，前述雷射光照射裝置具備有：雷射光源；成像組合件，將從該雷射光源所射出之雷射光成像；及空間光調變器，配設於該雷射光源與該成像組合件之間，並將從該雷射光源所射出之該雷射光因應於相位圖案來調變並射出，前述雷射回焊方法具備以下步驟： <br/>準備步驟，準備被加工物，前述被加工物包含基板與半導體晶片，前述半導體晶片在其中一面具有凸塊且隔著該凸塊而載置在該基板上； <br/>傾斜度檢測步驟，拍攝已載置在該基板上之該半導體晶片，並檢測拍攝圖像內的該半導體晶片的傾斜度；及 <br/>雷射光照射步驟，從該其中一面的相反側之另一面來對該半導體晶片照射雷射光，而對包含於該被加工物的被照射範圍之該凸塊進行回焊， <br/>在該雷射光照射步驟中，以和在該傾斜度檢測步驟中所檢測出之該半導體晶片的該傾斜度對應之方式，來讓顯示於該空間光調變器之相位圖案旋轉，藉此，以已使該雷射光的照射範圍在該被加工物的被照射面內旋轉之狀態來照射雷射光。
如請求項1之雷射回焊方法，其中在該傾斜度檢測步驟中，是藉由檢測存在於該拍攝圖像內之直線，來檢測該半導體晶片的傾斜度。
如請求項1或2之雷射回焊方法，其中前述成像組合件是前述空間光調變器所具有之成像功能。
一種資訊處理系統，係具備： <br/> 判定手段，係用以判定，在區塊鏈中對一名使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個非同質化代幣之組合，是否滿足所定之條件；和 <br/> 贈禮資料生成手段，係用以藉由把對前記使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個前記非同質化代幣所涉及之資料加以組合，以生成贈禮資料；和 <br/> 非同質化代幣發行手段，係用以發行前記贈禮資料的非同質化代幣；和 <br/> 贈禮賦予手段，係用以在藉由前記判定手段，針對前記使用者而判定為滿足前記所定之條件的情況下，對該使用者的錢包，賦予前記贈禮資料的非同質化代幣作為贈禮。
如請求項1所記載之資訊處理系統，其中， <br/> 還具備：非同質化代幣管理手段，係用以令已被使用者所購入之商品所涉及之前記非同質化代幣，搬移至該使用者的錢包。
如請求項2所記載之資訊處理系統，其中， <br/> 前記非同質化代幣管理手段，係令被使用者所取得之商品所涉及之前記非同質化代幣，被隨機選擇而被搬移至該使用者的錢包。
如請求項1至3之任一項所記載之資訊處理系統，其中， <br/> 前記判定手段，係在對前記一名使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個前記非同質化代幣之組合是包含有，由所定之複數個商品所成之商品集合之中的所定數量以上之商品所涉及之非同質化代幣的情況下，判定為滿足前記所定之條件。
如請求項1至3之任一項所記載之資訊處理系統，其中， <br/> 前記判定手段，係藉由參照前記使用者的錢包或代幣取得履歷，以針對前記使用者而判定是否滿足前記所定之條件。
一種資訊處理方法，係由電腦來執行： <br/> 判定步驟，係判定在區塊鏈中對一名使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個非同質化代幣之組合，是否滿足所定之條件；和 <br/> 贈禮資料生成步驟，係藉由把對前記使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個前記非同質化代幣所涉及之資料加以組合，以生成贈禮資料；和 <br/> 非同質化代幣發行步驟，係發行前記贈禮資料的非同質化代幣；和 <br/> 贈禮賦予步驟，係在前記判定步驟中，針對前記使用者而判定為滿足前記所定之條件的情況下，對該使用者的錢包，賦予前記贈禮資料的非同質化代幣作為贈禮。
一種程式，係用以令電腦執行： <br/> 判定步驟，係判定在區塊鏈中對一名使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個非同質化代幣之組合，是否滿足所定之條件；和 <br/> 贈禮資料生成步驟，係藉由把對前記使用者的錢包於現在所被賦予或過去曾被賦予的複數個前記非同質化代幣所涉及之資料加以組合，以生成贈禮資料；和 <br/> 非同質化代幣發行步驟，係發行前記贈禮資料的非同質化代幣；和 <br/> 贈禮賦予步驟，係在前記判定步驟中，針對前記使用者而判定為滿足前記所定之條件的情況下，對該使用者的錢包，賦予前記贈禮資料的非同質化代幣作為贈禮。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一基板，具有一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面及位於該第一表面及該第二表面之間的一側表面；<br/> 一第一導電圖案，設置於該第一表面上；<br/> 一第二導電圖案，設置於該第二表面上；<br/> 一電子元件，設置於該第二表面上，且電性連接該第二導電圖案；以及<br/> 一側導電圖案，設置於該側表面及該第一表面上，且該側導電圖案電性連接該第一導電圖案，且該側導電圖案包括一第一側導線及一第二側導線；<br/> 其中，該第一側導線與該第一導電圖案的一第一重疊部分具有一第一長度，該第二側導線與該第一導電圖案的一第二重疊部分具有一第二長度，且該第一長度不同於該第二長度。
如請求項1之電子裝置，其中該第一長度大於或等於10 微米且小於或等於100 微米，且該第二長度大於或等於10 微米且小於或等於100 微米。
如請求項1之電子裝置，其中該第一長度與該第二長度之間的差值大於或等於1 微米且小於或等於50 微米。
如請求項1之電子裝置，更包括：<br/> 一第二導電圖案，設置於該第二表面上且包括至少二導線，該側導電圖案與該至少二導線分別具有一第三重疊部分及一第四重疊部分，且該第三重疊部分具有一第三長度，該第四重疊部分具有一第四長度，且該第三長度不同於該第四長度。
如請求項1之電子裝置，更包括：<br/> 一第二基板，設置於該第一基板上；以及<br/> 一黏著層，設置於該第一基板及該第二基板之間；<br/> 其中，該側導電圖案延伸至該第二基板的一側表面上。
如請求項5之電子裝置，更包括設置於該第二基板上的一功能層，且該功能層包括光轉換層、濾光層、黑色矩陣層、間隔層或其任意組合。
如請求項1之電子裝置，其中該第一導電圖案包括多層結構導電膜。
如請求項1之電子裝置，其中該側導電圖案包括多層結構導電膜。
如請求項1之電子裝置，其中該第一基板更包括至少一倒角面，且該倒角面位於該第一表面及該側表面之間。
如請求項9之電子裝置，其中該倒角面的數量大於或等於2。
如請求項9之電子裝置，其中該倒角面的一虛擬延伸線與該第一表面的一虛擬延伸線具有一夾角，該夾角的角度大於或等於30度且小於或等於60度。
一種電子裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一第一基板，且該第一基板包括一第一表面、一第二表面與一側表面，該第一表面與該第二表面相對，且該側表面位於該第一表面與該第二表面之間；<br/> 形成一第一導電圖案於該第一基板的該第一表面上；<br/> 形成一第一保護膜於該第一導電圖案上，且該第一保護膜的邊緣於該第一表面上具有至少一凹部及與該至少一凹部相鄰排列的至少一凸部；<br/> 形成一導電層於該側表面與該第一表面上；<br/> 移除該第一保護膜；以及<br/> 圖案化該導電層，以形成連接該第一導電圖案的一側導電圖案。
如請求項12之製造方法，更包括：<br/> 形成一第二導電圖案於該第一基板的該第二表面上；<br/> 形成一第二保護膜於該第二導電圖案上；以及<br/> 移除該第二保護膜。
如請求項12之製造方法，其中圖案化該導電層是藉由蝕刻製程。
如請求項12之製造方法，其中圖案化該導電層是藉由剝離製程。
如請求項12之製造方法，其中圖案化該導電層是藉由雷射製程。
如請求項12之製造方法，其中形成該導電層是藉由濺鍍製程。
如請求項12之製造方法，更包括：<br/> 提供一第二基板；以及<br/> 使該第一基板與該第二基板接合。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一基板，具有一第一表面、相對於該第一表面的一第二表面及位於該第一表面及該第二表面之間的一側表面；<br/> 一第一導電圖案，設置於該第一表面上；<br/> 一第二導電圖案，設置於該第二表面上；<br/> 一電子元件，設置於該第二表面上，且電性連接該第二導電圖案；以及<br/> 一側導電圖案，設置於該側表面上，該側導電圖案電性連接該第一導電圖案，且該側導電圖案包括一第一側導線；<br/> 其中，該第一導電圖案覆蓋該第一側導線的一部分。
一種矽單晶的製造方法，是從石英坩堝內的矽熔融液提拉矽單晶之矽單晶的製造方法，其特徵在於： <br/>以預定的時間間隔取得包含反映在前述矽熔融液的熔融液面上的前述石英坩堝的鏡像的影像，並由在前述石英坩堝至少旋轉一圈期間取得的多張影像所映現的前述石英坩堝的鏡像的位置的時間變化來評估前述石英坩堝的變形或偏心， <br/>其中由前述石英坩堝的鏡像來檢測前述石英坩堝的上端部的位置，並由前述上端部的位置的時間變化來計算前述上端部的變形量或偏心量。
如請求項1所述之矽單晶的製造方法，其中由前述影像中的像素的縱向輝度的微分值來檢測前述石英坩堝的上端部。
如請求項1至2中任一項所述之矽單晶的製造方法，其中前述上端部的位置的檢測線設定在包含拍攝前述影像之相機的光學軸的平面內，由在前述檢測線上的前述石英坩堝的鏡像的位置的時間變化來計算前述石英坩堝的變化量。
如請求項1至2中任一項所述之矽單晶的製造方法，其中基於在熔解前述石英坩堝內的矽原料的原料熔解步驟開始到晶種與前述矽熔融液接觸的液體接觸步驟開始期間取得的前述多張影像來計算前述石英坩堝的變化量。
一種矽單晶製造裝置，具備： <br/>石英坩堝，保持矽熔融液； <br/>加熱器，設置成圍繞前述石英坩堝以加熱前述矽熔融液； <br/>坩堝驅動手段，旋轉和升降驅動前述石英坩堝； <br/>拉晶手段，從前述矽熔融液提拉矽單晶； <br/>熱遮蔽體，配置在前述石英坩堝上方以圍繞從前述矽熔融液中提拉的矽單晶； <br/>相機，從斜上方拍攝經由前述熱遮蔽體的開口部可見的前述矽熔融液的熔融液面；以及 <br/>影像處理部，處理前述相機的拍攝影像， <br/>其特徵在於，前述相機以預定的時間間隔取得包含反映在前述熔融液面之前述石英坩堝的鏡像的影像， <br/>前述影像處理部由在前述石英坩堝至少旋轉一圈期間取得的多張影像所映現的前述石英坩堝的鏡像的位置的時間變化來評估前述石英坩堝的變形或偏心， <br/>其中前述影像處理部由前述石英坩堝的鏡像來檢測前述石英坩堝的上端部的位置，並由前述上端部的位置的時間變化來計算前述上端部的變形量或偏心量。
如請求項5所述之矽單晶製造裝置，其中前述影像處理部由前述影像中的像素的縱向輝度的微分值來檢測前述石英坩堝的上端部。
如請求項5至6中任一項所述之矽單晶製造裝置，其中前述影像處理部將前述上端部的位置的檢測線設定在包含拍攝前述影像的相機的光學軸的平面中，並由前述檢測線上的前述石英坩堝的鏡像的位置的時間變化來計算前述石英坩堝的變化量。
如請求項5至6中任一項所述之矽單晶製造裝置，其中前述影像處理部基於在熔解前述石英坩堝中的矽原料的原料熔解步驟開始到晶種與前述矽熔融液接觸的液體接觸步驟開始期間取得的前述多張影像來計算前述石英坩堝的變化量。
一種矽晶圓的製造方法，其特徵在於： <br/>藉由加工如請求項1至2中任一項所述之矽單晶的製造方法所製造的矽單晶來製造矽晶圓。
一種積體電路封裝，包括：<br/> 晶圓，包括：<br/> 第一積體電路晶粒，包括位於第一介電層中的第一元件層及位於第二介電層中的第一前側內連線結構，所述第一前側內連線結構包括內連所述第一元件層的第一元件的第一內連線；<br/> 第二積體電路晶粒，包括位於所述第一介電層中的第二元件層及位於所述第二介電層中的第二前側內連線結構，所述第二前側內連線結構包括內連所述第二元件層的第二元件的第二內連線；以及<br/> 電力分配插入件，接合至所述第一積體電路晶粒及所述第二積體電路晶粒，所述電力分配插入件包括背側內連線結構，所述背側內連線結構包括連接至所述第一元件層的所述第一元件及所述第二元件層的所述第二元件的電力軌，其中所述第一介電層、所述第二介電層以及所述電力分配插入件側向地齊平。
如請求項1所述的積體電路封裝，其中所述電力軌的寬度為所述第一內連線的寬度的至少兩倍且為所述第二內連線的寬度的至少兩倍。
如請求項1所述的積體電路封裝，其中所述背側內連線結構更包括連接至所述第一元件層的所述第一元件及所述第二元件層的所述第二元件的資料軌，所述資料軌的長度大於所述第一內連線的長度且大於所述第二內連線的長度。
如請求項1所述的積體電路封裝，其中所述第一積體電路晶粒及所述第二積體電路晶粒不含電力軌。
如請求項1所述的積體電路封裝，其中所述第一元件層安置於所述第一前側內連線結構與所述背側內連線結構之間，且所述第二元件層安置於所述第二前側內連線結構與所述背側內連線結構之間。
一種積體電路封裝，包括：<br/> 電力分配插入件，包括：<br/> 第一接合層；<br/> 第一晶粒連接件，處於所述第一接合層中；以及<br/> 背側內連線結構，包括連接至所述第一晶粒連接件的電力軌；以及<br/> 積體電路晶粒，包括：<br/> 第二接合層，藉由介電質對介電質接合直接接合至所述第一接合層；<br/> 第二晶粒連接件，處於所述第二接合層中，所述第二晶粒連接件藉由金屬對金屬接合直接接合至所述第一晶粒連接件；以及<br/> 元件層，處於所述第二接合層上，所述元件層包括接點及電晶體，所述電晶體包括第一源極/汲極區，所述接點將所述第一源極/汲極區的背側連接至所述第二晶粒連接件；以及<br/> 支撐基底，位於所述積體電路晶粒與所述電力分配插入件上，其中所述積體電路晶粒位於所述支撐基底與所述電力分配插入件之間，其中所述支撐基底選自玻璃支撐基底、陶瓷支撐基底、半導體基底以及晶圓中至少一者。
如請求項6所述的積體電路封裝，其中所述電晶體更包括第二源極/汲極區，且所述積體電路晶粒更包括前側內連線結構，所述前側內連線結構包括連接至所述第二源極/汲極區的前側的內連線。
一種積體電路封裝的形成方法，包括：<br/> 形成積體電路晶粒，所述積體電路晶粒包括元件層、電晶體的源極/汲極區、所述元件層的前側上的第一內連線結構、所述元件層的背側上的第一接合層以及接點，所述接點位於所述源極/汲極區與所述第一接合層之間；<br/> 形成包括第二接合層的電力分配插入件；以及<br/> 藉由以下操作將所述積體電路晶粒接合至所述電力分配插入件：<br/> 相對於所述第二接合層按壓所述第一接合層；以及<br/> 使所述第一接合層及所述第二接合層退火以在所述第一接合層的材料與所述第二接合層的材料之間形成共價鍵。
如請求項8所述的方法，其中所述積體電路晶粒更包括所述第一接合層中的第一晶粒連接件，所述電力分配插入件更包括所述第二接合層中的第二晶粒連接件，且將所述積體電路晶粒接合至所述電力分配插入件更包括使所述第一晶粒連接件及所述第二晶粒連接件退火以使所述第一晶粒連接件的材料與所述第二晶粒連接件的材料混合。
一種電子裝置，包括：<br/> 一電平轉換器，包括：<br/> 一模式控制器，用以輸出一第一模式資訊及一第二模式資訊；以及<br/> 一處理器，用以接收一切換訊號、該第一模式資訊，及該第二模式資訊；<br/> 一閘極驅動器，電性連接該電平轉換器；以及<br/> 多條掃描線，電性連接該閘極驅動器，<br/> 其中，該處理器依據該切換訊號以輸出該第一模式資訊或該第二模式資訊至該閘極驅動器；<br/> 其中，該閘極驅動器輸出該第一模式資訊或該第二模式資訊至該多條掃描線；<br/> 其中，該切換訊號在一電子裝置執行多個幀掃描時被調控為不同電位，使該電子裝置得以混合使用該第一模式資訊及該第二模式資訊執行該些幀掃描；以及<br/> 其中，該處理器更用以接收一第一時鐘控制訊號及一第二時鐘控制訊號，且該第一時鐘控制訊號或該第二時鐘控制訊號包括多個時脈；其中，該第一時鐘控制訊號及該第二時鐘控制訊號用以控制該多條掃描線所輸出的多個時脈訊號的時脈寬度。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該第一時鐘控制訊號的多個時脈用以控制該多個時脈訊號的多個起始時間點。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該第二時鐘控制訊號的多個時脈用以控制該多個時脈訊號的多個結束時間點。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該切換訊號為高電位時，該閘極驅動器輸出該第一模式資訊至該多條掃描線。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該切換訊號為低電位時，該閘極驅動器輸出該第二模式資訊至該多條掃描線。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該閘極驅動器輸出該第一模式資訊時，該多條掃描線執行一交替掃描模式。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該閘極驅動器輸出該第二模式資訊時，該多條掃描線執行一循環掃描模式。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該電平轉換器更用以接收一起始訊號，且將該起始訊號傳送至該閘極驅動器。
一種飾板，其係具備保護層者，且 <br/>上述保護層具有構成上述飾板之表面之凹凸面， <br/>上述凹凸面具有皺褶結構， <br/>上述凹凸面之JIS B0601：2013規定之最大高度Rz為2.5 μm以上， <br/>上述保護層之馬氏硬度HM為180 N/mm<sup>2</sup>以下，且 <br/>上述凹凸面之JIS B0601：2013規定之最大高度Rz為12.5 μm以下。
如請求項1之飾板，其中上述保護層之馬氏硬度HM為20 N/mm<sup>2</sup>以上。
如請求項1或2之飾板，其中上述凹凸面之JIS A1454：2016規定之抗滑係數C.S.R為0.3以上。
如請求項1或2之飾板，其中上述凹凸面之JIS A1454：2016規定之抗滑係數C.S.R為0.55以下。
如請求項1或2之飾板，其中上述保護層包含樹脂層及複數個粒子。
如請求項1或2之飾板，其進而具備設計層。
如請求項1或2之飾板，其係地板用飾板。
一種裝飾材料，其具有被附體、及設於上述被附體上之如請求項1至7中任一項之飾板。
一種電子裝置的製作方法，包括：<br/> 提供一第一基板；<br/> 提供一第二基板；<br/> 透過一黏著層貼合該第一基板與該第二基板；<br/> 形成一導電層於該第一基板、該第二基板、及該黏著層的側面，其中形成該導電層的步驟之前，更包括形成一光阻於該第一基板、該第二基板與該黏著層的側面，以及圖案化該光阻；<br/> 執行一第一圖案化製程於該導電層的一第一區域；以及<br/> 執行一第二圖案化製程於該導電層的一第二區域；<br/> 其中，該第一區域至少部分重疊該黏著層，該第二區域重疊該第一基板及該第二基板的側面，該第一圖案化製程不同於該第二圖案化製程。
根據請求項1所述的電子裝置的製作方法，其中該第一圖案化製程為黃光製程，該第二圖案化製程為雷射剝蝕(laser ablation)製程。
根據請求項1所述的電子裝置的製作方法，其中執行該第一圖案化製程的步驟是在執行該第二圖案化製程的步驟之前。
根據請求項1所述的電子裝置的製作方法，其中執行該第一圖案化製程的步驟是在執行該第二圖案化製程的步驟之後。
根據請求項1所述的電子裝置的製作方法，其中該第一圖案化製程為一剝蝕製程(lift-off process)。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 一第二基板；<br/> 一黏著層，設置於該第一基板與該第二基板之間；以及<br/> 一側走線，設置於該第一基板與該黏著層的側面上，該側走線具有一第一部分與一第二部分；<br/> 其中，該第一部分至少部分重疊該黏著層，該第二部分重疊部分該第一基板的側面，該第一部分與該第二部分分別具有沿著一第一方向延伸的一第一邊緣與一第二邊緣，該第一邊緣與該第二邊緣彼此分隔，該第一方向為該第一基板與該第二基板的排列方向，其中該第一部分與該第二部分分別具有沿著該第一方向延伸的一第三邊緣與一第四邊緣，該第一邊緣相對該第三邊緣，該第二邊緣相對該第四邊緣，該第三邊緣與該第四邊緣皆彼此分隔。
根據請求項6所述的電子裝置，其中該側走線的該第一部分與該第二部分包含有不同材料。
根據請求項6所述的電子裝置，其中該第一邊緣與該第二邊緣以一第一間距彼此分隔，該第一間距介於5~15微米之間。
根據請求項6所述的電子裝置，其中該第三邊緣與該第四邊緣以一第二間距彼此分隔，該第二間距介於5~15微米之間。
根據請求項9所述的電子裝置，其中該第一間距與該第二間距的差值大於等於零。
根據請求項6所述的電子裝置，其中該第一部分與該第一基板遠離該第二基板的邊緣的一第一距離相隔大於80微米。
根據請求項6所述的電子裝置，其中該第一部分與該第二基板遠離該第一基板的邊緣的一第二距離相隔大於80微米。
根據請求項9所述的電子裝置，其中該第一部分的一長度大於600微米。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 一第二基板；<br/> 一黏著層，設置於該第一基板與該第二基板之間；以及<br/> 一側走線，設置於該第一基板與該黏著層的側面上，該側走線具有一第一部分與一第二部分；<br/> 其中，該第一部分至少部分重疊該黏著層，該第二部分重疊該第一基板的部分側面，該第一基板的側面未設置該側走線的區域具有鄰近該第一部分的一第三區域與鄰近該第二部分的一第四區域，該第三區域與該第四區域之間具有一段差，其中該第四區域的粗糙度大於該第三區域的粗糙度。
根據請求項14所述的電子裝置，其中該段差小於10微米。
根據請求項14所述的電子裝置，其中該第一部分的表面與該第二部分的表面落差小於5微米。
一種電極結構，包括：<br/> 一第一導電層，具有一第一導線、一第二導線以及一分離線，其中該第一導線電性連接至該第二導線，且該分離線與該第一導線、該第二導線電性絕緣：以及<br/> 一第二導電層，設置於該第一導電層上且具有一第三導線，其中該第三導線電性連接至該第一導線；<br/> 其中，在該電極結構的一俯視圖中，該分離線設置於該第一導線和該第二導線之間。
如請求項1之電極結構，其中該第一導線和該第二導線沿一第一方向延伸，且於該第一方向上相互分隔開來，該分離線的一延伸方向與該第一方向平行。
如請求項2之電極結構，其中該第一導線和該第二導線分隔開一第一距離，且該分離線的一長度和該第一距離的比值大於或等於0.5且小於或等於0.96。
如請求項3之電極結構，其中該比值大於或等於0.7且小於或等於0.92。
如請求項1之電極結構，其中該第三導線透過一連接元件與該第一導線電性連接，且該第三導線和該連接元件的材料相同。
如請求項1之電極結構，其中在該電極結構的該俯視圖中，該分離線具有一弓形輪廓。
如請求項1之電極結構，其中該分離線包括一第一部分和兩端點，該第一部分設置於該兩端點之間，一虛擬線穿過該兩端點，該第一部分與該虛擬線偏移一第二距離，且該第二距離大於或等於1微米且小於或等於8微米。
如請求項1之電極結構，其中該第二導電層更具有一第四導線並與該分離線交錯，該分離線包括與該第四導線不重疊的一第一部分以及與該第四導線重疊的一第二部分，且該第二部分的寬度大於該第一部分的寬度。
如請求項1之電極結構，其中該分離線的一邊緣部分具有一弧形輪廓。
如請求項1之電極結構，其中該第一導電層更具有一第五導線，電性連接至該第一導線和該第二導線，且該第五導線的一延伸方向與該分離線的一延伸方向平行。
如請求項10之電極結構，其中該第一導電層更具有一第六導線，電性連接至該第一導線和該第五導線，且在該電極結構的該俯視圖中，該第六導線設置於該第三導線和該分離線之間。
如請求項11之電極結構，其中該第六導線的一延伸方向與該第三導線的一延伸方向平行。
如請求項1之電極結構，其中該第二導電層更具有一第七導線，電性連接至該第二導線，且該第一導線和該第二導線設置於該第三導線和該第七導線之間。
如請求項1之電極結構，其中該第二導電層更具有一第七導線，與該第三導線分隔開來，且該第三導線透過該第一導線和該第二導線電性連接至該第七導線。
如請求項14之電極結構，其中該電極結構是配置以感測觸控。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一顯示面板：以及<br/> 如請求項1所述之電極結構，其中該電極結構設置於該顯示面板上。
一種複合假撚加工紗，包含聚醯胺纖維A及聚醯胺纖維B，所述聚醯胺纖維A為潛在捲縮紗，所述聚醯胺纖維B不為潛在捲縮紗，所述聚醯胺纖維A的鄰接長絲群組比率為50%以上。
如請求項1所述的複合假撚加工紗，其中，所述聚醯胺纖維A與所述聚醯胺纖維B的伸度差為7.0%以上且40.0%以下。
如請求項1所述的複合假撚加工紗，其中，所述聚醯胺纖維B的單紗纖度為0.3分特克斯以上且0.9分特克斯以下。
如請求項1所述的複合假撚加工紗，其中，所述聚醯胺纖維A為平衡回潮率6.3%以下的偏心芯鞘型複合纖維，構成芯成分的聚醯胺與構成鞘成分的聚醯胺的黏度比為1.20以上且1.40以下。
一種編織/針織物，在至少一部分包含表現出捲縮的如請求項1至4中任一項所述的複合假撚加工紗。
一種衣服，在至少一部分包含表現出捲縮的如請求項1至4中任一項所述的複合假撚加工紗。
一種衣服，在至少一部分包含如請求項5所述的編織/針織物。
一種聚合引發劑，其為包含通式(1)表示的一具有噻噸酮骨架的二烷基過氧化物(a-1)與通式(2)表示的一具有噻噸酮骨架的氫過氧化物(a-2)的一聚合引發劑(A)，<img align="absmiddle" height="40px" width="183px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(1)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>獨立地表示甲基或乙基，R<sup>5</sup>表示碳原子數為1~6的烷基或苯基，R<sup>6</sup>為獨立的取代基且表示碳原子數為1~4的烷基、碳原子數為1~4的烷氧基或氯原子，n表示0~2的整數；以及<img align="absmiddle" height="40px" width="174px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地表示甲基或乙基，R<sup>3</sup>為獨立的取代基且表示碳原子數為1~4的烷基、碳原子數為1~4的烷氧基或氯原子，n表示0~2的整數，其中在100質量份的該聚合引發劑(A)中，該具有噻噸酮骨架的氫過氧化物(a-2)為30質量份以下。
一種聚合性組合物，其包含如請求項1所述的該聚合引發劑及一自由基聚合性化合物(B)。
一種固化物，其由如請求項2所述的該聚合性組合物形成。
一種具有噻噸酮骨架的氫過氧化物，其為由通式(2)表示的具有噻噸酮骨架的氫過氧化物(a-2)，<img align="absmiddle" height="40px" width="174px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(2)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>獨立地表示甲基或乙基，R<sup>3</sup>為獨立的取代基且表示碳原子數為1~4的烷基、碳原子數為1~4的烷氧基或氯原子，n表示0~2的整數。
一種工件吸附裝置，其係具備有：在內部具有吸附電極而藉由施加電壓，使工件吸附力顯現而可在工件吸附面吸附工件的靜電吸附體；及介於所吸附的工件與前述靜電吸附體之間，在停止對前述吸附電極施加電壓之後，輔助將工件由工件吸附面分離的工件分離體的工件吸附裝置，其特徵為： <br/>前述工件分離體係具有複數個用以使顯現在工件吸附面的工件吸附力作用於工件側的開口部，而且，以該開口部大致均一地存在於工件分離體的面內的方式藉由格子部予以區劃，在吸附工件時由工件側作平面視時，前述靜電吸附體的吸附電極與前述工件分離體的格子部不相對。
如請求項1之工件吸附裝置，其中，以包圍前述靜電吸附體的吸附電極的方式配設前述工件分離體的格子部，在吸附工件時由工件側作平面視時，前述靜電吸附體的吸附電極與前述工件分離體的格子部不相對。
一種工件吸附裝置，其係具備有：在內部具有吸附電極而藉由施加電壓，使工件吸附力顯現而可在工件吸附面吸附工件的靜電吸附體；及介於所吸附的工件與前述靜電吸附體之間，在停止對前述吸附電極施加電壓之後，輔助將工件由工件吸附面分離的工件分離體的工件吸附裝置，其特徵為： <br/>前述工件分離體係具有複數個用以使顯現在工件吸附面的工件吸附力作用於工件側的開口部，而且，以該開口部大致均一地存在於工件分離體的面內的方式藉由格子部予以區劃，在前述工件分離體的格子部與前述靜電吸附體的吸附電極之間介有導電性遮蔽構件。
如請求項3之工件吸附裝置，其中，前述導電性遮蔽構件被配設在前述靜電吸附體。
一種工件吸附裝置，其係具備有：在內部具有吸附電極而藉由施加電壓，使工件吸附力顯現而可在工件吸附面吸附工件的靜電吸附體；及介於所吸附的工件與前述靜電吸附體之間，在停止對前述吸附電極施加電壓之後，輔助將工件由工件吸附面分離的工件分離體的工件吸附裝置，其特徵為： <br/>前述工件分離體係具有複數個用以使顯現在工件吸附面的工件吸附力作用於工件側的開口部，而且，以該開口部大致均一地存在於工件分離體的面內的方式藉由格子部予以區劃，在吸附工件時由工件側作平面視時，前述靜電吸附體的吸附電極與前述工件分離體的格子部不相對，此外，在前述工件分離體的格子部與前述靜電吸附體的吸附電極之間介有導電性遮蔽構件。
如請求項3至5中任一項之工件吸附裝置，其中，前述導電性遮蔽構件連接於接地。
一種薄膜卷，其係不具有壓花加工部的薄膜卷， <br/> 在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係， <br/> 前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)， <br/> 式(1) X＜Y， <br/> 式(2) 0.15＜X＜0.40； <br/> 式(3) 1＜(Y/X)≦3。
一種薄膜卷之製造方法，其係製造不具有壓花加工部之薄膜卷的製造方法， <br/> 在前述薄膜卷之寬度方向側面部測定之前述卷芯周邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為X[μm]，前述卷外圍邊部之彼此相鄰之薄膜間之空隙層的厚度設為Y[μm]時，前述X與前述Y滿足下述式(1)之關係， <br/> 前述X[μm]與前述Y[μm]滿足下述式(2)及下述式(3)的方式進行調製， <br/> 式(1) X＜Y， <br/> 式(2) 0.15＜X＜0.40； <br/> 式(3) 1＜(Y/X)≦3。
如請求項2之薄膜卷之製造方法，其中將前述卷芯周邊部的薄膜觸壓在6～55[N/m]之範圍內，卷中央部的薄膜觸壓在4～40[N/m]之範圍內，及前述卷外圍邊部的薄膜觸壓在3～30[N/m]之範圍內進行調整。
一種偏光板，其係具備如請求項1之薄膜卷之一部分的薄膜。
一種顯示裝置，其係具備如請求項1之薄膜卷之一部分的薄膜。
一種轉印方法，其特徵在於，其係將至少沿第1方向排列於轉印基板之第1主面且保持於保持層之元件藉由雷射舉離而轉印至被轉印基板者，且實施如下之第1元件轉印步驟： <br/>以照射至較至少1個作為轉印對象之第1元件全域寬廣之區域之大小之第1雷射光點，從上述轉印基板之第2主面側對以保持作為轉印對象之上述第1元件之上述保持層為中心之區域照射雷射， <br/>對保持作為轉印對象之上述第1元件全域之上述保持層照射可將上述第1元件分離之能量之雷射，將作為轉印對象之上述第1元件轉印至被轉印基板，其中 <br/>具有可從上述保持層分離之能量之區域係較上述第1元件全域寬廣，且包含相鄰於上述第1元件之相鄰元件之上述第1元件側之一半區域之一部分之大小。
如請求項1之轉印方法，其中上述第1雷射光點具有於剖面輪廓之中心處最大且沿與照射方向正交之寬度方向越遠則變得越弱之能量分佈。
如請求項1或2之轉印方法，其中於上述第1元件轉印步驟之後實施第2元件轉印步驟， <br/>該第2元件轉印步驟係對在相鄰於上述第1元件之上述相鄰元件之與上述第1元件相反之側相鄰配置之至少1個第2元件，以上述第1雷射光點從上述轉印基板之第2主面側對以保持上述第2元件之上述保持層為中心之區域照射雷射，而將上述第2元件轉印至被轉印基板。
如請求項3之轉印方法，其中於轉印基板亦沿與上述第1方向正交之第2方向經由保持層而排列保持有元件，且 <br/>於上述第2元件轉印步驟之後實施第3元件轉印步驟， <br/>該第3元件轉印步驟係對沿上述第2方向與上述相鄰元件相鄰配置之第3元件，以上述第1雷射光點從上述轉印基板之第2主面側對以保持上述第3元件之上述保持層為中心之區域照射雷射，而將上述第3元件轉印至被轉印基板。
如請求項4之轉印方法，其中於上述第3元件轉印步驟之後實施相鄰元件轉印步驟， <br/>該相鄰元件轉印步驟係對上述相鄰元件，以尺寸與上述第1雷射光點相同之雷射光點、或尺寸較上述第1雷射光點小之第2雷射光點從上述轉印基板之第2主面側對保持上述相鄰元件之上述保持層照射雷射，而將上述相鄰元件轉印至被轉印基板。
一種樹脂組成物，包含：下述通式（1）所表示的雙馬來醯亞胺化合物（A）、包含一個以上的羧基的化合物（B）、以及光硬化起始劑（C）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="110px" width="620px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（1）中，R <sub>3</sub>獨立地表示包含環狀結構的四價有機基；R <sub>2</sub>獨立地為碳數6～200的二價烴基；R <sub>1</sub>獨立地由下述式（2）表示；R <sub>4</sub>為R <sub>1</sub>或R <sub>2</sub>；m為1～100，n為0～100；另外，由m及n括起來的各重複單元的順序並無限定，鍵結樣式可為交替，亦可為嵌段，亦可為無規）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="103px" width="183px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（R <sub>5</sub>各自獨立地表示氫原子、碳數1～6的直鏈狀或分支狀的烷基、鹵素原子、羥基、或碳數1～6的直鏈狀或分支狀的烷氧基；l各自獨立地表示1～4的整數）。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中，所述包含一個以上的羧基的化合物（B）是選自由下述式（3）所表示的化合物、下述式（4）所表示的化合物、下述式（5）所表示的化合物、及下述式（6）所表示的化合物所組成的群組中的至少一種以上的化合物； <br/><br/><img align="absmiddle" height="99px" width="147px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（3）中，R <sub>6</sub>各自獨立地表示氫原子、羥基、羧基、胺基或胺基甲基；o各自獨立地表示1～5的整數；式（3）中，於具有兩個以上的羧基的情況下，亦可為該些相互連結而形成的酸酐）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="111px" width="146px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（4）中，R <sub>7</sub>各自獨立地表示氫原子、羥基、羧基、羧基甲基、胺基或胺基甲基；p各自獨立地表示1～9的整數；式（4）中，於具有兩個以上的羧基的情況下，亦可為該些相互連結而形成的酸酐；式（4）中，於具有羧基甲基的情況下，亦可為羧基甲基與羧基相互連結而形成的酸酐）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="102px" width="146px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（5）中，R <sub>8</sub>各自獨立地表示氫原子、羥基、羧基、羧基甲基、胺基或胺基甲基；q各自獨立地表示1～9的整數；式（5）中，於具有兩個以上的羧基的情況下，亦可為該些相互連結而形成的酸酐；式（5）中，於具有羧基甲基的情況下，亦可為羧基甲基與羧基相互連結而形成的酸酐）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="124px" width="140px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（6）中，R <sub>9</sub>各自獨立地表示氫原子、羥基、羧基、羧基甲基、胺基或胺基甲基；r各自獨立地表示1～5的整數；式（6）中，於具有一個以上的羧基的情況下，亦可為羧基甲基與羧基相互連結而形成的酸酐；式（6）中，於具有兩個以上的羧基的情況下，亦可為該些相互連結而形成的酸酐；式（6）中，於具有兩個以上的羧基甲基的情況下，亦可為該些相互連結而形成的酸酐）。
如請求項1或2所述的樹脂組成物，含有下述式（1）所表示的雙馬來醯亞胺化合物（A）中，R <sub>3</sub>所表示的有機基為下述結構式（7）～結構式（15）所表示的四價有機基中的任一者的雙馬來醯亞胺化合物； <br/><br/><img align="absmiddle" height="125px" width="601px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（1）中，R <sub>3</sub>獨立地表示包含環狀結構的四價有機基；R <sub>2</sub>獨立地為碳數6～200的二價烴基；R <sub>1</sub>獨立地由下述式（2）表示；R <sub>4</sub>為R <sub>1</sub>或R <sub>2</sub>；m為1～100，n為0～100；另外，由m及n括起來的各重複單元的順序並無限定，鍵結樣式可為交替，亦可為嵌段，亦可為無規）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="186px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（R <sub>5</sub>各自獨立地表示氫原子、碳數1～6的直鏈狀或分支狀的烷基、鹵素原子、羥基、或碳數1～6的直鏈狀或分支狀的烷氧基；l各自獨立地表示1～4的整數）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="669px" width="573px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（11）中，Y表示C(CF <sub>3</sub>) <sub>2</sub>、SO <sub>2</sub>、CO、氧原子、直接鍵結或下述式（16）所表示的二價連結基）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="130px" width="251px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>所述結構式中的-*表示鍵結鍵，於式（1）中與形成環狀醯亞胺結構的羰基碳鍵結。
如請求項1或2所述的樹脂組成物，其中，所述光硬化起始劑（C）包含下述式（17）所表示的化合物； <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="183px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（17）中，R <sub>9</sub>各自獨立地表示下述式（18）所表示的取代基或苯基）； <br/><br/><img align="absmiddle" height="96px" width="185px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>（式（18）中，-*表示鍵結鍵，R <sub>10</sub>各自獨立地表示氫原子或甲基）。
一種樹脂片材，具有： <br/>支撐體；以及 <br/>樹脂層，配置於所述支撐體的單面或兩面， <br/>所述樹脂層包含如請求項1或2所述的樹脂組成物。
如請求項5所述的樹脂片材，其中，所述樹脂層的厚度為1 μm～50 μm。
一種多層印刷配線板，具有： <br/>絕緣層；以及 <br/>導體層，形成於所述絕緣層的單面或兩面， <br/>所述絕緣層包含如請求項1或2所述的樹脂組成物。
一種半導體裝置，包含如請求項1或2所述的樹脂組成物。
一種由式(I)表示之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體：<br/><img align="absmiddle" height="70px" width="75px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)<br/> 其中：<br/> 環A為一芳族或非芳族C<sub>6-12</sub>碳環或5至12員雜環，其中環A具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、-NR<sub>A1</sub>R<sub>A2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-OR<sub>A3</sub>、-C(=O)-NR<sub>A1</sub>R<sub>A2</sub>、-C(=O)-OR<sub>A3</sub>、-NH-C(=O)-(C<sub>1-6</sub>烷基)、=O、鹵基及5至6員雜芳基，其中該雜芳基未經取代或經C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或鹵基取代；<br/> R<sub>A1</sub>至R<sub>A3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> X<sub>1</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基、氘化C<sub>1-6</sub>烷基、氘化C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-12</sub>環烷基或3-12員雜環烷基，其中該環烷基及雜環烷基未經取代或經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代；<br/> X<sub>2</sub>為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、-NR<sub>B1</sub>R<sub>B2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-OR<sub>B3</sub>或鹵基；<br/> R<sub>B1</sub>至R<sub>B3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> Y<sub>1</sub>為CR<sub>1</sub>或N；<br/> Y<sub>2</sub>為CR<sub>2</sub>或C(-L-Z)；<br/> Y<sub>3</sub>為CR<sub>3</sub>或N；<br/> R<sub>1</sub>為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷基胺基或-CN；<br/> R<sub>2</sub>為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>烷基胺基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、-NH<sub>2</sub>或鹵基；<br/> R<sub>3</sub>為H、鹵基、-OR<sub>4</sub>或-NR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>，或R<sub>3</sub>連接至L以形成5至6員雜環；<br/> R<sub>4</sub>為H、C<sub>1-6</sub>烷基、-(CH<sub>2</sub>)n-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-(CH<sub>2</sub>)n-(C<sub>3-6</sub>環烷基)、3至6員雜環烷基或-(CH<sub>2</sub>)n-(3至6員雜環烷基)，其中該環烷基及雜環烷基具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、-NR<sub>C1</sub>R<sub>C2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-OR<sub>C3</sub>及鹵基；<br/> n各自獨立地為一整數1至4；<br/> R<sub>C1</sub>至R<sub>C3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> R<sub>5</sub>及R<sub>6</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基，或R<sub>5</sub>與R<sub>6</sub>彼此連接以形成一3至12員雜環，其中該雜環未經取代或經以下取代：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、-NR<sub>D1</sub>R<sub>D2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-OR<sub>D3</sub>、鹵基或3至6員雜環烷基；<br/> R<sub>D1</sub>至R<sub>D3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> L為-NH-、<img align="absmiddle" height="22px" width="44px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="44px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或L連接至R<sub>3</sub>以形成一5至6員雜環，其中環B為環中含有N原子的一3至8員雜環，且環B具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>烷基胺基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-OH及鹵基；<br/> Z為<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="25px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="33px" width="25px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> Z<sub>1</sub>為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、鹵基或5至6員雜芳基；<br/> Z<sub>2</sub>及Z<sub>3</sub>各自獨立地為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>烷基胺基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、鹵基、C<sub>3-12</sub>環烷基、3至12員雜環烷基、-(CH<sub>2</sub>)m-(C<sub>1-6</sub>烷基胺基)、-(CH<sub>2</sub>)m-(C<sub>3-12</sub>環烷基)、-(CH<sub>2</sub>)m-(3至12員雜環烷基)或-(CH<sub>2</sub>)m-NH-(3至12員雜環烷基)，其中-CH<sub>2</sub>-、該環烷基及該雜環烷基具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、氘化C<sub>1-6</sub>烷基、氘化C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-OH、=O、-C(=O)-(C<sub>1-6</sub>烷氧基)及3至6員雜環烷基；<br/> m各自獨立地為一整數1至4；且<br/> 該雜環、該雜芳基及該雜環烷基各自獨立地含有至少一個選自由N、S及O組成之群的雜原子。
如請求項1之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中：<br/> 環A為一芳族C<sub>6-12</sub>碳環，或一芳族或非芳族5至12員雜環，其中環A具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、-NR<sub>A1</sub>R<sub>A2</sub>、-OR<sub>A3</sub>、-C(=O)-NR<sub>A1</sub>R<sub>A2</sub>、-C(=O)-OR<sub>A3</sub>、-NH-C(=O)-(C<sub>1-6</sub>烷基)、=O、鹵基及5至6員雜芳基，其中該雜芳基未經取代或經C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或鹵基取代；<br/> R<sub>A1</sub>至R<sub>A3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> X<sub>1</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基、氘化C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>3-12</sub>環烷基或3至12員雜環烷基，其中該環烷基及雜環烷基未經取代或經C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵烷基取代；<br/> X<sub>2</sub>為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-NR<sub>B1</sub>R<sub>B2</sub>或鹵基；<br/> R<sub>B1</sub>及R<sub>B2</sub>各自獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基；且<br/> 該雜環、該雜芳基及該雜環烷基各自獨立地含有至少一個選自由N、S及O組成之群的雜原子。
如請求項1之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中：<br/> Y<sub>1</sub>為CR<sub>1</sub>或N；<br/> Y<sub>2</sub>為CR<sub>2</sub>或C(-L-Z)；<br/> Y<sub>3</sub>為CR<sub>3</sub>或N；<br/> R<sub>1</sub>為H或-CN；<br/> R<sub>2</sub>為H或鹵基；<br/> R<sub>3</sub>為H、鹵基、-OR<sub>4</sub>或-NR<sub>5</sub>R<sub>6</sub>，或R<sub>3</sub>連接至L以形成一5至6員雜環；<br/> R<sub>4</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基、-(CH<sub>2</sub>)n-O-(C<sub>1-6</sub>烷基)、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、3至6員雜環烷基或-(CH<sub>2</sub>)n-(3至6員雜環烷基)，其中該環烷基及雜環烷基具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥基烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-CN、-NR<sub>C1</sub>R<sub>C2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-OR<sub>C3</sub>及鹵基；<br/> n各自獨立地為一整數1至4；<br/> R<sub>C1</sub>至R<sub>C3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> R<sub>5</sub>及R<sub>6</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基，或R<sub>5</sub>與R<sub>6</sub>彼此連接以形成一3至12員雜環，其中該雜環為一4至6員單環或一5至12員螺環，且該雜環未經取代或經鹵基或3至6員雜環烷基取代；且<br/> 該雜環及雜環烷基各自獨立地含有至少一個選自由N、S及O組成之群的雜原子。
如請求項1之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中：<br/> L為-NH-、<img align="absmiddle" height="22px" width="44px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="44px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或L連接至R<sub>3</sub>以形成一5至6員雜環，其中環B為環中含有N原子的一3至8員雜環，且環B具有或不具有一或多個選自由C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基及鹵基組成之群的取代基；<br/> Z為<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="25px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="33px" width="25px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> Z<sub>1</sub>為H、-CN、鹵基或5至6員雜芳基；<br/> Z<sub>2</sub>及Z<sub>3</sub>各自獨立地為H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷基胺基、鹵基、C<sub>3-12</sub>環烷基、3至12員雜環烷基、-(CH<sub>2</sub>)m-(C<sub>1-6</sub>烷基胺基)、-(CH<sub>2</sub>)m-(C<sub>3-12</sub>環烷基)、-(CH<sub>2</sub>)m-(3至12員雜環烷基)或-(CH<sub>2</sub>)m-NH-(3至12員雜環烷基)，其中-CH<sub>2</sub>-、該環烷基及該雜環烷基具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、氘化C<sub>1-6</sub>烷基、-OH、=O、-C(=O)-(C<sub>1-6</sub>烷氧基)及3至6員雜環烷基；<br/> m各自獨立地為一整數1至4；且<br/> 該雜環、該雜芳基及該雜環烷基各自獨立地含有至少一個選自由N、S及O組成之群的雜原子。
如請求項1之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中：<br/> 環A為<img align="absmiddle" height="35px" width="26px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="30px" width="24px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="46px" width="33px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中A<sub>2</sub>為C且A<sub>3</sub>為N；<img align="absmiddle" height="46px" width="33px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中A<sub>2</sub>為N且A<sub>3</sub>為C；<img align="absmiddle" height="46px" width="33px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中A<sub>2</sub>為C且A<sub>3</sub>為C；<img align="absmiddle" height="46px" width="33px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中A<sub>2</sub>為C且A<sub>3</sub>為C；<img align="absmiddle" height="46px" width="33px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中A<sub>2</sub>為C且A<sub>3</sub>為C；<img align="absmiddle" height="50px" width="34px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="32px" width="24px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="25px" width="24px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<img align="absmiddle" height="35px" width="21px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="24px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> A<sub>1</sub>至A<sub>9</sub>各自獨立地為CH或N；<br/> B<sub>1</sub>至B<sub>3</sub>各自獨立地為CH<sub>2</sub>、NH、O或S；<br/> 其中環A具有或不具有一或多個選自由以下組成之群的取代基：C<sub>1-6</sub>烷基、-NR<sub>A1</sub>R<sub>A2</sub>、-OR<sub>A3</sub>、-C(=O)-NR<sub>A1</sub>R<sub>A2</sub>、-C(=O)-OR<sub>A3</sub>、-NH-C(=O)-(C<sub>1-6</sub>烷基)、=O、鹵基及5至6員雜芳基，其中該雜芳基未經取代或經C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或鹵基取代；<br/> R<sub>A1</sub>至R<sub>A3</sub>各自獨立地為H或C<sub>1-6</sub>烷基；且<br/> 該雜芳基含有至少一個選自由N、S及O組成之群的雜原子。
如請求項1之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中：<br/> L為-NH-、<img align="absmiddle" height="15px" width="41px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="37px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="41px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="37px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="41px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="41px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="39px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="39px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="37px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="37px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中該含N雜環具有或不具有一或多個選自由C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基及鹵基組成之群的取代基，或<br/> L連接至R<sub>3</sub>以形成一5至6員含N雜環；且<br/> 除N之外，該含N雜環進一步含有或不含有至少一個選自S及O的雜原子。
如請求項1之化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，其中該化合物係選自以下群組：<br/> 1＞ 1-(4-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)胺基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 2＞ 1-(4-((4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)胺基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 3＞ 1-(4-((4-((5-氯-2-甲氧基-4-(吡啶-2-基氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)胺基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 4＞ 1-(4-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-甲基-2-((1-甲基氮雜環丁-3-基)氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)胺基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 5＞ 1-(4-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 6＞ 1-(4-((4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)-3-氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 7＞ 1-(4-((4-((4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 8＞ 1-(4-((4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 9＞ 1-(4-((4-((4-((1-(5-氟-6-甲基吡啶-3-基)-1<i>H</i>-吡唑-3-基)氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 10＞ 1-(4-((7-甲氧基-4-((2-甲氧基-4-((1-(2-甲氧基嘧啶-5-基)-1<i>H</i>-吡唑-3-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 11＞ 1-(4-((4-((5-氯-2-甲氧基-4-(3-甲氧基苯氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 12＞ 4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-6-((1-丙烯醯基哌啶-4-基)氧基)-7-甲氧基喹啉-3-甲腈；<br/> 13＞ 4-(4-((6-((1-丙烯醯基哌啶-4-基)氧基)-7-甲氧基喹唑啉-4-基)胺基)-5-甲氧基-2-甲基苯氧基)苯甲酸甲酯；<br/> 14＞ 1-(4-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)哌啶-1-基)-2-氯-2-氟乙-1-酮；<br/> 15＞ 1-(4-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-5-基)氧基)-3,3-二氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 16＞ 1-(3-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-5-基)氧基)-4,4-二氟哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 17＞ 1-(4-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)吡啶并[3,4-<i>d</i>]嘧啶-6-基)氧基)哌啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 18＞ 1-(5-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)-2-氮雜雙環[2.2.1]庚-2-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 19＞ 1-(3-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)氮雜環丁-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 20＞ 1-(3-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)氧基)吡咯啶-1-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 21＞ 1-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7,8-二氫-6<i>H</i>-[1,4]㗁𠯤并[3,2-<i>g</i>]喹唑啉-6-基)丙-2-烯-1-酮；<br/> 22＞ <i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(4-N-𠰌啉基哌啶-1-基)喹唑啉-6-基)丙烯醯胺；<br/> 23＞ <i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-N-𠰌啉基喹唑啉-6-基)丙烯醯胺；<br/> 24＞ <i>N</i>-(4-((5-氯-2-甲氧基-4-(吡啶-2-基氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)丙烯醯胺；<br/> 25＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-4-(二甲基胺基)丁-2-烯醯胺；<br/> 26＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-5-氯喹唑啉-6-基)-4-(二甲基胺基)丁-2-烯醯胺；<br/> 28＞ <i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)丁-2-炔醯胺；<br/> 29＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 30＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 31＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 32＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 33＞ (<i>R,E</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-2-甲氧基-4-(吡啶-2-基氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 35＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(2-甲基-2-氮雜雙環[3.1.0]己-3-基)丙烯醯胺；<br/> 36＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基哌啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 37＞ (<i>S</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 38＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-4-((1,1-二氧代四氫-2<i>H</i>-硫哌喃-4-基)胺基)丁-2-烯醯胺；<br/> 39＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-4-(5-羥基六氫環戊并[<i>c</i>]吡咯-2(1<i>H</i>)-基)丁-2-烯醯胺；<br/> 40＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-4-(2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚-6-基)丁-2-烯醯胺；<br/> 41＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 42＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-4-(3-氟苯氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 43＞ (<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 44＞ (<i>S</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 45＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基-5-側氧基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 46＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 47＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>c</i>]嘧啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 48＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>c</i>]嘧啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 49＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氟-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 50＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氟-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 51＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 52＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-乙基吡咯啶-2-基)-2-氟丙烯醯胺；<br/> 53＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-(三氟甲基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 54＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-(三氟甲基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 55＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-6-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 56＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-5-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 57＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-5-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 58＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-2-甲氧基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-5-基)氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 59＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((5-氯-2-甲氧基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-5-基)氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 60＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((5-氟-2-甲氧基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-5-基)氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 61＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((5-氟-2-甲氧基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-苯并[<i>d</i>]咪唑-5-基)氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 62＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(喹喏啉-6-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 63＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(喹喏啉-6-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 64＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(萘-2-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 65＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(萘-2-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 66＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>]㗁唑-6-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 67＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((2-甲基苯并[<i>d</i>]㗁唑-5-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 68＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((2-甲基苯并[<i>d</i>]㗁唑-5-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 69＞ (<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((4-((2-羥基-2,3-二氫苯并[<i>d</i>]㗁唑-5-基)氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-((<i>R</i>)-1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 70＞ (<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((4-((2-羥基-2,3-二氫苯并[<i>d</i>]㗁唑-5-基)氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-((<i>R</i>)-1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 71＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((1-甲基-2-側氧基-1,2-二氫吡啶-4-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 72＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-6-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 73＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-6-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 74＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-苯氧基苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 75＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((4-(咪唑并[1,2-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 76＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((4-(咪唑并[1,2-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 77＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(4-((4-(咪唑并[1,2-<i>c</i>]嘧啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 79＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(吡唑并[1,5-<i>a</i>]嘧啶-6-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 80＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(吡唑并[1,5-<i>a</i>]嘧啶-6-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 81＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>]噻唑-6-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 82＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>]噻唑-6-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 83＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>]噻唑-5-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 84＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>]噻唑-5-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 85＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>][1,3]二氧雜環戊烯-5-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 86＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(苯并[<i>d</i>][1,3]二氧雜環戊烯-5-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 87＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(喹啉-7-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 88＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-(喹啉-7-基氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 89＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-吲唑-6-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 90＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((1-甲基-1<i>H</i>-吲唑-6-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 91＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 92＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 93＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-乙氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 94＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(2-甲氧基乙氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 95＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(2-甲氧基乙氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 96＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-((四氫呋喃-3-基)氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-((<i>R</i>)-1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 97＞ (<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-((四氫呋喃-3-基)氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-((<i>R</i>)-1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 98＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(二氟甲氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 99＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(二氟甲氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 100＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(2-N-𠰌啉基乙氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 101＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(2-N-𠰌啉基乙氧基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 102＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-氟喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 103＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-氟喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 104＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-乙氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 105＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-甲基-2-(三氟甲氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 106＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-環丙氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 107＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-環丙氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 108＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-甲基-2-(氧雜環丁-3-基氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 109＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-2-(3-((4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-(氧雜環丁-3-基氧基)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)胺基)-2-氟-3-側氧基丙-1-烯-1-基)吡咯啶-1-甲酸三級丁酯；<br/> 110＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-((3<i>R</i>)-六氫-1<i>H</i>-吡<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="ed10273.JPG" alt="ed10273.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> -3-基)丙烯醯胺；<br/> 111＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 112＞ (<i>S</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 113＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(4,4-二氟哌啶-1-基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 114＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(3,3-二氟氮雜環丁-1-基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 115＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(4-N-𠰌啉基哌啶-1-基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 116＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚-6-基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 117＞ <i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(2-氧雜-6-氮雜螺[3.3]庚-6-基)喹唑啉-6-基)丙烯醯胺；<br/> 118＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-(甲基胺基)喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 119＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-6-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 120＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-乙氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 121＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-乙氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 122＞ (<i>S</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-乙氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 123＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(4-(二甲基胺基)苯氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 124＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-4-(4-((6-(2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺基)-7-甲氧基喹唑啉-4-基)胺基)-5-甲氧基-2-甲基苯氧基)苯甲酸甲酯；<br/> 125＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-4-(4-((6-(2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺基)-7-甲氧基喹唑啉-4-基)胺基)-5-甲氧基-2-甲基苯氧基)-<i>N</i>,<i>N</i>-二甲基苯甲醯胺；<br/> 126＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-4-(4-((6-(2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺基)-7-甲氧基喹唑啉-4-基)胺基)-5-甲氧基-2-甲基苯氧基)-<i>N</i>,<i>N</i>-二甲基苯甲醯胺；<br/> 127＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-(二甲基胺基)-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 128＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 129＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-乙氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 130＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-N-𠰌啉基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 131＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基哌啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 132＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-3-氰基-7-乙氧基喹啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 133＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-(3-乙醯胺基苯氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 134＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 135＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 136＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氯-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 137＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-環丙基-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 138＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-環丙基-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 139＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-溴-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 140＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-溴-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 141＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-5-氯喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 142＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-5-氯喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 143＞ (<i>R</i>,Z)-2-氟-<i>N</i>-(7-甲氧基-4-((2-甲氧基-5-甲基-4-((5-甲基-[1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基)氧基)苯基)胺基)喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 144＞ (<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氰基-4-甲基-4-(4-(氧雜環丁-3-基)哌𠯤-1-基)戊-2-烯醯胺；<br/> 145＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-4-甲基-4-(4-(氧雜環丁-3-基)哌𠯤-1-基)戊-2-烯醯胺；<br/> 146＞ (<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-4,4-二甲基戊-2-烯醯胺；<br/> 147＞ <i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-(1<i>H</i>-吡唑-1-基)丙烯醯胺；<br/> 148＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-(甲氧基-<i>d</i><sub>3</sub>)-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 149＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-(甲氧基-<i>d</i><sub>3</sub>)-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 150＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-(甲氧基-<i>d</i><sub>3</sub>)-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 151＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氟-2-(甲氧基-<i>d</i><sub>3</sub>)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 152＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氟-2-(甲氧基-<i>d</i><sub>3</sub>)苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-甲基吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 153＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-3-(1-(甲基-<i>d</i><sub>3</sub>)吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 154＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-2-甲氧基-5-甲基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-(甲基-<i>d</i><sub>3</sub>)吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 155＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氟-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-(甲基-<i>d</i><sub>3</sub>)吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；<br/> 156＞ (<i>R</i>,<i>Z</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氯-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-(甲基-<i>d</i><sub>3</sub>)吡咯啶-2-基)丙烯醯胺；及<br/> 157＞ (<i>R</i>,<i>E</i>)-<i>N</i>-(4-((4-([1,2,4]三唑并[1,5-<i>a</i>]吡啶-7-基氧基)-5-氟-2-甲氧基苯基)胺基)-7-甲氧基喹唑啉-6-基)-2-氟-3-(1-(甲基-<i>d</i><sub>3</sub>)吡咯啶-2-基)丙烯醯胺。
一種用於治療或預防人類表皮生長因子受體2 (HER2)相關疾病的醫藥組成物，該醫藥組成物包含如請求項1至7中任一項之式(I)化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體作為一活性成分。
如請求項8之醫藥組成物，其中該HER2相關疾病包含癌症。
如請求項8之醫藥組成物，其中該HER2相關疾病係選自由以下組成之群：假黏液瘤、肝癌、甲狀腺癌、睪丸癌、口腔癌、唇癌、卵巢上皮癌、卵巢生殖細胞癌、腦癌、膽道癌、結腸直腸癌、膀胱癌、腹膜癌、副甲狀腺癌、腎上腺癌、鼻竇癌、舌癌、小腸癌、食道癌、腎盂癌、腎癌、心臟癌、十二指腸癌、惡性骨癌、惡性淋巴瘤、惡性間皮瘤、眼癌、外陰癌、輸尿管癌、尿道癌、原發部位不明癌、胃癌、胃腸基質癌、威爾姆斯腫瘤(Wilms' tumor)、乳癌、肉瘤、陰莖癌、咽癌、妊娠絨毛膜癌、子宮頸癌、子宮內膜癌、前列腺癌、縱隔癌、陰道癌、脊髓癌、胰腺癌、唾液腺癌、佩吉特病(Paget's disease)、扁桃體癌、肺癌、皮膚癌、肛門癌、喉癌、胸膜癌、血液癌及胸腺癌。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至7中任一項之式(I)化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體，及一醫藥學上可接受之添加劑。
一種用於治療或預防癌症的醫藥組成物，該醫藥組成物包含如請求項1至7中任一項之式(I)化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體作為一活性成份。
一種如請求項1至7中任一項之式(I)化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體的用途，其係用於製備供治療或預防HER2相關疾病用之一藥劑。
一種如請求項1至7中任一項之式(I)化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體在製備用於治療或預防至少一種疾病之一藥物的用途，該至少一種疾病係選自由以下組成之群：假黏液瘤、肝癌、甲狀腺癌、睪丸癌、口腔癌、唇癌、卵巢上皮癌、卵巢生殖細胞癌、腦癌、膽道癌、結腸直腸癌、膀胱癌、腹膜癌、副甲狀腺癌、腎上腺癌、鼻竇癌、舌癌、小腸癌、食道癌、腎盂癌、腎癌、心臟癌、十二指腸癌、惡性骨癌、惡性淋巴瘤、惡性間皮瘤、眼癌、外陰癌、輸尿管癌、尿道癌、原發部位不明癌、胃癌、胃腸基質癌、威爾姆斯腫瘤、乳癌、肉瘤、陰莖癌、咽癌、妊娠絨毛膜癌、子宮頸癌、子宮內膜癌、前列腺癌、縱隔癌、陰道癌、脊髓癌、胰腺癌、唾液腺癌、佩吉特病、扁桃體癌、肺癌、皮膚癌、肛門癌、喉癌、胸膜癌、血液癌及胸腺癌。
如請求項14之用途，其中該疾病為肺癌。
如請求項14之用途，其中該肺癌為非小細胞肺癌。
一種用於治療或預防人類表皮生長因子受體2 (HER2)突變相關疾病的醫藥組成物，該醫藥組成物包含如請求項1至7中任一項之式(I)化合物或其一醫藥學上可接受之鹽或立體異構體作為一活性成分。
如請求項17之醫藥組成物，其中該HER2突變相關疾病係選自由以下組成之群：假黏液瘤、肝癌、甲狀腺癌、睪丸癌、口腔癌、唇癌、卵巢上皮癌、卵巢生殖細胞癌、腦癌、膽道癌、結腸直腸癌、膀胱癌、腹膜癌、副甲狀腺癌、腎上腺癌、鼻竇癌、舌癌、小腸癌、食道癌、腎盂癌、腎癌、心臟癌、十二指腸癌、惡性骨癌、惡性淋巴瘤、惡性間皮瘤、眼癌、外陰癌、輸尿管癌、尿道癌、原發部位不明癌、胃癌、胃腸基質癌、威爾姆斯腫瘤、乳癌、肉瘤、陰莖癌、咽癌、妊娠絨毛膜癌、子宮頸癌、子宮內膜癌、前列腺癌、縱隔癌、陰道癌、脊髓癌、胰腺癌、唾液腺癌、佩吉特病、扁桃體癌、肺癌、皮膚癌、肛門癌、喉癌、胸膜癌、血液癌及胸腺癌。
一種姿勢變更裝置，係搭載於振動式輸送裝置，其特徵在於，具有：<br/> 噴射孔，係在所述振動式輸送裝置的輸送路的底部開口；<br/> 導入孔，係與所述噴射孔連通；以及<br/> 空氣供給單元，係向所述噴射孔供給壓縮空氣，<br/> 關於所述噴射孔之軸向尺寸、及與軸向垂直之方向的尺寸，所述噴射孔之軸向尺寸較所述導入孔之軸向尺寸長，且所述噴射孔在與軸向垂直之方向的尺寸較所述導入孔在與軸向垂直之方向的尺寸小，<br/> 所述噴射孔朝向輸送方向斜向上延伸，<br/> 所述導入孔與所述噴射孔設置於進給部件與對置部件之間，<br/> 所述進給部件具有一正面，並設有從該正面凹陷的凹部與凹溝，所述凹部為大致矩形狀，所述凹溝為朝向一個方向延伸的槽，所述凹部與所述凹溝連通，<br/> 所述對置部件具有為平坦面之背面，<br/> 所述進給部件之所述正面與所述對置部件之所述背面對接，<br/> 所述導入孔由所述進給部件的所述凹部的內表面和底面以及所述對置部件的所述背面圍成，<br/> 所述噴射孔由所述進給部件的所述凹溝的內表面和底面以及所述對置部件的所述背面圍成，<br/> 透過所述空氣供給單元將壓縮空氣投入所述導入孔時，所述壓縮空氣通過所述導入孔被朝向所述噴射孔供給，並從所述輸送路的底部朝向輸送方向斜向上呈銳角地噴射。
根據請求項1所述之姿勢變更裝置，其中，<br/> 所述進給部件之所述正面的上側連接有斜面，<br/> 所述對置部件之所述背面的上側連接有斜面，<br/> 當所述進給部件之所述正面與所述對置部件之所述背面對接時，由所述進給部件之所述斜面與所述對置部件之所述斜面構成V字狀的槽，所述槽沿輸送方向延伸，並構成所述輸送路的一部分。
根據請求項1或2所述之姿勢變更裝置，其中，<br/> 所述噴射孔以將輸送方向的上游側設為0°時從下向上傾斜15°～25°的角度範圍內之傾斜角度從所述輸送路的下側延伸至所述輸送路的底部。
根據請求項1或2所述之姿勢變更裝置，其中，<br/> 所述噴射孔始終噴射壓縮空氣。
根據請求項1或2所述之姿勢變更裝置，其中，<br/> 所述導入孔與所述噴射孔在所述輸送路的底部沿輸送方向隔開規定間隔設置有多組。
一種半導體裝置，包括： <br/>介電層； <br/>多個通孔，形成於所述介電層中，所述多個通孔包括第一通孔； <br/>黏著層；以及 <br/>多個金屬線； <br/>其中所述多個金屬線中的第一金屬線包括形成於所述第一金屬線的底部表面處的第一凹穴，使得所述第一金屬線的第一區段直接接觸所述第一通孔，且所述第一金屬線的由所述第一凹穴界定的第二區段不直接接觸所述第一通孔或其中形成有所述第一通孔的所述介電層，且 <br/>其中所述多個金屬線中的第二金屬線包括至少一個第二凹穴，所述至少一個第二凹穴定位於所述第二金屬線的底部表面與所述介電層之間， <br/>其中所述至少一個第二凹穴由所述第二金屬線的底部表面、所述黏著層的底部表面以及所述介電層的頂部表面所界定。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述黏著層的第一部分定位於所述介電層與所述第二金屬線的所述底部表面之間，使得所述第二金屬線不直接接觸所述介電層。
如請求項2所述的半導體裝置，更包括定位於所述黏著層的所述第一部分與所述介電層之間的氧化物圖案。
如請求項3所述的半導體裝置，其中所述至少一個第二凹穴由所述氧化物圖案的側表面所界定。
一種半導體裝置，包括： <br/>介電層； <br/>多個通孔，形成於所述介電層中，所述多個通孔包括第一通孔； <br/>多個金屬線；以及 <br/>至少一個氧化物圖案，定位於所述多個金屬線中的第一金屬線的底部表面與所述介電層的頂部表面之間； <br/>其中所述第一金屬線包括至少一個第一凹穴，定位於所述第一金屬線的所述底部表面與所述介電層之間； <br/>其中所述多個金屬線中的第二金屬線包括形成於所述第二金屬線的底部表面處的第二凹穴，使得所述第二金屬線的第一區段直接接觸所述第一通孔，且所述第二金屬線的由所述第二凹穴界定的第二區段不直接接觸所述第一通孔或其中形成有所述第一通孔的所述介電層，且 <br/>其中所述至少一個第一凹穴由所述第一金屬線的所述底部表面、所述至少一個氧化物圖案的側表面以及所述介電層的所述頂部表面界定。
如請求項5所述的半導體裝置，其中所述多個金屬線包括釕類材料。
一種通式（I）所示的化合物或其藥學上可接受的鹽， <br/><img align="absmiddle" height="21px" width="42px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（I） <br/>其中，R為C<sub>1-6</sub>烷基或取代的C<sub>1-6</sub>烷基；其中R所涉及的各基團中的取代基選自氘、腈基、硝基、鹵素中的一種或多種； <br/>Ar為<img align="absmiddle" height="18px" width="33px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Y為O， <br/>R<sup>1</sup>為連接鍵或者取代或非取代的C<sub>1-6</sub>亞烷基，R<sup>1</sup>基團中的取代基選自氘、鹵素或C<sub>1-4</sub>烷基中的一種或多種； <br/>R<sup>2</sup>為硝基氧基或者取代或非取代的苯基或取代或非取代的C<sub>2-8</sub>烷氧基羰基氧基，R<sup>2</sup>基團中的取代基選自氘、鹵素、硝基氧基取代的C<sub>1-4</sub>烷基中的一種或多種。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中Y為O，R為C<sub>3-6</sub>烷基；其中R所涉及的各基團中的取代基選自氘、腈基、硝基、鹵素中的一種或多種。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>1</sup>為連接鍵或者取代或非取代的C<sub>1-4</sub>亞烷基，R<sup>1</sup>基團中的取代基選自氘、鹵素或C<sub>1-4</sub>烷氧基中的一種或多種。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，其中化合物選自： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="68px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="41px" width="80px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="41px" width="70px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="88px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="38px" width="86px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="38px" width="88px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，它以請求項1或4所述的化合物或其藥學上可接受的鹽為活性物質，輔以藥學上可接受的輔料。
一種如請求項1或4所述的化合物或其藥學上可接受的鹽在製備抗痛風藥物或抗高尿酸血症藥物方面的用途。
一種電子裝置，包括： <br/>一基板結構； <br/>一絕緣層，設置在所述基板結構上，所述絕緣層具有一凹槽； <br/>一半導體單元，設置在所述凹槽內；以及 <br/>一第一電磁訊號調整單元，設置在所述絕緣層上且配置為用來調整一電磁訊號，其中所述第一電磁訊號調整單元重疊於所述半導體單元； <br/>其中，在所述電子裝置的一俯視圖中，所述凹槽的一定義中心與所述半導體單元的一定義中心之間具有一第一距離，所述第一電磁訊號調整單元的一定義中心與所述半導體單元的所述定義中心之間具有一第二距離，所述第一距離大於0，而所述第二距離小於或等於所述第一距離。
根據請求項1所述的電子裝置，還包括一第二電磁訊號調整單元，設置在所述第一電磁訊號調整單元上並重疊於所述半導體單元，其中在所述電子裝置的所述俯視圖中，所述第二電磁訊號調整單元的一定義中心與所述第一電磁訊號調整單元的所述定義中心之間具有一第三距離，所述第三距離大於或等於0微米且小於或等於15微米。
根據請求項2所述的電子裝置，其中所述第三距離大於或等於0微米且小於或等於7微米。
根據請求項1所述的電子裝置，其中在所述電子裝置的所述俯視圖中，一第一參考線通過所述凹槽的所述定義中心與所述半導體單元的所述定義中心，一第二參考線通過所述第一電磁訊號調整單元的所述定義中心與所述半導體單元的所述定義中心，所述第一參考線與所述第二參考線之間具有一銳角，所述銳角大於或等於0度且小於或等於45度。
根據請求項4所述的電子裝置，其中所述銳角大於或等於0度且小於或等於25度。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第一電磁訊號調整單元的所述定義中心與所述凹槽的所述定義中心之間具有一第四距離，所述第四距離大於0且小於或等於所述第一距離。
根據請求項1所述的電子裝置，其中在所述電子裝置的所述俯視圖中，所述凹槽部分重疊於所述第一電磁訊號調整單元。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述半導體單元包括發光二極體。
根據請求項8所述的電子裝置，其中所述第一電磁訊號調整單元包括量子點材料。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述半導體單元包括光電二極體。
根據請求項10所述的電子裝置，其中所述第一電磁訊號調整單元包括彩色濾光材料。
一種電子裝置，包括： <br/>一基板結構； <br/>一絕緣層，設置在所述基板結構上，所述絕緣層具有一凹槽； <br/>一電磁訊號反射器，設置在所述凹槽內； <br/>一半導體單元，設置在所述凹槽內；以及 <br/>一第一電磁訊號調整單元，設置在所述絕緣層上且配置為用來調整一電磁訊號，其中所述第一電磁訊號調整單元重疊於所述半導體單元； <br/>其中，在所述電子裝置的一俯視圖中，所述半導體單元的一定義中心與所述凹槽的一定義中心之間具有一第一距離，所述第一電磁訊號調整單元的一定義中心與所述凹槽的所述定義中心之間具有一第二距離，所述第一距離大於0，而所述第二距離小於或等於所述第一距離。
根據請求項12所述的電子裝置，其中所述電磁訊號反射器設置在所述凹槽的一側表面上。
根據請求項12所述的電子裝置，其中所述電磁訊號反射器設置在所述凹槽的一底表面上。
根據請求項12所述的電子裝置，還包括一第二電磁訊號調整單元，設置在所述第一電磁訊號調整單元上，其中在所述電子裝置的所述俯視圖中，所述第二電磁訊號調整單元的一定義中心與所述第一電磁訊號調整單元的所述定義中心之間具有一第三距離，所述第三距離大於或等於0微米且小於或等於15微米。
根據請求項15所述的電子裝置，其中所述第三距離大於或等於0微米且小於或等於7微米。
根據請求項12所述的電子裝置，其中在所述電子裝置的所述俯視圖中，一第一參考線通過所述凹槽的所述定義中心與所述半導體單元的所述定義中心，一第二參考線通過所述凹槽的所述定義中心與所述第一電磁訊號調整單元的所述定義中心，所述第一參考線與所述第二參考線之間具有一銳角，所述銳角大於或等於0度且小於或等於50度。
根據請求項17所述的電子裝置，其中所述銳角大於或等於0度且小於或等於30度。
根據請求項12所述的電子裝置，其中所述半導體單元包括發光二極體。
根據請求項19所述的電子裝置，其中所述第一電磁訊號調整單元包括量子點材料。
一種濺射方法，其包含：藉由系統將濺射氣體注入至該系統之腔室中，其中該濺射氣體為氬氣及氦氣之混合物；基於將該濺射氣體注入至該系統之該腔室中，藉由該系統將第一塗層沉積在基板的第一側上，及靶的至少一種塗佈材料濺射至該基板的該第一側上其中該第一塗層具有小於閾值厚度的厚度，且藉由該系統將第二塗層沉積在該基板的第二側上，其中該腔室填充有氬氣(不含氦氣)，其中該基板的該第二側與該基板的該第一側不同，且其中該第二塗層具有大於或等於閾值厚度的厚度。
如請求項1所述之濺射方法，其中該腔室為真空室。
如請求項1所述之濺射方法，其中將該濺射氣體注入至該腔室中包含：使用電漿活化源、陽極之至少一種，或者少一個電源，以將該氬氣及氦氣之混合物置於該腔室中。
如請求項1所述之濺射方法，其中該至少一種塗佈材料包括以下中之至少一者：矽材料，二氧化矽材料，矽-鍺材料，或鍺材料。
一種濺射方法，其包含：將氬氣及氦氣之混合物注入至濺射系統之真空室中；藉由該濺射系統及靶的至少一種塗佈材料濺射將第一塗層濺射在基板的第一側上，其中該腔室填充有該氬氣及氦氣之混合物；藉由該濺射系統將第二塗層濺射在該基板的第二側上，其中該腔室填充有氬氣(不含氦氣)；其中該第一塗層具有第一厚度，其小於該第二塗層的第二厚度，且其中該基板的該第二側與該基板的該第一側不同，且其中該第二塗層具有大於或等於閾值厚度的厚度。
如請求項5所述之濺射方法，其中該第一塗層係在氫氣存在下被濺射以氫化該第一塗層。
一種濺射系統，其包含：真空室，其經組態以在當於基板的第一側上沉積具有第一厚度之第一塗層時填充第一惰性氣體，且在當於該基板的第二側上沉積具有第二厚度之第二塗層時填充第二惰性氣體，其中該第一厚度與該第二厚度不同；及惰性氣體源，以將該第一惰性氣體置於該真空室中。
如請求項7所述之濺射系統，其中該第一惰性氣體為氬氣及氦氣之混合物。
如請求項7所述之濺射系統，其中該真空室經組態以填充有氬氣(不含氦氣)。
如請求項7所述之濺射系統，其中該第一厚度小於該第二厚度。
一種用於監控雷射光學器件 (16) 的方法 (12)，雷射光束 (18) 接續被導引通過該雷射光學器件 (16)，該方法包含：<br/> A) 透過感應器 (24) 測量初始狀態下，該雷射光學器件 (16) 中出現的振盪、該雷射光學器件 (16) 中出現的結構噪音、與該雷射光學器件 (16) 中出現的聲音其中至少一者之頻譜；<br/> B) 在方法步驟A)之後，透過該感應器 (24) 監控該頻譜；<br/> C) 藉由辨識相較於方法步驟 A) 中所測量的該頻譜，方法步驟 B) 所監控之該頻譜中額外的峰值以判斷為該雷射光學器件 (16)產生瑕疵。
如請求項 1 的方法，其中方法步驟 A) 中該頻譜的測量係在該雷射光束 (18) 的調變頻率範圍中進行。
如請求項1所述的方法，其中：<br/> a) 為了測量該雷射光學器件 (16) 的該振盪而使用型式為雷射振動計的該感應器 (24)；<br/> b) 為了測量該雷射光學器件中的該結構噪音配置使用型式為壓電式麥克風的該感應器 (24)，敏感度在聽覺範圍和/或超音波範圍內；和/或<br/> c) 為了測量該雷射光學器件 (16) 中的該聲音而使用麥克風和/或光學式麥克風，其中在氣體環境中配置該雷射光學器件 (16)。
一種用於執行如請求項1所述方法 (12) 的雷射設備 (10)，其中使用該雷射光學器件 (16)導引該雷射光束 (18)，其中該雷射設備 (10) 具有一用於監控該雷射光學器件 (16) 的感應器 (24)，其中該感應器 (24) 的形式為下列其中至少一者：<br/> 用於測量該雷射光學器件 (16) 之該振盪的振盪感應器；<br/> 用於測量該雷射光學器件 (16) 之該結構噪音的結構噪音感應器；與<br/> 用於測量從該雷射光學器件 (16) 發出該聲音的聲音感應器。
一種頭部追蹤式多視像顯示器，包括： 一多光束背光件，配置為提供複數條光束，該複數條光束具有不同的主要角度方向，對應於一多視像影像的不同的視像方向； <br/>一處理器，配置為： <br/>接收該多視像影像的複數個臨時視像，該複數個臨時視像對應於該等不同的視像方向； <br/>接收關於一使用者的一追蹤位置的資訊；以及 <br/>相對於該等不同的視像方向位移該等臨時視像，以形成對應於該等不同的視像方向的複數個位移的視像，該等位移的視像以一位移值位移，該位移值取決於該使用者的該追蹤位置而改變，並且在該多視像影像的一視野中改變；以及 <br/>一光閥陣列，配置為調變該複數條光束中的光束，以將該多視像影像的該複數個位移的視像提供到該等不同的視像方向，以作為該多視像影像。
如請求項1之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，該處理器進一步配置為相對於該等不同的視像方向位移該等臨時視像，以藉由組合兩個相鄰的臨時視像以形成該等位移的視像。
如請求項2之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，該處理器進一步配置為藉由非線性地組合該兩個相鄰的臨時視像以形成該等位移的視像。
如請求項3之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，該處理器進一步配置為藉由以下步驟形成該等位移的視像： <br/>將該兩個相鄰的臨時視像的像素值從伽馬空間轉換到線性空間，以形成線性空間像素值； <br/>線性地總合該等線性空間像素值以形成一線性總合值；以及 <br/>將該線性總合值從線性空間轉換到伽瑪空間。
如請求項1之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，該位移值對應於該多視像影像的非整數編號的視像。
如請求項1之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，選擇該位移值，以使該使用者的移動允許該使用者以與該等臨時視像的推移匹配的推移來觀看視像。
如請求項6之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，選擇該位移值，以使該使用者的移動對該使用者提供在該等視像推移時的視差感。
如請求項1之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，選擇該位移值，以使該等位移的視像跟隨該使用者的移動，並且允許該使用者在該使用者移動時僅觀看一單一視像或一單一視像組合。
如請求項8之頭部追蹤式多視像顯示器，其中，選擇該位移值，以向該使用者提供該多視像影像的一第一三維視像給該使用者的一左眼，並且提供該多視像影像的一第二三維視像給該使用者的一右眼，該第一三維視像和該第二三維視像在該使用者移動時不變。
如請求項1之頭部追蹤式多視像顯示器，進一步包括：一頭部追蹤器，配置為提供該使用者的該追蹤位置，該頭部追蹤器包括配置為拍攝該使用者的一影像的一攝影機，該頭部追蹤器進一步包括一影像處理器，配置為確定該使用者在該拍攝的影像內的位置以提供該追蹤位置。
一種操作頭部追蹤式多視像顯示器的方法，該方法包括： <br/>藉由一多光束背光件提供複數條光束，該複數條光束具有不同的主要角度方向，對應於一多視像影像的不同的視像方向； <br/>藉由一處理器接收該多視像影像的複數個臨時視像，該複數個臨時視像對應於該等不同的視像方向； <br/>藉由該處理器接收關於一使用者的一追蹤位置的資訊； <br/>藉由該處理器相對於該等不同的視像方向位移該等臨時視像，以形成對應於該等不同的視像方向的複數個位移的視像，該等位移的視像以一位移值位移，該位移值取決於該使用者的該追蹤位置而改變，並且在該多視像影像的一視野中改變；以及 <br/>藉由一光閥陣列調變該複數條光束中的光束，以將該多視像影像的該複數個位移的視像提供到該等不同的視像方向，以作為該多視像影像。
如請求項11之方法，進一步包括： <br/>藉由該處理器組合兩個相鄰的臨時視像以形成該等位移的視像。
如請求項11之方法，進一步包括： <br/>藉由該處理器非線性地組合兩個相鄰的臨時視像以形成該等位移的視像。
如請求項13之方法，其中，該處理器藉由以下步驟形成該等位移的視像： <br/>將該兩個相鄰的臨時視像的像素值從伽馬空間轉換到線性空間，以形成線性空間像素值； <br/>線性地總合該等線性空間像素值以形成一線性總合值；以及 <br/>將該線性總合值從線性空間轉換到伽瑪空間。
如請求項11之方法，其中，該位移值對應於該多視像影像的非整數編號的視像。
如請求項11之方法，其中，該處理器選擇該位移值，以使該使用者的移動允許該使用者以與該等臨時視像的推移匹配的推移來觀看視像。
如請求項16之方法，其中，該處理器選擇該位移值，以使該使用者的移動對該使用者提供在該等視像推移時的視差感。
如請求項11之方法，其中，該處理器選擇該位移值，以使該等位移的視像跟隨該使用者的移動，並且允許該使用者在該使用者移動時僅觀看一單一視像或一單一視像組合。
如請求項18之方法，其中，該處理器選擇該位移值，以向該使用者提供該多視像影像的一第一三維視像給該使用者的一左眼，並且提供該多視像影像的一第二三維視像給該使用者的一右眼，該第一三維視像和該第二三維視像在該使用者移動時不變。
一種頭部追蹤式多視像顯示器，包括： <br/>一頭部追蹤器，配置為提供一使用者相對於該頭部追蹤式多視像顯示器的一追蹤位置，該頭部追蹤器包括配置為拍攝該使用者的一影像的一攝影機，該頭部追蹤器進一步包括一影像處理器，配置為確定該使用者在該拍攝的影像內的位置以提供該追蹤位置； <br/>一多光束背光件，配置為提供複數條光束，該複數條光束具有不同的主要角度方向，對應於一多視像影像的不同的視像方向； <br/>一處理器，配置為： <br/>接收該多視像影像的複數個臨時視像，該複數個臨時視像對應於該等不同的視像方向；以及 <br/>相對於該等不同的視像方向位移該等臨時視像，以形成對應於該等不同的視像方向的複數個位移的視像，該等位移的視像以一位移值位移，該位移值取決於該使用者的該追蹤位置而改變，並且在該多視像影像的一視野中改變；以及 <br/>一光閥陣列，配置為調變該複數條光束中的光束，以將該多視像影像的該複數個位移的視像提供到該等不同的視像方向，以作為該多視像影像。 <br/><u/>
一種積體電路裝置，包括：<br/> 天線效應保護裝置； <br/> 待保護裝置；<br/> 其中所述天線效應保護裝置的第一源極/汲極電性耦合至第一導體，所述第一導體被配置成承載參考電壓，<br/> 所述天線效應保護裝置的第二源極/汲極藉由第二導體電性耦合至所述待保護裝置的閘極；<br/> 絕緣層，具有前側及與所述前側相對的背側，其中所述待保護裝置、所述天線效應保護裝置及所述第一導體位於所述絕緣層的所述前側之上；以及<br/> 導電結構，延伸穿過所述絕緣層，且將位於所述前側上的所述第一導體電性耦合至所述絕緣層的所述背側，<br/> 所述天線效應保護裝置是無塊體裝置，<br/> 所述導電結構包括：<br/> 磊晶結構，位於所述絕緣層的所述前側之上且電性耦合至所述第一導體，以及<br/> 饋通通孔，延伸穿過所述絕緣層且將所述磊晶結構電性耦合至所述絕緣層的所述背側。
如請求項1所述的積體電路裝置，更包括：<br/> 半導體層，位於所述絕緣層的所述背側之上，所述半導體層藉由所述導電結構電性耦合至所述第一導體。
如請求項2所述的積體電路裝置，更包括：<br/> 背側金屬層，位於所述絕緣層的所述背側之上，所述背側金屬層藉由所述導電結構電性耦合至所述第一導體。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中<br/> 所述磊晶結構包括位於所述天線效應保護裝置及所述待保護裝置外部的基底突片或阱突片。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中所述天線效應保護裝置被配置成：<br/> 因應於施加於所述天線效應保護裝置的所述第一源極/汲極與所述第二源極/汲極之間的反向偏壓而進行如下操作：<br/> 藉由所述天線效應保護裝置的洩漏電流將所述第二導體上的第一極性的電荷放電至所述第一導體，以及<br/> 因應於施加於所述天線效應保護裝置的所述第一源極/汲極與所述第二源極/汲極之間的正向偏壓而進行如下操作：<br/> 藉由所述天線效應保護裝置的通道電流將所述第二導體上的第二極性的電荷放電至所述第一導體，所述第二極性與所述第一極性相反。
一種積體電路裝置，包括：<br/> 第一電源域；<br/> 第二電源域；<br/> 第一天線效應保護裝置，位於所述第一電源域中；以及<br/> 第二天線效應保護裝置，位於所述第二電源域中，<br/> 其中所述第二天線效應保護裝置的閘極電性耦合至所述第一天線效應保護裝置的源極/汲極，<br/> 所述第一天線效應保護裝置是無塊體裝置。
如請求項6所述的積體電路裝置，更包括：<br/> 第一功能裝置，位於所述第二電源域中，<br/> 其中所述第一功能裝置的閘極電性耦合至所述第二天線效應保護裝置的源極/汲極。
如請求項7所述的積體電路裝置，更包括：<br/> 第二功能裝置，位於所述第一電源域中；以及<br/> 第三天線效應保護裝置，位於所述第一電源域中，<br/> 其中所述第二功能裝置的閘極電性耦合至所述第三天線效應保護裝置的源極/汲極。
如請求項6所述的積體電路裝置，更包括以下至少一者：<br/> 第一電源箝位電路，位於所述第一電源域中；<br/> 第二電源箝位電路，位於所述第二電源域中；<br/> 第一靜電放電（ESD）電路，電性耦合於所述第一電源域的第一局部電源軌條與全域電源軌條之間；<br/> 第二靜電放電電路，電性耦合於所述第二電源域的第二局部電源軌條與所述全域電源軌條之間；或者<br/> 第三靜電放電電路，電性耦合於所述第一局部電源軌條與所述第二局部電源軌條之間。
一種製造積體電路裝置的方法，所述方法包括：<br/> 在基底之上形成第一電晶體及第二電晶體； <br/> 在所述第一電晶體及所述第二電晶體之上沈積重佈線結構且對所述重佈線結構進行圖案化，以進行如下操作：<br/> 將所述第一電晶體的第一源極/汲極電性耦合至所述第一電晶體的閘極，以及<br/> 將所述第一電晶體的第二源極/汲極電性耦合至所述第二電晶體的閘極，<br/> 其中<br/> 在所述形成中，將所述第一電晶體及所述第二電晶體形成於所述基底的絕緣層的前側之上，或者<br/> 所述方法更包括：<br/> 移除所述基底的至少一部分，且然後形成絕緣層，其中將所述第一電晶體及所述第二電晶體佈置於所述絕緣層的前側之上，其中所述第一電晶體是無塊體裝置；<br/> 蝕刻且沈積導電材料以形成延伸穿過所述絕緣層的饋通通孔，其中所述饋通通孔電性耦合至所述第一電晶體的所述第一源極/汲極及所述閘極；以及<br/> 在所述絕緣層的背側之上沈積背側金屬層且對所述背側金屬層進行圖案化，且將所述背側金屬層電性耦合至所述饋通通孔。
一種主端電連接器，該主端電連接器係可設置於一電子設備中，該電子設備係具有一導電線材與一從端電連接器，於該電子設備中，該主端電連接器係可搭配該從端電連接器，該導電線材係可沿一線材延伸路徑延伸，該主端電連接器係包括：<br/> 一主端絕緣膠體，該主端絕緣膠體係具有一主端絕緣膠體本體、一主端膠體按壓結構、一主端膠體扣接結構與一主端膠體線材止擋結構；其中，<br/> 該主端絕緣膠體本體係具有一主端膠體扣接變形空間；<br/> 該主端膠體按壓結構係可接受按壓而對該主端膠體扣接結構施力，而使該主端膠體扣接結構進入該主端膠體扣接變形空間中變形，讓該主端膠體扣接結構處於一扣接變形狀態，於該主端膠體扣接結構處於該扣接變形狀態，該主端電連接器係可對接或解除對接該從端電連接器；以及<br/> 該主端膠體線材止擋結構係避開該主端膠體扣接結構，且該主端膠體線材止擋結構係設置於該主端膠體扣接變形空間與該線材延伸路徑之間，俾止擋該導電線材進入該主端膠體扣接變形空間中，而避免該導電線材於該主端膠體扣接變形空間中干涉該主端膠體扣接結構的變形；<br/> 其中，該主端絕緣膠體本體還具有一主端膠體按壓變形空間，該主端膠體按壓結構係具有一膠體按壓結構本體與一膠體按壓結構壓部，其中，於該主端膠體按壓結構接受按壓，該膠體按壓結構本體可進入該主端膠體按壓變形空間中變形，使該膠體按壓結構壓部可壓迫該主端膠體扣接結構，進而對該主端膠體扣接結構施力。
如請求項1所述的主端電連接器，其中，該主端膠體扣接變形空間的兩側分別為一第一膠體扣接變形空間側與一第二膠體扣接變形空間側，且該主端膠體線材止擋結構係具有一第一側膠體線材止擋牆與一第二側膠體線材止擋牆，該第一側膠體線材止擋牆與該第二側膠體線材止擋牆係分別設置於該第一膠體扣接變形空間側與該第二膠體扣接變形空間側，俾於該第一膠體扣接變形空間側與該第二膠體扣接變形空間側止擋該導電線材。
如請求項2所述的主端電連接器，其中，該主端膠體扣接結構的兩側分別為一第一膠體扣接結構側與一第二膠體扣接結構側，該第一側膠體線材止擋牆與該第二側膠體線材止擋牆係分別設置於該第一膠體扣接結構側與該第二膠體扣接結構側，俾於該第一膠體扣接結構側與該第二膠體扣接結構側避開該主端膠體扣接結構。
如請求項1所述的主端電連接器，其中，該主端絕緣膠體還具有一主端膠體銜接結構，該主端膠體銜接結構係分別銜接該主端膠體按壓結構與該主端膠體扣接結構，使該主端膠體按壓結構與該主端膠體扣接結構可受力連動。
如請求項1所述的主端電連接器，其中，該主端膠體按壓變形空間的兩側分別為一第一膠體按壓變形空間側與一第二膠體按壓變形空間側，且該膠體按壓結構壓部係具有一第一側膠體按壓子結構與一第二側膠體按壓子結構，該第一側膠體按壓子結構與該第二側膠體按壓子結構係分別設置於該第一膠體按壓變形空間側與該第二膠體按壓變形空間側，俾於該主端膠體按壓變形空間的兩側壓迫該主端膠體扣接結構。
如請求項4所述的主端電連接器，其中，該主端絕緣膠體還具有一主端膠體按壓限制結構，該主端膠體按壓限制結構係位於該主端膠體按壓變形空間，以提供限制該膠體按壓結構本體於該主端膠體按壓變形空間中的變形程度，使該膠體按壓結構本體的變形程度符合預期。
如請求項6所述的主端電連接器，其中，該主端膠體按壓變形空間的兩側分別為一第一膠體按壓變形空間側與一第二膠體按壓變形空間側，且該主端膠體按壓限制結構係具有一第一側膠體按壓限制子結構與一第二側膠體按壓限制子結構，該第一側膠體按壓限制子結構與該第二側膠體按壓限制子結構係分別設置於該第一膠體按壓變形空間側與該第二膠體按壓變形空間側，俾於該主端膠體按壓變形空間的兩側限制該膠體按壓結構本體的變形程度。
如請求項6所述的主端電連接器，其中，該主端膠體按壓限制結構係設置於該主端絕緣膠體本體，以於該主端膠體扣接結構處於該扣接變形狀態時抵接該膠體按壓結構本體而限制該膠體按壓結構本體持續變形。
如請求項8所述的主端電連接器，其中，該主端膠體按壓限制結構係設置於該膠體按壓結構本體，以於該主端膠體扣接結構處於該扣接變形狀態時抵接該主端絕緣膠體本體而限制該膠體按壓結構本體持續變形。
如請求項1所述的主端電連接器，其中，該主端絕緣膠體還具有一主端膠體扣接限制結構，該主端膠體扣接限制結構係位於該主端膠體扣接變形空間，可於該主端膠體扣接結構處於該扣接變形狀態時限制該主端膠體扣接結構持續變形，進而限制該主端膠體扣接結構於該主端膠體扣接變形空間中的變形程度，使該主端膠體扣接結構的變形程度符合預期。
如請求項10所述的主端電連接器，其中，該主端膠體扣接限制結構係設置於該主端絕緣膠體本體，以於該主端膠體扣接結構處於該扣接變形狀態時抵接該主端膠體扣接結構而限制該主端膠體扣接結構持續變形。
如請求項10所述的主端電連接器，其中，該主端膠體扣接限制結構係設置於該主端膠體扣接結構，以於該主端膠體扣接結構處於該扣接變形狀態時抵接該主端絕緣膠體本體而限制該主端膠體扣接結構持續變形。
一種下式之化合物之結晶型： <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="260px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中該結晶型為藉由選自5.8°、10.0°、10.2°、19.3°、22.9°、23.3°及25.2°之2Θ角(±0.2°)處之至少三個、至少四個、至少五個或至少六個X射線粉末繞射峰表徵之結晶型D。
如請求項1之結晶型，其中結晶型D藉由2Θ角(±0.2°) 5.8°、10.0°、10.2°、11.3°、11.5°、12.2°、13.6°、14.1°、14.7°、15.4°、16.0°、17.3°、17.6°、19.3°、20.0°、20.8°、22.1°、22.9°、23.3°、23.6°、24.4°、25.2°、26.4°、27.4°、28.3°及29.6°處之X射線粉末繞射峰表徵。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1之結晶型，及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項3之醫藥組合物，其中該醫藥組合物係錠劑。
如請求項3或4之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含： <br/>約5.7至約5.9 mg、約23.4至約23.6 mg、或約58.7至約58.9 mg結晶型D； <br/>62% w/w (±2%)微晶纖維素； <br/>23% w/w (±2%)甘露醇； <br/>3% w/w (±2%)交聯羧甲纖維素鈉；及 <br/>2% w/w (±2%)硬脂醯反丁烯二酸鈉。
一種如請求項1或2之結晶型或如請求項3至5中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療丙酮酸鹽激酶缺乏症(PKD)之藥物。
一種如請求項1或2之結晶型或如請求項3至5中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療鐮狀細胞疾病(SCD)之藥物。
一種如請求項1或2之結晶型或如請求項3至5中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療地中海貧血症(諸如α-地中海貧血症、β-地中海貧血症、非輸血依賴性地中海貧血症及輸血依賴性地中海貧血症)之藥物。
一種如請求項1或2之結晶型或如請求項3至5中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療溶血性貧血之藥物。
一種如請求項1或2之結晶型或如請求項3至5中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於治療選自遺傳性球形紅血球症、遺傳性橢圓形紅血球增多症、無β脂蛋白血症、巴-科症候群及陣發性夜間血紅素尿症之疾病之藥物。
一種如請求項1或2之結晶型或如請求項3至5中任一項之醫藥組合物之用途，其係用以製備用於增加受試者之血紅素量之藥物。
一種絲線加工設備，係具備： <br/> 絲線加工機，具有多個加工錠子，該加工錠子構成為能夠形成將從供絲卷裝退繞的絲線加工之後捲繞於捲繞筒管而成的捲繞卷裝；以及 <br/> 資訊管理部，構成為能夠管理與上述絲線加工機相關的資訊， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子分別具備供絲卷裝保持部，該供絲卷裝保持部構成為能夠裝卸包括絲線處於退繞中的退繞中卷裝和與上述退繞中卷裝不同的預備卷裝的多個供絲卷裝，且構成為在上述退繞中卷裝所包含的絲線的終端部與上述預備卷裝所包含的絲線的始端部已打結的情況下能夠不間斷地供給絲線， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 輸出部，構成為能夠輸出與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊取得部，構成為能夠取得與打結部分的有無相關的資訊即打結資訊，該打結部分是上述退繞中卷裝所包含的絲線的終端部與上述預備卷裝所包含的絲線的始端部的打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 個別剩餘量資訊取得處理，對於上述多個加工錠子的每一個取得個別剩餘量資訊，該個別剩餘量資訊是與安裝於上述供絲卷裝保持部的上述供絲卷裝所包含的絲線剩餘量、即個別剩餘量相關的資訊；以及 <br/> 輸出處理，使上述輸出部輸出剩餘量列舉資訊，該剩餘量列舉資訊是列舉了藉由上述個別剩餘量資訊取得處理所取得的關於上述多個加工錠子的每一個的多個上述個別剩餘量資訊， <br/> 在進行了上述個別剩餘量資訊取得處理的情況下， <br/> 當上述打結資訊取得部取得了表示有上述打結部分的上述打結資訊的情況下，上述資訊管理部取得將上述退繞中卷裝所包含的絲線剩餘量與上述預備卷裝所包含的絲線剩餘量合計的絲線剩餘量作為上述個別剩餘量資訊， <br/> 當上述打結資訊取得部未取得表示有上述打結部分的上述打結資訊的情況下，上述資訊管理部取得上述退繞中卷裝所包含的絲線剩餘量作為上述個別剩餘量資訊。
如請求項1所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述輸出部輸出將識別上述多個加工錠子的每一個的編號和與該加工錠子對應的上述個別剩餘量資訊相關聯的上述剩餘量列舉資訊。
如請求項1所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述輸出部輸出升序剩餘量列舉資訊或降序剩餘量列舉資訊的任一個， <br/> 該升序剩餘量列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由少到多的順序進行排序而得的剩餘量列舉資訊， <br/> 該降序剩餘量列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由多到少的順序進行排序而得的剩餘量列舉資訊。
如請求項2所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述輸出部輸出升序剩餘量列舉資訊或降序剩餘量列舉資訊的任一個， <br/> 該升序剩餘量列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由少到多的順序進行排序而得的剩餘量列舉資訊， <br/> 該降序剩餘量列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由多到少的順序進行排序而得的剩餘量列舉資訊。
如請求項3所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備排序順序輸入部，該排序順序輸入部構成為能夠輸入將上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由少到多的順序排序的升序排序指示、以及將上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由多到少的順序排序的降序排序指示， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述升序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述升序剩餘量列舉資訊，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述降序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述降序剩餘量列舉資訊。
如請求項4所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備排序順序輸入部，該排序順序輸入部構成為能夠輸入將上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由少到多的順序排序的升序排序指示、以及將上述多個個別剩餘量資訊以上述個別剩餘量由多到少的順序排序的降序排序指示， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述升序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述升序剩餘量列舉資訊，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述降序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述降序剩餘量列舉資訊。
如請求項1所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘量資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊之上述剩餘量列舉資訊。
如請求項2所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘量資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊之上述剩餘量列舉資訊。
如請求項3所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘量資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊之上述剩餘量列舉資訊。
如請求項4所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘量資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊之上述剩餘量列舉資訊。
如請求項5所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘量資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊之上述剩餘量列舉資訊。
如請求項6所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘量資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊之上述剩餘量列舉資訊。
如請求項1所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項2所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項3所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項4所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項5所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項6所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項7所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項8所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項9所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項10所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項11所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項12所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘量資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘量為既定量以下的一個或者多個上述個別剩餘量資訊。
如請求項1至24中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述輸出部是構成為能夠顯示與上述絲線加工機相關的資訊的顯示部， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述顯示部顯示上述剩餘量列舉資訊。
如請求項25所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述顯示部以與上述多個加工錠子的每一個所具備的供絲卷裝保持部的配置對應的配置，顯示上述剩餘量列舉資訊所包含的上述多個個別剩餘量資訊。
如請求項1至24中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述輸出部是構成為能夠藉由聲音輸出與上述絲線加工機相關的資訊的聲音輸出部， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述聲音輸出部藉由聲音輸出上述剩餘量列舉資訊。
一種絲線加工設備，係具備： <br/> 絲線加工機，具有多個加工錠子，該加工錠子構成為能夠形成將從供絲卷裝退繞的絲線加工之後捲繞於捲繞筒管而成的捲繞卷裝；以及 <br/> 資訊管理部，構成為能夠管理與上述絲線加工機相關的資訊， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個中具備供絲卷裝保持部，該供絲卷裝保持部構成為能夠裝卸包括絲線處於退繞中的退繞中卷裝和與上述退繞中卷裝不同的預備卷裝的多個供絲卷裝，且構成為在上述退繞中卷裝所包含的絲線的終端部與上述預備卷裝所包含的絲線的始端部已打結的情況下能夠不間斷地供給絲線， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 輸出部，構成為能夠輸出與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊取得部，構成為能夠取得與打結部分的有無相關的資訊即打結資訊，該打結部分是上述退繞中卷裝所包含的絲線的終端部與上述預備卷裝所包含的絲線的始端部的打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 個別剩餘時間資訊取得處理，對於上述多個加工錠子的每一個取得個別剩餘時間資訊，該個別剩餘時間資訊是與到安裝於上述供絲卷裝保持部的上述供絲卷裝所包含的絲線退繞結束為止的剩餘時間、即個別剩餘時間相關的資訊；以及 <br/> 輸出處理，使上述輸出部輸出剩餘時間列舉資訊，該剩餘時間列舉資訊是列舉了藉由上述個別剩餘時間資訊取得處理所取得的關於上述多個加工錠子的每一個的多個上述個別剩餘時間資訊， <br/> 在進行了上述個別剩餘時間資訊取得處理的情況下， <br/> 當上述打結資訊取得部取得了表示有上述打結部分的上述打結資訊的情況下，上述資訊管理部取得將到上述退繞中卷裝所包含的絲線退繞結束為止的剩餘時間與到上述預備卷裝所包含的絲線退繞結束為止的剩餘時間合計之到絲線退繞結束為止的合計剩餘時間，作為上述個別剩餘時間資訊， <br/> 當上述打結資訊取得部未取得表示有上述打結部分的上述打結資訊的情況下，上述資訊管理部取得到上述退繞中卷裝所包含的絲線退繞結束為止的剩餘時間作為上述個別剩餘時間資訊。
如請求項28所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述輸出部輸出將識別上述多個加工錠子的每一個的編號和與該加工錠子對應的上述個別剩餘時間資訊相關聯的上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項28所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述輸出部輸出升序剩餘時間列舉資訊或降序剩餘時間列舉資訊的任一個， <br/> 該升序剩餘時間列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由少到多的順序進行排序而得的剩餘時間列舉資訊， <br/> 該降序剩餘時間列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由多到少的順序進行排序而得的剩餘時間列舉資訊。
如請求項29所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述輸出部輸出升序剩餘時間列舉資訊或降序剩餘時間列舉資訊的任一個， <br/> 該升序剩餘時間列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由少到多的順序進行排序而得的剩餘時間列舉資訊， <br/> 該降序剩餘時間列舉資訊，是將與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由多到少的順序進行排序而得的剩餘時間列舉資訊。
如請求項30所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備排序順序輸入部，該排序順序輸入部構成為能夠輸入將上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由少到多的順序排序的升序排序指示、以及將上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由多到少的順序排序的降序排序指示， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述升序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述升序剩餘時間列舉資訊，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述降序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述降序剩餘時間列舉資訊。
如請求項31所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備排序順序輸入部，該排序順序輸入部構成為能夠輸入將上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由少到多的順序排序的升序排序指示、以及將上述多個個別剩餘時間資訊以上述個別剩餘時間由多到少的順序排序的降序排序指示， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述升序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述升序剩餘時間列舉資訊，在透過上述排序順序輸入部輸入了上述降序排序指示的情況下，使上述輸出部輸出上述降序剩餘時間列舉資訊。
如請求項28所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊之上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項29所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊之上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項30所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊之上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項31所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊之上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項32所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊之上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項33所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的多個上述個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部輸出列舉了上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊之上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項28所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項29所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項30所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項31所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項32所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項33所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項34所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項35所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項36所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項37所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項38所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項39所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，在與上述多個加工錠子對應的上述多個個別剩餘時間資訊中，使上述輸出部能夠強調輸出上述個別剩餘時間為既定時間以下的一個或者多個上述個別剩餘時間資訊。
如請求項28至51中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述輸出部是構成為能夠顯示與上述絲線加工機相關的資訊的顯示部， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述顯示部顯示上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項52所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述顯示部以與上述多個加工錠子的每一個所具備的供絲卷裝保持部的配置對應的配置，顯示上述剩餘時間列舉資訊所包含的上述多個個別剩餘時間資訊。
如請求項28至51中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述輸出部是構成為能夠藉由聲音輸出與上述絲線加工機相關的資訊的聲音輸出部， <br/> 上述資訊管理部在上述輸出處理中，使上述聲音輸出部藉由聲音輸出上述剩餘時間列舉資訊。
如請求項1至24中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項25所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項26所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項27所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項28至51中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項52所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項53所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項54所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結資訊輸入部，構成為能夠輸入表示有上述打結部分的上述打結資訊， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，使上述儲存部儲存從上述打結資訊輸入部輸入的上述打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項55所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項56所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項57所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項58所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項59所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項60所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項61所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項62所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述絲線加工機在上述多個加工錠子的每一個都具備退繞卷裝感測器，該退繞卷裝感測器偵測正在從安裝於上述供絲卷裝保持部的多個上述供絲卷裝中的哪個上述供絲卷裝退繞絲線， <br/> 上述資訊管理部，在藉由上述退繞卷裝感測器偵測到退繞絲線的供絲卷裝被切換了時，進行將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊之打結資訊變更處理。
如請求項1至24中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項25所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項26所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項27所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項28至51中任一項所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項52所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項53所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
如請求項54所述的絲線加工設備，其中， <br/> 上述資訊管理部具備： <br/> 儲存部，構成為能夠儲存與上述絲線加工機相關的資訊；以及 <br/> 打結部分感測器，偵測上述打結部分， <br/> 上述資訊管理部進行如下處理： <br/> 打結資訊儲存處理，在藉由上述打結部分感測器偵測到上述打結部分時，使上述儲存部儲存表示有上述打結部分的上述打結資訊； <br/> 打結資訊變更處理，在藉由上述打結部分感測器偵測不到上述打結部分時，將儲存於上述儲存部的上述打結資訊從表示有上述打結部分的打結資訊變更為表示無上述打結部分的打結資訊；以及 <br/> 打結資訊取得處理，使上述打結資訊取得部取得儲存於上述儲存部的上述打結資訊。
一種多相電壓轉換器，包括：<br/>多個積體電路，該些積體電路中的每一者用於提供該多相電壓轉換器中的一相，該些積體電路中的每一者包括一溫度報告引腳以及一溫度取樣電路，該溫度取樣電路用於取樣該溫度取樣電路所在的一積體電路的溫度，該溫度報告引腳用於接收一溫度獲取命令並報告該溫度報告引腳所在的該積體電路的溫度；以及<br/>一控制器，包括一溫度輸入引腳，該溫度輸入引腳耦接至該些積體電路中的每一者的該溫度報告引腳，該控制器通過該溫度輸入引腳向該些積體電路發送該溫度獲取命令；<br/>其中該溫度獲取命令用於從該些積體電路中選擇一所選擇積體電路，使得該所選擇積體電路通過該溫度報告引腳報告該所選擇積體電路的溫度；<br/>其中該控制器在發送該溫度獲取命令之前強制該溫度輸入引腳處於一第一狀態，以及在該溫度獲取命令發送完成之後強制該溫度輸入引腳處於一第二狀態，該控制器在強制該溫度輸入引腳處於該第二狀態一定時長之後，解除對該溫度輸入引腳的強制控制，並記錄該溫度輸入引腳上的一電壓。
如請求項1所述的多相電壓轉換器，其中該溫度獲取命令更用於選擇所有的該些積體電路，使得所有的該些積體電路通過該些積體電路的該些溫度報告引腳同時報告該些積體電路的溫度。
如請求項1所述的多相電壓轉換器，其中當該溫度獲取命令與該些積體電路中的其中一者的一序列編碼相匹配時，該些積體電路中的相匹配的該其中一者報告其溫度，同時該些積體電路中其他的積體電路不報告溫度。
如請求項3所述的多相電壓轉換器，其中該些積體電路中的每一者更包括一記憶體，該記憶體用於儲存該序列編碼。
如請求項1所述的多相電壓轉換器，其中該溫度獲取命令包括多個脈衝或一電訊號，該電訊號具有一定電壓位準和持續時長。
如請求項1所述的多相電壓轉換器，其中當該溫度獲取命令與一預設編碼相匹配時，該些積體電路同時報告其溫度。
一種用於多相電壓轉換器的積體電路，包括：<br/>一電源引腳，用於接收一輸入電壓；<br/>一功率開關裝置，該功率開關裝置在一開關控制訊號的控制下導通及關斷，以將該輸入電壓轉換為一輸出電壓；以及<br/>一溫度報告引腳，和多個其它積體電路的多個溫度報告引腳耦接在一起，該些溫度報告引腳用於接收一溫度獲取命令；<br/>其中該積體電路因應於該溫度獲取命令和該積體電路的一序列編碼，通過該溫度報告引腳報告該積體電路的溫度。
如請求項7所述的積體電路，其中當該溫度獲取命令與該積體電路的該序列編碼相匹配時，或當該溫度獲取命令與一預設編碼相匹配時，該積體電路通過該溫度報告引腳報告其溫度。
如請求項8所述的積體電路，其中當該溫度獲取命令與該積體電路的該序列編碼和該預設編碼皆不匹配時，該積體電路停止通過該溫度報告引腳報告其溫度。
如請求項7所述的積體電路，其中該溫度獲取命令包括多個脈衝或一電訊號，該電訊號具有一定電壓位準和持續時長。
如請求項7所述的積體電路，其中該積體電路用於辨識該溫度獲取命令，並基於該溫度獲取命令決定是否通過該溫度報告引腳報告該積體電路的溫度。
如請求項7所述的積體電路，更包括一記憶體，該記憶體用於儲存該積體電路的該序列編碼。
一種用於多相電壓轉換器的控制器，包括：<br/>一溫度輸入引腳，耦接至多個積體電路以提供一溫度獲取命令並從該些積體電路接收一溫度監測訊號，其中該些積體電路中的每一者提供該多相電壓轉換器中的一相；以及<br/>多個開關控制引腳，用於分別提供多個開關控制訊號以控制該些積體電路；<br/>其中該溫度獲取命令用於從該些積體電路中選擇一所選擇積體電路，使得該所選擇積體電路通過提供該溫度監測訊號報告該所選擇積體電路的溫度，當該溫度獲取命令與該些積體電路中的其中一者的一序列編碼相匹配時，該些積體電路中的相匹配的該其中一者報告其溫度，同時該些積體電路中其他的積體電路不報告溫度。
如請求項13所述的控制器，其中當該溫度獲取命令與一預設編碼相匹配時，該些積體電路同時報告其溫度。
如請求項13所述的控制器，其中該溫度獲取命令更用於選擇所有的該些積體電路，使得所有的該些積體電路共同提供該些溫度監測訊號，以報告所有的該些積體電路的一最高溫度。
如請求項13所述的控制器，其中該溫度獲取命令包括多個脈衝或一電訊號，該電訊號具有一定電壓位準和持續時長。
如請求項13所述的控制器，其中該控制器更根據該溫度監測訊號記錄該些積體電路的該最高溫度以及該些積體電路中每一者的溫度。
如請求項13所述的控制器，其中該控制器在發送該溫度獲取命令之前強制該溫度輸入引腳處於一第一狀態，並在該溫度獲取命令發送完成之後強制該溫度輸入引腳處於一第二狀態。
如請求項18所述的控制器，其中該控制器在強制該溫度輸入引腳處於該第二狀態一定時長之後，解除對該溫度輸入引腳的強制控制，並根據該溫度監測訊號記錄該些積體電路的一最高溫度或該些積體電路中每一者的溫度。
一種經組態用於偵測一樣品上之缺陷之系統，其包括： <br/>一檢驗子系統，其經組態用於產生一樣品之影像，該等影像包含一測試影像、對應於該測試影像之兩個或更多個第一影像及對應於該測試影像之一或多個第二影像；及 <br/>一電腦子系統，其經組態用於： <br/>分別自該兩個或更多個第一影像及該一或多個第二影像計算該測試影像之第一參考影像及第二參考影像，其中該第一參考影像及該第二參考影像之一或多個特性係不同的； <br/>藉由分別將該測試影像與該第一參考影像及該第二參考影像進行單獨比較來產生第一差影像及第二差影像；且 <br/>藉由將一缺陷偵測方法應用於該第一差影像及該第二差影像來偵測該測試影像中之缺陷，其中僅當該缺陷偵測方法在該第一差影像及該第二差影像中之對應位置處偵測到一缺陷時，該缺陷偵測方法才判定在該測試影像中之一位置處存在該缺陷。
如請求項1之系統，其中計算該第一參考影像包括減小該測試影像與該第一參考影像之間的差之一最小化操作。
如請求項1之系統，其中該測試影像包含於由該檢驗子系統針對該樣品產生並由該電腦子系統共同處理之該等影像之一作業中，且其中該兩個或更多個第一影像及該一或多個第二影像包括該作業中之其他影像。
如請求項3之系統，其中該兩個或更多個第一影像包括該作業中之所有該等其他影像，且其中該一或多個第二影像包括毗鄰於該測試影像之該等其他影像中之僅一者。
如請求項3之系統，其中該兩個或更多個第一影像包括該作業中該等其他影像之一第一子集，且其中該一或多個第二影像包括該作業中該等其他影像的不同於該第一子集之一第二子集。
如請求項1之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於基於色彩將由該檢驗子系統針對該樣品上之一晶粒列產生之該等影像分群至不同作業中，使得該等不同作業中之一第一作業中之該等影像具有一第一色彩值範圍，並且該等不同作業中之一第二作業中之該等影像具有不同於該第一色彩值範圍之一第二色彩值範圍。
如請求項6之系統，其中該計算、產生及偵測係針對該等不同作業中之每一者而單獨執行的。
如請求項6之系統，其中該等不同作業中之該第一作業及該第二作業中之至少一者包括在該樣品上之該晶粒列中之非毗鄰區處產生之該等影像中之兩者或更多者。
如請求項6之系統，其中該等不同作業中之該第一作業及該第二作業中之至少一者包括在該晶粒列中位於比該樣品之一中心更靠近該樣品之一邊緣處之一第一區中產生之該等影像中之兩者或更多者，且其中該等不同作業中之該第一作業及該第二作業中之至少額外一者包括在該晶粒列中位於比該樣品之該邊緣更靠近該樣品之該中心處之一第二區中產生之該等影像中之另兩者或更多者。
如請求項6之系統，其中該電腦子系統進一步經組態用於基於一預定最小作業大小將該等影像分群至該等不同作業中，使得該等不同作業中之每一者包括大於該預定最小作業大小之一定數目之影像。
如請求項10之系統，其中該預定最小作業大小係20個影像。
如請求項1之系統，其中該兩個或更多個第一影像包括由該檢驗子系統針對該樣品產生之該等影像之一作業中影像之一第一子集，其中該一或多個第二影像包括該作業中該等影像之一第二子集，且其中該第一參考影像及該第二參考影像係不同類型之經計算參考影像。
如請求項12之系統，其中該第一參考影像及該第二參考影像中之一者係一基於中值之經計算參考，且其中該第一參考影像及該第二參考影像中之另一者並非一基於中值之經計算參考。
如請求項1之系統，其中該第一參考影像及該第二參考影像中之至少一者係一基於中值之經計算參考，且其中該電腦子系統進一步經組態用於藉由自由該檢驗子系統針對該樣品產生之該等影像之一作業中影像之不同子集計算多中值影像且自該等多中值影像計算該基於中值之經計算參考來計算該基於中值之經計算參考。
如請求項14之系統，其中自該等多中值影像計算該基於中值之經計算參考包括減小該測試影像與該基於中值之經計算參考之間的差之一最小化操作。
如請求項1之系統，其中該測試影像、該兩個或更多個第一影像及該一或多個第二影像係在該樣品上之一邏輯區域中產生的。
如請求項1之系統，其中該樣品包括一晶圓。
如請求項1之系統，其中該檢驗子系統進一步被組態為一基於光之檢驗子系統。
如請求項1之系統，其中該檢驗子系統進一步被組態為一基於電子束之檢驗子系統。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於偵測一樣品上之缺陷之一電腦實施方法之程式指令，其中該電腦實施方法包括： <br/>獲取由一檢驗子系統針對一樣品產生之影像，該等影像包含一測試影像、對應於該測試影像之兩個或更多個第一影像及對應於該測試影像之一或多個第二影像； <br/>分別自該兩個或更多個第一影像及該一或多個第二影像計算該測試影像之第一參考影像及第二參考影像，其中該第一參考影像及該第二參考影像之一或更多個特性係不同的； <br/>藉由分別將該測試影像與該第一參考影像及該第二參考影像進行單獨比較來產生第一差影像及第二差影像；及 <br/>藉由將一缺陷偵測方法應用於該第一差影像及該第二差影像來偵測該測試影像中之缺陷，其中僅當該缺陷偵測方法在該第一差影像及該第二差影像中之對應位置處偵測到一缺陷時，該缺陷偵測方法才判定在該測試影像中之一位置處存在該缺陷。
一種用於偵測一樣品上之缺陷之電腦實施方法，其包括： <br/>獲取由一檢驗子系統針對一樣品產生之影像，該等影像包含一測試影像、對應於該測試影像之兩個或更多個第一影像及對應於該測試影像之一或多個第二影像； <br/>分別自該兩個或更多個第一影像及該一或多個第二影像計算該測試影像之第一參考影像及第二參考影像，其中該第一參考影像及該第二參考影像之一或多個特性係不同的； <br/>藉由分別將該測試影像與該第一參考影像及該第二參考影像進行單獨比較來產生第一差影像及第二差影像；及 <br/>藉由將一缺陷偵測方法應用於該第一差影像及該第二差影像來偵測該測試影像中之缺陷，其中僅當該缺陷偵測方法在該第一差影像及該第二差影像中之對應位置處偵測到一缺陷時，該缺陷偵測方法才判定在該測試影像中之一位置處存在該缺陷，且其中該獲取、計算、產生及偵測係由耦合至該檢驗子系統之一電腦子系統執行的。
一種經組態用於偵測一樣品上之缺陷之系統，其包括： <br/>一檢驗子系統，其經組態用於產生一樣品之影像；及 <br/>一電腦子系統，其經組態用於：<br/>基於色彩將由該檢驗子系統針對該樣品上之一晶粒列產生之該等影像分群至不同作業中，使得該等不同作業中之一第一作業中之該等影像具有一第一色彩值範圍，且該等不同作業中之一第二作業中之該等影像具有不同於該第一色彩值範圍之一第二色彩值範圍；<br/>藉由將一缺陷偵測方法僅應用於該等不同作業中之該第一作業中之該等影像來偵測該等不同作業中之該第一作業中之該等影像中之缺陷；且<br/>藉由將該缺陷偵測方法僅應用於該等不同作業中之該第二作業中之該等影像來偵測該等不同作業中之該第二作業中之該等影像中之缺陷。
一種經組態用於偵測一樣品上之缺陷之系統，其包括： <br/>一檢驗子系統，其經組態用於產生一樣品之影像；及 <br/>一電腦子系統，其經組態用於： <br/>自由該檢驗子系統針對該樣品產生之該等影像之一作業中影像之不同子集計算多中值影像；<br/>自該等多中值影像計算一基於中值之經計算參考；<br/>藉由將該作業中之一測試影像與該基於中值之經計算參考進行比較來產生一差影像；且<br/>藉由將一缺陷偵測方法應用於該差影像來偵測該測試影像中之缺陷。
一種用於微滴式數字聚合酶連鎖反應(droplet digital polymerase chain reaction, ddPCR)的嗜黏蛋白艾克曼氏菌( <i>Akkermansia</i><i>muciniphila</i>)基因複製數檢測套組，包含一微滴式數字聚合酶連鎖反應(ddPCR)預混液，該ddPCR預混液包含： <br/>一正向引子，其序列如SEQ ID NO: 1所示； <br/>一反向引子，其序列如SEQ ID NO: 2所示；以及 <br/>一寡核苷酸探針，包含一如SEQ ID NO: 3所示之序列、附加於該寡核苷酸探針上的5’端位置的一螢光報告基團，以及附加於該寡核苷酸探針上的3’端位置的一螢光淬滅基團。
如請求項1所述之套組，其中該螢光報告基團為6-羧基螢光素(6-carboxyfluorescein, FAM)，且該螢光淬滅基團為二氫環吡咯並吲哚三肽小溝結合物(dihydro cyclo pyrrolo indole tripeptide minor groove binder, MGB)。
一種用於檢測嗜黏蛋白艾克曼氏菌( <i>A. muciniphila</i>)的寡核苷酸組，包含 <br/>一正向引子，其序列如SEQ ID NO: 1所示； <br/>一反向引子，其序列如SEQ ID NO: 2所示；以及 <br/>一寡核苷酸探針，包含一如SEQ ID NO: 3所示之序列、附加於該寡核苷酸探針上的5’端位置的一螢光報告基團，以及附加於該寡核苷酸探針上的3’端位置的一螢光淬滅基團； <br/>其中該寡核苷酸對係用於微滴式數字聚合酶連鎖反應(ddPCR)。
如請求項3所述之寡核苷酸組，其中該螢光報告基團為6-羧基螢光素(FAM)，且該螢光淬滅基團為二氫環吡咯並吲哚三肽小溝結合物(MGB)。
一種以微滴式數字聚合酶連鎖反應(ddPCR)檢測嗜黏蛋白艾克曼氏菌基因複製數的方法，包含： <br/>提供一待測樣本； <br/>提供一微滴式數字聚合酶連鎖反應(ddPCR)預混液，包含： <br/>一正向引子，其序列如SEQ ID NO: 1所示； <br/>一反向引子，其序列如SEQ ID NO: 2所示；以及 <br/>一寡核苷酸探針，包含一如SEQ ID NO: 3所示之序列、附加於該寡核苷酸探針上的5’端位置的一螢光報告基團，以及附加於該寡核苷酸探針上的3’端位置的一螢光淬滅基團； <br/>混合該待測樣本以及該ddPCR預混液，以形成一ddPCR反應液； <br/>將該ddPCR反應液與一微滴生成油形成一ddPCR反應液微滴； <br/>將該ddPCR反應液微滴進行數字PCR擴增，若該ddPCR反應液微滴含有一嗜黏蛋白艾克曼氏菌的目標基因，則會形成一ddPCR產物，若該ddPCR反應液微滴不含一嗜黏蛋白艾克曼氏菌的目標基因，則不會形成一ddPCR產物； <br/>偵測該ddPCR產物；以及 <br/>計算該嗜黏蛋白艾克曼氏菌的目標基因的複製數。
如請求項5所述之方法，其中該待測樣本為一受試者糞便檢體的DNA萃取物。
如請求項5所述之方法，其中該螢光報告基團為6-羧基螢光素(FAM)，且該螢光淬滅基團為二氫環吡咯並吲哚三肽小溝結合物(MGB)。
如請求項5所述之方法，其中該ddPCR預混液進一步包含一聚合酶、去氧腺苷三磷酸(deoxyadenosine triphosphates, dATPs)、去氧胞核苷三磷酸(deoxycytidine triphosphates, dCTPs)、去氧鳥苷三磷酸(deoxyguanosine triphosphates, dGTPs)、去氧胸苷三磷酸(deoxythymidine triphosphates, dTTPs)，以及水。
如請求項5所述之方法，其中該數字PCR擴增的反應程式為：50 <img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>C，2分鐘1個循環；95 <img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>C，10分鐘1個循環；94 <img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>C，30秒變性、52.6 <img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>C，60秒黏合、延伸共45個循環；98 <img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>C，10分鐘1個循環；最後維持在16 <img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>C。
如請求項5所述之方法，其中該嗜黏蛋白艾克曼氏菌的目標基因的複製數係根據泊松分佈(Poisson Distribution)原理以及陽性微滴的比例所計算而得。
一種均溫板支撐毛細結構，包括： <br/>一第一板體，具有一第一內面； <br/>一第二板體，具有一第二內面且朝向該第一板體之第一內面而相蓋合，並於該第一板體與該第二板體之間具有一腔室，所述腔室內封存有工作流體；以及 <br/>一毛細層，被夾置於該第一板體與該第二板體之間而位於所述腔室內，且該毛細層至少具有一第一毛細部與一第二毛細部，該第二毛細部連接於該第一毛細部並延伸而出，且於該第二毛細部的任一側處形成一缺口部，該缺口部沿著該第二毛細部的延伸方向而形成； <br/>其中，該第一板體於該第一內面上係設有複數毛細支撐結構與複數板體支撐結構，且該等毛細支撐結構至少對應於該第一毛細部與該第二毛細部，而該等板體支撐結構則對應於該毛細層之缺口部； <br/>其中該第二板體之第二內面上係設有複數對接支撐結構，且該等對接支撐結構與該等板體支撐結構相抵頂； <br/>其中該毛細層更具有一第三毛細部，且該第二毛細部連接於該第一毛細部與該第三毛細部之間，該第一毛細部與該第三毛細部係分別位於所述腔室內相遠離的二端處，該第一毛細部係配置於所述腔室的一受熱部內，而該第三毛細部則配置於所述腔室的一冷凝部內； <br/>藉此，當所述受熱部與一發熱元件接觸時，所述腔室內的工作流體經汽化成為蒸氣，並透過所述腔室內之該毛細層上方處的空間朝向該第三毛細部所在位置的方向移動，且在行經該第二毛細部上方處係由該缺口部熱傳遞至所述冷凝部作冷卻。
如請求項１所述之均溫板支撐毛細結構，其中該第一板體的第一內面上係設有間距排列的複數條狀支撐結構，且該等條狀支撐結構對應於該毛細層之缺口部，並局部圍繞於該等板體支撐結構的外側處。
如請求項１所述之均溫板支撐毛細結構，其中該第一板體之第一內面與該第二板體之第二內面分別呈凹入狀而共同形成所述腔室。
如請求項１所述之均溫板支撐毛細結構，其中該第一板體之第一內面與該第二板體之第二內面之一者呈凹入狀，而另一者呈平面狀並相對蓋合而形成所述腔室。
如請求項１所述之均溫板支撐毛細結構，其中該第一板體係設有圍繞於該第一內面外的一第一密封緣，而該第二板體亦設有圍繞於該第二內面外的一第二密封緣，且該第一密封緣與該第二密封緣相貼合而密封所述腔室。
如請求項１所述之均溫板支撐毛細結構，其中該第二毛細部在寬度上係小於該第一毛細部。
如請求項１所述之均溫板支撐毛細結構，其中該第二毛細部在寬度上係小於該第一毛細部與該第三毛細部。
一種半導體裝置，其中堆疊有第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層，其中 <br/> 該第二半導體層布置在該第一半導體層與該第三半導體層之間， <br/> 包括第一絕緣層的第一結構布置在彼此面對的該第一半導體層的第一主表面與該第二半導體層的第二主表面之間， <br/> 包括第二絕緣層的第二結構布置在彼此面對的該第二半導體層的第三主表面與該第三半導體層的第四主表面之間， <br/> 在到該第四主表面的正投影中，將該第三半導體層中布置有複數個元件的區域定義為第一區域，並且將該第一區域與該第三半導體層的周邊部之間的區域定義為第二區域， <br/> 在該第二區域中，布置有被配置為暴露布置在該第一結構中的焊盤電極的開口部， <br/> 該開口部從該第三半導體層的在該第四主表面的相對側的第五主表面延伸穿過該第三半導體層、該第二結構以及該第二半導體層到該焊盤電極， <br/> 在該第一絕緣層與該第二絕緣層之間以及在該第一區域與該開口部之間，在與該第二半導體層相同的高度處布置有絕緣體部， <br/> 在到該第三主表面的正投影中，該絕緣體部被布置為圍繞該開口部，以及 <br/> 該絕緣體部形成該開口部的延伸穿過該第二半導體層的一部分的壁面。
根據請求項1所述的裝置，其中，布置有複數個焊盤電極和複數個開口部，包括該焊盤電極和該開口部，以及 <br/> 在到該第三主表面的正投影中，對於該複數個開口部連續地布置該絕緣體部。
根據請求項1所述的裝置，其中，布置有複數個焊盤電極和複數個開口部，包括該焊盤電極和該開口部， <br/> 該複數個開口部包括彼此相鄰的第一開口部和第二開口部， <br/> 在到該第三主表面的正投影中，該絕緣體部包括圍繞該第一開口部的第一部分和圍繞該第二開口部的第二部分，以及 <br/> 該第二半導體層的一部分布置在該第一部分與該第二部分之間。
根據請求項3所述的裝置，其中，該第二半導體層的布置在該第一區域中的一部分和該第二半導體層的布置在該複數個開口部與該第二半導體層的周邊部之間的一部分經由該第二半導體層的部分連續。
根據請求項1所述的裝置，其中，使用與該第一絕緣層和該絕緣體部不同的材料的構件布置在該第一結構的與該絕緣體部接觸的一部分中。
根據請求項5所述的裝置，其中，在該第二主表面上布置有電晶體，以及 <br/> 該電晶體的閘極電極和該構件由相同的材料製成。
根據請求項5所述的裝置，其中，該構件包含多晶矽、非晶矽和單晶矽中的至少一種。
根據請求項5所述的裝置，其中，在到該第五主表面的正投影中，該開口部的布置在該第一結構中的一部分布置在該開口部的延伸穿過該第三半導體層、該第二結構以及該第二半導體層的一部分的內側。
根據請求項1所述的裝置，其中，在該第二區域中還布置有從該第一結構延伸穿過該第二半導體層到該第二結構的導電構件。
根據請求項9所述的裝置，其中，該導電構件被布置為圍繞該第一區域。
根據請求項9所述的裝置，其中，該導電構件被布置為圍繞該開口部。
根據請求項1所述的裝置，其中，該複數個元件包括光電轉換元件。
根據請求項12所述的裝置，其中，在該第二主表面上布置有包括被布置為放大從該光電轉換元件輸出的信號的電晶體的元件電路，以及 <br/> 在該第一主表面上布置有被布置為驅動該複數個元件和該元件電路的驅動電路。
根據請求項13所述的裝置，其中，該絕緣體部被定義為第一絕緣體部， <br/> 該第一結構包括布置在該第一絕緣層中的佈線圖案， <br/> 被配置為連接該光電轉換元件和該佈線圖案的插塞電極被布置為延伸穿過該第二結構和該第二半導體層，以及 <br/> 在到該第三主表面的正投影中，在該第二半導體層中布置有圍繞該插塞電極並從該第二主表面延伸穿過該第二半導體層到該第三主表面的第二絕緣體部。
根據請求項14所述的裝置，其中，該第一絕緣體部和該第二絕緣體部由相同的材料製成。
根據請求項14所述的裝置，其中，該第二絕緣層包括與該第二半導體層接觸的第一層以及布置在該第一層與該第三半導體層之間並與該第一層接觸的第二層，以及 <br/> 該第二層由與該第二絕緣體部不同的材料製成。
根據請求項16所述的裝置，其中，該第二絕緣體部由氧化矽製成，以及 <br/> 該第二層由氮化矽或多晶矽製成。
根據請求項12所述的裝置，其中，在該第五主表面上還布置有包括光學元件的第三結構。
根據請求項18所述的裝置，其中，該光學元件包括層內透鏡、濾色器和微透鏡中的至少一種。
根據請求項18所述的裝置，其中，該開口部還延伸穿過該第三結構，以及 <br/> 在到該第五主表面的正投影中，該開口部的延伸穿過該第三半導體層、該第二結構以及該第二半導體層的一部分布置在該開口部的布置在該第三結構中的一部分的內側。
根據請求項12所述的裝置，其中，該第一半導體層、該第二半導體層和該第三半導體層由矽製成， <br/> 該第一半導體層中的最大氧濃度高於該第二半導體層中的最大氧濃度，以及 <br/> 該第二半導體層中的最大氧濃度高於該第三半導體層中的最大氧濃度。
根據請求項12所述的裝置，其中，該第一半導體層、該第二半導體層和該第三半導體層由矽製成，以及 <br/> 該第二半導體層中的最大氧濃度高於該第一半導體層中的最大氧濃度和該第三半導體層中的最大氧濃度。
根據請求項22所述的裝置，其中，該第一半導體層中的最大氧濃度高於該第三半導體層中的最大氧濃度。
根據請求項1所述的裝置，其中，在到該第三主表面的正投影中， <br/> 該第二半導體層具有矩形形狀，以及 <br/> 該第二區域中的布置有該絕緣體部的區域的寬度不大於該第二半導體層的短邊的長度的1/100。
一種半導體結構，包括：<br/> 一第一介電層；<br/> 一半導體層，位於該第一介電層上方，該半導體層包括一源極區域、一汲極區域以及位於該源極區域與該汲極區域之間的一本體區域，其中該源極區域和該汲極區域皆與該第一介電層接觸；<br/> 一雙閘極結構，位於該本體區域上方；以及<br/> 一第一閘極接點和一第二閘極接點；<br/> 其中該雙閘極結構包括:<br/> 一第一閘極；<br/> 一第二閘極，包括一第一水平區段，該第一水平區段在橫向上與該第一閘極間隔 ；以及<br/> 一間隔材料，位於該第一閘極和該第二閘極的該第一水平區段之間；且<br/> 其中該第一閘極接點電性連接至該第一閘極，且該第二閘極接點電性連接至該第二閘極。
如請求項1所述之半導體結構，其中該半導體層的一厚度為介於3奈米至200奈米。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第二閘極的該第一水平區段和該第一閘極之間的一橫向間距為介於0.1奈米至20奈米。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一閘極的一底部表面和該半導體層的一頂部表面之間的一第一距離小於該第二閘極的該第一水平區段的一底部表面和該半導體層的該頂部表面之間的一第二距離。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第二閘極進一步包括一第二水平區段和連接該第一水平區段和該第二水平區段之一連接區段，並且該第二水平區段位於該第一閘極上方並與該第一閘極重疊。
如請求項5所述之半導體結構，其中該第二閘極的該第一水平區段的一底部表面和該半導體層的一頂部表面之間的一第二距離小於該第二閘極的該第二水平區段的一底部表面和該半導體層的該頂部表面之間的一第三距離。
如請求項1所述之半導體結構，其中該源極區域與該第一閘極相鄰，並且該汲極區域與該第二閘極的該第一水平區段相鄰。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一閘極在俯視中與該本體區域的一第一部分重疊，並且該第二閘極的該第一水平區段在俯視中與該本體區域的一第二部分重疊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一閘極位於該源極區域與該第二閘極的該第一水平區段之間。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一閘極的一第一長度大於該第二閘極的該第一水平區段之一第二長度。
如請求項1所述之半導體結構進一步包括位於該半導體層和該第一介電層之間的一電荷儲存層，其中該電荷儲存層與該半導體層接觸。
如請求項11所述之半導體結構，其中該電荷儲存層為一多晶矽層、一氮化矽層或一氮氧化矽層其中之一。
如請求項11所述之半導體結構，其中該源極區域和該汲極區域皆與該電荷儲存層接觸。
如請求項1所述之半導體結構進一步包括一背閘極，其中該第一介電層位於該背閘極和該半導體層之間。
如請求項14所述之半導體結構進一步包括位於該半導體層和該第一介電層之間的一電荷儲存層，其中該電荷儲存層與該半導體層接觸。
如請求項1所述之半導體結構，其中該雙閘極結構圍繞該本體區域的二或多側。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一閘極接點位於該第一閘極的一底側。
一種記憶體陣列，包括:<br/> 一第一介電層；<br/> 一半導體層，位於該第一介電層上方；以及<br/> 一第一行記憶單元，包括按照一第一方向排列的一第一記憶單元和一第二記憶單元，其中該第一記憶單元和該第二記憶單元中每一者包括在該半導體層中的一源極區域、在該半導體層中的一汲極區域、在該半導體層中位於該源極區域和該汲極區域之間的一本體區域以及位於該本體區域上方的一第一閘極和一第二閘極，其中該第一記憶單元和該第二記憶單元中每一者的該源極區域和該汲極區域皆與該第一介電層接觸，其中該第一記憶單元的該第二閘極包括橫向上與該第一記憶單元的該第一閘極間隔的一第一水平區段，該第二記憶單元的該第二閘極包括橫向上與該第二記憶單元的該第一閘極間隔的一第一水平區段，以及其中該第一記憶單元的該第一閘極電性連接至該第二記憶單元的該第一閘極，並且該第一記憶單元的該第二閘極電性連接至該第二記憶單元的該第二閘極。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該第二閘極進一步包括一第二水平區段以及連接該第一記憶單元的該第一水平區段和該第一記憶單元的該第二水平區段之一連接區段，且該第一記憶單元的該第二閘極的該第二水平區段位於該第一記憶單元的該第一閘極上方並與該第一記憶單元的該第一閘極重疊。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該本體區域和該第二記憶單元的該本體區域為浮置的。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該第一閘極之一第一閥值電壓小於該第一記憶單元的該第二閘極之一第二閥值電壓。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該第一閘極電性連接至該第一行的一第一字線，該第一記憶單元的該第二閘極電性連接至該第一行的一第二字線，以及該第一記憶單元的該汲極區域電性連接至一第一位元線。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第二記憶單元的該第一閘極電性連接至該第一行的一第一字線，該第二記憶單元的該第二閘極電性連接至該第一行的一第二字線，以及該第二記憶單元的該汲極區域電性連接至一第二位元線。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元未被選擇時，零電壓被施加至該第一記憶單元的該第一閘極，零電壓被施加至該第一記憶單元的該第二閘極，以及零電壓被施加至該第一記憶單元的該汲極區域。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作寫入時，一第一電壓被施加至該第一記憶單元的該第一閘極，一第二電壓被施加至該第一記憶單元的該第二閘極，以及一第三電壓被施加至該第一記憶單元的該汲極區域，其中該第一電壓、該第二電壓以及該第三電壓中每一者為正。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作寫入時，在該第一記憶單元的該本體區域中形成一第一通道和一第二通道；其中該第一通道與該第一記憶單元的該第一閘極重疊，該第二通道與該第一記憶單元的該第二閘極之該第一水平區段重疊，以及該第一通道與該第二通道不連續。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作消除時，一第一電壓被施加至該第一記憶單元的該第一閘極，一第二電壓被施加至該第一記憶單元的該第二閘極，以及零電壓被施加至該第一記憶單元的該汲極區域，其中該第一電壓和該第二電壓皆為正。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作讀取時，零電壓被施加至該第一記憶單元的該第一閘極上，一第四電壓被施加至該第一記憶單元的該第二閘極上，以及一第五電壓被施加至該第一記憶單元的該汲極區域上，其中該第四電壓和該第五電壓皆為正。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元和該第二記憶單元中每一者進一步包括一背閘極，其中該第一記憶單元的該背閘極與該第一記憶單元的該本體區域重疊，該第二記憶單元的該背閘極與該第二記憶單元的該本體區域重疊，該第一介電層位於該第一記憶單元的該本體區域和該第一記憶單元的該背閘極之間，以及該第一介電層位於該第二記憶單元的該本體區域和該第二記憶單元的該背閘極之間。
如請求項29所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該背閘極電性連接至該第二記憶單元的該背閘極。
如請求項29所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該背閘極電性連接至該第一行的一第三字線。
如請求項29所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元未被選擇時，一第六電壓被施加至該第一記憶單元的該背閘極，其中該第六電壓為負。
如請求項29所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作寫入時，一第六電壓被施加至該第一記憶單元的該背閘極，其中該第六電壓為負。
如請求項29所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作消除時，零電壓被施加至該第一記憶單元的該背閘極。
如請求項29所述之記憶體陣列，其中當該第一記憶單元被選作讀取時，零電壓被施加至該第一記憶單元的該背閘極。
如請求項18所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該第二閘極的該第一水平區段和該第一記憶單元的該第一閘極之間的一橫向間距為介於0.1奈米至20奈米。
如請求項18所述之記憶體陣列進一步包括一第二行記憶單元，其中該第二行記憶單元包括一第三記憶單元，該第三記憶單元包括在該半導體層中的一源極區域、在該半導體層中的一汲極區域、在該半導體層中位於該源極區域和該汲極區域之間的一本體區域以及在該本體區域之上的一第一閘極和一第二閘極，其中該第三記憶單元的該第二閘極包括橫向上與該第三記憶單元的該第一閘極間隔的一第一水平區段；以及其中該第一記憶單元和該第三記憶單元在異於該第一方向的一第二方向上排列。
如請求項37所述之記憶體陣列，其中該第三記憶單元的該第一閘極電性連接至該第二行的一第一字線，該第三記憶單元的該第二閘極電性連接至該第二行的一第二字線，以及該第三記憶單元的該汲極區域電性連接至一第一位元線。
如請求項37所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該源極區域和該第三記憶單元的該源極區域共用一源極接點。
如請求項37所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該汲極區域和該第三記憶單元的該汲極區域共用一汲極接點。
如請求項37所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元和該第三記憶單元由隔離材料間隔開。
如請求項37所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元和該第三記憶單元中的每一者進一步包括一背閘極，其中該第一記憶單元的該背閘極與該第一記憶單元的該本體區域重疊，該第三記憶單元的該背閘極與該第三記憶單元的該本體區域重疊，該第一介電層位於該第一記憶單元的該本體區域和該第一記憶單元的該背閘極之間，以及該第一介電層位於該第三記憶單元的該本體區域和該第三記憶單元的該背閘極之間。
如請求項42所述之記憶體陣列，其中該第一記憶單元的該背閘極電性連接至該第三記憶單元的該背閘極。
一種用以製作半導體結構的方法，包括:<br/> (a) 接收一第一結構，該第一結構包括位於一第一介電層上方的一第一基板；<br/> (b) 在該第一基板內定義一主動區；<br/> (c) 在該主動區上形成一雙閘極結構，其中該雙閘極結構包括一第一閘極、包括橫向上與該第一閘極間隔的一第一水平區段的一第二閘極，該第二閘極，以及橫向上位於該第一閘極和該第二閘極的該第一水平區段之間的一間隔材料；以及<br/> (d) 在該主動區內形成皆為延伸穿過該第一基板的一厚度與該第一介電層接觸之一源極區域和一汲極區域。
如請求項44所述之方法，其中該第一基板為一單晶基板，其由矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、碘化銦(InP)、碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)所構成。
如請求項44所述之方法，其中(c) 在該主動區上形成該雙閘極結構包括:<br/> (c1) 在該第一閘極介電質上形成該第一閘極；<br/> (c2) 在該第一閘極的一側壁上形成該間隔材料；<br/> (c3) 在鄰近該間隔材料處形成該第二閘極使得該第一閘極和該第二閘極由該間隔材料分隔開。
如請求項46所述之方法，其中(c2) 在該第一閘極的該側壁上形成該間隔材料包括在該第一閘極的該側壁上形成一第一閘極間隔和一第二閘極介電質至少其中之一。
如請求項44所述之方法，其中在(c) 在該主動區上形成該雙閘極結構之前該主動區內的一本體區域摻雜了一第一類材料。
如請求項48所述之方法，其中在(d) 在該主動區內形成該源極區域和該汲極區域中，該源極區域和該汲極區域藉由以一第二類材料摻雜該主動區的區域形成，該第二類材料不同於該第一類材料。
如請求項44所述之方法進一步包括(e)在該源極區域上形成一源極接點以及在該汲極區域上形成一汲極接點。
如請求項44所述之方法，其中在(a) 接收該第一結構中該第一結構進一步包含一第二基板，並且該第一介電層位於該第一基板和該第二基板之間。
如請求項51所述之方法，進一步包括:<br/> (f) 去除該第二基板；以及<br/> (g) 在該第一基板上形成一背閘極，其中該第一基板位於該雙閘極結構和該背閘極之間。
如請求項44所述之方法，其中在(a) 接收該第一結構中該第一結構進一步包括位於該第一基板和該第一介電層之間的一電荷儲存層。
如請求項44所述之方法，其中在(a) 接收該第一結構中該第一結構進一步包含一導電層，並且該第一介電層位於該第一基板和該導電層之間。
如請求項54所述之方法，其中在(a) 接收該第一結構中該第一結構進一步包含一第二介電層，其中該導電層位於該第一介電層和該第二介電層之間。
一種加密裝置，包括：<br/> 一記憶體陣列，用以儲存一鎖定資料；以及<br/> 一記憶體控制裝置，根據一操作指令而判斷上述鎖定資料是否等於一預設值，其中當上述記憶體控制裝置判斷上述鎖定資料等於上述預設值時，將一寫入鎖定設為一解鎖狀態，其中上述記憶體控制裝置基於上述寫入鎖定為上述解鎖狀態，將一寫入資料與一輸出密鑰進行一邏輯運算而產生一加密寫入資料，並將上述加密寫入資料寫入上述記憶體陣列而為一加密資料；<br/> 其中上述記憶體控制裝置包括：<br/> 一第一暫存器，用以暫存上述寫入鎖定；以及<br/> 一控制器，判斷上述鎖定資料以及上述預設值是否相等；<br/> 其中當上述鎖定資料等於上述預設值時，上述控制器利用一寫入鎖定致能信號致能上述第一暫存器，並且利用一寫入鎖定輸入信號將上述寫入鎖定設為上述解鎖狀態。
如請求項1之加密裝置，其中上述記憶體控制裝置包括：<br/> 一第二暫存器，用以暫存一密鑰鎖定；<br/> 一第三暫存器，用以暫存上述記憶體陣列之一信息鑑別碼記憶體位址之一信息鑑別碼；<br/> 一第一比較器，用以比較上述鎖定資料以及上述預設值而產生一第一比較結果；<br/> 一第二比較器，用以比較一摘要資訊以及上述信息鑑別碼而產生一第二比較結果；<br/> 一匯流排介面，自一匯流排接收上述操作指令、一加密致能信號、上述寫入資料、一操作記憶體位址、一加密記憶體位址、一密鑰、一隨機數以及一設定資訊，其中上述密鑰、上述隨機數以及上述設定資訊係對應至上述加密記憶體位址，其中上述加密記憶體位址包括一起始記憶體位址、一結束記憶體位址以及一信息鑑別碼記憶體位址，其中上述加密資料儲存於上述起始記憶體位址，上述鎖定資料儲存於上述結束記憶體位址；<br/> 一記憶體介面，耦接至上述記憶體陣列；<br/> 一緩衝器，耦接至上述記憶體介面，其中當上述第一比較器比較上述鎖定資料以及上述預設值時，上述緩衝器暫存上述鎖定資料，其中上述緩衝器暫存上述加密寫入資料以及上述加密資料；<br/> 一第一邏輯閘，對上述寫入資料以及上述輸出密鑰執行一互斥或邏輯運算，而產生上述加密寫入資料；以及<br/> 一第二邏輯閘，對上述加密資料以及上述輸出密鑰執行上述互斥或邏輯運算，而產生一讀取資料；<br/> 其中上述控制器根據上述操作指令以及上述操作記憶體位址，利用一記憶體控制信號經上述記憶體介面而控制上述記憶體陣列，且透過上述緩衝器以及上述記憶體介面存取上述記憶體陣列；<br/> 其中上述控制器根據上述第一比較結果而判斷上述鎖定資料以及上述預設值是否相等<br/> 其中當上述鎖定資料不等於上述預設值時，上述控制器將上述寫入鎖定設為一鎖定狀態。
如請求項2之加密裝置，其中上述記憶體控制裝置更包括：<br/> 一密碼裝置，包括：<br/> 一第四暫存器，用以儲存上述加密致能信號、上述加密記憶體位址、上述密鑰、上述隨機數以及上述設定資訊；<br/> 一第一多工器，根據一決定信號，輸出上述密鑰、上述隨機數以及上述設定資訊之一者；<br/> 一判斷單元，其中當上述判斷單元判斷上述操作記憶體位址位於上述加密記憶體位址中時，上述判斷單元根據上述密鑰鎖定、上述寫入鎖定、一操作信號、一信息鑑別碼致能信號以及一保護區域選擇信號，產生一判斷信號以及一密鑰致能信號；<br/> 一第一加密單元，將上述第一多工器輸出之上述隨機數以及上述操作記憶體位址進行一第一加密模式運算，而產生第一加密結果；<br/> 一第二加密單元，接收上述記憶體陣列所儲存之上述加密資料以及上述鎖定資料，且將上述加密資料、上述鎖定資料、上述第一多工器輸出之上述設定資訊以及上述加密記憶體位址之一起始記憶體位址以及一結束記憶體位址進行一第二加密模式運算，而產生一第二加密結果；<br/> 一密碼單元，利用上述第一加密結果以及上述第一多工器輸出之上述密鑰而產生一密鑰流，或利用上述第二加密結果以及上述第一多工器輸出之上述密鑰而產生一摘要資訊；<br/> 一第二多工器，根據上述控制器產生之一加密選擇信號，將上述第一加密結果或上述第二加密結果輸出至上述密碼單元；以及<br/> 一第三邏輯閘，將上述密鑰流以及上述密鑰致能信號進行一邏輯及運算，而產生上述輸出密鑰。
如請求項3之加密裝置，其中當一使用者透過上述匯流排介面將上述加密致能信號設定為一致能狀態時，上述控制器將上述寫入鎖定以及上述密鑰鎖定設定為上述鎖定狀態；<br/> 其中上述控制器根據為上述鎖定狀態之上述寫入鎖定，而不將上述寫入資料寫入上述加密記憶體位址中；<br/> 其中上述第三邏輯閘根據為上述鎖定狀態之上述密鑰致能信號，而不將上述密鑰流輸出為上述輸出密鑰；<br/> 其中上述使用者更透過上述匯流排介面，設定上述加密記憶體位址、上述密鑰、上述隨機數以及上述設定資訊。
如請求項4之加密裝置，其中上述控制器將一數值寫入上述結束記憶體位址而為上述鎖定資料，且上述數值與上述預設值不相同；<br/> 其中上述控制器更讀取上述加密記憶體位址之上述加密資料以及上述數值之上述鎖定資料；<br/> 其中上述密碼單元產生對應上述加密記憶體位址之上述摘要資訊；<br/> 其中上述控制器將上述密碼單元產生之摘要資訊寫入上述信息鑑別碼記憶體位址而為上述信息鑑別碼，並將對應上述加密記憶體位址之上述密鑰鎖定設為上述解鎖狀態。
如請求項5之加密裝置，其中上述控制器利用上述保護區域選擇信號選擇上述加密記憶體位址進行驗證上述信息鑑別碼，且致能信息鑑別碼致能信號；<br/> 其中上述控制器讀取上述加密記憶體位址之上述加密資料、上述鎖定資料以及上述信息鑑別碼；<br/> 其中上述密碼單元根據上述加密資料以及上述鎖定資料，產生上述摘要資訊；<br/> 其中上述第二比較器比較上述摘要資訊與上述信息鑑別碼是否相等；<br/> 其中當上述摘要資訊等於上述信息鑑別碼時，上述控制器將上述密鑰鎖定設為上述解鎖狀態；<br/> 其中當上述摘要資訊不等於上述信息鑑別碼時，上述控制器將上述密鑰鎖定設定為上述鎖定狀態。
如請求項6之加密裝置，其中上述判斷單元判斷上述操作記憶體位址是否在上述加密記憶體位址中；<br/> 其中當上述操作記憶體位址在上述加密記憶體位址中、上述操作信號係為一寫入狀態且上述寫入鎖定係為上述解鎖狀態時，上述判斷單元致能上述密鑰致能信號；<br/> 其中上述密碼單元利用上述第一加密單元所產生之上述第一加密結果以及上述密鑰而產生上述密鑰流，上述第三邏輯閘依據致能的上述密鑰致能信號而將上述密鑰流輸出為上述輸出密鑰；<br/> 其中上述第一邏輯閘利用上述輸出密鑰對上述寫入資料加密而產生一加密寫入資料；<br/> 其中上述控制器將上述加密寫入資料寫入上述記憶體陣列之上述操作記憶體位址，而為加密資料。
如請求項3之加密裝置，其中上述第一加密模式運算係為一計數器模式，其中上述第二加密模式運算係為係為一密碼區塊連結-信息鑑別碼模式。
一種操作方法，適用於一加密裝置，其中上述加密裝置包括一記憶體陣列，上述記憶體陣列儲存一鎖定資料，其中上述操作方法包括：<br/> 判斷上述鎖定資料是否等於一預設值；<br/> 當判斷上述鎖定資料等於上述預設值時，利用一寫入鎖定致能信號致能一第一暫存器，其中上述第一暫存器用以暫存一寫入鎖定；<br/> 利用一寫入鎖定輸入信號將一寫入鎖定設為一解鎖狀態；<br/> 當上述寫入鎖定為上述解鎖狀態時，將一寫入資料與一輸出密鑰進行加密而產生一加密寫入資料；以及<br/> 將上述加密寫入資料寫入上述記憶體陣列中。
如請求項9之操作方法，更包括：<br/> 當設置一加密記憶體位址時，執行一設置方法；<br/> 當比對上述鎖定資料時，執行一比對方法；<br/> 當燒錄上述加密記憶體位址之一信息鑑別碼時，執行一燒錄方法；<br/> 當驗證上述信息鑑別碼時，執行一驗證方法；<br/> 當對上述記憶體陣列執行一寫入操作時，執行一寫入方法；以及<br/> 當對上述記憶體陣列執行一讀取操作時，執行一讀取方法；<br/> 其中上述寫入方法執行之前，需依序執行上述設置方法以及上述比對方法各至少一次；<br/> 其中上述讀取方法執行之前，需依序執行上述設置方法、上述燒錄方法以及上述驗證方法各至少一次。
一種粗對苯二甲酸氫化精製催化劑，所述催化劑包含載體和活性組份；其中，所述活性組份包含鈀和釕， <br/>其中鈀與釕的重量之比為（3-10）：1，以元素計； <br/>其中，鈀為Pd<sup>0</sup>，釕包括Ru<sup>0</sup>和Ru<sup>4+</sup>；並且 <br/>其中Ru<sup>4+</sup>與Ru<sup>0</sup>的重量比為0.1-1.0。
如請求項1所述的催化劑，其中所述載體為活性碳。
如請求項2所述的催化劑，其中所述的活性碳為煤質炭、木質炭或果殼炭中的至少一種。
如請求項1所述的催化劑，其具有核-殼結構，其中核主要由載體組成，並且殼主要由活性組份組成。
如請求項4所述的催化劑，其中該殼的厚度為10-200微米。
如請求項4所述的催化劑，其中鈀和釕均勻分佈在該殼中。
如請求項1所述的催化劑，其中，在300℃下，鈀的晶粒增長率為10%或更低。
一種如請求項1-7中任一項所述的催化劑的製備方法，包括以下步驟： <br/>（1）提供催化劑載體； <br/>（2）將步驟（1）的催化劑載體與活性金屬源和烷基胺混合，混合物進行陳化和第一熱處理，得到催化劑前驅物； <br/>（3）用還原劑還原步驟（2）的催化劑前驅物，得到所述的催化劑，其中所述還原劑為水合肼，其中以水合肼與步驟（2）的催化劑前驅物的質量之比為1：（2-10）使用水合肼還原步驟（2）的催化劑前驅物，並且其中該還原在室溫下進行6-9小時。
如請求項8所述的方法，其進一步包括步驟：在將步驟（1）的催化劑載體與活性金屬源和烷基胺混合前，將活性金屬源、烷基胺和溶劑混合；並且 <br/>步驟（2）還包括，在第一熱處理前進行除溶劑。
如請求項8所述的方法，其進一步包括步驟：在步驟（3）的還原後，進行第二熱處理。
如請求項8所述的方法，其中所述烷基胺中的烷基選自C3-C20烷基中的一種。
如請求項8所述的方法，其中所述活性金屬源包含鈀鹽和釕鹽；所述鈀鹽選自硝酸鈀、醋酸鈀、氯鈀酸、氯鈀酸鹽、二氯四氨合鈀中的至少一種；所述的釕鹽選自硝酸釕、醋酸釕、三氯化釕中至少一種。
如請求項8所述的方法，其中所述活性金屬源包含鈀鹽和釕鹽；所述鈀鹽為醋酸鈀；所述釕鹽為醋酸釕。
如請求項9所述的方法，其中在步驟（2）中，所述溶劑、烷基胺和活性金屬的質量比為（5000-30000）：（20-50）：（5-20）。
一種如請求項1-7中任一項所述的催化劑在粗對苯二甲酸的氫化精製反應中的用途。
一種電機驅動的機床單元，如多軸旋轉頭或電主軸，所述機床單元具有定子單元(2)和包括至少一個轉子軸(105)的且能夠圍繞旋轉軸線(D)旋轉的轉子單元(3)，其中所述轉子單元(3)包括至少一個工具接納單元(108)，所述至少一個工具接納單元具有尤其能夠沿所述旋轉軸線(D)的縱向方向被調節的並且能夠被施加夾持力的工具夾持裝置(102)，所述工具夾持裝置用於固定和夾持工具(50)的能夠以可鬆脫的方式被固定的工具柄部，其中設有用於檢測所述工具(50)的負載的至少一個工具感測器(5)，其中在所述工具感測器(5)與所述旋轉軸線(D)之間設有間距(109)，其中在轉子單元(3)與定子單元(2)之間設有至少一個第一主軸軸承(121)、尤其是前滾動軸承，並且設有第二主軸軸承(122)、尤其是後滾動軸承，並且其中沿軸向方向觀察，所述工具感測器(5)佈置在所述第一主軸軸承(121)與所述工具夾持裝置(102)和/或所述工具柄部之間，其中設有至少一個電磁驅動系統(120)，並且尤其沿軸向方向觀察，所述至少一個電磁驅動系統佈置在所述第一主軸軸承(121)與所述第二主軸軸承(122)之間，其中，在所述工具感測器與所述旋轉軸線之間設有至少一個弱化結構(30，31)，以便在所述工具(50)受到負載時和/或在所述轉子單元(3)或其部分的負載情況發生變化時增大機械偏轉； <br/> 其中，所述弱化結構(30，31)被設計為形成在所述轉子單元(3)和/或所述轉子軸(105)和/或所述工具接納單元(108)的凹陷(30)，且所述凹陷(30)被設計為形成於所述轉子單元(3)和/或所述轉子軸(105)和/或所述工具接納單元(108)的徑向向外定向的表面上，和/或形成於所述轉子單元(3)和/或所述轉子軸(105)和/或所述工具接納單元(108)的徑向向內定向的表面上。
如請求項1所述之機床單元，其中，所述弱化結構(30，31)被設計為所述工具感測器(5)和/或所述工具感測器(5)的感測器元件(6)的懸臂(31)。
如請求項1或2所述之機床單元，其中，沿徑向方向觀察，所述弱化結構(30，31)和/或所述凹陷(30)佈置在所述工具感測器(5)與所述工具接納單元(108)之間。
如請求項1或2所述之機床單元，其中，沿徑向方向觀察，所述弱化結構(30，31)和/或所述凹陷(30)佈置在所述工具感測器(5)與所述旋轉軸線(D)之間。
如請求項1或2所述之機床單元，其中，沿軸向方向觀察，所述弱化結構(30，31)和/或所述凹陷(30)佈置在所述工具感測器(5)與所述第一滾動軸承(121)之間。
如請求項1或2所述之機床單元，其中，沿軸向方向觀察，所述弱化結構(30，31)和/或所述凹陷(30)佈置在所述工具接納單元(108)與所述第一滾動軸承(121)之間。
如請求項1所述之機床單元，其中，所述凹陷(30)被設計為所述轉子單元(3)內的空腔(30)並且尤其完全被所述轉子單元(3)的材料和/或部件包圍。
如請求項1或2所述之機床單元，其中，所述弱化結構(30，31)和/或所述凹陷(30)至少包括空氣。
如請求項1或2所述之機床單元，其中，所述弱化結構(30，31)包括至少一種塑膠。
如前述請求項1或2所述之機床單元，其中，所述弱化結構(30，31)包括至少一種金屬和/或不由鋼製成。
一種機床，所述機床具有工具(50)和如前述請求項1至10中的任一項所述之機床單元。
一種基於石墨烯之感測器，其包含：<br/>基板；<br/>藉由用雜質摻雜該基板之部分區域所形成之摻雜區；<br/>堆疊於除該摻雜區之一部分外之該基板上之絕緣體層；<br/>堆疊於該摻雜區上之石墨烯層；<br/>連接至該石墨烯層之第一電極；及<br/>連接至該摻雜區之第二電極，<br/>其中該摻雜區包含：<br/>經摻雜至具有第一濃度之第一摻雜區；及<br/>經摻雜至具有第二濃度之第二摻雜區，<br/>其中該第一濃度係等於或小於該第二濃度，<br/>其中於該基板上形成彼此隔開的複數個摻雜區，及<br/>其中該絕緣體層係經堆疊使得該複數個摻雜區經曝露。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其中該第一電極圍繞該石墨烯層之周邊。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其中該第二電極係位於該基板下方以與該石墨烯層相對。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其進一步包含一或多個自與該第一電極隔開之位置穿過該絕緣體層及該基板之通孔電極，<br/>其中該第二電極係連接至該一或多個通孔電極。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其中該第二電極穿過該絕緣體層以連接至該摻雜區。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其進一步包含與該第一電極隔開並與該石墨烯層接觸之第三電極。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其進一步包含：<br/>藉由蝕刻該基板至具有第一深度及第一寬度所形成之儲存單元；及<br/>藉由蝕刻該絕緣體層至具有第二深度及第二寬度所形成並經組態以將該儲存單元及該石墨烯層彼此連接之通道單元，<br/>其中該第二深度及該第二寬度分別小於該第一深度及該第一寬度。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其中該石墨烯層係經堆疊以對應於該複數個摻雜區，<br/>其中該基於石墨烯之感測器包含分別對應於該複數個摻雜區之複數個第一電極，及<br/>其中該第二電極係共同連接至該複數個摻雜區。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其中該石墨烯層係堆疊於該複數個摻雜區上，<br/>其中該基於石墨烯之感測器包含分別連接至該複數個摻雜區之複數個第二電極，及<br/>其中該第一電極係共同連接至該複數個摻雜區。
如請求項8或9之基於石墨烯之感測器，其進一步包含經組態以輸出透過該複數個摻雜區上之該石墨烯層測量的值之多工器。
如請求項1之基於石墨烯之感測器，其進一步包含位於該石墨烯層之表面上且包含於該石墨烯層中感應電荷之材料之反應層。
一種測量裝置，其包含：<br/>基於石墨烯之感測器，其中石墨烯層堆疊於形成在基板上之摻雜區上；及<br/>經組態以將該基於石墨烯之感測器之輸出電流轉化為電壓並輸出該電壓之輸出單元，<br/>其中該摻雜區包含：<br/>經摻雜至具有第一濃度之第一摻雜區；及<br/>經摻雜至具有第二濃度之第二摻雜區，<br/>其中該第一濃度係等於或小於該第二濃度，<br/>其中於該基板上形成彼此隔開的複數個摻雜區，及<br/>其中絕緣體層係經堆疊使得該複數個摻雜區經曝露。
如請求項12之測量裝置，其中該輸出單元包含：<br/>經組態以將該基於石墨烯之感測器之輸出電流轉化為電壓並輸出該電壓之預放大單元；及<br/>經組態以進行調整，使得該預放大單元之輸出電壓係於預定範圍內之反饋單元。
如請求項12之測量裝置，其進一步包含：<br/>經組態以顯示該輸出單元之輸出電壓之顯示單元；及<br/>經組態以將該輸出單元之該輸出電壓傳輸至外部之通訊單元。
如請求項12之測量裝置，其進一步包含：<br/>感測器陣列，其中該基於石墨烯之感測器係以一維或二維排列；及<br/>連接至構成該感測器陣列之複數個基於石墨烯之感測器之多工器，<br/>其中該輸出單元係經組態以透過該多工器選擇性地接收各基於石墨烯之感測器之輸出電流。
如請求項12之測量裝置，其進一步包含內部電路，該內部電路包括對應於人工神經網路之映射表集合，該人工神經網路經組態以接收藉由樣本與該基於石墨烯之感測器之反應層之材料之間的反應所獲得之測量值並輸出分析值。
如請求項12之測量裝置，其進一步包含：<br/>電壓施加單元，其經組態以將預定範圍內之電壓施加至該基於石墨烯之感測器；及<br/>測量單元，其經組態以根據在施加樣本前施加之電壓偵測該基於石墨烯之感測器之電阻或電流之第一測量值，及根據在施加該樣本後施加之電壓偵測並輸出該基於石墨烯之感測器之電阻或電流之第二測量值。
如請求項17之測量裝置，其中該測量單元輸出包含該第一測量值與該第二測量值之間的電壓特定差異中之最大差異之結果值。
如請求項17之測量裝置，其中該測量單元以固定時間間隔重複測量該第二測量值之過程，且每當進行重複時，根據施加之電壓輸出感測器之電阻或電流之第二測量值。
如請求項19之測量裝置，其中每當進行該重複時，該測量單元偵測並輸出該第一測量值與該第二測量值之間的最大差異之變化。
一種使用感測器陣列之分析方法，該感測器陣列包含複數個感測器，其中石墨烯層堆疊於摻雜於基板上之半導體區上，該方法包括：<br/>接收來自該感測器陣列之複數個基於石墨烯之感測器之複數個測量值；及<br/>藉由人工神經網路使用映射表集合中確定之算術運算接收該複數個測量值並獲得分析結果，<br/>其中該半導體區包含摻雜區，<br/>其中該摻雜區包含：<br/>經摻雜至具有第一濃度之第一摻雜區；及<br/>經摻雜至具有第二濃度之第二摻雜區，<br/>其中該第一濃度係等於或小於該第二濃度，<br/>其中於該基板上形成彼此隔開的複數個摻雜區，及<br/>其中絕緣體層係經堆疊使得該複數個摻雜區經曝露。
如請求項21之分析方法，其中施加至該複數個基於石墨烯之感測器之石墨烯層上之反應層之材料包含彼此不同之一部分及另一部分。
如請求項21之分析方法，其中該複數個基於石墨烯之感測器之反應層之材料包含以下中之至少一者：量子點、生物分子、氣體反應性分子或壓力反應性結構。
一種基於金屬氧化物半導體的電路，包括：<br/>基底；<br/>多個p阱區，位於所述基底之上且包括多個n通道金屬氧化物半導體場效電晶體；<br/>多個n阱區，位於所述基底之上且包括多個p通道金屬氧化物半導體場效電晶體；<br/>多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體的多個汲極/源極區；<br/>至少一個控制電路；<br/>多個第一導電連接部，將所述多個汲極/源極區中的所選擇汲極/源極區連接至所述多個p阱區及所述多個n阱區；<br/>多個第二導電連接部，將所述多個n通道金屬氧化物半導體場效電晶體中的所選擇n通道金屬氧化物半導體場效電晶體與所述多個p通道金屬氧化物半導體場效電晶體中的所選擇p通道金屬氧化物半導體場效電晶體連接至彼此；以及<br/>多個第三導電連接部，被配置成將所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體的多個閘極連接至所述至少一個控制電路。
如請求項1所述的電路，其中所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的一者的閘極進行浮置，以藉由所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的所述一者對所積聚的電荷進行放電，且所述至少一個控制電路連接至所述閘極，以在所述電路的操作期間施加偏壓來使所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的所述一者關斷。
如請求項2所述的電路，其中所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的所述一者的第一汲極/源極區連接至所述多個p阱區中的一者或連接至所述多個n阱區中的一者且所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的所述一者的第二汲極/源極區連接至所述基底。
如請求項2所述的電路，其中所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的所述一者的第一汲極/源極區連接至所述多個p阱區中的一者或連接至所述多個n阱區中的一者且所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的所述一者的第二汲極/源極區連接至所述多個第二導電連接部中的一者。
如請求項1所述的電路，其中所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的第一金屬氧化物半導體場效電晶體是所述多個n通道金屬氧化物半導體場效電晶體中將汲極區連接至所述多個p阱區/所述多個n阱區或者所述基底中具有較高電壓的一者的n通道金屬氧化物半導體場效電晶體。
如請求項1所述的電路，其中所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體中的第一金屬氧化物半導體場效電晶體是所述多個p通道金屬氧化物半導體場效電晶體中將源極區連接至所述多個p阱區/所述多個n阱區或者所述基底中具有較高電壓的一者的p通道金屬氧化物半導體場效電晶體。
一種基於金屬氧化物半導體的電路，包括：<br/>基底；<br/>第一阱區，位於所述基底之上；<br/>第二阱區，位於所述基底之上；<br/>第一金屬氧化物半導體場效電晶體，位於所述第一阱區中；<br/>第二金屬氧化物半導體場效電晶體，位於所述第二阱區中；<br/>第一控制電路，連接至所述第一金屬氧化物半導體場效電晶體的第一閘極；<br/>第二控制電路，連接至所述第二金屬氧化物半導體場效電晶體的第二閘極；以及<br/>連接部，其中所述第一金屬氧化物半導體場效電晶體的第一汲極/源極區連接至所述第一阱區且所述第一金屬氧化物半導體場效電晶體的第二汲極/源極區連接至所述裝置之間的所述連接部。
如請求項7所述的電路，其中所述第二金屬氧化物半導體場效電晶體的第一汲極/源極區連接至所述第二阱區且所述第二金屬氧化物半導體場效電晶體的第二汲極/源極區連接至所述裝置之間的所述連接部。
如請求項7所述的電路，其中所述第一金屬氧化物半導體場效電晶體的所述第一閘極進行浮置以藉由所述第一金屬氧化物半導體場效電晶體對所積聚的電荷進行放電且所述第二金屬氧化物半導體場效電晶體的所述第二閘極進行浮置以藉由所述第二金屬氧化物半導體場效電晶體對所積聚的電荷進行放電。
一種基於金屬氧化物半導體的製造方法，包括：<br/>在基底之上形成多個p阱區及多個n阱區；<br/>在所述基底之上形成位於所述多個p阱區中的多個n通道金屬氧化物半導體場效電晶體、位於所述多個n阱區中的多個p通道金屬氧化物半導體場效電晶體、以及多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體的多個閘極及多個汲極/源極區；<br/>形成多個第一導電連接部，所述多個第一導電連接部將所述多個汲極/源極區中的所選擇汲極/源極區連接至所述多個p阱區及所述多個n阱區；<br/>在形成所述多個第一導電連接部之後形成多個第二導電連接部，所述多個第二導電連接部對位於所述多個p阱區中的所述多個n通道金屬氧化物半導體場效電晶體中的所選擇n通道金屬氧化物半導體場效電晶體與位於所述多個n阱區中的所述多個p通道金屬氧化物半導體場效電晶體中的所選擇p通道金屬氧化物半導體場效電晶體進行連接；以及<br/>在形成所述多個第二導電連接部之後形成多個第三導電連接部，所述多個第三導電連接部將所述多個保護金屬氧化物半導體場效電晶體的所述多個閘極連接至至少一個控制電路。
一種加工裝置，其特徵在於，具備： <br/>載置台，其載置有工件，能夠沿第一方向移動； <br/>移動部件，其能夠沿與所述第一方向正交的第二方向移動； <br/>第一加工部，其具有以能夠旋轉的方式支撐能夠對工件進行開孔加工的第一旋轉工具、且被所述移動部件支撐的第一主軸；以及 <br/>第二加工部，其具有：第二主軸，其以能夠旋轉的方式支撐能夠對工件進行開孔加工的第二旋轉工具；以及支撐裝置，其以能夠沿所述第一方向和所述第二方向進行位置調整的方式支撐所述第二主軸，被所述移動部件支撐， <br/>所述支撐裝置具有：固定部，其固定於所述移動部件；支撐部，其以能夠以沿著與所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向延伸的第一轉動軸為中心而轉動的方式相對於所述固定部被支撐，支撐所述第二主軸；以及第一操作部，其使所述支撐部以所述第一轉動軸為中心而轉動。
如請求項1之加工裝置，其特徵在於， <br/>所述支撐部具有：第一支撐部件，其相對於所述固定部以能夠以所述第一轉動軸為中心而轉動的方式被支撐，由所述第一操作部操作；第二支撐部件，其相對於所述第一支撐部件以能夠以與所述第一轉動軸不同的第二轉動軸為中心而轉動的方式被支撐，支撐所述第二主軸；以及第二操作部，其使所述第二支撐部件以所述第二轉動軸為中心而轉動， <br/>所述第一轉動軸和所述第二轉動軸相互平行。
如請求項2之加工裝置，其特徵在於， <br/>所述第一操作部是通過沿所述第一方向進退來使所述第一支撐部件以所述第一轉動軸為中心而轉動的第一調整螺釘， <br/>所述第二操作部是通過沿所述第二方向進退來使所述第二支撐部件以所述第二轉動軸為中心而轉動的第二調整螺釘。
如請求項3之加工裝置，其特徵在於， <br/>所述第一調整螺釘在所述第二方向上夾著所述第二主軸而配置於與所述第一轉動軸相反的一側， <br/>所述第二調整螺釘在所述第一方向上夾著所述第二主軸而配置於與所述第二轉動軸相反的一側。
如請求項2至4任一項之加工裝置，其特徵在於， <br/>所述固定部、所述第一支撐部件和所述第二支撐部件分別具有所述第二主軸所插入的孔，沿所述第三方向相互並排地配置。
如請求項2至4任一項之加工裝置，其特徵在於， <br/>在沿所述第三方向觀察而描繪通過所述第一轉動軸且與所述第二方向平行的第一直線和通過所述第二轉動軸且與所述第一方向平行的第二直線時，所述第一操作部和所述第二操作部一起配置於由所述第一直線和所述第二直線劃分的四個區域內的一個區域。
如請求項1至4任一項之加工裝置，其特徵在於，還具備： <br/>致動器，其用於將所述第二主軸沿所述第三方向移動；以及 <br/>聯接機構，其聯接至所述第二主軸，能夠在能夠通過所述致動器來將所述第二主軸沿所述第三方向移動的聯接狀態和從所述第二主軸分離的分離狀態轉變，被所述移動部件支撐。
一種氣動拉拔器，包含：<br/> 一殼單元，界定一滑動空間；<br/> 一拉拔件，固定地連接於該殼單元，並包括一穿置在該滑動空間內的固定段，及一相反於該固定段的穿出段；<br/> 一閥單元，包括一固定地連接於該固定段的活塞，及一可移動地安裝在該活塞且用於控制氣體流動方向的換向閥組；及<br/> 一汽缸，可移動地穿置在滑動空間且套接於該固定段，並包括一圍繞該活塞且與該活塞氣密接觸的缸壁，該汽缸與該活塞界定一第一腔室與一第二腔室，且能夠受氣體的壓力作用沿該固定段相對該活塞在一第一換向位置與一第二換向位置間移動，在該第一換向位置時，該汽缸抵靠於該活塞的一側，且該換向閥組釋放氣體進入該第二腔室，在該第二換向位置時，該汽缸抵靠於該活塞的另一側，且該換向閥組釋放氣體進入該第一腔室，在該汽缸由該第一換向位置朝該第二換向位置移動的過程中，該汽缸沿該固定段朝遠離該穿出段的方向移動並撞擊該活塞。
如請求項1所述的氣動拉拔器，其中，該殼單元包括一外殼，及一連接於該外殼且與該外殼界定該滑動空間的端蓋，該外殼圍繞一軸線，並具有一開口部，及一相反於該開口部的盲端部，該端蓋連接於該開口部，且沿軸線方向與該盲端部相間隔，在該汽缸位於該第一換向位置時，該汽缸鄰近該盲端部且與該端蓋相間隔。
如請求項2所述的氣動拉拔器，其中，在該汽缸位於該第二換向位置時，該汽缸鄰近該端蓋且與該盲端部相間隔。
如請求項2所述的氣動拉拔器，其中，該殼單元的盲端部具有數個連通於該滑動空間與外界的排氣孔，該端蓋具有數個連通於該滑動空間與外界的排氣孔，該等排氣孔用於導引該滑動空間內的氣體排出外界，該汽缸還包括一連接於該缸壁、該拉拔件的第一缸蓋，及一連接於該缸壁且沿該軸線方向與該第一缸蓋相間隔的第二缸蓋，該第一缸蓋具有數個連通於該第一腔室與該滑動空間的出氣孔，該第二缸蓋具有數個連通於該第二腔室與該滑動空間的出氣孔，該等出氣孔用於導引該汽缸內的氣體進入該滑動空間。
如請求項4所述的氣動拉拔器，其中，該拉拔件還包括一由該穿出段延伸至該固定段且適用於連通一氣源的進氣流道，該活塞界定有一連通於該進氣流道的氣室，該換向閥組用於釋放該氣室內的氣體進入該汽缸內。
如請求項5所述的氣動拉拔器，其中，該活塞具有一朝向該第一缸蓋的第一端部，及一相反於該第一端部且朝向該第二缸蓋的第二端部，該第一端部具有數個連通於該氣室與該第一腔室的第一閥孔，該第二端部具有數個連通於該氣室與該第二腔室的第二閥孔，該換向閥組具有數個可移動地穿置在該第一閥孔與該第二閥孔間的換向閥桿，及數個套接於該等換向閥桿的氣密件，在該汽缸位於該第一換向位置時，該第一缸蓋鄰近該外殼的盲端部，該第二缸蓋接觸於該活塞的第一端部，且該等氣密件阻斷該氣室連通於該等第一閥孔，在該汽缸位於該第二換向位置時，該第一缸蓋接觸於該活塞，該第二缸蓋鄰近該端蓋，且該等氣密件阻斷該氣室連通於該等第二閥孔。
如請求項6所述的氣動拉拔器，其中，每一該換向閥桿沿該軸線方向的長度大於該活塞沿該軸線方向的長度，在該汽缸由該第二換向位置朝該第一換向位置移動的過程中，由該等第一閥孔穿出該活塞的該等換向閥桿，能夠被該第一缸蓋推擠而由該等第二閥孔穿出該活塞，在該汽缸由該第一換向位置朝該第二換向位置移動的過程中，由該等第二閥孔穿出該活塞的該等換向閥桿，能夠被該第二缸蓋推擠而由該等第一閥孔穿出該活塞。
如請求項5所述的氣動拉拔器，還包含一控制單元，該控制單元包括一連接於該穿出段的閥座、一安裝在該閥座的進氣閥組，及一安裝在該閥座且可被操作的扳機組，該閥座具有一連通於該進氣流道與該氣源且適用於導引氣體進入的通道，該進氣閥組可開啟地封閉該通道，該扳機組用於驅動該進氣閥組開放該通道。
如請求項8所述的氣動拉拔器，其中，該進氣閥組具有一能夠抵靠該閥座而封閉該通道的氣閥，及一抵靠在該閥座與該氣閥間的第一彈性元件，該氣閥能夠與該閥座界定一連通於該通道的開口，該第一彈性元件恆產生使該氣閥抵靠該閥座的彈力，該扳機組具有一穿置在該閥座且能夠相對該氣閥移動的開關閥桿，及一可被操作地樞接於該閥座且能夠帶動該開關閥桿的扳機，該開關閥桿用於驅動該氣閥與該閥座相間隔，且能夠控制該開口的口徑，該扳機與該閥座夾一第一夾角，該第一夾角的角度與該開口的口徑成反比。
如請求項9所述的氣動拉拔器，其中，該扳機組還包括一安全件，及一第二彈性元件，該安全件可擺動地樞接於該扳機，並具有一抵靠段，及一相反於該抵靠段的撥控段，該抵靠段與該扳機夾一第二夾角，該撥控段可被操作，且用於帶動該抵靠段縮小該第二夾角，該第二彈性元件抵靠於該扳機與該安全件間，恆產生使該抵靠段擴大該第二夾角且阻擋於該扳機與該閥座間的彈力。
如請求項8所述的氣動拉拔器，還包含一管單元，該管單元連接於該拉拔件的穿出段與該閥座，用於導引氣體由該閥座進入該進氣流道。
如請求項11所述的氣動拉拔器，其中，該管單元包括一套接於該穿出段且連通於該進氣流道的接頭，及一連接該接頭與該閥座的軟管。
一種用於對基板上的多個拍攝區域進行掃描及曝光之曝光設備，包括： <br/> 載台，被配置為保持和驅動所述基板；以及 <br/> 控制單元，被配置來控制所述載台的驅動，其藉由使用用於控制所述載台在所述拍攝區域不進行曝光的非曝光區段中的加速的第一加速度設定檔，以及用於控制所述載台在所述拍攝區域進行曝光的曝光區段中的加速的第二加速度設定檔， <br/> 其中所述第二加速度設定檔包含正弦波的一部分，以及 <br/> 所述控制單元，藉由使用所述第二加速度設定檔針對所述多個拍攝區域中的每一者控制所述載台的所述驅動，其中根據關於所述拍攝區域的尺寸的資訊來確定所述正弦波的角速度以及與所述第一加速度設定檔連接處的所述正弦波的相位中的至少一者。
如請求項1所述的設備，其中所述控制單元針對所述多個拍攝區域中的每一者，藉由使用所確定的所述第一加速度設定檔和所述第二加速度設定檔來控制所述載台的所述驅動，使得所述載台在所述曝光區段中的驅動距離成為根據所述多個拍攝區域的所述尺寸的距離。
如請求項2所述的設備，其中所述控制單元藉由使用所確定的所述第一加速度設定檔和所述第二加速度設定檔來控制所述載台的所述驅動，使得所述載台在所述曝光區段中的驅動時間被縮短。
如請求項1所述的設備，其中所述多個拍攝區域包含第一拍攝區域及小於所述第一拍攝區域的第二拍攝區域， <br/>所述第一拍攝區域的所述第二加速度設定檔包含半個週期的所述正弦波，且所述第二拍攝區域的所述第二加速度設定檔包含少於半個週期的所述正弦波。
如請求項4所述的設備，其中所述第一拍攝區域係位在所述基板內部，且所述第二拍攝區域係位在所述基板的週邊，以及 <br/>所述第二拍攝區域的一部分係位在所述基板外部。
如請求項1所述的設備，其中所述正弦波的角速度是低於所述載台的固有頻率的頻率。
如請求項1所述的設備，其中關於所述拍攝區域的所述尺寸的所述資訊包含表示所述拍攝區域在掃描方向上的長度的資訊。
如請求項1所述的設備，其中所述控制單元根據所述載台的速度來控制曝光量。
如請求項1所述的設備，其中 <br/> 所述多個拍攝區域中的每一者的預定位置都以相同的加速度進行曝光。
一種用於對基板上的多個拍攝區域進行掃描及曝光之曝光設備，包括： <br/> 載台，被配置為保持和驅動所述基板；以及 <br/> 控制單元，被配置來控制所述載台的驅動，其藉由使用用於控制所述載台在所述拍攝區域不進行曝光的非曝光區段中的加速的第一加速度設定檔，以及使用用於控制所述載台在所述拍攝區域進行曝光的曝光區段中的加速的第二加速度設定檔， <br/> 其中所述第二加速度設定檔包含正弦波的一部分，以及 <br/> 所述多個拍攝區域包含在掃描方向上其之長度等於或大於參考長度的第一拍攝區域，以及在所述掃描方向上其之長度短於所述參考長度的第二拍攝區域，以及 <br/>所述第二加速度設定檔係經確定以使得當所述第二拍攝區域進行曝光時，所述載台在所述掃描方向上的驅動距離短於當所述第一拍攝區域進行曝光時，所述載台在所述掃描方向上的驅動距離。
如請求項10所述的設備，其中所述參考長度係拍攝區域在所述掃描方向上的長度，所述拍攝區域的整個區域均位於所述基板的內部。
一種用於在基板上的多個拍攝區域進行掃描及曝光之曝光設備，包括： <br/> 載台，被配置為保持和驅動所述基板；以及 <br/> 控制單元，被配置藉由使用驅動設定檔來控制所述載台的驅動， <br/> 其中，所述驅動設定檔包含用於控制所述載台在所述拍攝區域不進行曝光的非曝光區段中的加速的第一加速度設定檔，以及用於控制所述載台在所述拍攝區域進行曝光的曝光區段中的加速的第二加速度設定檔， <br/> 所述第一加速度設定檔對應於換行區段，其中，在所述多個拍攝區域中，對排列在第一列的拍攝區域進行曝光後，驅動所述載台以對排列在不同於所述第一列的第二列的拍攝區域進行曝光，所述第一加速度設定檔包含第一正弦波的一部分，以及 <br/> 所述控制單元藉由使用所述驅動設定檔來控制所述載台的所述驅動，其中確定所述第一正弦波的角速度以及被包含在與所述第一加速度設定檔連接處的所述第二加速度設定檔中的第二正弦波的相位中的至少一者，以縮短所述載台在掃描方向上的驅動距離。
一種用於對基板上的多個拍攝區域進行掃描及曝光之曝光方法，包括： <br/> 確定用於驅動載台的驅動設定檔，所述載台被配置為在對所述多個拍攝區域進行曝光時保持基板；以及 <br/> 基於所述驅動設定檔來驅動所述載台的同時，對所述多個拍攝區域進行曝光， <br/> 其中，所述驅動設定檔包含用於控制所述載台在所述拍攝區域不進行曝光的非曝光區段中的加速的第一加速度設定檔，以及用於控制所述載台在所述拍攝區域進行曝光的曝光區段中的加速的第二加速度設定檔， <br/> 所述第二加速度設定檔包含正弦波的一部分，以及 <br/> 在所述確定所述驅動設定檔中，基於關於所述拍攝區域的尺寸的資訊，針對所述多個拍攝區域中的每一者確定所述正弦波的角速度以及與所述第一加速度設定檔連接處的所述正弦波的相位中的至少一者。
一種物品製造方法，包括： <br/> 使用如請求項13中定義的曝光方法對基板進行曝光； <br/> 對曝光的基板進行顯影；以及 <br/> 從顯影的基板製造物品。
一種用於對基板上的多個拍攝區域進行掃描及曝光之曝光設備，包括： <br/> 載台，被配置為保持和驅動所述基板；以及 <br/> 控制單元，被配置來控制所述載台的驅動，其藉由使用用於控制所述載台在所述拍攝區域不進行曝光的非曝光區段中的加速的第一加速度設定檔，以及使用用於控制所述載台在所述拍攝區域進行曝光的曝光區段中的加速的第二加速度設定檔， <br/> 其中所述第二加速度設定檔包含波形設定檔，以及 <br/> 所述控制單元藉由使用所述第二加速度設定檔來控制所述載台的所述驅動，其中，根據關於所述拍攝區域的尺寸的資訊確定所述波形設定檔的角速度以及與所述第一加速度設定檔連接處的所述波形設定檔的相位中的至少一者。
一種基板處理方法，其係處理包含金屬膜露出而形成之金屬膜形成區域、及絕緣膜露出而形成之金屬膜非形成區域之基板的基板處理方法，且包括：<br/>自組裝單分子膜形成步驟，其於上述金屬膜上形成自組裝單分子膜；<br/>膜形成步驟，其將上述自組裝單分子膜作為上述金屬膜之保護膜，於上述絕緣膜上形成膜；<br/>紫外線照射步驟，其藉由於含有氧原子之環境下對上述自組裝單分子膜照射紫外線，來降低上述自組裝單分子膜之表面之撥水性；及<br/>去除步驟，其使水性自組裝單分子膜去除液與上述紫外線照射步驟後之上述自組裝單分子膜接觸，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜。
如請求項1之基板處理方法，其中上述去除步驟係<br/>一面對上述水性自組裝單分子膜去除液施加物理作用，一面使上述水性自組裝單分子膜去除液與上述紫外線照射步驟後之上述自組裝單分子膜接觸之步驟。
如請求項2之基板處理方法，其中上述去除步驟係<br/>一面對上述水性自組裝單分子膜去除液賦予超音波振動，一面使上述水性自組裝單分子膜去除液與上述紫外線照射步驟後之上述自組裝單分子膜接觸，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜之步驟。
如請求項2之基板處理方法，其中上述去除步驟係<br/>藉由使液滴狀之上述水性自組裝單分子膜去除液與上述自組裝單分子膜接觸，來選擇性地去除上述自組裝單分子膜之步驟，該液滴狀之上述水性自組裝單分子膜去除液係使氣體與上述水性自組裝單分子膜去除液接觸而生成。
如請求項1至4中任一項之基板處理方法，其中上述紫外線之照射強度落於1 mW/cm<sup>2</sup>以上且50 mW/cm<sup>2</sup>以下之範圍內。
如請求項1至4中任一項之基板處理方法，其中上述水性自組裝單分子膜去除液至少含有有機酸。
如請求項1至4中任一項之基板處理方法，其中上述水性自組裝單分子膜去除液之酸解離常數pKa為-4以上且14以下。
如請求項1至4中任一項之基板處理方法，其中上述紫外線照射步驟後之上述自組裝單分子膜之表面之接觸角，於23℃對DIW為0°以上且40°以下。
一種基板處理方法，其係處理於表面設有自組裝單分子膜之基板的基板處理方法，且包括：<br/>紫外線照射步驟，其藉由於含有氧原子之環境下對上述自組裝單分子膜照射紫外線，來降低上述自組裝單分子膜之表面之撥水性；及<br/>去除步驟，其使水性自組裝單分子膜去除液與上述紫外線照射步驟後之上述自組裝單分子膜接觸，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜；其中<br/>上述紫外線之照射強度落於1 mW/cm<sup>2</sup>以上且50 mW/cm<sup>2</sup>以下之範圍內。
一種基板處理方法，其係處理於表面設有自組裝單分子膜之基板的基板處理方法，且包括：<br/>紫外線照射步驟，其藉由於含有氧原子之環境下對上述自組裝單分子膜照射紫外線，來降低上述自組裝單分子膜之表面之撥水性；及<br/>去除步驟，其使水性自組裝單分子膜去除液與上述紫外線照射步驟後之上述自組裝單分子膜接觸，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜；其中<br/>上述水性自組裝單分子膜去除液至少含有有機酸。
一種基板處理裝置，其係處理包含金屬膜露出而形成之金屬膜形成區域、及絕緣膜露出而形成之金屬膜非形成區域之基板的基板處理裝置，且具備：<br/>紫外線照射部，其照射紫外線；<br/>供給部，其將水性自組裝單分子膜去除液供給至上述基板之表面；及<br/>控制部，其控制上述紫外線照射部及上述供給部；<br/>上述基板係於上述金屬膜上形成有自組裝單分子膜，且將上述自組裝單分子膜作為上述金屬膜之保護膜而於上述絕緣膜上形成有膜者，<br/>上述控制部<br/>使上述紫外線照射部於含有氧原子之環境下將紫外線照射至上述自組裝單分子膜，藉此降低上述自組裝單分子膜之表面之撥水性，<br/>使上述供給部將上述水性自組裝單分子膜去除液供給至上述基板之表面，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜。
如請求項11之基板處理裝置，其中上述供給部具備超音波賦予部，<br/>上述控制部藉由控制上述超音波賦予部，來對上述水性自組裝單分子膜去除液賦予超音波振動。
如請求項11之基板處理裝置，其中上述供給部係供給液滴狀之上述水性自組裝單分子膜去除液之液滴供給部，<br/>上述控制部藉由控制上述液滴供給部，來使氣體與上述水性自組裝單分子膜去除液接觸，而生成液滴狀之上述水性自組裝單分子膜去除液，並使其朝向上述自組裝單分子膜噴射。
如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述控制部藉由控制上述紫外線照射部，使上述紫外線之照射強度落於1 mW/cm<sup>2</sup>以上且50 mW/cm<sup>2</sup>以下之範圍內。
如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述水性自組裝單分子膜去除液至少含有有機酸。
如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中上述水性自組裝單分子膜去除液之酸解離常數pKa為-4以上且14以下。
如請求項11至13中任一項之基板處理裝置，其中照射上述紫外線後之上述自組裝單分子膜之表面之接觸角，於23℃對DIW為0°以上且40°以下。
一種基板處理裝置，其係處理於表面設有自組裝單分子膜之基板的基板處理裝置，且具備：<br/>紫外線照射部，其照射紫外線；<br/>供給部，其將水性自組裝單分子膜去除液供給至上述基板之表面；及<br/>控制部，其控制上述紫外線照射部及上述供給部；<br/>上述控制部<br/>使上述紫外線照射部於含有氧原子之環境下將紫外線照射至上述自組裝單分子膜，藉此降低上述自組裝單分子膜之表面之撥水性，上述紫外線之照射強度落於1 mW/cm<sup>2</sup>以上且50 mW/cm<sup>2</sup>以下之範圍內，<br/>使上述供給部將上述水性自組裝單分子膜去除液供給至上述基板之表面，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜。
一種基板處理裝置，其係處理於表面設有自組裝單分子膜之基板的基板處理裝置，且具備：<br/>紫外線照射部，其照射紫外線；<br/>供給部，其將水性自組裝單分子膜去除液供給至上述基板之表面；及<br/>控制部，其控制上述紫外線照射部及上述供給部；<br/>上述水性自組裝單分子膜去除液至少含有有機酸，<br/>上述控制部<br/>使上述紫外線照射部於含有氧原子之環境下將紫外線照射至上述自組裝單分子膜，藉此降低上述自組裝單分子膜之表面之撥水性，<br/>使上述供給部將上述水性自組裝單分子膜去除液供給至上述基板之表面，藉此選擇性地去除上述自組裝單分子膜。
一種移行車系統，其具備有： <br/>移行用軌道，其形成移行車可自動移行之自動移行區間； <br/>作業用軌道，其形成上述移行車無法自動移行之非自動移行區間； <br/>移行車，其沿著上述移行用軌道移行；及 <br/>移動單元，其於上述非自動移行區間內，使上述移行車朝一方向移動；且 <br/>上述移動單元具有移動區塊、及使上述移動區塊朝上述一方向移動之移動機構， <br/>上述移行車具有： <br/>卡合部，其可卡合於上述移動區塊；及 <br/>切換機構，其使上述卡合部之位置在藉由上述移動區塊將上述卡合部加以卡合的第一位置與自上述移動區塊背離的第二位置之間切換； <br/>上述移動機構藉由使卡合上述卡合部之狀態的上述移動區塊朝上述一方向移動而使上述移行車移動。
如請求項1之移行車系統，其中，上述移動機構係包含螺桿軸與驅動部之直線運動機構。
如請求項2之移行車系統，其中，上述卡合部係以上述直線運動機構中以上述移動區塊的最大移動距離以下之間隔，於上述一方向排列兩個以上， <br/>上述移動機構係於使一個上述卡合部與上述移動區塊卡合並且使上述移行車朝上述一方向移動之後，使配置於較上述一個卡合部更靠上述一方向之上游側的另一個上述卡合部與上述移動區塊卡合，並使上述移行車朝上述一方向移動。
如請求項1或2之移行車系統，其中，上述移行用軌道具有： <br/>分支部；及 <br/>複數個導引件，其等將上述移行車朝在上述分支部中分支之各個方向引導；且 <br/>上述卡合部係分支滾輪，上述分支滾輪係藉由選擇性地抵接於上述分支部中之各個上述導引件，而於上述分支部中進行上述移行車之移行方向的切換。
如請求項1或2之移行車系統，其中，上述移動機構係由安裝於上述作業用軌道之支撐構件來支撐。
如請求項1或2之移行車系統，其中，上述作業用軌道係自建築物之天花板或設置於地面之架台被懸掛， <br/>上述移行車係藉由沿著上述作業用軌道移行而搬送物品的高架移行車。
如請求項1或2之移行車系統，其中，上述移行車具有藉由在與被設置於上述移行用軌道的磁板之間所產生之磁力而移行的線性馬達， <br/>於上述作業用軌道未設置上述磁板。
如請求項1或2之移行車系統，其中，於上述移行用軌道，配置有向上述移行車供電之供電線， <br/>於上述作業用軌道未設置上述供電線。
一種主機控制器管理對應儲存設備的完成隊列（CQ)的方法，包括：<br/> 由所述主機控制器從對應於目標CQ的給定提交隊列(SQ)中取出命令，其中所述給定SQ和所述目標CQ位於與所述儲存設備耦合的主機系統的儲存器中；<br/> 由所述主機控制器將命令保存在所述主機控制器的SQ內部緩衝器中；<br/> 由所述主機控制器計算與所述給定SQ相關聯的、用於所述主機系統儲存來自所述儲存設備的對所述命令的響應的可用容量(AC)，其中，可用容量的計算至少包含部分地基於目標CQ中的可用槽數量；以及<br/> 當所述可用容量非零時，由所述主機控制器向所述儲存設備發送命令。
如請求項1所述的方法，其中所述可用容量至少部分地基於所述給定SQ的給定閾值與所述目標CQ中的被源自所述給定SQ的命令的響應佔用的槽的數量之間的差值來計算。
如請求項2所述的方法，其中所述可用容量是所述目標CQ中的可用槽與所述差值中的最小值。
如請求項1所述的方法，其中所述可用容量是至少部分地基於所述主機控制器的CQ內部緩衝器中用於緩衝來自所述儲存設備的響應的可用槽來計算的。
如請求項4所述的方法，其中所述可用容量是以下各項中的最小值：(1)所述CQ內部緩衝器中的可用槽加上所述目標CQ中的可用槽，以及(2)所述給定SQ的給定閾值(TH)以及所述目標CQ和所述CQ內部緩衝器中被源自所述給定SQ的命令佔用的槽數量之間的差值。
如請求項4所述的方法，其中所述CQ內部緩衝器由所述主機系統中的所有CQ共同共享。
如請求項4所述的方法，其中所述主機系統包括用於多個CQ中的相應CQ的多個CQ內部緩衝器。
如請求項1所述的方法，其中發送所述命令還包括：<br/> 當所述儲存設備的活動命令隊列中的活動命令的數量在預定最大值內時，發送命令。
如請求項1所述的方法，還包括：<br/> 當所述主機系統中用於儲存所述響應的可用容量為零時，停止將來自給定SQ的命令發送到儲存設備。
如請求項1所述的方法，其中所述主機控制器根據通用閃存儲存(UFS)標準與所述儲存設備通信。
一種用於管理對應儲存設備的完成隊列(CQ)的系統，包括：<br/> 一個或多個處理器；<br/> 主機控制器，耦合到一個或多個處理器和儲存設備；以及<br/> 主機儲存器儲存提交隊列(SQ)和CQ，其中所述主機控制器可操作以：<br/> 從與所述主機儲存器中的目標CQ相對應的給定SQ中獲取命令；<br/> 將所述命令保存在所述主機控制器的SQ內部緩衝器中；<br/> 計算與給定SQ相關聯的、用於主機系統儲存來自所述儲存設備的對所述命令的響應的可用容量(AC)，其中可用容量的計算至少包含部分地基於目標CQ中的可用槽數量；以及<br/> 當所述可用容量非零時，向所述儲存設備發送命令。
如請求項11所述的系統，其中所述可用容量至少部分地基於所述給定SQ的給定閾值與所述目標CQ中被源自所述給定SQ的命令的響應所佔用的槽的數量之間的差值來計算。
如請求項12所述的系統，其中所述可用容量是所述目標CQ中的可用槽與所述差值中的最小值。
如請求項11所述的系統，其中所述可用容量是至少部分地基於所述主機控制器的CQ內部緩衝器中用於緩衝來自所述儲存設備的響應的可用槽來計算的。
如請求項14所述的系統，其中所述可用容量是以下各項中的最小值：(1)所述CQ內部緩衝器中的可用槽加上所述目標CQ中的可用槽，以及(2)所述給定SQ的給定閾值(TH)與所述目標CQ和所述CQ內部緩衝器中被源自所述給定SQ的命令佔用的槽數量之間的差值。
如請求項14所述的系統，其中所述CQ內部緩衝器由所述主機系統中的所有CQ共同共享。
如請求項14所述的系統，其中所述主機系統包括用於多個CQ中的相應CQ的多個CQ內部緩衝器。
如請求項11所述的系統，其中所述主機控制器還用於：<br/> 當所述儲存設備的活動命令隊列中的活動命令的數量在預定最大值內時，發送所述命令。
如請求項11所述的系統，其中所述主機控制器還可操作以：<br/> 當所述主機系統儲存所述響應的所述可用容量為零時，停止將所述給定SQ的命令發送到所述儲存設備。
如請求項11所述的系統，其中所述主機控制器根據通用閃存儲存(UFS)標準與所述儲存設備通信。
一種無線傳輸/接收單元（WTRU），包括：<br/> 一處理器；以及<br/> 一收發器；<br/> 該處理器以及該收發器被配置以接收一配置資訊，該配置資訊定義一第一搜尋空間集以及一第二搜尋空間集，該第一搜尋空間集包括一第一複數實體下鏈控制通道（PDCCH）候選，該第二搜尋空間集包括一第二複數PDCCH候選，其中該配置資訊包括表明該第一搜尋空間集以及該第二搜尋空間集被連結的一資訊，且其中該第一複數PDCCH候選的一數量與該第二複數PDCCH候選的一數量相同；以及<br/> 該處理器以及該收發器被配置以藉由下列而接收一下鏈控制資訊（DCI）：<br/> 基於該接收的配置資訊，使用該第一複數PDCCH候選的至少其中之一監視該DCI的一第一傳輸；<br/> 基於該接收的配置資訊，使用該第二複數PDCCH候選的至少其中之一監視該DCI的一第二傳輸；以及<br/> 使用該第一傳輸或該第二傳輸的任一者來解碼該DCI。
如請求項1所述的WTRU，其中該處理器以及該收發器更被配置以藉由使用該第一傳輸以及該第二傳輸兩者來解碼該DCI。
如請求項2所述的WTRU，其中該處理器以及該收發器更被配置以藉由結合該第一傳輸的一資訊以及該第二傳輸的一資訊來接收該DCI。
如請求項1所述的WTRU，其中：<br/> 該第一搜尋空間集與一聚合等級相關聯，且<br/> 該第二搜尋空間集關聯於與該第一搜尋空間集所關聯的該聚合等級對應的一聚合等級。
如請求項1所述的WTRU，其中該配置資訊表明該第一複數PDCCH候選中的每一者與該第二複數PDCCH候選中的一各自的PDCCH候選連結。
如請求項1所述的WTRU，其中該第一搜尋空間集與一第一控制資源集（CORESET）相關聯、以及該第二搜尋空間集與一第二CORESET相關聯。
如請求項6所述的WTRU，其中該第一傳輸以及該第二傳輸是使用不同波束而被接收。
一種由一無線傳輸/接收單元（WTRU）執行以用於接收具有增加的可靠性的下鏈傳輸的方法，該方法包括：<br/> 接收一配置資訊，該配置資訊定義一第一搜尋空間集以及一第二搜尋空間集，該第一搜尋空間集包括一第一複數實體下鏈控制通道（PDCCH）候選，該第二搜尋空間集包括一第二複數PDCCH候選，其中該配置資訊包括表明該第一搜尋空間集以及該第二搜尋空間集被連結的一資訊，且其中該第一複數PDCCH候選的一數量與該第二複數PDCCH候選的一數量相同；以及<br/> 藉由下列，接收一下鏈控制資訊（DCI）：<br/> 基於該接收的配置資訊，使用該第一複數PDCCH候選中的至少一者監視該DCI的一第一傳輸；<br/> 基於該接收的配置資訊，使用該第二複數PDCCH候選中的至少一者監視該DCI的一第二傳輸；以及<br/> 使用該第一傳輸或該第二傳輸的任一者來解碼該DCI。
如請求項8所述的方法，其中使用該第一傳輸或該第二傳輸的任一來解碼該DCI更包含藉由使用該第一傳輸以及該第二傳輸兩者來解碼該DCI。
如請求項9所述的方法，其中接收該DCI更包含藉由結合該第一傳輸的一資訊以及該第二傳輸的一資訊來接收該DCI。
如請求項8所述的方法，其中：<br/> 該第一搜尋空間集是與一聚合等級相關聯，以及<br/> 該第二搜尋空間集是關聯於與該第一搜尋空間集所關聯的該聚合等級對應的一聚合等級。
如請求項8所述的方法，其中該配置資訊表明該第一複數PDCCH候選中的每一者與該第二複數PDCCH候選中的一各自的一者連結。
如請求項8所述的方法，其中該第一搜尋空間集與一第一控制資源集（CORESET）相關聯、以及該第二搜尋空間集與一第二CORESET相關聯。
如請求項8所述的方法，其中該第一傳輸以及該第二傳輸是使用不同波束而被接收。
一種基地台，包括：<br/> 一處理器；以及<br/> 一收發器；<br/> 該處理器以及該收發器被配置以傳輸一配置資訊，該配置資訊定義一第一搜尋空間集以及一第二搜尋空間集，該第一搜尋空間集包括一第一複數實體下鏈控制通道（PDCCH）候選，該第二搜尋空間集包括一第二複數PDCCH候選，其中該配置資訊包括表明該第一搜尋空間集以及該第二搜尋空間集被連結的一資訊，且其中該第一複數PDCCH候選的一數量與該第二複數PDCCH候選的一數量相同；以及<br/> 該處理器以及該收發器被配置以藉由下列而發送一下鏈控制資訊（DCI）：<br/> 使用該第一複數PDCCH候選中的至少一者來傳輸該DCI的一第一傳輸；以及<br/> 使用該第二複數PDCCH候選中的至少一者來傳輸該DCI的一第二傳輸，其中，根據表明該第一搜尋空間集以及該第二搜尋空間集被連結的該配置資訊，該DCI的該第一傳輸包括控制資訊且該DCI的該第二傳輸包括該控制資訊。
如請求項15所述的基地台，其中：<br/> 該第一搜尋空間集是與一聚合等級相關聯，以及<br/> 該第二搜尋空間集是關聯於與該第一搜尋空間集所關聯的該聚合等級對應的一聚合等級。
如請求項15所述的基地台，其中該配置資訊表明該第一複數PDCCH候選中的每一者與該第二複數PDCCH候選中的一各自的一者連結。
如請求項15所述的基地台，其中該第一搜尋空間集與一第一控制資源集（CORESET）相關聯、以及該第二搜尋空間集與一第二CORESET相關聯。
如請求項15所述的基地台，其中該第一傳輸以及該第二傳輸是使用不同波束而被傳輸。
如請求項15所述的基地台，其中該第一傳輸以及該第二傳輸是使用不同正交分頻多工（OFDM）符號而被傳輸。
一種機架式機櫃之設備搭載機構，用來將設備往構成機架式機櫃之複數支柱內的內部空間裝填，其包含：<br/> 一對支柱，設置成彼此平行；<br/> 安裝器，以可朝向與包含該一對支柱之平面交叉的方向移動之方式，分別被該一對支柱所支持；及<br/> 安裝桿，一端連接於該安裝器的其中一者，另一端連接於該安裝器的另一者，並分別係以與該支柱大致平行之軸為中心轉動自如的方式連接，且被支持成大致水平；<br/> 該安裝桿係在被該支柱所包圍的空間內支持該設備的頂面，且在該安裝桿之兩端以該軸為中心轉動自如地與各安裝器連接的同時，該一端與該另一端的其中至少一者連接的該軸之一，其轉動的中心可朝向連結該軸與軸之方向移動。
如請求項1所述之機架式機櫃之設備搭載機構，其中，<br/> 該安裝器各自沿著彼此平行之一對導軌而移動自如地受到支持，該一對導軌係以朝向與包含複數該支柱中的相鄰之一對的一面交叉之方向的方式受到支持；<br/> 藉由設於該安裝器的該軸支持該安裝桿。
如請求項1所述之機架式機櫃之設備搭載機構，其中，<br/> 在該安裝桿之該一端與該另一端的其中任一者包含長孔，該長孔係以可使該軸轉動自如且可在該安裝桿之長邊方向上移動自如的方式支持該軸。
如請求項1所述之機架式機櫃之設備搭載機構，其中，<br/> 設於該設備之頂部的托架係鉤掛於該安裝桿的該一端與該另一端之間，而支持該設備。
如請求項1所述之機架式機櫃之設備搭載機構，其中，<br/> 在該安裝桿下方的該設備之移動區域包含引導構件，該引導構件係藉由與設在該設備之底部的被引導構件接觸，而將該設備之方向限定往既定方向。
一種寬頻環形共振腔元件之設計系統，其係用以根據一模擬共振元件得到該寬頻環形共振腔元件之一配置參數，該模擬共振元件具有一第一波導及一第二波導，該第一波導為一半圓形環波導且包含一第一耦合段，該第二波導包含一第二耦合段，該第二耦合段與該第一耦合段具有一耦合角度並相距一耦合間隙，該設計系統包含：<br/> 一使用者介面，接收該耦合間隙、多個波導寬度及多個波導半徑；以及<br/> 一處理器，通訊連接該使用者介面，該處理器用以：<br/> 根據該模擬共振元件，獲得符合式1之關係之一半徑與有效折射率關係，以根據該半徑與有效折射率關係得到該第一耦合段之一寬度與一半徑以及該第二耦合段之一寬度與一半徑，<br/><img align="absmiddle" height="362px" width="1162px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （式1），<br/> 其中，n<sub>eff1</sub>為一第一有效折射率，n<sub>eff2</sub>為一第二有效折射率，R<sub>1</sub>為該第一耦合段的該半徑，R<sub>2</sub>為該第二耦合段的該半徑，<i>d</i>為一誤差門檻值，且該誤差門檻值不大於10%；<br/> 調整該耦合角度，使該第二波導於一寬頻段耦合至該第一波導；<br/> 調整該第一耦合段之該寬度與該半徑、該第二耦合段之該寬度與該半徑、該耦合間隙及該耦合角度中之一；以及<br/> 輸出包含該第一耦合段之該寬度與該半徑、該第二耦合段之該寬度與該半徑、該耦合間隙及該耦合角度之該配置參數。
如請求項1所述的寬頻環形共振腔元件之設計系統，其中該處理器更用以再調整該配置參數中之一，使該第二波導於該寬頻段耦合至該第一波導的一耦合效率提升或降低1%至20%，以輸出已提升或降低的該耦合效率及對應的該配置參數。
如請求項1所述的寬頻環形共振腔元件之設計系統，其中該處理器用以再調整該第一耦合段之該寬度及該耦合角度中之一，使該第二波導於該寬頻段耦合至該第一波導的一耦合效率提升或降低1%至20%，以輸出已提升或降低的該耦合效率及對應的該配置參數。
如請求項1至3中任一項所述的寬頻環形共振腔元件之設計系統，其中該寬頻段所對應的一入射光波長段為1250奈米至1370奈米。
如請求項2至3中任一項所述的寬頻環形共振腔元件之設計系統，其中實質接近之該耦合效率的該寬頻段所對應的一入射光波長段為1280奈米至1330奈米。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>在記憶體單元區中設置包括隱埋絕緣層及主動層的第一基板； <br/>在所述主動層內形成在第一方向上延伸的背部閘極電極； <br/>藉由對所述主動層進行圖案化而在所述隱埋絕緣層上形成第一主動圖案及第二主動圖案，其中所述第一主動圖案的第一側與所述第二主動圖案的第二側分別設置於所述背部閘極電極的相對的側上； <br/>在所述第一主動圖案的與所述第一側相對的第三側上及在所述第二主動圖案的與所述第二側相對的第四側上形成第一字元線及第二字元線； <br/>形成位元線，所述位元線與所述第一主動圖案的第一表面及所述第二主動圖案的第一表面接觸且跨越所述第一字元線及所述第二字元線在第二方向上延伸； <br/>將第二基板結合至所述位元線上； <br/>藉由移除所述第一基板及所述隱埋絕緣層而暴露出所述第一主動圖案的與所述第一表面相對的第二表面以及所述第二主動圖案的與所述第一表面相對的第二表面； <br/>形成分別與所述第一主動圖案的所述第二表面及所述第二主動圖案的所述第二表面接觸的第一接觸圖案及第二接觸圖案； <br/>形成分別電性連接至所述第一接觸圖案及所述第二接觸圖案的第一電容器及第二電容器； <br/>將第三基板結合至所述第一電容器及所述第二電容器上； <br/>藉由移除所述第二基板而暴露出所述位元線；以及 <br/>形成電性連接至所述位元線的第一結合墊。
如請求項1所述的製造半導體裝置的方法，更包括： <br/>提供第四基板，所述第四基板包括位於核心/周邊區中的周邊電路及覆蓋所述周邊電路的絕緣層； <br/>形成設置於所述絕緣層上且電性連接至所述周邊電路的多個第二結合墊； <br/>將所述第一結合墊結合至所述多個第二結合墊中對應的第二結合墊；以及 <br/>藉由移除所述第三基板而暴露出所述第一電容器及所述第二電容器。
如請求項2所述的製造半導體裝置的方法， <br/>其中所述記憶體單元區在與所述第一基板的上表面垂直的垂直方向上至少局部地與所述核心/周邊區交疊。
如請求項2所述的製造半導體裝置的方法，更包括： <br/>在暴露出所述第一電容器及所述第二電容器之後，形成分別電性連接至所述第一電容器及所述第二電容器的第一單元接觸插塞及第二單元接觸插塞， <br/>其中形成所述第一電容器及所述第二電容器包括： <br/>在所述第一電容器及所述第二電容器中的每一者中形成位於儲存電極與平板電極之間的電容器介電層， <br/>其中所述平板電極由所述第一電容器與所述第二電容器共享，且 <br/>其中所述第一單元接觸插塞及所述第二單元接觸插塞中的每一者電性連接至所述第一電容器及所述第二電容器中的對應電容器的所述儲存電極。
如請求項4所述的製造半導體裝置的方法， <br/>其中所述第一單元接觸插塞及所述第二單元接觸插塞電性連接至佈置於所述核心/周邊區中的所述周邊電路，所述核心/周邊區不在與所述第一基板的上表面垂直的垂直方向上與所述記憶體單元區交疊。
如請求項2所述的製造半導體裝置的方法， <br/>其中所述第一結合墊的第一寬度不同於所述多個第二結合墊的第二寬度，且 <br/>其中藉由銅對銅（Cu對Cu）直接結合來執行所述將所述第一結合墊結合至所述對應的第二結合墊。
如請求項1所述的製造半導體裝置的方法， <br/>其中將所述第二基板結合至所述位元線上包括： <br/>在所述位元線與所述第二基板之間形成包含絕緣材料的第二結合介面層，且 <br/>其中將所述第三基板結合至所述第一電容器及所述第二電容器上包括： <br/>在所述第三基板與所述第一電容器及所述第二電容器中的每一者之間形成第三結合介面層，所述第三結合介面層包含與所述第二結合介面層實質上相同的絕緣材料。
如請求項7所述的製造半導體裝置的方法， <br/>其中所述第二結合介面層與所述第三結合介面層的所述相同的絕緣材料包括碳氮化矽（SiCN）。
如請求項1所述的製造半導體裝置的方法，更包括： <br/>形成電性連接至所述位元線的包括所述第一結合墊在內的多個結合墊， <br/>其中所述多個結合墊在相對於所述第一方向及所述第二方向的正交方向上彼此間隔開或者以蜂巢形狀彼此間隔開。
如請求項1所述的製造半導體裝置的方法， <br/>其中當在平面圖中觀察時，所述第一結合墊具有自正方形形狀、六邊形形狀、圓形形狀及橢圓形形狀選擇的形狀。
一種從使用移動預測來編碼的位元流中解碼影像的方法，該方法包含： <br/> 解碼能夠指示目前區塊未被跳過的旗標； <br/> 解碼預測模式資訊，其當該旗標指示該目前區塊未被跳過時，被使用來決定用於該目前區塊的預測模式為intra模式或inter模式； <br/> 基於該預測模式資訊，從包括該intra模式和該inter模式的複數個預測模式來決定使用以解碼該影像之該目前區塊的該預測模式； <br/> 在決定該inter模式用於目前區塊的情形中，編譯候選移動預測子之列表；以及 <br/> 將用於子區塊仿射預測的候選者放置為在該列表中比時間移動向量候選者較低的合併候選者，該子區塊仿射預測藉由使用二或三個移動向量，從與目前區塊相同的框且為在位置A1、B1、B0、A0及B2其中一處的該目前區塊之相鄰區塊的區塊，得到在該目前區塊中每子區塊的至少一移動向量，其中A1為該目前區塊之底部左邊的位置，B1為該目前區塊之右上部上方的位置，B0為對角線向上而至目前區塊之右邊的位置，A0為對角線向下而至目前區塊之左邊的位置以及B2為對角線向上而至目前區塊之左邊的位置。
如請求項1所述的方法，其中請求項1之該旗標為第一旗標，該方法更包含： <br/> 對於目前區塊，取得具有子區塊仿射預測的子區塊合併模式， <br/> 其中取得具有子區塊仿射預測的該子區塊合併模式的步驟包含：使用CABAC解碼，從該位元流解碼第二旗標， <br/> 其中用於該第二旗標之該CABAC解碼的背景變數係基於相鄰目前區塊的一或更多區塊是否使用inter子區塊仿射預測。
如請求項2所述的方法，其中該列表以已被使用來決定關於該目前區塊的背景變數的該區塊來開始。
如請求項2所述的方法，其中該相鄰區塊僅僅由目前區塊之頂部的左邊的區塊和目前區塊之左上部的上方的區塊組成。
如請求項2所述的方法，其中具有該第二旗標用於該子區塊合併模式的該背景變數係藉由將用於目前區塊之左邊的區塊的IsAffine和用於目前區塊上方的區塊的IsAffine加總來得到，其中IsAffine為若區塊非仿射區塊回覆0而若區塊為仿射區塊回覆1的函數。
一種使用移動預測將影像編碼成位元流的方法，該方法包含： <br/> 從包括intra模式和inter模式的複數個預測模式來決定使用以編碼該影像之目前區塊的預測模式； <br/> 在該位元流中包括能夠指示該目前區塊未被跳過的旗標； <br/> 在該位元流中包括預測模式資訊，其被使用以當該旗標指示該目前區塊未被跳過時，決定用於該目前區塊的預測模式為該intra模式或該inter模式； <br/> 在決定該inter模式用於目前區塊的情形中，編譯候選移動預測子之列表；以及 <br/> 將用於子區塊仿射預測的候選者放置為在該列表中比時間移動向量候選者較低的合併候選者，該子區塊仿射預測藉由使用二或三個移動向量，從與目前區塊相同的框且為在位置A1、B1、B0、A0及B2其中一處的該目前區塊之相鄰區塊的區塊，得到在該目前區塊中每子區塊的至少一移動向量，其中A1為該目前區塊之底部左邊的位置，B1為該目前區塊之右上部上方的位置，B0為對角線向上而至目前區塊之右邊的位置，A0為對角線向下而至目前區塊之左邊的位置以及B2為對角線向上而至目前區塊之左邊的位置。
如請求項6所述的方法，其中請求項6之該旗標為第一旗標，該方法更包含： <br/> 對於目前區塊，告知具有子區塊仿射預測的子區塊合併模式， <br/> 其中告知具有子區塊仿射預測的該子區塊合併模式的步驟包含：使用CABAC編碼來編碼第二旗標， <br/> 其中用於該第二旗標之該CABAC編碼的背景變數係基於相鄰目前區塊的一或更多區塊是否使用inter子區塊仿射預測。
如請求項7所述的方法，其中該列表以已被使用來決定關於該目前區塊的背景變數的該區塊來開始。
如請求項7所述的方法，其中該相鄰區塊僅僅由目前區塊之頂部的左邊的區塊和目前區塊之左上部的上方的區塊組成。
如請求項7所述的方法，其中具有該第二旗標用於該子區塊合併模式的該背景變數係藉由將用於目前區塊之左邊的區塊的IsAffine和用於目前區塊上方的區塊的IsAffine加總來得到，其中IsAffine為若區塊非仿射區塊回覆0而若區塊為仿射區塊回覆1的函數。
一種用於使用移動預測將影像編碼成位元流的編碼器，該編碼器包含： <br/> 組態以決定的單元，組態以從包括intra模式和inter模式的複數個預測模式來決定使用以編碼該影像之目前區塊的預測模式； <br/> 組態以在該位元流中包括旗標的單元，組態以在該位元流中包括能夠指示該目前區塊未被跳過的旗標； <br/> 組態以在該位元流中包括預測模式資訊的單元，組態以在該位元流中包括預測模式資訊，其被使用來當該旗標指示該目前區塊未被跳過時，決定用於該目前區塊的預測模式為該intra模式或該inter模式； <br/> 組態以編譯的單元，組態以在決定該inter模式用於目前區塊的情形中，編譯候選移動預測子之列表；以及 <br/> 組態以放置的單元，組態以將用於子區塊仿射預測的候選者放置為在該列表中比時間移動向量候選者較低的合併候選者，該子區塊仿射預測藉由使用二或三個移動向量，從與目前區塊相同的框且為在位置A1、B1、B0、A0及B2其中一處的該目前區塊之相鄰區塊的區塊，得到在該目前區塊中每子區塊的至少一移動向量，其中A1為該目前區塊之底部左邊的位置，B1為該目前區塊之右上部上方的位置，B0為對角線向上而至目前區塊之右邊的位置，A0為對角線向下而至目前區塊之左邊的位置以及B2為對角線向上而至目前區塊之左邊的位置。
一種用於從使用移動預測編碼的位元流中解碼影像的解碼器，該解碼器包含： <br/> 組態以解碼旗標的單元，組態以解碼能夠指示目前區塊未被跳過的旗標； <br/> 組態以解碼預測模式資訊的單元，組態以解碼預測模式資訊，其被使用來當該旗標指示該目前區塊未被跳過時，決定用於該目前區塊的預測模式為intra模式或inter模式； <br/> 組態以決定的單元，組態以基於該預測模式資訊，從包括該intra模式和該inter模式的複數個預測模式來決定使用以解碼該影像之該目前區塊的該預測模式； <br/> 組態以編譯的單元，組態以在決定該inter模式用於目前區塊的情形中，編譯候選移動預測子之列表；以及 <br/> 組態以放置的單元，組態以將用於子區塊仿射預測的候選者放置為在該列表中比時間移動向量候選者較低的合併候選者，該子區塊仿射預測藉由使用二或三個移動向量，從與目前區塊相同的框且為在位置A1、B1、B0、A0及B2其中一處的該目前區塊之相鄰區塊的區塊，得到在該目前區塊中每子區塊的至少一移動向量，其中A1為該目前區塊之底部左邊的位置，B1為該目前區塊之右上部上方的位置，B0為對角線向上而至目前區塊之右邊的位置，A0為對角線向下而至目前區塊之左邊的位置以及B2為對角線向上而至目前區塊之左邊的位置。
一種非暫態電腦可讀儲存媒體，其儲存程式以用於引起電腦執行從使用移動預測來編碼的位元流中解碼影像的方法，該方法包含： <br/> 解碼能夠指示目前區塊未被跳過的旗標； <br/> 解碼預測模式資訊，其當該旗標指示該目前區塊未被跳過時，被使用以決定用於該目前區塊的預測模式為intra模式或inter模式； <br/> 從包括該intra模式和該inter模式的複數個預測模式來基於該預測模式資訊決定使用以解碼該影像之該目前區塊的該預測模式； <br/> 在決定該inter模式用於目前區塊的情形中，編譯候選移動預測子之列表；以及 <br/> 將用於子區塊仿射預測的候選者放置為在該列表中比時間移動向量候選者較低的合併候選者，該子區塊仿射預測藉由使用二或三個移動向量，從與目前區塊相同的框且為在位置A1、B1、B0、A0及B2其中一處的該目前區塊之相鄰區塊的區塊，得到在該目前區塊中每子區塊的至少一移動向量，其中A1為該目前區塊之底部左邊的位置，B1為該目前區塊之右上部上方的位置，B0為對角線向上而至目前區塊之右邊的位置，A0為對角線向下而至目前區塊之左邊的位置以及B2為對角線向上而至目前區塊之左邊的位置。
一種非暫態電腦可讀儲存媒體，其儲存程式以用於引起電腦執行從使用移動預測將影像編碼成位元流的方法，該方法包含： <br/> 從包括intra模式和inter模式的複數個預測模式來決定使用以編碼該影像之目前區塊的預測模式； <br/> 在該位元流中包括能夠指示該目前區塊未被跳過的旗標； <br/> 在該位元流中包括預測模式資訊，其被使用以當該旗標指示該目前區塊未被跳過時，決定用於該目前區塊的預測模式為該intra模式或該inter模式； <br/> 在決定該inter模式用於目前區塊的情形中，編譯候選移動預測子之列表；以及 <br/> 將用於子區塊仿射預測的候選者放置為在該列表中比時間移動向量候選者較低的合併候選者，該子區塊仿射預測藉由使用二或三個移動向量，從與目前區塊相同的框且為在位置A1、B1、B0、A0及B2其中一處的該目前區塊之相鄰區塊的區塊，得到在該目前區塊中每子區塊的至少一移動向量，其中A1為該目前區塊之底部左邊的位置，B1為該目前區塊之右上部上方的位置，B0為對角線向上而至目前區塊之右邊的位置，A0為對角線向下而至目前區塊之左邊的位置以及B2為對角線向上而至目前區塊之左邊的位置。
一種用於使具有大直徑的管繞該等管的縱向軸線旋轉的旋轉設備（1），該旋轉設備（1）包含：<br/> - 一基體（2），<br/> - 配置在該基體（2）上的兩個支撐設備（3），<br/> 其中每一支撐設備（3）包含一底座（4）及至少一個搖桿元件，該至少一個搖桿元件可樞轉地安裝在該底座的一收容部中，且<br/> - 連接至該基體（2）的該底座（4），<br/> 其特徵在於：<br/> - 每一支撐設備（3）包含一第一搖桿元件（5）及一第二搖桿元件（6），<br/> - 該第一搖桿元件（5）包含一第一軸（7）且可樞轉地安裝在該底座的該收容部中的該第一軸（7）上，其中一主樞轉軸線延伸穿過該第一軸（7），<br/> - 該第一搖桿元件（5）包含兩個主樞轉臂（8、11），該等兩個主樞轉臂（8、11）自該第一軸（7）延伸出去且彼此以一固定角度配置，<br/> - 該第一搖桿元件的一第一主樞轉臂（8）包含一側臂（9），且在該側臂（9）的外端處配置有一滾輪軸（31），在該滾輪軸（31）上，一滾輪（10）可旋轉地安裝在該側臂上，<br/> - 該第一搖桿元件的一第二主樞轉臂（11）在一末端處包含用於一第二軸（21）的一收容部，<br/> - 一第二搖桿元件（6）可樞轉地安裝在該第二軸（21）上，其中一次樞轉軸線延伸穿過該第二軸（21），<br/> - 該第二搖桿元件（6）包含兩個樞轉臂（22、23），該等兩個樞轉臂（22、23）自該第二軸延伸出去且彼此以一固定角度配置，<br/> - 在該第二搖桿元件的每一樞轉臂（22、23）上配置有一滾輪軸（30），且在每一滾輪軸（30）上，一滾輪（24）可旋轉地安裝在該樞轉臂上，<br/> - 該主樞轉軸線及該次樞轉軸線彼此平行延伸，<br/> - 每一滾輪（10、24）包含一滾輪軸（30、31）及延伸穿過該滾輪軸的一旋轉軸線，且該等滾輪（10、24）的該等旋轉軸線彼此平行延伸且平行於支撐在該旋轉設備上的一管（100）的縱向軸線延伸，且<br/> - 該等滾輪（10、24）形成一管（100）的接觸點，使得當一管（100）被定位在該旋轉設備（1）上時，僅有該等滾輪（10、24）抵靠在管表面上。
如請求項1所述之旋轉設備（1），其中，該第二搖桿元件（6）的該等樞轉臂（22、23）形成為彼此鏡像對稱。
如請求項1或2所述之旋轉設備（1），其中，該搖桿元件（5、6）包含彼此連接的至少兩個平行的側構件（12、25），且該等滾輪（10、24）配置在該等側構件（12、25）之間。
如請求項1或2所述之旋轉設備（1），其中，該底座（4）以固定的方式連接至該基體（2）。
如請求項1或2所述之旋轉設備（1），其中，該底座（4）藉由連接元件安裝在該基體上，較佳地可調整地安裝在該基體上，且該基體較佳地包含網格形開口、槽形開口或一安裝導軌以容納該等連接元件。
如請求項1或2所述之旋轉設備（1），其中，該等支撐設備（3）相對該基體的一中心軸線（C）鏡像對稱地定位在該基體（2）上，其中該第一搖桿元件（5）的該側臂（9）分別朝向該基體的外側配置且該等第二搖桿元件（6）分別配置在面向該中心軸線的一側上。
如請求項1或2所述之旋轉設備（1），其中，該等滾輪軸（30）配置在該側臂及該第二搖桿元件的最外垂直端處，且該等滾輪（10、24）突出超過該側臂及該第二搖桿元件，使得該等滾輪（10、24）在該管的方向上形成最外接觸點。
一種用於旋轉管的系統，包含至少兩個如請求項1至7中之一項所述之旋轉設備及具有至少8 m的一管直徑的一管。
一種表面處理銅箔，其具有銅箔及形成於該銅箔之至少一面之表面處理層， <br/>該表面處理層之山部之實體部體積Vmp為0.022～0.060 μm<sup>3</sup>/μm<sup>2</sup>， <br/>該山部之平均高度Spk為0.42～1.00 μm。<sup> </sup>
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該山部之實體部體積Vmp為0.030～0.055 μm<sup>3</sup>/μm<sup>2</sup>。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該山部之實體部體積Vmp為0.035～0.046 μm<sup>3</sup>/μm<sup>2</sup>。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該山部之平均高度Spk為0.60～0.95 μm。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該山部之平均高度Spk為0.71～0.90 μm。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之展開界面面積率Sdr為40～130%。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之展開界面面積率Sdr為53～120%。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之展開界面面積率Sdr為62～110%。
如請求項5之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之展開界面面積率Sdr為53～120%。
如請求項5之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之展開界面面積率Sdr為62～110%。
如請求項1之表面處理銅箔，其中，該表面處理層中之Zn附著量為6～200 μg/dm<sup>2</sup>。
如請求項11之表面處理銅箔，其中，該表面處理層中之Zn附著量為82～200 μg/dm<sup>2</sup>。
如請求項1至3中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層含有粗化處理層。
一種覆銅積層板，其具備如請求項1至13中任一項之表面處理銅箔及接著於該表面處理銅箔之該表面處理層之樹脂基材。
一種印刷配線板，其具備對如請求項14之覆銅積層板之該表面處理銅箔進行蝕刻而形成之電路圖案。
一種吸入用藥物組合物，包括：<br/> 奧達特羅或其藥學上可接受的鹽；和<br/> 雷芬那辛或其藥學上可接受的鹽，<br/> 其中該組合物的pH值為4.0–5.5。
如請求項1所述之組合物，其中，該奧達特羅或其藥學上可接受的鹽的含量為1–100 µg/mL。
如請求項1所述之組合物，其中，該雷芬那辛或其藥學上可接受的鹽的含量為1–100 µg/mL。
如請求項1所述之組合物，其中，該奧達特羅或其藥學上可接受的鹽和該雷芬那辛或其藥學上可接受的鹽的重量比例為100 : 1–1 : 100。
如請求項1至4任一所述之組合物，更包括透明質酸或其藥學上可接受的鹽。
如請求項1至4任一所述之組合物，更包括氯化鈉、EDTA或其藥學上可接受的鹽類、環糊精或其藥學上可接受的鹽類、和／或檸檬酸／檸檬酸鹽緩衝液。
請求項1至6任一所述之組合物在製備預防或治療呼吸系統疾病的吸入用藥物組合物的用途。
一種移行軌條，其供移行車移行，且沿著第1方向及與上述第1方向正交之第2方向被配置成格子狀；該移行車係具有與軌條上表面接觸的移行車輪、及當上述移行車輪與上述軌條上表面接觸時位於上述軌條上表面之上方的輔助車輪；上述軌條具有上述移行軌條、及交叉部軌條； <br/>上述移行軌條被配置成在與被配置在格子狀之交點的上述交叉部軌條之間，形成有被設置在上述移行車輪之下方的連結部可通過的間隙； <br/>該移行軌條具備有輔助構件，該輔助構件係可裝卸地安裝於被設置在長度方向之端部的安裝部，並從上述軌條上表面突出，且與上述輔助車輪接觸，該長度方向係上述移行車在上述移行軌條上的移行方向。
如請求項1之移行軌條，其中，上述安裝部係被形成在上述長度方向之上述端部且在上述長度方向延伸的槽部。
如請求項2之移行軌條，其中，上述輔助構件具有： <br/>本體；抵壓部，其包含從上述長度方向之至少一側抵接於上述本體的抵壓斜面；及螺絲，其以貫通之方式一併插入上述本體及上述抵壓部； <br/>在上述本體、上述抵壓部、及上述螺絲被配置在上述槽部內的狀態下鎖緊上述螺絲，藉此將上述本體安裝於上述安裝部。
如請求項2或3之移行軌條，其中，與上述輔助車輪接觸的上述輔助構件之輔助移行面，在與上述長度方向正交且沿著上述軌條上表面的寬度方向，被形成在偏向上述槽部之中心線之一側或另一側的位置。
一種移行車系統，其具備有： <br/>請求項1至3中任一項之移行軌條；及 <br/>上述移行車，其沿著上述移行軌條移行。
一種移行車系統，其具備有： <br/>請求項4之移行軌條；及 <br/>上述移行車，其沿著上述移行軌條移行，上述輔助車輪在上述寬度方向被配置在偏向上述槽部之中心線之一側及另一側的位置。
一種管理人工智慧模型之方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>自客戶端裝置接收請求； <br/>確認與上述請求相關聯之資訊； <br/>基於上述資訊，確認與上述請求對應之至少一個人工智慧模型； <br/>其中，確認上述至少一個人工智慧模型之步驟包括：將上述至少一個人工智慧模型各者確認為基於第1類型之處理器單元之人工智慧模型、及基於第2類型之處理器單元之人工智慧模型中之一者，其中，包括上述至少一個人工智慧模型中之基於上述第1類型之處理器單元之人工智慧模型的第1處理組包括關鍵字感測模型，且包括上述至少一個人工智慧模型中之基於上述第2類型之處理器單元之人工智慧模型的第2處理組包括光學字元辨識模型； <br/>基於與上述至少一個人工智慧模型之輸入/輸出關係之資訊，確認上述至少一個人工智慧模型之執行順序； <br/>基於上述執行順序，識別控制資訊； <br/>向上述至少一個人工智慧模型傳輸基於上述資訊而識別之上述控制資訊； <br/>自上述至少一個人工智慧模型接收上述控制資訊之結果資訊；及 <br/>向上述客戶端裝置提供上述結果資訊； <br/>其中，當上述至少一個人工智慧模型被劃分為複數個執行組時，該複數個執行組係基於上述輸入/輸出關係之資訊而識別為彼此獨立之組，上述至少一個人工智慧模型之上述執行順序包括該複數個執行組各者中包括之人工智慧模型間之執行順序， <br/>其中上述複數個執行組為並列執行； <br/>其中上述資訊包括如下資訊：上述請求之識別資訊、與上述請求對應之上述至少一個人工智慧模型之資訊、上述至少一個人工智慧模型之輸入資料之資訊、及與上述請求對應之執行類型之資訊； <br/>其中上述執行類型之資訊係基於直至接收到上述結果資訊之預計時間而確定； <br/>其中於上述執行類型為第2類型之情形時，向上述客戶端裝置提供上述結果資訊之步驟可包括如下步驟： <br/>向資料處理平台傳輸上述結果資訊。
如請求項1之管理人工智慧模型之方法，其中於上述執行類型為第1類型之情形時，向上述客戶端裝置提供上述結果資訊之步驟包括如下步驟： <br/>對應於上述結果資訊之接收，向處於等待中之上述客戶端裝置提供上述結果資訊。
如請求項1之管理人工智慧模型之方法，其中接收上述請求之步驟包括如下步驟： <br/>對應於上述請求之接收，向上述客戶端裝置傳輸上述識別資訊。
如請求項3之管理人工智慧模型之方法，其中上述資料處理平台中儲存之上述結果資訊係由上述客戶端裝置基於上述識別資訊而識別者。
如請求項1之管理人工智慧模型之方法，其中確認上述至少一個人工智慧模型之步驟包括如下步驟： <br/>將包括上述至少一個人工智慧模型中之基於上述第1類型之處理器單元之人工智慧模型的上述第1處理組、及包括上述至少一個人工智慧模型中之基於上述第2類型之處理器單元之人工智慧模型的上述第2處理組分別分配至第1類型之處理器單元伺服器、及第2類型之處理器單元伺服器。
如請求項5之管理人工智慧模型之方法，其中上述第2類型之處理器單元伺服器包括複數個實例，且 <br/>與上述第2處理組中包括之人工智慧模型各者對應之實例係基於上述第2處理組中包括之人工智慧模型之記憶體使用的歷史資料而確定。
一種電子裝置，其係用以管理人工智慧模型者，其包括： <br/>收發器； <br/>儲存器，其儲存有一個以上之命令；及 <br/>處理器，其自客戶端裝置接收請求， <br/>確認與請求相關聯之資訊， <br/>基於上述資訊，確認與上述請求對應之至少一個人工智慧模型， <br/>基於與上述至少一個人工智慧模型之輸入/輸出關係之資訊，確認上述至少一個人工智慧模型之執行順序； <br/>基於上述執行順序，識別控制資訊； <br/>向上述至少一個人工智慧模型傳輸基於上述資訊而識別之上述控制資訊， <br/>自上述至少一個人工智慧模型接收上述控制資訊之結果資訊，且 <br/>向上述客戶端裝置提供上述結果資訊； <br/>其中，於確認上述至少一個人工智慧模型時，上述處理器將上述至少一個人工智慧模型各者確認為基於第1類型之處理器單元之人工智慧模型、及基於第2類型之處理器單元之人工智慧模型中之一者；其中包括上述至少一個人工智慧模型中之基於上述第1類型之處理器單元之人工智慧模型的第1處理組包括關鍵字感測模型，及 <br/>包括上述至少一個人工智慧模型中之基於上述第2類型之處理器單元之人工智慧模型的第2處理組包括光學字元辨識模型； <br/>其中，當上述至少一個人工智慧模型被劃分為複數個執行組時，該複數個執行組係基於上述輸入/輸出關係之資訊而識別為彼此獨立之組，上述至少一個人工智慧模型之上述執行順序包括該複數個執行組各者中包括之人工智慧模型間之執行順序， <br/>其中上述複數個執行組為並列執行； <br/>其中上述資訊包括如下資訊：上述請求之識別資訊、與上述請求對應之上述至少一個人工智慧模型之資訊、上述至少一個人工智慧模型之輸入資料之資訊、及與上述請求對應之執行類型之資訊； <br/>其中上述執行類型之資訊係基於直至接收到上述結果資訊之預計時間而確定； <br/>其中於上述執行類型為第2類型之情形時，向上述客戶端裝置提供上述結果資訊之步驟可包括如下步驟： <br/>向資料處理平台傳輸上述結果資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種光學成像模組，包含： <br/>一光學成像透鏡組，包含至少一光學透鏡元件； <br/>一光路轉折元件，具有一入光面、一出光面以及至少一光學反射面，且該光路轉折元件設置於該光學成像透鏡組的像側；以及 <br/>一遮光元件，該遮光元件設置於該至少一光學透鏡元件和該光路轉折元件中的其中一者上，且該遮光元件包含： <br/>一開孔，該開孔與該光路轉折元件的該入光面和該出光面中的其中一者對應設置；及 <br/>一遮光面，該遮光面與該開孔相鄰設置，且該遮光面設置有一抗反射遮光膜層； <br/>其中，該抗反射遮光膜層的表面具有複數個奈米微結構，且該些奈米微結構呈現無規則的形式排列； <br/>其中，該遮光面與該光路轉折元件的該入光面、該出光面和該至少一光學反射面中的至少一者相對設置； <br/>其中，該遮光面與該光路轉折元件之間的間距為D，其滿足下列條件： <br/>0 mm ＜ D ＜ 1.8 mm。
如請求項1所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件的該入光面相對設置。
如請求項1所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件的該出光面相對設置。
如請求項1所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件的該至少一光學反射面相對設置。
如請求項4所述的光學成像模組，其中該光路轉折元件的該至少一光學反射面是藉由一光學全反射現象來反射一成像光線。
如請求項4所述的光學成像模組，其中該光路轉折元件的該至少一光學反射面是藉由一高反射鍍膜來反射一成像光線。
如請求項1所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的結構形狀呈現一球狀凸起結構。
如請求項7所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的該球狀凸起結構的大小為BS，其滿足下列條件： <br/>12 nm ＜ BS ＜ 138 nm。
如請求項1所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的結構形狀呈現一脊狀凸起結構。
如請求項9所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的該脊狀凸起結構的大小為RS，其滿足下列條件： <br/>60 nm ＜ RS ＜ 360 nm。
如請求項1所述的光學成像模組，其中該光路轉折元件的該至少一光學反射面的數量大於或等於二。
如請求項1所述的光學成像模組，其中該遮光元件的該開孔為一非圓開孔。
如請求項1所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件之間的間距為D，其滿足下列條件： <br/>0 mm ＜ D ＜ 1.2 mm。
一種光學成像模組，包含： <br/>一光學成像透鏡組，包含至少一光學透鏡元件； <br/>一光路轉折元件，具有一入光面、一出光面以及至少一光學反射面，且該光路轉折元件設置於該光學成像透鏡組的像側；以及 <br/>一遮光元件，該遮光元件設置於該至少一光學透鏡元件和該光路轉折元件中的其中一者上，且該遮光元件包含： <br/>一遮光面，該遮光面朝向該光路轉折元件設置，且該遮光面設置有一抗反射遮光膜層； <br/>其中，該抗反射遮光膜層的表面具有複數個奈米微結構，且該些奈米微結構呈現無規則的形式排列； <br/>其中，該遮光面與該光路轉折元件的該入光面、該出光面和該至少一光學反射面中的至少一者相對設置； <br/>其中，該遮光面與該光路轉折元件之間的間距為D，其滿足下列條件： <br/>0 mm ＜ D ＜ 1.8 mm。
如請求項14所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件的該入光面相對設置。
如請求項14所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件的該出光面相對設置。
如請求項14所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件的該至少一光學反射面相對設置。
如請求項17所述的光學成像模組，其中該光路轉折元件的該至少一光學反射面是藉由一光學全反射現象來反射一成像光線。
如請求項17所述的光學成像模組，其中該光路轉折元件的該至少一光學反射面是藉由一高反射鍍膜來反射一成像光線。
如請求項14所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的結構形狀呈現一球狀凸起結構。
如請求項20所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的該球狀凸起結構的大小為BS，其滿足下列條件： <br/>12 nm ＜ BS ＜ 138 nm。
如請求項14所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的結構形狀呈現一脊狀凸起結構。
如請求項22所述的光學成像模組，其中各該奈米微結構的該脊狀凸起結構的大小為RS，其滿足下列條件： <br/>60 nm ＜ RS ＜ 360 nm。
如請求項14所述的光學成像模組，其中該光路轉折元件的該至少一光學反射面的數量大於或等於二。
如請求項14所述的光學成像模組，其中該遮光面設置於該至少一光學透鏡元件和該光路轉折元件之間。
如請求項14所述的光學成像模組，其中該遮光面與該光路轉折元件之間的間距為D，其滿足下列條件： <br/>0 mm ＜ D ＜ 1.2 mm。
一種相機模組，包含： <br/>如請求項14所述的光學成像模組；以及 <br/>一電子感光元件。
一種電子裝置，包含： <br/>如請求項27所述的相機模組。
一種半導體裝置的製造方法，包括：分割第一晶圓以將所述第一晶圓的第一晶粒與所述第一晶圓的第二晶粒分離；將所述第一晶粒和所述第二晶粒接合到第二晶圓的第一側，其中在將所述第一晶粒和所述第二晶粒接合到所述第二晶圓的所述第一側之後，在所述第一晶粒和所述第二晶粒之間設置間隙，其中所述第一晶粒和所述第二晶粒中的每一個的第一介電層直接接合到所述第二晶圓的第二介電層，並且其中所述間隙的第一部分具有第一寬度，所述第一寬度比所述間隙的第二部分的第二寬度大；在所述第一晶粒和所述第二晶粒的頂面和側壁上以及所述間隙內的底面上沉積第三介電層；在所述第三介電層上方形成模製材料以填充所述間隙；執行平坦化製程以暴露所述第一晶粒和所述第二晶粒的頂面；以及使用導電連接件將封裝基底耦合到所述第二晶圓的第二側，所述第二晶圓的所述第二側是與所述第二晶圓的所述第一側相對的側。
如請求項1所述的方法，其中所述第三介電層包括氧化矽、氮氧化矽、碳氮化矽或原矽酸四乙酯。
如請求項2所述的方法，其中所述第三介電層的厚度在0.1μm至2μm的範圍內。
如請求項1所述的方法，其中執行所述平坦化製程更包括去除所述第三介電層的一部分和所述模製材料的一部分，其中在執行所述平坦化製程之後，所述第一晶粒和所述第二晶粒的頂面與所述第三介電層和所述模製材料的頂面齊平。
如請求項1所述的方法，其中分割所述第一晶圓以將所述第一晶圓的所述第一晶粒與所述第一晶圓的所述第二晶粒分離包括：在所述第一晶圓的第一側上執行等離子體切割製程，以形成設置在所述第一晶粒和所述第二晶粒的相鄰側壁之間的第一凹槽和第二凹槽；以及對所述第一晶圓的第二側進行刀片切割製程以形成溝槽，其中所述溝槽重疊並連接所述第一凹槽和所述第二凹槽。
一種製造半導體裝置的方法，包括：將多個晶粒接合到晶圓，其中在將所述多個晶粒接合到所述晶圓之後，在所述多個晶粒中的相鄰晶粒之間設置間隙，其中所述間隙的頂部部分具有比所述間隙的底部部分的寬度更大的寬度；在所述間隙內的所述相鄰晶粒的側壁上以及所述間隙的底面上沉積第一介電層，其中所述第一介電層填充所述間隙的底部部分；形成模製材料以填充所述間隙的頂部部分；以及平坦化所述模製材料，使得所述模製材料的頂面與所述多個晶粒中的所述相鄰晶粒的頂面齊平。
如請求項6所述的方法，其中所述第一介電層將所述模製材料與所述相鄰晶粒的所述側壁以及所述間隙內的所述晶圓的頂面隔離。
如請求項6所述的方法，其中所述多個晶粒中的每一個包括：頂部部分，具有第一寬度；以及底部部分，具有第二寬度，所述第二寬度大於所述第一寬度。
一種封裝，包括：第一晶粒和第二晶粒，位於第三晶粒的第一側之上並且接合至所述第三晶粒的所述第一側，其中所述第一晶粒和所述第二晶粒包括：頂部部分；以及底部部分，其中每個所述頂部部分具有第一寬度，並且每個所述底部部分具有大於所述第一寬度的第二寬度；第一介電層，設置在所述頂部部分的相鄰側壁上以及所述底部部分的相鄰側壁上；以及模製材料，位於所述第一介電層上方，其中所述模製材料設置在所述第一晶粒和所述第二晶粒的所述底部部分上方，並且其中所述模製材料的頂面與所述第一介電層的頂面齊平。
如請求項9所述的封裝，其中所述第一介電層的熱膨脹係數低於所述模製材料的熱膨脹係數。
一種用以露出優惠資訊之裝置，其包括：一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>獲得用以購買一個以上之商品之用戶之訂單的訂單資訊， <br/>基於上述用戶之用戶資訊，確定上述用戶是否為加入會員資格之用戶， <br/>隨著確定上述用戶為未加入上述會員資格之用戶，基於上述訂單資訊，實行對上述訂單之結算， <br/>確定於上述用戶加入上述會員資格之情形時將對上述訂單應用之優惠， <br/>將第1露出資訊傳輸至上述用戶之用戶終端，該第1露出資訊係用以於對上述訂單付款之後將上述優惠之優惠資訊露出於上述用戶終端， <br/>隨著獲得對應於所露出之上述優惠資訊而輸入且指示欲加入上述會員資格之意願之加入意願資訊，將第2露出資訊傳輸至上述用戶終端，該第2露出資訊係用以將用以加入上述會員資格之資訊露出於上述用戶終端， <br/>隨著獲得上述用戶已加入上述會員資格之資訊，對實行上述結算之上述訂單應用上述優惠， <br/>其中上述優惠資訊為如下之資訊：於上述用戶於距實行上述結算之時點預先確定之時間間隔內加入上述會員資格之情形時，指示可對上述訂單應用上述優惠，且 <br/>其中上述第1露出資訊係用以於上述預先確定之時間間隔期間於上述訂單之結算完成畫面露出上述優惠資訊之資訊。
如請求項1之裝置，其中確定於上述用戶加入上述會員資格之情形時將對上述訂單應用之優惠包括： <br/>基於上述訂單資訊，確定上述一個以上之商品中之至少一個商品是否為與上述會員資格對應之商品；及 <br/>隨著確定上述至少一個商品為與上述會員資格對應之商品，確定將對上述訂單應用之上述優惠。
如請求項1之裝置，其中上述第2露出資訊係根據上述用戶是否已於過去加入上述會員資格而將不同之資訊露出於上述用戶終端之資訊。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>將第3露出資訊傳輸至上述用戶終端，該第3露出資訊係用以於上述用戶終端中露出已對上述訂單應用上述優惠。
如請求項1之裝置，其中上述優惠係對作為上述訂單之結算金額之第1金額應用預先確定之折扣之優惠， <br/>對實行上述結算之上述訂單應用上述優惠包括： <br/>實行對上述第1金額與根據上述優惠而應用於上述訂單之第2金額之間之差額之返還，藉此對上述訂單應用上述優惠。
如請求項1之裝置，其中上述優惠係上述一個以上之商品中之至少一個商品根據預先確定之特定配送方式而配送之優惠。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>隨著獲得對應於所露出之上述優惠資訊而輸入且指示拒絕加入上述會員資格之意願之加入拒絕資訊，將第4露出資訊傳輸至上述用戶終端，該第4露出資訊係指示上述優惠資訊於上述預先確定之時間間隔期間露出於上述用戶終端之畫面之至少一部分。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於自上述用戶資訊、上述訂單資訊及上述優惠中選擇之至少一者，確定上述預先確定之時間間隔。
一種用以露出優惠資訊之方法，其係於包括一個以上之處理器及儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令之一個以上之記憶體的裝置中實行者，其包括如下步驟： <br/>獲得用以購買一個以上之商品之用戶之訂單之訂單資訊； <br/>基於上述用戶之用戶資訊，確定上述用戶是否為加入會員資格之用戶； <br/>隨著確定上述用戶為未加入上述會員資格之用戶，基於上述訂單資訊，實行對上述訂單之結算，確定於上述用戶加入上述會員資格之情形時將對上述訂單應用之優惠；及 <br/>將第1露出資訊傳輸至上述用戶之用戶終端，該第1露出資訊係用以於對上述訂單付款之後將上述優惠之優惠資訊露出於上述用戶終端， <br/>隨著獲得對應於所露出之上述優惠資訊而輸入且指示欲加入上述會員資格之意願之加入意願資訊，將第2露出資訊傳輸至上述用戶終端，該第2露出資訊係用以將用以加入上述會員資格之資訊露出於上述用戶終端， <br/>隨著獲得上述用戶已加入上述會員資格之資訊，對實行上述結算之上述訂單應用上述優惠， <br/>其中上述優惠資訊為如下之資訊：於上述用戶於距實行上述結算之時點預先確定之時間間隔內加入上述會員資格之情形時，指示可對上述訂單應用上述優惠，且 <br/>其中上述第1露出資訊係用以於上述預先確定之時間間隔期間於上述訂單之結算完成畫面露出上述優惠資訊之資訊。
如請求項9之方法，其中確定將對上述訂單應用之上述優惠之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述訂單資訊，確定上述一個以上之商品中之至少一個商品是否為與上述會員資格對應之商品；及 <br/>隨著確定上述至少一個商品為與上述會員資格對應之商品，確定將對上述訂單應用之上述優惠。
如請求項9之方法，其中上述優惠係對作為上述訂單之結算金額之第1金額應用預先確定之折扣之優惠， <br/>對實行上述結算之上述訂單應用上述優惠之步驟包括如下步驟： <br/>實行對上述第1金額與根據上述優惠而應用於上述訂單之第2金額之間之差額之返還，藉此對上述訂單應用上述優惠。
如請求項9之方法，其中上述優惠係上述一個以上之商品中之至少一個商品根據預先確定之特定配送方式而配送之優惠。
一種電腦可讀記錄媒體，其係記錄用以藉由一個以上之處理器而執行之命令之非暫時性電腦可讀記錄媒體，其中上述命令係於執行上述命令時使上述一個以上之處理器執行如下操作： <br/>獲得用以購買一個以上之商品之用戶之訂單之訂單資訊， <br/>基於上述用戶之用戶資訊，確定上述用戶是否為加入會員資格之用戶， <br/>隨著確定上述用戶為未加入上述會員資格之用戶，基於上述訂單資訊，實行對上述訂單之結算， <br/>基於上述訂單資訊，確定於上述用戶加入上述會員資格之情形時將對上述訂單應用之優惠， <br/>將第1露出資訊傳輸至上述用戶之用戶終端，該第1露出資訊係用以於對上述訂單付款之後將上述優惠之優惠資訊露出於上述用戶終端， <br/>隨著獲得對應於所露出之上述優惠資訊而輸入且指示欲加入上述會員資格之意願之加入意願資訊，將第2露出資訊傳輸至上述用戶終端，該第2露出資訊係用以將用以加入上述會員資格之資訊露出於上述用戶終端， <br/>隨著獲得上述用戶已加入上述會員資格之資訊，對實行上述結算之上述訂單應用上述優惠， <br/>其中上述優惠資訊為如下之資訊：於上述用戶於距實行上述結算之時點預先確定之時間間隔內加入上述會員資格之情形時，指示可對上述訂單應用上述優惠，且 <br/>其中上述第1露出資訊係用以於上述預先確定之時間間隔期間於上述訂單之結算完成畫面露出上述優惠資訊之資訊。
一種促進芬頓反應(Fenton reaction)的載體，包含一普魯士藍奈米立方體(Prussian blue nanocube)以及一脂質組分，其中該脂質組分包覆該普魯士藍奈米立方體，該脂質組分是由1,2-二油醯基-3-三甲基銨-丙烷(1,2-dioleoyl-3-trimethylammonium- propane, DOTAP)、甲氧基聚乙烯醛(methoxy-polyethylene-aldehyde, mPEG-CHO)以及膽固醇所組成，該DOTAP、該mPEG-CHO以及該膽固醇的莫耳比為5：1：4，該mPEG-CHO占該載體的比例為5 wt%~40 wt%，該DOTAP占該載體的比例為30 wt%~50 wt%，該膽固醇占該載體的比例為20 wt%~35 wt%。
如請求項1所述的載體，其中該DOTAP是一陽離子脂質組分。
如請求項1所述的載體，其中該普魯士藍奈米立方體占該載體的比例為1 wt%~10 wt%。
一種用於製備一如請求項1至3中任一項所述的載體的方法，包含以下步驟： <br/>(a) 將聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone, PVP)以及六氰基鐵酸鉀(III)(K <sub>3</sub>[Fe(CN) <sub>6</sub>])溶於去離子水中，得到一黃色溶液； <br/>(b) 對該黃色溶液添加鹽酸，接而在室溫下攪拌，然後進行加熱，得到一藍色溶液； <br/>(c) 將該藍色溶液離心並用醇類洗滌以收集沉澱物，接而將該沉澱物重懸於醇類中並進行乾燥處理，得到該普魯士藍奈米立方體；以及 <br/>(d) 將該脂質組分溶解在醇類中，接而加入該普魯士藍奈米立方體並將醇類蒸發，得到該載體，該脂質組分是由1,2-二油醯基-3-三甲基銨-丙烷(1,2-dioleoyl-3-trimethylammonium- propane, DOTAP)、甲氧基聚乙烯醛(methoxy-polyethylene-aldehyde, mPEG-CHO)以及膽固醇所組成，該DOTAP、該mPEG-CHO以及該膽固醇的莫耳比為5：1：4。
如請求項4所述的方法，其中在步驟(d)中，在醇類蒸發後，一薄的脂質膜被形成，然後加入磷酸鹽緩衝生理鹽水(phosphate buffered saline, PBS)，該薄的脂質膜被進行超音波水合處理。
一種如請求項1至3中任一項所述的載體用於提高活體外細胞的基因遞送效率的用途。
一種如請求項1至3中任一項所述的載體用於製備一癌症的基因治療之醫藥組成物的用途。
如請求項7所述的用途，其中該癌症是肺癌。
一種電子裝置，包括： <br/>基板； <br/>資料線，設置於所述基板上； <br/>透明導電層，設置於所述資料線上且具有狹縫，其中所述狹縫具有主幹部，且所述主幹部沿第一方向延伸； <br/>第一遮光層，設置於所述資料線上並與所述資料線重疊；以及 <br/>第二遮光層，設置於所述第一遮光層上， <br/>其中所述第一遮光層沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向之間具有第一夾角，且所述第一夾角滿足以下關係式：0° ≦ θ1 ≦ 20°，其中θ1為所述第一夾角。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一遮光層的材料包括金屬材料。
如請求項1所述的電子裝置，其更包括介質層，所述介質層設置於所述第一遮光層與所述第二遮光層之間且具有配向方向，其中所述第二方向與所述配向方向之間具有第二夾角，且所述第二夾角滿足以下關係式：0° ≦ θ5 ≦ 20°，其中θ5為所述第二夾角。
如請求項3所述的電子裝置，其中部分的所述第二遮光層與所述第一遮光層重疊，所述部分的第二遮光層沿第三方向延伸，其中所述第三方向與所述配向方向之間具有第三夾角，且所述第三夾角滿足以下關係式：0° ≦ θ7≦ 20°，其中θ7為所述第三夾角。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述第二遮光層的材料包括黑色樹脂。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述第二方向與所述第三方向之間具有第四夾角，且所述第四夾角滿足以下關係式：0° ≦ θ9 ≦ 15°，其中θ9為所述第四夾角。
如請求項1所述的電子裝置，其更包括閘極線，其中相鄰的所述閘極線與相鄰的所述資料線定義出子畫素結構，所述透明導電層包括多個狹縫，且所述多個狹縫中的一者與多個所述子畫素結構對應地設置。
如請求項7所述的電子裝置，其中所述透明導電層包括多個透明導電圖案，且相鄰的所述透明導電圖案通過連接電極而彼此電連接。
如請求項8所述的電子裝置，其中所述連接電極被所述第二遮光層覆蓋。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述資料線的延伸方向與所述第一遮光層延伸的所述第二方向之間具有第五夾角，且所述第五夾角滿足以下關係式：0° ≦ θ10 ≦ 15°，其中θ10為所述第五夾角。
一種聲學輸出裝置，其特徵在於，包括：殼體；第一揚聲器，設置於所述殼體內，所述第一揚聲器與所述殼體上的第一孔部、第二孔部分別聲學耦合，所述第一揚聲器在第一電信號的驅動下，分別透過所述第一孔部和所述第二孔部輸出具有相位差的第一聲波和第二聲波；以及第二揚聲器，設置於所述殼體內，所述第二揚聲器在第二電信號的驅動下輸出第三聲波，其中，在目標頻率範圍內，所述第一聲波、所述第二聲波和所述第三聲波相互疊加，使得所述聲學輸出裝置的遠場輻射呈指向性；所述第一揚聲器包括第一振膜，在所述殼體內，所述第一振膜的前後兩側分別對應設有前腔與後腔，所述前腔和所述後腔分別與所述第一孔部和所述第二孔部聲學耦合；所述第二揚聲器設置於所述後腔內，所述第二揚聲器透過與所述後腔聲學耦合的所述第二孔部輸出所述第三聲波；或者，所述殼體上設有第三孔部，所述第二揚聲器透過所述第三孔部輸出所述第三聲波。
如請求項1所述的聲學輸出裝置，其中，所述第三孔部到與所述後腔聲學耦合的所述第二孔部的距離大於0mm且不大於10mm。
如請求項1或2所述的聲學輸出裝置，其中，所述聲學輸出裝置還包括調製器，所述調製器根據預設幅頻調整方式對驅動所述第二揚聲器的所述第二電信號進行調製。
如請求項1或2所述的聲學輸出裝置，其中，所述殼體上設有麥克風陣列，所述麥克風陣列用於估計預設位置的聲音信號，所述聲學輸出裝置還包括調製器，根據所述麥克風陣列採集到的所述聲音信號，所述調製器對驅動所述第二揚聲器的所述第二電信號進行調製。
如請求項1或2所述的聲學輸出裝置，其中，在100Hz-800Hz的範圍內，所述第一揚聲器在所述第二孔部處的輸出的所述第二聲波的聲壓級與所述第二揚聲器在所述第二孔部或所述第三孔部處輸出的所述第三聲波的聲壓級的差值不小於6dB。
如請求項1或2所述的聲學輸出裝置，其中，所述第二揚聲器具有第一諧振頻率，所述後腔具有第二諧振頻率，在所述第一諧振頻率與所述第二諧振頻率之間，所述第二電信號與所述第一電信號相位差不小於150°。
如請求項6所述的聲學輸出裝置，其中，所述第一諧振頻率與所述第二諧振頻率之間的頻段包括1kHz-4kHz的範圍。
如請求項7所述的聲學輸出裝置，其中，在1kHz的頻點處，所述第二電信號與所述第一電信號的相位差不小於200°；在4kHz的頻點處，所述第二電信號與所述第一電信號的相位差不小於150°。
如請求項1或2所述的聲學輸出裝置，其中，所述第二揚聲器透過所述第二孔部或所述第三孔部輸出所述第三聲波，所述後腔具有第二諧振頻率，所述第二諧振頻率位於3kHz-5kHz之間，在所述第二諧振頻率前後的兩個頻點處，所述第二電信號的相位差不小於100°。
如請求項1或2所述的聲學輸出裝置，其中，所述前腔具有第三諧振頻率，所述第三諧振頻率位於5kHz-8kHz之間，在所述第三諧振頻率前後的兩個頻點處，所述第二電信號的相位差不小於100°。
如請求項1所述的聲學輸出裝置，其中，所述指向性表現為：所述聲學輸出裝置的遠場輻射聲音在至少一對相反方向上的聲壓級差的絕對值不小於6dB。
如請求項11所述的聲學輸出裝置，其中，所述至少一對相反方向包括所述第一孔部與所述第二孔部的連線所對應的一對相反方向。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一電路層，設置在所述基板上；<br/> 一濾光層，設置在所述電路層上並具有一第一通孔；<br/> 一有機絕緣層，設置在所述濾光層上並具有一第二通孔，所述第二通孔對應到所述第一通孔；<br/> 一透明導電層，所述透明導電層透過所述第一通孔和所述第二通孔電連接到所述電路層；以及<br/> 一絕緣層，設置在所述第二通孔中且設置在所述濾光層之上；<br/> 其中所述第一通孔具有一第一側壁，所述第二通孔具有一第二側壁，所述第一側壁和所述第二側壁為非連續的，且所述第一通孔的寬度小於所述第二通孔的寬度。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第二通孔暴露出所述濾光層的上表面的至少一部分。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述絕緣層接觸所述第二側壁且接觸所述濾光層的上表面。
根據請求項1所述的電子裝置，其中所述第一側壁和所述第二側壁形成一階梯狀側壁。
一種電子裝置的製造方法，包括：<br/> 提供一基板；<br/> 在所述基板上形成一電路層；<br/> 在所述電路層上形成一濾光層；<br/> 在所述濾光層上形成一有機絕緣層；<br/> 在所述有機絕緣層中形成一第一通孔；<br/> 在形成所述第一通孔後，在所述第一通孔中形成一絕緣層；<br/> 在所述濾光層中形成一第二通孔，其中所述第二通孔對應到所述第一通孔；以及<br/> 形成一透明導電層，所述透明導電層透過所述第一通孔和所述第二通孔電連接到所述電路層；<br/> 其中所述第一通孔具有一第一側壁，所述第二通孔具有一第二側壁，所述第一側壁和所述第二側壁為非連續的，且所述第二通孔的寬度小於所述第一通孔的寬度。
根據請求項5所述的電子裝置的製造方法，還包括在所述絕緣層中形成一第三通孔，其中所述第二通孔和所述第三通孔是同時形成的。
根據請求項5所述的電子裝置的製造方法，其中所述第二通孔是透過一蝕刻製程所形成。
一種半導體疊層，包括：一第一型半導體結構；一第二型半導體結構，位於該第一型半導體結構之上；一主動結構，位於該第一型半導體結構與該第二型半導體結構之間並包括一井層；一電子阻擋結構，位於該主動結構與該第二型半導體結構之間，具有一鋁組成或一平均鋁組成；以及一阻障結構，位於該主動結構與該電子阻擋結構之間並包括一第一子層、一第二子層及一第三子層，該第一子層、該第二子層及該第三子層依序堆疊於該主動結構之上，其中該井層的一鋁組成小於該第一子層與該第三子層的一鋁組成，該第一子層與該第三子層的該鋁組成小於該第二子層的一鋁組成，且該第二子層的該鋁組成大於該電子阻擋結構的該鋁組成或該平均鋁組成。
如請求項1之半導體疊層，其中該第二子層的該鋁組成大於或等於80%。
如請求項1之半導體疊層，其中該阻障結構更包括：一第四子層，位於該第三子層與該電子阻擋結構之間，其中該第四子層的一鋁組成大於該第一子層與該第三子層的該鋁組成，且該第四子層的該鋁組成大於該電子阻擋結構的該鋁組成或該平均鋁組成。
如請求項1之半導體疊層，其中該第四子層的一鋁組成大於該第一子層與該第三子層的該鋁組成，且該第四子層的該鋁組成小於該第二子層的該鋁組成。
如請求項4之半導體疊層，其中該阻障結構更包括：一第五子層，位於該第四子層與該電子阻擋結構之間，其中該第五子層的鋁組成小於該第四子層的該鋁組成。
如請求項4之半導體疊層，其中該阻障結構更包括：一第六子層，位於該第五子層與該電子阻擋結構之間，其中該第六子層的一鋁組成大於該第一子層與該第三子層的該鋁組成，且該第六子層的該鋁組成大於該電子阻擋結構的該鋁組成或該平均鋁組成。
如請求項6之半導體疊層，其中該第六子層的該鋁組成大於該第四子層的該鋁組成。
如請求項1之半導體疊層，其中該阻障結構是未摻雜的。
如請求項1之半導體疊層，其中該阻障結構的該第一子層、該第二子層及該第三子層各自的厚度小於30Å。
如請求項1之半導體疊層，其中該阻障結構具有一平均鋁組成，該阻障結構的該平均鋁組成近似於該電子阻擋結構的該鋁組成或該平均鋁組成。
一種刷，其作用於基板而進行洗淨處理，且特徵在於具備：<br/>刷本體，其作用於基板；及<br/>刷座，其安裝上述刷本體；且<br/>上述刷本體具備：<br/>中央刷，其構成俯視下之中央部；<br/>至少一個外周刷，其配置於上述中央刷之外周側，且安裝成可相對於上述中央刷於垂直方向上滑動；及<br/>彈推機構，以於上述刷本體位於基板之中央部之狀態下，上述中央刷之下表面與上述外周刷之下表面成為一致之高度，而於上述刷本體位於基板之周緣部之狀態下，容許上述外周刷根據上述周緣部之傾斜相對於上述中央刷於垂直方向移動之方式，將上述外周刷相對於上述中央刷向基板側彈推。
如請求項1之刷，其中<br/>上述中央刷具備上部凸緣、及自上述上部凸緣之中央部朝垂直方向突出之柱狀構件；<br/>上述外周刷具備面向上述上部凸緣之下表面之下部凸緣、及覆蓋上述柱狀構件之外周部且自上述下部凸緣朝垂直方向突出之中空構件。
如請求項2之刷，其中<br/>上述彈推機構配置於上述上部凸緣之下表面與上述下部凸緣之上表面之間。
如請求項3之刷，其中<br/>上述彈推機構為上端及下端配置於上述上部凸緣與上述下部凸緣之間之壓縮螺旋彈簧。
如請求項1至3中任一項之刷，其中<br/>上述彈推機構之彈推力小於將上述刷向基板彈推之推壓力。
如請求項2之刷，其中<br/>上述刷座具備：安裝部；外周部，其自上述安裝部之外周面沿上述下部凸緣之外周面延伸；及限制部，其自上述外周部之下表面沿上述下部凸緣之下表面延伸。
一種基板處理裝置，其使刷作用於基板而進行洗淨處理，且特徵在於具備：<br/>旋轉保持部，其將基板以水平姿勢保持，且使基板旋轉；<br/>刷，其作用於保持在上述旋轉保持部之基板之上表面，且具備作用於基板之刷本體、及安裝上述刷本體之刷座；<br/>洗淨臂，於前端部具備上述刷；及<br/>臂驅動部，以使上述刷於經保持在上述旋轉保持部之基板之旋轉中心與周緣部之間於基板之徑向移動之方式，驅動上述洗淨臂；且<br/>上述刷本體具備：<br/>中央刷，其構成俯視下之中央部；<br/>至少一個外周刷，其配置於上述中央刷之外周側，且安裝成可相對於上述中央刷於鉛直方向上滑動；及<br/>彈推機構，其以於上述刷本體位於基板之中央部之狀態下，上述中央刷之下表面與上述外周刷之下表面成為一致之高度，而於上述刷本體位於基板之周緣部之狀態下，容許上述外周刷根據上述周緣部之傾斜相對於上述中央刷於垂直方向移動之方式，將上述外周刷相對於上述中央刷向基板側彈推。
一種隔離閥結構，係至少包括有： <br/>一第一本體(10)，係包括有一底座(11)、環設於該底座(11)周圍的一側環(12)，以及由該底座(11)與該側環(12)所圍設而成之一容置空間，其中該底座(11)係貫穿有連接該容置空間之一第一接口(111)；以及 <br/>一第二本體(20)，係設置於該容置空間，該第二本體(20)與該第一本體(10)之間係形成有一第一閥室(13)，該第二本體(20)係包括有由一側壁(21)所圍設而成，並至少二第二閥室(22)連通該第一閥室(13)、一氣流通道(23)設置於該些第二閥室(22)之間，以及一氣道閥(24)連通該些第二閥室(22)與該氣流通道(23)，其中該氣道閥(24)之一端部係設置有一活動片(241)，且該活動片(241)係控制該第一閥室(13)、該第二閥室(22)經由該氣流通道(23)與該氣道閥(24)連通至該第一接口(111)之路徑。
如請求項1所述之隔離閥結構，其中該側環(12)相對於該底座(11)之另一端部係進一步設置有一蓋體(14)，該蓋體(14)具有一第二接口(141)，並該第二接口(141)與該第一接口(111)連通。
如請求項2所述之隔離閥結構，其中該蓋體(14)與該側環(12)之間係進一步設置有一第一墊圈(142)。
如請求項2所述之隔離閥結構，其中該蓋體(14)與該第二本體(20)之間係進一步設置有一第二墊圈(143)。
如請求項2所述之隔離閥結構，其中該氣道閥(24)相對於該活動片(241)之另一端部係進一步設置有一止擋片(242)，該止擋片(242)係控制該第二閥室(22)與該第二接口(141)連通之路徑。
如請求項5所述之隔離閥結構，其中該止擋片(242)與該活動片(241)之間係進一步藉由一軸桿(243)相互連接。
如請求項5所述之隔離閥結構，其中該活動片(241)相對於該止擋片(242)之另一端部係進一步設置有一彈簧件(244)。
如請求項5所述之隔離閥結構，其中該止擋片(242)與該蓋體(14)之間係進一步設置有一氣密件(144)。
如請求項1所述之隔離閥結構，其中該氣道閥(24)之外壁係藉由複數個支架(25)連接該側壁(21)。
如請求項9所述之隔離閥結構，其中該支架(25)內部係形成該氣流通道(23)。
如請求項9所述之隔離閥結構，其中一該支架(25)與另一該支架(25)之間係進一步設置有弧形態樣之一架盤(26)。
如請求項11所述之隔離閥結構，其中該氣道閥(24)相對於該活動片(241)之另一端部係進一步設置有一止擋片(242)，該架盤(26)與該止擋片(242)之間係進一步設置有複數個凸柱(261)。
一種混合有微藻的熱塑性製品的原料組成，該組成包括： <br/>聚乙烯醇； <br/>微藻，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於10%至30%之間； <br/>相容劑，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於2%至5%之間； <br/>可塑劑，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於20%至30%之間； <br/>交聯劑，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於0%至1.5%之間； <br/>反應助劑，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於1%至5%之間；以及 <br/>滑劑，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於0.1%至0.5%之間。
如請求項1所述的原料組成，其中該組成還包括增韌劑，以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於0.2%至0.5%之間。
如請求項1所述的原料組成，其中該聚乙烯醇的聚合度介於300至2400之間。
如請求項1所述的原料組成，其中該聚乙烯醇的水解率介於88%至99%之間。
如請求項1所述的原料組成，其中該微藻的蛋白質含量不低於30%。
如請求項1所述的原料組成，其中該微藻為螺旋藻屬（Spirulina sp.）、小球藻屬（Chlorella sp.）、擬球藻（Nannochloropsis sp.）、杜氏藻屬（Dunaliella sp.）、扁藻屬（Tetraselmis sp.）或前述的組合。
如請求項1所述的原料組成，其中該可塑劑為多元醇（polyol）。
如請求項7所述的原料組成，其中該多元醇（polyol）為甘油（glycerol）、聚乙二醇（polyethylene glycol）、山梨糖醇（sorbitol）、木糖醇（xylitol）、甘露醇（mannitol）或前述的組合。
如請求項1所述的原料組成，其中該相容劑為脂松香。
如請求項1所述的原料組成，其中該交聯劑為硼酸、檸檬酸、己二酸、琥珀酸或辛二酸。
如請求項1所述的原料組成，其中該反應助劑為一潤滑劑。
如請求項1所述的原料組成，其中該滑劑包括鹼金屬硬脂酸。
一種混合有微藻的熱塑性製品，係由請求項1至12任一項的原料組成所製成。
一種混合有微藻的熱塑性製品的製備方法，包括以下步驟： <br/>混合聚乙烯醇、微藻、相容劑、可塑劑、交聯劑、反應助劑以及滑劑而得到一混合物，其中，該微藻以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於10%至30%之間，該相容劑以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於2%至5%之間，該可塑劑以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於20%至30%之間，該交聯劑以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於0%至1.5%之間，該反應助劑以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於1%至5%之間，該滑劑以該聚乙烯醇的重量為基準的重量百分比介於0.1%至0.5%之間； <br/>乾燥該混合物； <br/>將該混合物製成丸粒；以及 <br/>將該丸粒成形為一製品。
一種通風設備控制裝置，用於控制測試系統之通風設備，該測試系統用於測試待測物以驗證該待測物之品質，該通風設備用於降低該測試系統之內部濕度，該通風設備控制裝置包括：溫度感測器，用於感測該測試系統之基準溫度；測試元件感測器，用於感測該測試系統中是否存在用於測試該待測物之測試元件；以及通風控制器，用於根據該基準溫度及該測試系統中是否存在該測試元件而決定開啟或關閉該通風設備，若該基準溫度低於或等於第一臨界溫度，且該測試系統中存在該測試元件，則該通風控制器開啟該通風設備；若該基準溫度高於第二臨界溫度，或該測試系統中不存在該測試元件，則該通風控制器關閉該通風設備；其中，該第二臨界溫度係高於或等於該第一臨界溫度，且該第一臨界溫度為5℃，且該第二臨界溫度為5℃或7℃。
如請求項1所述之通風設備控制裝置，其中，該測試元件係用於將測試信號輸入該待測物之電性測試點，且自該電性測試點接收該待測物接收該測試信號後產生之回饋信號。
如請求項1所述之通風設備控制裝置，其中，該基準溫度係為該測試系統之表面溫度或內部溫度。
如請求項1所述之通風設備控制裝置，復包括：溫度設定介面，用於接收使用者設定之溫度限制條件；以及溫度控制器，用於根據該溫度限制條件調控該測試系統所在空間之溫度。
一種通風設備控制方法，用於控制測試系統之通風設備，該測試系統用於測試待測物以驗證該待測物之品質，該通風設備用於降低該測試系統之內部濕度，該通風設備控制方法包括：感測該測試系統之基準溫度；感測該測試系統中是否存在用於測試該待測物之測試元件；以及根據該基準溫度及該測試系統中是否存在該測試元件而決定開啟或關閉該通風設備，若該基準溫度低於或等於第一臨界溫度，且該測試系統中存在該測試元件，則開啟該通風設備；若該基準溫度高於第二臨界溫度，或該測試系統中不存在該測試元件，則關閉該通風設備；其中，該第二臨界溫度係高於或等於該第一臨界溫度，且該第一臨界溫度為5℃，且該第二臨界溫度為5℃或7℃。
如請求項5所述之通風設備控制方法，其中，該測試元件係用於將測試信號輸入該待測物之電性測試點，且自該電性測試點接收該待測物接收該測試信號後產生之回饋信號。
如請求項5所述之通風設備控制方法，其中，該基準溫度係為該測試系統之表面溫度或內部溫度。
如請求項5所述之通風設備控制方法，復包括：接收使用者設定之溫度限制條件；以及根據該溫度限制條件調控該測試系統所在空間之溫度。
一種顯示器背光，其包括： <br/>一激發源(excitation source)，用於產生具有自445 nm至465 nm之一峰值發射波長(peak emission wavelength)的藍色激發光；及 <br/>一波長轉換薄膜，其包括： <br/>一光致發光(photoluminescence)層；及 <br/>一光漫射(diffusive)層； <br/>其中該光致發光層包括具有自530 nm至545 nm之一峰值發射波長及50 nm或更少之一半峰全寬(full width at half maximum intensity)之一窄頻帶發綠光磷光體(narrow-band green-emitting phosphor)材料，以及選自K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub>:Mn<sup>4+</sup>、K<sub>2</sub>TiF<sub>6</sub>:Mn<sup>4+</sup>及一硒硫化物(Selenide sulfide)之至少一者之一發紅光磷光體材料；及 <br/>其中該光致發光層及該光漫射層被製造成分離的(separate)薄膜且以該等層之間不存在介入層(intervening layer)或氣隙(air gap)而施加於彼此。
如請求項1之顯示器背光，其中該光致發光層進一步包括光散射(scattering)材料之粒子。
如請求項2之顯示器背光，其中該等光散射材料之粒子係選自由以下各者組成之群組：氧化鋅(ZnO)、二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、二氧化鈦(TiO<sub>2</sub>)、氧化鎂(MgO)、硫酸鋇(BaSO<sub>4</sub>)、氧化鋁(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)，及其等之組合。
如請求項2之顯示器背光，其中該等光散射材料粒子具有200 nm或更小之一平均粒徑。
如請求項2之顯示器背光，其中該等光散射材料粒子具有100 nm至150 nm之一平均粒徑。
如請求項1之顯示器背光，其進一步包括一光導，其中該激發源經組態以將激發光耦合至該光導之至少一邊緣中且其中該波長轉換薄膜安置(disposed)成相鄰於該光導之一發光面。
如請求項6之顯示器背光，其中該光致發光層或該光漫射層與該光導之該發光面直接接觸。
如請求項7之顯示器背光，其進一步包括一光反射表面，其中該波長轉換薄膜安置於該光反射表面與該光導之間。
如請求項8之顯示器背光，其中該光致發光層或該光漫射層與該光導直接接觸。
如請求項8之顯示器背光，其中該光致發光層或該光漫射層與該光反射表面直接接觸。
如請求項1之顯示器背光，其中該窄頻帶發綠光磷光體材料包括SrGa<sub>2</sub>S<sub>4</sub>:Eu及β-SiAlON之一般組合物(composition)之硫化物(Sulfide)中之至少一者。
如請求項1之顯示器背光，其中窄頻帶發綠光磷光體之粒子及發紅光磷光體之粒子被合併入(incorporated)一透光黏合劑(binder)以作為一混合物(mixture)且使用網版印刷(screen printing)或狹縫塗佈(slot die coating)以將該混合物作為一均勻(uniform)層沈積於一透光基板上。
一種用於製造用於一顯示器背光之一波長轉換薄膜之方法，該顯示器背光包括一光致發光層及一光漫射層，其中該光致發光層包括具有自530 nm至545 nm之一峰值發射及50 nm或更少之一半峰全寬(full width at half maximum intensity)之一窄頻帶發綠光磷光體材料，以及選自K<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub>:Mn<sup>4+</sup>、K<sub>2</sub>TiF<sub>6</sub>:Mn<sup>4+</sup>及一硒硫化物(Selenide sulfide)之至少一者之一發紅光磷光體材料，該方法包括該光致發光層及該光漫射層被製造成分離的薄膜且以該等層之間不存在介入層或氣隙而施加於彼此之步驟。
如請求項13之方法，其中該窄頻帶發綠光磷光體材料包括SrGa<sub>2</sub>S<sub>4</sub>:Eu及β-SiAlON之一般組合物之硫化物中之至少一者。
一種多媒體辨識模型增量學習方法，包括：<br/>根據複數輸入多媒體之複數特徵和原始資料集中之多媒體的複數特徵進行聚類，以產生聚類樣本；<br/>對該聚類樣本中之複數群計算各該群之子群，以對各該子群進行均勻取樣，俾產生均勻取樣之樣本；以及<br/>根據該均勻取樣之樣本進行多媒體辨識模型之增量學習，其中，該增量學習所使用之損失函數包含該等群之間的一動態邊界值，且該動態邊界值係根據各該群之樣本數及各該子群之樣本數而決定。
如請求項1所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，根據該等特徵進行聚類之該步驟包括：<br/>在該等輸入多媒體之該等特徵中，排除間距小於相應之門檻值的一部分特徵，再對該等輸入多媒體之該等特徵中未被排除者進行聚類，以產生複數輸入群；以及<br/>對該等輸入群及該原始資料集之該等特徵所組成的複數原始群進行融合，其中，該聚類樣本中之該等群係該等輸入群及該等原始群之融合結果。
如請求項2所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，對該等輸入群及該等原始群進行融合之該步驟包括：<br/>融合該等輸入群及該等原始群中之間距小於相應的門檻值之至少兩個群，其中，該間距係該至少兩個群之群心距離或係根據該至少兩個群之樣本間距而計算產生。
如請求項1所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，各該群之子群係對各該群中之該等特徵進行聚類所得。
如請求項1所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，該聚類樣本中之該等群係對該聚類樣本中之所有群進行機率相同的均勻取樣所抽取之群。
如請求項1所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，該均勻取樣之樣本包括對各該子群中之該等特徵進行機率相同的均勻取樣所抽取之特徵。
如請求項1所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，該多媒體辨識模型之該增量學習包括：<br/>使用該多媒體辨識模型計算該均勻取樣之樣本的前傳結果；<br/>使用該損失函數計算該前傳結果之訓練損失；<br/>將該訓練損失進行反向傳遞，以取得梯度結果；以及<br/>使用該梯度結果最佳化該多媒體辨識模型之權重。
如請求項1所述之多媒體辨識模型增量學習方法，其中，該動態邊界值包含第一數值與第二數值之乘積，該第一數值隨該損失函數所對應之該群的樣本數之遞增而遞減，且該第二數值隨該損失函數所對應之該子群的樣本數之遞增而遞減。
一種多媒體辨識模型增量學習系統，包括：<br/>聚類裝置，用於根據複數輸入多媒體之複數特徵和原始資料集中之多媒體的複數特徵進行聚類，以產生聚類樣本；<br/>均勻取樣裝置，用於對該聚類樣本中之複數群計算各該群之子群，以對各該子群進行均勻取樣，俾產生均勻取樣之樣本；以及<br/>多媒體辨識訓練裝置，用於根據該均勻取樣之樣本進行多媒體辨識模型之增量學習，其中，該增量學習所使用之損失函數包含該等群之間的一動態邊界值，且該動態邊界值係根據各該群之樣本數及各該子群之樣本數而決定。
如請求項9所述之多媒體辨識模型增量學習系統，其中，該聚類裝置復包括：<br/>在該等輸入多媒體之該等特徵中，排除間距小於相應之門檻值的一部分特徵，再對該等輸入多媒體之該等特徵中未被排除者進行聚類，以產生複數輸入群；以及<br/>對該等輸入群及該原始資料集之該等特徵所組成的複數原始群進行融合，其中，該聚類樣本中之該等群係該等輸入群及該等原始群之融合結果。
如請求項9所述之多媒體辨識模型增量學習系統，其中，該多媒體辨識訓練裝置復包括：<br/>使用該多媒體辨識模型計算該均勻取樣之樣本的一前傳結果；<br/>使用該損失函數計算該前傳結果之訓練損失；<br/>將該訓練損失進行反向傳遞，以取得梯度結果；以及<br/>使用該梯度結果最佳化該多媒體辨識模型之權重。
一種物件生成方法，適用於一物件生成裝置，該物件生成裝置包含一使用者介面以及一物件生成器，該物件生成方法包含：<br/> 接收一起始物件；<br/> 將該起始物件輸入該物件生成器產生一第一物件以及一第二物件；<br/> 在該使用者介面呈現該起始物件、該第一物件以及該第二物件；<br/> 透過該使用者介面偵測一輸入訊號，該輸入訊號於該使用者介面上定義出一起始位置以及一最終位置；以及<br/> 當該起始位置對應於該起始物件，且該最終位置對應於一最終物件，利用該起始物件以及該最終物件作為該物件生成器之輸入以產生一延伸物件；<br/> 其中，該最終物件為該第一物件與該第二物件中的其中之一。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該最終物件為該第二物件，該物件生成器包含一圖像生成圖像(img2img)模型，利用該起始物件以及該最終物件作為該物件生成器之該輸入以產生該延伸物件之步驟包含：<br/> 對該起始物件賦予一第一權重，並對該最終物件賦予一第二權重，該第一權重高於該第二權重；以及<br/> 利用賦予權重後之該起始物件以及賦予權重後之該最終物件作為該圖像生成圖像模型之輸入以產生該延伸物件。
如請求項2所述之物件生成方法，其中，該第一權重與該第二權重之比例為2:1。
如請求項2所述之物件生成方法，其中，該圖像生成圖像模型係一擴散模型(diffusion model)。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該最終物件為該第二物件，該物件生成方法更包含：將該延伸物件呈現於該使用者介面，並在該使用者介面上呈現該延伸物件與該起始物件以及該延伸物件與該最終物件之關聯。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該第一物件係為圖像，該使用者介面係以縮圖方式呈現該第一物件。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該第一物件係為文本，該使用者介面係以文字框的形式呈現該第一物件。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該第一物件以及該第二物件均為圖像。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該最終物件為該第二物件，該起始物件係一圖像，該最終物件係一文本，該物件生成器包含一圖像生成圖像模型，利用該起始物件以及該最終物件作為該物件生成器之該輸入以產生該延伸物件之步驟包含：<br/> 利用該最終物件產生一提示詞(prompt)；以及<br/> 利用該起始物件以及該提示詞作為該圖像生成圖像模型之輸入以產生該延伸物件。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該最終物件為該第二物件，該起始物件與該最終物件均為圖像，該物件生成器包含一圖像生成圖像模型、一圖像生成文字模型以及一控制模型，利用該起始物件以及該最終物件作為該物件生成器之該輸入以產生該延伸物件之步驟包含：<br/> 利用該起始物件以及該最終物件做為該圖像生成文字模型之輸入分別產生一第一描述詞以及一第二描述詞；<br/> 結合該第一描述詞與該第二描述詞以產生一提示詞；<br/> 利用該起始物件設定該控制模型以控制該圖像生成圖像模型；以及<br/> 利用該最終物件以及該提示詞作為受到該控制模型所控制之該圖像生成圖像模型之輸入以產生該延伸物件。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該延伸物件係一延伸圖檔，該物件生成方法更包含：提高該延伸圖檔之解析度以產生一輸出圖像。
如請求項1所述之物件生成方法，其中，該輸入訊號係一手勢訊號。
一種物件生成裝置，包含：<br/> 一使用者介面，適於呈現一第一物件以及一第二物件，且適於接收一輸入訊號，該輸入訊號於該使用者介面上定義出一起始位置以及一最終位置；<br/> 一物件生成器，適於依據一起始物件作為一輸入產生該第一物件與該第二物件，並根據該起始物件與一最終物件產生一延伸物件，該最終物件為該第一物件該第二物件中的其中之一；以及<br/> 一處理單元，用以：<br/> 透過該使用者介面偵測該輸入訊號，以判斷該起始位置以及該最終位置是否分別對應於該起始物件以及該最終物件；以及<br/> 當該起始位置對應於該起始物件，且該最終位置對應於該最終物件，利用該起始物件以及該最終物件作為該物件生成器之該輸入以產生該延伸物件。
如請求項13所述之物件生成裝置，其中，該最終物件為該第二物件，該物件生成器包含一權重單元以及一圖像生成圖像模型，該權重單元對該起始物件賦予一第一權重，對該最終物件賦予一第二權重，該圖像生成圖像模型係依據賦予權重後之該起始物件以及賦予權重後之該最終物件產生該延伸物件，該第一權重高於該第二權重。
如請求項13所述之物件生成裝置，其中，該最終物件為該第二物件，該物件生成器包含一圖像生成圖像模型、一圖像生成文字模型以及一控制模型，該處理單元係用以：<br/> 利用該起始物件以及該最終物件做為該圖像生成文字模型之輸入分別產生一第一描述詞以及一第二描述詞；<br/> 結合該第一描述詞與該第二描述詞以產生一提示詞；<br/> 利用該起始物件設定該控制模型以控制該圖像生成圖像模型；以及<br/> 利用該最終物件以及該提示詞作為受到該控制模型所控制之該圖像生成圖像模型之輸入以產生該延伸物件。
一種將PDF文件中的表格轉換為目的檔案的方法，包含：解析一PDF文件以獲取並記錄所有橫線和豎線的起點和終點座標；當兩條橫線的橫向距離小於或等於預定像素數目時將該兩條橫線合併為一條橫線並將記錄的4個端點修改為2個端點；獲取所有線段的交點座標，並記錄形成交點相關的線段座標；根據該交點座標和該線段座標計算所有單元格，並記錄每個單元格相關的邊界；記錄該每個單元格相關的邊界之後，依序判斷所有單元格與其相鄰單元格的聯通性以劃分表格區域，以區分該PDF文件中的多個不同表格區域，其中當判斷兩個單元格的一個邊界之間的距離大於預定像素距離，則表示兩單元格不具有聯通性而劃分為兩個不相連的表格區域；根據解析該PDF文件時獲取的文字座標將各文字分別填入相對應單元格；以及生成目的檔案。
根據請求項1所述的方法，還包含：合併處理該豎線。
根據請求項1所述的方法，其中，該目的檔案是辦公室軟體。
根據請求項1所述的方法，其中，該所有單元格的每一者是由4個交點座標組成。
一種處理PDF文件中的表格的裝置，包含：一易失性儲存介質，用於記錄電腦程式；一記憶體，用於為該非易失性儲存介質之該電腦程式的運行提供環境；以及一處理器，用於 執行該電腦程式以解析一PDF文件， 記錄所有橫線和豎線的起點和終點座標及文字座標於該記憶體， 當兩條橫線的橫向距離小於或等於預定像素數目時將該兩條橫線合併為一條橫線並將該記憶體中記錄的4個端點修改為2個端點； 記算所有線段的交點座標及形成交點相關的線段座標並儲存於該記憶體， 根據該交點座標和該線段座標計算所有單元格，並記錄每個單元格相關的邊界， 記錄該每個單元格相關的邊界之後，依序判斷所有單元格與其相鄰單元格的聯通性以劃分表格區域，以區分該PDF文件中的多個不同表格區域，其中當判斷兩個單元格的一個邊界之間的距離大於預定像素距離，則表示兩單元格不具有聯通性而劃分為兩個不相連的表格區域，及 根據該文字座標將各文字分別填入相對應單元格。
根據請求項5所述的裝置，其中，該處理器還用於合併處理該豎線。
一種電腦設備，該電腦設備包含一記憶體及一處理器，該記憶體用於記錄電腦程式，該處理器用於運行該記憶體中之該電腦程式，以執行如請求項1-4任一項所述的方法。
一種可讀儲存介質，該可讀儲存介質記錄有電腦程式，該電腦程式被一處理器執行時，用於實現如請求項1-4任一項所述的方法。
一種MTJ鈍化保護層的製備方法，其特徵在於，基於離子束沉積工藝原位同腔室製備，所述製備方法包括：<br/>提供一待處理樣品，所述待處理樣品包括襯底以及位於襯底一側的MTJ結構；<br/>控制輔助離子源對所述MTJ結構的側壁進行表面修復，控制所述待處理樣品的溫度小於或等於175℃；<br/>控制濺射離子源濺射目標靶材，且控制所述輔助離子源通入反應性氣體形成鈍化保護層，所述鈍化保護層覆蓋所述MTJ結構的側壁以及所述MTJ結構背離所述襯底一側的表面，所述輔助離子源產生的離子束和所述濺射離子源產生的離子束均為中性離子束。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述控制所述待處理樣品的溫度小於或等於175℃，包括：<br/>通過水機和背氦雙重控溫的方式控制所述待處理樣品的溫度小於或等於175℃。
如請求項1所述的製備方法，其中，在所述MTJ鈍化保護層的製備過程中，所述製備方法還包括：<br/>控制所述襯底以所述襯底的中心為軸線進行旋轉。
如請求項3所述的製備方法，其中，控制所述襯底進行旋轉的旋轉速率為1r/min-200r/min。
如請求項1所述的製備方法，其中，在形成所述鈍化保護層時，所述製備方法還包括：<br/>採用晶振的方式對所述鈍化保護層的厚度進行檢測。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述控制輔助離子源對所述MTJ結構的側壁進行表面修復，包括：<br/>控制所述輔助離子源的離子束能量至目標離子束能量，之後對所述MTJ結構的側壁進行表面修復。
如請求項6所述的製備方法，其中，所述目標離子束能量小於或等於200eV。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述控制濺射離子源濺射目標靶材，且控制所述輔助離子源通入反應性氣體形成鈍化保護層，包括：<br/>調整所述目標靶材、所述待處理樣品和所述濺射離子源之間的相對角度，之後控制所述濺射離子源濺射所述目標靶材，且控制所述輔助離子源通入反應性氣體形成鈍化保護層。
如請求項8所述的製備方法，其中，所述目標靶材的靶材純度大於或等於99.99%。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述目標靶材可以是單質、氧化物或者氮化物。
如請求項10所述的製備方法，其中，所述目標靶材可以為矽、鋁、氧化矽，氮化矽，氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿、氧化鋯等中的一種或幾種組合。
如請求項1所述的製備方法，其中，在形成所述鈍化保護層時，所述輔助離子源的離子束入射方向與所述待處理樣品的法線之間的夾角為0°-30°。
如請求項1所述的製備方法，其中，在形成所述鈍化保護層時，所述製備方法還包括：<br/>控制所述輔助離子源去除所述MTJ結構側壁遠離所述襯底一端上的部分鈍化保護層。
如請求項13所述的製備方法，其中，在控制所述輔助離子源去除所述MTJ結構側壁遠離所述襯底一端上的部分鈍化保護層時，所述輔助離子源的離子束入射方向與所述待處理樣品的法線之間的夾角為30°-60°。
如請求項1所述的製備方法，其中，在形成所述鈍化保護層時，所述製備方法還包括：<br/>調控所述輔助離子源的離子束的能量和密度，使所述鈍化保護層的緻密度處於95%-99.99%。
如請求項1所述的製備方法，其中，在形成所述鈍化保護層時，所述製備方法還包括：<br/>調控所述輔助離子源的離子束的能量和密度，以及調控所述濺射離子源的離子束的能量和密度，使所述鈍化保護層的介面粗糙度小於0.2nm。
如請求項1所述的製備方法，其中，在形成所述鈍化保護層時，所述製備方法還包括：<br/>控制所述濺射離子源在所述目標靶材上的離子束範圍小於所述目標靶材的尺寸。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述濺射離子源中的柵網的形狀為弧形；<br/>所述弧形的半徑為大於或等於300mm，且小於或等於800mm。
一種磁隧道結，其特徵在於，所述磁隧道結包括：<br/>位於襯底一側的多個MTJ結構和鈍化保護層，所述鈍化保護層覆蓋所述MTJ結構的側壁以及所述MTJ結構背離所述襯底一側的表面；<br/>其中，所述鈍化保護層基於請求項1至18任一項所述的製備方法製備。
一種半導體器件，其特徵在於，所述半導體器件包括請求項19所述的磁隧道結。
一種用於一揚聲器裝置之被動熱量移除組件，該被動熱量移除組件包括： <br/>一主體，其經組態以可移除地附接至該揚聲器裝置， <br/>該主體界定具有一第一端及一第二端之一瓣膜導管，該瓣膜導管容許一氣流在一預定方向上從該第一端通過該主體至該第二端，其中該瓣膜導管包含一擴大部、一凹槽、一突出部、一擋板及一桶之至少一者以用於(i)減少對該預定方向上之該氣流之阻力及(ii)增加對與該預定方向相反之一方向上之該氣流之阻力之至少一者；及 <br/>該主體安置於該揚聲器裝置之一電子組件附近以用於將來自該電子組件之熱能傳遞至該瓣膜導管中之該氣流，其中該第二端定位於該第一端上方，使得加熱氣流在該瓣膜導管中在其該預定方向上上升， <br/>其中該瓣膜導管之該第二端安置於該揚聲器裝置之一聲學組件附近，使得該聲學組件之操作經組態以藉由聲波使加熱氣流移動遠離該揚聲器裝置。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該瓣膜導管在該主體中垂直延伸，使得該第一端定位於該主體之一底部處，且該第二端定位於該主體之一頂部處。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該瓣膜導管係在該主體之一表面上界定之一通道狀瓣膜導管。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該瓣膜導管係在該主體中界定之一腔室狀瓣膜導管。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該主體界定複數個瓣膜導管，該瓣膜導管係該複數個瓣膜導管之一者，來自該複數個瓣膜導管之另一者在該主體中平行於該瓣膜導管延伸。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該第一端安置於該電子組件附近。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該主體之至少一部分維持與該電子組件熱接觸。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該聲學組件係一揚聲器。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該電子組件定位於一主機板上。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該電子組件包括一處理器及一記憶體組件之至少一者。
如請求項1之被動熱量移除組件，其中該主體由選自一材料群組之一材料製成，該群組包括鋁、鋅及銅。
一種冷卻一揚聲器裝置之一電子組件之方法，該揚聲器裝置包括該電子組件、一聲學組件及一熱量移除組件，該熱量移除組件具有可移除地附接至該揚聲器裝置之一主體，該方法包括： <br/>由在該主體中界定之一瓣膜導管被動地從環境中吸入空氣，該瓣膜導管包含一第一端及一第二端，該瓣膜導管容許一氣流在一預定方向上從該第一端通過該主體至該第二端，其中該瓣膜導管包含一擴大部、一凹槽、一突出部、一擋板及一桶之至少一者以用於(i)減少對該預定方向上之該氣流之阻力及(ii)增加對與該預定方向相反之一方向上之該氣流之阻力之至少一者； <br/>由該主體加熱該瓣膜導管中之該空氣； <br/>由該瓣膜導管被動地向該聲學組件排放加熱空氣，其中該第二端定位於該第一端上方，使得加熱氣流在該瓣膜導管中在其該預定方向上上升；及 <br/>由該聲學組件使用由該聲學組件產生之聲波將該加熱器空氣移動遠離該揚聲器裝置。
如請求項12之方法，其中該揚聲器裝置具有帶有一孔之一壁，該方法包括： <br/>由該孔將該空氣從該環境導向該瓣膜導管。
如請求項12之方法，其中該方法進一步包括： <br/>由在該主體中界定之另一瓣膜導管被動地從該環境中吸入其他空氣，該另一瓣膜導管容許另一預定方向上之另一氣流； <br/>由該主體加熱該另一瓣膜導管中之該其他空氣； <br/>由該另一瓣膜導管被動地向該聲學組件排放其他加熱空氣；及 <br/>由該聲學組件使用該等聲波將該其他加熱器空氣移動遠離該揚聲器裝置。
一種揚聲器裝置，其包括： <br/>一聲學組件，其產生聲波； <br/>一電子組件，其產生熱能；及 <br/>一被動熱量移除組件，其包含可移除地附接至該揚聲器裝置之一主體， <br/>該主體界定具有一第一端及一第二端之一瓣膜導管，該瓣膜導管容許一氣流在一預定方向上從該第一端通過該主體至該第二端，其中該瓣膜導管包含一擴大部、凹槽、突出部、擋板及一桶或其等之一組合之至少一者以用於(i)減少對該預定方向上之該氣流之阻力及(ii)增加對與該預定方向相反之一方向上之該氣流之阻力之至少一者；且 <br/>該主體安置於該電子組件附近以用於將來自該電子組件之熱能傳遞至該瓣膜導管中之該氣流，其中該第二端定位於該第一端上方，使得加熱氣流在該瓣膜導管中在其該預定方向上上升， <br/>其中該瓣膜導管之該第二端安置於該聲學組件附近，使得該聲學組件之操作經組態以藉由該等聲波使加熱氣流移動遠離該揚聲器裝置。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該瓣膜導管在該主體中垂直延伸，使得該第一端定位於該主體之一底部上，且該第二端定位於該主體之一頂部上。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該瓣膜導管係在該主體之一表面上界定之一通道狀瓣膜導管。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該瓣膜導管係在該主體中界定之一腔室狀瓣膜導管。
如請求項15之揚聲器裝置，該主體界定複數個瓣膜導管，該瓣膜導管係該複數個瓣膜導管之一者，來自該複數個瓣膜導管之另一者在該主體中平行於該瓣膜導管延伸。
如請求項15之揚聲器裝置，該第一端安置於該電子組件附近。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該主體之至少一部分維持與該電子組件熱接觸。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該聲學組件係一揚聲器。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該電子組件定位於一主機板上。
如請求項15之揚聲器裝置，其中該電子組件包括一處理器及一記憶體組件之至少一者。
一種化學機械拋光組合物，其包含： <br/>(a) 二氧化矽研磨劑； <br/>(b) 基於胺之化合物，其中該基於胺之化合物包含約1:1至約3:1之碳:氮比； <br/>(c) 水，及 <br/>(d) 選自氫氧化四丁銨及聚丙二醇之速率控制劑， <br/>其中該拋光組合物具有約9至約12之pH，且 <br/>其中該拋光組合物包含100ppm至400ppm之該速率控制劑。
如請求項1之拋光組合物，其中該拋光組合物包含緩衝劑。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該拋光組合物包含約0.001 wt.%至約10 wt.%之二氧化矽研磨劑。
如請求項3之拋光組合物，其中該拋光組合物包含約0.1 wt.%至約5 wt.%之二氧化矽研磨劑。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該拋光組合物具有約10至約11之pH。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該拋光組合物進一步包含約50 ppm至約1000 ppm之錯合劑。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該基於胺之化合物包含約1:1至約2:1之碳:氮比。
如請求項7之拋光組合物，其中該基於胺之化合物包含約1.2:1至約1.8:1之碳:氮比。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該基於胺之化合物包含約2:1至約3:1之碳:氮比。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該基於胺之化合物具有約80 g/mol至約400 g/mol之分子量。
如請求項10之拋光組合物，其中該基於胺之化合物具有約120 g/mol至約250 g/mol之分子量。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該基於胺之化合物包含至少一個乙二胺次單元。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該基於胺之化合物包含至少三個乙二胺次單元。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該基於胺之化合物係選自乙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、五伸乙基六胺、六伸乙基七胺、七伸乙基辛胺、八伸乙基壬胺、參(2-胺基乙基)胺、哌𠯤、高哌𠯤、N,N-二乙基乙二胺、1,3-二胺基-2-丙醇、N,N,N',N'',N''-五甲基二伸乙基三胺、N,N'-二甲基乙二胺、N,N-二甲基乙二胺、1-(2-胺基乙基)哌𠯤、1,4-雙(3-胺基丙基)哌𠯤、胺基乙基哌𠯤及其組合。
如請求項1或2之拋光組合物，其中該拋光組合物包含約100 ppm至約5000 ppm之該基於胺之化合物。
一種卷積運算方法，包括：<br/> 接收輸入數據；<br/> 根據輸入數據，利用第一卷積核以及第二卷積核分別進行第一卷積運算以及第二卷積運算，以產生多個運算結果，其中所述第一卷積核的尺寸不同於所述第二卷積核的尺寸，其中所述第一卷積核的移動步長不同於所述第二卷積核的移動步長，其中：<br/> 所述第一卷積核以及所述第二卷積核是同時針對卷積神經網路的第一目前處理層分別進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，或<br/> 所述第一卷積核以及所述第二卷積核是分別針對所述第一目前處理層以及第二目前處理層進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，其中所述第一目前處理層為所述第二目前處理層的前一層；以及<br/> 根據所述多個運算結果，產生輸出數據。
如請求項1所述的方法，其中所述第一卷積核的所述尺寸大於所述第二卷積核的所述尺寸，所述第一卷積核的所述移動步長小於所述第二卷積核的所述移動步長。
如請求項2所述的方法，其中所述第一卷積核是基於Winograd演算法來進行所述第一卷積運算，所述第二卷積核是根據不同於Winograd演算法的其它演算法來進行所述第二卷積運算。
如請求項3所述的方法，其中所述第一卷積核的所述移動步長為1，所述第二卷積核的所述移動步長大於1。
如請求項1所述的方法，其中根據所述輸入數據，利用所述第一卷積核以及所述第二卷積核分別進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，以產生所述多個運算結果的步驟包括：<br/> 利用所述第一卷積核來對所述輸入數據進行所述第一卷積運算，以產生第一運算結果；以及<br/> 利用所述第二卷積核來對所述第一運算結果進行所述第二卷積運算，以產生第二運算結果。
如請求項5所述的方法，其中根據所述多個運算結果，產生所述輸出數據的步驟包括：<br/> 以所述第二運算結果做為所述輸出數據。
如請求項1所述的方法，其中根據所述輸入數據，利用所述第一卷積核以及所述第二卷積核分別進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，以產生所述多個運算結果的步驟包括：<br/> 利用所述第一卷積核來對所述輸入數據進行所述第一卷積運算，以產生第一運算結果，其中所述第一運算結果包括多個第一部份運算結果；以及<br/> 利用所述第二卷積核來分別對各所述第一部份運算結果進行所述第二卷積運算，以產生多個第二部份運算結果。
如請求項7所述的方法，其中根據所述多個運算結果，產生所述輸出數據的步驟包括：<br/> 加總各所述多個第二部份運算結果，以做為所述輸出數據。
如請求項1所述的方法，其中根據所述輸入數據，利用所述第一卷積核以及所述第二卷積核分別進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，以產生所述多個運算結果的步驟包括：<br/> 利用所述第一卷積核來對所述輸入數據中的第一輸入數據進行所述第一卷積運算，以產生第一運算結果；以及<br/> 利用所述第二卷積核來對所述輸入數據中的第二輸入數據進行所述第二卷積運算，以產生第二運算結果。
如請求項9所述的方法，其中根據所述多個運算結果，產生所述輸出數據的步驟包括：<br/> 合併所述第一運算結果以及所述第二運算結果，做為所述輸出數據。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 不儲存所述多個運算結果於記憶體中；以及<br/> 儲存所述輸出數據於所述記憶體中。
一種卷積運算裝置，包括：<br/> 記憶體，經配置用以儲存數據；<br/> 處理器，連接於所述記憶體，經配置用以：<br/> 接收輸入數據；<br/> 根據輸入數據，利用第一卷積核以及第二卷積核分別進行第一卷積運算以及第二卷積運算，以產生多個運算結果，其中所述第一卷積核的尺寸不同於所述第二卷積核的尺寸，其中所述第一卷積核的移動步長不同於所述第二卷積核的移動步長；<br/> 根據所述多個運算結果，產生輸出數據，其中：<br/> 所述第一卷積核以及所述第二卷積核是同時針對卷積神經網路的第一目前處理層分別進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，或<br/> 所述第一卷積核以及所述第二卷積核是分別針對所述第一目前處理層以及第二目前處理層進行所述第一卷積運算以及所述第二卷積運算，其中所述第一目前處理層為所述第二目前處理層的前一層；以及<br/> 儲存所述輸出數據於所述記憶體中。
如請求項12所述的卷積運算裝置，其中所述第一卷積核的所述尺寸大於所述第二卷積核的所述尺寸，所述第一卷積核的所述移動步長小於所述第二卷積核的所述移動步長。
如請求項13所述的卷積運算裝置，其中所述第一卷積核是基於Winograd演算法來進行所述第一卷積運算，所述第二卷積核是根據不同於Winograd演算法的其它演算法來進行所述第二卷積運算。
如請求項12所述的卷積運算裝置，其中所述處理器不儲存所述多個運算結果於所述記憶體中。
一種電解單元，其特徵係具備：具有第1面的第1間隔件、 <br/> 和在與前述第1間隔件間空出收容空間而配置，具有與前述第1面相對的第2面的第2間隔件、 <br/> 和配置在前述收容空間的離子交換膜、 <br/> 和配置在前述第1間隔件與前述離子交換膜間的第1供電體、 <br/> 和配置在前述第1供電體與前述離子交換膜間的第1觸媒層、 <br/> 和配置在前述第2間隔件與前述離子交換膜間的第2供電體、 <br/> 和配置在前述第2供電體與前述離子交換膜間的第2觸媒層、 <br/> 作為前述第1間隔件的一部分設置，或設置前述第1間隔件和前述第1供電體之間，使沿著前述第1面在第1方向流動的電解液的至少一部分的流動方向，在前述第1方向上的複數位置的各個位置，向與前述第1面交叉的第2方向變化的流動方向變化部， <br/> 前述第1間隔件係具有包含前述第1面的間隔件本體， <br/> 前述流動方向變化部係包含從前述間隔件本體向前述離子交換膜突出的複數第1突起，前述複數第1突起係在前述第1方向上相互分離地配置， <br/> 前述間隔件本體係具有規定沿著前述第1方向的第1流路的第1溝槽， <br/> 前述複數第1突起係配置在前述第1溝槽的內部， <br/> 在各個前述複數第1突起和前述第1供電體之間，存在較在前述電解單元運轉時的壓力環境下在前述第1間隔件和前述離子交換膜之間產生的氣泡的平均直徑為大的間隙。
如請求項1記載之電解單元，其中，前述間隔件本體係具有在沿著前述第1面的方向且與前述第1方向交叉的第3方向上分別配置在前述第1溝槽的兩側的第1部分及第2部分， <br/> 前述複數第1突起的突出高度係較前述第1溝槽的深度為小， <br/> 前述第1部分及第2部分係在前述複數第1突起離開前述第1供電體的狀態下，與前述第1供電體接觸。
如請求項1或2記載之電解單元，其中，各個前述複數第1突起係包含形成為隨著向前述第1方向前進，從前述間隔件本體的突出量逐漸變大的變化部。
如請求項1或2記載之電解單元，其中，至少對前述複數第1突起的表面，實施撥水性的表面處理。
如請求項1或2記載之電解單元，其中，前述間隔件本體係具有在沿著前述第1面的方向且與前述第1方向交叉的第3方向上與前述第1溝槽相鄰，規定沿著前述第1方向的第2流路的第2溝槽， <br/> 前述流動方向變化部係包含從前述間隔件本體向前述離子交換膜突出的複數第2突起，前述複數第2突起係配置在前述第2溝槽的內部。
如請求項5記載之電解單元，其中，前述複數第1突起中所含的至少2個突起、和前述複數第2突起中所含的至少2個突起係在前述第1方向上呈鋸齒狀配置。
一種電解裝置，其特徵係具備：請求項1~6中任1項記載之電解單元、 <br/> 向前述電解單元供給前述電解液的電解液供給部、 <br/> 在前述電解單元施加電壓的電源部。
一種用於鑽針環的環形二維碼，其包括有：一環體，其係提供套設在一微型鑽針上；至少一環形二維碼，其係設於該環體的頂面，該環形二維碼包含有一內環及一中環，該中環係位於該內環的外側，該內環包括有至少一定位格、複數第一內格及複數第二內格，該定位格內設有一定位標記，各該第一內格與各該第二內格交錯排列；該中環包括有複數第一中格及複數第二中格，各該第一中格分別對應該定位格及各該第二內格，各該第二中格分別對應各該第一內格，且該環形二維碼儲存有一身分識別編號；以及一微型鑽針資料，其係儲存於該環形二維碼的該身分識別編號內，並包括該微型鑽針的長度、刃徑、使用次數、研磨次數、至少一以該微型鑽針加工的工件的工單編號、鑽孔機編號、軸數編號及研磨機編號。
如請求項1所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該環體的底面設有該環形二維碼。
如請求項1或2所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該環形二維碼係以印刷或雷刻於該環體上。
如請求項1所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該定位格為1位元，各該第一內格、各該第二內格、各該第一中格及各該第二中格合計為31位元。
如請求項4所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該定位格、各該第一內格及各該第一中格為白色，該定位標記、各該第二內格及各該第二中格為黑色。
如請求項5所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該定位格的兩側為各該第一內格。
一種用於鑽針環的環形二維碼，其包括有：一環體，其係提供套設在一微型鑽針上；至少一環形二維碼，其係設於該環體的頂面，該環形二維碼包含有一內環、一中環及一外環，該中環係位於該內環與外環之間，該內環包括有至少一定位格、複數第一內格、複數第二內格，該定位格內設有一定位標記，各該第一內格與各該第二內格交錯排列；該中環包括有複數第一中格及複數第二中格，各該第一中格分別對應各該第二內格，各該第二中格分別對應該定位格及各該第一內格；該外環包括有複數第一外格及複數第二外格，各該第一外格分別對應各該第二中格，各該第二外格分別對應各該第一中格；以及一微型鑽針資料，其係儲存於該環形二維碼內，並包括該微型鑽針的長度、刃徑、使用次數、研磨次數及至少一以該微型鑽針加工的工件的工單編號。
如請求項7所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該環體的底面設有該環形二維碼。
如請求項7或8所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該環形二維碼係以印刷或雷刻於該環體上。
如請求項7所述之用於鑽針環的環形二維碼，其中該定位格為1位元，各該第一內格、各該第二內格、各該第一中格、各該第二中格、各該第一外格及各該第二外格合計為47位元；該定位格、各該第一內格、各該第一中格及各該第一外格為白色，該定位標記、各該第二內格、各該第二中格及各該第二外格為黑色。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si，剩餘部分包含Al及不可避免之雜質，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之短邊長度c與長邊長度d之比率(c/d)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.7以下， <br/>該Al連接材料之L剖面中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.2以上0.7以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si， <br/>進而含有總計850質量ppm以下之Sr、Ca、Na、Ti、P之任意一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之短邊長度c與長邊長度d之比率(c/d)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.7以下， <br/>該Al連接材料之L剖面中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.2以上0.7以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si， <br/>進而含有總計600質量ppm以下之Mn、Sn、Cu、Zn之任意一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之短邊長度c與長邊長度d之比率(c/d)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.7以下， <br/>該Al連接材料之L剖面中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.2以上0.7以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si， <br/>進而含有總計850質量ppm以下之Sr、Ca、Na、Ti、P之任意一種以上， <br/>進而含有總計600質量ppm以下之Mn、Sn、Cu、Zn之任意一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之短邊長度c與長邊長度d之比率(c/d)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.7以下， <br/>該Al連接材料之L剖面中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.2以上0.7以下。
一種半導體裝置用之Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Al相之短邊長度c與長邊長度d之比率(c/d)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.7以下， <br/>該Al連接材料之L剖面中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.2以上0.7以下。
如請求項1至5中任一項之Al連接材料，其L剖面中之Si相之面積平均所求出之平均徑為0.8 μm以上4 μm以下。
如請求項1至5中任一項之Al連接材料，其L剖面中之Al相之面積平均所求出之平均徑為5 μm以上40 μm以下。
如請求項2或4之Al連接材料，其中Sr、Ca、Na、Ti、P之總計濃度為10質量ppm以上。
如請求項5之Al連接材料，其進而含有總計10質量ppm以上800質量ppm以下之Sr、Ca、Na、Ti、P之任意一種以上。
如請求項3或4之Al連接材料，其中Mn、Sn、Cu、Zn之總計濃度為10質量ppm以上。
如請求項5之Al連接材料，其進而含有總計10質量ppm以上500質量ppm以下之Mn、Sn、Cu、Zn之任意一種以上。
如請求項9之Al連接材料，其進而含有總計10質量ppm以上500質量ppm以下之Mn、Sn、Cu、Zn之任意一種以上。
如請求項5、9、11、12中任一項之Al連接材料，其中Al連接材料中Al、Si、Sr、Ca、Na、Ti、P、Mn、Sn、Cu及Zn以外之元素(以下稱為「其他元素」)之總計濃度為0.5質量%以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si，且含有總計5質量ppm以上800質量ppm以下之Sr、Eu、Na之任意一種以上，剩餘部分包含Al及不可避免之雜質，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.65以下。
一種Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si，且含有總計5質量ppm以上800質量ppm以下之Sr、Eu、Na之任意一種以上，且 <br/>進而含有總計700質量ppm以下之Fe、Mg、Mn、Ga、Ge之任意一種以上， <br/>剩餘部分包含Al及不可避免之雜質， <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.65以下。
一種半導體裝置用之Al連接材料，其含有3.0質量%以上12.0質量%以下之Si，且含有總計5質量ppm以上800質量ppm以下之Sr、Eu、Na之任意一種以上，且 <br/>該Al連接材料之L剖面(包含中心軸之中心軸方向之剖面)中之Si相之短邊長度e與長邊長度f之比率(e/f)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.65以下。
如請求項1至3中任一項之Al連接材料，其L剖面中之Al相之短邊長度c與長邊長度d之比率(c/d)之面積平均所求出之平均值為0.25以上0.7以下。
如請求項1至3中任一項之Al連接材料，其L剖面中之Al相之面積平均所求出之平均徑為5 μm以上40 μm以下。
如請求項2之Al連接材料，其中Fe、Mg、Mn、Ga、Ge之總計濃度為5質量ppm以上。
如請求項3之Al連接材料，其進而含有總計5質量ppm以上700質量ppm以下之Fe、Mg、Mn、Ga、Ge之任意一種以上。
如請求項3或7之Al連接材料，其中Al連接材料中Al、Si、Sr、Eu、Na、Fe、Mg、Mn、Ga及Ge以外之元素之總計濃度為0.5質量%以下。
一種電連接器，用於搭配一電路板材使用，該電連接器係包括： <br/>一導電端子，該導電端子係具有一端子抵接部； <br/>一絕緣膠芯，該絕緣膠芯係具有一膠芯插接空間與一膠芯插接通道，其中，該電路板材係可經由該膠芯插接通道插入該膠芯插接空間，該絕緣膠芯係接合該導電端子，使該端子抵接部位於該膠芯插接空間，而抵接插入該膠芯插接空間的該電路板材； <br/>一按壓件，該按壓件係裝設於該絕緣膠芯，且該按壓件係具有一按壓件按壓部與一按壓件干涉部；以及 <br/>一持力件，該持力件係裝設於該絕緣膠芯，且該持力件係具有一持力件彈性部與一持力件抵接部，該持力件彈性部對該持力件抵接部提供彈力，讓該持力件抵接部彈性抵接該按壓件，以令該按壓件干涉部可接觸該電路板材，而干涉該電路板材經由該膠芯插接通道離開該膠芯插接空間；其中， <br/>該按壓件按壓部係可接受按壓而迫使該持力件彈性部彈性變形，以令該按壓件干涉部離開該電路板材，而解除該按壓件干涉部對該電路板材的干涉。
如請求項1所述的電連接器，其中，該絕緣膠芯還具有一膠芯插接引導結構，該膠芯插接引導結構係提供引導該電路板材經由該膠芯插接通道插入該膠芯插接空間。
如請求項1所述的電連接器，其中，該按壓件還具有一按壓件推抵部，其中，該電路板材係可推抵該按壓件推抵部而致動該該按壓件，使該電路板材可避開該按壓件干涉部而進入該膠芯插接空間。
如請求項3所述的電連接器，其中，該按壓件推抵部係具有一按壓件插接引導結構，該按壓件插接引導結構係提供引導該電路板材插入該膠芯插接空間而抵接該端子抵接部。
如請求項1所述的電連接器，其中，該絕緣膠芯還具有一膠芯按壓件裝設結構，該持力件還具有一持力件止擋結構，該膠芯按壓件裝設結構係令該按壓件於一按壓件裝設方向裝設於該絕緣膠芯， 該持力件止擋結構係於背離該按壓件裝設方向的方向接觸該按壓件，俾止擋該按壓件於背離該按壓件裝設方向的方向離開該絕緣膠芯。
如請求項1所述的電連接器，其中，該絕緣膠芯還具有一膠芯持力件裝設結構與一膠芯持力件定位結構，該膠芯持力件裝設結構係令該持力件於一持力件裝設方向裝設於該絕緣膠芯， 該膠芯持力件定位結構係於背離該持力件裝設方向的方向接觸該持力件，以避免該持力件於背離該持力件裝設方向的方向離開該絕緣膠芯。
如請求項1所述的電連接器，其中，該電路板材係在一電路板材插接方向插入該膠芯插接空間，該絕緣膠芯還具有一膠芯按壓件止擋結構，該膠芯按壓件止擋結構係於背離該電路板材插接方向的方向接觸該按壓件，俾止擋該按壓件於背離該電路板材插接方向的方向離開該絕緣膠芯。
如請求項1所述的電連接器，其中，該按壓件干涉部係具有一按壓件扣接結構，該按壓件扣接結構係可於該膠芯插接空間扣接該電路板材，而干涉該電路板材離開該膠芯插接空間。
如請求項8所述的電連接器，其中，該絕緣膠芯還具有一膠芯扣接結構容納空間，該膠芯扣接結構容納空間係連通該膠芯插接空間而可容納該按壓件扣接結構，俾解除該按壓件扣接結構對該電路板材的扣接。
如請求項9所述的電連接器，其中，該絕緣膠芯還具有一膠芯彈性部變形空間，該持力件彈性部係具有一持力件彈臂結構，該持力件彈臂結構係可避開該電路板材而於該膠芯彈性部變形空間中彈性變形。
如請求項10所述的電連接器，其中，該膠芯扣接結構容納空間與該膠芯彈性部變形空間係連通。
如請求項1所述的電連接器，其中，該絕緣膠芯係具有一膠芯按壓件限制結構，該膠芯按壓件限制結構係可接觸該按壓件，而限制該按壓件按壓部的按壓行程。
如請求項1所述的電連接器，其中，該端子抵接部係具有一第一端子抵接結構與一第二端子抵接結構，該第一端子抵接結構與該第二端子抵接結構係分開且可分別抵接該電路板材。
一種訊號傳輸構件，用於搭配使用，該訊號傳輸構件係包括： <br/>一電路板材，該電路板材係具有一電路板材扣接結構； <br/>一電連接器，該電連接器係具有一導電端子、一絕緣膠芯、一按壓件與一持力件； <br/>該導電端子係具有一端子抵接部； <br/>該絕緣膠芯係具有一膠芯插接空間與一膠芯插接通道，其中，該電路板材係可經由該膠芯插接通道插入該膠芯插接空間，該絕緣膠芯係接合該導電端子，使該端子抵接部位於該膠芯插接空間，而抵接插入該膠芯插接空間的該電路板材； <br/>該按壓件係裝設於該絕緣膠芯，且該按壓件係具有一按壓件扣接結構； <br/>該持力件係裝設於該絕緣膠芯，且該持力件係具有一持力件彈性部與一持力件抵接部，該持力件彈性部係可對該持力件抵接部提供彈力，讓該持力件抵接部彈性抵接該按壓件，以令該按壓件扣接結構扣接該電路板材扣接結構，而干涉該電路板材經由該膠芯插接通道離開該膠芯插接空間；其中， <br/>該按壓件係可接受按壓而迫使該持力件彈性部彈性變形，以解除該按壓件扣接結構對該電路板材扣接結構的扣接，使該電路板材可經由該膠芯插接通道離開該膠芯插接空間。
如請求項14所述的訊號傳輸構件，其中，該電路板材扣接結構係為扣孔結構，該按壓件扣接結構係為扣勾結構。
一種多主機系統，其改良在於，所述多主機系統包括至少兩個主機板，每個所述主機板包括BMC模組與CPLD模組，所述CPLD模組包括主介面與從介面，所述BMC模組連接同一主機板之所述CPLD模組；每個所述CPLD模組之所述主介面連接至其餘所述CPLD模組之從介面，以及每個所述CPLD模組之所述從介面連接至其餘所述CPLD模組之所述主介面；<br/> 所述BMC模組用以：<br/> 按照預設時間之間隔傳輸主權請求至對應之所述CPLD模組；<br/> 所述CPLD模組用以：<br/> 回應於所述主權請求，且對應之所述從介面接收到第一訊號時，控制對應之所述主介面輸出第二訊號；<br/> 將第一介面狀態傳輸至對應之所述BMC模組，所述第一介面狀態用以確定對應之所述BMC模組為所述多主機系統之主控制器；<br/> 於所述預設時間後未接收到所述主權請求，控制對應之所述主介面輸出所述第一訊號；<br/> 所述CPLD模組還用以：<br/> 確定對應之所述主介面輸出所述第二訊號之時長大於所述預設時間時，控制對應之所述主介面輸出所述第一訊號；<br/> 回應於所述主權請求，且對應之所述從介面接收到所述第二訊號時，將第二介面狀態傳輸至對應之所述BMC模組，所述第二介面狀態用以確定對應之所述BMC模組為所述多主機系統之從控制器。
如請求項1所述之多主機系統，其中，所述第一訊號為低電平訊號，所述第二訊號為高電平訊號；<br/> 或者，所述第一訊號為高電平訊號，所述第二訊號為低電平訊號。
如請求項1所述之多主機系統，其中，所述BMC模組藉由I2C匯流排連接同一主機板之所述CPLD模組。
一種主控制器確定方法，其改良在於，應用於多主機系統，所述多主機系統包括至少兩個主機板，每個所述主機板包括BMC模組與CPLD模組，所述CPLD模組包括主介面與從介面，所述BMC模組連接同一主機板之所述CPLD模組；每個所述CPLD模組之所述主介面連接至其餘所述CPLD模組之從介面，以及每個所述CPLD模組之所述從介面連接至其餘所述CPLD模組之所述主介面；<br/> 所述方法包括：<br/> 所述BMC模組按照預設時間之間隔傳輸主權請求至對應之所述CPLD模組；<br/> 所述CPLD模組回應於所述主權請求，且對應之所述從介面接收到第一訊號時，控制對應之所述主介面輸出第二訊號；<br/> 所述CPLD模組將第一介面狀態傳輸至對應之所述BMC模組，所述第一介面狀態用以確定對應之所述BMC模組為所述多主機系統之主控制器；<br/> 所述CPLD模組於所述預設時間後未接收到所述主權請求，控制對應之所述主介面輸出所述第一訊號；<br/> 所述CPLD模組確定對應之所述主介面輸出所述第二訊號之時長大於所述預設時間時，控制對應之所述主介面輸出所述第一訊號；<br/> 所述CPLD模組回應於所述主權請求，且對應之所述從介面接收到所述第二訊號時，將第二介面狀態傳輸至對應之所述BMC模組，所述第二介面狀態用以確定對應之所述BMC模組為所述多主機系統之從控制器。
一種加熱爐之操作方法，其係藉由將具有蓄熱部之燃燒部對向設置之蓄熱式燃燒裝置，於對向之一對上述燃燒部中交替地進行燃燒動作及抽吸動作而控制加熱爐之爐內溫度者； <br/>於上述抽吸動作中，利用由上述蓄熱部回收從上述加熱爐之爐內抽吸之抽吸氣體所具有之顯熱， <br/>於上述燃燒動作中，使燃燒用空氣通過上述蓄熱部而升溫並朝向上述加熱爐之爐內噴出，且從燃料供給噴嘴朝向通過上述蓄熱部之上述燃燒用空氣之噴出流路予以噴霧液體氨， <br/>上述燃料供給噴嘴係相對於上述噴出流路傾斜地配置， <br/>所噴霧之上述液體氨之索特平均直徑d<sub>0</sub>(mm)係滿足下述(1)式，其中，將從上述噴出流路中上述噴出流路之噴出口至上述燃料供給噴嘴連接之連接位置為止設為距離L(mm)，將通過上述蓄熱部之上述燃燒用空氣之速度、與所噴霧之上述液體氨之速度中之上述噴出流路之方向之成分之速度的平均速度設為V<sub>M</sub>(mm/s)， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="314px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>此處，Ke表示液體氨之蒸發速度常數(mm<sup>2</sup>/s)。
如請求項1之加熱爐之操作方法，其中，所噴霧之上述液體氨係將索特平均直徑設為5～3000 μm之液滴。
如請求項1或2之加熱爐之操作方法，其中，朝向通過上述蓄熱部之上述燃燒用空氣之上述噴出流路，予以噴霧上述液體氨，並且供給選自煤氣及烴系氣體之至少一種氣體燃料。
如請求項1之加熱爐之操作方法，其中，朝向通過上述蓄熱部之上述燃燒用空氣之上述噴出流路，予以噴霧上述液體氨，並且供給選自煤氣及烴系氣體之至少一種氣體燃料。
一種加熱爐，其係具備將燃燒部對向設置之蓄熱式燃燒裝置，於對向之一對上述燃燒部中交替地進行燃燒動作及抽吸動作而控制爐內之溫度者； <br/>其具有控制一對上述燃燒部，使其交替地切換執行上述燃燒動作與上述抽吸動作之交替燃燒控制部， <br/>上述燃燒部具有：蓄熱部，其回收於上述抽吸動作中從上述加熱爐之爐內抽吸之抽吸氣體所具有之顯熱；噴出流路，其於上述燃燒動作中使燃燒用空氣通過上述蓄熱部而升溫並朝向上述加熱爐之爐內噴出；及燃料供給噴嘴，其係相對於上述噴出流路傾斜地配置，於上述燃燒動作中朝向上述噴出流路噴霧液體氨， <br/>所噴霧之上述液體氨之索特平均直徑d<sub>0</sub>(mm)係滿足下述(1)式，其中，將從上述噴出流路中上述噴出流路之噴出口至上述燃料供給噴嘴連接之連接位置為止設為距離L(mm)，將通過上述蓄熱部之上述燃燒用空氣之速度、與所噴霧之上述液體氨之速度中之上述噴出流路之方向之成分之速度的平均速度設為V<sub>M</sub>(mm/s)， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="314px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>此處，Ke表示液體氨之蒸發速度常數(mm<sup>2</sup>/s)。
一種移送裝置，其包括： <br/>構造框架； <br/>升降部，其於上述構造框架之上部相對於上述構造框架進行升降，將裝載物裝載於上部，上述升降部隨著裝載物之重量增加而下降； <br/>彈性構件，上述彈性構件係一端連接於上述升降部之下部，另一端連接於上述構造框架，對上述升降部提供上升恢復力； <br/>剪刀構造，其經構形以相對於上述構造框架以剪刀式升降機方式使上述升降部升降，上述剪刀構造包括第1元件及第2元件；及 <br/>氣缸，其一端樞轉連接於上述升降部且另一端樞轉連接於上述構造框架，上述氣缸配置於與上述升降部之移動方向相交之方向，且經構形以伸張及壓縮以緩衝上述升降部之急速上升或急速下降； <br/>其中上述第1元件之一端樞轉固定於上述升降部，且上述第1元件之另一端滑動連接於上述構造框架，及 <br/>其中上述第2元件之一端樞轉固定於上述構造框架，且上述第2元件之另一端滑動連接於上述升降部。
如請求項1之移送裝置，其包括側壁，上述側壁係連接於上述構造框架，沿著上述升降部之外緣而設置。
如請求項2之移送裝置，其中上述側壁包括至少一部分開放之開放側壁。
如請求項3之移送裝置，其中上述開放側壁包括：下部壁，其係固定於上述構造框架之部分；及上部壁，其係相對於上述下部壁而開放之部分。
如請求項4之移送裝置，其中上述上部壁之下部鉸鏈結合於上述下部壁之上部而旋轉開合。
如請求項4之移送裝置，其中上述下部壁之高度係於上述升降部處於最高高度時，與上述升降部之上表面之高度對應。
如請求項4之移送裝置，其中上述側壁包括鄰接於上述開放側壁而設置之固定側壁， <br/>上述移送裝置包括：第1鎖定部，其設置於上述上部壁之側部；及第2鎖定部，其設置於上述固定側壁之側部，於上述上部壁閉合時，配置在與上述第1鎖定部之位置對應之位置； <br/>上述上部壁係藉由上述第1鎖定部與上述第2鎖定部彼此緊固而維持閉合狀態。
如請求項3之移送裝置，其中於上述開放側壁閉合之狀態下，上述側壁之高度高於上述升降部之最高高度。
如請求項3之移送裝置，其中上述開放側壁分別設置於彼此對向之位置。
如請求項2之移送裝置，其中上述側壁以具有透視性之方式設置。
一種移送系統，其包括： <br/>移送裝置，其移送裝載物；及 <br/>垂直返送系統，其係投入上述移送裝置而使上述移送裝置沿著垂直方向返送者；且 <br/>上述垂直返送系統包括投入部，上述投入部包括投入軌道，上述投入軌道係引導上述移送裝置之投入路徑且供上述移送裝置安裝； <br/>上述移送裝置包括：構造框架，其安裝於上述投入軌道；升降部，其相對於上述構造框架進行升降，將裝載物裝載於上部；彈性構件，上述彈性構件係一端連接於上述升降部之下部，另一端連接於上述構造框架，對上述升降部提供上升恢復力，剪刀構造，其經構形以相對於上述構造框架以剪刀式升降機方式使上述升降部升降，上述剪刀構造包括第1元件及第2元件，及氣缸，其一端樞轉連接於上述升降部且另一端樞轉連接於上述構造框架，上述氣缸配置於與上述升降部之移動方向相交之方向，且經構形以伸張及壓縮以緩衝上述升降部之急速上升或急速下降； <br/>上述升降部隨著裝載物之重量增加而下降， <br/>其中上述第1元件之一端樞轉固定於上述升降部，且上述第1元件之另一端滑動連接於上述構造框架，及 <br/>其中上述第2元件之一端樞轉固定於上述構造框架，且上述第2元件之另一端滑動連接於上述升降部。
如請求項11之移送系統，其中上述構造框架包括：主框架，其沿著上述構造框架之邊緣而設置；及複數個補強構件，其連接於上述主框架，橫穿上述主框架而設置。
如請求項12之移送系統，其包括設置於上述複數個補強構件之下部之接觸構件， <br/>上述接觸構件係於上述移送裝置投入至上述垂直返送系統時，與上述投入軌道接觸。
如請求項13之移送系統，其中於上述接觸構件之下表面上，與上述投入軌道之外周面之形狀對應地形成凹凸。
如請求項12之移送系統，其中上述構造框架包括終止部，上述終止部係設置於上述主框架之外周面，且自上述主框架向下部延伸， <br/>上述終止部於上述移送裝置進入至上述投入軌道之方向上設置在不與上述投入軌道重疊之位置。
一種雷射修補裝置，其包括：<br/> 一承載模組，其被配置以用於承載至少一待修物件；其中，該至少一待修物件具有一第一導電元件以及一第二導電元件，該第一導電元件與該第二導電元件彼此不相連接；<br/> 一補料提供模組，其鄰近於該承載模組，該補料提供模組被配置以用於提供一修補液到該第一導電元件與該第二導電元件之間，該修補液包含多個補料件；<br/> 一雷射投射模組，其鄰近於該承載模組，該雷射投射模組被配置以用於在該待修補液中的溶液蒸發、揮發而剩該多個補料件位於該待修物件上時，將至少一脈衝雷射光束投射到該多個補料件，以對該多個補料件進行燒結且驅使該多個補料件形成一導電塊；<br/> 一光束調整模組，其對應於該雷射投射模組，該光束調整模組被配置以用於接收該至少一脈衝雷射光束，並用於將該至少一脈衝雷射光束轉換成一第一調變雷射光束；<br/> 一光學模組，其對應於該光束調整模組，該光學模組被配置以用於接收該第一調變雷射光束，並用於將該第一調變雷射光束轉換成一第二調變雷射光束；以及<br/> 一聚焦模組，其對應於該光學模組，該聚焦模組被配置以用於接收該第二調變雷射光束，並用於將該第二調變雷射光束轉換成一平頂雷射光束；<br/> 其中，該導電塊電性連通該第一導電元件與該第二導電元件。
如請求項1所述的雷射修補裝置，其中，該至少一脈衝雷射光束的脈衝寬度在飛秒量級（10<sup>-15</sup>秒），該至少一脈衝雷射光束的脈衝寬度小於500 fs，該至少一脈衝雷射光束的脈衝重複頻率大於1 MHz，該至少一脈衝雷射光束的波長介於465~5650 nm，該至少一脈衝雷射光束的光斑尺寸介於10~100 µm；或者<br/> 其中，該至少一脈衝雷射光束的一脈衝寬度介於50~500 fs之間，該至少一脈衝雷射光束的一重複頻率介於0.5~10 GHz之間，該至少一脈衝雷射光束的一脈衝能量介於100~1000 μJ之間；其中，該雷射投射模組包括：<br/> 一脈衝雷射產生單元，其用於產生具有多個脈衝訊號的一雷射光；<br/> 一雷射調製單元，其鄰近於該脈衝雷射產生單元，該雷射調製單元被配置以用於提高該雷射光的該重複頻率，並用於依據提高後的該雷射光產生具有多個脈衝串的一脈衝串雷射光；以及<br/> 一雷射放大單元，其鄰近於該雷射調製單元，該雷射放大單元被配置以用於提高該脈衝串雷射光的該脈衝能量，以產生該脈衝雷射光束，其中，該多個脈衝串包括該多個脈衝訊號，該多個脈衝訊號的頻率介於1~2000 KHz之間。
如請求項1所述的雷射修補裝置，其中，該補料件為奈米粒子。
如請求項3所述的雷射修補裝置，還包括一掃描模組，其位於該光學模組與該聚焦模組之間，該掃描模組被配置以用於接收該第二調變雷射光束，並用於選擇性地以至少一投射方向投射該第二調變雷射光束。
如請求項4所述的雷射修補裝置，還包括：<br/> 一分析模組，其連接於該雷射投射模組；<br/> 一分光模組，其對應於該分析模組，該分光模組被配置以用於接收該第一調變雷射光束、該第二調變雷射光束或該平頂雷射光束；以及<br/> 一檢測模組，其鄰近於該承載模組，該檢測模組連接該雷射投射模組，該檢測模組被配置以用於以光譜檢測、電性檢測或螢光檢測的方式檢測該導電塊的受熱情況，以對應產生至少一受熱資訊，且該檢測模組將至少一該受熱資訊傳送到該雷射投射模組；<br/> 其中，當該分光模組接收該第一調變雷射光束時，該分光模組將該第一調變雷射光束的其中一部分光束投射至該光學模組，以及將該第一調變雷射光束的另外一部分光束投射至該分析模組，以使該分析模組據以產生一第一光束能量分析訊號，且該分析模組將該第一光束能量分析訊號傳送到該雷射投射模組；<br/> 其中，當該分光模組接收該第二調變雷射光束時，該分光模組將該第二調變雷射光束的其中一部分光束投射至該掃描模組，以及將該第二調變雷射光束的另外一部分光束投射至該分析模組，以使該分析模組據以產生一第二光束能量分析訊號，且該分析模組將該第二光束能量分析訊號傳送到該雷射投射模組；<br/> 其中，當該分光模組接收該平頂雷射光束時，該分光模組將該平頂雷射光束的其中一部分光束投射至該多個補料件，以及將該平頂雷射光束的另外一部分光束投射至該分析模組，以使該分析模組據以產生一第三光束能量分析訊號，且該分析模組將該第三光束能量分析訊號傳送到該雷射投射模組；<br/> 其中，該第一光束能量分析訊號、該第二光束能量分析訊號以及該第三光束能量分析訊號包括一光斑形狀、一光斑位置以及一光束能量中至少一者。
一種雷射修補方法，其包括下列步驟：<br/> 藉由一承載模組承載至少一待修物件；其中，該至少一待修物件具有一第一導電元件以及一第二導電元件，該第一導電元件與該第二導電元件彼此不相連接；<br/> 利用一補料提供模組提供一修補液到該第一導電元件與該第二導電元件之間，其中，該修補液包含多個補料件；<br/> 靜置該至少一待修物件，以使該修補液中的溶液蒸發、揮發，而剩該多個補料件位於該待修物件上，藉由一雷射投射模組將至少一脈衝雷射光束投射到該多個補料件，以對該多個補料件進行燒結，而驅使該多個補料件形成一導電塊；以及<br/> 利用該導電塊電性連通該第一導電元件與該第二導電元件；<br/> 其中，在提供該修補液到該第一導電元件與該第二導電元件之間之步驟之後，該雷射修補方法還包括下列步驟：<br/> 利用一光束調整模組接收該至少一脈衝雷射光束，並將該至少一脈衝雷射光束轉換成一第一調變雷射光束；<br/> 藉由一光學模組接收該第一調變雷射光束，並將該第一調變雷射光束轉換成一第二調變雷射光束；以及<br/> 藉由一聚焦模組接收該第二調變雷射光束，並將該第二調變雷射光束轉換成投射至該多個補料件的一平頂雷射光束。
如請求項6所述的雷射修補方法，其中，該至少一脈衝雷射光束的脈衝寬度在飛秒量級（10<sup>-15</sup>秒），該至少一脈衝雷射光束的脈衝寬度小於500 fs，該至少一脈衝雷射光束的脈衝重複頻率大於1 MHz，該至少一脈衝雷射光束的波長介於465~5650 nm，該至少一脈衝雷射光束的光斑尺寸介於10~100 µm；或者<br/> 其中，該至少一脈衝雷射光束的一脈衝寬度介於50~500 fs之間，該至少一脈衝雷射光束的一重複頻率介於0.5~10 GHz之間，該至少一脈衝雷射光束的一脈衝能量介於100~1000 μJ之間；其中，在提供該至少一脈衝雷射光束的步驟中，還包括下列步驟：<br/> 藉由一脈衝雷射產生單元產生具有多個脈衝訊號的一雷射光；<br/> 利用一雷射調製單元提高該雷射光的該重複頻率，並依據提高後的該雷射光產生具有多個脈衝串的一脈衝串雷射光；以及<br/> 藉由一雷射放大單元提高該脈衝串雷射光的該脈衝能量，以產生該至少一脈衝雷射光束，其中，該多個脈衝串包括該多個脈衝訊號，該多個脈衝訊號的頻率介於1~2000 KHz之間。
如請求項6所述的雷射修補方法，其中，該至少一脈衝雷射光束的一脈衝寬度介於50~500 fs之間，該至少一脈衝雷射光束的一重複頻率介於0.5~10 GHz之間，該至少一脈衝雷射光束的一脈衝能量介於100~1000 μJ之間。
如請求項8所述的雷射修補方法，其中，在藉由該聚焦模組接收該第二調變雷射光束之步驟之前，該雷射修補方法還包括下列步驟：<br/> 利用一掃描模組接收該第二調變雷射光束，並選擇性地以至少一投射方向投射該第二調變雷射光束。
如請求項9所述的雷射修補方法，<br/> 其中，在產生該第一調變雷射光束的步驟之後，還包括下列步驟：<br/> 藉由一分光模組接收該第一調變雷射光束，並將該第一調變雷射光束的其中一部分光束投射至該光學模組，以及將該第一調變雷射光束的另外一部分光束投射至一分析模組；以及<br/> 利用該分析模組接收該第一調變雷射光束的該另外一部分光束，並據以產生一第一光束能量分析訊號，且將該第一光束能量分析訊號傳送到該雷射投射模組；<br/> 或者，在產生該第二調變雷射光束的步驟之後，還包括下列步驟：<br/> 藉由一分光模組接收該第二調變雷射光束，並將該第二調變雷射光束的其中一部分光束投射至該掃描模組，以及將該第二調變雷射光束的另外一部分光束投射至一分析模組；以及<br/> 利用該分析模組接收該第二調變雷射光束的該另外一部分光束，並據以產生一第二光束能量分析訊號，且將該第二光束能量分析訊號傳送到該雷射投射模組；<br/> 或者，在產生該平頂雷射光束的步驟之後，還包括下列步驟：<br/> 藉由該分光模組接收該平頂雷射光束，並將該平頂雷射光束的其中一部分光束投射至該多個補料件，以及將該平頂雷射光束的另外一部分光束投射至該分析模組；以及<br/> 利用該分析模組接收該平頂雷射光束的該另外一部分光束，並據以產生一第三光束能量分析訊號，且將該第三光束能量分析訊號傳送到該雷射投射模組；<br/> 其中，該第一光束能量分析訊號、該第二光束能量分析訊號以及該第三光束能量分析訊號包括一光斑形狀、一光斑位置以及一光束能量中至少一者；<br/> 其中，該雷射修補方法還包括下列步驟：<br/> 藉由一檢測模組以光譜檢測、電性檢測或螢光檢測的方式檢測該導電塊的受熱情況，以對應產生至少一受熱資訊；以及<br/> 利用該檢測模組將至少一該受熱資訊傳送到該雷射投射模組。
一種發光二極體(LED)，其包括：<br/>一n摻雜半導體材料層，其位於一基板上；<br/>一主動區域，其包含經組態以發射光之一光學活性化合物半導體層堆疊，該主動區域位於該n摻雜半導體材料層上；<br/>一p摻雜半導體材料層，其位於該主動區域上且含有一摻鎳表面區域；<br/>一導電層，其接觸該p摻雜半導體材料層之該摻鎳表面區域；<br/>一反射器，其上覆於該導電層上並電連接至該導電層；及<br/>一裝置側接合墊層，其電連接至該導電層，<br/>其中該導電層包括一鉑層，且該發光二極體進一步包括位於該鉑層與該裝置側接合墊層之間的一銀層，<br/>其中該反射器包括第一金屬黏合層、覆蓋該第一金屬黏合層的鋁層、以及覆蓋該鋁層的第二金屬黏合層，<br/>其中該裝置側接合墊層包括位於該反射器上之一第一金屬接合墊層、包括鉑之一第二金屬接合墊層及包括鉑及錫之一合金之一第三金屬接合墊層；且<br/>包括至少99原子%之錫之一錫部分位於該第三金屬接合墊層上。
如請求項1之發光二極體，其中：<br/>該p摻雜半導體材料層之該摻鎳表面區域具有自4×10<sup>13</sup>/cm<sup>2</sup>至2×10<sup>21</sup>/cm<sup>2</sup>之一範圍內之一鎳濃度；及<br/>該p摻雜半導體材料層之該摻鎳表面區域具有自0.3 nm至1 nm之一範圍內之一厚度。
一種直視型顯示裝置，其包括如請求項1之發光二極體之多個例項，該多個例項依一陣列組態配置於一背板上，其中該等發光二極體之各者為該直視型顯示裝置之一子像素。
一種發光二極體(LED)，其包括：<br/>一n摻雜半導體材料層；<br/>一主動區域，其包含經組態以發射光之一光學活性化合物半導體層堆疊，該主動區域位於該n摻雜半導體材料層上；<br/>一p摻雜半導體材料層，其位於該主動區域上；<br/>一陽極接點，其接觸該p摻雜半導體材料層；<br/>一反射器，其上覆於該陽極接點上且電連接至該陽極接點，其中該反射器具有小於該陽極接點之一面積；及<br/>一裝置側接合墊層，其位於該反射器上，<br/>其中該陽極接點包括接觸該p摻雜半導體材料層之一鉑層及位於該鉑層上之一銀層，<br/>其中該反射器包括第一金屬黏合層、覆蓋該第一金屬黏合層的鋁層、以及覆蓋該鋁層的第二金屬黏合層，該第二金屬黏合層包括鎳層，<br/>其中該裝置側接合墊層包括位於該反射器上之一第一金屬接合墊層、包括鉑之一第二金屬接合墊層及包括鉑及錫之一合金之一第三金屬接合墊層；且<br/>包括至少99原子%之錫之一錫部分位於該第三金屬接合墊層上。
如請求項4之發光二極體，其中該鉑層接觸該p摻雜半導體材料層之一摻鎳表面區域。
如請求項4之發光二極體，其中該第一金屬黏合層在一周邊區域處具有一第一厚度且在一中心區域處具有大於該第一厚度之一第二厚度。
如請求項6之發光二極體，其中該第二金屬黏合層具有一均勻厚度，且其中該第一金屬黏合層包括鎳層。
一種直視型顯示裝置，其包括如請求項4之發光二極體之多個例項，該多個例項依一陣列組態配置於一背板上，其中該等發光二極體之各者為該直視型顯示裝置之一子像素。
如請求項8之直視型顯示裝置，其中：<br/>該背板包括一背板側接合墊陣列；及<br/>該等發光二極體之各者透過一各自錫部分來接合至該等背板側接合墊之一各自者。
一種具有式 (I) 的結構的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="137px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>或其藥學上可接受的鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-6</sub>-烷基、鹵代-C<sub>1-6</sub>-烷基、和環丙基； <br/>R<sup>2</sup>選自由以下組成之群組：-NHR<sup>6</sup>、<img align="absmiddle" height="80px" width="77px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和<img align="absmiddle" height="80px" width="70px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中的一個係氫並且R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中的另一個選自由以下組成之群組：氫、鹵素、C<sub>1-3</sub>-烷基、鹵代-C<sub>1-3</sub>-烷基、和C<sub>1-3</sub>-烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、吡唑基、和咪唑基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基和C<sub>3-6</sub>-環烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素和C<sub>1-3</sub>-烷氧基的取代基取代；並且該吡唑基和咪唑基視需要被一或多個獨立地選自C<sub>1-3</sub>-烷基的取代基取代； <br/>R<sup>6</sup>係C<sub>1-10</sub>-烷基或<img align="absmiddle" height="58px" width="95px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該C<sub>1-10</sub>-烷基被羥基或側氧基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：鹵素、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>7</sup>係氫或C<sub>1-3</sub>-烷基； <br/>R<sup>8</sup>係氫；以及 <br/>R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>1-6</sub>-烷氧基-C<sub>1-6</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>1-6</sub>-烷氧基-C<sub>1-6</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代；或者 <br/>R<sup>8</sup>和R<sup>9</sup>與它們所附接的氮原子一起形成4、5、或6員飽和單環，其中剩餘的環原子係碳原子，並且其中該單環視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物具有式 (I-A) 的結構： <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="91px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-A)， <br/>並且其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、和R<sup>5</sup>如請求項1中所定義。
如請求項2所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基和鹵代-C<sub>1-3</sub>-烷基。
如請求項2所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>2</sup>係-NHR<sup>6</sup>。
如請求項4所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>6</sup>係C<sub>1-10</sub>-烷基，其中該C<sub>1-10</sub>-烷基被羥基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：鹵素、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基。
如請求項4所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>6</sup>係C<sub>2-6</sub>-烷基，其中該C<sub>2-6</sub>-烷基被羥基取代。
如請求項4所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>6</sup>係 <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="62px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>6</sup>選自由以下組成之群組： <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="41px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="41px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="41px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和<img align="absmiddle" height="46px" width="41px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>6</sup>係 <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="62px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中： <br/>R<sup>10</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基、鹵代-C<sub>1-3</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基-C<sub>1-3</sub>-烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>11</sup>選自由以下組成之群組：氫和C<sub>1-3</sub>-烷基；以及 <br/>R<sup>12</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-3</sub>-烷基、和鹵代-C<sub>1-3</sub>-烷基。
如請求項1至9中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自是氫。
如請求項10所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>5</sup>係-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>；R<sup>8</sup>係氫；並且R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>1-6</sub>-烷氧基-C<sub>1-6</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>1-6</sub>-烷氧基-C<sub>1-6</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代。
如請求項11所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中R<sup>9</sup>係C<sub>1-6</sub>-烷基，其中該C<sub>1-6</sub>-烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物具有選自以下的結構： <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="137px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及<img align="absmiddle" height="114px" width="114px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I-2) (I-3)， <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-6</sub>-烷基、鹵代-C<sub>1-6</sub>-烷基、和環丙基； <br/>R<sup>2</sup>選自由以下組成之群組：-NHR<sup>6</sup>、<img align="absmiddle" height="80px" width="77px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、和<img align="absmiddle" height="80px" width="70px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中的一個係氫並且R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中的另一個選自由以下組成之群組：氫、鹵素、C<sub>1-3</sub>-烷基、鹵代-C<sub>1-3</sub>-烷基、和C<sub>1-3</sub>-烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、吡唑基、和咪唑基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基和C<sub>3-6</sub>-環烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素和C<sub>1-3</sub>-烷氧基的取代基取代；並且該吡唑基和咪唑基視需要被一或多個獨立地選自C<sub>1-3</sub>-烷基的取代基取代； <br/>R<sup>6</sup>係C<sub>1-10</sub>-烷基或<img align="absmiddle" height="58px" width="95px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該C<sub>1-10</sub>-烷基被羥基或側氧基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：鹵素、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>7</sup>係氫或C<sub>1-3</sub>-烷基； <br/>R<sup>8</sup>係氫；且 <br/>R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>1-6</sub>-烷氧基-C<sub>1-6</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、C<sub>1-6</sub>-烷氧基-C<sub>1-6</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代；或者 <br/>R<sup>8</sup>和R<sup>9</sup>與它們所附接的氮原子一起形成4、5、或6員飽和單環，其中剩餘的環原子係碳原子，並且其中該單環視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代。
如請求項13所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物具有選自以下之結構： <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="114px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 及 <img align="absmiddle" height="114px" width="114px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I-5) (I-6)， <br/>其中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>如請求項13中所定義。
如請求項14所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基、鹵代-C<sub>1-3</sub>-烷基、和環丙基； <br/>R<sup>2</sup>係-NHR<sup>6</sup>； <br/>R<sup>3</sup>係氫，並且R<sup>4</sup>選自由以下組成之群組：氫和C<sub>1-3</sub>-烷基；或者R<sup>4</sup>係氫，並且R<sup>3</sup>選自由以下組成之群組：氫、鹵素、和C<sub>1-3</sub>-烷基； <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-6</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、吡唑基、和咪唑基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基和C<sub>3-6</sub>-環烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素和C<sub>1-3</sub>-烷氧基的取代基取代；並且該吡唑基和咪唑基視需要被一或多個獨立地選自C<sub>1-3</sub>-烷基的取代基取代； <br/>R<sup>6</sup>係C<sub>1-10</sub>-烷基，其中該C<sub>1-10</sub>-烷基被羥基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：鹵素、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>8</sup>係氫；且 <br/>R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-3</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基；其中該C<sub>1-3</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基-C<sub>1-3</sub>-烷基視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代；或者 <br/>或者R<sup>8</sup>和R<sup>9</sup>與它們所附接的氮原子一起形成氮雜環丁烷基環，並且其中該氮雜環丁烷基環視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代。
如請求項14所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基和氟-C<sub>1-3</sub>-烷基； <br/>R<sup>2</sup>係-NHR<sup>6</sup>； <br/>R<sup>3</sup>係氫並且R<sup>4</sup>選自由以下組成之群組：氫和甲基；或者R<sup>4</sup>係氫並且R<sup>3</sup>選自由以下組成之群組：氫、氟、和甲基； <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基、C<sub>3-6</sub>-環烷基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、吡唑基、和咪唑基；其中該C<sub>1-3</sub>-烷基和C<sub>3-6</sub>-環烷基視需要被一或多個獨立地選自氟和甲氧基的取代基取代；並且該吡唑基和咪唑基視需要被一或多個甲基取代； <br/>R<sup>6</sup>係C<sub>2-6</sub>-烷基，其中該C<sub>2-6</sub>-烷基被羥基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：氟、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>8</sup>係氫；且 <br/>R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-3</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基甲基；其中該C<sub>1-3</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基甲基視需要被一或多個獨立地選自鹵素的取代基取代。
如請求項14所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基和氟-C<sub>1-3</sub>-烷基； <br/>R<sup>2</sup>係-NHR<sup>6</sup>； <br/>R<sup>3</sup>選自由以下組成之群組：氫和氟； <br/>R<sup>4</sup>係氫； <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群組：C<sub>1-3</sub>-烷基、環丙基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、吡唑基、和咪唑基；其中該C<sub>1-6</sub>-烷基和環丙基視需要被一或多個獨立地選自氟和甲氧基的取代基取代；並且該吡唑基和咪唑基視需要被一或多個甲基取代； <br/>R<sup>6</sup>係C<sub>2-6</sub>-烷基，其中該C<sub>2-6</sub>-烷基被羥基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：氟、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>8</sup>係氫；且 <br/>R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、C<sub>1-3</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基甲基；其中該C<sub>1-3</sub>-烷基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基甲基視需要被一或多個氟取代。
如請求項14所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>選自由以下組成之群組：甲基、乙基、異丙基、氟甲基、和二氟甲基； <br/>R<sup>2</sup>係-NHR<sup>6</sup>； <br/>R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>係氫； <br/>R<sup>5</sup>選自由以下組成之群組：甲基、氟甲基、三氟甲基、甲氧基乙基、環丙基、-NR<sup>8</sup>R<sup>9</sup>、咪唑基、吡唑基、甲基咪唑基、和甲基吡唑基； <br/>R<sup>6</sup>係C<sub>2-6</sub>-烷基，其中該C<sub>2-6</sub>-烷基被羥基取代，並且視需要被一或多個獨立地選自由以下組成之群組的取代基取代：氟、C<sub>3-6</sub>-環烷基、和四氫呋喃基； <br/>R<sup>8</sup>係氫；且 <br/>R<sup>9</sup>選自由以下組成之群組：氫、甲基、乙基、二氟乙基、三氟乙基、四氫呋喃基、和1,4-二㗁𠮿基甲基。
如請求項1所述之化合物或其藥學上可接受的鹽，其中該化合物選自由以下組成之群組： <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(1-側氧基異吲哚啉-4-基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-((R)-1-羥基-2,3-二氫-1H-茚-4-基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-((R*)-1-羥基-1-甲基-2,3-二氫-1H-茚-4-基)-9H-嘌呤-6-基)-胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-(2,2,2-三氟乙基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-N-(2,2-二氟乙基)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-N-乙基-3-((9-乙基-2-(((S)-2-側氧基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((S)-2-側氧基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-N-乙基-3-((9-乙基-2-(((R)-2-側氧基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((2-(((R)-1-環丙基-2-羥基乙基)胺基)-9-(二氟甲基)-9H-嘌呤-6-基)-胺基)-N-乙基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>2-環戊基-2-((9-異丙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)乙烷-1-醇； <br/>2-((9-異丙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-2-(四氫呋喃-2-基)乙烷-1-醇； <br/>(R)-2-((6-(((3R*,4R*)-1-((1H-咪唑-2-基)磺醯基)-4-氟吡咯啶-3-基)胺基)-9-乙基-9H-嘌呤-2-基)胺基)-2-環丙基乙烷-1-醇； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-((R)-四氫呋喃-3-基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((2-(((R)-1-環丙基-2-羥基乙基)胺基)-9-甲基-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-乙基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(R)-2-((9-異丙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)-胺基)-9H-嘌呤-2-基)-胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((3S,4R)-1,1,1-三氟-4-羥基戊烷-3-基-)-胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-((S)-四氫呋喃-3-基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-N-(((S)-1,4-二㗁𠮿-2-基)甲基)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)-胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(2R,3S)-3-((9-乙基-6-(((S)-1-((3-氟氮雜環丁烷-1-基)磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)戊烷-2-醇； <br/>(S)-N-(((R)-1,4-二㗁𠮿-2-基)甲基)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)-胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(3R*,4R*)-3-((2-(((R)-1-環丙基-2-羥基乙基)胺基)-9-甲基-9H-嘌呤-6-基)-胺基)-N-乙基-4-氟吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(R)-2-(6-((S)-1-(環丙基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9-異丙基-9H-嘌呤-2-基胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-(9-乙基-6-((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-(9-環丙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基-胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-環丙基-2-((9-異丙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)-吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)乙醇； <br/>(2R,3S)-3-((9-異丙基-6-(((S)-1-(1-甲基-1H-吡唑-4-基-磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)戊烷-2-醇； <br/>(2R,3S)-3-((9-異丙基-6-(((S)-1-(1-甲基-1H-咪唑-4-基-磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)戊烷-2-醇； <br/>(R)-2-((6-(((3R,4R)-4-氟-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9-異丙基-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-((9-異丙基-6-(((3S,5R)-5-甲基-1-(甲基磺醯基)-吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-((9-異丙基-6-(((3S,5S)-5-甲基-1-(甲基磺醯基)-吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-((9-異丙基-6-(((3S,4R)-4-甲基-1-(甲基磺醯基)-吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(2R,3S)-3-((9-異丙基-6-(((3S,5R)-5-甲基-1-(甲基磺醯基)-吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)戊烷-2-醇； <br/>(R)-2-((9-乙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-環丙基-2-((9-乙基-6-(((S)-1-(甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)乙醇； <br/>(R)-2-((9-乙基-6-(((S)-1-(2,2,2-三氟乙基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-((6-(((S)-1-(環丙基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9-乙基-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-((9-乙基-6-(((S)-1-((2-甲氧基乙基)磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(R)-2-((9-乙基-6-(((S)-1-(氟甲基磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-3-甲基丁烷-1-醇； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((S)-2-側氧基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((S)-2-羥基-2-甲基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((S)-2-羥基-2-甲基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((S)-1-羥基丁烷-2-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((2R*,3S*)-4,4,4-三氟-3-羥基丁烷-2-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-乙基-2-(((1R,2S)-2-羥基-2,3-二氫-1H-茚-1-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(3R*,4R*)-3-((9-乙基-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-4-氟-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-N-乙基-3-((2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9-甲基-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-(氟甲基)-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-3-((9-(二氟甲基)-2-(((2R,3S)-2-羥基戊烷-3-基)胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)-N-甲基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(2R,3S)-3-((6-(((3R*,4R*)-1-((1H-咪唑-2-基)磺醯基)-4-氟吡咯啶-3-基)-胺基)-9-甲基-9H-嘌呤-2-基)胺基)戊烷-2-醇； <br/>(2R,3S)-3-((6-(((3R*,4R*)-1-((1H-咪唑-2-基)磺醯基)-4-氟吡咯啶-3-基)-胺基)-9-(二氟甲基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-1,1,1-三氟丁烷-2-醇； <br/>(S)-3-((2-(((R*)-1-環丙基-3-羥基丙-2-基)胺基)-9-乙基-9H-嘌呤-6-基)-胺基)-N-乙基吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(S)-N-乙基-3-((9-乙基-2-(((R*)-3-羥基-3-甲基丁烷-2-基)-胺基)-9H-嘌呤-6-基)胺基)吡咯啶-1-磺醯胺； <br/>(R)-2-((6-(((3R*,4R*)-1-((1H-咪唑-2-基)磺醯基)-4-氟-吡咯啶-3-基)胺基)-9-(二氟甲基)-9H-嘌呤-2-基)胺基)-2-環丙基乙烷-1-醇；以及 <br/>(2R,3S)-3-((6-(((S)-1-((1H-吡唑-5-基)磺醯基)吡咯啶-3-基)胺基)-9-乙基-9H-嘌呤-2-基)胺基)戊烷-2-醇。
一種藥物組成物，該藥物組成物包含如請求項1至19中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽、以及一或多種藥學上可接受的賦形劑。
如請求項1至19中任一項所述之化合物或其藥學上可接受的鹽用於製造用於治療癌症的藥劑之用途。
如請求項21所述之用途，其中該癌症選自由以下組成之群組：乳癌、卵巢癌、子宮內膜癌、子宮頸癌、子宮癌、胃癌、前列腺癌、膀胱癌、肺癌、食道癌、頭頸癌、腎癌、肝癌、胰臟癌、甲狀腺癌、結直腸癌和皮膚癌。
如請求項21所述之用途，其中該癌症係乳癌。
如請求項21所述之用途，其中該癌症係卵巢癌。
如請求項21所述之用途，其中該藥劑進一步包括CDK4/6抑制劑或與投與CDK4/6抑制劑併用投與。
一種拋光墊，其包含一頂部墊層，其中該頂部墊層包含一用以監測該拋光墊之狀態變化的透光區域，其中該透光區域包含一透光聚合物區域及一設置於該透光聚合物區域下方的光反射器，且其中該拋光墊進一步包含一與該透光區域相區別之窗區域及一介於該透光區域與該窗區域之間的隔間牆。
如請求項1之拋光墊，其中該頂部墊層具有與該透光區域之物理性質相同位準的物理性質。
如請求項2之拋光墊，其中該透光聚合物區域具有與該頂部墊層之物理性質相同位準的物理性質。
如請求項1之拋光墊，其中該拋光墊之厚度變化或表面粗糙度變化係透過該透光區域之厚度變化或表面粗糙度變化來監測。
如請求項1之拋光墊，其中該透光區域具有選自以下所構成之群組中之至少一表面形狀：多邊形、圓形、環形及螺旋形。
一種用以監測拋光製程的方法，其包含：<br/> (1) 在一如請求項1之拋光墊上放置一晶圓以進行一拋光製程；<br/> (2) 從位於該透光區域上方的一第一光學位移偵測感測器向該透光區域進行光掃描；以及<br/> (3) 藉由該第一光學位移偵測感測器來偵測反射自該透光區域的光，以監測該拋光墊之狀態變化。
如請求項6之用以監測拋光製程的方法，其中，在步驟(3)中，由於該透光區域之厚度或表面粗糙度變化而引起的反射光之相位變化、速率變化或強度變化係被偵測以監測該拋光墊之厚度變化或表面粗糙度變化。
如請求項6之用以監測拋光製程的方法，其進一步包含 (4) 透過該窗區域來偵測該晶圓之拋光終止點。
如請求項8之用以監測拋光製程的方法，其中步驟(4)包含：<br/> (4-1) 從位於該窗區域下方的一第二光學位移偵測感測器向該窗區域進行光掃描；以及<br/> (4-2) 藉由該第二光學位移偵測感測器來偵測反射自該窗區域的光以決定該晶圓之拋光終止點。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟： <br/>接收對將在至少一個傳輸時間間隔（TTI）期間經由一共享射頻譜帶進行的一上行鏈路傳輸的一傳輸參數的一指示； <br/>辨識該至少一個TTI之每一TTI中的該上行鏈路傳輸的一內容；及 <br/>至少部分地基於一第一TTI中的該上行鏈路傳輸的一被辨識的內容對至少該第一TTI的該傳輸參數進行縮放。
如請求項1所述之方法，其中該被辨識的內容包括以下各項中的至少一項：多個資源元素（RE）、多個被打孔的符號時段、一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）的一第一出現、一實體隨機存取通道（PRACH）的一第二出現、一探測參考信號（SRS）的一第三出現或者上述的組合。
如請求項1所述之方法，其中該傳輸參數包括以下各項中的至少一項：一傳輸區塊大小（TBS）、一調制和編碼方案（MCS）或者上述的組合。
如請求項1所述之方法，其中對該傳輸參數進行縮放之步驟包括以下各項中的一項：切換到一固定的替代傳輸參數，或者至少部分地基於將該被辨識的內容與一標稱內容進行一比較來計算一替代傳輸參數。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括： <br/>一處理器； <br/>記憶體，該記憶體與該處理器電子地通訊；及 <br/>指令，該等指令經儲存在該記憶體中，並且由該處理器可執行以使該裝置： <br/>接收對將在至少一個傳輸時間間隔（TTI）期間經由一共享射頻譜帶進行的一上行鏈路傳輸的一傳輸參數的一指示； <br/>辨識該至少一個TTI之每一TTI中的該上行鏈路傳輸的一內容；及 <br/>至少部分地基於一第一TTI中的該上行鏈路傳輸的一被辨識的內容對至少該第一TTI的該傳輸參數進行縮放。
一種光控膜，包括： <br/>主體，具有第一表面及面向所述第一表面的第二表面，在所述主體中在所述第一表面上形成有朝向所述第二表面延伸的多個凹槽； <br/>填充材料，填充於所述多個凹槽中且包含光吸收材料，且 <br/>在所述主體的一側或兩側中存在基膜，其中 <br/>所述主體及填充於所述多個凹槽中的所述填充材料形成透射區及吸收區，在所述光控膜的橫截面中，所述透射區與所述吸收區沿著形成所述第一表面的方向交替地重複， <br/>所述基膜對於550奈米的波長具有8,000奈米或大於8,000奈米的面內相位差， <br/>其中所述主體具有為7百萬帕或大於7百萬帕的拉伸強度， <br/>其中在填充有所述填充材料的所述多個凹槽中，未利用所述填充材料進行填充的區的平均深度處於0微米至3微米的範圍內，且未經填充的區深度的標準偏差為0.2微米或小於0.2微米。
如請求項1所述的光控膜，其中當在所述主體的所述第一表面的法線方向上觀察所述第一表面時，形成於所述主體中的所述多個凹槽被形成為表現出直線形狀，且所述基膜的慢軸與所述直線形狀被設置成形成處於80度至90度或0度至10度範圍內的角度。
如請求項1所述的光控膜，其中所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2之間的差值的絕對值處於0至0.1的範圍內。
如請求項1所述的光控膜，其中在所述主體的橫截面中，所述多個凹槽具有第一側及第二側，所述第一側自所述主體的所述第一表面朝向所述主體的所述第二表面延伸，所述第二側面向所述第一側且自所述第一表面朝向所述第二表面延伸，且 <br/>由所述第一側與所述第一表面的法線方向形成的第一角度以及由所述第二側與所述第二表面的法線方向形成的第二角度各自處於0度至10度的範圍內。
如請求項4所述的光控膜，其中所述第一角度與所述第二角度彼此不同，其中所述第一角度為2度或大於2度，且所述第二角度為2度或小於2度。
如請求項1所述的光控膜，其中在所述主體的橫截面中，所述多個凹槽具有第一側及第二側，所述第一側自所述主體的所述第一表面朝向所述主體的所述第二表面延伸，所述第二側面向所述第一側且自所述第一表面朝向所述第二表面延伸，且 <br/>所述第一側或所述第二側包括與所述第一表面的法線方向形成角度A的側A、以及形成不同於所述角度A的角度B的側B。
如請求項6所述的光控膜，其中所述側B的位置相對於所述側A更靠近所述主體的所述第二表面，且 <br/>所述角度A為3度或大於3度，且所述角度B為2度或小於2度。
如請求項6所述的光控膜，其中以下方程式1的R處於5%至40%的範圍內： <br/>[方程式1] <br/>R = (100×L <sub>B</sub>×cosθ <sub>B</sub>)/(L <sub>A</sub>×cosθ <sub>A</sub>+L <sub>B</sub>×cosθ <sub>B</sub>) <br/>其中L <sub>A</sub>為所述側A的長度，L <sub>B</sub>為所述側B的長度，θ <sub>A</sub>為所述角度A，且θ <sub>B</sub>為所述角度B。
如請求項1所述的光控膜，其中形成於所述主體中的所述多個凹槽的深度處於50微米至200微米的範圍內， <br/>形成於所述主體中的所述多個凹槽的節距處於10微米至100微米的範圍內，且 <br/>形成於所述主體的所述第一表面上的所述多個凹槽的寬度處於1微米至50微米的範圍內。
如請求項1所述的光控膜，其中所述主體包含丙烯酸聚合物，所述丙烯酸聚合物含有選自由以下式1的基及以下式2的基的組成的群組中的一或多個基： <br/>[式1] <br/><br/><img align="absmiddle" height="34px" width="123px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中R <sub>1</sub>是單鍵、伸烷基或亞烷基： <br/>[式2] <br/><br/><img align="absmiddle" height="19px" width="59px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中R <sub>2</sub>是伸烷基或亞烷基，且n是處於1至50範圍內的數。
如請求項10所述的光控膜，其中所述丙烯酸聚合物包括丙烯酸酯單元，所述丙烯酸酯單元具有選自由式1的所述基及式2的所述基組成的所述群組中的一或多個基。
如請求項11所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，所述丙烯酸酯單元之中含有式1的所述基的丙烯酸酯單元的比率處於20重量%至90重量%的範圍內。
如請求項11所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，所述丙烯酸酯單元之中含有式2的所述基的丙烯酸酯單元的比率處於5重量%至40重量%的範圍內。
如請求項11所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，多官能丙烯酸酯單元的比率處於5重量%至80重量%的範圍內。
一種有機發光裝置，包括： <br/>有機發光面板；以及 <br/>如請求項1所述的光控膜，設置於所述有機發光面板的觀看側上。
如請求項15所述的有機發光裝置，更包括位於所述觀看側上的偏振層，其中所述光控膜設置於所述偏振層與所述有機發光面板之間、或者設置於所述偏振層的與面向所述有機發光面板的表面相對的側表面上。
如請求項16所述的有機發光裝置，其中所述光控膜的所述主體的所述第一表面相對於所述第二表面更靠近所述偏振層設置， <br/>所述偏振層與所述第一表面之間的距離為250微米或小於250微米，且 <br/>所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2之間的差值N1-N2處於0.03至0.06的範圍內。
如請求項16所述的有機發光裝置，其中所述光控膜的所述主體的所述第一表面相對於所述第二表面更靠近所述偏振層設置， <br/>所述偏振層與所述第一表面之間的距離大於250微米，且 <br/>所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2之間的差值N1-N2處於0.02至0.05的範圍內。
一種探針系統，所述探針系統對應於一待測器件，所述待測器件具有多個接觸墊，所述探針系統包括：<br/> 一載台，配置以支撐一基板，所述基板具有所述待測器件，所述載台可於一水平方向及一垂直方向上移動； <br/> 多個探針組件，具有至少一固定式探針組件及至少一移動式探針組件；<br/> 一影像裝置，配置以獲取關於所述待測器件及所述多個探針組件的一光學影像；以及<br/> 一控制器，所述控制器被編程具有執行一定位方法的程式，所述定位方法包括：<br/> 將所述待測器件設定在一第一預設溫度下，所述待測器件位於所述載台上；<br/> 執行一第一定位步驟，將所述多個探針組件設定在一待命位置，其結果為至少一個探針尖端將隨後地用以接觸對應的所述接觸墊，且所述多個接觸墊在所述垂直方向上位於所述至少一探針尖端的下方，且與所述至少一探針尖端之間具有一預定距離；<br/> 執行一第二定位步驟，依據所述至少一固定式探針組件以定位所述待測器件的一第一接觸墊，其中，通過所述載台沿所述水平方向移動，使所述第一接觸墊移動至所述至少一固定式探針組件的一第一探針尖端的下方，且所述第一接觸墊在所述垂直方向上對準所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端；<br/> 執行一第三定位步驟，依據所述待測器件的一第二接觸墊以定位所述至少一移動式探針組件，其中，通過所述移動式探針組件在所述水平方向上移動，使所述移動式探針組件的一第一探針尖端位於所述第二接觸墊的上方，且所述移動式探針組件的所述第一探針尖端在所述垂直方向上對準所述第二接觸墊；<br/> 先執行一第四定位步驟，所述載台沿所述垂直方向移動，以使所述第一接觸墊與所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端發生物理式的接觸；以及<br/> 而後執行一第五定位步驟，所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端沿所述垂直方向移動，以使所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端與所述第二接觸墊發生物理式的接觸。
如請求項1所述的探針系統，其中，所述定位方法還包括：<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；以及<br/> 再次執行所述第二定位步驟及所述第三定位步驟。
如請求項1所述的探針系統，其中，所述定位方法還包括：<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；以及<br/> 再次執行所述第二定位步驟及所述第三定位步驟；以及<br/> 再次執行所述第四定位步驟及所述第五定位步驟。
如請求項1所述的探針系統，其中，所述定位方法還包括：<br/> 執行一記錄步驟，將所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端或所述第一接觸墊作為一參考目標，記錄所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端之間的間距；或是記錄所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述第一接觸墊之間的間距；<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；以及<br/> 執行一回復步驟，依據被記錄的所述間距，使所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端回復初始的一相對位置。
如請求項1所述的探針系統，其中，所述定位方法還包括：<br/> 當所述移動式探針組件的所述第一探針尖端接觸所述第二接觸墊時，記錄所述載台與所述移動式探針組件在所述垂直方向及所述水平方向上的一位置；<br/> 加熱所述待測器件，使所述待測器件的溫度由所述第一預設溫度提升至一第二預設溫度；以及<br/> 執行一回復步驟，依據被記錄的所述位置，使所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端與所述載台在所述垂直方向及所述水平方向上回復至被記錄的所述位置。
一種定位方法，適用於定位多個探針組件與一待測器件，所述待測器件具有多個接觸墊；每一所述探針組件具有至少一探針尖端，所述至少一探針尖端對應於所接觸的每一所述接觸墊，在所述多個探針組件中，定義出至少一固定式探針組件及至少一移動式探針組件，所述定位方法包括：<br/> 將所述待測器件設定在一第一預設溫度下，所述待測器件位於一可移動的載台上，所述載台可在一水平方向上及一垂直方向上移動；<br/> 執行一第一定位步驟，將所述多個探針組件設定在一待命位置，其結果為至少一個探針尖端將隨後地用以接觸對應的所述接觸墊，且所述多個接觸墊在所述垂直方向上位於所述至少一探針尖端的下方，且與所述至少一探針尖端之間具有一預定距離；<br/> 執行一第二定位步驟，依據所述至少一固定式探針組件以定位所述待測器件的一第一接觸墊，其中，通過所述載台沿所述水平方向移動，使所述第一接觸墊移動至所述至少一固定式探針組件的一第一探針尖端的下方，且所述第一接觸墊在所述垂直方向上對準所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端；<br/> 執行一第三定位步驟，依據所述待測器件的一第二接觸墊以定位所述至少一移動式探針組件，其中，通過所述移動式探針組件在所述水平方向上移動，使所述移動式探針組件的一第一探針尖端位於第二接觸墊的上方，且所述移動式探針組件的所述第一探針尖端在所述垂直方向上對準所述第二接觸墊；<br/> 先執行一第四定位步驟，所述載台沿所述垂直方向移動，以使所述第一接觸墊與所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端發生物理式的接觸；以及<br/> 而後執行一第五定位步驟，所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端沿所述垂直方向移動，以使所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端與所述第二接觸墊發生物理式的接觸。
如請求項6所述的定位方法，進一步包括：<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；以及<br/> 再次執行所述第二定位步驟及所述第三定位步驟。
如請求項6所述的定位方法，進一步包括：<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度； <br/> 再次執行所述第二定位步驟及所述第三定位步驟；以及<br/> 再次執行所述第四定位步驟及所述第五定位步驟。
如請求項6所述的定位方法，進一步包括：<br/> 執行一記錄步驟，將所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端或所述第一接觸墊作為一參考目標，記錄所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端之間的間距；或是記錄所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述第一接觸墊之間的間距；<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；以及<br/> 執行一回復步驟，依據被記錄的所述間距，使所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端回復初始的一相對位置。
如請求項6所述的定位方法，進一步包括：<br/> 當所述移動式探針組件的所述第一探針尖端接觸所述第二接觸墊時，記錄所述載台與所述移動式探針組件在所述垂直方向及一水平方向上的一位置；<br/> 加熱所述待測器件，使所述待測器件的溫度由所述第一預設溫度提升至一第二預設溫度；以及<br/> 執行一回復步驟，依據被記錄的所述位置，使所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端與所述載台在所述垂直方向及所述水平方向上回復至被記錄的所述位置。
一種非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其包括多個電腦執行程式，其中當所述多個電腦執行程式被執行時，一探針系統對應地執行如請求項6所述的定位方法。
一種操作一探針系統以測試一待測器件的方法，所述待測器件具有多個接觸墊，所述方法包括：<br/> 提供所述探針系統，其具有多個探針組件，每一所述探針組件具有至少一探針尖端，每一所述探針尖端用以對應接觸每一所述接觸墊，在所述多個探針組件中，定義至少一固定式探針組件及至少一移動式探針組件；<br/> 設定所述待測器件處於一第一預設溫度，其中所述待測器件位於一可移動的載台上，所述載台可在一水平方向上及一垂直方向上移動；<br/> 使所述多個探針組件處於一待命位置，其結果為所述至少一探針尖端將隨後地用以接觸對應的所述接觸墊，所述多個接觸墊在所述垂直方向上位於所述至少一探針尖端的下方，且與所述至少一探針尖端之間具有一預定距離；<br/> 依據所述至少一固定式探針組件以定位所述待測器件的一第一接觸墊，其中，通過所述載台沿所述水平方向移動，使所述第一接觸墊移動至所述至少一固定式探針組件的一第一探針尖端的下方，所述第一接觸墊在所述垂直方向上對準所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端；以及<br/> 依據所述待測器件的一第二接觸墊以定位所述至少一移動式探針組件，其中，通過所述移動式探針組件在所述水平方向上移動，使所述移動式探針組件的一第一探針尖端位於第二接觸墊的上方，且所述移動式探針組件的所述第一探針尖端在所述垂直方向上對準所述第二接觸墊；<br/> 先沿所述垂直方向移動所述載台，以使所述第一接觸墊與所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端發生物理式的接觸；以及<br/> 而後，所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端沿所述垂直方向移動，以使所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端與所述第二接觸墊發生物理式的接觸。
如請求項12所述的操作一探針系統以測試一待測器件的方法，進一步包括：<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；<br/> 依據所述至少一固定式探針組件以定位所述待測器件的所述第一接觸墊，其中，通過所述載台沿所述水平方向移動，使所述第一接觸墊移動至所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端的下方，所述第一接觸墊在所述垂直方向上對準所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端；以及<br/> 依據所述待測器件的所述第二接觸墊以定位所述至少一移動式探針組件，其中，通過所述移動式探針組件在所述水平方向上移動，使所述移動式探針組件的所述第一探針尖端位於第二接觸墊的上方，且所述移動式探針組件的所述第一探針尖端在所述垂直方向上對準所述第二接觸墊。
如請求項12所述的操作一探針系統以測試一待測器件的方法，進一步包括：<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；<br/> 依據所述至少一固定式探針組件以定位所述待測器件的所述第一接觸墊，其中，通過所述載台沿所述水平方向移動，使所述第一接觸墊移動至所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端的下方，所述第一接觸墊在所述垂直方向上對準所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端； <br/> 依據所述待測器件的所述第二接觸墊以定位所述至少一移動式探針組件，其中，通過所述移動式探針組件在所述水平方向上移動，使所述移動式探針組件的所述第一探針尖端位於所述第二接觸墊的上方，且所述移動式探針組件的所述第一探針尖端在所述垂直方向上對準所述第二接觸墊；<br/> 沿所述垂直方向移動所述載台，以使所述第一接觸墊與所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端發生物理式接觸；以及<br/> 沿所述垂直方向移動所述至少一移動式探針組件，以使所述第二接觸墊與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端發生物理式接觸。
如請求項12所述的操作一探針系統以測試一待測器件的方法，進一步包括：<br/> 將所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端或所述第一接觸墊作為一參考目標，記錄所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端之間的間距；或是記錄所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述第一接觸墊之間的間距；<br/> 加熱所述待測器件，以使所述待測器件由所述第一預設溫度上升至一第二預設溫度；以及<br/> 依據被記錄的所述間距，使所述至少一固定式探針組件的所述第一探針尖端與所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端回復初始的一相對位置。
如請求項12所述的操作一探針系統以測試一待測器件的方法，進一步包括：<br/> 當所述移動式探針組件的所述第一探針尖端接觸所述第二接觸墊時，記錄所述載台與所述移動式探針組件在所述垂直方向及一水平方向上的一位置；<br/> 加熱所述待測器件，使所述待測器件的溫度由所述第一預設溫度提升至一第二預設溫度；以及<br/> 依據被記錄的所述位置，使所述至少一移動式探針組件的所述第一探針尖端與所述載台在所述垂直方向及所述水平方向上回復至被記錄的所述位置。
一種生產經測試後的半導體裝置的方法，其包括：<br/> 執行如請求項6所述的定位方法；以及<br/> 經由具有多個探針組件的一探針系統測試所述半導體裝置。
一種提供資訊之方法，其係於與服務相關之電子裝置中提供資訊之方法，用以引導用戶終端下載應用程式，其包括如下步驟： <br/>若於上述用戶終端中未設置有上述應用程式，將包括圖標之第1頁面提供至上述用戶終端，其中，上述圖標包括與服務相關之上述應用程式之下載鏈接； <br/>自上述用戶終端獲得上述圖標上之輸入；及 <br/>隨著獲得上述輸入，將包括與上述圖標對應之資訊及上述應用程式之上述下載鏈接之區域顯示於上述用戶終端； <br/>其中，該方法還包括： <br/>於藉由上述下載鏈接而於上述用戶終端中下載上述應用程式時，對上述第1頁面與上述用戶終端之識別字進行匹配；及 <br/>若藉由上述用戶終端而執行上述應用程式，則基於上述識別字而將包括上述第1頁面中包括之內容中之至少一部分之第2頁面提供至上述用戶終端；其中，與上述輸入對應之資訊是顯示於上述第2頁面，並且上述區域之格式基於上述第1頁面之物品之資訊及上述用戶終端正在執行之地區之資訊中的至少一者而確定。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述圖標顯示於上述用戶終端上之第1位置。
如請求項2之提供資訊之方法，其中對應於上述第1頁面中與向第1方向之滑動相關之輸入，上述圖標顯示於上述用戶終端上之第2位置。
如請求項3之提供資訊之方法，其中對應於上述第1頁面中與向第2方向之滑動相關之輸入，上述圖標再次顯示於上述第1位置。
如請求項2之提供資訊之方法，其中上述第1頁面為網頁，且 <br/>上述圖標基於在上述用戶終端中是否設置有上述應用程式而包括不同之資訊。
如請求項5之提供資訊之方法，其中若於上述用戶終端中設置有上述應用程式，則上述圖標包括上述應用程式之執行鏈接，且 <br/>隨著獲得上述圖標上之輸入，於上述用戶終端中執行上述應用程式。
如請求項1之提供資訊之方法，其中於上述物品之資訊包括上述物品之折扣資訊或上述地區包括於第1群組時，將上述區域顯示於上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>將包括上述區域之第3頁面提供至上述用戶終端。
如請求項7之提供資訊之方法，其中上述區域不包括與向上述第1頁面之移動相關之圖標。
如請求項1之提供資訊之方法，其中於上述物品之資訊不包括上述物品之折扣資訊或上述地區包括於第2群組時，將上述區域顯示於上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>將上述區域覆蓋於上述第1頁面而提供至上述用戶終端。
如請求項9之提供資訊之方法，其中上述區域包括與向上述第1頁面之移動相關之圖標。
如請求項1之提供資訊之方法，其中將上述區域顯示於上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第1頁面中不存在與上述應用程式相關之登入資訊之情形時，提供會員加入頁面；及 <br/>對應於藉由上述會員加入頁面而完成會員加入，將上述區域顯示於上述用戶終端。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述資訊包括基於上述圖標之特性資訊而設定之文本。
一種用以提供資訊之電子裝置，用以引導用戶終端下載應用程式，其包括： <br/>收發器； <br/>儲存器，其儲存一個以上之命令；及 <br/>處理器，其係經組態以： <br/>若於上述用戶終端中未設置有上述應用程式，將包括圖標之第1頁面提供至上述用戶終端，其中，上述圖標包括與服務相關之上述應用程式之下載鏈接； <br/>自上述用戶終端獲得上述圖標上之輸入；以及 <br/>隨著獲得上述輸入，將包括與上述圖標對應之資訊及上述應用程式之上述下載鏈接之區域顯示於上述用戶終端； <br/>其中，該處理器進一步經組態以： <br/>於藉由上述下載鏈接而於上述用戶終端中下載上述應用程式時，對上述第1頁面與上述用戶終端之識別字進行匹配；及 <br/>若藉由上述用戶終端而執行上述應用程式，則基於上述識別字而將包括上述第1頁面中包括之內容中之至少一部分之第2頁面提供至上述用戶終端；其中，與上述輸入對應之資訊是顯示於上述第2頁面，並且上述區域之格式基於上述第1頁面之物品之資訊及上述用戶終端正在執行之地區之資訊中的至少一者而確定。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種車輛控制系統，配置在一車輛中且包括：<br/> 一車輛狀態估測器，用以產生一未來時點之一估測未來車輛狀態；<br/> 一延遲模擬器，用以：<br/> 依據該估測未來車輛狀態與一當前車輛狀態，決定一延遲時間；及<br/> 依據該延遲時間，取得一第一延遲未來車輛狀態；<br/> 一誤差補償優化器，用以：<br/> 基於該第一延遲未來車輛狀態與一目標車輛狀態的一差異在一誤差範圍外，產生一行車參數估測補償給該車輛狀態估測器；<br/> 其中，該延遲時間至少基於該車輛的車速控制而決定；<br/> 其中，該估測未來車輛狀態包含一估測車速、一估測車輛位置以及一估測三軸角速度、一估測加速度與一估測車輛姿態中至少一者；<br/> 其中，該車輛控制系統更包括：<br/> 一路面資訊擷取器，用以擷取一路面位置的一路面資訊，其中該車輛狀態估測器更用以：依據該路面資訊及該行車參數估測補償，取得該未來時點之該估測未來車輛狀態；<br/> 一收斂判別器，用以取得該目標車輛狀態與該第一延遲未來車輛狀態的該差異。
如請求項1所述之車輛控制系統，其中該車輛狀態估測器更用以：<br/> 依據該行車參數估測補償，產生更新之該估測未來車輛狀態。
如請求項1所述之車輛控制系統，其中該延遲模擬器更用以：依據該延遲時間，對該估測未來車輛狀態進行延遲計算，以取得一第二延遲未來車輛狀態；<br/> 其中，該誤差補償優化器更用以：依據該第二延遲未來車輛狀態及該差異，產生該行車參數估測補償。
如請求項1所述之車輛控制系統，其中該誤差補償優化器更用以：基於該第一延遲未來車輛狀態與該目標車輛狀態的該差異在該誤差範圍內，產生對應該第一延遲未來車輛狀態之一控制命令。
如請求項1所述之車輛控制系統，更包括：<br/> 一車端資訊提供器，用以：取得該車輛之一車端資訊；<br/> 其中，該車輛狀態估測器更用以：當該車輛從一電源關閉狀態啟動時，依據該車端資訊，取得第1個未來時點之該估測未來車輛狀態。
如請求項1所述之車輛控制系統，更包括：<br/> 一慣性感測器，用以：取得該車輛之一運動資訊；<br/> 其中，該車輛狀態估測器更用以：當該車輛從一電源關閉狀態啟動時，依據該運動資訊，取得第1個未來時點之該估測未來車輛狀態。
一種車輛控制系統之車輛控制方法，包括：<br/> 一車輛狀態估測器產生一未來時點之一估測未來車輛狀態；<br/> 一延遲模擬器依據該估測未來車輛狀態與一當前車輛狀態，決定一延遲時間；<br/> 該延遲模擬器依據該延遲時間取得一第一延遲未來車輛狀態；以及<br/> 一誤差補償優化器基於該第一延遲未來車輛狀態與一目標車輛狀態的一差異在一誤差範圍外，產生一行車參數估測補償給該車輛狀態估測器；<br/> 其中，該延遲時間至少基於該車輛的車速控制而決定；<br/> 其中，該估測未來車輛狀態包含一估測車速、一估測車輛位置以及一估測三軸角速度、一估測加速度與一估測車輛姿態中至少一者；<br/> 其中，該車輛控制方法更包括：<br/> 一路面資訊擷取器擷取一路面位置的一路面資訊；<br/> 該車輛狀態估測器依據該路面資訊及該行車參數估測補償，取得該未來時點之該估測未來車輛狀態；以及<br/> 一收斂判別器取得該目標車輛狀態與該第一延遲未來車輛狀態的該差異。
如請求項7所述之車輛控制方法，更包括：<br/> 該車輛狀態估測器依據該行車參數估測補償，產生更新之該估測未來車輛狀態。
如請求項7所述之車輛控制方法，更包括：<br/> 該延遲模擬器依據該延遲時間，對該估測未來車輛狀態進行延遲計算，以取得一第二延遲未來車輛狀態；以及<br/> 該誤差補償優化器依據該第二延遲未來車輛狀態及該差異，產生該行車參數估測補償。
如請求項7所述之車輛控制方法，更包括：<br/> 該誤差補償優化器基於該第一延遲未來車輛狀態與該目標車輛狀態的該差異在該誤差範圍內，產生對應該第一延遲未來車輛狀態之一控制命令。
如請求項7所述之車輛控制方法，更包括：<br/> 一車端資訊提供器取得該車輛之一車端資訊；以及<br/> 當該車輛從一電源關閉狀態啟動時，該車輛狀態估測器依據該車端資訊，取得第1個未來時點之該估測未來車輛狀態。
如請求項7所述之車輛控制方法，更包括：<br/> 一慣性感測器取得該車輛之一運動資訊；以及<br/> 當該車輛從一電源關閉狀態啟動時，該車輛狀態估測器依據該運動資訊，取得第1個未來時點之該估測未來車輛狀態。
一種顯示裝置，包括： <br/>畫素陣列，包括畫素，所述畫素包括發光二極體及第一電晶體，所述第一電晶體包括： <br/>源極端子，畫素驅動電壓被配置成施加至所述源極端子，以及 <br/>閘極端子，資料訊號被配置成施加至所述閘極端子， <br/>其中所述第一電晶體被配置成將基於所述閘極端子與所述源極端子之間的電壓差而產生的驅動電流輸出至所述發光二極體；以及 <br/>顯示驅動器積體電路（IC），被配置成基於所述畫素驅動電壓來產生所述資料訊號， <br/>其中所述顯示驅動器積體電路包括電壓產生器，所述電壓產生器被配置成基於所述畫素驅動電壓及電路驅動電壓來產生初始電壓，且 <br/>其中所述初始電壓高於所述畫素驅動電壓且低於所述電路驅動電壓。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示驅動器積體電路被配置成產生具有與所述畫素驅動電壓的變化對應的變化的所述資料訊號。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述畫素更包括第二電晶體，所述第二電晶體包括： <br/>汲極端子，被配置成接收所述資料訊號，以及 <br/>源極端子，耦合至所述第一電晶體的所述閘極端子且被配置成將所述資料訊號傳送至所述第一電晶體。
如請求項3所述的顯示裝置，其中所述顯示驅動器積體電路被配置成產生閘極訊號且將所述閘極訊號施加至所述第二電晶體的閘極端子，且 <br/>其中所述第二電晶體被配置成基於所述閘極訊號而接通所述第一電晶體且將所述資料訊號傳送至所述第一電晶體。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示驅動器積體電路包括： <br/>參考電壓產生器，被配置成基於所述畫素驅動電壓及所述電路驅動電壓來產生最大伽馬電壓及最小伽馬電壓； <br/>伽馬電壓產生器，被配置成基於所述最大伽馬電壓及所述最小伽馬電壓來產生多個伽馬電壓；以及 <br/>源極驅動器，被配置成基於所述多個伽馬電壓來產生所述資料訊號。
如請求項5所述的顯示裝置，其中所述參考電壓產生器包括： <br/>所述電壓產生器； <br/>第一參考電壓產生器，被配置成基於所述初始電壓、所述畫素驅動電壓及所述電路驅動電壓來產生所述最大伽馬電壓；以及 <br/>第二參考電壓產生器，被配置成基於所述初始電壓、所述畫素驅動電壓及接地電壓來產生所述最小伽馬電壓。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述第一參考電壓產生器包括： <br/>第一輸入端子，被配置成接收所述初始電壓， <br/>第二輸入端子，被配置成接收所述電路驅動電壓，以及 <br/>第三輸入端子，被配置成接收所述畫素驅動電壓，且 <br/>其中所述第二參考電壓產生器包括： <br/>第四輸入端子，被配置成接收所述初始電壓， <br/>第五輸入端子，被配置成接收所述畫素驅動電壓，以及 <br/>第六輸入端子，被配置成接收所述接地電壓，且 <br/>其中所述第一輸入端子對應於所述第四輸入端子，且所述第二輸入端子對應於所述第五輸入端子，且所述第三輸入端子對應於所述第六輸入端子。
如請求項5所述的顯示裝置，其中所述伽馬電壓產生器包括電阻器串，所述電阻器串包括多個電阻器，且 <br/>其中所述電阻器串被配置成藉由在第一端處接收所述最大伽馬電壓並在第二端處接收所述最小伽馬電壓來產生所述多個伽馬電壓。
一種顯示裝置的驅動方法，所述驅動方法包括： <br/>向顯示驅動器積體電路施加輸入電壓； <br/>向所述顯示驅動器積體電路及顯示面板施加畫素驅動電壓； <br/>使用所述顯示驅動器積體電路且基於所述輸入電壓及所述畫素驅動電壓來產生初始電壓； <br/>使用所述顯示驅動器積體電路且基於所述初始電壓、所述輸入電壓及所述畫素驅動電壓來產生資料訊號；以及 <br/>使用所述顯示面板且基於所述資料訊號及所述畫素驅動電壓來顯示影像， <br/>其中所述初始電壓低於所述輸入電壓且高於所述畫素驅動電壓。
如請求項9所述的所述顯示裝置的驅動方法，其中基於所述初始電壓、所述輸入電壓及所述畫素驅動電壓來產生所述資料訊號包括： <br/>使用所述顯示驅動器積體電路且基於所述初始電壓、所述輸入電壓及所述畫素驅動電壓來產生最大伽馬電壓； <br/>使用所述顯示驅動器積體電路且基於所述初始電壓、所述畫素驅動電壓及接地電壓來產生最小伽馬電壓； <br/>使用所述顯示驅動器積體電路且基於所述最大伽馬電壓及所述最小伽馬電壓來產生多個伽馬電壓；以及 <br/>使用所述顯示驅動器積體電路且基於所述多個伽馬電壓來產生所述資料訊號。
一種升降座管，包含有:<br/> 一外管；<br/> 一內管，可上下位移地穿設於該外管，該內管具有一頂端和一底端，該內管之該頂端突露出該外管外，該內管之該底端位於該外管內；<br/> 一氣油壓缸，設於該外管內並控制該內管相對該外管的上下位移，當該氣油壓缸開啟時，該內管可相對該外管上下位移，當該氣油壓缸關閉時，該內管無法相對該外管上下位移；以及<br/> 一行程調整組件，具有一導油管及一浮動活塞，該導油管設於該內管中，該導油管具有一第一導油端、一第二導油端及一位於該第一、第二導油端之間的導油通道，該第一導油端固設於該內管之該頂端，該第二導油端穿入該氣油壓缸內，該浮動活塞可位移地設於該氣油壓缸內，當該氣油壓缸關閉時，且該導油管自該第二導油端輸出或回流一油體時，該浮動活塞對應於該油體容量而位移，進而調整該內管可相對該外管上下位移的最大行程量；<br/> 其中，該氣油壓缸具有一內缸體、一外缸體及一頂蓋，該內缸體設於該外缸體內並與該外缸體間隔設置，該頂蓋設於該內、外缸體之頂端；該導油管之該第二導油端穿過該頂蓋且位於該內缸體中；該浮動活塞設於該頂蓋和該導油管之該第二導油端之間，當該導油管在該氣油壓缸關閉時自該第二導油端輸出該油體時，該浮動活塞朝遠離該導油管之該第二導油端的方向移動，當該導油管在該氣油壓缸關閉時自該第二導油端回流該油體時，該浮動活塞朝該導油管之該第二導油端的方向移動；<br/> 其中，該內管之該頂端具有一第一油室及一連通該第一油室之第二油室，該第二油室軸向連通該導油管之該第一導油端。
如請求項1所述之升降座管，其中，該內管之頂端更具有一連通該第一油室之調整螺孔；該行程調整組件更具有一旋鈕，該旋鈕以螺合方式設於該調整螺孔，用以將該第一油室內之該油體輸出至該第二油室或是允許該第二油室內之該油體回流至該第一油室。
如請求項2所述之升降座管，其中，該內缸體具有一內油室，該頂蓋與該內、外缸體之間形成一氣室；該氣油壓缸還具有一底蓋及一控制閥，該底蓋設於該內、外缸體之底端並與該內、外缸體之間形成一位於該氣室下方之外油室，該控制閥設於該內缸體中，當該控制閥位於一開閥位置時，該內、外油室相互連通，當該控制閥位於一閉閥位置時，該內、外油室互不連通。
一種升降座管，包含有:<br/> 一外管；<br/> 一內管，可上下位移地穿設於該外管，該內管具有一頂端和一底端，該內管之該頂端突露出該外管外，該內管之該底端位於該外管內；<br/> 一氣油壓缸，設於該外管內並控制該內管相對該外管的上下位移，當該氣油壓缸開啟時，該內管可相對該外管上下位移，當該氣油壓缸關閉時，該內管無法相對該外管上下位移；以及<br/> 一行程調整組件，具有一導油管及一浮動活塞，該導油管設於該內管中，該導油管具有一第一導油端、一第二導油端及一位於該第一、第二導油端之間的導油通道，該第一導油端固設於該內管之該頂端，該第二導油端穿入該氣油壓缸內，該浮動活塞可位移地設於該氣油壓缸內，當該氣油壓缸關閉時，且該導油管自該第二導油端輸出或回流一油體時，該浮動活塞對應於該油體容量而位移，進而調整該內管可相對該外管上下位移的最大行程量；<br/> 其中，該氣油壓缸具有一內缸體、一外缸體及一頂蓋，該內缸體設於該外缸體內並與該外缸體間隔設置，該頂蓋設於該內、外缸體之頂端；該導油管之該第二導油端穿過該頂蓋且位於該內缸體中；該浮動活塞設於該頂蓋和該導油管之該第二導油端之間，當該導油管在該氣油壓缸關閉時自該第二導油端輸出該油體時，該浮動活塞朝遠離該導油管之該第二導油端的方向移動，當該導油管在該氣油壓缸關閉時自該第二導油端回流該油體時，該浮動活塞朝該導油管之該第二導油端的方向移動；<br/> 其中，該內管具有一軸向貫穿該頂端之調整孔；該導油管之該第一導油端螺設於該調整孔內；該行程調整組件更具有一調整螺絲，該調整螺絲位於該導油通道內並以螺合方式設於該導油管之該第一導油端，用以將該油體自該導油通道內輸出至該第二導油端或是允許該油體自該第二導油端回流至該導油通道。
如請求項4所述之升降座管，其中，該內缸體具有一內油室，該頂蓋與該內、外缸體之間形成一氣室；該氣油壓缸還具有一底蓋及一控制閥，該底蓋設於該內、外缸體之底端並與該內、外缸體之間形成一位於該氣室下方之外油室，該控制閥設於該內缸體中，當該控制閥位於一開閥位置時，該內、外油室相互連通，當該控制閥位於一閉閥位置時，該內、外油室互不連通。
一種升降座管，包含有:<br/> 一外管；<br/> 一內管，可上下位移地穿設於該外管，該內管具有一頂端和一底端，該內管之該頂端突露出該外管外，該內管之該底端位於該外管內；<br/> 一氣油壓缸，設於該外管內並控制該內管相對該外管的上下位移，當該氣油壓缸開啟時，該內管可相對該外管上下位移，當該氣油壓缸關閉時，該內管無法相對該外管上下位移；以及<br/> 一行程調整組件，具有一導油管及一浮動活塞，該導油管設於該內管中，該導油管具有一第一導油端、一第二導油端及一位於該第一、第二導油端之間的導油通道，該第一導油端固設於該內管之該頂端，該第二導油端穿入該氣油壓缸內，該浮動活塞可位移地設於該氣油壓缸內，當該導油管自該第二導油端輸出或回流一油體時，該浮動活塞對應於該油體容量而位移，進而調整該內管可相對該外管上下位移的最大行程量；<br/> 其中，該氣油壓缸具有一內缸體、一外缸體、一頂蓋、一底蓋及一控制閥，該內缸體具有一內油室，且該內缸體設於該外缸體內並與該外缸體間隔設置，該頂蓋設於該內、外缸體之頂端並與該內、外缸體之間形成一氣室，該底蓋設於該內、外缸體之底端並與該內、外缸體之間形成一位於該氣室下方之外油室，該控制閥設於該內缸體中，當該控制閥位於一開閥位置時，該內、外油室相互連通，當該控制閥位於一閉閥位置時，該內、外油室互不連通；該導油管之該第二導油端穿過該頂蓋且位於該內缸體中；該浮動活塞設於該內、外缸體之間並區隔該氣室和該外油室，當該導油管在該控制閥位於該開閥位置時自該第二導油端輸出該油體時，該浮動活塞朝遠離該底蓋的方向移動，當該導油管在該控制閥位於該開閥位置時自該第二導油端回流該油體時，該浮動活塞朝該底蓋的方向移動；<br/> 其中，該行程調整組件具有二該浮動活塞，其中一該浮動活塞設於該內油室中並位於該導油管之該第二導油端與該控制閥之間而將該內油室區分成一上油區和一下油區，另外一該浮動活塞設於該內、外缸體之間並區隔該氣室和該外油室，當該導油管在該控制閥位於該開閥位置時自該第二導油端回流該油體時，位於該內油室中的該浮動活塞朝該導油管的方向移動，位於該內、外缸體之間的該浮動活塞朝該底蓋的方向移動。
如請求項6所述之升降座管，其中，其中，該內管之該頂端具有一第一油室及一連通該第一油室之第二油室，該第二油室軸向連通該導油管之該第一導油端。
如請求項7所述之升降座管，其中，該內管之頂端更具有一連通該第一油室之調整螺孔；該行程調整組件更具有一旋鈕，該旋鈕以螺合方式設於該調整螺孔，用以將該第一油室內之該油體輸出至該第二油室或是允許該第二油室內之該油體回流至該第一油室。
如請求項7所述之升降座管，其中，該內缸體具有一內油室，該頂蓋與該內、外缸體之間形成一氣室；該氣油壓缸還具有一底蓋及一控制閥，該底蓋設於該內、外缸體之底端並與該內、外缸體之間形成一位於該氣室下方之外油室，該控制閥設於該內缸體中，當該控制閥位於一開閥位置時，該內、外油室相互連通，當該控制閥位於一閉閥位置時，該內、外油室互不連通。
如請求項1所述之升降座管，其中，該內管之該頂端具有一連通該第二油室和該第一導油端之按鈕孔；該行程調整組件更具有一活塞、一按鈕和一復位彈性件，該活塞可位移地設於該第一油室，用以將該第一油室內之該油體輸出至該第二油室或是允許該第二油室內之該油體回流至該第一油室，該按鈕可位移地設於該按鈕孔並具有一連通孔，當該按鈕位於一初始位置時，該第二油室和該導油管之該第一導油端被該按鈕所阻擋而互不相通，當該按鈕位於一按壓位置時，該第二油室和該導油管之該第一導油端經由該連通孔相互連通，該復位彈性件作用於該按鈕並將該按鈕保持於該初始位置。
如請求項10所述之升降座管，其中，該內缸體具有一內油室，該頂蓋與該內、外缸體之間形成一氣室；該氣油壓缸還具有一底蓋及一控制閥，該底蓋設於該內、外缸體之底端並與該內、外缸體之間形成一位於該氣室下方之外油室，該控制閥設於該內缸體中，當該控制閥位於一開閥位置時，該內、外油室相互連通，當該控制閥位於一閉閥位置時，該內、外油室互不連通。
一種平板裝置，包括： <br/>一機殼，包括一頂面及一底面，其中該頂面的一側邊上具有一側鍵框架； <br/>一金屬支撐板，設置於該機殼中，其中該金屬支撐板對應該側鍵框架的一側邊具有一挖空部，以使該挖空部在該機殼內形成一空間； <br/>一支撐架，設置於該空間中，並卡接於該金屬支撐板的側邊，其中面向該金屬支撐板的該側邊具有一開口，且對應該機殼的該頂面具有一上表面； <br/>一側鍵感應器，設置於該側鍵框架中，並由該支撐架的該上表面抵頂該側鍵感應器； <br/>一側鍵控制板，設置於該金屬支撐板的該側邊上，並面向該支撐架之該開口；以及 <br/>一天線模組，設置於該空間中； <br/>其中該支撐架的該上表面設置於該測鍵感應器與該天線模組之間且彼此重疊。
如請求項1所述之平板裝置，其中該側鍵控制板的一上表面面向該空間。
如請求項2所述之平板裝置，其中該側鍵控制板通過一軟性排線耦接該側鍵感應器。
如請求項1所述之平板裝置，其中該支撐架係塑膠件。
如請求項4所述之平板裝置，其中該支撐架係L形支架，用以卡接該金屬支撐板的該側邊上及該底面上。
如請求項4所述之平板裝置，其中該支撐架係ㄇ形支架，該ㄇ形支架開口為面向該金屬支撐板的該側邊的該開口，且該ㄇ形支架開口的兩側邊佈置多個卡接件用以卡接該金屬支撐板的該側邊上。
如請求項1所述之平板裝置，其中該天線模組係立體天線型式。
如請求項1所述之平板裝置，其中該天線模組係無線廣域網路的多輸入多輸出天線。
如請求項1所述之平板裝置，其中該頂面更包括一顯示框架，用以固設一顯示面板。
一種提供資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>確認成為提供商店之資訊之對象之第1用戶； <br/>基於上述第1用戶之資訊，確認複數個用戶中之滿足設定之第1條件之一個以上的第2用戶； <br/>確認與上述一個以上之第2用戶相關聯之一個以上之商店的資訊； <br/>基於上述一個以上之商店之資訊，確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊；及 <br/>將確定之上述商店之資訊提供給上述第1用戶； <br/>其中確認上述一個以上的第2用戶之步驟包括確認訂購上述商店之物品且正在等待配送之用戶； <br/>其中確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>獲得與上述一個以上之商店各者相關聯之物品之類別資訊； <br/>獲得與上述類別資訊對應之準備物品所需之時間之資訊；且 <br/>基於上述類別資訊及上述所需之時間之資訊，確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊；且 <br/>其中確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊之步驟包括如下一者以上的步驟： <br/>向上述第1用戶建議與在其中準備時間短之物品之比率超過設定之臨界值之類別之物品相關之商店之資訊；及 <br/>向上述第1用戶建議與物品相關之商店之資訊，上述物品之準備時間與上述一個以上之第2用戶訂購之物品之準備時間之至少一部分相比在設定之差異內。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述電子裝置係進一步基於如下資訊中之一者以上來確認滿足上述第1條件之上述一個以上之第2用戶： <br/>上述第1用戶之位置資訊； <br/>上述複數個用戶之位置資訊； <br/>與上述第1用戶相關之時間資訊；及 <br/>與上述複數個用戶相關之時間資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確認上述一個以上之第2用戶之步驟進一步包括如下步驟： <br/>確認上述第1用戶之位置所屬之第1地理散列框；及 <br/>確認上述複數個用戶中之位於上述第1地理散列框之內部之用戶。
如請求項3之提供資訊之方法，其中確認上述一個以上之第2用戶之步驟進而包括如下步驟： <br/>確認在與上述第1地理散列框之關係中滿足設定之第2條件之一個以上的第2地理散列框；及 <br/>確認上述複數個用戶中之位於上述第2地理散列框之內部之用戶。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確認上述第1用戶之步驟包括如下步驟： <br/>確認已自上述第1用戶接收到設定之類型之輸入。
如請求項5之提供資訊之方法，其中上述設定之類型之輸入包括如下輸入中之一者以上： <br/>請求執行應用程式之輸入； <br/>請求進入用以提供服務之主畫面之輸入；及 <br/>用以檢索商店之關鍵詞之輸入。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確認與上述一個以上之第2用戶相關聯之一個以上之商店之資訊之步驟包括如下步驟中的一者以上： <br/>確認與上述一個以上之第2用戶正在等待配送之物品對應之商店的資訊；及 <br/>確認與上述一個以上之第2用戶之前訂購之物品對應之商店的資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>判斷上述一個以上之商店之位置； <br/>基於上述一個以上之商店之位置，將上述一個以上之商店分類為一個以上之群組；及 <br/>判斷上述一個以上之群組各者之優先級；且 <br/>上述電子裝置進而基於上述優先級來確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊。
如請求項8之提供資訊之方法，其中於接收上述第1用戶對屬於上述一個以上之群組中之第1群組之商店之物品之訂購資訊的情形時，進而包括如下步驟： <br/>獲得配送資訊，該配送資訊用以捆綁配送自屬於上述第1群組之商店中訂購之物品中之至少一部分與上述第1用戶訂購的物品。
如請求項8之提供資訊之方法，其中確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊之步驟進而包括如下步驟中之一者以上： <br/>確認上述一個以上之商店之位置所屬之地理散列框；及 <br/>按照上述一個以上之群組各者來確認群組之至少一部分所屬之地理散列框。
如請求項8之提供資訊之方法，其中判斷上述優先級之步驟包括如下步驟中之一者以上： <br/>確認上述一個以上之群組各者所屬之商店之個數；及 <br/>確認上述一個以上之第2用戶之物品訂購數量，該物品訂購數量係與上述一個以上之群組各者所屬之商店相關聯者。
如請求項1之提供資訊之方法，其中確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述一個以上之第2用戶之位置資訊及上述一個以上之商店資訊，獲得與上述一個以上之第2用戶之訂單對應之一個以上之配送路徑的資訊；及 <br/>於存在上述第1用戶之訂單之情形時，識別在與上述一個以上之配送路徑中之至少一部分之關係中滿足設定之第3條件的商店。
如請求項12之提供資訊之方法，其中上述電子裝置係基於如下之方向資訊來判斷是否滿足上述第3條件： <br/>上述一個以上之配送路徑之方向資訊；及 <br/>於上述第1用戶訂購商店之物品之情形時，與該訂單對應之配送路徑之方向資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括收發器、儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下： <br/>與上述收發器及上述記憶體連接，從而確認成為提供商店之資訊之對象之第1用戶； <br/>基於上述第1用戶之資訊，確認複數個用戶中之滿足設定之第1條件之一個以上的第2用戶； <br/>確認與上述一個以上之第2用戶相關聯之一個以上之商店的資訊； <br/>基於上述一個以上之商店之資訊，確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊； <br/>將確定之上述商店之資訊提供至上述第1用戶之終端； <br/>其中上述處理器經組態以藉由確認訂購上述商店之物品且正在等待配送之用戶來確認上述一個以上的第2用戶； <br/>其中上述處理器經組態以藉由以下步驟來確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊： <br/>獲得與上述一個以上之商店各者相關聯之物品之類別資訊； <br/>獲得與上述類別資訊對應之準備物品所需之時間之資訊； <br/>基於上述類別資訊及上述所需之時間之資訊，確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊；且 <br/>其中上述處理器經組態以藉由如下一者以上確定向上述第1用戶提供哪個商店之資訊： <br/>向上述第1用戶建議與在其中準備時間短之物品之比率超過設定之臨界值之類別之物品相關之商店之資訊；及 <br/>向上述第1用戶建議與物品相關之商店之資訊，上述物品之準備時間與上述一個以上之第2用戶訂購之物品之準備時間之至少一部分相比在設定之差異內。
一種多彩電致變色裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一共用底電極層，設置在該基板上；<br/> 一第一層，設置在該共用底電極層上，該第一層包含一第一金屬氧化物；<br/> 一第二層，設置在該共用底電極層上且與該第一層間隔開來，該第二層包含一第二金屬氧化物，其中該第二金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物，其中該第一層為一第一離子儲存層，該第二層為一第二離子儲存層；<br/> 一第一頂電極，設置在該第一層上；<br/> 一第二頂電極，設置在該第二層上且與該第一頂電極間隔開來；<br/> 一共用電解質層，設置在該共用底電極層上，其中該第一離子儲存層與該第二離子儲存層為設置在該共用電解質層上；以及<br/> 一電致變色層，設置在該共用電解質層與該共用底電極層之間，其中該第一離子儲存層與該第二離子儲存層為陽極電致變色材料，該電致變色層為陰極電致變色材料。
一種多彩電致變色裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一共用底電極層，設置在該基板上；<br/> 一第一層，設置在該共用底電極層上，該第一層包含一第一金屬氧化物；<br/> 一第二層，設置在該共用底電極層上且與該第一層間隔開來，該第二層包含一第二金屬氧化物，其中該第二金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物，其中該第一層為一第一離子儲存層，該第二層為一第二離子儲存層；<br/> 一第一頂電極，設置在該第一層上；<br/> 一第二頂電極，設置在該第二層上且與該第一頂電極間隔開來；<br/> 一第一電解質層，設置在該第一離子儲存層與該共用底電極層之間；<br/> 一第二電解質層，設置在該第二離子儲存層與該共用底電極層之間，其中該第一電解質層與該第二電解質層間隔開來；以及<br/> 一電致變色層，設置於該共用底電極層與該第一頂電極之間，其中該第一離子儲存層與該第二離子儲存層為陽極電致變色材料，該電致變色層為陰極電致變色材料。
如請求項2所述之多彩電致變色裝置，其中該電致變色層包含：<br/> 一第一電致變色層，設置在該第一電解質層與該共用底電極層之間；以及<br/> 一第二電致變色層，設置在該第二電解質層與該共用底電極層之間，其中該第一電致變色層與該第二電致變色層間隔開來。
一種多彩電致變色裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一共用底電極層，設置在該基板上；<br/> 一第一層，設置在該共用底電極層上，該第一層包含一第一金屬氧化物；<br/> 一第二層，設置在該共用底電極層上且與該第一層間隔開來，該第二層包含一第二金屬氧化物，其中該第二金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物，其中該第一層為一第一離子儲存層，該第二層為一第二離子儲存層；<br/> 一第一頂電極，設置在該第一層上；<br/> 一第二頂電極，設置在該第二層上且與該第一頂電極間隔開來；<br/> 一第一電解質層，設置在該第一離子儲存層與該第一頂電極層之間；<br/> 一第二電解質層，設置在該第二離子儲存層與該第二頂電極層之間，其中該第一電解質層與該第二電解質層間隔開來；以及<br/> 一電致變色層，設置於該共用底電極層與該第一頂電極之間，其中該第一離子儲存層與該第二離子儲存層為陽極電致變色材料，該電致變色層為陰極電致變色材料。
如請求項4所述之多彩電致變色裝置，其中該電致變色層包含：<br/> 一第一電致變色層，設置在該第一電解質層與該第一頂電極層之間；以及<br/> 一第二電致變色層，設置在該第二電解質層與該第二頂電極層之間，其中該第一電致變色層與該第二電致變色層間隔開來。
一種多彩電致變色裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一共用底電極層，設置在該基板上；<br/> 一第一層，設置在該共用底電極層上，該第一層包含一第一金屬氧化物；<br/> 一第二層，設置在該共用底電極層上且與該第一層間隔開來，該第二層包含一第二金屬氧化物，其中該第二金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物，其中該第一層為一第一離子儲存層，該第二層為一第二離子儲存層；<br/> 一第一頂電極，設置在該第一層上；<br/> 一第二頂電極，設置在該第二層上且與該第一頂電極間隔開來；以及<br/> 一電致變色層，設置於該共用底電極層與該第一頂電極之間，其中該第一離子儲存層與該第二離子儲存層為陽極電致變色材料，該電致變色層為陰極電致變色材料。
如請求項1、2、4、6任一項所述之多彩電致變色裝置，其中該第一層與該第二層之間的間隙為等於或是大於0.5µm，該第一頂電極與該第二頂電極的尺寸為等於或是大於10x10µm。
如請求項1、2、4、6任一項所述之多彩電致變色裝置，更包含：<br/> 一第三層，設置在該共用底電極層上且與該第一層及該第二層間隔開來，該第三層包含一第三金屬氧化物，其中該第三金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物與該第二金屬氧化物；以及<br/> 一第三頂電極，設置在該第三層上且與該第一頂電極和該第二頂電極間隔開來。
如請求項8所述之多彩電致變色裝置，更包含：<br/> 一第四層，設置在該共用底電極層上且與該第一層、該第二層及該第三層間隔開來，該第四層包含一第四金屬氧化物，其中該第四金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物、該第二金屬氧化物，與該第三金屬氧化物；以及<br/> 一第四頂電極，設置在該第四層上且與該第一頂電極、該第二頂電極，和該第三頂電極間隔開來。
如請求項1、2、4、6任一項所述之多彩電致變色裝置，其中該第一頂電極耦接至一第一偏壓，該第二頂電極耦接至一第二偏壓，該基板為一曲面基板。
一種穿戴式顯示設備，包含：<br/> 一支架；<br/> 一顯示層，設置在該支架上；<br/> 一多彩電致變色裝置，設置在該支架上，包含：<br/> 一基板；<br/> 一共用底電極層，設置在該基板上；<br/> 一第一層，設置在該共用底電極層上，該第一層包含一第一金屬氧化物；<br/> 一第二層，設置在該共用底電極層上且與該第一層間隔開來，該第二層包含一第二金屬氧化物，其中該第二金屬氧化物不同於該第一金屬氧化物，其中該第一層為一第一離子儲存層，該第二層為一第二離子儲存層；<br/> 一第一頂電極，設置在該第一層上；<br/> 一第二頂電極，設置在該第二層上且與該第一頂電極間隔開來；以及<br/> 一電致變色層，設置於該共用底電極層與該第一頂電極之間，其中該第一離子儲存層與該第二離子儲存層為陽極電致變色材料，該電致變色層為陰極電致變色材料；<br/> 複數個光學透鏡，設置在該支架上；<br/> 一處理單元，連接至該多彩電致變色裝置與該顯示層；以及<br/> 一環境影像感測器，連接至該處理單元，其中該多彩電致變色裝置配置以基於該環境影像感測器所提供之一周圍環境資訊來局部模擬一使用者之視野中的一區域。
如請求項11所述之穿戴式顯示設備，更包含：<br/> 複數個波導片，設置在該多彩電致變色裝置與該顯示層之間。
一種液化氫貯藏槽，其係貯藏液化氫之多重殼者，其包括： <br/>內槽，包含內槽屋頂及內槽側板，劃定液化氫之貯藏空間； <br/>絕熱空間，形成於上述內槽與其外側之槽之間； <br/>連通管，貫穿上述內槽屋頂； <br/>甲板，以將從上述連通管之上端開口延伸至上述內槽屋頂之外緣部之氣體通道形成於與上述內槽屋頂之間之方式，覆蓋上述內槽屋頂之上表面；以及 <br/>粒狀絕熱材料，配置於上述絕熱空間中之上述甲板之上側區域。
如請求項1之液化氫貯藏槽，其中， <br/>上述甲板包括：立設於上述內槽屋頂之上表面之支架、以及以空開間隔來覆蓋上述內槽屋頂之上表面之方式由上述支架所支持之上蓋； <br/>上述粒狀絕熱材料配置於上述上蓋之上側。
如請求項2之液化氫貯藏槽，其中， <br/>上述上蓋包括氣體通過且上述粒狀絕熱材料不通過之透氣蓋材料。
如請求項2之液化氫貯藏槽，其中， <br/>上述上蓋包含：第1蓋材料、以及與上述第1蓋材料鄰接且從上面覆蓋上述內槽屋頂之焊接線的第2蓋材料。
如請求項1至4中任一項之液化氫貯藏槽，其中， <br/>於上述氣體通道之徑向之外端，設置有防止上述粒狀絕熱材料向上述氣體通道內流入的護罩。
一種液化氫貯藏槽之施工方法，其係對多重殼之液化氫貯藏槽進行施工之方法，上述多重殼之液化氫貯藏槽包括：包含內槽屋頂及內槽側板之內槽、配置於上述內槽與其外側之槽之間之絕熱空間中的粒狀絕熱材料、貫穿上述內槽屋頂之連通管、以及包含立設於上述內槽屋頂之上表面之支架及由其支持之上蓋的甲板； <br/>上述施工方法包括： <br/>藉由焊接來構築上述內槽屋頂； <br/>於所構築之上述內槽屋頂之上表面固定上述支架，並且將構成上述上蓋之一部分的第1蓋材料固定於上述支架； <br/>將固定有上述支架及上述第1蓋材料之上述內槽屋頂接合於上述內槽側板之上端來構築上述內槽； <br/>實施所構築之上述內槽之氣密試驗；以及 <br/>上述氣密試驗結束後，藉由以從上面覆蓋上述內槽屋頂之焊接線之方式，將構成上述上蓋之另一部分的第2蓋材料固定於上述支架，從而於上述上蓋與上述內槽屋頂之間，形成從上述連通管之上端開口延伸至上述內槽屋頂之外緣部之氣體通道。
一種電子裝置，包含：<br/> 一電子元件，包含：<br/> 一支架；以及<br/> 一天線結構，設置於該電子元件的該支架，並包含：<br/> 一饋入源；<br/> 一主輻射部，連接該饋入源，並朝一第一方向延伸；<br/> 一接地部，連接一接地層，並與該主輻射部之間具有一第一間隔，其中該接地部朝該第一方向延伸；以及<br/> 一浮接部，與該接地部之間具有一第二間隔，並朝該第一方向延伸；<br/> 其中，該主輻射部、該接地部及該浮接部沿一第二方向依序排列；<br/> 其中，該饋入源設置於該支架的一第一面，該主輻射部設置於該支架的該第一面，該接地部設置於該支架的該第一面，該浮接部設置於該支架的一第二面並延伸至該支架的一第三面，其中該第二面連接於該第一面及該第三面之間。
如請求項1所述之電子裝置，其中該主輻射部具有一第一共振頻率，該接地部具有一第二共振頻率，該浮接部具有一第三共振頻率，該第一共振頻率、該第二共振頻率及該第三共振頻率不重疊。
如請求項2所述之電子裝置，更包含：<br/> 一分支輻射部，連接該主輻射部，並朝該第一方向延伸；<br/> 其中，該分支輻射部、該主輻射部、該接地部及該浮接部沿該第二方向依序排列；<br/> 其中，該分支輻射部具有一第四共振頻率，該第一共振頻率、該第二共振頻率、該第三共振頻率及該第四共振頻率不重疊。
如請求項1所述之電子裝置，其中該電子元件更包含：<br/> 一金屬件，設置於該支架的該第一面及該第三面之間；<br/> 其中該電子元件為一揚聲器組件、一金屬邊框、一磁鐵及一輸入/輸出埠之一者。
如請求項1所述之電子裝置，更包含：<br/> 一感測單元；<br/> 一電感元件，連接於該接地部及該感測單元之間；及<br/> 一電容元件，連接該接地部，並用以隔絕該感測單元之一訊號。
如請求項1所述之電子裝置，其中該主輻射部具有一第一共振頻率，該接地部具有一第二共振頻率，該浮接部具有一第三共振頻率，該第一共振頻率高於該第二共振頻率，且該第二共振頻率高於該第三共振頻率。
如請求項1所述之電子裝置，更包含：<br/> 一分支輻射部，連接該主輻射部，並朝該第一方向延伸，且該分支輻射部設置於該第一面；<br/> 其中，該分支輻射部、該主輻射部、該接地部及該浮接部沿該第二方向依序排列。
如請求項7所述之電子裝置，其中該主輻射部具有一第一共振頻率，該接地部具有一第二共振頻率，該浮接部具有一第三共振頻率，該分支輻射部具有一第四共振頻率，該第一共振頻率高於該第二共振頻率，該第二共振頻率高於該第三共振頻率，且該第三共振頻率高於該第四共振頻率。
如請求項1所述之電子裝置，其中，<br/> 該主輻射部包含：<br/> 一第一線段，連接該饋入源；及<br/> 一第二線段，連接該第一線段，其與該第一線段垂直，並朝該第一方向延伸；<br/> 該接地部包含：<br/> 一第三線段，連接該接地層；及<br/> 一第四線段，連接該第三線段，其與該第三線段垂直，且與該第二線段平行。
如請求項1所述之電子裝置，其中該浮接部與該接地部於一垂直投影方向上部分重疊。
如請求項10所述之電子裝置，其中該接地部及該浮接部於該垂直投影方向上部分重疊的一區段具有一重疊長度，該重疊長度大於等於該浮接部的一長度的五分之一。
如請求項1所述之電子裝置，更包含：<br/> 一殼體，包含：<br/> 一第一蓋體；及<br/> 一第二蓋體，與該第一蓋體相對；<br/> 其中，該支架之該第一面朝向該第一蓋體，且該支架之該第三面朝向該第二蓋體。
一種封裝結構，包括： <br/>下層封裝，包括第一半導體晶粒，所述第一半導體晶粒包括在所述第一半導體晶粒的背側上的背側金屬膜，其中所述背側金屬膜的外緣與所述第一半導體晶粒的外緣實質上對齊； <br/>上層封裝，附接至所述下層封裝並電耦合至所述下層封裝；以及 <br/>導熱底部填充劑層，位在所述下層封裝和所述上層封裝之間並接觸所述背側金屬膜，其中所述背側金屬膜的熱導率大於20W/m·K。
如請求項1所述的封裝結構，其中所述背側金屬膜具有粗糙表面。
如請求項1所述的封裝結構，其中所述背側金屬膜包括含有金屬顆粒的燒結金屬膜。
如請求項3所述的封裝結構，其中所述金屬顆粒在第一方向上的寬度小於100μm，在垂直於所述第一方向的第二方向上的長度小於100μm。
如請求項1所述的封裝結構，其中所述背側金屬膜具有小於或等於20μm的厚度。
如請求項1所述的封裝結構，其中所述第一半導體晶粒更包括半導體層且所述背側金屬膜附接至所述半導體層。
如請求項6所述的封裝結構，其中所述背側金屬膜在第一方向上的寬度小於或等於所述半導體層在所述第一方向上的寬度，且所述背側金屬膜在垂直於所述第一方向的第二方向上的長度小於或等於所述半導體層在所述第二方向上的長度。
如請求項1所述的封裝結構，其中所述導熱底部填充劑層包括環氧樹脂和分散在所述環氧樹脂中的金屬顆粒。
一種封裝結構的形成方法，所述方法包括： <br/>形成第一半導體晶粒，所述第一半導體晶粒包括位在所述第一半導體晶粒的背側上的背側金屬膜，其中所述背側金屬膜的外緣與所述第一半導體晶粒的外緣實質上對齊； <br/>形成包括所述第一半導體晶粒的下層封裝； <br/>將上層封裝附接至所述下層封裝；以及 <br/>在所述下層封裝和所述上層封裝之間形成導熱底部填充劑層，使得所述導熱底部填充劑層接觸所述下層封裝中的所述背側金屬膜，其中所述背側金屬膜的熱導率大於20W/m·K。
一種半導體裝置，包括： <br/>下層封裝，包括： <br/>前側重分佈層結構； <br/>下層包封層，位在所述前側重分佈層結構上； <br/>多個貫通孔，位在所述下層包封層中；以及 <br/>第一半導體晶粒，與位在所述下層包封層中的所述多個貫通孔相鄰，其中所述第一半導體晶粒包括背側金屬膜，所述背側金屬膜的上表面實質上共面於所述下層包封層的上表面和所述多個貫通孔的上表面； <br/>上層封裝，堆疊在所述下層封裝上且包括： <br/>封裝基底，包括多個金屬內連線結構； <br/>上層包封層，位在所述封裝基底上； <br/>動態隨機存取記憶體晶片，安裝在所述上層包封層中的所述封裝基底上；以及 <br/>多個接合金屬線，位在所述上層包封層中且以及將所述動態隨機存取記憶體晶粒電耦合至所述多個金屬內連線結構；以及 <br/>導熱底部填充劑層，位在所述下層封裝和所述上層封裝之間並接觸所述背側金屬膜。
一種暫時固定用組合物，其特徵在於其係含有如下成分之光硬化性暫時固定用組合物： <br/>(A)(甲基)丙烯酸酯單體、及 <br/>(B)光自由基聚合起始劑，且 <br/>上述暫時固定用組合物依據JIS Z8803：2011所求得之23℃下之黏度於剪切速度1 sec<sup>-1</sup>下為500 mPa・s以上， <br/>上述暫時固定用組合物依據JIS Z 8804：2012所求得之23℃下之比重為1.000以上1.050以下， <br/>上述(A)成分包含： <br/>(A-1)多官能(甲基)丙烯酸酯單體、及 <br/>(A-2)單官能(甲基)丙烯酸酯單體， <br/>上述(A-2)成分包含碳數15以上32以下之脂肪族單官能(甲基)丙烯酸酯單體。
如請求項1之暫時固定用組合物，其中(A-1)成分與(A-2)成分之質量比為(A-1)：(A-2)＝2：1～1：2之範圍。
如請求項1之暫時固定用組合物，其進而包含 <br/>(C)(甲基)丙烯酸酯聚合物。
如請求項1至3中任一項之暫時固定用組合物，其不含甲基丙烯酸酯單體及甲基丙烯酸酯聚合物。
如請求項1至3中任一項之暫時固定用組合物，其進而包含 <br/>(D)UV吸收劑。
如請求項1至3中任一項之暫時固定用組合物，其不含填料。
一種製造方法，其特徵在於其係半導體器件之製造方法，且包括如下步驟： <br/>將組合物塗佈於半導體晶圓基材及/或支持構件之步驟； <br/>使上述半導體晶圓基材與上述支持構件以夾著上述組合物之方式於真空環境下進行接著之步驟；以及 <br/>對已接著之上述半導體晶圓基材及上述支持構件照射光而使上述組合物硬化，藉此將上述半導體晶圓基材與上述支持構件暫時固定之步驟； <br/>硬化前之上述組合物含有： <br/>(A)(甲基)丙烯酸酯單體、及 <br/>(B)光自由基聚合起始劑， <br/>上述組合物依據JIS Z8803：2011所求得之23℃下之黏度於剪切速度1 sec<sup>-1</sup>下為500 mPa・s以上， <br/>上述組合物依據JIS Z 8804：2012所求得之23℃下之比重為1.000以上1.050以下， <br/>上述(A)成分包含： <br/>(A-1)多官能(甲基)丙烯酸酯單體、及 <br/>(A-2)單官能(甲基)丙烯酸酯單體， <br/>上述(A-2)成分包含碳數15以上32以下之脂肪族單官能(甲基)丙烯酸酯單體。
如請求項7之製造方法，其中藉由旋轉塗佈，將上述組合物塗佈於上述半導體晶圓基材及/或上述支持構件。
如請求項7或8之製造方法，其中上述組合物於上述半導體晶圓基材及/或上述支持構件上之塗佈厚度為50 μm以上70 μm以下之範圍。
如請求項7或8之製造方法，其中上述真空環境為真空度20 Pa以下之範圍。
一種組合物，其特徵在於其係含有如下成分之組合物： <br/>(A)(甲基)丙烯酸酯單體、及 <br/>(B)聚合起始劑，且 <br/>上述組合物依據JIS Z8803：2011所求得之23℃下之黏度於剪切速度1 sec<sup>-1</sup>下為500 mPa・s以上， <br/>上述組合物依據JIS Z 8804：2012所求得之23℃下之比重為1.000以上1.050以下， <br/>上述(A)成分包含： <br/>(A-1)多官能(甲基)丙烯酸酯單體、及 <br/>(A-2)單官能(甲基)丙烯酸酯單體， <br/>上述(A-2)成分包含碳數15以上32以下之脂肪族單官能(甲基)丙烯酸酯單體。
一種減震揚聲器，其包含：<br/> 一發聲單元，其包括有一喇叭座、一振膜以及一音圈，該振膜設於該喇叭座，該音圈連接於該振膜；<br/> 一磁迴組件，其包括有一主導磁板及一導磁單元，該導磁單元設於該主導磁板之頂面，該音圈活動設於該導磁單元外；以及<br/> 複數阻尼件，其對稱設於該喇叭座與該主導磁板之間，該喇叭座設有二組接部，該等阻尼件之一側分別設有一扣接部，各該扣接部扣接於各該組接部，該等組接部分別設有至少一鳩尾槽，該等扣接部分別設有至少一鳩尾榫，各該鳩尾榫扣接於各該鳩尾槽；<br/> 其中該主導磁板設有二連接部，該等阻尼件之另一側分別設有一插接部，各該插接部組接於各該連接部；<br/> 其中更包括有複數補強連接部，該等補強連接部分別對稱設於該喇叭座之二側，該等阻尼件的扣接部分別設於該喇叭座之對稱之二側與該等補強連接部之間；<br/> 其中該喇叭座之對稱之二側分別設有至少一定位凸部，該等補強連接部之一側分別設有至少一定位凹部，該定位凹部組接於該定位凸部；<br/> 其中該等阻尼件之一面分別設有至少一限位凹部及一容置槽，且該限位凹部及該容置槽形成於同一平面，且該扣接部形成於該容置槽上，該等補強連接部之另一側分別設有至少一限位凸部，該限位凸部組接於該等阻尼件之該限位凹部；<br/> 其中該等補強連接部分別設於該等阻尼件的該容置槽。
一種減震揚聲器，其包含：<br/> 一發聲單元，其包括有一喇叭座、一振膜以及一音圈，該振膜設於該喇叭座，該音圈連接於該振膜；<br/> 一磁迴組件，其包括有一主導磁板及一導磁單元，該導磁單元設於該主導磁板之頂面，該音圈活動設於該導磁單元外；以及<br/> 複數阻尼件，其對稱設於該喇叭座與該主導磁板之間，該喇叭座設有二組接部，該等阻尼件之一側分別設有一扣接部，各該扣接部扣接於各該組接部，該等組接部分別設有至少一凸扣體，該等扣接部分別設有至少一固定孔，各該固定孔扣接於各該凸扣體；<br/> 其中該主導磁板設有二連接部，該等阻尼件之另一側分別設有一插接部，各該插接部組接於各該連接部；<br/> 其中更包括有複數補強連接部，該等補強連接部分別對稱設於該喇叭座之二側，該等阻尼件的扣接部分別設於該喇叭座之對稱之二側與該等補強連接部之間；<br/> 其中該喇叭座之對稱之二側分別設有至少一定位凸部，該等補強連接部之一側分別設有至少一定位凹部，該定位凹部組接於該定位凸部；<br/> 其中該等阻尼件之一面分別設有至少一限位凹部及一容置槽，且該限位凹部及該容置槽形成於同一平面，且該扣接部形成於該容置槽上，該等補強連接部之另一側分別設有至少一限位凸部，該限位凸部組接於該等阻尼件之該限位凹部；<br/> 其中該等補強連接部分別設於該等阻尼件的該容置槽。
如請求項1或2所述之減震揚聲器，其中該等阻尼件分別對稱設於該喇叭座之二短邊側與該主導磁板之二短邊側之間。
如請求項1或2所述之減震揚聲器，其中該等連接部分別設有至少一凸塊，該等插接部分別設有至少一凹槽，各該凸塊組接於各該凹槽。
如請求項1或2所述之減震揚聲器，其中該等阻尼件的二側之間分別設有一彈性係數調整區。
如請求項5所述之減震揚聲器，其中該等彈性係數調整區分別包括有至少一凹槽或至少一穿孔。
一種天線結構的製造方法，包括：<br/> 形成複數個通孔貫穿一透明基板；<br/> 形成一絕緣層覆蓋該透明基板的相對一上表面和一下表面以及該些通孔的內壁；<br/> 形成一第一金屬層覆蓋該絕緣層及該些通孔並填滿該些通孔；<br/> 形成一第一金屬保護層覆蓋該上表面上方的該第一金屬層；<br/> 對該下表面下方的該第一金屬層執行一微影蝕刻製程，以形成一第一圖案化金屬層；<br/> 形成一第一重分佈線層於該第一圖案化金屬層下；<br/> 在形成該第一重分佈線層於該第一圖案化金屬層下之後，圖案化該第一金屬保護層，以形成一第一圖案化金屬保護層；<br/> 形成一第二金屬保護層覆蓋該第一重分佈線層；以及<br/> 在形成該第二金屬保護層覆蓋該第一重分佈線層之後，以該第一圖案化金屬保護層為遮罩蝕刻該上表面上方的該第一金屬層，以形成一第二圖案化金屬層；<br/> 形成一第二重分佈線層於該第二圖案化金屬層上；以及<br/> 移除該第二金屬保護層。
一種天線結構的製造方法，包括：<br/> 形成複數個通孔貫穿一透明基板；<br/> 形成一絕緣層覆蓋該透明基板的相對一上表面和一下表面以及該些通孔的內壁；<br/> 形成一第一金屬層覆蓋該絕緣層及該些通孔並填滿該些通孔；<br/> 形成一第一金屬保護層覆蓋該上表面上方的該第一金屬層；<br/> 圖案化該第一金屬保護層，以形成一第一圖案化金屬保護層；<br/> 在圖案化該第一金屬保護層之後，形成一第二金屬保護層覆蓋該下表面下方的該第一金屬層；<br/> 以該第一圖案化金屬保護層為遮罩蝕刻該上表面上方的該第一金屬層，以形成一第一圖案化金屬層；<br/> 形成一第一重分佈線層於該第一圖案化金屬層上；<br/> 圖案化該第二金屬保護層，以形成一第二圖案化金屬保護層；<br/> 在圖案化該第二金屬保護層之後，形成一第三金屬保護層覆蓋該第一重分佈線層；<br/> 以該第二圖案化金屬保護層為遮罩蝕刻該下表面下方的該第一金屬層，以形成一第二圖案化金屬層；以及<br/> 形成一第二重分佈線層於該第二圖案化金屬層下。
如請求項2所述之天線結構的製造方法，更包括：<br/> 形成一第三重分佈線層於該第二重分佈線層下；<br/> 移除該第三金屬保護層，並形成一第四金屬保護層覆蓋該第三重分佈線層；以及<br/> 形成一第四重分佈線層於該第一重分佈線層上。
一種天線結構，包括：<br/> 一透明基板，具有相對的一上表面及一下表面；<br/> 一第一絕緣層，覆蓋該透明基板的該上表面；<br/> 一第二絕緣層，覆蓋該透明基板的該下表面；<br/> 一導電孔，設置於該透明基板中，且該導電孔從該上表面延伸至該下表面；<br/> 一第一重分佈結構，設置於該第一絕緣層上，其中該第一重分佈結構中最靠近該透明基板的一線路層包括一金屬保護層；以及<br/> 一第二重分佈結構，設置於該第二絕緣層下，其中該第一重分佈結構藉由該導電孔電性連接該第二重分佈結構。
如請求項4所述之天線結構，其中該導電孔包括一絕緣部分和一金屬部分，該絕緣部分環繞該金屬部分。
如請求項5所述之天線結構，其中該金屬部分包括一晶種層和一金屬層，且該晶種層設置於該絕緣部分與該金屬層之間。
如請求項5所述之天線結構，其中該金屬部分的材料不同於該金屬保護層的材料。
如請求項5所述之天線結構，其中該絕緣部分的厚度大於該第一絕緣層的厚度和該第二絕緣層的厚度。
如請求項4所述之天線結構，其中該第一重分佈結構中最靠近該透明基板的該線路層更包括一金屬層，該金屬保護層位於該金屬層上，且該金屬保護層的寬度大於該金屬層的寬度。
一種一電子裝置之資訊提供方法，該電子裝置提供資訊給一包裝操作者，該方法包括： <br/>識別包含複數個操作單元且位於一特定區塊中之一第一操作目標組； <br/>於滿足一預定條件時，判定於該特定區塊中對一第二操作目標組之一包裝操作較先於對該第一操作目標組之一包裝操作執行； <br/>基於使用對應於一分選操作者之一第一端子輸入之輸入資訊，判定包含於該第二操作目標組中之複數個操作單元中已完成其物品分選之至少一操作單元；及 <br/>將關於自所判定之該至少一操作單元中，基於優先順序資訊藉由該電子裝置選擇之一操作單元之資訊，提供給包裝操作者之一第二端子使該資訊被顯示， <br/>其中該第一操作目標組及該第二操作目標組包含基於一地址所分類之複數個子集合，各子集合包含對應於該地址之複數個操作單元， <br/>其中基於該優先順序資訊所顯示之操作單元之一數目係基於指派給該第二操作目標組之包裝操作者之一數目來變動判定，而與該第二操作目標組相關之分選操作者之數目無關， <br/>其中包含於該第二操作目標組中之該複數操作單元中已完成其物品分選之該至少一操作單元之資訊，係以一預設通知方法提供給該包裝操作者，及 <br/>其中該預設通知方法與基於該優先順序資訊所選擇之該操作單元顯示於該第二端子之方法不同。
如請求項1之方法，其中基於對應於所判定之該至少一操作單元之各者之一排程運輸日期來判定該優先順序資訊。
如請求項1之方法，其中基於完成該至少一操作單元之各者之物品分選之一時間來判定該優先順序資訊。
如請求項1之方法，其中基於包含於該至少一操作單元之各者中之物品之一數目來判定該優先順序資訊。
如請求項1之方法， <br/>其中基於對應於所判定之該至少一操作單元之各者之一排程運輸日期來判定該優先順序資訊， <br/>其中回應於該排程運輸日期彼此相同，基於完成該至少一操作單元之各者之物品分選之一時間來判定該優先順序資訊，及 <br/>其中當完成該至少一操作單元之各者之物品分選之該等時間彼此相同時，基於分選至該至少一操作單元之各者之物品之一數目來判定該優先順序資訊。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>判定包裝完成資訊；及 <br/>基於該完成資訊來更新該顯示資訊。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>顯示用於判定一不同操作目標組之影像資訊； <br/>基於由一條碼掃描器回應於對應於該影像資訊之一輸入所判定之識別資訊來改變一操作目標組自該第一操作目標組至該第二操作目標組；及 <br/>顯示與所改變之該操作目標組相關聯之資訊。
如請求項1之方法，其中已完成其物品分選之該至少一操作單元包含至少一物品具有相同遞送資訊。
如請求項8之方法，進一步包括： <br/>接收已完成其物品分選之該至少一操作單元之包裝完成資訊；及 <br/>基於該完成資訊來將已完成其物品分選之該至少一操作單元識別為對應於不同遞送資訊之一操作單元。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其上儲存有在被執行時引起一電腦執行如請求項1至9中任一項之方法之一程式。
一種提供資訊給一包裝操作者之電子裝置，其包括： <br/>一通信器件； <br/>一顯示器，其經組態以顯示與一操作單元相關聯之資訊；及 <br/>一控制器，其經組態以： <br/>識別包含複數個操作單元且位於一特定區塊中之一第一操作目標組； <br/>於滿足一預定條件時，判定於該特定區塊中對一第二操作目標組之一包裝操作較先於對該第一操作目標組之一包裝操作執行； <br/>基於使用對應於一分選操作者之一第一端子輸入之輸入資訊，判定包含於該第二操作目標組中之複數個操作單元中已完成其物品分選之至少一操作單元；及 <br/>將關於在所判定之該至少一操作單元中，基於優先順序資訊藉由該電子裝置選擇之一操作單元之資訊，提供給包裝操作者之一第二端子使該資訊被顯示， <br/>其中該第一操作目標組及該第二操作目標組包含基於一地址所分類之複數個子集合，各子集合包含對應於該地址之複數個操作單元， <br/>其中基於該優先順序資訊所顯示之操作單元之一數目係基於指派給該第二操作目標組之包裝操作者之一數目來變動判定，而與該第二操作目標組相關之分選操作者之數目無關， <br/>其中包含於該第二操作目標組中之該複數操作單元中已完成其物品分選之該至少一操作單元之資訊，係以一預設通知方法提供給該包裝操作者，及 <br/>其中該預設通知方法與基於該優先順序資訊所選擇之該操作單元顯示於該第二端子之方法不同。
一種多重化系統的控制程式，包含用以控制多重化後的第1執行環境及第2執行環境的控制邏輯， <br/>能夠使電腦裝置執行： <br/>從構成前述控制邏輯的至少1個演算要素叫出使用者定義程式庫函數的工程； <br/>將前述第1執行環境或前述第2執行環境之中於待機側的前述使用者定義程式庫函數的中間演算值，從預先儲存前述第1執行環境或前述第2執行環境之中於運轉側的前述使用者定義程式庫函數的前述中間演算值的介面區域匯入的工程； <br/>前述中間演算值為前述第1執行環境及第2執行環境間的資料追蹤對象資料。
如請求項1記載的多重化系統的控制程式，更具備：將前述第1執行環境或前述第2執行環境之中至少於運轉側的前述使用者定義程式庫函數的中間演算值，匯出至前述介面區域的工程。
如請求項2記載的多重化系統的控制程式，其中，前述使用者定義程式庫函數，特定出前述使用者定義程式庫函數中包含的複數全域變數之中的前述資料追蹤對象資料。
如請求項1或2記載的多重化系統的控制程式，其中，前述使用者定義程式庫函數以汎用程式語言記述。
一種多重化系統的控制系統，具有：能夠執行如請求項1或2記載的控制程式的演算部。
一種多重化系統的控制方法，包含用以控制多重化後的第1執行環境及第2執行環境的控制邏輯，具備： <br/>從構成前述控制邏輯的至少1個演算要素叫出使用者定義程式庫函數的工程； <br/>將前述第1執行環境或前述第2執行環境之中於待機側的前述使用者定義程式庫函數的中間演算值，從預先儲存前述第1執行環境或前述第2執行環境之中於運轉側的前述使用者定義程式庫函數的前述中間演算值的介面區域匯入的工程； <br/>前述中間演算值為前述第1執行環境及第2執行環境間的資料追蹤對象資料。
一種粉末組成物，為含有複合化非離子性纖維素奈米纖維以及基質的含纖維素奈米纖維的粉末組成物，所述複合化非離子性纖維素奈米纖維為與羥丙基纖維素或羧甲基纖維素複合化的非離子性纖維素奈米纖維，所述粉末組成物中， <br/>所述基質為選自由糖類、親水親油平衡值為11以上的蔗糖脂肪酸酯、及25℃、1000 s <sup>-1</sup>下的2%水溶液黏度為5 mPa·s以下的非離子性水溶性聚合物所組成的群組中的至少一種， <br/>在將所述粉末組成物中所含的所述複合化非離子性纖維素奈米纖維與所述基質的合計質量設為100質量%的情況下，所述複合化非離子性纖維素奈米纖維的含量為5質量%～80質量%，所述基質的含量為20質量%～95質量%。
如請求項1所述的粉末組成物，其中所述複合化非離子性纖維素奈米纖維為細菌奈米纖維素。
如請求項1或2所述的粉末組成物，其中所述非離子性水溶性聚合物為2%水溶液的總光線透過率為80%以上的聚合物。
如請求項1或2所述的粉末組成物，其中所述糖類為單糖或雙糖。
如請求項1或2所述的粉末組成物，其為藉由對含有所述複合化非離子性纖維素奈米纖維以及所述基質的分散液進行噴霧乾燥造粒而得的粉末。
如請求項1或2所述的粉末組成物，其用作水性塗料用流變控制劑。
一種粉末組成物的製造方法，為含有複合化非離子性纖維素奈米纖維以及基質的含纖維素奈米纖維的粉末組成物的製造方法，所述複合化非離子性纖維素奈米纖維為與羥丙基纖維素或羧甲基纖維素複合化的非離子性纖維素奈米纖維， <br/>所述粉末組成物的製造方法包括藉由噴霧乾燥將含有所述複合化非離子性纖維素奈米纖維以及所述基質的分散液製成乾燥粒子的噴霧乾燥造粒步驟， <br/>所述基質為選自由糖類、親水親油平衡值為11以上的蔗糖脂肪酸酯、及25℃、1000 s <sup>-1</sup>下的2%水溶液黏度為5 mPa·s以下的非離子性水溶性聚合物所組成的群組中的至少一種， <br/>在所述分散液中，在將所述複合化非離子性纖維素奈米纖維與所述基質的合計質量設為100質量%的情況下，所述複合化非離子性纖維素奈米纖維的調配量為5質量%～80質量%，所述基質的調配量為20質量%～95質量%。
如請求項7所述的粉末組成物的製造方法，其中所述複合化非離子性纖維素奈米纖維為細菌奈米纖維素， <br/>在所述噴霧乾燥造粒步驟中，藉由向所述複合化非離子性纖維素奈米纖維以及所述基質中添加水而製成所述分散液。
如請求項7或8所述的粉末組成物的製造方法，其中所述非離子性水溶性聚合物為2%水溶液的總光線透過率為80%以上的聚合物。
如請求項7或8所述的粉末組成物的製造方法，其中所述糖類為單糖或雙糖。
一種水性塗料用流變控制劑，含有複合化非離子性纖維素奈米纖維以及基質，所述複合化非離子性纖維素奈米纖維為與羥丙基纖維素或羧甲基纖維素複合化的非離子性纖維素奈米纖維，其中， <br/>所述基質為選自由糖類、親水親油平衡值為11以上的蔗糖脂肪酸酯、及25℃、1000 s <sup>-1</sup>下的2%水溶液黏度為5 mPa·s以下的非離子性水溶性聚合物所組成的群組中的至少一種， <br/>在將所述複合化非離子性纖維素奈米纖維與所述基質的合計質量設為100質量%的情況下，所述複合化非離子性纖維素奈米纖維的含量為5質量%～80質量%，所述基質的含量為20質量%～95質量%。
一種由式(Ia)、式(IIa)、式(IIIa)、式(IVa)、式(Ij)、式(IIj)、式(IIIj)或式(IVj)表示之化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="46px" file="ed10617.jpg" alt="ed10617.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ia)<br/><img align="absmiddle" height="34px" width="50px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIa)<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="46px" file="ed10619.jpg" alt="ed10619.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIIa)<br/><img align="absmiddle" height="34px" width="50px" file="ed10620.jpg" alt="ed10620.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IVa)<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="44px" file="ed10621.jpg" alt="ed10621.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (Ij)<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="50px" file="ed10622.jpg" alt="ed10622.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIj);<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="44px" file="ed10623.jpg" alt="ed10623.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IIIj)<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="50px" file="ed10624.jpg" alt="ed10624.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IVj)； <br/>其中： <br/>在價數允許的情況下，Q、T、U及V各自獨立地表示CH、CH<sub>2</sub>、N、NH、O或SO<sub>2</sub>，其中CH、CH<sub>2</sub>或NH基團之任何氫視情況經出現之R<sup>4</sup>置換； <br/>W為C或N； <br/>B為CH或N； <br/>D為CH或N； <br/>在價數允許的情況下，X、Y及Z各自獨立地表示CH、CH<sub>2</sub>、CO、N、NH、O、S或SO<sub>2</sub>，其中CH、CH<sub>2</sub>或NH基團之任何氫視情況經出現之R<sup>4</sup>置換； <br/>R<sup>a</sup>表示H或烷基； <br/>-R<sup>1</sup>-R<sup>1a</sup>表示<img align="absmiddle" height="35px" width="68px" file="ed10625.jpg" alt="ed10625.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>1a</sup>表示視情況經取代之-C(O)烷基、-C(O)芳基、-C(O)雜芳基、-C(O)O(烷基)、-C(O)(雜環基)、-C(O)NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、環烷基、雜環烷基、芳基或雜芳基； <br/>J表示-OR<sup>2</sup>、-NR<sup>2</sup>R<sup>3</sup>、-C(O)O(烷基)、-C(O)OH或芳基，其中芳基視情況經一或多次出現的R<sup>2a</sup>取代； <br/>R<sup>2</sup>表示視情況經取代之烷基、芳烷基、雜芳烷基、環烷基、雜環烷基、(環烷基)烷基、(雜環烷基)烷基或羥基烷基； <br/>R<sup>3</sup>表示H或烷基；或 <br/>R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>一起形成雜環烷基環，其視情況經一或多次出現的R<sup>2a</sup>取代； <br/>R<sup>2a</sup>在每次出現時獨立地表示鹵基、羥基、-C(O)H、側氧基、-NH<sub>2</sub>、-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)OH、-C(O)R<sup>5</sup>、-C(O)OR<sup>5</sup>、-C(O)NH(R<sup>5</sup>)，或視情況經取代之烷基、烷氧基、羥基烷基、雜芳基、芳基、芳氧基、雜芳氧基、芳基烷氧基、雜芳基烷氧基或-N(烷基)<sub>2</sub>； <br/>或任何兩個偕位或鄰位出現之R<sup>2a</sup>一起可形成螺環或稠合環烷基環； <br/>R<sup>4</sup>在每次出現時獨立地表示鹵基、氰基或視情況經取代之烷基、烯基、鹵烷基、羥基烷基、胺基烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、雜芳基、雜芳烷基、雜環烷基、雜環烯基、(雜環烷基)烷基、環烷基、(環烷基)烷基、鹵環烷基、羥基環烷基、胺基環烷基、芳氧基、雜芳氧基、芳基烷氧基、雜芳基烷氧基、-CH<sub>2</sub>C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)R<sup>5</sup>、-C(O)OR<sup>5</sup>或-S(O)<sub>2</sub>R<sup>5</sup>； <br/>如價數允許，m為0-4之整數； <br/>如價數允許，n為0-4之整數；且 <br/>R<sup>5</sup>在每次出現時獨立地表示視情況經取代之烷基、芳烷基、芳基、雜芳烷基、雜芳基、環烷基、雜環烷基、(環烷基)烷基或(雜環烷基)烷基；及 <br/>R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup>各自獨立地表示H、烷基、芳烷基、雜芳烷基、芳基、雜芳基、環烷基、雜環烷基、(環烷基)烷基、(雜環烷基)烷基或羥基烷基； <br/>其中視情況選用之取代基係選自鹵素、鹵烷基、羥基、羧基、烷氧基羰基、甲醯基、醯基、硫酯、硫乙酸酯基、硫甲酸酯基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、-NH<sub>2</sub>、-NH(烷基)、-N(烷基)<sub>2</sub>、C(O)NH<sub>2</sub>、氰基、硝基、疊氮基、巰基、烷硫基、雜環烷基、環烷基、烷基、烯基、炔基、未經取代之芳基、未經取代之雜芳基、未經取代之芳烷基或未經取代之雜芳烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物由式(Ia)或式(IIa)表示： <br/><img align="absmiddle" height="230px" width="198px" file="ed10627.jpg" alt="ed10627.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物係由以下表示 <br/>(a)式(Ib)或(IIb)： <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="191px" file="ed10628.jpg" alt="ed10628.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中Q表示CH或N；且V表示CH或N；或 <br/>(b)式(Id)或(IId)： <br/><img align="absmiddle" height="245px" width="171px" file="ed10629.jpg" alt="ed10629.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中T表示CH<sub>2</sub>、NH、O或SO<sub>2</sub>；且U表示CH<sub>2</sub>、NH、O或SO<sub>2</sub>。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物係由以下表示 <br/>(a)式(Ic)或(IIc)： <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="199px" file="ed10630.jpg" alt="ed10630.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/>(b)式(Ie)或(IIe)： <br/><img align="absmiddle" height="231px" width="192px" file="ed10631.jpg" alt="ed10631.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由式(Ib)或(IIb)表示；且其中Q為N；且V為CH，或其中Q為CH；且V為N。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由式(Id)或(IId)表示；且其中T為NH；且U為CH<sub>2</sub>，或其中T為CH<sub>2</sub>；且U為NH。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物由式(Ij)或式(IIj)表示： <br/><img align="absmiddle" height="252px" width="181px" file="ed10632.jpg" alt="ed10632.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物由式(Ik)或(IIk)表示： <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="182px" file="ed10633.jpg" alt="ed10633.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中X、Y及Z各自獨立地表示CH、N、NH、O、S或SO<sub>2</sub>。
如請求項8之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物係由以下表示： <br/>(a)式(Ik')或(IIk')： <br/><img align="absmiddle" height="244px" width="193px" file="ed10634.jpg" alt="ed10634.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>(b)式(Ik'')或(IIk'')： <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="175px" file="ed10635.jpg" alt="ed10635.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="118px" width="199px" file="ed10636.jpg" alt="ed10636.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中X及Z中之至少一者係選自由O、N、NH及S組成之群；或 <br/>(c)式(In)或(IIn)： <br/><img align="absmiddle" height="250px" width="203px" file="ed10637.jpg" alt="ed10637.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中Y及Z中之每一者係選自由O、N、NH及S組成之群。
如請求項9之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係由式(Ik'')或(IIk'')表示，且 <br/>(a) X及Z中之一者係選自由O、NH及S組成之群；且X及Z中之另一者為CH； <br/>(b) X係選自由O、NH及S組成之群； <br/>(c) Z係選自由O、NH及S組成之群； <br/>(d) X及Z中之每一者係選自由O、N、NH及S組成之群；或 <br/>(e) X及Z中之一者為N且X及Z中之另一者為NH。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中所述化合物由式(Im)或(IIm)表示： <br/><img align="absmiddle" height="249px" width="197px" file="ed10638.jpg" alt="ed10638.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中X、Y及Z各自獨立地表示CH<sub>2</sub>、CO、NH、O、S或SO<sub>2</sub>。
如請求項11之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>(a) X、Y及Z中之每一者為CH<sub>2</sub>；或 <br/>(b) X、Y及Z中之一者為NH或O。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>若存在，係選自由視情況經取代之烷基、羥基烷基、胺基烷基、烷氧基、芳基、芳烷基及(雜環烷基)烷基組成之群。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>a</sup>為H。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中-R<sup>1</sup>-R<sup>1a</sup>表示<img align="absmiddle" height="33px" width="70px" file="ed10639.jpg" alt="ed10639.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>表示視情況經取代之-C(O)烷基、-C(O)(芳基)、-C(O)(雜芳基)、-C(O)O(烷基)、-C(O)(雜環基)、-C(O)NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、雜環烷基、芳基或雜芳基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>為視情況經取代之苯基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>為苯基，其經一或多次出現的鹵基、羥基、氰基、-C(O)NH<sub>2</sub>、羥基烷基、鹵烷基、烷氧基、鹵烷氧基、環烷基、-C(O)烷基、-C(O)O-烷基、雜環烷基、-C(O)NH(烷基)、-C(O)N(烷基)<sub>2</sub>、-C(O)雜環烷基、-C(O)(脯胺醇)、-C(O)NH((環烷基)烷基)或-C(O)NH(環烷基)取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>為經取代之苯基，其中所述苯基上之兩個相鄰取代基與插入原子一起形成視情況經取代之環烷基或雜環烷基環。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>為視情況經取代之雜芳基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1a</sup>為喹啉。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中J為芳基，其視情況經一或多次出現的R<sup>2a</sup>取代。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中J為-NR<sup>2</sup>R<sup>3</sup>。
如請求項23之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>一起形成雜環烷基環，其視情況經一或多次出現的R<sup>2a</sup>取代。
如請求項24之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>一起形成吡咯啶環，其視情況經一或多次出現的R<sup>2a</sup>取代。
如請求項22之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2a</sup>在每次出現時獨立地表示-C(O)NH<sub>2</sub>、-C(O)R<sup>5</sup>、羥基烷基、雜芳基或芳基。
如請求項22之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2a</sup>為-C(O)NH<sub>2</sub>。
如請求項22之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2a</sup>為羥基烷基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自下表： <br/>。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自下表： <br/><br/>。
一種如請求項1至30中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備用於抑制ALK2激酶之藥劑。
一種如請求項1至30中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備用於治療進行性骨化性纖維發育不良之藥劑。
一種如請求項1至30中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備用於治療癌症之藥劑。
如請求項33之用途，其中所述癌症為神經膠質瘤。
如請求項34之用途，其中所述神經膠質瘤為彌漫型內因性腦橋神經膠質瘤。
一種濾光片，其包括： <br/>基質，其包含光學透明基質材料，及 <br/>奈米粒子，其等嵌入於該基質材料中，該等奈米粒子包括以六邊形結構配置之碳原子，且該等奈米粒子包含石墨烯奈米粒子、碳奈米管及富勒烯之一者或多者， <br/>其中至少一個包含複數個該等奈米粒子之奈米粒子聚集體具有小於30 nm之最大直徑，該至少一個奈米粒子聚集體之該等奈米粒子之各者與該至少一個奈米粒子聚集體之該等奈米粒子之至少另一者實體接觸。
如請求項1之濾光片，其中該濾光片之最大折射率變動為± 50·10<sup>-6</sup>，及/或該濾光片具有10%之引起30 nm之光學路徑差之最大條紋密度。
如請求項1或2之濾光片，其中該等奈米粒子包含內嵌富勒烯。
如請求項3之濾光片，其中該等奈米粒子包含在其等碳錯合物結構內含有以下之一或多者之內嵌富勒烯：金屬摻雜劑、半金屬摻雜劑，或其等各自氧化物、氯化物、氟化物、碘化物或硝酸鹽。
如請求項1或2之濾光片，其中該等奈米粒子之一或多者包含一或多個官能基。
如請求項5之濾光片，其中該一或多個官能基係或包含以下之一或多者：醯胺、胺、羰基、羧基、環氧化物、酯、鹵化物、羥基、異氰酸酯、異硫氰酸酯、硫醇及含硫基團。
如請求項1或2之濾光片，其中該基質材料包含以下之一或多者：丙烯酸酯基聚合物、聚碳酸酯基聚合物、胺基甲酸酯基聚合物、硫代胺基甲酸酯基聚合物、環氧基聚合物及環硫基聚合物，或展現芳香族結構之其他聚合物或樹脂。
如請求項1或2之濾光片，其中該基質材料包含無機材料。
一種多層濾光片，其包括沿該多層濾光片之厚度方向堆疊之複數個濾光片層，其中該複數個濾光片層之一或多個濾光片層係經組態為如請求項1至8中任一項之濾光片。
如請求項9之多層濾光片，其中該複數個濾光片層包含經組態為如請求項1至8中任一項之濾光片之第一及第二濾光片層，該等第一及第二濾光片層具有互不相同的奈米粒子組合物或具有互不相同的基質材料或具有互不相同的奈米粒子組合物及互不相同的基質材料。
如請求項9或10之多層濾光片，其中該複數個濾光片層之至少一個濾光片層不含包括以六邊形結構配置之碳原子之奈米粒子。
如請求項11之多層濾光片，其中不含包括以六邊形結構配置之碳原子之奈米粒子之該至少一個濾光片層包含無機材料。
如請求項9或10之多層濾光片，其中該複數個濾光片層之至少兩個濾光片層沿正交於該厚度方向之方向具有互不相同的尺寸或互不相同的形狀或互不相同的尺寸及形狀。
一種製造濾光片之方法，該方法包括： <br/>將包括以六邊形結構配置之碳原子之奈米粒子添加至光學透明基質材料或光學透明基質材料之前驅體以獲得混合物，該等奈米粒子包含石墨烯奈米粒子、碳奈米管及富勒烯之一者或多者； <br/>均質化該混合物以獲得均質混合物，其中該均質化該混合物涉及以介於60000 s<sup>-1</sup>與350000 s<sup>-1</sup>之間之剪切速率進行混合；及 <br/>將該均質混合物插入至模具中以形成該濾光片。
如請求項14之方法，其中該均質化該混合物包含以下之一者或兩者： <br/>以高於5000 rpm之混合速度進行之高速均質化，及 <br/>以高於5 kHz之頻率進行之音波處理。
如請求項14或15之方法，其中 <br/>在該將該等奈米粒子添加至該光學透明基質材料或光學透明基質材料之該前驅體期間，該光學透明基質材料或光學透明基質材料之該前驅體呈液態以獲得液體混合物，及/或 <br/>在該均質化該混合物期間，該混合物呈液態。
如請求項16之方法，其中將表面活性劑添加至該液體混合物或該均質混合物。
如請求項17之方法，其中表面活性劑對奈米粒子之質量比係在1:1至50:1之範圍內。
如請求項17之方法，其中該表面活性劑係選自由以下組成之群組：非離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑及兩性表面活性劑，或其等之混合物。
如請求項17之方法，其中在將該均質混合物插入至該模具中之前，將該表面活性劑添加至該均質混合物，且使該均質混合物經受以低於10000 rpm之混合速度進行之低速均質化。
如請求項16之方法，其中 <br/>將該等奈米粒子溶解在與該液體基質材料或光學透明基質材料之該液體前驅體互溶之溶劑中以獲得第一預混合物， <br/>將該第一預混合物添加至該液體光學透明基質材料或光學透明基質材料之該液體前驅體以獲得第二預混合物，及 <br/>將該第二預混合物加熱至高於該溶劑之沸點且低於該光學透明基質材料或光學透明基質材料之該前驅體的沸騰或分解溫度之溫度，以獲得該液體混合物。
如請求項14或15之方法，其中該光學透明基質材料或光學透明基質材料之該前驅體包含熱塑性聚合物、熱固性聚合物、樹脂前驅體或其等之混合物。
一種電動車快速充電站，用於複數電動車，該電動車快速充電站包含：<br/> 一充電器，該充電器接收一交流市電，並將該交流市電轉換為一直流電，其中，該充電器為小功率充電器，輸出功率小於30kW；<br/> 一儲能電池，該儲能電池與該充電器連接，以接收該直流電對該儲能電池充電，該儲能電池之電池容量為該等電動車之電池容量的四倍以上；<br/> 複數快速充電樁，該些快速充電樁與該儲能電池連接，以接收該儲能電池所儲存的電力並分別對該些電動車充電，其中，該等快速充電樁包括複數充電槍，該儲能電池供電給該等充電槍以分別對該些電動車充電；<br/> 一控制器，該控制器與該儲能電池和該些快速充電樁分別連接，以控制該些快速充電樁對該些電動車的充電程序及偵測該儲能電池、該些電動車和該些快速充電樁中任一者的電力資訊；及<br/> 一顯示看板，該顯示看板連接該控制器，以接收並顯示該電力資訊。
如請求項1所述之電動車快速充電站，其中該交流市電的來源為家庭用電、商業用電或工業用電。
如請求項1所述之電動車快速充電站，其中該電力資訊包含該儲能電池的容量、該儲能電池的剩餘電量、該儲能電池的剩餘電量所能供給的該些電動車的數量、該些電動車的剩餘電量、正在充電的該些電動車的數量或該些電動車充滿電的所需時間。
如請求項1所述之電動車快速充電站，其中該充電程序包含該些快速充電樁的充電功率或充電量。
如請求項1所述之電動車快速充電站，更包含一伺服器，該伺服器網路連接該控制器和一使用者電子裝置，以取得該些快速充電樁的充電站資訊和該電力資訊，並根據該使用者電子裝置所產生的位置資訊提供相關的該充電站資訊和該電力資訊給該使用者電子裝置。
如請求項5所述之電動車快速充電站，其中該充電站資訊包括該些快速充電樁所在的地點或充電站名稱。
如請求項5所述之電動車快速充電站，其中該使用者電子裝置內建一使用者應用程式，該使用者應用程式提供一電子地圖並根據該位置資訊在該電子地圖上標記相關的該充電站資訊和該電力資訊以供瀏覽。
一種可折疊電子裝置，包括： <br/> 第一外殼； <br/> 第二外殼； <br/> 與該第一外殼重疊的第一顯示區域； <br/> 與該第二外殼重疊的第二顯示區域； <br/> 連接該第一外殼與該第二外殼的鉸鏈； <br/> 在該第一外殼與該第一顯示區域之間的第一支撐體；以及 <br/> 在該第二外殼與該第二顯示區域之間的第二支撐體， <br/> 其中，該第一支撐體和該第二支撐體之各者包括金屬材料， <br/> 其中，包括該第一顯示區域的顯示面板包括設置在該第一支撐體之背面上的區域， <br/> 其中，該顯示面板的端部與該顯示面板的背面重疊， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於展開狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域為使用者可見的， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於折疊狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域為使用者不可見的， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於該折疊狀態時，該第一顯示區域與該第二顯示區域彼此重疊， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於該折疊狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域之間存在間隔，以及 <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於該折疊狀態時，該第一支撐體的端部和該第二支撐體的端部彼此重疊且其間有間隔。
一種可折疊電子裝置，包括： <br/> 第一外殼； <br/> 第二外殼； <br/> 與該第一外殼重疊的第一顯示區域； <br/> 與該第二外殼重疊的第二顯示區域； <br/> 連接該第一外殼與該第二外殼的鉸鏈； <br/> 在該第一外殼與該第一顯示區域之間的第一支撐體；以及 <br/> 在該第二外殼與該第二顯示區域之間的第二支撐體， <br/> 其中，該第一支撐體和該第二支撐體之各者包括金屬材料， <br/> 其中，包括該第一顯示區域的顯示面板包括設置在該第一支撐體之背面上的區域， <br/> 其中，該顯示面板的端部與該顯示面板的背面重疊， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於展開狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域為使用者可見的， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於折疊狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域為使用者不可見的， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於該折疊狀態時，該第一顯示區域與該第二顯示區域彼此重疊， <br/> 其中，在該可折疊電子裝置中設置在通道形成區域中包括氧化物半導體的電晶體， <br/> 其中，該電晶體電連接到發光元件的第一電極，以及 <br/> 其中，該第一支撐體包括凸部。
一種可折疊電子裝置，包括： <br/> 第一外殼； <br/> 第二外殼； <br/> 與該第一外殼重疊的第一顯示區域； <br/> 與該第二外殼重疊的第二顯示區域； <br/> 連接該第一外殼與該第二外殼的鉸鏈； <br/> 在該第一外殼與該第一顯示區域之間的第一支撐體；以及 <br/> 在該第二外殼與該第二顯示區域之間的第二支撐體， <br/> 其中，該第一支撐體和該第二支撐體之各者包括金屬材料， <br/> 其中，包括該第一顯示區域的顯示面板包括設置在該第一支撐體之背面上的區域， <br/> 其中，該顯示面板的端部與該顯示面板的背面重疊， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於展開狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域為使用者可見的， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於折疊狀態時，該第一顯示區域和該第二顯示區域為使用者不可見的， <br/> 其中，當該可折疊電子裝置處於該折疊狀態時，該第一顯示區域與該第二顯示區域彼此重疊。
一種可折疊電子裝置，包括： <br/> 第一外殼； <br/> 第二外殼； <br/> 與該第一外殼重疊的第一顯示區域； <br/> 與該第二外殼重疊的第二顯示區域； <br/> 連接該第一外殼與該第二外殼的鉸鏈； <br/> 在該第一外殼與該第一顯示區域之間的第一支撐體；以及 <br/> 在該第二外殼與該第二顯示區域之間的第二支撐體， <br/> 其中，該第一支撐體和該第二支撐體之各者包括金屬材料， <br/> 其中，包括該第一顯示區域的顯示面板包括設置在該第一支撐體之背面上的區域，以及 <br/> 其中，該顯示面板的端部與該顯示面板的背面重疊。
一種可折疊電子裝置，包括： <br/> 第一外殼； <br/> 與該第一外殼重疊的顯示面板，該顯示面板包括第一顯示區域； <br/> 在該第一外殼與該顯示面板之間的第一支撐體；以及 <br/> 與第二顯示區域重疊的第二支撐體， <br/> 其中，該顯示面板的端部與該顯示面板的背面重疊，且該第一支撐體被設置於其間， <br/> 其中，在該顯示面板中設置在通道形成區域中包括氧化物半導體的電晶體， <br/> 其中，該電晶體電連接到發光元件的第一電極， <br/> 其中，該第一支撐體包括金屬材料，以及 <br/> 其中，該第二支撐體包括未與該顯示面板重疊的區域。
一種電子發射陰極，包含：<br/>基極；<br/>連接至所述基極的加熱器；<br/>電子發射器，其在遠離所述基極的安裝位置處連接至所述加熱器；以及<br/>圍繞所述加熱器的一部分的錐形隔熱罩，其具有截錐體形狀，包含朝向所述基極定向的窄端和朝向所述電子發射器定向的寬端，<br/>其中，所述錐形隔熱罩設置為將源自於所述加熱器的下部以及中間部分往外側放射的熱，朝向所述加熱器的上部以及所述電子發射器反射，使得所述熱直接到達所述加熱器的所述上部以及所述電子發射器，以及<br/>其中，與缺少所述錐形隔熱罩的電子發射陰極相比，將所述電子發射器加熱至所述發射溫度所需的最大加熱器溫度降低至少100K。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述電子發射器由選自含有鎢、釷鎢、氧化鋇、六硼化鑭和六硼化鈰之群組的材料形成。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述基極包含一對基極引腳，而所述加熱器透過所述一對基極引腳連接至所述基極。
如請求項3的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩連接至所述基極引腳中的一個或兩個。
如請求項3的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩連接至兩個基極引腳，使得電流不能通過所述錐形隔熱罩在所述基極引腳之間流動。
如請求項5的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩與基極引腳之間的連接包含由玻璃或陶瓷形成的斷流部。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩具有2度至15度的錐角。
如請求項1的電子發射陰極，所述錐形隔熱罩的內表面與所述加熱器之間的間隔距離為250μm至1000μm。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩由選自含有鉭和鈦鋯鉬(TZM)合金之群組的材料形成。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩定位成使得其不延伸超過所述電子發射器。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩被定向為使得所述錐形隔熱罩的最大高度實質上與所述加熱器的最大高度齊平。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩定向為使得所述加熱器與所述錐形隔熱罩實質上同心。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩具有與所述加熱器的橫截面形狀相同的橫截面形狀。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述錐形隔熱罩具有圓形橫截面形狀。
如請求項1的電子發射陰極，其中所述陰極壽命是缺少所述錐形隔熱罩的電子發射陰極的陰極壽命的110%至150%。
如請求項1的電子發射陰極，所述陰極係配置為在所述加熱器與所述電子發射器之間的溫差小於150K的情況下操作。
一種使用如請求項1的電子發射陰極形成電子束的方法，所述方法包含：<br/>向所述加熱器施加電壓以使所述電子發射器加熱至發射電子的發射溫度，<br/>其中與缺少所述錐形隔熱罩的電子發射陰極相比，將所述電子發射器加熱至所述發射溫度所需的最大加熱器溫度降低至少100K。
如請求項17的方法，其中所述加熱器的加熱功率小於缺少所述錐形隔熱罩的電子發射陰極的加熱功率的95%。
如請求項17的方法，其中所述加熱器被加熱至超過所述發射溫度100K以內的溫度。
一種遊戲系統，其包含： <br/>遊戲裝置，其用以進行飛鏢遊戲；及 <br/>伺服器裝置，其可對記憶部進行存取，該記憶部係記憶與複數個玩家進行之飛鏢遊戲相關之飛鏢遊戲關聯資訊；且 <br/>上述遊戲裝置具備： <br/>對戰進行部，其使飛鏢遊戲之對戰進行而記錄各對戰者之成績；及 <br/>對戰成績資訊提供部，其藉由顯示：包含顯示上述對戰中之各對戰者之成績之對戰成績資訊之二維碼，將上述對戰成績資訊提供至玩家利用之玩家終端； <br/>上述玩家終端具備： <br/>對戰成績資訊取得部，其藉由讀取由上述遊戲裝置所顯示之上述二維碼，而取得上述對戰成績資訊；及 <br/>發送部，其對上述伺服器裝置發送上述對戰成績資訊； <br/>上述伺服器裝置具備： <br/>接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰成績資訊；及 <br/>管理部，其將接收到之上述對戰成績資訊記錄於上述記憶部所記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊中。
如請求項1之遊戲系統，其中 <br/>上述玩家終端進而具備： <br/>對戰者資訊取得部，其取得顯示上述對戰中之各對戰者為任一玩家之資訊即對戰者資訊；及 <br/>對戰者資訊發送部，其於將上述對戰成績資訊發送至上述伺服器裝置之前，將上述對戰者資訊取得部所取得之上述對戰者資訊發送至上述伺服器裝置；且 <br/>上述伺服器裝置進而具備： <br/>對戰者資訊接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰者資訊。
如請求項2之遊戲系統，其中上述遊戲裝置進而具備： <br/>第2對戰者資訊取得部，其取得上述對戰者資訊；及 <br/>對戰者資訊提供部，其將上述對戰者資訊提供至上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部。
如請求項3之遊戲系統，其中 <br/>上述遊戲裝置所具備之上述對戰者資訊提供部顯示包含上述對戰者資訊之二維碼； <br/>上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部藉由讀取所顯示之上述二維碼，取得上述對戰者資訊。
如請求項3之遊戲系統，其中 <br/>上述遊戲裝置所具備之上述對戰者資訊提供部經由近距離無線通信，將上述對戰者資訊發送至上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部； <br/>上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部取得自上述遊戲裝置所具備之上述對戰者資訊提供部經由近距離無線通信發送之上述對戰者資訊。
如請求項2之遊戲系統，其中上述伺服器裝置進而包含： <br/>判定部，其對上述對戰者資訊接收部接收之上述對戰者資訊所顯示之玩家之組合，判定與上述記憶部中記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊之一致性。
如請求項2之遊戲系統，其中 <br/>上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部將用以識別玩家之玩家ID作為上述對戰者資訊而取得。
如請求項7之遊戲系統，其中上述遊戲裝置進而具備： <br/>玩家ID取得部，其藉由讀取儲存上述玩家ID之規定之媒體而取得上述玩家ID；且 <br/>上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部自上述遊戲裝置取得由上述遊戲裝置所具備之上述玩家ID取得部取得之上述玩家ID，作為上述對戰者資訊。
如請求項7之遊戲系統，其中 <br/>上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部取得上述玩家終端所具備之記憶部中記憶之上述玩家ID，作為上述對戰者資訊。
如請求項7之遊戲系統，其中上述伺服器裝置進而具備： <br/>登入處理部，其執行上述玩家終端之登入處理；及 <br/>判定部，其對自上述玩家終端作為上述對戰者資訊而接收到之上述玩家ID，判定與上述登入處理相關之資訊之一致性。
一種遊戲系統，其包含： <br/>遊戲裝置，其用以進行飛鏢遊戲；及 <br/>伺服器裝置，其可對記憶部進行存取，該記憶部係記憶與複數個玩家進行之飛鏢遊戲相關之飛鏢遊戲關聯資訊；且 <br/>上述遊戲裝置具備： <br/>對戰進行部，其使飛鏢遊戲之對戰進行而記錄各對戰者之成績；及 <br/>對戰成績資訊提供部，其將顯示上述對戰中之各對戰者之成績之對戰成績資訊提供至供玩家利用之玩家終端； <br/>上述玩家終端具備： <br/>對戰成績資訊取得部，其取得自上述遊戲裝置提供之上述對戰成績資訊； <br/>對戰者資訊取得部，其取得顯示上述對戰中之各對戰者為任一玩家之資訊即對戰者資訊；及 <br/>發送部，其對上述伺服器裝置發送上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊； <br/>上述伺服器裝置具備： <br/>接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊；及 <br/>管理部，其將接收到之上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊記錄於上述記憶部所記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊中； <br/>上述遊戲裝置進而具備： <br/>第2對戰者資訊取得部，其取得上述對戰者資訊；及 <br/>對戰者資訊提供部，其將上述對戰者資訊提供至上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部。
一種遊戲裝置，其係用以進行飛鏢遊戲者，且具備： <br/>對戰進行部，其使飛鏢遊戲之對戰進行而記錄各對戰者之成績；及 <br/>對戰成績資訊提供部，其藉由顯示：包含顯示上述對戰中之各對戰者之成績之對戰成績資訊之二維碼，將上述對戰成績資訊提供至供玩家利用之玩家終端；且 <br/>上述玩家終端具備： <br/>對戰成績資訊取得部，其藉由讀取由上述遊戲裝置所顯示之上述二維碼，而取得上述對戰成績資訊；及 <br/>發送部，其將上述對戰成績資訊發送至可對記憶與複數個玩家進行之飛鏢遊戲相關之飛鏢遊戲關聯資訊之記憶部進行存取之伺服器裝置； <br/>上述伺服器裝置具備： <br/>接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰成績資訊；及 <br/>管理部，其將接收到之上述對戰成績資訊記錄於上述記憶部所記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊中。
一種程式，其係使用以進行飛鏢遊戲之遊戲裝置作為以下構件發揮功能者： <br/>對戰進行部，其使飛鏢遊戲之對戰進行而記錄各對戰者之成績；及 <br/>對戰成績資訊提供部，其藉由顯示：包含顯示上述對戰中之各對戰者之成績之對戰成績資訊之二維碼，將上述對戰成績資訊提供至供玩家利用之玩家終端；且 <br/>上述玩家終端具備： <br/>對戰成績資訊取得部，其藉由讀取由上述遊戲裝置所顯示之上述二維碼，而取得上述對戰成績資訊；及 <br/>發送部，其將上述對戰成績資訊發送至可對記憶與複數個玩家進行之飛鏢遊戲相關之飛鏢遊戲關聯資訊之記憶部進行存取之伺服器裝置； <br/>上述伺服器裝置具備： <br/>接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰成績資訊；及 <br/>管理部，其將接收到之上述對戰成績資訊記錄於上述記憶部所記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊中。
一種遊戲裝置，其係用以進行飛鏢遊戲者，且具備： <br/>對戰進行部，其使飛鏢遊戲之對戰進行而記錄各對戰者之成績；及 <br/>對戰成績資訊提供部，其將顯示上述對戰中之各對戰者之成績之對戰成績資訊提供至供玩家利用之玩家終端； <br/>上述玩家終端具備： <br/>對戰成績資訊取得部，其取得自上述遊戲裝置提供之上述對戰成績資訊； <br/>對戰者資訊取得部，其取得顯示上述對戰中之各對戰者為任一玩家之資訊即對戰者資訊；及 <br/>發送部，其將上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊發送至可對記憶與複數個玩家進行之飛鏢遊戲相關之飛鏢遊戲關聯資訊之記憶部進行存取之伺服器裝置； <br/>上述伺服器裝置具備： <br/>接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊；及 <br/>管理部，其將接收到之上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊記錄於上述記憶部所記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊中； <br/>上述遊戲裝置進而具備： <br/>第2對戰者資訊取得部，其取得上述對戰者資訊；及 <br/>對戰者資訊提供部，其將上述對戰者資訊提供至上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部。
一種程式，其係用於使用以進行飛鏢遊戲之遊戲裝置作為以下構件發揮功能者： <br/>對戰進行部，其使飛鏢遊戲之對戰進行而記錄各對戰者之成績；及 <br/>對戰成績資訊提供部，其將顯示上述對戰中之各對戰者之成績之對戰成績資訊提供至供玩家利用之玩家終端； <br/>上述玩家終端具備： <br/>對戰成績資訊取得部，其取得自上述遊戲裝置提供之上述對戰成績資訊； <br/>對戰者資訊取得部，其取得顯示上述對戰中之各對戰者為任一玩家之資訊即對戰者資訊；及 <br/>發送部，其將上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊發送至可對記憶與複數個玩家進行之飛鏢遊戲相關之飛鏢遊戲關聯資訊之記憶部進行存取之伺服器裝置； <br/>上述伺服器裝置具備： <br/>對戰結果資訊接收部，其自上述玩家終端接收上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊；及 <br/>管理部，其將接收到之上述對戰成績資訊及上述對戰者資訊記錄於上述記憶部所記憶之上述飛鏢遊戲關聯資訊中； <br/>上述遊戲裝置進而具備： <br/>第2對戰者資訊取得部，其取得上述對戰者資訊；及 <br/>對戰者資訊提供部，其將上述對戰者資訊提供至上述玩家終端所具備之上述對戰者資訊取得部。
一種二次電池之製造方法，其特徵係包含準備具備正極、負極和電解質的二次電池先驅體的工程、 <br/> 經由將前述負極之負極電位以鋰的氧化還原電位為基準調整至0.6V以上且不足1.5V的範圍內，得到處理電位調整狀態的工程、 <br/> 將前述處理電位調整狀態保持在超過60℃且82℃以下之範圍內的溫度的工程， <br/> 前述負極係含有選自單斜晶型鈮鈦氧化物、正交晶構造的鈦鈮氧化物及鈮複合氧化物所成群的1種以上的含鈮氧化物作為負極活性物質，並含有選自丁苯橡膠、羧甲基纖維素、羧甲基纖維素的鹽、聚丙烯酸、聚丙烯酸的聚合物及丙烯酸類橡膠所成群的1種以上作為黏合劑， <br/> 前述準備二次電池先驅體的工程係包含使用使用了前述負極活性物質及前述黏合劑的水系漿料製作前述負極、使用前述正極和前述負極製作電極群、及使前述電極群乾燥以使200℃下的卡爾費雪水分測定的含水量達到250ppm以上。
如請求項1記載之二次電池之製造方法，其中，保持前述處理電位調整狀態的工程係進行3小時以上。
如請求項1或2記載之二次電池之製造方法，其中，前述正極係包含：選自具有尖晶石構造的鋰錳複合氧化物、鋰鎳複合氧化物、鋰鈷複合氧化物、鋰鎳鈷複合氧化物、具有尖晶石構造的鋰錳鎳複合氧化物、鋰錳鈷複合氧化物、鋰磷酸鐵及鋰鎳鈷錳複合氧化物所成群的1種以上作為正極活性物質。
如請求項1或2記載之二次電池之製造方法，其中，前述電解質係更包含選自雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺鋰、雙(氟磺醯基)醯亞胺鋰、二氟磷酸鋰、二氟氧化鋰硼酸鹽、二氧化鋰硼酸鹽及三氟甲磺酸鋰所成群的1種以上。
一種二次電池，係經由請求項1或2記載之製造方法所製造。
一種電池包，其特徵係具備如請求項5記載的二次電池。
如請求項6記載之電池包，其中，更具備通電用的外部端子、 <br/> 和保護電路。
如請求項6記載之電池包，其中，具備複數之前述二次電池， <br/> 前述二次電池係串聯、並聯或組合串聯及並聯來電性連接。
一種車輛，其特徵係搭載如請求項6記載之電池包。
如請求項9記載之車輛，其中，包含將前述車輛的運動能量轉換為再生能量的機構。
一種室內空氣潔淨系統，包含：<br/> 至少一氣體潔淨裝置，設置於一室內場域內，該氣體潔淨裝置包含至少一通氣管路、至少一氣體潔淨組件、至少一中控調控裝置、至少一通訊模組及至少一氣體偵測模組，其中該通氣管路具有至少一導氣口、至少一吸氣口及至少一出氣口，該氣體潔淨組件、該氣體偵測模組建構整合在該通氣管路內，以偵測、定位、循環過濾在該室內場域之一空污，該氣體偵測模組包含有至少一電源轉換組件、至少一感測元件組件、至少一微控制器(MCU)、至少一無線通訊組件(WI-FI)及至少一中控通信介面組件，該微控制器接收該感測元件組件所輸出一空污數據運算處理而輸出數個調控訊號，其中該感測元件組件所輸出該空污數據透過電性線路以串行通訊(IIC)訊號方式傳輸給該微控制器接收運算處理，而該微控制器輸出之調控訊號包含一通用非同步收發傳輸(UART)訊號、一通用輸入與輸出（GP I/O）訊號，該通用非同步收發傳輸(UART)訊號透過電性線路傳輸給該氣體潔淨組件、該無線通訊組件及該中控通信介面組件接收，該通用輸入與輸出（GP I/O）訊號透過電性線路傳輸給該氣體潔淨組件接收，該氣體偵測模組將該空污數據傳輸給該通訊模組並透過一有線通訊及一無線通訊之其中之一聯網輸出，而該中控調控裝置透過該有線通訊連接調控該氣體偵測模組之操作，促使該氣體偵測模組得以控制該氣體潔淨組件過濾該空污之處理運轉操作；以及<br/> 一聯網雲端運算服務裝置，透過通訊傳輸接收該空污數據，並以接收該空污數據存儲形成一空污大數據資料庫，且依該空污數據智能運算比對而智能選擇發出一控制指令，透過該通訊模組以該有線通訊及該無線通訊之其中之一傳輸給該中控調控裝置接收而通訊傳輸給該氣體偵測模組控制該氣體潔淨組件過濾該空污之處理運轉操作，其中若該無線通訊及該有線通訊皆斷聯情況下，該氣體偵測模組自主運算及比對該空污數據並根據自主運算及比對之結果發出該控制指令，促使該室內場域之該空污狀態得以達到潔淨室ZAPClean room 1~9等級要求。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨組件包含一清淨器、一致冷器及一全熱交換器整合成一體，該氣體偵測模組偵測、定位該空污，而該清淨器循環過濾該空污，以及該致冷器及該全熱交換器調控該室內場域之溫溼度、通風度。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨組件包含一清淨器、一致冷器整合成一體，該氣體偵測模組偵測、定位該空污，而該清淨器循環過濾該空污，以及該致冷器調控該室內場域之溫溼度。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨組件包含一清淨器、一全熱交換器整合成一體，該氣體偵測模組偵測、定位該空污，而該清淨器循環過濾該空污，以及該全熱交換器調控該室內場域之通風度。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨組件包含一清淨器，該氣體偵測模組偵測、定位該空污，而該清淨器循環過濾該空污。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨裝置為以一種嵌入式(Build-in)方式設置於該室內場域內。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨裝置為以一種放置式(Plug-in)方式設置於該室內場域內。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨裝置包含一清淨器、一致冷器、一全熱交換器任一組件整合成一體，該清淨器、該致冷器、該全熱交換器受該氣體偵測模組控制過濾該空污之處理運轉操作，而該氣體偵測模組偵測該空污產生該空污數據傳輸給該通訊模組聯網輸出，以及該中控調控裝置透過該有線通訊連接該氣體偵測模組之該中控通信介面組件，以接收該空污數據予以顯示，且該清淨器包含一風機及至少一過濾元件，而該氣體偵測模組透過該有線通訊或該無線通訊之交握通訊協定下，接收該聯網雲端運算服務裝置所發出該控制指令而運算處理輸出數個調控訊號傳輸給一驅動控制元件，以調控該清淨器之該風機啟動運作、風速大小調整，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾處理，以調控該致冷器啟動運作保持特定該室內場域之溫溼度，以調控該全熱交換器啟動運作保持特定該室內場域之通風度，促使該室內場域之該空污狀態得以達到潔淨室ZAPClean room 1~9等級要求。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該空污處理裝置之該通訊模組透過該無線通訊與該氣體潔淨裝置之該氣體偵測模組之該無線通訊組件(WI-FI)、該中控調控裝置通訊接收該空污數據而傳輸給該聯網雲端運算服務裝置接收該空污數據資料予以存儲形成該空污大數據資料庫。
如請求項9所述之室內空氣潔淨系統，其中該通訊模組為一路由器。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該聯網雲端運算服務裝置依該空污數據智能運算比對而智能選擇發出該控制指令，透過該通訊模組通訊傳輸給該氣體偵測模組接收，以傳輸給該驅動控制元件調控該清淨器之該風機啟動運作、風速大小調整，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾處理，以調控該致冷器啟動運作保持特定該室內場域之溫溼度，以及調控該全熱交換器啟動運作保持特定該室內場域之通風度，促使該室內場域之該空污狀態得以達到潔淨室ZAPClean room 1~9等級要求。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該聯網雲端運算服務裝置依該空污數據智能運算比對而智能選擇發出該控制指令，透過該通訊模組傳輸給該中控調控裝置接收，再透過該有線通訊傳輸給該氣體偵測模組接收，以傳輸給該驅動控制元件調控該清淨器之該風機啟動運作、風速大小調整，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾處理，以調控該致冷器啟動運作保持特定該室內場域之溫溼度，以及調控該全熱交換器啟動運作保持特定該室內場域之通風度，促使該室內場域之該空污狀態得以達到潔淨室ZAPClean room 1~9等級要求。
如請求項12所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體偵測模組在該無線通訊或該有線通訊皆斷聯情況下係自主運算及比對該空污數據並發出該控制指令傳輸給該驅動控制元件調控該清淨器之該風機啟動運作、風速大小調整，該風機受控制啟動而引流該空污通過該過濾元件過濾處理，以調控該致冷器啟動運作保持特定該室內場域之溫溼度，以及調控該全熱交換器啟動運作保持特定該室內場域之通風度，促使該室內場域之該空污狀態得以達到潔淨室ZAPClean room 1~9等級要求。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該過濾元件為超高效能過濾網等級。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該過濾元件為高效顆粒空氣濾網等級。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該氣體潔淨裝置進一步設置一紫外線燈組件，該紫外線燈組件包含一紫外線燈，該紫外線燈設置於該過濾元件一側，供以通過該空污予以殺菌處理。
如請求項8所述之室內空氣潔淨系統，其中該聯網雲端運算服務裝置包含一無線網路雲端運算服務模組、一雲端控制服務單元、一裝置管理單元及一應用程式單元。
如請求項17所述之室內空氣潔淨系統，包含一控制驅動軟體，內建於該中控調控裝置內、一行動裝置內而發出該控制指令給該氣體偵測模組接收，以控制該氣體潔淨裝置過濾該空污之處理運轉操作，以及該行動裝置內透過無線傳輸發出該控制指令由該聯網雲端運算服務裝置之該應用程式單元接收，再傳輸該控制指令該空污處理裝置之該通訊模組接收，以該無線通訊或該有線通訊傳輸給該氣體偵測模組接收，以控制該氣體潔淨組件過濾該空污之處理運轉操作，促使該室內場域之該空污狀態得以達到潔淨室ZAPClean room 1~9等級要求。
如請求項1所述之室內空氣潔淨系統，其中該通氣管路之該導氣口設置有一初級過濾元件。
一種近地飛行器，其包含： <br/>一本體，其設置有一處理裝置，所述本體包含一中間船體、兩個側船體及兩個導風板體，所述中間船體的兩側與兩個所述導風板體連接，各個導風板體的另一側與其中一個所述側船體連接，而所述中間船體位於兩個所述側船體之間； <br/>至少一姿態偵測器，其電性連接所述處理裝置，所述姿態偵測器用以偵測所述本體的姿態，以對應產生一姿態資訊； <br/>至少一前風扇模組，其包含至少兩個前風扇，兩個所述前風扇並排地鄰近於所述本體的一前端設置，且各個所述前風扇能被控制，而相對於所述本體旋轉； <br/>至少一後風扇模組，其包含至少兩個後風扇，兩個所述後風扇並排地鄰近於所述本體的一後端設置，且各個所述後風扇能被控制，而相對於所述本體旋轉； <br/>其中，所述處理裝置能依據所述姿態資訊，控制所述前風扇模組及所述後風扇模組，以改變各個所述前風扇及各個所述後風扇相對於所述本體的角度，以保持所述本體的平衡； <br/>其中，所述處理裝置能控制所述前風扇模組及所述後風扇模組切換至一高速船行模式，以使各個所述前風扇將氣流向各個導風板體的下風吹送，從而讓所述近地飛行器能脫離水面行進； <br/>其中，所述處理裝置能控制所述前風扇模組及所述後風扇模組切換至一飛行模式，以使所述近地飛行器能透過各個所述前風扇及各個所述後風扇於空中飛行。
如請求項1所述的近地飛行器，其中，所述本體包含，各個所述導風板體的下緣與所述中間船體的下緣的垂直距離，是由所述前端向所述後端逐漸遞減；其中，各個所述前風扇的下方未設置有所述導風板體。
如請求項1所述的近地飛行器，其中，所述前風扇模組還包含至少兩個前旋轉機構，各個所述前風扇通過一個所述前旋轉機構與所述本體連接；所述後風扇模組還包含至少兩個後旋轉機構；各個所述後風扇通過一個所述後旋轉機構與所述本體連接；所述處理裝置能控制所述前風扇模組及所述後風扇模組切換至所述高速船行模式，以使各個所述前旋轉機構及各個所述後旋轉機構，旋轉至一第一高速角度及一第二高速角度，並使各個所述前旋轉機構及各個所述後旋轉機構分別以一第一高轉速及一第二高轉速旋轉；所述處理裝置能控制所述前風扇模組及所述後風扇模組切換至所述飛行模式，以使各個所述前旋轉機構及各個所述後旋轉機構，旋轉至一第一飛行角度及一第二飛行角度，並使各個所述前風扇模組及各個所述後風扇模組分別以一第一飛行轉速及一第二飛行轉速旋轉。
如請求項3所述的近地飛行器，其中，所述處理裝置能控制所述前風扇模組及所述後風扇模組切換至一低速船行模式，以使各個所述前旋轉機構及各個所述後旋轉機構，旋轉至一第一低速角度及一第二低速角度，並使各個所述前旋轉機構及各個所述後旋轉機構分別以一第一低轉速及一第二低轉速旋轉；於所述低速船行模式中，所述本體的一部分是位於水中；所述第一低速角度小於所述第一高速角度，所述第二低速角度小於所述第二高速角度，所述第一低轉速小於所述第一高轉速，所述第二低轉速小於所述第二高轉速。
如請求項4所述的近地飛行器，其中，各個所述導風板體的頂面包含多個弧面，各個所述導風板體的一底面為一平面；各個所述導風板體的厚度，是由中間位置分別向所述前端及所述後端逐漸遞減，且所述導風板體靠近所述前端的厚度，大於所述導風板體靠近所述後端的厚度。
如請求項5所述的近地飛行器，其中，所述平面與水平線的夾角大於0且為一銳角。
如請求項3所述的近地飛行器，其中，所述處理裝置能依據所述姿態資訊，控制各個所述前風扇及各個所述後風扇，分別通過所述前旋轉機構及所述後旋轉機構，相對於所述本體於至少兩種不相互平行的軸向旋轉。
如請求項1所述的近地飛行器，其中，所述前風扇及所述後風扇中的至少一個，還設置有一風扇舵片；所述處理裝置電性連接所述風扇舵片，所述處理裝置能依據所述姿態資訊，控制所述風扇舵片相對於所述風扇旋轉。
如請求項8所述的近地飛行器，其中，各個所述風扇舵片的兩個寬側面分別包含多個弧面，且各個所述風扇舵片的厚度是由中間向兩端逐漸遞減，且各個所述風扇舵片於前端的厚度大於所述風扇舵片於後端的厚度。
如請求項1所述的近地飛行器，其中，所述本體具有一艙室及至少一艙門，所述艙室用以容置一待載運物，所述艙門用以閉合所述艙室。
一種製造一環氧樹脂組成物之製程，該製程包含以下步驟：<br/> 使包含一催化劑、單酚及醛或酮的一混合物反應，該混合物包含相對於該單酚化學計量過量之該醛或酮；<br/> 與該反應混合物形成一反應產物，該反應產物包含雙酚；<br/> 自該反應產物中移除水及未反應的醛或酮；及<br/> 將包含該雙酚之該反應產物轉化為環氧樹脂組成物，其中，在使該混合物反應之後且在轉化該反應產物之前，該製程不進行洗滌、乾燥、固液分離或其組合。
如請求項1所述之製程，其中該單酚由式(I)表示：<br/><img align="absmiddle" height="121px" width="240px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中，在式(I)中：<br/> H為芳環上之氫原子；<br/> R為取代該芳環上之氫原子的基團；<br/> OH為取代該芳環上之氫原子的羥基；<br/> x為1至4，且當x大於1時，各R基團相同或不同；<br/> y為1；<br/> z為1至4；且<br/> x+y+z為6。
如請求項2所述之製程，其中：<br/> 式(I)之各R基團獨立地為具有1至20個碳原子的未經取代烴基或具有1至20個碳原子的經取代烴基；且<br/> 該醛包含甲醛。
如請求項2所述之製程，其中：<br/> 式(I)之各R基團與該羥基鄰位；<br/> 式(I)中之x為2；或<br/> 其組合。
如請求項4所述之製程，其中：<br/> 基於該單酚、該醛或酮及該催化劑之總wt%，該混合物包含約74 wt%至約86 wt%的該單酚；或<br/> 基於該醛或酮、該催化劑及該單酚之總重量，該反應後之混合物中該單酚的量小於約3 wt%；或<br/> 其組合。
如請求項1所述之製程，其中該醛或酮相對於該單酚之化學計量過量為約1.05至約5。
如請求項6所述之製程，其中：<br/> 當該催化劑為一酸催化劑時：<br/> 該酸催化劑選自由鹽酸、硫酸、磷酸、甲磺酸、對甲苯磺酸、三氟乙酸、草酸及其組合組成之群；<br/> 該製程進一步包含藉由加熱、添加鹼或其組合來移除該酸催化劑；或<br/> 其組合；或<br/> 當該催化劑為一鹼催化劑時，該鹼催化劑選自由氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、重碳酸鈉、碳酸鉀、重碳酸鉀及其組合組成之群。
如請求項1所述之製程，其中該製程在一單一反應器中進行、原位進行或連續進行。
如請求項1所述之製程，其中該雙酚由式(II)表示：<br/><img align="absmiddle" height="106px" width="282px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中，在式(II)中：<br/> 各芳環上之各H為氫原子；<br/> 各R為取代各芳環上之氫原子的基團，各R基團可以相同或不同；<br/> 各OH為取代各芳環上之氫原子的羥基；<br/> 各x為1至4，且各x相同或不同；<br/> 各y為1至4，且各y相同或不同；且<br/> 各z為0至3。
如請求項1所述之製程，其中該反應產物進一步包含三聚物、四聚物或其組合，且基於該雙酚、該三聚物及該四聚物的總量，該反應產物中之該雙酚的量為約80 wt%或更多。
一種用於將單酚轉化為一轉化產物之製程，該製程包含以下步驟：<br/> 使包含醛或酮、一催化劑、一溶劑及單酚的一混合物反應，形成包含雙酚之一反應產物，其中該混合物包含相對於該單酚化學計量過量的該醛或酮；<br/> 自該反應產物中移除水及剩餘的醛或酮，該溶劑在100 kPa(絕對)下具有約150°C或更高之沸點；及<br/> 將包含該雙酚之該反應產物轉化為一轉化產物，其中，在使該混合物反應之後且在轉化該反應產物之前，該製程不進行洗滌、乾燥、固液分離或其組合。
一種接合結構，其包含： <br/>積體裝置晶粒，包括第一表面，所述第一表面包括第一非導電區域和第一多個導電區域；以及 <br/>被動電子構件，包括： <br/>第二表面，其直接混合接合到所述第一表面，使得所述第二表面的第二非導電區域直接地接合到所述第一非導電區域而無中間黏著劑，並且第二多個導電區域直接地接合到所述第一多個導電區域而無中間黏著劑；以及 <br/>多個電容器，其電連接到所述第二多個導電區域中的至少一些，其中所述被動電子構件的所述電容器形成用於所述積體裝置晶粒的電力輸送網路的一部分。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述被動電子構件的所述多個電容器提高了所述積體裝置晶粒的電力供應的穩定性。
根據請求項1所述的接合結構，其中與所述積體裝置晶粒和所述被動電子構件不直接地接合的配置相比，所述被動電子構件減小了高於500MHz的頻率處的阻抗。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述被動電子構件的所述多個電容器不通過任何安裝方式與所述積體裝置晶粒分離。
根據請求項1所述的接合結構，其進一步包括所述多個電容器和所述第二多個導電區域之間的重佈層。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述多個電容器具有大致垂直於所述第二表面的電極表面。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述被動電子構件的所述第二表面覆蓋所述積體裝置晶粒的整個所述第一表面。
根據請求項1所述的接合結構，其中混合接合的所述積體裝置晶粒和所述被動電子構件均自晶圓至晶圓接合單體化。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述積體裝置晶粒和所述被動電子構件的側壁在接合之後以單體化特徵的方式對準。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述被動電子構件包含介電常數大於5的材料。
根據請求項10所述的接合結構，其中所述被動電子構件包含介電常數大於20的材料。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述被動電子構件包括每單位面積之有效電容為至少5 nF/mm<sup>2</sup>的電容單元陣列。
根據請求項12所述的接合結構，其中所述每單位面積之有效電容為至少50 nF/mm<sup>2</sup>。
根據請求項12所述的接合結構，其中所述每單位面積之有效電容為為至少100 nF/mm<sup>2</sup>。
根據請求項12所述的接合結構，其中所述每單位面積之有效電容為至少200 nF/mm<sup>2</sup>。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述被動電子構件進一步包括將與所述電力輸送網路分離的信號提供到所述積體裝置晶粒的通孔。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述積體裝置晶粒包括處理器。
根據請求項1所述的接合結構，其中所述積體裝置晶粒進一步包括基板和在所述基板的與所述第一表面相同的側上的多個主動裝置。
一種接合結構，其包含： <br/>積體裝置晶粒，包括第一表面，所述第一表面包括第一非導電區域和第一多個導電區域；以及 <br/>電子構件，包括： <br/>第二表面，其直接混合接合到所述第一表面，使得所述第二表面的第二非導電區域直接地接合到所述第一非導電區域而無中間黏著劑，並且第二多個導電區域直接地接合到所述第一多個導電區域而無中間黏著劑；以及 <br/>多個電容器，其電連接到所述第二多個導電區域中的至少一些，其中所述電容器對傳送到所述積體裝置晶粒的電力信號的分量進行濾波。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述電子構件覆蓋所述積體裝置晶粒的主動表面的至少55%。
根據請求項20所述的接合結構，其中所述電子構件覆蓋所述積體裝置晶粒的主動表面的至少75%。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述多個電容器濾出提供給所述積體裝置晶粒的信號的DC分量。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述多個電容器是深溝槽電容器。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述電子構件包含介電常數大於5的材料。
根據請求項24所述的接合結構，其中所述材料具有大於20的介電常數。
根據請求項25所述的接合結構，其中所述材料具有大於100的介電常數。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述電子構件進一步包括允許經由所述電子構件進行電通訊的通孔。
根據請求項27所述的接合結構，其中所述通孔向與所述電力信號分離的所述積體裝置晶粒提供信號。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述第一表面位於所述積體裝置晶粒的前側上。
根據請求項19所述的接合結構，其中所述第一表面位於所述積體裝置晶粒的背側上。
根據請求項30所述的接合結構，其中所述積體裝置晶粒包括將所述第一多個導電區域中的至少一個電連接到所述積體裝置晶粒的前側上的裝置的一個或多個通孔。
一種與第一和第二靶標特異性地結合的抗體樣分子，其中所述抗體樣分子包含： <br/> 1) 與第一靶標特異性地結合並包含以下的第一抗原結合片段： <br/> a) 第一抗原結合片段的輕鏈，其輕鏈包含輕鏈可變結構域和輕鏈恆定結構域； <br/> 和 <br/> b) 第一抗原結合片段的重鏈，其重鏈包含抗體的重鏈可變結構域和包括第一(CH1)重鏈恆定結構域和包含第二(CH2)和第三(CH3)重鏈恆定結構域的Fc片段單體的重鏈恆定結構域； <br/> 和 <br/> 2) 與第二靶標特異性地結合並包含以下的第二抗原結合片段： <br/> (i) a) 第二抗原結合片段的輕鏈，其輕鏈包含輕鏈可變結構域和作為具有SEQ ID NO: 1的氨基酸序列的人類CD1b (分化簇1)蛋白的β2微球蛋白(β2Μ)的恆定結構域； <br/> 和 <br/> b) 第二抗原結合片段的重鏈，其重鏈包含重鏈可變結構域、作為具有SEQ ID NO: 2的氨基酸序列的人類CD1b蛋白α3膜近端結構域的恆定結構域以及包含第二(CH2)和第三重(CH3)重鏈恆定結構域的Fc片段單體； <br/> 或 <br/> (ii) a) 第二抗原結合片段的輕鏈，其輕鏈包含輕鏈可變結構域和作為具有SEQ ID NO: 2的氨基酸序列的人類CD1b蛋白α3膜近端結構域的恆定結構域； <br/> 和 <br/> b) 第二抗原結合片段的重鏈，其重鏈包含重鏈可變結構域、作為具有SEQ ID NO: 1的氨基酸序列的人類CD1b蛋白的β2微球蛋白(β2Μ)的恆定結構域以及包含第二(CH2)和第三(CH3)重鏈恆定結構域的Fc片段單體； <br/> 其中具有氨基酸序列SEQ ID NO: 1的人類CD1b蛋白的β2微球蛋白(β2Μ)和具有SEQ ID NO: 2的氨基酸序列的人類CD1b蛋白α3膜近端結構域在其間形成通過二硫鍵穩定化的異二聚體； <br/> 其中 <br/> (i)一條重鏈的CH3結構域具有根據對抗體氨基酸的EU編號方案的S354C/T366W氨基酸取代，和其他重鏈的CH3結構域具有根據對抗體氨基酸的EU編號方案的Y349C/T366S/L368A/Y407V氨基酸取代；或 <br/> (ii)一條重鏈的CH3結構域具有根據對抗體氨基酸的EU編號方案的Y349C/T366S/L368A/Y407V氨基酸取代，和其他重鏈的CH3結構域具有根據對抗體氨基酸的EU編號方案的S354C/T366W氨基酸取代。
根據請求項1之抗體樣分子，其中該抗體樣分子的第一輕鏈恆定結構域選自CK或CL。
根據請求項1之抗體樣分子，其中該抗體樣分子的CH3結構域通過將半胱氨酸(C)作為氨基酸引入到每個CH3結構域的相應位置使得可在該兩者CH3結構域之間形成二硫鍵而被修飾。
根據請求項1之抗體樣分子，其中該Fc片段屬於IgG。
根據請求項4之抗體樣分子，其中該Fc片段同種型選自人類IgG1、IgG2或IgG4。
根據請求項1之抗體樣分子，其中該第一和第二靶標可各自獨立地選自：CD20、BCMA、PD-1、PD-L1、CD47、GD2、AXL、TGFβ、CSF1R、凝血因子9 (FIX)、凝血因子10 (FX)、TNFα、IL17A、IL17F或CD3。
根據請求項1之抗體樣分子，其中該抗體樣分子為雙特異性抗體樣分子。
根據請求項1之抗體樣分子，其中該抗體樣分子為二價雙特異性抗體樣分子。
一種用於產生根據請求項1-8之抗體樣分子的方法，其中該方法包括以下步驟： <br/> a) 用以下轉化CHO(中國倉鼠卵巢)細胞 <br/> - 包含編碼該抗體樣分子第一抗原結合片段的輕鏈和重鏈的核酸分子的表達載體， <br/> - 包含編碼該抗體樣分子第二抗原結合片段的輕鏈和重鏈的核酸分子的表達載體， <br/> b) 在適合於合成該抗體樣分子的條件下培養該宿主細胞；和 <br/> c) 從細胞培養物中分離該抗體樣分子。
一種半導體裝置的製造方法，包括： <br/>接收工件，所述工件包括配置在所述工件的第一側的裝置層； <br/>在所述裝置層上形成第一互連結構； <br/>將基底附接在所述第一互連結構上； <br/>從所述工件的第二側蝕刻，形成至少一第一溝渠和至少一第二溝渠，其中所述第一溝渠部分的延伸到所述基底中達第一距離，所述第二溝渠部分的延伸到所述基底中達第二距離，所述第一距離小於所述第二距離； <br/>在所述第一溝渠中形成第一導電特徵以及在所述第二溝渠中形成第二導電特徵； <br/>在所述第一導電特徵和所述第二導電特徵上方形成第二互連結構；以及 <br/>從所述工件的所述第一側減薄所述基底以露出所述第二導電特徵，其中所述第一導電特徵保持部分嵌入基板中。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第一溝渠包括第一溝渠寬度，所述第二溝渠包括第二溝渠寬度，且所述第一溝渠寬度小於所述第二溝渠寬度。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第一溝渠和所述第二溝渠同時形成或分別形成。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第二互連結構的形成包括： <br/>在形成所述第一溝渠和所述第二溝渠之前，形成所述第二互連結構的第一部分；以及 <br/>在形成所述第一導電特徵和所述第二導電特徵之後，形成所述第二互連結構的第二部分，其中所述第二互連結構的所述第二部分覆蓋所述第一導電特徵和所述第二導電特徵。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第二互連結構的形成包括： <br/>在形成所述第一導電特徵之後，形成所述第二互連結構的第一部分；以及 <br/>在形成所述第二導電特徵之後，形成所述第二互連結構的第二部分，其中所述第二互連結構的所述第一部分和所述第二部分覆蓋所述第一導電特徵，並且所述第二互連結構的所述第二部分覆蓋所述第二導電特徵。
一種半導體裝置的製造方法，包括： <br/>形成工件，所述工件包括位於所述工件前側的裝置層和位於所述工件背側的基底； <br/>在所述裝置層上形成前側互連結構； <br/>在所述前側互連結構上方形成散熱層，其中在所述工件的俯視圖中，所述散熱層包括多個開口。 <br/>在所述散熱層上方形成半導體層； <br/>從所述工件的所述背側蝕刻形成多個第一溝渠和多個第二溝渠，其中所述第一溝渠延伸穿過所述裝置層和所述前側互連結構並止於所述散熱層，所述第二溝渠延伸穿過所述裝置層、所述前側互連結構和所述散熱層中的開口，並部分進入所述半導體層； <br/>在所述第一溝渠中形成多個第一貫通件，在所述第二溝渠中形成多個第二貫通件； <br/>在所述裝置層下形成背側互連結構；以及 <br/>減薄所述半導體層以露出所述第二貫通件。
如請求項6所述的半導體裝置的製造方法，還包括： <br/>在從所述工件的所述背側蝕刻之前，從所述工件的所述背側減薄所述基底。
如請求項6所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第一貫通件具有位於所述工件的所述背側的第一端，所述第二貫通件具有位於所述工件的所述背側的第二端，且所述第一端與所述第二端齊平或不齊平。
一種半導體裝置，包括： <br/>裝置層包括電晶體； <br/>前側互連結構設置於所述裝置層上並電性連接至所述電晶體； <br/>半導體層配置於所述前側互連結構上； <br/>背側互連結構設置於裝置層下並電性連接至所述電晶體； <br/>多個第一貫通件延伸貫穿所述裝置層與所述前側互連結構，其中所述第一貫通件被所述半導體層覆蓋；以及 <br/>多個第二貫通件延伸穿過所述裝置層、所述前側互連結構以及所述半導體層。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述第一貫通件具有小於所述第二貫通件的寬度。
一種記憶體系統，係具備有： <br/>非揮發性記憶體，係包含各別身為資料刪除動作之單位的複數之區塊；和 <br/>控制器，係被與前述非揮發性記憶體作電性連接， <br/>前述控制器，係構成為： <br/>對於第1表作管理，該第1表，係保持映射資訊，該映射資訊，係代表1個以上的邏輯區域識別符之各者與前述非揮發性記憶體之1個以上的物理位址之各者之間之映射， <br/>因應於從主機而收訊了要求進行被與第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料之安全刪除的第1指令一事， <br/>將在前述第1表中所包含之前述映射資訊之中的與前述第1邏輯區域識別符相對應之第1映射資訊之複製作保持， <br/>特定出前述複數之區塊之中的儲存有被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料之1個以上的第1區塊， <br/>至少針對前述1個以上的第1區塊而至少實行前述資料刪除動作， <br/>在針對前述1個以上的第1區塊之資料刪除動作之實行後，變遷至第1模式， <br/>在前述第1模式中，因應於從前述主機而收訊了對於前述第1邏輯區域識別符作指定的讀取指令一事，從與在前述第1映射資訊之前述複製中而被映射至前述第1邏輯區域識別符處的第1物理位址相對應之前述非揮發性記憶體內之記憶位置，而將資料讀出。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>因應於從前述主機而收訊了前述第1指令一事， <br/>將被儲存在前述1個以上的第1區塊中之有效資料之中的被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料作無效化， <br/>實行將被儲存在前述1個以上的第1區塊中之前述有效資料之中的被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料以外之有效資料，複製至前述複數之區塊之中之1個以上的複製目標區塊處之複製動作， <br/>在前述複製動作之實行後，針對前述1個以上的第1區塊而實行前述資料刪除動作。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>在前述第1模式中， <br/>因應於從前述主機而收訊了對於與前述第1邏輯區域識別符相異之第2邏輯區域識別符作指定的讀取指令一事，而從與在前述第1表中所包含之前述映射資訊中而被映射至前述第2邏輯區域識別符處的第2物理位址相對應之前述非揮發性記憶體內之記憶位置，而將資料讀出，並將前述所讀出的資料送訊至前述主機處。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>因應於從前述主機而收訊了要求前述第1模式之結束之指令或者是對於前述第1邏輯區域識別符作指定之寫入指令一事，而從前述第1模式跳出。
如請求項4所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>將藉由前述第1指令所被指定的前述第1邏輯區域識別符作保持， <br/>因應於從前述主機而收訊了要求前述第1模式之結束之指令或者是對於前述第1邏輯區域識別符作指定之寫入指令一事，將前述所保持的第1邏輯區域識別符拋棄。
如請求項4所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>因應於從前述主機而收訊了要求前述第1模式之結束之指令或者是對於前述第1邏輯區域識別符作指定之寫入指令一事，將前述第1映射資訊之前述複製拋棄。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述1個以上的第1區塊，係包含複數之第1區塊，前述複數之第1區塊，係至少包含第2區塊和第3區塊， <br/>前述控制器，係因應於從前述主機而收訊了第1指令一事， <br/>而針對前述第2區塊實行前述資料刪除動作， <br/>並實行從前述第3區塊來對於被實行了前述資料刪除動作之第2區塊而將被儲存在前述第3區塊中之有效資料之中的被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料以外之有效資料作複製之複製動作。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>因應於從前述主機而收訊了前述第1指令一事，將被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料作無效化， <br/>針對前述複數之區塊之中的身為在從被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料被作無效化之前起便並未儲存有有效資料之區塊且儲存有被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料之中的無效資料之1個以上之區塊，而至少實行前述資料刪除動作。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係構成為對於藉由複數之名稱空間識別符而分別被作辨識的複數之名稱空間進行管理， <br/>前述第1邏輯區域識別符，係為對於安全刪除對象名稱空間作辨識之名稱空間識別符。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述第1邏輯區域識別符，係包含有對於1個以上的安全刪除對象扇區作辨識之1個以上的邏輯位址。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述第1邏輯區域識別符，係包含有對於1個以上的安全刪除對象值(value)作辨識之1個以上的鍵(key)。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係構成為： <br/>將前述第1映射資訊之前述複製保存在前述非揮發性記憶體中。
如請求項12所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係構成為： <br/>針對身為前述1個以上的第1區塊之中之其中1者的第2區塊，而實行前述資料刪除動作， <br/>將前述第1映射資訊之前述複製，儲存在被實行了前述資料刪除動作之第2區塊中。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>藉由將在前述第1表中所包含之前述映射資訊中而被映射至前述第1邏輯區域識別符處的第3物理位址從前述映射資訊中而刪除，來將被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料作無效化， <br/>在將前述第3物理位址從前述映射資訊而作刪除時，將包含有前述第3物理位址之前述映射資訊之一部分，作為前述複製而作保持。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>被與前述第1邏輯區域識別符相互附加有關連性之安全刪除對象資料，係包含無效資料。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>將代表針對從與前述第1物理位址相對應之記憶位置所讀出了的前述資料之錯誤訂正為失敗一事的回應，作為對於前述讀取指令之回應而送訊至前述主機處。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係構成為： <br/>從與起因於針對前述1個以上的第1區塊之資料刪除動作之實行而成為刪除狀態的前述第1物理位址相對應之記憶位置，而將前述資料讀出。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>在針對前述1個以上的第1區塊之資料刪除動作之實行後，對於與前述第1物理位址相對應之記憶位置，而將用以進行資料之覆寫(overwrite)之具有特定之資料形態的資料作寫入， <br/>因應於從前述主機而收訊了前述讀取指令一事，從與前述第1物理位址相對應之記憶位置，而將前述具有特定之資料形態的資料作讀出。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>將代表從與前述第1物理位址相對應之記憶位置所讀出了的前述資料係為不正常之資料一事的回應，作為對於前述讀取指令之回應而送訊至前述主機處。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/>前述控制器，係更進而構成為： <br/>對於前述第1映射資訊之前述複製作參照， <br/>從前述第1映射資訊之前述複製，而取得前述第1物理位址。
一種切換裝置，設置於一主機板上，且該主機板適於連接一顯示卡，該切換裝置包括：<br/> 一控制模組，接收一第一信號與一第二信號，並依據該第一信號與該第二信號，產生一第一控制信號與一第二控制信號；以及<br/> 一切換模組，連接一第一接腳、一第二接腳、一第三接腳與該控制模組，該切換模組接收該第一控制信號與該第二控制信號，並依據該第一控制信號與該第二控制信號，連接該第一接腳與該第三接腳、連接該第二接腳與該第三接腳、斷開該第一接腳與該第三接腳的連接以及斷開該第二接腳與該第三接腳的連接；<br/> 其中，該第一接腳與該第二接腳適於連接該顯示卡；<br/> 其中，該第一接腳為一快捷外設互聯標準(PCIE)插槽的第12接腳，該第二接腳為該快捷外設互聯標準插槽的第17接腳，該第三接腳為一時脈信號控制接腳，該第一信號由該第一接腳產生，該第二信號為一匯流排重置信號。
如請求項1所述之切換裝置，其中該切換模組包括：<br/> 一第一開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第一開關單元的該第一端連接該第三接腳，該第一開關單元的該第二端連接該第二接腳，該第一開關單元的該控制端接收該第二控制信號；以及<br/> 一第二開關單元，具有一第一端、一第二端與一控制端，該第二開關單元的該第一端連接該第一接腳，該第二開關單元的該第二端連接該第三接腳，該第二開關單元的該控制端接收該第一控制信號。
如請求項1所述之切換裝置，其中該控制模組包括：<br/> 一第一反及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第一反及閘的該第一輸入端接收該第一信號，該第一反及閘的該輸出端產生該第一控制信號；以及<br/> 一第二反及閘，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第二反及閘的該第一輸入端接收該第二信號，該第二反及閘的該第二輸入端連接該第一反及閘的該輸出端，該第二反及閘的該輸出端連接該第一反及閘的該第二輸入端，並產生該第二控制信號。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 3.0且該主機板未運作，該第一信號與該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號與該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳以及連接該第一接腳與該第三接腳。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 3.0且該主機板運作，該第一信號為一低邏輯準位，該第二信號為一低邏輯準位或一高邏輯準位，該第一控制信號為一低邏輯準位，該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳，並斷開該第一接腳與該第三接腳的連接。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0且該主機板未運作，該第一信號與該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號與該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳以及連接該第一接腳與該第三接腳。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0、該主機板運作以及未致能一時脈要求，該第一信號為一高邏輯準位，該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號為一低邏輯準位，該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳，並斷開該第一接腳與該第三接腳的連接。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0、該主機板運作以及致能一時脈要求，該第一信號與該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號與該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳以及連接該第一接腳與該第三接腳。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0，該主機板運作以及該主機板的一時脈信號穩定，該第一信號為一低邏輯準位，該第二信號為一高邏輯準位，該第一控制信號為一高邏輯準位，該第二控制信號為一低邏輯準位，該切換模組連接該第一接腳與該第三接腳，並斷開該第二接腳與該第三接腳的連接。
如請求項1所述之切換裝置，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0，該主機板運作以及禁能或致能一時脈要求，該第一信號與該第二信號為一高邏輯準位，該第一控制信號為一高邏輯準位，該第二控制信號為一低邏輯準位，該切換模組連接該第一接腳與該第三接腳，並斷開該第二接腳與該第三接腳的連接。
一種切換裝置的操作方法，該切換裝置設置於一主機板上，且該主機板適於連接一顯示卡，該切換裝置的操作方法包括：<br/> 透過一控制模組，接收一第一信號與一第二信號，並依據該第一信號與該第二信號，產生一第一控制信號與一第二控制信號；<br/> 透過一切換模組，連接一第一接腳、一第二接腳、一第三接腳與該控制模組，其中該第一接腳與該第二接腳適於連接該顯示卡；<br/> 該切換模組接收該第一控制信號與該第二控制信號；以及<br/> 該切換模組依據該第一控制信號與該第二控制信號，連接該第一接腳與該第三接腳、連接該第二接腳與該第三接腳、斷開該第一接腳與該第三接腳的連接以及斷開該第二接腳與該第三接腳的連接；<br/> 其中，該第一接腳為一快捷外設互聯標準(PCIE)插槽的第12接腳，該第二接腳為該快捷外設互聯標準插槽的第17接腳，該第三接腳為一時脈信號控制接腳，該第一信號由該第一接腳產生，該第二信號為一匯流排重置信號。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 3.0且該主機板未運作，該第一信號與該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號與該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳以及連接該第一接腳與該第三接腳。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 3.0且該主機板運作，該第一信號為一低邏輯準位，該第二信號為一低邏輯準位或一高邏輯準位，該第一控制信號為一低邏輯準位，該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳，並斷開該第一接腳與該第三接腳的連接。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0且該主機板未運作，該第一信號與該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號與該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳以及連接該第一接腳與該第三接腳。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0、該主機板運作以及未致能一時脈要求，該第一信號為一高邏輯準位，該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號為一低邏輯準位，該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳，並斷開該第一接腳與該第三接腳的連接。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0、該主機板運作以及致能一時脈要求，該第一信號與該第二信號為一低邏輯準位，該第一控制信號與該第二控制信號為一高邏輯準位，該切換模組連接該第二接腳與該第三接腳以及連接該第一接腳與該第三接腳。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0，該主機板運作以及該主機板的一時脈信號穩定，該第一信號為一低邏輯準位，該第二信號為一高邏輯準位，該第一控制信號為一高邏輯準位，該第二控制信號為一低邏輯準位，該切換模組連接該第一接腳與該第三接腳，並斷開該第二接腳與該第三接腳的連接。
如請求項11所述之切換裝置的操作方法，其中響應於該顯示卡的規格為PCIE 4.0，該主機板運作以及禁能或致能一時脈要求，該第一信號與該第二信號為一高邏輯準位，該第一控制信號為一高邏輯準位，該第二控制信號為一低邏輯準位，該切換模組連接該第一接腳與該第三接腳，並斷開該第二接腳與該第三接腳的連接。
一種氣壓驅動裝置，具備：<br/>第1驅動軸，其係利用氣體的壓力沿第1方向驅動被驅動體；及<br/>第2驅動軸，其係利用氣體的壓力沿與前述第1方向交叉之第2方向驅動前述被驅動體；<br/>其中，<br/>前述第1驅動軸利用通過該第1驅動軸及前述第2驅動軸的內部而被供給之氣體，沿前述第1方向來驅動前述被驅動體；<br/>位於前述第2驅動軸的內部的第2驅動管配置在前述第2驅動軸的略中央處。
如請求項1的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在前述第1驅動軸的內部設置有第1驅動管，該第1驅動管被供給有產生基於該第1驅動軸之前述第1方向的驅動力之第1驅動氣體；<br/>在前述第2驅動軸的內部設置有第2驅動管及驅動氣體中繼管，該第2驅動管被供給有產生基於該第2驅動軸之前述第2方向的驅動力之第2驅動氣體，該驅動氣體中繼管被供給有前述第1驅動氣體，並且從相對於前述第1驅動管之開口亦即驅動氣體中繼管開口向該第1驅動管供給該第1驅動氣體。
如請求項2的氣壓驅動裝置，其中，具備：<br/>滑動件，其係沿著前述第2驅動軸與前述第1驅動軸一體地向前述第2方向驅動；<br/>在與前述滑動件中的前述第2驅動軸的對向面設置有前述第1驅動管的開口亦即第1驅動管開口。
如請求項3的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在與前述滑動件中的前述第2驅動軸的對向面設置有第1驅動溝，該第1驅動溝為包括前述第1驅動管開口並沿前述第2方向延伸之溝；<br/>前述驅動氣體中繼管開口係與前述滑動件的前述第2方向的位置無關地，相對於前述第1驅動溝開口。
如請求項3或4的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在前述第2驅動軸的內部設置有輔助氣體管，該輔助氣體管從相對於與前述驅動氣體中繼管開口在前述第1方向上相反的一側之開口亦即輔助管開口將輔助氣體排出至前述第2驅動軸的外部。
如請求項5的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在與前述滑動件中的前述第2驅動軸的對向面設置有沿前述第2方向延伸之溝亦即輔助溝；<br/>前述輔助管開口係與前述滑動件的前述第2方向的位置無關地，相對於前述輔助溝開口。
如請求項5的氣壓驅動裝置，其中，<br/>從前述輔助管開口排出之前述輔助氣體的壓力與從前述驅動氣體中繼管開口排出之前述第1驅動氣體的壓力，實質上相等。
如請求項3或4的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在前述第1驅動軸的內部設置有第1懸浮管，該第1懸浮管被供給使前述被驅動體從該第1驅動軸懸浮之第1懸浮氣體；<br/>在前述第2驅動軸的內部設置有第2懸浮管及懸浮氣體中繼管，該第2懸浮管被供给使前述滑動件從該第2驅動軸懸浮之第2懸浮氣體，該懸浮氣體中繼管被供给前述第1懸浮氣體，並且從相對於前述第1懸浮管之開口亦即懸浮氣體中繼管開口將該第1懸浮氣體供给至該第1懸浮管。
如請求項8的氣壓驅動裝置，其中，<br/>前述第2懸浮管從相對於與前述懸浮氣體中繼管開口在前述第1方向上相反的一側之開口亦即第2懸浮管開口，將前述第2懸浮氣體排出至前述第2驅動軸的外部。
如請求項9的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在與前述滑動件中的前述第2驅動軸的對向面，設置有前述第1懸浮管的開口亦即第1懸浮管開口及包括該第1懸浮管開口並沿前述第2方向延伸之溝亦即第1懸浮溝；<br/>前述懸浮氣體中繼管開口係與前述滑動件的前述第2方向的位置無關地，相對於前述第1懸浮溝開口。
如請求項10的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在與前述滑動件中的前述第2驅動軸的對向面設置有沿前述第2方向延伸之溝亦即第2懸浮溝；<br/>前述第2懸浮管開口係與前述滑動件的前述第2方向的位置無關地，相對於前述第2懸浮溝開口。
如請求項8的氣壓驅動裝置，其中，<br/>在前述第1驅動軸的內部設置有將前述第1懸浮氣體相對於前述第2驅動軸排氣之第1排氣管；<br/>在前述第2驅動軸的內部設置有將前述第2懸浮氣體向前述第2驅動軸的外部排氣之第2排氣管、及將來自前述第1排氣管的前述第1懸浮氣體向前述第2驅動軸的外部排氣之排氣中繼管。
如請求項12的氣壓驅動裝置，其中，<br/>前述第2排氣管及前述排氣中繼管為相同的管。
一種定位裝置，係藉由請求項1至4中任一項的氣壓驅動裝置對前述被驅動體進行定位。
一種處理裝置，係對藉由請求項14的定位裝置定位之前述被驅動體實施預定的處理。
一種元件的製造方法，係通過基於請求項15的處理裝置進行之前述處理來製造元件。
一種製備陽離子可染型聚酯彈性體組成物的方法，該方法具有下列步驟： <br/>將至少一多元酸或其酯化物、至少一多元醇及下述通式(I)之改質劑混合以進行酯化反應或酯交換反應後，進行聚合反應而形成一陽離子可染型聚酯母粒， <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="227px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>通式(I)， <br/>其中 <br/>R<sub>1</sub>與R<sub>2</sub>係各自獨立地為氫原子、碳數介於1至8之間的羥基烷基或烷基， <br/>X<sup>+</sup>係鹼金屬陽離子、四級鏻陽離子（quaternary phosphonium cation）或四級銨陽離子； <br/> 將該陽離子可染型聚酯母粒與熱塑性聚酯彈性體（TPEE）粒子混合後加熱至熔融狀態，經冷卻後製得該陽離子可染型聚酯彈性體組成物。
如請求項1之方法，其中該酯化物係選自對苯二甲酸二甲酯、間苯二甲酸二甲酯及2,6-萘二羧酸二甲酯所組成之群組。
如請求項1之方法，其中該多元酸係選自對苯二甲酸、間苯二甲酸及2,6-萘二羧酸所組成之群組。
如請求項1之方法，其中該多元醇係選自乙二醇、二乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇及1,4-環已烷二甲醇所組成之群組。
如請求項1之方法，其中該改質劑係間苯二甲酸乙二醇酯-5-磺酸四丁基鏻。
如請求項1之方法，其中該改質劑相對與該陽離子可染型聚酯母粒之莫耳百分比為1莫耳%至25莫耳%。
如請求項6之方法，其中該陽離子可染型聚酯母粒與該熱塑性聚酯彈性體（TPEE）粒子之重量比為1：1至1：99。
如請求項1之方法，其中該酯交換反應包含加入酯交換觸媒，該酯交換觸媒係選自鈦酸四丁酯、鈦酸四異丙酯、二丁基氧化錫、二辛基氧化錫、錫氧烷、乙酸鉛、乙酸鋅及三氧化銻所組成之群組。
一種製備陽離子可染型聚酯單絲的方法，其包括依請求項1至8中任一項之方法製備陽離子可染型聚酯彈性體組成物，以及將該陽離子可染型聚酯彈性體組成物以200至300℃之溫度經紡絲噴孔擠出，經冷卻風冷卻後進行紡絲及延伸，其中紡絲速度為100至3500 m/min、延伸溫度為20至180℃，以及定型溫度為20至210℃，藉此製得陽離子可染型聚酯單絲。
一種陽離子可染型聚酯母粒，該聚酯母粒由下列式(Ⅱ-1)及式(Ⅱ-2)所示之重複單元組成， <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="109px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(Ⅱ-1)， <br/><img align="absmiddle" height="89px" width="93px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(Ⅱ-2)， <br/>其中 <br/>R<sub>3</sub>係為碳數介於1至8之間的伸烷基，且 <br/>X<sup>+</sup>係鹼金屬陽離子、四級鏻陽離子或四級銨陽離子。
如請求項10之陽離子可染型聚酯母粒，其固有黏度介於1.1至1.4 dl/g。
如請求項10之陽離子可染型聚酯母粒，其熔點為140至200℃。
如請求項10之陽離子可染型聚酯母粒，其CIE L*a*b*色彩座標之亮度（L）為65.0至80.0，a值為-2.0，b值為6.0至8.0。
一種陽離子可染型聚酯彈性體組成物，該組成物由陽離子可染型聚對苯二甲酸丁二酯與熱塑性聚酯彈性體組成，其中該陽離子可染型聚對苯二甲酸丁二酯由下列式(Ⅱ-1)及式(Ⅱ-2) 所示之重複單元組成，且該熱塑性聚酯彈性體具有下列式(Ⅱ-3)所示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="109px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(Ⅱ-1)， <br/><img align="absmiddle" height="89px" width="93px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(Ⅱ-2)， <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="169px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(Ⅱ-3)， <br/>其中， <br/>R<sub>3</sub>係碳數介於1至8之間的伸烷基， <br/>R<sub>4</sub>係碳數介於1至8之間的聚醚單元或聚酯單元，且 <br/>X<sup>+</sup>係鹼金屬陽離子、四級鏻陽離子或四級銨陽離子。
如請求項14之陽離子可染型聚酯彈性體組成物，其中該式(Ⅱ-1)所示之重複單元占該組成物之總莫耳比率為0.08至0.2，該式(Ⅱ-2)所示之重複單元占該組成物之總莫耳比率為0.01至0.1，該式(Ⅱ-3)所示之重複單元占該組成物之總莫耳比率為0.7至0.9，且該式(Ⅱ-1)、式(Ⅱ-2)及式(Ⅱ-3)所示之重複單元占該組成物之總莫耳比率約為1.0。
一種陽離子可染型聚酯單絲，其包含如請求項14至15中任一項所述之陽離子可染型聚酯彈性體組成物。
如請求項16之陽離子可染型聚酯單絲，其纖維強度為2至3 g/d。
如請求項16之陽離子可染型聚酯單絲，其纖維伸度(E%)至少為100%。
如請求項16之陽離子可染型聚酯單絲，其色牢度為4至5。
一種庫存區分方法，由計算系統執行，其中，包括如下步驟：獲取第一履行中心的第一商品的入站(inbound)數量數據；獲取所述第一履行中心的所述第一商品的入站訂單數據；使用所述第一履行中心的所述第一商品的當前庫存量，以各入站數量的時間資訊為基準，將所述第一商品的入站數量數據中包括的每日的入站數量區分為第一類型數量、第二類型數量和第三類型數量中的任一種；使用所述入站訂單數據，確定與各個所述第一類型數量對應的各個第一類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量；使用所述入站訂單數據，確定與所述第二類型數量對應的各個第二類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量；及為所述第一履行中心的所述第一商品生成基於訂單的庫存區分數據，該基於訂單的庫存區分數據由所述第一類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量及所述第二類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量構成，所述第一類型數量是入站數量全部反映到庫存貢獻量的入站數量，所述第二類型數量是入站數量中的一部分反映到庫存貢獻量的入站數量，所述第三類型數量是入站數量全部不反映到庫存貢獻量的入站數量，確定所述各個第一類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量的步驟包括如下步驟：將各個所述第一類型入站訂單的入庫量全部確定為所述庫存貢獻量，確定所述各個第二類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量的步驟包括如下步驟：將各個所述第二類型入站訂單的入庫量中的一部分確定為所述庫存貢獻量。
如請求項1之庫存區分方法，其中，將所述第一商品的入站數量數據中包括的所述每日的入站數量區分為第一類型數量、第二類型數量和第三類型數量中的任一種的步驟包括如下步驟：按照時間對所述入站數量數據進行排序；及將排序後的所述入站數量數據中包括的所述每日的入站數量區分為所述第一類型數量、所述第二類型數量和所述第三類型數量中的任一種，所述按照時間進行排序的步驟包括如下步驟：獲取所述第一履行中心的出站揀貨(outbound picking)政策資訊；根據所述出站揀貨政策，確定意味著從舊到新的順序的降序和意味著從新到舊的順序的升序中的任一種作為按照所述時間進行排序的方向；根據按照所述時間進行排序的方向，按照時間對所述入站數量數據進行排序。
如請求項2之庫存區分方法，其中，確定意味著從舊到新的順序的降序和意味著從新到舊的順序的升序中的任一種作為按照所述時間進行排序的方向的步驟包括如下步驟：當所述出站揀貨政策為先進先出(FIFO，First-In-First-Out)時，確定所述升序作為按照所述時間進行排序的方向。
如請求項1之庫存區分方法，其中，將各個所述第二類型入站訂單的入庫量中的一部分確定為所述庫存貢獻量的步驟包括如下步驟：使用所述第一履行中心的所述第一商品的所述當前庫存量，將作為所述第二類型數量的入站數量中的一部分確定為可庫存量；及使用所述可庫存量，將各個所述第二類型入站訂單的入庫量中的一部分確定為所述庫存貢獻量。
如請求項4之庫存區分方法，其中，使用所述可庫存量，將各個所述第二類型入站訂單的入庫量中的一部分確定為所述庫存貢獻量的步驟包括如下步驟：識別與作為所述第二類型數量的入站數量對應的多個第二類型入站訂單；及確定所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量，使得所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量之和為所述可庫存量。
如請求項5之庫存區分方法，其中，確定所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量，使得所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量之和為所述可庫存量的步驟包括如下步驟：根據所述多個第二類型入站訂單中每一個的入庫量分配庫存貢獻量。
如請求項5之庫存區分方法，其中，確定所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量，使得所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量之和為所述可庫存量的步驟包括如下步驟：使用所述多個第二類型入站訂單中每一個的優先順序，確定所述多個第二類型入站訂單中每一個的庫存貢獻量，所述優先順序越高，庫存貢獻量認定率越高。
如請求項1之庫存區分方法，其中，所述入站訂單數據包括入站訂單的訂單量分為兩個以上入庫日期分批入庫的分批入站訂單數據，將各個所述第一類型入站訂單的入庫量全部確定為所述庫存貢獻量的步驟包括如下步驟：將所述分批入站訂單的第一部分入庫量全部反映到所述分批入站訂單的庫存貢獻量，將各個所述第二類型入站訂單的入庫量中的一部分確定為所述庫存貢獻量的步驟包括如下步驟：將所述分批入站訂單的第二部分入庫量中的一部分追加反映到所述分批入站訂單的庫存貢獻量。
如請求項8之庫存區分方法，其中，所述為所述第一履行中心的所述第一商品生成基於訂單的庫存區分數據的步驟包括如下步驟：針對相當於所述分批入站訂單的入站訂單，設置表示其為分批入站訂單的標誌值。
如請求項1之庫存區分方法，其中，還包括如下步驟：使用所述基於訂單的庫存區分數據，輸出構成由用戶終端指定的所述第一履行中心的所述第一商品的當前庫存量的各訂單資訊的可視化數據。
如請求項10之庫存區分方法，其中，所述輸出可視化數據的步驟包括如下步驟：輸出構成所述第一商品的當前庫存量的各入站訂單的按照每個訂單原因(order reason)的時間序列數據。
如請求項11之庫存區分方法，其中，所述輸出可視化數據的步驟包括如下步驟：僅輸出構成所述第一商品的當前庫存量的各入站訂單中庫齡超過標準值的入站訂單的時間序列數據。
如請求項12之庫存區分方法，其中，所述標準值是按照每個所述訂單原因設置的。
如請求項10之庫存區分方法，其中，所述輸出可視化數據的步驟包括如下步驟：從所述用戶終端接收所述第一履行中心的所述第一商品的模擬庫存量；及輸出基於所述模擬庫存量更新的使用所述基於訂單的庫存區分數據、構成所述第一商品的模擬庫存量的各訂單資訊的更新後的可視化數據。
如請求項10之庫存區分方法，其中，所述輸出可視化數據的步驟包括如下步驟：從所述用戶終端接收所述第一履行中心的所述第一商品的模擬庫存量；及輸出基於所述模擬庫存量更新的使用所述基於訂單的庫存區分數據、構成相當於所述第一商品的當前庫存量與所述模擬庫存量之差的庫存量的各訂單資訊的更新後的可視化數據。
一種庫存區分系統，其中，包括：通信介面；記憶體，電腦程式加載(load)到所述記憶體；及處理器，用於運行所述電腦程式，所述電腦程式包括用於執行如下操作的多個指令(instructions)：獲取第一履行中心的第一商品的入站(inbound)數量數據；獲取所述第一履行中心的所述第一商品的入站訂單數據；使用所述第一履行中心的所述第一商品的當前庫存量，以各入站數量的時間資訊為基準，將所述第一商品的入站數量數據中包括的每日的入站數量區分為第一類型數量、第二類型數量和第三類型數量中的任一種；使用所述入站訂單數據，確定與各個所述第一類型數量對應的各個第一類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量；使用所述入站訂單數據，確定與所述第二類型數量對應的各個第二類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量；及為所述第一履行中心的所述第一商品生成基於訂單的庫存區分數據，該基於訂單的庫存區分數據由所述第一類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量及所述第二類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量構成，所述第一類型數量是入站數量全部反映到庫存貢獻量的入站數量，所述第二類型數量是入站數量中的一部分反映到庫存貢獻量的入站數量，所述第三類型數量是入站數量全部不反映到庫存貢獻量的入站數量，確定所述各個第一類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量的指令包括用於執行如下操作的指令：將各個所述第一類型入站訂單的入庫量全部確定為所述庫存貢獻量，確定所述各個第二類型入站訂單的識別資訊和庫存貢獻量的指令包括用於執行如下操作的指令：將各個所述第二類型入站訂單的入庫量中的一部分確定為所述庫存貢獻量。
一種品質不良診斷裝置，診斷在製品中產生的品質不良，具備：<br/>資料分割部，將由操作資料及品質資料所構成的診斷對象的製品資料，按照規定之區塊各別地進行二維狀地分割；<br/>資料匯集部，依據分割後的區塊中的品質不良的產生傾向，按照預先定義的品質不良的分類各別地提取出前述操作資料，並按照前述區塊各別地及包含兩個以上前述區塊的區域各別地，將提取出的前述操作資料匯集；<br/>品質不良判定部，使用複數個預測模型，判定有無品質不良的產生，前述複數個預測模型係按照前述品質不良的分類各別地被作成、並且學習有匯集後的操作資料與前述品質資料的關係；以及<br/>要因推定部，根據品質不良的判定結果，推定品質不良的要因。
如請求項1所記載的品質不良診斷裝置，其中，前述要因推定部是在判定診斷對象的特定的製品中有產生品質不良之情況下，推定用於抑止前述品質不良的產生之必要的操作資料。
如請求項1所記載的品質不良診斷裝置，其中，前述要因推定部是在特定的製品中有產生了品質不良之情況下，推定成為前述品質不良的產生的要因之操作資料。
如請求項1所記載的品質不良診斷裝置，其中，前述要因推定部是在多數的製品中有產生了品質不良之情況下，推定成為品質不良的產生的要因之操作資料。
如請求項1所記載的品質不良診斷裝置，其中，前述預測模型為：<br/>將由過去實績的操作資料及過去實績的品質資料所構成的過去實績的製品資料，按照規定的區塊各別地進行二維狀地分割；<br/>根據分割後的區塊中的前述品質不良的產生傾向，將前述過去實績的品質資料中所包含的品質不良進行分類；<br/>按照前述區塊各別地及包含兩個以上前述區塊的區域各別地，將按照前述品質不良之分類各別地所提取出的前述過去實績的操作資料匯集；<br/>按照前述品質不良的分類各別地，藉由機器學習來學習匯集後的操作資料與前述過去實績的品質資料的關係而被作成。
如請求項1所記載的品質不良診斷裝置，其中，前述品質不良的分類為：前端部、尾端部、中央部、寬邊部、單發隨機、群發隨機之中的任意兩者以上。
如請求項1所記載的品質不良診斷裝置，其中，前述資料匯集部是以區塊單位或製品單位，藉由計算前述操作資料的平均值、最大值、最小值、標準偏差、分散、最大值與最小值之差的任一者以上，來匯集前述操作資料。
如請求項3所記載的品質不良診斷裝置，其中，取得前述品質資料、與按照前述品質不良的產生傾向各別地預先作成的模板的相關性，並根據前述相關性的大小，將前述品質不良分類。
一種品質不良診斷方法，診斷在製品中產生的品質不良，包含：<br/>資料分割步驟，以具備計算機的資料分割手段，將由操作資料及品質資料所構成的診斷對象的製品資料，按規定之區塊各別地進行二維狀地分割；<br/>資料匯集步驟，以具備前述計算機的資料匯集手段，依據分割後的區塊中的品質不良的產生傾向，按照預先定義的品質不良的分類各別地提取出前述操作資料，並按照前述區塊各別地及包含兩個以上前述區塊的區域各別地，將提取出的前述操作資料匯集；<br/>品質不良判定步驟，以具備前述計算機的品質不良判定手段，使用複數個預測模型，判定有無品質不良的產生，前述複數個預測模型係按照前述品質不良的分類各別地被作成、並且學習有匯集後的操作資料與前述品質資料的關係；以及<br/>要因推定步驟，以具備前述計算機的要因推定手段，根據品質不良的判定結果，推定品質不良的要因。
一種在熱壓鍵合過程中用於將電子元件鍵合到基座件的鍵合系統，所述鍵合系統包括：第一容器，其用於形成第一惰性氣體環境，所述基座件能夠在所述電子元件的鍵合期間被安置在所述第一惰性氣體環境中；第一等離子清潔裝置，其被設置於第一容器內，並能操作以通過去除所述電子元件或所述基座件上的金屬氧化物來清潔所述電子元件和所述基座件；第二等離子清潔裝置，其被設置於第二容器內，並能操作以在所述電子元件被轉移到所述第一容器之過程前通過去除所述電子元件上的有機污染物來清潔所述電子元件，進而在後續移入第一容器後去除金屬氧化物；以及鍵合頭，其能移動地安裝在所述第一容器內，所述鍵合頭能操作以在所述電子元件和/或所述基座件已被所述第一等離子清潔裝置清潔之後將所述電子元件鍵合到所述基座件。
根據請求項1所述的鍵合系統，其中，其中所述第一等離子清潔裝置包括第一等離子頭和第二等離子頭，所述第一等離子頭被佈置為且能操作以清潔所述電子元件，所述第二等離子頭被佈置為且能操作以清潔所述基座件。
根據請求項2所述的鍵合系統，其中所述第一等離子頭和所述第二等離子頭中的至少一個附接至所述第一容器內的運動台，從而能夠在所述第一容器內移動到清潔位置以對所述電子元件和/或所述基座件進行清潔。
根據請求項3所述的鍵合系統，其中所述鍵合頭被進一步配置為在所述第一等離子頭清潔所述電子元件時保持所述電子元件。
根據請求項3所述的鍵合系統，其中所述第一等離子頭和所述第二等離子頭附接至所述運動台，從而當所述第一等離子頭移動到第一清潔位置以使所述第一等離子頭與所述電子元件對齊來清潔所述電子元件時，所述第二等離子頭同時移動到第二清潔位置以使所述第二等離子頭與被安置在所述第一容器內的所述基座件對齊來清潔所述基座件。
根據請求項2所述的鍵合系統，其中所述第一等離子頭被固定地安裝在所述第一容器內的第一清潔位置處以用於對所述電子元件進行清潔。
根據請求項6所述的鍵合系統，還包括保持裝置，其被配置為當所述第一等離子頭清潔所述電子元件時保持所述電子元件，所述保持裝置被定位為與所述第一等離子頭對齊以使得所述第一等離子頭能操作以在所述第一清潔位置對由所述保持裝置保持的所述電子元件進行清潔。
根據請求項7所述的鍵合系統，還包括加熱元件，其用於當所述第一等離子頭清潔所述電子元件時對所述電子元件進行加熱，所述加熱元件耦接至所述保持裝置。
根據請求項2所述的鍵合系統，其中所述第二等離子頭被固定地安裝到所述第一容器內的第二清潔位置以用於清潔所述基座件。
根據請求項1所述的鍵合系統，還包括轉移系統，其被配置為將已被所述第二等離子清潔裝置清潔的所述電子元件轉移到所述第一容器並且在所述第一容器內定位所述電子元件。
根據請求項10所述的鍵合系統，還包括第二容器，其用於形成第二惰性氣體環境，其中所述第二等離子清潔裝置被安置在所述第二容器內以用於在所述電子元件被傳送到所述第二容器內時對所述電子元件進行清潔。
根據請求項11所述的鍵合系統，其中所述第一容器和所述第二容器通過輸送通道彼此連通，以允許通過所述輸送通道將已被所述第二等離子清潔裝置清潔的所述電子元件從所述第二容器轉移到所述第一容器。
根據請求項12所述的鍵合系統，還包括第一惰性氣體擴散器，其被安裝在所述輸送通道上以在所述輸送通道內形成第一流體幕簾，用來阻礙所述第一容器與所述第二容器之間的氣體流通。
根據請求項11所述的鍵合系統，其中所述第二容器還包括：輸入通道，其用於通過所述輸入通道將所述電子元件傳送到所述第二容器；以及第二惰性氣體擴散器，其被安裝到所述輸入通道上以在所述輸入通道內形成第二流體幕簾，用來阻礙所述第二容器與所述第二容器外的周圍環境之間的氣體流通。
根據請求項1所述的鍵合系統，還包括惰性氣體感測器，其被安置在所述第一容器內以用於檢測所述第一容器內的所述第一惰性氣體環境的濃度。
根據請求項15所述的鍵合系統，其中所述鍵合頭被可移動地安裝在所述第一容器內的內腔中，所述惰性氣體感測器被安裝在所述內腔的內壁上。
根據請求項1所述的鍵合系統，還包括氫氣感測器，其被安置在所述第一容器內以用於檢測所述第一容器內的氫氣的濃度。
根據請求項11所述的鍵合系統，還包括臭氧感測器，其被安置在所述第二容器內以用於檢測所述第二容器的臭氧洩漏。
一種在熱壓鍵合過程中使用鍵合系統將電子元件鍵合到基座件的鍵合方法，所述鍵合系統包括鍵合頭、第一等離子清潔裝置和第二等離子清潔裝置，所述第一等離子清潔裝置被安置在第一容器內形成的第一惰性氣體環境中，所述第二等離子清潔裝置被設置在第二容器內，所述方法包括：在第二容器內，通過用設置在第二容器內的所述第二等離子清潔裝置去除所述電子元件上的有機污染物來清潔所述電子元件；將已被所述第二等離子清潔裝置去除有機污染物並清潔過的所述電子元件，從第二容器傳送到所述第一容器；通過用設置在第一容器內的所述第一等離子清潔裝置去除被安置在所述第一容器內的所述電子元件或所述基座件上的金屬氧化物來清潔所述電子元件和所述基座件；以及用所述鍵合頭將所述電子元件鍵合到所述基座件。
一種雙面活性金屬硬焊基板，其包括： <br/>一陶瓷基板層，其具有一第一表面與一第二表面； <br/>一第一活性金屬層，其設置於所述第一表面； <br/>一第二活性金屬層，其設置於所述第二表面； <br/>一第一阻擋層，其圍繞並接觸所述第一活性金屬層；所述第一阻擋層的厚度小於所述第一活性金屬層的厚度； <br/>一第二阻擋層，其圍繞並接觸所述第二活性金屬層；所述第二阻擋層的厚度小於所述第二活性金屬層的厚度； <br/>一第一導電金屬層，其設置於所述第一活性金屬層上；以及 <br/>一第二導電金屬層，其設置於所述第二活性金屬層上。
如請求項1所述的雙面活性金屬硬焊基板，其中，所述第一阻擋層與所述第一活性金屬層的厚度比值為0.10至0.95。
如請求項1所述的雙面活性金屬硬焊基板，其中，所述第一阻擋層的材料包括：氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、氧化矽、氮化鋁或氮化矽。
如請求項1所述的雙面活性金屬硬焊基板，其中，所述第一阻擋層的厚度為1微米至5微米。
如請求項1所述的雙面活性金屬硬焊基板，其中，所述第一阻擋層的寬度為0.1毫米至30毫米。
如請求項1所述的雙面活性金屬硬焊基板，其中，所述第一活性金屬層的厚度為10微米至50微米。
一種雙面活性金屬硬焊基板的製造方法，其包括： <br/>進行一圖案化程序，於一陶瓷基板層的一第一表面上形成一第一阻擋層，於所述陶瓷基板層的一第二表面上形成一第二阻擋層；其中，所述第一阻擋層定義出一第一圖形化區域，所述第二阻擋層定義出一第二圖形化區域； <br/>於所述第一圖形化區域形成一第一活性金屬層，於所述第二圖形化區域形成一第二活性金屬層； <br/>設置一第一導電金屬層於所述第一活性金屬層上，設置一第二導電金屬層於所述第二活性金屬層上；以及 <br/>進行一硬焊程序，以將所述第一導電金屬層固定於所述陶瓷基板層，並將所述第二活性金屬層固定於所述陶瓷基板層； <br/>其中，所述第一阻擋層的厚度小於所述第一活性金屬層的厚度，所述第二阻擋層的厚度小於所述第二活性金屬層的厚度。
如請求項7所述的製造方法，其中，所述硬焊程序中的燒結溫度為800°C至950°C。
如請求項7所述的製造方法，其中，所述硬焊程序中的燒結壓力小於8×10 <sup>-5</sup>托耳。
如請求項7所述的製造方法，其中，所述雙面活性金屬硬焊基板的拉力強度大於100牛頓/公分。
一種物品資訊管理方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>於履行中心中確認具有第1類型之SKU識別資訊之物品集之第1清單； <br/>基於上述第1清單而確認具有第1 SKU識別資訊之第1物品集，該第1物品集之所設定之第1銷售期間符合第1條件；及 <br/>對應於上述第1 SKU識別資訊，向上述第1物品集分配第2類型之第2 SKU識別資訊， <br/>其中將被分配至少一個配送地地址資訊之至少一個營地分配給上述履行中心， <br/>上述物品資訊管理方法進而包括如下步驟： <br/>針對分配給上述履行中心之個別營地，設定分配有上述第2 SKU識別資訊之上述第1物品集之第2銷售期間；且 <br/>上述第2銷售期間係基於分配給上述個別營地之至少一個配送地地址資訊、訂單配送方式及上述第1物品集之保存期限而設定。
如請求項1之物品資訊管理方法，其中上述第1銷售期間係基於上述第1物品集之保存期限而確定。
如請求項1之物品資訊管理方法，其中上述第1條件包括上述第1物品集之第1銷售期間已到期。
如請求項1之物品資訊管理方法，其中具有上述第2 SKU識別資訊之物品之銷售價格低於具有上述第1 SKU識別資訊之物品的銷售價格。
如請求項1之物品資訊管理方法，其中具有上述第2 SKU識別資訊之物品之銷售價格係基於具有上述第1 SKU識別資訊之物品的銷售個數而設定。
如請求項1之物品資訊管理方法，其中將具有上述第2 SKU識別資訊之物品之銷售價格設定成隨著時間之流逝而降低。
如請求項1之物品資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於分配給上述履行中心之第1營地之上述第2銷售期間到期之情形時，向與分配給上述第1營地之配送地地址資訊對應之用戶提供如下頁面，即，與分配有上述第2 SKU識別資訊之第1物品集之銷售結束相關之頁面。
如請求項1之物品資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於分配給上述履行中心之所有營地之上述第2銷售期間到期之情形時，產生分配有上述第2 SKU識別資訊之第1物品集之廢棄作業資訊。
如請求項1之物品資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認分配給上述履行中心之個別營地可收容之配送數量，基於上述可收容之配送數量來更新上述個別營地之上述第2銷售期間。
如請求項1之物品資訊管理方法，其中與上述第1清單對應之物品集之保存期限為預設期間以上。
如請求項1之物品資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>提供與分配有上述第1 SKU識別資訊之第1物品集之銷售結束相關之頁面。
一種電子裝置，其包括： <br/>記憶體，其儲存有至少一個程式；及 <br/>處理器； <br/>該處理器如下： <br/>執行上述至少一個程式，藉此 <br/>於履行中心中確認具有第1類型之SKU識別資訊之物品集之第1清單； <br/>基於上述第1清單而確認具有第1 SKU識別資訊之第1物品集，該第1物品集之所設定之第1銷售期間符合第1條件； <br/>對應於上述第1 SKU識別資訊，向上述第1物品集分配第2類型之第2 SKU識別資訊， <br/>其中將被分配至少一個配送地地址資訊之至少一個營地分配給上述履行中心， <br/>該處理器進而如下： <br/>針對分配給上述履行中心之個別營地，設定分配有上述第2 SKU識別資訊之上述第1物品集之第2銷售期間；且 <br/>上述第2銷售期間係基於分配給上述個別營地之至少一個配送地地址資訊、訂單配送方式及上述第1物品集之保存期限而設定。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以於電腦中執行電子裝置之物品資訊管理方法之程式， <br/>上述物品資訊管理方法包括如下步驟： <br/>於履行中心中確認具有第1類型之SKU識別資訊之物品集之第1清單； <br/>基於上述第1清單而確認具有第1 SKU識別資訊之第1物品集，該第1物品集之所設定之第1銷售期間符合第1條件；及 <br/>對應於上述第1 SKU識別資訊，向上述第1物品集分配第2類型之第2 SKU識別資訊， <br/>其中將被分配至少一個配送地地址資訊之至少一個營地分配給上述履行中心， <br/>上述物品資訊管理方法進而包括如下步驟： <br/>針對分配給上述履行中心之個別營地，設定分配有上述第2 SKU識別資訊之上述第1物品集之第2銷售期間；且 <br/>上述第2銷售期間係基於分配給上述個別營地之至少一個配送地地址資訊、訂單配送方式及上述第1物品集之保存期限而設定。
一種基板處理裝置，其具備有： <br/>處理容器，其對基板進行處理； <br/>處理氣體供給部，其供給對上述基板進行處理的處理氣體； <br/>處理氣體供給配管，其連接於上述處理氣體供給部與上述處理容器，而對上述處理容器供給上述處理氣體； <br/>排氣部，其設置於上述處理氣體供給配管； <br/>控制部，其能夠以從上述排氣部排出上述處理氣體供給配管內的殘留氣體之方式進行控制；及 <br/>檢測部，其檢測殘留在上述處理氣體供給配管之內部的殘留氣體； <br/>上述控制部對於從上述處理氣體供給配管排出殘留氣體的殘留氣體排氣時間進行測量，在上述殘留氣體排氣時間超過預先確定之臨限值時，進行排氣異常的通知。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述排氣部被設置於，上述處理氣體供給配管中之較上述處理氣體供給部側更靠近上述處理容器側的位置。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述排氣部具有：處理氣體排氣配管，其連接於上述處理氣體供給配管。
如請求項3之基板處理裝置，其中， <br/>上述處理氣體排氣配管具有：閥，其將上述處理氣體排氣配管加以開閉。
如請求項4之基板處理裝置，其中， <br/>上述閥係由能夠耐受上述處理氣體之溫度的材料所構成。
如請求項3之基板處理裝置，其中， <br/>上述處理氣體排氣配管係以金屬製而構成，並對內壁進行防止腐蝕的加工。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述基板處理裝置進而具備有：記憶部，其記憶上述臨限值； <br/>上述控制部藉由將從上述記憶部取得之上述臨限值與上述殘留氣體排氣時間進行比較，而進行異常判定。
如請求項7之基板處理裝置，其中， <br/>在從上述控制部已通知上述排氣異常的情況下，上述記憶部記憶上述排氣異常的履歷。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述基板處理裝置進而具備有：顯示部，其顯示上述基板的處理狀態； <br/>上述控制部在已被通知上述排氣異常的情況下，以在上述顯示部顯示上述排氣異常之方式進行控制。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>在上述殘留氣體排氣時間未滿上述臨限值的情況下，上述控制部不進行通知。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述排氣部能夠排出上述處理容器內的殘留氣體。
如請求項11之基板處理裝置，其中， <br/>上述控制部能夠控制上述排氣部，以排出上述處理容器內的殘留氣體。
一種基板處理方法，其具備有： <br/>將處理基板之處理氣體從連接於處理氣體供給配管之處理氣體供給部供給至處理上述基板之處理容器的步驟； <br/>在上述處理容器內處理上述基板的步驟； <br/>藉由設置於上述處理氣體供給配管之排氣部，將上述處理氣體供給配管內之殘留氣體從上述排氣部排氣的步驟；及 <br/>檢測殘留在上述處理氣體供給配管之內部的殘留氣體的步驟； <br/>在上述排氣的步驟中，進而具備有：對於從上述處理氣體供給配管排出殘留氣體的殘留氣體排氣時間進行測量的步驟、及在上述殘留氣體排氣時間超過預先確定之臨限值時進行排氣異常的通知的步驟。
如請求項13之基板處理方法，其中， <br/>上述排氣部被設置於，上述處理氣體供給配管中之較上述處理氣體供給部側更靠近上述處理容器側的位置， <br/>在上述排氣的步驟中，進而將上述處理容器內之殘留氣體從上述排氣部排氣。
一種半導體裝置之製造方法，其係具有如下步驟： <br/>將處理基板之處理氣體從連接於處理氣體供給配管之處理氣體供給部供給至處理上述基板之處理容器的步驟； <br/>在上述處理容器內處理上述基板的步驟； <br/>藉由設置於上述處理氣體供給配管之排氣部，將上述處理氣體供給配管內之殘留氣體從上述排氣部排氣的步驟；及 <br/>檢測殘留在上述處理氣體供給配管之內部的殘留氣體的步驟； <br/>在上述排氣的步驟中，進而具備有：對於從上述處理氣體供給配管排出殘留氣體的殘留氣體排氣時間進行測量的步驟、及在上述殘留氣體排氣時間超過預先確定之臨限值時進行排氣異常的通知的步驟。
如請求項15之半導體裝置之製造方法，其中， <br/>上述排氣部被設置於，上述處理氣體供給配管中之較上述處理氣體供給部側更靠近上述處理容器側的位置，在上述排氣的步驟中，進而從上述排氣部排出上述處理容器內的殘留氣體。
一種藉由電腦而使基板處理裝置執行程序之程式，上述程式被記錄於電腦可讀取之記錄媒體；其具有： <br/>將處理基板之處理氣體從連接於處理氣體供給配管之處理氣體供給部供給至處理上述基板之處理容器的程序； <br/>在上述處理容器內處理上述基板的程序； <br/>藉由設置於上述處理氣體供給配管之排氣部，將上述處理氣體供給配管內之殘留氣體從上述排氣部排氣的程序；及 <br/>檢測殘留在上述處理氣體供給配管之內部的殘留氣體的程序； <br/>在上述排氣的程序中，進而具備有：對於從上述處理氣體供給配管排出殘留氣體的殘留氣體排氣時間進行測量的程序、及在上述殘留氣體排氣時間超過預先確定之臨限值時進行排氣異常的通知的程序。
如請求項17之程式，其中， <br/>上述排氣部被設置於，上述處理氣體供給配管中之較上述處理氣體供給部側更靠近上述處理容器側的位置，在上述排氣的程序中，進而從上述排氣部排出上述處理容器內的殘留氣體。
一種顯示裝置，包含：<br/>像素部，包括像素；<br/>驅動器電路，被配置為驅動該像素部；及<br/>觸控面板，與該像素部重疊，<br/>其中，影像信號在第一時期中被寫入該像素，<br/>其中，基於該影像信號的影像在第二時期中顯示在該像素部中，且<br/>其中，該第二時期由從該觸控面板供給的作業信號終止。
如請求項1之顯示裝置，<br/>其中，該驅動器電路包括第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體及第五電晶體，<br/>其中，該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體及該第五電晶體的每一者包括在通道形成區中的氧化物半導體，<br/>其中，該第一電晶體的源極及汲極中的一者透過掃描線電連接至該像素，<br/>其中，該第一電晶體的該源極及該汲極中的另一者與該第二電晶體的源極及汲極中的一者電連接至第一佈線，<br/>其中，該第三電晶體的源極及汲極之一者電連接至該第四電晶體的源極及汲極之一者，<br/>其中，該第三電晶體的該源極及該汲極中的另一者電連接至該第五電晶體的源極及汲極之一者，<br/>其中，該第四電晶體的該源極及該汲極中的另一者電連接至該第五電晶體的該源極及該汲極中的另一者，<br/>其中，該第四電晶體的閘極電連接至第二佈線，且<br/>其中，該第五電晶體的閘極電連接至第三佈線。
如請求項2之顯示裝置，<br/>其中，該第一佈線被配置為提供第一時脈信號，<br/>其中，該第二佈線被配置為提供第二時脈信號，且<br/>其中，該第三佈線被配置為提供第三時脈信號。
一種顯示裝置，包含：<br/>像素部，包括像素；<br/>驅動器電路，被配置為驅動該像素部；及<br/>觸控面板，與該像素部重疊，<br/>其中，影像信號在第一時期被寫入該像素，<br/>其中，基於該影像信號的影像在第二時期中顯示在該像素部中，<br/>其中，該第二時期由從該觸控面板提供的作業信號終止，<br/>其中，該像素包括電晶體，該電晶體包含：<br/>閘極電極；<br/>閘極絕緣膜，在該閘極電極之上；<br/>氧化物半導體膜，在該閘極絕緣膜之上；<br/>源電極，在該氧化物半導體膜之上；<br/>汲極電極，在該氧化物半導體膜之上；<br/>氧化矽膜，在該氧化物半導體膜、該源電極及該汲極電極之上；及<br/>氮化矽膜，在該氧化矽膜之上，<br/>其中，該電晶體包括在該氧化物半導體膜中的通道形成區，且<br/>其中，該氧化物半導體膜包括銦、鎵及鋅。
如請求項1或4之顯示裝置，其中，該驅動器電路的驅動頻率根據從該觸控面板供給的該作業信號而改變。
如請求項1或4之顯示裝置，其中，在該像素部中的靜止影像的顯示長度根據從該觸控面板供給的該作業信號而改變。
如請求項1或4之顯示裝置，其中，當在該像素部中顯示靜止影像時的該驅動器電路的驅動頻率低於當在該像素部顯示移動影像時的該驅動器電路的驅動頻率。
如請求項1或4之顯示裝置，其中，在該第二期間，基於該影像信號的該影像是靜止影像。
一種調整光罩變形的方法，包括： <br/>(a) 檢查是否儲存有一第一影像，該第一影像為在一光罩與一晶圓接觸前一結構光照射在該光罩的表面上的影像；若無，則將該結構光照射在該光罩的表面上，並擷取該結構光照射在該光罩的表面上所形成的圖案的影像作為該第一影像； <br/>(b) 將一晶圓放置在一承載台上，並使承載台移動到一光罩下方； <br/>(c) 將該承載台往上方移動，讓該晶圓與該光罩相接觸，以使該光罩靠近該結構光的表面上形成一外凸圖案，並擷取該結構光照射在該光罩的表面上所形成的影像作為一第二影像； <br/>(d) 使用一運算裝置比較該第一影像與該第二影像的差異；及 <br/>(e) 根據該第一影像與該第二影像的差異，該運算裝置調整該承載台，以使該光罩的變形小於一預定範圍。
如請求項1所述之調整光罩變形的方法，其中該結構光為一條紋光。
如請求項1或請求項2所述之調整光罩變形的方法，其中該結構光是將一光源照射在一光柵後而產生。
如請求項1或請求項2所述之調整光罩變形的方法，其中該結構光是將一光源照射在一空間光調製器後經空間光調製器調製而產生。
一種調整光罩變形的系統，用於檢測一光罩是否變形，該光罩變形檢測系統包括： <br/>一結構光源，適於產生一結構光，並將該結構光照射在該光罩的表面上； <br/>一影像拍攝裝置，適於拍攝該結構光照射在該光罩的表面上的影像；及 <br/>一運算裝置，電性連接到該影像拍攝裝置； <br/>其中，該影像拍攝裝置被設置為： <br/>在該光罩與一晶圓接觸前儲存該結構光照射在該光罩的表面上的影像為一第一影像； <br/>在該光罩與該晶圓接觸後並在該光罩呈現一外凸圖案，儲存該結構光照射在該光罩的表面上的影像為一第二影像； <br/>其中，該晶圓是放置在一承載台上； <br/>其中，該運算裝置根據該第一影像與該第二影像的差異來調整該承載台的高度，以使該光罩的變形小於一預定範圍。
如請求項5所述之調整光罩變形的系統，其中該結構光源包括一光源與一光柵，其中該結構光是將一光源照射在一光柵後而產生。
如請求項5或請求項6所述之調整光罩變形的系統，其中該結構光為一條紋光。
如請求項5所述之調整光罩變形的系統，其中該結構光源包括一光源與一空間光調製器，其中該結構光是將一光源照射在一空間光調製器後經空間光調製器調製而產生。
一種形成一不均勻或梯度介電性質元件之方法，該方法包括以下步驟：<br/> 提供複數種基於溶液之原料，其中每一種原料包括一有機基質，其中該等原料中之至少一者包括分散於該有機基質中之一奈米顆粒填充劑，其中該奈米顆粒填充劑具有一表面化學塗料，該表面化學塗料修飾該等原料中之該至少一者之一光起始聚合性質，該複數種原料包含具有一第一光敏感性實體之一第一墨水作為一第一原料及具有其他光敏感性實體之一或多種額外原料，該等第一及額外原料具有至少一個不同光敏吸收頻帶，以使得電磁(EM)輻射的光譜離散曝露產生該等第一及額外原料之不同固化度；<br/> 沉積該複數種原料在一或多個層中；<br/> 提供一電磁(EM)源，該電磁(EM)源被組配來使該複數種原料中之一或多者聚合；及<br/> 藉由施加該EM源至該複數種原料使該複數種原料中之至少一部分固化，其中沉積及後續固化產生其中在該一或多個層內或之間，複雜介電性質有所不同的區域。
如請求項1所述之方法，其中該EM源在空間上經圖案化。
如請求項1所述之方法，其中該EM源為射頻(RF)、微波、或毫米波中之一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者包括具有不同吸收波長頻帶之共單體，從而可藉由將其與該有機基質混合來產生一系列固化波長頻帶。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者包括一可調諧的光起始劑，可藉由調整其結構及/或藉由施加外部刺激來進行調整以便在不同波長頻帶上吸收光。
如請求項1所述之方法，其中該奈米顆粒填充劑用該表面化學塗料來塗佈以便控制該奈米顆粒與該有機基質之間的光敏性質。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者包括藉由一染料、顏料、發色團、分子、功能性部分，及/或奈米顆粒來修飾之一單體，以便在一特定波長頻帶中吸收光，然後將能量轉移至該單體以便起始固化，由此根據波長來改變該固化之一敏感性。
如請求項1所述之方法，其中該第一原料或該等額外原料在沉積至一基材上作為該一或多個層之前進行熱預處理。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料包括一或多種射頻(RF)可固化單體，包括微波及毫米波RF可固化單體。
如請求項1所述之方法，其中藉由施加該EM源，該複數種原料中之一或多者使用熱固化、IR光學固化、RF固化、及UV固化中之一或多者之一組合來固化。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者需要在兩個實質上不重疊波長頻帶中進行光起始。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者包括一光起始劑，該光起始劑需要一共起始劑或氫供體以便在UV照射後產生反應性物質。
如請求項1所述之方法，其中該固化經由可在200至500nm光譜區域中固化的一或多個類型1或類型2光起始劑來達成。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者之一光起始劑被組配為以一波長長於700 nm之輻射進行固化，並且包括以下中之一或多者：花青染料、雙(醯基)氧化膦(BAPO)、一碘鎓鹽、三芳基胺衍生物、一吡啶鎓鹽、碳量子點(CQD)、摻雜量子點、雙(二苯基膦)苯二氟化硼(BDP-BF2)、基於噻噸酮之NIR光起始劑(TTX-NIR)或一氧化膦衍生物。
如請求項1所述之方法，其中使該複數種原料之至少該部分固化之步驟包括以下步驟：向至少該部分施加一電場，以便使其中之一或多個奈米顆粒偶極子對準。
如請求項1所述之方法，其中沉積該複數種原料的步驟包含使該複數種原料中之一或多者之沉積圖案化，其藉由具有特定官能基之自組裝單層(SAM)來促進，該等官能基用於控制表面能、可濕性，及/或附著。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者不可與其他原料中之一或多者混合。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者為疏水性的。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者具有與該複數種原料中之其他原料中之一或多者之偏振的差異達10%的偏振。
如請求項1所述之方法，其中該複數種原料中之一或多者之固化導致在一頻率範圍內的該原料之EM性質或特性之一變化，包括複雜介電性質、或相關參數諸如折射率、滲透率、電容率、及損耗因子之變化。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包括以下步驟：在沉積後續層之前，移除一或多種未聚合原料、未聚合原料之成分、或溶劑。
一種天線裝置，包含： 一迴路天線，該迴路天線的一第一端耦接於一饋入端，該迴路天線的一第二端耦接於一接地端；<br/> 一被動輻射元件，該被動輻射元件的一第一端耦接於該饋入端，該被動輻射元件的一第二端具有一耦合段，其中該耦合段與該迴路天線的至少一部分實質上相互平行，且具有一第一間隔，以形成一耦合電容；<br/> 一基板，其中該迴路天線及該被動輻射元件設置於該基板的一第一側面，且該迴路天線包含一饋入段、一接地段及一輻射段；<br/> 一第一貼片天線，設置於該基板的一第二側面上對應於該饋入段的位置，用以當該天線裝置傳輸一第一頻率訊號時頻率響應，其中該第一頻率訊號的頻率介於4000-6000赫茲之間；以及<br/> 其中該第一貼片天線的一第一部份與該饋入段相重疊，該第一貼片天線的一第二部份與該饋入段不相重疊，且該第一部份及該第二部份的一面積比例介於1.5～2.5之間。
一種天線裝置，包含：<br/> 一迴路天線，該迴路天線的一第一端耦接於一饋入端，該迴路天線的一第二端耦接於一接地端；<br/> 一被動輻射元件，該被動輻射元件的一第一端耦接於該饋入端，該被動輻射元件的一第二端具有一耦合段，其中該耦合段與該迴路天線的至少一部分實質上相互平行，且具有一第一間隔，以形成一耦合電容；<br/> 一基板，其中該迴路天線及該被動輻射元件設置於該基板的一第一側面，且該迴路天線包含一饋入段、一接地段及一輻射段；以及<br/> 一第二貼片天線，設置於該基板的一第二側面上對應於該輻射段的位置，用以當該天線裝置傳輸一第二頻率訊號時頻率響應，其中該第二頻率訊號的頻率介於2500～3000赫茲之間。
如請求項2所述之天線裝置，其中該第二貼片天線的一第一部份與該輻射段相重疊，該第二貼片天線的一第二部份與該輻射段不相重疊，且該第一部份及該第二部份的一面積比例介於0.8～1.2之間。
一種天線裝置，包含：<br/> 一迴路天線，包含一接地段、一饋入段及一輻射段，其中該接地段耦接於一接地端、該饋入段耦接於一饋入端，該輻射段耦接於該接地段及該饋入段之間，且具有一耦合部；以及<br/> 一電感元件，該電感元件的一第一端耦接於該饋入端，該電感元件的一第二端具有一耦合段，其中該耦合段的一延伸方向與該耦合部的一延伸方向相同，以在該電感元件及該迴路天線之間形成一耦合電容。
如請求項4所述之天線裝置，其中該饋入段與該耦合部之間具有一第一連接角度，以形成一配置空間，該電感元件設置於該配置空間中。
如請求項4所述之天線裝置，其中該耦合部及該耦合段之間具有一第一間隔，該第一間隔與該耦合段之一寬度間的比例介於0.4～2之間。
如請求項4所述之天線裝置，其中該耦合段與該饋入段之間的一第二間隔介於6～13毫米之間。
如請求項4所述之天線裝置，還包含：<br/> 一基板，其中該迴路天線及該電感元件設置於該基板的一第一側面；以及<br/> 一第一貼片天線，設置於該基板的一第二側面上對應於該饋入段的位置，用以當該天線裝置傳輸一第一頻率訊號時頻率響應，其中該第一頻率訊號的頻率介於4000-6000赫茲之間。
如請求項8所述之天線裝置，其中該第一貼片天線的一第一部份與該饋入段相重疊，該第一貼片天線的一第二部份與該饋入段不相重疊，且該第一部份及該第二部份的一面積比例介於1.5～2.5之間。
如請求項4所述之天線裝置，還包含： 一基板，其中該迴路天線及該電感元件設置於該基板的一第一側面；以及<br/> 一第二貼片天線，設置於該基板的一第二側面上對應於該輻射段的位置，用以當該天線裝置傳輸一第二頻率訊號時頻率響應，其中該第二頻率訊號的頻率介於2500～3000赫茲之間。
一種形成半導體元件的閘極側壁結構的方法，包括： <br/>接收一工作件，該工作件包括一元件區域及與該元件區域相鄰的一連接件區域，該元件區域具有從一基板突出並且沿著一第一方向延伸的一鰭形主動區域； <br/>形成與該鰭形主動區域相交的一閘電極，其中，在一俯視圖中，該閘電極包括一主要部分和一輔助部分，該主要部分沿著垂直於該第一方向的一第二方向延伸，該輔助部分位於該元件區域中並且從該主要部分橫向延伸； <br/>執行處理以將該閘電極的該輔助部分和該主要部分的一側部轉化為一第一介電間隔件； <br/>在該元件區域中形成與該第一介電間隔件相鄰的一源極/汲極元件； <br/>選擇性地去除該閘電極的該主要部分的一剩餘部分以形成一閘極溝槽；以及 <br/>在該閘極溝槽中形成一閘極結構； <br/>在該連接件區域中形成一閘極隔離結構，以將該閘極電極切成多個部分。
如請求項1所述的形成方法，其中，該處理的執行包括氧化該閘電極的該輔助部分和該主要部分的該側部，並且其中，該第一介電間隔件包括氧化矽或氮氧化矽。
如請求項1所述的形成方法，更包括： <br/>在形成該閘電極之前，在該工作件上方共形地形成一犧牲介電層， <br/>其中，該閘電極的形成包括： <br/>在該犧牲介電層上方沉積一虛擬導電材料層； <br/>對該虛擬導電材料層執行一平坦化製程； <br/>在平坦化的該虛擬導電材料層上形成一圖案化光罩；以及 <br/>選擇性地蝕刻該平坦化的該虛擬導電材料層，而不蝕刻該犧牲介電層。
如請求項3所述的形成方法，更包括： <br/>在形成該閘極溝槽之後，選擇性地去除由該閘極溝槽暴露的該犧牲介電層的部分以延伸該閘極溝槽， <br/>其中，該閘極結構形成在延伸的該閘極溝槽中。
如請求項3所述的形成方法，更包括： <br/>在執行該處理之後，形成沿著該第一介電間隔件和該圖案化光罩的一側壁表面延伸的一第二介電間隔件。
如請求項1所述的形成方法，其中，該連接件區域包括一隔離元件，該隔離元件位於該基板上並且與該鰭形主動區域的一底部直接接觸，並且其中，在該俯視圖中，該閘電極的該主要部分延伸到該連接件區域中， <br/>其中，該方法更包括： <br/>在形成該源極/汲極元件之後，用一介電層替換該連接件區域中的該閘電極的該主要部分的至少一部分。
如請求項6所述的形成方法，更包括： <br/>在執行該處理之前，減小沿著該第一方向的該連接件區域中的該閘電極的該主要部分的一長度。
如請求項1所述的形成方法，其中，該第一介電間隔件包括不均勻的一厚度。
一種形成半導體元件的閘極側壁結構的方法，包括： <br/>在一第一鰭形主動區域上方沉積一虛擬閘極材料層； <br/>圖案化該虛擬閘極材料層以形成一虛擬閘極電極，其中，該虛擬閘極電極在該第一鰭形主動區域和該虛擬閘極電極之間的一介面處具有一基腳特徵； <br/>氧化該基腳特徵和該虛擬閘極電極的一側壁部分以形成一介電閘極間隔件；以及 <br/>用一閘極結構替換該虛擬閘極電極的一剩餘部分。
一種半導體結構，包括： <br/>複數個源極/汲極元件，耦接至一鰭的一通道區域； <br/>一閘極結構，位於一基板上方並且包括直接設置在該通道區域上方的一第一部分和緊鄰該第一部分的一第二部分； <br/>一第一閘極間隔件，包括沿著該閘極結構的該第一部分的一側壁表面延伸的一第一部分以及沿著該閘極結構的該第二部分的一側壁表面延伸的一第二部分， <br/>其中，在穿過該閘極結構的該第二部分而不穿過該通道區域切割的一截面視圖中，該第一閘極間隔件的該第二部分包括不均勻的厚度；<br/> 一連接件區域，該連接件區域中有一閘極隔離結構，其中，該閘極結構被該閘極隔離結構切割成兩個或多個部分。
一種衝擊工具，包括具有馬達軸的馬達，所述衝擊工具包括： <br/>工具殼體，其中所述馬達設置在所述工具殼體中； <br/>鼻殼體，其聯接到所述工具殼體； <br/>前馬達軸承，其設置在所述馬達軸的前部； <br/>齒輪架，其延伸到所述鼻殼體中，並具有接收所述前馬達軸承的前馬達軸承凹部、和齒輪架外軸承表面； <br/>環形齒輪軸承，其設置在所述齒輪架外軸承表面上；以及 <br/>環形齒輪，其具有相對的第一環形齒輪端部和第二環形齒輪端部、設置在所述第一環形齒輪端部附近且適於接收所述環形齒輪軸承的環形齒輪軸承凹部，其中，所述第二環形齒輪端部設置在所述鼻殼體中並且由所述鼻殼體支撐，並且所述前馬達軸承和所述環形齒輪軸承徑向重疊。
如請求項1所述的衝擊工具，其中所述齒輪架包括圍繞所述前馬達軸承凹部的齒輪架內軸承表面，並且所述前馬達軸承的外徑與所述齒輪架內軸承表面接合。
如請求項1所述的衝擊工具，其中所述環形齒輪包括圍繞所述環形齒輪軸承凹部的環形齒輪內軸承表面，所述環形齒輪軸承的外徑與所述環形齒輪內軸承表面接合，並且所述環形齒輪軸承的內徑與所述齒輪架外軸承表面接合。
如請求項1所述的衝擊工具，其中所述齒輪架包括相對的第一齒輪架端部和第二齒輪架端部，所述前馬達軸承凹部形成在所述第一齒輪架端部中，並且所述第二齒輪架端部設置在所述鼻殼體中。
如請求項1所述的衝擊工具，其中所述環形齒輪軸承凹部形成在所述環形齒輪的靠近所述第一環形齒輪端部的內表面中。
如請求項5所述的衝擊工具，其中所述環形齒輪包括在所述環形齒輪的靠近所述第二環形齒輪端部的外部表面上的突起，並且所述鼻殼體包括佈置在所述鼻殼體的內表面中的凹槽，所述凹槽適於匹配地接合所述突起。
如請求項1所述的衝擊工具，其中所述工具殼體包括具有向內突出的馬達肋的內表面，所述馬達肋鄰接並支撐所述馬達的外部表面。
如請求項1所述的衝擊工具，其還包括設置在所述馬達軸的後部上的後馬達軸承，其中所述工具殼體包括具有後馬達軸承腔的內表面，所述後馬達軸承設置在所述後馬達軸承腔中。
如請求項1所述的衝擊工具，其還包括聯接在所述馬達的後面的馬達控制電子器件。
一種衝擊工具，包括： <br/>工具殼體，其包括內表面，所述內表面具有形成在所述內表面中的後馬達軸承腔； <br/>馬達，其設置在所述工具殼體中，並且包括具有前部和後部的馬達軸； <br/>前馬達軸承，其設置在所述前部上； <br/>後馬達軸承，其設置在所述後部上，其中所述後馬達軸承設置在所述後馬達軸承腔中；以及 <br/>鼻殼體，其聯接到所述工具殼體，其中所述工具殼體的所述內表面包括向內突出的鼻殼體肋，所述鼻殼體肋鄰接並支撐所述鼻殼體的外部表面。
如請求項10所述的衝擊工具，其還包括聯接在所述馬達的後面的馬達控制電子器件。
如請求項10所述的衝擊工具，其還包括聯接至所述前馬達軸承的齒輪架。
如請求項10所述的衝擊工具，其中所述工具殼體的所述內表面包括向內突出的肋，所述肋鄰接並支撐所述馬達的外部表面。
如請求項10所述的衝擊工具，其中所述馬達為無框架馬達。
如請求項10所述的衝擊工具，其中所述工具殼體包括第一殼體部分和第二殼體部分，所述第一殼體部分和所述第二殼體部分聯接在一起以協作地形成所述工具殼體。
如請求項10所述的衝擊工具，其還包括聯接至所述前馬達軸承的齒輪架、和具有相對的第一環形齒輪端部和第二環形齒輪端部的環形齒輪，其中所述第一環形齒輪端部支撐所述齒輪架的外部，並且所述第二環形齒輪端部設置在所述鼻殼體中且由所述鼻殼體支撐。
如請求項16所述的衝擊工具，其還包括聯接至所述鼻殼體的鼻襯套。
如請求項17所述的衝擊工具，其中所述鼻襯套包括內部密封件和潤滑劑槽。
一種衝擊工具，包括： <br/>工具殼體，其包括內表面，所述內表面具有形成在所述內表面中的後馬達軸承腔、向內突出的馬達肋、以及向內突出的鼻殼體肋； <br/>馬達，其設置在所述工具殼體中，並且包括馬達軸和具有外部定子表面的定子，其中，所述馬達肋鄰接所述外部定子表面； <br/>後馬達軸承，其設置在所述馬達軸上並設置在所述後馬達軸承腔中，其中所述後馬達軸承腔和所述馬達肋協同地使所述馬達在所述工具殼體中對準；以及 <br/>鼻殼體，其聯接到所述工具殼體，並且包括鼻殼體外部表面，其中所述鼻殼體肋鄰接所述鼻殼體外部表面且將所述鼻殼體與所述馬達對準。
如請求項19所述的衝擊工具，其中所述馬達肋限制所述馬達相對於所述工具殼體的徑向移動。
如請求項19所述的衝擊工具，其中所述工具殼體的所述內表面還包括由相對側表面形成的凹部，並且所述定子的凸緣設置在所述凹部中。
如請求項21所述的衝擊工具，其中所述相對側表面限制所述馬達相對於所述工具殼體的軸向移動。
如請求項19所述的衝擊工具，其中所述工具殼體的所述內表面還包括防轉肋，所述防轉肋限制所述定子相對於所述工具殼體的旋轉運動。
如請求項19所述的衝擊工具，其中所述工具殼體包括第一殼體部分和第二殼體部分，所述第一殼體部分和所述第二殼體部分聯接在一起以協作地形成所述工具殼體。
一種輥壓裝置，包括至少一個輥對和安全裝置，所述輥對具有兩個共同作用的輥，其中所述安全裝置具有液壓蓄能器和測量裝置，其中所述液壓蓄能器具有儲存器，所述儲存器具有第一儲存空間和第二儲存空間，其中在所述第一儲存空間中設置有液壓液體，其中在所述第二儲存空間中設置有可壓縮的氣體，其中所述液壓蓄能器具有可運動地設置的分隔件，所述分隔件將所述第一儲存空間與所述第二儲存空間介質密封地分隔，其中所述輥對具有工作位置和安全位置，其中輥之間的徑向間距在所述安全位置中相較於在所述工作位置中更大，其中所述液壓蓄能器配置成作用到所述輥對上，以便使所述輥對從所述工作位置運動到所述安全位置中，其特徵在於，所述測量裝置配置成連續地檢測所述分隔件在所述液壓蓄能器內的位置，其中將所述分隔件在所述液壓蓄能器內的位置與所述分隔件的預設的參考位置連續地比較，其中由測量出的位置與預設的參考位置的偏差能夠確定所述安全裝置的功能性。
根據請求項1所述的輥壓裝置，其特徵在於，所述測量裝置配置為機械的行程測量系統。
根據請求項1或請求項2的輥壓裝置，其特徵在於，所述液壓蓄能器構成為活塞式蓄能器，其中所述分隔件構成為活塞。
根據請求項1或請求項2所述的輥壓裝置，其特徵在於，所述液壓蓄能器構成為氣囊式蓄能器，其中所述分隔件構成為氣囊。
根據請求項1或請求項2所述的輥壓裝置，其特徵在於，所述液壓蓄能器構成為膜片式蓄能器，其中所述分隔件構成為膜片。
根據請求項1或請求項2所述的輥壓裝置，其特徵在於，所述第一儲存空間關聯有出口閥，其中所述出口閥能夠在打開位置和關閉位置之間切換。
根據請求項1或請求項2所述的輥壓裝置，所述輥壓裝置設計為用於加工彈性體材料的輥壓裝置。
一種用於監控根據上述請求項中任一項所述的輥壓裝置的安全裝置的功能性的方法，其中通過改變第一儲存空間和第二儲存空間之間的相對壓力使所述分隔件運動，其特徵在於，連續地測量所述分隔件在所述液壓蓄能器內的位置並且與所述分隔件的預設的參考位置連續地比較，其中由測量出的位置與預設的參考位置的偏差能夠確定所述安全裝置的功能性。
根據請求項8所述的方法，其特徵在於，在正常運行中求取所述參考位置。
一種塗布機控制方法，其特徵在於，應用於塗布機，所述方法包括：在所述塗布機進行漿料塗布的過程中，獲取目標檢測區域中的漿料對應的檢測面密度；將所述檢測面密度，以及所述目標檢測區域對應的目標面密度輸入訓練好的塗布控制模型，透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊；其中，所述塗布控制模型，是透過所述塗布機對應的第一樣本資料集進行深度學習訓練得到的模型；所述第一樣本資料集包括多組第一樣本資訊，每組第一樣本資訊分別包括第一樣本塗布設置資訊及所述第一樣本塗布設置資訊對應的第一樣本面密度；根據所述塗布設置資訊，對所述塗布機進行調節，以使調節後的所述塗布機在進行漿料塗布的過程中，所述目標檢測區域中的漿料符合所述目標面密度，在所述將所述檢測面密度，以及所述目標檢測區域對應的目標面密度輸入訓練好的塗布控制模型，透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊之後，所述方法還包括：根據初始增益參數、增益步長與所述塗布設置資訊，確定當前增益參數，其中在符合所述目標面密度的情況下選取所述增益步長和所述初始增益參數；根據所述當前增益參數，以及所述檢測面密度與所述目標面密度之間的面密度誤差資料，計算得到反覆運算增益參數，所述反覆運算增益參數用於對所述塗布控制模型進行參數調整。
如請求項1所述的方法，其中，所述塗布設置資訊至少包括電機位置資訊、泵速資訊以及間隙資訊中的一種或多種，以及所述間隙資訊用於表示所述塗布機控制的塗布模頭與相應的背輥之間的間隙距離。
如請求項1所述的方法，其中，所述透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊，包括：根據所述檢測面密度，以及所述目標面密度，計算得到面密度誤差資料；基於所述面密度誤差資料，以及所述塗布機對應的當前設置資訊，透過所述塗布控制模型進行閉環模擬，得到塗布設置資訊。
如請求項3所述的方法，其中，所述塗布控制模型包括塗布子模型以及控制子模型，所述目標面密度包括目標面密度區間，所述基於所述面密度誤差資料，以及所述塗布機對應的當前設置資訊，透過所述塗布控制模型進行閉環模擬，得到塗布設置資訊，包括：將所述面密度誤差資料，以及所述塗布機對應的當前設置資訊，輸入所述控制子模型，透過所述控制子模型確定類比設置資訊；將所述類比設置資訊輸入所述塗布子模型，透過所述塗布子模型確定類比面密度；若所述類比面密度符合所述目標面密度區間，則將所述類比設置資訊確定為塗布設置資訊；若所述類比面密度不符合所述目標面密度區間，則將所述類比面密度作為新的檢測面密度，將所述類比設置資訊作為新的當前設置資訊，並重新執行所述根據所述檢測面密度，以及所述目標面密度，計算得到面密度誤差資料的步驟，直至重新獲取的類比面密度符合所述目標面密度為止。
如請求項1所述的方法，其中，所述塗布控制模型包括塗布子模型，所述方法還包括：在所述塗布機進行漿料塗布的過程中，獲取所述塗布機對應的多個第一樣本塗布設置資訊，以及各個所述第一樣本塗布設置資訊分別對應的第一樣本面密度，並將各個所述第一樣本塗布設置資訊及相應的第一樣本面密度添加至第一樣本資料集；其中，所述第一樣本塗布設置資訊對應的第一樣本面密度，用於表示在所述塗布機基於所述第一樣本塗布設置資訊進行漿料塗布的情況下，所述目標檢測區域中的漿料對應的面密度；將所述第一樣本資料集輸入待訓練的塗布子模型，以使所述待訓練的塗布子模型對所述第一樣本資料集進行擬合，收斂得到訓練好的塗布子模型。
如請求項5所述的方法，其中，所述塗布控制模型還包括控制子模型，在所述將所述第一樣本資料集輸入待訓練的塗布子模型，以使所述塗布子模型對所述第一樣本資料集進行擬合，收斂得到訓練好的塗布子模型之後，所述方法還包括：根據所述第一樣本資料集以及所述目標面密度，生成樣本誤差資料集，所述樣本誤差資料集包括多組樣本誤差資訊，每組樣本誤差資訊分別包括第一樣本塗布設置資訊、所述第一樣本塗布設置資訊對應的第一樣本面密度，以及所述第一樣本面密度與所述目標面密度之間的樣本面密度誤差；將所述樣本誤差資料集輸入待訓練的控制子模型，以使所述待訓練的控制子模型基於所述訓練好的塗布子模型，對所述塗布機對應的當前設置資訊與下一設置資訊之間的函數關係進行反覆運算學習，得到訓練好的控制子模型。
如請求項1所述的方法，其中，在所述根據所述塗布設置資訊，對所述塗布機進行調節之後，所述方法還包括：若調節後的所述塗布機在進行漿料塗布的過程中，所述目標檢測區域中的漿料不符合所述目標面密度，則獲取所述目標檢測區域對應的歷史面密度資料；根據所述歷史面密度資料以及所述目標面密度，計算得到歷史誤差資料；在所述歷史誤差資料不符合漿料穩定條件的情況下，獲取所述塗布機在進行漿料塗布過程中對應的多個第二樣本塗布設置資訊，以及各個所述第二樣本塗布設置資訊分別對應的第二樣本面密度，並將各個所述第二樣本塗布設置資訊及相應的第二樣本面密度添加至第二樣本資料集；透過所述第二樣本資料集更新所述塗布控制模型。
如請求項1所述的方法，其中，在所述在所述塗布機進行漿料塗布的過程中，獲取目標檢測區域中的漿料對應的檢測面密度之前，所述方法還包括：回應於控制策略選擇指令，在所述控制策略選擇指令為半自動指令的情況下，獲取輸入的主動調節資訊；根據所述主動調節資訊，對所述塗布機進行調節。
如請求項1所述的方法，其中，在所述在所述塗布機進行漿料塗布的過程中，獲取目標檢測區域中的漿料對應的檢測面密度之前，所述方法還包括：回應於控制策略選擇指令，在所述控制策略選擇指令為全自動指令的情況下，獲取輸入的調節時間上限；所述透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊，包括：在未到達所述調節時間上限的情況下，獲取所述塗布控制模型輸出的塗布設置資訊；在已到達所述調節時間上限，且當前類比面密度不符合所述目標面密度的情況下，獲取所述塗布控制模型輸出的與所述當前類比面密度對應的當前類比設置資訊，作為塗布設置資訊；其中，所述當前類比面密度及所述當前類比面密度對應的當前類比設置資訊，為所述塗布控制模型在進行閉環模擬的過程中，在到達所述調節時間上限之前所得到的最新一組模擬資訊。
如請求項9所述的方法，其中，在所述將所述檢測面密度，以及所述目標檢測區域對應的目標面密度輸入訓練好的塗布控制模型，透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊之前，所述方法還包括：在所述塗布機進行漿料塗布的過程中，若塗布控制模型未完成訓練，則基於預設電機設置方式對所述塗布機進行調節，並獲取所述塗布機在進行漿料塗布過程中對應的多個第一樣本塗布設置資訊，以及各個所述第一樣本塗布設置資訊分別對應的第一樣本面密度，作為所述塗布機對應的第一樣本資料集，所述第一樣本資料集用於對待訓練的塗布控制模型進行深度學習訓練；所述將所述檢測面密度，以及所述目標檢測區域對應的目標面密度輸入訓練好的塗布控制模型，透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊，包括：在所述塗布控制模型已完成訓練的情況下，將所述檢測面密度，以及所述目標檢測區域對應的目標面密度輸入訓練好的塗布控制模型，透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊。
一種塗布機控制裝置，其特徵在於，應用於塗布機，所述塗布機控制裝置包括：檢測單元，用於在所述塗布機進行漿料塗布的過程中，獲取目標檢測區域中的漿料對應的檢測面密度；模型控制單元，用於將所述檢測面密度以及所述目標檢測區域對應的目標面密度輸入訓練好的塗布控制模型，透過所述塗布控制模型確定塗布設置資訊；其中，所述塗布控制模型是透過所述塗布機對應的第一樣本資料集進行深度學習訓練得到的模型；所述第一樣本資料集包括多組第一樣本資訊，每組第一樣本資訊分別包括第一樣本塗布設置資訊及所述第一樣本塗布設置資訊對應的第一樣本面密度；以及塗布調節單元，用於根據所述塗布設置資訊，對所述塗布機進行調節，以使調節後的所述塗布機在進行漿料塗布的過程中，所述目標檢測區域中的漿料符合所述目標面密度，其中所述模型控制單元進一步根據初始增益參數、增益步長與所述塗布設置資訊，確定當前增益參數，其中在符合所述目標面密度的情況下選取所述增益步長和所述初始增益參數；以及根據所述當前增益參數，以及所述檢測面密度與所述目標面密度之間的面密度誤差資料，計算得到反覆運算增益參數，所述反覆運算增益參數用於對所述塗布控制模型進行參數調整。
一種塗布機，其特徵在於，包括記憶體及處理器，所述記憶體中存儲有電腦程式，所述電腦程式被所述處理器執行時，使得所述處理器實現如請求項1至10任一項所述的方法。
一種腔內維持裝置，包括： <br/>載物台模組，包括： <br/>載物台主體，位於具有中空內部的腔室中； <br/>XY載物台，位於所述載物台主體的上部表面上且可在彼此垂直的X軸及Y軸上移動；以及 <br/>第一驅動部分，經組態以驅動所述XY載物台；以及 <br/>夾持器模組，包括： <br/>夾持器主體，耦接至所述XY載物台的上部表面； <br/>夾持部分，由所述夾持器主體支撐且經組態以相對於垂直於所述X軸及所述Y軸的Z軸上下移動及旋轉以插入至所述中空內部中；以及 <br/>第二驅動部分，經組態以驅動所述夾持部分。
如請求項1所述的腔內維持裝置，其中所述第一驅動部分經組態以在其上安置有所述XY載物台的X-Y平面上在所述X軸及所述Y軸上水平移動所述XY載物台，且沿著所述Z軸上下移動所述載物台主體。
如請求項2所述的腔內維持裝置，其中： <br/>所述載物台模組包含在第一載物台主體的下部端與第二載物台主體的上部端相接的圓周上平行於所述Z軸延伸的第一驅動軸；以及 <br/>所述第一載物台主體經組態以藉由所述第一驅動軸上下移動，以便與所述第二載物台主體分離或耦接至所述第二載物台主體。
如請求項1所述的腔內維持裝置，其中所述載物台模組包括經組態以量測所述載物台模組的位置的第一感測器。
如請求項1所述的腔內維持裝置，其中所述夾持器模組包括在所述Z軸上延伸且連接所述夾持器主體及所述夾持部分的第二驅動軸。
如請求項5所述的腔內維持裝置，其中所述第二驅動軸在所述Z軸上延伸以支撐所述夾持部分，且經組態以被驅動以相對於所述Z軸上下移動及旋轉。
如請求項1所述的腔內維持裝置，其中所述夾持部分包括在平行於其上安置有所述XY載物台的X-Y平面的延伸方向上延伸的第一工作部分及第二工作部分。
如請求項7所述的腔內維持裝置，其中所述第一工作部分及所述第二工作部分在所述延伸方向上具有可調整長度，使得可調整所述第一工作部分與所述第二工作部分之間的間距。
如請求項1所述的腔內維持裝置，其中所述夾持器模組包含位於所述夾持器主體的下部表面上的第二感測器。
如請求項9所述的腔內維持裝置，其中所述第二感測器經組態以量測所述夾持器主體與所述夾持器主體下方的物件之間的間隔或距離。
如請求項9所述的腔內維持裝置，其中所述第二感測器為視覺感測器及位移感測器中的至少一者。
一種腔內維持裝置，包括： <br/>載物台模組，包括： <br/>載物台主體，位於具有開口且具有中空內部的腔室中； <br/>XY載物台，位於所述載物台主體的上部表面上且可在彼此垂直的X軸及Y軸上移動；以及 <br/>第一驅動部分，經組態以驅動所述XY載物台； <br/>夾持器模組，包括： <br/>夾持器主體，耦接至所述XY載物台的上部表面； <br/>夾持部分，由所述夾持器主體支撐且經組態以相對於垂直於所述X軸及所述Y軸的Z軸上下移動及旋轉且收納於所述中空內部中；以及 <br/>第二驅動部分，經組態以驅動所述夾持部分；以及 <br/>機械手，耦接至所述夾持器模組的上部表面且經組態以移動所述夾持器模組。
如請求項12所述的腔內維持裝置，其中： <br/>所述載物台主體包含位於其下部端處的第二連接部分，所述第二連接部分耦接至所述腔室的上部部分的第一連接部分； <br/>所述XY載物台包含位於其上部端處的第三連接部分； <br/>所述夾持器主體包含位於其下部端處的第四連接部分，所述第四連接部分耦接至所述第三連接部分；以及 <br/>所述腔室、所述第二連接部分以及所述第三連接部分包括經組態以自所述腔室的電力供應單元供應電力的電力連接部分。
如請求項13所述的腔內維持裝置，其中所述第三連接部分包括： <br/>第一耦接部分，耦接至所述夾持器模組；以及 <br/>第二耦接部分，經組態以導引所述第一耦接部分的耦接。
如請求項13所述的腔內維持裝置，其中所述機械手包括： <br/>第六連接部分，耦接至位於所述夾持器主體的所述上部表面上的第五連接部分； <br/>臂部分，連接至所述第六連接部分且經組態以相對於所述Z軸上下移動；以及 <br/>第三驅動部分，經組態以上下移動所述臂部分。
如請求項15所述的腔內維持裝置，其中所述夾持器模組的所述第四連接部分及所述第五連接部分包括經組態以自所述腔室的所述電力供應單元或所述機械手供應電力的所述電力連接部分。
如請求項12所述的腔內維持裝置，其中所述機械手可水平移動。
如請求項12所述的腔內維持裝置，其中所述第一驅動部分經組態以在其上安置有所述XY載物台的X-Y平面上在所述X軸及所述Y軸上水平移動所述XY載物台，且沿著所述Z軸上下移動所述載物台主體。
如請求項18所述的腔內維持裝置，其中： <br/>所述載物台模組包含在第一載物台主體的下部端與第二載物台主體的上部端相接的圓周上平行於所述Z軸延伸的第一驅動軸；以及 <br/>所述第一載物台主體經組態以藉由所述第一驅動軸上下移動，以便與所述第二載物台主體分離或耦接至所述第二載物台主體。
如請求項12所述的腔內維持裝置，其中所述載物台模組包括經組態以量測所述載物台模組的位置的第一感測器。
一種混合還原物理氣相沉積方法，包含：<br/> 將一晶圓定位在一物理氣相沉積設備的一晶圓支撐件上，該晶圓與一靶材間隔超過100毫米的一距離，該晶圓包含暴露出一導電特徵的一開口；<br/> 設定該晶圓的一溫度為一室溫；<br/> 使用超過5千瓦之一射頻功率水平的該物理氣相沉積設備在該開口處沉積一鎢薄膜，該鎢薄膜包含一底部，該底部位於從該開口暴露的該導電特徵的一上表面上；<br/> 移除該開口上方該鎢薄膜的多餘的鎢；以及<br/> 藉由一化學氣相沉積操作選擇性地沉積鎢，在該開口中的該底部上沉積一鎢栓塞。
如請求項1所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中該晶圓與該靶材間隔約140毫米至約150毫米範圍內的一距離。
如請求項1所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中該射頻功率水平超過約8千瓦。
如請求項1所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中設定該晶圓的該溫度係設定該晶圓的該溫度為約攝氏15度至約攝氏30度之一範圍內的一溫度。
一種混合還原物理氣相沉積方法，包含：<br/> 將一晶圓定位在一物理氣相沉積設備的一靜電吸盤上，該晶圓包含暴露出一導電特徵的一開口；<br/> 設定該晶圓的一溫度為一室溫：<br/> 藉由該物理氣相沉積設備在該開口處沉積一鎢薄膜，該鎢薄膜包含位於從該開口暴露的該導電特徵的一上表面上的一底部、位於該開口延伸穿過的一介電層的一上表面的一頂部、以及位於該開口暴露出的該介電層的一側壁上的一側壁部分；<br/> 移除該開口上方該鎢薄膜的該頂部和該側壁部分；以及<br/> 藉由一化學氣相沉積操作選擇性地沉積鎢，在該開口中的該底部上沉積一鎢栓塞。
如請求項5所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中設定該溫度包含加熱該靜電吸盤至約攝氏15度至約攝氏30度之一範圍內的一溫度。
如請求項5所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中設定該溫度包含禁用該靜電吸盤的一加熱器。
如請求項7所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中形成該鎢栓塞包含形成具有一晶粒尺寸的該鎢栓塞，該鎢栓塞的該晶粒尺寸與該底部的一晶粒尺寸不同。
如請求項7所述之混合還原物理氣相沉積方法，其中形成該鎢栓塞包含形成該鎢栓塞使得在該鎢栓塞與該底部之間存在一可辨識界面。
一種物理氣相沉積設備，包含：<br/> 一腔室；<br/> 一物理氣相沉積靶材，位於該腔室的一上部內；<br/> 一晶圓支撐件，位於該腔室的一下部內，其中在運行中，在該物理氣相沉積靶材的多個離子沉積在位於該晶圓支撐件上的該晶圓的過程中，該晶圓支撐件與該物理氣相沉積靶材間隔約140毫米至約150毫米範圍的一距離；以及<br/> 一功率產生器，電性連接該腔室，在該功率產生器運行中，在該些離子沉積期間提供超過約5千瓦的一射頻功率水平。
一種線圈零件之製造方法，其特徵在於：該線圈零件具備線圈部，該線圈部包含：第1導電部，其具有繞沿著第1方向之軸之周圍描繪螺旋之第1螺旋導電部；及第1絕緣部，其與前述第1導電部之前述第1方向側之端部之一者即第1端部之至少一部分相接；且該線圈零件之製造方法包含：<br/> 第1步驟，其在含有前述第1絕緣部之薄片基材之一個面形成前述第1導電部；及<br/> 第2步驟，其去除前述薄片基材之至少一部分，自前述第1方向觀察，去除前述薄片基材之位於由前述第1螺旋導電部之內緣包圍之區域即第1區域之前述第1絕緣部；<br/> 其中在前述第2步驟中，去除與前述第1端部相接之前述第1絕緣部之一部分，在前述第1端部形成不與前述第1絕緣部接觸之非接觸部。
如請求項1之線圈零件之製造方法，其中在前述第2步驟中，自前述第1方向觀察，與構成前述第1螺旋導電部之內緣之線匝相接的前述第1絕緣部之內緣之包絡線，取入前述第1螺旋導電部之內緣。
如請求項1或2之線圈零件之製造方法，其包含第3步驟，該第3步驟在前述第2步驟之後，以至少與前述第1螺旋導電部之露出面接觸之方式形成第2絕緣部。
如請求項1或2之線圈零件之製造方法，其中前述第1螺旋導電部具有沿與前述第1方向交叉之方向排列之2個線匝，<br/> 前述第1絕緣部包含：<br/> 與前述2個線匝之一者相接之部分，<br/> 與前述2個線匝之另一者相接之部分，及<br/> 自該等部分連設並沿與前述第1方向交叉之方向延伸之連設部；<br/> 前述連設部具有壁薄部，該壁薄部較前述第1絕緣部之與前述2個線匝之任一者相接之部分，前述第1方向之厚度更小。
如請求項4之線圈零件之製造方法，其中前述壁薄部之前述第1方向之厚度相對於前述第1絕緣部之與前述2個線匝之任一者相接之部分之前述第1方向之厚度之比為0.60以上。
如請求項1或2之線圈零件之製造方法，其中在前述第1步驟中，在前述薄片基材之前述一個面亦形成具有非螺旋形狀之第1虛設導電部，<br/> 在前述第2步驟中，去除前述薄片基材之位於前述第1虛設導電部與前述第1導電部之間的部分之至少一部分。
一種線圈零件，其特徵在於具備線圈部，該線圈部包含：第1導電部，其具有繞沿著第1方向之軸之周圍描繪螺旋之第1螺旋導電部；及第1絕緣部，其與前述第1導電部之前述第1方向側之端部之一者即第1端部之至少一部分相接；且<br/> 前述第1端部在與前述第1導電部之沿著前述第1方向之側部相連之角隅部，具有未設置前述第1絕緣部之非接觸部；<br/> 其中前述線圈部進一步包含第2導電部、及將前述第1導電部與前述第2導電部電性連接之導通部，且<br/> 前述第1導電部具有第1引出部，該第1引出部在前述第1螺旋導電部之一端部與前述導通部電性連接，且電性連接於前述第1螺旋導電部之另一端部；<br/> 前述第2導電部包含：<br/> 第2螺旋導電部，其與前述第1螺旋導電部沿著前述第1方向排列，在一端部電性連接於前述導通部；及<br/> 第2引出部，其電性連接於前述第2螺旋導電部之另一端部；且<br/> 在以向前述導通部之連接部分為起點時，前述第1螺旋導電部與前述第2螺旋導電部彼此向相反方向螺旋，<br/> 前述第1絕緣部中與前述第1螺旋導電部之前述第1方向側之端部之一者相接之部分，在和與前述第1螺旋導電部相接之側為相反側，與前述第2螺旋導電部之前述第1方向側之端部之一者相接。
如請求項7之線圈零件，其中自前述第1方向觀察，前述第1絕緣部中之與構成前述第1螺旋導電部之內緣之線匝相接之部分之內緣之包絡線，取入前述第1螺旋導電部之內緣。
如請求項7或8之線圈零件，其具有與前述第1螺旋導電部之表面接觸之第2絕緣部。
如請求項7或8之線圈零件，其中前述第1螺旋導電部具有沿與前述第1方向交叉之方向排列之2個線匝，<br/> 前述第1絕緣部包含：<br/> 與前述2個線匝之一者相接之部分，<br/> 與前述2個線匝之另一者相接之部分，及<br/> 自該等部分連設並沿與前述第1方向交叉之方向延伸之連設部；且<br/> 前述連設部具有壁薄部，該壁薄部較前述第1絕緣部之與前述2個線匝之任一者相接之部分，前述第1方向之厚度更小。
如請求項10之線圈零件，其中藉由前述壁薄部形成之凹部之前述第1方向之厚度相對於前述第1絕緣部之與前述2個線匝之任一者相接之部分之前述第1方向之厚度之比為0.60以上。
如請求項7或8之線圈零件，其中前述線圈部具備第1虛設導電部，該第1虛設導電部隔著前述第1絕緣部與前述第1引出部於前述第1方向對向，具有與前述第1絕緣部接觸之部分，並與前述第2導電部在與前述第1方向交叉之方向上分隔。
如請求項12之線圈零件，其中前述線圈部具備將前述第1引出部與前述第1虛設導電部電性連接之虛設導通部。
如請求項12之線圈零件，其中前述第1虛設導電部與前述第1引出部電性絕緣。
如請求項7或8之線圈零件，其進一步具備本體部，該本體部含有磁性粉體，覆蓋前述線圈部之至少一部分，<br/> 自前述第1方向觀察，具有自前述第1方向觀察時之前述本體部之長度方向之平均尺寸之一半之長度之直徑，在以前述導通部之中心為中心之圓形區域之外側，前述第1螺旋導電部之內緣與前述第2螺旋導電部之內緣重合。
如請求項7或8之線圈零件，其進一步具備本體部，該本體部含有磁性粉體，覆蓋前述線圈部之至少一部分，<br/> 前述第1絕緣部埋設於前述本體部之內部，並與前述本體部之表面相隔。
一種電子、電氣機器，其係安裝有如請求項7或8之線圈零件者，且前述線圈零件藉由設置於前述第1引出部及前述第2引出部各者之端子部連接於基板。
一種基板處理設備，包括： <br/>外殼，其用於定義處理空間； <br/>卡盤，其佈置在所述處理空間中且支撐基板； <br/>介電板，其與所述卡盤相隔佈置且中間放置有所述基板； <br/>下邊緣電極，其佈置成圍繞所述卡盤； <br/>上邊緣電極，其圍繞所述介電板的側面且佈置成與所述下邊緣電極相面對； <br/>供氣單元，其用於提供工藝氣體，該工藝氣體用於對所述基板的邊緣區域進行電漿處理； <br/>保護罩，其覆蓋所述介電板的整個底面且能夠從所述介電板拆卸，用於保護所述介電板免受所述電漿的影響；以及 <br/>結合單元，其用於從所述介電板拆卸所述保護罩。
如請求項1所述的基板處理設備，其中，所述保護罩由包含Nd、Pm、Sm、Gd、Y、Sc、Er、F、O中的至少兩個的材料構成。
如請求項1所述的基板處理設備，其中，所述保護罩的底面為階梯狀，所述保護罩包括向所述處理空間凸出的圓形表面。
如請求項3所述的基板處理設備，其中，所述圓形表面的曲率半徑小於或等於10 mm。
如請求項3所述的基板處理設備，其中，所述基板與所述保護罩之間的間距調節為與所述圓形表面的曲率半徑成反比例。
如請求項3所述的基板處理設備，其進一步包括，光傳感器，其佈置在所述外殼上且利用光獲取所述圓形表面的曲率半徑。
如請求項1所述的基板處理設備，其中，所述結合單元包括： <br/>凸出單元，其佈置在所述介電板的側面上且向外部凸出；以及 <br/>引導單元，其佈置在所述保護罩的側面區域中，在插入有所述凸出單元的狀態下提供所述凸出單元的移動路徑。
如請求項7所述的基板處理設備，其中，所述引導單元包括： <br/>第一引導單元，其一端從所述保護罩的上端露出，且沿著與所述保護罩的底面垂直的方向延長；以及 <br/>第二引導單元，其一端與所述第一引導單元的另一端連接且沿著與所述保護罩的底面平行的方向延長。
如請求項7所述的基板處理設備，其中，所述引導單元的寬度可以不恆定。
如請求項1所述的基板處理設備，其中，所述保護罩在所述介電板和所述上邊緣電極固定於所述外殼的狀態下能夠從所述介電板拆卸。
一種像素，其包括： <br/>一第一部分，其包含： <br/>一電流源電晶體，其在一源極端子處耦合至一電源供應；及 <br/>一電荷儲存元件，其經耦合於該電流源電晶體之一閘極端子與該電流源電晶體之該源極端子之間； <br/>一校準電晶體，其經組態以在該像素處於一校準模式中時將該電流源電晶體之該閘極端子耦合至該電流源電晶體之一汲極端子；及 <br/>一校準源電晶體，其經組態以在該像素處於該校準模式中時將該電流源電晶體之該汲極端子耦合至一混合校準源，該混合校準源經組態以在一校準時段期間將該電荷儲存元件充電至一閘極-源極電壓，使得該電流源電晶體在該校準時段之後傳導一校準電流。
如請求項1之像素，其中： <br/>該校準電晶體在該校準時段期間在該電流源電晶體之該閘極端子處產生一非想要電壓；且 <br/>為提高儲存於該電荷儲存元件中之該閘極-源極電壓之一準確度，該像素進一步包含： <br/>一電壓源，其經組態以在該校準時段期間抵消該電流源電晶體之該閘極端子處之該非想要電壓。
如請求項1之像素，其中： <br/>該混合校準源包含一電壓源及一電流源； <br/>該電壓源藉由一第一開關耦合至該校準源電晶體；且 <br/>該電流源藉由一第二開關耦合至該校準源電晶體。
如請求項3之像素，其中： <br/>該校準時段包含一第一階段及一第二階段； <br/>在該第一階段期間，該第一開關閉合且該第二開關打開；且 <br/>在該第二階段期間，該第一開關打開且該第二開關閉合。
如請求項1之像素，其進一步包括： <br/>一第二部分，其包含： <br/>一發光二極體(LED)；及 <br/>一調變電晶體，其在該像素處於一輻射模式中時耦合於該LED與該電流源電晶體之間，該調變電晶體可組態於一接通條件中以將該校準電流傳導至該LED使得該LED發光或可組態於一切斷條件中以阻隔該校準電流到達該LED使得該LED不發光；及 <br/>一隔離電晶體，其經耦合於該電流源電晶體與該調變電晶體之間，其中該隔離電晶體經組態以： <br/>當該像素處於該校準模式中時，解耦合該第一部分及該第二部分；及 <br/>當該像素處於該輻射模式中時，耦合該第一部分及該第二部分。
如請求項5之像素，其進一步包括： <br/>一阻隔電晶體，其經組態以在該輻射模式期間阻隔來自該第二部分之切換信號以防止該等切換信號改變該閘極-源極電壓。
如請求項6之像素，其中： <br/>該阻隔電晶體係耦合於該電流源電晶體與該隔離電晶體之間的一p型電晶體；且 <br/>該阻隔電晶體之一閘極端子經耦合至一接地。
如請求項5之像素，其中該調變電晶體之一閘極端子經耦合至一靜態隨機存取記憶體(SRAM)胞。
如請求項8之像素，其中該SRAM胞藉由一脈寬調變(PWM)信號來組態為一第一狀態或一第二狀態。
如請求項1之像素，其中該電荷儲存元件係組態為一電容器之一金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。
一種用於驅動一顯示器中之一像素之方法，該方法包括： <br/>藉由以下來組態該像素處於一校準模式中： <br/>使一電流源電晶體與該像素之一脈寬調變(PWM)部分斷接；及 <br/>將該電流源電晶體連接至一混合校準源，使得該電流源電晶體傳導一校準電流； <br/>當該電流源電晶體傳導該校準電流時，在該電流源電晶體處產生一閘極-源極電壓； <br/>將該閘極-源極電壓儲存於耦合於該電流源電晶體之一源極端子與該電流源電晶體之一閘極端子之間的一電容器中；及 <br/>藉由以下來組態該像素處於一輻射模式中： <br/>使該電流源電晶體與該混合校準源斷接；及 <br/>將該電流源電晶體連接至該像素之該PWM部分，該PWM部分包含一調變電晶體及一發光二極體(LED)。
如請求項11之方法，其進一步包括當處於該輻射模式中時： <br/>基於儲存於該電容器中之該閘極-源極電壓來使該電流源電晶體偏壓以傳導該校準電流； <br/>在該調變電晶體處接收該校準電流； <br/>用一PWM信號控制該調變電晶體接通及切斷以產生一PWM電流；及 <br/>基於該PWM電流在該LED處輻射光。
如請求項11之方法，其中： <br/>該混合校準源藉由一校準位元線耦合至該顯示器中之複數個像素；且 <br/>該混合校準源包含一電壓源及一電流源。
如請求項13之方法，其中將該閘極-源極電壓儲存於耦合於該電流源電晶體之該源極端子與該閘極端子之間的該電容器中包含： <br/>將該電流源電晶體之該閘極端子耦合至該電流源電晶體之一汲極端子，該汲極端子經耦合至該混合校準源； <br/>將該混合校準源之該電壓源耦合至該汲極端子； <br/>使用該電壓源將該電容器充電至一適當電壓； <br/>用該混合校準源之該電流源替換該汲極端子處之該電壓源；及 <br/>使用該電流源將該電容器自該適當電壓充電至該閘極-源極電壓。
如請求項14之方法，其中將該電流源電晶體之該閘極端子耦合至該電流源電晶體之該汲極端子包含： <br/>啟動一校準電晶體以耦合該閘極端子及該汲極端子，該校準電晶體在該閘極端子與該汲極端子之間產生一第一電壓；及 <br/>將一第二電壓施加至該閘極端子以抵消由該校準電晶體產生之該第一電壓。
如請求項15之方法，其中產生該第二電壓之一電晶體與該校準電晶體經匹配以具有實質上相同大小。
如請求項11之方法，其中使該像素處於該校準模式中係基於一校準排程，該校準排程具有基於該顯示器之一灰階解析度之一校準頻率。
如請求項11之方法，其中使該像素處於該校準模式中係基於一校準排程，該校準排程具有基於該電容器之一洩漏電流之一校準頻率。
如請求項11之方法，其中使該像素處於該校準模式中係基於一校準排程，該校準排程具有基於該LED之一溫度之一校準頻率。
一種微型發光二極體(微型LED)顯示器，其包括： <br/>一混合校準源，其經耦合至一校準位元線；及 <br/>複數個像素，各像素包含： <br/>一電流源電晶體，其在一源極端子處耦合至一電源供應； <br/>一電荷儲存元件，其經耦合於該電流源電晶體之一閘極端子與該電流源電晶體之該源極端子之間； <br/>一校準電晶體，其經組態以在一校準時段期間將該電流源電晶體之該閘極端子耦合至該電流源電晶體之一汲極端子；及 <br/>一校準源電晶體，其經組態以在該校準時段期間將該電流源電晶體之該汲極端子耦合至該校準位元線，使得該混合校準源將該電荷儲存元件充電至對應於一校準電流之一閘極-源極電壓。
如請求項20之微型LED顯示器，其中： <br/>該混合校準源包含一電壓源及一電流源； <br/>該電壓源藉由一第一開關耦合至該校準位元線； <br/>該電流源藉由一第二開關耦合至該校準位元線； <br/>在該校準時段之一第一階段期間，該第一開關經組態為閉合，而該第二開關打開；且 <br/>在該校準時段之一第二階段期間，該第二開關經組態為閉合，而該第一開關打開。
一種計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其係應用於一計算機的資料存取，該計算機的一儲存裝置包含有複數儲存單位，該計算機儲存裝置的熱資料決策方法包含：<br/> 一資料預處理步驟：對一新資料進行提取處理以取得一新數據指紋，並對該新資料進行雜湊處理以取得至少二儲存索引值，該至少二儲存索引值的其中之一係對應於該些儲存單位之其中之一；以及<br/> 一舊資料找尋步驟：確認該至少二儲存索引值的其中之一所對應的該些儲存單位之其中之一中所儲存之資料是否與該新資料相同，若是，則代表該新資料實際上為一舊資料，而進行一舊資料更新步驟；若所有該儲存索引值所對應的該些儲存單位中所儲存之資料皆與該新資料不同，則代表該新資料並非已儲存於該些儲存單位內的該舊資料，因此需進行一新資料更新步驟；<br/> 其中，該舊資料更新步驟如下：<br/> 該舊資料更新步驟：更新該舊資料的一舊數據指紋的一預存熱度分數以生成一更新熱度分數，若該更新熱度分數不低於一熱度標準分數，則判斷該舊資料為熱資料；若該更新熱度分數低於該熱度標準分數，則判斷該舊資料為冷資料；<br/> 其中，該新資料更新步驟如下：<br/> 該新資料更新步驟：判斷該儲存索引值所對應的該儲存單位是否為空白狀態或已儲存有一既存資料的一既存數據指紋，並對該新數據指紋進行相對應的儲存動作，以及對該新數據指紋標記一新熱度分數。
如請求項1所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該新資料更新步驟中，若該儲存單位為空白狀態，則進行一新資料存入步驟，若該儲存單位已儲存有該既存數據指紋，則進行一新資料取代步驟；<br/> 其中，該新資料存入步驟如下：<br/> 該新資料存入步驟：將該新數據指紋直接存入空的該儲存單位中，並對該新數據指紋標記該新熱度分數；<br/> 其中，該新資料取代步驟如下：<br/> 該新資料取代步驟：讓該新數據指紋取代該儲存單位中的該既存數據指紋，並對該新數據指紋標記該新熱度分數。
如請求項2所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，該些儲存單位各具有複數條目，而使各該儲存單位可以儲存多個數據指紋。
如請求項2所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該資料預處理步驟中，該儲存索引值具有複數個，其係利用該新數據指紋與該新資料進行雜湊處理及異或處理後而依序取得，並根據取得順序而使該些儲存索引值具有對應的一儲存索引值序號。
如請求項4所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該新資料取代步驟後更具有一既存資料更新步驟：被取代的該既存數據指紋依據該既存資料的一既存儲存索引值的儲存索引值序號，往下一次序的該既存儲存索引值所對應的儲存單位進行儲存。
如請求項5所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，該些儲存單位各具有複數條目，而使各該儲存單位可以儲存多個數據指紋，於該既存資料更新步驟中，被取代的該既存數據指紋係取代下一次序的該儲存單位內，該更新熱度分數最低的所述數據指紋。
如請求項5所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該既存資料更新步驟中，當該既存數據指紋的更新次數達到一最大更新次數上限時，該既存數據指紋便會停止更新。
如請求項4所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該舊資料找尋步驟中，更具有以下步驟：<br/> 一數據指紋確認步驟：確認該儲存單位中的數據指紋是否與該新數據指紋相同；若非相同，則代表該新資料並非為該舊資料，進行該新資料更新步驟；若為相同，則進行下一步驟；以及<br/> 一儲存索引值序號確認步驟：若該新資料的儲存索引值所對應的該儲存單位中所儲存之儲存索引值序號與該舊資料的儲存索引值序號不相同，則確認該新資料並非為該舊資料，而進行該新資料更新步驟；若該新資料與該舊資料的儲存索引值序號亦為相同，則確認該新資料實際上為該舊資料，而進行該舊資料更新步驟。
如請求項1所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該舊資料更新步驟中，係給予該舊數據指紋一熱度增加分數，並根據該舊數據指紋的一時間戳記判斷給予一熱度減少分數，以此透過計算該預存熱度分數、該熱度增加分數及該熱度減少分數，更新並生成該更新熱度分數。
如請求項9所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該舊資料更新步驟中，所述熱度減少分數是根據所述舊資料前一次被成功查找到的一舊時間戳記，以及所述舊資料最新一次被成功查找到的一新時間戳記之間的區段差異和時期差異所產生。
如請求項10所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，所述熱度減少分數係透過下述計算式計算：decay_score=decay_score<sub>segment</sub>+decay_score<sub>epoch</sub>，其中，decay_score為所述熱度減少分數，decay_score<sub>segment</sub>為對應所述區段差異的一區段減少分數，decay_score<sub>epoch</sub>為對應所述時期差異的一時期減少分數。
如請求項11所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該舊資料更新步驟中，係透過下述計算式計算所述更新熱度分數：<img align="absmiddle" height="7px" width="174px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，next_score為所述更新熱度分數，prev_score為所述預存熱度分數，decay_score為所述熱度減少分數，*為乘法運算符，decay_num為減少權重，add_score為所述熱度增加分數。
如請求項1所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，該些儲存單位各具有複數條目，而使該些儲存單位可以儲存多個數據指紋，並且於該舊資料更新步驟中，亦一併依據各數據指紋的時間戳記判斷給予其對應的熱度減少分數並更新生成其對應的更新熱度分數，若其更新熱度分數小於或等於一熱度臨界值，則直接將對應條目中的數據指紋刪除。
如請求項2所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，於該新資料存入步驟中，該新熱度分數小於該熱度標準分數。
如請求項2所述之計算機儲存裝置的熱資料決策方法，其中，該些儲存單位各具有複數條目，而使該些儲存單位可以儲存多個數據指紋，於該新資料取代步驟中，亦一併依據各數據指紋的時間戳記判斷給予其對應的熱度減少分數並更新生成其對應的更新熱度分數，若其更新熱度分數小於或等於一熱度臨界值，則直接將對應條目中的數據指紋刪除。
一種自動調平浸沒冷卻箱系統，包括： <br/>冷卻劑箱，包括其中存放冷卻劑的空腔，所述冷卻劑箱被配置為在操作中接收一或多個電子組件，以將所述一或多個電子組件浸沒於所述冷卻劑內； <br/>一或多個感測器，被配置為在操作中監測所述冷卻劑的表面水平或所述冷卻劑箱的位置中的至少一者；以及 <br/>一或多個致動結構，與所述冷卻劑箱機械配合，所述一或多個致動結構被配置為在操作中調整所述冷卻劑箱的所述位置， <br/>其中所述一或多個致動結構為包含多個自由度的平衡環架，所述平衡環架包括多個環架結構，所述多個環架結構中的每一者環繞所述冷卻劑箱的多個表面，並且所述多個環架結構圍繞不同的多個自由旋轉軸旋轉。
如請求項1所述的自動調平浸沒冷卻箱系統，其中所述一或多個感測器為一或多個陀螺儀、一或多個加速度感測器、一或多個表面水平感測器、一或多個磁力計感測器、一或多個雷射感測器、一或多個光學感測器、一或多個水平感測器、一或多個位置感測器、或一或多個波檢測感測器中的至少一者。
如請求項1所述的自動調平浸沒冷卻箱系統，還包括耦接至所述一或多個感測器的微處理器，所述微處理器被配置為在操作中從所述一或多個感測器收集數據以判斷是否調整所述冷卻劑箱的所述位置。
如請求項3所述的自動調平浸沒冷卻箱系統，其中所述一或多個致動結構中的每個相應致動結構被配置為在操作中響應於所述微處理器輸出的控制訊號來調整所述冷卻劑箱的所述位置。
一種操作自動調平浸沒冷卻箱系統的方法，包括： <br/>使用一或多個感測器檢測存放在冷卻劑箱內的冷卻劑的表面水平或所述冷卻劑箱的位置中的至少一者； <br/>使用微處理器處理由所述一或多個感測器輸出的一或多個感測器訊號，以判斷重力天頂相對於所述冷卻劑箱的方向； <br/>根據所述重力天頂相對於所述冷卻劑箱的所述方向從所述微處理器輸出控制訊號，以使用一或多個致動結構調整所述冷卻劑箱的所述位置；以及 <br/>使用所述一或多個致動結構調整存放所述冷卻劑的所述冷卻劑箱的所述位置，其中所述一或多個致動結構為包含多個自由度的平衡環架，所述平衡環架包括多個環架結構，所述多個環架結構中的每一者環繞所述冷卻劑箱的多個表面，並且所述多個環架結構圍繞不同的多個自由旋轉軸旋轉。
如請求項5所述的方法，其中使用所述一或多個致動結構調整存放所述冷卻劑的所述冷卻劑箱的所述位置還包括調整所述冷卻劑的所述表面水平以改善浸沒在存放於所述冷卻劑箱內的所述冷卻劑內的一或多個電子組件的浸沒。
如請求項5所述的方法，還包括在使用所述一或多個致動結構調整其中存放所述冷卻劑的所述冷卻劑箱的所述位置之後，使用一或多個感測器檢查存放於所述冷卻劑箱內的所述冷卻劑的所述表面水平或所述冷卻劑箱的所述位置中的至少一者。
一種自動調平浸沒冷卻箱系統，包括： <br/>冷卻劑箱，被配置為在操作中存放冷卻劑並在所述冷卻劑內存放一或多個電子組件；以及 <br/>平衡環架，與所述冷卻劑箱機械配合，所述平衡環架包括多個自由度，所述平衡環架被配置為在操作中被動地調整所述冷卻劑箱相對於支撐所述平衡環架的表面的位置，所述平衡環架包括多個環架結構，所述多個環架結構中的每一者環繞所述冷卻劑箱的多個表面，並且所述多個環架結構圍繞不同的多個自由旋轉軸旋轉。
如請求項8所述的自動調平浸沒冷卻箱系統，其中所述平衡環架的所述多個自由旋轉軸中的至少一自由旋轉軸被配置成在操作中基於所述冷卻劑箱上的一或多個外力被動地調整所述冷卻劑箱的所述位置，並且所述冷卻劑箱在充滿所述冷卻劑及所述一或多個電子組件時的質量中心低於所述平衡環架的環架軸。
如請求項8所述的自動調平浸沒冷卻箱系統，還包括： <br/>一或多個感測器，被配置為在操作中監測存放於所述冷卻劑箱內的所述冷卻劑的表面水平或所述冷卻劑箱的所述位置中的至少一者；以及 <br/>微處理器，與所述一或多個感測器電通訊，所述微處理器被配置為在操作中收集及處理由所述一或多個感測器輸出的訊號。
一種鑽石基板的製作方法，包含： <br/>準備晶種步驟，準備單晶的高溫高壓成長法鑽石或單晶的氣相沉積成長法鑽石的晶種，其中該晶種的X光半峰全寬值＜30角秒且尺寸大於直徑5 mm至4 inch，該晶種由複數片具有六個密勒指數為100的表面透過以下步驟連結而構成，且該晶種的晶種表面準備為雷射切割的波浪狀表面； <br/>第一成長步驟，透過微波電漿化學氣相沉積法成長該晶種以得到第一晶體，其中該微波電漿化學氣相沉積法的條件為於850至1050 °C，50至200 ppm氮氣的氛圍下處理3至5天或處理至達到用於散熱模組、工具、晶種、粉紅色珠寶、黃紅色珠寶或量子感測器所需厚度； <br/>第二成長步驟，透過微波電漿化學氣相沉積法成長該第一晶體以得到第二晶體，其中該微波電漿化學氣相沉積法的條件為於850至1050 °C，10至50 ppm氮氣的氛圍下處理至達到用於無色珠寶、電子級材料或光學級材料所需厚度；以及 <br/>第三成長步驟，透過微波電漿化學氣相沉積法成長該第二晶體以得到鑽石基板，其中該微波電漿化學氣相沉積法的條件為於1100 °C至1200°C，1 ppm以下氮氣的氛圍下生長，再以1500 °C至2000°C進行高溫退火，以5 μm/h的速率成長至達到用於無色珠寶、電子級材料、光學級材料或量子級材料所需厚度。
如請求項1所述的鑽石基板的製作方法，其中該微波等離子體化學氣相沉積法係使用30 kW、915 MHz及波長32.8 cm的微波或具有二個波長直徑及一個波長高的2.45 GHz及波長12.25 cm的微波的共振真空腔體。
如請求項1所述的鑽石基板的製作方法，更包含雷射深度切割處理步驟，係在準備晶種步驟之後，於該晶種的自密勒指數為100的表面偏移5至7°的位置進行切割，而於該晶種的表面形成高低差異。
如請求項1所述的鑽石基板的製作方法，更包含雷射切割處理步驟，係在準備晶種步驟之後，於該晶種的密勒指數為100的表面沿010及001的方向製造出正方形穿孔、文字、圖像或植入型金屬電路或其它半導體材料後，以如請求項1的製程覆蓋鑽石以修補缺陷，或製成散熱及絕緣體。
一種鑽石基板，係藉由如請求項1所述的鑽石基板的製作方法所製成。
如請求項5所述的鑽石基板，其中該鑽石基板係構成為直徑1至4 inch的單晶鑽石基板。
一種酸性氣體回收系統，包括：<br/>酸性氣體吸附部，包含酸性氣體吸附材，該酸性氣體吸附材可將處理對象氣體所包含的酸性氣體吸附，並可使吸附的酸性氣體脫離；<br/>收納部，包含接受供給該處理對象氣體的第一流路，該收納部以使該酸性氣體吸附部位於該第一流路之方式，將該酸性氣體吸附部收納；以及<br/>回送部，包含回送流路，其可將從該酸性氣體吸附材脫離而從酸性氣體吸附部排出的酸性氣體之至少一部分，回送至該收納部的第一流路；<br/>該酸性氣體回收系統被構成為可實行以下步驟：<br/>吸附步驟，將該處理對象氣體供給至該第一流路，使該酸性氣體吸附材吸附酸性氣體；以及<br/>排出步驟，將該酸性氣體吸附部升溫至既定脫離溫度，並從該酸性氣體吸附部將該處理對象氣體排出；<br/>該回送部，於該排出步驟中，將在該酸性氣體吸附部之升溫時從該酸性氣體吸附材脫離而從該酸性氣體吸附部排出的酸性氣體之至少一部分，回送至該第一流路。
如請求項1之酸性氣體回收系統，其中，<br/>該收納部，包括：<br/>第一流入口，位於該處理對象氣體之供給方向中的上游端部；<br/>第一流出口，位於該處理對象氣體之供給方向中的下游端部；以及<br/>第二流出口，位於該第一流入口與該第一流出口之間。
如請求項2之酸性氣體回收系統，其中，<br/>更包括：<br/>第一閥，可將該第一流路開閉，在該處理對象氣體之供給方向中，相對於該酸性氣體吸附部位於上游側；以及<br/>第二閥，可將該第一流路開閉，相對於該酸性氣體吸附部位於與該第一閥相反之側；<br/>在該第一閥及該第二閥為閉狀態時，該第一閥及該第二閥，將該第一流路分隔，界定出配置有該酸性氣體吸附部之收納空間；<br/>該第二流出口，位於該第一閥與該第二閥之間；<br/>該回送部，可將從該第二流出口排出的酸性氣體之至少一部分，回送至該收納空間。
如請求項3之酸性氣體回收系統，其中，<br/>更包括可將該收納空間減壓之減壓裝置。
如請求項1之酸性氣體回收系統，其中，<br/>該酸性氣體吸附部及該收納部，構成第1吸附單元；<br/>該酸性氣體回收系統，更包括第2吸附單元；<br/>該第2吸附單元，更包括：<br/>第2酸性氣體吸附部，包含酸性氣體吸附材，該酸性氣體吸附材可將處理對象氣體所包含的酸性氣體吸附，並可使吸附的酸性氣體脫離；以及<br/>第2收納部，包含接受供給該處理對象氣體的第二流路，該第2收納部以使該第2酸性氣體吸附部位於該第二流路之方式，將該第2酸性氣體吸附部收納；<br/>該回送部，將該酸性氣體之至少一部分，回送至該收納部的第一流路，並供給至該第2收納部的第二流路。
如請求項1至5中任一項之酸性氣體回收系統，其中，<br/>該酸性氣體為二氧化碳。
一種酸性氣體之回收方法，包括：<br/>吸附步驟，將包含酸性氣體之處理對象氣體，供給至配置有包含酸性氣體吸附材的酸性氣體吸附部之收納部的第一流路，使該酸性氣體吸附材吸附酸性氣體；<br/>排出步驟，將該酸性氣體吸附部升溫至既定脫離溫度，並從該酸性氣體吸附部將該處理對象氣體排出；以及<br/>脫離步驟，在將該酸性氣體吸附部維持為脫離溫度之狀態下，使酸性氣體從該酸性氣體吸附材脫離；<br/>於該排出步驟中，將在該酸性氣體吸附部之升溫時從該酸性氣體吸附材脫離而從該酸性氣體吸附部排出的酸性氣體之至少一部分，回送至該第一流路。
如請求項7之酸性氣體回收方法，其中，<br/>該排出步驟，包括：<br/>一次置換步驟，將第一氣體供給至該第一流路，將該酸性氣體吸附部內由該處理對象氣體置換為第一氣體；以及<br/>二次置換步驟，維持第一氣體之對於該第一流路的供給，並將該酸性氣體吸附部升溫至既定脫離溫度；<br/>於該二次置換步驟中，將第二氣體回送至該第一流路，該第二氣體包含在該酸性氣體吸附部之升溫時從該酸性氣體吸附材脫離出的酸性氣體、及該第一氣體。
一種電子零件之製造裝置，其具備： <br/>保持件，其具有內表面被能夠彈性變形之樹脂覆蓋之貫通孔，於上述貫通孔插入零件； <br/>銷，其具有與上述零件接觸之前端面； <br/>銷保持部，其以豎立設置之狀態保持複數個上述銷； <br/>銷驅動機構，其使上述銷保持部移動以使得上述銷之上述前端面與上述零件接觸，並藉由上述銷將上述零件從上述貫通孔推出而使其突出； <br/>容器，其貯存要附著於上述零件之漿料；及 <br/>驅動機構，其能夠使上述保持件與上述容器中之一者或兩者於插入至上述保持件之上述貫通孔之上述零件相對於上述容器內之漿料之液面靠近之方向或遠離之方向上移動；且 <br/>上述銷之上述前端面係相對於上述銷之軸向而傾斜之傾斜面。
如請求項1之電子零件之製造裝置，其中， <br/>上述銷能夠圍繞上述銷之軸線旋轉。
如請求項2之電子零件之製造裝置，其中 <br/>上述保持件具有供複數個上述零件各者插入之複數個上述貫通孔， <br/>上述銷保持部具有上述前端面所朝之方向不同之複數個上述銷。
如請求項1至3中任一項之電子零件之製造裝置，其中 <br/>相對於上述軸向垂直之面與上述銷之上述前端面所成之角度為0.3°～10°。
一種電子零件之製造方法，其包括： <br/>插入工序，其係於具有內表面被能夠彈性變形之樹脂覆蓋之貫通孔之保持件之上述貫通孔插入零件，並且藉由銷使上述零件從上述貫通孔突出；及 <br/>浸漬工序，其係將以從上述貫通孔突出之狀態插入至上述貫通孔之上述零件中之從上述貫通孔突出之部分浸漬至貯存於容器之漿料中；且 <br/>上述銷具有與上述零件接觸之前端面，上述前端面係相對於上述銷之軸向而傾斜之傾斜面。
如請求項5之電子零件之製造方法，其中 <br/>上述保持件具有供複數個上述零件各者插入之複數個上述貫通孔， <br/>上述銷為複數個， <br/>複數個上述銷以豎立設置之狀態保持於銷保持部， <br/>上述銷保持部具有上述前端面所朝之方向不同之複數個上述銷。
一種連接器，包括：<br/>一殼體；<br/>一薄片體，包括一端子導體，所述端子導體包括一頭接觸部、一尾接觸部以及在所述頭接觸部和所述尾接觸部之間延伸的一端子導體本體，<br/>其中，<br/>所述薄片體和所述端子導體在所述連接器中沿豎向佈置；以及<br/>所述端子導體的尾接觸部包括一表面安裝尾接觸部，<br/>所述尾接觸部的表面安裝尾接觸部的底緣為一切緣表面，所述切緣表面包括在所述尾接觸部上的一圓弧邊緣表面區域以及一延伸邊緣表面區域。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/>所述端子導體包括一側表面、一切緣表面以及沿著所述端子導體本體的一彎曲體。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/>所述表面安裝尾接觸部包括一側表面以及一表面安裝切緣表面。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/>所述表面安裝尾接觸部包括一側表面以及在所述側表面上無彎曲的一表面安裝切緣表面。
根據請求項4所述的連接器，其中，<br/>所述表面安裝切緣表面是由一引線框架剪切或切割所述端子導體形成的一邊緣表面。
一種連接器，包括：<br/>一殼體；<br/>一薄片體組件，包括多個薄片體以及多個端子導體，所述多個端子導體中的各個端子導體包括一頭接觸部、一尾接觸部以及在所述頭接觸部和所述尾接觸部之間延伸的一端子導體本體，<br/>其中，<br/>所述多個薄片體在所述薄片體組件中沿豎向佈置；<br/>所述多個端子導體的各個尾接觸部包括一表面安裝尾接觸部；以及<br/>各個表面安裝尾接觸部佈置在沿所述連接器的一安裝端區域延伸的一直線排中，<br/>所述尾接觸部的表面安裝尾接觸部的底緣為一切緣表面，所述切緣表面包括在所述尾接觸部上的一圓弧邊緣表面區域以及一延伸邊緣表面區域。
根據請求項6所述的連接器，其中，<br/>各個表面安裝尾接觸部包括一側表面以及一表面安裝切緣表面。
根據請求項6所述的連接器，其中，<br/>各個表面安裝尾接觸部包括一側表面以及在所述側表面無彎曲的一表面安裝切緣表面。
根據請求項6所述的連接器，其中，<br/>排列成直線排的所述多個表面安裝尾接觸部包括資料尾接觸部和接地尾接觸部的組合。
根據請求項1或請求項6所述的連接器，其中，<br/>所述表面安裝尾接觸部放置或接觸一印刷電路板（PCB）的一表面安裝接觸墊並被焊接就位。
一種組裝治具，適於將一對接殼體組裝於一安裝殼體，該組裝治具包含：<br/> 一承載裝置，包括一第一定位架，及位於該第一定位架一側的一第二定位架，該第一定位架用以承載並定位該安裝殼體，該第二定位架用以定位疊置於該安裝殼體頂端的該對接殼體；及<br/> 一壓合裝置，包括一壓頭，及連接於該壓頭的一驅動件，該壓頭沿一縱向位於該承載裝置上方並能對齊於該承載裝置所承載的該對接殼體，該驅動件用以驅動該壓頭沿該縱向向下移動以將該對接殼體壓合於該安裝殼體，該第一定位架具有一承載平面，及凸設於該承載平面且相間隔排列的多個定位柱，該承載平面用以承載該安裝殼體，每一個該定位柱沿該縱向延伸用以穿設並卡掣於該安裝殼體，該第二定位架具有相間隔的兩個定位組件，每一個該定位組件具有沿該縱向延伸的一定位銷，該定位銷在該縱向上的高度高於每一個該定位柱在該縱向上的高度，該定位銷用以穿設並卡掣於該對接殼體。
如請求項1所述的組裝治具，其中，該第一定位架具有一環形圍繞壁，該環形圍繞壁具有該承載平面，該承載平面位於該環形圍繞壁頂端，該環形圍繞壁形成有用以供該安裝殼體的一部分容置的一容置空間。
如請求項2所述的組裝治具，其中，該環形圍繞壁形成有由該承載平面向下凹陷並且連通於該容置空間的一側開槽，該承載平面呈C形。
如請求項2所述的組裝治具，其中，該承載平面呈圓環形。
如請求項1所述的組裝治具，其中，該壓合裝置還包括一控制器，該控制器能被操作以控制該驅動件帶動該壓頭在一初始位置及一下壓位置之間移動，在該初始位置時，該壓頭間隔位於該對接殼體上方，在該下壓位置時，該壓頭下壓該對接殼體頂端。
如請求項1至5其中任一項所述的組裝治具，還包含承載該承載裝置與該壓合裝置的一底座，該承載裝置還包括承載該第一定位架及該第二定位架且能滑動地連接於該底座的一滑動架，該滑動架能被操作而使該承載裝置沿垂直於該縱向的一第一水平方向在一入出料位置及一對位位置之間滑動，在該入出料位置時，該承載裝置移離該壓頭下方且未被該壓合裝置遮蔽，在該對位位置時，該承載裝置對齊於該壓頭。
如請求項6所述的組裝治具，其中，該滑動架具有兩個側面，該兩側面沿垂直於該第一水平方向的一第二水平方向相間隔，每一個該側面形成有沿該第一水平方向相間隔的一第一卡槽及一第二卡槽，該底座還包括沿該第二水平方向相間隔的兩個第一鎖定組件，及沿該第二水平方向相間隔的兩個第二鎖定組件，每一個該第一鎖定組件用以卡掣於對應的該側面的該第一卡槽以將該承載裝置鎖定於該入出料位置，每一個該第二鎖定組件用以卡掣於對應的該側面的該第二卡槽以將該承載裝置鎖定於該對位位置。
如請求項6所述的組裝治具，其中，該承載裝置還包括設置於該滑動架用以供握持的一把手。
如請求項7所述的組裝治具，其中，該底座還包括兩個第一擋止塊、一第二擋止塊、兩個導軌，及一調整螺絲，該兩第一擋止塊鄰近於該兩第一鎖定組件且沿該第二水平方向相間隔，該第二擋止塊鄰近於該兩第二鎖定組件，每一個該導軌設置於對應的該第一擋止塊與該第二擋止塊之間且沿該第一水平方向延伸，該滑動架形成有兩個滑動孔，每一個該滑動孔供對應的該導軌穿設且能滑動地連接於對應的該導軌，該調整螺絲螺接於該第二擋止塊且部分凸伸出該第二擋止塊，用以擋止該滑動架。
一種封裝基板的製作方法，其改良在於，包括：<br/> 提供中間基板，所述中間基板包括可分離板和位於所述可分離板相對兩表面的玻璃基板；<br/> 在所述玻璃基板上形成貫穿所述玻璃基板的第一導通柱；<br/> 在所述玻璃基板背離所述可分離板的第一表面形成內層線路層；所述內層線路層與所述第一導通柱連接；<br/> 在所述第一表面形成第一線路基板，所述第一線路基板包括第一介質層、第一導通孔和第一子線路層，所述第一介質層覆蓋所述內層線路層和所述玻璃基板暴露於所述內層線路層的表面，所述第一子線路層通過所述第一導通孔與所述內層線路層導通；<br/> 在所述第一線路基板的表面形成第一防焊層；所述第一防焊層設有第一開口，部分所述第一子線路層暴露於所述第一開口；<br/> 去除所述可分離板，露出所述玻璃基板背離所述內層線路層的第二表面；<br/> 在所述第二表面形成連接墊；<br/> 在所述第二表面形成第二防焊層，所述第二防焊層覆蓋所述玻璃基板和所述連接墊；<br/> 在所述第二防焊層中形成第二導通柱，所述第二導通柱與暴露於所述第二防焊層的連接墊的表面連接；<br/> 其中，所述第一線路基板和所述玻璃基板沿第一方向層疊設置，沿垂直於所述第一方向的第二方向，所述第二導通柱的寬度小於所述連接墊的寬度，沿所述第一方向，所述第二導通柱的投影位於所述連接墊內；沿所述第二方向，每一所述連接墊的寬度小於或等於45μm，相鄰的兩個所述連接墊之間的距離小於或等於90μm。
如請求項1所述之封裝基板的製作方法，其中，在形成所述第一線路基板之後、形成所述第一防焊層之前，所述製作方法還包括：<br/> 在所述第一線路基板的表面形成第二線路基板，所述第二線路基板包括第二介質層、第二導通孔和第二子線路層，所述第二介質層覆蓋所述第一子線路層，所述第二子線路層通過所述第二導通孔與所述第一子線路層導通。
如請求項1所述之封裝基板的製作方法，其中，“在所述第二防焊層中形成第二導通柱”的步驟包括：<br/> 在所述第二防焊層中形成第二開口，部分所述連接墊暴露於所述第二開口； <br/> 在所述第二開口中形成所述第二導通柱。
一種封裝組件的製作方法，其改良在於，包括：<br/> 如請求項1至3中任意一項所述之封裝基板的製作方法；以及<br/> 將晶片的焊腳與所述第二導通柱連接，以導通所述晶片和所述封裝基板。
一種封裝基板，其改良在於，包括：<br/> 玻璃基板；<br/> 第一導通柱；所述第一導通柱貫穿所述玻璃基板；<br/> 內層線路層；所述內層線路層位於所述玻璃基板的第一表面，所述內層線路層與所述第一導通柱連接；<br/> 第一線路基板；所述第一線路基板形成於所述玻璃基板的第一表面，所述第一線路基板包括第一介質層、第一導通孔和第一子線路層，所述第一介質層覆蓋所述內層線路層和所述玻璃基板暴露於所述內層線路層的表面，所述第一子線路層位於所述第一介質層背離所述玻璃基板的一側，所述第一導通孔連接所述內層線路層和所述第一子線路層；<br/> 第一防焊層；所述第一防焊層覆蓋所述第一介質層和所述第一子線路層的部分；<br/> 連接墊；所述連接墊位於所述玻璃基板的第二表面，即所述連接墊和所述內層線路層位於所述玻璃基板的相對兩表面；<br/> 第二防焊層；所述第二防焊層覆蓋所述玻璃基板和所述連接墊；以及<br/> 第二導通柱；所述第二導通柱形成於所述第二防焊層中，所述第二導通柱與暴露於所述第二防焊層的連接墊的表面連接，即所述連接墊的一端與所述第一導通柱連接，另一端與所述第二導通柱連接；其中，所述第一線路基板和所述玻璃基板沿第一方向層疊設置，沿垂直於所述第一方向的第二方向，所述第二導通柱的寬度小於所述連接墊的寬度，沿所述第一方向，所述第二導通柱的投影位於所述連接墊內；沿所述第二方向，每一所述連接墊的寬度小於或等於45μm，相鄰的兩個所述連接墊之間的距離小於或等於90μm。
如請求項5所述之封裝基板，其中，所述第二導通柱背離所述連接墊的一端還凸伸於所述第二防焊層。
一種封裝組件，其改良在於，包括：<br/> 如請求項5至6中任意一項所述之封裝基板；以及<br/> 晶片，與所述第二導通柱電連接。
一種電子裝置，包括： <br/>一殼體，具有一條狀透光部； <br/>一電路板，位於該殼體內；以及 <br/>一導光組件，包含： <br/>一基板，具有複數微結構； <br/>一導光件，位於該基板上且對應於該條狀透光部，其中該導光件具有一連接部、一第一延伸部以及一第二延伸部，該連接部於一第一連接處連接該第一延伸部並於一第二連接處連接該第二延伸部，該基板具有一連接區、一第一延伸區及一第二延伸區，該連接區、該第一延伸區及該第二延伸區分別對應該連接部、該第一延伸部及該第二延伸部，該些微結構以一第一平均密度分布於該第一延伸區，該些微結構以一第二平均密度分布於該第二延伸區，該些微結構以一第三平均密度分布於該連接區，且該第三平均密度分別大於該第一平均密度及該第二平均密度；以及 <br/>複數發光件，電性連接該電路板，鄰近於該連接部，其中該些發光件的出光方向分別朝向該第一延伸區及該第二延伸區。
如請求項1所述的電子裝置，其中該些發光件包含： <br/>一第一發光件，鄰近於該第一連接處並朝向該第一延伸區； <br/>一第二發光件，鄰近於該第二連接處並朝向該第二延伸區； <br/>一第三發光件，鄰近於該第一連接處並朝向該連接區；以及 <br/>一第四發光件，鄰近於該第二連接處並朝向該連接區；其中 <br/>該第一發光件具有一第一發光主軸，該第一延伸區具有一長軸，且該第一發光主軸與該長軸之間的一夾角介於0至25度；以及 <br/>該第三發光件具有一第三發光主軸，該連接區具有一中段軸，且該第三發光主軸與該中段軸之間的一夾角介於15至30度。
如請求項2所述的電子裝置，其中該連接部包含一第一弧段、一第二弧段以及一中段，該第一弧段於該第一連接處連接該第一延伸部，該第二弧段於該第二連接處連接該第二延伸部，該中段連接於該第一弧段及該第二弧段之間，該些發光件的一部分鄰近於該第一弧段，且該些發光件的另一部分鄰近於該第二弧段。
如請求項1所述的電子裝置，其中該些發光件包含： <br/>一第一發光件，鄰近於該第一連接處並朝向該第一延伸區；以及 <br/>一第二發光件，鄰近於該第二連接處並朝向該第二延伸區；其中 <br/>該第一發光件具有一第一發光主軸，該第一延伸區具有一長軸，且該第一發光主軸與該長軸之間的一夾角介於0至25度。
如請求項4所述的電子裝置，其中該連接部包含一第一弧段、一第二弧段以及一中段，該第一弧段於該第一連接處連接該第一延伸部，該第二弧段於該第二連接處連接該第二延伸部，該中段連接於該第一弧段及該第二弧段之間，該些發光件的一部分鄰近於該第一弧段，且該些發光件的另一部分鄰近於該第二弧段。
如請求項5所述的電子裝置，其中該中段呈一直線。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一延伸區具有遠離該連接區的一自由端，且該些微結構於該第一延伸區中之一分布密度是從該連接區朝該第一延伸區之該自由端漸減。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第三平均密度至少為該第一平均密度的兩倍。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一遮光片，其中該遮光片位於該基板與該殼體之間，該遮光片具有一縫，且該導光件穿過該縫設置。
如請求項9所述的電子裝置，其中該殼體包含一上殼體以及一下殼體，該條狀透光部位於該上殼體，且該遮光片位於該基板與該上殼體之間。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一反光片，其中該反光片位於該基板與該電路板之間。
一種導光組件，包括： <br/>一基板，具有複數微結構； <br/>一導光件，位於該基板上且具有一連接部、一第一延伸部以及一第二延伸部，該連接部於一第一連接處連接該第一延伸部並於一第二連接處連接該第二延伸部，該基板具有一連接區、一第一延伸區及一第二延伸區，該連接區、該第一延伸區及該第二延伸區分別對應該連接部、該第一延伸部及該第二延伸部，該些微結構以一第一平均密度分布於該第一延伸區，該些微結構以一第二平均密度分布於該第二延伸區，該些微結構以一第三平均密度分布於該連接區，且該第三平均密度分別大於該第一平均密度及該第二平均密度；以及 <br/>複數發光件，鄰近於該連接部，其中該些發光件的出光方向分別朝向該第一延伸區及該第二延伸區。
如請求項12所述的導光組件，其中該些發光件包含： <br/>一第一發光件，鄰近於該第一連接處並朝向該第一延伸區； <br/>一第二發光件，鄰近於該第二連接處並朝向該第二延伸區； <br/>一第三發光件，鄰近於該第一連接處並朝向該連接區；以及 <br/>一第四發光件，鄰近於該第二連接處並朝向該連接區；其中 <br/>該第一發光件具有一第一發光主軸，該第一延伸區具有一長軸，且該第一發光主軸與該長軸之間的一夾角介於0至25度；以及 <br/>該第三發光件具有一第三發光主軸，該連接區具有一中段軸，且該第三發光主軸與該中段軸之間的一夾角介於15至30度。
如請求項13所述的導光組件，其中該連接部包含一第一弧段、一第二弧段以及一中段，該第一弧段於該第一連接處連接該第一延伸部，該第二弧段於該第二連接處連接該第二延伸部，該中段連接於該第一弧段及該第二弧段之間，該些發光件的一部分鄰近於該第一弧段，且該些發光件的另一部分鄰近於該第二弧段。
如請求項12所述的導光組件，其中該些發光件包含： <br/>一第一發光件，鄰近於該第一連接處並朝向該第一延伸區；以及 <br/>一第二發光件，鄰近於該第二連接處並朝向該第二延伸區；其中 <br/>該第一發光件具有一第一發光主軸，該第一延伸區具有一長軸，且該第一發光主軸與該長軸之間的一夾角介於0至25度。
如請求項15所述的導光組件，其中該連接部包含一第一弧段、一第二弧段以及一中段，該第一弧段於該第一連接處連接該第一延伸部，該第二弧段於該第二連接處連接該第二延伸部，該中段連接於該第一弧段及該第二弧段之間，該些發光件的一部分鄰近於該第一弧段，且該些發光件的另一部分鄰近於該第二弧段。
如請求項16所述的導光組件，其中該中段呈一直線。
如請求項12所述的導光組件，其中該第一延伸區具有遠離該連接區的一自由端，且該些微結構於該第一延伸區中之一分布密度是從該連接區朝該第一延伸區之該自由端漸減。
如請求項12所述的導光組件，其中該第三平均密度至少為該第一平均密度的兩倍。
如請求項12所述的導光組件，更包括一遮光片及一反光片，其中該基板具有一第一表面及一第二表面，該第一表面以及該第二表面彼此相對，該導光件位於該第一表面，該遮光片位於該第一表面，該遮光片具有一縫，該導光件穿過該縫設置，且該反光片位於該第二表面。
一種如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="135px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，環A為<img align="absmiddle" height="12px" width="31px" file="ed10331.jpg" alt="ed10331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> Y<sup>1</sup>獨立地為CH；<br/> Y<sup>2</sup>獨立地為N；<br/> 各R<sup>2</sup>獨立地為羥基；<br/> -L<sup>1</sup>-為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-，n3為1、2、3或4；-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-中任意的1個或2個-CH<sub>2</sub>-可任選地被-CHR<sup>1a</sup>-替代；<br/> R<sup>1a</sup>獨立地為羥基或-O-C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基；<br/> X為-CH<sub>2</sub>-或-O-；<br/> L<sup>2</sup>為-O-、-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-或-CH(CH<sub>3</sub>)-；<br/> 環B為苯基或5-6元的雜芳基；所述的5-6元的雜芳基中雜原子選自N、O和S中的1或2個；<br/> 各R<sup>3</sup>獨立地為鹵素、羥基、C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基、-OR<sup>3-1</sup>、氰基、或者被一個或多個鹵素取代的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基；<br/> R<sup>3-1</sup>為C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基或者被一個或多個R<sup>3-1-1</sup>取代的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基，<br/> 各R<sup>3-1-1</sup>獨立地為羥基、鹵素或-O-C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基；<br/> n1和n2獨立地為0、1、2或3。
如請求項1所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足如下1種或多種條件：<br/> （1）環B中，所述的5-6元的雜芳基中的雜芳基為單環的雜芳基，雜原子選自N和O中的1或2個；<br/> （2）各R<sup>3</sup>中，所述的鹵素和所述的被一個或多個鹵素取代的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基中的鹵素獨立地為F、Cl或Br；<br/> （3）各R<sup>3</sup>中，所述的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基和所述的被一個或多個鹵素取代的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基中的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基；<br/> （4）R<sup>3-1</sup>中，所述的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基和所述的被一個或多個R<sup>3-1-1</sup>取代的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基中的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基；（5）各R<sup>3-1-1</sup>中，所述的-O-C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>烷基中的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基。
如請求項1所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足如下條件：<br/> 環B為<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；Z為CH、CR<sup>3a</sup>或N，R<sup>3a</sup>定義同R<sup>3</sup>。
如請求項1所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，環A為<img align="absmiddle" height="31px" width="38px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="24px" width="31px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足如下1種或多種條件：<br/> （1）n1為1或2；<br/> （2）<img align="absmiddle" height="21px" width="42px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="16px" width="36px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="36px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> （3）-L<sup>1</sup>-為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-，所述的-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-中1個-CH<sub>2</sub>-被-CHR<sup>1a</sup>-替代，n3為2，R<sup>1a</sup>為羥基或-O-C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基；<br/> （4）L<sup>2</sup>為-O-、-CH<sub>2</sub>-或-CH(CH<sub>3</sub>)-；<br/> （5）各R<sup>3</sup>為鹵素、羥基、C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基、-OR<sup>3-1</sup>、氰基或者被一個或多個鹵素取代的C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基，R<sup>3-1</sup>為C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>的烷基；<br/> （6）n2為1；<br/> （7）環B為<img align="absmiddle" height="26px" width="27px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="32px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="39px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="31px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項5所述如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足如下1種或多種條件：<br/> （1）<img align="absmiddle" height="21px" width="42px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="18px" width="40px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> （2）-L<sup>1</sup>-為<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="23px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="23px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="23px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> （3）R<sup>3</sup>為F、Cl、氰基、甲基、甲氧基、-CF<sub>3</sub>或-CHF<sub>2</sub>；<br/> （4）-X-L<sup>2</sup>-為-CH<sub>2</sub>-O-、-O-CH<sub>2</sub>-或-O-CH(CH<sub>3</sub>)-；<br/> （5）環B為<img align="absmiddle" height="26px" width="27px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="22px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="21px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="29px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="36px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="29px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="30px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="28px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="37px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="34px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="36px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="21px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="22px" width="21px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述的如式<b>I</b>所示的化合物為如下的通式<b>I-1</b>、<b>I-1-1</b>和<b>I-1-2</b>中的任一通式：<br/><br/><img align="absmiddle" height="40px" width="96px" file="ed10335.jpg" alt="ed10335.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="41px" width="202px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 通式<b>I-1</b>、<b>I-1-1</b>和<b>I-1-2</b>中，Z為CH、CR<sup>3a</sup>或N，R<sup>3a</sup>定義同R<sup>3</sup>。
如請求項7所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其為方案1或2：<br/> 方案1：<br/> 通式<b>I-1</b>、<b>I-1-1</b>和<b>I-1-2</b>中：<br/> Y<sup>1</sup>為CH；Y<sup>2</sup>為N；<br/> 各R<sup>2</sup>為羥基；<br/> -L<sup>1</sup>-為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-；-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-中任意的1個-CH<sub>2</sub>-被-CHR<sup>1a</sup>-替代；R<sup>1a</sup>為羥基；<br/> -X-L<sup>2</sup>-為-CH<sub>2</sub>-O-；<br/> Z為CH；<br/> 各R<sup>3</sup>為鹵素；<br/> 方案2：<br/> 通式<b>I-1</b>、<b>I-1-1</b>和<b>I-1-2</b>中：<br/><img align="absmiddle" height="21px" width="42px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="18px" width="36px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="29px" width="36px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 和/或，-L<sup>1</sup>-為<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="23px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 和/或，-X-L<sup>2</sup>-為-O-CH<sub>2</sub>-或-CH<sub>2</sub>-O-；<br/> 和/或，<img align="absmiddle" height="29px" width="33px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="26px" width="27px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="32px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="39px" file="ed10336.jpg" alt="ed10336.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="39px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="27px" file="ed10337.jpg" alt="ed10337.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，<br/> 各R<sup>2</sup>為羥基；<br/> -L<sup>1</sup>-為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-，-(CH<sub>2</sub>)<sub>n3</sub>-中任意的1個-CH<sub>2</sub>-可任選地被-CHR<sup>1a</sup>替代，R<sup>1a</sup>為羥基；<br/> -X-L<sup>2</sup>-為-O-或-CH<sub>2</sub>-O-；<br/> Z為CH；<br/> 環B為苯基或5-6元的雜芳基；<br/> Y<sup>1</sup>為CH，Y<sup>2</sup>為N；<br/> 各R<sup>3</sup>為鹵素。
如請求項1所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述的如式<b>I</b>所示的化合物為如下任一化合物：<br/><img align="absmiddle" height="91px" width="372px" file="ed10338.jpg" alt="ed10338.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="178px" width="427px" file="ed10339.jpg" alt="ed10339.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="193px" file="ed10340.jpg" alt="ed10340.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="22px" width="94px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="94px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="94px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="86px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="86px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="100px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="100px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="95px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="95px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="98px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="98px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="102px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="102px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="86px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="26px" width="86px" file="ed10323.jpg" alt="ed10323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="26px" width="92px" file="ed10341.jpg" alt="ed10341.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1-10中任一項所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽的製備方法，其中，所述的如式<b>I</b>所示的化合物的製備方法包括如下步驟：在還原劑存在下，將化合物II在溶劑中進行還原反應，得到所述的如式<b>I</b>所示的化合物；<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="303px" file="ed10325.jpg" alt="ed10325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -L<sup>3</sup>-為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n4</sub>-，n4為1、2、3或4；-(CH<sub>2</sub>)<sub>n4</sub>-中任意的1個-CH<sub>2</sub>-可任選地被-C(=O)-替代；<br/> 環A、Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>、R<sup>2</sup>、-L<sup>1</sup>-、X、L<sup>2</sup>、環B、R<sup>3</sup>、n1和n2的定義均同請求項1-10中任一項所述。
一種藥物組合物，其中，其包括如請求項1-10中任一項所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽以及藥學上可接受的輔料。
一種物質在製備治療與NR2B NMDA受體相關疾病的藥物中的應用，所述的物質為如請求項1-10中任一項所述的如式<b>I</b>所示的化合物或其藥學上可接受的鹽或者如請求項12所述的藥物組合物；<br/> 所述的NR2B NMDA受體相關疾病為精神類疾病。
一種化合物IIc，<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="108px" file="ed10343.jpg" alt="ed10343.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -L<sup>3</sup>-為-(CH<sub>2</sub>)<sub>n4</sub>-，n4為1、2、3或4；-(CH<sub>2</sub>)<sub>n4</sub>-中任意的1個-CH<sub>2</sub>-可任選地被-C(=O)-替代；Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>、R<sup>2</sup>、-L<sup>1</sup>-、X、L<sup>2</sup>、環B、R<sup>3</sup>、n1和n2的定義均同請求項1-10中任一項所述。
如請求項14所述的如式IIc所示的化合物，其為如下結構：<br/> 所述的化合物IIc為<img align="absmiddle" height="52px" width="108px" file="ed10329.jpg" alt="ed10329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種CD3陽性CD197陽性CD45RA陰性細胞之製造方法，係包含下列步驟：在CD3/TCR複合體促效劑、纖網蛋白或其改變體、及CD30促效劑的存在下，培養CD3陽性細胞之步驟(I)，其中，纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子。
如申請專利範圍第1項所述之製造方法，係更包含下列步驟：在CD3/TCR複合體促效劑及纖網蛋白或其改變體的不存在下，並且在CD30促效劑的存在下，培養經步驟(I)培養之CD3陽性細胞之步驟(II)。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性細胞係源自源自多能性幹細胞。
如申請專利範圍第3項所述之製造方法，其中，前述多能性幹細胞係iPS細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性細胞係表現嵌合抗原受體之CD3陽性細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性細胞係CD3陽性CD8陽性細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3陽性細胞係γTCR陽性及/或δTCR陽性細胞。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD3/TCR複合體促效劑係CD3促效劑及/或TCR促效劑。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中，前述CD3促效劑係抗CD3促效劑抗體或其結合片段。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中，前述抗CD3促效劑抗體或其結合片段係從UCHT1殖株產生之抗CD3促效劑抗體或其結合片段。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中，前述TCR促效劑係選自由抗TCR抗體或其結合片段、HLA/胜肽複合體或其多聚體、及HLA/超級抗原複合體或其多聚體所組成群組中之至少一種。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中，前述抗CD3促效劑抗體或其結合片段係被固相化於培養容器。
如申請專利範圍第12項所述之製造方法，其中，前述抗CD3促效劑抗體或其結合片段的固相化係藉由使1 ng/ml至50000 ng/ml之該抗CD3促效劑抗體或其結合片段與培養容器接觸而進行。
如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中，前述纖網蛋白或其改變體係被固相化於培養容器。
如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中，前述纖網蛋白或其改變體的固相化係藉由使1至150μg/mL之該纖網蛋白或其改變體與培養容器接觸而進行。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，前述CD30促效劑係選自由抗CD30促效劑抗體或其結合片段及CD30配位體或其結合片段所組成群組中之至少一種。
如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中，前述抗CD30促效劑抗體或其結合片段係被含有於培養基中。
如申請專利範圍第17項所述之製造方法，其中，前述培養基中之前述抗CD30促效劑抗體或其結合片段的濃度係1 ng/ml至1000 ng/ml。
如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，培養基係含有選自IL-7、IL-15、IL-18及IL-21中之至少一種。
如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中，培養基含有IL-7、IL-15、IL-18及IL-21。
如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中，培養基更含有TL1A及/或IL-12。
一種CD3陽性CD197陽性CD45RA陰性細胞之擴大培養方法，係包含下列步驟：在CD3/TCR複合體促效劑、纖網蛋白或其改變體、及CD30促效劑的存在下，培養CD3陽性細胞之步驟，其中，纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子。
一種CD3陽性CD197陽性CD45RA陰性細胞之擴大培養用套組，係包含下列(1)及(2)： <br/>(1) 固相化有CD3/TCR複合體促效劑及纖網蛋白或其改變體之培養容器，其中，纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子、以及 <br/>(2)含有CD30促效劑之培養基。
一種將CD3陽性細胞維持為CD3陽性CD197陽性CD45RA陰性細胞之維持方法，係包含下列步驟：刺激CD3陽性細胞中的CD30訊號之步驟。
如申請專利範圍第24項所述之維持方法，其中，前述CD3陽性細胞係CD3陽性CD8陽性細胞。
如申請專利範圍第24或25項所述之維持方法，其中，刺激步驟所使用之培養基係包含選自IL-7、IL-15、IL-18及IL-21中之至少一種。
如申請專利範圍第26項所述之維持方法，其中，刺激步驟所使用之培養基係包含IL-7、IL-15、IL-18及IL-21。
如申請專利範圍第26項所述之維持方法，其中，刺激步驟所使用之培養基係更包含TL1A及/或IL-12。
一種將CD3陽性細胞維持為CD3陽性CD197陽性CD45RA陰性細胞之維持用套組，係包含CD3/TCR複合體促效劑、纖網蛋白或其改變體及CD30促效劑，其中，纖網蛋白的改變體是可與CD3陽性細胞表面之VLA-5及VLA-4結合的分子。
一種陶瓷材料動壓軸承的製作方法，包含以下步驟：<br/>步驟1、一注射成型步驟：通過注射成型獲得一陶瓷動壓軸承胚體；所述陶瓷動壓軸承胚體具有一筒體部和沿所述筒體部自身軸向貫通兩端的一內部軸孔；<br/>步驟2、一加工動壓溝槽步驟：準備一機械手臂和一勾刀，所述機械手臂具有一外圓夾爪，所述外圓夾爪為彈性夾，其包括有周向間距佈置的複數彈性夾臂，所述彈性夾臂圍構形成一夾持腔，所述夾持腔的外端敞口設置以供所述陶瓷動壓軸承胚體放入，所述夾持腔的內端設置有一限位臺階面以供所述陶瓷動壓軸承胚體的伸入端的端面得到限位，所述勾刀包括有一刀桿和用於朝向所述內部軸孔的內壁面設置的一刀頭，所述刀頭連接於所述刀桿的端部一側，所述刀桿連接有一動力裝置，所述動力裝置驅動所述勾刀沿所述內部軸孔的中心線伸入及退出；利用所述外圓夾爪夾持定位於所述陶瓷動壓軸承胚體的所述筒體部的外環側，且所述外圓夾爪對所述筒體部的外環側形成全包覆式夾持定位，所述陶瓷動壓軸承胚體的伸入端的端面限位於所述限位臺階面；所述勾刀伸入所述內部軸孔的同時，所述機械手臂夾持住所述陶瓷動壓軸承胚體一同繞所述內部軸孔的中心線旋轉，以使得所述刀頭在所述內部軸孔的內壁面鏟出一動壓溝槽；<br/>步驟3、一脫脂步驟：通過脫脂將所述陶瓷動壓軸承胚體內的黏結劑去除；<br/>步驟4、一燒結步驟：對脫脂後的所述陶瓷動壓軸承胚體進行燒結；<br/>步驟5、一研磨步驟：對燒結後的所述陶瓷動壓軸承胚體的所述筒體部的內表面、外表面以及兩端面進行研磨拋光修整，以控制所述筒體部的內徑值、外徑值以及高度值。
如請求項1所述之陶瓷材料動壓軸承的製作方法，其中，所述刀頭設置有兩個以上，兩個刀頭相對所述內部軸孔的中心線對稱佈置。
如請求項1所述之陶瓷材料動壓軸承的製作方法，其中，所述加工動壓溝槽步驟中，先加工一端的所述內部軸孔的內壁面鏟出一端的所述動壓溝槽；然後加工另一端的所述內部軸孔的內壁面鏟出另一端的所述動壓溝槽。
如請求項3所述之陶瓷材料動壓軸承的製作方法，其中，所述勾刀從所述內部軸孔的一端伸入，完成對所述內部軸孔的內壁面的一端所述動壓溝槽的加工，然後，原路徑從所述內部軸孔的一端退出；所述勾刀從所述內部軸孔的另一端伸入，完成對所述內部軸孔的內壁面的另一端所述動壓溝槽的加工，然後，原路徑從所述內部軸孔的另一端退出。
如請求項1所述之陶瓷材料動壓軸承的製作方法，其中，所述刀頭具有尖角刀刃或者倒圓角刀刃。
如請求項1、3、4任一項所述之陶瓷材料動壓軸承的製作方法，其中，所述內部軸孔的內壁面中段部位加工有一環形凹槽，所述內部軸孔的內壁面具有分別位於所述環形凹槽兩端的二動壓溝槽加工區域。
一種經紗針織機，其具有至少一個主軸及用於該經紗針織機之針織元件(2)之至少一個調整裝置(1)，其中支撐該等針織元件(2)之桿(3)可藉由槓桿(5)憑藉驅動力支撐螺栓(4)樞轉且該等桿(3)之該等針織元件(2)在驅動方面連接至主軸， <br/>其特徵在於 <br/>該螺栓(4)經構形為一偏心螺栓，該偏心螺栓至少在一側上藉由一銷(6)可釋放地連接至該槓桿(5)且藉由一驅動挺桿(7)驅動，其中該螺栓(4)在其釋放位置中，結合附接至該至少一個銷(6)且經構形為一螺栓旋轉裝置(19)之該調整裝置(1)一起實現相對於該槓桿(5)及/或該驅動挺桿(7)自一第一角度位置至一第二角度位置之一調整尺寸的一調整，該調整之該值能夠藉由該槓桿(5)上之一標尺(5.1)、該偏心螺栓上之一標尺(4.1)或該螺栓旋轉裝置上之一標尺(4.2)被讀取。
如請求項1之經紗針織機，其中該等針織元件(2)係脫圈沉降片(2.1)、閉合器、沉降片及/或成圈複合針(2.2)。
如請求項1或2之經紗針織機，其中當應用該螺栓旋轉裝置(19)時，該螺栓(4)之一標尺(4.1)相對於該槓桿(5)上之一標尺(5.1)能夠在該螺栓旋轉裝置(19)本身不具有一標尺的情況下被讀取。
如請求項3之經紗針織機，其中該槓桿(5)上之該標尺(5.1)之標記相對於該螺栓(4)上之該等標尺(4.1)或該螺栓旋轉裝置(19)上之該標尺(4.2)之標記安置，使得該等針織元件(2)之該調整尺寸係以一量測單元之一絕對顯示，或一相對增量顯示或一標稱顯示來顯示。
如請求項3之經紗針織機，其中該等標尺(4.1、5.1)經構形及安置，使得相同調整尺寸下之所有尺度在不同偏心螺栓上具有相同尺度值。
如請求項3之經紗針織機，其中針對不同角度位置對該偏心螺栓之該調整係藉由根據該標尺(4.1)相對於該槓桿(5)對該螺栓旋轉裝置(19)進行分度來執行。
如請求項1或2之經紗針織機，其中該調整裝置(1)具有圓周上之平坦部(8)，或沿著該圓周之軸向凹槽(9)，或該調整裝置(1)之端面上之分度(10)，該等平坦部(8)或凹槽(9)以一形狀配合方式與相應地存在於該槓桿(5)上之表面設計相互作用。
如請求項7之經紗針織機，其中對該偏心螺栓之該等角度位置之該臨時或永久調整係藉助於該槓桿(5)上之一彈性安裝之閂鎖銷(11)來執行。
如請求項8之經紗針織機，其中該調整裝置(1)經構形為一內部多邊形或外部多邊形，或為在各情況下在該圓周上或在端側上具有一規則或不規則配置之一齒形部。
如請求項1或2之經紗針織機，其中該調整裝置(1)以相同大小之步級實施該調整尺寸之一調整。
如請求項1或2之經紗針織機，其中該螺栓旋轉裝置(19)分開調整各槓桿(5)或同步調整複數個槓桿。
如請求項1或2之經紗針織機，其中在該經紗針織機之操作期間對該調整尺寸之一調整係藉助於致動器執行。
如請求項1或2之經紗針織機，其中該槓桿(5)具有用於接納該偏心螺栓之複數個位置，及複數個標尺(4.1、5.1)以及複數個分度組。
一種用於相對於彼此調整一經紗針織機之針織元件(2)的方法，在該方法中，藉助於經構形為一螺栓旋轉裝置(19)之一調整裝置(1)，呈該等針織工具(2)之一間距之形式的一調整尺寸係藉助於一偏心裝置調整且藉助於一標尺(4.1、5.1)讀取，其中該等針織工具(2)相對於彼此之一所要間距係在該操作期間藉助於至少一個致動器參考該經紗針織機之至少一個主軸來調整。
一種極紫外線罩幕，包括：<br/> 基底；<br/> 反射多層堆疊，在所述基底之上；<br/> 圖案化吸收層，在所述反射多層堆疊之上；以及<br/> 護膜框架，在所述基底上，<br/> 其中所述護膜框架的下端低於所述反射多層堆疊的上表面。
如請求項1所述的極紫外線罩幕，更包括護膜框架黏合劑，位於所述護膜框架和所述基底之間。
如請求項2所述的極紫外線罩幕，其中所述護膜框架黏合劑接觸所述護膜框架並接觸所述基底。
如請求項1所述的極紫外線罩幕，其中所述護膜框架包括穿過所述護膜框架的通氣孔。
如請求項1所述的極紫外線罩幕，其中所述護膜框架不與所述反射多層堆疊重疊。
一種使用極紫外線罩幕的方法，所述方法包括：<br/> 將所述極紫外線罩幕暴露於入射輻射，所述極紫外線罩幕包括：<br/> 基底；<br/> 反射多層堆疊，在所述基底之上；<br/> 圖案化吸收層，在所述反射多層堆疊之上；<br/> 溝渠，在所述反射多層堆疊和所述圖案化吸收層中；<br/> 護膜框架黏合劑層，在所述基底上且位於所述溝渠的底部，其中所述護膜框架黏合劑層的上表面在所述反射多層堆疊的上表面之下；以及<br/> 護膜框架，在所述護膜框架黏合劑層上；<br/> 在所述圖案化吸收層中吸收所述入射輻射的一部分；<br/> 透過所述圖案化吸收層或所述反射多層堆疊的一者或多者阻擋所述入射輻射的一部分至位於所述溝渠的所述底部處的所述護膜框架黏合劑層。
如請求項6所述的方法，更包括透過熱障層將熱能傳導至在所述溝渠的所述底部中的所述護膜框架黏合劑層。
一種形成極紫外線罩幕的方法，包括：<br/> 在基底上形成反射多層堆疊；<br/> 在所述反射多層堆疊上沉積頂蓋層；<br/> 在所述頂蓋層上形成緩衝層；<br/> 在所述緩衝層上沉積吸收材料層；<br/> 在所述吸收材料層上形成硬遮罩層；<br/> 蝕刻所述硬遮罩層以形成圖案化硬遮罩層；<br/> 使用所述圖案化硬遮罩層作為蝕刻罩幕，蝕刻所述吸收材料層以在其中形成多個開口；<br/> 去除所述圖案化硬遮罩層；<br/> 在所述吸收材料層、所述緩衝層、所述頂蓋層和所述反射多層堆疊中形成溝渠；以及<br/> 將護膜框架附接到所述溝渠中的所述基底，其中所述護膜框架的下端低於所述反射多層堆疊的上表面。
如請求項8所述的方法，其中在所述吸收材料層、所述緩衝層、所述頂蓋層和所述反射多層堆疊中形成所述溝渠包括在所述吸收材料層上形成圖案化罩幕，並透過所述圖案化罩幕中的開口蝕刻所述吸收材料層、所述緩衝層、所述頂蓋層和所述反射多層堆疊。
如請求項8所述的方法，其中將所述護膜框架附接到所述溝渠中的所述基底包括以位於所述溝渠的所述底部的護膜框架黏合劑，將所述護膜框架與所述溝渠中的所述基底接觸。
一種提供商品類別資訊之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>自用戶接收對用以選擇商品類別之第1頁面之請求； <br/>響應於接收到上述請求，確定是否已對上述用戶設定回購候選商品清單；及 <br/>響應於確定已對上述用戶設定上述回購候選商品清單，向上述用戶提供上述第1頁面，該第1頁面包括用以選擇第1商品類別之第1介面，及用以選擇一個以上之第2商品類別各者之一個以上的第2介面， <br/>其中上述第1商品類別為基於商品購買歷史之商品類別，其表示上述回購候選商品清單， <br/>其中上述一個以上之第2商品類別為基於商品屬性之商品類別，其基於商品之屬性分類，且 <br/>其中上述第1商品類別顯示於上述第1頁面，使得上述第1商品類別區別於上述一個以上之第2商品類別。
如請求項1之提供商品類別資訊之方法，其中確定是否已對上述用戶設定回購候選商品清單之步驟包括如下步驟： <br/>識別上述用戶之商品購買歷史，上述商品購買歷史包括上述用戶購買之商品之商品名、商品類別、購買日期、購買價格或購買次數中之至少一者；及 <br/>基於上述商品購買歷史，確定是否已對上述用戶設定回購候選商品清單。
如請求項1之提供商品類別資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述用戶接收對上述第1介面進行之選擇輸入；及 <br/>響應於接收到上述選擇輸入，向上述用戶提供第2頁面，上述第2頁面係顯示有上述回購候選商品清單中之一個以上之商品者。
如請求項1之提供商品類別資訊之方法，其中上述第1介面顯示於上述第1頁面中之至少一部分區域。
如請求項4之提供商品類別資訊之方法，其中上述第1頁面內顯示上述第1介面之位置係基於上述用戶之商品購買歷史而確定。
如請求項1之提供商品類別資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於確定已對上述用戶設定上述回購候選商品清單，確定上述回購候選商品清單中之一個以上之商品所屬之一個以上的第3商品類別；及 <br/>確定上述一個以上之第3商品類別之個數是否為臨界值以上； <br/>其中，上述臨界值指示推薦給上述用戶之第3商品類別之最小數量。
如請求項6之提供商品類別資訊之方法，其中向上述用戶提供上述第1頁面之步驟包括如下步驟： <br/>響應於確定上述一個以上之第3商品類別之個數未達上述臨界值，向上述用戶提供上述第1頁面，該第1頁面包括用以選擇上述第1商品類別之上述第1介面，及用以選擇上述一個以上之第2商品類別各者之上述一個以上的第2介面。
如請求項6之提供商品類別資訊之方法，其中向上述用戶提供上述第1頁面之步驟進而包括如下步驟： <br/>響應於確定上述一個以上之第3商品類別之個數為上述臨界值以上，向上述用戶提供上述第3頁面，該第3頁面包括用以選擇上述第1商品類別之第3介面，及用以選擇上述一個以上之第3商品類別各者之一個以上的第4介面。
如請求項8之提供商品類別資訊之方法，其包括如下步驟： <br/>自上述用戶接收對上述一個以上之第4介面中之一者進行之選擇輸入；及 <br/>響應於接收到上述選擇輸入，向上述用戶提供第4頁面，該第4頁面係顯示有屬於上述一個以上之第3商品類別中之與上述選擇輸入對應之第3商品類別之一個以上的商品。
如請求項8之提供商品類別資訊之方法，其中上述第3介面顯示於上述第3頁面中之第1區域， <br/>上述一個以上之第4介面各者顯示於上述第3頁面中之第2區域。
如請求項10之提供商品類別資訊之方法，其中基於上述一個以上之第3商品類別之間的優先級，按照自用以於上述一個以上之第3商品類別中選擇優先級最高之第3商品類別之第4介面至用以選擇優先級最低之第3商品類別之第4介面之順序依序顯示於上述第2區域中。
如請求項13之提供商品類別資訊之方法，其中上述一個以上之第3商品類別之間的優先級係基於上述用戶之商品購買歷史而確定。
如請求項8之提供商品類別資訊之方法，其中上述第3頁面係以覆蓋至上述第1頁面中之至少一部分區域之形態顯示。
如請求項13之提供商品類別資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述用戶接收縮小或放大上述第3頁面之輸入；及 <br/>響應於接收到上述輸入，調整顯示於上述第1頁面中之上述第3頁面之尺寸。
一種提供商品類別資訊之電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至14中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作以提供商品類別資訊之命令者， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至14中任一項之方法。
一種自迴路測試模組，包含：<br/>一殼體；<br/>一電路板，設置於該殼體中，該電路板包含一自迴路測試線路、一微控制器以及一致冷晶片驅動器；以及<br/>一致冷晶片，設置於該殼體中，該微控制器耦接於該致冷晶片，該致冷晶片驅動器耦接於該致冷晶片與該微控制器，該致冷晶片具有位於相對二側之一第一面以及一第二面，該第一面接觸該電路板，該第二面接觸該殼體：<br/>其中，該第一面與該第二面的其中之一為一冷面，且該第一面與該第二面的其中另一為一熱面；<br/>其中，當該電路板之一目前溫度低於或等於一溫度門檻值時，該微控制器控制該致冷晶片驅動器週期性地將該第一面變換為該冷面與該熱面的其中之一，且週期性地將該第二面變換為該冷面與該熱面的其中另一，直到溫度自動達到動態平衡。
如請求項1所述之自迴路測試模組，其中當該電路板之該目前溫度高於該溫度門檻值時，該微控制器控制該致冷晶片驅動器使該第一面維持為該冷面，且使該第二面維持為該熱面。
如請求項1所述之自迴路測試模組，其中該微控制器包含一溫度感測器，用以感測該電路板之該目前溫度。
如請求項1所述之自迴路測試模組，其中該殼體包含一上蓋以及一下蓋，該致冷晶片之該第二面接觸該上蓋與該下蓋的其中之一。
如請求項4所述之自迴路測試模組，其中該致冷晶片之該第二面當做散熱面。
如請求項1所述之自迴路測試模組，其中該致冷晶片設計成功耗模擬，該致冷晶片同時有該冷面降溫，且有該熱面發熱，使得該致冷晶片比其他元件功耗大。
一種清洗劑組成物，包含：3-胺基-4-辛醇（A）、以及 <br/>選自由酸性磷酸酯（B1）、有機膦酸（B2）及該些的鹽所組成的群組中的至少一種有機磷系化合物（B）， <br/>所述酸性磷酸酯（B1）為下述式（1）所表示的化合物， <br/>所述有機膦酸（B2）為下述式（3）所表示的化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="166px" width="603px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>表示碳數1～24的直鏈或分支鏈的烷基、苯基、或者經碳數7～12的直鏈或分支鏈的烷基取代的苯基，n表示0～20的整數；X表示羥基或通式（2）：R<sup>2</sup>O-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>m</sub>-所表示的基；式（2）中，R<sup>2</sup>表示碳數1～24的直鏈或分支鏈的烷基、苯基、或者經碳數7～12的直鏈或分支鏈的烷基取代的苯基，m表示0～20的整數； <br/><br/><img align="absmiddle" height="158px" width="517px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（3）中，R<sup>3</sup>表示碳數1～24的直鏈或分支鏈的烷基、苯基、或者經碳數7～12的直鏈或分支鏈的烷基取代的苯基。
如請求項1所述的清洗劑組成物，更包含水。
如請求項1或2所述的清洗劑組成物，更包含有機溶劑（D）。
如請求項1或2所述的清洗劑組成物，用於助焊劑殘渣去除。
如請求項3所述的清洗劑組成物，用於助焊劑殘渣去除。
一種水稀釋型清洗劑，包含如請求項1或2所述的清洗劑組成物及水， <br/>相對於如請求項1或2所述的清洗劑組成物100質量份，包含100質量份～1500質量份的水。
一種水稀釋型清洗劑，包含如請求項3所述的清洗劑組成物及水， <br/>相對於如請求項3所述的清洗劑組成物100質量份，包含100質量份～1500質量份的水。
如請求項6所述的水稀釋型清洗劑，用於助焊劑殘渣去除。
如請求項7所述的水稀釋型清洗劑，用於助焊劑殘渣去除。
一種氣體擴散板檢測方法，包括：<br/>利用影像掃描設備，捕捉所述待檢測氣體擴散板對應於各目標區域的各區域影像數據，拼接各目標區域對應的各區域影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的全幅影像數據，檢測所述全幅影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的影像數據，並獲取所述待檢測氣體擴散板的輪廓數據；<br/>檢測所述影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞直徑，並檢測所述輪廓數據，得到所述待檢測氣體擴散板的表面平坦度；<br/>基於每個孔洞直徑和所述表面平坦度，得到所述待檢測氣體擴散板的使用壽命檢測結果。
如請求項1 所述的檢測方法，其中，所述檢測所述影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞直徑，包括：<br/>對所述待檢測氣體擴散板的影像數據進行二值化處理，得到所述待檢測氣體擴散板的二值化影像數據；<br/>識別所述二值化影像數據中各像素點的各像素值，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞直徑。
如請求項2所述的檢測方法，所述識別所述二值化影像數據中各像素點的各像素值，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞直徑，包括：<br/>識別所述二值化影像數據中每個像素點的像素值，確定所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞及每個孔洞包含的像素點數量；<br/>根據影像掃描設備的攝像頭的鏡頭倍率、所述二值化影像數據中每個像素點的像素寬度、每個孔洞包含的像素點數量，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞的孔洞直徑。
如請求項3所述的檢測方法，其中，所述根據影像掃描設備的攝像頭的鏡頭倍率、所述二值化影像數據中每個像素點的像素寬度、每個孔洞包含的像素點數量，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞的孔洞直徑，包括：<br/>根據所述影像掃描設備的攝像頭的鏡頭倍率、所述二值化影像數據中每個像素點的像素寬度、每個孔洞包含的像素點數量，確定每個孔洞的孔洞面積；<br/>根據每個孔洞的孔洞面積、每個孔洞包含的像素點數量，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞的孔洞直徑。
如請求項4所述的方法，其中，所述基於每個孔洞直徑，得到所述待檢測氣體擴散板的使用壽命檢測結果，包括：<br/>根據每個孔洞的孔洞直徑、孔洞直徑閾值，將孔洞直徑小於所述孔洞直徑閾值的每個孔洞確定為壞孔洞；<br/>根據所述待檢測氣體擴散板中所有孔洞的數量和所有壞孔洞的數量，得到所述待檢測氣體擴散板的實際壞洞率；<br/>若所述待檢測氣體擴散板的實際壞洞率超過壞洞率閾值，得到所述待檢測氣體擴散板需汰換的使用壽命檢測結果。
如請求項1所述的方法，其中，通過以下方式獲取所述待檢測氣體擴散板的輪廓數據：<br/>利用探針通過接觸所述待檢測氣體擴散板的各個表面，得到所述待檢測氣體擴散板的輪廓數據；<br/>其中，所述輪廓數據包括三維輪廓數據。
如請求項1或6所述的檢測方法，其中，所述檢測所述輪廓數據，得到所述待檢測氣體擴散板的表面平坦度，包括：<br/>確定所述待檢測氣體擴散板的多個檢測區域，其中，各檢測區域為同心圓設置；<br/>基於所述輪廓數據，獲取所述待檢測氣體擴散板對應於每個檢測區域的區域高度；<br/>根據所述待檢測氣體擴散板對應於每個檢測區域的區域高度，得到所述待檢測氣體擴散板的表面平坦度。
如請求項6所述的方法，其中，所述基於所述表面平坦度，得到所述待檢測氣體擴散板的使用壽命檢測結果，包括：<br/>將最靠近所述待檢測氣體擴散板的外緣的一個檢測區域，確定為參考檢測區域，並將未被確定為所述參考檢測區域的每個檢測區域確定為目標檢測區域；<br/>將每個目標檢測區域的區域高度與所述參考檢測區域的區域高度進行比對，得到每個目標檢測區域相較於所述參考檢測區域的實際高度差；<br/>基於每個目標檢測區域相較於所述參考檢測區域的實際高度差，得到所述待檢測氣體擴散板需汰換或無需汰換的使用壽命檢測結果。
一種氣體擴散板檢測裝置，包括：<br/>獲取模組，用於利用影像掃描設備，捕捉所述待檢測氣體擴散板對應於各目標區域的各區域影像數據，拼接各目標區域對應的各區域影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的全幅影像數據，檢測所述全幅影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的影像數據，並獲取所述待檢測氣體擴散板的輪廓數據；<br/>檢測模組，用於檢測所述影像數據，得到所述待檢測氣體擴散板的每個孔洞直徑，並檢測所述輪廓數據，得到所述待檢測氣體擴散板的表面平坦度；<br/>分析模組，用於基於每個孔洞直徑和所述表面平坦度，得到所述待檢測氣體擴散板的使用壽命檢測結果。
一種電子設備，包括：<br/>處理器；以及<br/>存儲程式的記憶體；<br/>其中，所述程式包括指令，所述指令在由所述處理器執行時使所述處理器執行如請求項1-8中任一項所述的方法。
一種存儲有電腦指令的非暫態電腦可讀存儲媒體，其中，所述電腦指令用於使電腦執行如請求項1-8中任一項所述的方法。
一種行銷系統，適用於一通訊伺服器及一訊號發射器，該通訊伺服器與一供一客戶操作的行動裝置通訊，該訊號發射器設於一推薦地點並發送一信標訊號，該行銷系統包含：<br/> 一資料庫伺服器，儲存有多筆產品行銷資料及多筆客戶資料；及<br/> 一生成式行銷伺服器，電連接於該資料庫伺服器；<br/> 該生成式行銷伺服器自該通訊伺服器接收一由該客戶自該行動裝置所輸入的對話內容所產生的行程規劃請求，及一對應於該客戶的身份識別資料；<br/> 該生成式行銷伺服器根據該身份識別資料搜尋出對應的該客戶資料，並根據該等產品行銷資料、對應的該客戶資料及該行程規劃請求以計算出一指示出該等產品行銷資料其中一者或多者並指示出該推薦地點的推薦行程；<br/> 該生成式行銷伺服器根據該推薦行程產生一自然語言規劃內容，並將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置；<br/> 該生成式行銷伺服器向該通訊伺服器發送一定位確認指示，以自該通訊伺服器接收一指示出目前該行動裝置的所在地點的定位資訊；<br/> 該生成式行銷伺服器判斷該定位資訊與該推薦行程是否相符，若不相符，則該生成式行銷伺服器根據該定位資訊更新該推薦行程，並根據該推薦行程重新產生該自然語言規劃內容，並將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置；<br/> 當該生成式行銷伺服器透過該通訊伺服器判斷該行動裝置自該訊號發射器接收到該信標訊號後，該生成式行銷伺服器產生一相關於該自然語言規劃內容的優惠提示訊息，並將該優惠提示訊息經由該通訊伺服器傳至該行動裝置。
如請求項1所述的行銷系統，還適用於一第一外部服務伺服器，其中，該生成式行銷伺服器還根據一接收自該第一外部服務伺服器的服務時刻資訊產生該推薦行程，該服務時刻資訊與營業場所提供服務的時段有關。
如請求項1所述的行銷系統，還適用於一第二外部服務伺服器，其中，該生成式行銷伺服器還根據一接收自該第二外部服務伺服器的生活服務資訊產生該自然語言規劃內容，該生活服務資訊相關於地理或氣象資訊。
如請求項1所述的行銷系統，其中，該生成式行銷伺服器將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置後，該生成式行銷伺服器能多次以對話的方式自該通訊伺服器接收由該客戶自該行動裝置所輸入的對話內容並更新該行程規劃請求，並根據更新後的該行程規劃請求計算該推薦行程，接著根據該推薦行程產生該自然語言規劃內容，將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置。
如請求項1所述的行銷系統，其中，該生成式行銷伺服器於該推薦行程所指示的一指定時段內，定期地向該通訊伺服器發送該定位確認指示，以自該通訊伺服器接收指示出目前該行動裝置的所在地點的該定位資訊。
一種行銷方法，藉由一行銷系統實施，該行銷系統適用於一通訊伺服器及一訊號發射器，該通訊伺服器與一供一客戶操作的行動裝置通訊，該訊號發射器設於一推薦地點並發送一信標訊號，該行銷系統儲存有多筆產品行銷資料及多筆客戶資料，該行銷方法包含：<br/> 自該通訊伺服器接收一由該客戶自該行動裝置所輸入的對話內容所產生的行程規劃請求，及一對應於該客戶的身份識別資料；<br/> 根據該身份識別資料搜尋出對應的該客戶資料，並根據該等產品行銷資料、對應的該客戶資料及該行程規劃請求以計算出一指示出該等產品行銷資料其中一者或多者並指示出該推薦地點的推薦行程；<br/> 根據該推薦行程產生一自然語言規劃內容，並將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置；<br/> 向該通訊伺服器發送一定位確認指示，以自該通訊伺服器接收一指示出目前該行動裝置的所在地點的定位資訊；<br/> 判斷該定位資訊與該推薦行程是否相符，若不相符，則根據該定位資訊更新該推薦行程，並根據該推薦行程重新產生該自然語言規劃內容，並將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置；及<br/> 當該行銷系統透過該通訊伺服器判斷該行動裝置自該訊號發射器接收到一信標訊號後，產生一相關於該自然語言規劃內容的優惠提示訊息，並將該優惠提示訊息經由該通訊伺服器傳至該行動裝置。
如請求項6所述的行銷方法，該行銷系統還適用於一第一外部服務伺服器，其中，還根據一接收自該第一外部服務伺服器的服務時刻資訊產生該推薦行程，該服務時刻資訊與營業場所提供服務的時段有關。
如請求項6所述的行銷方法，該行銷系統還適用於一第二外部服務伺服器，其中，還根據一接收自該第二外部服務伺服器的生活服務資訊產生該自然語言規劃內容，該生活服務資訊相關於地理或氣象資訊。
如請求項6所述的行銷方法，其中，將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置後，能多次以對話的方式自該通訊伺服器接收由該客戶自該行動裝置所輸入的對話內容並更新該行程規劃請求，並根據更新後的該行程規劃請求計算該推薦行程，接著根據該推薦行程產生該自然語言規劃內容，將該自然語言規劃內容經由該通訊伺服器傳至該行動裝置。
如請求項6所述的行銷方法，其中，於該推薦行程所指示的一指定時段內，定期地向該通訊伺服器發送該定位確認指示，以自該通訊伺服器接收指示出目前該行動裝置的所在地點的該定位資訊。
一種線材輔助裝置，包括：<br/> 殼體，包括第一突塊；<br/> 夾持件，可移動地設置於上述殼體內，且包括夾臂以及設置於上述夾臂的第二突塊；以及<br/> 移動件，可移動地設置於上述殼體上，<br/> 其中上述殼體鄰近於電連接器，且線材的插頭穿過上述夾持件插入上述電連接器，藉由拉動上述移動件移動上述夾持件，以使上述夾臂夾持上述插頭，並將上述插頭從上述電連接器拔出，<br/> 其中於上述夾臂夾持上述插頭的過程中，上述第一突塊推動上述第二突塊，以使上述夾臂夾持上述插頭。
如請求項1所述的線材輔助裝置，更包括：<br/> 拉環，經由連接繩連接於上述移動件，上述插頭穿過上述夾持件以及上述拉環插入上述電連接器。
如請求項2所述的線材輔助裝置，其中上述殼體以及上述電連接器設置於機殼內，且上述機殼包括開口，上述拉環可拆卸地安裝於上述開口。
如請求項3所述的線材輔助裝置，更包括：<br/> 第一防水蓋，安裝於上述開口，且覆蓋於上述拉環，；以及<br/> 第二防水蓋，安裝於上述第一防水蓋，<br/> 其中上述線材穿過上述第一防水蓋以及上述第二防水蓋。
如請求項1所述的線材輔助裝置，更包括：<br/> 卡榫，可移動地設置於上述殼體內，且位於上述殼體的第一引導槽以及上述移動件的第二引導槽內，上述卡榫用以卡合插置於上述電連接器的上述插頭。
如請求項5所述的線材輔助裝置，其中上述第一引導槽包括第一區段以及第二區段，上述第一區段相對於上述第二區段傾斜，上述第二區段連接於上述第一區段，且沿移動方向延伸，上述第二引導槽沿垂直方向延伸，且上述垂直方向垂直於上述移動方向，<br/> 其中上述卡榫垂直於上述垂直方向以及上述移動方向延伸。
如請求項6所述的線材輔助裝置，其中當上述夾持件以及上述移動件位於初始位置時，上述卡榫位於上述第一引導槽的上述第一區段、以及上述第二引導槽的頂端，<br/> 其中當上述夾持件以及上述移動件位於夾持位置時，上述卡榫位於上述第一引導槽的上述第二區段、以及上述第二引導槽的底端。
如請求項1所述的線材輔助裝置，其中上述夾持件更包括限位柱，連接於上述夾臂，限位柱穿過上述殼體的第一限位槽、以及位於上述移動件的第二限位槽內，<br/> 上述第一限位槽以及上述第二限位槽沿移動方向延伸，且上述第一限位槽的長度大於上述第二限位槽的長度，其中上述第一限位槽的長度以及上述第二限位槽的長度沿上述移動方向測量。
如請求項1所述的線材輔助裝置，其中上述殼體更包括限制塊，位於上述移動件的限制槽內，上述限制槽沿移動方向延伸，上述限制塊限制上述移動件沿移動方向相對於上述殼體移動。
如請求項1所述的線材輔助裝置，更包括：<br/> 主彈性元件，連接於上述殼體以及上述夾持件，用以將上述夾持件維持於初始位置；以及<br/> 外彈性元件，連接於上述殼體以及上述移動件，用以將上述移動件維持於初始位置。
一種印刷設備，其包括：<br/>多個印刷模組，其相鄰設置，每一該印刷模組被配置成用於對至少一球雛體進行一印刷動作；<br/>多個固化模組，其相鄰設置，每一該固化模組被配置成用於對該至少一球雛體進行一固化動作；以及<br/>多個第一輸送模組，其為磁浮線性滑軌裝置，其中一該第一輸送模組對應於其中一部分該印刷模組，另外一該第一輸送模組對應於另外一部分該印刷模組與該多個固化模組，其中一該第一輸送模組被配置成用於將該至少一球雛體運送到其中一該印刷模組，另外一該第一輸送模組被配置成用於將該至少一球雛體運送到其中一該印刷模組或其中一該固化模組；其中，每一該第一輸送模組包括：<br/>一第一線性導軌元件；以及<br/>至少一第一載台元件，其能活動地懸設於該第一線性導軌元件，該至少一第一載台元件被配置成用於承載該至少一球雛體；<br/>其中，當該第一線性導軌元件被控制而變化自身的磁性時，該第一線性導軌元件藉由一磁力而驅使該至少一第一載台元件進行位移；<br/>其中，該印刷設備還包括至少一第二輸送模組，其對應於該多個第一輸送模組，該至少一第二輸送模組被配置成用於接收其中一該第一輸送模組的該至少一第一載台元件，並將該至少一第一載台元件運送到另外一該第一輸送模組的該第一線性導軌元件上。
如請求項1所述的印刷設備，其中，該至少一第一載台元件包括：<br/>一載台本體，其能活動地懸設於該第一線性導軌元件；<br/>至少一第一夾固件，其能活動地穿設於該載台本體；<br/>至少一第二夾固件，其穿設於該載台本體且對應於該至少一第一夾固件，該第二夾固件與該至少一第一夾固件被配置成用於固定該至少一球雛體；<br/>一彈性件，其套設於該至少一第一夾固件；以及<br/>一連動件，其能活動地穿設於該載台本體，該連動件能活動地連接於該第二夾固件。
如請求項2所述的印刷設備，還包括一控制模組，其連接於該多個印刷模組、該多個固化模組以及該多個第一輸送模組，該控制模組被配置成用於驅使至少一該印刷模組、至少一該固化模組、或該至少一第一輸送模組進行運作；<br/>其中，該控制模組根據至少一控制命令，以驅使該第一線性導軌元件自身的磁性進行一預定變化，進而使該至少一第一載台元件進行位移且定位於對應其中一該印刷模組或其中一該固化模組的位置。
如請求項3所述的印刷設備，還包括至少一翻轉模組，其對應於其中一該第一輸送模組，該至少一翻轉模組被配置成用於轉動該至少一球雛體。
如請求項4所述的印刷設備，其中，該至少一翻轉模組還包括：<br/>一基座元件，其對應於其中一該印刷模組；<br/>一驅動元件，其能拆卸地設置於該基座元件且連接於該控制模組，該驅動元件的其中一端具有一驅動部，該驅動部穿設於該基座元件；以及<br/>一連動元件，其連接於該驅動部。
如請求項1所述的印刷設備，其中，相鄰的兩該印刷模組之間具有一第一間距，相鄰的兩該固化模組之間具有一第二間距，相鄰的該印刷模組與該固化模組之間具有一第三間距；其中，該第一間距不等於該第二間距、該第一間距不等於該第三間距、或者該第一間距不等於該第二間距且該第一間距不等於該第三間距。
如請求項1所述的印刷設備，還包括：<br/>一供料模組，其鄰近於其中一該第一輸送模組，該供料模組被配置成用於提供該至少一球雛體；以及<br/>一轉移模組，其包括一第一取放元件，其鄰近於其中一該第一輸送模組或該供料模組，該第一取放元件被配置成用於將位於該供料模組的該至少一球雛體轉移到其中一該第一輸送模組。
如請求項7所述的印刷設備，還包括一出料模組，其鄰近於另外一該第一輸送模組；<br/>其中，該轉移模組還包括一第二取放元件，其鄰近於另外一該第一輸送模組或該出料模組，該第二取放元件被配置成用於將位於另外一該第一輸送模組的該至少一球雛體轉移到該出料模組。
一種光學顯示設備，包括：液晶面板；以及堆疊於所述液晶面板的表面上的觀察者側偏光板， <br/>其中所述液晶面板包括具有2°到5°的預傾斜角的液晶層，且 <br/>所述觀察者側偏光板包括自所述液晶面板依序堆疊的包括正A層的第一延遲層；包括正C層的第二延遲層；以及偏光器且滿足以下關係式1： <br/>Re1 - 205 nm ≥ Rth2， <br/>其中Re1是所述第一延遲層在550 nm的波長下單位為nm的面內延遲，且Rth2是所述第二延遲層在550 nm的波長下單位為nm的面外延遲， <br/>其中所述正A層在550 nm的波長下具有50 nm至80 nm的面外延遲，且 <br/>其中所述正C層包括含氟聚苯乙烯類聚合物。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中Re1 - 205 nm處於-100 nm到-60 nm的範圍內。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述液晶層或所述液晶面板在550 nm的波長下具有330 nm到380 nm的面內延遲。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述液晶層是處於水平配向模式的液晶層。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述液晶層是通過物理配向而形成。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述液晶面板包括所述液晶層以及形成於所述液晶層的表面上並經過摩擦處理的配向層。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述液晶層具有正雙折射。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述正A層在550 nm的波長下具有100 nm到160 nm的面內延遲。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述正A層的慢軸相對於所述偏光器的角度在0°的光吸收軸傾斜-1°到1°的角度。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述正A層具有負的波長色散。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述正C層在550 nm的波長下具有-140 nm到-10 nm的面外延遲。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述第二延遲層僅包括所述正C層，或者包括所述正C層以及堆疊於所述正C層的至少一個表面上的第二保護層。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中所述第一延遲層僅包括所述正A層，或者包括所述正A層以及堆疊於所述正A層的至少一個表面上的第一保護層。
如請求項13所述的光學顯示設備，其中所述第一保護層在550 nm的波長下具有10 nm或小於10 nm的面內延遲。
如請求項1所述的光學顯示設備，其中僅所述第一延遲層和所述第二延遲層作為延遲層存在於所述偏光器與所述液晶面板之間。
一種雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物，其中所述雜環化合物為式I-3A所示化合物和/或式I-3B所示化合物； <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="80px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="101px" width="80px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，所述藥學上可接受的鹽為雜環化合物與酸形成的鹽；所述的酸選自鹽酸、磷酸、富馬酸、酒石酸、蘋果酸、乙二磺酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、苯磺酸或草酸。
如請求項1所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物，其中所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽的溶劑合物中，所述溶劑選自乙酸異丙酯、丙酮、異丙醇和正庚烷中1種或2種； <br/>（2）當所述雜環化合物為式I-3A所示化合物和式I-3B所示化合物時，其為式I-3所示化合物： <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="79px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（3）所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物中，所述雜環化合物與所述酸的莫耳比為1：（0.5-2）； <br/>（4）所述雜環化合物為式I-3B所示化合物<img align="absmiddle" height="101px" width="80px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（5）所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽的溶劑合物不為所述雜環化合物的單鹽酸鹽一水合物；和 <br/>（6）所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽的溶劑合物中，所述雜環化合物與所述溶劑的莫耳比為1：（0.001-2）。
如請求項1所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物，其中所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物為： <br/>所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽丙酮溶劑合物，其中鹽酸、所述式I-3B所示化合物和丙酮的莫耳比為0.9：1：0.9； <br/>或，所述式I-3B所示化合物磷酸鹽，其中磷酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物磷酸鹽丙酮溶劑合物，其中磷酸、所述式I-3B所示化合物和丙酮的莫耳比為1：1：0.05； <br/>或，所述式I-3B所示化合物富馬酸鹽，其中富馬酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽，其中酒石酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽，其中L-蘋果酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽異丙醇溶劑合物，其中乙二磺酸、所述式I-3B所示化合物和異丙醇的莫耳比為0.5：1：0.5； <br/>或，所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽，其中乙二磺酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為0.5：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽，其中乙二磺酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽丙酮正庚烷溶劑合物，其中乙二磺酸、所述式I-3B所示化合物、丙酮和正庚烷的莫耳比為1：1：0.3：0.03； <br/>或，所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽，其中對甲苯磺酸鹽和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽，其中甲磺酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽正庚烷溶劑合物，其中甲磺酸、所述式I-3B所示化合物和正庚烷的莫耳比為1：1：0.008； <br/>或，所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽，其中苯磺酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1； <br/>或，所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽異丙醇溶劑合物，其中苯磺酸、所述式I-3B所示化合物和異丙醇的莫耳比為1：1：0.01； <br/>或，所述式I-3B所示化合物草酸鹽，其中草酸和所述式I-3B所示化合物的莫耳比為1：1。
一種晶型，其為式I-3B所示化合物的晶型A、式I-3B所示化合物的晶型B、式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型、式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型、式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型、式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型、式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型、式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型、式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A、式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B、式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C、式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型、式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型或式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型； <br/>其中，所述式I-3B所示化合物的結構為：<img align="absmiddle" height="94px" width="80px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所述式I-3B所示化合物的晶型A，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在15.2±0.2º、22.8±0.2º、19.1±0.2º、18.6±0.2º和21.6±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物的晶型B，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在18.5±0.2º、24.8±0.2º、21.6±0.2º、20.9±0.2º和14.4±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在9.5±0.2º、24.8±0.2º、17.3±0.2º、19.3±0.2º和11.7±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在16.7±0.2º、16.3±0.2º、8.3±0.2º、21.1±0.2º和11.5±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在20.5±0.2º、15.9±0.2º、26.6±0.2º、18.9±0.2º和22.5±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在8.2±0.2º、20.7±0.2º、20.1±0.2º、15.7±0.2º和23.3±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在6.6±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在15.8±0.2º、20.3±0.2º、18.8±0.2º、21.8±0.2º和22.0±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在5.3±0.2º和18.9±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在18.6±0.2º、19.4±0.2º和21.6±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在20.3±0.2º、19.6±0.2º、11.6±0.2º、24.0±0.2º和23.0±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在9.4±0.2º、6.5±0.2º、19.9±0.2º、18.2±0.2º和21.8±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在21.4±0.2º、20.0±0.2º、19.6±0.2º、15.1±0.2º和21.0±0.2º處有繞射峰； <br/>所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型，其使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在27.7±0.2º、7.8±0.2º、15.7±0.2º、17.1±0.2º和16.5±0.2º處有繞射峰。
如請求項4所述的晶型，其中其滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述式I-3B所示化合物的晶型A使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：23.1±0.2º、17.6±0.2º、11.9±0.2º、24.9±0.2º和20.1±0.2º； <br/>（2）所述式I-3B所示化合物的晶型B使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：14.9±0.2º、19.2±0.2º、17.7±0.2º、17.1±0.2º和15.2±0.2º； <br/>（3）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和鹽酸的莫耳比為1：0.9； <br/>或者，所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型為所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽丙酮溶劑合物的晶型，其中所述式I-3B所示化合物、鹽酸和丙酮的莫耳比為1：0.9：0.9； <br/>（4）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：20.7±0.2º、18.9±0.2º、22.8±0.2º、6.6±0.2º和22.7±0.2º； <br/>（5）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和磷酸的莫耳比為1：0.9； <br/>或者，所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型為所述式I-3B所示化合物磷酸鹽丙酮溶劑合物的晶型，其中所述式I-3B所示化合物、磷酸和丙酮的莫耳比為1：0.9：0.05； <br/>（6）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：23.2±0.2º、19.2±0.2º、20.1±0.2º、22.3±0.2º和10.2±0.2º； <br/>（7）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：22.3±0.2º、26.4±0.2º、10.8±0.2º、17.4±0.2º和17.5±0.2º； <br/>（8）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：18.4±0.2º、9.6±0.2º、17.6±0.2º、21.3±0.2º和23.0±0.2º； <br/>（9）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：19.8±0.2º、18.5±0.2º、19.7±0.2º、20.4±0.2º、9.8±0.2º、11.4±0.2º、13.2±0.2º、22.3±0.2º和8.1±0.2º； <br/>（10）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：20.6±0.2º、25.5±0.2º、17.2±0.2º、16.1±0.2º和17.6±0.2º； <br/>（11）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A中，所述式I-3B所示化合物和乙二磺酸的莫耳比為1：0.5； <br/>或者，所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A為所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽異丙醇溶劑合物的晶型，其中, 所述式I-3B所示化合物、乙二磺酸和異丙醇的莫耳比為1：0.5：0.5； <br/>（12）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：20.1±0.2º、21.0±0.2º、18.2±0.2º、21.6±0.2º、17.4±0.2º、22.3±0.2º和11.5±0.2º； <br/>（13）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：17.7±0.2º、22.1±0.2º、15.1±0.2º、6.3±0.2º、20.8±0.2º、20.4±0.2º和11.0±0.2º； <br/>（14）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C中，所述式I-3B所示化合物和乙二磺酸莫耳比為1：1； <br/>或者，所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C為所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽丙酮正庚烷溶劑合物的晶型，其中，所述式I-3B所示化合物、乙二磺酸、丙酮和正庚烷莫耳比為1：1：03：0.03； <br/>（15）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：17.3±0.2º、23.2±0.2º、13.0±0.2º、16.4±0.2º和15.4±0.2º； <br/>（16）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和甲磺酸莫耳比為1：1； <br/>或者，所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型為所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽正庚烷溶劑合物的晶型，其中所述式I-3B所示化合物、甲磺酸和正庚烷莫耳比為1：1：0.008； <br/>（17）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：18.6±0.2º、15.6±0.2º、7.9±0.2º、22.2±0.2º和16.9±0.2º； <br/>（18）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和苯磺酸莫耳比為1：1； <br/>或者，所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型為所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽異丙醇溶劑合物的晶型，其中所述式I-3B所示化合物、苯磺酸和異丙醇莫耳比為1：1：0.01； <br/>（19）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：20.5±0.2º、19.1±0.2º、21.2±0.2º、6.9±0.2º和10.6±0.2º； <br/>（20）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖還在以下一處或多處有繞射峰：19.2±0.2º、15.4±0.2º、23.6±0.2º和22.4±0.2º； <br/> （21）所述式I-3B所示化合物的晶型A為所述式I-3B所示化合物乙酸異丙酯溶劑合物的晶型，所述式I-3B所示化合物與所述乙酸異丙酯的莫耳比為1：0.04； <br/>（22）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型中，所述式I-3B所示化合物和富馬酸的莫耳比為1：1； <br/>（23）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和L-酒石酸的莫耳比為1：1； <br/>（24）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和對甲苯磺酸的莫耳比為1：1； <br/>（25）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和L-蘋果酸的莫耳比為1：1； <br/>（26）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B中，所述式I-3B所示化合物和乙二磺酸的莫耳比為1：0.5；和 <br/>（27）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型中，所述式I-3B所示化合物和草酸莫耳比為1：1。
如請求項4所述的晶型，其中其滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述式I-3B所示化合物的晶型A使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在15.2±0.2º、22.8±0.2º、19.1±0.2º、17.6±0.2º、21.6±0.2º、23.1±0.2º、18.6±0.2º、11.9±0.2º、24.9±0.2º和20.1±0.2º處有繞射峰； <br/>（2）所述式I-3B所示化合物的晶型B使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在18.5±0.2º、24.8±0.2º、21.6±0.2º、20.9±0.2º、14.4±0.2º、14.9±0.2º、19.2±0.2º、17.7±0.2º、17.1±0.2º和15.2±0.2º處有繞射峰； <br/>（3）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在9.5±0.2º、24.8±0.2º、17.3±0.2º、19.3±0.2º、11.7±0.2º、20.7±0.2º、18.9±0.2º、22.8±0.2º、6.6±0.2º和22.7±0.2º處有繞射峰； <br/>（4）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在16.7±0.2º、16.3±0.2º、8.3±0.2º、21.1±0.2º、11.5±0.2º、23.2±0.2º、19.2±0.2º、20.1±0.2º、22.3±0.2º和10.2±0.2º處有繞射峰； <br/>（5）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在20.5±0.2º、15.9±0.2º、26.6±0.2º、18.9±0.2º、22.5±0.2º、22.3±0.2º、26.4±0.2º、10.8±0.2º、17.4±0.2º和17.5±0.2º處有繞射峰； <br/>（6）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在8.2±0.2º、20.7±0.2º、20.1±0.2º、15.7±0.2º、23.3±0.2º、18.4±0.2º、9.6±0.2º、17.6±0.2º、21.3±0.2º和23.0±0.2º處有繞射峰； <br/>（7）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在6.6±0.2º、19.8±0.2º、18.5±0.2º、19.7±0.2º、20.4±0.2º、9.8±0.2º、11.4±0.2º、13.2±0.2º、22.3±0.2º和8.1±0.2º處有繞射峰； <br/>（8）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在15.8±0.2º、20.3±0.2º、18.8±0.2º、21.8±0.2º、22.0±0.2º、20.6±0.2º、25.5±0.2º、17.2±0.2º、16.1±0.2º和17.6±0.2º處有繞射峰； <br/>（9）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在5.3±0.2º、18.9±0.2º、20.1±0.2º、21.0±0.2º、18.2±0.2º、21.6±0.2º、17.4±0.2º、22.3±0.2º和11.5±0.2º處有繞射峰； <br/>（10）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在18.6±0.2º、19.4±0.2º、21.6±0.2º、17.7±0.2º、22.1±0.2º、15.1±0.2º、6.3±0.2º、20.8±0.2º、20.4±0.2º和11.0±0.2º處有繞射峰； <br/>（11）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在20.3±0.2º、19.6±0.2º、11.6±0.2º、24.0±0.2º、23.0±0.2º、17.3±0.2º、23.2±0.2º、13.0±0.2º、16.4±0.2º和15.4±0.2º處有繞射峰； <br/>（12）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在9.4±0.2º、6.5±0.2º、19.9±0.2º、18.2±0.2º、21.8±0.2º、18.6±0.2º、15.6±0.2º、7.9±0.2º、22.2±0.2º和16.9±0.2º處有繞射峰； <br/>（13）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在21.4±0.2º、20.0±0.2º、19.6±0.2º、15.1±0.2º、21.0±0.2º、20.5±0.2º、19.1±0.2º、21.2±0.2º、6.9±0.2º和10.6±0.2º處有繞射峰； <br/>（14）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖在27.7±0.2º、7.8±0.2º、15.7±0.2º、17.1±0.2º、16.5±0.2º、19.2±0.2º、15.4±0.2º、23.6±0.2º和22.4±0.2º處有繞射峰；和 <br/>（15）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型為所述式I-3B所示化合物富馬酸共晶。
如請求項4所述的晶型，其中所述晶型滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述式I-3B所示化合物的晶型A使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表1所示的繞射峰： <br/>表1 <br/>； <br/>（2）所述式I-3B所示化合物的晶型A的差示掃描量熱曲線在160.9±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，所述式I-3B所示化合物的晶型A的差示掃描量熱曲線在168.4±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（3）所述式I-3B所示化合物的晶型A的熱重分析曲線在14.8±3°C至120℃±3°C溫度範圍內失重0.67%； <br/>（4）所述式I-3B所示化合物的晶型B使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表2所示的繞射峰： <br/>表2 <br/>； <br/>（5）所述式I-3B所示化合物的晶型B的差示掃描量熱曲線在164.2±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，所述式I-3B所示化合物的晶型B的差示掃描量熱曲線在171.7±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（6）所述式I-3B所示化合物的晶型B的熱重分析曲線在26.6±3°C至120℃±3°C溫度範圍內失重1.61%； <br/>（7）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表3所示的繞射峰： <br/>表3 <br/>； <br/>（8）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在122.1±3℃和199.6±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（9）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型的熱重分析曲線在17.7±3°C至100℃±3°C溫度範圍內失重13.39%，100±3°C至150℃±3°C溫度範圍內失重4.54%； <br/>（10）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表4所示的繞射峰： <br/>表4 <br/>； <br/>（11）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在158.5±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（12）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型的熱重分析曲線在27.4±3°C至120℃±3°C溫度範圍內失重2.07%； <br/>（13）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表5所示的繞射峰： <br/>表5 <br/>； <br/>（14）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型的差示掃描量熱曲線在165.2±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型的差示掃描量熱曲線在167.2±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（15）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型的熱重分析曲線在26.2±3°C至120℃±3°C溫度範圍內失重0.36%； <br/>（16）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表6所示的繞射峰： <br/>表6 <br/>； <br/>（17）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在162.4±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在165.7±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（18）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型的熱重分析曲線在25.9±3°C至120℃±3°C溫度範圍內失重0.57%； <br/>（19）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表7所示的繞射峰： <br/>表7 <br/>； <br/>（20）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在278.9±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（21）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型的熱重分析曲線在25.9±3°C至150℃±3°C溫度範圍內失重0.89%； <br/>（22）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表8所示的繞射峰： <br/>表8 <br/>； <br/>（23）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在120.4±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在128.1±3℃和213.6±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（24）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型的熱重分析曲線在27.5±3°C至100℃±3°C溫度範圍內失重1.31%； <br/>（25）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表9所示的繞射峰： <br/>表9 <br/>； <br/>（26）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A的差示掃描量熱曲線在162.8±3℃和239.7±3℃處達到吸熱峰的峰值，在198.8±3℃處達到放熱峰的峰值； <br/>（27）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A的熱重分析曲線在25.2±3°C至170℃±3°C溫度範圍內失重9.08%； <br/>（28）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表10所示的繞射峰： <br/>表10 <br/>； <br/>（29）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B的差示掃描量熱曲線在235.8±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B的差示掃描量熱（DSC）曲線在242.4±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（30）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B的熱重分析曲線在28.4±3°C至150℃±3°C溫度範圍內失重1.84%； <br/>（31）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表11所示的繞射峰： <br/>表11 <br/>； <br/>（32）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C的差示掃描量熱曲線在109.5±3℃和243.6±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（33）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C的熱重分析曲線在28.6±3°C至150℃±3°C溫度範圍內失重7.28%； <br/>（34）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表12所示的繞射峰： <br/>表12 <br/>； <br/>（35）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在116.3±3℃處有一個吸熱峰的起始點，和/或，所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在124.3±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（36）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型的熱重分析曲線在28.4±3°C至80℃±3°C溫度範圍內失重4.53%； <br/>（37）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表13所示的繞射峰： <br/>表13 <br/>； <br/>（38）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在254.1±3℃處達到吸熱峰的峰值； <br/>（39）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型的熱重分析曲線在28.4±3°C至150℃±3°C溫度範圍內失重1.32%； <br/>（40）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射、以2θ角表示的X射線粉末繞射圖具有如表14所示的繞射峰： <br/>表14 <br/>； <br/>（41）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線在129.7±3℃和198.2±3℃處達到吸熱峰的峰值；和 <br/>（42）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型的熱重分析曲線在28.4±3°C至100℃±3°C溫度範圍內失重2.27%。
如請求項4所述的晶型，其中所述晶型滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述式I-3B所示化合物的晶型A使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖1所示； <br/>（2）所述式I-3B所示化合物的晶型A的差示掃描量熱曲線基本上如圖2所示； <br/>（3）所述式I-3B所示化合物的晶型A的熱重分析曲線基本如圖2所示； <br/>（4）所述式I-3B所示化合物的晶型B使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖4所示； <br/>（5）所述式I-3B所示化合物的晶型B的差示掃描量熱曲線基本如圖5所示； <br/>（6）所述式I-3B所示化合物的晶型B的熱重分析曲線基本如圖5所示； <br/>（7）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖7所示； <br/>（8）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖8所示； <br/>（9）所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖8所示； <br/>（10）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖9所示； <br/>（11）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖10所示； <br/>（12）所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖10所示； <br/>（13）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖11所示； <br/>（14）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖12所示； <br/>（15）所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型的熱重分析曲線基本如圖12所示； <br/>（16）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖13所示； <br/>（17）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖14所示； <br/>（18）所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖14所示； <br/>（19）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖15所示； <br/>（20）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線如圖16所示； <br/>（21）所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型的熱重分析曲線如圖16所示； <br/>（22）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖17所示； <br/>（23）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖18所示； <br/>（24）所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖18所示； <br/>（25）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖19所示； <br/>（26）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A的差示掃描量熱曲線基本如圖20所示； <br/>（27）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A的熱重分析曲線基本如圖20所示； <br/>（28）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖21所示； <br/>（29）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B的差示掃描量熱曲線基本如圖22所示； <br/>（30）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B的熱重分析曲線基本如圖22所示； <br/>（31）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖23所示； <br/>（32）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C的差示掃描量熱曲線基本如圖24所示； <br/>（33）所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C的熱重分析曲線基本如圖24所示； <br/>（34）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖25所示； <br/>（35）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖26所示； <br/>（36）所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖26所示； <br/>（37）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖27所示； <br/>（38）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖28所示； <br/>（39）所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖28所示； <br/>（40）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型使用Cu-Kα輻射，其X射線粉末繞射圖譜基本如圖29所示； <br/>（41）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型的差示掃描量熱曲線基本如圖30所示；和 <br/>（42）所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型的熱重分析曲線基本如圖30所示。
如請求項4所述的晶型，其中所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型，其具有如下晶胞參數：正交晶系，空間群P2<sub>1</sub>2<sub>1</sub>2<sub>1</sub>；a=6.4400(4)Å，α=90°，b=11.9376(8)Å，β=90°，c=33.139(2)Å，γ=90°， 晶胞體積=2547.7(3) Å<sup>3</sup>，晶胞內不對稱單位數Z=4，晶體密度為1.451mg/m<sup>3</sup>。
一種如請求項4-9中任一項所述晶型的製備方法，其中其為方法一或方法二： <br/>方法一：所述製備方法包含以下步驟：將所述式I-3B所示化合物與溶液的混合物析晶，得到所述式I-3B所示化合物或其溶劑合物的晶型； <br/>方法一中，當得到所述式I-3B所示化合物的晶型A時，溶劑為乙酸異丙酯； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物的晶型B時，溶劑為甲醇、水、乙腈和甲基三級丁基醚中的一種或多種； <br/>方法二：所述製備方法包含以下步驟：將所述式I-3B所示化合物、酸與溶劑的混合物析晶； <br/>方法二中，當得到所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型時，所述酸為鹽酸，所述溶劑為丙酮； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型時，所述酸為磷酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型時，所述酸為富馬酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型時，所述酸為酒石酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型時，所述酸為對甲苯磺酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型時，所述酸為蘋果酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A時，所述酸為乙二磺酸，所述溶劑為異丙醇； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B時，所述酸為乙二磺酸，所述溶劑為乙酸異丙酯； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C時，所述酸為乙二磺酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型時，所述酸為甲磺酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型時，所述酸為苯磺酸，所述溶劑為異丙醇； <br/>當得到所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型時，所述酸為草酸，所述溶劑為丙酮和正庚烷混合溶液。
一種藥物組合物，所述藥物組合物為如下任一方案： <br/>方案一： <br/>所述藥物組合物包含如請求項1-3中任一項所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物，和藥學上可接受的載體； <br/>方案二： <br/>所述藥物組合物包含物質X和藥學上可接受的載體，所述物質X為如請求項4-9中任一項所述式I-3B所示化合物的晶型A、所述式I-3B所示化合物的晶型B、所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型、所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C、所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型或所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型。
一種物質的應用，其中所述物質為如請求項1-3中任一項所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物、如請求項11所述藥物組合物或物質X； <br/>所述物質X為如請求項4-9中任一項所述式I-3B所示化合物的晶型A、所述式I-3B所示化合物的晶型B、所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型、所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C、所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型或所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型； <br/>所述應用包括：製備15‑PGDH抑制劑，和/或製備用於預防和/或治療15‑PGDH相關的疾病的藥物、藥物組合物或製劑。
如請求項12所述的物質的應用，其中所述15‑PGDH相關的疾病為纖維化疾病、炎性疾病、心血管疾病、創傷、自身免疫性疾病、移植物抗宿主疾病、毛髮生長、骨質疏鬆症、耳病、眼病、中性白細胞減少、糖尿病、膀胱活動低下症、在幹細胞或骨髓移植或器官移植中的植入物促進、神經發生和神經細胞死亡、血細胞重建、組織損傷、子宮頸疾病或腎病中的一種、兩種或更多種。
如請求項12或13所述的物質的應用，其中所述15‑PGDH相關的疾病滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述的纖維化疾病為肺纖維化、肝纖維化、腎纖維化、心肌纖維化、硬皮病或骨髓纖維化中的一種或多種； <br/>（2）所述的炎性疾病為慢性阻塞性肺病、急性肺損傷、膿毒症、哮喘和肺病的惡化、炎症性腸病、消化性潰瘍、自身炎性疾病、血管炎綜合症、急性肝損傷、急性腎損傷、非酒精性脂肪肝、特應性皮炎、牛皮癬、間質性膀胱炎或前列腺炎綜合症中的一種或多種； <br/>（3）所述的心血管疾病為肺動脈高壓、心絞痛、心肌梗死、心力衰竭、缺血性心臟病、腦中風或周圍循環紊亂中的一種或多種； <br/>（4）所述的創傷為糖尿病性潰瘍、燒傷、壓迫性潰瘍、急性黏膜損傷、包括斯-約二氏綜合症、黏膜損傷、抗癌化療劑有關的損傷、抗代謝物、細胞或體液免疫療法或放射線有關的損傷中的一種或多種； <br/>（5）所述的自身免疫性疾病為多發性硬化和/或類風濕性關節炎； <br/>（6）所述的耳病為聽力損失、耳鳴、眩暈或平衡失調中的一種或多種； <br/>（7）所述的眼病為青光眼和/或乾眼； <br/>（8）所述的神經發生和神經細胞死亡為精神神經疾病、神經病、神經毒性疾病、神經性疼痛或神經變性疾病中的一種或多種； <br/>（9）所述的組織損傷為肝損傷和/或肌肉損傷； <br/>（10）所述的腎病為慢性腎病和/或腎衰竭；和 <br/>（11）所述15‑PGDH相關的疾病為肝臟再生。
如請求項14所述的物質的應用，其中所述15‑PGDH相關的疾病滿足如下一個或多個條件： <br/>（1）所述的肺纖維化為特發性肺纖維化； <br/>（2）所述的炎症性腸病為潰瘍性結腸炎和/或克羅恩氏病； <br/>（3）所述的消化性潰瘍為NSAID誘導的潰瘍； <br/>（4）所述的自身炎性疾病為貝切特氏病； <br/>（5）所述的前列腺炎綜合症為慢性前列腺炎和/或慢性骨盆疼痛綜合症； <br/>（6）所述的抗癌化療劑為烷化劑、DNA合成抑制劑或DNA回旋酶抑制劑中的一種或多種；和 <br/>（7）所述肌肉損傷為肌肉萎縮和/或肌營養不良。
一種物質的應用，其中所述物質為如請求項1-3中任一項所述雜環化合物的藥學上可接受的鹽或其溶劑合物、如請求項11所述藥物組合物或物質X； <br/>所述物質X為如請求項4-9中任一項所述式I-3B所示化合物的晶型A、所述式I-3B所示化合物的晶型B、所述式I-3B所示化合物鹽酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物磷酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物富馬酸複合物的晶型、所述式I-3B所示化合物L-酒石酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物對甲苯磺酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物L-蘋果酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型A、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型B、所述式I-3B所示化合物乙二磺酸鹽的晶型C、所述式I-3B所示化合物甲磺酸鹽的晶型、所述式I-3B所示化合物苯磺酸鹽的晶型或所述式I-3B所示化合物草酸鹽的晶型； <br/>所述的應用為製備預防或治療如下疾病的藥物；所述的疾病為纖維化疾病、炎性疾病或組織損傷中的一種或多種； <br/>其中，所述的纖維化疾病、所述的炎性疾病和所述的組織損傷均如請求項13-15中任一項所述。
一種電子設備散熱總成，係包含設於一機箱(4)內的內循環散熱組件(2)，以及一與該內循環散熱組件(2)內部之工作流體相互循環連接且位於該機箱(4)外的外強制冷卻組件(3)；其中該內循環散熱組件(2)，至少係由組裝在一功率發熱源(50)上的至少一水冷頭(21)，以及與水冷頭(21)管路連接之一水散熱板(22)所構成，該功率發熱源(50)設置在該機箱(4)內之一主機板(5)上；<br/> 該水冷頭(21)，與該功率發熱源(50)對應設置並熱接觸；<br/> 該水散熱板(22)與該水冷頭(21)相互管路連接，且其內部供一工作流體循環流動，該水散熱板(22)設置於該機箱(4)內部與該主機板(5)之間；<br/> 該水冷頭(21)內部具有一熱交換空間(213)，以及與該熱交換空間連通的一進水口(211)及一出水口(212)，所述水散熱板(22)內部具有一流道(223)，對外則具有一入口(221)及一出口(222)；一冷卻水歧管組(70)，具有一第一管體(71)及一第二管體(72)，該第一管體(71)與該水冷頭(21)之進水口(211)連接，該第二管體(72)與該水散熱板(22)的出口(222)連接，且該第一管體(71)及第二管體(72)的另一端再分別與該外強制冷卻組件(3)管路連接；該水冷頭(21)的內部工作流體能夠對該功率發熱源(50)所產生的熱量進行吸收，而後在進入該水散熱板(22)內時，能夠進行一前段散熱以產生降溫，而後在循環進入該外強制冷卻組件(3)中時，能夠進行一後段強制熱交換冷卻，藉此提升對該工作流體的冷卻效率，確保再回送至水冷頭(21)的工作流體溫度，能降至期待的工作低溫。
如請求項1所述之電子設備散熱總成，其中該水冷頭(21)之出水口(212)能夠與另一水冷頭(21)之進水口(211)及該水散熱板(22)的入口(221)的其中之一相連接。
如請求項1或2所述之電子設備散熱總成，其中之外強制冷卻組件(3)包含有至少一冷卻液分配單元組(30)及相連接的一熱交換冷卻器；且該冷卻液分配單元組(30)的一輸入分配單元(31)及一輸出分配單元(32)，分別與該第一管體(71)及第二管體(72)相互管路連接。
如請求項3所述之電子設備散熱總成，其中之熱交換冷卻器係為氣式熱交換冷卻器(33)及液式熱交換冷卻器(34)的至少其中之一。
如請求項1或2所述之電子設備散熱總成，其中該水散熱板(22)為複數個，且該等水散熱板(22)彼此間隔且相平行排列地設置於主機板(5)之上方及下方的至少其中之一，並且彼此相互連通。
如請求項3所述之電子設備散熱總成，其中該水散熱板(22)為複數個，且該等水散熱板(22)彼此間隔且相平行排列地設置於主機板(5)之上方及下方至少的其中之一，並且彼此相互連通。
如請求項4所述之電子設備散熱總成，其中該水散熱板(22)為複數個，且該等水散熱板(22)彼此間隔且相平行排列地設置於主機板(5)之上方及下方至少的其中之一，並且彼此相互連通。
如請求項1或2所述之電子設備散熱總成，其中之機箱(4)內部至少中段區域設有加強推動風扇(90)。
如請求項3所述之電子設備散熱總成，其中之機箱(4)內部至少中段區域設有加強推動風扇(90)。
如請求項4所述之電子設備散熱總成，其中之機箱(4)內部至少中段區域設有加強推動風扇(90)。
如請求項5所述之電子設備散熱總成，其中之機箱(4)內部至少中段區域設有加強推動風扇(90)。
如請求項6所述之電子設備散熱總成，其中之機箱(4)內部至少中段區域設有加強推動風扇(90)。
如請求項7所述之電子設備散熱總成，其中之機箱(4)內部至少中段區域設有加強推動風扇(90)。
一種以自然語言溝通之服務平台，包含：<br/> 一需求模組，用以供一使用者以一自然語言提出一需求；<br/> 一自然語言溝通系統，於接收該使用者之該需求後，將該需求轉換分析後以獲得一分析結果；以及<br/> 一產品/服務模組，根據該分析結果提供的對應的產品或服務；該自然語言溝通系統具有一自然語言處理與傳輸模組及一自然語言語意建構模組，該自然語言處理與傳輸模組於該需求模組與該產品/服務模組之間進行訊息傳遞，該自然語言語意建構模組用以自該自然語言之該需求提取一語言模型；該自然語言處理與傳輸模組包含一自然語言接收模組、一對話內容轉換模組及一語意判別與回饋模組，該自然語言接收模組用以接收該需求，該對話內容轉換模組基於一AI語言模型將該對話內容、自然語言轉換為符合提供產品或服務者之內容，該語意判別與回饋模組用以判定轉換後之該需求是否有需要補充之訊息，並回饋至該需求模組或該產品/服務模組；該自然語言處理與傳輸模組進一步包含一語意疊加模組、一語言詞彙轉換模組及一傳遞模組，該語意疊加模組用以針對該需求進行一語意疊加，該語言詞彙轉換模組用以將使用者的意圖、需求、特徵、片段的文字，轉化成為該自然語言文字，給予任何形式可以讀取自然語言之機器人完成，該傳遞模組將該需求轉換分析後所獲得之該分析結果傳遞至該需求模組或該產品/服務模組；語意判別與回饋模組係通過特徵值語意資料庫之資訊，將對話內容轉換模組傳入之語意標籤內容進行比對，演算並判定是否有需要補充相關之訊息；其特徵在於︰該自然語言語意建構模組包含一提出需求者分類與貼標模組、一提供產品或服務者分類與貼標籤模組及一特殊用語辭庫語言模型，該提出需求者分類與貼標模組將自該需求模組所獲得之資訊進行分類與貼標，該提供產品或服務者分類與貼標籤模組將該產品/服務模組所提供之產品/服務進行分類與貼標，該特殊用語辭庫語言模型用以將該產品/服務模組所提供之產品/服務中的特殊專業用語進行補充與解釋。
如請求項1所述之以自然語言溝通之服務平台，其中該自然語言溝通系統包含一情緒感知與演算模組，且該情緒感知與演算模組進一步包含一情緒感知模型與一情緒指標演算法。
如請求項1所述之以自然語言溝通之服務平台，其中該自然語言溝通系統包含一交易完成回饋模組，且該交易完成回饋模組進一步包含一使用者交易回饋與評論模組及一對話語意分析與情緒評估演算法。
如請求項1所述之以自然語言溝通之服務平台，其中該自然語言溝通系統包含一推薦排序模組，且該推薦排序模組進一步包含一推薦排序演算法及一語意知識圖譜模組。
如請求項1所述之以自然語言溝通之服務平台，其中該自然語言溝通系統包含一廣告模組，且該廣告模組進一步包含一廣告設定模組及一廣告管理與評估模組。
如請求項1所述之以自然語言溝通之服務平台，其中該自然語言溝通系統包含一外部平台整合模組，該外部平台整合模組用以提供與外部系統之整合。
一種以自然語言溝通之服務平台的運作方法，包含下列步驟：<br/> 提供一需求模組，用以供一使用者以一自然語言提出一需求；<br/> 提供一自然語言溝通系統，該自然語言溝通系統於接收該使用者之該需求後，將該需求轉換分析後以獲得一分析結果；<br/> 提供一產品/服務模組，該產品/服務模組根據該分析結果提供的對應的產品或服務；該自然語言溝通系統具有一自然語言處理與傳輸模組及一自然語言語意建構模組，該自然語言處理與傳輸模組於該需求模組與該產品/服務模組之間進行訊息傳遞，該自然語言語意建構模組用以自該自然語言之該需求提取一語言模；該自然語言處理與傳輸模組包含一自然語言接收模組、一對話內容轉換模組及一語意判別與回饋模組，該自然語言接收模組用以接收該需求，該對話內容轉換模組基於一AI語言模型將該對話內容、自然語言轉換為符合提供產品或服務者之內容，該語意判別與回饋模組用以判定轉換後之該需求是否有需要補充之訊息，並回饋至該需求模組或該產品/服務模組；該自然語言處理與傳輸模組進一步包含一語意疊加模組、一語言詞彙轉換模組及一傳遞模組，該語意疊加模組用以針對該需求進行一語意疊加，該語言詞彙轉換模組用以將使用者的意圖、需求、特徵、片段的文字，轉化成為該自然語言文字，給予任何形式可以讀取自然語言之機器人完成，該傳遞模組將該需求轉換分析後所獲得之該分析結果傳遞至該需求模組或該產品/服務模組；語意判別與回饋模組係通過特徵值語意資料庫之資訊，將對話內容轉換模組傳入之語意標籤內容進行比對，演算並判定是否有需要補充相關之訊息；其特徵在於︰該自然語言語意建構模組包含一提出需求者分類與貼標模組、一提供產品或服務者分類與貼標籤模組及一特殊用語辭庫語言模型，該提出需求者分類與貼標模組將自該需求模組所獲得之資訊進行分類與貼標，該提供產品或服務者分類與貼標籤模組將該產品/服務模組所提供之產品/服務進行分類與貼標，該特殊用語辭庫語言模型用以將該產品/服務模組所提供之產品/服務中的特殊專業用語進行補充與解釋。
如請求項7所述之以自然語言溝通之服務平台的運作方法，其中該自然語言溝通系統包含一情緒感知與演算模組，且該情緒感知與演算模組進一步包含一情緒感知模型與一情緒指標演算法。
如請求項7所述之以自然語言溝通之服務平台的運作方法，其中該自然語言溝通系統包含一交易完成回饋模組，且該交易完成回饋模組進一步包含一使用者交易回饋與評論模組及一對話語意分析與情緒評估演算法。
如請求項7所述之以自然語言溝通之服務平台的運作方法，其中該自然語言溝通系統包含一推薦排序模組，且該推薦排序模組進一步包含一推薦排序演算法及一語意知識圖譜模組。
如請求項7所述之以自然語言溝通之服務平台的運作方法，其中該自然語言溝通系統包含一廣告模組，且該廣告模組進一步包含一廣告設定模組及一廣告管理與評估模組。
如請求項7所述之以自然語言溝通之服務平台的運作方法，其中該自然語言溝通系統包含一外部平台整合模組，該外部平台整合模組用以提供與外部系統之整合。
一種用於光纖對準的裝置，包括：<br/> 第一纖維陣列，包括多個第一光纖和多個第一磁性組件；<br/> 第二纖維陣列，包括多個第二光纖以及多個第二磁性組件；<br/> 連接件，包括鄰近開口的多個第三磁性組件，其中所述開口從所述連接件的第一側延伸到所述連接件的第二側，其中所述第一纖維陣列的所述第一磁性組件對應於靠近所述第一側的所述第三磁性組件，其中所述第二纖維陣列的所述第二磁性組件對應於靠近所述第二側的所述第三磁性組件，<br/> 其中所述多個第三磁性組件在垂直於所述多個第一光纖的延伸方向上磁性吸引所述多個第一磁性組件。
如請求項1所述的裝置，其中所述第一磁性組件位於所述第一纖維陣列的相對的垂直側壁上，並且所述第三磁性組件位於所述開口的相對的垂直側壁上。
如請求項1所述的裝置，其中所述多個第三磁性組件包括位於所述第一側附近的第一組第三磁性組件和位於所述第二側附近的第二組第三磁性組件。
如請求項1所述的裝置，其中所述第一纖維陣列具有與所述第二纖維陣列不同的厚度。
如請求項1所述的裝置，其中所述連接件是環形的。
一種用於光纖對準的裝置，包括：<br/> 環形連接件，其包括開口、位於所述開口的第一側的第一對準構件和位於所述開口的第二側的第二對準構件，其中所述開口成形為於所述第一側接收第一纖維陣列，於所述第二側接收第二纖維陣列，其中所述第一對準構件被配置為在所述開口內對準所述第一纖維陣列，其中所述第二對準構件被配置為在所述開口內對準所述第二纖維陣列，<br/> 其中所述第一對準構件包括通過至少一個第一彈簧機械連接到所述開口的第一表面的第一板材。
如請求項6所述的裝置，其中所述第一對準構件更包括通過至少一個第二彈簧機械連接到所述開口的第二表面的第二板材。
如請求項6所述的裝置，其中所述第一對準構件包括螺紋軸，所述螺紋軸可旋轉地延伸穿過所述環形連接件至所述第一板材。
一種使用用於光纖對準的裝置的方法，包括：<br/> 使第一纖維陣列的端部靠近第二纖維陣列的端部，其中所述第一纖維陣列包括第一磁體並且所述第二纖維陣列包括第二磁體；<br/> 將所述第一磁體磁性吸引至第三磁體，以將所述第一纖維陣列的所述端部與所述第二纖維陣列的所述端部對準；<br/> 將所述第二磁體磁性吸引至第四磁體，以將所述第二纖維陣列的所述端部與所述第一纖維陣列的所述端部對準，<br/> 其中所述第一磁體在垂直於所述第一纖維陣列的延伸方向上磁性吸引所述第三磁體。
如請求項9所述的方法，其中所述第一纖維陣列包括所述第四磁體並且所述第二纖維陣列包括所述第三磁體。
一種電阻感測器結構的形成方法，包括：<br/>形成電阻感測器結構的薄膜電阻器在基底上，其中所述薄膜電阻器包括在所述基底上的第一區段以及垂直堆疊在所述第一區段上的第二區段，所述第二區段的材料比所述第一區段的材料具有增加的電阻溫度係數；以及<br/>形成所述電阻感測器結構的與所述薄膜電阻器串聯電性耦合的電阻微調結構。
如請求項1的所述電阻感測器結構的形成方法，其中形成所述電阻微調結構包括：<br/>在所述第一區段上形成所述第二區段時，在所述第一區段旁形成所述電阻微調結構中的可選擇的薄膜電阻器，其中所述可選擇的薄膜電阻器與所述第二區段的材料比所述第一區段的材料具有增加的電阻溫度係數。
一種電阻感測器結構，包括：<br/>第一薄膜電阻器，在基底上，其中所述第一薄膜電阻器包括在所述基底上的第一區段以及垂直堆疊在所述第一區段上的第二區段，所述第二區段的材料比所述第一區段的材料具有增加的電阻溫度係數；<br/>多個第二薄膜電阻器，與所述第一薄膜電阻器串聯電性耦合，其中所述多個第二薄膜電阻器串聯電性連接；以及<br/>多個控制閘極，與所述第一薄膜電阻器串聯電性耦合，其中所述多個控制閘極串聯電性耦合，並且所述多個控制閘極中的相應一者與所述多個第二薄膜電阻器中的相應一者並聯電性耦合。
如請求項3的所述電阻感測器結構，其中所述多個控制閘極包括多個傳輸閘極且其中所述多個傳輸閘極中的每一者包括：<br/>p型金屬氧化物半導體電晶體；以及<br/>n型金屬氧化物半導體電晶體，與所述PMOS電晶體並聯電性耦合。
如請求項3的所述電阻感測器結構，其中所述多個控制閘極包括多個電性可程式化的控制閘極。
如請求項3的所述電阻感測器結構，其中所述第一薄膜電阻器藉由所述第一薄膜電阻器的第一主動區並藉由所述多個第二薄膜電阻器的多個第二主動區而與所述多個第二薄膜電阻器串聯電性耦合及其中所述第二薄膜電阻器藉由所述多個第二薄膜電阻器的所述多個第二主動區串聯電性耦合。
如請求項3的所述電阻感測器結構，其中所述第一薄膜電阻器藉由多個金屬化層而與所述多個第二薄膜電阻器串聯電性耦合及其中所述第二薄膜電阻器藉由所述多個金屬化層串聯電性連接。
一種電阻感測器結構，包括：<br/>薄膜電阻器，在基底上，其中所述薄膜電阻器包括在所述基底上的第一區段以及垂直堆疊在所述第一區段上的第二區段，所述第二區段的材料比所述第一區段的材料具有增加的電阻溫度係數；<br/>電阻微調結構，藉由多個電性導電感測線而與所述薄膜電阻器電性耦合；以及<br/>多個控制閘極，與所述電阻微調結構電性耦合。
如請求項8的所述電阻感測器結構，其中所述電阻微調結構包括串聯電性耦合的多個電阻微調墊及其中所述電阻微調墊中的相應一者與所述多個控制閘極中的相應一者和所述電性導電感測線中的相應一者電性耦合。
如請求項8的所述電阻感測器結構，其中所述電阻微調結構包括多個電阻微調墊及其中所述電阻微調墊中的相應一者與所述多個控制閘極中的相應一者和所述電性導電感測線中的相應一者電性耦合。
一種配對系統，用於規格書上的圖示與文字描述之配對，包括：<br/> 圖文辨識裝置，接收一規格書，並且透過圖像與文字辨識，找出上述規格書上的圖示區塊與文字區塊；其中，上述圖示區塊的周圍具有對應的覆蓋範圍；以及<br/> 偏好值計算裝置，依據上述文字區塊與上述圖示區塊的位置關係、上述文字區塊與上述覆蓋範圍的重疊面積、上述文字區塊的內容特性，對每一個上述文字區塊分配偏好值，供作上述文字區塊和上述圖示區塊配對之用。
如請求項1所述之配對系統，其中<br/> 上述偏好值計算裝置，更配置為執行：<br/> 計算上述文字區塊與上述圖示區塊的第一圖示區塊的覆蓋範圍兩者重疊的覆蓋面積，得到有重疊的上述文字區塊之每一個的面積分數；<br/> 對有重疊的上述文字區塊的每一個，計算與上述第一圖示區塊的距離，得到有重疊的上述文字區塊之每一個的距離分數；<br/> 依據有重疊的上述文字區塊的所在位置、描述格式、以及上述第一圖示區塊的框示範圍，決定有重疊的上述文字區塊之每一個的負面分數；以及<br/> 依據上述面積分數、距離分數、負面分數，計算有重疊的上述文字區塊之每一個的偏好值。
如請求項2所述之配對系統，其中<br/> 上述偏好值計算裝置，進一步將有重疊的上述文字區塊的偏好值滿足候選條件者，加入上述第一圖示的候選名單中。
如請求項3所述之配對系統，更包括：過濾裝置；<br/> 其中，當上述第一圖示的候選名單中的一第一文字區塊存在與上述圖示區塊的第二圖示區塊的關聯時，上述過濾裝置依據上述第一文字區塊分別對應於上述第一圖示區塊和上述第二圖示區塊的距離分數、面積分數、和覆蓋積分，決定從上述第一圖示的候選名單中保留或刪除上述第一文字區塊。
如請求項4所述之配對系統，其中<br/> 上述覆蓋積分表示為：<br/><img align="absmiddle" height="69px" width="444px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，p表示上述圖示區塊的編號，k示與圖示區塊p有重疊的所有文字區塊的總數；<br/> 𝐴𝑟𝑒𝑎_𝑠𝑐𝑜𝑟𝑒<sub>𝑝𝑡</sub>，為與上述圖示區塊p有重疊的k個文字區塊的重疊面積之總合相對應。
如請求項4或5所述之配對系統，其中<br/> 上述過濾裝置，比較上述第一文字區塊分別對應於上述第一圖示區塊和上述第二圖示區塊的距離分數；<br/> 若上述第一文字區塊的距離分數較低，則從上述第一圖示的候選名單中刪除上述第一文字區塊；<br/> 若上述第一文字區塊分別對應於上述第一圖示區塊和上述第二圖示區塊的距離分數相同，則進一步比較對應於上述第一圖示區塊和上述第二圖示區塊的面積分數；而且，若上述第一文字區塊的面積分數較低，則從上述第一圖示的候選名單中刪除上述第一文字區塊；<br/> 若上述第一文字區塊分別對應於上述第一圖示區塊和上述第二圖示區塊的面積分數相同，則進一步比較對應於上述第一圖示區塊和上述第二圖示區塊的覆蓋積分，而且，若上述第一文字區塊的覆蓋積分較低則保留在上述第一圖示的候選名單中，若上述第一文字區塊的覆蓋積分較高則從上述第一圖示的候選名單中刪除。
如請求項6所述之配對系統，更包括：推薦裝置；<br/> 其中，當上述第一圖示區塊的候選名單僅有一文字區塊，上述推薦裝置，保留上述文字區塊；<br/> 當上述第一圖示區塊的候選名單具有多個文字區塊時，上述推薦裝置，則依據最高分數策略、或相對位置策略而選擇上述第一圖示區塊的候選名單的文字區塊；<br/> 其中，當依據最高分數策略時，上述推薦裝置選擇將上述候選名單中偏好值最高的文字區塊配對給上述第一圖示區塊；<br/> 當依據相對位置策略時，上述推薦裝置優先將上述候選名單中與上述第一圖示區塊彼此相對為水平設置或垂直設的文字區塊中，選擇具有最高偏好值者並配對給上述第一圖示區塊。
如請求項7所述之配對系統，其中<br/> 上述推薦裝置依據最高分數策略、或相對位置策略進行配對後，同時將上述候選名單中沒有配對的文字區塊刪除。
如請求項1所述之配對系統，其中<br/> 上述圖示區塊對應的覆蓋範圍之配置，為以上述圖示區塊的尺寸為基本單位，並以上述圖示區塊為中心，向左側及向右側分別水平延伸第一既定數量的單位，並且在上述圖示區塊的上側及下側分別以水平延伸第二既定數量的單位。
如請求項9所述之配對系統，其中<br/> 上述第一既定數量為3.5，上述第二既定數量為5。
一種雷射點煙裝置，包括：<br/> 殼體；<br/> 透光容器，位於所述殼體中；<br/> 雷射發射單元，包括多個雷射器；所述多個雷射器設置在所述殼體與所述透光容器之間，所述多個雷射器的出光方向朝向所述透光容器；<br/> 所述透光容器中設置有待霧化原材料以及吸熱材料，所述雷射器設置為對所述待霧化原材料進行加熱霧化；所述吸熱材料設置為吸熱以增大所述待霧化原材料的霧化程度；以及<br/> 導熱絕緣基板，所述導熱絕緣基板透過焊料固定在所述殼體的內表面；所述多個雷射器設置在所述導熱絕緣基板遠離所述殼體一側的表面上，並與位於所述導熱絕緣基板的表面上的電極層電連接；<br/> 其中，所述電極層包括正電極和負電極；所述正電極和所述負電極設置為透過柔性電路板引出所述殼體，並與驅動單元電連接；或者，所述正電極和所述負電極設置為透過電極棒引出所述殼體，並與所述驅動單元電連接。
如請求項1所述的雷射點煙裝置，其中，所述吸熱材料在650-1550nm的波長範圍內的吸收峰超過預設值；所述吸熱材料包括石墨、碳化矽、陶瓷、金屬、氧化物和氮化物中的至少一種。
如請求項2所述的雷射點煙裝置，其中，至少部分所述吸熱材料呈粉末狀，粉末狀的所述吸熱材料均勻混合在所述待霧化原材料中；<br/> 其中，粉末狀的所述吸熱材料包括碳化矽粉、石墨粉、陶瓷粉、金屬粉、氧化物粉、氮化物粉中的至少一種。
如請求項2或3所述的雷射點煙裝置，其中，至少部分所述吸熱材料構成多孔疏鬆結構；或者，<br/> 至少部分所述吸熱材料構成吸熱體；所述吸熱體中包括至少一個設置為容納所述待霧化原材料的挖空容腔；所述吸熱體呈柱狀結構、球狀結構或者立方體結構；所述挖空容腔的形狀包括圓形、橢圓形、多邊形、環形和異形中的至少一種。
如請求項2或3所述的雷射點煙裝置，其中，至少部分所述吸熱材料構成吸熱薄膜，所述吸熱薄膜覆蓋在所述透光容器的部分內表面上；和/或，<br/> 所述雷射點煙裝置還包括增透膜，所述增透膜覆蓋在所述透光容器的外表面和內表面的至少一處。
如請求項1所述的雷射點煙裝置，其中，所述殼體的材料包括散熱金屬；<br/> 其中，所述導熱絕緣基板的材料包括氮化鋁、銅金剛石、氧化鈹和氧化鋁中的至少一種；<br/> 其中，所述透光容器的材料包括玻璃、碳化矽、陶瓷、氧化物和氮化物中的至少一種；<br/> 其中，所述雷射發射單元中的所述多個雷射器的類型包括邊發射雷射器、垂直腔面發射雷射器、光子晶體雷射器和水平腔面發射雷射器中的至少一種。
如請求項1所述的雷射點煙裝置，其中，每一雷射器的對面設置有光電探測器，所述雷射器和所述光電探測器之間設置有光學結構；所述光學結構設置為將所述雷射器的部分光導向所述光電探測器處。
如請求項7所述的雷射點煙裝置，其中，所述光學結構包括導光管，所述導光管設置在所述透光容器的所述殼體中。
一種雷射點煙裝置的製備方法，用於製備請求項1至8任一項所述的雷射點煙裝置，包括：<br/> 提供金屬熱沉片；<br/> 將多個雷射器固定在所述金屬熱沉片的表面；<br/> 提供一透光容器，將所述金屬熱沉片製備成包圍所述透光容器的殼體；其中，所述多個雷射器設置在所述殼體與所述透光容器之間，所述多個雷射器的出光方向朝向所述透光容器；所述透光容器用於容納待霧化原材料以及吸熱材料，所述雷射器用於對所述待霧化原材料進行加熱霧化；所述吸熱材料用於吸熱以增大所述待霧化原材料的霧化程度。
一種探測參考信號SRS的傳輸方法，包括：<br/> 基於第一係數和第一功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率傳輸SRS；<br/> 其中，該第一功率為基於以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；或<br/> 目標功率；<br/> 其中，該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於該第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於該第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
如請求項1所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該第一功率包括以下中的一項或多項：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 第三功率；<br/> 基於第三功率和SRS傳輸對應的最大輸出功率二者中的最小值確定的功率；或<br/> 基於第三功率和上行傳輸對應的最大輸出功率二者中的最小值確定的功率；<br/> 其中，該第三功率為基於路損資訊、資源配置資訊和目標功率中的至少一項確定的功率。
如請求項1或2所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該基於第一係數和第一功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，還包括：<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源對應的總傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源對應的總傳輸功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 通過對第一係數和第一功率進行運算，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率。
如請求項3所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源對應的總傳輸功率，包括：通過對第一係數和第一功率進行運算，確定該第一SRS資源對應的總傳輸功率；和/或，<br/> 該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，包括：通過對第一係數和第一功率進行運算，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；和/或，<br/> 該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率，包括：通過對第一係數和第一功率進行運算，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率。
如請求項3所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其特徵在於，該第一SRS資源在多個第一時域資源上傳輸，該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 對於該多個第一時域資源中的給定時域資源，將第一功率在該給定第一時域資源上的SRS天線埠上進行均勻分配，其中，該第一係數基於第一參數確定，該第一參數為該給定第一時域資源內包括的第一SRS資源內的SRS天線埠數。
如請求項3所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該對該第一係數和該第一功率進行運算，包括採用以下方式的其中之一，對該第一係數和第一功率進行運算：<br/> 利用第一係數對第一功率的線性值進行縮放；<br/> 利用第一係數的倒數對第一功率的線性值進行縮放；<br/> 第一係數對應的功率值和第一功率的功率值進行求和；<br/> 第一功率的功率值與第一係數對應的功率值相減；<br/> 第一係數與第一功率的線性值相乘；或<br/> 第一功率的線性值與第一係數相除。
如請求項1或2所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該第一係數為至少一個；該第一功率為至少一個，且該第一功率為至少兩個時，至少兩個的該第一功率為基於不同的方式確定的功率；<br/> 該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於一個第一係數與一個第一功率的運算，獲得第四功率；<br/> 基於一個第一係數與另外一個第一功率的運算，獲得第五功率；<br/> 基於該第四功率和該第五功率的最小值，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率。
如請求項1或2所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於第一係數和第一功率，確定第六功率；基於該第六功率和第七功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的總傳輸功率；<br/> 其中，該第一功率包括SRS傳輸對應的最大輸出功率、上行傳輸對應的最大輸出功率和第三功率中的其中之一；<br/> 該第七功率為基於以下中未被用於確定第一功率的項中的一項或多項確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；<br/> 目標功率。
如請求項1或2所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該第一SRS資源包括多個SRS天線埠組，該方法還包括：<br/> 為每個SRS天線埠組確定該第一係數；<br/> 該基於第一係數和第一功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 針對該第一SRS資源包括的多個SRS天線埠組中的一個SRS天線埠組，基於該一個SRS天線埠組所對應的第一係數和第一功率，確定該一個SRS天線埠組中的SRS天線埠對應的傳輸功率。
如請求項1或2所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該第一SRS資源在一個時隙內被映射至多組第一時域資源，該方法包括：<br/> 為每組第一時域資源確定該第一係數；<br/> 該基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 針對該多組第一時域資源中的任一組第一時域資源，基於相應組第一時域資源所對應的第一係數和第一功率，確定相應組第一時域資源中的SRS天線埠對應的傳輸功率。
如請求項3所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該基於該第一SRS資源對應的總傳輸功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 將該第一SRS資源對應的總傳輸功率在該第一SRS資源中的所有SRS天線埠上均分，作為該第一SRS資源中的每一SRS天線埠的傳輸功率。
如請求項3所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 將該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率在該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠上均分，作為該第一SRS資源在第一時域資源上的各個SRS天線埠的傳輸功率。
如請求項1或2所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該方法還包括：<br/> 根據以下資訊中的一項或多項，確定該第一係數：<br/> 終端能力；<br/> 基地台發送的指示資訊；或<br/> 第一參數，該第一參數與該第一SRS資源相關。
如請求項13所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該第一參數包括以下參數中的一項或多項：<br/> 該第一SRS資源包括的SRS天線埠數；<br/> 該第一SRS資源的時分複用係數；<br/> 該第一SRS資源在一個第二時域資源內佔用的第一時域資源的數目；<br/> 該第一SRS資源的一個SRS埠在一個第二時域資源內佔用的第一時域資源的數目；<br/> 該第一SRS資源的重複因數；<br/> 該第一SRS資源的跳頻因數；<br/> 一個第一時域資源內包括的該第一SRS資源內的SRS天線埠數；<br/> 該第一SRS資源在一個時隙內的重複次數；<br/> 該第一SRS資源的天線埠在時域上被分成的組數；<br/> 該第一SRS資源包括的SRS天線埠組數；或<br/> 該第一SRS資源在一個時隙內映射的第一時域資源組數。
一種探測參考信號SRS的傳輸方法，包括：<br/> 基於第二功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率傳輸SRS；<br/> 其中，該第二功率為基於第二參數和以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；或者<br/> 目標功率；<br/> 其中，該基於第二功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
如請求項15所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該第二功率包括以下中的一項或多項：<br/> 基於第二參數和SRS傳輸對應的最大輸出功率確定的功率；<br/> 基於第二參數和上行傳輸對應的最大輸出功率確定的功率；<br/> 基於第二參數和第三功率確定的功率；<br/> 基於第二參數和第八功率確定的功率；其中，該第八功率為第三功率與SRS傳輸對應的最大輸出功率二者中的最小值；<br/> 基於第二參數和第九功率確定的功率；其中，該第九功率為第三功率與上行傳輸對應的最大輸出功率二者中的最小值；<br/> 其中，該第三功率為基於路損資訊、資源配置資訊和目標功率中的至少一項確定的功率。
如請求項15或16所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，該基於第二功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源中SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源對應的總傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源對應的總傳輸功率，確定該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率。
一種探測參考信號SRS的傳輸方法，包括：<br/> 基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率傳輸SRS；<br/> 其中，基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源對應的總傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源對應的總傳輸功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率為該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
如請求項18所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，其中，基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源對應的總傳輸功率，包括：<br/> 確定該第一SRS資源對應的總傳輸功率等於該SRS傳輸對應的最大輸出功率與第三功率中的最小功率；<br/> 其中，該第三功率為基於路損資訊、資源配置資訊和目標功率中的至少一項確定的功率。
一種探測參考信號SRS的資訊指示方法，包括：<br/> 向終端發送指示資訊，該指示資訊用於指示第一係數；<br/> 其中，該第一係數用於與第一功率相運算，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 該第一功率為基於以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；或<br/> 目標功率；<br/> 其中，該確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種探測參考信號SRS的資訊指示方法，包括：<br/> 向終端發送指示資訊，該指示資訊指示用於確定第二功率的第二參數；<br/> 其中，該第二功率為基於該第二參數和以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；<br/> 目標功率；<br/> 其中，該第二功率用於確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，該確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種終端，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項1至14中任一項所述的探測參考信號SRS的傳輸方法的步驟。
一種終端，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項15至17中任一項所述的探測參考信號SRS的傳輸方法的步驟。
一種終端，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項18或19所述的探測參考信號SRS的傳輸方法的步驟。
一種網路設備，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項20所述的探測參考信號SRS的資訊指示方法的步驟。
一種網路設備，包括記憶體，收發機，處理器：<br/> 記憶體，用於存儲電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行如請求項21所述的探測參考信號SRS的資訊指示方法的步驟。
一種探測參考信號SRS的傳輸裝置，包括：<br/> 第一功率確定單元，用於基於第一係數和第一功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 第一傳輸單元，用於基於該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率傳輸SRS；<br/> 其中，該第一功率為基於以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；或<br/> 目標功率；<br/> 其中，該基於第一係數和第一功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種探測參考信號SRS的傳輸裝置，包括：<br/> 第二功率確定單元，用於基於第二功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 第二傳輸單元，用於基於該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率傳輸SRS；<br/> 其中，該第二功率為基於第二參數和以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；或者<br/> 目標功率；<br/> 其中，該基於第二功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種探測參考信號SRS的傳輸裝置，包括：<br/> 第三功率確定單元，用於基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 第三傳輸單元，用於基於該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率傳輸SRS；<br/> 其中，基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於SRS傳輸對應的最大輸出功率，確定第一SRS資源對應的總傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源對應的總傳輸功率，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率為該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種探測參考信號SRS的資訊指示裝置，包括：<br/> 第一指示發送單元，用於向終端發送指示資訊，該指示資訊用於指示第一係數；<br/> 其中，該第一係數用於與第一功率相運算，確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 該第一功率為基於以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；或<br/> 目標功率；<br/> 其中，該確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於第一係數和第一功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種探測參考信號SRS的資訊指示裝置，包括：<br/> 第二指示發送單元，用於向終端發送指示資訊，該指示資訊指示用於確定第二功率的第二參數；<br/> 其中，該第二功率為基於該第二參數和以下中的一項或多項參數所確定的功率：<br/> SRS傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 上行傳輸對應的最大輸出功率；<br/> 路損信息；<br/> 資源配置信息；<br/> 目標功率；<br/> 其中，該第二功率用於確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，該確定第一SRS資源中的SRS天線埠的傳輸功率，包括：<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 或者，<br/> 基於該第二功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率；<br/> 基於該第一SRS資源在第一時域資源上對應的傳輸功率，確定該第一SRS資源在第一時域資源上的SRS天線埠的傳輸功率；<br/> 其中，該第一SRS資源在多個OFDM符號上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號；或<br/> 該第一SRS資源在多個OFDM符號組上傳輸，該第一時域資源為一個OFDM符號組。
一種處理器可讀存儲介質，該處理器可讀存儲介質存儲有電腦程式，該電腦程式用於使該處理器執行請求項1至19中任一項所述的探測參考信號SRS的傳輸方法，或者用於使該處理器執行請求項20或21所述的探測參考信號SRS的資訊指示方法。
一種在庫揀選系統，其用於立體倉庫，所述立體倉庫包括多個貨架，所述貨架設置有多層存儲空間，並在存儲空間的儲位放置貨箱，在所述貨架上安裝貨物揀選設備，根據當前訂單： <br/>所述貨物揀選設備帶動第一任務模組將貨物放入運行在所述貨架底部的貨運機器人的接駁組件或接駁箱，或從該接駁組件或接駁箱取出放入所述貨箱內；所述第一任務模組至少包括：第一活動件和揀選機構，其中，所述貨運機器人設置有平面移動的組件和支持貨箱推拉放置的所述接駁組件； <br/>所述貨架取下最底層貨架層的一個或多個儲位的隔板，提供貨運機器人作為通道，形成所述貨運機器人的接駁位； <br/>或者，所述貨架取下一個或多個貨架層，以提供匹配高度，支援貨運機器人在地面運行。
如請求項1所述之在庫揀選系統，其中貨物揀選設備在貨架上的設置具體實現為：第一橫向軌道、第一立柱、第一活動件和所述第一任務模組的第一連接機構，其中： <br/>所述第一橫向軌道固定於所述貨架； <br/>所述第一立柱豎直地設置在所述第一橫向軌道上並可橫向滑動； <br/>所述第一活動件設於所述第一立柱上並可沿所述第一立柱滑動； <br/>所述第一活動件上設置有第一任務模組的第一連接機構。
如請求項1所述之在庫揀選系統，其中還包括： <br/>固定軌道傳輸設備，其在貨架上的設置具體實現為：第一橫向軌道、第一立柱、第一活動件、第二任務模組的連接機構； <br/>當所述第二任務模組是推拉貨箱模組時，所述第二任務模組的連接機構設置有： <br/>推拉貨箱模組的支撐結構； <br/>以及，推拉貨箱模組的傳送元件； <br/>所述固定軌道傳輸設備在目標貨架的目標儲位利用所述推拉貨箱模組，將目標貨箱拉出，所述貨物揀選設備的所述第一任務模組的揀選機構對目標貨箱內的目標貨物進行揀選，以實現所述貨物揀選設備帶動第一任務模組將貨物放入運行在所述貨架底部的貨運機器人的接駁組件或接駁箱； <br/>或者，所述貨物揀選設備的所述第一任務模組的揀選機構將目標貨物從貨運機器人的接駁元件或接駁箱中取出，所述固定軌道傳輸設備利用所述推拉貨箱模組，將在目標貨架的目標儲位上的目標貨箱拉出，所述揀選機構將目標貨物放入目標貨箱中； <br/>推拉貨箱模組將所述目標貨箱推回。
如請求項2所述之在庫揀選系統，其中還包括：第二橫向軌道，其固定在所述貨架的下部，所述第一橫向軌道和所述第二橫向軌道通過滑塊與所述第一立柱連接； <br/>所述滑塊在滾輪和/或齒輪帶動下在橫向軌道上運動，所述滾輪和/或齒輪由電機驅動。
如請求項4所述之在庫揀選系統，其中固定軌道傳輸設備在所述貨架上的設置還包括：第二立柱和第二活動件，所述第二立柱豎直地設置在所述第一橫向軌道與所述第二橫向軌道上並可橫向滑動； <br/>所述第二活動件設於所述第二立柱上並可沿所述第二立柱滑動； <br/>所述第二活動件上設置有第二任務模組的第二連接機構。
如請求項5所述之在庫揀選系統，其中固定軌道傳輸設備在所述貨架上的設置還包括：第三立柱， <br/>所述第二任務模組通過所述第二連接機構同時設置於所述第二立柱和第三立柱； <br/>帶動所述第二任務模組定位至所述貨架上的貨位或者接駁位。
如請求項5所述之在庫揀選系統，其中包括由電機驅動並可通過減速器控制的一同步帶輪，所述同步帶輪帶動同步帶支持所述第一活動件在所述第一立柱的滑軌上活動，並包括一由另一電機驅動並可通過減速器控制的另一同步帶輪，並帶動另一同步帶支持所述第二活動件在所述第二立柱的滑軌上活動。
如請求項5所述之在庫揀選系統，其中還包括：識別模組，所述識別模組可設置於所述貨物揀選設備和/或所述固定軌道傳輸設備上。
一種傳輸系統，其包括請求項1至8中任一項所述的在庫揀選系統。
一種模組化的電連接裝置，包括一連接器，該連接器包含： 一外殼，係呈中空狀，具有一前後貫穿的安裝槽；<br/>一線纜模組，主要係於一固定座上可拆卸地設有多數線纜端子；其中，該固定座係形狀匹配且可拆卸地設於該外殼的安裝槽內，該固定座上具有多數端子孔；各線纜端子分別具有一端子頭及一同軸線纜，該端子頭具有一對接端及一接線端，該對接端穿置在該固定座的端子孔內，該接線端係與該同軸線纜接合；且該固定座主要由一前座、一後座相對組合而成，該前座上形成該多數端子孔，供各線纜端子的端子頭穿設，該後座上形成有多數線孔，供各線纜端子的同軸線纜穿出。
如請求項1所述模組化的電連接裝置，該外殼形成有一個以上的楔孔，該楔孔內設有一楔柱，該楔柱穿入於該安裝槽，以固定設於其間的固定座，該固定座上形成有一個以上的凹孔，該凹孔對應於外殼上的楔孔與楔柱。
如請求項1所述模組化的電連接裝置，該固定座上的線纜端子包含一差分對端子組和一旁路端子組，該差分對端子組包含一個以上的單端或差分對端子及一個以上的接地端子，該單端或差分對端子與該接地端子係在一橫向上交替排列。
如請求項1至3中任一項所述模組化的電連接裝置，該連接器為一母端連接器，該母端連接器包括：<br/>一母端外殼，主要是由一頂部、一底部及兩側部所組成前後貫穿的中空矩形框體，其內部形成一環狀框緣，將該母端外殼內部分隔出內外側，內側形成該安裝槽，外側則形成一對接槽；<br/>該母端外殼的兩側部分別於其內側壁上分別形成有一突出於安裝槽的楔塊，用來進一步固定組裝在安裝槽內的線纜模組，該線纜模組為一母端線纜模組；<br/>該母端線纜模組包括一母端固定座及多數母端線纜端子，該母端固定座的兩側邊分別形成有一楔槽，該楔槽對應於該母端外殼的楔塊。
如請求項4所述模組化的電連接裝置，該母端外殼的兩側部朝一對接方向分別延伸形成有一對位柱，該對位柱的端部並漸成錐狀。
如請求項1至3中任一項所述模組化的電連接裝置，該連接器為一公端連接器，該公端連接器包括：<br/>一公端外殼，主要是由一頂部、一底部及兩側部所組成前後貫穿的中空矩形框體，其於一對接方向的一端形成一環狀框緣，而於該框緣的內側形成該安裝槽，用以安裝該線纜模組，該線纜模組為一公端線纜模組。
如請求項6所述模組化的電連接裝置，該公端外殼在兩側部的外側面上分別形成有一對位槽。
如請求項6所述模組化的電連接裝置，該公端連接器進一步包括一鎖附外殼，該鎖附外殼為中空的矩形框體，其內部形狀與大小與該公端外殼的外部匹配，以套設在該公端外殼上。
如請求項8所述模組化的電連接裝置，該公端外殼在其頂面的後側邊上形成有一卡塊，該鎖附外殼在對應的位置上形成一互補的卡槽，以相互卡合。
一種水晶頭連接器，包括連接器殼體，所述連接器殼體上設置有脫離裝置，其中：所述脫離裝置包括： <br/>彈片，所述彈片沿長度方向傾斜設置，所述彈片的低端與所述連接器殼體的端部卡接； <br/>壓片，所述壓片包括按壓部和復位部，所述按壓部包括一個傾斜面，所述傾斜面沿所述長度方向傾斜設置且和所述彈片的傾斜方向相反，所述按壓部在所述傾斜面的高端與所述彈片的高端卡接，所述按壓部在所述傾斜面的低端與所述連接器殼體卡接，所述復位部位於所述傾斜面的下端且為所述按壓部提供向上復位的作用力； <br/>所述復位部包括片狀結構，所述片狀結構在所述長度方向上傾斜且和所述傾斜面的傾斜方向相反，所述片狀結構的高端與所述傾斜面連接，所述片狀結構的低端和所述連接器殼體抵靠。
如請求項1所述的水晶頭連接器，其中：所述復位部還包括彈簧； <br/>所述彈簧沿高度方向豎直設置，所述彈簧的一端與所述傾斜面抵靠，另一端與所述連接器殼體抵靠。
如請求項2所述的水晶頭連接器，其中：所述片狀結構與所述按壓部一體成型或為分體結構。
如請求項2所述的水晶頭連接器，其中：所述片狀結構上開設有供所述彈簧穿過的通孔。
如請求項2所述的水晶頭連接器，其中：所述傾斜面和所述連接器殼體上分別開設有供所述彈簧端部嵌入的彈簧固定槽。
如請求項1~請求項5中任一項所述的水晶頭連接器，其中：所述連接器殼體包括在所述長度方向依次設置的插接部和連接部，所述插接部的上端面的高度位置低於所述連接部的上端面的高度位置； <br/>所述壓片與所述連接部卡接，且所述壓片的最高點不高於所述連接部的所述上端面。
如請求項1所述水晶頭連接器，其中：所述按壓部的上端面為平面，所述按壓部與所述彈片的連接處還設置有向上突出所述按壓部的所述上端面的凸台。
如請求項1~請求項5、請求項7中任一項所述的水晶頭連接器，其中：所述連接器殼體包括上蓋和下殼，所述上蓋和所述下殼形成一個容納腔體，所述容納腔體內設置有與線纜連接的鏈接功能芯，所述上蓋和所述下殼之間形成一個供所述線纜穿過的線纜孔； <br/>所述容納腔體內還設置有線卡，所述線卡能垂直所述線纜的軸線方向往復移動以靠近或遠離所述線纜，所述上蓋或所述下殼上開設有與所述容納腔體導通並與所述線卡位置對應的開口，通過穿過所述開口並對所述線卡施加的作用力，而實現所述線卡朝向所述線纜的方向移動並與所述鏈接功能芯卡接。
如請求項8所述的水晶頭連接器，其中：所述線卡包括片狀的基板，在所述基板的靠近所述線纜的一側設置有弧形的定位緣，在所述基板的至少一側的表面設置有至少一個第三卡槽，所述鏈接功能芯上設置有能與所述第三卡槽配合的至少一個卡合凸起。
如請求項9所述的水晶頭連接器，其中：所述第三卡槽具有導向斜面和止退面，所述卡合凸起具有卡接面和擋面，所述第三卡槽的所述止退面能與所述卡合凸起的所述擋面相抵觸。
如請求項9所述的水晶頭連接器，其中：所述鏈接功能芯包括與所述線纜固定連接的壓線蓋，所述卡合凸起設置在所述壓線蓋上。
如請求項8所述的水晶頭連接器，其中：所述上蓋和所述下殼鉸接，所述上蓋能沿所述下殼上下擺動並與所述下殼扣接固定，所述開口開設在所述上蓋上。
一種用於進行基板之無研磨劑化學平坦化加工之墊，該墊包含： <br/>聚合物層，其經組態以在無研磨劑化學平坦化加工期間接觸該基板，其中該聚合物層包含在聚合物鏈內共價鍵結之複數個反應性單元，各反應性單元包含官能基，該官能基包含錯合劑或水解劑中之一或多者以用於進行該無研磨劑化學平坦化加工，其中該等官能基均勻地併入整個該聚合物層中，包括在該聚合物之固體塊狀物內。
如請求項1之墊，其中各反應性單元包含該官能基。
如請求項1之墊，其中該等官能基藉由該聚合物鏈之寡聚片段分隔開。
如請求項1之墊，其中該聚合物層包含聚胺基甲酸酯，且該等官能基位於該聚胺基甲酸酯之異氰酸酯部分上。
如請求項1之墊，其中該聚合物層包含聚胺基甲酸酯，且該等官能基位於該聚胺基甲酸酯之多元醇部分上。
如請求項1之墊，其中該聚合物層包含聚酐，且該等官能基位於該聚酐之酐部分上。
如請求項1之墊，其中該聚合物層包含聚酐，且該等官能基位於該聚酐之多元醇部分上。
如請求項1之墊，其中該聚合物層包含環氧樹脂，且該等官能基位於該環氧樹脂之環氧化物部分上。
如請求項1之墊，其中該聚合物層包含環氧樹脂，且該等官能基位於結合在環氧樹脂鏈內之多元醇上。
如請求項1之墊，其中該等官能基包含羧酸、胺、磺酸、醇、膦酸、醯胺或聚乙烯中之一或多者。
如請求項1之墊，其中該等官能基包含亞胺基二琥珀酸、乙二胺二琥珀酸、麩胺酸、甲基甘胺酸二乙酸、二氰胺或聚氯化二烯丙基二甲銨中之一或多者。
如請求項1之墊，其中該墊包含微球或填充劑中之一或多者，其中該等微球或該等填充劑中之一或多者各自包含聚合物及鍵結至該聚合物之官能基，其中該等微球或該等填充劑中之一或多者並不共價鍵結至該墊之該聚合物層。
一種用於進行基板之無研磨劑化學平坦化加工之墊，該墊包含： <br/>第一聚合物層，其經組態以在無研磨劑化學平坦化加工期間接觸該基板，其中該第一聚合物層包含在聚合物鏈內共價鍵結之複數個反應性單元，各反應性單元包含官能基，該官能基包含錯合劑或水解劑中之一或多者以用於進行該無研磨劑化學平坦化加工，其中該等官能基均勻地併入整個該第一聚合物層中，包括在該第一聚合物之固體塊狀物內；及 <br/>第二聚合物層，其安置於作為該第一聚合物層之基板接觸側的該第一聚合物層之相對側上。
如請求項13之墊，其中該第二聚合物層比該第一聚合物層更可壓縮。
如請求項13之墊，其中該第一聚合物層及該第二聚合物層各自包含多孔聚合物，且其中該第一聚合物層具有比該第二聚合物層小的孔分率。
如請求項13之墊，其中該第一聚合物層包含紋理化面向基板表面。
如請求項13之墊，其中該等官能基包含羧酸、胺、磺酸、醇、膦酸、醯胺或聚乙烯中之一或多者。
如請求項13之墊，其中該等官能基包含亞胺基二琥珀酸、乙二胺二琥珀酸、麩胺酸、甲基甘胺酸二乙酸、二氰胺或聚氯化二烯丙基二甲銨中之一或多者。
一種洗淨方法，係對黏度為1Pa．s以上之處理液施行脫氣的脫氣單元之洗淨方法，其包括有： <br/>第1通液步驟，其係將較上述處理液低黏度的第1稀釋液朝上述脫氣單元通液；以及 <br/>第2通液步驟，其係在上述第1通液步驟之後，將較上述第1稀釋液低黏度的第2稀釋液朝上述脫氣單元通液。
如請求項1之洗淨方法，其進一步包括有： <br/>第1稀釋步驟，其係在上述第1通液步驟之前，藉由將上述處理液利用上述處理液的溶媒稀釋，而生成上述第1稀釋液；以及 <br/>第2稀釋步驟，其係在上述第1通液步驟之後且上述第2通液步驟之前，藉由將上述第1稀釋液利用上述溶媒稀釋，而生成上述第2稀釋液。
如請求項2之洗淨方法，其中，在上述第1稀釋步驟中，藉由朝在含有上述脫氣單元的循環管路中所設置之稀釋槽內儲存的上述處理液供應上述溶媒，而生成上述第1稀釋液；在上述第1通液步驟中，從上述稀釋槽朝上述脫氣單元供應上述第1稀釋液； <br/>在上述第2稀釋步驟中，藉由朝從上述脫氣單元送返上述稀釋槽的上述第1稀釋液供應上述溶媒，而生成上述第2稀釋液； <br/>在上述第2通液步驟中，從上述稀釋槽朝上述脫氣單元供應上述第2稀釋液。
如請求項3之洗淨方法，其中，在上述第1稀釋步驟中，朝上述稀釋槽中所儲存的上述處理液供應上述稀釋槽中所儲存的上述處理液之5wt%以上且15wt%以下量的上述溶媒。
如請求項1至4中任一項之洗淨方法，其中，上述脫氣單元係具有通過上述處理液的複數中空纖維。
一種洗淨裝置，係對黏度為1Pa．s以上之處理液施行脫氣之脫氣單元的洗淨裝置，其具備有： <br/>循環管路，其係連接於上述脫氣單元； <br/>稀釋槽，其係設置於上述循環管路中； <br/>循環泵，其係在上述稀釋槽與上述脫氣單元之間，使上述循環管路中產生液流； <br/>溶媒供應部，其係朝上述稀釋槽中供應上述處理液的溶媒； <br/>控制部，其係對上述循環泵及上述溶媒供應部進行控制； <br/>其中，上述控制部係執行： <br/>第1稀釋步驟，其係藉由從上述溶媒供應部朝上述稀釋槽供應上述溶媒，而生成第1稀釋液； <br/>第1通液步驟，其係在上述第1稀釋步驟之後，藉由驅動上述循環泵，而朝上述脫氣單元通液入上述第1稀釋液； <br/>第2稀釋步驟，其係在上述第1通液步驟之後，藉由從上述溶媒供應部朝上述稀釋槽供應上述溶媒，而生成第2稀釋液；以及 <br/>第2通液步驟，其係在上述第2稀釋步驟之後，藉由驅動上述循環泵，而朝上述脫氣單元通液入上述第2稀釋液。
如請求項6之洗淨裝置，其中，在上述第1稀釋步驟中，朝上述稀釋槽中所儲存的上述處理液供應上述稀釋槽中所儲存的上述處理液之5wt%以上且15wt%以下量的上述溶媒。
如請求項6或7之洗淨裝置，其中，上述脫氣單元係具有使上述處理液通過的複數中空纖維。
一種塗佈裝置，係在基板上塗佈黏度為1Pa．s以上之處理液的塗佈裝置，其具備有： <br/>塗佈部，其係在基板上塗佈上述處理液；以及 <br/>供液部，其係朝上述塗佈部供應上述處理液； <br/>其中，上述供液部係具有： <br/>請求項6或7之洗淨裝置；以及 <br/>上述脫氣單元。
一種光量空間反射式圖像色彩顯示結構，包含：<br/>一白底板(110)，具有一第一表面(112)與相對於該第一表面(112)的一第二表面(114)；<br/>一反射式圖像顯色層(120)，位於該白底板(110)的該第二表面(114)上方，其中該反射式圖像顯色層(120)遠離該白底板(110)的一上表面(124)用於接收一自然光的一第一光線(L1)，其中該白底板(110)與該反射式圖像顯色層(120)分開，使得該白底板(110)與該反射式圖像顯色層(120)之間在一垂直方向(D1)上定義出一光量空間(AS)，且該光量空間(AS)用於接收通過該反射式圖像顯色層(120)的該第一光線(L1)並將該第一光線(L1)傳遞至該白底板(110)；<br/>以及<br/>一高反射金屬鏤空件(140)，圍繞該白底板(110)、該反射式圖像顯色層(120)以及該光量空間(AS)，且具有複數個開孔(H)，其中該自然光相對於該第一光線(L1)的一第二光線(L2)藉由該複數個開孔(H)進入該反射式圖像顯色層(120)與該光量空間(AS)中，該自然光的一第三光線(L3)從該高反射金屬鏤空件(140)與該反射式圖像顯色層(120)之間進入至該光量空間(AS)中，並且該自然光的該第一光線(L1)與該第二光線(L2)在通過該反射式圖像顯色層(120)以及該光量空間(AS)後被該白底板(110)反射，使得該自然光的該第一光線(L1)、該第二光線(L2)以及該第三光線(L3)往返傳遞至該反射式圖像顯色層(120)相對於該上表面(124)的一下表面(122)並接著通過該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124)。
如請求項1所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構，還包含：<br/>一透明墊片(130)，位於該光量空間(AS)中，且位於該白底板(110)與該反射式圖像顯色層(120)之間且未密合於該白底板(110)；<br/>一透明保護體(150)，具有一第三表面(152)與相對於該第三表面(152)的一第四表面(154)，該第三表面(152)貼合於該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124)，其中該高反射金屬鏤空件(140)圍繞該透明保護體(150)且部分覆蓋該透明保護體(150)的該第四表面(154)，該自然光的一第四光線(L4)被該透明保護體(150)反射以傳遞至該光量空間(AS)中，且該第四光線(L4)被該白底板(110)反射至該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124) ；以及<br/>一透明保護薄膜(160)，位於該反射式圖像顯色層(120)的該下表面(122)與該透明墊片(130)之間，該透明墊片(130)位於該光量空間(AS)中，該透明墊片(130)未密合於該透明保護薄膜(160)。
如請求項2所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構，其中該透明保護體(150)的該第四表面(154)為一凸面，且該自然光的該第一光線(L1)通過該凸面以傳遞至該反射式圖像顯色層(120)。
如請求項2所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構，其中該透明保護體(150)的該第四表面(154a)為一平面，且該自然光的該第一光線(L1)通過該平面以傳遞至該反射式圖像顯色層(120)。
如請求項2所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構，其中該光量空間(AS)具有一第一厚度(T1)，該透明墊片(130)具有一第二厚度(T2)，，該光量空間(AS)的該第一厚度(T1)隨著該透明墊片(130)的該第二厚度(T2)而變動，該光量空間(AS)的該第一厚度(T1)在0.05毫米至30毫米之間。
如請求項1所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構，其中該反射式圖像顯色層(120)的顏色由青色(Cyan)、洋紅色(Magenta)、黃色(Yellow)、黑色(Black)、金以及銀所構成。
一種高色彩度之生活彩色日用品，包含：<br/>如請求項1至6其中一項所述的光量空間反射式圖像色彩顯示結構；以及<br/>一連接件(210)，具有一第一部分(212)與連接該第一部分(212)的一第二部分(214)，該第一部分(212)連接該光量空間反射式圖像色彩顯示結構的該高反射金屬鏤空件(140)，並且該第二部分(214)用於被一使用者使用。
一種光量空間反射式圖像色彩顯示結構的製造方法，包含：<br/>形成一白底板(110)，其中該白底板(110)具有一第一表面(112)與相對於該第一表面(112)的一第二表面(114)；<br/>形成位於該白底板(110)上方的一反射式圖像顯色層(120)，其中該反射式圖像顯色層(120)遠離該白底板(110)的一上表面(124)用於接收一自然光的一第一光線(L1)，該白底板(110)與該反射式圖像顯色層(120)分開，使得該白底板(110)與該反射式圖像顯色層(120)之間在一垂直方向(D1)上定義出一光量空間(AS)，該光量空間(AS)用於接收通過該反射式圖像顯色層(120)的該第一光線(L1)並將該第一光線(L1)傳遞至該白底板(110)；以及<br/>形成圍繞該白底板(110)、該反射式圖像顯色層(120)以及該光量空間(AS)的一高反射金屬鏤空件(140)，其中該高反射金屬鏤空件(140)具有複數個開孔(H)，該垂直方向(D1)垂直於一水平方向(D2)，且該自然光相對於該第一光線(L1)的一第二光線(L2)藉由該複數個開孔(H)進入該反射式圖像顯色層(120)以及該光量空間(AS)中，該自然光的一第三光線(L3)從該高反射金屬鏤空件(140)與該反射式圖像顯色層(120)之間進入至該光量空間(AS)，並且該自然光的該第一光線(L1)與該第二光線(L2)在通過該反射式圖像顯色層(120)與該光量空間(AS)後被該白底板(110)反射，使得該自然光的該第一光線(L1)、該第二光線(L2)以及該第三光線(L3)往返傳遞至該反射式圖像顯色層(120)相對於該上表面(124)的一下表面(122)並接著通過該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124)。
如請求項8所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構的製造方法，更包括：<br/>在該白底板(110)的該第二表面(114)上方設置一透明墊片(130)，該透明墊片(130)位於該光量空間(AS)中；以及<br/>形成貼合於該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124)的一透明保護體(150)，其中該透明保護體(150)具有一第三表面(152)與相對於該第三表面(152)的一第四表面(154)，該第三表面(152)貼合於該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124)，且該高反射金屬鏤空件(140)圍繞該透明保護體(150)且部分覆蓋該透明保護體(150)的該第四表面(154)，該自然光的一第四光線(L4)被該透明保護體(150)反射以傳遞至該光量空間(AS)，且該第四光線(L4)被該白底板(110)反射至該反射式圖像顯色層(120)的該上表面(124)。
如請求項9所述之光量空間反射式圖像色彩顯示結構的製造方法，更包括：<br/>於形成該反射式圖像顯色層(120)之前，形成位於該透明墊片(130)之上的一透明保護薄膜(160)，其中該透明墊片(130)位於該光量空間(AS)中，該透明保護薄膜(160)係貼合於該反射式圖像顯色層(120)的該下表面(122)與該透明墊片(130)之間。
一種5HT3拮抗劑用於製備治療罹患重度抑鬱症之患者之醫藥品的用途，其中該醫藥品係與有效日劑量之普拉克索(pramipexole)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物組合使用以治療該患者， <br/>其中該5HT3拮抗劑係選自由以下組成之群：多拉司瓊(dolasetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、阿洛司瓊(alosetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、阿紮司瓊(azasetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、貝美司瓊(bemesetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、西蘭司瓊(cilansetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、法貝司瓊(fabesetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、格拉司瓊(granisetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、伊他司瓊(itasetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、來立司瓊(lerisetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、盧羅司瓊(lurosetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、帕洛諾司瓊(palonosetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、拉莫司瓊(ramosetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、利卡司瓊(ricasetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、托烷司瓊(tropisetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物、及紮托司瓊(zatosetron)或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物， <br/>其中該普拉克索或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物係用於以相當於0.375 mg至45 mg單水合二鹽酸普拉克索之日劑量投與，以及該5HT3拮抗劑係用於以1 µg至300 mg之日劑量投與。
如請求項1之用途，其中該普拉克索或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物係用於以相當於4.5 mg至45 mg單水合二鹽酸普拉克索之日劑量投與。
如請求項1之用途，其中該普拉克索或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物係用於以相當於6.5 mg至45 mg單水合二鹽酸普拉克索之日劑量投與。
如請求項1之用途，其中 <br/>該5HT3拮抗劑與醫藥載劑或媒劑混合，以包含0.1 mg至300 mg之每單位形式的量之該5HT3拮抗劑之單位劑型調配於醫藥組合物中；且 <br/>該普拉克索或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物與醫藥載劑或媒劑混合，以包含等效於0.125 mg至45 mg單水合二鹽酸普拉克索之每單位形式的量之該普拉克索或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物的單位劑型調配於另一醫藥組合物中。
如請求項1之用途，其中該組合係由呈單位劑型之醫藥組合物組成之固定劑量組合，該單位劑型之醫藥組合物包含該5HT3拮抗劑及普拉克索或其醫藥學上可接受之鹽或溶劑合物與醫藥載劑或媒劑混合。
一種半導體裝置結構，包括： <br/>一裝置層；<br/>一互連結構，包括複數個後道工序金屬層設置在該裝置層上；以及<br/>一超厚金屬結構設置在該互連結構上，該超厚金屬結構包括：<br/>一第一超厚金屬特徵，具有一第一寬度；以及 <br/>一第二超厚金屬特徵，設置在該第一超厚金屬特徵周圍，其中該第二超厚金屬特徵具有小於該第一寬度的一第二寬度，以及在俯視下該第二超厚金屬特徵藉由一介電材料與該第一超厚金屬特徵彼此分開。
如請求項1所述之半導體裝置結構，其中該第一超厚金屬特徵為一柱狀結構。
如請求項2所述之半導體裝置結構，其中該第二超厚金屬特徵包括分離的複數個金屬線。
如請求項3所述之半導體裝置結構，其中該第二超厚金屬特徵以一線圈狀圖案配置。
如請求項1所述之半導體裝置結構，其中緊鄰該裝置層上方設置的該後道工序金屬層具有一第一厚度，以及該超厚金屬結構具有大於該第一厚度的一第二厚度。
一種半導體裝置結構，包括： <br/>一互連結構，包括複數個後道工序金屬層設置在一裝置層上；<br/>一第一超厚金屬結構設置在該互連結構上，該第一超厚金屬結構包括：<br/>一第一超厚金屬特徵；以及 <br/>一第二超厚金屬特徵，設置在該第一超厚金屬特徵周圍，其中該第二超厚金屬特徵藉由一第一介電材料與該第一超厚金屬特徵分開；以及 <br/>一第二超厚金屬結構設置在該第一超厚金屬結構上，該第二超厚金屬結構包括： <br/>一第三超厚金屬特徵；以及 <br/>一第四超厚金屬特徵設置在該第三超厚金屬特徵周圍，其中該第四超厚金屬特徵藉由一第二介電材料與該第三超厚金屬特徵分開。
如請求項6所述之半導體裝置結構，其中該第一超厚金屬特徵為一柱狀結構，以及該第三超厚金屬特徵為一柱狀結構。
如請求項7所述之半導體裝置結構，其中該第一超厚金屬特徵具有一第一數量的該柱狀結構，以及該第三超厚金屬特徵具有與該第一數量不同的一第二數量的該柱狀結構。
一種形成半導體裝置結構之方法，包括： <br/>形成一互連結構在一裝置層上； <br/>形成一第一超厚金屬結構在該互連結構上，其中該第一超厚金屬結構包括一第一超厚金屬特徵、圍繞該第一超厚金屬特徵設置的一第二超厚金屬特徵，以及分開該第一超厚金屬特徵和該第二超厚金屬特徵的一第一介電材料；以及 <br/>形成一第二超厚金屬結構在該第一超厚金屬結構上，其中該第二超厚金屬結構包括一第三超厚金屬特徵、圍繞該第三超厚金屬特徵設置的一第四超厚金屬特徵，以及分開該第三超厚金屬特徵和該第四超厚金屬特徵的一第二介電材料。
如請求項9所述之方法，其中該第二超厚金屬特徵以具有一第一匝數的一線圈狀圖案配置，該第四超厚金屬特徵以具有一第二匝數的一線圈狀圖案配置，以及該第一匝數不同於該第二匝數。
一種智慧排班系統，其包含：一伺服器，其又包含：一第一處理裝置；一第一記憶體，耦合該第一處理裝置，用以儲存一複數個目標對象之個人資訊、職位及有無休假規劃；一群體分離模組，耦合該第一處理裝置，依據該複數個目標對象中每一目標對象之個人資訊及職位以分離出一第一群體、一第二群體，並分別設定該第一群體、該第二群體中每一目標對象之優先排班預設值，再按每一目標對象之有無休假規劃將該第一群體分出一第一次群體及一第二次群體，而該第二群體被分出一第三次群體及一第四次群體；一表單製作模組，耦合該第一處理裝置，用以製作複數個排班意願表，並令該複數個排班意願表為該第一次群體及該第三次群體選擇時間以填入一有意願班別、一可使用班別及一休息班別並產生複數個該第一次群體及該第三次群體之該排班意願表；一分類模組，耦合該第一處理裝置，其係利用一第一自動排班參數規則分類該第一次群體及該第三次群體之該排班意願表；一總表填入模組，耦合該第一處理裝置，其提供一第一排班總表、一填入規則及一最低出勤數量規則，該第一排班總表具有一區段班別及另一區段班別，且該區段班別及該另一區段班別又分別包含複數個主要班別及複數個次要班別，若該第一次群體於該複數個目標對象中佔一比例範圍，則按該填入規則將該已分類之該第一次群體之該排班意願表中的該有意願班別及該休息班別依序填入該複數個主要班別，再依據該填入規則及一最低出勤數量規則將該已分類之該第三次群體之該排班意願表填入該複數個次要班別並限制每一次要班別的第三次群體之出勤數量，並產生一第二排班總表；一常規班表提供模組，耦合該第一處理裝置，其係製作複數個常規班表，且令該複數個常規班表提供予該第二次群體及第四次群體填寫複數個可上班班別後產生複數個第二次群體及第四次群體之常規班表並分別填入該第二排班總表之主要班別及次要班別；一檢核及調整模組，耦合該第一處理裝置，其依據一檢核規則先檢視於該第二排班總表中該第一次群體及該第二次群體於該複數個主要班別中之一第一主要班別內所排入班別數是否滿足一第一預設班別數值，若該第一次群體及該第二次群體於該第一主要班別內所排入班別數未滿足或超過該第一預設班別數值，則按一自動調整及休假規則、該優先排班預設值進行至少一次調整其於該第一主要班別內所排入班別數，並再檢視於該第二排班總表中該第三次群體及該第四次群體於於複數個次要班別中之一第一次要班別內所排入班別數是否滿足一第二預設班別數值，若該第三次群體及該第四次群體於該第一次要班別內所排入班別數未滿足或超過該第二預設班別數值，則按該自動調整及休假規則、該優先排班預設值進行至少一次調整其於該第一次要班別內所排入班別數；其中當調整後之該第一主要班別或該第一次要班別內所排入班別數分別滿足該第一預設班別數值或該第二預設班別數值，則分別完成該第一主要班別或該第一次要班別之排班。
如請求項1所述之智慧排班系統，其中該第一自動排班參數規則進一步依據該第一次群體之該排班意願表中該有意願班別的數量將該排班意願表分成三類，若該有意願班別數量為0，則為第一類排班意願表，若該有意願班別數量為1，則為第二類排班意願表，若該有意願班別數量大於等於2，則為第三類排班意願表。
如請求項2所述之智慧排班系統，其中該填入規則進一步將已分類之該第一次群體之該有意願班別、該休息班別依該第一類排班意願表、第二類排班意願表及第三類排班意願表之順序填入該主要班別。
如請求項3所述之智慧排班系統，其中若該第一次群體於該複數個目標對象中所佔該比例範圍為小於4成，則依據該填入規則自該已分類之該第一次群體之該排班意願表中選出一第一排班意願表之部分可使用班別並填入於該區段班別中未填有該有意願班別及該休息班別之主要班別。
如請求項3所述之智慧排班系統，其中若該第一次群體於該複數個目標對象中所佔該比例範圍為大於4成，則依據該填入規則自該已分類之該第一次群體之該排班意願表中選出一第二排班意願表之部分可使用班別並填入於該區段班別中未填有該有意願班別及該休息班別之主要班別，其中該第二排班意願表含有之該有意願班別數量最少。
一種智慧排班方法，其包含：以一群體分離模組依據一複數個目標對象中每一目標對象之個人資訊、職位分離出一第一群體、一第二群體，並分別設定該第一群體、該第二群體中每一目標對象之優先排班預設值，再按每一目標對象之有無休假規劃將該第一群體分出一第一次群體及一第二次群體，而該第二群體被分出一第三次群體及一第四次群體；以一表單製作模組製作複數個排班意願表，並令該複數個排班意願表為該第一次群體及該第三次群體選擇時間以填入一有意願班別、一可使用班別及一休息班別並產生複數個該第一次群體及該第三次群體之該排班意願表；以一分類模組利用一第一自動排班參數規則分類複數個該第一次群體及該第三次群體之該排班意願表；以一總表填入模組提供一第一排班總表、一填入規則及一最低出勤數量規則，該第一排班總表具有一區段班別及另一區段班別，且該區段班別及該另一區段班別又分別包含複數個主要班別及複數個次要班別，若該第一次群體於該複數個目標對象中佔一比例範圍，則按該填入規則將該已分類之該第一次群體之該排班意願表中的該有意願班別及該休息班別依序填入該複數個主要班別，再依據該填入規則及一最低出勤數量規則將該已分類之該第三次群體之該排班意願表填入該複數個次要班別並限制每一次要班別的第三次群體之出勤數量並產生一第二排班總表；以一常規班表提供模組製作複數個常規班表，且令該複數個常規班表提供予該第二次群體及第四次群體填寫複數個可上班班別後產生複數個第二次群體及第四次群體之常規班表並分別填入該第二排班總表之主要班別及次要班別；以一檢核及調整模組依據一檢核規則先檢視於該第二排班總表中該第一次群體及該第二次群體於該複數個主要班別中之一第一主要班別內所排入班別數是否滿足一第一預設班別數值；若該第一次群體及該第二次群體於該第一主要班別內所排入班別數未滿足或超過該第一預設班別數值，則該檢核及調整模組按一自動調整及休假規則、該優先排班預設值進行至少一次調整其於該第一主要班別內所排入班別數；該檢核及調整模組依據該檢核規則再檢視於該第二排班總表中該第三次群體及該第四次群體於複數個次要班別中之一第一次要班別內所排入班別數是否滿足一第二預設班別數值；若該第三次群體及該第四次群體於該第一次要班別內所排入班別數未滿足或超過該第二預設班別數值，則該檢核及調整模組按該自動調整及休假規則、該優先排班預設值進行至少一次調整其於該第一次要班別內所排入班別數；當調整後之該第一主要班別或該第一次要班別內所排入班別數分別滿足該第一預設班別數值或該第二預設班別數值，則該檢核及調整模組分別完成該第一主要班別或該第一次要班別之排班。
如請求項6所述之智慧排班方法，其中該第一自動排班參數規則進一步依據該第一次群體及該第三次群體之該排班意願表中該有意願班別的數量將該排班意願表分成三類，若該有意願班別數量為0，則為第一類排班意願表，若該有意願班別數量為1，則為第二類排班意願表，若該有意願班別數量大於等於2，則為第三類排班意願表。
如請求項7所述之智慧排班方法，其中該填入規則進一步將已分類之該第一次群體之該有意願班別、該休息班別依該第一類排班意願表、第二類排班意願表及第三類排班意願表之順序填入該主要班別。
如請求項8所述之智慧排班方法，其中若該第一次群體於該複數個目標對象中所佔該比例範圍為小於4成，則依據該填入規則自該已分類之該第一次群體之該排班意願表中選出一第一排班意願表之部分可使用班別並填入於該區段班別中未填有該有意願班別及該休息班別之主要班別。
如請求項8所述之智慧排班方法，其中若該第一次群體於該複數個目標對象中所佔該比例範圍為大於4成，則依據該填入規則自該已分類之該第一次群體之該排班意願表中選出一第二排班意願表之部分可使用班別並填入於該區段班別中未填有該有意願班別及該休息班別之主要班別，其中該第二排班意願表含有之該有意願班別數量最少。
一種智慧巡檢裝置的運作方法，適用於包含一訊號定位模組、一慣性定位模組及一運算元件的一智慧巡檢裝置，所述方法包括：<br/>以該訊號定位模組通訊連接至一訊號採集點以取得一場域訊號，其中該訊號採集點用於收集一訊號源發出的該場域訊號；<br/>以該慣性定位模組收集一慣性定位資訊；<br/>以該運算元件從該場域訊號中取得該智慧巡檢裝置的一裝置位置、從一資料庫取得該訊號採集點的一採集點位置及該訊號源的一訊號源位置，並計算該智慧巡檢裝置相對於該訊號源的一相對位置；以及<br/>以該運算元件依據該相對位置及該慣性定位資訊計算該智慧巡檢裝置的一定位資訊，其中該定位資訊包括三維坐標及方向角。
如請求項1所述智慧巡檢裝置的運作方法，其中該場域訊號包括：訊號強度、訊號接收頻率以及訊號接收時間中的至少一者。
如請求項1所述智慧巡檢裝置的運作方法，其中慣性定位包括：加速度值、角度以及位移量中的至少一者。
如請求項1所述智慧巡檢裝置的運作方法，更包括：<br/>以該運算元件依據該場域訊號進行濾波操作以刪除非指定通訊頻段且訊號強度小於閾值的部分。
如請求項1所述智慧巡檢裝置的運作方法，更包括：<br/>以該運算元件依據該定位資訊及一目標位置計算一最短路徑；<br/>以該運算元件從該資料庫取得一虛擬場景，並依據該虛擬場景找出位於該定位資訊及該目標位置之間的一障礙空間資訊；<br/>以該運算元件依據該最短路徑及該障礙空間資訊產生多個退讓點；以及<br/>以該運算元件依據該定位資訊、該些退讓點及該目標位置進行分段式路徑銜接以產生一規劃路徑。
如請求項5所述的智慧巡檢裝置的運作方法，其中該運算元件係執行A*Pathfinding尋路程序以產生該規劃路徑。
如請求項5所述的智慧巡檢裝置的運作方法，其中該智慧巡檢裝置更包括一顯示元件，所述方法更包括：<br/>以該運算元件依據該規劃路徑產生多個引導圖標；以及<br/>以該運算元件控制該顯示元件顯示該些引導圖標。
如請求項1所述的智慧巡檢裝置的運作方法，其中該智慧巡檢裝置更包括一攝影元件，所述方法更包括：<br/>以該攝影元件拍攝一目標物件以產生一影像，其中該目標物件用於展示一數據資訊，其中係分離辨識該目標物件並切割該影像；<br/>以該運算元件依據該影像中關聯該目標物件的部分判斷該數據資訊的一類型，其中係掃描該目標物件的外型，層別出該目標物件的錶頭類型，以判斷該數據資訊的該類型；<br/>當該類型為數位形式時，以該運算元件執行一光學字元辨識程序以輸出關聯於該數據資訊的一結果；以及<br/>當該類型為類比形式時，以該運算元件執行一影像處理程序以輸出關聯於該數據資訊的一結果。
一種智慧巡檢裝置，包括<br/>一訊號定位模組，用於通訊連接至一訊號採集點以取得一場域訊號，其中該訊號採集點用於收集一訊號源發出的該場域訊號；<br/>一慣性定位模組，用於收集一慣性定位資訊；以及<br/>一運算元件，電性連接該訊號定位模組及該慣性定位模組，該運算元件用於從該場域訊號中取得該智慧巡檢裝置的一裝置位置、從一資料庫取得該訊號採集點的一採集點位置及該訊號源的一訊號源位置，並計算該智慧巡檢裝置相對於該訊號源的一相對位置，該運算元件更用於依據該相對位置及該慣性定位資訊計算該智慧巡檢裝置的一定位資訊，其中該定位資訊包括三維坐標及方向角。
如請求項9所述智慧巡檢裝置，其中該場域訊號包括：訊號強度、訊號接收頻率以及訊號接收時間中的至少一者。
一種具格蘭氏陰性菌抗菌活性之螯合型複合微胞用於製備治療細菌感染所致的呼吸道疾病之醫藥組合物的用途，其中，該螯合型複合微胞包括：<br/> 一金屬離子；<br/> 一高分子，其具有：<br/> 一螯合嵌段選自由聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚乙烯亞胺、聚甲基丙烯酸、透明質酸、聚N-異丙基丙烯醯胺、聚乳酸和聚丁二酸丁二醇酯所組成之群組；及<br/> 一分散嵌段選自由聚乙二醇、殼聚糖、膠原蛋白、聚N-異丙基丙烯醯胺、直鏈澱粉、纖維素、聚羥基丁酸酯、聚己內酯、羧甲基纖維素、右旋糖酐、環糊精其中之一或其任意的組合；以及<br/> 一抗菌劑，其具有至少一路易士鹼官能基，其中，該抗菌劑對於多重抗藥性之格蘭氏陰性菌具抗菌活性，其係包括多黏桿菌素(polymyxin)選自由黏菌素(colistin)、硫酸黏菌素(colistin sulfate)及甲磺酸黏菌素(colistin methane sulfonate)所組成之群組。
如請求項1所述之用途，其中，該金屬離子選自由鐵(Fe)、銅(Cu)、鎳(Ni)、銦(In)、鈣(Ca)、鈷(Co)、鉻(Cr)、釓(Gd)、鋁(Al)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎢(W)、鈧(Sc)、鈦(Ti)、錳(Mn)、釩(V)、鎂(Mg)、鈹(Be)、鑭(La)、金(Au)、銀(Ag)、鎘(Cd)、汞(Hg)、鈀(Pd)、錸(Re)、鍀(Tc)、銫(Cs)、鐳(Ra)、銥(Ir)和鎵(Ga)所組成之群組。
如請求項1所述之用途，其中，該螯合嵌段為聚谷氨酸[Poly(glutamic acid)]，該分散嵌段為聚乙二醇[Poly(ethylene glycol)]。；
如請求項1所述之用途，其中，該金屬離子為鐵(Fe)，該螯合嵌段為聚谷氨酸[Poly(glutamic acid)]，該分散嵌段為聚乙二醇[Poly(ethylene glycol)]。
如請求項1所述之用途，其中，該抗菌劑還包括青黴素(penicillin)、頭孢菌素(cephalosporin)、碳青黴烯(carbapenem)、氨基糖苷類(aminoglycoside)和脂肽類抗生素(lipopeptide antibiotics)中的任一者。
如請求項5所述之用途，其中，該青黴素選自由氨苄西林(ampicillin)、阿莫西林(amoxicillin)、卡本西林(carbenicillin)、舒卡西林(sulcarcillin)、美洛西林(mezlocillin)、哌拉西林(piperacillin)、阿帕西林(apacillin)和天冬氨酸西林(asparticillin)所組成之群組；<br/> 該頭孢菌素(cephalosporin)選自由頭孢克洛(cefaclor)、頭孢孟多(cefamandole)、頭孢噻肟(cefotaxime)、頭孢曲松(ceftriaxone)、頭孢他啶(ceftazidime)、頭孢吡肟(cefpirome)和頭孢西酮(cefepime)所組成之群組。 <br/> 該碳青黴烯(carbapenem)選自由亞胺培南(imipenem)、泮諾酮(panipenem)、美羅培南(meropenem)和比阿培南(biapenem)所組成之群組；<br/> 該氨基糖苷類(aminoglycoside)選自由黴素(streptomycin)、卡那黴素(kanamycin)、慶大黴素(gentamicin)、妥布黴素(tobramycin)、新黴素(paromomycin)、西索黴素(sisomicin)、光譜黴素(spectinomycin)和依替米星(etimicin)所組成之群組；<br/> 該脂肽類抗生素(lipopeptide antibiotics)選自由辛肽素(octapeptin)、多肽素(polypeptin)、伊圖黴素(iturin)、表面活性肽(surfactin)、鳳黴素(fengycin)、鐮刀菌素(fusaricidin)和三十三肽素(tridecaptin)所組成之群組。
如請求項1所述之用途，其中，該多重抗藥性之格蘭氏陰性菌選自由鮑氏不動桿菌(<i>A. baumannii</i>)、綠膿桿菌(<i>Ρ. Aeruginosa</i>)、腸桿菌科(<i>Enterobacteriaceae</i>)、嗜麥芽窄食單胞桿菌(<i>S. maltophilia</i>) 和 肺炎克雷白氏桿菌(<i>K. pneumoniae</i>)所組成之群組；<br/> 該呼吸道疾病選自由慢性阻塞性肺病(Chronic Obstructive Pulmonary Disease, COPD)、囊腫性纖維化(Cystic Fibrosis, CF)、非囊腫性纖維化(Non Cystic Fibrosis Bronchiectasis, NCFB)、急性呼吸窘迫症候群(Acute Respiratory Distress Syndrome, ARDS)和呼吸器相關肺炎(Ventilator-Associated Pneumonia, VAP)所組成之群組。
如請求項1所述之用途，其中， 該醫藥組合物經由相同或不相同之投藥途徑，在重疊或非重疊的投予期間中被投予一次、或至少兩次至所需個體，其中，該醫藥組合物投予至該所需個體直至該螯合型複合微胞，於該細菌感染後至少T1分鐘，達到有效劑量，其中T1大於0；<br/> 該投藥途徑包括下列至少一者： 靜脈給藥(intravenous administration)、腹膜內給藥(intraperitoneal administration)、口服(oral intake)、吸入(inhalation)、生物液體吸收(biological fluid absorption)、黏膜吸收(mucosal absorption)。
一種EV-SOX9製造用於治療個體軟骨損傷的治療劑之用途，其中該EV-SOX9是藉由將SOX9 mRNA、其上游或下游的mRNA、或調節SOX9的miRNA封裝於間質幹細胞(MSC)或纖維母細胞衍生之細胞外囊泡（EV）中而得。
如請求項1所述的用途，其中該SOX9 mRNA為表現SOX9基因來自不同細胞來源的具有高表現量的SOX9 mRNA。
如請求項1所述的用途，其中該EV-SOX9為藉由將SOX9 mRNA轉染至一間質幹細胞(MSC)中，並收集衍生自該細胞之細胞外囊泡（EV）而獲得。
如請求項1 所述的用途，其中該間質幹細胞為多潛能細胞。
如請求項1所述的用途，其中該纖維母細胞為鼠類胚胎纖維母細胞（MEF）。
如請求項1所述的用途，其中該纖維母細胞為293T細胞。
如請求項1所述的用途，其中該軟骨損傷為骨關節炎（OA）。
如請求項1所述的用途，其中該EV-SOX9係經由注射或手術投予至該個體的軟骨損傷處。
如請求項1所述的用途，其中該個體為人類。
如請求項1所述的用途，其中該個體為動物。
如請求項10所述的用途，其中該個體為寵物動物。
一種用於治療軟骨損傷的醫藥組合物，其包含治療有效量之EV-SOX9，以及醫藥學上可接受的載體，其中該EV-SOX9是藉由將SOX9 mRNA轉染至一間質幹細胞中，並收集衍生自該間質幹細胞的細胞外囊泡（EV）而獲得。
一種動壓軸承，包含：<br/> 一套筒，具有一貫穿通道，該貫穿通道具有彼此相對的一第一端開口與一第二端開口；<br/> 一底蓋，封閉該套筒的該第二端開口；該底蓋具有彼此相對一外端與一內端；該底蓋具有一基體配置於該外端；該底蓋的該內端具有一第一凸出部與一外周凹陷部環設於該第一凸出部的外周，該第一凸出部的高度大於該外周凹陷部的高度；<br/> 一定位件，設置於該套筒中靠近該第二端開口側，並具有一定位孔；<br/> 一軸承，設置於該定位件與該第一端開口之間，並具有一軸孔與該定位孔連通；<br/> 一轉軸，可轉動地穿設於該定位孔與該軸孔中；及<br/> 一動壓板，設置於該底蓋與該定位件之間，並與該轉軸固接，且該動壓板在一軸向方向上與該第一凸出部對位，該底蓋的該內端另具有一第二凸出部，該外周凹陷部設置於該第一凸出部與該第二凸出部之間，且該第一凸出部的高度大於該第二凸出部的高度。
如請求項1之動壓軸承，其中，該底蓋的該內端另具有一內周凹陷部，該内周凹陷部設置於該第一凸出部的內周，且該第一凸出部的高度大於該內周凹陷部的高度。
如請求項1或2之動壓軸承，其中，該定位件對位於該動壓板的一表面定義為一對位面，該對位面與該底蓋的該第一凸出部之間垂直的距離定義一動壓空間高度，且該動壓板所具有的一厚度小於該動壓空間高度。
如請求項3之動壓軸承，另具有一間隔件，該間隔件抵接於該底蓋與該定位件之間，以形成該動壓空間高度。
如請求項3之動壓軸承，另具有一支撐凸部，由該套筒、該底蓋或由該定位件中之一者所延伸，並抵接於該底蓋與該定位件之間，以形成該動壓空間高度。
如請求項1或2之動壓軸承，其中，該定位件對位於該動壓板的一表面定義為一對位面，一對位凹陷部自該對位面凹陷，該動壓板的徑向端軸向對位於該外周凹陷部及/或該對位凹陷部。
如請求項1或2之動壓軸承，另包含一防漏環，該防漏環結合該套筒，使該軸承位於該定位件與該防漏環之間，且該防漏環具有一穿口與一斜面，該穿口用於供該轉軸通過，該斜面形成於該防漏環接近該穿口的下緣壁體，並自該穿口朝向該軸承的方向呈漸厚。
如請求項1或2之動壓軸承，其中，該動壓板的硬度大於該定位件或該第一凸出部中之至少一者。
如請求項8之動壓軸承，其中，該動壓板的硬度與該底蓋的該基體的硬度相等。
如請求項1或2之動壓軸承，其中，該動壓板具有在一軸向方向上相對的一上表面與一下表面，且該動壓軸承另具有一鍍膜層形成於該動壓板的該上表面與該定位件面向該動壓板的一表面中的至少一者，及/或形成於該動壓板的該下表面與該第一凸出部的一第一凸出面中的至少一者。
如請求項10之動壓軸承，其中，該鍍膜層具有一粗糙度小於其所依附表面的一粗糙度。
如請求項10之動壓軸承，其中，該鍍膜層是由無電解鎳、化學鎳、鐵氟龍、氮化鈦、氮化鉻、氮化碳鉻及氧化鋯中之至少一者所製成。
一種馬達，具有如請求項1～12中任一項之動壓軸承，另包含一殼座、一馬達轉子及一馬達定子；該動壓軸承設置於該殼座；該馬達轉子與該動壓軸承的該轉軸結合；該馬達定子對應該馬達轉子設置於該殼座。
一種風扇裝置，具有如請求項1～12中任一項之動壓軸承，另包含一殼座、一風扇轉子及一馬達定子；該動壓軸承設置於該殼座；該風扇轉子具有一馬達轉子與多個扇葉自該馬達轉子向外延伸，該馬達轉子與該動壓軸承的該轉軸結合；該馬達定子對應該馬達轉子設置於該殼座。
一種電子設備，包含：<br/> 一識別裝置，用以儲存一電子晶片識別符，且該電子晶片識別符唯一地識別該電子晶片；以及<br/> 一多用途接針，耦合至該識別裝置，其中該多用途接針用於從該電子設備輸出該電子晶片識別符以及該多用途接針用於一與電子晶片識別無關之功能；<br/> 其中該識別裝置用以使用該多用途接針從該電子設備輸出該電子晶片識別符，以使該多用途接針唯一地識別該電子設備；<br/> 其中該與電子晶片識別無關之功能使用第一電氣類型之一信號，並且該識別裝置用以使用第二電氣類型之一信號從該電子設備輸出該電子晶片識別符；<br/> 其中該第一電氣類型係一電壓且該第二電氣類型係一電流，或者該第一電氣類型係該電流且該第二電氣類型係該電壓。
如請求項1所述之電子設備，其中該與電子晶片識別無關之功能係向該電子設備進行供電。
如請求項2所述之電子設備，其中該多用途接針係一第一電力供應器接針；<br/> 其中該電子設備進一步包含一第二電力供應器接針；<br/> 其中該第一電力供應器接針及該第二電力供應器接針一起形成用於該電子設備之電力互連。
如請求項1至3中任一項所述之電子設備，其中該識別裝置包含：<br/> 一儲存元件，使用於該電子晶片識別符；以及<br/> 一讀出裝置，用於從該儲存元件讀取該電子晶片識別符並將該電子晶片識別符輸出至該多用途接針。
如請求項4所述之電子設備，其中該讀出裝置用以使用該第一電氣類型之一啟動信號來啟動該儲存元件；<br/> 其中該讀出裝置用以從該儲存元件讀取該電子晶片識別符作為該第一電氣類型之一或多個值。
如請求項5所述之電子設備，其中該讀出裝置包含一信號轉換器，該信號轉換器用以：<br/> 從該儲存元件讀取該電子晶片識別符作為該第一電氣類型之該信號；以及<br/> 將該電子晶片識別符轉換為該第二電氣類型之該信號並將其輸出至該多用途接針。
如請求項1至3中任一項所述之電子設備，其中該識別裝置用以以一或多個類比值之形式輸出該電子晶片識別符。
如請求項7所述之電子設備，其中該識別裝置進一步用以使用該多用途接針從該電子設備輸出一訓練信號，其中該訓練信號指示該一或多個類比值之滿刻度，且適用於在數位轉換該一或多個類比值時使用。
如請求項1至3中任一項所述之電子設備，其中該識別裝置用以以一或多個數位值之形式輸出該電子晶片識別符。
如請求項1至3中任一項所述之電子設備，其中該識別裝置包含用於儲存該電子晶片識別符之一物理不可複製函數電路。
如請求項1至3中任一項所述之電子設備，更包含一啟用電路，且該啟用電路耦合至該電子設備之至少一個接針，其中該啟用電路用以：<br/> 監測該電子設備之該至少一個接針之一電子晶片識別符啟用條件；及<br/> 在偵測到該電子設備之該至少一個接針之一電子晶片識別符啟用條件時，啟動該識別裝置以使用該多用途接針從該電子設備輸出該電子晶片識別符。
如請求項11所述之電子設備，其中該啟用電路用以在偵測到一電子晶片識別符啟用條件時啟用至該識別裝置之電力，使得該識別裝置接通並輸出該電子晶片識別符。
如請求項12所述之電子設備，其中該電子晶片識別符啟用條件包含具有一預定特性之一電氣信號。
如請求項13所述之電子設備，其中該預定特性係下列中之任一或多者：<br/> 一信號具有在至少一第一預定時間段內小於一第一預定臨限值之一值；<br/> 一信號具有在至少一第二預定時間段內大於一第二預定臨限值之一值；以及<br/> 一信號包含一預定調變碼。
如請求項14所述之電子設備，其中該電子設備之該至少一個接針包含該多用途接針。
一種電子設備，包含：<br/> 一識別電路，用以儲存一電子晶片識別符，該電子晶片識別符唯一地識別該電子晶片；<br/> 其中該識別裝置通常是關斷的，但是用以在偵測到一電子晶片識別符啟用條件時接通並從該電子設備輸出該電子晶片識別符；<br/> 其中一與電子晶片識別無關之功能使用第一電氣類型之一信號，並且該識別裝置用以使用第二電氣類型之一信號從該電子設備輸出該電子晶片識別符；<br/> 其中該第一電氣類型係一電壓且該第二電氣類型係一電流，或者該第一電氣類型係該電流且該第二電氣類型係該電壓。
如請求項16所述之電子設備，其中該識別裝置用以偵測該電子設備之一第一接針之該電子晶片識別符啟用條件，並且將該電子晶片識別符輸出至該電子設備之該第一接針。
如請求項16所述之電子設備，其中該識別裝置用以在該電子設備之一第一接針偵測該電子晶片識別符啟用條件並且將該電子晶片識別符輸出至該電子設備之一第二接針。
如請求項16至18中任一項所述之電子設備，其中該電子晶片識別符啟用條件包含具有一預定特性之一電氣信號，該預定特性係下列中之任一或多者：<br/> 一信號具有在至少一第一預定時間段內小於一第一預定臨限值之一值；<br/> 一信號具有在至少一第二預定時間段內大於一第二預定臨限值之一值；以及<br/> 一信號包含一預定調變碼。
如請求項18所述之電子設備，其中該識別裝置進一步包含用於儲存該電子晶片識別符之一物理不可複製函數電路。
如請求項20所述之電子設備，其中該識別裝置用以將該電子晶片識別符輸出為一類比值串列。
一種電子設備，用以儲存一電子晶片識別符電子晶片識別符，該電子晶片識別符唯一地識別該電子晶片，其中該電子設備包含：<br/> 用於儲存該電子晶片識別符之一物理不可複製函數電路；以及<br/> 一讀出裝置，用於從該物理不可複製函數電路讀取該電子晶片識別符並從該電子設備輸出該電子晶片識別符；<br/> 其中一與電子晶片識別無關之功能使用第一電氣類型之一信號，並且一識別裝置用以使用第二電氣類型之一信號從該電子設備輸出該電子晶片識別符；<br/> 其中該第一電氣類型係一電壓且該第二電氣類型係一電流，或者該第一電氣類型係該電流且該第二電氣類型係該電壓。
如請求項22所述之電子設備，其中該讀出裝置用以將該電子晶片識別符輸出為一類比值串列。
如請求項23所述之電子設備，其中該讀出裝置進一步用以從該電子設備輸出一訓練信號，其中該訓練信號指示該類比值串列之滿刻度，並且適用於在對該類比值串列進行數位轉換時使用。
如請求項22所述之電子設備，其中該讀出裝置用以以一或多個數位值之形式輸出該電子晶片識別符。
一種伺服器，其特徵在於，包括：第一機殼（10）以及主要發熱器件（30），所述第一機殼（10）設有第一收容腔（11），所述第一收容腔（11）內收容冷卻液，所述主要發熱器件（30）設於所述第一收容腔（11）內；所述第一機殼（10）還設有第一進液口（121）以及第一出液口（122），所述第一進液口（121）以及所述第一出液口（122）均與所述第一收容腔（11）連通；所述第一機殼（10）具有第一端（12）；第二機殼（20）以及次要發熱器件（40），所述第二機殼（20）設於所述第一端（12）並與所述第一機殼（10）固定連接，所述第二機殼（20）設有第二收容腔，所述第二收容腔與所述第一收容腔（11）密封隔絕，所述次要發熱器件（40）設於所述第二收容腔內；其中，所述主要發熱器件（30）包括主機板（31），所述主機板（31）設於所述第一機殼（10）沿第一方向的下部，所述第一方向為所述第一機殼（10）的高度方向；所述伺服器還包括第一液冷模組（50），所述第一液冷模組（50）設於所述主機板（31）的表面，所述第一液冷模組（50）設有第二進液口（53）以及與所述第二進液口（53）連通的第二出液口（54），所述第二進液口（53）與所述第一進液口（121）連通，所述第二出液口（54）與所述第一收容腔（11）連通。
如請求項1所述的伺服器，其中，所述主機板（31）設有CPU；所述第一液冷模組（50）包括第一冷板（51），所述第一冷板（51）對應所述CPU的位置，所述第一冷板（51）設有所述第二進液口（53）以及所述第二出液口（54）。
如請求項1所述的伺服器，其中，所述主要發熱器件還包括GPU模組（32），所述GPU模組（32）設於所述第一機殼（10）沿第一方向的下部，且所述GPU模組（32）位於所述主機板（31）背離所述第一端（12）的一側。
如請求項3所述的伺服器，其中，所述GPU模組（32）設有容置腔（321）；所述伺服器還包括第二液冷模組（55），所述第二液冷模組（55）包括第三冷板（551），所述第三冷板（551）設於所述容置腔（321）內，所述第三冷板（551）設有第三進液口（5511）以及與所述第三進液口（5511）連通的第三出液口（5512），所述第三進液口（5511）與所述第一進液口（121）連通，所述第三出液口（5512）與所述容置腔（321）連通，所述GPU模組（32）還設有與所述容置腔（321）以及所述第一收容腔（11）連通的第四出液口（322）。
如請求項4所述的伺服器，其中，所述伺服器還包括分液器（80），所述分液器（80）固定在所述第一機殼（10）上；所述分液器（80）設有分液腔（85）、第一分液進口（82）、第二分液進口（83）以及第三分液進口（84），所述分液腔（85）與所述第一分液進口（82）、所述第二分液進口（83）以及所述第三分液進口（84）連通，所述第一分液進口（82）與所述第一進液口（121）連通，所述第二分液進口（83）與所述第二進液口（53）連通，所述第三分液進口（84）與所述第三進液口（5511）連通。
如請求項5所述的伺服器，其中，所述伺服器還包括第一溫度傳感器（81），所述第一溫度傳感器（81）設於所述分液器（80）內，所述第一溫度傳感器（81）用於檢測所述分液器（80）內的所述冷卻液的溫度。
如請求項4所述的伺服器，其中，所述伺服器還包括OCP模組（33），所述OCP模組（33）設於所述GPU模組（32）沿所述第一方向的上方。
如請求項7所述的伺服器，其中，在所述第一方向上，所述OCP模組（33）具有頂部（331）以及底部（332）；所述伺服器還包括第一液位傳感器（90），所述第一液位傳感器（90）設於所述第一收容腔（11）內，所述第一液位傳感器（90）具有第一採集端，所述第一液位傳感器（90）設於所述頂部（331）所在的高度位置與所述底部（332）所在的高度位置之間。
如請求項8所述的伺服器，其中，所述伺服器還包括第二液位傳感器（91），所述第二液位傳感器（91）設於所述第一收容腔（11）內，且所述第二液位傳感器（91）高於所述第一液位傳感器（90），所述第二液位傳感器（91）具有第二採集端，所述第二採集端位於所有所述主要發熱器件（30）的上方，且所述第二採集端與所述第一機殼（10）的頂部（331）具有間隔。
如請求項8所述的伺服器，其中，所述第一機殼（10）還具有與所述第一端（12）相對的第二端（13）。
如請求項10所述的伺服器，其中，所述第一進液口（121）以及所述第一出液口（122）設於所述第二端（13），所述第一出液口（122）位於所述第一進液口（121）沿所述第一方向的上方。
如請求項10所述的伺服器，其中，所述第二端（13）設有穿孔（131）；所述伺服器還包括安裝於所述第一機殼（10）的電連接器（37），所述電連接器（37）包括座體（372）以及與所述座體（372）連接的第一夾持部（371），所述座體（372）位於所述第一收容腔（11）內，所述第一夾持部（371）經所述穿孔（131）設於所述第二端（13）外，所述第一夾持部（371）用於與供電裝置電連接；所述伺服器還包括電源板（34）以及供電線纜（36），所述電源板（34）設於所述主機板（31）的上方，且所述電源板（34）與所述主機板（31）電連接；所述供電線纜（36）的一端與所述電源板（34）電連接，所述供電線纜（36）的另一端與所述電連接器（37）電連接。
如請求項12所述的伺服器，其中，所述電源板（34）設有電源轉換器（341），所述電源轉換器（341）與所述供電線纜（36）電連接；所述伺服器還包括電源轉接板（35），所述電源轉接板（35）設於所述主機板（31）沿所述第一方向的上方，且所述電源轉接板（35）設於所述電源板（34）朝向所述第二端（13）的一側，所述電源轉接板（35）與所述電源轉換器（341）以及主機板（31）電連接。
如請求項1至13中任一項所述的伺服器，其中，所述第一機殼（10）還具有與所述第一端（12）相對的第二端（13）；所述第一機殼（10）包括殼體（14）以及蓋體（15），所述殼體（14）的一側設有開口（141），所述開口（141）位於所述第一端（12）與所述第二端（13）之間，所述蓋體（15）設於所述開口（141）；所述殼體（14）具有所述開口（141）的一端設有容置槽（142），所述容置槽（142）內設有密封件（16），所述蓋體（15）透過所述密封件（16）與所述殼體（14）密封配合。
如請求項14所述的伺服器，其中，所述殼體（14）具有開口（141）的一端設有多個第一固定孔，所有所述第一固定孔沿所述開口（141）的周向間隔設置，且所有所述第一固定孔位於所述密封件（16）的外側；所述蓋體（15）設有第二固定孔，所有所述第二固定孔沿所述蓋體（15）的周緣間隔設置，所述第一固定孔以及所述第二固定孔內設有固定件（17）。
一種安全帶調整結構，適用於調節一兒童載具的一安全帶對應兒童肩部的位置，其中，所述安全帶調整結構包括呈活動的設置於所述兒童載具上的一支撐件，所述支撐件上設置有多排不同高度的用於容置所述安全帶的調節部，所述調節部呈能供安全帶活動穿過的一通槽結構，相鄰兩排對應的所述調節部的所述通槽結構藉由豎槽結構和開口部中至少一者相互連通，所述豎槽結構和開口部中至少一者與所述通槽結構之間還設置有一第一限位部，所述通槽結構與所述第一限位部之間還設置有一第二限位部。
根據請求項1所述的安全帶調整結構，所述豎槽結構為豎直的條狀結構，或者所述豎槽結構為弧形狀，或者所述豎槽結構為半圓形。
根據請求項1所述的安全帶調整結構，所述豎槽結構的中段的容置空間大於其兩端的容置空間。
根據請求項1所述的安全帶調整結構，其中，相鄰兩排對應的所述調節部的所述通槽結構相互連通，所述通槽結構和所述豎槽結構的連接處呈圓弧狀。
根據請求項1所述的安全帶調整結構，其中，藉由所述第一限位部以限制所述安全帶在所述通槽結構內的滑動， <br/>藉由所述第二限位部以限制所述安全帶在所述通槽結構內的滑動。
根據請求項1至5任一項所述的安全帶調整結構，其中，所述第一限位部與所述第二限位部均呈凸伸狀，且所述第一限位部的凸伸方向與所述第二限位部的凸伸方向不同。
根據請求項6所述的安全帶調整結構，其中，所述第一限位部和/或所述第二限位部在所述調節部內凸伸的高度高於所述安全帶的厚度。
根據請求項6所述的安全帶調整結構，其中，對於多排所述調節部中位於最低一排所述調節部，位於所述豎槽結構和開口部中至少一者與該排的調節部之間的第一限位部呈向下凸伸，位於該排的調節部與所述第一限位部之間的第二限位部呈向上凸伸。
根據請求項1所述的安全帶調整結構，其中，同排的所述調節部包括不相連通的兩個調節部，多排所述調節部中位於最低一排的兩個所述調節部之間的間距小於位於其他排的兩個所述調整部之間的間距。
根據請求項1所述的安全帶調整結構，其中，所述開口部與所述調節部之間設置有一導向部，所述導向部沿所述開口部進入所述調節部的方向呈由寬漸窄的一漸變結構。
一種玻璃纖維，其特徵為包含由如下之玻璃纖維用玻璃組成物所構成的玻璃絲； <br/> 該玻璃纖維用玻璃組成物，相對於總量，含有35.00~50.00質量%之範圍的SiO<sub>2</sub>、 <br/> 12.00~28.00質量%之範圍的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、 <br/> 10.00~25.00質量%之範圍的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、 <br/> 2.00~18.00質量%之範圍的MgO，與 <br/> 5.00~25.00質量%之範圍的CaO，且 <br/> MgO與CaO之合計含有率為17.09~30.00質量%之範圍， <br/> MgO之含有率相對於CaO之含有率之比(MgO/CaO)為0.29~1.92之範圍。
如請求項1之玻璃纖維，其中MgO之含有率相對於CaO之含有率之比(MgO/CaO)為0.49~1.68之範圍。
如請求項1之玻璃纖維，其中前述玻璃絲之絲直徑為未達3.0μm。
一種玻璃纖維梭織物，其特徵為包含如請求項1至3中任一項之玻璃纖維。
一種經玻璃纖維強化之樹脂組成物，其特徵為包含如請求項1至3中任一項之玻璃纖維。
一種建立伺服器噪音預測模型的方法，包括：<br/> 一處理元件取得多個原始資料，其中該些原始資料的每一者包括多個風扇配置、多個伺服器配置及多個實際噪音值；<br/> 該處理元件將該些原始資料分為訓練資料集與測試資料集；<br/> 該處理元件從該訓練資料集中提取該些風扇配置中的至少一者及該些伺服器配置中的至少一者以訓練一預測模型，其中該預測模型為決策樹回歸模型；<br/> 該處理元件輸入該測試資料集至該預測模型以產生多個預測噪音值；<br/> 該處理元件依據該些預測噪音值及該些實際噪音值計算一模型評估指標；<br/> 當模型評估指標大於一閾值時，該處理元件輸出該預測模型；以及<br/> 當該模型評估指標不大於該閾值時，該處理元件更改一訓練配置以重新訓練該預測模型。
如請求項1所述建立伺服器噪音預測模型的方法，其中該些風扇配置包括：風扇數量、風扇轉速及風扇功率中的至少一者，且該些伺服器配置包括：處理器數量、記憶體數量及機箱尺寸中的至少一者。
如請求項1所述建立伺服器噪音預測模型的方法，其中該模型評估指標為決定係數。
如請求項1所述建立伺服器噪音預測模型的方法，其中該閾值為0.85。
一種建立伺服器噪音預測模型的系統，包括：<br/> 儲存元件，用於儲存多個原始資料，其中該些原始資料的每一者包括多個風扇配置、多個伺服器配置及多個實際噪音值；以及<br/> 處理元件，電性連接該儲存元件，該處理元件用於將該些原始資料分為訓練資料集與測試資料集，從該訓練資料集中提取該些風扇配置中的至少一者及該些伺服器配置中的至少一者以訓練一預測模型，輸入該測試資料集至該預測模型以產生多個預測噪音值，依據該些預測噪音值及該些實際噪音值計算一模型評估指標，其中當模型評估指標大於一閾值時，輸出該預測模型，當該模型評估指標不大於該閾值時，更改一訓練配置以重新訓練該預測模型，其中該預測模型為決策樹回歸模型。
如請求項5所述建立伺服器噪音預測模型的系統，其中該些風扇配置包括：風扇數量、風扇轉速及風扇功率中的至少一者，且該些伺服器配置包括：處理器數量、記憶體數量及機箱尺寸中的至少一者。
如請求項5所述建立伺服器噪音預測模型的系統，其中該模型評估指標為決定係數。
如請求項5所述建立伺服器噪音預測模型的系統，其中該閾值為0.85。
一種獲取化合物的特徵波峰的方法，包括：<br/> 從一質譜檔案讀取一質譜資料，該質譜資料包括隸屬一化合物的多個離子對及其全部波峰；<br/> 從一篩選參數表讀取該化合物的一篩選參數組；<br/> 根據該篩選參數組的一定量離子對選擇參數，從該化合物的該些離子對中，選擇擁有最高或最低波峰的離子對當作該化合物的一定量離子對；及<br/> 根據該篩選參數組的一特徵波峰數量參數，從該化合物的該定量離子對的全部波峰中，選擇高度排名前N名的波峰當作該化合物的定量特徵波峰，其中，N的值由該特徵波峰數量參數決定。
如請求項1所述的方法，包括：<br/> 在讀取該篩選參數表之前，先根據該質譜資料的一離子對從一化合物清單查詢得到該化合物的名稱，其中，該化合物清單係記錄想要利用該質譜儀檢測出來的每一化合物的名稱與離子對，該篩選參數表係記錄該化合物清單中的每一化合物的名稱與篩選參數組。
如請求項1所述的方法，其中，該篩選參數表係針對產出該質譜檔案的一質譜儀建立的。
如請求項1所述的方法，包括：根據該化合物的定量特徵波峰的位置，從該定量離子對以外的離子對的全部波峰中，找出位置相同或相似的波峰當作該化合物的定性特徵波峰。
如請求項1所述的方法，包括：<br/> 根據該篩選參數組的一位置參數為所找到的每一定量特徵波峰分別界定一容許位置範圍；及<br/> 從該化合物的該定量離子對以外的每一離子對的全部波峰中，選擇位置落入該容許位置範圍的波峰當作該化合物的定性特徵波峰。
如請求項4或5所述的方法，其中，在獲取該化合物的定性特徵波峰之後，若該定量離子對係選自擁有最低波峰的離子對，就繼續進行一互換作業，以使該化合物的定量特徵波峰與定性特徵波峰彼此互換。
如請求項1所述的方法，包括：<br/> 在進行該定量特徵波峰的選擇時，根據該化合物的該篩選參數組的一定量特徵波峰改選參數，決定維持現有選擇或改選擇將該高度排名前N名的波峰中位置排在第M位的波峰當作該化合物的定量特徵波峰，其中，M的值由該定量特徵波峰改選參數決定。
如請求項1所述的方法，包括：<br/> 在進行該定量特徵波峰的選擇之前，先根據該篩選參數組的一刪除參數，將該定量離子對的全部波峰中位置排在首位及末位的波峰予以刪除。
如請求項1所述的方法，包括：<br/> 判斷該特徵波峰數量參數的值是否大於或等於2；<br/> 在判斷結果為「是」時，根據該篩選參數組的一波峰比參數對該定量離子對進行一合格判斷作業，該合格判斷作業包括：<br/> 以高度排名第1名的定量特徵波峰的高度分別除以排名在後的每一定量特徵波峰的高度，藉以獲得一或多個高度比值；<br/> 判斷每一高度比值是否都大於該波峰比參數；及<br/> 若判斷結果為「是」，將該定量離子對當作一合格離子對，反之則將該定量離子對當作一不合格離子對。
一種計算定量特徵波峰的訊噪比的方法，包括：<br/> 利用請求項1所述方法獲取該化合物的定量特徵波峰；<br/> 將該化合物的其中一定量特徵波峰當作一目標訊號；<br/> 根據該根據該篩選參數組的一訊噪比參數，截取從該化合物的該其中一定量特徵波峰的位置往前一段時間內的波峰或往後一段時間內的波峰當作一背景雜訊；及<br/> 根據該目標訊號的強度與該背景雜訊的強度，計算出一訊噪比。
如請求項10所述的方法，包括：<br/> 根據該篩選參數組的一訊噪比合格判斷參數，決定是否對該訊噪比進行檢查。
一種計算定性特徵波峰的訊噪比的方法，包括：<br/> 利用請求項4或5所述方法獲取該化合物的定性特徵波峰；<br/> 將該化合物的其中一定性特徵波峰當作一目標訊號；<br/> 根據該篩選參數組的一訊噪比參數，截取從該化合物的該其中一定性特徵波峰的位置往前一段時間內的波峰或往後一段時間內的波峰當作一背景雜訊；<br/> 根據該目標訊號的強度與該背景雜訊的強度，計算出一訊噪比。
如請求項12所述的方法，包括：<br/> 根據該篩選參數組的一訊噪比合格判斷參數，決定是否對該定性特徵波峰訊噪比進行檢查。
一種伺服主機，包括一特徵波峰處理程式，且能根據該特徵波峰處理程式的程式碼執行如請求項1至13任一項所述的方法。
一種水溶性組成物，包含水溶性聚合物，且滿足下述條件（A1）及條件（A2）， <br/>（A1）所述水溶性聚合物包含含氮官能基， <br/>（A2）所述水溶性組成物的1.0質量%水溶液於25℃下的表面張力為34.0～50.0， <br/>其中所述水溶性聚合物為以具有含氮官能基的乙烯基單體的均聚物或者具有含氮官能基的乙烯基單體與不具有含氮官能基的乙烯基單體的共聚物為主鏈結構且於構成所述水溶性聚合物的重複單元以外的部位具有疏水性基的化合物。
如請求項1所述的水溶性組成物，其進而滿足下述條件（A3）， <br/>（A3）所述水溶性組成物包含超過0質量ppm且為1.3質量ppm以下的藉由下述測定方法定量的成分， <br/>＜測定方法＞ <br/>對於將於甲醇中以濃度成為5 mg/L的方式溶解了正己酸乙酯而成的溶液（I）和於水與甲醇的體積比率（水/甲醇）為2/8的混合溶媒中以濃度成為0.2質量%的方式溶解了所述水溶性組成物而成的溶液（II）以體積比率（溶液（I）/溶液（II））成為1/10的方式混合而成的試樣（S1），進行氣相層析分析， <br/>將如下峰值面積，即於將所述試樣（S1）注入至氣相層析儀後，以將管柱烘箱升溫至50℃的時間點為0分鐘，以10℃/分鐘升溫至300℃，於300℃下保持10分鐘的35分鐘的分析中，於25分鐘～35分鐘的期間獲得的峰值面積與使用正十二烷基硫醇預先製作的校準曲線對照來進行定量。
如請求項1所述的水溶性組成物，其進而滿足下述條件（A4）， <br/>（A4）所述水溶性組成物包含超過0質量ppm且小於1.0質量ppm的藉由下述測定方法定量的成分， <br/>＜測定方法＞ <br/>對於將於甲醇中以濃度成為5 mg/L的方式溶解了正己酸乙酯而成的溶液（I）和於水與甲醇的體積比率（水/甲醇）為2/8的混合溶媒中以濃度成為0.2質量%的方式溶解了所述水溶性組成物而成的溶液（II）以體積比率（溶液（I）/溶液（II））成為1/10的方式混合而成的試樣（S1），進行氣相層析分析， <br/>將如下峰值面積，即於將所述試樣（S1）注入至氣相層析儀後，以將管柱烘箱升溫至50℃的時間點為0分鐘，以10℃/分鐘升溫至300℃，於300℃下保持10分鐘的35分鐘的分析中，於25分鐘～35分鐘的期間獲得的峰值面積與使用正十二烷基硫醇預先製作的校準曲線對照來進行定量。
一種水溶性組成物，包含水溶性聚合物，且滿足下述條件（B1）～條件（B3）， <br/>（B1）所述水溶性聚合物包含含氮官能基， <br/>（B2）所述水溶性組成物的1.0質量%水溶液於25℃下的表面張力為10.0～50.0， <br/>（B3）所述水溶性組成物包含超過0質量ppm且為1.3質量ppm以下的藉由下述測定方法定量的成分， <br/>＜測定方法＞ <br/>對於將於甲醇中以濃度成為5 mg/L的方式溶解了正己酸乙酯而成的溶液（I）和於水與甲醇的體積比率（水/甲醇）為2/8的混合溶媒中以濃度成為0.2質量%的方式溶解了所述水溶性組成物而成的溶液（II）以體積比率（溶液（I）/溶液（II））成為1/10的方式混合而成的試樣（S1），進行氣相層析分析， <br/>將如下峰值面積，即於將所述試樣（S1）注入至氣相層析儀後，以將管柱烘箱升溫至50℃的時間點為0分鐘，以10℃/分鐘升溫至300℃，於300℃下保持10分鐘的35分鐘的分析中，於25分鐘～35分鐘的期間獲得的峰值面積與使用正十二烷基硫醇預先製作的校準曲線對照來進行定量， <br/>其中所述水溶性聚合物為以具有含氮官能基的乙烯基單體的均聚物或者具有含氮官能基的乙烯基單體與不具有含氮官能基的乙烯基單體的共聚物為主鏈結構且於構成所述水溶性聚合物的重複單元以外的部位具有疏水性基的化合物。
如請求項4所述的水溶性組成物，其進而滿足下述條件（B4）， <br/>（B4）所述水溶性組成物含有超過0質量ppm且小於1.0質量ppm的藉由下述測定方法定量的成分， <br/>＜測定方法＞ <br/>對於將於甲醇中以濃度成為5 mg/L的方式溶解了正己酸乙酯而成的溶液（I）和於水與甲醇的體積比率（水/甲醇）為2/8的混合溶媒中以濃度成為0.2質量%的方式溶解了所述水溶性組成物而成的溶液（II）以體積比率（溶液（I）/溶液（II））成為1/10的方式混合而成的試樣（S1），進行氣相層析分析， <br/>將如下峰值面積，即於將所述試樣（S1）注入至氣相層析儀後，以將管柱烘箱升溫至50℃的時間點為0分鐘，以10℃/分鐘升溫至300℃，於300℃下保持10分鐘的35分鐘的分析中，於25分鐘～35分鐘的期間獲得的峰值面積與使用正十二烷基硫醇預先製作的校準曲線對照來進行定量。
如請求項1或4所述的水溶性組成物，其中，所述水溶性聚合物的質量平均分子量為600～20,000。
如請求項1或4所述的水溶性組成物，其中，所述水溶性聚合物包含吡咯啶酮結構。
一種導電性組成物，包含如請求項1或4所述的水溶性組成物以及導電性聚合物。
如請求項8所述的導電性組成物，其中，所述導電性聚合物包含具有選自下述通式（1）～通式（4）所表示的單元中的至少一種單元的導電性聚合物， <br/>[化1] <br/><br/><img align="absmiddle" height="74px" width="205px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化2] <br/><br/><img align="absmiddle" height="116px" width="223px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化3] <br/><br/><img align="absmiddle" height="110px" width="261px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>[化4] <br/><br/><img align="absmiddle" height="113px" width="241px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>通式（1）～通式（4）中，X表示硫原子或氮原子，R<sup>1</sup>～R<sup>15</sup>各自獨立地表示氫原子、碳數1～24的直鏈或支鏈的烷基、碳數1～24的直鏈或支鏈的烷氧基、酸性基或其鹽、羥基、硝基、鹵素原子、-N(R<sup>16</sup>)<sub>2</sub>、-NHCOR<sup>16</sup>、-SR<sup>16</sup>、-OCOR<sup>16</sup>、-COOR<sup>16</sup>、-COR<sup>16</sup>、-CHO、或-CN，R<sup>16</sup>表示碳數1～24的烷基、碳數6～24的芳基、或碳數7～24的芳烷基， <br/>其中，通式（1）的R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>中的至少一個、通式（2）的R<sup>3</sup>～R<sup>6</sup>中的至少一個、通式（3）的R<sup>7</sup>～R<sup>10</sup>中的至少一個、通式（4）的R<sup>11</sup>～R<sup>15</sup>中的至少一個分別為酸性基或其鹽。
如請求項8所述的導電性組成物，其中，所述導電性聚合物包含具有下述通式（4）所表示的單元的導電性聚合物， <br/>[化5] <br/><br/><img align="absmiddle" height="109px" width="244px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>通式（4）中，R<sup>11</sup>～R<sup>15</sup>各自獨立地表示氫原子、碳數1～24的直鏈或支鏈的烷基、碳數1～24的直鏈或支鏈的烷氧基、酸性基或其鹽、羥基、硝基、鹵素原子、-N(R<sup>16</sup>)<sub>2</sub>、-NHCOR<sup>16</sup>、-SR<sup>16</sup>、-OCOR<sup>16</sup>、-COOR<sup>16</sup>、-COR<sup>16</sup>、-CHO、或-CN，R<sup>16</sup>表示碳數1～24的烷基、碳數6～24的芳基、或碳數7～24的芳烷基。
如請求項8所述的導電性組成物，更包含鹼性化合物。
如請求項11所述的導電性組成物，其中，所述鹼性化合物包含四級銨化合物。
一種水溶性組成物的製造方法，是如請求項1或4所述的水溶性組成物的製造方法，包含再沈澱步驟， <br/>所述再沈澱步驟將包含所述水溶性聚合物及所述水溶性聚合物的良溶媒的良溶媒溶液與所述水溶性聚合物的不良溶媒混合， <br/>所述不良溶媒包含醚。
如請求項13所述的水溶性組成物的製造方法，更包含所述水溶性聚合物的合成步驟， <br/>於所述合成步驟之後具有所述再沈澱步驟， <br/>將所述合成步驟中的反應溶液作為所述再沈澱步驟的良溶媒溶液來使用。
如請求項13所述的水溶性組成物的製造方法，其中，相對於所述良溶媒溶液100質量份，所述不良溶媒的混合量為100質量份以上。
如請求項13所述的水溶性組成物的製造方法，其中，所述不良溶媒更包含烷烴。
如請求項16所述的水溶性組成物的製造方法，其中，所述烷烴與所述醚的質量比（烷烴/醚）為0.5～2.0。
一種導電性組成物的製造方法，包含： <br/>藉由如請求項13所述的水溶性組成物的製造方法製造水溶性組成物的步驟；以及 <br/>將所述製造水溶性組成物的步驟中獲得的水溶性組成物與導電性聚合物混合的步驟。
一種鏈條，其具備多個成對的內連結板及多個成對的外連結板、筒狀的多個軸襯、及多個銷，<br/> 多個成對的內連結板及多個成對的外連結板在鏈條的長度方向上以互相交替的方式配置，<br/> 各對中的2個上述內連結板以互相對向的方式配置，<br/> 各內連結板具有2個貫通孔，<br/> 各軸襯插入至對應之成對的上述內連結板中的上述貫通孔中，<br/> 各銷以能夠旋轉的方式插入至對應的軸襯中，<br/> 各對中的2個上述外連結板以從外側包夾在上述長度方向上彼此相鄰的兩對上述內連結板的方式配置，<br/> 各銷的兩端部配置有對應之成對的2個上述外連結板，<br/> 多個上述軸襯及多個上述銷以在各對中的2個上述外連結板之間具有2個銷的方式配置，<br/> 其特徵在於：<br/> 各內連結板在2個上述貫通孔的各個上述外連結板側的開口端部具有斜錐，<br/> 上述斜錐的深度（B）相對於上述內連結板中的2個上述貫通孔的中心間的距離（A）的比率（B／A）為0.9％以上6％以下。
如請求項1所述的鏈條，其中<br/> 各內連結板在上述外連結板側的表面上具有與上述斜錐相連的凸部。
如請求項2所述的鏈條，其中<br/> 各內連結板在上述開口端部的整周上具有上述斜錐，並且<br/> 在包圍上述斜錐的整周的位置上具有上述凸部。
一種鏈條，其具備多個成對的內連結板及多個成對的外連結板、筒狀的多個軸襯、及多個銷，<br/> 多個成對的內連結板及多個成對的外連結板在鏈條的長度方向上以互相交替的方式配置，<br/> 各對中的2個上述內連結板以互相對向的方式配置，<br/> 各內連結板具有2個貫通孔，<br/> 各軸襯插入至對應之成對的上述內連結板中的上述貫通孔中，<br/> 各銷以能夠旋轉的方式插入至對應的軸襯中，<br/> 各對中的2個上述外連結板以從外側包夾在上述長度方向上彼此相鄰的兩對上述內連結板的方式配置，<br/> 各銷的兩端部配置有對應之成對的2個上述外連結板，<br/> 多個上述軸襯及多個上述銷以在各對中的2個上述外連結板之間具有2個銷的方式配置，<br/> 其特徵在於：<br/> 各內連結板在2個上述貫通孔的各個上述外連結板側的開口端部具有斜錐，<br/> 各內連結板在上述外連結板側的表面上具有與上述斜錐相連的凸部。
如請求項4所述的鏈條，其中<br/> 各內連結板在上述開口端部的整周上具有上述斜錐，並且<br/> 在包圍上述斜錐的整周的位置上具有上述凸部。
一種自由視角視覺系統，包括分別由複數個設置在不同位置且拍攝同一對象物的全景鏡頭所攝製的複數個影像檔，且能先從其中一個位置攝製的該影像檔播放一特定影像，並能根據該使用者的一操作，切換成從另一個位置攝製的該影像檔延續播放該特定影像，其中，切換後的該影像檔的時間參數係繼承切換前的該影像檔的時間參數，切換後的該影像檔的角度參數係根據切換前的該影像檔的角度參數估算的；<br/> 其中，當左端的該全景鏡頭移至右端的該全景鏡頭時，則該角度參數演算法包括以下式Case(I)、式Case(II)及式Case(III)：<br/> 令θ=<img align="absmiddle" height="14px" width="20px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ；<br/> 式Case(I)：0＜θ＜<img align="absmiddle" height="14px" width="3px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> <img align="absmiddle" height="14px" width="79px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> 式Case(II)：<img align="absmiddle" height="14px" width="3px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>＜θ＜<img align="absmiddle" height="14px" width="5px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 令<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>=<img align="absmiddle" height="7px" width="32px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 若<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, 則<img align="absmiddle" height="14px" width="64px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 若<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, 則<img align="absmiddle" height="14px" width="84px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> 式Case(III)：<img align="absmiddle" height="14px" width="5px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>＜θ＜<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> <img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為左端該全景鏡頭朝向一預設瞄準位置的直線，逆時針旋轉至該全景鏡頭朝向一目標位置的直線之水平夾角；<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為左端該全景鏡頭與該預設瞄準位置的距離；<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為右端該全景鏡頭朝向該預設瞄準位置的直線，逆時針旋轉至該全景鏡頭朝向該目標位置的直線之水平夾角。
如求項1所述的自由視角視覺系統，其中，各該全景鏡頭呈直線間隔排列。
如請求項2所述的自由視角視覺系統，其中，切換前的該影像檔包含一仰俯角為<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，切換後的該影像檔包含一仰俯角為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種自由視角視覺系統，包括分別由複數個設置在不同位置且拍攝同一對象物的全景鏡頭所攝製的複數個影像檔，且能先從其中一個位置攝製的該影像檔播放一特定影像，並能根據該使用者的一操作，切換成從另一個位置攝製的該影像檔延續播放該特定影像，其中，切換後的該影像檔的時間參數係繼承切換前的該影像檔的時間參數，切換後的該影像檔的角度參數係根據切換前的該影像檔的角度參數估算的；其中，當右端的該全景鏡頭移至左端的該全景鏡頭時，則該角度參數演算法包括以下式Case(I)、式Case(II)及式Case(III)：<br/> 令θ=<img align="absmiddle" height="14px" width="20px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ；<br/> 式Case(I)：0＜θ＜<img align="absmiddle" height="14px" width="3px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 令<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>=<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 若<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, 則<img align="absmiddle" height="14px" width="84px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 若<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, 則<img align="absmiddle" height="14px" width="64px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> 式Case(II)：<img align="absmiddle" height="14px" width="3px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>＜θ＜<img align="absmiddle" height="14px" width="5px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> <img align="absmiddle" height="14px" width="112px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；以及<br/> 式Case(III)：<img align="absmiddle" height="14px" width="5px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>＜θ＜<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> <img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為右端該全景鏡頭朝向一預設瞄準位置的直線，逆時針旋轉至該全景鏡頭朝向一目標位置的直線之水平夾角；<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為右端該全景鏡頭與該預設瞄準位置的距離；<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為左端該全景鏡頭朝向該預設瞄準位置的直線，逆時針旋轉至該全景鏡頭朝向該目標位置的直線之水平夾角。
如請求項1或4所述的自由視角視覺系統，其中，切換前的該影像檔的該時間參數為<img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，切換的後該影像檔的該時間參數為<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 且<img align="absmiddle" height="9px" width="137px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如求項1或4所述的自由視角視覺系統，其中，各該全景鏡頭呈弧狀間隔排列。
如請求項4所述的自由視角視覺系統，其中，切換前的該影像檔包含一仰俯角為<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，切轉換後的該影像檔包含一仰俯角為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7所述的自由視角視覺系統，其中，切換前的該影像檔的該時間參數為<img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，切換後的該影像檔的該時間參數為<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="9px" width="137px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或4所述的自由視角視覺系統，其中，該複數個全景鏡頭兩兩相鄰且彼此前後交錯設置。
一種製造金屬-絕緣體-金屬裝置的方法，包括：<br/> 在一第一金屬上形成一第一覆蓋層，其中該第一覆蓋層包括至少包含鋯及氧並具有一四方晶格相的一組合物；<br/> 在該第一覆蓋層上形成一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層；<br/> 在該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層上形成一第二覆蓋層，其中該第二覆蓋層包括至少包含鋯及氧並具有該四方晶格相的一組合物；以及<br/> 在該第二覆蓋層上形成一第二金屬，<br/> 其中該第一覆蓋層的一厚度小於或等於該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層的一厚度的0.1倍，且該第二覆蓋層的一厚度小於或等於該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層的該厚度的0.1倍。
如請求項1所述之方法，其中該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層的斜方晶格相百分比為至少70 %，使得該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層為鐵電體。
如請求項1所述之方法，其中該第一覆蓋層包括一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物，且該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物比該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層更富含鋯；以及<br/> 該第二覆蓋層包括一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物，且該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物比該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層更富含鋯。
如請求項1所述之方法，其中該第一覆蓋層包含ZrO<sub>2</sub>，且該第二覆蓋層包含ZrO<sub>2</sub>。
如請求項1所述之方法，其中該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>絕緣體層、該第一覆蓋層的一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物及該第二覆蓋層的一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物皆具有相同的鋯分子數x。
一種製造金屬-絕緣體-金屬裝置的方法，包括：<br/> 在一第一金屬上形成一第一覆蓋層，其中該第一覆蓋層包括具有四方相百分比至少為80 %的一介電材料；<br/> 在該第一覆蓋層上形成一絕緣體層；<br/> 在該絕緣體層上形成一第二覆蓋層，其中該第二覆蓋層包括具有四方相百分比至少為80 %的一介電材料；以及<br/> 在該第二覆蓋層上形成一第二金屬，其中該第一覆蓋層的一厚度小於或等於該絕緣體層的一厚度的0.1倍，且該第二覆蓋層的一厚度小於或等於該絕緣體層的該厚度的0.1倍。
如請求項6所述之方法，其中該絕緣體層包括選自由Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>、SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>、PbZr<sub>x</sub>Ti<sub>1-x</sub>O<sub>3</sub>、或BaTiO<sub>3</sub>組成的群組。
如請求項6所述之方法，其中該絕緣體層包含一鐵電Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物，且該第一覆蓋層包含ZrO<sub>2</sub>或一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物，且該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物比該絕緣體層更富含鋯，以及該第二覆蓋層包含ZrO<sub>2</sub>或一Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物，且該Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub>組合物比該絕緣體層更富含鋯。
如請求項6所述之方法，進一步包括：<br/> 在該第一金屬上形成該第一覆蓋層之前，在該第一金屬上形成一緩衝介電層以在該緩衝介電層上形成該第一覆蓋層。
一種金屬-絕緣體-金屬裝置，包括：<br/> 一第一金屬；<br/> 一第一覆蓋層，設置在該第一金屬上，其中該第一覆蓋層包括具有一四方晶格相的一介電材料；<br/> 一絕緣體層，設置於該第一覆蓋層上；<br/> 一第二覆蓋層，設置於該絕緣體層上，其中該第二覆蓋層包含具有該四方晶格相的一介電材料；以及<br/> 一第二金屬，設置在該第二覆蓋層上，其中該第一覆蓋層的一厚度小於或等於該絕緣體層的一厚度的0.1倍，且該第二覆蓋層的一厚度小於或等於該絕緣體層的該厚度的0.1倍。
一種梯面配料黏合裝置，其包含：<br/> 基板；<br/> 驅動元件，連接在所述基板上；<br/> 傳動機構，滑動連接在所述基板上，包括同時與所述驅動元件連接的柔性傳動元件以及剛性傳動元件；<br/> 黏合導向元件，連接在所述基板上並位於所述傳動機構的下方；及<br/> 執行組件，包括用於吸附配料的活動吸頭，所述柔性傳動元件以及所述剛性傳動元件均連接有所述活動吸頭，且所述活動吸頭與所述黏合導向元件滑動連接，所述驅動元件驅動所述傳動機構以帶動所述活動吸頭沿所述黏合導向元件的導向方向移動，將所述配料黏合在具有梯面的待加工件上。
如請求項1所述的梯面配料黏合裝置，其中所述黏合導向元件包括相連接的第一導向塊以及第二導向塊，所述第一導向塊以及所述第二導向塊之間形成導向通道；所述活動吸頭穿設在所述導向通道內，並在所述驅動元件的驅動以在所述導向通道內移動。
如請求項2所述的梯面配料黏合裝置，其中所述導向通道沿垂直方向設置有傾斜角度，所述活動吸頭與所述導向通道配合的部分對應設置；所述黏合導向元件還包括水平導向的第一直線滑軌，所述活動吸頭透過所述第一直線滑軌與所述柔性傳動元件或所述剛性傳動元件連接。
如請求項2所述的梯面配料黏合裝置，其中所述執行組件還包括固定吸頭，所述固定吸頭連接在所述第一導向塊或所述第二導向塊上。
如請求項1至請求項4任一項所述的梯面配料黏合裝置，其中所述柔性傳動元件包括第一轉接板、連接在所述第一轉接板上的導向銷、同時套設在所述導向銷上的彈性件以及移動件，所述彈性件位於所述第一轉接板以及所述移動件之間，所述驅動元件能夠驅動所述移動件沿所述導向銷的軸線方向移動。
如請求項5所述的梯面配料黏合裝置，其中所述移動件上設置有導向孔，所述導向銷穿設在所述導向孔內；所述導向銷設置有一個以上，所述導向孔與所述導向銷對應設置，且每個所述導向銷上均套設有所述彈性件。
如請求項5所述的梯面配料黏合裝置，其中所述剛性傳動元件包括第二轉接板以及連接在所述第二轉接板上的支撐件，所述支撐件以及所述移動件同時與所述驅動元件連接。
如請求項7所述的梯面配料黏合裝置，其中所述傳動機構還包括分別與所述柔性傳動元件以及所述剛性傳動元件連接的傳動導向元件，所述傳動導向元件包括連接在所述基板上垂直導向的第二直線滑軌以及連接在所述第二直線滑軌的滑塊上的第三轉接板，所述第三轉接板與所述第一轉接板或所述第二轉接板連接。
如請求項1所述的梯面配料黏合裝置，其中所述驅動元件包括連接在所述基板上的驅動件以及連接在所述驅動件的驅動端上的連接件，所述連接件同時與所述柔性傳動元件以及所述剛性傳動元件連接。
如請求項9所述的梯面配料黏合裝置，其中所述驅動件設置在所述基板背向所述傳動機構的一側，所述基板上設置有讓位槽，所述連接件的第一端與所述驅動件連接，第二端穿過所述讓位槽與所述柔性傳動元件以及所述剛性傳動元件連接。
一種控制喇叭陣列音場的方法，用於一裝置中，包括：<br/> 取得一收聽者的一位置與上述位置與一或複數個喇叭陣列之間的距離資訊，其中每一上述喇叭陣列包括複數個喇叭；<br/> 根據上述距離資訊取得每一上述喇叭所對應的一延遲時間；以及<br/> 根據上述延遲時間對音訊訊號進行處理，並輸出上述音訊訊號至上述喇叭陣列；<br/> 其中上述距離資訊係包括在任一喇叭陣列中，除了一第一喇叭外其餘喇叭與一第一直線的最短距離，上述第一直線係為連接上述第一喇叭及上述收聽者的一延長直線；<br/> 其中上述第一喇叭為上述喇叭陣列中的位於最左側或最右側的一參考喇叭；以及<br/> 其中上述延遲時間係根據上述最短距離及聲速所取得。
如請求項1所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中每一上述喇叭陣列係由在一直線上以相同間隔排列的上述喇叭所組成。
如請求項1所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中每一上述喇叭陣列係由在一直線上以不同間隔排列的上述喇叭所組成。
如請求項1所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中上述延遲時間<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示如下：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="22px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中dist為上述最短距離，v為上述聲速。
如請求項1所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中根據上述延遲時間對上述音訊訊號進行處理之步驟更包括：<br/> 調整上述音訊訊號，以使每一上述喇叭提前所對應的上述延遲時間播放各自的音訊訊號。
如請求項1所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中在取得上述位置與上述距離資訊之前，上述方法更包括：<br/> 接收由一攝影裝置所產生的一人臉圖像，其中上述人臉圖像係包括上述收聽者的一臉部；以及<br/> 根據上述人臉圖像取得上述收聽者的上述位置。
如請求項6所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中在接收由上述攝影裝置所產生的上述人臉圖像之後，上述方法更包括：<br/> 判斷上述人臉圖像是否包括超過一人員；以及<br/> 當上述人臉圖像包括超過一人員時，取得在上述人臉圖像中距上述攝影裝置最近的一第一人員作為上述收聽者。
如請求項6所述之控制喇叭陣列音場的方法，其中上述攝影裝置係設置在上述一或複數個喇叭陣列其中之一的一中間位置。
一種控制喇叭陣列音場的系統，包括：<br/> 一或複數個喇叭陣列；以及<br/> 一計算裝置，耦接至上述喇叭陣列；<br/> 其中上述計算裝置執行：<br/> 取得一收聽者的一位置與上述位置與上述喇叭陣列之間的距離資訊，其中每一上述喇叭陣列包括複數個喇叭；<br/> 根據上述距離資訊取得每一上述喇叭所對應的一延遲時間；以及<br/> 根據上述延遲時間對音訊訊號進行處理，並輸出上述音訊訊號至上述喇叭陣列；<br/> 其中上述距離資訊係包括在任一喇叭陣列中，除了一第一喇叭外其餘喇叭與一第一直線的最短距離，上述第一直線係為連接上述第一喇叭及上述收聽者的一延長直線；<br/> 其中上述第一喇叭為上述喇叭陣列中的位於最左側或最右側的一參考喇叭；以及<br/> 其中上述延遲時間係根據上述最短距離及聲速所取得。
如請求項9所述之控制喇叭陣列音場的系統，其中每一上述喇叭陣列係由在一直線上以相同間隔排列的上述喇叭所組成。
如請求項9所述之控制喇叭陣列音場的系統，其中每一上述喇叭陣列係由在一直線上以不同間隔排列的上述喇叭所組成。
如請求項9所述之控制喇叭陣列音場的系統，其中上述延遲時間<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示如下：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="22px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為上述最短距離，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為上述聲速。
如請求項9所述之控制喇叭陣列音場的系統，其中上述計算裝置根據上述延遲時間對上述音訊訊號進行處理之步驟更包括：<br/> 調整上述音訊訊號，以使每一上述喇叭提前所對應的上述延遲時間播放各自的音訊訊號。
如請求項9所述之控制喇叭陣列音場的系統，更包括：<br/> 一攝影裝置，耦接至上述計算裝置； <br/> 其中在上述計算裝置取得上述位置與上述距離資訊之前，上述計算裝置更執行：<br/> 接收由上述攝影裝置所產生的一人臉圖像，其中上述人臉圖像係包括上述收聽者的一臉部；以及<br/> 根據上述人臉圖像取得上述收聽者的上述位置。
如請求項14所述之控制喇叭陣列音場的系統，其中在接收由上述攝影裝置所產生的上述人臉圖像之後，上述計算裝置更執行：<br/> 判斷上述人臉圖像是否包括超過一人員；以及<br/> 當上述人臉圖像包括超過一人員時，取得在上述人臉圖像中距上述攝影裝置最近的一第一人員作為上述收聽者。
如請求項14所述之控制喇叭陣列音場的系統，其中上述攝影裝置係設置在上述一或複數個喇叭陣列其中之一的一中間位置。
一種製作雙物件表面榫合的方法，其包括：<br/> 提供一第一物件，通過一雷射手段在所述第一物件的一第一表面上製作多個第一微結構，所述多個第一微結構由所述第一物件的一部分通過所述雷射手段製作而成；<br/> 提供一第二物件，通過所述雷射手段在所述第二物件的一第二表面上製作多個第二微結構，所述多個第二微結構由所述第二物件的一部分通過所述雷射手段製作而成；以及<br/> 結合所述第一物件與所述第二物件，將所述第一表面與所述第二表面相對；<br/> 在結合所述第一物件與所述第二物件的步驟中，每一所述第一微結構與對應的所述第二微結構不需透過所述雷射手段以相互匹配連接。
如請求項1所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，在所述第一物件的所述第一表面上製作多個第一微結構時，還執行一第一表面改質步驟，使所述第一表面軟化；在所述第二物件的所述第二表面上製作多個第二微結構時，還執行一第二表面改質步驟，使所述第二表面軟化。
如請求項1所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，在所述結合所述第一物件與所述第二物件的步驟前，還分別執行一第一表面改質步驟及一第二表面改質步驟，以所述雷射手段改質所述多個第一微結構及所述多個第二微結構，使所述第一表面與所述第二表面軟化。
如請求項2或3所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，所述雷射手段是以飛秒雷射執行所述第一表面改質步驟及所述第二表面改質步驟。
如請求項1所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，所述多個第一微結構是以規則或不規則的方式位於所述第一表面上；所述多個第二微結構是以規則或不規則的方式位於所述第二表面上。
如請求項1所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，每一所述第一微結構為凸狀結構或凹狀結構，每一所述第二微結構為對應所述第一微結構的凸狀結構或凹狀結構。
如請求項1所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，每一所述第一微結構的單位尺寸為100微米至100奈米；每一所述第二微結構的單位尺寸為100微米至100奈米。
如請求項1所述的製作雙物件表面榫合的方法，其中，所述第一物件為半導體、金屬、塑膠、玻璃或陶瓷；所述第二物件為半導體、金屬、塑膠、玻璃或陶瓷。
一種雙物件表面榫合結構，包括：<br/> 一第一物件，所述第一物件的一第一表面上具有多個第一微結構，其中多個所述第一微結構是由所述第一物件的一部分通過一雷射手段製作而成；以及<br/> 一第二物件，所述第二物件的一第二表面上具有多個第二微結構，其中多個所述第二微結構是由所述第二物件的一部分通過所述雷射手段製作而成；<br/> 其中，所述第一物件以所述第一表面與所述第二物件的所述第二表面結合；<br/> 其中，在結合所述第一物件與所述第二物件的步驟中，每一所述第一微結構與對應的所述第二微結構不需透過所述雷射手段而相互匹配連接。
如請求項9所述的雙物件表面榫合結構，其中，所述多個第一微結構是以規則或不規則的方式位於所述第一表面上；所述多個第二微結構是以規則或不規則的方式位於所述第二表面上。
如請求項9所述的雙物件表面榫合結構，其中，每一所述第一微結構為凸狀結構或凹狀結構，每一所述第二微結構為對應所述第一微結構的凸狀結構或凹狀結構。
如請求項9所述的雙物件表面榫合結構，其中，每一所述第一微結構的單位尺寸為100微米至100奈米；每一所述第二微結構的單位尺寸為100微米至100奈米。
如請求項9所述的雙物件表面榫合結構，其中，所述第一物件為半導體、金屬、塑膠、玻璃或陶瓷 ；所述第二物件為半導體、金屬、塑膠、玻璃或陶瓷 。
一種轉向機構，適用一車用螢幕，該轉向機構包括：<br/>一基座，具有一基座溝槽；<br/>一導向結構，可動地設置於該基座；<br/>一支架結構，連接於該車用螢幕及該基座；<br/>一第一滑槽結構和一第二滑槽結構，可動地設置於該基座並連接該支架結構；<br/>一第一齒輪驅動系統和一第二齒輪驅動系統，設置於該基座並分別可帶動地接合該第一滑槽結構及該第二滑槽結構；以及<br/>一第三齒輪驅動系統，設置於該基座並可帶動地接合該導向結構；<br/>其中，當該第一齒輪驅動系統驅動該第一滑槽結構相對於該基座移動之速度不同於該第二齒輪驅動系統驅動該第二滑槽結構相對於該基座移動之速度時，該第一滑槽結構和該第二滑槽結構共同地帶動該支架結構以沿該基座溝槽進行運動，以致該車用螢幕相應地轉動以改變其面向；<br/>當該第三齒輪驅動系統尚未驅動該導向結構時，該基座溝槽由該導向結構避讓，以致該第一齒輪驅動系統與該第二齒輪驅動系統可驅動該第一滑槽結構與該第二滑槽結構相對於該基座以不同速度移動，以使該支架結構在該基座溝槽內進行運動；及<br/>當該第三齒輪驅動系統驅動該導向結構相對於該基座移動時，該基座溝槽局部地由該導向結構遮擋，以致該第一齒輪驅動系統與該第二齒輪驅動系統可驅動該第一滑槽結構與該第二滑槽結構相對於該基座以相同速度移動，以使該支架結構沿該導向結構的一導向槽進行移動，該車用螢幕相應地移動以進行伸縮。
如請求項1所述之轉向機構，其中該基座溝槽包含相連的一第一定向部分和一第二定向部分，該第一定向部分鄰近於該第一滑槽結構，該第二定向部分鄰近於該第二滑槽結構，當該第一齒輪驅動系統驅動該第一滑槽結構相對於該基座移動之速度大於該第二齒輪驅動系統驅動該第二滑槽結構相對於該基座移動之速度時，該支架結構在該第一定向部分中進行運動，以致該車用螢幕朝向對應於該第二滑槽結構的一側轉動。
如請求項2所述之轉向機構，其中該第一定向部分與該第二定向部分的延伸方向之間形成一夾角，該夾角小於90度。
如請求項1所述之轉向機構，其中該第一滑槽結構具有一第一導槽，該第二滑槽結構具有一第二導槽，該支架結構的兩側部分別可動地設置於該第一導槽和該第二導槽，當該支架結構沿該基座溝槽發明進行運動時，該支架結構的兩側部可分別在該第一導槽和該第二導槽內相對於該第一滑槽結構與該第二滑槽結構移動。
如請求項1所述之轉向機構，其中該第一滑槽結構透過一第一外導向銷和一第一內導向銷設置於該基座，該第二滑槽結構透過一第二外導向銷和一第二內導向銷設置於該基座，該第一外導向銷相較於該第一內導向銷更接近該第一齒輪驅動系統，該第二外導向銷相較於該第二內導向銷更接近該第二齒輪驅動系統。
如請求項1所述之轉向機構，其中該第一滑槽結構與該第二滑槽結構設置於該基座之一頂側，該導向結構設置於該基座之與該頂側相對的一底側。
如請求項1所述之轉向機構，其中該導向結構包含：<br/>一前導向部分和一後導向部分，該後導向部分連接至該第三齒輪驅動系統，該導向槽形成於該後導向部分；<br/>其中，當該第三齒輪驅動系統尚未驅動該導向結構時，該前導向部分與該後導向部分之間形成一溝槽間隙，該基座溝槽局部地重疊於該溝槽間隙；<br/>當該第三齒輪驅動系統驅動該導向結構時，該基座溝槽局部地由該後導向部分遮擋。
如請求項7所述之轉向機構，其中該前導向部分與該後導向部分透過一彈性元件相連。
如請求項7所述之轉向機構，其中該前導向部分與該後導向部分為一體成型地相連。
如請求項7所述之轉向機構，其中該前導向部分透過一彈性元件連接至該基座，該後導向部分分離於該前導向部分，當該第三齒輪驅動系統驅動該導向結構時，該後導向部分推抵並帶動該前導向部分。
如請求項1所述之轉向機構，其中該基座溝槽包含：<br/>相連的一第一定向部分、一第二定向部分以及一第三定向部分，該第一定向部分鄰近於該第一滑槽結構，該第二定向部分鄰近於該第二滑槽結構，該第三定向部分位於該第一定向部分與該第二定向部分之間且平行於該導向槽；<br/>其中，當該第一齒輪驅動系統驅動該第一滑槽結構相對於該基座移動之速度大於該第二齒輪驅動系統驅動該第二滑槽結構相對於該基座移動之速度時，該支架結構在該第一定向部分中進行運動，以致該車用螢幕朝向對應於該第二滑槽結構的一側轉動；<br/>當該第三齒輪驅動系統尚未驅動該導向結構時，該第一定向部分和第二定向部分由該導向結構避讓，該第三定向部分由該導向結構遮擋；<br/>當該第三齒輪驅動系統驅動該導向結構時，該導向結構移動以遮擋該第一定向部分和第二定向部分並露出該第三定向部分，以使該支架結構沿該導向槽移動至該第三定向部分中。
如請求項1所述之轉向機構，其中該第三齒輪驅動系統包含一導螺桿以及一馬達，該導螺桿係可旋轉地連接該馬達並嚙合該導向結構的一接合端，該馬達驅動該導螺桿以帶動該導向結構移動。
一種包括液體分佈裝置的反應器，其為固定床反應器，其特徵在於所述液體分佈裝置包括： <br/>換熱管單元，其包括多個豎直佈置的換熱管，至少一部分換熱管的外壁上設有左旋或右旋的螺旋翅片，並且其中至少一部分換熱管的外壁螺旋翅片與其相鄰排列的換熱管的外壁螺旋翅片的旋轉方向相反；並且換熱介質在換熱管內流動，而液體反應物料在換熱管外以幾乎平行於換熱管軸向方向流動； <br/>固體顆粒裝填單元，其包括填充在所述換熱管之間的空間中的固體顆粒。
如請求項1所述的反應器，其中所述換熱管選自直管換熱管或U形換熱管，其中該U形換熱管的直管部分的外壁螺旋翅片的旋轉方向可以是相同或不同的，並且其中每根U形換熱管的進口端和出口端間隔設置。
如請求項1或2所述的反應器，其中在至少一部分所述換熱管的內壁上設有螺旋翅片，其中所述換熱管的外壁螺旋翅片的旋轉方向與所述換熱管的內壁螺旋翅片的旋轉方向是相同或相反的。
如請求項3所述的反應器，其中所述換熱管的外壁和/或內壁螺旋翅片為在換熱管的外壁和/或內壁上的凸起結構，其中該凸起結構的截面形狀為三角形、半圓形、半橢圓形或矩形。
如請求項2所述的反應器，其中所述液體分佈裝置包含固體顆粒裝填單元，所述每根換熱管的規格尺寸是相同的且均勻佈置，相鄰兩根U形換熱管的進口端和出口端或者兩兩相鄰的四根直管換熱管的進口端呈正方形排列，所述正方形的邊長為W、所述換熱管的直徑為D，所述換熱管的外壁螺旋翅片的橫截面為三角形，所述三角形的底邊長度的一半為h、頂角的一半為θ，所述螺旋翅片的螺距為H和所述換熱管的直徑為D，固定床高度為<i>l</i>，這時包含該液體分佈裝置的反應器熱傳係數與螺旋翅片的結構參數、換熱管排列結構參數滿足以下關係式(1)： <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="276px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (1) <br/>在上述式中，D<sub>e</sub>表示以米為單位計的特徵尺寸：<img align="absmiddle" height="117px" width="392px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；Re表示雷諾係數：<img align="absmiddle" height="81px" width="127px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，並且使得0.6＜Re＜50；<i>α</i>表示反應器的以W/(m<sup>2</sup>·K)計的熱傳係數，並且使得<i>α</i>＞30 W/(m<sup>2</sup>·K)；<i>ρ</i>表示反應液體的以kg/m<sup>3</sup>計的密度，<i>μ</i>表示反應液體的以Pa·s計的黏度；<i>u</i>表示反應液體的以m/s計的流速，其計算方法如下：根據預定的液體空速和在反應器中裝填的催化劑體積，可以確定進料總體積流量，根據反應器中催化劑裝填區域重複單元數量計算出單個重複單元進料體積流量，然後用單個重複單元進料體積流量除以單個重複單元截面積<img align="absmiddle" height="309px" width="576px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，即為流速<i>u</i>；W、D、H、h和<i>l</i>均以單位米計；<i>θ</i>以弧度計；<i>Pr</i>表示物性常數，<img align="absmiddle" height="309px" width="416px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<i>c<sub>p</sub></i>表示液體的以J/(kg·℃)計的定壓比熱容，<i>λ</i>表示液體的以W/(m·K)計的導熱係數；M和N為無因次的常數，當所有換熱管的外壁螺旋翅片旋轉方向相同時，N=0.37，當所有換熱管的外壁螺旋翅片與其相鄰排列的換熱管的外壁螺旋翅片的旋轉方向相反時，N=0.88；當換熱管的外壁螺旋翅片的旋轉方向與換熱管的內壁螺旋翅片的旋轉方向相反時，M=1.18，旋轉方向相同時，M=1。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述液體反應裝置包含固體顆粒裝填單元，所述每根換熱管的規格尺寸是相同的且均勻佈置，相鄰兩根U形換熱管的進口端和出口端或者兩兩相鄰的四根直管換熱管的進口端呈正方形排列，所述正方形的邊長為W、所述換熱管的直徑為D，所述換熱管的螺旋翅片的橫截面為三角形，所述三角形的底邊長度的一半為h、頂角的一半為θ，所述螺距為H和所述換熱管的直徑為D，固定床高度為<i>l</i>，d是固體顆粒數均直徑，n為每根換熱管的螺旋翅片的螺紋頭數，這時螺旋翅片的結構參數、換熱管排列結構參數與反應器壓降滿足以下關係式(2)： <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="250px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (2) <br/>在上述式中，D<sub>e</sub>表示以米為單位計的特徵尺寸：<img align="absmiddle" height="117px" width="392px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，Re表示雷諾係數<img align="absmiddle" height="81px" width="127px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>並且使得0.6＜Re＜50；<i>∆P</i>表示以Pa計的反應器壓降，其中<i>∆P</i>＜2000 kPa；<i>ρ</i>表示以kg/m<sup>3</sup>計的反應液體的密度，<i>μ</i>表示以Pa·s計的反應液體的黏度；<i>u</i>表示以m/s計的反應液體流速，其計算方法如下：根據預定的液體空速和在反應器中裝填的催化劑體積，可以確定進料總體積流量，根據反應器中催化劑裝填區域重複單元數量計算出單個重複單元進料體積流量，然後用單個重複單元進料體積流量除以單個重複單元截面積<img align="absmiddle" height="309px" width="576px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，即為流速<i>u</i>；W、D、H、h、<i>l</i>和d的單位為m；<i>θ</i>以弧度計；n表示螺旋翅片的螺紋頭數，為無因次參數。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述每根換熱管的規格尺寸是相同的且均勻佈置，相鄰兩根U形換熱管的進口端和出口端或者兩兩相鄰的四根直管換熱管的進口端呈正方形排列，當所述正方形的以米為單位計的邊長為W、所述換熱管的以米為單位計的直徑為D時，使得W/D=1.2-3。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述換熱管的外壁螺旋翅片的螺距是相等的，當所述螺旋翅片的以米為單位計的螺距為H、所述換熱管的以米為單位計的直徑為D時，使得比率H/D為0.2-1.7。
如請求項4所述的反應器，其中當所述凸起結構的截面形狀為三角形時，所述三角形的以米為單位計的底邊長度的一半為h、且頂角的一半為θ，使得比率h/D為0.03-0.1，且θ為10º至60º。
如請求項8所述的反應器，其中在H/D為一定值時，所述換熱管的外壁螺旋翅片為單頭螺紋形式或多頭螺紋形式，其中所述螺旋翅片的螺紋頭數n大於或等於1。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述反應器是用於液-固反應系統的固定床反應器，所述固體顆粒裝填單元選自固體填料床或固體催化劑床，其包括填充在任何相鄰兩根換熱管之間的空間中的為顆粒形式的填料或催化劑。
如請求項1或2所述的反應器，其中該液體分佈裝置還包含液體分佈器，所述液體分佈器位於所述換熱管單元上方或下方，並且所述液體分佈器出液孔的開孔率為2‰-75‰。
如請求項1或2所述的反應器，其中所有換熱管的外壁螺旋翅片與其相鄰排列的換熱管的外壁螺旋翅片在軸向上有至多1/3螺距。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述催化劑床上、下兩端均設有篩網，並且下端的篩網設於所述換熱管底部下方。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述反應器的換熱介質進口總管和/或換熱介質出口總管位於反應器頂部，且其設置位置高於液體分佈器。
如請求項1或2所述的反應器，其中所述反應器為固定床反應器，用於催化水合製備乙二醇、催化反應以製備二乙二醇、催化反應以製備三乙二醇、催化水合製備丙二醇，或催化水合製備丁二醇，其中所述液體反應物料分別為液態環氧乙烷和液態水、液態環氧乙烷和液態乙二醇、液態環氧乙烷和液態二乙二醇、液態環氧丙烷和液態水，或液態環氧丁烷和液態水。
如請求項1或2所述的反應器，其中所有所述換熱管的外壁上設有左旋或右旋的螺旋翅片，並且所有所述換熱管的外壁螺旋翅片與其相鄰排列的換熱管的外壁螺旋翅片的旋轉方向相反；所述換熱管的上、下兩端均設有支撐板；在全部所述換熱管的內壁上設有螺旋翅片，其中所述換熱管的外壁螺旋翅片的旋轉方向與所述換熱管的內壁螺旋翅片的旋轉方向是是相反的。
如請求項10所述的反應器，其中所述螺紋頭數n為2、3或4，所有所述換熱管的外壁螺旋翅片與其相鄰排列的換熱管的外壁螺旋翅片在軸向上成鏡像對稱分佈。
一種進行多相催化反應的方法，其特徵在於，使用如請求項1-18中任一項所述的反應器。
如請求項19所述的方法，其中所述方法用於通過環氧乙烷催化水合反應製備乙二醇、通過環氧乙烷與乙二醇催化反應製備二乙二醇、通過環氧乙烷與二乙二醇催化反應製備三乙二醇、通過環氧丙烷催化水合反應製備丙二醇、或通過環氧丁烷催化水合反應製備丁二醇。
如請求項19所述的方法，其中液體反應物料為液態環氧乙烷和液態水，並且使用樹脂作為固體催化劑。
如請求項19所述的方法，其中在85-150℃的反應溫度、1.0-1.8 MPa的壓力、0.5-5 h<sup>-1</sup>的液時空速條件下，使液體反應物料通過固定床反應器，與裝填在換熱管之間的固體催化劑接觸反應以生成乙二醇。
一種黏著劑組成物，其含有(甲基)丙烯酸樹脂(A)、光聚合起始劑(B)與交聯劑(C)； <br/> 前述(甲基)丙烯酸樹脂(A)係由X嵌段及Y嵌段所構成之雙嵌段共聚物； <br/> 前述X嵌段及前述Y嵌段的結構單元比率(莫耳比)為40:60~95:5； <br/> 前述X嵌段具備： <br/> 具有羥基之結構單元(M-1)及具有乙烯性不飽和基之結構單元(M-2)； <br/> 前述Y嵌段具備： <br/> 源自SP值為20(J/cm<sup>3</sup>)<sup>1/2</sup>以下的乙烯性不飽和化合物(m-3)的結構單元(M-3)； <br/> 前述結構單元(M-1)、前述結構單元(M-2)及前述結構單元(M-3)中之至少一個係具有源自(甲基)丙烯醯氧基的結構； <br/> 將前述X嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述X嵌段所具備之前述具有羥基之結構單元(M-1)及前述具有乙烯性不飽和基之結構單元(M-2)的合計比率為18~95莫耳%； <br/> 將前述Y嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述Y嵌段中之具有羥基之結構單元(M-1)及具有乙烯性不飽和基之結構單元(M-2)的合計比率為0~17莫耳%； <br/> 將前述X嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述X嵌段所具備之前述具有羥基之結構單元(M-1)的比率為0.1~35莫耳%； <br/> 將前述X嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述X嵌段所具備之前述具有乙烯性不飽和基之結構單元(M-2)的比率為1~60莫耳%； <br/> 將前述Y嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述Y嵌段所具備之前述具有羥基之結構單元(M-1)的比率為15莫耳%以下； <br/> 將前述Y嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述Y嵌段所具備之前述具有乙烯性不飽和基之結構單元(M-2)的比率為15莫耳%以下； <br/> 將前述Y嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述Y嵌段所具備之前述源自SP值為20(J/cm<sup>3</sup>)<sup>1/2</sup>以下的乙烯性不飽和化合物(m-3)的結構單元(M-3)的比率為50~100莫耳%。
如請求項1之黏著劑組成物，其中，前述X嵌段所具備之前述具有乙烯性不飽和基之結構單元(M-2)係，在源自具有羥基之乙烯性不飽和化合物(m-1)的結構單元的羥基中，加成含有異氰酸酯基之乙烯性不飽和化合物(a)的結構單元。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，將前述Y嵌段的結構單元的合計設為100莫耳%，前述Y嵌段所具備之前述源自SP值為20(J/cm<sup>3</sup>)<sup>1/2</sup>以下的乙烯性不飽和化合物(m-3)的結構單元(M-3)的比率為70莫耳%以上。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，前述Y嵌段所具備之前述源自SP值為20(J/cm<sup>3</sup>)<sup>1/2</sup>以下的乙烯性不飽和化合物(m-3)的結構單元(M-3)係源自以下的結構單元：選自由烷基的碳數為6~30之直鏈或分支的(甲基)丙烯酸烷基酯、含有脂環骨架之(甲基)丙烯酸酯及苯乙烯所成群中之單體。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，前述Y嵌段具有源自苯乙烯的結構單元。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，前述X嵌段進一步具有源自烷基的碳數為1~5之直鏈或分支的(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，前述(甲基)丙烯酸樹脂(A)的重量平均分子量為1×10<sup>4</sup>~200× 10<sup>4</sup>。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，前述(甲基)丙烯酸樹脂(A)的乙烯性不飽和基當量為100~5000g/mol。
如請求項1或2之黏著劑組成物，其中，前述(甲基)丙烯酸樹脂(A)的羥價為0.01~50mgKOH/g。
一種黏著薄片，其具有基材層，與 <br/> 由如請求項1~9中任一項之黏著劑組成物的熱硬化物或光熱硬化物所成之黏著劑層。
一種切割膠帶，其具有基材層，與 <br/> 由如請求項1~9中任一項之黏著劑組成物的熱硬化物或光熱硬化物所成之黏著劑層。
一種切割-黏晶一體型薄膜，其依序具有基材層，與 <br/> 由如請求項1~9中任一項之黏著劑組成物的熱硬化物或光熱硬化物所成之黏著劑層，與 <br/> 接著劑層。
一種轉動裝置的監測設備，該轉動裝置包含一圍繞界定出一安裝空間的框體、一安裝於該安裝空間的運轉模組，及一資訊連接於該運轉模組的電路板，該轉動裝置的監測設備包含：<br/> 一微控制器，適用於安裝在該電路板上，並用以控制該運轉模組的轉動；<br/> 一感測單元，適用於安裝在該電路板上，並包括一資訊連接於該微控制器並用以產生一第一檢測資訊的加速度計，及一電連接於該微控制器且用以產生一第二檢測資訊的電感測器，其中，該第一檢測資訊含有加速度值、位移值，及速度值，而該第二檢測資訊含有電壓值、電流值、電阻值，及電功率，該感測單元用以將該第一檢測資訊及該第二檢測資訊輸出至該微控制器，使得該微控制器產生一應變驅動信號；及<br/> 一因應單元，資訊連接於感測單元與該微控制器，且用以接收該應變驅動信號而控制該運轉模組運轉。
如請求項1所述轉動裝置的監測設備，其中，該感測單元還包括一資訊連接於該加速度計及該電感測器的計時器。
一種花轂，適用於安裝在一自行車的一車輪並用於供數個輻條設置，該花轂包含：<br/> 一輪軸，圍繞一軸線；<br/> 二花盤，沿該軸線間隔設置在該輪軸，每一該花盤包括一設置在該輪軸外的盤體，及數個環繞該軸線且間隔設置在該盤體的安裝座，該等安裝座分別適用於供該等輻條設置，每一該安裝座具有一適用於供對應的該輻條的一端穿入的安裝孔，每一該安裝孔形成有一凹陷部、一第一孔部、一相反於該第一孔部的第二孔部，及一介於該第一孔部與該凹陷部間的第三孔部，該凹陷部介於該第一孔部與該第二孔部間，該凹陷部的直徑大於該第二孔部的直徑，該第三孔部的直徑小於該凹陷部與該第一孔部的直徑；及<br/> 數個緩衝件，分別設置在該等安裝座，每一該緩衝件設置在對應的該安裝孔的該凹陷部內，且適用於供對應的該輻條穿設。
如請求項1所述的花轂，其中，該第一孔部的直徑大於該凹陷部的直徑。
一種自行車的花轂模組，適用於安裝在一自行車的一車輪，並包含：<br/> 一花轂，包括一輪軸、二花盤，及數個緩衝件，該輪軸圍繞一軸線，該等花盤沿該軸線間隔設置在該輪軸，每一該花盤包括一設置在該輪軸外的盤體，及數個環繞該軸線且間隔設置在該盤體的安裝座，每一該安裝座具有一安裝孔，每一該安裝孔形成有一凹陷部、一第一孔部、一相反於該第一孔部的第二孔部，及一介於該第一孔部與該凹陷部間的第三孔部，該凹陷部介於該第一孔部與該第二孔部間，該凹陷部的直徑大於該第二孔部的直徑，該第三孔部的直徑小於該凹陷部與該第一孔部的直徑；及<br/> 數個輻條，連接該車輪與該花轂且分別對應該等安裝座，每一該輻條具有一設置在對應的該安裝座的該安裝孔的第一端部、一相反於該第一端部且適用於安裝在該車輪的第二端部，及一形成在該第一端部與該第二端部間的桿部，該等緩衝件設置在該等安裝座的該等安裝孔與該等輻條的該等第一端部之間，每一該緩衝件設置在對應的該安裝孔的該凹陷部。
如請求項3所述的自行車的花轂模組，其中，該緩衝件是O型環。
如請求項3所述的自行車的花轂模組，其中，每一該輻條的該桿部的橫截面呈扁平狀。
如請求項3所述的自行車的花轂模組，其中，每一該輻條的該第一端部具有一容置在其中一該安裝孔的頭端，及一相反兩端分別連接於該頭端與該桿部且直徑小於該頭端的直徑的柱段，該柱段部分容置在其中一該安裝孔，該緩衝件套設在該柱段。
一種偵測鋸切機頻率之系統，適用於一鋸切機，該鋸切機具有二驅動輪及一鋸帶，該鋸帶繞設於二該驅動輪，而該偵測鋸切機頻率之系統更包含：至少一頻率感測裝置，該頻率感測裝置包含：<br/> 一收音單元，供以接收該鋸帶的振動頻率，並轉換成一赫茲監測值，該收音單元相鄰於該鋸帶；<br/> 一比對單元，供以資訊連接該收音單元，該比對單元接收該赫茲監測值，該比對單元具有至少一預設值及至少一個標準差，該標準差為一範圍區間，該標準差的絕對值大於該預設值，該比對單元比對該預設值與該赫茲監測值，當該赫茲監測值在該預設值之外，則輸出一通知訊號，該比對單元比對該標準差與該赫茲監測值，當該赫茲監測值在該標準差之外，則輸出一更換訊號；及<br/> 一傳輸單元，供以資訊連接該比對單元及該收音單元，該傳輸單元用以接收該通知訊號及該更換訊號；及<br/> 一外部裝置，該外部裝置資訊連接該傳輸單元，該外部裝置內設一數據庫，該數據庫供以儲存該通知訊號、該更換訊號、該標準差及該預設值。
如請求項1所述之偵測鋸切機頻率之系統，其中，該比對單元根據位於不同位置之該收音單元，以不同的權重進行該赫茲監測值計算出該預設值及該標準差。
如請求項1所述之偵測鋸切機頻率之系統，其中，該比對單元根據位於不同位置之該收音單元，進行該赫茲監測值相似度比對後整合，輸出該預設值及該標準差。
如請求項1所述之偵測鋸切機頻率之系統，其中，該收音單元收集完該振動頻率後以交集、聯集或差集一個或多個該振動頻率進行整合輸出該赫茲監測值。
如請求項1所述之偵測鋸切機頻率之系統，其中，該鋸切機具有一鐵框架、一左導柱、一右導柱及一傳動箱，該左導柱與該右導柱相對設置，該鐵框架圍繞出一容置空間，該傳動箱相鄰設置於該鐵框架，該傳動箱供以驅動二該驅動輪，該頻率感測裝置係選自裝設於該左導柱、該右導柱、該鐵框架、該傳動箱或該容置空間任一或及其組合。
如請求項1所述之偵測鋸切機頻率之系統，其中，該預設值選自一範圍區間或一定值。
一種石墨材料的純化方法，其包括以下步驟： <br/>（a）將一石墨材料放置在一石墨坩堝中後，將該石墨坩堝置入一加熱爐內； <br/>（b）對該加熱爐進行抽真空處理後，充入一保護氣氛，並控制該加熱爐內的壓力小於5托（torr）；以及 <br/>（c）藉由設置於該加熱爐內的一加熱器對該石墨坩堝加熱，以控制該石墨坩堝的溫度至少高於該石墨材料中部分金屬雜質的熔點溫度，並維持一預設時間，使得該石墨材料中的該部分金屬雜質揮發或碳化，並純化該石墨坩堝。
如請求項1所述的石墨材料的純化方法，其中，該保護氣氛包括氬氣或氦氣。
如請求項1所述的石墨材料的純化方法，其中，該石墨材料為石墨紙、石墨毯、石墨氊或石墨線。
如請求項1所述的石墨材料的純化方法，其中，該預設時間為0.5小時至10小時。
如請求項1所述的石墨材料的純化方法， 其中，該加熱器包括設置於該石墨坩堝外圍的一加熱線圈。
如請求項1所述的石墨材料的純化方法， 其中，該金屬雜質選自以下群組：鈦、釩、釔、鐵、鈷、鎳、鉬、鉻、鋁及其任意組合。
如請求項1所述的石墨材料的純化方法，還包括：重複該步驟（b）與該步驟（c）一次或多次，其中，後一次的該步驟（c）的該石墨坩堝的溫度大於或等於前一次的該步驟（c）的該石墨坩堝的溫度。
一種基於碳化矽長晶的石墨坩堝純化方法，其包括以下步驟： <br/>（i）提供一石墨坩堝，該石墨坩堝的純度大於99.96％； <br/>（ii）在將一碳化矽原料放置在該石墨坩堝的一料源區中，且將一晶種固定於該石墨坩堝的一坩堝蓋體後，將該石墨坩堝置入一加熱爐內； <br/>（iii）對該加熱爐進行抽真空處理，同時藉由設置於該加熱爐內的一加熱器對該石墨坩堝加熱，並在該石墨坩堝的溫度為1200℃至1400℃時，對該加熱爐內充入一保護氣氛，以使該加熱爐內的壓力回升至碳化矽氣氛的分壓的5E5倍至9.5E5倍；以及 <br/>（iv）維持該加熱爐內的壓力為該碳化矽氣氛的分壓的5E5倍至9.5E5倍，同時持續藉由該加熱器對該石墨坩堝加熱，並在該石墨坩堝的溫度為2000℃至2300℃時，控制該石墨坩堝的壓力降低至1托（torr）至100托之間，並維持一預設時間，使得碳化矽晶體從該晶種生長，且該石墨坩堝中的部分金屬雜質揮發或碳化，從而純化該石墨坩堝。
如請求項8所述的基於碳化矽長晶的石墨坩堝純化方法，其中，該保護氣氛包括氬氣或氦氣。
如請求項8所述的基於碳化矽長晶的石墨坩堝純化方法，其中，該預設時間為100小時至300小時。
如請求項8所述的基於碳化矽長晶的石墨坩堝純化方法，其中，該步驟（iv）還包括： <br/>藉由該加熱器對該石墨坩堝加熱，以控制該石墨坩堝的一頂部溫度為2000℃至2300℃，該石墨坩堝的一底部溫度高於該頂部溫度，並維持該預設時間，使得該碳化矽晶體從該晶種生長，且該石墨坩堝中的該部分金屬雜質揮發或碳化，從而純化該石墨坩堝。
一種高純度碳化矽的製造方法，其包括以下步驟： <br/>（I）提供由請求項1至7中任一項所述的石墨材料的純化方法中所獲取的經純化的該石墨坩堝，或者提供由請求項8至11中任一項所述的基於碳化矽長晶的石墨坩堝純化方法中所獲取的經純化的該石墨坩堝，其中，該石墨坩堝的純度大於或等於99.99％； <br/>（II）在將一碳化矽原料放置在該石墨坩堝的一料源區中，且將一晶種固定於該石墨坩堝的一坩堝蓋體後，將該石墨坩堝置入一加熱爐內； <br/>（III）對該加熱爐進行抽真空處理，同時藉由設置於該加熱爐內的一加熱器對該石墨坩堝加熱，並在該石墨坩堝的溫度為1200℃至1400℃時，對該加熱爐內充入一保護氣氛，以使該加熱爐內的壓力回升至碳化矽氣氛的分壓的5E5倍至9.5E5倍；以及 <br/>（IV）維持該加熱爐內的壓力為該碳化矽氣氛的分壓的5E5倍至9.5E5倍，同時持續藉由該加熱器對該石墨坩堝加熱，並在該石墨坩堝的溫度為一長晶溫度時，控制該石墨坩堝的壓力降低至1托（torr）至100托之間，並維持一預設時間，使得碳化矽晶體從該晶種生長。
如請求項12所述的高純度碳化矽的製造方法，其中，該保護氣氛包括氬氣或氦氣。
如請求項12所述的高純度碳化矽的製造方法，其中，該預設時間為20小時至100小時。
如請求項12所述的高純度碳化矽的製造方法，其中，該長晶溫度為2050℃至2500℃。
如請求項12所述的高純度碳化矽的製造方法，其中，該步驟（IV）還包括： <br/>藉由該加熱器對該石墨坩堝加熱，以控制該石墨坩堝的一頂部溫度等於該長晶溫度，該石墨坩堝的一底部溫度高於該頂部溫度，並維持該預設時間，使得該碳化矽晶體從該晶種生長。
一種用於將一第一基板(10)與一第二基板(11)接合之裝置，其包括至少一控制構件及至少一個變形裝置(3)，該至少一個變形裝置(3)藉由一流體使該等兩個基板(10、11)中之至少一者變形，其特徵在於該至少一個變形裝置(3)係可移動的，其中該流體作用在該等兩個基板(10、11)中之該至少一者上，其中該至少一個變形裝置(3)包括一可移動噴嘴(5)，且其中該至少一控制構件經組態以實施該至少一個變形裝置(3)處量測之該流體之壓力及該至少一變形裝置(3)與該等兩個基板(10、11)中之該至少一者之一距離之一組合控制，其中該至少一變形裝置(3)包含一可移動軟管。
如請求項1之裝置，其中該至少一個變形裝置(3)包括一可移動空心銷，其中該銷較佳地包括一中心軸向孔。
如請求項1或2之裝置，其包括用於移動該至少一個變形裝置(3)之至少一個移動裝置(7)。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一個變形裝置(3)經配置於一基板安裝夾具(1、2)之一開口(6)中。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一個變形裝置(3)可垂直於一基板安裝夾具(1、2)之一安裝平面(E)移動。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一個變形裝置(3)經設計以佔據至少一個待機位置(P0)及一工作位置(PA1、PA2、PA3)。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一個變形裝置(3)完全或至少幾乎完全地經配置於一基板安裝夾具(1、2)之一開口(6)中之一待機位置(P0)處。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一個變形裝置(3)在一最大位置(P1)處突出超過一基板安裝夾具(1、2)之一安裝平面(E)。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一控制構件進一步經組態以控制該可移動噴嘴的位置。
如請求項1或2之裝置，其中該至少一控制構件進一步經組態以控制該流體的一流速。
一種用於將一第一基板(10)與一第二基板(11)接合之裝置，其包括至少一控制構件及至少一個變形裝置(3)，該至少一個變形裝置(3)藉由一流體使該等兩個基板(10、11)中之至少一者變形，其特徵在於該至少一個變形裝置(3)係可移動的，其中該流體作用在該等兩個基板(10、11)中之該至少一者上，其中該至少一個變形裝置(3)包含一可移動噴嘴(5)，其中該至少一變形裝置(3)包含一可移動軟管。
一種用於將一第一基板(10)與一第二基板(11)接合之方法，特定言之使用根據前述請求項1至10中至少一項之一裝置，其中至少一個變形裝置(3)藉由一流體使該等兩個基板(10、11)中之至少一者變形，其特徵在於該至少一個變形裝置(3)係可移動的，及該流體作用在該等兩個基板(10、11)中之該至少一者上。
如請求項12之方法，其中，該至少一個變形裝置(3)可垂直於一基板安裝夾具(1、2)之該安裝平面(E)移動。
如請求項12或13之方法，其中該至少一個變形裝置(3)佔據至少一個待機位置(P0)及一工作位置(PA1、PA2、PA3)。
如請求項12或13之方法，其中該至少一個變形裝置(3)完全或至少幾乎完全地經配置於一基板安裝夾具(1、2)之一開口(6)中之一待機位置(P0)處。
如請求項12或13之方法，其中該至少一個變形裝置(3)在一最大位置(P1)處突出超過一基板安裝夾具(1、2)之一安裝平面(E)。
一種用於模擬燒香和燒紙錢的數位模擬系統，包括：<br/> 一控制伺服端，提供一儀式虛擬模組，該儀式虛擬模組採用模組化架構，包含一渲染子模組、一互動子模組、一通訊子模組及一整合層，其中該渲染子模組利用 Unreal Engine 或 Unity 圖形渲染引擎處理 3D 圖形及動畫生成，該互動子模組處理從觸摸手勢到運動追蹤的多種用戶輸入，該通訊子模組同步虛擬儀式與嗅覺體驗，該整合層確保跨平台兼容性，該儀式虛擬模組用以提供用戶選擇虛擬香和紙錢的祭拜對象、目的和數量，並支持多種虛擬環境，並且該儀式虛擬模組提供至少一用戶一互動及自訂的燒香和燒紙錢的虛擬儀式；<br/> 一用戶終端，其選自虛擬實境頭戴裝置、行動裝置、桌上型電腦或平板電腦，通訊連接至該控制伺服端的該儀式虛擬模組，且該用戶終端包括一顯示介面，該顯示介面用於顯示該虛擬燒香和燒紙錢的表示；<br/> 一雲端資料庫，與該控制伺服端和該用戶終端通訊連接，其中該雲端資料庫儲存與至少該用戶對香和紙錢屬性的偏好和選擇，並整合機器學習演算法，分析用戶選擇的香類型、虛擬環境及香味組合，主動推薦並調整虛擬體驗；<br/> 一嗅覺硬體裝置，通訊連接到該儀式虛擬模組，該嗅覺硬體裝置包括多個儲存槽、一香味釋放機構與一控制模組，該嗅覺硬體裝置配置有釋放與燒香和燒紙錢或紙錢相對應的香味，並且每一該儲藏槽包含濃縮香味化合物；<br/> 一嗅覺控制軟體，其配置用於調整香味化合物的組合和強度，以匹配燒香和燒紙錢的虛擬表示；以及<br/> 一多用戶平台，其採用 TCP/IP、WebSocket 及即時傳輸協定實現實時互動，支持個性化虛擬代表、語音聊天、文字消息及手勢識別的多模式通訊，並與該雲端資料庫整合以實現個人化體驗。
根據請求項1所述的數位模擬系統，其中該嗅覺控制軟體進一步配備一調整介面，允許該用戶調整模擬過程中釋放的香味強度和組合。
根據請求項1所述的數位模擬系統，其中該儀式虛擬模組進一步配置以允許該用戶從多種虛擬環境中選擇，每個虛擬環境代表燒香和紙錢的不同文化或宗教背景。
一種滑動部件，其中，一對滑動環的滑動表面相對於彼此旋轉，以劃分外徑空間和內徑空間， <br/>所述滑動表面形成有沿周向延伸的周向凹槽和與該周向凹槽連通的凹部， <br/>所述周向凹槽在所述滑動表面側具有開口限制部。
如請求項1所述的滑動部件，其中， <br/>所述開口限制部形成為所述周向凹槽的兩個側壁沿徑向突出。
如請求項1所述的滑動部件，其中， <br/>所述周向凹槽的兩個側壁呈傾斜的燕尾槽形狀。
如請求項1所述的滑動部件，其中， <br/>所述凹部形成為深度大於所述周向凹槽。
如請求項1所述的滑動部件，其中， <br/>所述凹部在所述滑動表面側具有開口限制部。
如請求項1所述的滑動部件，其中， <br/>所述凹部沿著沿周向延伸的所述周向凹槽形成有多個。
如請求項1所述的滑動部件，其中， <br/>所述周向凹槽以規定節距寬度沿徑向形成多條， <br/>所述凹部的沿徑向的最大寬度是相鄰的所述周向凹槽的節距寬度的一半以上。
如請求項1至7的任一項所述的滑動部件，其中， <br/>所述滑動部件由SiC製成。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示面板，包含一主動區域，其中設置複數個子像素、及一非主動區域、其圍繞該主動區域；以及 <br/>複數個位準移位電路，設置在該主動區域中並配置為傳送一模式訊號，以在一第一模式或一第二模式下驅動該複數個子像素， <br/>其中，該複數個子像素中之每一者包含： <br/>一第一發光元件； <br/>一第一光學構件，將來自該第一發光元件的光折射； <br/>一第二發光元件；以及 <br/>一第二光學構件，將來自該第二發光元件的光折射，並具有與該第一光學構件不同的形狀。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該複數個位準移位電路包含： <br/>複數個第一位準移位電路，配置為傳送一第一模式訊號；以及 <br/>複數個第二位準移位電路，配置為傳送一第二模式訊號，以及 <br/>其中，該主動區域包含在一列或行方向上劃分的複數個區域；以及 <br/>該複數個第一位準移位電路及該複數個第二位準移位電路分別對該複數個區域中之每一者一個接一個地設置。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該複數個第一位準移位電路及該複數個第二位準移位電路配置為對該複數個區域中之每一者傳送各自的第一模式訊號及第二模式訊號。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該複數個子像素包含複數個子像素電路，以及 <br/>該複數個第一位準移位電路及該複數個第二位準移位電路與該複數個子像素電路共用訊號線。
如請求項4所述之顯示裝置，其中，該顯示面板包含：一第一掃描訊號線；一第二掃描訊號線；及一發光訊號線，以及 <br/>該複數個子像素電路中之每一者包含： <br/>一驅動電晶體； <br/>一第一電晶體，配置為將一資料電壓施加至一儲存電容器； <br/>一第二電晶體，以二極體方式連接該驅動電晶體的一閘極電極和一汲極電極； <br/>一第三電晶體，配置為將一參考電壓施加至該儲存電容器； <br/>一第四電晶體，配置為在該驅動電晶體與該第一發光元件之間形成一電流路徑； <br/>一第五電晶體，配置為將該參考電壓施加至該第一發光元件的一陽極電極； <br/>一第六電晶體，配置為將該參考電壓施加至該第二發光元件的一陽極電極； <br/>一第七電晶體，配置為在該驅動電晶體與該第二發光元件之間形成一電流路徑；以及 <br/>一第八電晶體，連接該驅動電晶體、該第四電晶體及該第七電晶體。
如請求項5所述之顯示裝置，其中，在該第一模式下，該第四電晶體配置為導通，而該第七電晶體配置為關閉，以及 <br/>在該第二模式下，該第四電晶體配置為關閉，而該第七電晶體配置為導通。
如請求項5所述之顯示裝置，其中，該第一位準移位電路包含： <br/>一第十一電容器； <br/>一第十二電容器，與第十一電容器串聯連接； <br/>一第十一電晶體，連接至該第一掃描訊號線並配置為將一第二模式選擇訊號傳送至該第十一電容器的一第一電極； <br/>一第十二電晶體，連接至該第一掃描訊號線並配置為將一第一模式選擇訊號傳送至該第十一電容器的一第二電極； <br/>一第十三電晶體，連接至該第二掃描訊號線並配置為將該第二模式選擇訊號傳送至該第十二電容器的一第一電極； <br/>一第十四電晶體，連接至該第一掃描訊號線並配置為將該第一模式選擇訊號傳送至該第十二電容器的一第二電極； <br/>一第十五電晶體，連接至該第二掃描訊號線並配置為將該第一模式選擇訊號傳送至該第十二電容器的該第二電極； <br/>一第十六電晶體，連接至該發光訊號線並配置為將該參考電壓傳送至該第十二電容器的該第二電極；以及 <br/>一第十七電晶體，連接至該發光訊號線並配置為輸出該第一模式訊號。
如請求項7所述之顯示裝置，其中，該第一位準移位電路單獨地驅動至一第一期間、一第二期間、及一第三期間， <br/>在該第一期間中，一第一掃描訊號及該第二模式選擇訊號為導通訊號， <br/>在該第二期間中，一第二掃描訊號及該第二模式選擇訊號為導通訊號，以及 <br/>在該第三期間中，一發光訊號及該第一模式選擇訊號為導通訊號。
如請求項5所述之顯示裝置，其中，該第二位準移位電路包含： <br/>一第二十一電容器： <br/>一第二十二電容器，與該第二十一電容器串聯連接； <br/>一第二十一電晶體，連接至該第一掃描訊號線並配置為將一第一模式選擇訊號傳送至該第二十一電容器的一第一電極； <br/>一第二十二電晶體，連接至該第一掃描訊號線並配置為將一第二模式選擇訊號傳送至該第二十一電容器的一第二電極； <br/>一第二十三電晶體，連接至該第二掃描訊號線並配置為將該第一模式選擇訊號傳送至該第二十二電容器的一第一電極； <br/>一第二十四電晶體，連接至該第一掃描訊號線並配置為將該第二模式選擇訊號傳送至該第二十二電容器的一第二電極； <br/>一第二十五電晶體，連接至該第二掃描訊號線並配置為將該第二模式選擇訊號傳送至該第二十二電容器的該第二電極； <br/>一第二十六電晶體，連接至該發光訊號線並配置為將該參考電壓傳送至該第二十二電容器的該第二電極；以及 <br/>一第二十七電晶體，連接至該發光訊號線並配置為輸出該第二模式訊號。
如請求項9所述之顯示裝置，其中，該第二位準移位電路配置為單獨地驅動至一第一期間、一第二期間及一第三期間， <br/>在該第一期間中，一第一掃描訊號及該第一模式選擇訊號為導通訊號， <br/>在該第二期間中，一第二掃描訊號及該第一模式選擇訊號為導通訊號，以及 <br/>在該第三期間中，一發光訊號及該第二模式選擇訊號為導通訊號。
如請求項2所述之顯示裝置，進一步包括： <br/>複數個模式控制單元，設置在該非主動區域中， <br/>其中，該顯示面板包含： <br/>一第一模式選擇訊號線，在該複數個區域中於該列或行方向上延伸並連接至該模式控制單元，以將一第一模式選擇訊號傳送至該複數個子像素；以及 <br/>一第二模式選擇訊號線，在該複數個區域中於該列或行方向上延伸並連接至該模式控制單元，以將一第二模式選擇訊號傳送至該複數個子像素。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該顯示面板包含：一驅動電晶體；以及一第一電晶體至一第八電晶體， <br/>該複數個子像素中之每一者單獨地驅動至一初始期間、一採樣期間、一保持期間、及一發光期間， <br/>在該初始期間中，該驅動電晶體的一閘極電極的一電壓被初始化，且該第一發光元件的一陽極電極及該第二發光元件的一陽極電極分別地被初始化， <br/>在該採樣期間中，該驅動電晶體的一閾值電壓被採樣， <br/>在該保持期間中，該第一電晶體至該第八電晶體被關閉，以及 <br/>在該發光期間中，對該第一發光元件及該第二發光元件中之每一者施加一驅動電流，使得該第一發光元件及該第二發光元件中之每一者發光。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，在該第一模式下，該第一發光元件發光，且來自該第一發光元件的該光以在一第一方向及一第二方向上被該第一光學構件限制的一視角輸出，以及 <br/>在該第二模式下，該第二發光元件發光，且來自該第二發光元件的該光以僅在該第一方向上被該第二光學構件限制的一視角輸出。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該複數個第一位準移位電路及該複數個第二位準移位電路分別以與該複數個區域相同的數量配置。
一種處理電子商務服務之資訊之方法，其係於裝置中實行者，該裝置包括一個以上之處理器、及儲存用以藉由上述一個以上之處理器執行之命令之一個以上之記憶體，上述方法包括如下步驟： <br/>上述一個以上之處理器自用戶之終端獲得對電子商務服務之網頁之連接請求； <br/>基於上述用戶之第1購買歷史，確定與上述用戶購買之目標商品相關之一個以上之推薦商品；及 <br/>將網頁資訊傳輸至上述終端，該網頁資訊包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊，且用於在上述終端中產生上述網頁；且 <br/>上述網頁資訊係用於在上述終端中以如下方式顯示上述網頁： <br/>包括具有與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊之區域； <br/>其中確定上述目標商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之上述第1購買歷史，於上述用戶購買之一個以上之購買商品中識別具有最晚購買時點之一個以上之購買商品； <br/>基於具有上述最晚購買時點之上述一個以上之購買商品，確定上述目標商品； <br/>確定是否存在具有上述最晚購買時點之複數個商品； <br/>當確定存在具有上述最晚購買時點之上述複數個商品，計算與具有上述最晚購買時點之上述複數個商品之各者相關之商品之個數；及 <br/>將具有與具有上述最晚購買時點之上述複數個商品之各者相關之商品之最多個數之購買商品確定為上述目標商品。
如請求項1之方法，其中確定上述一個以上之推薦商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之上述第1購買歷史，確定上述目標商品；及 <br/>基於購買上述目標商品之其他用戶之購買歷史，確定與上述目標商品相關之上述一個以上之推薦商品。
如請求項2之方法，其中確定上述目標商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之第1購買歷史，識別上述用戶購買之一個以上之購買商品中購買時點最晚之一個以上之購買商品；及 <br/>基於上述購買時點最晚之一個以上之購買商品，確定上述目標商品。
如請求項3之方法，其中於上述購買時點最晚之購買商品係一個之情形時，將上述購買時點最晚之購買商品確定為上述目標商品。
如請求項2之方法，其中確定與上述目標商品相關之上述一個以上之推薦商品之步驟包括如下步驟： <br/>識別與上述目標商品相關之一個以上之商品；及 <br/>基於上述用戶之第1購買歷史及上述其他用戶之第2購買歷史中之至少一者，確定與上述目標商品相關之一個以上之商品中之上述推薦商品。
如請求項5之方法，其中確定與上述目標商品相關之一個以上之商品中之上述推薦商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之第1購買歷史，識別上述用戶購買之購買商品；及 <br/>將與上述目標商品相關之一個以上之商品中除上述用戶購買之購買商品外之一個以上之商品確定為上述推薦商品。
如請求項5之方法，其中確定與上述目標商品相關之一個以上之商品中之上述推薦商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之第1購買歷史，確認上述用戶購買之商品之商品群資訊及價格資訊中之至少一者；及 <br/>基於上述用戶購買之商品之商品群資訊及價格資訊中之至少一者，確定與上述目標商品相關之一個以上之商品中之上述推薦商品。
如請求項5之方法，其中確定與上述目標商品相關之一個以上之商品中之上述推薦商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述其他用戶之第2購買歷史，獲得與上述目標商品相關之商品各者之購買次數；及 <br/>基於與上述目標商品相關之購買次數各者，確定與上述目標商品相關之一個以上之商品中之上述推薦商品。
如請求項2之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於與上述目標商品相關之一個以上之推薦商品各者之價格資訊、銷售量資訊、及與上述目標商品相關之一個以上之推薦商品各者所屬之商品群之資訊中之至少一者，確定與上述目標商品相關之一個以上之推薦商品之推薦排名。
如請求項1之方法，其中上述網頁係用以檢索商品之檢索頁面。
如請求項1之方法，其中具有上述推薦商品之資訊之區域包括如下區域中之至少一個區域： <br/>包括表示上述一個以上之推薦商品之資訊係基於上述用戶之第1購買歷史而產生之資訊的區域、包括上述目標商品之資訊之區域、或包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊中之一部分資訊的區域。
如請求項11之方法，其中上述網頁進而包括響應於輸入而顯示與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊中之剩餘資訊的區域。
如請求項11之方法，其中包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊中之一部分資訊的區域以輪播形態顯示於上述終端，該輪播形態係響應於輸入而以滑動形態表示與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊中之一部分資訊者。
如請求項11之方法，其中包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊中之一部分資訊的區域以網格形態顯示於上述終端。
如請求項11之方法，其中包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊中之一部分資訊的區域包括與上述一個以上之推薦商品相關的推薦商品資訊中之至少一部分資訊，上述一個以上之推薦商品中之至少一部分係按照商品群而劃分。
如請求項11之方法，其中包括上述目標商品之資訊之區域包括複數個子區域，該複數個子區域分別包括複數個目標商品之資訊， <br/>包括與上述推薦商品相關之推薦商品資訊中之一部分資訊的區域響應於對上述複數個子區域各者之一部分輸入，將關於與上述複數個目標商品各者相關之一個以上之推薦商品之推薦商品資訊顯示於上述終端。
一種處理電子商務服務之資訊之裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有用以藉由上述一個以上之處理器執行之命令； <br/>上述裝置以如下方式構成：於執行上述命令時，上述一個以上之處理器自用戶之終端獲得對電子商務服務之網頁之連接請求， <br/>基於上述用戶之第1購買歷史，確定與上述用戶購買之目標商品相關之一個以上之推薦商品， <br/>將網頁資訊傳輸至上述終端，該網頁資訊包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊，且用於在上述終端中產生上述網頁；且 <br/>上述網頁資訊用於在上述終端中以如下方式顯示上述網頁： <br/>包括具有與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊之區域； <br/>其中當確定與上述用戶購買之上述目標商品相關之上述一個以上之推薦商品時，上述一個以上之處理器經組態以： <br/>基於上述用戶之上述第1購買歷史，於上述用戶購買之一個以上之購買商品中識別具有最晚購買時點之一個以上之購買商品； <br/>基於具有上述最晚購買時點之上述一個以上之購買商品，確定上述目標商品； <br/>確定是否存在具有上述最晚購買時點之複數個商品； <br/>當確定存在具有上述最晚購買時點之上述複數個商品，計算與具有上述最晚購買時點之上述複數個商品之各者相關之商品之個數；及 <br/>將具有與具有上述最晚購買時點之上述複數個商品之各者相關之商品之最多個數之購買商品確定為上述目標商品。
如請求項17之裝置，其以如下方式構成：上述一個以上之處理器基於上述用戶之第1購買歷史，確定上述目標商品， <br/>基於購買上述目標商品之其他用戶之第2購買歷史，確定與上述目標商品相關之上述一個以上之推薦商品。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以藉由一個以上之處理器執行之命令，其中上述命令以如下方式構成：於執行上述命令時，上述一個以上之處理器自用戶之終端獲得對電子商務服務之網頁之連接請求， <br/>基於上述用戶之第1購買歷史，確定與上述用戶購買之目標商品相關之一個以上之推薦商品， <br/>將網頁資訊傳輸至上述終端，該網頁資訊包括與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊，且用於在上述終端中產生上述網頁；且 <br/>上述網頁資訊用於在上述終端中以如下方式顯示上述網頁： <br/>包括具有與上述一個以上之推薦商品相關之推薦商品資訊之區域； <br/>其中當確定與上述用戶購買之上述目標商品相關之上述一個以上之推薦商品時，上述命令經組態以使上述一個以上之處理器： <br/>基於上述用戶之上述第1購買歷史，於上述用戶購買之一個以上之購買商品中識別具有最晚購買時點之一個以上之購買商品； <br/>基於具有上述最晚購買時點之上述一個以上之購買商品，確定上述目標商品； <br/>確定是否存在具有上述最晚購買時點之複數個商品； <br/>當確定存在具有上述最晚購買時點之上述複數個商品，計算與具有上述最晚購買時點之上述複數個商品之各者相關之商品之個數；及 <br/>將具有與具有上述最晚購買時點之上述複數個商品之各者相關之商品之最多個數之購買商品確定為上述目標商品。
一種HIFU照射裝置，其具備：發送治療用超音波的治療用超音波振動器、具備多個振動器的超音波探針，以及控制前述治療用超音波振動器及前述超音波探針的控制部；其中前述控制部執行：超音波發送處理，使前述治療用超音波振動器發送強度較前述治療用超音波還小的評價用超音波；超音波接收處理，自各前述振動器取得基於由各前述振動器所接收之超音波的接收信號；以及分布量測處理，依據自各前述振動器取得之前述接收信號量測到達多個前述振動器之超音波的強度分布；前述控制部執行依據在多個前述振動器之排列方向上的前述強度分布來求出由各前述振動器所接收之超音波之集中程度的處理。
如請求項1所述之HIFU照射裝置，其中前述強度分布由相對於沿多個前述振動器之排列方向延伸的橫軸在縱軸之值中具有1個尖峰的分布函數來表示，前述控制部執行藉由規定前述分布函數的近似參數來評價前述治療用超音波對各前述振動器造成之影響的評價處理。
一種HIFU照射裝置，其具備：發送治療用超音波的治療用超音波振動器、具備多個振動器的超音波探針，以及控制前述治療用超音波振動器及前述超音波探針的控制部，其中前述控制部執行：超音波發送處理，使前述治療用超音波振動器發送強度較前述治療用超音波還小的評價用超音波；超音波接收處理，自各前述振動器取得基於由各前述振動器所接收之超音波的接收信號；以及分布量測處理，依據自各前述振動器取得之前述接收信號量測到達多個前述振動器之超音波的強度分布；前述強度分布由相對於沿多個前述振動器之排列方向延伸的橫軸在縱軸之值中具有1個尖峰的分布函數來表示；前述控制部執行藉由規定前述分布函數的近似參數來評價前述治療用超音波對各前述振動器造成之影響的評價處理。
如請求項2或請求項3所述之HIFU照射裝置，其中前述分布函數包含高斯函數或勞侖茲函數。
一種評價HIFU照射裝置之狀態的方法，其係評價具備「發送治療用超音波的治療用超音波振動器」與「具備多個振動器的超音波探針」的HIFU照射裝置之狀態的方法；其包含：使前述治療用超音波振動器發送強度較前述治療用超音波還小的評價用超音波之步驟、自各前述振動器取得基於由各前述振動器所接收之超音波的接收信號之步驟、依據自各前述振動器取得之前述接收信號量測到達多個前述振動器之超音波的強度分布之步驟，以及依據在多個前述振動器之排列方向上的前述強度分布來求出由各前述振動器所接收之超音波的集中程度之步驟。
如請求項5所述之評價HIFU照射裝置之狀態的方法，其中前述強度分布由相對於沿多個前述振動器之排列方向延伸的橫軸在縱軸之值中具有1個尖峰的分布函數來表示，前述評價HIFU照射裝置之狀態的方法包含藉由規定前述分布函數的近似參數來評價前述治療用超音波對各前述振動器造成之影響之步驟。
一種評價HIFU照射裝置之狀態的方法，其係評價具備「發送治療用超音波的治療用超音波振動器」與「具備多個振動器的超音波探針」的HIFU照射裝置之狀態的方法；其包含：使前述治療用超音波振動器發送強度較前述治療用超音波還小的評價用超音波之步驟、自各前述振動器取得基於由各前述振動器所接收之超音波的接收信號之步驟，以及依據自各前述振動器取得之前述接收信號量測到達多個前述振動器之超音波的強度分布之步驟；前述強度分布由相對於沿多個前述振動器之排列方向延伸的橫軸在縱軸之值中具有1個尖峰的分布函數表示；前述評價HIFU照射裝置之狀態的方法包含藉由規定前述分布函數的近似參數來評價前述治療用超音波對各前述振動器造成之影響之步驟。
如請求項6或請求項7所述之評價HIFU照射裝置之狀態的方法，其中前述分布函數包含高斯函數或勞侖茲函數。
一種保單退脫率預測系統，適用於一內部資料庫及一外部資料庫，並包含：<br/> 一通訊裝置，用於提供連網功能，以與該內部資料庫及該外部資料庫建立連線而形成電連接；<br/> 一儲存裝置，儲存一機器學習模型；及<br/> 一處理裝置，電連接該通訊裝置及該儲存裝置，並以一預定週期經由該通訊裝置至該內部資料庫取得過去一第一預定期間且對應一保險產品且以一外幣計價的多個保單特徵資料，且至該外部資料庫取得過去該第一預定期間的多個本國總體經濟資料，及過去該第一預定期間且對應該外幣的一國家的多個外國總體經濟資料，並對該等本國總體經濟資料、該等外國總體經濟資料、及該等保單特徵資料之其中每一者執行一擴展程序而獲得多個時間序列資料，且以該等時間序列資料對該機器學習模型作訓練，而獲得一退脫率預測模型，以用於預測該保險產品在未來一第二預定期間的一退脫率，<br/> 在該擴展程序中，該處理裝置對該等本國總體經濟資料、該等外國總體經濟資料、及該等保單特徵資料計算在該第一預定期間的多個平均值、多個差異值、及多個變化率，而作為該等時間序列資料，<br/> 該等保單特徵資料包括該保險產品在不同時間點的該退脫率、一平均保單年齡、及一已付比率，<br/> 該等外國總體經濟資料包括對應該外幣的一匯率、該國家的一短期國庫券利率、該國家的一長期國庫券利率、該國家的一股票指數、該國家的一金融機構間拆款利率、及該國家的一通貨膨脹率，<br/> 該等本國總體經濟資料包括本國的一長期政府債券利率、本國的另一股票指數、本國的另一金融機構間拆款利率、本國的一中央銀行擔保貸款利率、本國的一消費者信心指數、本國的一總體物價指數、本國的一貨幣供給量(M1A)年增長率、及本國的一商業指標綜合指數，<br/> 該等平均值分別是該等本國總體經濟資料、該等外國總體經濟資料、及該等保單特徵資料之其中每一者在過去該第一預定期間之其中每個月的平均數值，該等差異值分別是該等外國總體經濟資料的該短期國庫券利率、該長期國庫券利率、與該金融機構間拆款利率，及該等本國總體經濟資料的該長期政府債券利率、該金融機構間拆款利率、該中央銀行擔保貸款利率、與該貨幣供給量年增長率之其中每一者在過去該第一預定期間之其中相鄰兩個月的差異數值，該等變化率分別是該等保單特徵資料的該退脫率、該平均保單年齡、與該已付比率，及該等外國總體經濟資料的該匯率、該股票指數、與該通貨膨脹率，及該等本國總體經濟資料的該股票指數、該商業指標綜合指數、該消費者信心指數、與該總體物價指數之其中每一者在過去該第一預定期間之其中相鄰兩個月的變化百分率。
如請求項1所述的保單退脫率預測系統，其中，該機器學習模型是一種梯度提升決策樹(Gradient Boosted Decision Trees)模型。
如請求項2所述的保單退脫率預測系統，其中，該預定週期是一個月，該第一預定期間是六個月，該第二預定期間是一個月。
一種用於一追蹤快取記憶體之設備，其包含：處理器電路系統，其經組態以執行控制轉移指令；<br/>預測電路系統，其經組態以預測控制轉移指令的方向；<br/>追蹤快取記憶體電路系統，其經組態以識別並儲存滿足一或多個標準之指令的追蹤，該一或多個標準包括一給定追蹤包括至少一個內部採取控制轉移指令；及<br/>過濾器控制電路系統，其經組態以：<br/>對於儲存在該追蹤快取記憶體電路系統中的一追蹤中的一給定內部控制轉移指令，回應於該給定內部控制轉移指令朝向儲存在該追蹤快取記憶體電路系統中的該追蹤的下一部分執行而在一第一方向上調整一計數器，且回應於該給定內部控制轉移指令遠離儲存在該追蹤快取記憶體電路系統中的該追蹤的該下一部分執行而在一第二方向上調整該計數器；及<br/>回應於該計數器在該第二方向上到達一臨限而防止該給定內部控制轉移指令作為追蹤的一內部指令包括在該追蹤快取記憶體中。
如請求項1之設備，其進一步包含控制電路系統，該控制電路系統經組態以：<br/>回應於脫離一追蹤的一非終止控制轉移指令之一經判定方向，拋棄包括該非終止控制轉移指令的一提取群組的一或多個後續指令，並重導向該處理器電路系統的前端電路系統以提取其他指令。
如請求項1之設備，其中該一或多個標準進一步包括：<br/>僅允許一第一類別的控制轉移指令在一給定追蹤內的一或多個位置處，其中該第一類別的控制轉移指令符合朝向一給定方向的一第一臨限偏向位準且一第二類別的控制轉移指令不符合該第一臨限偏向位準；及<br/>僅允許該第二類別的控制轉移指令在該給定追蹤內的一或多個其他位置處。
如請求項3之設備，其中該追蹤快取記憶體電路系統中的一給定項包括指示該追蹤是否具有在該第二類別中的一非終止控制轉移指令的一欄位。
如請求項4之設備，其中該追蹤快取記憶體電路系統中的一給定項包括指示該第二類別中的該非終止控制轉移指令之該追蹤內的一位置之一欄位。
如請求項1之設備，其中：<br/>該過濾器控制電路系統經組態以在該第二方向上以比在該第一方向上更大的一量調整該計數器。
如請求項1之設備，其進一步包含：<br/>一指令快取記憶體；<br/>其中：<br/>該預測電路系統經組態以使預測表項及預測線道電路系統為指令快取記憶體及追蹤快取記憶體命中共用；且<br/>該設備包括選擇電路系統，該選擇電路系統經組態以基於一對應控制轉移指令在一追蹤內的一位置而選擇來自該預測電路系統的一預測線道輸出。
如請求項1之設備，其中：<br/>為防止包括該給定內部控制轉移指令，該過濾器控制電路系統經組態以使用與該給定內部控制轉移指令關聯的一程式計數器存取一布隆過濾器；且<br/>該過濾器控制電路系統經組態以週期性清除該布隆過濾器。
如請求項1之設備，其中該設備係一計算裝置，其進一步包括：<br/>一中央處理單元；<br/>一顯示器；及<br/>網路介面電路系統。
一種用於一追蹤快取記憶體之方法，其包含：<br/>由一計算裝置執行控制轉移指令；<br/>由該計算裝置預測經執行控制轉移指令的方向；<br/>由該計算裝置預識別滿足一或多個標準之指令的追蹤，並將其儲存在一追蹤快取記憶體中，該一或多個標準包括一給定追蹤包括至少一個內部採取控制轉移指令；<br/>對於儲存在該追蹤快取記憶體中的一追蹤中的一給定內部控制轉移指令，該計算裝置回應於該給定內部控制轉移指令朝向儲存在該追蹤快取記憶體中的該追蹤的下一部分執行而在一第一方向上調整一計數器，且回應於一給定內部控制轉移指令遠離儲存在該追蹤快取記憶體中的該追蹤的該下一部分執行而在一第二方向上調整該計數器；及<br/>由該計算裝置回應於該計數器在該第二方向上到達一臨限而防止該給定內部控制轉移指令作為追蹤的一內部指令包括在該追蹤快取記憶體中。
如請求項10之方法，其進一步包含：<br/>回應於脫離一追蹤的一非終止控制轉移指令之一經判定方向，拋棄包括該非終止控制轉移指令的一提取群組的一或多個後續指令，並重導向該計算裝置的前端電路系統以提取其他指令。
如請求項10之方法，其中該一個或多個標準進一步包括：<br/>僅允許一第一類別的控制轉移指令在一給定追蹤內的一或多個位置處，其中該第一類別的控制轉移指令符合朝向一給定方向的一第一臨限偏向位準且一第二類別的控制轉移指令不符合該第一臨限偏向位準；及<br/>僅允許該第二類別的控制轉移指令在該給定追蹤內的一或多個其他位置處。
如請求項12之方法，其中該追蹤快取記憶體中的一給定項包括指示該追蹤是否具有在該第二類別中的一非終止控制轉移指令的一欄位。
如請求項13之方法，其中該追蹤快取記憶體中的一給定項包括指示該第二類別中的該非終止控制轉移指令的該追蹤內的一位置的一欄位。
如請求項10之方法，其中該在該第一方向上調整該計數器的一量比該在該第二方向上調整該計數器大。
如請求項10之方法，其進一步包含：<br/>使一分支預測器中的一預測表欄位由指令快取記憶體及追蹤快取記體命中共用。
如請求項10之方法，其中該防止包括使用與該給定內部控制轉移指令關聯的一程式計數器來存取一布隆過濾器。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其具有儲存於其上的一硬體描述程式語言的指令，當由一計算系統處理時，該等指令將該計算系統程式化以產生一電腦模擬模型，其中該模型表示一硬體電路，該硬體電路包括：<br/>處理器電路系統，其經組態以執行控制轉移指令；<br/>預測電路系統，其經組態以預測控制轉移指令的方向；<br/>追蹤快取記憶體電路系統，其經組態以識別並儲存滿足一或多個標準之指令的追蹤，該一或多個標準包括一給定追蹤包括至少一個內部採取控制轉移指令；及<br/>過濾器控制電路系統，其經組態以：<br/>對於儲存在該追蹤快取記憶體電路系統中的一追蹤中的一給定內部控制轉移指令，回應於該給定內部控制轉移指令朝向儲存在該追蹤快取記憶體電路系統中的該追蹤的下一部分執行而在一第一方向上調整一計數器，且回應於該給定內部控制轉移指令遠離儲存在該追蹤快取記憶體電路系統中的該追蹤的該下一部分執行而在一第二方向上調整該計數器；及<br/>回應於該計數器在該第二方向上到達一臨限而防止該給定內部控制轉移指令作為追蹤的一內部指令包括在該追蹤快取記憶體中。
如請求項18之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該一或多個標準進一步包括：<br/>僅允許一第一類別的控制轉移指令在一給定追蹤內的一或多個位置處，其中該第一類別的控制轉移指令符合朝向一給定方向的一第一臨限偏向位準且一第二類別的控制轉移指令不符合該第一臨限偏向位準；及<br/>僅允許該第二類別的控制轉移指令在該給定追蹤內的一或多個其他位置處。
如請求項18之非暫時性電腦可讀取媒體，其中：<br/>為防止包括該給定內部控制轉移指令，該過濾器控制電路系統經組態以使用與該給定內部控制轉移指令關聯的一程式計數器存取一布隆過濾器；且<br/>該過濾器控制電路系統經組態以週期性清除該布隆過濾器。
一種移動警報系統，設於一動力載具中，其包含：<br/> 一感測模組，用以偵測該動力載具本體的各角度變化，並生成一第一角度資訊及一第二角度資訊；<br/> 一資料儲存模組，用以儲存該第一角度資訊以及一角度警報閥值；<br/> 一狀況比對模組，用以接收該第二角度資訊，並由該資料儲存模組讀取該第一角度資訊及該角度警報閥值後，將該第二角度資訊與該第一角度資訊以及該角度警報閥值進行比對，若比對結果異常則生成一警告訊息；<br/> 一無線訊號傳送模組，用以將該警告訊息發送至一外部的電子裝置；<br/> 一狀況記錄模組，與該無線訊號傳送模組資訊連結，當該無線訊號傳送模組無法將該警告訊息發送至該電子裝置時，該警告訊息暫存於該狀況記錄模組中，待該無線訊號傳送模組與該電子裝置恢復連線後，該無線訊號傳送模組將儲存於該狀況記錄模組中的該些警告訊息重新補發送至該電子裝置，以及<br/> 一處理模組，用以連接及驅動各該模組作動。
如請求項1所述的移動警報系統，其中，該第一角度資訊及該第二角度資訊包括該動力載具的一傾角以及一行角。
如請求項2所述的移動警報系統，其中，該第一角度資訊及該第二角度資訊更包括該動力載具的一俯仰角。
如請求項1所述的移動警報系統，其中，該處理模組耦接有一設於該動力載具的壓力感測器，該壓力感測器具有一壓力敏感元件，當水進入該壓力感測器周圍時，水的壓力會使得該壓力敏感元件產生變化，用以偵測該動力載具是否泡水，且該壓力感測器可針對異常狀況生成一泡水警示訊息，並透過該無線訊號傳送模組發送至該電子裝置。
如請求項2所述的移動警報系統，其中，該角度警報閥值為該傾角正負增加20度或該行角正負增加10度。
一種移動警報系統的實施方法，應用於一動力載具，包含：<br/> 一設定步驟：一感測模組紀錄該動力載具靜止時與地面形成的一第一角度資訊；<br/> 一偵測步驟：常該動力載具靜止後，該感測模組持續偵測該動力載具與該地面之間形成的角度，並生成一第二角度資訊；<br/> 一比對步驟：一狀況比對模組依據一角度警報閥值及該第一角度資訊比對該第二角度資訊；<br/> 一警示步驟：該比對步驟的比對結果異常時，該狀況比對模組生成一警告訊息，並透過一無線訊號傳送模組發送至一外部電子裝置進行警示告知，若該比對步驟的比對結果無異常時，則該偵測模組繼續偵測該動力載具與該地面之間形成的該第二角度資訊，並持續透過該狀況比對模組將該第二角度資訊與該角度警報閥值及該第一角度資訊進行比對；<br/> 一狀況記錄步驟：該移動警報系統更包括一狀況記錄模組，該狀況記錄模組與該無線訊號傳送模組資訊連結，當該無線訊號傳送模組無法將該警告訊息發送至該電子裝置時，該警告訊息暫存於該狀況記錄模組中，待該無線訊號傳送模組與該電子裝置恢復連線後，該無線訊號傳送模組將儲存於該狀況記錄模組中的該些警告訊息重新補發送至該電子裝置。
如請求項6所述的移動警報系統的實施方法，更包括一壓力感測步驟：該移動警報系統更包括一壓力感測器，該壓力感測器具有一壓力敏感元件，用以偵測該動力載具是否泡水，且該壓力感測器可針對異常狀況生成一泡水警示訊息，並透過該無線訊號傳送模組發送至該電子裝置。
如請求項6所述的移動警報系統的實施方法，其中，該第一角度資訊及該第二角度資訊包括該動力載具的一傾角以及一行角。
如請求項8所述的移動警報系統的實施方法，其中，該第一角度資訊及該第二角度資訊更包括該動力載具的一俯仰角。
如請求項8所述的移動警報系統的實施方法，其中，該角度警報閥值為該傾角正負增加20度或該行角正負增加10度。
一種文件自動調整方法，適用於一電子裝置，所述文件自動調整方法包括：<br/> 根據一指示需求的內容，從一資料庫中的多個自動化操作流程，選擇至少一對應所述指示需求的內容的所述自動化操作流程，所述指示需求至少包括一工程文件、一文字指示以及一圖形指示；以及<br/> 利用一電腦視覺辨識技術，根據對應所述指示需求的內容的至少一所述自動化操作流程對一第一文件的內容進行調整，以獲得一調整後的所述第一文件的內容，至少一所述自動化操作流程是在不更改所述電子裝置的軟體設置或是底層程式碼連結的狀況下，根據所述電子裝置中已設置的多個周邊裝置、多個軟體、多個韌體或是多個硬體進行操作。
如請求項1所述的文件自動調整方法，還包括：<br/> 比對所述指示需求的內容以及所述調整後的第一文件的內容，以得到一比對結果；以及<br/> 根據所述比對結果，決定是否輸出所述調整後的第一文件的內容，所述指示需求是不同於所述電子裝置所提供的。
如請求項2所述的文件自動調整方法，其中，所述多個自動化操作流程是根據一使用者建立所述第一文件的內容中的多個區塊而決定。
如請求項3所述的文件自動調整方法，其中，所述第一文件的內容的所述多個區塊包括一圖形、一文字、一文件格式、一檢視過程或是一線段，每一所述自動化操作流程至少對應一個所述區塊。
如請求項4所述的文件自動調整方法，其中，所述多個自動化操作流程是在不更改所述電子裝置的軟體連結或是程式碼連結的狀況下，根據所述電子裝置中已設置的多個周邊裝置、多個軟體、多個韌體或是多個硬體進行操作。
一種文件自動調整系統，包括：<br/> 一電子裝置，包括一流程自動化應用程式；<br/> 其中，所述流程自動化應用程式根據一指示需求的內容，從一資料庫中的多個自動化操作流程，選擇對應所述指示需求的內容的一個或是多個所述自動化操作流程，所述指示需求至少包括一工程文件、一文字指示以及一圖形指示；<br/> 其中，所述流程自動化應用程式利用一電腦視覺辨識技術根據對應所述指示需求的內容的一個或是多個所述自動化操作流程對一第一文件的內容進行調整，以獲得一調整後的第一文件的內容，所述一個或是多個自動化操作流程是在不更改所述電子裝置的軟體設置或是底層程式碼連結的狀況下，根據所述電子裝置中已設置的多個周邊裝置、多個軟體、多個韌體或是多個硬體進行操作；<br/> 其中，所述流程自動化應用程式比對所述指示需求的內容以及所述調整後的第一文件的內容，以得到一比對結果；<br/> 其中，所述流程自動化應用程式根據所述比對結果，決定是否輸出所述調整後的第一文件的內容。
如請求項6所述的文件自動調整系統，其中，所述多個自動化操作流程是根據一使用者建立所述第一文件的內容中的多個區塊而決定。
如請求項7所述的文件自動調整系統，其中，所述第一文件的內容的所述多個區塊包括一圖形、一文字、一文件格式、一檢視過程或是一線段，一個或是多個所述自動化操作流程對應一個所述區塊。
如請求項8所述的文件自動調整系統，其中，所述多個自動化操作流程是在不更改所述電子裝置的軟體設置或是底層程式碼連結的狀況下，根據所述電子裝置中已設置的多個周邊裝置、多個軟體、多個韌體或是多個硬體進行操作。
如請求項9所述的文件自動調整系統，其中，所述一個或是多個自動化操作流程是通過一電腦視覺辨識程序，執行所述電子裝置的一滑鼠點按操作過程、一鍵盤操作過程或是一通過一滑鼠或是一鍵盤執行一軟體的軟體自動化操作流程，所述多個周邊裝置包括一滑鼠或是一鍵盤，所述指示需求是不同於所述電子裝置所提供的。
一種自動生成金融市場資訊的方法，係透過電子運算裝置執行，包括：<br/> 透過該電子運算裝置向大數據資料庫提取複數個新聞數據，並向量化該複數個新聞數據；<br/> 該電子運算裝置將已向量化的該複數個新聞數據儲存至企業資料庫；<br/> 透過該電子運算裝置對上述已向量化的該複數個新聞數據執行向量匹配運算，依照目標市場分類，以產生每日參數及每一目標市場的適用資料；<br/> 該電子運算裝置運用一生成式人工智慧模型執行第一指令，用於將向量匹配後依照該目標市場分類的該已向量化的該複數個新聞數據進行每日重點新聞彙整，產生近日新聞摘要；以及<br/> 該電子運算裝置運用該生成式人工智慧模型執行第二指令，依據該近日新聞摘要以及時序參數配合權重參數，以產生最終文本金融市場資訊。
如請求項1所述的自動生成金融市場資訊的方法，其中上述之大數據資料庫設置於一新聞大數據伺服器內，用於儲存該複數個新聞數據。
如請求項1所述的自動生成金融市場資訊的方法，其中上述之近日為3-7日。
如請求項1所述的自動生成金融市場資訊的方法，其中企業伺服器透過網際網路通訊地連接該生成式人工智慧模型。
如請求項1所述的自動生成金融市場資訊的方法，其中上述之複數個新聞數據係透過嵌入(embedding)技術將其向量化。
一種提供自動生成金融市場資訊服務的系統，包括：<br/> 企業資料庫，儲存上述自動生成金融市場資訊；<br/> 企業投資網站，通訊地連接該企業資料庫，使得客戶從一社群媒體瀏覽該企業投資網站並獲得該自動生成金融市場資訊；<br/> 其中，該社群媒體設置於該客戶的用戶終端，該用戶終端通訊地連接該企業投資網站；其中透過該代幣(token)技術，將綁定客戶引導至網頁時僅帶一個被加密的該代幣(token)，網頁將該代幣(token)傳送至後端解密API，取回該代幣(token)訂閱的市場參數。
如請求項6所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，其中上述之客戶係透過客戶於該社群媒體的企業社群媒體官方帳號瀏覽該企業投資網站，並獲取該自動生成金融市場資訊的訂閱內容。
如請求項7所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，其中上述之社群媒體包含LINE、永豐銀行手機銀行APP(永豐行動銀行、DAWHO)、永豐銀行網路銀行(MMA金融交易網)。
如請求項8所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，更包含一訂閱資料庫，透過綁定身分查詢應用程式介面與LINE BC（Business Connect）應用程式串接，提供該客戶綁定身分查詢的服務，其中上述訂閱資料庫儲存有該客戶的使用者識別碼(UID)與識別碼(ID)資訊。
如請求項9所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，其中上述之客戶透過設置於企業伺服器的訂閱服務應用程式介面的引導以及運用該代幣(token)技術，使得該綁定客戶得以在隱藏個資的情況下訂閱。
如請求項9所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，其中上述之企業投資網站提供瀏覽的頁面，該頁面使用者圖形介面呈現，至少包括主題區、選單區及內文區，其中內文區包括翻頁指引。
如請求項11所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，其中上述之主題區呈現主題文字、該選單區包含目標市場選單、該內文區呈現生成的市場資訊。
如請求項12所述的提供自動生成金融市場資訊服務的系統，其中上述之選單區更包含訂閱選單、該內文區更包含客戶回饋，該訂閱選單用於導引客戶至訂閱頁並提供綁定該企業社群媒體官方帳號。
一種可圖案化晶圓，其包含： <br/>晶圓；以及 <br/>由該晶圓所支撐的輻射敏感性材料的層，該輻射敏感性材料包含具有有機-穩定之金屬陽離子的金屬氧-羥網絡（metal oxo-hydroxo network），其中有機-穩定之金屬陽離子包括具有金屬碳鍵及／或金屬羧酸酯鍵之有機配體，其中該金屬氧-羥網絡包含M-O-H鍵結與M-O-M鍵結，其中M表示有機-穩定之金屬陽離子，其中該層包含由Sn、Sb、In或其組合所組成的有機-穩定之金屬陽離子，或其中該層包含由Sn、Sb、In或其組合所組成的第一金屬以及由非Sn、Sb、In之一或多種其他金屬所組成的第二金屬，其中第二金屬對第一金屬的莫耳比為0.1至0.75。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該層的平均厚度為1奈米至250奈米。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該層的平均厚度為2奈米至40奈米。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該層的平均厚度為1奈米至40奈米。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該層的平均厚度為3奈米至25奈米。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該輻射敏感性材料係不包含過氧化物配體。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該金屬氧-羥網絡係相對於配體斷裂為穩定的以提供經控制的對輻射的反應。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該有機配體係形成輻射敏感性金屬碳鍵且其中形成該金屬碳鍵之該配體係包含烷基配體、烯基配體、芳基配體或其組合，每一配體含有1至16個碳原子；及／或其中該有機配體係形成輻射敏感性金屬羧酸酯鍵，且其中形成該金屬羧酸酯鍵之該配體係包含烷基羧酸酯配體、烯基羧酸酯配體、芳基羧酸酯配體或其組合，每一配體具有1至16個碳原子。
如請求項8所述之可圖案化晶圓，其中該烯基配體包含乙烯基配體或烯丙基配體。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中不同烷基配體之一組合係鍵結至該金屬。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該有機配體包含甲基、乙基、丙基、丁基、三級丁基、苯基、苄基、乙烯基、烯丙基、乙酸酯、丙酸酯、丁酸酯、苯甲酸酯、或其組合。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該具有金屬碳鍵之有機配體包含支鏈烷基配體。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該具有金屬碳鍵之有機配體包含三級丁基配體。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該輻射敏感性材料中該有機配體與該等金屬陽離子之間之莫耳比係0.5至3。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該輻射敏感性材料中該有機配體與該等金屬陽離子之間之莫耳比係0.75至3。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該輻射敏感性材料中該有機配體與該等金屬陽離子之間之莫耳比係1。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該有機-穩定之金屬陽離子係由Sn、Sb、In或其組合所組成。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該有機-穩定之金屬陽離子包含Sn。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該層包含一或多個以摻合物形式具有錫與非錫金屬的組合物。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該晶圓包含矽晶圓。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該晶圓包含半導體晶圓。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該層係對極紫外光、紫外光、或電子束幅照暴露為敏感性的。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中暴露於幅照係引起在該層中之經暴露區域中的反應，該反應包含該等金屬碳鍵及／或金屬羧酸酯鍵的至少部分的斷裂。
如請求項23所述之可圖案化晶圓，其中受幅照的材料包含增強之金屬氧-羥網絡，其中該增強之金屬氧-羥網絡係相較於該金屬氧-羥網絡具有較低的碳對金屬比例，且其中受幅照的材料可經受正型圖案化或負型圖案化。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，該層係藉由沉積一具有可水解配體與該有機配體之前體溶液至該晶圓上而形成，且在沉積後視需要地加熱到45°C至250°C達0.1分鐘至30分鐘以形成該可圖案化晶圓。
如請求項25所述之可圖案化晶圓，其中沉積係藉由旋塗、噴塗、浸塗、刀刃塗佈、印刷方法、或其組合來實施。
如請求項25所述之可圖案化晶圓，其中該前體溶液包含溶劑及錫組合物，該錫組合物包含可水解配體與該有機配體，其中該溶劑包含醇、酯、芳香族化合物、酮、或其組合。
如請求項1所述之可圖案化晶圓，其中該該輻射敏感性材料更包含銻及／或銦。
如請求項1至28中任一項所述之可圖案化晶圓，其中該層之厚度變化係自平均厚度變化不超過50%。
一種多束粒子束系統，其包含：<br/> 一粒子源，用於發射一帶電粒子束；<br/> 一多孔配置，其包含至少一具有多重通道開口的多孔板，該多孔配置配置成從該帶電粒子束產生複數個第一個別帶電粒子束的第一場；<br/> 一具有一第一粒子光學束路徑的第一粒子光學單元，其配置成在物平面中的樣本表面上對所產生的該第一個別帶電粒子束進行成像，使得該第一帶電個別粒子束在形成第二場的入射位置處入射到該樣本表面上，其中該第一粒子光學束路徑包含該第一個別帶電粒子束的一交叉區域；<br/> 一磁及/或靜電物鏡，該第一個別帶電粒子束通過該磁及/或靜電物鏡；<br/> 一樣本平台，用於將樣本配置在該物平面內之該樣本表面在物平面；<br/> 一靜電增透鏡，該靜電增透鏡配置在該磁及/或靜電物鏡的上焦點平面的區域中，且該靜電增透鏡配置在該交叉區域內；<br/> 一電壓提供單元；及<br/> 一控制器，用於控制該多束粒子束系統，<br/> 其中，該控制器配置成透過該電壓提供單元在該靜電增透鏡處提供增強高電壓VB，如此使得該第一個別帶電粒子束以顯著增加的動能分段地通過該交叉區域，使得在該交叉區域內降低了因為該第一個別帶電粒子束間的庫侖交互作用所導致的像差。
如請求項1所述之多束粒子束系統，<br/> 其中，在該粒子源與該樣本之間的該第一粒子光學束路徑中，該第一個別粒子束在該靜電增透鏡的區域中且因此在該交叉區域中具有最大動能；及<br/> 其中，以絕對值而言，該靜電增透鏡所導致最大電位增長ΔVB具以下關係：ΔVB ≥ 10 kV，特別是ΔVB ≥ 15 kV。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該控制器配置成透過該電壓提供單元在該粒子源處提供一第一高電壓V1，<br/> 其中該控制器配置成透過該電壓提供單元在該多孔配置處最多提供一低電壓Vm，以及<br/> 其中該控制器配置成透過該電壓提供單元在該樣本平台處並因此在該樣本處提供一第二高電壓V2。
如請求項3所述之多束粒子束系統，<br/> 其中，該第一高電壓V1及該第二高電壓V2具有相同的符號；及<br/> 其中，以絕對值而言，在該粒子源處的該第一高電壓V1具以下關係：20 kV ≤ V1 ≤ 40 kV，特別是25 kV ≤ V1 ≤ 35 kV；及<br/> 其中，以絕對值而言，該樣本平台處的該第二高電壓V2具以下關係：20 kV ≤ V2 ≤ 40 kV，特別是25 kV ≤ V2 ≤ 35 kV；及<br/> 其中，以絕對值而言，該多孔配置處的該低電壓Vm具以下關係：0 V ≤ Vm ≤ 100 V，特別是0 V。
如請求項4所述之多束粒子束系統，<br/> 其中，該增強高電壓VB的符號不同於該第一高電壓和該第二高電壓的符號；及<br/> 其中，以絕對值而言，該靜電增透鏡處的該增強高電壓VB具以下關係：VB ≥ 10 kV，特別是VB ≥ 15 kV。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中，該靜電增透鏡沿粒子光軸Z的長度LB具以下關係：2 mm ≤ LB ≤ 10 mm；及/或<br/> 其中，該靜電增透鏡的中心電極的長度LBm具以下關係：1.5 mm ≤ LBm ≤4.5 mm。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中，從功能角度來看，該靜電增透鏡實質上實施為一單透鏡。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該靜電增透鏡的透鏡效應至少部分透過一多極電極處的偏移電壓來實現。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該多束粒子束系統包含一束管配置，在該束管配置內至少分段導引至少該第一個別帶電粒子束；且<br/> 其中該束管配置包含一伸入該磁及/或靜電物鏡的束管延伸段；及<br/> 其中該靜電增透鏡配置在該束管延伸段內。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該多束粒子束系統包含一束管配置，在該束管配置內至少分段導引至少該第一個別帶電粒子束；且<br/> 其中，該束管配置包含在該交叉區域的區域中的束管中斷段，且該束管配置係細分成一第一束管段及一第二束管段；且<br/> 其中，透過該第一束管段形成該靜電增透鏡的一第一上電極，施加不超過低電壓VT1；<br/> 其中，該靜電增透鏡的一第二中心電極配置在該束管中斷段內，在該第二中心電極處提供該增強高電壓VB；及<br/> 其中，透過該第二束管段形成該靜電增透鏡的一第三下電極，施加不超過低電壓VT2。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中，該多束粒子束系統包含一集體掃描偏轉器，其具有一位於上交叉區域中的上偏轉單元及一具有位於下交叉區域中的下偏轉單元；及<br/> 其中，該靜電增透鏡的中心電極配置在該上偏轉單元與該下偏轉單元之間。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該多束粒子束系統更包含一第一設定構件；及<br/> 其中該控制器配置成控制該第一設定構件，使得修改了施加到該靜電增透鏡的該增強高電壓VB，藉此又修改了入射該物平面時該第一個別帶電粒子束的工作距離WD及/或該第一個別帶電粒子束的數值孔徑NA。
如請求項12所述之多束粒子束系統，<br/> 更包含一第二設定構件，其不同於該第一設定構件；及<br/> 其中該控制器配置成控制該第二設定構件，使得該第一個別帶電粒子束的所修改工作距離WD係經過校正及/或使得該第一個別帶電粒子束入射該物平面時的該修改數值孔徑NA係經過校正。
如請求項13所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該第二設定構件配置成引起該磁及/或靜電物鏡及/或一場透鏡的修改激勵。
如請求項13所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該第二設定構件配置成造成該集體掃描偏轉器的修改控制。
如請求項13所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該第二設定構件配置成向該第二束管段施加一修改電壓VT2。
如請求項13所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該第二設定構件包含一配置在該磁及/或靜電物鏡的磁場中的靜電校正元件。
如請求項13所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該多束粒子束系統包含一多極校正器並且其中該第二設定構件配置成引起該多極校正器的修改控制。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 其中該多束粒子束系統在該第一粒子光學束路徑中更包含一中間影像平面及一遠心校正構件，特別是一附加場透鏡，該遠心校正構件配置在該多束產生器與該中間影像平面之間；及<br/> 其中該控制器配置成控制該遠心校正構件，使得該第一個別帶電粒子束的輸入遠心度在該中間影像平面中改變。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，其配置成用於該第一個別帶電粒子束遠心入射到該物平面上。
如請求項1或2所述之多束粒子束系統，<br/> 一偵測系統，其具有複數個形成一第三場的偵測區域；<br/> 一具有一第二粒子光學束路徑的第二粒子光學單元，其配置成將從該第二場中的該入射位置射出的第二個別粒子束成像在該偵測系統的多個偵檢區域的第三場上；及<br/> 一分束器，其配置在該多孔配置與該磁及/或靜電物鏡之間的該第一粒子光學束路徑中，並且配置在該磁及/或靜電物鏡與該偵測系統之間的該第二粒子光學束路徑中，且<br/> 其中該第二個別粒子束也通過該磁及/或靜電物鏡。
一種用於操作一如請求項1或2所述之多束粒子束系統，該方法包括下列步驟：<br/> (a) 提供一多束粒子束系統，其在該磁及/或靜電物鏡的上焦點平面中的一照明束路徑中具有第一個別帶電粒子束的交叉區域；及<br/> (b) 分段地顯著增加該交叉區域中的該第一個別帶電粒子束的動能，其目的是顯著降低該等第一個別帶電粒子束之間的庫侖交互作用。
如請求項22所述之方法，其更包括下列步驟：<br/> (c) 修改該交叉區域中的該第一個別粒子束的最大動能，藉此在該第一個別帶電粒子束入射到該物平面上時修改該多束粒子束系統的至少一成像參數；及<br/> (d) 校正該至少一修改過的該成像參數。
一種電腦程式產品，其具有用於執行如請求項22所述之方法的程式碼。
一種雙極化天線，設置於電路板上，所述電路板包括頂層、底層和中間層，其中，所述中間層為接地層，所述雙極化天線包括：<br/> M個陣列天線單元，設置於所述電路板的頂層，M為大於或等於1的整數；每個陣列天線單元包括4個天線單元；<br/> 第一極化饋電網路，設置於所述電路板的底層，包括第一饋入端及M個第一饋電網絡子單元，所述第一極化饋電網路用於將所述第一饋入端的饋入信號分為M*4等份；每個第一饋電網絡子單元對應一個陣列天線單元，所述每個第一饋電網絡子單元通過第一組金屬過孔電連接於所述對應的陣列天線單元，所述每個第一饋電網絡子單元通過所述第一組金屬過孔激發所述對應的陣列天線單元；<br/> 第二極化饋電網路，設置於所述電路板的底層，包括第二饋入端及M個第二饋電網絡子單元，所述第二極化饋電網路用於將所述第二饋入端的饋入信號分為M*4等份；每個第二饋電網絡子單元對應一個陣列天線單元，所述每個第二饋電網絡子單元通過第二組金屬過孔電連接於所述對應的陣列天線單元，所述每個第二饋電網絡子單元通過所述第二組金屬過孔激發所述對應的陣列天線單元；其中，所述每個第一饋電網絡子單元包括：<br/> 第一T型結，包括輸入端、第一輸出端及第二輸出端，所述第一T型結用於將所述第一T型結的輸入端的信號分為兩等份；<br/> 第二T型結，包括輸入端，所述第二T型結的輸入端通過第一微帶線電連接於第一T型結的第一輸出端，用於將所述第一T型結的第一輸出端的輸出信號分為兩等份；<br/> 第三T型結，包括輸入端，所述第三T型結的輸入端通過第二微帶線電連接於第一T型結的第二輸出端，用於將所述第一T型結的第二輸出端的輸出信號分為兩等份。
如請求項1所述的雙極化天線，其中，所述第二T型結的第一輸出端、第二T型結的第二輸出端及所述第三T型結的第一輸出端及所述第三T型結的第二輸出端分別通過金屬過孔一一對應電連接於所述陣列天線單元中的4個天線單元。
如請求項1所述的雙極化天線，其中，所述第一微帶線的長度與所述第二微帶線的長度相等。
如請求項1所述的雙極化天線，其中，所述第一饋電網絡子單元的結構與所述第二饋電網絡子單元的結構相同。
如請求項1所述的雙極化天線，其中，所述天線單元為圓形貼片天線。
如請求項1所述的雙極化天線，其中：<br/> 所述陣列天線單元為4*4陣列天線單元；<br/> 所述第一極化饋電網路包括所述第一饋入端、第三饋電網絡子單元、第四饋電網絡子單元、第五饋電網絡子單元、第六網路饋電子單元，還包括：<br/> 第四T型結，包括輸入端、第一輸出端及第二輸出端，所述第四T型結的輸入端電連接於所述第一饋入端，用於將所述第一饋入端的信號分為兩等份；<br/> 第五T型結，包括輸入端、第一輸出端及第二輸出端，所述第五T型結的輸入端通過第三微帶線電連接於所述第四T型結的第一輸出端，所述第五T型結的第一輸出端通過第五微帶線電連接於所述第三饋電網絡子單元，所述第五T型結的第二輸出端通過第六微帶線電連接於所述第四饋電網絡子單元；<br/> 第六T型結，包括輸入端、第一輸出端及第二輸出端，所述第六T型結的輸入端通過第四微帶線電連接於所述第四T型結的第二輸出端，所述第六T型結的第一輸出端通過第七微帶線電連接於所述第五饋電網絡子單元，所述第六T型結的第二輸出端通過第八微帶線電連接於所述第六饋電網絡子單元。
如請求項6所述的雙極化天線，其中：<br/> 所述第六微帶線的長度比所述第五微帶線的長度長一個波長；<br/> 所述第八微帶線的長度比所述第七微帶線的長度長一個波長。
如請求項7所述的雙極化天線，其中，所述第一極化饋電網路的結構與所述第二極化饋電網路的結構相同。
一種電子設備，包括如請求項1至8任一項所述的雙極化天線。
一種影像裝置，包含：<br/> 複數個光電二極體；<br/> 一彩色濾光層，於該些光電二極體上方，其中該彩色濾光層包含一藍色濾光片、一紅色濾光片、一第一綠色濾光片以及一第二綠色濾光片；及<br/> 一超穎表面層，設置於該彩色濾光層上方，其中該超穎表面層包含第一像素單元，該第一像素單元包含在該藍色濾光片上方的一藍色區域、在該紅色濾光片上方的一紅色區域、在該第一綠色濾光片上方的一第一綠色區域以及在該第二綠色濾光片上方的一第二綠色區域，<br/> 其中該第一綠色區域包含一第一中心奈米柱，從上視圖來看，該第一中心奈米柱從該第一綠色區域的一中心在該第一中心奈米柱的一Y軸方向上位移了一第一縱向偏移，且在該第一中心奈米柱的一X軸方向上位移了一第一橫向偏移，<br/> 其中該第二綠色區域包含一第二中心奈米柱，從上視圖來看，該第二中心奈米柱從該第二綠色區域的一中心在該第二中心奈米柱的該Y軸方向上位移了一第二縱向偏移，且在該第二中心奈米柱的該X軸方向上位移了一第二橫向偏移，<br/> 其中該第一中心奈米柱的該第一縱向偏移在該第一綠色濾光片的尺寸的1/5以內，且該第一中心奈米柱的該第一橫向偏移在該第一綠色濾光片的尺寸的1/5以內。
如請求項1所述之影像裝置，其中根據該第一綠色區域的一入射角與一方位角來決定該第一縱向偏移與該第一橫向偏移，<br/> 其中該第一綠色區域的該入射角為該第一綠色區域的一上表面上的一第一入射光與該第一綠色區域的該上表面的一法線之夾角，<br/> 其中該第一綠色區域的該方位角為穿過該超穎表面層的一中心的一水平軸與一第一連接線之夾角，其中該第一連接線位於該第一綠色區域的該中心與該超穎表面層的該中心之間。
如請求項2所述之影像裝置，其中該超穎表面層更包含一第二像素單元，其中該第二像素單元包含一第三綠色區域，該第三綠色區域包含一第三中心奈米柱，從上視圖來看，該第三中心奈米柱從該第三綠色區域的一中心在該第三中心奈米柱的該Y軸方向上位移了一第三縱向偏移，且在該第三中心奈米柱的該X軸方向上位移了一第三橫向偏移，其中根據該第三綠色區域的一入射角與一方位角來決定該第三縱向偏移與該第三橫向偏移，<br/> 其中該第三綠色區域的該入射角為該第三綠色區域的一上表面上的一第二入射光與該第三綠色區域的該上表面的一法線之夾角，<br/> 其中該第三綠色區域的該方位角為穿過該超穎表面層的該中心的該水平軸與一第二連接線之夾角，其中該第二連接線位於該第三綠色區域的該中心與該超穎表面層的該中心之間，<br/> 其中該第一中心奈米柱的該第一縱向偏移以及該第三中心奈米柱的該第三縱向偏移滿足下列方程式：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="121px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="13px" width="3px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一綠色區域的該入射角，且<img align="absmiddle" height="13px" width="3px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>不等於0度，<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一綠色區域的該方位角，<img align="absmiddle" height="13px" width="25px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一中心奈米柱的該第一縱向偏移，<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第三綠色區域的該入射角，且<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>不等於0度，<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>該第三綠色區域的該方位角，<img align="absmiddle" height="13px" width="29px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第三中心奈米柱的該第三縱向偏移，<img align="absmiddle" height="13px" width="7px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一綠色區域的該入射角與該第三綠色區域的該入射角之第一差值，且<img align="absmiddle" height="13px" width="7px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一綠色區域的該方位角與該第三綠色區域的該方位角之第二差值。
如請求項3所述之影像裝置，其中該第一中心奈米柱的該第一橫向偏移以及該第三中心奈米柱的該第三橫向偏移滿足下列方程式：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="121px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="13px" width="25px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一中心奈米柱的該第一橫向偏移，且<img align="absmiddle" height="13px" width="29px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第三中心奈米柱的該第三橫向偏移。
如請求項4所述之影像裝置，其中該第一綠色區域的一邊緣從該第一綠色濾光片的一對應邊緣位移了該第一綠色區域的一偏移距離，該彩色濾光層包含相鄰於該第一綠色濾光片的一第三綠色濾光片，該第三綠色區域在該第三綠色濾光片上方，且該第三綠色區域的一邊緣從該第三綠色濾光片的一對應邊緣位移了該第三綠色區域的一偏移距離，<br/> 其中該第一綠色區域的該偏移距離以及該第三綠色區域的該偏移距離滿足下列方程式：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="55px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<img align="absmiddle" height="13px" width="11px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一綠色區域的該偏移距離，且<img align="absmiddle" height="13px" width="13px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第三綠色區域的該偏移距離，其中該第一綠色區域的該偏移距離在0 nm至300 nm的範圍內，<img align="absmiddle" height="13px" width="3px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>大於0度且≤ 35度，<img align="absmiddle" height="13px" width="4px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>在0度至360度的範圍內。
如請求項1所述之影像裝置，其中該超穎表面層更包含複數個周邊奈米柱以及一填充材料，該些周邊奈米柱位於該藍色區域、該紅色區域、該第一綠色區域以及該第二綠色區域的多個角，該填充材料橫向地包圍該第一中心奈米柱以及該第二中心奈米柱，其中該填充材料的折射率在1.0至1.6的範圍內，<br/> 其中該影像裝置更包含一介電層，該介電層設置於該彩色濾光層與該藍色濾光片、該紅色濾光片、該第一綠色濾光片以及該第二綠色濾光片之間，<br/> 其中該藍色區域、該紅色區域、該第一綠色區域以及該第二綠色區域中每一者的尺寸在400 nm至700 nm的範圍內，且該第一中心奈米柱的折射率在1.8至3.5的範圍內。
如請求項1所述之影像裝置，其中該第一縱向偏移與該第一橫向偏移包含正向偏移，該第二縱向偏移與該第二橫向偏移包含正向偏移，<br/> 其中該第一縱向偏移的該正向偏移定義為從該第一綠色區域朝向該紅色區域的偏移，且該第一橫向偏移的該正向偏移定義為從該第一綠色區域朝向該藍色區域的偏移，<br/> 其中該第二縱向偏移的該正向偏移定義為從該第二綠色區域朝向該藍色區域的偏移，且該第二橫向偏移的該正向偏移定義為從該第二綠色區域朝向該紅色區域的偏移。
如請求項1所述之影像裝置，其中該第一縱向偏移與該第一橫向偏移包含負向偏移，該第二縱向偏移與該第二橫向偏移包含負向偏移，<br/> 其中該第一縱向偏移的該負向偏移定義為從該第一綠色區域遠離該紅色區域的偏移，且該第一橫向偏移的該負向偏移定義為從該第一綠色區域遠離該藍色區域的偏移，<br/> 其中該第二縱向偏移的該負向偏移定義為從該第二綠色區域遠離該藍色區域的偏移，且該第二橫向偏移的該負向偏移定義為從該第二綠色區域遠離該紅色區域的偏移。
一種影像裝置的形成方法，包含：<br/> 提供複數個光電二極體；<br/> 形成一彩色濾光層於該些光電二極體上方，其中該彩色濾光層包含一藍色濾光片、一紅色濾光片、一第一綠色濾光片以及一第二綠色濾光片；及<br/> 形成一超穎表面層於該彩色濾光層上方，其中該超穎表面層包含一第一像素單元，該第一像素單元包含在該藍色濾光片上方的一藍色區域、在該紅色濾光片上方的一紅色區域、在該第一綠色濾光片上方的一第一綠色區域以及在該第二綠色濾光片上方的一第二綠色區域，其中該第一綠色區域包含一第一中心奈米柱，該第二綠色區域包含一第二中心奈米柱，且形成該超穎表面層包含：<br/> 形成該第一中心奈米柱，其中從上視圖來看，該第一中心奈米柱從該第一綠色區域的一中心在該第一中心奈米柱的一Y軸方向上位移了一第一縱向偏移，且在該第一中心奈米柱的一X軸方向上位移了一第一橫向偏移；及<br/> 形成該第二中心奈米柱，其中從上視圖來看，該第二中心奈米柱從該第二綠色區域的一中心在該第二中心奈米柱的該Y軸方向上位移了一第二縱向偏移，且在該第二中心奈米柱的該X軸方向上位移了一第二橫向偏移，其中該第一中心奈米柱的該第一縱向偏移在該第一綠色濾光片的尺寸的1/5以內，且該第一中心奈米柱的該第一橫向偏移在該第一綠色濾光片的尺寸的1/5以內。
一種螢幕支架裝置，包含：<br/>一螢幕支架，具有一滑軌及一螢幕連接板，該螢幕連接板滑設於該滑軌；以及<br/>一螢幕限位裝置，設置於該螢幕支架，該螢幕限位裝置包含：<br/>一固定夾具，具有一第一夾臂及一第二夾臂，該第一夾臂具有相對的一第一連接端與一第一夾持端，該第二夾臂具有相對的一第二連接端與一第二夾持端，該第一夾臂的該第一連接端與該第二夾臂的該第二連接端相連，該第一夾臂與該第二夾臂可拆卸地夾固於該滑軌之二側並支承該螢幕連接板，該第一連接端具有一第一操作片，該第二連接端具有一第二操作片；以及<br/>一理線模組，連接於該第一夾臂的該第一夾持端與該第二夾臂的該第二夾持端，該第一夾臂和該第二夾臂之間具有一理線空間；<br/>其中，該第一連接端與該第二連接端以一扭力元件作為一軸心樞接，以連動該理線模組；<br/>致動該第一操作片與該第二操作片時，該理線模組的一第一閉合端和一第二閉合端展開；於未致動該第一操作片與該第二操作片時，該扭力元件常態下輸出一扭力，以驅使該第一閉合端和該第二閉合端合攏以形成該理線空間。
如請求項1所述之螢幕支架裝置，其中，該理線模組具有一第一支臂及一第二支臂，該第一支臂具有一第一固定端及該第一閉合端，該第二支臂具有一第二固定端及該第二閉合端，該第一固定端連接該第一夾持端，該第二固定端連接該第二夾持端。
如請求項2所述之螢幕支架裝置，其中，該第一閉合端具有一黏貼部，該第二閉合端具有一撓性連接件，該撓性連接件黏貼於該黏貼部，以維持該第一夾臂與該第二夾臂於一夾持狀態。
如請求項2所述之螢幕支架裝置，其中，該第一閉合端具有一扣環，該第二閉合端具有一撓性連接件，該撓性連接件具有一第一固定部及一第二固定部，該撓性連接件穿繞於該扣環，將該第一固定部固定於該第二固定部，以維持該第一夾臂與該第二夾臂於一夾持狀態。
如請求項2所述之螢幕支架裝置，其中，該第一閉合端具有一固定凸部，該第二閉合端具有一撓性連接件，該撓性連接件具有一扣孔，該扣孔連接於該固定凸部，以維持該第一夾臂與該第二夾臂之一夾持力。
如請求項2所述之螢幕支架裝置，其中，該第一閉合端具有一第一卡扣部，該第二閉合端具有一第二卡扣部，該第一卡扣部扣合於該第二卡扣部，以維持該第一夾臂與該第二夾臂於一夾持狀態。
如請求項1所述之螢幕支架裝置，其中，該第一連接端具有二第一軸孔，該二第一軸孔分別位於該第一連接端的二側，該第二連接端具有二第二軸孔，該二第二軸孔分別位於該第二連接端的二側；該固定夾具還具有該扭力元件，該扭力元件之二端樞設於二側的該二第一軸孔與該二第二軸孔。
如請求項7所述之螢幕支架裝置，其中，該第一操作片或該第二操作片之一具有一開口。
如請求項7所述之螢幕支架裝置，其中，該第一操作片與該第二操作片分別具有一避位斜邊，該避位斜邊具有一第一端點與一第二端點，該第一端點鄰近該扭力元件，該第二端點遠離於該扭力元件。
如請求項1所述之螢幕支架裝置，其中，該第一夾臂或該第二夾臂之外側徑向延伸有一掛勾。
如請求項1至10中任一項所述之螢幕支架裝置，其中，該第一夾持端具有一第一夾持面，該第二夾持端具有一第二夾持面，該第一夾持面面對該第二夾持面，該第一夾持面與該第二夾持面分別連接有一防滑件。
一種螢幕限位裝置，包含：<br/>一固定夾具，具有一第一夾臂及一第二夾臂，該第一夾臂具有相對的一第一連接端與一第一夾持端，該第二夾臂具有相對的一第二連接端與一第二夾持端，該第一夾臂的該第一連接端與該第二夾臂的該第二連接端相連，該第一連接端具有一第一操作片，該第二連接端具有一第二操作片；以及<br/>一理線模組，連接於該第一夾臂的該第一夾持端與該第二夾臂的該第二夾持端，該第一夾臂和該第二夾臂之間具有一理線空間；<br/>其中，該第一連接端與該第二連接端以一扭力元件作為一軸心樞接，以連動該理線模組；<br/>致動該第一操作片與該第二操作片時，該理線模組的一第一閉合端和一第二閉合端展開；於未致動該第一操作片與該第二操作片時，該扭力元件常態下輸出一扭力，以驅使該第一閉合端和該第二閉合端合攏以形成該理線空間。
一種基板，其包括： <br/>一第一區域，其包括氟化鋁；及 <br/>一第二區域，其包括一鋁合金， <br/>其中該第一區域係在該第二區域上方， <br/>其中該氟化鋁之一濃度自該第一區域至該第二區域減小，且 <br/>其中該基板不包括鎂。
如請求項1之基板，其中該基板具有20:1至2000:1之一縱橫比，其中該縱橫比係一寬度、一深度、一高度、一長度或一直徑之兩者之一比率。
如請求項1之基板，其中該基板包括： <br/>基於該基板之一總重量之至少50重量%之鋁；及 <br/>基於該基板之該總重量之小於10重量%之鐵。
如請求項1之基板，其中該基板包括陽極氧化Al。
如請求項1之基板，其中該第一區域自該基板之一表面延伸至2 nm至5 μm之一深度。
一種基板，其包括： <br/>一第一區域，其包括氟化鎂； <br/>一第二區域，其包括一含鎂鋁合金；及 <br/>一第三區域，其包括氟化鋁； <br/>其中該第三區域係在該第一區域與該第二區域之間； <br/>其中該氟化鎂之一濃度自該第一區域至該第三區域減小； <br/>其中該氟化鋁之一濃度自該第三區域至該第二區域減小。
如請求項6之基板，其中該基板具有20:1至2000:1之一縱橫比，其中該縱橫比係一寬度、一深度、一高度、一長度或一直徑之兩者之一比率。
一種表面改質方法，其包括： <br/>使一基板曝露於足量之一含氟蒸氣以形成： <br/>一第一區域，其包括氟化鋁；及 <br/>一第二區域，其包括一鋁合金； <br/>其中該第一區域係在該第二區域上方， <br/>其中該氟化鋁之一濃度自該第一區域至該第二區域減小，且 <br/>其中該基板不包括鎂。
一種表面改質方法，其包括： <br/>使一基板曝露於足量之一含氟蒸氣以形成： <br/>一第一區域，其包括氟化鎂； <br/>一第二區域，其包括一含鎂鋁合金；及 <br/>一第三區域，其包括氟化鋁， <br/>其中該第三區域係在該第一區域與該第二區域之間， <br/>其中該氟化鎂之一濃度自該第一區域至該第三區域減小，且 <br/>其中該氟化鋁之一濃度自該第三區域至該第二區域減小。
如請求項8或9之表面改質方法，其中該含氟蒸氣包括CF<sub>4</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>、C<sub>3</sub>F<sub>6</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、CHF<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>F<sub>2</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>、HF、CH<sub>3</sub>F、一汽化氟化聚合物或其任何組合之至少一者。
一種藉由液相沉積來形成含鈦氧化物膜的方法，該方法包括：<br/> 用一酸穩定水性前驅體溶液塗佈一基板以形成一薄膜，該酸穩定水性前驅體溶液包括：<br/> 鈦離子，<br/> 一或多種其它金屬離子，<br/> 一可光解及/或可熱解配位體，包括過氧化氫、甲酸或硝酸根離子中的一或多種，以及<br/> 一酸；以及<br/> 將該薄膜曝露於熱、真空或光中的一或多種。
如請求項1所述之方法，其中該酸穩定水性前驅體溶液包括氯化鈦、氯化鑭，以及氯化碲、氯化鉍、氯化錫或氯化銻中的一或多種。
如請求項1所述之方法，其中該酸包括鹽酸、硝酸或硫酸中的一或多種。
如請求項1所述之方法，其中將該薄膜曝露於光包括UV固化該薄膜。
如請求項4所述之方法，更包括在UV固化該薄膜之後，在60至650ºC的一溫度下對該薄膜進行退火。
如請求項1所述之方法，其中將該薄膜曝露於熱包括在60至650ºC的一溫度下熱固化該薄膜。
如請求項1所述之方法，其中該酸穩定水性前驅體溶液進一步包括一或多種二元醇。
如請求項7所述之方法，其中該基板以及該薄膜形成包括一波導的一光學元件。
如請求項8所述之方法，更包括在將該薄膜曝露於熱或光中的一或多種之前，將一圖案壓印至該薄膜。
如請求項9所述之方法，其中形成該含鈦氧化物膜包括在一薄膜電晶體中形成一鈍化層。
一種酸穩定水性前驅體溶液，其用於藉由液相沉積來形成含鈦氧化物膜，該酸穩定水性前驅體溶液包括：<br/> 鈦離子；<br/> 一或多種其它金屬離子；<br/> 一可光解及/或可熱解配位體，包括過氧化氫、甲酸或硝酸根離子中的一或多種；以及<br/> 一酸。
如請求項11所述之酸穩定水性前驅體溶液，其中該一或多種其它金屬離子包括碲離子、鉍離子、錫離子、鋁離子或銻離子中的一或多種。
如請求項12所述之酸穩定水性前驅體溶液，其中該酸包括鹽酸，以及該可光解及/或可熱解配位體包括過氧化氫。
如請求項11所述之酸穩定水性前驅體溶液，其中該酸包括鹽酸、硝酸或硫酸中的一或多種。
如請求項11所述之酸穩定水性前驅體溶液，更包括一二元醇。
如請求項11所述之酸穩定水性前驅體溶液，更包括TiO<sub>2</sub>奈米微粒。
一種形成金屬氧化物膜的方法，該方法包括：<br/> 用一酸穩定前驅體溶液塗佈一基板以形成一薄膜，該酸穩定前驅體溶液包括：<br/> 金屬離子，<br/> 一可光解及/或可熱解配位體，包括過氧化氫、甲酸或硝酸根離子中的一或多種，以及 <br/> 一酸；<br/> UV固化該薄膜的第一區域，並且不UV固化該薄膜的第二區域；以及<br/> 加熱該薄膜，藉此在一薄膜電晶體中形成一鈍化層。
如請求項17所述之方法，其中該方法形成一繞射光柵。
如請求項17所述之方法，其中，在加熱該薄膜之後，該薄膜的該第一區域所包括的一折射率至少比該第二區域的一折射率大0.04。
一種磁性材料用濺鍍靶，其具有濺鍍區域及非濺鍍區域且用於磁性材料， <br/>上述非濺鍍區域之表面具有複數個帶弧度之凸部， <br/>上述複數個凸部包括經由連結部連結之凸部、及/或未經由連結部連結之凸部。
如請求項1之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之表面之展開面積比Sdr為4.5以上。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之面粗糙度Sa為10～40 μm。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之最大高度Sz為100～250 μm。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之均方根高度Sq為3～45 μm。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其組成中包含Co、Pt、Fe、Ru、Cr、Ti、Si、Zr、B、C、N、Al、O、Mg、Zn、Ag、Cu、Ni、Ta、Nb、V、W、Mn、Bi、Ge及Ir中之至少一種。
一種磁性材料用濺鍍靶組裝品，其具備： <br/>請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶、及 <br/>接合於上述磁性材料用濺鍍靶之背板。
一種磁性材料用濺鍍靶之製造方法，其係具有濺鍍區域及非濺鍍區域之磁性材料用濺鍍靶之製造方法，且 <br/>包括：於上述非濺鍍區域之表面形成複數個帶弧度之凸部之步驟； <br/>上述複數個凸部包括經由連結部連結之凸部、及/或未經由連結部連結之凸部。
一種磁性材料用濺鍍靶，其具有濺鍍區域及非濺鍍區域且用於磁性材料， <br/>上述非濺鍍區域之表面之峰頂點之算術平均曲率Spc為3200 mm <sup>-1</sup>以上。
如請求項1之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之表面之展開面積比Sdr為4.5以上。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之面粗糙度Sa為10～40 μm。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之最大高度Sz為100～250 μm。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其中，上述非濺鍍區域之均方根高度Sq為3～45 μm。
如請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶，其組成中包含Co、Pt、Fe、Ru、Cr、Ti、Si、Zr、B、C、N、Al、O、Mg、Zn、Ag、Cu、Ni、Ta、Nb、V、W、Mn、Bi、Ge及Ir中之至少一種。
一種磁性材料用濺鍍靶組裝品，其具備： <br/>請求項1或2之磁性材料用濺鍍靶、及 <br/>接合於上述磁性材料用濺鍍靶之背板。
一種磁性材料用濺鍍靶之製造方法，其係具有濺鍍區域及非濺鍍區域之磁性材料用濺鍍靶之製造方法，且 <br/>包括：於上述非濺鍍區域形成峰頂點之算術平均曲率Spc為3200 mm <sup>-1</sup>以上之表面之步驟。
一種半導體封裝載板結構，包括：一基板本體，為具有相對之第一表面及第二表面之導電材，且該基板本體具有自該第一表面凹陷之複數第一開孔、自該第二表面凹陷之複數第二開孔及複數第三開孔，以定義出複數第一導電柱及複數第二導電柱，其中，該複數第三開孔的二端分別連通該複數第一開孔及該複數第二開孔，其中，該複數第三開孔之寬度小於相對應之該複數第二開孔之寬度；一第一介電材，填滿該複數第一開孔；以及一第二介電材，填滿該複數第二開孔及該複數第三開孔，且該複數第三開孔中之該第二介電材接觸該複數第一開孔中之該第一介電材。
如請求項1所述之半導體封裝載板結構，其中，該複數第一導電柱之一端面與該第一介電材之一表面齊平或不等高。
如請求項1所述之半導體封裝載板結構，其中，該複數第二導電柱之一端面與該第二介電材之一表面齊平或不等高。
如請求項1所述之半導體封裝載板結構，其中，該基板本體之材質為銅、銅合金或鎳合金。
如請求項1所述之半導體封裝載板結構，其中，該第一介電材及該第二介電材選自感光或非感光之有機介電材，包括味之素增層膜材、聚對二唑苯、聚醯亞胺、具玻纖之預浸材、環氧樹脂、模封材料、或雙馬來醯亞胺三嗪樹脂所組成群組之至少一者。
一種半導體封裝載板結構之製法，包括：提供一基板本體，具有相對應之第一表面及第二表面，且該基板本體之材質為導電材；於該基板本體之該第一表面形成一第一圖案化光阻層，及於該基板本體之該第二表面形成一第二圖案化光阻層；執行一第一蝕刻製程，移除未被該第一圖案化光阻層及該第二圖案化光阻層所遮蓋之該基板本體之部分材料，以於該第一表面側形成複數第一開孔，及於該第二表面側形成複數第二開孔，且藉由該複數第一開孔定義出複數第一導電柱，以及藉由該複數第二開孔定義出複數第二導電柱，其中，該複數第一開孔及該複數第二開孔彼此未連通；於該基板本體之該第一表面及該第一圖案化光阻層上形成第一介電材，以填滿該複數第一開孔及覆蓋該第一圖案化光阻層；執行一第二蝕刻製程，移除該基板本體之該複數第二開孔中之部分材料，以蝕穿該第二開孔之孔底而形成複數第三開孔，其中，該複數第三開孔的二端分別連通該複數第一開孔及該複數第二開孔，以外露部分之該第一介電材於該複數第三開孔，且該複數第三開孔之寬度小於相對應之該複數第二開孔之寬度；於該基板本體之該第二表面及該第二圖案化光阻層上形成第二介電材，以填滿該複數第二開孔、該複數第三開孔及覆蓋該第二圖案化光阻層，且該複數第三開孔中之該第二介電材接觸該複數第一開孔中之該第一介電材；以及移除部分之該第一介電材、該第二介電材，以及移除全部之該第一圖案化光阻層、該第二圖案化光阻層，以外露該複數第一導電柱之一端面及該複數第二導電柱之一端面。
如請求項6所述之半導體封裝載板結構之製法，其中，於移除部分之該第一介電材及全部之該第一圖案化光阻層之後，該複數第一導電柱之該端面與該第一介電材之一表面齊平或不等高。
如請求項6所述之半導體封裝載板結構之製法，其中，於移除部分之該第二介電材及全部之該第二圖案化光阻層之後，該複數第二導電柱之該端面與該第二介電材之一表面齊平或不等高。
一種電晶體結構，包括：<br/> 閘電極；<br/> 氧化物半導體通道層；<br/> 閘極介電層，位在所述閘電極和所述氧化物半導體通道層之間；<br/> 第一高介電常數（高k）端層，位於所述閘電極和所述閘極介電層之間；<br/> 第二高k端層，位於所述閘極介電層和所述氧化物半導體通道層之間；以及<br/> 源極/汲極，位在所述氧化物半導體通道層之上，且所述源極/汲極與所述閘電極之間隔著所述第一高k端層、所述閘極介電層、所述第二高k端層與所述氧化物半導體通道層。
根據請求項1所述的電晶體結構，其中<br/> 所述第一高k端層的高k材料的金屬-氧鍵結強度大於所述閘極介電層的介電材料的金屬-氧鍵結強度。
根據請求項1所述的電晶體結構，其中<br/> 所述第一高k端層包括具有大於約5電子伏特的帶隙的高k介電材料。
根據請求項1所述的電晶體結構，其中<br/> 所述第二高k端層的高k材料的金屬-氧鍵結強度大約等於所述氧化物半導體通道層的氧化物-半導體材料的金屬-氧鍵結強度。
根據請求項1所述的電晶體結構，<br/> 其中所述第一高k端層包括第一高k介電材料；<br/> 其中所述第二高k端層包括第二高k介電材料；以及<br/> 其中所述第一高k介電材料和所述第二高k介電材料是不同的高k介電材料。
一種電晶體結構，包括：<br/> 閘電極；<br/> 氧化物半導體通道層；<br/> 高介電常數（高k）閘極介電層，位於所述閘電極和所述氧化物半導體通道層之間；<br/> 高k端層，位於所述高k閘極介電層和所述氧化物半導體通道層之間；以及<br/> 源極/汲極，位在所述氧化物半導體通道層之上，且所述源極/汲極與所述閘電極之間隔著所述高k端層、所述氧化物半導體通道層與所述高k閘極介電層，<br/> 其中所述高k閘極介電層包含第一高k介電材料，且<br/> 其中所述高k閘極介電層包括多個摻雜區，該多個摻雜區包括與所述第一高k介電材料不同的第二高k介電材料。
根據請求項6所述的電晶體結構，其中所述多個摻雜區包括多個摻雜層，所述多個摻雜層包括所述第二高k介電材料，其中所述多個摻雜層與多個層交替，所述多個層包括所述第一高k介電材料。
根據請求項6所述的電晶體結構，更包括：<br/> 另一高介電常數（高k）端層，位於所述閘電極和所述高k閘極介電層之間。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 形成後段電晶體結構的閘電極；<br/> 在所述閘電極上形成高介電常數（高k）閘極介電層；<br/> 形成所述後段電晶體結構的端層；<br/> 在所述端層上形成氧化物半導體通道層；以及<br/> 在所述氧化物半導體通道層之上形成源極/汲極，<br/> 其中所述端層與所述高k閘極介電層垂直相鄰，<br/> 其中所述端層包括與所述高k閘極介電層的第二高k介電材料不同的第一高k介電材料，且<br/> 其中所述源極/汲極與所述閘電極之間隔著所述端層、所述氧化物半導體通道層與所述高k閘極介電層。
一種測試裝置，係用於待測物之預燒測試，其包括：測試座，包含基座及蓋體，用以承載待測物；以及控制模組，係包含控制單元及記憶單元以整合於該測試座中經由滑軌可動地連接該蓋體之該基座上，且該控制模組中結合有類比/數位訊號轉換單元之該控制單元電性連接該測試座及該記憶單元，其中，該控制單元結合該類比/數位訊號轉換單元以直接將該測試座之感測訊號之類比訊號轉換為該測試座之感測訊號之數位訊號，再由該測試裝置將該控制單元結合該類比/數位訊號轉換單元所直接轉換而成之該測試座之感測訊號之數位訊號透過數位訊號匯流排傳遞至外部之處理設備。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該測試座係接置並電性連接至母板。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該測試座設有感測器。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該蓋體相對該基座於一開啟位置和一關閉位置之間變化。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該蓋體具有接觸部和散熱部。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該控制模組設於該測試座之側邊。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該控制單元及該記憶單元設於一載金板上並電性連接該載板。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該控制單元為微處理器或現場可程式化邏輯閘陣列，該記憶單元為電子抹除式可複寫唯讀記憶體。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該控制模組透過彈簧導電觸針電性連接至母板。
如請求項1所述之測試裝置，其中，該控制單元接收該測試座之感測訊號並據以發出控制訊號。
一種用於無線通訊之終端設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 至少一個儲存指令之記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時，致使該終端設備進行下列動作：<br/> 根據該終端設備之一全球導航衛星系統(GNSS)定位測量在一定位測量間隙中完成之一確定，確定第一資訊到一非地面網路(NTN)設備之一傳輸的一第一時間點，該第一資訊指出該全球導航衛星系統定位測量的完成；以及<br/> 基於下列至少一者來判斷是否要在該全球導航衛星系統定位測量間隙之一結束之前開始監測來自該非地面網路設備之控制資訊：<br/> 該第一時間點，<br/> 該終端設備與該非地面網路設備之間的一往返時間(RTT)，<br/> 該非地面網路設備處理該第一資訊所需之一處理時間，或<br/> 與監測該控制資訊相關聯之一偏移。
如請求項1之終端設備，其中與監測該控制資訊相關聯之該偏移係定義為藉由該非地面網路設備組配或藉由該終端設備回報之一預設值。
如請求項1之終端設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 向該非地面網路設備傳送該第一資訊。
如請求項1之終端設備，其中該第一資訊係下列其中一者：<br/> 一排程請求(SR)，<br/> 一緩衝狀態報告(BSR)，<br/> 一實體隨機接取通道(PRACH)傳輸，或<br/> 一媒體接取控制(MAC)控制元素(CE)。
如請求項1之終端設備，其中該第一資訊係在預組配資源上傳送，並且其中該控制資訊係在一實體下行鏈路控制通道(PDCCH)上攜載。
如請求項1之終端設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 根據該定位測量間隙之該結束係在起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點之後的一確定，在該定位測量間隙之該結束之前開始監測控制資訊，<br/> 其中該歷時係基於下列至少一者來確定：該RTT、該處理時間、或與監測該控制資訊相關聯之該偏移。
如請求項6之終端設備，其中該終端設備係組配有一不連續接收(DRX)組態，<br/> 並且其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 在該第二時間點之後套用該DRX組態，或<br/> 在該第二時間點之後進入DRX作動時間，而不用等待藉由該DRX組態組配之第一開啟歷時。
如請求項1之終端設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 確定該控制資訊之第一監測時機，其中該第一監測時機係在下列其中一者之後：<br/> 在起於該第一時間點之該歷時之後發生之一第二時間點，或<br/> 如果第一訊息係在預組配資源上傳送，則為該第一時間點。
如請求項1之終端設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 根據該定位測量間隙之該結束係在起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點之前的一確定，在該定位測量間隙之該結束之後開始監測控制資訊，<br/> 其中該歷時係基於下列至少一者來確定：該RTT、該處理時間、或與監測該控制資訊相關聯之該偏移。
如請求項1之終端設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 從該非地面網路設備接收指出下列至少一者之第二資訊：<br/> 一第一指示，其用於啟用或停用該第一資訊在該定位測量間隙之該結束之前之該傳輸，<br/> 一第二指示，其用於啟用或停用在該定位測量間隙之該結束之前對於該控制資訊之監測，或<br/> 一第三指示，其用於啟用或停用在該定位測量間隙之該結束之後、及在起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點之前對於該控制資訊之監測。
如請求項1之終端設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 向該非地面網路第二設備傳送指出下列至少一者之第三資訊：<br/> 第一能力相關資訊，其指出該終端設備是否支援在該定位測量間隙之該結束之前的該第一資訊之該傳送，<br/> 第二能力相關資訊，其指出該終端設備是否支援在該定位測量間隙之該結束之前對於該控制資訊之監測，或<br/> 第三能力相關資訊，其指出該終端設備是否支援在該定位測量間隙之該結束及起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點之後對於該控制資訊之監測。
一種用於無線通訊之非地面網路設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 至少一個儲存指令之記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時，致使該非地面網路設備進行下列動作：<br/> 從該終端設備接收指出一全球導航衛星系統(GNSS)定位測量在一定位測量間隙期間之一完成的第一資訊；以及<br/> 基於下列至少一者判斷是否要在該定位測量間隙之一結束之前向該終端設備傳送控制資訊：<br/> 該第一資訊之一傳輸之一第一時間點，<br/> 該第一資訊之一接收之一第三時間點，<br/> 該終端設備與該非地面網路設備之間的一往返時間(RTT)，<br/> 該第二設備處理該第一資訊所需之一處理時間，或<br/> 與監測該控制資訊相關聯之一偏移。
如請求項12之非地面網路設備，其中與監測該控制資訊相關聯之該偏移係定義為藉由該非地面網路設備組配或藉由該終端設備回報之一預設值。
如請求項12之非地面網路設備，其中該第一資訊係下列其中一者：<br/> 一排程請求(SR)，<br/> 一緩衝狀態報告(BSR)，<br/> 一實體隨機接取通道(PRACH)傳輸，或<br/> 一媒體接取控制(MAC)控制元素(CE)。
如請求項12之非地面網路設備，其中進一步致使該非地面網路設備進行下列動作：<br/> 根據該定位測量間隙之該結束係在起於接收該第一資訊之一歷時之後發生之一第二時間點之後的一確定，在該定位測量間隙之該結束之前開始傳送控制資訊，<br/> 其中該歷時係基於下列至少一者來確定：該RTT、該處理時間、或與監測該控制資訊相關聯之該偏移。
如請求項12之非地面網路設備，其中進一步致使該非地面網路設備進行下列動作：<br/> 確定該控制資訊之第一傳輸時機，其中該第一傳輸時機係在下列其中一者之後：<br/> 在起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點，或<br/> 如果第一訊息係在預組配資源上傳送，則為該第一時間點。
如請求項12之非地面網路設備，其中該終端設備係組配有一不連續接收(DRX)組態，<br/> 並且其中進一步致使該非地面網路設備進行下列動作：<br/> 在該第二時間點之後的一開啟歷時期間傳送該控制資訊，或<br/> 在該第二時間點之後於DRX作動時間中傳送該控制資訊，而不用等待藉由該DRX組態組配之該第一開啟歷時。
如請求項12之非地面網路設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 根據該定位測量間隙之該結束係在起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點之前的一確定，在該定位測量間隙之該結束之後開始傳送控制資訊，<br/> 其中該歷時係基於下列至少一者來確定：該RTT、該處理時間、或與監測該控制資訊相關聯之該偏移。
如請求項12之非地面網路設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 向該終端設備傳送指出下列至少一者之第二資訊：<br/> 一第一指示，其用於啟用或停用該第一資訊之該傳輸，<br/> 一第二指示，其用於啟用或停用在該定位測量間隙之該結束之前對於該控制資訊之監測，或<br/> 一第三指示，其用於啟用或停用在該定位測量間隙之該結束之後、及在起於該第一時間點之一歷時之後發生之一第二時間點之前對於該控制資訊之監測。
如請求項12之非地面網路設備，其中進一步致使該終端設備進行下列動作：<br/> 從該終端設備接收指出下列至少一者之第三資訊：<br/> 第一能力相關資訊，其指出該終端設備是否支援在該定位測量間隙之該結束之前的該第一資訊之該傳送，<br/> 第二能力相關資訊，其指出該終端設備是否支援在該定位測量間隙之該結束之前對於該控制資訊之監測，或<br/> 第三能力相關資訊，其指出該終端設備是否支援在該定位測量間隙之該結束及起於該第一資訊之該傳輸的一歷時之後發生之一第二時間點之前對於該控制資訊之監測。
一種影像感測器，包含：<br/> 一光電轉換層；<br/> 一彩色濾光層，設置在該光電轉換層上；<br/> 一緩衝層，設置在該彩色濾光層上；<br/> 一超穎層，包含設置在該緩衝層上的一襯裡層以及在該襯裡層上的複數個頂部微結構，該些頂部微結構自該襯裡層沿遠離該光電轉換層的一方向凸出；以及<br/> 一抗反射層，覆蓋於該超穎層上，其中該抗反射層包含一第一部分與一第二部分，該第一部分位在該些頂部微結構中的一第一頂部微結構的一頂表面上，該第二部分位在該第一頂部微結構的一側壁上，且該第一部分的一高度大於該第二部分的一寬度，其中該抗反射層包含位在該襯裡層的頂表面上的一第三部分，且該第三部分的一高度大於該第二部分的該寬度，該第一部分的該高度與該第二部分的該寬度之比值為大於或等於1.2，且該第三部分的該高度與該第二部分的該寬度之比值為大於或等於1.3。
如請求項1所述之影像感測器，其中該高度是在該第一頂部微結構的該頂表面的中心沿遠離該光電轉換層的該方向所量測，該寬度是在該第一頂部微結構的該側壁的中點沿垂直於遠離該光電轉換層的該方向所量測。
如請求項1所述之影像感測器，其中該第一部分的該高度與該第二部分的該寬度之比值為大於或等於1.5，且該第三部分的該高度與該第二部分的該寬度之比值為大於或等於1.7。
如請求項1所述之影像感測器，其中該第一部分具有一圓角，且該圓角的一曲率半徑小於該第一部分的該高度。
如請求項1所述之影像感測器，其中該第一部分具有一圓形頭部，該圓形頭部自該第二部分橫向地凸出。
如請求項1所述之影像感測器，其中該抗反射層在相鄰的該些頂部微結構上部分連接，且由該抗反射層所環繞出的一空氣腔設置在相鄰的該些頂部微結構之間，該影像感測器更包含一保護層，設置在該抗反射層上，該抗反射層的折射率大於該保護層的折射率，且該保護層的折射率大於1。
如請求項1所述之影像感測器，更包含：<br/> 一頂部折射率匹配層，設置在該抗反射層與該第一頂部微結構的該頂表面之間，該超穎層的折射率大於該頂部折射率匹配層的折射率，且該頂部折射率匹配層的折射率大於或等於該抗反射層的折射率；以及<br/> 一底部折射率匹配層，設置在該緩衝層與該襯裡層的一底表面之間，該超穎層的折射率大於該底部折射率匹配層的折射率，且該底部折射率匹配層的折射率大於或等於該緩衝層的折射率，其中該底部折射率匹配層的厚度小於或等於該頂部折射率匹配層的厚度。
如請求項1所述之影像感測器，更包含一頂部折射率匹配層，設置在該抗反射層與該第一頂部微結構的該頂表面之間，其中該抗反射層直接接觸該些頂部微結構中的一第二頂部微結構的一頂表面，其中該第一頂部微結構與該第二頂部微結構位在該彩色濾光層的同一彩色濾光區塊中。
如請求項1所述之影像感測器，更包含一頂部折射率匹配層，設置在該抗反射層與該第一頂部微結構的該頂表面之間，其中該抗反射層直接接觸該些頂部微結構中的一第二頂部微結構的一頂表面，其中該第一頂部微結構與該第二頂部微結構分別位在該彩色濾光層的不同彩色濾光區塊中。
如請求項1所述之影像感測器，更包含一頂部折射率匹配層，設置在該抗反射層與該第一頂部微結構的該頂表面之間，其中該抗反射層直接接觸該些頂部微結構中的一第二頂部微結構的一頂表面，其中該抗反射層包含一第四部分，設置在該第二頂部微結構的該頂表面上，且該頂部折射率匹配層的厚度與該第一部分的該高度之和大於該第四部分之一高度。
如請求項1所述之影像感測器，其中該抗反射層包含一第四部分與一第五部分，該第四部分設置在該些頂部微結構中的一第二頂部微結構的一頂表面上，該第五部分設置在該第二頂部微結構的一側壁上，該第四部分的一高度大於該第五部分的一寬度，且該第一部分的該高度與該第二部分的該寬度之一第一比值大於該第四部分的該高度與該第五部分的該寬度之一第二比值。
如請求項1所述之影像感測器，其中<br/> 該超穎層的折射率大於該抗反射層的折射率，且該抗反射層的折射率大於1；以及<br/> 該超穎層包含複數個底部微結構，該些底部微結構自該襯裡層沿朝向該光電轉換層的一方向凸出，且該些底部微結構與該些頂部微結構錯位排列； <br/> 該影像感測器更包含：<br/> 一內超穎層，設置在該緩衝層上；<br/> 一內頂部折射率匹配層，設置在該緩衝層與該內超穎層中的一頂部微結構的一頂表面之間；以及<br/> 一內底部折射率匹配層，設置在該緩衝層與該內超穎層中的一襯裡層的一底表面之間。
一種丙氯拉嗪（prochlorperazine，PCP）或其類似物硫利達嗪在製備用於精準治療特定癌症個體的藥物的用途，其特徵該特定癌症個體的癌細胞或其胞外體（extracellular vesicles，EVs）上高度表現一特異性標記物，其中該特異性標記物係整合素α6、整合素β4或其組合。
根據請求項1所述之用途，其中該特異性標記物係整合素α6亞基或整合素β4亞基。
根據請求項1所述之用途，其中該特定癌症個體的癌細胞或其胞外體上尚高度表現另一特異性標記物，該另一特異性標記物係選自由表皮生長因子受體（epidermal growth factor receptor，EGFR）、p-EGFR、磷脂醯肌醇蛋白聚醣1（Glypican 1，GPC1）、EpCAM、α-烯醇化酵素（Enolase，ENOl）、HER2、HER3、MET、CD9及其組合所組成之群組。
根據請求項1所述之用途，其中該癌症為一化療藥物抗藥性癌症。
根據請求項1所述之用途，其中該癌症為一轉移性癌症。
根據請求項4所述之用途，其中該化療藥物為一表皮生長因子受體（EGFR）-酪胺酸激酶抑制劑。
根據請求項6所述之用途，其中該EGFR-酪胺酸激酶抑制劑為阿法替尼。
根據請求項4所述之用途，其中該化療藥物為吉西他濱。
根據請求項1所述之用途，其中該癌症為胰臟癌、頭頸癌或肺癌。
根據請求項9所述之用途，其中該胰臟癌為胰臟導管腺癌（pancreatic adenocarcinoma，PDAC）。
根據請求項9所述之用途，其中該頭頸癌為頭頸鱗狀細胞癌（head and neck squamous cell carcinoma，HNSCC）。
根據請求項9所述之用途，其中該肺癌為非小細胞肺癌（non-small-cell lung carcinoma，NSCLC）。
一種丙氯拉嗪（prochlorperazine，PCP）在製備用於精準治療特定胰臟導管腺癌（PDAC）個體的藥物的用途，其中該特定胰臟導管腺癌（PDAC）個體之癌細胞產生的胞外體（EVs）上高度表現一特異性標記物，其中該特異性標記物係整合素α6、整合素β4或其組合，以及另一特異性標記物，係選自由EGFR、p-EGFR、GPC1、EpCAM、CD9、ENO1、HER2、HER3、MET及其組合所組成之群組。
一種製作半導體元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 提供一堆疊結構，包含：<br/> 一淺溝隔離設於一第一基底下；<br/> 一接觸洞蝕刻停止層設於該淺溝隔離下；<br/> 一層間介電層設於該接觸洞蝕刻停止層下；<br/> 一第一金屬內連線設於該層間介電層下；<br/> 一第二基底接合至該第一基底，其中該第一基底之正面朝下且該第二基底之正面朝上； <br/> 進行一修整製程以修整該第一基底邊緣，使得該第一基底的寬度小於該第二基底的寬度；<br/> 在進行該修整製程之後，形成一第一凹槽於該第一基底內；以及<br/> 形成一金屬層於該第一凹槽內以形成一第二金屬內連線，其中該第二金屬內連線穿過該第一基底、該淺溝隔離、該接觸洞蝕刻停止層以及該層間介電層並接觸該第一金屬內連線以及一襯墊層設於該第二金屬內連線側壁旁。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 形成一第一硬遮罩於該第一基底上；<br/> 形成一第二硬遮罩於該第一硬遮罩上；<br/> 去除該第二硬遮罩、該第一硬遮罩、該第一基底以及該淺溝隔離以形成一第二凹槽；<br/> 形成該襯墊層於該第二凹槽內；<br/> 去除該襯墊層、該接觸洞蝕刻停止層以及該層間介電層以形成該第一凹槽暴露該第一金屬內連線；<br/> 形成一阻障層於該第二凹槽內；<br/> 形成該金屬層於該第二凹槽內；以及<br/> 平坦化該阻障層以及該金屬層以形成該第二金屬內連線。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一硬遮罩以及該第二硬遮罩包含不同材料。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該襯墊層頂表面切齊該阻障層頂表面。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該阻障層底表面低於該襯墊層底表面。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該接觸洞蝕刻停止層頂表面低於該襯墊層底表面。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一淺溝隔離設於一第一基底下；<br/> 一接觸洞蝕刻停止層設於該淺溝隔離下；<br/> 一層間介電層設於該接觸洞蝕刻停止層下；<br/> 一第一金屬內連線設於該層間介電層下；<br/> 一第二金屬內連線穿過該第一基底、該淺溝隔離、該接觸洞蝕刻停止層以及該層間介電層並接觸該第一金屬內連線；<br/> 一第二基底接合至該第一基底，其中該第一基底之正面朝下且該第二基底之正面朝上；以及<br/> 一襯墊層設於該第二金屬內連線側壁旁，其中該接觸洞蝕刻停止層頂表面低於該襯墊層底表面。
如申請專利範圍第7項所述之半導體元件，另包含一硬遮罩設於該第一基底上。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該硬遮罩頂表面切齊該第二金屬內連線頂表面。
如申請專利範圍第7項所述之半導體元件，其中該第二金屬內連線包含：<br/> 一阻障層；以及<br/> 一金屬層設於該阻障層上。
如申請專利範圍第10項所述之半導體元件，其中該襯墊層頂表面切齊該阻障層頂表面。
如申請專利範圍第10項所述之半導體元件，其中該阻障層底表面低於該襯墊層底表面。
一種用於通訊之設備，其包含：<br/> 一記憶體，其被組配用以儲存電腦可讀程式碼；以及<br/> 處理電路系統，其被組配用以存取該記憶體，並且執行該電腦可讀程式碼以致使該設備至少進行下列動作：<br/> 在可於服務複數個使用者裝備(UE)之一網路中操作之該設備處接收系統資訊，該設備係實施成支援該網路之一或多個特定用途特徵之一特定用途使用者裝備，該系統資訊包括與由該複數個使用者裝備進行射頻(RF)傳輸之各別發射要求相關聯之一網路信令(NS)值清單；<br/> 從該網路信令值清單選擇一網路信令值，該網路信令值與該等各別發射要求中之一者相關聯；<br/> 套用由該設備進行射頻傳輸與該網路信令值相關聯之該等各別發射要求中之一者；<br/> 選擇與由該特定用途使用者裝備進行射頻傳輸之一發射要求相關聯之一特定用途網路信令值；<br/> 隨著套用該等各別發射要求中之該一者，建立該設備對該網路之該一或多個特定用途特徵的接取，以及<br/> 其中該特定用途網路信令值係基於該設備之該接取來選擇；以及<br/> 套用由該設備進行射頻傳輸之該發射要求。
如請求項1之設備，其中該特定用途使用者裝備係一航空使用者裝備，並且該一或多個特定用途特徵係該網路之航空特徵。
如請求項1之設備，其中該特定用途網路信令值係選自於包括該特定用途網路信令值之該網路信令值清單。
如請求項3之設備，其中該設備支援該等網路信令值之一子集，並且該特定用途網路信令值係選自於包括該特定用途網路信令值之該等網路信令值之該子集。
如請求項4之設備，其中該特定用途網路信令值係透過該等網路信令值之該子集之至少一個其他網路信令值來選擇。
如請求項4之設備，其中該等網路信令值於該網路信令值清單中具有一順序，該等網路信令值之該子集包括多個特定用途網路信令值，並且所選擇之該特定用途網路信令值係該多個特定用途網路信令值在該順序中之一第一者。
如請求項1之設備，其中該處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼，以致使該設備進一步獨立於該網路信令值清單接收一或多個特定用途網路信令值，以及<br/> 其中該特定用途網路信令值係選自於該一或多個特定用途網路信令值。
如請求項1之設備，其中該處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼，以致使該設備進一步確定該設備之一目前時間、一海拔或一位置中之至少一者，以及<br/> 其中該特定用途網路信令值係基於該設備之該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者來選擇，該特定用途網路信令值與由該特定用途使用者裝備在該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者進行射頻傳輸之該發射要求相關聯。
如請求項1之設備，其中該處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼，以致使該設備進一步至少進行下列動作：<br/> 隨著套用該發射要求，確定該設備之一目前時間、一海拔或一位置中之至少一者；<br/> 基於該設備之該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者，選擇一第二特定用途網路信令值，該第二特定用途網路信令值與由該特定用途使用者裝備在該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者進行射頻傳輸之一第二發射要求相關聯；以及<br/> 套用由該設備進行射頻傳輸之該第二發射要求。
一種用於通訊之方法，其包含：<br/> 在可於服務複數個使用者裝備(UE)之一網路中操作之一使用者裝備處接收系統資訊，該使用者裝備係實施成支援該網路之一或多個特定用途特徵之一特定用途者，該系統資訊包括與由該複數個使用者裝備進行射頻(RF)傳輸之各別發射要求相關聯之一網路信令(NS)值清單；<br/> 從該網路信令值清單選擇一網路信令值，該網路信令值與該等各別發射要求中之一者相關聯；<br/> 套用由該特定用途使用者裝備進行射頻傳輸與該網路信令值相關聯之該等各別發射要求中之一者；<br/> 在該特定用途使用者裝備處選擇一特定用途網路信令值，該特定用途網路信令值與由該特定用途使用者裝備進行射頻傳輸之一發射要求相關聯；<br/> 隨著套用該等各別發射要求中之該一者，建立該特定用途使用者裝備對該網路之該一或多個特定用途特徵的接取，以及<br/> 其中該特定用途網路信令值係基於該特定用途使用者裝備之該接取來選擇；以及<br/> 套用由該特定用途使用者裝備進行射頻傳輸之該發射要求。
如請求項10之方法，其中該特定用途使用者裝備係一航空使用者裝備，並且該一或多個特定用途特徵係該網路之航空特徵。
如請求項10之方法，其中該特定用途網路信令值係選自於包括該特定用途網路信令值之該網路信令值清單。
如請求項12之方法，其中該特定用途使用者裝備支援該等網路信令值之一子集，並且該特定用途網路信令值係選自於包括該特定用途網路信令值之該等網路信令值之該子集。
如請求項13之方法，其中該特定用途網路信令值係透過該等網路信令值之該子集之至少一個其他網路信令值來選擇。
如請求項13之方法，其中該等網路信令值於該網路信令值清單中具有一順序，該等網路信令值之該子集包括多個特定用途網路信令值，並且所選擇之該特定用途網路信令值係該多個特定用途網路信令值在該順序中之一第一者。
如請求項10之方法，其中該方法更包含獨立於該網路信令值清單在該特定用途使用者裝備處接收一或多個特定用途網路信令值，以及<br/> 其中該特定用途網路信令值係選自於該一或多個特定用途網路信令值。
如請求項10之方法，其中該方法更包含確定該特定用途使用者裝備之一目前時間、一海拔或一位置中之至少一者，以及<br/> 其中該特定用途網路信令值係基於該特定用途使用者裝備之該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者來選擇，該特定用途網路信令值與由該特定用途使用者裝備在該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者進行射頻傳輸之該發射要求相關聯。
如請求項10之方法，其中該方法更包含：<br/> 隨著套用該發射要求，確定該特定用途使用者裝備之一目前時間、一海拔或一位置中之至少一者；<br/> 基於該特定用途使用者裝備之該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者，在該特定用途使用者裝備處選擇一第二特定用途網路信令值，該第二特定用途網路信令值與由該特定用途使用者裝備在該目前時間、該海拔或該位置中之該至少一者進行射頻傳輸之一第二發射要求相關聯；以及<br/> 套用由該特定用途使用者裝備進行射頻傳輸之該第二發射要求。
一種具有立體對位圖案的半導體元件，包含：<br/> 一半導體基材，包括至少一線路圖案單元；及<br/> 至少一立體對位圖案，對應至少一該線路圖案單元，自該半導體基材的表面沿至少一該線路圖案單元的其中至少一外側延伸並向下形成於該半導體基材內，具有沿該半導體基材表面延伸的方向週期性排列的一凹凸對位結構，該凹凸對位結構具有多個朝向相鄰的該半導體基材的邊緣凸伸的凸部。
如請求項1所述具有立體對位圖案的半導體元件，其中，該至少一立體對位圖案與相鄰的該半導體基材的邊緣的距離不大於60μm。
如請求項1或2所述具有立體對位圖案的半導體元件，其中，該凹凸對位結構形成於該至少一立體對位圖案面向該半導體基材邊緣的一側，且該至少一立體對位圖案面向該線路圖案單元的一側為平面，該等凸部為三角形、方形、梯形或弧形。
如請求項3所述具有立體對位圖案的半導體元件，其中，該等凸部為梯形且彼此以一平面間隔，任一該凸部的斜邊與相鄰接的平面的夾角為一鈍角。
如請求項1所述具有立體對位圖案的半導體元件，其中，該半導體基材包含多個成陣列間隔排列的該線路圖案單元，且該半導體元件包含多個對應該等線路圖案單元的該立體對位圖案，且每一該立體對位圖案形成於相應的該線路圖案單元的其中至少一外側邊。
如請求項1或5所述具有立體對位圖案的半導體元件，其中，該立體對位圖案環圍相應的該線路圖案單元。
如請求項5所述具有立體對位圖案的半導體元件，其中，定義多條用於分割該等線路圖案單元的切割道，每一該立體對位圖案位於相應的該線路圖案單元與相應該等切割道之間，且該立體對位圖案與相應的該切割道的距離不大於60μm。
一種半導體製程的檢測方法，用於檢測貼合後的兩個半導體元件的對位誤差，該兩個半導體元件於相應的至少一側邊分別具有如請求項1所述的立體對位圖案，該檢測方法包含：<br/> 一檢測訊號取得步驟，自貼合後的該兩個半導體元件彼此相應且鄰近該等立體對位圖案的至少一側邊，分別取得位於該兩個半導體元件的該等立體對位圖案的檢測訊號；及<br/> 一對位誤差取得步驟，將自該兩個半導體元件取得的該等測訊號進行比對，以取得該兩個半導體元件的一對位檢測結果。
如請求項8所述的半導體製程的檢測方法，其中，該檢測訊號為該等立體對位圖案的影像、尺寸，或是座標，該對位檢測結果是對應該檢測訊號的疊對誤差、尺寸中心差值，或是座標差值。
如請求項8所述的半導體製程的檢測方法，其中，該兩個半導體元件的該立體對位圖案單元的節距可為相同或不同。
如請求項8所述的半導體製程的檢測方法，還包含一回饋步驟，將該對位檢測結果回饋至下一批次的一貼合製程，據以進行對位參數調整。
一種半導體元件的檢測方法，用於檢測待貼合的兩個半導體元件的對位誤差，該兩個半導體元件於相應的至少一側邊分別具有如請求項1所述的立體對位圖案，該貼合對位方法包含：<br/> 一準備步驟，將待貼合的該兩個半導體元件以貼合面彼此靠近；<br/> 一檢測訊號取得步驟，自該兩個半導體元件相應的同一側邊分別取得該兩個半導體元件的立體對位圖案的檢測訊號；<br/> 一對位誤差取得步驟，將該兩個檢測訊號進行對位比對，以取得該兩個半導體元件的一對位檢測結果；<br/> 一調整步驟，依據該對位檢測結果調整該兩個半導體元件的對位位置；及<br/> 一貼合步驟，將經過該調整步驟的該兩個半導體元件彼此貼合。
如請求項12所述的半導體元件的檢測方法，其中，該調整步驟是將對位檢測結果與一製程容許值進行比對，當該對位檢測結果超出該製程容許值，則調整其中一該半導體元件的對位位置。
一種半導體元件的對位訊號取得方法，用於提供一半導體元件與一異層元件的對位依據，該半導體元件具有一半導體基材，一形成於該半導體基材並具有如請求項1所述的立體對位圖案，及與該立體對位圖案具有預定對位關係的一線路圖案，該異層元件位於該半導體元件的上方或下方，並具有一異層對位圖案，該對位訊號取得方法包含：<br/> 一檢測訊號取得步驟，自該半導體元件相應該立體對位圖案的其中至少一側邊取得該立體對位圖案的一側向檢測訊號，及取得該異層對位圖案的異層檢測訊號；<br/> 一比對計算步驟，將該側向檢測訊號及該異層檢測訊號進行比對運算，以取得該立體對位圖案與該異層對位圖案的對位誤差；及<br/> 一回饋步驟，依據該對位誤差進行對位參數調整，以回饋至下一次製程。
一種波束處理方法，該方法應用於網路控制的中繼器NCR，該NCR分別與基地台和終端通信連接，且該NCR與該基地台之間的鏈路包括控制鏈路，該NCR與該終端之間的鏈路包括接取鏈路，該方法包括： <br/>當該控制鏈路發生波束失敗後，通過預定義方式或者接收包含高層參數的配置資訊，確定在該控制鏈路的波束恢復後，是否需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊； <br/>若不需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的波束指示資訊為在該控制鏈路發生波束失敗之前所述接取鏈路的波束指示資訊；或， <br/>若需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的波束指示資訊為波束恢復後在該控制鏈路上接收到的接取鏈路的波束指示資訊。
如請求項1所述的波束處理方法，其中，該預定義方式或者配置資訊是從基地台獲取的，該通過預定義方式或者接收包含高層參數的配置資訊，確定在該控制鏈路的波束恢復後，是否需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，包括： <br/>通過預定義方式或者接收包含高層參數的配置資訊，確定在該控制鏈路的波束恢復後，任意該接取鏈路的波束指示資訊均需要重新配置或均不需要重新配置；或者， <br/>根據該預定義方式或者接收包含高層參數的配置資訊，確定在該控制鏈路的波束恢復後，是否需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊；其中，該預定義方式或者配置資訊包含以下至少一項：在該控制鏈路的波束恢復後是否需要重新配置的接取鏈路的波束指示資訊的類型、接取鏈路的波束指示資訊的配置方式、接取鏈路的波束指示資訊的優先順序。
如請求項2所述的波束處理方法，其中，該接取鏈路的波束指示資訊的類型包括週期性和半持續性，該方法還包括： <br/>若該接取鏈路的波束指示資訊為週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊，且在確定該接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊不需要重新配置時，確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊的生效時刻； <br/>指示實體層在該生效時刻之後開始轉發該接取鏈路上的資料。
如請求項3所述的波束處理方法，其中，該確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊的生效時刻，包括下述任一項： <br/>根據控制鏈路的波束恢復後的時槽索引之後的第一個時槽，確定該生效時刻； <br/>根據控制鏈路的波束恢復後的時槽索引之後，接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊的第一個完整的配置週期的起始時槽，確定該生效時刻； <br/>根據控制鏈路的波束恢復後的時槽索引之後不超過一個固定時長，確定該生效時刻。
如請求項2所述的波束處理方法，其中，該接取鏈路的波束指示資訊的類型包括非週期性，該方法還包括： <br/>若該接取鏈路的波束指示資訊為非週期性波束指示資訊，且在確定該接取鏈路的非週期性波束指示資訊不需要重新配置時，確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊是否生效。
如請求項5所述的波束處理方法，其中，該確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊是否生效，包括： <br/>若該接取鏈路的非週期性波束指示資訊中被配置的時域資源的時槽索引小於或等於控制鏈路的波束恢復後的時槽索引，則確定在該控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊不再生效，並刪除在控制鏈路的波束恢復後該接取鏈路的非週期性波束指示資訊；或， <br/>若該接取鏈路的非週期性波束指示資訊中被配置的時域資源的時槽索引大於控制鏈路的波束恢復後的時槽索引，則確定在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊生效，或，確定在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊在確定的生效時刻生效。
如請求項1所述的波束處理方法，其中，該方法還包括： <br/>若不需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則保留在控制鏈路發生波束失敗之前所述接取鏈路的波束指示資訊；或， <br/>若需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則清除在控制鏈路發生波束失敗之前所述接取鏈路的波束指示資訊。
一種波束處理方法，其中，該方法應用於基地台，該基地台與網路控制的中繼器NCR通信連接，該NCR與終端通信連接，且該NCR與該基地台之間的鏈路包括控制鏈路控制鏈路，該NCR與該終端之間的鏈路包括接取鏈路接取鏈路，該方法包括： <br/>向該NCR發送配置資訊，該配置資訊為預定義的配置資訊或高層參數；該配置資訊用於指示該NCR在控制鏈路的波束恢復後，是否需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊； <br/>其中，若該配置資訊用於指示不需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則該配置資訊配置該NCR在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的波束指示資訊為在控制鏈路發生波束失敗之前所述接取鏈路的波束指示資訊；或， <br/>若該配置資訊用於指示需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則當該控制鏈路發生波束失敗後，執行控制鏈路的波束恢復，並通過該配置資訊配置該NCR在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的波束指示資訊為波束恢復後在控制鏈路上發送的接取鏈路的波束指示資訊。
如請求項8所述的波束處理方法，其中，該配置資訊用於指示該NCR在控制鏈路的波束恢復後，是否需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，包括： <br/>該配置資訊用於指示在控制鏈路的波束恢復後，任意該接取鏈路的波束指示資訊均需要重新配置或均不需要重新配置；或者， <br/>該配置資訊用於指示下述至少一項：在控制鏈路的波束恢復後是否需要重新配置的接取鏈路的波束指示資訊的類型、接取鏈路的波束指示資訊的配置方式、接取鏈路的波束指示資訊的優先順序。
如請求項9所述的波束處理方法，其中，該接取鏈路的波束指示資訊的類型包括週期性和半持續性，該方法還包括： <br/>若該接取鏈路的波束指示資訊為週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊，且在確定該接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊不需要重新配置時，確定該配置資訊用於指示在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊的生效時刻； <br/>其中，該配置資訊還用於指示實體層在該生效時刻之後開始轉發該接取鏈路上的資料。
如請求項10所述的波束處理方法，其中，該生效時刻的確定方式包括下述任一項： <br/>根據控制鏈路的波束恢復後的時槽索引之後的第一個時槽，確定該生效時刻； <br/>根據控制鏈路的波束恢復後的時槽索引之後，接取鏈路的週期性波束指示資訊或半持續性波束指示資訊的第一個完整的配置週期的起始時槽，確定該生效時刻； <br/>根據控制鏈路的波束恢復後的時槽索引之後不超過一個固定時長，確定該生效時刻。
如請求項9所述的波束處理方法，其中，該接取鏈路的波束指示資訊的類型包括非週期性，該方法還包括： <br/>若該接取鏈路的波束指示資訊為非週期性波束指示資訊，且在確定該接取鏈路的非週期性波束指示資訊不需要重新配置時，確定該配置資訊用於指示在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊是否生效。
如請求項12所述的波束處理方法，其中，該確定該配置資訊用於指示在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊是否生效，包括： <br/>若該接取鏈路的非週期性波束指示資訊中被配置的時域資源的時槽索引小於或等於控制鏈路的波束恢復後的時槽索引，則確定該配置資訊用於指示在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊不再生效，並刪除在控制鏈路的波束恢復後該接取鏈路的非週期性波束指示資訊；或， <br/>若該接取鏈路的非週期性波束指示資訊中被配置的時域資源的時槽索引大於控制鏈路的波束恢復後的時槽索引，則確定該配置資訊用於指示在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊生效，或用於指示在控制鏈路的波束恢復後，該接取鏈路的非週期性波束指示資訊在確定的生效時刻生效。
如請求項8所述的波束處理方法，其中，該方法還包括： <br/>若不需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則保留在控制鏈路發生波束失敗之前所述接取鏈路的波束指示資訊；或， <br/>若需要重新配置該接取鏈路的波束指示資訊，則清除在控制鏈路發生波束失敗之前所述接取鏈路的波束指示資訊。
一種波束處理裝置，該裝置應用於網路控制的中繼器NCR，該NCR分別與基地台和終端通信連接，且該NCR與該基地台之間的鏈路包括控制鏈路控制鏈路，該NCR與該終端之間的鏈路包括接取鏈路接取鏈路，該裝置包括記憶體，收發機，處理器： <br/>記憶體，用於存儲電腦程式； <br/>收發機，用於在該處理器的控制下收發資料； <br/>處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行請求項1至7中任一項所述的波束處理方法。
一種波束處理裝置，該裝置應用於基地台，該基地台與網路控制的中繼器NCR通信連接，該NCR與終端通信連接，且該NCR與該基地台之間的鏈路包括控制鏈路控制鏈路，該NCR與該終端之間的鏈路包括接取鏈路接取鏈路，該裝置包括：記憶體，收發機，處理器： <br/>記憶體，用於存儲電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發資料；處理器，用於讀取該記憶體中的電腦程式並執行請求項8至14中任一項所述的波束處理方法。
一種處理器可讀存儲介質，該處理器可讀存儲介質存儲有電腦程式，該電腦程式用於使該處理器執行請求項1至14中任一項所述的波束處理方法。
一種晶圓傳輸裝置，供承載一晶圓，包含 <br/>一本體，具有相連接之一柄部及一承載部，該承載部供承載該晶圓； <br/>一殼體，具有一容置空間，該柄部設置於該容置空間中，該殼體供連接外部機具；以及 <br/>一位移感測器，設置於該殼體中，該位移感測器用以感測該承載部所承載之該晶圓之位移； <br/>其中該殼體包含一上殼體及一下殼體，該上殼體及該下殼體以可拆離的方式結合並共同圍設形成該容置空間，該本體之該柄部設置於該容置空間中； <br/>其中該上殼體或該下殼體中之一者具有一連接部供連接外部機具。
如請求項1所述之晶圓傳輸裝置，包含一電路板組件組件，其中該上殼體或該下殼體中之另一者於面對該容置空間之一側具有一安裝部，供容置該電路板組件，該電路板組件與該位移感測器電性連接。
一種晶圓傳輸裝置，供承載一晶圓，包含 <br/>一本體，具有相連接之一柄部及一承載部，該承載部供承載該晶圓； <br/>一殼體，具有一容置空間，該柄部設置於該容置空間中，該殼體供連接外部機具；以及 <br/>一位移感測器，設置於該殼體中，該位移感測器用以感測該承載部所承載之該晶圓之位移； <br/>其中該殼體以包含碳纖維之材料製成。
一種晶圓傳輸裝置，供承載一晶圓，包含 <br/>一本體，具有相連接之一柄部及一承載部，該承載部供承載該晶圓； <br/>一殼體，具有一容置空間，該柄部設置於該容置空間中，該殼體供連接外部機具；以及 <br/>一位移感測器，設置於該殼體中，該位移感測器用以感測該承載部所承載之該晶圓之位移； <br/>其中該殼體面向該本體之該承載部之一側具有二探測孔，該二探測孔連通該外部空間及該容置空間，該位移感測器具有二探測頭分別對應設置於鄰近該二探測孔的位置，該二探測頭分別具有一訊號輸出軸，該二探測頭之該訊號輸出軸對應通過該二探測孔。
如請求項4所述之晶圓傳輸裝置，其中該二探測頭之該訊號輸出軸之夾角介於40~45度。
如請求項4所述之晶圓傳輸裝置，其中該本體具有二導槽，各該導槽是自該本體之表面內凹形成，該二探測頭之該訊號輸出軸對應通過該二導槽。
如請求項6所述之晶圓傳輸裝置，其中該二導槽為半弧狀導槽。
如請求項1、請求項5或請求項6中之任一者所述之晶圓傳輸裝置，包含一電路板組件設置於該殼體之該容置空間中，該電路板組件與該位移感測器電性連接。
一種石墨烯鋁鑄件的製作方法，包含步驟：<br/> a) 將一第一乙烯-醋酸乙烯共聚物（Ethylene Vinyl Acetate，EVA）膜加熱軟化後，放在一第一模具的表面，該第一模具置於一抽氣箱上，該抽氣箱施加負壓力於該第一EVA膜與該第一模具間以使該第一EVA膜緊貼在該抽氣箱的上表面，在該第一模具上方的該第一EVA膜表面均勻撒上石墨烯粉；<br/> b) 將一第一砂箱放置於該第一EVA膜上並與該抽氣箱的上平面透過該第一EVA膜密封，在該第一砂箱中盛入乾砂並進行震動，以增加乾砂密度並填充至該第一砂箱中所有部分；<br/> c) 將乾砂表面刮平並放置一澆口杯後，把加熱軟化的一第二EVA膜平舖於其上並覆蓋該第一砂箱，透過該第一砂箱施加負壓力於該第一EVA膜、該第二EVA膜與該第一砂箱間以硬化乾砂，接著解除該抽氣箱施加的負壓力以分離該第一EVA膜與該第一模具，從而形成一上型箱；<br/> d) 使用一第三EVA膜、一第四EVA膜、一第二模具與一第二砂箱分別取代該第一EVA膜、該第二EVA膜、該第一模具與該第一砂箱，並取消使用該澆口杯來重複步驟a)至步驟c)，以形成一下型箱；<br/> e) 將該上型箱與該下型箱合箱，於其接合介面形成一鑄件空間及一澆道，並於該澆口杯上方部分的該第二EVA膜撒上石墨烯粉；<br/> f) 於熔煉鋁液中加入石墨烯粉混合後，倒向該澆口杯上方部分的該第二EVA膜，混合後的該熔煉鋁液在氣化該澆口杯上方部分的該第二EVA膜後，經過該澆道以填滿該鑄件空間；及<br/> g) 將熔煉鋁液冷卻至固態，解除向二個砂箱施加的負壓力，取出該鑄件空間中的一石墨烯鋁鑄件。
如請求項1所述的石墨烯鋁鑄件的製作方法，其中負壓力介於200mmHg到400mmHg之間。
如請求項1所述的石墨烯鋁鑄件的製作方法，其中乾砂的粒徑介於0.15mm到0.075mm之間。
如請求項1所述的石墨烯鋁鑄件的製作方法，其中該熔煉鋁液的溫度在750℃到790℃之間。
如請求項1所述的石墨烯鋁鑄件的製作方法，其中該第一砂箱與該第二砂箱都包含：<br/> 一方型空心框，內側開設一環型開槽，外側設置至少一連通管；以及<br/> 四過濾條，每一過濾條分別固定於該環型開槽的一直線區段上，包含：<br/> 二長條形金屬板，對應開設多個通氣孔；及<br/> 一長條形金屬過濾網，固定於該二長條形金屬板間，可供空氣流通但攔阻乾砂穿越。
如請求項5所述的石墨烯鋁鑄件的製作方法，其中該長條形金屬過濾網為錫磷網。
如請求項1所述的石墨烯鋁鑄件的製作方法，其中該第一模具與該第二模具都開設多個抽氣孔，從而該抽氣箱可透過該些抽氣孔施加負壓力。
一種多載具空間平衡覆蓋系統，其包含：一第一移動載具，其搭載一第一感知單元以感知一第一環境資訊；一第二移動載具，其搭載一第二感知單元以感知一第二環境資訊；以及一運算單元，其經配置以：接收該第一環境資訊與該第二環境資訊並輸入一平衡覆蓋函數且據此計算一第一前進關注點與一第二前進關注點，以即時指揮該第一移動載具從一第一初始關注點移動至該第一前進關注點以及該第二移動載具從一第二初始關注點移動至該第二前進關注點；將該第一初始關注點與該第二初始關注點輸入該平衡覆蓋函數並據此計算該平衡覆蓋函數之一最大值；獲取該最大值所對應的一總路徑集合，該總路徑集合包含複數連通分量，該等連通分量包含一第一連通分量以及一第二連通分量；計算該等連通分量之數量是否大於等於一載具數量門檻；以及當該等連通分量之數量大於等於該載具數量門檻時，根據該第一連通分量與該第二連通分量分別產生包含該第一初始關注點與該第一前進關注點之一第一移動路徑與包含該第二初始關注點與該第二前進關注點之一第二移動路徑。
如請求項1所述之多載具空間平衡覆蓋系統，其中該第一感知單元與該第二感知單元係選自一影像感應器、一壓電晶體化學感應器、一表面聲波感應器、一光學化學感應器、一電化學感應器、一半導體化學感應器、一表面等離子體共振化學感應器、一生物感應器、一熱化學感應器、一磁化學感應器、一場化學感應器、一有毒氣體場化學感應器、一化學感應器、一微機電感應器、一奈米晶體化學感應器、一電磁波感應器、一機械波感應器、一熱感應器、一力感應器、一攝像機及其組合其中之一。
如請求項1所述之多載具空間平衡覆蓋系統，其中該運算單元還包括一即時調整模組，經配置以根據該第一環境資訊與該第二環境資訊的變化，動態調整該第一前進關注點與該第二前進關注點。
如請求項1所述之多載具空間平衡覆蓋系統，其中該運算單元係設置於該第一移動載具、該第二移動載具、一遠端伺服器以及一遠端計算裝置其中之一。
一種多載具空間平衡覆蓋方法，其包含：透過配置在一第一移動載具上的一第一感知單元感知一第一環境資訊；透過配置在一第二移動載具上的一第二感知單元感知一第二環境資訊；透過一運算單元接收該第一環境資訊與該第二環境資訊並輸入一平衡覆蓋函數以據此計算一第一前進關注點與一第二前進關注點；以及驅動該第一移動載具從一第一初始關注點移動至該第一前進關注點以及該第二移動載具從一第二初始關注點移動至該第二前進關注點，其中該多載具空間平衡覆蓋方法還包含：將該第一初始關注點與該第二初始關注點輸入該平衡覆蓋函數並據此計算該平衡覆蓋函數之一最大值；獲取該最大值所對應的一總路徑集合，該總路徑集合包含複數連通分量，該等連通分量包含一第一連通分量以及一第二連通分量；計算該等連通分量之數量是否大於等於一載具數量門檻；以及當該等連通分量之數量大於等於該載具數量門檻時，根據該第一連通分量與該第二連通分量分別產生包含該第一初始關注點與該第一前進關注點之一第一移動路徑與包含該第二初始關注點與該第二前進關注點之一第二移動路徑。
如請求項5所述之多載具空間平衡覆蓋方法，還包含：在一多維空間中給定複數關注點，其中該等關注點包含該第一初始關注點、該第二初始關注點、該第一前進關注點以及該第二前進關注點；在該多維空間中部署該第一移動載具與該第二移動載具；以及為該第一移動載具與該第二移動載具分別指定該第一初始關注點與該第二初始關注點。
如請求項6所述之多載具空間平衡覆蓋方法，還包含：根據關於該多維空間之一多維空間資訊建立包含每一該等關注點的一空間覆蓋率的一空間覆蓋率函數；根據一平衡負載條件建立一平衡負載函數；建立包含該空間覆蓋率函數與該平衡負載函數之該平衡覆蓋函數；以及使該平衡覆蓋函數受限於一第一限制條件與一第二限制條件。
如請求項7所述之多載具空間平衡覆蓋方法，還包含：當該等連通分量之數量大於等於該載具數量門檻時，根據該第一連通分量與該第二連通分量分別產生一第一生成樹與一第二生成樹；當該等連通分量之數量小於該載具數量門檻時，重新計算該平衡覆蓋函數以獲得新的該總路徑集合；根據該第一生成樹與該第二生成樹分別產生該第一移動路徑與該第二移動路徑；以及計算該第一移動路徑與該第二移動路徑是否小於等於一工作負載門檻。
如請求項8所述之多載具空間平衡覆蓋方法，還包含：當該第一移動路徑與該第二移動路徑小於等於該工作負載門檻時，規劃該第一移動載具與該第二移動載具在該多維空間中分別依照該第一移動路徑與該第二移動路徑進行移動；以及當該第一移動路徑與該第二移動路徑大於該工作負載門檻時，重新計算該平衡覆蓋函數以獲得新的該總路徑集合，其中該第一移動路徑包含該第一初始關注點與該第一前進關注點，該第二移動路徑包含該第二初始關注點與該第二前進關注點，其中該第一移動路徑與該第二移動路徑彼此不相交。
一種資料處理方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>產生與電子商務服務相關之度量資料； <br/>設定上述度量資料之優先級； <br/>將上述度量資料儲存為與上述優先級對應之主題；及 <br/>基於消費上述度量資料之消費者之下游處理量向上述消費者發佈上述主題，其中 <br/>上述消費者之上述下游處理量指上述消費者自上述主題接收上述度量資料並處理上述度量資料之速度或量。
如請求項1之資料處理方法，其中設定上述優先級之步驟係基於上述度量資料之種類、發佈方式及對應之源資料之種類中之至少一部分來設定上述度量資料之優先級。
如請求項1之資料處理方法，其中上述優先級包括第1優先級、優先度低於上述第1優先級之第2優先級、及優先度低於上述第2優先級之第3優先級；且 <br/>設定上述優先級之步驟係於上述度量資料在線上發佈且包括實時資訊之情形時，將上述度量資料設定為第1優先級；且 <br/>於上述度量資料在線上發佈但不包括實時資訊，或在線下發佈之情形時，將上述度量資料設定為上述第2優先級；且 <br/>於上述度量資料為要求回填之資料之情形時，將上述度量資料設定為上述第3優先級。
如請求項1之資料處理方法，其中發佈上述主題之步驟包括如下步驟： <br/>設定上述主題之最大發佈量。
如請求項4之資料處理方法，其中上述主題之最大發佈量係基於上述主題之優先級及上述消費者之最大下游處理量而設定。
如請求項1之資料處理方法，其中發佈上述主題之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述下游處理量，調整上述主題之發佈率。
如請求項6之資料處理方法，其中調整上述發佈率之步驟包括如下步驟： <br/>於上述下游處理量超過臨界量之情形時，降低發佈率超過0之主題中優先級最低之主題的發佈率；及 <br/>提高發佈量超過0之主題中除了上述優先級最低之主題以外之主題的發佈率。
如請求項6之資料處理方法，其中上述主題根據上述優先級而包括第1主題、第2主題及第3主題；且 <br/>調整上述發佈率之步驟包括如下步驟： <br/>於上述下游處理量超過第1臨界值之情形時，限制上述第3主題之發佈，並提高上述第1主題及上述第2主題之發佈率； <br/>於上述下游處理量超過第2臨界值之情形時，限制上述第2主題之發佈，並提高上述第1主題之發佈率；且 <br/>上述第2臨界值被設定為大於上述第1臨界值。
如請求項8之資料處理方法，其中上述第1臨界量及上述第2臨界量係基於上述消費者之最大下游處理量而設定。
如請求項6之資料處理方法，其中發佈上述主題之步驟進而包括如下步驟： <br/>調節上述各優先級度量資料之產生量，以對應於上述主題之發佈率。
如請求項1之資料處理方法，其中產生上述度量資料之步驟包括如下步驟： <br/>於上述度量資料在線上發佈之情形時， <br/>基於自源資料收集可處理資料之收集流程、處理上述所收集之資料中需要聚合之資料之聚合流程、及處理上述所收集之資料中無需聚合之資料之非聚合流程中的至少一者，自上述源資料產生上述度量資料； <br/>對上述度量資料應用基於上述優先級之緩衝區；及 <br/>經過與上述所應用之緩衝區對應之時間後，發佈上述度量資料。
如請求項11之資料處理方法，其中應用上述緩衝區之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述下游處理量及上述主題之發佈量中之至少一部分，變更基於上述優先級而應用之緩衝區。
如請求項12之資料處理方法，其中上述緩衝區包括高優先級緩衝區及低優先級緩衝區；且 <br/>變更上述緩衝區之步驟包括如下步驟： <br/>於上述下游處理量超過第3臨界值之情形時，將應用上述高優先級緩衝區之度量資料中之至少一部分所應用之緩衝區變更為上述低優先級緩衝區。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊電路； <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有一個以上之指令；及 <br/>處理器，其與上述通訊電路及上述記憶體可操作地連接；且 <br/>於執行上述一個以上之指令時，上述處理器進行如下動作： <br/>產生與電子商務服務相關之度量資料； <br/>設定上述度量資料之優先級； <br/>將上述度量資料儲存為與上述優先級對應之主題；及 <br/>基於消費上述度量資料之消費者之下游處理量，向上述消費者發佈上述主題，其中 <br/>上述消費者之上述下游處理量指上述消費者自上述主題接收上述度量資料並處理上述度量資料之速度或量。
一種砂輪機之連接鎖固裝置，係配置於一砂輪機之一動力端及一砂輪片之間；該連接鎖固裝置包含有：<br/> 一基座，具有一第一殼體及一第二殼體；該第一殼體具有一第一凹槽及設於該第一凹槽中之複數個第一棘齒；該第二殼體容置於該第一殼體之該第一凹槽中，具有一第二凹槽及設於該第二凹槽中對應於該等第一棘齒之複數個第二棘齒；以及<br/> 一墊片，設於該基座與該砂輪片之間，在常態下兩側分別連接於該基座之該第二殼體及該砂輪片；<br/> 其中，當該砂輪片沿一第一旋轉方向轉動時，該第二殼體之該等第二棘齒抵靠於該第一殼體之該等第一棘齒，使該第二殼體無法相對該第一殼體轉動；當該砂輪片沿一第二旋轉方向轉動時，該第二殼體之該等第二棘齒相對該第一殼體之該等第一棘齒滑動，使該第二殼體沿朝向該第一殼體的方向移動。
如請求項1所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該第一殼體之該第一凹槽中央具有一固定部，呈中空筒狀，內部設有複數個內螺紋；該等第一棘齒環繞排列於該固定部周圍；該第二殼體之該第二凹槽中央具有一通孔，對應於該固定部；該等第二棘齒環繞排列於該通孔周圍。
如請求項1所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中每一該第一棘齒具有一第一斜面及一第一限位面，該第一斜面由一端朝另一端斜向延伸，該第一限位面連接於該第一斜面並垂直於該第一凹槽之底面；每一該第二棘齒具有一第二斜面及一第二限位面，該第二斜面由一端朝另一端斜向延伸，該第二限位面連接於該第二斜面並垂直於該第二凹槽之底面；當該砂輪片沿該第一旋轉方向轉動時，該等第二棘齒之該等第二限位面抵靠於該等第一棘齒之該等第一限位面；當該砂輪片沿該第二旋轉方向轉動時，該等第二棘齒之該等第二斜面相對該等第一棘齒之該等第一斜面滑動。
如請求項3所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該第一殼體在該等第一棘齒之間形成有一第一平面；該第二殼體之每一該第二棘齒具有一第二平面，連接於該第二限位面相對該第二斜面之一端並平行於該第一平面。
如請求項1所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該基座更包含有一彈性件，設於該第一殼體與該第二殼體之間，用以產生一彈力使該第二殼體產生朝該第一旋轉方向轉動的趨勢。
如請求項4所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中每一該第一棘齒具有一第一彈性面，連接於該第一斜面相對該第一限位面之一端並垂直於該第一凹槽之底面；每一該第二棘齒具有一第二彈性面，連接於該第二平面相對該第二限位面之一端並垂直於該第二凹槽之底面；更包含有一彈性件，設於該第一殼體與該第二殼體之間，具有複數個向內延伸的凸肋；每一該凸肋之兩端分別抵靠於相鄰之該第一棘齒之一第一彈性面與該第二棘齒之一第二彈性面。
如請求項6所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該第一限位面之厚度小於該第一彈性面之厚度；該第二限位面之厚度小於該第二彈性面之厚度。
如請求項1所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該基座更包含有一固定件，以可拆離的方式設於該第二殼體上方並抵靠於該第一殼體之內壁面，用以固定該第二殼體於該第一殼體。
如請求項1所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該墊片具有一墊片本體、一第一接合部及一第二接合部；該第一接合部與該第二接合部設於該墊片本體之相對二側朝遠離彼此的方向向外凸設。
如請求項9所述之砂輪機之連接鎖固裝置，其中該第一接合部與該第二接合部為二圓形凸柱，且該第一接合部與該第二接合部之其中一者之外徑大於另一者之外徑。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一閘極結構，位於該基板上；<br/> 一阱區，位於該基板內，其中該阱區與該閘極結構在一垂直方向上至少部分重疊；<br/> 一第一基極區，位於該基板內且位於該阱區的一側，其中該第一基極區與該閘極結構在該垂直方向上不重疊；以及<br/> 一第二基極區，位於該基板內且位於該第一基極區遠離該閘極結構的一側，其中該第二基極區和該第一基極區具有相同摻雜劑，且該第二基極區與該閘極結構在該垂直方向上不重疊。
如請求項1所述之半導體裝置，更包含：<br/> 一源極，位於該阱區內，其中該源極與該第一基極區在該垂直方向上不重疊。
如請求項1所述之半導體裝置，更包含：<br/> 一源極墊，位於該第一基極區以及該第二基極區上。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該源極墊具有一凸起，該凸起覆蓋該第二基極區。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該源極墊與該第一基極區以及該第二基極區形成歐姆接觸。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第二基極區在水平方向上鄰近該第一基極區的一側。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該閘極結構包含：<br/> 一閘極導電層；<br/> 一閘極介電層，位於該閘極導電層以及該基板之間；以及<br/> 一層間介電質層，覆蓋該閘極導電層以及該閘極介電層。
如請求項7所述之半導體裝置，其中該閘極導電層的一側壁與該閘極介電層的一側壁在該垂直方向上重疊。
如請求項1所述之半導體裝置，更包含：<br/> 一接面場效電晶體區，位於該基板內以及該閘極結構下。
如請求項1所述之半導體裝置，更包含：<br/> 一漂移區，位於該基板內，其中該漂移區位於該閘極結構、該阱區、該第一基極區以及該第二基極區下。
一種半導體記憶裝置，其包含： 位元線； 第1積層體，其配置於前述位元線之上方，沿第1方向交替積層複數層第1絕緣層及複數層第1導電層，且包含：第1階梯區域，其在與前述第1方向交叉之第2方向之中央，將前述複數層第1導電層之端部沿前述第2方向設為階梯狀；及第1橋區域，其沿與前述第1方向及前述第2方向交叉之第3方向與前述第1階梯區域鄰接地設置，關於前述複數層第1導電層各者，夾著前述第1階梯區域將前述第2方向兩側之記憶胞區域彼此電性連接；及 第2積層體，其配置於前述第1積層體之上方，沿前述第1方向交替積層複數層第2絕緣層及複數層第2導電層，且包含：第2階梯區域，其於前述第2方向之中央，將前述複數層第2導電層之端部沿前述第2方向設為階梯狀；及第2橋區域，其沿前述第3方向與前述第2階梯區域鄰接地設置，關於前述複數層第2導電層各者，夾著前述第2階梯區域將前述第2方向兩側之記憶胞區域彼此電性連接；且 關於前述複數層第1導電層中之最下層之前述第1橋區域之前述第3方向之寬度，係較關於針對前述複數層第2導電層中之最下層之前述第2橋區域之前述第3方向之寬度大。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中相對於關於前述複數層第1導電層中之最下層之前述第1橋區域之前述第3方向之寬度100%，關於前述複數層第2導電層中之最下層之前述第2橋區域之前述第3方向之寬度為40%以上且80%以下之範圍。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進一步包含第3積層體，該第3積層體配置於前述第2積層體之上方，沿前述第1方向交替積層複數層第3絕緣層及複數層第3導電層，且包含：第3階梯區域，其於前述第2方向之中央，將前述複數層第3導電層之端部沿前述第2方向設為階梯狀；及第3橋區域，其於前述第3方向與前述第3階梯區域鄰接地設置，關於前述複數層第3導電層各者，夾著前述第3階梯區域將前述第2方向兩側之記憶胞區域彼此電性連接；且 關於前述複數層第3導電層中之最下層之前述第3橋區域之前述第3方向之寬度，係較關於前述複數層第2導電層中之最下層之前述第2橋區域之前述第3方向之寬度大。
如請求項3之半導體記憶裝置，其中相對於關於前述複數層第3導電層中之最下層之前述第3橋區域之前述第3方向之寬度100%，關於前述複數層第2導電層中之最下層之前述第2橋區域之前述第3方向之寬度為40%以上且80%以下之範圍。
如請求項3之半導體記憶裝置，其中關於前述複數層第1導電層中之最下層之前述第1橋區域之前述第3方向之寬度，係較關於前述複數層第3導電層中之最下層之前述第3橋區域之前述第3方向之寬度大。
如請求項5之半導體記憶裝置，其中相對於關於前述複數層第1導電層中之最下層之前述第1橋區域之前述第3方向之寬度100%，關於前述複數層第3導電層中之最下層之前述第3橋區域之前述第3方向之寬度為50%以上且未達100%之範圍。
一種半導體元件的製造方法，包括以下步驟： <br/>在基板上形成二維半導體層； <br/>在該二維半導體層上沉積保護層； <br/>圖案化該保護層與該二維半導體層； <br/>在部分該保護層與該基板之上形成第一電極與第二電極；以及 <br/>完全去除該保護層，以在該第一電極與該二維半導體層之間以及該第二電極與該二維半導體層之間形成凡德瓦接觸結構。
如請求項1所述的製造方法，其中形成該凡德瓦接觸結構的方法包括： <br/>使用等向或非等向性蝕刻法去除該保護層；以及 <br/>使得該第一電極與該第二電極塌陷至該二維半導體層上。
如請求項1所述的製造方法，其中圖案化該保護層與該二維半導體層的方法包括： <br/>利用微影製程，在該保護層上形成一圖案化光阻；以及 <br/>使用蝕刻去除未被該圖案化光阻遮蔽的該保護層與該二維半導體層。
如請求項1所述的製造方法，其中形成該第一電極與該第二電極的方法包括： <br/>在該保護層上沉積金屬薄膜；以及 <br/>利用乾式蝕刻或濕式蝕刻去除部分該金屬薄膜。
如請求項4所述的製造方法，其中該金屬薄膜包括使用化學或物理氣相沉積的單層或數層金屬薄膜。
如請求項1所述的製造方法，其中完全去除該保護層的方法包括等向或非等向性蝕刻。
如請求項1所述的製造方法，其中該保護層包括氧化物或氮化物介電材料。
如請求項1所述的製造方法，其中沉積該保護層的方式包括使用物理氣相沉積法或是化學氣相沉積法。
如請求項1所述的製造方法，其中該二維半導體層的材料包括二硫化鎢(WS <sub>2</sub>)、二硫化鉬(MoS <sub>2</sub>)、二硒化鎢(WSe <sub>2</sub>)、二銻化鉬(MoTe <sub>2</sub>)、二銻化鎢(WTe <sub>2</sub>)或二硒化鉬(MoSe <sub>2</sub>)層狀結構材料。
如請求項1所述的製造方法，其中在該基板上形成該二維半導體層的方法包括：物理氣相沉積、化學氣相沉積或轉移法。
一種植物蛋製造裝置，以將一植物蛋白原料、一溶劑、一添加劑及一酵素，經過多道處理程序後而製成一植物蛋，其包括： <br/>一桶槽，其內部具有一容置空間以放置該植物蛋白原料，另該桶槽設有一封蓋以供封閉蓋合於該桶槽上方之一開口，另該桶槽設有一夾層； <br/>一升降式乳化均質頭，設於該封蓋上，且該升降式乳化均質頭包含一升降模組、一第一旋轉動力源及一均質化攪拌頭，該升降模組設有一升降驅動軸，以將該第一旋轉動力源連接於該升降驅動軸底端，該第一旋轉動力源並與該均質化攪拌頭相連接，使用該均質化攪拌頭可旋轉攪拌該植物蛋白原料以進行均質化處理； <br/>一攪拌模組，包括一第二旋轉動力源及一攪拌葉片，該第二旋轉動力源設於該槽桶底部的外側，以及第二旋轉動力源具有一第二旋轉軸，該第二旋轉軸係穿過該桶槽後與該攪拌葉片相連接，使用該攪拌葉片可旋轉攪拌該植物蛋白原料以進行混合攪拌； <br/>一加熱模組，設於該夾層內，以對該桶槽內的各種原料進行加熱； <br/>一冷卻模組，設於該夾層內，以對該桶槽內的各種原料進行冷卻； <br/>一控溫單元，設於該桶槽一側且電性連接該加熱模組及該冷卻模組，控制該加熱模組及該冷卻模組的運作及溫度控管；及 <br/>一控制單元，電性連接該升降式乳化均質頭、該攪拌模組及該控溫單元，以控制上述該等單元的啟動順序及運轉時間，據以自動化完成處理程序而製得該植物蛋成品。
如請求項1所述之植物蛋製造裝置，其中，該植物蛋白原料係選自如：綠豆蛋白、豌豆蛋白、黃豆卵磷脂及其組合等其中之一者。
如請求項2所述之植物蛋製造裝置，其中，該溶劑包含水、油脂及微膠囊化溶液。
如請求項3所述之植物蛋製造裝置，其中，該添加劑包含綠豆粉、乳化劑、木薯粉、樹薯粉、多磷酸鹽、焦磷酸鹽及可食用色素等，以及該乳化劑包含脂肪酸甘油酯、脂肪酸蔗糖酯、卵磷脂、黃豆卵磷脂及其組合等其中之一者。
一種操作請求項1所述之植物蛋製造裝置的流程，其包括： <br/>提供請求項1所述之該植物蛋製造裝置、該植物蛋白原料、該溶劑、該添加劑及該酵素； <br/>將該植物蛋白原料及第一次添加之該溶劑一同置入該桶槽內，使用該升降式乳化均質頭旋轉攪拌該植物蛋白原料進行第一次均質化處理以形成一植物蛋白水溶液； <br/> 第一次添加該添加劑與該植物蛋白水溶液進行混合； <br/>第二次添加該溶劑與該植物蛋白水溶液進行第二次均質化處理並混合，經過1～3小時，並維持在介於2℃～7℃的冷藏溫度； <br/>添加用活性碳過濾，以去除該植物蛋白水溶液的異味，並持續維持冷藏溫度，靜置反應0.5～5小時； <br/>第二次添加該添加劑，並進行第三次均質化處理 0.5～1小時，並持續維持冷藏溫度，靜置反應0.5～3小時； <br/>添加該酵素以進行酵素反應，其反應溫度為50℃～70℃，反應時間為0.5～3小時；及 <br/>進行酵素失活，反應溫度為75℃～85 ℃ ，反應時間15～60分鐘。
如請求項5所述之植物蛋製造裝置的操作流程，其中，第一次添加之該溶劑為水。
如請求項5所述之植物蛋製造裝置的操作流程，其中，第二次添加之該溶劑為油脂形成包埋結蘭膠的微膠囊化溶液。
如請求項5所述之植物蛋製造裝置的操作流程，其中，第一次添加該添加劑為綠豆粉和乳化劑 ，以及該乳化劑包含脂肪酸甘油酯、脂肪酸蔗糖酯、卵磷脂、黃豆卵磷脂及其組合等其中之一者。
如請求項5所述之植物蛋製造裝置的操作流程，其中，第二次添加該添加劑為木薯粉、樹薯粉、多磷酸鹽、焦磷酸鹽、食用色素及其組合等其中之一者。
如請求項5所述之植物蛋製造裝置的操作流程，其中，添加該酵素為0.005%～0.1%的麩醯胺轉胺酶或組織蛋白修飾酶其中之一者。
一種臥式銑床換刀裝置，係一臥式銑床的機箱內設有一工作枱面，該工作枱面上安裝有一主機系統及架設有一機架，且該機架上端安裝有一換刀裝置及該機架一側設有一工件切削工作部；該主機系統，係由多個伺服馬達控制一主軸作x、y、z三軸空間的座標點位移，並將位移範圍定義為一工作空間，且該主軸的一端被一主軸馬達驅動旋轉，另一端具有一供刀具組裝的接刀孔部；該換刀裝置，係設在一基板上，並經由該基板安裝在該機架上端，包括：一擺動機，係在一固設於該基板上的第一機座上組裝有一旋擺馬達；一擺臂，其一端設一第一軸孔與該旋擺馬達的出力軸連接，可由該旋擺馬達帶動該擺臂作一旋擺角度的旋擺動作；一轉盤機，係在該擺臂的另一端固設有一第二機座，並在該第二機座上組裝有一轉盤伺服馬達；一轉盤，其盤體落在該工作空間，中心設有一第二軸孔，盤面近周邊等分角度的設有多個固定部；該第二軸孔連接該轉盤伺服馬達的轉軸，可由該轉盤伺服馬達控制該轉盤作旋轉動作，且該旋轉動作，並可選取其中一固定部轉到一角度定位，並將此角度定位點定義為一設定點；多個導桿器，係分別以一結合塊固設在該轉盤的多個該固定部上，各該結合塊的一面端在該轉盤的周邊外緣並各設有一桿座，且每一該桿座上各形成有一穿桿孔；多組持刀器，係分別組設在多個該導桿器上，各具有一穿入該穿桿孔不得轉動的伸縮桿，每一該伸縮桿的一端各設有一具有一C形夾口的富彈性持刀夾，另一端穿過該穿桿孔，各套設有一壓縮彈簧及端部各固設有一擋簧塊，且各該壓縮彈簧的一端係分別受到該桿座支撐的由另一端迫推該擋簧塊，使該持刀夾常態貼靠該結合塊的表面；一頂推器，係匹配該轉盤的其中一該固定部位在該設定點時的該導桿器安裝固設在該基板上，相對該導桿器上的該組持刀器的該擋簧塊具有一頂推桿，可由該頂推桿前推該伸縮桿前伸，操作該持刀夾遠離該結合塊；其中，該轉盤的其中一該固定部選取轉移到該設定點，該固定部上的該導桿器裝設該持刀器，該持刀器的該持刀夾C形夾口的開口方向，係對應於該主軸的z軸運動位移方向。
依請求項1所述之臥式銑床換刀裝置，其中，該工作枱面，為一由該機箱後牆朝前方向下傾斜的斜面，該主機系統安裝在該工作枱面上及該機架架設在該工作枱面上，該換刀裝置安裝在該機架上端，該基板係與該工作枱面呈平行的固設在該機架上端供該擺動機的該第一機座固設，並使該旋擺馬達的該出力軸軸線平行該基板的板面。
依請求項1所述之臥式銑床換刀裝置，其中，該轉盤的每一該固定部具有多個螺孔，且各該導桿器的該結合塊上相對該螺孔設有多個鎖孔，並由多支螺絲將該結合塊鎖固在該固定部上。
依請求項1所述之臥式銑床換刀裝置，其中，該轉盤的多個該固定部分別固設一導桿器，每一該導桿器的該桿座上的該穿桿孔，為一斷面非圓形的穿桿孔，該多組持刀器的各該伸縮桿分別穿入該穿桿孔，各該伸縮桿相對與匹配該穿桿孔的形狀與尺寸，皆為斷面非圓形的桿體。
依請求項1所述之臥式銑床換刀裝置，其中，該多組持刀器的每一該持刀夾的該C形夾口內，係相對市面刀具的刀把夾持部凹環槽溝，成型有一近半圓內凸環圈。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認包括一個以上之物品之資訊之第1訂單之資訊； <br/>確認與複數個分撥中心內之複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊及上述複數個區組之庫存資訊； <br/>確認與上述一個以上之物品對應之一個以上之SKU之分配方法，該分配方法係基於與上述複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊及上述複數個區組之庫存資訊而確定者；及 <br/>基於上述一個以上之SKU之分配方法，產生用以分揀上述一個以上之SKU之第1指示資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述複數個區組包括如下中之至少一者： <br/>藉由作業者實行分揀或堆載之第1類型之區組； <br/>藉由無人搬運車輛實行分揀或堆載之第2類型之區組； <br/>預先包裝並陳列SKU之第3類型之區組； <br/>陳列用戶經常購買之第1類型之SKU之第4類型之區組； <br/>陳列上述用戶經常一起購買之第2類型之SKU及第3類型之SKU的第5類型之區組；及 <br/>未設定為上述第1類型之區組、第2類型之區組、第3類型之區組、第4類型之區組及第5類型之區組的第6類型之區組。
如請求2之資訊提供方法，其中與上述複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊包括： <br/>與單獨包裝SKU之第1包裝方式對應之費用資訊； <br/>與合併包裝相同類型之SKU之第2包裝方式對應之費用資訊；及 <br/>與合併包裝不同類型之SKU之第3包裝方式對應之費用資訊。
如請求3之資訊提供方法，其中對於上述第2類型之區組，與上述第1包裝方式、上述第2包裝方式及上述第3包裝方式中之上述第3包裝方式對應之費用設定為最低廉， <br/>對於上述第3類型之區組，與上述第1包裝方式、上述第2包裝方式及上述第3包裝方式中之上述第1包裝方式對應之費用設定為最低廉， <br/>對於上述第4類型之區組，與上述第1包裝方式、上述第2包裝方式及上述第3包裝方式中之上述第2包裝方式對應之費用設定為最低廉， <br/>對於上述第5類型之區組，與上述第1包裝方式、上述第2包裝方式及上述第3包裝方式中之上述第3包裝方式對應之費用設定為最低廉。
如請求3之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>向管理者提供用以設定區組之資訊之第1用戶介面；及 <br/>基於上述管理者透過上述第1用戶介面輸入之資訊，對上述第1類型之區組、上述第2類型之區組、上述第3類型之區組、上述第4類型之區組、上述第5類型之區組及上述第6類型之區組中的至少一者確認與上述第1包裝方式、上述第2包裝方式及上述第3包裝方式對應之費用資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中確認上述一個以上之SKU之分配方法之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個區組之庫存資訊，確認上述複數個區組中存在上述一個以上之SKU之庫存之一個以上之區組；及 <br/>基於與上述複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊，確定用以使上述一個以上之SKU之分揀及包裝費用實現最少化之對上述一個以上之區組中的至少一個區組分配上述一個以上之SKU之方法。
如請求6之資訊提供方法，其中上述一個以上之SKU中之第1 SKU分配至上述至少一個區組中之第1區組， <br/>上述資訊提供方法進而包括確認上述複數個區組之可處理數量之資訊之步驟；且 <br/>產生上述第1指示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個區組之可處理數量之資訊，確認到於上述第1區組中無法處理上述第1 SKU；及 <br/>產生用以於與上述第1區組不同之分撥中心內之與上述第1區組相同類型之區組中分揀上述第1 SKU之指示資訊。
如請求6之資訊提供方法，其中上述一個以上之SKU中之第2 SKU分配至上述至少一個區組中之第2區組， <br/>產生上述第1指示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>確認表示陳列於上述第2區組之上述第2 SKU已破損之資訊；及 <br/>基於與上述複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊及上述複數個區組之庫存資訊，產生用以於與上述第2區組不同類型之區組中分揀上述第2 SKU之指示資訊。
如請求6之資訊提供方法，其中上述一個以上之SKU中之第3 SKU分配至上述至少一個區組中之第3區組， <br/>產生上述第1指示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>確認表示上述第3 SKU之庫存不存在於上述第3區組之資訊；及 <br/>基於與上述複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊及上述複數個區組之庫存資訊，產生用以於與上述第3區組不同類型之區組中分揀上述第3 SKU之指示資訊。
如請求2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認要入庫至上述複數個分撥中心中之第1分撥中心之複數個SKU之資訊； <br/>確認上述第1分撥中心內之區組之可處理數量之資訊；及 <br/>基於上述第1分撥中心內之區組之可處理數量之資訊，產生第2指示資訊，該第2指示資訊係用以將複數個SKU陳列於上述第1類型之區組、上述第2類型之區組、上述第3類型之區組、上述第4類型之區組、上述第5類型之區組及上述第6類型之區組中的至少一者。
如請求2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認要入庫至上述複數個分撥中心中之第1分撥中心之複數個SKU之資訊；及 <br/>產生第3指示資訊，該第3指示資訊係用以將上述複數個SKU中之上述第1類型之SKU陳列於上述第4類型之區組，將上述第2類型之SKU及上述第3類型之SKU陳列於上述第5類型之區組者。
如請求2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於複數個區組之庫存資訊，確認到上述複數個分撥中心中之第2分撥中心內之上述第4類型之區組所陳列之上述第1類型之SKU均已出庫；及 <br/>產生第4指示資訊，該第4指示資訊係用以將上述第2分撥中心內之上述第1類型之區組、上述第2類型之區組、上述第3類型之區組、上述第5類型之區組及上述第6類型之區組中的至少一者所陳列之上述第1類型之SKU移動至上述第4類型之區組者。
如請求2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於複數個區組之庫存資訊，確認到上述複數個分撥中心中之第2分撥中心內之上述第5類型之區組所陳列之上述第2類型之SKU均已出庫；及 <br/>產生第5指示資訊，該第5指示資訊係用以將上述第2分撥中心內之上述第1類型之區組、上述第2類型之區組、上述第3類型之區組、上述第4類型之區組及上述第6類型之區組中的至少一者所陳列之上述第2類型之SKU移動至上述第5類型之區組者。
如請求2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>向管理者提供第2用戶介面，該第2用戶介面包括上述複數個分撥中心中之第3分撥中心內之複數個區之清單；及 <br/>基於上述管理者透過上述第2用戶介面輸入之資訊，將與上述複數個區各者對應之區組之類型確認為上述第1類型、上述第2類型、上述第3類型、上述第4類型、上述第5類型及上述第6類型中之一者。
如請求項14之資訊提供方法，其中向上述管理者提供上述第2用戶介面之步驟包括如下步驟： <br/>確認自上述複數個區至輸送帶之距離之第1資訊、上述複數個區內可使用之分揀作業台之個數之第2資訊、上述複數個區內可使用之分揀作業台之每小時生產率之第3資訊、及上述複數個區內有無無人搬運車輛之第4資訊中之至少一者； <br/>基於上述第1資訊、上述第2資訊、上述第3資訊及上述第4資訊中之至少一者，確定與上述複數個區各者對應之區組之類型；及 <br/>向上述管理者提供與上述複數個區各者對應之區組之類型之資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>記憶體；及 <br/>處理器；且上述處理器如下： <br/>確認包括一個以上之物品之資訊之第1訂單之資訊； <br/>確認與複數個分撥中心內之複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊及上述複數個區組之庫存資訊； <br/>確認與上述一個以上之物品對應之一個以上之SKU之分配方法，該分配方法係基於與上述複數個區組各者設定之包裝方式對應之費用資訊及上述複數個區組之庫存資訊而確定者； <br/>基於上述一個以上之SKU之分配方法，產生用以分揀上述一個以上之SKU之第1指示資訊。
一種反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中該反義寡核苷酸具有SEQ ID NO: 7、8及9中任一者之核鹼基序列。
如請求項1之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中該反義寡核苷酸具有18至20個相連的核苷。
如請求項1之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中至少一個核苷間鍵聯為經修飾之核苷間鍵聯。
如請求項3之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中該經修飾之核苷間鍵聯為硫代磷酸酯核苷間鍵聯。
如請求項4之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中該等硫代磷酸酯核苷間鍵聯在位置1至2、5至16及19至20。
如請求項1之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中該反義寡核苷酸之至少一個核苷包含經修飾之糖部分。
如請求項6之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其中該經修飾之糖部分包含2’-O-甲氧基乙基。
一種寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其包含下式： <br/>i) Aes Teo mCeo mCeo mCes Ads Gds Gds Tds Tds Tds Ads mCds mCds mCds Geo Aeo Teo Tes mCe (SEQ ID NO: 7)； <br/>ii) Tes mCeo mCeo mCeo Aes Gds Gds Tds Tds Tds Ads mCds mCds mCds Gds Aeo Teo Teo mCes Ae (SEQ ID NO: 8)； <br/>iii) Tes Aeo Teo mCeo mCes mCds Ads Gds Gds Tds Tds Tds Ads mCds mCds mCeo Geo Aeo Tes Te (SEQ ID NO: 9)； <br/>其中 <br/>A = 腺嘌呤 <br/>C = 胞嘧啶 <br/>mC = 5-甲基胞嘧啶 <br/>G = 鳥嘌呤 <br/>T = 胸腺嘧啶 <br/>e = 2’-O-甲氧基乙基核糖 <br/>d = 2’-去氧核糖 <br/>s = 硫代磷酸酯核苷間鍵聯 <br/>o = 磷酸二酯核苷間鍵聯
一種寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其包含以下結構式： <br/><img align="absmiddle" height="286px" width="289px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其包含以下結構式： <br/><img align="absmiddle" height="287px" width="294px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽，其包含以下結構式： <br/><img align="absmiddle" height="287px" width="290px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種結合物，其包含如請求項1至7中任一項之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽或如請求項8至11中任一項之寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽及至少一個共價連接至該寡核苷酸或該反義寡核苷酸之結合物部分。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至7中任一項之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽、如請求項8至11中任一項之寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽或如請求項12之結合物及醫藥上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至7中任一項之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽、如請求項8至11中任一項之寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽、如請求項12之結合物或如請求項13之醫藥組合物之用途，其係用於製備降低哺乳動物細胞中之KCNT1表現之藥劑。
如請求項14之用途，其中該哺乳動物細胞為中樞神經系統中之細胞。
一種如請求項1至7中任一項之反義寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽、如請求項8至11中任一項之寡核苷酸或其醫藥上可接受之鹽、如請求項12之結合物或如請求項13之醫藥組合物之用途，其係用於製備治療有需要個體之發育及癲癇性腦病(DEE)之藥劑。
如請求項16之用途，其中該寡核苷酸或該反義寡核苷酸係經鞘內或經顱內注射至該個體。
如請求項16或17之用途，其中該DEE為嬰兒期癲癇症伴遷移性局竈性癲癇發作(EIMFS)或早發性癲癇性腦病(EOEE)。
一種用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的反應組成物，包含： <br/>用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的一或多種鋰、鑭及/或鋯物種，以及至少一種以多金屬氧酸鹽形式提供的摻雜劑。
如請求項1所述之反應組成物，其中，包含可與鋰形成不溶性鹽的陰離子源。
如請求項2所述之反應組成物，其中，包含碳酸根離子源。
如請求項3所述之反應組成物，其中，該碳酸根離子源包含碳酸根離子、碳酸氫根離子或二氧化碳。
如請求項1至4中任一項所述之反應組成物，其中，包含用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的一或多種鑭及/或鋯物種，以及至少一種以多金屬氧酸鹽形式提供的摻雜劑，但不包含用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的鋰物種。
如請求項1至4中任一項所述之反應組成物，其中，包含沉澱物，該沉澱物包含該用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的一或多種鑭及/或鋯物種，以及至少一種摻雜劑。
如請求項6所述之反應組成物，其中，該至少一種摻雜劑為該至少一種以多金屬氧酸鹽形式提供的摻雜劑。
如請求項1至4中任一項所述之反應組成物，其中，包含該用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的一或多種鑭及/或鋯物種、該至少一種以多金屬氧酸鹽形式提供的摻雜劑，以及該用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的一或多種鋰物種。
如請求項1至4中任一項所述之反應組成物，其中，該多金屬氧酸鹽包含過渡金屬、第13族物種、第15族物種或第16族物種。
如請求項1至4中任一項所述之反應組成物，其中，包含一或多種額外的摻雜劑，該一或多種額外的摻雜劑包含鹼金屬、鹼土金屬、鑭系元素及稀土物種中一或多者。
如請求項1至4中任一項所述之反應組成物，其中，該反應組成物的pH為至少3.5。
一種製造如請求項1至11中任一項所述之反應組成物的方法，該方法包含混合至少兩種組成物，其中至少一者包含多金屬氧酸鹽，至少一者包含鋯物種，以及至少一者包含鑭物種。
一種用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的多部分反應組成物，包含： <br/>第一部分，包含用於形成摻雜鋰鑭鋯氧化物的一或多種鋰、鑭及/或鋯物種；以及 <br/>第二部分及第三部分； <br/>其中，該第一部分及該第二部分的其中之一包含鹼，該第一部分及該第二部分的其中之一包含以多金屬氧酸鹽形式提供的摻雜劑，該第一部分、該第二部分及該第三部份的其中之一包含鋰物種。
一種製造摻雜鋰鑭鋯氧化物的方法，該方法包含： <br/>由多金屬氧酸鹽形成該摻雜鋰鑭鋯氧化物，其中，該方法包括形成包含鋰之沉澱物，以及加熱該包含鋰之沉澱物，以形成該摻雜鋰鑭鋯氧化物。
如請求項14所述之方法，其中，該多金屬氧酸鹽包含過渡金屬、第13族物種、第15族物種或第16族物種。
如請求項14或15所述之方法，其中，該多金屬氧酸鹽包含鉬、鈮、碲、鋁、鎵、銻、鎢及鉭中一或多者。
如請求項14或15所述之方法，其中，包含混合至少兩種組成物，其中至少一者包含多金屬氧酸鹽。
如請求項14或15所述之方法，其中，包含形成固體，該固體包含鑭物種、鋯物種以及衍生自多金屬氧酸鹽的摻雜物種。
如請求項18所述之方法，其中，該固體為沉澱物。
如請求項19所述之方法，其中，包含使該沉澱物與包含鋰離子之溶液接觸，從而形成該包含鋰之沉澱物。
一種用於通訊的方法，其包含：<br/> 藉由連接至一第一小區的一使用者裝備(UE)，接收針對經組配之一第一傳輸組態指示器(TCI)狀態池之一第一TCI狀態的一啟動，該第一TCI狀態池係在伺服小區組態下受組配以用於波束管理(BM)；<br/> 藉由該UE，接收與一下層觸發移動性(LTM)候選小區相關聯之一第二TCI狀態池之一第二TCI狀態的組態；<br/> 藉由該UE，接收用於啟動該第二TCI狀態的一訊息；<br/> 藉由該UE，判定該第二TCI狀態在經組配的該等TCI狀態池中之任何一者上已為作用中；<br/> 基於前述判定，藉由該UE而以相較於該第二TCI狀態並非在經組配的該等TCI狀態池中之任何一者上為作用中的情況而言經減少的啟動延遲來啟動該第二TCI狀態池之該第二TCI狀態；以及<br/> 藉由該UE，執行至該LTM候選小區的一小區切換，並維持該LTM候選小區之已啟動的該第二TCI狀態。
如請求項1之方法，其中，係藉由不將與一同步訊號區塊的同步考慮為在該第二TCI狀態之啟動中的延遲來實現經減少的該啟動延遲，該同步訊號區塊具有對於該第二TCI狀態的一準共置關係。
如請求項1或2之方法，其中，經減少的該啟動延遲奠基於：省略與該同步訊號區塊的同步。
如請求項1或2之方法，其中，經減少的該啟動延遲奠基於：若該第二TCI狀態已為作用中則在該啟動延遲中省略參數T<sub>first-SSB</sub>及T<sub>SSB-proc</sub>。
如請求項1或2之方法，其中，該第二TCI狀態被判定為在該第一TCI狀態池上已為作用中。
如請求項5之方法，其中，前述以經減少的延遲來啟動該第二TCI狀態池之該第二TCI狀態奠基於：該第二TCI狀態在該第一TCI狀態池上已為作用中。
如請求項1或2之方法，其中，該UE在接收到針對該第一TCI狀態的該啟動之後在該小區切換之前啟動該第二TCI狀態，並在切換至該LTM候選小區後即維持該LTM候選小區之已啟動的該第二TCI狀態。
如請求項1或2之方法，其中，係在切換至該LTM候選小區之後判定該LTM候選小區之該第二TCI狀態的啟動。
如請求項1或2之方法，其中，該LTM候選小區被組配為一伺服小區。
如請求項1或2之方法，其中，已啟動的該第一TCI狀態之一準共置(QCL)參考訊號等效於該第二TCI狀態之該QCL參考訊號。
如請求項1或2之方法，其中，已啟動的該第一TCI狀態之一準共置(QCL)參考訊號與該第二TCI狀態之該QCL參考訊號共用一或多個屬性。
如請求項11之方法，其中，該一或多個QCL屬性包括下列其中一或多者：都卜勒擴展、都卜勒頻移、延遲擴展或平均延遲。
如請求項11之方法，其中，與該第二TCI狀態之該QCL參考訊號共用一或多個屬性之已啟動的該第一TCI狀態之該QCL參考訊號包括：包括一相同QCL源參考訊號(RS)之已啟動的該第一TCI狀態之該QCL參考訊號。
如請求項1或2之方法，其中，針對與該LTM候選小區相關聯之該第一TCI狀態池之該第一TCI狀態以及與該LTM候選小區相關聯之該第二TCI狀態池之該第二TCI狀態的啟動被包括在一媒體存取控制(MAC)控制元件(CE)訊息中。
一種使用者裝備(UE)，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令的至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時致使該設備至少執行至少以下作業：<br/> 藉由連接至一第一小區的該使用者裝備(UE)，接收針對經組配之一第一傳輸組態指示器(TCI)狀態池之一第一TCI狀態的一啟動，該第一TCI狀態池係在伺服小區組態下受組配以用於波束管理(BM)；<br/> 藉由該UE，接收與一下層觸發移動性(LTM)候選小區相關聯之一第二TCI狀態池之一第二TCI狀態的組態；<br/> 藉由該UE，接收用於啟動該第二TCI狀態的一訊息；<br/> 藉由該UE，判定該第二TCI狀態在經組配的該等TCI狀態池中之任何一者上已為作用中；<br/> 基於前述判定，藉由該UE而以相較於該第二TCI狀態並非在經組配的該等TCI狀態池中之任何一者上為作用中的情況而言經減少的啟動延遲來啟動該第二TCI狀態池之該第二TCI狀態；以及<br/> 藉由該UE，執行至該LTM候選小區的一小區切換，並維持該LTM候選小區之已啟動的該第二TCI狀態。
如請求項15之UE，其受組配成藉由不將與一同步訊號區塊的同步考慮為在該第二TCI狀態之啟動中的延遲來實現經減少的該啟動延遲，該同步訊號區塊具有對於該第二TCI狀態的一準共置關係。
如請求項15或16之UE，其中，經減少的該啟動延遲奠基於：省略與該同步訊號區塊的同步。
如請求項15或16之UE，其中，經減少的該啟動延遲奠基於：若該第二TCI狀態已為作用中則在該啟動延遲中省略參數T<sub>first-SSB</sub>及T<sub>SSB-proc</sub>。
如請求項15或16之UE，其受組配成判定該第二TCI狀態在該第一TCI狀態池上已為作用中。
如請求項19之UE，其中，前述以經減少的延遲來啟動該第二TCI狀態池之該第二TCI狀態奠基於：該第二TCI狀態在該第一TCI狀態池上已為作用中。
如請求項15或16之UE，其進一步被組配成在接收到針對該第一TCI狀態的該啟動之後在該小區切換之前啟動該第二TCI狀態，並在切換至該LTM候選小區後即維持該LTM候選小區之已啟動的該第二TCI狀態。
如請求項21之UE，其被組配成在切換至該LTM候選小區之後判定該LTM候選小區之該第二TCI狀態的啟動。
如請求項15或16之UE，其中，該LTM候選小區被組配為一伺服小區。
如請求項15或16之UE，其中，已啟動的該第一TCI狀態之一準共置(QCL)參考訊號等效於該第二TCI狀態之該QCL參考訊號。
如請求項15或16之UE，其中，已啟動的該第一TCI狀態之一準共置(QCL)參考訊號與該第二TCI狀態之該QCL參考訊號共用一或多個屬性。
如請求項25之UE，其中，該一或多個QCL屬性包括下列其中一或多者：都卜勒擴展、都卜勒頻移、延遲擴展或平均延遲。
如請求項25之UE，其中，與該第二TCI狀態之該QCL參考訊號共用一或多個屬性之已啟動的該第一TCI狀態之該QCL參考訊號包括：包括一相同QCL源參考訊號(RS)之已啟動的該第一TCI狀態之該QCL參考訊號。
如請求項15或16之UE，其中，針對與該LTM候選小區相關聯之該第一TCI狀態池之該第一TCI狀態以及與該LTM候選小區相關聯之該第二TCI狀態池之該第二TCI狀態的啟動被包括在一媒體存取控制(MAC)控制元件(CE)訊息中。
一種儲存指令的處理器可讀媒體，該等指令在由一設備之至少一個處理器執行時致使該設備至少執行如請求項1至14中任一項之方法。
一種形成一半導體元件的方法，該方法包含以下步驟： <br/>藉由以下步驟在一基板上形成一豎直堆疊的超晶格結構 <br/>在該基板上形成一第一水平全環繞閘極(hGAA)結構，該第一hGAA結構包含奈米片通道層與奈米片釋放層的交替層； <br/>在該第一hGAA結構的一頂表面上形成一中間犧牲層； <br/>在該中間犧牲層的一頂表面上形成一第二水平全環繞閘極(hGAA)結構，該第二hGAA結構包含奈米片通道層與奈米片釋放層的交替層； <br/>沉積一封裝材料以填充該豎直堆疊的超晶格結構中的一或多個溝槽且圍繞該豎直堆疊的超晶格結構； <br/>移除該封裝材料的一部分以暴露該第二hGAA結構； <br/>在該第二hGAA結構上沉積一保護襯墊； <br/>移除該封裝材料的一部分以暴露該中間犧牲層；以及 <br/>移除該中間犧牲層， <br/>其中在移除該中間犧牲層期間，該第一hGAA結構由該封裝材料覆蓋，且該第二hGAA結構由該保護性襯墊覆蓋。
如請求項1所述之方法，其中沉積該封裝材料以填充該豎直堆疊的超晶格結構中的一或多個溝槽且圍繞該豎直堆疊的超晶格結構之步驟包含以下步驟：執行一旋塗或化學氣相沉積(CVD)碳間隙填充製程。
如請求項1所述之方法，其中該保護襯墊包含一層AlOx或SiN。
如請求項3所述之方法，其中沉積該保護性襯墊之步驟包含以下步驟：沉積具有自約0.5 nm至約4 nm的範圍內的一厚度的一層AlOx或SiN。
如請求項1所述之方法，其中移除該中間犧牲層之步驟包含以下步驟：蝕刻該中間犧牲層。
如請求項5所述之方法，其中該封裝材料及該保護性襯墊遮蔽該第一hGAA結構及該第二hGAA結構且防止在蝕刻期間奈米片釋放層與奈米片通道層的該等交替層中的材料損耗。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在移除該中間犧牲層之後，將一中間介電隔離(MDI)材料沉積於藉由移除該中間犧牲層而形成的至少一空腔內；移除所沉積的MDI材料的一過量，以使得MDI材料僅保留在該空腔內；以及緻密化該MDI材料以形成一MDI層。
如請求項7所述之方法，進一步包含以下步驟：在緻密化該MDI材料之後，移除該封裝材料及該保護性襯墊以暴露該第一hGAA結構及該第二hGAA結構；以及執行一選擇性蝕刻以自該第一hGAA結構及該第二hGAA結構移除奈米片釋放層的該等交替層。
如請求項1所述之方法，其中奈米片通道層的該等交替層包含矽(Si)，奈米片釋放層的該等交替層包含矽鍺(SiGe)，並且該中間犧牲層包含矽鍺(SiGe)。
如請求項9所述之方法，其中奈米片釋放層的該等交替層包含具有以一原子計自約10%至約40%的一鍺含量的矽鍺(SiGe)，並且該中間犧牲層包含具有以一原子計自約10%至約65%的一鍺含量的矽鍺(SiGe)。
如請求項10所述之方法，其中奈米片釋放層的該等交替層包含具有以一原子計自約15%至約35%的一鍺含量的矽鍺(SiGe)，並且該中間犧牲層包含具有以一原子計自約15%至約35%的一鍺含量的矽鍺(SiGe)。
如請求項9所述之方法，其中奈米片釋放層的該等交替層及該中間犧牲層由該相同材料製造。
如請求項1所述之方法，其中形成奈米片釋放層的該等交替層的一材料的一蝕刻選擇性與形成該中間犧牲層的一材料的一蝕刻選擇性相同。
如請求項7所述之方法，其中當該第一hGAA結構由該封裝材料覆蓋時沉積該MDI材料及移除所沉積的MDI材料的該過量提供一較低的深寬比以用於沉積及移除該MDI材料。
如請求項7所述之方法，其中當該第一hGAA結構由該封裝材料覆蓋時且當該第二hGAA結構由該保護性襯墊覆蓋時緻密化該MDI材料有助於該MDI材料的緻密化。
一種形成一半導體元件的方法，該方法包含以下步驟： <br/>藉由以下步驟在一基板上形成一豎直堆疊的超晶格結構 <br/>在該基板上形成一第一水平全環繞閘極(hGAA)結構，該第一hGAA結構包含奈米片通道層與奈米片釋放層的交替層； <br/>在該第一hGAA結構的一頂表面上形成一中間犧牲層； <br/>在該犧牲層的一頂表面上形成一第二水平全環繞閘極(hGAA)結構，該第二hGAA結構包含奈米片通道層與奈米片釋放層的交替層；以及 <br/>蝕刻該中間犧牲層， <br/>其中該第一hGAA結構及該第二hGAA結構中的奈米片釋放層的該等交替層及該中間犧牲層包含該相同材料， <br/>其中在蝕刻該中間犧牲層時該第二hGAA結構由一保護性襯墊來遮蔽，並且當蝕刻該中間犧牲層時該第一hGAA結構由一封裝材料來遮蔽，以及 <br/>其中蝕刻該中間犧牲層導致該第一hGAA結構及該第二hGAA結構中的奈米片釋放層的該等交替層中並無材料損耗。
如請求項16所述之方法，其中該封裝材料是碳，並且使用一旋塗或化學氣相沉積(CVD)碳間隙填充製程來沉積於該第一hGAA結構上。
如請求項16所述之方法，其中該保護襯墊包含一層AlOx或SiN。
如請求項16所述之方法，其中奈米片通道層的該等交替層包含矽(Si)，奈米片釋放層的該等交替層包含矽鍺(SiGe)，並且該中間犧牲層包含矽鍺(SiGe)。
如請求項19所述之方法，其中奈米片釋放層的該等交替層及該中間犧牲層個別地包含具有該相同鍺含量的矽鍺(SiGe)。
一種基板處理方法，係包括有： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的步驟； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的步驟； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的步驟； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時，較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的步驟；以及 <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的步驟； <br/>(e)係在(a)與(d)開始之後，才開始(b)。
如請求項1之基板處理方法，其中，(e)係依第1供應流量供應上述惰性氣體後， <br/>當施行(b)之際，使上述惰性氣體的供應流量增加至較大於上述第1供應流量的第2供應流量。
如請求項1之基板處理方法，其中，更進一步包括有：(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的步驟。
如請求項2之基板處理方法，其中，更進一步包括有：(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的步驟。
如請求項4之基板處理方法，其中，(g)係將上述惰性氣體的供應流量設為較大於上述第2供應流量的第3供應流量。
如請求項1之基板處理方法，其中，(e)係將上述惰性氣體的供應流量設為較大於上述第1還原氣體供應流量的流量。
如請求項5之基板處理方法，其中，上述第3供應流量係較大於上述第1還原氣體供應流量的流量。
一種基板處理方法，係包括有： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的步驟； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的步驟； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的步驟； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時，較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的步驟； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的步驟；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的步驟； <br/>(g)係具有：將上述基板所存在空間的環境，依設置在排氣路徑中的排氣閥開度為第1開度進行排氣之期間，以及依較大於上述第1開度的第2開度進行排氣之期間。
一種基板處理方法，係包括有： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的步驟； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的步驟； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的步驟； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時，較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的步驟； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的步驟；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的步驟； <br/>(g)係具有：依上述基板所存在空間的壓力為第1壓力施行排氣的期間、以及依較低於上述第1壓力的第2壓力施行排氣的期間。
如請求項1之基板處理方法，其中，更進一步包括有：(h)在(e)之後，持續進行上述第1還原氣體供應、與上述惰性氣體供應的步驟； <br/>(e)與(h)係維持上述基板存在空間的壓力。
如請求項1之基板處理方法，其中，(f)係在上述第1還原氣體可分解的環境下實施。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述含第1元素氣體係含有第1元素與鹵元素的氣體。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述第1還原氣體係含有氫的氣體，為不同於上述第2還原氣體的相異物質之氣體。
如請求項13之基板處理方法，其中，上述第2還原氣體係含氫氣體。
如請求項12之基板處理方法，其中，上述第1元素係金屬元素，上述第1還原氣體係含有第14族元素，上述第2還原氣體係含氮氣體。
一種半導體裝置之製造方法，係包括有： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的步驟； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的步驟； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的步驟； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時增加上述惰性氣體供應流量的步驟；以及 <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的步驟； <br/>(e)係在(a)與(d)開始之後，才開始(b)。
一種利用電腦使基板處理裝置執行下述程序之程式： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的程序； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的程序； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的程序； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的程序； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，在(a)與(d)開始之後，才開始(b)，當施行(b)時增加上述惰性氣體供應流量的程序；以及 <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的程序。
一種基板處理裝置，係具備有： <br/>第1氣體供應部，其係對基板供應含第1元素氣體； <br/>第2氣體供應部，其係對上述基板供應第1還原氣體； <br/>第3氣體供應部，其係對上述基板供應第2還原氣體； <br/>第4氣體供應部，其係對上述基板供應惰性氣體；以及 <br/>控制部，其係對上述第1供應部、上述第2供應部、上述第3供應部及上述第4供應部進行控制，使執行： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的處理； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的處理； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的處理； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的處理； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，在(a)與(d)開始之後，才開始(b)，當施行(b)時增加上述惰性氣體供應流量的處理；以及 <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的處理。
一種半導體裝置之製造方法，係包括有： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的步驟； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的步驟； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的步驟； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的步驟； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的步驟；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的步驟； <br/>(g)係具有：將上述基板所存在空間的環境，依設置在排氣路徑中的排氣閥開度為第1開度進行排氣之期間，以及依較大於上述第1開度的第2開度進行排氣之期間。
一種利用電腦使基板處理裝置執行下述程序之程式： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的程序； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的程序； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的程序； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的程序； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的程序； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的程序；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的程序； <br/>(g)係具有：將上述基板所存在空間的環境，依設置在排氣路徑中的排氣閥開度為第1開度進行排氣之期間，以及依較大於上述第1開度的第2開度進行排氣之期間。
一種基板處理裝置，係具備有： <br/>第1氣體供應部，其係對基板供應含第1元素氣體； <br/>第2氣體供應部，其係對上述基板供應第1還原氣體； <br/>第3氣體供應部，其係對上述基板供應第2還原氣體； <br/>第4氣體供應部，其係對上述基板供應惰性氣體；以及 <br/>控制部，其係對上述第1供應部、上述第2供應部、上述第3供應部及上述第4供應部進行控制，使執行： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的處理； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的處理； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的處理； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的處理； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時增加上述惰性氣體供應流量的處理； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的處理；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的處理，其具有：將上述基板所存在空間的環境，依設置在排氣路徑中的排氣閥開度為第1開度進行排氣之期間，以及依較大於上述第1開度的第2開度進行排氣之期間。
一種半導體裝置之製造方法，係包括有： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的步驟； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的步驟； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的步驟； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的步驟； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的步驟；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的步驟； <br/>(g)係具有：依上述基板所存在空間的壓力為第1壓力施行排氣的期間、以及依較低於上述第1壓力的第2壓力施行排氣的期間。
一種利用電腦使基板處理裝置執行下述程序之程式： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的程序； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的程序； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的程序； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的程序； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時較(b)開始前增加上述惰性氣體供應流量的程序； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的程序；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的程序； <br/>(g)係具有：依上述基板所存在空間的壓力為第1壓力施行排氣的期間、以及依較低於上述第1壓力的第2壓力施行排氣的期間。
一種基板處理裝置，係具備有： <br/>第1氣體供應部，其係對基板供應含第1元素氣體； <br/>第2氣體供應部，其係對上述基板供應第1還原氣體； <br/>第3氣體供應部，其係對上述基板供應第2還原氣體； <br/>第4氣體供應部，其係對上述基板供應惰性氣體；以及 <br/>控制部，其係對上述第1供應部、上述第2供應部、上述第3供應部及上述第4供應部進行控制，使執行： <br/>(a)對基板供應含第1元素氣體的處理； <br/>(b)對上述基板供應第1還原氣體的處理； <br/>(c)對上述基板供應第2還原氣體的處理； <br/>(d)對上述基板供應惰性氣體的處理； <br/>(e)在施行(d)期間中，並行施行(a)與(b)中至少其中一部分，當施行(b)時增加上述惰性氣體供應流量的處理； <br/>(f)施行既定次數之(e)與(c)，而在上述基板上形成含上述第1元素之膜的處理；以及 <br/>(g)在(f)的(e)與(c)之間供應上述惰性氣體的處理，其具有：依上述基板所存在空間的壓力為第1壓力施行排氣的期間、以及依較低於上述第1壓力的第2壓力施行排氣的期間。
一種電漿處理裝置，具備：<br/>腔室；<br/>平台，設在該腔室內，用來支持基板，且包含靜電夾盤及下部電極；<br/>射頻電源，供給用以使供給至該腔室之氣體激發之射頻信號；<br/>一個以上之直流電源，產生施加至該平台之具有負極性之偏壓用的直流電壓；<br/>切換單元，構成為可停止將該直流電壓施加至該平台；以及<br/>控制器，控制該切換單元；<br/>且該控制器用於進行偏壓時，控制該切換單元，以僅將來自該一個以上的直流電源之負極性的直流電壓周期性施加至該平台，且於將施加該直流電壓之各周期加以規定之頻率係設定為未滿1MHz之狀態下，調整該直流電壓施加至該平台之期間在該各周期內所占之比率。
如請求項1所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器，在僅施加該直流電壓之步驟中，控制該切換單元，俾藉由調整該比率而使照射至該腔室的內壁之離子的能量降低。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該切換單元，俾將該比率調整為50％以下。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該電漿處理裝置具備複數之直流電源作為該一個以上之直流電源；<br/>且該控制器控制該切換單元，俾藉由從該複數之直流電源依序輸出的複數之直流電壓，形成於該各周期內施加至該平台之該直流電壓。
如請求項2所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該射頻電源，俾於施加該直流電壓之期間供給該射頻信號，而於停止施加該直流電壓之期間停止供給該射頻信號。
如請求項2所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該射頻電源，俾於施加該直流電壓之期間停止供給該射頻信號，而於停止施加該直流電壓之期間供給該射頻信號。
如請求項1、2、5、6中任一項所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該射頻信號具有27～100MHz範圍內的頻率。
一種電漿處理裝置，具備：<br/>腔室；<br/>平台，設在該腔室內，用來支持基板，且包含靜電夾盤及下部電極；<br/>射頻電源，供給用以使供給至該腔室之氣體激發之射頻信號；<br/>一個以上之直流電源，用以將離子拉入至該腔室之內壁，而產生施加至該平台之具有負極性之直流電壓；<br/>切換單元，構成為可停止將該直流電壓施加至該平台；以及<br/>控制器，控制該切換單元；<br/>該控制器作為將離子拉入至該腔室之內壁之用途時，控制該切換單元，以僅將來自該一個以上的直流電源之負極性的直流電壓周期性施加至該平台，且於將施加該直流電壓之各周期加以規定之頻率係設定為未滿1MHz之狀態下，調整該直流電壓施加至該平台之期間在該各周期內所占之比率。
如請求項8所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器，在僅施加該直流電壓之步驟中，控制該切換單元，俾藉由調整該比率而使照射至該腔室的內壁之離子的能量變大。
如請求項8或9所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該切換單元，俾將該比率調整為比50％大的値。
如請求項8或9所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該電漿處理裝置具備複數之直流電源作為該一個以上之直流電源；<br/>且該控制器控制該切換單元，俾藉由從該複數之直流電源依序輸出的複數之直流電壓，形成於該各周期內施加至該平台之該直流電壓。
如請求項9所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該射頻電源，俾於施加該直流電壓之期間供給該射頻信號，而於停止施加該直流電壓之期間停止供給該射頻信號。
如請求項9所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該射頻電源，俾於施加該直流電壓之期間停止供給該射頻信號，而於停止施加該直流電壓之期間供給該射頻信號。
如請求項8、9、12、13中任一項所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該射頻信號具有27～100MHz範圍內的頻率。
一種電漿處理裝置，具備：<br/>腔室；<br/>平台，設在該腔室內，用來支持基板，且包含偏壓電極；<br/>射頻電源，輸出用以使供給至該腔室之氣體激發之連續波；<br/>一個以上之直流電源，輸出施加至該偏壓電極之具有負極性之偏壓用的直流電壓；<br/>切換單元，構成為可停止將該直流電壓施加至該偏壓電極；以及<br/>控制器，控制該切換單元；<br/>且該控制器控制該切換單元，以將來自該一個以上的直流電源之負極性的直流電壓周期性施加至該偏壓電極，且於將施加該直流電壓之各周期加以規定之頻率係設定為未滿1MHz之狀態下，調整在該各周期內該直流電壓之佔空比。
如請求項15所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器，在施加該直流電壓之步驟中，控制該切換單元，俾藉由調整該佔空比而抑制照射至該基板之離子的能量的降低。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該切換單元，俾將該佔空比調整為50％以下。
如請求項17所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該切換單元，俾將該佔空比調整為35％以下。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該佔空比係該直流電壓施加至該偏壓電極之期間在該各周期內所占之比率。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>將施加該直流電壓之各周期加以規定之頻率為50～800kHz。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該連續波具有27～100MHz範圍內的頻率。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該連續波為500W以下。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該電漿處理裝置具備複數之直流電源作為該一個以上之直流電源；<br/>且該控制器控制該切換單元，俾藉由從該複數之直流電源依序輸出的複數之直流電壓，形成於該各周期內施加至該偏壓電極之該直流電壓。
如請求項15或16所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該切換單元係電性連接至該偏壓電極，且包含彼此串聯連接之第一電晶體及第二電晶體。
如請求項24所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器控制該切換單元，俾藉由周期性切換往該第一電晶體與該第二電晶體施加的控制信號，而周期性重複進行：向該偏壓電極施加來自該直流電源的直流電壓；以及不向該偏壓電極施加來自該直流電源的直流電壓。
如請求項25所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該第一電晶體為第一場效電晶體；<br/>該第二電晶體為具有與該第一場效電晶體相異之通道極性之第二場效電晶體。
如請求項26所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該控制器係與該第一場效電晶體的閘極及該第二場效電晶體的閘極電性連接。
如請求項24所述之電漿處理裝置，其中，<br/>在該切換單元與該偏壓電極之間配置高頻濾波器。
如請求項28所述之電漿處理裝置，其中，<br/>該切換單元包含與該第一電晶體及該第二電晶體電性連接之電阻元件；<br/>該高頻濾波器係配置在該電阻元件與該偏壓電極之間。
一種用於通訊之第一設備，該第一設備包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時，致使該第一設備進行以下操作：<br/> 自一第二設備接收用於自一源非地面裝置切換至一目標非地面裝置之輔助資訊，其中該輔助資訊包含關於與切換相關聯之一胞元識別碼改變的一指示；<br/> 判定該指示指出存在一虛擬實體胞元識別碼改變之該切換；<br/> 維持與該源非地面裝置相關聯之一源實體胞元識別碼，及基於該源實體胞元識別碼與一偏移來計算與該目標非地面裝置相關聯之一目標實體胞元識別碼；以及<br/> 致使以下其中之至少一者針對該指示之多個替代方案而被維持：<br/> 一混合自動重複請求HARQ緩衝區，<br/> 用於無線電通訊之一安全性金鑰，或<br/> 一胞元組態。
如請求項1之第一設備，其中該第一設備進一步經致使進行以下操作：<br/> 維持以下其中之至少一者：一控制平面組態及一使用者平面組態。
如請求項1或2之第一設備，其中該第一設備經致使進行以下操作：<br/> 執行與該目標非地面裝置之一再同步。
如請求項1或2之第一設備，其中該輔助資訊進一步包含以下其中之至少一者：<br/> 該輔助資訊有效時之一參考時間，<br/> 該目標非地面裝置之星曆資訊，或<br/> 與目標非地面裝置相關聯之一共同延遲。
如請求項1或2之第一設備，其中該第一設備包含一終端裝置，且該第二設備包含一網路裝置。
一種用於通訊之第二設備，該第二設備包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時，致使該第二設備進行以下操作：<br/> 將用於自一源非地面裝置切換至一目標非地面裝置之輔助資訊傳輸至一第一設備，其中該輔助資訊包含關於與切換相關聯之一胞元識別碼改變的一指示，其中該指示指出存在一虛擬實體胞元識別碼改變之切換，其中該目標非地面裝置之一實體胞元識別碼係基於該源非地面裝置之一實體胞元識別碼與一偏移；以及<br/> 致使以下其中之至少一者針對該指示之多個替代方案而被維持：<br/> 一混合自動重複請求HARQ緩衝區，或<br/> 用於無線電通訊之一安全性金鑰，或<br/> 一胞元組態。
如請求項6之第二設備，其中切換該虛擬實體胞元識別碼改變指出皆維持該源非地面裝置之該實體胞元識別碼及該目標非地面裝置之一不變之實體胞元識別碼。
如請求項6或7之第二設備，其中該第二設備經致使進行以下操作：<br/> 維持以下其中之至少一者：一控制平面組態及一使用者平面組態。
如請求項6或7之第二設備，其中該第二設備經致使進行以下操作：<br/> 維持以下狀態中之至少一者：<br/> 一實體狀態，<br/> 一媒體存取控制實體狀態，<br/> 一無線電鏈路控制實體狀態，<br/> 一封包資料聚合協定實體狀態，或<br/> 一無線電資源控制實體狀態。
如請求項6或7之第二設備，其中該輔助資訊進一步包含以下其中之至少一者：<br/> 該輔助資訊有效時之一參考時間，<br/> 該目標非地面裝置之星曆資訊，或<br/> 與目標非地面裝置相關聯之一共同延遲。
如請求項6或7之第二設備，其中該第一設備包含一終端裝置，且該第二設備包含一網路裝置。
一種用於通訊之方法，該方法包含：<br/> 在一第一設備處且自一第二設備接收用於自一源非地面裝置切換至一目標非地面裝置之輔助資訊，其中該輔助資訊包含關於與切換相關聯之一胞元識別碼改變的一指示；<br/> 判定該指示指出存在一虛擬實體胞元識別碼改變之該切換；<br/> 維持與該源非地面裝置相關聯之一源實體胞元識別碼，及基於該源實體胞元識別碼與一偏移來計算與該目標非地面裝置相關聯之一目標實體胞元識別碼；以及<br/> 致使以下其中之至少一者針對該指示之多個替代方案而被維持：<br/> 一混合自動重複請求HARQ緩衝區，<br/> 用於無線電通訊之一安全性金鑰，或<br/> 一胞元組態。
如請求項12之方法，其進一步包含藉由該第一設備：<br/> 維持以下其中之至少一者：一控制平面組態及一使用者平面組態。
如請求項12或13之方法，其進一步包含藉由該第一設備：<br/> 執行與該目標非地面裝置之一再同步。
如請求項12或13之方法，其中該輔助資訊進一步包含以下其中之至少一者：<br/> 該輔助資訊有效時之一參考時間，<br/> 該目標非地面裝置之星曆資訊，或<br/> 與該目標非地面裝置相關聯之一共同延遲。
如請求項12或13之方法，其中該第一設備包含一終端裝置，且該第二設備包含一網路裝置。
一種用於通訊之方法，該方法包含：<br/> 在一第二設備處且向一第一設備傳輸用於自一源非地面裝置切換至一目標非地面裝置之輔助資訊，其中該輔助資訊包含關於與切換相關聯之一胞元識別碼改變的一指示，其中該指示指出存在一虛擬實體胞元識別碼改變之切換，其中該目標非地面裝置之一實體胞元識別碼係基於該源非地面裝置之一實體胞元識別碼與一偏移；以及<br/> 致使以下其中之至少一者針對該指示之多個替代方案而被維持：<br/> 一混合自動重複請求HARQ緩衝區，<br/> 用於無線電通訊之一安全性金鑰，或<br/> 一胞元組態。
如請求項17之方法，其中切換該虛擬實體胞元識別碼改變指出皆維持該源非地面裝置之該實體胞元識別碼及該目標非地面裝置之一不變之實體胞元識別碼。
如請求項17或18之方法，其進一步包含藉由該第二設備：<br/> 維持以下其中之至少一者：一控制平面組態及一使用者平面組態。
如請求項17或18之方法，其進一步包含藉由該第二設備：<br/> 維持以下狀態中之至少一者：<br/> 一實體狀態，<br/> 一媒體存取控制實體狀態，<br/> 一無線電鏈路控制實體狀態，<br/> 一封包資料聚合協定實體狀態，或<br/> 一無線電資源控制實體狀態。
如請求項17或18之方法，其中該輔助資訊進一步包含以下其中之至少一者：<br/> 該輔助資訊有效時之一參考時間，<br/> 該目標非地面裝置之星曆資訊，或<br/> 與目標非地面裝置相關聯之一共同延遲。
如請求項17或18之方法，其中該第一設備包含一終端裝置，且該第二設備包含一網路裝置。
一種包含儲存於其上之指令的電腦可讀媒體，該等指令用於致使一設備至少執行如請求項12至22中任一項之方法。
一種發電裝置，包含：一艙體，具有一塔架、複數艙門及由該塔架與該些艙門共同定義之一容置空間，該些艙門垂直設置於該塔架；及一塔式發電模組，設於該容置空間，具有層狀排列之複數轉子與複數定子，用以產生電能；其中，該塔式發電模組更包含一外扇葉、一內扇葉、一第一風輪及一第二風輪，該外扇葉以一連接支架連接該第一風輪且設置於該容置空間之外，該內扇葉連接該第二風輪且設置於該容置空間之內。
如請求項1所述之發電裝置，其中該些艙門間隔地設置於該塔架。
如請求項1所述之發電裝置，其中該些艙門具有一轉軸，該轉軸之旋轉軸向與該轉子之旋轉軸向平行。
如請求項1所述之發電裝置，其中該些艙門具有導流結構，用以為塔式發電模組引入流體動力。
如請求項1所述之發電裝置，其中該塔式發電模組更包含一風輪，該風輪與該轉子連接。
如請求項1所述之發電裝置，更包含一外扇葉，該外扇葉以一連接支架連接該塔式發電模組，該外扇葉設置於該容置空間之外。
如請求項1所述之發電裝置，其中該塔式發電模組更包含一內扇葉，該內扇葉與該轉子連接，該內扇葉設置於該容置空間之內。
如請求項1所述之發電裝置，其中該轉子包含一第一轉子及一第二轉子，該第一風輪與該第一轉子連接而不與該第二轉子連接，該第二風輪與該第二轉子連接而不與該第一轉子連接。
如請求項1所述之發電裝置，其中該塔式發電模組更包含一磁浮機構，設置於該塔架，該磁浮機構包含複數間隔排列之磁性元件。
一種在基板上形成輻射敏感層之方法，該方法包含：<br/> 加熱由(RSn)<sub>4</sub>X<sub>6</sub>表示之有機錫組合物以形成有機錫組合物的蒸氣；以及<br/> 將有機錫組合物的蒸氣沈積至一基板的表面上以形成在基板上之輻射敏感層，其中該輻射敏感層具有約2奈米至約1微米之平均厚度，<br/> 其中R係具有1至15個碳原子之有機配位基（organic ligand），且其中該有機配位基係藉由一金屬-碳鍵與Sn結合，且X係S或Se。
如請求項1所述之方法，其中該輻射敏感層具有約2奈米至約200奈米之平均厚度。
如請求項1所述之方法，其中該輻射敏感層具有約3奈米至約80奈米之平均厚度。
如請求項1所述之方法，其中該輻射敏感層在該基板上之任意點處的厚度相對於該層之平均厚度係變化不超過25%。
如請求項1所述之方法，其中加熱係在高於約400°C的溫度下實行。
如請求項1所述之方法，其中加熱係在約450°C至約1000°C的溫度下實行。
如請求項1所述之方法，其中加熱、沈積、或其二者係在惰性氣氛中實行。
如請求項1所述之方法，其中R係烷基、烯基、芳基或其組合。
如請求項1所述之方法，其中該有機錫組合物包括正丁基硫化錫（n-butyl tin sulfide）、正丁烯基硫化錫或其組合。
如請求項1所述之方法，其中該金屬-碳鍵係輻射敏感。
如請求項1所述之方法，其中沈積係包含物理氣相沈積、化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）或原子層沈積（atomic layer deposition，ALD）。
如請求項1所述之方法，其中沈積係在CVD反應腔室中實行。
如請求項1所述之方法，其中該基板包括一矽晶圓。
如請求項1至13中任一項所述之方法，更包含用極紫外輻射之圖案來幅照該輻射敏感層以形成一包含被幅照材料與未幅照材料之潛像。
如請求項14所述之方法，其中該被輻照材料包含交聯之有機錫簇（crosslinked organotin clusters）。
如請求項14所述之方法，其中該極紫外輻射具有約1毫焦耳／平方公分（mJ/cm<sup>2</sup>）至約175毫焦耳／平方公分之劑量（dose）。
如請求項14所述之方法，其中相較於該未幅照材料，該被輻照材料係實質上不溶於有機溶劑中。
如請求項14所述之方法，其中該潛像具有至少1.5的光阻對比。
一種通訊裝置，其包括： <br/>一基座；以及 <br/>一訊號收發裝置，設置於該基座，該訊號收發裝置包括： <br/>一碟形元件，具有位於相反兩側的一反射面與一背面； <br/>一聚焦面支架，具有一聚焦面，該聚焦面面向該反射面； <br/>一訊號收發元件，設置於該聚焦面； <br/>一支撐組件，連接於該碟形元件的該背面，該支撐組件的其中一部分自該碟形元件延伸出去而連接該聚焦面支架；以及 <br/>兩個樞接件，每一該樞接件連接於該基座與該支撐組件自該碟形元件延伸出去的該部分； <br/>其中，該碟形元件、該聚焦面支架及該支撐組件為一體成形。
如請求項1所述的通訊裝置，還包括一旋轉座，該基座連接於該旋轉座上。
如請求項1所述的通訊裝置，其中，該支撐組件及兩個該樞接件為一體成形。
如請求項1所述的通訊裝置，其中，該支撐組件包括一連接肋，設置於該碟形元件的該背面的中間位置，該連接肋包括一延伸部，該延伸部為該支撐組件自該碟形元件延伸出去的該部分，兩個該樞接件連接於該延伸部。
如請求項4所述的通訊裝置，其中，該連接肋與該碟形元件的周緣相交於兩處。
如請求項4所述的通訊裝置，其中，該連接肋具有兩長邊，該兩長邊之間具有一預設距離，該預設距離等於該碟形元件的直徑的25%至35%。
如請求項1所述的通訊裝置，其中，該支撐組件包括相互平行的一第一連接肋與一第二連接肋，該第一連接肋包括一第一延伸部，該第二連接肋包括一第二延伸部，該第一延伸部及該第二延伸部為該支撐組件自該碟形元件延伸出去的該部分，兩個該樞接件分別連接於該第一延伸部及該第二延伸部。
如請求項7所述的通訊裝置，其中，該第一連接肋及該第二連接肋的每一者與該碟形元件的周緣相交於兩處。
如請求項7所述的通訊裝置，其中，該支撐組件還包括多個支撐肋，多個該支撐肋以縱向或橫向的排列方向設置於該碟形元件的該背面。
如請求項7所述的通訊裝置，其中，該支撐組件還包括一第三連接肋與多個支撐肋，該第三連接肋平行設置於該第一連接肋與該第二連接肋之間，該第三連接肋包括一第三延伸部，該第三延伸部自該碟形元件延伸出去而連接該聚焦面支架，多個該支撐肋以縱向或橫向的排列方向設置於該碟形元件的該背面。
如請求項10所述的通訊裝置，其中，該第三連接肋及多個該支撐肋的每一者與該碟形元件的周緣相交於兩處。
如請求項1所述的通訊裝置，還包括一馬達組件，連接於其中一該樞接件並用於驅動該訊號收發裝置進行轉動。
如請求項1所述的通訊裝置，還包括一馬達組件，該馬達組件包括一齒輪件，該訊號收發裝置還包括一齒輪盤，該齒輪盤連接於其中一該樞接件，該馬達組件通過該齒輪件連接於該齒輪盤，以驅動該訊號收發裝置進行轉動。
如請求項1所述的通訊裝置，還包括一馬達組件與一制動開關，該馬達組件直接或間接連接其中一該樞接件，該制動開關電性連接於該馬達組件，該制動開關面向該碟形元件的該背面，該訊號收發裝置還包括一限位桿，該限位桿連接於該支撐組件自該碟形元件延伸出去的該部分；其中當該訊號收發裝置被該馬達組件驅動而進行轉動時，該限位桿同步轉動而抵壓該制動開關，使該制動開關控制該馬達組件停止運轉。
一種天線結構，包括：<br/> 一接地元件；<br/> 一饋入輻射部，具有一正饋入點；<br/> 一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；<br/> 一第二輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第二輻射部係由該第一輻射部所至少部份包圍；<br/> 一連接輻射部；<br/> 一接地輻射部，具有一負饋入點，並耦接至該接地元件，其中該接地輻射部更經由該連接輻射部耦接至該饋入輻射部；<br/> 一短路輻射部，耦接至該接地元件；<br/> 一第三輻射部，耦接至該短路輻射部；<br/> 一第四輻射部，耦接至該短路輻射部，其中該第四輻射部係由該第三輻射部所至少部份包圍；<br/> 一第五輻射部，耦接至該接地元件，其中該第五輻射部係鄰近於該第一輻射部；以及<br/> 一非導體支撐元件，其中該接地元件、該饋入輻射部、該連接輻射部、該接地輻射部、該短路輻射部、該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部、該第四輻射部，以及該第五輻射部皆分佈於該非導體支撐元件上。
如請求項1所述之天線結構，更包括：<br/> 一第六輻射部，耦接至該接地元件。
如請求項2所述之天線結構，其中該非導體支撐元件包括一第一部份和一第二部份，而該第二部份係與該第一部份之間具有一夾角。
如請求項3所述之天線結構，其中該接地元件、該連接輻射部、該接地輻射部，以及該第六輻射部皆設置於該非導體支撐元件之該第一部份上。
如請求項3所述之天線結構，其中該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部，以及該第四輻射部皆設置於該非導體支撐元件之該第二部份上。
如請求項3所述之天線結構，其中該饋入輻射部、該短路輻射部，以及該第五輻射部皆由該非導體支撐元件之該第一部份延伸至該第二部份上。
如請求項3所述之天線結構，其中該非導體支撐元件之該第一部份和該第二部份之每一者之長度皆大於或等於3mm。
如請求項1所述之天線結構，其中該接地輻射部係耦接至該接地元件上之一第一接地點並包括一較窄部份和一較寬部份，該連接輻射部係耦接至該較窄部份，而該負饋入點係位於該較窄部份或該較寬部份上。
如請求項8所述之天線結構，其中該饋入輻射部與該接地輻射部之該較窄部份之間具有一第一距離，該饋入輻射部與該接地輻射部之該較寬部份之間具有一第二距離，而該第一距離至少為該第二距離之2倍以上。
如請求項2所述之天線結構，其中該短路輻射部包括一主要部份和一附加部份，該第四輻射部係經由該主要部份耦接至該接地元件上之一第二接地點，而該第三輻射部係耦接至該附加部份。
如請求項1所述之天線結構，其中該第二輻射部和該第一輻射部之間形成一第一耦合間隙，該第四輻射部和該第三輻射部之間形成一第二耦合間隙，而該第一耦合間隙和該第二耦合間隙之每一者之寬度皆小於或等於3mm。
如請求項2所述之天線結構，其中該第一輻射部更包括一末端彎折區段，該第五輻射部和該末端彎折區段之間形成一第三耦合間隙，而該第三耦合間隙之寬度係小於或等於3mm。
如請求項10所述之天線結構，其中該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶，該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間，而該第三頻帶係介於5925MHz至7125MHz之間。
如請求項13所述之天線結構，其中該饋入輻射部、該連接輻射部，以及該接地輻射部之總長度係大致等於該第一頻帶之中心頻率之0.25倍波長。
如請求項13所述之天線結構，其中該第一輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之最高頻率之0.25倍波長。
如請求項13所述之天線結構，其中該饋入輻射部和該第二輻射部之總長度係介於該第一頻帶之最低頻率之0.16倍至0.25倍波長之間。
如請求項13所述之天線結構，其中該短路輻射部和該第三輻射部之總長度係介於該第二頻帶之中心頻率之0.125倍至0.25倍波長之間。
如請求項13所述之天線結構，其中該短路輻射部之該主要部份和該第四輻射部之總長度係介於該第三頻帶之中心頻率之0.125倍至0.25倍波長之間。
如請求項13所述之天線結構，其中該第五輻射部之長度係介於該第一頻帶之中心頻率之0.0625倍至0.25倍波長之間。
如請求項2所述之天線結構，其中該第六輻射部之長度係介於1mm至5mm之間。
一種天線結構，包括：<br/> 一接地元件；<br/> 一饋入輻射部，具有一正饋入點；<br/> 一第一輻射部，耦接至該饋入輻射部；<br/> 一第二輻射部，耦接至該饋入輻射部，其中該第二輻射部係由該第一輻射部所至少部份包圍；<br/> 一連接輻射部；<br/> 一接地輻射部，具有一負饋入點，並耦接至該接地元件，其中該接地輻射部更經由該連接輻射部耦接至該饋入輻射部；<br/> 一短路輻射部，耦接至該接地元件；<br/> 一第三輻射部，耦接至該短路輻射部；<br/> 一第四輻射部，耦接至該短路輻射部，其中該第四輻射部係由該第三輻射部所至少部份包圍；以及<br/> 一非導體支撐元件，其中該接地元件、該饋入輻射部、該連接輻射部、該接地輻射部、該短路輻射部、該第一輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部，以及該第四輻射部皆分佈於該非導體支撐元件上；<br/> 其中該接地輻射部係耦接至該接地元件上之一第一接地點並包括一較窄部份和一較寬部份，該連接輻射部係耦接至該較窄部份，而該負饋入點係位於該較窄部份或該較寬部份上。
一種窗簾控制系統，係安裝於一窗簾，該窗簾包含複數個窗簾主體，並定義該等窗簾主體的其中之一為一移動主體，該移動主體於一第一位置及一第二位置之間移動，各該窗簾主體具有一於0~180度之間旋轉的一窗簾布夾，該窗簾更包含一驅動裝置，該驅動裝置包含一調頻馬達及一運行馬達，該調頻馬達用以驅動該等窗簾布夾於0~180度之間旋轉，該運行馬達用以驅動該移動主體於該第一位置及該第二位置之間移動，該窗簾控制系統包含：<br/> 一感測模組，用以偵測該移動主體的一位置資訊，及該等窗簾布夾的一旋轉角度；<br/> 一處理模組，該處理模組包含一處理單元，該處理單元接收一電子裝置傳送的一作動訊號，且根據該旋轉角度及/或該位置資訊產生一控制訊號；以及<br/> 一馬達控制模組，接收該控制訊號以控制該調頻馬達及該運行馬達；<br/> 其中，該處理單元被配置為判斷符合下列其中之一：<br/> (i) 該旋轉角度介於一特定區間，且該旋轉角度非為一預設角度；<br/> (ii) 該旋轉角度的變化量達到一特定值，且該旋轉角度非為該預設角度；<br/> 當判斷出符合(i)或(ii)任一者時，該馬達控制模組根據該處理單元產生的該控制訊號驅動該調頻馬達及該運行馬達同時運作，使該調頻馬達驅動該等窗簾布夾朝向該預設角度轉動，同時該運行馬達驅動該移動主體朝向該第一位置及該第二位置其中之一的方向移動。
如請求項1所述之窗簾控制系統，其中該預設角度為90度，該特定區間為30度至89度及91度至150度。
如請求項1所述之窗簾控制系統，其中該特定值為20度。
如請求項1所述之窗簾控制系統，其中該馬達控制模組包含一第一控制單元及一第二控制單元分別用以驅動該調頻馬達及該運行馬達運作。
如請求項1所述之窗簾控制系統，其中該感測模組包含一角度偵測器及一位置偵測器，該角度偵測器及該位置偵測器分別為編碼器或角度感測器或電磁感應器。
如請求項5所述之窗簾控制系統，其中該處理模組更包含一儲存單元，該位置偵測器偵測該位置資訊及該角度偵測器偵測該旋轉角度後傳送至該處理單元，並儲存於該儲存單元；該處理單元根據該電子裝置的該作動訊號，讀取儲存於該儲存單元的該位置資訊及該旋轉角度，並根據該旋轉角度及/或該位置資訊產生該控制訊號。
如請求項1所述之窗簾控制系統，其中該處理單元被配置為判斷該移動主體位於該第一位置，同時該旋轉角度為該特定區間以外且非該預設角度時，該馬達控制模組根據該控制訊號驅動該調頻馬達運作，並驅使該等窗簾布夾朝向該預設角度轉動。
如請求項7所述之窗簾控制系統，其中該處理單元被配置為判斷該旋轉角度為該特定區間或者該旋轉角度的變化量達到該特定值時，該馬達控制模組根據該控制訊號驅動該運行馬達運作，以驅動該移動主體朝向該第二位置移動，並持續驅動該調頻馬達運作，驅使該等窗簾布夾朝向該預設角度轉動。
如請求項8所述之窗簾控制系統，其中當該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組停止驅動該調頻馬達運作。
如請求項8所述之窗簾控制系統，其中當該移動主體位於該第二位置時，該馬達控制模組停止驅動該運行馬達運作。
一種窗簾，係包含：<br/> 複數個窗簾主體，定義該等窗簾主體的其中之一為一移動主體，該移動主體於一第一位置及一第二位置之間移動，且各該窗簾主體具有一於0~180度之間旋轉的一窗簾布夾； <br/> 一驅動裝置，包括一調頻馬達及一運行馬達，該調頻馬達用以驅動該等窗簾布夾於0~180度之間旋轉，該運行馬達用以驅動該移動主體於該第一位置及該第二位置之間移動；以及<br/> 一窗簾控制系統，包含：<br/> 一感測模組，用以偵測該移動主體的一位置資訊，及該等窗簾布夾的一旋轉角度；<br/> 一處理模組，該處理模組包含一處理單元，該處理單元接收一電子裝置傳送的一作動訊號，且根據該旋轉角度及/或該位置資訊產生一控制訊號；以及<br/> 一馬達控制模組，接收該控制訊號以控制一調頻馬達及一運行馬達；<br/> 其中，該處理單元被配置為判斷符合下列其中之一：<br/> (i) 該旋轉角度介於一特定區間，且該旋轉角度非為一預設角度；<br/> (ii) 該旋轉角度的變化量達到一特定值，且該旋轉角度非為該預設角度；<br/> 當判斷出符合(i)或(ii)任一者時，該馬達控制模組根據該處理單元產生的該控制訊號驅動該調頻馬達及該運行馬達同時運作，使該調頻馬達驅動該等窗簾布夾朝向該預設角度轉動，同時該運行馬達驅動該移動主體朝向該第一位置及該第二位置其中之一的方向移動。
如請求項11所述之窗簾，其中該預設角度為90度，該特定區間為30度至89度及91度至150度。
如請求項11所述之窗簾，其中該特定值為20度。
一種窗簾控制方法，至少包含下列步驟：<br/> 一資料獲取步驟：一處理模組的一處理單元取得一位置資訊，該位置資訊代表複數個窗簾主體之其中一定義為一移動主體的位置，及設置於各該窗簾主體的一窗簾布夾的一旋轉角度，其中該移動主體於一第一位置及一第二位置之間移動，該等窗簾布夾於0~180度之間旋轉；以及<br/> 一判斷及執行步驟：透過該處理單元接收一電子裝置產生之一作動訊號，該處理單元根據該旋轉角度及/或該位置資訊，以及該作動訊號，以產生一控制訊號，其中該處理單元被配置為判斷符合下列其中之一：<br/> (i) 該旋轉角度介於一特定區間，且該旋轉角度非為一預設角度；<br/> (ii) 該旋轉角度的變化量達到一特定值，且該旋轉角度非為該預設角度；<br/> 當判斷出符合(i)或(ii)任一者時，一馬達控制模組根據該處理單元產生的該控制訊號驅動一調頻馬達及一運行馬達同時運作，使該調頻馬達驅動該等窗簾布夾朝向該預設角度轉動，同時該運行馬達驅動該移動主體朝向該第一位置及該第二位置其中之一的方向移動。
如請求項14所述之窗簾控制方法，其中該資料獲取步驟之前還包含一起始步驟：透過該處理單元接收該作動訊號。
如請求項15所述之窗簾控制方法，其中該判斷及執行步驟之後還包含一停止步驟：透過該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組停止驅動該調頻馬達運作，或當該處理單元判斷該移動主體到達該第二位置時，該馬達控制模組停止驅動該運行馬達運作。
如請求項16所述之窗簾控制方法，其中該停止步驟還包含：當該馬達控制模組停止驅動該運行馬達及該調頻馬達後，透過一感測模組偵測該移動主體的該位置資訊及該等窗簾布夾的該旋轉角度，並儲存於該處理模組的一儲存單元。
如請求項17所述之窗簾控制方法，其中該判斷及執行步驟還包含：<br/> 步驟S31:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度；<br/> 步驟S32:當判斷該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組驅動該運行馬達運作，驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該旋轉角度非該預設角度時，該處理單元判斷該旋轉角度是否介於該特定區間；<br/> 步驟S33: 該處理單元判斷該旋轉角度是否介於該特定區間，當判斷該旋轉角度介於該特定區間時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該旋轉角度未介於該特定區間時，該馬達控制模組控制該調頻馬達驅使該等窗簾布夾朝該預設角度轉動後，該處理單元再判斷該旋轉角度的變化量是否達到該特定值；以及<br/> 步驟S34: 該處理單元判斷該旋轉角度的變化量是否達到該特定值，當判斷該旋轉角度的變化量達到該特定值時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該旋轉角度的變化量未達到該特定值時，重複執行步驟S33。
如請求項17所述之窗簾控制方法，其中該判斷及執行步驟還包含：<br/> 步驟S41:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度；<br/> 步驟S42:當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組驅動該運行馬達運作，驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度非該預設角度時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾朝該預設角度轉動後，該處理單元判斷該旋轉角度的變化量是否達到該特定值；以及<br/> 步驟S43:該處理單元判斷該旋轉角度的變化量是否達到該特定值，當判斷該旋轉角度的變化量達到該特定值時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該旋轉角度的變化量未達到該特定值時，重複執行步驟S41。
如請求項17所述之窗簾控制方法，其中該判斷及執行步驟還包含：<br/> 步驟S51:該處理單元判斷該旋轉角度是否介於該特定區間，當判斷該旋轉角度介於該特定區間時，該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度；當判斷該旋轉角度未介於該特定區間時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾朝該預設角度轉動後，該處理單元再判斷該旋轉角度的變化量是否達到該特定值；<br/> 步驟S52:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度，當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組驅動該運行馬達運行，驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度非該預設角度時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達驅使該移動主體朝向該第二位置移動；以及<br/> 步驟S53:該處理單元判斷該旋轉角度的變化量是否達到該特定值，當判斷該旋轉角度的變化量達到該特定值時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該旋轉角度的變化量未達到該特定值時，重複執行步驟S51。
如請求項17所述之窗簾控制方法，其中該判斷及執行步驟還包含：<br/> 步驟S61:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度，當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組控制該運行馬達運作，驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度非該預設角度時，該處理單元判斷該旋轉角度是否介於該特定區間；以及<br/> 步驟S62:該處理單元判斷該旋轉角度是否介於該特定區間，當判斷該旋轉角度介於該特定區間時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達以驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達以驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該旋轉角度未介於該特定區間時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達以驅使該等窗簾布夾朝該預設角度轉動後，再次執行步驟S62。
如請求項17所述之窗簾控制方法，其中該判斷及執行步驟還包含：<br/> 步驟S71:該處理單元判斷該旋轉角度是否介於該特定區間，當判斷該旋轉角度介於該特定區間時，該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度；當判斷該旋轉角度未介於該特定區間時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾朝該預設角度轉動後，再次執行步驟S71；以及<br/> 步驟S72:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度，當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組驅動該運行馬達運作，驅使該移動主體朝向該第二位置移動；當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度非該預設角度時，該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾旋轉至該預設角度，且同時驅動該運行馬達驅使該移動主體朝向該第二位置移動。
如請求項17至22其中任一項所述之窗簾控制方法，其中該停止步驟還包含:<br/> 步驟S91:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度及判斷該移動主體是否到該第二位置；<br/> 步驟S92:當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度且該移動主體未達該第二位置時，該馬達控制模組停止驅動該調頻馬達運作；<br/> 步驟S93：該馬達控制模組驅動該運行馬達驅使該移動主體朝該第二位置移動；以及<br/> 步驟S94:該處理單元判斷該移動主體是否位於該第二位置，當判斷該移動主體位於該第二位置時，該馬達控制模組停止驅動該運行馬達運作，該感測模組偵測該移動主體的該位置資訊及該等窗簾布夾的該旋轉角度，並儲存於該儲存單元，結束運作；當判斷該移動主體未位於該第二位置時，重複執行步驟S93。
如請求項17至22其中任一項所述之窗簾控制方法，其中該停止步驟還包含:<br/> 步驟S91:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度及判斷該移動主體是否到該第二位置；以及<br/> 步驟S102:當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度且該移動主體已達該第二位置時，該馬達控制模組停止驅動該調頻馬達及該運行馬達運作，該感測模組偵測該移動主體的該位置資訊及該等窗簾布夾的該旋轉角度，並儲存於該儲存單元，結束運作。
如請求項17至22其中任一項所述之窗簾控制方法，其中該停止步驟還包含:<br/> 步驟S91:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度及判斷該移動主體是否到該第二位置；<br/> 步驟S112:當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度非該預設角度，且該移動主體已達該第二位置時，該馬達控制模組停止驅動該運行馬達運作；<br/> 步驟S113：該馬達控制模組驅動該調頻馬達驅使該等窗簾布夾朝該預設角度轉動；以及<br/> 步驟S114:該處理單元判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度是否為該預設角度，當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度為該預設角度時，該馬達控制模組停止驅動該調頻馬達運作，該感測模組偵測該移動主體的該位置資訊及該等窗簾布夾的該旋轉角度，並儲存於該儲存單元，結束運作；當判斷該等窗簾布夾的該旋轉角度非該預設角度時，重複執行步驟S113。
一種半導體裝置，包括： <br/>積體電路（IC）結構，包括： <br/>後段製程（BEOL）結構，其包含第一後段製程側和第二後段製程側； <br/>半導體，其在所述後段製程結構上且包含第一半導體側和第二半導體側，以及包括積體電路部分； <br/>氧化物，其在所述半導體上且包括第一氧化物側和第二氧化物側；以及 <br/>接合墊，其被所述後段製程結構暴露， <br/>其中： <br/>所述第一後段製程側是在所述第一半導體側上；以及 <br/>所述第一氧化物側完整地覆蓋所述第二半導體側； <br/>導電凸塊，其耦合到所述接合墊；以及 <br/>囊封物，其接觸所述第二氧化物側。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述氧化物是氧化矽。
如請求項1所述的半導體裝置，其進一步包括： <br/>信號分佈結構（SDS），包括： <br/>信號分佈結構介電質； <br/>信號分佈結構導體；以及 <br/>第一信號分佈結構側和第二信號分佈結構側， <br/>其中所述導電凸塊係： <br/>附接到所述第二信號分佈結構側；以及 <br/>經由所述信號分佈結構導體而耦合到所述積體電路晶粒的所述接合墊。
如請求項3所述的半導體裝置，其中所述信號分佈結構介電質包括無機材料。
如請求項3所述的半導體裝置，其中所述信號分佈結構的橫向側與所述囊封物的橫向側共面。
如請求項1所述的半導體裝置，其進一步包括在所述導電凸塊中的至少一個和所述接合墊中的至少一個之間的基本垂直的電路徑。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第二後段製程側未被所述囊封物覆蓋。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述氧化物橫向地圍繞所述半導體，但沒有橫向地圍繞所述後段製程結構。
一種半導體裝置，包括： <br/>積體電路（IC）結構，包括： <br/>後段製程（BEOL）結構，其包含第一後段製程側和第二後段製程側； <br/>半導體，其在所述後段製程結構上且包含第一半導體側和第二半導體側，以及包括積體電路部分；以及 <br/>無機介電質，其在所述半導體上且包括第一無機介電質側和第二無機介電質側； <br/>其中： <br/>所述第一後段製程側是在所述第一半導體側上；以及 <br/>所述第一無機介電質側完整地覆蓋所述第二半導體側； <br/>導電凸塊，其耦合到所述後段製程結構；以及 <br/>囊封物，其接觸所述第二無機介電質側。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述無機介電質包括氧化矽。
如請求項9所述的半導體裝置，其進一步包括在所述半導體的側壁上的額外無機介電質，其中： <br/>所述側壁延伸在所述第一半導體側壁側和所述第二半導體側之間，以及 <br/>所述額外無機介電質的一部分延伸得比所述第二半導體側更遠。
如請求項9所述的半導體裝置，其進一步包括在所述半導體的側壁上的側無機介電質，其中： <br/>所述側壁在所述第一半導體側和所述第二半導體側之間延伸，以及 <br/>所述無機介電質的垂直厚度比所述側無機介電質的橫向厚度還厚。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述無機介電質是與所述半導體的氧化物不同的半導體氧化物層。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述無機介電質是熱氧化物或沉積氧化物中的至少一種。
如請求項9所述的半導體裝置，其進一步包括： <br/>信號分佈結構（SDS），包括： <br/>信號分佈結構介電質； <br/>信號分佈結構導體；以及 <br/>第一信號分佈結構側和第二信號分佈結構側， <br/>其中所述導電凸塊係： <br/>附接到所述第二信號分佈結構側；以及 <br/>經由所述信號分佈結構導體而耦合到所述積體電路晶粒的所述後段製程結構。
如請求項15所述的半導體裝置，其中所述信號分佈結構的橫向側與所述囊封物的橫向側共面。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述第二後段製程側未被所述囊封物覆蓋。
如請求項9所述的半導體裝置，其中所述無機介電質橫向地圍繞所述半導體，但是沒有橫向地圍繞所述後段製程結構。
一種用於製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>提供積體電路（IC）結構，包括： <br/>後段製程（BEOL）結構，包括第一後段製程側和第二後段製程側； <br/>半導體，包括積體電路部分，所述半導體包括第一半導體側和第二半導體側，所述第一半導體側是在所述第一後段製程側上；以及 <br/>無機介電質，包括第一無機介電質側和第二無機介電質側，所述第一無機介電質側完整地覆蓋所述第二半導體側； <br/>形成耦合到所述後段製程結構的導電凸塊；以及 <br/>提供與所述第二無機介電質側接觸的囊封物。
如請求項19所述的方法，其中所述無機介電質包括氧化矽。
一種表面改質的車用散熱裝置，包括：<br/> 一金屬散熱裝置，其具有第一散熱面及用以接觸冷卻液或空氣的第二散熱面；及<br/> 一銀金屬層，其在所述金屬散熱裝置的第一散熱面上以電弧離子鍍(Arc Ion Plating, AIP)方式形成，所述銀金屬層的表面分布有多個直徑介於0.1um至30um的孔洞、以及多個粒徑為30um以下的金屬微粒，且所述銀金屬層的表面作為之後的銀燒結接合面，使所述銀燒結接合面以銀燒結接合方式與至少一車用電子元件模組形成接合。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述銀金屬層為厚度介於0.5um至10um的膜層。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置為水冷或空冷的金屬散熱裝置。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置為封閉式或半開放式的金屬散熱裝置。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置的外部形成有鰭片結構，且所述金屬散熱裝置的第二散熱面為所述鰭片結構的表面。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置的內部形成有鰭片結構，且所述金屬散熱裝置的第二散熱面為所述鰭片結構的表面。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置是以銅、銅合金、鋁、鋁合金的其一所製成。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置本身具有初始表面改質層，且所述初始表面改質層的一表面作為所述金屬散熱裝置的第一散熱面。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述金屬散熱裝置本身具有初始表面改質層，且所述初始表面改質層的一表面作為所述金屬散熱裝置的第一散熱面，並且所述銀金屬層與所述金屬散熱裝置的第一散熱面之間還形成有一或多個金屬層。
如請求項1所述的表面改質的車用散熱裝置，其中，所述銀金屬層是局部地形成在所述金屬散熱裝置的第一散熱面上的一圖案化銀金屬層。
一種對倉庫管理系統實行負荷測試之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>基於執行複數個流程之倉庫管理系統之系統負荷之時序資料，將上述倉庫管理系統之運行時段中之至少一部分確定為對上述倉庫管理系統進行負荷測試之對象時段，上述複數個流程各者包括用以實行預先確定之作業之一個以上之API呼叫，上述倉庫管理系統之上述系統負荷係將上述複數個流程各者產生之流程負荷累加而確定； <br/>確定上述對象時段中之進行上述負荷測試之上述複數個流程間之優先級； <br/>基於上述複數個流程間之上述優先級，確定上述複數個流程中之用以進行上述負荷測試之一個以上之對象流程；及 <br/>向上述一個以上之對象流程中之至少一部分對象流程分配虛擬作業，從而對上述倉庫管理系統實行上述負荷測試， <br/>其中上述系統負荷表示控制上述複數個流程各者之執行所需之上述倉庫管理系統之控制資源的總利用率， <br/>上述流程負荷表示控制各流程之執行所需之上述控制資源之個別利用率。
如請求項1之方法，其中上述倉庫管理系統包括入庫管理系統、庫存管理系統或出庫管理系統中之至少一者。
如請求項1之方法，其中上述控制資源包括CPU，該CPU係於上述倉庫管理系統中控制上述複數個流程各者之執行者。
如請求項1之方法，其中基於執行上述複數個流程之上述倉庫管理系統之系統負荷之上述時序資料，將上述倉庫管理系統之上述運行時段中之至少一部分確定為對上述倉庫管理系統進行上述負荷測試之上述對象時段的步驟包括如下步驟： <br/>基於上述時序資料，確定上述倉庫管理系統之上述運行時段中之上述系統負荷所表示之上述控制資源之上述總利用率最大的時間；及 <br/>基於上述控制資源之上述總利用率最大之上述時間，確定上述負荷測試之上述對象時段；且 <br/>上述對象時段為如下之時段：包括上述控制資源之上述總利用率最大之上述時間且具有預先確定之時長。
如請求項1之方法，其中基於執行上述複數個流程之上述倉庫管理系統之上述系統負荷之上述時序資料，將上述倉庫管理系統之上述運行時段中之至少一部分確定為對上述倉庫管理系統進行上述負荷測試之上述對象時段的步驟包括如下步驟： <br/>基於上述時序資料，確定上述倉庫管理系統之上述運行時段中之上述系統負荷所表示之上述控制資源之上述總利用率為預先確定之值以上之一個以上的時段，上述一個以上之時段彼此不重疊；及 <br/>基於上述一個以上之時段來確定上述負荷測試之上述對象時段。
如請求項5之方法，其中基於上述一個以上之時段來確定上述負荷測試之上述對象時段之步驟包括如下步驟： <br/>計算上述一個以上之時段各者中之上述控制資源之上述總利用率的單位時間增加量；及 <br/>將上述一個以上之時段中之上述控制資源之上述總利用率之上述單位時間增加量最大之時段確定為上述負荷測試的上述對象時段。
如請求項5之方法，其中上述倉庫管理系統之上述運行時段包括第1配送類型之第1截止時間或第2配送類型之第2截止時間中的至少一者， <br/>上述倉庫管理系統於上述第1截止時間前接收到之訂單中包括之一個以上之物品係根據上述第1配送類型來配送， <br/>上述倉庫管理系統於經過上述第1截止時間後且上述第2截止時間前接收到之訂單中包括之一個以上之物品係根據上述第2配送類型來配送， <br/>基於上述一個以上之時段來確定上述負荷測試之上述對象時段之步驟包括如下步驟： <br/>將上述一個以上之時段中之包括上述第2截止時間之時段確定為上述負荷測試的上述對象時段。
如請求項1之方法，其中確定上述對象時段中之進行上述負荷測試之上述複數個流程間之上述優先級的步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個流程各者產生之上述流程負荷，以如下方式確定上述複數個流程間之上述優先級，即，上述流程負荷所表示之上述個別利用率越大，則具有越高之優先級。
如請求項1之方法，其中確定上述對象時段中之進行上述負荷測試之上述複數個流程間之上述優先級的步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個流程各者所包括之上述一個以上之API呼叫中之與外部裝置相關的API呼叫，確定上述複數個流程各者之外部依存度；及 <br/>基於上述複數個流程各者之上述外部依存度，以如下方式確定上述複數個流程間之上述優先級，即，上述外部依存度越低，則具有越高之優先級。
如請求項1之方法，其中確定上述對象時段中之進行上述負荷測試之上述複數個流程間之上述優先級的步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個流程各者所包括之上述一個以上之API呼叫之呼叫樹，確定上述複數個流程各者之複雜度，上述呼叫樹表示上述一個以上之API呼叫間之呼叫順序；及 <br/>基於上述複數個流程各者之上述複雜度，以如下方式確定上述複數個流程間之上述優先級，即，上述複雜度越低，則具有越高之優先級。
如請求項1之方法，其中基於上述複數個流程間之上述優先級來確定上述複數個流程中之用以進行上述負荷測試之上述一個以上之對象流程的步驟包括如下步驟： <br/>將上述複數個流程中之按照上述優先級由高到低之順序預先確定之個數之流程確定為上述一個以上的對象流程。
如請求項1之方法，其中向上述一個以上之對象流程中之至少一部分對象流程分配上述虛擬作業，從而對上述倉庫管理系統實行上述負荷測試之步驟包括如下步驟： <br/>將上述對象時段中之上述一個以上之對象流程各者之單位時間作業處理量中之任一者確定為上述負荷測試的基準作業處理量； <br/>基於上述基準作業處理量來確定上述一個以上之對象流程中之第1流程之基準作業個數；及 <br/>基於上述基準作業個數來向上述第1流程分配一個以上之虛擬作業。
如請求項12之方法，其中上述一個以上之對象流程係根據預先確定之順序而執行， <br/>上述一個以上之對象流程各者之上述單位時間作業處理量包括裝運個數， <br/>上述負荷測試之上述基準作業處理量為上述對象時段中之上述一個以上之對象流程中之第2流程的上述單位時間作業處理量。
如請求項13之方法，其中基於上述基準作業處理量來確定上述第1流程之上述基準作業個數之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第1流程之作業個數來確定上述第1流程之上述基準作業個數，該第1流程之作業個數係使上述一個以上之對象流程中之上述第2流程具有上述基準作業處理量者。
如請求項14之方法，其中基於上述基準作業處理量來確定上述第1流程之上述基準作業個數之步驟包括如下步驟： <br/>進而基於上述一個以上之對象流程中之至少一部分對象流程各者之作業個數來確定上述第1流程之上述基準作業個數，該至少一部分對象流程各者之作業個數係使上述第2流程具有上述基準作業處理量者。
如請求項15之方法，其中上述第1流程之上述基準作業個數表示上述第1流程之訂單個數， <br/>基於上述基準作業個數而向上述第1流程分配虛擬作業之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述基準作業個數而向上述第1流程分配一個以上之虛擬訂單。
如請求項12之方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得分配上述虛擬作業所得之結果之結果資料；且 <br/>上述結果資料表示如下中之至少一者： <br/>隨著分配上述虛擬作業而執行上述一個以上之對象流程中之至少一部分對象流程時產生之上述倉庫管理系統的實際系統負荷；或 <br/>隨著分配上述虛擬作業而執行上述一個以上之對象流程中之至少一部分對象流程時之API呼叫的響應延遲時間。
如請求項17之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述結果資料，確定上述實際系統負荷所表示之上述倉庫管理系統之上述控制資源之總利用率是否未達預先確定的第1臨界值； <br/>響應於確定上述實際系統負荷所表示之上述倉庫管理系統之控制資源之總利用率未達上述第1臨界值，確定對上述第1流程之上述基準作業個數相加預先確定之個數所得之作業個數；及 <br/>基於對上述基準作業個數相加上述預先確定之個數所得之上述作業個數，產生上述第1流程之一個以上之虛擬作業。
如請求項17之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述結果資料，確定上述響應延遲時間是否未達預先確定之第2臨界值； <br/>響應於確定上述響應延遲時間未達上述第2臨界值，確定對上述第1流程之上述基準作業個數相加預先確定之個數所得之作業個數；及 <br/>基於對上述基準作業個數相加上述預先確定之個數所得之上述作業個數，產生上述第1流程之一個以上之虛擬作業。
如請求項1之方法，其中向上述一個以上之對象流程中之至少一部分對象流程分配上述虛擬作業，從而對上述倉庫管理系統實行上述負荷測試之步驟包括如下步驟： <br/>將上述對象時段中之上述一個以上之對象流程各者之單位時間作業處理量確定為上述負荷測試的基準作業處理量； <br/>基於對上述一個以上之對象流程各者確定之基準作業處理量，確定上述一個以上之對象流程各者之基準作業個數；及 <br/>基於對上述一個以上之對象流程各者確定之基準作業個數，分配上述一個以上之對象流程各者之虛擬作業。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器； <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至20中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至20中任一項之方法。
一種連接器，用以連接一配對連接器，該連接器包含：<br/> 一第一殼體，包含相連接之一第一主體及一第二主體，該第二主體更包含一第一表面及相鄰該第一表面之一第二表面，且該第一表面及該第二表面形成高低差，以使該第一主體及該第二主體共同定義一凹陷區；<br/> 一第二殼體，包含一第二殼體本體及二延伸臂，所述延伸臂沿一第一方向分別形成於該第二殼體本體之相應兩側；<br/> 一第三殼體，設置於該第一殼體與該第二殼體之間，包含一第三殼體本體、二第一中心管及二第二中心管，所述第一中心管及所述第二中心管分別沿該第一方向形成於該第三殼體本體之一側；<br/> 一第一接觸模組，設置於該第三殼體中，包含二第一內殼件及二對第一接觸件，所述第一接觸件分別對應地穿設於各所述第一內殼件中；<br/> 一第二接觸模組，設置於該第三殼體中，包含二第二內殼件及二對第二接觸件，所述第二接觸件分別對應地穿設於各所述第二內殼件中；以及 <br/> 一密封件，套設於該凹陷區且緊密接合於該第一表面，該密封件更包含複數凸肋結構，環繞形成於該密封件之外側面並與一隔件緊密干涉；<br/> 其中，該第一主體及該第二主體共同定義一第一容置空間，可供該第三殼體、該第一接觸模組及該第二接觸模組局部設置於其中，該第二殼體及該第三殼體共同定義一第二容置空間，可供該第一接觸模組及該第二接觸模組之另一局部設置於其中，且當該第一殼體與該隔件相互接合時，可供該連接器穩固地對接該配對連接器。
如請求項1所述之連接器，其中，該第一主體更具有一延伸部，該延伸部沿一第二方向延伸設置於該第一主體，以使該密封件及該隔件抵接並固定於該第一殼體上。
如請求項1所述之連接器，其中，該第二主體更具有二第一穿孔及二第二穿孔，所述第一穿孔及所述第二穿孔係為上下排列，所述第一穿孔供所述第一中心管設置，所述第二穿孔供所述第二中心管設置。
如請求項1所述之連接器，其中，各所述第一中心管更具有一第一穿槽，各所述第二中心管更具有一第二穿槽，該第一穿槽及該第二穿槽分別可供該第一內殼件及該第二內殼件局部穿設。
如請求項1所述之連接器，其中，該第一殼體更具有至少一定位件及複數抵接塊，該第三殼體更具有至少一定位槽，當該第一殼體、該第二殼體及該第三殼體相互連接時，該至少一定位件對應地卡合於該至少一定位槽，所述抵接塊止擋該第三殼體本體。
如請求項1所述之連接器，其中，該第二殼體更包含二第一凸塊，分別形成於所述延伸臂之內側面，該第三殼體更包含二第二凸塊，分別形成於該第三殼體本體之相對兩側面，當該第二殼體及該第三殼體相互連接時，所述第一凸塊抵接並卡合於所述第二凸塊。
如請求項1所述之連接器，其中，更包含一中間件，插設於該第三殼體本體中，以阻隔該第一接觸模組與該第二接觸模組之間的電磁干擾。
如請求項1所述之連接器，其中，該第一殼體更具有複數溝槽及複數卡合塊，供該配對連接器設置。
一種擬合檢索內容的影像報告生成系統，包括： <br/>一檢驗報告資料庫，儲存複數報告資料，其中各該報告資料包括一分析說明與一採檢影像，該分析說明包括一報告人、一人體部位與一部位狀態等級； <br/>一製作報告應用程式，連接該檢驗報告資料庫；以及 <br/>一處理器，執行該製作報告應用程式並經配置以： <br/>透過一使用者帳號登入該製作報告應用程式； <br/>取得由一醫學檢測儀器所產生的一目前病患影像，其中該目前病患影像包括一影像文字，該影像文字包括該醫學檢測儀器在該目前病患影像上註記的掃描參數； <br/>在該檢驗報告資料庫中搜尋與該目前病患影像相似或相同的該些採檢影像，以得到複數報告參考影像； <br/>比對在該目前病患影像上的該影像文字與該些報告參考影像的該些分析說明，篩選出在描述上與該掃描參數相似或相同的該些報告資料； <br/>基於該些報告資料的該些分析說明的相同或相似，將該些報告資料劃分為複數群集； <br/>將數量最多或平均值最大的該群集的該報告資料作為一第一參考報告； <br/>在該檢驗報告資料庫中搜尋具有與該使用者帳號對應的一預設條件相符的該報告人的該報告資料作為一第二參考報告； <br/>使用該第一參考報告與該第二參考報告的該人體部位與該些部位狀態等級作為關聯於該目前病患影像的一病患分析說明； <br/>基於該第一參考報告及該第二參考報告的該些部位狀態等級於該病患分析說明的該部位狀態等級設定呈現複數選擇項目的一下拉式選單； <br/>基於該第二參考報告的該些部位狀態等級設定該些選擇項目之一為一預設選項； <br/>使用該病患分析說明與該目前病患影像來建立一新報告資料； <br/>透過該製作報告應用程式響應於選擇該下拉式選單的該些選擇項目之一的操作，來調整該部位狀態等級；以及 <br/>響應於對一確認選項的操作，送出該新報告資料。
如請求項1所述的擬合檢索內容的影像報告生成系統，更包括一輸出入介面，接收鍵入該使用者帳號的操作 <br/>。
如請求項2所述的擬合檢索內容的影像報告生成系統，其中該處理器經配置以： <br/>自該第一參考報告與該第二參考報告保留符合一報告人偏好、符合該目前病患影像且符合該影像文字的資料來獲得一綜合參考報告；以及 <br/>使用該綜合參考報告的該人體部位與該部位狀態等級作為關聯於該目前病患影像的該病患分析說明。
如請求項2所述的擬合檢索內容的影像報告生成系統，其中該處理器將該第二參考報告的該部位狀態等級的數值範圍，作為該新報告資料的該部位狀態等級的該下拉式選單的該預設選項。
如請求項1所述的擬合檢索內容的影像報告生成系統，其中該處理器經配置以： <br/>在比對在該目前病患影像上的該影像文字與該報告參考影像關聯的該分析說明之前，擷取該分析說明中的該報告人、該人體部位及該部位狀態等級並形成一資料關係；以及 <br/>使用該資料關係來建立該目前病患影像關聯的該分析說明。
一種擬合檢索內容的影像報告生成方法，應用於一影像報告生成系統，包括： <br/>透過一使用者帳號登入一製作報告應用程式； <br/>於該影像報告生成系統，取得由一醫學檢測儀器所產生的一目前病患影像，其中該目前病患影像包括一影像文字，該影像文字包括該醫學檢測儀器在該目前病患影像上註記的掃描參數； <br/>於該影像報告生成系統，在一檢驗報告資料庫中搜尋與該目前病患影像相似或相同的複數採檢影像，以得到複數報告參考影像； <br/>於該影像報告生成系統，比對在該目前病患影像上的該影像文字與該些報告參考影像的複數分析說明，篩選出在描述上與該掃描參數相似或相同的該些報告資料； <br/>於該影像報告生成系統，基於該些報告資料的該些分析說明的相同或相似，將該些報告資料劃分為複數群集； <br/>於該影像報告生成系統，將數量最多或平均值最大的該群集的該報告資料作為該第一參考報告； <br/>在該檢驗報告資料庫中搜尋具有與該使用者帳號對應的一預設條件相符的一報告人的該報告資料作為一第二參考報告； <br/>於該影像報告生成系統，使用該第一參考報告與該第二參考報告的一人體部位與複數部位狀態等級作為關聯於該目前病患影像的一病患分析說明； <br/>基於該第一參考報告及該第二參考報告的該些部位狀態等級於該病患分析說明的一部位狀態等級設定呈現複數選擇項目的一下拉式選單； <br/>基於該第二參考報告的該些部位狀態等級設定該些選擇項目之一為一預設選項； <br/>於該影像報告生成系統，使用該病患分析說明與該目前病患影像來建立一新報告資料； <br/>於該影像報告生成系統，透過連接於該檢驗報告資料庫的該製作報告應用程式響應於選擇該下拉式選單的該些選擇項目之一的操作，來調整該部位狀態等級；以及 <br/>響應於對一確認選項的操作，送出該新報告資料。
如請求項6所述的擬合檢索內容的影像報告生成方法，更包括： <br/>於該影像報告生成系統，接收該使用者帳號並透過該使用者帳號登入該製作報告應用程式。
如請求項7所述的擬合檢索內容的影像報告生成方法，其中在得到該第一參考報告及該第二參考報告之後的步驟包括： <br/>於該影像報告生成系統，自該第一參考報告與該第二參考報告保留符合一報告人偏好、符合該目前病患影像且符合該影像文字的資料來獲得一綜合參考報告；以及 <br/>於該影像報告生成系統，使用該綜合參考報告的該人體部位與該部位狀態等級作為關聯於該目前病患影像的該病患分析說明。
如請求項7所述的擬合檢索內容的影像報告生成方法，更包括： <br/>於該影像報告生成系統，將該第二參考報告的該部位狀態等級的數值範圍，作為該新報告資料的該部位狀態等級的該下拉式選單的該預設選項。
如請求項6所述的擬合檢索內容的影像報告生成方法，更包括： <br/>於該影像報告生成系統，在比對在該目前病患影像上的該影像文字與該報告參考影像關聯的該分析說明之前，擷取該分析說明中的一報告人、該人體部位及該部位狀態等級並形成一資料關係；以及 <br/>於該影像報告生成系統，使用該資料關係來建立該目前病患影像關聯的該分析說明。
一種揚聲結構，其包括：<br/> 一導磁載板；<br/> 一磁性元件，位於該導磁載板上並且配置於形成一磁間隙區域； <br/> 一外框，位於該磁性元件的周側； <br/> 一振動組件，包括一彈性電路件、一振動件與一音圈，該彈性電路件包括一外固定架、一連接支架與一內固定架，該連接支架連接於該外固定架與該內固定架之間，其中該外固定架的厚度大於該連接支架，該連接支架的厚度大於該內固定架，該彈性電路件位於該磁性元件上，該彈性電路件的該外固定架設置於該外框，該音圈設置於該彈性電路件的該內固定架，該音圈位於該磁間隙區域中，該振動件設置於該彈性電路件上；以及<br/> 一導電件，設置於該外框，該彈性電路件還包括一外導電部，該外導電部自該外固定架向內延伸，該導電件一端電性連接於該外導電部，該導電件的另一端穿出該外框。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該外固定架包括一外基板、一第一外包覆件與一第二外包覆件，該外基板設置於該第一外包覆件上，該第二外包覆件設置於該外基板上。
如請求項2所述的揚聲結構，其中該外基板包括一外基板層、一第一外導電層與一第二外導電層，該第一外包覆件包括一第一外包覆層與一第一外黏膠層，該第二外包覆件包括一第二外包覆層與一第二外黏膠層，該外基板層的兩側分別設置該第一外導電層與該第二外導電層，該第一外黏膠層包覆於該第一外導電層的外側，該第一外包覆層設置於一第一外黏膠層的外側，該第二外黏膠層包覆於該第二外導電層的外側，該第二外包覆層設置於該第二外黏膠層的外側。
如請求項3所述的揚聲結構，其中該第一外包覆件還包括一第一輔助包覆層與一第一輔助黏層，該第一輔助黏層設置於該第一外包覆層的外側，該第一輔助包覆層設置於該第一輔助黏層的外側。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該連接支架包括一連接基板、一第一連接件與一第二連接件，該連接基板設置於該第一連接件上，該第二連接件設置於該連接基板上。
如請求項5所述的揚聲結構，其中該連接基板包括一連接基板層與一連接導電層，該第一連接件包括一第一連接包覆層與一第一連接黏膠層，該第二連接件包括一第二連接包覆層與一第二連接黏膠層，該連接導電層設置於該連接基板層的一側，該第一連接黏膠層包覆於該連接導電層的外側，該第一連接包覆層設置於該第一連接黏膠層的外側，該第二連接黏膠層設置於該連接基板層的另一側，該第二連接包覆層設置於該第二連接黏膠層的外側。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該內固定架包括一內基板與一內包覆件，該內基板設置於該內包覆件上。
如請求項7所述的揚聲結構，其中該內基板包括一內基板層與一內導電層，該內包覆件包括一內包覆層與一內黏膠層，該內導電層設置於該內基板層的一側，該內黏膠層包覆於該內導電層的外側，該內包覆層設置於該內黏膠層的外側。
如請求項8所述的揚聲結構，其中該彈性電路件還包括一內導電部，該內導電部自該內固定架向內延伸，該內導電部電性連接於該內導電層與該音圈之間。
如請求項9所述的揚聲結構，其中該磁性元件包括一主磁鐵、一副磁鐵、一主導磁件與一副導磁件，該主磁鐵與該副磁鐵設置於該導磁載板，該副磁鐵位於該主磁鐵的外側，該主磁鐵與該副磁鐵之間形成該磁間隙區域，該主導磁件設置於該主磁鐵上，該副導磁件設置於該副磁鐵上，其中該主導磁件具有一缺口，該缺口位於該內導電部的垂直振動的路徑上。
如請求項10所述的揚聲結構，其中該外框的內側更包括複數個內固定槽，該副導磁件對應該些個內固定槽具有複數個外固定部，該副導磁件的該些個外固定部嵌合於該外框的該些個內固定槽。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該導磁載板具有一凸部，該外框對應於該凸部具有凹口部，該外框設置於該導磁載板的外側，該導磁載板的該凸部嵌合於該外框的該凹口部。
如請求項1所述的揚聲結構，其中還包括防塵網，該外框的兩側具有一鏤空部，該鏤空部具有透氣孔，該防塵網設置於該鏤空部，並該防塵網封蓋該透氣孔。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該外固定架、該連接支架與該內固定架的基板結構為一體成形。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該連接支架具有三個，每個該連接支架的一端自該外固定架向內彎曲延伸連接於該內固定架。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該振動組件還包括一固定環，該固定環設置於該彈性電路件與該振動件之間。
如請求項16所述的揚聲結構，其中該振動件還包括一振膜部與一折環部，該折環部的內側環設於該振膜部的周側，該折環部的外側設置於該固定環上。
如請求項16所述的揚聲結構，其中該外框更包括複數個凸塊，該固定環套設於該些個凸塊的外側。
如請求項1所述的揚聲結構，其中該外框更包括複數個固定槽，該彈性電路件的該外固定架黏固於該外框的該些個固定槽與該些個固定槽的槽口周側的表面。
一種用於光耦合的裝置，包括： <br/>基板； <br/>配置於所述基板上的反射層； <br/>所述反射層上方的下部光柵層，所述下部光柵層，包括基底層及所述基底層上方的下部光柵耦合器；和 <br/>所述下部光柵層上方的上部光柵層，所述上部光柵層包括上部光柵耦合器及所述上部光柵耦合器上方的塗層， <br/>其中，在所述裝置的俯視圖中，所述下部光柵耦合器的中心線與所述上部光柵耦合器的中心線對準， <br/>其中所述下部光柵耦合器與所述上部光柵耦合器接觸。
如請求項1所述的裝置，其中所述下部光柵耦合器包括下部光柵區段和下部波導區段，所述上部光柵耦合器包括上部光柵區段和上部波導區段，並且在所述俯視圖中所述下部光柵區段與所述上部光柵區段重疊。
如請求項1所述的裝置，其中所述下部光柵耦合器包括下部光柵區段和下部波導區段，所述上部光柵耦合器包括上部光柵區段和上部波導區段，並且所述下部光柵區段在所述俯視圖中與所述上部光柵區段沒有重疊。
如請求項1所述的裝置，其中所述下部光柵耦合器和所述上部光柵耦合器包括不同的光學透明材料。
一種用於光耦合的裝置，包括： <br/>基板； <br/>反射層配置於所述基板上； <br/>所述反射層上方的下部光柵層，所述下部光柵層包括形成於其中的下部光柵耦合器；和 <br/>所述下部光柵層上方的上部光柵層，所述上部光柵層包括形成於其中的上部光柵耦合器， <br/>其中所述下部光柵耦合器包括下部波導，所述上部光柵耦合器包括上部波導，所述下部波導和所述上部波導被配置為將在其中行進的光子合併到所述下部波導和所述上部波導之一， <br/>其中所述下部光柵耦合器與所述上部光柵耦合器接觸。
如請求項5所述的裝置，其中在所述裝置的俯視圖中，所述下部波導和所述上部波導重疊。
如請求項5所述的裝置，其中所述下部波導和所述上部波導之一具有恆定的寬度截面和漸縮的寬度截面。
如請求項5所述的裝置，其中所述下部波導和所述上部波導中的一個比另一個短並且包括傾斜的終端側壁。
一種用於製造光學裝置的方法，包括： <br/>在基板上形成反射層； <br/>在所述反射層上配置基底層； <br/>圖案化所述基底層的頂部以形成多個第一溝槽； <br/>在所述基底層上沉積第一光學透明材料，其中所述第一光學透明材料填充所述第一溝槽，形成第一光柵耦合器的多個第一光柵齒； <br/>在所述第一光學透明材料上沉積第二光學透明材料； <br/>將所述第二光學透明材料的頂部進行圖案化，以形成第二光柵耦合器的多個第二光柵齒；和 <br/>在所述第二光學透明材料上沉積塗層，其中所述塗層填充限定於相鄰所述第二光柵齒之間的多個第二溝槽。
一種混紡布的分離設備，包括： <br/>一反應槽； <br/>一多圓柱槽體，設置於該反應槽中； <br/>一葉片型攪拌器，設置於該多圓柱槽體中，其中該葉片型攪拌器具有至少兩旋轉方向； <br/>一過濾器，設置於該反應槽的一底部位置； <br/>至少一超音波震盪器，連接該反應槽，其中該超音波震盪器具有10千赫茲至50千赫茲的一震盪頻率；以及 <br/>一迴流管線，連接該過濾器及該反應槽。
如請求項1所述的混紡布的分離設備，其中該超音波震盪器相鄰於該過濾器。
如請求項1所述的混紡布的分離設備，其中該葉片型攪拌器的一葉片位置高於該超音波震盪器與該反應槽的一連接位置。
如請求項1所述的混紡布的分離設備，其中該超音波震盪器及該葉片型攪拌器設置於該反應槽的該底部位置，且該反應槽的該底部位置落在該反應槽的一總高度的0%至50%以內。
如請求項1所述的混紡布的分離設備，其中該超音波震盪器的該震盪頻率為一定值。
一種混紡布的分離方法，包括： <br/>將一混紡布及一溶劑置入一反應槽中，使該混紡布於該溶劑中反應以分離為一聚酯布及一纖維素材料； <br/>啟動連接該反應槽的至少一超音波震盪器，使該超音波震盪器提供10千赫茲至50千赫茲的一震盪頻率； <br/>在啟動該超音波震盪器後，啟動位於該反應槽中的一葉片型攪拌器，其中該葉片型攪拌器至少沿著兩旋轉方向旋轉； <br/>使用位於該反應槽的一底部位置的一過濾器收集該纖維素材料；以及 <br/>使反應後的該溶劑通過連接該過濾器及該反應槽的一迴流管線，使該溶劑迴流至該反應槽中。
如請求項6所述的混紡布的分離方法，其中該超音波震盪器於該溶劑中產生複數個空蝕氣泡，且該些空蝕氣泡的直徑為5微米至500微米。
如請求項6所述的混紡布的分離方法，其中該葉片型攪拌器重複進行以下步驟： <br/>沿一順時針方向旋轉一第一時間；以及 <br/>沿一逆時針方向旋轉一第二時間，其中該第一時間及該第二時間相同。
如請求項6所述的混紡布的分離方法，其中該超音波震盪器提供的該震盪頻率為一定值。
如請求項6所述的混紡布的分離方法，更包括： <br/>使反應後的該溶劑排出該反應槽後，啟動位於該反應槽中的一多圓柱槽體，以移除殘留於該聚酯布之多餘的該溶劑。
一種錫組合物，其係包含錫化合物者，該錫化合物係具有錫原子、有機基R、氧配位基及/或羥配位基者，且 上述錫化合物1分子中包含2種以上之上述有機基R，且包含Sn-O-Sn結構， 上述有機基R具有1～30個碳原子， 當利用ESI質譜進行測定時，上述錫組合物包含3種以上之包含化學式(R<sup>A</sup>Sn)<sub>x</sub>(R<sup>B</sup>Sn)<sub>y</sub>O<sub>14</sub>(OH)<sub>6</sub><sup>+2</sup>所表示之陽離子之錫化合物(P3AB)，且滿足下述要件： x為0＜x＜12之整數，y為0＜y＜12之整數，且滿足x＋y＝12；將於上述錫組合物之藉由NMR測定所算出之上述有機基R之組成之比率中占最多比率之有機基設為R<sup>A</sup>，將占第二多比率之有機基設為R<sup>B</sup>；上述有機基R亦可包含除上述有機基R<sup>A</sup>及R<sup>B</sup>以外之有機基， 藉由下述計算式A算出之上述錫化合物(P3AB)之含量(%)之合計值為80%以上； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
一種錫組合物，其係包含錫化合物者，該錫化合物係具有錫原子、有機基R、氧配位基及/或羥配位基者，且 上述錫化合物1分子中包含2種以上之上述有機基R，且包含Sn-O-Sn結構， 上述有機基R具有1～30個碳原子， 當利用ESI質譜進行測定時，上述錫組合物包含3種以上之包含化學式(R<sup>A</sup>Sn)<sub>x</sub>(R<sup>B</sup>Sn)<sub>y</sub>O<sub>14</sub>(OH)<sub>6</sub><sup>+2</sup>所表示之陽離子之錫化合物(P3AB)，且滿足下述要件： x為0＜x＜12之整數，y為0＜y＜12之整數，且滿足x＋y＝12；將於上述錫組合物之藉由NMR測定所算出之上述有機基R之組成之比率中占最多比率之有機基設為R<sup>A</sup>，將占第二多比率之有機基設為R<sup>B</sup>；上述有機基R亦可包含除上述有機基R<sup>A</sup>及R<sup>B</sup>以外之有機基， 藉由下述計算式A算出之含量(%)最大之錫化合物(P3AB-1)之含量(%)高於僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物(P3A)之含量； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
一種錫組合物，其係包含錫化合物者，該錫化合物係具有錫原子、有機基R、氧配位基及/或羥配位基者，且 上述錫化合物1分子中包含2種以上之上述有機基R，且包含Sn-O-Sn結構， 上述有機基R具有1～30個碳原子， 當利用ESI質譜進行測定時，上述錫組合物包含3種以上之包含化學式(R<sup>A</sup>Sn)<sub>x</sub>(R<sup>B</sup>Sn)<sub>y</sub>O<sub>14</sub>(OH)<sub>6</sub><sup>+2</sup>所表示之陽離子之錫化合物(P3AB)，且滿足下述要件： x為0＜x＜12之整數，y為0＜y＜12之整數，且滿足x＋y＝12；將於上述錫組合物之藉由NMR測定所算出之上述有機基R之組成之比率中占最多比率之有機基設為R<sup>A</sup>，將占第二多比率之有機基設為R<sup>B</sup>；上述有機基R亦可包含除上述有機基R<sup>A</sup>及R<sup>B</sup>以外之有機基， 關於將上述錫組合物中之上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之含量(%)設為y軸，將1分子中之上述有機基R<sup>A</sup>之含有個數設為x軸而繪製之曲線圖的分佈形狀，於將含量最大之錫化合物設為錫化合物(P3AB-1)之情形時，該曲線圖的分佈形狀成為上述錫化合物(P3AB-1)為峰頂(極大點)且單峰型之分佈結構。
如請求項3之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之上述錫化合物(P3AB)之含量(%)之合計值為80%以上； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項3之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之含量(%)最大之錫化合物(P3AB-1)之含量(%)高於僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物(P3A)之含量； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項3之錫組合物，其中由上述錫組合物中之上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰分子量(Mi)及含量(%)(Ni)算出之分子量分佈Mw/Mn之值為1.00001～1.05。
如請求項3之錫組合物，其中<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)與六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的合計值(k1＋k2)相對於由<sup>119</sup>Sn-NMR檢測出之1000～-1000 ppm之範圍之所有峰積分值(包括k1及k2)之合計值(k3)的比[(k1＋k2)/(k3)]為0.9以上。
如請求項3之錫組合物，其中<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)相對於六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的比(k1/k2)為0.5～2.5。
一種錫組合物，其係包含錫化合物者，該錫化合物係具有錫原子、有機基R、氧配位基及/或羥配位基者，且 上述錫化合物1分子中包含2種以上之上述有機基R，且包含Sn-O-Sn結構， 上述有機基R具有1～30個碳原子， 當利用ESI質譜進行測定時，上述錫組合物包含3種以上之包含化學式(R<sup>A</sup>Sn)<sub>x</sub>(R<sup>B</sup>Sn)<sub>y</sub>O<sub>14</sub>(OH)<sub>6</sub><sup>+2</sup>所表示之陽離子之錫化合物(P3AB)，且滿足下述要件： x為0＜x＜12之整數，y為0＜y＜12之整數，且滿足x＋y＝12；將於上述錫組合物之藉由NMR測定所算出之上述有機基R之組成之比率中占最多比率之有機基設為R<sup>A</sup>，將占第二多比率之有機基設為R<sup>B</sup>；上述有機基R亦可包含除上述有機基R<sup>A</sup>及R<sup>B</sup>以外之有機基， 由上述錫組合物中之上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰分子量(Mi)及含量(%)(Ni)算出之分子量分佈Mw/Mn之值為1.00001～1.05。
如請求項9之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之上述錫化合物(P3AB)之含量(%)之合計值為80%以上； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項9之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之含量(%)最大之錫化合物(P3AB-1)之含量(%)高於僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物(P3A)之含量； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項9之錫組合物，其中<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)與六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的合計值(k1＋k2)相對於由<sup>119</sup>Sn-NMR檢測出之1000～-1000 ppm之範圍之所有峰積分值(包括k1及k2)之合計值(k3)的比[(k1＋k2)/(k3)]為0.9以上。
如請求項9之錫組合物，其中<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)相對於六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的比(k1/k2)為0.5～2.5。
一種錫組合物，其係包含錫化合物者，該錫化合物係具有錫原子、有機基R、氧配位基及/或羥配位基者，且 上述錫化合物1分子中包含2種以上之上述有機基R，且包含Sn-O-Sn結構， 上述有機基R具有1～30個碳原子， 當利用ESI質譜進行測定時，上述錫組合物包含3種以上之包含化學式(R<sup>A</sup>Sn)<sub>x</sub>(R<sup>B</sup>Sn)<sub>y</sub>O<sub>14</sub>(OH)<sub>6</sub><sup>+2</sup>所表示之陽離子之錫化合物(P3AB)，且滿足下述要件： x為0＜x＜12之整數，y為0＜y＜12之整數，且滿足x＋y＝12；將於上述錫組合物之藉由NMR測定所算出之上述有機基R之組成之比率中占最多比率之有機基設為R<sup>A</sup>，將占第二多比率之有機基設為R<sup>B</sup>；上述有機基R亦可包含除上述有機基R<sup>A</sup>及R<sup>B</sup>以外之有機基， 上述錫組合物中，<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)與六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的合計值(k1＋k2)相對於由<sup>119</sup>Sn-NMR檢測出之1000～-1000 ppm之範圍之所有峰積分值(包括k1及k2)之合計值(k3)的比[(k1＋k2)/(k3)]為0.9以上。
如請求項14之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之上述錫化合物(P3AB)之含量(%)之合計值為80%以上； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項14之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之含量(%)最大之錫化合物(P3AB-1)之含量(%)高於僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物(P3A)之含量； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項14之錫組合物，其中<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)相對於六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的比(k1/k2)為0.5～2.5。
一種錫組合物，其係包含錫化合物者，該錫化合物係具有錫原子、有機基R、氧配位基及/或羥配位基者，且 上述錫化合物1分子中包含2種以上之上述有機基R，且包含Sn-O-Sn結構， 上述有機基R具有1～30個碳原子， 當利用ESI質譜進行測定時，上述錫組合物包含3種以上之包含化學式(R<sup>A</sup>Sn)<sub>x</sub>(R<sup>B</sup>Sn)<sub>y</sub>O<sub>14</sub>(OH)<sub>6</sub><sup>+2</sup>所表示之陽離子之錫化合物(P3AB)，且滿足下述要件： x為0＜x＜12之整數，y為0＜y＜12之整數，且滿足x＋y＝12；將於上述錫組合物之藉由NMR測定所算出之上述有機基R之組成之比率中占最多比率之有機基設為R<sup>A</sup>，將占第二多比率之有機基設為R<sup>B</sup>；上述有機基R亦可包含除上述有機基R<sup>A</sup>及R<sup>B</sup>以外之有機基， 上述錫組合物中，<sup>119</sup>Sn-NMR中之五配位Sn(-250～-350 ppm)之峰積分值合計(k1)相對於六配位Sn(-450～-600 ppm)之峰積分值合計(k2)的比(k1/k2)為0.5～2.5。
如請求項18之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之上述錫化合物(P3AB)之含量(%)之合計值為80%以上； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
如請求項18之錫組合物，其中藉由下述計算式A算出之含量(%)最大之錫化合物(P3AB-1)之含量(%)高於僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物(P3A)之含量； ＜計算式A＞ 上述錫化合物(P3AB)之含量(%)＝[上述錫化合物(P3AB)之峰強度]/[上述錫化合物(P3AB)、(P3A)及(P3B)之峰強度之合計] 上述峰強度表示藉由ESI質譜所測定之峰強度； 上述錫化合物(P3A)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>A</sup>之錫化合物，上述錫化合物(P3B)表示僅包含單一之上述有機基R<sup>B</sup>之錫化合物。
一種阻劑溶液，其包含如請求項1至20中任一項之錫組合物、及有機溶劑。
一種圖案形成方法，其包括：將如請求項21之阻劑溶液塗佈於基板之工序；利用放射線對包含上述錫化合物之薄膜進行曝光之工序；及使用顯影液對上述薄膜進行顯影之工序，上述薄膜為100 nm以下之薄膜。
一種基板上之薄膜，其包含如請求項1至20中任一項之錫組合物。
一種基板上之經圖案化之薄膜，其包含如請求項1至20中任一項之錫組合物。
一種圖案基板之製造方法，其包括如請求項22之圖案形成方法。
一種石英振盪晶片，包括： <br/>一殼體；以及 <br/>一石英振盪片，設置於該殼體內，該石英振盪片包括一扁平基板、兩電極及兩導電銀膠，該兩電極分別設置於該扁平基板的相對的兩主要表面，該扁平基板具有至少一凹口，該至少一凹口設於該扁平基板的一側面，且沿垂直該側面、朝向該扁平基板的內部的方向凹陷，該至少一凹口的一高度與該扁平基板的一厚度相同，該兩導電銀膠連接該扁平基板及該殼體， <br/>該至少一凹口包括相對的兩側邊、以及兩端分別連接該兩側邊的一底邊， <br/>該兩導電銀膠的至少一個的設置位置對應於所述至少一凹口， <br/>當該至少一凹口包括多個凹口時，該些凹口的至少一個的深度與其他該些凹口的至少一個相異。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中各該至少一凹口的一深度與該側面的一長度的比值小於等於0.4。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該至少一凹口包括一對第一凹口，該對第一凹口對應地分別設於該扁平基板的相對的兩側面。
如請求項3所述的石英振盪晶片，其中該至少一凹口更包括一對第二凹口，對應地分別設置於該扁平基板的該兩側面，該對第二凹口與該對第一凹口對稱地分別設置於一經過該石英振盪片的一晶片中心、垂直該兩側面的一中心線的二側。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該側面包括相連的兩第一側面及兩第二側面，各該兩第一側面位於該兩第二側面之間，該至少一凹口包括多個凹口，該些凹口以該扁平基板的一第一中心軸為對稱軸，對稱地設置於該兩第一側面的至少一個或該兩第二側面。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該側面包括相連的兩第一側面及兩第二側面，各該兩第一側面位於該兩第二側面之間，該至少一凹口包括多個凹口，該些凹口以該扁平基板的一第二中心軸為對稱軸，對稱地設置於該兩第二側面的至少一個或該兩第二側面。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該扁平基板的一晶片中心與該電極的一幾何中心之間具有一間距。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該兩側邊的至少一個與該底邊以圓角相連。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該電極呈一四方形，該四方形的各邊分別以一距離相隔於對應的該扁平基板的各側面。
如請求項9所述的石英振盪晶片，其中該至少一凹口的一長度小於該四方形的邊的一長度。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該電極包括一側邊，該電極的該側邊對應於該扁平基板的該側面，該至少一凹口對該電極的正投影至少部分位於該電極的該側邊。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該殼體包括一第一殼體及一第二殼體，該第一殼體連接於該第二殼體而形成一容置空間，該石英振盪片位於該容置空間內。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該至少一凹口以一厚度方向貫穿該扁平基板。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該扁平基板的一第一中心軸及一第二中心軸相交於該扁平基板的一晶片中心，該厚度方向垂直於該第一中心軸的延伸方向，且垂直於該第二中心軸的延伸方向。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該至少一凹口對應於該扁平基板的至少一長邊。
如請求項1所述的石英振盪晶片，其中該至少一凹口對應於該扁平基板的至少一短邊。
一種硫族化物類化合物薄膜的製備方法，利用同步沉積裝置，所述同步沉積裝置包括：沉積腔部，維持預先設定的真空度；沉積旋轉部，設置在所述沉積腔部內且具備沉積基板；電子束蒸發部，設置在所述沉積腔部內且用於使作為第一原料物質的正電性物質蒸發；熱蒸發部，設置在所述沉積腔部內且用於使作為第二原料物質的硫族物質蒸發；以及沉積感測器，用於檢測沉積至所述沉積基板的所述正電性物質和所述硫族物質的沉積量和沉積速度， <br/>其中， <br/>所述製備方法包括沉積步驟，所述沉積步驟通過採用所述同步沉積裝置的同步沉積製程，在所述沉積基板上同步沉積所述正電性物質和所述硫族物質，來獲得具有預定組成的所述硫族化物類化合物薄膜。
如請求項1所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>在所述沉積步驟中， <br/>所述正電性物質為在由Ti、Ni、Cu、Ge、Mo、Sn、Sb和Bi構成的群中選擇的至少一種物質， <br/>所述硫族物質為在由S、Se和Te構成的群中選擇的至少一種物質， <br/>所述正電性物質和所述硫族物質是僅由一種元素構成的單元素物質。
如請求項1所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>所述沉積步驟在所述沉積腔部內執行，且所述沉積腔部內的真空度滿足10<sup>-6</sup>至10<sup>-5</sup> Torr的範圍。
如請求項1所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>在所述沉積步驟中， <br/>所述硫族化物類化合物薄膜是以滿足0.3 nm/min至60 nm/min的沉積速度範圍的方式沉積的。
如請求項1所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>在所述沉積步驟中， <br/>通過調節所述正電性物質和所述硫族物質的沉積速度比來選擇性地控制所述硫族化物類化合物薄膜的組成， <br/>所述正電性物質和所述硫族物質的沉積速度滿足0.05 Å/s至10 Å/s的範圍。
如請求項5所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>所述正電性物質和所述硫族物質的沉積速度比為1至7:1至4。
如請求項1所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>所述沉積步驟還包括再蒸發步驟，執行將所述沉積基板加熱至滿足20℃至200℃的加熱溫度範圍的沉積基板加熱製程來使殘留之所述第一原料物質和所述第二原料物質再蒸發。
如請求項7所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>所述沉積步驟在所述再蒸發步驟之前還包括加熱溫度範圍匯出步驟，所述加熱溫度範圍是用於執行所述沉積基板加熱製程的溫度範圍， <br/>所述加熱溫度範圍匯出步驟，包括： <br/>通過所述沉積感測器獲取沉積至所述沉積基板上的所述硫族物質的沉積速度值的步驟； <br/>基於所述沉積基板的附著係數、所述硫族物質的蒸氣壓、所述沉積腔部的真空度和所述沉積基板的加熱溫度，獲取從所述沉積基板上再蒸發的所述硫族物質的再蒸發速度值的步驟；以及 <br/>匯出能夠使所獲取的所述硫族物質的再蒸發速度值大於所獲取的所述硫族物質的沉積速度值的所述沉積基板的加熱溫度範圍的步驟。
如請求項1所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>在所述沉積步驟中， <br/>所述硫族化物類化合物薄膜包括在飽和組成的硫族化物類化合物和非飽和組成的硫族化物類化合物中選擇的至少一種物質， <br/>所述硫族化物類化合物薄膜包括在由MoS<sub>2</sub>、NiS、Ni<sub>3</sub>S<sub>4</sub>、NiS<sub>2</sub>、SnS<sub>2</sub>、SnS、Ti<sub>2</sub>S、TiS、TiS<sub>2</sub>、TiS<sub>3</sub>、Cu<sub>2</sub>S、CuS、GeS、GeS<sub>2</sub>、Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>、Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub>、MoSe<sub>2</sub>、NiSe、Ni<sub>3</sub>Se<sub>4</sub>、NiSe<sub>2</sub>、SnSe、SnSe<sub>2</sub>、TiSe<sub>2</sub>、Cu<sub>3</sub>Se<sub>2</sub>、CuSe、CuSe<sub>2</sub>、GeSe、GeSe<sub>2</sub>、Bi<sub>2</sub>Se、Bi<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>、BiSe、Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>、Sb<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>、MoTe<sub>2</sub>、Ni<sub>3</sub>Te<sub>2</sub>、NiTe、NiTe<sub>2</sub>、SnTe、Ti<sub>5</sub>Te<sub>4</sub>、TiTe、Ti<sub>3</sub>Te<sub>4</sub>、TiTe<sub>2</sub>、Cu<sub>7</sub>Te<sub>4</sub>、Cu<sub>2</sub>Te、CuTe、CuTe<sub>2</sub>、GeTe、Bi<sub>7</sub>Te<sub>3</sub>、Bi<sub>2</sub>Te、Bi<sub>4</sub>Te<sub>3</sub>、BiTe、Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>和Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>構成的群中選擇的至少一種物質。
如請求項9所述之硫族化物類化合物薄膜的製備方法，其中， <br/>在所述沉積步驟中， <br/>所述硫族化物類化合物薄膜構成為單層或多層。
一種半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>形成包含氧化物的多個第一層與包含氮化物且膜厚分別較所述多個第一層的膜厚厚的多個第二層沿第一方向交替地各積層一層而成的積層膜， <br/>形成貫通所述積層膜並沿所述第一方向延伸的開口部， <br/>進行具有所述開口部的所述積層膜的氧化，藉此使所述多個第一層各自的膜厚增加，使所述多個第二層各自的膜厚減少。
如請求項1所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>所述氧化為濕式氧化。
如請求項2所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>所述濕式氧化藉由氫氣與氧氣進行。
如請求項2所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>進行所述濕式氧化時的製造所述半導體記憶裝置的反應室內的水蒸氣（H <sub>2</sub>O）的分壓為10個大氣壓以上。
如請求項2所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>進行所述濕式氧化時的製造所述半導體記憶裝置的反應室內的溫度為400度以上。
如請求項1所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>形成貫通所述積層膜並沿所述第一方向延伸的所述開口部時的載置所述積層膜的載台的溫度為70度以下。
如請求項1所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中， <br/>進行所述氧化之後的所述積層膜的膜厚與進行所述氧化之前的所述積層膜的膜厚之差大於0.1 μm。
如請求項1所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中，進行所述氧化之前的所述第一方向上的所述多個第一層中的一個的膜厚為0.3 nm以上且10 nm以下，與所述第一方向上的所述多個第一層中的一個相接的所述第二層的膜厚為25 nm以上且45 nm以下。
如請求項1所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中，進行所述氧化之後的所述多個第一層中的一個的膜厚相對於所述多個第一層中的一個和與所述多個第一層中的一個相接的所述第二層的合計膜厚而為35%以上且45%以下。
如請求項1所述的半導體記憶裝置的製造方法，其中，在形成貫通所述積層膜並沿所述第一方向延伸的所述開口部之後且進行具有所述開口部的所述積層膜的氧化之前，在露出至所述開口部內的所述多個第一層的側面及所述多個第二層的側面形成包含氮化物的第三層， <br/>在進行具有所述開口部的所述積層膜的氧化時，進行所述第三層的氧化。
一種物件追蹤系統，包括：<br/> 一發射器，經配置以發射多個無線訊號穿過一目標空間；該發射器設置於該目標空間；<br/> 一接收器，經配置以接收該等無線訊號；該接收器設置於該目標空間；以及<br/> 至少一處理電路，經配置以執行下列步驟：<br/> 獲取該接收器接收到的該等無線訊號；<br/> 執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的動作資訊；以及<br/> 融合該目標空間的空間資訊與該動作資訊，產生該至少一目標物件相對於該目標空間的三維追蹤資訊。
一種物件追蹤系統，包括：<br/> 一發射器，經配置以發射多個無線訊號穿過一目標空間；<br/> 一接收器，經配置以接收該等無線訊號；以及<br/> 至少一處理電路，經配置以執行下列步驟：<br/> 獲取該接收器接收到的該等無線訊號；<br/> 執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的動作資訊；以及<br/> 融合該目標空間的空間資訊與該動作資訊，產生該至少一目標物件相對於該目標空間的三維追蹤資訊；<br/> 一影像擷取裝置，經配置以及擷取該目標空間的至少一全景影像； <br/> 其中，該至少一處理電路還經配置以執行下列步驟：<br/> 執行一空間機器學習模型以將該至少一全景影像轉換為該目標空間的一三維佈局資訊，以產生該空間資訊。
如請求項1所述的物件追蹤系統，其中該等無線訊號為WI-FI訊號。
一種物件追蹤系統，包括：<br/> 一發射器，經配置以發射多個無線訊號穿過一目標空間； <br/> 一接收器，經配置以接收該等無線訊號；以及<br/> 至少一處理電路，經配置以執行下列步驟：<br/> 獲取該接收器接收到的該等無線訊號；<br/> 執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的動作資訊；以及<br/> 融合該目標空間的空間資訊與該動作資訊，產生該至少一目標物件相對於該目標空間的三維追蹤資訊；<br/> 其中該動作機器學習模型由該至少一處理電路執行，以執行下列步驟：<br/> 從接收到的該等無線訊號中提取與該至少一目標物件相關聯的多個特徵；<br/> 將與該至少一目標物件相關的該等特徵轉換為該至少一目標物件的三維骨架資訊；以及<br/> 持續記錄該三維骨架資訊以產生與該至少一目標物件相關的該動作資訊。
如請求項4所述的物件追蹤系統，其中該動作機器學習模型通過下列步驟進行訓練：<br/> 收集配對的多組訓練無線訊號及訓練影像，其中，每個該訓練影像都標記有一訓練骨架資訊；以及<br/> 將配對的該些組訓練無線訊號及訓練影像輸入一初始模型；<br/> 訓練該初始模型從該等訓練無線訊號中偵測一骨骼資訊，從而得到該動作機器學習模型。
如請求項5所述的物件追蹤系統，其中，每個該訓練影像通過使用經訓練的一姿勢偵測模型來標記該訓練骨架資訊。
如請求項4所述的物件追蹤系統，其中，該至少一目標物件相對於該目標空間的該三維追蹤資訊是通過所述至少一處理電路執行以下步驟而產生：<br/> 透過將該三維骨架資訊映射於該三維佈局資訊，以估計該至少一目標物件的一目標高度以及該目標空間的一空間高度； <br/> 比較該目標高度與該空間高度，以估計出該至少一目標物件相對於該發射器與該接收器的位置資訊；<br/> 根據該三維骨架資訊判斷該至少一目標物件的姿態；以及<br/> 持續監測該至少一目標物件的該位置資訊及該姿態，以產生該三維追蹤資訊。
如請求項7所述的物件追蹤系統，其中，該至少一目標物件的該三維追蹤資訊還包括一鳥瞰追蹤資訊，該鳥瞰追蹤資訊是通過該至少一處理電路進行以下步驟得到：<br/> 根據該三維骨架資訊取得該至少一目標物件的該目標高度及一目標寬度；<br/> 根據該目標高度及該目標寬度，建立該至少一目標物件的一邊界框；<br/> 取得該邊界框的一中心點以及該目標高度與該目標寬度的一目標比例；以及<br/> 根據該中心點、該目標比例以及該目標空間的該空間高度產生該鳥瞰追蹤資訊。
如請求項1所述的物件追蹤系統，其中，該影像擷取裝置包含於一用戶設備、該發射器或該接收器中，且該至少一處理電路包含於該用戶設備、位於該目標空間中的一網路裝置以及/或一雲端伺服器中；<br/> 其中，該用戶設備用於接收並顯示該至少一目標物件相對於該目標空間的該三維追蹤資訊。
一種物件追蹤方法，包括：<br/> 配置一發射器於一目標空間，以發射多個無線訊號穿過該目標空間；<br/> 配置一接收器於該目標空間，以接收該等無線訊號；以及<br/> 配置至少一處理電路執行下列步驟：<br/> 獲取該接收器接收到的該等無線訊號；<br/> 執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的動作資訊；以及<br/> 融合該目標空間的空間資訊與該動作資訊，產生該至少一目標物件相對於該目標空間的三維追蹤資訊。
一種物件追蹤方法，包括：<br/> 配置一發射器，以發射多個無線訊號穿過一目標空間；<br/> 配置一接收器，以接收該等無線訊號；以及<br/> 配置至少一處理電路執行下列步驟：<br/> 獲取該接收器接收到的該等無線訊號；<br/> 執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的動作資訊；以及<br/> 融合該目標空間的空間資訊與該動作資訊，產生該至少一目標物件相對於該目標空間的三維追蹤資訊；<br/> 配置一影像擷取裝置以擷取該目標空間的至少一全景影像；<br/> 配置該至少一處理電路執行下列步驟：<br/> 執行一空間機器學習模型以將該至少一全景影像轉換為該目標空間的一三維佈局資訊，以產生該空間資訊。
如請求項10所述的物件追蹤方法，其中該等無線訊號為WI-FI訊號。
一種物件追蹤方法，包括：<br/> 配置一發射器，以發射多個無線訊號穿過一目標空間；<br/> 配置一接收器，以接收該等無線訊號；以及<br/> 配置至少一處理電路執行下列步驟：<br/> 獲取該接收器接收到的該等無線訊號；<br/> 執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的動作資訊；以及<br/> 融合該目標空間的空間資訊與該動作資訊，產生該至少一目標物件相對於該目標空間的三維追蹤資訊；<br/> 其中該動作機器學習模型由該至少一處理電路執行，以執行下列步驟：<br/> 從接收到的該等無線訊號中提取與該至少一目標物件相關聯的多個特徵；<br/> 將與該至少一目標物件相關的該等特徵轉換為該至少一目標物件的三維骨架資訊；<br/> 持續記錄該三維骨架資訊以產生與該至少一目標物件相關的該動作資訊。
如請求項13所述的物件追蹤方法，其中該動作機器學習模型通過下列步驟進行訓練：<br/> 收集配對的多組訓練無線訊號及訓練影像，其中，每個該訓練影像都標記有一訓練骨架資訊； <br/> 將配對的該些組訓練無線訊號及訓練影像輸入一初始模型；以及<br/> 訓練該初始模型從該等訓練無線訊號中偵測一骨骼資訊，從而得到該動作機器學習模型。
如請求項14所述的物件追蹤方法，其中，每個該訓練影像通過使用經訓練的一姿勢偵測模型來標記該訓練骨架資訊。
如請求項13所述的物件追蹤方法，其中，該至少一目標物件相對於該目標空間的該三維追蹤資訊是通過所述至少一處理電路執行以下步驟而產生：<br/> 透過將該三維骨架資訊映射於該三維佈局資訊，以估計該至少一目標物件的一目標高度以及該目標空間的一空間高度； <br/> 比較該目標高度與該空間高度，以估計出該至少一目標物件相對於該發射器與該接收器的位置資訊；<br/> 根據該三維骨架資訊判斷該至少一目標物件的姿態；以及<br/> 持續監測該至少一目標物件的該位置資訊及該姿態，以產生該三維追蹤資訊。
如請求項16所述的物件追蹤方法，其中，該至少一目標物件的該三維追蹤資訊還包括一鳥瞰追蹤資訊，該鳥瞰追蹤資訊是通過該至少一處理電路進行以下步驟得到：<br/> 根據該三維骨架資訊取得該至少一目標物件的該目標高度及一目標寬度；<br/> 根據該目標高度及該目標寬度，建立該至少一目標物件的一邊界框；<br/> 取得該邊界框的一中心點以及該目標高度與該目標寬度的一目標比例；以及<br/> 根據該中心點、該目標比例以及該目標空間的該空間高度產生該鳥瞰追蹤資訊。
如請求項10所述的物件追蹤方法，其中，該影像擷取裝置包含於一用戶設備、該發射器或該接收器中，且該至少一處理電路包含於該用戶設備、位於該目標空間中的一網路裝置以及/或一雲端伺服器中；<br/> 其中，該用戶設備用於接收並顯示該至少一目標物件相對於該目標空間的該三維追蹤資訊。
一種物件追蹤方法，適用於一用戶設備，該用戶設備包括處理器和儲存有多個可執行指令的記憶體，該物件追蹤方法包括：<br/> 配置該處理器執行該等可執行指令以執行下列步驟：<br/> 配置一影像擷取裝置以擷取一目標空間的至少一全景影像；<br/> 執行一空間機器學習模型以將該至少一全景影像轉換為該目標空間的一三維佈局資訊，以取得一空間資訊；<br/> 將該空間資訊發送至一網路裝置或一雲端伺服器，其中該網路裝置或該雲端伺服器經配置以獲取一接收器接收到的多個無線訊號，執行一動作機器學習模型以處理接收到的該等無線訊號，以產生與至少一目標物件相關聯的一動作資訊，並融合該空間資訊及該動作資訊以產生該至少一目標物件相對於該目標空間的一三維追蹤資訊；以及<br/> 接收該至少一目標物件相對於該目標空間的該三維追蹤訊息，並通過該用戶設備執行的一追蹤應用程式的一使用者介面顯示該三維追蹤資訊。
如請求項19所述的物件追蹤方法，其中，該影像擷取裝置包含在該用戶設備、該發送器或該接收器中，並且該用戶設備通過該使用者介面控制該影像擷取裝置。
一種用於工作週期和相位誤差檢測的電路，包括：<br/> 第一多工器，經配置以接收第一時鐘訊號、第二時鐘訊號、第三時鐘訊號以及第四時鐘訊號，並選擇所述第一至第四時鐘訊號中的第一組，來作為第一輸出以及第二輸出，其中所述第一至第四時鐘訊號的各自的相位彼此相關；<br/> 第二多工器，經配置以接收所述第一至第四時鐘訊號，並選擇所述第一至第四時鐘訊號的第二組；<br/> 邏輯閘組合，包括第一邏輯閘以及第二邏輯閘，其中所述邏輯閘組合耦接到所述第二多工器，且所述邏輯閘組合經配置以接收所述第一至第四時鐘訊號的所述第二組，並通過所述第一邏輯閘提供第三輸出，且通過所述第二邏輯閘提供第四輸出；<br/> 第三多工器，經配置以接收所述第一至第四輸出，並選擇所述第一輸出以及所述第二輸出或所述第三輸出以及所述第四輸出；<br/> 第一低通濾波器，經配置以基於所述第一輸出以及所述第三輸出提供第一直流電壓；以及<br/> 第二低通濾波器，經配置以基於所述第二輸出以及所述第四輸出提供第二直流電壓。
如請求項1所述的電路，其中所述第一邏輯閘是互斥或閘，且所述第二邏輯閘是反互斥或閘。
如請求項1所述的電路，其中<br/> 當配置在第一模式，以檢測所述第一至第四時鐘訊號的各自的工作週期時，所述第一多工器被啟動，而所述第二多工器以及所述邏輯閘組合被停用；以及<br/> 當配置在第二模式，以檢測所述第一至第四時鐘訊號的各自的相位時，所述第二多工器以及所述邏輯閘組合被啟動，而所述第一多工器被停用。
如請求項3所述的電路，其中所述第一模式包括第一相位、第二相位、第三相位以及第四相位。
如請求項4所述的電路，其中<br/> 在所述第一相位的期間，由所述第一多工器選擇的所述第一輸出和所述第二輸出，分別作為所述第一時鐘訊號和所述第三時鐘訊號，其中所述第一時鐘訊號的相位為0º且所述第三時鐘訊號的相位為180º；<br/> 在所述第二相位的期間，由所述第一多工器選擇的所述第一輸出和所述第二輸出，分別作為所述第三時鐘訊號和所述第一時鐘訊號；<br/> 在所述第三相位的期間，由所述第一多工器選擇的所述第一輸出和所述第二輸出，分別作為所述第二時鐘訊號和所述第四時鐘訊號，其中所述第二時鐘訊號的相位為90º且所述第四時鐘訊號的相位為270º；以及<br/> 在所述第四相位的期間，由所述第一多工器選擇的所述第一輸出和所述第二輸出，分別作為所述第四時鐘訊號和所述第二時鐘訊號。
如請求項3所述的電路，其中所述第二模式包括第五相位、第六相位、第七相位以及第八相位。
如請求項6所述的電路，其中<br/> 在所述第五相位的期間，由所述第一邏輯閘輸出的所述第三輸出作為所述第一時鐘訊號和所述第二時鐘訊號的互斥或訊號，其中所述第一時鐘訊號的相位為0º且所述第二時鐘訊號的相位為90º；以及<br/> 在所述第五相位的期間，由所述第二邏輯閘輸出的所述第四輸出作為所述第一時鐘訊號和所述第二時鐘訊號的反互斥或訊號。
如請求項1所述的電路，更包括：<br/> 限幅器，經配置以接收所述第一直流電壓和所述第二直流電壓，並基於所述第一直流電壓和所述第二直流電壓之間的電壓差提供數位代碼；以及<br/> 有限狀態機，經配置以接收所述數位代碼。
一種用於工作週期和相位誤差檢測的電路，包括：<br/> 第一多工器，經配置以接收相位為0º的第一時鐘訊號、相位為90º的第二時鐘訊號、相位為180º的第三時鐘訊號以及相位為270º的第四時鐘訊號，並且當處於第一模式時，從所述第一至第四時鐘訊號中選擇第一組作為第一輸出以及第二輸出；<br/> 第二多工器，經配置以接收所述第一至第四時鐘訊號，並且當處於第二模式時，從所述第一至第四時鐘訊號中選擇第二組；<br/> 邏輯閘組合，包括第一邏輯閘以及第二邏輯閘，其中所述邏輯閘組合耦接至所述第二多工器，並且當處於所述第二模式時，經配置以接收所述第一至第四時鐘訊號的所述第二組，並通過所述第一邏輯閘提供第三輸出，且通過所述第二邏輯閘提供第四輸出；<br/> 第三多工器，經配置以接收所述第一至第四輸出，並在所述第一模式時選擇所述第一輸出以及所述第二輸出，或在所述第二模式時選擇所述第三輸出以及所述第四輸出；<br/> 第一低通濾波器，經配置以基於所述第一輸出以及所述第三輸出提供第一直流電壓；以及<br/> 第二低通濾波器，經配置以基於所述第二輸出以及所述第四輸出提供第二直流電壓。
一種工作週期和相位誤差檢測的方法，包括：<br/> 在第一模式的期間，為檢測第一時鐘訊號、第二時鐘訊號、第三時鐘訊號和第四時鐘訊號的工作週期，選擇所述第一至第四時鐘訊號中的第一對，來作為第一輸出和第二輸出；<br/> 過濾所述第一輸出和所述第二輸出，以分別地提供第一直流電壓和第二直流電壓；<br/> 在第二模式的期間，為檢測所述第一至第四時鐘訊號的相位，對所述第一至第四時鐘訊號中的第二對，進行互斥或運算，從而作為第三輸出；<br/> 在所述第二模式的期間，對所述第一至第四時鐘訊號中的第三對進行反互斥或運算，從而作為第四輸出；以及<br/> 過濾所述第三輸出和所述第四輸出，以分別地提供所述第一直流電壓和所述第二直流電壓。
一種具有發光結構的麥克風，包括： <br/>一外殼； <br/>一主體，設置在該外殼內； <br/>多個發光結構，設置在該外殼與該主體之間並固定於該主體上，其中該些發光結構的每一個還包括： <br/>一發光模組，具有一電路板以及多個發光元件，且該些發光元件設置在該電路板上；以及 <br/>一導光結構，具有一凹槽與一導光部，其中該凹槽覆蓋該發光模組，且該導光部為山形並且由該凹槽往該外殼的方向延伸，其中該導光部具有一第一斜面與一第二斜面，該第一斜面與該第二斜面由該凹槽往該外殼的方向延伸並彼此連接，其中該第一斜面與該第二斜面之間形成一銳角，使得該導光部形成山形。
如請求項1所述的具有發光結構的麥克風，其中該外殼具有一網狀結構。
如請求項2所述的具有發光結構的麥克風，其中該網狀結構具有多個孔洞，且該些孔洞為圓形。
如請求項1所述的具有發光結構的麥克風，還包括一發泡結構，設置在該外殼與該些發光結構之間。
如請求項4所述的具有發光結構的麥克風，其中該發泡結構呈現半透明狀。
如請求項1所述的具有發光結構的麥克風，其中該導光結構的材料包括一聚碳酸酯、一光擴散劑與一鈦白粉。
如請求項6所述的具有發光結構的麥克風，其中每25公斤的該聚碳酸酯添加1150至1350公克的該光擴散劑與200克至300克的該鈦白粉。
如請求項1所述的具有發光結構的麥克風，其中該導光結構呈現半透明狀。
如請求項1所述的具有發光結構的麥克風，其中該些發光結構的其中一個與相鄰的該些發光結構所發出的光重疊。
如請求項1所述的具有發光結構的麥克風，其中該導光結構為一體成形。
一種可調整預載之避震座管結構，其包含有：<br/> 一座管；<br/> 一連桿組件，係組設於該座管之一端；<br/> 一調整組件，係可移動地穿設於該座管內，其具有一抵接於該連桿組件之調壓組，該調壓組之一端凸出至該座管之一端的外側；以及<br/> 一緩衝件，係穿設於該座管內，且該緩衝件之一端抵接於該調整組件之調壓組；其中該調整組件之調壓組具有一上套件與一下套件，該上套件穿設於該下套件內，該下套件之外側還設置一限位槽，再透過一限位件穿設該座管至該限位槽，使該上套件被轉動時帶動該下套件相對該座管產生線性的位移。
如請求項1所述可調整預載之避震座管結構，其中該連桿組件具有一第一連桿、一第二連桿與一第三連桿，該第一連桿與該第三連桿之一端組設於該座管之一端，而該第一連桿與該第三連桿之另一端分別組設於該第二連桿之兩端。
如請求項2所述可調整預載之避震座管結構，其中該連桿組件之第三連桿形成有一內凹部。
如請求項1所述可調整預載之避震座管結構，其中該連桿組件還具有一推抵件，抵接於該調整組件之調壓組。
如請求項4所述可調整預載之避震座管結構，其中該連桿組件之推抵件的外型為酒桶狀之柱體。
如請求項1所述可調整預載之避震座管結構，其中該調整組件還具有一副調壓組，其抵接於該緩衝件之另一端，並於該座管之另一端外露至外側。
如請求項6所述可調整預載之避震座管結構，其中該調整組件還具有二帽件，該二帽件分別設置於該緩衝件之兩端，使該緩衝件透過該調整組件之二帽件抵接於該調壓組與該副調壓組。
如請求項1所述可調整預載之避震座管結構，其中該調壓組之上套件的一端形成有外螺紋，另一端形成有至少一調整孔，該下套件之一端則形成有內螺紋，使該上套件鎖設於該下套件。
如請求項1所述可調整預載之避震座管結構，其中該調整組件之調壓組具有複數個上套件與一下套件，該下套件於中心延伸凸出一固定桿，使該複數個上套件套設該下套件，於該下套件之外側還設置一限位槽，再透過一限位件穿設該座管至該限位槽。
一種電高階調製提取模組，用以接收一具有一雷射掃描頻率的雷射掃描顯微鏡上的光檢測器所輸出的射頻弦波信號，其特徵在於該電高階調製提取模組包括：一直流阻塞濾波器，用以將該光檢測器輸出的射頻弦波信號上的直流電信號濾除，其中該直流阻塞濾波器為一種帶通濾波器(BPF)；一函數產生器，用以提供一個本地振盪頻率，其中，該本地振盪頻率是該雷射掃描頻率的整數倍率；及一混頻器，其一端是接收該直流阻塞濾波器輸出的射頻弦波信號，其另一端接收該函數產生器所輸出的該本地振盪頻率，並輸出中頻信號；其中，該中頻信號是將一階或是其他高階調製(1M or HOMs)信號降調製到DC的座標位置上，並將該中頻信號傳送至一DAQ的程式進行像素重建。
如請求項1所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，進一步包括一相移器，用以將LO信號與RF信號的相對角度差，轉移一個設定的角度差。
如請求項1所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，是將降調製電路形成在一基板上，並將該基板配置在一幾何外殼中，以形成一可攜式的功能模塊，並在該功能模塊的兩端形成一第一連接端及一第二連接端，其中，該第一連接端與一伺服終端連接，而該第二連接端接收該光檢測器所輸出的射頻弦波信號。
一種電高階調製提取模組，用以接收一具有一雷射掃描頻率的雷射掃描顯微鏡上的光檢測器所輸出的射頻弦波信號，其特徵在於該電高階調製提取模組包括：一直流阻塞濾波器，用以將該光檢測器輸出的射頻弦波信號上的直流電信號濾除；一第一分離器，用以將經過該直流阻塞濾波器的射頻弦波信號分離成第一光路及一第二光路；一函數產生器，用以提供一個本地振盪頻率，其中，該本地振盪頻率是該雷射掃描頻率的整數倍率；一第二分離器，用以將該本地振盪頻率分離成一正交光路及一同相光路；一第一混頻器，其一輸入端接收該第一光路的弦波信號，而其另一個輸入端接收該正交光路，並輸出一第一中頻信號；其中，該第一中頻信號是將一階調製(1M)信號降調製到DC的座標位置；及一第二混頻器，其一輸入端接收該第二一光路的弦波信號，而其另一個輸入端接收該同相光路，並輸出一第二中頻信號；其中，該第二中頻信號是將一階調製(1M)信號降調製到DC的座標位置；其中，該第一中頻信號及該第二中頻信號傳送至一運算器進行運算之後，將該運算後的均方根信號傳送至DAQ的程式進行像素重建。
如請求項4所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，該正交光路是將該本地振盪頻率經過一90度的相移器。
如請求項4所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，該運算器是配置於伺服終端中。
如請求項4所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，該第一中頻信號經過一第一低通濾波器，而該第二中頻信號經過一第二低通濾波器。
如請求項4所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，是將電路形成在一基板上，並將該基板配置在一幾何外殼中，已形成一可攜式的功能模塊，並在該功能模塊的兩端形成一第一連接端及一第二連接端，其中，該第一連接端與一伺服終端連接，而該第二連接端接收該光檢測器所輸出的射頻弦波信號。
如請求項4所述的電高階調製提取模組，其特徵在於，該直流阻塞濾波器為一種帶通濾波器(BPF)。
一種使用電高階調製提取模組來調整雷射掃描顯微鏡成像影像的方法，包括：提供一電高階調製提取模組所製造的模塊，並將該模塊與雷射掃描顯微鏡及伺服終端完成連接；取得並判斷雷射重複頻率與LO信號頻率是否相同，是通過伺服終端上顯示的信息，以取得雷射掃描顯微鏡的雷射重複頻率以及函數產生器產生的LO信號頻率，並判斷該LO信號頻率與該雷射重複頻率是否為倍數的關係；校正LO信號頻率，是當LO信號頻率與該雷射重複頻率不具有倍數的關係時，通過該伺服終端來調整函數產生器輸出的LO信號頻率，使LO信號頻率與雷射重複頻率為倍數的關係；提供高階調製信號，是通過該模塊的運算後，取得一降調製的高階調製信號，並將該降調製的高階調製信號傳送至配置在該伺服終端中的DAQ程式，由該DAQ程式進行像素重建；及調整成像品質，是通過觀察人員逐次選擇一個降調製信號(1M,2M,3M,…)，並將該降調製信號傳送至DAQ中，由DAQ程式逐次進行像素重建。
一種復健菜單修正系統，包括：<br/> 一監測模組，能監測一復健者進行一復健遊戲的一復健動作與一生理狀態，所述監測模組能產生一姿態資料與一生理資料；<br/> 一虛擬實境裝置，連結於所述監測模組，所述虛擬實境裝置能執行一復健遊戲程式並顯示所述復健遊戲的一遊戲畫面，以提供所述復健者進行復健，所述虛擬實境裝置能依據所述姿態資料控制所述復健遊戲中的一虛擬角色的姿態進行所述復健遊戲，並且所述虛擬實境裝置於所述復健遊戲結束後產生一遊戲分數；以及<br/> 一伺服器，連結於所述虛擬實境裝置，所述伺服器包含：<br/> 一預測單元，接收所述遊戲分數與所述生理資料，所述預測單元依據所述遊戲分數與所述生理資料產生一預測分數；及<br/> 一分類單元，電性耦接所述預測單元，所述分類單元能依據所述預測分數產生一分類信號並輸出至所述虛擬實境裝置中，使所述虛擬實境裝置能依據所述分類信號調整所述復健遊戲的等級，以供所述復健者進行下一次復健；<br/> 其中，所述伺服器更包含電性耦接所述分類單元的一設定單元，所述設定單元依據一設定指令直接設定所述復健遊戲的種類與等級，並所述設定單元產生一設定信號，所述設定單元傳送所述設定信號至所述分類單元，使所述分類單元輸出所述設定信號至所述虛擬實境裝置。
如請求項1所述的復健菜單修正系統，其中，所述監測模組包含：<br/> 一攝影處理模組，用以擷取所述復健者的所述復健動作，並所述攝影處理模組能分析所述復健動作的姿態以產生所述姿態資料；及<br/> 一生理量測單元，電性耦接所述攝影處理模組，所述生理量測單元量測所述復健者進行所述復健動作時的所述生理狀態，以產生所述生理資料。
如請求項1所述的復健菜單修正系統，其中，所述虛擬實境裝置包含：<br/> 一穿戴式殼體，具有一穿戴本體與連接於所述穿戴本體的一固定組件，所述穿戴本體通過所述固定組件放置於所述復健者的眼部；及<br/> 一顯示處理裝置，設置於所述穿戴式殼體內，所述顯示處理裝置能執行所述復健遊戲程式，以顯示所述復健遊戲的所述遊戲畫面供所述復健者進行復健，所述顯示處理裝置能接收所述姿態資料與所述生理資料，並且所述顯示處理裝置能依據所述姿態資料控制所述虛擬角色的姿態進行遊戲，在所述復健遊戲結束後產生所述遊戲分數。
如請求項1所述的復健菜單修正系統，其中，所述伺服器更包含一資料庫，所述資料庫電性耦接於所述虛擬實境裝置，並且所述資料庫能儲存每次所述虛擬實境裝置傳送的所述遊戲分數與所述生理資料。
如請求項4所述的復健菜單修正系統，其中，所述伺服器更包含電性耦接於所述資料庫的一查詢單元，所述查詢單元依據一查詢指令讀取並輸出所述資料庫所儲存歷史的所述遊戲分數與所述生理資料。
如請求項4所述的復健菜單修正系統，其中，所述伺服器更包含連結於所述虛擬實境裝置的一警示單元，所述警示單元電性耦接於所述資料庫，當所述虛擬實境裝置分析所述姿態資料為一危險姿態時，所述虛擬實境裝置產生並傳送一警示信號至所述警示單元，所述警示單元讀取所述資料庫儲存的所述復健者對應的一緊急聯絡資料，並依據所述緊急聯絡資料，傳送一警示信息至對應所述緊急聯絡資料的一緊急聯絡人的手持裝置。
一種復健菜單修正系統的修正方法，其應用於一復健菜單修正系統，所述復健菜單修正系統的修正方法包括以下步驟：<br/> 執行一復健遊戲程式並顯示對應所述復健遊戲程式的一復健遊戲的一遊戲畫面供一復健者進行復健；<br/> 監測所述復健者進行所述復健遊戲的一復健動作與一生理狀態，產生一姿態資料與一生理資料；<br/> 依據所述姿態資料控制所述復健遊戲中的一虛擬角色的姿態進行所述復健遊戲，在所述復健遊戲結束後取得一遊戲分數；<br/> 依據所述遊戲分數與所述生理資料產生一預測分數；以及<br/> 依據所述預測分數產生一分類信號，使所述復健遊戲程式調整所述復健遊戲的等級供所述復健者進行下一次的復健；<br/> 其中，依據一設定指令直接設定所述復健遊戲的種類與等級，並產生一設定信號，以調整所述復健遊戲的等級。
如請求項7所述的復健菜單修正系統的修正方法，其中，於監測所述復健者進行所述復健遊戲中的一復健動作與一生理狀態，產生一姿態資料與一生理資料的步驟中包含：<br/> 擷取所述復健者的所述復健動作，並分析所述復健者的所述復健動作的姿態產生所述姿態資料；及<br/> 量測所述復健者進行所述復健動作時的所述生理狀態，以產生所述生理資料。
如請求項7所述的復健菜單修正系統的修正方法，其中，於依據所述遊戲分數與所述生理資料產生一預測分數的步驟之前，更包含：儲存所述遊戲分數與所述生理資料。
一種計算任務處理方法，包括：<br/> 接收計算任務，所述計算任務包括原始版本欄位，執行以下處理步驟：<br/> 對所述原始版本欄位修改得到多個修改版本欄位；其中，所述原始版本欄位包括固定欄位、軟分叉投票欄位及剩餘欄位，對所述剩餘欄位的比特位元進行隨機或固定順序修改，以對所述原始版本欄位進行修改得到多個所述修改版本欄位；<br/> 基於多個所述修改版本欄位，對所述計算任務執行雜湊運算生成多個中間狀態值，多個所述中間狀態值用於工作量證明計算；<br/> 其中，反覆運算執行所述處理步驟，第n+1輪處理步驟中的修改版本欄位和第1輪至n輪處理步驟中的修改版本欄位不一致。
如請求項1所述的計算任務處理方法，其還包括：<br/> 接收另一個計算任務，基於所述另一個計算任務的原始版本欄位，執行所述處理步驟。
如請求項1或2所述的計算任務處理方法，其中，所述剩餘欄位用於對所述原始版本欄位進行修改得到多個所述修改版本欄位。
如請求項3所述的計算任務處理方法，其中，所述原始版本欄位為32bit，所述剩餘欄位為16bit。
如請求項1或2所述的計算任務處理方法，其中，所述計算任務還包括消息欄位，所述消息欄位包括前區塊雜湊和雜湊梅克爾(Merkle)根的第一區。
如請求項1或2所述的計算任務處理方法，其還包括：<br/> 基於所述中間狀態值，獲得多個子中間狀態值；<br/> 將多個所述子中間狀態值構成的串列資料流程輸出用於工作量證明計算。
如請求項6所述的計算任務處理方法，其中，基於所述中間狀態值，對其拆分獲得多個子中間狀態值。
如請求項6所述的計算任務處理方法，其中，所述中間狀態值為256bit，所述子中間狀態值為32bit。
如請求項1或2所述的計算任務處理方法，其中，所述計算任務還包括消息欄位，所述基於多個所述修改版本欄位，對所述計算任務執行雜湊運算生成多個中間狀態值，包括：<br/> 將多個所述修改版本欄位分別和所述消息欄位組合得到多個第一區塊欄位，基於多個所述第一區塊欄位，執行雜湊運算生成多個所述中間狀態值。
如請求項9所述的計算任務處理方法，其中，將每個第一區塊欄位拆分為多個子第一區塊欄位，基於每個第一區塊欄位的多個子第一區塊欄位構成的串列資料流程，執行雜湊運算生成所述中間狀態值。
如請求項9所述的計算任務處理方法，其中，基於多個所述修改版本欄位的順序值，將每個所述修改版本欄位和所述消息欄位組合得到對應的第一區塊欄位。
如請求項11所述的計算任務處理方法，其中，輸出與所述順序值對應的脈衝電平，回應於所述脈衝電平，將與所述順序值對應的修改版本欄位和所述消息欄位鎖存為所述第一區塊欄位。
如請求項11所述的計算任務處理方法，其中，在第m個所述第一區塊欄位執行雜湊運算生成所述中間狀態值之後，將第m+1個所述修改版本欄位和所述消息欄位組合得到第m+1個所述第一區塊欄位。
如請求項1所述的計算任務處理方法，其還包括：<br/> 基於多個所述中間狀態值和所述計算任務的第二區塊欄位執行雜湊運算，得到工作量證明；所述第二區塊欄位包括所述雜湊梅克爾(Merkle)根的第二區、時間戳記、目標值以及亂數。
如請求項14所述的計算任務處理方法，其中，所述基於多個所述中間狀態值和所述計算任務的第二區塊欄位執行雜湊運算，包括： <br/> 對所述第二區塊欄位執行第一擴展操作，得到第一擴展資料；<br/> 基於多個所述中間狀態值和所述第一擴展操作結果執行多個第一壓縮操作，得到多個第一壓縮資料；<br/> 基於多個所述第一壓縮資料執行多個第二擴展操作，得到多個所述第二擴展資料；<br/> 基於多個所述第二擴展資料執行多個第二壓縮操作，得到所述工作量證明。
如請求項1所述的計算任務處理方法，其中，所述中間狀態值在高電壓區生成，生成多個所述中間狀態值之後，將多個所述中間狀態值由高電壓區轉換至低電壓區，用於工作量證明計算。
如請求項1或2所述的計算任務處理方法，其中，所述中間狀態值在晶片的頂層區生成。
如請求項1或2所述的計算任務處理方法，其中，所述雜湊運算為SHA-256運算。
一種計算任務處理裝置，包括：<br/> 接收模組，用於接收計算任務，所述計算任務包括原始版本欄位；<br/> 修改模組，對所述原始版本欄位修改得到多個修改版本欄位；其中，所述原始版本欄位包括固定欄位、軟分叉投票欄位及剩餘欄位，對所述剩餘欄位的比特位元進行隨機或固定順序修改，以對所述原始版本欄位進行修改得到多個所述修改版本欄位；<br/> 計算模組，用於基於多個所述修改版本欄位，對所述計算任務執行雜湊運算生成多個所述中間狀態值，多個所述中間狀態值用於工作量證明計算；<br/> 其中，所述修改模組還用於反覆運算修改多個所述修改版本欄位，第n+1輪處理步驟中的修改版本欄位和第1輪至n輪處理步驟中的修改版本欄位不一致。
如請求項19所述的計算任務處理裝置，其中，所述接收模組還用於接收新的計算任務，所述修改模組還用於對所述新的計算任務原始版本欄位修改得到多個修改版本欄位。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其中，所述剩餘欄位用於對所述原始版本欄位進行修改得到多個所述修改版本欄位。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算任務還包括消息欄位，所述消息欄位包括前區塊雜湊和雜湊梅克爾(Merkle)根的第一區。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其還包括位元寬轉換模組，用於將所述計算模組生成的第一位寬的所述中間狀態值拆分為多個第二位寬的子中間狀態值；多個所述子中間狀態值構成的串列資料流程用於工作量證明計算。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算任務還包括消息欄位，所述計算模組包括第一鎖存器，所述第一鎖存器用於儲存單個所述修改版本欄位和所述消息欄位組合構成的第一區塊欄位，所述計算模組基於多個所述第一區塊欄位，執行雜湊運算生成多個所述中間狀態值。
如請求項24所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算模組包括移位暫存器，所述移位暫存器用於將所述第一區塊欄位拆分為多個子第一區塊欄位，多個所述子第一區塊欄位構成的串列資料流程用於執行雜湊運算生成所述中間狀態值。
如請求項24所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算模組包括計數器，所述計數器用於產生計數值，所述計算模組根據計數值，基於多個所述修改版本欄位的順序值，將與所述計數值對應的修改版本欄位和所述消息欄位組合得到對應的第一區塊欄位。
如請求項26所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算模組包括電平生成模組，所述電平生成模組根據所述計數值生成對應的脈衝電平，所述計算模組回應於所述脈衝電平將與所述計數值對應的修改版本欄位和所述消息欄位鎖存為所述第一區塊欄位。
如請求項26所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算模組生成單個所述中間狀態值時產生完成信號，所述計數器回應於所述完成信號更新所述計數值，並在多個所述第一區塊欄位全部執行雜湊運算之後將所述計數值恢復至初始值。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其還包括工作量證明計算模組，用於基於多個所述中間狀態值和所述計算任務的第二區塊欄位執行雜湊運算，得到工作量證明；所述第二區塊欄位包括所述雜湊梅克爾(Merkle)根的第二區、時間戳記、目標值以及亂數。
如請求項29所述的計算任務處理裝置，其還包括多個第二鎖存器，用於接收多個所述中間狀態值；第一擴展器，用於對所述第二區塊欄位執行第一擴展操作，得到第一擴展資料；多個第一壓縮器，用於基於多個所述中間狀態值和所述第一擴展操作結果執行多個第一壓縮操作，得到多個第一壓縮資料；多個第二擴展器，用於基於多個所述第一壓縮資料執行多個第二擴展操作，得到多個所述第二擴展資料；多個第二壓縮器，用於基於多個所述第二擴展資料執行多個第二壓縮操作，得到所述工作量證明。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其中，所述計算模組設置於晶片的頂層區。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其中，還包括電平轉換器，用於將多個所述中間狀態值由高電壓區轉換至低電壓區。
如請求項19或20所述的計算任務處理裝置，其中，所述雜湊運算為SHA-256運算。
一種導體組件，用於一電力線材，該導體組件包含： <br/>一第一導電片，包含複數第一端子及一第一滑軌結構，且該些第一端子並列配置；及 <br/>一第二導電片，包含複數第二端子及一第二滑軌結構，且該些第二端子並列配置， <br/>其中該第一導電片及該第二導電片相疊配置，該第一滑軌結構及該第二滑軌結構相對接而導引該第一導電片及該第二導電片相對移動至一預定相對位置； <br/>其中當該第一導電片及該第二導電片位於該預定相對位置時，該些第一端子及該些第二端子穿插排列； <br/>其中該第一導電片設有一第一止擋部，該第二導電片的邊緣設有一第二止擋部，該第一止擋部及該第二止擋部相互止擋以定位該預定相對位置。
如請求項1所述的導體組件，其中該第一滑軌結構自該第一導電片的一側反折，且該第二導電片的邊緣之一側形成該第二滑軌結構。
如請求項1所述的導體組件，其中該第二滑軌結構自該第二導電片的一側反折，且該第一導電片的邊緣之一側形成該第一滑軌結構。
如請求項1所述的導體組件，其中該第一滑軌結構為設置在該第一導電片上的一槽道，且該第二滑軌結構為設置在該第二導電片上的一凸榫。
如請求項1所述的導體組件，其中該第二滑軌結構為設置在該第二導電片上的一槽道，且該第一滑軌結構為設置在該第一導電片上的一凸榫。
如請求項1所述的導體組件，更包含焊接該第一導電片的至少一第一導線及焊接該第二導電片的至少一第二導線，且該至少一第一導線及該至少一第二導線之數量相異。
一種電力線材，包含： <br/>二對接模組，每一該對接模組包含一絕緣座及穿設在該絕緣座內的一導體組件， <br/>其中每一該絕緣座包含一本體以及一舌部； <br/>其中每一該導體組件包含一第一導電片、一第二導電片及複數端子，該些端子露出在對應的該舌部之一側，該些端子之中包含設置在該第一導電片的複數第一端子以及設置在該第二導電片的複數第二端子，該些第一端子並列配置，該些第二端子並列配置，該第一導電片包含一第一滑軌結構，且該第二導電片包含一第二滑軌結構，該第一導電片及該第二導電片相疊配置，該第一滑軌結構及該第二滑軌結構相對接而導引該第一導電片及該第二導電片相對移動至一預定相對位置，當該第一導電片及該第二導電片位於該預定相對位置時，該些第一端子及該些第二端子穿插排列； <br/>其中，二該本體相連接且二該舌部間隔配置而使其中一該對接模組的該些端子與另一該對接模組的該些端子相向配置； <br/>其中在每一該導體組件中，該第一導電片設有一第一止擋部，該第二導電片的邊緣設有一第二止擋部，該第一止擋部及該第二止擋部相互止擋以定位該預定相對位置。
如請求項7所述的電力線材，其中在每一該導體組件中，該第一滑軌結構自該第一導電片的一側反折，且該第二導電片的邊緣之一側形成該第二滑軌結構。
如請求項7所述的電力線材，其中在每一該導體組件中，該第二滑軌結構自該第二導電片的一側反折，且該第一導電片的邊緣之一側形成該第一滑軌結構。
如請求項7所述的電力線材，其中在每一該導體組件中，該第一滑軌結構為設置在該第一導電片上的一槽道，且該第二滑軌結構為設置在該第二導電片上的一凸榫。
如請求項7所述的電力線材，其中在每一該導體組件中，該第二滑軌結構為設置在該第二導電片上的一槽道，且該第一滑軌結構為設置在該第一導電片上的一凸榫。
如請求項7所述的電力線材，其中每一該對接模組包含焊接該第一導電片的至少一第一導線及焊接該第二導電片的至少一第二導線，且該至少一第一導線及該至少一第二導線之數量相異。
一種包裝機封口前之導引機構，係包含有： 一第一夾臂，係設有數個滾輪，又該第一夾臂設有一第一連接部；<br/> 一第二夾臂，係設有一輸送帶，又該第二夾臂設有一第二連接部；<br/> 一樞件，係接設於包裝機的機架上並分別設有二第一樞接處與二第二樞接處，且該第一夾臂與該第二夾臂的一端分別接設於該二第一樞接處，而使該第一夾臂與該第二夾臂呈現互為V字形夾角之裝設；及<br/> 二致動缸，係分別接設於該第一連接部、其中一第二樞接處之間及該第二連接部、另一第二樞接處之間，透過該二致動缸的作動，使該第一夾臂與該第二夾臂的夾角從鈍角的V字形內縮成銳角。
如請求項1所述包裝機封口前之導引機構，其中該輸送帶係更包含有一主動輪、一被動輪、一皮帶及一驅動馬達，且該主動輪與該被動輪撐起該皮帶的二端，而該驅動馬達則接設於該主動輪，據以驅動輸送帶。
如請求項1所述包裝機封口前之導引機構，其中該樞件設為片體狀。
如請求項3所述包裝機封口前之導引機構，其中該夾角最大為160度，最小為20度。
一種使用請求項1至4所述封口前之導引機構的包裝機，係包含有：<br/> 一計量填充裝置，係更包含一機架；<br/> 一供袋裝置，係設於該計量填充裝置的一側並平放有一整疊的數個包裝袋體；<br/> 一取袋裝置，係設於該計量填充裝置與該供袋裝置之間；<br/> 一輸送裝置，係設於該計量填充裝置的另一側，且該輸送裝置係設有一震動輸送台與一主輸送台，其中該主輸送台的長度大於該震動輸送台；<br/> 一封口裝置，係設於該輸送裝置的旁側；及<br/> 該封口前之導引機構，係設於該計量填充裝置所設該機架與該輸送裝置的前端之間；其中該震動輸送台對充填後的包裝袋體的下方施予一第一輸送力，且該封口前之導引機構所設呈現互為V字形夾角之第一夾臂、第二夾臂對充填後的包裝袋體的上方施予一第二輸送力。
如請求項5所述包裝機，其中另包含有一供料裝置，且該供料裝置係接設於該計量填充裝置的前端側，又該供料裝置係由一供料漏斗底部接設一斜上輸送帶。
如請求項5或6所述包裝機，其中另包含有一狹道件，且該狹道件係設於該封口前之導引機構與該封口裝置之間，且該狹道件係設於該機架上。
一種活動式麥克風抽氣系統，包含有：<br/> 一夾座，係設有一夾持壁，該夾持壁形成有一夾持空間，以供一麥克風可被夾持固定於該夾持空間內，該夾持壁內部形成有一流道，該流道相鄰環繞於該麥克風，該夾座的一端設有一吸入口與該流道相連通，該夾座的另一端設有一排出口與該流道相連通；<br/> 一過濾單元，係連通該流道，該過濾單元內部係設有至少一過濾層；<br/> 一抽氣單元，係連通至該過濾單元，該抽氣單元係對於該流道產生一負壓，使得該吸入口產生一吸力，一氣體可被該吸力所吸引，由該吸入口進入至該流道內，進入到該流道內的該氣體，再由該排出口輸入至該過濾單元內，然後該氣體係通過該過濾層，以供將通過該過濾單元的該氣體進行過濾，再透過該抽氣單元將該氣體排出至外界。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該夾持壁的截面係設呈為C型。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該夾座係為彈性材質所製造，使得該夾持壁具有一夾持力。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該夾持壁的兩端分別設有一束帶，該二束帶上分別設有一黏扣帶，該二黏扣帶互相黏扣固定。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該吸入口設呈漸擴狀，該排出口設呈為漸縮狀。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該吸入口係設有一護網。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該排出口係連接設有一管接頭，該過濾單元藉由一第一氣管連接至該管接頭。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該過濾層係為一活性碳過濾層、一光觸媒過濾層或一抗菌過濾層。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該過濾單元係設有一輸出端，該抽氣單元藉由一第二氣管連接至該輸出端。
如請求項1之活動式麥克風抽氣系統，其中，該過濾單元及該過濾層係為可拆式構造或拋棄式構造。
一種電氣角檢測方法，使用一電氣角檢測裝置中檢測一伺服電機的之一動子當前的電氣角，該電氣角檢測方法包括以下步驟：<br/> (a) 該電氣角檢測裝置的一控制單元控制該電氣角檢測裝置的一輸入單元將一目標電氣角及一q軸電流輸入該伺服電機； <br/> (b)在一輸入時間t1後，該控制單元控制該電氣角檢測裝置的一檢測單元檢測該伺服電機的動子的移動方向，以及該控制單元控制該電氣角檢測裝置的一記錄單元記錄該伺服電機的動子的移動方向，其中該移動方向為+、−或0，分別代表該伺服電機的動子朝一正方向移動、朝一負方向移動以及不移動；以及<br/> (c) 該控制單元根據在該記錄單元中記錄該伺服電機的該移動方向，判斷是否繼續電氣角檢測：<br/> 當該伺服電機的動子的該移動方向為+或−時，該控制單元控制該輸入單元改變該目標電氣角，並重複該步驟(b)，<br/> 當該伺服電機的動子的該移動方向為0時，該控制單元控制該輸入單元停止電氣角檢測，並該控制單元控制該記錄單元記錄該目標電氣角；<br/> 在該步驟(a)中，該q軸電流係隨該輸入時間漸增的一函數iq=iq<sub>0</sub>+iq(t1)，其中iq<sub>0</sub>=0，且 iq≦ iq<sub>max</sub>，iq為該q軸電流，iq<sub>max</sub>為該輸入單元之一輸出電流的最大值，以及<br/> 在該步驟(c)中，當該伺服電機的動子的該移動方向為+或−時，在該控制單元控制該輸入單元改變該目標電氣角之後，以及重複該步驟(b)之前，更包括該控制單元控制該輸入單元更新該iq<sub>0</sub>=iq，在一間斷時間t2中該控制單元控制該輸入單元間斷輸入該q軸電流，以及恢復輸入該q軸電流，其中t2≧t1，t1為該輸入時間，t2為該間斷時間。
如請求項1之電氣角檢測方法，其中iq(t1)係隨該輸入時間線性增加的一函數。
如請求項1之電氣角檢測方法，其中在該步驟(c)中，當該伺服電機的動子的該移動方向為+或−時，該目標電氣角係以下述方式改變：<br/> 當該伺服電機的動子的該移動方向為+時，該控制單元控制該輸入單元降低該目標電氣角的角度，<br/> 當該伺服電機的動子的該移動方向為−時，該控制單元控制該輸入單元增加該目標電氣角的角度。
如請求項3之電氣角檢測方法，在停止電氣角檢測後，更包括以下步驟：<br/> (d) 將該目標電氣角記錄為該伺服電機的動子當前的電氣角，將該當前的電氣角及該q軸電流輸入該伺服電機，該控制單元控制該檢測單元週期性地檢測該伺服電機的動子的移動方向，以及該控制單元控制一記錄單元週期性地記錄該伺服電機的動子的移動方向，直到該q軸電流輸入該伺服電機的該輸入時間達到一預定的時間長度。
如請求項1至4中任一項之電氣角檢測方法，其中<br/> 在該步驟(a)中，該控制單元設定一電氣角下限θ<sub>min</sub>及一電氣角上限θ<sub>max</sub>，該目標電氣角θ<sub>r</sub>=truncate(θ<sub>min</sub> +(θ<sub>max</sub>−θ<sub>min</sub>)/2)，<br/> 在該步驟(c)中，當該伺服電機的動子的該移動方向為+或−時，該目標電氣角係以下述方式改變：<br/> 當該伺服電機的動子的該移動方向為+時，θ<sub>min</sub>=θ<sub>r</sub>，θ<sub>max</sub>=θ<sub>max</sub>，θ<sub>r</sub>=truncate(θ<sub>min</sub> +(θ<sub>max</sub>−θ<sub>min</sub>)/2)，<br/> 當該伺服電機的動子的該移動方向為−時，θ<sub>min</sub>=θ<sub>min</sub>，θ<sub>max</sub>=θ<sub>r</sub>，θ<sub>r</sub>=truncate(θ<sub>min</sub> +(θ<sub>max</sub>−θ<sub>min</sub>)/2) 。
如請求項5之電氣角檢測方法，在停止電氣角檢測後，更包括以下步驟：<br/> (d) 該控制單元控制該記錄單元將該目標電氣角θ<sub>r</sub>記錄為該伺服電機的動子當前的電氣角，該控制單元控制該輸入單元將該當前的電氣角及該q軸電流輸入該伺服電機，該控制單元控制該檢測單元週期性地檢測該伺服電機的動子的移動方向，以及該控制單元控制該記錄單元週期性地記錄該伺服電機的動子的移動方向，直到該q軸電流輸入該伺服電機的該輸入時間達到一預定的時間長度。
如請求項1或2之電氣角檢測方法，在停止電氣角檢測後，更包括以下步驟：<br/> (d) 該控制單元控制一記錄單元將該目標電氣角記錄為該伺服電機的動子當前的電氣角，該控制單元控制該輸入單元將該當前的電氣角及該q軸電流輸入該伺服電機，該控制單元控制該檢測單元週期性地檢測該伺服電機的動子的移動方向，以及該控制單元控制該記錄單元週期性地記錄該該伺服電機的動子的移動方向，直到該q軸電流輸入該該伺服電機的該輸入時間達到一預定的時間長度。
一種電氣角檢測裝置，包括：<br/> 一控制單元；<br/> 一輸入單元，連接該控制單元，該控制單元控制該輸入單元將一目標電氣角及一q軸電流輸入一伺服電機；<br/> 一檢測單元，連接該控制單元，該控制單元控制該檢測單元檢測該伺服電機的動子的移動方向；及<br/> 一記錄單元， 連接該控制單元，該控制單元控制該記錄單元記錄該伺服電機的動子的移動方向，其中該移動方向為+、−或0，分別代表該伺服電機的動子朝一正方向移動、朝一負方向移動以及不移動；<br/> 其中，該控制單元在該伺服電機的動子的該移動方向為0時，該控制單元控制該輸入單元停止電氣角檢測，該控制單元在該伺服電機的動子的該移動方向為+或−時控制該輸入單元改變該目標電氣角：<br/> 其中，該q軸電流係隨一輸入時間t1漸增的一函數iq=iq<sub>0</sub>+iq(t1)，其中iq<sub>0</sub>=0，且 iq≦ iq<sub>max</sub>，iq為該q軸電流，iq<sub>max</sub>為該輸入單元之一輸出電流的最大值，以及該伺服電機的動子的該移動方向為+或−時，在該控制單元控制該輸入單元改變該目標電氣角後或在該輸入時間後，該控制單元控制該輸入單元更新該iq<sub>0</sub>=iq，在一間斷時間t2中該控制單元控制該輸入單元間斷輸入該q軸電流，以及恢復輸入該q軸電流，其中t2≧t1，t1為該輸入時間，t2為該間斷時間。
如請求項8所述的電氣角檢測裝置，其中該伺服電機的動子的移動方向為正方向移動之狀態，該控制單元控制該輸入單元降低該目標電氣角的角度。
如請求項8所述的電氣角檢測裝置，其中該伺服電機的動子的移動方向為負方向移動之狀態，則該控制單元控制輸入單元增加該目標電氣角的角度。
如請求項8所述的電氣角檢測裝置，其中該目標電氣角可以二分法朝該伺服電機的動子當前的該電氣角收斂，該控制單元給定一電氣角下限、一電氣角上限及該目標電氣角θ<sub>r</sub>，以θ<sub>min</sub>表示電氣角下限、θ<sub>max</sub>表示電氣角上限，θ<sub>r</sub>表示該目標電氣角，其中θ<sub>r</sub>=truncate(θ<sub>min</sub> +(θ<sub>max</sub>−θ<sub>min</sub>)/2)。
一種用於一多晶片中介層的互連結構，該結構包括：<br/> 一第一通孔堆疊，位於多個位置當中的一第一位置處，該些位置相對於相互垂直的一第一方向及一第二方向進行相應地界定，該第一通孔堆疊包含在與該第一方向及該第二方向中的每一者垂直的一第三方向上彼此堆疊的多個通孔；<br/> 一第一過渡段，位於一過渡層中且與該第一通孔堆疊中的該些通孔中的一最上部通孔重疊並耦接，該第一過渡段係導電的且至少在該第一方向或該第二方向上延伸，以與多個位置中的同該第一位置偏移的一第二位置重疊；<br/> 一接觸凸塊，位於該第二位置處及該第一通孔堆疊上方且耦接至該第一通孔堆疊；<br/> 一第二通孔堆疊，位於該些位置當中的一第三位置處，該第二通孔堆疊包含在該第三方向上彼此堆疊的多個通孔；及<br/> 一第二過渡段，位於該過渡層中且與該第二通孔堆疊中的該些通孔中的一最上部通孔重疊並耦接，其中該第二過渡段在該第一方向或該第二方向上延伸的一長度小於該第一過渡段在該第一方向或該第二方向上延伸的一長度。
如請求項1所述之結構，其中：<br/> 該第一過渡段具有一凸多邊形形狀。
如請求項1所述之結構，其中：<br/> 該第一過渡段具有一凹多邊形形狀。
如請求項1所述之結構，進一步包括：<br/> 一過渡通孔結構，位於該第二位置處，且該過渡通孔結構位於該第一過渡段與該接觸凸塊之間且將該第一過渡段及該接觸凸塊耦接在一起。
如請求項1所述之結構，其中：<br/> 該第一通孔堆疊中的該些通孔位於多個對應互連層中，該些互連層包含該第一通孔堆疊中的含有該最上部通孔的該些通孔；<br/> 該第一通孔堆疊進一步包含：<br/> 多個導電段，位於多個對應金屬化層中；且<br/> 該些互連層及該些金屬化層係交錯的。
一種用於一多晶片中介層的互連結構，該結構包括：<br/> 多個偏移凸塊塔，每一該些偏移凸塊塔包含：<br/> 一第一通孔堆疊，位於多個位置當中的一對應第一位置處，該些位置相對於相互垂直的一第一方向及一第二方向進行相應地界定，該第一通孔堆疊包含在與該第一方向及該第二方向中的每一者垂直的一第三方向上彼此堆疊的多個通孔；<br/> 一第一過渡段，位於一過渡層中且與該第一通孔堆疊中的該些通孔中的一最上部通孔重疊並耦接；及<br/> 一接觸凸塊，位於該些位置中的一對應第二位置處，該對應第二位置處至少在該第一方向或該第二方向上與該第一位置偏移，該接觸凸塊耦接至該第一通孔堆疊；及<br/> 多個非偏移凸塊塔，每一該些非偏移凸塊塔包含：<br/> 一第二通孔堆疊，位於該些位置當中的一對應第三位置處，該第二通孔堆疊包含在該第三方向上彼此堆疊的多個通孔；及<br/> 一第二過渡段，位於該過渡層中且與該第二通孔堆疊中的該些通孔中的一最上部通孔重疊並耦接，其中該第二過渡段在該第一方向或該第二方向上延伸的一長度小於該第一過渡段在該第一方向或該第二方向上延伸的一長度。
如請求項6所述之結構，其中該第一過渡段係導電的且至少在該第一方向或該第二方向上延伸以與該第二位置重疊；且<br/> 每一該些偏移凸塊塔進一步包含：<br/> 一過渡通孔結構，位於該第二位置處，且該過渡通孔結構位於該第一過渡段與該接觸凸塊之間且將該第一過渡段及該接觸凸塊耦接在一起。
如請求項6所述之結構，其中：<br/> 每一該第一通孔堆疊中的該些通孔位於多個對應互連層中；<br/> 每一該第一通孔堆疊進一步包含：<br/> 多個導電段，位於多個對應金屬化層中；<br/> 該些互連層及該些金屬化層係交錯的；<br/> 該些對應金屬化層中的該些導電段與在該第一方向上延伸的對應多個列對準，該些列包括一陣列；<br/> 該些列相對於該第三方向彼此堆疊；<br/> 該陣列進一步由多個行組成；且<br/> 對於該些偏移凸塊塔中的至少兩者的一第一組，該第一組的該些對應第一通孔堆疊與多個行中的一第一行對準。
如請求項8所述之結構，其中：<br/> 該第一行不包含配置用於一參考電壓的一接觸凸塊。
一種製造用於一多晶片中介層的一互連結構的方法，該方法包括：<br/> 形成多個偏移凸塊塔，包含以下步驟：<br/> 在多個位置當中的多個對應第一位置處形成多個第一通孔堆疊，該些位置相對於相互垂直的第一方向及第二直方向進行相應地界定，每一該些第一通孔堆疊包含在與該第一方向及該第二方向中的每一者垂直的一第三方向上彼此堆疊的多個對應通孔；<br/> 形成多個第一過渡段，每一該些第一過渡段位於一過渡層中且在該第一位置處位於每一該些第一通孔堆疊中的該些通孔中的一最上部通孔上並與該最上部通孔重疊及耦接；及<br/> 在該些位置中的至少在該第一方向或該第二方向上與該些第一位置相應地偏移的多個對應第二位置處形成多個接觸凸塊，該些接觸凸塊相應地耦接至該些第一通孔堆疊；及<br/> 形成多個非偏移凸塊塔，包含以下步驟：<br/> 在該些位置當中的多個對應第三位置處形成多個第二通孔堆疊，每一該些第二通孔堆疊包含在該第三方向上彼此堆疊的多個對應通孔；及<br/> 形成多個第二過渡段，每一該些第二過渡段位於該過渡層中且在該第三位置處位於每一該些第二通孔堆疊中的該些通孔中的一最上部通孔上並與該最上部通孔重疊及耦接，其中每一該些第二過渡段在該第一方向或該第二方向上延伸的一長度小於每一該些第一過渡段在該第一方向或該第二方向上延伸的一長度。
一種具有用於鍵合電子元件的鍵合工具的鍵合機的鍵合頭，所述鍵合頭包括：<br/> 旋轉運動機構，其能夠操作以旋轉所述鍵合工具以調整由所述鍵合工具保 持的所述電子元件的角定向，其中，所述旋轉運動機構包括彼此連接的旋轉元件和撓性轉盤；<br/> 所述旋轉元件能夠操作以使所述鍵合工具圍繞第一旋轉軸旋轉，並且所述撓性轉盤能夠操作以使所述鍵合工具圍繞相應的第二旋轉軸和第三旋轉軸旋轉，所述第一旋轉軸、第二旋轉軸和第三旋轉軸彼此正交；以及<br/> 線性定位機構，其連接至所述旋轉運動機構，並且能夠操作以驅動所述鍵合工具平行於所述第一旋轉軸移動以及沿與所述第二旋轉軸和第三旋轉軸所在的第二平面平行的第一平面移動；<br/> 其中，該撓性轉盤包含多個撓性接頭，每一撓性接頭包含至少兩個設置於該撓性轉盤相對兩側之撓性鉸鏈，以使所述鍵合工具能繞第二旋轉軸及第三旋轉軸旋轉。
根據請求項1所述的鍵合頭，其中，所述旋轉元件或所述撓性轉盤直接連接至所述鍵合工具。
根據請求項1所述的鍵合頭，其中，所述撓性轉盤包括第一旋轉載物台、第二旋轉載物台以及基板，所述第一旋轉載物台與所述基板之間連接有第一撓性接頭以使得所述第一旋轉載物台能夠圍繞所述第二旋轉軸旋轉，所述第一旋轉載物台與所述第二旋轉載物台之間連接有第二撓性接頭以使得所述第二旋轉載物台能夠圍繞所述第三旋轉軸旋轉。
根據請求項3所述的鍵合頭，其中，所述第一撓性接頭包括第一對撓性鉸鏈，所述第一對撓性鉸鏈在所述第一旋轉載物台與所述基板之間並且設置在所述第一旋轉載物台的相對側，以使得這兩個撓性鉸鏈能夠操作以圍繞所述第二旋轉軸同步撓曲。
根據請求項4所述的鍵合頭，其中，所述第二撓性接頭包括第二對撓性鉸鏈，所述第二對撓性鉸鏈在所述第一旋轉載物台和第二旋轉載物台之間並且設置在所述第二旋轉載物台的相對側，以使得這兩個撓性鉸鏈能夠操作以圍繞所述第三旋轉軸同步撓曲。
根據請求項5所述的鍵合頭，其中，每個撓性鉸鏈包括兩個交叉板簧。
根據請求項5所述的鍵合頭，其中，穿過所述第一對撓性鉸鏈的線與穿過所述第二對撓性鉸鏈的線垂直。
根據請求項7所述的鍵合頭，其中，所述線性定位機構被配置成驅動所述鍵合工具沿所述第一平面在第一線性運動軸和第二線性運動軸上移動，所述第一線性運動軸和第二線性運動軸分別相對於所述第二旋轉軸和第三旋轉軸成45度角設置。
根據請求項3所述的鍵合頭，其中，所述旋轉運動機構還包括第一驅動系統，所述第一驅動系統安裝在所述撓性轉盤的所述基板上，並通過彈性構件連接至從所述第一旋轉載物台突出的第一臂，以便向所述第一臂提供力來使所述第一旋轉載物台圍繞所述第一撓性接頭旋轉。
根據請求項9所述的鍵合頭，其中，所述旋轉運動機構還包括第二驅動系統，所述第二驅動系統安裝在所述第一旋轉載物台上，並通過彈性構件連接至從所述第二旋轉載物台突出的第二臂，以便向所述第二臂提供力來使所述第二旋轉載物台圍繞所述第二撓性接頭旋轉。
根據請求項10所述的鍵合頭，其中，所述彈性構件包括一對預載拉伸彈簧。
根據請求項10所述的鍵合頭，其中，所述第一驅動系統和第二驅動系統中的至少一個包括凸輪驅動元件，所述凸輪驅動元件包括偏心凸輪以及連接至所述第一臂和/或第二臂的旋轉電機。
根據請求項12所述的鍵合頭，其中，所述旋轉運動機構還包括與所述旋轉電機集成的旋轉編碼器以測量所述旋轉電機的角位移，然後利用所述角位移確定所述偏心凸輪的相應線性位移。
根據請求項3所述的鍵合頭，其中，所述撓性轉盤包括中空部分，其尺寸適於容納和安裝所述旋轉元件以及將所述鍵合工具連接至所述旋轉運動機構。
根據請求項1所述的鍵合頭，其中，所述線性定位機構包括第一線性運動元件、設置在所述第一線性運動元件上的第二線性運動元件以及設置在所述第二線性運動元件上的第三線性運動元件，其中該第一線性運動元件、第二線性運動元件和第三運動元件驅動所述鍵合工具分別沿著笛卡爾坐標系中的三個正交軸移動。
一種鍵合機，包括具有用於鍵合電子元件的鍵合工具的鍵合頭，所述鍵合頭包括：<br/> 旋轉運動機構，其能夠操作以旋轉所述鍵合工具以調整由所述鍵合工具保持的所述電子元件的角定向，其中，所述旋轉運動機構包括旋轉元件和撓性轉盤，所述旋轉元件能夠操作以使所述鍵合工具圍繞第一旋轉軸旋轉，所述撓性轉盤能夠操作以使所述鍵合工具圍繞相應的第二旋轉軸和第三旋轉軸旋轉，所述第一旋轉軸正交於所述第二旋轉軸和第三旋轉軸；以及<br/> 線性定位機構，其連接至所述旋轉運動機構，並且能夠操作以驅動所述鍵合工具平行於所述第一旋轉軸以及沿與所述第二旋轉軸和第三旋轉軸所在的第二平面平行的第一平面移動；<br/> 其中，該撓性轉盤包含多個撓性接頭，每一撓性接頭包含至少兩個設置於該撓性轉盤相對兩側之撓性鉸鏈，以使所述鍵合工具能繞第二旋轉軸及第三旋轉軸旋轉。
一種用於製造電子封裝件的方法，所述電子封裝件包括利用鍵合工具鍵合至所述電子封裝件的表面上的電子元件，所述方法包括：<br/> 用旋轉運動機構使所述鍵合工具圍繞第一旋轉軸旋轉以調整由所述鍵合工具保持的所述電子元件的角定向；<br/> 用撓性轉盤使所述鍵合工具圍繞第二旋轉軸和第三旋轉軸中的至少一個旋轉，所述第一旋轉軸正交於所述第二旋轉軸和第三旋轉軸，其中，該撓性轉盤包含多個撓性接頭，每一撓性接頭包含至少兩個設置於該撓性轉盤相對兩側之撓性鉸鏈，以使所述鍵合工具能繞第二旋轉軸及第三旋轉軸旋轉；<br/> 用連接至所述旋轉運動機構的線性定位機構使所述鍵合工具平行於所述第一旋轉軸以及與所述第二旋轉軸和第三旋轉軸所在的第二平面平行的第一平面移動；並且<br/> 用所述鍵合工具將所述電子元件鍵合至所述表面上。
一種用於校正工作週期的裝置，包括：<br/>時脈信號產生器，經組態以接收第一輸入時脈信號並產生輸出時脈信號，且包括：<br/>相位產生器，經組態以從所述第一輸入時脈信號產生多個第二輸入時脈信號，每個第二輸入時脈信號具有不同相位；<br/>工作週期校正器，包括：<br/>工作週期改變電路，經組態以參考控制信號調整所述第二輸入時脈信號的工作週期，並產生單端輸入信號；<br/>差動信號產生器，經組態以從所述單端輸入信號產生互補輸出信號；以及<br/>比較器，經組態以比較所述互補輸出信號並產生作為所述控制信號的比較結果；以及<br/>發射器電路，經組態以接收輸入資料信號，響應於所述輸出時脈信號處理所述輸入資料信號，產生輸出資料信號，並傳輸所述輸出資料信號，<br/>其中所述差動信號產生器包括：<br/>轉換電路，經組態以將所述單端輸入信號轉換為差動輸出信號；以及<br/>隔離電路，連接至所述轉換電路，且經組態以產生所述互補輸出信號，所述互補輸出信號分別為所述差動輸出信號的放大版本，<br/>其中所述隔離電路包括：<br/>第一反相器；<br/>第二反相器，連接於所述轉換電路與所述第一反相器之間；<br/>第三反相器；<br/>第四反相器，連接於所述轉換電路與所述第三反相器之間；以及<br/>交叉耦合反相器，連接於所述第二反相器的輸出與所述第四反相器的輸出之間。
如請求項1所述的裝置，其中所述差動信號產生器更包括佈線電路，連接於所述轉換電路或所述隔離電路的輸入與輸出之間，且經組態以補償所述轉換電路或所述隔離電路引入的延遲。
如請求項1所述的裝置，其中：<br/>所述轉換電路包括第一反相器和第二反相器，所述第二反相器與所述第一反相器串聯連接；以及<br/>傳輸閘極，連接於所述第二反相器的輸入與輸出之間。
如請求項1所述的裝置，更包括濾波電路，連接於所述差動信號產生器與所述比較器之間。
一種用於校正工作週期的裝置，包括：<br/>時脈信號產生器，經組態以接收第一輸入時脈信號並產生輸出時脈信號，且包括：<br/>相位產生器，經組態以從所述輸入時脈信號產生多個第二輸入時脈信號，每個第二輸入時脈信號具有不同相位；<br/>工作週期校正器，包括：<br/>工作週期改變電路，經組態以參考互補控制信號來調整所述第二輸入時脈信號的工作週期，並產生單端輸入信號；<br/>差動信號產生器，經組態以將所述單端輸入信號轉換為互補輸出信號；<br/>比較器，經組態以比較所述互補輸出信號並產生指示比較結果的控制信號；<br/>數位信號產生器，經組態以產生表示所述控制信號的數位信號；以及<br/>互補控制信號產生器，經組態以響應於所述數位信號產生所述互補控制信號；以及<br/>接收器電路，經組態以接收第一輸出資料信號，響應於所述輸出時脈信號處理所述第一輸出資料信號，產生第二輸出資料信號，並提供所述第二輸出資料信號作為輸出，<br/>其中所述差動信號產生器包括：<br/>轉換電路，經組態以將所述單端輸入信號轉換為差動輸出信號；以及<br/>隔離電路，連接至所述轉換電路，且經組態以產生所述互補輸出信號，所述互補輸出信號分別為所述差動輸出信號的放大版本，<br/>其中所述隔離電路包括：<br/>第一反相器；<br/>第二反相器，連接於所述轉換電路與所述第一反相器之間；<br/>第三反相器；<br/>第四反相器，連接於所述轉換電路與所述第三反相器之間；以及<br/>交叉耦合反相器，連接於所述第二反相器的輸出與所述第四反相器的輸出之間。
一種校正信號工作週期的方法，包括：<br/>接收第一輸入信號；<br/>產生與所述第一輸入信號相關聯的第二輸入時脈信號；<br/>參考第一控制信號調整所述第二輸入時脈信號的工作週期，以產生單端輸入信號；<br/>將所述單端輸入信號轉換為第一互補輸出信號；<br/>比較所述第一互補輸出信號；<br/>基於比較結果產生所述第一控制信號；<br/>參考第二控制信號進一步調整所述第二輸入時脈信號的工作週期，其中所述第二控制信號是所述第一控制信號的互補信號；<br/>產生表示所述比較結果的數位信號；以及<br/>響應所述數位信號產生所述第一和第二控制信號。
如請求項6所述的方法，還包括：<br/>將所述單端輸入信號轉換為第二互補輸出信號；<br/>將所述第二互補輸出信號之一的頻率分頻以產生第三輸入信號；以及<br/>響應所述第三輸入信號產生所述比較結果。
一種基板處理裝置，其處理基板，且 <br/>具備使流體流通之複數個配管， <br/>上述複數個配管包含至少1個內側原生材料配管，該內側原生材料配管具有含有氟樹脂之原生材料之內層、及形成於上述內層之外側之外層， <br/>上述外層含有氟樹脂之再生材料，且 <br/>上述流體於上述內層之內側流通。
如請求項1之基板處理裝置，其進而具備對上述基板執行基板處理之基板處理部， <br/>上述基板處理部具有收容上述基板之腔室， <br/>上述複數個配管包含腔室外配管，該腔室外配管配置於上述腔室外，使供給至上述基板處理部之上述流體流通，且 <br/>上述腔室外配管包含上述內側原生材料配管。
如請求項2之基板處理裝置，其進而具備噴嘴，該噴嘴配置於上述腔室內，於上述腔室內噴出上述流體， <br/>上述複數個配管包含腔室內供給配管，該腔室內供給配管配置於上述腔室內，使供給至上述噴嘴之上述流體流通，且 <br/>上述腔室內供給配管包含至少內側表面及外側表面由氟樹脂之原生材料構成之原生材料配管。
如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其進而具備： <br/>基板處理部，其對上述基板執行基板處理；及 <br/>流體櫃，其收容供給至上述基板處理部之液體； <br/>上述基板處理部具有收容上述基板之腔室， <br/>上述複數個配管包含使從上述基板處理部排出之上述液體回收至上述流體櫃之回收配管， <br/>上述回收配管包含配置於上述腔室外之腔室外回收配管，且 <br/>上述腔室外回收配管包含上述內側原生材料配管。
如請求項4之基板處理裝置，其中上述回收配管包含配置於上述腔室內之腔室內回收配管，且 <br/>上述腔室內回收配管包含至少內側表面及外側表面由氟樹脂之原生材料構成之原生材料配管。
如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述內側原生材料配管進而具有形成於上述內層與上述外層之間之阻隔層。
如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述內層之厚度小於上述外層之厚度。
如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中於上述內側原生材料配管施加有著色。
如請求項8之基板處理裝置，其中上述複數個配管包含至少內側表面及外側表面由氟樹脂之原生材料構成之原生材料配管，且 <br/>上述原生材料配管之顏色與上述內側原生材料配管不同。
一種基板處理裝置，其處理基板，且 <br/>具備使流體流通之複數個配管， <br/>上述複數個配管包含至少1個內側再生材料配管，上述內側再生材料配管具有含有氟樹脂之再生材料之內層、及形成於上述內層之外側之外層， <br/>上述外層含有氟樹脂之原生材料，且 <br/>上述流體於上述內層之內側流通。
如請求項10之基板處理裝置，其進而具備對上述基板執行基板處理之基板處理部， <br/>上述基板處理部具有收容上述基板之腔室， <br/>上述複數個配管包含使上述流體從上述基板處理部排出之排出配管， <br/>上述排出配管包含配置於上述腔室內之腔室內排出配管，且 <br/>上述腔室內排出配管包含上述內側再生材料配管。
如請求項11之基板處理裝置，其中上述排出配管包含配置於上述腔室外之腔室外排出配管，且 <br/>上述腔室外排出配管包含由氟樹脂之再生材料構成之再生材料配管。
如請求項10至12中任一項之基板處理裝置，其中上述內側再生材料配管進而具有形成於上述內層與上述外層之間之阻隔層。
如請求項10至12中任一項之基板處理裝置，其中上述外層之厚度小於上述內層之厚度。
如請求項10至12中任一項之基板處理裝置，其中於上述內側再生材料配管施加有著色。
如請求項15之基板處理裝置，其中上述複數個配管包含由氟樹脂之再生材料構成之再生材料配管， <br/>於上述再生材料配管施加有著色，且 <br/>於上述內側再生材料配管與上述再生材料配管之至少一者施加有標記。
一種滑架，用於一伺服器裝置，該滑架包括：<br/> 一滑架外殼，具有一第一側壁，平行於一第二側壁，該第一側壁與該第二側壁之間形成一空間；以及<br/> 一推拉機構，包括一第一機構以及一第二機構，該第一機構耦接到該第一側壁，該第二機構耦接到該第二側壁，該推拉機構配置以促使將該滑架推入以及從該伺服器裝置的一機箱拉出，推入導致一進入鎖定位置，而拉出導致一退出鎖定位置，<br/> 其中該第一機構以及該第二機構各包括：<br/> 一複合齒輪系，有三個複合齒輪，可旋轉以導致該進入鎖定位置以及該退出鎖定位置之個別的一位置；<br/> 一短齒條，配置以與該等三個複合齒輪之一第一小齒輪嚙合，該短齒條引導該滑架在該進入鎖定位置與該退出鎖定位置之間的移動；以及<br/> 一長齒條，配置以與該等三個複合齒輪中之一第三大齒輪嚙合，該長齒條引導該滑架在該進入鎖定位置與該退出鎖定位置之間的移動；其中<br/> 當該複合齒輪系移動時，該長齒條移動的距離是複合齒輪系移動距離的八倍。
如請求項1所述之滑架，其中該等至少三個複合齒輪包括：<br/> 該第一複合齒輪具有一第一大齒輪以及一第一小齒輪；<br/> 一第二複合齒輪，具有一第二大齒輪以及一第二小齒輪；以及<br/> 該第三複合齒輪具有一第三大齒輪以及一第三小齒輪，<br/> 其中該第一複合齒輪、該第二複合齒輪、以及該第三複合齒輪尺寸相同。
如請求項2所述之滑架，其中該第一小齒輪配置以與該短齒條嚙合，且該第三大齒輪配置以與該長齒條嚙合。
如請求項2所述之滑架，其中<br/> 該第一大齒輪、該第二大齒輪、以及該第三大齒輪的大齒數各為該第一小齒輪、該第二小齒輪、以及該第三小齒輪的小齒數的兩倍；<br/> 當該等至少三個複合齒輪旋轉時，該第二複合齒輪的速度為該第三複合齒輪速度的一半，且該第一複合齒輪的速度為該第三複合齒輪速度的四分之一；以及<br/> 當該第三複合齒輪逆時針旋轉時，該第二複合齒輪順時針旋轉，且該第一複合齒輪逆時針旋轉。
如請求項2所述之滑架，其中該第一機構以及該第二機構更各包括一支架，該長齒條固定於其上，該支架配置以在該等至少三個複合齒輪下滑動。
如請求項5所述之滑架，其中該支架藉由一緊固件與一手把機構耦接，該手把機構包括一手把。
如請求項6所述之滑架，其中：<br/> 該手把機構更包括一第一閂鎖，配置以在該進入鎖定位置固定該滑架以及該機箱；以及<br/> 該手把配置以回應於按下在該進入鎖定位置的一第一閂鎖按鈕而解鎖，從該滑架外殼以及該機箱釋放，從而該手把可從該滑架外殼以及該機箱中拉出到該退出鎖定位置。
如請求項7所述之滑架，更包括一止動件，位於該滑架的一底板，該止動件配置以回應於拉動該手把與該支架接觸，當該短齒條與該第一小齒輪分離，防止該手把進一步拉出。
如請求項8所述之滑架，其中該手把機構更包括一第二閂鎖，配置以回應於拉動該手把，當該支架接觸該止動件時，彈起該第二閂鎖，防止已拉出的該手把被推入該滑架外殼。
一種伺服器裝置，包括：<br/> 一機箱；以及<br/> 一滑架，配置以推入以及從該機箱拉出，<br/> 該滑架包括：<br/> 一滑架外殼，具有一第一側壁，與一第二側壁平行，該第一側壁與該第二側壁之間形成一空間；以及<br/> 一推拉機構，包括一第一機構以及一第二機構，該第一機構耦接到該第一側壁，該第二機構耦接到第二側壁，該推拉機構配置以促使將該滑架推入以及從該機箱拉出，推入導致一進入鎖定位置，而拉出導致一退出鎖定位置，<br/> 其中該第一機構以及該第二機構各包括：<br/> 一複合齒輪系，有三個複合齒輪，可旋轉以導致該進入鎖定位置以及該退出鎖定位置之一別位置；<br/> 一短齒條，配置以與該等三個複合齒輪之一第一小齒輪嚙合，該短齒條引導該滑架在該進入鎖定位置與該退出鎖定位置之間的移動；以及<br/> 一長齒條，配置以與該等三個複合齒輪中之一第三大齒輪嚙合，該長齒條引導該滑架在該進入鎖定位置與該退出鎖定位置之間的移動；其中<br/> 當該複合齒輪系移動時，該長齒條移動的距離是複合齒輪系移動距離的八倍。
一種資訊提供方法，其係電子裝置之資訊提供方法，其包括如下步驟： <br/>確認設定之第1期間內用戶購買之複數個物品之資訊； <br/>基於上述複數個物品之資訊，確認上述設定之第1期間內之上述複數個物品之購買次數、上述複數個物品之類別、上述複數個物品之購買價格及上述複數個物品之購買時刻中之至少一者； <br/>基於上述設定之第1期間內之上述複數個物品之購買次數之資訊、上述複數個物品之類別之資訊、上述複數個物品之購買價格之資訊及上述複數個物品之購買時刻之資訊中之至少一者，確定包括上述複數個物品中之一個以上之物品之第1物品集； <br/>提供包括上述第1物品集之資訊之第1頁面；及 <br/>基於上述複數個物品之資訊，確認設定之上述期間內上述複數個物品之購買週期；且 <br/>確定上述第1物品集之步驟包括如下步驟：基於上述複數個物品之購買週期之資訊，確認上述複數個物品中之購買週期為設定之第2期間以下之上述一個以上之物品。
如請求項1之資訊提供方法，其中確定上述第1物品集之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品之購買次數之資訊，確認上述複數個物品中之購買次數為設定之第1值之上述一個以上之物品。
如請求項2之資訊提供方法，其中上述第1物品集之資訊包括上述設定之第1期間之資訊、上述一個以上之物品之購買次數之資訊、上述一個以上之物品各者之價格之資訊及上述一個以上之物品的價格之總和之資訊中之至少一者。
如請求項2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述設定之第1期間內之上述複數個物品之購買次數之資訊，確定複數個第2物品集；且 <br/>包括上述第1物品集之複數個第2物品集係對應之購買次數越多則越先顯示於上述第1頁面。
如請求項1之資訊提供方法，其中確定第1物品集之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品之類別之資訊，確認上述複數個物品中之屬於第1類別之複數個第1物品；及 <br/>基於上述複數個物品之購買次數之資訊，確認上述複數個第1物品中之購買次數為設定之第2值以上之上述一個以上之物品。
如請求項5之資訊提供方法，其中上述第1物品集之資訊包括上述設定之第1期間之資訊、上述一個以上之物品之購買次數之資訊、上述一個以上之物品各者之價格之資訊、上述一個以上之物品之價格之總和之資訊及上述第1類別之資訊中之至少一者。
如請求項5之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品之類別之資訊及上述設定之第1期間內的上述複數個物品之購買次數之資訊，確定複數個第3物品集；且 <br/>包括上述第1物品集之複數個第3物品集根據基於各自之分數而確定之順序來顯示， <br/>上述複數個第3物品集各者之分數基於如下因素中之至少一者而確定： <br/>第1因素，其係關於上述複數個第3物品集各者中包括之物品之購買次數之均值者； <br/>第2因素，其係關於上述複數個第3物品集各者中包括之物品之當前價格之均值者； <br/>第3因素，其係關於上述設定之第1期間內之上述複數個第3物品集各者中包括之物品的銷售量之均值者； <br/>第4因素，其係關於與上述複數個第3物品集各者中包括之物品對應之折扣率之均值者； <br/>第5因素，其係關於上述複數個第3物品集各者中包括之物品之評分之均值者；及 <br/>第6因素，其係關於上述複數個第3物品集各者中包括之物品之數量者。
如請求項7之資訊提供方法，其中上述複數個第3物品集各者中包括之物品之購買次數之均值越高，上述複數個第3物品集各者中包括之物品之當前價格之均值越低，上述設定之第1期間內之上述複數個第3物品集各者中包括之物品的銷售量之均值越高，與上述複數個第3物品集各者中包括之物品對應之折扣率之均值越高，上述複數個第3物品集各者中包括之物品之評分之均值越高，或上述複數個第3物品集各者中包括之物品之數量越多，則對上述複數個第3物品集賦予越高之分數。
如請求項7之資訊提供方法，其中上述複數個第3物品集各者之分數基於應用於上述第1因素、上述第2因素、上述第3因素、上述第4因素、上述第5因素及上述第6因素各者之加權值而確定，該加權值係基於上述第1頁面中之上述用戶之購買歷史而確定者。
如請求項1之資訊提供方法，其中確定第1物品集之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品之購買價格之資訊，確認上述複數個物品中之當前價格相較於購買價格為設定之比率以下之複數個第2物品；及 <br/>基於上述複數個物品之購買次數之資訊，確認上述複數個第2物品中之購買次數為設定之第3值以上之上述一個以上之物品。
如請求項1之資訊提供方法，其中確定第1物品集之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品之購買時刻之資訊，確認上述複數個物品中之購買時刻包括於第1時間段之複數個第3物品；及 <br/>基於上述複數個物品之購買次數，確認上述複數個第3物品中之購買次數為設定之第4值以上之上述一個以上之物品。
如請求項11之資訊提供方法，其中上述第1物品集之資訊包括上述設定之第1期間之資訊、上述一個以上之物品之購買次數之資訊、上述一個以上之物品各者之價格之資訊、上述一個以上之物品之價格之總和之資訊及上述第1時間段之資訊中之至少一者。
如請求項11之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述複數個物品之購買時刻之資訊及上述設定之第1期間內的上述複數個物品之購買次數之資訊，確定複數個第4物品集；且 <br/>包括上述第1物品集之複數個第4物品集係對應之時間段越接近當前時刻則越先顯示於上述第1頁面。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得上述第1物品集之購物車加入請求；及 <br/>將上述一個以上之物品加入至購物車。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得上述一個以上之物品中之至少一個物品之購物車加入請求；及 <br/>將上述至少一個物品加入至購物車。
如請求項1之資訊提供方法，其中確認上述複數個物品之資訊之步驟包括如下步驟： <br/>於上述複數個物品之數量為未達設定之第2值之情形時，將上述設定之第1期間按照設定之第3期間延長；及 <br/>確認按照設定之上述第3期間延長之第1期間內上述用戶購買之複數個物品之資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行之如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>收發器； <br/>記憶體；及 <br/>處理器；且上述處理器如下： <br/>確認設定之第1期間內用戶購買之複數個物品之資訊； <br/>基於上述複數個物品之資訊，確認上述設定之第1期間內之上述複數個物品之購買次數、上述複數個物品之類別、上述複數個物品之購買價格及上述複數個物品之購買時刻中之至少一者； <br/>基於上述設定之第1期間內之上述複數個物品之購買次數之資訊、上述複數個物品之類別之資訊、上述複數個物品之購買價格之資訊及上述複數個物品之購買時刻之資訊中之至少一者，確定包括上述複數個物品中之一個以上之物品之第1物品集； <br/>提供包括上述第1物品集之資訊之第1頁面；及 <br/>基於上述複數個物品之資訊，確認設定之上述期間內上述複數個物品之購買週期；且 <br/>確定上述第1物品集之步驟包括如下步驟：基於上述複數個物品之購買週期之資訊，確認上述複數個物品中之購買週期為設定之第2期間以下之上述一個以上之物品。
一種爐床式處理裝置，具備：<br/> 爐床，搬送處理對象物；<br/> 拍攝裝置，對前述爐床上的包含複數個區劃之視野內進行拍攝；<br/> 區域評價部，依據藉由前述拍攝裝置的拍攝所獲得之二維的視野內圖像，來特定出該視野內圖像當中的存在前述處理對象物之對象區域；<br/> 距離分布評價部，取得表示從前述拍攝裝置到前述視野內的物件為止的距離之距離分布資訊；及<br/> 堆積狀況評價部，從前述距離分布資訊提取出和前述對象區域對應的資訊，來取得堆積狀況資訊。
如請求項1之爐床式處理裝置，其中前述堆積狀況評價部是依據前述堆積狀況資訊，來取得前述複數個區劃中的前述處理對象物的堆積狀況的相對關係。
一種爐床式處理裝置，具備：<br/> 爐床，支撐處理對象物，並在和鉛直方向交叉之搬送方向上搬送前述處理對象物；<br/> 拍攝裝置，對前述爐床上的包含複數個區劃之視野內進行拍攝；<br/> 區域評價部，依據藉由前述拍攝裝置的拍攝所獲得之二維的視野內圖像，來將該視野內圖像的一部分特定為存在前述處理對象物之對象區域；<br/> 距離分布評價部，取得表示從前述拍攝裝置到前述視野內的物件為止的距離之距離分布資訊；及<br/> 堆積狀況評價部，依據組合前述距離分布資訊與前述對象區域而獲得之堆積狀況資訊，來取得前述複數個區劃中的前述處理對象物的堆積狀況的相對關係。
如請求項3之爐床式處理裝置，其中前述複數個區劃是在前述搬送方向上排列，<br/> 前述拍攝裝置是使從前述視野入射之中紅外線成像來生成前述視野內圖像，<br/> 前述距離分布評價部是藉由對距離推定模型輸入前述視野內圖像，來取得前述距離分布資訊，其中前述距離推定模型是已藉由機械學習而建構之模型，以因應於二維圖像的輸入，來輸出表示二維圖像內的到物件為止的距離的分布之資訊。
如請求項1至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述區域評價部是藉由區分出存在前述處理對象物之對象區域與不存在前述處理對象物之非對象區域，來將前述視野內圖像的一部分特定為前述對象區域。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述堆積狀況評價部是藉由對判定模型輸入前述堆積狀況資訊，來取得前述相對關係，其中前述判定模型是已藉由機械學習而建構之模型，以因應於和前述堆積狀況資訊對應之輸入資訊的輸入，來輸出表示前述複數個區劃中的前述處理對象物的堆積狀況的相對的關係之資訊。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述距離分布資訊包含按前述視野內圖像中的每個像素來表示前述距離之資訊，<br/> 前述堆積狀況評價部進行：<br/> 按前述堆積狀況資訊中的每個像素，算出由該像素的二維座標以及前述距離所構成之三維座標，<br/> 並依據表示和在三維圖表上的前述複數個區劃各自對應之區域的區資訊、與前述堆積狀況資訊中的每個像素的前述三維座標的算出結果，來取得前述相對關係，前述三維圖表將前述二維座標以及前述距離設為變數。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述區域評價部是藉由對區域特定模型輸入前述視野內圖像，來特定出前述對象區域，其中前述區域特定模型是已藉由語義分割而建構之模型，以因應於二維圖像的輸入，來輸出表示已按二維圖像內的每個像素分類成存在前述處理對象物之區域與不存在前述處理對象物之區域的結果之資訊。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述區域評價部是藉由一邊使前述視野內圖像當中的分割區域的代表點的座標滑動，一邊執行比較前述分割區域中的像素值的標準偏差與閾值之處理，而特定出前述對象區域。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述區域評價部是藉由執行檢測前述視野內圖像中的邊緣之處理，而特定出前述對象區域。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其中前述區域評價部進行：<br/> 取得前述複數個視野內圖像，前述複數個視野內圖像為包含前述視野內圖像之圖像，且藉由前述拍攝裝置持續拍攝預定時間而獲得，<br/> 藉由在前述複數個視野內圖像中，按每個像素來執行比較像素值的時間變化中的標準偏差與閾值之處理，而特定出前述對象區域。
如請求項2至4中任一項之爐床式處理裝置，其更具備控制部，前述控制部是依據已藉由前述堆積狀況評價部取得之前述相對關係，來調節在前述爐床上的前述處理對象物的處理，以將在前述複數個區劃之間的前述處理對象物的堆積狀況之差縮小。
一種處理對象物的處理方法，包含以下步驟：<br/> 搬送步驟，藉由支撐處理對象物之爐床，而在和鉛直方向交叉之搬送方向上搬送前述處理對象物；<br/> 拍攝步驟，藉由拍攝裝置來對前述爐床上的包含複數個區劃之視野內進行拍攝；<br/> 區域評價步驟，依據藉由前述拍攝裝置的拍攝所獲得之二維的視野內圖像，來將該視野內圖像的一部分特定為存在前述處理對象物之對象區域；<br/> 距離分布評價步驟，取得表示從前述拍攝裝置到前述視野內的物件為止的距離之距離分布資訊；及<br/> 堆積狀況評價步驟，依據組合前述距離分布資訊與前述對象區域而獲得之堆積狀況資訊，來取得前述複數個區劃中的前述處理對象物的堆積狀況的相對關係。
一種處理程式，用於使電腦執行以下步驟：<br/> 圖像取得步驟，取得藉由拍攝裝置對爐床上的包含複數個區劃之視野內進行拍攝而獲得之二維的視野內圖像，前述爐床支撐處理對象物，並在和鉛直方向交叉之搬送方向上搬送前述處理對象物；<br/> 區域評價步驟，依據前述視野內圖像，來將該視野內圖像的一部分特定為存在前述處理對象物之對象區域；<br/> 距離分布評價步驟，取得表示從前述拍攝裝置到前述視野內的物件為止的距離之距離分布資訊；及<br/> 堆積狀況評價步驟，依據組合前述距離分布資訊與前述對象區域而獲得之堆積狀況資訊，來取得前述複數個區劃中的前述處理對象物的堆積狀況的相對關係。
一種具有更多調變和編碼組合的鏈路適應增強方法，包括:<br/> 由一設備的一處理器對一封包的複數個位元進行編碼；以及<br/> 由該處理器使用一種未在電氣電子工程師學會（IEEE）802.11be規範中定義的新調變和編碼方案（MCS）與該封包進行無線通信，其中該MCS包括：對多個調變階數與多個編碼率進行組合，以形成多組新的MCS組合，並使該多組新的MCS組合形成一擴展MCS集合，且於鏈路適應過程中根據通道條件自該擴展MCS集合中動態選擇對應之MCS組合。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的二進制相移鍵控（BPSK）調變進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的正交相移鍵控（QPSK）調變進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的16正交幅度調變（16QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的256正交幅度調變（256QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的1024正交幅度調變（1024QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的4096正交幅度調變（4096QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 5/6和現有的正交相移鍵控（QPSK）調變進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 5/6和現有的16正交幅度調變（16QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用新編碼率R = 7/8和現有的16正交幅度調變（16QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用新編碼率R = 7/8和現有的64正交幅度調變（64QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用新編碼率R = 7/8和現有的256正交幅度調變（256QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用新編碼率R = 7/8和現有的1024正交幅度調變（1024QAM）進行該無線通信。
如請求項1所述的方法，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用新編碼率R = 7/8和現有的4096正交幅度調變（4096QAM）進行該無線通信。
一種具有更多調變和編碼組合的鏈路適應增強的裝置，包括:<br/> 一個配置為無線通信的收發器；以及<br/> 一個耦合到該收發器並配置為執行操作的處理器，包括:<br/> 對一個封包的複數個位元進行編碼；以及<br/> 通過該收發器使用一種未在電氣電子工程師學會（IEEE）802.11be規範中定義的新調變和編碼方案（MCS）與該封包進行無線通信，其中該MCS包括：對多個調變階數與多個編碼率進行組合，以形成多組新的MCS組合，並使該多組新的MCS組合形成一擴展MCS集合，且於鏈路適應過程中根據通道條件自該擴展MCS集合中動態選擇對應之MCS組合。
如請求項15所述的裝置，其中該無線通信的使用該新MCS包括使用現有的編碼率R = 2/3和現有的二進制相移鍵控（BPSK）、正交相移鍵控（QPSK）、16正交幅度調變（16QAM）、256正交幅度調變（256QAM）、1024正交幅度調變（1024QAM）或4096正交幅度調變（4096QAM）進行該無線通信。
如請求項15所述的裝置，其中使用該新MCS執行無線通信包括：使用現有的編碼率R = 5/6和現有的正交相移鍵控（QPSK）或16正交幅度調製（16QAM）。
如請求項15所述的裝置，其中使用該新MCS執行無線通信包括：使用新編碼率R = 7/8和現有的16正交幅度調製（16QAM）、64正交幅度調製（64QAM）、256正交幅度調製（256QAM）、1024正交幅度調製（1024QAM）或4096正交幅度調製（4096QAM）。
一種易鎖連接器總成，包括第一連接器及第二連接器； <br/>該第一連接器包括： <br/>第一絕緣殼體，具有收容空間，該第二連接器可沿第一方向插入該收容空間，使得該第二連接器的至少一部分係收容在該收容空間；複數個接觸件，由該第一絕緣殼體保持，該複數個接觸件係沿與該第一方向垂直的第二方向排列，每一個接觸件具有延伸進入該收容空間的接觸部及與該接觸部相對的連接終端部；及 <br/>第一金屬外殼，覆蓋該第一絕緣殼體的一部分，該第一金屬外殼係形成有在該第二方向上相向的二個第一接合部； <br/>該第二連接器包括： <br/>第二絕緣殼體； <br/>第二金屬外殼，覆蓋該第二絕緣殼體的一部分，第二金屬外殼係在該第二方向上的二側分別形成有二個鎖定臂，每一個鎖定臂朝該第一方向配向，每一個鎖定臂係可在該第二方向於鎖定位置及解鎖位置之間移動且恆常地偏置至該鎖定位置，每一個鎖定臂係形成有第二接合部，使得當該第二連接器與該第一連接器嵌合時，該第二接合部會與各自的該第一接合部卡合，防止該第二連接器自該第一連接器脫離；及 <br/>二個操作構件，該二個操作構件係以可在該第二方向移動的方式由該第二絕緣殼體保持，每一個操作構件係配置成可在該第二方向推動各自的該鎖定臂，藉由操作該二個操作構件使該二個鎖定臂在該第二方向被偏置而離開該鎖定位置，允許該第二連接器自該第一連接器移除。
如請求項1所述的易鎖連接器總成，其中該第二絕緣殼體係在底面形成有在該第一方向延伸的二個導柱，用於在該第二連接器與該第一連接器嵌合的過程中導引該第二連接器插入該收容空間。
如請求項2所述的易鎖連接器總成，其中每一個導柱的端部係形成有倒角。
如請求項2所述的易鎖連接器總成，其中該第一絕緣殼體係形成有分別供該二個導柱插入的二個導柱孔。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖連接器總成，其中每一個導柱局部地圍繞各自的該鎖定臂。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖連接器總成，其中該鎖定臂係構造成U形。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖連接器總成，其中該鎖定臂係構造成L形。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖連接器總成，其中該第二金屬外殼係由上部外殼及下部外殼所組成，該上部外殼係配置在該第二絕緣殼體的上側，而該下部外殼係配置在該第二絕緣殼體的下側，該第二連接器進一步包含扁平連接對象物，該扁平連接對象物包含頭部及形成於該頭部的複數個電極部，該扁平連接對象物的該頭部係收容在由該第二絕緣殼體與該下部外殼界定的空間，該複數個電極部係自該下部外殼露出，使得當該第二連接器與該第一連接器嵌合時，該複數個電極部會分別與該第一連接器的該複數個接觸件電性接觸。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖連接器總成，其中該二個操作構件係分別配置在該第二絕緣殼體在該第二方向的二端部，每一個操作構件包含本體部及自該本體部在該第二方向延伸的導軌部，該第二絕緣殼體在該二端部之每一者係形成有供該導軌部插入的導槽部。
如請求項9所述的易鎖連接器總成，其中該導軌部具有突起部，該突起部係構造成防止該導軌部自該導槽部脫離。
一種匯流治具，用於對電線進行匯流整合，其中，包括：<br/>基板，包括輸入側與輸出側；<br/>兩個側板，連接於所述基板，並與所述基板圍合出第一空間；以及，<br/>第一導電件、第二導電件與第三導電件，間隔排列於所述第一空間，所述第一導電件、所述第二導電件與所述第三導電件於所述輸入側均設有多個第一接頭，於所述輸出側均設有第二接頭；所述第一接頭與所述第二接頭電連通；<br/>安裝部，連接於所述側板，所述安裝部包括開口，所述開口暴露於所述側板。
如請求項1所述之匯流治具，其中，所述第二導電件與所述第三導電件均包括第三接頭，所述第三接頭位於所述第一接頭與所述第二接頭之間，所述第三接頭與所述第一接頭電連通；於所述側板設置有至少兩個連接端子，每個所述連接端子能夠分別與所述第二導電件以及所述第三導電件之第三接頭電連通。
如請求項1所述之匯流治具，其中，所述安裝部活動地連接於所述側板。
如請求項3所述之匯流治具，其中，所述側板包括第一區域，所述第一區域設置有多個通孔，所述第一區域之多個通孔之連線方向平行於所述基板，所述安裝部設有固定孔，緊固件穿過所述固定孔與所述通孔而將所述安裝部固定於所述側板。
如請求項4所述之匯流治具，其中，所述側板還包括第二區域，所述第二區域設置有多個所述通孔，所述第二區域之多個通孔之連線方向平行於所述基板，所述緊固件之數量為至少兩個，至少兩個所述緊固件能夠穿過所述固定孔與所述第一區域以及所述第二區域之通孔而將所述安裝部固定於所述側板。
如請求項1所述之匯流治具，其中，所述安裝部包括第一固定塊與第二固定塊，所述第一固定塊連接於所述側板，所述第二固定塊連接於所述第一固定塊，所述第一固定塊平行於所述側板，所述第二固定塊垂直於所述側板。
如請求項6所述之匯流治具，其中，所述第二固定塊具有開槽，所述開槽呈長條形。
如請求項1所述之匯流治具，其中，所述匯流治具還包括遮板，所述遮板鋪設於所述側板，用於遮擋所述第一空間及遮擋設置於所述第一空間之所述第一導電件、所述第二導電件與所述第三導電件。
如請求項8所述之匯流治具，其中，所述遮板包括沿所述輸入側指向所述輸出側之方向依次連接之第一部分、第二部分與第三部分，所述第二部分固定於所述側板，所述第一部分與所述第三部分分別與所述第二部分轉動連接。
一種商品提供裝置，其能夠與用戶的終端進行通訊，其特徵在於，具備﹕ 第一類別選項提示單元，所述第一類別選項提示單元向用戶的終端提示包括與由複數個商品組成之商品組相關聯的第一類別選項和與所述第一類別選項相關聯的商品組的庫存狀況的購入畫面﹔<br/> 庫存管理單元，所述庫存管理單元管理所述商品組之商品的庫存狀況﹔以及<br/> 庫存狀況收發單元，當所述商品的庫存狀況被更新時，所述庫存狀況收發單元藉由第一通訊方式向所述終端發送所述商品的庫存狀況，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況，且當藉由第二通訊方式接收到來自所述終端的所述商品的庫存狀況之查詢的要求時，向所述終端發送所述商品的庫存狀況，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況， 所述商品的庫存狀況係與各第一類別選項相關聯的商品組之商品中能夠提供的商品的庫存數， 所述第一類別選項提示單元僅使一個用戶能夠選擇一個第一類別選項，將各第一類別選項以可選擇狀態、選擇狀態、及不可選擇狀態中的任一態樣提示，並將所選擇的第一類別選項以選擇狀態之態樣提示，直至所述第一類別選項的選擇被解除為止， 所述庫存狀況收發單元將所述第一類別選項之態樣包括在所述商品的庫存狀況中並發送，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況。
如請求項1所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述第一通訊方式為推播式的實時通訊方式，<br/> 所述第二通訊方式為拉式的非實時通訊方式。
如請求項2所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述商品的庫存狀況之查詢的要求每隔規定時間從所述終端發送。
如請求項1所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述第一類別選項提示單元對於以選擇狀態之態樣提示的第一類別選項，提示用於用戶等待該第一類別選項的選擇的待機畫面，以在該第一類別選項的選擇被解除之後能夠優先選擇該第一類別選項，<br/> 所述庫存狀況收發單元將等待所述第一類別選項的待機用戶數包括在內並發送，並使所述待機畫面更新所述待機用戶數。
如請求項1所述之商品提供裝置，其中，<br/> 具備第二類別選項提示單元，所述第二類別選項提示單元以用戶能夠選擇的方式向所述終端提示與複數個第一類別選項中由用戶選擇的第一類別選項相關聯的複數個第二類別選項，<br/> 所述第一類別選項提示單元以與第一類別選項相關聯的複數個第二類別選項中的至少一個為可選擇的選項為條件，以可選擇狀態或選擇狀態之態樣提示第一類別選項，以與第一類別選項相關聯的複數個第二類別選項的全部為不可選擇的選項為條件，以不可選擇狀態之態樣提示第一類別選項。
如請求項5所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述第二類別選項提示單元以與所述第二類別選項的選擇數對應的結算完成為條件，解除第一類別選項的選擇。
如請求項5所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述庫存管理單元以與所述第二類別選項的選擇數對應的結算完成為條件，更新與結算完成的第二類別選項相關聯的商品的庫存。
如請求項1所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述第一類別選項係模擬抽籤箱的圖像。
如請求項5所述之商品提供裝置，其中，<br/> 所述第二類別選項係模擬抽籤券的圖像。
一種終端，其能夠與提供商品的商品提供裝置進行通訊，其特徵在於，具備﹕<br/> 第一類別選項提示單元，所述第一類別選項提示單元從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，並提示包括與由複數個商品組成之商品組相關聯的第一類別選項和與所述第一類別選項相關聯的商品組的庫存狀況的購入畫面﹔以及<br/> 庫存狀況更新單元，所述庫存狀況更新單元藉由第一通訊方式從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，藉由第二通訊方式向所述商品提供裝置發送所述商品的庫存狀況之查詢的要求，從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，<br/> 所述商品的庫存狀況係與各第一類別選項相關聯的商品組之商品中能夠提供的商品的庫存數，<br/> 所述第一類別選項提示單元僅使一個用戶能夠選擇一個第一類別選項，將各第一類別選項以可選擇狀態、選擇狀態、及不可選擇狀態中的任一態樣提示，並將所選擇的第一類別選項以選擇狀態之態樣提示，直至所述第一類別選項的選擇被解除為止，<br/> 所述庫存狀況更新單元接收包括所述第一類別選項之態樣的所述商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況。
如請求項10所述之終端，其中，<br/> 所述第一通訊方式為推播式的實時通訊方式，<br/> 所述第二通訊方式為拉式的非實時通訊方式。
如請求項10或11所述之終端，其中，<br/> 所述庫存狀況更新單元藉由所述第二通訊方式每隔規定時間向所述商品提供裝置發送所述商品的庫存狀況之查詢的要求。
一種商品提供系統，其特徵在於，<br/> 具備用戶的終端和能夠與所述終端進行通訊的商品提供裝置，<br/> 所述商品提供裝置具備﹕<br/> 第一類別選項提示單元，所述第一類別選項提示單元向所述終端提示包括與由複數個商品組成之商品組相關聯的第一類別選項和與所述第一類別選項相關聯的商品組的庫存狀況的購入畫面﹔<br/> 庫存管理單元，所述庫存管理單元管理所述商品組之商品的庫存狀況﹔以及<br/> 庫存狀況收發單元，當所述商品的庫存狀況被更新時，所述庫存狀況收發單元藉由第一通訊方式向所述終端發送所述商品的庫存狀況，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況，且當藉由第二通訊方式接收到來自所述終端的所述商品的庫存狀況之查詢的要求時，向所述終端發送所述商品的庫存狀況，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況，<br/> 所述終端具備﹕<br/> 顯示單元，所述顯示單元顯示所述購入畫面﹔以及<br/> 庫存狀況更新單元，所述庫存狀況更新單元藉由所述第一通訊方式從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，藉由所述第二通訊方式向所述商品提供裝置發送所述商品的庫存狀況之查詢的要求，從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況， 所述商品的庫存狀況係與各第一類別選項相關聯的商品組之商品中能夠提供的商品的庫存數， 所述第一類別選項提示單元僅使一個用戶能夠選擇一個第一類別選項，將各第一類別選項以可選擇狀態、選擇狀態、及不可選擇狀態中的任一態樣提示，並將所選擇的第一類別選項以選擇狀態之態樣提示，直至所述第一類別選項的選擇被解除為止， 所述庫存狀況收發單元將所述第一類別選項之態樣包括在所述商品的庫存狀況中並發送，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況。
一種程式，其特徵在於，<br/> 使計算機作為以下單元發揮作用﹕<br/> 第一類別選項提示單元，所述第一類別選項提示單元向用戶的終端提示包括與由複數個商品組成之商品組相關聯的第一類別選項和與所述第一類別選項相關聯的商品組的庫存狀況的購入畫面﹔<br/> 庫存管理單元，所述庫存管理單元管理所述商品組之商品的庫存狀況﹔以及<br/> 庫存狀況收發單元，當所述商品的庫存狀況被更新時，所述庫存狀況收發單元藉由第一通訊方式向所述終端發送所述商品的庫存狀況，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況，且當藉由第二通訊方式接收到來自所述終端的所述商品的庫存狀況之查詢的要求時，向所述終端發送所述商品的庫存狀況，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況，<br/> 所述商品的庫存狀況係與各第一類別選項相關聯的商品組之商品中能夠提供的商品的庫存數，<br/> 所述第一類別選項提示單元僅使一個用戶能夠選擇一個第一類別選項，將各第一類別選項以可選擇狀態、選擇狀態、及不可選擇狀態中的任一態樣提示，並將所選擇的第一類別選項以選擇狀態之態樣提示，直至所述第一類別選項的選擇被解除為止，<br/> 所述庫存狀況收發單元將所述第一類別選項之態樣包括在所述商品的庫存狀況中並發送，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況。
一種程式，其特徵在於，<br/> 使計算機作為以下單元發揮作用﹕<br/> 第一類別選項提示單元，所述第一類別選項提示單元從提供商品的商品提供裝置接收商品的庫存狀況，並提示包括與由複數個商品組成之商品組相關聯的第一類別選項和與所述第一類別選項相關聯的商品組的庫存狀況的購入畫面﹔以及<br/> 庫存狀況更新單元，所述庫存狀況更新單元藉由第一通訊方式從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，藉由第二通訊方式向所述商品提供裝置發送所述商品的庫存狀況之查詢的要求，從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，<br/> 所述商品的庫存狀況係與各第一類別選項相關聯的商品組之商品中能夠提供的商品的庫存數，<br/> 所述第一類別選項提示單元僅使一個用戶能夠選擇一個第一類別選項，將各第一類別選項以可選擇狀態、選擇狀態、及不可選擇狀態中的任一態樣提示，並將所選擇的第一類別選項以選擇狀態之態樣提示，直至所述第一類別選項的選擇被解除為止，<br/> 所述庫存狀況更新單元接收包括所述第一類別選項之態樣的所述商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況。
一種商品提供方法，其特徵在於，<br/> 商品提供裝置向用戶的終端提示包括與由複數個商品組成之商品組相關聯的第一類別選項和與所述第一類別選項相關聯的商品組的庫存狀況的購入畫面，<br/> 所述終端顯示所述購入畫面，<br/> 所述商品提供裝置管理所述商品組之商品的庫存狀況，<br/> 當所述商品的庫存狀況被更新時，所述商品提供裝置藉由第一通訊方式向所述終端發送所述商品的庫存狀況，<br/> 所述終端藉由所述第一通訊方式從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，<br/> 所述終端藉由第二通訊方式向所述商品提供裝置發送商品的庫存狀況之查詢的要求，<br/> 所述商品提供裝置，當藉由所述第二通訊方式接收到來自所述終端的所述商品的庫存狀況之查詢的要求時，向所述終端發送所述商品的庫存狀況，<br/> 所述終端藉由所述第二通訊方式從所述商品提供裝置接收商品的庫存狀況，更新所述購入畫面的庫存狀況，<br/> 所述商品的庫存狀況係與各第一類別選項相關聯的商品組之商品中能夠提供的商品的庫存數，<br/> 所述商品提供裝置僅使一個用戶能夠選擇一個第一類別選項，將各第一類別選項以可選擇狀態、選擇狀態、及不可選擇狀態中的任一態樣提示，並將所選擇的第一類別選項以選擇狀態之態樣提示，直至所述第一類別選項的選擇被解除為止，<br/> 所述商品提供裝置將所述第一類別選項之態樣包括在所述商品的庫存狀況中並發送，使所述終端更新所述購入畫面的庫存狀況。
一種多層彈性複合織物結構，包括： <br/>主體，其為一筒狀結構，該主體包含開口部、上段部、轉折段、下段部，以及封口部，其中， <br/>該開口部設置於該主體的一端，其一側對外敞開，另一側則連接至該上段部； <br/>該封口部設置於該主體設置有該開口部的另一端，該封口部連接至該下段部； <br/>該轉折段的一側與該上段部連接，其另一側則與該下段部連接； <br/>其中，該主體包括表紗部與底紗部，該表紗部位於該主體的外側，而該底紗部位於該主體的內側，並且， <br/>該表紗部採用聚酯材質的空氣複合紗（Air-Textured Yarn, ATY）所織成，該底紗部採用聚酯材質的複合纖維所織成。
如請求項1的多層彈性複合織物結構，其中， <br/>該空氣複合紗為表絲纏繞在芯絲之外部而製成的複合紗線，其中 <br/>該表絲為聚對苯二甲酸乙二酯（PET）材質， <br/>該芯絲為聚對苯二甲酸乙二酯（PET）及聚對苯二甲酸丙二酯纖維（PTT）之複合材質；並且 <br/>該底紗部採用熱塑性聚酯彈性體（TPEE）單絲與聚酯材質的拉伸變形紗（Draw Textured Yarn, DTY）的複合纖維。
如請求項2的多層彈性複合織物結構，其中， <br/>該空氣複合紗的表絲為X <sub>1</sub>/Y <sub>1</sub>規格，並且，X <sub>1</sub>為45～80間的正整數；Y <sub>1</sub>為72～144間的正整數； <br/>該空氣複合紗的芯絲為X <sub>2</sub>/Y <sub>2</sub>規格，並且，X <sub>2</sub>為45～80間的正整數；Y <sub>2</sub>為30～50間的正整數。
如請求項3的多層彈性複合織物結構，其中， <br/>該空氣複合紗的表絲為50/72、75/72、50/144或75/144規格；該空氣複合紗的芯絲為50/34、50/36、75/34或75/36規格；並且 <br/>該底紗部中，該熱塑性聚酯彈性體原絲為30-50丹尼的單絲，該拉伸變形紗為75/72規格。
如請求項4的多層彈性複合織物結構，其中 <br/>該空氣複合紗的表面具有複數個毛羽結構。
如請求項4的多層彈性複合織物結構，其中 <br/>該封口部與該下段部間設置有一縫合線。
如請求項6的多層彈性複合織物結構，其中 <br/>該縫合線採用平縫、羅馬縫合或無縫縫合方式縫合。
如請求項4的多層彈性複合織物結構，其中 <br/>該轉折段的整體厚度較該上段部和該下段部的厚度厚。
如請求項1的多層彈性複合織物結構，其中 <br/>該開口部的週邊設置有一加強結構，其提供較強之伸縮力與彈性。
如請求項1的多層彈性複合織物結構，其中 <br/>該表紗部和該底紗部中可添加銀離子、活性碳顆粒、膠原蛋白、精油微膠囊、奈米陶瓷顆粒的一種或多種。
一種用於判定與一熱器件相關聯之一或多個程序參數的方法，其包含： <br/>獲得由一半導體處理裝置之一光學投影系統提供之一波前的一波前漂移，其中該波前漂移指示在表示該波前的波前資料與目標波前資料之間的一差；及 <br/>基於該波前漂移而判定該一或多個程序參數以用於補償該波前漂移，其中該一或多個程序參數包含與該熱器件相關聯之參數，其中該熱器件經組態以在操作期間將熱能提供至該光學投影系統。
如請求項1之方法，其中該波前包含一穩態波前。
如請求項2之方法，其中該穩態波前基於以下而判定：(i)由該半導體處理裝置之一照明源輸出的光誘發至該光學投影系統之一或多個光學元件的一加熱狀態；及(ii)用於使該熱器件將該熱能提供至該光學投影系統之該一或多個光學元件的一或多個操作設定。
如請求項3之方法，其中該熱能包含輻照，且其中該一或多個操作設定包含：用於該熱器件之一功率設定，其指示經由該熱器件提供至該光學投影系統之該一或多個光學元件的一輻照量；及藉以施加該輻照的該一或多個光學元件中之至少一者的一或多個區段。
如請求項3或4之方法，其中該穩態波前藉由以下來判定：計算歸因於該波前的一經模擬波前漂移，其中該波前漂移基於該波前與一目標波前之間的一差，該目標波前資料包含該目標波前；調整以下中之至少一者：該熱器件之該一或多個操作設定或該光學投影系統的該一或多個光學元件之一組態以減小一成本函數，該成本函數至少估計用於該熱器件之一給定操作設定集合及該光學投影系統之該一或多個光學元件的一給定組態的成像效能。
如請求項1或2之方法，其中該波前基於一波前產生模型而產生，該波前產生模型將由該半導體處理裝置之一照明源誘發的一加熱狀態及由該熱器件輸出至該光學投影系統之該熱能誘發的一加熱狀態用作輸入，其中該波前產生模型基於由該照明源誘發之輸入加熱狀態及由該熱器件輸出之該熱能誘發的該加熱狀態而輸出一經模擬波前。
如請求項6之方法，其中一基於組態之波前(configuration-based wavefront)基於由該光學投影系統之一或多個光學元件之一組態誘發的一加熱狀態而產生，其中由對該經模擬波前與該基於組態之波前進行求和而計算之一總波前(total wavefront)係使用一或多個半導體處理度量(metrics)予以加權以獲得一加權波前。
如請求項7之方法，其中用於對該總波前加權之該一或多個半導體處理度量為微影度量，且其中該波前漂移係基於該加權波前與一目標波前之間的一差而判定，該目標波前資料包含該目標波前。
如請求項1或2之方法，其中判定該一或多個程序參數包含：基於該波前資料、該目標波前資料及一或多個半導體處理度量來判定對該熱器件之一操作設定集合的一或多個操作設定的一調整，其中該一或多個半導體處理度量基於自該半導體處理裝置之一照明源輸出之輻射及該光學投影系統之一組態而計算。
如請求項9之方法，其中該等操作進一步包含：將若干第一指令提供至該熱器件；及將若干第二指令提供至一或多個控制器件，該一或多個控制器件經組態以調整該光學投影系統之該組態。
如請求項1至4中任一項之方法，其中最小化該波前漂移之一量值包含：修改對與該熱器件相關聯之該一或多個程序參數的一調整及對該光學投影系統之一組態的一調整，直至該波前漂移滿足一條件為止。
如請求項11之方法，其中補償該波前漂移包含減小一邊緣置放誤差(EPE)成本，其中減小該EPE成本包含：基於該EPE成本來判定對與該熱器件相關聯之該一或多個程序參數的該調整及對該光學投影系統之該組態的該調整。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該一或多個程序參數為應用層特定的(application layer specific)。
如請求項1或2之方法，其中該光學投影系統包含一或多個光學元件，該熱器件經組態以基於經判定之該一或多個程序參數而輸出輻照，且由該熱器件輸出之該輻照應用於該一或多個光學元件中之至少一者，其中該熱器件經組態以改良該半導體處理裝置或該光學投影系統之校正能力，其中提供該熱能之該熱器件包含將加熱或冷卻提供至該光學投影系統之該熱器件，其中該熱器件為一加熱器件或一冷卻器件。
一種光源元件之驅動方法，上述光源元件若供給第一電流值之電流，則以第一發光量發光，上述光源元件之驅動方法包括： <br/>以較上述第一電流值更低之第二電流值開始向上述光源元件供給電流，使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值， <br/>於第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值係如下述之修正電流值：自預先規定了於以預先規定之第三電流值開始向上述光源元件供給電流並使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值之期間之各時間點向上述光源元件供給之電流之電流值的第一資訊獲取於上述第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值，並基於上述光源元件之溫度修正所獲取之上述電流值。
如請求項1之光源元件之驅動方法，其包括： <br/>基於開始向上述光源元件供給電流時之上述光源元件之溫度，修正上述預先規定之第三電流值，藉此算出上述第二電流值；及 <br/>基於上述第一時間點下之上述光源元件之溫度，修正自上述第一資訊所獲取之上述電流值，藉此算出於上述第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值。
如請求項2之光源元件之驅動方法，其中， <br/>於上述第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值為如下述之修正電流值：基於預先獲取之自開始向上述光源元件供給電流起之經過時間與上述光源元件之溫度之關係、及上述第一時間點下之上述光源元件之溫度，修正自上述第一資訊所獲取之上述電流值。
如請求項1至3中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述預先規定之第三電流值係開始向上述光源元件供給電流時之電流值，為於上述光源元件之溫度低於第一溫度閾值之情形時，以上述第一電流值開始向上述光源元件供給電流，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第一資訊係於上述光源元件之溫度低於上述第一溫度閾值之情形時，以上述第一電流值開始向上述光源元件供給電流，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項1至3中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述預先規定之第三電流值係開始向上述光源元件供給電流時之電流值，為於上述光源元件之溫度低於第一溫度閾值之情形時，以較上述第一電流值更低之第四電流值開始向上述光源元件供給電流，依照預先規定了於以上述第四電流值開始向上述光源元件供給電流並使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值之期間之各時間點向上述光源元件供給之電流之電流值的第二資訊，使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化而決定； <br/>上述第一資訊為於上述光源元件之溫度低於上述第一溫度閾值之情形時，以上述第四電流值開始向上述光源元件供給電流，依照上述第二資訊使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化而決定； <br/>上述第四電流值及上述第二資訊係於上述光源元件之溫度低於上述第一溫度閾值之情形時，以上述第一電流值開始向上述光源元件供給電流，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定。
一種光源元件之驅動方法，上述光源元件若供給第一電流值之電流，則以第一發光量發光，若供給較上述第一電流值更低之第五電流值之電流，則以較上述第一發光量更低之第二發光量發光，上述光源元件之驅動方法包括： <br/>以較上述第五電流值更高之第六電流值開始向上述光源元件供給電流，使向上述光源元件供給之電流之電流值自上述第六電流值減小至上述第五電流值， <br/>於第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值係如下述之修正電流值：自預先規定了於以預先規定之第七電流值開始向上述光源元件供給電流並使向上述光源元件供給之電流之電流值變化至上述第五電流值之期間之各時間點向上述光源元件供給之電流之電流值的第三資訊獲取於上述第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值，並基於上述光源元件之溫度修正所獲取之上述電流值。
如請求項6之光源元件之驅動方法，其包括： <br/>基於開始向上述光源元件供給電流時之上述光源元件之溫度，修正上述預先規定之第七電流值，藉此算出上述第六電流值；及 <br/>基於上述第一時間點下之上述光源元件之溫度，修正自上述第三資訊獲取之上述電流值，藉此算出於上述第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值。
如請求項7之光源元件之驅動方法，其中， <br/>於上述第一時間點向上述光源元件供給之電流之電流值係基於預先獲取之自開始向上述光源元件供給電流起之經過時間與上述光源元件之溫度之關係、及上述第一時間點下之上述光源元件之溫度，修正自上述第三資訊獲取之上述電流值所得之修正電流值。
如請求項6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述光源元件供給電流時之電流值，為於將被供給上述第一電流值之電流並以上述第一發光量發光之上述光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，將向上述光源元件供給之電流之電流值自上述第一電流值變更為上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係於將被供給上述第一電流值之電流並以上述第一發光量發光之上述光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，將向上述光源元件供給之電流之電流值自上述第一電流值變更為上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述光源元件供給電流時之電流值，為以較上述第五電流值更高之第八電流值開始向上述光源元件供給電流，依照預先規定了於使自以上述第八電流值開始向上述光源元件供給電流起向上述光源元件供給之電流之電流值減小至上述第五電流值之期間之各時間點向上述光源元件供給之電流值的第四資訊，使向上述光源元件供給之電流之電流值減小至上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係以上述第八電流值開始向上述光源元件供給電流，依照上述第四資訊使向上述光源元件供給之電流之電流值減小至上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第八電流值及上述第四資訊係於將被供給上述第一電流值之電流並以上述第一發光量發光之上述光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，將向上述光源元件供給之電流之電流值自上述第一電流值變更為上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述光源元件供給電流時之電流值，為於上述光源元件之溫度低於第二溫度閾值之情形時，以上述第五電流值開始向上述光源元件供給電流，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係於上述光源元件之溫度低於上述第二溫度閾值之情形時，以上述第五電流值開始向上述光源元件供給電流，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述光源元件供給電流時之電流值，為於上述光源元件之溫度低於第二溫度閾值之情形時，以低於上述第五電流值之第九電流值開始向上述光源元件供給電流，依照預先規定了於以上述第九電流值開始向上述光源元件供給電流並使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第五電流值之期間之各時間點向上述光源元件供給之電流值的第五資訊，使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係於上述光源元件之溫度低於上述第二溫度閾值之情形時，以上述第九電流值開始向上述光源元件供給電流，依照上述第五資訊使向上述光源元件供給之電流之電流值增加至上述第五電流值，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第九電流值及上述第五資訊係於上述光源元件之溫度低於上述第二溫度閾值之情形時，以上述第五電流值開始向上述光源元件供給電流，基於此時之上述光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項1至3、6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>上述光源元件為LED元件。
如請求項1至3、6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>自上述光源元件出射之光之峰值波長處於360～370 nm之範圍內。
如請求項1至3、6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>自上述光源元件出射之光之峰值波長處於380～390 nm之範圍內。
如請求項1至3、6至8中任一項之光源元件之驅動方法，其中， <br/>自上述光源元件出射之光之峰值波長處於400～410 nm之範圍內。
一種光源單元，其具備： <br/>複數個光源元件，二維排列於固定對象物之表面上，若供給第一電流值之電流，則以第一發光量各自發光； <br/>檢測部，檢測上述複數個光源元件之溫度；及 <br/>控制部，對向上述複數個光源元件供給之電流之值進行控制； <br/>上述控制部， <br/>以較上述第一電流值更低之第二電流值開始向上述複數個光源元件供給電流， <br/>使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值自上述第二電流值增加至上述第一電流值， <br/>於第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值係如下述之修正電流值：自預先規定了於以預先規定之第三電流值開始向上述複數個光源元件供給電流並使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值之期間之各時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值的第一資訊獲取於上述第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值，並基於上述複數個光源元件之溫度修正所獲取之上述電流值。
如請求項17之光源單元，其中， <br/>上述控制部， <br/>基於開始向上述複數個光源元件供給電流時之上述複數個光源元件之溫度，修正上述預先規定之第三電流值，藉此算出上述第二電流值， <br/>基於於上述第一時間點藉由上述檢測部所檢測之上述複數個光源元件之溫度，修正自上述第一資訊所獲取之上述電流值，藉此算出於上述第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值。
如請求項18之光源單元，其中， <br/>上述控制部基於預先獲取之自開始向上述複數個光源元件供給電流起之經過時間與上述複數個光源元件之溫度之關係、及上述第一時間點下之上述複數個光源元件之溫度，修正自上述第一資訊所獲取之上述電流值，算出於上述第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值。
如請求項17至19中任一項之光源單元，其中， <br/>上述預先規定之第三電流值係開始向上述複數個光源元件供給電流時之電流值，為於上述複數個光源元件之溫度低於第一溫度閾值之情形時，以上述第一電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第一資訊係於上述複數個光源元件之溫度低於上述第一溫度閾值之情形時，以上述第一電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項17至19中任一項之光源單元，其中， <br/>上述預先規定之第三電流值係開始向上述複數個光源元件供給電流時之電流值，為於上述複數個光源元件之溫度低於第一溫度閾值之情形時，以較上述第一電流值更低之第四電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，依照預先規定了於以上述第四電流值開始向上述複數個光源元件供給電流並使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值之期間之各時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值的第二資訊，使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第一資訊係於上述複數個光源元件之溫度低於上述第一溫度閾值之情形時，以上述第四電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，依照上述第二資訊使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第一電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第四電流值及上述第二資訊係於上述複數個光源元件之溫度低於上述第一溫度閾值之情形時，以上述第一電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定。
一種光源單元，其具備： <br/>複數個光源元件，二維排列於固定對象物之表面上，若供給第一電流值之電流，則以第一發光量各自發光，若供給較上述第一電流值更低之第五電流值之電流，則以較上述第一發光量更低之第二發光量各自發光； <br/>檢測部，檢測上述複數個光源元件之溫度；及 <br/>控制部，對向上述複數個光源元件供給之電流之值進行控制； <br/>上述控制部， <br/>於將上述複數個光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，以較上述第五電流值更高之第六電流值開始向上述複數個光源元件供給電流， <br/>使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值自上述第六電流值減小至上述第五電流值， <br/>於第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值係如下述之修正電流值：自預先規定了於以預先規定之第七電流值開始向上述複數個光源元件供給電流並使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值變化至上述第五電流值之期間之各時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值的第三資訊獲取於上述第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值，並基於上述複數個光源元件之溫度修正所獲取之上述電流值。
如請求項22之光源單元，其中上述控制部， <br/>基於開始向上述複數個光源元件供給電流時之上述複數個光源元件之溫度，修正上述預先規定之第七電流值，藉此算出上述第六電流值， <br/>基於上述第一時間點下之上述複數個光源元件之溫度，修正自上述第三資訊獲取之上述電流值，藉此算出於上述第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值。
如請求項23之光源單元，其中， <br/>上述控制部基於預先獲取之自開始向上述複數個光源元件供給電流起之經過時間與上述複數個光源元件之溫度之關係、及上述第一時間點下之上述複數個光源元件之溫度，修正自上述第三資訊獲取之上述電流值，藉此算出於上述第一時間點向上述複數個光源元件供給之電流之電流值。
如請求項22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述複數個光源元件供給電流時之電流值，為於將被供給上述第一電流值之電流並以上述第一發光量發光之上述複數個光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，將向上述複數個光源元件供給之電流之電流值自上述第一電流值變更為上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係於將被供給上述第一電流值之電流並以上述第一發光量發光之上述複數個光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，將向上述複數個光源元件供給之電流之電流值自上述第一電流值變更為上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述複數個光源元件供給電流時之電流值，為以較上述第五電流值更高之第八電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，依照預先規定了於以上述第八電流值開始向上述複數個光源元件供給電流並使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值減小至上述第五電流值之期間之各時間點向上述複數個光源元件供給之電流值的第四資訊，使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值減小至上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係以上述第八電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，依照上述第四資訊使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值減小至上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第八電流值及上述第四資訊係於將被供給上述第一電流值之電流並以上述第一發光量發光之上述複數個光源元件設為以上述第二發光量發光之狀態時，將向上述複數個光源元件供給之電流之電流值自上述第一電流值變更為上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述複數個光源元件供給電流時之電流值，為於上述複數個光源元件之溫度低於第二溫度閾值之情形時，以上述第五電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係於上述複數個光源元件之溫度低於上述第二溫度閾值之情形時，以上述第五電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>上述預先規定之第七電流值係開始向上述複數個光源元件供給電流時之電流值，為於上述複數個光源元件之溫度低於第二溫度閾值之情形時，以低於上述第五電流值之第九電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，依照預先規定了於以上述第九電流值開始向上述複數個光源元件供給電流並使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第五電流值之期間之各時間點向上述複數個光源元件供給之電流值的第五資訊，使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第三資訊係於上述複數個光源元件之溫度低於上述第二溫度閾值之情形時，以上述第九電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，依照上述第五資訊使向上述複數個光源元件供給之電流之電流值增加至上述第五電流值，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定； <br/>上述第九電流值及上述第五資訊係於上述複數個光源元件之溫度低於上述第二溫度閾值之情形時，以上述第五電流值開始向上述複數個光源元件供給電流，基於此時之上述複數個光源元件之發光量之變化所決定。
如請求項17至19、22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>上述複數個光源元件為複數個LED元件。
如請求項17至19、22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>自上述複數個光源元件出射之光之峰值波長處於360～370 nm之範圍內。
如請求項17至19、22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>自上述複數個光源元件出射之光之峰值波長處於380～390 nm之範圍內。
如請求項17至19、22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>自上述複數個光源元件出射之光之峰值波長處於400～410 nm之範圍內。
如請求項17至19、22至24中任一項之光源單元，其中， <br/>上述光源單元係用於曝光裝置。
一種照明單元，其具備： <br/>如請求項17至33中任一項之光源單元；及 <br/>照明光學系統，將自上述光源單元出射之光導向被照射體。
一種照明單元，其具備： <br/>複數個如請求項17至33中任一項之光源單元；及 <br/>照明光學系統，包括將自複數個上述光源單元出射之光合成之合成光學元件，將自上述合成光學元件出射之合成光導向被照射體。
一種曝光裝置，其具備： <br/>如請求項34或35之照明單元；及 <br/>投影光學系統，將被上述照明單元照明之遮罩之圖案像投影至感光性基板上。
如請求項36之曝光裝置，其中， <br/>上述感光性基板之至少一邊之長度或對角長為500 mm以上。
一種曝光方法，其係使用如請求項36或37之曝光裝置之曝光方法，其包括： <br/>藉由上述照明單元將遮罩照明；及 <br/>使用上述投影光學系統，將上述遮罩之圖案像投影至感光性基板。
一種外筒，包括：<br/> 筒體，具有容納腔和與所述容納腔連通的出氣口，所述出氣口用於將所述容納腔內的濕熱空氣排出至所述容納腔外；<br/> 門封，設置在開口處；<br/> 外殼，設置在所述容納腔外，並與所述筒體連接，所述外殼具有與所述出氣口連通的出氣通道；<br/> 其中，所述容納腔具有開口和與所述開口相對的底面，所述出氣口至少設置在所述筒體的底面上，且所述出氣口的最低點臨近或齊平所述底面的最低點。
如請求項1所述的外筒，其中，所述容納腔還具有連通所述開口和所述底面的側面，所述出氣口同時設置在所述底面和所述側面上。
如請求項2所述的外筒，其中，所述側面具有接水面，所述接水面設置在所述側面的最低點，所述出氣口延伸至所述接水面。
如請求項1所述的外筒，其中，所述筒體的底面具有安裝部，所述出氣口與所述安裝部錯位設置，一些實施方式中，所述安裝部用於安裝內筒，所述內筒在所述底面上的投影與所述安裝部重合。
如請求項4所述的外筒，其中，所述出氣口具有設置在所述底面且相互連接的第一連接側和第二連接側，所述出氣口的最低點位於所述第二連接側遠離所述第一連接側的一端，所述第一連接側的形狀與所述安裝部的形狀相適配。
如請求項5所述的外筒，其中，所述出氣通道內設置有引流面，所述引流面與所述第一連接側連接，並與所述第一連接側的形狀相適配。
如請求項5所述的外筒，其中，所述出氣通道內設置有止擋面，所述止擋面與所述第二連接側連接。
如請求項1至7中任一項所述的外筒，其中，所述筒體包括圍板和底板，所述圍板圍設於所述底板，與所述底板共同形成容納腔，所述底面設置在所述底板位於所述容納腔的一側，所述外殼與所述底板位於容納腔外的一側連接，並與所述底板共同形成所述出氣通道。
如請求項8所述的外筒，其中，所述出氣通道包括後板和多個側板，多個所述側板分別連接所述後板的不同側，並與所述底板連接，所述底板、所述後板和多個所述側板共同形成所述出氣通道。
如請求項8所述的外筒，其中，所述出氣通道內設置有引流板，所述引流板設置在所述出氣口處，所述引流板的至少部分形狀並與所述出氣口的形狀相適配。
如請求項1至7中任一項所述的外筒，其中，所述外筒還包括端蓋和設置在所述出氣通道內的濾網，所述外殼上靠近所述濾網的一端設置有檢修口，所述端蓋與所述外殼可拆卸地連接，能夠打開或關閉所述檢修口。
如請求項11所述的外筒，其中，所述外殼包括後板和多個側板，多個所述側板分別與所述後板的不同側連接，所述後板與多個所述側板形成所述出氣通道，所述檢修口設置於所述後板。
如請求項12所述的外筒，其中，所述濾網相對於後板傾斜設置，所述濾網具有相對設置的第一端和第二端，所述第一端靠近所述後板設置，所述第二端遠離所述後板設置，所述檢修口靠近所述第一端設置。
如請求項11所述的外筒，其中，所述外殼內具有水流通道，所述水流通道具有與所述出氣通道連通的出水口，所述檢修口靠近所述出水口設置。
如請求項14所述的外筒，其中，所述檢修口設置在所述出水口的下方。
如請求項14所述的外筒，其中，所述水流通道朝向所述濾網傾斜設置，使所述出水口設置在所述外殼內，所述端蓋的至少部分伸入至所述外殼內，密封所述出水口與所述檢修口之間的間隙。
如請求項11所述的外筒，其中，所述端蓋包括蓋板和塞部，所述塞部與所述蓋板連接，所述蓋板設置在所述外殼外，所述塞部穿設於所述檢修口，所述蓋板與所述外殼可拆卸連接。
如請求項17所述的外筒，其中，所述塞部包括相對設置的密封端和連接端，所述連接端與所述檢修口的側壁卡接，所述密封端與所述檢修口的側壁抵接。
如請求項18所述的外筒，其中，所述外殼內具有水流通道，所述水流通道具有與所述出氣通道連通的出水口，所述密封端和所述連接端中，所述密封端靠近所述出水口設置。
如請求項18所述的外筒，其中，所述密封端的厚度大於所述連接端的厚度。
如請求項19所述的外筒，其中，所述塞部具有傾斜設置的避讓面，所述避讓面連接所述密封端和所述連接端。
如請求項18所述的外筒，其中，在所述塞部中，至少所述連接端具有翻邊），所述翻邊與所述連接端之間的間隙形成卡槽，所述卡槽與所述檢修口的側壁卡接。
如請求項17所述的外筒，其中，所述塞部的外周面具有多個間隔設置的密封部，所述密封部與所述檢修口的側壁抵接，以密封所述檢修口。
一種衣物處理裝置，包括內筒和如請求項1至23中任一項所述的外筒，所述內筒設置在所述容納腔內。
如請求項24所述的衣物處理裝置，其中，所述衣物處理裝置還包括烘乾模組，所述烘乾模組安裝於所述外筒，並與所述出氣通道連通。
一種導電性組成物，其包含導電性聚合物（A）及水溶性聚合物（C），相對於所述導電性聚合物（A）的總質量，源自所述導電性聚合物（A）的聚合殘渣成分的含量為0.8質量%以下，<br/> 在作為膜厚為35 nm以下的導電膜的情況下， <br/>所述導電膜的表面電阻值為1×10<sup>11</sup> Ω/□以下， <br/>對所述導電膜施加電壓時，流至所述導電膜的電流值的標準偏差為5以下。
一種導電性組成物，其包含導電性聚合物（A）及水溶性聚合物（C），相對於所述導電性聚合物（A）的總質量，源自所述導電性聚合物（A）的聚合殘渣成分的含量為0.8質量%以下，<br/> 在作為導電膜的情況下， <br/>藉由下述測定方法並使用高效液相層析儀質量分析計進行測定時，由下述式（I）求出的面積比為0.44以下， <br/>測定方法： <br/>使用高效液相層析儀質量分析計，對利用有機溶劑（β）自將所述導電膜溶解於水中而成的水溶液提取所述水溶性聚合物（C）所得的試驗溶液進行測定，並藉由下述式（I）求出面積比，其中，有機溶劑（β）為正丁醇、乙酸丁酯、甲基異丁基酮的任一者； <br/>面積比=Y/（X+Y） …（I） <br/>式（I）中，X為根據總離子電流層析圖，使用源自分子量（M）為600以上的化合物的離子製作提取離子層析圖時的峰值面積值的總和，Y為根據總離子電流層析圖，使用源自分子量（M）未滿600的化合物的離子製作提取離子層析圖時的峰值面積值的總和。
如請求項2所述的導電性組成物，其中， <br/>使用所述導電性組成物來形成膜厚為35 nm以下的導電膜的情況下，所述導電膜的表面電阻值為1×10<sup>11</sup> Ω/□以下， <br/>在對所述導電膜施加電壓時，流至所述導電膜的電流值的標準偏差為5以下。
如請求項1或請求項2所述的導電性組成物，其更包含鹼性化合物（B）。
如請求項4所述的導電性組成物，其中，所述鹼性化合物（B）為具有兩個以上的氮原子的鹼性化合物。
如請求項4所述的導電性組成物，其中，所述鹼性化合物（B）為鍵結於氮原子的四個取代基中的至少一個為碳數1以上的烴基的四級銨化合物。
如請求項1或請求項2所述的導電性組成物，其中，所述導電性聚合物（A）具有下述通式（1）所表示的單元， <br/><br/><img align="absmiddle" height="262px" width="892px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>通式（1）中，R<sup>1</sup>～R<sup>4</sup>各自獨立地表示氫原子、碳數1～24的直鏈或分支鏈的烷基、碳數1～24的直鏈或分支鏈的烷氧基、酸性基、羥基、硝基、或鹵素原子。
如請求項7所述的導電性組成物，其中， <br/>所述通式（1）中，R<sup>1</sup>～R<sup>4</sup>中的至少一個為酸性基或其鹽，其中，所述酸性基是指磺酸基或羧基。
如請求項1或請求項2所述的導電性組成物，其中，所述導電性聚合物（A）包含選自由聚吡咯、聚噻吩及聚苯胺中的至少一種化合物。
如請求項1或請求項2所述的導電性組成物，其用於帶電粒子束描繪時的抗靜電用途。
如請求項1或請求項2所述的導電性組成物，其中，相對於所述導電性組成物的總質量，所述導電性組成物中的高沸點溶劑的含量為150質量ppm以下，所述高沸點溶劑的沸點為180℃以上。
如請求項1或請求項2所述的導電性組成物，其中，相對於所述導電性組成物的總質量，所述導電性組成物中的水的含量為50質量%以上。
一種導電性組成物的製造方法， <br/>所述導電性組成物包含導電性聚合物（A）及水溶性聚合物（C），並且， <br/>包含將所述水溶性聚合物（C）藉由利用過濾器進行的過濾或吸附劑的接觸而精製的步驟，相對於所述導電性聚合物（A）的總質量，源自所述導電性聚合物（A）的聚合殘渣成分的含量為0.8質量%以下。
如請求項13所述的導電性組成物的製造方法，其中，所述導電性組成物藉由下述測定方法並使用高效液相層析儀質量分析計進行測定時，由下述式（I）求出的面積比為0.44以下， <br/>測定方法： <br/>使用高效液相層析儀質量分析計，對利用有機溶劑（β）自所述導電性組成物提取所述水溶性聚合物（C）所得的試驗溶液進行測定，並藉由下述式（I）求出面積比，其中，有機溶劑（β）為正丁醇、乙酸丁酯、甲基異丁基酮的任一者； <br/>面積比=Y/（X+Y） …（I） <br/>式（I）中，X為根據總離子電流層析圖，使用源自分子量（M）為600以上的化合物的離子製作提取離子層析圖時的峰值面積值的總和，Y為根據總離子電流層析圖，使用源自分子量（M）未滿600的化合物的離子製作提取離子層析圖時的峰值面積值的總和。
一種光子積體電路，其包含： <br/>一光源單元，其可操作以產生橫跨一操作波長範圍的複數個波長的光； <br/>一輸入波導，其經定位以接收該複數個波長的光； <br/>一干涉波導，其在一第一界面處連接至該輸入波導；及 <br/>一平板波導，其在一第二界面處連接至該干涉波導，其中： <br/>對於在該操作波長範圍中之各波長，該干涉波導經組態以將一第一模態的光之一部分轉換成一第二模態的光； <br/>對於在該操作波長範圍中之一第一目標波長，該干涉波導經組態以使得該第一模態的光及第二模態的光將在該第二界面同相；及 <br/>對於在該操作波長範圍中之一第二目標波長，該干涉波導經組態以使得該第一模態的光及第二模態的光將在該第二界面處不同相。
如請求項1之光子積體電路，其中： <br/>該第二目標波長比該第一目標波長長。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中： <br/>該第一模態係一TE00模態，且該第二模態係一TE02模態。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中： <br/>該輸入波導相對於該干涉波導置中。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其中： <br/>該干涉波導包含一漸縮區段。
如請求項1或請求項2之光子積體電路，其包含： <br/>一分光器，其中該分光器包含： <br/>該輸入波導； <br/>該干涉波導； <br/>該平板波導；及 <br/>複數個輸出波導。
一種光子積體電路，其包含： <br/>一光源單元，其可操作以產生橫跨一操作波長範圍的複數個波長的光； <br/>一輸入波導，其具有一第一寬度，經定位以接收該複數個波長的光； <br/>一干涉波導，其具有一第二寬度，且在一第一界面處連接至該輸入波導；及 <br/>一平板波導，其在一第二界面處連接至該干涉波導，其中： <br/>該第一寬度比該第二寬度窄； <br/>對於該操作波長範圍中之各波長，該干涉波導經組態以將一第一模態的光的一部分轉換成一第二模態的光，使得該第一模態及該第二模態具有一相位差，該相位差具有一對應的半拍頻長度；及 <br/>該干涉波導具有一長度，該長度係： <br/>對於在該操作波長範圍中之一第一目標波長，偶數個半拍頻長度；及 <br/>對於在該操作波長範圍中之一第二目標波長，奇數個半拍頻長度。
如請求項7之光子積體電路，其中： <br/>該第二目標波長比該第一目標波長長。
如請求項7或請求項8之光子積體電路，其中： <br/>該第一模態係一TE00模態，且該第二模態係一TE02模態。
如請求項7或請求項8之光子積體電路，其中： <br/>該輸入波導相對於該干涉波導置中。
如請求項7或請求項8之光子積體電路，其中： <br/>該第一目標波長與該第二目標波長分開一半拍頻長度。
如請求項7或請求項8之光子積體電路，其包含： <br/>一分光器，其中該分光器包含： <br/>該輸入波導； <br/>該干涉波導； <br/>該平板波導；及 <br/>複數個輸出波導。
如請求項7或請求項8之光子積體電路，其中在該第一目標波長與該第二目標波長之間的一波長比係1:2。
一種光子積體電路，其包含： <br/>一光源單元，其可操作以產生橫跨一操作波長範圍的複數個波長的光； <br/>一輸入波導，其具有一第一寬度，經定位以接收該複數個波長的光； <br/>一干涉波導，其具有一第二寬度，且在一第一界面處連接至該輸入波導；及 <br/>一平板波導，其在一第二界面處連接至該干涉波導，其中： <br/>該第一寬度比該第二寬度寬； <br/>對於該操作波長範圍中之各波長，該干涉波導經組態以將一第一模態的光的一部分轉換成一第二模態的光，使得該第一模態及該第二模態具有一相位差，該相位差具有一對應的半拍頻長度；及 <br/>該干涉波導具有一長度，該長度係： <br/>對於在該操作波長範圍中之一第一目標波長，奇數個半拍頻長度；及 <br/>對於在該操作波長範圍中之一第二目標波長，偶數個半拍頻長度。
如請求項14之光子積體電路，其中： <br/>該第二目標波長比該第一目標波長長。
如請求項14或請求項15之光子積體電路，其中： <br/>該第一模態係一TE00模態，且該第二模態係一TE02模態。
如請求項14或請求項15之光子積體電路，其中： <br/>該輸入波導相對於該干涉波導置中。
如請求項14或請求項15之光子積體電路，其中： <br/>該第一目標波長與該第二目標波長分開一半拍頻長度。
如請求項14或請求項15之光子積體電路，其包含： <br/>一分光器，其中該分光器包含： <br/>該輸入波導； <br/>該干涉波導； <br/>該平板波導；及 <br/>複數個輸出波導。
如請求項14或請求項15之光子積體電路，其中在該第一目標波長與該第二目標波長之間的一波長比係2:3。
一種第一無線傳輸/接收單元(WTRU)，其包含：<br/> 一處理器，其經組態以：<br/> 判定拒絕來自一第二WTRU的一側行鏈路(SL)定位服務請求；<br/> 基於拒絕該SL定位服務請求的該判定，發送一服務接受訊息至該第二WTRU，其中該服務接受訊息包含該第一WTRU將判定一伺服器WTRU是否可輔助該SL位置服務請求的一待審指示；<br/> 發送一SL定位服務資訊至該伺服器WTRU；<br/> 回應於該SL定位服務資訊而從該伺服器WTRU接收一重新發現請求；<br/> 判定該重新發現請求不成功；及<br/> 發送一第一拒絕訊息至該第二WTRU，該第一拒絕訊息包含指示與該第一拒絕訊息相關聯的一原因的一第一原因碼、一週期性計時器、或一後退時間中之一或多者。
如請求項1之第一WTRU，其中該處理器經組態以基於以下之一或多者來判定拒絕來自該第二WTRU的該SL定位服務請求：<br/> 一SL參考WTRU不在該第一WTRU附近的一判定；<br/> 一先前發現的SL參考WTRU不再在該第一WTRU附近的一判定；<br/> 該第一WTRU在SL資源上經歷的擁塞；或<br/> 與一SL參考WTRU已發生連接失敗的一判定。
如請求項1或2之第一WTRU，其中該第一原因碼包含以下之一或多者：<br/> 沒有SL參考WTRU在該第一WTRU附近的一指示；<br/> 沒有足夠的SL參考WTRU在該第一WTRU附近的一指示；<br/> 該第一WTRU正在SL資源上經歷擁塞的一指示；或<br/> 該第一WTRU無法與一SL參考WTRU建立一連接的一指示。
如請求項1至2中任一項之第一WTRU，其中該處理器經組態以：<br/> 回應於該重新發現請求不成功的該判定而發送一第二拒絕訊息至該伺服器WTRU，該第二拒絕訊息包含與該重新發現請求相關聯的一第二原因碼。
如請求項4之第一WTRU，其中該第二原因碼包含一SL參考WTRU已部署一省電技術的一指示或在該第一WTRU附近沒有發現足夠的SL參考WTRU的一指示。
如請求項1至2中任一項之第一WTRU，其中該處理器經組態以基於一延時要求、該第一WTRU的一省電模式、或用以識別一或多個SL參考WTRU的重新發現嘗試的一次數來判定該重新發現請求不成功，其中重新發現嘗試的該次數基於一計時器值。
如請求項1至2中任一項之第一WTRU，其中該處理器經組態以：<br/> 從該第二WTRU接收一SL定位服務請求。
如請求項1至2中任一項之第一WTRU，其中該處理器經組態以：<br/> 基於該SL定位服務請求來發現一或多個參考WTRU。
如請求項1至2中任一項之第一WTRU，其中該處理器經組態以：<br/> 基於拒絕該SL定位服務請求的該判定來發現SL參考WTRU的一子集；及<br/> 基於一計時器值來判定該重新發現請求不成功。
如請求項8之第一WTRU，其中該處理器經組態以：<br/> 基於該重新發現請求基於一計時器值不成功的該判定來發送SL定位服務資訊至該伺服器WTRU，用於一結果計算，其中該結果計算包含與SL參考WTRU的該子集相關聯的識別符的一列表或與SL參考WTRU的該子集相關聯的能力的一列表。
一種由一第一無線傳輸/接收單元(WTRU)執行的方法，該方法包含：<br/> 判定拒絕來自一第二WTRU的一側行鏈路(SL)定位服務請求；<br/> 基於拒絕該SL定位服務請求的該判定，發送一服務接受訊息至該第二WTRU，其中該服務接受訊息包含該第一WTRU將判定一伺服器WTRU是否可輔助該SL位置服務請求的一待審指示；<br/> 發送一SL定位服務資訊至該伺服器WTRU；<br/> 回應於該SL定位服務資訊而從該伺服器WTRU接收一重新發現請求；<br/> 判定該重新發現請求不成功；及<br/> 發送一第一拒絕訊息至該第二WTRU，該第一拒絕訊息包含指示與該第一拒絕訊息相關聯的一原因的一第一原因碼、一週期性計時器、或一後退時間中之一或多者。
如請求項11之方法，其中該方法包含基於以下之一或多者來判定拒絕來自該第二WTRU的該SL定位服務請求：<br/> 一SL參考WTRU不在該第一WTRU附近的一判定；<br/> 一先前發現的SL參考WTRU不再在該第一WTRU附近的一判定；<br/> 該第一WTRU在SL資源上經歷的擁塞；或<br/> 與一SL參考WTRU已發生連接失敗的一判定。
如請求項11或12之方法，其中該第一原因碼包含以下之一或多者：<br/> 沒有SL參考WTRU在該第一WTRU附近的一指示；<br/> 沒有足夠的SL參考WTRU在該第一WTRU附近的一指示；<br/> 該第一WTRU正在SL資源上經歷擁塞的一指示；或<br/> 該第一WTRU無法與一SL參考WTRU建立一連接的一指示。
如請求項11至12中任一項之方法，其中該方法包含：<br/> 回應於該重新發現請求不成功的該判定而發送一第二拒絕訊息至該伺服器WTRU，該第二拒絕訊息包含與該重新發現請求相關聯的一第二原因碼。
如請求項14之方法，其中該第二原因碼包含一SL參考WTRU已部署一省電技術的一指示或在該第一WTRU附近沒有發現足夠的SL參考WTRU的一指示。
如請求項11至12中任一項之方法，其中該方法包含基於一延時要求、該第一WTRU的一省電模式、或用以識別一或多個SL參考WTRU的重新發現嘗試的一次數來判定該重新發現請求不成功，其中重新發現嘗試的該次數基於一計時器值。
如請求項11至12中任一項之方法，其中該方法包含：<br/> 從該第二WTRU接收一SL定位服務請求。
如請求項11至12中任一項之方法，其中該方法包含：<br/> 基於該SL定位服務請求來發現一或多個參考WTRU。
如請求項11至12中任一項之方法，其中該方法包含：<br/> 基於拒絕該SL定位服務請求的該判定來發現SL參考WTRU的一子集；及<br/> 基於一計時器值來判定該重新發現請求不成功。
一種第一無線傳輸/接收單元(WTRU)，其包含：<br/> 一處理器，其經組態以：<br/> 從一第二WTRU接收一發現請求，其中該第二WTRU係一側行鏈路用戶端WTRU；<br/> 基於該發現請求起始針對一或多個側行鏈路參考WTRU的一發現程序；<br/> 基於該發現程序來判定該發現請求不成功；及<br/> 發送一拒絕訊息至該第二WTRU，該拒絕訊息包含指示與該拒絕訊息相關聯的一原因的一原因碼、一週期性計時器、或一後退時間。
一種半導體元件，包含：<br/> 一第一晶圓，包含：<br/> 一第一基底；以及<br/> 一第一電感層，包含一第一金屬線以及一第一互連結構，其中該第一金屬線設置於該第一基底上，且該第一互連結構與該第一金屬線電性連接；以及<br/> 一第二晶圓，包含：<br/> 一第二基底；以及<br/> 一第二電感層，包含一第二金屬線以及一第二互連結構，其中該第二金屬線設置於該第二基底上，該第二互連結構與該第二金屬線電性連接，且該第二互連結構與該第一互連結構接合，以使該第一電感層及該第二電感層共同形成一電感元件，於該電感元件的一俯視圖中，該第一金屬線與該第二金屬線為扇形形狀，且該第一互連結構與該第二互連結構位於該第一金屬線與該第二金屬線之間。
如申請專利範圍第1項所述的半導體元件，其中第一金屬線具有一第一延伸方向，該第二金屬線具有一第二延伸方向，且該第二延伸方向相對於該第一延伸方向傾斜。
如申請專利範圍第2項所述的半導體元件，其中第一金屬線固定地沿著該第一延伸方向延伸。
如申請專利範圍第1項所述的半導體元件，其中於該電感元件的該俯視圖中，該第一金屬線的一端與該第二金屬線的一端重疊，且該第一金屬線的另一端與該第二金屬線的另一端錯位。
如申請專利範圍第1項所述的半導體元件，其中該第一金屬線的數量為複數個，該第二金屬線的數量為複數個，且該複數個第一金屬線與該複數個第二金屬線排列形成鋸齒圖案。
如申請專利範圍第1項所述的半導體元件，其中該第一金屬線的數量為複數個，且該複數個第一金屬線排列形成輻射狀圖案。
如申請專利範圍第1項所述的半導體元件，其中該第一金屬線的數量為複數個，且該複數個第一金屬線排列形成環形。
一種製作半導體元件的方法，包含：<br/> 提供一第一晶圓，其中該第一晶圓包含一第一基底以及一第一電感層，該第一電感層包含一第一金屬線以及一第一互連結構，該第一金屬線設置於該第一基底上，且該第一互連結構與該第一金屬線電性連接；<br/> 提供一第二晶圓，其中該第二晶圓包含一第二基底以及一第二電感層，該第二電感層包含一第二金屬線以及一第二互連結構，該第二金屬線設置於該第二基底上，且該第二互連結構與該第二金屬線電性連接；以及<br/> 接合該第一互連結構與該第二互連結構，以使該第一電感層及該第二電感層共同形成一電感元件，於該電感元件的一俯視圖中，該第一金屬線與該第二金屬線為扇形形狀，且該第一互連結構與該第二互連結構位於該第一金屬線與該第二金屬線之間。
如申請專利範圍第8項所述的方法，其中第一金屬線具有一第一延伸方向，該第二金屬線具有一第二延伸方向，且該第二延伸方向相對於該第一延伸方向傾斜。
如申請專利範圍第9項所述的方法，其中第一金屬線固定地沿著該第一延伸方向延伸。
如申請專利範圍第8項所述的方法，其中於該電感元件的該俯視圖中，該第一金屬線的一端與該第二金屬線的一端重疊，且該第一金屬線的另一端與該第二金屬線的另一端錯位。
如申請專利範圍第8項所述的方法，其中該第一金屬線的數量為複數個，該第二金屬線的數量為複數個，且該複數個第一金屬線與該複數個第二金屬線排列形成鋸齒圖案。
如申請專利範圍第8項所述的方法，其中該第一金屬線的數量為複數個，且該複數個第一金屬線排列形成輻射狀圖案。
如申請專利範圍第8項所述的方法，其中該第一金屬線的數量為複數個，且該複數個第一金屬線排列形成環形。
一種半導體裝置，包括：<br/> 基底；<br/> 閘極結構，形成於所述基底之上；<br/> 第一電阻元件，包括形成在所述基底之上且鄰近所述閘極結構的第一金屬；以及<br/> 互連特徵，包括耦合至所述第一電阻元件的第二金屬，其中所述第一金屬不同於所述第二金屬，其中所述第一金屬包括Ti、Ta或其組合，以及所述第二金屬包括Cu、Co、W、Ru或其組合。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一電阻元件配置在主動區之上。
如請求項2所述的半導體裝置，更包括：<br/> 隔離區，鄰接所述主動區，其中主動邊緣是沿著所述主動區和所述隔離區之間的邊界限定；以及<br/> 第二電阻元件，沿著所述主動邊緣形成。
如請求項3所述的半導體裝置，其中所述主動邊緣不含鰭元件。
一種半導體裝置，包括：<br/> 主動區，包括奈米結構；<br/> 電阻元件，形成在所述奈米結構之上，其中所述電阻元件包括第一電阻層和形成在所述第一電阻層之上的第二電阻層，並且其中多個側壁間隔物配置在所述電阻元件的相對側壁上，其中所述電阻元件包括第一金屬，所述第一金屬包括Ti、Ta或其組合；以及<br/> 第一金屬層，接觸所述電阻元件的端部，其中所述第一金屬層包括第二金屬，所述第二金屬包括Cu、Co、W、Ru或其組合。
如請求項5所述的半導體裝置，其中所述第一電阻層包括TiN、TiO<sub>x</sub>、TiNO<sub>x</sub>或其組合，以及所述第二電阻層包括晶體矽(Si)、非晶矽(a-Si)、SiO<sub>x</sub>、a-SiO<sub>x</sub>或其組合。
如請求項5所述的半導體裝置，更包括：<br/> 源極/汲極特徵，配置在所述主動區之上；以及<br/> 閘極結構，形成在所述主動區之上；<br/> 其中所述源極/汲極特徵插入所述電阻元件和所述閘極結構之間。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/> 提供包含多個虛設閘極結構的基底，其中在所述多個虛設閘極結構的相應虛設閘極結構的側壁上形成多個側壁間隔物；<br/> 以高K/金屬閘極結構替換所述多個虛設閘極結構中的第一虛設閘極結構；以及<br/> 以電阻元件替換所述多個虛設閘極結構中的第二虛設閘極結構，其中所述電阻元件包括第一電阻層和形成在所述第一電阻層之上的第二電阻層。
如請求項8所述的形成半導體裝置的方法，更包括：<br/> 在所述高K/金屬閘極結構和所述電阻元件的一側或兩側上形成源極/汲極特徵。
一種RFID標籤，包含：<br/> 一耦合天線，包含：<br/> 一傳導段，向一第一方向延伸；以及<br/> 一耦合段，由該傳導段的一端向一第二方向延伸，其中該第二方向不平行該第一方向；<br/> 一接地天線，與該耦合段平行，且該接地天線與該耦合段間隔一間距，該接地天線與該傳導段分別位在該耦合段的相對兩側，該接地天線的一寬度大於該耦合段的一寬度，其中並無任何導電體實體連接該接地天線與該耦合天線；<br/> 一訊號源結構，包含一RFID晶片及一迴圈天線，該RFID晶片電性連接該迴圈天線，且該訊號源結構與該耦合段位在該傳導段的同一側；<br/> 一連接線段，該連接線段的一端實體連接該迴圈天線，且該連接線段的另一端實體連接該傳導段；<br/> 一彎折天線，由該傳導段的另一端延伸出；以及<br/> 一載體，承載該耦合天線、該訊號源結構、該連接線段、該接地天線及該彎折天線。
如請求項1所述之RFID標籤，更包含另一載體，該另一載體與該載體分別位在該耦合天線、該訊號源結構、該連接線段、該接地天線及該彎折天線的相對兩側，且該另一載體與該載體共同包覆該耦合天線、該訊號源結構、該連接線段、該接地天線及該彎折天線。
如請求項1或2所述之RFID標籤，其中該接地天線的該寬度大於該接地天線與該耦合段的該間距，該接地天線與該耦合段的該間距小於該迴圈天線與該耦合段之間的一間距，且該接地天線與該耦合段的該間距小於該連接線段的一寬度。
如請求項1或2所述之RFID標籤，其中該連接線段的一寬度小於該傳導段的一寬度，以及該連接線段的一寬度小於或實質上等於該耦合段的一寬度。
如請求項1所述之RFID標籤，其中該彎折天線包含依序相連的一延伸段、一第一短線段、一第一長線段、一第二短線段及一第二長線段，且其中<br/> 該延伸段由該傳導段的另一端延伸出，且該延伸段與該耦合段位在該傳導段的同一側，且<br/> 該第一短線段由該延伸段的一末端延伸出，該第一短線段及該第二短線段實質上平行該傳導段，該第一長線段及該第二長線段實質上平行該耦合段。
如請求項5所述之RFID標籤，其中該第一短線段的一寬度大於該第一長線段的一寬度，該第一長線段的該寬度大於該第二短線段的一寬度，以及該第一長線段、該第二長線段和該延伸段具有實質上相同的一寬度。
如請求項5所述之RFID標籤，其中該彎折天線具有一特徵長度，該特徵長度定義為該第一短線段的一寬度、該第一長線段的一長度與該第二短線段的一寬度之總和；其中該特徵長度實質上等於該第二短線段的該寬度與該第二長線段的一長度之總和；其中該特徵長度小於該耦合段的一長度、該延伸段的一長度或該接地天線的一長度；以及該特徵長度大於該迴圈天線的一長度。
如請求項5所述之RFID標籤，其中該耦合段的一開放端與該延伸段的該末端形成一淨空區，該淨空區具有一長度，且該淨空區的該長度大於該迴圈天線的一寬度。
如請求項5所述之RFID標籤，其中該耦合段的一長度及該延伸段的一長度大於該傳導段的一長度。
如請求項9所述之RFID標籤，其中該耦合段的該寬度小於該延伸段的該寬度，且該耦合段的該長度實質上等於該延伸段的該長度。
如請求項1所述之RFID標籤，其中該彎折天線包含依序相連的一延伸段、一第一水平段、一第一垂直段、一第二水平段、一第二垂直段及一第三水平段，且其中<br/> 該延伸段由該傳導段的另一端延伸出，且該延伸段與該耦合段位在該傳導段的同一側，且<br/> 該第一水平段由該延伸段的一末端延伸出，該第一水平段、該第二水平段及該第三水平段實質上平行該傳導段，該第一垂直段及該第二垂直段實質上平行該耦合段。
如請求項11所述之RFID標籤，其中該第一水平段、該第一垂直段、該第二水平段、該第二垂直段、該第三水平段及該延伸段具有實質上相同的寬度。
如請求項5或11所述之RFID標籤，其中該迴圈天線與該耦合段之間的一間距小於該迴圈天線與該延伸段之間的一間距。
如請求項13所述之RFID標籤，其中該迴圈天線與該延伸段之間的該間距是該迴圈天線與該耦合段之間的該間距的約1.2倍至約2倍。
如請求項5或11所述之RFID標籤，其中該連接線段與該耦合段之間的一間距小於該連接線段與該延伸段之間的一間距。
如請求項1所述之RFID標籤，其中該彎折天線包含依序相連的一延伸段、一第四水平段、一第四垂直段、一第五水平段及第五垂直段，且<br/> 該延伸段由該傳導段的另一端延伸出，該第四水平段及該第五水平段實質上平行該傳導段，該延伸段、該第四垂直段及該第五垂直段實質上平行該耦合段。
如請求項16所述之RFID標籤，其中該迴圈天線與該耦合段的一間距小於該第五垂直段與該迴圈天線的一間距。
如請求項5、11或16所述之RFID標籤，其中該接地天線的一寬度大於該延伸段的一寬度，且該延伸段的一寬度大於該耦合段的一寬度。
如請求項1、5、11或16所述之RFID標籤，其中該接地天線具有一狹縫。
如請求項19所述之RFID標籤，其中該狹縫的一寬度實質上等於該接地天線與該耦合段的該間距。
一種具有RFID標籤的袋體，包含：<br/> 一袋體，包含一金屬層及一抗靜電層中的至少一者；以及<br/> 如請求項1至請求項20之任一項所述的RFID標籤，該RFID標籤的該接地天線的至少一部分與該金屬層及該抗靜電層中的至少一者重疊。
一種複合式植物生長監測系統，包含：<br/>複數個超音波監測模組，該些超音波監測模組係模組化組接成至少一立體式超音波監測裝置，用以監測一植物在一三維空間中之每一維度之一生長狀態；<br/>至少一生長因子供應模組，用以提供該植物所需之一生長因子；<br/>至少一控制裝置，該控制裝置係在該植物之一生長過程中，依據該立體式超音波監測裝置監測而得之該植物在該三維空間中之該每一維度之該生長狀態，對應地調整該植物所接收到之該生長因子，藉以使得該植物之該生長狀態符合一預設狀態，其中該生長因子供應模組係由該三維空間中之一預設方向供應該植物生長所需之該生長因子，其中該生長因子為光線或水分，該生長因子供應模組係一光源供應器或一水分供應器；以及<br/>一轉盤，其中該植物係放置於該轉盤上，且該控制裝置係依據該立體式超音波監測裝置監測而得之該植物在該三維空間中之該每一維度之該生長狀態，藉由對應地轉動該轉盤進而調整該植物所接收到之該生長因子，使得該植物之該生長狀態符合該預設狀態。
如請求項1所述之複合式植物生長監測系統，更包含一氣流供應器，用以提供一氣流作為外力迫使該植物之該生長狀態符合該預設狀態。
如請求項1所述之複合式植物生長監測系統，其中該預設狀態為預設植物外形或預設植物高度。
如請求項1所述之複合式植物生長監測系統，其中該轉盤為平面轉盤或非平面轉盤。
如請求項1所述之複合式植物生長監測系統，其中該控制裝置係依據該立體式超音波監測裝置監測而得之該植物在該三維空間中之該每一維度之該生長狀態而定期或定頻轉動該轉盤。
如請求項5所述之複合式植物生長監測系統，更包含一影像擷取及辨識裝置，用以擷取該植物之影像並比對一預設影像以獲得一比對結果，藉以使得該控制裝置依據該比對結果驅動該轉盤進行轉動。
一種環氧樹脂組合物，該組合物包含：<br/> 一環氧組分，該組分包括：<br/> 一第一環氧化合物，其為一雙酚A二縮水甘油醚環氧樹脂化合物；<br/> 一第二環氧化合物，其為一四縮水甘油基亞甲基二苯胺化合物；及<br/> 一固化劑組分，該組分包括：<br/> 一第一多胺化合物，包含一異佛爾酮二胺化合物；及<br/> 一第二多胺化合物，其中該第二多胺化合物包含一多胺化合物之一加合物，該多胺化合物之該加合物為一異佛爾酮二胺加合物化合物。
如請求項1所述之環氧樹脂組合物，其中該環氧樹脂組合物進一步包含一第三環氧化合物。
如請求項2所述之環氧樹脂組合物，其中該第三環氧化合物包含一四甲基雙酚F-二縮水甘油醚化合物。
如請求項3所述之環氧樹脂組合物，其中：<br/> 基於該環氧組分之總重量，該第一環氧化合物以20 wt%至30 wt%存在於該環氧劑中，<br/> 該第二環氧化合物以20 wt%至60 wt%存在於該環氧組分中，及<br/> 該第三環氧化合物以20 wt%至60 wt%存在於該環氧組分中，其中該總重量不超過100 wt%。
如請求項1所述之環氧樹脂組合物，其中該異佛爾酮二胺化合物為3-胺基甲基-3,5,5-三甲基環己胺。
如請求項1所述之環氧樹脂組合物，其中該異佛爾酮二胺加合物化合物為苯酚、4,4'-(1-甲基亞乙基)雙-聚合物與5-胺基-1,3,3-三甲基環己烷甲胺及(氯甲基)環氧乙烷。
如請求項1所述之環氧樹脂組合物，其中：<br/> 基於該固化劑組分之總重量，該第一多胺化合物為30 wt%至50 wt%，及<br/> 基於該固化劑組分之總重量，該第二多胺化合物為50 wt%至70 wt%，<br/> 其中該總重量不超過100 wt%。
一種作為以下各者之反應產物的交聯環氧樹脂組合物：<br/> 一環氧組分，該組分包括一第一環氧化合物，其為一雙酚A二縮水甘油醚環氧樹脂化合物，以及一第二環氧化合物，其為一四縮水甘油基亞甲基二苯胺化合物之；及<br/> 一固化劑組分，該組分包括一第一多胺化合物，該第一多胺化合物包含一異佛爾酮二胺化合物，以及一第二多胺化合物，其中該第二多胺化合物為一多胺化合物之一加合物，該多胺化合物之該加合物為一異佛爾酮二胺加合物化合物。
如請求項8所述之交聯環氧樹脂組合物，其中該交聯環氧樹脂在120℃至130℃之一溫度下固化20至30分鐘之一時間。
如請求項8所述之交聯環氧樹脂組合物，其中該交聯環氧樹脂組合物在160℃至170℃之一溫度下固化10分鐘至20分鐘之一時間。
如請求項8所述之交聯環氧樹脂組合物，其中該交聯環氧樹脂組合物具有160℃至210℃之一乾燥玻璃轉化溫度(Tg)起始。
如請求項8所述之交聯環氧樹脂組合物，其中該交聯環氧樹脂組合物具有140℃至180℃之一潮濕玻璃轉化溫度(Tg)起始。
一種形成一交聯環氧樹脂組合物之方法，該方法包括以下步驟：<br/> 藉由將一環氧組分及一固化劑組分提供至一樹脂傳遞模塑系統中來產生一混合物，其中該環氧組分包含一第一環氧化合物，其為一雙酚A二縮水甘油醚環氧樹脂化合物，以及一第二環氧化合物，其為一四縮水甘油基亞甲基二苯胺化合物，並且其中該固化劑組分包含一第一多胺化合物，該第一多胺化合物包含一異佛爾酮二胺化合物，以及一第二多胺化合物，其中該第二多胺化合物為一多胺化合物之一加合物，該多胺化合物之該加合物為一異佛爾酮二胺加合物化合物；<br/> 將一部件設置在該樹脂傳遞模塑系統中；<br/> 將該混合物設置在該部件上；及<br/> 藉由固化該部件上之該混合物來形成該交聯環氧樹脂組合物。
如請求項13所述之方法，其中產生該混合物之步驟包括以下步驟：將該環氧組分及該固化劑組分以2：1 mol/mol至3：1 mol/mol之一比率混合。
如請求項13所述之方法，其中將該混合物設置在該部件上之步驟包括以下步驟：以1 g/sec至200 g/sec之一注射速度，將該混合物注射至該部件上。
如請求項13所述之方法，其中固化該混合物之步驟包括以下步驟：在120℃至180℃之一溫度下，固化10分鐘至30分鐘之一時間。
如請求項16所述之方法，其中固化該混合物之步驟包括以下步驟：在120℃至130℃之一溫度下，固化20至30分鐘之一時間。
如請求項16所述之方法，其中固化該混合物之步驟包括以下步驟：在160℃至170℃之一溫度下，固化10分鐘至20分鐘之一時間。
如請求項13所述之方法，其中固化該混合物之步驟包括以下步驟：在一第一溫度下，固化該混合物一第一時段並且在一第二溫度下，固化該混合物一第二時段，其中該第一溫度不同於該第二溫度並且該第一時段與該第二時段相同或不同。
一種生麵團吐出裝置(4、4’)，將生麵團(D4)環狀地吐出，且具有： <br/> 吐出缸體(41)，具有出口(41b)； <br/> 螺桿(7)，被配置在前述吐出缸體(41、41’)內，且具有旋轉軸線(A)；以及 <br/> 出口裝置(8)，被配置在前述吐出缸體(41)內的前述出口(41b)之處； <br/> 其中，前述出口裝置(8)是包含噴嘴部件(82)，而將生麵團(D4)吐出之環狀的出口間隙(8a)是被構成在前述噴嘴部件(82)與前述吐出缸體(41、41’)的前述出口(41b)之間； <br/> 前述出口裝置(8)是被構成為使前述噴嘴部件(82)相對於前述旋轉軸線(A)偏心旋轉運動，俾以變動前述出口間隙(8a)的大小。
如請求項1記載的生麵團吐出裝置(4、4’)，其中，前述噴嘴部件(82)與前述螺桿(7)是個別地被旋轉驅動。
如請求項1記載的生麵團吐出裝置(4、4’)，其中，前述噴嘴部件(82)是包含：擴徑部(82a)，外徑係朝向前述吐出缸體(41、41’)的前述出口(41b)而變大；及噴嘴部(82b)，外徑係朝向前述吐出缸體(41、41’)的前述出口(41b)為固定，且構成前述出口間隙(8a)。
如請求項1記載的生麵團吐出裝置(4、4’)，其中，前述吐出缸體(41、41’)是在上下方向上延伸。
如請求項1記載的生麵團吐出裝置(4、4’)，其中，用於使被環狀地吐出的生麵團成為生麵團片的切口部(51) 係被設置在前述吐出缸體(41、41’)的前述出口(41b)處。
如請求項3記載的生麵團吐出裝置(4、4’)，其中，前述擴徑部(82a)是包含複數個凹部(82e)及凸部(82f)，其為放射狀地延伸、並且在周向方向上被交互地配置。
如請求項1記載的生麵團吐出裝置(4’)，其中，前述吐出缸體(41’)的出口部分是被構成為可更換的外噴嘴(91)，藉由更換前述外噴嘴(91)與前述噴嘴部件(82)，可變更環狀的前述生麵團(D4)的外徑及厚度。
一種化學機械拋光設備，包含： <br/>一內平台，用於支撐一內拋光墊； <br/>一環形外平台，用於支撐一外拋光墊，其中該外拋光墊同軸地圍繞該內平台，並且該內平台的一外邊緣及該外平台的一內邊緣藉由一間隙分離； <br/>一承載頭，用於固持一基板； <br/>一或多個馬達，用於以一第一旋轉速率繞著一垂直軸旋轉該內平台並且以一第二旋轉速率繞著該垂直軸旋轉該外平台；以及 <br/>一控制器，經配置為選擇複數個控制參數的值以最小化一目標移除輪廓與一預期移除輪廓之間的一差異，該些控制參數包括表示該內平台與該外平台之間的旋轉速度的一差異的一第一參數，其中該些控制參數與一移除速率之間的一關係在表示一第一矩陣的一資料結構中儲存，該第一矩陣包括：包括針對旋轉速度的該差異的一列的複數個列及針對以該預期移除輪廓表示的該基板上的每個位置的一行，並且其中該控制器經配置為，作為該等值的選擇的部分，藉由將該第一矩陣乘以表示控制參數值的一第二矩陣來計算該預期移除輪廓。
如請求項1所述之拋光設備，其中該控制器經配置為從在拋光之前儲存的一配方接收該內平台的一第一旋轉速度，並且根據該第一旋轉速度及旋轉速度的該差異計算該外平台的一第二旋轉速度。
如請求項1所述之拋光設備，其中該控制器經配置為從在拋光之前儲存的一配方接收該外平台的一第一旋轉速度，並且根據該第一旋轉速度及旋轉速度的該差異計算該內平台的一第二旋轉速度。
如請求項1所述之拋光設備，其中該控制器經配置為應用一最小化演算法以減小一預期厚度輪廓與一目標厚度輪廓之間的一差異，其中應用該最小化演算法包括使用旋轉速度的該差異的不同值來迭代地計算該預期移除輪廓。
如請求項1所述之拋光設備，包含一致動器，並且其中該承載頭可藉由該致動器橫向地移動。
如請求項5所述之拋光設備，其中該控制器經配置為導致該致動器使該承載頭在一第一位置與一第二位置之間振盪，在該第一位置處，該基板完全在該外拋光墊上方，在該第二位置處，該基板部分在該外拋光墊上方且部分在該內拋光墊上方。
如請求項5所述之拋光設備，其中該控制器經配置為導致該致動器使該承載頭在一第一位置與一第二位置之間振盪，在該第一位置處，該基板完全在該內拋光墊上方，在該第二位置處，該基板部分在該內拋光墊上方且部分在該外拋光墊上方。
一種化學機械拋光設備，包含： <br/>一內平台，用於支撐一內拋光墊； <br/>一環形外平台，用於支撐一外拋光墊，其中該外平台同軸地圍繞該內平台，並且該內平台的一外邊緣及該外平台的一內邊緣藉由一間隙分離； <br/>一承載頭，用於固持基板； <br/>一馬達，用於繞著一第一垂直軸旋轉該內平台； <br/>一致動器，用於橫向地移動該承載頭；以及 <br/>一控制器，經配置為導致該致動器根據一掃掠輪廓來橫向地掃掠該承載頭，其中該控制器經配置為選擇複數個控制參數的值，以最小化一目標移除輪廓與一預期移除輪廓之間的一差異，該些控制參數包括複數個停留時間參數，其中該些停留時間參數中的每個相應的停留時間參數表示該承載頭花費在複數個位置上的一時間量，其中該些位置中的至少一者對應於基板定位在該內拋光墊及該外拋光墊中的僅一者上方，並且該些位置中的至少另一者對應於基板定位在該內拋光墊及該外拋光墊兩者上方，其中該些控制參數與一移除速率之間的一關係在表示一第一矩陣的一資料結構中儲存，該第一矩陣包括：包括針對每個停留時間參數的一列的複數個列及針對以該預期移除輪廓表示的該基板上的每個位置的一行，並且其中該控制器經配置為，作為該等值的選擇的部分，藉由將該第一矩陣乘以表示控制參數值的一第二矩陣來計算該預期移除輪廓。
如請求項8所述之拋光設備，其中該控制器經配置為根據該些停留時間參數的值來計算一掃掠輪廓。
如請求項9所述之拋光設備，其中該控制器經配置為針對該內平台及該外平台中的每一者上的複數個環形區中的每個相應環形區設置具有一相應速度的該掃掠輪廓。
如請求項10所述之拋光設備，其中該控制器經配置為將針對該些環形區中的每個相應環形區的該相應速度設置為該相應環形區內的一恆定值。
如請求項11所述之拋光設備，其中該些停留時間參數的值係以總時間的一分數為單位。
如請求項10所述之拋光設備，其中該控制器經配置為將針對該些環形區中的每個相應環形區的一掃掠速度計算為與針對每個相應環形區的該些停留時間參數的該等值成反比。
如請求項10所述之拋光設備，其中該些環形區的一分數停留時間值與該掃掠輪廓的一振盪週期成比例。
一種用於化學機械拋光的方法，包含以下步驟： <br/>以一第一旋轉速度旋轉包含一第一拋光墊的一內平台； <br/>以不同於該第一旋轉速度的一第二旋轉速度旋轉包括一第二拋光墊的一外平台，其中該內平台的一外邊緣及該外平台的一內邊緣藉由一間隙分離；以及 <br/>選擇複數個控制參數的值以最小化一目標移除輪廓與一預期移除輪廓之間的一差異，該些控制參數包括表示該第一旋轉速度與該第二旋轉速度之間的一相對旋轉速度的一第一參數，其中該些控制參數與一移除速率之間的一關係在表示一第一矩陣的一資料結構中儲存，該第一矩陣包括：包括針對該相對旋轉速度的一列的複數個列及針對以該預期移除輪廓表示的一基板上的每個位置的一行，其中選擇該些控制參數的該等值之步驟包含以下步驟：藉由將該第一矩陣乘以表示控制參數值的一第二矩陣來計算該預期移除輪廓。
如請求項15所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>從在拋光之前儲存的一配方接收該內平台的該第一旋轉速度；以及 <br/>根據該第一旋轉速度及該相對旋轉速度計算該外平台的該第二旋轉速度。
如請求項15所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>從在拋光之前儲存的一配方接收該外平台的該第二旋轉速度；以及 <br/>根據該第二旋轉速度及該相對旋轉速度計算該內平台的該第一旋轉速度。
如請求項15所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>應用一最小化演算法以減小一預期厚度輪廓與一目標厚度輪廓之間的一差異，其中應用該最小化演算法之步驟包括以下步驟：使用該相對旋轉速度的不同值來迭代地計算該預期移除輪廓。
如請求項15所述之方法，進一步包含以下步驟： <br/>使一承載頭在一第一位置與一第二位置之間振盪，在該第一位置處，該基板完全在該內拋光墊上方，在該第二位置處，該基板部分在該內拋光墊上方且部分在該外拋光墊上方。
如請求項19所述之方法，其中該些控制參數包含表示該承載頭花費在複數個位置上的一時間量的複數個停留時間參數，其中該些位置中的至少一者對應於基板定位在該內拋光墊及該外拋光墊中的僅一者上方，並且該些位置中的至少另一者對應於基板定位在該內拋光墊及該外拋光墊兩者上方。
如請求項20所述之方法，進一步包含以下步驟：根據該些停留時間參數的值計算一掃掠輪廓。
如請求項21所述之方法，進一步包含以下步驟：針對該內平台及該外平台中的每一者上的複數個環形區中的每個相應環形區設置具有一相應速度的該掃掠輪廓。
如請求項22所述之方法，進一步包含以下步驟：將針對該些環形區中的每個相應環形區的該相應速度設置為該相應環形區內的一恆定值。
一種資訊處理系統，係包含堆積被焚燒物的坑的焚燒設備用的資訊處理系統，具備： <br/> 取得前述坑內處所中表示成為來自搬入前述被焚燒物的搬入車的前述被焚燒物的接收目標的處所的接收目標資訊、及前述坑內處所中表示成為把持前述被焚燒物的起重機的把持目標的處所的把持目標資訊的資訊取得部； <br/> 在決定前述接收目標的時期到來時，基於表示成為在前述時期到來的時點決定的前述起重機的把持目標的處所的前述把持目標資訊，決定前述接收目標的接收目標決定部； <br/> 在決定前述把持目標的時期到來時，基於表示成為在前述時期到來的時點決定的來自前述搬入車的前述被焚燒物的接收目標的處所的前述接收目標資訊，決定前述把持目標的把持目標決定部； <br/> 其中， <br/> 前述資訊取得部，更取得表示前述坑內的各處所的前述被焚燒物的高度的高度資訊； <br/> 前述接收目標決定部，基於前述把持目標資訊、與以和別的搬入車或前述起重機的關係表示在前述搬入車所生的等待時間的長度的資訊，以縮小關於前述坑內的複數處所相鄰的處所彼此的前述被焚燒物的高度差異，並縮短前述等待時間的長度的方式，比較從反映前述相鄰的處所彼此的前述被焚燒物的高度差異及前述等待時間的長度的兩者的函數得到的結果，從前述複數處所之中決定前述接收目標。
如請求項1記載的資訊處理系統，其中，前述接收目標決定部，基於前述把持目標資訊及前述高度資訊，在與預定的前述把持目標不同的處所之中，將因接收前述被焚燒物而相鄰的處所彼此的前述被焚燒物的高度差異變小的處所作為前述接收目標決定。
如請求項2記載的資訊處理系統，其中，前述把持目標決定部，基於前述接收目標資訊及前述高度資訊，在與預定的前述接收目標不同的處所之中，將因以前述起重機把持前述被焚燒物而相鄰的處所彼此的前述被焚燒物的高度差異變小的處所作為前述把持目標決定。
如請求項3記載的資訊處理系統，其中，前述高度資訊，為表示由設於前述焚燒設備的測定裝置測定的前述被焚燒物的高度的資訊； <br/> 前述接收目標決定部與前述把持目標決定部之中至少一者，以反映在預定的前述接收目標中因接收前述被焚燒物而增加的前述被焚燒物的高度、或在預定的前述把持目標中因把持前述被焚燒物而減少的前述被焚燒物的高度的方式修正前述高度資訊，基於修正的前述高度資訊，決定前述接收目標或前述把持目標。
如請求項1或請求項2記載的資訊處理系統，其中，前述接收目標決定部，在堆積前述被焚燒物的前述搬入車到達預定位置時，判定決定前述接收目標的時期到來； <br/> 前述把持目標決定部，在滿足預定條件時，判定決定前述把持目標的時期到來； <br/>前述預定條件為與決定前述接收目標的時期的到來相互獨立的條件。
如請求項1或請求項2記載的資訊處理系統，其中，前述把持目標決定部，在決定前述把持目標的時期到來時，基於前述接收目標資訊，在與預定的前述接收目標不同的處所之中，一致於作為第1動作前述起重機把持前述被焚燒物的第1把持目標、與作為在前述第1動作之後進行的第2動作前述起重機把持前述被焚燒物的第2把持目標而決定。
如請求項1或請求項2記載的資訊處理系統，其中，作為前述起重機，存在第1起重機、及與前述第1起重機不同的第2起重機； <br/> 前述把持目標決定部，在決定前述把持目標的時期到來時，基於前述接收目標資訊，在與預定的前述接收目標不同的處所之中，一致於前述第1起重機把持前述被焚燒物的把持目標、與前述第2起重機把持前述被焚燒物的把持目標而決定。
如請求項7記載的資訊處理系統，其中，前述把持目標決定部，與決定前述把持目標的時期到來的判定預先建立關聯的前述第1起重機的動作結束，且與決定前述把持目標的時期到來的判定預先建立關聯的前述第2起重機的動作結束時，判定決定前述把持目標的時期到來。
一種資訊處理方法，係關於包含堆積被焚燒物的坑的焚燒設備的資訊處理方法，其中， <br/> 使1以上的電腦，進行： <br/> 取得前述坑內處所中表示成為來自搬入前述被焚燒物的搬入車的前述被焚燒物的接收目標的處所的接收目標資訊； <br/> 取得前述坑內處所中表示成為把持前述被焚燒物的起重機的把持目標的處所的把持目標資訊； <br/> 取得表示前述坑內的各處所的前述被焚燒物的高度的高度資訊； <br/> 在決定前述接收目標的時期到來時，基於表示成為在前述時期到來的時點決定的前述起重機的把持目標的處所的前述把持目標資訊，決定前述接收目標； <br/> 在決定前述把持目標的時期到來時，基於表示成為在前述時期到來的時點決定的來自前述搬入車的前述被焚燒物的接收目標的處所的前述接收目標資訊，決定前述把持目標； <br/> 其中， <br/> 決定前述接收目標，是基於前述把持目標資訊、與以和別的搬入車或前述起重機的關係表示在前述搬入車所生的等待時間的長度的資訊，以縮小關於前述坑內的複數處所相鄰的處所彼此的前述被焚燒物的高度差異，並縮短前述等待時間的長度的方式，比較從反映前述相鄰的處所彼此的前述被焚燒物的高度差異及前述等待時間的長度的兩者的函數得到的結果，從前述複數處所之中決定前述接收目標。
一種無人機訓練方法，適用於一無人機，該無人機包含一風速感測器及一位置感測器，該無人機訓練方法包含： <br/>接收該風速感測器產生之多個風速分量及該位置感測器產生之多個偏移分量，各該風速分量逐一對應各該偏移分量； <br/>依序輸入各該風速分量至對應之多個模糊函數，以分別產生多個風速歸屬值； <br/>依序自各該風速分量對應之該多個風速歸屬值之中選取一者，以獲得一筆該風速歸屬值，並根據所有該風速分量對應之該一筆風速歸屬值，產生一規則值； <br/>輸入該多個風速分量至一推導函數，各該規則值分別對應一筆該推導函數以作為權重，並計算各該風速分量對應之多個該推導函數之函數總和；以及 <br/>計算各該偏移分量與各該風速分量對應之該函數總和的一誤差函數並最佳化該誤差函數後，產生一迴歸模型。
如請求項1所述之無人機訓練方法，其中，該無人機訓練方法根據所有該風速分量對應之該一筆風速歸屬值之中的最小值，作為該規則值。
如請求項1所述之無人機訓練方法，其中，該無人機訓練方法根據所有該風速分量對應之該一筆風速歸屬值之累乘積，作為該規則值。
如請求項1所述之無人機訓練方法，更包含： <br/>將各一筆該規則值除以所有該規則值之總和，以將各該規則值正規化；以及 <br/>將該多個風速分量輸入該推導函數，正規化之各該規則值分別對應一筆該推導函數以作為權重。
如請求項1所述之無人機訓練方法，更包含： <br/>於一風速分量範圍內，產生間距相等之多個離散風速分量值；以及 <br/>依序輸入該多個離散風速分量值至該迴歸模型後，產生並儲存一查找表。
如請求項5所述之無人機訓練方法，更包含根據該風速感測器產生之該多個風速分量，統計該風速分量範圍。
如請求項1所述之無人機訓練方法，更包含於一風速分量範圍內，產生核間距相等之該多個模糊函數。
如請求項1所述之無人機訓練方法，其中，該推導函數為一多元線性迴歸模函數，包含N個迴歸係數及一誤差值，該N之數值等於該多個風速分量之數量。
如請求項1所述之無人機訓練方法，更包含將各該偏移分量取負數之後，計算取負數之各該偏移分量與各該風速分量對應之該函數總和的該誤差函數並最佳化該誤差函數後，產生該迴歸模型。
如請求項1所述之無人機訓練方法，其中，該無人機用以根據多個馬達控制訊號控制該無人機，該無人機訓練方法更包含： <br/>重新接收該風速感測器產生之另一群該風速分量； <br/>依序輸入各該另一群風速分量至該迴歸模型後，產生多個補償值；以及 <br/>根據各該多個補償值分別校正各該多個馬達控制訊號，並根據校正後之該多個馬達控制訊號控制該無人機。
如請求項1所述之無人機訓練方法，更包含根據以下公式計算各該偏移分量與各該風速分量對應之該函數總和的該誤差函數： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="39px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，e為該誤差函數，U為其一該多個偏移分量，C為該風速分量之該函數總和。
如請求項11所述之無人機訓練方法，更包含根據梯度下降法最佳化該誤差函數，以求取該迴歸模型之一模型參數，該模型參數係選自該推導函數之迴歸係數、該推導函數之誤差值、該模糊函數之函數種類、該模糊函數之核位置、該模糊函數之左端點位置、該模糊函數之右端點位置及其組合所構成之群組。
如請求項1所述之無人機訓練方法，其中，各該多個風速分量互為正交，且各該多個偏移分量互為正交。
一種無人機控制方法，用以校正多個馬達控制訊號，該無人機控制方法包含： <br/>讀取多個風速分量及多個查找表，各該查找表逐一對應各該馬達控制訊號，任一該多個查找表包含多個風速近似值與一補償值之迴歸模型； <br/>將各該風速分量分別輸入對應之一最近鄰函數後，產生該多個風速近似值； <br/>依序根據各該查找表，將該多個風速近似值對應至該補償值，以產生該補償值；以及 <br/>根據各該查找表產生之該補償值分別校正各該馬達控制訊號。
如請求項14所述之無人機控制方法，其中，該最近鄰函數包含多個離散風速分量值，該無人機控制方法判斷該多個離散風速分量值之中與輸入該最近鄰函數之該風速分量之數值最接近之一筆該離散風速分量值，以產生一筆該風速近似值。
如請求項14所述之無人機控制方法，更包含接收一風速感測器產生之該多個風速分量，以及根據各該查找表產生之該補償值分別校正各該馬達控制訊號，以分別控制多個馬達。
如請求項14所述之無人機控制方法，其中，各該多個風速分量互為正交，且各該查找表產生之該補償值互為正交。
一種無人機，包含： <br/>一風速感測器，用以量測一風速值，包含多個風速分量； <br/>一記憶體，用以儲存多個查找表；以及 <br/>一處理器，用以： <br/>讀取該多個風速分量及該多個查找表，各該查找表逐一對應一筆馬達控制訊號，任一該多個查找表包含多個風速近似值與一補償值之迴歸模型； <br/>將各該風速分量分別輸入對應之一最近鄰函數後，產生該多個風速近似值； <br/>依序根據各該查找表，將該多個風速近似值對應至該補償值，以產生該補償值；以及 <br/>根據各該查找表產生之該補償值分別校正各該馬達控制訊號。
如請求項18所述之無人機，更包含多個馬達，該處理器用以根據該一筆馬達控制訊號控制該多個馬達。
如請求項18所述之無人機，其中，該風速感測器係選自由杯式風速計、葉片風速計、壓力管風速計、超音波風速計及其組合所構成之群組。
一種半導體元件的製作方法，包含：<br/> 一準備步驟，準備一半導體樣品並放置於一腔體的一載台上，該半導體樣品包含一半導體基板及一線路圖案層，其中該線路圖案層位於該半導體基板上，且該線路圖案層的線寬小於60奈米；<br/> 一保護氣體通入步驟，將該腔體抽真空後，通入一保護氣體，並將該載台加熱至攝氏350至480度之間，且該保護氣體通入的流量為10至75sccm；<br/> 一反應氣體通入步驟，停止通入該保護氣體，並通入一反應氣體，維持該載台的溫度在攝氏350至480度之間，其中該反應氣體包含氫氣及苯蒸氣，該反應氣體的通入流量小於15sccm；以及<br/> 一沉積步驟，再次通入該保護氣體，並啟動一電漿，維持該載台的溫度為攝氏350至480度之間，使得該苯蒸氣裂解，而在該線路圖案層上形成一石墨烯層，其中該石墨烯層的厚度為0.3至3奈米。
如請求項1所述之半導體元件的製作方法，其中該線路圖案層的材料係選自銅、鎳、鋁及其合金所構成之群組。
一種相位差薄膜，其係依序具有第1層、第2層及第3層的相位差薄膜，其特徵為， <br/> 前述第1層、前述第2層及前述第3層皆含有乙醯纖維素與微粒子， <br/> 前述第2層所含有的前述乙醯纖維素的乙醯基的取代度為2.0~2.6的範圍內， <br/> 前述第2層進而含有兩末端具有羥基的聚酯， <br/> 前述第2層的前述微粒子的含有率[質量%]為前述第1層及前述第3層的前述微粒子的平均含有率[質量%]的2~5倍的範圍內。
如請求項1之相位差薄膜，其中，前述微粒子為二氧化矽微粒子。
一種偏光板，其特徵為具備如請求項1或2之相位差薄膜。
一種液晶顯示裝置，其特徵為具備如請求項1或2之相位差薄膜。
一種曬衣裝置，其包含：<br/> 一裝置動力件，係固定於一空間的頂面；在一長度方向上，該裝置動力件的兩端或鄰近於兩端處係分別具有可收納的一線體；<br/> 一曬衣架件，係包含二連接件及二滑軌桿；二該連接件在該長度方向上對應於該裝置動力件的長度間隔地設置，且二該線體的一端係分別固定於二該連接件；二該滑軌桿在一寬度方向上對應於該裝置動力件的寬度間隔地設置；二該滑軌桿彼此面對的一面分別設有一滑軌；以及<br/> 二活動連桿組，係對角方向鏡射式地配置於該裝置動力件與該曬衣架件之間，且位於該裝置動力件與該曬衣架件在該寬度方向上的兩側；其中，該活動連桿組係由一第一連桿、一第二連桿及一第三連桿所組成；該第一連桿的一端樞設於該裝置動力件，該第一連桿的另一端樞設於該第二連桿的一端，該第二連桿的另一端樞設於該滑軌桿；該第三連桿的一端樞設於該第二連桿的中點，該第三連桿的另一端樞設於一滑塊，該滑塊滑動嵌合於該滑軌；其中，該第三連桿的長度小於該第二連桿的長度；<br/> 其中，該第一連桿的一端樞設於該裝置動力件的樞設點與該第二連桿的另一端樞設於該滑軌桿的樞設點係為於同一假想直線上；<br/> 其中，該活動連桿組形成可改變長度的一第一虛擬連桿、一第二虛擬連桿及一第三虛擬連桿；<br/> 該第一虛擬連桿位於該第一連桿與該第二連桿的樞接點垂直地連接至該裝置動力件；<br/> 該第二虛擬連桿由該第二連桿與該滑軌桿的樞接點水平地連接至該第三連桿與該滑軌桿的樞接點；<br/> 該第三虛擬連桿由該第二連桿與該滑軌桿的樞接點垂直地連接至該裝置動力件。
如請求項1所述的曬衣裝置，其中該第一連桿、該第二連桿及該第三連桿係為扁平狀；該滑軌桿面向該第二連桿的一面係為平面。
如請求項1所述的曬衣裝置，其中該第一連桿及該第二連桿的長度相同；該第三連桿的長度小於該第二連桿的長度的一半。
如請求項1至3中任一項所述的曬衣裝置，其中該裝置動力件包含一驅動單元及二滑輪；二該滑輪係以該驅動單元為中心對稱的設置於該驅動單元的兩側，二該線體的另一端係設置於該驅動單元，且分別滑動設置於二該滑輪；該驅動單元係配置以捲收該線體或釋放該線體。
如請求項4所述的曬衣裝置，其中該裝置動力件係包含一殼體；該殼體對應於該第一連桿的一端設有二樞設部；該裝置動力件係包含二彈性件；該彈性件的一端係連接於該樞設部且鄰近於該樞設部的底端，該彈性件的另一端係連接於該第一連桿；其中該殼體包含一開口；該裝置動力件係包含一蓋體；該蓋體設置於該開口；該蓋體具有二風扇單元；二該風扇單元係沿該長度方向間隔地設置。
如請求項1所述的曬衣裝置，其中該曬衣架件包含複數個曬衣桿及複數個連接連桿組；複數個該曬衣桿係沿該長度方向設置且在該寬度方向上彼此具有間隔；該連接連桿組的一端係樞設於其中一該曬衣桿的一端，該連接連桿組的另一端係樞設於相鄰的該曬衣桿的一端。
一種硬化性樹脂組成物，其含有具有下述通式(1)所示的茚烷骨架的硬化性樹脂(A)、以及包含鍵結於非芳香環式基的非共軛性乙烯基的化合物(B)，<br/><img align="absmiddle" height="212px" width="802px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 上述式(1)中，X表示(甲基)丙烯醯基，Ra和Rb分別獨立，為碳原子數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，j表示1～3的整數，k、l分別獨立，表示0～4的整數，n為平均重複單元數，表示0.5～20的數值，m表示0～2的整數，其中，從Ra、X和碳原子朝向芳香環的直線表示可以鍵結於該芳香環上的任意部位。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中該(A)為具有下述通式(2)所示的茚烷骨架的硬化性樹脂，<br/><img align="absmiddle" height="184px" width="804px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 上述式(2)中，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>分別獨立，為氫原子、碳原子數1～12的烷基、芳基、芳烷基或環烷基，並且R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>兩者不同時為氫原子，n為平均重複單元數，表示0.5～20的數值。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中該(B)為含有式(3)所示的1,2-丁二烯單元的丁二烯聚合物，<br/><img align="absmiddle" height="204px" width="348px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中該(B)為具有2個以上烯丙基的化合物。
如請求項1之硬化性樹脂組成物，其中相對於該(A)的質量和該(B)的質量的合計100質量份，該(B)的質量為5～40質量份。
一種硬化物，其是使如請求項1至5中任一項之硬化性樹脂組成物進行硬化反應而得。
一種清漆，其是將如請求項1至5中任一項之硬化性樹脂組成物以有機溶劑稀釋而成者。
一種預浸漬物，其具有補強基材和含浸於該補強基材的如請求項7之清漆的半硬化物。
一種電路基板，其是將如請求項8之預浸漬物和銅箔積層並加熱壓接成形而得。
一種半導體結構，包括：<br/> 第一半導體結構，具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，其中所述第一半導體結構具有本體部分和從所述本體部分突出的半導體邊緣部分，其中所述半導體邊緣部分更靠近所述第二表面；<br/> 第二半導體結構，與所述第一半導體結構的所述第一表面接觸並與所述第一半導體結構接合；以及<br/> 填充材料，環繞所述第一半導體結構並填充於所述半導體邊緣部分與所述第二半導體結構之間，<br/> 其中所述填充材料包繞並覆蓋所述半導體邊緣部分，且所述填充材料的側壁與所述第二半導體結構的側壁對齊，<br/> 其中所述填充材料包括填充於所述本體部分與所述半導體邊緣部分之間的空間並環繞所述第一半導體結構的第一填充材料，以及覆蓋所述第一填充材料的第二填充材料，其中所述第一填充材料具有高於所述第二填充材料的間隙填充能力。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述第二填充材料的側壁與所述第二半導體結構的所述側壁對齊。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述半導體邊緣部分包括具有第一突出寬度的第一部分和具有小於所述第一突出寬度的第二突出寬度的第二部分，且所述第一部分接觸所述第二填充材料，而所述第二部分接觸所述第一填充材料和所述第二填充材料。
如請求項3所述的半導體結構，其中所述半導體邊緣部分還包括具有第三突出寬度的第三部分，所述第三突出寬度大於所述第二突出寬度且小於所述第一突出寬度，且所述第三部分接觸所述第一填充材料。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述半導體邊緣部分包括具有第一厚度的第一部分和具有大於所述第一厚度的第二厚度的第二部分，且所述第一部分接觸所述第二填充材料，而所述第二部分接觸所述第一填充材料和所述第二填充材料。
如請求項5所述的半導體結構，其中所述半導體邊緣部分還包括具有第三厚度的第三部分，所述第三厚度小於所述第二厚度且大於所述第一厚度，且所述第三部分接觸所述第一填充材料。
一種半導體結構，包括：<br/> 底部半導體結構；<br/> 第一半導體結構，堆疊於所述底部半導體結構上並與所述底部半導體結構接合，其中所述第一半導體結構包括第一半導體基底，以及所述第一半導體基底的第一邊緣部分從所述第一半導體結構的第一凹陷部分突出；<br/> 第二半導體結構，堆疊於所述第一半導體結構上並與所述第一半導體結構接合，其中所述第二半導體結構包括第二半導體基底，以及所述第二半導體基底的第二邊緣部分從所述第二半導體結構的第二凹陷部分突出；<br/> 第一填充材料，包括填充於所述第一邊緣部分與所述底部半導體結構之間的空間並環繞所述第一半導體結構的第一材料，以及覆蓋所述第一材料的第二材料，其中所述第一材料具有高於所述第二材料的間隙填充能力；以及<br/> 第二填充材料，環繞所述第二半導體結構並填充於所述第二邊緣部分與所述第一半導體結構之間，其中所述第二填充材料包繞所述第二邊緣部分並覆蓋所述第二半導體結構，<br/> 其中所述第一填充材料的側壁、所述第二填充材料的側壁和所述底部半導體結構的側壁垂直對齊。
如請求項7所述的半導體結構，其中所述第一半導體結構包括具有第一密封環的第一互連結構位於所述第一半導體基底上，且從上視角度來看，所述第一凹陷部分的輪廓位於所述第一密封環的跨度之外。
如請求項7所述的半導體結構，其中所述第二半導體結構包括具有第二密封環的第二互連結構位於所述第二半導體基底上，且從上視角度來看，所述第二凹陷部分的輪廓位於所述第二密封環的跨度之外。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 提供具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的第一半導體結構；<br/> 對所述第一半導體結構執行修剪製程，並從所述第一表面部分移除所述第一半導體結構的一部分，以形成具有本體部分和從所述本體部分突出的邊緣部分的經修剪的第一半導體結構，其中所述邊緣部分更靠近所述第二表面；<br/> 提供第二半導體結構；<br/> 將所述經修剪的第一半導體結構與所述第二半導體結構接合，以形成接合結構，其中所述經修剪的第一半導體結構的所述第一表面接觸所述第二半導體結構，且所述接合結構的所述邊緣部分與所述第二半導體結構之間存在有間隙空間；<br/> 通過在所述接合結構之上形成填充材料以覆蓋所述經修剪的第一半導體結構、填充所述間隙空間並包繞所述邊緣部分來執行包覆製程，進而形成包覆結構，<br/> 其中所述填充材料包括填充所述間隙空間並環繞所述第一半導體結構的第一填充材料，以及覆蓋所述第一填充材料的第二填充材料，其中所述第一填充材料具有高於所述第二填充材料的間隙填充能力；以及<br/> 對所述包覆結構執行單體化製程，切穿所述填充材料和所述第二半導體結構以形成半導體堆疊，其中所述填充材料的側壁與所述單體化的第二半導體結構的側壁對齊。
一種基板支撐組件，該基板支撐組件包含：<br/> 一靜電吸盤主體，該靜電吸盤主體限定一基板支撐表面，該基板支撐表面限定一基板座；<br/> 一支撐桿，該支撐桿與該靜電吸盤主體耦接；<br/> 一第一雙極電極，該第一雙極電極嵌入該靜電吸盤主體內；<br/> 一第二雙極電極，該第二雙極電極嵌入該靜電吸盤主體內，位於該第一雙極電極的至少一部分的徑向內側並與該第一雙極電極同軸， <br/> 一環形電極，該環形電極圍繞該第一雙極電極設置，其中該環形電極採用直流浮接和射頻供電，並顯示一感應直流電流；以及<br/> 一網格，該網格設置在該靜電吸盤主體內，該網格將該環形電極與一射頻電源供應器耦接，其中一個或多個引線將該網格與該環形電極耦接。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該網格與該環形電極之間的一距離約為0.6毫米至約8毫米。
如請求項2所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該網格與該環形電極之間的該距離約為1毫米至約4.5毫米。
如請求項3所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該環形電極顯示出小於0V至約-600V的一負浮接直流電壓。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該第一雙極電極大致呈環形；以及<br/> 該第二雙極電極大致呈圓形。
如請求項5所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該第一雙極電極具有一第一表面積，該第二雙極電極具有一第二表面積，其中該第一表面積和該第二表面積相差小於或約10%。
如請求項6所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該第二雙極電極具有一徑向寬度，該第一雙極電極具有沿該基板支撐表面一半徑方向的一寬度，其中該第二雙極電極的該徑向寬度大於該第一雙極電極的一寬度。
如請求項1所述的基板支撐組件，該基板支撐組件進一步包括：<br/> 一橋接網格，該橋接網格設置在該靜電吸盤主體內，該橋接網格將該第一雙極電極與一直流電源供應器耦接，其中一個或多個引線將該橋接網格與該第一雙極電極耦接。
如請求項8所述的基板支撐組件，其中：<br/> 該橋接網格與該環形電極的該網格間隔至少約0.6毫米至約8毫米。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該第一雙極電極和該第二雙極電極中的每一個都與至少一個射頻電源供應器耦接； <br/> 該第一雙極電極和該第二雙極電極中的每一個都與至少一個直流電源供應器耦接；以及 <br/> 該第二雙極電極全部設置於該第一雙極電極的徑向內側。
一種基板支撐組件，該基板支撐組件包含：<br/> 一靜電吸盤主體，該靜電吸盤主體限定一基板支撐表面，該基板支撐表面限定一基板座；<br/> 一支撐桿，該支撐桿與該靜電吸盤主體耦接；<br/> 一第一雙極電極，該第一雙極電極嵌入該靜電吸盤主體內；<br/> 一第二雙極電極，該第二雙極電極嵌入該靜電吸盤主體內，該第二雙極電極位於該第一雙極電極的至少一部分的徑向內側並與該第一雙極電極同軸， <br/> 一環形電極，該環形電極圍繞該第一雙極電極設置，其中該環形電極為直流浮接和射頻供電；以及<br/> 一網格，該網格設置在該靜電吸盤主體內，該網格將該環形電極與一射頻電源供應器耦接，其中該網格與該環形電極之間的一距離約為0.6毫米至約8毫米。
如請求項11所述之基板支撐組件，其中：<br/> 其中該網格與該環形電極之間的一距離為約0.75毫米至約1.5毫米，該環形電極表現出約100伏至約-100伏的一浮接直流電壓。
如請求項11所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該網格與該環形電極之間的一距離約為1.5毫米至約6毫米，該環形電極表現出約-50伏至約-600伏的一浮接直流電壓。
如請求項13所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該網格與該環形電極之間的該距離約為1.5毫米至約4.5毫米。
如請求項11所述之基板支撐組件，該基板支撐組件進一步包括：<br/> 一橋接網格，該橋接網格設置在該靜電吸盤主體內，該橋接網格將該第一雙極電極與一直流電源供應器耦接，其中一個或多個引線將該橋接網格與該第一雙極電極耦接。
如請求項15所述之基板支撐組件，其中：<br/> 該橋接網格與該環形電極的該網格間隔至少約0.6毫米至約8毫米。
一種基板支撐組件，該基板支撐組件包含：<br/> 一靜電吸盤主體，該靜電吸盤主體限定一基板支撐表面，該基板支撐表面限定一基板座；<br/> 一支撐桿，該支撐桿與該靜電吸盤主體耦接；<br/> 一第一雙極電極，該第一雙極電極嵌入該靜電吸盤主體內，其中該第一雙極電極與至少一個直流電源供應器耦接，並由一直流負電流供電；<br/> 一第二雙極電極，該第二雙極電極嵌入該靜電吸盤主體內，其中該第二雙極電極的整個部分位於該第一雙極電極的至少一部分的徑向內側，並且該第二雙極電極與該第一雙極電極同軸， <br/> 一環形電極，該環形電極圍繞該第一雙極電極設置，其中該環形電極採用直流浮接和射頻供電，並顯示一感應直流電流；以及<br/> 一網格，該網格設置在該靜電吸盤主體內，該網格將該環形電極與一射頻電源供應器耦接。
如請求項17所述之基板支撐組件，其中該網格與該環形電極之間的一距離約為0.6毫米至約8毫米。
如請求項18所述之基板支撐組件，該基板支撐組件進一步包括：<br/> 一橋接網格，該橋接網格設置在該靜電吸盤主體內，該橋接網格將該第一雙極電極與一直流電源供應器耦接，其中該網格設置在該橋接網格的垂直上方或下方。
一種農藥組合物，含有活性物質a和活性物質b，其中，<br/> 所述活性物質a為春雷黴素有機酸鹽，所述春雷黴素有機酸鹽選自春雷黴素醋酸鹽、春雷黴素乳酸鹽、春雷黴素丙酸鹽、春雷黴素蘋果酸鹽、春雷黴素丁酸鹽、春雷黴素酒石酸鹽、春雷黴素丙二酸鹽、春雷黴素丁二酸鹽、春雷黴素馬來酸鹽和春雷黴素檸檬酸鹽中的一種或多種；<br/> 所述活性物質b為烷基多胺有機酸鹽和/或烷基胍有機酸鹽類殺菌劑，所述烷基多胺有機酸鹽和/或烷基胍有機酸鹽類殺菌劑選自多果定、辛菌胺醋酸鹽和雙胍辛胺乙酸鹽中一種或多種；<br/> 所述活性物質a與所述活性物質b的質量比為0.1:10-10:0.1。
如請求項1所述之農藥組合物，其中，所述活性物質a選自春雷黴素醋酸鹽、春雷黴素乳酸鹽、春雷黴素檸檬酸鹽、春雷黴素蘋果酸鹽、春雷黴素酒石酸鹽和春雷黴素丙酸鹽中的一種或多種。
如請求項2所述之農藥組合物，其中，所述活性物質b為辛菌胺醋酸鹽和雙胍辛胺乙酸鹽中的一種或兩種。
如請求項1-3中任一項所述之農藥組合物，其中，所述活性物質a與所述活性物質b的質量比為0.1:1-2.5:1。
如請求項1-3中任一項所述之農藥組合物，其中，所述組合物為農藥製劑，其含有農藥上可接受的助劑。
如請求項5所述之農藥組合物，其中，所述農藥製劑的劑型為可溶性製劑。
如請求項5所述之農藥組合物，其中，以農藥製劑總質量計，所述活性物質a和所述活性物質b的總含量為0.01-65%。
如請求項6所述之農藥組合物，其中，以農藥製劑總質量計，所述活性物質a和所述活性物質b的總含量為0.01-65%。
一種如請求項1-8中任一項所述之農藥組合物在植物病害防治中的應用。
一種如請求項1-8中任一項所述之農藥組合物在製備植物病害防治製劑中的應用。
一種春雷黴素有機酸鹽在製備農藥混劑中的應用，其中，所述春雷黴素有機酸鹽選自春雷黴素醋酸鹽、春雷黴素乳酸鹽、春雷黴素丙酸鹽、春雷黴素蘋果酸鹽、春雷黴素丁酸鹽、春雷黴素酒石酸鹽、春雷黴素丙二酸鹽、春雷黴素丁二酸鹽、春雷黴素馬來酸鹽和春雷黴素檸檬酸鹽中的一種或多種。
一種春雷黴素有機酸鹽作為農藥混劑活性成分在植物病害防治中的應用，其中，所述春雷黴素有機酸鹽選自春雷黴素醋酸鹽、春雷黴素乳酸鹽、春雷黴素丙酸鹽、春雷黴素蘋果酸鹽、春雷黴素丁酸鹽、春雷黴素酒石酸鹽、春雷黴素丙二酸鹽、春雷黴素丁二酸鹽、春雷黴素馬來酸鹽和春雷黴素檸檬酸鹽中的一種或多種。
一種矽光子積體電路，包括： <br/>偏振分光光柵耦合器，被設置為接收光學訊號，並將所述光學訊號分離成兩個偏振分量； <br/>相位控制器，耦合到所述偏振分光光柵耦合器，所述相位控制器被設置為調諧分離的光學訊號，使得所述兩個偏振分量同相； <br/>第一光電二極體以及第二光電二極體，耦合到所述相位控制器，其中所述第一光電二極體接收所述兩個偏振分量的第一分量，所述第二光電二極體接收所述兩個偏振分量的第二分量，且所述第一光電二極體以及所述第二光電二極體分別地將所述第一分量以及所述第二分量轉換為第一電子訊號以及第二電子訊號；以及 <br/>振幅控制器，耦合到所述第一光電二極體以及所述第二光電二極體，所述振幅控制器被設置為將所述第一電子訊號以及所述第二電子訊號相加，以輸出組合電子訊號。
如請求項1所述的矽光子積體電路，更包括回授電路，所述回授電路包括： <br/>脈衝產生器，以提供所述光學訊號的參考時鐘； <br/>時鐘資料恢復電路，以恢復所述組合電子訊號的時鐘；以及 <br/>比較器，耦合到所述相位控制器，所述比較器被設置為比較所述組合電子訊號的時鐘以及所述參考時鐘，其中所述比較器根據所述比較，傳輸控制訊號至所述相位控制器，以控制所述分離的光學訊號的調諧。
如請求項1所述的矽光子積體電路，其中所述兩個偏振分量包括橫向電性分量和橫向磁性分量，且所述橫向磁性分量在所述相位控制器調諧所述分離的光學訊號之前，被轉換為第二橫向電性分量。
如請求項1所述的矽光子積體電路，其中所述第一電子訊號以及所述第二電子訊號是第一電流以及第二電流，且所述振幅控制器包括： <br/>電流加法器，將所述第一電流以及所述第二電流相加，以輸出組合電流；以及 <br/>跨阻放大器，以將所述組合電流轉換為組合電壓。
如請求項1所述的矽光子積體電路，其中所述第一電子訊號以及所述第二電子訊號是第一電流以及第二電流，且所述振幅控制器包括： <br/>第一跨阻放大器以及第二跨阻放大器，以將所述第一電流以及所述第二電流轉換為第一電壓以及第二電壓；以及 <br/>電壓加法器，將所述第一電壓以及所述第二電壓相加，以輸出組合電壓。
如請求項1所述的矽光子積體電路，更包括： <br/>第一微型環形諧振器，耦合於所述偏振分光光柵耦合器以及所述相位控制器之間，其中所述第一微型環形諧振器接收所述兩個偏振分量的所述第一分量，以將所述第一分量調諧至第一操作波長；以及 <br/>第二微型環形諧振器，耦合於所述偏振分光光柵耦合器以及所述相位控制器之間，其中所述第二微型環形諧振器接收所述兩個偏振分量的所述第二分量，以將所述第二分量調諧至所述第一操作波長， <br/>其中所述第一光電二極體接收處於所述第一操作波長的所述兩個偏振分量的所述第一分量，且所述第二光電二極體接收處於所述第一操作波長的所述兩個偏振分量的所述第二分量。
如請求項6所述的矽光子積體電路，其中所述相位控制器是第一相位控制器，更包括： <br/>第二相位控制器，耦合到所述偏振分光光柵耦合器，所述第二相位控制器同樣被設置為調諧所述分離的光學訊號，使得所述兩個偏振分量同相； <br/>第三微型環形諧振器，耦合於所述偏振分光光柵耦合器以及所述第二相位控制器之間，其中所述第三微型環形諧振器接收所述兩個偏振分量的所述第一分量，以將所述兩個偏振分量的所述第一分量調諧至第二操作波長；以及 <br/>第四微型環形諧振器，耦合於所述偏振分光光柵耦合器與所述第二相位控制器之間，其中所述第四微型環形諧振器接收所述兩個偏振分量的所述第二分量，以將所述兩個偏振分量的所述第二分量調諧至所述第二操作波長，其中所述第一操作波長和所述第二操作波長不同。
如請求項1所述的矽光子積體電路，其中所述第一光電二極體是單埠光電二極體，且所述第一光電二極體包括： <br/>第一摻雜矽波導，用於接收所述兩個偏振分量的所述第一分量；以及 <br/>第一鍺層，位於所述第一摻雜矽波導上方，其中當所述第一鍺層被偏壓時，所述第一鍺層將所述兩個偏振分量的所述第一分量轉換為所述第一電子訊號。
一種矽光子積體電路，包括： <br/>光學元件，具有： <br/>分束器，被設置為將光學訊號分離為第一分量以及第二分量； <br/>相位移位器模組，被設置為調諧所述光學訊號的第一分量以及所述第二分量之間的相位不匹配，從而形成相位匹配的光學訊號；以及 <br/>光電二極體模組，被設置為將所述相位匹配的光學訊號轉換為電子訊號；以及 <br/>電子元件，具有： <br/>時鐘資料恢復模組，被設置為恢復所述電子訊號的測量時鐘；以及 <br/>比較器，耦合到所述時鐘資料恢復模組，所述比較器比較恢復的測量時鐘以及參考時鐘，以產生反饋至所述相位移位器模組的控制訊號。
一種矽光子積體電路，包括： <br/>偏振分光光柵耦合器，被設置為接收光學訊號，並將所述光學訊號分離為第一偏振分量和第二偏振分量； <br/>相位控制器，耦合到所述偏振分光光柵耦合器，所述相位控制器被設置為調諧分離的光學訊號，使得所述第一偏振分量和第二偏振分量相位一致； <br/>雙埠光電二極體，耦合到所述相位控制器，其中所述雙埠光電二極體接收所述第一偏振分量以及所述第二偏振分量，且所述雙埠光電二極體將所述第一偏振分量和第二偏振分量轉換為組合電子訊號；以及 <br/>振幅控制器，耦合到所述雙埠光電二極體，所述振幅控制器被設置為調諧所述組合電子訊號的振幅。
一種半導體製程設備，包括一反應腔室和一加熱組件； <br/>該反應腔室包括一腔室本體和一基座，該基座設於該腔室本體內，該腔室本體包括分別位於該基座上方和下方的兩個透明石英部； <br/>至少一個該透明石英部的背離該基座的一側設置有該加熱組件； <br/>該加熱組件包括一第一紅外加熱件和一第二紅外加熱件； <br/>該第一紅外加熱件用於發射一第一波長範圍的一第一紅外光，以使該第一紅外光穿過該透明石英部到達該基座； <br/>該第二紅外加熱件用於發射一第二波長範圍的一第二紅外光，以使該第二紅外光到達該透明石英部； <br/>其中，該透明石英部對該第一紅外光的透過率大於90%，對該第二紅外光的透過率小於5%。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中該第一波長範圍為1μm-3μm，該第二波長範圍為5μm-20μm。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中該透明石英部包括多個目標區域，該半導體製程設備還包括一檢測裝置和一第一驅動機構，該第一驅動機構與該第二紅外加熱件連接； <br/>該檢測裝置用於檢測該多個目標區域的塗層厚度； <br/>該第一驅動機構用於驅動該第二紅外加熱件運動，以使該第二紅外加熱件發射的該第二紅外光投射至該多個目標區域中的任一該目標區域。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中該腔室本體包括一上石英罩、一下石英罩、一環狀基部和一固定法蘭，該上石英罩的邊緣和該下石英罩的邊緣通過該固定法蘭分別連接於該環狀基部的相背的兩側，以使該上石英罩、該下石英罩和該環狀基部圍成該腔室本體的內腔，該基座設於該內腔，該上石英罩和該下石英罩均包括該透明石英部，該第二紅外加熱件設於該固定法蘭。
如請求項4所述的半導體製程設備，其中該第二紅外加熱件包括多個第一發光體，該多個第一發光體環繞該透明石英部設置。
如請求項5所述的半導體製程設備，其中該透明石英部的中心相對於該透明石英部的邊緣向背離該基座的方向凸起； <br/>該半導體製程設備還包括與該多個第一發光體一一對應設置的多個第一驅動機構，該第一驅動機構與對應的該第一發光體連接，用於驅動該第一發光體轉動，以使該第一發光體發射的該第二紅外光在該透明石英部的邊緣至該透明石英部的中心的方向上，可投射至該透明石英部的任意位置。
如請求項6所述的半導體製程設備，其中該第一驅動機構包括一第一驅動本體和與該第一驅動本體連接的一凸輪，該第二紅外加熱件還包括一燈罩，該第一發光體設於該燈罩內，該燈罩與該凸輪連接，該第一驅動本體用於驅動該凸輪轉動，以使該燈罩帶動該第一發光體轉動。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中該半導體製程設備還包括一過濾器，該過濾器設於該第二紅外加熱件的出光側，用於過濾該第二紅外光中波長小於5μm的光。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中該加熱組件還包括一第三紅外加熱件和一第二驅動機構，該第二驅動機構與該第三紅外加熱件連接，用於驅動該第三紅外加熱件運動，以使該第三紅外加熱件發射的第三紅外光投射至該透明石英部的任意位置，其中，該第三紅外加熱件為激光加熱燈，該第三紅外光的波長在該第二波長範圍內，該透明石英部對該第三紅外光的透過率小於5%。
如請求項1所述的半導體製程設備，其中該加熱組件還包括一第四紅外加熱件和一第二驅動機構，該第二驅動機構與該第四紅外加熱件連接，用於驅動該第四紅外加熱件運動，以使該第四紅外加熱件發射的第四紅外光穿過該透明石英部投射至該基座的任意位置，其中，該第四紅外加熱件為激光加熱燈，該第四紅外光的波長在該第一波長範圍內，該透明石英部對該第四紅外光的透過率大於90%。
如請求項9或10所述的半導體製程設備，其中該第二驅動機構包括一驅動底座和一球形轉動部，該球形轉動部活動地設於該驅動底座，且可相對該驅動底座在任意方向旋轉，該第三紅外加熱件或該第四紅外加熱件設於該球形轉動部。
一種半導體製程設備的控制方法，其中該半導體製程設備為請求項1至11任一項所述的半導體製程設備，該半導體製程設備還包括一檢測裝置和一第一驅動機構，該第一驅動機構與該第二紅外加熱件連接； <br/>該控制方法包括： <br/>控制該第一紅外加熱件發射一第一波長範圍的一第一紅外光，以使該第一紅外光穿過該透明石英部到達該基座； <br/>控制該檢測裝置檢測該多個目標區域的塗層厚度； <br/>根據該塗層厚度確定該多個目標區域中需要加熱的該目標區域； <br/>控制該第一驅動機構驅動該第二紅外加熱件運動，以使第二紅外加熱件發射的該第二紅外光投射至需要加熱的該目標區域。
如請求項12所述的半導體製程設備的控制方法，其中該加熱組件還包括一第三紅外加熱件和一第二驅動機構，該第二驅動機構與該第三紅外加熱件連接，該檢測裝置與該第二驅動機構連接； <br/>該控制方法還包括： <br/>控制該第二驅動機構驅動該檢測裝置運動，以使該檢測裝置監視該透明石英部不同位置處的塗層厚度； <br/>根據該透明石英部不同位置處的塗層厚度，控制該第三紅外加熱件向該透明石英部的特定位置發射第三紅外光，以對該透明石英部的特定位置加熱； <br/>其中，該第三紅外加熱件為激光加熱燈，該第三紅外光的波長在該第二波長範圍內，該透明石英部對該第三紅外光的透過率小於5%。
如請求項12所述的半導體製程設備的控制方法，其中該加熱組件還包括一第四紅外加熱件和一第二驅動機構，該第二驅動機構與該第四紅外加熱件連接，該檢測裝置與該第二驅動機構連接； <br/>該控制方法還包括： <br/>控制該第二驅動機構驅動該檢測裝置運動，以使該檢測裝置監視該基座不同位置處的塗層厚度； <br/>根據該基座不同位置處的塗層厚度，控制該第四紅外加熱件向該基座發射第四紅外光，以使該第四紅外光穿過該透明石英部到達該基座的特定位置，以對該基座的特定位置加熱； <br/>其中，該第四紅外加熱件為激光加熱燈，該第四紅外光的波長在該第一波長範圍內，該透明石英部對該第四紅外光的透過率大於90%。
一種機械手，裝設於搬送裝置並保持被搬送物，所述機械手包括： <br/>機械手主體； <br/>第一通氣路，與真空源連接； <br/>第二通氣路，與所述真空源連接； <br/>第一墊，與所述第一通氣路連通並吸附所述被搬送物；以及 <br/>第二墊，與所述第二通氣路連通並吸引所述被搬送物， <br/>所述第一墊及所述第二墊於所述機械手主體設置有多個， <br/>所述第一墊的吸引量比所述第二墊小， <br/>所述第一墊為中空形狀，具有內部的空氣被吸引的第一吸引空間、以及連通所述第一吸引空間與所述第一通氣路的第一貫通孔， <br/>所述第二墊為中空形狀，具有內部的空氣被吸引的第二吸引空間、以及連通所述第二吸引空間與所述第二通氣路的第二貫通孔，且 <br/>所述第一貫通孔的面積比所述第二貫通孔的面積小。
如請求項1所述的機械手，其中 <br/>所述機械手主體更包括供所述第一墊設置的多個第一設置部、以及供所述第二墊設置的多個第二設置部， <br/>所述第一墊具有與所述第一設置部卡合的第一卡合部、以及自所述第一卡合部延伸存在的第一延伸存在部， <br/>所述第二墊具有與所述第二設置部卡合的第二卡合部、以及自所述第二卡合部延伸存在的第二延伸存在部。
如請求項2所述的機械手，其中 <br/>所述第二延伸存在部構成為所述第二延伸存在部的端部能夠於較所述第一延伸存在部的端部更遠離所述機械手主體的上表面的第一位置、與較所述第一延伸存在部的端部更接近所述機械手主體的上表面的第二位置之間進行位移。
如請求項1所述的機械手，還包括： <br/>節流構件，插入至所述第一貫通孔，且 <br/>所述節流構件具有面積比所述第一貫通孔的面積小的貫通孔。
如請求項1所述的機械手，其中 <br/>所述機械手主體具有： <br/>基部，設置有將所述第一通氣路與所述真空源連接的第一連接孔、以及將所述第二通氣路與所述真空源連接的第二連接孔；以及 <br/>機械手部，包括自所述基部分為兩股而延伸存在的第一指部與第二指部， <br/>所述第一墊與所述第二墊分別設置於所述第一指部與所述第二指部。
如請求項1所述的機械手，其中 <br/>所述機械手主體具有：內側，靠近位於沿著所述機械手主體的延伸方向延伸的中心線的基準點；以及外側，遠離所述基準點， <br/>所述第二墊於所述機械手主體設置於較所述第一墊更靠所述內側處。
如請求項6所述的機械手，其中 <br/>所述第一通氣路與所述第二通氣路以相互不連通的方式形成於所述機械手主體的不同位置，且 <br/>所述第一通氣路形成於較所述第二通氣路更靠所述外側處。
一種搬送裝置，包括： <br/>如請求項1至7中任一項所述的機械手； <br/>搬送機器人，使所述機械手自如地移動； <br/>切換部，對所述第一通氣路及所述第二通氣路各自的連通狀態進行切換；以及 <br/>控制部，對所述切換部進行控制， <br/>所述切換部在施加有所述真空源對空氣的吸引力的吸引狀態與未施加所述真空源對空氣的吸引力的遮斷狀態之間切換連通狀態。
如請求項8所述的搬送裝置，其中 <br/>所述切換部包括對所述第一通氣路的連通狀態進行切換的第一切換部、以及對所述第二通氣路的連通狀態進行切換的第二切換部， <br/>所述控制部在開始所述被搬送物的搬送之前，對所述第二切換部進行控制，使所述第二通氣路向遮斷狀態轉移。
如請求項8所述的搬送裝置，更包括測定所述第一通氣路的壓力值的壓力測定部， <br/>所述控制部在由所述壓力測定部測定的所述第一通氣路的壓力值為規定值以下時，對所述第二切換部進行控制，使所述第二通氣路向吸引狀態轉移。
一種影像處理方法，用於一視訊處理器，包括：<br/> 在一第一時點接收到一第一輸入幀；<br/> 在一第二時點接收到一第二輸入幀；以及<br/> 產生一插補幀；<br/> 其中，當一第三時點未接收到任何輸入幀，該插補幀是根據該第一輸入幀及該第二輸入幀，利用外插來產生；<br/> 其中，當該第三時點接收到一第三輸入幀，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用內插來產生。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，該第一時點與該第二時點之間具有一第一時間差，且該第二時點與該第三時點之間具有一第二時間差，且當該第三時點接收到該第三輸入幀且該第一時間差實質上小於該第二時間差，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用外插來產生。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀且一第二時間差實質上等於該第三輸入幀的一預定輸入幀率的倒數，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用內插來產生。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀且一第二時間差實質上大於一預定輸入幀率的倒數，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用外插來產生。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，<br/> 根據一相位小於1，利用內插來產生該插補幀；或<br/> 根據該相位大於1，利用外插來產生該插補幀。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，當該第三時點未接收到任何輸入幀，對應該第三時點的相位是該第三時點的前一時點對應的相位加上一相位步階，該相位步階等於一輸入幀率除以一輸出幀率。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀，對應該第三時點的相位是該第三時點的前一時點對應的相位減去一相位步階，該相位步階等於一輸入幀率除以一輸出幀率。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀，對應該第三時點的相位根據該第三輸入幀的一時間戳而調整。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，該輸入幀的一時間戳由一應用處理器或一應用程式產生。
如請求項1所述的影像處理方法，其中，該輸入幀的一時間戳相關於一圖形處理器針對該輸入幀開始使用一幀緩衝器的一出列時點或該圖形處理器針對該輸入幀結束使用該幀緩衝器的該出列時點，且該出列時點與一佇列時點之間的時間差實質上等於該圖形處理器針對該輸入幀進行圖形相關處理的時間長。
一種視訊處理器，包括：<br/> 一輸入端；以及<br/> 一輸出端，其中，該視訊處理器用來：<br/> 在一第一時點接收到一第一輸入幀；<br/> 在一第二時點接收到一第二輸入幀；以及<br/> 產生一插補幀；<br/> 其中，當一第三時點未接收到任何輸入幀，該插補幀是根據該第一輸入幀及該第二輸入幀，利用外插來產生；<br/> 其中，當該第三時點接收到一第三輸入幀，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用內插來產生。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，該第一時點與該第二時點之間具有一第一時間差，且該第二時點與該第三時點之間具有一第二時間差，且當該第三時點接收到該第三輸入幀且該第一時間差實質上小於該第二時間差，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用外插來產生。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀且一第二時間差實質上等於該第三輸入幀的一預定輸入幀率的倒數，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用內插來產生。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀且一第二時間差實質上大於一預定輸入幀率的倒數，該插補幀是根據該第二輸入幀及該第三輸入幀，利用外插來產生。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，<br/> 根據一相位小於1，利用內插來產生該插補幀；或<br/> 根據該相位大於1，利用外插來產生該插補幀。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，當該第三時點未接收到任何輸入幀，對應該第三時點的相位是該第三時點的前一時點對應的相位加上一相位步階，該相位步階等於一輸入幀率除以一輸出幀率。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀，對應該第三時點的相位是該第三時點的前一時點對應的相位減去一相位步階，該相位步階等於一輸入幀率除以一輸出幀率。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，當該第三時點接收到該第三輸入幀，對應該第三時點的相位根據該第三輸入幀的一時間戳而調整。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，該輸入幀的一時間戳由一應用處理器或一應用程式產生。
如請求項11所述的視訊處理器，其中，該輸入幀的一時間戳相關於一圖形處理器針對該輸入幀開始使用一幀緩衝器的一出列時點或該圖形處理器針對該輸入幀結束使用該幀緩衝器的該出列時點，且該出列時點與一佇列時點之間的時間差實質上等於該圖形處理器針對該輸入幀進行圖形相關處理的時間長。
一種安全帶扣座，包括：<br/> 一本體；<br/> 一連結件，設於該本體供可釋放地連結一扣件，包含有依序相連接之一勾部、一身部及一操作部，該身部可相對擺動地設於該本體，該勾部供勾設該扣件，該操作部供外界操作移動；<br/> 一繞帶柱，定位於該本體供一帶體繞接；及<br/> 一鎖定件，可活動於一鎖定位置與一釋放位置地設於該本體；<br/> 其中，當該鎖定件位於該鎖定位置時，該鎖定件與該繞帶柱共同夾掣住該帶體，當該鎖定件位於該釋放位置時，該鎖定件與該繞帶柱未夾掣住該帶體；<br/> 其中，該本體另包含有一板部及二側部，該二側部凸伸於該板部之相對二側，該繞帶柱之二端與一軸體之二端分別定位於該二側部，該鎖定件可相對轉動地套設該軸體，該板部貫設有一穿帶孔，該穿帶孔供該帶體穿設過以繞接該繞帶柱後穿出，該繞帶柱之軸心線與該軸體之軸心線的連線會與該板部夾設有一夾角，該夾角介於60度至20度之間，該軸體之軸心線位於該穿帶孔之開口範圍之外。
如請求項1所述的安全帶扣座，其中該本體另包含有一穿設部及一貫口，該貫口貫設於該穿設部；其中，該扣件係穿設過該貫口地被該勾部勾取，進而該穿設部與該扣件於該勾部之勾取方向上相互擋止干涉。
如請求項1所述的安全帶扣座，另包含有一牽引件，該牽引件設於該連結件而成同動關係，該牽引件之部分可選擇性地定位於該本體。
如請求項1所述的安全帶扣座，另包含有一定位基部、至少一第一定位單元及至少一第二定位單元，該定位基部設於該本體，該至少一第一定位單元設於該身部，該至少一第二定位單元設於該定位基部；其中，當該連結件擺動至預定位置時，該至少一第一定位單元與該至少一第二定位單元可釋放地相互嵌卡定位。
如請求項1所述的安全帶扣座，其中該繞帶柱之外周壁環設有複數齒部，複數該齒部供抵靠於該帶體之一側，該鎖定件之外周壁之部分設有複數單向棘齒，當該鎖定件位於該鎖定位置時，複數該單向棘齒供壓抵於該帶體之另一側，該帶體僅能沿特定方向移動。
如請求項1所述的安全帶扣座，另包含有一彈簧，該彈簧套接於該軸體，該鎖定件可相對轉動地套設該彈簧，該彈簧係介於該鎖定件與該軸體之間；其中，該彈簧之二端分別連接該軸體與該鎖定件令該鎖定件常態地具有朝向該鎖定位置移動之趨勢。
如請求項6所述的安全帶扣座，另包含有至少一套件，該至少一套件套接於該軸體，該至少一套件係介於該鎖定件與該軸體之間；其中，於該軸體之徑向上，該至少一套件之尺寸不小於該彈簧之外徑。
如請求項7所述的安全帶扣座，其中該彈簧係為不等間距彈簧，該彈簧可劃分為一第一區段及一第二區段，該第一區段之線圈間距係大於該第二區段之線圈間距，該第一區段連接該軸體，該第二區段連接該鎖定件；其中，該第一區段係介於該至少一套件與該第二區段之間。
如請求項3所述的安全帶扣座，另包含有一定位基部、至少一第一定位單元及至少一第二定位單元，該定位基部設於該本體，該至少一第一定位單元設該身部，該至少一第二定位單元設於該定位基部；其中，當該連結件擺動至預定位置時，該至少一第一定位單元與該至少一第二定位單元可釋放地相互嵌卡定位；該本體另包含有一穿設部及一貫口，該貫口貫設於該穿設部；其中，該扣件係穿設過該貫口地被該勾部勾取，進而該穿設部與該扣件於該勾部之勾取方向上相互擋止干涉；該繞帶柱之外周壁環設有複數齒部，複數該齒部供抵靠於該帶體之一側，該鎖定件之外周壁之部分設有複數單向棘齒，當該鎖定件位於該鎖定位置時，複數該單向棘齒供壓抵於該帶體之另一側，該帶體僅能沿特定方向移動；該安全帶扣座另包含有一彈簧及至少一套件，該彈簧套接於該軸體，該鎖定件可相對轉動地套設該彈簧，該彈簧係介於該鎖定件與該軸體之間；其中，該彈簧之二端分別連接該軸體與該鎖定件令該鎖定件常態地具有朝向該鎖定位置移動之趨勢，該至少一套件套接於該軸體，該至少一套件係介於該鎖定件與該軸體之間；其中，於該軸體之徑向上，該至少一套件之尺寸不小於該彈簧之外徑；該彈簧係為不等間距彈簧，該彈簧可劃分為一第一區段及一第二區段，該第一區段之線圈間距係大於該第二區段之線圈間距，該第一區段連接該軸體，該第二區段連接該鎖定件；其中，該第一區段係介於該至少一套件與該第二區段之間；該連結件係沿一擺動方向而可釋放該扣件，該鎖定件可沿該擺動方向而移動至該釋放位置；該穿設部彎曲地沿伸於該板部，該繞帶柱較該軸體靠近該板部，該繞帶柱位於該穿帶孔之相對上方，該繞帶柱垂直投影至該板部時，該繞帶柱係完全位於該穿帶孔之區域內；各該齒部之尺寸係小於各該單向棘齒之尺寸；該至少一套件之數量為二，二該套件可轉動地套接於該軸體，各該套件係為金屬材質；該牽引件呈長條狀延伸；該本體於橫向該擺動方向的一側設有一定位部，該牽引件之另端可選擇性地定位於該定位部。
一種硫化奈米零價鐵的製備方法，包含：<br/> 一準備步驟，準備一電解槽，充滿一含鐵電解質溶液，其中該含鐵電解質溶液濃度為15M至90M；<br/> 一電解步驟，在無氧氣氛下，對該電解槽通入一電流以進行一電解反應，其中該電流的電流強度為1至2.5安培，而使該電解槽的一陰極表面鐵離子還原成奈米零價鐵，而回到該含鐵電解質溶液中，其中該含鐵電解質溶液的pH值為0.5至4.5；以及<br/> 一硫化步驟，將含奈米零價鐵的該含鐵電解質溶液在無氧氣氛下，將其表面硫化；<br/> 其中該電解步驟陰極的反應式如反應式(一)所示，而該硫化步驟的反應式如反應式(二)所示，<br/> 反應式(一)：Fe<sup>2+</sup>+2e<sup>-</sup>→Fe或Fe<sup>3+</sup>+3e<sup>-</sup>→Fe<br/> 反應式(二)：Fe+S→FeS。
如請求項1所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該含鐵電解質溶液為硫酸鐵溶液、硫酸亞鐵溶液、氯化亞鐵溶液、或氯化鐵溶液。
如請求項1所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該含鐵電解質溶液的pH值為1至4。
如請求項3所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該含鐵電解質溶液的pH值為1.2至3.2。
如請求項1所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該含鐵電解質溶液濃度為20M至80M。
如請求項5所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該含鐵電解質溶液濃度為40M至75M。
如請求項1所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該陰極為惰性電極。
如請求項7所述之硫化奈米零價鐵的製備方法，其中該陰極為石墨、鉑、釕塗層鈦電極或是含銣銥(Ru-Ir)塗層的鉣基電極。
一種具有屏蔽結構的板對板連接器，其包括：<br/> 一第一電路板；<br/> 一第一連接件，設置於該第一電路板；<br/> 一緩衝導電體，設置於該第一電路板上，並圍繞該第一連接件；<br/> 一第二電路板，垂直於該第一電路板，該第二電路板的一側邊具有一第一金屬層；<br/> 一第二連接件，設置於該第二電路板，並沿一對接方向對接於該第一連接件；以及<br/> 一屏蔽罩，設置於該第二電路板上，並包圍該第二連接件；<br/> 其中，當該第二連接件沿該對接方向對接於該第一連接件時，該第二電路板的該側邊抵接於該緩衝導電體，使該第一金屬層電性連接於該緩衝導電體，且該第一金屬層與該屏蔽罩共同包圍該第一連接件及該第二連接件。
如請求項1所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該屏蔽罩與該第一金屬層電性連接，且該屏蔽罩具有一開口。
如請求項2所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該屏蔽罩具有一凸伸部，設置於該開口的邊緣，該凸伸部朝向該開口的外側翻折。
如請求項3所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第一金屬層的寬度大於或等於該凸伸部的寬度。
如請求項3所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該凸伸部切齊於該第二電路板的該側邊。
如請求項3所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該凸伸部沿著該開口的周緣延伸設置，並於該屏蔽罩包圍該第一連接件時抵接於該緩衝導電體的一上表面。
如請求項6所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，當該凸伸部抵接於該緩衝導電體的該上表面時，該凸伸部投影到該上表面的投影面積不超出該上表面。
如請求項1所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第二電路板具有位於相反側的一第一表面與一第二表面，該側邊連接於該第一表面與該第二表面之間，該第一金屬層包括一第一金屬延伸部與一第二金屬延伸部，該第一金屬延伸部延伸至該第一表面，該第二金屬延伸部延伸至該第二表面。
如請求項8所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，當該第二連接件沿該對接方向對接於該第一連接件時，該第二電路板通過該側邊下壓該緩衝導電體，使該緩衝導電體受擠壓變形而延伸至該第一表面及該第二表面，並進一步包覆該第一金屬延伸部及該第二金屬延伸部。
如請求項8所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第一金屬延伸部的寬度與該第二金屬延伸部的寬度各自介於0.5 mm至1 mm。
如請求項10所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第二電路板還包括一第二金屬層，該第二金屬層連接該第一金屬層，且該屏蔽罩焊接於該第二金屬層上。
如請求項11所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第二金屬層圍繞該第二連接件，該第二金屬層具有兩端部，每一該端部的表面與該第一金屬層的表面之間具有一阻焊層。
如請求項11所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第二金屬層圍繞該第二連接件，該第二金屬層具有兩端部，每一該端部的表面與該第一金屬延伸部的表面之間具有一阻焊層。
如請求項13所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該阻焊層的寬度大於0.1 mm。
如請求項1所述的具有屏蔽結構的板對板連接器，其中，該第一電路板的一表面上具有一金屬接地層，該金屬接地層圍繞該第一連接件，且該緩衝導電體設置於該金屬接地層上。
一種基於用戶資訊之車輛速度控制方法，適用於一電動車輛，包括下列步驟：利用一電子裝置接收相應一用戶之一用戶資訊；對於該用戶資訊執行一驗證作業，以取得一驗證結果；依據該驗證結果決定相應該電動車輛之一特定車輛速度，其中，相應該電動車輛騎乘時之一車輛速度被設定不高於該特定車輛速度；當該驗證作業並未完成之前，決定相應該電動車輛之一第一車輛速度，其中，相應該電動車輛騎乘時之該車輛速度被設定不高於該第一車輛速度。
如申請專利範圍第1項所述之基於用戶資訊之車輛速度控制方法，更包括當該驗證作業完成之後，且該驗證結果表示該驗證作業通過時，決定相應該電動車輛之一第二車輛速度，其中，該第二車輛速度高於該第一車輛速度，且相應該電動車輛騎乘時之該車輛速度被設定不高於該第二車輛速度。
一種基於用戶資訊之車輛速度控制方法，適用於一電動車輛，包括下列步驟：利用一電子裝置接收相應一用戶之一用戶資訊；對於該用戶資訊執行一驗證作業，以取得一驗證結果；依據該驗證結果決定相應該電動車輛之一特定車輛速度，其中，相應該電動車輛騎乘時之一車輛速度被設定不高於該特定車輛速度；利用該電子裝置透過一網路將該用戶資訊傳送至一遠端伺服器；該遠端伺服器對於該用戶資訊執行該驗證作業，以取得該驗證結果；該遠端伺服器取得接收到該用戶資訊之一接收時間；以及該遠端伺服器依據該接收時間決定一驗證終端，並將該用戶資訊傳送至該驗證終端，其中該驗證終端於該接收時間係處於一工作時段。
一種基於用戶資訊之車輛速度控制方法，適用於一電動車輛，包括下列步驟：利用一電子裝置接收相應一用戶之一用戶資訊；對於該用戶資訊執行一驗證作業，以取得一驗證結果；依據該驗證結果決定相應該電動車輛之一特定車輛速度，其中，相應該電動車輛騎乘時之一車輛速度被設定不高於該特定車輛速度；利用該電子裝置透過一網路將該用戶資訊傳送至一遠端伺服器；該遠端伺服器對於該用戶資訊執行該驗證作業，以取得該驗證結果；利用該電子裝置透過該網路將相應該電動車輛之一車輛辨識資料傳送至該遠端伺服器；以及該遠端伺服器依據該車輛辨識資料將該驗證結果傳送至該電動車輛。
如申請專利範圍第4項所述之基於用戶資訊之車輛速度控制方法，更包括該遠端伺服器依據該車輛辨識資料決定一驗證標準，且依據該驗證標準及該用戶資訊執行該驗證作業，並取得相應之該驗證結果，其中該用戶資訊包括相應該用戶之一駕駛執照。
如申請專利範圍第5項所述之基於用戶資訊之車輛速度控制方法，更包括下列步驟：該遠端伺服器透過該網路將該驗證標準及該用戶資訊傳送至一人工智慧平台；該人工智慧平台利用一人工智慧技術依據該驗證標準及該用戶資訊執行該驗證作業，並取得相應之該驗證結果；以及該人工智慧平台透過該網路將該驗證結果傳送至該遠端伺服器。
一種感應加熱焊接裝置，包括：<br/> 真空腔，其沿著高度方向具有預定高度；<br/> 第一擱板，其設定為至少一側固定有母材，且在所述真空腔的內部沿著第一軸方向移動，並形成第一移動路徑；<br/> 一對磁鐵部，其互相相隔地佈置且之間備有所述第一移動路徑；<br/> 一對旋轉部，其互相相隔地佈置且之間備有所述第一移動路徑；以及<br/> 多個高度檢測部，沿著所述高度方向互相相隔地佈置，並指向所述第一移動路徑佈置，以檢測所述母材的高度，<br/> 所述一對磁鐵部分別附著在所述一對旋轉部各自的一端，並設定為藉由所述一對旋轉部各自的旋轉而可旋轉結構，用於改變所述真空腔內部形成的電磁場，以使所述母材上產生熱量，<br/> 所述一對旋轉部分別設定為沿著所述高度方向調節高度，<br/> 基於所述多個高度檢測部檢測的所述母材的高度來調節所述一對旋轉部各自的高度、所述一對旋轉部各自的旋轉速度以及所述第一擱板的移動速度。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述第一軸方向是與所述真空腔的所述高度方向平行的方向或者是與所述真空腔的水平方向平行的方向。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述一對旋轉部包括第一旋轉部和第二旋轉部。
如請求項3所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述一對磁鐵部分別附著在所述一對旋轉部各自的一端，所述一對旋轉部各自的另一端附著有用於使各所述一對磁鐵部旋轉的旋轉馬達。
如請求項3所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述第一旋轉部貫穿所述真空腔的一面，所述第二旋轉部貫穿所述真空腔的另一面。
如請求項3所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述一對旋轉部分別沿著所述高度方向延伸形成，且以與所述高度方向平行的第一垂直線為旋轉軸進行旋轉。
如請求項3所述之感應加熱焊接裝置，其中，藉由調節與所述母材間的距離來調節所述母材的溫度。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其進一步包括：<br/> 第二擱板，其在所述第一擱板的下部與所述第一擱板平行地佈置，且沿著所述第一軸方向延伸形成；以及<br/> 第一導軌，其沿著所述第一軸方向延伸形成，且附著在所述第二擱板的上面，<br/> 所述第一導軌藉由與所述第一擱板結合引導所述第一擱板進行移動。
如請求項8所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述真空腔的一側面包括腔門，用於打開或者關閉所述真空腔，所述第二擱板與所述腔門連接，且從所述腔門向所述真空腔的內側延伸形成。
如請求項9所述之感應加熱焊接裝置，其進一步包括：<br/> 滑動部，其沿著所述第一軸方向延伸形成，且附著在所述第二擱板的下面；以及<br/> 滑動引導部，其與所述滑動部的下部結合，用於引導所述滑動部的移動。
如請求項10所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述滑動引導部包括：<br/> 多個引導部件，其與所述滑動部結合，且沿著所述第一軸方向互相以預定間隔相隔地佈置；以及<br/> 支撐部件，其附著在所述真空腔的一面且用於支撐所述多個引導部件的下面。
如請求項8所述之感應加熱焊接裝置，其進一步包括水平調節馬達，其提供動力，以使所述第一擱板沿著所述第一導軌移動。
如請求項12所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述水平調節馬達設定為在進行焊接的過程中用於調節所述第一擱板的位置。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其進一步包括多個溫度檢測部，其用於檢測所述母材的溫度，所述第一擱板的移動速度基於所述多個溫度檢測部所檢測的母材溫度來進行調節。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其進一步包括多個溫度檢測部，其用於檢測所述母材的溫度，所述一對磁鐵部各自的旋轉速度基於所述多個溫度檢測部所檢測的母材溫度來進行調節。
如請求項7所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述一對旋轉部分別進一步包括高度調節部，其佈置於所述一對旋轉部各自的一側，以調節高度。
如請求項16所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述高度調節部的一側包括沿著所述高度方向延伸形成的高度調節導軌，所述高度調節導軌用於引導所述一對旋轉部中各旋轉部的移動。
如請求項17所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述高度調節部的一側進一步包括高度調節馬達。
如請求項18所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述高度調節馬達基於所述多個高度檢測部所檢測的母材高度來調節所述一對旋轉部中各旋轉部的高度。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其進一步包括多個溫度檢測部，其用於檢測所述母材的溫度，所述一對磁鐵部各自的高度基於所述多個溫度檢測部所檢測的母材溫度來進行調節。
如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，其中，所述一對磁鐵部包括具有預定排列的多個N極磁鐵和多個S極磁鐵。
一種感應加熱焊接裝置的控制方法，所述感應加熱焊接裝置為如請求項1所述之感應加熱焊接裝置，所述感應加熱焊接裝置的控制方法包括以下步驟：<br/> 藉由排出所述真空腔的內部空氣使所述真空腔的內部形成真空；<br/> 檢測固定於所述第一擱板上的母材的高度；<br/> 基於檢測的母材高度，調節一對旋轉部各自的高度；<br/> 使所述一對旋轉部分別進行旋轉；<br/> 沿著所述第一移動路徑移動所述第一擱板並進行焊接；以及<br/> 向所述真空腔的內部提供空氣，以冷卻所述母材上產生的熱量。
如請求項22所述之感應加熱焊接裝置的控制方法，其中，所述進行焊接的步驟包括：<br/> 基於所述焊接的母材的溫度變化，實時地調節所述一對旋轉部各自的高度、所述一對旋轉部各自的旋轉速度及所述第一擱板的移動速度。
一種網路接口連接器線包結構，包括：一變壓器（T1），該變壓器（T1）上設有一第一鐵芯（11）；該第一鐵芯（11）上纏繞一四絞線（31），該四絞線（31）包括：一第一根單線（21）、一第二根單線（22）、一第三根單線（23）、一第四根單線（24）；<br/> 該第一根單線（21）和該第二根單線（22）形成該變壓器（T1）的初級線圈；該第一根單線（21）的末端線頭（r’）和該第二根單線（22）的始端線頭（G）絞合，形成該變壓器（T1）初級線圈的第一抽頭（27）；<br/> 該第三根單線（23）和該第四根單線（24）形成該變壓器（T1）的次級線圈；額外增加一第五根單線（25），該第五根單線（25）的始端線頭（R1）與該第三根單線（23）的始端線頭（N）、該第四根單線（24）的末端線頭（b’）三線絞合，形成該變壓器（T1）次級線圈的第二抽頭（28）；<br/> 該第五根單線（25）的末端線頭（R1’）的漆包線與該第四根單線（24）的始端線頭（B）的漆包線、該第三根單線（23）的末端線頭（n’）的漆包線三線一起絞合成一束形成一三絞繞線（32），該三絞繞線（32）在一共模扼流圈（T2）的第二鐵芯（12）上繞8圈；該第三根單線（23）的末端線頭（n’）、該第四根單線（24）的始端線頭（B）、該第五根單線（25）的末端線頭（R1’）露出在該第二鐵芯（12）外側；<br/> 該第一根單線（21）的始端線頭（R）的漆包線與該第二根單線（22）的末端線頭（g’）的漆包線並排從該第一鐵芯（11）引出，形成一並排訊號端（Rg’）；該並排訊號端（Rg’）圍著該第一抽頭（27）、該三絞繞線（32）、該第二抽頭（28）環繞360°完成包絞；<br/> 其中，該四絞線（31）在該變壓器（T1）上繞6圈，均勻分布在該變壓器（T1）的第一鐵芯（11）圓環2/3上，該四絞線（31）的絞合度為16~20節/英寸。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該變壓器（T1）上的抽頭及引出線均靠近未繞線該第一鐵芯（11）圓環的1/3處的中心區域分布；<br/> 該變壓器（T1）的第一抽頭（27）靠近該共模扼流圈（T2）放置，該第一抽頭（27）絞合度：雙絞線26~34節/英寸。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第二抽頭（28）絞合度：三線絞合20~26節/英寸；該第二抽頭（28）靠近該變壓器（T1）放置，該變壓器（T1）的第一抽頭（27）、第二抽頭（28）絞合至距離該第一鐵芯（11）表面0.8mm以內；<br/> 該第一抽頭（27）、該第二抽頭（28）未絞合長度（L1）距離該第一鐵芯（11）表面小於0.8mm。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第二抽頭（28）浸錫長度1~2mm，該第二抽頭（28）總長在6mm以內；<br/> 該三絞繞線（32）的絞合度為12~18節/英寸，該三絞繞線（32）均勻分布在該第二鐵芯（12）圓環3/5上，該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間的間距（L2）相距1~2mm；<br/> 該第五根單線（25）末端線頭（R1’）、該第三根單線（23）末端線頭（n’）、該第四根單線（24）始端線頭（B）露出在該第二鐵芯（12）外側的顏色線長度（L3）小於或等於8mm。
一種網路接口連接器線包的繞製方法，其方法如下：<br/> §1．一變壓器（T1）繞線：按照一第一根單線（21）、一第三根單線（23）、一第二根單線（22）、一第四根單線（24）的線序順序，四線絞合度16~20節/英寸，絞合後成為一四絞線（31）；<br/> 取該四絞線（31）在該變壓器（T1）的第一鐵芯（11）上繞6圈，均勻分布在該變壓器（T1）的第一鐵芯（11）圓環2/3上，該四絞線（31）進線側的始端線頭（R, N, G, B）同相，出線側的末端線頭（r’, n’, g’, b’）同相；<br/> 該變壓器（T1）上抽頭及引出線均靠近未繞線該第一鐵芯（11）圓環的1/3處的中心區域分布；<br/> §2．製作該變壓器（T1）的第一抽頭（27）：將該第一根單線（21）的末端線頭（r’）和該第二根單線（22）的始端線頭（G）絞合，製作為該變壓器（T1）的第一抽頭（27）；<br/> 該第一抽頭（27）靠近一共模扼流圈（T2）放置；該第一抽頭（27）絞合度：雙絞線26~34節/英寸；<br/> §3．製作該變壓器（T1）的第二抽頭（28）：另加一條第五根單線（25），取該第五根單線（25）的始端線頭（R1）與該第四根單線（24）的末端線頭（b’）、該第三根單線（23）的始端線頭（N）三線絞合，形成該變壓器（T1）的第二抽頭（28）；<br/> 該第二抽頭（28）絞合度：三線絞合20~26節/英寸；<br/> §4．該共模扼流圈（T2）繞線：該第五根單線（25）的末端線頭（R1’）的漆包線與該第四根單線（24）的始端線頭（B）的漆包線、該第三根單線（23）的末端線頭（n’）的漆包線三線一起絞合成一束，形成一三絞繞線（32）；<br/> 該三絞繞線（32）在該共模扼流圈（T2）的第二鐵芯（12）上繞8圈，均勻分布在該共模扼流圈（T2）的第二鐵芯（12）圓環3/5上，該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間的間距（L2）相距1~2mm；<br/> §5．該第二抽頭（28）剪短後預焊，該第二抽頭（28）浸錫長度1～2mm，該第二抽頭（28）總長在6mm以內；<br/> §6．抽頭交叉：該第一抽頭（27）與該第二抽頭（28）對拉180°，實現該第一抽頭（27）與該第二抽頭（28）交叉後靠近；<br/> §7．該變壓器（T1）訊號線包絞：該第一根單線（21）的始端線頭（R）與該第二根單線（22）的末端線頭（g’）並排從該第一鐵芯（11）引出外露的線端形成一並排訊號端（Rg’）；<br/> 該並排訊號端（Rg’）圍著該第一抽頭（27）、該三絞繞線（32）、該第二抽頭（28）環繞360°完成包絞，一包絞位置（P）靠近該第一鐵芯（11）外表面；<br/> §8．該共模扼流圈（T2）外露的漆包線預焊時，外露的該第五根單線（25）末端線頭（R1’）、該第三根單線（23）末端線頭（n’）、該第四根單線（24）始端線頭（B）露出在該第二鐵芯（12）外側顏色線長度（L3）控制在8mm以內。
如請求項5所述的網路接口連接器線包的繞製方法，其中，該第二抽頭（28）靠近該變壓器（T1）放置，該第一抽頭（27）、該第二抽頭（28）從該第一鐵芯（11）引出後，抽頭未絞合長度（L1）距離該第一鐵芯（11）表面小於0.8mm；<br/> 該第一根單線（21）、該第二根單線（22）、該第三根單線（23）、該第四根單線（24）的線徑不小於AWG40，或者導體直徑≧0.08mm。
如請求項5所述的網路接口連接器線包的繞製方法，其中，該變壓器（T1）的第一鐵芯（11）採用錳鋅鐵氧體，磁環外徑≤4mm，初始磁導率在3000亨利/公尺及以上，繞線圈數不大於8圈；<br/> 該共模扼流圈（T2）採用鎳鋅鐵氧體。
如請求項5所述的網路接口連接器線包的繞製方法，其中，該第五根單線（25）的末端線頭（R1’）的漆包線與該第四根單線（24）的始端線頭（B）的漆包線、該第三根單線（23）的末端線頭（n’）的漆包線三線絞合成的該三絞繞線（32）絞合度為12~18節/英寸。
一種網路接口連接器線包結構，包括：一變壓器（T1），該變壓器（T1）上設有一個中心通孔的第一磁環（11）；該第一磁環（11）上並排纏繞一第一四絞線（31）與一第二四絞線（32），該第一四絞線（31）、該第二四絞線（32）成雙四絞線並排繞製在該第一磁環（11）上；<br/> 該第一四絞線（31）包括一第一根雙線（21）與一第二根雙線（22），該第一根雙線（21）與該第二根雙線（22）絞合為該第一四絞線（31）；該第二四絞線（32）包括一第三根雙線（23）與一第四根雙線（24），該第三根雙線（23）與該第四根雙線（24）絞合為該第二四絞線（32）；<br/> 該第一根雙線（21）和該第四根雙線（24）形成一初級線圈（15），該第二根雙線（22）和該第三根雙線（23）形成一次級線圈（17）；<br/> 該第一根雙線（21）的一端與該第四根雙線（24）的一端絞合成一束初級抽頭（26）；<br/> 該第三根雙線（23）的一端和該第二根雙線（22）的一端絞合成一束次級抽頭（27）；<br/> 其中，該第一四絞線（31）和該第二四絞線（32）不絞合，均勻分布在該第一磁環（11）的3/4上。
如請求項1所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第一四絞線（31）與該第二四絞線（32）在該第一磁環（11）上纏繞4圈；<br/> 該第一根雙線（21）設有一進線頭（RR）與一出線頭（r’r’）；<br/> 該第二根雙線（22）設有一進線頭（BB）與一出線頭（b’b’）；<br/> 該第三根雙線（23）設有一進線頭（NN）與一出線頭（n’n’）；<br/> 該第四根雙線（24）設有一進線頭（GG）與一出線頭（g’g’）；<br/> 該第一根雙線（21）的出線頭（r’r’）與該第四根雙線（24）的進線頭（GG）一起絞合成一束該初級抽頭（26）；<br/> 該第三根雙線（23）的出線頭（n’n’）和該第二根雙線（22）的進線頭（BB）一起絞合成一束該次級抽頭（27）；<br/> 絞線節數：雙絞線28~32節/英寸，四絞線16~20節/英寸。
如請求項2所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第一根雙線（21）、該第二根雙線（22）、該第三根雙線（23）、該第四根雙線（24）進線側（R/B/N/G）同相；該第一根雙線（21）、該第二根雙線（22）、該第三根雙線（23）、該第四根雙線（24）出線側（r’/b’/n’/g’）同相；<br/> 該變壓器（T1）上所有抽頭及引出線均分布於該第一磁環（11）上未繞線的1/4處，預留1~2mm絞線後分線；絞線節數：16~20節/英寸；<br/> 該第一根雙線（21）的進線頭（RR）絞合為雙絞線，該第四根雙線（24）的出線頭（g’g’）絞合為雙絞線。
如請求項3所述的網路接口連接器線包結構，其中，該變壓器（T1）的初級線圈（15）上設有該第一根雙線（21）的進線頭（RR）、該第四根雙線（24）的出線頭（g’g’）及該初級抽頭（26）；<br/> 該變壓器（T1）的次級線圈（17）上設有該第三根雙線（23）的進線頭（NN）、該第二根雙線（22）的出線頭（b’b’）及該次級抽頭（27）。
一種網路接口連接器線包結構，其包括如請求項1至4中任一項所述的變壓器（T1），以及一共模扼流圈（T2），該變壓器（T1）包括該第一磁環（11）及纏繞於該第一磁環（11）上的該初級線圈（15）與該次級線圈（17）；該變壓器（T1）與該共模扼流圈（T2）之間的間距（L1）小於2.5mm；<br/> 該共模扼流圈（T2）上設有一個中心通孔的第二磁環（12），該次級抽頭（27）靠近該變壓器（T1）側，該初級抽頭（26）靠近該共模扼流圈（T2）側；<br/> 該共模扼流圈（T2）纏繞兩根雙線，該兩根雙線為該第三根雙線（23）的進線頭（NN）和該第二根雙線（22）的出線頭（b’b’）。
如請求項5所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第三根雙線（23）的進線頭（NN）絞合為雙絞線，該第二根雙線（22）的出線頭（b’b’）絞合為雙絞線，並排或者鬆絞合為四絞線後在該共模扼流圈（T2）的第二磁環（12）上均勻繞5圈，均勻分布在該第二磁環（12）上的1/2上；<br/> 分線後分別將該第一根雙線（21）的進線頭（RR）絞合為雙絞線，該第四根雙線（24）的出線頭（g’g’）絞合為雙絞線；絞線節數：雙絞線28~32節/英寸，四絞線6~10節/英寸。
如請求項5所述的網路接口連接器線包結構，其中，該變壓器（T1）的初級抽頭（26）與該次級抽頭（27）對拉180°，該變壓器（T1）上的該初級抽頭（26）、該次級抽頭（27）未浸錫至距離該變壓器（T1）磁環表面的長度（L2）小於5mm。
如請求項6所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第三根雙線（23）的進線頭（NN）雙絞線與該第二根雙線（22）的出線頭（b’b’）雙絞線對絞180°，該第一根雙線（21）的進線頭（RR）雙絞線與該第四根雙線（24）的出線頭（g’g’）雙絞線對絞180°。
如請求項5所述的網路接口連接器線包結構，其中，該第一磁環（11）外的一未絞合線（P1）處：多股線未絞合長度距磁環表面小於1.5mm。
一種多頻段客戶端的網路漫遊方法，應用於一第一多頻段基地台中，其中，包括下列步驟：<br/> 當一多頻段客戶端進入一網狀網路的連線範圍內時，該多頻段客戶端連線至該第一多頻段基地台，其中，該網狀網路包括至少該第一多頻段基地台與一第二多頻段基地台；<br/> 該第一多頻段基地台與該第二多頻段基地台互相傳送目前已上線客戶端的連線資訊；<br/> 該第一多頻段基地台根據該連線資訊判斷該多頻段客戶端是否離線；<br/> 若該多頻段客戶端未離線，該第一多頻段基地台判斷該多頻段客戶端與該第一多頻段基地台之間的訊號強度之一變動程度是否符合一重新掃描閥值；<br/> 若該訊號強度之該變動程度符合該重新掃描閥值，該第一多頻段基地台與該第二多頻段基地台相互傳送該多頻段客戶端的訊號強度資訊；<br/> 該第一多頻段基地台判斷該多頻段客戶端與該第二多頻段基地台之間是否有任何頻段發生訊號切換操作；<br/> 若有至少一個頻段發生訊號切換操作，該第一多頻段基地台與該第二多頻段基地台互相傳送該多頻段客戶端的連線資訊，其中，該多頻段客戶端之其中一個頻段連線到該第二多頻段基地台；<br/> 若沒有任何頻段發生訊號切換操作，該第一多頻段基地台判斷與該多頻段客戶端之間的連線訊號強度是否為最佳；以及<br/> 若該第一多頻段基地台判斷與該多頻段客戶端之間的連線訊號強度非為最佳，該第一多頻段基地台向該第二多頻段基地台發出該多頻段客戶端之一漫遊連線請求，並使該多頻段客戶端連線到該第二多頻段基地台。
如請求項1所述的多頻段客戶端的網路漫遊方法，其中，更包括下列步驟：<br/> 該第二多頻段基地台判斷該多頻段客戶端是否連線成功；<br/> 若該多頻段客戶端連線成功，該第二多頻段基地台向該第一多頻段基地台回報該多頻段客戶端的連線成功資訊；以及<br/> 該第一多頻段基地台重置該多頻段客戶端的用戶資訊。
如請求項2所述的多頻段客戶端的網路漫遊方法，其中，更包括下列步驟：<br/> 若該多頻段客戶端連線失敗，該第二多頻段基地台判斷連線等待時間是否逾時；以及<br/> 若連線等待時間逾時，該第二多頻段基地台向該第一多頻段基地台回報該多頻段客戶端的連線逾時資訊。
一種電子裝置，其中，該電子裝置包括記憶體、處理器及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的多頻段客戶端的網路漫遊程式，該多頻段客戶端的網路漫遊程式被該處理器執行時實現如下步驟：<br/> 當一多頻段客戶端進入一網狀網路的連線範圍內時，該多頻段客戶端連線至一第一多頻段基地台，其中，該網狀網路包括至少該第一多頻段基地台與一第二多頻段基地台；<br/> 該第一多頻段基地台與該第二多頻段基地台互相傳送目前已上線客戶端的連線資訊；<br/> 該第一多頻段基地台根據該連線資訊判斷該多頻段客戶端是否離線；<br/> 若該多頻段客戶端未離線，該第一多頻段基地台判斷該多頻段客戶端與該第一多頻段基地台之間的訊號強度之一變動程度是否符合一重新掃描閥值；<br/> 若該訊號強度之該變動程度符合該重新掃描閥值，該第一多頻段基地台與該第二多頻段基地台相互傳送該多頻段客戶端的訊號強度資訊；<br/> 該第一多頻段基地台判斷該多頻段客戶端與該第二多頻段基地台之間是否有任何頻段發生訊號切換操作；<br/> 若有至少一個頻段發生訊號切換操作，該第一多頻段基地台與該第二多頻段基地台互相傳送該多頻段客戶端的連線資訊，其中，該多頻段客戶端之其中一個頻段連線到該第二多頻段基地台；<br/> 若沒有任何頻段發生訊號切換操作，該第一多頻段基地台判斷與該多頻段客戶端之間的連線訊號強度是否為最佳；以及<br/> 若該第一多頻段基地台判斷與該多頻段客戶端之間的連線訊號強度非為最佳，該第一多頻段基地台向該第二多頻段基地台發出該多頻段客戶端之一漫遊連線請求，並使該多頻段客戶端連線到該第二多頻段基地台。
如請求項4所述的電子裝置，其中，該多頻段客戶端的網路漫遊程式被該處理器執行時實現如下步驟：<br/> 該第二多頻段基地台判斷該多頻段客戶端是否連線成功；<br/> 若該多頻段客戶端連線成功，該第二多頻段基地台向該第一多頻段基地台回報該多頻段客戶端的連線成功資訊；以及<br/> 該第一多頻段基地台重置該多頻段客戶端的用戶資訊。
如請求項5所述的電子裝置，其中，該多頻段客戶端的網路漫遊程式被該處理器執行時實現如下步驟：<br/> 若該多頻段客戶端連線失敗，該第二多頻段基地台判斷連線等待時間是否逾時；以及<br/> 若連線等待時間逾時，該第二多頻段基地台向該第一多頻段基地台回報該多頻段客戶端的連線逾時資訊。
一種儲存媒體，包括記憶體、處理器以及存儲在記憶體上並可在處理器上運行的電腦程式，其中，該處理器執行該電腦程式時實現如請求項1至3中任一項所述的多頻段客戶端的網路漫遊方法的步驟。
一種3,5-二羥基-4-甲氧基苄基醇之用途，其係用以製備人類乳癌MDA-MB-231細胞之增殖抑制劑，該人類乳癌MDA-MB-231細胞之增殖抑制劑具有對人類乳癌MDA-MB-231細胞之增殖抑制作用。
如請求項1所記載之用途，其中前述人類乳癌MDA-MB-231細胞之增殖抑制作用係藉由阻斷不同細胞訊號傳導路徑而發揮。
如請求項1所記載之用途，其中前述人類乳癌MDA-MB-231細胞之增殖抑制作用係藉由阻斷不同細胞訊號傳導路徑而發揮，並藉由調節MDA-MB-231細胞中與不同細胞訊號傳導路徑相關之蛋白質水平而發揮。
一種3,5-二羥基-4-甲氧基苄基醇之用途，其係用以製備人類乳癌MDA-MB-231細胞之細胞死亡促進劑，該人類乳癌MDA-MB-231細胞之細胞死亡促進劑具有對人類乳癌MDA-MB-231細胞之細胞凋亡死亡促進作用。
一種3,5-二羥基-4-甲氧基苄基醇之用途，其係用以製備人類乳癌MDA-MB-231細胞之轉移活性抑制劑，該人類乳癌MDA-MB-231細胞之轉移活性抑制劑具有抑制人類乳癌MDA-MB-231細胞之轉移活性之作用。
一種3,5-二羥基-4-甲氧基苄基醇之用途，其係用以製備與人類乳癌細胞MDA-MB-231共培養之骨芽細胞MC3T3-E1細胞減少之抑制劑及前述骨芽細胞MC3T3-E1細胞之細胞死滅促進抑制劑，該與人類乳癌細胞MDA-MB-231共培養之骨芽細胞MC3T3-E1細胞減少之抑制劑及前述骨芽細胞MC3T3-E1細胞之細胞死滅促進抑制劑具有抑制與人類乳癌細胞MDA-MB-231共培養之骨芽細胞MC3T3-E1細胞減少之作用及抑制前述骨芽細胞MC3T3-E1細胞之細胞死滅促進之作用。
一種3,5-二羥基-4-甲氧基苄基醇之用途，其係用以製備巨噬細胞RAW264.7細胞減少之抑制劑及前述巨噬細胞RAW264.7細胞之細胞死滅促進抑制劑，該巨噬細胞RAW264.7細胞減少之抑制劑及前述巨噬細胞RAW264.7細胞之細胞死滅促進抑制劑具有抑制與人類乳癌細胞MDA-MB-231共培養之巨噬細胞RAW264.7細胞減少之作用及抑制前述巨噬細胞RAW264.7細胞之細胞死滅促進之作用。
一種3,5-二羥基-4-甲氧基苄基醇之用途，其係用以製備人類乳癌MDA-MB-231細胞中之TNF-α產生減少劑，該人類乳癌MDA-MB-231細胞中之TNF-α產生減少劑藉由抑制人類乳癌MDA-MB-231細胞中TNF-α訊號傳導而減少前述TNF-α之產生，並具有使人類乳癌MDA-MB-231細胞中TNF-α訊號傳導受到抑制而使前述TNF-α產生減少之作用。
一種醫藥組成物，其係含有雙特異性抗體或其抗體斷片作為有效成分，該雙特異性抗體或其抗體斷片係與PD-1及CD19分別特異性結合，並且，具有與PD-1特異性結合之第一臂及與CD19特異性結合之第二臂，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂具有： <br/>具有下列(a)至(c)之VH， <br/>(a)由序列編號18之胺基酸序列構成的VH-CDR1、 <br/>(b)由序列編號19之胺基酸序列構成的VH-CDR2及 <br/>(c)由序列編號20之胺基酸序列構成的VH-CDR3； <br/>該與CD19特異性結合之第二臂具有選自下列(A)至(E)之任一VH： <br/>(A)具有下列(a)至(c)之VH， <br/>(a)由序列編號35之胺基酸序列構成的VH-CDR1、 <br/>(b)由序列編號36之胺基酸序列構成的VH-CDR2、及 <br/>(c)由序列編號37之胺基酸序列構成的VH-CDR3， <br/>(B)具有下列(a)至(c)之VH， <br/>(a)由序列編號38之胺基酸序列構成的VH-CDR1、 <br/>(b)由序列編號39之胺基酸序列構成的VH-CDR2、及 <br/>(c)由序列編號40之胺基酸序列構成的VH-CDR3， <br/>(C)具有下列(a)至(c)之VH， <br/>(a)由序列編號41之胺基酸序列構成的VH-CDR1、 <br/>(b)由序列編號42之胺基酸序列構成的VH-CDR2、及 <br/>(c)由序列編號43之胺基酸序列構成的VH-CDR3， <br/>(D)具有下列(a)至(c)之VH， <br/>(a)由序列編號44之胺基酸序列構成的VH-CDR1、 <br/>(b)由序列編號45之胺基酸序列構成的VH-CDR2、及 <br/>(c)由序列編號46之胺基酸序列構成的VH-CDR3，以及 <br/>(E)具有下列(a)至(c)之VH， <br/>(a)由序列編號47之胺基酸序列構成的VH-CDR1、 <br/>(b)由序列編號48之胺基酸序列構成的VH-CDR2及 <br/>(c)由序列編號49之胺基酸序列構成的VH-CDR3； <br/>該與PD-1特異性結合之第一臂及該與CD19特異性結合之第二臂分別具有VL，該VL具有下列(a)至(c)： <br/>(a)由序列編號26之胺基酸序列構成的VL-CDR1、 <br/>(b)由序列編號27之胺基酸序列構成的VL-CDR2、及 <br/>(c)由序列編號28之胺基酸序列構成的VL-CDR3。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂的VH之FR1、FR2及FR3區域，係分別對應於生殖細胞系列型V基因IGHV7-4-1之可經受體細胞突變的該基因所編碼的胺基酸序列；FR4區域係由生殖細胞系列型J基因JH6c之可經受體細胞突變之該基因所編碼的胺基酸序列構成，惟，排除包含於VH-CDR3區域之胺基酸序列。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與CD19特異性結合之第二臂的VH之FR1、FR2及FR3區域，係分別對應於生殖細胞系列型V基因IGHV5-51之可經受體細胞突變的該基因所編碼之胺基酸序列。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂的VH係由序列編號4或序列編號5之胺基酸序列、或與該VH之胺基酸序列至少80%相同的胺基酸序列構成。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與CD19特異性結合之第二臂的VH係由選自序列編號30、序列編號31、序列編號32、序列編號33、序列編號34、序列編號62、序列編號63、序列編號64、序列編號65及序列編號66中之任一個胺基酸序列、或與該VH之胺基酸序列至少80%相同的胺基酸序列構成。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂的VH係由序列編號4或序列編號5之胺基酸序列構成，該與CD19特異性結合之第二臂的VH係由選自序列編號30、序列編號31、序列編號32、序列編號33、序列編號34、序列編號62、序列編號63、序列編號64、序列編號65及序列編號66中之任一個胺基酸序列構成。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂中的VH係由序列編號4之胺基酸序列構成，該與CD19特異性結合之第二臂中的VH係由選自序列編號30、序列編號31、序列編號32、序列編號33、序列編號34、序列編號62、序列編號63、序列編號64、序列編號65及序列編號66中之任一個胺基酸序列構成。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂中的VH係由序列編號5之胺基酸序列構成，該與CD19特異性結合之第二臂中的VH係由選自序列編號30、序列編號31、序列編號32、序列編號33、序列編號34、序列編號62、序列編號63、序列編號64、序列編號65及序列編號66中之任一個胺基酸序列構成。
如請求項1所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合之第一臂及/或該與CD19特異性結合之第二臂，係分別具有由序列編號25之胺基酸序列構成的VL。
一種醫藥組成物，其係含有雙特異性抗體或其抗體斷片作為有效成分，該雙特異性抗體或其抗體斷片係與PD-1及CD19分別特異性結合，且具有與PD-1特異性結合之第一臂及與CD19特異性結合之第二臂，其中， <br/>(A) 與PD-1特異性結合之第一臂，係具有由序列編號4或序列編號5之胺基酸序列構成的VH，以及由序列編號25之胺基酸序列構成的VL， <br/>(B) 與CD19特異性結合之第二臂，係具有由選自序列編號30、序列編號31、序列編號32、序列編號33、序列編號34、序列編號62、序列編號63、序列編號64、序列編號65及序列編號66中之任一個胺基酸序列構成的VH，以及由序列編號25之胺基酸序列構成的VL。
如請求項1至10中任一項所述之醫藥組成物，其中，該與PD-1特異性結合的第一臂容許PD-1與PD-L1間之相互作用。
如請求項1至10中任一項所述之醫藥組成物，其中，該雙特異性抗體為IgG抗體。
如請求項12所述之醫藥組成物，其中，該IgG抗體為IgG<sub>1</sub>抗體或IgG<sub>4</sub>抗體。
如請求項12所述之醫藥組成物，其中，該IgG抗體為IgG<sub>1</sub>抗體。
如請求項14所述之醫藥組成物，其中，該雙特異性抗體的2個重鏈恆定區域中，依據EU編號系統的第235號之白胺酸分別被置換成甘胺酸，及/或第236號之甘胺酸分別被置換成精胺酸。
如請求項14所述之醫藥組成物，其中，具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈之恆定區域中，依據EU編號系統的第351號之白胺酸被置換成離胺酸，且第366號之蘇胺酸被置換成離胺酸；具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈之恆定區域中，第351號之白胺酸被置換成天冬胺酸，且第368號之白胺酸被置換成麩胺酸。
如請求項14所述之醫藥組成物，其中，具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈之恆定區域中，依據EU編號系統的第351號之白胺酸被置換成天冬胺酸，且第368號之白胺酸被置換成麩胺酸；具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈之恆定區域中，第351號之白胺酸被置換成離胺酸，且第366號之蘇胺酸被置換成離胺酸。
如請求項14所述之醫藥組成物，其中，該雙特異性抗體之2個重鏈恆定區域中，依據EU編號系統的第447號之離胺酸分別欠缺。
如請求項1至10中任一項所述之醫藥組成物，其中，該具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈，係包含由序列編號23之胺基酸序列構成的重鏈恆定區域。
如請求項1至10中任一項所述之醫藥組成物，其中，該具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈，係包含由選自序列編號24、序列編號71、序列編號72、序列編號73、序列編號74及序列編號75中之任一個胺基酸序列構成的重鏈恆定區域。
如請求項1至10中任一項所述之醫藥組成物，其中，具有與PD-1特異性結合之第一臂之VL的輕鏈及/或具有與CD19特異性結合之第二臂之VL的輕鏈，係包含由序列編號29之胺基酸序列構成的輕鏈恆定區域。
一種醫藥組成物，其係含有雙特異性抗體或其抗體斷片作為有效成分，該雙特異性抗體或其抗體斷片係與PD-1及CD19分別特異性結合，並且，具有與PD-1特異性結合之第一臂及與CD19特異性結合之第二臂，其中，該雙特異性抗體係由下列(A)至(D)構成： <br/>(A) 具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈、 <br/>(B) 具有與PD-1特異性結合之第一臂之VL的輕鏈、 <br/>(C) 具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈、及 <br/>(D) 具有與CD19特異性結合之第二臂之VL的輕鏈；其中， <br/>(a)具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈，係包含由序列編號4或序列編號5之胺基酸序列構成的VH以及由序列編號23之胺基酸序列構成的重鏈恆定區域， <br/>(b)具有與PD-1特異性結合之第一臂之VL的輕鏈，係包含由序列編號25之胺基酸序列構成的VL及由序列編號29之胺基酸序列構成的輕鏈恆定區域， <br/>(c)具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈，係包含由選自序列編號30、序列編號31、序列編號32、序列編號33、序列編號34、序列編號62、序列編號63、序列編號64、序列編號65及序列編號66中之任一個胺基酸序列構成的VH以及由序列編號24之胺基酸序列構成的重鏈恆定區域，及 <br/>(d)具有與CD19特異性結合之第二臂之VL的輕鏈，係包含由序列編號25之胺基酸序列構成的VL及由序列編號29之胺基酸序列構成的輕鏈恆定區域。
一種醫藥組成物，其係含有雙特異性抗體作為有效成分，該雙特異性抗體係與PD-1及CD19分別特異性結合，並且，具有與PD-1特異性結合之第一臂及與CD19特異性結合之第二臂，其中，該雙特異性抗體係由下列(A)至(D)構成： <br/>(A) 具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈、 <br/>(B) 具有與PD-1特異性結合之第一臂之VL的輕鏈、 <br/>(C) 具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈、及 <br/>(A) 具有與CD19特異性結合之第二臂之VL的輕鏈；其中， <br/>(a)具有與PD-1特異性結合之第一臂之VH的重鏈，係包含由序列編號5之胺基酸序列構成的VH以及由序列編號23之胺基酸序列構成的重鏈恆定區域， <br/>(b)具有與PD-1特異性結合之第一臂之VL的輕鏈，係包含由序列編號25之胺基酸序列構成的VL及由序列編號29之胺基酸序列構成的輕鏈恆定區域， <br/>(c)具有與CD19特異性結合之第二臂之VH的重鏈，係包含由序列編號62之胺基酸序列構成的VH以及由序列編號24之胺基酸序列構成的重鏈恆定區域，及 <br/>(d)具有與CD19特異性結合之第二臂之VL的輕鏈，係包含由序列編號25之胺基酸序列構成的VL及由序列編號29之胺基酸序列構成的輕鏈恆定區域。
如請求項1至10、22及23中任一項所述之醫藥組成物，其更含有藥學上可容許之載體。
一種防護頭盔組件(1)包括： <br/>至少一外殼(3)，用於至少部分地圍繞一使用者(7)的頭部(9)； <br/>至少一頭盔懸掛系統(5)，用於連接到該外殼(3)；以及 <br/>至少一連接元件(13)，用於至少間接地連接到該外殼(3)並至少間接地連接到該頭盔懸掛系統(5)，其中該連接元件(13)的長度是可調節的，且該連接元件(13)包括至少可彎曲且細長的一連接件(19)，其中該連接件(19)的一第一段(21)從至少一第一附接元件(15)延伸到至少一第二附接元件(17)，該第一附接元件(15)包括至少一第一開口(29)，該連接件(19)穿過該第一開口，其中該第一段(21)的長度是可調節的。
如申請專利範圍第1項所述之防護頭盔組件，其中該第一附接元件(15)至少間接地連接到該頭盔懸掛系統(5)，該第二附接元件(17)至少間接地連接到該外殼(3)。
如申請專利範圍第1項所述之防護頭盔組件，其中該第一附接元件至少間接地連接到該外殼，該第二附接元件至少間接地連接到該頭盔懸掛系統。
如申請專利範圍第1項所述之防護頭盔組件，其中該連接件(19)的一第二段(23)從該第一附接元件(15)，特別是該第一開口(29)及/或朝與該第一段(21)相反的方向，延伸到該連接件(19)的一第一端(25)。
如申請專利範圍第4項所述之防護頭盔組件，其中該連接件(19)的一第二端(27)，特別是位於該連接件(19)的該第一端(25)的一相對側，連接到該第二附接元件(17)。
如申請專利範圍第5項所述之防護頭盔組件，其中該第二附接元件包括至少一第二開口，該連接件穿過該第二開口，其中該連接件的一第三段從該第二附接元件，特別是該第二開口及/或朝與該第一段相反的方向，延伸到該連接件的該第二端。
如申請專利範圍第6項所述之防護頭盔組件，其中該第一端(25)連接到至少一第一調節元件(33)及/或該第二端連接到至少一第二調節元件，其中該第一調節元件(33)及/或該第二調節元件可固定在至少兩個不同位置，其中該第一段(21)和該第二段(23)沿著該連接件(19)的長度及/或該第一段和該第三段沿著該連接件的長度是不同的。
如申請專利範圍第7項所述之防護頭盔組件，其中可將該第一調節元件(33)從一個位置移動到另一個位置，使該第一段(21)的長度增加且該第二段(23)的長度減少，或使該第一段(21)的長度減少且該第二段(23)的長度增加。
如申請專利範圍第7項所述之防護頭盔組件，其中可將該第二調節元件從一個位置移動到另一個位置，使該第一段的長度增加且該第三段的長度減少，或該第一段的長度減少且該第三段的長度增加。
如申請專利範圍第7項所述之防護頭盔組件，其中該連接件(19)從該第一段(21)到該第二段(23)經歷方向變化。
如申請專利範圍第10項所述之防護頭盔組件，其中該第二段(23)從該第一附接元件(15)，特別是該第一開口(29)延伸到該第一端(25)，其方向具有與該連接件(19)從該第二端(27)到該第一附接元件(15)的方向相反的方向分量。
如申請專利範圍第10項所述之防護頭盔組件，其中該第三段從該第二附接元件，特別是該第二開口，延伸到該第二端，其方向具有與該連接件從該第一端到該第二附接元件的方向相反的方向分量。
如申請專利範圍第7項所述之防護頭盔組件，其中該第一調節元件(33)可通過至少一第一固定裝置相對固定於該外殼(3)、該連接件的該第一段(21)及/或該頭盔懸掛系統(5)，及/或該第二調節元件可通過至少一第二固定裝置相對固定於該外殼、該連接件的該第一段及/或該頭盔懸掛系統。
如申請專利範圍第13項所述之防護頭盔組件，其中該第一固定裝置及/或該第二固定裝置包括至少一鎖扣裝置、至少一鎖定裝置、至少一卡扣裝置、至少一夾持裝置、至少一魔術貼裝置、至少一插入裝置、至少一滑動裝置、至少一互鎖裝置及/或至少一按扣裝置。
如申請專利範圍第1項所述之防護頭盔組件，其中該連接件包括至少一帶子(19)、至少一織帶、至少一皮帶及/或至少一線。
一種光學感測器，包含：<br/> 一光電二極體；<br/> 一差分電流積分器，包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端以及一第二輸出端，其中所述差分電流積分器的所述第一輸入端連接所述光電二極體，所述差分電流積分器的所述第二輸入端耦接一第一參考電壓；以及<br/> 一第一電壓比較器，其中所述第一電壓比較器的一第一輸入端連接所述差分電流積分器的所述第二輸出端，所述第一電壓比較器的一第二輸入端連接所述差分電流積分器的所述第一輸出端，所述第一電壓比較器的一第三輸入端耦接一第二參考電壓，所述第一電壓比較器的一第四輸入端耦接一第三參考電壓。
如請求項1所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第一電流源，連接所述差分電流積分器。
如請求項2所述的光學感測器，其中所述第一電流源連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端。
如請求項3所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第一開關，連接在所述第一電流源以及所述差分電流積分器的所述第一輸入端之間。
如請求項1所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第二電壓比較器，其中所述第二電壓比較器的一第一輸入端連接所述差分電流積分器的所述第二輸出端，所述第二電壓比較器的一第二輸入端連接所述差分電流積分器的所述第一輸出端，所述第二電壓比較器的一第三輸入端耦接所述第三參考電壓，所述第二電壓比較器的一第四輸入端耦接所述第二參考電壓。
如請求項1所述的光學感測器，其中所述差分電流積分器包含：<br/> 一運算放大器，具有一反相輸入端、一非反相輸入端、一第一輸出端以及一第二輸出端，其中所述運算放大器的所述反相輸入端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端，所述運算放大器的所述非反相輸入端連接所述差分電流積分器的所述第二輸入端，所述運算放大器的所述第一輸出端連接所述差分電流積分器的所述第一輸出端，所述運算放大器的所述第二輸出端連接所述差分電流積分器的所述第二輸出端；<br/> 一第一積分電容，連接在所述差分電流積分器的所述第一輸入端和所述第一輸出端之間；以及<br/> 一第二積分電容，連接在所述差分電流積分器的所述第二輸入端和所述第二輸出端之間。
如請求項1所述的光學感測器，更包含：<br/> 一光電流開關，連接在所述光電二極體以及所述差分電流積分器的所述第一輸入端之間。
如請求項1所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第一輸入電流源，其中所述第一輸入電流源的一第一端耦接一共用電壓；以及<br/> 一第一電源開關，其中所述第一電源開關的一第一端連接所述第一輸入電流源的一第二端，所述第一電源開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端。
如請求項8所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第二輸入電流源，其中所述第二輸入電流源的一第一端耦接所述共用電壓；以及<br/> 一第二電源開關，其中所述第二電源開關的一第一端連接所述第二輸入電流源的一第二端，所述第二電源開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端。
如請求項8所述的光學感測器，其中所述差分電流積分器包含：<br/> 一第一重置開關，其中所述第一重置開關的一第一端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端，所述第一重置開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第二輸入端；以及<br/> 一第二重置開關，其中所述第二重置開關的一第一端連接所述差分電流積分器的所述第一輸出端，所述第二重置開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第二輸出端。
如請求項8所述的光學感測器，其中所述第一輸入電流源連接所述差分電流積分器的所述第二輸入端。
如請求項2所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第一開關，連接在所述第一電流源以及所述差分電流積分器的所述第二輸入端之間。
如請求項12所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第二開關，連接在所述第一參考電壓以及所述差分電流積分器的所述第一輸入端之間。
如請求項13所述的光學感測器，更包含：<br/> 一第三開關，連接在所述第一參考電壓以及所述差分電流積分器的所述第二輸入端之間。
如請求項14所述的光學感測器，其中所述第一參考電壓為零值。
一種光學感測器，包含：<br/> 一光電二極體；<br/> 一差分電流積分器，包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端以及一第二輸出端，其中所述差分電流積分器的所述第一輸入端連接所述光電二極體，所述差分電流積分器的所述第二輸入端耦接一第一參考電壓；<br/> 一第一輸入電流源，其中所述第一輸入電流源的一第一端耦接一共用電壓；<br/> 一第一電源開關，其中所述第一電源開關的一第一端連接所述第一輸入電流源的一第二端，所述第一電源開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端；<br/> 一第二輸入電流源，其中所述第二輸入電流源的一第一端耦接所述共用電壓；以及<br/> 一第二電源開關，其中所述第二電源開關的一第一端連接所述第二輸入電流源的一第二端，所述第二電源開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端。
一種光學感測器，包含：<br/> 一光電二極體；<br/> 一差分電流積分器，包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端以及一第二輸出端，其中所述差分電流積分器的所述第一輸入端連接所述光電二極體，所述差分電流積分器的所述第二輸入端耦接一第一參考電壓；<br/> 一第一輸入電流源，其中所述第一輸入電流源的一第一端耦接一共用電壓；<br/> 一第一電源開關，其中所述第一電源開關的一第一端連接所述第一輸入電流源的一第二端，所述第一電源開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端；<br/> 一第一重置開關，其中所述第一重置開關的一第一端連接所述差分電流積分器的所述第一輸入端，所述第一重置開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第二輸入端；以及<br/> 一第二重置開關，其中所述第二重置開關的一第一端連接所述差分電流積分器的所述第一輸出端，所述第二重置開關的一第二端連接所述差分電流積分器的所述第二輸出端。
一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，步驟包括：(A)提供一氮化鋁粉體、一燒結助劑、一分散劑與一乙酸乙酯溶劑，將其按照一第一固定重量比例進行第一次濕式球磨混合；(B)提供一黏結劑與一有機醇類添加劑，將其按照一第二固定重量比例放入上述步驟(A)之混合物中進行第二次濕式球磨混合，形成一混合漿料；(C)將該混合漿料進行液滴霧化；(D)將該霧化後之混合漿料進行乾燥，得到乾燥之球形氮化鋁顆粒；(E)收集該乾燥之球形氮化鋁顆粒，得到平均粒徑分佈D<sub>50</sub>為60~90μm、鬆裝密度為0.8~1.1g/cm<sup>3</sup>、安息角為30°以下的高流動性球形氮化鋁粉體。
如申請專利範圍第1項所述之一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，其中該步驟(A)之該氮化鋁粉體，其純度為99%以上、氧含量<1.0wt%，平均粒徑介於1~5μm；該燒結助劑係選自氧化釔、氟化釔、氧化鎂、氧化鈣、氟化鈣等稀土金屬化合物或鹼土金屬化合物所組成之群組之一；該分散劑係選自檸檬酸、魚油、聚乙烯亞胺、磷酸三乙酯、聚丙烯酸或硬脂酸鈉其中之一。
如申請專利範圍第1項所述之一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，其中該步驟(A)之該第一固定重量比例係為29~45wt%的氮化鋁粉體、1~5wt%的燒結助劑與50~70wt%的溶劑，並以該氮化鋁粉體重量為基準換算0.1~3wt%的分散劑。
如申請專利範圍第1項所述之一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，其中該步驟(B)之黏結劑係選自由聚乙烯醇縮丁醛樹脂、丙烯酸樹脂或酚醛樹脂所組成之群組之一；該有機醇類添加劑係選自乙二醇、環戊醇、環己醇等有機醇類所組成之群組之一。
如申請專利範圍第1項所述之一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，其中該步驟(B)之該第二固定重量比例係以該氮化鋁粉體重量為基準，換算成1~10wt%的黏結劑與3~20wt%的有機醇類添加劑。
如申請專利範圍第1項所述之一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，其中該步驟(B)之混合漿料，其黏度係為100~3000cp。
如申請專利範圍第1項所述之一種製備具高流動性之球形氮化鋁粉體的方法，其中該步驟(C)~(E)係使用一離心式噴霧乾燥設備執行，該離心式噴霧乾燥設備具有進料單元、霧化器轉盤、乾燥塔與集料桶。
一種機櫃，其中，包括：<br/> 櫃體；<br/> 主機殼，設置於所述櫃體，所述主機殼可沿第一方向從所述櫃體抽出；<br/> 抽屜模組，設置於所述主機殼，所述抽屜模組可沿所述第一方向從所述主機殼抽出；<br/> 鎖固機構，包括第一轉動件與鎖定件，所述第一轉動件轉動設置於所述主機殼且與所述櫃體抵接，所述第一轉動件之轉動平面平行於所述第一方向；所述鎖定件沿第二方向活動設置於所述主機殼以位於或遠離所述第一轉動件之轉動路徑，所述第二方向正交於所述第一轉動件之轉動平面；<br/> 所述第一轉動件與所述櫃體抵接之狀態為鎖定狀態，於所述鎖定狀態下，所述主機殼被限制從所述櫃體抽出；所述第一轉動件於轉動之過程中與所述櫃體分離，所述第一轉動件與所述櫃體分離之狀態為解鎖狀態，於所述解鎖狀態下，所述主機殼被允許從所述櫃體抽出；當所述抽屜模組從所述主機殼抽出時，所述第一轉動件與所述櫃體抵接且所述鎖定件位於所述第一轉動件之轉動路徑，所述櫃體與所述鎖定件配合限制所述第一轉動件轉動。
如請求項1所述之機櫃，其中，所述鎖固機構還包括固定件，所述固定件固定於所述主機殼並設有沿所述第二方向貫通之通道，所述鎖定件活動設置於所述通道。
如請求項2所述之機櫃，其中，所述鎖固機構還包括第二轉動件，所述第二轉動件與所述鎖定件轉動連接並抵接於所述固定件，所述第二轉動件之轉動平面平行於所述第二方向，所述第二轉動件被配置為於轉動之過程中帶動所述鎖定件位於或遠離所述第一轉動件之轉動路徑。
如請求項3所述之機櫃，其中，所述鎖固機構還包括活動件，所述活動件設置於所述抽屜模組並抵接所述第二轉動件，所述活動件被配置為當所述抽屜模組從所述主機殼抽出時帶動所述第二轉動件轉動，以使所述鎖定件位於所述第一轉動件之轉動路徑；或者，當所述抽屜模組推入所述主機殼時帶動所述第二轉動件轉動，以使所述鎖定件遠離所述第一轉動件之轉動路徑。
如請求項4所述之機櫃，其中，所述第二轉動件之轉動中心沿所述第二方向偏離所述第二轉動件之重心，所述第二方向為重力方向之反向。
如請求項3所述之機櫃，其中，所述第二轉動件之轉動中心位於所述第二轉動件與所述鎖定件之轉動連接處，所述第二轉動件之轉動中心被配置為於所述第二轉動件轉動之過程中沿所述第二方向靠近所述固定件移動或沿所述第二方向之反向遠離所述固定件移動。
如請求項6所述之機櫃，其中，所述第二轉動件包括第一壁與連接所述第一壁之第二壁，所述第一壁與所述第二壁被配置為於所述第二轉動件轉動之過程中抵接所述固定件；所述第一壁與所述第二轉動件之轉動中心之距離小於所述第二壁與所述第二轉動件之轉動中心之距離。
如請求項7所述之機櫃，其中，所述第一壁為平面，當所述第一壁抵接所述固定件時，所述第一壁貼合所述固定件。
如請求項7所述之機櫃，其中，所述第二壁為弧面，所述第二壁與所述第一壁平滑連接。
如請求項3所述之機櫃，其中，所述第二轉動件設有凹槽，所述凹槽被配置為於所述第二轉動件轉動之過程中容納部分所述鎖定件。
一種機櫃，其中，包括： <br/>櫃體； <br/>主機殼，設置於所述櫃體，所述主機殼可沿第一方向從所述櫃體抽出；抽屜模組，設置於所述主機殼，所述抽屜模組可沿所述第一方向從所述主機殼抽出； <br/>鎖固機構，包括轉動件與鎖定件，所述轉動件轉動設置於所述抽屜模組且與所述主機殼抵接，所述轉動件之轉動平面平行於所述第一方向；所述鎖定件沿第二方向活動設置於所述主機殼以位於或遠離所述轉動件之轉動路徑，所述第二方向正交於所述轉動件之轉動平面； <br/>所述轉動件與所述主機殼抵接之狀態為鎖定狀態，於所述鎖定狀態下，所述抽屜模組被限制從所述主機殼抽出；所述轉動件於轉動之過程中與所述主機殼分離，所述轉動件與所述主機殼分離之狀態為解鎖狀態，於所述解鎖狀態下，所述抽屜模組被允許從所述主機殼抽出；當所述主機殼從所述櫃體抽出時，所述轉動件與所述主機殼抵接且所述鎖定件位於所述轉動件之轉動路徑，所述主機殼與所述鎖定件配合限制所述轉動件轉動。
如請求項1所述之機櫃，其中，所述抽屜模組與所述轉動件連接有彈性件，所述彈性件被配置為於所述轉動件轉動前使所述轉動件與所述主機殼保持抵接。
如請求項1所述之機櫃，其中，所述鎖固機構還包括活動件，所述活動件設有沿所述第二方向貫通之通道，所述鎖定件活動設置於所述通道； <br/>所述活動件包括第一段以及沿所述第一方向與所述第一段連接之第二段，所述通道連接所述第一段與所述第二段，所述第一段被配置為與所述鎖定件接觸並使所述鎖定件遠離所述轉動件之轉動路徑，所述第二段被配置為與所述鎖定件接觸並使所述鎖定件位於所述轉動件之轉動路徑；沿所述第二方向，所述第二段相較於所述第一段靠近所述轉動件之轉動平面。
如請求項3所述之機櫃，其中，所述第一段包括引導面，所述引導面連接所述通道並被配置為引導所述鎖定件由所述第一段移動至所述第二段。
如請求項3所述之機櫃，其中，所述第二段包括定位面，所述定位面連接所述通道並被配置為使所述鎖定件保持於所述第二段。
如請求項4所述之機櫃，其中，所述第一段還被配置為於所述主機殼從所述櫃體抽出前，與所述櫃體抵接以使所述鎖定件保持於所述引導面；於所述主機殼從所述櫃體抽出後，與所述櫃體脫離以使所述引導面引導所述鎖定件由所述第一段移動至所述第二段。
如請求項4所述之機櫃，其中，所述活動件還包括沿所述第一方向與所述第二段連接之第三段，所述通道還連接所述第三段；沿所述第二方向，所述第三段相較於所述第二段遠離所述轉動件之轉動平面，所述第三段被配置為與所述鎖定件接觸並保持所述鎖定件遠離所述轉動件之轉動路徑。
如請求項7所述之機櫃，其中，所述第三段包括限位面，所述限位面連接所述通道並被配置為使所述鎖定件保持於所述第三段。
如請求項3所述之機櫃，其中，所述鎖定件包括帽部以及與所述帽部連接之桿部，所述桿部活動於所述通道，所述帽部接觸所述活動件；沿所述第二方向，部分所述帽部之投影超出所述通道之投影。
如請求項9所述之機櫃，其中，所述鎖固機構還包括輔助件，所述輔助件滑動設置於所述活動件，所述輔助件包括沿所述第二方向貫通之通孔，沿所述第二方向，所述通孔之投影位於所述通道之投影內；所述桿部活動於所述通孔以位於或遠離所述轉動件之轉動路徑。
一種超音波針導航系統(1)，包含：<br/> 一換能器追蹤器(20)，設置於一超音波換能器(30)的尾部(31)，並對應一換能器追蹤器座標系(CS2)，其中該超音波換能器(30)組態成提供一顯影面(60)；<br/> 一針追蹤器(40)，設置於一穿刺針(50)的尾部(51)，並對應一針追蹤器座標系(CS5)；<br/> 一追蹤站(2)，組態成透過一追蹤場發生器(10)所產生一追蹤場(11)，將該換能器追蹤器(20)之該換能器追蹤器座標系(CS2)之動態序列以及該針追蹤器(40)之該針追蹤器座標系(CS5)之動態序列，提供給一處理單元(80)；<br/> 一針影偵測模組(70)，組態成從該超音波換能器(30)偵測到的超音波影像序列中取得該穿刺針(50)於該顯影面(60)的一量測的針幹座標系(CS6)的動態序列，以及取得一量測的顯影面與針幹轉換矩陣(M3’)；<br/> 該處理單元(80)，組態成根據該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列、該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列及該針追蹤器座標系(CS5)的動態序列，產生複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)及複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)； <br/> 其中，該處理單元(80)組態成根據該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)及該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)而產生複數個估計的針幹座標系(CS6’)的動態序列，並利用該複數個估計的針幹座標系(CS6’)的動態序列及該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列進行估計損失及迭代的運算，進而取得一決策的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及一決策的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)。
如請求項1所述的超音波針導航系統(1)，其中該處理單元(80)是根據該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列產生一換能器旋轉參考軸座標系(CS2’)，並根據該換能器旋轉參考軸座標系(CS2’)及該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列產生該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)。
如請求項2所述的超音波針導航系統(1)，其中該處理單元(80)是根據該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)及該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列而產生複數個估計的顯影面座標系(CS3’)的動態序列，並根據該複數個估計的顯影面座標系(CS3’)的動態序列及該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列而產生複數個估計的針尖座標系(CS4’)的動態序列。
如請求項3所述的超音波針導航系統(1)，其中該處理單元(80)是根據該針追蹤器座標系(CS5)的動態序列及該複數個估計的針尖座標系(CS4’)的動態序列而產生該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)。
如請求項4所述的超音波針導航系統(1)，其中該處理單元(80)是根據該針追蹤器座標系(CS5)的動態序列及該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)而產生複數個多層估計的針尖座標系(CS4”)的動態序列，並根據該複數個估計的顯影面座標系(CS3’)的動態序列及該複數個多層估計的針尖座標系(CS4”)的動態序列而產生該複數個估計的針幹座標系(CS6’)的動態序列。
如請求項5所述的超音波針導航系統(1)，其中該處理單元(80)組態成根據該複數個估計的針幹座標系(CS6')的動態序列與該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列之間的估計損失，進行迭代更新該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2')及該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4')，以逐代減少估計損失，最終獲得該決策的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及該決策的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)。
如請求項1所述的超音波針導航系統(1)，其中該針影偵測模組(70)可擴增輸入訊號種類，形成一物理輔助針影偵測模組(70CS2)，而可將超音波換能器(30)偵測到的超音波影像序列，與該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列，共同經由物理輔助針影偵測模組(70CS2)分析，取得該穿刺針(50)於該顯影面(60)的一量測的針幹座標系(CS6)的動態序列，以及一量測的顯影面與針幹轉換矩陣(M3’)。
如請求項1所述的超音波針導航系統(1)，其中，該追蹤站(2)之追蹤場發生器(10)所產生的追蹤場(11)為電磁場，作用於該換能器追蹤器(20)而產生一定位訊號(S20)，以及作用於該針追蹤器(40)而產生一定位訊號(S40)，該些訊號可由追蹤站(2)解讀，以解得換能器追蹤器座標系(CS2)及針追蹤器座標系(CS5)在一空間中的動態序列。
如請求項1所述的超音波針導航系統(1)，其中，該追蹤站(2)之追蹤場發生器(10)所產生的追蹤場(11)為光場，作用於該換能器追蹤器(20)而產生一光反射之定位訊號(S20)，以及作用於該針追蹤器(40)而產生一光反射之定位訊號(S40)，該些訊號可由追蹤站(2)所解讀，以解得換能器追蹤器座標系(CS2)及針追蹤器座標系(CS5)在一空間中的動態序列。
如請求項1至9中任一項所述的超音波針導航系統(1)，其中該處理單元(80)組態成在未確定換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)的情況下，透過迭代計算出該換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及該針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)，以適用於不同規格的超音波換能器(30)及穿刺針(50)的穿刺過程三維導航。
一種超音波針導航方法，透過一超音波針導航系統(1)來執行，該超音波針導航系統(1)包含設置於一超音波換能器(30)的尾部(31)的一換能器追蹤器(20)、設置於一穿刺針(50)的尾部(51)的一針追蹤器(40)、一追蹤站(2)、一針影偵測模組(70)以及一處理單元(80)，該換能器追蹤器(20)對應一換能器追蹤器座標系(CS2)，該針追蹤器(40)對應一針追蹤器座標系(CS5)，且該超音波換能器(30)組態成提供一顯影面(60)，其中該方法包含下列步驟：<br/> 藉由該追蹤站(2)之追蹤場發生器(10)所產生之一追蹤場(11)，將該換能器追蹤器(20)之換能器追蹤器座標系(CS2)之動態序列，與該針追蹤器(40)之針追蹤器座標系(CS5)之動態序列，提供給該處理單元(80)；<br/> 藉由該針影偵測模組(70)，從該超音波換能器(30)偵測到的超音波影像序列中取得該穿刺針(50)於該顯影面(60)的一量測的針幹座標系(CS6)的動態序列，以及一量測的顯影面與針幹轉換矩陣(M3’)；<br/> 藉由該處理單元(80)，根據該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列、該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列及該針追蹤器座標系(CS5)的動態序列而產生複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)及複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)；以及<br/> 藉由該處理單元(80)，根據該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)及該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)而產生複數個估計的針幹座標系(CS6’)的動態序列，並利用該複數個估計的針幹座標系(CS6’)的動態序列及該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列進行估計損失及迭代的運算，進而取得一決策的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及一決策的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)。
如請求項11所述的超音波針導航方法，其中該處理單元(80)是根據該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列產生一換能器旋轉參考軸座標系(CS2’)，並根據該換能器旋轉參考軸座標系(CS2’)及該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列產生該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)。
如請求項12所述的超音波針導航方法，其中該處理單元(80)是根據該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2’)及該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列而產生複數個估計的顯影面座標系(CS3’)的動態序列，並根據該複數個估計的顯影面座標系(CS3’)的動態序列及該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列而產生複數個估計的針尖座標系(CS4’)的動態序列。
如請求項13所述的超音波針導航方法，其中該處理單元(80)是根據該針追蹤器座標系(CS5)的動態序列及該複數個估計的針尖座標系(CS4’)的動態序列而產生該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)。
如請求項14所述的超音波針導航方法，其中該處理單元(80)是根據該針追蹤器座標系(CS5)的動態序列及該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4’)而產生複數個多層估計的針尖座標系(CS4”)的動態序列，並根據該複數個估計的顯影面座標系(CS3’)的動態序列及該複數個多層估計的針尖座標系(CS4”)的動態序列而產生該複數個估計的針幹座標系(CS6’)的動態序列。
如請求項15所述的超音波針導航方法，其中該處理單元(80)組態成根據該複數個估計的針幹座標系(CS6')的動態序列與該量測的針幹座標系(CS6)的動態序列之間的估計損失，進行迭代更新該複數個估計的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2')及該複數個估計的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4')，以逐代減少估計損失，最終獲得該決策的換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及該決策的針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)。
如請求項11所述的超音波針導航方法，其中該針影偵測模組(70) 可擴增輸入訊號種類，形成一物理輔助針影偵測模組(70CS2)，而可將超音波換能器(30)偵測到的超音波影像序列，與該換能器追蹤器座標系(CS2)的動態序列，共同經由物理輔助針影偵測模組(70CS2)分析，取得該穿刺針(50)於該顯影面(60)的一量測的針幹座標系(CS6)的動態序列，以及一量測的顯影面與針幹轉換矩陣(M3’)。
如請求項11所述的超音波針導航方法，其中，該追蹤站(2)之追蹤場發生器(10)所產生的追蹤場(11)為電磁場，作用於該換能器追蹤器(20)而產生一定位訊號(S20)，以及作用於該針追蹤器(40)而產生一定位訊號(S40)，該些訊號可由追蹤站(2)解讀，以解得換能器追蹤器座標系(CS2)及針追蹤器座標系(CS5)在一空間中的動態序列。
如請求項11所述的超音波針導航方法，其中，該追蹤站(2)之追蹤場發生器(10)所產生的追蹤場(11)為光場，作用於該換能器追蹤器(20)而產生一光反射之定位訊號(S20)，以及作用於該針追蹤器(40)而產生一光反射之定位訊號(S40)，該些訊號可由追蹤站(2)解讀，以解得換能器追蹤器座標系(CS2)及針追蹤器座標系(CS5)在一空間中的動態序列。
如請求項11至19中任一項所述的超音波針導航方法，其中該處理單元(80)組態成在未確定換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)的情況下，透過迭代計算出該換能器追蹤器與顯影面轉換矩陣(M2)及該針尖與針追蹤器轉換矩陣(M4)，以適用於不同規格的超音波換能器(30)及穿刺針(50)的穿刺過程三維導航。
一種用於一半導體製程腔室的輔助控溫裝置，其中，包括： <br/>一導熱組件，用於與該半導體製程腔室固定連接，以與該半導體製程腔室內的一製程套件進行熱交換； <br/>一冷卻流道，設置在該導熱組件內，該冷卻流道用於通入一冷卻流體，以冷卻該導熱組件； <br/>一加熱組件，設置在該導熱組件內，用於加熱該導熱組件。
如請求項1所述的輔助控溫裝置，其中，該導熱組件包括： <br/>一第一導熱件，用於連接在該半導體製程腔室的一承載裝置上，以與該製程套件中的一沉積環進行熱交換； <br/>該冷卻流道包括： <br/>一第一冷卻流道，設置在該第一導熱件內； <br/>該加熱組件包括： <br/>一第一加熱件，設置在該第一導熱件內。
如請求項1或2所述的輔助控溫裝置，其中，該導熱組件包括： <br/>一第二導熱件，用於連接在該半導體製程腔室的一腔室本體的內壁上，以與該製程套件中的一內襯組件進行熱交換； <br/>該冷卻流道包括： <br/>一第二冷卻流道，設置在該第二導熱件內； <br/>該加熱組件包括： <br/>一第二加熱件，設置在該第二導熱件內。
如請求項2所述的輔助控溫裝置，其中，該第一導熱件包括： <br/>一第一熱交換部，具有用於與該沉積環貼合的一第一熱交換面； <br/>一第一連接部，連接在該第一熱交換部的內周側，該第一連接部用於與該承載裝置連接。
如請求項4所述的輔助控溫裝置，其中， <br/>該第一熱交換部上設置有一第一環形凸起部和一第一環形槽，該第一環形凸起部位於該第一熱交換面的外周側，該第一環形槽位於該第一熱交換面與該第一環形凸起部之間，該第一環形凸起部和第一環形槽用於與該半導體製程腔室的一內襯組件間隙配合以形成一迷宮通道。
如請求項3所述的輔助控溫裝置，其中， <br/>該第二導熱件具有一第二熱交換部和一第二連接部，該第二熱交換部具有用於與該內襯組件貼合的一第二熱交換面，該第二連接部連接在該第二熱交換部的外周側，該第二連接部用於與該腔室本體的內壁連接。
如請求項2所述的輔助控溫裝置，其中，該輔助控溫裝置還包括： <br/>一第一導電件，用於分別與該第一導熱件及該承載裝置電連接。
如請求項7所述的輔助控溫裝置，其中，該輔助控溫裝置還包括： <br/>一第二導電件，用於分別與該第二導熱件電連接及該內襯組件電連接。
如請求項8所述的輔助控溫裝置，其中， <br/>該輔助控溫裝置還包括一連接導線， <br/>該連接導線分別與該第一導熱件和該第二導熱件電連接，該第二導熱件還用於與該腔室本體的內壁電連接，以使該承載裝置、該第一導熱件、該第二導熱件、該內襯組件和該腔室本體的內壁之間相互電導通。
如請求項1所述的輔助控溫裝置，其中，該輔助控溫裝置還包括： <br/>一測溫組件，設置在該導熱組件上，以檢測該製程套件的溫度。
一種半導體製程腔室，其中，包括： <br/>一腔室本體； <br/>設置在該腔室本體內的一承載裝置和一製程套件； <br/>根據請求項1至10中任一項所述的輔助控溫裝置，該輔助控溫裝置與該腔室本體和/或該承載裝置中的至少一者固定連接，以調節該製程套件的溫度。
如請求項11所述的半導體製程腔室，其中，該製程套件包括：一內襯組件和一沉積環，該內襯組件連接在該腔室本體上，該沉積環環繞該承載裝置設置； <br/>該輔助控溫裝置包括：一第一導熱件和/或一第二導熱件，該第一導熱件連接在該承載裝置上，該第一導熱件與該沉積環貼合；該第二導熱件連接在該腔室本體的內壁上，該第二導熱件與該內襯組件貼合。
如請求項12所述的半導體製程腔室，其中， <br/>該沉積環的外周側具有一裝配部，該裝配部外延至該承載裝置的外側，該第一導熱件貼設在該裝配部上。
如請求項12所述的半導體製程腔室，其中，該內襯組件包括： <br/>一側壁部，沿垂直於該承載裝置的一承載面的方向設置； <br/>一底壁部，與該側壁部相連，該第二導熱件貼設在該底壁部上。
如請求項14所述的半導體製程腔室，其中，該沉積環的外周側具有一裝配部，該裝配部外延至該承載裝置的外側，該裝配部具有朝向該承載面的第一側和背離該承載面的第二側； <br/>在該裝配部的第一側具有一環形斜面，在該沉積環由內向外的方向上，該環形斜面的高度逐漸增加； <br/>該內襯組件還包括： <br/>一遮擋部，該遮擋部連接在該底壁部的內周壁上，且位於該環形斜面的上方。
如請求項15所述的半導體製程腔室，其中，該遮擋部朝向該環形斜面的內表面與該環形斜面之間形成一第一通道；該底壁部的內周壁與該裝配部的外周壁之間形成與該第一通道連通的一第二通道；該第一通道和該第二通道共同形成一迷宮通道的一部分。
一種電子封裝件，係包括：<br/>承載件；<br/>電子元件，係設於該承載件上；<br/>散熱件，係覆蓋該電子元件；<br/>導熱介面材，係供該散熱件透過該導熱介面材接置於該電子元件上；<br/>晶背金屬層，係設於電子元件上；以及<br/>奈米線陣列金屬層，係設於該導熱介面材與該晶背金屬層間，並與該導熱介面材結合。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該電子元件具有相對之作用面與非作用面，並以覆晶方式令該作用面透過複數導電凸塊電性連接該承載件。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該散熱件具有頂片及支撐腳，該支撐腳之一端結合該頂片，且另一端設於該承載件上。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該導熱介面材為低熔點之金屬層。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該導熱介面材為銦或鎵。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該晶背金屬層為鋁、鈦、鎳、釩及金所組群組之其中一者。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該奈米線陣列金屬層係於多層金屬層結構之該晶背金屬層之最外層金屬層上利用電鍍方式形成。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該奈米線陣列金屬層之材質為金、銀、銅、及鎳之其中一者。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該奈米線陣列金屬層令該晶背金屬層之表面形成粗糙結構。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該導熱介面材變形陷入該奈米線陣列金屬層之奈米陣列之中，以使該奈米線陣列金屬層結合該導熱介面材。
一種電子結構，係包括：<br/>電子元件；<br/>晶背金屬層，係設於電子元件上；以及<br/>奈米線陣列金屬層，係設於該晶背金屬層上。
如請求項11所述之電子結構，其中，該奈米線陣列金屬層係與導熱介面材結合，且該導熱介面材為低熔點之金屬層。
如請求項12所述之電子結構，其中，該導熱介面材為銦或鎵。
如請求項12所述之電子結構，其中，該導熱介面材變形陷入該奈米線陣列金屬層之奈米陣列之中，以使該奈米線陣列金屬層結合該導熱介面材。
如請求項11所述之電子結構，其中，該晶背金屬層為鋁、鈦、鎳、釩及金所組群組之其中一者。
如請求項11所述之電子結構，其中，該奈米線陣列金屬層係於多層金屬層結構之該晶背金屬層之最外層金屬層上利用電鍍方式形成。
如請求項11所述之電子結構，其中，該奈米線陣列金屬層之材質為金、銀、銅、及鎳之其中一者。
如請求項11所述之電子結構，其中，該奈米線陣列金屬層令該晶背金屬層之表面形成粗糙結構。
一種像素電路，包括：<br/> 一電容器，耦接至一節點；<br/> 一重置電路，受控於至少一重置訊號，用以依據至少一參考電壓重置該節點上的電壓；<br/> 一寫入電路，受控於一寫入訊號，用以將一灰階電壓寫入至該電容器並改變該節點上的電壓以響應一臨界電壓；<br/> 一驅動電路，受控於一驅動訊號，用以依據該節點的電壓產生一驅動電流；以及<br/> 一發光二極體，耦接至該驅動電路，其中該發光二極體的亮度隨著該驅動電流而改變，<br/> 其中該至少一重置訊號的一致能期間部分地重疊於該寫入訊號的一致能期間，使該灰階電壓寫入至該電容器的同時該至少一參考電壓施加於該節點，<br/> 其中該寫入訊號的該致能期間的一時間長度大於該灰階電壓的一致能期間的一時間長度。
如請求項1所述的像素電路，其中該至少一重置訊號的該致能期間比該寫入訊號的該致能期間還提前結束。
一種像素電路的驅動方法，包含：<br/> 根據至少一重置訊號控制一重置電路，藉此依據至少一參考電壓重置一節點上的電壓，其中該節點耦接至一電容器；<br/> 根據一寫入訊號控制一寫入電路，藉此將一灰階電壓寫入至該電容器並改變該節點上的電壓以響應一臨界電壓；<br/> 根據一驅動訊號控制一驅動電路，藉此依據該節點的電壓產生一驅動電流，並根據該驅動電流驅動一發光二極體，其中該發光二極體的亮度隨著該驅動電流而改變，<br/> 其中該至少一重置訊號的一致能期間部分地重疊於該寫入訊號的一致能期間，使該灰階電壓寫入至該電容器的同時該至少一參考電壓施加於該節點，<br/> 其中該寫入訊號的致能期間的一時間長度大於該灰階電壓的一致能期間的一時間長度。
如請求項3所述的驅動方法，其中該至少一重置訊號的該致能期間比該寫入訊號的該致能期間還提前結束。
一種用於通訊之設備，該設備包含：<br/> 至少一個記憶體，其被組配用以儲存電腦可讀程式碼；以及<br/> 至少一個處理電路系統，其被組配用以存取該至少一個記憶體，並且執行該電腦可讀程式碼以致使該設備至少進行下列動作：<br/> 在與一經組配不連續接收(DRX)循環相關聯之一評估週期中，進行與一非地面網路(NTN)相關聯之無線電量測；<br/> 在一全球導航衛星系統(GNSS)量測間隙中，進行一全球導航衛星系統量測；<br/> 進行該全球導航衛星系統量測間隙之一歷時與等同於該經組配不連續接收循環之一歷時的一門檻歷時之一比較；以及<br/> 基於該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時不大於該門檻歷時，基於在該評估週期中進行之該等無線電量測中之至少一些來估計無線電品質。
如請求項1之設備，其中該門檻歷時與該經組配不連續接收循環相關聯，該經組配不連續接收循環包括其中進行該等無線電量測之一開啟歷時。
如請求項1之設備，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時不大於該門檻歷時，並且維持該評估週期。
如請求項3之設備，其中該至少一個處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼以致使該設備進一步基於該全球導航衛星系統量測間隙與該不連續接收循環之一開啟歷時之至少一個完全或部分重疊來延長該評估週期，並且該無線電品質係基於在如已延長之該評估週期中進行之該等無線電量測來估計。
如請求項1之設備，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時大於該門檻歷時，並且<br/> 其中該至少一個處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼以致使該設備進一步捨棄在該全球導航衛星系統量測間隙之前進行之該等無線電量測中之一或多者，並且該無線電品質係基於將如已捨棄之該等無線電量測中之該一或多者排除之該等無線電量測來估計。
如請求項5之設備，其中該至少一個處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼，以致使該設備進一步重啟其中進行該等無線電量測之該評估週期，該評估週期在該全球導航衛星系統量測間隙之後重啟，並且該無線電品質係基於在如已重啟之該評估週期中進行之該等無線電量測來估計。
如請求項1之設備，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時大於該門檻歷時，並且<br/> 其中該至少一個處理電路系統被組配用以執行該電腦可讀程式碼以致使該設備將該評估週期調整為與相對於該經組配不連續接收循環之一更短不連續接收循環相關聯，或與一無不連續接收循環組態相關聯。
一種用於通訊之方法，該方法包含：<br/> 在與一經組配不連續接收(DRX)循環相關聯之一評估週期中，進行與一非地面網路(NTN)相關聯之無線電量測；<br/> 在一全球導航衛星系統(GNSS)量測間隙中，進行一全球導航衛星系統量測；<br/> 進行該全球導航衛星系統量測間隙之一歷時與等同於該經組配不連續接收循環之一歷時的一門檻歷時之一比較；以及<br/> 基於該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時不大於該門檻歷時，基於在該評估週期中進行之該等無線電量測中之至少一些來估計無線電品質。
如請求項8之方法，其中該門檻歷時與該經組配不連續接收循環相關聯，該經組配不連續接收循環包括其中進行該等無線電量測之一開啟歷時。
如請求項8之方法，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時不大於該門檻歷時，並且維持該評估週期。
如請求項10之方法，其中該方法更包含基於該全球導航衛星系統量測間隙與該不連續接收循環之一開啟歷時之至少一個完全或部分重疊來延長該評估週期，並且該無線電品質係基於在如已延長之該評估週期中進行之該等無線電量測來估計。
如請求項8之方法，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時大於該門檻歷時，並且<br/> 其中該方法更包含捨棄在該全球導航衛星系統量測間隙之前進行之該等無線電量測中之一或多者，並且該無線電品質係基於將如已捨棄之該等無線電量測中之該一或多者排除之該等無線電量測來估計。
如請求項12之方法，其中該方法更包含重啟其中進行該等無線電量測之該評估週期，該評估週期在該全球導航衛星系統量測間隙之後重啟，並且該無線電品質係基於如已重啟之該評估週期中進行之該等無線電量測來估計。
如請求項8之方法，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時大於該門檻歷時，並且該方法更包含將該評估週期調整為與相對於該經組配不連續接收循環之一更短不連續接收循環相關聯，或與一無不連續接收循環組態相關聯。
一種電腦可讀儲存媒體，其為非暫時性的並且具有儲存於其中之電腦可讀程式碼，該電腦可讀程式碼回應於藉由至少一個處理電路系統之執行，致使一設備至少進行下列動作：<br/> 在與一經組配不連續接收(DRX)循環相關聯之一評估週期中，進行與一非地面網路(NTN)相關聯之無線電量測；<br/> 在一全球導航衛星系統(GNSS)量測間隙中，進行一全球導航衛星系統量測；<br/> 進行該全球導航衛星系統量測間隙之一歷時與等同於該經組配不連續接收循環之一歷時的一門檻歷時之一比較；以及<br/> 基於該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時不大於該門檻歷時，基於在該評估週期中進行之該等無線電量測中之至少一些來估計無線電品質。
如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其中該門檻歷時與該經組配不連續接收循環相關聯，該經組配不連續接收循環包括其中進行該等無線電量測之一開啟歷時。
如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時不大於該門檻歷時，並且維持該評估週期。
如請求項17之電腦可讀儲存媒體，其中該電腦可讀儲存媒體具有儲存於其中之進一步電腦可讀程式碼，其回應於藉由該至少一個處理電路系統之執行，致使該設備進一步基於該全球導航衛星系統量測間隙與該不連續接收循環之一開啟歷時之至少一個完全或部分重疊來延長該評估週期，並且該無線電品質係基於在如已延長之該評估週期中進行之該等無線電量測來估計。
如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其中該比較指出該全球導航衛星系統量測間隙之該歷時大於該門檻歷時，並且<br/> 其中該電腦可讀儲存媒體具有儲存於其中之進一步電腦可讀程式碼，其回應於藉由該至少一個處理電路系統之執行，致使該設備進一步捨棄在該全球導航衛星系統量測間隙之前進行之該等無線電量測中之一或多者，並且該無線電品質係基於將如已捨棄之該等無線電量測中之該一或多者排除之該等無線電量測來估計。
如請求項19之電腦可讀儲存媒體，其中該電腦可讀儲存媒體具有儲存於其中之進一步電腦可讀程式碼，其回應於藉由該至少一個處理電路系統之執行，致使該設備進一步重啟其中進行該等無線電量測之該評估週期，該評估週期在該全球導航衛星系統量測間隙之後重啟，並且該無線電品質係基於如已重啟之該評估週期中進行之該等無線電量測來估計。
一種消泡反應器，供一含液體反應物於其內進行反應，包含： <br/>一腔體，具有一腔體側壁，該腔體側壁圍成相互連通之一上內部空間及一下內部空間；以及 <br/>一物料攪拌裝置，設置於該下內部空間； <br/>其中，該含液體反應物在該下內部空間中進行反應，該上內部空間之體積為該下內部空間之體積的兩倍以上，並且該上內部空間在水平方向上的寬度大於該下內部空間在水平方向上的寬度。
如請求項1所述的消泡反應器，進一步包含一上加熱裝置，設置於該上內部空間之外圍。
如請求項2所述的消泡反應器，其中該上加熱裝置環繞該側壁或設置於該側壁內。
如請求項2所述的消泡反應器，其中該上加熱裝置包含一夾套單元。
如請求項2所述的消泡反應器，其中該上加熱裝置包含一電熱單元。
如請求項1所述的消泡反應器，進一步包含一控溫裝置，設置於該下內部空間之外圍。
如請求項6所述的消泡反應器，其中該控溫裝置環繞該側壁或設置於該側壁內。
如請求項6所述的消泡反應器，其中該控溫裝置包含一夾套單元。
如請求項1所述的消泡反應器，其中該物料攪拌裝置包含一錨式葉片攪拌器。
如請求項1所述的消泡反應器，進一步包含一消泡攪拌裝置，設置於該上內部空間底部。
如請求項1所述的消泡反應器，進一步包含一泡沫偵測裝置以及一噴灑裝置，設置於該上內部空間之頂部。
如請求項11所述的消泡反應器，進一步包含一消泡加熱裝置，設置於該上內部空間之頂部。
如請求項12所述的消泡反應器，其中該消泡加熱裝置包含一盤管單元。
如請求項12所述的消泡反應器，其中該消泡加熱裝置包含一電熱單元。
如請求項12所述的消泡反應器，其中該消泡加熱裝置設置於該泡沫偵測裝置以及該噴灑裝置上方。
如請求項1所述的消泡反應器，進一步包含： <br/>一接收裝置，設置於該腔體外；以及 <br/>一安全破片，設置於該接收裝置與該腔體內部之間； <br/>其中，當該腔體內之壓力大於一預定值，該安全破片破裂使該接收裝置與該腔體內部連通。
一種消除反應中生成泡沫的方法，包含： <br/>提供如請求項1至16中任一項所述之消泡反應器； <br/>使該含液體反應物在該下內部空間中進行反應。
如請求項17所述的方法，進一步包含對該上內部空間加熱，使該上內部空間之溫度高於該下內部空間的溫度。
如請求項17所述的方法，進一步包含對該上內部空間之頂部加熱，使該上內部空間之頂部之溫度高於該下內部空間的溫度。
如請求項17所述的方法，進一步包含對該上內部空間噴灑一消泡劑。
一種在一場景之一視訊序列中追蹤物件之電腦實施之方法，該方法包括： <br/>判定該場景中物件離開該場景之一匯點(sink)之一位置及物件進入該場景之一源點(source)之一位置； <br/>使用一重新識別演算法來追蹤在該場景中移動之一第一物件，其中該第一物件與該重新識別演算法之一重新識別臨限值(re-identification threshold)相關聯； <br/>偵測到該第一物件已在該匯點處離開該場景； <br/>回應於偵測到該第一物件已在該匯點處離開該場景，調整與該第一物件相關聯之該重新識別臨限值，使得該重新識別演算法將在該第一物件已於該匯點處離開該場景之後於該源點處進入該場景之一第二物件重新識別為該第一物件之一機率降低； <br/>該方法進一步包括，在調整與該第一物件相關聯之該重新識別臨限值之後： <br/>偵測到該第二物件在該源點處之進入； <br/>回應於偵測到該第二物件在該源點處之進入，嘗試使用該重新識別演算法及該經調整重新識別臨限值來將該第二物件重新識別為該第一物件，其中嘗試將該第二物件重新識別為該第一物件包括比較該第二物件之一組第二物件特徵與該第一物件之一組第一物件特徵以產生一匹配得分(matching score)，且藉由比較該匹配得分與該經調整重新識別臨限值而執行一臨限值測試(threshold test)； <br/>回應於該匹配得分通過該臨限值測試： <br/>將該第二物件重新識別為該第一物件，且在此之後恢復該重新識別臨限值，且使用該經恢復重新識別臨限值繼續將該第二物件作為該第一物件進行追蹤；及 <br/>回應於該匹配得分未通過該臨限值測試： <br/>判定該第二物件不同於該第一物件，且隨後使用該重新識別演算法及與該第二物件相關聯的一重新識別臨限值來將該第二物件作為不同於該第一物件之一物件進行追蹤； <br/>其中該匹配得分係經定義使得在該組第一物件特徵與該組第二物件特徵越相似的情況下，則該匹配得分增加，及其中藉由提高該重新識別臨限值來調整該重新識別臨限值，及 <br/>其中該匹配得分係經定義使得在該組第一物件特徵與該組第二物件特徵越相似的情況下，則該匹配得分減少，及其中藉由降低該重新識別臨限值來調整該重新識別臨限值。
如請求項1之方法，其中追蹤該第一物件包括維護針對該第一物件之一追蹤脈絡，且其中將該第二物件重新識別為該第一物件包括使該第二物件與針對該第一物件之該追蹤脈絡相關聯。
如請求項1之方法，其中在自偵測到該第一物件已於該匯點處離開該場景起之一預定時間內偵測到該第二物件在該源點處之該進入。
如請求項1之方法，其中追蹤該第一物件包括維護針對該第一物件之一追蹤脈絡，該方法進一步包括，回應於在判定自偵測到該第一物件已於該匯點處離開該場景以來已過去超過一預定時間之後，自由該重新識別演算法維護之一組現用追蹤脈絡(active tracking contexts)移除針對該第一物件之該追蹤脈絡。
如請求項1之方法，其中該方法包括判定物件進入該場景之一組源點之位置，其中該源點係該一組源點當中的一個源點，且其中在調整該重新識別臨限值之後，該重新識別演算法將在該一組源點中之任一者處進入該場景之一物件重新識別為該第一物件之一機率降低。
如請求項5之方法，其中在該一組源點中之任一者處偵測到該第二物件之進入。
如請求項1之方法，其中該匯點係一第一匯點且該方法進一步包括判定物件離開該場景之一第二匯點之一位置，並且該方法進一步包括： <br/>使用該重新識別演算法追蹤在該場景中移動之一第三物件，其中該第三物件與該重新識別演算法之一各別重新識別臨限值相關聯； <br/>偵測到該第三物件已在該第二匯點處離開該場景；及 <br/>回應於偵測到該第三物件已在該第二匯點處離開該場景，終止對該第三物件之追蹤，從而防止將在該源點處進入該場景之一第四物件重新識別為該第三物件。
如請求項7之方法，其中追蹤該第三物件包括維護針對該第三物件之一追蹤脈絡，且其中終止對該第三物件之追蹤包括自由該重新識別演算法維護之一組現用追蹤脈絡移除針對該第三物件之該追蹤脈絡。
如請求項1之方法，其中該源點與該匯點彼此毗鄰或重疊。
一種物件追蹤系統，其包括： <br/>至少一個攝影機，其用於擷取一場景之一視訊序列；及 <br/>一處理裝置，其經組態以根據如請求項1至9之方法在該視訊序列中追蹤物件。
一種包括電腦程式碼部分之非暫時性電腦可讀儲存媒體，該等電腦程式碼部分經組態以在由一處理裝置執行時，執行如請求項1至9之在一場景之一視訊序列中追蹤物件之方法。
一種自動計量系統，適用於在一物料之一作業過程中，同步對該物料進行一自動計量步驟，包含：一步進轉盤，該步進轉盤貫穿有至少一開口，該步進轉盤係依據一步進模式轉動；至少一物料暫存槽，該物料暫存槽係活動式設於該步進轉盤之該開口上，該步進轉盤之轉動用以使得該物料暫存槽分別由一入料位置、一秤重位置以及一出料位置中之一者依序轉動另一者，且於該一者上暫停至少一段預設時間再轉動至該另一者；一緩衝料斗，該緩衝料斗設於該入料位置且位於該步進轉盤之上方，該緩衝料斗係將一物料供應源所輸送之該物料收集至該緩衝料斗中，再進行一入料步驟將該緩衝料斗中之該物料排放至位在該入料位置上之該物料暫存槽；一測重裝置，該測重裝置係一升降秤，設於該秤重位置且位於該步進轉盤之下方，該升降秤用以經由該開口向上抬起位在該秤重位置上之該物料暫存槽，以便對位於該物料暫存槽中之該物料進行該自動計量步驟；以及一出料料斗，該出料料斗設於該出料位置且位於該步進轉盤之下方，其中該物料暫存槽係於轉動至該出料位置時進行一出料步驟，將該物料暫存槽中之該物料排放至該出料料斗中。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該緩衝料斗係於該段時間長度內將該物料供應源所輸送之該物料收集至該緩衝料斗中，該測重裝置係於該段時間長度內對位在該秤重位置上之該物料暫存槽進行該自動計量步驟，且該出料料斗係於該段時間長度內將該物料暫存槽中之該物料排放至該出料料斗中。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該測重裝置與該物料暫存槽之間的相對速度之數值足以使得該測重裝置量測該物料暫存槽及其中之該物料之重量，而且該物料暫存槽之數量為複數個，該緩衝料斗之該入料步驟、該測重裝置之該自動計量步驟及該出料料斗之該出料步驟三者係同步進行。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該物料供應源係至少一爬升機料斗，該爬升機料斗係設於一爬升機之一輸送帶上。
如請求項1所述之自動計量系統，進一步包含一處理器，該處理器用於接收該測重裝置在該自動計量步驟中所量測之該物料之一重量數值，並執行一統計及分析程序，以控制該物料供應源之開啟或關閉，從而啟動或停止輸送該物料。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該物料暫存槽在該入料位置、該秤重位置以及該出料位置相鄰之兩者之間之一轉動速度係與該物料暫存槽暫停之該段預設時間之一長度呈反比。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該自動計量系統係設於該物料之一篩選機台與一倉儲之間，用以在該作業過程中之一篩選步驟及一倉儲存放步驟之間，對該物料進行該自動計量步驟。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該物料暫存槽包含一槽體及一閥門，該槽體具有一上開口及一下開口，該閥門係用以選擇性開啟或關閉於該槽體之該下開口，該物料暫存槽之該閥門係僅在該物料暫存槽位於該出料位置時，才打開該下開口，以便將該物料暫存槽中之該物料排放至該出料料斗中。
如請求項1所述之自動計量系統，其中該緩衝料斗包含一槽體及一閥門，該緩衝料斗之該槽體具有一上開口及一下開口，該緩衝料斗之該閥門係用以選擇性開啟或關閉該緩衝料斗之該槽體之該下開口，該緩衝料斗之該閥門係僅在該物料暫存槽位於該入料位置時，才打開該緩衝料斗之該下開口，以便將該緩衝料斗中之該物料排放至該物料暫存槽中。
一種製作磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 提供一基底包含一MRAM區域以及一邏輯區域；<br/> 形成一第一金屬間介電層於該基底上；<br/> 形成一金屬氮化物層於該第一金屬間介電層上；<br/> 利用一第一圖案化遮罩去除該邏輯區域之該金屬氮化物層；<br/> 利用一第二圖案化遮罩去除該MRAM區域之該金屬氮化物層；<br/> 利用一第三圖案化遮罩去除該MRAM區域以及該邏輯區域之該第一金屬間介電層；<br/> 於該MRAM區域之該第一金屬間介電層內形成一第一金屬內連線以及於該邏輯區域之該第一金屬間介電層內形成一第二金屬內連線，該第一金屬內連線包含一第一接觸洞導體，該第二金屬內連線包含一第二接觸洞導體以及一溝渠導體設於該第二接觸洞導體上，該第一接觸洞導體的高度等於該溝渠導體加上第二接觸洞導體的高度，該第一接觸洞導體的頂面和該溝渠導體的頂面分別與該第一金屬間介電層的上表面切齊；以及<br/> 形成一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction, MTJ)於該第一金屬內連線上。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 利用該第三圖案化遮罩去除該第一金屬間介電層以形成一第一接觸洞開口於該MRAM區域以及一第二接觸洞開口於該邏輯區域；<br/> 去除該邏輯區域之部分第一金屬間介電層以形成一溝渠開口；<br/> 形成一金屬層於該第一接觸洞開口、該第二接觸洞開口以及該溝渠開口內；<br/> 平坦化該金屬層以於該MRAM區域形成該第一金屬內連線以及於該邏輯區域形成該第二金屬內連線。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 利用該第一圖案化遮罩去除該邏輯區域之該金屬氮化物層後利用該第二圖案化遮罩去除該MRAM區域之該金屬氮化物層。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 利用該第二圖案化遮罩去除該MRAM區域之該金屬氮化物層後利用該第一圖案化遮罩去除該邏輯區域之該金屬氮化物層。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 形成一第二金屬間介電層於該第一金屬間介電層上；<br/> 形成一第三金屬內連線於該第一金屬內連線上；以及<br/> 形成該MTJ於該第三金屬內連線上。
如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三金屬內連線包含一接觸洞導體。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該金屬氮化物層包含氮化鈦。
一種磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，其特徵在於，包含：<br/> 一基底包含一MRAM區域以及一邏輯區域；<br/> 一第一金屬間介電層設於該基底上；<br/> 一第一金屬內連線設於該MRAM區域之該第一金屬間介電層內，其中該第一金屬內連線包含一第一接觸洞導體；<br/> 一第二金屬內連線設於該邏輯區域之該第一金屬間介電層內，其中該第二金屬內連線包含：<br/> 一第二接觸洞導體；<br/> 一溝渠導體設於該第二接觸洞導體上，其中該第一接觸洞導體的高度等於該溝渠導體加上第二接觸洞導體的高度，該第一接觸洞導體的頂面和該溝渠導體的頂面分別與該第一金屬間介電層的上表面切齊；以及<br/> 一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction, MTJ)設於該第一金屬內連線上。
如申請專利範圍第8項所述之MRAM元件，另包含：<br/> 一第二金屬間介電層設於該第一金屬間介電層上；<br/> 一第三金屬內連線設於該第一金屬內連線上；以及<br/> 該MTJ設於該第三金屬內連線上。
如申請專利範圍第9項所述之MRAM元件，其中該第三金屬內連線包含一第三接觸洞導體。
如申請專利範圍第9項所述之MRAM元件，另包含：<br/> 一第三金屬間介電層設於該第二金屬間介電層上並環繞該MTJ；以及<br/> 一第四金屬內連線設於該第二金屬內連線上。
如申請專利範圍第11項所述之MRAM元件，其中該第四金屬內連線包含：<br/> 一第四接觸洞導體；以及<br/> 一第二溝渠導體設於該第四接觸洞導體上。
如申請專利範圍第11項所述之MRAM元件，其中該第三金屬內連線底表面切齊該第四金屬內連線底表面。
如申請專利範圍第11項所述之MRAM元件，其中該MTJ頂表面切齊該第四金屬內連線頂表面。
一種測速警示設備之收發射器，其係包含信號接收模組、處理器及藍芽收發送模組；該信號接收模組至少包括雷達信號接收單元、雷射信號接收單元，該雷達信號接收單元可以接收雷達儀發出的電波信號，並將該信號傳輸至處理器進行運算處理；該雷射信號接收單元可以捕捉雷射儀發出的雷射光信號，並將該信號傳輸至處理器進行運算處理；該處理器係與信號接收模組及藍芽收發送模組電性連接；當處理器接收信號接收模組之信號後加以運算處理，通過藍芽收發送模組以無線傳輸方式將該處理信號送出，由匹配的行動裝置接收該信號，藉由行動裝置對駕駛人進行提醒警告，該處理器電性連接一電源濾波模組，該電源濾波模組包含了外部輸入電源、ACC控制單元、G-sensor控制單元、降壓模組及穩壓輸出單元，藉由外部輸入電源提供電力，透過降壓模組將該電壓整流至額定電壓，再經穩壓輸出單元輸出供電，而該ACC控制單元可偵測裝置正在使用開啟電源，該G-sensor控制單元偵測無運動加速度變化時，系統判斷裝置無運作後關閉電源。
如請求項1之測速警示設備之收發射器，其中，該藍芽收發送模組包含電源單元、串行外設介面(SPI)、微處理(MCU)及藍芽收發射天線，該電源單元具備降壓、穩壓及過電流保護作用，以適當電壓值提供藍芽收發送模組。
一種積層體，係依序具備金屬層、含金屬的聚合物層、及聚合物層， <br/>前述金屬層及前述含金屬的聚合物層含有同種金屬， <br/>前述金屬層之厚度為0.1μm以上1010μm以下， <br/>前述含金屬的聚合物層之厚度為0.04μm以上10μm以下， <br/>前述金屬層含有碳。
一種積層體，係依序具備金屬層、含金屬的聚合物層、及聚合物層， <br/>前述金屬層及前述含金屬的聚合物層含有同種金屬， <br/>構成前述含金屬的聚合物層之聚合物及構成前述聚合物層之聚合物為含氮聚合物， <br/>前述含金屬的聚合物層含有與氮原子化學鍵結的金屬， <br/>前述金屬層含有碳。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層含有金屬1原子%以上20原子%以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述聚合物層之厚度為1μm以上1000μm以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述金屬層具備第一金屬層、及配置於前述第一金屬層與前述含金屬的聚合物層之間之第二金屬層， <br/>前述第一金屬層、前述第二金屬層、及前述含金屬的聚合物層含有同種金屬， <br/>前述第一金屬層之厚度為0.1μm以上1000μm以下， <br/>前述第二金屬層之厚度為0.01μm以上10μm以下。
如請求項5所述之積層體，其中前述第二金屬層為使含有氧化銅的層還原而成的層。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述金屬層含有碳0.1原子%以上15原子%以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述金屬層及前述含金屬的聚合物層含有銅。
如請求項1或2所述之積層體，其中於前述含金屬的聚合物層上形成前述金屬層的圖案。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層含有鈉。
如請求項10所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層含有鈉0.1原子%以上10原子%以下。
如請求項1所述之積層體，其中構成前述含金屬的聚合物層之聚合物及構成前述聚合物層之聚合物為含氮聚合物， <br/>前述含金屬的聚合物層含有與氮原子化學鍵結的金屬。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層含有0價及/或1價金屬。
如請求項13所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層含有0價及/或1價金屬，且不含有2價金屬。
如請求項13所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層含有0價及1價金屬。
如請求項1或2所述之積層體，其中在前述含金屬的聚合物層與前述聚合物層的境界起往前述金屬層側20nm的位置中，金屬濃度為1.0原子%以上5.0原子%以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中在前述含金屬的聚合物層之X射線光電子光譜法光譜測定中，於571eV~574eV之範圍存在波峰。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述金屬層在從含金屬的聚合物層側起深度1nm以上500nm以下之區域中具有0.1體積%以上30體積%以下之空隙率。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述金屬層含有氧化銅(I)。
如請求項1或2所述之積層體，其中在厚度方向剖面觀察中，前述金屬層與前述含金屬的聚合物層的境界線之長度(L2)相對於積層體之面內方向長度(L1)的(L2)/(L1)比為1.0以上2.2以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述含金屬的聚合物層為含金屬的聚醯亞胺層，前述聚合物層為聚醯亞胺層。
如請求項1或2所述之積層體，其中在紅外線吸收光譜測定中，源自於構成前述含金屬的聚合物層及前述聚合物層之聚合物之主鏈中的第一結構之第一波峰之波峰強度(IR1)與源自於前述主鏈中之第二結構之第二波峰之波峰強度(IR2)的(IR1)/(IR2)比之最小值為0.2以上1.5以下。
如請求項1或2所述之積層體，其使用作為電子電路基板之構成要件。
一種積層體之製造方法，係製造如請求項1或2所述之積層體，包括下述步驟： <br/>於聚合物基材上塗布金屬氧化物之塗布步驟；及 <br/>還原前述金屬氧化物之還原步驟。
如請求項24所述之積層體之製造方法，其中藉由雷射光照射而進行前述還原。
如請求項24所述之積層體之製造方法，其進一步包括無電解金屬鍍層步驟。
如請求項26所述之積層體之製造方法，其中在前述還原步驟之後進行前述無電解金屬鍍層步驟。
一種積層體之製造方法，係用以製造積層體，且包括下述步驟： <br/>形成厚度0.1μm以上1000μm以下之第一金屬層之步驟； <br/>形成厚度0.01μm以上10μm以下之第二金屬層之步驟； <br/>形成厚度0.04μm以上10μm以下之含金屬的聚合物層之步驟；及 <br/>形成厚度1.0μm以上1000μm以下之聚合物層之步驟， <br/>前述積層體依序配置有前述第一金屬層、前述第二金屬層、前述含金屬的聚合物層、及前述聚合物層，且前述第一金屬層，前述第二金屬層，及前述含金屬的聚合物層含有同種金屬。
如請求項28所述之積層體之製造方法，其中形成前述第二金屬層之步驟包括下述步驟： <br/>於基材上塗布含有金屬粒子及/或金屬氧化物粒子之分散體而形成分散體層之塗布步驟； <br/>藉由乾燥前述分散體層而於前述基材上形成乾燥塗膜之乾燥步驟；及 <br/>藉由加熱前述乾燥塗膜而形成前述第二金屬層之步驟。
如請求項28所述之積層體之製造方法，其中形成前述第二金屬層之步驟包括下述步驟： <br/>於基材上塗布含有金屬粒子及/或金屬氧化物粒子之分散體而形成分散體層之塗布步驟； <br/>藉由乾燥前述分散體層而於前述基材上形成乾燥塗膜之乾燥步驟； <br/>藉此照射雷射並燒製前述乾燥塗膜而形成前述第二金屬層之步驟。
如請求項29或30所述之積層體之製造方法，其中前述金屬粒子及/或金屬氧化物粒子為銅粒子及/或氧化銅粒子。
如請求項28所述之積層體之製造方法，其中形成前述第一金屬層之步驟包括下述步驟： <br/>藉由將前述第二金屬層浸漬於鍍層液而形成前述第一金屬層之步驟。
如請求項32所述之積層體之製造方法，其中使用pH為10以上14以下之前述鍍層液。
一種自舉式控制電路，包括：<br/> 一電流鏡，基於一輸入電壓，鏡射一偏置電流以產生一鏡射電流；<br/> 一二極體串，耦接在該電流鏡與一參考電壓端間；<br/> 一開關，具有第一端耦接至該二極體串，該開關的控制端接收一第一控制電壓，該開關的第二端提供一第二控制電壓；<br/> 一控制電壓產生器，對應該參考電壓端上的電壓以產生該第一控制電壓；以及<br/> 一第一電晶體，基於該輸入電壓，根據該第二控制電壓以產生一輸出電壓。
如請求項1所述的自舉式控制電路，其中該控制電壓產生器包括：<br/> 一第一二極體，具有第一端耦接至該電流鏡以接收該鏡射電流，並提供該第一控制電壓，該第一二極體的第二端耦接至該開關的第一端。
如請求項2所述的自舉式控制電路，更包括：<br/> 一電容，耦接在該第一電晶體的控制端與該參考電壓端間。
如請求項3所述的自舉式控制電路，其中在一第一責任週期中，該開關被導通，該電容通過該開關以接收該偏置電流來進行充電，使該第二控制電壓被拉升至一第一電壓值。
如請求項4所述的自舉式控制電路，其中在該第一責任週期中，該參考電壓端上的電壓為參考接地電壓。
如請求項5所述的自舉式控制電路，其中在一第二責任週期中，該參考電壓端上的電壓等於該輸入電壓，該開關被斷開以切斷該第一電晶體的控制端至該第一二極體的第二端間的放電路徑。
如請求項6所述的自舉式控制電路，其中該電流鏡包括：<br/> 一第二電晶體，具有第一端以接收該輸入電壓，該第二電晶體的第二端接收該偏置電流，該第二電晶體的控制端與該第二電晶體的第二端相互耦接；以及<br/> 一第三電晶體，具有第一端以接收該輸入電壓，該第三電晶體的第二端產生該鏡射電流，該第三電晶體的控制端耦接至該第二電晶體的控制端，該第三電晶體的基底耦接至該第三電晶體的第一端。
如請求項7所述的自舉式控制電路，其中在該第二責任週期中，該第三電晶體的基底二極體被導通，並使該第一控制電壓被箝制在一第二電壓值，其中該第二電壓值不大於該輸入電壓的電壓值。
如請求項2所述的自舉式控制電路，其中該開關包括一第二電晶體，該第二電晶體的第一端耦接至該第一二極體的第二端，該第二電晶體的第二端耦接至該第一電晶體的控制端，該第二電晶體的控制端接收該第一控制電壓，該第二電晶體的基底耦接至該第二電晶體的第一端。
如請求項2所述的自舉式控制電路，其中該第一二極體由一第二電晶體來建構，該第二電晶體的第一端耦接至該電流鏡，該第二電晶體的第二端耦接至該開關的第一端，該第二電晶體的控制端接收該第一控制電壓，該第二電晶體的基底耦接至該參考電壓端。
如請求項2所述的自舉式控制電路，其中該第一二極體的陽極耦接至該電流鏡，該第一二極體的陰極耦接至該開關的第一端。
如請求項2所述的自舉式控制電路，更包括：<br/> 一第二二極體，具有陽極端以接收該輸入電壓，該第二二極體的陰極端耦接至該第一電晶體的第一端；<br/> 一電流源，耦接在該第一電晶體的第二端與參考電壓端間；以及<br/> 一穩壓電容，接在該第一電晶體的第二端與參考電壓端間。
一種電壓轉換裝置，包括：<br/> 一第一功率電晶體以及一第二功率電晶體，相互串接在一輸入電壓以及一參考接地電壓間，或者相互串接在一輸出電壓以及該參考接地電壓間；<br/> 一第一驅動器以及一第二驅動器，分別用以驅動該第一功率電晶體以及該第二功率電晶體；<br/> 一電感，耦接在該第一功率電晶體以及該第二功率電晶體的相互耦接端以及該電壓轉換裝置的輸出端或輸入端間；以及<br/> 如請求項1所述的該自舉式控制電路，耦接在該第一功率電晶體的兩端間。
如請求項13所述的電壓轉換裝置，其中當該第一功率電晶體耦接至該輸入電壓，該電感耦接至該電壓轉換裝置的輸出端時，該電壓轉換裝置為降壓式電壓轉換裝置；當該第一功率電晶體耦接至該輸出電壓，該電感耦接至該電壓轉換裝置的輸入端時，該電壓轉換裝置為升壓式電壓轉換裝置。
如請求項13所述的電壓轉換裝置，其中該自舉式控制電路所產生的該輸出電壓被提供以作為該第一驅動器的電源電壓。
如請求項13所述的電壓轉換裝置，其中該電壓轉換裝置的電源切換動作的站空比大於一閾值。
如請求項13所述的電壓轉換裝置，其中該第一功率電晶體以及該第二功率電晶體皆為N型電晶體。
一種晶圓框治具，用於承載和固定晶圓，包括：<br/>一剛性框架，包括一外框部和一中央部，其中該外框部環繞該中央部，該外框部為實體結構，以及該中央部為鏤空結構；以及<br/>一柔性片，與該剛性框架連接並且覆蓋住該剛性框架之該中央部，其中該柔性片包括一晶圓接觸面，該晶圓接觸面用於與一晶圓直接接觸並且不具有黏性，以及該晶圓放置在該剛性框架之該中央部的區域內；<br/>其中該柔性片包括複數個第一開孔，該晶圓框治具和該晶圓疊放在一真空吸盤上，並且藉由該些第一開孔使該晶圓被真空吸附在該晶圓框治具上；以及<br/>其中該晶圓接觸面上形成有複數個以放射狀排列的凸台，以及該晶圓與該些凸台的頂面接觸。
如請求項1的晶圓框治具，其中該柔性片的材料包括矽膠。
如請求項1的晶圓框治具，其中該柔性片包括複數個第二開孔，該些第一開孔和該些第二開孔皆設置在與該晶圓接觸的區域內，該第二開孔的尺寸大於該第一開孔的尺寸，以及該第二開孔允許一頂針通過以將該晶圓與該晶圓框治具分離。
一種晶圓表面檢測方法，包括：<br/>提供如請求項1至3中任一項所述的晶圓框治具；<br/>將該晶圓框治具和一晶圓疊放在一單晶圓處理裝置的一真空吸盤上，其中該晶圓框治具放置在該晶圓和該真空吸盤之間；<br/>藉由該單晶圓處理裝置對該晶圓進行一濕處理；<br/>將該晶圓框治具和該晶圓分離；以及<br/>將該晶圓放置在一檢測裝置上以檢測濕處理後的該晶圓的表面特性。
如請求項4的晶圓表面檢測方法，其中在將該晶圓框治具和該晶圓疊放在該單晶圓處理裝置的該真空吸盤上之前，還包括：<br/>將該晶圓框治具放置在一定位裝置上；<br/>藉由該定位裝置將該晶圓放置在該晶圓框治具的一柔性片上。
如請求項5的晶圓表面檢測方法，其中該晶圓框治具之該柔性片包括一晶圓接觸面，該晶圓接觸面上形成有複數個以放射狀排列的凸台，以及在藉由該定位裝置將該晶圓放置在該晶圓框治具的該柔性片上的步驟中，還包括：<br/>藉由該定位裝置將該晶圓放置在該晶圓框治具的該柔性片的該晶圓接觸面上。
如請求項4的晶圓表面檢測方法，其中該晶圓框治具包括複數個第一開孔，以及在將該晶圓框治具和該晶圓疊放在該單晶圓處理裝置的該真空吸盤上之後，還包括：<br/>藉由該真空吸盤施加一真空吸附力以固定該晶圓框治具，並且利用該些第一開孔使該晶圓被真空吸附在該晶圓框治具上。
如請求項4的晶圓表面檢測方法，其中該晶圓框治具包括複數個第二開孔，以及將該晶圓框治具和該晶圓分離的步驟，還包括：<br/>將該濕處理後的該晶圓框治具和該晶圓一起放置在一分離裝置上，其中該分離裝置包含可縱向移動的複數個頂針；<br/>控制該些頂針向上移動並且通過該些第二開孔碰觸到該晶圓，以將該晶圓與該晶圓框治具分離。
一種具備疊料防止功能的積體電路測試機台，用於與一分類機協同工作，以控制該分類機所執行的一置放程序及一取回程序，該積體電路測試機台包含：<br/> 一測試頭，用於供執行該置放程序的該分類機置放一受測物，以及供執行該取回程序的該分類機取回該受測物；及<br/> 一主機，耦接該測試頭及該分類機，該主機用於藉由該測試頭對該受測物執行一測試程序，並用於提供一第一指令至該分類機使該分類機運作於一更換階段，該更換階段使該分類機先執行該取回程序再執行該置放程序以更換為另一受測物，其中，該主機用於在該更換階段內藉由該測試頭執行一殘留測試程序，並於該受測物殘留於該測試頭上時，產生使該分類機停止運作的一第二指令，其中該殘留測試程序令該測試頭執行一電性量測以據以判定是否殘留該受測物。
如請求項1所述之積體電路測試機台，其中於該主機執行該殘留測試程序的期間內，該分類機僅在執行自該測試頭取回該受測物的該取回程序或執行置放該另一受測物的該置放程序。
如請求項1或2所述之積體電路測試機台，其中該殘留測試程序執行於該更換階段運作一等待時間之後。
如請求項3所述之積體電路測試機台，其中該殘留測試程序包括複數測試迴圈，以持續地反覆執行該受測物是否殘留於該測試頭上的檢測。
如請求項4所述之積體電路測試機台，其中該等測試迴圈的一總執行時間被控制為短於該更換階段的一更換時間減去該等待時間。
如請求項4所述之積體電路測試機台，其中該主機被控制為於接收到該分類機所產生的一第三指令時，停止該殘留測試程序，其中該分類機於即將完成該另一受測物的該置放程序時，產生該第三指令。
如請求項4所述之積體電路測試機台，其中各該測試迴圈用於使該主機藉由該測試頭進行該電性量測。
如請求項7所述之積體電路測試機台，其中該電性量測為電阻值的量測。
一種具備疊料防止功能的積體電路測試系統，包含：<br/> 一分類機，用於執行一置放程序或一取回程序；及<br/> 一積體電路測試機台，包括：<br/> 一測試頭，用於供執行該置放程序的該分類機置放一受測物，以及供執行該取回程序的該分類機取回該受測物；及<br/> 一主機，耦接該測試頭及該分類機，該主機用於藉由該測試頭對該受測物執行一測試程序，並用於提供一第一指令至該分類機使該分類機運作於一更換階段，該更換階段使該分類機先執行該取回程序再執行該置放程序以更換為另一受測物，其中，該主機用於在該更換階段內藉由該測試頭執行一殘留測試程序，並於該受測物殘留於該測試頭上時，產生使該分類機停止運作的一第二指令，其中該殘留測試程序令該測試頭執行一電性量測以據以判定是否殘留該受測物。
如請求項9所述之積體電路測試系統，其中於該主機執行該殘留測試程序的期間內，該分類機僅在執行自該測試頭取回該受測物的該取回程序或執行置放該另一受測物的該置放程序。
如請求項9或10所述之積體電路測試系統，其中該殘留測試程序執行於該更換階段運作一等待時間之後。
如請求項11所述之積體電路測試系統，其中該殘留測試程序包括複數測試迴圈，以持續地反覆執行該受測物是否殘留於該測試頭上的檢測。
如請求項12所述之積體電路測試系統，其中該等測試迴圈的一總執行時間被控制為短於該更換階段的一更換時間減去該等待時間。
如請求項12所述之積體電路測試系統，其中該主機被控制為於接收到該分類機所產生的一第三指令時，停止該殘留測試程序，其中該分類機於即將完成該另一受測物的該置放程序時，產生該第三指令。
如請求項12所述之積體電路測試系統，其中各該測試迴圈用於使該主機藉由該測試頭進行該電性量測。
如請求項15所述之積體電路測試系統，其中該電性量測為電阻值的量測。
一種機械手臂的控制方法，其包括：<br/> 利用一驅動器輸出包含一第一抗摩擦力及一第一運動力的一第一驅動力以控制該機械手臂位於一第一位置，利用該驅動器輸出包含一第二抗摩擦力及一第二運動力的一第二驅動力以控制該機械手臂位於一第二位置，該第二位置不同於該第一位置；該第一抗摩擦力大於該第一運動力，該第二抗摩擦力大於該第二運動力；及<br/> 利用一控制迴路、該第一位置與該第二位置調整該第二驅動力，以控制該機械手臂；其中，該第一位置與該第二位置相關於該機械手臂的一摩擦力。
如請求項1所述的控制方法，更包括：<br/> 藉由一控制器接收一命令位置資訊及從耦接至作為該驅動器的一關節馬達的一位置編碼器接收一實際位置資訊；<br/> 藉由一增益調整模組從一速度控制器接收一當下力矩命令資訊及一前次力矩命令資訊；<br/> 藉由該增益調整模組計算該當下力矩命令資訊與該前次力矩命令資訊之間的一力矩命令絕對差值，並將該力矩命令絕對差值比較於一計數閾值；<br/> 當該力矩命令絕對差值小於該計數閾值時，取得該命令位置資訊與該實際位置資訊的一位置絕對差值；<br/> 藉由該增益調整模組將該位置絕對差值比對一增益映射曲線，以得到一當下增益值；以及<br/> 藉由該增益調整模組將該當下增益值更新至該控制迴路。
如請求項2所述的控制方法，更包括：<br/> 當該力矩命令絕對差值大於或等於該計數閾值時，藉由該增益調整模組啟動一計數器進行計數；<br/> 當計數時間大於兩秒時，重設該計數器，並取得該位置絕對差值；以及<br/> 當計數時間小於或等於兩秒時，該計數器保持計數；<br/> 其中該計數閾值為該關節馬達的額定力矩的0.5倍。
如請求項2所述的控制方法，更包括藉由一電流控制器，根據該當下增益值及一力矩絕對差值控制該關節馬達的轉動狀態；<br/> 其中該力矩絕對差值係藉由該速度控制器根據一速度絕對差值及該當下增益值而產生的一更新力矩命令資訊與由一電流感知器所感測該關節馬達的一當下力矩資訊之間的絕對差值；<br/> 其中該速度絕對差值係藉由該控制器根據該當下增益值所提供的一速度控制資訊與一速度計算器基於該實際位置資訊所產生的一實際速度資訊之間的絕對差值。
如請求項4所述的控制方法，其中該增益映射曲線係藉由下列步驟產生：<br/> 設定該位置編碼器的一解析度；<br/> 設定該控制迴路的一第一增益區間、一第二增益區間及一第三增益區間；<br/> 該增益調整模組根據該位置編碼器的該解析度與一增益死區位置、一增益中心位置及一增益回復位置的運算式進行運算；以及<br/> 利用該第一增益區間、該第二增益區間及該第三增益區間與該增益死區位置、該增益中心位置及該增益回復位置形成該增益映射曲線。
如請求項5所述的控制方法，其中該第一增益區間的增益倍率為5，該第二增益區間的增益倍率為80及該第三增益區間的增益倍率為1；<br/> 其中該增益死區位置的位置脈衝數為3、該增益中心位置的位置脈衝數為該解析度的0.00005倍及該增益回復位置為該解析度的0.00025倍。
一種機械手臂的控制系統，其包括：<br/> 一驅動器，輸出包含一第一抗摩擦力及一第一運動力的一第一驅動力以控制該機械手臂位於一第一位置，利用該驅動器輸出包含一第二抗摩擦力及一第二運動力的一第二驅動力以控制該機械手臂位於一第二位置，該第二位置不同於該第一位置；該第一抗摩擦力大於該第一運動力，該第二抗摩擦力大於該第二運動力；及<br/> 一控制迴路，依據該第一位置與該第二位置調整該第二驅動力，以控制該機械手臂；其中，該第一位置與該第二位置相關於該機械手臂的一摩擦力。
如請求項7所述的控制系統，更包括：<br/> 一控制器，耦接至該機械手臂的耦接至作為該驅動器的一關節馬達的一位置編碼器，該控制器被設置以接收一命令位置資訊與該位置編碼器所提供的一實際位置資訊之間的一位置絕對差值；<br/> 一速度控制器，耦接至該控制器，該速度控制器被設置以產生一當下力矩命令資訊及一前次力矩命令資訊；以及<br/> 一增益調整模組，耦接至該控制器、該速度控制器及該位置編碼器，該增益調整模組係被設置以接收該當下力矩命令資訊、該前次力矩命令資訊及該位置絕對差值，及計算該當下力矩命令資訊與該前次力矩命令資訊之間的一力矩命令絕對差值，並將該力矩命令絕對差值比較於一計數閾值；<br/> 其中當該力矩命令絕對差值小於該計數閾值時，藉由該增益調整模組將該位置絕對差值比對一增益映射曲線，以得到一當下增益值，以及藉由該增益調整模組將該當下增益值更新至該控制迴路。
如請求項8所述的控制系統，其中當該力矩命令絕對差值大於或等於該計數閾值時，藉由該增益調整模組啟動一計數器進行計數；<br/> 其中當計數時間大於兩秒時，重設該計數器，並取得該位置絕對差值；<br/> 其中當計數時間小於或等於兩秒時，該計數器保持計數；<br/> 其中該計數閾值為該關節馬達的額定力矩的0.5倍。
如請求項8所述的控制系統，更包括：<br/> 一電流控制器，耦接至該關節馬達、該增益調整模組及該速度控制器，該電流控制器被設置以根據該當下增益值及一力矩絕對差值控制該關節馬達的位置；以及<br/> 一速度計算器，耦接至該位置編碼器及該速度控制器，該速度計算器被設置以根據從該位置編碼器接收的該實際位置資訊產生一實際速度資訊；<br/> 其中該力矩絕對差值係藉由該速度控制器根據一速度絕對差值及該當下增益值而產生的一更新力矩命令資訊與由該機械手臂的一電流感知器所感測的該關節馬達的一當下力矩資訊之間的絕對差值；<br/> 其中該速度絕對差值係藉由該控制器根據該當下增益值所提供的一速度控制資訊與該速度計算器產生的該實際速度資訊之間的絕對差值。
如請求項10所述的控制系統，其中該增益映射曲線包括：<br/> 由該增益調整模組產生的一第一增益區間、一第二增益區間及一第三增益區間；<br/> 由該增益調整模組根據該位置編碼器的一解析度產生的一增益死區位置、一增益中心位置及一增益回復位置；以及<br/> 該第一增益區間、該第二增益區間及該第三增益區間與該增益死區位置、該增益中心位置及該增益回復位置的映射關係。
如請求項11所述的控制系統，其中該第一增益區間的增益倍率為5，該第二增益區間的增益倍率為80及該第三增益區間的增益倍率為1；<br/> 其中該增益死區位置的位置脈衝數為3、該增益中心位置的位置脈衝數為該解析度的0.00005倍及該增益回復位置為該解析度的0.00025倍。
一種驅動裝置，係為驅動被分配有在各個體處而互為相異之固有辨識資訊的電動致動器(12)之驅動裝置(14)，並具備有： <br/>個體資訊記憶部(40)，係將代表前述驅動裝置之埠(22)和預定要被與該埠作連接之前述電動致動器之前述固有辨識資訊之間的對應關係之資訊，作為第1對應關係資訊而作記憶；和 <br/>個體判定部(34)，係當前述電動致動器被與前述埠作了連接時，判定身為前述埠和被與該埠作了連接之前述電動致動器之前述固有辨識資訊之間的對應關係之第1對應關係是否與藉由前述第1對應關係資訊所展示的對應關係相互一致。
如請求項1所記載之驅動裝置，其中， <br/>係更進而具備有：控制部(38)，係當前述個體判定部判定出前述第1對應關係與藉由前述第1對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，進行對於使用者作報告之控制。
如請求項1所記載之驅動裝置，其中， <br/>係更進而具備有：個體資訊更新部(50)，係當前述個體判定部判定出前述第1對應關係與藉由前述第1對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，將代表前述第1對應關係之資訊作為前述第1對應關係資訊而使前述個體資訊記憶部作記憶。
如請求項3所記載之驅動裝置，其中， <br/>在前述電動致動器處，係被分配有於各機種之各者處而互為相異之機種辨識資訊， <br/>該驅動裝置，係更進而具備有： <br/>機種資訊記憶部(42)，係將代表前述埠和預定要被與該埠作連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之資訊，作為第2對應關係資訊而作記憶；和 <br/>機種判定部(36)，係當前述電動致動器被與前述埠作了連接時，判定身為前述埠和被與該埠作了連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之第2對應關係是否與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係相互一致；和 <br/>機種資訊更新部(52)，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，將代表前述第2對應關係之資訊作為前述第2對應關係資訊而使前述機種資訊記憶部作記憶。
一種驅動裝置，係為驅動被分配有在各機種之各者處而互為相異之機種辨識資訊的電動致動器之驅動裝置，並具備有： <br/>機種資訊記憶部，係將代表前述驅動裝置之埠和預定要被與該埠作連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之資訊，作為第2對應關係資訊而作記憶；和 <br/>機種判定部，係當前述電動致動器被與前述埠作了連接時，判定身為前述埠和被與該埠作了連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之第2對應關係是否與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係相互一致。
如請求項5所記載之驅動裝置，其中， <br/>係更進而具備有：控制部，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，進行對於使用者作報告之控制。
如請求項5所記載之驅動裝置，其中， <br/>係更進而具備有：機種資訊更新部，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，將代表前述第2對應關係之資訊作為前述第2對應關係資訊而使前述機種資訊記憶部作記憶。
一種驅動系統，係具備有如請求項4～7中之任一項所記載之驅動裝置，並具備有： <br/>取得部(54)，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，從記憶身為關連於前述電動致動器之規格的資訊之規格資訊的規格資訊記憶部(58、64、66)，而取得和被與前述驅動裝置作了連接的前述電動致動器相對應之前述規格資訊；和 <br/>設定部(56)，係將在前述取得部處所取得了的前述規格資訊設定於前述驅動裝置處。
如請求項8所記載之驅動系統，其中， <br/>前述規格資訊記憶部，係被設置於前述電動致動器處。
如請求項8所記載之驅動系統，其中， <br/>前述規格資訊記憶部，係被設置於前述驅動裝置處。
如請求項8所記載之驅動系統，其中， <br/>前述取得部、前述設定部以及前述規格資訊記憶部，係被具備於被與前述驅動裝置作連接的設定裝置(48)處。
一種判定方法，係為對於被與驅動被分配有在各個體處而互為相異之固有辨識資訊的電動致動器之驅動裝置作了連接的前述電動致動器進行判定之判定方法，並具有： <br/>個體資訊記憶步驟，係將代表前述驅動裝置之埠和預定要被與該埠作連接之前述電動致動器之前述固有辨識資訊之間的對應關係之資訊，作為第1對應關係資訊而使個體資訊記憶部作記憶；和 <br/>個體判定步驟，係當前述電動致動器被與前述埠作了連接時，使個體判定部，判定身為前述埠和被與該埠作了連接之前述電動致動器之前述固有辨識資訊之間的對應關係之第1對應關係是否與藉由前述第1對應關係資訊所展示的對應關係相互一致。
如請求項12所記載之判定方法，其中， <br/>係具有：控制步驟，係當前述個體判定部判定出前述第1對應關係與藉由前述第1對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，使控制部進行對於使用者作報告之控制。
如請求項12所記載之判定方法，其中， <br/>係具有：個體資訊更新步驟，係當前述個體判定部判定出前述第1對應關係與藉由前述第1對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，使個體資訊更新部將代表前述第1對應關係之資訊作為前述第1對應關係資訊而記憶於前述個體資訊記憶部中。
如請求項14所記載之判定方法，其中， <br/>在前述電動致動器處，係被分配有於各機種之各者處而互為相異之機種辨識資訊， <br/>該判定方法，係具有： <br/>機種資訊記憶步驟，係將代表前述埠和預定要被與該埠作連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之資訊，作為第2對應關係資訊而使機種資訊記憶部作記憶；和 <br/>機種判定步驟，係當前述電動致動器被與前述埠作了連接時，使機種判定部，判定身為前述埠和被與該埠作了連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之第2對應關係是否與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係相互一致；和 <br/>機種資訊更新步驟，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，使機種資訊更新部，將代表前述第2對應關係之資訊作為前述第2對應關係資訊而記憶於前述機種資訊記憶部中。
一種判定方法，係為對於被與驅動被分配有在各機種之各者處而互為相異之機種辨識資訊的電動致動器之驅動裝置作了連接的前述電動致動器進行判定之判定方法，並具有： <br/>機種資訊記憶步驟，係將代表前述驅動裝置之埠和預定要被與該埠作連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之資訊，作為第2對應關係資訊而使機種資訊記憶部作記憶；和 <br/>機種判定步驟，係當前述電動致動器被與前述埠作了連接時，使機種判定部，判定身為前述埠和被與該埠作了連接之前述電動致動器之前述機種辨識資訊之間的對應關係之第2對應關係是否與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係相互一致。
如請求項16所記載之判定方法，其中， <br/>係具有：控制步驟，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，使控制部進行對於使用者作報告之控制。
如請求項16所記載之判定方法，其中， <br/>係具有：機種資訊更新步驟，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，使機種資訊更新部將代表前述第2對應關係之資訊作為前述第2對應關係資訊而記憶於前述機種資訊記憶部中。
一種判定方法，係為對於被與如請求項8所記載之驅動系統所具備之前述驅動裝置作了連接的前述電動致動器進行判定之判定方法，並具有： <br/>取得步驟，係當前述機種判定部判定出前述第2對應關係與藉由前述第2對應關係資訊所展示的對應關係並非為一致的情況時，使前述取得部，從前述規格資訊記憶部，而取得和被與前述驅動裝置作了連接的前述電動致動器相對應之前述規格資訊；和 <br/>設定步驟，係使前述設定部，將在前述取得部處所取得了的前述規格資訊設定於前述驅動裝置處。
如請求項19所記載之判定方法，其中， <br/>在前述取得步驟中，前述取得部，係從在前述電動致動器處所具備之前述規格資訊記憶部，而取得前述規格資訊。
如請求項19所記載之判定方法，其中， <br/>在前述取得步驟中，前述取得部，係從在前述驅動裝置處所具備之前述規格資訊記憶部，而取得前述規格資訊。
如請求項19所記載之判定方法，其中， <br/>前述驅動系統，係具備有： <br/>設定裝置，係具有前述取得部、前述設定部以及前述規格資訊記憶部， <br/>在前述取得步驟中，係使前述設定裝置所具備之前述取得部，從該設定裝置所具備之前述規格資訊記憶部而取得前述規格資訊。
一種程式， <br/>係用以使電腦實行如請求項12～18中之任一項所記載之判定方法。
一種電腦可讀取之非暫時性記憶媒體， <br/>係儲存有如請求項23所記載之程式。
一種在鞋件的穿上事件及脫下事件之間的鞋件使用期間自動調整主動式鞋件物件的方法，該方法包括： <br/>使用在該鞋件物件中的身體的感測器以感測該鞋件物件的內部之腳部的位置改變；及 <br/>回應於該身體的感測器所感測到的該腳部的位置改變而控制繫帶引擎來調整該鞋件物件相對於該腳部的配合度。
如請求項1的方法，進一步包括： <br/>使用處理器電路以為該繫帶引擎產生繫帶引擎控制信號，其中該繫帶引擎控制信號指示是否由該身體的感測器感測到的該腳部的位置改變滿足一回應的標準，且其中該控制繫帶引擎的步驟包括：回應於該繫帶引擎控制信號。
如請求項2的方法，進一步包括： <br/>接收來該身體的感測器的感測器的信號，該感測器的信號指示隨時間經過的該腳部的位置； <br/>其中該處理器電路經組態以藉由將該感測器信號與信號形態限制進行比較來判定否該腳部的位置改變滿足該回應的標準。
如請求項2的方法，其中該產生該繫帶引擎控制信號的步驟包括： <br/>使用該處理器電路來特性化該腳部相對於該身體的感測器的位置。
如請求項2的方法，其中該產生該繫帶引擎控制信號的步驟包括： <br/>使用該處理器電路來特性化該腳部相對於該身體的感測器的定向。
如請求項2的方法，其中該產生該繫帶引擎控制信號的步驟包括：使用該處理器電路來特性化該腳部相對於該鞋件物件的內底鞋床的旋轉。
如請求項1的方法，其中該控制繫帶引擎的步驟包括：抑制繫帶引擎之致動以維持圍繞該腳部的該鞋件物件的拉力特性。
如請求項1的方法，其中該控制繫帶引擎的步驟包括：致動繫帶引擎以減小圍繞該腳部的該鞋件物件的拉力特性。
如請求項1的方法，進一步包括：使用手勢的感測器來偵測來自該鞋件物件的穿著者的手勢的信號，且其中該控制繫帶引擎的步驟包括：回應於該手勢的信號。
如請求項1的方法，其中該感測該腳部的位置改變的步驟包括：基於該鞋件物件所使用的一環境來改變該身體的感測器的一基線或參考特性。
如請求項1的方法，進一步包括： <br/>使用信號產生器以為該身體的感測器產生驅動信號；及 <br/>接收在該身體的感測器的該驅動信號，並回應地在鞋件物件中及該身體的感測器附近產生電場； <br/>其中該感測該腳部的位置改變的步驟包括：識別該身體的感測器附近的電場變化，該變化至少部分是由該腳部的位置導致的。
如請求項11的方法，其中該接收在該身體的感測器的該驅動信號的步驟包括： <br/>在包含電容式感測器的一部分的電極上接收該驅動信號。
如請求項1的方法，其中該感測該腳部的位置改變的步驟包括： <br/>感測該鞋件物件內的腳部的參考位置，後續再感測該鞋件物件內的腳部的不同第二位置。
一種鞋件物件，包括： <br/>鞋件結構，包括耦合至鞋底的鞋面； <br/>身體的偵側的系統，其配置於該鞋件結構中，並包括身體的感測器，其經組態以在鞋件的穿上事件及脫下事件之間的鞋件使用期間偵測穿著者的腳部的位置改變；及 <br/>自動拉緊的引擎，其耦合至該鞋件結構，並經組態以基於由該身體的偵側的系統偵測到的改變來收緊或鬆開圍繞該穿著者的腳部的該鞋件物件。
如請求項14的鞋件物件，其中該身體的偵側的系統經組態以基於電場的變化來偵測該穿著者的腳部的位置改變。
如請求項15的鞋件物件，其中該身體的偵側的系統包括信號產生器，其經組態以提供驅動信號至該身體的感測器，且其中該身體的感測器經組態以產生該電場。
如請求項14的鞋件物件，其中該身體的偵側的系統經組態以在當所偵測到的該改變符合腳部的位置改變的標準時致動該自動拉緊的引擎。
如請求項17的鞋件物件，其中該腳部的位置改變的標準包括腳部的旋轉的標準。
一種鞋件物件，包括： <br/>鞋件結構，包括鞋面及耦合至鞋面的鞋底； <br/>繫帶索； <br/>機動的拉力的裝置，其耦合至該鞋件結構並經組態以使用該繫帶索改變圍繞腳部的該鞋件物件的拉力特性； <br/>身體的偵側的系統，其經組態以： <br/>在該鞋件物件的穿上事件及脫下事件之間的鞋件使用期間偵測該鞋件物件的內部之腳部的位置改變；及 <br/>基於所偵測到的該腳部的位置改變，選擇性地致動該拉力的裝置，以改變圍繞該腳部之該鞋件物件的拉力特性。
如請求項19的鞋件物件，其中該身體的偵側的系統經組態以偵測該腳部相對於該鞋底的旋轉，並回應地致動該拉力的裝置以收緊圍繞該腳部之該鞋件物件。
如請求項19的鞋件物件，其中該身體的偵側的系統經組態以在該鞋件結構內產生電場、並基於所偵測到的該電場的變化來偵測該腳部的位置改變。
一種相機機殼組件，包含： <br/>一附接機構； <br/>一鏡頭承載件，可轉動地設置於該附接機構，該附接機構及該鏡頭承載件共同形成一馬達容置空間、一環形阻水空間及一環形狹縫，該環形阻水空間環繞該馬達容置空間，該環形狹縫連通於該環形阻水空間；以及 <br/>一環形阻水件，設置於該環形阻水空間且遮擋該環形狹縫。
如請求項1所述之相機機殼組件，其中該環形狹縫的寬度大於等於0.4mm且小於等於1mm。
如請求項1所述之相機機殼組件，其中該環形阻水件包含相連的一固定部及一延伸部，該固定部固定於該附接機構及該鏡頭承載件之其中一者，該延伸部朝該附接機構及該鏡頭承載件之另一者延伸。
如請求項3所述之相機機殼組件，其中該延伸部與該固定部夾一銳角，該銳角位於該延伸部鄰近於該環形狹縫的一側，且該銳角大於等於50度且小於等於70度。
如請求項3所述之相機機殼組件，更包含一黏合層，該固定部透過該黏合層固定於該附接機構及該鏡頭承載件之其中一者。
如請求項5所述之相機機殼組件，其中該附接機構設有一第一端面，該鏡頭承載件設有一第二端面，該第一端面面向該第二端面，該環形狹縫形成於該第一端面及該第二端面之間，該黏合層具有一黏合面，該黏合面與該第一端面及該第二端面之其中一者齊平，該固定部黏合於該黏合層的該黏合面，且對齊於該環形狹縫。
如請求項5所述之相機機殼組件，其中該固定部包含一中央部及二端部，該二端部分別連接於該中央部的相對二側，該中央部及該二端部透過該黏合層固定於該附接機構及該鏡頭承載件之其中一者，該延伸部自該中央部朝該附接機構及該鏡頭承載件之另一者延伸。
如請求項3所述之相機機殼組件，更包含至少一減阻元件，該至少一減阻元件位於該環形阻水空間且可分離地設置於該附接機構及該鏡頭承載件中該延伸部所朝向延伸之一者，且該延伸部抵靠於該至少一減阻元件。
如請求項8所述之相機機殼組件，更包含一潤滑層，該潤滑層設置於減阻元件。
如請求項3所述之相機機殼組件，其中該延伸部的一端連接於該固定部的一端，且該延伸部的另一端與該固定部的另一端相分離，該延伸部與該固定部之間形成一開口，該開口對齊於該環形狹縫。
如請求項3所述之相機機殼組件，其中該環形狹縫為傾斜狹縫，並朝向該環形阻水件的該固定部傾斜延伸。
一種機載相機，包含： <br/>一相機機殼組件，包含： <br/>一附接機構； <br/>一鏡頭承載件，可轉動地設置於該附接機構，該附接機構及該鏡頭承載件共同形成一第一馬達容置空間、一第一環形阻水空間及一第一環形狹縫，該第一環形阻水空間環繞該第一馬達容置空間，該第一環形狹縫連通於該第一環形阻水空間；以及 <br/>一第一環形阻水件，設置於該第一環形阻水空間且遮擋該第一環形狹縫； <br/>一鏡頭組件，設置於該鏡頭承載件；以及 <br/>一第一馬達組件，設置於該第一馬達容置空間。
如請求項12所述之機載相機，其中該附接機構包含一附接座、一第一支臂及一第二支臂，該第一支臂的一端可轉動地設置於該附接座，該第二支臂可轉動地設置於該第一支臂的另一端，該鏡頭承載件可轉動地設置於該第二支臂的另一端，該鏡頭承載件與該第二支臂共同形成該第一馬達容置空間、該第一環形阻水空間及該第一環形狹縫。
如請求項13所述之機載相機，其中該第一支臂相對於該附接座的轉動軸線、該第二支臂相對該第一支臂的轉動軸線及該鏡頭承載件相對該第二支臂的轉動軸線互相垂直。
如請求項13所述之機載相機，更包含一第二馬達組件及一第三馬達組件，該相機機殼組件更包含一第二環形阻水件及一第三環形阻水件，該第一支臂與該附接座共同形成一第二馬達容置空間、一第二環形阻水空間及一第二環形狹縫，該第二環形阻水空間環繞該第二馬達容置空間，該第二環形狹縫連通於該第二環形阻水空間，該第二支臂與該第一支臂共同形成一第三馬達容置空間、一第三環形阻水空間及一第三環形狹縫，該第三環形阻水空間環繞該第三馬達容置空間，該第三環形狹縫連通於該第三環形阻水空間，該第二環形阻水件及該第三環形阻水件分別設置於該第二環形阻水空間及該第三環形阻水空間，該第二馬達組件及該第三馬達組件分別設置於該第二馬達容置空間及該第三馬達容置空間。
如請求項12所述之機載相機，其中該第一環形狹縫的寬度大於等於0.4mm且小於等於1mm。
如請求項12所述之機載相機，其中該第一環形阻水件包含相連的一第一固定部及一第一延伸部，該第一固定部固定於該附接機構及該鏡頭承載件之其中一者，該第一延伸部朝該附接機構及該鏡頭承載件之另一者延伸。
如請求項17所述之機載相機，其中該第一延伸部與該第一固定部夾一第一銳角，該第一銳角位於該第一延伸部鄰近於該第一環形狹縫的一側，且該第一銳角大於等於50度且小於等於70度。
如請求項17所述之機載相機，更包含一第一黏合層，該第一固定部透過該第一黏合層固定於該附接機構及該鏡頭承載件之其中一者。
一種無人機，包含： <br/>一飛行載具；以及 <br/>一機載相機，包含： <br/>一相機機殼組件，包含： <br/>一附接機構，裝設於該飛行載具； <br/>一鏡頭承載件，可轉動地設置於該附接機構，該附接機構及該鏡頭承載件共同形成一第一馬達容置空間、一第一環形阻水空間及一第一環形狹縫，該第一環形阻水空間環繞該第一馬達容置空間，該第一環形狹縫連通於該第一環形阻水空間；以及 <br/>一第一環形阻水件，設置於該第一環形阻水空間且遮擋該第一環形狹縫； <br/>一鏡頭組件，設置於該鏡頭承載件；以及 <br/>一第一馬達組件，設置於該第一馬達容置空間。
一種服務提供性能管理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>確認應用程式之服務中包括之一個以上之後端服務間之依存性的資訊； <br/>基於上述一個以上之後端服務間之依存性之資訊，確認第1後端服務是否對應於與上述服務之提供相關之故障發生點； <br/>於上述第1後端服務對應於上述故障發生點之情形時，基於對上述第1後端服務具有依存性之第2後端服務之服務提供性能指標，確認對應於上述第1後端服務之故障發生點之類型；及 <br/>基於所確認之上述類型，實行與上述服務之提供相關之故障管理動作。
如請求項1之服務提供性能管理方法，其中上述第1後端服務係如下後端服務，即，對應於自用戶終端獲得之上述服務之請求來回傳第1種類之應答者。
如請求項1之服務提供性能管理方法，其中上述一個以上之後端服務間之依存性之資訊包括處理順序之資訊，該處理順序係對應於自用戶終端獲得之上述服務之請求，處理上述一個以上之後端服務中包括之各後端服務之順序。
如請求項1之服務提供性能管理方法，其中確認上述第1後端服務是否對應於與上述服務之提供相關之故障發生點之步驟包括如下步驟： <br/>測量上述第2後端服務之上述服務提供性能指標； <br/>確認經測量到之上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值是否小於預設值；及 <br/>經測量到之上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值未達上述預設值之情形時，確認為上述第1後端服務對應於上述故障發生點。
如請求項4之服務提供性能管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>於經測量到之上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值為上述預設值以上之情形時，實行與處理上述第1後端服務時發生故障之情形相關之模擬； <br/>重新測量上述第2後端服務之上述服務提供性能指標； <br/>於經重新測量到之上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值未達上述預設值之情形時，確認為上述第1後端服務對應於上述故障發生點。
如請求項1之服務提供性能管理方法，其中上述第2後端服務之上述服務提供性能指標係基於複數個應答之總個數、及上述複數個應答中與第2種類對應之應答之個數而計算出，該複數個應答係自上述第2後端服務具有依存性之第3後端服務回傳者， <br/>上述第3後端服務對上述第1後端服務具有依存性。
如請求項1之服務提供性能管理方法，其中基於上述第2後端服務之上述服務提供性能指標，確認對應於上述第1後端服務之故障發生點之類型之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值為臨界值以上之情形時，確認為對應於上述第1後端服務之故障發生點之類型為第1類型； <br/>於上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值未達上述臨界值之情形時，獲得與對應於上述第1後端服務之故障發生點之移除相關之判斷資訊；及 <br/>於基於上述判斷資訊而確認為可移除對應於上述第1後端服務之故障發生點之情形時，確認為對應於上述第1後端服務之故障發生點之類型為第2類型， <br/>於基於上述判斷資訊而確認為不可移除對應於上述第1後端服務之故障發生點之情形時，確認為對應於上述第1後端服務之故障發生點之類型為第3類型。
如請求項7之服務提供性能管理方法，其中上述臨界值係針對上述第2後端服務具有依存性之第3後端服務而預設之服務提供性能指標之值。
如請求項7之服務提供性能管理方法，其中基於所確認之上述類型，實行與上述服務之提供相關之故障管理動作之步驟包括如下步驟： <br/>於所確認之上述類型為上述第2類型之情形時，獲得與對應於上述第1後端服務之故障發生點移除動作相關之用戶輸入；及 <br/>基於上述用戶輸入，實行上述故障發生點移除動作。
如請求項9之服務提供性能管理方法，其中上述故障發生點移除動作包括如下動作中之至少一者： <br/>移除上述第1後端服務、變更藉由上述第1後端服務而回傳之應答、及移除上述第1後端服務與上述一個以上之後端服務中包括之各後端服務間之依存性。
如請求項9之服務提供性能管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>實行與處理上述第1後端服務時發生故障之情形相關之模擬； <br/>重新測量上述第2後端服務之上述服務提供性能指標； <br/>基於經重新測量到之上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之值，確認實行上述故障發生點移除動作之穩定性。
如請求項9之服務提供性能管理方法，其中基於所確認之上述類型，實行與上述服務之提供相關之故障管理動作之步驟包括如下步驟： <br/>於所確認之上述類型為上述第3類型之情形時，實行預設之與上述服務之提供相關之故障緩和動作。
如請求項12之服務提供性能管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認根據實行上述故障緩和動作而產生之上述第2後端服務之上述服務提供性能指標之變化量；及 <br/>基於上述變化量，確認上述故障緩和動作之完善必要性。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係用以管理服務提供性能者，其包括： <br/>收發器； <br/>處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有一個以上之指令；且 <br/>上述一個以上之指令以如下方式構成，即，於執行時使上述處理器實行如下步驟： <br/>確認應用程式之服務中包括之一個以上之後端服務間之依存性的資訊； <br/>基於上述一個以上之後端服務間之依存性之資訊，確認第1後端服務是否對應於與上述服務之提供相關之故障發生點； <br/>於上述第1後端服務對應於上述故障發生點之情形時，基於對上述第1後端服務具有依存性之第2後端服務之服務提供性能指標，確認對應於上述第1後端服務之故障發生點之類型；及 <br/>基於所確認之上述類型，實行與上述服務之提供相關之故障管理動作。
一種機器人系統，係具備： <br/>機器人臂部； <br/>鎖固構件旋轉機構，係安裝於前述機器人臂部，且包含與鎖固構件卡合的卡合構件； <br/>驅動部，係使前述卡合構件繞著前述鎖固構件的中心軸線旋轉；以及 <br/>控制部，係進行如下處理的全部處理： <br/>在前述卡合構件卡合至前述鎖固構件的狀態下，藉由前述驅動部使前述卡合構件旋轉，從而將前述鎖固構件予以小力鎖上的處理，及藉由前述機器人臂部使前述卡合構件旋轉，從而將前述鎖固構件予以用力鎖緊的處理；以及 <br/>在前述卡合構件卡合至前述鎖固構件的狀態下，藉由前述機器人臂部使前述卡合構件旋轉，從而將鎖固狀態的前述鎖固構件轉鬆之用力解鬆的處理、及藉由前述驅動部使前述卡合構件旋轉，從而將被用力解鬆後之狀態的前述鎖固構件轉鬆之小力轉鬆的處理。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>進行前述小力鎖上時的前述鎖固構件的旋轉速度係大於進行前述用力鎖緊時的前述鎖固構件的旋轉速度。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>進行前述小力轉鬆時的前述鎖固構件的旋轉速度係大於進行前述用力解鬆時的前述鎖固構件的旋轉速度。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述控制部係在施加於前述鎖固構件的轉矩沒有超過預定的第一轉矩閾值的範圍內進行前述小力鎖上的處理。
如請求項1所述之機器人系統，係具備轉矩感測器，該轉矩感測器係檢測施加於前述卡合構件的轉矩； <br/>前述用力鎖緊的期間，前述控制部係進行將前述鎖固構件予以用力鎖緊的處理直到由前述轉矩感測器所檢測到的轉矩達預定的第二轉矩閾值為止。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述鎖固構件旋轉機構係包含齒輪部，該齒輪部係將前述驅動部的旋轉力傳達至前述卡合構件； <br/>前述齒輪部在進行前述小力鎖上時係與前述驅動部的旋轉一起旋轉，而前述齒輪部在進行前述用力鎖緊時係被鎖定。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述鎖固構件旋轉機構係包含齒輪部，該齒輪部係將前述驅動部的旋轉力傳達至前述卡合構件； <br/>前述齒輪部在進行前述小力轉鬆時係與前述驅動部的旋轉一起旋轉，而前述齒輪部在進行前述用力解鬆時係被鎖定。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述鎖固構件旋轉機構係包含細長形狀的安裝構件，該安裝構件的基端係安裝於前述機器人臂部； <br/>前述卡合構件係配置於前述安裝構件的前端； <br/>前述驅動部係配置於前述安裝構件的中央部。
如請求項8所述之機器人系統，其中， <br/>前述鎖固構件旋轉機構係包含齒輪部，該齒輪部係配置於前述安裝構件，且將前述驅動部的旋轉力傳達至前述卡合構件； <br/>前述齒輪部係包含： <br/>驅動部齒輪，係繞著前述驅動部的旋轉軸線旋轉； <br/>卡合部齒輪，係繞著前述卡合構件的旋轉軸線旋轉；以及 <br/>中間齒輪，係配置於前述驅動部齒輪與前述卡合部齒輪之間，且將前述驅動部齒輪的旋轉傳達至前述卡合部齒輪。
如請求項9所述之機器人系統，其中， <br/>前述驅動部齒輪的直徑係與前述卡合部齒輪的直徑相等。
如請求項9所述之機器人系統，其中， <br/>前述卡合部齒輪的直徑係小於前述中間齒輪的直徑。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述鎖固構件係包含螺絲構件； <br/>前述機器人系統係具備： <br/>支持構件，係支持前述螺絲構件的螺絲頭；以及 <br/>移動機構，係使前述支持構件朝靠近前述鎖固構件或遠離前述鎖固構件的方向移動； <br/>前述控制部係進行： <br/>在前述鎖固構件被小力轉鬆後的狀態下，藉由前述移動機構使前述支持構件朝支持前述螺絲頭之位置移動的處理；以及 <br/>在前述螺絲頭被前述支持構件支持的狀態下，藉由前述機器人臂部使前述螺絲構件移動的處理。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述機器人臂部係包含具有複數個關節軸之垂直多關節型的機器人臂部。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述控制部係以前述驅動部為外部軸而隨著前述機器人臂部的關節軸一同進行協調控制。
一種機器人系統的控制方法，係於如請求項1所述之機器人系統中進行下述操作的全部操作： <br/>在卡合構件卡合至鎖固構件的狀態下，藉由用以使前述卡合構件繞著前述鎖固構件的中心軸線旋轉的驅動部，使前述卡合構件旋轉，藉此將前述鎖固構件予以小力鎖上之操作，及藉由機器人臂部使前述卡合構件旋轉，藉此將前述鎖固構件予以用力鎖緊之操作；以及 <br/>在前述卡合構件卡合至前述鎖固構件的狀態下，藉由前述機器人臂部使前述卡合構件旋轉，從而將鎖固狀態的前述鎖固構件轉鬆之前述用力解鬆之操作，及藉由前述驅動部使前述卡合構件旋轉，從而將被用力解鬆後之狀態的前述鎖固構件轉鬆之前述小力轉鬆之操作。
一種自化學成分確定之培養基(CDM)中培養的宿主細胞生產阿柏西普(aflibercept)之方法，其包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該CDM中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含(i)在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，(ii)在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，(iii)在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，(iv)在該CDM中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，(v)在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或(vi)在該CDM中對於在該CDM中的抗氧化劑中任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 將來自在該CDM中培養的該宿主細胞之該阿柏西普與第一捕獲層析結合； <br/>(c) 溶析步驟(b)之該阿柏西普； <br/>(d) 使步驟(c)之該阿柏西普進行第二捕獲層析，其中該第二捕獲層析步驟進行一或多次洗滌，其中流通級分包含阿柏西普並具有第一顏色，其中當蛋白質濃度正規化至5.0 g/L時，該第一顏色具有在1.5至15.0範圍內之b*值，當表徵於CIE L*, a*, b*顏色空間，使得L*為70至99，a*為0； <br/>(e) 使步驟(d)之該流通級分進行具有AEX管柱的陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(f) 洗滌步驟(e)之該AEX管柱，其中該阿柏西普係收集在流通級分中並具有第二顏色，其中當蛋白質濃度正規化至5.0 g/L時，該第二顏色具有在0.4至15.0範圍內之b*值，且其中該第一顏色為比該第二顏色更強烈之黃棕色。
如請求項1之方法，其中在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，在該CDM中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，且在該CDM中對於任何單一抗氧化劑而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM。
如請求項1之方法，其中在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM。
如請求項1之方法，其中在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且在該CDM中對於任何單一抗氧化劑而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM。
如請求項1之方法，其中在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM。
如請求項1之方法，其中在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，且在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM。
如請求項1之方法，其中在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，且在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM。
如請求項1之方法，其中HIC流動相緩衝液具有介於4.5與8.5之間的pH 。
如請求項1之方法，其中該AEX使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.7與8.5之間的pH及介於1.9 mS/cm與4.1 mS/cm之間的電導率。
如請求項1之方法，其中該AEX使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.9與8.1之間的pH及介於2.4 mS/cm與2.6 mS/cm之間的電導率。
如請求項1之方法，其中在步驟(f)之後的b*係介於0.7與2.0之間。
如請求項2之方法，其中在步驟(f)之後的b*係介於0.4與0.7之間。
一種自化學成分確定之培養基(CDM)中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該CDM中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含(i)在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，(ii)在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，(iii)在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，(iv)在該CDM中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，(v)在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或(vi)在該CDM中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 將來自在該CDM中培養的該宿主細胞之該阿柏西普與第一捕獲層析結合； <br/>(c) 溶析步驟(b)之該阿柏西普，其中該於析出液中的該阿柏西普包含具有一或多種酸性種類之阿柏西普； <br/>(d) 使步驟(c)之該阿柏西普進行第二捕獲層析，其中該第二捕獲層析步驟進行一或多次洗滌，其中流通級分包含阿柏西普； <br/>(e) 使步驟(d)之該流通級分進行具有AEX管柱的陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(f) 洗滌步驟(e)之該AEX管柱且收集AEX流通級分，其中當步驟(c)的該析出液中阿柏西普的濃度和該AEX流通級分中阿柏西普的濃度正規化時，步驟(c)的該析出液中阿柏西普的酸性種類百分比高於該AEX流通級分中阿柏西普的酸性種類百分比，其中阿柏西普的該酸性種類對應於阿柏西普的強陽離子交換層析(CEX)層析圖中比主峰更早溶析之峰，且其中使用20 mM 2-(N-嗎福啉基)乙磺酸(MES) pH 5.7之第一流動相及40 mM磷酸鈉、100 mM氯化鈉pH 9.0之第二流動相(流動相B)生成層析圖，且其中使用280 nm下之偵測生成層析圖。
如請求項13之方法，其中在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，且在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His19殘基的相對量在步驟(f)之後減少15%。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His86殘基的相對量在步驟(f)之後減少30%。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His95殘基的相對量在步驟(f)之後減少25%。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His145殘基的相對量在步驟(f)之後減少25%。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His209殘基的相對量在步驟(f)之後減少30%。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的Trp58殘基的相對量在步驟(f)之後減少30%。
如請求項13之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的Trp138殘基的相對量在步驟(f)之後減少10%。
一種自化學成分確定之培養基(CDM)中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該CDM中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且以下一或多者： <br/>i. 在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM， <br/>ii. 在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM， <br/>iii. 在該CDM中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM， <br/>iv. 在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或 <br/>v. 在該CDM中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 收穫由該宿主細胞生產之阿柏西普，其中該阿柏西普包含阿柏西普的酸性種類； <br/>(c) 使用陰離子交換層析(AEX)和至少兩個另外的層析步驟以任意順序對該阿柏西普及阿柏西普的酸性種類進行處理，該等層析步驟選自由以下組成之群組：蛋白A親和層析、親和層析、陽離子交換層析(CEX)、疏水性相互作用層析(HIC)及混合模式層析。
如請求項22之方法，其中來自步驟(b)之阿柏西普的酸性種類在步驟(c)之後減少超過10%。
如請求項22之方法，其中(c)之層析步驟包括至少蛋白A親和層析及AEX，其中該AEX層析使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.7與8.5之間的pH及介於1.9 mS/cm與4.1 mS/cm之間的電導率。
如請求項22之方法，其中(c)之層析步驟包括至少蛋白A親和層析、AEX及HIC，其中該AEX層析使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.7與8.5之間的pH及介於1.9 mS/cm與4.1 mS/cm之間的電導率，且HIC係在流通模式下進行。
如請求項25之方法，其中HIC使用具有介於4.0與5.5之間的pH且總鹽濃度高於70 mM之洗滌緩衝液。
一種自化學成分確定之培養基(CDM)中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該CDM中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含(i)在該CDM中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，(ii)在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，(iii)在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，(iv)在該CDM中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，(v)在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或(vi)在該CDM中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 將來自在該CDM中培養的該宿主細胞之阿柏西普與蛋白A樹脂結合； <br/>(c) 溶析步驟(b)之該阿柏西普，其中析出液中的該阿柏西普包含具有一或多種酸性種類之阿柏西普； <br/>(d) 使步驟(c)之該阿柏西普進行第二捕獲層析，其中該第二捕獲層析步驟進行一或多次洗滌，且其中流通級分包含阿柏西普； <br/>(e) 使步驟(d)之該流通級分進行具有AEX管柱之陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(f) 洗滌步驟(e)之該AEX管柱以獲得AEX流通級分，其中當將步驟(c)之該析出液中阿柏西普之濃度及該AEX流通級分中阿柏西普之濃度正規化時，在步驟(c)之該析出液中的阿柏西普之經氧化之種類百分比大於在該AEX流通級分中的經氧化之種類之百分比，且其中阿柏西普之該經氧化之種類係藉由以下步驟來量測：使該析出液及該流通級分進行消化，繼之使用逆相超高效層析(UPLC)對其進行分析，在280 nm、320 nm及350 nm之波長下偵測，以及使用0.1%甲酸在水中之第一流動相及0.1%甲酸在乙腈中之第二流動相進行質譜分析。
如請求項27之方法，其中來自步驟(c)之經氧化的Trp58殘基的相對量在步驟(f)之後減少10%。
如請求項27之方法，其中來自步驟(c)之經氧化的Trp138殘基的相對量在步驟(f)之後減少10%。
如請求項27之方法，其中該宿主細胞選自由以下組成之群組：CHO、NS0、Sp2/0、胚胎腎細胞及BHK。
一種自細胞培養基中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加至該細胞培養基中，該方法包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該細胞培養基中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含(i)在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，(ii)在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，(iii)在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，(iv)在該細胞培養基中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，(v)在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或(vi)在該細胞培養基中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 將來自在該細胞培養基中培養的該宿主細胞之該阿柏西普與第一捕獲層析結合； <br/>(c) 溶析步驟(b)之該阿柏西普； <br/>(d) 使步驟(c)之該阿柏西普進行第二捕獲層析，其中該第二捕獲層析步驟進行一或多次洗滌，其中流通級分包含阿柏西普並具有第一顏色，其中當蛋白質濃度正規化至5.0 g/L時，該第一顏色具有在1.5至15.0範圍內之b*值，當表徵於CIE L*, a*, b*顏色空間，使得L*為70至99，a*為0； <br/>(e) 使步驟(d)之該流通級分進行具有AEX管柱的陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(f) 洗滌步驟(e)之該AEX管柱，其中該阿柏西普係收集在流通級分中並具有第二顏色，其中當蛋白質濃度正規化至5.0 g/L時，該第二顏色具有在0.4至15.0範圍內之b*值，且其中該第一顏色為比該第二顏色更強烈之黃棕色。
如請求項31之方法，其中在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，在該細胞培養基中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，在該細胞培養基中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或在該細胞培養基中對於任何單一抗氧化劑而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM。
如請求項31之方法，其中在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM。
如請求項31之方法，其中在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且在該細胞培養基中對於任何單一抗氧化劑而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM。
如請求項31之方法，其中在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM。
如請求項31之方法，其中在該細胞培養基中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，且在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM。
如請求項31之方法，其中在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，且在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM。
如請求項31之方法，其中HIC流動相緩衝液具有介於4.5與8.5之間的pH 。
如請求項31之方法，其中該AEX使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.7與8.5之間的pH及介於1.9 mS/cm與4.1 mS/cm之間的電導率。
如請求項31之方法，其中該AEX使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.9與8.1之間的pH及介於2.4 mS/cm與2.6 mS/cm之間的電導率。
如請求項31之方法，其中在步驟(f)之後的b*係介於0.7與2.0之間。
如請求項32之方法，其中在步驟(f)之後的b*係介於0.4與0.7之間。
一種自細胞培養基中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加至該細胞培養基中，該方法包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該細胞培養基中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含(i)在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，(ii)在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，(iii)在該細胞培養基中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，(iv)在該細胞培養基中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，(v)在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或(vi)在該細胞培養基中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 將來自在該細胞培養基中培養的該宿主細胞之該阿柏西普與第一捕獲層析結合； <br/>(c) 溶析步驟(b)之該阿柏西普，其中析出液中的該阿柏西普包含具有一和多種酸性種類之阿柏西普； <br/>(d) 使步驟(c)之該阿柏西普進行第二捕獲層析，其中該第二捕獲層析步驟進行一或多次洗滌，其中流通級分包含阿柏西普； <br/>(e) 使步驟(d)之該流通級分進行具有AEX管柱的陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(f) 洗滌步驟(e)之該AEX管柱且收集AEX流通級分，其中當步驟(c)的該析出液中阿柏西普的濃度和該AEX流通級分中阿柏西普的濃度正規化時，步驟(c)的該析出液中阿柏西普的酸性種類百分比高於該AEX流通級分中阿柏西普的酸性種類百分比，其中阿柏西普的該酸性種類對應於阿柏西普的強陽離子交換層析(CEX)層析圖中比主峰更早溶析之峰，且其中使用20 mM 2-(N-嗎福啉基)乙磺酸(MES) pH 5.7之第一流動相及40 mM磷酸鈉、100 mM氯化鈉pH 9.0之第二流動相(流動相B)生成層析圖，且其中使用280 nm下之偵測生成層析圖。。
如請求項43之方法，其中在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，且在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His19殘基的相對量在步驟(f)之後減少15%。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His86殘基的相對量在步驟(f)之後減少30%。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His95殘基的相對量在步驟(f)之後減少25%。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His145殘基的相對量在步驟(f)之後減少25%。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的His209殘基的相對量在步驟(f)之後減少30%。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的Trp58殘基的相對量在步驟(f)之後減少30%。
如請求項43之方法，其中來自步驟(d)之經氧化的Trp138殘基的相對量在步驟(f)之後減少10%。
一種自細胞培養基中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加至該細胞培養基中，該方法包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該細胞培養基中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，且以下一或多者： <br/>i. 在該CDM中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM， <br/>ii. 在該CDM中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM， <br/>iii. 在該CDM中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM， <br/>iv. 在該CDM中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或 <br/>v. 在該CDM中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 收穫由該宿主細胞生產之阿柏西普，其中該阿柏西普包含阿柏西普的酸性種類； <br/>(c) 使用陰離子交換層析(AEX)和至少兩個另外的層析步驟以任意順序對該阿柏西普及阿柏西普的酸性種類進行處理，該等層析步驟選自由以下組成之群組：蛋白A親和層析、親和層析、陽離子交換層析(CEX)、疏水性相互作用層析(HIC)及混合模式層析。
如請求項52之方法，其中來自步驟(b)之阿柏西普的酸性種類在步驟(c)之後減少超過10%。
如請求項52之方法，其中(c)之層析步驟包括至少蛋白A親和層析及AEX，其中該AEX層析使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.7與8.5之間的pH及介於1.9 mS/cm與4.1 mS/cm之間的電導率。
如請求項52之方法，其中(c)之層析步驟包括至少蛋白A親和層析、AEX及HIC，其中該AEX使用流動相流通洗滌液，其具有介於7.7與8.5之間的pH及介於1.9 mS/cm與4.1 mS/cm之間的電導率，且HIC係在流通模式下進行。
如請求項55之方法，其中HIC使用具有介於4.0與5.5之間的pH且總鹽濃度高於70 mM之洗滌緩衝液。
一種自細胞培養基中培養的宿主細胞生產阿柏西普之方法，其中化學成分確定之培養基(CDM)係添加至該細胞培養基中，該方法包含： <br/>(a) 在合適的條件下於該細胞培養基中培養該宿主細胞，其中該宿主細胞表現阿柏西普，其中所述合適的條件包含(i)在該細胞培養基中之鎳累積濃度小於或等於0.4 µM，(ii)在該細胞培養基中之鐵累積濃度小於或等於55.0 μM，(iii)在該細胞培養基中之銅累積濃度小於或等於0.8 μM，(iv)在該細胞培養基中之鋅累積濃度小於或等於56.0 μM，(v)在該細胞培養基中之半胱胺酸累積濃度小於或等於10.0 mM，或(vi)在該細胞培養基中對於在該CDM中的抗氧化劑之任何一者而言抗氧化劑之濃度為0.001 mM至10.0 mM及所有抗氧化劑之累積濃度小於或等於30.0 mM； <br/>(b) 將來自在該細胞培養基中培養的該宿主細胞之阿柏西普與蛋白A樹脂結合； <br/>(c) 溶析步驟(b)之該阿柏西普，其中析出液中的該阿柏西普包含具有一或多種酸性種類之阿柏西普； <br/>(d) 使步驟(c)之該阿柏西普進行第二捕獲層析，其中該第二捕獲層析步驟進行一或多次洗滌，且其中通級分包含阿柏西普； <br/>(e) 使步驟(d)之該流通級分進行具有AEX管柱之陰離子交換層析(AEX)；以及 <br/>(f) 洗滌步驟(e)之該AEX管柱以獲得AEX流通級分，其中當將步驟(c)之該析出液中阿柏西普之濃度及該AEX流通級分中阿柏西普之濃度正規化時，在步驟(c)之該析出液中的阿柏西普之經氧化之種類百分比大於在該AEX流通級分中的經氧化之種類之百分比，且其中阿柏西普之該經氧化之種類係藉由以下步驟來量測：使該析出液及該流通級分進行消化，繼之使用逆相超高效層析(UPLC)對其進行分析，在280 nm、320 nm及350 nm之波長下偵測，以及使用0.1%甲酸在水中之第一流動相及0.1%甲酸在乙腈中之第二流動相進行質譜分析。
如請求項57之方法，其中來自步驟(c)之經氧化的Trp58殘基的相對量在步驟(f)之後減少10%。
如請求項57之方法，其中來自步驟(c)之經氧化的Trp138殘基的相對量在步驟(f)之後減少10%。
如請求項57之方法，其中該宿主細胞選自由以下組成之群組：CHO、NS0、Sp2/0、胚胎腎細胞及BHK。
一種眼睛房水的葡萄糖濃度非侵入式量測系統，供量測前述眼睛房水內的葡萄糖濃度，前述眼睛外層具有一角膜，且前述角膜具有線性雙折射特性而具有一光學快軸和一光學慢軸，前述非侵入式量測系統，包括：<br/>一線偏振準直光源，供以一線偏振起始角度沿一行進光軸發出一入射偏振光束穿透前述眼睛的角膜入射至前述房水，並射出前述角膜而產生一偏振角度相對前述入射偏振光束旋轉的出射偏振光束；其中，定義前述入射偏振光束的前述線偏振起始角度為沿前述行進光軸行進方向的±45°旋轉角；<br/>至少一第一偏振分光器，被設置成使得前述出射偏振光束被分離為兩束彼此偏振方向正交的出射偏振光束分量，其中前述兩束出射偏振光束分量各自具有相互夾一角度的行進光軸，以及前述兩束出射偏振光束分量分別沿各別的行進光軸方向的0度和90度旋轉角偏振；<br/>至少二光感測器，分別量測前述兩束出射偏振光束分量的光強度，其中前述兩光感測器所量測的前述出射偏振光束分量彼此偏振方向相互正交；<br/>一運算處理器，用以將前述兩束出射偏振光束分量的前述光強度相減，以取得一與前述偏振角度的旋轉量相依的史托克向量的S<sub>1</sub>分量，藉此去除背景雜訊；以及將前述彼此偏振方向正交的兩束出射偏振光束分量的前述光強度相加作為一標準值，對前述史托克向量的S<sub>1</sub>分量進行歸一化，藉此去除前述入射偏振光束光強度的時變雜訊。
如請求項1所述的非侵入式量測系統，其中前述入射線偏振光束的線偏振起始角度是被設置成使得前述出射偏振光束的光強度最大，藉此使前述線偏振起始角度符合前述眼角膜的光學快軸。
如請求項1或2所述的非侵入式量測系統，更包括至少一位於前述第一偏振分光器上游的非偏振分光器，供將前述出射偏振光束分束，以及前述非侵入式量測系統更包括一第二偏振分光器，藉此分離出彼此偏振方向正交、且相對於各別的行進光軸方向分別夾45度旋轉角和-45度旋轉角偏振的兩束出射偏振光束分量，並由前述運算處理器將前述分別夾45度旋轉角和-45度旋轉角偏振的兩束出射偏振光束分量的光強度相減，以取得一與前述偏振角度的旋轉量相依的史托克向量的S<sub>2</sub>分量，藉此去除背景雜訊；以及將前述彼此偏振方向正交的兩束出射偏振光束分量的前述光強度相加作為一標準值，對前述史托克向量的S<sub>2</sub>分量進行歸一化，藉此去除前述入射偏振光束光強度的時變雜訊，以及計算出由前述角膜所造成的一雙折射效應而輸出與前述雙折射效應成比例的一補償訊號，包括相位延遲(phase retarder)△Φ以及快軸的方向(azimuth angle)β。
如請求項3所述的非侵入式量測系統，更包括一線性雙折射補償器(linear birefringence compensator)，接收前述補償訊號，並將前述出射橢圓偏極化光束中的線性雙折射效應(linear birefringence effect)加以補償。
如請求項1或2所述的非侵入式量測系統，其中前述第一和/或第二偏振分光器分別包括一四分之一波片(quarter wave plate)、一分光器、一片左旋圓偏振片(left hand circular polarizer)，以及一片右旋圓偏振片(right hand circular polarizer)，藉此分離出出射偏振光束的一左旋圓偏振分量和一右旋圓偏振分量。
一種眼睛房水的葡萄糖濃度非侵入式量測方法，供量測前述眼睛房水內的葡萄糖濃度，前述眼睛外層具有一角膜，且前述角膜具有線性雙折射特性而具有一光學快軸和一光學慢軸，前述非侵入式量測方法包括下列步驟：<br/>以一線偏振準直光源入射一入射偏振光束穿透前述眼睛的角膜入射至前述房水，並射出前述角膜而產生一相對前述入射偏振光束具有一偏振角度的旋轉量的出射偏振光束；<br/>設置至少一第一偏振分光器，分離前述出射偏振光束為彼此偏振模式相互正交的兩束出射偏振光束分量；<br/>量測前述彼此偏振方向正交的兩束出射偏振光束分量強度，並以一運算處理器將前述兩束出射偏振光束分量強度相減，藉此去除背景雜訊，取得一與前述偏振角度的旋轉量相依的史托克向量的S<sub>1</sub>分量；以及<br/>以前述彼此偏振方向正交的兩束出射偏振光束分量的前述光強度相加作為一標準值S<sub>0</sub>，對前述史托克向量的S<sub>1</sub>分量進行歸一化，藉此去除前述入射偏振光束光強度的時變雜訊。
如請求項6所述的非侵入式量測方法，更包括在設置至少一第一偏振分光器之前，以一位於前述第一偏振分光器上游的非偏振分光器，將前述出射偏振光束分束；<br/>隨後，以一第二偏振分光器，分離出兩束彼此偏振方向正交、且相對於各別的行進光軸方向分別為+45度角和-45度角線偏振方向角的兩束出射偏振光束分量，並由前述運算處理器將前述分別為+45度和-45度線偏振方向角的兩束出射偏振光束分量的光強度相減，以取得一與前述偏振角度的旋轉量相依的史托克向量的S<sub>2</sub>分量，藉此去除背景雜訊；以及將前述彼此偏振方向正交的兩束出射偏振光束分量的前述光強度相加作為一標準值，對前述史托克向量的S<sub>2</sub>分量進行歸一化，藉此去除前述入射偏振光束光強度的時變雜訊；以及<br/>最後，由前述運算處理器依據前述史托克向量的S<sub>0</sub>,S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>分量計算出由前述角膜所造成的一雙折射效應而輸出與前述雙折射效應成比例的一補償訊號。
一種旋光介質(optical active media)濃度的量測系統，供量測一可透光待測物中的旋光介質活性或旋光活性，前述量測系統包括：<br/>一週期性調變的線偏振準直光源，供以一線偏振起始角度沿一行進光軸發出一入射偏振光束穿透前述可透光待測物，並射出前述待測物而產生一偏振角度相對前述入射偏振光束旋轉的出射偏振光束；其中，定義前述線偏振起始角度為沿前述行進光軸行進方向的±45°旋轉角；<br/>至少一偏振分光器，被設置成使得前述出射偏振光束被分離為兩束彼此偏振方向正交的出射偏振光束分量，且前述兩束彼此偏振方向正交的出射偏振光束分量分別沿各別的行進光軸行進方向的0度和90度旋轉角偏振；<br/>至少二光感測器，分別量測前述兩束出射偏振光束分量的光強度；<br/>一運算處理器，用以將前述兩束出射偏振光束分量的光強度相減，以取得一與前述偏振角度的旋轉量相依的史托克向量的S<sub>1</sub>分量，藉此去除背景雜訊；以及將前述彼此偏振方向正交的兩束出射偏振光束分量的前述光強度相加作為一標準值，對前述史托克向量的S<sub>1</sub>分量進行歸一化，藉此去除前述入射偏振光束光強度的時變雜訊。
一種顯示裝置，包含： 一顯示面板，包含複數個子像素； 一資料驅動器，連接至該顯示面板； 一第一電路單元，設置於該些子像素中之每一者中並包含一第一驅動電晶體； 一第二電路單元，設置於該些子像素中之每一者中並包含一第二驅動電晶體；以及 一感測電晶體，連接至該第一驅動電晶體之一汲極電極與該第二驅動電晶體之一源極電極， 其中該些子像素配置為在一發光週期與一感測週期中被驅動，且該感測電晶體配置為檢測在時間上彼此重疊的該第一驅動電晶體之該汲極電極的一第一感測電壓及該第二驅動電晶體之該源極電極的一第二感測電壓之較大者。
如請求項1所述之顯示裝置，進一步包含： 一第一電源線，連接至該第一驅動電晶體之一源極電極；及 一第二電源線，連接至該第二驅動電晶體之一汲極電極； 其中該第一電源線配置為提供用於該感測週期之一低電位電源電壓並配置為用於該發光週期之一高電位電源電壓，該第二電源線提供用於該感測週期與該發光週期之該低電位電源電壓。
如請求項2所述之顯示裝置，其中在該感測週期期間，來自該第一驅動電晶體之電流流向該第一電源線，來自該第二驅動電晶體之電流流向該第二電源線。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該感測電晶體連接至該資料驅動器，該資料驅動器配置為在該感測週期檢測來自該感測電晶體的一感測電壓偏差，該感測電壓偏差為該第一感測電壓與一參考電壓之間的一差異。
如請求項4所述之顯示裝置，其中該第一驅動電晶體之一第一閾值電壓偏差小於該第二驅動電晶體之一第二閾值電壓偏差。
如請求項5所述之顯示裝置，進一步包含： 一發光二極體，電性連接於該第二驅動電晶體之該源極電極。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該第二閾值電壓偏差為透過將該第一閾值電壓偏差與一預測資訊相加所獲得之一值，並且該預測資訊為基於一應力偏壓與一時間配置的該第一閾值電壓偏差與該第二閾值電壓偏差之一差值。
一種顯示裝置，包含： 一顯示面板，包含複數個子像素， 其中該些子像素中之每一者包含： 一第一電路單元，包含一第一驅動電晶體； 一第二電路單元，包含一第二驅動電晶體，該第二電路單元直接連接至該第一電路單元；以及 一感測電晶體，直接連接至該第一驅動電晶體與該第二驅動電晶體。
如請求項8所述之顯示裝置，其中該些子像素中之每一者進一步包含具有一陰極的一發光二極體，該陰極連接至該第二電路單元之該第二驅動電晶體，以及 該發光二極體配置為被提供來自該第一電路單元與該第二電路單元之一驅動電流。
如請求項9所述之顯示裝置，其中該第一電路單元是配置為控制該驅動電流之一脈衝寬度的一脈衝寬度調製（PWM）電路，該第二電路單元是配置為該控制驅動電流之一振幅的一脈衝振幅調製（PAM）電路。
如請求項9所述之顯示裝置，進一步包含： 一資料驅動器，連接至該顯示面板， 其中該感測電晶體被配置為同時將來自該第一驅動電晶體之一第一感測電壓與來自該第二驅動電晶體之一第二感測電壓傳輸到該資料驅動器。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該顯示面板進一步包含： 一第一電源線，連接至該第一驅動電晶體與該發光二極體的一陽極；及 一第二電源線，連接至該第二驅動電晶體之一汲極電極，並且 當該感測電晶體將該第一感測電壓與該第二感測電壓傳輸到該資料驅動器時，一相同電源電壓被配置為在一週期被施加至該第一電源線與該第二電源線，當該發光二級體發光時，不同電源電壓被配置為在一週期被施加至該第一電源線與該第二電源線。
一種顯示裝置，包含： 一顯示面板，包含複數個子像素； 一資料驅動器，連接至該些子像素； 一感測單元，連接至該資料驅動器， 其中該些像素中之每一者包含： 一發光裝置； 一第一驅動電晶體，該第一驅動電晶體之一汲極端直接連接至該發光裝置之一第一電極； 一第二驅動電晶體，該第二驅動電晶體之一源極端直接連接至該發光裝置之該第一電極；以及 其中該感測單元被直接連接至該第一電極以檢測該發光裝置之該第一電極上的一電壓。
如請求項13所述之顯示裝置，其中該感測單元包含： 一感測電晶體，連接於該發光裝置的該第一電極與一節點之間；及 一第一開關，連接於該節點與一參考電壓端之間。
如請求項14所述之顯示裝置，其中該感測單元包含連接至該節點的一電容器。
一種半導體結構，包括：<br/> 一第一摻雜類型磊晶層，設置於一基板上；<br/> 至少一閘極結構，設置於該第一摻雜類型磊晶層上，並在一第一方向上延伸，其中該至少一閘極結構包括一閘極氧化層和一閘極層，且該閘極層的一底部和一側壁完全被該閘極氧化層包覆；<br/> 複數個第二摻雜類型磊晶層，設置於該至少一閘極結構兩側與該第一摻雜類型磊晶層上，其中該至少一閘極結構的一底部低於該些第二摻雜類型磊晶層的一底部；<br/> 複數個摻雜區，在該第一方向上間隔設置，且包覆該至少一閘極結構的兩側的複數個底部邊角，其中該些摻雜區直接接觸該些第二摻雜類型磊晶層；以及<br/> 複數個源極區，設置在該至少一閘極結構的兩側與該些第二摻雜類型磊晶層上。
如請求項1所述之半導體結構，其中該些摻雜區與該些第二摻雜類型磊晶層為相同摻雜類型，該些摻雜區的一摻雜濃度大於該些第二摻雜類型磊晶層的一摻雜濃度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該至少一閘極結構包括一第一閘極結構和一第二閘極結構，且該第一閘極結構與該第二閘極結構由該些第二摻雜類型磊晶層之一隔離，並在垂直該第一方向的一第二方向上平行排列。
如請求項3所述之半導體結構，其中該些摻雜區包括：<br/> 複數個第一左側摻雜區，包覆該第一閘極結構的左側的該些底部邊角；以及<br/> 複數個第一右側摻雜區，包覆該第一閘極結構的右側的該些底部邊角，且該些第一左側摻雜區與該些第一右側摻雜區以該第一閘極結構的一第一中心軸對稱設置，該第一中心軸與該第一方向平行。
如請求項4所述之半導體結構，其中在平行該第一方向上間隔設置的該些摻雜區，任相鄰兩個摻雜區之間的一間距為0.5微米至2微米。
如請求項3所述之半導體結構，其中該些摻雜區包括：<br/> 複數個第一左側摻雜區，包覆該第一閘極結構的左側的該些底部邊角；以及<br/> 複數個第一右側摻雜區，包覆該第一閘極結構的右側的該些底部邊角，且該些第一左側摻雜區和該些第一右側摻雜區在該第二方向上交錯設置。
如請求項6所述之半導體結構，其中在平行該第一方向上間隔設置的該些摻雜區，任相鄰兩個摻雜區之間的一間距為1微米至4微米。
如請求項6所述之半導體結構，其中該些摻雜區包括：<br/> 複數個第二左側摻雜區，包覆該第二閘極結構的左側的該些底部邊角；以及<br/> 複數個第二右側摻雜區，包覆該第二閘極結構的右側的該些底部邊角，且該些第二左側摻雜區和該些第二右側摻雜區在該第二方向上交錯設置，其中該些第二左側摻雜區與該些第一右側摻雜區以該第一閘極結構與該第二閘極結構之間的一中線為軸線對稱設置，且該些第二右側摻雜區與該些第一左側摻雜區以該中線為軸線對稱設置。
如請求項6所述之半導體結構，其中該些摻雜區包括：<br/> 複數個第二左側摻雜區，包覆該第二閘極結構的左側的該些底部邊角；以及<br/> 複數個第二右側摻雜區，包覆該第二閘極結構的右側的該些底部邊角，且該些第二左側摻雜區和該些第二右側摻雜區在該第二方向上交錯設置，其中該些第二左側摻雜區與該些第一右側摻雜區在該第二方向上交錯設置，且該些第二右側摻雜區與該些第一左側摻雜區在該第二方向上交錯設置。
一種連接器組件，包含：<br/> 一第一連接器，包含：<br/> 一第一底板；<br/> 複數個第一側板，環繞拼接於該第一底板之四側，且該些第一側板與該第一底板共同定義一容置空間；以及<br/> 一第一導電端子，固定於該第一底板並於該容置空間中沿著一第一方向延伸；<br/> 一第二連接器，可與該第一連接器耦合並部分被收容於該容置空間內，該第二連接器包含：<br/> 一第二底板；<br/> 複數個第二側板，環繞拼接於該第二底板之四側，且該些第二側板與該第二底板形成至少一腔體；<br/> 一第二導電端子，位於該至少一腔體中並沿著該第一方向延伸，該第二導電端子包含一接觸部以及連接該接觸部之一連接部，其中該接觸部具有一鏤空部，且該第一導電端子可穿入該鏤空部而與該第二導電端子電性連接，其中該連接部為平板狀，且該連接部與該鏤空部之一中心軸平行；以及<br/> 至少一分隔部，位於相對之兩該第二側板中之間，且該至少一分隔部與該些第二側板平行延伸；以及<br/> 一插塞，穿過該至少一分隔部，使該第二導電端子之該接觸部位於該插塞與該第二底板之間。
如請求項1所述之連接器組件，其中該些第一側板中之一者具有一開口，該第二連接器進一步包含一卡扣件設置於該些第二側板中之一者上，當該第二連接器與該第一連接器耦合時，該卡扣件位於該開口外側並與該開口卡合。
如請求項2所述之連接器組件，其中該第一連接器進一步包含一檻，該檻位於該些第一側板中之一，且遠離該第一底板，且該檻位於該開口之一側。
如請求項3所述之連接器組件，其中該檻之一外表面低於該檻所在之該第一側板之一外表面。
如請求項2所述之連接器組件，其中該卡扣件包含一按壓部、一彈性臂以及一卡鈎，該按壓部以及該卡鈎位於該彈性臂之兩端。
如請求項5所述之連接器組件，其中該按壓部之一寬度大於該彈性臂之一寬度。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第一導電端子包含一鎖定部，且該鎖定部為一凹陷部。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第一底板具有一開孔，且該開孔在該第一方向上具有大小不同之一徑寬以固定該第一導電端子。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第一底板具有一開孔，且複數個凸條位於該開孔之一內表面上以固定該第一導電端子。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第二連接器進一步包含一冠簧，該冠簧設置於該第二導電端子之該接觸部之該鏤空部之內。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第二連接器進一步包含一蓋板，該蓋板連接該第二底板之四側中之三側，使該第二導電端子被固定於該蓋板與該第二底板之間。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第一連接器進一步包含另一第一導電端子固定於該第一底板並於該容置空間中沿著該第一方向延伸，且該第二連接器進一步包含另一第二導電端子位於該至少一腔體中並沿著該第一方向延伸。
如請求項1所述之連接器組件，其中該第一連接器進一步包含一袋部，該袋部設置於該些第一側板中之一，且該袋部凸出於該袋部所在之該第一側板，其中該袋部包含一卡鈎，該卡鈎設置於該袋部之一內表面上，並且其中該第二連接器進一步包含一卡扣件，該卡扣件設置於該些第二側板中之一，且該卡扣件與該卡鈎卡合。
如請求項1所述之連接器組件，其中該至少一腔體之一第一部位於該第一方向上延伸，且該至少一腔體之一第二部位於不同於該第一方向之一第二方向上延伸。
如請求項14所述之連接器組件，其中該第二導電端子之該接觸部位於該至少一腔體之該第一部位中，且該連接部位於該至少一腔體之該第二部位中。
一種連接器組件，包含：<br/> 一第一連接器，包含：<br/> 一第一底板；<br/> 複數個第一側板，環繞拼接於該第一底板之四側，且該些第一側板與該第一底板共同定義一容置空間；以及<br/> 一第一導電端子，固定於該第一底板並於該容置空間中沿著一第一方向延伸；以及<br/> 一第二連接器，可與該第一連接器耦合並部分被收容於該容置空間內，該第二連接器包含：<br/> 一第二底板；<br/> 複數個第二側板，環繞拼接於該第二底板之四側，且該些第二側板與該第二底板形成至少一腔體；以及<br/> 一第二導電端子，位於該至少一腔體中並沿著該第一方向延伸，該第二導電端子包含一接觸部以及連接該接觸部之一連接部，其中該接觸部具有一鏤空部，且該第一導電端子可穿入該鏤空部而與該第二導電端子電性連接，其中該連接部為平板狀，且該連接部與該鏤空部之一中心軸平行，<br/> 其中該第一導電端子包含一鎖定部，且該鎖定部為一凹陷部，其中該第一連接器包含兩插塞夾持該鎖定部。
如請求項16所述之連接器組件，其中該些第一側板中之一者具有一開口，該第一連接器進一步包含一檻，該檻位於該開口之一側，該檻之一外表面低於該檻所在之該第一側板之一外表面。
如請求項16所述之連接器組件，其中該至少一腔體之一第一部位於該第一方向上延伸，且該至少一腔體之一第二部位於不同於該第一方向之一第二方向上延伸。
如請求項18所述之連接器組件，其中該第二導電端子之該接觸部位於該至少一腔體之該第一部位中，且該連接部位於該至少一腔體之該第二部位中。
一種式(IG)所示的化合物或其藥學上可接受的鹽， <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="71px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>T為<img align="absmiddle" height="48px" width="59px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>G<sup>1</sup>為N； <br/>G<sup>2</sup>為N； <br/>G<sup>3</sup>為CR<sup>10</sup>； <br/>Z為O； <br/>R<sup>1</sup>為L-R<sup>12</sup>； <br/>L為-N(R<sup>13</sup>)-； <br/>R<sup>12</sup>選自C<sub>1-6</sub>羥烷基或C<sub>3-12</sub>環烷基，其中，所述的C<sub>3-12</sub>環烷基被1個或多個R<sup>g</sup>取代； <br/>R<sup>13</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>或者，R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>與其相連的氮原子一起形成4-8元雜環基，所述的4-8元雜環基任選被1個或多個R<sup>g</sup>所取代； <br/>R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>為H； <br/>R<sup>4</sup>為H； <br/>R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>相同或不同，且各自獨立的選自H或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各個R<sup>7</sup>相同或不同，且各自獨立地選自鹵素； <br/>R<sup>10</sup>為H或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>11</sup>選自鹵素； <br/>各個R<sup>g</sup>相同或不同，且各自獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基或羧基，其中，所述的C<sub>1-6</sub>烷基任選被羧基所取代； <br/>t為0或1； <br/>m為1； <br/>n為1； <br/>k為2； <br/>其中，所述的雜環基中的雜原子選自N，個數為1個。
如請求項1所述的式(IG)所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述的式(IG)所示的化合物滿足以下條件中的一項或多項， <br/>（1）<img align="absmiddle" height="28px" width="31px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="30px" width="31px" file="ed10436.jpg" alt="ed10436.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（2）R<sup>13</sup>中，所述C<sub>1-6</sub>烷基為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基或異丁基； <br/>（3）R<sup>12</sup>中，所述C<sub>3-12</sub>環烷基為環丙基、環丁基、環戊基或環己基； <br/>（4）R<sup>12</sup>和R<sup>13</sup>與其相連的氮原子一起形成的4-8元雜環基中，所述4-8元雜環基為氮雜環丁基、氮雜環戊基或氮雜環己基。
如請求項1所述的式(IG)所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述的式(IG)所示的化合物為式(IIA-2)所示的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="108px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中， <br/>R<sup>4</sup>為H； <br/>R<sup>5</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>10</sup>選自H和C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>11</sup>選自鹵素； <br/>R<sup>7A</sup>和R<sup>7B</sup>相同或不同，各自獨立的選自鹵素； <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、m、n和t如請求項1所定義。
如請求項1所述的式(IG)所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述的式(IG)所示的化合物滿足以下條件中的一項或多項， <br/>（1）R<sup>1</sup>為<img align="absmiddle" height="43px" width="29px" file="ed10438.jpg" alt="ed10438.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="29px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="38px" file="ed10440.jpg" alt="ed10440.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="44px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="51px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="42px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="43px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="43px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="43px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="29px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="29px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="49px" file="ed10452.jpg" alt="ed10452.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="50px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="51px" file="ed10454.jpg" alt="ed10454.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="43px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、； <br/>（2）R<sup>5</sup>為甲基； <br/>（3）R<sup>6</sup>為H； <br/>（4）R<sup>7A</sup>和R<sup>7B</sup>為Cl。
如請求項1所述的式(IG)所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述的式(IG)所示的化合物具有如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="74px" width="362px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="80px" width="333px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="105px" width="101px" file="ed10458.jpg" alt="ed10458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="101px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="96px" width="202px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="81px" width="84px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="93px" width="91px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="83px" width="84px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="88px" width="227px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="91px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="96px" width="192px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="107px" width="115px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="73px" width="357px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="91px" width="102px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式(IG)所示的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述的式(IG)所示的化合物具有如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="295px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="67px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="69px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="69px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="69px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="69px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="75px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="82px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="82px" file="ed10518.jpg" alt="ed10518.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="82px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="82px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述化合物具有如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="116px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="111px" width="106px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="108px" width="106px" file="ed10528.jpg" alt="ed10528.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="110px" width="106px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="110px" width="106px" file="ed10530.jpg" alt="ed10530.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="112px" width="106px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="108px" width="106px" file="ed10532.jpg" alt="ed10532.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="106px" file="ed10534.jpg" alt="ed10534.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="108px" width="106px" file="ed10536.jpg" alt="ed10536.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="102px" width="106px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="96px" width="106px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="95px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="95px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="90px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="95px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽，其中所述化合物具有如下任一結構： <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="116px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="116px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="106px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="106px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="106px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="106px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="ed10555.jpg" alt="ed10555.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="106px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="106px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="ed10562.jpg" alt="ed10562.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="ed10563.jpg" alt="ed10563.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="97px" width="106px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="106px" file="ed10565.jpg" alt="ed10565.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="106px" file="ed10566.jpg" alt="ed10566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="106px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="106px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="86px" width="106px" file="ed10568.jpg" alt="ed10568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="86px" width="106px" file="ed10569.jpg" alt="ed10569.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10570.jpg" alt="ed10570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10571.jpg" alt="ed10571.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10572.jpg" alt="ed10572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10573.jpg" alt="ed10573.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10575.jpg" alt="ed10575.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="113px" file="ed10577.jpg" alt="ed10577.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10579.jpg" alt="ed10579.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10581.jpg" alt="ed10581.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10583.jpg" alt="ed10583.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="107px" file="ed10585.jpg" alt="ed10585.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="113px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="113px" file="ed10587.jpg" alt="ed10587.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="90px" width="113px" file="ed10588.jpg" alt="ed10588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="90px" width="113px" file="ed10589.jpg" alt="ed10589.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種式(IG)所示化合物的製備方法，其中式(Y)所示化合物與式(XI)所示化合物發生反應，得到式(IG)所示化合物； <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="243px" file="ed10590.jpg" alt="ed10590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，X為Cl、Br或I； <br/>T、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>11</sup>、G<sup>1</sup>、G<sup>2</sup>、G<sup>3</sup>和k如請求項1-4任一項所述。
一種式(Y)所示化合物， <br/><img align="absmiddle" height="15px" width="9px" file="ed10591.jpg" alt="ed10591.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，T為<img align="absmiddle" height="48px" width="59px" file="ed10434.jpg" alt="ed10434.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、m、n和t如請求項1-4任一項所述。
如請求項10所述的式(Y)所示化合物，其中所述的式(Y)所示化合物選自如下化合物， <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="29px" file="ed10593.jpg" alt="ed10593.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="28px" file="ed10595.jpg" alt="ed10595.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="28px" file="ed10597.jpg" alt="ed10597.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="29px" file="ed10599.jpg" alt="ed10599.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="27px" file="ed10601.jpg" alt="ed10601.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="45px" width="29px" file="ed10603.jpg" alt="ed10603.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包括至少一種治療有效量的如請求項1-8中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，以及一種或多種藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1-8中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或如請求項12所述的藥物組合物在製備用於調節CCR4的藥物中的用途。
一種如請求項1-8中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或如請求項12所述的藥物組合物在製備用於預防和/或治療CCR4因子介導的疾病的藥物中的用途。
一種如請求項1-8中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽或如請求項12所述的藥物組合物在製備用於預防和/或治療自身免疫性疾病、炎性疾病或癌症的藥物中的用途。
一種封閉式管路結構，用以容納一冷卻流體，該封閉式管路結構包含：多個脈衝式熱管，各自具有一第一開口以及一第二開口，其中每一該脈衝式熱管包含多個延伸段，且該些延伸段沿一重力方向延伸；兩個封閉管，分別連通該些脈衝式熱管的該些第一開口以及該些第二開口；至少兩個導熱板，夾設於該些延伸段的相對兩側並分別位於該散熱區或該吸熱區；以及至少兩個固定板，夾設於該些延伸段的相對兩側並間隔設置於分別位在該散熱區或該吸熱區的該至少兩個導熱板之間；其中，該些脈衝式熱管與該些封閉管形成一封閉迴路；其中，該些脈衝式熱管具有一散熱區以及一吸熱區，該吸熱區在該重力方向上位於該散熱區下方，且該封閉式管路結構用以透過該吸熱區吸收一熱源的熱量並將所吸收的熱量傳遞至該散熱區散熱。
如請求項1所述之封閉式管路結構，其中每一該脈衝式熱管包含：該些延伸段，其中每一該延伸段具有一第一端以及一第二端，且該些第一端在該重力方向上位於該些第二端上方；多個上連接段，連通該些延伸段的該些第一端且靠近該散熱區；以及多個下連接段，連通該些延伸段的該些第二端且靠近該吸熱區；其中，在每一該脈衝式熱管當中，該些延伸段、該些上連接段與該些下連接段彼此連通；其中，該些脈衝式熱管的相異者的該些延伸段在垂直於該重力方向的一水平方向上彼此交錯地配置。
如請求項2所述之封閉式管路結構，其中該冷卻流體的液態表面張力為σ，重力加速度為g，該冷卻流體的液態密度為ρ<sub>l</sub>，該冷卻流體的氣態密度為ρ<sub>v</sub>，每一該脈衝式熱管的內徑為Di，其滿足下列條件：<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ≤ Di ≤ <img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項3所述之封閉式管路結構，其中該冷卻流體的液態密度為ρ<sub>l</sub>，該冷卻流體的氣態壓力為Pe，該冷卻流體的液態壓力為Pc，每一該脈衝式熱管的內徑為Di，該冷卻流體的黏滯係數為μ<sub>l</sub>，每一該脈衝式熱管的總長度為L<sub>eff</sub>，該冷卻流體的比熱容為C<sub>pl</sub>，該冷卻流體的液態熱傳導係數為k<sub>l</sub>，該冷卻流體的汽化潛熱為h<sub>fg</sub>，該冷卻流體的氣態溫度為Te，該冷卻流體的液態溫度為Tc，該些上連接段或該些下連接段的總數為N<sub>opt</sub>，其滿足下列條件：<img align="absmiddle" height="14px" width="62px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ≤ N<sub>opt</sub> ≤ <img align="absmiddle" height="14px" width="62px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中Ka、Pr與Ja皆為無因次的參數，其分別為：Ka = [ρ<sub>l</sub>×(Pe-Pc)×Di<sup>3</sup>]/(μ<sub>l</sub><sup>2</sup>×L<sub>eff</sub>)，Pr = C<sub>pl</sub>×μ<sub>l</sub>/k<sub>l</sub>，以及Ja = h<sub>fg</sub>/[C<sub>pl</sub>×(Te-Tc)]。
如請求項4所述之封閉式管路結構，其中該些上連接段或該些下連接段的總數為N<sub>opt</sub>，其滿足下列條件：8 ≤ N<sub>opt</sub> ≤ 30。
如請求項5所述之封閉式管路結構，其中該些上連接段或該些下連接段的總數為N<sub>opt</sub>，其滿足下列條件：10 ≤ N<sub>opt</sub> ≤ 15。
如請求項1所述之封閉式管路結構，更包含至少兩個散熱鰭片組，其中該至少兩個導熱板位於該散熱區，且該至少兩個散熱鰭片組分別設置於該至少兩個導熱板遠離該些延伸段的一側。
如請求項7所述之封閉式管路結構，其中該至少兩個散熱鰭片組的鰭片沿該水平方向延伸。
如請求項8所述之封閉式管路結構，更包含至少兩個風扇，其中該至少兩個風扇分別設置於該至少兩個散熱鰭片組以對該至少兩個散熱鰭片組提供風流。
如請求項7所述之封閉式管路結構，其中該至少兩個散熱鰭片組的鰭片沿該重力方向延伸。
如請求項1所述之封閉式管路結構，其中該至少兩個導熱板包含兩個第一導熱板以及兩個第二導熱板，該些第一導熱板與該些第二導熱板分別位於該散熱區與該吸熱區，且該些第一導熱板在該延伸段之延伸方向上的長度為該些第二導熱板在該延伸段之延伸方向上的長度之0.5至2倍。
如請求項1所述之封閉式管路結構，其中該封閉迴路內的氣壓小於外界氣壓。
如請求項12所述之封閉式管路結構，其中該封閉迴路內的氣壓為5×10<sup>-2</sup>托(torr)以下。
如請求項1所述之封閉式管路結構，其中該冷卻流體之體積相對於該封閉迴路之內部空間體積的佔比為30%至70%。
如請求項14所述之封閉式管路結構，其中該冷卻流體之體積相對於該封閉迴路之內部空間體積的佔比為40%至60%。
一種平台冷卻結構，其為冷卻對研磨對象物的主面進行研磨的研磨裝置的平台的平台冷卻結構， <br/>其中上述平台具備：第一平台，其中上述研磨對象物位於上述第一平台的其中一個面側；以及第二平台，固定於上述第一平台的另一個面側， <br/>其中在上述第一平台及上述第二平台的相互對向的面之中的至少一個平台形成有構成冷卻液流路的流路用溝槽， <br/>設置有將冷卻液供給到上述冷卻液流路的供給泵的供給管連接到上述冷卻液流路的入口處， <br/>設置有將上述冷卻液從上述冷卻液流路排出的排出泵的排出管連接到上述冷卻液流路的出口處， <br/>設置有控制裝置，以使上述冷卻液的流量成為目標流量、且使上述冷卻液流路的液壓成為上述第一平台不會發生壓力變形的目標液壓之方式，而控制上述供給泵及上述排出泵中的至少一個泵。
一種平台冷卻結構，其中在如請求項1所記載之平台冷卻結構中， <br/>在比上述排出管中的上述排出泵更上游側設置有排出側液壓計。
一種平台冷卻結構，其中在如請求項2所記載之平台冷卻結構中， <br/>在比上述供給管中的上述供給泵更下游側設置有供給側液壓計。
一種平台冷卻結構，其中在如請求項3所記載之平台冷卻結構中， <br/>上述控制裝置以使上述排出側液壓計所測定的液壓成為上述第一平台不會發生壓力變形的第一目標液壓，並且使上述供給側液壓計所測定的液壓成為上述第一平台不會發生壓力變形的第二目標液壓之方式而控制上述供給泵及上述排出泵中的至少一個泵。
一種單面研磨裝置，其為對作為研磨對象物的晶圓的一個主面進行研磨的單面研磨裝置，具備： <br/>在一個面上設置有研磨墊的平台； <br/>將上述晶圓的上述一個主面壓靠在上述研磨墊上的研磨頭； <br/>冷卻上述平台的如請求項1至請求項4中任一項所記載之平台冷卻結構；以及 <br/>藉由使上述平台與上述研磨頭相對地旋轉而研磨上述一個主面的旋轉驅動部。
一種平台冷卻方法，其為冷卻對研磨對象物的主面進行研磨的研磨裝置的平台的平台冷卻方法，其中 <br/>上述平台具備：第一平台，其中上述研磨對象物位於上述第一平台的其中一個面側；以及第二平台，固定於上述第一平台的另一個面側， <br/>其中在上述第一平台及上述第二平台中的至少一個平台形成有構成冷卻液流路的流路用溝槽， <br/>設置有將冷卻液供給到上述冷卻液流路的供給泵的供給管連接到上述冷卻液流路的入口處， <br/>設置有將上述冷卻液從上述冷卻液流路排出的排出泵的排出管連接到上述冷卻液流路的出口處， <br/>其中上述平台冷卻方法具備： <br/>冷卻液供給步驟，驅動上述供給泵及上述排出泵，向上述冷卻液流路供給上述冷卻液；以及 <br/>泵控制步驟，以使上述冷卻液流路的液壓成為上述第一平台不會發生壓力變形的目標液壓之方式而控制上述供給泵及上述排出泵中的至少一個泵。
一種平台冷卻方法，其中在如請求項6所記載之平台冷卻方法中， <br/>上述泵控制步驟是以使在上述排出管的比上述排出泵更上游側的液壓成為第一上述目標液壓之方式而控制上述至少一個泵。
一種平台冷卻方法，其中在如請求項7所記載之平台冷卻方法中， <br/>上述泵控制步驟是以使在上述供給管的比上述供給泵更下游側的液壓成為第二上述目標液壓之方式而控制上述至少一個泵。
一種平台冷卻方法，其中在如請求項6所記載之平台冷卻方法中， <br/>上述目標液壓是相對於大氣壓力為+50 kPa以下。
一種平台冷卻方法，其中在如請求項9所記載之平台冷卻方法中， <br/>上述目標液壓是低於大氣壓力。
一種平台冷卻方法，其中在如請求項10所記載之平台冷卻方法中， <br/>上述目標液壓是相對於大氣壓力為-50 kPa以上。
一種晶圓的製造方法，具備： <br/>使用藉由如請求項6至請求項11中任一項所記載之平台冷卻方法冷卻了上述平台的上述研磨裝置，而研磨作為上述研磨對象物的晶圓的步驟。
一種調整式之搓牙機，其包含有一機台，分設於機台上之導軌、進料裝置、驅動裝置、固定牙板，一受該驅動裝置驅動且與該固定牙板相對應設置之活動牙板，以及一設於該活動牙板下且於該導軌上滑移之滑動板，其中，該進料裝置可供複數胚料置放，且將該等胚料一一進給入該固定牙板與該活動牙板間，另該導軌具有一本體，以及一凸伸於該本體上之傾斜面，而前述該滑動板底部貼合於該傾斜面上滑移，其特徵在於； <br/>該導軌呈活動式設置於該機台上，該本體兩側分別開設有長槽孔，且該長槽孔上鎖設有一鎖固件，該鎖固件使該本體定位於該機台上，另該滑動板與該導軌長久滑移摩擦產生磨耗，使該滑動板底部與該傾斜面產生間隙，藉由鬆放該鎖固件及位移該導軌，使該傾斜面再次與該滑動板底部貼合，以延長該搓牙機使用壽命。
一種第一端子模組，其中，包括：<br/> 第一絕緣塊，前述第一絕緣塊包括第一凸柱以及第二凸柱，前述第一凸柱設有第一開口，前述第二凸柱設有第二開口；<br/> 第一端子組，前述第一端子組設於前述第一絕緣塊，前述第一端子組包括第一導電端子以及第二導電端子；前述第一導電端子包括設於前述第一開口的第一彈性臂，前述第一彈性臂設有第一接觸部；前述第二導電端子包括設於前述第二開口的第二彈性臂，前述第二彈性臂設有第二接觸部；前述第一接觸部與前述第二接觸部偏移設置；以及<br/> 第一屏蔽套筒，前述第一屏蔽套筒套接在前述第一絕緣塊上，以形成位於前述第一絕緣塊與前述第一屏蔽套筒之間的第一收容腔，前述第一接觸部以及前述第二接觸部均凸伸入前述第一收容腔中；<br/> 前述第一屏蔽套筒設有第一末端部以及貫穿前述第一末端部的複數第一開槽，前述複數第一開槽沿前述第一屏蔽套筒的周向分佈；<br/> 前述第一絕緣塊包括第一基座，前述第一凸柱以及前述第二凸柱均凸出前述第一基座，前述第一凸柱與前述第二凸柱相對設置；<br/> 前述第一收容腔包括位於前述第一凸柱與前述第二凸柱的一側的第一對接腔體以及位於前述第一凸柱與前述第二凸柱的另一側的第二對接腔體；<br/> 前述第一接觸部凸伸入前述第一對接腔體中，前述第二接觸部凸伸入前述第二對接腔體中。
如請求項1所述的第一端子模組，其中：前述第一凸柱呈扇形，前述第一凸柱包括第一側面以及垂直於前述第一側面的第二側面，前述第一開口貫穿前述第一側面且與前述第一對接腔體相連通，前述第一彈性臂位於前述第一開口中；<br/> 前述第二凸柱呈扇形，前述第二凸柱包括第三側面以及垂直於前述第三側面的第四側面，前述第二開口貫穿前述第三側面且與前述第二對接腔體相連通，前述第二彈性臂位於前述第二開口中。
如請求項2所述的第一端子模組，其中：前述第一凸柱包括連接前述第一側面和前述第二側面的第一弧形面；<br/> 前述第二凸柱包括連接前述第三側面和前述第四側面的第二弧形面；<br/> 前述複數第一開槽包括沿前述第一屏蔽套筒的周向依次分佈的第一狹縫、第二狹縫、第三狹縫以及第四狹縫，前述第一屏蔽套筒包括位於前述第一狹縫和前述第二狹縫之間的第一弧形壁、位於前述第三狹縫和前述第四狹縫之間的第二弧形壁、位於前述第一狹縫和前述第四狹縫之間的第三弧形壁、以及位於前述第二狹縫和前述第三狹縫之間的第四弧形壁；前述第一凸柱的第一弧形面貼靠於前述第一弧形壁的內側，前述第二凸柱的第二弧形面貼靠於前述第二弧形壁的內側，前述第三弧形壁暴露於前述第一對接腔體中，前述第四弧形壁暴露於前述第二對接腔體中。
如請求項3所述的第一端子模組，其中：前述第三弧形壁設有位於前述第三弧形壁的自由末端的第一外翻邊部，前述第四弧形壁設有位於前述第四弧形壁的自由末端的第二外翻邊部。
如請求項1所述的第一端子模組，其中：前述第一彈性臂與前述第二彈性臂傾斜佈置。
如請求項1所述的第一端子模組，其中：前述第一導電端子包括自前述第一接觸部向外折彎的第一折彎末端，前述第二導電端子包括自前述第二接觸部向外折彎的第二折彎末端，前述第一折彎末端與前述第二折彎末端的折彎方向相反。
如請求項1所述的第一端子模組，其中：前述第一導電端子包括固定於前述第一絕緣塊的第一固定部以及自前述第一固定部延伸的第一安裝部，前述第一彈性臂自前述第一固定部延伸；<br/> 前述第二導電端子包括固定於前述第一絕緣塊的第二固定部以及自前述第二固定部延伸的第二安裝部，前述第二彈性臂自前述第二固定部延伸；<br/> 前述第一安裝部以及前述第二安裝部均配置為貼裝於第一電路板上。
如請求項7所述的第一端子模組，其中：前述第一安裝部與前述第二安裝部均呈弧形，且均沿順時針或者逆時針方向延伸。
一種第一電連接器，其中，包括：<br/> 第一絕緣本體，前述第一絕緣本體包括第一基部以及凸出前述第一基部的複數第一壁部，前述第一基部以及前述複數第一壁部共同形成第一收容空間；以及<br/> 複數第一端子模組，前述複數第一端子模組設置於前述第一基部，每一個第一端子模組包括第一絕緣塊、設於前述第一絕緣塊中的第一端子組、套接在前述第一絕緣塊上的第一屏蔽套筒、以及位於前述第一絕緣塊與前述第一屏蔽套筒之間的第一收容腔；<br/> 前述第一端子組包括第一導電端子以及第二導電端子；前述第一導電端子包括固定於前述第一絕緣塊的第一固定部、自前述第一固定部延伸的第一彈性臂以及自前述第一固定部延伸的第一安裝部，前述第一彈性臂設有凸伸入前述第一收容腔中的第一接觸部；前述第二導電端子包括固定於前述第一絕緣塊的第二固定部、自前述第二固定部延伸的第二彈性臂以及自前述第二固定部延伸的第二安裝部，前述第二彈性臂設有凸伸入前述第一收容腔中的第二接觸部；前述第一接觸部與前述第二接觸部偏移設置；<br/> 前述第一屏蔽套筒凸伸入前述第一收容空間中；前述第一屏蔽套筒設有第一末端部以及貫穿前述第一末端部的複數第一開槽，前述複數第一開槽沿前述第一屏蔽套筒的周向分佈；<br/> 前述第一絕緣塊包括第一基座、凸出前述第一基座的第一凸柱以及凸出前述第一基座的第二凸柱，前述第一凸柱與前述第二凸柱相對設置；<br/> 前述第一收容腔包括位於前述第一凸柱與前述第二凸柱的一側的第一對接腔體以及位於前述第一凸柱與前述第二凸柱的另一側的第二對接腔體；<br/> 前述第一接觸部凸伸入前述第一對接腔體中，前述第二接觸部凸伸入前述第二對接腔體中。
如請求項9所述的第一電連接器，其中：前述第一凸柱呈扇形，前述第一凸柱包括第一側面、垂直於前述第一側面的第二側面以及貫穿前述第一側面且與前述第一對接腔體相連通的第一開口，前述第一彈性臂位於前述第一開口中；<br/> 前述第二凸柱呈扇形，前述第二凸柱包括第三側面、垂直於前述第三側面的第四側面以及貫穿前述第三側面且與前述第二對接腔體相連通的第二開口，前述第二彈性臂位於前述第二開口中。
如請求項10所述的第一電連接器，其中：前述第一凸柱包括連接前述第一側面和前述第二側面的第一弧形面；<br/> 前述第二凸柱包括連接前述第三側面和前述第四側面的第二弧形面；<br/> 前述複數第一開槽包括沿前述第一屏蔽套筒的周向依次分佈的第一狹縫、第二狹縫、第三狹縫以及第四狹縫，前述第一屏蔽套筒包括位於前述第一狹縫和前述第二狹縫之間的第一弧形壁、位於前述第三狹縫和前述第四狹縫之間的第二弧形壁、位於前述第一狹縫和前述第四狹縫之間的第三弧形壁、以及位於前述第二狹縫和前述第三狹縫之間的第四弧形壁；前述第一凸柱的第一弧形面貼靠於前述第一弧形壁的內側，前述第二凸柱的第二弧形面貼靠於前述第二弧形壁的內側，前述第三弧形壁暴露於前述第一對接腔體中，前述第四弧形壁暴露於前述第二對接腔體中。
如請求項11所述的第一電連接器，其中：前述第三弧形壁設有位於前述第三弧形壁的自由末端的第一外翻邊部，前述第四弧形壁設有位於前述第四弧形壁的自由末端的第二外翻邊部。
如請求項11所述的第一電連接器，其中：前述複數第一壁部包括第一側壁、第二側壁、第三側壁以及第四側壁，其中前述第一側壁與前述第二側壁沿第一方向面對面佈置，前述第三側壁與前述第四側壁沿第二方向面對面佈置，前述第一方向與前述第二方向相互垂直；<br/> 前述第一凸柱與前述第二凸柱沿前述第二方向面對面佈置；<br/> 前述第一側面與前述第三側面沿第四方向分佈，前述第四方向相較於前述第一方向以及前述第二方向傾斜佈置。
如請求項13所述的第一電連接器，其中：前述第一導電端子包括自前述第一接觸部向外折彎的第一折彎末端，前述第二導電端子包括自前述第二接觸部向外折彎的第二折彎末端，前述第一折彎末端與前述第二折彎末端的折彎方向相反。
如請求項13所述的第一電連接器，其中：前述第一絕緣本體包括位於前述第一側壁的外側的第一容納槽以及位於前述第二側壁的外側的第二容納槽，前述第一側壁的外側設有與前述第一容納槽相連通的第一鍵槽，前述第二側壁的外側設有與前述第二容納槽相連通的第二鍵槽，前述第三側壁設有凸伸入前述第一收容空間中的第一凸肋，前述第四側壁設有凸伸入前述第一收容空間中的第二凸肋。
如請求項9所述的第一電連接器，其中：前述第一導電端子的第一安裝部以及前述第二導電端子的第二安裝部均配置為貼裝於第一電路板上。
如請求項16所述的第一電連接器，其中：前述第一安裝部與前述第二安裝部均呈弧形，且均沿順時針或者逆時針方向延伸。
如請求項9所述的第一電連接器，其中：前述第一基座設有第一安裝槽以及第二安裝槽，前述第一導電端子的第一固定部固定於前述第一安裝槽中，前述第二導電端子的第二固定部固定於前述第二安裝槽中。
如請求項9所述的第一電連接器，其中：前述第一基部設有複數第一端子安裝孔，前述第一端子模組組裝固定於相應的第一端子安裝孔中。
一種連接器組件，其中，包括相互對接的第一電連接器和第二電連接器；前述第一電連接器為如請求項9至19中任意一項所述的第一電連接器；前述第二電連接器與前述第一電連接器結構相同，但安裝角度不同。
一種擴充卡支架，包括：<br/> 一底板，其具有一頂表面以固定一擴充卡；<br/> 一穿過該底板形成的開孔；以及<br/> 一加熱器模組，配接到該底板，該加熱器模組與該開孔對齊以加熱該擴充卡的一區域。
如請求項1所述的擴充卡支架，更包括位於該底板的一端上的一豎立板及位於該底板的另一端上的一卡支撐件，其中該豎立板包括與該擴充卡配合的一第一連接器以及與一主電路板上的一插座配合的一第二連接器。
如請求項1所述的擴充卡支架，其中該加熱器模組包括一薄膜加熱器。
如請求項3所述的擴充卡支架，其中該加熱器模組包括定位在該薄膜加熱器上的一導熱墊，其中該導熱墊允許該薄膜加熱器與該擴充卡之間的熱傳輸。
如請求項1所述的擴充卡支架，其中該加熱器模組包括一突片，該突片具有用於配接至該底板的一底表面的一配接機構。
一種用於與擴充卡支架配合的加熱器模組，該加熱器模組包括：<br/> 一散熱器板，具有一配接機構，用於配接至該擴充卡支架的一底板，該底板具有一開孔；<br/> 一薄膜加熱器，位於該散熱器板上，與該擴充卡支架的該底板的該開孔對齊；以及<br/> 一導熱墊，位於該薄膜加熱器上。
如請求項6所述的加熱器模組，其中該散熱器板包括具有該配接機構的一突片，其中該突片接合至該底板的一底表面。
如請求項7所述的加熱器模組，其中該配接機構是螺絲。
一種室外組件，包括：<br/> 一殼體；<br/> 一主電路板；<br/> 一擴充卡支架，耦接於該主電路板，該擴充卡支架包括：<br/> 一底板，具有一頂表面以固定一擴充卡；<br/> 一穿過該底板形成的開孔；以及<br/> 一加熱器模組，與該開孔對齊以加熱該擴充卡的一區域。
如請求項9所述的室外組件，其中該加熱器模組包括一薄膜加熱器、定位在該薄膜加熱器上的一導熱墊，其中該導熱墊允許該薄膜加熱器與該擴充卡之間的熱傳輸。
一種藥劑揮發散播裝置，其具備：將揮發散播性藥劑保持成可揮發散播的藥劑揮發散播體及在收納前述藥劑揮發散播體的內側容器的外側配置外側容器的收納容器，其特徵在於， <br/> 在將前述收納容器切換成正立姿勢和相對於前述正立姿勢使上下顛倒的倒立姿勢時前述內側容器整體在前述外側容器的內部以自重下降， <br/> 在前述正立姿勢及前述倒立姿勢的其中一方的時候開口於前述外側容器的周面的外側開口部和開口於前述內側容器的周面的內側開口部重疊，在另一方的時候前述內側開口部相對於前述外側開口部在上下方向上錯開，前述外側開口部被前述內側開口部的周圍塞住。
如請求項1所述的藥劑揮發散播裝置，其中，前述外側容器在上下方向的其中一端面具有插通前述內側容器的插通孔，前述內側容器可透過前述插通孔相對於前述外側容器拆裝，前述外側容器具有突出於內表面的第2突出部，前述內側容器具有突出於外表面的第1突出部，前述內側容器是在上下方向的其中一端部具有比前述第1突出部上的橫寬度更寬的橫寬度的擴寬部並從前述擴寬部的相反側插入前述插通孔，前述內側容器是在從前述擴寬部側插入時前述擴寬部抵接於前述第2突出部而前進被妨礙。
一種藥劑揮發散播裝置，其具備：將揮發散播性藥劑保持成可揮發散播的藥劑揮發散播體及在收納前述藥劑揮發散播體的內側容器的外側配置外側容器的收納容器，其特徵在於， <br/> 由合成樹脂的片成形品所成的前述內側容器配置成可相對於由合成樹脂的射出成形品所成的前述外側容器上下移動， <br/> 藉由前述內側容器整體在前述外側容器內部上下移動，可切換：開口於前述外側容器的周面的外側開口部和開口於前述內側容器的周面的內側開口部重疊的揮發散播狀態；及前述內側開口部相對於前述外側開口部在上下方向上錯開，前述外側開口部被前述內側開口部的周圍塞住的非揮發散播狀態。
如請求項3所述的藥劑揮發散播裝置，其中，將前述外側容器配置成正立姿勢和相對於前述正立姿勢使上下顛倒的倒立姿勢之間的其中一方並使前述內側容器下降至行程終端之際成為前述揮發散播狀態，配置成另一方並使前述內側容器下降至行程終端之際成為前述非揮發散播狀態。
如請求項1或請求項3所述的藥劑揮發散播裝置，其中，藉由突出於前述內側容器的外表面的第1突出部和突出於前述外側容器的內表面的第2突出部抵接來限制前述內側容器的上下移動。
如請求項5所述的藥劑揮發散播裝置，其中，前述外側容器在上下方向的其中一端面具有插通前述內側容器的插通孔，前述內側容器可相對於前述外側容器拆裝，在將前述內側容器從前述插通孔插入之際前述第1突出部和前述第2突出部滑動並越過。
如請求項1或請求項3所述的藥劑揮發散播裝置，其中，前述內側容器可相對於前述外側容器拆裝。
如請求項1或請求項3所述的藥劑揮發散播裝置，其中，前述外側容器具有互相卡合的表側構件和內側構件，在前述表側構件和前述內側構件的其中一方設置卡合爪，並在另一方設置供前述卡合爪卡合的被卡合部及對向於前述被卡合部的對向壁， <br/> 前述對向壁具有：面對插入前述被卡合部和前述對向壁之間的前述卡合爪並配置於比前述被卡合部更靠近插入方向前方的突起部。
如請求項1或請求項3所述的藥劑揮發散播裝置，其中，前述內側容器及前述外側容器是配色成互不相同的外裝色。
一種覆晶式二極體結構，包含：<br/> 一基底，具有二弧形凹槽，分別設置於該基底之二側邊緣；<br/> 二接面區，設置於該基底中；及<br/> 二金屬電極，分別設置於該基底之同一側面，且各自電性連接該二接面區其中之一；及<br/> 一介電層，覆蓋該二弧形凹槽及二金屬電極間之該基底上表面，<br/> 其中該二弧形凹槽係各自鄰接該二金屬電極其中之一外側，且該二接面區於該基底中之一最大深度小於該二弧形凹槽之一深度，各該弧形凹槽具有一弧形角度，其中，該弧形角度係介於30°~60°，該弧形角度係各該接面區之一擴散深度線延伸至各該弧形凹槽之一切線夾角。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該二接面區於該基底中之一最大深度係介於5~10微米（µm）。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該二弧形凹槽之一深度係大於10微米（µm）。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該介電層係二氧化矽層、氮化矽層二者其中之一。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該介電層之一厚度介於1~2微米（µm）。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該二金屬電極間之該介電層與該二金屬電極實質等高。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中各該金屬電極係一金錫合金或一鎳金合金。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該二接面區具有一P型接面區及一N型接面區。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該二接面區具有二P型接面區。
如請求項1所述之覆晶式二極體結構，其中該二接面區具有二N型接面區。
一種覆晶式二極體結構之製造方法，包含：<br/> 提供二接面區，設置於一基底中；<br/> 去除部分該基底，以形成二弧形凹槽，分別設置於該基底之二側邊緣；<br/> 提供二金屬電極，分別設置於該基底之同一側面，且各自電性連接該二接面區其中之一；及<br/> 提供一介電層，覆蓋該二弧形凹槽及二金屬電極間之該基底上表面，<br/> 其中該二弧形凹槽係各自鄰接該二金屬電極其中之一外側，且該二接面區於該基底中之一最大深度小於該二弧形凹槽之一深度，各該弧形凹槽具有一弧形角度，其中，該弧形角度係介於30°~60°，該弧形角度係各該接面區之一擴散深度線延伸至各該弧形凹槽之一切線夾角。
如請求項11所述覆晶式二極體結構之製造方法，其中去除部分該基底以形成二弧形凹槽係以蝕刻方式去除部分該基底。
如請求項11所述覆晶式二極體結構之製造方法，其中提供一介電層係以塗布或沉積方式形成該介電層。
如請求項11所述覆晶式二極體結構之製造方法，更包含平坦化該二金屬電極間之該介電層使其與該二金屬電極實質等高之一步驟。
一種半導體處理方法，包含以下步驟：<br/> 在一半導體處理腔室內提供一高深寬比半導體結構，及其中一或多個含鉬層形成在該半導體結構上；<br/> 提供一含氮前驅物至該半導體處理腔室的一處理區；<br/> 將該一或多個含鉬層接觸該含氮前驅物，其中該接觸步驟：將該一或多個含鉬層的一表面氮化、在該一或多個含鉬層上方形成一保護層、或在該一或多個含鉬層上方沉積該保護層。
如請求項1所述之半導體處理方法，進一步包含在該保護層上方沉積一或多個介電層或蝕刻該一或多個含鉬層。
如請求項2所述之半導體處理方法，進一步包含在小於或約1000 °C的一溫度熱退火該含鉬層。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該半導體處理腔室內的一溫度維持在小於或約1000 °C。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該接觸步驟是一電漿處理、熱驅動的、或其之一組合。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該接觸步驟進一步包含一含氫前驅物、一含鉬前驅物、或其之一組合。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含氮前驅物包含NH<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>、N<sub>2</sub>與H<sub>2</sub>、或其之一組合。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該保護層在該含鉬層上方形成一正形塗層。
一種形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，包含以下步驟：<br/> 蝕刻一基板以形成一或多個淺溝槽隔離與複數個垂直延伸通道；<br/> 在該淺溝槽隔離的一者或多者內形成一或多個含鉬層；<br/> 將該一或多個含鉬層的一暴露表面接觸一含氮前驅物，其中該接觸步驟：將該一或多個含鉬層的一表面氮化、在該一或多個含鉬層上方形成一保護層、或在該一或多個含鉬層上方沉積該保護層；及<br/> 在該保護層上方形成一或多個介電層。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中在該接觸步驟期間的一溫度維持在小於或約1000 °C。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中該保護層在該含鉬層上方形成一正形塗層。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中該接觸步驟是一電漿處理、熱驅動的、或其之一組合。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中該接觸步驟進一步包含一含氫前驅物、一含鉬前驅物、或其之一組合。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中該含氮前驅物包含NH<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>、N<sub>2</sub>與H<sub>2</sub>、或其之一組合。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中該一或多個含鉬層包含一或多個字線。
如請求項15所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，其中該一或多個字線包含沿著該一或多個垂直延伸通道的一側壁的至少一部分形成的一或多個字線薄片。
如請求項9所述之形成一垂直單元動態隨機存取記憶體(DRAM)陣列的方法，進一步包含在該保護層上方形成該一或多個介電層之後，熱處理該垂直單元DRAM陣列。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一位元線，在一第一方向上延伸；<br/> 兩個或更多個字線，在不同於該第一方向的一第二方向上延伸；及<br/> 至少一通道，在相鄰字線之間於大體上與該第一方向和該第二方向正交的一方向上延伸，該通道具有一第一端與一第二端，該第一端鄰近該位元線，該第二端相對於該第一端；及<br/> 其中該兩個或更多個字線包含一含鉬材料。
如請求項18所述之記憶體裝置，進一步包含在該含鉬材料與一介電材料之間的一Mo<sub>x</sub>N<sub>y</sub>層。
如請求項18所述之記憶體裝置，其中該兩個或更多個字線包含字線薄片或經填充溝槽。
一種半導體裝置，包括：<br/> 元件層；<br/> 一或多個積體電路元件，位於所述元件層中；<br/> 互連層，位於所述元件層上方；<br/> 一或多個導電結構，位於所述互連層中；<br/> 一或多個第一接合結構，位於所述互連層上方；<br/> 溝槽電容結構，直接耦接至所述一或多個第一接合結構中的對應第一接合結構；以及<br/> 第二接合結構，位於所述一或多個第一接合結構上方，其中所述第二接合結構直接接合至所述對應第一接合結構。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述對應第一接合結構包括接合導孔；<br/> 其中所述對應第一接合結構包括接合墊；且<br/> 其中所述接合墊耦接至所述接合導孔。
如請求項2所述的半導體裝置，其中所述溝槽電容結構的頂部電極層與所述接合導孔接觸；且<br/> 其中所述溝槽電容結構的底部電極層與所述一或多個導電結構中的導電結構接觸。
如請求項3所述的半導體裝置，其中所述接合導孔的底面凹陷於所述頂部電極層中。
一種半導體封裝，包括：<br/> 第一半導體晶粒，包括： 第一互連層； 一或多個第一導電結構，位於所述第一互連層中； 多個第一接合結構，位於所述第一互連層上方；以及 溝槽電容結構，直接耦接至所述多個第一接合結構中的第一接合結構；以及 第二半導體晶粒，在接合介面處與所述第一半導體晶粒接合，使得所述第一半導體晶粒與所述第二半導體晶粒在所述半導體封裝中垂直排列， 其中所述第二半導體晶粒包括： 第二互連層； 一或多個第二導電結構，位於所述第二互連層中；以及 多個第二接合結構，位於所述第二互連層下方， 其中所述多個第二接合結構中的第二接合結構電性耦接至所述第一接合結構。
如請求項5所述的半導體封裝，其中所述第一接合結構包括第一接合墊；<br/> 其中所述第二接合結構包括第二接合墊； 其中所述第一接合墊與所述第二接合墊接合；且其中所述第一接合墊相對於所述第二接合墊在橫向上錯位。
如請求項5所述的半導體封裝，其中所述第二半導體晶粒還包括：<br/> 像素感測器陣列，包括多個像素感測器， 其中所述溝槽電容結構位於所述像素感測器陣列下方。
如請求項5所述的半導體封裝，其中所述第二半導體晶粒還包括：<br/> 另一溝槽電容結構，直接耦接至所述第二半導體晶粒的所述多個第二接合結構中的第三接合結構， 其中所述第一半導體晶粒的所述多個第一接合結構中的第四接合結構電性耦接至所述第二半導體晶粒的所述第三接合結構。
一種形成半導體裝置的方法，包括：<br/> 在半導體裝置的元件層中形成一或多個積體電路元件； 在所述元件層上方形成所述半導體裝置的互連層； 形成穿過所述互連層的多個介電層的凹陷； 在所述凹陷中形成所述半導體裝置的溝槽電容結構； 在所述溝槽電容結構上形成所述半導體裝置的接合結構；以及 將所述半導體裝置接合至另一半導體裝置，使得所述接合結構直接接合至所述另一半導體裝置的另一接合結構。
如請求項9所述的方法，還包括：<br/> 形成接合介電層； 形成穿過所述接合介電層的所述接合結構；以及 將所述半導體裝置接合至所述另一半導體裝置，使得所述接合介電層直接接合至所述另一半導體裝置的所述另一接合結構周圍的另一接合介電層。
一種螢光檢測液，含有：水，作為溶媒； <br/> 選自黃素衍生物、奎寧、芘及花青素中之任一種作為第一藍色螢光色素； <br/> 除前述第一藍色螢光色素外，選自前述黃素衍生物、奎寧、芘及花青素中之任一種作為第二藍色螢光色素； <br/> 前述黃素衍生物係具有黃素骨架且以核黃素為起始原料之衍生物。
如請求項1所記載之螢光檢測液，其中前述第一藍色螢光色素為前述黃素衍生物，且前述第二藍色螢光色素為奎寧。
如請求項2所記載之螢光檢測液，其中作為前述第一藍色螢光色素之前述黃素衍生物含有濃度為5ppm以上至20ppm以下，且作為前述第二藍色螢光色素之奎寧含有濃度為1ppm以上至7ppm以下。
如請求項1所記載之螢光檢測液，其中前述第一藍色螢光色素為前述黃素衍生物，且前述第二藍色螢光色素為芘。
如請求項1所記載之螢光檢測液，其中前述第一藍色螢光色素為前述黃素衍生物，且前述第二藍色螢光色素為花青素。
如請求項1所記載之螢光檢測液，其中前述第一藍色螢光色素為奎寧，且前述第二藍色螢光色素為芘。
如請求項1所記載之螢光檢測液，其中前述第一藍色螢光色素為奎寧，且前述第二藍色螢光色素為花青素。
如請求項1所記載之螢光檢測液，其中前述第一藍色螢光色素為芘，且前述第二藍色螢光色素為花青素。
如請求項1至5中任一項所記載之螢光檢測液，其中作為前述黃素衍生物，含有甲醯基甲基黃素及光色素中之至少一方作為主要成分。
一種溶劑類組成物，包括： <br/>由化學式1表示的經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物，其中所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物不包括羧基中包含的碳； <br/>單羧酸化合物；以及 <br/>有機溶劑， <br/>其中所述溶劑類組成物是用於從含金屬抗蝕劑去除邊緣珠粒的組成物或用於含金屬抗蝕劑的顯影劑組成物， <br/>其中基於所述組成物的總重量，所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物和所述單羧酸化合物的量為0.1 wt%至30 wt%： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>L<sup>1</sup>是經取代或未經取代的C3至C20伸烷基、經取代或未經取代的C3至C20伸烯基、經取代或未經取代的C3至C20伸炔基、經至少一個C1至C10脂肪族烴基或C6至C12芳香族烴基取代的C2至C20伸烷基、經至少一個C1至C10脂肪族烴基或C6至C12芳香族烴基取代的C2至C20伸烯基，經至少一個C1至C10脂肪族烴基或C6至C12芳香族烴基取代的C3至C20伸炔基、或其組合， <br/>R<sup>1</sup>是氨基、醯胺基、鹵素基、羥基或羧基，且 <br/>m1是0或更大的整數。
如請求項1所述的溶劑類組成物，其中所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物與所述單羧酸化合物之間的重量比為1:0.01至1:2。
如請求項1所述的溶劑類組成物，其中所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物是非環狀的。
如請求項1所述的溶劑類組成物，其中L<sup>1</sup>是經取代或未經取代的伸丙基、經取代或未經取代的伸丁基、經取代或未經取代的伸戊基、經取代或未經取代的伸己基、經取代或未經取代的伸丙烯基、經取代或未經取代的伸丁烯基、經取代或未經取代的伸戊烯基、經取代或未經取代的伸己烯基、經C1至C10烷基取代的伸乙基、或其組合。
如請求項1所述的溶劑類組成物，其中所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物是從群組1中的化合物中選擇的任一種： <br/>[群組1] <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="504px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的溶劑類組成物，其中所述單羧酸化合物是從群組2中的化合物中選擇的任一種： <br/>[群組2] <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="217px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="62px" width="75px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="62px" width="75px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的溶劑類組成物，其中基於所述組成物的總重量，所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物和所述單羧酸化合物的量為0.1 wt%至25 wt%。
一種形成圖案的方法，所述方法包括： <br/>在基板上塗覆含金屬光阻組成物； <br/>沿著所述基板的邊緣塗覆用於從含金屬抗蝕劑去除邊緣珠粒的邊緣珠粒去除組成物，以去除邊緣珠粒； <br/>乾燥和加熱以在所述基板上形成含金屬光阻層； <br/>對所述含金屬光阻層進行曝光；以及 <br/>使用用於含金屬抗蝕劑的顯影劑組成物顯影所述含金屬光阻層， <br/>其中所述邊緣珠粒去除組成物或所述顯影劑組成物中的至少一種是如請求項1所述的溶劑類組成物。
如請求項8所述的方法，其中所述含金屬光阻組成物包括金屬化合物，並且 <br/>所述金屬化合物包括有機氧基或有機羰基氧基中的至少一種。
如請求項8所述的方法，其中所述含金屬光阻組成物包括由化學式2表示的金屬化合物： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="62px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式2中， <br/>R<sup>2</sup>選擇自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、以及經取代或未經取代的C6至C30芳烷基， <br/>R<sup>3</sup>至R<sup>5</sup>各自獨立地為： <br/>經取代或未經取代的C1至C20烷基； <br/>經取代或未經取代的C3至C20環烷基； <br/>經取代或未經取代的C2至C20烯基； <br/>經取代或未經取代的C2至C20炔基； <br/>經取代或未經取代的C6至C30芳基； <br/>經取代或未經取代的C6至C30芳烷基； <br/>由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合； <br/>由-O(CO)R<sup>b</sup> 表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合； <br/>由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup> 表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合； <br/>由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合； <br/>由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup> 表示的脒基，其中R<sup>g</sup> 、R<sup>h</sup> 和R<sup>i</sup> 各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合； <br/>由-SR<sup>j</sup>表示的烷基硫基或芳基硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合；或 <br/>由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基，或其組合，且 <br/>從R<sup>3</sup>至R<sup>5</sup> 中選擇的至少一個選自由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基、由-O(CO)R<sup>b</sup> 表示的羧基、由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基醯胺基或二烷基醯胺基、由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基、由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup> 表示的脒基、由-SR<sup>j</sup>表示的烷基硫基或芳基硫基、以及由-S(CO)R<sup>k</sup> 表示的硫代羧基。
如請求項8所述的方法，其中所述含金屬光阻組成物包括由化學式3或化學式4表示的金屬化合物： <br/>[化學式3] <br/>R<sup>6</sup><sub>z</sub>SnO<sub>(2-(z/2)-(x/2))</sub>(OH)<sub>x</sub><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>6</sup>為C1至C31烴基，0 ＜ z ≤ 2，且0 ＜ (z+x) ≤ 4， <br/>[化學式4] <br/>R<sup>7</sup><sub>n</sub>Sn<sub>m</sub>X<sub>l</sub>Y<sub>k</sub><br/>其中，在化學式4中， <br/>R<sup>7</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基、或其組合， <br/>X為硫(S)、硒(Se)或碲(Te)， <br/>Y為-OR<sup>m</sup>或-OC(=O)R<sup>n</sup>， <br/>其中R<sup>m</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合，且 <br/>R<sup>n</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、或其組合，且 <br/>n、m、l和k各自獨立地為1至20的整數。
如請求項8所述的方法，其中所述邊緣珠粒去除組成物為所述溶劑類組成物。
如請求項8所述的方法，其中所述顯影劑組成物為所述溶劑類組成物。
如請求項8所述的方法，其中所述邊緣珠粒去除組成物和所述顯影劑組成物均為所述溶劑類組成物。
一種用於從含金屬抗蝕劑去除邊緣珠粒的組成物，為如請求項1所述的溶劑類組成物。
一種用於含金屬抗蝕劑的顯影劑組成物，為如請求項1所述的溶劑類組成物。
一種溶劑類組成物，包括： <br/>由化學式1表示的經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物，其中所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物不包括羧基中包含的碳； <br/>單羧酸化合物；和 <br/>有機溶劑， <br/>其中基於所述組成物的總重量，所述經至少兩個羧基取代的C3至C20脂肪族烴化合物和所述單羧酸化合物的量為0.1 wt%至30 wt%： <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>L<sup>1</sup>是經取代或未經取代的C3至C20伸烷基、經取代或未經取代的C3至C20伸烯基、經取代或未經取代的C3至C20伸炔基、經至少一個C1至C10脂肪族烴基或C6至C12芳香族烴基取代的C2至C20伸烷基、經至少一個C1至C10脂肪族烴基或C6至C12芳香族烴基取代的C2至C20伸烯基，經至少一個C1至C10脂肪族烴基或C6至C12芳香族烴基取代的C3至C20伸炔基、或其組合， <br/>R<sup>1</sup>是氨基、醯胺基、鹵素基、羥基或羧基，且 <br/>m1是0或更大的整數。
一種形成圖案的方法，所述方法包括： <br/>在基板上塗覆含金屬光阻組成物； <br/>沿著所述基板的邊緣塗覆用於從含金屬抗蝕劑去除邊緣珠粒的邊緣珠粒去除組成物，以去除邊緣珠粒； <br/>乾燥和加熱以在所述基板上形成含金屬光阻層； <br/>對所述含金屬光阻層進行曝光；以及 <br/>使用用於含金屬抗蝕劑的顯影劑組成物顯影所述含金屬光阻層， <br/>其中所述邊緣珠粒去除組成物或所述顯影劑組成物中的至少一種是如請求項17所述的溶劑類組成物。
一種生物晶片，包括： <br/>一基板； <br/>一波導核心層，設置於該基板的上方，其中該波導核心層包括一第一光柵耦合器；以及 <br/>一水凝膠，經由一水凝膠交聯光進行交聯，該水凝膠交聯光是透過該第一光柵耦合器被耦合。
如第1項所述之生物晶片，其中該基板具有一光電轉換元件，且該水凝膠對應於該光電轉換元件。
如第2項所述之生物晶片，更包括： <br/>一上包覆層，設置於該波導核心層上，該上包覆層包括設置於該光電轉換元件的上方的一奈米孔，其中該上包覆層暴露出該第一光柵耦合器，且該水凝膠設置於該奈米孔的底部。
如第3項所述之生物晶片，其中該上包覆層的厚度大於50奈米，且當該上包覆層的厚度大於100奈米時，該水凝膠的最上層與該波導核心層之間的距離小於100奈米。
如第3項所述之生物晶片，其中該基板具有多個光電轉換元件，且該上包覆層包括設置於該些光電轉換元件上方的多個奈米孔，並且有多個水凝膠設置於該些奈米孔的底部。
如第1項所述之生物晶片，其中該第一光柵耦合器用於耦合一水凝膠交聯光及一感測光，且該水凝膠交聯光的波長短於該感測光的波長。
如第1項所述之生物晶片，其中該第一光柵耦合器用於耦合一水凝膠交聯光，且波導核心層更包括： <br/>一第二光柵耦合器，設置於該第一光柵耦合器的另一側，其中該第二光柵耦合器用於耦合一感測光，且該水凝膠交聯光的波長短於該感測光的波長。
如第1項所述之生物晶片，其中該波導核心層形成為一通道波導，且該通道波導包括： <br/>至少一第一光柵耦合器，設置於該基板的一側的上方； <br/>一第二光柵耦合器，設置於該基板的另一側的上方；及 <br/>多個通道，連接該至少一第一光柵耦合器與該第二光柵耦合器。
如第8項所述之生物晶片，其中有多個交錯的第一光柵耦合器，且該通道波導更包括： <br/>一分光元件，連接該第二光柵耦合器與該些通道， <br/>其中該第一光柵耦合器排列為一陣列。
如第8項所述之生物晶片，其中該水凝膠設置於所有通道上，且不同通道上的水凝膠具有不同的功能分子或濃度。
如第8項所述之生物晶片，其中該至少一第一光柵耦合器用於耦合與透過該第二光柵耦合器耦合的光相同或較短波長的光。
如第8項所述之生物晶片，其中該水凝膠設置於該些通道的一個上以形成一感測臂，而沒有該水凝膠的其他通道形成一參考臂。
如第1項所述之生物晶片，其中該水凝膠包括甲基丙烯酸明膠、聚乙二醇二丙烯酸酯或透明質酸。
一種平衡伺服負載與虛擬資源之可視化監控系統，係包含一數據監測模組、一數據分析模組、一告警通知模組及一顯示模組，且該數據監測模組連接至少一伺服負載平衡器及至少一虛擬資源池，該數據分析模組連接該數據監測模組及該告警通知模組，該告警通知模組連接該顯示模組，其特徵在於： <br/>該可視化監控系統係包含一流量繪圖模組，其連接於該告警通知模組及該顯示模組間，且該數據分析模組設有一負載平衡權重演算模型；該數據監測模組透過至少一傳輸協定對該伺服負載平衡器輪詢而取得複數個負載狀態數據、及透過至少一該傳輸協定對該虛擬資源池輪詢而取得複數個資源池狀態數據，且該數據分析模組利用該負載平衡權重演算模型演算一段期間內對應該傳輸協定之該等負載狀態數據及該等資源池狀態數據而分別獲得一平均負載數據及一平均資源數據；該告警通知模組利用內存之一告警值比對各該平均負載數據及各該平均資源數據，以於錯誤時輸出一告警訊號，且該流量繪圖模組匯整各該平均負載數據及各該平均資源數據生成拓樸圖式之至少一整合流量變化圖，供該顯示模組實時顯示該整合流量變化圖及該告警訊號； <br/>其中，該數據監測模組係透過SNMP、API及Syslog之該等傳輸協定輪詢該伺服負載平衡器而取得包含效能、流量和錯誤狀況之該等負載狀態數據，同時，該數據監測模組係透過SNMP及API之該等傳輸協定輪詢該虛擬資源池而取得包含資源使用情況、效能指標和錯誤訊息之該等資源池狀態數據；且該數據分析模組累計各該傳輸協定於該段期間內對應之該等負載狀態數據，以分別進行權重分配而計算出該平均負載數據，同樣地，累計各該傳輸協定於該段期間內對應之該等資源池狀態數據進行權重分配而計算出該平均資源數據；該數據監測模組係分別設定每隔N秒頻率地分別透過SNMP及API之該等傳輸協定輪詢該伺服負載平衡器及該虛擬資源池來收集數據，而設定每隔M秒頻率地透過Syslog之該傳輸協定輪詢該伺服負載平衡器來收集數據；當該數據分析模組檢驗獲知接收之該等負載狀態數據係分別對應SNMP、API及Syslog三種類型時，該負載平衡權重演算模型係採用A：B：C的權重比例進行數據融合而平均值計算該等負載狀態數據，以獲得該段期間之該平均負載數據。
如請求項1所述之可視化監控系統，其中，當該數據分析模組檢驗獲知接收之該等負載狀態數據係分別對應SNMP及API二種類型卻無法獲得對應Syslog之該等負載狀態數時，該負載平衡權重演算模型係採用D：E的權重比例進行數據融合而平均值計算該等負載狀態數據，以獲得該段期間之該平均負載數據。
如請求項2所述之可視化監控系統，其中，當該數據分析模組檢驗獲知接收之該等資源池狀態數據係分別對應SNMP及API二種類型時，該負載平衡權重演算模型係採用D：E的權重比例進行數據融合而平均值計算該等資源池狀態數據，以獲得該段期間之該平均資源數據。
如請求項3所述之可視化監控系統，其中，該段期間係為1～10分鐘，N與M秒為1～10秒，且A：B：C為2：1：7，D：E為6：4。
如請求項3所述之可視化監控系統，其中，當該數據分析模組檢驗接收之該等負載狀態數據及該等資源池狀態數據時，該負載平衡權重演算模型係更透過公式計算每個數據來源的標準差而評估數據的變異性，且更結合不同來源的數據進行趨勢分析；並且，該負載平衡權重演算模型基於融合後的數據進行異常偵測，以及時識別異常情況。
如請求項5所述之可視化監控系統，更包含一任務發送模組，係連接該告警通知模組及該流量繪圖模組，以供設計系統任務並進行分配與管理；該告警通知模組係設有一智能學習模型，以供持續利用歷史數據及趨勢自動計算學習而調整該告警值，達智能提升該告警訊號精確度之效果。
如請求項1所述之可視化監控系統，更包含一自動程序模組，係連接該任務發送模組，當該任務發送模組接收該告警訊號時，該自動程序模組自動檢核該任務發送模組中之一任務列表，並依該告警訊號調整該任務列表中複數個執行任務。
一種鍋爐控制方法，包含：<br/> 利用一控制器取得一鍋爐之複數個燃燒模式之對應之複數個火焰型態，其中該些燃燒模式包含複數個燃氣燃燒模式，該些燃氣燃燒模式包含天然氣燃燒模式、天然氣混氫燃燒模式、天然氣混氨燃燒模式、氫氣燃燒模式、與氨氣燃燒模式；以及<br/> 當該鍋爐於該些燃燒模式之一者時，該控制器根據該些燃燒模式之該者所對應之該火焰型態控制該鍋爐之一液位計，以使該鍋爐之一液位匹配該些燃燒模式之該者所對應之該火焰型態。
如請求項1所述之鍋爐控制方法，其中該些燃燒模式更包含複數個輸出功率模式。
如請求項1所述之鍋爐控制方法，其中該些火焰型態之每一者包含一火焰溫度分布。
如請求項3所述之鍋爐控制方法，其中該控制器取得該些燃燒模式所對應之該些火焰型態後，該控制器根據該些火焰溫度分布取得該些燃燒模式之每一者所對應之一火焰高溫位置。
如請求項4所述之鍋爐控制方法，其中該控制器控制該液位計包含使該鍋爐之該液位鄰近該些燃燒模式之該者所對應之該火焰高溫位置。
如請求項1所述之鍋爐控制方法，其中該些火焰型態之每一者包含一火焰長度。
如請求項6所述之鍋爐控制方法，其中該控制器控制該液位計包含根據該些燃燒模式之該者所對應之該火焰長度調整該鍋爐之該液位。
如請求項7所述之鍋爐控制方法，其中該控制器控制該液位計包含：<br/> 當該些燃燒模式之該者所對應之該火焰長度較該些燃燒模式之該者的前一者長時，控制該液位計來調低該鍋爐之該液位；以及<br/> 當該些燃燒模式之該者所對應之該火焰長度較該些燃燒模式之該者的前一者短時，控制該液位計來調高該鍋爐之該液位。
如請求項1所述之鍋爐控制方法，其中該液位計包含一高液位離子棒與一低液位離子棒，該控制器控制該鍋爐之該液位計包含沿該液位計之一高度方向移動該高液位離子棒與該低液位離子棒。
一種提供推播通知之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>獲得一個以上之第1促銷活動各者之活動資料及一個以上之用戶各者之用戶資料，上述活動資料指示與上述一個以上之第1促銷活動各者相關聯之一個以上之用戶組，上述用戶資料指示上述一個以上之用戶各者所屬之一個以上之用戶組； <br/>基於上述活動資料及上述用戶資料，針對上述一個以上之用戶各者產生第1關聯資料，該第1關聯資料係於一個以上之第1促銷活動中指示與一個以上之用戶各者所屬之一個以上之用戶組相關聯之一個以上的第2促銷活動者； <br/>針對上述一個以上之用戶各者，基於上述第1關聯資料來確定上述一個以上之第2促銷活動間之優先級； <br/>針對上述一個以上之用戶各者，基於上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，於上述一個以上之第2促銷活動中確定將傳輸推播通知之一個以上之第3促銷活動；及 <br/>針對上述一個以上之用戶各者產生第2關聯資料，該第2關聯資料係指示預先確定之時間窗內之將傳輸推播通知的時槽者，該推播通知係與上述一個以上之第3促銷活動各者相關聯者， <br/>其中針對上述一個以上之用戶各者，基於上述第1關聯資料來確定上述一個以上之第2促銷活動間之優先級之步驟包括如下步驟： <br/>確定與上述一個以上之用戶中之第1用戶相關聯的上述一個以上之第2促銷活動間之優先級；且 <br/>針對上述一個以上之用戶各者，基於上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，於上述一個以上之第2促銷活動中確定將傳輸推播通知之上述一個以上之第3促銷活動的步驟包括如下步驟： <br/>針對上述第1用戶，基於上述一個以上之第2促銷活動間之優先級來確定上述一個以上之第3促銷活動， <br/>其中確定與上述第1用戶相關聯之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述時間窗內之預先確定之基準時槽，將上述時間窗分割成第1時間窗及第2時間窗，上述第1時間窗係上述時間窗之起點至上述基準時槽之前的時間窗，上述第2時間窗係上述基準時槽至上述時間窗終點之時間窗； <br/>基於與上述第1時間窗相關聯之第1事件，確定上述第1時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級；及 <br/>基於與上述第2時間窗相關聯之第2事件，確定上述第2時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級。
如請求項1之方法，其中產生上述第1關聯資料之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述活動資料及上述用戶資料，於上述一個以上之第1促銷活動中識別與第1用戶組相關聯之促銷活動，並於上述一個以上之用戶中識別屬於上述第1用戶組之第1用戶； <br/>基於與上述第1用戶組相關聯之促銷活動之活動ID及上述第1用戶之用戶ID，使與上述第1用戶組相關聯之促銷活動及上述第1用戶相關聯；及 <br/>隨著使與上述第1用戶組相關聯之促銷活動及上述第1用戶相關聯，針對上述第1用戶產生上述第1關聯資料，該上述第1關聯資料係指示與上述第1用戶組相關聯之促銷活動者。
如請求項1之方法，其中基於與上述第1時間窗相關聯之第1事件來確定上述第1時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級的步驟包括如下步驟： <br/>以如下方式確定上述第1時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，即，上述一個以上之第2促銷活動中之與上述第1事件相關聯之促銷活動具有高於不與上述第1事件相關聯之促銷活動的優先級。
如請求項1之方法，其中基於與上述第2時間窗相關聯之第2事件來確定上述第2時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級的步驟包括如下步驟： <br/>以如下方式確定上述第2時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，即，上述一個以上之第2促銷活動中之與上述第2事件相關聯之促銷活動具有高於不與上述第2事件相關聯之促銷活動的優先級。
如請求項1之方法，其中針對上述第1用戶，基於上述一個以上之第2促銷活動間之優先級來確定上述一個以上之第3促銷活動的步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第1時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，針對上述第1時間窗，於上述一個以上之第2促銷活動中按優先級由高到低之順序選擇預先確定之個數之一個以上的促銷活動；及 <br/>基於上述第2時間窗中之上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，針對上述第2時間窗，於上述一個以上之第2促銷活動中按優先級由高到低之順序選擇預先確定之個數之一個以上的促銷活動；且 <br/>針對上述第1用戶而確定之上述一個以上之第3促銷活動包括針對上述第1時間窗而選擇之一個以上之促銷活動、及針對上述第2時間窗而選擇之一個以上之促銷活動。
如請求項1之方法，其中針對上述一個以上之用戶各者，基於上述一個以上之第2促銷活動間之優先級，於上述一個以上之第2促銷活動中確定將傳輸推播通知之上述一個以上之第3促銷活動的步驟包括如下步驟： <br/>向學習模型輸入上述一個以上之用戶中之第1用戶之上述用戶資料、及與上述第1用戶相關聯之上述一個以上之第2促銷活動各者之上述活動資料，從而獲得指示針對上述第1用戶而確定之上述一個以上之第3促銷活動之資料作為上述學習模型的輸出，該學習模型係以確定一個以上之促銷活動間之優先級之方式學習者。
如請求項6之方法，其中上述學習模型係基於學習資料而學習之模型，該學習資料包括用戶對與上述一個以上之第1促銷活動各者相關聯之推播通知的選擇歷史與優先級對。
如請求項1之方法，其中上述一個以上之第1促銷活動各者之上述活動資料包括上述一個以上之第1促銷活動各者的活動ID、及上述一個以上之第1促銷活動各者之活動元資料， <br/>上述一個以上之第1促銷活動各者之上述活動元資料包括指示上述一個以上之第1促銷活動各者之標題的字串。
如請求項1之方法，其中上述一個以上之用戶各者之上述用戶資料包括上述一個以上之用戶各者的用戶ID。
如請求項1之方法，其中上述第2關聯資料係針對將上述時間窗分割成預先確定之時間間隔之一個以上之時槽各者而指示將傳輸推播通知之促銷活動及與上述促銷活動相關聯的用戶。
如請求項10之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述第2關聯資料，識別上述時間窗內之上述一個以上之時槽中之目標時槽的目標促銷活動、及與上述目標促銷活動相關聯之目標用戶；及 <br/>於上述目標時槽中，將與上述目標促銷活動相關聯之目標推播通知提供給上述目標用戶。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器； <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至11中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至11中任一項之方法。
一種半導體結構的形成方法，其特徵在於，包括：提供基底；採用第一刻蝕製程刻蝕所述基底，在所述基底內形成初始淺溝槽；採用至少一次第二刻蝕製程刻蝕所述初始淺溝槽的表面，形成淺溝槽，所述淺溝槽的表面粗糙度小於所述初始淺溝槽的表面粗糙度，所述第一刻蝕製程包括感應耦合電漿刻蝕製程，所述第二刻蝕製程為離子束刻蝕製程或者反應離子束刻蝕製程。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述初始淺溝槽的深寬比小於10：1。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述淺溝槽的表面粗糙度小於10埃。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，在採用所述第一刻蝕製程刻蝕所述基底之前，還包括在所述基底的表面形成掩膜層，以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述基底。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述感應耦合電漿刻蝕製程的製程參數包括源極功率為200W~1000W，偏壓電極功率為100W~800W，刻蝕腔體壓力為3mT~30mT，氣體流量為100sccm~1000sccm，反應溫度為20℃~80℃。
如請求項5所述的半導體結構的形成方法，其中，所述感應耦合電漿刻蝕製程採用主刻蝕氣體和輔助刻蝕氣體的混合氣體，所述主刻蝕氣體包括CF<sub>4</sub>、CHF<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>、SF<sub>6</sub>、NF<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>、C<sub>3</sub>F<sub>8</sub>、C<sub>2</sub>HF<sub>5</sub>中的一種或者多種組合，所述輔助刻蝕氣體包括Ar、N<sub>2</sub>、O<sub>2</sub>、He、CH<sub>4</sub>中的一種或者多種組合。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述第二刻蝕製程中屏柵電壓的範圍為100V~600V，屏柵電流的範圍為0.1A~1A，離子加速偏壓的範圍為100ACV~1200ACV。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述第二刻蝕製程中的離子束的入射方向與所述基底的法線之間的夾角範圍為0°至80°。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述第二刻蝕製程中刻蝕腔體壓力範圍為0.05mT~5mT，氣體總流量為10sccm~100sccm，刻蝕時間60s至300s。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中，所述第二刻蝕製程中的刻蝕氣體採用惰性氣體、氟基氣體和氯基氣體中的一種或者多種組合。
如請求項10所述的半導體結構的形成方法，其中，所述氟基氣體包括C<sub>x</sub>F<sub>y</sub>，x，y為正整數，NF<sub>3</sub>，SF<sub>6</sub>，WF<sub>6</sub>，CHF<sub>3</sub>，CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>中的一種或者多種組合。
如請求項10所述的半導體結構的形成方法，其中，所述氯基氣體包括Cl<sub>2</sub>、BCl<sub>3</sub>、CCl<sub>4</sub>、SiCl<sub>4</sub>中的一種或者多種組合。
一種等軸晶靶材的製造方法，包含以下步驟：<br/> 透過一徑向鍛造製程，將一金屬棒材製成一鍛造基材；<br/> 透過一軋延製程及一鍛板製程，將該鍛造基材製成一第一板材，該軋延製程為沿著該鍛造基材的軸向進行軋延；<br/> 以一等通道轉角擠型模具對該第一板材往復進行一等通道轉角擠型製程，以獲得一第二板材，該第二板材的累積平均等效應變大於10，其中，該第一板材進入該等通道轉角擠型模具的入料方向與該鍛造基材的軋延方向相同；及<br/> 對該第二板材進行一退火再結晶熱處理製程，以獲得一等軸晶靶材；<br/> 其中，經過該徑向鍛造製程後，該鍛造基材之芯部的累積中心等效應變大於2，且再經過該軋延製程及該鍛板製程後，該第一板材之芯部的累積中心等效應變大於5。
如請求項1所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，透過一感應式熱處理設備，對該第二板材進行該退火再結晶熱處理製程，以獲得該等軸晶靶材，該等軸晶靶材之晶粒的尺寸不大於20 μm。
如請求項2所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，該退火再結晶熱處理製程的熱處理溫度在該金屬棒材的材料之再結晶溫度以下。
如請求項3所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，當該金屬棒材的材料為純銅時，該退火再結晶熱處理製程的熱處理溫度介於300至400 ℃，且熱處理時間介於30至60分鐘。
如請求項2所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，該等軸晶靶材之晶粒之間的晶粒度差異不大於1個晶粒度號數。
如請求項1所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，該等通道轉角擠型製程的擠壓次數不小於4次，該等軸晶靶材之晶粒的尺寸不大於5 μm。
如請求項1所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，該等通道轉角擠型製程進行時，同時對該第一板材及該等通道轉角擠型模具進行潤滑。
如請求項1所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，該金屬棒材的材料為純銅或銅錳。
如請求項1所述之等軸晶靶材的製造方法，其中，經過該退火再結晶熱處理製程後，對該等軸晶靶材進行一機械加工製程。
一種基板處理裝置，其特徵在於具備： <br/>處理單元，其處理基板；及 <br/>控制部，其控制上述處理單元；且 <br/>上述處理單元具備： <br/>板，其具有上表面； <br/>旋轉驅動部，其使上述板旋轉； <br/>支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板； <br/>氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體； <br/>吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；及 <br/>檢測部，其於與伯努利原理相應之吸引力作用於由上述支持部支持之基板時，檢測自上述基板於鉛直方向受到之力； <br/>上述控制部基於由上述檢測部檢測出之自上述基板於鉛直方向受到之力之資訊，控制上述處理單元，基於自上述基板於鉛直方向受到之力之資訊，改變上述氣體吹出口吹出之氣體之流量。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>上述檢測部於上述吸引力作用於由上述支持部支持之基板時，檢測基板按壓上述支持部之按壓力，作為自上述基板受到之力；且 <br/>上述控制部基於由上述檢測部檢測出之上述按壓力之資訊，控制上述處理單元。
如請求項2之基板處理裝置，其中 <br/>上述檢測部安裝於上述支持部。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>當自上述基板受到之力未達規定值時，上述控制部以自上述基板受到之力成為上述規定值以上之方式，調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>上述規定值係用於使上述處理單元開始對於上述基板之處理之預定之值。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>上述規定值係於上述處理單元執行對於上述基板之處理期間，對於上述基板之處理所需之預定之值。
如請求項6之基板處理裝置，其中 <br/>對於上述基板之處理至少包含第1處理、與接續於上述第1處理之第2處理；且 <br/>上述規定值係於對於上述基板之處理自上述第1處理變為上述第2處理時，上述第2處理所需之預定之值。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>上述規定值係按上述基板之每個形狀種類預定之值。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>上述規定值係根據上述板之旋轉速度預定之值。
如請求項9之基板處理裝置，其中 <br/>於上述處理單元之處理期間，上述板之旋轉速度變化之情形時，上述規定值根據上述板之旋轉速度之變化而變化。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>上述基板形成有處理膜； <br/>上述支持部支持形成有上述處理膜之面；且 <br/>上述規定值係根據上述處理膜之種類預定之值。
如請求項4之基板處理裝置，其具備： <br/>供給部，其向由上述支持部支持之基板供給處理液；且 <br/>上述規定值係根據上述處理液之種類或上述處理液之流量預定之值。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>於上述處理單元之處理期間，上述處理液之種類或上述處理液之流量變化之情形時，上述規定值根據上述處理液之種類或上述處理液之流量之變化而變化。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>上述規定值係根據上述處理單元之種類預定之值。
如請求項4之基板處理裝置，其特徵在於 <br/>於儘管以成為上述規定值以上之方式調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量，但自上述基板受到之力仍未達上述規定值之情形時，上述控制部停止上述旋轉驅動部之旋轉。
一種基板處理裝置，其特徵在於具備： <br/>處理單元，其處理基板；及 <br/>控制部，其控制上述處理單元；且 <br/>上述處理單元具備： <br/>板，其具有上表面； <br/>旋轉驅動部，其使上述板旋轉； <br/>支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板； <br/>氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體； <br/>吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；及 <br/>檢測部，其於與伯努利原理相應之吸引力作用於由上述支持部支持之基板時，檢測自上述基板受到之力； <br/>上述控制部基於由上述檢測部檢測出之自上述基板受到之力之資訊，控制上述處理單元； <br/>上述檢測部於上述吸引力作用於由上述支持部支持之基板時，檢測上述支持部按壓上述板之按壓力，作為自上述基板受到之力；且 <br/>上述控制部基於由上述檢測部檢測出之上述按壓力之資訊，控制上述處理單元。
如請求項16之基板處理裝置，其中 <br/>上述檢測部安裝於上述板。
一種氣體感測裝置，包括：<br/> 一發射器，能發出一預定電磁波；以及<br/> 一光聲光譜氣體感測器，設置於所述發射器的一側，所述光聲光譜氣體感測器包含：<br/> 一反應腔體，具有用來容置一氣體的一反應空間，所述反應腔體能被所述預定電磁波穿過至所述反應空間內，使所述氣體與所述預定電磁波產生一待測聲波；<br/> 一容置腔體，連接所述反應腔體，所述容置腔體具有一容置空間，並且所述容置腔體與所述反應腔體共同地具有一聲音通道，所述聲音通道連通所述容置空間與所述反應空間；<br/> 一微機電單元，設置於所述容置腔體內且覆蓋所述聲音通道，使所述待測聲波直接地被所述微機電單元感測；及<br/> 一特定應用積體電路，連接所述微機電單元。
如請求項1所述的氣體感測裝置，其中，所述反應腔體包含一環牆、以及一透光蓋，所述環牆設置於所述容置腔體上並且被所述透光蓋所遮蓋，所述透光蓋能被所述預定電磁波穿過。
如請求項2所述的氣體感測裝置，其中，所述反應腔體還包含一電磁波遮罩，所述透光蓋於面朝所述容置腔體的一側面具有一預定區域，所述預定區域位於所述聲音通道沿一高度方向的正投影路徑上，並且所述預定區域內配置所述電磁波遮罩。
如請求項3所述的氣體感測裝置，其中，所述電磁波遮罩沿所述高度方向正投影於所述容置腔體的一投影區域覆蓋所述聲音通道。
如請求項2所述的氣體感測裝置，其中，所述環牆為透氣材料製成，所述環牆能供所述氣體進入至所述反應空間內。
如請求項5所述的氣體感測裝置，還包含一載板及一反射蓋，所述反射蓋、所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器設置於所述載板上，並且所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器被所述反射蓋覆蓋，所述發射器所發出的所述預定電磁波能被所述反射蓋反射而穿過所述透光蓋。
如請求項6所述的氣體感測裝置，其中，所述反射蓋於遠離所述光聲光譜氣體感測器的一側具有一開孔；所述氣體感測裝置還包含一透氣防塵網，所述透氣防塵網覆蓋所述開孔，並且所述透氣防塵網能允許所述氣體由所述反射蓋的外側進入至所述反射蓋的內側。
如請求項5所述的氣體感測裝置，還包含一支架，所述支架具有相互面對的兩個設置面，兩個所述設置面分別設置所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器，所述發射器所發出的所述預定電磁波能直接地穿過所述透光蓋。
如請求項2所述的氣體感測裝置，其中，所述環牆為不透氣材料製成，所述容置腔體於遠離所述反應腔體的一側面具有一開孔；所述氣體感測裝置還包含一透氣防塵網，所述透氣防塵網覆蓋所述開孔，並且所述透氣防塵網允許所述氣體進入至所述容置腔體。
如請求項9所述的氣體感測裝置，還包含一載板及一反射蓋，所述反射蓋、所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器設置於所述載板上，並且所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器被所述反射蓋覆蓋，所述發射器所發出的所述預定電磁波能被所述反射蓋反射而穿過所述透光蓋。
如請求項9所述的氣體感測裝置，還包含一支架，所述支架具有相互面對的兩個設置面，兩個所述設置面分別設置所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器，所述發射器所發出的所述預定電磁波能直接地穿過所述透光蓋。
如請求項2所述的氣體感測裝置，其中，所述透光蓋與所述容置腔體面朝所述透光蓋的一側面之間具有一最小預定間距，所述最小預定間距介於0.1毫米至1毫米之間。
如請求項1所述的氣體感測裝置，其中，所述預定電磁波的波長為4.26微米，並且所述預定電磁波的頻率介於10Hz至200Hz之間。
如請求項2所述的氣體感測裝置，還包含一載板及一反射蓋，所述反射蓋設置於所述載板上以形成一封閉空間，所述發射器與所述光聲光譜氣體感測器配置於所述封閉空間內；所述環牆為不透氣材料，所述反應空間與所述容置空間不連通所述封閉空間，所述封閉空間能填入一第一氣體以用來吸收其中一部份的所述預定電磁波，所述反應空間能預先填入一第二氣體以吸收另一部份的所述預定電磁波。
如請求項8所述的氣體感測裝置，其中，所述環牆為不透氣材料，所述反應空間與所述容置空間不連通所述支架的一開放空間，所述開放空間能填入一第一氣體以用來吸收其中一部份的所述預定電磁波，所述反應空間能預先填入一第二氣體以吸收另一部份的所述預定電磁波。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一發光基板，包括：<br/> 一第一基板；<br/> 一反射圖案層，設置於該第一基板上並具有多個開口；<br/> 多個微型發光二極體，分別設置於該些開口中；以及<br/> 多個散射件，分別填充於該些開口中並分別覆蓋該些微型發光二極體；<br/> 一對向基板，與該發光基板相對設置，且包括：<br/> 一第二基板；<br/> 多個濾光單元，設置於該第二基板上並分別對應該些微型發光二極體；<br/> 一平坦層，設置於該第二基板與該些濾光單元之間，且具有多個凹槽，其中該些凹槽分別對應該些微型發光二極體；以及<br/> 多個微型透鏡，分別設置於該些凹槽中並分別對應該些微型發光二極體，且位於該些濾光單元與該平坦層之間，其中各該微型透鏡的折射率大於該平坦層的折射率；以及<br/> 一填充層，設置於該發光基板與該對向基板之間，其中各該微型透鏡的折射率大於該填充層的折射率。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該微型透鏡的高度與對應的該微型發光二極體的寬度的比值為1.25至4.4。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該微型透鏡的寬度與對應的該微型發光二極體的寬度的比值為3至5.5。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該微型透鏡的曲率半徑與對應的該微型發光二極體的寬度的比值為0.8至1.6。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二基板不直接接觸該些微型透鏡。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該散射件的折射率大於該填充層的折射率。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該濾光單元的折射率大於該填充層的折射率。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該微型透鏡的寬度不大於40微米。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該微型透鏡的高度不大於25微米。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該凹槽的形狀包括一弧形。
一種適用於鎖螺絲機器人的下壓力控制模組，供一鎖螺絲機器人沿一鎖付方向進行一螺絲的一鎖付作業，其中該下壓力控制模組包括：<br/> 一固定件，組配連接至該鎖螺絲機器人的一驅動模組；<br/> 一滑動件，與該固定件可滑動地連接，且組配連接至一電鎖，其中該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖沿該鎖付方向位移，以對該螺絲進行該鎖付作業，其中該滑動件包括一線性滑軌以及一磁鐵，其中該線性滑軌沿該鎖付方向延伸設置，該滑動件的該磁鐵允許通過該線性滑軌相對該固定件位移；<br/> 一壓鎖彈簧，連接該滑動件及該固定件之間，於該滑動件相對該固定件位移時提供一彈性恢復力，其中該彈性恢復力相關於該磁鐵相對該固定件的位移；以及<br/> 一感測控制板，固定於該固定件且於空間上相對該磁鐵，組配感測該磁鐵相對於該固定件的位移，其中該鎖螺絲機器人的一控制模組依據該感測控制板感測該磁鐵的位移來控制該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖按壓該螺絲進行該鎖付作業，使該壓鎖彈簧的該彈性恢復力維持一定值，該電鎖以一恆定壓力抵壓該螺絲而進行該鎖付作業，其中該感測控制板包括一霍爾感測器，組配感測該磁鐵的位置。
如請求項1所述的下壓力控制模組，其中該固定件包括一限位柱，由頂端向下凸起，該壓鎖彈簧的一頂端套合至該限位柱上；其中該滑動件包括一推抵部，於空間上相對該限位柱，推抵該壓鎖彈簧的一底端，使該壓鎖彈簧於該固定件和該滑動件之間提供該彈性恢復力。
如請求項2所述的下壓力控制模組，其中該滑動件更包括一彈性擋塊，於空間上相對該固定件的一限位平台，該彈性擋塊設於該推抵部的底部，組配於該滑動件和該固定件之間提供一撞擊緩衝功能。
如請求項3所述的下壓力控制模組，其中該彈性擋塊為由低彈性橡膠所構成的一優力膠擋塊。
如請求項1所述的下壓力控制模組，其中該線性滑軌包括一對滑軌，該對滑軌分別沿該鎖付方向延伸設置，該磁鐵和該壓鎖彈簧位於該對滑軌之間。
如請求項1所述的下壓力控制模組，其中該固定件通過一固定平台連接該驅動模組，該固定平台設置於該固定件的底端，該滑動件與該固定平台分別位於該固定件的兩相反側。
如請求項1所述的下壓力控制模組，其中該滑動件通過一對連接部連接該電鎖，該對連接部分別鄰設於該滑動件的頂端和底端，該對連接部與該固定件分別位於該滑動件的兩相反側。
一種鎖螺絲機器人的控制方法，包括步驟：<br/> (a). 提供一電鎖，該電鎖通過一下壓力控制模組連接至該鎖螺絲機器人的一驅動模組，其中該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖沿一鎖付方向移動，且該電鎖沿該鎖付方向進行一螺絲的一鎖付作業，其中該電鎖沿該鎖付方向連接該螺絲；<br/> (b). 該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖沿該鎖付方向移動，使該螺絲對應接觸一螺孔；<br/> (c). 該螺絲對應接觸該螺孔後，該電鎖開始轉動該螺絲，該驅動模組帶動該下壓力控制模組、該電鎖和該螺絲沿該鎖付方向進行位移，且通過該下壓力控制模組感測該電鎖帶動該螺絲的一下壓力的變化；<br/> (d).當該下壓力達到一下壓力門檻值範圍時，該驅動模組允許控制帶動該下壓力控制模組沿該鎖付方向的位移，啟動該鎖付作業使該下壓力控制模組感測的該下壓力變化維持於該下壓力門檻值範圍內；以及<br/> (e). 當該電鎖轉動該螺絲的扭力達到一限制值，該下壓力控制模組停止帶動該電鎖和該螺絲沿該鎖付方向下壓追隨位移。
如請求項8所述的鎖螺絲機器人的控制方法，更包括步驟：<br/> (f). 提供該電鎖，組配沿一解付方向進行該螺絲的一解付作業，其中該驅動模組帶動該電鎖和該下壓力控制模組，使該電鎖沿該鎖付方向下壓該螺絲，該解付方向相反於該鎖付方向；<br/> (g). 該電鎖開始轉動該螺絲，該驅動模組帶動該下壓力控制模組、該電鎖和該螺絲沿該解付方向進行位移，且通過該下壓力控制模組感測該電鎖下壓該螺絲的該下壓力的變化；<br/> (h). 當該下壓力達到該下壓力門檻值範圍時，該驅動模組允許控制帶動該下壓力控制模組沿該解付方向的位移，啟動該解付作業使該下壓力控制模組感測的該下壓力變化維持於該下壓力門檻值範圍內；以及<br/> (i). 當該電鎖轉動該螺絲的扭力達到該限制值，該下壓力控制模組停止帶動該電鎖和該螺絲沿該解付方向下壓追隨位移。
如請求項8所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該下壓力控制模組包括：<br/> 一固定件，組配連接至該鎖螺絲機器人的該驅動模組上；<br/> 一滑動件，與該固定件可滑動地連接，且組配連接至該電鎖，其中該滑動件包括一線性滑軌以及一磁鐵，其中該線性滑軌沿該鎖付方向延伸設置，該滑動件的該磁鐵允許通過該線性滑軌相對該固定件位移；<br/> 一壓鎖彈簧，連接該滑動件及該固定件之間，於該滑動件相對該固定件位移時提供一彈性恢復力，其中該彈性恢復力相關於該磁鐵相對該固定件的位移；以及<br/> 一感測控制板，固定於該固定件且於空間上相對該磁鐵，組配感測該磁鐵相對於該固定件的位移，其中該鎖螺絲機器人的一控制模組依據該感測控制板感測該磁鐵的位移來控制該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖按壓該螺絲的該下壓力以進行該鎖付作業。
如請求項10所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該感測控制板包括一霍爾感測器，組配感測該磁鐵的位置。
如請求項10所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該固定件包括一限位柱，由頂端向下凸起，該壓鎖彈簧的一頂端套合至該限位柱上；其中該滑動件包括一推抵部，於空間上相對該限位柱，推抵該壓鎖彈簧的一底端，使該壓鎖彈簧於該固定件和該滑動件之間提供該彈性恢復力。
如請求項12所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該滑動件更包括一彈性擋塊，於空間上相對該固定件的一限位平台，該彈性擋塊設於該推抵部的底部，組配於該滑動件和該固定件之間提供一撞擊緩衝功能；其中該彈性擋塊為由低彈性橡膠所構成的一優力膠擋塊。
如請求項10所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該鎖螺絲機器人的該控制模組紀錄並監控該電鎖下壓該螺絲的該下壓力的變化。
如請求項10所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該線性滑軌包括一對滑軌，該對滑軌分別沿該鎖付方向延伸設置，該磁鐵和該壓鎖彈簧位於該對滑軌之間。
如請求項10所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該固定件通過一固定平台連接該驅動模組，該固定平台設置於該固定件的底端，該滑動件與該固定平台分別位於該固定件的兩相反側。
如請求項10所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中該滑動件通過一對連接部連接該電鎖，該對連接部分別鄰設於該滑動件的頂端和底端，該對連接部與該固定件分別位於該滑動件的兩相反側。
如請求項8所述的鎖螺絲機器人的控制方法，其中於該步驟(c)中，該下壓力的變化無法達到該下壓力門檻值範圍時，判定該螺絲對應該螺孔異常，並停止該鎖付作業。
一種鎖螺絲機器人，用以沿一鎖付方向進行一螺絲的一鎖付作業，該鎖螺絲機器人包括：<br/> 一驅動模組；以及<br/> 一下壓力控制模組，被該驅動模組帶動沿該鎖付方向位移，該下壓力控制模組包括：<br/> 一固定件，組配連接至該鎖螺絲機器人的一驅動模組；<br/> 一滑動件，與該固定件可滑動地連接，且組配連接至一電鎖，其中該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖沿該鎖付方向位移，以對該螺絲進行該鎖付作業，其中該滑動件包括一線性滑軌以及一磁鐵，其中該線性滑軌沿該鎖付方向延伸設置，該滑動件的該磁鐵允許通過該線性滑軌相對該固定件位移；<br/> 一壓鎖彈簧，連接該滑動件及該固定件之間，於該滑動件相對該固定件位移時提供一彈性恢復力，其中該彈性恢復力相關於該磁鐵相對該固定件的位移；以及<br/> 一感測控制板，固定於該固定件且於空間上相對該磁鐵，組配感測該磁鐵相對於該固定件的位移，其中該鎖螺絲機器人的一控制模組依據該感測控制板感測該磁鐵的位移來控制該驅動模組帶動該下壓力控制模組和該電鎖按壓該螺絲進行該鎖付作業，使該壓鎖彈簧的該彈性恢復力維持一定值，該電鎖以一恆定壓力抵壓該螺絲而進行該鎖付作業，其中該感測控制板包括一霍爾感測器，組配感測該磁鐵的位置。
一種監控字元線的方法，用於監控位於基底中的多個溝槽中的多個字元線的深度均勻度，所述監控字元線的方法包括： <br/>提供關於字元線深度的深度指標，其中所述深度指標表示所述字元線的頂面至所述溝槽的頂部的距離，且由式（1）計算得到， <br/>DI=tan(θ)×(SP-W)/2 式（1）， <br/>其中所述溝槽具有傾斜側壁，θ為所述溝槽的所述傾斜側壁與所述溝槽的頂部平面之間的夾角，SP為所述溝槽的所述頂部的寬度，W為所述字元線的所述頂面的寬度，且DI為所述深度指標； <br/>對第一晶圓進行電子束掃描，並根據預設的θ、掃描得到的所述第一晶圓的局部區域中的多個第一字元線中的每一個的SP與W以及式（1），得到多個第一DI； <br/>取得所述局部區域中的所述多個第一字元線的多個實際深度； <br/>經由迴歸分析，計算所述多個第一DI與所述多個實際深度的R<sup>2</sup>值，確認R<sup>2</sup>不低於0.9，其中R<sup>2</sup>值為迴歸分析中的決定係數； <br/>對第二晶圓進行所述電子束掃描，根據所述預設的θ、掃描得到的所述第二晶圓的局部區域中的多個第二字元線中的每一個的SP與W以及式（1），得到多個第二DI；以及 <br/>計算所述多個第二DI的三倍標準差，並根據所述三倍標準差來監控所述第二晶圓的字元線深度的均勻度。
如請求項1所述的監控字元線的方法，其中取得所述多個實際深度的方法包括使用穿透式電子顯微鏡對所述第一晶圓進行掃描。
如請求項1所述的監控字元線的方法，其中所述第一晶圓與所述第二晶圓為同一批的晶圓。
如請求項3所述的監控字元線的方法，其中所述第一晶圓的所述局部區域中的所述多個第一字元線的θ彼此相同。
如請求項1所述的監控字元線的方法，其中在對所述第一晶圓進行所述電子束掃描之前，更包括： <br/>對所述第一晶圓的影像圖進行區域定位處理，以界定出多個主動區、隔離結構區以及對應於所述多個第一字元線的多個字元線區；以及 <br/>將所述字元線區與所述主動區重疊的區域界定為第一區，且將所述字元線區與所述隔離結構區重疊的區域界定為第二區。
如請求項5所述的監控字元線的方法，其中在界定出所述第一區與所述第二區之後以及在對所述第一晶圓進行所述電子束掃描之前，更包括： <br/>提供第一測試晶圓、第二測試晶圓與第三測試晶圓，其中所述第一測試晶圓、所述第二測試晶圓與所述第三測試晶圓的字元線深度彼此不同； <br/>分別對所述第一測試晶圓、所述第二測試晶圓與所述第三測試晶圓進行所述電子束掃描，以個別得到多個測試DI； <br/>分別對所述第一測試晶圓、所述第二測試晶圓與所述第三測試晶圓進行光學掃描，以個別得到多個平均深度； <br/>經由迴歸分析，計算所述第一測試晶圓的所述多個測試DI與所述多個平均深度、所述第二測試晶圓的所述多個測試DI與所述多個平均深度以及所述第三測試晶圓的所述多個測試DI與所述多個平均深度的R<sup>2</sup>值，確認R<sup>2</sup>不低於0.9。
如請求項5所述的監控字元線的方法，更包括： <br/>將所述第一晶圓的所述局部區域中的全部的所述第一區或所述第二區中的所述多個第一DI與所述多個實際深度進行線性迴歸分析，獲得所述第一DI與所述實際深度之間的第一線性迴歸方程式，且得到斜率S。
如請求項7所述的監控字元線的方法，其中所述斜率S不小於0.9，且根據所述第一線性迴歸方程式與所述第二晶圓的第二DI來監控所述第二晶圓的字元線深度。
如請求項7所述的監控字元線的方法，其中所述斜率S小於0.9，且所述監控字元線的方法更包括： <br/>根據對所述第一晶圓進行所述電子束掃描而得到的θ、掃描得到的所述第一晶圓的所述局部區域中的全部的所述第一區或所述第二區中的所述多個第一字元線中的每一個的SP與W以及式（1），得到多個第三DI； <br/>將所述第一晶圓的所述局部區域中的全部的所述第一區或所述第二區中的所述多個第三DI與所述多個實際深度進行線性迴歸分析，獲得所述第三DI與所述實際深度之間的第二線性迴歸方程式；以及 <br/>根據所述第二線性迴歸方程式與所述第二晶圓的第二DI來監控所述第二晶圓的字元線深度。
一種發射裝置，配置為裝配於維護站且發射射頻訊號，包括：<br/> 第一發射組件，所述第一發射組件包括第一發射源和第一光學組件，所述第一光學組件配置為使所述第一發射源在第一面上具有第一夾角的射頻訊號；及<br/> 第二發射組件，所述第二發射組件包括第二發射源和第二光學組件，所述第二光學組件配置為使所述第二發射源在第二面上具有第二夾角的射頻訊號；<br/> 其中，所述第一面與所述第二面大致垂直。
如請求項1所述之發射裝置，其中，所述第一光學組件包括：<br/> 第一透鏡，所述第一透鏡具有第一入射面和第一出射面，所述第一入射面為所述第一透鏡靠近所述第一發射源的一面，所述第一出射面為所述第一透鏡遠離所述第一發射源的一面；所述第一透鏡配置為使所述第一發射源發出的射頻訊號在所述第一面上的發散角增大。
如請求項2所述之發射裝置，其中，所述第一入射面上具有第一凸出部，所述第一凸出部為條狀結構，所述條狀結構的長度方向與所述第一面大致垂直。
如請求項3所述之發射裝置，其中，所述第一凸出部為半圓體結構，所述半圓體結構的高度方向與所述條狀結構的長度方向彼此垂直。
如請求項4所述之發射裝置，其中，所述第一凸出部為多個，多個所述第一凸出部大致平行分佈。
如請求項2所述之發射裝置，其中，所述第一光學組件還包括：<br/> 第二透鏡，所述第二透鏡設於所述第一發射源與所述第一透鏡之間，所述第二透鏡配置為將所述第一發射源發射的射頻訊號聚焦在所述第一入射面。
如請求項6所述之發射裝置，其中，所述第二透鏡為聚焦鏡，所述聚焦鏡配置為將所述第一發射組件的發散角壓縮至第一角度範圍內。
如請求項1所述之發射裝置，其中，所述第二光學組件包括：<br/> 第三透鏡，所述第三透鏡具有第二入射面和第二出射面，所述第二入射面為所述第三透鏡靠近所述第二發射源的一面，所述第二出射面為所述第三透鏡遠離所述第二發射源的一面；所述第三透鏡配置為使所述第二發射源發出的射頻訊號在所述第二面上的發散角增大。
如請求項8所述之發射裝置，其中，所述第二入射面上具有第二凸出部，所述第二凸出部為條狀結構，所述條狀結構的長度方向與所述第二面大致垂直。
如請求項9所述之發射裝置，其中，所述第二凸出部為半圓體結構，所述半圓體結構的高度方向與所述條狀結構的長度方向彼此垂直。
如請求項10所述之發射裝置，其中，所述第二凸出部為多個，多個所述第二凸出部大致平行分佈。
如請求項9所述之發射裝置，其中，所述第二光學組件還包括：<br/> 第四透鏡，所述第四透鏡設於所述第二發射源與所述第三透鏡之間，所述第四透鏡配置為擴散所述第二發射源發射的射頻訊號。
如請求項12所述之發射裝置，其中，所述第四透鏡為擴散鏡，所述擴散鏡配置為將所述第二發射組件的發散角擴散至第二角度範圍內。
如請求項8所述之發射裝置，其中，所述第三透鏡所在平面與所述第二發射源的發射光束中心線的夾角為：60-90°。
如請求項1所述之發射裝置，其中，所述第一面大致為豎直面；<br/> 所述第二面大致為水平面。
如請求項1所述之發射裝置，其中，所述第一夾角的大小為90-180°；<br/> 所述第二夾角的大小為90-180°。
如請求項1所述之發射裝置，其中，所述第一發射源在所述第二面上具有第三夾角的射頻訊號，所述第三夾角小於所述第一夾角；和/或<br/> 所述第二發射源在所述第一面上具有第四夾角的射頻訊號，所述第四夾角小於所述第二夾角。
如請求項1至17中任一項所述之發射裝置，其中，所述第一發射源為垂直腔面發射雷射器；和/或<br/> 所述第二發射源為垂直腔面發射雷射器。
一種接收裝置，配置為裝配於自行走設備；其中，所述接收裝置配置為接收如請求項1至18中任一項所述之發射裝置的射頻訊號。
一種方位調整方法，包括：藉由採用如請求項1至18中任一項所述之發射裝置和如請求項19所述之接收裝置，基於所述接收裝置接收射頻訊號的狀態控制自行走設備調整方位。
如請求項20所述之方位調整方法，其中，所述接收裝置包括：第一接收器，所述第一接收器配置為接收第一發射組件和第二發射組件的射頻訊號；第二接收器，所述第二接收器配置為接收第一發射組件和第二發射組件的射頻訊號；所述方位調整方法包括以下步驟：<br/> 回應於所述第一接收器接收到所述第一發射組件和所述第二發射組件的射頻訊號且所述第二接收器接收到所述第一發射組件和所述第二發射組件的射頻訊號，控制所述自行走設備沿直線向維護站移動；和/或<br/> 回應於所述第一接收器接收到所述第一發射組件和所述第二發射組件的射頻訊號且所述第二接收器接收到所述第二發射組件的射頻訊號，控制所述自行走設備向所述第一接收器的方向移動；和/或<br/> 回應於所述第一接收器接收到所述第二發射組件的射頻訊號且所述第二接收器接收到所述第一發射組件和所述第二發射組件的射頻訊號，控制所述自行走設備向所述第二接收器的方向移動；和/或<br/> 回應於所述第一接收器未接收到所述第二發射組件的射頻訊號且所述第二接收器未接收到所述第二發射組件的射頻訊號，控制所述自行走設備調整方位，搜尋所述第二發射組件的射頻訊號。
如請求項21所述之方位調整方法，其中，所述第一接收器與所述第二接收器沿水平方向設置。
一種自行走設備，包括：如請求項19所述之接收裝置。
一種維護站，包括：如請求項1至18中任一項所述之發射裝置。
一種自動清潔系統，包括：如請求項23所述之自行走設備；以及如請求項24所述之維護站。
一種附掛於研磨工具機上的集塵件，該研磨工具機具有一工具機本體，一設於該工具機本體內的馬達，一設於該工具機本體內並連接該馬達的偏心塊，一設於該工具機本體並連接該偏心塊的吸塵風扇，及一連接該偏心塊的研磨盤，該集塵件包含：<br/> 一主體，該主體內部中空並定義出一第一氣流通道；<br/> 一輔助管，連接該主體，該輔助管具有一與該第一氣流通道連通的第二氣流通道，及至少一遠離該第一氣流通道並與外部連通的進氣口；以及<br/> 一風流產生件，設於該第二氣流通道內，該風流產生件啟動後導引外部氣體由該至少一進氣口經該第二氣流通道進入該第一氣流通道；<br/> 其中，該風流產生件啟動後引導外部氣體由該至少一進氣口經該第二氣流通道進入該第一氣流通通並形成一第一氣流，該吸塵風扇於該馬達帶動該研磨盤轉動時形成一第二氣流，該第一氣流與該第二氣流匯流並共同形成一集塵氣流。
如請求項1所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該主體的該第一氣流通道與該輔助管的該第二氣流通道之間的夾角小於90度。
如請求項2所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該風流產生件具有一面對該至少一進氣口的進風側，及一與該進風側相對的出風側，該出風側朝向該第一氣流通道。
如請求項1至3任一項所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該集塵件包含一連接該主體並連通該第一氣流通道的集塵袋。
如請求項4所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該集塵件包含一連接該研磨工具機與該主體並與該第一氣流通道連通的集塵罩。
如請求項5所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該集塵件包含一銜接該主體與該集塵袋的延伸管。
如請求項1至3任一項所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該輔助管包含一設有該第二氣流通道並提供該風流產生件設置其中的管體，及一連接該管體的擋蓋，該至少一進氣口設於該擋蓋。
如請求項7所述的附掛於研磨工具機上的集塵件，其中，該集塵件具有至少一設於該主體上並與該研磨工具機連接的組裝結構。
一種半導體裝置，包括：<br/>一基板；<br/>一源極/汲極區域；<br/>一減緩層，位於該基板和該源極/汲極區域之間，其中該減緩層暴露於一蝕刻時比該基板和該源極/汲極區域具有更慢的蝕刻速率，其中該減緩層所摻雜的一雜質的一濃度具有一峰濃度和一基線濃度的比例介於1.0至2.5間；以及<br/>一矽穿孔，將該源極/汲極區域電性連接至該半導體裝置的一背側，其中該矽穿孔穿過該基板、該減緩層和一部分的該源極/汲極區域。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包括該減緩層和該源極/汲極區域之間的一介電層，其中該矽穿孔進一步穿過該介電層中的一間隙。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該雜質的該濃度是漸變的，且該濃度從位於該減緩層的一頂表面的該基線濃度，增加至位於該減緩層的該頂表面下方1奈米至15奈米的該峰濃度，且減少回位於該減緩層的一底表面的該基線濃度。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該減緩層的一頂表面位於該基板的一最頂表面下方15奈米至該基板的該最頂表面上方15奈米之間，以及該減緩層的一厚度介於1奈米至30奈米間。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該減緩層橫跨該源極/汲極區域的一寬度時是彎曲的，且其中該減緩層的一最頂表面位於包圍該源極/汲極區域的一溝槽的一界面的一切面與垂直於該半導體裝置的一主平面的一虛擬線之間的角度介於5度至120度間。
一種形成一半導體裝置的方法，包括：<br/>在包括一基板的該半導體裝置的一表面中建立一溝槽；<br/>在該溝槽的一底部形成一減緩層，其中該減緩層所摻雜的一雜質的一濃度具有一峰濃度和一基線濃度的比例介於1.0至2.5間；<br/>在該溝槽中的該減緩層上方形成一源極/汲極區域；<br/>蝕刻穿過該基板、該減緩層和一部分的該源極/汲極區域的一開口，其中該基板、該減緩層和該部分的該源極/汲極區域暴露於蝕刻該基板的相同蝕刻製程時，該基板和該部分的該源極/汲極區域的一蝕刻速率高於該減緩層的一蝕刻速率；以及<br/>在該開口中形成一矽穿孔。
一種奈米結構場效應電晶體，包括：<br/>一基板，其中該基板包括一鰭片；<br/>多個隔離區域，位於該基板上方且沿著該鰭片的相對側；<br/> 複數個奈米結構，位於該鰭片上方；<br/>一源極/汲極區域，鄰近該些奈米結構；<br/>一閘極電極，位於該些奈米結構上方；<br/>一減緩層，位於該基板和該源極/汲極區域之間，其中該減緩層暴露於一蝕刻製程時的一蝕刻速率慢於該源極/汲極區域和該基板暴露於該蝕刻製程時的一蝕刻速率，其中該減緩層所摻雜的一雜質的一濃度具有一峰濃度和一基線濃度的比例介於1.0至2.5間；以及<br/>一矽穿孔，穿過該基板和該減緩層，且電性接觸該源極/汲極區域。
如請求項7所述之奈米結構場效應電晶體，進一步包括：<br/>一介電層，位於該減緩層和該源極/汲極區域之間，其中該介電層在接近該介電層的一中心處具有一間隙，且該矽穿孔穿過該間隙以電性接觸該源極/汲極區域。
如請求項8所述之奈米結構場效應電晶體，其中該介電層的厚度介於1奈米至10奈米間，該間隙的水平跨距介於1奈米至20奈米間，該間隙與該源極/汲極區域的一邊緣的水平距離介於1奈米至10奈米間，以及該間隙的一內側邊緣從垂直於該基板的一頂表面的一主平面的一線所測量的角度介於10度至150度間。
如請求項7所述之奈米結構場效應電晶體，其中該減緩層包括矽和鍺的比例Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>且0.0≤x≤0.4，以及該減緩層包括摻雜的該雜質的該濃度介於每立方公分1×10<sup>20</sup>原子至每立方公分5×10<sup>20</sup>原子間。
一種移動系統之控制方法，該移動系統分別使包含對受電終端具有之受電線圈輸送電力之第1送電線圈之第1送電部、及包含對上述受電線圈輸送電力之第2送電線圈之第2送電部移動，且 <br/>上述控制方法具有： <br/>位置檢測處理，其檢測上述受電線圈之位置；及 <br/>移動控制處理，其基於由上述位置檢測處理檢測出之上述受電線圈之上述位置，對上述移動系統進行使上述第1送電線圈及上述第2送電線圈中之至少一者移動之控制；且 <br/>於由上述位置檢測處理檢測出1個上述受電線圈之上述位置之情形時，於上述移動控制處理中，使上述第1送電線圈及上述第2送電線圈中之一者向與上述1個上述受電線圈對向之位置移動； <br/>上述第1送電部移動自如地連結於沿Y軸方向之第1Y軸軌道； <br/>上述第2送電部移動自如地連結於沿上述Y軸方向之第2Y軸軌道； <br/>上述第1Y軸軌道及上述第2Y軸軌道移動自如地連結於沿與上述Y軸方向交叉之X軸方向之X軸軌道；且 <br/>上述移動控制處理包含： <br/>第1處理，其使上述第1Y軸軌道沿上述X軸軌道移動； <br/>第2處理，其使上述第1送電部沿上述第1Y軸軌道移動； <br/>第3處理，其使上述第2Y軸軌道與上述第1Y軸軌道之移動獨立地沿上述X軸軌道移動；及 <br/>第4處理，其使上述第2送電部沿上述第2Y軸軌道移動。
如請求項1之移動系統之控制方法，其中 <br/>於上述移動控制處理中，使上述第1送電部之移動範圍之至少一部分與上述第2送電部之移動範圍之至少一部分重疊。
如請求項2之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述移動控制處理包含於上述移動系統接入電源時，使上述第1送電線圈及上述第2送電線圈分別移動至對應之初始位置之處理， <br/>將上述第1送電線圈之移動範圍與上述第2送電線圈之移動範圍合併之合計範圍為正方形狀或長方形狀， <br/>於上述第1送電線圈及上述第2送電線圈分別處於對應之上述初始位置時， <br/>上述第1送電線圈與上述第2送電線圈配置於上述合計範圍中之互相對角之位置， <br/>上述第1送電線圈與上述第2送電線圈彼此相鄰，且上述第1送電線圈與上述第2送電線圈中之至少一者與上述合計範圍之中心相鄰或重疊而配置，或 <br/>上述第1送電線圈與上述第2送電線圈中之一者與上述合計範圍之上述中心相鄰或重疊而配置，另一者與上述合計範圍之頂點相鄰而配置。
如請求項2或3之移動系統之控制方法，其中 <br/>於上述移動控制處理中，根據由上述位置檢測處理檢測出之上述受電線圈之上述位置，選擇上述第1送電線圈及上述第2送電線圈中向與上述受電線圈對向之位置移動之送電線圈。
如請求項4之移動系統之控制方法，其中 <br/>當將上述X軸方向之兩側分別設為左與右時，上述第1Y軸軌道配置於上述第2Y軸軌道之左側， <br/>將上述第1Y軸軌道配置於上述第1Y軸軌道之移動範圍之左端，上述第2Y軸軌道配置於上述第2Y軸軌道之移動範圍之右端時之、上述第1Y軸軌道與上述第2Y軸軌道之中間位置設為基準位置， <br/>於上述受電線圈配置得較上述基準位置靠左之情形時，使上述第1送電線圈向與上述受電線圈對向之位置移動， <br/>於上述受電線圈配置得較上述基準位置靠右之情形時，使上述第2送電線圈向與上述受電線圈對向之位置移動。
如請求項5之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述受電線圈係第1受電線圈， <br/>於上述位置檢測處理中，進而檢測與上述第1受電線圈不同之第2受電線圈之位置， <br/>於自上述第1送電線圈或上述第2送電線圈向上述第1受電線圈送電時，於以上述位置檢測處理檢測出上述第2受電線圈之上述位置之情形時，於上述移動控制處理中， <br/>於上述第2受電線圈配置得較上述第1受電線圈靠右之情形時，自上述第1送電線圈向上述第1受電線圈送電，且自上述第2送電線圈向上述第2受電線圈送電， <br/>於上述第2受電線圈配置得較上述第1受電線圈靠左之情形時，自上述第1送電線圈向上述第2受電線圈送電，且自上述第2送電線圈向上述第1受電線圈送電。
如請求項2或3之移動系統之控制方法，其中 <br/>當將上述X軸方向之兩側分別設為左與右時，上述第1Y軸軌道配置於上述第2Y軸軌道之左側， <br/>將自通過上述第1Y軸軌道之中心且沿上述Y軸方向之第1中心線至上述第1Y軸軌道之右端之距離設為第1距離Wa， <br/>將自通過上述第2Y軸軌道之中心且沿上述Y軸方向之第2中心線至上述第2Y軸軌道之左端之距離設為第2距離Wb， <br/>將上述第1中心線與上述第2中心線之間之距離設為距離La， <br/>於上述移動控制處理中，以滿足 <br/>La≧Wa+Wb <br/>之方式，控制上述第1送電部及上述第2送電部中之至少一者之移動。
如請求項7之移動系統之控制方法，其中 <br/>於設置有自上述第1Y軸軌道向右突出之第1突出部之情形時，將上述第1中心線至上述第1突出部之右端之距離設為第3距離Wc， <br/>於設置有自上述第2Y軸軌道向左突出之第2突出部之情形時，將上述第2中心線至上述第2突出部之左端之距離設為第4距離Wd， <br/>於上述移動控制處理中，以滿足 <br/>La≧Wc+Wd <br/>之方式，控制上述第1送電部及上述第2送電部中之至少一者之移動。
如請求項7之移動系統之控制方法，其中 <br/>將上述第1中心線與上述第1送電部之右端之間之距離設為距離Ta， <br/>將上述第2中心線與上述第2送電部之左端之間之距離設為距離Tb， <br/>將上述Y軸方向上之上述第1送電部之寬度設為寬度Sa， <br/>將上述Y軸方向上之上述第2送電部之寬度設為寬度Sb， <br/>將上述第1送電部之中心與上述第2送電部之中心之間之上述Y軸方向上之距離設為Lb， <br/>於上述移動控制處理中，以滿足 <br/>La≧Ta+Tb <br/>及、 <br/>2Lb≧Sa+Sb <br/>中之至少一者之方式，控制上述第1送電部及上述第2送電部中之至少一者之移動。
如請求項7之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述第1送電部之形狀係半徑為Ra之圓形， <br/>上述第2送電部之形狀係半徑為Rb之圓形， <br/>將上述第1送電部之中心與上述第2送電部之中心之間之上述Y軸方向上之距離設為距離Lb， <br/>將上述第1送電部之上述中心與上述第2送電部之上述中心之間之上述X軸方向上之距離設為距離Lc， <br/>於上述移動控制處理中，以滿足 <br/>Lc<sup>2</sup>+Lb<sup>2</sup>≧(Ra+Rb)<sup>2</sup><br/>之方式，控制上述第1送電部及上述第2送電部中之至少一者之移動。
如請求項7之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述第1送電部之形狀係半徑為Ra之圓形， <br/>上述第2送電部之形狀係半徑為Rb之圓形， <br/>將上述第1送電部之中心與上述第2送電部之中心之間之上述Y軸方向上之距離設為距離Lb， <br/>當將上述X軸方向之負側設為左側時，上述第1Y軸軌道配置於上述第2Y軸軌道之左側， <br/>上述第1送電線圈之中心較上述第1中心線，於上述X軸方向上偏移正的偏移量Pa， <br/>上述第2送電線圈之中心較上述第2中心線，於上述X軸方向上偏移負的偏移量Pb， <br/>於上述移動控制處理中，以滿足 <br/>(La-Pa+Pb)<sup>2</sup>+Lb<sup>2</sup>≧(Ra+Rb)<sup>2</sup><br/>之方式，控制上述第1送電部及上述第2送電部中之至少一者之移動。
如請求項1之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述受電線圈係第1受電線圈， <br/>於上述位置檢測處理中，進而檢測與上述第1受電線圈不同之第2受電線圈之位置， <br/>上述控制方法具有： <br/>停止處理，其於自上述第1送電線圈向上述第1受電線圈送電時，當以上述位置檢測處理檢測出上述第2受電線圈配置於預先決定之上述第1送電線圈之送電區域內時，停止上述第1送電線圈之送電； <br/>警告處理，其於進行上述停止處理之情形時對使用者進行警告； <br/>第1再啟動處理，其於上述停止處理之後，於在上述第1送電線圈之上述送電區域內僅配置有上述第1受電線圈與上述第2受電線圈中之一者之情形時，再啟動上述第1送電線圈之送電；及 <br/>第2再啟動處理，其於自執行上述停止處理起經過規定時間後，於在上述第1送電線圈之上述送電區域內配置有上述第1受電線圈與上述第2受電線圈之兩者之情形時，使上述第1送電線圈遠離上述第2受電線圈，使上述第2送電線圈向與上述第2受電線圈對向之位置移動，自上述第1送電線圈向上述第1受電線圈送電，自上述第2送電線圈向上述第2受電線圈送電。
如請求項1之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述受電線圈係第1受電線圈， <br/>於上述位置檢測處理中，進而檢測與上述第1受電線圈不同之第2受電線圈之位置， <br/>上述控制方法具有： <br/>停止處理，其於自上述第2送電線圈向上述第1受電線圈送電時，當以上述位置檢測處理檢測出上述第2受電線圈配置於預先決定之上述第2送電線圈之送電區域內時，停止上述第2送電線圈之送電； <br/>警告處理，其於進行上述停止處理之情形時對使用者進行警告； <br/>第1再啟動處理，其於上述停止處理之後，於在上述第2送電線圈之上述送電區域內僅配置有上述第1受電線圈與上述第2受電線圈中之一者之情形時，再啟動上述第2送電線圈之送電；及 <br/>第2再啟動處理，其於自執行上述停止處理起經過規定時間後，於在上述第2送電線圈之上述送電區域內配置有上述第1受電線圈與上述第2受電線圈之兩者之情形時，使上述第2送電線圈遠離上述第2受電線圈，使上述第1送電線圈向與上述第2受電線圈對向之位置移動，自上述第2送電線圈向上述第1受電線圈送電，自上述第1送電線圈向上述第2受電線圈送電。
如請求項1之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述控制方法進而具有： <br/>使顯示裝置顯示上述第1送電線圈之位置、上述第2送電線圈之位置、上述第1送電線圈及上述第2送電線圈之可送電區域、以及作為上述受電終端之放置場所推薦之推薦區域中之至少1者之顯示處理。
如請求項1之移動系統之控制方法，其中 <br/>於上述第1送電部，連接有纜線之一端， <br/>上述纜線具有相對於收納上述第1Y軸軌道之殼體之位置固定之固定部分， <br/>於上述移動控制處理中， <br/>於使上述第1Y軸軌道沿上述X軸軌道朝離開上述固定部分之朝向移動，且使上述第1送電部於上述Y軸方向移動之情形時，使上述第1送電部於上述Y軸方向移動後，使上述第1Y軸軌道沿上述X軸軌道朝離開上述固定部分之朝向移動， <br/>於使上述第1Y軸軌道沿上述X軸軌道朝接近上述固定部分之朝向移動，且使上述第1送電部於上述Y軸方向移動之情形時，使上述第1Y軸軌道沿上述X軸軌道朝接近上述固定部分之朝向移動後，使上述第1送電部於上述Y軸方向移動。
如請求項1之移動系統之控制方法，其中 <br/>上述控制方法進而具有以設置於與上述第1送電線圈之中心不同之位置之、與上述X軸方向及上述Y軸方向正交之中心軸為中心，使上述第1送電線圈相對於上述第1Y軸軌道旋轉之處理。
一種移動系統之控制方法之程式產品，其係可由電腦系統讀取者，且 <br/>使上述電腦系統之1個以上之處理器執行如請求項1至16中任一項之移動系統之控制方法。
一種模組化之載具避震結構，其包含有：<br/> 一殼體，具有一貫通該殼體前後端之容置空間；<br/> 一連接軸，穿設於該殼體之容置空間；<br/> 一彈性件，可伸縮地套設該連接軸，該彈性件之一端設置於該殼體，另一端設置於該連接軸；以及<br/> 一調整件，可移動地套設於該連接軸之一端，並抵接該彈性件，以調整該彈性件之預載量；<br/> 其中，該殼體還具有至少一第一溝孔，該彈性件之一端的卡設於該第一溝孔；該連接軸還具有一第二溝孔，該第二溝孔形成於該連接軸之一側，該彈性件之另一端卡設於該第二溝孔。
如請求項1所述模組化之載具避震結構，其中該連接軸還具有一止檔部與二螺紋部，該止檔部鄰近該連接軸之其中一端，該二螺紋部分別形成於該連接軸之兩端。
如請求項2所述模組化之載具避震結構，其中該止檔部之一側抵接該彈性件之一端，該連接軸遠離該止檔部之一端的螺紋部則鎖固有該調整件，該調整件抵接該彈性件之另一端。
如請求項1或2所述模組化之載具避震結構，其中該連接軸之外形為非正圓之設計。
如請求項1所述模組化之載具避震結構，其中該殼體還具有二階緣分別形成於該殼體之兩端的內表面。
如請求項5所述模組化之載具避震結構，其中還包含有二分別設置於該殼體之兩端的軸承，該二軸承之一側分別抵接於該二階緣。
如請求項6所述模組化之載具避震結構，其中還包含有二分別設置於該連接軸之兩端的固定件，該二固定件分別抵接於該二軸承之另一側。
一種混凝土，包含：<br/> 11wt%至20wt%的鈉(Na)、3wt%至6wt%的鎂(Mg)、7wt%至11wt%的鋁(Al)、15wt%至22wt%的矽(Si)、0.4wt%至0.7wt%的鉀(K)、以及49wt%至53wt%的鈣(Ca)，以該混凝土中的鈉、鎂、鋁、矽、鉀、及鈣的總重為基準，且該混凝土包含鈣鋁矽酸鹽化合物。
如請求項第1項所述混凝土，其中該鈣鋁矽酸鹽化合物在該混凝土之X光繞射圖譜的特性尖峰值(2θ)為43.4度至44.5度。
如請求項第1項所述混凝土，其中該混凝土之X光繞射圖譜在43.4度至44.5度的特性尖峰值(2θ)具有一第一積分強度(S1)、以及該混凝土之X光繞射圖譜在31.9度至32.2度的特性尖峰值(2θ)具有一第二積分強度(S2)，其中第一積分強度與第二積分強度的比值(S1/S2)係0.03至0.15。
如請求項第1項所述混凝土，其中該混凝土之傅里葉轉換紅外光譜圖中係於1,000cm<sup>-1</sup>至1,150cm<sup>-1</sup>範圍間具有特徵波峰。
一種混凝土的製備方法，包括以下步驟：<br/> 提供一混凝土拌合物，其中該混凝土拌合物由一膠結材料以及一廢鹼液所組成、或由一膠結材料、一廢鹼液、以及一氧化碴所組成，其中該膠結材料由35至70重量份的高爐石、以及30至65重量份的還原碴所組成；該廢鹼液包含鈉離子，且該鈉離子的濃度為100,000 ppm至150,000 ppm；以及，該廢鹼液與該膠結材料的重量比為3：10至5：10；<br/> 對該混凝土拌合物進行一灌模製程，得到一坯體；以及<br/> 於常溫環境下對該坯體進行一養護製程，得到如請求項1所述之混凝土。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該廢鹼液更包含除了鈉離子之外的陽離子，其中該除了鈉離子之外的陽離子的總濃度為5,000 ppm至30,000 ppm。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該廢鹼液係半導體研磨廢鹼液、鋁渣再生鹼液、陶瓷製程清洗廢鹼液、或上述之組合。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該高爐石包含0.1wt%至0.5wt%的鈉(Na)、5wt%至8wt%的鎂(Mg)、13wt%至16wt%的鋁(Al)、24wt%至27wt%的矽(Si)、0.2wt%至0.7wt%的鉀(K)、以及50wt%至55wt%的鈣(Ca)，以該高爐石中的鈉、鎂、鋁、矽、鉀、及鈣的總重為基準。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該高爐石的粒徑分佈D90值係40µm至90µm。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該還原碴包含0.2wt%至0.6wt%的鈉(Na)、3wt%至6wt%的鎂(Mg)、1wt%至3wt%的鋁(Al)、16wt%至20wt%的矽(Si)、0.05wt%至0.3wt%的鉀(K)、以及70wt%至80wt%的鈣(Ca)，以該還原碴中的鈉、鎂、鋁、矽、鉀、及鈣的總重為基準。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該還原碴的粒徑分佈D90值係50µm至100µm。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該氧化碴與該膠結材料的重量比係1：100至400：100。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該氧化碴包含5wt%至13wt%的鎂(Mg)、3wt%至6wt%的鋁(Al)、18wt%至21wt%的矽(Si)、0.2wt%至0.5wt%的鉀(K)、以及64wt%至70wt%的鈣(Ca)，以該氧化碴中的鎂、鋁、矽、鉀、及鈣的總重為基準。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該氧化碴的粒徑分佈D90值係500µm至3cm。
如請求項第5項所述混凝土的製備方法，其中該混凝土拌合物不包含天然石料。
一種路線修正方法，適用於一自主移動裝置，該路線修正方法包括：<br/> 決定一擷取影像中的一參考點對應的一參考位置資訊，其中該擷取影像是對一環境中的該參考點拍攝所得的；<br/> 決定一估測位置資訊與該參考位置資訊之間的一偏差資訊，其中該估測位置資訊是基於該自主移動裝置的運動資訊所估測的；<br/> 依據該偏差資訊修正該自主移動裝置的一移動路線資訊，其中該移動路線資訊對應於該估測位置資訊與一定點位置資訊之間的路線；以及<br/> 控制該自主移動裝置沿修正的該移動路線資訊移動，其中該定點位置資訊對應於該自主移動裝置的一總路線中的至少一定位點，且該總路線是經過該至少一定位點的路線的集合。
如請求項1所述的路線修正方法，其中該估測位置資訊包括一當前時間點的一第一估測座標，該參考位置資訊包括該當前時間點的一第一參考座標，該偏差資訊包括該第一估測座標與該第一參考座標之間的一偏差值，且依據該偏差資訊修正該自主移動裝置的該移動路線資訊的步驟包括：<br/> 依據該偏差值修正該定點位置資訊對應的定位點成為一新定位點，其中該新定位點與該定點位置資訊對應的定位點之間具有該偏差值。
如請求項1所述的路線修正方法，其中修正的該移動路線資訊包括多個新定位點的多個新定位座標，該參考位置資訊包括分別對應於該些新定位點的多個該參考點的多個參考座標，且依據該偏差資訊修正該自主移動裝置的該移動路線的步驟包括：<br/> 依據該些新定位點中的兩者之間的距離及該些參考點中的兩者之間的距離決定一損失函數，其中該些新定位點中的兩者之間的距離是對應的二該新定位座標的差值，該些參考點中的兩者之間的距離是對應的二該參考座標的差值，且該損失函數中的該二新定位座標的差值對應於一縮放因子；以及<br/> 最小化該損失函數，並決定該縮放因子，其中該縮放因子用於修正該二新定位座標。
如請求項3所述的路線修正方法，其中該損失函數為一第一值及一第二值的差值，該第一值為該些新定位點中的兩者之間的距離，該第二值為該些參考點中的兩者之間的距離與該縮放因子的乘積。
如請求項3所述的路線修正方法，其中最小化該損失函數的步驟包括：<br/> 透過一梯度下降法決定該損失函數的一最小值，其中該最小值對應於該縮放因子。
如請求項3所述的路線修正方法，更包括：<br/> 將該縮放因子與一該新定位座標的乘積作為修正的新定位座標。
如請求項1所述的路線修正方法，更包括：<br/> 依據一初始位置資訊決定該自主移動裝置的運動資訊對應的該估測位置資訊，其中該初始位置資訊為已知的。
如請求項1所述的路線修正方法，更包括：<br/> 決定該偏差資訊是否符合一修正條件，其中該修正條件為該偏差資訊對應的偏差值大於一偏差門檻值；<br/> 反應於該偏差資訊符合該修正條件，修正該自主移動裝置的該移動路線資訊；以及<br/> 反應於該偏差資訊符合該修正條件，禁止修正該自主移動裝置的該移動路線資訊。
如請求項1所述的路線修正方法，其中決定該擷取影像中的該參考點對應的該參考位置資訊的步驟包括：<br/> 將該擷取影像轉換成一向量編碼，其中該向量編碼為一維；以及<br/> 決定該向量編碼對應的該參考位置資訊。
一種自主移動裝置，包括：<br/> 一儲存器，儲存一程式碼；<br/> 一運動機構；以及<br/> 一處理器，耦接該儲存器及該運動機構，載入該程式碼並執行：<br/> 決定一擷取影像中的一參考點對應的一參考位置資訊，其中該擷取影像是對一環境中的該參考點拍攝所得的；<br/> 決定一估測位置資訊與該參考位置資訊之間的一偏差資訊，其中該估測位置資訊是基於該自主移動裝置的運動資訊所估測的；<br/> 依據該偏差資訊修正該自主移動裝置的一移動路線資訊，其中該移動路線資訊對應於該估測位置資訊與一定點位置資訊之間的路線；以及<br/> 控制該運動機構沿修正的該移動路線資訊移動，其中該定點位置資訊對應於該自主移動裝置的一總路線中的至少一定位點，且該總路線是經過該至少一定位點的路線的集合。
如請求項10所述的自主移動裝置，其中該估測位置資訊包括一當前時間點的一第一估測座標，該參考位置資訊包括該當前時間點的一第一參考座標，該偏差資訊包括該第一估測座標與該第一參考座標之間的一偏差值，且該處理器更執行：<br/> 依據該偏差值修正該定點位置資訊對應的定位點成為一新定位點，其中該新定位點與該定點位置資訊對應的定位點之間具有該偏差值。
如請求項10所述的自主移動裝置，其中修正的該移動路線資訊包括多個新定位點的多個新定位座標，該參考位置資訊包括分別對應於該些新定位點的多個該參考點的多個參考座標，且該處理器更執行：<br/> 依據該些新定位點中的兩者之間的距離及該些參考點中的兩者之間的距離決定一損失函數，其中該些新定位點中的兩者之間的距離是對應的二該新定位座標的差值，該些參考點中的兩者之間的距離是對應的二該參考座標的差值，且該損失函數中的該二新定位座標的差值對應於一縮放因子；以及<br/> 最小化該損失函數，並決定該縮放因子，其中該縮放因子用於修正該二新定位座標。
如請求項12所述的自主移動裝置，其中該損失函數為一第一值及一第二值的差值，該第一值為該些新定位點中的兩者之間的距離，該第二值為該些參考點中的兩者之間的距離與該縮放因子的乘積。
如請求項12所述的自主移動裝置，其中該處理器更執行：<br/> 透過一梯度下降法決定該損失函數的一最小值，其中該最小值對應於該縮放因子。
如請求項12所述的自主移動裝置，其中該處理器更執行：<br/> 將該縮放因子與一該新定位座標的乘積作為修正的新定位座標。
如請求項10所述的自主移動裝置，其中該處理器更執行：<br/> 依據一初始位置資訊決定該自主移動裝置的運動資訊對應的該估測位置資訊，其中該初始位置資訊為已知的。
如請求項10所述的自主移動裝置，其中該處理器更執行：<br/> 決定該偏差資訊是否符合一修正條件，其中該修正條件為該偏差資訊對應的偏差值大於一偏差門檻值；<br/> 反應於該偏差資訊符合該修正條件，修正該自主移動裝置的該移動路線資訊；以及<br/> 反應於該偏差資訊符合該修正條件，禁止修正該自主移動裝置的該移動路線資訊。
如請求項10所述的自主移動裝置，其中該處理器更執行：<br/> 將該擷取影像轉換成一向量編碼，其中該向量編碼為一維；以及<br/> 決定該向量編碼對應的該參考位置資訊。
一種機車尾燈單元，其係跨坐型車輛之機車尾燈單元，且具備： <br/>左右一對尾燈，其等包含第1尾燈及第2尾燈； <br/>左右一對閃光器，其等包含第1閃光器及第2閃光器；以及 <br/>尾罩，其包含車輛側視時朝向車輛前方且車輛上方延伸之上傾斜面、及上述車輛側視時朝向車輛前方且車輛下方延伸之下傾斜面，具有於上述上傾斜面與上述下傾斜面之間彎曲之形狀，且配置於上述左右一對尾燈及上述左右一對閃光器之後方； <br/>上述尾罩之上述上傾斜面包含： <br/>第1開口部，其中露出上述第1尾燈；及 <br/>第2開口部，其於車寬方向上與上述第1開口部分離配置，且露出上述第2尾燈； <br/>上述尾罩之上述下傾斜面包含： <br/>第3開口部，其於車輛上下方向上與上述第1開口部分離配置，且露出上述第1閃光器；及 <br/>第4開口部，其於車寬方向上與上述第3開口部分離配置，且露出上述第2閃光器；且 <br/>上述第1尾燈之發光面大於上述第1閃光器之發光面。
如請求項1之機車尾燈單元，其中 <br/>上述左右一對尾燈包含左右一對尾燈透鏡， <br/>上述左右一對上述閃光器包含左右一對閃光器透鏡， <br/>上述左右一對尾燈透鏡及上述左右一對閃光器透鏡一體地固定。
如請求項2之機車尾燈單元，其中 <br/>於車輛後視時，上述左右一對尾燈透鏡之車寬方向之尺寸大於上述左右一對尾燈透鏡之車輛上下方向之尺寸， <br/>於車輛後視時，上述左右一對閃光器透鏡之車輛上下方向之尺寸大於上述左右一對閃光器透鏡之車寬方向之尺寸。
一種跨坐型車輛，其具備如請求項1至3中任一項之機車尾燈單元。
一種顯示裝置，其改良在於，包括：<br/> 第一微顯示器，用於發射第一光線；<br/> 第二微顯示器，用於發射第二光線，所述第一光線與所述第二光線具有不同波長；<br/> 合光元件，具有出光面，所述合光元件位於所述第一光線與所述第二光線的光路上，所述合光元件接收所述第一光線和所述第二光線並藉由所述出光面將所述第一光線和所述第二光線平行地射出；<br/> 投影鏡頭，包括透鏡組件和超構光學結構，所述投影鏡頭用於接收自所述出光面射出的所述第一光線和所述第二光線，所述透鏡組件用於調製所述第一光線和所述第二光線，所述超構光學結構用於分別調控所述第一光線和所述第二光線的傳遞方向，使所述第一光線與所述第二光線平行地入射至所述投影鏡頭後再以不同於所述第二光線的角度從所述投影鏡頭射出；以及<br/> 光波導，接收自所述投影鏡頭射出的所述第一光線和所述第二光線，其中所述第一光線以非平行於所述第二光線的入射角度入射至所述光波導。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述超構光學結構位於所述透鏡組件與所述光波導之間。
如請求項2所述的顯示裝置，其中，所述超構光學結構固定連接於所述透鏡組件。
如請求項2所述的顯示裝置，其中，所述超構光學結構分別與所述透鏡組件和所述光波導間隔設置。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述超構光學結構位於所述合光元件與所述透鏡組件之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述透鏡組件包括至少兩個透鏡，所述超構光學結構位於所述至少兩個透鏡之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述合光元件具有第一入光面及第二入光面；<br/> 所述第一光線垂直地入射至所述第一入光面，且所述第二光線垂直地入射至所述第二入光面。
如請求項7所述的顯示裝置，其中，所述合光元件為合色棱鏡，所述第一入光面平行於所述第二入光面且垂直於所述出光面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述超構光學結構為超透鏡。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，所述光波導包括第一耦入光柵、第二耦入光柵和波導層，所述第一光線從所述第一耦入光柵耦入所述波導層，所述第二光線從所述第二耦入光柵耦入所述波導層；<br/> 所述第一耦入光柵在所述波導層上的正投影與所述第二耦入光柵在所述波導層上的正投影相鄰排列。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，所述光波導包括用於傳遞所述第一光線和所述第二光線的單層波導層，所述第一耦入光柵和所述第二耦入光柵位於所述單層波導層的同一表面；或<br/> 所述光波導包括用於傳遞所述第一光線的第一波導層和用於傳遞所述第二光線的第二波導層，所述第一波導層與所述第二波導層間隔層疊設置，所述第一耦入光柵位於所述第一波導層上，所述第二耦入光柵位於所述第二波導層上。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，還包括第三微顯示器，用於射出第三光線，所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線的波長互不相同；<br/> 所述合光元件用於接收所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線並藉由所述出光面射出；<br/> 所述投影鏡頭用於接收自所述出光面射出的所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線，所述透鏡組件用於調製所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線，所述超構光學結構用於調控所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線的傳遞方向，使所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線以不同入射角度入射至所述光波導。
如請求項12所述的顯示裝置，其中，所述光波導包括第一耦入光柵、第二耦入光柵、第三耦入光柵及波導層，所述第一光線從所述第一耦入光柵耦入所述波導層，所述第二光線從所述第二耦入光柵耦入所述波導層，所述第三光線從所述第三耦入光柵耦入所述波導層；<br/> 所述第一耦入光柵、所述第二耦入光柵及所述第三耦入光柵在所述波導層上的正投影相鄰排列。
如請求項13所述的顯示裝置，其中，所述光波導包括用於傳遞所述第一光線、所述第二光線及所述第三光線的單層波導層，所述第一耦入光柵、所述第二耦入光柵及所述第三耦入光柵位於所述單層波導層的同一表面；或<br/> 所述光波導包括用於傳遞所述第一光線的第一波導層、用於傳遞所述第二光線的第二波導層及用於傳遞所述第三光線的第三波導層，所述第一波導層、所述第二波導層及所述第三波導層依次間隔層疊設置，所述第一耦入光柵位於所述第一波導層上，所述第二耦入光柵位於所述第二波導層上，所述第三耦入光柵位於所述第三波導層上。
如請求項12所述的顯示裝置，其中，所述第三光線的波長小於所述第一光線的波長且大於所述第二光線波長，其中所述第三光線垂直入射所述光波導。
如請求項15所述的顯示裝置，其中，所述第一光線與所述第三光線之間的夾角等於所述第二光線與所述第三光線之間的夾角。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，入射至所述光波導的所述第一光線和所述第二光線在所述光波導中平行傳遞。
一種廢塑膠的處理方法，其特徵在於進行以下步驟： <br/>將焦碳製造用煤碳、或包含煤碳與混合用廢塑膠之焦碳製造用混合碳裝入焦碳爐的碳化室來進行乾餾並形成為焦碳；及 <br/>於乾餾完成後，從已設置於前述焦碳爐的碳化室之複數個裝入口的一部分或全部，自對上升管較近之側的裝入口朝向較遠之側的裝入口按順序地將廢塑膠裝入至比前述焦碳(乾餾完成後的裝入碳)的上端更上側的空間即碳化室內上部空間部。
如請求項1之廢塑膠的處理方法，其在將前述廢塑膠裝入之全部裝入口當中，設定一個以上的裝入口的群組，前述裝入口的群組是將把前述廢塑膠裝入之順序為連續之2個以上且小於全部裝入口數量的任意數量的裝入口設為一個群組，並針對屬於相同前述群組之各裝入口，將前述廢塑膠同時地裝入前述各裝入口的全部。
如請求項2之廢塑膠的處理方法，其是設置2個以上的前述群組來將前述廢塑膠裝入。
一種沉積氮化鈦的方法，該方法包含以下步驟：將一基板表面順序曝露於一鈦前驅物和藉由一個或多個微波源由一電漿氣體產生的一直接微波電漿，其中該一個或多個微波源與該基板表面之間的一距離小於或等於50mm。
如請求項1所述之方法，其中該直接微波電漿在該基板表面的20mm內產生。
如請求項1所述之方法，其中該一個或多個微波源包含具有一介電共振腔的一施加器。
如請求項1所述之方法，其中該電漿氣體包含氨氣或氮氣（N <sub>2</sub>）。
如請求項4所述之方法，其中該電漿氣體進一步包含氬氣或氫氣的一種或多種。
如請求項1所述之方法，其中藉由該一個或多個微波源輸送到該電漿氣體的一功率大於或等於500W。
如請求項1所述之方法，其中將該基板表面維持在小於或等於600℃的一溫度。
一種微壓循環控制系統，用於厭氧甲烷發酵製程，包含：<br/> 一厭氧發酵槽，包含：<br/> 一封閉槽體，其中該封閉槽體包含一槽底、連接該槽底之一下側壁以及連接該下側壁之一上側壁，該封閉槽體內具有一第一容置空間，該第一容置空間容納一第一液體，配置以進行一厭氧甲烷發酵製程；以及<br/> 一第一壓力感測器，鄰近該上側壁外，其中該第一容置空間連通至該第一壓力感測器，以監測該第一容置空間之一第一壓力；<br/> 一微氣泡產生裝置，連通至該厭氧發酵槽，其中該微氣泡產生裝置內之一第二容置空間容納一第二液體及一微氣泡產生器，該微氣泡產生器係鄰近於該第二容置空間之一底面，該第二液體係經由一第一管路連通至該厭氧發酵槽之該第一容置空間以產生奈米級氣泡，且該第一液體係經由一第二管路連通至該第二容置空間；<br/> 一氣體控制模組，連通至該厭氧發酵槽及該微氣泡產生裝置，其中該氣體控制模組經由一第三管路連通至該微氣泡產生裝置內之該微氣泡產生器，該氣體控制模組經由一第四管路連通至該厭氧發酵槽，其中該氣體控制模組包含：<br/> 一氣體偵測器，配置以監測該第一容置空間與該微氣泡產生裝置之氫氣以及二氧化碳氣體之含量；<br/> 一第二壓力感測器，配置以監測由該氣體控制模組輸入該微氣泡產生裝置之該氫氣及該二氧化碳氣體之壓力；以及<br/> 一控制元件，電性連接該氣體偵測器、該第二壓力感測器及該第一壓力感測器；<br/> 複數個氣體源，連通至該氣體控制模組，其中該些氣體源包含氫氣源及二氧化碳氣體源；以及<br/> 一混合氣體收集裝置，經由該第四管路連通至該厭氧發酵槽，其中該混合氣體收集裝置係配置以收集該厭氧甲烷發酵製程產生之混合氣體，其中<br/> 該控制元件配置以對該厭氧發酵槽進行洩氣操作，或者配置以啟動該些氣體源，以使該第一壓力是1.2 kg/cm<sup>2</sup>至1.5 kg/cm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之微壓循環控制系統，其中該槽底設有一第一通孔，該下側壁設有一第二通孔，且該上側壁設有一第三通孔。
如請求項2所述之微壓循環控制系統，其中該第二液體係經由該第一管路及該第一通孔連通至該厭氧發酵槽之該第一容置空間。
如請求項2所述之微壓循環控制系統，其中該第一液體係經由該第二通孔、該第二管路及該微氣泡產生裝置之一底部連通至該第二容置空間。
如請求項2所述之微壓循環控制系統，其中該厭氧發酵槽之該上側壁之該第三通孔經由該第四管路連通至該氣體控制模組。
如請求項1所述之微壓循環控制系統，其中該第一容置空間更包含一多孔結構，且該多孔結構係用以留置微生物菌群。
如請求項1所述之微壓循環控制系統，其中該第一液體的體積為該第一容置空間之體積的二分之一至三分之一。
如請求項1所述之微壓循環控制系統，其中該第二容置空間更容納由該第二液體逸出之氣體，且該氣體係自該微氣泡產生裝置之一頂部經由一第五管路連通至該氣體控制模組。
一種利用微壓循環控制系統的厭氧甲烷發酵之方法，包含：<br/> 提供如請求項1至8任一項所示之微壓循環控制系統，其中該厭氧發酵槽之該第一容置空間容納該第一液體以及微生物，該微氣泡產生裝置連通至該厭氧發酵槽，該第一壓力感測器鄰近該厭氧發酵槽之該上側壁外且連通至該第一容置空間，該氫氣源與該二氧化碳氣體源係連通至該氣體控制模組，且該氣體控制模組之該控制元件係電性連接至該第一壓力感測器，以監測該第一容置空間之一氣體壓力以及一氣體濃度；以及<br/> 於該第一容置空間進行該厭氧甲烷發酵製程，以產生混合氣體，其中該厭氧甲烷發酵製程係於10°C至60°C、1.2 kg/cm<sup>2</sup>至1.5 kg/cm<sup>2</sup>之該氣體壓力以及氫氣與二氧化碳氣體之莫耳比4：1下進行，且該混合氣體包含至少70體積百分比的甲烷以及不大於30體積百分比的二氧化碳氣體。
如請求項9所述之利用微壓循環控制系統的厭氧甲烷發酵之方法，其中該微生物包含嗜氫甲烷菌。
如請求項9所述之利用微壓循環控制系統的厭氧甲烷發酵之方法，其中當該氣體偵測器監測該第一容置空間之該氫氣及該二氧化碳氣體之莫耳比大於4：1時，該氣體控制模組之該控制元件調控該氫氣源與該二氧化碳氣體源分別輸入該微氣泡產生器之一流量，直到該氣體偵測器監測該第一容置空間之該氫氣及該二氧化碳氣體之莫耳比等於4：1。
如請求項9所述之利用微壓循環控制系統的厭氧甲烷發酵之方法，其中當該第一壓力感測器監測該第一容置空間之該氣體壓力大於1.5 kg/cm<sup>2</sup>時，該氣體控制模組之該控制元件對該厭氧發酵槽進行一洩氣操作，直到該第一壓力感測器監測該氣體壓力介於1.2 kg/cm<sup>2</sup>至1.5 kg/cm<sup>2</sup>時，該控制元件停止該洩氣操作。
一種平切刀片，包括：沿著中心線延伸的平板狀的基部、以及從該基部的端部沿著該中心線延伸的刀片部，且該平切刀片由WC-Co系或WC-Ni系之超硬合金構成，其中， <br/>該刀片部具有刀尖部，且在該刀尖部的尖端處形成有寬度0.22μm以上的稜線；在與前述延伸方向正交的厚度方向以及前述延伸方向兩方向上延伸的縱截面中，該稜線的該厚度方向的寬度之差異值σ大於0且不大於2.000； <br/>該差異值σ係透過以下的公式求得，其中，在刀片長度方向上，將W1、W2、W3、W4、W5設為五個點之稜線寬度，將A設為五個點的稜線寬度之平均值， <br/><img align="absmiddle" height="10px" width="191px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種平切刀片，包括：沿著中心線延伸的平板狀的基部、以及從該基部的端部沿著該中心線延伸的刀片部，且該平切刀片由WC-Co系或WC-Ni系之超硬合金構成，其中， <br/>該刀片部具有刀尖部，且在該刀尖部的尖端處形成有稜線； <br/>在與前述延伸方向正交的厚度方向以及前述延伸方向兩方向上延伸的縱截面中，該稜線的該厚度方向的寬度之差異值σ大於0且不大於2.000； <br/>該差異值σ係透過以下的公式求得，其中，在刀片長度方向上，將W1、W2、W3、W4、W5設為五個點之稜線寬度，將A設為五個點的稜線寬度之平均值，且該平均值A為0.43μm以上， <br/><img align="absmiddle" height="10px" width="191px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1或2記載之平切刀片，其中該差異值σ大於0且不大於0.100。
一種窄邊框門用凸輪液壓閉門器，用於一門體與一門框的連接，其特徵在於，包括：<br/> 一閉門器本體，所述閉門器本體嵌入所述門體的一拐角處並與該門體相平齊；<br/> 一水平固定件，所述水平固定件一端與所述閉門器本體一頂面平齊固定，所述水平固定件另一端沿水平方向延伸並與所述門體的一水平邊平齊固定；<br/> 一豎直固定件，所述豎直固定件一端與所述閉門器本體一底面平齊固定，所述豎直固定件另一端沿豎直方向延伸並與所述閉門器本體一左端面相平齊，同時所述豎直固定件另一端與所述門體的一豎直邊平齊固定；以及<br/> 一偏心凸輪軸，所述偏心凸輪軸的軸向與所述閉門器本體的延展方向垂直，同時所述偏心凸輪軸一端與所述門框固定連接，所述偏心凸輪軸另一端可旋轉地樞接於所述閉門器本體內；<br/> 其中所述豎直固定件呈L字型設置，包括一體成型的一第二閉門器連接板和一第二門體連接板，其中所述第二閉門器連接板水平設置並通過若干緊固螺絲與所述閉門器本體底面平齊固定，而所述第二門體連接板豎直設置並與所述閉門器本體左端面相平齊，並且所述第二門體連接板通過若干緊固螺絲與所述門體的豎直邊平齊固定。
根據請求項1所述的窄邊框門用凸輪液壓閉門器，其中所述水平固定件呈一字型設置，包括一體成型的一第一閉門器連接板和一第一門體連接板，其中所述第一閉門器連接板通過若干緊固螺絲與所述閉門器本體頂面平齊固定，而所述第一門體連接板通過若干緊固螺絲與所述門體的水平邊平齊固定。
根據請求項1所述的窄邊框門用凸輪液壓閉門器，其中所述閉門器本體包括：<br/> 一閉門器殼體，所述閉門器殼體內部沿其軸線方向設有儲滿液壓油的一內腔體，所述偏心凸輪軸可旋轉地支承在所述閉門器殼體中；<br/> 一自動補償閥門組件，所述自動補償閥門組件滑動設置於所述內腔體中並位於所述偏心凸輪軸左側；<br/> 一阻尼壓緊組件，所述阻尼壓緊組件滑動設置於所述內腔體中並位於所述偏心凸輪軸右側；以及<br/> 一驅動彈簧構件，所述驅動彈簧構件容置於所述內腔體中並分別抵接於所述阻尼壓緊組件和所述閉門器殼體，所述驅動彈簧構件驅使所述阻尼壓緊組件柔性抵接於所述偏心凸輪軸外周面。
根據請求項3所述的窄邊框門用凸輪液壓閉門器，其中所述自動補償閥門組件和所述阻尼壓緊組件共同將所述內腔體間隔而分別形成位於所述自動補償閥門組件左側的一第一油道、位於所述阻尼壓緊組件右側的一第二油道以及位於所述自動補償閥門組件和所述阻尼壓緊組件之間的一第三油道；其中，所述第二油道與所述第三油道相連通，而所述自動補償閥門組件配置為如果所述第一油道內的壓力超過閾值壓力，則所述自動補償閥門組件允許所述第一油道與所述第三油道之間的液壓油流通。
根據請求項4所述的窄邊框門用凸輪液壓閉門器，其中所述自動補償閥門組件包括：<br/> 一閥門活塞，所述閥門活塞滑動設置於所述內腔體中；<br/> 一閥體，所述閥體安裝於所述閥門活塞內，同時所述閥體貫穿設有分別連通所述第一油道和所述第三油道的一閥門流道；<br/> 一閥芯件，所述閥芯件可移動設置於所述閥門流道中，用於實現所述閥門流道的開啟或者隔斷；以及<br/> 一閥芯彈簧，所述閥芯彈簧容置於所述閥門流道中，所述閥芯彈簧一端連接於所述閥體，所述閥芯彈簧另一端連接於所述閥芯件，以驅使所述閥芯件隔斷所述閥門流道。
根據請求項4所述的窄邊框門用凸輪液壓閉門器，其中所述阻尼壓緊組件包括：<br/> 一壓緊活塞，所述壓緊活塞滑動設置於所述內腔體中，所述驅動彈簧構件分別抵接於所述壓緊活塞和所述閉門器殼體，同時所述壓緊活塞貫穿設有分別連通所述第二油道和所述第三油道的一活塞流道；<br/> 一固定銷，所述固定銷固定設置於所述壓緊活塞靠近所述偏心凸輪軸的一端；以及<br/> 一阻尼滾輪，所述阻尼滾輪轉動安裝於所述固定銷上，同時所述阻尼滾輪柔性抵接於所述偏心凸輪軸外周面。
根據請求項3所述的窄邊框門用凸輪液壓閉門器，其中所述驅動彈簧構件包括一內彈簧和一外彈簧；所述外彈簧套設於所述內彈簧外，所述外彈簧和所述內彈簧一端同時抵接於所述閉門器殼體，所述外彈簧和所述內彈簧另一端同時抵接於所述阻尼壓緊組件。
一種退貨商品資訊提供方法，透過計算系統執行，其包括如下步驟： <br/>從使用者終端接收關鍵字； <br/>基於該關鍵字的類型，確定包括與退貨商品相關的至少一個項目的退貨微件的顯示位置； <br/>向該使用者終端發送根據該關鍵字的輸入的搜索結果頁面的資料和該退貨微件的資料，其中，該退貨微件的資料包括該退貨微件在該搜索結果頁面內的顯示位置， <br/>向該使用者終端發送該搜索結果頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>向該使用者終端發送該至少一個項目的排列順序作為該退貨微件的資料，其中，基於該至少一個項目的退貨狀態確定該排列順序。
如請求項1所述之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該搜索結果頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟還包括如下步驟： <br/>對於該至少一個項目中的每一個，向該使用者終端發送當該每一個項目的退貨商品滿足規定的條件時將附加在該每一個項目的圖形對象的資料，作為該退貨微件的資料， <br/>基於對該每一個項目的退貨商品的屬性和與該每一個項目的退貨商品是相同種類但至少一部分屬性不同的其他退貨商品的屬性進行比較的結果，來確定是否滿足該條件， <br/>該退貨商品的屬性包括該退貨商品的價格和該退貨商品的退貨狀態。
如請求項2所述之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該圖形對象的資料作為該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>如果該每一個項目中存在退貨狀態比第一項目的退貨商品的退貨狀態低規定標準，且價格比該第一項目的退貨商品的價格低規定標準的第二項目，則向該使用者終端發送將附加在該第一項目的退貨商品的圖形對象的資料，作為該退貨微件的資料。
如請求項1所述之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>確定該退貨微件的顯示位置的步驟包括如下步驟： <br/>確定該退貨微件的顯示位置，使當該關鍵字的類型為第一類型時的該退貨微件的顯示位置低於該關鍵字的類型為第二類型時的該退貨微件的顯示位置， <br/>該第一類型是與退貨無關的關鍵字的類型，該第二類型是與退貨相關的關鍵詞類型。
一種退貨商品資訊提供系統，包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載（load）電腦程式；以及 <br/>處理器，執行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括如下指令（instructions）： <br/>從使用者終端接收關鍵字； <br/>基於該關鍵字的類型，確定包括與退貨商品相關的至少一個項目的退貨微件的顯示位置； <br/>向該使用者終端發送根據該關鍵字的輸入的搜索結果頁面的資料和該退貨微件的資料，其中，該退貨微件的資料包括該退貨微件在該搜索結果頁面內的顯示位置， <br/>向該使用者終端發送該搜索結果頁面的資料和該退貨微件的資料的指令包括如下指令： <br/>向該使用者終端發送該至少一個項目的排列順序作為該退貨微件的資料，其中，基於該至少一個項目的退貨狀態確定該排列順序。
一種減振結構，用以設置於一機殼內，該機殼設有多個磁性件，該減振結構包含：<br/> 一彈片，包含二安裝部以及一彎曲部，該二安裝部用以安裝於該機殼，該彎曲部之相對兩端分別連接於該二安裝部，該彎曲部之中段與該機殼的距離大於該彎曲部之相對兩端與該機殼的距離；以及一質量塊，設置於該彎曲部之中段；其中，該些磁性件吸附每一該些減振結構之該二安裝部。
如請求項1所述之減振結構，其中該彎曲部之中段具有一組裝孔，該質量塊具有一組裝柱，該組裝柱組裝於該組裝孔。
如請求項2所述之減振結構，其中該彎曲部更具有二缺槽，該二缺槽分別位於該組裝孔之相對兩側。
如請求項1所述之減振結構，其中該彈片的長度、寬度與高度的比為11:1.5:1，該彈片的厚度至少為0.3毫米。
如請求項1所述之減振結構，其中每一該二安裝部的長度介於12毫米至14毫米之間。
如請求項1所述之減振結構，其中該彎曲部具有相背對的一底側曲面以及一頂側曲面，該底側曲面用以面向該機殼，該底側曲面之曲率半徑介於21毫米至22毫米之間，該頂側曲面之曲率半徑介於20毫米至21毫米之間。
一種電子裝置，包含：<br/> 一機殼，設有多個磁性件；一硬碟，設置於該機殼內；至少一風扇，設置於該機殼內；以及至少一減振結構，位於該硬碟與該風扇之間，該至少一減振結構包含：一彈片，包含二安裝部以及一彎曲部，該二安裝部安裝於該機殼，該彎曲部之相對兩端分別連接於該二安裝部，該彎曲部之中段與該機殼的距離大於該彎曲部之相對兩端與該機殼的距離；以及一質量塊，設置於該彎曲部之中段；其中，該些磁性件吸附每一該些減振結構之該二安裝部。
如請求項7所述之電子裝置，其中該彎曲部之中段具有一組裝孔，該質量塊具有一組裝柱，該組裝柱組裝於該組裝孔。
如請求項8所述之電子裝置，其中該彎曲部更具有二缺槽，該二缺槽分別位於該組裝孔之相對兩側。
如請求項7所述之電子裝置，其中該機殼包含一機殼本體以及二磁性件，該二磁性件設置於該機殼本體，該彈片係由磁性材質所製成，且該二磁性件吸附該彈片之該二安裝部，以令該二安裝部安裝於該機殼。
一種快閃記憶體裝置的抹除方法，該快閃記憶體裝置包括多個記憶體區塊，各該些記憶體區塊被劃分為多個記憶胞群組，該抹除方法包括下列步驟：<br/> 對該些記憶體區塊中的一目標記憶體區塊施加一抹除電壓；<br/> 利用一第一抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行一第一抹除驗證；<br/> 在該目標記憶體區塊中存在有未通過該第一抹除驗證的該記憶胞群組的情況下，利用高於該第一抹除驗證電壓的一第二抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行一第二抹除驗證；以及<br/> 根據該第一抹除驗證與該第二抹除驗證的驗證結果，設定該目標記憶體區塊中的各該些記憶胞群組所對應的一第一抹除旗標及一第二抹除旗標，以將各該些記憶胞群組進行分類成一正常群組及一緩慢群組，且據以調整該抹除電壓的增加量，<br/> 其中，反應於該目標記憶體區塊中仍存在有未通過該第一抹除驗證但被分類成該正常群組的該記憶胞群組，該抹除電壓以一第一增加量被提高，反應於該目標記憶體區塊中所有被分類成該正常群組的該些記憶胞群組均已通過該第一抹除驗證，該抹除電壓以大於該第一增加量的一第二增加量被提高。
如請求項1所述的抹除方法，其中利用該第一抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行該第一抹除驗證的步驟包括：<br/> 利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中的一選中記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證；<br/> 當該選中記憶胞群組通過該第一抹除驗證時，判斷該選中記憶胞群組是否為該目標記憶體區塊中最後的該記憶胞群組；<br/> 若是，則判定該目標記憶體區塊通過該第一抹除驗證；以及<br/> 若否，則選擇該目標記憶體區塊中的下一個該記憶胞群組作為該選中記憶胞群組來進行該第一抹除驗證。
如請求項2所述的抹除方法，其中利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中的該選中記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證包括：<br/> 利用該第一抹除驗證電壓來判斷該選中記憶胞群組中以一存取位址被定址的多個記憶胞是否通過該第一抹除驗證；<br/> 當被定址的該些記憶胞通過該第一抹除驗證時，判斷當下的該存取位址是否對應於該選中記憶胞群組的一最後位址；<br/> 若是，則判定該選中記憶胞群組通過該第一抹除驗證；以及<br/> 若否，則增加該存取位址以定址該選中記憶胞群組中接續的多個記憶胞來進行該第一抹除驗證。
如請求項1所述的抹除方法，其中在該目標記憶體區塊中存在有未通過該第一抹除驗證的該記憶胞群組的情況下，利用高於該第一抹除驗證電壓的該第二抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行該第二抹除驗證的步驟包括：<br/> 在該目標記憶體區塊中存在有未通過該第一抹除驗證的該記憶胞群組的情況下，反覆對該目標記憶體區塊施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止；<br/> 累計該抹除電壓的一施加次數；以及<br/> 每當該施加次數累計達到一預設次數時，將該施加次數重置，且利用該第二抹除驗證電壓來依序對該目標記憶體區塊中的所有該些記憶胞群組進行該第二抹除驗證，<br/> 其中，根據該第一抹除驗證與該第二抹除驗證的驗證結果，設定該目標記憶體區塊中的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標及該第二抹除旗標的步驟包括：<br/> 將通過該第二抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為一第一邏輯值，將未通過該第二抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第二抹除旗標設定為該第一邏輯值。
如請求項4所述的抹除方法，其中將各該些記憶胞群組進行分類成該正常群組及該緩慢群組的步驟包括：<br/> 將該第一抹除旗標被設定為該第一邏輯值的該記憶胞群組分類成該正常群組；以及<br/> 將該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的該記憶胞群組分類成該緩慢群組。
如請求項4所述的抹除方法，其中據以調整該抹除電壓的增加量的步驟包括：<br/> 判斷該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證；<br/> 若否，則將該抹除電壓提高該第一增加量，且繼續對該目標記憶體區塊施加該抹除電壓；以及<br/> 若是，則將該抹除電壓提高大於該第一增加量的該第二增加量，且對該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓。
如請求項6所述的抹除方法，其中在對該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓的步驟之後，更包括：<br/> 利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證；<br/> 若否，則反覆對該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止；以及<br/> 每當該抹除電壓的該施加次數累計達到該預設次數時，將該施加次數重置，且將該抹除電壓提高該第二增加量。
如請求項1所述的抹除方法，其中在該目標記憶體區塊中存在有未通過該第一抹除驗證的該記憶胞群組的情況下，利用高於該第一抹除驗證電壓的該第二抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行該第二抹除驗證的步驟包括：<br/> 將該目標記憶體區塊中通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為一第一邏輯值；<br/> 判斷在該目標記憶體區塊中是否存在該第一抹除旗標保持在一第二邏輯值的該記憶胞群組；以及<br/> 若是，則利用該第二抹除驗證電壓來依序對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組進行該第二抹除驗證。
如請求項8所述的抹除方法，其中根據該第一抹除驗證與該第二抹除驗證的驗證結果，設定該目標記憶體區塊中的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標及該第二抹除旗標的步驟包括：<br/> 將未通過該第二抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第二抹除旗標設定為該第一邏輯值，<br/> 其中，據以調整該抹除電壓的增加量的步驟包括：<br/> 將該抹除電壓提高該第一增加量；<br/> 對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓；<br/> 利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證；<br/> 若是，則將通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為該第一邏輯值；<br/> 若否，則反覆對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止；以及<br/> 每當該抹除電壓的一施加次數累計達到一預設次數時，將該施加次數重置，且將該抹除電壓提高該第一增加量。
如請求項9所述的抹除方法，其中在將通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為該第一邏輯值的步驟之後，更包括：<br/> 將該抹除電壓提高大於該第一增加量的該第二增加量；<br/> 對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值且該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓；<br/> 利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值且該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證；<br/> 若是，則將通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為該第一邏輯值；<br/> 若否，則反覆對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值且該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止；以及<br/> 每當該抹除電壓的該施加次數累計達到該預設次數時，將該施加次數重置，且將該抹除電壓提高該第二增加量。
一種快閃記憶體裝置，包括：<br/> 一記憶體陣列，具有多個記憶體區塊，各該些記憶體區塊被劃分為多個記憶胞群組；<br/> 一旗標暫存器，經配置以儲存各該些記憶胞群組所對應的一第一抹除旗標及一第二抹除旗標；以及<br/> 一控制電路，耦接該記憶體陣列及該旗標暫存器，經配置以對該些記憶體區塊中的一目標記憶體區塊進行一抹除操作，<br/> 其中，該控制電路對該目標記憶體區塊施加一抹除電壓，且利用一第一抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行一第一抹除驗證，<br/> 在該目標記憶體區塊中存在有未通過該第一抹除驗證的該記憶胞群組的情況下，該控制電路利用高於該第一抹除驗證電壓的一第二抹除驗證電壓來對該目標記憶體區塊進行一第二抹除驗證，並根據該第一抹除驗證與該第二抹除驗證的驗證結果，設定該目標記憶體區塊中的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標及該第二抹除旗標，以將各該些記憶胞群組進行分類成一正常群組及一緩慢群組，且據以調整該抹除電壓的增加量，<br/> 其中，反應於該目標記憶體區塊中仍存在有未通過該第一抹除驗證但被分類成該正常群組的該記憶胞群組，該抹除電壓以一第一增加量被提高，反應於該目標記憶體區塊中所有被分類成該正常群組的該些記憶胞群組均已通過該第一抹除驗證，該抹除電壓以大於該第一增加量的一第二增加量被提高。
如請求項11所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中的一選中記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證，<br/> 當該選中記憶胞群組通過該第一抹除驗證時，該控制電路判斷該選中記憶胞群組是否為該目標記憶體區塊中最後的該記憶胞群組，若是，則該控制電路判定該目標記憶體區塊通過該第一抹除驗證，若否，則該控制電路選擇該目標記憶體區塊中的下一個該記憶胞群組作為該選中記憶胞群組來進行該第一抹除驗證。
如請求項12所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路利用該第一抹除驗證電壓來判斷該選中記憶胞群組中以一存取位址被定址的多個記憶胞是否通過該第一抹除驗證，<br/> 當被定址的該些記憶胞通過該第一抹除驗證時，該控制電路判斷當下的該存取位址是否對應於該選中記憶胞群組的一最後位址，若是，則該控制電路判定該選中記憶胞群組通過該第一抹除驗證，若否，則該控制電路增加該存取位址以定址該選中記憶胞群組中接續的多個記憶胞來進行該第一抹除驗證。
如請求項11所述的快閃記憶體裝置，其中在該目標記憶體區塊中存在有未通過該第一抹除驗證的該記憶胞群組的情況下，該控制電路反覆對該目標記憶體區塊施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止，<br/> 該控制電路累計該抹除電壓的一施加次數，每當該施加次數累計達到一預設次數時，該控制電路將該施加次數重置，且利用該第二抹除驗證電壓來依序對該目標記憶體區塊中的所有該些記憶胞群組進行該第二抹除驗證，<br/> 該控制電路將通過該第二抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為一第一邏輯值，將未通過該第二抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第二抹除旗標設定為該第一邏輯值。
如請求項14所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路將該第一抹除旗標被設定為該第一邏輯值的該記憶胞群組分類成該正常群組，將該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的該記憶胞群組分類成該緩慢群組。
如請求項14所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路判斷該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證，若否，則該控制電路將該抹除電壓提高該第一增加量，且繼續對該目標記憶體區塊施加該抹除電壓，若是，則該控制電路將該抹除電壓提高大於該第一增加量的該第二增加量，且對該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓。
如請求項16所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證，若否，則該控制電路反覆對該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止，<br/> 每當該抹除電壓的該施加次數累計達到該預設次數時，該控制電路將該施加次數重置，且將該抹除電壓提高該第二增加量。
如請求項11所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路將該目標記憶體區塊中通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為一第一邏輯值，<br/> 該控制電路判斷在該目標記憶體區塊中是否存在該第一抹除旗標保持在一第二邏輯值的該記憶胞群組，若是，則該控制電路利用該第二抹除驗證電壓來依序對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組進行該第二抹除驗證。
如請求項18所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路將未通過該第二抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第二抹除旗標設定為該第一邏輯值，<br/> 該控制電路將該抹除電壓提高該第一增加量，且對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，<br/> 該控制電路利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證，若是，則該控制電路將通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為該第一邏輯值，若否，則該控制電路反覆對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止，<br/> 每當該抹除電壓的一施加次數累計達到一預設次數時，該控制電路將該施加次數重置，且將該抹除電壓提高該第一增加量。
如請求項19所述的快閃記憶體裝置，其中該控制電路將該抹除電壓提高大於該第一增加量的該第二增加量，且對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值且該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，<br/> 該控制電路利用該第一抹除驗證電壓來判斷該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值且該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的該些記憶胞群組是否通過該第一抹除驗證，若是，則該控制電路將通過該第一抹除驗證的各該些記憶胞群組所對應的該第一抹除旗標設定為該第一邏輯值，若否，則該控制電路反覆對該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標保持在該第二邏輯值且該第二抹除旗標被設定為該第一邏輯值的所有該些記憶胞群組施加該抹除電壓，直到該目標記憶體區塊中該第一抹除旗標及該第二抹除旗標皆保持在該第二邏輯值的所有該些記憶胞群組通過該第一抹除驗證為止，<br/> 每當該抹除電壓的該施加次數累計達到該預設次數時，該控制電路將該施加次數重置，且將該抹除電壓提高該第二增加量。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一氧化物半導體通道層，位於該基板上方；<br/> 一閘極結構，位於該氧化物半導體通道層上方且包含：<br/> 一氧化物半導體阻障層，位於該氧化物半導體通道層上方；<br/> 一閘極介電層，位於該氧化物半導體阻障層上方，其中該閘極介電層由一鐵電材料製成；以及<br/> 一閘極金屬，位於該閘極介電層上方；以及<br/> 複數個源/汲電極，與該氧化物半導體通道層的兩端接觸。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該氧化物半導體通道層與該氧化物半導體阻障層在組成上不同。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該氧化物半導體阻障層的一材料比該氧化物半導體通道層的一材料具有更高的導帶值。
如請求項1所述之半導體裝置，其中在一剖視圖中，該氧化物半導體阻障層環繞該氧化物半導體通道層。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一半導體通道層，位於該基板上方；<br/> 一閘極結構，位於該半導體通道層上方且包含：<br/> 一半導體阻障層，環繞該半導體通道層，其中該半導體阻障層的一材料比該半導體通道層的一材料具有更高的導帶值，其中該半導體阻障層具有比該半導體通道層更高的鎵濃度或更高的鋅濃度；<br/> 一閘極介電層，位於該半導體阻障層上方；以及<br/> 一閘極金屬，位於該閘極介電層上方；以及<br/> 複數個源/汲電極，與該半導體通道層的兩端接觸。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該閘極介電層由一鐵電材料製成。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該閘極介電層由一高k介電材料製成。
一種半導體裝置的形成方法，包含以下步驟：<br/> 在一基板上形成交替的複數個氧化物半導體通道層及複數個犧牲層的一堆疊；<br/> 移除部分該些犧牲層，以使該些氧化物半導體通道層的複數個通道區域懸浮在該基板上方；<br/> 形成環繞該些氧化物半導體通道層的該些通道區域的一氧化物半導體阻障層，其中該氧化物半導體阻障層延伸至該基板的一頂表面；<br/> 在該氧化物半導體阻障層上方形成一閘極介電層；以及<br/> 在該閘極介電層上形成一閘極金屬。
如請求項8所述之方法，其中該些氧化物半導體通道層與該氧化物半導體阻障層在組成上不同。
如請求項8所述之方法，進一步包含以下步驟：在該些氧化物半導體通道層的兩端形成複數個源/汲電極，其中該些源/汲電極與該些犧牲層的剩餘部分接觸。
一種內外容器易於分離的正向旋轉式螺旋蓋型容器，其中，<br/> 包括：<br/> 外部容器，形成有第一收容空間，設置有入口開放的外頸部；<br/> 內部容器，以緊貼於該外部容器的內側的方式插入到該第一收容空間，形成有用於儲存內容物的第二收容空間，並設置有入口開放的內頸部，當丟棄時，能够在該第一收容空間的內部進行收縮並通過該外部容器的入口取出至外部；<br/> 螺旋蓋，通過在該內頸部向關閉方向旋轉來與該內部容器螺紋結合，從而密封該第一收容空間及該第二收容空間；以及<br/> 真空泵，貫通結合在該螺旋蓋，通過抽吸作業向外部排出內容物，<br/> 當丟棄該內部容器時，在該螺旋蓋與該內部容器螺紋結合並關閉的狀態下，向打開的方向旋轉該螺旋蓋來從該外部容器分離該內部容器；<br/> 該內頸部向上突出的長度大於該外頸部，<br/> 在該內頸部的外徑形成有具有預設長度的內頸部外螺紋部；<br/> 在該外頸部的內徑形成有第一長度的外頸部內螺紋部，<br/> 該螺旋蓋包括：<br/> 螺旋蓋帽部，呈圓形；以及螺旋蓋緊固部，以圓管形狀連接在該螺旋蓋帽部的邊緣，與該內頸部的至少一部分螺紋結合，<br/> 在該螺旋蓋緊固部的內徑形成有第二長度的螺旋蓋內螺紋部。
如請求項1之內外容器易於分離的正向旋轉式螺旋蓋型容器，其中，該內頸部的長度大於該第一長度與該第二長度之和。
如請求項1之內外容器易於分離的正向旋轉式螺旋蓋型容器，其中，該內頸部外螺紋部包括：<br/> 第一內頸部外螺紋部，位於該內頸部外螺紋部的下部，與第一長度的該外頸部內螺紋部螺紋結合；以及<br/> 第二內頸部外螺紋部，位於該內頸部外螺紋部的上部，與第二長度的該螺旋蓋內螺紋部螺紋結合。
如請求項3之內外容器易於分離的正向旋轉式螺旋蓋型容器，其中，該第一內頸部外螺紋部與該第二內頸部外螺紋部具有相同的右旋螺紋形狀，或者該第一內頸部外螺紋部與該第二內頸部外螺紋部具有相同的左旋螺紋形狀。
如請求項3之內外容器易於分離的正向旋轉式螺旋蓋型容器，其中，<br/> 在該第一內頸部外螺紋部與該第二內頸部外螺紋部之間沿著該內頸部的長度方向形成有預定的間隙部，<br/> 在該螺旋蓋的結合過程中，若向關閉的方向旋轉該螺旋蓋，則第一擋止部與第二擋止部被限制成在該間隙部內通過滑動旋轉來配合，該第一擋止部設置在該螺旋蓋緊固部的下端，該第二擋止部以與該第一擋止部相向的方式設置在該內頸部的上端，<br/> 在該螺旋蓋的結合解除過程中，若向打開的方向旋轉該螺旋蓋，則該第二內頸部外螺紋部因該第一擋止部與該第二擋止部之間的限制而與該螺旋蓋一同向該打開的方向旋轉，從而解除該第二內頸部外螺紋部與該外頸部內螺紋部之間的螺紋結合。
如請求項3之內外容器易於分離的正向旋轉式螺旋蓋型容器，其中，還包括外部空氣流入流路，貫通該外頸部並連接至該第一收容空間。
一種光學鏡頭，包括多個透鏡，該些透鏡包括第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡、第七透鏡、第八透鏡以及第九透鏡，該光學鏡頭由物側至像側沿光軸依序包括該第一透鏡、該第二透鏡、該第三透鏡、該第四透鏡、該第五透鏡、光圈、該第六透鏡、該第七透鏡、該第八透鏡以及該第九透鏡，該些透鏡被群組為： <br/>第一透鏡組，包括該第一透鏡以及該第二透鏡； <br/>第二透鏡組，包括第三透鏡、第四透鏡以及第五透鏡，該第二透鏡組用於沿該光軸移動以進行變焦； <br/>第三透鏡組，包括第六透鏡、第七透鏡以及第八透鏡；以及 <br/>第四透鏡組，包括第九透鏡，該第四透鏡組用於沿該光軸移動以進行對焦，其中該些透鏡滿足： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="41px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="35px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及 <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="58px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><i>n <sub>2</sub></i>、 <i>n <sub>3</sub></i>、 <i>n <sub>8</sub></i>、 <i>n <sub>9</sub></i>分別為該第二透鏡、該第三透鏡、該第八透鏡和該第九透鏡的折射率， <i>f <sub>G3</sub></i>、 <i>f <sub>G4</sub></i>分別為該第三透鏡組和該第四透鏡組的等效焦距， <i>d <sub>6</sub></i>、 <i>d <sub>7</sub></i>、 <i>d <sub>8</sub></i>、 <i>d <sub>9</sub></i>分別為該第六透鏡、該第七透鏡、該第八透鏡和該第九透鏡的厚度， <i>f <sub>6,7,8,9</sub></i>為該第六透鏡、該第七透鏡、該第八透鏡和該第九透鏡的等效焦距。
如請求項1所述的光學鏡頭，其中該些透鏡更滿足： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="60px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><i>R <sub>9f</sub></i>和 <i>R <sub>9r</sub></i>分別為該第九透鏡朝該物側和該像側的曲率半徑，並且 <i>EFL <sub>w</sub></i>為該光學鏡頭在廣角端的等效焦距。
如請求項1所述的光學鏡頭，其中該第三透鏡組更包括該第九透鏡，並且該第四透鏡組更包括該第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡、第七透鏡以及第八透鏡。
如請求項1所述的光學鏡頭，其中該第一透鏡包括第一子透鏡以及第二子透鏡，並且滿足： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="38px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><i>f <sub>11</sub></i>、 <i>f <sub>12</sub></i>分別為該第一子透鏡和該第二子透鏡的焦距。
如請求項4所述的光學鏡頭，其中該第一子透鏡與該第二子透鏡更滿足： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="38px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述的光學鏡頭，其中該第一子透鏡與該第二子透鏡更滿足： <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="51px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><i>n <sub>11</sub></i>、 <i>n <sub>12</sub></i>分別為該第一子透鏡和該第二子透鏡的折射率，並且 <i>v <sub>11</sub></i>、 <i>v <sub>12</sub></i>分別為該第一子透鏡和該第二子透鏡的阿貝數。
如請求項3所述的光學鏡頭，其中該第一透鏡包括第一子透鏡以及第二子透鏡，並且 <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="38px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><i>f <sub>11</sub></i>、 <i>f <sub>12</sub></i>分別為該第一子透鏡和該第二子透鏡的焦距。
如請求項7所述的光學鏡頭，其中 <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="38px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7所述的光學鏡頭，其中 <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="51px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/><i>n <sub>11</sub></i>、 <i>n <sub>12</sub></i>分別為該第一子透鏡和該第二子透鏡的折射率，並且 <i>v <sub>11</sub></i>、 <i>v <sub>12</sub></i>分別為該第一子透鏡和該第二子透鏡的阿貝數。
一種高光譜成像系統，包括： <br/>如請求項1至請求項9中任一項所述的光學鏡頭； <br/>遮罩，用以將來自該光學鏡頭的輸入影像轉換為遮罩影像； <br/>影像感測器；以及 <br/>光學色散裝置，用以中繼該遮罩影像至該影像感測器。
一種由水刀切割耗材之廢砂回收鋁物質製成氧化鋁的方法，包含有：<br/> 步驟一：將水刀切割設備使用後所產生之無機汙泥進行收集，其中該無機汙泥係由石榴砂作為水刀切割耗材，經水刀設備於二萬五千至八萬 psi 之高壓條件下多次高速噴射撞擊切割物後，所形成之破碎粉末狀無機汙泥；<br/> 步驟二：將前述無機汙泥透過清水之緩慢水流進行清洗，使無機汙泥中密度低於 1 之物質隨水流去除，以保留具有較高比重之無機汙泥；<br/> 步驟三：將經步驟二清洗後之高比重無機汙泥，利用離心機進行脫水，使該高比重無機汙泥之含水量控制於10%至20%之間；<br/> 步驟四：將經步驟三脫水後之高比重無機汙泥進行乾燥，以進一步去除水分，使該高比重無機汙泥呈粉末狀；<br/> 步驟五：將經乾燥後之高比重無機汙泥投入比重篩選機進行比重篩選，其中該比重篩選係設定於每立方公分 3.9 公克至 4.1 公克之比重範圍內進行篩選，以取得氧化鋁粉末。
一種圖像處理裝置，係具備：<br/> 設定部，係基於屬於包含在基準圖像平面中於第一方向延伸的第一圖案之區域的第一取樣圖像區域來設定針對前述第一圖案的第一參數，並基於屬於包含在前述基準圖像平面中於與前述第一方向正交的第二方向延伸的第二圖案之區域的第二取樣圖像區域來設定針對前述第二圖案的第二參數；<br/> 取得部，係取得試樣圖像，前述試樣圖像為藉由倍率或數值孔徑的至少任一者在前述第一方向與前述第二方向處不同之預定的拍攝光學系統拍攝試樣而得的拍攝圖像，前述試樣係具有將前述拍攝圖像的平面作為前述基準圖像平面時在前述拍攝圖像中於前述第一方向延伸的第三圖案以及於前述第二方向延伸的第四圖案；以及<br/> 處理部，係對前述試樣圖像進行基於前述第一參數以及前述第二參數之預定的資訊處理；<br/> 前述預定的資訊處理係包含下述處理：降低因倍率或數值孔徑的至少任一者在前述第一方向與前述第二方向處不同而產生之前述第一方向與前述第二方向的靈敏度差異。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述設定部係將前述第一參數設定成包含使用於前述試樣圖像所包含之前述第三圖案中的有無缺陷的判定之臨限值，並將前述第二參數設定成包含使用於前述試樣圖像所包含之前述第四圖案中的前述有無缺陷的判定之臨限值；<br/> 前述處理部係進行前述預定的資訊處理，前述預定的資訊處理係包含前述試樣圖像所包含之前述第三圖案以及前述第四圖案中的前述有無缺陷的判定。
如請求項2所記載之圖像處理裝置，其中前述試樣圖像係包含前述第三圖案以及前述第四圖案雙方；<br/> 前述處理部係進行前述預定的資訊處理，前述預定的資訊處理係包含前述試樣圖像所包含之前述第三圖案以及前述第四圖案中的前述有無缺陷的判定。
如請求項2所記載之圖像處理裝置，其中前述設定部係對針對前述試樣圖像的資訊之複數個類別的物理量設定前述臨限值。
如請求項4所記載之圖像處理裝置，其中前述設定部係以與作為前述第二參數而制定有前述臨限值之前述物理量不同之方式來設定作為前述第一參數而制定有前述臨限值之前述物理量的類別以及前述物理量的數量的至少任一者。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述第一取樣圖像區域以及前述第二取樣圖像區域的至少任一者為基於前述試樣的設計資料或者基於形成於前述試樣之圖案的設計資料所生成的圖像所包含之區域。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述第一取樣圖像區域為前述預定的拍攝光學系統針對具有前述第一圖案的對象物而得的前述拍攝圖像所包含之區域。
如請求項7所記載之圖像處理裝置，其中前述第一取樣圖像區域以及前述第二取樣圖像區域為前述預定的拍攝光學系統針對具有前述第一圖案以及前述第二圖案的對象物而得的前述拍攝圖像所包含之區域。
如請求項7所記載之圖像處理裝置，其中前述第一取樣圖像區域以及前述第二取樣圖像區域為前述預定的拍攝光學系統針對具有前述第一圖案的前述對象物而得的前述拍攝圖像所包含之區域；<br/> 包含前述第一取樣圖像區域的前述拍攝圖像的拍攝時之前述對象物相對於前述預定的拍攝光學系統之朝向以及包含前述第二取樣圖像區域的前述拍攝圖像的拍攝時之前述對象物相對於前述預定的拍攝光學系統之朝向係在前述對象物的主平面中相差90˚。
如請求項7所記載之圖像處理裝置，其中前述預定的拍攝光學系統係拍攝斜入射照明對於前述對象物所造成的圖像；<br/> 前述第一取樣圖像區域係包含於將前述斜入射照明的主軸投影至前述對象物的上表面之方向與前述第一方向所呈的角度為預定的角度時的前述拍攝圖像。
如請求項8所記載之圖像處理裝置，其中前述預定的拍攝光學系統係拍攝斜入射照明對於前述對象物所造成的圖像；<br/> 前述第一取樣圖像區域以及前述第二取樣圖像區域係包含於將前述斜入射照明的主軸投影至前述對象物的上表面之方向與前述第一方向所呈的角度為預定的角度時的前述拍攝圖像。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述預定的拍攝光學系統係拍攝斜入射照明對於前述試樣所造成的圖像；<br/> 前述試樣圖像為於將前述斜入射照明的主軸投影至前述試樣的上表面之方向與前述第一方向所呈的角度為預定的角度時藉由前述預定的拍攝光學系統而得的拍攝圖像。
如請求項12所記載之圖像處理裝置，其中前述試樣係包含變像遮罩。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述取得部係取得在前述第一方向與前述第二方向處像素重合之像素的數量不同的前述試樣圖像。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述預定的拍攝光學系統的數值孔徑係在前述第一方向與前述第二方向處不同。
如請求項1所記載之圖像處理裝置，其中前述設定部係將前述第一參數設定成包含前述試樣圖像所包含之屬於前述第三圖案之像素的亮度的校正值，並將前述第二參數設定成包含前述試樣圖像所包含之屬於前述第四圖案之像素的亮度的校正值；<br/> 前述處理部係進行包含前述試樣圖像的圖像校正之前述預定的資訊處理。
一種圖像處理裝置，係具備：<br/> 設定部，係基於第一取樣圖像區域以及第二取樣圖像區域來設定圖像變換參數，前述第一取樣圖像區域為包含在基準圖像平面中於第一方向延伸的第一圖案之區域，前述第二取樣圖像區域為包含在前述基準圖像平面中於與前述第一方向正交的第二方向延伸的第二圖案之區域；<br/> 取得部，係取得試樣圖像，前述試樣圖像為藉由倍率或數值孔徑的至少任一者在前述第一方向與前述第二方向處不同之預定的拍攝光學系統拍攝試樣而得的拍攝圖像；以及<br/> 處理部，係對前述試樣圖像或者基於前述試樣圖像之圖像進行應用前述圖像變換參數之預定的資訊處理。
一種圖像處理裝置，係具備：<br/> 取得部，係取得拍攝圖像，前述拍攝圖像係藉由倍率或數值孔徑的至少任一者在基準圖像平面中於第一方向以及與前述第一方向正交的第二方向處不同之預定的拍攝光學系統拍攝對象物而得；<br/> 設定部，係基於下述兩個亮度分布來設定圖像變換參數：基於在前述對象物與前述預定的拍攝光學系統之間的相對朝向為預定的朝向之情形中的前述對象物的拍攝圖像以及與前述拍攝圖像對應的參照圖像的比較之圖像中的注目區域中，將基於前述比較之圖像的平面作為前述基準圖像平面時之沿著前述第一方向的亮度分布；以及在基於前述對象物與前述預定的拍攝光學系統之間的相對朝向為與前述預定的朝向相差略90˚的朝向之情形中的前述對象物的拍攝圖像以及與前述拍攝圖像對應的參照圖像的比較之圖像中，將屬於與前述注目區域對應的區域之旋轉注目區域中之將基於前述比較之圖像的平面作為前述基準圖像平面時之沿著前述第二方向的亮度分布；以及<br/> 處理部，係對屬於前述預定的拍攝光學系統所得的試樣的拍攝圖像之試樣圖像或者基於前述試樣圖像之圖像進行應用前述圖像變換參數之預定的資訊處理。
如請求項17或18所記載之圖像處理裝置，其中前述圖像變換參數係包含：核函數，係具有與前述第一方向以及前述第二方向對應的二維的參數，且前述參數的分布態樣在前述第一方向以及前述第二方向處為非對稱。
一種光學裝置，係具備：<br/> 照明光學系統，係照明試樣；<br/> 預定的拍攝光學系統，係拍攝被照明的前述試樣；以及<br/> 如請求項1至18中任一項所記載之圖像處理裝置。
一種圖像處理方法，係具備下述步驟：<br/> 基於屬於包含在基準圖像平面中於第一方向延伸的第一圖案之區域的第一取樣圖像區域來設定針對前述第一圖案的第一參數；<br/> 基於屬於包含在前述基準圖像平面中於與前述第一方向正交的第二方向延伸的第二圖案之區域的第二取樣圖像區域來設定針對前述第二圖案的第二參數；<br/> 取得試樣圖像，前述試樣圖像為藉由倍率或數值孔徑的至少任一者在前述第一方向與前述第二方向處不同之預定的拍攝光學系統拍攝試樣而得的拍攝圖像，前述試樣係具有將前述拍攝圖像的平面作為前述基準圖像平面時在前述拍攝圖像中於前述第一方向延伸的第三圖案以及於前述第二方向延伸的第四圖案；以及<br/> 對前述試樣圖像進行基於前述第一參數以及前述第二參數之預定的資訊處理；<br/> 前述預定的資訊處理係包含下述處理：降低因倍率或數值孔徑的至少任一者在前述第一方向與前述第二方向處不同而產生之前述第一方向與前述第二方向的靈敏度差異。
一種圖像處理方法，係具備下述步驟：<br/> 基於第一取樣圖像區域以及第二取樣圖像區域來設定圖像變換參數，前述第一取樣圖像區域為包含在基準圖像平面中於第一方向延伸的第一圖案之區域，前述第二取樣圖像區域為包含在前述基準圖像平面中於與前述第一方向正交的第二方向延伸的第二圖案之區域；<br/> 取得試樣圖像，前述試樣圖像為藉由倍率或數值孔徑的至少任一者在前述第一方向與前述第二方向處不同之預定的拍攝光學系統拍攝試樣而得的拍攝圖像；以及<br/> 對前述試樣圖像或者基於前述試樣圖像之圖像進行應用前述圖像變換參數之預定的資訊處理。
一種圖像處理方法，係具備下述步驟：<br/> 取得拍攝圖像，前述拍攝圖像係藉由倍率或數值孔徑的至少任一者在基準圖像平面中於第一方向以及與前述第一方向正交的第二方向處不同之預定的拍攝光學系統拍攝對象物而得；<br/> 基於下述兩個亮度分布來設定圖像變換參數：基於在前述對象物與前述預定的拍攝光學系統之間的相對朝向為預定的朝向之情形中的前述對象物的拍攝圖像以及與前述拍攝圖像對應的參照圖像的比較之圖像中的注目區域中，將基於前述比較之圖像的平面作為前述基準圖像平面時之沿著前述第一方向的亮度分布；以及在基於前述對象物與前述預定的拍攝光學系統之間的相對朝向為與前述預定的朝向相差略90˚的朝向之情形中的前述對象物的拍攝圖像以及與前述拍攝圖像對應的參照圖像的比較之圖像中，將屬於與前述注目區域對應的區域之旋轉注目區域中之將基於前述比較之圖像的平面作為前述基準圖像平面時之沿著前述第二方向的亮度分布；以及<br/> 對屬於前述預定的拍攝光學系統所得的試樣的拍攝圖像之試樣圖像或者基於前述試樣圖像之圖像進行應用圖像變換參數之預定的資訊處理。
如請求項22或23所記載之圖像處理方法，其中前述圖像變換參數係包含：核函數，係具有與前述第一方向以及前述第二方向對應的二維的參數，且前述參數的分布態樣在前述第一方向以及前述第二方向處為非對稱。
一種光學裝置的利用方法，係具備：<br/> 照明試樣之步驟；<br/> 拍攝被照明的前述試樣之步驟；以及<br/> 如請求項21至23中任一項所記載之圖像處理方法。
一種壓縮機補氣裝置，包括： <br/>一吸入口流道； <br/>一一級葉輪，連通於該吸入口流道； <br/>一二級葉輪； <br/>一回流彎道流道，連通於該一級葉輪與該二級葉輪之間，其中該回流彎道流道包括一出口流道與一注射流道，該出口流道連通於該注射流道，該注射流道連通該二級葉輪；以及 <br/>一補氣流道結構，包括一補氣通道，該補氣通道連通該注射流道，其中該補氣通道的一流向與該出口流道的一流向相同，且該補氣通道的一延伸方向平行於該出口流道的一延伸方向。
如請求項1所述的壓縮機補氣裝置，更包括： <br/>一回流導葉； <br/>一回流彎道，其一側與該回流導葉之間構成該出口流道，該回流彎道之另一側包括一環狀注射結構；以及 <br/>一流體寬度調節元件，包括一寬度件，該環狀注射結構與該寬度件之間構成該補氣通道，且該補氣通道具有一補氣通道間距。
如請求項2所述的壓縮機補氣裝置，其中該回流彎道包括一本體，該環狀注射結構設於該本體之內，該環狀注射結構的一厚度小於該本體的一厚度。
如請求項2所述的壓縮機補氣裝置，其中該環狀注射結構之前端設置一導流部。
如請求項2所述的壓縮機補氣裝置，其中該寬度件之一外側面為一弧形結構。
如請求項2所述的壓縮機補氣裝置，更包括： <br/>一渦殼，包括一渦道前蓋，該流體寬度調節元件設於該渦道前蓋之一側。
如請求項1所述的壓縮機補氣裝置，其中該回流彎道流道還包括一流入流道、以及一轉彎流道，該流入流道連通該一級葉輪，該轉彎流道連通於該流入流道與該出口流道之間，該流入流道的一流向與該出口流道的該流向相反。
如請求項1所述的壓縮機補氣裝置，其中該一級葉輪與該二級葉輪分別為一級離心式葉輪與二級離心式葉輪。
一種注入機構，包括請求項1至請求項8中任一項的壓縮機補氣裝置。
如請求項9所述的注入機構，該注入機構為一壓縮機，該壓縮機包含雙段或三段以上壓縮。
一種平行式環狀注射結構，用於一壓縮機補氣裝置，所述壓縮機補氣裝置包括一一級葉輪、一二級葉輪、以及一回流彎道流道，該回流彎道流道連通於該一級葉輪與該二級葉輪之間，其中該回流彎道流道包括一出口流道與一注射流道，該出口流道連通於該注射流道，該注射流道連通該二級葉輪，該平行式環狀注射結構包括： <br/>一回流彎道，包括一環狀注射結構；以及 <br/>一流體寬度調節元件，包括一寬度件，該環狀注射結構與該寬度件之間構成一補氣通道，且該補氣通道具有一補氣通道間距，該補氣通道連通該注射流道，其中該補氣通道的一流向與該出口流道的一流向相同，且該補氣通道的一延伸方向平行於該出口流道的一延伸方向。
如請求項11所述的平行式環狀注射結構，其中該回流彎道包括一本體，該環狀注射結構設於該本體之內，該環狀注射結構的一厚度小於該本體的一厚度。
如請求項11所述的平行式環狀注射結構，其中該環狀注射結構之前端設置一導流部，該導流部的一厚度小於該環狀注射結構的一厚度。
如請求項11所述的平行式環狀注射結構，其中該寬度件之一外側面為一弧形結構。
一種用於一電腦裝置的組件模組，該組件模組包括：<br/> 一支撐板；<br/> 一連接器，可插入該電腦裝置的一主機板上的一插槽中；<br/> 一可旋轉栓件，裝設於該支撐板上，該可旋轉栓件具有一鎖固位置及一釋放位置，該鎖固位置卡接該電腦裝置的該主機板上的一鎖固螺帽，以固定該組件模組於該主機板，及該釋放位置脫離與該鎖固螺帽之卡接，以讓該組件模組從該主機板釋放，該可旋轉栓件卡接裝設於該主機板的上方的一頂蓋上的一銷，以使該可旋轉栓件旋轉至該鎖固位置；<br/> 一保護圓柱，附接於該支撐板，當該組件模組固定於該主機板時，該保護圓柱位於該鎖固螺帽的上方；以及<br/> 一頂板，該頂板在垂直方向中附接於該支撐板。
如請求項1所述之組件模組，更包括一彈簧與一電路板，該彈簧提供彈簧力以偏壓(bias)該可旋轉栓件至該釋放位置，該電路板設置而平行於該支撐板，該連接器為一金手指連接器，位於該電路板的一邊緣上。
如請求項1所述之組件模組，更包括一圖形處理單元(graphic processing unit，GPU)、一中央處理單元(central processing unit，CPU)、一固態儲存裝置(solid state storage device，SSD)、或一網路介面卡(network interface card，NIC)之其中一者。
如請求項1所述之組件模組，其中該可旋轉栓件繞著一設定螺絲(setting screw)旋轉，該設定螺絲附接於該支撐板，該可旋轉栓件包括一卡接凸緣，該卡接凸緣具有一半圓形切口，以卡接該鎖固螺帽。
一種電腦裝置，包括：<br/> 一機殼，包括二側壁；<br/> 一主機板，固定於該機殼中的該二側壁之間，該主機板包括一連接器插槽及一鎖固螺帽；<br/> 一頂蓋，可插入該機殼的上方的該二側壁之間，該頂蓋包括從其延伸的一銷；以及<br/> 一組件模組，具有：<br/> 一支撐板；<br/> 一連接器，可插入該主機板的該連接器插槽中；及<br/> 一可旋轉栓件，裝設於該支撐板上，該可旋轉栓件具有一鎖固位置及一釋放位置，該鎖固位置卡接該鎖固螺帽，以固定該組件模組於該主機板，該釋放位置脫離與該鎖固螺帽之卡接，該可旋轉栓件卡接該頂蓋的該銷，以使該可旋轉栓件旋轉至該鎖固位置；一保護圓柱，附接於該支撐板，當該組件模組固定於該主機板時，該保護圓柱位於該鎖固螺帽的上方；及<br/> 一頂板，該頂板在垂直方向中附接於該支撐板。
如請求項5所述之電腦裝置，其中該組件模組包括一彈簧與一電路板，該彈簧提供彈簧力以偏壓(bias)該可旋轉栓件至該釋放位置，該電路板平行於該支撐板，該連接器為一金手指連接器，位於該電路板的一邊緣上。
如請求項5所述之電腦裝置，其中該組件模組包括一圖形處理單元(graphic processing unit，GPU)、一中央處理單元(central processing unit，CPU)、一固態儲存裝置(solid state storage device，SSD)、或一網路介面卡(network interface card，NIC)之其中一者。
如請求項5所述之電腦裝置，其中該可旋轉栓件繞著一設定螺絲(setting screw)旋轉，該設定螺絲附接於該支撐板，該可旋轉栓件包括一卡接凸緣，該卡接凸緣具有一半圓形切口，以卡接該鎖固螺帽。
如請求項5所述之電腦裝置，其中該主機板更包括另一連接器插槽及另一鎖固螺帽，該組件模組可插入該另一連接器插槽中，該頂蓋更包括另一銷，該另一銷對齊於該另一連接器插槽，以在該組件模組插入該另一連接器插槽中時卡接該可旋轉栓件。
一種耦合偏壓器，其係為一種用於通訊電路之偏壓器結構，該耦合偏壓器係包括：一本體，係具有一第一表面及一第二表面，於該第一表面設置有一貫穿該第一表面，及第二表面之一貫穿開孔；一第一導線，係以一固定形狀設置於該第一表面，且該第一導線分別具有一第一端點，及對應該貫穿開孔設置之一第二端點；以及一第二導線，係設置於對應該第二端點之該貫穿開孔內，將該第二導線電性連接一通訊電路，透過該第一導線與該通訊電路產生耦合作用，透過耦合偏壓方式，改變該通訊電路之振盪頻率，進一步達到調整該通訊頻寬之目的。
如申請專利範圍第1項所述之耦合偏壓器，其中，該本體係為一板體。
如申請專利範圍第1項所述之耦合偏壓器，其中，該本體係為氮化矽、氮化鎵或碳化矽其中一種材料。
如申請專利範圍第1項所述之耦合偏壓器，其中，該第一導線係以八角形、圓形或正方形纏繞方式設置。
如申請專利範圍第1項所述之耦合偏壓器，其中，該第一導線及該第二導線，係以薄膜製程來製作。
一種通訊電路功率調整方法，其係為一種用於調整該通訊電路頻寬之方法，該方法步驟係包括：提供一具有一第一表面及一第二表面之本體；於該第一表面形成一具有一第一端點，及一第二端點之第一導線，將該第一端點電性連接一外部電源；將第二端點電性連接一通訊電路，俾使該第一導線與該通訊電路產生耦合作用，透過耦合偏壓方式，改變該通訊電路之振盪頻率，進一步達到調整該通訊頻寬之目的。
如申請專利範圍第6項所述之通訊電路功率調整方法，其中，該本體係為一板體。
如申請專利範圍第6項所述之通訊電路功率調整方法，其中，該通訊電路係為射頻、藍牙、GPS及WiFi等其中一種。
如申請專利範圍第6項所述之通訊電路功率調整方法，其中，該第一導線係以八角形、圓形或正方形纏繞方式設置。
如申請專利範圍第6項所述之通訊電路功率調整方法，其中，該第一導線，係以薄膜製程來製作。
一種用於實體會議的音訊處理方法，藉由一使用端裝置來實施，該使用端裝置由一與會人員所持有並持續感測一實體會議中該與會人員之語音以產生一連串音訊資料並持續接收來自至少一其他使用端裝置的至少一連串發言資料，該使用端裝置儲存有一對應於一呈現格式的會議紀錄範本，該用於實體會議的音訊處理方法包含以下步驟：<br/> (A)當接收到一音訊資料時，將該音訊資料進行分割，以獲得該音訊資料的至少一音訊片段；<br/> (B)對於每一音訊片段，將該音訊片段進行一語音辨識處理，以獲得該音訊片段的一文字內容，並儲存該音訊片段及其對應之文字內容；<br/> (C)根據該至少一音訊片段及其對應之文字內容產生另一發言資料並傳送至其他使用端裝置；<br/> (D)當接收到來自任一其他使用端裝置的一發言資料時，依序地儲存該發言資料；<br/> (E)根據該實體會議中所有音訊片段所對應的所有文字內容獲得一會議摘要內容，該會議摘要內容包含從所有文字內容所摘錄的多個摘錄內容；<br/> (F)根據至少一對應於該等摘錄內容中之至少一重點摘錄內容的摘記輸入訊號，產生至少一對應於該至少一重點摘錄內容的會議摘記；及<br/> (G)根據該至少一會議摘記產生一會議紀錄，並將對應該至少一會議摘記之重點摘錄內容的音訊片段嵌入該會議紀錄，其中，還根據該會議記錄範本產生該會議紀錄，並根據該會議記錄範本將對應該至少一會議摘記的音訊片段嵌入該會議紀錄。
如請求項1所述的用於實體會議的音訊處理方法，其中，在步驟(G)中，還根據該實體會議之會議資訊中的一會議時間與多個與會人員名稱產生該會議紀錄。
一種用於實體會議的音訊處理方法，藉由一使用端裝置來實施，該使用端裝置由一與會人員所持有並持續感測一實體會議中該與會人員之語音以產生一連串音訊資料並持續接收來自至少一其他使用端裝置的至少一連串發言資料，該使用端裝置儲存有一指示出所對應之使用端裝置所設定之語言的設定語言類別，該用於實體會議的音訊處理方法包含以下步驟：<br/> (A)當接收到一音訊資料時，將該音訊資料進行分割，以獲得該音訊資料的至少一音訊片段；<br/> (B)對於每一音訊片段，將該音訊片段進行一語音辨識處理，以獲得該音訊片段的一文字內容，並儲存該音訊片段及其對應之文字內容；<br/> (C)根據該至少一音訊片段及其對應之文字內容產生另一發言資料並傳送至其他使用端裝置；<br/> (D)當接收到來自任一其他使用端裝置的一發言資料時，依序地儲存該發言資料，其中，步驟(D)包含以下子步驟<br/> (D-1)當接收到來該發言資料時，判定該發言資料中之文字內容的一發言語言類別是否相同於該設定語言類別，<br/> (D-2)當判定出該發言語言類別相同於該設定語言類別時，依序地儲存該發言資料，及<br/> (D-3)當判定出該發言語言類別相異於該設定語言類別時，將該發言資料中之文字內容轉譯為對應該設定語言類別的一轉譯內容，以獲得一轉譯後的發言資料，並依序地儲存該轉譯後的發言資料；<br/> (E)根據該實體會議中所有音訊片段所對應的所有文字內容獲得一會議摘要內容，該會議摘要內容包含從所有文字內容所摘錄的多個摘錄內容；<br/> (F)根據至少一對應於該等摘錄內容中之至少一重點摘錄內容的摘記輸入訊號，產生至少一對應於該至少一重點摘錄內容的會議摘記；以及<br/> (G)根據該至少一會議摘記產生一會議紀錄，並將對應該至少一會議摘記之重點摘錄內容的音訊片段嵌入該會議紀錄。
一種用於實體會議的音訊處理方法，藉由一使用端裝置來實施，該使用端裝置由一與會人員所持有並持續感測一實體會議中該與會人員之語音以產生一連串音訊資料並持續接收來自至少一其他使用端裝置的至少一連串發言資料，該用於實體會議的音訊處理方法包含以下步驟：<br/> (A)當接收到一音訊資料時，將該音訊資料進行分割，以獲得該音訊資料的至少一音訊片段；<br/> (B)對於每一音訊片段，將該音訊片段進行一語音辨識處理，以獲得該音訊片段的一文字內容，並儲存該音訊片段及其對應之文字內容；<br/> (C)根據該至少一音訊片段及其對應之文字內容產生另一發言資料並傳送至其他使用端裝置；<br/> (D)當接收到來自任一其他使用端裝置的一發言資料時，依序地儲存該發言資料；<br/> (E)根據該實體會議中所有音訊片段所對應的所有文字內容獲得一會議摘要內容，該會議摘要內容包含從所有文字內容所摘錄的多個摘錄內容；<br/> (F)根據該會議摘要內容，自該會議摘要內容中之摘錄內容選取出至少一待執行內容；<br/> (G)對於每一待執行內容，進行語意分析以獲得一待執行工作資料，每一待執行工作資料包含一待執行人員、一待執行事項及一待執行時間；<br/> (H)根據至少一對應於該等摘錄內容中之至少一重點摘錄內容的摘記輸入訊號，產生至少一對應於該至少一重點摘錄內容的會議摘記；及<br/> (I)根據該至少一會議摘記產生一會議紀錄，並將對應該至少一會議摘記之重點摘錄內容的音訊片段嵌入該會議紀錄。
如請求項4所述的用於實體會議的音訊處理方法，其中，在步驟(I)中，還根據該至少一待執行工作資料產生該會議紀錄，並將對應該待執行工作資料之摘錄內容的音訊片段嵌入該會議紀錄。
如請求項1所述的用於實體會議的音訊處理方法，該使用端裝置還訊號連接一運算裝置，在步驟(C)中，還將該另一發言資料並傳送至該運算裝置。
一種用於實體會議的音訊處理方法，藉由一使用端裝置來實施，該使用端裝置由一與會人員所持有並持續感測一實體會議中該與會人員之語音以產生一連串音訊資料並持續接收來自至少一其他使用端裝置的至少一連串發言資料，該用於實體會議的音訊處理方法包含以下步驟：<br/> (A)當接收到一音訊資料時，將該音訊資料進行分割，以獲得該音訊資料的至少一音訊片段；<br/> (B)對於每一音訊片段，將該音訊片段進行一語音辨識處理，以獲得該音訊片段的一文字內容，並儲存該音訊片段及其對應之文字內容；<br/> (C)根據該至少一音訊片段及其對應之文字內容產生另一發言資料並傳送至其他使用端裝置；<br/> (D)當接收到來自任一其他使用端裝置的一發言資料時，依序地儲存該發言資料；<br/> (E)在接收到一包含一檢索關鍵字的檢索請求後，根據該檢索關鍵字，自所儲存的所有文字內容獲得對應有該檢索關鍵字的至少一目標文字內容及其對應的音訊片段；<br/> (F)根據該實體會議中所有音訊片段所對應的所有文字內容獲得一會議摘要內容，該會議摘要內容包含從所有文字內容所摘錄的多個摘錄內容；<br/> (G)根據至少一對應於該等摘錄內容中之至少一重點摘錄內容的摘記輸入訊號，產生至少一對應於該至少一重點摘錄內容的會議摘記；及<br/> (H)根據該至少一會議摘記產生一會議紀錄，並將對應該至少一會議摘記之重點摘錄內容的音訊片段嵌入該會議紀錄。
一種用於實體會議的音訊處理方法，藉由一使用端裝置來實施，該使用端裝置由一與會人員所持有並持續感測一實體會議中該與會人員之語音以產生一連串音訊資料並持續接收來自至少一其他使用端裝置的至少一連串發言資料，該用於實體會議的音訊處理方法包含以下步驟：<br/> (A)將該使用端裝置之一白噪音參數設定為一第一參數及一第二參數之其中一者，其中，當該使用端裝置與其他使用端裝置彼此間之間隔處於一第一距離範圍內時，將該使用端裝置之該白噪音參數設定為該第一參數，當該使用端裝置與其他使用端裝置彼此間之間隔處於一第二距離範圍內時，將該使用端裝置之該白噪音參數設定為該第二參數；<br/> (B)當接收到一音訊資料時，將該音訊資料進行分割，以獲得該音訊資料的至少一音訊片段；<br/> (C)對於每一音訊片段，將該音訊片段進行一語音辨識處理，以獲得該音訊片段的一文字內容，並儲存該音訊片段及其對應之文字內容；<br/> (D)根據該至少一音訊片段及其對應之文字內容產生另一發言資料並傳送至其他使用端裝置；<br/> (E)當接收到來自任一其他使用端裝置的一發言資料時，依序地儲存該發言資料；<br/> (F)根據該實體會議中所有音訊片段所對應的所有文字內容獲得一會議摘要內容，該會議摘要內容包含從所有文字內容所摘錄的多個摘錄內容；<br/> (G)根據至少一對應於該等摘錄內容中之至少一重點摘錄內容的摘記輸入訊號，產生至少一對應於該至少一重點摘錄內容的會議摘記；及<br/> (H)根據該至少一會議摘記產生一會議紀錄，並將對應該至少一會議摘記之重點摘錄內容的音訊片段嵌入該會議紀錄。
一種家具（1），包括：<br/> - 一家具主體（2），<br/> - 至少一個門配置（3），該至少一個門配置（3）包括一旋轉門（10）、折疊門和/或折疊推拉門（11），以便在該至少一個門配置（3）的一閉合位置（4）上至少部分地遮蓋該家具主體（2），還包括一支架（13），該旋轉門（10）、折疊門和/或折疊旋轉門（11）安裝在該支架（13）上，以及<br/> - 至少一個電氣驅動裝置（6），用於向該至少一個門配置（3）施加作用力，其中該至少一個門配置（3）可藉由該至少一個電氣驅動裝置（6）至少部分地在一閉合位置（4）和一打開位置（9）之間以及/或者在一打開位置（9）和相對於一收納倉（17）的一縮回位置（16）之間移動，<br/> 其特徵在於：該至少一個電氣驅動裝置（6）安裝在該支架（13）上。
如請求項1所述的家具（1），其中該旋轉門（10）可圍繞在該家具的使用位置上垂直的一軸線樞轉。
如請求項1所述的家具（1），其中該至少一個門配置（3）在該至少一個門配置（3）的該閉合位置（4）上至少部分地遮蓋該家具主體（2）的由該家具主體（2）所界定的一內部空間。
如請求項1所述的家具（1），其中該家具（1）包含至少一個拉索傳動裝置（5），其中該至少一個拉索傳動裝置（5）包括該至少一個驅動裝置（6）和可由該至少一個驅動裝置（6）施加作用力的至少一個拉索（7），其中該至少一個拉索（7）佈置或可佈置在該至少一個門配置（3）上，使得該至少一個門配置（3）可藉由該至少一個拉索傳動裝置（5）進行移動。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該旋轉門（10）、折疊門和/或折疊推拉門（11）佈置在該至少一個門配置（3）的該支架（13）和/或至少一個滑架（22）上。
如請求項5所述的家具（1），其中該旋轉門（10）、折疊門和/或折疊推拉門（11）藉由一鉸鏈條（12）佈置在該至少一個門配置（3）的該支架（13）和/或該至少一個滑架（22）上。
如請求項5所述的家具（1），其中該至少一個滑架（22）可沿著一第一導軌（14）在該打開位置（9）和該閉合位置（4）之間平移以及/或者該支架（13）可沿著一第二導軌（15）在該打開位置（9）和該家具主體（2）側旁的一縮回位置（16）之間平移。
如請求項7所述的家具（1），其中該第二導軌（15）係正交於該第一導軌（14）佈置。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該收納倉（17）包括至少一個頂出裝置（18），用於在朝著該打開位置（9）的方向上頂出該至少一個門配置（3），其中該至少一個頂出裝置（18）的一頂出蓄能器（19）可藉由由該至少一個電氣驅動裝置（6）所傳遞的該至少一個門配置（3）在朝著該縮回位置（16）的方向上的一運動來充能。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該至少一個驅動裝置（6）是固定地佈置在該收納倉（17）內，以及/或者與該至少一個門配置（3）運動耦接。
如請求項10所述的家具（1），其中該至少一個驅動裝置（6）是固定地佈置在該收納倉（17）的一後部區域內。
如請求項10所述的家具（1），其中該至少一個驅動裝置（6）與一可能存在的支架（13）運動耦接。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該至少一個門配置（3）可藉由該至少一個電氣驅動裝置（6）<br/> - 從一打開位置（9）或一部分縮回位置開始，朝著一縮回位置（16）的方向移動，以及/或者<br/> - 從該縮回位置（16）或該部分縮回位置開始，朝著該打開位置（9）的方向移動。
如請求項13所述的家具（1），其中該至少一個門配置（3）可藉由該至少一個電氣驅動裝置（6）從一打開位置（9）或該部分縮回位置開始移動到該縮回位置（16）。
如請求項13所述的家具（1），其中該至少一個門配置（3）可藉由該至少一個電氣驅動裝置（6）從該縮回位置（16）或該部分縮回位置開始移動到該打開位置（9）。
如請求項4所述的家具（1），其中用於該至少一個拉索（7）的至少一個偏轉裝置（21）佈置在該家具主體（2）上以及/或者佈置在該收納倉（17）中。
如請求項16所述的家具（1），其中用於該至少一個拉索（7）的該至少一個偏轉裝置（21）佈置在視情況而設置的一導軌（14、15）上。
如請求項5所述的家具（1），其中該至少一個拉索（7）佈置在該至少一個滑架（22）上，以及/或者該至少一個滑架（22）包括至少一個樞轉桿（23），其中該至少一個樞轉桿（23）可樞轉地佈置在該至少一個滑架（22）上並且可與該至少一個門配置（3）接觸。
如請求項18所述的家具（1），其中該至少一個拉索（7）佈置在該至少一個樞轉桿（23）上。
如請求項19所述的家具（1），其中該至少一個樞轉桿（23）的一樞轉運動受到該至少一個滑架（22）的限制以及/或者被限制在5°至15°的門配置打開角度（25）範圍內。
如請求項20所述的家具（1），其中該至少一個樞轉桿（23）的該樞轉運動受到佈置在該至少一個滑架（22）上的一止動件（24）的限制。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該至少一個驅動裝置（6）可藉由一開關（26）激活。
如請求項22所述的家具（1），其中該開關（26）係佈置於該家具主體（2）或該至少一個門配置（3）上。
如請求項22所述的家具（1），其中該至少一個驅動裝置（6）可藉由處於閉合位置（4）的該至少一個門配置（3）的過推運動來激活，以及/或者可藉由接觸或以電容方式來激活。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該至少一個門配置（3）可藉由該至少一個電氣驅動裝置（6）在該閉合位置（4）和該打開位置（9）之間完全地展開和/或折疊或翻開和/或合攏，以及/或者該至少一個門配置（3）包括一折疊門和/或折疊推拉門（11），其中該折疊門和/或折疊推拉門（11）包括一鉸鏈（27），其中該鉸鏈（27）將該折疊門和/或折疊推拉門（11）的門頁（28）相互連接以及包括一鉸鏈蓄能器（30），以支持該至少一個門配置（3）朝著該閉合位置（4）的方向上的一移動，其中該鉸鏈蓄能器（30）可藉由由該至少一個電氣驅動裝置（6）所傳遞的該至少一個門配置（3）朝著該打開位置（9）方向上的一運動來充能。
如請求項1至4中之一者所述的家具（1），其中該至少一個電氣驅動裝置（6）佈置於至少一個齒輪聯動機構（31）上，該至少一個齒輪聯動機構（31）與該至少一個電氣驅動裝置（6）在空間上分離。
如請求項26所述的家具（1），其中該至少一個電氣驅動裝置（6）藉由該至少一個齒輪聯動機構（31）而佈置於該至少一個門配置（3）和/或該支架（13）上以及/或者佈置在至少一個支架鉸鏈（33）上。
如請求項27所述的家具（1），其中該至少一個電氣驅動裝置（6）佈置在該鉸鏈條（12）上。
如請求項27所述的家具（1），其中該至少一個電氣驅動裝置（6）藉由佈置於該至少一個門配置（3）上的一型材軌道（32）而佈置於該至少一個門配置（3）和/或該支架（13）上以及/或者佈置在該至少一個支架鉸鏈（33）上。
如請求項29所述的家具（1），其中該至少一個電氣驅動裝置（6）佈置在該鉸鏈條（12）上。
如請求項4所述的家具（1），其中該至少一個拉索傳動裝置（5）包括至少一個滑輪組（34），該至少一個滑輪組（34）用於減少該至少一根拉索（7）作用於該至少一個門配置（3）上的一作用力。
一種用於移動如請求項1至31中任一項所述的家具（1）的至少一個門配置（3）的方法，其中該至少一個門配置（3）藉由該至少一個電氣驅動裝置（6）<br/> - 在該閉合位置（4）和該打開位置（9）之間移動，其中至少該至少一個電氣驅動裝置（6）的至少一個罩殼相對於該家具主體（2）保持靜止，或者<br/> - 在該打開位置（9）和該縮回位置（16）之間移動，其中該至少一個電氣驅動裝置（6）與該支架（13）以運動耦合的方式一起移動。
一種承載結構，包括： <br/>一基板； <br/>一絕緣層，位於該基板上； <br/>一第一線路，位於該絕緣層上； <br/>一第二線路，位於該絕緣層上並與該第一線路分開； <br/>一第一末端墊，電性連接至該第一線路； <br/>一第二末端墊，電性連接至該第二線路；以及 <br/>一功能裝置單元，包括一功能裝置、一第一電極電性連接至該功能裝置、一第二電極電性連接至該功能裝置，以及一絕緣組件覆蓋該功能裝置，該功能裝置單元接合至該第一線路與該第二線路，使一間隙定義於該功能裝置單元與該絕緣層之間，其中 <br/>該第一電極電性耦接至該第一線路；以及 <br/>該第二電極電性耦接至該第二線路， <br/>該功能裝置單元包括朝向該絕緣層的一平坦表面，且該平坦表面由該絕緣組件、該第一電極、與該第二電極所構成， <br/>該平坦表面由該絕緣組件、該第一電極與該第一線路接合的接合面、及該第二電極與該第二線路接合的接合面所構成。
如請求項1所述之承載結構，其中 <br/>該絕緣層包括一開口自該絕緣層其面向該功能裝置單元的表面朝該絕緣層其面向該基板的表面穿過該絕緣層，以及 <br/>該第一線路或該第二線路的至少一者經由該開口電性連接至該第一電極或該第二電極。
如請求項2所述之承載結構，其中 <br/>該開口在該絕緣層其面向該功能裝置單元的表面中的尺寸，小於該第一電極其面向該絕緣層的平坦表面的尺寸，並小於該第二電極其面向該絕緣層的平坦表面的尺寸，以及 <br/>該第一線路或該第二線路的至少一者包括一接合表面延伸於該絕緣層其面向該功能裝置單元的表面上。
如請求項2或3所述之承載結構，其中 <br/>該絕緣層其面向該功能裝置單元的表面中的該開口的位置，在垂直於該絕緣層其面向該功能裝置單元的表面的方向中不與該第一電極與該第二電極重疊，以及 <br/>該第一線路或該第二線路的至少一者包括一接合表面延伸於該絕緣層其面向該功能裝置單元的表面上。
如請求項1至3中任一項所述的承載結構中，其中 <br/>該第一線路接合至該第一電極與該絕緣組件，以及 <br/>該第二線路接合至該第二電極與該絕緣組件。
如請求項5所述之承載結構，其中 <br/>該第一線路與該第二線路各自為無機物質，且該絕緣組件為有機物質。
如請求項1至3中任一項所述之承載結構，其中 <br/>接合至該第一電極且自該絕緣層朝該功能裝置單元突起的該第一線路的一部份的一第一高度，實質上等於接合至該第二電極且自該絕緣層朝該功能裝置單元突起的該第二線路的一部分的一第二高度。
如請求項1至3中任一項所述之承載結構，其中 <br/>該第一線路包括多個第一線路，該第二線路包括多個第二線路，且該些第一線路與該些第二線路位於該絕緣層上，以及 <br/>該功能裝置單元包括多個功能裝置單元，且該些功能裝置單元接合至該些第一線路與該些第二線路。
如請求項1至3中任一項所述之承載結構，其中 <br/>該第一線路與該第二線路接觸該功能裝置單元的該平坦表面的面積，小於或等於該平坦表面的面積的90%。
一種製作電子裝置的方法，包括下述步驟： <br/>準備一承載結構，該承載結構包括一基板，一絕緣層位於該基板上，一第一線路位於該絕緣層上，一第二線路位於該絕緣層上並與該第一線路分開，一第一末端墊電性連接至該第一線路，一第二末端墊電性連接至該第二線路，以及一功能裝置單元含有一功能裝置、一第一電極電性連接至該功能裝置、一第二電極電性連接至該功能裝置、以及一絕緣組件覆蓋該功能裝置，該第一電極電性連接至該第一線路，且該第二電極電性連接至該第二線路； <br/>採用該第一末端墊與該第二末端墊檢測該功能裝置單元； <br/>自該第一線路與該第二線路剝離該功能裝置單元；以及 <br/>將剝離的該功能裝置單元接合至一裝置板。
如請求項10所述之製作電子裝置的方法，更包括下述步驟： <br/>當檢測該功能裝置單元的步驟發現該功能裝置中的缺陷時，自該第一線路與該第二線路剝離具有缺陷的該功能裝置單元，並接合不同於剝離的該功能裝置單元的另一功能裝置單元至該第一線路與該第二線路。
如請求項10或11所述之製作電子裝置的方法，其中 <br/>該功能裝置單元接合至該第一線路與該第二線路，使一間隙定義於該功能裝置單元與該絕緣層之間。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 複數個記憶體單元，該些記憶體單元中的每一者用以存儲一資料位元；<br/> 一第一互連結構，可操作地用作一位元線且耦合至該些記憶體單元中的每一者；<br/> 一第二互連結構，可操作地用以承載一電源電壓且耦合至該些記憶體單元中的每一者；及<br/> 一源極/汲極接觸結構，電耦合至該第一互連結構或該第二互連結構，<br/> 其中當該些記憶體單元中的一第一記憶體單元包含一第一通道結構時，由該第一記憶體單元存儲的該資料位元呈現一第一邏輯狀態，其中該第一通道結構的一第一端連接至一介電結構，且其中該源極/汲極接觸結構與該介電結構直接實體接觸但與該介電結構電隔離。
如請求項1所述的記憶體裝置，其中該些記憶體單元中的每一者為一唯讀記憶體單元。
如請求項1所述的記憶體裝置，其中該介電結構實體耦合至該第一互連結構。
如請求項3所述的記憶體裝置，其中該第一記憶體單元的該第一通道結構具有連接至一磊晶結構的一第二端，該磊晶結構電耦合至該第二互連結構。
如請求項1所述的記憶體裝置，其中當該些記憶體單元中的一第二記憶體單元包含一第二通道結構時，由該第二記憶體單元存儲的該資料位元呈現一第二邏輯狀態，其中該第二通道結構的一第一端及一第二端分別連接至一第一磊晶結構及一第二磊晶結構。
如請求項5所述的記憶體裝置，其中該第二記憶體單元沿一橫向方向設置在該第一記憶體單元旁邊，且該第一互連結構及該第二互連結構中的每一者沿相同的該橫向方向延伸。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 複數個記憶體單元，形成在沿一橫向方向延伸的一主動區域上方；<br/> 一第一互連結構，可操作地用作一位元線且沿相同的該橫向方向延伸；<br/> 一第二互連結構，可操作地用作承載一接地電壓且沿相同的該橫向方向延伸的一電力軌；<br/> 一源極/汲極接觸結構，電耦合至該第一互連結構或該第二互連結構；<br/> 複數個磊晶結構，形成在該主動區域中；及<br/> 一或多個介電結構，形成在該主動區域中，其中該源極/汲極接觸結構與該一或多個介電結構中的至少一者直接實體接觸但與該一或多個介電結構中的該至少一者電隔離。
如請求項7所述的記憶體裝置，其中該些記憶體單元中的至少一第一記憶體單元的一通道結構形成在該主動區域中且連接至該一或多個介電結構中的該至少一者。
如請求項8所述的記憶體裝置，其中該一或多個介電結構實體耦合至該第一互連結構或該第二互連結構，但與該第一互連結構或該第二互連結構電隔離。
一種形成一記憶體裝置的方法，包含：<br/> 形成沿一第一橫向方向延伸的一主動區域；<br/> 在該主動區域上方形成複數個閘極結構，該些閘極結構中的每一者沿與該第一橫向方向垂直的一第二橫向方向延伸；<br/> 在該主動區域中形成複數個磊晶結構，該些閘極結構中的每一者介於相鄰的該些磊晶結構之間，其中該主動區域、該些閘極結構及該些磊晶結構可操作地形成複數個記憶體單元；<br/> 用一介電結構替換該些磊晶結構中的至少一者；<br/> 在該介電結構上形成一源極/汲極接觸結構；<br/> 形成沿該第一橫向方向延伸的一第一互連結構，該第一互連結構實體耦合至該介電結構但與該介電結構電隔離，其中該源極/汲極接觸結構電耦合至該第一互連結構，且該源極/汲極接觸結構與該介電結構直接實體接觸但與該介電結構電隔離；及<br/> 形成同樣沿該第一橫向方向延伸的一第二互連結構，該第二互連結構電耦合至與該介電結構中該些閘極結構的相應一者相對的該些磊晶結構的一者。
一種電子裝置，包含：<br/> 一偏移校正模組，用以：<br/> 量測一操作電壓及一溫度；以及<br/> 判斷該偏移校正模組是否儲存關聯於該操作電壓及該溫度的一偏移誤差資訊；<br/> 一類比數位轉換器模組；<br/> 一主機，電性連接該偏移校正模組及該類比數位轉換器模組，用以從該偏移校正模組接收一狀態訊號；以及<br/> 一運算放大器，該運算放大器的一負輸入端電性連接該偏移校正模組，該運算放大器的一正輸入端電性連接該類比數位轉換器模組，以及該運算放大器的一輸出端電性連接該主機，<br/> 其中：<br/> 當該偏移校正模組儲存該偏移誤差資訊時，該偏移校正模組輸出該偏移誤差資訊至該運算放大器，以及該類比數位轉換器模組基於一觸發訊號執行一正常類比數位轉換以輸出一原始數值至該運算放大器，從而使該運算放大器輸出一結果數值至該主機。
如請求項1所述之電子裝置，其中該偏移校正模組包含：<br/> 一溫度感測器，用以量測該溫度；<br/> 一電壓偵測器，用以量測該操作電壓；<br/> 一多工器，電性連接該運算放大器；以及<br/> 一記憶體，電性連接該溫度感測器、該電壓偵測器、該多工器及該主機，用以：<br/> 當該記憶體儲存該偏移誤差資訊時，輸出該偏移誤差資訊至該多工器的一第一輸入端，以及輸出該狀態訊號至該多工器的一選擇控制端；以及<br/> 當該記憶體未儲存該偏移誤差資訊時，輸出該狀態訊號至該多工器的該選擇控制端。
如請求項1所述之電子裝置，其中：<br/> 當該偏移校正模組未儲存該偏移誤差資訊時，該類比數位轉換器模組基於該觸發訊號執行一偏移誤差校正程序以獲得該偏移誤差資訊，以及該偏移校正模組儲存該偏移誤差資訊。
如請求項3所述之電子裝置，其中該類比數位轉換器模組提供一共模電壓，以及該類比數位轉換器模組執行該偏移誤差校正程序以獲得該偏移誤差資訊的運作包含：<br/> 該類比數位轉換器模組應用該共模電壓執行該偏移誤差校正程序以獲得該偏移誤差資訊。
如請求項3所述之電子裝置，其中該類比數位轉換器模組提供一斬波功能，以及該類比數位轉換器模組執行該偏移誤差校正程序以獲得該偏移誤差資訊的運作包含：<br/> 該類比數位轉換器模組執行該正常類比數位轉換以獲得該原始數值，<br/> 該類比數位轉換器模組應用該斬波功能執行該偏移誤差校正程序以獲得該結果數值，以及<br/> 將該原始數值減去該結果數值，以獲得該偏移誤差資訊。
如請求項1所述之電子裝置，其中該偏移誤差資訊包含一偏移誤差電壓數值。
如請求項1所述之電子裝置，其中該偏移誤差資訊的一對應電壓區間包含該操作電壓，以及該偏移誤差資訊的一對應溫度區間包含該溫度。
如請求項1所述之電子裝置，其中當該偏移校正模組儲存該偏移誤差資訊時，該狀態訊號指示一第一數值，以及該觸發訊號指示該類比數位轉換器模組執行該正常類比數位轉換。
如請求項3所述之電子裝置，其中當該偏移校正模組未儲存該偏移誤差資訊時，該狀態訊號指示一第二數值，以及該觸發訊號指示該類比數位轉換器模組執行該偏移誤差校正程序。
一種偏移校正方法，適用於一電子裝置，其中所述電子裝置包含一偏移校正模組及一類比數位轉換器模組，以及所述偏移校正方法包含：<br/> 量測一操作電壓及一溫度；<br/> 判斷該偏移校正模組是否儲存關聯於該操作電壓及該溫度的一偏移誤差資訊；<br/> 當該偏移校正模組儲存該偏移誤差資訊時，透過該偏移校正模組輸出該偏移誤差資訊，透過該類比數位轉換器模組執行一正常類比數位轉換以輸出一原始數值，以及將該原始數值減去該偏移誤差資訊，以獲得一結果數值；以及<br/> 當該偏移校正模組未儲存該偏移誤差資訊時，透過該類比數位轉換器模組執行一偏移誤差校正程序以獲得該偏移誤差資訊，以及透過該偏移校正模組儲存該偏移誤差資訊。
一種電力變換裝置，係用於具備電極及輸入變壓器的交流電弧爐，該電極係與金屬材料之間產生電弧放電，該輸入變壓器係將供給自電力系統的交流電力降壓； <br/>前述電力變換裝置係設在前述電極與前述輸入變壓器之間，且具備： <br/>變換器，係設在前述電極與前述輸入變壓器之間；及 <br/>控制裝置，係控制前述變換器的動作； <br/>前述變換器係具有： <br/>變流器，係將供給自前述輸入變壓器的交流電力變換成直流電力；及 <br/>逆變器，係將經前述變流器變換的直流電力變換成交流電力，而將變換後的交流電力輸出至前述電極側； <br/>前述逆變器係具有複數個開關元件，藉由前述複數個開關元件的開關切換，將經前述變流器變換的直流電力變換成交流電力； <br/>前述控制裝置係控制前述逆變器的前述複數個開關元件的開關切換，藉此控制藉由前述逆變器進行的直流電力到交流電力的變換； <br/>前述變換器更具有逆變器用變壓器，其設在前述逆變器與前述電極之間，將供給自前述逆變器的交流電力升壓，而將升壓後的交流電力輸出至前述電極側。
如請求項1所述之電力變換裝置，其中，前述控制裝置係藉由控制前述逆變器的前述複數個開關元件的開關切換而控制從前述逆變器輸出的交流電壓的大小。
如請求項1所述之電力變換裝置，其中，前述變流器係具有複數個開關元件，藉由前述複數個開關元件的開關切換，將供給自前述輸入變壓器的交流電力變換成直流電力； <br/>前述控制裝置係控制前述變流器的前述複數個開關元件的開關切換，藉此控制藉由前述變流器進行的交流電力到直流電力的變換。
如請求項3所述之電力變換裝置，其中，前述控制裝置係將前述變流器的前述複數個開關元件的開關切換控制成為使前述變流器的輸入側的功率因數成為1。
如請求項1所述之電力變換裝置，其中，前述變流器係24脈波整流電路，其具有： <br/>變壓器，係具有： <br/>一次繞組，係接受來自前述輸入變壓器的交流電力的輸入；及 <br/>四個二次繞組，係與前述一次繞組磁耦合，且設定為輸出的交流電力的相位之間分別差15度；以及 <br/>四個整流電路，係將輸出側串聯連接，且將從前述四個二次繞組分別輸出的交流電力整流。
如請求項1所述之電力變換裝置，係更具有輸出變壓器，其設在前述變換器與前述電極之間，將供給自前述變換器的交流電力降壓，而將降壓後的交流電力供給至前述電極； <br/>前述變換器係以前述逆變器用變壓器將供給自前述逆變器的交流電力 升壓，而將升壓後的交流電力輸出至前述輸出變壓器。
如請求項1所述之電力變換裝置，其中，前述變換器更具有變流器用變壓器，其設在前述輸入變壓器與前述變流器之間，將供給自前述輸入變壓器的交流電力降壓，而將降壓後的交流電力供給至前述變流<br/> 器。
如請求項1所述之電力變換裝置，其中，前述變換器更具<br/> 有： <br/>變流器用變壓器，其設在前述輸入變壓器與前述變流器之間，將供給自前述輸入變壓器的交流電力降壓，而將降壓後的交流電力供給至前述變流器；及 <br/>逆變器用變壓器，其設在前述逆變器與前述電極之間，將供給自前述逆變器的交流電力升壓，而將升壓後的交流電力輸出至前述電極側。
如請求項1所述之電力變換裝置，其中，前述電極與前述輸入變壓器之間設置複數個前述變換器。
如請求項9所述之電力變換裝置，其中，前述控制裝置係個別控制複數個前述變換器的動作，而可藉此變更運作的前述變換器的台<br/> 數。
一種包裝盒清洗機，其包括： <br/>投入部，其設置為使保冷包裝盒以展平之狀態投入，該保冷包裝盒係設置為可轉換成展開模式或盒子模式； <br/>清洗部，其設置為一面沿第1方向移送所投入之上述保冷包裝盒，一面進行清洗；及 <br/>排出部，其設置為排出經清洗之上述保冷包裝盒； <br/>上述清洗部包括設置有擦拭上述保冷包裝盒之表面之清洗面之至少一個清洗毛巾， <br/>上述至少一個清洗毛巾設置為以垂直於上述清洗面之軸為中心來旋轉， <br/>其中上述清洗部包括具備上述至少一個清洗毛巾之至少一個清洗裝置， <br/>其中上述至少一個清洗裝置包括位於移動路徑之上部之上部清洗裝置及位於上述移動路徑之下部之下部清洗裝置，上述移動路徑係上述保冷包裝盒沿上述第1方向移動者， <br/>其中上述上部清洗裝置包括第1上部清洗裝置與第2上部清洗裝置， <br/>其中上述下部清洗裝置包括第1下部清洗裝置與第2下部清洗裝置， <br/>其中沿上述移動路徑而依序配置上述第1上部清洗裝置、上述第1下部清洗裝置、上述第2下部清洗裝置、及上述第2上部清洗裝置，及 <br/>其中上述第1上部清洗裝置與上述第2上部清洗裝置相對於其間之中點對稱，上述第1下部清洗裝置與上述第2下部清洗裝置相對於其間之中點對稱。
如請求項1之包裝盒清洗機，其中上述上部清洗裝置設置為可轉換成清洗模式與保養模式， <br/>於上述清洗模式下，上述清洗毛巾鄰接於上述移動路徑， <br/>於上述保養模式下，上述清洗毛巾相對遠離上述移動路徑。
如請求項1之包裝盒清洗機，其中上述清洗部包括下部清洗馬達，該下部清洗馬達係設置為向上述下部清洗裝置提供驅動力者， <br/>上述下部清洗裝置包括作為上述清洗毛巾之旋轉軸之清洗軸， <br/>上述下部清洗馬達與上述清洗軸係藉由第2驅動傳遞構件而連接。
如請求項1之包裝盒清洗機，其中上述清洗部包括運送部，該運送部係設置為沿上述移動路徑而移送上述保冷包裝盒者， <br/>上述運送部包括：上部運送部，其位於上述移動路徑之上部；及下部運送部，其位於上述移動路徑之下部。
如請求項4之包裝盒清洗機，其中上述上部運送部以與上述下部清洗裝置對向之方式配置，上述下部運送部以與上述上部清洗裝置對向之方式配置。
如請求項4之包裝盒清洗機，其中上述上部運送部設置為可轉換成清洗模式與保養模式， <br/>於上述清洗模式下，上述上部運送部之一面鄰接於上述移動路徑， <br/>於上述保養模式下，上述上部運送部之一面相對遠離上述移動路徑。
如請求項1之包裝盒清洗機，其進而包括： <br/>罩蓋部，其覆蓋上述清洗部；及 <br/>加熱器部，其設置為可調節上述罩蓋部之內側之溫度。
如請求項1之包裝盒清洗機，其中上述清洗部包括位於相對上部之清洗區域、及位於相對下部之驅動區域。
如請求項8之包裝盒清洗機，其中於上述清洗區域中配置上述至少一個清洗裝置及運送部，上述至少一個清洗裝置係設置為清洗上述保冷包裝盒者，該運送部係設置為使上述保冷包裝盒移動者， <br/>於上述驅動區域中配置驅動上述至少一個清洗裝置與上述運送部之複數個馬達。
如請求項1之包裝盒清洗機，其中上述清洗部包括噴嘴部，該噴嘴部係設置為向上述保冷包裝盒噴射水或清洗水者。
如請求項10之包裝盒清洗機，其中上述清洗部進而包括： <br/>清洗水箱，其設置為儲存水或清洗水；及 <br/>增壓泵，其設置為使上述清洗水箱中儲存之水或清洗水向上述噴嘴部移動。
如請求項11之包裝盒清洗機，其中上述清洗水箱之注入口包括網眼網，該網眼網係設置為對注入之水或清洗水之異物進行過濾者， <br/>上述增壓泵包括過濾器部，該過濾器部係設置為過濾向上述噴嘴部移動之水或清洗水之異物者。
如請求項11之包裝盒清洗機，其中上述清洗水箱包括液位感測器或透明窗中之至少一者，該液位感測器或透明窗係設置為掌握所儲存之水或清洗水之容量者。
如請求項1之包裝盒清洗機，其進而包括： <br/>感測部，其配置於上述投入部或上述排出部中之至少一者，且設置為感測有無上述保冷包裝盒。
如請求項1之包裝盒清洗機，其進而包括： <br/>條碼讀取器，其設置為感測上述保冷包裝盒上記載之條碼。
如請求項1之包裝盒清洗機，其進而包括： <br/>操作部，其設置為控制上述清洗部之作動並確認上述清洗部有無異常。
一種散熱裝置，包括：<br/> 一殼體，包括一上側板、一第一側板、一第二側板、一第三側板、以及一第四側板，其中，該第一側板連接該第二側板和該上側板，該第二側板連接該第三側板和該上側板，該第三側板連接該第四側板和該上側板，該第四側板連接該第一側板和該上側板，該第一側板開設有一第一開孔，且該第二側板開設有一第二開孔；<br/> 一熱管，設置在該殼體內，且具有一輸入段以及和該輸入段平行的一輸出段；其中，該輸入段具有一輸入端管口連接該第一開孔，該輸出段具有一輸出端管口面對且鄰近該第三側板，該輸出段的一第一側係面對該第四側板，且該輸出段的一第二側係面對該第二側板；<br/> 一平板型鰭片散熱器，設置在該殼體內，且疊置於該熱管之上；<br/> 一第一隔板，設置在該殼體內，且連接該平板型鰭片散熱器，並靠近該輸出段的該第一側；以及<br/> 一第二隔板，設置在該殼體內，且連接該平板型鰭片散熱器並靠近該輸出段的該第二側；<br/> 其中，該平板型鰭片散熱器包括一平板以及連接該平板的M個板件，且M為正整數；<br/> 其中，在該殼體內該平板係向上貼附該上側板，且任二個所述板件與該平板圍出一流體通道；<br/> 其中，該第一隔板介於該輸出段的該第一側與該第四側板之間，且靠近該輸出段的該輸出端管口；<br/> 其中，該第二隔板介於該輸出段的該第二側與該第二側板之間。
如請求項1所述之散熱裝置，其中，該殼體包括：<br/> 一底板；以及<br/> 一罩體，包含所述上側板、所述第一側板、所述第二側板、所述第三側板、與所述第四側板，且該上側板、該第一側板、該第二側板、該第三側板、與該第四側板圍出一開口；<br/> 其中，該底板連接該罩體以封閉該開口，且該第一隔板與該第二隔板皆連接於該底板與該上側板的內面之間。
如請求項2所述之散熱裝置，係更包括：<br/> 一熱管支撐塊，容置於該殼體內，且設置在該底板之上；其中，該熱管支撐塊包括：<br/> 一基座；<br/> N+3個長形凸起，形成於該基座之上；以及<br/> N+2個長凹槽，形成於該基座之上；<br/> 其中，任一個所述長凹槽係位於任二個所述長形凸起之間。
如請求項3所述之散熱裝置，其中，該第一隔板連接於該底板、該第三側板、該上側板、第M個所述板件、以及該熱管支撐塊之間，且該第二隔板連接於該底板、該第一側板、該上側板、第1個所述板件、以及該熱管支撐塊之間。
如請求項4所述之散熱裝置，其中，該底板、該第三側板、該第一隔板、第M個所述板件、第1個所述板件、該熱管支撐塊、該第二隔板、該第二側板、該第一側板、與該上側板在該殼體內界定出一緩衝區域。
如請求項5所述之散熱裝置，其中，該熱管包括N+2個長直段以及N+1個彎曲連接段，兩個所述長直段之間連接一個所述彎曲連接段，且該N+2個長直段對應地嵌入該N+2個長凹槽之中。
如請求項6所述之散熱裝置，其中，該熱管的各所述長直段內設有一金屬彈簧，且各所述長直段的內壁面係形成有一毛細結構層。
如請求項6所述之散熱裝置，其中，該N+2個長直段包括：<br/> 所述輸入段；<br/> 所述輸出段；以及<br/> N個中間段，其中，各所述中間段皆與該輸出段平行。
如請求項8所述之散熱裝置，其中，各所述板件具有一第一短邊、一第二短邊、一第一長邊、與一第二長邊，該第一長邊連接該平板，且該第二長邊形成有N+2個凹缺口以對應地向下嵌住該輸入段、該N個中間段與該輸出段。
如請求項8所述之散熱裝置，係更包括：<br/> 一輸入埠，連接該第一開孔，用以對外連接一第一管路；以及<br/> 一輸出埠，連接該第二開孔，用以對外連接一第二管路；<br/> 其中，一儲液器(reservoir) 通過該第一管路與該輸入埠將一液體注入該熱管內；<br/> 其中，該液體經由該輸出段的該輸出端管口注入該殼體內，從而位於該緩衝區域內；<br/> 其中，位於該緩衝區域內的該液體流過M-1個所述流體通道，接著通過該輸出埠與該第二管路回流該儲液器。
一種散熱系統，其特徵在於，包括一儲液器以及如請求項1至請求項10之中任一項所述之散熱裝置，其中，該儲液器具有一液體輸出埠與一液體輸入埠，該液體輸出埠與該液體輸入埠對應連通該散熱裝置的該輸入埠與該輸出埠。
一種電子裝置，包括一機殼與容置在該機殼內的至少一電子晶片與至少一電子模組，其特徵在於，該機殼容置有如請求項11所述之散熱系統，且該散熱系統用以對該至少一電子晶片及/或該至少一電子模組進行散熱處理。
如請求項12所述之電子裝置，其中，該電子裝置為選自於由伺服器、網路交換器(switch)、閘道器(gateway)、嵌入式電腦、單板電腦、工業電腦、桌上型電腦、一體式(All-in-one)電腦、車載電腦、安防監控主機、博弈主機、和遊戲主機所組成群組之中的任一者。
一種製造半導體裝置的系統，所述系統包括： <br/>至少一個處理器； <br/>至少一個非暫時性電腦可讀媒體，其儲存電腦可執行代碼； <br/>表示所述半導體裝置的未驗證主體佈局圖，所述未驗證主體佈局圖被儲存在所述非暫時性電腦可讀媒體上， <br/>所述非暫時性電腦可讀媒體、所述電腦可執行代碼和所述至少一個處理器被配置為使所述系統產生以下內容，包括： <br/>訓練資料開發者（TDD）模組，包括經驗特徵提取模組和特徵合成模組； <br/>特徵提取模組，經配置以提取至少部分包含所述未驗證主體佈局圖的主體特徵；以及 <br/>設計規則（DR）執行模組，包括設計規則檢查（DRC）模組和佈局圖修改器（LDM）模組， <br/>其中所述經驗特徵提取模組被配置為提取經驗訓練特徵， <br/>所述特徵合成模組被配置為產生可用於一個或多個對應訓練佈局圖中且符合對應設計規則的第一合成訓練特徵，或產生可用於一個或多個對應訓練佈局圖中且違反對應設計規則的第二合成訓練特徵， <br/>所述DRC模組和所述LDM模組被配置為：根據所述TDD模組的所述經驗訓練特徵或所述第一合成訓練特徵或所述第二合成訓練特徵，進行訓練， <br/>所述DRC模組被配置為檢查所述主體特徵是否符合設定中對應的設計規則，並識別哪些設計規則正被違反以及對應的違反DR主體特徵， <br/>所述LDM模組被配置為嘗試通過修改所述違反DR主體特徵來減少DR違規，從而得到經驗證主體佈局圖， <br/>所述DRC模組基於第一神經網路，以及 <br/>所述LDM模組基於第二神經網路。
如請求項1所述的系統，其中： <br/>所述DRC模組的所述第一神經網路是卷積神經網路（CNN），其包括： <br/>輸入層； <br/>第一、第二和第三二維（2D）卷積層； <br/>第一、第二和第三匯集層；以及 <br/>輸出層； <br/>所述第一2D卷積層位於所述輸入層與所述第二2D卷積層之間； <br/>所述第二2D卷積層位於所述第一2D卷積層與所述第三2D卷積層之間； <br/>所述第三2D卷積層位於所述第二2D卷積層與所述輸出層之間； <br/>所述第一匯集層位於所述第一2D卷積層與所述第二2D卷積層之間； <br/>所述第二匯集層位於所述第二2D卷積層與所述第三2D卷積層之間；以及 <br/>所述第三匯集層位於所述第三2D卷積層與所述輸出層之間。
如請求項2所述的系統，其中： <br/>所述DRC模組的所述CNN更包括： <br/>第一和第二全連接（FC）層；以及 <br/>捨棄層； <br/>所述第一FC層位於所述第三2D卷積層與所述捨棄層之間； <br/>所述捨棄層位於所述第一FC層與所述第二FC層之間；以及 <br/>所述第二FC層位於所述捨棄層與所述輸出層之間。
如請求項2所述的系統，其中： <br/>在固定模式期間，所述DR執行模組經配置以接收所述未驗證主體佈局圖的所述主體特徵； <br/>在訓練模式期間，所述DR執行模組經配置以接收一個或多個訓練佈局圖的訓練特徵和對應於所述訓練特徵的標籤，所述標籤分別將所述訓練特徵範例分類為設計規則（DR）符合或DR違規； <br/>在所述固定模式期間或在所述訓練模式期間，所述輸出層經配置以通過將所述主體特徵或所述訓練特徵分別分類為符合設計規則（DR）或違反DR來產生推斷分類； <br/>所述DR執行模組更包括在所述訓練模式期間操作的DRC修改器模組；以及 <br/>在所述訓練模式期間，所述DRC修改器模組經配置以通過應用遞迴類型的梯度下降，基於所述範例分類與對應的所述推斷分類之間的差異，來調整所述第一、第二和第三2D卷積層的一個或多個權重或一個或多個偏差。
如請求項1所述的系統，其中： <br/>所述DRC模組的所述第二神經網路是強化學習（RL）網路，包括： <br/>輸入層； <br/>全連接（FC）層，耦合到所述輸入層； <br/>輸出層，耦合到所述FC層。
如請求項5所述的系統，其中： <br/>在固定模式期間，所述DR執行模組經配置以接收所述未驗證主體佈局圖的所述主體特徵； <br/>在訓練模式期間，所述DR執行模組經配置以接收一個或多個訓練佈局圖的訓練特徵和對應於所述訓練特徵的標籤，所述訓練特徵中的每一個都違反設計規則（DR），所述標籤表示對所述訓練特徵的範例修改，這些修改將導致所述訓練特徵符合設計規則（DR）； <br/>在所述固定模式期間或在所述訓練模式期間，所述輸出層經配置以產生推斷修改，旨在相應地修改所述訓練特徵以符合對應的DR； <br/>所述DR執行模組更包括在所述訓練模式期間操作的LDM修改器模組；以及 <br/>在所述訓練模式期間，所述LDM修改器模組經配置以通過應用遞迴類型的梯度下降來調整所述FC層的一個或多個權重或一個或多個偏差，所述梯度下降基於所述範例修改與對應的所述推斷修改之間的差異。
一種製造半導體裝置的系統，所述系統包括： <br/>至少一個處理器； <br/>至少一個非暫時性電腦可讀媒體，其儲存電腦可執行代碼； <br/>一個或多個對應經驗半導體裝置的一個或多個經驗訓練佈局圖，所述一個或多個經驗訓練佈局圖儲存在所述非暫時性電腦可讀媒體上， <br/>所述非暫時性電腦可讀媒體、所述電腦可執行代碼和所述至少一個處理器被配置為使所述系統產生以下內容，包括： <br/>訓練資料開發者（TDD）模組，包括經驗特徵提取模組和特徵合成模組； <br/>所述經驗特徵提取模組被配置為提取經驗訓練特徵，所述經驗訓練特徵至少部分包括一個或多個對應的經驗訓練佈局圖，並且符合對應設計規則（DR）的設計規則符合性； <br/>所述特徵合成模組基於第一神經網路，並被配置為產生可用於一個或多個對應訓練佈局圖中且符合對應設計規則的第一合成訓練特徵，或產生可用於一個或多個對應訓練佈局圖中且違反對應設計規則的第二合成訓練特徵。
如請求項7所述的系統，其中： <br/>所述特徵合成模組的所述第一神經網路是生成對抗網路（GAN），其包括產生器模組和判別器模組，兩者協同耦合； <br/>所述產生器模組包括第一卷積神經網路（CNN）；以及 <br/>所述判別器模組包括第二CNN，其與所述第一CNN不同。
如請求項7所述的系統，更包括以下至少一項： <br/>光罩製造設施，被配置為基於經設計規則（DR）執行模組驗證的未驗證主體佈局圖的驗證版本來製造一個或多個半導體光罩，所述設計規則執行模組根據所述TDD模組的所述經驗訓練特徵或所述第一或第二合成訓練特徵進行訓練；或 <br/>製造設施，被配置為基於經驗證主體佈局圖在半導體積體電路的一層中製造至少一個元件。
一種製造半導體裝置的系統，所述系統包括： <br/>至少一個處理器； <br/>至少一個非暫時性電腦可讀媒體，其儲存電腦可執行代碼； <br/>表示所述半導體裝置的未驗證主體佈局圖以及一個或多個對應經驗半導體裝置的一個或多個經驗訓練佈局圖，所述未驗證主體佈局圖和所述一個或多個對應經驗半導體裝置的所述一個或多個經驗訓練佈局圖被儲存在所述非暫時性電腦可讀媒體上， <br/>所述非暫時性電腦可讀媒體、所述電腦可執行代碼和所述至少一個處理器被配置為使所述系統產生以下內容，包括： <br/>訓練數據開發（TDD）模組，包括經驗特徵提取模組和特徵合成模組； <br/>所述經驗特徵提取模組被配置為提取經驗訓練特徵，所述經驗訓練特徵至少部分包括一個或多個對應的經驗訓練佈局圖，並且符合對應的設計規則（DR）； <br/>所述特徵合成模組基於第一神經網路，並被配置為產生可用於一個或多個對應訓練佈局圖中且符合對應設計規則的第一合成訓練特徵，或產生可用於一個或多個對應訓練佈局圖中且違反對應設計規則的第二合成訓練特徵； <br/>主體特徵提取模組，被配置為提取至少部分包括所述未驗證主體佈局圖的主體特徵；以及 <br/>設計規則（DR）執行模組，包括設計規則檢查（DRC）模組和佈局圖修改器（LDM）模組，每個模組均根據所述TDD模組的所述經驗訓練特徵或所述第一或第二合成訓練特徵進行訓練， <br/>所述DRC模組被配置為檢查所述主體特徵是否符合其中一組對應的設計規則，並識別哪些設計規則正被違反以及對應的違反DR的主體特徵，以及 <br/>所述LDM模組被配置為嘗試通過修改所述違反DR的主體特徵來減少DR違規，從而得到經驗證主體佈局圖；以及 <br/>所述DRC模組基於第三神經網路或所述LDM模組基於第四神經網路。
一種半導體封裝，包含：<br/>包括多個電導體的一基板； <br/>一或多個半導體晶粒，其設置於該基板上且與該基板的該些電導體電連接； <br/>設置於該基板上的一蓋，該一或多個半導體晶粒設置於由該基板及該蓋圍封之一空間中；及 <br/>至少部分嵌入於該蓋中的至少一個熱電裝置，其中該至少一個熱電裝置包括至少部分嵌入於該蓋之一周邊中的至少一個熱電裝置，該周邊緊固至該基板。
如請求項1所述之半導體封裝，進一步包含：<br/>多個蓋導體，其設置於該蓋上及/或嵌入於該蓋中且與該基板的該些電導體連接。
如請求項1所述之半導體封裝，其中該至少一個熱電裝置包括至少部分嵌入於該蓋之一頂部中的至少一個熱電裝置，其中該蓋的該頂部遠離該基板。
如請求項1所述之半導體封裝，其中該至少一個熱電裝置包括完全嵌入於該蓋之一頂部中的至少一個熱電裝置，其中該蓋的該頂部遠離該基板。
如請求項1所述之半導體封裝，進一步包含：<br/>包括多個鰭片的一熱儲集器，該熱儲集器設置於該蓋的遠離該基板的一頂部上，其中該些鰭片延伸遠離該蓋的該頂部。
一種操作一半導體封裝的方法，該半導體封裝包括設置於一基板上之一或多個半導體晶粒及一蓋，該蓋設置於該一或多個半導體晶粒上且緊固至該基板，該方法包含以下步驟：<br/>使用一溫度感測器獲取一溫度信號，該溫度信號指示該半導體封裝的一溫度； <br/>傳輸該溫度信號至該一或多個半導體晶粒；及 <br/>藉由自該一或多個半導體晶粒輸出一電流而操作至少部分嵌入於該蓋中的至少一個熱電裝置以冷卻該半導體封裝，其中該至少一個熱電裝置包括至少部分嵌入於該蓋之一周邊中的至少一個熱電裝置，該周邊緊固至該基板。
如請求項6所述之方法，其中該冷卻步驟包括以下步驟：基於傳輸至該一或多個半導體晶粒之該溫度信號由輸出的該電流的該一或多個半導體晶粒執行反饋控制。
如請求項6所述之方法，進一步包含以下步驟：<br/>藉由反向該電流之一方向而自該冷卻切換至加熱該半導體封裝，該切換係基於傳輸至該一或多個半導體晶粒的該溫度信號。
一種半導體封裝，包含：<br/>一基板； <br/>一或多個半導體晶粒，其設置於該基板上； <br/>一蓋，該一或多個半導體晶粒設置於由該基板及該蓋圍封之一空間中；及 <br/>至少一個熱電裝置，其與該蓋熱耦接，其中該至少一個熱電裝置包括至少部分嵌入於該蓋之一周邊中的至少一個熱電裝置，該周邊緊固至該基板。
如請求項9所述之半導體封裝，進一步包含：<br/>多個電導體，其將該一或多個半導體晶粒連接至該至少一個熱電裝置； <br/>其中該一或多個半導體晶粒用以經由該些電導體為該至少一個熱電裝置供電以冷卻該半導體封裝。
一種收據資料的分享系統，包括： <br/>一行動裝置，用於執行一應用程式以接收一輸入資料，其中該輸入資料包括一交易內容及一交易對象，該應用程式更依據該輸入資料產生一交易識別碼，該行動裝置為智慧型手機； <br/>一掃描裝置，用於掃描該交易識別碼，其中該掃描裝置為條碼感應器； <br/>一運算裝置，電性連接該掃描裝置以取得該交易識別碼，該運算裝置用於將該交易識別碼轉換為該輸入資料，執行對應於該交易內容的一交易操作，依據該交易操作的結果產生一收據資料，其中該運算裝置為個人電腦或網路伺服器； <br/>一通訊裝置，電性連接該運算裝置且通訊連接該行動裝置，該通訊裝置受該運算裝置之控制以依據該收據資料及該交易對象產生一通知訊息，其中該通訊裝置為無線網路存取點； <br/>其中該行動裝置用於執行一通訊軟體，其中該通訊軟體用於記錄多個聯絡人並接收該通知訊息，該通知訊息用於通知對應該交易對象的該些聯絡人中的一者； <br/>其中該行動裝置用於透過該通訊軟體建立一銀行端、該行動裝置之使用者及該交易對象的一會話群組，且透過該會話群組呈現該通知訊息，該行動裝置更用於在透過該會話群組呈現該通知訊息後，刪除該會話群組。
如請求項1所述收據資料的分享系統，其中該交易識別碼為快速回應碼。
如請求項1所述收據資料的分享系統，其中在該行動裝置接收該交易對象之後，產生該交易識別碼之前，該行動裝置更用於透過該應用程式發送一授權請求至該通訊軟體，該行動裝置更用於啟動該通訊軟體以接受該授權請求。
一種收據資料的分享方法，包括： <br/>以執行一應用程式的一行動裝置接收一輸入資料，其中該輸入資料包括一交易內容及一交易對象，該行動裝置為智慧型手機； <br/>以該應用程式依據該輸入資料產生一交易識別碼； <br/>以一掃描裝置掃描該交易識別碼，其中該掃描裝置為條碼感應器； <br/>以電性連接該掃描裝置的一運算裝置取得該交易識別碼，並將該交易識別碼轉換為該輸入資料，其中該運算裝置為個人電腦或網路伺服器； <br/>以該運算裝置執行對應於該交易內容的一交易操作，並依據該交易操作的結果產生一收據資料； <br/>以一通訊裝置依據該收據資料及該交易對象產生一通知訊息，其中該通訊裝置為無線網路存取點； <br/>以該行動裝置執行一通訊軟體，其中該通訊軟體用於記錄多個聯絡人並接收該通知訊息，該通知訊息用於通知對應該交易對象的該些聯絡人中的一者； <br/>以該行動裝置透過該通訊軟體建立一銀行端、該行動裝置之使用者及該交易對象的一會話群組，且透過該會話群組呈現該通知訊息；以及 <br/>以該行動裝置在透過該會話群組呈現該通知訊息後，刪除該會話群組。
如請求項4所述收據資料的分享方法，其中該交易識別碼為快速回應碼。
如請求項4所述收據資料的分享方法，更包括： <br/>在該行動裝置接收該交易對象之後，產生該交易識別碼之前，以該應用程式發送一授權請求至該通訊軟體；以及 <br/>以該行動裝置啟動該通訊軟體以接受該授權請求。
一種半導體單元結構，包括: <br/> 一半導體基材，具有一原始半導體表面，且包括一第一組主動區和一第二組主動區；<br/> 一淺溝槽隔離區，圍繞該第一組主動區和該第二組主動區，該淺溝槽隔離區的一頂部表面高於該原始半導體表面；<br/> 一組PMOS電晶體，分別設置於該第一組主動區中，且該組PMOS電晶體中的每一者包括一源極區、一汲極區、一閘極結構、一PMOS主體區以及位於該PMOS主體區中的一通道區；<br/> 一組NMOS電晶體，分別設置於該第二組主動區中，且該組NMOS電晶體中的每一者包括一源極區、一汲極區、一閘極結構、一NMOS主體區和位於該NMOS主體區中的一通道區；<br/> 一VDD接觸線，電性連接至該組PMOS電晶體； <br/> 一VSS接觸線，電性連接至該組NMOS電晶體；<br/> 其中，該組PMOS電晶體中的每一者的該源極區的一底面藉由一第一局部絕緣區與該半導體基材隔離，該組PMOS電晶體中的每一者的該汲極區的一底面藉由一第二局部絕緣區與該半導體基材隔離；且該第一局部絕緣區和該第二局部絕緣區設置在該原始半導體表面下方；該組NMOS電晶體中的每一者的該源極區的一底面藉由一第三局部絕緣區與該半導體基材隔離；該組NMOS電晶體中的每一者的該汲極區的一底面藉由一第四局部絕緣區與該半導體基材隔離，且該第三局部絕緣區和該第四局部絕緣區設置在該原始半導體表面下方；該第一組NMOS電晶體之一第一NMOS電晶體的該閘極結構與該淺溝槽隔離區之間，或該第一組PMOS電晶體之一第一PMOS電晶體的該閘極結構與該淺溝槽隔離區之間，具有一開口；以及<br/> 一金屬層，設置在該開口中。
如請求項1所述之半導體單元結構，其中該PMOS主體區或該NMOS主體區，藉由一局部隔離區與該半導體基材完全隔離。
如請求項1所述之半導體單元結構，其中該淺溝槽隔離區圍繞該第一局部絕緣區、該第二局部絕緣區、該第三局部絕緣區和/或該第四局部絕緣區。
如請求項3所述之半導體單元結構，其中該第一局部絕緣區、該第二局部絕緣區、該第三局部絕緣區和該第四局部絕緣區的每一者，包括位於該原始半導體表面下方的一凹陷部內的一L形絕緣區。
如請求項4所述之半導體單元結構，其中該第一NMOS電晶體的該源極區與該第一NMOS電晶體的該通道區電性接觸，該第一NMOS電晶體的該源極區位於該凹陷部內，並且包括從該第一NMOS電晶體的該通道區橫向延伸的一磊晶輕摻雜汲極區以及從該磊晶輕摻雜汲極區橫向延伸的一磊晶重摻雜區。
如請求項5所述之半導體單元結構，其中該金屬層接觸該第一NMOS電晶體的該源極區的一頂部表面和其最橫向的一側壁。
如請求項1所述之半導體單元結構，其中該VDD接觸線或該VSS接觸線設置在該原始半導體表面下方。
如請求項7所述之半導體單元結構，其中該VDD接觸線藉由設置在該第一組主動區之一者中的一接觸插塞電性連接到該組PMOS電晶體中的一第一PMOS電晶體，且該接觸插塞的一側壁直接與該VDD接觸線的一側壁接觸；或者，該VSS接觸線藉由設置在該第二組主動區之一者中的一接觸插塞電性連接到該組NMOS電晶體中的一第一NMOS電晶體，且該接觸插塞的一側壁直接與該VSS接觸線的一側壁接觸。
如請求項1所述之半導體單元結構，更包括一散熱層，設置在該淺溝隔離區內且位於該原始半導體表面下方，其中該散熱層的一導熱率高於一矽(Si)的導熱率。
如請求項9所述之半導體單元結構，其中該散熱層包圍該第一組主動區和/或該第二組主動區。
如請求項10所述之半導體單元結構，其中該散熱層從靠近該第一組主動區或該第二組主動區的一位置延伸至靠近該半導體基材邊緣的另一位置。
如請求項1所述之半導體單元結構，其中該第一PMOS電晶體或該第一NMOS電晶體包括其中具有至少一溝槽的一凸出半導體結構，該凸出半導體結構包括彼此分離的一組半導體薄體，且該組半導體薄體中的任二相鄰者之間不存在一淺溝隔離區。
如請求項10所述之半導體單元結構，其中該組NMOS電晶體中的兩個NMOS電晶體之間的一閘電極間距由插入其中的一介電層的一寬度來決定。
如請求項1所述之半導體單元結構，其中該半導體單元結構為一SRAM單元，此SRAM單元還包括：<br/> 一字元線，電性連接至此組NMOS電晶體；以及<br/> 一位元線及一互補位元線，電性連接至此組NMOS電晶體；<br/> 其中，當一製程節點λ為16nm時，該SRAM單元的一單元面積在105至216λ<sup>2</sup>之間；或當該製程節點λ為10nm時，該SRAM單元的該單元面積在166至299λ<sup>2</sup>之間；或當該製程節點λ為7nm時，該SRAM單元的該單元面積在271至451λ<sup>2</sup>之間；或當該製程節點λ為5nm時，該SRAM單元的該單元面積在432至657λ<sup>2</sup>之間；或當該製程節點λ為3nm時，該SRAM單元的該單元面積在1005至1588λ<sup>2</sup>之間。
一種半導體單元結構，包括:<br/> 一半導體基材，具有一原始半導體表面，且包括一組主動區；<br/> 一淺溝隔離區，圍繞該組主動區，該淺溝槽隔離區的一頂部表面高於該原始半導體表面；<br/> 一組電晶體，設置於該組主動區內，該組電晶體中的每一者包括一第一磊晶區、一第二磊晶區以及位於該第一磊晶區和該第二磊晶區之間的一閘極結構； <br/> 一VDD接觸線和/或一VSS接觸線電性連接到該組電晶體；<br/> 其中，該組電晶體包括彼此相鄰的一第一電晶體和一第二電晶體；該第一電晶體的一第一磊晶區沿著一第一方向延伸；該第二電晶體的一第一磊晶區沿該第一方向延伸；該第一電晶體的該第一磊晶區具有一第一端面，該第二電晶體的該第一磊晶區具有面向該第一端面的一第二端面；該第一端面平行或基本上平行於該第二端面；該第一電晶體的一第一閘極結構與該淺溝槽隔離區之間，或該第二電晶體的一第二閘極結構與該淺溝槽隔離區之間，具有一開口；以及<br/> 一金屬層，設置在該開口中。
如請求項15所述之半導體單元結構，其中該第一端面和該第二端面均垂直或基本上垂直於該原始半導體表面。
如請求項15所述之半導體單元結構，其中該淺溝隔離區包圍該第一電晶體的該第一磊晶區的三個側邊以及該第二電晶體的該第一磊晶區的三個側邊。
一種水平式真空加熱製程傳輸機構，用以輸送一第一長方體承載件(200)與一第二長方體承載件(300)，包括： <br/>一旋轉腔體室(110)，具有一旋轉載台(112)、設置於該旋轉載台(112)之相對兩側的一輸入閘板閥(111)與一輸出閘板閥(113)以及設置於該旋轉載台(112)之另一側的一製程閘板閥(115)，其中該輸入閘板閥(111)與該輸出閘板閥(113)設置於該旋轉載台(112)的一第一方向(D1)，該製程閘板閥(115)設置於該旋轉載台(112)的一第二方向(D2)，且該第一方向(D1)垂直於該第二方向(D2)，該旋轉載台(112)配置以藉由該輸入閘板閥(111)接收該第一長方體承載件(200)並進行旋轉，使得該第一長方體承載件(200)的一長邊(210)由平行於該第一方向(D1)旋轉為平行於該第二方向(D2)； <br/>一製程腔體室(120)，連接設置於該旋轉腔體室(110)的該製程閘板閥(115)，其中該製程腔體室(120)配置以接收該長邊(210)平行於該第二方向(D2)的該第一長方體承載件(200)，並對該第一長方體承載件(200)中的一晶圓片(220)進行真空加熱製程，其中在該第一長方體承載件(200)中的該晶圓片(220)完成真空加熱製程後，該旋轉腔體室(110)更配置以接收該第一長方體承載件(200)並進行旋轉，以將該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)由平行於該第二方向(D2)旋轉回平行於該第一方向(D1)； <br/>一待冷卻裝置(130)，連接設置於該旋轉腔體室(110)的該輸出閘板閥(113)，且具有一待冷卻載台(132)，其中在位於該旋轉載台(112)上的該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)旋轉回平行於該第一方向(D1)後，該待冷卻載台(132)配置以接收完成真空加熱製程的該第一長方體承載件(200)，且該第一長方體承載件(200)配置以在該待冷卻載台(132)中進行冷卻； <br/>其中當該第一長方體承載件(200)在該待冷卻載台(132)未破真空以進行冷卻降溫時，同時該製程腔體室(120)用以接收該第二長方體承載件(300)並對其進行真空加熱製程；以及 <br/>一橫向輸送裝置(140)，具有一橫向抓取件(142)，其中該橫向抓取件(142)配置以在該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)平行於該第二方向(D2)時，將該第一長方體承載件(200)從該旋轉載台(112)推入至該製程腔體室(120)中或將該第一長方體承載件(200)從該製程腔體室(120)拉回至該旋轉載台(112)上。
如請求項1所述之水平式真空加熱製程傳輸機構，其中該旋轉腔體室(110)具有一輸送閘板閥(117)，且該製程閘板閥(115)與該輸送閘板閥(117)位於該旋轉載台(112)的相對兩側，該輸送閘板閥(117)設置於該旋轉載台(112)的該第二方向(D2)。
如請求項1所述之水平式真空加熱製程傳輸機構，其中該旋轉腔體室(110)的該輸入閘板閥(111)未連接任何用以輸送該第一長方體承載件(200)的輸送裝置。
如請求項1所述之水平式真空加熱製程傳輸機構，更包括： <br/>一晶舟輸入裝置(150)，連接設置於該旋轉腔體室(110)的該輸入閘板閥(111)，且具有一晶舟輸入載台(152)以及一輸入抓取件(154)，其中該輸入抓取件(154)配置以在該晶舟輸入載台(152)上的該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)平行於該第一方向(D1)時，將該第一長方體承載件(200)從該晶舟輸入載台(152)轉移至該旋轉載台(112)上。
如請求項1所述之水平式真空加熱製程傳輸機構，其中該待冷卻裝置(130)還具有一輸出抓取件(134)，該輸出抓取件(134)配置以在位於該旋轉載台(112)上的該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)旋轉回平行於該第一方向(D1)時，將該第一長方體承載件(200)從該旋轉載台(112)轉移至該待冷卻載台(132)上。
一種水平式真空加熱製程傳輸機構的操作方法，用以輸送一第一長方體承載件(200)與一第二長方體承載件(300)，包括： <br/>在一旋轉腔體室(110)的一旋轉載台(112)接收該第一長方體承載件(200)後，該旋轉載台(112)進行旋轉，使得該第一長方體承載件(200)的一長邊(210)由平行於一第一方向(D1)旋轉為平行於一第二方向(D2)，其中該第一方向(D1)垂直於該第二方向(D2)； <br/>在一製程腔體室(120)接收該長邊(210)平行於該第二方向(D2)的該第一長方體承載件(200)後，該製程腔體室(120)對該第一長方體承載件(200)中的一晶圓片(220)進行真空加熱製程，其中一橫向輸送裝置(140)的一橫向抓取件(142)抓取該第一長方體承載件(200)，並將該第一長方體承載件(200)從該旋轉載台(112)推入至該製程腔體室(120)中； <br/>在該第一長方體承載件(200)中的該晶圓片(220)完成真空加熱製程後，該旋轉腔體室(110)接收該第一長方體承載件(200)並進行旋轉，以將該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)由平行於該第二方向(D2)旋轉回平行於該第一方向(D1)； <br/>一待冷卻裝置(130)的一待冷卻載台(132)接收該長邊(210)平行於該第一方向(D1)且完成真空加熱製程的該第一長方體承載件(200)，並讓該第一長方體承載件(200)在該待冷卻載台(132)中進行冷卻，其中該橫向輸送裝置(140)的該橫向抓取件(142)抓取該第一長方體承載件(200)，並將該第一長方體承載件(200)從該製程腔體室(120)拉回至該旋轉載台(112)上；以及 <br/>當該第一長方體承載件(200)在該待冷卻載台(132)未破真空以進行冷卻降溫時，同時該製程腔體室(120)接收該第二長方體承載件(300)並對其進行真空加熱製程。
如請求項6所述之水平式真空加熱製程傳輸機構的操作方法，更包括： <br/>在一晶舟輸入裝置(150)的一晶舟輸入載台(152)上的該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)平行於該第一方向(D1)後，該晶舟輸入裝置(150)的一輸入抓取件(154)抓取該第一長方體承載件(200)，並將該第一長方體承載件(200)從該晶舟輸入載台(152)轉移至該旋轉載台(112)上。
如請求項6所述之水平式真空加熱製程傳輸機構的操作方法，其中該待冷卻裝置(130)的該待冷卻載台(132)接收該第一長方體承載件(200)更包括： <br/>在位於該旋轉載台(112)上的該第一長方體承載件(200)的該長邊(210)旋轉回平行於該第一方向(D1)後，該待冷卻裝置(130)的一輸出抓取件(134)抓取該第一長方體承載件(200)，並將該第一長方體承載件(200)從該旋轉載台(112)轉移至該待冷卻載台(132)上。
一種拋光系統，包括： <br/>一托架臂； <br/>一基板載體，該基板載體耦接至該托架臂，該基板載體包括： <br/>一殼體； <br/>一扣環，該扣環耦接至該殼體； <br/>一薄膜，該薄膜係配置以將一基板推靠於一拋光墊的一表面上，該薄膜包括： <br/>一底部部分，該底部部分經配置為接觸該基板； <br/>一上部部分，該上部部分與該底部部分相對； <br/>一側部部分，該側部部分在該底部部分與該上部部分之間正交延伸；以及 <br/>一外邊緣，該外邊緣將該側部部分連接至該底部部分； <br/>一環形套筒，該環形套筒係設置在沿該側部部分的該外邊緣形成的一環形凹槽中；以及 <br/>一上部負載環，該上部負載環耦接至該環形套筒；以及 <br/>一致動器，該致動器耦接至該托架臂，該致動器包括一活塞，該活塞接合該薄膜的該上部部分， <br/>其中該致動器係設置在該薄膜的該外邊緣上，並且配置以經由該環形套筒施加一負載至該薄膜的該外邊緣，從而改變施加至安置於該基板載體中的該基板與該拋光墊之間的一壓力值，以及 <br/>其中施加至該薄膜的該外邊緣的該負載，是藉由該活塞施加一負載至該薄膜的該上部部分而施加的。
如請求項1所述之拋光系統，其中該基板載體進一步包括一撓性板，該撓性板耦接至該殼體。
如請求項2所述之拋光系統，其中該致動器的該活塞係穿過形成在該撓性板中的一孔而設置。
如請求項2所述之拋光系統，其中該致動器設置在該撓性板的一下表面上。
如請求項1所述之拋光系統，其中該致動器進一步包括一負載施加軸，該負載施加軸配置以將該負載施加至該上部負載環的一部分、該環形套筒、及該薄膜的該外邊緣。
如請求項5所述拋光系統，其中該致動器進一步包括一滾柱，該滾柱耦接至該負載施加軸的一遠端，其中該致動器的該滾柱經配置為在該基板載體與該托架臂之間的相對旋轉期間接觸該上部負載環。
如請求項1所述之拋光系統，其中該 基板載體進一步包括： <br/>一下部負載環，該下部負載環設置在該殼體中；以及 <br/>複數個負載銷，該複數個負載銷周向地設置在該殼體中，該複數個負載銷中的每一者具有耦接至該上部負載環的一近端和耦接至該下部負載環的一遠端。
如請求項7所述之拋光系統，該上部負載環設置在該殼體中。
如請求項8所述之拋光系統，其中該下部負載環包括：一凸緣部分，該凸緣部分耦接至該複數個負載銷中的每一個負載銷的遠端；以及一主體部分，該主體部分相對於該凸緣部分正交地延伸，其中該主體部分接觸設置在該薄膜中的該環形套筒。
一種拋光系統，包括： <br/>一托架臂; <br/>一基板載體，該基板載體耦接至該托架臂，該基板載體包括： <br/>一殼體; <br/>一扣環，該扣環耦接至該殼體； <br/>一薄膜，該薄膜係配置以將一基板推靠於一拋光墊的一表面上，該薄膜包括： <br/>一底部部分，該底部部分經配置為接觸該基板； <br/>一上部部分，該上部部分與該底部部分相對； <br/>一側部部分，該側部部分在該底部部分與該上部部分之間正交延伸; 以及 <br/>一外邊緣，該外邊緣將該側部部分連接至該底部部分； <br/>一環形套筒，該環形套筒位在沿該側部部分的該外邊緣形成的一環形凹槽中； <br/>一上部負載環，該上部負載環耦接至該環形套筒； <br/>一致動器，該致動器一內管，該內管設置在該殼體內；以及 <br/>一撓性板，該撓性板耦接至該殼體， <br/>其中該致動器係耦接至該托架臂，並且設置在該薄膜的該外邊緣上，並且配置以經由該環形套筒施加一負載至該薄膜的該外邊緣，從而改變施加至安置於該基板載體中的該基板與該拋光墊之間的一壓力值，以及 <br/>其中該內管被配置為將該負載施加至該撓性板的一部分，從而改變施加在安置於該基板載體中的該基板與該拋光墊之間的該壓力。
如請求項10所述之拋光系統，其中該撓性板的一突起接合該薄膜的該上部部分以施加該負載。
如請求項10所述之拋光系統，其中該致動器進步包括一負載施加軸，該負載施加軸配置以將該負載施加至該薄膜的該外邊緣。
如請求項12所述之拋光系統，其中該致動器進一步包括一滾柱，該滾柱耦接至該負載施加軸的一遠端，其中該致動器的該滾柱經配置為在該基板載體與該托架臂之間的相對旋轉期間接觸該上部負載環。
如請求項13所述之拋光系統，進一步包括： <br/>複數個負載銷，該複數個負載銷周向地設置在該殼體中，該複數個負載銷中的每一者具有耦接至該上部負載環的一近端和耦接至一下部負載環的一遠端；以及 <br/>該下部負載環設置在該殼體中， <br/>其中該致動器係配置以施加一負載至該上部負載環的一部分、該複數個負載銷中的一或多者、該下部負載環、該環形套筒、及該薄膜的該外邊緣，從而改變施加在該基板與該拋光墊之間的該壓力。
一種拋光系統，包括： <br/>一托架臂； <br/>一致動器，該致動器設置在該托架臂的一下表面上，該致動器包括： <br/>一活塞；以及 <br/>一滾柱，該滾柱耦接至該活塞的一遠端； <br/>一拋光墊；以及 <br/>一基板載體，該基板載體懸掛自該托架臂，並且配置為在一基板與該拋光墊之間施加一壓力，該基板載體包括： <br/>一殼體; <br/>一扣環，該扣環耦接至該殼體； <br/>一薄膜，該薄膜耦接至該殼體，並且跨越該扣環的一內直徑，該薄膜包括： <br/>一底部部分，該底部部分經配置為接觸該基板； <br/>一上部部分，該上部部分與該底部部分相對； <br/>一側部部分，該側部部分在該底部部分與該上部部分之間正交延伸; 以及 <br/>一外邊緣，該外邊緣將該側部部分連接至該底部部分； <br/>一環形套筒，該環形套筒設置在沿該側部部分的該外邊緣形成的一環形凹槽中； <br/>一上部負載環，該上部負載環配置以接觸該殼體，其中該致動器的該滾柱係設置在該薄膜的該外邊緣上，並且配置為在該基板載體與該托架臂之間的相對旋轉期間接觸該上部負載環； <br/>複數個負載銷，該複數個負載銷周向地設置在該殼體中，該複數個負載銷中的每一者具有耦接至該上部負載環的一近端和耦接至一下部負載環的一遠端；以及 <br/>該下部負載環設置在該殼體中， <br/>其中該致動器係配置以經由該環形套筒施加一負載至該薄膜的該外邊緣，從而改變施加至安置於該基板載體中的該基板與該拋光墊之間的該壓力。
如請求項15所述之拋光系統，其中該基板載體進一步包括一撓性板，該撓性板耦接至該殼體。
如請求項16所述之拋光系統，其中該致動器的該活塞係穿過形成在該撓性板中的一孔而設置。
如請求項16所述之拋光系統，其中該致動器設置在該撓性板的一下表面上，其中施加至該薄膜的該上部部分的該負載，是經由該環形套筒而施加的。
如請求項15所述之拋光系統，其中該致動器進一步包括一負載施加軸，該負載施加軸配置以將該負載施加至該上部負載環的一部分、該環形套筒、及該薄膜的該外邊緣。
如請求項19所述之拋光系統，其中該致動器進一步包括一滾柱，該滾柱耦接至該負載施加軸的一遠端，其中該致動器的該滾柱經配置為在該基板載體與該托架臂之間的相對旋轉期間接觸該上部負載環。
一種燒結礦之製造方法，其包括有： <br/>造粒步驟，其係在含有含鐵原料與含CaO原料的燒結原料中，添加焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者，再將上述燒結原料、及焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者利用造粒機進行造粒形成造粒粒子； <br/>裝入層形成步驟，其係利用德懷特-勞埃德型燒結機的原料供應裝置，將上述造粒粒子裝入至無端移動式托板上以形成裝入層； <br/>燒結步驟，其係利用設置於上述原料供應裝置下游端的點火爐，將上述裝入層表層所含的上述焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者點火，並從設置於上述點火爐下游端的氣體供應裝置將氣體供應給上述裝入層，再利用設置於上述托板下方的風箱吸引被導入上述裝入層內的上述氣體，使上述焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者燃燒，而將上述裝入層形成燒結餅；以及 <br/>破碎步驟，其係將上述燒結餅破碎形成燒結礦； <br/>其中，從上述氣體供應裝置所供應氣體的氧濃度、添加於上述燒結原料中的焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者的添加量、以及煅燒速度，係滿足下述(1)： <br/>(10+0.3×C<sub>O2</sub>+0.2×C<sub>C</sub>)/FS＞1.00・・・(1) <br/>上述(1)式中，C<sub>O2</sub>係上述氣體的氧濃度(體積%)；C<sub>C</sub>係將上述燒結原料設為100質量%時，焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者的添加量(質量%，外加)；FS係煅燒速度(mm/min)。
如請求項1之燒結礦之製造方法，其中，上述氣體的氧濃度係空氣以上；上述煅燒速度係17mm/min以下；當上述燒結原料設為100質量%時，焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者的添加量(外加)係3.5質量%以上且4.0質量%以下。
如請求項1之燒結礦之製造方法，其中，上述氣體的氧濃度係25體積%以上；上述煅燒速度係19mm/min以下；當上述燒結原料設為100質量%時，焦炭粉與無煙炭中之至少其中一者的添加量(外加)係3.5質量%以上且4.5質量%以下。
一種氫氣吹入高爐用燒結礦，其係赤鐵礦含量達40質量%以上，累積細孔容積在0.030mL/g以下。
一種形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其係包含：<br/> 提供一待鑽工件，所述待鑽工件具有一表面；<br/> 將一光引導元件設置於所述待鑽工件的所述表面上，所述光引導元件包含一三角體，且所述光引導元件具有一斜面及與所述斜面連接的一底面；以及<br/> 通過一雷射提供模組從所述斜面的一側提供一雷射光束，使所述雷射光束穿透所述光引導元件，並投射至所述待鑽工件，以在所述待鑽工件上形成所述傾斜式孔洞；<br/> 其中，所述光引導元件的所述斜面與所述底面可構成一第一銳角，所述傾斜式孔洞與所述待鑽工件的所述表面可構成一第二銳角；<br/> 其中，所述第一銳角與所述第二銳角的角度總和為90度；<br/> 其中，所述雷射鑽孔方法更進一步包含使用一監控模組以監控所述待鑽工件的所述傾斜式孔洞形成狀況；<br/> 其中，所述監控模組包含一光發射單元以及一光接收單元；<br/> 其中，所述光發射單元與一雷射移動裝置連接，以使所述光發射單元於一三維空間中移動；<br/> 其中，所述光接收單元被配置為光波前感測器、光彈性感測器、雷射測振儀以及高光譜感測器之中的一者；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為光波前感測器時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一光波前感測器，以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二光波前感測器；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為光彈性感測器時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一光彈性感測器，以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二光彈性感測器；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為雷射測振儀時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一雷射測振儀，以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二雷射測振儀；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為高光譜感測器時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一高光譜感測器、以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二高光譜感測器。
如請求項1所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述雷射鑽孔方法係包含使用一液體層或一固定模組將所述光引導元件固定於所述待鑽工件的所述表面上；其中，所述液體層包含非腐蝕性液體。
如請求項1所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中所述雷射光束為一脈衝雷射光束，其中，所述脈衝雷射光束的一脈衝寬度介於50 fs至500 fs之間，所述脈衝雷射光束的一重複頻率介於0.5 GHz至10 GHz之間，所述脈衝雷射光束的一脈衝能量介於100 μJ至1000 μJ之間。
如請求項1所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述監控模組利用不同延遲時間的監控用雷射對所述待鑽工件的形態參數進行探測，以監控所述待鑽工件的所述傾斜式孔洞形成狀況。
如請求項4所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述監控模組包含一波形產生器；<br/> 其中，所述光發射單元係用以朝向所述待鑽工件發射一第一監控用雷射光束及一第二監控用雷射光束，其中，所述第一監控用雷射光束及所述第二監控用雷射光束的波長範圍為300 nm至2000 nm，所述第一監控用雷射光束及所述第二監控用雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns；<br/> 其中，所述第一光波前感測器接收所述第一監控用雷射光束經所述待鑽工件反射的一反射光以產生一反射光訊號，所述第二光波前感測器接收所述第二監控用雷射光束穿過所述待鑽工件的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述第一光波前感測器與一第一移動裝置連接，以使所述第一光波前感測器於所述三維空間中移動，其中，所述第二光波前感測器與一第二移動裝置連接，以使所述第二光波前感測器於所述三維空間中移動；<br/> 其中，所述波形產生器電性連接於所述第一光波前感測器及所述第二光波前感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一檢測波形圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二檢測波形圖。
如請求項4所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述監控模組包含一影像裝置；<br/> 其中，所述光發射單元係用以朝向所述待鑽工件發射一第一監控用雷射光束及一第二監控用雷射光束，其中，所述第一監控用雷射光束及所述第二監控用雷射光束的波長範圍為300 nm至2000 nm，所述第一監控用雷射光束及所述第二監控用雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns；<br/> 其中，所述第一光彈性感測器接收所述第一監控用雷射光束經所述待鑽工件反射的一反射光以產生一反射光訊號，所述第二光彈性感測器接收所述第二監控用雷射光束穿過所述待鑽工件的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述第一光彈性感測器與一第一移動裝置連接，以使所述第一光彈性感測器於所述三維空間中移動，其中，所述第二光彈性感測器與一第二移動裝置連接，以使所述第二光彈性感測器於所述三維空間中移動；<br/> 其中，所述影像裝置電性連接於所述第一光彈性感測器及所述第二光彈性感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一應力分布特徵圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二應力分布特徵圖。
如請求項4所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述監控模組包含一波形產生器；<br/> 其中，所述光發射單元係用以朝向所述待鑽工件發射一第一監控用雷射脈衝及一第二監控用雷射脈衝，其中，所述第一監控用雷射脈衝及所述第二監控用雷射脈衝的波長範圍為300 nm至2000 nm，所述第一監控用雷射脈衝及所述第二監控用雷射脈衝的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns；<br/> 其中，所述第一雷射測振儀接收所述第一監控用雷射脈衝經所述待鑽工件反射的一反射光以產生一反射超音波，所述第二雷射測振儀接收所述第二監控用雷射脈衝穿過所述待鑽工件的一穿透光以產生一穿透超音波；<br/> 其中，所述第一雷射測振儀與一第一移動裝置連接，以使所述第一雷射測振儀於所述三維空間中移動，其中，所述第二雷射測振儀與一第二移動裝置連接，以使所述第二雷射測振儀於所述三維空間中移動；<br/> 其中，所述波形產生器電性連接於所述第一雷射測振儀及所述第二雷射測振儀，以接收所述反射超音波並產生一第一波形圖，以及接收所述穿透超音波，並產生一第二波形圖。
如請求項4所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述監控模組包含一高光譜產生器；<br/> 其中，所述光發射單元係用以朝向所述待鑽工件發射一第一監控用雷射光束及一第二監控用雷射光束，其中，所述第一監控用雷射光束及所述第二監控用雷射光束的波長範圍為300 nm至2000 nm，所述第一監控用雷射光束及所述第二監控用雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns；<br/> 其中，所述第一高光譜感測器接收所述第一監控用雷射光束經所述待鑽工件反射的一反射光以產生一反射光訊號，所述第二高光譜感測器接收所述第二監控用雷射光束穿過所述待鑽工件的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述第一高光譜感測器與一第一移動裝置連接，以使所述第一高光譜感測器於所述三維空間中移動，其中，所述第二高光譜感測器與一第二移動裝置連接，以使所述第二高光譜感測器於所述三維空間中移動；<br/> 其中，所述高光譜產生器電性連接於所述第一高光譜感測器及所述第二高光譜感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一檢測光譜圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二檢測光譜圖。
如請求項4所述的形成傾斜式孔洞的雷射鑽孔方法，其中，所述雷射鑽孔方法更進一步包含使用一清潔模組清除所述待鑽工件上的雜質，其中，所述清潔模組包括一氣體源以及一氣體噴嘴，所述氣體噴嘴與所述氣體源連接；<br/> 其中，所述雷射鑽孔方法更進一步包含使用一人工智慧系統，用以對所述待鑽工件的雷射鑽孔參數進行學習與預訓練，以及根據所述待鑽工件的特性自動選擇適合的所述監控模組，並對所述監控模組的多個監控參數進行優化設定。
一種雷射鑽孔系統，用於在一待鑽工件上形成傾斜式孔洞，所述雷射鑽孔系統包含：<br/> 一雷射提供模組，設置於所述待鑽工件的一側，用以提供一雷射光束；以及<br/> 一光引導元件，固定或靠置於所述待鑽工件的一表面，用以引導所述雷射光束，使所述雷射光束投射至所述待鑽工件；<br/> 其中，所述光引導元件包含一三角體，且所述光引導元件具有一斜面及與所述斜面連接的一底面，所述斜面可與所述底面構成一第一銳角；<br/> 其中，所述傾斜式孔洞可與所述待鑽工件的所述表面構成一第二銳角；所述第一銳角與所述第二銳角的角度總和為90度；<br/> 其中，所述雷射鑽孔系統更進一步包含使用一監控模組以監控所述待鑽工件的所述傾斜式孔洞形成狀況；<br/> 其中，所述監控模組包含一光發射單元以及一光接收單元；<br/> 其中，所述光發射單元與一雷射移動裝置連接，以使所述光發射單元於一三維空間中移動；<br/> 其中，所述光接收單元被配置為光波前感測器、光彈性感測器、雷射測振儀以及高光譜感測器之中的一者；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為光波前感測器時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一光波前感測器，以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二光波前感測器；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為光彈性感測器時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一光彈性感測器，以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二光彈性感測器；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為雷射測振儀時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一雷射測振儀，以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二雷射測振儀；<br/> 其中，當所述光接收單元被配置為高光譜感測器時，所述光接收單元包括位於所述待鑽工件的第一側的一第一高光譜感測器、以及位於所述待鑽工件的第二側的一第二高光譜感測器。
一種積體電路裝置，包括：<br/> 一第一半導體鰭片，沿一第一方向延伸；<br/> 一第一類型的一第一電晶體，包括該第一半導體鰭片中的一第一源極/汲極區域；<br/> 該第一類型的一第二電晶體，包括該第一半導體鰭片中的一第二源極/汲極區域；<br/> 一第一溝槽隔離區域，位於該第一源極/汲極區域與該第二源極/汲極區域之間；<br/> 一第一虛擬閘極結構，沿該第一方向自該第一半導體鰭片的一頂表面與該第一源極/汲極區域相鄰的一第一部分連續延伸橫跨該第一溝槽隔離區域至該第一半導體鰭片的該頂表面與該第二源極/汲極區域相鄰的一第二部分；<br/> 該第一類型的一第三電晶體，包括該第一半導體鰭片中的一第三源極/汲極區域；<br/> 該第一類型的一第四電晶體，包括該第一半導體鰭片中的一第四源極/汲極區域；<br/> 一第二溝槽隔離區域，位於該第三源極/汲極區域與該第四源極/汲極區域之間；<br/> 一第二虛擬閘極結構，具有位於該第一半導體鰭片的該頂表面的一第三部分上的一第一邊緣及位於該第二溝槽隔離區域上的一第二邊緣；及<br/> 一第三虛擬閘極結構，具有位於該第一半導體鰭片的該頂表面的一第四部分上的一第一邊緣及位於該第二溝槽隔離區域上的一第二邊緣，其中該第三虛擬閘極結構的該第二邊緣相鄰於該第二虛擬閘極結構的該第二邊緣。
如請求項1所述之積體電路裝置，進一步包括：<br/> 一第二半導體鰭片；<br/> 一第二類型的一第一電晶體，包括該第二半導體鰭片中的一第三源極/汲極區域；<br/> 該第二類型的一第二電晶體，包括該第二半導體鰭片中的一第四源極/汲極區域；<br/> 一第三溝槽隔離區域，位於該第三源極/汲極區域與該第四源極/汲極區域之間；及<br/> 一第四虛擬閘極結構，沿該第一方向自該第二半導體鰭片的一頂表面與該第三源極/汲極區域相鄰的一第一部分連續延伸橫跨該第三溝槽隔離區域至該第二半導體鰭片的該頂表面與該第四源極/汲極區域相鄰的一第二部分。
如請求項2所述之積體電路裝置，其中該第一類型的該第一電晶體及該第二電晶體包括具有一第一厚度的一I/O閘極氧化物，其中該第二類型的該第一電晶體及該第二電晶體包括具有一第二厚度的一核心閘極氧化物，其中該第一厚度與該第二厚度之比在1.5至10之間。
如請求項2所述之積體電路裝置，其中該第一虛擬閘極結構在該第一方向上的一寬度至少為該第四虛擬閘極結構在該第一方向上的一寬度的兩倍。
如請求項2所述之積體電路裝置，其中該第一類型的該第一電晶體具有在該第一方向上具有一第一寬度的一第一閘極結構，其中該第二類型的該第一電晶體具有在該第一方向上具有一第二寬度的一第二閘極結構，其中該第一寬度至少為該第二寬度的兩倍。
如請求項1所述之積體電路裝置，進一步包括：<br/> 一虛擬閘極接觸件，電性耦合至該第一虛擬閘極結構且配置成對該第一虛擬閘極結構施加一偏置電壓。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中該第一類型的該第一電晶體包括一第一輕摻雜源極/汲極區域，其中該第一虛擬閘極結構覆蓋該第一輕摻雜源極/汲極區域。
一種形成積體電路裝置的方法，包括：<br/> 形成一第一電晶體，其中該第一電晶體包括一第一半導體鰭片中的一第一源極/汲極區域及該第一半導體鰭片上的一第一閘極氧化物，該第一半導體鰭片沿一第一方向延伸；<br/> 形成一第二電晶體，其中該第二電晶體包括該第一閘極氧化物及該第一半導體鰭片中的一第二源極/汲極區域，該第二源極/汲極區域藉由一第一溝槽隔離區域與該第一源極/汲極區域隔開；<br/> 形成一第一虛擬閘極結構，其中該第一虛擬閘極結構覆蓋該第一閘極氧化物且沿該第一方向連續延伸橫跨該第一溝槽隔離區域；<br/> 形成一第三電晶體，其中該第三電晶體包括一第二半導體鰭片中的一第三源極/汲極區域及該第二半導體鰭片上的一第二閘極氧化物，該第一閘極氧化物比該第二閘極氧化物厚，該第二半導體鰭片沿該第一方向延伸；<br/> 形成一第四電晶體，其中該第四電晶體包括該第二閘極氧化物及該第二半導體鰭片中的一第四源極/汲極區域，該第四源極/汲極區域藉由一第二溝槽隔離區域與該第三源極/汲極區域隔開；及<br/> 形成一第二虛擬閘極結構，其中該第二虛擬閘極結構覆蓋該第二閘極氧化物且在該第一方向上連續延伸橫跨該第二溝槽隔離區域。
一種積體電路裝置，包括：<br/> 一I/O電路系統，包括：<br/> 一第一類型的一第一電晶體；<br/> 該第一類型的一第二電晶體；及<br/> 一I/O CPODE結構，位於該第一類型的該第一電晶體與該第一類型的該第二電晶體之間；及<br/> 一核心電路系統，包括：<br/> 一第二類型的一第一電晶體；<br/> 該第二類型的一第二電晶體；及<br/> 一核心CPODE結構，位於該第二類型的該第一電晶體與該第二類型的該第二電晶體之間。
如請求項9所述之積體電路裝置，其中該I/O電路系統配置成使用一I/O電源電壓驅動該第一類型的該第一電晶體及該第二電晶體，其中該核心電路系統配置成使用低於該I/O電源電壓的一核心電源電壓驅動該第二類型的該第一電晶體及該第二電晶體。
一種單向傳輸數據的狀態反饋方法，包括：<br/> 於一傳送端，分割一筆網路數據為多個數據區塊，並產生對應各數據區塊的初始向量；<br/> 一接收端透過一單向通道自該傳送端接收該多個數據區塊，包括接收對應各數據區塊的初始向量；<br/> 於該接收端，判斷該多個數據區塊中至少一遺漏區塊，根據該至少一遺漏區塊產生一重傳區塊的訊息，並將對應該至少一遺漏區塊的至少一初始向量加入該重傳區塊的訊息中；以及<br/> 於該接收端，透過一反饋技術反饋該重傳區塊的訊息至該傳送端，使該傳送端重傳該至少一遺漏區塊。
如請求項1所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中該傳送端連接一第一網域，且該傳送端設有一傳送端通訊協定代理模組，該傳送端通訊協定代理模組將該第一網域提供符合一通訊協定的該筆網路數據轉換並編碼為符合一單向傳輸協定的該多個數據區塊。
如請求項2所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中該接收端連接一第二網域，且該接收端設有一接收端通訊協定代理模組，該接收端通訊協定代理模組取得符合該單向傳輸協定的該多個數據區塊，將該多個數據區塊轉換並解碼為符合該通訊協定的該筆網路數據。
如請求項3所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中，當該接收端接收該多個數據區塊時，將該多個數據區塊轉換並解碼為符合該通訊協定的該筆網路數據，即檢查該筆網路數據的完整性，經完整性檢查判斷出該至少一遺漏區塊。
如請求項3所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中，當該接收端接收該多個數據區塊時，根據該傳送端提供的該多個數據區塊的數量以及/或特徵值判斷出該至少一遺漏區塊。
如請求項1所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中，於該傳送端接收該重傳區塊的訊息時，針對該至少一遺漏區塊，比對該接收端提供的該至少一初始向量是否吻合由該傳送端產生的對應初始向量，以驗證該重傳區塊的訊息。
如請求項1至6中任一項所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中該反饋技術包括於該傳送端設置一圖形碼讀取器，於該接收端設置一圖形碼產生器；於該接收端，該圖形碼產生器編碼該重傳區塊的訊息以產生一圖形碼，經該傳送端的該圖形碼讀取器讀取該圖形碼後解碼取得該重傳區塊的訊息。
如請求項7所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中該傳送端的該圖形碼讀取器週期性地進行掃描，以讀取該圖形碼。
如請求項1至6中任一項所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中該反饋技術包括於該傳送端設置一光耦合接收器，於該接收端設置一光耦合傳送器；於該接收端，將該重傳區塊的訊息編碼產生光訊號，透過該光耦合傳送器傳送該光訊號，由該傳送端的該光耦合接收器讀取該光訊號後，解碼取得該重傳區塊的訊息。
如請求項1至6中任一項所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法，其中該反饋技術包括於該傳送端設置一紅外光接收器，於該接收端設置一紅外光傳送器；於該接收端，將該重傳區塊的訊息編碼產生紅外光訊號，由該傳送端的該紅外光接收器讀取該紅外光訊號後，解碼取得該重傳區塊的訊息。
一種單向傳輸數據的狀態反饋系統，包括：<br/> 一傳送端，透過一傳送端通訊埠連接一第一網域，該傳送端包括一傳送端通訊協定代理模組、一重傳模組與一反饋接收模組；<br/> 一接收端，透過一接收端通訊埠連接一第二網域，並以一單向通道連接該傳送端，該接收端包括一接收端通訊協定代理模組、一監控模組與一反饋模組；<br/> 其中，該傳送端通訊協定代理模組用以分割一筆網路數據為多個數據區塊，並產生對應各數據區塊的初始向量；該傳送端用以透過該單向通道傳送該多個數據區塊與對應各數據區塊的初始向量至該接收端；該接收端通訊協定代理模組用以轉換該多個數據區塊為該筆網路數據，並經該監控模組判斷該多個數據區塊中至少一遺漏區塊；該接收端的該反饋模組用以根據該至少一遺漏區塊產生一重傳區塊的訊息，並將對應該至少一遺漏區塊的至少一初始向量加入該重傳區塊的訊息中；該接收端用以透過一反饋技術反饋該重傳區塊的訊息至該傳送端；該傳送端的該反饋接收模組用以接收該重傳區塊的訊息，使該重傳模組得出要重傳的該至少一遺漏區塊；以及該傳送端通訊協定代理模組用以轉換並編碼該至少一遺漏區塊後重傳至該接收端。
如請求項11所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，其中該傳送端通訊協定代理模組用以將該第一網域提供符合一通訊協定的該筆網路數據轉換並編碼為符合一單向傳輸協定的該多個數據區塊，且該接收端通訊協定代理模組還用以取得符合該單向傳輸協定的該多個數據區塊，將該多個數據區塊轉換並解碼為符合該通訊協定的該筆網路數據。
如請求項11所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，其中該接收端是透過檢查該筆網路數據的完整性檢查判斷出該至少一遺漏區塊。
如請求項11所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，其中該接收端是根據該傳送端提供的該多個數據區塊的數量以及/或特徵值判斷出該至少一遺漏區塊。
如請求項11所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，其中該傳送端還用以在接收該重傳區塊的訊息時，針對該至少一遺漏區塊，比對該接收端提供的該至少一初始向量是否吻合由該傳送端產生的對應初始向量，以驗證該重傳區塊的訊息。
如請求項11至15中任一項所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，其中該反饋技術包括：該傳送端還包括一圖形碼讀取器，該接收端還包括一圖形碼產生器；該圖形碼產生器用以編碼該重傳區塊的訊息以產生一圖形碼，該傳送端的該圖形碼讀取器用以讀取該圖形碼後解碼取得該重傳區塊的訊息。
如請求項11至15中任一項所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，其中該反饋技術包括：該傳送端還包括一光耦合接收器，該接收端還包括一光耦合傳送器；該接收端還用以將該重傳區塊的訊息編碼產生光訊號，透過該光耦合傳送器傳送該光訊號，該傳送端的該光耦合接收器用以讀取該光訊號後，解碼取得該重傳區塊的訊息。
如請求項11至15中任一項所述的單向傳輸數據的狀態反饋系統，該反饋技術包括：該傳送端還包括一紅外光接收器，該接收端還包括一紅外光傳送器；該接收端將該重傳區塊的訊息編碼產生紅外光訊號，由該傳送端的該紅外光接收器讀取該紅外光訊號後，解碼取得該重傳區塊的訊息。
一種單向閘道器，其中運行如請求項1所述的單向傳輸數據的狀態反饋方法。
一種偏振元件單元，係使入射光偏振的偏振元件單元，其特徵為具備： <br/> 框架，係具有將第1方向設為長邊方向，將與前述第1方向正交的第2方向設為短邊方向的開口；及 <br/> 複數線柵偏振元件，係於前述開口被沿前述第1方向排列的複數線柵偏振元件，並且前述線柵偏振元件分別以可繞從與前述第1方向及前述第2方向正交的第3方向旋轉之方式被前述框架支持，前述複數線柵偏振元件中至少1個前述線柵偏振元件相較於前述複數線柵偏振元件中其他前述線柵偏振元件，前述長邊方向的寬度較小，或前述第3方向周圍的可旋轉範圍較大。
如請求項1所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 至少1個線柵偏振元件相較於其他前述線柵偏振元件，前述長邊方向的寬度較小，且前述第3方向周圍的可旋轉範圍較大。
如請求項1所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 複數前述線柵偏振元件中，位於前述長邊方向的端部之前述線柵偏振元件的前述長邊方向的寬度，比位於前述長邊方向的中央之前述線柵偏振元件的前述長邊方向的寬度還小。
如請求項3所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 複數前述線柵偏振元件中，位於前述長邊方向的端部之前述線柵偏振元件的前述可旋轉範圍，比位於前述長邊方向的中央之前述線柵偏振元件的前述可旋轉範圍還大。
如請求項3所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 複數前述線柵偏振元件中，越接近前述長邊方向的端部的前述線柵偏振元件，前述長邊方向的寬度越小。
如請求項1所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 複數前述線柵偏振元件中，位於前述長邊方向的端部之前述線柵偏振元件的前述可旋轉範圍，比位於前述長邊方向的中央之前述線柵偏振元件的前述可旋轉範圍還大。
如請求項6所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 複數前述線柵偏振元件中，越接近前述長邊方向的端部的前述線柵偏振元件，前述可旋轉範圍越大。
如請求項1所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 各前述線柵偏振元件的引線的延伸方向不平行於前述長邊方向，且不正交於前述長邊方向。
如請求項8所記載之偏振元件單元，其中， <br/> 各前述線柵偏振元件的前述引線的延伸方向相對於前述長邊方向成45°的角度。
一種偏振光照射單元，係出射偏振光的偏振光照射單元，其特徵為具備： <br/> 光源； <br/> 框架，係被固定於前述光源；及 <br/> 複數線柵偏振元件，係沿前述光源的長邊方向排列的複數線柵偏振元件，並且前述線柵偏振元件分別以可繞從前述光源入射之光的光軸方向旋轉之方式被前述框架支持，前述複數線柵偏振元件中至少1個前述線柵偏振元件相較於前述複數線柵偏振元件中其他前述線柵偏振元件，前述長邊方向的寬度較小，或前述光軸方向周圍的可旋轉範圍較大。
一種偏振光照射裝置，係對照射對象物照射偏振光的偏振光照射裝置，其特徵為具備： <br/> 偏振光照射單元；及 <br/> 搬送機構，係搬送前述照射對象物， <br/> 前述偏振光照射單元具備： <br/> 光源； <br/> 框架，係被固定於前述光源；及 <br/> 複數線柵偏振元件，係沿前述光源的長邊方向排列的複數線柵偏振元件，並且前述線柵偏振元件分別以可繞從前述光源入射之光的光軸方向旋轉之方式被前述框架支持，前述複數線柵偏振元件中至少1個前述線柵偏振元件相較於前述複數線柵偏振元件中其他前述線柵偏振元件，前述長邊方向的寬度較小，或前述光軸方向周圍的可旋轉範圍較大。
一種偏振光照射方法，係對照射對象物照射偏振光的偏振光照射方法，其特徵為： <br/> 從光源使光入射至偏振元件單元， <br/> 前述偏振元件單元具備： <br/> 框架，係被固定於前述光源；及 <br/> 複數線柵偏振元件，係沿前述光源的長邊方向排列的複數線柵偏振元件，並且前述線柵偏振元件分別以可繞從前述光源入射之光的光軸方向旋轉之方式被前述框架支持，前述複數線柵偏振元件中至少1個前述線柵偏振元件相較於前述複數線柵偏振元件中其他前述線柵偏振元件，前述長邊方向的寬度較小，或前述光軸方向周圍的可旋轉範圍較大。
一種冷卻循環散熱件，包含：<br/> 一殼體；及<br/> 一流道，位於該殼體，該流道具有至少一聚氣區，該至少一聚氣區具有一入液部及一出液部，該入液部與該出液部之間可以具有至少一擴增段，該至少一擴增段具有一第一側邊及一第二側邊，該第一側邊及該第二側邊於該殼體的一Y方向成相對，該第一側邊相對於該入液部與該出液部於該Y方向為高位，該至少一擴增段另朝遠離該第二側邊的方向成漸擴，該流道具有一集液區，該集液區於該Y方向由該至少一聚氣區的出液部，至該殼體的一出液口依序具有一擴徑段及一縮徑段，該擴徑段於該Y方向由該出液部朝向該縮徑段成漸擴。
如請求項1之冷卻循環散熱件，其中，該聚氣區於該殼體的一X方向延伸，該至少一擴增段的截面尺寸大於該入液部及大於該出液部的截面尺寸。
如請求項1之冷卻循環散熱件，其中，該第二側邊由該入液部朝該出液部成傾斜。
如請求項1之冷卻循環散熱件，其中，該第一側邊與該入液部之間，以及該第一側邊與該出液部之間分別連接有一斜邊。
如請求項1之冷卻循環散熱件，其中，該入液部與該出液部之間可以具有數個擴增段。
如請求項1之冷卻循環散熱件，其中，該殼體具有一入液口，該流道具有一第一端以連接該入液口，該流道具有一第二端以連接該出液口，該縮徑段鄰接該第二端。
如請求項6之冷卻循環散熱件，其中，該集液區位於該聚氣區和第二端之間。
如請求項6之冷卻循環散熱件，其中，該至少一聚氣區位於該Y方向上的最高位，使該至少一聚氣區鄰近於該殼體於該Y方向上的一端，該流道的該第一端與該第二端鄰近於該殼體於該Y方向上相對的另一端。
一種電子裝置，具有如請求項1至8中任一項之冷卻循環散熱件。
如請求項9之電子裝置，其中，該電子裝置具有相對折疊的一主機本體及一螢幕背板，該主機本體具有一吸熱單元，該冷卻循環散熱件之殼體位於該螢幕背板，該殼體的流道藉由數個連通管與該吸熱單元的一腔室相連通。
如請求項10之電子裝置，其中，該數個連通管為可撓性材質。
一種拾取具，包含：<br/> 本體：設有至少一第一段部及至少一第二段部，並設有相通該第二段部之至少一第一通氣道，以供抽取及吹送氣體；<br/> 拾取部件：設於該本體之該第二段部，並設有相通該第一通氣道之第二通氣道，該第二通氣道之底面凹設至少一流場，以供抽出或吹入該氣體；<br/> 至少一變流區：設於該拾取部件之該流場的壁面，並具有至少一第一承撞部，該第一承撞部自該流場朝向該第二通氣道延伸，並供該流場吹入之該氣體碰撞而沖出該拾取部件，其中，該至少一變流區於該第一承撞部之側方界定有至少一第二承撞部，以供該流場吹入之該氣體碰撞。
如請求項1所述之拾取具，其該至少一變流區凹設或凸設於該拾取<br/> 部件之該流場的該壁面。
如請求項1所述之拾取具，其該至少一變流區的該至少一第一承撞<br/> 部呈曲弧面形或多邊面形。
如請求項1所述之拾取具，其該至少一變流區的該第二承撞部呈尖角狀、弧狀或平面狀。
如請求項1所述之拾取具，其該至少一變流區包含複數個該變流區<br/> ，該複數個變流區環設於該流場之該壁面。
如請求項1所述之拾取具，其該至少一變流區之面積小於或等於該<br/> 拾取部件之該流場的面積。
如請求項1至6中任一項所述之拾取具，其該拾取部件能夠一體成型<br/> 或可拆卸式設於該本體之該第二段部。
一種接合機構，包含：<br/> 至少一承載器：設有至少一載具；<br/> 至少一如請求項1至6中任一項所述之拾取具：裝配於該承載器之該載具，以供移載電子元件。
一種作業機，包含：<br/> 機台；<br/> 供料裝置：配置於該機台，並設有至少一供料器，以供容置至少一待作業<br/> 之電子元件；<br/> 收料裝置：配置於該機台，並設有至少一收料器，以供容置至少一已作業之電子元件；<br/> 作業裝置：配置於該機台，包含至少一作業器及至少一如請求項8所述之<br/> 接合機構，該至少一作業器以供對電子元件執行預設作業，該至少一接合機構以供移載該作業器之電子元件；<br/> 中央控制裝置：以控制及整合各裝置作動而執行自動化作業。
一種基板處理裝置，使用電漿，其特徵在於，包括：腔體，提供對基板的處理空間；上噴頭，設置於所述腔體的內部的上部；基板支承部，設置於所述腔體的內側而支承所述基板；下噴頭組件，設置於所述基板支承部的內側而朝向所述基板的下面供應製程氣體；驅動單元，使所述下噴頭組件升降來調節所述基板和所述下噴頭組件之間的間隙，並使所述下噴頭相對於所述基板傾斜；升降單元，使所述基板支承部和所述下噴頭升降來調節所述基板和所述上噴頭之間的間隙；以及傾斜單元，使所述基板支承部和所述下噴頭傾斜來使所述基板相對於所述上噴頭傾斜，所述驅動單元具備：第一升降板，與所述下噴頭組件的驅動桿連接；以及多個第一升降驅動部，使所述第一升降板升降，並能夠獨立驅動。
如請求項1所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述基板處理裝置還具備：第二升降板，被連接所述基板支承部的下端部，所述多個第一升降驅動部連接於所述第二升降板和所述第一升降板。
如請求項2所述的基板處理裝置，其特徵在於，當使所述下噴頭組件升降時，所述多個第一升降驅動部一起驅動，當使所述下噴頭組件傾斜時，所述多個第一升降驅動部獨立驅動。
如請求項2所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述下噴頭組件的驅動桿配置成貫通所述第二升降板。
一種基板處理裝置，其特徵在於，包括：腔體，提供對基板的處理空間；上噴頭，設置於所述腔體的內部的上部；基板支承部，設置於所述腔體的內側而支承所述基板；下噴頭組件，設置於所述基板支承部的內側而朝向所述基板的下面供應製程氣體；驅動單元，使所述下噴頭組件升降來調節所述基板和所述下噴頭組件之間的間隙，並使所述下噴頭相對於所述基板傾斜；升降單元，使所述基板支承部和所述下噴頭升降來調節所述基板和所述上噴頭之間的間隙；以及傾斜單元，使所述基板支承部和所述下噴頭傾斜來使所述基板相對於所述上噴頭傾斜，所述升降單元具備：第二升降板，與所述基板支承部的下端部以及所述下噴頭組件的驅動桿連接；以及第二升降驅動部，使所述第二升降板升降。
如請求項5所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述基板處理裝置還具備：第一升降板，與所述下噴頭組件的驅動桿連接，所述第二升降板和所述第一升降板通過多個第一升降驅動部彼此連接。
如請求項5所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述基板處理裝置還具備：垂直連接桿，被連接所述第二升降驅動部，所述第二升降板跟隨所述垂直連接桿升降。
一種基板處理裝置，其特徵在於，包括：腔體，提供對基板的處理空間；上噴頭，設置於所述腔體的內部的上部；基板支承部，設置於所述腔體的內側而支承所述基板；下噴頭組件，設置於所述基板支承部的內側而朝向所述基板的下面供應製程氣體；驅動單元，使所述下噴頭組件升降來調節所述基板和所述下噴頭組件之間的間隙，並使所述下噴頭相對於所述基板傾斜；升降單元，使所述基板支承部和所述下噴頭升降來調節所述基板和所述上噴頭之間的間隙；以及傾斜單元，使所述基板支承部和所述下噴頭傾斜來使所述基板相對於所述上噴頭傾斜，所述傾斜單元具備：傾斜板，與所述基板支承部的下端部以及所述下噴頭組件的驅動桿連接；以及傾斜驅動部，使所述傾斜板傾斜。
如請求項8所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述基板處理裝置還具備：垂直連接桿，被連接所述傾斜板，與所述基板支承部的下端部連接的第二升降板以能夠跟隨所述垂直連接桿升降的方式連接於所述垂直連接桿，所述下噴頭組件的驅動桿連接於第一升降板，所述第二升降板和所述第一升降板通過多個第一升降驅動部彼此連接。
如請求項8所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述基板處理裝置還具備：傾斜殼體，連接於所述腔體的下部，所述傾斜驅動部和所述傾斜板連接於所述傾斜殼體。
一種步進流動式自動分析方法，適用於與一自動分析裝置配合，供用於測定水中化學物質，該自動分析裝置包含一主管路、一空氣推送單元、一檢測單元、一汲樣單元、一試劑單元及一繼電器模組，該空氣推送單元包括一空氣管路及一用於推送氣體的空氣泵，該空氣管路的一端與該主管路連通，另一端則與該空氣泵連通，該檢測單元與該主管路連接，該汲樣單元包括一汲樣管路及一汲樣泵，該汲樣管路一端與該主管路連通，另一端則與一用於供應樣水的樣水容器連通，且該汲樣管路設置於該檢測單元與該空氣管路之間，該試劑單元包括一試劑管路及一試劑泵，該試劑管路一端與該主管路連通，而另一端則與一用於供應試劑溶液的試劑容器連通，該繼電器模組分別與該汲樣泵、該試劑泵及該空氣泵連接，該步進流動式自動分析方法包含：<br/> 一送樣步驟，通過該繼電器模組同時開啟該汲樣泵與該試劑泵，以分別將該樣水容器中的該樣水與該試劑容器中的該試劑溶液經由至該主管路推送至該檢測單元進行檢測；及<br/> 一退樣步驟，於該送樣步驟後，該汲樣泵與該試劑泵停止前的一時間t1，該時間t1≦2秒，開啟該空氣泵推送該氣體至該主管路，並控制令該氣體的流量與該汲樣泵的流量相當，並於該汲樣泵與該試劑泵關閉後的一時間t2內持續推送該氣體，此時該氣體不再進入該主管路，而是供用於將該汲樣管路殘存的該樣水推回至該樣水容器，其中，該時間t2≦2秒，之後關閉該空氣泵。
如請求項1所述的步進流動式自動分析方法，還包含實施於該退樣步驟之後的一滯停檢測步驟，通過該繼電器模組關閉該汲樣泵、該試劑泵，及該空氣泵，使該樣水與該試劑溶液停滯於該檢測單元內。
如請求項2所述的步進流動式自動分析方法，其中，該自動分析裝置還包含一沖洗單元，該沖洗單元包括一沖洗管路及一沖洗泵，該沖洗管路一端與該主管路連通，而另一端則與一用於供應沖洗液的沖洗液容器連通，且該沖洗管路設置於該檢測單元與該汲樣管路之間，該步進流動式自動分析方法還包含實施於該滯停檢測步驟之後的一沖洗步驟，通過該繼電器模組開啟該沖洗泵，汲取該沖洗液並送入至該主管路中，以清洗該主管路及該檢測單元中殘存的該試劑溶液與該樣水。
如請求項2所述的步進流動式自動分析方法，其中，該檢測單元包含一與該主管路遠離該空氣管路的一端連通的偵測器及一與該偵測器訊號連接的訊號傳輸模組，及一與該訊號傳輸模組連接的處理器，其中，該滯停檢測步驟是將該偵測器的檢測結果通過該訊號傳輸模組傳輸至該處理器，該處理器可依據該檢測結果得到相應的一檢測訊號。
如請求項4所述的步進流動式自動分析方法，其中，該檢測訊號是依據該檢測結果並濾除氣泡雜訊而得。
如請求項1所述的步進流動式自動分析方法，其中， 該時間t1介於1~2秒，該時間t2介於1~2秒。
一種伺服器計算系統，包含：<br/> 一結構支撐物，被配置以容納一條或多條電纜；以及<br/> 一纏繞管，被配置為纏繞該一條或多條電纜的一相應電纜，該纏繞管包含<br/> 一螺旋體，以一帶狀材料的形式，圍繞著一縱軸佈置，該螺旋體具有一內表面與一外表面，該內表面形成一纏繞空間以容納該一條或多條電纜的該相應電纜，以及<br/> 一安裝片，接觸該螺旋體的該外表面，該安裝片將該螺旋體固定在該結構支撐物上。
如請求項1所述的計算系統，其中該安裝片經由一隔板片與該螺旋體相連接。
如請求項1所述的計算系統，其中該螺旋體具有一螺旋形狀。
如請求項1所述的計算系統，其中該安裝片具有一T型形狀。
如請求項1所述的計算系統，進一步包含一安裝夾，該安裝夾被配置為與該安裝片相連接，以將該安裝片連接到該結構支撐物。
一種伺服器計算系統，包含：<br/> 一結構支撐物，被配置以容納一條或多條電纜；<br/> 一纏繞管，被配置為纏繞該一條或多條電纜的一相應電纜，該纏繞管包含<br/> 一螺旋體，以一帶狀材料的形式，圍繞著一縱軸佈置，該螺旋體具有一內表面與一外表面，該內表面形成一纏繞空間以容納該一條或多條電纜的該相應電纜，<br/> 一安裝片，經由一隔板片，從該外表面向外延伸，以及<br/> 一安裝夾，連接到該結構支撐物，該安裝夾被配置為與該安裝片相連接。
如請求項6所述的計算系統，其中該纏繞管包含至少一個附加的安裝片，該至少一個附加的安裝片以與該安裝片不同的方向從該外表面向外延伸。
如請求項6所述的計算系統，其中該螺旋體具有複數個線圈，該些線圈的每個線圈被一介入空間從一鄰近線圈間隔開。
一種伺服器計算系統，包含：<br/> 一伺服器機架，被配置以容納一條或多條電纜；以及<br/> 一纏繞管，被配置為纏繞該一條或多條電纜的一相應電纜，該纏繞管包含<br/> 一螺旋體，以一帶狀材料的形式，圍繞著一縱軸佈置，該螺旋體具有一內表面與一外表面，該內表面形成一纏繞空間以容納該一條或多條電纜的該相應電纜，以及<br/> 複數個安裝片，該些安裝片的每一者經由一隔板片從該外表面向外延伸，且被配置以將該纏繞管連接到該伺服器機架上。
如請求項9所述的計算系統，其中該些安裝片均勻地分布在該螺旋體的該外表面周圍。
一種電池組，包含一電池盒容置多個電池，該電池盒包含一殼體、一通道空間，及一按鍵組，其中：<br/> 該殼體為柱狀；<br/> 該通道空間沿該殼體的一徑向穿設該殼體；<br/> 該按鍵組可活動地設置於該通道空間，且沿該徑向運動，該按鍵組於該通道空間沿該徑向移動時，其一側周面限位設置於該通道空間內。
如請求項1所述的電池組，其中，該殼體具有一開口，並界定出一經由該開口對外連通且供容置該等電池的容置空間，該通道空間形成有多個分別位於兩端的第一通口，該按鍵組具有多個分別對應位於該容置空間兩側的按壓單元，每一按壓單元具有一可沿該徑向伸縮的彈性件，及一與該彈性件連接的按壓件，且各按壓件分別自相應的第一通口露出，且與該殼體彼此獨立。
如請求項1所述的電池組，其中，該電池盒還包含一底座，該殼體直立設置於該底座設置。
如請求項2所述的電池組，其中，該通道空間還形成有多個第二通口，各第二通口沿該殼體的徑向延伸，並分別與該等第一通口相對應，且彼此不相連通，每一按壓單元的按壓件是由一按壓部及一自該按壓部延伸形成的卡扣部所構成，該按壓部與該彈性件連接，並自相應的第一通口露出，該卡扣部自相應的第二通口對外伸出，而可沿該徑向移動。
如請求項2所述的電池組，其中，該殼體的側周面形成有多個凹部，該等按壓單元分別對應位於各凹部處。
如請求項3所述的電池組，其中，該底座包括一對位於一容置空間的限位座，供用以固設該等電池。
如請求項3所述的電池組，其中，該電池組還包含一接合單元，該接合單元具有多個設置於該底座的的第一接合件，及多個設置於該殼體且鄰近於一開口處的第二接合件的第二接合件，各第二接合件對位於該等第一接合件，且與相對位的第一接合件可彼此接合。
如請求項3所述的電池組，其中，該殼體還具有自其底緣對外延伸的一平台，該電池組還包含一接合單元，該接合單元具有多個設置於該底座的第一接合件，及多個設置於該平台且對位於該等第一接合件的第二接合件，各第一接合件與相對位的第二接合件可彼此接合。
如請求項1所述的電池組，其中，該通道空間的總體積不小於一容置空間之體積的10%。
一種半導體元件，包含：<br/> 一第一有機發光二極體(OLED)單元，包含：<br/> 一第一反射基座；<br/> 一第一電致發光結構，在該第一反射基座上方；以及<br/> 一第一光學共振結構，在該第一電致發光結構與該第一反射基座之間；以及<br/> 一第二有機發光二極體單元，包含：<br/> 一第二反射基座；<br/> 一第二電致發光結構，在該第二反射基座上方；以及<br/> 一第二光學共振結構，在該第二電致發光結構與該第二反射基座之間，其中該第一反射基座的一標高與該第二反射基座的一標高不同。
如請求項1所述之半導體元件，其中：<br/> 該第一反射基座的該標高與該第二反射基座的該標高之差小於該第一電致發光結構的一標高與該第二電致發光結構的一標高之差。
如請求項1所述之半導體元件，進一步包含：<br/> 一第一互連元件，配置以在該第一有機發光二極體單元與一第一電晶體或一第一電容器中的至少一個之間建立一電性連接；以及<br/> 一第二互連元件，配置以在該第二有機發光二極體單元與一第二電晶體或一第二電容器中的至少一個之間建立一電性連接。
如請求項1所述之半導體元件，其中：<br/> 該第一光學共振結構包含一第一透明材料，以在該第一反射基座與該第一電致發光結構之間建立一第一光路；以及<br/> 該第二光學共振結構包含一第二透明材料，以在該第二反射基座與該第二電致發光結構之間建立一第二光路。
一種形成半導體元件的方法，包含：<br/> 在一互連層上方形成一或多個介電層；<br/> 在該一或多個介電層中形成一第一溝槽和一第二溝槽；<br/> 在該第一溝槽中形成一第一有機發光二極體(OLED)單元的一第一反射基座；以及<br/> 在該第二溝槽中形成一第二個有機發光二極體單元的一第二反射基座，其中該第一反射基座的一標高與該第二反射基座的一標高不同。
如請求項5所述之形成半導體元件的方法，其中：<br/> 形成該第一溝槽和該第二溝槽包含形成該第一溝槽和該第二溝槽以使得該第一溝槽的一第一基座的一標高與該第二溝槽的一第二基座的一標高不同。
如請求項5所述之形成半導體元件的方法，進一步包含：<br/> 在該第一溝槽中，在該第一反射基座上方形成該第一有機發光二極體單元的一第一光學共振結構；以及<br/> 在該第二溝槽中，在該第二反射基座上方形成該第二有機發光二極體單元的一第二光學共振結構。
如請求項5所述之形成半導體元件的方法，其中：<br/> 形成該第一溝槽包含在該互連層中的一第一互連元件上方形成該第一溝槽，其中該第一互連元件配置以在該第一有機發光二極體單元與一第一電晶體或一第一電容器中的至少一個之間建立一電性連接；以及<br/> 形成該第二溝槽包含在該互連層中的一第二互連元件上方形成該第二溝槽，其中該第二互連元件配置以在該第二有機發光二極體單元與一第二電晶體或一第二電容器中的至少一個之間建立一電性連接。
一種半導體元件，包含：<br/> 一第一有機發光二極體單元，配置以產生具有一第一顏色的一光，該第一有機發光二極體單元包含：<br/> 一第一光學共振結構；<br/> 一第一電致發光結構，在該第一光學共振結構上方；以及<br/> 一第一反射基座；以及<br/> 一第二有機發光二極體單元，配置以產生具有不同於該第一顏色的一第二顏色的一光，該第二有機發光二極體單元包含：<br/> 一第二光學共振結構；<br/> 一第二電致發光結構，在該第二光學共振結構上方，其中該第一電致發光結構與該第二電致發光結構共平面；以及<br/> 一第二反射基座，其中該第一反射基座的一標高與該第二反射基座的一標高不同。
如請求項9所述之半導體元件，其中該第一反射基座的該標高低於該第二反射基座的該標高。
一種電化學反應電極，包含：至少二多孔性導電層，由碳纖維編織布形成且彼此疊設。
如請求項1所述之電化學反應電極，其中該至少二多孔性導電層具有不同的編織密度。
如請求項1所述之電化學反應電極，更包含一集電板，該至少二多孔性導電層疊設於該集電板的一側。
如請求項3所述之電化學反應電極，其中該至少二多孔性導電層中較靠近該集電板的一者之編織密度相異於該至少二多孔性導電層中較遠離該集電板的一者之編織密度。
如請求項4所述之電化學反應電極，其中該至少二多孔性導電層中較遠離該集電板的一者之編織密度低於該至少二多孔性導電層中較靠近該集電板的一者之編織密度。
如請求項4所述之電化學反應電極，其中該至少二多孔性導電層中較遠離該集電板的一者之編織密度高於該至少二多孔性導電層中較靠近該集電板的一者之編織密度。
如請求項3所述之電化學反應電極，其中該至少二多孔性導電層中較遠離該集電板的一者之厚度薄於該至少二多孔性導電層中較靠近該集電板的一者之厚度。
如請求項3所述之電化學反應電極，其中該集電板具有彼此相對的一第一側及一第二側，該至少二多孔性導電層包含多個第一多孔性導電層及多個第二多孔性導電層，該些第一多孔性導電層疊設於該第一側，該些第二多孔性導電層疊設於該第二側。
如請求項1所述之電化學反應電極，更包含多個末梢導電化膜，該至少二多孔性導電層每一者包含彼此交錯連接的多個纖維束，該些末梢導電化膜分別設置於該些纖維束的至少一端。
如請求項9所述之電化學反應電極，其中該些末梢導電化膜分別設置於該至少二多孔性導電層的該些纖維束的相對兩端。
如請求項9所述之電化學反應電極，其中該些末梢導電化膜由鎳、金、銀、鋁、銅、或上述之組合製成。
如請求項1所述之電化學反應電極，更包含至少一通道夾層，該至少一通道夾層設置於該至少二多孔性導電層之間。
如請求項12所述之電化學反應電極，其中該至少一通道夾層為碳纖維紙或碳纖維紗。
如請求項1所述之電化學反應電極，更包含二夾框，該二夾框分別設置於該至少二多孔性導電層的相對兩側而夾持該至少二多孔性導電層。
如請求項14所述之電化學反應電極，其中該二夾框每一者包含一框體及一第一壓條體，於該二夾框每一者中，該框體具有一開口，該第一壓條體的相對兩端連接於框體並遮蔽部分的該開口。
如請求項15所述之電化學反應電極，其中該二夾框每一者更包含一第二壓條體，於該二夾框每一者中，該第二壓條體的相對兩端連接於框體並遮蔽部分的該開口，該第一壓條體的延伸方向相異於該第二壓條體的延伸方向。
一種形成半導體裝置結構的方法，其包含：<br/> 自一基體形成一第一鰭片結構及一第二鰭片結構，其中該第一鰭片結構包括第一複數個半導體層，且該第二鰭片結構包括第二複數個半導體層；<br/> 沉積環繞該等第一複數個半導體層中之各者之一部分的一閘極介電層；<br/> 在該閘極介電層之環繞該等第一複數個半導體層中之各者之該部分的部分上沉積一第一功函數層；<br/> 在該第一功函數層上方沉積一黏著層；<br/> 在該黏著層上沉積一含氟層；<br/> 在該含氟層上執行一退火製程；<br/> 移除該含氟層及該黏著層；<br/> 在該第一功函數層上方沉積一第二功函數層；及<br/> 在該第二功函數層上方沉積一塊體金屬，<br/> 其中該閘極介電層係沉積環繞該等第二複數個半導體層中之各者之一部分，且其中該方法更包含在該閘極介電層之環繞該等第二複數個半導體層中之各者之該部分的部分上沉積一第三功函數層。
如請求項1之方法，其中該黏著層係沉積於該第三功函數層上方。
如請求項2之方法，其中該方法更包含在移除該含氟層之後，在該第三功函數層上方沉積一第四功函數層。
如請求項3之方法，其中該等第一及第二功函數層為n型功函數層，且該等第三及第四功函數層為p型功函數層。
一種形成半導體裝置結構的方法，其包含：<br/> 自一基體形成一第一鰭片結構及一第二鰭片結構，其中該第一鰭片結構包括第一複數個半導體層，且該第二鰭片結構包括第二複數個半導體層；<br/> 沉積環繞該等第一複數個半導體層中之各者之一部分的一閘極介電層；<br/> 在該閘極介電層之環繞該等第一複數個半導體層中之各者之該部分的部分上沉積一第一功函數層；<br/> 在該第一功函數層上方沉積一黏著層；<br/> 在該黏著層上沉積一含氟層；<br/> 在該含氟層上執行一退火製程；<br/> 移除該含氟層及該黏著層；<br/> 在該第一功函數層上方沉積一第二功函數層；且<br/> 在該第二功函數層上方沉積一塊體金屬。
如請求項5之方法，其中該閘極介電層係沉積環繞該等第二複數個半導體層中之各者之一部分。
如請求項5之方法，其更包含在該第一功函數層上沉積一頂蓋層，其中該黏著層係沉積於該頂蓋層上。
如請求項5之方法，其中：<br/> 該閘極介電層具有一第一氟濃度；<br/> 該第一功函數層具有大於該第一氟濃度的一第二氟濃度；及<br/> 該第二功函數層具有小於該第二氟濃度的一第三氟濃度。
如請求項8之方法，其更包含在該第一功函數層沉積一頂蓋層，其中該黏著層係沉積於該頂蓋層上，且其中該頂蓋層具有大於該第二氟濃度的一第四氟濃度。
如請求項9之方法，其更包含於該第二功函數層上沉積另一黏著層。
一種電力端子，可電性連接第一外部元件及第二外部元件，所述電力端子包括：<br/> 對接件，包括向前延伸並可插入所述第一外部元件的柱狀接觸部及第一擋部；<br/> 支撐件，包括可固定在所述第二外部元件的安裝部及容納空間，所述容納空間貫穿所述支撐件的前表面及後表面；及<br/> 固定件，包括第二擋部；<br/> 其中，所述對接件與固定件之間由一連接部作彼此固定，所述連接部穿過所述容納空間，所述第一擋部與所述支撐件的前表面之間設有第一彈性件，所述連接部與所述容納空間的內壁面之間間隔有一定間距。
如請求項1所述的電力端子，其中，所述第一彈性件固定在所述支撐件的前表面，且設有可彈性抵壓在所述第一擋部的多個彈性臂。
如請求項2所述的電力端子，其中，所述支撐件的後表面固定有第二彈性件，所述第二彈性件設有可彈性抵壓在所述第二擋部的彈性臂。
如請求項3所述的電力端子，其中，所述第一、第二彈性件為環狀墊片，其可使用雷射點焊、電阻焊、粘貼等多種方式固定於所述支撐件的前、後表面。
如請求項4所述的電力端子，其中，所述環狀墊片設有多個指狀部，指狀部的末端設有接觸凸點，所述指狀部位於所述環狀墊片的平面內，所述接觸凸點突出所述環狀墊片的平面，如此，所述指狀部構成所述彈性臂；所述前、後表面設有圍繞所述容納空間的淺凹部，用來避讓所述彈性臂的移動。
如請求項3所述的電力端子，其中，所述連接部與所述容納空間的內壁面之間設置有第三彈性件。
如請求項6所述的電力端子，其中，所述第三彈性件為套設在所述連接部的筒狀金屬件，所述第一、第二彈性件的一端彎折而形成內端環，所述內端環將所述第三彈性件的一端抵壓在所述容納空間的內壁面。
如請求項6所述的電力端子，其中，所述第三彈性件為套設在所述連接部的筒狀金屬件，其包括前端環、後端環及一體連接所述前、後端環的連接梁，以及自所述前端環傾斜向後向內延伸的前傾斜臂、自所述後端環傾斜向前向內延伸的後傾斜臂。
如請求項8所述的電力端子，其中，所述前傾斜臂向後延伸至臨近所述後端環處，所述後傾斜臂向前延伸至臨近所述前端環處。
如請求項1所述的電力端子，其中，所述連接部自所述第一擋部向後延伸而形成，其末端穿過所述容納空間而固定於所述固定件設有的固定孔。
如請求項1所述的電力端子，其中，所述連接部自所述第一擋部向後延伸而形成，所述連接部設有向後貫穿的連接孔，所述固定件設有自所述第二擋部向前延伸的連接柱，所述連接柱插入所述連接孔並由一固定銷徑向穿過所述第一擋部及所述連接柱設有的固定孔而將所述連接柱固定在所述連接孔內。
如請求項11所述的電力端子，其中，所述支撐件包括豎直部及水平部，所述容納空間穿過所述豎直部，所述水平部設有向下延伸的多個焊接腳。
一種電力連接器，其包括兩個如請求項1所述的電力端子及絕緣體，兩個所述電力端子固定在所述絕緣體。
如請求項13所述的電力連接器，其中，所述電力連接器進一步包括訊號端子，所述訊號端子設置在所述絕緣體。
如請求項13所述的電力連接器，其中，所述絕緣體位於兩個所述電力端子之間。
如請求項15所述的電力連接器，其中，所述絕緣體在其左右兩側設有安裝凹槽及位於安裝凹槽內的多個固持柱，每一電力端子的一側設有凸出部及貫穿所述凸出部的固持孔，所述凸出部收容在所述安裝凹槽內，所述固持柱固定在對應固持孔內。
一種排程製作程式產生方法，其係藉由強化學習產生用於製作由基板處理裝置處理複數片基板之時間排程之排程製作程式的方法；且<br/>上述基板處理裝置具備：<br/>容器載置部，其載置收納構成1批次之1片以上之基板之複數個基板收納容器；<br/>複數個基板處理部，其等以一片為單位，對上述基板執行基板處理；及<br/>搬送部，其於上述複數個基板收納容器與上述複數個基板處理部之間搬送上述基板；且<br/>上述基板處理裝置藉由對構成上述批次之上述基板逐片執行上述基板處理，完成對於上述批次之處理；<br/>上述排程製作程式於在先行載置於上述容器載置部之第1基板收納容器中殘留有構成優先度為通常之通常批次之第1基板之全部或一部分時，根據將收納上述優先度較上述通常高之優先批次之第2基板收納容器載置於上述容器載置部而製作插入排程；<br/>上述插入排程顯示藉由上述基板處理裝置處理殘留於上述第1基板收納容器之上述第1基板、與構成上述優先批次之複數片第2基板之時間排程；<br/>該排程製作程式產生方法包含藉由上述強化學習，重複包含時間表取得工序、配置工序、及報酬決定工序之經驗步驟而增大累積報酬之工序；<br/>上述時間表取得工序顯示取得用於規定上述插入排程之時間表之工序；<br/>上述配置工序顯示將對殘留於上述第1基板收納容器之上述第1基板之各者提供之複數個計劃要素、與對上述複數片第2基板之各者提供之複數個計劃要素依序配置於上述時間表，使上述時間表之狀態依序變化之工序；<br/>上述報酬決定工序顯示基於配置有所有上述計劃要素之上述時間表之最終狀態、與賦予報酬之條件，決定對上述時間表之最終狀態賦予之報酬之工序；<br/>上述時間表之最終狀態對應於上述插入排程；<br/>上述累積報酬顯示對上述時間表之最終狀態賦予之上述報酬之合計值；<br/>賦予上述報酬之條件包含：<br/>第1報酬條件，其於上述時間表之最終狀態顯示於對於上述優先批次之處理完成之前，對於殘留於上述第1基板收納容器之上述第1基板中之至少1片之處理完成之狀態之情形時，賦予第1報酬；及<br/>第2報酬條件，其於上述時間表之最終狀態顯示於對於上述通常批次之處理完成之前，對於上述優先批次之處理完成之狀態之情形時，賦予上述報酬之值較上述第1報酬小之第2報酬。
如請求項1之排程製作程式產生方法，其中上述時間表取得工序包含如下工序：於上述基板處理裝置之內部中殘留有上述第1基板之情形時，取得配置有對殘留於上述基板處理裝置之內部之上述第1基板之各者提供之計劃要素之時間表；<br/>上述排程製作程式不變更殘留於上述基板處理裝置之內部之上述第1基板之時間排程地製作上述插入排程。
如請求項1之排程製作程式產生方法，其中於構成上述通常批次之所有上述第1基板殘留於上述第1基板收納容器之情形時，上述第1報酬條件顯示於上述時間表之最終狀態顯示於對於上述優先批次之處理完成之前，對於基於構成上述優先批次之上述第2基板之片數設定之片數之上述第1基板之處理完成之狀態之情形時，賦予上述第1報酬之條件。
如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法，其中上述基板處理裝置可對2片以上之上述基板並行地執行上述基板處理；<br/>上述第1報酬條件顯示，於上述時間表之最終狀態顯示與對於至少1片上述第2基板之上述基板處理並行地執行對於上述第1基板之上述基板處理之狀態之情形時，賦予上述第1報酬。
如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法，其中賦予上述報酬之條件進而包含賦予對於上述優先批次之處理完成之時刻越早報酬之值越大之第3報酬之第3報酬條件；<br/>上述第3報酬之最大值小於上述第1報酬之值。
如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法，其中賦予上述報酬之條件進而包含賦予對於上述通常批次之處理完成之時刻越早報酬之值越大之第4報酬之第4報酬條件；<br/>上述第4報酬之最大值小於上述第1報酬之值。
如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法，其中上述基板處理裝置可對2片以上之上述基板並行地執行上述基板處理；<br/>賦予上述報酬之條件進而包含於上述時間表之最終狀態顯示與對於至少1片上述第2基板之上述基板處理並行地執行對於上述第1基板之上述基板處理之狀態之情形時，賦予第5報酬之第5報酬條件。
一種排程製作程式產生裝置，其係藉由強化學習產生用於製作由基板處理裝置處理複數片基板之時間排程之排程製作程式者，且具備：<br/>記憶部，其記憶規定如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法之產生程式；及<br/>處理部，其執行上述產生程式產生上述排程製作程式。
一種排程製作裝置，其係製作由基板處理裝置處理複數片基板之時間排程者，且具備：<br/>記憶部，其記憶基於如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法產生之排程製作程式；及<br/>處理部，其執行上述排程製作程式製作上述插入排程。
一種記錄媒體，其係電腦可讀取者，且記錄規定如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法之產生程式。
一種記錄媒體，其係電腦可讀取者，且記錄基於如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法產生之排程製作程式。
一種基板處理裝置，其係藉由對構成1批次之1片以上之基板逐片執行基板處理，完成對於上述批次之處理者，且具備：<br/>容器載置部，其載置收納構成上述批次之上述基板之複數個基板收納容器；<br/>複數個基板處理部，其等以一片為單位，對上述基板執行上述基板處理；<br/>搬送部，其於上述複數個基板收納容器與上述複數個基板處理部之間搬送上述基板；及<br/>記憶部，其記憶規定如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法之產生程式；及<br/>處理部，其執行上述產生程式，藉由上述強化學習產生用於製作處理複數片基板之時間排程之排程製作程式；且<br/>上述處理部於在先行載置於上述容器載置部之第1基板收納容器中殘留有構成優先度為通常之通常批次之第1基板之全部或一部分時，根據將收納上述優先度較上述通常高之優先批次之第2基板收納容器載置於上述容器載置部而執行上述排程製作程式，製作處理殘留於上述第1基板收納容器之上述第1基板、與構成上述優先批次之複數片第2基板之上述插入排程。
一種基板處理裝置，其係藉由對構成1批次之1片以上之基板逐片執行基板處理，完成對於上述批次之處理者，且具備：<br/>容器載置部，其載置收納構成上述批次之上述基板之複數個基板收納容器；<br/>複數個基板處理部，其等以一片為單位，對上述基板執行上述基板處理；<br/>搬送部，其於上述複數個基板收納容器與上述複數個基板處理部之間搬送上述基板；<br/>記憶部，其記憶基於如請求項1至3中任一項之排程製作程式產生方法產生之排程製作程式；及<br/>處理部，其於在先行載置於上述容器載置部之第1基板收納容器中殘留有構成優先度為通常之通常批次之第1基板之全部或一部分時，根據將收納上述優先度較上述通常高之優先批次之第2基板收納容器載置於上述容器載置部而執行上述排程製作程式，製作處理殘留於上述第1基板收納容器之上述第1基板、與構成上述優先批次之複數片第2基板之上述插入排程。
一種基板處理系統，其具備：<br/>基板處理裝置，其藉由對構成1批次之1片以上之基板逐片執行基板處理，完成對於上述批次之處理；及<br/>如請求項8之排程製作程式產生裝置；且<br/>上述排程製作程式產生裝置進而具備將上述排程製作程式向上述基板處理裝置發送之發送部；<br/>上述基板處理裝置具備：<br/>容器載置部，其載置收納構成上述批次之上述基板之複數個基板收納容器；<br/>複數個基板處理部，其等以一片為單位，對上述基板執行上述基板處理；<br/>搬送部，其於上述複數個基板收納容器與上述複數個基板處理部之間搬送上述基板；<br/>接收部，其接收自上述排程製作程式產生裝置之上述發送部發送之上述排程製作程式；及<br/>處理部，其於在先行載置於上述容器載置部之第1基板收納容器中殘留有構成優先度為通常之通常批次之第1基板之全部或一部分時，根據將收納上述優先度較上述通常高之優先批次之第2基板收納容器載置於上述容器載置部而執行上述排程製作程式，製作處理殘留於上述第1基板收納容器之上述第1基板、與構成上述優先批次之複數片第2基板之上述插入排程。
一種基板處理系統，其具備：基板處理裝置，其藉由對構成1批次之1片以上之基板逐片執行基板處理，完成對於上述批次之處理；及<br/>如請求項9之排程製作裝置；且<br/>上述排程製作裝置進而具備將上述插入排程向上述基板處理裝置發送之發送部；<br/>上述基板處理裝置具備：<br/>容器載置部，其載置收納構成上述批次之上述基板之複數個基板收納容器；<br/>複數個基板處理部，其等以一片為單位，對上述基板執行上述基板處理；<br/>搬送部，其於上述複數個基板收納容器與上述複數個基板處理部之間搬送上述基板；及<br/>接收部，其接收自上述排程製作裝置之上述發送部發送之上述插入排程。
一種分散液，其係含有由下述一般式（1）：<br/> ［化1］<br/> <img align="absmiddle" height="191px" width="836px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ［式（1）中，<br/> R<sup>20</sup>、R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>係各自獨立表示氫原子、甲基、乙基或碳數1～4之烷氧基；<br/> R<sup>23</sup>係表示具有芳香族環之碳數6～50之烴基、或碳數6～100之烷基；<br/> R<sup>30</sup>、R<sup>31</sup>、R<sup>32</sup>、R<sup>33</sup>、R<sup>34</sup>及R<sup>35</sup>係各自獨立表示氫原子、甲基、乙基、碳數1～4之烷氧基、具有芳香族環之碳數6～50之烴基、或碳數6～100之烷基；並且<br/> a係表示0以上之整數，b係表示1以上之整數，（a＋b）係10～200，a為2以上之情形，複數存在之R<sup>20</sup>及R<sup>21</sup>可各自相同或相異，b為2以上之情形，複數存在之R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>可各自相同或相異］<br/> 所示之有機改性聚矽氧（α），並進一步含有疏水性聚合物（β）作為任意成分，該疏水性聚合物係選自胺基甲酸酯系聚合物及丙烯酸系聚合物所成群中一種以上；且<br/> 該分散液中之由下述一般式（1a）：<br/> ［化2］<br/> <img align="absmiddle" height="97px" width="144px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ［式（1a）中，R<sup>20</sup>及R<sup>21</sup>係各自獨立表示氫原子、甲基、乙基或碳數1～4之烷氧基；並且a<sub>1</sub>係30以下之整數］<br/> 所示之環狀矽氧烷（γ）的量，係1000質量ppm以下；<br/> 該分散液中之該有機改性聚矽氧（α）與該疏水性聚合物（β）之合計濃度為0.01～70質量%。
如請求項1所述之分散液，其中，該一般式（1）中之R<sup>23</sup>，係碳數6～50之飽和烴基。
如請求項1所述之分散液，其中，該分散液，係含有該疏水性聚合物（β）。
如請求項3所述之分散液，其中，該丙烯酸系聚合物，係具有源自由下述一般式（A-1）：<br/> ［化3］<br/> <img align="absmiddle" height="162px" width="542px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ［式（A-1）中，<br/> R<sup>1</sup>係表示氫原子或甲基；並且<br/> R<sup>2</sup>係表示可具有取代基之碳數12以上之一價烴基］<br/> 所示之單體（A1）之構成單元。
如請求項3或4所述之分散液，其中，該丙烯酸系聚合物，係進一步含有源自選自氯乙烯及偏二氯乙烯所成群中一種以上之單體（VC）之構成單元。
如請求項3或4所述之分散液，其中，該丙烯酸系聚合物，係進一步含有源自由下述一般式（A-2）：<br/> ［化4］<br/><img align="absmiddle" height="159px" width="624px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> ［式（A-2）中，<br/> R<sup>11</sup>係表示氫原子或甲基；<br/> R<sup>12</sup>係表示碳數1～6之二價烴基；<br/> Z係表示酯基或醯胺基；<br/> W係表示由-CO-R<sup>13</sup>（式中，R<sup>13</sup>係表示碳數1～4之一價烴基）所示之基團、-NH-CO-NH<sub>2</sub>基、或由下述式（A-3）：<br/> ［化5］<br/><img align="absmiddle" height="217px" width="522px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> 所示之基團］<br/> 所示之單體（A-2）之構成單元。
如請求項3或4所述之分散液，其中，該丙烯酸系聚合物，係進一步具有源自反應性活性劑（B）之構成單元；該反應性活性劑（B），係選自：<br/> （B1）HLB係7～18，且由下述一般式（I-1）：<br/> ［化6］<br/><img align="absmiddle" height="204px" width="990px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> ［式（I-1）中，R<sup>3</sup>係表示氫原子或甲基；X係表示碳數1～6之直鏈抑或支鏈之伸烷基；Y<sup>1</sup>係表示含有碳數2～4之伸烷氧基之二價基團］<br/> 所示之化合物；<br/> （B2）HLB係7～18，且由下述一般式（II-1）：<br/> ［化7］<br/><img align="absmiddle" height="329px" width="1164px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> ［式（II-1）中，R<sup>4</sup>係表示具有聚合性不飽和基之碳數13～17之一價不飽和烴基；Y<sup>2</sup>係表示含有碳數2～4之伸烷氧基之二價基團］<br/> 所示之化合物；及<br/> （B3）HLB係7～18，且對具有羥基及聚合性不飽和基之油脂加成碳數2～4之環氧烷之化合物<br/> 所成群中至少一種。
如請求項3所述之分散液，其中，該胺基甲酸酯系聚合物，係含有疏水性化合物；該疏水性化合物，係至少具有源自由下述一般式（UI-1）：<br/> R<sup>U31</sup>[-W<sup>1</sup>-R<sup>U32</sup>]<sub>d</sub>[-V<sup>1</sup>]<sub>e</sub> （UI-1）<br/> ［式（I-1）中，d係表示1以上之整數；e係表示2以上之整數；（d＋e）係3～6；R<sup>U31</sup>係表示（d＋e）價有機基；W<sup>1</sup>係表示酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基或脲基之二價基團；R<sup>U32</sup>係表示碳數8～24之直鏈或支鏈之一價烴基；V<sup>1</sup>係表示羥基、胺基或羧基；但，e個V<sup>1</sup>中兩個以上為羥基及／或胺基］<br/> 所示之多官能化合物之結構單元、及源自由下述一般式（UII）：<br/> R<sup>U33</sup>[-NCO]<sub>f</sub> （UII）<br/> ［式（II）中，R<sup>U33</sup>係表示f價有機基；f係表示2～7之整數］<br/> 所示之異氰酸酯化合物之結構單元。
一種如請求項3所述之分散液之製造方法，其係包含：<br/> 混合步驟，係混合含有該有機改性聚矽氧（α）之乳化物與該疏水性聚合物（β）。
一種如請求項3所述之分散液之製造方法，其係包含：<br/> 聚合步驟，係在該有機改性聚矽氧（α）之存在下，使作為該疏水性聚合物（β）原料之單體成分聚合而獲得分散液。
如請求項10所述之方法，其中，該聚合步驟，係在含有該有機改性聚矽氧（α）之乳化物之存在下進行。
一種纖維製品，其係經如請求項1所述之分散液處理。
一種纖維製品之製造方法，其係包含用如請求項1所述之分散液處理基材之步驟。
一種半導體裝置，包括： 基板； 積層膜，設在所述基板的上方，具有沿與所述基板的上表面交叉的第一方向交替地積層的多個絕緣層及多個電極層；以及 柱狀部，沿所述第一方向貫穿所述積層膜， 所述多個絕緣層中的下端側的至少一個第一絕緣層的V族元素的濃度高於所述多個絕緣層中的所述第一絕緣層以外的第二絕緣層， 所述V族元素為磷。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 所述第一絕緣層的所述V族元素的濃度為1.9%以上。
如請求項2所述的半導體裝置，其中 所述第一絕緣層的所述V族元素的濃度為3.5%以下。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 所述第一絕緣層中含有所述V族元素，所述第二絕緣層中不含有所述V族元素。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 所述第一絕緣層及所述第二絕緣層這兩者中含有所述V族元素。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 所述積層膜具有兩個以上的所述第一絕緣層， 與所述第一方向交叉的第二方向上的所述柱狀部的寬度在所述兩個以上的第一絕緣層中的最上層的第一絕緣層的位置達到最大。
如請求項1至6中任一項所述的半導體裝置，其中 所述第一絕緣層包括： 第一絕緣部，含有所述V族元素；以及 第二絕緣部，設在所述第一絕緣部上，且不含有所述V族元素。
如請求項7所述的半導體裝置，其中 所述第一絕緣層更包括第三絕緣部，所述第三絕緣部設在所述第一絕緣部下，且不含有所述V族元素。
如請求項7所述的半導體裝置，其中 所述第二絕緣部的所述第一方向的厚度薄於所述第一絕緣部。
如請求項8所述的半導體裝置，其中 所述第三絕緣部的所述第一方向的厚度薄於所述第一絕緣部。
一種半導體裝置的製造方法，包括： 在第二基板的上方形成第二積層膜，所述第二積層膜具有沿與所述第二基板的上表面交叉的第一方向交替地積層的多個絕緣層及多個犧牲層； 形成沿所述第一方向貫穿所述第二積層膜的孔洞；以及 以所述孔洞的寬度沿與所述第一方向交叉的第二方向增加的方式來加工所述孔洞， 將所述多個絕緣層中的下端側的至少一個第一絕緣層以V族元素的濃度高於所述多個絕緣層中的所述第一絕緣層以外的第二絕緣層的方式予以形成， 所述V族元素為磷。
如請求項11所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述孔洞的形成是使用反應性離子蝕刻法來進行。
如請求項11所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述孔洞的加工是使用濕式蝕刻法來進行。
如請求項11所述的半導體裝置的製造方法，其中 以含有氧的方式形成所述多個犧牲層中的下端側的至少一個第一犧牲層。
如請求項12所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述孔洞的形成是一邊藉由形成於所述孔洞的側壁的保護膜來保護所述孔洞的側壁，一邊藉由蝕刻氣體來進行。
如請求項15所述的半導體裝置的製造方法，更包括： 在形成所述孔洞之後去除所述保護膜， 所述孔洞的加工是在去除了所述保護膜之後進行。
如請求項12至16中任一項所述的半導體裝置的製造方法，更包括： 在加工了所述孔洞之後，在所述孔洞內形成柱狀部；以及 在形成了所述柱狀部之後，將所述犧牲層替換為電極層。
一種伺服器機箱，包括： <br/>一底座，具有至少兩個隔板，並配置以在該等至少兩個隔板之間接收一伺服器模組；以及 <br/>兩個把手，安裝至該底座，該等兩個把手配置以與該等至少兩個隔板耦接或脫離，該等兩個把手的至少一把手包括一可調臂，該可調臂具有一第一臂以及一第二臂，該第二臂可動地與該第一臂耦接，該可調臂具有一長度，可基於該第二臂相對於該第一臂的位置變化。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中該底座包括一第一側壁以及一第二側壁，該第二側壁與該第一側壁平行，該等至少兩個隔板位於該第一側壁與該第二側壁之間，該等兩個把手之一把手耦接到該第一側壁，另一把手耦接到該第二側壁。
如請求項2所述之伺服器機箱，其中該等兩個把手之至少一把手更包括： <br/>一把手基座，耦接到該底座的該第一側壁或該第二側壁；以及 <br/>一鉤結構，耦接到該第二臂；並且， <br/>其中該第一臂與該把手基座耦接。
如請求項3所述之伺服器機箱，其中該把手基座包括一固定部分，耦接到該底座的該第一側壁或該第二側壁。
如請求項4所述之伺服器機箱，其中該把手基座更包括一可動部分，樞軸式耦接至該固定部分，該第一臂與該可動部分耦接，使得該可調臂與該可動部分一起移動。
如請求項5所述之伺服器機箱，其中該把手基座更包括一凸片，從該可動部分延伸，該凸片配置以接收一使用者輸入，用於移動該可調臂，回應於該可調臂的移動，使得該等兩個把手與個別的該等隔板耦接或脫離。
如請求項1所述之伺服器機箱，其中該等至少兩個隔板之間的一距離可變化，以基於該伺服器模組的一寬度容納接收在該底座中的該伺服器模組。
如請求項7所述之伺服器機箱，其中當該伺服器模組是一第一類型伺服器模組時，該距離為一第一距離，當該伺服器模組是一第二類型伺服器模組時，該距離為一第二距離，該第一距離大於該第二距離，該第一類型伺服器模組的大小不同於該第二類型伺服器模組。
如請求項8所述之伺服器機箱，其中當該等兩個把手與該等至少兩個隔板耦接且當該距離為該第一距離時，該等兩個把手之至少一把手設置在一第一配置。
一種伺服器，包括： <br/>一底座，具有至少兩個隔板，並配置以在該等至少兩個隔板之間接收一伺服器模組，其中當該伺服器模組是一第一類型伺服器模組時，該等至少兩個隔板之間的一距離為一第一距離，當該伺服器模組是一第二類型伺服器模組時，該距離為一第二距離，該第一距離大於該第二距離；以及 <br/>兩個把手，耦接到該底座，並配置以與該等至少兩個隔板耦接或脫離，該等至少兩個隔板的每個隔板具有一接收部分，配置以嵌合該等兩個把手的一對應把手的一鉤結構， <br/>其中該等兩個把手的至少一把手包括一可調臂，該可調臂具有一第一臂以及一第二臂，該可調臂更具有一縫隙以及至少兩個緊固件，該等至少兩個緊固件穿過該縫隙並將該第二臂與該第一臂耦接， <br/>其中該第二臂可相對於該第一臂滑動移動，並且， <br/>其中該可調臂的一長度可基於該第一臂與該第二臂之間的相對移動變化。
一種滑軌裝置，包含：<br/>一第一滑軌總成，該第一滑軌總成至少包括一第一軌及一第二軌，該第二軌相對於該第一軌進行活動位移；<br/>一滑件，該滑件位在該第一軌之側面上，且該滑件相對於該第一軌之側面進行滑動；<br/>一擋件，該擋件設在該滑件上，且該擋件具有一導引體；以及<br/>一導軌件，該導軌件設在該第二軌上，且該導軌件具有一導引軌道，而該導引體在該導引軌道進行移動；藉此，當該導引體移動於該導引軌道之第一位置，則該擋件連動該滑件進行第一滑動狀態，或當該導引體移動於該導引軌道之第二位置，則該擋件連動該滑件進行第二滑動狀態。
一種滑軌裝置，包含：<br/>一第一滑軌總成及一第二滑軌總成，該第一滑軌總成及該第二滑軌總成各至少包括一第一軌及一第二軌，該第二軌相對於該第一軌進行活動位移；<br/>該第一滑軌總成及該第二滑軌總成各包括一滑件，該滑件位在該第一軌之側面上；一擋件，該擋件設在該滑件上，且該擋件具有一導引體；一導軌件，該導軌件設在該第二軌上，且該導軌件具有一導引軌道；以及<br/>一鎖件，該鎖件上安裝該第一滑軌總成之該擋件及該第二滑軌總成之該擋件，當該第一滑軌總成之該第二軌在該第一滑軌總成之該第一軌進行活動位移，則該第一滑軌總成之該導引體在該第一滑軌總成之該導引軌道進行移動，令該第一滑軌總成之該滑件進行滑動，接續，該第一滑軌總成之該擋件連動該鎖件，該鎖件連動該第二滑軌總成之該擋件，令該第二滑軌總成之該滑件進行滑動，並以該第二滑軌總成之該導軌件阻擋該第二滑軌總成之該導引體無法進入該第二滑軌總成之該導引軌道，使該第二滑軌總成之該第二軌無法在該第二滑軌總成之該第一軌進行活動位移。
如請求項1或2所述之滑軌裝置，其中，該第一軌設有一第一定位孔及一第二定位孔，且該滑件具有一凸包，當該滑件至第一滑動狀態，則該凸包至該第一定位孔，或當該滑件至第二滑動狀態，則該凸包至該第二定位孔。
如請求項3所述之滑軌裝置，其中，該滑件設有一彈力臂，且該凸包位於該彈力臂。
如請求項1或2所述之滑軌裝置，其中，該導軌件具有一第一導引塊與一第二導引塊，而該導引軌道藉由該第一導引塊與該第二導引塊所形成。
如請求項1所述之滑軌裝置，其中，當該導引體停滯於該導引軌道之第一位置的前方，則該導引體導引至該導軌件之側邊，該導軌件之側邊形成一阻擋面，該阻擋面阻擋該導引體，使該第二軌無法在該第一軌進行活動位移。
如請求項1或2所述之滑軌裝置，其中，該滑件具有一第一安裝孔、該擋件具有一凹槽形成一第一擋部及一第二擋部，且該導引體位於該第二擋部之端面，該第二擋部裝設於該第一安裝孔。
如請求項7所述之滑軌裝置，其中，該第一軌包括一第一導引孔及一延伸於該第一導引孔之第二導引孔，且該第一擋部經過該第一導引孔而以該凹槽跨設於該第二導引孔。
如請求項8所述之滑軌裝置，其中，該第一滑軌總成包括一第三軌，該第三軌位於該第一軌與該第二軌之間，且該第三軌具有一通口，該通口相對應該第一導引孔及該第二導引孔。
如請求項1所述之滑軌裝置，更包括一鎖件，該鎖件上安裝該擋件，該擋件連動該鎖件。
一種晶片保持具，其特徵在於，包括：保持面，以非接觸方式保持半導體晶片；抽吸路徑，對所述保持面賦予負壓而抽吸所述半導體晶片；以及振動產生部，對所述保持面賦予超音波振動，所述保持面的外形尺寸大於所述半導體晶片的外形尺寸，且在所述保持面形成有沿著所述半導體晶片的外形的至少一部分的形狀的定位槽，所述定位槽與所述抽吸路徑不連通， <br/>其中，在對所述保持面賦予超音波振動時，較所述定位槽靠外側的外側部分的振動振幅大於較所述定位槽靠內側的內側部分的振動振幅。
如請求項1所述的晶片保持具，其中， <br/>所述振動產生部具有傳遞超音波振動的焊頭部， <br/>所述晶片保持具更包括保持部，所述保持部是與所述焊頭部的末端連接的板狀的保持部，且其端面作為所述保持面發揮功能， <br/>所述保持部具有： <br/>中央部，與所述焊頭部在軸向上重疊；以及 <br/>凸緣部，自所述中央部向徑向外側伸出，且較所述中央部薄。
如請求項2所述的晶片保持具，其中， <br/>所述定位槽的至少一部分沿厚度方向貫通所述凸緣部。
如請求項1至3中任一項所述的晶片保持具，其中， <br/>所述半導體晶片接受較所述定位槽靠外側的外側部分的振動振幅，以位於所述定位槽的內側的方式進行自對準。
一種晶片保持具，包括：保持面，以非接觸方式保持半導體晶片；抽吸路徑，對所述保持面賦予負壓而抽吸所述半導體晶片；以及振動產生部，對所述保持面賦予超音波振動， <br/>所述晶片保持具的特徵在於， <br/>所述抽吸路徑具有形成於所述保持面並與抽吸源連通的抽吸孔， <br/>在所述保持面形成有與所述抽吸孔相連並且沿面方向延伸的氣流形成槽，且在所述保持面形成有沿著所述半導體晶片的外形的至少一部分的形狀的定位槽，所述定位槽與所述抽吸路徑不連通， <br/>其中，在對所述保持面賦予超音波振動時，較所述定位槽靠外側的外側部分的振動振幅大於較所述定位槽靠內側的內側部分的振動振幅。
如請求項5所述的晶片保持具，其中， <br/>所述氣流形成槽僅形成於較所述半導體晶片的外形更內側的區域。
如請求項6所述的晶片保持具，其中， <br/>所述氣流形成槽具有自所述抽吸孔沿面方向延伸的一個以上的放射部。
如請求項7所述的晶片保持具，其中， <br/>所述氣流形成槽更具有與所述放射部直接連接但不通過所述抽吸孔的一個以上的周邊部。
如請求項8所述的晶片保持具，其中， <br/>所述周邊部為包圍所述抽吸孔、並將一個以上的所述放射部全部連結的封閉形狀。
如請求項6所述的晶片保持具，其中， <br/>所述氣流形成槽的深度大於所述半導體晶片自所述保持面的浮起量、且小於所述浮起量的50倍。
一種晶片保持裝置，以非接觸方式保持半導體晶片， <br/>所述晶片保持裝置的特徵在於包括： <br/>晶片保持具，以非接觸方式保持所述半導體晶片； <br/>超音波產生部，對所述晶片保持具的末端面即保持面賦予超音波振動； <br/>抽吸路徑，對形成於所述保持面的抽吸孔賦予負壓而產生抽吸力；以及 <br/>控制器，在所述半導體晶片自所述保持面分離的狀態下，對超音波能量或所述抽吸力進行控制，以使藉由所述超音波振動而產生的保持力、所述抽吸力與作用於所述半導體晶片的重力均衡， <br/>在所述保持面形成有沿著所述半導體晶片的外形的至少一部分的形狀的定位槽，所述定位槽與所述抽吸路徑不連通， <br/>其中，在對所述保持面賦予超音波振動時，較所述定位槽靠外側的外側部分的振動振幅大於較所述定位槽靠內側的內側部分的振動振幅。
如請求項11所述的晶片保持裝置，其中， <br/>所述控制器在使所述保持面的位置運動的情況下與使所述保持面的位置靜止的情況下，變更對所述保持面賦予的所述超音波能量或所述抽吸力中的至少一者的大小。
如請求項12所述的晶片保持裝置，其中， <br/>所述控制器在使所述保持面運動的情況下，與使所述保持面靜止的情況相比，使所述超音波能量或所述抽吸力中的至少一者增大。
一種晶片保持裝置，以非接觸方式保持半導體晶片， <br/>所述晶片保持裝置的特徵在於包括： <br/>晶片保持具，以非接觸方式保持所述半導體晶片； <br/>超音波產生部，對所述晶片保持具的末端面即保持面賦予超音波振動； <br/>抽吸路徑，對形成於所述保持面的抽吸孔賦予負壓而產生抽吸力； <br/>控制器，在所述半導體晶片自所述保持面分離的狀態下，對所述超音波產生部及抽吸源的驅動進行控制，以使藉由所述超音波振動而產生的保持力、所述抽吸力與作用於所述半導體晶片的重力均衡；以及 <br/>表面處理裝置或檢查裝置中的至少一者，所述表面處理裝置對由所述保持面以非接觸方式保持的所述半導體晶片的表面實施處理，所述檢查裝置對所述表面進行檢查， <br/>在所述保持面形成有沿著所述半導體晶片的外形的至少一部分的形狀的定位槽，所述定位槽與所述抽吸路徑不連通， <br/>其中，在對所述保持面賦予超音波振動時，較所述定位槽靠外側的外側部分的振動振幅大於較所述定位槽靠內側的內側部分的振動振幅。
一種半導體裝置的製造裝置，其特徵在於，包括： <br/>晶片保持具，以非接觸方式保持半導體晶片； <br/>超音波產生部，對所述晶片保持具的末端面即保持面賦予超音波振動； <br/>抽吸路徑，對形成於所述保持面的抽吸孔賦予負壓而產生抽吸力；以及 <br/>控制器，在所述半導體晶片自所述保持面分離的狀態下，對所述超音波產生部及抽吸源的驅動進行控制，以使藉由所述超音波振動而產生的保持力、所述抽吸力與作用於所述半導體晶片的重力均衡， <br/>所述保持面的外形尺寸大於所述半導體晶片的外形尺寸，且在所述保持面形成有沿著所述半導體晶片的外形的至少一部分的形狀的定位槽，所述定位槽與所述抽吸路徑不連通， <br/>其中，在對所述保持面賦予超音波振動時，較所述定位槽靠外側的外側部分的振動振幅大於較所述定位槽靠內側的內側部分的振動振幅。
如請求項15所述的半導體裝置的製造裝置，其中， <br/>所述晶片保持具作為拾取筒夾發揮功能，在自晶片供給源接收所述半導體晶片後，維持以非接觸方式保持有所述半導體晶片的狀態而反轉180度，然後將所述半導體晶片移交至黏接工具。
如請求項15或16所述的半導體裝置的製造裝置，其中， <br/>將所述半導體晶片直接黏接於基板。
一種讀卡器，包括： <br/>本體，具有開口及插槽； <br/>主電路板，設於該本體內，該主電路板電性連接有複數第一導電端子及複數第二導電端子； <br/>第一USB連接器模組，可旋轉地設於該本體內，包含有第一電路板、電性連接該第一電路板的第一USB連接器，該第一電路板設有複數第一導電金屬； <br/>第一旋轉件，活動地設於該本體並且固定地連接該第一USB連接器模組； <br/>第二USB連接器模組，可旋轉地設於該本體內，包含有第二電路板、電性連接該第二電路板的第二USB連接器，該第二電路板設有複數第二導電金屬；以及 <br/>第二旋轉件，活動地設於該本體並且固定地連接該第二USB連接器模組； <br/>其中，該第一旋轉件控制該第一USB連接器模組往復旋轉，當該第一USB連接器模組旋轉而使該第一USB連接器露出該開口至預定位置時，該等第一導電端子與該等第一導電金屬電性接觸； <br/>其中，該第二旋轉件控制該第二USB連接器模組往復旋轉，當該第二USB連接器模組旋轉而使該第二USB連接器露出該開口至預定位置時，該等第一導電端子與該等第二導電金屬電性接觸；以及 <br/>其中，卡片插入該插槽時，設於該卡片的晶片與該等第二導電端子電性接觸。
如請求項1所述之讀卡器，其中， <br/>該第一USB連接器模組還包括第一固定塊，連接該第一旋轉件，其形成為塊狀體，一角端切角而形成為第一斜邊； <br/>該第二USB連接器模組還包括第二固定塊，連接該第二旋轉件，其形成為塊狀體，一角端切角而形成為第二斜邊； <br/>其中，當該第一USB連接器或該第二USB連接器完全露出該本體時，該第一固定塊的該第一斜邊與該第二固定塊的該第二斜邊相互抵靠，使該第一USB連接器和該第一USB連接器之間保持在90ﾟ夾角，並且使該第一固定塊和該第二固定塊可相互推動旋轉。
如請求項1所述之讀卡器，其中，該開口及該插槽位於該本體的相對兩側。
如請求項3所述之讀卡器，其中，該開口處設有定位部，當該等第一導電端子與該等第一導電金屬電性接觸時，該定位部將該第一旋轉件定位，當該等第一導電端子與該等第二導電金屬電性接觸時，該定位部將該第二旋轉件定位。
如請求項4所述之讀卡器，其中， <br/>該定位部包括形成於該本體的彈性部，以及形成在該彈性部的定位塊； <br/>該第一旋轉件設有第一定位凹部，當該等第一導電端子與該等第一導電金屬電性接觸時，藉由該彈性部的彈性使該第一定位凹部與該定位塊相互嵌合以將該第一USB連接器模組定位；以及 <br/>該第二旋轉件設有第二定位凹部，當該等第一導電端子與該等第二導電金屬電性接觸時，藉由該彈性部的彈性使該第二定位凹部與該定位塊相互嵌合以將該第二USB連接器模組定位。
如請求項4所述之讀卡器，其中， <br/>該定位部包括滑動地設於該本體的卡榫及推鈕，並且該卡榫及該推鈕相互連接； <br/>該第一旋轉件設有第一定位凹部，當該等第一導電端子與該等第一導電金屬電性接觸時，該第一定位凹部與該卡榫相對應，藉由推動該推鈕將該卡榫嵌入該第一定位凹部以將該第一USB連接器模組定位，反向推動該推鈕將該卡榫脫離該第一定位凹部則解除該定位；以及 <br/>該第二旋轉件設有第二定位凹部，當該等第一導電端子與該等第二導電金屬電性接觸時，該第二定位凹部與該卡榫相對應，藉由推動該推鈕將該卡榫嵌入該第二定位凹部以將該第一USB連接器模組定位，反向推動該推鈕將該卡榫脫離該第二定位凹部則解除該定位。
如請求項1所述之讀卡器，其中， <br/>該本體設有圓形的通孔，該通孔內的中心設置有圓形的座體，該通孔的內圍與該座體的外圍之間形成圓環狀溝槽； <br/>該第一旋轉件形成有第一USB連接器安裝座、第一弧形板及第一把手，該第一USB連接器安裝座設置該第一USB連接器，該第一旋轉件設於該本體時，該第一弧形板遮蔽該圓環狀溝槽的一部分並且該第一把手突出該圓環狀溝槽，該第一弧形板可沿著該圓環狀溝槽滑動；以及 <br/>該第二旋轉件形成有第二USB連接器安裝座、第二弧形板及第二把手，該第二USB連接器安裝座設置該第二USB連接器，該第二旋轉件設於該本體時，該第二弧形板遮蔽該圓環狀溝槽的另一部分並且該第二把手突出該圓環狀溝槽，該第二弧形板與該第一弧形板在高度方向上相互錯開，可沿著該圓環狀溝槽滑動。
如請求項7所述之讀卡器，其中，該第一弧形板及該第二弧形板均為C形狀。
如請求項1所述之讀卡器，其中，該第一USB連接器為Type-C USB連接器，該第二USB連接器為除了該Type-C USB連接器以外的其他USB連接器。
一種控制晶片，設置於一主機板上，並包括：<br/> 一第一檢測接腳，用以耦接一第一外部裝置，該第一外部裝置具有一第一發光模組；<br/> 一第二檢測接腳，用以耦接一第二外部裝置，該第二外部裝置具有一第二發光模組；<br/> 一第一控制接腳，用以耦接該第一發光模組；<br/> 一第二控制接腳，用以耦接該第二發光模組；<br/> 一偵測電路，偵測該第一及第二檢測接腳的電壓，用以產生一第一偵測信號以及一第二偵測信號；<br/> 一判斷電路，根據該第一及第二偵測信號，判斷該第一及第二外部裝置是否已接上該主機板；<br/> 一第一電阻，耦接該第一檢測接腳；以及<br/> 一第二電阻，耦接該第二檢測接腳，<br/> 其中：<br/> 當該第一檢測接腳的電壓等於一第一預設位準時，表示該第一外部裝置已接上該主機板，<br/> 當該第二檢測接腳的電壓等於一第二預設位準時，表示該第二外部裝置已接上該主機板，<br/> 當該第一及第二外部裝置均已接上該主機板時，該判斷電路提供一第一燈效指令予該第一控制接腳，並提供一第二燈效指令予該第二控制接腳，該第一發光模組根據該第一燈效指令，呈現一第一燈光效果，該第二發光模組根據該第二燈效指令，呈現一第二燈光效果。
如請求項1所述之控制晶片，其中該第一預設位準不等於該第二預設位準。
如請求項2所述之控制晶片，其中當該第一檢測接腳的電壓不等於該第一預設位準時，該判斷電路停止提供該第一燈效指令，當該第二檢測接腳的電壓不等於該第二預設位準時，該判斷電路停止提供該第二燈效指令。
一種控制系統，包括：<br/> 一主機板；以及<br/> 一控制晶片，設置於該主機板上，並包括：<br/> 一第一檢測接腳，用以耦接一第一外部裝置，該第一外部裝置包括一第一發光模組；<br/> 一第二檢測接腳，用以耦接一第二外部裝置，該第二外部裝置包括一第二發光模組；<br/> 一第一控制接腳，用以耦接該第一發光模組；<br/> 一第二控制接腳，用以耦接該第二發光模組；<br/> 一偵測電路，偵測該第一及第二檢測接腳的電壓，用以產生一第一偵測信號以及一第二偵測信號；<br/> 一判斷電路，根據該第一及第二偵測信號，判斷該第一及第二外部裝置是否已接上該主機板；<br/> 一第一電阻，耦接該第一檢測接腳；以及<br/> 一第二電阻，耦接該第二檢測接腳，<br/> 其中：<br/> 當該第一檢測接腳的電壓等於一第一預設位準時，表示該第一外部裝置已接上該主機板，<br/> 當該第二檢測接腳的電壓等於一第二預設位準時，表示該第二外部裝置已接上該主機板，<br/> 當該第一及第二外部裝置均已接上該主機板時，該判斷電路提供一第一燈效指令予該第一控制接腳，並提供一第二燈效指令予該第二控制接腳，該第一發光模組根據該第一燈效指令，呈現一第一燈光效果，該第二發光模組根據該第二燈效指令，呈現一第二燈光效果。
如請求項4所述之控制系統，更包括：<br/> 一第一插槽，用以設置該第一外部裝置；<br/> 一第二插槽，用以設置該第二外部裝置，<br/> 其中：<br/> 該第一檢測接腳電性連接該第一插槽，該第二檢測接腳電性連接該第二插槽。
如請求項5所述之控制系統，其中該第一及第二插槽係為記憶體插槽。
如請求項5所述之控制系統，其中該第一插槽包括：<br/> 一第一接觸端，電性連接該第一檢測接腳；<br/> 一第二接觸端，電性連接該第一控制接腳，<br/> 其中：<br/> 當該第一外部裝置耦接該第一插槽時，該第一接觸端電性連接該第一外部裝置的一第一接腳，並且該第二接觸端電性連接該第一外部裝置的一第二接腳。
如請求項7所述之控制系統，其中該第二插槽包括：<br/> 一第三接觸端，電性連接該第二檢測接腳；<br/> 一第四接觸端，電性連接該第二控制接腳，<br/> 其中：<br/> 當該第二外部裝置耦接該第二插槽時，該第三接觸端電性連接該第二外部裝置的一第三接腳，並且該第四接觸端電性連接該第二外部裝置的一第四接腳。
如請求項8所述之控制系統， <br/> 其中：<br/> 該第一接腳耦接一第三電阻，該第三接腳耦接一第四電阻，<br/> 該第二接腳耦接該第一發光模組，該第四接腳耦接該第二發光模組。
一種顯示綠色標籤的方法，由一系統所執行，包括： <br/>藉由上述系統的一電子裝置產生上述系統的一顯示裝置的綠色標籤； <br/>藉由上述電子裝置執行上述顯示裝置的一開機流程； <br/>藉由上述顯示裝置於上述開機流程中顯示上述顯示裝置的一商標；以及 <br/>在上述商標消失後，藉由上述顯示裝置顯示上述綠色標籤。
如請求項1所述之顯示綠色標籤的方法，其中上述綠色標籤包括： <br/>上述顯示裝置的能效標籤；以及 <br/>上述顯示裝置的產品特色標籤。
如請求項1所述之顯示綠色標籤的方法，其中產生上述顯示裝置的上述綠色標籤更包括： <br/>A1)取得一原始標籤圖檔； <br/>A2)轉換上述原始標籤圖檔為一16色點陣圖； <br/>A3)根據最接近上述原始標籤圖檔的16個顏色修改上述16色點陣圖，以取得一已修改16色點陣圖； <br/>A4)將上述已修改16色點陣圖轉換為一24位元點陣圖； <br/>A5)判斷上述24位元點陣圖所使用的顏色數量是否小於等於一預設數值； <br/>A6)當上述顏色數量小於等於上述預設數值時，計算上述24位元點陣圖的一記憶體使用量； <br/>A7)判斷上述記憶體使用量是否超過一記憶體容量大小；以及 <br/>A8)當上述記憶體使用量不超過上述記憶體容量大小時，產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤。
如請求項3所述之顯示綠色標籤的方法，更包括： <br/>當上述顏色數量大於上述預設數值時，重複上述步驟A3)到上述步驟A5)，直到上述顏色數量小於上述預設數值。
如請求項3所述之顯示綠色標籤的方法，更包括： <br/>A9)當上述記憶體使用量超過上述記憶體容量大小時，依照一特定比例調整上述16色點陣圖；以及 <br/>A10) 重複上述步驟A3)到上述步驟A9)，直到上述記憶體使用量不超過上述記憶體容量大小，產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤。
如請求項3所述之顯示綠色標籤的方法，其中上述原始標籤圖檔為一點陣圖。
如請求項3所述之顯示綠色標籤的方法，其中上述預設數值為16。
如請求項3所述之顯示綠色標籤的方法，其中產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤更包括： <br/>建立對應上述24位元點陣圖的來源編碼； <br/>編譯上述來源編碼為一韌體檔案；以及 <br/>更新上述韌體檔案至上述顯示裝置上，以使上述顯示裝置於上述開機流程中顯示上述綠色標籤。
如請求項8所述之顯示綠色標籤的方法，其中產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤更包括： <br/>藉由一除錯治具來更新上述韌體檔案。
如請求項8所述之顯示綠色標籤的方法，其中產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤更包括： <br/>藉由USB更新或一鍵更新工具來更新上述韌體檔案。
一種顯示綠色標籤的系統，包括： <br/>一顯示裝置；以及 <br/>一電子裝置，耦接至上述顯示裝置； <br/>其中上述電子裝置產生上述系統的一顯示裝置的綠色標籤，並執行上述顯示裝置的一開機流程；上述顯示裝置於上述開機流程中顯示上述顯示裝置的一商標；以及在上述商標消失後，上述顯示裝置顯示上述綠色標籤。
如請求項11所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述綠色標籤包括： <br/>上述顯示裝置的能效標籤；以及 <br/>上述顯示裝置的產品特色標籤。
如請求項11所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述電子裝置產生上述顯示裝置的上述綠色標籤之步驟更包括： <br/>A1)取得一原始標籤圖檔； <br/>A2)轉換上述原始標籤圖檔為一16色點陣圖； <br/>A3)根據最接近上述原始標籤圖檔的16個顏色修改上述16色點陣圖，以取得一已修改16色點陣圖； <br/>A4)將上述已修改16色點陣圖轉換為一24位元點陣圖； <br/>A5)判斷上述24位元點陣圖所使用的顏色數量是否小於等於一預設數值； <br/>A6)當上述顏色數量小於等於上述預設數值時，計算上述24位元點陣圖的一記憶體使用量； <br/>A7)判斷上述記憶體使用量是否超過一記憶體容量大小；以及 <br/>A8)當上述記憶體使用量不超過上述記憶體容量大小時，產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤。
如請求項13所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述電子裝置更執行： <br/>當上述顏色數量大於上述預設數值時，重複上述步驟A3)到上述步驟A5)，直到上述顏色數量小於上述預設數值。
如請求項13所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述電子裝置更執行： <br/>A9)當上述記憶體使用量超過上述記憶體容量大小時，依照一特定比例調整上述16色點陣圖；以及 <br/>A10) 重複上述步驟A3)到上述步驟A9)，直到上述記憶體使用量不超過上述記憶體容量大小，產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤。
如請求項13所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述原始標籤圖檔為一點陣圖。
如請求項13所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述預設數值為16。
如請求項13所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述電子裝置產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤更包括： <br/>建立對應上述24位元點陣圖的來源編碼； <br/>編譯上述來源編碼為一韌體檔案；以及 <br/>更新上述韌體檔案至上述顯示裝置上，以使上述顯示裝置於上述開機流程中顯示上述綠色標籤。
如請求項18所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述電子裝置產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤更包括： <br/>藉由一除錯治具來更新上述韌體檔案。
如請求項18所述之顯示綠色標籤的系統，其中上述電子裝置產生對應上述24位元點陣圖的上述綠色標籤更包括： <br/>藉由USB更新或一鍵更新工具來更新上述韌體檔案。
一種基板處理系統，包括：<br/> 搬入部，將收納有複數片基板之基板匣盒搬入；<br/> 批次處理部，將包含複數片該基板的基板批一併處理；<br/> 單片處理部，將該基板批之該基板逐片處理；<br/> 搬出部，將收納有複數片該基板之基板匣盒搬出；<br/> 介面部，於該批次處理部與該單片處理部之間傳遞該基板；以及<br/> 第2介面部，於該搬入部與該批次處理部之間傳遞該基板；<br/> 個別地設置該搬入部與該搬出部，且於該搬入部與該搬出部之間，沿著該基板的搬運方向，將該第2介面部、該批次處理部、該介面部、該單片處理部依此順序排列。
如請求項1之基板處理系統，其中，<br/> 該第2介面部包括形成該基板批的基板批形成部。
如請求項1或2之基板處理系統，其中，<br/> 該介面部，包括：搬運部，將該基板從該批次處理部搬運至該單片處理部。
如請求項3之基板處理系統，其中，<br/> 該批次處理部，包括：處理槽，貯存用來浸漬該基板批之處理液或霧狀的處理液；<br/> 該搬運部將於該處理液中受到保持之該基板，從該批次處理部的該處理槽搬運至該單片處理部。
如請求項4之基板處理系統，其中，<br/> 該處理槽，貯存用來浸漬該基板批之純水。
如請求項1或2之基板處理系統，其中，<br/> 該單片處理部，包括藉由液體將該基板逐片處理的液體處理裝置。
如請求項1或2之基板處理系統，其中，<br/> 該單片處理部，包括藉由超臨界流體將該基板逐片乾燥的乾燥裝置。
一種基板處理方法，其中，<br/> 使用如請求項1至7中任一項之基板處理系統，且於該搬入部與該搬出部之間，將該基板依以下順序搬運至：該第2介面部、該批次處理部、該介面部、該單片處理部。
一種函文處理輔助系統，適用於一機器人流程自動化系統，並包含：<br/> 一通訊裝置，用於提供連網功能；<br/> 一資料庫，儲存已事先訓練的一生成式人工智慧(GenAI)模型，以用於對檔案資料作內容辨識與擷取；及<br/> 一處理裝置，電連接該通訊裝置及該資料庫，並在接收到來自該機器人流程自動化系統的一電子公文資料時，將該電子公文資料輸入該生成式人工智慧模型，以獲得該電子公文資料的一函文類型、一執行對象、一需提供資訊、一不予扣押條件、一預定單位收文日期、及一法院發文日期，<br/> 該處理裝置再將該函文類型、該執行對象、該需提供資訊、該不予扣押條件、該預定單位收文日期、及該法院發文日期轉換為一預定格式檔案，<br/> 該生成式人工智慧模型是以已知內容的其他該等電子公文資料及分別對應的多個目標內容作訓練，每一該目標內容包括該函文類型、該執行對象、該需提供資訊、該不予扣押條件、該預定單位收文日期、及該法院發文日期，<br/> 該不予扣押條件包括以一關鍵字作為結尾的一敘述語句，該關鍵字是「毋庸扣押」或是與「毋庸扣押」相等語意的詞語。
如請求項1所述的函文處理輔助系統，其中，該函文類型包括一執行命令或一撤銷命令，該執行對象包括一姓名及一身分識別碼，該需提供資訊包括「保價金或解約金」、「要保書影像檔」、「條款」、「保全給付紀錄」、「總繳保費」、「附約」、「受益人變更」、「身故理賠」、「受益人」、「債務人地址」、「醫療理賠」、「歷次繳費紀錄」、及「貸款餘額」之其中至少一者。
如請求項2所述的函文處理輔助系統，其中，該預定格式檔案是符合JSON(JavaScript Object Notation)格式。
如請求項3所述的函文處理輔助系統，其中，該生成式人工智慧模型是一種大語言模型(Large language model，LLM)。
一種赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其包含使用靶材藉由物理氣相沉積法而形成薄膜的成膜步驟， <br/> 前述靶材包含第一金屬與第二金屬， <br/> 前述第一金屬為鈀或鉑， <br/> 前述第二金屬為鈷、鉻或銠， <br/> 前述氧化物薄膜在將厚度方向之A位層之個數設為N時，薄膜面積之33%以上之區域具有相同之N。
如請求項1之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中 <br/> 前述靶材包含45at%以上90at%以下之前述第一金屬， <br/> 剩餘部分為前述第二金屬及雜質， <br/> 前述雜質之含量為500質量ppm以下， <br/> 作為前述雜質之氧為200質量ppm以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中更包含：燒結包含45at%以上90at%以下之前述第一金屬，且剩餘部分為前述第二金屬及雜質之金屬粉末而製造前述靶材的燒結步驟。
如請求項3之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述金屬粉末為前述第一金屬與前述第二金屬之合金粉末。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述成膜步驟中，形成前述薄膜時之環境壓力為0.5Pa以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述成膜步驟中，形成前述薄膜時之環境中之氧與氬之比為2以上4以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述成膜步驟中，形成前述薄膜時之形成前述薄膜之基板溫度為500℃以上850℃以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述成膜步驟中，形成前述薄膜時之形成前述薄膜之基板溫度為610℃以上800℃以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述成膜步驟中， <br/> 形成前述薄膜時之環境壓力為0.5Pa以下， <br/> 形成前述薄膜時之環境中之氧與氬之比為2以上7以下， <br/> 形成前述薄膜時之形成前述薄膜之基板溫度為500℃以上850℃以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述靶材包含前述第一金屬45at%以上60at%以下。
如請求項1或2之赤銅鐵礦型氧化物薄膜之製造方法，其中前述成膜步驟包含：將具有赤銅鐵礦型結晶構造之第一層作為基底，而使與前述第一層不同之具有赤銅鐵礦型結晶構造之第二層形成積層的多層化步驟。
一種氧化物薄膜，其具有赤銅鐵礦型結晶構造，且將厚度方向之A位層之個數設為N時，薄膜面積之33%以上之區域具有相同之N。
如請求項12之氧化物薄膜，其中表面呈現三角形或六角形之結晶晶面，且厚度方向之凹凸高度之均方根為0.4nm以下。
如請求項12或13之氧化物薄膜，其中將在300K下之電阻率除以在2K下之電阻率所求得之值之剩餘電阻比為1.0以上8.0以下。
如請求項14之氧化物薄膜，其中前述剩餘電阻比為3.0以上8.0以下。
如請求項14之氧化物薄膜，其中膜厚為7.0nm以上165.0nm以下。
如請求項14之氧化物薄膜，其中膜厚為30nm以上。
如請求項12或13之氧化物薄膜，其中具備： <br/> 具有赤銅鐵礦型結晶構造之第一層，及， <br/> 積層於前述第一層之與前述第一層不同之具有赤銅鐵礦型結晶構造之第二層。
一種液冷插接連接器，包括： <br/>一插接本體，其內具有一中空區，該中空區向該插接本體前端延伸而具有一插口，且該插接本體於相對該插口的周圍處外更設有至少一作動孔； <br/>一解鎖套件，以彈力活動套接於該插接本體外； <br/>一逆止套件，設於該中空區內，並以彈力阻隔於該插口與該中空區之間處；以及 <br/>至少一鎖固元件，活動設置於該作動孔內，並具有位於該作動孔外的一限位部、以及由該限位部向下突伸而出並能於該作動孔內作軸向位移的一卡掣部，且該鎖固元件於該卡掣部上係具有通過該作動孔而突伸於該插口內的一作動面、以及與該作動面相背對的一卡掣面； <br/>其中，該解鎖套件內係具有一逆止面，且該逆止面以彈力推抵該限位部使該鎖固元件於該作動孔內朝軸向外位移。
如請求項１所述之液冷插接連接器，其中該插接本體係包含一本體部與一接管部，且該中空區位於該本體部內，而該接管部則套設於該本體部並封閉該中空區。
如請求項１所述之液冷插接連接器，其中該逆止套件係包含一活塞、以及阻設於該活塞上的一逆止件，且該活塞係以彈力推抵而與該逆止件共同阻隔於該插口與該中空區之間處。
如請求項１所述之液冷插接連接器，其中所述鎖固元件係為複數，且所述作動孔為相對應之複數。
如請求項１所述之液冷插接連接器，其中該卡掣部在相對於該作動孔的徑向尺寸上係小於該限位部。
如請求項１所述之液冷插接連接器，其中該限位部上係設有一抵靠面並與該逆止面相配合作抵靠。
如請求項１所述之液冷插接連接器，其中該逆止面係呈一環狀者。
一種連接裝置，包括： <br/>一對接連接器；以及 <br/>一液冷插接連接器，與該對接連接器插接，並包含： <br/>一插接本體，其內具有一中空區，該中空區向該插接本體前端延伸而具有一插口，且該插接本體於相對該插口的周圍處外更設有至少一作動孔； <br/>一解鎖套件，以彈力活動套接於該插接本體外； <br/>一逆止套件，設於該中空區內，並以彈力阻隔於該插口與該中空區之間處；以及 <br/>至少一鎖固元件，活動設置於該作動孔內，並具有位於該作動孔外的一限位部、以及由該限位部向下突伸而出並能於該作動孔內作軸向位移的一卡掣部，且該鎖固元件於該卡掣部上係具有通過該作動孔而突伸於該插口內的一作動面、以及與該作動面相背對的一卡掣面； <br/>其中，該對接連接器插入該插接本體之插口時，推向該作動面而使該鎖固元件作滑動並使該卡掣面對該對接連接器作卡掣，且該解鎖套件內係具有一逆止面，該逆止面以彈力推抵該限位部使該鎖固元件於該作動孔內朝軸向外位移。
如請求項８所述之連接裝置，其中該對接連接器係包括一對接本體、以及設於該對接本體內的一封閉套件。
如請求項９所述之連接裝置，其中該對接本體係具有一基部、以及由該基部軸向延伸而出的一對接部，而該封閉套件則設於該對接部內。
如請求項１０所述之連接裝置，其中該對接部外係環設有一推動部，且該推動部上具有一傾斜的推動面並用以推向該作動面。
如請求項８所述之連接裝置，其中該插接本體係包含一本體部與一接管部，且該中空區位於該本體部內，而該接管部則套設於該本體部並封閉該中空區。
如請求項８所述之連接裝置，其中該逆止套件係包含一活塞、以及阻設於該活塞上的一逆止件，且該活塞係以彈力推抵而與該逆止件共同阻隔於該插口與該中空區之間處。
如請求項８所述之連接裝置，其中所述鎖固元件係為複數，且所述作動孔為相對應之複數。
如請求項８所述之連接裝置，其中該卡掣部在相對於該作動孔的徑向尺寸上係小於該限位部。
如請求項８所述之連接裝置，其中該限位部上係設有一抵靠面並與該逆止面相配合作抵靠。
如請求項８所述之連接裝置，其中該逆止面係呈一環狀者。
一種以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，包含有以下步驟：<br/> ａ．備料步驟：以再生聚苯乙烯(rPS）做為基材，且添加有一定比例之相容性改質彈性塑料、用以使基材輕量化的發泡劑以及其他功能性添加劑後，再透過一攪拌機相互拌合後構成一混合材料，其中，再生聚苯乙烯(rPS）占該混合材料的總含量70%至80%，相容性改質彈性塑料占該混合材料的總含量10%至20%，而發泡劑與其他功能性添加劑則控制在該混合材料的總含量10%以內；<br/> ｂ．加熱押出步驟：將該混合材料送入一螺桿押出機，該混合材料透過該螺桿押出機之加熱及其螺桿攪拌下造成的攪拌分流作用後成為一熱塑性高分子複合共聚混合物；<br/> ｃ．冷卻成型步驟：將該螺桿押出機所押出的熱塑性高分子複合共聚混合物輸送至一冷卻模具中，透過以循環水流控制該冷卻模具之降溫梯度在150℃至40℃，使其冷卻成型步驟依序分為四階段，第一階段：使該熱塑性高分子複合共聚混合物最外側之一面層固定成型；第二階段：使該面層內第二層之固定成型；第三階段：使該熱塑性高分子複合共聚混合物之核心部分冷卻；第四階段：使該熱塑性高分子複合共聚混合物逐步冷卻定型到常溫熟成後，即可製成一體成型且由外至內依序具有該面層、一位於該面層內側之網狀纖維堆疊層及一位在其核心處之支架填充層的可循環再利用之建築用角、板材。
如請求項1所述之以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，其中，該螺桿押出機係由一單螺桿押出機構成，該螺桿押出機之壓縮比為2至4倍，且押出機加熱溫度控制在120℃至200℃之間，而押出機螺桿速率控制在15~45rpm之間進行加熱押出操作。
如請求項1所述之以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，其中，相容性改質彈性塑料由TPU、TPO、TPV、TPS、TPR、NR、IR、SBR、BR、CR、IIR、NBR、EPDM至少任一種熱塑性高分子材料構成。
如請求項1所述之以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，其中，發泡劑係選用AC偶氮型化學性發泡劑，且發泡劑之劑量在0.1%~3%之間調整使用，押出機加熱溫度範圍設定在150ﾟＣ±30ﾟＣ之間操作，並搭配該冷卻模具之降溫梯度在150℃至40℃，使其發泡密度被控制在0.4 g/cm³~1 g/cm³之間。
如請求項1所述之以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，其中，其他功能性添加劑可由例色粉、分散劑、安定劑或填充材所構成。
如請求項5所述之以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，其中，填充材可由有機木粉或無機石粉、粉末、再生聚乙烯(rPE)、再生聚丙烯(rPP)、再生聚碳酸酯(rPC)或再生丙烯睛-丁二烯-苯乙烯共聚物(rABS)構成。
如請求項1所述之以回收熱塑性高分子複合材料製成可循環再利用建築用角材、板材之製作方法，其中，在該攪拌機拌合材料之拌合過程中同時進行一烘乾條件為烘乾溫度80ﾟＣ，烘乾2hr之乾燥作業。
一種資訊處理裝置執行的車輛消耗品的補充支援方法，包含： <br/> 檢測到與車輛相關的原定的觸發的發生的話，就顯示前述車輛的引擎室的影像之程序； <br/> 特定要對前述車輛補充的消耗品之程序；以及 <br/> 顯示與已被特定的前述消耗品相對應之包含前述引擎室內的補充口的位置之支援資訊之程序。
如請求項1的車輛消耗品的補充支援方法，其中， <br/> 前述觸發包含前述車輛的引擎蓋已被打開之情事。
如請求項1的車輛消耗品的補充支援方法，其中， <br/> 前述支援資訊更包含已被特定的前述消耗品的補充步驟。
如請求項1的車輛消耗品的補充支援方法，其中更包含： <br/> 檢測到在前述影像上指定前述引擎室內的部位之使用者操作的話，就顯示與已被指定的前述部位相關的資訊之程序。
如請求項1的車輛消耗品的補充支援方法，其中， <br/> 前述資訊處理裝置特定雨刷水、煞車液、電池液、冷卻液或是引擎油作為前述消耗品。
如請求項1的車輛消耗品的補充支援方法，其中， <br/> 更包含配合使用者操作來取得前述消耗品的影像之程序； <br/> 前述資訊處理裝置從前述影像來特定前述消耗品。
如請求項1的車輛消耗品的補充支援方法，其中更包含： <br/> 檢測到前述車輛中殘量未達閾值的消耗品的話，就顯示可以購入前述消耗品的web網頁之程序。
一種使電腦執行以下的動作的車輛消耗品的補充支援程式，包含： <br/> 檢測到與車輛相關的原定的觸發的發生的話，就顯示前述車輛的引擎室的影像之動作； <br/> 特定要對前述車輛補充的消耗品之動作；以及 <br/> 顯示與已被特定的前述消耗品相對應之包含前述引擎室內的補充口的位置之支援資訊之動作。
如請求項8的車輛消耗品的補充支援程式，其中， <br/> 前述觸發包含前述車輛的引擎蓋已被打開之情事。
如請求項8的車輛消耗品的補充支援程式，其中， <br/> 前述支援資訊更包含已被特定的前述消耗品的補充步驟。
如請求項8的車輛消耗品的補充支援程式，其中， <br/> 前述動作更包含： <br/> 檢測到在前述影像上指定前述引擎室內的部位之使用者操作的話，就顯示與已被指定的前述部位相關的資訊之動作。
如請求項8的車輛消耗品的補充支援程式，其中， <br/> 前述電腦特定雨刷水、煞車液、電池液、冷卻液或是引擎油作為前述消耗品。
如請求項8的車輛消耗品的補充支援程式，其中， <br/> 前述動作更包含： <br/> 配合使用者操作來取得前述消耗品的影像之動作； <br/> 前述電腦從前述影像來特定前述消耗品。
如請求項8的車輛消耗品的補充支援程式，其中， <br/> 前述動作更包含： <br/> 檢測到前述車輛中殘量未達閾值的消耗品的話，就顯示可以購入前述消耗品的web網頁之動作。
一種具備控制部之資訊處理裝置，其中， <br/> 前述控制部係， <br/> 檢測到與車輛相關的原定的觸發的發生的話，就顯示前述車輛的引擎室的影像到顯示器， <br/> 特定要對前述車輛補充的消耗品， <br/> 把與已被特定的前述消耗品相對應之包含前述引擎室內的補充口的位置之支援資訊顯示到前述顯示器。
如請求項15的資訊處理裝置，其中， <br/> 前述觸發包含前述車輛的引擎蓋已被打開之情事。
如請求項15的資訊處理裝置，其中， <br/> 前述支援資訊更包含已被特定的前述消耗品的補充步驟。
如請求項15的資訊處理裝置，其中， <br/> 前述控制部檢測到在前述影像上指定前述引擎室內的部位之使用者操作的話，就顯示與已被指定的前述部位相關的資訊到前述顯示器。
如請求項15的資訊處理裝置，其中， <br/> 前述控制部特定雨刷水、煞車液、電池液、冷卻液或是引擎油作為前述消耗品。
如請求項15的資訊處理裝置，其中， <br/> 前述控制部係， <br/> 配合使用者操作來取得前述消耗品的影像， <br/> 從前述影像來特定前述消耗品。
一種物聯網天線，所述物聯網天線包括： 第一支撐桿（11）和第二支撐桿（12），所述第二支撐桿（12）垂直連接在所述第一支撐桿（11）的頂部；<br/> 頻寬擴展組件（2），安裝於所述第二支撐桿（12）上；<br/> 多個輻射桿（3），安裝於所述第二支撐桿（12）上且均位於所述頻寬擴展組件（2）的一側；及<br/> 多個保護套（4），多個所述保護套（4）分別套設於多個所述輻射桿（3）的外側，每個所述保護套（4）包括至少兩個彈性組件（44）和至少兩個保護結構（42），所有的所述保護結構（42）之間通過所述彈性組件（44）連接形成環形結構；<br/> 其中，多個所述輻射桿（3）對稱設置於所述第二支撐桿（12）的兩側，且所述輻射桿（3）的長度方向垂直於所述第二支撐桿（12）的延伸方向；<br/> 其中，所述頻寬擴展組件（2）包括至少一組擴展單元（20），每個所述擴展單元（20）包括兩個擴展桿（21），其中兩個所述擴展桿（21）對稱連接於所述第二支撐桿（12）的兩側，且每組所述擴展單元（20）的延伸方向與所述第二支撐桿（12）的延伸方向垂直。
根據請求項1所述的物聯網天線，其中，所述保護結構（42）為扇環形結構，且每個所述保護套（4）的所有所述保護結構（42）沿圓周方向等間距排列。
根據請求項1所述的物聯網天線，其中，所述保護結構（42）包括固定層（421）和保護層（422），所述保護層（422）設置於所述固定層（421）內側，且所述保護層（422）的圓心與所述固定層（421）的圓心同軸設置。
根據請求項3所述的物聯網天線，其中，所述保護層（422）包括：<br/> 緩衝墊（4221），其外表面與所述固定層（421）連接；<br/> 防滑墊（4222），其外表面與所述緩衝墊（4221）連接，所述防滑墊（4222）內側邊緣為波形；<br/> 多個吸附件（4223），沿所述防滑墊（4222）的長度方向排佈於所述防滑墊（4222）內側。
根據請求項1所述的物聯網天線，其中，所述保護套（4）還包括罩殼結構（43），傾斜設置於位於頂面的所述保護結構（42）外側。
根據請求項5所述的物聯網天線，其中，所述罩殼結構（43）包括：<br/> 彎曲罩殼（435），傾斜設置在所述保護結構（42）的上方，所述彎曲罩殼（435）一側與所述保護結構（42）之間的距離大於其另一側與所述保護結構（42）之間的距離；<br/> 第一彈性件（431），設置於所述彎曲罩殼（435）與所述保護結構（42）之間，所述第一彈性件（431）兩端分別連接所述彎曲罩殼（435）與所述保護結構（42）；<br/> 第二彈性件（432），設置於所述彎曲罩殼（435）下端面的中部，所述第二彈性件（432）兩端分別連接所述彎曲罩殼（435）與所述保護結構（42）。
根據請求項6所述的物聯網天線，其中，所述第一彈性件（431）為彈性桿。
根據請求項6所述的物聯網天線，其中，所述第二彈性件（432）包括：<br/> 支撐座（4321），設置於所述保護結構（42）外側；<br/> 至少一個動桿（4322），所述至少一個動桿（4322）的一端伸入所述支撐座（4321）內並與所述支撐座（4321）活動連接。
根據請求項8所述的物聯網天線，其中，所述支撐座（4321）內部開設有腔體，所述腔體內部注入有液體。
根據請求項8所述的物聯網天線，其中，所述動桿（4322）數量為兩個，且兩個所述動桿（4322）為條形動桿並沿所述保護結構（42）長度方向延伸。
根據請求項10所述的物聯網天線，其中，所述支撐座（4321）為U字形狀，兩個所述動桿（4322）由所述支撐座（4321）的兩側分別伸入並與所述支撐座（4321）活動連接。
根據請求項8所述的物聯網天線，其中，所述動桿（4322）垂直截面為倒T字形，包括支桿（4323）和彈性部（4324），所述彈性部（4324）設置於所述支桿（4323）底端，所述動桿（4322）通過所述彈性部（4324）伸入所述支撐座（4321）。
根據請求項1至11中任一項所述的物聯網天線，其中，每個所述彈性組件（44）包括多個沿所述輻射桿（3）長度方向排列的彈性單元，多個所述彈性單元的兩端分別與所述保護結構（42）連接。
根據請求項1至11中任一項所述的物聯網天線，其中，所述物聯網天線還包括振子（5），安裝於所述第二支撐桿（12）上，且所述振子（5）與多個所述輻射桿（3）位於所述第一支撐桿（11）的同一側。
根據請求項14所述的物聯網天線，其中，所述物聯網天線還包括反射組件（7），所述反射組件（7）設置於所述輻射桿（3）與所述振子（5）之間並向所述振子（5）一側彎曲。
根據請求項15所述的物聯網天線，其中，所述反射組件（7）包括主體桿（71）和多個反射桿（72），多個所述反射桿（72）對稱分布於所述主體桿（71）兩側，且多個所述反射桿（72）的延伸方向與所述輻射桿（3）的延伸方向平行。
根據請求項1至11中任一項所述的物聯網天線，其中，所述物聯網天線還包括避雷針（6），設置於所述第二支撐桿（12）遠離所述輻射桿（3）的一端。
根據請求項4所述的物聯網天線，其中，所述吸附件（4223）為橡膠吸附件。
一種支付額度提升的方法，其特徵在於，應用於轉接平臺，所述方法包括：所述轉接平臺向資源管理平臺轉發收單平臺發送的分期支付請求報文，所述分期支付請求報文包括支付關聯資訊；在支付用戶的支付額度低於所述分期支付請求報文指示的目標支付的支付金額的情況下，所述轉接平臺向所述收單平臺轉發所述資源管理平臺發送的額度判定結果報文，其中，所述資源管理平臺允許提升所述支付用戶的支付額度，所述額度判定結果報文包括增值服務資訊，所述增值服務資訊包括提額授權資訊；所述轉接平臺向所述資源管理平臺轉發所述收單平臺發送的提額支付報文，以使所述資源管理平臺基於所述提額支付報文提升所述支付用戶的支付額度並完成所述目標支付，所述提額支付報文包括所述支付關聯資訊和所述增值服務資訊，具有指示所述資源管理平臺提升所述支付用戶的支付額度和完成所述支付用戶本次的支付的雙重作用，將提升支付額度與支付相結合，無縫串聯提升支付額度流程和支付流程。
如請求項1所述的方法，其中，所述提額授權資訊包括提額授權碼，所述提額授權碼用於指示所述支付用戶的所述目標支付，並表徵所述支付用戶的所述目標支付得到提升支付額度的授權。
如請求項2所述的方法，其中，所述提額授權資訊還包括提額授權返回資訊，所述提額授權返回資訊用於表徵所述支付用戶的支付額度低於所述支付金額且得到提升支付額度的授權。
如請求項1所述的方法，其中，所述額度判定結果報文還包括返回應答碼，所述返回應答碼用於表徵所述支付用戶的支付額度低於所述支付金額。
如請求項1所述的方法，其中，所述額度判定結果報文由所述資源管理平臺基於用戶帳戶資訊、收單平臺資訊、所述目標支付的訂單資訊、支付方式資訊中的一種或兩種以上生成。
如請求項1所述的方法，其中，所述提額支付報文由所述收單平臺回應於接收到的所述支付用戶的提額支付請求報文生成。
一種支付額度提升的方法，其特徵在於，應用於資源管理平臺，所述方法包括：所述資源管理平臺通過轉接平臺接收收單平臺發送的分期支付請求報文，所述分期支付請求報文包括支付關聯資訊；在支付用戶的支付額度低於所述分期支付請求報文指示的目標支付的支付金額的情況下，所述資源管理平臺確定允許提升支付用戶的支付額度，向所述轉接平臺發送額度判定結果報文，以使所述轉接平臺向所述收單平臺轉發所述額度判定結果報文，所述額度判定結果報文包括增值服務資訊，所述增值服務資訊包括提額授權資訊；所述資源管理平臺接收所述收單平臺通過所述轉接平臺發送的提額支付報文，所述提額支付報文包括所述支付關聯資訊和所述增值服務資訊，具有指示所述資源管理平臺提升所述支付用戶的支付額度和完成所述支付用戶本次的支付的雙重作用，將提升支付額度與支付相結合，無縫串聯提升支付額度流程和支付流程；所述資源管理平臺基於所述提額支付報文提升所述支付用戶的支付額度並完成所述目標支付。
如請求項7所述的方法，其中，所述提額授權資訊包括提額授權碼，所述提額授權碼用於指示所述支付用戶的所述目標支付，並表徵所述支付用戶的所述目標支付得到提升支付額度的授權。
如請求項8所述的方法，其中，所述提額授權資訊還包括提額授權返回資訊，所述提額授權返回資訊用於表徵所述支付用戶的支付額度低於所述支付金額且得到提升支付額度的授權。
如請求項7所述的方法，其中，所述額度判定結果報文還包括返回應答碼，所述返回應答碼用於表徵所述支付用戶的支付額度低於所述支付金額。
如請求項7所述的方法，其中，所述資源管理平臺確定允許提升支付用戶的支付額度，包括：所述資源管理平臺基於用戶帳戶資訊、收單平臺資訊、所述目標支付的訂單資訊、支付方式資訊中的一種或兩種以上，確定允許提升支付用戶的支付額度。
如請求項7所述的方法，其中，所述提額支付報文由所述收單平臺回應於接收到的所述支付用戶的提額支付請求報文生成。
一種支付額度提升的方法，其特徵在於，應用於收單平臺，所述方法包括：所述收單平臺通過轉接平臺向資源管理平臺發送分期支付請求報文，所述分期支付請求報文包括支付關聯資訊；在支付用戶的支付額度低於所述分期支付請求報文指示的目標支付的支付金額的情況下，所述收單平臺接收所述轉接平臺轉發的額度判定結果報文，所述額度判定結果報文由所述資源管理平臺發送，其中，所述資源管理平臺允許提升所述支付用戶的支付額度，所述額度判定結果報文包括增值服務資訊，所述增值服務資訊包括提額授權資訊；所述收單平臺通過所述轉接平臺向所述資源管理平臺發送提額支付報文，以使所述資源管理平臺基於所述提額支付報文提升所述支付用戶的支付額度並完成所述目標支付，所述提額支付報文包括所述支付關聯資訊和所述增值服務資訊，具有指示所述資源管理平臺提升所述支付用戶的支付額度和完成所述支付用戶本次的支付的雙重作用，將提升支付額度與支付相結合，無縫串聯提升支付額度流程和支付流程。
如請求項13所述的方法，其中，所述提額授權資訊包括提額授權碼，所述提額授權碼用於指示所述支付用戶的所述目標支付，並表徵所述支付用戶的所述目標支付得到提升支付額度的授權。
如請求項14所述的方法，其中，所述提額授權資訊還包括提額授權返回資訊，所述提額授權返回資訊用於表徵所述支付用戶的支付額度低於所述支付金額且得到提升支付額度的授權。
如請求項13所述的方法，其中，所述額度判定結果報文還包括返回應答碼，所述返回應答碼用於表徵所述支付用戶的支付額度低於所述支付金額。
如請求項13所述的方法，其中，所述額度判定結果報文由所述資源管理平臺基於用戶帳戶資訊、收單平臺資訊、所述目標支付的訂單資訊、支付方式資訊中的一種或兩種以上生成。
如請求項13所述的方法，其中，在所述收單平臺通過所述轉接平臺向所述資源管理平臺發送提額支付報文之前，還包括：所述收單平臺回應於接收到的所述支付用戶的提額支付請求報文，生成所述提額支付報文。
一種支付額度提升的裝置，其特徵在於，應用於轉接平臺，所述裝置包括發送模組和接收模組；所述發送模組和所述接收模組，用於向資源管理平臺轉發收單平臺發送的分期支付請求報文，所述分期支付請求報文包括支付關聯資訊；以及，用於在支付用戶的支付額度低於所述分期支付請求報文指示的目標支付的支付金額的情況下，向所述收單平臺轉發所述資源管理平臺發送的額度判定結果報文，其中，所述資源管理平臺允許提升所述支付用戶的支付額度，所述額度判定結果報文包括增值服務資訊，所述增值服務資訊包括提額授權資訊；以及，用於向所述資源管理平臺轉發所述收單平臺發送的提額支付報文，以使所述資源管理平臺基於所述提額支付報文提升所述支付用戶的支付額度並完成所述目標支付，所述提額支付報文包括所述支付關聯資訊和所述增值服務資訊，具有指示所述資源管理平臺提升所述支付用戶的支付額度和完成所述支付用戶本次的支付的雙重作用，將提升支付額度與支付相結合，無縫串聯提升支付額度流程和支付流程。
一種支付額度提升的裝置，其特徵在於，應用於資源管理平臺，所述裝置包括：接收模組，用於通過轉接平臺接收收單平臺發送的分期支付請求報文，所述分期支付請求報文包括支付關聯資訊；發送模組，用於在支付用戶的支付額度低於所述分期支付請求報文指示的目標支付的支付金額的情況下，確定允許提升支付用戶的支付額度，向所述轉接平臺發送額度判定結果報文，以使所述轉接平臺向所述收單平臺轉發所述額度判定結果報文，所述額度判定結果報文包括增值服務資訊，所述增值服務資訊包括提額授權資訊；所述接收模組還用於接收所述收單平臺通過所述轉接平臺發送的提額支付報文，所述提額支付報文包括所述支付關聯資訊和所述增值服務資訊，具有指示所述資源管理平臺提升所述支付用戶的支付額度和完成所述支付用戶本次的支付的雙重作用，將提升支付額度與支付相結合，無縫串聯提升支付額度流程和支付流程；處理模組，用於基於所述提額支付報文提升所述支付用戶的支付額度並完成所述目標支付。
一種支付額度提升的裝置，其特徵在於，應用於收單平臺，所述裝置包括：發送模組，用於通過轉接平臺向資源管理平臺發送分期支付請求報文，所述分期支付請求報文包括支付關聯資訊；接收模組，用於在支付用戶的支付額度低於所述分期支付請求報文指示的目標支付的支付金額的情況下，接收所述轉接平臺轉發的額度判定結果報文，所述額度判定結果報文由所述資源管理平臺發送，其中，所述資源管理平臺允許提升所述支付用戶的支付額度，所述額度判定結果報文包括增值服務資訊，所述增值服務資訊包括提額授權資訊；所述發送模組還用於通過所述轉接平臺向所述資源管理平臺發送提額支付報文，以使所述資源管理平臺基於所述提額支付報文提升所述支付用戶的支付額度並完成所述目標支付，所述提額支付報文包括所述支付關聯資訊和所述增值服務資訊，具有指示所述資源管理平臺提升所述支付用戶的支付額度和完成所述支付用戶本次的支付的雙重作用，將提升支付額度與支付相結合，無縫串聯提升支付額度流程和支付流程。
一種電子設備，其特徵在於，應用於轉接平臺，所述電子設備包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項1至6中任意一項所述的支付額度提升的方法。
一種電子設備，其特徵在於，應用於資源管理平臺，所述電子設備包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項7至12中任意一項所述的支付額度提升的方法。
一種電子設備，其特徵在於，應用於收單平臺，所述電子設備包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項13至18中任意一項所述的支付額度提升的方法。
一種電腦可讀存儲介質，其特徵在於，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令被處理器執行時實現如請求項1至18中任意一項所述的支付額度提升的方法。
一種電腦程式產品，其特徵在於，包括電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現請求項1至18中任意一項所述的支付額度提升的方法。
一種商戶資訊自動採集的方法，其特徵在於，應用於資訊採集平臺，所述方法包括：在用戶終端與目標商戶完成測試交易的情況下，所述資訊採集平臺接收所述用戶終端發送的採集輔助資訊，根據所述採集輔助資訊，從交易平臺篩選獲取候選交易的交易資訊，所述候選交易包括所述測試交易；所述資訊採集平臺向所述用戶終端發送交易列表，所述交易列表包括所述候選交易；所述資訊採集平臺接收所述資訊採集平臺回饋的根據用戶的輸入從所述候選交易中確定的所述測試交易；所述資訊採集平臺根據所述測試交易的商戶指示資訊和預設的商戶地圖資料庫，得到所述目標商戶的商戶資訊，所述商戶指示資訊包括交易資訊，或，包括交易資訊和所述採集輔助資訊。
如請求項1所述的方法，其中，所述根據所述採集輔助資訊，從交易平臺篩選獲取候選交易的交易資訊，包括：所述資訊採集平臺將所述交易平臺中符合所述採集輔助資訊的交易篩選為所述候選交易；所述資訊採集平臺獲取所述候選交易的交易資訊。
如請求項1所述的方法，其中，所述資訊採集平臺根據所述測試交易的商戶指示資訊和預設的商戶地圖資料庫，得到所述目標商戶的商戶資訊，包括：所述資訊採集平臺將所述測試交易的交易資訊中與商戶相關的資訊確定為所述目標商戶的商戶資訊；所述資訊採集平臺利用所述商戶指示資訊與所述商戶地圖資料庫中的商戶地圖資料進行匹配，得到匹配商戶的商戶地圖資料；所述資訊採集平臺根據所述匹配商戶的商戶地圖資料，確定所述目標商戶的商戶資訊。
如請求項3所述的方法，其中，商戶地圖資料包括商戶的商戶地圖地址資訊和商戶地圖名稱資訊，所述商戶指示資訊包括位置資訊和交易資訊中的商戶名稱資訊，位置資訊包括交易資訊中的交易位置資訊和/或所述採集輔助資訊中的終端定位位置資訊；所述資訊採集平臺利用所述商戶指示資訊與所述商戶地圖資料庫中的商戶地圖資料進行匹配，得到匹配商戶的商戶地圖資料，包括：所述資訊採集平臺在所述商戶地圖資料庫中，將商戶地圖地址資訊指示的位置與位置資訊指示的位置的距離小於預設距離閾值的商戶確定為第一商戶；所述資訊採集平臺獲取所述第一商戶的商戶地圖名稱資訊與商戶名稱資訊的相似度參數，將相似度參數表徵的相似度大於預設相似度閾值的所述第一商戶確定為所述匹配商戶，得到所述匹配商戶的商戶地圖資料。
如請求項3所述的方法，其中，所述資訊採集平臺根據所述匹配商戶的商戶地圖資料，確定所述目標商戶的商戶資訊，包括：所述資訊採集平臺向所述用戶終端發送包括所述匹配商戶的商戶地圖資料的匹配商戶列表；所述資訊採集平臺接收所述用戶終端回饋的所述用戶從所述匹配商戶列表中選定的所述匹配商戶的商戶地圖資料，將選定的所述匹配商戶的商戶地圖資料確定為所述目標商戶的商戶資訊。
如請求項1至5中任意一項所述的方法，其中，在所述測試交易為基於支付卡的交易的情況下，所述採集輔助資訊包括以下一項或兩項以上：用戶帳號、支付卡標識、終端定位位置資訊、資訊錄入啟動時間、交易資源量、商戶名稱，其中，用戶帳號與支付卡具有關聯關係；在所述測試交易為基於電子票券的交易的情況下，所述採集輔助資訊包括以下一項或兩項以上：資訊錄入啟動時間、票券核銷資訊；在所述測試交易為基於支付碼的交易的情況下，所述採集輔助資訊包括支付碼參數。
如請求項1至5中任意一項所述的方法，其中，商戶資訊包括以下一項或兩項以上：商戶標識、商戶終端標識、收單機構標識、商戶支援的交易類型、商戶地圖名稱資訊、商戶地圖地址資訊。
一種商戶資訊自動採集的方法，其特徵在於，應用於用戶終端，所述方法包括：在所述用戶終端與目標商戶完成測試交易的情況下，所述用戶終端向資訊採集平臺發送採集輔助資訊，所述採集輔助資訊用於使所述資訊採集平臺從交易平臺篩選獲取候選交易的交易資訊，所述候選交易包括所述測試交易；所述用戶終端接收並展示所述資訊採集平臺回饋的交易列表，所述交易列表包括所述候選交易；所述用戶終端向所述資訊採集平臺回饋根據用戶的輸入從所述候選交易中確定的所述測試交易，以使所述資訊採集平臺根據所述測試交易的商戶指示資訊和預設的商戶地圖資料庫，得到所述目標商戶的商戶資訊，所述商戶指示資訊包括交易資訊，或，包括交易資訊和所述採集輔助資訊。
如請求項8所述的方法，其中，所述候選交易包括所述交易平臺中符合所述採集輔助資訊的交易。
如請求項8所述的方法，其中，所述目標商戶的商戶資訊包括：所述測試交易的交易資訊中與商戶相關的資訊，第一商戶資訊，所述第一商戶資訊根據所述商戶指示資訊與所述商戶地圖資料庫中的商戶地圖資料匹配的匹配商戶的商戶地圖資料得到。
如請求項10所述的方法，其中，商戶地圖資料包括商戶的商戶地圖地址資訊和商戶地圖名稱資訊，所述商戶指示資訊包括位置資訊和交易資訊中的商戶名稱資訊，位置資訊包括交易資訊中的交易位置資訊和/或所述採集輔助資訊中的終端定位位置資訊；所述匹配商戶包括商戶地圖名稱資訊與商戶名稱資訊的相似度參數表徵的相似度大於預設相似度閾值的第一商戶，所述第一商戶包括所述商戶地圖資料庫中商戶地圖地址資訊與位置資訊的距離小於預設距離閾值的商戶。
如請求項10所述的方法，其中，還包括：所述用戶終端接收所述資訊採集平臺發送的包括所述匹配商戶的商戶地圖資料的匹配商戶列表；所述用戶終端根據所述用戶的輸入，從所述匹配商戶列表中選定所述匹配商戶；所述用戶終端向所述資訊採集平臺回饋選定的所述匹配商戶的商戶地圖資料，所述目標商戶的商戶資訊包括選定的所述匹配商戶的商戶地圖資料。
如請求項8至12中任意一項所述的方法，其中，在所述測試交易為基於支付卡的交易的情況下，所述採集輔助資訊包括以下一項或兩項以上：用戶帳號、終端定位位置資訊、資訊錄入啟動時間、交易資源量、商戶名稱，其中，用戶帳號與支付卡具有關聯關係；在所述測試交易為基於電子票券的交易的情況下，所述採集輔助資訊包括以下一項或兩項以上：資訊錄入啟動時間、票券核銷資訊；在所述測試交易為基於支付碼的交易的情況下，所述採集輔助資訊包括支付碼參數。
如請求項8至12中任意一項所述的方法，其中，商戶資訊包括以下一項或兩項以上：商戶標識、商戶終端標識、收單機構標識、商戶支援的交易類型、商戶地圖名稱資訊、商戶地圖地址資訊。
一種商戶資訊自動採集的裝置，其特徵在於，應用於資訊採集平臺，所述裝置包括：接收模組，用於在用戶終端與目標商戶完成測試交易的情況下，接收所述用戶終端發送的採集輔助資訊；過濾模組，用於根據所述採集輔助資訊，從交易平臺篩選獲取候選交易的交易資訊，所述候選交易包括所述測試交易；發送模組，用於向所述用戶終端發送交易列表，所述交易列表包括所述候選交易；所述接收模組還用於接收所述資訊採集平臺回饋的根據用戶的輸入從所述候選交易中確定的所述測試交易；資訊獲取模組，用於根據所述測試交易的商戶指示資訊和預設的商戶地圖資料庫，得到所述目標商戶的商戶資訊，所述商戶指示資訊包括交易資訊，或，包括交易資訊和所述採集輔助資訊。
一種商戶資訊自動採集的裝置，其特徵在於，應用於用戶終端，所述裝置包括：發送模組，用於在所述用戶終端與目標商戶完成測試交易的情況下，向資訊採集平臺發送採集輔助資訊，所述採集輔助資訊用於使所述資訊採集平臺從交易平臺篩選獲取候選交易的交易資訊，所述候選交易包括所述測試交易；接收模組，用於接收並展示所述資訊採集平臺回饋的交易列表，所述交易列表包括所述候選交易；所述發送模組還用於向所述資訊採集平臺回饋根據用戶的輸入從所述候選交易中確定的所述測試交易，以使所述資訊採集平臺根據所述測試交易的商戶指示資訊和預設的商戶地圖資料庫，得到所述目標商戶的商戶資訊，所述商戶指示資訊包括交易資訊，或，包括交易資訊和所述採集輔助資訊。
一種電子設備，其特徵在於，包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項1至7中任意一項所述的商戶資訊自動採集的方法。
一種用戶終端，其特徵在於，包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項8至14中任意一項所述的商戶資訊自動採集的方法。
一種商戶資訊自動採集的系統，其特徵在於，包括：用戶終端，用於執行如請求項8至14中任意一項所述的商戶資訊自動採集的方法；資訊採集平臺，與所述用戶終端通信連接，用於執行如請求項1至7中任意一項所述的商戶資訊自動採集的方法。
一種電腦可讀存儲介質，其特徵在於，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令被處理器執行時實現如請求項1至14中任意一項所述的商戶資訊自動採集的方法。
一種電腦程式產品，其特徵在於，包括電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現請求項1至14中任意一項所述的商戶資訊自動採集的方法。
一種一COVID-19疫苗在製備用於治療或預防一B型肝炎的一藥物中的用途<br/> ，其中該COVID-19疫苗包含以下中的任一種、任兩種、任三種或全部：來自輝瑞公司-拜恩泰科公司的BNT162b1、來自輝瑞公司-拜恩泰科公司的BNT162b2、來自莫德納公司的mRNA-1273以及來自莫德納公司的mRNA-1273.211；<br/> 該B型肝炎的預防或治療中，在第一次測量HbsAb滴度高於10 mIU/ml後的1年內，HbsAb滴度持續高於10 mIU/ml。
如請求項1所述的用途，其中該COVID-19疫苗包含至少10 µg、至少20 µg、至少30 µg、至少40 µg、至少50 µg、至少60 µg、至少70 µg、至少80 µg、至少90 µg或至少100 µg的該來自輝瑞公司-拜恩泰科公司的BNT162b1、該來自輝瑞公司-拜恩泰科公司的BNT162b2、該來自莫德納公司的mRNA-1273或該來自莫德納公司的mRNA-1273.211。
如請求項1或2所述的用途，其中該藥物配置為兩針、三針、或四針該COVID-19疫苗。
如請求項3所述的用途，其中相鄰兩針之間的間隔彼此獨立地選自由以下構成的組：2週、3週、1個月、2個月、3個月、4個月、5個月、6個月、7個月、8個月、9個月、10個月、11個月、1年、1.5年以及2年。
如請求項4所述的用途，其中該藥物進一步包括用於治療或預防該B型肝炎的一種或多種藥物。
如請求項5所述的用途，其中該一種或多種藥物包含抗病毒核苷酸藥物。
如請求項6所述的用途，其中該一種或多種藥物包含恩替卡韋、泰諾福韋、拉米夫定、替比夫定、阿德福韋雙匹酯、泰諾福韋艾拉酚胺和/或韋瑞德。
一種基板處理裝置，其對基板進行處理；其特徵在於，其具備有： <br/>第1基板搬送機器人，其具有上下配置之第1機械手及第2機械手，並且藉由使上述第1機械手及上述第2機械手移動，而可對上下配置之第1載置台與第2載置台進行基板之交接； <br/>處理區塊，其對複數片基板個別地進行預先設定之處理； <br/>介面區塊，其被連結於上述處理區塊，且對曝光裝置進行基板之搬入及搬出；及 <br/>控制部； <br/>上述第1基板搬送機器人被設置於上述介面區塊， <br/>上述第1基板搬送機器人對被設置於上述曝光裝置之上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接， <br/>上述第1機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第1基板， <br/>上述第2機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第2基板， <br/>上述第1機械手的基板支撐面和上述第2機械手的基板支撐面在上下之支撐間隔被設定為，與上述第1載置台載置基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之載置間隔相一致， <br/>上述控制部係， <br/>實施使支撐上述第1基板之上述第1機械手朝向上述第1載置台前進之第1機械手前進動作， <br/>藉由使上述第1機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第1機械手將上述第1基板送交至上述第1載置台，其後， <br/>實施使上述第1機械手從上述第1載置台後退之第1機械手後退動作， <br/>又，實施使上述第2機械手朝向上述第2載置台前進之第2機械手前進動作， <br/>藉由使上述第2機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第2機械手從上述第2載置台接收上述第2基板，其後， <br/>實施使支撐上述第2基板之上述第2機械手從上述第2載置台後退之第2機械手後退動作， <br/>上述控制部係實施，使上述第1機械手後退動作與上述第2機械手前進動作並行地進行、及使上述第1機械手前進動作與上述第2機械手後退動作並行地進行之任一者。
如請求項1基板處理裝置，其中， <br/>上述控制部使上述第1機械手後退動作與上述第2機械手前進動作並行地進行。
一種基板處理裝置，其對基板進行處理；其特徵在於，其具備有： <br/>第1基板搬送機器人，其具有上下配置之第1機械手及第2機械手，並且藉由使上述第1機械手及上述第2機械手移動，而可對上下配置之第1載置台與第2載置台進行基板之交接； <br/>第1處理區塊，其對複數片基板個別地進行預先設定之第1處理； <br/>第2處理區塊，其對上述複數片基板個別地進行預先設定之第2處理； <br/>上述第1載置台及上述第2載置台，其被上下地設置於上述第1處理區塊與上述第2處理區塊之邊界； <br/>第2基板搬送機器人，其具有上下配置之第3機械手及第4機械手，並且藉由使上述第3機械手及上述第4機械手移動，對上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接；及 <br/>控制部； <br/>上述第1基板搬送機器人被設置於上述第1處理區塊， <br/>上述第2基板搬送機器人被設置於上述第2處理區塊， <br/>上述第1機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第1基板， <br/>上述第2機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第2基板， <br/>上述第1機械手的基板支撐面和上述第2機械手的基板支撐面在上下之支撐間隔被設定為，與上述第1載置台載置基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之載置間隔相一致， <br/>上述第3機械手被構成為，以水平姿勢支撐上述第1基板， <br/>上述第4機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第3基板， <br/>上述第3機械手的基板支撐面和上述第4機械手的基板支撐面在上下之第2支撐間隔被設定為，與上述第1載置台支撐基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之上述載置間隔相一致， <br/>上述控制部係， <br/>實施使支撐上述第1基板之上述第1機械手朝向上述第1載置台前進之第1機械手前進動作， <br/>藉由使上述第1機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第1機械手將上述第1基板送交至上述第1載置台，其後， <br/>實施使上述第1機械手從上述第1載置台後退之第1機械手後退動作， <br/>此外，實施使上述第2機械手朝向上述第2載置台前進之第2機械手前進動作， <br/>藉由使上述第2機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第2機械手從上述第2載置台接收上述第2基板，其後， <br/>實施使支撐上述第2基板之上述第2機械手從上述第2載置台後退之第2機械手後退動作， <br/>上述控制部係實施，使上述第1機械手後退動作與上述第2機械手前進動作並行地進行、及使上述第1機械手前進動作與上述第2機械手後退動作並行地進行之任一者， <br/>上述控制部係， <br/>實施使上述第3機械手朝向上述第1載置台前進之第3機械手前進動作， <br/>藉由使上述第3機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第3機械手從上述第1載置台接收上述第1基板，其後， <br/>實施使支撐上述第1基板之上述第3機械手從上述第1載置台後退之第3機械手後退動作， <br/>此外，實施使支撐上述第3基板之上述第4機械手朝向上述第2載置台前進之第4機械手前進動作， <br/>藉由使上述第4機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第4機械手將上述第3基板送交至上述第2載置台，其後， <br/>實施使上述第4機械手從上述第2載置台後退之第4機械手後退動作， <br/>上述控制部係實施，使上述第3機械手後退動作與上述第4機械手前進動作並行地進行、及使上述第4機械手後退動作與上述第3機械手前進動作並行地進行之任一者。
一種基板處理裝置之控制方法，其係對基板進行處理之基板處理裝置之控制方法；其特徵在於，上述基板處理裝置具備有： <br/>第1基板搬送機器人，其具有上下配置之第1機械手及第2機械手，並且藉由使上述第1機械手及上述第2機械手移動，而可對上下配置之第1載置台與第2載置台進行基板之交接； <br/>處理區塊，其對複數片基板個別地進行預先設定之處理；及 <br/>介面區塊，其被連結於上述處理區塊，且對曝光裝置進行基板之搬入及搬出； <br/>上述第1基板搬送機器人被設置於上述介面區塊， <br/>上述第1基板搬送機器人對被設置於上述曝光裝置之上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接， <br/>上述第1機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第1基板， <br/>上述第2機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第2基板， <br/>上述第1機械手的基板支撐面和上述第2機械手的基板支撐面在上下之支撐間隔被設定為，與上述第1載置台載置基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之載置間隔相一致， <br/>上述控制方法具備有如下步驟： <br/>第1機械手前進步驟，其使支撐上述第1基板之上述第1機械手朝向上述第1載置台前進； <br/>第1載置步驟，其藉由使上述第1機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第1機械手將上述第1基板送交至上述第1載置台； <br/>第1機械手後退步驟，其於上述第1載置步驟之後，使上述第1機械手從上述第1載置台後退； <br/>第2機械手前進步驟，其使上述第2機械手朝向上述第2載置台前進； <br/>第1接收步驟，其藉由使上述第2機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第2機械手從上述第2載置台接收上述第2基板；及 <br/>第2機械手後退步驟，其於上述第1接收步驟之後，使支撐上述第2基板之上述第2機械手從上述第2載置台後退； <br/>上述基板處理裝置之控制方法係實施，使上述第1機械手後退步驟與上述第2機械手前進步驟並行地進行、及使上述第1機械手前進步驟與上述第2機械手後退步驟並行地進行之任一者。
一種基板處理裝置之控制方法，其係對基板進行處理之基板處理裝置之控制方法；其特徵在於，上述基板處理裝置具備有： <br/>第1基板搬送機器人，其具有上下配置之第1機械手及第2機械手，並且藉由使上述第1機械手及上述第2機械手移動，而可對上下配置之第1載置台與第2載置台進行基板之交接； <br/>第1處理區塊，其對複數片基板個別地進行預先設定之第1處理； <br/>第2處理區塊，其對上述複數片基板個別地進行預先設定之第2處理； <br/>上述第1載置台及上述第2載置台，其被上下地設置於上述第1處理區塊與上述第2處理區塊之邊界；及 <br/>第2基板搬送機器人，其具有上下配置之第3機械手及第4機械手，並且藉由使上述第3機械手及上述第4機械手移動，對上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接； <br/>上述第1基板搬送機器人被設置於上述第1處理區塊， <br/>上述第2基板搬送機器人被設置於上述第2處理區塊， <br/>上述第1機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第1基板， <br/>上述第2機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第2基板， <br/>上述第1機械手的基板支撐面和上述第2機械手的基板支撐面在上下之支撐間隔被設定為，與上述第1載置台載置基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之載置間隔相一致， <br/>上述第3機械手被構成為，以水平姿勢支撐上述第1基板， <br/>上述第4機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第3基板， <br/>上述第3機械手的基板支撐面和上述第4機械手的基板支撐面在上下之第2支撐間隔被設定為，與上述第1載置台支撐基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之上述載置間隔相一致， <br/>上述控制方法具備有如下步驟： <br/>第1機械手前進步驟，其使支撐上述第1基板之上述第1機械手朝向上述第1載置台前進； <br/>第1載置步驟，其藉由使上述第1機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第1機械手將上述第1基板送交至上述第1載置台； <br/>第1機械手後退步驟，其於上述第1載置步驟之後，使上述第1機械手從上述第1載置台後退； <br/>第2機械手前進步驟，其使上述第2機械手朝向上述第2載置台前進； <br/>第1接收步驟，其藉由使上述第2機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第2機械手從上述第2載置台接收上述第2基板；及 <br/>第2機械手後退步驟，其於上述第1接收步驟之後，使支撐上述第2基板之上述第2機械手從上述第2載置台後退； <br/>上述基板處理裝置之控制方法係實施，使上述第1機械手後退步驟與上述第2機械手前進步驟並行地進行、及使上述第1機械手前進步驟與上述第2機械手後退步驟並行地進行之任一者， <br/>上述控制方法進而具備有如下步驟： <br/>第3機械手前進步驟，其使上述第3機械手朝向上述第1載置台前進； <br/>第2接收步驟，其藉由使上述第3機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第3機械手從上述第1載置台接收上述第1基板； <br/>第3機械手後退步驟，其於上述第2接收步驟之後，使支撐上述第1基板之上述第3機械手從上述第1載置台後退； <br/>第4機械手前進步驟，其使支撐上述第3基板之上述第4機械手朝向上述第2載置台前進； <br/>第2載置步驟，其藉由使上述第4機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第4機械手將上述第3基板送交至上述第2載置台；及 <br/>第4機械手後退步驟，其於上述第2載置步驟之後，使上述第4機械手從上述第2載置台後退； <br/>上述基板處理裝置之控制方法係實施，使上述第3機械手後退步驟與上述第4機械手前進步驟並行地進行、及使上述第4機械手後退步驟與上述第3機械手前進步驟並行地進行之任一者。
一種基板搬送裝置，其用於基板處理裝置並對基板進行搬送，上述基板處理裝置具備有：處理區塊，其對複數片基板個別地進行預先設定之處理；及介面區塊，其被連結於上述處理區塊，且對曝光裝置進行基板之搬入及搬出；其特徵在於，其具備有： <br/>第1基板搬送機器人，其具有上下配置之第1機械手及第2機械手，並且藉由使上述第1機械手及上述第2機械手移動，可對上下配置之第1載置台與第2載置台而進行基板之交接；及 <br/>控制部； <br/>上述第1基板搬送機器人被設置於上述介面區塊， <br/>上述第1基板搬送機器人對被設置於上述曝光裝置之上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接， <br/>上述第1機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第1基板， <br/>上述第2機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第2基板， <br/>上述第1機械手的基板支撐面和上述第2機械手的基板支撐面在上下之支撐間隔被設定為，與上述第1載置台載置基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之載置間隔相一致， <br/>上述控制部係， <br/>實施使支撐上述第1基板之上述第1機械手朝向上述第1載置台前進之第1機械手前進動作， <br/>藉由使上述第1機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第1機械手將上述第1基板送交至上述第1載置台，其後， <br/>實施使上述第1機械手從上述第1載置台後退之第1機械手後退動作， <br/>此外，實施使上述第2機械手朝向上述第2載置台前進之第2機械手前進動作， <br/>藉由使上述第2機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第2機械手從上述第2載置台接收上述第2基板，其後， <br/>實施使支撐上述第2基板之上述第2機械手從上述第2載置台後退之第2機械手後退動作， <br/>上述控制部係實施，使上述第1機械手後退動作與上述第2機械手前進動作並行地進行、及使上述第1機械手前進動作與上述第2機械手後退動作並行地進行之任一者。
一種基板搬送裝置，其用於基板處理裝置並對基板進行搬送，上述基板處理裝置具備有：第1處理區塊，其對複數片基板個別地進行預先設定之第1處理；第2處理區塊，其對上述複數片基板個別地進行預先設定之第2處理；及第1載置台及第2載置台，其被上下地設置於上述第1處理區塊與上述第2處理區塊之邊界；其特徵在於，其具備有： <br/>第1基板搬送機器人，其具有上下配置之第1機械手及第2機械手，並且藉由使上述第1機械手及上述第2機械手移動，而可對上下配置之上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接； <br/>第2基板搬送機器人，其具有上下配置之第3機械手及第4機械手，並且藉由使上述第3機械手及上述第4機械手移動，對上述第1載置台與上述第2載置台進行基板之交接；及 <br/>控制部； <br/>上述第1基板搬送機器人被設置於上述第1處理區塊， <br/>上述第2基板搬送機器人被設置於上述第2處理區塊， <br/>上述第1機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第1基板， <br/>上述第2機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第2基板， <br/>上述第1機械手的基板支撐面和上述第2機械手的基板支撐面在上下之支撐間隔被設定為，與上述第1載置台載置基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之載置間隔相一致， <br/>上述第3機械手被構成為，以水平姿勢支撐上述第1基板， <br/>上述第4機械手被構成為，以水平姿勢支撐1片第3基板， <br/>上述第3機械手的基板支撐面和上述第4機械手的基板支撐面在上下之第2支撐間隔被設定為，與上述第1載置台支撐基板的載置面和上述第2載置台載置基板的載置面在上下之上述載置間隔相一致， <br/>上述控制部係， <br/>實施使支撐上述第1基板之上述第1機械手朝向上述第1載置台前進之第1機械手前進動作， <br/>藉由使上述第1機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第1機械手將上述第1基板送交至上述第1載置台，其後， <br/>實施使上述第1機械手從上述第1載置台後退之第1機械手後退動作， <br/>此外，實施使上述第2機械手朝向上述第2載置台前進之第2機械手前進動作， <br/>藉由使上述第2機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第2機械手從上述第2載置台接收上述第2基板，其後， <br/>實施使支撐上述第2基板之上述第2機械手從上述第2載置台後退之第2機械手後退動作， <br/>上述控制部係實施，使上述第1機械手後退動作與上述第2機械手前進動作並行地進行、及使上述第1機械手前進動作與上述第2機械手後退動作並行地進行之任一者， <br/>上述控制部係， <br/>實施使上述第3機械手朝向上述第1載置台前進之第3機械手前進動作， <br/>藉由使上述第3機械手與上述第1載置台相對升降移動，以上述第3機械手從上述第1載置台接收上述第1基板，其後， <br/>實施使支撐上述第1基板之上述第3機械手從上述第1載置台後退之第3機械手後退動作， <br/>此外，實施使支撐上述第3基板之上述第4機械手朝向上述第2載置台前進之第4機械手前進動作， <br/>藉由使上述第4機械手與上述第2載置台相對升降移動，以上述第4機械手將上述第3基板送交至上述第2載置台，其後， <br/>實施使上述第4機械手從上述第2載置台後退之第4機械手後退動作， <br/>上述控制部係實施，使上述第3機械手後退動作與上述第4機械手前進動作並行地進行、及使上述第4機械手後退動作與上述第3機械手前進動作並行地進行之任一者。
一種散熱系統，包括： <br/>一功率模組，具有相對的一頂面及一底面； <br/>至少兩散熱結構，該功率模組的該頂面或該底面的至少其中之一連接該至少兩散熱結構，該至少兩散熱結構各包括一基底及多個散熱鰭片，該些散熱鰭片設置於該基底上並形成多個流道；以及 <br/>一歧管組件，連接該至少兩散熱結構，該歧管組件包括一入口分支管路以及一出口分支管路，流體自一源頭沿一流入方向流經該入口分支管路、該至少兩散熱結構的該些流道及該出口分支管路，該入口分支管路包括連接該至少兩散熱結構的至少兩入口端，該至少兩入口端分別具有不同大小的入口管徑，該出口分支管路包括連接該至少兩散熱結構的至少兩出口端，該至少兩出口端分別具有不同大小的出口管徑。
如請求項1所述的散熱系統，其中該散熱鰭片各具有相連的多個波峰而呈波浪狀，且任兩相鄰的該些波峰之間的一間距不同於另外任兩相鄰的該些波峰之間的另一間距。
如請求項1所述的散熱系統，其中各該至少兩散熱結構還包括一蓋體，蓋合於該基底，且該蓋體及該基底共同容置該些散熱鰭片。
如請求項1所述的散熱系統，其中該至少兩散熱結構為兩散熱結構，該至少兩入口端為兩入口端，該至少兩出口端為兩出口端，該兩散熱結構分別連接該功率模組的該頂面及該底面。
如請求項4所述的散熱系統，其中該入口分支管路與該出口分支管路分別位於該功率模組的另相對兩側。
如請求項4所述的散熱系統，其中該入口分支管路與該出口分支管路位於該功率模組的同一側。
如請求項4所述的散熱系統，其中靠近於該源頭的該兩入口端的其中一者所對應的一入口管徑大於遠離於該源頭的該兩入口端的另一者所對應的另一入口管徑。
如請求項4所述的散熱系統，其中靠近於該源頭的該兩出口端的其中一者所對應的一出口管徑小於遠離於該源頭的該兩出口端的另一者所對應的另一出口管徑。
如請求項4所述的散熱系統，其中該歧管組件還包括兩閥體組件，分別設置於各該兩入口端或各該兩出口端。
一種散熱系統，包括： <br/>至少兩功率模組，各該至少兩功率模組具有相對的一頂面及一底面； <br/>多個散熱結構，連接各該至少兩功率模組的該頂面及該底面的至少其中之一，各該些散熱結構包括一基底及多個散熱鰭片，該些散熱鰭片設置於該基底上並形成多個流道；以及 <br/>一歧管組件，連接該些散熱結構，該歧管組件包括： <br/>至少一入口分支管路，包括連接該些散熱結構的多個入口端，該些入口端具有不同大小的多個入口管徑；以及 <br/>至少一出口分支管路，包括連接該些散熱結構的多個出口端，該些出口端具有不同大小的多個出口管徑， <br/>其中流體自至少一源頭沿一流入方向流經該至少一入口分支管路、該些散熱結構的該些流道及該至少一出口分支管路。
如請求項10所述的散熱系統，其中該些散熱結構位於同一平面。
如請求項10所述的散熱系統，其中該些散熱結構連接於各該至少兩功率模組的該頂面及該底面。
如請求項10所述的散熱系統，其中該至少一入口分支管路包括兩入口分支管路，該至少一出口分支管路包括兩出口分支管路，該兩入口分支管路的其中一者及對應的該兩出口分支管路的其中一者連接一部分的該些散熱結構，該兩入口分支管路的另一者及對應的該兩出口分支管路的另一者連接另一部分的該些散熱結構。
如請求項10所述的散熱系統，其中該至少一入口分支管路位於該至少兩功率模組的一側，該至少一出口分支管路位於該至少兩功率模組的另一側。
如請求項13所述的散熱系統，其中該兩入口分支管路的一者與對應的該兩出口分支管路的一者位於該至少兩功率模組的一側，該兩入口分支管路的另一者與對應的該兩出口分支管路的另一者位於該至少兩功率模組的另一側。
如請求項10所述的散熱系統，其中該至少一入口分支管路與該至少一出口分支管路位於該至少兩功率模組的相對兩側。
如請求項10所述的散熱系統，其中該至少一入口分支管路與該至少一出口分支管路位於該至少兩功率模組的同一側。
如請求項10所述的散熱系統，其中該至少兩功率模組沿一排列方向排列，且該排列方向垂直於該頂面的一法線方向。
如請求項10所述的散熱系統，其中該至少兩功率模組及該些散熱結構沿一排列方向排列，且該排列方向平行於該頂面的一法線方向。
如請求項19所述的散熱系統，其中任兩相鄰的該至少兩功率模組連接該些散熱結構中的同一個。
如請求項10所述的散熱系統，其中該些入口管徑隨著遠離於該至少一源頭而遞減。
如請求項10所述的散熱系統，其中該些出口管徑隨著遠離於該至少一源頭而遞增。
如請求項10所述的散熱系統，其中該歧管組件還包括多個閥體組件，設置於該些入口端。
一種散熱系統的控制方法，該散熱系統包括至少兩功率模組、多個散熱結構及一歧管組件，該些散熱結構連接各該至少兩功率模組的一頂面及一底面的至少其中之一，該歧管組件的至少一入口分支管路連接該些散熱結構的多個入口端，該歧管組件的至少一出口分支管路連接該些散熱結構的多個出口端，多個閥體組件設置於該些入口端，該控制方法包括： <br/>感測該至少兩功率模組的溫度，以取得多個溫度數據； <br/>分析該些溫度數據； <br/>判斷該至少兩功率模組的溫度是否異常，其中當判斷結果為異常，調節該至少兩功率模組的溫度，以回穩該至少兩功率模組的溫度；以及 <br/>當判斷結果為無異常或該至少兩功率模組的溫度回穩，紀錄且學習該些溫度數據及調整過程。
如請求項24所述的控制方法，其中調節該至少兩功率模組的溫度的步驟為透過人工智慧系統調節該至少兩功率模組的溫度的步驟，且該步驟包括： <br/>透過該人工智慧系統進行模型預測且提供一控制溫度決策； <br/>調整該些閥體組件，以控制流經該些散熱結構的流體的流量； <br/>再次感測該至少兩功率模組的溫度以重新判斷該至少兩功率模組的溫度是否回穩。
一種可重構智慧反射面的波束管理與追蹤的方法，包括:<br/>藉由一基地台測量或接收使用者裝置的多個測量報告；<br/>基於該些測量報告及該些使用者裝置的一數目，計算該些使用者裝置的多個位置以及提供至該些使用者裝置的多個波束；<br/>基於該數目、該些位置以及該些量測報告計算一管理週期的週期長度，該管理週期的週期長度包含一第一波束配置週期的週期長度以及一第二波束配置週期的週期長度；<br/>在該第一波束配置週期中，藉由一反射面產生一第一波束群以對該些使用者裝置進行追蹤；以及<br/>在該第二波束配置週期中，藉由該反射面產生的一第二波束群提供該些波束服務該些使用者裝置，<br/>其中，在該管理週期中，當該第一波束配置週期的該週期長度增加時，該第二波束配置週期的該週期長度減少。
如請求項1所述之方法，其中<br/>該第一波束配置週期的該週期長度與該第二波束配置週期的該週期長度係透過一演算法依據該數目與該些位置進行演算而產生。
如請求項1所述之方法，其中<br/> 該第一波束配置週期及該第二波束配置週期係對應一排程，該排程進一步包括一掃描次數，<br/> 其中當該掃描次數增加時，該第一波束配置週期的週期長度增加；以及<br/> 當該掃描次數減少，該第一波束配置週期的該週期長度減少。
如請求項3所述之方法，其中<br/> 該排程包含多個配置方向，並且該第二波束群依據該些配置方向提供該些波束服務該些使用者裝置。
如請求項1所述之方法，其中<br/> 該第一波束配置週期及該第二波束配置週期依序並重複排列。
一種可重構智慧反射面的波束管理與追蹤的系統，包括:<br/>一控制器；<br/>一基地台；<br/>一第一反射面，由該控制器或該基地台所控制；以及<br/>多個使用者裝置，用以接收該第一反射面傳輸之掃描訊號，<br/>其中，該控制器用以接收來自多個基地台及多個使用者裝置的多個測量報告，並基於該些測量報告以及該些使用者裝置的一數目決定一管理週期的週期長度，該管理週期的週期長度包含一第一波束配置週期的週期長度及一第二波束配置週期的週期長度，<br/>在該第一波束配置週期，該控制器藉由一反射面產生一第一波束群以對該些使用者裝置進行掃描及追蹤；以及<br/>在該第二波束配置週期，該控制器分配該反射面產生的一第二波束群服務該些使用者裝置，<br/>其中，在該管理週期中，當該第一波束配置週期的該週期長度增加時，該第二波束配置週期的該週期長度減少。
如請求項6所述之系統，其中該控制器進一步包含一演算法，該演算法用以基於該些測量報告及該數目，計算該些使用者裝置的多個位置以及提供服務該些使用者裝置的多個波束。
如請求項6所述之系統，其中<br/> 該第一波束配置週期及該第二波束配置週期係對應一排程，該排程進一步包括一掃描次數，<br/> 其中當該掃描次數增加時，該第一波束配置週期的週期長度增加；以及<br/> 當該掃描次數減少，該第一波束配置週期的該週期長度減少。
如請求項8所述之系統，其中<br/>該排程包含多個配置方向，並且該第二波束群依據該些配置方向提供該些波束服務該些使用者裝置，以及<br/>其中，該第一波束配置週期及該第二波束配置週期依序並重複排列。
如請求項7所述之系統，其中<br/>該第一波束配置週期的該週期長度與該第二波束配置週期的該週期長度係透過一演算法依據該數目、該些位置以及多個訊號強度進行演算而產生。
一種控制電路，包括： <br/>一處理電路； <br/>一第一功能電路，具有一第一效能模式以及一第一節能模式，在該第一效能模式下，該第一功能電路具有一第一效能，在該第一節能模式下，該第一功能電路具有一第二效能，該第一效能大於該第二效能； <br/>一電壓調節器，提供一操作電壓予該處理電路及該第一功能電路，並利用一切換信號，調整該操作電壓；以及 <br/>一監控電路，根據該切換信號，得知該處理電路及該第一功能電路的總電流， <br/>其中： <br/>當該處理電路及該第一功能電路的總電流高於一重載臨界值時，該監控電路要求該第一功能電路進入該第一節能模式， <br/>當該處理電路及該第一功能電路的總電流低於一輕載臨界值時，該監控電路要求該第一功能電路進入該第一效能模式。
如請求項1所述之控制電路，更包括： <br/>一第二功能電路，具有一第二效能模式以及一第二節能模式，在該第二效能模式下，該第二功能電路具有一第三效能，在該第二節能模式下，該第二功能電路具有一第四效能，該第三效能大於該第四效能；以及 <br/>一第三功能電路，具有一第三效能模式以及一第三節能模式，在該第三效能模式下，該第三功能電路具有一第五效能，在該第三節能模式下，該第三功能電路具有一第六效能，該第五效能大於該第六效能， <br/>其中： <br/>當該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流高於該重載臨界值時，該監控電路要求該第二功能電路進入該第二節能模式， <br/>在該第二功能電路進入該第二節能模式後： <br/>當該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流高於該重載臨界值時，該監控電路要求該第三功能電路進入該第三節能模式， <br/>當該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流低於該重載臨界值並高於該輕載臨界值時，該監控電路停止調整該第一、第二及第三功能電路的操作模式。
如請求項2所述之控制電路，其中： <br/>在該第二功能電路進入該第二節能模式並且該第三功能電路進入該第三節能模式後： <br/>當該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流低於該輕載臨界值時，該監控電路要求該第三功能電路進入該第三效能模式， <br/>在該第三功能電路進入該第三效能模式後，當該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流低於該輕載臨界值時，該監控電路要求該第二功能電路進入該第二效能模式， <br/>在該第三功能電路進入該第三效能模式並且該第二功能電路進入該第二效能模式後，當該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流低於該輕載臨界值時，該監控電路要求該第一功能電路進入該第一效能模式。
如請求項3所述之控制電路，其中： <br/>該監控電路根據該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流，產生一第一模式信號、一第二模式信號以及一第三模式信號， <br/>該第一功能電路根據該第一模式信號，操作於該第一效能模式或是該第一節能模式， <br/>該第二功能電路根據該第二模式信號，操作於該第二效能模式或是該第二節能模式， <br/>該第三功能電路根據該第三模式信號，操作於該第三效能模式或是該第三節能模式。
如請求項3所述之控制電路，其中該監控電路根據該處理電路、該第一、第二及第三功能電路的總電流，產生一中斷信號，該處理電路根據該中斷信號，切換該第一、第二及第三功能電路的操作模式。
如請求項1所述之控制電路，其中該電壓調節器包括： <br/>一傳送電路，根據該切換信號，決定是否傳送一輸入電壓至一節點； <br/>一儲能電路，耦接該節點，並根據該節點的電壓，儲存該操作電壓，並提供該操作電壓予該處理電路及該第一功能電路；以及 <br/>一信號產生電路，根據該操作電壓，產生該切換信號。
一種運算電路，包括： <br/>一第一乘法器，將一第一輸入值與一第二輸入值相乘，用以產生一第一處理值； <br/>一第一多工器，將一外部值或是一第一輸出值作為一第二輸出值； <br/>一第一加法器，加總該第一處理值與該第二輸出值，用以產生一第二處理值； <br/>一第一D型正反器，根據該第二處理值，產生該第一輸出值； <br/>一第二乘法器，將一第三輸入值與一第四輸入值相乘，用以產生一第三處理值； <br/>一第二多工器，將該第二處理值或是一第三輸出值作為一第四輸出值； <br/>一第二加法器，加總該第三處理值與該第四輸出值，用以產生一第四處理值；以及 <br/>一第二D型正反器，根據該第四處理值，產生該第三輸出值， <br/>其中： <br/>當該第一多工器將該外部值作為該第二輸出值時，該第二多工器將該第二處理值作為該第四輸出值，並且該第一及第二D型正反器停止動作， <br/>當該第一多工器將該第一輸出值作為該第二輸出值時，第二多工器將該第三輸出值作為該第四輸出值。
一種運算電路，包括： <br/>一第一輸入電路，根據一第一時脈信號，輸出一第一輸入值與一第一權重值； <br/>一第一乘法器，將該第一輸入值與該第一權重值相乘，用以產生一第一處理值； <br/>一第一多工器，將一外部值或是該第一處理值作為一第一輸出值； <br/>一第一加法器，加總該第一輸出值以及一第二輸出值，用以產生一第二處理值； <br/>一第一D型正反器，根據該第二處理值產生一第三輸出值； <br/>一第一邏輯電路，根據一第一重置信號以及該第三輸出值，產生該第二輸出值； <br/>一第二輸入電路，根據一第二時脈信號，輸出一第二輸入值與一第二權重值； <br/>一第二乘法器，將該第二輸入值與該第二權重值相乘，用以產生一第三處理值； <br/>一第二多工器，將該第三輸出值或是該第三處理值作為一第四輸出值； <br/>一第二加法器，加總該第四輸出值以及一第五輸出值，用以產生一第四處理值； <br/>一第二D型正反器，根據該第四處理值產生一第六輸出值；以及 <br/>一第二邏輯電路，根據一第二重置信號以及該第六輸出值，產生該第五輸出值。
如請求項8所述之運算電路，其中： <br/>在一第一處理期間，該第一輸入值為一第一數值，該第一權重值為一第二數值， <br/>在一第二處理期間，該第一輸入值為一第三數值，該第一權重值為該第二數值。
如請求項8所述之運算電路，其中： <br/>在一第一時間點，該第一及第二時脈信號由一第一位準切換成一第二位準， <br/>在一第二時間點，該第一時脈信號維持於該第一位準，並且該第二時脈信號由該第一位準切換成該第二位準， <br/>在一第三時間點，該第一時脈信號由該第一位準切換成該第二位準，並且該第二時脈信號維持於該第一位準。
一種基於差分功率合成網路的功率放大器系統，係包括： <br/>一差分功率分配器，用於將一路輸入信號進行功率分配，並對多路差分信號進行輸出； <br/>多個支路差分放大電路模組，每個支路的該差分放大電路模組用於對該差分功率分配器輸出的對應一路該差分信號進行放大； <br/>一差分合成器，與該些差分放大電路模組相連，用於將每個支路的該差分放大電路模組輸出的放大後的每路該差分信號進行功率合成，得到一合成後的差分信號；以及 <br/>至少一個支路的該差分放大電路模組與其他支路的該差分信號的該差分放大電路模組的工作狀態不同； <br/>至少兩個支路的該差分放大電路模組分別工作在一輸出功率大於一第一閾值時開始工作的工作狀態以及該輸出功率大於一第二閾值時開始工作的工作狀態，該第二閾值大於該第一閾值。
如請求項1所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，至少一個支路的該差分放大電路模組包括一阻抗匹配電路單元和一功率放大單元。
如請求項2所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該阻抗匹配電路單元包括位於該功率放大單元信號輸入一側的一輸入阻抗匹配電路單元。
如請求項2所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該阻抗匹配電路單元包括位於該功率放大單元信號輸出一側的一輸出阻抗匹配電路單元。
如請求項4所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該輸出阻抗匹配電路單元中包括一阻抗調節單元，用於調節該輸出阻抗匹配電路單元所在支路以外的其他至少一個支路的該功率放大單元的輸出阻抗。
如請求項5所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該阻抗調節單元包括並聯在其所在支路上的該功率放大單元差分輸出端中的一正極端和一負極端之間的一開關。
如請求項1所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該輸出功率大於該第一閾值時開始工作的工作狀態為一A類放大器工作狀態或一AB類放大器工作狀態。
如請求項1所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該輸出功率大於該第二閾值時開始工作的工作狀態為一B類放大器工作狀態或一C類放大器工作狀態。
如請求項5所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其特徵在於，所述差分合成器包括多路差分信號輸入埠、一路差分信號輸出埠、以及連接在所述多路差分信號輸入埠和所述差分信號輸出埠之間的N對差分耦合線，其中，至少一對差分信號輸入埠的正極輸入埠和負極輸入埠與不同對差分耦合線的正極耦合線和負極耦合線相連。
如請求項9所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該差分合成器的多路差分信號輸入端之間不進行隔離。
如請求項1所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該差分合成器包括一多路差分信號輸入端口、一一路差分信號輸出端口以及連接在該多路差分信號輸入端口和該差分信號輸出端口之間的N對差分耦合線，每對該差分信號輸入端口的一正極輸入端口和一負極輸入端口均與對應的一對該差分耦合線的一正極耦合線和一負極耦合線相連；N≥2且N為正整數。
如請求項11所述的基於差分功率合成網路的功率放大器系統，其中，該差分合成器中的至少兩路該差分信號輸入端口之間設置一隔離模組。
一種塗佈液之製造方法，其係包含無機填料與聚-N-乙烯基羧酸醯胺之塗佈液之製造方法，其特徵係包含進行使用攪拌手段之高剪切處理之步驟； <br/> 進行高剪切處理之步驟係在以下述式表示之高剪切係數為1.0以上的條件下攪拌混合， <br/> 高剪切係數=攪拌葉片前端速度(m/s)×攪拌時間(小時)×攪拌葉片數(片)×攪拌葉片相對於塗佈液之體積比率(%)÷100。
如請求項1之塗佈液之製造方法，其中前述塗佈液之高剪切處理後之TI值/初期TI值為1.05以上1.25以下。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中前述無機填料為氧化鋁。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中前述聚-N-乙烯基羧酸醯胺為聚-N-乙烯基乙醯胺。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中於進行高剪切處理之步驟的前段包含初期混合步驟，於前述初期混合步驟中攪拌包含無機填料、溶劑及聚-N-乙烯基羧酸醯胺之混合物。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中將無機填料、分散介質、聚-N-乙烯基羧酸醯胺、黏合劑、分散劑及濕潤劑一起饋入混合器中並攪拌混合。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中前述聚-N-乙烯基羧酸醯胺之軟化點溫度為100℃以上。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中前述聚-N-乙烯基羧酸醯胺之玻璃轉移點溫度為120℃以上。
如請求項1或2之塗佈液之製造方法，其中塗佈液包含聚乙烯醇作為濕潤劑，其含有率相對於無機填料100質量份為0.05質量份~1.0質量份。
如請求項9之塗佈液之製造方法，其中前述聚乙烯醇於20℃、4質量%濃度下之黏度為20~80 mPa･s。
一種塗佈液，其係以如請求項1之塗佈液之製造方法製造， <br/> 前述塗佈液之高剪切處理後之TI值/初期TI值為1.05以上1.25以下。
一種附塗佈膜之基材，其包含由以如請求項1之塗佈液之製造方法製造之塗佈液形成之塗佈膜及基材， <br/> 前述塗佈液之高剪切處理後之TI值/初期TI值為1.05以上1.25以下。
一種隔離膜，其係由如請求項12之附塗佈膜之基材所形成。
一種二次電池，其使用如請求項13之隔離膜。
一種生理數值感測裝置，包含： <br/>一感測模組，具有一感測發射單元及一感測接收單元，該感測發射單元提供一感測光線至一待測組織，該感測光線經該待測組織反射至該感測接收單元以產生一感測訊號； <br/>一校正模組，與該感測模組相鄰設置，該校正模組具有一校正發射單元及一校正接收單元，該校正發射單元提供一校正光線至該校正接收單元以產生一參考訊號； <br/>一訊號處理模組，具有： <br/>一去雜訊單元，依據該參考訊號將該感測訊號調整為一去雜訊訊號；以及 <br/>一訊號轉換單元，擷取該去雜訊訊號之至少一峰值為一擷取訊號，並從一生理數值模型選擇對應於該至少一峰值之一權重，依據該權重縮小該擷取訊號之一頻寬，產生一生理數值訊號。
如請求項1所述之生理數值感測裝置，其中該感測發射單元與該校正發射單元具有相同結構，該感測接收單元與該校正接收單元具有相同結構，該感測光線與該校正光線具有相同之一波長範圍。
如請求項2所述之生理數值感測裝置，其中該感測發射單元與該校正發射單元皆為一發光二極體（light emitting diode，LED），該感測接收單元與該校正接收單元皆為一感光二極體（photodiode）。
如請求項3所述之生理數值感測裝置，其中該波長範圍為1000奈米(nm)至1800奈米(nm)。
如請求項4所述之生理數值感測裝置，其中該感測發射單元之一中心點與該感測接收單元之一中心點相距0.5毫米（mm）至1.5毫米（mm）。
如請求項4所述之生理數值感測裝置，其中該感測模組包含複數個感測發射單元，各該感測發射單元之一中心點相距0.5毫米（mm）至1.5毫米（mm）。
如請求項1所述之生理數值感測裝置，其中該訊號轉換單元係先將該去雜訊訊號進行正規化處理或標準化處理後，再擷取該至少一峰值以得到該擷取訊號。
如請求項7所述之生理數值感測裝置，其中該訊號轉換單元將該去雜訊訊號進行標準分數（z-score）處理。
如請求項7所述之生理數值感測裝置，其中該訊號轉換單元將該去雜訊訊號進行正規化處理或標準化處理後，依據一基準值將該去雜訊訊號進行位移。
如請求項9所述之生理數值感測裝置，其中該至少一峰值為複數個較高數值。
如請求項9所述之生理數值感測裝置，其中該至少一峰值為一最高數值。
一種生理數值感測方法，包含： <br/>提供一感測光線至一待測組織； <br/>接收經該待測組織反射之一反射光線以產生一感測訊號； <br/>提供一校正光線至與該待測組織相鄰之一接收單元以產生一參考訊號； <br/>依據該參考訊號將該感測訊號調整為一去雜訊訊號； <br/>擷取該去雜訊訊號之至少一峰值為一擷取訊號；以及 <br/>從一生理數值模型選擇對應於該至少一峰值之一權重，並依據該權重縮小該擷取訊號之一頻寬，以產生一生理數值訊號。
如請求項12所述之生理數值感測方法，其中該感測光線與該校正光線具有相同之一波長範圍。
如請求項13所述之生理數值感測方法，其中該波長範圍為1000奈米(nm)至1800奈米(nm)。
如請求項12所述之生理數值感測方法，其中擷取該去雜訊訊號之至少一峰值為一擷取訊號之步驟前，更包含將該去雜訊訊號進行正規化處理或標準化處理。
如請求項15所述之生理數值感測方法，其中將該去雜訊訊號進行正規化處理或標準化處理之步驟，係將該去雜訊訊號進行標準分數（z-score）處理。
如請求項15所述之生理數值感測方法，其中將該去雜訊訊號進行正規化處理或標準化處理之步驟後，更包含依據一基準值將進行正規化處理或標準化處理後之該去雜訊訊號進行位移。
如請求項16所述之生理數值感測方法，其中該至少一峰值為複數個較高數值。
如請求項16所述之生理數值感測方法，其中該至少一峰值為一最高數值。
一種加強驗證式客戶線上密碼重置系統，運行在一伺服器且允許一客戶端連線，該系統包含：<br/> 一儲存模組，用以儲存多筆用戶資料，每一所述用戶資料包含一預留識別碼、一預留手機號碼及一預留電子郵件信箱；<br/> 一接收模組，用以接收來自該客戶端的一密碼重置請求，以及偵測所述密碼重置請求的一來源位址，並且設置與所述來源位址相應的一權重值，其中，所述密碼重置請求包含一用戶識別碼、一手機號碼及一電子郵件信箱，所述權重值的大小與執行所述密碼重置請求的優先權大小呈正相關；<br/> 一判斷模組，連接該儲存模組及該接收模組，用以將所述用戶識別碼與每一所述用戶資料的所述預留識別碼進行比對，並且在比對相符時，載入相應的所述用戶資料；<br/> 一比對模組，連接該接收模組及該判斷模組，用以將所述手機號碼及所述電子郵件信箱分別與載入的所述用戶資料的所述預留手機號碼及所述預留電子郵件信箱進行比對，並且產生一比對結果；<br/> 一重置模組，連接該比對模組，用以在所述比對結果為所述手機號碼與所述預留手機號碼相符且所述電子郵件信箱與所述預留電子郵件信箱相符時，產生允許開啟一密碼重置頁面的一隨機密碼，並且將所述密碼重置頁面及其相應的所述隨機密碼傳送至所述客戶端，使所述客戶端能夠通過所述隨機密碼開啟所述密碼重置頁面以執行密碼重置；<br/> 一警告模組，連接該比對模組，用以在所述比對結果為所述手機號碼與所述電子郵件信箱其中之一不相符時，產生一警告訊息，並且通過所述預留手機號碼及所述預留電子郵件信箱傳送所述警告訊息以進行警示；以及<br/> 一禁能模組，連接該比對模組，用以在所述比對結果為所述手機號碼及所述電子郵件信箱皆不相符時，產生一禁能訊號以禁能線上登入功能，並且產生所述警告訊息且通過所述預留手機號碼及所述預留電子郵件信箱傳送所述警告訊息以進行警示，其中，當所述禁能訊號產生後，驅動所述接收模組持續丟棄所述來源位址的所述密碼重置請求，直到接收到嵌入有所述警告訊息的一身分確認封包為止。
如請求項1之加強驗證式客戶線上密碼重置系統，其中所述比對模組在進行比對時，使用正則表達式檢查所述手機號碼與所述電子郵件信箱的格式，並在格式無效時中止比對且輸出一錯誤訊息，以及調整所述權重值以降低執行所述來源位址的所述密碼重置請求的優先權。
如請求項1之加強驗證式客戶線上密碼重置系統，其中所述警告訊息產生後，調整所述權重值以降低執行所述來源位址的所述密碼重置請求的優先權，並且在產生所述警告訊息的一累計次數達到一預設次數時，驅動所述接收模組在一時間範圍內丟棄所述來源位址的所述密碼重置請求，直到超過所述時間範圍後再初始化所述累計次數。
一種加強驗證式客戶線上密碼重置方法，運行在一伺服器且允許一客戶端連線，其步驟包括：<br/> 該伺服器儲存多筆用戶資料，每一所述用戶資料包含一預留識別碼、一預留手機號碼及一預留電子郵件信箱；<br/> 該伺服器接收該客戶端的一密碼重置請求，以及偵測所述密碼重置請求的一來源位址，並且設置與所述來源位址相應的一權重值，其中，所述密碼重置請求包含一用戶識別碼、一手機號碼及一電子郵件信箱，所述權重值的大小與執行所述密碼重置請求的優先權大小呈正相關；<br/> 該伺服器將所述用戶識別碼與每一所述用戶資料的所述預留識別碼進行比對，並且在比對相符時，載入相應的所述用戶資料；<br/> 該伺服器將所述手機號碼及所述電子郵件信箱分別與載入的所述用戶資料的所述預留手機號碼及所述預留電子郵件信箱進行比對，並且產生一比對結果；<br/> 該伺服器在所述比對結果為所述手機號碼與所述預留手機號碼相符且所述電子郵件信箱與所述預留電子郵件信箱相符時，產生允許開啟一密碼重置頁面的一隨機密碼，並且將所述密碼重置頁面及其相應的所述隨機密碼傳送至所述客戶端，使所述客戶端能夠通過所述隨機密碼開啟所述密碼重置頁面以執行密碼重置；<br/> 該伺服器在所述比對結果為所述手機號碼與所述電子郵件信箱其中之一不相符時，產生一警告訊息，並且通過所述預留手機號碼及所述預留電子郵件信箱傳送所述警告訊息以進行警示；以及<br/> 該伺服器在所述比對結果為所述手機號碼及所述電子郵件信箱皆不相符時，產生一禁能訊號以禁能線上登入功能，並且產生所述警告訊息且通過所述預留手機號碼及所述預留電子郵件信箱傳送所述警告訊息以進行警示，其中，所述禁能訊號產生後，該伺服器持續丟棄所述來源位址的所述密碼重置請求，直到接收到嵌入有所述警告訊息的一身分確認封包為止。
如請求項4之加強驗證式客戶線上密碼重置方法，其中該伺服器在進行比對時，使用正則表達式檢查所述手機號碼與所述電子郵件信箱的格式，並在格式無效時中止比對且輸出一錯誤訊息，以及調整所述權重值以降低執行所述來源位址的所述密碼重置請求的優先權。
如請求項4之加強驗證式客戶線上密碼重置方法，其中所述警告訊息產生後，該伺服器調整所述權重值以降低執行所述來源位址的所述密碼重置請求的優先權，並且在產生所述警告訊息的一累計次數達到一預設次數時，該伺服器在一時間範圍內丟棄所述來源位址的所述密碼重置請求，直到超過所述時間範圍後再初始化所述累計次數。
一種經由互助式通報盜用車牌之系統，係包括一以上行車記錄器與一監控中心；其中：<br/> 所述行車記錄器，對應配置到一用戶駕駛的車輛；所述行車記錄器包括影像擷取單元、車牌辨識單元、首次相遇判斷單元、GPS(全球定位系統)、記憶單元、用戶車牌號輸入單元、第一無線傳輸單元與一警示單元；其中：<br/> 所述影像擷取單元，所述用戶駕駛所述車輛開啟一行程時，令所述影像擷取單元沿著所述車輛的行駛路徑拍攝，以得到用戶行車影像；<br/> 所述車牌辨識單元，辨識所述用戶行車影像中出現的他車的車牌，以得到他車車牌號；<br/> 所述首次相遇判斷單元，將所述他車車牌號與在此之前已收集且存放在所述記憶單元中的其他首次相遇的所述他車車牌號比對，若無相同，所述首次相遇判斷單元判斷目前相遇的所述他車與所述用戶駕駛的車輛屬於首次相遇，並將所述他車車牌號標示為首次相遇，且將該首次相遇的所述他車車牌號儲存至所述記憶單元；<br/> 所述GPS，用於向所述記憶單元提供所述用戶駕駛的車輛的位置資訊；在所述行車記錄器運作過程中，每間隔一段時間會主動令所述第一無線傳輸單元傳送所述用戶駕駛的車輛的位置資料到所述監控中心，更新所述用戶駕駛的車輛的位置資料；<br/> 所述用戶車牌號輸入單元，由所述用戶輸入其所駕駛車輛的車牌號，輸入的用戶車牌號送至所述記憶單元儲存；<br/> 所述記憶單元，在判斷知悉當下為首次相遇的所述他車車牌號後，令所述記憶單元以具關連性的特徵儲存所述用戶行車影像中對應當下首次相遇的所述他車車牌號的影像，以及當下首次相遇的所述他車車牌號和所述用戶車輛當下的所述位置資訊，且至少將當下取得的首次相遇的所述他車車牌號、所述位置資訊整合成一首次相遇資料；所述記憶單元中還包含儲存所述用戶車牌號；<br/> 所述第一無線傳輸單元，用於進行所述行車記錄器與所述監控中心之間的資料傳輸，所述資料傳輸包含所述用戶車牌號、每間隔一段時間所更新的所述用戶車輛的位置資料，以及所述首次相遇資料；<br/> 所述警示單元，係能產生警示信號以對所述用戶示警發現潛在非法車牌號的事件；<br/> 所述監控中心，包括第二無線傳輸單元、時間戳記加註單元、車牌號比對單元、用戶車牌資料庫及潛在非法車牌號判斷單元；其中：<br/> 所述第二無線傳輸單元，能與所述第一無線傳輸單元無線通訊，用於進行所述行車記錄器與所述監控中心之間的資料傳輸，所述資料傳輸包含所述用戶車牌號、每間隔一段時間所更新的所述用戶車輛的位置資料，以及所述首次相遇資料；<br/> 所述時間戳記加註單元，將所述第二無線傳輸單元接收的所述首次相遇資料及更新的所述用戶車輛的位置資料加註時間戳記；<br/> 所述用戶車牌資料庫，包含儲存各用戶上傳的所述用戶車牌號、更新的各所述用戶車輛的位置資料及當下在該位置的時間戳記；每一所述用戶車牌號與其對應的所述位置資料、所述時間戳記以具關聯性的特徵被儲存；<br/> 所述車牌號比對單元，將所述首次相遇資料中的首次相遇的所述他車車牌號與所述用戶車牌資料庫中所儲存的其他用戶車牌號比對是否存在相同的車牌號；<br/> 所述潛在非法車牌號判斷單元，在所述車牌號比對單元比對結果為有相同車牌號時，讀取兩相同車牌號所對應的所述首次相遇資料中的所述位置資訊、所述時間戳記與所述用戶車牌資料庫中最新更新的用戶車輛位置資訊、時間戳記等參數，計算判斷兩相同車牌號之車輛間的時間差與移動距離的合理性，若明顯不合理，表示所述他車車牌號可能為一潛在非法車牌號，則產生一潛在非法車牌號警示信號，並由所述第二無線傳輸單元將所述潛在非法車牌號警示信號傳送至擁有該車牌號的真正用戶的所述行車記錄器，經真正用戶的所述行車記錄器的所述第一無線傳輸單元接收所述潛在非法車牌號警示信號後，觸發所述警示單元產生所述警示信號通知用戶。
如請求項1所述之經由互助式通報盜用車牌之系統，其中，所述位置資訊為一經緯度座標或為郵政系統劃分代表一區域範圍的郵遞區號。
如請求項2所述之經由互助式通報盜用車牌之系統，其中，所述第一無線傳輸單元與所述第二無線傳輸單元之間的資料傳輸係經加密技術進行加密傳輸。
如請求項1所述之經由互助式通報盜用車牌之系統，其中，計算判斷兩相同車牌號之車輛間的時間差與移動距離的合理性，係使用曼哈頓距離(Manhattan distance/Manhattan length)公式判斷一車輛在一段時間內於兩地之間的移動距離是否符合常理。
如請求項1、2、3或4所述之經由互助式通報盜用車牌之系統，其中，所述警示單元為產生視覺信號的發光器或產生聽覺信號的聲音播放器其中之一或其組合。
一種經由互助式通報盜用車牌之方法，其包含用戶端流程與監控中心流程；其中：<br/> 所述用戶端流程的步驟包括：<br/> 步驟1-1，用戶觸發行車記錄器運作；<br/> 步驟1-2，所述行車記錄器向監控中心回傳配置所述行車記錄器之用戶車輛的車牌號；<br/> 步驟1-3，所述行車記錄器向所述監控中心更新當下所述用戶車輛的位置資訊；<br/> 步驟1-4，所述行車記錄器開始錄製行車影像；<br/> 步驟1-5，辨識出現在所述行車影像中他車車輛的車牌號；<br/> 步驟1-6，判斷經步驟1-5辨識得到的所述他車車輛的車牌號是否與所述用戶車輛首次相遇，若是執行步驟1-7，若不是回到步驟1-5；<br/> 步驟1-7，將步驟1-6判斷為首次相遇的所述他車車輛的車牌號及首次相遇的位置資訊上傳所述監控中心；<br/> 步驟1-8，判斷所述行車記錄器運作時間是否已達一預設時間；若是則回到步驟1-3；若不是則回到步驟1-5；<br/> 所述監控中心流程的步驟包括：<br/> 步驟2-1，監控中心接收各所述用戶上傳的用戶車牌號以及其所更新的當下各所述用戶車輛的位置資訊，並儲存；<br/> 步驟2-2，所述監控中心將於步驟2-1所接收的所述用戶車牌號及所述用戶車輛的位置資訊加註時間戳記；<br/> 步驟2-3，所述監控中心接收步驟1-6判斷為首次相遇的他車車輛的車牌號及首次相遇位置資訊；<br/> 步驟2-4，所述監控中心將步驟2-3接收的首次相遇的所述他車車輛的車牌號與於步驟2-1接收並儲存的各用戶車輛的車牌號進行比對，若有相同則執行步驟2-5，若不相同則回到步驟2-1；<br/> 步驟2-5，所述監控中心判斷經步驟2-4比對後兩相同車牌號之間的時間差與移動距離是否合理，若不合理，則執行步驟2-6，若合理則回到步驟2-1；<br/> 步驟2-6，所述監控中心向與該首次相遇的所述他車車牌號相同的用戶(即真正車主)傳送至少一潛在非法車牌號警示信號；<br/> 步驟2-7，所述監控中心要求與該首次相遇的所述他車車牌號的用戶進一步將對應該首次相遇的他車車牌號的行車影像上傳至所述監控中心；<br/> 步驟2-8，回到步驟2-1。
如請求項6所述之經由互助式通報盜用車牌之方法，其中，所述位置資訊為一經緯度座標或為郵政系統劃分代表一區域範圍的郵遞區號。
如請求項7所述之經由互助式通報盜用車牌之方法，其中，包含所述用戶車輛的車牌號、所述用戶車輛的位置資訊、所述首次相遇的他車車輛的車牌號、所述首次相遇位置資訊的傳輸係經加密技術進行加密傳輸。
如請求項6所述之經由互助式通報盜用車牌之方法，其中，步驟2-5，判斷兩相同車牌號之間的時間差與移動距離是否合理，係使用曼哈頓距離公式判斷車輛在一時間內於兩地之間的移動距離是否符合常理。
如請求項6、7、8或9所述之經由互助式通報盜用車牌之方法，其中，所述潛在非法車牌號警示信號為光的視覺信號或聲音的聽覺信號其中之一或其組合。
一種易拆卸組裝之風扇系統，用於整合在一電子裝置的一機箱內；其中，該機箱的一側板開設有至少一第一開口，且所述易拆卸組裝之風扇系統包括：<br/> 一容置單元，由一第一底板、一第一頂板、一第一左側板、一第一右側板、與一後側板所圍成，其中，該容置單元用以設置在該機箱內，且具有一置入口位於該第一開口處或鄰近該第一開口；以及<br/> N個風扇模組，其中，N為正整數，且各所述風扇模組包括：<br/> 一安裝架，設置在該容置單元內，且包括一立板全部或部分封閉該第一開口；<br/> 一風扇，設置在該安裝架內，其一出風側面對該立板，且其一入風側面對該後側板；以及<br/> 一固定與拉出單元，與該安裝架樞接，且具有一第一抵頂結構一第二抵頂結構、與一止擋結構；<br/> 其中，該立板的左側與右側各設有一第一止擋柱與一第二止擋柱，且其上開設有複數個第一孔洞； <br/> 其中，該後側板之上開設有複數個第二孔洞，且該第一底板上設有N個抵頂結構；<br/> 其中，在所述風扇模組置入該容置單元的情況下，該第一抵頂結構位於該機箱的內部，該第二抵頂結構位於該機箱的外部，該第一抵頂結構抵靠所述抵頂結構，且該止擋結構抵靠該第一止擋柱與該第二止擋柱，藉此方式固定該安裝架；<br/> 其中，在使該固定與拉出單元旋動一角度後，第一抵頂結構脫離抵靠該抵頂結構，且該第二抵頂結構抵頂該側板的外表面，從而形成反作用力傳送至該固定與拉出單元，使得該固定與拉出單元得以將該安裝架自該置入口與第一開口拉出；<br/> 其中，該立板之上進一步開設有一螺孔，且該安裝架還包括：<br/> 一第二底板，水平連接該立板的底側；<br/> 一第二頂板，水平連接該立板的頂側，且具有一第一缺口；<br/> 一第二左側板，連接該立板的左側，且其上設有一第一左樞接孔和所述第一止擋柱；<br/> 一第二右側板，連接該立板的右側，且其上設有一第一右樞接孔和所述第二止擋柱； <br/> 其中，該第二頂板以其一第一側連接該立板，該第一缺口形成於該第二頂板的一第二側，且該第二側與該第一側相對。
如請求項1所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該容置單元包括：<br/> 所述第一底板；<br/> 一容置件，設置在該第一底板之上，且由四個板子組成，其中，該四個板子分別作為所述第一頂板、所述第一左側板、所述第一右側板、與所述後側板；以及<br/> N-1個隔板，設置在該第一底板之上，且連接所述第一頂板與該第一底板之間；<br/> 其中，該N-1個隔板、該容置件與該第一底板共同圍出N個容置空間用以容置該N個風扇模組。
如請求項2所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該第一底板具有複數個第一結構，且該複數個第一結構包括：<br/> N-1個第一固定單元，且各所述第一固定單元包括複數個第一嵌孔；<br/> N個左嵌孔與N個右嵌孔，其中，一個所述左嵌孔和一個所述右嵌孔成對地位於一個所述容置空間內，且組成一個所述抵頂結構；<br/> N個擋止件，分別位於N個所述容置空間內，其中，於所述風扇模組送入其對應的所述容置空間之時，所述擋止件擋止該風扇模組；<br/> 一左側連接板，形成於該第一底板的左側邊，且具有複數個第一固定螺孔；以及<br/> 一右側連接板，形成於該第一底板的右側邊，且具有複數個第二固定螺孔；<br/> 其中，成對的所述左嵌孔和所述右嵌孔之間係間隔一距離。
如請求項3所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該第一左側板具有複數個第三固定螺孔對應該有複數個第一固定螺孔，且該第一右側板具有複數個第四固定螺孔對應該有複數個第二固定螺孔。
如請求項3所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該第一頂板具有N-1個第二固定單元，且各所述第二固定單元包括複數個第二嵌孔。
如請求項5所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，各所述隔板的一頂側邊與一底側邊分別形成有複數個第一插片與複數個第二插片，該複數個第一插片對應插入該複數個第一嵌孔內，且該複數個第二插片對應插入該複數個第二嵌孔內。
如請求項3所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該安裝架更包括：<br/> 一第一連接板，連接於該第二底板與該第二頂板之間，且連接有一第一固定板與一第二固定板；<br/> 一第二連接板，連接該第二頂板的該第二側，且具有一第二缺口；以及<br/> 一第一電連接器；<br/> 一支撐板，通過至少一連接件連接該第二頂板，且位於該第一缺口下方處；<br/> 其中，該風扇具有複數條電線，且該複數條電線連接該第一電連接器；<br/> 其中，該支撐板、該缺口與該第二連接板作為該複數條電線的一理線結構，且該支撐板還支撐該第一電連接器，使得該第一電連接器位於該第二缺口內。
如請求項7所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該後側板進一步開設有N個開孔，且N個第二電連接器設置在該後側板的外表面之上，並對應地通過該N個開孔連接該N個風扇模組所包含的N個所述第一電連接器。
如請求項7所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該固定與拉出單元包括：<br/> 一橫桿，具有一穿孔面對該螺孔；<br/> 一左樞動臂，連接該橫桿的一端，且具有一第二左樞接孔面對該第一左樞接孔；以及<br/> 一右樞動臂，連接該橫桿的另一端，且具有一第二右樞接孔面對該第一右樞接孔； <br/> 其中，一左樞接件穿過該第二左樞接孔與該第一左樞接孔，使得該左樞動臂樞設於該立板的左側；<br/> 其中，一右樞接件穿過該第二右樞接孔與該第一右樞接孔，使得該右樞動臂樞設於該立板的右側； <br/> 其中，一螺柱穿過該穿孔並進一步地螺入該螺孔以使該橫桿固定連接該立板。
如請求項9所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該左樞動臂的底端形成有一第三結構，且該第三結構包括：<br/> 一第一傾斜面，形成於該左樞動臂的底端；<br/> 一第一下抵頂塊，形成於該左樞動臂的底端，且連接該第一傾斜面；以及<br/> 一第一上抵頂塊，形成於該左樞動臂的底端，且連接該第一傾斜面。
如請求項10所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該右樞動臂的底端形成有一第四結構，且該第四結構包括：<br/> 一第二傾斜面，形成於該右樞動臂的底端；<br/> 一第二下抵頂塊，形成於該右樞動臂的底端，且連接該第二傾斜面；以及<br/> 一第二上抵頂塊，形成於該右樞動臂的底端，且連接該第二傾斜面。
如請求項11所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，所述第一抵頂結構包括該第二下抵頂塊和該第一下抵頂塊，且所述第二抵頂結構包括該第二上抵頂塊和該第一上抵頂塊。
如請求項11所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，在該安裝架設置在該機箱內以使該第一抵頂結構位於該機箱的內部的情況下，該第一下抵頂塊位於該左嵌孔之中並抵住該左嵌孔的一內壁，且該第一下抵頂塊位於該左嵌孔之中並抵住該左嵌孔的一內壁。
如請求項11所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該左樞動臂之上設有一第一凹槽以配合該第一止擋柱，該右樞動臂之上設有一第二凹槽以配合該第二止擋柱，且所述止擋結構包括該第一凹槽與該第二凹槽。
如請求項7所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該風扇的該入風側設有一第一螺孔、一第二螺孔、一第三螺孔、以及一第四螺孔，該第一固定板具有一第五螺孔面對該第一螺孔，且該第二固定板具有一第六螺孔面對該第二螺孔。
如請求項15所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該第二頂板的該第二側設有一第三固定板，且該第三固定板具有一第七螺孔面對該第三螺孔。
如請求項16所述之易拆卸組裝之風扇系統，其中，該第二底板具有互為相對的一第一側與一第二側，該第二側設有一第四固定板，且該第四固定板具有一第八螺孔面對該第四螺孔。
一種電子裝置，具有一機箱；其特徵在於，至少一個如請求項1至請求項17之中任一項所述之易拆卸組裝之風扇系統係設置在該機箱內。
如請求項18所述之電子裝置，其中，該電子裝置為選自於由伺服器、網路交換器(switch)、閘道器(gateway)、嵌入式電腦、單板電腦、工業電腦、桌上型電腦、一體式(All-in-one)電腦、車載電腦、安防監控主機、博弈主機、和遊戲主機所組成群組之中的任一者。
一種單石積體化氮化鎵疊接電晶體，包含：<br/> 一基板；<br/> 一緩衝層，設置於該基板；<br/> 一氮化鎵通道層，設置於該緩衝層；<br/> 一氮化鋁鎵層，設置於該氮化鎵通道層；<br/> 一源極，設置於該氮化鋁鎵層；<br/> 一汲極，設置於該氮化鋁鎵層；<br/> 一增強型閘極，位於該源極與該汲極間，且設置在該氮化鋁鎵層上，並包括一P型摻雜氮化鎵層，和一設置在該P型摻雜氮化鎵層的增強型閘極導電層；<br/> 一空乏型閘極，位於該源極與該汲極間且電連接該源極，且設置在該氮化鋁鎵層上，並包括一空乏型閘極導電層；及<br/> 一節點電極，設置於該氮化鋁鎵層，並位於該增強型閘極與該空乏型閘極間，且電連接該空乏型閘極。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，還包含一介電層，其中，該介電層位於該增強型閘極導電層與該P型摻雜氮化鎵層間。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，還包含一介電層，其中，該介電層位於該空乏型閘極導電層與該氮化鋁鎵層間。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，還包含一介電層，其中，該介電層位於該增強型閘極導電層與該氮化鋁鎵層間，及該空乏型閘極導電層與該氮化鋁鎵層間。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，其中，該源極嵌入該氮化鋁鎵層與該氮化鎵通道層中。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，其中，該汲極嵌入該氮化鋁鎵層與該氮化鎵通道層中。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，還包含一源極場板，其中，該源極場板間隔地位於該空乏型閘極遠離該基板的一側，並電連接該源極。
如請求項1所述的單石積體化氮化鎵疊接電晶體，其中，該基板選自矽基板、碳化矽基板、藍寶石基板，或絕緣體矽基板的其中之一。
一種熱熔膠組成物，包含： <br/>熱塑性聚醚酯嵌段共聚物，包括聚酯硬段及聚醚軟段，該聚酯硬段是由再生聚對苯二甲酸乙二酯經醇解反應而獲得的聚酯產物所形成，以該熱塑性聚醚酯嵌段共聚物的總量為100wt%計，該聚酯硬段的含量範圍為75wt%至85wt%，該聚醚軟段的含量範圍為15wt%至25wt%，且該熱塑性聚醚酯嵌段共聚物的硬度範圍為35 shore D至50 shore D及熔點範圍為90℃至110℃； <br/>其中，該熱塑性聚醚酯嵌段共聚物中的再生聚對苯二甲酸乙二酯占比範圍為不小於20wt%。
如請求項1所述的熱熔膠組成物，其中，該熱塑性聚醚酯嵌段共聚物中的再生聚對苯二甲酸乙二酯占比範圍為20wt%至65wt%。
如請求項1所述的熱熔膠組成物，其中，該聚酯產物是由該再生聚對苯二甲酸乙二酯與多元醇化合物進行醇解反應而獲得，且該熱塑性聚醚酯嵌段共聚物是由該聚酯產物與聚醚多元醇進行縮聚合反應所形成。
如請求項3所述的熱熔膠組成物，其中，該多元醇化合物是選自於乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,2-戊二醇、1,5-戊二醇、2,4-戊二醇、1,2-己二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、山梨醇、季戊四醇、三羥甲基丙烷，或上述任意的組合。
如請求項3所述的熱熔膠組成物，其中，該聚醚多元醇是選自於聚乙二醇、聚1,3-丙二醇、聚1,2-丙二醇、聚丁二醇、聚1,6-己二醇、聚2-甲基-1,3-丙二醇、聚2-乙基-1,2-羥甲基-1,3-丙二醇、聚二乙二醇單甲醚、聚環己烷二甲醇、聚新戊二醇、聚三甲基戊二醇、聚新戊四醇、聚己二酸丁二醇、聚乙二醇/聚丙二醇共聚物、聚四亞甲基醚二醇，或上述任意的組合，且該聚醚多元醇的重量平均分子量範圍為400g/mol至8000g/mol。
如請求項1所述的熱熔膠組成物，還包含聚酯填充料，且以該熱熔膠組成物的總量為100wt%計，該聚酯填充料的含量範圍為0wt%且50wt%以下。
如請求項1所述的熱熔膠組成物，還包含聚酯填充料，且以該熱熔膠組成物的總量為100wt%計，該聚酯填充料的含量範圍為大於0wt%且50wt%以下。
如請求項6至7中任一項所述的熱熔膠組成物，其中，該聚酯填充料是選自於結晶型聚酯、半結晶型聚酯及無定形非晶型聚酯中至少一者。
如請求項6至7中任一項所述的熱熔膠組成物，其中，該聚酯填充料是選自於聚對苯二甲酸乙二酯原生料、再生聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚(對苯二甲酸/己二酸)乙二酯、聚2,5-呋喃二甲酸乙二酯，或上述任意的組合。
一種熱熔膠膜，是由如請求項1至9中任一項所述的熱熔膠組成物所形成。
一種鞋增強件，包含： <br/>一基底層；及 <br/>一如請求項10所述的熱熔膠膜，固定於該基底層的一表面上； <br/>其中，依據SATRA TM83標準方法進行10次壓陷測試，該鞋增強件具有25%以下的彈性損失率。
如請求項11所述的鞋增強件，其中，該鞋增強件的外觀形狀依據欲製作的鞋增強件的類型對應於一模具，且是使放置於該模具上的一層合體經熱定型處理，以使該層合體的外觀形狀改變並對應於該模具而成為該鞋增強件，該層合體包括該基底層及附著於該基底層的一表面的該熱熔膠膜，該熱定型處理的溫度範圍為90℃以下。
一種電源自動切換開關，係包含：<br/> 一開關主體，乃於該開關主體內設有相鄰設立之一第一容置空間及一第二容置空間，又於該第二容置空間以數隔板分隔形成有數區間；<br/> 一電力管理單元，係組設於該開關主體，該電力管理單元係設有一控制模組、一切換模組及一供電模組，該切換模組係包含有一切換開關及一與該切換開關相組設之連動桿，該切換模組之切換開關係與該供電模組訊號連結；<br/> 一驅動單元，係設置於該開關主體之第一容置空間，包含有一馬達、一第一蓋體、一傳動軸、一第一轉盤、一彈性件、一第二轉盤及一第二蓋體，又該第一蓋體及該第二蓋體係對合形成一空間，而該傳動軸、該第一轉盤、該彈性件及該第二轉盤係容置於該第一蓋體及該第二蓋體對合之空間中，又該馬達係與該電力管理單元之控制模組訊號連結，以及與該電力管理單元之供電模組電性連結，另於該第一蓋體設有一第一透孔，該馬達之轉軸係穿過該第一蓋體之第一透孔，以與該傳動軸相組設，該傳動軸係於周側成型有數第一棘齒，該第一轉盤係於中心設有一第一軸孔，該第一轉盤係形成相對第一端面及第二端面，並於該第一轉盤第一端面及第二端面分別成型有一第一組立環及一第二組立環，且於該第一組立環其環孔的孔壁成型有數第二棘齒，以與該傳動軸周側所設數第一棘齒相嚙合，另於該第一轉盤周側成型有二相對呈曲弧狀第一凸緣，又使該彈性件一端與該第一轉盤之第二組立環相組設，另於該第二轉盤中心設有一第二軸孔，該第二轉盤係形成相對第一端面及第二端面，且於該第二轉盤之第一端面成型有一第三組立環，該彈性件係容設於該第三組立環之環孔中，該彈性件另端係與該第三組立環相組設，另於該第三組立環周壁成型有二相對呈曲弧狀第二凸緣，且於該曲弧狀第二凸緣末端形成一止擋部，又於該第二轉盤第二端面成型有一凸輪部，並該凸輪部端面中心處設有一傳動部，該第二蓋體係設有一第二透孔，該第二轉盤之傳動部係由該第二蓋體之第二透孔穿至該開關主體之第二容置空間，又於該第一蓋體內面環繞其第一透孔周側分布有二相對第一彈片及二相對第二彈片，該第一彈片一端係成型有相鄰之一第一導引部及一第一擋部，另於該第二彈片一端成型有相鄰之一第二導引部及一第二擋部，該第一彈片之第一導引部及該第二彈片之第二導引部係分別與該第一轉盤所設二第一凸緣位置相對應，又該第一彈片之第一擋部及該第二彈片之第二擋部係分別與該第二轉盤所設二第二凸緣位置相對應，另於該第二蓋體成型有一彈性條，以與該切換模組之連動桿相組設，並使該連動桿底端與該第二轉盤之凸輪部周緣相抵接觸；<br/> 一電源切換單元，係設置於該開關主體之第二容置空間，包含有一曲軸，該曲軸一端係與該第二轉盤之傳動部相組設，又該曲軸係沿其長度向間隔設有數凸輪，該數凸輪係分別位於該開關主體其第二容置空間之數區間，另於該開關主體其第二容置空間之數區間中分別設置有一從動件，且於該從動件設有一第一容腔，又該從動件係於其第一容腔相對二側分別設有一第二容腔及一第三容腔，該曲軸之數凸輪係分別位設於數該從動件之第一容腔中，而於該第一容腔相對二腔壁係分別成型有一凸塊，以與該曲軸之凸輪相抵接觸，另於該從動件之第二容腔及第三容腔中分別設有一第一導電體及一第二導電體，又於該第二容腔及第三容腔中各設有一彈性體，以與該第一導電體及第二導電體相抵接觸，另於該第二容置空間其數區間分別設置有一常用電源電極及一備用電源電極，該常用電源電極係與該第一導電體活動接觸或分離，另該備用電源電極係與第二導電體活動接觸或分離。
如請求項1所述之電源自動切換開關，其中，該驅動單元其第二轉盤之該凸輪部端面係位於該傳動部相對二側各設有一磁性體，又該第二蓋體內面係於其第二透孔相對二側分別設有一感應件，以與該第二轉盤上所設二磁性體位置相對應，另使二該感應件與該電力管理單元之控制模組訊號連結。
如請求項1所述之電源自動切換開關，其中，該驅動單元其第一轉盤之第二組立環上係設有一第一嵌溝，以使該彈性件一端嵌設於該第一嵌溝中，另於該第二轉盤其第三組立環設有一第二嵌溝，而使該彈性件另端嵌設於該第二嵌溝中。
如請求項1所述之電源自動切換開關，其中，該開關主體一側係設有一長槽形開口，又於該驅動單元其第一蓋體及第二蓋體一側共同形成有一缺口，該缺口係與該開關主體之開口位置及形狀相對應，該電源自動切換開關係進一步包含有一手撥件，該手撥件係設有一組立孔，該組立孔的孔壁係成型有數第五棘齒，另於該第一轉盤其第一組立環周壁設有數第三棘齒，以與該手撥件其組立孔所設數第五棘齒相嚙合，又於該手撥件一側成型有一撥桿，該撥桿係由該第一蓋體及該第二蓋體所設缺口經該開關主體之開口伸出於外。
如請求項4所述之電源自動切換開關，其中，該第一蓋體內面係於該第一透孔及環繞該第一透孔而設之第一彈片及第二彈片間形成有一區域，而於該區域係設有二相對第三彈片，另於該第一轉盤其第一組立環所設該數第三棘齒旁側成型有數第四棘齒，該數第四棘齒係與該第一蓋體內面所設之二第三彈片相抵限位。
如請求項1所述之電源自動切換開關，其中，該電力管理單元之控制模組係為可程式邏輯控制器。
如請求項1所述之電源自動切換開關，其中，該開關主體係由二殼座對合組成。
一種雙乙烯基苄基芴，係由單一位置異構體之乙烯基苄基所構成，且不含間位異構體，所述雙乙烯基苄基芴為具有式I所示結構的9,9-雙(2-乙烯基苄基)-9H-芴或具有式II所示結構的9,9-雙(4-乙烯基苄基)-9H-芴：<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="51px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式I <img align="absmiddle" height="36px" width="70px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式II；<br/> 所述9,9-雙(2-乙烯基苄基)-9H-芴具有單斜晶系；<br/> 所述9,9-雙(4-乙烯基苄基)-9H-芴具有三斜晶系。
一種如請求項1所述雙乙烯基苄基芴的製備方法，包括以下步驟：將芴、乙烯基苄氯、鹼性試劑、阻聚劑、相轉移催化劑和有機溶劑混合，進行相轉移反應，其中反應體系中不含間位乙烯基苄氯，以得到不含間位異構體之所述雙乙烯基苄基芴；所述乙烯基苄氯為2-乙烯基苄氯或4-乙烯基苄氯。
如請求項2所述雙乙烯基苄基芴的製備方法，其中所述相轉移催化劑包括季銨鹽、季鏻鹽和聚乙二醇中的一種或幾種；所述相轉移催化劑的質量為芴質量的10~35%；所述有機溶劑包括芳烴、脂肪烴、石油醚和乙腈中的一種或幾種。
如請求項2或3所述雙乙烯基苄基芴的製備方法，其中所述相轉移反應的溫度為25~45℃，時間為12~18h，所述相轉移反應在攪拌條件下進行。
如請求項2所述雙乙烯基苄基芴的製備方法，其中所述阻聚劑包括硝基甲烷、硝基苯、鄰硝基苯酚、吩噻嗪、2-苯基萘胺、對苯二酚、鄰苯二酚、對甲氧基苯酚、2,6-二叔丁基對甲苯酚、對叔丁基鄰苯二酚、2,2,6,6-四甲基呱啶氮氧化合物和2,2,6,6-四甲基-4-羥基呱啶氮氧化合物中的一種或幾種；所述阻聚劑的質量為乙烯基苄氯質量的0.01~0.5%。
根據請求項2所述雙乙烯基苄基芴的製備方法，其中所述芴和乙烯基苄氯的莫耳比為1：2~2.5。
一種雙乙烯基苄基芴碳氫樹脂，其係由如請求項1所述之雙乙烯基苄基芴做為原料製得，所述雙乙烯基苄基芴為具有式I所示結構的9,9-雙(2-乙烯基苄基)-9H-芴和/或具有式II所示結構的9,9-雙(4-乙烯基苄基)-9H-芴：<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="51px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式I <img align="absmiddle" height="36px" width="70px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式II；<br/> 所述雙乙烯基苄基芴不含間位異構體。
如請求項7所述的雙乙烯基苄基芴碳氫樹脂，其中當所述雙乙烯基苄基芴為9,9-雙(2-乙烯基苄基)-9H-芴和9,9-雙(4-乙烯基苄基)-9H-芴的混合物時，所述混合物中9,9-雙(2-乙烯基苄基)-9H-芴的含量≥5wt%。
一種如請求項7或8所述雙乙烯基苄基芴碳氫樹脂的製備方法，包括以下步驟：將雙乙烯基苄基芴進行熱固化，得到所述雙乙烯基苄基芴碳氫樹脂。
一種如請求項7或8所述的雙乙烯基苄基芴碳氫樹脂或如請求項9所述的製備方法制得的雙乙烯基苄基芴碳氫樹脂在高頻基板中的應用。
一種散熱模組之超頻模擬演算法，為一個具體且具有降低開發成本及縮短研發時間的超頻模擬演算法，經由此演算法，電腦業界可以更快速提升AIPC的計算效能，提升產品的競爭力，此超頻模擬演算法，包含了方程式(0)-(6)等7個方程式，前項的結果會變成後項推導的初始條件，使得7段獨立的方程式可以無縫連接成一單一連續方程方，而成為超頻模擬演算法的核心計算程式，使用者可以利用PYTHON或C＋＋程式語言客制化適合自己的開發工具，以提升AIPC的計算效能，此7段獨立的方程式如下；<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="243px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(0)<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="247px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (1)<br/><img align="absmiddle" height="27px" width="347px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (2)<br/><img align="absmiddle" height="27px" width="413px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (3)<br/> <img align="absmiddle" height="19px" width="329px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(4)<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="267px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(5)<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="267px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6)<br/> 其中，<img align="absmiddle" height="19px" width="36px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， M的物理義意為對流強度及傳導體的熱導率的比，h熱對流係數/k 熱傳導係數 /D特徵直徑/L熱管長度/rt0-6為 超頻及降頻比例，τ 為時間變數/τ1-τ5為時間常數，X為位置，X＝0為熱管跟晶片接觸的位置，X＝1為散熱鰭片的末端位置，通常晶片的溫度變化為判斷基準，所以上述之方程式(0)-(6)中，X＝0的溫度變化為觀察重點。
一種散熱模組之暫態熱擴散性能量測方法，利用式(1)為量測儀<br/> 器主要核心計算程式，以及式(2)(3)為在穏態區求得M數值；包含 :<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="267px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="52px" width="314px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (5)<br/> 其中<img align="absmiddle" height="18px" width="55px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="27px" width="39px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="18px" width="21px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="18px" width="21px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>, <img align="absmiddle" height="18px" width="58px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，M為熱傳導與熱對流強度比，h為對流熱傳係數，K為熱傳導係數，q為輸入熱量，r<sub>a</sub>為特徵半徑，<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為無單位溫度，T為溫度(0C)，<img align="absmiddle" height="9px" width="3px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 為無單位時間，t為時間(秒)，R為無單位相對位置(r/r<sub>a</sub>)，λ<sub>n</sub>為Eigen特徵值, <img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為熱源半徑跟底板半徑的比例(r<sub>b</sub>/r<sub>a</sub>)，<img align="absmiddle" height="9px" width="5px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為最後要獲得的熱擴散；<br/> 將第一量測點R<sub>1</sub>與第二量測點R<sub>2</sub>的溫度及距離代入下列式(2)(3)計算即可求出VC散熱模組的M值(熱對流係數跟傳導率的比值):<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="180px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/><img align="absmiddle" height="21px" width="171px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="11px" width="119px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>R<sub>1</sub>於暫態之某一時刻t<sub>1</sub>之溫度T<sub>1</sub>代入式(1)，即可求得的熱擴散係數α的值，該熱擴散係數α的值即用來代表該散熱模組之暫態熱擴散性能。
如請求項1所述之散熱模組之暫態熱擴散性能量測方法，其中<br/> 該透過R=(X<sup>2</sup>+Y<sup>2</sup>)<sup>1/2</sup>，式(1)即可變成直角座標的核心計算程式，可以畫出直角座標的溫度分佈立體圖；如式(6):<br/><img align="absmiddle" height="40px" width="267px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="14px" width="151px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，M為熱傳導與熱對流強度比，h為對流熱傳係數，K為熱傳導係數，q為輸入熱量，X/Y為底板位置，X<sub>1</sub>/Y<sub>1</sub>為熱源位置，<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為無單位溫度，T為溫度(<sup>0</sup>C)，<img align="absmiddle" height="9px" width="3px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 為無單位時間，t為時間(秒)，λ<sub>n</sub>為Eigen特徵值，<img align="absmiddle" height="9px" width="5px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為最後要獲得的熱擴散率。
一種清潔設備，用於清潔待清潔面，並且包括：<br/> 主體；<br/> 下蓋板，所述下蓋板蓋設於所述主體朝向所述待清潔面的一側，所述下蓋板上形成有第一開口，所述主體和所述下蓋板之間形成有容納腔，所述容納腔和所述第一開口在所述待清潔面的投影至少部分重疊；及<br/> 清潔模組，所述清潔模組包括：<br/> 模組本體，所述模組本體位於所述容納腔內且一端與所述主體連接；<br/> 刷頭，所述刷頭連接於所述模組本體的另一端並可相對於所述模組本體轉動，所述刷頭的至少部分突出於所述第一開口朝向所述待清潔面設置，以通過與所述待清潔面發生干涉進行清潔，<br/> 其中，所述容納腔通過第二開口在所述主體周側的方向上暴露，所述第二開口在所述下蓋板的延伸面上的正投影相對於所述第一開口至少部分地錯位設置。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述第一開口位於所述下蓋板的邊沿，且呈豁口；<br/> 所述模組本體可在所述容納腔內發生移動，以帶動所述刷頭相對於所述主體位於回收位置和伸出位置；<br/> 當所述刷頭位於所述回收位置時，所述刷頭與所述第一開口在所述待清潔面上的投影至少部分重疊；<br/> 當所述刷頭位於所述伸出位置時，所述刷頭與所述第一開口在所述待清潔面上的投影相互隔開或者部分重疊。
如請求項2所述之清潔設備，其中，當所述刷頭位於所述回收位置時，所述下蓋板在所述待清潔面上的投影與所述模組本體在所述待清潔面上的交疊面積為a，所述模組本體在所述待清潔面上的正投影為b，a/b=0.6~0.8。
如請求項2所述之清潔設備，其中，所述模組本體包括：<br/> 固定臂，所述固定臂固設於所述容納腔內；<br/> 擺動臂，所述擺動臂的一端與所述固定臂相連，另一端設有所述刷頭，所述擺動臂在所述容納腔內發生移動以帶動所述刷頭相對於所述主體位於所述回收位置和所述伸出位置，其中，<br/> 所述刷頭位於所述回收位置時所述擺動臂位於所述容納腔內的部分大於所述刷頭位於所述伸出位置時所述擺動臂位於所述容納腔內的部分。
如請求項4所述之清潔設備，其中，所述擺動臂連接所述刷頭的一端通過所述第二開口進入所述容納腔或者移出所述容納腔。
如請求項5所述之清潔設備，其中，所述清潔設備還包括：<br/> 緩衝器，所述緩衝器設於所述主體的周側。
如請求項4所述之清潔設備，其中，所述擺動臂的周側設有防撞條，以減緩擺動過程中收到的衝擊力。
如請求項2所述之清潔設備，其中，所述刷頭包括：<br/> 安裝部，與所述模組本體連接且所述安裝部的形狀和大小與所述第一開口的形狀和大小相匹配；<br/> 刷頭部，用於與所述待清潔面發生干涉以進行清潔。
如請求項2所述之清潔設備，其中，所述刷頭位於所述回收位置時，所述模組本體朝向所述主體周側方向上的邊緣的弧度與所述主體周側的弧度匹配。
如請求項1所述之清潔設備，其中，所述下蓋板在所述第一開口的邊緣區域上形成有朝向所述主體一側的凸起部。
如請求項6所述之清潔設備，其中，所述緩衝器為所述第二開口提供避讓空間。
一種基板處理裝置，其具備： 腔室； 基板保持部，其於上述腔室內保持基板且使上述基板旋轉； 處理液供給部，其向上述基板之上表面供給處理液； 近紅外線光源，其向上述腔室內照射近紅外線； 近紅外攝像部，其生成拍攝被來自上述近紅外線光源之上述近紅外線照射之上述腔室內之上述處理液而得之攝像圖像；及 控制部，其基於上述攝像圖像而特定出上述腔室內之上述處理液之外緣；且 上述控制部基於上述攝像圖像而特定出透明之上述處理液之種類。
如請求項1之基板處理裝置，其中上述近紅外攝像部拍攝自上述處理液供給部供給至上述基板之上述上表面之上述處理液。
如請求項2之基板處理裝置，其中上述控制部基於上述攝像圖像，而對上述處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述處理液供給部包含： 第1處理液供給部，其向上述基板供給第1處理液；及 第2處理液供給部，其向上述基板供給第2處理液；且 在停止自上述第1處理液供給部供給至上述基板之上述第1處理液之供給之後開始自上述第2處理液供給部向上述基板供給上述第2處理液後，上述控制部基於上述攝像圖像而對上述第2處理液是否被覆上述基板之整個上述上表面進行判定。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於上述腔室之外部。
如請求項5之基板處理裝置，其中上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於隔著上述腔室而對向之位置。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述近紅外線光源及上述近紅外攝像部配置於上述腔室之內部。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述處理液供給部包含配管及噴嘴，且 上述近紅外攝像部拍攝位於上述配管及上述噴嘴中之至少一者之上述處理液。
一種發光二極體燈串的操作方法，其中該發光二極體燈串包括一控制裝置以及與該控制裝置連接的複數發光二極體燈珠，各該發光二極體燈珠包括一發光二極體裝置，該操作方法包括步驟： <br/>(a)、該發光二極體燈串接收一直流電源，以啟動該控制裝置與各該發光二極體裝置； <br/>(b)、各該發光二極體裝置依據其在該發光二極體燈串不同的序列位置所產生的電壓值進行定序，以產生一序號並儲存該序號； <br/>(c)、該控制裝置依序提供複數排序碼至該等發光二極體裝置，且各該發光二極體裝置比較本身的該序號與該等排序碼； <br/>(d)、當該發光二極體裝置將所儲存的該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該發光二極體裝置對該發光二極體燈串產生一擾動信號，以觸發該控制裝置或該發光二極體裝置記錄該排序碼為該發光二極體燈珠在該發光二極體燈串的序列位置；以及 <br/>(e)、該控制裝置重複執行步驟(c)~步驟(d)，直到完成全部的該等發光二極體燈珠的該等序號相應的該等排序碼的記錄，以獲得該等發光二極體裝置在該發光二極體燈串的序列位置。
如請求項1所述之發光二極體燈串的操作方法，其中在步驟(c)，更包括：計數所產生的電壓值變化的次數；並且在步驟(d)，該控制裝置或該發光二極體裝置記錄該電壓值變化的次數為該排序碼。
如請求項1所述之發光二極體燈串的操作方法，其中在步驟(e)之後，該發光二極體裝置接收具有該排序碼與一發光資訊或該發光資訊內含該等排序碼順序的一發光信號，當該排序碼或該發光信號順序與本身的該序號相符時，該發光二極體裝置執行該發光資訊的特定發光行為。
如請求項3所述之發光二極體燈串的操作方法，其中該控制裝置提供的該發光信號為具有多個脈波寬度的複數脈波，其中該控制裝置與該發光二極體裝置分別依據各該脈波的單一高準位或單一低準位的脈波寬度作為數位信號判斷基準。
一種發光二極體燈串，接收一直流電源，該發光二極體燈串包括： <br/>一控制裝置；以及 <br/>複數發光二極體燈珠，各該發光二極體燈珠包括一發光二極體裝置，且該發光二極體裝置包括： <br/>一定序線路，各該定序線路依據該發光二極體裝置在該發光二極體燈串不同的序列位置所產生的電壓值進行定序，以產生一序號並儲存該序號；以及 <br/>一排序線路，該控制裝置依序提供複數排序碼至該等發光二極體裝置，且各該排序線路比較本身的該序號與該等排序碼； <br/>其中當該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該發光二極體裝置對該發光二極體燈串產生一擾動信號，以觸發該控制裝置或該發光二極體裝置記錄該排序碼為該發光二極體燈珠在該發光二極體燈串的序列位置； <br/>其中直到完成全部的該等發光二極體燈珠的該等序號相應的該等排序碼的記錄，以獲得該等發光二極體裝置在該發光二極體燈串的序列位置。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中該發光二極體燈串更包括： <br/>一開關單元，連接於該直流電源；以及 <br/>至少一電阻，連接該開關單元； <br/>其中該控制裝置或該發光二極體裝置根據在該電阻上產生的該擾動信號，被觸發記錄該排序碼為該發光二極體裝置在該發光二極體燈串的序列位置。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中該發光二極體燈串更包括： <br/>一開關單元，連接於該直流電源； <br/>其中該控制裝置或該發光二極體裝置根據在該開關單元的一內阻上產生的該擾動信號，被觸發記錄該排序碼為該發光二極體裝置在該發光二極體燈串的序列位置。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中該定序線路包括： <br/>一負載元件，提供一阻抗值； <br/>一容抗元件或一開關元件，串聯連接該負載元件於一節點，於該節點上產生一內部電壓； <br/>一電流負載，並聯連接串聯的該負載元件與該容抗元件或該開關元件，以提供一電流路徑；以及 <br/>一電壓處理器，接收該內部電壓，且比較該內部電壓與一閥值電壓以產生一比較信號； <br/>其中該定序線路從該電壓處理器開始產生該比較信號的一起始時間起，計時至該比較信號的準位轉態時之間的一時間值，且根據該時間值產生該發光二極體裝置的該序號。
如請求項8所述之發光二極體燈串，其中該定序線路更包括： <br/>一邏輯閘，接收該比較信號與一時脈信號，且運算該比較信號與該時脈信號以產生一輸出信號；以及 <br/>一計數器，接收該輸出信號； <br/>其中該發光二極體裝置接收該直流電源供電，當逐漸變化的該內部電壓尚未達到該閥值電壓時，該比較信號使該輸出信號為該時脈信號輸出，使該計數器進行計數，直到該內部電壓達到該閥值電壓時，該比較信號使該輸出信號中止該計數器計數，以獲得計數期間的該時間值。
如請求項9所述之發光二極體燈串，其中該排序線路包括： <br/>一比較器，用以比較接收該等排序碼與該定序線路提供的該序號，且比較該序號與該等排序碼。
如請求項9所述之發光二極體燈串，其中各該發光二極體裝置更包括： <br/>一載波偵測器，接收該直流電源提供的一電壓，且偵測該電壓為一載波信號電壓時，啟動該排序線路運作；以及 <br/>一電流負載控制器，接收一定序信號與一排序信號； 該電流負載控制器根據該定序信號啟動該電流負載進行定序，並且定序完成後禁能該電流負載；該電流負載控制器根據該排序信號啟動該電流負載進行抽載，以產生該擾動信號。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中該定序線路進一步計數所產生的電壓值變化的次數，並且該控制裝置或該發光二極體裝置記錄該電壓值變化的次數為該排序碼。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中該控制裝置或該發光二極體裝置根據在一資料線上所接收到的該擾動信號或接收到一電阻上產生的該擾動信號，被觸發記錄該排序碼為該發光二極體燈珠在該發光二極體燈串的序列位置。
如請求項8所述之發光二極體燈串，其中各該發光二極體裝置更包括： <br/>一信號處理單元，連接一資料線，該信號處理單元包括一信號放大器與一信號處理器；以及 <br/>一電流負載控制器，接收一定序信號與一排序信號；該電流負載控制器根據該定序信號啟動該電流負載進行定序，並且定序完成後禁能該電流負載；該電流負載控制器根據該排序信號啟動該電流負載進行抽載，以產生該擾動信號。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中各該發光二極體裝置更包括： <br/>一信號處理單元，連接一資料線，該信號處理單元包括一信號放大器、一信號處理器、一開關以及一邏輯電路。
如請求項5所述之發光二極體燈串，其中各該發光二極體裝置更包括： <br/>一信號處理單元，連接一資料線，該信號處理單元包括一信號放大器與一信號處理器；以及 <br/>一電流源，接收一排序信號，根據該排序信號，該電流源提供更大電流抽載，以產生更大的該擾動信號。
如請求項10所述之發光二極體燈串，其中各該發光二極體裝置更包括： <br/>一排序碼暫存器，電連接該比較器； <br/>一選擇器，電連接該計數器、該排序碼暫存器以及該比較器；其中當該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該比較器控制該排序碼暫存器接收一取代信號，該取代信號具有比該排序碼更小位元資料的一新序號，並儲存該新序號。
如請求項17所述之發光二極體燈串，其中該控制裝置發送多組該取代信號給每一該發光二極體燈珠，每一該取代信號具有該排序碼與該新序號，該發光二極體燈珠的該比較器以及該排序碼暫存器接收該取代信號後，經由該比較器將該排序碼以及該序號進行比較確認相同後，該比較器控制該排序碼暫存器儲存該新序號以完成取代該排序碼。
如請求項17所述之發光二極體燈串，其中當該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該控制裝置偵測到該擾動信號後隨即發出該取代信號後，再接續發出次一該等排序碼。
如請求項17所述之發光二極體燈串，其中當該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該比較器控制該排序碼暫存器偵測該擾動信號產生次數並記錄得到該取代信號後，控制該排序碼暫存器儲存該新序號。
一種發光二極體裝置，包括： <br/>一定序線路，依據通電後所產生的電壓值以產生一序號並儲存該序號；以及 <br/>一排序線路，接收複數排序碼至該發光二極體裝置，且比較本身的該序號與該等排序碼； <br/>其中當該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該發光二極體裝置產生一擾動信號。
一種發光二極體裝置燈珠，包括： <br/>兩電源接腳，用以接收一外部直流電源； <br/>至少一發光二極體，耦接該兩電源接腳； <br/>一發光二極體裝置，耦接該兩電源接腳與該至少一發光二極體，且驅動該發光二極體，其中該發光二極體裝置，包括： <br/>一定序線路，依據接收所述直流電源後所產生的電壓值以產生一序號並儲存該序號； <br/>一排序線路，接收複數排序碼至該發光二極體裝置，且比較本身的該序號與該等排序碼； <br/>其中當該序號與該等排序碼的其中一者比較結果為相同時，該發光二極體裝置產生一擾動信號；以及 <br/>一封裝體，用以封裝該發光二極體裝置、該發光二極體以及該兩電源接腳的一部分，並使該兩電源接腳的另一部分露出於該封裝體外。
一種中藥組合物，其特徵在於，由如下重量份數的原料製成：知母7-13份、地黃7-13份、鱉甲12-18份、瞿麥7-13份、石斛7-13份、桃仁7-13份、瓜萎仁9-15份、黃連2-7份、黃柏7-13份、桂枝2-7份、車前草7-13、甘草2-12份。
請求項1所述的中藥組合物，其特徵在於，各原料的重量份數如下：知母8-12份、地黃8-12份、鱉甲13-17份、瞿麥8-12份、石斛8-12份、桃仁8-12份、瓜萎仁10-14份、黃連2-6份、黃柏8-12份、桂枝2-7份、車前草8-12、甘草2-12份。
請求項1所述的中藥組合物，其特徵在於，各原料的重量份數如下：知母8-12份、地黃8-12份、鱉甲13-17份、瞿麥8-12份、石斛8-12份、桃仁8-12份、瓜萎仁10-14份、黃連2-6份、黃柏8-12份、桂枝2-5份、車前草8-12、甘草4-10份。
一種中藥提取物，其特徵在於，由如下重量份數的原料提取製得：知母7-13份、地黃7-13份、鱉甲12-18份、瞿麥7-13份、石斛7-13份、桃仁7-13份、瓜萎仁9-15份、黃連2-7份、黃柏7-13份、桂枝2-7份、車前草7-13、甘草2-12份。
如請求項4所述的中藥提取物，其特徵在於，各原料的重量份數如下：知母8-12份、地黃8-12份、鱉甲13-17份、瞿麥8-12份、石斛8-12份、桃仁8-12份、瓜萎仁10-14份、黃連2-6份、黃柏8-12份、桂枝2-7份、車前草8-12、甘草2-12份。
如請求項4所述的中藥提取物，其特徵在於，各原料的重量份數如下：知母8-12份、地黃8-12份、鱉甲13-17份、瞿麥8-12份、石斛8-12份、桃仁8-12份、瓜萎仁10-14份、黃連2-6份、黃柏8-12份、桂枝2-5份、車前草8-12、甘草4-10份。
如請求項4所述的中藥提取物，其特徵在於，各原料的重量份數如下：知母10份、地黃8-12份、鱉甲13-17份、瞿麥8-12份、石斛8-12份、桃仁8-12份、瓜萎仁10-14份、黃連2-6份、黃柏8-12份、桂枝2-5份、車前草8-12、甘草4-10份。
如請求項4所述的中藥提取物，其特徵在於，各原料的重量份數如下：知母10份、地黃10份、鱉甲15份、瞿麥10份、石斛10份、桃仁10份、瓜萎仁12份、黃連3份、黃柏10份、桂枝3份、車前草10份、甘草6份。
如請求項4所述的中藥提取物，其特徵在於，由如下方法製備得到：按照重量份數稱取原料，煎煮，過濾，得到含有所述中藥提取物的濾液。
一種如請求項1所述的中藥組合物的製備方法，其特徵在於，包括：按照重量份數稱取原料，煎煮，過濾，得到含有所述中藥組合物的濾液。
如請求項10所述的中藥組合物的製備方法，其特徵在於，所述煎煮為加水煎煮；所述水的品質為原料品質的8-10倍；所述煎煮的次數為1-3次；所述煎煮的總時長為1-3h。
一種藥物製劑，其特徵在於，包括（i）如請求項1至3中任意一項所述的中藥組合物、或請求項4至9中任意一項所述的中藥提取物、或請求項10所述的方法製備得到的中藥組合物、或前述多種的組合；（ii）藥學上可接受的輔料。
一種如請求項1至3中任意一項所述的中藥組合物、或如請求項4至9中任意一項所述的中藥提取物、或如請求項10至14中任意一項所述的方法製備得到的中藥組合物、或如請求項15所述的藥物製劑在製備治療多囊卵巢綜合症和/或抑鬱症產品中的應用。
如請求項13所述的應用，其特徵在於，所述產品包括藥物或保健食品。
如請求項13所述的應用，其特徵在於，所述治療多囊卵巢綜合症為在治療多囊卵巢綜合症的同時提高生活品質。
一種治療多囊卵巢綜合症和/或抑鬱症產品，其特徵在於，包括如請求項1至3中任意一項所述的中藥組合物、或如請求項4至9中任意一項所述的中藥提取物、或如請求項10所述的方法製備得到的中藥組合物、或如請求項12所述的藥物製劑。
一種治療多囊卵巢綜合症的藥物，其特徵在於，所述藥物以如請求項1至3中任意一項所述的中藥組合物、或如請求項4至9中任意一項所述的中藥提取物、或如請求項10所述的方法製備得到的中藥組合物為活性成分。
如請求項1所述的中藥組合物，其特徵在於，所述地黃為熟地黃，所述鱉甲為醋鱉甲。
如請求項4所述的中藥提取物，其特徵在於，所述地黃為熟地黃，所述鱉甲為醋鱉甲。
一具有零累積誤差的計數系統驅動方法，包括：<br/> 設定一計數器發射端的計數頻率；<br/> 根據該計數頻率設定一原始時間計數串；<br/> 設定該計數器的第一時間計數串大於該原始時間計數串；<br/> 設定該計數器的第二時間計數串小於該原始時間計數串；以及<br/> 在N個週期中累積至少一該第一時間計數串和至少一該第二時間計數串，以生成一發射端時間計數串；<br/> 其中N大於二，由該原始時間計數串在該N個週期中生成的實時串等於該發射端時間計數串。
如請求項1所述的方法，其中該第一時間計數串是該原始時間計數串的天花板函數輸出，該第二時間計數串是該原始時間計數串的地板函數輸出，且該原始時間計數串是一浮點值。
如請求項1所述的方法，其中該發射端時間計數串以P二進位位元的形式生成，且2<sup>P</sup>大於該發射端時間計數串。
如請求項1所述的方法，其中該計數器發射端在每個週期中的計時誤差是正計時誤差或負計時誤差，且該計數器發射端在該N個週期中的累積誤差為零。
如請求項1所述的方法，進一步包括：<br/> 截斷該發射端時間計數串的Q個最低有效位元（LSB），以生成一截斷的發射端時間計數串；以及<br/> 通過該計數器發射端的數位編碼器對該截斷的發射端時間計數串進行編碼，以生成一編碼的發射端時間計數串；<br/> 其中2<sup>Q</sup>大於該第一時間計數串的十進位值。
如請求項5所述的方法，其中兩個連續週期中兩個編碼的發射端時間計數串的漢明距離小於或等於一。
如請求項5所述的方法，進一步包括：<br/> 通過計數器接收端的數位解碼器對該編碼的發射端時間計數串進行解碼，以生成一解碼的接收端時間計數串；<br/> 其中該計數器接收端的解碼頻率等於該計數器發射端的計數頻率。
如請求項7所述的方法，進一步包括：<br/> 向該解碼的接收端時間計數串填充Q個零位元，以生成一接收端時間計數補償串；<br/> 其中該接收端時間計數補償串的位元長度等於該發射端時間計數串。
如請求項7所述的方法，其中該計數器接收端在每個週期中的計時誤差是正計時誤差或負計時誤差，該計數器接收端在每個週期中的最大絕對計時誤差小於2<sup>Q</sup> ，該計數器接收端在M個週期中的累積誤差為零，且M大於二。
如請求項7所述的方法，其中該數位編碼器是一格雷碼編碼器，且該數位解碼器是一格雷碼解碼器。
一具有零累積誤差的計數系統，包括：<br/> 一計數器發射端，包括：<br/> 一模組計數模組；<br/> 一與該模組計數模組相連的位元截斷模組；以及<br/> 一與該位元截斷模組相連的數位編碼器；以及<br/> 一計數器接收端，包括：<br/> 一與該計數器發射端的該數位編碼器相連的數位解碼器；以及<br/> 一與該數位解碼器相連的位元補償模組；<br/> 其中該計數器發射端設定一計數頻率，該計數器發射端根據該計數頻率設定一原始時間計數串，該計數器發射端設定一該計數器的第一時間計數串大於該原始時間計數串，該計數器發射端設定一該計數器的第二時間計數串小於該原始時間計數串，該計數模組在N個週期中累積至少一該第一時間計數串和至少一該第二時間計數串，以生成一發射端時間計數串，N大於二，由該原始時間計數串在該N個週期中生成的實時串等於該發射端時間計數串。
如請求項11所述的系統，其中該第一時間計數串是該原始時間計數串的天花板函數輸出，該第二時間計數串是該原始時間計數串的地板函數輸出，且該原始時間計數串是一浮點值。
如請求項11所述的系統，其中該發射端時間計數串以P二進位位元的形式生成，且2<sup>P</sup>大於該發射端時間計數串。
如請求項11所述的系統，其中該計數模組的該計數器發射端在每個週期中的計時誤差是正計時誤差或負計時誤差，且該計數模組的該計數器發射端在該N個週期中的累積誤差為零。
如請求項11所述的系統，其中該位元截斷模組截斷該發射端時間計數串的Q個最低有效位元（LSB）以生成一截斷的發射端時間計數串，該數位編碼器對該截斷的發射端時間計數串進行編碼以生成一編碼的發射端時間計數串，且2<sup>Q</sup>大於該第一時間計數串的十進位值。
如請求項15所述的系統，其中兩個連續週期中兩個編碼的發射端時間計數串的漢明距離小於或等於一。
如請求項15所述的系統，其中該計數器接收端的數位解碼器解碼該編碼的發射端時間計數串以生成一解碼的接收端時間計數串。
如請求項17所述的系統，其中該位元補償模組向該解碼的接收端時間計數串填充Q個零位元以生成一接收端時間計數補償串，且該接收端時間計數補償串的位元長度等於該發射端時間計數串。
如請求項17所述的系統，其中該計數器接收端在每個週期中的計時誤差是正計時誤差或負計時誤差，該計數器接收端在每個週期中的最大絕對計時誤差小於2<sup>Q</sup>，該計數器接收端在M個週期中的累積誤差為零，且M大於二。
如請求項17所述的系統，其中該數位編碼器是一格雷碼編碼器，且該數位解碼器是一格雷碼解碼器。
一種複合式阻尼制震壁，適於設置在建築物的第一構件與第二構件之間，該複合式阻尼制震壁包括： <br/>壁體，包括： <br/>第一金屬板，具有相對的第一表面與第二表面以及從該第一表面穿過該第一金屬板延伸至該第二表面的多個第一開口； <br/>多個第二金屬板，分別配置於該些第一開口；以及 <br/>彈性部，包覆該第一金屬板與該些第二金屬板，其中該第一金屬板的材料不同於該些第二金屬板的材料。
如請求項1所述的複合式阻尼制震壁，其中該第一金屬板具有相對的第一側與第二側，該些第二金屬板位於該第一側與該第二側之間且沿第一方向間隔排列。
如請求項2所述的複合式阻尼制震壁，其中各該第二金屬板具有相對的第一端與第二端，該第一端不連接該第一側，該第二端不連接該第二側。
如請求項2所述的複合式阻尼制震壁，其中該第一金屬板還具有從該第一表面穿過該第一金屬板延伸至該第二表面的多個第二開口與多個第三開口，該些第二開口位於該第一側，該些第三開口位於該第二側，該些第二開口與該些第三開口分別沿該第一方向排列。
如請求項4所述的複合式阻尼制震壁，其中各該第二開口與各該第三開口在垂直於該第一方向的第二方向上彼此對應，相鄰的該些第二開口之間對應一個該第一開口。
如請求項4所述的複合式阻尼制震壁，其中該第二開口與該第三開口設置有該彈性部。
如請求項2所述的複合式阻尼制震壁，其中各該第二金屬板包括第一板件與第二板件，各該第一開口具有第一部分與第二部分以分別容納該第一板件與該第二板件，該第一部分與該第一板件延伸至該第一側，該第二部分與該第二板件延伸至該第二側。
如請求項2所述的複合式阻尼制震壁，其中該第一金屬板具有相對的第三側與第四側，該第三側與該第四側為平面或曲面。
如請求項2所述的複合式阻尼制震壁，其中各該第二金屬板突出或凹陷於該第一表面與該第二表面。
如請求項1所述的複合式阻尼制震壁，其中該些第二金屬板與該第一金屬板面積比例為0.8倍至5倍之間。
一種物料路徑建立方法，該方法適用於一半導體製程設備，該半導體製程設備包括一裝卸載腔室和依次連接的N+1個傳輸腔室，且每個該傳輸腔室均連接有至少一個製程腔室，其中該方法包括： <br/>獲取一製程路徑；該製程路徑由一物料在製程過程中順序經過的多個腔室構成； <br/>判斷是否存在一並行製程腔室，該並行製程腔室為該製程路徑中執行同種製程且所連接的該傳輸腔室不同的該製程腔室；以及 <br/>在存在該並行製程腔室的情況下，將該製程路徑拆分為一基礎路徑和N個備用路徑；其中， <br/>該基礎路徑和該N個備用路徑所包括的該並行製程腔室不同，該基礎路徑中的該並行製程腔室所連接的傳輸腔室為第1個傳輸腔室，該第1個傳輸腔室為直接與該裝卸載腔室連接的該傳輸腔室，並且第i個備用路徑中的該並行製程腔室所連接的傳輸腔室為排列在該第1個傳輸腔室之後的第i+1個傳輸腔室，i=1,2,...,N，N為大於0的整數，以兼容將多個該物料傳輸至與該第1個傳輸腔室連接的該製程腔室、和與該第i+1個傳輸腔室連接的該並行製程腔室。
如請求項1所述的物料路徑建立方法，其中該半導體製程設備還包括多個連接腔室，相鄰兩個該傳輸腔室通過該多個連接腔室連接；該製程路徑中的多個該腔室還包括N+1個該傳輸腔室和該多個連接腔室； <br/>該基礎路徑包括該第1個傳輸腔室，和與該第1個傳輸腔室連接的該並行製程腔室； <br/>該第i個備用路徑包括該第1個傳輸腔室至該第i+1個傳輸腔室，連接在該第1個傳輸腔室至該第i+1個傳輸腔室中各相鄰兩者之間的該連接腔室，和該第i+1個傳輸腔室所連接的該並行製程腔室。
如請求項1或2所述的物料路徑建立方法，其中該判斷是否存在該並行製程腔室，包括： <br/>根據該製程路徑中的該物料經過各腔室的一腔室製程資訊，判斷是否有執行同種製程的多個製程腔室； <br/>若有，則根據預存的各該多個製程腔室所連接的傳輸腔室的編號i，判斷在執行同種製程的該多個製程腔室中是否有所連接的該傳輸腔室不同的該多個製程腔室；若有，則確定該製程路徑中有該並行製程腔室； <br/>該在存在該並行製程腔室的情況下，將該製程路徑拆分為基礎路徑和N個備用路徑，包括： <br/>根據該並行製程腔室所連接的傳輸腔室的編號i，將該製程路徑拆分為該基礎路徑和N個該備用路徑。
如請求項3所述的物料路徑建立方法，其中該獲取該製程路徑，包括： <br/>顯示該製程路徑的一編輯介面；該編輯介面顯示該製程路徑中的該物料經過各腔室的順序的一序號和該腔室製程資訊； <br/>當接收到該序號和該腔室製程資訊的編輯指令時，存儲編輯後的該序號和該腔室製程資訊，並在該編輯介面上顯示； <br/>其中，該腔室製程資訊包括一腔室名稱、一槽位資訊和一製程配方資訊；該多個並行製程腔室的該製程配方資訊相同。
如請求項3所述的物料路徑建立方法，其中在該將該製程路徑拆分為該基礎路徑和N個備用路徑之後，還包括： <br/>顯示該基礎路徑的一第一編輯介面和每個該備用路徑的一第二編輯介面；該第一編輯介面顯示該基礎路徑中該物料順序經過的各腔室的一序號和該腔室製程資訊；該第二編輯介面顯示對應的該備用路徑中的該物料順序經過的各腔室的一序號和該腔室製程資訊； <br/>當接收到該腔室製程資訊的編輯指令時，在該腔室製程資訊所在的該第一編輯介面或該第二編輯介面上顯示編輯後的該腔室製程資訊。
一種物料調度方法，其包括： <br/>獲取一物料資訊，該物料資訊包括一路徑資訊，該路徑資訊包括採用如請求項1至5中任一項所述的方法，在存在該並行製程腔室的情況下，得到的該基礎路徑和該N個備用路徑； <br/>根據該物料資訊，當處於裝載位的該物料開始移動時，在該基礎路徑處於空閒狀態的情況下，將該基礎路徑設定為一物料路徑； <br/>在該基礎路徑處於被佔用狀態的情況下，將N個該備用路徑中處於空閒狀態的各該備用路徑設定為該物料路徑；以及 <br/>執行該物料路徑。
如請求項6所述的物料調度方法，其中在所有的該備用路徑均處於被佔用狀態的情況下，待該基礎路徑處於空閒狀態時，將該基礎路徑設定為該物料路徑。
如請求項6所述的物料調度方法，其中在不存在該並行製程腔室的情況下，該路徑資訊包括該製程路徑； <br/>在該獲取物料資訊之後，該物料調度方法還包括： <br/>將該製程路徑設定為該物料路徑。
一種電子設備，包括： <br/>至少一個處理器；以及 <br/>一存儲裝置，其上存儲有至少一個程式； <br/>當該至少一個程式被該至少一個處理器執行時，使得該至少一個處理器實現如請求項1至5中任一項中所述的物料路徑建立方法；或者，如請求項6至8中任一項中所述的物料調度方法。
一種半導體製程設備，其中包括多個製程腔室、一裝卸載腔室、依次連接的多個傳輸腔室，以及一控制器，其中，每個該多個傳輸腔室均與該多個製程腔室連接； <br/>該控制器包括： <br/>至少一個處理器；及 <br/>一記憶體，其上存儲有至少一個程式； <br/>當該至少一個程式被該至少一個處理器執行時，使得該至少一個處理器實現如請求項1至5中任一項所述的物料路徑建立方法；或者，如請求項6至8中任一項所述的物料調度方法。
一種半導體元件的製造方法，包含：<br/> 形成一元件於一基板的一第一側上；<br/> 對該基板的相對於該第一側的一第二側執行一研磨製程以移除該基板在該第二側的一部分，其中執行該研磨製程在該基板的該第二側形成一損傷層，其中該損傷層具有一厚度；<br/> 對該損傷層執行一蝕刻製程，以降低該損傷層的該厚度；以及<br/> 形成一電極於該基板的該第二側上，其中形成該電極包含:<br/> 形成一第一導電層於該基板的該第二側上，其中該第一導電層是一金屬矽化物；<br/> 形成一第二導電層於該第一導電層上，其中該第二導電層是一金屬合金；以及<br/> 形成一第三導電層於該第二導電層上，其中該第三導電層是一純金屬。
如請求項1所述的方法，其中執行該蝕刻製程後，該損傷層具有一非零厚度。
如請求項1所述的方法，其中該蝕刻製程使得該損傷層被完全移除。
如請求項1所述的方法，其中該研磨製程使用具有顆粒粒徑為0.4μm的一研磨墊的一高番數鑽石磨輪來執行。
如請求項1所述的方法，其中形成該第一導電層包含:<br/> 沉積一金屬層於該損傷層上；以及<br/> 執行一退火製程將該金屬層矽化成該金屬矽化物層，其中該第一導電層形成之後，該基板的該第二側已不具有該損傷層。
如請求項5所述的方法，其中該金屬層為鈦，該金屬矽化物層為矽化鈦，該第二導電層為鎳釩，該第三導電層為銀。
一種半導體元件，包含：<br/> 一基板；<br/> 一元件，在該基板的一第一側上；以及<br/> 一電極，在該基板的相對於該第一側的一第二側上，其中該電極包含:<br/> 一第一導電層，在該基板的該第二側上且接觸該基板，其中該第一導電層為一金屬矽化物；<br/> 一第二導電層，在該第一導電層上且接觸該第一導電層，其中該第二導電層為一金屬合金；以及<br/> 一第三導電層，在該第二導電層上且接觸該第二導電層，其中該第三導電層為一純金屬。
如請求項7所述的半導體元件，其中該金屬矽化物為矽化鈦，該金屬合金為鎳釩，該純金屬為銀。
如請求項7所述的半導體元件，其中該電極為該元件的一汲極電極。
如請求項9所述的半導體元件，還包含在該基板的該第一側形成該元件的一源極電極。
一種7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽及具有與該鹽共通之離子之添加劑之用途，其用於製造控釋性經口固體醫藥組合物，且 <br/>該控釋性經口固體醫藥組合物用於預防或治療選自由抑鬱症、內源性抑鬱症、重性抑鬱症、憂鬱症及治療抵抗性抑鬱症所組成之群中之中樞神經疾病。
如請求項1之用途，其中7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之反丁烯二酸鹽、磷酸鹽、鹽酸鹽、硫酸鹽、檸檬酸鹽、或酒石酸鹽。
如請求項1之用途，其中7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽及具有與該鹽共通之離子之添加劑係以下者： <br/>(1)為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之反丁烯二酸鹽、及選自由反丁烯二酸、反丁烯二酸一鈉、及反丁烯二酸二鈉所組成之群中之至少1種； <br/>(2)為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之磷酸鹽、及選自由磷酸鈉、磷酸鉀、磷酸氫鈉、及磷酸氫鉀所組成之群中之至少1種； <br/>(3)為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽酸鹽、及選自由氯化鈉、氯化鉀、氯化鋰、及氯化鎂所組成之群中之至少1種； <br/>(4)為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之硫酸鹽、及選自由硫酸鎂、硫酸鉀、硫酸鈉、及硫酸鋰所組成之群中之至少1種； <br/>(5)為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之檸檬酸鹽、及選自由檸檬酸、檸檬酸氫鈉、及檸檬酸鈉所組成之群中之至少1種，或 <br/>(6)為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之酒石酸鹽、及選自由酒石酸、酒石酸氫鈉、酒石酸氫鉀、酒石酸鈉、及酒石酸鈉鉀所組成之群中之至少1種。
如請求項1之用途，其中7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之反丁烯二酸鹽， <br/>含有與上述鹽共通之離子之添加劑係選自反丁烯二酸、反丁烯二酸一鈉、及反丁烯二酸二鈉中之至少一種。
如請求項1至4中任一項之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物進而包含纖維素系水溶性高分子。
如請求項5之用途，其中纖維素系水溶性高分子係選自由羥丙基甲基纖維素、羥丙基纖維素、及甲基纖維素所組成之群中之至少1種。
如請求項1至4中任一項之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物係滲透壓泵型組合物。
如請求項7之用途，其中於滲透壓泵型組合物之藥物層包含纖維素系水溶性高分子。
如請求項8之用途，其中纖維素系水溶性高分子為羥丙基甲基纖維素。
如請求項1至4中任一項之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物係水凝膠緩釋性製劑。
如請求項10之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物係具備腸溶包衣。
如請求項1至4中任一項之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物係於換算為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之重量為5 mg～60 mg之範圍內含有7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽。
如請求項1至4中任一項之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物為人經口投予時之穩定狀態時之7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之血中濃度於15 ng/mL～400 ng/mL之範圍內維持1週之控釋性經口固體醫藥組合物。
如請求項1至4中任一項之用途，其中控釋性經口固體醫藥組合物為每週1次以換算為游離鹼之重量為5～60 mg之用量投予7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽之控釋性經口固體醫藥組合物。
如請求項1至4中任一項之用途，其中7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽為7-[4-(4-苯并[b]噻吩-4-基-哌<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>-1-基)丁氧基]-1H-喹啉-2-酮之鹽之水合物。
一種探針系統，包括：<br/> 一平台，定義有一平台孔；<br/> 一溫控夾具，定義有一支撐表面，該支撐表面經配置以支撐一基板，其中，該基板包括一待測裝置，且該溫控夾具經配置以調節該基板的溫度；<br/> 一測試組件，選擇性地通過一探針安裝架可拆卸地設置在該平台上，包括：<br/> 一波導介面儀器，可操作地附接於該探針安裝架；及<br/> 一波導探針，通過該波導介面儀器可操作地連接到該探針安裝架，且該波導探針包括經配置以接觸該待測裝置的一探針尖端，其中，該波導探針的至少一部分延伸穿過該平台孔，以促使該探針尖端與該待測裝置接觸；以及<br/> 一主動熱控機構，經配置以穩定該波導探針的熱狀態，並阻擋從該溫控夾具至該波導探針的熱傳導，<br/> 其中，該主動熱控機構包括一波導外殼，該波導外殼被配置以用於定義一封閉空間，且該波導探針的一部分設置於該封閉空間內。
如請求項1所述的探針系統，其中，該主動熱控機構進一步包括一流體循環模組，該流體循環模組連接至該波導外殼的一入口與一出口，且該流體循環模組經配置以通過該入口持續輸入一經溫控流體至該封閉空間，並通過該出口持續排出該封閉空間內的流體，以穩定該熱狀態，從而阻擋從該溫控夾具至該波導介面儀器的該熱傳導。
如請求項2所述的探針系統，其中，該波導探針的該部分包括一波導部，該波導部具有一第一端與一第二端，該第一端可操作地連接至一波導通道部，且該第二端可操作地連接至該波導介面儀器的一頻率擴展器。
如請求項1所述的探針系統，其中，該平台包括：<br/> 一熱遮蔽元件，設置於該測試組件與該溫控夾具之間，其中，該熱遮蔽元件具有一隔熱層，該隔熱層經配置以阻擋來自該溫控夾具至該波導探針的輻射熱；以及<br/> 一熱覆蓋件，包圍、容納及/或包含該波導探針的該部分。
如請求項4所述的探針系統，其中，當該測試組件選擇性地且可拆卸地設置於該溫控夾具上方時，該熱遮蔽元件經配置以至少執行下列之一：<br/> (i) 限制該測試組件與該溫控夾具之間的熱傳遞；<br/> (ii) 對該溫控夾具遮蔽該測試組件的至少一部分；以及<br/> (iii) 維持該測試組件與該溫控夾具之間的熱梯度。
如請求項4所述的探針系統，進一步包括一熱真空元件及/或一熱反射元件，該熱真空元件及/或該熱反射元件設置於該測試組件與該溫控夾具之間。
如請求項6所述的探針系統，其中，該熱反射元件經配置以至少執行下列之一：<br/> (i) 通過將熱輻射反射遠離該測試組件，以限制該測試組件與該溫控夾具之間的熱傳遞；<br/> (ii) 針對該溫控夾具所發出的熱輻射，遮蔽該測試組件的至少一部分；以及<br/> (iii) 當該測試組件選擇性地且可拆卸地設置於該溫控夾具上方時，通過反射及控制熱能以維持該測試組件與該溫控夾具之間的熱梯度。
如請求項4所述的探針系統，其中，該熱覆蓋件覆蓋該平台孔，並具有供該測試組件穿過的一開口。
如請求項1所述的探針系統，其中，該平台包括一熱遮蔽元件，該熱遮蔽元件設置於該測試組件與該溫控夾具之間，且該熱遮蔽元件具有一隔熱層，該隔熱層經配置以阻擋來自該溫控夾具至該波導探針的輻射熱。
如請求項9所述的探針系統，進一步包括一熱真空元件及/或一熱反射元件，該熱真空元件及/或該熱反射元件設置於該測試組件與該溫控夾具之間。
如請求項9所述的探針系統，其中，當該測試組件選擇性地且可拆卸地設置於該溫控夾具上方時，該熱遮蔽元件經配置以至少執行下列之一：<br/> (i) 限制該測試組件與該溫控夾具之間的熱傳遞；<br/> (ii) 對該溫控夾具遮蔽該測試組件的至少一部分；以及<br/> (iii) 維持該測試組件與該溫控夾具之間的熱梯度。
一種利用探針系統的方法，該方法包括：<br/> (i) 提供如請求項1所述的探針系統；<br/> (ii) 通過該探針系統的該測試組件對一或多個待測裝置（device under test，DUT）進行測試；以及<br/> (iii) 在對一或多個該待測裝置進行測試的同時，穩定該波導探針的熱狀態並阻擋來自該溫控夾具至該波導探針的熱傳導，其中，穩定該熱狀態及阻擋該熱傳導的步驟包括：<br/> (a) 部署該主動熱控機構，該主動熱控機構包括一波導外殼，該波導外殼定義一封閉空間，並將一經溫控流體進行循環以穿過該封閉空間，以穩定該波導探針的該熱狀態；以及以及<br/> (b) 使用一流體循環模組，該流體循環模組連接於該波導外殼的一入口與一出口，其中，該流體循環模組通過該入口持續輸入該經溫控流體至該封閉空間，並通過該出口持續排出流體，從而阻擋來自該溫控夾具至該波導探針的熱傳導。
如請求項12所述的方法，其中，穩定該熱狀態及阻擋該熱傳導的步驟包括：<br/> (c) 將包括一隔熱層的一熱遮蔽元件設置於該測試組件與一溫控夾具之間，以阻擋從該溫控夾具傳遞至該測試組件的一波導介面儀器的熱輻射。
如請求項12所述的方法，其中，穩定該熱狀態及阻擋該熱傳導的該步驟包括：<br/> (d) 合併使用包圍該波導探針的至少一部分的一熱覆蓋件，以在測試期間進一步將該波導探針的該部分與該溫控夾具熱隔離。
如請求項12所述的方法，其中，穩定該熱狀態及阻擋該熱傳導的該步驟包括：<br/> (e) 使用一溫度感測器監測該波導探針的該熱狀態，並通過一回授控制路徑調節該主動熱控機構，進而調整一流體溫度，從而將該波導探針維持在一預定溫度。
如請求項12所述的方法，其中，穩定該熱狀態及阻擋該熱傳導的步驟包括：<br/> (f) 選擇性地使用設置於該測試組件與該溫控夾具之間的一熱反射元件，以將熱輻射反射遠離該測試組件，並維持該測試組件與該溫控夾具之間的熱梯度。
一種註解方法，其係藉由對資料集所包含之複數個資料各者賦予機器學習用之標籤而準備已賦予標籤之資料集者；其係於使電腦執行：<br/>特徵提取步驟，其係計算出上述複數個資料之特徵量；及<br/>特徵量空間創建步驟，其係基於上述特徵量而創建特徵量空間；<br/>之後，使上述電腦反覆執行：<br/>樣本資料提示步驟，其係向使用者提示自上述資料集選擇之樣本資料；<br/>標籤賦予步驟，其係對上述樣本資料賦予由使用者輸入之標籤；及<br/>聚類步驟，其係基於上述標籤，計算出上述特徵量空間中包含上述樣本資料之群集之範圍；且<br/>於第2次以後之上述樣本資料提示步驟中，將位於上一次上述聚類步驟中所算出之上述群集之範圍外的資料提示為上述樣本資料。
如請求項1之註解方法，其使上述電腦進而執行：<br/>半監督式學習步驟，其係藉由反覆執行上述樣本資料提示步驟、上述標籤賦予步驟、及上述聚類步驟，對上述資料集之一部分資料賦予標籤後，藉由半監督式學習而對上述資料集之殘餘資料賦予標籤。
如請求項2之註解方法，其使上述電腦進而執行：<br/>學習步驟，其係於上述半監督式學習步驟後，使用已賦予上述標籤之上述複數個資料進行監督式學習，藉此創建學習模型；<br/>損失計算步驟，其係對上述學習模型輸入上述複數個資料，針對每個上述資料計算出損失，該損失表示自上述學習模型輸出之推定值之可靠度之高低；及<br/>資料選擇步驟，其係自上述資料集選擇上述損失較低之資料群。
如請求項3之註解方法，其中，<br/>上述電腦於上述資料選擇步驟中，基於上述損失而對上述複數個資料進行聚類，選擇上述損失較小之群集作為上述資料群。
如請求項4之註解方法，其中，<br/>上述電腦於上述資料選擇步驟中，藉由DBSCAN法對上述複數個資料進行聚類。
一種電腦程式，其係使上述電腦執行請求項1至5中任一項之註解方法。
一種三維物件的管理方法，透過一處理器實現，該管理方法包括： <br/>取得一三維物件的一物件資料，其中該物件資料定義該三維物件的在三維空間中的一位置資訊； <br/>將該物件資料轉換成一幾何關聯資料，其中該幾何關聯資料是基於該三維物件上的多個第一參考點的該位置資訊所轉換的，且該些第一參考點定義該三維物件的形狀；以及 <br/>決定該三維物件的該幾何關聯資料與一參考關聯資料的一相似值，其中該參考關聯資料是基於一參考物件上的多個第二參考點的位置資訊所轉換的，該些第二參考點定義該參考物件的形狀，且該相似值代表該三維物件與該參考物件在形狀上的相似程度。
如請求項1所述的三維物件的管理方法，其中該些第一參考點為多個面上的點及一原點，且將該物件資料轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>決定該原點分別至該些面的多個第一向量；以及 <br/>將該些第一向量轉換成該幾何關聯資料。
如請求項2所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括一雜湊(hash)值，且將該些第一向量轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>將該些第一向量轉換成該雜湊值。
如請求項2所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括一對角矩陣，且將該些第一向量轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>將該些第一向量透過奇異值分解成該對角矩陣。
如請求項2所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括三軸上的三扁平數值，且將該些第一向量轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>將該些第一向量透過扁平化成該三扁平數值。
如請求項1所述的三維物件的管理方法，其中該些第一參考點為多個頂點及一原點，且將該物件資料轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>決定該原點分別至該些頂點的多個第二向量；以及 <br/>將該些第二向量轉換成該幾何關聯資料。
如請求項6所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括一雜湊值，且將該些第二向量轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>將該些第二向量轉換成該雜湊值。
如請求項6所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括一對角矩陣，且將該些第二向量轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>將該些第二向量透過奇異值分解成該對角矩陣。
如請求項6所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括三軸上的三扁平數值，且將該些第二向量轉換成該幾何關聯資料的步驟包括： <br/>將該些第二向量透過扁平化成該三扁平數值。
如請求項1所述的三維物件的管理方法，其中該幾何關聯資料包括一第一類型資料或一第二類型資料，且決定該三維物件的該幾何關聯資料與該參考關聯資料的該相似值的步驟包括： <br/>將與該參考關聯資料相同的該第一類型資料的該相似值設定為一上限值，其中該上限值為該相似值針對單一類型資料的上限；或者 <br/>依據該第二類型資料對應的向量與該參考關聯資料對應的向量之間的夾角設定該相似值。
一種物件管理裝置，包括： <br/>一輸入裝置，取得一三維物件的一物件資料，其中該物件資料定義該三維物件的在三維空間中的一位置資訊； <br/>一儲存器，儲存一程式碼；以及 <br/>一處理器，耦接該輸入裝置及該儲存器，載入該程式碼並執行： <br/>將該物件資料轉換成一幾何關聯資料，其中該幾何關聯資料是基於該三維物件上的多個第一參考點的該位置資訊所轉換的，且該些第一參考點定義該三維物件的形狀；以及 <br/>決定該三維物件的該幾何關聯資料與一參考關聯資料的一相似值，其中該參考關聯資料是基於一參考物件上的多個第二參考點的位置資訊所轉換的，該些第二參考點定義該參考物件的形狀，且該相似值代表該三維物件與該參考物件在形狀上的相似程度。
如請求項11所述的物件管理裝置，其中該些第一參考點為多個面上的點及一原點，且該處理器更執行： <br/>決定該原點分別至該些面的多個第一向量；以及 <br/>將該些第一向量轉換成該幾何關聯資料。
如請求項12所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括一雜湊值，且該處理器更執行： <br/>將該些第一向量轉換成該雜湊值。
如請求項12所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括一對角矩陣，且該處理器更執行： <br/>將該些第一向量透過奇異值分解成該對角矩陣。
如請求項12所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括三軸上的三扁平數值，且該處理器更執行： <br/>將該些第一向量透過扁平化成該三扁平數值。
如請求項11所述的物件管理裝置，其中該些第一參考點為多個頂點及一原點，且該處理器更執行： <br/>決定該原點分別至該些頂點的多個第二向量；以及 <br/>將該些第二向量轉換成該幾何關聯資料。
如請求項16所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括一雜湊值，且該處理器更執行： <br/>將該些第二向量轉換成該雜湊值。
如請求項16所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括一對角矩陣，且該處理器更執行： <br/>將該些第二向量透過奇異值分解成該對角矩陣。
如請求項16所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括三軸上的三扁平數值，且該處理器更執行： <br/>將該些第二向量透過扁平化成該三扁平數值。
如請求項11所述的物件管理裝置，其中該幾何關聯資料包括一第一類型資料或一第二類型資料，且該處理器更執行： <br/>將與該參考關聯資料相同的該第一類型資料的該相似值設定為一上限值，其中該上限值為該相似值針對單一類型資料的上限；或者 <br/>依據該第二類型資料對應的向量與該參考關聯資料對應的向量之間的夾角設定該相似值。
一種具有防卡死功能的輸送裝置，具有相互垂直的一第一軸向與一第二軸向且包括：<br/> 一第一輸送機，係沿該第一軸向設置且具有一第一入口與一第一出口；<br/> 一第二輸送機，具有沿該第二軸向設置的一第二管狀殼，該第二管狀殼下端的周側與該第一輸送機相接且形成一第二入口，該第二入口與該第一出口連通；該第二管狀殼周圍的一側具有一剖溝，該剖溝係沿該第二軸向延伸，該剖溝的下端與該第二入口連通；於該剖溝兩側的邊緣連接一壓條座，該壓條座的內部通過該剖溝與該第二管狀殼內連通；於該第二管狀殼上端的周側形成一第二出口，於該第二管狀殼的上端結合一第二底板，於該第二管狀殼內可轉動地設置一第二螺桿，該第二螺桿的上端樞穿該第二底板，於該第二底板結合一第二馬達，該第二馬達連結該第二螺桿的上端；以及<br/> 一防卡死組件，包括一壓條與至少一壓條彈性元件，該壓條以可沿該第一軸向往復移動地設置於該壓條座，該壓條底部面向該第二螺桿的一側形成一導料斜面，該導料斜面位於該第二入口的正上方；該至少一壓條彈性元件結合於該壓條座或該第二管狀殼且施壓於該壓條，令該壓條抵靠於該第二螺桿的周圍；當該壓條受力由抵靠於該第二螺桿的位置退開時，該壓條與該剖溝之間形成一緩衝空間。
如請求項1所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中該第二管狀殼的下端具有一排放口，於該第二管狀殼下端的周側結合一樞接座，配合該樞接座設有一連動柄，該連動柄的中間可轉動地樞接於該樞接座，於該連動柄靠近該排放口的一側連接一封蓋，該封蓋封閉該排放口且該封蓋的中央嵌設一軸套，該第二螺桿的下端可分離地樞穿於該軸套；該連動柄背離該排放口的另一側與該樞接座之間樞接一線性驅動器。
如請求項1所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中該壓條座包括二個側板，所述的二個側板連接於該剖溝兩側的邊緣；該壓條位於所述的二個側板之間，該緩衝空間形成於所述的二個側板之間，該壓條背離該第二螺桿的一側凸出於所述的二個側板；該至少一壓條彈性元件的兩端結合於該第二管狀殼的兩側而以中間部位施壓於該壓條背離該第二螺桿的一側。
如請求項3所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中所述的二個側板具有複數對插銷孔，所述的複數對插銷孔以沿該第二軸向間隔的方式排列；該壓條具有複數個限位孔，各該限位孔係沿該第一軸向延伸的長孔，該些限位孔以沿該第二軸向間隔的方式排列；於所述各對插銷孔穿插一插銷，各該插銷穿過各該限位孔。
如請求項4所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中於該第二管狀殼位於該壓條座兩側的部分結合至少一對壓條套桿，該至少一壓條彈性元件具有一壓條彈簧且於該壓條彈簧的兩端結合二個壓條套環，該至少一壓條彈性元件的所述二個壓條套環分別套合於該至少一對壓條套桿，該至少一壓條彈性元件的該壓條彈簧施壓於該壓條背離該第二螺桿的一側。
如請求項5所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中該壓條沿該第二軸向的方向分為一壓條上段以及一壓條下段；所述的二個側板對應該壓條上段的部分具有二個所述的插銷孔，該壓條上段具有二個所述的限位孔；所述的二個側板對應該壓條下段的部分具有二個所述的插銷孔，該壓條下段具有二個所述的限位孔；該導料斜面形成於該壓條下段的底部；該至少一對壓條套桿包括二對的壓條套桿，該至少一壓條彈性元件包括二個壓條彈性元件，其中一壓條彈性元件施壓於該壓條上段，另一壓條彈性元件施壓於該壓條下段。
如請求項3所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中該第二管狀殼的周圍具有多個側孔，該些側孔以沿該第二軸向間隔的方式排列；於各該側孔嵌設一卡條，各該卡條具有一抵靠面，該抵靠面向內凸出於該第二管狀殼的內壁；於該第二管狀殼結合多對卡條彈性元件，各對卡條彈性元件施壓於各該卡條，令各該卡條的該抵靠面彈性地抵靠於該第二螺桿的周圍。
如請求項7所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中各該側孔係沿該第二軸向延伸的長孔，各該卡條的周圍具有一環部，各該環部圍繞一凸部，各該環部抵靠於各該側孔的外周緣，各該凸部穿過各該側孔，且各該抵靠面形成於各該凸部的內側。
如請求項8所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中各該卡條的中間穿置一接頭，該接頭的內端形成一噴嘴，各該噴嘴與該第二管狀殼的內部相通。
如請求項7所述之具有防卡死功能的輸送裝置，其中各該卡條外表面的上側與下側分別形成一凹溝；於該第二管狀殼位於各該側孔的兩側以上、下間隔的方式結合二對卡條套桿；各該卡條彈性元件具有一卡條彈簧且於該卡條彈簧的兩端結合二個卡條套環；各該卡條彈性元件的所述二個卡條套環分別套合於前述各對卡條套桿，各該卡條彈性元件的該卡條彈簧嵌入各該凹溝而施壓於各該卡條。
一種線鐳射模組，包括主體部，其中 <br/>該主體部上設有第一相機和一對線鐳射發射裝置，其中，該一對線鐳射發射裝置用於向該主體部外發射投影呈線性的紅外光，並且該第一相機爲紅外相機，用於採集包含該紅外光的第一環境圖像； <br/>該主體部上還設有第二相機，該第二相機爲RGB相機，用於採集第二環境圖像； <br/>第一濾光透鏡設於該第一相機背離該主體部的一側，並且用於使得只有紅外光進入該第一相機；並且 <br/>第二濾光透鏡設於該第二相機背離該主體部的一側，並且用於使得可見光能夠進入該第二相機， <br/>其中，該線鐳射模組還包括主控單元，該主控單元用於根據該第一環境圖像來獲取障礙物距離資訊，並且還用於根據該第二環境圖像來獲取障礙物類型資訊， <br/>其中，該主體部包括第一端和第二端以及連接該第一端和該第二端的連接部，該一對線鐳射發射裝置分別設於該第一端和該第二端，該第一相機和該第二相機沿水平方向並列設於該連接部。
如請求項1的線鐳射模組，其中， <br/>該第一相機的第一光軸與水平方向朝下相交，該第二相機的第二光軸與水平方向朝上相交。
如請求項2的線鐳射模組，其中， <br/>該第一相機的第一光軸與水平方向的夾角爲7度，該第二相機的第二光軸與水平方向的夾角爲5度。
如請求項1的線鐳射模組，其中，該主控單元基於三角測距法來獲取該障礙物距離資訊。
如請求項1的線鐳射模組，其中，該主控單元包括： <br/>特徵提取模組，用於對該第二環境圖像進行特徵提取，得到特徵資訊； <br/>識別模組，用於將該特徵資訊輸入預先訓練的障礙物識別模型，以識別出該障礙物類型資訊。
如請求項1的線鐳射模組，其中，該第一濾光透鏡設於該第一相機的前方。
如請求項1的線鐳射模組，其中，該第二濾光透鏡設於該第二相機的前方。
如請求項1的線鐳射模組，其中， <br/>該第一相機和該第二相機沿豎直方向並列設置。
一種自移動設備，包括請求項1至8中任一項所述的線鐳射模組。
如請求項9的自移動設備，其中，該自移動設備還包括： <br/>緩衝部件，該緩衝部件設於該自移動設備的前側，且具有與該第一相機和該第二相機相對的開口。
如請求項10的自移動設備，其中， <br/>該緩衝部件設有位於該開口外圍的補光燈。
如請求項9的自移動設備，還包括：設備主體和驅動系統，其中， <br/>該設備主體上設有設備控制模組，該設備控制模組用於控制該驅動系統以使該自移動設備根據該障礙物距離資訊和該障礙物類型資訊進行移動。
一種車門防水膠條，藉由模製成形而形成一體，並被配置於車輛用門的角落部位，其具備：安裝基部，被安裝於前述車輛用門的門板；副密封唇，接合於該安裝基部，當門關閉時，抵接於車體板， <br/> 其特徵為： <br/> 前述車體板，頂部側的部位形成逆L字型的剖面，具有：縱向部位，延伸於車體上下方向；橫向部位，從該縱向部位的上端延伸至車外側方向， <br/> 前述副密封唇，對應於前述車體板之逆L字型剖面而彎折形成逆L字型剖面，並且具有：基端部，結合於前述安裝基部，延伸於車體上下方向，當門關閉時，其背面與前述縱向部位相對向；密封唇部，從該基端部的上端朝車外側方向突出，當門關閉時，抵接於前述橫向部位的底面， <br/> 前述基端部在前述密封唇部所在之前述背面的部位設有：突部，當門關閉時，抵接於前述縱向部位而限制前述密封唇部的後退位移。
如請求項1所記載的車門防水膠條，其中 <br/> 前述車門防水膠條形成為模製成形的角落部位， <br/> 前述突部僅設於前述模製成形之角落部位的端部。
如請求項2所記載的車門防水膠條，其中前述突部形成長方體形狀、立方體形狀或者圓柱形狀。
如請求項3所記載的車門防水膠條，其中前述突部，在車外側的端面形成有修薄部。
如請求項1所記載的車門防水膠條，其中前述車門防水膠條，被設在車輛的前門或者後門的其中任一個、或者前述前門與前述後門的雙方。
一種磁能調變壓控振盪裝置，包含：<br/> 一電能供應端，適用於連接一電壓源；<br/> 一振盪訊號輸出端組，包括一第一振盪輸出端及一第二振盪輸出端，用於輸出一對振盪訊號；<br/> 一調諧電感模組，包括一第一調諧電感單元，該第一調諧電感單元包括一初級線圈、一次級線圈，及一放大電路，該初級線圈電連接於該第一振盪輸出端與該電能供應端之間，該初級線圈能與該次級線圈產生互感效應，該放大電路電連接於該第一振盪輸出端與該次級線圈之間，該放大電路根據該第一振盪輸出端上的電壓產生一第一輸出電流給該次級線圈，該第一輸出電流對該第一振盪輸出端上的電壓之比值是可調的；<br/> 一電容模組，電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間；及<br/> 一交錯耦合電路，電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間，<br/> 其中，該第一調諧電感單元還包括一切換器，該切換器電連接於該次級線圈與該放大電路之間，用於將該第一輸出電流傳遞至該次級線圈的一第一端及一第二端中被選定的一者。
如請求項1所述的磁能調變壓控振盪裝置，其中，該調諧電感模組還包括一第二調諧電感單元，該第二調諧電感單元包括一初級線圈、一次級線圈，及一放大電路，該第二調諧電感單元的該初級線圈電連接於該第二振盪輸出端與該電能供應端之間，該第二調諧電感單元的該放大電路電連接於該第二振盪輸出端與該第二調諧電感單元的該次級線圈之間，該第二調諧電感單元的該放大電路根據該第二振盪輸出端上的電壓產生一第二輸出電流給該第二調諧電感單元的該次級線圈，該第二輸出電流對該第二振盪輸出端上的電壓之比值是可調的。
如請求項1所述的磁能調變壓控振盪裝置，其中，該切換器包括一第一開關及一第二開關，該第一開關電連接於該次級線圈的該第一端與該放大電路之間，該第二開關電連接於該次級線圈的該第二端與該放大電路之間。
如請求項1所述的磁能調變壓控振盪裝置，其中，該電容模組包括多個電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間的電容，所述電容的至少其中一者為一可變電容。
如請求項4所述的磁能調變壓控振盪裝置，其中，該電容模組包括二個互相串接的所述電容，每一所述電容為可變電容，該二電容的一共同接點接收一控制電壓。
如請求項1所述的磁能調變壓控振盪裝置，其中，該交錯耦合電路包括互相交錯耦合的一第一交錯耦合電晶體及一第二交錯耦合電晶體。
如請求項6所述的磁能調變壓控振盪裝置，其中，該第一交錯耦合電晶體包括一電連接該第一振盪輸出端的第一汲極端、及一電連接該第二振盪輸出端的第一閘極端，該第二交錯耦合電晶體包括一電連接該第二振盪輸出端的第二汲極端、一電連接該第一振盪輸出端的第二閘極端，每一所述第一交錯耦合電晶體與所述第二交錯耦合電晶體為一N型金屬氧化物半導體場效電晶體。
一種磁能調變壓控振盪裝置，包含：<br/> 一電能供應端，適用於連接一電壓源；<br/> 一振盪訊號輸出端組，包括一第一振盪輸出端及一第二振盪輸出端，用於輸出一對振盪訊號；<br/> 一調諧電感模組，包括一第一調諧電感單元，該第一調諧電感單元包括一初級線圈、一次級線圈，及一放大電路，該初級線圈電連接於該第一振盪輸出端與該電能供應端之間，該初級線圈能與該次級線圈產生互感效應，該放大電路電連接於該第一振盪輸出端與該次級線圈之間，該放大電路根據該第一振盪輸出端上的電壓產生一第一輸出電流給該次級線圈，該第一輸出電流對該第一振盪輸出端上的電壓之比值是可調的；<br/> 一電容模組，電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間；及<br/> 一交錯耦合電路，電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間，<br/> 其中，該第一調諧電感單元的該放大電路包括一電連接該第一振盪輸出端的控制電晶體、一電連接該控制電晶體的電流鏡，及一電連接於該電流鏡與該次級線圈之間的電流選擇器，該控制電晶體根據該第一振盪輸出端上的電壓產生一第一中間電流，該電流鏡根據該第一中間電流產生一第二中間電流，該電流選擇器選擇該第二中間電流中的至少一部分作為該第一輸出電流，該第一輸出電流對該第二中間電流的比值是可調的。
一種磁能調變壓控振盪裝置，包含：<br/> 一電能供應端，適用於連接一電壓源；<br/> 一振盪訊號輸出端組，包括一第一振盪輸出端及一第二振盪輸出端，用於輸出一對振盪訊號；<br/> 一調諧電感模組，包括一第一調諧電感單元，該第一調諧電感單元包括一初級線圈、一次級線圈，及一放大電路，該初級線圈電連接於該第一振盪輸出端與該電能供應端之間，該初級線圈能與該次級線圈產生互感效應，該放大電路電連接於該第一振盪輸出端與該次級線圈之間，該放大電路根據該第一振盪輸出端上的電壓產生一第一輸出電流給該次級線圈，該第一輸出電流對該第一振盪輸出端上的電壓之比值是可調的；<br/> 一電容模組，電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間；<br/> 一交錯耦合電路，電連接於該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端之間；及<br/> 二分別電連接該第一振盪輸出端與該第二振盪輸出端的緩衝電路。
一種低耗能發酵系統，包括： <br/>一發酵槽； <br/>一進料槽，耦接該發酵槽； <br/>一增氧裝置，設置於該發酵槽中的一底部； <br/>一攪拌軸，直立穿設於該發酵槽中，該攪拌軸上設置有多個攪拌片； <br/>一發酵液進料槽，耦接該發酵槽； <br/>至少一添加槽，耦接該發酵槽；以及 <br/>一自動控制裝置，耦接該進料槽、該增氧裝置、該攪拌軸、該發酵液進料槽和該至少一添加槽。
如請求項1所述之低耗能發酵系統，更包括至少一感測器設置於該發酵槽上，且該至少一感測器耦接該自動控制裝置。
如請求項1所述之低耗能發酵系統，更包括一氣流計耦接該增氧裝置。
如請求項1所述之低耗能發酵系統，其中該攪拌軸上的該些攪拌片用以維持一尖端速率為0.3m/s至5.8m/s。
如請求項1所述之低耗能發酵系統，其中該些攪拌片包括三對攪拌片間隔設置於該攪拌軸上，各該對攪拌片對稱設置於該攪拌軸上，相鄰的該對攪拌片間隔一距離，且該距離與該發酵槽的一直徑的一比例為1/4至1/5。
如請求項5所述之低耗能發酵系統，其中該發酵槽內具有一液面高度，且該距離與該液面高度的一比例為1/3至1/6。
如請求項1所述之低耗能發酵系統，其中該增氧裝置包括複數個氣孔，且各該氣孔的一直徑為0.5微米至10微米。
一種低耗能發酵方法，包括： <br/>藉由如請求項1至7中任一項所述之低耗能發酵系統的該進料槽將一好氧微生物菌體輸送至該發酵槽，使得該好氧微生物菌體與該發酵槽內的一培養基流體混合； <br/>通過該增氧裝置對該發酵槽輸送一無菌氣體；以及 <br/>藉由該攪拌軸攪拌該發酵槽內的該好氧微生物菌體、該無菌氣體和該培養基流體，其中維持該攪拌軸上的各該攪拌片的一尖端速率為0.3m/s至5.8m/s。
如請求項8所述之低耗能發酵方法，其中通過該增氧裝置對該發酵槽輸送該無菌氣體的一流量為0.5L/分鐘至5L/分鐘。
如請求項8所述之低耗能發酵方法，其中通過該增氧裝置對該發酵槽輸送該無菌氣體包括藉由該自動控制裝置維持該發酵槽中的一溶氧數值為35%至45%。
一種用於提升睡眠品質之組合物，包含：<br/> 具有提升睡眠品質之活性效果之乳酸菌菌株，該乳酸菌菌株包含經分離之短雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium breve</i>) BBr-28菌株，寄存編號為BCRC 911254；動物雙歧桿菌乳亞種 (<i>Bifidobacterium animalis</i>subsp.<i>lactis</i>) PS23菌株，寄存編號為BCRC 911251；長雙歧桿菌嬰兒亞種 (<i>Bifidobacterium longum</i>subsp.<i>infantis</i>) BR631菌株，寄存編號為BCRC 911172；兩歧雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium bifidum</i>) BD-188菌株，寄存編號為BCRC 911252；以及植物乳植桿菌 (<i>Lactiplantibacillus plantarum</i>) PQQ-1菌株，寄存編號為BCRC 911262，上述菌株均寄存於財團法人食品工業發展研究所，其中該乳酸菌菌株之有效活菌數等於或大於5×10<sup>9</sup> CFU/g；以及<br/> 載劑。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其中該載劑為生理上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其中該載劑為醫藥上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其劑型為錠劑、膠囊或粉劑。
一種乳酸菌菌株在製備用於提升睡眠品質之組合物之用途，其中該組合物包含：<br/> 具有提升睡眠品質之活性效果之乳酸菌菌株，該乳酸菌菌株包含經分離之短雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium breve</i>) BBr-28菌株，寄存編號為BCRC 911254；動物雙歧桿菌乳亞種 (<i>Bifidobacterium animalis</i>subsp.<i>lactis</i>) PS23菌株，寄存編號為BCRC 911251；長雙歧桿菌嬰兒亞種 (<i>Bifidobacterium longum</i>subsp.<i>infantis</i>) BR631菌株，寄存編號為BCRC 911172；兩歧雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium bifidum</i>) BD-188菌株，寄存編號為BCRC 911252；以及植物乳植桿菌 (<i>Lactiplantibacillus plantarum</i>) PQQ-1菌株，寄存編號為BCRC 911262，上述菌株均寄存於財團法人食品工業發展研究所，其中該乳酸菌菌株之有效活菌數等於或大於5×10<sup>9</sup> CFU/g；以及<br/> 載劑。
如請求項5所述之用途，其中該載劑為生理上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項5所述之用途，其中該載劑為醫藥上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項5所述之用途，其劑型為錠劑、膠囊或粉劑。
一種AI電子後視鏡，包括：<br/> 處理器；<br/> 邊緣運算裝置，電性連接該處理器；其中該邊緣運算裝置包含AI加速電路，該AI加速電路包含神經處理單元及AI模型儲存於記憶體，該AI加速電路包含專用指令集優化運算，該AI加速電路透過平行計算和專門化演算法提高該AI模型推理訓練速度；及<br/> 其中透過該神經處理單元與該AI模型，提供智能駕駛輔助，其中該AI模型為已訓練智能模型，該AI行車紀錄器可透過伺服器更新該已訓練智能模型。
如請求項1之AI電子後視鏡，其中該AI加速電路配備高頻寬記憶體，確保快速資料傳輸。
如請求項1之AI電子後視鏡，其中該AI模型包含人工智慧駕駛模型。
如請求項3之AI電子後視鏡，其中該人工智慧駕駛模型包含先進駕駛輔助系統、駕駛管理系統、乘客管理系統之一或其組合。
如請求項4之AI電子後視鏡，其中透過感應器捕捉駕駛影像，以該駕駛管理系統分析駕駛行為或狀態。
如請求項4之AI電子後視鏡，其中透過感應器捕捉乘員影像，以該乘客管理系統分析乘員行為或狀態。
如請求項4之AI電子後視鏡，其中該先進駕駛輔助系統執行以下任務之一或任意組合: 監視路況、識別障礙、維持車速、維持車道、保持車距。
如請求項1之AI電子後視鏡，其中包含加速度計、陀螺儀之一或其組合。
如請求項1之AI電子後視鏡，其中包含Wi-Fi、藍芽、4G、5G、6G模組之一或其組合。
如請求項1之AI電子後視鏡，其中包含GPS模組。
一種菌體培養裝置，包含：<br/> 一上蓋，貫設至少一氣孔、一植菌孔及一補液孔，該氣孔設置一空氣過濾器，該植菌孔設置可拆式的一第一封閉件；<br/> 一多孔載體，側邊開設一補充孔，該多孔載體表面披覆一營養層；<br/> 一補充管，兩端分別為一第一端及一第二端，該第二端穿伸於該補充孔，該第一端穿伸於該補液孔，且該第一端設置可拆式的一第二封閉件；<br/> 一底座，其具有一容置空間，該容置空間用以容設該多孔載體及該補充管，該底座可與該上蓋呈可拆式蓋闔。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該底座的頂端環設複數定位片，該上蓋對應該複數定位片具有複數扣片，該複數扣片可扣合卡抵於對應之該複數定位片。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該上蓋底部環設一凹槽，該凹槽設置一密封圈，該底座對應該凹槽的位置具有一凸緣，該上蓋扣合於該底座時，該凸緣壓抵於該密封圈。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該補液孔設置一第一固定塞件，該補充管之該第一端可穿伸至該第一固定塞件。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該補充孔設置一第二固定塞件，該補充管之該第二端可穿伸至該第二固定塞件。
如請求項5所述之菌體培養裝置，其中，該第二固定塞件表面環設複數強化螺紋。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該補充管於鄰近該第二端的表面具有一定位槽，該定位槽用以指示該補充管的插入深度。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該底座的該容置空間兩側分別設置一載座，各該載座具有一容液槽。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該多孔載體具有一周面及複數凹入該周面之微孔，該營養層形成在該周面及該複數微孔的壁面。
如請求項9所述之菌體培養裝置，其中，該多孔載體貫設複數種植孔，該複數種植孔位於該多孔載體的位置相對低於該補充孔，且該補充孔與該複數種植孔不連通。
如請求項1所述之菌體培養裝置，其中，該營養層包括佔該營養層總重量40%至60%的可發酵碳源、佔該營養層總重量5%至15%的營養補充劑、佔該營養層總重量5%至10%的結構增強劑、佔該營養層總重量0.1%至1%的增稠劑、佔該營養層總重量30%至50%的水以及每年添加10mL至20mL的牛樟樹發酵肥液。
如請求項11所述之菌體培養裝置，其中，所述可發酵碳源選自葡萄糖、糖蜜或紅糖中的其中之一或其組合。
如請求項11所述之菌體培養裝置，其中，所述營養補充劑選自麥芽抽出物或酵母的其中之一或其組合。
如請求項11所述之菌體培養裝置，其中，所述結構增強劑選自木質素磺酸鈣或甲殼素的其中之一或其組合。
如請求項11所述之菌體培養裝置，其中，所述增稠劑選自蛋白凍。
一種製造封裝結構之方法，包含： <br/>提供一基板於一治具上，其中該基板的一主動面接觸該治具； <br/>將該基板及該治具放置於一成型機台的一下模具上，其中該治具經配置以將該基板與該下模具隔開；及 <br/>以不接觸該基板的一方式對該基板進行預熱。
如請求項1所述之方法，進一步包括： <br/>將該基板移動至一第一位置，其中在該第一位置時，該基板未接觸該成型機台的一上模具。
如請求項2所述之方法，其中當該基板在該第一位置時，該下模具的熱能經由空氣及該治具傳導至該基板。
如請求項2所述之方法，其中當該基板在該第一位置時，該上模具的熱能經由空氣傳導至該基板。
如請求項2所述之方法，其中當該基板在該第一位置時，該治具與該下模具的一間距大於該基板與該上模具的一間距。
如請求項2所述之方法，進一步包括： <br/>當該基板達到一預熱溫度時，將該基板移動至一第二位置，其中在該第二位置時，該基板接觸該上模具。
如請求項6所述之方法，其中該基板的一被動面接觸該上模具。
一種製造封裝結構之系統，包含： <br/>一成型機台，其具有一上模具與一下模具，其中該上模具及該下模具經配置以分別從一基板的不同面預熱該基板；及 <br/>一治具，其經配置以將該基板維持在一預熱位置經一段時間， <br/>其中該下模具具有一平台及一凸出部，且該治具經配置以架設在該凸出部上且不接觸該平台。
如請求項8所述之系統，其中當該基板在該預熱位置時，該成型機台未接觸該基板。
如請求項8所述之系統，其中當該基板在該預熱位置時，該上模具經配置以經由空氣將熱能傳導至該基板。
如請求項8所述之系統，其中該平台的一表面與該基板的一表面實質上平行。
一種電源轉換系統，包含:<br/> 一功率開關；<br/> 一驅動電路，具有一驅動輸入端與一驅動輸出端，該驅動輸出端與該功率開關的一閘極端電連接，該驅動輸出端用以輸出一控制訊號控制該功率開關的運作；<br/> 一電壓偵測電路，與該功率開關的一汲極端及一電壓源電連接，且包含一電流源、一偵測開關元件及一偵測端，其中該電流源電連接於該電壓源及該偵測端之間，且朝該偵測端的方向提供一量測電流，該偵測開關元件電連接於該偵測端與該功率開關的一汲極端之間，其中該偵測開關元件包含一金屬氧化物半導體場效電晶體，該金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端與該功率開關的該閘極端電連接，該金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端與該功率開關的該汲極端電連接，該金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端與該偵測端電連接；以及<br/> 一邏輯電路，電連接於該電流源、該偵測端、該驅動電路及該功率開關的一源極端，且包含一第一邏輯輸入端、一第二邏輯輸入端以及一邏輯輸出端，其中該第一邏輯輸入端電連接於該電流源，該第二邏輯輸入端接收一脈衝寬度調變信號，該邏輯輸出端電連接於該驅動輸入端，其中該邏輯電路經由該偵測端判斷該功率開關的一汲極-源極電壓是否小於零，並於該汲極-源極電壓小於零時，於該邏輯輸出端輸出一第一高準位電壓，使該驅動電路依據該第一高準位電壓對應於該驅動輸出端輸出一第二高準位電壓至該功率開關，俾使該功率開關的一閘極-源極電壓拉高。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中該偵測開關元件包含一二極體，該二極體的一陰極電連接於該功率開關的該汲極端，該二極體的一陽極電連接於該偵測端。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中該邏輯電路包含：<br/> 一比較器，該比較器的一反向輸入端電連接於該電流源及該偵測端，且構成該第一邏輯輸入端，該比較器的一非反向輸入端電連接於一參考電壓源；以及<br/> 一或閘，該或閘的一第一輸入端接收該脈衝寬度調變信號，且構成該第二邏輯輸入端，該或的一第二輸入端電連接於該比較器的一輸出端，該或閘的一輸出端電連接於該驅動電路的該驅動輸入端，且構成該邏輯輸出端。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中該功率開關、該驅動電路、該電壓偵測電路以及該邏輯電路使用一系統單晶片或一系統級封裝而形成。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中於該第二高準位電壓等於該電壓源時，該功率開關完全導通，於該第二高準位電壓介於該功率開關的一臨限電壓與該電壓源之間時，該功率開關為半導通。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中該電源轉換系統包含一導通阻抗監測電路，與該偵測端及該源極端電連接，用以在該功率開關運作在一第一象限時，監控該功率開關的導通阻抗。
如請求項6所述的電源轉換系統，其中該導通阻抗監測電路包含：<br/> 一電阻，該電阻的一第一端電連接於該源極端，該電阻的一第二端接地；以及<br/> 一除法器，該除法器的一第一輸入端電連接於該偵測端，該除法器的一第二輸入端電連接於該電阻的該第二端，該除法器的一輸出端輸出可反映該功率開關的一導通阻抗的一輸出訊號。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中該邏輯電路更判斷該汲極-源極電壓是否有從一正電壓下降至0的情況發生，當該邏輯電路判斷出該汲極-源極電壓有從該正電壓下降至0的情況發生，且判斷出該汲極-源極電壓小於零時，該邏輯電路於該邏輯輸出端輸出該第一高準位電壓，使該驅動電路依據該第一高準位電壓對應輸出該第二高準位電壓至該功率開關。
如請求項1所述的電源轉換系統，其中該邏輯電路包含：<br/> 一比較器，該比較器的一反向輸入端電連接於該電流源，且構成該第一邏輯輸入端，該比較器的一非反向輸入端電連接於一參考電壓源；<br/> 一第一SR閂鎖器，該第一SR閂鎖器的一設定端電連接於該比較器的一輸出端；<br/> 一第一即閘，該第一即閘的一第一輸入端電連接於該第一SR閂鎖器的一輸出端：<br/> 一反向器，該反向器的一輸入端電連接於該偵測端：<br/> 一第二即閘，該第二即閘的一第一輸入端電連接於該反向器的該輸入端，該第二即閘的一第二輸入端電連接於該反向器的一輸出端：<br/> 一第二SR閂鎖器，該第二SR閂鎖器的一設定端電連接於該第二即閘的一輸出端，該第二SR閂鎖器的一輸出端電連接於該第一即閘的一第二輸入端：<br/> 一遲滯比較器，該遲滯比較器的一輸入端接收該脈衝寬度調變信號，且構成該第二邏輯輸入端；以及<br/> 一或閘，該或閘的一第一輸入端電連接於該遲滯比較器的一輸出端、該第一SR閂鎖器的一重設端及該第二SR閂鎖器的一重設端，並經由該遲滯比較器接收該脈衝寬度調變信號，該或閘的一第二輸入端電連接於該第一即閘的一輸出端，該或閘的一輸出端電連接於該驅動輸入端，且構成該邏輯輸出端。
一種硬罩幕組成物，包括： <br/>由化學式1表示的聚合物；和 <br/>溶劑， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="223px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>Ar <sup>1</sup>至 <sup/>Ar <sup>6</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C6至C20芳香烴環， <br/>X <sup>1</sup>至X <sup>6</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C6至C20芳香烴基團， <br/>L <sup>1</sup>和L <sup>2</sup>各自獨立地為二價有機基團，和 <br/>n為1至100的整數。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中Ar <sup>1</sup>至Ar <sup>6</sup>各自獨立地為群組1的經取代或未經取代的芳香烴環： <br/>[群組1] <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="109px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中X <sup>1</sup>至X <sup>6</sup>各自獨立地包括群組2的經取代或未經取代的部分： <br/>[群組2] <br/><img align="absmiddle" height="137px" width="204px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中： <br/>L <sup>1</sup>和L <sup>2</sup>各自獨立地由化學式2至化學式5中的一個表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="121px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="116px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式4] <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="116px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="63px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式2至化學式5中， <br/>M <sup>1</sup>至M <sup>4</sup>各自獨立地包括群組3的經取代或未經取代的部分， <br/>p1至p3和q1至q3各自獨立地為0至4的整數， <br/>p4為1至5的整數，且 <br/>*為連接點， <br/>[群組3] <br/><img align="absmiddle" height="272px" width="220px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在群組3中， <br/>L <sup>a</sup>至L <sup>c</sup>各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1至C10伸烷基、經取代或未經取代的C2至C10伸烯基，或其組合， <br/>Z <sup>a</sup>和Z <sup>b</sup>各自獨立地為-O-、-S-、-SO <sub>2</sub>-、-C(=O)-或-NR <sup>a</sup>-，其中R <sup>a</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基，或經取代或未經取代的C6至C20芳基， <br/>s1和s2各自獨立地為0或1，且 <br/>t為0至4的整數。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中： <br/>L <sup>1</sup>和L <sup>2</sup>各自獨立地由化學式7至化學式13中的一個表示，其中*為連接點： <br/>[化學式7] <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="43px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式8] <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="70px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式9] <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="101px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式10] <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="166px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式11] <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="183px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式12] <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="81px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式13] <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="100px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中： <br/>所述聚合物由化學式1-1至化學式1-3中的一個表示： <br/>[化學式1-1] <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="330px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-2] <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="274px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-3] <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="270px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在化學式1-1至化學式1-3中， <br/>R <sup>1</sup>至R <sup>6</sup>各自獨立地為氘、羥基、經取代或未經取代的C1至C5烷氧基、經取代或未經取代的C1至C5烷基、或其組合， <br/>y1至y6各自獨立地為1至4的整數，且 <br/>n為1至100的整數。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中所述聚合物具有1,000 g/mol至10,000 g/mol的重均分子量。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中基於所述硬罩幕組成物的總重量，所述聚合物以0.1 wt%至30 wt%的量包括在內。
如請求項1所述的硬罩幕組成物，其中所述溶劑為丙二醇、丙二醇二醋酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚醋酸酯、環己酮、乙基乳酸酯、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、乙醯丙酮或乙基3-乙氧基丙酸酯。
一種硬罩幕層，包括如請求項1所述的硬罩幕組成物的固化產物。
一種形成圖案的方法，所述方法包括： <br/>在基底上提供材料層； <br/>將如請求項1所述的硬罩幕組成物施加到所述材料層上； <br/>熱處理所述硬罩幕組成物以形成硬罩幕層； <br/>在所述硬罩幕層上形成光阻層； <br/>曝光和顯影所述光阻層以形成光阻圖案； <br/>使用所述光阻圖案選擇性地移除所述硬罩幕層以暴露所述材料層的一部分；以及 <br/>蝕刻所述材料層的暴露部分。
如請求項11所述的方法，其中所述熱處理在100 °C至1,000 °C下執行。
一種黏著帶，其具備基材及作為主材料含有具有黏著性之基礎樹脂並積層於該基材的一個面之黏著層，並且用於如下情況：在將基板固定於該黏著層上之狀態下，藉由將雷射光線照射於該基板而將該基板沿其厚度方向切斷，藉由使該基板單片化而形成複數個零件，其後使各該零件從該黏著層脫離，其中，該黏著帶的特徵為，<br/>該基材中，藉由遵照JIS K 0129之示差熱/熱重量同時測量獲得之TG曲線上的從室溫至420℃的重量減少率為50%以下。
如請求項1之黏著帶，其中，<br/>該基材在23℃的拉伸彈性模數為200MPa以下。
如請求項1之黏著帶，其中，<br/>該基材含有聚烯烴系樹脂作為主材料。
如請求項3之黏著帶，其中，<br/>該聚烯烴系樹脂為聚乙烯系樹脂。
如請求項4之黏著帶，其中，<br/>該聚乙烯系樹脂主要含有其比重為0.94以下的成分。
如請求項1之黏著帶，其中，<br/>該基礎樹脂為丙烯酸系樹脂。
如請求項6之黏著帶，其中，<br/>該黏著層進一步含有藉由能量的賦予而硬化之硬化性樹脂，並構成為藉由該能量的賦予而降低對於該黏著層上的該基板及該零件的黏著力。
如請求項1之黏著帶，其中，<br/>該基材其厚度為30μm以上且300μm以下。
如請求項1之黏著帶，其中，<br/>該黏著層其厚度為5μm以上且30μm以下。
如請求項1之黏著帶，其中，<br/>該黏著帶構成為該零件從該黏著層的該脫離係藉由沿面方向伸長該黏著帶並且將該零件在從該基材側推起之狀態下從該基材的相反側拔出來實施。
一種清掃機，包括： <br/>一主體，包括配置以儲存灰塵的一集塵槽； <br/>一抽吸部件，配置以導引含有灰塵的外部空氣進入該集塵槽中； <br/>一旋風部件，配置以從透過該抽吸部件引入的空氣中分離出灰塵； <br/>一前置過濾器部件，設置在一空氣移動路徑中，並配置以從穿過該旋風部件的空氣中過濾掉灰塵，以及 <br/>一過濾器清潔部件，配置以將由該前置過濾器部件收集的灰塵從該前置過濾器部件移除， <br/>其中，該過濾器清潔部件包括： <br/>一清潔器支撐件，設置在該前置過濾器部件內部；以及 <br/>一過濾器清潔器，配置以在該前置過濾器部件的一內周表面與該清潔器支撐件的一外周表面之間垂直移動，並除去收集在該前置過濾器部件中的灰塵。
如請求項1所述的清掃機，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一清潔器蓋，配置以覆蓋該過濾器清潔器的一頂表面，並耦接至該清潔器支撐件。
如請求項1所述的清掃機，其中，該清潔器支撐件配置為沿縱向穿透的一管狀形狀。
如請求項1所述的清掃機，其中，該清潔器支撐件包括沿其周面的多個通孔。
如請求項1所述的清掃機，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一過濾器清潔軸，其沿縱向安裝，耦接至該過濾器清潔器的一側，並配置以與該過濾器清潔器一起上下移動。
如請求項5所述的清掃機，其中，該前置過濾器部件包括一插入凹槽，其沿縱向設置以允許該過濾器清潔軸的插入。
如請求項6所述的清掃機，其中，該前置過濾器部件配置為在插入該主體後旋轉並耦接。
如請求項7所述的清掃機，其中，該插入凹槽具有大於或等於該前置過濾器部件的旋轉距離的寬度。
如請求項2所述的清掃機，其中，該清潔器蓋裝配在該清潔器支撐件的該頂表面的周面。
如請求項9所述的清掃機，其中，該清潔器支撐件包括一耦接凹槽，設置在其封閉的該頂表面上，以及 <br/>其中，該清潔器蓋包括一耦接突部，插入該耦接凹槽中。
如請求項2所述的清掃機，其中，該過濾器清潔器包括： <br/>一過濾器清潔框，沿該前置過濾器部件的內截面設置；以及 <br/>一過濾器清潔體，由彈性材料製成，並從該過濾器清潔框的一外周表面突出以與該前置過濾器部件的一內周表面接觸。
如請求項11所述的清掃機，其中，該清潔器蓋配置為覆蓋該過濾器清潔框的一頂表面的形狀。
如請求項1所述的清掃機，進一步包括：一灰塵清潔部件，配置以在該集塵槽與該旋風部件之間上下移動以移除儲存在該集塵槽中的灰塵。
如請求項13所述的清掃機，其中，該過濾器清潔部件和該灰塵清潔部件連接以一起上下移動。
一種清掃機，包括： <br/>一主體，包括配置以儲存灰塵的一集塵槽； <br/>一抽吸部件，配置以導引含有灰塵的外部空氣進入該集塵槽中； <br/>一旋風部件，配置以從透過該抽吸部件引入的空氣中分離出灰塵； <br/>一抽吸馬達部件，配置以產生吸氣流以允許透過該抽吸部件吸入空氣； <br/>一前置過濾器部件，設置在該旋風部件與該抽吸馬達部件之間，空氣透過該前置過濾器部件從內部移至外部並過濾掉灰塵；以及 <br/>一過濾器清潔部件，配置以將由該前置過濾器部件收集的灰塵從該前置過濾器部件移除， <br/>其中，該過濾器清潔部件包括一過濾器清潔器，沿該前置過濾器部件的內截面設置，並配置以與該前置過濾器部件的一內周表面接觸的同時上下移動，且除去收集在該前置過濾器部件的該內周表面上的灰塵。
如請求項15所述的清掃機，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一清潔器支撐件，具有對應於該過濾器清潔器的內徑的外徑，該清潔器支撐件配置以上下移動，並支撐位於其外周表面上的該過濾器清潔器。
如請求項16所述的清掃機，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一清潔器蓋，配置以覆蓋該過濾器清潔器的一頂表面，並耦接至該清潔器支撐件。
如請求項16所述的清掃機，其中，該清潔器支撐件配置為沿縱向穿透的一管狀形狀。
如請求項16所述的清掃機，其中，該清潔器支撐件包括沿其周面的多個通孔。
如請求項15所述的清掃機，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一過濾器清潔軸，其沿縱向安裝，耦接至該過濾器清潔器的一側，並配置以與該過濾器清潔器一起上下移動。
一種清掃機系統，包括： <br/>一清掃機，配置以抽吸含有灰塵的外部空氣，並從該空氣中分離出灰塵；以及 <br/>一清掃機站，包括：一殼體，其中設置有用於耦接該清掃機的一耦接部件； 一灰塵收集部件，配置以從該清掃機內部收集灰塵；一氣流路徑部件，連接該耦接部件和該灰塵收集部件；以及一灰塵抽吸模組，配置以產生吸氣流以使該清掃機內的灰塵透過該氣流路徑部件吸入該灰塵收集部件中， <br/>其中，該清掃機包括： <br/>一主體，包括配置以儲存灰塵的一集塵槽； <br/>一抽吸部件，配置以導引含有灰塵的外部空氣進入該集塵槽中； <br/>一旋風部件，配置以從透過該抽吸部件引入的空氣中分離出灰塵； <br/>一抽吸馬達部件，配置以產生吸氣流以允許透過該抽吸部件吸入空氣； <br/>一前置過濾器部件，設置在該旋風部件與該抽吸馬達部件之間，並配置以從其內部移至外部的空氣中過濾掉灰塵；以及 <br/>一過濾器清潔部件，配置以將由該前置過濾器部件收集的灰塵從該前置過濾器部件的一內周表面移除。
如請求項21所述的清掃機系統，其中，該過濾器清潔部件包括一過濾器清潔器，沿該前置過濾器部件的內截面設置，並配置以與該前置過濾器部件的一內周表面接觸的同時上下移動，且除去收集在該前置過濾器部件的該內周表面上的灰塵。
如請求項22所述的清掃機系統，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一清潔器支撐件，具有對應於該過濾器清潔器的內徑的外徑，該清潔器支撐件配置以上下移動，並支撐位於其外周表面上的該過濾器清潔器。
如請求項23所述的清掃機系統，其中，該過濾器清潔部件進一步包括一清潔器蓋，配置以覆蓋該過濾器清潔器的一頂表面，並耦接至該清潔器支撐件。
如請求項22所述的清掃機系統，其中，該前置過濾器部件設置在該旋風部件上方， <br/>其中，一前置過濾器入口設置在該旋風部件與該前置過濾器部件之間，以允許穿過該旋風部件的空氣流入該前置過濾器部件中，以及 <br/>其中，該前置過濾器部件的內徑（d1）大於或等於該前置過濾器入口的內徑（d2）。
如請求項25所述的清掃機系統，其中，該過濾器清潔器包括： <br/>一過濾器清潔框，沿該前置過濾器部件的內截面部分設置；以及 <br/>一過濾器清潔體，由彈性材料製成，並從該過濾器清潔框的一外周表面突出以與該前置過濾器部件的一內周表面接觸，以及 <br/>其中，該前置過濾器入口的該內徑（d2）大於該過濾器清潔框的外徑（d3）。
如請求項26所述的清掃機系統，其中，該過濾器清潔體具有大於或等於該前置過濾器部件的該內徑（d1）的外徑（d4）。
一種搜索引擎模塊的索引遷移（index migration）方法，通過至少一個處理器執行，其中，包括如下步驟： <br/>以使得與所述搜索引擎模塊有關的服務通過代理調用第一集群的方式在所述服務與所述第一集群之間設定所述代理； <br/>將通過所述代理從所述服務提供的寫入（write）請求路由至所述第一集群，將與所述寫入請求有關的資料記錄在存儲設備； <br/>將所述第一集群的索引遷移至第二集群；以及 <br/>響應於完成所述遷移，將與記錄在所述存儲設備的所述寫入請求有關的資料資料同步到所述第二集群。
如請求項1之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，將所述寫入請求路由至所述第一集群的步驟基於所述代理對所述服務的所述寫入請求的中繼執行。
如請求項1之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，將與所述寫入請求有關的資料記錄在存儲設備的步驟包括如下步驟： <br/>獲取與所述第一集群的所述寫入請求的處理有關的序列號；以及 <br/>將與所述寫入請求有關的資料映射到所述序列號並進行記錄。
如請求項3之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，資料同步到所述第二集群的步驟包括如下步驟：按基於所述序列號的順序將與所述寫入請求有關的資料記錄在所述第二集群。
如請求項1之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，所述遷移步驟包括如下步驟： <br/>生成所述第一集群的索引快照；以及 <br/>基於所述快照將所述第一集群的索引復原到所述第二集群。
如請求項1之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，所述遷移步驟包括如下步驟：利用索引API來將所述第一集群的索引提供到所述第二集群。
如請求項1之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，還包括如下步驟：確認向所述第二集群遷移的索引的資料完整性。
如請求項7之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，確定所述資料完整性的步驟包括如下步驟：對所述第一集群的索引所包括的文檔數量及向所述第二集群遷移的索引所包括的文檔資料進行比較。
如請求項7之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，確認所述資料完整性的步驟包括如下步驟：對所述第一集群的索引所包括的文檔的字段及向所述第二集群遷移的索引所包括的文檔的字段進行比較。
如請求項1之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，還包括如下步驟：響應於完成所述資料同步，將通過所述代理從所述服務提供的多個讀取（read）請求中的一部分轉出（rollout）到所述第二集群。
如請求項10之搜索引擎模塊的索引遷移方法，其中，所述轉出步驟包括如下步驟：將所述多個讀取請求中的基於指定比例的一部分路由至所述第一集群，將所述多個讀取請求中的剩餘一部分路由至所述第二集群。
一種計算機可讀記錄介質，其中，存儲用於在計算機中運行如請求項1至11中任一項之搜索引擎模塊的索引遷移方法的指令。
一種電子裝置，其中， <br/>包括： <br/>存儲器，用於存儲多個指令； <br/>搜索引擎模塊，包括第一集群、第二集群及存儲設備；以及 <br/>至少一個處理器， <br/>當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟： <br/>以使得與所述搜索引擎模塊有關的服務通過代理調用第一集群的方式在所述服務與所述第一集群之間設定所述代理； <br/>將通過所述代理從所述服務提供的寫入請求路由至所述第一集群，將與所述寫入請求有關的資料記錄在存儲設備； <br/>將所述第一集群的索引遷移至第二集群；以及 <br/>響應於完成所述遷移，將與記錄在所述存儲設備的所述寫入請求有關的資料資料同步到所述第二集群。
如請求項13之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟： <br/>獲取與所述第一集群的所述寫入請求的處理有關的序列號；以及 <br/>將與所述寫入請求有關的資料映射到所述序列號並進行記錄。
如請求項14之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟：按基於所述序列號的順序將與所述寫入請求有關的資料記錄在所述第二集群。
如請求項13之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟： <br/>生成所述第一集群的索引快照；以及 <br/>基於所述快照將所述第一集群的索引復原到所述第二集群並進行所述遷移。
如請求項13之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟：利用索引API來將所述第一集群的索引提供到所述第二集群並進行所述遷移。
如請求項13之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟：對所述第一集群的索引所包括的文檔數量及向所述第二集群遷移的索引所包括的文檔資料進行比較以確認向所述第二集群遷移的索引的資料完整性。
如請求項13之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟：對所述第一集群的索引所包括的文檔的字段及向所述第二集群遷移的索引所包括的文檔的字段進行比較以確認向所述第二集群遷移的索引的資料完整性。
如請求項13之電子裝置，其中，當通過至少一個所述處理器執行所述指令時，所述電子裝置執行如下步驟：響應於完成所述資料同步，將通過所述代理從所述服務提供的多個讀取請求中的基於指定比例的一部分路由至所述第一集群，將所述多個讀取請求中的剩餘一部分路由至所述第二集群。
一種具有閥門結構的米箱落米裝置，包括：<br/> 一加工裝置，內部具有一加工區且頂部具有一米粒輸入口，該米粒輸入口與該加工區連通；於該米粒輸入口的周緣連接一下通道部，該下通道部內具有一下通道；於該下通道部的上端周圍結合一第一遮板；<br/> 一閥門結構，設置於該加工裝置的頂部且包括一封閉閥門與一旋轉驅動器，該封閉閥門設置於該米粒輸入口上，該旋轉驅動器連結於該封閉閥門，用以驅動該封閉閥門旋轉而開啟或關閉該米粒輸入口；以及<br/> 一米箱，具有一第二遮板，該第二遮板可滑動地設置於該第一遮板上，該米箱的底部具有一米粒輸出口，該米粒輸出口形成於該第二遮板且隨該米箱處於不同位置而與該米粒輸入口連通或不連通；該下通道部向上連接該米箱，於該米粒輸出口的周緣上連接一箱體，該箱體內具有一儲米空間，該儲米空間與該米粒輸出口相通，且該米粒輸出口通往該加工裝置的該米粒輸入口，於該加工裝置與該米箱之間連接一推拉組件，該推拉組件驅動該米箱於一第一位置與一第二位置之間往復移動；當該米箱位於該第一位置時，該米粒輸出口與該米粒輸入口連通；當該米箱位於該第二位置時，該米粒輸出口與該米粒輸入口錯位不連通且該米粒輸出口受該第二遮板遮擋，該米粒輸入口受該第一遮板遮擋。
如請求項1所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中該旋轉驅動器結合於該加工裝置頂部的一側；該封閉閥門係矩形片體且包括一驅動軸與二個葉片，該驅動軸的兩端樞穿該加工裝置頂部的兩側且以其中一端連結於該旋轉驅動器，該二個葉片連接於該驅動軸之相對二側。
如請求項1所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中該封閉閥門設置於該下通道內，該旋轉驅動器結合於該下通道部的一側。
如請求項3所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中當該封閉閥門關閉該米粒輸入口時，該封閉閥門的周緣與該下通道的周壁之間具有縫隙。
如請求項1所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中該第一遮板具有二個滑動孔，所述兩個滑動孔平行設置，於各該滑動孔穿置一固定件且該固定件固定於該第二遮板，該米箱於該第一位置與該第二位置之間係沿直線方向往復移動。
如請求項1所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中於該第二遮板結合至少一樞接座，該推拉組件連接於該加工裝置與該至少一樞接座之間。
如請求項6所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中該推拉組件包括一支撐架、一轉軸、至少一推拉桿、至少一連接桿、一線性驅動器與一轉柄，該支撐架連接於該加工裝置；該轉軸可轉動地樞穿於該支撐架，該至少一推拉桿的一端結合於該轉軸，該至少一連接桿的兩端分別樞接於該至少一推拉桿的另一端與該至少一樞接座；該線性驅動器的一端樞接於該支撐架，該轉柄之一端連接該轉軸，該轉柄之另一端連接該線性驅動器的另一端。
如請求項7所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中該至少一樞接座為複數個；該至少一推拉桿為複數個；該至少一連接桿為複數個；該支撐架包括一第一安裝座、一第二安裝座與一第三安裝座，該第一安裝座與該第二安裝座間隔設置且分別連接於該加工裝置，該第三安裝座連接於該第二安裝座；該轉軸可轉動地樞穿於該第一安裝座與該第二安裝座，各該推拉桿的一端結合於該轉軸，各該連接桿的兩端分別樞接於各該推拉桿的另一端與各該樞接座；該線性驅動器的一端樞接於該第三安裝座。
如請求項1所述之具有閥門結構的米箱落米裝置，其中第二遮板具有複數穿孔；當該米箱位於該第二位置時，該些穿孔透過該米粒輸入口與該加工區連通。
一種萬向套筒，包括：<br/> 一筒座，包含有一本體與一第一連接部，該第一連接部設於該本體，該本體定義有一軸向與一徑向，該本體圍構有相連通之一內部空間與一開口，該本體之一內側壁面沿該徑向凹設有二組接槽，各該組接槽沿該軸向延伸；<br/> 一轉動件，包含有一插接部、二凸部與一第二連接部，該插接部可活動地容設於該內部空間，該二凸部凸出於該插接部而可移動地插設於該二組接槽，該第二連接部連接該插接部地凸伸出該開口；及<br/> 複數擋止件，凸設於該內側壁面而於該軸向上與該插接部呈干涉配置；<br/> 其中，該本體另定義有一周向，該內側壁面另凹設有一沿該周向呈弧形延伸之環槽，該環槽於該周向上連通該二組接槽，複數該擋止件容設於該環槽且部分於該徑向上凸伸出該環槽，進而複數該擋止件於該軸向上保持擋止該轉動件。
如請求項1所述的萬向套筒，另包含有一彈性件，該彈性件容設於該內部空間，且該彈性件彈抵於該本體之一內底壁面與該插接部之間；其中，該內底壁面橫向連接該內側壁面。
如請求項1所述的萬向套筒，其中各該擋止件未凸伸入該組接槽。
如請求項1所述的萬向套筒，其中該轉動件另包含有一主體與一銷件，該主體包含有相連接之該第二連接部與該插接部，該銷件穿設過該插接部，進而該銷件之二端凸出於該插接部以形成二該凸部。
如請求項4所述的萬向套筒，其中該銷件另包含有連接於二該凸部之間的一中段，該中段係埋設於該插接部，於該中段處設有一止滑結構。
如請求項1所述的萬向套筒，其中該二組接槽呈對稱配置，各該組接槽包含有一直線段與一弧線段，該直線段之一側連通該開口，該直線段之另一側連通該弧線段。
如請求項1所述的萬向套筒，其中當該二凸部之延伸方向係垂直該軸向時，各該擋止件與各該凸部於該徑向上至少部分係呈重疊配置。
如請求項1至7其中任一項所述的萬向套筒，其中複數該擋止件之數量為二，二該擋止件於該周向上呈間隔配置而共同界定出二閃避區域，各該閃避區域於該周向上的尺寸至少不小於各該組接槽於該周向上的尺寸，進而該凸部可通過該閃避區域地凸出於該開口。
如請求項5所述的萬向套筒，另包含有一彈性件，該彈性件容設於該內部空間，且該彈性件彈抵於該本體之一內底壁面與該插接部之間；其中，該內底壁面橫向連接該內側壁面；各該擋止件未凸伸入該組接槽；該二組接槽呈對稱配置，各該組接槽包含有一直線段與一弧線段，該直線段之一側連通該開口，該直線段之另一側連通該弧線段；當該二凸部之延伸方向係垂直該軸向時，各該擋止件與各該凸部於該徑向上至少部分係呈重疊配置；複數該擋止件之數量為二，二該擋止件於該周向上呈間隔配置而共同界定出二閃避區域，各該閃避區域於該周向上的尺寸至少不小於各該組接槽於該周向上的尺寸，進而該凸部可通過該閃避區域地凸出於該開口；該插接部呈球狀體；該第一連接部係為多角孔，該第二連接部係為多角凸柱；各該擋止件係呈弧形條狀，各該擋止件於該周向上多處連續地與該插接部呈干涉配置；各該擋止件之線徑小於該凸部之半徑；各該擋止件之橫切面輪廓呈圓形。
一種攝像裝置，包括：<br/> 一電路板，具有一組裝面與一感光元件；<br/> 一間隔件，設置於該組裝面上；<br/> 一鏡頭模組，設置於該間隔件上；以及<br/> 一密封環圈，包括一環狀本體與一彈性圈，該環狀本體連接於該間隔件，該彈性圈環繞於該感光元件周圍，該彈性圈具有相對的一根部與一端部，該根部連接於該環狀本體，該端部接觸於該電路板之該組裝面，且該彈性圈不垂直於該電路板之該組裝面；<br/> 其中該密封環圈之該彈性圈具有一可撓性擋牆，該可撓性擋牆連接於該根部與該端部之間，該可撓性擋牆與該電路板的該組裝面之間具有一夾角，該夾角為銳角或鈍角；該彈性圈的該端部抵壓於該電路板之該組裝面，使該彈性圈的該端部與該可撓性擋牆產生彎曲變形。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該環狀本體具有朝向該組裝面之一內表面，該彈性圈之該根部連接於該環狀本體之該內表面。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該彈性圈之該端部的厚度不同於該根部的厚度。
如請求項3所述之攝像裝置，其中該彈性圈之該端部的厚度小於該根部之厚度。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該根部與該端部呈環狀，且該根部的尺寸不同於該端部的尺寸。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該根部相對於該端部靠近該感光元件。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該彈性圈之該可撓性擋牆包括一延伸段與一彎曲段，該延伸段連接於該根部，該彎曲段連接於該延伸段與該端部之間。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該間隔件與該電路板的該組裝面之間具有一間隔空間，該密封環圈之該彈性圈的該端部伸入該間隔空間內。
如請求項8所述之攝像裝置，其中該電路板之該組裝面具有一固定膠層，該間隔件接著於該固定膠層上，使該間隔件與該組裝面之間具有該間隔空間。
如請求項1所述之攝像裝置，其中該間隔件具有一環狀凹槽，該密封環圈之該環狀本體設置於該環狀凹槽內。
如請求項10所述之攝像裝置，其中該間隔件之該環狀凹槽內具有一第一限位件，該密封環圈之該環狀本體具有一第二限位件，該第二限位件組接於該第一限位件。
如請求項11所述之攝像裝置，其中該第一限位件為一凸柱，該第二限位件為一通孔，該凸柱穿設於該通孔內。
如請求項10所述之攝像裝置，其中該環狀凹槽具有一環狀側壁，該環狀側壁具有一側向凹槽，該密封環圈之該環狀本體的周圍具有一凸部，該凸部限位於該側向凹槽內。
一種攝像裝置，包括：<br/> 一電路板，具有一組裝面與一感光元件；<br/> 一間隔件，設置於該組裝面上；<br/> 一鏡頭模組，設置於該間隔件上；以及<br/> 一密封環圈，包括一環狀本體與一彈性圈，該環狀本體連接於該間隔件，該彈性圈環繞於該感光元件周圍，該彈性圈具有相對的一根部與一端部，該根部連接於該環狀本體，該端部接觸於該電路板之該組裝面，且該彈性圈不垂直於該電路板之該組裝面；<br/> 其中該間隔件具有一環狀凹槽，該密封環圈之該環狀本體設置於該環狀凹槽內，該間隔件之該環狀凹槽內具有一第一限位件，該密封環圈之該環狀本體具有一第二限位件，該第二限位件組接於該第一限位件。
一種攝像裝置，包括：<br/> 一電路板，具有一組裝面與一感光元件；<br/> 一間隔件，設置於該組裝面上；<br/> 一鏡頭模組，設置於該間隔件上；以及<br/> 一密封環圈，包括一環狀本體與一彈性圈，該環狀本體連接於該間隔件，該彈性圈環繞於該感光元件周圍，該彈性圈具有相對的一根部與一端部，該根部連接於該環狀本體，該端部接觸於該電路板之該組裝面，且該彈性圈不垂直於該電路板之該組裝面；<br/> 其中該間隔件具有一環狀凹槽，該密封環圈之該環狀本體設置於該環狀凹槽內，該環狀凹槽具有一環狀側壁，該環狀側壁具有一側向凹槽，該密封環圈之該環狀本體的周圍具有一凸部，該凸部限位於該側向凹槽內。
一種訊號管理系統，包括：至少一訊號輸入輸出模組以及控制單元；<br/> 所述至少一訊號輸入輸出模組電性連接所述控制單元，且適於被所述控制單元控制用以被操作於正常工作模式及低功耗模式的其一，所述至少一訊號輸入輸出模組包含連接埠、電源單元及訊號轉換單元，其中<br/> 所述連接埠被配置成接收原始輸入訊號；<br/> 所述訊號轉換單元電性連接所述連接埠，且被配置成接收來自所述連接埠的所述原始輸入訊號；以及<br/> 所述電源單元電性連接所述訊號轉換單元，且被配置成提供電能到所述訊號轉換單元；其中，<br/> 當所述至少一訊號輸入輸出模組被操作在所述正常工作模式時，所述連接埠適於接收所述原始輸入訊號，所述電源單元提供所述電能到所述訊號轉換單元，以使所述訊號轉換單元對來自所述連接埠的所述原始輸入訊號進行格式轉換，以產生目標格式訊號；<br/> 當所述控制單元判定所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為閒置狀態時，所述控制單元控制所述至少一訊號輸入輸出模組，使所述至少一訊號輸入輸出模組被操作在所述低功耗模式；其中，所述訊號轉換單元在所述低功耗模式時對應具有第一功耗值，所述訊號轉換單元在所述正常工作模式時對應具有第二功耗值，所述第一功耗值小於所述第二功耗值；<br/> 其中，所述控制單元被配置為根據以下多個資訊的其中之一判定所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為所述閒置狀態：<br/> 從所述至少一訊號輸入輸出模組的所述連接埠所接收的狀態指示訊號指示所述連接埠為未連接狀態；<br/> 從所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元接收的工作狀態資訊指示所述訊號轉換單元為非工作狀態；<br/> 從使用者介面所接收的操作狀態設定資訊指示所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為預設閒置單元；以及<br/> 所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元的優先權資訊被設定為低優先權。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述控制單元電性連接所述訊號轉換單元，所述控制單元通過傳送省電指令使所述訊號轉換單元進入省電狀態，以控制所述至少一訊號輸入輸出模組被操作於所述低功耗模式；其中，<br/> 當所述訊號轉換單元進入所述省電狀態時，所述訊號轉換單元的預設電路區塊的功耗降低或所述訊號轉換單元的所述預設電路區塊關閉。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述控制單元電性連接所述電源單元，所述控制單元控制所述電源單元不提供所述電能，以使所述至少一訊號輸入輸出模組被操作於所述低功耗模式。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述控制單元電性連接所述連接埠，且被配置成從所述連接埠接收狀態指示訊號。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述狀態指示訊號被配置成指示所述連接埠為連接狀態或所述未連接狀態，其中響應於所述狀態指示訊號指示所述連接埠為所述連接狀態，所述控制單元判定所述訊號轉換單元為非閒置狀態，則控制所述至少一訊號輸入輸出模組被操作在所述正常工作模式。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述連接埠包括熱插拔偵測（Hot Plug Detection，HPD）接腳，所述熱插拔偵測接腳被配置成提供熱插拔偵測電壓做為所述狀態指示訊號提供至所述控制單元；<br/> 當所述熱插拔偵測電壓在第一電壓，所述狀態指示訊號指示所述連接埠為所述連接狀態；<br/> 當所述熱插拔偵測電壓在第二電壓，所述狀態指示訊號指示所述連接埠為所述未連接狀態。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述控制單元電性連接所述訊號轉換單元以接收所述訊號轉換單元的所述工作狀態資訊。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述訊號轉換單元被配置成：<br/> 經由積體電路匯流排（I2C）通訊協定或串列週邊介面（SPI）通訊協定，提供所述工作狀態資訊到所述控制單元。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述操作狀態設定資訊被配置成指示所述訊號轉換單元為所述預設閒置單元或預設工作單元。
如請求項1所述的訊號管理系統，所述至少一訊號輸入輸出模組的數量為多個；所述控制單元被配置成：<br/> 分別記錄所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的所述連接埠在使用狀態的時間，以產生所述多個訊號輸入輸出模組的每一個所對應的累計使用時間資訊；其中，當所述多個訊號輸入輸出模組中的一個訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元對來自所述多個訊號輸入輸出模組中的所述一個訊號輸入輸出模組的所述連接埠的所述原始輸入訊號進行格式轉換以產生所述目標格式訊號，判定所述多個訊號輸入輸出模組中的所述一個訊號輸入輸出模組的所述連接埠為使用狀態；<br/> 根據所述多個訊號輸入輸出模組的每一個所對應的所述累計使用時間資訊，設定所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的所述訊號轉換單元所對應的所述優先權資訊；<br/> 當所述多個訊號輸入輸出模組中的所述一個訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元的所述優先權資訊被設定為所述低優先權，判定所述多個訊號輸入輸出模組中的所述一個訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為所述閒置狀態。
如請求項10所述的訊號管理系統，當所述控制單元根據所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的所述累計使用時間資訊，設定所述多個訊號輸入輸出模組的每一個所對應的所述訊號轉換單元的所述優先權資訊，所述控制單元被配置成：<br/> 對所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的所述連接埠的所述累計使用時間資訊進行排名；<br/> 獲得在預設名次內的所述多個訊號輸入輸出模組中的第一群訊號輸入輸出模組以及在所述預設名次外的所述多個訊號輸入輸出模組中的第二群訊號輸入輸出模組；以及<br/> 將所述多個訊號輸入輸出模組中的所述第一群訊號輸入輸出模組的每一個的所述訊號轉換單元的所述優先權資訊設定為高優先權，將所述多個訊號輸入輸出模組中的所述第二群訊號輸入輸出模組的每一個的所述訊號轉換單元的所述優先權資訊設定為所述低優先權。
如請求項10所述的訊號管理系統，所述控制單元被配置成：<br/> 根據所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的特殊功能設定資訊，設定所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的所述訊號轉換單元的所述優先權資訊。
如請求項10所述的訊號管理系統，包含：<br/> 儲存單元，電性連接所述控制單元；其中，<br/> 所述控制單元將所述多個訊號輸入輸出模組的每一個的所述連接埠的所述累計時間資訊及所述訊號轉換單元的所述優先權資訊儲存至所述儲存單元。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述至少一訊號輸入輸出模組的數量為多個，且所述多個訊號輸入輸出模組包含第一訊號輸入輸出模組及第二訊號輸入輸出模組；<br/> 所述控制單元被配置成：<br/> 響應於所述第一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元不在所述閒置狀態，控制所述第二訊號輸入輸出模組進入所述低功耗模式。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述連接埠包括高畫質多媒體介面（HDMI）輸入埠、高畫質多媒體介面輸出埠、顯示埠（DisplayPort）、串列數位介面（SDI）輸入埠、串列數位介面輸出埠或高畫質基底傳輸（HDBaseT）埠。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述控制單元適於接收來自使用者介面的喚醒指令，所述控制單元適於依據所述喚醒指令，控制所述訊號輸入輸出模組由所述低功耗模式切換至所述正常工作模式。
如請求項1所述的訊號管理系統，其中<br/> 所述控制單元被配置成響應於狀態指示訊號指示所述連接埠為連接狀態，控制所述至少一訊號輸入輸出模組由所述低功耗模式切換至所述正常工作模式。
如請求項1所述的訊號管理系統，進一步包含：<br/> 影像處理單元，電性連接所述訊號轉換單元，以接收所述目標格式訊號，所述影像處理單元被配置成對所述目標格式訊號進行影像處理，以提供經處理後的目標格式訊號。
一種投影機，包括訊號管理系統、影像處理單元、光源模組、光調制模組及投影鏡頭：<br/> 所述訊號管理系統包括至少一訊號輸入輸出模組以及控制單元；<br/> 所述至少一訊號輸入輸出模組電性連接所述控制單元，且適於被所述控制單元控制用以被操作於正常工作模式及低功耗模式的其一，所述至少一訊號輸入輸出模組包含連接埠、電源單元及訊號轉換單元，其中<br/> 所述連接埠被配置成接收原始輸入訊號；<br/> 所述訊號轉換單元電性連接所述連接埠，且被配置成接收來自所述連接埠的所述原始輸入訊號；以及<br/> 所述電源單元電性連接所述訊號轉換單元，且被配置成提供電能到所述訊號轉換單元；其中，<br/> 當所述至少一訊號輸入輸出模組被操作在所述正常工作模式時，所述連接埠適於接收所述原始輸入訊號，所述電源單元提供所述電能到所述訊號轉換單元，以使所述訊號轉換單元對來自所述連接埠的所述原始輸入訊號進行格式轉換，以產生目標格式訊號；<br/> 當所述控制單元判定所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為閒置狀態時，所述控制單元控制所述至少一訊號輸入輸出模組，使所述至少一訊號輸入輸出模組被操作在所述低功耗模式；其中，所述訊號轉換單元在所述低功耗模式時對應具有第一功耗值，所述訊號轉換單元在所述正常工作模式時對應具有第二功耗值，所述第一功耗值小於所述第二功耗值；<br/> 其中，所述控制單元被配置為根據以下多個資訊的其中之一判定所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為所述閒置狀態：<br/> 從所述至少一訊號輸入輸出模組的所述連接埠所接收的狀態指示訊號指示所述連接埠為未連接狀態；<br/> 從所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元接收的工作狀態資訊指示所述訊號轉換單元為非工作狀態；<br/> 從使用者介面所接收的操作狀態設定資訊指示所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元為預設閒置單元；以及<br/> 所述至少一訊號輸入輸出模組的所述訊號轉換單元的優先權資訊被設定為低優先權；<br/> 所述影像處理單元電性連接所述訊號轉換單元，以接收所述目標格式訊號，且所述影像處理單元被配置成對所述目標格式訊號進行影像處理，以提供經處理後的目標格式訊號；<br/> 所述光源模組被配置成提供照明光束；<br/> 所述光調制模組電性連接所述影像處理單元，且設置於所述照明光束的傳遞路徑上，且被配置成基於所述影像處理單元所提供的所述經處理後的目標格式訊號，將所述照明光束轉換爲影像光束；<br/> 所述投影鏡頭設置在所述影像光束的傳遞路徑上，且被配置成將所述影像光束投射至所述投影機外。
如請求項19所述的投影機，更包括：<br/> 所述使用者介面，被配置成：<br/> 接收所述操作狀態設定資訊，且提供所述操作狀態設定資訊到所述控制單元，其中所述操作狀態設定資訊被配置成指示所述訊號轉換單元為所述預設閒置單元或預設工作單元。
一種鎖合件，其包含有一桿體，一形成於該桿體一端之頭部，一相反該頭部且形成於該桿體另一端之尾部，以及一螺牙段；其中，該桿體之周緣面供該螺牙段環設，而該螺牙段由複數螺牙所組成，另該尾部上形成有一鑽尖；其特徵在於：<br/> 該桿體上另環設有一與該螺牙段呈交錯設置之輔助單元，該輔助單元由該鑽尖向上延伸，且該輔助單元具有複數位於任二該螺牙間之尖錐塊，以及形成於任二該尖錐塊間之通道，其中，每一該尖錐塊由該周緣面向外延伸且漸縮收合為具有一尖錐點設置，此外，該尾部呈多邊型設置，且任二邊相接處形成一刃緣。
根據請求項1所述之鎖合件，其中，該尖錐點往該桿體之周緣面延伸有一基準線，且該基準線與該周緣面呈傾斜設置。
一種食材保鮮輸送系統，包括： <br/>一外殼，內部具有一安裝腔室； <br/>至少一料倉，設置於該安裝腔室且底部支撐於一秤重裝置上，該至少一秤重裝置固定於該外殼內；該至少一料倉的上方具有一材料入口且該至少一料倉的內部用以供食材儲存，該至少一料倉的底側形成一螺旋輸送機，該至少一螺旋輸送機的內部與該至少一料倉的內部相通，該至少一螺旋輸送機具有一送料出口； <br/>一輸送裝置，設置於該安裝腔室且包括一第一螺旋輸送機與一第二螺旋輸送機，該第一螺旋輸送機具有向上開口的一第一管狀殼，該至少一送料出口向下通往該第一螺旋輸送機的該第一管狀殼，該第二螺旋輸送機連接於該第一螺旋輸送機的一端；以及 <br/>一冷氣裝置，設置於該外殼內且位於該輸送裝置遠離該至少一料倉的一側，該冷氣裝置用以對該安裝腔室提供冷氣循環。
如請求項1所述之食材保鮮輸送系統，其中該冷氣裝置具有一制冷機組，於該制冷機組鄰接該安裝腔室的一側結合一罩殼，該罩殼兩側的其中一側結合一風扇組件，另一側形成一送風口，於該罩殼內形成一冷卻腔室，該冷卻腔室通過該送風口通往該安裝腔室。
如請求項2所述之食材保鮮輸送系統，其中該風扇組件結合於該罩殼的底部，且該送風口設置於該罩殼位於該風扇組件上方的部分；於該冷氣裝置鄰接該送風口上側的部分連接一導風板。
如請求項1所述之食材保鮮輸送系統，其中該外殼的前面設置一安裝框架，該安裝框架具有至少一槽口，於該安裝框架前面鄰接該至少一槽口底側的部分各樞接一門板，該至少一門板封閉該至少一槽口；該至少一料倉係以可沿上下方向移動的方式連接於各該門板，且各該料倉的底部具有至少一支撐柱；該至少一秤重裝置包括至少一重量感測器且位於該至少一支撐柱的下方，該至少一重量感測器固定於該安裝框架的內側透過該至少一支撐柱撐起該至少一料倉。
如請求項4所述之食材保鮮輸送系統，其中該至少一螺旋輸送機與該至少一重量感測器電連接於一控制器；該至少一螺旋輸送機將所在的該料倉內的食材由該送料出口輸出時，該至少一重量感測器將量測到的重量變化的訊號傳輸至該控制器，令使該控制器能依重量變化控制該至少一螺旋輸送機運作或停止。
如請求項5所述之食材保鮮輸送系統，其中於該至少一門板的左右兩側結合二支撐架，所述二個支撐架分別於上下位置各具有一卡槽，各該卡槽的上端與下端各具有一開口與一底端；該至少一料倉被限制在所述的二個支撐架之間而可沿上下方向往復滑動，於該至少一料倉的兩側分別連接二卡塊，各該卡塊可滑動地設置於各該卡槽，且各該卡塊與各該卡槽的該底端間隔。
如請求項1所述之食材保鮮輸送系統，其中該第一螺旋輸送機係水平設置且固定於該外殼內的下側；該第二螺旋輸送機具有豎直設置的一第二管狀殼，於該第二管狀殼內穿置一第二螺桿驅動組件，該第二螺旋輸送機的下端連接該第一螺旋輸送機的一端，該第二螺旋輸送機的上端具有一出料嘴。
如請求項7所述之食材保鮮輸送系統，其中該輸送裝置還包含一食材分配機，該食材分配機固定於該外殼內的上側且位於該第一螺旋輸送機的上方；該食材分配機包括一軌道、一第三螺旋輸送機與一螺桿驅動結構，該軌道係水平設置且該第三螺旋輸送機可滑動地設置於該軌道上；該螺桿驅動結構包括一導向螺桿與一馬達，該導向螺桿可轉動地穿置於該軌道，該馬達固定於該軌道且於該導向螺桿連結；該第三螺旋輸送機具有向上開口的一第三管狀殼，該出料嘴通往該第三管狀殼，該第三管狀殼的一端具有一出料口；於該第三管狀殼內穿置一第三螺桿驅動組件，該第三螺旋輸送機具有一導向螺帽，該導向螺帽螺合於該導向螺桿。
如請求項8所述之食材保鮮輸送系統，其中該外殼具有一輸出口，於該輸出口的內側以可滑動的方式設有一活動門，於該外殼內側結合一活動門線性驅動器，該活動門線性驅動器連結該活動門；該第三螺旋輸送機的該出料口正對該外殼的該輸出口。
如請求項9所述之食材保鮮輸送系統，其中於該外殼內固定一擋板，該擋板阻隔於該至少一料倉與該輸送裝置之間，該擋板配合該至少一送料出口形成至少一套孔，該至少一套孔套合於該至少一送料出口；於該外殼內設置一清洗裝置，包括一水槽、一抽水泵與一噴液結構，該水槽設置於該外殼內的底部且位於該擋板以及該輸送裝置的正下方，該抽水泵設置於該安裝腔室且由該水槽汲取液體輸往該噴液結構，該噴液結構設置於該安裝腔室且用以向該輸送裝置噴水。
一種氧化膜反應表面控制劑，包含選自具有三個以上的含有孤電子對的元素物種的環狀化合物和具有三個以上的含有孤電子對的元素物種的線型化合物的一種以上化合物，用於對由選自三價金屬、四價金屬、五價金屬以及六價金屬的一種以上金屬的前體化合物形成的氧化膜的反應表面進行控制，其中，前述孤電子對為選自氧（O）、硫（S）、磷（P）以及氮（N）的一種以上。
如請求項1所述之氧化膜反應表面控制劑，其中，前述具有三個以上的含有孤電子對的元素物種的環狀化合物為由化學式1表示的化合物， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="160px" width="106px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在前述化學式1中，R'為氫、碳原子數為1～5的烷基、碳原子數為2～5的烯基或碳原子數為1～5的烷氧基，A為氧（O）、硫（S）、磷（P）或氮（N），m為0～2的整數。
如請求項1所述之氧化膜反應表面控制劑，其中，前述具有三個以上的含有孤電子對的元素物種的線型化合物為由化學式2表示的化合物， <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="118px" width="152px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在前述化學式2中，R''為氫、碳原子數為1～5的烷基、碳原子數為2～5的烯基或碳原子數為1～5的烷氧基，B為-OH、-OCH <sub>3</sub>、-OCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-CH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>、-SH、-SCH <sub>3</sub>或-SCH <sub>2</sub>CH <sub>3</sub>。
如請求項1所述之氧化膜反應表面控制劑，其中，前述氧化膜反應表面控制劑的折射率為1.365～1.48。
如請求項1所述之氧化膜反應表面控制劑，其中，前述氧化膜反應表面控制劑控制由選自Al、Si、Ti、V、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、La、Ce以及Nd的一種以上金屬的前體化合物形成的氧化膜的反應表面。
如請求項1所述之氧化膜反應表面控制劑，其中，前述氧化膜反應表面控制劑包含選自由化學式1-1至化學式1-3、化學式2-1至化學式2-3表示的化合物的一種以上化合物， <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="333px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式1-1] [化學式1-2] [化學式1-3] <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="243px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式2-1] [化學式2-2] [化學式2-3] 。
一種氧化膜形成方法，包括以下步驟： <br/>利用如請求項1至6中任一項所述之氧化膜反應表面控制劑對基板的表面進行處理；以及 <br/>對於經處理的前述基板，向腔室內依次注入前體化合物和反應氣體，以在所裝載的基板的表面形成氧化膜。
如請求項7所述之氧化膜形成方法，其中，前述腔室為原子層沉積（ALD）腔室、化學氣相沉積（CVD）腔室、電漿增強原子層沉積（PEALD）腔室或電漿增強化學氣相沉積（PECVD）腔室。
如請求項7所述之氧化膜形成方法，其中，在前述基板的表面處理步驟中，在20℃～800℃下，將前述氧化膜反應表面控制劑塗布到裝載於前述腔室內的基板上。
如請求項7所述之氧化膜形成方法，其中，前述氧化膜反應表面控制劑和前述前體化合物藉由氣相流量控制（VFC）方式、直接液體注入（DLI）方式或液體移送系統（LDS）方式被輸送到前述腔室內。
如請求項7所述之氧化膜形成方法，其中，前述氧化膜為氧化矽膜、氧化鈦膜、氧化鉿膜、氧化鋯膜、氧化鎢膜、氧化鋁膜、氧化鈮膜或氧化碲膜。
一種半導體基板，其包括由如請求項7所述之氧化膜形成方法製造的氧化膜。
如請求項12所述之半導體基板，其中，前述氧化膜為兩層或三層以上的多層結構。
一種半導體元件，其包括如請求項12所述之半導體基板。
一種儲存設備，其中，包括： <br/>儲存室，用於存儲物料，該物料包括粉末；該儲存室包括第一內腔、接收口、排放口和第一蓋體，該接收口和該排放口與該第一內腔連通，該第一蓋體能夠打開或封閉該接收口； <br/>殼體，該殼體包括第二內腔、第二蓋體和開口，該儲存室位於該第二內腔中，該排放口位於該第二內腔外，該開口與該第二內腔連通，該第二蓋體能夠打開或封閉該開口； <br/>真空泵，該真空泵與該第一內腔和該第二內腔均連通，用於對該第一內腔和該第二內腔進行抽氣，以獲得具有真空度的第一內腔和第二內腔。
如請求項1之儲存設備，其中，該儲存設備還包括穿過該第二蓋體且與該儲存室的該接收口連接的輸送管道。
如請求項1之儲存設備，其中，該儲存設備還包括第一管道和第二管道； <br/>該第一管道連接該真空泵和該第一內腔； <br/>該第二管道連接該真空泵和該第二內腔； <br/>該第一管道和/或該第二管道上設有過濾機構。
如請求項1之儲存設備，其中，該儲存設備還包括惰性氣體存儲罐、第三管道和第四管道； <br/>該第三管道連接該惰性氣體存儲罐和該第一內腔； <br/>該第四管道連接該惰性氣體存儲罐和該第二內腔。
如請求項4之儲存設備，其中，該儲存設備還包括設於該第二內腔中的加熱機構。
如請求項1之儲存設備，其中，該排放口處設有開度調節閥。
如請求項2之儲存設備，其中，該儲存室的數量有多個。
如請求項7之儲存設備，其中，該第二蓋體上設有添加口，該儲存設備還包括開蓋機構、移動機構和控制器，該控制器與該開蓋機構和該移動機構均連接； <br/>該開蓋機構控制該第一蓋體打開或關閉該接收口； <br/>多個該儲存室均設於該移動機構上，該移動機構帶動多個該儲存室移動而使得不同儲存室移動到該添加口的下方。
如請求項1之儲存設備，其中，該儲存設備還包括稱重機構，該稱重機構設於該排放口的下方。
如請求項9之儲存設備，其中，該儲存設備還包括放置於該殼體內的量杯。
一種基板製造治具，係在基板製造工序所使用的基板製造治具，該基板製造工序，係在第1基板和第2基板的接合面賦予接合構件，進行加熱而將基板彼此接合，<br/>該基板製造治具具備：<br/>環狀構件的治具主體部、<br/>在前述治具主體部的第1面側載置重物之複數個突起部、以及<br/>在前述治具主體部的第2面側設置成與前述第2基板的外形匹配且支承前述第2基板之複數個基板支承部，<br/>前述治具主體部之前述第2面安裝於前述第2基板的第1面，將載置於前述治具主體部之前述第1面側的重物之重量分散而施加於前述第2基板。
如請求項1之基板製造治具，其中，<br/>每個前述基板支承部都具有段差部，每個前述段差部都與前述第2基板的前述第1面之緣部接觸，而進行前述第2基板的定位。
如請求項1之基板製造治具，其中，<br/>在前述治具主體部之前述第2面上，在每個前述基板支承部的位置都設有第1螺孔，<br/>每個前述基板支承部都具備：在與前述第1螺孔對應的位置具有第2螺孔之主體部、對於前述第1螺孔和前述主體部之前述第2螺孔進行螺合之支承調整部，<br/>前述支承調整部螺合於前述第1螺孔及前述第2螺孔，藉此支承前述第2基板。
一種基板製造方法，係在第1基板和第2基板的接合面賦予接合構件，進行加熱而將基板彼此接合，<br/>在前述第2基板的第2面賦予前述接合構件，<br/>在前述第2基板的第1面安裝基板製造治具，該基板製造治具具備：環狀構件的治具主體部、在前述治具主體部的第1面側載置重物之複數個突起部、以及在前述治具主體部的第2面側設置成與前述第2基板的外形匹配且支承前述第2基板之複數個基板支承部，且使前述治具主體部的前述第2面與前述第2基板的前述第1面相對向，<br/>在前述第1基板的前述第1面賦予前述接合構件，<br/>在前述第1基板的前述第1面上，載置安裝有前述基板製造治具之前述第2基板，<br/>在前述基板製造治具的前述第1面載置重物，放入爐中進行加熱。
一種GLP-1受體促效劑司馬魯肽(semaglutide)的用途，其係用於製造用於治療失智症的醫藥品，其中該醫藥品係投予至有此需要的個體。
如請求項1所述的用途，其中該治療為降低發展失智症的風險。
如請求項1或2所述的用途，其中該失智症為失智症的所有形式和所有階段。
如請求項1或2所述的用途，其中該失智症為輕度認知障礙或阿茲海默症(Alzheimer’s disease)。
如請求項1或2所述的用途，其中該失智症選自於由臨床前阿茲海默症、阿茲海默症型輕度認知障礙、早發性家族性阿茲海默症和前驅性阿茲海默症組成之群組。
如請求項1或2所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑為投與該個體的唯一藥物活性成分。
如請求項1或2所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑係以皮下投與。
如請求項7所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑係以溶液或懸浮液形式投與。
如請求項8所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑係以包含至少90％的水且pH值範圍在7.0-9.0內的溶液形式投與。
如請求項1或2所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑係以口服投與。
如請求項10所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑係以錠劑形式投與。
如請求項10所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑以包含至少30% (w/w)之N-(8-(2-羥基苯甲醯基)胺基)辛酸鹽的錠劑形式投與。
如請求項12所述的用途，其中該N-(8-(2-羥基苯甲醯基)胺基)辛酸鹽是N-(8-(2-羥苯甲醯基)胺基)辛酸鈉（SNAC）。
如請求項1或2所述的用途，其中該GLP-1受體促效劑的投與為一種慢性治療，其中司馬魯肽係投與至少12個月。
如請求項14所述的用途，其中在所述慢性治療中，司馬魯肽係投與至少16個月。
如請求項14所述的用途，其中在所述慢性治療中，司馬魯肽係投與至少18個月。
一種GLP-1受體促效劑司馬魯肽的用途，其係用於製造用於治療失智症的醫藥品，其中該醫藥品係投予至有此需要的人類個體，且該個體患有代謝症候群。
如請求項17所述的用途，其中該代謝症候群為選自於由糖尿病前期、糖尿病、心血管疾病、肥胖和高血壓組成之群組之一或多種症狀。
如請求項17或18所述的用途，其中所述用途是如請求項1至16中任一項所定義者。
一種基板處理方法，其包含： <br/>液膜形成工序，其藉由一面使上述基板繞通過水平保持之基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，一面自IPA噴嘴朝向上述基板之上表面噴出IPA(異丙醇)，而以上述IPA之膜即液膜覆蓋上述基板之上述上表面之全域； <br/>孔形成工序，其於上述IPA噴嘴停止噴出上述IPA之狀態下，一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面自氣體噴嘴朝向上述基板之上述上表面之中央部噴出氣體，藉此將上述基板之上述上表面之上述中央部露出之露出孔形成於上述液膜之中央部； <br/>孔擴大工序，其於上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，上述IPA噴嘴停止噴出上述IPA，且上述氣體噴嘴朝向上述基板之上述上表面噴出氣體之狀態下，使上述氣體噴嘴自使從上述氣體噴嘴噴出之氣體向上述基板之上述上表面之上述中央部衝撞之氣體中心位置，水平移動至使自上述氣體噴嘴噴出之氣體向上述基板之上述上表面之外周部衝撞之氣體邊緣位置，藉此將上述露出孔之外緣擴大至上述基板之上述上表面之外周； <br/>攝影工序，其於在上述孔擴大工序中上述氣體噴嘴移動至上述氣體邊緣位置時，藉由使相機拍攝上述基板之上述上表面而使上述相機產生圖像；及 <br/>圖像判定工序，其基於上述圖像，判定於上述基板之上述上表面是否發生同心圓狀之干擾條紋、及隨著與上述旋轉軸線之距離增加而交替地重複溫度上升及降低之同心圓狀之溫度分佈之至少一者。
如請求項1之基板處理方法，其中上述圖像判定工序包含如下工序：藉由基於上述圖像判定於上述基板之上述上表面是否發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者，而判定是否於內側部分發生了上述IPA殘留的液體殘留，其中，該內側部分係較上述孔擴大工序中自上述氣體噴嘴噴出之氣體衝撞上述基板之上述上表面之衝撞位置靠上述旋轉軸線側之部分。
如請求項2之基板處理方法，其中上述孔擴大工序係使上述氣體噴嘴以噴嘴移動速度自上述氣體中心位置水平移動至上述氣體邊緣位置之工序，且 <br/>上述基板處理方法進而包含： <br/>速度維持工序，其於上述圖像判定工序中判定為發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者之情形時，不變更上述噴嘴移動速度，而一面使上述相機拍攝上述基板之上述上表面，一面使上述氣體噴嘴移動至上述氣體邊緣位置；及 <br/>速度變更工序，其於上述圖像判定工序中判定為發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者之後，於對其他基板進行上述孔擴大工序時變更上述噴嘴移動速度。
如請求項2之基板處理方法，其中上述圖像判定工序包含如下工序：藉由基於上述圖像判定於上述基板之上述上表面是否發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者，而判定是否發生了液體減少，且該液體減少為上述孔擴大工序中於上述氣體噴嘴到達上述氣體邊緣位置之前，於上述基板之上述上表面之上述外周部，上述液膜之厚度減少。
如請求項1之基板處理方法，其中上述圖像判定工序包含如下工序：藉由基於上述圖像判定於上述基板之上述上表面是否發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者，而判定是否發生了液體減少，且該液體減少為上述孔擴大工序中於上述氣體噴嘴到達上述氣體邊緣位置之前，於上述基板之上述上表面之上述外周部，上述液膜之厚度減少。
如請求項5之基板處理方法，其中上述孔擴大工序係使上述氣體噴嘴以噴嘴移動速度自上述氣體中心位置水平移動至上述氣體邊緣位置之工序，且 <br/>上述基板處理方法進而包含： <br/>速度維持工序，其於上述圖像判定工序中判定為發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者之情形時，不變更上述噴嘴移動速度，而一面使上述相機拍攝上述基板之上述上表面，一面使上述氣體噴嘴移動至上述氣體邊緣位置；及 <br/>速度變更工序，其於上述圖像判定工序中判定為發生上述干擾條紋與上述溫度分佈之至少一者之後，於對其他基板進行上述孔擴大工序時變更上述噴嘴移動速度。
如請求項1至6中任一項之基板處理方法，其中上述孔擴大工序中之上述氣體噴嘴之移動速度係較上述基板之上述上表面之上述外周部藉由上述基板之旋轉而自上述液膜露出之前，上述露出孔之外緣到達上述外周部之速度。
如請求項1至6中任一項之基板處理方法，其中上述孔擴大工序中之上述氣體噴嘴之移動速度設定為上述液膜與上述露出孔之外緣之邊界始終進入由上述氣體噴嘴形成之氛圍下。
一種基板處理方法，其包含： <br/>液膜形成工序，其藉由一面使上述基板繞通過水平保持之基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，一面自IPA噴嘴朝向上述基板之上表面噴出IPA(異丙醇)，而以上述IPA之膜即液膜覆蓋上述基板之上述上表面之全域； <br/>孔形成工序，其於上述IPA噴嘴停止噴出上述IPA之狀態下，一面使上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，一面自氣體噴嘴朝向上述基板之上述上表面之中央部噴出氣體，藉此將上述基板之上述上表面之上述中央部露出之露出孔形成於上述液膜之中央部； <br/>孔擴大工序，其於上述基板繞上述旋轉軸線旋轉，上述IPA噴嘴停止噴出上述IPA，且上述氣體噴嘴朝向上述基板之上述上表面噴出氣體之狀態下，使上述氣體噴嘴自使從上述氣體噴嘴噴出之氣體向上述基板之上述上表面之上述中央部衝撞之氣體中心位置，水平移動至使自上述氣體噴嘴噴出之氣體向上述基板之上述上表面之外周部衝撞之氣體邊緣位置，藉此將上述露出孔之外緣擴大至上述基板之上述上表面之外周；且 <br/>於x軸表示上述基板之旋轉速度，y軸表示上述氣體噴嘴之移動速度之xy座標系中，上述孔擴大工序中之上述基板之旋轉速度與上述氣體噴嘴之移動速度之組合，於上述基板之旋轉速度為300～2500 rpm(revolutions per minute)之範圍內，屬於以下由式(1)表示之線至由式(2)表示之線之區域， <br/>y=0.1209x+39･･･(1) <br/>y=0.0991x-10.65･･･(2)。
如請求項9之基板處理方法，其中於上述xy座標系中，上述孔擴大工序中之上述基板之旋轉速度與上述氣體噴嘴之移動速度之組合，於上述基板之旋轉速度為300～2500 rpm之範圍內，屬於由上述式(1)表示之線至由上述式(2)表示之線之區域、與以下由式(3)表示之線至由式(4)表示之線之區域重疊之區域， <br/>y=0.1209x+17.1･･･(3) <br/>y=0.1209x-21.35･･･(4)。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>基板固持器，其將基板水平保持； <br/>旋轉馬達，其使上述基板固持器所保持之上述基板繞通過上述基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉； <br/>IPA噴嘴，其於上述旋轉馬達使上述基板旋轉之狀態下，藉由朝向上述基板固持器所保持之上述基板之上表面噴出IPA(異丙醇)，而以上述IPA之膜即液膜覆蓋上述基板之上述上表面之全域； <br/>氣體噴嘴，其於上述旋轉馬達使上述基板旋轉，上述IPA噴嘴停止噴出上述IPA之狀態下，藉由朝向上述基板固持器所保持之上述基板之上述上表面之中央部噴出氣體，而將上述基板之上述上表面之上述中央部露出之露出孔形成於上述液膜之中央部； <br/>噴嘴致動器，其於上述旋轉馬達使上述基板旋轉，上述IPA噴嘴停止噴出上述IPA，且上述氣體噴嘴朝向上述基板固持器所保持之上述基板之上述上表面噴出氣體之狀態下，藉由使上述氣體噴嘴自使從上述氣體噴嘴噴出之氣體向上述基板之上述上表面之上述中央部衝撞之氣體中心位置，水平移動至自使上述氣體噴嘴噴出之氣體向上述基板之上述上表面之外周部衝撞之氣體邊緣位置，而將上述露出孔之外緣擴大至上述基板之上述上表面之外周； <br/>相機，其於上述氣體噴嘴移動至上述氣體邊緣位置時，藉由拍攝上述基板之上述上表面而產生圖像；及 <br/>控制裝置，其基於上述圖像，判定於上述基板之上述上表面是否發生同心圓狀之干擾條紋、及隨著與上述旋轉軸線之距離增加而交替地重複溫度上升及降低之同心圓狀之溫度分佈之至少一者。
一種處理卡匣，包含：<br/>框體；<br/>感光體鼓，被該框體所支撐，該感光體鼓可繞著其軸線旋轉，該感光體鼓包括(i)第一端部和(ii)與該第一端部反向的第二端部；<br/>耦合部，操作性地連接至該感光體鼓，以致驅動力可自該耦合部傳達至該感光體鼓，該耦合部可繞著其軸線旋轉，該耦合部被設置(i)在該感光體鼓的該第一端部，(ii)與該感光體鼓同軸線，和(iii)在該處理卡匣的一側，且該耦合部包括凸部；<br/>顯像滾輪，被該框體所支撐，該顯像滾輪可繞著其軸線旋轉；<br/>齒輪，該齒輪被設置在該處理卡匣的該側，該齒輪可繞著其軸線旋轉，該齒輪具有多個齒，且該等齒之至少部份的齒是未被該框體覆蓋並暴露至該處理卡匣之外側的被暴露齒，且該等被暴露齒中至少一者的頂部面向該感光體鼓的該軸線，<br/>其中當在該感光體鼓的軸線方向中測量時，相較於該耦合部之該凸部的端部與該感光體鼓的該第二端部的距離，該齒輪之該等被暴露齒中至少一部份被設置成更遠離該感光體鼓的該第二端部，<br/>其中當在該感光體鼓的該軸線方向中測量時，該齒輪之該等齒係短於該耦合部之該凸部，及<br/>其中當在沿著垂直於該感光體鼓之該軸線的直線中測量時，從該感光體鼓的該軸線至該等齒中至少一者之頂部的最短距離，是該感光體鼓之半徑長度的90%至110%。
如請求項1之處理卡匣，其中，該齒輪為平齒齒輪。
如請求項2之處理卡匣，其中，該平齒齒輪之該齒在沿著該平齒齒輪之軸線方向的長度中是1mm或更小。
如請求項1之處理卡匣，其中，該齒輪之該齒在沿著該齒輪之軸線方向的長度中是1mm或更小。
如請求項1之處理卡匣，另外包含：制動器，設置在該處理卡匣的該側，該制動器具有一表面，該表面在該感光體鼓的該軸線方向中延伸且面向該感光體鼓的該軸線。
如請求項1之處理卡匣，其中，該框體包括在該處理卡匣之該側的縫隙，該縫隙在下述兩方向中連通至該框體的外側：(i)在垂直於該感光體鼓之該軸線的第一方向中，和(ii)在垂直於該第一方向的第二方向中，及<br/>其中，當該處理卡匣被定向使得該感光體鼓的該軸線位在該齒輪之該軸線的上方時，該縫隙連通至朝向該處理卡匣的頂側。
如請求項6之處理卡匣，其中，該等被暴露齒中至少一者面向該縫隙。
如請求項6之處理卡匣，其中，相較於該耦合部之該凸部的該端部與該感光體鼓的該第二端部的距離，該縫隙之至少一部份被設置成更遠離該感光體鼓的該第二端部。
如請求項6之處理卡匣，其中，該縫隙垂直於該感光體鼓的該軸線方向。
如請求項1之處理卡匣，其中，該齒輪被設置成與該顯像滾輪同軸線。
如請求項1之處理卡匣，其中，該框體包括：<br/>第一框體，支撐該感光體鼓；及<br/>第二框體，支撐該顯像滾輪。
一種處理卡匣，包含：<br/>框體；<br/>感光體鼓，被該框體所支撐，該感光體鼓可繞著其軸線旋轉，該感光體鼓包括(i)第一端部和(ii)與該第一端部反向的第二端部；<br/>耦合部，操作性地連接至該感光體鼓，以致驅動力可自該耦合部傳達至該感光體鼓，該耦合部可繞著其軸線旋轉，該耦合部被設置(i)在該感光體鼓的該第一端部，(ii)與該感光體鼓同軸線，和(iii)在該處理卡匣的一側，且該耦合部包括凸部；<br/>顯像滾輪，被該框體所支撐，該顯像滾輪可繞著其軸線旋轉；<br/>平齒齒輪，設置在該處理卡匣的該側，該平齒齒輪可繞著其軸線旋轉，該平齒齒輪具有多個齒，且該等齒之至少部份的齒是未被該框體覆蓋並暴露至該處理卡匣之外側的被暴露齒，且該等被暴露齒中至少一者的頂部面向該感光體鼓的該軸線，<br/>其中在該平齒齒輪的軸線方向中，該平齒齒輪的該齒之長度係足夠短以咬合印表機之斜齒齒輪的齒，<br/>其中當在該感光體鼓的軸線方向中測量時，相較於該耦合部之該凸部的端部與該感光體鼓的該第二端部的距離，該齒輪之該等被暴露齒中至少一部份被設置成更遠離該感光體鼓的該第二端部，及<br/>其中當在沿著垂直於該感光體鼓之該軸線的直線中測量時，從該感光體鼓的該軸線至該等齒中至少一者之頂部的最短距離，是該感光體鼓之半徑長度的90%至110%。
如請求項12之處理卡匣，其中，該平齒齒輪之該齒在沿著該平齒齒輪之該軸線方向的長度中是1mm或更小。
如請求項12之處理卡匣，另外包含：制動器，設置在該處理卡匣的該側，該制動器具有一表面，該表面在該感光體鼓的該軸線方向中延伸且面向該感光體鼓的該軸線。
如請求項12之處理卡匣，其中，該框體包括在該處理卡匣之該側的縫隙，該縫隙在下述兩方向中連通至該框體的外側：(i)在垂直於該感光體鼓之該軸線的第一方向中，和(ii)在垂直於該第一方向的第二方向中，及<br/>其中，當該處理卡匣被定向使得該感光體鼓的該軸線位在該齒輪之該軸線的上方時，該縫隙連通至朝向該處理卡匣的頂側。
如請求項15之處理卡匣，其中，該等被暴露齒中至少一者面向該縫隙。
如請求項15之處理卡匣，其中，相較於該耦合部之該凸部的該端部與該感光體鼓的該第二端部的距離，該縫隙之至少一部份被設置成更遠離該感光體鼓的該第二端部。
如請求項15之處理卡匣，其中，該縫隙垂直於該感光體鼓的該軸線方向。
如請求項12之處理卡匣，其中，該齒輪被設置成與該顯像滾輪同軸線。
如請求項12之處理卡匣，其中，該框體包括：<br/>第一框體，支撐該感光體鼓；及<br/>第二框體，支撐該顯像滾輪。
一種處理卡匣，包含：<br/>框體；<br/>感光體鼓，被該框體所支撐，該感光體鼓可繞著其軸線旋轉，該感光體鼓包括(i)第一端部和(ii)與該第一端部反向的第二端部；<br/>耦合部，操作性地連接至該感光體鼓，以致驅動力可自該耦合部傳達至該感光體鼓，該耦合部可繞著其軸線旋轉，該耦合部被設置(i)在該感光體鼓的該第一端部，(ii)與該感光體鼓同軸線，和(iii)在該處理卡匣的一側，且該耦合部包括凸部；<br/>顯像滾輪，被該框體所支撐，該顯像滾輪可繞著其軸線旋轉；<br/>齒輪，該齒輪被設置在該處理卡匣的該側，該齒輪可繞著其軸線旋轉，該齒輪具有多個齒，且該等齒之至少部份的齒是未被該框體覆蓋並暴露至該處理卡匣之外側的被暴露齒，且該等被暴露齒中至少一者的頂部面向該感光體鼓的該軸線，<br/>其中當在該感光體鼓的軸線方向中測量時，相較於該耦合部之該凸部的端部與該感光體鼓的該第二端部的距離，該齒輪之該等被暴露齒中至少一部份被設置成更遠離該感光體鼓的該第二端部，<br/>其中該齒輪之該齒在沿著該齒輪之軸線方向的長度中是1mm或更小，及<br/>其中當在沿著垂直於該感光體鼓之該軸線的直線中測量時，從該感光體鼓的該軸線至該等齒中至少一者之頂部的最短距離，是該感光體鼓之半徑長度的90%至110%。
如請求項21之處理卡匣，其中，該齒輪為平齒齒輪。
如請求項21之處理卡匣，另外包含：制動器，設置在該處理卡匣的該側，該制動器具有一表面，該表面在該感光體鼓的該軸線方向中延伸且面向該感光體鼓的該軸線。
如請求項21之處理卡匣，其中，該框體包括在該處理卡匣之該側的縫隙，該縫隙在下述兩方向中連通至該框體的外側：(i)在垂直於該感光體鼓之該軸線的第一方向中，和(ii)在垂直於該第一方向的第二方向中，及<br/>其中，當該處理卡匣被定向使得該感光體鼓的該軸線位在該齒輪之該軸線的上方時，該縫隙連通至朝向該處理卡匣的頂側。
如請求項24之處理卡匣，其中，該等被暴露齒中至少一者面向該縫隙。
如請求項24之處理卡匣，其中，相較於該耦合部之該凸部的該端部與該感光體鼓的該第二端部的距離，該縫隙之至少一部份被設置成更遠離該感光體鼓的該第二端部。
如請求項24之處理卡匣，其中，該縫隙垂直於該感光體鼓的該軸線方向。
如請求項21之處理卡匣，其中，該齒輪被設置成與該顯像滾輪同軸線。
如請求項21之處理卡匣，其中，該框體包括：<br/>第一框體，支撐該感光體鼓；及<br/>第二框體，支撐該顯像滾輪。
一種製造一半導體裝置的方法，包含以下步驟： <br/>在一基板上方形成包含一光阻劑組合物的一光阻劑層； <br/>形成包含一漂浮添加劑聚合物的一漂浮添加劑層， <br/>其中該漂浮添加劑聚合物包括一側基氟取代有機基團及以下各者中的一或多者：一側基酸產生基團、一側基鹼基團、一側基酸不穩定基團、一側基發色基團、一側基顯影劑溶解度促進劑基團，及一側基酸擴散控制基團，且該側基氟取代有機基團具有C6至C20芳基； <br/>使該光阻劑層選擇性地暴露至光化輻射以形成一潛藏圖案；及 <br/>顯影該選擇性暴露之光阻劑層以在該光阻劑層中形成一圖案。
如請求項1所述之製造該半導體裝置的方法，其中該光阻劑層在一真空腔室中形成。
如請求項1所述之製造該半導體裝置的方法，其中該漂浮添加劑聚合物在形成該光阻劑層的步驟之前經添加至該光阻劑組合物。
如請求項1所述之製造該半導體裝置的方法，進一步包含以下步驟：在選擇性地暴露該光阻劑層至光化輻射之前加熱該光阻劑層處於範圍為40℃至300℃的一溫度。
如請求項1所述之製造該半導體裝置的方法，其中該漂浮添加劑聚合物包含該側基顯影劑溶解度促進劑基團。
一種製造一半導體裝置的方法，包含以下步驟： <br/>在一基板上方形成包含一光阻劑組合物的一光阻劑層， <br/>其中該光阻劑組合物包含： <br/>一第一聚合物； <br/>一光敏化合物；及 <br/>一第二聚合物，其包括一側基氟取代有機基團及以下各者中的一或多者：一側基酸產生基團、一側基鹼基團、一側基酸不穩定基團、一側基發色基團、一側基顯影劑溶解度促進劑基團，及一側基酸擴散控制基團，且該側基氟取代有機基團具有C6至C20芳基； <br/>使該第二聚合物漂浮於該第一聚合物及該光敏化合物上方以在該光阻劑層上方形成一漂浮層； <br/>經由該漂浮層使該光阻劑層選擇性地暴露至光化輻射以在該光阻劑層中形成一潛藏圖案；及 <br/>使該潛藏圖案顯影以在該光阻劑層中形成一圖案。
如請求項6所述之製造該半導體裝置的方法，其中該漂浮層在該顯影該潛藏圖案的步驟期間移除。
如請求項6所述之製造該半導體裝置的方法，其中該第二聚合物包含該側基酸產生基團及該側基酸不穩定基團。
一種堆疊式結構，包含: <br/>安置於一基板上方的一光阻劑層； <br/>安置於該光阻劑層上方的一漂浮添加劑層，其中該光阻劑層包含一光阻劑聚合物及一光敏化合物； <br/>該漂浮添加劑層包含一漂浮添加劑聚合物， <br/>其中該漂浮添加劑聚合物包括一側基氟取代有機基團及以下各者中的一或多者：一側基酸產生基團、一側基鹼基團、一側基酸不穩定基團、一側基發色基團、一側基顯影劑溶解度促進劑基團，及一側基酸擴散控制基團，且該側基氟取代有機基團具有C6至C20芳基， <br/>其中該漂浮添加劑聚合物及該光阻劑聚合物係不同聚合物。
如請求項9所述之堆疊式結構，進一步包含安置於該基板與該光阻劑層之間的一光阻劑底層，其中該光阻劑底層包含該漂浮添加劑聚合物。
一種輸入/輸出連接器，包括：<br/> 一背殼，具有容置在其內的連接器電子器件，所述背殼包括一近端和一遠端，其中，所述背殼的一頂表面包括位於所述近端的至少一個第一空氣入口，以及所述背殼的一底表面包括位於所述近端的至少一個第二空氣入口，所述至少一個第一空氣入口和所述至少一個第二空氣入口一起形成在所述近端與所述背殼的遠端處的一開口之間的一對流路徑；<br/> 一熱分散器，連結於位於所述背殼內的一產熱元件；以及<br/> 一熱介面材料，連結於所述熱分散器，其中，所述熱分散器和所述熱介面材料中的至少一者位於所述對流路徑內。
根據請求項1所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述產熱元件包括位於所述輸入/輸出連接器的背殼內的處理線路。
根據請求項1所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱分散器為一第一熱分散器，以及所述產熱元件為一第一產熱元件；以及<br/> 所述輸入/輸出連接器還包括一第二熱分散器，所述第二熱分散器連結於位於所述背殼內的一第二產熱元件。
根據請求項3所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱介面材料為位於所述第一熱分散器上的一第一熱介面材料部分；以及<br/> 所述輸入/輸出連接器包括位於所述第二熱分散器上的一第二熱介面材料部分。
根據請求項4所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述第一熱介面材料部分接近所述背殼的一第一側位於所述第一熱分散器上；以及<br/> 所述第二熱介面材料部分接近所述背殼的與所述第一側相反的一第二側位於所述第二熱分散器上。
根據請求項5所述的輸入/輸出連接器，還包括：<br/> 一阻風板，熱連結於所述第一熱分散器和所述第二熱分散器。
根據請求項5所述的輸入/輸出連接器，還包括：<br/> 導熱的脂，位於所述第一熱分散器與所述第一熱介面材料部分之間和所述第二熱分散器與所述第二熱介面材料部分之間。
根據請求項1所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱分散器包括一熱分散器本體，所述熱分散器本體具有延伸穿過所述熱分散器本體的至少一個穿孔，所述熱分散器本體由一導熱材料形成。
根據請求項1所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述背殼由一導熱材料形成。
一種輸入/輸出連接器，包括：<br/> 一背殼，具有容置在其內的連接器電子器件，所述背殼包括一近端和一遠端，其中，所述背殼包括位於所述近端的限定所述近端與所述背殼的遠端處的一開口之間的一對流路徑的至少一個空氣入口；<br/> 一熱分散器，連結於位於所述背殼內的一產熱元件；以及<br/> 一熱介面材料，連結於所述熱分散器，其中，所述熱分散器和所述熱介面材料中的至少一者位於所述對流路徑內。
根據請求項10所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述空氣入口是多個空氣入口中的一個，所述多個空氣入口的一第一子集位於所述背殼的一頂表面，以及所述多個空氣入口的一第二子集位於所述背殼的一底表面上。
根據請求項10所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述產熱元件是位於所述輸入/輸出連接器的背殼內的所述連接器電子器件的一微晶片。
根據請求項10所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱分散器為一第一熱分散器，以及所述產熱元件為一第一產熱元件；以及<br/> 所述輸入/輸出連接器還包括一第二熱分散器，所述第二熱分散器連結於位於所述背殼內的一第二產熱元件。
根據請求項13所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱介面材料為位於所述第一熱分散器上的一第一熱介面材料部分；以及<br/> 所述輸入/輸出連接器包括位於所述第二熱分散器上的一第二熱介面材料部分。
根據請求項14所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述第一熱介面材料部分接近所述背殼的一第一側位於所述第一熱分散器上；以及<br/> 所述第二熱介面材料部分接近所述背殼的與所述第一側相反的一第二側位於所述第二熱分散器上。
根據請求項15所述的輸入/輸出連接器，還包括：<br/> 一阻風板，連結於所述第一熱分散器和所述第二熱分散器，配置成導引外部空氣穿過所述對流路徑。
根據請求項15所述的輸入/輸出連接器，還包括：<br/> 導熱的脂，位於所述第一熱分散器與所述第一熱介面材料部分之間和所述第二熱分散器與所述第二熱介面材料部分之間。
根據請求項10所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱分散器包括一熱分散器本體，所述熱分散器本體具有延伸穿過所述熱分散器本體的至少一個穿孔，所述熱分散器本體由一導熱材料形成。
根據請求項10所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述背殼由一導熱材料形成。
根據請求項10所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 所述熱分散器為位於一第一微晶片上的一第一熱分散器，所述第一微晶片處於所述輸入/輸出連接器的一基板的一頂表面上；以及<br/> 所述輸入/輸出連接器包括位於一第二微晶片上的一第二熱分散器，所述第二微晶片處於所述輸入/輸出連接器的所述基板的一底表面上。
根據請求項20所述的輸入/輸出連接器，其中，<br/> 一第一熱介面材料部分接近所述背殼的一第一側位於所述第一熱分散器上；以及<br/> 一第二熱介面材料部分接近所述背殼的與所述第一側相反的一第二側位於所述第二熱分散器上。
一種用於無線通訊的使用者裝備(User Equipment, UE)，包含：<br/>一記憶體；以及<br/>一或多個處理器，其與該記憶體耦合，被配置以進行以下動作：<br/>向一網路節點傳送一位元映像，該位元映像相關聯於一發射預編碼矩陣指示符(Transmit Precoding Matrix Indicators, TPMI)集合，其中該TMPI集合中的每一者TMPI支援根據該UE的一功率等級的用於上行鏈路通訊的一最大發射功率，並且其中支援該最大發射功率的該TPMI集合中的至少一個TPMI不由該位元映像的任何個體位元來表示，並且該位元映像與該UE的發射鏈和該UE的發射天線之間的連接是否可重配置有關；並且<br/>使用包括在該TPMI集合中的一第一TPMI並且使用與使用該第一TPMI的傳輸相關聯的一功率分配規程，來傳送一上行鏈路。
如請求項1所述之UE，其中當該UE包括兩個發射鏈時，該位元映像的長度為2位元。
如請求項1所述之UE，其中當該UE包括兩個發射鏈，並且在發射鏈與發射天線之間的對應連接不可重配置時，該位元映像的長度為2位元。
如請求項1所述之UE，其中該至少一個TPMI包含一TPMI，在該TPMI中該UE的所有發射鏈都被使用。
如請求項1所述之UE，其中該位元映像中的每一者位元對應於一單層TPMI。
如請求項1所述之UE，其中該至少一個TMPI包含一多層TPMI。
如請求項1所述之UE，其中當該UE包括四個發射鏈，並且在發射鏈與發射天線之間的對應連接不可重配置時，該位元映像的長度為11位元。
如請求項1所述之UE，其中由該UE指示的該TPMI集合包括少於支援該UE的該最大發射功率的所有TPMI的TPMI。
如請求項1所述之UE，其中在該UE僅具有兩條發射鏈並且能夠組合天線埠以使用該最大發射功率來傳送上行鏈路通訊的情況下，要求該UE使用僅該UE的一第一發射鏈來支援該最大發射功率。
如請求項1所述之UE，其中當該UE包括四個發射鏈，並且在發射鏈與發射天線之間的對應連接可重配置時，該位元映像的長度為3位元。
如請求項1所述之UE，其中當該一或多個處理器更進一步被配置以向該網路節點傳送指示在該UE的發射鏈以及該UE的發射天線之間的連接是否可重配置的一指示。
一種由一使用者裝備(UE)所進行的無線通訊方法，包含以下步驟：<br/>向一網路節點傳送一位元映像，該位元映像相關聯於一發射預編碼矩陣指示符(TPMI)集合，其中該TMPI集合中的每一者TMPI支援根據該UE的一功率等級的用於上行鏈路通訊的一最大發射功率，並且其中支援該最大發射功率的該TPMI集合中的至少一個TPMI不由該位元映像的任何個體位元來表示，並且該位元映像與該UE的發射鏈和該UE的發射天線之間的連接是否可重配置有關；並且<br/>使用包括在該TPMI集合中的一第一TPMI並且使用與使用該第一TPMI的傳輸相關聯的一功率分配規程，來傳送一上行鏈路。
如請求項12所述之UE，其中當該UE包括兩個發射鏈時，該位元映像的長度為2位元。
如請求項12所述之UE，其中當該UE包括兩個發射鏈，並且在發射鏈與發射天線之間的對應連接不可重配置時，該位元映像的長度為2位元。
如請求項12所述之UE，其中該至少一TPMI包含一TPMI，在該TPMI中該UE的所有發射鏈都被使用。
如請求項12所述之UE，其中該位元映像中的每一者位元對應於一單層TPMI。
如請求項12所述之UE，其中該至少一個TMPI包含一多層TPMI。
如請求項12所述之UE，其中當該UE包括四個發射鏈，並且在發射鏈與發射天線之間的對應連接不可重配置時，該位元映像的長度為11位元。
如請求項12所述之UE，其中由該UE指示的該TPMI集合包括少於支援該UE的該最大發射功率的所有TPMI的TPMI。
如請求項12所述之UE，其中在該UE僅具有兩條發射鏈並且能夠組合天線埠以使用該最大發射功率來傳送上行鏈路通訊的情況下，要求該UE使用僅該UE的一第一發射鏈來支援該最大發射功率。
如請求項12所述之UE，其中當該UE包括四個發射鏈，並且在發射鏈與發射天線之間的對應連接可重配置時，該位元映像的長度為3位元。
如請求項12所述之UE，其中當該一或多個處理器更進一步被配置以向該網路節點傳送指示在該UE的發射鏈以及該UE的發射天線之間的連接是否可重配置的一指示。
一種用於無線通訊的網路節點，包含：<br/>一記憶體；以及<br/>一或多個處理器，其與該記憶體耦合，被配置以進行以下動作：<br/>從一使用者裝備(UE)接收一位元映像，該位元映像相關聯於一發射預編碼矩陣指示符(TPMI)集合，其中該TMPI集合中的每一者TMPI支援根據該UE的一功率等級的用於上行鏈路通訊的一最大發射功率，並且其中支援該最大發射功率的該TPMI集合中的至少一個TPMI不由該位元映像的任何個體位元來表示，並且該位元映像與該UE的發射鏈和該UE的發射天線之間的連接是否可重配置有關；並且<br/>向該UE傳送一指令，以使用該最大發射功率以及該TPMI集合中所包括的一TPMI來進行傳送。
如請求項23所述之網路節點，其中支援該最大發射功率的該TPMI集合包括比由該UE使用該位元映像顯式地指示為支援該最大發射功率的TPMI的數目更多的TPMI。
如請求項23所述之網路節點，其中該至少一個TPMI包括一TPMI，在該TPMI中該UE的所有發射鏈都被使用。
如請求項23所述之網路節點，其中該至少一個TPMI包括一單層TPMI。
一種由一網路節點所進行的無線通訊方法，包含以下步驟：<br/>從一使用者裝備(UE)接收一位元映像，該位元映像相關聯於一發射預編碼矩陣指示符(TPMI)集合，其中該TMPI集合中的每一者TMPI支援根據該UE的一功率等級的用於上行鏈路通訊的一最大發射功率，並且其中支援該最大發射功率的該TPMI集合中的至少一個TPMI不由該位元映像的任何個體位元來表示，並且該位元映像與該UE的發射鏈和該UE的發射天線之間的連接是否可重配置有關；並且<br/>向該UE傳送一指令，以使用該最大發射功率以及該TPMI集合中所包括的一TPMI來進行傳送。
如請求項27所述之方法，其中支援該最大發射功率的該TPMI集合包括比由該UE使用該位元映像顯式地指示為支援該最大發射功率的TPMI的數目更多的TPMI。
如請求項27所述之方法，其中該至少一個TPMI包括一TPMI，在該TPMI中該UE的所有發射鏈都被使用。
如請求項27所述之方法，其中該至少一個TPMI包括一單層TPMI。
一種延長線內之插座單元，係用來設置在一延長線內，該延長線內部具有一交流轉直流單元用以連接於市電，且該延長線具有一開關，該延長線內之插座單元包含有：<br/> 一電路板，具有一第一市電接點、一第二市電接點、一第一直流接點以及一第二直流接點，該第一及第二市電接點用以電性連接市電，該第一及第二直流接點用以電性連接該交流轉直流單元所具有的用來輸出直流電源之一正電壓端及一接地端；<br/> 一第一插座夾及一第二插座夾，設於該電路板，其中該第一插座夾電性連接於該第一市電接點；以及<br/> 一繼電器，具有一第一控制端、一第二控制端、一第一導通端及一第二導通端，該第一控制端與該第一直流接點係用以電性連接或不電性連接於該開關，該第二控制端則係電性連接於該第二直流接點，該第一導通端係電性連接於該第二市電接點，該第二導通端係電性連接於該第二插座夾；<br/> 其中，在該第一控制端與該第一直流接點電性連接於該開關時，當該開關切換為導通時，該第一及第二控制端即與該交流轉直流單元之該正電壓端及該接地端導通而通電，而使該第一導通端與該第二導通端導通，該第一及該第二插座夾即分別與該第一及第二市電接點電性連接；在該開關切換為不導通時，該第一及第二控制端即沒有通過直流電，該第一及第二導通端即不導通，該第二市電接點即不與該第二插座夾導通；<br/> 其中，該電路板更具有一第一換路導線以及一第二換路導線，該第一換路導線具有兩端，一端電性連接於該第二市電接點，另一端則用以電性連接或不電性連接於該開關，該第二換路導線具有兩端，一端電性連接該第二插座夾，另一端則用以電性連接或不電性連接於該開關；在該第一及第二換路導線電性連接於該開關時，該第一控制端與該第一直流接點係不電性連接於該開關；在該第一及第二換路導線不電性連接於該開關時，該第一控制端與該第一直流接點係電性連接於該開關。
依據請求項1所述之延長線內之插座單元，其中：該開關係選自一觸控開關或一手動開關。
依據請求項1所述之延長線內之插座單元，其中：該第一及第二換路導線係藉由端子插頭與端子插座的插拔方式設置於該電路板；該第一控制端與該第一直流接點與該開關連接的方式亦藉由端子插頭與端子插座的插拔方式設置於該電路板。
一種具有請求項1所述插座單元之延長線，包含有：<br/> 一殼體；<br/> 一交流轉直流單元，設於該殼體內；<br/> 複數開關，設於該殼體；以及<br/> 複數如請求項1所述之插座單元，每兩兩該插座單元之該第一及第二市電接點係彼此電性連接；<br/> 其中，該複數開關與該複數插座單元係以一對一的方式配置；<br/> 其中，該電路板更具有一第一換路導線以及一第二換路導線，該第一換路導線具有兩端，一端電性連接於該第二市電接點，另一端則用以電性連接或不電性連接於該開關，該第二換路導線具有兩端，一端電性連接該第二插座夾，另一端則用以電性連接或不電性連接於該開關；在該第一及第二換路導線電性連接於該開關時，該第一控制端與該第一直流接點係不電性連接於該開關；在該第一及第二換路導線不電性連接於該開關時，該第一控制端與該第一直流接點係電性連接於該開關。
依據請求項4所述之延長線，其中：各該開關係選自一觸控開關或一手動開關。
依據請求項4所述之延長線，其中：該第一及第二換路導線係藉由端子插頭與端子插座的插拔方式設置於該電路板；該第一控制端與該第一直流接點與該開關連接的方式亦藉由端子插頭與端子插座的插拔方式設置於該電路板。
一種堆疊結構的接合層的設計方法，包括：<br/> 提供第一堆疊結構，所述第一堆疊結構由多個晶圓堆疊且接合而成，其中所述第一堆疊結構具有多個晶粒區、多個接合測試區以及切割道，所述切割道將所述多個晶粒區分隔開，且所述多個接合測試區位於所述切割道中，其中所述第一堆疊結構的所述多個接合測試區各自包括測試線路，所述第一堆疊結構的所述測試線路包括由所述多個晶圓的接合墊彼此接合而構成的導電接合結構，其中所述第一堆疊結構的所述多個晶圓在各所述多個接合測試區中的所述接合墊具有不同的設計參數；<br/> 分別對所述第一堆疊結構的所述多個接合測試區的所述測試線路進行電性測量；以及<br/> 藉由所述電性測量的結果判斷所述第一堆疊結構的所述多個晶粒區中的所述接合墊的可用設計參數範圍。
如請求項1所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中所述接合墊的所述設計參數包括形狀、尺寸和/或間距。
如請求項1所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中所述第一堆疊結構包括：<br/> 第一晶圓，包括：<br/> 多個第一晶粒區；<br/> 第一切割道，所述第一切割道將所述多個第一晶粒區分隔開；以及<br/> 多個第一接合測試區，位於所述第一切割道中，其中所述多個第一接合測試區包括第一區及第二區，所述第一區包括多個第一接合墊，所述第二區包括多個第二接合墊；以及<br/> 第二晶圓，包括：<br/> 多個第二晶粒區；<br/> 第二切割道，所述第二切割道將所述多個第二晶粒區分隔開；以及<br/> 多個第二接合測試區，位於所述第二切割道中，其中所述多個第二接合測試區包括第三區及第四區，所述第三區包括多個第三接合墊，所述第四區包括多個第四接合墊，<br/> 其中在所述第二晶圓的所述多個第二晶粒區中的接合墊與在所述第一晶圓的所述多個第一晶粒區中對應的接合墊接合，在所述第二晶圓的所述第三區中的所述多個第三接合墊與在所述第一晶圓的所述第一區中的所述多個第一接合墊接合而構成第一測試線路，且在所述第二晶圓的所述第四區中的所述多個第四接合墊與在所述第一晶圓的所述第二區中的所述多個第二接合墊接合而構成第二測試線路。
如請求項3所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中所述多個第一接合墊與所述多個第三接合墊基本上具有相同的形狀、尺寸及間距，所述多個第二接合墊與所述多個第四接合墊具有基本上相同的形狀、尺寸及間距。
如請求項3所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中所述第一測試線路往來於所述第一晶圓的所述第一區與所述第二晶圓的所述第三區之間，所述第二測試線路往來於所述第一晶圓的所述第二區與所述第二晶圓的所述第四區之間。
如請求項3所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中當所述第一測試線路的電性表現在目標範圍內，所述多個第一接合墊或所述多個第三接合墊的設計參數適用於所述多個第一晶粒區或所述多個第二晶粒區的所述接合墊。
如請求項3所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中所述第二接合測試區更包括：<br/> 第二導電層，設置於所述多個第三接合墊之上；以及<br/> 第二導電通孔，設置於所述第二導電層與所述多個第三接合墊之間，以將所述第二導電層與所述多個第三接合墊電性連接，<br/> 其中所述第一接合測試區更包括：<br/> 第一導電層，設置於所述多個第一接合墊之上；以及<br/> 第一導電通孔，設置於所述第一導電層與所述多個第一接合墊之間，以將所述第一導電層與所述多個第一接合墊電性連接，<br/> 其中所述第一測試線路由所述第一導電層、所述第一導電通孔、所述多個第一接合墊、所述多個第二接合墊、所述第二導電通孔以及所述第二導電層構成。
如請求項1所述的堆疊結構的接合層的設計方法，更包括：<br/> 提供多個第二堆疊結構，所述多個第二堆疊結構的每一個由第三晶圓及第四晶圓堆疊且接合而成，其中所述多個第二堆疊結構是在不同製程條件下進行接合製程形成的；<br/> 分別對所述多個第二堆疊結構的多個接合測試區的測試線路進行電性測量；以及<br/> 藉由所述多個第二堆疊結構的所述電性測量的結果判斷所述第一堆疊結構的接合製程的製程窗口。
如請求項8所述的堆疊結構的接合層的設計方法，其中所述製程條件包括接合溫度、接合偏移量以及對接合墊表面預處理的射頻功率。
如請求項1所述的堆疊結構的接合層的設計方法，更包括：<br/> 提供多個第三堆疊結構，所述多個第三堆疊結構的每一個是由不同數量的晶圓堆疊且接合而成的；<br/> 分別對所述多個第三堆疊結構的多個接合測試區的測試線路進行電性測量；以及<br/> 藉由所述多個第三堆疊結構的所述電性測量的結果判斷所述第一堆疊結構的可堆疊的晶圓數量範圍。
一種堆疊結構，包括：<br/> 第一晶圓，包括：<br/> 多個第一晶粒區；<br/> 第一切割道，所述第一切割道將所述多個第一晶粒區分隔開；以及<br/> 多個第一接合測試區，位於所述第一切割道中，其中所述多個第一接合測試區包括第一區及第二區，所述第一區包括多個第一接合墊，所述第二區包括多個第二接合墊；以及<br/> 第二晶圓，包括：<br/> 多個第二晶粒區；<br/> 第二切割道，所述第二切割道將所述多個第二晶粒區分隔開；以及<br/> 多個第二接合測試區，位於所述第二切割道中，其中所述多個第二接合測試區包括第三區及第四區，所述第三區包括多個第三接合墊，所述第四區包括多個第四接合墊，<br/> 其中在所述第二晶圓的所述多個第二晶粒區中的接合墊與在所述第一晶圓的所述多個第一晶粒區中對應的接合墊直接接觸，在所述第二晶圓的所述第三區中的所述多個第三接合墊與在所述第一晶圓的所述第一區中的所述多個第一接合墊直接接觸，且在所述第二晶圓的所述第四區中的所述多個第四接合墊與在所述第一晶圓的所述第二區中的所述多個第二接合墊直接接觸，<br/> 其中所述多個第一接合墊的設計參數與所述多個第二接合墊的設計參數不同。
如請求項11所述的堆疊結構，其中所述多個第一接合墊的形狀與所述多個第二接合墊的形狀不同。
如請求項11所述的堆疊結構，其中所述多個第一接合墊的尺寸與所述多個第二接合墊的尺寸不同。
如請求項11所述的堆疊結構，其中所述多個第一接合墊的間距與所述多個第二接合墊的間距不同。
如請求項11所述的堆疊結構，更包括：<br/> 第一測試線路，往來於所述第一晶圓的所述第一區與所述第二晶圓的所述第三區之間；以及<br/> 第二測試線路，往來於所述第一晶圓的所述第二區與所述第二晶圓的所述第四區之間。
一種半導體元件結構，包括：<br/> 第一電晶體元件與第二電晶體元件，包括位於基底的表層處且彼此緊鄰的第一接觸結構與第二接觸結構；以及<br/> 隔離結構，在該基底中延伸於該第一接觸結構與該第二接觸結構之間，且具有相對於該隔離結構的縱向延伸的主體部而橫向地向外凸出的至少一側向凸出結構，其中該至少一側向凸出結構至少部分地位於該第一接觸結構與該第二接觸結構下方，其中該隔離結構包括絕緣填充材料以及襯覆於該絕緣填充材料的側壁與底面的絕緣襯層，該至少一側向凸出結構內具有延伸於該絕緣填充材料與該絕緣襯層之間的空氣間隙。
如請求項1所述的半導體元件結構，其中該隔離結構的該至少一側向凸出結構整體位於該第一接觸結構與該第二接觸結構下方。
如請求項1所述的半導體元件結構，其中該隔離結構的該至少一側向凸出結構的最頂端高於該第一接觸結構與該第二接觸結構的底端。
如請求項1所述的半導體元件結構，其中該隔離結構的該至少一側向凸出結構包括沿垂直方向排列的第一側向凸出結構與位於該第一側向凸出結構下方的第二側向凸出結構，且該第一側向凸出結構的寬度大於該第二側向凸出結構的寬度。
一種半導體元件結構的製造方法，包括：<br/> 在基底中形成隔離結構，其中該隔離結構具有相對於該隔離結構的縱向延伸的主體部而橫向地向外凸出的至少一側向凸出結構；以及<br/> 在該隔離結構的兩側形成第一電晶體元件與第二電晶體元件，其中該第一電晶體元件與該第二電晶體元件包括位於該基底的表層處且藉由該隔離結構間隔開的第一接觸結構與第二接觸結構，其中該隔離結構的該至少一側向凸出結構至少部分地位於該第一接觸結構與該第二接觸結構下方，其中該隔離結構包括絕緣填充材料以及襯覆於該絕緣填充材料的側壁與底面的絕緣襯層，該至少一側向凸出結構內具有延伸於該絕緣填充材料與該絕緣襯層之間的空氣間隙。
如請求項5所述的半導體元件結構的製造方法，其中形成該隔離結構的方法包括：<br/> 在該基底的表面形成溝渠；<br/> 沿著該溝渠的側壁形成遮罩層；<br/> 進行等向性蝕刻，使得該溝渠的底部向外擴展為球狀部；<br/> 從該球狀部的底部往下蝕刻該基底；<br/> 移除該遮罩層；以及<br/> 在該溝渠內填入該隔離結構。
如請求項6所述的半導體元件結構的製造方法，其中在該溝渠內填入該隔離結構包括：<br/> 沿著該溝渠的表面形成絕緣襯層；以及<br/> 在該溝渠中填入絕緣填充材料。
如請求項5所述的半導體元件結構的製造方法，其中形成該隔離結構的方法包括：<br/> 在該基底的表面形成溝渠；<br/> 沿著該溝渠的側壁形成遮罩層；<br/> 進行第一等向性蝕刻，使得該溝渠的底部向外擴展為第一球狀部；<br/> 從該第一球狀部的底部往下蝕刻該基底；<br/> 進行第二等向性蝕刻，使得第一球狀部進一步往外擴展，且使得該溝渠目前的底部向外擴展為第二球狀部；<br/> 移除該遮罩層；以及<br/> 在該溝渠內填入該隔離結構。
一種訂單資訊處理方法，其係藉由電子裝置而執行者，其包括： <br/>顯示將複數個訂單資訊分別包括作要素之清單之步驟； <br/>顯示用以對上述清單進行排列之索引按鈕之步驟；及 <br/>響應於對上述索引按鈕進行之用戶輸入，根據與上述索引按鈕對應之排列基準而對上述清單中所包括之上述複數個訂單資訊進行排列之步驟， <br/>其中顯示上述清單之步驟包括如下步驟： <br/>響應於對用以將上述複數個訂單資訊中之兩個以上整合而生成擴展訂單資訊進行之用戶手勢，顯示整合有至少一部分之資料項目共通之上述第1訂單資訊及上述第2訂單資訊之擴展訂單資訊， <br/>其中上述至少一部分之資料項目共通包括相同顧客、類似配送目的地、類似所訂購之食品之名稱及相同配送員中之至少一者。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中上述複數個訂單資訊分別將顧客資訊、配送平台名稱、訂單類型、所訂購之食品之名稱、訂單受理時間、配送員之分配狀態、配送員之到達時間、剩餘烹製時間及訂單之處理狀態中之至少一者包括作資料項目。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中顯示上述清單之步驟包括如下步驟： <br/>以與上述複數個訂單資訊分別對應之訂單受理時間為上述排列基準而對上述複數個訂單資訊進行排列來顯示。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中上述擴展訂單資訊係響應於對訂單資訊擴展按鈕進行之用戶輸入而獲得，及 <br/>上述擴展訂單資訊中所包括之第1訂單資訊及第2訂單資訊係至少一部分之資料項目共通。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中顯示上述索引按鈕之步驟包括： <br/>對第1索引按鈕之第1選擇次數及第2索引按鈕之第2選擇次數進行計數之步驟；及 <br/>對上述第1選擇次數與上述第2選擇次數進行比較而調整上述第1索引按鈕及上述第2索引按鈕之顯示順序之步驟。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中顯示上述索引按鈕之步驟包括： <br/>響應於對第1索引按鈕及第2索引按鈕進行之用戶手勢，顯示整合有上述第1索引按鈕及上述第2索引按鈕之擴展索引按鈕。
如請求項6之訂單資訊處理方法，其中上述複數個訂單資訊進行排列之步驟包括： <br/>響應於對上述擴展索引按鈕進行之用戶輸入，以與上述擴展索引按鈕對應之擴展排列基準來對上述清單中所包括之上述複數個訂單資訊進行排列之步驟，及 <br/>上述擴展排列基準係基於與上述第1索引按鈕對應之第1排列基準及與上述第2索引按鈕對應之第2排列基準之加權總合而確定。
如請求項7之訂單資訊處理方法，其中與藉由上述用戶手勢而最初選擇之上述第1索引按鈕對應之第1加權值高於其次選擇之上述第2索引按鈕對應之第2加權值。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中顯示上述索引按鈕之步驟包括顯示與特殊排列基準對應之特殊索引按鈕之步驟，及 <br/>對上述複數個訂單資訊進行排列之步驟包括：響應於對上述特殊索引按鈕進行之用戶輸入，於醒目區域顯示基於上述特殊排列基準而區分之特殊單資訊之步驟。
如請求項9之訂單資訊處理方法，其中上述醒目區域為始終顯示於上述清單之固定之一區域之區域。
如請求項9之訂單資訊處理方法，其中將上述特殊訂單資訊顯示於上述醒目區域之步驟包括如下步驟： <br/>若上述特殊訂單資訊之個數為基準個數以上，則顯示與上述醒目區域對應之警報。
如請求項9之訂單資訊處理方法，其中將上述特殊訂單資訊顯示於上述醒目區域之步驟包括： <br/>顯示與上述特殊訂單資訊對應之事件操作按鈕之步驟。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中上述排列基準係基於顧客資訊、配送平台名稱、訂單類型、所訂購之食品之名稱、訂單受理時間、配送員之分配狀態、配送員之到達時間、剩餘烹製時間及訂單之處理狀態之加權總和。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中對上述複數個訂單資訊進行排列之步驟包括如下步驟： <br/>於上述清單之第1區域顯示第1尺寸之訂單資訊，於上述清單之第2區域顯示第2尺寸之訂單資訊， <br/>其中上述第2區域為位於上述第1區域之下端之區域，及 <br/>上述第2尺寸小於上述第1尺寸。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其中對上述複數個訂單資訊進行排列之步驟包括如下步驟： <br/>若獲得新訂單資訊，則以與上述索引按鈕對應之排列基準而實時排列包括上述新訂單資訊之複數個訂單資訊。
如請求項1之訂單資訊處理方法，其進而包括： <br/>將排列有上述複數個訂單資訊之清單傳輸至廚房之終端之步驟。
一種電子裝置，其包括： <br/>處理器； <br/>網路介面； <br/>顯示器； <br/>記憶體；及 <br/>電腦程式，其加載(load)於上述記憶體，藉由上述處理器而執行； <br/>上述電腦程式包括： <br/>顯示將複數個訂單資訊分別包括作要素之清單之指令(instruction)； <br/>顯示用以對上述清單進行排列之索引按鈕之指令；及 <br/>響應於對上述索引按鈕進行之用戶輸入，以與上述索引按鈕對應之排列基準而對上述清單中所包括之上述複數個訂單資訊進行排列之指令， <br/>其中顯示上述清單之上述指令包括： <br/>響應於對用以將上述複數個訂單資訊中之兩個以上整合而生成擴展訂單資訊進行之用戶手勢，顯示整合有至少一部分之資料項目共通之上述第1訂單資訊及上述第2訂單資訊之擴展索引按鈕之指令。
如請求項17之電子裝置，其中上述排列基準係基於顧客資訊、配送平台名稱、訂單類型、所訂購之食品之名稱、訂單受理時間、配送員之分配狀態、配送員之到達時間、剩餘烹製時間及訂單之處理狀態之加權總和。
如請求項17之電子裝置，其中上述電腦程式進而包括： <br/>將排列有上述複數個訂單資訊之清單傳輸至廚房之終端之指令。
一種電容器檢測結構，包括： <br/>晶片，具有切割道；以及 <br/>檢測用結構，設置於該晶片的該切割道上，其中該檢測用結構包括： <br/>線路，設置於該晶片的該切割道中； <br/>多個電容下電極，位於該晶片的該切割道上，該多個電容下電極的第一部分與該線路相連，該多個電容下電極的第二部分不與該線路相連； <br/>高介電常數介電層，位於該多個電容下電極的外側壁與內側壁上；以及 <br/>支撐結構，連接每個該電容下電極的頂部側壁並具有多個開口，且該支撐結構的頂面不具有該高介電常數介電層。
如請求項1所述的電容器檢測結構，其中該線路包括沿X方向延伸的多條導線以及沿Y方向延伸的多條導線。
如請求項1所述的電容器檢測結構，其中每個該電容下電極的該頂部具有高低差，且該支撐結構位於該頂部較高的部分上。
如請求項3所述的電容器檢測結構，其中每個該電容下電極的頂面不具有該高介電常數介電層。
一種電容器檢測方法，包括： <br/>提供一晶片； <br/>在該晶片的切割道形成檢測用結構；以及 <br/>對該檢測用結構進行電子束檢測，其中 <br/>形成該檢測用結構的方法包括： <br/>在該晶片的該切割道中形成線路； <br/>在該晶片的該切割道上依序形成至少一氧化層與至少一氮化矽層； <br/>在該至少一氧化層與該至少一氮化矽層中形成多個穿孔，該多個穿孔的第一部分露出部分該線路，該多個穿孔的第二部分未露出該線路； <br/>沉積導電材料，以覆蓋該多個穿孔的側面與該至少一氮化矽層的表面； <br/>在該至少一氮化矽層中形成多個開口，並暴露出部分該至少一氧化層，其中留下的該至少一氮化矽層成為支撐結構； <br/>移除至少一該氧化層； <br/>移除該支撐結構的頂面上的該導電材料，其中留下的該導電材料成為檢測用的多個電容下電極； <br/>在該支撐結構、該多個電容下電極的外側壁與內側壁上，整面沉積高介電常數介電層；以及 <br/>蝕刻去除該支撐結構的該頂面上的該高介電常數介電層。
如請求項5所述的電容器檢測方法，其中蝕刻去除該支撐結構的該頂面上的該高介電常數介電層的方法是使用時間模式(time mode)控制蝕刻的終止。
如請求項6所述的電容器檢測方法，其中在移除該氧化層之後，更包括對該切割道上的該多個電容下電極進行電子束檢測。
如請求項7所述的電容器檢測方法，其中在對該多個電容下電極進行該電子束檢測之後，進行形成該高介電常數介電層的步驟。
如請求項5所述的電容器檢測方法，其中在蝕刻去除該支撐結構的該頂面上的該高介電常數介電層之前，更包括在該切割道以外的該晶片上形成圖案化光阻。
如請求項5所述的電容器檢測方法，其中在蝕刻去除該支撐結構的該頂面上的該高介電常數介電層之後，更包括進行灰化與清潔製程。
一種自鎖結構，包括： <br/>一上鎖緊機構，該上鎖緊機構包括： <br/>一固定部，該固定部包括一耳部； <br/>一活動部，該活動部包括一翼部及一上卡扣，該翼部連接該上卡扣；及 <br/>一接合部，其中該固定部及該活動部之間以該接合部連接，該接合部具有彈性，使得該活動部能夠以該接合部為軸而遠離或靠近該固定部；及 <br/>一下鎖緊機構，該下鎖緊機構包括： <br/>一下卡扣；及 <br/>一臂部，該臂部連接該下卡扣，且該臂部鉸接於該固定部的該耳部及該活動部的該翼部。
如請求項1所述之自鎖結構，其中，當該活動部以該接合部為軸而遠離該固定部時，該活動部的該翼部帶動該下鎖緊機構的該臂部，使得該下鎖緊機構相對於該耳部樞轉。
如請求項1所述之自鎖結構，其中，當該活動部以該接合部為軸而遠離該固定部時，該上卡扣與該下卡扣遠離彼此。
如請求項1所述之自鎖結構，進一步包括一第一鉸接件及一第二鉸接件，且其中該臂部包括設置於其中的一條形孔洞及一圓形孔洞，該第一鉸接件穿過該條形孔洞使該臂部與該翼部鉸接，且該第二鉸接件穿過該圓形孔洞使該臂部與該耳部鉸接，且該第一鉸接件能夠於該條形孔洞中移動。
一種用於一USB接頭的自鎖結構，該自鎖結構包括： <br/>一殼體，該殼體形成一腔室能夠接收所插入之該USB接頭； <br/>一上鎖緊機構，該上鎖緊機構包括： <br/>一固定部，該固定部包括一耳部，該固定部固定至該殼體； <br/>一活動部，該活動部包括一翼部及一上卡扣，該翼部連接該上卡扣；及 <br/>一接合部，其中該固定部及該活動部之間以該接合部連接，該接合部具有彈性，使得該活動部能夠以該接合部為軸而遠離或靠近該固定部；及 <br/>一下鎖緊機構，該下鎖緊機構包括： <br/>一下卡扣；及 <br/>一臂部，該臂部連接該下卡扣，且該臂部鉸接於該固定部的該耳部及該活動部的該翼部。
如請求項5所述之自鎖結構，其中該腔室能夠接收一USB-A類型的接頭。
如請求項5所述之自鎖結構，其中，當該活動部以該接合部為軸而遠離該固定部時，該活動部的該翼部帶動該下鎖緊機構的該臂部，使得該下鎖緊機構相對於該耳部樞轉。
如請求項5所述之自鎖結構，其中，當該活動部以該接合部為軸而遠離該固定部時，該上卡扣與該下卡扣遠離彼此。
如請求項5所述之自鎖結構，其中，當該活動部以該接合部為軸而遠離該固定部時，該上卡扣及該下卡扣分別遠離插入該腔室中的該USB接頭。
如請求項5所述之自鎖結構，進一步包括一第一鉸接件及一第二鉸接件，且其中該臂部包括設置於其中的一條形孔洞及一圓形孔洞，該第一鉸接件穿過該條形孔洞使該臂部與該翼部鉸接，且該第二鉸接件穿過該圓形孔洞使該臂部與該耳部鉸接，且該第一鉸接件能夠於該條形孔洞中移動。
如請求項5所述之自鎖結構，其中該殼體包括一上殼體表面及相對於該上殼體表面的一下殼體表面，該上殼體表面包括穿過其中的一上槽孔，該下殼體表面包括穿過其中的一下槽孔。
如請求項11所述之自鎖結構，其中，當該USB接頭插入該腔室時，該上卡扣及該下卡扣能夠分別通過該上槽孔及該下槽孔而扣住該USB接頭。
如請求項5所述之自鎖結構，其中該翼部包括一第一翼部部分及一第二翼部部分，該第一翼部部分與該第二翼部部分彼此垂直以形成一L形形狀，其中當該USB接頭未插入該腔室時，該第一翼部部分垂直於該耳部，且該第二翼部部分平行於該耳部。
如請求項5所述之自鎖結構，其中該上卡扣及該下卡扣分別具有一傾斜表面，該傾斜表面順著該USB接頭插入的一方向傾斜。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一機殼，包括由一邊框圍繞而成的一視窗口；<br/> 一光學模組，設置於該機殼內且包含：<br/> 一光學組件；<br/> 一反射片，較該光學組件遠離該視窗口，該反射片設有多個透光孔，該些透光孔位於該視窗口投影至該反射片上的一可視區域內；以及<br/> 一接收器組件，位於該反射片遠離該光學組件的一側，且該接收器組件對應於該些透光孔設置；以及<br/> 一顯示面板，設置於該機殼內且較該光學組件靠近該視窗口。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些透光孔位於該反射片的中心區域。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些透光孔呈陣列排列。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該些透光孔中最鄰近之二者的中心間距不大於1.0mm。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該些透光孔的孔徑不小於0.6mm且不大於0.8mm。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該接收器組件的接收範圍投影至該反射片上的區域與該些透光孔圍繞的區域重疊，且該接收器組件的接收範圍投影至該反射片上的區域的面積小於該些透光孔圍繞的區域的面積。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該反射片包含一主體部及一附接部，該主體部設有一鏤空區，該附接部附接於該主體部，該些透光孔設置於該附接部上，且該些透光孔對應於該鏤空區。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該反射片包含一主體部，該些透光孔直接設置於該主體部。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該些透光孔於該反射片圍繞出一透光孔設置區，該透光孔設置區為多邊形區域，該些透光孔之其中二者位於該透光孔設置區外且位於該透光孔設置區的相對二側，該些透光孔之其他者位於該透光孔設置區內。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該機殼包含一外殼及一支撐架，該支撐架固定於該外殼內，該支撐架包括一第一表面、一第二表面及一讓位孔，該第一表面面向該視窗口且背對於該第二表面，該讓位孔貫穿該第一表面及該第二表面，該反射片設置於該支撐架的該第一表面上，該光學模組更包含一組裝架，該接收器組件透過該組裝架固定於該支撐架的該第二表面上，且該接收器組件透過該讓位孔對應於該反射片的該些透光孔。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該接收器組件為紅外線接收器組件。
一種光學模組，包含：<br/> 一光學組件；<br/> 一反射片，位於該光學組件的一側，該反射片設有多個透光孔，該些透光孔位於該反射片的一可視區域內；以及<br/> 一接收器組件，位於該反射片遠離該光學組件的一側，且該接收器組件對應於該些透光孔。
如請求項12所述之光學模組，其中該些透光孔位於該反射片的中心區域。
如請求項12所述之光學模組，其中該些透光孔呈陣列排列。
如請求項14所述之光學模組，其中該些透光孔中最鄰近之二者的中心間距不大於1.0mm。
如請求項14所述之光學模組，其中該些透光孔的孔徑不小於0.6mm且不大於0.8mm。
如請求項12所述之光學模組，其中該接收器組件的接收範圍投影至該反射片上的區域與該些透光孔圍繞的區域重疊，且該接收器組件的接收範圍投影至該反射片上的區域的面積小於該些透光孔圍繞的區域的面積。
如請求項12所述之光學模組，其中該反射片包含一主體部及一附接部，該主體部設有一鏤空區，該附接部附接於該主體部，該些透光孔設置於該附接部上，且該些透光孔對應於該鏤空區。
如請求項12所述之光學模組，其中該反射片包含一主體部，該些透光孔直接設置於該主體部。
一種光學模組，適於與一接收器組件配合，包含：<br/> 一光學組件；以及<br/> 一反射片，位於該光學組件的一側，該反射片設有多個透光孔，該些透光孔位於該反射片的一可視區域內，該接收器組件適於透過該些透光孔接收光。
一種片狀的測試插座，設置在半導體設備與檢查裝置之間，使所述半導體設備的端子與所述檢查裝置的板通電，所述測試插座包括：<br/> 下部絕緣片，在與所述檢查裝置的板對應的每個位置形成有貫通孔；<br/> 導電部陣列，在所述下部絕緣片的每個貫通孔形成的多個導電部排列成多個導電部行和多個導電部列，每一個導電部由彈性物質內的密集多個導電粒子構成；<br/> 絕緣部，由矽橡膠形成，設置以填充所述導電部陣列的多個導電部之間的空間，用於支撐所述導電部陣列；以及<br/> 散熱部件，與所述導電部列平行地設置在所述導電部陣列中位於相鄰的兩個導電部列之間的絕緣部內部，該絕緣部填充於導電部陣列中兩個相鄰的導電部列之間，用於收集從所述相鄰的兩個導電部列產生的熱量。
如請求項1之測試插座，其中，所述散熱部件包括冷卻部件，所述冷卻部件與所述導電部列平行地插入並設置在位於所述相鄰的兩個導電部列之間的絕緣部內部，且沿著所述導電部陣列的外圍延伸。
如請求項2之測試插座，其中，所述散熱部件還包括冷卻部件，所述冷卻部件與所述導電部行平行地插入並設置在所述導電部陣列中位於相鄰的兩個導電部行之間的絕緣部內部，沿著所述導電部陣列的外圍延伸。
如請求項2或3之測試插座，其中，所述冷卻部件通過風冷方式冷卻。
如請求項2或3之測試插座，其中，所述冷卻部件為中空型金屬管和金屬桿中的至少一種。
如請求項5之測試插座，其中，所述冷卻部件為銅、鋁、銀、金及這些的合金中的一種。
如請求項1之測試插座，其中，還包括框架，所述框架層疊在所述下部絕緣片上，形成有使所述導電部陣列和所述絕緣部通過的開口。
如請求項7之測試插座，其中，<br/> 所述散熱部件包括散熱器，所述散熱器層疊在所述框架上，形成有使所述導電部陣列的多個導電部列分別通過的多個開口，<br/> 所述散熱器包括多個冷卻銷，所述冷卻銷向位於所述導電部陣列的相鄰的兩個導電部列之間的絕緣部的內部突出，與所述導電部列平行地設置，所述冷卻銷沿所述框架的外圍延伸。
如請求項8之測試插座，其中，所述散熱器通過風冷方式冷卻。
如請求項8之測試插座，其中，所述散熱器向插座引導件延伸並與所述插座引導件相接觸，從而向所述插座引導件傳遞從所述散熱器收集的熱量。
如請求項10之測試插座，其中，所述插座引導件通過風冷式冷卻裝置及水冷式冷卻裝置中的一種冷卻。
如請求項8之測試插座，其中，所述多個冷卻銷並不與所述相鄰的兩個導電部列接觸。
如請求項8之測試插座，其中，所述多個冷卻銷被絕緣塗敷，且與所述相鄰的兩個導電部列相接觸。
如請求項8之測試插座，其中，所述散熱器為銅、鋁、銀、金及這些的合金中的一種。
如請求項8之測試插座，其中，所述散熱器為含有金屬粒子的混合片。
如請求項15之測試插座，其中，所述混合片為將銅、鋁、氧化鐵中的一種混合在矽膠的混合片。
如請求項8之測試插座，其中，所述散熱器為含有碳基散熱材料的混合片。
如請求項17之測試插座，其中，所述混合片為將碳奈米管（CNT）、石墨烯及石墨中的一種混合在矽膠的片。
如請求項8之測試插座，其中，所述冷卻銷的高度為所述絕緣部的高度的30％～60％。
一種半導體記憶裝置，包括：<br/> 一半導體基板，其具有一主動區與圍繞該主動區的一隔離區；<br/> 一蓋層，設置於該半導體基板上；以及<br/> 複數個位元線，設置於該半導體基板上，其中每個位元線包括：<br/> 一第一導電圖案，設置於該半導體基板上；<br/> 一第二導電圖案，設置於該第一導電圖案上；以及<br/> 一介電圖案，設置於該第二導電圖案上，其中該第一導電圖案的側壁內縮於該第二導電圖案的側壁；<br/> 一介電襯層，沿著該第一導電圖案的兩側設置，其中該介電襯層具有一突出部，該突出部更延伸至該第一導電圖案下方，其中該突出部與設置於該半導體基板上的該第一導電圖案的底部間隔。
如請求項1所述之半導體記憶裝置，其中該第一導電圖案的寬度小於該第二導電圖案的寬度。
如請求項1所述之半導體記憶裝置，其中在該第一導電圖案的側壁與該第二導電圖案的側壁之間具有一距離。
如請求項1所述之半導體記憶裝置，其中在該隔離區的每個位元線的該第一導電圖案設置於該蓋層上。
如請求項1所述之半導體記憶裝置，其中在該主動區的每個位元線的該第一導電圖案穿過該蓋層並接觸該半導體基板。
一種半導體記憶裝置的形成方法，包括：<br/> 提供一半導體基板，該半導體基板具有一主動區與圍繞該主動區的一隔離區；<br/> 形成一蓋層於該半導體基板上；<br/> 形成複數個位元線於該半導體基板上；<br/> 氧化每個位元線的一部分以形成一氧化層，其中每個位元線都包括：<br/> 一第一導電圖案，設置於該半導體基板上；<br/> 一第二導電圖案，設置於該第一導電圖案上；以及<br/> 一介電圖案，設置於該第二導電圖案上，<br/> 其中氧化每個位元線的該部分以形成該氧化層包括：氧化該第一導電圖案的側表面，而不氧化該第二導電圖案的側表面；<br/> 去除該氧化層；以及<br/> 形成一介電襯層於該些位元線上，其中該介電襯層具有一突出部，該突出部更延伸至該第一導電圖案下方，其中該突出部與設置於該半導體基板上的該第一導電圖案的底部間隔。
如請求項6所述之半導體記憶裝置的形成方法，更包括：氧化該半導體基板的一暴露表面，其中氧化該半導體基板的該暴露表面與氧化每個位元線的該部分是同時進行。
如請求項6所述之半導體記憶裝置的形成方法，其中該氧化層的寬度與該第二導電圖案的寬度之比例為1:15-2:15。
如請求項6所述之半導體記憶裝置的形成方法，其中形成該些位元線於該半導體基板包括：<br/> 沉積一預定位元線層於該蓋層；以及<br/> 圖案化該預定位元線層以形成複數個位元線。
一種會員取消管理方法，通過至少一個處理器執行，其中，包括如下步驟： <br/>提供羅列多個取消原因的調查表（survey list）頁面； <br/>接收用於選擇包含在所述調查表頁面的多個取消原因中的至少一個的第一用戶輸入； <br/>響應於接收所述第一用戶輸入，分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料；以及 <br/>基於所分析的所述顧客信息資料向目標頁面輸出用戶的會員優惠信息， <br/>其中， <br/>所選擇的所述取消原因為對會員會費的不滿， <br/>分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料的步驟包括如下步驟： <br/>通過包含在所述顧客信息資料的用戶的會員優惠計算節省金額；以及 <br/>判斷所述節省金額是否為所述會員會費以上， <br/>其中，基於所分析的所述顧客信息資料來在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於判斷為所述節省金額小於所述會員會費，輸出比較所述會員會費和當利用會員優惠時能夠節省的金額的第二信息。
如請求項1之會員取消管理方法，其中，在接收所述第一用戶輸入的步驟與分析所述用戶的顧客信息資料的步驟之間還包括如下步驟：在所述調查表頁面上輸出與所選擇的所述取消原因有關的會員優惠引導信息。
如請求項1之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料來在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於判斷為所述節省金額為所述會員會費以上，輸出比較所述會員會費和所述節省金額的第一信息。
如請求項3之會員取消管理方法，其中， <br/>所述第一信息還包含羅列包含在所計算的所述節省金額的多個節省優惠項目的第一微件， <br/>所述會員取消管理方法還包括如下步驟：響應於接收用於選擇所述第一微件的第二用戶輸入，提供羅列對每個所述節省優惠項目的說明的頁面。
如請求項1之會員取消管理方法，其中， <br/>所選擇的所述取消原因為對會員專享折扣優惠較少的不滿， <br/>分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料的步驟包括如下步驟： <br/>計算包含在所述顧客信息資料的用戶的會員專享折扣優惠金額；以及 <br/>判斷所述折扣優惠金額是否為門檻金額以上。
如請求項5之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於判斷為所述折扣優惠金額為所述門檻金額以上，輸出比較會員會費和所述折扣優惠金額的第三信息。
如請求項6之會員取消管理方法，其中，所述第三信息還包含羅列包含在所計算的所述折扣優惠金額的多個折扣優惠項目的第二微件。
如請求項5之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟： <br/>響應於判斷為所述折扣優惠金額小於所述門檻金額，確定在作為虛擬商品保存庫的購物車中是否包含能夠適用所述折扣優惠的商品；以及 <br/>響應於確定為所述購物車中包含能夠適用所述折扣優惠的商品，輸出包含在所述購物車的商品中與能夠適用所述折扣優惠的至少一個商品有關的第四信息。
如請求項5之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟： <br/>響應於判斷為所述折扣優惠金額小於所述門檻金額，在包含在所述顧客信息資料的購買記錄所包括的商品中，確定購買次數大於閾值的商品列表中是否包括能夠適用所述折扣優惠的商品；以及 <br/>響應於確定為所述商品列表中包括能夠適用所述折扣優惠的商品，輸出與包含在所述商品列表的商品中能夠適用所述折扣優惠的至少一個商品有關的第4_1信息。
如請求項1之會員取消管理方法，其中， <br/>所述會員提供第一服務及第二服務， <br/>所選擇的所述取消原因為對所述第一服務的利用次數較少的不滿， <br/>分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料的步驟包括如下步驟：判斷是否利用包含在所述顧客信息資料的用戶的第二服務。
如請求項10之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料來在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於判斷為用戶利用所述第二服務，輸出將包含在所述第二服務的顧客信息資料的會員優惠換算成金額或時間的第五信息。
如請求項10之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料來在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於判斷為用戶未使用所述第二服務，基於包含在所述顧客信息資料的顧客信息輸出表示當利用所述第二服務時能夠享受的所述會員優惠的第六信息。
如請求項1之會員取消管理方法，其中， <br/>所選擇的所述取消原因為不需要免費配送或快速配送優惠， <br/>分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料的步驟包括如下步驟： <br/>判斷包含在所述顧客信息資料的購買記錄所包括的商品中是否存在購買次數大於閾值的商品；以及 <br/>響應於判斷為所述購買記錄中存在購買次數大於閾值的商品，確定所述商品中是否包括適用所述免費配送或快速配送優惠的商品。
如請求項13之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料來在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於確定為所述商品中包括適用所述免費配送或快速配送優惠的商品，輸出適用所述免費配送或快速配送優惠的商品中建議重新購買至少一個商品的第七信息。
如請求項1之會員取消管理方法，其中， <br/>所選擇的所述取消原因為不需要免費配送或快速配送優惠， <br/>分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶額顧客信息資料的步驟包括如下步驟： <br/>確定包含在所述顧客信息資料的購買記錄所包括的商品中是否存在購買次數大於閾值的商品；以及 <br/>響應於確定為購買記錄所包括的商品中不存在購買次數大於閾值的商品，選擇與能夠適用所述免費配送或快速配送優惠的商品有關的信息，或者通過所述免費配送或快速配送優惠計算用戶節省的配送費。
如請求項15之會員取消管理方法，其中，基於所分析的所述顧客信息資料在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：輸出表示與能夠適用所述免費配送或快速配送優惠的商品有關的信息的第八信息，或者輸出比較會員會費及所計算的用戶節省的所述配送費的第九信息。
一種計算機可讀記錄介質，其中，存儲用於在計算機中運行如請求項1至16中任一項之會員取消管理方法的計算機程序。
一種電子裝置，對會員取消進行管理，其中， <br/>包括： <br/>通信模塊； <br/>存儲器，存儲計算機可讀的至少一個程序；以及 <br/>至少一個處理器，與所述存儲器相連接，用於運行所述至少一個程序， <br/>所述至少一個程序包括執行如下步驟的指令： <br/>提供羅列多個取消原因的調查表（survey list）頁面； <br/>接收用於選擇包含在所述調查表頁面的多個取消原因中的至少一個的第一用戶輸入； <br/>響應於接收所述第一用戶輸入，分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料；以及 <br/>基於所分析的所述顧客信息資料向目標頁面輸出用戶的會員優惠信息， <br/>其中， <br/>所選擇的所述取消原因為對會員會費的不滿， <br/>分析與所選擇的所述取消原因有關的用戶的顧客信息資料的步驟包括如下步驟： <br/>通過包含在所述顧客信息資料的用戶的會員優惠計算節省金額；以及 <br/>判斷所述節省金額是否為所述會員會費以上， <br/>其中，基於所分析的所述顧客信息資料來在目標頁面輸出用戶的會員優惠信息的步驟包括如下步驟：響應於判斷為所述節省金額小於所述會員會費，輸出比較所述會員會費和當利用會員優惠時能夠節省的金額的第二信息。
一種蒸飯機清洗系統，包括：<br/> 一蒸飯箱，包括一殼體與一加熱器；該殼體的兩側具有二側板；該殼體的內部具有一容置空間；該加熱器設置於該殼體內且位於該容置空間的下側；<br/> 複數個蒸飯槽，分別包括一槽體與一螺旋輸送器；各該槽體固定於該殼體且位於該容置空間；各該槽體的上方具有一槽體入口；該些蒸飯槽係沿一重力方向間隔地排列，各該槽體的兩端分別固定於所述的二個側板的內壁，且各該槽體兩端的其中一端係封閉端，各該槽體的封閉端具有一排水孔，於各該排水孔連接一排水管；各該螺旋輸送器包括一螺桿與一馬達；各該螺桿穿置於各該槽體內，各該馬達結合於該殼體且連結各該螺桿；以及<br/> 一清洗裝置，包括設置於該殼體的一第一清洗結構以及一第二清洗結構；該第一清洗結構具有至少一第一噴水管，該至少一第一噴水管位於該容置空間且設置於該至少一槽體的一側，該至少一第一噴水管具有複數個第一噴頭，該些第一噴頭朝向該至少一槽體內；該第二清洗結構具有至少一第二噴水管，該至少一第二噴水管位於該容置空間且設置於該至少一槽體的另一側，該至少一第二噴水管具有複數個第二噴頭，該些第二噴頭朝向該至少一槽體內。
如請求項1所述之蒸飯機清洗系統，其中該殼體的一側具有至少一米飯排放口，於該至少一米飯排放口設置至少一槽蓋；該至少一槽體的一端為封閉端，另一端連通該至少一米飯排放口。
如請求項2所述之蒸飯機清洗系統，其中該殼體具有複數個所述的米飯排放口，該些米飯排放口係沿一重力方向間隔地排列；該至少一蒸飯槽包括複數個蒸飯槽，該些蒸飯槽係沿該重力方向間隔地排列；該至少一第一噴水管包括複數個第一噴水管，該些第一噴水管係沿該重力方向間隔地排列，且最上方除外的各該第一噴水管位於其對應的該槽體上方的另一槽體旁；該至少一第二噴水管包括複數個第二噴水管，該些第二噴水管係沿該重力方向間隔地排列，且最上方除外的各該第二噴水管位於其對應的該槽體上方的另一槽體旁。
如請求項1所述之蒸飯機清洗系統，其中各該槽體係截斷面為U形的管體，於各該槽體的上緣連接一斗部。
如請求項1所述之蒸飯機清洗系統，其中各該排水管連接一排水孔抽水裝置，於各該排水孔抽水裝置與各該排水管之間設置一開關閥。
如請求項1所述之蒸飯機清洗系統，其中各該第一噴水管一端係封閉端且另一端穿置於所述二個側板的其中之一，該些第一噴水管的另一端共同連接於一第一匯流管；各該第二噴水管的一端係封閉端且另一端穿置於另一個側板，該些第二噴水管連接於一第二匯流管。
如請求項6所述之蒸飯機清洗系統，其中該第一匯流管連接於一加壓送水裝置；該第二匯流管連接於另一加壓送水裝置。
如請求項1所述之蒸飯機清洗系統，其中於所述的二個側板的上緣之間連接一頂板，於所述的二個側板與該頂板之間連接一周板；於該周板的下側設置一排水口，於該排水口設置一排水閥。
如請求項8所述之蒸飯機清洗系統，其中於所述的二個側板的上緣之間連接一頂板，於所述的二個側板與該頂板之間連接一周板；於該周板的下側設置一排水口，於該排水口連接一排水口抽水裝置。
一種分階段將熱到達增強護套放置於井筒中的方法，包括：<br/> 將一熱到達增強混合物泵送至井筒的環形空間中；<br/> 其中，該熱到達增強混合物包含複數個熱到達增強（TRE）粒子及可懸浮該些粒子的一載體液體；<br/> 使熱到達增強粒子於井筒的環形空間中沉降；<br/> 可選地，從熱到達增強混合物中移除該載體液體；<br/> 固結該熱到達增強粒子，以在井筒中形成一具熱導性且壓實的熱到達增強護套；及<br/> 其中，泵送熱到達增強混合物的步驟、和/或使熱到達增強粒子沉降的步驟、和/或移除載體液體的步驟、和/或固結熱到達增強粒子的步驟，在至少兩個階段中重複進行。
如請求項1所述之方法，其中泵送該熱到達增強混合物採用一正循環流程、一逆循環流程、一套管移動流程、一頂部加壓流程，或一外部管柱流程；和/或其中分階段放置一熱到達增強護套的方法採用一差壓閥流程、一穿孔與封塞流程、一內襯/回接流程、一沉降流程，或一外部管柱流程；和/或其中一水泥混合物接續在熱到達增強混合物布設完用以密封環形空間；和/或其中移除載體液體使用一外部管柱流程、一刺激(促進)式流程、一氣化流程、一槽溝套管流程或一套管震動流程。
如請求項1所述之方法，其中(該複數個)熱到達增強粒子選自以下群組：鋅、石墨、石墨烯、鎢、鋁、碳化矽、氮化鋁、氮化矽、氮化硼、金、銅、銀、鑽石、鋁合金、氧化鋁、銠、鈷、銅合金、鎳、鐵、鉑、鈀、錫、鋼、鋯、鈦、碳纖維、炭黑，以及赫史持合金；且可選地，該熱導性材料包含至少兩種化學組成不同的上述粒子；和/或其中該載體液體為水或液態二氧化碳；和/或其中該載體液體為一高表觀黏度液體，其一成分允許藉由添加添加劑或觸發事件，在現地改變混合物之物理和/或化學性質，從而降低黏度並使該熱到達增強粒子可藉重力沉降。
一種將熱到達增強護套放置於井筒的方法，包括：<br/> 利用一頂部流程，將包含複數個熱到達增強(TRE)粒子及可懸浮粒子的一載體液體的一熱到達增強混合物，注入一內襯與一井筒壁之間的一環形空間；<br/> 使該熱到達增強粒子在該環形空間中沉降並固結；<br/> 其中進料與固結動作是經過至少兩個循環階段完成，以在該環形空間之一目標區段形成一壓實熱到達增強護套。
如請求項4所述之方法，其中該頂部流程包括：將一細管插入該環形空間中，通過該細管泵送一沖洗液以清除殘留液體，並將該熱到達增強混合物泵送入該細管以填充該環形空間。
一種將熱到達增強護套放置於井筒的方法，包括：<br/> 利用一穿孔與封塞流程，將包含複數個熱到達增強粒子及可懸浮粒子的一載體液體的一熱到達增強混合物送入一環形空間，並使熱到達增強粒子在該環形空間中沉降；<br/> 其中該穿孔與封塞流程包含通過一穿孔套管將該熱到達增強混合物泵送入環形空間；<br/> 且其中注入與沉降操作經過至少兩個循環階段完成，以在該環形空間之一目標區段形成該熱到達增強護套。
如請求項6所述之方法，其中該穿孔與封塞流程進一步包含從該熱到達增強混合物中移除該載體液體，和/或進一步包含以水泥封塞該穿孔管。
如請求項6所述之方法，其中使該熱到達增強粒子沉降進一步包括透過液壓固結和/或化學固結方式進行該熱到達增強粒子之固結。
一種在一井筒中於地層目標位置周圍內襯外形成一高熱導性壓實熱到達增強護套的方法，包括：<br/> 在井筒中安裝一內襯，以形成第一環形空間，其中該第一環形空間存在於內襯與井筒壁之間，並自井筒底部起始；<br/> 將一回接管連接於該內襯之上端，以形成一第二環形空間，其中該第二環形空間存在於該回接管與該井筒壁之間，並自該回接管與該內襯的連接點起始；<br/> 其中該第一環形空間與該第二環形空間流體連通；<br/> 將包含複數個熱到達增強粒子與一高表觀黏度載體液體的一混合物，從該第二環形空間輸送至該第一環形空間，到一高度超過該內襯但低於該回接管上端；<br/> 使該混合物減粘；<br/> 等待一段時間，使複數熱到達增強粒子沉降於該內襯周圍以形成一沉降粒子護套；<br/> 透過液壓和/或化學方式固結該沉降粒子護套，以形成一壓實熱到達增強護套；<br/> 並可選地移除該回接管。
如請求項9所述之方法，進一步包括重複安裝步驟、連接步驟、輸送步驟、減黏步驟、等待步驟與固結步驟，以和/或最後選擇性移除該回接管之步驟，直到該壓實熱到達增強護套覆蓋內襯的至少10%垂直高度和/或重複至少兩次為止。
一種流體移除增強結構，其包括：<br/> 一系統，配置為將一載體液體與先前懸浮在載體液體中的複數個沉降熱到達增強粒子分離；<br/> 其中該些複數個沉降熱到達增強粒子配置於一地熱井之井壁與一管柱或套管之間的一環形空間中；<br/> 其中，該系統被配置為與一沉降熱到達增強粒子之間的一間隙網絡流體連通以及該沉降熱到達增強粒子外部空間流體連通，以便將該載體液體自該間隙網絡中移除至一外部空間；及<br/> 其中該載體液體之移除有助於該沉降熱到達增強粒子的固結。
如請求項11所述之流體移除增強結構，其中該系統包含部分一穿孔之管柱或一具連續軸向槽溝之套管，和/或其中該系統為地層的一部分，允許該載體液體藉由地層中的孔隙、空穴、裂縫、一節理或一斷層等方式排出至地層中；和/或其中該部分穿孔管柱或該具有軸向槽溝之套管配置於自地表位置垂直或實質垂直延伸至一地層目標位置之一井筒中。
如請求項11所述之流體移除增強結構，其中該沉降熱到達增強粒子之孔隙率小於或等於80%；和/或其中該沉降熱到達增強粒子形成一熱導率介於5 W/m·K與400 W/m·K之一高熱導性護套。
一種井筒，其包含一垂直或實質垂直的多段式熱到達增強護套，其中至少兩段包含由複數個熱到達增強混合物之懸浮（TRE）粒子及一載體液體所形成之一沉降且壓實之固體相。
如請求項14所述之井筒，其中該多段式熱到達增強護套與一熱到達增強（TRE）結構之近端開口部分流體連通，該熱到達增強結構自該井筒延伸至一地層一目標位置。
一種雷射圓形加工系統，用於加工對象，其中，包括：<br/> 加工單元，發射雷射束；<br/> 光學單元，設置在該雷射束的行進路徑上，將該雷射束調制成貝塞爾光束；<br/> 掃描單元，將通過該光學單元調制的該貝塞爾光束反射到該加工對象，使得該貝塞爾光束的位置線性移動；以及<br/> 聚焦透鏡，使得從該掃描單元反射的該貝塞爾光束的焦點聚焦於該加工對象的加工面；其中<br/> 該光學單元包括：<br/> 第一透鏡，將所入射的該雷射束調制成環形的該貝塞爾光束；<br/> 微米加工單元，使得該貝塞爾光束的位置向圓周方向移動，以對該加工對象執行圓形加工；以及<br/> 第二透鏡，將該貝塞爾光束的光軸調制成平行；其中<br/> 該微米加工單元設置在該雷射束的行進路徑中的該第一透鏡與該第二透鏡之間，並且包括：<br/> 第三透鏡，將環形的該貝塞爾光束的該光軸調制成平行；<br/> 高速系統，由一個以上的驅動軸和鏡子構成，反射通過該第三透鏡調制的該貝塞爾光束，將該貝塞爾光束的位置調節成2軸以上的方向；以及<br/> 第四透鏡，將從該高速系統反射的該貝塞爾光束調制成環形。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該加工對象為透明脆性材料。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該加工單元發射具有300nm～400nm的紫外線（UV）波長、500nm～600nm的綠光（Green）波長或900nm～1100nm的近紅外波長和具有50飛秒（Femto second）至50皮秒（Pico second）的脈沖寬度的超短脈衝雷射束。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該第一透鏡包括圓錐棱鏡、軸錐透鏡、衍射光學裝置（Diffractive Optical Element，DOE）或空間光調制器（Spatial Light Modulator，SLM）。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該第二透鏡包括瞄準鏡或准直鏡。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該高速系統包括壓電馬達和/或檢流計。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該微米加工單元包括透射型窗口，設置在該光學單元與該掃描單元之間，用於調節旋轉速度及傾斜角度。
如請求項1所述之雷射圓形加工系統，其中，該掃描單元包括1個以上的驅動軸和1個以上的鏡子。
一種雷射圓形加工方法，利用如請求項1之雷射圓形加工系統來對透明脆性材料執行圓形加工，其中，包括：<br/> 步驟（a）將該雷射圓形加工系統對準該加工對象上部；<br/> 步驟（b）通過該雷射圓形加工系統獲得該貝塞爾光束；以及<br/> 步驟（c）向該加工對象的多個貫通孔形成區域依次照射該貝塞爾光束來使該加工對象的該多個貫通孔形成區域發生性質變化，以形成多個圓形加工圖案，<br/> 通過該微米加工單元對每個貫通孔形成圓形加工圖案，通過該掃描單元執行從一個貫通孔形成區域向其他貫通孔形成區域的位置移動。
如請求項9所述之雷射圓形加工方法，其中，該加工單元發射具有300nm～400nm的紫外線（UV）波長、500nm～600nm的綠光（Green）波長或900nm～1100nm的近紅外波長和具有50飛秒（Femto second）至50皮秒（Pico second）的脈沖寬度的超短脈衝雷射束。
如請求項9所述之雷射圓形加工方法，其中，該高速系統包括壓電馬達和/或檢流計。
如請求項9所述之雷射圓形加工方法，其中，該微米加工單元包括透射型窗口，該透射型窗口設置在該光學單元與該掃描單元之間，用於調節旋轉速度及傾斜角度。
如請求項9所述之雷射圓形加工方法，其中，該掃描單元包括由一個以上的驅動軸和鏡子構成的系統。
一種基板處理裝置，其係處理基板者，且包含： <br/>姿勢轉換機構，其使基板之姿勢在保持將水平姿勢之基板沿鉛直方向以等節距齊排之基板群的水平保持姿勢、與保持將鉛直姿勢之基板沿水平方向以前述等節距齊排之基板群的鉛直保持姿勢之間轉換； <br/>推送機構，其具有推送構件，該推送構件將前述姿勢轉換機構保持之前述鉛直保持姿勢之第2基板群、與自前述姿勢轉換機構預先交遞之前述鉛直保持姿勢之第1基板群組合，而保持以較前述等節距窄之窄間隔齊排之複數片基板； <br/>節距轉換部，其接收以前述窄間隔齊排之前述複數片基板，使以前述窄間隔齊排之前述複數片基板以較前述等節距窄之窄節距齊排； <br/>基板處理部，其整批處理以前述窄節距齊排之前述複數片基板；及 <br/>主搬送機構，其將以前述窄節距齊排之前述複數片基板整批搬送至前述基板處理部；且 <br/>前述節距轉換部配置於前述推送機構之前述主搬送機構側。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>以前述窄間隔齊排之前述複數片基板係以交替重複較前述等節距窄之第1間隔、與較前述等節距窄且較前述第1間隔寬之第2間隔之不等節距齊排之複數片基板； <br/>前述等節距和前述第1間隔與前述第2間隔之和相等； <br/>以前述窄節距齊排之前述複數片基板係重複前述第1間隔而齊排之複數片基板。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>以前述窄間隔齊排之前述複數片基板係以較前述等節距窄之第1窄節距齊排之前述複數片基板；且 <br/>以前述窄節距齊排之前述複數片基板係以較前述第1窄節距窄之第2窄節距齊排之前述複數片基板。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>前述基板處理裝置包含： <br/>橫移機構，其使整批保持自前述推送構件接收到之以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之橫移保持部，沿著基板移載位置與基板交接位置之間之橫移路徑橫移；且 <br/>前述基板移載位置係在前述推送構件與前述橫移保持部之間整批交接以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之位置； <br/>前述基板交接位置係在前述節距轉換部與前述主搬送機構之間整批交接以前述窄節距齊排之前述複數片基板之位置； <br/>前述節距轉換部藉由在前述基板交接位置處升降，而在與前述橫移保持部之間，進行以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之交接； <br/>前述節距轉換部配置於前述基板交接位置。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>前述節距轉換部配置於較前述橫移路徑靠下方。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>前述基板處理裝置包含： <br/>橫移機構，其使整批保持自前述推送構件接收到之以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之橫移保持部，沿著基板移載位置與基板交接位置之間之橫移路徑橫移；及 <br/>中介機構，其使整批保持以前述窄節距齊排之前述複數片基板之中介保持部於前述基板交接位置處升降；且 <br/>前述基板移載位置係在前述推送構件與前述橫移保持部之間整批交接以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之位置； <br/>前述基板交接位置係在前述中介保持部與前述主搬送機構之間整批交接以前述窄節距齊排之前述複數片基板之位置； <br/>前述節距轉換部藉由在前述基板交接位置處升降，而在與前述橫移保持部之間，進行以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之交接； <br/>前述中介保持部藉由在前述基板交接位置處升降，而在與前述節距轉換部之間，進行以前述窄節距齊排之前述複數片基板之交接； <br/>前述節距轉換部配置於前述基板交接位置。
如請求項6之基板處理裝置，其中 <br/>前述節距轉換部配置於較前述中介保持部靠下方之位置。
如請求項6之基板處理裝置，其中 <br/>前述節距轉換部配置於較前述橫移路徑靠下方。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>前述基板處理裝置包含： <br/>第1橫移機構，其使整批保持自前述推送構件接收到之以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之第1橫移保持部，沿著第1橫移路徑橫移；及 <br/>第2橫移機構，其使整批保持朝前述推送構件交遞之以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之第2橫移保持部，沿著第2橫移路徑橫移；且 <br/>前述節距轉換部包含： <br/>第1節距轉換部，其接收以前述窄間隔齊排之前述複數片基板，使以前述窄間隔齊排之前述複數片基板以前述窄節距齊排；及 <br/>第2節距轉換部，其接收以前述窄節距齊排之前述複數片基板，使以前述窄節距齊排之前述複數片基板以前述窄間隔齊排。
如請求項9之基板處理裝置，其中 <br/>前述第1橫移路徑係基板移載位置與基板搬入位置之間之路徑；且 <br/>前述第2橫移路徑係基板搬出位置與基板移載位置之間之路徑； <br/>前述第1橫移路徑與前述第2橫移路徑設置於沿橫向方向分開之位置； <br/>前述第1節距轉換部配置於前述基板搬入位置； <br/>前述第2節距轉換部配置於前述基板搬出位置。
如請求項10之基板處理裝置，其中 <br/>前述第1節距轉換部 <br/>自前述第1橫移保持部接收以前述窄間隔齊排之前述複數片基板，朝前述主搬送機構搬入以前述窄節距齊排之前述複數片基板。
如請求項10之基板處理裝置，其包含： <br/>中介機構，其使整批保持以前述窄節距齊排之前述複數片基板之中介保持部，於前述基板搬入位置處上升；且 <br/>前述基板移載位置係自前述推送構件朝前述第1橫移保持部整批搬入以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之位置； <br/>前述基板搬入位置係自前述中介保持部朝前述主搬送機構整批搬入以前述窄節距齊排之前述複數片基板之位置； <br/>前述第1節距轉換部藉由在前述基板搬入位置處上升，而自前述第1橫移保持部搬入以前述窄間隔齊排之前述複數片基板； <br/>前述中介保持部藉由在前述基板搬入位置處上升，而自前述節距轉換部搬入以前述窄節距齊排之前述複數片基板； <br/>前述第1節距轉換部配置於前述基板搬入位置。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>前述第1節距轉換部配置於較前述中介保持部靠下方。
如請求項13之基板處理裝置，其中 <br/>前述第1節距轉換部配置於較前述第1橫移路徑靠下方。
如請求項10之基板處理裝置，其中 <br/>前述第2節距轉換部 <br/>自前述主搬送機構接收以前述窄節距齊排之前述複數片基板，朝前述第2橫移保持部搬出以前述窄間隔齊排之前述複數片基板，且 <br/>配置於前述基板搬出位置。
如請求項15之基板處理裝置，其中 <br/>前述第2節距轉換部配置於較前述第2橫移路徑靠下方。
如請求項9之基板處理裝置，其中 <br/>前述第2節距轉換部配置於較前述第1節距轉換部靠上方。
如請求項12之基板處理裝置，其中 <br/>前述第2節距轉換部配置於較前述中介保持部靠上方。
如請求項9之基板處理裝置，其中 <br/>前述第1橫移路徑與前述第2橫移路徑以規定角度交叉；且 <br/>前述推送機構配置於以前述規定角度交叉之部位； <br/>前述第1節距轉換部與前述第2節距轉換部以前述規定角度分開而配置。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>前述基板處理裝置包含： <br/>橫移機構，其使整批保持自前述推送構件接收到之以前述窄間隔齊排之前述複數片基板之橫移保持部，沿著基板移載位置與基板交接位置之間之橫移路徑橫移；且 <br/>前述節距轉換部備置於前述橫移機構。
如請求項9之基板處理裝置，其中 <br/>前述第1節距轉換部備置於前述第1橫移機構；且 <br/>前述第2節距轉換部備置於前述第2橫移機構。
一種作業的評估系統，係針對作業進行評估的作業的評估系統，該作業是對具備要求預定的清潔度的表面的對象物進行多個工程的作業， <br/>前述評估係包含：計算前述多個工程中的每個工程所要求的多個作業時間的總和；以及根據預先獲得的前述多個工程中損害前述表面的前述清潔度的異物的傳播或附著程度的評估結果來產生用於表示前述作業後因前述異物而引起不良程度的係數，並且計算出該係數與前述作業時間的總和的乘積的綜合總和；並且將該計算出的結果顯示於顯示器或進行通知。
如請求項1之作業的評估系統，其中 <br/>前述作業係對多個零件進行組裝或組合起來而構成前述對象物，或者將該對象物拆卸成前述多個零件中的至少一個，該多個零件係包含至少一個具備要求前述預定的清潔度的前述表面的零件。
如請求項2之作業的評估系統，其中 <br/>對於前述多個工程的每一個，使用預先獲得的包括作業者的至少一個身體部位的異物源與前述零件的相對位置的資訊，來計算出表示前述作業後因前述異物而引起不良程度的係數。
如請求項3之作業的評估系統，其中 <br/>針對前述多個工程中的每一個，係根據前述異物源的前述異物附著在該工程中作為對象的前述零件的附著程度與在該工程中的前述異物的傳播程度的乘積，來計算表示前述作業後因前述異物而引起不良程度的係數。
如請求項4之作業的評估系統，其中 <br/>表示前述作業後因前述異物引起的不良發生程度的係數，係透過前述多個工程中每個工程的前述異物的附著程度與前述傳播程度的乘積的總和來計算的。
如請求項4之作業的評估系統，其中 <br/>表示前述作業後由於前述異物引起的不良出現程度的係數，係使用預先獲得的表示相關性的係數來計算出，該相關性的係數，係用來表示對於前述多個工程的每一個的前述異物的附著程度與前述傳播的程度的乘積的總和的值以及前述作業後因前述異物而產生不良的程度之間的相關性者。
如請求項1或2之作業的評估系統，其中 <br/>在對前述對象物獲得相同結果的多個前述作業中，顯示或通知具有最小的前述綜合的總和。
一種記憶體內運算的預量化（pre-quantization）電路，包含： <br/>一類比式乘加電路，配置以由一記憶體接收一組權重並由一暫存器接收一輸入特徵，接著利用該組權重及該輸入特徵進行一乘加運算（multiply accumulation，MAC）以產生一類比電壓/電流；以及 <br/>一類比數位轉換器（analog-to-digital converter，ADC），配置以將該類比電壓/電流轉換為對應之一數位碼， <br/>其中該類比式乘加電路更配置以在進行該乘加運算前，決定該類比數位轉換器的一預量化資訊， <br/>且其中該類比數位轉換器更配置以依據該預量化資訊將該類比電壓/電流轉換為對應之該數位碼。
如請求項1所述之預量化電路，其中該類比式乘加電路更配置以在該類比數位轉換器將該類比電壓/電流轉換為對應之該數位碼後，判斷該組權重是否已被完全使用。
如請求項2所述之預量化電路，其中該類比式乘加電路更配置以在判斷該組權重已被完全使用後，從該記憶體載入一組更新權重。
如請求項2所述之預量化電路，其中該類比式乘加電路更配置以在判斷該組權重尚未被完全使用時，繼續利用該組權重及該輸入特徵進行該乘加運算以產生該類比電壓/電流。
如請求項1所述之預量化電路，其中該類比數位轉換器為循續漸近式暫存式類比數位轉換器（successive-approximation register ADC，SAR ADC）。
一種記憶體內運算的預量化方法，包含： <br/>透過一類比式乘加電路由一記憶體接收一組權重並由一暫存器接收一輸入特徵，接著透過該類比式乘加電路利用該組權重及該輸入特徵進行一乘加運算以產生一類比電壓/電流；以及 <br/>利用一類比數位轉換器將該類比電壓/電流轉換為對應之一數位碼， <br/>其中該類比式乘加電路更配置以在進行該乘加運算前，決定該類比數位轉換器的一預量化資訊， <br/>且其中該類比數位轉換器更配置以依據該預量化資訊將該類比電壓/電流轉換為對應之該數位碼。
如請求項6所述之預量化方法，其中該類比式乘加電路更配置以在該類比數位轉換器將該類比電壓/電流轉換為對應之該數位碼後，判斷該組權重是否已被完全使用。
如請求項7所述之預量化方法，其中該類比式乘加電路更配置以在判斷該組權重已被完全使用後，從該記憶體載入一組更新權重。
如請求項7所述之預量化方法，其中該類比式乘加電路更配置以在判斷該組權重尚未被完全使用時，繼續利用該組權重及該輸入特徵進行該乘加運算以產生該類比電壓/電流。
如請求項6所述之預量化方法，其中該類比數位轉換器為循續漸近式暫存式類比數位轉換器。
一種自動拖車系統，配置以移動一車輛，其中該自動拖車系統包含：<br/> 一拖車機器人，配置以移動該車輛，其中該拖車機器人包含：<br/> 一相機，配置以檢測該車輛的一位置與該車輛所處的一環境；<br/> 一控制器；以及<br/> 一拖曳臂；以及<br/> 一拖吊車，配置以與該拖車機器人的該拖曳臂對接，其中該相機還配置以檢測該拖吊車的一座標，該控制器配置以根據該相機檢測到的該拖吊車的該座標計算該拖吊車與該拖車機器人之間的一距離。
如請求項1所述之自動拖車系統，其中該拖吊車包含複數個定位點，且該拖車機器人的該相機配置以檢測該些定位點。
如請求項2所述之自動拖車系統，其中該拖吊車還包含一牽引臂，配置以與該拖車機器人的該拖曳臂對接，其中該拖車機器人的該相機與該控制器還配置以分析該牽引臂的位置。
如請求項2所述之自動拖車系統，其中該拖車機器人的該控制器包含一自動駕駛技術。
如請求項1所述之自動拖車系統，還包含：<br/> 一車輛保管場，包含複數個停車格；以及<br/> 一全球定位系統，設置於該車輛保管場中，配置以測量該些停車格的座標。
如請求項5所述之自動拖車系統，還包含：<br/> 一資料處理模組，電性連接該全球定位系統，其中該資料處理模組配置以紀錄該全球定位系統測得的該些停車格的座標。
如請求項6所述之自動拖車系統，其中該拖車機器人還包含一無線通訊模組，配置以回傳一停車資訊至該資料處理模組。
如請求項6所述之自動拖車系統，其中該資料處理模組還配置以傳送一取車資訊至該拖車機器人。
一種自動拖車系統的操作方法，應用於請求項1所述之自動拖車系統，配置以移動一車輛，其中該自動拖車系統的操作方法包含：<br/> 藉由一拖車機器人將該車輛頂起並移動該車輛；<br/> 藉由該拖車機器人的一相機與一控制器偵測一拖吊車的一位置；以及<br/> 藉由該拖車機器人的一拖曳臂根據該相機檢測到的該拖吊車的該位置與該拖吊車對接。
一種用於舒緩情緒以及促進神經元生長之組合物，包含：<br/> 具有舒緩情緒以及促進神經元生長之活性效果之乳酸菌菌株，該乳酸菌菌株包含經分離之短雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium breve</i>) BBr-28菌株，寄存編號為BCRC 911254；動物雙歧桿菌乳亞種 (<i>Bifidobacterium animalis</i>subsp.<i>lactis</i>) PS23菌株，寄存編號為BCRC 911251；長雙歧桿菌嬰兒亞種 (<i>Bifidobacterium longum</i>subsp.<i>infantis</i>) BR631菌株，寄存編號為BCRC 911172；兩歧雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium bifidum</i>) BD-188菌株，寄存編號為BCRC 911252；以及植物乳植桿菌 (<i>Lactiplantibacillus plantarum</i>) PQQ-1菌株，寄存編號為BCRC 911262，上述菌株均寄存於財團法人食品工業發展研究所；以及<br/> 載劑，該載劑包含寡糖、醣醇類、羧甲基纖維素鈉、乙基纖維素、低聚半乳糖、硬脂酸、硬脂酸鎂、馬鈴薯澱粉或以上之組合。
如請求項1所述之用於舒緩情緒以及促進神經元生長之組合物，其中該乳酸菌菌株之有效活菌數等於或大於5×10<sup>9</sup> CFU/g。
如請求項1所述之用於舒緩情緒以及促進神經元生長之組合物，其中該載劑為生理上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項1所述之用於舒緩情緒以及促進神經元生長之組合物，其中該載劑為醫藥上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項1所述之用於舒緩情緒以及促進神經元生長之組合物，其劑型為錠劑、膠囊或粉劑。
一種乳酸菌菌株在製備用於舒緩情緒以及促進神經元生長之組合物之用途，其中該組合物包含：<br/> 具有舒緩情緒以及促進神經元生長之活性效果之乳酸菌菌株，該乳酸菌菌株包含經分離之短雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium breve</i>) BBr-28菌株，寄存編號為BCRC 911254；動物雙歧桿菌乳亞種 (<i>Bifidobacterium animalis</i>subsp.<i>lactis</i>) PS23菌株，寄存編號為BCRC 911251；長雙歧桿菌嬰兒亞種 (<i>Bifidobacterium longum</i>subsp.<i>infantis</i>) BR631菌株，寄存編號為BCRC 911172；兩歧雙歧桿菌 (<i>Bifidobacterium bifidum</i>) BD-188菌株，寄存編號為BCRC 911252；以及植物乳植桿菌 (<i>Lactiplantibacillus plantarum</i>) PQQ-1菌株，寄存編號為BCRC 911262，上述菌株均寄存於財團法人食品工業發展研究所；以及<br/> 載劑。
如請求項6所述之用途，其中該乳酸菌菌株之有效活菌數等於或大於5×10<sup>9</sup> CFU/g。
如請求項6所述之用途，其中該載劑為生理上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項6所述之用途，其中該載劑為醫藥上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項6所述之用途，其劑型為錠劑、膠囊或粉劑。
一種自動化蒸飯機，包括一蒸飯箱、一米箱，以及一米飯分配結構，其中：<br/> 該蒸飯箱具有一殼體，該蒸飯箱的頂部具有一進料通道，該進料通道形成於該殼體的上方，該進料通道與該殼體內部的一容置空間相通；該蒸飯箱的一側具有至少一米飯排放口；該蒸飯箱用以將由該進料通道輸入該蒸飯箱內部的米料進行洗米與蒸煮，且將蒸煮完成的米飯由該至少一米飯排放口向外排放；<br/> 該米箱的內部具有一儲米空間且底部具有一通道部；該儲米空間用以儲存米料且該儲米空間與該通道部內相通；該通道部向下銜接於該蒸飯箱的該進料通道；以及<br/> 該米飯分配結構結合於該蒸飯箱的底部，該米飯分配結構的上下兩側分別具有一米飯入口與一分配管道；該蒸飯箱的該至少一米飯排放口通往該米飯入口；該米飯入口通往該分配管道；<br/> 於該容置空間的底部設置一加熱器，於該至少一米飯排放口分別以可開啟的方式設置一閥蓋；於該殼體內固定至少一槽體，該至少一槽體的上方分別具有一槽體入口，該至少一槽體的一端為封閉端，另一端連通該至少一米飯排放口；於該至少一槽體內穿置一螺桿，該至少一螺桿的一端穿出該殼體且連結一螺桿馬達，該至少一螺桿馬達結合於該殼體；於該殼體設置一輸米結構，該輸米結構位於該進料通道與該至少一槽體入口之間，用以將米由該進料通道輸送至該至少一槽體內；於該殼體設置至少一第一水管以及一第二水管，該至少一第一水管用以向該至少一槽體內供水，該第二水管用以向該殼體內供水。
如請求項1所述之自動化蒸飯機，其中該輸米結構具有至少一轉軸，該至少一轉軸位於該容置空間且以兩端可轉動地樞穿於該殼體的兩側，於該至少一轉軸結合一輸送板，該至少一輸送板的一側通往該至少一槽體入口，該至少一轉軸的一端穿出該殼體且結合一搖臂，於該至少一搖臂與該殼體之間樞接一轉軸壓缸；該至少一轉軸壓缸驅動該至少一轉軸帶動該至少一輸送板開啟或關閉；當該輸送板關閉時，該輸送板係豎直的狀態，當該輸送開啟時，該輸送板係傾斜的狀態且位於該進料通道的正下方，使由該進料通道掉落的米料通過該輸送板進入對應的該槽體入口。
如請求項2所述之自動化蒸飯機，其中該至少一米飯排放口包括多個米飯排放口，該些米飯排放口係沿上下方向間隔地排列；該至少一槽體包括多個槽體，該些槽體係沿該上下方向間隔地排列；最下方的該槽體於其頂緣的一側與該殼體的內壁之間連接一傾斜板，該傾斜板位於該進料通道的正下方。
如請求項1所述之自動化蒸飯機，其中該殼體具有一側板且該至少一米飯排放口形成於該側板；於該殼體結合至少一閥蓋驅動組件，包括一第一第一樞接座、一第二第一樞接座、一槓桿臂與一閥蓋壓缸；該至少一第一第一樞接座結合於該殼體；該至少一第二第一樞接座結合於該側板；該至少一槓桿臂的中間樞接於該至少一第一樞接座，該至少一槓桿臂的一端結合於該至少一閥蓋；該至少一閥蓋壓缸的一端樞接於該第一第一樞接座且另一端樞接於該至少一槓桿臂的另一端，該至少一閥蓋壓缸用以驅動該閥蓋開啟或關閉該至少一米飯排放口。
如請求項1所述之自動化蒸飯機，其中於該殼體設置一第一清洗結構與一第二清洗結構；該第一清洗結構具有至少一第一噴水管，該至少一第一噴水管位於該容置空間且設置於該至少一槽體的一側，該至少一第一噴水管具有複數個第一噴頭，該些第一噴頭朝向該至少一槽體內；該第二清洗結構具有至少一第二噴水管，該至少一第二噴水管位於該容置空間且設置於該至少一槽體的另一側，該至少一第二噴水管具有複數個第二噴頭，該些第二噴頭朝向該至少一槽體內。
如請求項1所述之自動化蒸飯機，其中該米箱具有一箱體，該箱體由上至下依序相連具有一漏斗部、一盛接部以及該通道部；該儲米空間位於該漏斗部內，該儲米空間通過該盛接部與該通道部內相通；該盛接部係呈橫置的圓管體且上下兩側各具有一上開口與一下開口，該盛接部的兩端係封閉端且於內部以可轉動的型態穿置一分配桿，該分配桿的周圍至少具有一凹槽，該至少一凹槽於該分配桿轉動時可選擇性地與該上開口或與該下開口相通，該分配桿兩端的至少一端穿出該盛接部且連結一出米馬達，各該出米馬達結合於該盛接部。
如請求項6所述之自動化蒸飯機，其中該通道部的上下兩側分為一上通道部與一下通道部；該上通道部與該盛接部相連，該下通道部銜接於該蒸飯箱的該進料通道；於該下通道部頂緣的周圍連接一第一遮板，於該上通道部底緣的周圍連接一第二遮板，該第二遮板以可沿直線方向滑動的方式設置於該第一遮板上；於該蒸飯箱與該米箱之間連接一推拉組件，該推拉組件用以驅動該第二遮板沿直線方向往復移動，該上通道部隨該第二遮板的往復移動而與該下通道部連通或不連通。
如請求項1所述之自動化蒸飯機，其中該殼體具有一側板，該至少一米飯排放口形成於該側板；該米飯分配結構鄰接於該側板的下緣且包括一定量送飯器與一支撐座；該支撐座結合於該殼體的底部且向該殼體外延伸形成一支撐部；該定量送飯器支撐設置於該支撐部上，該米飯入口位於該定量送飯器的上方；該分配管道係傾斜的狀態且其頂部以可受驅動旋轉的方式穿置於支撐部。
如請求項8所述之自動化蒸飯機，其中該定量送飯器具有設置於該支撐部上的一基座，於該基座的兩側之間可轉動地樞接一裝置殼，於該裝置殼靠近該殼體的一側結合一活動盛飯料斗，該活動盛飯料斗包括可併攏的二個剷部，所述的二個剷部各連接一連動軸，所述的兩個連動軸係平行設置且分別樞穿該裝置殼，於該裝置殼遠離該殼體的另一側結合一盛飯斗氣壓缸，於該盛飯斗氣壓缸與所述的二個連動軸之間分別連結一驅動連桿，藉此使該盛飯斗氣壓缸可驅動所述的兩個剷部閉合或張開；於該裝置殼遠離該殼體的另一側還結合一滑桿，於該滑桿套合一秤重配重塊；於該基座結合一限位感應器，該限位感應器用以感測該滑桿的翹起狀態，藉此令該盛飯斗氣壓缸驅動所述的兩個剷部由閉合狀態變為張開。
一種用於經由電光束調變改善孔的圓度的系統，其包含： <br/>光學系統，其配置以將雷射光束聚焦至工件上，以在光場內產生複數個光點； <br/>普克耳斯盒（Pockels cell），其配置以將快軸正交對準於該光場之角落；以及 <br/>偏振控制裝置，其配置以藉由調整該雷射光束之偏振而降低該複數個光點中之圓化不一致。
如請求項1之系統，其包含複數個普克耳斯盒。
如請求項1之系統，其中該偏振控制裝置包含薄膜偏振器。
如請求項1之系統，其中該光學系統包含F-theta透鏡。
如請求項1之系統，其中該雷射光束之參數根據該工件之材料吸收而調整。
如請求項1之系統，其中該雷射光束之波長在中波紅外（MWIR）光譜中。
如請求項1之系統，其中系統配置以補償矩形掃描場中之失真。
如請求項1之系統，其中該偏振根據即時回饋而適應調整。
如請求項1之系統，其中該系統包含電腦數值控制（CNC）機器。
如請求項1之系統，其中該偏振控制裝置包含法拉第旋轉器（Faraday rotator）。
一種用於經由電光束調變改善孔的圓度的方法，其包含： <br/>將雷射光束引導至工件上，以在光場內產生複數個光點； <br/>將普克耳斯盒之快軸正交對準於該光場之角落； <br/>根據該複數個光點中之不一致而調整該雷射光束之偏振；以及 <br/>根據該複數個光點鑽孔。
如請求項11之方法，其包含對準複數個普克耳斯盒之快軸。
如請求項11之方法，其中薄膜偏振器配置以調整該雷射光束之該偏振。
如請求項11之方法，其中F-theta透鏡配置以引導該雷射光束。
如請求項11之方法，其包含根據該工件之材料吸收而調整該雷射光束之參數。
如請求項11之方法，其中該雷射光束之波長在中波紅外（MWIR）光譜中。
如請求項11之方法，其中調整該雷射光束之該偏振補償矩形掃描場中之失真。
如請求項11之方法，其中該偏振根據即時回饋而適應調整。
如請求項11之方法，其中電腦數值控制（CNC）機器配置以鑽出所述孔。
如請求項11之方法，其中法拉第旋轉器配置以調整該雷射光束之該偏振。
一種功率裝置，包含： <br/>多個功率模組，其中每一該功率模組包含： <br/>一基板，包含一金屬表面； <br/>一晶片，設置於該金屬表面上； <br/>多個金屬柱，沿該基板的一法線方向設置於該金屬表面上，且每一該金屬柱包含一頂面及一柱身； <br/>一封裝材料，包覆該基板、該晶片及該多個金屬柱，其中每一該金屬柱的該柱身完全被該封裝材料所包覆，且每一該金屬柱的該頂面暴露於該封裝材料的一表面；以及 <br/>多個第一電流接腳，其中每一該第一電流接腳包含一第一端及一第二端； <br/>其中每一該功率模組的至少一該第一電流接腳的該第一端以焊接或燒結方式設置於對應的該金屬柱的該頂面，且對應的該功率模組的對應的該第一電流接腳的該第二端以焊接或燒結方式設置於另一該功率模組對應的該金屬柱的該頂面。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組更包含一接腳焊料，貼附於對應的該第一電流接腳的該第一端及對應的該金屬柱的該頂面之間。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組的每一該第一電流接腳的該第一端直接貼附於對應的該金屬柱的該頂面。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組的該金屬柱更包含一底面，與該頂面相對設置，其中每一該功率模組更包含一柱體焊料，設置於對應的該金屬柱的該底面及該基板的該金屬表面之間，及/或該晶片及該基板的該金屬表面之間。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組更包含一金屬打線，連接於該晶片相對於該基板的一面以及該基板的該金屬表面之間。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組的每一該第一電流接腳的厚度小於對應的該金屬柱沿該基板的該法線方向的厚度。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組的每一該第一電流接腳的該第二端的寬度大於等於對應的該第一電流接腳的該第一端的寬度。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組的每一該第一電流接腳的該第二端具有一穿孔。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組更包含一連接部，連接於對應的兩個該第一電流接腳之間。
如請求項1所述的功率裝置，其中每一該功率模組更包含一第二電流接腳，該第二電流接腳包含一第一端及一第二端，其中該第二電流接腳的該第一端以焊接或燒結方式設置於對應的該金屬柱的該頂面，且該第二電流接腳的該第二端以焊接或燒結方式設置於一系統的一系統連接端。
一種半導體裝置，係具備有：<br/>第1晶片，係具有被形成有第1電晶體之第1基板；和<br/>第2晶片，係被設置在前述第1晶片之上方處，並具有被形成有第2電晶體之第2基板，<br/>前述第2基板，係包含有各別貫通前述第2基板之第1絕緣膜區域以及第2絕緣膜區域，<br/>前述第1晶片與前述第2晶片，係經由包含有各別貫通前述第1絕緣膜區域之至少第1通孔以及第2通孔之第1貫通通孔群、和包含有各別貫通前述第2絕緣膜區域之至少第3通孔以及第4通孔之第2貫通通孔群，而被作電性連接，<br/>前述第1貫通通孔群，係以與前述第2貫通通孔群相異之節距而被作配置。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第2基板，係更進而包含有包圍前述第2電晶體之主動區域之第3絕緣膜區域，<br/>前述第3絕緣膜區域之厚度，係較前述第1絕緣膜區域以及前述第2絕緣膜區域之厚度而更薄。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第1貫通通孔群之配置，係與前述第2貫通通孔群之配置相異。
如請求項3所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第2貫通通孔群之節距，係較前述第1貫通通孔群之節距而更大，<br/>前述第1貫通通孔群之配置，係為交錯配置，<br/>前述第2貫通通孔群之配置，係為正方配置。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中，<br/>在與前述第1基板之表面相平行之剖面中，被包含於前述第1貫通通孔群中之複數之通孔之各者的剖面形狀，係與被包含於前述第2貫通通孔群中之複數之通孔之各者的剖面形狀相異。
如請求項5所記載之半導體裝置，其中，<br/>被包含於前述第1貫通通孔群中之前述複數之通孔之各者的前述剖面形狀，係為圓形，<br/>被包含於前述第2貫通通孔群中之前述複數之通孔之各者的前述剖面形狀，係為線形狀。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第1晶片，係更進而具有：<br/>第1配線群，係包含有各別被設置在相同之層處的至少第1配線以及第2配線；和<br/>第3配線，係被與前述第1電晶體作電性連接，<br/>前述第1通孔，係被與前述第1配線作連接，<br/>前述第2通孔，係被與前述第2配線作連接，<br/>前述第1配線，係被與前述第3配線作電性連接。
如請求項7所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第1晶片，係更進而具有：<br/>第4配線，係被設置於與前述第1配線群相同之層處，<br/>前述第3通孔以及前述第4通孔，係被與前述第4配線作連接。
如請求項7所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第1晶片，係更進而具有：<br/>第2配線群，係包含有各別被設置在與前述第1配線群相同之層處的至少第5配線以及第6配線，<br/>前述第1基板，係包含有第1雜質擴散區域以及第2雜質擴散區域，<br/>前述第3通孔，係被與前述第5配線作連接，<br/>前述第4通孔，係被與前述第6配線作連接，<br/>前述第5配線，係被與前述第1雜質擴散區域作電性連接，<br/>前述第6配線，係被與前述第2雜質擴散區域作電性連接。
如請求項7所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第2晶片，係更進而具有：<br/>第7配線，係被與前述第2電晶體作電性連接，<br/>前述第1通孔以及前述第2通孔之各者的上面之位置，係與前述第7配線之上面之位置相同。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中，<br/>係更進而具備有：第5通孔，<br/>前述第2基板，係更進而包含有貫通前述第2基板之第4絕緣膜區域，<br/>前述第5通孔，係被包含於前述第1晶片以及前述第2晶片中，並貫通前述第4絕緣膜區域。
如請求項11所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第5通孔之上面，係位置在較被包含於前述第1貫通通孔群中之複數之通孔之各者的上面而更上方處，<br/>前述第5通孔之下面，係位置在較被包含於前述第1貫通通孔群中之複數之通孔之各者的下面而更下方處，<br/>在與前述第1基板之表面相平行之剖面中，前述第5通孔之上面之剖面積，係較被包含於前述第1貫通通孔群中之複數之通孔之各者的剖面積而更大。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中，係更進而具備有：<br/>陣列晶片，係被設置在前述第2晶片之上方處，並被與前述第1電晶體以及前述第2電晶體作電性連接，並且具有包含有在前述第1基板以及前述第2基板之層積方向上而作了並排的複數之記憶體胞之記憶體胞陣列。
如請求項13所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第2晶片，係包含有被與前述陣列晶片作接合之複數之墊片，<br/>在與前述第1基板之表面相平行之剖面中，前述複數之墊片之各者之剖面積，係較被包含於前述第1貫通通孔群中之複數之通孔之各者的剖面積而更大，<br/>前述複數之墊片之節距，係較前述第1貫通通孔群之節距而更大。
如請求項13所記載之半導體裝置，其中，<br/>係更進而具備有：第1感測放大器，係具有前述第1電晶體以及前述第2電晶體，<br/>前述第1感測放大器，係被包含於前述第1晶片以及前述第2晶片中，<br/>前述記憶體胞陣列，係具有被與前述複數之記憶體胞之中之第1記憶體胞作電性連接之第1位元線，<br/>前述第1通孔以及前述第2通孔，係被與前述第1電晶體作電性連接，<br/>前述第2電晶體，係經由前述第2通孔而被與前述第1電晶體作電性連接，<br/>前述第1電晶體，係經由前述第1通孔而被與前述第1位元線作電性連接。
如請求項13所記載之半導體裝置，其中，<br/>係更進而具備有：第1行解碼器，係具有第3電晶體，<br/>前述第1行解碼器，係被包含於前述第1晶片中，<br/>前述記憶體胞陣列，係具有被與前述複數之記憶體胞之中之第1記憶體胞作電性連接之第1字元線，<br/>前述第3通孔，係被與前述第3電晶體作電性連接，<br/>前述第3電晶體，係經由前述第3通孔而被與前述第1字元線作電性連接。
如請求項16所記載之半導體裝置，其中，<br/>前述第2貫通通孔群之節距，係較前述第1貫通通孔群之節距而更大。
一種半導體裝置之製造方法，係具備有：<br/>形成具有第1電晶體以及位置在前述第1電晶體之上方處之第1絕緣體層之第1晶片之步驟；和<br/>形成具有基板以及被設置在前述基板上之第1絕緣膜之第2晶片之步驟；和<br/>在前述第1晶片之前述第1絕緣體層之上而接合前述第2晶片之第1絕緣膜之步驟；和<br/>形成各別貫通前述基板之第1絕緣膜區域以及第2絕緣膜區域之步驟；和<br/>以相異之節距，來形成包含有各別貫通前述第1絕緣膜區域之複數之通孔之第1貫通通孔群以及包含有各別貫通前述第2絕緣膜區域之複數之通孔之第2貫通通孔群之步驟。
如請求項18所記載之半導體裝置之製造方法，其中，係更進而具備有：<br/>在前述基板之上形成第2電晶體之步驟；和<br/>形成被與前述第2電晶體作連接之第1接點之步驟；和<br/>在形成了前述第1接點、前述第1貫通通孔群以及前述第2貫通通孔群之後，在前述第1接點之上形成第1配線，並在前述第1貫通通孔群之上且與前述第1配線相同之層處形成第1配線群，並且在前述第2貫通通孔群之上且與前述第1配線相同之層處形成第2配線群之步驟。
如請求項18所記載之半導體裝置之製造方法，其中，係更進而具備有：<br/>在前述基板之上形成第2電晶體之步驟；和<br/>形成被與前述第2電晶體作連接之第1接點之步驟；和<br/>在前述第1接點之上形成第1配線之步驟，<br/>形成前述第1貫通通孔群以及前述第2貫通通孔群之步驟，係包含有在形成前述第1配線之後，直到與前述第1配線之上面相同高度處為止地而形成前述第1貫通通孔群以及前述第2貫通通孔群之步驟。
一種閥值調整方法，其用以提供一雷達掃描模組的一處理器執行，所述處理器預先儲存有一預設閥值表，所述預設閥值表用以表示一預設範圍中，不同座標所對應的一預設閥值；所述雷達掃描模組更包含一雷達掃描器，所述處理器控制所述雷達掃描器於一第一模式及一第二模式之間切換，所述雷達掃描器能對所述預設範圍進行掃描，以產生多筆雷達回波資訊；所述處理器能於所述雷達掃描器處理所述第二模式時，執行所述閥值調整方法，其包括以下步驟：<br/> 一模式切換判斷步驟：依據多筆所述雷達回波資訊與所述預設閥值產生一掃描結果，並判斷所述掃描結果是否符合一切換條件；<br/> 若判定符合所述切換條件，則執行以下步驟：<br/> 一閥值調整判斷步驟：判斷所述掃描結果是否符合一預設忽略狀態；<br/> 若判定符合，則修改所述預設閥值表的至少一筆所述閥值；<br/> 一切換步驟：使所述雷達掃描器切換至所述第一模式。
如請求項1所述的閥值調整方法，其中，於所述閥值調整判斷步驟中，若判定不符合所述預設忽略狀態，則執行一閥值保持步驟：不修改預設閥值表的預設閥值。
如請求項1所述的閥值調整方法，其中，所述模式切換判斷步驟包含：<br/> 一轉換步驟：將多筆雷達回波資訊，轉換為多筆點雲資訊；<br/> 一追蹤物軌跡建立判斷步驟：利用多筆所述點雲資訊，建立一待追蹤物，並判斷所述待追蹤物的一移動軌跡，是否符合多個預設軌跡的其中一種，以決定所述掃描結果是否符合所述切換條件；<br/> 若所述掃描結果判定符合所述切換條件，則所述移動軌跡不為多個所述預設軌跡的其中一種，並執行所述閥值調整判斷步驟。
如請求項3所述的閥值調整方法，其中，於所述閥值調整判斷步驟中，所述處理器修改所述預設閥值表的所述預設閥值是執行以下步驟：<br/> 一閥值調整步驟：將所述預設閥值表中的至少一筆所述預設閥值，修改為一新閥值；其中，所述新閥值的數值大於所述預設閥值的數值。
如請求項4所述的閥值調整方法，其中，多筆所述新閥值所對應的多筆所述座標能構成一閥值調整區域，所述閥值調整區域能覆蓋所述待追蹤物於一預設時間區段內的一活動範圍的至少一部分。
如請求項5所述的閥值調整方法，其中，於所述閥值調整判斷步驟中，若判定所述待追蹤物於所述預設時間區段內的一移動距離小於一預設距離，則判定所述移動軌跡符合所述預設忽略狀態。
如請求項4所述的閥值調整方法，其中，各筆所述點雲資訊至少包含一點雲座標，於所述閥值調整步驟中，包含以下步驟：<br/> 一調整範圍建立步驟：以各個所述點雲資訊的所述點雲座標，建立出具有一預設面積的一點雲調整區域；及<br/> 一取代步驟：依據所述點雲調整區域，將所述預設閥值表中，至少一筆待修正預設閥值修改為大於原始的閥值的所述新閥值。
如請求項4所述的閥值調整方法，其中，各筆所述點雲資訊至少包含一點雲座標及一信號參數，於所述閥值調整步驟中，包含以下步驟：<br/> 一分群步驟：依據多筆所述點雲座標彼此間的距離，將多筆所述點雲座標區分為多個點雲群組；位於同一個所述點雲群組中的多個所述點雲座標，彼此間的直線距離小於一預設距離；<br/> 一調整範圍建立步驟：以各個所述點雲群組中的各個所述點雲座標，與所述雷達掃描器的直線距離與角度，建立出一個點雲調整區域；同一個所述點雲群組中的所有所述點雲座標位於同一個所述點雲調整區域中；及<br/> 一取代步驟：依據所述點雲調整區域，將所述預設閥值表中，至少一筆待修正預設閥值修改為所述新閥值。
如請求項8所述的閥值調整方法，其中，所述取代步驟包含以下步驟：<br/> 一平均計算步驟：剔除各個所述點雲群組中的多筆所述信號參數中的離群值，並以剩餘的多筆所述信號參數，計算出一信號平均值；及<br/> 一修改步驟：將所述信號平均值作為所述新閥值，並依據所述點雲調整區域，將所述預設閥值表中，至少一筆待修正預設閥值修改為所述新閥值。
如請求項8所述的閥值調整方法，其中，所述取代步驟包含以下步驟：<br/> 一取最大值步驟：將各個所述點雲群組中的多筆所述信號參數中的最大值，作為一調整閥值；及<br/> 一修改步驟：將所述調整閥值作為所述新閥值，並依據所述點雲調整區域，將所述預設閥值表中，至少一筆待修正預設閥值修改為所述新閥值。
如請求項8所述的閥值調整方法，其中，所述取代步驟包含以下步驟：<br/> 一平滑化計算步驟：利用各個所述點雲群組中多個所述點雲資訊的訊號強度，進行一平滑化(smoothing)處理，以計算出一平滑化閥值；及<br/> 一修改步驟：將所述平滑化閥值作為所述新閥值，並依據所述點雲調整區域，將所述預設閥值表中，多筆待修正預設閥值修改為所述新閥值。
如請求項8所述的閥值調整方法，其中，於所述閥值調整步驟中，所述預設閥值表中的至少一筆所述預設閥值，被修改為所述新閥值後，所述預設閥值表被定義為一修改後閥值表；於追蹤物軌跡建立判斷步驟中，若所述待追蹤物的所述移動軌跡不為多個預設軌跡的其中一種，並於所述分群步驟之前，所述處理器先執行以下步驟：<br/> 一初始化判斷步驟：判斷所述處理器的一運作時間是否達到一預設間隔時間；<br/> 若所述運作時間達到所述預設間隔時間，則所述處理器將執行以下步驟：<br/> 一初始化步驟：將預先儲存於一儲存器中的所述預設閥值表，取代當前的所述修改後閥值表。
如請求項4所述的閥值調整方法，其中，於所述閥值調整步驟中，所述預設閥值表中的至少一筆所述預設閥值，被修改為所述新閥值後，所述預設閥值表被定義為一修改後閥值表；於追蹤物軌跡建立判斷步驟中，若所述待追蹤物的所述移動軌跡不為多個預設軌跡的其中一種，所述處理器先執行以下步驟：<br/> 一初始化判斷步驟：判斷所述處理器的一運作時間是否達到一預設間隔時間；<br/> 若所述運作時間達到所述預設間隔時間，則所述處理器將執行以下步驟：<br/> 一初始化步驟：將預先儲存於一儲存器中的所述預設閥值表，取代當前的所述修改後閥值表。
如請求項4所述的閥值調整方法，其中，於所述追蹤物軌跡建立判斷步驟中，若判定所述待追蹤物的所述移動軌跡，符合多個所述預設軌跡的其中一種，則執行以下步驟：<br/> 一通知步驟：發出一通知資訊至一影像擷取器，以使所述影像擷取器啟動；<br/> 一初始化步驟：將預先儲存於一儲存器中的所述預設閥值表，取代當前的所述預設閥值表。
一種具有閥值調整功能的處理裝置，其包含一處理器，所述處理器能執行如請求項1至14任一項所述閥值調整方法。
一種具有閥值調整功能的電子裝置，其包含：一處理器及一雷達掃描器，所述處理器能執行如請求項1至14中任一項所述閥值調整方法。
一種光學濾光器，其包含： <br/>抗反射感測器窗，其組態以提供： <br/>近紅外波長下的透射率；及 <br/>可見光譜範圍內少於8%的反射率；以及 <br/>硼矽酸鹽基板。
如請求項1所述之光學濾光器，其中所述可見光譜範圍在大致390nm與大致700nm之間。
如請求項1所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗為黑色抗反射感測器窗。
如請求項1所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗安置於所述硼矽酸鹽基板上。
如請求項1所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗係對於1064nm之中心光譜範圍而組態。
如請求項1所述之光學濾光器，其中少於8%的所述反射率為自大致0度角至大致45度角的角度所入射。
一種光學濾光器，其包含： <br/>感測器窗，其組態以提供： <br/>以下的一個或多個透射率： <br/>大致400nm與大致800nm之間少於15%的透射率，及 <br/>大致940nm下大於80%的透射率，以及 <br/>以下的一個或多個反射率： <br/>所述可見光譜範圍的一部分下少於10%的反射率，及 <br/>少於大致500nm的光譜範圍下大於90%的反射率；以及 <br/>基板。
如請求項7所述之光學濾光器，其中所述感測器窗為藍色抗反射感測器窗，且 <br/>其中所述基板為硼矽酸鹽基板。
如請求項7所述之光學濾光器，其中所述感測器窗組態以提供大致400nm與大致800nm之間少於15%的透射率。
如請求項9所述之光學濾光器，其中所述感測器窗經組態以提供自大致0度角至大致45度角的角度所入射的大致400nm與大致800nm之間少於15%的所述透射率。
如請求項7所述之光學濾光器，其中所述感測器窗經組態以提供大致940nm的大於80%的所述透射率。
如請求項11所述之光學濾光器，其中所述感測器窗經組態以提供自大致0度角至大致45度角的角度所入射的大致940nm的大於80%的所述透射率。
如請求項7所述之光學濾光器，其中所述感測器窗經組態以提供所述可見光譜範圍的所述部分下少於10%的所述反射率。
如請求項13所述之光學濾光器，其中所述可見光譜範圍的所述部分為大致500nm至大致700nm。
如請求項7所述之光學濾光器，其中所述感測器窗經組態以提供少於大致500nm的所述光譜範圍的大於90%的反射率。
一種光學濾光器，其包含： <br/>抗反射感測器窗，其組態以提供以下的一個或多個： <br/>大致400nm與大致800nm之間少於15%的透射率， <br/>大致940nm的大於80%的透射率， <br/>可見光譜範圍的一部分下少於10%的反射率，及 <br/>在少於大致500nm的光譜範圍的大於90%的反射率；以及 <br/>硼矽酸鹽基板。
如請求項16所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗為藍色抗反射感測器窗，且 <br/>其中所述抗反射感測器窗經組態對於940nm之中心光譜範圍而組態。
如請求項16所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗經組態以提供所述可見光譜範圍的所述部分下少於10%的反射率，且 <br/>其中所述可見光譜範圍的所述部分為大致500nm至大致700nm。
如請求項16所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗經組態以提供少於大致500nm的所述光譜範圍下大於90%的反射率。
如請求項16所述之光學濾光器，其中所述抗反射感測器窗經組態以提供自大致0度角至大致45度角的角度所入射的大致940nm下大於80%的穿透率。
一種用於包裝的緩衝組件，包含： <br/>一外框件，係由一板材折疊而成，該外框件具有一容槽，該容槽具有二槽壁與一槽底，該二槽壁於一第一軸向上相面對；該二槽壁具有複數對插槽，且該些對插槽沿一第二軸向配置，其中該第二軸向垂直於該第一軸向；該容槽於該第二軸向形成一第一開放側且於一第三軸向上形成一第二開放側，其中該第三軸向垂直於該第一軸向與該第二軸向，該第二開放側與該槽底相對，該第二開放側連通該第一開放側； <br/>一內支撐件，係由一板材折疊而成，該內支撐件包括一支撐板，該支撐板的兩側可選擇地插入該些對插槽之中的一對； <br/>藉此，該支撐板插入不同對的插槽時，可改變該支撐板相對於該第一開放側的距離。
如請求項1所述之用於包裝的緩衝組件，其中該外框件包括一第一側部、一第二側部與一端部，該第一側部與該第二側部於該第一軸向上相對設置，該端部於該第二軸向上位於該第一側部與該第二側部的一側且與該容槽的第一開放側相對；該第一側部的一內表面與該第二側部的一內表面分別構成該容槽的該二槽壁，該端部的一內表面構成該容槽的另一槽壁。
如請求項2所述之用於包裝的緩衝組件，其中該外框件包括一基板，該基板的一表面構成該容槽的槽底，且該第一側部、該第二側部與該端部連接於該基板。
如請求項2所述之用於包裝的緩衝組件，其中該第一側部、該第二側部與該端部係為中空結構。
如請求項4所述之用於包裝的緩衝組件，其中該第一側部具有一第一外板與一第一內板，該第一外板與該第一內板於該第一軸向上相對，且該第一內板具有該第一側部的該內表面；該第一外板與該第一內板之間形成一中空部，該第一外板具有一插孔，該插孔與該中空部相通；該第一內板具有一擋止口且該擋止口的一邊緣連接有一擋板，該擋板的沿著該第一軸向延伸且插入該插孔，以將該中空部分隔出一容置空間；其中該第一外板包括一主板與一蓋板，該主板具有一開口，且該開口與該容置空間相通，該蓋板連接於該主板且位於該開口中，該蓋板用以開啟或關閉該開口。
如請求項5所述之用於包裝的緩衝組件，其中該蓋板具有一凹口，該凹口與該容置空間相通。
如請求項2所述之用於包裝的緩衝組件，該內支撐件包括一結合部，於該第二軸向上該結合部連接於該支撐板的一側，於該第一軸向上該結合部夾設於該容槽的該二槽壁之間。
如請求項7所述之用於包裝的緩衝組件，其中該內支撐件包括一基部，於該第一軸向上該基部夾設於該容槽的該二槽壁之間；於該第三軸向上該結合部抵接於該基部。
如請求項8所述之用於包裝的緩衝組件，其中該基部抵接於該容槽的該槽底。
如請求項8所述之用於包裝的緩衝組件，其中該基部具有一抵靠面，於該第三軸向上該抵靠面與該第二開放側相對。
如請求項10所述之用於包裝的緩衝組件，其中該基部具有一空腔，該抵靠面具有一避讓孔，該避讓孔與該空腔相通。
一種水域監測設備，包含： <br/>一水上移動監測組件(110)，具有一第一移動體(112)、設置於該第一移動體(112)之一側的一第二移動體(114)以及設置於該第一移動體(112)與該第二移動體(114)之間的一水上處理模組(116)，其中該水上處理模組(116)具有一數據處理單元(1161)以及一電池模組(1162)，該水上移動監測組件(110)的該第一移動體(112)以及該第二移動體(114)用以於一水下環境(A)的一水面(B)上進行移動； <br/>一太陽能供電組件(120)，設置於該水上移動監測組件(110)上且電性連接該電池模組(1162)以供電至該水上處理模組(116)； <br/>一水下監測載具(130)，電性連接至該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)，且具有一第一腔體球(132)與設置於該第一腔體球(132)之相對兩側的兩第一水下動力推進器(131)，其中該兩第一水下動力推進器(131)用以驅動該水下監測載具(130)在該水下環境(A)的該水面(B)下方進行移動，且該第一腔體球(132)中具有一第一感測器(1321)，該第一感測器(1321)用以監測該水下環境(A)中關聯於一溶氧濃度的一電壓數據，該水下監測載具(130)更用以將該電壓數據傳輸至該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)的該數據處理單元(1161)；以及 <br/>一遠端控制模組(220)，通訊連接該水上處理模組(116)的該控制單元(1164)，且用以遠端控制該水上移動監測組件(110)於該水面(B)上進行移動並用以遠端控制該水下監測載具(130)於該水下環境(A)的該水面(B)下方進行移動，其中該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)藉由一實體線路(C)電性連接至該水下監測載具(130)。
如請求項1所述之水域監測設備，其中該水上移動監測組件(110)的該第一移動體(112)與該第二移動體(114)皆具有一水上動力推進器(118)，該水上動力推進器(118)用以驅動該水上移動監測組件(110)於該水下環境(A)的該水面(B)上進行移動。
如請求項1所述之水域監測設備，其中該水下監測載具(130)的該兩第一水下動力推進器(131)沿一第一方向(D1)設置於該第一腔體球(132)的相對兩側。
如請求項3所述之水域監測設備，其中該水下監測載具(130)更具有兩第二水下動力推進器(133)，該兩第二水下動力推進器(133)沿垂直於該第一方向(D1)的一第二方向(D2)設置於該第一腔體球(132)的相對兩側。
如請求項3所述之水域監測設備，其中該水下監測載具(130)更具有一第二腔體球(134)，該第二腔體球(134)設置於該第一腔體球(132)的一側，且該兩第一水下動力推進器(131)沿該第一方向(D1)設置於該第二腔體球(134)的相對兩側。
如請求項1所述之水域監測設備，其中該水下監測載具(130)的該第一腔體球(132)中更具有一第二感測器(1322)，該第二感測器(1322)設置於該第一感測器(1321)的一側，且該第二感測器(1322)用以監測該水下環境(A)中的一鹽度數據，該水下監測載具(130)更用以將該鹽度數據傳輸至該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)的該數據處理單元(1161)。
如請求項6所述之水域監測設備，其中該水下監測載具(130)的該第一腔體球(132)中更具有一第三感測器(1323)，該第三感測器(1323)設置於該第二感測器(1322)的一側，且該第三感測器(1323)用以監測該水下環境(A)中的一酸鹼值數據，該水下監測載具(130)更用以將該酸鹼值數據傳輸至該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)的該數據處理單元(1161)。
一種水域監測分析系統，包含： <br/>如請求項1至7其中一項所述的水域監測設備(100)，其中該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)更具有一通訊傳輸單元(1163)以及一控制單元(1164)；以及 <br/>一人工智慧分析模組(210)，通訊連接該水上處理模組(116)的該通訊傳輸單元(1163)，且用以接收關聯於該溶氧濃度的該電壓數據，並根據該電壓數據換算出該水下環境(A)的該溶氧濃度。
如請求項8所述之水域監測分析系統，其中該水下監測載具(130)的該第一腔體球(132)中更具有一影像紀錄器(1324)，該影像紀錄器(1324)設置於該第一感測器(1321)的一側且用以拍攝該水下環境(A)以產生一水中圖像，且該水域監測分析系統更包含： <br/>一人工智慧辨識模組(230)，通訊連接該水上處理模組(116)的該通訊傳輸單元(1163)，且用以分析該水中圖像的魚群分布情形。
一種水域監測分析系統的操作方法，由請求項8所述之水域監測分析系統執行，包含： 藉由一太陽能供電組件(120)電性連接至一水上移動監測組件(110)的一水上處理模組(116)的一電池模組(1162)以供電至該水上處理模組(116)，其中該太陽能供電組件(120)設置於該水上移動監測組件(110)上； <br/>藉由該水上移動監測組件(110)的一第一移動體(112)以及一第二移動體(114)使該水上移動監測組件(110)於一水下環境(A)的一水面(B)上進行移動，其中該第二移動體(114)設置於該第一移動體(112)的一側，且該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)設置於該第一移動體(112)與該第二移動體(114)之間，該水上處理模組(116)具有一數據處理單元(1161)、一通訊傳輸單元(1163)以及一控制單元(1164)； <br/>藉由一水下監測載具(130)的兩第一水下動力推進器(131)驅動該水下監測載具(130)在該水下環境(A)的該水面(B)下方進行移動，其中藉由一遠端控制模組(220)遠端控制該水上移動監測組件(110)於該水面(B)上進行移動並遠端控制該水下監測載具(130)於該水面(B)下方進行移動，該遠端控制模組(220)通訊連接該水上處理模組(116)的該控制單元(1164)，且該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)藉由一實體線路(C)電性連接至該水下監測載具(130)，使得該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)與該水下監測載具(130)之間為有線連接的； <br/>藉由該水下監測載具(130)的一第一腔體球(132)中的一第一感測器(1321)監測該水下環境(A)中關聯於一溶氧濃度的一電壓數據，並將該電壓數據傳輸至該水上移動監測組件(110)的該水上處理模組(116)的該數據處理單元(1161)；以及 <br/>藉由一人工智慧分析模組(210)接收關聯於該溶氧濃度的該電壓數據，並根據該電壓數據換算出該水下環境(A)的該溶氧濃度，其中該人工智慧分析模組(210)通訊連接該水上處理模組(116)的該通訊傳輸單元(1163)。
如請求項10所述之水域監測分析系統的操作方法，其中該水上移動監測組件(110)的該第一移動體(112)與該第二移動體(114)藉由一水上動力推進器(118)驅動該水上移動監測組件(110)於該水面(B)上進行移動。
一種避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，投射一影像光至一擋風玻璃，該裝置包含：一顯示模組，具有一顯示面板與一背光元件，用於生成該影像光；一反射鏡，反射來自該顯示模組的該影像光；一凹面鏡，將來自該反射鏡的該影像光反射至該擋風玻璃，該凹面鏡可以往上方或往下方轉動；以及一光感測模組，設置於該反射鏡遠離該凹面鏡的一側，其特徵在於： <br/>該光感測模組具有一第一光感測器與一第二光感測器，偵測進入該抬頭顯示裝置內的一陽光而產生一第一光強度值與一第二光強度值，該陽光照射在該反射鏡的區域定義成一反射鏡陽光光斑，該陽光照射在該顯示面板的區域定義成一顯示面板陽光光斑； <br/>其中，該第一光感測器設置於該反射鏡上半部，當該陽光照射在該顯示面板下緣外側，該第一光感測器位於該反射鏡陽光光斑的上緣外側； <br/>其中，該第二光感測器設置於該反射鏡下半部，當該陽光照射在該顯示面板上緣外側，該第二光感測器位於該反射鏡陽光光斑的下緣外側； <br/>其中，當該陽光照射在該顯示面板上形成該顯示面板陽光光斑，該第一光感測器與該第二光感測器都在該反射鏡陽光光斑內，當該顯示面板上沒有該顯示面板陽光光斑，該第一光感測器與該第二光感測器至少其中之一不在該反射鏡陽光光斑內。
如請求項1所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中當該第一光強度值與該第二光強度值均大於一中強度閥值，且持續時間達一第一時間閥值，該凹面鏡由一初始角度進行首次轉動，轉動方向為往上方或往下方。
如請求項2所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡所轉動的角度最小值為0.265度。
如請求項2所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中當該第一光強度值超過一高強度閥值，持續時間達該第一時間閥值，該凹面鏡首次轉動的方向為讓該反射鏡陽光光斑往該第一光感測器所在方位移動的方向；當該第二光強度值超過一高強度閥值，持續時間達該第一時間閥值，該凹面鏡首次轉動的方向為讓該反射鏡陽光光斑往該第二光感測器所在方位移動的方向。
如請求項2所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中當該第一光強度值大於該第二光強度值，且兩者的差值超過一高差異閥值，持續時間達該第一時間閥值，該凹面鏡首次轉動的方向為讓該反射鏡陽光光斑往該第一光感測器所在方位移動的方向；當該第二光強度值大於該第一光強度值，且兩者的差值超過一高差異閥值，持續時間達該第一時間閥值，該凹面鏡首次轉動的方向為讓該反射鏡陽光光斑往該第二光感測器所在方位移動的方向。
如請求項1所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該光感測模組更包含一第三光感測器與一第四光感測器，產生一第三光強度值與一第四光強度值；該第三光感測器設置於該反射鏡左半部，當該陽光照射在該顯示面板左緣外側，該第三光感測器在該反射鏡陽光光斑的左緣外側；該第四光感測器設置於該反射鏡右半部，當該陽光照射在該顯示面板右緣外側，該第四光感測器在該反射鏡陽光光斑的右緣外側；當該顯示面板上有該顯示面板陽光光斑，該等光感測器都在該反射鏡陽光光斑內，當該顯示面板上沒有該顯示面板陽光光斑，該等光感測器至少其中之一不在該反射鏡陽光光斑內。
如請求項6所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中當該等光感測器偵測的光強度值皆超過一中強度閥值，且持續時間達一第一時間閥值，該凹面鏡由一初始角度進行首次轉動，轉動方向為往上方或往下方。
如請求項7所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡所轉動的角度最小值為0.265度。
如請求項8所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中當該第一光強度值超過一高強度閥值，持續時間達該第一時間閥值，該凹面鏡首次轉動的方向為往上方；當該第二光強度值超過一高強度閥值，持續時間達該第一時間閥值，該凹面鏡首次轉動的方向為往下方。
如請求項2、4、5、7或9所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡首次轉動後，若該等光強度值其中之一低於一低強度閥值，且持續時間達一第二時間閥值，該凹面鏡轉動回該初始角度，否則該凹面鏡往反方向進行第二次轉動，第二次轉動角度值是首次轉動角度值的2倍。
如請求項10所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡第二次轉動後，若該等光強度值其中之一低於一低強度閥值，且持續時間達該第二時間閥值，該凹面鏡轉動回該初始角度，否則控制該凹面鏡轉動至一停車角度，持續一關閉時間，再控制該凹面鏡轉動回該初始角度。
一種避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，投射一影像光至一擋風玻璃，該裝置包含：一顯示模組，具有一顯示面板與一背光元件，用於生成該影像光；一反射鏡，反射來自該顯示模組的該影像光；一凹面鏡，將來自該反射鏡的該影像光反射至該擋風玻璃，該凹面鏡可往上方或往下方轉動；以及一光感測模組，設置於該反射鏡遠離該凹面鏡的一側，其特徵在於： <br/>該光感測模組具有一第一光感測器、一第二光感測器、一第三光感測器與一第四光感測器，偵測進入該抬頭顯示裝置內的一陽光而產生一第一光強度值、一第二光強度值、一第三光強度值與一第四光強度值，該陽光照射在該反射鏡的區域定義成一反射鏡陽光光斑，該陽光照射在該顯示面板的區域定義成一顯示面板陽光光斑； <br/>其中，該第一光感測器設置於該反射鏡左上半部，當該陽光照射在該顯示面板左下角邊緣外側，該第一光感測器在該反射鏡陽光光斑的左上角邊緣外側； <br/>其中，該第二光感測器設置於該反射鏡右上半部，當該陽光照射在該顯示面板右下角邊緣外側，該第二光感測器在該反射鏡陽光光斑的右上角邊緣外側； <br/>其中，該第三光感測器設置於該反射鏡右下半部，當該陽光照射在該顯示面板右上角邊緣外側，該第三光感測器在該反射鏡陽光光斑的右下角邊緣外側； <br/>其中，該第四光感測器設置於該反射鏡左下半部，當該陽光照射在該顯示面板左上角邊緣外側，該第四光感測器在該反射鏡陽光光斑的左下角邊緣外側； <br/>其中，當該陽光照射在該顯示面板上形成該顯示面板陽光光斑，該等光感測器都在該反射鏡陽光光斑內，當該顯示面板上沒有該顯示面板陽光光斑，該等光感測器至少其中之一不在該反射鏡陽光光斑內。
如請求項12所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，當該等光感測器偵測的光強度值皆超過一中強度閥值，且持續時間達一第一時間閥值，該凹面鏡由一初始角度進行首次轉動，轉動方向為往上方或往下方。
如請求項13所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡所轉動的最小角度為0.265度。
如請求項12所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中若該第一光強度值或該第二光強度值超過一高強度閥值，並持續時間達一第一時間閥值，該凹面鏡由一初始角度進行首次轉動，轉動方向為讓該反射鏡陽光光斑往上方移動的方向。
如請求項12所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中若該第三光強度值或該第四光強度值超過一高強度閥值，並持續時間達一第一時間閥值，該凹面鏡由一初始角度進行首次轉動，轉動方向為讓該反射鏡陽光光斑往下方移動的方向。
如請求項13、15或16所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡首次轉動後，若該等光強度值其中之一低於一低強度閥值，且持續時間達一第二時間閥值，該凹面鏡轉動回該初始角度，否則該凹面鏡往反方向進行第二次轉動，第二次轉動角度值是首次轉動角度值的2倍。
如請求項第17所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該凹面鏡第二次轉動後，若該等光強度值其中之一低於一低強度閥值，且持續時間達該第二時間閥值，該凹面鏡轉動回該初始角度，否則控制該凹面鏡轉動至一停車角度，持續一關閉時間，再控制該凹面鏡轉動回該初始角度。
如請求項1或12所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該反射鏡為一反射式偏光片，該反射式偏光片可讓P偏振波穿透，並反射S偏振波。
如請求項19所述避免陽光傷害的抬頭顯示裝置，其中該反射式偏光片與該光感測模組之間設有一減光片，該減光片衰減60～90%的光線，且表面反射率低於15%。
一種晶析系統，具備：晶析槽，其係供給有溶解液，從前述溶解液晶析出分離對象，並將晶析出前述分離對象的前述溶解液以漿料形式儲留；固液分離部，其係從前述晶析槽導入前述漿料，並透過過濾器將作為固態成分的前述分離對象從前述漿料中分離；以及控制部，其係對從前述晶析槽到前述固液分離部的前述漿料的供給進行控制； <br/> 其中，前述控制部在以每單位時間供給恆定量的前述漿料的流量恆定控制方式從前述晶析槽供給前述漿料到前述固液分離部時，若前述過濾器上形成前述分離對象層的過濾層，則將從前述晶析槽到前述固液分離部的前述漿料的供給從前述流量恆定控制切換為將前述晶析槽的前述溶解液的液面恆定的液面恆定控制。
如請求項1的晶析系統，其中， <br/> 更具有檢測與前述固液分離部的作動有關的參數之檢測部，前述控制部取得前述檢測部檢測到的前述參數作為前述固液分離部的作動資訊，根據前述作動資訊，判定是否已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得前述固液分離部的運轉音的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述運轉音的變動量為規定的閾值以下時，判定已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得前述固液分離部的馬達的電流值的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述電流值的變動量為規定的閾值以下時，判定已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得前述固液分離部的振動的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述振動的變動量為規定的閾值以下時，判定已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得以前述流量恆定控制進行控制的時間即運轉時間的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述運轉時間為規定的閾值以上時，判定已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得在透過前述過濾器分離了前述分離對象的前述漿料中包含的前述分離對象的濃度的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述濃度的變動量為規定的閾值以下時，判定已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得透過前述過濾器分離了前述分離對象的前述漿料的顏色的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述顏色的變動量為規定的閾值以下時，判定已形成前述過濾層。
如請求項1或是請求項2的晶析系統，其中， <br/> 前述控制部取得在前述過濾器分離出的前述分離對象的含水率的資訊作為前述固液分離部的作動資訊，在前述含水率的變動量為規定的閾值以下時，判定已形成前述過濾層。
一種晶析方法，包含： <br/> 向晶析槽供給溶解液的步驟； <br/> 在前述晶析槽內，從前述溶解液晶析分離對象以獲得漿料的步驟； <br/> 從前述晶析槽向固液分離部供給前述漿料，透過設在前述固液分離部的過濾器，從前述漿料分離固態成分即前述分離對象的步驟；以及 <br/> 對從前述晶析槽到前述固液分離部的前述漿料的供給進行控制的步驟； <br/> 其中，在進行前述漿料的供給控制的步驟中，當以每單位時間供給恆定量的前述漿料的流量恆定控制方式從前述晶析槽供給前述漿料到前述固液分離部時，若在前述過濾器形成前述分離對象層即過濾層，則把從前述晶析槽到前述固液分離部的前述漿料的供給，從前述流量恆定控制，切換為將前述晶析槽的前述溶解液的液面恆定的液面恆定控制。
一種使電腦執行以下的步驟的程式： <br/> 向晶析槽供給溶解液的步驟； <br/> 在前述晶析槽內，從前述溶解液晶析分離對象以獲得漿料的步驟； <br/> 從前述晶析槽向固液分離部供給前述漿料，透過設在前述固液分離部的過濾器，從前述漿料分離固態成分即前述分離對象的步驟；以及 <br/> 對從前述晶析槽到前述固液分離部的前述漿料的供給進行控制的步驟； <br/> 其中，在進行前述漿料的供給控制的步驟中，當以每單位時間供給恆定量的前述漿料的流量恆定控制方式從前述晶析槽供給前述漿料到前述固液分離部時，若在前述過濾器形成前述分離對象層即過濾層，則把從前述晶析槽到前述固液分離部的前述漿料的供給，從前述流量恆定控制，切換為將前述晶析槽的前述溶解液的液面恆定的液面恆定控制。
一種能抑制介白素11(IL-11)媒介的訊息傳導之製劑於製造一藥劑之用途，該藥劑係供用於一抑制或逆轉小管上皮細胞(tubular epithelial cells，TECs)轉化為間質細胞樣表現型(mesenchymal cell-like phenotype)之方法，其中該能抑制介白素11(IL-11)媒介的訊息傳導之製劑係：(i)抗IL-11抗體或其一抗原結合片段，或(ii)抗IL-11Rα抗體或其一抗原結合片段。
如請求項1之用途，其中該製劑是一能預防或降低介白素11 (IL-11)與介白素11之一受體(IL-11R)的結合之製劑。
如請求項1之用途，其中該製劑係一抗IL-11抗體或其之一抗原結合片段，其為一IL-11媒介的訊息傳導之拮抗劑。
如請求項1之用途，其中該製劑係一抗IL-11Rα抗體或其之一抗原結合片段，其為一IL-11媒介的訊息傳導之拮抗劑。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該方法包含投予該藥劑給介白素11 (IL-11)或IL-11之一受體(IL-11R)表現向上調節的一個體。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該方法包含投予該藥劑給介白素11 (IL-11)或介白素11之一受體(IL-11R)表現已經判定為向上調節的一個體。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該方法包含判定一個體的介白素11(IL-11)或IL-11之一受體(IL-11R)表現是否是向上調節的，以及投予該藥劑給介白素11 (IL-11)或IL-11之一受體(IL-11R)表現向上調節的該個體。
一種太陽能板快速鎖固迫緊裝置，用以組裝至少一太陽能板，包括：一太陽能棚架，包括交錯配置之至少一直向桿及至少一橫向桿，其中該直向桿，具有：一直桿部，沿該直向桿延伸方向形成於該直向桿；複數端部，分別自該直桿部兩側水平朝外延伸形成；複數側壁，分別自各該端部朝下延伸形成；至少一托塊，疊設於該直向桿且具有一形成於該托塊頂端之一上凸部，提供該太陽能板一側抵靠、以及至少一凹陷形成於該托塊頂端之斜槽；以及至少一迫緊塊，具有直交連接之一橫迫段、及一直迫段，其中：該橫迫段，扣抵於該托塊及該太陽能板，具有一自該橫迫段底端朝外延伸形成之斜契部，並選擇性插置於該斜槽；及該直迫段，組設於各該側壁其中之一，調節該橫迫段扣抵力道。
如請求項1所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中該橫迫段與該托塊抵靠之端面，凹設有一退讓槽。
如請求項1所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中該直迫段凸設有一勾部，選擇性頂抵該直迫段底端。
如請求項1所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中該橫迫段頂端設有一防滑紋。
如請求項1所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中各該端部具有至少一頂、底貫穿各該端部形成之端部貫孔。
如請求項1所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中各該側壁具有至少一貫穿各該側壁形成之側壁貫孔。
如請求項1所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中該直向桿與該迫緊塊抵靠之端面，凹設有一直桿槽。
如請求項7所述太陽能板快速鎖固迫緊裝置，其中該托塊底端設有一下凸部，選擇性插置於該直桿槽中。
一種網狀網路的裝置定位方法，包含以下步驟：<br/> 藉由一根存取點的一控制器於一網狀網路中傳輸一拓撲詢問封包至複數延伸存取點及該根存取點的一代理器，其中該網狀網路包含一乙太客戶端裝置；<br/> 藉由該些延伸存取點及該代理器根據該拓撲詢問封包回傳複數拓撲回應封包至該控制器；<br/> 藉由該控制器從該些拓撲回應封包分別蒐集對應該些延伸存取點及該代理器的複數自訂轉發資料庫及複數端口存取位址，其中該些自訂轉發資料庫包含複數存取位址；<br/> 藉由該控制器基於該些拓撲回應封包得知該些存取位址中的一無線客戶端位址，並判定該些存取位址中除了該無線客戶端位址及該些端口存取位址之外的一者為該乙太客戶端裝置的一乙太客戶端位址；以及<br/> 藉由該控制器從對應該些延伸存取點及該代理器的該些拓撲回應封包中查找該乙太客戶端位址，以決策該乙太客戶端裝置連接於該些延伸存取點及該根存取點的一者的一下游端。
如請求項1所述之網狀網路的裝置定位方法，其中根據該拓撲詢問封包回傳該些拓撲回應封包至該控制器的步驟包含：<br/> 藉由該些延伸存取點及該代理器的每一者經由各自的一上游回傳連接埠接收該拓撲詢問封包，然後建立一橋接轉發資料庫。
如請求項2所述之網狀網路的裝置定位方法，其中該些延伸存取點的每一者經由該上游回傳連接埠學習至少一第一存取位址，並從該橋接轉發資料庫中刪除該至少一第一存取位址。
如請求項2所述之網狀網路的裝置定位方法，其中該些延伸存取點及該代理器的每一者經由該上游回傳連接埠學習至少一第一存取位址，並從該橋接轉發資料庫中刪除該至少一第一存取位址。
如請求項2所述之網狀網路的裝置定位方法，其中該些延伸存取點及該代理器的每一者包含複數連接埠，並根據該拓撲詢問封包判定該些連接埠的一者為該上游回傳連接埠。
如請求項2所述之網狀網路的裝置定位方法，其中根據該拓撲詢問封包回傳該些拓撲回應封包至該控制器的步驟更包含：<br/> 藉由該些延伸存取點及該代理器的每一者從該橋接轉發資料庫中刪除對應一聯繫時間大於一閾值時間的至少一第二存取位址，以使複數該橋接轉發資料庫被重製為該些自訂轉發資料庫；及<br/> 藉由該些延伸存取點及該代理器分別將該些自訂轉發資料庫插入該些拓撲回應封包，並將該些拓撲回應封包回傳至該控制器。
如請求項1所述之網狀網路的裝置定位方法，其中該網狀網路更包含一無線客戶端裝置，且基於該些拓撲回應封包得知該些存取位址中的該無線客戶端位址的步驟包含：<br/> 藉由該控制器根據該無線客戶端位址判定該無線客戶端裝置連接於該些延伸存取點及該根存取點的該者或另一者；<br/> 其中，該控制器從該些延伸存取點及該代理器的每一者接收一拓撲通知封包，藉以基於複數該拓撲通知封包得知該些存取位址中的該無線客戶端位址。
如請求項1所述之網狀網路的裝置定位方法，其中從對應該些延伸存取點及該代理器的該些拓撲回應封包中查找該乙太客戶端位址的步驟包含：<br/> 藉由該控制器判斷該乙太客戶端位址是否存在於該些拓撲回應封包的一者而產生一判斷結果；<br/> 其中，當該判斷結果為是時，藉由該控制器判定回傳該些拓撲回應封包的該者的該些延伸存取點及該根存取點的該者為一目標存取點，並判定該乙太客戶端裝置連接於該目標存取點的該下游端；<br/> 其中，當該判斷結果為否時，藉由該控制器配給一等級數值予該些延伸存取點及該代理器的每一者，並挑選具有一最大值的該等級數值所對應的該些延伸存取點及該根存取點的該者作為該目標存取點，並判定該乙太客戶端裝置連接於該目標存取點的該下游端。
如請求項8所述之網狀網路的裝置定位方法，其中配給該等級數值予該些延伸存取點及該代理器的每一者的步驟包含：<br/> 藉由該控制器將該代理器被配給的該等級數值設定為一初始值，並每經過一回傳介面於該初始值累加1，藉以設定該些延伸存取點的複數該等級數值。
如請求項9所述之網狀網路的裝置定位方法，其中該回傳介面包含一乙太網路回傳及一無線網路回傳的任一者。
一種網狀網路的裝置定位系統，包含：<br/> 一根存取點，包含：<br/> 一控制器，用以於一網狀網路中傳輸一拓撲詢問封包，其中該網狀網路包含一乙太客戶端裝置；及<br/> 一代理器，連接該控制器，並接收該拓撲詢問封包；以及<br/> 複數延伸存取點，耦接該根存取點，並接收該拓撲詢問封包；<br/> 其中，該些延伸存取點及該代理器根據該拓撲詢問封包回傳複數拓撲回應封包至該控制器，該控制器從該些拓撲回應封包分別蒐集對應該些延伸存取點及該代理器的複數自訂轉發資料庫及複數端口存取位址，且該些自訂轉發資料庫包含複數存取位址；<br/> 其中，該控制器基於該些拓撲回應封包得知該些存取位址中的一無線客戶端位址，並判定該些存取位址中除了該無線客戶端位址及該些端口存取位址之外的一者為該乙太客戶端裝置的一乙太客戶端位址；<br/> 其中，該控制器從對應該些延伸存取點及該代理器的該些拓撲回應封包中查找該乙太客戶端位址，以決策該乙太客戶端裝置連接於該些延伸存取點及該根存取點的一者的一下游端。
如請求項11所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該些延伸存取點及該代理器的每一者經由各自的一上游回傳連接埠接收該拓撲詢問封包，然後建立一橋接轉發資料庫。
如請求項12所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該些延伸存取點的每一者經由該上游回傳連接埠學習至少一第一存取位址，並從該橋接轉發資料庫中刪除該至少一第一存取位址。
如請求項12所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該些延伸存取點及該代理器的每一者經由該上游回傳連接埠學習至少一第一存取位址，並從該橋接轉發資料庫中刪除該至少一第一存取位址。
如請求項12所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該些延伸存取點及該代理器的每一者包含複數連接埠，並根據該拓撲詢問封包判定該些連接埠的一者為該上游回傳連接埠。
如請求項12所述之網狀網路的裝置定位系統，其中，<br/> 該些延伸存取點及該代理器的每一者從該橋接轉發資料庫中刪除對應一聯繫時間大於一閾值時間的至少一第二存取位址，以使複數該橋接轉發資料庫被重製為該些自訂轉發資料庫；及<br/> 該些延伸存取點及該代理器分別將該些自訂轉發資料庫插入該些拓撲回應封包，並將該些拓撲回應封包回傳至該控制器。
如請求項11所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該網狀網路更包含一無線客戶端裝置，該控制器根據該無線客戶端位址判定該無線客戶端裝置連接於該些延伸存取點及該根存取點的該者或另一者。
如請求項11所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該控制器判斷該乙太客戶端位址是否存在於該些拓撲回應封包的一者而產生一判斷結果；<br/> 其中，當該判斷結果為是時，藉由該控制器判定回傳該些拓撲回應封包的該者的該些延伸存取點及該根存取點的該者為一目標存取點，並判定該乙太客戶端裝置連接於該目標存取點的該下游端；<br/> 其中，當該判斷結果為否時，藉由該控制器配給一等級數值予該些延伸存取點及該代理器的每一者，並挑選具有一最大值的該等級數值所對應的該些延伸存取點及該根存取點的該者作為該目標存取點，並判定該乙太客戶端裝置連接於該目標存取點的該下游端。
如請求項18所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該控制器將該代理器被配給的該等級數值設定為一初始值，並每經過一回傳介面於該初始值累加1，藉以設定該些延伸存取點的複數該等級數值。
如請求項19所述之網狀網路的裝置定位系統，其中該回傳介面包含一乙太網路回傳及一無線網路回傳的任一者。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括：<br/> 形成一鰭結構，該鰭結構來自一基板，其中該鰭結構包括交替的複數個第一半導體層及複數個第二半導體層；<br/> 移除該些第二半導體層每一者的複數個邊緣部分；<br/> 沉積一絕緣材料，該絕緣材料圍繞在該鰭結構；<br/> 執行一熱製程，以橫向地擴張該些第二半導體層；<br/> 形成一犧牲閘極結構在該鰭結構的一部分之上；<br/> 使該鰭結構的一暴露部分凹陷；以及<br/> 形成一源極/汲極區在該鰭結構的凹陷部分之上。
如請求項1所述之形成半導體裝置結構的方法，其中該些第二半導體層每一者的該些邊緣部分藉由一選擇蝕刻製程移除。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括:<br/> 形成一鰭結構，該鰭結構來自一基板，其中該鰭結構包括交替的複數個第一半導體層及複數個第二半導體層；<br/> 沉積一絕緣材料，該絕緣材料圍繞在該鰭結構；<br/> 執行一熱製程在該絕緣材料上，其中該熱製程的一製程溫度範圍從約攝氏300度至約攝氏380度；<br/> 形成一犧牲閘極結構在該鰭結構的一部分之上；<br/> 使該鰭結構的一暴露部分凹陷；<br/> 移除該些第二半導體層，以形成複數個開口在相鄰的複數個第一半導體層之間；以及<br/> 沉積一介電材料在該些開口中。
如請求項3所述之形成半導體裝置結構的方法，更包括移除該介電材料的複數個部分以形成在相鄰的該些第一半導體層之間的複數個空腔。
如請求項4所述之形成半導體裝置結構的方法，更包括形成在該些空腔中的複數個介電間隔物。
如請求項5所述之形成半導體裝置結構的方法，更包括移除該犧牲閘極結構。
如請求項6所述之形成半導體裝置結構的方法，更包括在該犧牲閘極結構移除後，移除該介電材料。
如請求項7所述之形成半導體裝置結構的方法，更包括形成在相鄰的該些第一半導體層之間的一閘極結構。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括:<br/> 形成一鰭結構，該鰭結構來自一基板，其中該鰭結構包括具有交替的複數個平坦面及複數個凹陷面的一側面；<br/> 形成一絕緣區，該絕緣區圍繞在該鰭結構的至少一部分，其中該鰭結構的該側面在該絕緣區的形成期間，變成大致平的；<br/> 形成一犧牲閘極結構在該鰭結構的一部分；<br/> 使該鰭結構的一暴露部分凹陷；以及<br/> 形成一源極/汲極區在該鰭結構的凹陷部分之上。
如請求項9所述之形成半導體裝置結構的方法，其中該鰭結構更包括交替的複數個第一半導體層及複數個第二半導體層。
一種廢太陽能模組的入料方法，包含：<br/> 數個入料步驟，每一該入料步驟包括一抬升子步驟，以及一輸送子步驟，於該抬升子步驟中，以一驅動單元驅動一升降平台升高一廢太陽能模組堆直到該廢太陽能模組堆最上方的一個廢太陽能模組不低於一作業平台，於該輸送子步驟中，將最上方的該廢太陽能模組以一推桿推送至該作業平台。
如請求項1所述的廢太陽能模組的入料方法，其中，於每一該抬升子步驟中，升高該廢太陽能模組堆直到該廢太陽能模組堆最上方的該廢太陽能模組的底端高於該作業平台的頂面。
如請求項1所述的廢太陽能模組的入料方法，其中，每一該入料步驟還包括一第一判斷子步驟，於該第一判斷子步驟中，判斷該廢太陽能模組堆最上方的該廢太陽能模組是以一玻璃側或以一背板側朝上。
如請求項3所述的廢太陽能模組的入料方法，其中，於每一該第一判斷子步驟中，透過一面向偵測機構量測該面向偵測機構與該廢太陽能模組堆最上方的該廢太陽能模組不同部位間的距離的量測結果來判斷最上方的該廢太陽能模組是以該玻璃側或以該背板側朝上。
如請求項1所述的廢太陽能模組的入料方法，還包含一個位於該等入料步驟前的輸入步驟，於該輸入步驟中，透過三個方位彼此不同的輸入側的其中一者，將該廢太陽能模組堆放到該升降平台上。
一種廢太陽能模組的入料設備，適用於將一廢太陽能模組堆的數廢太陽能模組輸送至一作業平台上，該廢太陽能模組的入料設備包含：<br/> 一機架結構；<br/> 一升降機構，設置在該機架結構上，並包括一個適用於承載該廢太陽能模組堆的升降平台，以及一個能驅動該升降平台上升或下降的驅動單元；<br/> 至少一輸入側，適用於供該廢太陽能模組堆被輸送至該升降平台上；<br/> 一送料側，朝向該作業平台，並適用於供放置在該升降平台上的該等廢太陽能模組被推送至該作業平台；及<br/> 一輸送機構，設置在該機架結構上，並包括一個能將該等廢太陽能模組推送至該作業平台的推桿，以及一個能帶動該推桿橫向移動的移動單元。
如請求項6所述的廢太陽能模組的入料設備，包含數個所述的輸入側，該等輸入側與該送料側相配合圍繞該升降平台。
如請求項6所述的廢太陽能模組的入料設備，每一該廢太陽能模組包括彼此相反的一玻璃側及一背板側，其中，該廢太陽能模組的入料設備還包含一個供該升降機構設置的機架結構，以及一個設置在該機架結構上的面向偵測機構，該面向偵測機構能量測該面向偵測機構與該廢太陽能模組堆最上方的該廢太陽能模組不同部位間的距離來判斷最上方的該廢太陽能模組是以該玻璃側或以該背板側朝上。
如請求項6所述的廢太陽能模組的入料設備，還包含一個機架結構，以及一個設置在機架結構上的高度偵測機構，該高度偵測機構能偵測是否有任何的一個該廢太陽能模組與該高度偵測機構等高。
如請求項6所述的廢太陽能模組的入料設備，其中，該驅動單元包括數條連接該升降平台而能帶動該升降平台上升或下降的傳動鏈條。
一種具三機體及低展弦比的翼地飛行器，包括：一縱向延伸的中間機體：兩個分別位於前述中間機體兩側縱向延伸的左/右側機體，其中前述左/右側機體均形成有一內部氣體燃料槽，藉此，當前述翼地飛行器位於水面時提供額外浮力；分別將前述左/右側機體銜接至前述中間機體的左/右導風板分別具有低於一的展弦比(Aspect Ratio)，藉此將該翼地飛行器的橫寬限制在對應前述左/右側機體的間距，且藉由前述中間機體和前述左/右側機體，由前述左/右導風板分別切割界定出左/右兩側的上/下風道，其中前述左/右側機體的縱向長度更大於前述左/右導風板的縱向長度；至少一對分別對稱設置於前述左/右導風板之前的左/右前鼓風器；至少一對分別對稱設置於前述左/右導風板後側上方的左/右後鼓風器，藉此分別加強前述左/右上側風道的氣流；至少一姿態偵測器，用以偵測所述中間機體和/或左/右側機體的俯仰和水平姿態，產生一姿態資訊；以及至少一接收前述姿態資訊，用以分別獨立驅動操控前述左/右前鼓風器和前述左/右後鼓風器的處理器。
如請求項1所述的翼地飛行器，其中，所述左/右前鼓風器是沿垂直於前述縱向的第一橫向軸分別被設置於前述中間機體和前述左/右側機體之間的至少一左/右前風扇。
如請求項2所述的翼地飛行器，其中，所述左/右前風扇是被設置成可沿前述第一橫向軸樞轉，藉此改變推送至前述左/右上側風道的縱向氣流分量和向下方吹送的推升氣流分量兩者的比例。
如請求項3所述的翼地飛行器，其中，前述左/右前風扇更分別包括至少沿前述第一橫向軸分別設置於前述左側機體和前述中間機體之間、以及前述中間機體和前述右側機體之間的至少一左前風扇外框和至少一右前風扇外框；分別被固定於前述左前風扇外框和前述右前風扇外框中的一左前風扇本體和一右前風扇本體；以及分別被固定於前述左前風扇外框和前述右前風扇外框中、且分別位於前述左前風扇本體和前述右前風扇本體後方的左前導流翼和右前導流翼。
如請求項4所述的翼地飛行器，其中前述左前導流翼和前述右前導流翼分別具有包含多個曲率漸變弧面的上方側面，以及一平坦下方側面。
如請求項1所述的翼地飛行器，其中，所述左/右後鼓風器是沿垂直於前述縱向的第二橫向軸分別被設置於前述中間機體和前述左/右側機體之間的至少一左/右後風扇。
如請求項6所述的翼地飛行器，其中，所述左/右後風扇是被設置成可沿前述橫向軸樞轉，藉此改變加速前述左/右上側風道的縱向氣流分量和向下方吹送的推升氣流分量兩者的比例。
如請求項7所述的翼地飛行器，其中，前述左/右後風扇更分別包括至少沿前述第二橫向軸分別設置於前述左側機體和前述中間機體、以及前述中間機體和前述右側機體之間的至少一左後風扇外框和至少一右後風扇外框；分別被固定於前述左後風扇外框和前述右後風扇外框中的一左後風扇本體和一右後風扇本體；以及分別被固定於前述左後風扇外框和前述右後風扇外框中、且分別位於前述左後風扇本體和前述右後風扇本體後方的左後導流翼和右後導流翼。
如請求項8所述的翼地飛行器，其中前述左後導流翼和右後導流翼分別具有包含多個曲率漸變弧面的上方側面，以及一平坦下方側面。
如請求項1所述的翼地飛行器，其中前述左/右側機體分別具有一縱向延伸的預定吃水線，使得當前述翼地飛行器停滯於水面上，前述左/右側機體的前述內部氣體燃料槽均填滿氣體燃料、前述左/右前鼓風器和前述左/右後鼓風器均靜止時，前述左/右側機體在前述預定吃水線下方的部分是位於水面下，而前述預定吃水線的縱向長度大於前述左/右導風板的翼展寬度；以及前述左/右導風板具有由前向後呈向下傾斜的底面，使得前述翼地飛行器前進時攻角(angle of attack)為非零銳角。
一種用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，適用連接於市電且具有逆灌檢測燈號的電力電表，包括: <br/>一太陽能模組，其用以進行供能； <br/>一逆變模組，其用以進行逆變，所述逆變模組電性耦接於所述太陽能模組，且所述逆變模組電性耦接於所述市電及一負載； <br/>一控制模組，其用以進行控制，所述控制模組電性耦接於所述逆變模組；及 <br/>一輸入模組，其用以進行輸入，所述輸入模組電性耦接於所述控制模組；其中，在所述電力電表的逆灌檢測燈號亮起時，所述控制模組根據所述輸入模組所輸入的一進入訊號進入一逆灌檢測校準設置模式，且在所述逆灌檢測校準設置模式下，所述控制模組根據所述輸入模組所輸入的一校準設置值進行儲存，使所述控制模組根據儲存的所述校準設置值進行校準，以對應地調降所述逆變模組將所述太陽能模組輸出的直流電能逆變至所述負載的交流電能，從而使所述市電對應地調升輸出至所述負載的交流電能，且在所述電力電表的逆灌檢測燈號仍亮起時，所述控制模組根據所述輸入模組所輸入的下一校準設置值進行儲存及進行校準，直到所述電力電表的逆灌檢測燈號熄滅。
如請求項1所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，還包括一開關模組，所述控制模組電性耦接於所述開關模組，且所述逆變模組透過所述開關模組電性耦接於所述市電及所述負載；其中，所述開關模組包含有相連接的第一開關及第二開關，所述第一開關及所述第二開關用以根據所述控制模組的指示而選擇性地導通，以選擇性地傳輸由所述市電輸出的交流電能以及由所述逆變模組逆變的交流電能的至少其一至所述負載。
如請求項1所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述控制模組與所述逆變模組之間連接有一第一感測電路，所述第一感測電路用以對所述逆變模組進行感測，所述控制模組依據所述第一感測電路的感測結果，透過類比數位轉換，得知所述逆變模組的輸出電壓及輸出電流。
如請求項3所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述控制模組與所述太陽能模組之間連接有一第二感測電路，所述第二感測電路用以對所述太陽能模組進行感測，所述控制模組依據所述第二感測電路的感測結果，透過類比數位轉換，得知所述太陽能模組的輸出電壓及輸出電流。
如請求項4所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述控制模組與所述市電之間連接有一第三感測電路，所述第三感測電路用以對所述市電進行感測，所述控制模組依據所述第三感測電路的感測結果，透過類比數位轉換，得知所述市電的輸入電壓。
如請求項5所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述控制模組與所述負載之間連接有一第四感測電路，所述第四感測電路用以對所述負載進行感測，所述控制模組依據所述第四感測電路的感測結果，透過類比數位轉換，得知至所述負載當前的電壓。
如請求項1所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述太陽能模組與所述逆變模組之間連接有一升壓模組，所述升壓模組用以將所述太陽能模組輸出的直流電能進行升壓後輸出。
如請求項1所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述逆變模組與一電池模組之間連接有一充放電轉換模組，所述控制模組電性耦接於所述充放電轉換模組，且所述控制模組透過所述充放電轉換模組控制所述電池模組的充電運作和放電運作。
如請求項8所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述控制模組與所述電池模組之間連接有一第五感測電路，所述第五感測電路用以對所述電池模組進行感測，所述控制模組依據所述第五感測電路產生的感測結果，透過類比數位轉換，得知所述電池模組當前的電壓及電流。
如請求項1所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，所述控制模組電性耦接於一顯示模組，在所述逆灌檢測校準設置模式下，所述控制模組控制所述顯示模組顯示所述校準設置值。
如請求項10所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統，其中，在所述逆灌檢測校準設置模式下，所述控制模組控制所述顯示模組顯示一逆灌校準設置項頁面，以使所述顯示模組透過所述逆灌校準設置項頁面顯示所述校準設置值。
一種用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統的校準方法，適用連接於市電且具有逆灌檢測燈號的電力電表，並包含以下步驟： <br/>在所述電力電表的逆灌檢測燈號亮起時，一控制模組根據一輸入模組輸入的一進入訊號進入一逆灌檢測校準設置模式； <br/>在所述逆灌檢測校準設置模式下，所述控制模組根據所述輸入模組所輸入的一校準設置值進行儲存； <br/>所述控制模組根據儲存的所述校準設置值進行校準步驟，以對應地調降一逆變模組將一太陽能模組輸出的直流電能逆變至一負載的交流電能，從而使所述市電對應地調升輸出至所述負載的交流電能；及 <br/>在所述電力電表的逆灌檢測燈號仍亮起時，所述控制模組根據所述輸入模組所輸入的下一校準設置值進行儲存及進行前述校準步驟，直到所述電力電表的逆灌檢測燈號熄滅。
如請求項12所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統的校準方法，其中，在所述逆灌檢測校準設置模式下，所述控制模組控制一顯示模組顯示所述校準設置值。
如請求項13所述的用於電力電表的逆灌檢測校準的電力系統的校準方法，其中，在所述逆灌檢測校準設置模式下，所述控制模組控制所述顯示模組顯示一逆灌校準設置項頁面，以使所述顯示模組透過所述逆灌校準設置項頁面顯示所述校準設置值。
一種靜電卡盤，其包括：<br/>一介電層；<br/>一接合層；<br/>一電荷障壁層；<br/>一電極層；及<br/>一隔離層；<br/>其中該接合層係定位於該介電層與該電荷障壁層之間；<br/>其中該電荷障壁層係定位於該接合層與該電極層之間；<br/>其中該電極層係定位於該電荷障壁層與該隔離層之間，使得電極層未直接接觸該介電層。
如請求項1之靜電卡盤，其中該介電層直接接觸該接合層。
如請求項1之靜電卡盤，其中該接合層直接接觸該電荷障壁層。
如請求項1之靜電卡盤，其中該電荷障壁層直接接觸該電極層。
如請求項1之靜電卡盤，其中該電極層直接接觸該隔離層。
如請求項1之靜電卡盤，其中該接合層包括一非導電聚合物材料。
如請求項1之靜電卡盤，其中該接合層包括氟化乙烯丙烯、全氟烷氧基烷烴、聚四氟乙烯或其等之任何組合之至少一者。
如請求項1之靜電卡盤，其中該接合層覆蓋該電極層，使得該接合層之一上表面之一表面粗糙度小於該電極層之一上表面之一表面粗糙度。
如請求項1之靜電卡盤，其中該電荷障壁層係一非導電材料之一連續層。
如請求項1之靜電卡盤，其中該電荷障壁層包括藉由原子層沈積所沈積之一金屬氧化物。
如請求項1之靜電卡盤，其中該介電層具有25 µm至500 μm之一厚度。
如請求項1之靜電卡盤，其中該接合層具有10 µm至200 μm之一厚度。
如請求項1之靜電卡盤，其中該電荷障壁層具有100 nm至1 μm之一厚度。
一種靜電卡盤，其包括：<br/>一介電層；<br/>一接合層；<br/>一電極層；及<br/>一隔離層；<br/>其中該接合層係定位於該介電層與該電極層之間；<br/>其中該電極層係定位於該接合層與該隔離層之間；<br/>其中該電極層未直接接觸該介電層。
如請求項14之靜電卡盤，其中該介電層直接接觸該接合層。
如請求項14之靜電卡盤，其中該接合層直接接觸該電極層。
如請求項14之靜電卡盤，其中該電極層直接接觸該隔離層。
如請求項14之靜電卡盤，其中該接合層包括一非導電聚合物材料。
如請求項14之靜電卡盤，其中該接合層包括氟化乙烯丙烯、全氟烷氧基烷烴、聚四氟乙烯或其等之任何組合之至少一者。
如請求項14之靜電卡盤，其中該接合層覆蓋該電極層，使得該接合層之一上表面之一表面粗糙度小於該電極層之一上表面之一表面粗糙度。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：<br/> 在一半導體基板的一頂表面上形成一鰭形結構，其中該半導體基板包含一第一半導體元素；<br/> 形成穿過該鰭形結構且進入該半導體基板的一凹槽；<br/> 在該凹槽中生長一磊晶源極/汲極區域，其中該磊晶源極/汲極區域包含該第一半導體元素及一第二半導體元素；<br/> 在該磊晶源極/汲極區域上方沈積一接觸蝕刻終止層；<br/> 在該半導體基板上加熱該磊晶源極/汲極區域至一熔融狀態且允許該磊晶源極/汲極區域再結晶；及<br/> 在該半導體基板上加熱該磊晶源極/汲極區域之後，在該接觸蝕刻終止層上方沈積一層間介電層。
如請求項1所述的方法，形成該鰭形結構之步驟包含以下步驟：<br/> 在該半導體基板上形成一通道堆疊，其中該通道堆疊包含交替排列的兩個或更多個中介層及兩個或更多個通道層；及<br/> 圖案化該通道堆疊及該半導體基板以形成該鰭形結構。
如請求項2所述的方法，其中該一或多個通道層包含該第一半導體元素，且該中介層包含一介電材料。
如請求項2所述的方法，其中該一或多個通道層包含該第一半導體元素，且該中介層包含該第一半導體元素及該第二半導體元素的一半導體複合材料。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：<br/> 在一半導體基板的一頂表面上形成一鰭形結構，其中該鰭形結構包含交替排列的多個中介層及多個通道層；<br/> 形成穿過該鰭形結構且進入該半導體基板的一凹槽；<br/> 選擇性地回蝕刻該些中介層以在該些通道層之間形成多個內間隔物；<br/> 在該凹槽中生長一底部磊晶層；<br/> 在該底部磊晶層上方形成一底部隔離層；<br/> 在該底部隔離層上方自該些通道層生長一磊晶源極/汲極區域；<br/> 在該磊晶源極/汲極區域上方沈積一接觸蝕刻終止層；<br/> 在該接觸蝕刻終止層上方沈積一層間介電層；及<br/> 將該磊晶源極/汲極區域加熱至一熔融狀態，且使該磊晶源極/汲極區域再結晶。
如請求項5所述的方法，其中加熱該磊晶源極/汲極區域之步驟在沈積該層間介電層之步驟之後進行。
如請求項5所述的方法，其中加熱該磊晶源極/汲極區域之步驟在沈積該層間介電層之步驟之前進行。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板，包含一第一半導體元素；<br/> 兩個或更多個通道層，垂直堆疊在該基板的一頂表面上方，其中該兩個或更多個通道層包含該第一半導體元素，且該基板的該頂表面具有一第一結晶取向；<br/> 兩個或更多個內間隔物，與該兩個或更多個通道層交替堆疊設置；<br/> 一源極/汲極區域，連接至該兩個或更多個通道層，其中該源極/汲極區域包含該第一半導體元素及一第二半導體元素，該源極/汲極區域沿該第一結晶取向具有一均勻結晶；<br/> 一底部磊晶層，設置於該源極/汲極區域下方；及<br/> 一底部隔離層，位於該底部磊晶層及該源極/汲極區域之間，其中於一剖面圖中，該底部磊晶層厚於該底部隔離層。
如請求項8所述的半導體裝置，其中該第一半導體元素為Si，且該第二半導體元素為Ge。
如請求項9所述的半導體裝置，其中該底部隔離層包括一開口，且該源極/汲極區域延伸穿過該底部隔離層的該開口。
一種快扣式環保餐盒，其包含有一盒體(1)，以及一能翻折蓋合於所述盒體(1)上的蓋體(2)，其特徵在於：<br/>所述本體(1)具有一底面(11)，由所述底面(11)相應側邊緣處分別依序相應向上延伸設置的前、左、後、右側面(12、13、14、15)，設於所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相互之間的前左、左後、後右、右前接合部(16、17、18、19)，以及一由所述底面(11)與所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相配合界定出的容置空間(200)；<br/>所述蓋體(2)的一側與所述後側面(14)相應側邊樞接，由前、左、右側邊緣處分別向外依序相應延伸出一前、左、右翼片(21、22、23)；<br/>所述前左接合部(16)、所述右前接合部(19)，兩者皆由一沿著對角線設置一端往外延伸的第一矩形片(10)，一側邊緣與所述左側面(13)、所述右側面(15)其中之一者相樞接的一第一扇形片(20)，一側邊緣與所述第一矩形片(10)相樞接而另一側與所述第一扇形片(20)另一側邊緣相樞接的一第二扇形片(30)，一側邊緣與所述前側面(12)相樞接的一第三扇形片(40)，及一側邊緣與所述第一矩形片(10)相樞接而另一側與所述第三扇形片(40)另一側邊緣相樞接的一第四扇形片(50)所組成；<br/>而所述前左接合部(16)、所述右前接合部(19)，兩者皆還設有間隔開設於所述第一矩形片(10)分別與所述第二扇形片(30)、所述第四扇形片(50)樞接線自由端處的兩開孔(3)；<br/>所述開孔(3)，能於所述第一扇形片(20)、所述第二扇形片(30)、所述第三扇形片(40)、及所述第四扇形片(50)往外相對翻摺後呈對折狀，讓所述第一矩形片(10)自由端處形成T字形快扣(4)；<br/>另所述蓋體(2)對應於所述T字形快扣(4)處，還開設有一呈T字形的定位槽(5)，能供所述T字形快扣(4)穿過後定位，讓所述蓋體(2)的穩固服貼於所述本體(1)上。
如請求項1所述的快扣式環保餐盒，其中：所述左後接合部(17)、後右接合部(18)，兩者皆由一沿著對角線設置一端往外延伸的第二矩形片(60)，一側邊緣與所述左側面(13)、所述右側面(15)其中之一者相樞接的一第五扇形片(70)，一側邊緣與所述第二矩形片(60)相樞接而另一側與所述第五扇形片(70)另一側邊緣相樞接的一第六扇形片(80)，一側邊緣與所述後側面(14)相樞接的一第七扇形片(90)，及一側邊緣與所述第二矩形片(60)相樞接而另一側與所述第七扇形片(90)另一側邊緣相樞接的一第八扇形片(100)所組成。
如請求項2所述的快扣式環保餐盒，其中：所述第一矩形片(10)的第一長度(H1)，大於所述第二矩形片(60)的第二長度(H2)。
如請求項1所述的快扣式環保餐盒，其中：所述左後接合部(17)、後右接合部(18)，兩者皆由一側邊緣與所述左側面(13)、所述右側面(15)其中之一者相樞接的一第九扇形片(110)，及一側邊緣與所述後側面(14)相樞接而另一側與所述第九扇形片(110)另一側邊緣相樞接的一第十扇形片(120)所組成。
如請求項1至4任一項所述的快扣式環保餐盒，其中：所述容置空間(10)內還設有至少一間隔部(6)，所述間隔部(6)能供將所述容置空間(200)分隔形成數個放置區塊(61)。
一種油管快接結構，其特徵在於，包括有一內部中通的第一油管、一連接件、一轉接件，以及一定位連接件和轉接件軸向裝配位置的彈性件，所述連接件和所述轉接件均內部貫通有油路，所述連接件第一端固定於所述第一油管自由端上，且其第二端與所述轉接件卡接限位以貫通所述油路；<br/> 所述連接件至少包括有第一插接部，以及佈置於所述第一插接部側壁上的卡點部；且所述連接件第一端上設有第一油針部，且所述第一油管自由端上裝配有用於外部壓緊以固定所述第一油針部和所述第一油管的油管套管；<br/> 所述轉接件至少包括有：<br/> 主體部，其內部貫通，且其軸向中部開設有依次排列並相貫通的第一容置腔、第二容置腔和第三容置腔；<br/> 卡口部，其開設於所述第一容置腔的側壁面並連通至所述第二容置腔，以容納所述卡點部自所述卡口部穿過並在所述第二容置腔內旋轉定位；<br/> 其中，所述第三容置腔的內徑＜所述第一容置腔的內徑＜所述第二容置腔的內徑，所述卡點部的邊緣外徑小於第二容置腔的內徑並大於所述第一容置腔的內徑。
如請求項1所述之油管快接結構，其中，所述轉接件還包括有：<br/> 鎖扣件，其固定裝配於所述主體部的外壁上，且其上設有一延伸入所述第二容置腔內以限位所述卡點部的旋轉角度。
如請求項1所述之油管快接結構，其中，所述連接件還包括有：<br/> 第二插接部，其設置於所述第一插接部的第二端且其外徑小於所述第一插接部的外徑，所述第二插接部的外側壁上徑向裝配有第一密封圈，所述第一密封圈與所述第三容置腔的內壁抵接密封；<br/> 環邊部，其設置於第一插接部與所述第一油針部之間以限位所述第一油管的裝配位置；<br/> 延伸部，其一體成型於所述第二插接部背離所述第一插接部的一端。
如請求項3所述之油管快接結構，其中，所述卡點部包括：主卡點部，其數量為至少一個，設置於所述第一插接部靠近所述第二插接部一側的環形側壁上；<br/> 副卡點部，其數量為至少一個，其設置於所述第一插接部靠近所述第二插接部一側的環形側壁上並與所述第一插接部在周向上錯位分佈，其與所述主卡點部等寬，且其長度大於所述主卡點部的長度並小於所述第二容置腔的高度；<br/> 所述卡口部包括有：主卡口部，其開設於所述第一容置腔的側壁面並連通至所述第二容置腔，且其數量與所述主卡點部數量匹配設置；<br/> 副卡口部，其開設於所述第一容置腔的側壁面並連通至所述第二容置腔，且其數量與所述副卡點部數量匹配設置。
如請求項3所述之油管快接結構，其中，所述彈性件包括有：<br/> 第四容置腔，其開設於所述主體部靠近其第二端的內腔位置並與所述第三容置腔貫通，且所述第四容置腔的內徑＜所述第三容置腔的內徑；<br/> 定位塊，其活動裝配於所述第四容置腔內，其第一端抵接所述延伸部，且直徑大於所述第三容置腔的內徑，其第二端成型有彈簧套接部；<br/> 定位彈簧，其套設於所述彈簧套接部上以將所述定位塊彈性定位於所述第四容置腔與所述第三容置腔交界的臺階處。
如請求項5所述之油管快接結構，其中，所述主體部包括有：<br/> 第一轉接體，其軸向中部對應於所述第一容置腔、所述第二容置腔和所述第三容置腔開設，且其第二端設有外螺接段；<br/> 第二轉接體，其軸向中部對應於所述第四容置腔開設，且其靠近所述第一轉接體的一端內腔設有內螺紋部，所述內螺紋部與所述外螺接段螺紋連接以將所述第一轉接體與所述第二轉接體連接形成所述主體部。
如請求項6所述之油管快接結構，其中，所述主體部包括有：所述第一轉接體與所述第二轉接體之間設有第三密封圈。
如請求項1所述之油管快接結構，其中，所述轉接件通過活接機構裝配於油刹上泵/刹車下泵的連接端並與所述油刹上泵/刹車下泵的油路貫通，所述活接機構包括：<br/> 轉接臺階，其一體成型於所述主體部靠近第二端的環形側壁上；<br/> 活接套，其活動套設於所述主體部的環形側壁上，且其自所述主體部第一端裝配後抵接所述轉接臺階軸向限位，其環形外壁上設有與所述連接端內預設的內螺紋相匹配的外螺紋；<br/> 其中，所述活接套靠近所述連接件的一端成型有用於配合扳手工具的六角螺頭部。
如請求項8所述之油管快接結構，其中，所述主體部靠近其第二端的外側壁上徑向裝配有第二密封圈，所述第二密封圈與所述連接端的內壁面抵接密封。
如請求項1所述之油管快接結構，其中，所述轉接件的第二端一體成型有第二油針部，且所述第二油針部插接固定於一內部中通的第二油管內部，以在旋扣快接後連通所述第一油管與所述第二油管的油路。
一種油壓碟刹系統，其特徵在於，該油壓碟刹系統包括有如請求項1至請求項10中任一項所述之油管快接結構。
一種眼動教學系統，係包含： <br/>一服務伺服設備，係包含有一眼動教學應用程式單元，該眼動教學應用程式單元係包含有： <br/>一會員資料模組，係用以設定並儲存有不同權限之使用者帳號，該使用者帳號之不同權限係能夠為個人使用權限、教學使用權限、機構使用權限之一種或是多種； <br/>一綁定連結模組，係與該會員資料模組相連接，用以將具有教學使用權限之使用者帳號係能夠與至少一個具有個人使用權限之使用者帳號進行綁定連結，用以將具有機構使用權限之使用者帳號係能夠與至少一個具有教學使用權限之使用者帳號及至少一個具有個人使用權限之使用者帳號進行綁定連結； <br/>一課程資料模組，係與該會員資料模組相連接，用以設定多種課程檔，該課程檔之內容係為一視知覺學習內容、一兒童認知學習內容、一成人認知學習內容、一電腦操作學習內容之一種或是多種組合； <br/>一課程運作模組，係與該課程資料模組相連接，用以運作該課程檔，並於任一課程檔運作後，能夠產生一課程學習成效資訊； <br/>一評估資料模組，係與該會員資料模組相連接，用以設定多種評估檔，該評估檔之內容係為一眼球肌肉評估、一眼控認知評估、一兒童認知評估之一種或是多種組合； <br/>一評估運作模組，係與該評估資料模組相連接，用以運作該評估檔，並產生出一評估結果資訊； <br/>一指派課程模組，係與該會員資料模組及該課程運作模組相連接，該指派課程模組係能夠由具有教學使用權限之使用者帳號進行指定某一個或是多個具有個人使用權限之使用者帳號，並透過該課程運作模組運作某一個或是多個課程檔，而該指派課程模組更能夠產生一指派紀錄資訊； <br/>一使用者設備，係透過安裝一中介應用程式單元與該服務伺服設備進行連線，並透過該使用者設備進行運作該課程檔或/及評估檔；以及 <br/>一眼動偵測設備，係與該使用者設備進行連接，該眼動偵測設備用以輸入指令，以進行操作該課程檔或/及評估檔之內容。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該服務伺服設備更包含有一登入模組及一帳號切換模組，該登入模組與該帳號切換模組係與該會員資料模組相連接，其中該登入模組用以登入不同權限之使用者帳號，而該帳號切換模組用以切換該使用者帳號之不同權限。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該課程資料模組更能夠將不同課程檔之內容進行設定一或多個課程類別，並依據不同課程類別設定一或多個課程類別標籤及一或多個課程程度標籤。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中每一課程檔更能夠設計有一編輯功能，而該課程資料模組更能夠針對不同課程檔及不同使用者帳號，進行設定有一使用權限及一編輯權限，其中擁有使用權限之使用者帳號係能夠運作該課程檔，而擁有編輯權限之使用者帳號係能夠運作該課程檔之編輯功能，用以編輯該課程檔，並將編輯後之課程檔重新回傳至該課程資料模組，以進行更新該課程檔。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該課程學習成效資訊係為一課程學習時間、一課程使用數、一課程完成度、一課程完成分數及一眼球肌肉評估之一種或多種組合，其中該眼球肌肉評估係為一專注力評估結果、一凝視能力評估結果、一掃視能力評估結果、一追視能力評估結果、一眼動熱點圖評估、一眼動路徑圖評估之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該課程運作模組係透過該中介應用程式單元於該使用者設備進行下載並運作該課程檔。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該視知覺學習內容係為一專注力學習內容、一掃視能力學習內容、一追視能力學習內容、一凝視能力學習內容之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該兒童認知學習內容係為一認知學習學習內容、一注音課綱學習內容之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該成人認知學習內容係為一視覺空間與執行學習內容、一記憶力學習內容、一命名學習內容、一定向感學習內容、一語言學習內容、一計算能力學習內容、一抽象力學習內容、一注意力學習內容之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該電腦操作學習內容係為一基本電腦操作學習內容、文書處理學習內容、社群軟體學習內容、創意延伸學習內容之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該評估結果資訊係為該眼球肌肉評估之評估結果，該眼球肌肉評估之評估結果係為一專注力評估結果、一凝視能力評估結果、一掃視能力評估結果、一追視能力評估結果、一眼球肌肉綜合能力評估結果之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該評估結果資訊係為該眼控認知評估之評估結果，該眼控認知評估之評估結果係為一視覺空間執行能力評估、一記憶能力評估、一命名能力評估、一定向感能力評估、一語言力評估、一計算能力評估、一抽象概念能力評估、一注意力評估、一眼控認知綜合能力評估之一種或是多種組合。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該評估結果資訊係為該兒童認知評估之評估結果，該兒童認知評估之評估結果係為不同年齡階段之答對率。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該服務伺服設備更包含有一會員分析模組，該會員分析模組係與該課程運作模組、該指派課程模組相連接，用以針對不同權限之使用者帳號產生出一會員分析資訊。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該眼動教學應用程式單元係能夠架構於一網頁介面平台上或是一API介面平台上。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該眼動教學應用程式單元更包含有一教學狀態管理模組，該教學狀態管理模組係與該會員資料模組、該課程運作模組及該指派課程模組相連接，該教學狀態管理模組係能夠讓該具有教學使用權限之使用者帳號，取得一教學成效資訊，該教學狀態管理模組亦能夠讓具有機構使用權限之使用者帳號，取得一機構成效資訊。
如請求項16所述之眼動教學系統，其中該教學成效資訊係至少包含該課程學習成效資訊及一學習者資訊，而該機構成效資訊係至少包含該課程學習成效資訊、該教學成效資訊、該學習者資訊及一教學者資訊。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該眼動教學應用程式單元更包含有一搜尋模組，該搜尋模組係與該課程資料模組相連接，用以搜尋不同的課程檔。
如請求項1所述之眼動教學系統，其中該眼動教學應用程式單元更包含有一推薦課程模組，該推薦課程模組係與該評估運作模組及該課程運作模組相連接，用以依據該評估結果資訊或是一年齡資訊進行推薦不同的課程檔。
一種智慧籃球，用以和一伺服器電性連接，該智慧籃球包括： <br/>一球體；以及 <br/>一晶片組，位於該球體內，該晶片組包括： <br/>一追蹤定位件，用以產生該智慧籃球的一位置資料； <br/>一陀螺儀，用以產生該智慧籃球的一旋轉移動資料；以及 <br/>一傳輸件，電性連接該追蹤定位件、該陀螺儀和該伺服器，並用以將該位置資料和該旋轉移動資料傳送給該伺服器。
如請求項1所述之智慧籃球，其中該球體更包括一表皮和一中膽，該表皮包覆該中膽，且該晶片組位於該表皮和該中膽之間。
如請求項2所述之智慧籃球，其中該晶片組更包括一加速度感測器，該加速度感測器電性連接該傳輸件。
如請求項3所述之智慧籃球，其中該加速度感測器用以產生該智慧籃球的一加速度資料。
如請求項4所述之智慧籃球，其中該傳輸件更用以將該加速度資料傳送給該伺服器。
如請求項5所述之智慧籃球，其中該晶片組更包括一記憶體，該記憶體電性連接該傳輸件。
如請求項6所述之智慧籃球，其中該晶片組更包括一電池，該電池電性連接該追蹤定位件、該陀螺儀、該加速度感測器、該記憶體和該傳輸件。
一種財富傳承運算系統，係裝置於至少一電子裝置中，其包含： <br/>一稅務診斷模組，係設有複數個稅務計算模型，各該稅務計算模型分別對應不同保單生效時段；當該稅務診斷模組接收輸入之至少一投保資料時，解析該投保資料之保單生效日而選擇對應之該稅務計算模型，且該稅務計算模型利用輸入之一計算年齡計算出對應之一負稅資料，該負稅資料包含至少一被保險人稅額數據、至少一要保人稅額數據及至少一受益人稅額數據；及 <br/>一需求診斷模組，係內存複數個保單商品且電連接該稅務診斷模組而接收該負稅資料，該需求診斷模組解析該投保資料而生成一保單資產，再利用該負稅資料及該保單資產分別運算各該保單商品而生成一需求診斷表，據以於符合該負稅資料的基礎下推薦適合之至少一個該保單商品；其中，該需求診斷模組係設有一分配處理元件，該分配處理元件係截取該客戶檔案之一親友關係，或者，當該財富傳承運算系統接收輸入之該投保資料時，該分配處理元件係解析該投保資料而獲得對應該客戶檔案之該親友關係，以進一步比對與更新該客戶檔案中該親友關係；據此，該分配處理元件依據該親友關係匯整該負稅資料而獲得一親友稅務資料，且進一步比對該保單資產而生成一分配意見。
如請求項1所述之財富傳承運算系統，其中，該分配處理元件係供設定該保單資產對應該親友關係之一給付比例、一給付時間及一給付期數，且該分配處理元件依據該給付比例再次計算該負稅資料而更新該親友稅務資料及該分配意見。
如請求項2所述之財富傳承運算系統，其中，當該分配處理元件接收輸入對應該親友關係之至少一計畫分配金額時，計算該負稅資料及該保單資產而生成一需求調整資料，供該需求診斷模組進一步據此調整該需求診斷表。
如請求項2所述之財富傳承運算系統，係包含一報告製成模組，其電連接該稅務診斷模組及該需求診斷模組，該報告製成模組匯整該投保資料、該負稅資料、該保單資產、該需求診斷表及該分配意見之其中至少一者而製成至少一檢視報告。
如請求項1所述之財富傳承運算系統，其中，各該稅務計算模型係針對為壽險、年金與投資型之該投保資料中的身故金、還本金、保價金及累積保費作為主要診斷，以計算出該負稅資料。
如請求項1所述之財富傳承運算系統，係包含一客戶管理模組，其電連接該稅務診斷模組及該需求診斷模組，該客戶管理模組供建置並管理複數個客戶檔案。
如請求項6所述之財富傳承運算系統，係包含一圖形化顯示介面，其電連接該稅務該客戶管理模組、該診斷模組及該需求診斷模組，當透過該圖形化顯示介面輸入複數個客戶資料時，該客戶管理模組匯整該等客戶資料而建置成對應之一個該客戶檔案，且該等客戶資料包含客戶名稱、該投保資料及一親友關係。
一種記憶體元件，包含：<br/> 基板；<br/> 緩衝層，在所述基板上；<br/> 堆疊結構，位於所述緩衝層上，其中所述堆疊結構包括彼此交替堆疊的多個閘極層與多個第一絕緣層；<br/> 第二絕緣層，位於所述堆疊結構與所述緩衝層之間；以及<br/> 通道柱，延伸穿過所述堆疊結構並埋入所述緩衝層，其中所述通道柱包括電荷儲存結構和通道層，所述電荷儲存結構位於所述多個閘極層與所述通道層之間，所述通道柱具有記憶體柱和輔助柱，所述記憶體柱位在所述堆疊結構中，所述輔助柱位在所述緩衝層中，其中所述記憶體柱與所述輔助柱由所述第二絕緣層分隔。
如請求項1所述之記憶體元件，其中所述通道柱具有隔離柱，所述隔離柱自所述記憶體柱延伸至所述輔助柱，並貫穿所述第二絕緣層。
如請求項2所述之記憶體元件，其中所述記憶體柱包括第一導體上柱和第二導體上柱，所述隔離柱電性隔離所述第一導體上柱與所述第二導體上柱。
如請求項3所述之記憶體元件，其中所述輔助柱包括第一導體下柱和第二導體下柱，所述第一導體下柱位於所述第一導體上柱下方，所述第二導體下柱位於所述第二導體上柱下方，其中所述第二絕緣層分別分隔所述第一導體下柱、所述第一導體上柱和所述第二導體下柱、所述第二導體上柱。
如請求項2所述之記憶體元件，其中所述第二絕緣層與所述隔離柱由不同材料製成。
如請求項1所述之記憶體元件，其中所述輔助柱包括介電結構和多晶矽層，所述介電結構與所述電荷儲存結構被所述第二絕緣層分隔且沿同一軸向延伸，所述多晶矽層與所述通道層被所述第二絕緣層分隔且沿同一軸向延伸。
如請求項1所述之記憶體元件，其中所述輔助柱的垂直高度為所述記憶體柱的垂直高度的20%至100%倍。
如請求項1所述之記憶體元件，更包含分隔狹縫，沿著第一方向延伸穿過所述堆疊結構與所述第二絕緣層，使得所述第二絕緣層在第二方向上接觸所述分隔狹縫與所述通道柱。
如請求項1所述之記憶體元件，其中所述緩衝層的厚度至少大於所述堆疊結構的厚度的30%。
一種散熱膏，包含100重量份的聚矽氧烷與聚丁二烯組分、600~1100重量份的導熱填充材料組分、0.5~5重量份的鉑金催化劑組分及0.1~0.5重量份的抑制劑組分，其中，<br/> 該聚矽氧烷與聚丁二烯組分，以總重量為100重量份計，包含50~90重量份的含乙烯基官能基之聚矽氧烷、5~40重量份的含矽氫鍵之聚矽氧烷與1~10重量份的聚丁二烯高分子；<br/> 該導熱填充材料組分，以總重量為100重量份計，包含40~80重量份的粒徑在10µm~30µm間之金屬顆粒、19~50重量份的粒徑在0.5µm~10µm間之金屬顆粒與1~10重量份的粒徑在0.5µm以下之金屬氧化物顆粒；<br/> 該金屬顆粒的材質為鋁、銅、銀、金或鋁鍍銅；<br/> 該金屬氧化物顆粒為氧化鋁、氧化鋅或氧化鎂；<br/> 該抑制劑組分為炔烴。
如請求項1所述的散熱膏，其中該鉑金催化劑組分為二乙烯四甲基二矽氧烷鉑錯合物甲基矽油溶液。
如請求項1所述的散熱膏，其中含乙烯基官能基之聚矽氧烷的分子量介於500Da至8000Da之間。
如請求項3所述的散熱膏，其中含乙烯基官能基之聚矽氧烷的CAS（Chemical Abstracts Service）編號為68083-19-2、26710-23-6或68584-83-8。
如請求項1所述的散熱膏，其中含矽氫鍵之聚矽氧烷的分子量介於400Da至3000Da之間。
如請求項5所述的散熱膏，其中含矽氫鍵之聚矽氧烷的CAS編號為63148-57-2、69013-23-6或70900-21-9。
如請求項1所述的散熱膏，其中聚丁二烯高分子的分子量介於1400Da至10000Da之間，順聚丁二烯佔全部重量的90%~99%，乙烯基含量佔全體聚丁二烯高分子重量的35%~60%。
一種散熱膏的製作方法，製作如請求項1至7中任一項的散熱膏，包含步驟：<br/> a) 於常溫常壓下，將100重量份的該聚矽氧烷與聚丁二烯組分置入攪拌容器中攪拌至少3分鐘；<br/> b) 於常溫常壓下，將600~1100重量份的導熱填充材料組分加入該攪拌容器中攪拌至少3小時；<br/> c) 於常溫常壓下，將0.1~0.5重量份的抑制劑組分加入該攪拌容器中攪拌至少3分鐘；<br/> d) 於常溫常壓下，將0.5~5重量份的鉑金催化劑組分入該攪拌容器中攪拌至少3分鐘；及<br/> e) 於常壓下，將步驟d)的成品封存於不高於-20℃的環境中。
一種固態變壓器，包含：<br/> 一第一級電路，架構於接收一交流電能，並將該交流電能轉換為一第一直流電能；<br/> 一第一直流母線，電連接於該第一直流電能；<br/> 一第二級電路，經由該第一直流母線電連接於該第一級電路，且架構於對該第一直流電能進行隔離式降壓DC/DC轉換，以產生一第二直流電能，其中該第二級電路包含電連接於該第一直流母線的多個DC/DC轉換模組，該多個DC/DC轉換模組的多個輸入相互並聯連接；以及<br/> 一開關，電連接於該第一直流母線與每一該DC/DC轉換模組之間，其中該開關架構於受控以使能或禁能對應的該DC/DC轉換模組。
如請求項1所述的固態變壓器，還包含兩個電容及一中點，其中該兩個電容串聯連接於該第一直流母線上，該中點位於該兩個電容之間。
如請求項2所述的固態變壓器，其中該中點透過實體接地、低阻抗接地、高阻抗接地、諧振接地或直接接地來進行接地。
如請求項1所述的固態變壓器，其中該多個DC/DC轉換模組的多個輸出分別電連接於不同的多個第二直流母線。
如請求項1所述的固態變壓器，其中該多個DC/DC轉換模組的多個輸出相互並聯連接且皆連接於一第二直流母線。
一種固態變壓器，包含：<br/> 一第一級電路，架構於接收一交流電能，並將該交流電能轉換為一第一直流電能；<br/> 一第一直流母線，電連接於該第一直流電能；以及<br/> 一第二級電路，經由該第一直流母線電連接於該第一級電路，且架構於對該第一直流電能進行隔離式降壓DC/DC轉換，以產生一第二直流電能，<br/> 其中該第二級電路包含多個第一DC/DC轉換模組和多個第二DC/DC轉換模組，該多個第一DC/DC轉換模組的多個輸入串聯連接於該第一直流母線的一正線與一中點之間，該第二DC/DC轉換模組的多個輸入串聯連接於該第一直流母線的一負線與該中點之間。
如請求項6所述的固態變壓器，其中每一該第一DC/DC轉換模組的輸出為單極性或雙極性且具有分別電連接於一第二直流母線的正端和負端的兩個輸出端，每一該第二DC/DC轉換模組的輸出為單極性或雙極性且具有分別電連接於該第二直流母線的該正端和該負端的兩個輸出端。
如請求項6所述的固態變壓器，其中每一該第一DC/DC轉換模組的輸出為雙極性且具有分別電連接於一第二直流母線的正端和負端及一接地端的三個輸出端，每一該第二DC/DC轉換模組的輸出為雙極性且具有分別電連接於該第二直流母線的該正端和該負端及該接地端的三個輸出端。
如請求項6所述的固態變壓器，其中該多個第一DC/DC轉換模組及該多個第二DC/DC轉換模組的多個輸出相互並聯連接且皆連接於一第二直流母線。
如請求項6所述的固態變壓器，其中該多個第一DC/DC轉換模組的多個輸出相互並聯連接且皆連接於一第二直流母線，該多個第二DC/DC轉換模組的多個輸出相互並聯連接且皆連接於一第三直流母線。
如請求項6所述的固態變壓器，還包含並聯連接於該多個第一DC/DC轉換模組的該多個輸入及該多個第二DC/DC轉換模組的該多個輸入中的每一個的旁路電路，其中該旁路電路包含一第一開關、一阻尼電阻及一第二開關，該第二開關並聯連接於該第一開關及該阻尼電阻串聯連接所形成的支路。
一種固態變壓器，包含：<br/> 一第一級電路，架構於接收一交流電能，並將該交流電能轉換為一第一直流電能；<br/> 一第一直流母線，電連接於該第一直流電能；<br/> 一第二級電路，經由該第一直流母線電連接於該第一級電路，且架構於對該第一直流電能進行隔離式降壓DC/DC轉換，以產生一第二直流電能；以及<br/> 兩個電容及一第一中點，其中該兩個電容串聯連接於該第一直流母線上，該第一中點位於該兩個電容之間；該第二級電路包含多個第一開關模組、多個第二開關模組、一第二中點及多個轉換單元，該多個第一開關模組串聯連接於該第一直流母線的一正線與該第二中點之間，該第二開關模組串聯連接於該第二中點與該第一直流母線的一負線之間，該多個轉換單元的多個輸入相互並聯連接，且每一該輸入具有分別耦接於該第一中點及該第二中點的兩個輸入端。
一種固態變壓器，包含：<br/> 一第一級電路，架構於接收一交流電能，並將該交流電能轉換為一第一直流電能；<br/> 一第一直流母線，電連接於該第一直流電能；<br/> 一第二級電路，經由該第一直流母線電連接於該第一級電路，且架構於對該第一直流電能進行隔離式降壓DC/DC轉換，以產生一第二直流電能；以及<br/> 兩個電容及一第一中點，其中該兩個電容串聯連接於該第一直流母線上，該第一中點位於該兩個電容之間；該第二級電路包含多個第一開關模組、多個第二開關模組、一第二中點及多個轉換單元，該多個第一開關模組串聯連接於該第一直流母線的一正線與該第二中點之間，該第二開關模組串聯連接於該第二中點與該第一直流母線的一負線之間，該多個轉換單元的多個輸入串聯連接於該第一中點與該第二中點之間。
一種固態變壓器，包含：<br/> 一第一級電路，架構於接收一交流電能，並將該交流電能轉換為一第一直流電能；<br/> 一第一直流母線，電連接於該第一直流電能；以及<br/> 一第二級電路，經由該第一直流母線電連接於該第一級電路，且架構於對該第一直流電能進行隔離式降壓DC/DC轉換，以產生一第二直流電能；<br/> 其中該第一級電路包含三個上橋臂和三個下橋臂，每一該上橋臂包含串聯連接於該第一直流母線的一正線與該交流電能的對應相之間的多個子模組、一電感和一第一開關，每一該下橋臂包含串聯連接於該第一直流母線的一負線與該交流電能的對應相之間的多個子模組、一電感和一第一開關，<br/> 其中在該三個上橋臂及該三個下橋臂的每一個之中，該電感經由該第一開關電連接於該交流電能的該對應相。
如請求項14所述的固態變壓器，其中該三個上橋臂及該三個下橋臂中的每一該子模組包含一半橋電路或一全橋電路。
如請求項15所述的固態變壓器，其中該三個上橋臂及該三個下橋臂中的每一該子模組具有一輸入端口和一輸出端口，且包含串聯連接於該輸入端口與該輸出端口之間的一阻尼電阻和一旁路開關。
如請求項1、6、12、13及14中任一項所述的固態變壓器，其中該第一級電路架構於以大於1的調變指數運行，該調變指數被定義為該交流電能所提供的交流電壓的兩倍與該第一直流母線上的電壓之比。
如請求項14所述的固態變壓器，其中該三個上橋臂及該三個下橋臂中的每一個還包含一第二開關，該固態變壓器還包含兩個電容及一中點，該兩個電容串聯連接於該第一直流母線上，該中點位於該兩個電容之間；在該三個上橋臂及該三個下橋臂的每一個之中，該電感經由該第二開關電連接於該中點。
如請求項14或18所述的固態變壓器，其中該些開關由串聯連接的多個絕緣閘雙極電晶體所形成，或由串聯連接的多個金屬氧化物半導體場效電晶體所形成。
一種遠端取得eSIM設定檔的方法，應用於電子裝置中，其中，該方法包括下列步驟： <br/>一主使用者通過一主行動裝置之行動應用程式（APP）向一eSIM管理伺服器發出一eSIM設定檔配置請求； <br/>該eSIM管理伺服器自該主行動裝置收到該eSIM設定檔配置請求，並根據該eSIM設定檔配置請求傳送至少一eSIM設定檔給該主行動裝置； <br/>該主行動裝置取得該eSIM設定檔後，使用該主行動裝置的公鑰對該eSIM設定檔進行加密，並將加密後之該eSIM設定檔回傳給該eSIM管理伺服器； <br/>一從使用者通過一從行動裝置的行動應用程式向該主行動裝置發出一第一eSIM設定檔下載請求； <br/>該主行動裝置收到該第一eSIM設定檔下載請求，並根據該第一eSIM設定檔下載請求傳送該公鑰給該從行動裝置； <br/>該從使用者通過該從行動裝置的行動應用程式向該eSIM管理伺服器發出一第二eSIM設定檔下載請求，其中，該第二eSIM設定檔下載請求包含該公鑰； <br/>該eSIM管理伺服器判斷是否收到該第二eSIM設定檔下載請求； <br/>若收到該第二eSIM設定檔下載請求，該eSIM管理伺服器將對應該公鑰之該eSIM設定檔傳送給該從行動裝置；以及 <br/>該從行動裝置取得該eSIM設定檔後，使用該公鑰解密該eSIM設定檔，接著安裝該eSIM設定檔。
如請求項1所述的遠端取得eSIM設定檔的方法，其中，該方法更包括下列步驟： <br/>該主行動裝置使用該從使用者在該從行動裝置的人臉辨識結果或該從行動裝置的國際行動裝置辨識碼（International Mobile Equipment Identity，IMEI）對該eSIM設定檔進行第二次加密。
如請求項2所述的遠端取得eSIM設定檔的方法，其中，該方法更包括下列步驟： <br/>該從行動裝置還包括使用該人臉辨識結果或該國際行動裝置辨識碼（IMEI）解密該eSIM設定檔。
一種電子裝置，其中，該電子裝置包括記憶體、處理器及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的遠端取得eSIM設定檔的程式，該遠端取得eSIM設定檔的程式被該處理器執行時實現如下步驟： <br/>向一使用者之一主行動裝置發出一第一eSIM設定檔下載請求； <br/>根據該第一eSIM設定檔下載請求獲得該主行動裝置之一公鑰； <br/>向一eSIM管理伺服器發出一第二eSIM設定檔下載請求，其中，該第二eSIM設定檔下載請求包含該公鑰； <br/>自該eSIM管理伺服器獲得對應該公鑰之一eSIM設定檔，其中，該主行動裝置使用該公鑰對該eSIM設定檔進行加密；以及 <br/>使用該公鑰解密該eSIM設定檔，接著安裝該eSIM設定檔。
如請求項4所述的電子裝置，其中，該遠端取得eSIM設定檔的程式被該處理器執行時實現如下步驟： <br/>自該eSIM管理伺服器獲得對應該公鑰之該eSIM設定檔，其中，該主行動裝置還使用一從使用者的人臉辨識結果或該電子裝置的國際行動裝置辨識碼（IMEI）對該eSIM設定檔進行第二次加密。
如請求項5所述的電子裝置，其中，該遠端取得eSIM設定檔的程式被該處理器執行時實現如下步驟： <br/>使用該人臉辨識結果或該國際行動裝置辨識碼（IMEI）解密該eSIM設定檔。
一種計算機可讀儲存媒體，包括記憶體、處理器以及存儲在記憶體上並可在處理器上運行的電腦程式，其中，該處理器執行該電腦程式時實現如請求項1至3中任一項所述的遠端取得eSIM設定檔的方法的步驟。
一種光固化水凝膠複合材料，其包含：<br/> 一丙烯酸鈉，該丙烯酸鈉的含量介於70 wt%至98 wt%，該丙烯酸鈉如式(I)所示之結構：<br/><img align="absmiddle" height="70px" width="135px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)、<br/> 一羧甲基纖維素鈉，該羧甲基纖維素鈉的含量介於0.5 wt%至5 wt%，該羧甲基纖維素鈉如式(II)所示之結構：<br/><img align="absmiddle" height="175px" width="318px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)、<br/> 一<i>N,N'</i>-亞甲基雙丙烯醯胺，該<i>N,N'</i>-亞甲基雙丙烯醯胺的含量介於5 wt%至10 wt%，該<i>N,N'</i>-亞甲基雙丙烯醯胺如式(III)所示之結構：<br/><img align="absmiddle" height="54px" width="157px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III) 、<br/> 一自由基型光起始劑，該自由型光起始劑的含量介於1 wt%至5 wt%，該自由基型光起始劑為雙醯基氧化膦系在水中的分散體，該商品名為Irgacure® 819-DW，如式(IV)所示之結構：<br/><img align="absmiddle" height="87px" width="179px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IV)<br/> 、及氯化鈉晶體，該氯化鈉晶體的含量介於5 wt%至40 wt%，混合進行光固化聚合反應所製備而成。
如請求項1所述之光固化水凝膠複合材料 ，其中，光固化水凝膠複合材料之厚度介於0.5至5mm。
如請求項1所述之光固化水凝膠複合材料 ，其中，該光固化聚合反應中曝光光源波段為單一波長365 nm或紫外光至可見光多波段波長介於250-450 nm。
如請求項1所述之光固化水凝膠複合材料 ，其中，光固化水凝膠複合材料吸附陽離子汙染物，該陽離子汙染物中所含之陽離子包含：NH<sub>4</sub><sup>+</sup>-N、Cu<sup>2+</sup>、Fe<sup>3+</sup>及Zn<sup>2+</sup>。
一種顯示器，包含：<br/> 一光線感測器，用於感測環境光；<br/> 一飛時測距（Time of Flight，ToF）感測器，用於追蹤一使用者；<br/> 一資料處理單元，耦接於該光線感測器及該飛時測距感測器，用於接收該光線感測器以及該飛時測距感測器之一原始資料，並對該原始資料進行資料探勘、資料分析，以取得一當前環境光資訊及該使用者之一第一動態；<br/> 一人工智慧（Artificial Intelligence，AI）處理單元，耦接於該資料處理單元，用於根據該顯示器之一第一顯示畫面判斷一當前使用情境，以及根據該當前環境光資訊、該第一動態及該當前使用情境決定一顯示優化配置；以及<br/> 一顯示控制單元，耦接於該人工智慧處理單元，用於根據該顯示優化配置動態地調整該顯示器之複數個顯示參數。
如請求項1所述之顯示器，其中該當前環境光資訊包含該環境光的強度與色溫，該第一動態包含該使用者之一位置移動、一姿勢改變、一觀看方向改變以及該使用者與該顯示器之一距離改變。
如請求項1所述之顯示器，另包含一顯示元件以及一畫面處理單元，其中該複數個顯示參數包含相關於該顯示元件之一亮度、色溫、對比度、銳利度、刷新率、過驅動（overdrive，OD）、高動態範圍（High Dynamic Range，HDR）、以及相關於該畫面處理單元之一或多個畫面內容的顯示區域大小、位置。
如請求項1所述之顯示器，其中該顯示控制單元另根據該當前使用情境擷取該第一顯示畫面中一畫面內容的一局部畫面內容，並根據該顯示優化配置以分割畫面同時顯示該畫面內容以及該局部畫面內容。
如請求項1所述之顯示器，其中於該顯示控制單元根據該顯示優化配置動態地調整該顯示器之複數個顯示參數後，該資料處理單元取得該使用者之一第二動態，該人工智慧處理單元根據該第二動態調整該當前使用情境。
如請求項5所述之顯示器，其中該人工智慧處理單元另接收根據該複數個顯示參數調整之一第二顯示畫面元，以及根據該第二動態及該第二顯示畫面調整該顯示優化配置。
一種顯示自動調整方法，用於一顯示器，包含：<br/> 接收一光線感測器以及一飛時測距（Time of Flight，ToF）感測器之一原始資料，並對該原始資料進行資料探勘、資料分析，以取得一當前環境光資訊及一使用者之一第一動態；<br/> 根據該顯示器之一第一顯示畫面，透過一人工智慧（Artificial Intelligence，AI）處理單元判斷一當前使用情境；<br/> 根據該當前環境光資訊、該第一動態及該當前使用情境，透過該人工智慧處理單元決定一顯示優化配置；以及<br/> 根據該顯示優化配置動態地調整該顯示器之複數個顯示參數。
如請求項7所述之顯示自動調整方法，其中該當前環境光資訊包含該環境光的強度與色溫，該第一動態包含該使用者之一位置移動、一姿勢改變、一觀看方向改變以及該使用者與該顯示器之一距離改變。
如請求項7所述之顯示自動調整方法，其中該複數個顯示參數包含該顯示器之一亮度、色溫、對比度、銳利度、刷新率、過驅動（overdrive，OD）、高動態範圍（High Dynamic Range，HDR）以及一或多個畫面內容的顯示區域大小、位置。
如請求項7所述之顯示自動調整方法，另包含根據該當前使用情境擷取該第一顯示畫面中一畫面內容的一局部畫面，並根據該顯示優化配置以分割畫面同時顯示該畫面內容以及該局部畫面內容。
如請求項7所述之顯示自動調整方法，其中於根據該顯示優化配置動態地調整該顯示器之複數個顯示參數後，取得該使用者之一第二動態，該人工智慧處理單元根據該第二動態調整該當前使用情境。
如請求項11所述之顯示自動調整方法，另包含該人工智慧處理單元取得根據該複數個顯示參數調整之一第二顯示畫面，以及根據該第二動態及一第二顯示畫面調整該顯示優化配置。
一種顯示調整系統，包含：<br/> 一主機；<br/> 一光線感測器，耦接於該主機，用於感測環境光；<br/> 一飛時測距（Time of Flight，ToF）感測器，耦接於該主機，用於追蹤一使用者；以及<br/> 一顯示器，耦接於該主機；<br/> 其中，該主機根據如請求項7所述之顯示自動調整方法，調整該顯示器之複數個顯示參數。
一種顯示裝置，包括： <br/>集線器； <br/>通用序列匯流排（USB）連接埠，耦接至所述集線器； <br/>切換電路，耦接所述集線器，其中所述切換電路受控於控制信號； <br/>網路介面控制器，耦接所述切換電路；以及 <br/>顯示控制裝置，耦接所述集線器， <br/>其中，響應於所述控制信號為第一狀態，所述USB連接埠透過所述集線器、所述切換電路及所述網路介面控制器連接網路， <br/>響應於所述控制信號為第二狀態，所述顯示控制裝置透過所述切換電路及所述網路介面控制器連接網路， <br/>其中，所述切換電路包括： <br/>第一切換器，耦接所述集線器，且所述第一切換器受控於所述控制信號；以及 <br/>第二切換器，耦接所述集線器，且所述第二切換器受控於所述控制信號， <br/>其中，響應於所述控制信號為第一狀態，所述USB連接埠透過所述集線器、所述第一切換器及所述第二切換器的其中一者及所述網路介面控制器連接網路， <br/>響應於所述控制信號為第二狀態，所述顯示控制裝置透過所述第二切換器及所述網路介面控制器連接網路。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述網路介面控制器利用USB協定中USB3版本及USB2版本傳輸資料， <br/>所述第一切換器符合所述USB3版本，且所述第二切換器符合所述USB2版本。
如請求項2所述的顯示裝置，其中連接至所述USB連接埠的電子裝置基於所述USB3版本及所述USB2版本的其中一者與所述網路介面控制器相互通訊。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示控制裝置包括： <br/>微處理器，耦接所述切換電路； <br/>縮放器，耦接所述微處理器；以及 <br/>第三切換器，耦接所述切換電路及所述集線器， <br/>其中響應於所述控制信號為第二狀態，所述微處理器透過所述切換電路及所述網路介面控制器連接網路。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述第三切換器符合USB協定中USB2版本。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述微處理器不具備連網功能。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述微處理器上傳所述顯示裝置的資料至所述網路上的伺服器。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述微處理器從伺服器獲得韌體更新資料，並依據所述韌體更新資料判斷是否對所述顯示裝置進行韌體更新。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述控制信號受控於所述微處理器及所述縮放器的其中一者或其組合。
如請求項4所述的顯示裝置，其中所述微處理器從所述網路上的伺服器獲得韌體更新資料，並依據所述韌體更新資料判斷是否對所述顯示裝置進行韌體更新。
一種顯示裝置的連網方法，其中所述顯示裝置包括集線器、通用序列匯流排（USB）連接埠、切換電路、網路介面控制器及顯示控制裝置，所述連網方法包括： <br/>響應於控制信號為第一狀態，所述USB連接埠透過所述集線器、所述切換電路及所述網路介面控制器連接網路；以及 <br/>響應於所述控制信號為第二狀態，所述顯示控制裝置透過所述切換電路及所述網路介面控制器連接網路； <br/>其中，所述切換電路包括： <br/>第一切換器，受控於所述控制信號；以及 <br/>第二切換器，受控於所述控制信號， <br/>其中，響應於所述控制信號為第一狀態，所述USB連接埠透過所述集線器、所述第一切換器及所述第二切換器的其中一者及所述網路介面控制器連接網路， <br/>響應於所述控制信號為第二狀態，所述顯示控制裝置透過所述第二切換器及所述網路介面控制器連接網路。
如請求項11所述的連網方法，還包括： <br/>判斷連網模式為手動模式或自動模式；以及 <br/>依據所述手動模式或所述自動模式來調整所述控制信號為所述第一狀態或是所述第二狀態。
如請求項12所述的連網方法，其中依據所述手動模式或所述自動模式來調整所述控制信號為所述第一狀態或是所述第二狀態的步驟包括： <br/>在所述自動模式下，判斷所述顯示控制裝置中的縮放器是否收到切換指令、所述USB連接埠是否與電子裝置斷開、或是，是否已於設置時段中； <br/>在所述顯示控制裝置中的縮放器收到切換指令、所述USB連接埠已與所述電子裝置斷開，或是，已位於所述設置時段中的情況下，將所述控制信號設置為所述第二狀態，以使所述顯示控制裝置連接網路；以及 <br/>在所述顯示控制裝置中的縮放器並未收到切換指令、所述USB連接埠並未與所述電子裝置斷開，或是，並未位於所述設置時段中的情況下，將所述控制信號設置為所述第一狀態，以使所述電子裝置連接網路。
如請求項11所述的連網方法，其中使所述顯示控制裝置連接網路的步驟包括： <br/>透過所述顯示控制裝置中的微處理器上傳所述顯示裝置的資料至所述網路上的伺服器。
如請求項11所述的連網方法，其中使所述顯示控制裝置連接網路的步驟包括： <br/>從所述網路上的伺服器獲得韌體更新資料；以及 <br/>依據所述韌體更新資料判斷是否對所述顯示裝置進行韌體更新。
如請求項11所述的連網方法，其中所述網路介面控制器利用USB協定中USB3版本及USB2版本傳輸資料， <br/>所述第一切換器符合所述USB3版本，且所述第二切換器符合所述USB2版本， <br/>連接至所述USB連接埠的所述電子裝置基於所述USB3版本及所述USB2版本的其中一者與所述網路介面控制器相互通訊。
如請求項11所述的連網方法，其中所述顯示控制裝置包括： <br/>微處理器，耦接所述切換電路； <br/>縮放器，耦接所述微處理器；以及 <br/>第三切換器，耦接所述切換電路及所述集線器， <br/>其中響應於所述控制信號為第二狀態，所述微處理器透過所述切換電路及所述網路介面控制器連接網路， <br/>其中所述第三切換器符合USB協定中USB2版本。
如請求項17所述的連網方法，其中所述微處理器不具備連網功能。
一種電源轉換電路，包括： <br/>一第一諧振轉換器，包括一第一變壓器、一第一諧振電感、一第一諧振電容、一第一橋式開關電路及一第一整流電路，該第一變壓器具有一第一初級側繞組及一第一次級側繞組，該第一諧振電感及該第一諧振電容串聯連接並連接該第一初級側繞組，該第一橋式開關電路與該第一諧振電感、該第一諧振電容及該第一初級側繞組連接，該第一次級側繞組與該第一整流電路連接； <br/>一第二諧振轉換器，包括一第二變壓器、一第二諧振電感、一第二諧振電容、一第二橋式開關電路及一第二整流電路，該第二變壓器具有一第二初級側繞組及一第二次級側繞組，該第二諧振電感及該第二諧振電容串聯連接並連接該第二初級側繞組，該第二橋式開關電路與該第二諧振電感、該第二諧振電容及該第二初級側繞組連接，該第二次級側繞組與該第二整流電路連接；該第一橋式開關電路及該第二橋式開關電路接收一輸入電壓，該第一整流電路的輸出端及該第二整流電路的輸出端並聯連接，該第一整流電路及該第二整流電路輸出一輸出電壓；以及 <br/>一控制裝置，提供多個第一切換信號至該第一橋式開關電路，提供多個第二切換信號至該第二橋式開關電路，其包括： <br/>一第一控制模組，依據該輸出電壓、一總輸出電流、一預設電壓與一預設電流，決定對應該些第一切換信號及該些第二切換信號的一切換頻率； <br/>一第二控制模組，依據流經該第一諧振電感的一第一電流及流經該第二諧振電感的一第二電流，決定對應該些第一切換信號及該些第二切換信號的一相移角度；以及 <br/>一第三控制模組，依據該切換頻率及該相移角度產生該些第一切換信號及該些第二切換信號，並依據該切換頻率與一諧振頻率，控制對應該些第一切換信號及該些第二切換信號之間的一交錯相位角度。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中當該切換頻率大於或等於該諧振頻率時，該交錯相位角度為該些第一切換信號與該些第二切換信號之等效開關截止交錯相位角度。
如請求項2所述之電源轉換電路，其中該等效開關截止交錯相位角度為90度。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中當該切換頻率小於該諧振頻率時，該交錯相位角度為該些第一切換信號與該些第二切換信號之等效開關導通交錯相位角度。
如請求項4所述之電源轉換電路，其中該等效開關導通交錯相位角度為90度。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中該第一橋式開關電路及該第一整流電路為全橋式開關電路。
如請求項6所述之電源轉換電路，其中該第三控制模組包括： <br/>一加法器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該加法器的該第一輸入端接收該相移角度，該加法器的該第二輸入端接收一預設相移角度； <br/>一減法器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該減法器的該第一輸入端接收該預設相移角度，該減法器的該第二輸入端接收該相移角度； <br/>一第一限制器，具有一輸入端與一輸出端，該第一限制器的該輸入端耦接該加法器的該輸出端，該第一限制器的該輸出端輸出一第一等效責任週期； <br/>一第二限制器，具有一輸入端與一輸出端，該第二限制器的該輸入端耦接該減法器的該輸出端，該第二限制器的該輸出端輸出一第二等效責任週期；以及 <br/>一切換信號產生電路，耦接該第一控制模組、該第一限制器的該輸出端及該第二限制器的該輸出端並接收該切換頻率、該第一等效責任週期及該第二等效責任週期，該切換信號產生電路依據該切換頻率及該第一等效責任週期產生該些第一切換信號，該切換信號產生電路依據該切換頻率及該第二等效責任週期產生該些第二切換信號並控制該交錯相位角度。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中該第一控制模組對該輸出電壓與該預設電壓進行一減法計算，以取得一第一值，該第一控制模組對該總輸出電流與該預設電流進行該減法計算，以取得一第二值，且該第一控制模組依據該第一值與該第二值，決定該切換頻率。
如請求項8所述之電源轉換電路，其中該第一控制模組確認該第一值是否小於該第二值，當確認該第一值小於該第二值時，該第一控制模組依據該第一值，決定該切換頻率，當確認該第一值未小於該第二值時，該第一控制模組依據該第二值，決定該切換頻率。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中該第一控制模組包括： <br/>一第一低通濾波器，具有一輸入端與一輸出端，該第一低通濾波器的該輸入端接收該輸出電壓； <br/>一第二低通濾波器，具有一輸入端與一輸出端，該第二低通濾波器的該輸入端接收該總輸出電流； <br/>一第一減法器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第一減法器的該第一輸入端耦接該第一低通濾波器的該輸出端，該第一減法器的該第二輸入端接收該預設電壓； <br/>一第二減法器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第二減法器的該第一輸入端耦接該第二低通濾波器的該輸出端，該第二減法器的該第二輸入端接收該預設電流； <br/>一第一比例積分控制器，具有一輸入端與一輸出端，該第一比例積分控制器的該輸入端耦接該第一減法器的該輸出端； <br/>一第二比例積分控制器，具有一輸入端與一輸出端，該第二比例積分控制器的該輸入端耦接該第二減法器的該輸出端； <br/>一第一限制器，具有一輸入端與一輸出端，該第一限制器的該輸入端耦接該第一比例積分控制器的該輸出端； <br/>一第二限制器，具有一輸入端與一輸出端，該第二限制器的該輸入端耦接該第二比例積分控制器的該輸出端；以及 <br/>一決定單元，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該決定單元的該第一輸入端耦接該第一限制器的該輸出端，該決定單元的該第二輸入端耦接該第二限制器的該輸出端，該決定單元輸出該切換頻率。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中該第二控制模組對該第一電流與該第二電流進行一減法計算，決定對應該相移角度。
如請求項1所述之電源轉換電路，其中該第二控制模組包括： <br/>一第一低通濾波器，具有一輸入端與一輸出端，該第一低通濾波器的該輸入端接收該第一電流； <br/>一第二低通濾波器，具有一輸入端與一輸出端，該第二低通濾波器的該輸入端接收該第二電流； <br/>一減法器，具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該減法器的該第一輸入端耦接該第二低通濾波器的該輸出端，該減法器的該第二輸入端耦接該第一低通濾波器的該輸出端； <br/>一比例積分控制器，具有一輸入端與一輸出端，該比例積分控制器的該輸入端耦接該減法器的該輸出端， <br/>一限制器，具有一輸入端與一輸出端，該限制器的該輸入端耦接該比例積分控制器的該輸出端，該限制器的該輸出端輸出該相移角度。
一種電源轉換電路的操作方法，其中該電源轉換電路包括一第一諧振轉換器以及一第二諧振轉換器，該第一諧振轉換器包括一第一變壓器、一第一諧振電感、一第一諧振電容、一第一橋式開關電路及一第一整流電路，該第一變壓器具有一第一初級側繞組及一第一次級側繞組，該第一諧振電感及該第一諧振電容串聯連接並連接該第一初級側繞組，該第一橋式開關電路與該第一諧振電感、該第一諧振電容及該第一初級側繞組連接，該第一次級側繞組與該第一整流電路連接，該第二諧振轉換器包括一第二變壓器、一第二諧振電感、一第二諧振電容、一第二橋式開關電路及一第二整流電路，該第二變壓器具有一第二初級側繞組及一第二次級側繞組，該第二諧振電感及該第二諧振電容串聯連接並連接該第二初級側繞組，該第二橋式開關電路與該第二諧振電感、該第二諧振電容及該第二初級側繞組連接，該第二次級側繞組與該第二整流電路連接；該第一橋式開關電路及該第二橋式開關電路接收一輸入電壓，該第一整流電路的輸出端及該第二整流電路的輸出端並聯連接，該第一整流電路及該第二整流電路輸出一輸出電壓，該操作方法包括： <br/>透過一第一控制模組，接收該輸出電壓與一總輸出電流，依據該輸出電壓、該總輸出電流、一預設電壓與一預設電流，決定對應該電源轉換電路的一切換頻率； <br/>透過一第二控制模組，接收流經該第一諧振電感的一第一電流及流經該第二諧振電感的一第二電流，並依據該第一電流與該第二電流，決定對應該電源轉換電路的一相移角度； <br/>透過一第三控制模組，依據該切換頻率及該相移角度產生多個第一切換信號及多個第二切換信號；以及 <br/>透過該第三控制模組，依據該切換頻率與一諧振頻率，控制對應該些第一切換信號及該些第二切換信號之間的一交錯相位角度。
如請求項13所述之電源轉換電路的操作方法，其中當該切換頻率大於或等於該諧振頻率時，該交錯相位角度為該些第一切換信號與該些第二切換信號之等效開關截止交錯相位角度。
如請求項14所述之電源轉換電路的操作方法，其中該等效開關截止交錯相位角度為90度。
如請求項13所述之電源轉換電路的操作方法，其中當該切換頻率小於該諧振頻率時，該交錯相位角度為該些第一切換信號與該些第二切換信號之等效開關導通交錯相位角度。
如請求項16所述之電源轉換電路的操作方法，其中該等效開關導通交錯相位角度為90度。
如請求項13所述之電源轉換電路的操作方法，其中依據該輸出電壓、該總輸出電流、該預設電壓與該預設電流，決定對應該電源轉換電路的該切換頻率的步驟包括： <br/>該第一控制模組對該輸出電壓與該預設電壓進行一減法計算，以取得一第一值； <br/>該第一控制模組對該總輸出電流與該預設電流進行該減法計算，以取得一第二值；以及 <br/>該第一控制模組依據該第一值與該第二值，決定該切換頻率。
如請求項18所述之電源轉換電路的操作方法，其中該第一控制模組依據該第一值與該第二值，決定該切換頻率的步驟包括： <br/>該第一控制模組確認該第一值是否小於該第二值； <br/>當確認該第一值小於該第二值時，該第一控制模組依據該第一值，決定該切換頻率；以及 <br/>當確認該第一值未小於該第二值時，該第一控制模組依據該第二值，決定該切換頻率。
如請求項13所述之電源轉換電路的操作方法，其中依據該第一電流與該第二電流，決定對應該電源轉換電路的該相移角度的步驟包括： <br/>該第二控制模組對該第一電流與該第二電流進行一減法計算，決定該相移角度。
一種形成裝置結構的方法，包含：<br/> 在一基體上形成包括一功率放大器及一低雜訊放大器的一半導體電路；<br/> 在該功率放大器及該低雜訊放大器上方的第一介電材料層內形成金屬互連結構；<br/> 在該等第一介電材料層上方形成一第一相變材料(PCM)開關及一第二PCM開關，其中該第一PCM開關包含一第一電極及一第二電極，且該第二PCM開關包含一第三電極及一第四電極，其中該第二電極係電氣連接至該第三電極以形成一共同電氣節點，其中該等金屬互連結構之一第一支組提供在該第一電極與該功率放大器之一輸出節點之間的一第一導電路徑，其中該等金屬互連結構之一第二支組提供在該第四電極與該低雜訊放大器之一輸入節點之間的一第二導電路徑；及<br/> 將一射頻(RF)天線電氣連接至該共同電氣節點。
如請求項1之方法，其中：<br/> 該功率放大器之該輸出節點為該半導體電路之與該第一電極電氣連接的唯一電氣節點；且<br/> 該低雜訊放大器之該輸入節點為該半導體電路之與該第四電極電氣連接的唯一電氣節點。
如請求項1之方法，其更包含：<br/> 在該等第一介電材料層之一最頂表面上方沉積至少一金屬材料層；及<br/> 圖案化該至少一金屬材料層，其中該至少一金屬材料層之圖案化部分包含一第一加熱器元件、一第二加熱器元件、該第一電極、該第二電極、該第三電極及該第四電極。
一種形成裝置結構的方法，包含：<br/> 在一基體上形成包含一功率放大器及一低雜訊放大器的一半導體電路；<br/> 在第一介電材料層之一最頂表面上形成一第一金屬板、一第二金屬板、一第三金屬板、一第一加熱器元件及一第二加熱器元件，其中該第一加熱器元件係形成於該第一金屬板與該第二金屬板之間，且該第二加熱器元件係形成於該第二金屬板與該第三金屬板之間；及<br/> 在該等第一介電材料層上方形成一第一相變材料(PCM)開關及一第二PCM開關，其中該第二金屬板為該第一PCM開關及該第二PCM開關的一共同電極，<br/> 其中該方法更包含：在該功率放大器及該低雜訊放大器上方的第一介電材料層內形成金屬互連結構，其中該金屬互連結構之一第一支組提供在該第一金屬板與該功率放大器之一輸出節點之間的一第一導電路徑，其中該金屬互連結構之一第二支組提供在該第三金屬板與該低雜訊放大器之一輸入節點之間的一第二導電路徑。
如請求項4之方法，其更包含：<br/> 在該第一金屬板、該第二金屬板、該第三金屬板、該第一加熱器元件及該第二加熱器元件上方沉積一相變材料層；及<br/> 圖案化該相變材料層，其中該相變材料之一第一圖案化部分在該第一金屬板、該第一加熱器元件及該第二金屬板之一第一部分上方延伸，且該相變材料之一第二圖案化部分在該第二金屬板之一第二部分、該第二加熱器元件及該第三金屬板上方延伸，其中該第一圖案化部分及第二圖案化部分係形成為一單一連續的相變材料部分之在該第一加熱器元件及該第二加熱器元件中之各者上方延伸的一相應部分。
如請求項4之方法，其更包含：<br/> 在該第一PCM開關及該第二PCM開關上方形成第二介電材料層；<br/> 在該第一金屬板、該第二金屬板、或該第三金屬板中之一者的一頂表面上直接地形成穿過該等第二介電材料層當中之一最底層的一金屬通孔結構；及<br/> 將一射頻(RF)天線電氣連接至該金屬通孔結構，其係藉由在該等第二介電材料層上方形成該RF天線或藉由將包括該RF天線的一結構附接至含有該基體、該等第一介電材料層及該等第二介電材料層的一總成。
一種裝置結構，包含：<br/> 一半導體裝置，其包括一功率放大器及一低雜訊放大器且上覆於一基體；<br/> 一互連結構，其上覆於該功率放大器及該低雜訊放大器；<br/> 一第一相變材料(PCM)開關及一第二PCM開關，該等位於該互連結構上方，其中該第一PCM開關包含一第一電極及一第二電極，且該第二PCM開關包含一第三電極及一第四電極，其中該第二電極係電氣連接至該第三電極以提供一共同電氣節點，其中該等互連結構之一第一支組提供在該第一電極與該功率放大器之一輸出節點之間的一第一導電路徑，其中該等互連結構之一第二支組提供在該第四電極與該低雜訊放大器之一輸入節點之間的一第二導電路徑；及<br/> 一射頻(RF)天線，其電氣連接至該共同電氣節點。
如請求項7之裝置結構，其中：<br/> 該第一PCM開關包含位於該第一電極與該第二電極之間的一第一加熱器元件；<br/> 該第二PCM開關包含位於該第三電極與該第四電極之間的一第二加熱器元件；且<br/> 該第一加熱器元件及該第二加熱器元件中之各者包含與該第一電極相同的一組之至少一金屬材料。
如請求項7之裝置結構，其中該第二電極及該第三電極係形成為一單一金屬板。
如請求項7之裝置結構，其中：<br/> 該功率放大器之該輸出節點為該半導體裝置之與該第一電極電氣連接的唯一電氣節點；且<br/> 該低雜訊放大器之該輸入節點為該半導體裝置之與該第四電極電氣連接的唯一電氣節點。
一種調理器用蓋，用以封閉上部已開口的一調理器的上部開口部，包含覆蓋所述調理器的上部開口部的金屬製之蓋本體，<br/> 所述蓋本體具有一流路形成部，該流路形成部形成使蒸氣從所述調理器的內側向外側釋放的流路，<br/> 所述流路形成部使所述蓋本體的一部分從背側向表側隆起，並且形成從半徑方向的內側向外側延伸的流路。
如請求項1所述的調理器用蓋，其中所述流路形成部形成延伸至所述蓋本體的外周端部的流路。
如請求項1所述的調理器用蓋，其中所述蓋本體具有外周端部的一部分被切割形成的一切口部，<br/> 所述流路形成部與通過所述蓋本體中心的軸正交，並且相對於通過所述蓋本體中心的軸位於與所述切口部的相反側，<br/> 所述流路形成部形成朝向遠離所述切口部的方向延伸的流路。
如請求項3所述的調理器用蓋，其中在所述流路形成部與所述調理器的上端部之間的間隙大於所述切口部。
如請求項1所述的調理器用蓋，其中所述蓋本體具有外周端部被施加捲封加工的一捲封部。
如請求項5所述的調理器用蓋，其中所述捲封部是通過將所述蓋本體的外周端部向表側捲封而形成。
如請求項1所述的調理器用蓋，其中所述蓋本體包含使所述蓋本體的一部分自表側向背側隆起的肋部，所述流路形成部的基端部位於較所述肋部更靠半徑方向內側的位置。
一種發光二極體封裝結構，包含：<br/> 一導電基板；<br/> 一第一絕緣層，設置於該導電基板的一表面，且該第一絕緣層具有複數個第一通孔；<br/> 複數個發光二極體元件，埋設於該第一絕緣層中，各該發光二極體元件的一發光面連接該導電基板，且各該發光二極體元件的一連接面裸露於對應的各該第一通孔中；<br/> 一第一導電層，連接該第一絕緣層與各該發光二極體元件的該連接面，使該第一絕緣層位於該第一導電層與該導電基板之間；<br/> 一第二絕緣層，連接該第一導電層，使該第一導電層之部分位於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間，該第二絕緣層具有複數個第二通孔，且部分的該第一導電層裸露於該些第二通孔中；以及<br/> 一第二導電層，設置於該些第二通孔中並連接該第一導電層；<br/> 其中，該導電基板為一透明導電基板。
如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中該第一絕緣層具有一第一厚度，且該第一厚度為1 μm至50 μm。
如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中該第二絕緣層具有一第二厚度，且該第二厚度為1 μm至50 μm。
如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中各該第一通孔具有一第一中軸，各該第二通孔具有一第二中軸，各該發光二極體元件具有一寬度，且該第一中軸與對應的該第二中軸的一距離不大於該寬度的三倍。
如請求項1所述的發光二極體封裝結構，更包含一保護層，連接該第二導電層，使該第二導電層位於該第二絕緣層與該保護層之間。
一種發光二極體封裝結構的製造方法，包含：<br/> 將複數個發光二極體元件設置於一導電基板的一表面，且各該發光二極體元件的一發光面朝向該導電基板；<br/> 使一第一絕緣層形成於該導電基板的該表面，且該些發光二極體元件埋設於該第一絕緣層中；<br/> 於該第一絕緣層形成複數個第一通孔，且各該發光二極體元件的一連接面裸露於對應的各該第一通孔中；<br/> 形成一第一導電層，使該第一導電層連接該第一絕緣層與各該發光二極體元件的該連接面，且該第一絕緣層位於該第一導電層與該導電基板之間；<br/> 形成一第二絕緣層，使該第二絕緣層連接該第一導電層，且該第一導電層之部分位於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間；<br/> 於該第二絕緣層形成複數個第二通孔，使部分的該第一導電層裸露於該些第二通孔中；以及<br/> 將一第二導電層設置於該些第二通孔中，且該第二導電層連接該第一導電層，以獲得一發光二極體封裝結構；<br/> 其中，該導電基板為一透明導電基板。
如請求項6所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中該第一絕緣層具有一第一厚度，且該第一厚度為1 μm至50 μm。
如請求項6所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中該第二絕緣層具有一第二厚度，且該第二厚度為1 μm至50 μm。
如請求項6所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中各該第一通孔具有一第一中軸，各該第二通孔具有一第二中軸，各該發光二極體元件具有一寬度，且該第一中軸與對應的該第二中軸的一距離不大於該寬度的三倍。
如請求項6所述的發光二極體封裝結構的製造方法，更包含形成一保護層，該保護層連接該第二導電層，並使該第二導電層位於該第二絕緣層與該保護層之間。
一種擴展塢的供電方法，包括： <br/>透過該擴展塢偵測一通用輸入輸出接腳的一電壓位準； <br/>判斷該電壓位準是否為一第一電壓位準以產生一判斷結果；以及 <br/>根據該判斷結果切換成以一第一供電模式及一第二供電模式其中之一進行供電，其中該第一供電模式為適配器供電模式且該第二供電模式為顯示器供電模式。
如請求項1之供電方法，還包括： <br/>響應於該電壓位準為該第一電壓位準，以該適配器供電模式進行供電。
如請求項2之供電方法，還包括： <br/>於該適配器供電模式下，該擴展塢電性連接至一適配器以接收該適配器的供電。
如請求項1之供電方法，還包括： <br/>響應於該電壓位準為一第二電壓位準，以該顯示器供電模式進行供電。
如請求項4之供電方法，還包括： <br/>於該顯示器供電模式下，該擴展塢電性連接至一顯示器以接收該顯示器的供電。
如請求項1之供電方法，還包括： <br/>計算一未使用功率以更新一上行埠的一電源資料物件。
如請求項6之供電方法，還包括： <br/>讀取一下行埠以計算一顯示器可提供的最大功率； <br/>讀取一目前系統使用的功率； <br/>根據該顯示器可提供的最大功率與該目前系統使用的功率計算該未使用功率；以及 <br/>根據該未使用功率產生一更新的上行埠的電源資料物件。
如請求項7之供電方法，還包括： <br/>根據該更新的上行埠的電源資料物件結合一線材電氣特性產生一電源資料物件宣告。
一種擴展塢，包括： <br/>一第一開關； <br/>一第二開關，電性連接至該第一開關； <br/>一第一控制電路，電性連接至該第一開關的控制端；以及 <br/>一第二控制電路，電性連接至該第二開關的控制端； <br/>其中，於一第一供電模式下，該第一控制電路關斷該第一開關且該第二控制電路導通該第二開關；於一第二供電模式下，該第一控制電路導通該第一開關且該第二控制電路關斷該第二開關，其中該第一供電模式為適配器供電模式且該第二供電模式為顯示器供電模式。
如請求項9之擴展塢，其中於該適配器供電模式下，該直流插孔電性連接至一適配器以接收該適配器的供電並透過導通的該第二開關傳送至一系統電源。
如請求項9之擴展塢，還包括： <br/>一系統電源，電性連接至該第一開關及該第二開關； <br/>一直流插孔，電性連接至該第二開關，用以選擇性地電性連接至一適配器； <br/>一下行埠，用以電性連接至一顯示器； <br/>一第三開關，電性連接至該下行埠； <br/>一第四開關，電性連接至該第三開關；以及 <br/>一直流-直流轉換器，電性連接於該第一開關及該第四開關之間， <br/>其中，於該顯示器供電模式下，該下行埠電性連接至該顯示器的一上行埠以接收該顯示器的供電並依序透過導通的該第三開關、該第四開關、該直流-直流轉換器及第一開關傳送至該系統電源。
如請求項11之擴展塢，其中該下行埠與該上行埠彼此進行溝通，以確認該上行埠作為來源端且該下行埠作為接受端。
如請求項9之擴展塢，其中該第一控制電路係根據傳送至該第一開關的一第一電壓與傳送至該第二開關的一第二電壓來決定關斷或導通該第一開關。
如請求項9之擴展塢，其中該第二控制電路係根據傳送至該第一開關的一第一電壓與傳送至該第二開關的一第二電壓來決定關斷或導通該第二開關。
如請求項11之擴展塢，其中響應於該下行埠電性連接至該顯示器而該直流插孔未電性連接至該適配器，該系統電源係以該顯示器供電模式進行供電。
如請求項11之擴展塢，其中響應於該直流插孔電性連接至該適配器且該下行埠電性連接至該顯示器，該系統電源係以該適配器供電模式進行供電。
如請求項11之擴展塢，其中響應於該下行埠先電性連接至該顯示器，該系統電源先以該顯示器供電模式進行供電，之後響應於該直流插孔電性連接至該適配器，該系統電源切換成以該適配器供電模式進行供電。
如請求項11之擴展塢，其中響應於該直流插孔先電性連接至該適配器，該下行埠再電性連接至該顯示器，該系統電源先以該適配器供電模式進行供電，之後響應於該適配器移除，該系統電源切換成以該顯示器供電模式進行供電。
如請求項11之擴展塢，其中該第一開關與該第二開關不會同時導通或是同時關斷。
如請求項11之擴展塢，其中該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關均為金屬氧化物半導體場效電晶體。
一種航空數據之覆核系統，其包括有：<br/> 複數個感測模組，用於安裝在一飛行器上，各該感測模組包括一大氣靜壓力感測器、一溫度感測器、一大氣總壓感測器，該些感測器分別偵測該飛行器在任一大氣環境中飛行時對應於該大氣環境的當前大氣靜壓力值、當前機外溫度值、當前大氣總壓力值；<br/> 一覆核單元，電性連接於各該感測模組及該飛行器，用以接收各該感測模組偵測的當前大氣靜壓力值、當前機外溫度值、大氣總壓力值，並藉由多道邏輯運算交叉驗證各該感測模組所偵測數值的可信賴度，以判斷各該感測模組是否正常運作，控制該些感測模組啓動或關閉，並將正常運作之感測模組所偵測數值運算轉化爲性能結果參數，以供該飛行器調整航空參數；<br/> 其中，該覆核單元執行邏輯運算時，按以下步驟執行運算驗證：<br/> 步驟S1，該溫度感測器獲得一當前機外溫度值；<br/> 步驟S2，該當前機外溫度值與該當前大氣靜壓力值代入該空氣密度關係式，得到一空氣密度值；<br/> 步驟S3，再將當前大氣靜壓力值與該空氣密度值代入一音速關係式，得到一待驗證的第一音速值；<br/> 步驟S4，該當前機外溫度值代入另一音速關係式，得到一第二音速值；<br/> 步驟S5，比對並判斷該第一音速值是否與該第二音速值相符；<br/> 若該第一音速值與該第二音速值相符時，該第一音速值及該第二音速值可受信賴，則該第一音速值或該第二音速值可供其他航空參數關係式應用；若不相符時則判斷該大氣靜壓力感測器、該溫度感測器中一者受損，此時該覆核單元關閉受損之感測模組，改由其他感測模組提供偵測數據並執行步驟S1至步驟S5重新驗證，直至該第一音速值與該第二音速值相符再進行下一關係式運算；<br/> 該溫度感測器獲得之當前機外溫度值代入一高度關係式得到一第一高度演算值，將該第一高度演算值代入一大氣靜壓力關係式得到一大氣靜壓力演算值；<br/> 該大氣靜壓力感測器獲得之當前大氣靜壓力值代入另一高度關係式得到一第二高度演算值，將該第二高度演算值代入一溫度關係式得到一機外溫度演算值； <br/> 將該空氣密度值代入一空氣密度比值關係式得到一空氣密度比值；<br/> 該大氣總壓感測器偵測得一當前大氣總壓力值，將該當前大氣總壓力值、以及當前大氣靜壓力值或大氣靜壓力演算值，代入一大氣壓力關係式得到一大氣動壓力值，並將該當前大氣總壓力值、以及該空氣密度值，代入一指示空速關係式得到一指示空速值，再將該指示空速值代入一校正空速關係式得到一校正空速值；<br/> 接着將指示空速值、空氣密度比值代入一真空速關係式得到一真空速值，並將該第一音速值或該第二音速值以及該真空速值，代入一馬赫關係式，得到一馬赫值。
如請求項1所述之航空數據之覆核系統，其中，計算該第一高度演算值之高度關係式爲<img align="absmiddle" height="11px" width="53px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該當前機外溫度值代入T計算而得；計算該大氣靜壓力演算值之大氣靜壓力關係式爲<img align="absmiddle" height="7px" width="155px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該大氣靜壓力演算值的計算單位爲hPa，係由該第一高度演算值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算而得。
如請求項1所述之航空數據之覆核系統，其中，計算該第二高度演算值之高度關係式爲<img align="absmiddle" height="12px" width="129px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該當前大氣靜壓力值代入Pstatic計算而得；計算該機外溫度演算值之溫度關係式爲<img align="absmiddle" height="7px" width="117px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該機外溫度演算值之計算單位爲<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該第二高度演算值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算而得。
如請求項1所述之航空數據之覆核系統，其中，計算該空氣密度值之空氣密度關係式爲<img align="absmiddle" height="11px" width="66px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該空氣密度值之計算單位爲<img align="absmiddle" height="10px" width="6px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該當前機外溫度值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及該當前大氣靜壓力值代入Pstatic計算而得；該空氣密度比值關係式爲<img align="absmiddle" height="11px" width="29px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="10px" width="48px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，爲海平面空氣密度。
如請求項1所述之航空數據之覆核系統，其中，計算該第一音速值之音速關係式爲<img align="absmiddle" height="15px" width="44px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該當前大氣靜壓力值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及空氣密度值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算而得；計算該第二音速值之音速關係式爲<img align="absmiddle" height="8px" width="71px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該當前機外溫度值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算而得。
如請求項1所述之航空數據之覆核系統，其中，該大氣壓力關係式爲<img align="absmiddle" height="7px" width="75px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表大氣總壓力值，<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表大氣靜壓力值，<img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表大氣動壓力值，計算單位爲hPa；運算時將該當前大氣總壓力值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，以及該當前大氣靜壓力值或該大氣靜壓力演算值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算。
如請求項1所述之航空數據之覆核系統，其中，該指示空速關係式爲<img align="absmiddle" height="15px" width="48px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該大氣動壓力值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及該空氣密度值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算而得；<br/> 該校正空速關係式爲<img align="absmiddle" height="7px" width="44px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="9px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>爲儀表本身的誤差值；<br/> 該真空速關係式爲<img align="absmiddle" height="15px" width="35px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該指示空速值與空氣密度比值代入計算而得；<br/> 該馬赫關係式爲<img align="absmiddle" height="10px" width="31px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，係由該第一音速值或該第二音速值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>以及該真空速值代入<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>計算而得。
一種半導體可調環形雷射，其包含：<br/>一雷射空腔，其具有一封閉迴路光學路徑；以及<br/>一濾光器，其配置於該雷射空腔內且在該半導體可調環形雷射在使用中時組配為一透射型濾光器，該濾光器包含：<br/>一第一基於MZI之可調頻率濾波器區段，其包含：<br/>一1×3 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第一多模波導區段：<br/>一第一光學輸入埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第一光學輸出埠，其經組配及配置為該雷射空腔之一光學監測埠；<br/>一第二光學輸出埠；以及<br/>一第三光學輸出埠；<br/>一第一2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第二多模波導區段：<br/>一第二光學輸入埠；<br/>一第三光學輸入埠；以及<br/>一第五光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第一光導引結構，其包含一第一光波導，該第一光波導經配置以光學地互連該1×3 MMI輸入分光器之該第二光學輸出埠及該第一2×1 MMI輸出組合器之該第二光學輸入埠，該第一光導引結構經組配以提供該1×3 MMI輸入分光器之該第二光學輸出埠與該第一2×1 MMI輸出組合器之該第二光學輸入埠之間的一第一光學路徑長度；<br/>一第二光導引結構，其包含一第二光波導，該第二光波導經配置以光學地互連該1×3 MMI輸入分光器之該第三光學輸出埠及該第一2×1 MMI輸出組合器之該第三光學輸入埠，該第二光導引結構經組配以提供該1×3 MMI輸入分光器之該第三光學輸出埠與該第一2×1 MMI輸出組合器之該第三光學輸入埠之間的一第二光學路徑長度，該第二光學路徑長度不同於該第一光學路徑長度；<br/>其中該1×3 MMI輸入分光器之該第一多模波導區段經組配以在該半導體可調環形雷射在使用中時使得：<br/>入射於該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸入埠上的一光輻射量T<sub>0</sub>之一第一非零分數T<sub>1</sub>之光輻射能夠存在於該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸出埠處；<br/>該光輻射量T<sub>0</sub>之一第二分數T<sub>2</sub>=(1-T<sub>1</sub>)/2之光輻射能夠存在於該1×3 MMI輸入分光器之該第二光學輸出埠處；以及<br/>該光輻射量T<sub>0</sub>之一第三分數T<sub>3</sub>=(1-T<sub>1</sub>)/2之光輻射能夠存在於該1×3 MMI輸入分光器之該第三光學輸出埠處；<br/>該第一非零分數T<sub>1</sub>之光輻射足以用於該雷射空腔外部之波長鎖定及/或功率監測目的。
如請求項1之半導體可調環形雷射，其中該1×3 MMI輸入分光器之該第一多模波導區段經組配以使得該第一非零分數T<sub>1</sub>之光輻射能夠具有在自0.01至0.15之一範圍內的一值。
如請求項1之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第二基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第一1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第三多模波導區段：<br/>一第四光學輸入埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第六光學輸出埠；以及<br/>一第七光學輸出埠；<br/>該第三多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第二2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第四多模波導區段：<br/>一第五光學輸入埠；<br/>一第六光學輸入埠；以及<br/>一第八光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第三光導引結構，其包含一第三光波導，該第三光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠，該第三光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠之間的一第三光學路徑長度；以及<br/>一第四光導引結構，其包含一第四光波導，該第四光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠，該第四光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠之間的一第四光學路徑長度，該第四光學路徑長度不同於該第三光學路徑長度。
如請求項2之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第二基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第一1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第三多模波導區段：<br/>一第四光學輸入埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第六光學輸出埠；以及<br/>一第七光學輸出埠；<br/>該第三多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第二2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第四多模波導區段：<br/>一第五光學輸入埠；<br/>一第六光學輸入埠；以及<br/>一第八光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第三光導引結構，其包含一第三光波導，該第三光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠，該第三光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠之間的一第三光學路徑長度；以及<br/>一第四光導引結構，其包含一第四光波導，該第四光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠，該第四光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠之間的一第四光學路徑長度，該第四光學路徑長度不同於該第三光學路徑長度。
如請求項3之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第三基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第二1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第五多模波導區段：<br/>一第七光學輸入埠，其經配置成與該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第二2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第九光學輸出埠；以及<br/>一第十光學輸出埠；<br/>該第五多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第三2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第六多模波導區段：<br/>一第八光學輸入埠；<br/>一第九光學輸入埠；以及<br/>一第十一光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第五光導引結構，其包含一第五光波導，該第五光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠，該第五光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠之間的一第五光學路徑長度；以及<br/>一第六光導引結構，其包含一第六光波導，該第六光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠，該第六光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠之間的一第六光學路徑長度，該第六光學路徑長度不同於該第五光學路徑長度。
如請求項4之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第三基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第二1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第五多模波導區段：<br/>一第七光學輸入埠，其經配置成與該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第二2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第九光學輸出埠；以及<br/>一第十光學輸出埠；<br/>該第五多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第三2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第六多模波導區段：<br/>一第八光學輸入埠；<br/>一第九光學輸入埠；以及<br/>一第十一光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第五光導引結構，其包含一第五光波導，該第五光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠，該第五光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠之間的一第五光學路徑長度；以及<br/>一第六光導引結構，其包含一第六光波導，該第六光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠，該第六光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠之間的一第六光學路徑長度，該第六光學路徑長度不同於該第五光學路徑長度。
如請求項5之半導體可調環形雷射，其中該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑具備：<br/>一增益區段，其包含：<br/>一第十光學輸入埠，其經配置成與該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第三2×1 MMI輸出組合器之該第十一光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十二光學輸出埠；以及<br/>一2×2 MMI輸出分光器，其包含具備以下各者之一第七多模波導區段：<br/>一第十二光學輸入埠，其經配置以與該增益區段之該第十二光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第十三光學輸入埠，其經配置成與配置於該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑外部的一光學反射器光學通訊；<br/>一第十三光學輸出埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十四光學輸出埠，其經組配及配置以使得光功率能夠自該雷射空腔耦合出以用於除波長鎖定及/或功率監測目的之外的一應用中。
如請求項6之半導體可調環形雷射，其中該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑具備：<br/>一增益區段，其包含：<br/>一第十光學輸入埠，其經配置成與該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第三2×1 MMI輸出組合器之該第十一光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十二光學輸出埠；以及<br/>一2×2 MMI輸出分光器，其包含具備以下各者之一第七多模波導區段：<br/>一第十二光學輸入埠，其經配置以與該增益區段之該第十二光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第十三光學輸入埠，其經配置成與配置於該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑外部的一光學反射器光學通訊；<br/>一第十三光學輸出埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十四光學輸出埠，其經組配及配置以使得光功率能夠自該雷射空腔耦合出以用於除波長鎖定及/或功率監測目的之外的一應用中。
如請求項1之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第二基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第一1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第三多模波導區段：<br/>一第四光學輸入埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第六光學輸出埠；以及<br/>一第七光學輸出埠；<br/>該第三多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第二2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第四多模波導區段：<br/>一第五光學輸入埠；<br/>一第六光學輸入埠；以及<br/>一第八光學輸出埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第三光導引結構，其包含一第三光波導，該第三光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠，該第三光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠之間的一第三光學路徑長度；以及<br/>一第四光導引結構，其包含一第四光波導，該第四光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠，該第四光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠之間的一第四光學路徑長度，該第四光學路徑長度不同於該第三光學路徑長度。
如請求項2之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第二基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第一1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第三多模波導區段：<br/>一第四光學輸入埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第六光學輸出埠；以及<br/>一第七光學輸出埠；<br/>該第三多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第二2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第四多模波導區段：<br/>一第五光學輸入埠；<br/>一第六光學輸入埠；以及<br/>一第八光學輸出埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第三光導引結構，其包含一第三光波導，該第三光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠，該第三光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第六光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸入埠之間的一第三光學路徑長度；以及<br/>一第四光導引結構，其包含一第四光波導，該第四光波導經配置以光學地互連該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠及該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠，該第四光導引結構經組配以提供該第一1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸出埠與該第二2×1 MMI輸出組合器之該第六光學輸入埠之間的一第四光學路徑長度，該第四光學路徑長度不同於該第三光學路徑長度。
如請求項9之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第三基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第二1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第五多模波導區段：<br/>一第七光學輸入埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第九光學輸出埠；以及<br/>一第十光學輸出埠；<br/>該第五多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第三2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第六多模波導區段：<br/>一第八光學輸入埠；<br/>一第九光學輸入埠；以及<br/>一第十一光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第五光導引結構，其包含一第五光波導，該第五光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠，該第五光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠之間的一第五光學路徑長度；以及<br/>一第六光導引結構，其包含一第六光波導，該第六光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠，該第六光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠之間的一第六光學路徑長度，該第六光學路徑長度不同於該第五光學路徑長度。
如請求項10之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第三基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第二1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第五多模波導區段：<br/>一第七光學輸入埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第九光學輸出埠；以及<br/>一第十光學輸出埠；<br/>該第五多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第三2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第六多模波導區段：<br/>一第八光學輸入埠；<br/>一第九光學輸入埠；以及<br/>一第十一光學輸出埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第五光導引結構，其包含一第五光波導，該第五光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠，該第五光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠之間的一第五光學路徑長度；以及<br/>一第六光導引結構，其包含一第六光波導，該第六光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠，該第六光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠之間的一第六光學路徑長度，該第六光學路徑長度不同於該第五光學路徑長度。
如請求項11之半導體可調環形雷射，其中該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑具備：<br/>一增益區段，其包含：<br/>一第十光學輸入埠，其經配置成與該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第三2×1 MMI輸出組合器之該第十一光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十二光學輸出埠；以及<br/>一2×2 MMI輸出分光器，其包含具備以下各者之一第七多模波導區段：<br/>一第十二光學輸入埠，其經配置以與該增益區段之該第十二光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第十三光學輸入埠，其經配置成與配置於該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑外部的一光學反射器光學通訊；<br/>一第十三光學輸出埠，其經配置成與該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一1×2 MMI輸入分光器之該第四光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十四光學輸出埠，其經組配及配置以使得光功率能夠自該雷射空腔耦合出以用於除波長鎖定及/或功率監測目的之外的一應用中。
如請求項9之半導體可調環形雷射，其中該濾光器包含一第三基於MZI之可調頻率濾波器區段，該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段包含：<br/>一第二1×2 MMI輸入分光器，其包含具備以下各者之一第五多模波導區段：<br/>一第七光學輸入埠，其經配置成與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第九光學輸出埠；以及<br/>一第十光學輸出埠；<br/>該第五多模波導區段經組配以達成一50/50分光比；<br/>一第三2×1 MMI輸出組合器，其包含具備以下各者之一第六多模波導區段：<br/>一第八光學輸入埠；<br/>一第九光學輸入埠；以及<br/>一第十一光學輸出埠，其經配置成與該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一1×2 MMI輸入分光器之該第四光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第五光導引結構，其包含一第五光波導，該第五光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠，該第五光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第九光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第八光學輸入埠之間的一第五光學路徑長度；以及<br/>一第六光導引結構，其包含一第六光波導，該第六光波導經配置以光學地互連該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠及該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠，該第六光導引結構經組配以提供該第二1×2 MMI輸入分光器之該第十光學輸出埠與該第三2×1 MMI輸出組合器之該第九光學輸入埠之間的一第六光學路徑長度，該第六光學路徑長度不同於該第五光學路徑長度。
如請求項14之半導體可調環形雷射，其中該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑具備：<br/>一增益區段，其包含：<br/>一第十光學輸入埠，其經配置成與該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第一2×1 MMI輸出組合器之該第五光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十二光學輸出埠；以及<br/>一2×2 MMI輸出分光器，其包含具備以下各者之一第七多模波導區段：<br/>一第十二光學輸入埠，其經配置以與該增益區段之該第十二光學輸出埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；<br/>一第十三光學輸入埠，其經配置成與配置於該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑外部的一光學反射器光學通訊；<br/>一第十三光學輸出埠，其經配置成與該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段之該第二1×2 MMI輸入分光器之該第七光學輸入埠光學通訊，且藉此與該雷射空腔之該封閉迴路光學路徑光學通訊；以及<br/>一第十四光學輸出埠，其經組配及配置以使得光功率能夠自該雷射空腔耦合出以用於除波長鎖定及/或功率監測目的之外的一應用中。
如請求項5之半導體可調環形雷射，其中該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第一自由光譜範圍，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第二自由光譜範圍，且該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第三自由光譜範圍，該第一自由光譜範圍、該第二自由光譜範圍及該第三自由光譜範圍彼此不同。
如請求項11之半導體可調環形雷射，其中該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第一自由光譜範圍，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第二自由光譜範圍，且該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第三自由光譜範圍，該第一自由光譜範圍、該第二自由光譜範圍及該第三自由光譜範圍彼此不同。
如請求項14之半導體可調環形雷射，其中該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第一自由光譜範圍，該第二基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第二自由光譜範圍，且該第三基於MZI之可調頻率濾波器區段經組配為具有一第三自由光譜範圍，該第一自由光譜範圍、該第二自由光譜範圍及該第三自由光譜範圍彼此不同。
如請求項1之半導體可調環形雷射，其中該半導體可調環形雷射為一基於InP之可調環形雷射。
一種光子積體電路PIC，其包含一如請求項1之半導體可調環形雷射，其中該PIC為一混合整合式PIC或一單石整合式PIC。
如請求項20之PIC，其中該PIC包含一光輻射監測總成，該光輻射監測總成與該半導體可調環形雷射之該濾光器的該第一基於MZI之可調頻率濾波器區段之該1×3 MMI輸入分光器之該第一光學輸出埠光學地連接。
一種光電系統，其包含一如請求項20之PIC，其中該光電系統為一發射器、一接收器、一收發器、一同調發射器、一同調接收器及一同調收發器中之一者。
一種水冷頭，包含： <br/>一本體；以及 <br/>一導熱組件，包含： <br/>一冷凝板，裝設於該本體，該冷凝板具有一冷凝流道；以及 <br/>一吸熱板，裝設於該冷凝板遠離該本體的一側，該吸熱板具有一蒸發流道；以及 <br/>一導流板，設置於該冷凝板與該吸熱板之間，該導流板具有多個連通孔，該蒸發流道透過該些連通孔與該冷凝流道相連通。
如請求項1所述之水冷頭，其中該冷凝流道及該蒸發流道皆為蜿蜒流道，該冷凝流道包含多個第一直線段及多個第一轉折段，該些第一直線段相平行且間隔排列，該些第一直線段透過該些第一轉折段依序相連通，該蒸發流道包含多個第二直線段及多個第二轉折段，該些第二直線段相平行且間隔排列，該些第二直線段透過該些第二轉折段依序相連通。
如請求項2所述之水冷頭，其中該些第一直線段分別對齊於該些第二直線段，該些第一轉折段分別與該些第二轉折段相對配置，且該些連通孔連通該些第一轉折段及該些第二轉折段。
如請求項3所述之水冷頭，其中該些連通孔沿相平行的二直線排列於該導流板的相對二側。
如請求項1所述之水冷頭，其中該冷凝板與該本體形成一熱交換腔室，該冷凝板具有一內表面、一外表面及多個鰭片結構，該內表面面向該熱交換腔室，該外表面背對該內表面，該些鰭片結構凸出於該內表面，該冷凝流道自該外表面凹陷形成。
一種水冷頭，包含： <br/>一本體；以及 <br/>一導熱組件，包含： <br/>一冷凝板，裝設於該本體，該冷凝板具有多個冷凝流道，該些冷凝流道為直線流道，該些冷凝流道相平行且間隔排列；以及 <br/>一吸熱板，裝設於該冷凝板遠離該本體的一側，該吸熱板具有多個蒸發流道，該些蒸發流道為直線流道，該些蒸發流道相平行且間隔排列，且該些蒸發流道及該些冷凝流道相連通。
如請求項6所述之水冷頭，其中該些冷凝流道及該些蒸發流道交錯排列，該吸熱板具有多個連通槽，該些連通槽位於該些蒸發流道的相對端，且該些蒸發流道透過該些連通槽連通於該些冷凝流道。
如請求項7所述之水冷頭，其中該些蒸發流道及該些冷凝流道透過該些連通槽交替地相連通。
如請求項8所述之水冷頭，其中該吸熱板更具有一連接流道，該連接流道連通該些蒸發流道最外側的二者。
如請求項6所述之水冷頭，其中該冷凝板與該本體形成一熱交換腔室，該冷凝板具有一內表面、一外表面及多個換熱流道，該內表面面向該熱交換腔室，該外表面背對該內表面，該些換熱流道自該內表面凹陷形成，該些冷凝流道自該外表面凹陷形成，該些換熱流道與該些冷凝流道交錯排列且不連通。
一種基板保持裝置，其係保持基板者，且包含：<br/>支持體，其支持基板；<br/>旋轉構件，其設置為可繞於上下方向延伸之軸旋轉；<br/>旋轉驅動部，其使上述旋轉構件繞上述軸旋轉；<br/>複數個可動保持部，其等可切換為抵接於上述基板之外周端部而保持上述基板之保持狀態、及與上述基板之上述外周端部有距離之釋放狀態而設置於上述旋轉構件之周緣部；<br/>狀態切換部，其將上述複數個可動保持部切換為上述保持狀態、及上述釋放狀態；及<br/>控制部，其對上述狀態切換部選擇進行第1控制及第2控制；且<br/>上述第1控制係將上述複數個可動保持部同時自上述釋放狀態切換至上述保持狀態之控制；<br/>上述第2控制係如下之控制：於互不相同之時間進行將上述複數個可動保持部中之一部分可動保持部自上述釋放狀態切換至上述保持狀態、及將上述複數個可動保持部中之其他可動保持部自上述釋放狀態切換至上述保持狀態。
如請求項1之基板保持裝置，其進而包含狀態判定部，該狀態判定部係於上述複數個可動保持部處於上述保持狀態時，判定由上述複數個可動保持部保持之上述基板處於預設之第1狀態及第2狀態中之哪一者；且<br/>上述控制部<br/>於上述基板處於上述第1狀態時，將上述複數個可動保持部維持於上述保持狀態；<br/>於上述基板處於上述第2狀態時，將上述複數個可動保持部之至少一部分自上述保持狀態切換至上述釋放狀態後，進行上述第2控制。
如請求項2之基板保持裝置，其進而包含複數個固定保持部，該等複數個固定保持部設置於上述旋轉構件之上述周緣部，限制由處於上述保持狀態之上述複數個可動保持部保持之上述基板向上述旋轉構件之外側移動；且<br/>上述第1狀態係上述基板之外周端部與上述複數個固定保持部接觸之狀態；<br/>上述第2狀態係上述基板之外周端部與上述複數個固定保持部中之任一者有距離之狀態。
如請求項3之基板保持裝置，其中各固定保持部配置成隔著上述旋轉構件之中央部與上述複數個可動保持部中之任一者對向；且<br/>各可動保持部於處於上述保持狀態時，將上述基板朝向與該可動保持部對向配置之固定保持部按壓。
如請求項2至4中任一項之基板保持裝置，其中上述第1狀態係上述基板相對於上述旋轉構件處於預設之位置之狀態；<br/>上述第2狀態係上述基板相對於上述旋轉構件未處於預設之位置之狀態。
如請求項2至4中任一項之基板保持裝置，其進而包含輸出警報之警報輸出部；<br/>上述控制部於由上述狀態判定部連續判定上述基板處於上述第2狀態達到預設次數時，使上述警報輸出部輸出警報。
如請求項1至4中任一項之基板保持裝置，其中上述控制部係於上述複數個可動保持部處於上述釋放狀態，且上述基板配置於上述複數個可動保持部之間時，進行上述第1控制。
一種基板處理裝置，其包含：如請求項1至4中任一項之基板保持裝置，其保持基板；及<br/>處理部，其對由上述基板保持裝置保持而旋轉之上述基板進行指定之處理。
一種基板處理方法，其係對圖案之凹部中存在被處理膜之基板進行蝕刻者，且包含如下工序：<br/>a)對前述基板供給具有導電性之蝕刻用之處理液而使其與前述被處理膜接觸；及<br/>b)在前述處理液與前述被處理膜接觸之狀態下，藉由將施加於前述基板與前述處理液之間之施加電壓以規定之切換週期在互不相同之第1電壓與第2電壓之間重複切換，而將形成前述凹部之側壁表面之電位在第1電位與較前述第1電位小之第2電位之間重複切換；且<br/>前述第1電位為0 V以上；<br/>前述第2電位為0 V以下；<br/>前述切換週期為0.05秒以上。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>前述施加電壓係直流電壓；且<br/>前述切換週期為0.5秒以上。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>前述施加電壓係交流電壓；且<br/>前述切換週期為0.2秒以上。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>於各切換週期中，與前述第1電位對應之前述第1電壓之施加時間較與前述第2電位對應之前述第2電壓之施加時間為長。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>前述處理液係於蝕刻液中添加電解液而將電阻率設為0.1 Ω・m以下者。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>前述被處理膜含有TiN、TaN、TiAl及TiAlC中之1種以上；且<br/>前述處理液含有H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>隨著自前述b)工序開始起之經過時間變長而增大前述切換週期。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>於前述a)工序中，對前述基板持續性供給前述處理液；且<br/>隨著自前述b)工序開始起之經過時間變長而增大前述處理液之供給流量。
如請求項1之基板處理方法，其中<br/>於前述b)工序中，在前述凹部內產生氣泡。
如請求項1至9中任一項之基板處理方法，其中<br/>前述凹部之寬度為10 nm以下。
一種基板處理裝置，其係對圖案之凹部中存在被處理膜之基板進行蝕刻者，且包含：<br/>基板保持部，其保持前述基板；<br/>處理液供給部，其對前述基板供給具有導電性之蝕刻用之處理液而使其與前述被處理膜接觸；<br/>第1電極，其電性連接於前述基板；<br/>第2電極，其電性連接於前述處理液；<br/>電源部，其將施加電壓施加於前述第1電極與前述第2電極之間；及<br/>電源控制部，其藉由控制前述電源部，而在前述處理液與前述被處理膜接觸之狀態下，將前述施加電壓以規定之切換週期在互不相同之第1電壓與第2電壓之間重複切換，而將形成前述凹部之側壁表面之電位在第1電位與較前述第1電位小之第2電位之間重複切換；且<br/>前述第1電位為0 V以上；<br/>前述第2電位為0 V以下；<br/>前述切換週期為0.05秒以上。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>前述施加電壓係直流電壓；且<br/>前述切換週期為0.5秒以上。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>前述施加電壓係交流電壓；且<br/>前述切換週期為0.2秒以上。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>於各切換週期中，與前述第1電位對應之前述第1電壓之施加時間較與前述第2電位對應之前述第2電壓之施加時間為長。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>前述處理液係於蝕刻液中添加電解液而將電阻率設為0.1 Ω・m以下者。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>前述被處理膜含有TiN、TaN、TiAl及TiAlC中之1種以上；且<br/>前述處理液含有H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>前述電源控制部隨著自前述施加電壓開始切換起之經過時間變長而增大前述切換週期。
如請求項11之基板處理裝置，其進一步包含：<br/>控制前述處理液供給部之供給控制部；且<br/>於重複前述電源控制部切換前述施加電壓之期間，對前述基板持續性供給前述處理液；<br/>前述供給控制部隨著自前述施加電壓開始切換起之經過時間變長，而增大自前述處理液供給部之前述處理液之供給流量。
如請求項11之基板處理裝置，其中<br/>於重複前述電源控制部切換前述施加電壓之期間，在前述凹部內產生氣泡。
如請求項11至19中任一項之基板處理裝置，其中<br/>前述凹部之寬度為10 nm以下。
一種薄膜回收擠出系統，包含：<br/> 進料機構：設有進料口，供塑膠袋或薄膜材料進入；<br/> 擠壓機構：該擠壓機構包含：<br/> 主螺桿，具有驅動裝置，使其旋轉以帶動塑膠袋前進；<br/> 輔助輪，與主螺桿相對設置，並由主螺桿旋轉帶動；<br/> 調整機構：設有輔助搖臂，該輔助搖臂的一端連接輔助輪，且該輔助搖臂上設有彈簧及支點，使其能適應不同厚度的塑膠袋，確保擠壓過程的穩定性，且該輔助搖臂之中央設有支點，而該輔助搖臂之另一端設有彈簧，以調整輔助輪與主螺桿的距離；<br/> 出料口，供擠壓後的塑膠顆粒排出。
根據申請專利範圍第1項所述之薄膜回收擠出系統，其中該進料機構之進料口設計為上寬下窄。
如請求項1所述之薄膜回收擠出系統，其中該擠壓機構之主螺桿和輔助輪的轉動方向相反。
如請求項3所述的薄膜回收擠出系統，其中該擠壓機構之主螺桿以左向旋轉，輔助輪以右向旋轉，形成擠壓作用以拉引塑膠袋進入薄膜回收擠出系統。
如請求項1所述的薄膜回收擠出系統，其中該驅動裝置包含馬達，用以驅動主螺桿旋轉。
如請求項1所述的薄膜回收擠出系統，其中該出料口與擠壓機構連接，使塑膠袋在擠壓與熔融後排出塑膠顆粒。
如請求項1所述之薄膜回收擠出系統，更包含以下運作流程：<br/> 1.塑膠袋由進料口進入擠壓機構；<br/> 2.主螺桿左旋，帶動塑膠袋進入擠壓區，同時輔助輪右旋，提供穩定的拉力；<br/> 3.輔助輪依據塑膠袋厚度調整間距，確保壓力適中，避免卡滯或過度擠壓；<br/> 4.塑膠袋受熱熔融後，經出料口排出塑膠顆粒，完成回收製程。
一種矽化合物，其中，所述矽化合物由下述化學式1表示，<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="45px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在所述化學式1中，<br/> A<sub>1</sub>和A<sub>2</sub>各自獨立地為氫、氟、C1-C7烷基或-N(R<sub>11</sub>)(R<sub>12</sub>)；<br/> L為C2-C7伸烷基；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>、R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各自獨立地為C1-C7烷基。
如請求項1所述的矽化合物，其中，<br/> 所述A<sub>1</sub>和A<sub>2</sub>各自獨立地為氫、氟、C1-C4烷基或N(R<sub>11</sub>)(R<sub>12</sub>)；<br/> L為C2-C4伸烷基；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>、R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各自獨立地為C1-C4烷基。
如請求項1所述的矽化合物，其中，<br/> 所述矽化合物由下述化學式1-1或1-2表示，<br/> [化學式1-1]<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="45px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式1-2]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="45px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> L為C2-C7伸烷基；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地為C1-C7烷基；<br/> R<sub>5</sub>和R<sub>6</sub>各自獨立地為氫、C1-C7烷基或-N(R<sub>11</sub>)(R<sub>12</sub>)；<br/> R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各自獨立地為C1-C7烷基。
如請求項3所述的矽化合物，其中，<br/> 所述L為C2-C4伸烷基；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地為C1-C4烷基；<br/> R<sub>5</sub>和R<sub>6</sub>各自獨立地為C1-C4烷基或-N(R<sub>11</sub>)(R<sub>12</sub>)；<br/> R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各自獨立地為C1-C4烷基。
如請求項1所述的矽化合物，其中，<br/> 所述矽化合物選自下述結構，<br/><img align="absmiddle" height="59px" width="120px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種矽化合物的製備方法，其中，<br/> 所述製備方法包括：<br/> 使下述化學式2的化合物與化學式11和12的化合物反應，以製備下述化學式3的化合物的步驟；以及<br/> 使化學式3的化合物和氟源反應，以製備下述化學式1-1的矽化合物的步驟，<br/> [化學式1-1]<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="45px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式3]<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="45px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式11]<br/> (R<sub>1</sub>)(R<sub>2</sub>)NH<br/> [化學式12]<br/> (R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)NH<br/> 其中，<br/> L為C2-C7伸烷基；<br/> X為Cl或Br；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地為C1-C7烷基。
一種矽化合物的製備方法，其中，<br/> 所述製備方法包括：<br/> 使下述化學式2的化合物和氟源反應，以製備下述化學式4的化合物的步驟；以及<br/> 使化學式4的化合物與下述化學式11和12的化合物反應，以製備下述化學式1-1的矽化合物的步驟，<br/> [化學式1-1]<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="45px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式4]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="32px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式11]<br/> (R<sub>1</sub>)(R<sub>2</sub>)NH<br/> [化學式12]<br/> (R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)NH<br/> 其中，<br/> L為C2-C7伸烷基；<br/> X為Cl或Br；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各自獨立地為C1-C7烷基。
一種用於沉積含矽薄膜的組合物，其中，包含如請求項1至5中的任一項所述的矽化合物。
一種含矽薄膜的製備方法，其中，使用如請求項1至5中的任一項所述的矽化合物或使用包含該矽化合物的用於沉積含矽薄膜的組合物。
如請求項9所述的含矽薄膜的製備方法，其中，<br/> 所述含矽薄膜為包含氟和矽的薄膜。
如請求項10所述的含矽薄膜的製備方法，其中，<br/> 所述含矽薄膜含有0.5 at%以上的氟。
一種液冷系統，包含：一分流部，具有彼此連通的一分流入口以及多個分流出口；一匯流部，具有彼此連通的多個匯流入口以及一匯流出口；多個液冷板，用以分別熱接觸多個第一發熱元件，其中該些液冷板彼此連通並分別連通該些分流出口的其中一者與該些匯流入口的其中一者；以及多個導熱模組，每一該導熱模組包含：一支撐件；一導熱件，相對該支撐件設置，其中該導熱件具有一內流道；以及多個熱管，用以熱接觸多個第二發熱元件，其中每一該熱管的相對兩側分別設置於該支撐件與該導熱件上，且該些熱管熱接觸該導熱件；其中，該些導熱模組的該些內流道彼此連通並分別連通該些分流出口的另外一者與該些匯流入口的另外一者；其中，該些液冷板與該些導熱模組並聯連接地連通於該分流部與該匯流部之間。
如請求項1所述之液冷系統，其中每一該導熱件包含一底座以及一上蓋，該上蓋設置於該底座而與該底座共同形成該內流道，該上蓋包含一進液通道、一出液通道以及多個置放槽，該進液通道與該出液通道連通該內流道，該些置放槽供該些熱管設置並位於該進液通道與該出液通道的至少一側，該底座具有一延伸牆，該延伸牆設置於該內流道內並位於該進液通道與該出液通道之間，且該延伸牆從對應該進液通道與該出液通道的位置延伸至對應該些置放槽的位置。
如請求項2所述之液冷系統，其中該上蓋更包含多個鰭片，且該些鰭片位於該內流道內並設置於對應該些置放槽的位置。
如請求項1所述之液冷系統，其中每一該支撐件具有一強化結構以及多個置放槽，該些置放槽供該些熱管設置並位於該強化結構的至少一側。
如請求項1所述之液冷系統，其中該些熱管熱接觸該支撐件。
如請求項1所述之液冷系統，其中該些熱管為扁管並呈扁平狀。
如請求項1所述之液冷系統，其中該些熱管用以夾持該些第二發熱元件，且該些熱管各自呈彎曲狀以避免與該些第二發熱元件上的凸出部分彼此干涉。
如請求項1所述之液冷系統，其中每一該導熱模組更包含多個柔性導熱墊，該些柔性導熱墊具有可撓性，該些柔性導熱墊分別設置於該些熱管外側以強化該些熱管與該些第二發熱元件之間的熱傳導。
如請求項8所述之液冷系統，其中該些柔性導熱墊為聚醯亞胺材質。
如請求項1所述之液冷系統，其中該液冷系統用以供一冷卻液依序流經該分流入口、該些分流出口的其中一者、該些液冷板、該些匯流入口的其中一者與該匯流出口，或者依序流經該分流入口、該些分流出口的另外一者、該些導熱件的該些內流道、該些匯流入口的另外一者與該匯流出口。
一種時脈資料回復電路，其包含：<br/> 一邊緣偵測器，接收一輸入數據以偵測該輸入數據的正負緣，且該邊緣偵測器輸出一邊緣偵測訊號；<br/> 一相位偵測器，接收該輸入數據及一同相時脈訊號，該相位偵測器用以偵測該同相時脈訊號及該輸入數據之間的相位關係而輸出一相位偵測訊號；<br/> 一頻率偵測器，電性連接該邊緣偵測器以接收該邊緣偵測訊號，該頻率偵測器並接收該同相時脈訊號及一正交時脈訊號，該頻率偵測器用以偵測該同相時脈訊號及該邊緣偵測訊號之間的頻率關係而輸出一頻率偵測訊號；<br/> 一磁滯鎖定偵測器，電性連接該邊緣偵測器以接收該邊緣偵測訊號，該磁滯鎖定偵測器並接收該同相時脈訊號，該磁滯鎖定偵測器用於判斷該同相時脈訊號及該邊緣偵測訊號之間的頻率差而輸出一鎖定訊號至該相位偵測器及該頻率偵測器；<br/> 一第一充電泵，電性連接該相位偵測器以接收該相位偵測訊號，且該第一充電泵經由一迴路濾波器輸出一細調電壓；<br/> 一第二充電泵，電性連接該頻率偵測器以接收該頻率偵測訊號，且該第二充電泵根據該頻率偵測訊號對一電容充電或放電而輸出一粗調電壓；<br/> 一電壓控制振盪器，電性連接該第一充電泵及該第二充電泵以接收該粗調電壓及該細調電壓，且該電壓控制振盪器輸出該同相時脈訊號及該正交時脈訊號；<br/> 一升頻/降頻控制電路，接收該同相時脈訊號及該邊緣偵測訊號，且該升頻/降頻控制電路輸出一頻率上升/下降控制訊號至該頻率偵測器；以及<br/> 一決策電路，電性連接該電壓控制振盪器以接收該同相時脈訊號，該決策電路並接收該輸入數據，且該決策電路藉由該同相時脈訊號恢復該輸入數據為一輸出數據，其中該相位偵測器具有一第一D型正反器、一第二D型正反器、一第二XOR閘及一第三XOR閘，該第一D型正反器接收該輸入數據及該同相時脈訊號，且該第一D型正反器輸出一第一輸出訊號，該第二D型正反器電性連接該第一D型正反器以接收該第一輸出訊號，且該第二D型正反器並接收該同相時脈訊號，且該第二D型正反器輸出該第二輸出訊號，該第二XOR閘電性連接該第一D型正反器以接收該第一輸出訊號，且該第二XOR閘並接收該輸入數據，該第二XOR閘輸出一誤差脈波，該第三XOR閘電性連接該第一D型正反器及該第二D型正反器以接收該第一輸出訊號及該第二輸出訊號，且該第三XOR閘輸出一參考脈波。
如請求項1之時脈資料回復電路，其中該邊緣偵測器具有一第一延遲器及一第一XOR閘，該第一延遲器接收該輸入數據並輸出一延遲數據，該第一XOR閘電性連接該第一延遲器以接收該延遲數據，該第一XOR閘並接收該輸入數據，且該第一XOR閘輸出該邊緣偵測訊號。
如請求項2之時脈資料回復電路，其中該相位偵測器具有一第二延遲器、一第一及閘及一第二及閘，該第二XOR閘經由該第二延遲器接收該輸入數據，該第一及閘電性連接該第二XOR閘以接收該誤差脈波，該第一及閘並接收一反相重置訊號，該第一及閘輸出一第一相位偵測訊號，該第二及閘電性連接該第三XOR閘以接收該參考脈波，該第二及閘並接收該反相重置訊號，該第二及閘輸出一第二相位偵測訊號。
如請求項3之時脈資料回復電路，其中該第一充電泵具有一第一電流源、一第一開關、一第二開關、一第二電流源及一第一充電電容，該第一開關之兩端分別電性連接該第一電流源及一充電節點，該第一開關並電性連接該第一及閘以接收該第一相位偵測訊號並受該第一相位偵測訊號控制，該第二開關之兩端分別電性連接該充電節點及該第二電流源，該第二開關並電性連接該第二及閘以接收該第二相位偵測訊號並受該第二相位偵測訊號控制，該第一充電電容電性連接該充電節點並於該充電節點產生一充電電壓，該充電電壓經由該迴路濾波器輸出該細調電壓。
如請求項1之時脈資料回復電路，其中該磁滯鎖定偵測器具有一第一計數器、一第二計數器、一重置邏輯運算單元、一反相邏輯單元及一鎖定邏輯單元，該第一計數器電性連接該邊緣偵測器以接收該邊緣偵測訊號並輸出一第一計數訊號，該第二計數器接收該同相時脈訊號並輸出一第二計數訊號，該重置邏輯運算單元電性連接該第一計數器及該第二計數器以接收該第一計數訊號及該第二計數訊號，且該重置邏輯運算單元輸出一邏輯重置訊號，該反相邏輯單元電性連接該第一計數器、該第二計數器及該重置邏輯運算單元以接收該第一計數訊號、該第二計數訊號及該邏輯重置訊號，且該反相邏輯單元輸出一第一反相計數訊號、一第二反相計數訊號及一第一反相邏輯重置訊號，該鎖定邏輯單元電性連接該反相邏輯單元以接收該第一反相計數訊號、該第二反相計數訊號及該第一反相邏輯重置訊號，且該鎖定邏輯單元輸出該鎖定訊號及一第二反相邏輯重置訊號，該第二反相邏輯重置訊號傳送至該第一計數器及該第二計數器之一重置端。
如請求項5之時脈資料回復電路，其中該重置邏輯運算單元具有一第一反及閘、一第二反及閘、一第三反及閘及一第四反及閘，該鎖定邏輯單元具有一反或閘、一第三延遲器、一第三D型正反器及一第三及閘，該第一反及閘電性連接該第一計數器及該第二計數器以接收該第一計數訊號及該第二計數訊號，且該第一反及閘輸出一第一反及閘訊號，該第二反及閘電性連接該第二計數器以接收該第二計數訊號，且該第二反及閘輸出一第二反及閘訊號，該第三反及閘電性連接該第一計數器以接收該第一計數訊號，且該第三反及閘輸出一第三反及閘訊號，該第四反及閘電性連接該第一、二及三反及閘以接收該第一、二及三反及閘訊號，且該第四反及閘輸出該邏輯重置訊號，該反或閘電性連接該反相邏輯單元以接收該第一反相計數訊號及該第二反相計數訊號，且該反或閘輸出一反或閘訊號，該第三延遲器電性連接該反或閘以接收該反或閘訊號，且該第三延遲器輸出一延遲反或閘訊號，該第三D型正反器電性連接該反或閘及該第三延遲器以接收該反或閘訊號及該延遲反或閘訊號，且該第三D型正反器輸出該鎖定訊號及一反相鎖定訊號，該第三及閘電性連接該第三D型正反器及該反相邏輯單元以接收該反相鎖定訊號及該第一反相邏輯重置訊號，且該第三及閘輸出該第二反相邏輯重置訊號至該第一計數器及該第二計數器之該重置端。
如請求項1之時脈資料回復電路，其中該升頻/降頻控制電路具有一動態比較器、一突波消除電路及一第四D型正反器，該動態比較器電性連接該邊緣偵測器及該電壓控制振盪器以接收該邊緣偵測訊號及該同相時脈訊號，該動態比較器用以比較該邊緣偵測訊號及該同相時脈訊號，且該動態比較器輸出一動態比較訊號，該突波消除電路電性連接該動態比較器以接收該動態比較訊號，且該突波消除電路輸出一領先訊號，該第四D型正反器電性連接該突波消除電路及該電壓控制振盪器以接收該領先訊號及該同相時脈訊號，且該第四D型正反器輸出該頻率上升/下降控制訊號。
如請求項1之時脈資料回復電路，其中該頻率偵測器具有一數位校正頻率偵測器及一頻率偵測選擇電路，該數位校正頻率偵測器電性連接該邊緣偵測器及該電壓控制振盪器以接收該邊緣偵測訊號、該同相時脈訊號及該正交時脈訊號，且該數位校正頻率偵測器輸出一第一上升訊號及一第一下降訊號，該頻率偵測選擇電路電性連接該邊緣偵測器、該電壓控制振盪器、該數位校正頻率偵測器、該磁滯鎖定偵測器及該升頻/降頻控制電路，該頻率偵測選擇電路接收該邊緣偵測訊號、該同相時脈訊號、該鎖定訊號及該頻率上升/下降控制訊號，且該頻率偵測選擇電路輸出該頻率偵測訊號。
如請求項8之時脈資料回復電路，其中該數位校正頻率偵測器具有一第五D型正反器、一第六D型正反器、一第七D型正反器、一第八D型正反器、一第九D型正反器、一第十D型正反器及一及閘邏輯單元，該頻率偵測選擇電路具有一第十一D型正反器、一第一多工器、一第二多工器、一第三多工器及一第四多工器，該第五D型正反器之輸入端及時脈端分別接收該同相時脈訊號及該邊緣偵測訊號，該第六D型正反器之輸入端及時脈端分別接收該正交時脈訊號及該邊緣偵測訊號，該第七D型正反器之輸入端及時脈端分別電性連接該第五D型正反器之輸出端及接收該同相時脈訊號，該第八D型正反器之輸入端及時脈端分別電性連接該第六D型正反器之輸出端及接收該同相時脈訊號，該第九D型正反器之輸入端及時脈端分別電性連接該第七D型正反器之輸出端及接收該同相時脈訊號，該第十D型正反器之輸入端及時脈端分別電性連接該第八D型正反器之輸出端及接收該同相時脈訊號，該及閘邏輯單元電性連接該第七D型正反器、該第八D型正反器、該第九D型正反器及該第十D型正反器，且該及閘邏輯單元輸出該第一上升訊號及該第一下降訊號，該第十一D型正反器之輸入端及時脈端分別接收該同相時脈訊號及該邊緣偵測訊號，該第一多工器之輸入端電性連接該第十一D型正反器及一接地端，且該第一多工器之控制端接收該頻率上升/下降控制訊號，該第二多工器之輸入端電性連接該第一多工器之輸出端及該及閘邏輯單元，且該第二多工器之控制端接收該鎖定訊號，該第二多工器輸出一第一頻率偵測訊號，該第三多工器之輸入端電性連接該第十一D型正反器及該接地端，且該第三多工器之控制端接收該頻率上升/下降控制訊號，該第四多工器之輸入端電性連接該第三多工器之輸出端及該及閘邏輯單元，且該第四多工器之控制端接收該鎖定訊號，該第四多工器輸出一第二頻率偵測訊號。
一種合金薄膜，含有20原子%～60原子%的Al、4原子%～30原子%的Si，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，其中，含有合計為29原子%～60原子%的所述Al與所述Si。
一種濺鍍靶，含有20原子%～60原子%的Al、4原子%～30原子%的Si，剩餘部分包含Ni及不可避免的雜質，居里點為常溫以下，其中，含有合計為29原子%～60原子%的所述Al與所述Si。
一種藉由一電子設備執行之管理物品撿選資訊之方法，該電子設備包含一經組態以儲存至少一個程式之記憶體及一經組態以執行該至少一個程式之處理器，該方法包括： <br/>藉由該處理器以識別基於一客戶之一訂單產生之單位運送資訊及對應至該單位運送資訊之預期運送日期(ExSD)； <br/>藉由該處理器以分配包含於該單位運送資訊中之一或多個物品； <br/>藉由該處理器以識別對應於該一或多個物品之一或多個庫存計量單位(SKU)； <br/>藉由該處理器以判定複數個撿選排程當中的將對其分配該一或多個SKU之對應至該預期運送日期的一撿選排程，該複數個撿選排程包含指派給撿選員之撿選排程以及沒有指派撿選員之撿選排程；及 <br/>藉由該處理器以向撿選員提供關於對其分配該一或多個SKU之該撿選排程之資訊， <br/>其中該撿選排程對應於對其指派指派給第一區域中之任務之一或多個撿選員之一撿選程序， <br/>該方法進一步包括基於關於包含於該撿選排程中之該複數個SKU之資訊來調整該複數個SKU之一順序， <br/>其中該調整該順序包含基於一或多個撿選員之任務資訊、包含於該撿選排程中且存放於一配送中心中之該複數個SKU之位置資訊及該複數個SKU之物品之數量資訊來調整包含於該撿選排程中之該複數個SKU之該順序，及 <br/>其中基於當前佔用包裝單元之物品之佔用時間資訊來進一步調整該複數個SKU之該順序。
如請求項1之方法，其中該判定該撿選排程包含基於該一或多個SKU之位置資訊及當前執行一撿選任務之一或多個撿選員之位置資訊來判定將對其分配該一或多個SKU之一撿選排程。
如請求項2之方法，其中該判定該撿選排程包含，基於關於指派給該複數個撿選排程之複數個撿選員之資訊，選擇該複數個撿選排程之一者或選擇一新產生之撿選排程。
如請求項1之方法，其進一步包括基於該複數個SKU之該順序產生指派給該第一區域中之該等任務之一或多個撿選員之移動路線資訊。
如請求項1之方法，其中該撿選排程具有基於處理包含於該撿選排程中之該複數個SKU之一或多者之起始而增加之一大小， <br/>其中藉由作為至少一個包裝單元來起始該複數個SKU之該一或多者之處理。
如請求項1之方法，其中該調整該順序包含基於對應於該撿選排程之該複數個SKU之各者之急迫性資訊來調整該順序。
如請求項6之方法，其進一步包括，基於對應於該撿選排程之該複數個SKU之各者之該急迫性資訊，將指派給對應於不同於該撿選排程之撿選排程之撿選程序之複數個撿選員當中的一或多個撿選員分配給對應於該撿選排程之一撿選程序。
一種執行管理物品撿選資訊之一方法之電子設備，其包括： <br/>一記憶體，其經組態以儲存至少一個程式；及 <br/>一處理器，其經組態以藉由執行該至少一個程式以： <br/>識別基於一客戶之一訂單產生之單位運送資訊及對應至該單位運送資訊之預期運送日期(ExSD)； <br/>分配包含於該單位運送資訊中之一或多個物品； <br/>識別對應於該一或多個物品之一或多個庫存計量單位(SKU)； <br/>判定複數個撿選排程當中的將對其分配該一或多個SKU之對應至該預期運送日期的一撿選排程，該複數個撿選排程包含指派給撿選員之撿選排程以及沒有指派撿選員之撿選排程；及 <br/>向撿選員提供關於對其分配該一或多個SKU之該撿選排程之資訊， <br/>其中該撿選排程對應於對其指派指派給第一區域中之任務之一或多個撿選員之一撿選程序， <br/>該處理器進一步經組態以基於關於包含於該撿選排程中之該複數個SKU之資訊來調整該複數個SKU之一順序， <br/>其中該調整該順序包含基於一或多個撿選員之任務資訊、包含於該撿選排程中且存放於一配送中心中之該複數個SKU之位置資訊及該複數個SKU之物品之數量資訊來調整包含於該撿選排程中之該複數個SKU之該順序，及 <br/>其中基於當前佔用包裝單元之物品之佔用時間資訊來進一步調整該複數個SKU之該順序。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括經組態以儲存電腦可讀指令之一媒體， <br/>其中，若該等電腦可讀指令藉由一處理器執行，則該處理器經組態以： <br/>識別基於一客戶之一訂單產生之單位運送資訊及對應至該單位運送資訊之預期運送日期(ExSD)； <br/>分配包含於該單位運送資訊中之一或多個物品； <br/>識別對應於該一或多個物品之一或多個庫存計量單位(SKU)； <br/>判定複數個撿選排程當中的將對其分配該一或多個SKU之對應至該預期運送日期的一撿選排程，該複數個撿選排程包含指派給撿選員之撿選排程以及沒有指派撿選員之撿選排程；及 <br/>向撿選員提供關於對其分配該一或多個SKU之該撿選排程之資訊， <br/>其中該撿選排程對應於對其指派指派給第一區域中之任務之一或多個撿選員之一撿選程序， <br/>該處理器進一步經組態以基於關於包含於該撿選排程中之該複數個SKU之資訊來調整該複數個SKU之一順序， <br/>其中該調整該順序包含基於一或多個撿選員之任務資訊、包含於該撿選排程中且存放於一配送中心中之該複數個SKU之位置資訊及該複數個SKU之物品之數量資訊來調整包含於該撿選排程中之該複數個SKU之該順序，及 <br/>其中基於當前佔用包裝單元之物品之佔用時間資訊來進一步調整該複數個SKU之該順序。
一種均熱板，包含： 一第一金屬板，具有一表面；<br/> 一第二金屬板，具有一表面，該第二金屬板的周緣與該第一金屬板的周緣相結合，且該第二金屬板的該表面面對該第一金屬板的該表面；<br/> 一分隔結構，該分隔結構設置於該第一金屬板的該表面與該第二金屬板的該表面之間，該分隔結構包含一第一腔壁結構、一第二腔壁結構、一輸出通道結構以及一回流通道結構，其中：<br/> 該第一腔壁結構所圍繞的區域包括一第一腔室，該第一腔室具有一第一出口部及一第一入口部；<br/> 該第二腔壁結構所圍繞的區域包括一第二腔室，該第二腔室具有一第二入口部及一第二出口部；<br/> 該輸出通道結構具有一第一端與一第二端，該第一端連通該第一腔室的該第一出口部，該第二端連通該第二腔室的該第二入口部；其中，該輸出通道結構包含一匯流段及一加速段，該匯流段一端形成該第一端且連通該第一腔室的該第一出口部，該匯流段的另一端連通該加速段的一端，該匯流段的寬度自背離該第一出口部的方向漸進變窄；該加速段包括一擴張部，該擴張部具有該第二端，該擴張部的寬度往該第二腔室的該第二入口部的方向漸進變寬；<br/> 該回流通道結構具有複數毛細通道，每一該毛細通道的一入口端連通該第二腔室的該第二出口部，每一該毛細通道的一出口端連通該第一腔室的該第一入口部；<br/> 其中，該輸出通道結構包括一支撐結構，該支撐結構位於該匯流段與該加速段；<br/> 其中，該支撐結構包括複數個支撐柱，各該支撐柱具有一圓弧端與一尖端，該圓弧端朝向該第一腔室，該尖端朝向該第二腔室。
如請求項1所述之均熱板，其中該加速段包括一喉部，該喉部連接於該擴張部與該匯流段之間，該喉部的寬度小於該匯流段的寬度，該擴張部的寬度係自該喉部往該第二腔室的該第二入口部的方向漸進變寬。
如請求項2所述之均熱板，其中該匯流段的寬度漸進變窄的程度相對於該擴張部的寬度漸進變寬的程度更為急劇。
如請求項1所述之均熱板，其中該第一腔室包括一主腔室與一分支通道，該主腔室具有該第一出口部，該分支通道位於該主腔室的一側，該分支通道的兩端分別連通該主腔室，該第一入口部形成於該分支通道的兩端之間。
如請求項4所述之均熱板，其中該分支通道較靠近該第一出口部的一端定義為一分支入口端，較遠離第一出口部的一端定義為一分支出口端，該分支入口端的寬度大於該分支出口端的寬度，且該分支通道的寬度係由該分支入口端往該分支出口端的方向漸縮。
如請求項4所述之均熱板，其中各該毛細通道的該出口端的寬度小於該入口端的寬度。
如請求項1所述之均熱板，包含一第一腔室支撐結構，位於該第一腔室；該第一腔室支撐結構包含複數個支撐柱，該第一腔室支撐結構之各該支撐柱具有一圓弧端與一尖端，該第一腔室支撐結構之該尖端朝向該輸出通道結構的該匯流段。
如請求項1所述之均熱板，包含一第二腔室支撐結構，位於該第二腔室；該第二腔室支撐結構包含複數個支撐柱，該第二腔室支撐結構之各該支撐柱具有一圓弧端與一尖端，該第二腔室支撐結構之該圓弧端朝向該輸出通道結構的該加速段。
如請求項1所述之均熱板，其中該分隔結構包含一外圍支撐結構，該外圍支撐結構位於該第一腔壁結構、該第二腔壁結構、該輸出通道結構以及該回流通道結構的外圍且支撐於該第一金屬板與該第二金屬板。
如請求項9所述之均熱板，其中該外圍支撐結構具有複數個腔室。
如請求項1所述之均熱板，其中該回流通道結構圍繞於該第一腔壁結構、該第二腔壁結構與該輸出通道結構的外圍。
如請求項11所述之均熱板，其中該分隔結構更包括複數個外圍毛細通道，該些外圍毛細通道位於該回流通道結構的外圍且連通該些毛細通道之最外圍的一者。
如請求項11所述之均熱板，其中該回流通道結構具有一外側壁，該外側壁於圍繞該第一腔壁結構之處設置有複數個毛細孔，該些毛細孔連通該些毛細通道之最外圍的一者。
如請求項1所述之均熱板，包括一吸液件，至少鋪設於該第一腔室與該第二腔室。
如請求項14所述之均熱板，其中該吸液件包括一吸液片，該吸液片包括一第一段、一第二段與一第三段，該第一段、該第二段與該第三段分別鋪設於該第一腔室、該第二腔室與該回流通道結構的該些毛細通道。
如請求項15所述之均熱板，其中該吸液片為纖維材質。
如請求項15所述之均熱板，其中該吸液片包括一第四段，該第四段鋪設於該輸出通道結構的匯流段。
如請求項14所述之均熱板，其中該吸液件包括二吸液片，分別鋪設於該第一腔室與該第二腔室。
一用於一接收裝置上切換高清多媒體介面（HDMI）端口的省電方法，該接收裝置具有至少一個HDMI端口，該方法包括：<br/> 以固定速率鏈路（FRL）模式接收一資料幀；<br/> 在該固定速率鏈路模式中偵測到該資料幀中的一有效像素時，於一段斷電區間內關閉該HDMI端口的電源；以及<br/> 在該固定速率鏈路模式中該資料幀的通電區間內，開啟該HDMI端口的電源，其中該通電區間包括至少一個亂碼重置區間和一個高頻寬數位內容保護（HDCP）啟用資訊；<br/> 在該亂碼重置區間，偵測一亂碼重置字符以對一當前資料幀進行解亂碼，其中該當前資料幀進一步包括在垂直同步有效邊緣之前的複數個空白行；以及<br/> 在該當前資料幀解亂碼後，如果該接收裝置從另一個HDMI端口切換到該HDMI端口以顯示時，在HDCP區間獲取HDCP啟用資訊用以解碼該當前資料幀。
如請求項1所述的方法，其中該通電區間始於該HDCP加密啟用資訊之前。
如請求項1所述的方法，其中該斷電區間是通過從一顯示資料幀中垂直有效行的區間減去該亂碼重置區間所導出。
如請求項1所述的方法，其中該斷電區間是通過從該顯示資料幀中垂直有效行的區間減去該亂碼重置區間和一時脈穩定區間所導出；<br/> 在該時脈穩定區間，該HDMI端口的時脈在喚醒後穩定。
如請求項1所述的方法，其中該斷電區間是通過從該顯示資料幀中垂直有效行的區間減去該亂碼重置區間、一時脈穩定區間和一邊際區間得出的；<br/> 在該時脈穩定區間，該HDMI端口的時鐘在喚醒後穩定；<br/> 該邊際區間對應於FRL三字節傳輸的資料數量與過渡最小化差分信號（TMDS）三字節傳輸的資料數量之間的最大誤差。
如請求項1所述的方法，其中資料幀中的有效像素根據顯示流壓縮（DSC）標準進行壓縮。
如請求項1所述的方法，其中該資料幀通過FRL 3通道模式或FRL 4通道模式在該接收裝置和一源裝置間傳輸。
一種高清多媒體介面（HDMI）接收裝置，包括：<br/> 至少一HDMI端口；以及<br/> 一控制器，與該至少一HDMI端口連接，並用以為在FRL模式中偵測到一資料幀中的一有效像素時，於一斷電區間關閉HDMI端口的電源；以及<br/> 為在FRL模式中資料幀的通電區間開啟HDMI端口的電源，其中該通電區間包括至少一亂碼重置區間和一個高頻寬數位內容保護(HDCP)啟用資訊；<br/><br/> 一個偵測器，用來在該至少一亂碼重置區間偵測亂碼重置字符以對一當前資料幀進行解亂碼，其中：<br/> 該當前資料幀進一步包括在垂直同步有效邊緣之前的複數個空白行，以實現可變刷新率；且<br/> 在當前資料幀解亂碼後，在HDCP區間獲取HDCP啟用資訊，該HDCP啟用資訊被配置為如果該接收裝置從另一個HDMI端口切換到該HDMI端口以顯示時，解碼當前資料幀。
如請求項8所述的HDMI接收裝置，其中該通電區間始於該HDCP加密啟用資訊之前。
如請求項8所述的HDMI接收裝置，其中該斷電區間是通過從顯示資料幀中垂直有效行的區間減去亂碼重置區間得出的。
如請求項8所述的HDMI接收裝置，其中該斷電區間是通過從顯示資料幀中垂直有效行的區間減去亂碼重置區間和一個時鐘穩定區間得出的；<br/> 在該時鐘穩定區間，該HDMI端口的時鐘在喚醒後穩定。
如請求項8所述的HDMI接收裝置，其中該斷電區間是通過從顯示資料幀中垂直有效行的區間減去亂碼重置區間、一個時鐘穩定區間和一個邊際區間得出的；<br/> 在該時鐘穩定區間，該HDMI端口的時鐘在喚醒後穩定；<br/> 該邊際區間對應於FRL三字節傳輸的資料數量與TMDS三字節傳輸的資料數量之間的最大誤差。
如請求項8所述的HDMI接收裝置，其中資料幀中的有效像素根據顯示流壓縮（DSC）標準進行壓縮。
一種測試資源的分配方法，應用於儲存系統，所述儲存系統包括多個儲存設備，所述多個儲存設備中包括第一儲存設備，所述分配方法包括：<br/> 通過測試工具，獲取所述第一儲存設備在性能穩態下的目標性能參數集；<br/> 根據所述目標性能參數集，確定所述第一儲存設備的處理器核心的第一數量；<br/> 根據所述測試資源的配置信息和所述第一數量，向所述多個儲存設備分配所述測試資源；所述配置信息包括所述測試資源中處理器核心的第二數量或者所述多個儲存設備的第三數量；<br/> 其中所述的根據所述目標性能參數集，確定所述第一儲存設備的處理器核心的第一數量，包括：<br/> 將所述測試資源的處理器核心按照預設數量分配給所述第一儲存設備；並對所述第一儲存設備進行性能測試，獲取第二性能參數集；<br/> 當所述第二性能參數集與所述目標性能參數集相同時，所述預設數量為所述第一數量；<br/> 當所述第二性能參數集與所述目標性能參數集不同時，對所述預設數量進行調整，將所述測試資源的處理器核心按照調整後的所述預設數量分配給所述第一儲存設備；並對所述第一儲存設備進行所述性能測試，重新獲取所述第二性能參數集，直到所述第二性能參數集與所述目標性能參數集相同。
如請求項1所述的分配方法，其中所述的通過測試工具，獲取所述第一儲存設備在性能穩態下的目標性能參數集，包括：<br/> 當所述第一儲存設備處於所述性能穩態時，對所述測試工具的至少一個測試參數進行配置；並通過所述測試工具對所述第一儲存設備進行性能測試，生成第一性能參數集；<br/> 按照預設次數重複對所述至少一個測試參數進行配置，直到生成的多個所述第一性能參數集；<br/> 從多個所述第一性能參數集中選取最優的所述第一性能參數集作為所述目標性能參數集。
如請求項2所述的分配方法，還包括：<br/> 當多個所述第一性能參數集中最優的所述第一性能參數集對應的系統資源利用率位於預設範圍外時，將最優的所述第一性能參數集從多個所述第一性能參數集中剔除；並從剩餘的所述性能參數集中重新選取最優的所述性能參數集作為所述目標性能參數集。
如請求項2所述的分配方法，其中所述至少一個測試參數包括隊列深度和/或線程數；<br/> 其中所述第一性能參數集中包括第一吞吐量、第二吞吐量、第一讀寫請求量、第二讀寫請求量。
如請求項1-4任一項所述的分配方法，當所述配置信息為所述第二數量時，<br/> 其中所述的根據所述測試資源的配置信息和所述第一數量，向所述多個儲存設備分配所述測試資源，包括：<br/> 根據所述第一數量和所述第二數量，確定所述儲存系統中儲存設備的第五數量；<br/> 根據所述第五數量，分配所述測試資源。
如請求項1-4任一項所述的分配方法，當所述配置信息為所述第三數量時，<br/> 其中所述的根據所述測試資源的配置信息和所述第一數量，向所述多個儲存設備分配所述測試資源，包括：<br/> 根據所述第三數量和所述第一數量，確定所述測試資源中處理器核心的第六數量；<br/> 根據所述第六數量，分配所述測試資源。
如請求項1所述的分配方法，還包括：<br/> 通過配置所述測試工具的穩態測試接口，對所述第一儲存設備進行穩態測試，使所述第一儲存設備處於所述性能穩態。
一種測試資源的分配裝置，包括處理器，用於調用記憶體儲存的指令，所述指令被所述處理器調用時，使得所述處理器執行如請求項1-7任一項所述的分配方法。
一種電腦程式產品，包括指令，其中，所述指令在被所述處理器執行時，如請求項1-7任一項所述的分配方法被執行。
一種自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其包含一支撐柱(1)及一組設於該支撐柱(1)上的夾具(2)，該夾具(2)包含： <br/>一接座(10)，設有一套管(11)，該套管(11)與該支撐柱(1)結合，該套管(11)具有一前端(111)及一後端(112)，該前端(111)設有一第一定位部(13)，該第一定位部(13)設置於一套接件(14)的一端，該套接件(14)套設固定於該套管(11)的前端(111)； <br/>一夾持機構(20)，設置於該套管(11)的前端(111)，該夾持機構(20)一端設有一傳動桿(21)及一第二定位部(22)，該傳動桿(21)穿設於該套管(11)內，該第二定位部(22)可受控制與該第一定位部(13)卡合或分離歸位元件； <br/>一控制裝置(30)，設置於該套管(11)的後端(112)，該控制裝置(30)包含一旋轉座(31)及一控制把手(32)，該旋轉座(31)可旋轉地安裝於該套管(11)的後端(112)，該控制把手(32)樞接於該旋轉座(31)上，並與該夾持機構(20)的傳動桿(21)樞接，使得該控制把手(32)可隨該旋轉座(31)轉向，同時該控制把手(32)可在開啟位置(32A)與鎖定位置(32B)之間樞轉，該控制把手(32)上設有一安全裝置(33)，當該控制把手(32)位於鎖定位置(32B)時，該安全裝置(33)可與該旋轉座(31)卡扣，此時該接座(10)與該夾持機構(20)間無法轉動，同時該控制裝置(30)與該接座(10)及/或該夾持機構(20)間可以轉動；當該控制把手(32)位於開啟位置(32A)時，該接座(10)與該夾持機構(20)間可以轉動，同時該控制裝置(30)與該接座(10)及/或該夾持機構(20)間可以轉動；及 <br/>該控制裝置(30)另包含一第一耐磨元件(34)，該第一耐磨元件(34)設置於該旋轉座(31)與該套接件(14)之間，該旋轉座(31)透過該第一耐磨元件(34)與該套接件(14)接合，且該第一耐磨元件(34)為一降阻尼手段。
如請求項1所述之自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其中該第一定位部(13)設置於一套接件(14)的一端，該套接件(14)套合固定於該套管(11)的前端(111)，供該傳動桿(21)穿過。
如請求項1所述之自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其中該夾持機構(20)受一歸位元件(23)的彈抵，當該控制把手(32)位於開啟位置(32A)時，通過該歸位元件(23)的彈抵使該第二定位部(22)與該第一定位部(13)分離，而可自由旋轉該夾持機構(20)。
一種自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其包含一支撐柱(1)及一組設於該支撐柱(1)上的夾具(2)，該夾具(2)包含： <br/>一接座(10)，設有一套管(11)，該套管(11)與該支撐柱(1)結合，該套管(11)具有一前端(111)及一後端(112)，該前端(111)設有一第一定位部(13)，該第一定位部(13)設置於一套接件(14)的一端，該套接件(14)套合固定於該套管(11)的前端(111)； <br/>一夾持機構(20)，設置於該套管(11)的前端(111)，該夾持機構(20)一端設有一傳動桿(21)及一第二定位部(22)，該傳動桿(21)穿設於該套管(11)內，該傳動桿(21)遠離該夾持機構(20)的一端設有一螺孔(211)，該第二定位部(22)可受控制與該第一定位部(13)卡合或分離歸位元件； <br/>一控制裝置(30)，設置於該套管(11)的後端(112)，該控制裝置(30)包含一旋轉座(31)、一控制把手(32)、一樞轉件(35)及一螺桿(36)，該旋轉座(31)可旋轉地安裝於該套管(11)的後端(112)，該旋轉座(31)內部設有一供該傳動桿(21)穿設的桿孔(313)，遠離該套管(11)的一端設有一與該桿孔(313)相通的樞接槽(314)，該控制把手(32)樞接於該旋轉座(31)上，該控制把手(32)一端設有一樞孔(321)，並與該夾持機構(20)的傳動桿(21)樞接，使得該控制把手(32)可隨該旋轉座(31)轉向，同時該控制把手(32)可在開啟位置(32A)與鎖定位置(32B)之間樞轉，該樞轉件(35)可旋轉地套設於該控制把手(32)的樞孔(321)，並套置於該旋轉座(31)的樞接槽(314)內樞接，該螺桿(36)穿過該樞轉件(35)與該傳動桿(21)的螺孔(211)螺結固定，該控制把手(32)上設有一安全裝置(33)，當該控制把手(32)位於鎖定位置(32B)時，該安全裝置(33)可與該旋轉座(31)卡扣，此時該接座(10)與該夾持機構(20)間無法轉動，同時該控制裝置(30)與該接座(10)及/或該夾持機構(20)間可以轉動；當該控制把手(32)位於開啟位置(32A)時，該接座(10)與該夾持機構(20)間可以轉動，同時該控制裝置(30)與該接座(10)及/或該夾持機構(20)間可以轉動；及 <br/>該控制裝置(30)另包含一第二耐磨元件(37)，該第二耐磨元件(37)設置於該螺桿(36)的頭部與該樞轉件(35)之間，且該第二耐磨元件(37)為一降阻尼手段。
如請求項4所述之自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其中該第一定位部(13)設置於一套接件(14)的一端，該套接件(14)套合固定於該套管(11)的前端(111)，供該傳動桿(21)穿過。
如請求項4所述之自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其中該夾持機構(20)受一歸位元件(23)的彈抵，當該控制把手(32)位於開啟位置(32A)時，通過該歸位元件(23)的彈抵使該第二定位部(22)與該第一定位部(13)分離，而可自由旋轉該夾持機構(20)。
一種自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其包含一支撐柱(1)及一組設於該支撐柱(1)上的夾具(2)，該夾具(2)包含： <br/>一接座(10)，設有一套管(11)，該套管(11)與該支撐柱(1)結合，該套管(11)具有一前端(111)及一後端(112)，該前端(111)設有一第一定位部(13)，該第一定位部(13)設置於一套接件(14)的一端，該套接件(14)套合固定於該套管(11)的前端(111)； <br/>一夾持機構(20)，設置於該套管(11)的前端(111)，該夾持機構(20)一端設有一傳動桿(21)及一第二定位部(22)，該傳動桿(21)穿設於該套管(11)內，該第二定位部(22)可受控制與該第一定位部(13)卡合或分離歸位元件； <br/>一控制裝置(30)，設置於該套管(11)的後端(112)，該控制裝置(30)包含一旋轉座(31)及一控制把手(32)，該旋轉座(31)可旋轉地安裝於該套管(11)的後端(112)，該旋轉座(31)周緣設有一扣孔(312)，該控制把手(32)樞接於該旋轉座(31)上，並與該夾持機構(20)的傳動桿(21)樞接，使得該控制把手(32)可隨該旋轉座(31)轉向，同時該控制把手(32)可在開啟位置(32A)與鎖定位置(32B)之間樞轉，該控制把手(32)上設有一安全裝置(33)，該控制把手(32)一側設有一開槽(322)，該安全裝置(33)包含一安全扣(331)及一復位件(332)，該安全扣(331)樞設於該開槽(322)，並設有一用以勾扣該扣孔(312)的扣勾(3311)，該復位件(332)設置於該安全扣(331)與該開槽(322)之間，用於彈抵該安全扣(331)，當該控制把手(32)位於鎖定位置(32B)時，該安全裝置(33)可與該旋轉座(31)卡扣，此時該接座(10)與該夾持機構(20)間無法轉動，同時該控制裝置(30)與該接座(10)及/或該夾持機構(20)間可以轉動；當該控制把手(32)位於開啟位置(32A)時，該接座(10)與該夾持機構(20)間可以轉動，同時該控制裝置(30)與該接座(10)及/或該夾持機構(20)間可以轉動；及 <br/>至少一降阻尼手段，該降阻尼手段設於該接座(10)及/或該夾持機構(20)與該控制裝置(30)之間。
如請求項7所述之自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其中該第一定位部(13)設置於一套接件(14)的一端，該套接件(14)套合固定於該套管(11)的前端(111)，供該傳動桿(21)穿過。
如請求項7所述之自行車維修架控制裝置可360度轉向結構，其中該夾持機構(20)受一歸位元件(23)的彈抵，當該控制把手(32)位於開啟位置(32A)時，通過該歸位元件(23)的彈抵使該第二定位部(22)與該第一定位部(13)分離，而可自由旋轉該夾持機構(20)。
一種計算裝置，透過一或多已啟用的介面與一或多網路裝置通訊，該計算裝置包括： <br/>一儲存電路，配置以儲存一協定資料庫及一或多介面資料庫；以及 <br/>一處理電路，配置以： <br/>根據一時間片，搶占式地調度及運行一協定程序及一或多介面程序； <br/>其中，該等介面程序的每一者對應於該等已啟用的介面中的一者及該等介面資料庫中的一者，並且設計以響應於一網路更新事件調用一回調函式，其中該回調函式設計以透過一狀態機更新該對應的介面資料庫； <br/>其中，該協定程序被設計以基於該協定資料庫儲存的資料及該等介面資料庫儲存的資料，決定該計算裝置的一網路狀態。
如請求項1所述之計算裝置，其中該計算裝置的該網路狀態包括該等已啟用的介面的狀態、該計算裝置所處的一網路拓樸、一路由表中的至少一者。
如請求項1所述之計算裝置，其中該協定程序的一兄弟程序分叉出該等介面程序。
如請求項1所述之計算裝置，其中該等介面程序儲存該對應之已啟用的介面的配置及狀態，其中該等配置包含該對應之已啟用的介面的標識符。
如請求項1所述之計算裝置，其中該等介面程序的每一者更設計以： <br/>設置一計時器；以及 <br/>響應於該計時器超時，調用一計時器回調函式； <br/>其中，該計時器回調函式設計以透過該狀態機更新該對應的介面資料庫； <br/>其中，該網路更新事件包括該計時器超時，並且該回調函式包括該計時器回調函式。
如請求項5所述之計算裝置，其中該計時器回調函式更設計以： <br/>參考並根據該對應的介面資料庫儲存的該資料，在該狀態機中執行一狀態轉移； <br/>執行對應於該狀態轉移的一操作；以及 <br/>更新該對應的介面資料庫。
如請求項1所述之計算裝置，其中該計算裝置配置以使用一網路協定與該等網路裝置通訊，其中該等介面程序的每一者更設計以： <br/>響應於該對應之已啟用的介面自該等網路裝置中的一者接收關於該網路協定的一訊息，調用一訊息回調函式，其中該訊息回調函式設計以： <br/>參考並根據該對應的介面資料庫儲存的該資料，在該狀態機中執行一狀態轉移； <br/>執行對應於該狀態轉移的一操作；以及 <br/>更新該對應的介面資料庫； <br/>其中，該網路更新事件包括該對應之已啟用的介面接收該訊息，並且該回調函式包括該訊息回調函式。
如請求項7所述之計算裝置，其中該處理電路更配置以： <br/>響應於該等已啟用的介面中的一者接收該訊息，喚醒該對應之介面程序；以及 <br/>響應於運行該對應之介面程序，執行該對應之介面程序的該訊息回調函式。
如請求項7所述之計算裝置，其中該網路協定為生成樹協定，並且該訊息是協定數據單元。
如請求項9所述之計算裝置，其中該協定程序更設計以： <br/>基於該協定資料庫儲存的該資料，計算一生成樹，以決定該等已啟用的介面的狀態。
一種通訊方法，提供一計算裝置透過一或多已啟用的介面與一或多網路裝置通訊，該通訊方法執行於該計算裝置的一處理電路，該通訊方法包括： <br/>根據一時間片，搶占式地調度及運行一協定程序及一或多介面程序； <br/>其中，該計算裝置的一儲存電路配置以儲存一協定資料庫及一或多介面資料庫； <br/>其中，該等介面程序的每一者對應於該等已啟用的介面中的一者及該等介面資料庫中的一者，並且設計以響應於一網路更新事件調用一回調函式，其中該回調函式設計以透過一狀態機更新該對應的介面資料庫； <br/>其中，該協定程序被設計以基於該協定資料庫儲存的資料及該等介面資料庫儲存的資料，決定該計算裝置的一網路狀態。
如請求項11所述之通訊方法，其中該計算裝置的該網路狀態包括該等已啟用的介面的狀態、該計算裝置所處的一網路拓樸、一路由表中的至少一者。
如請求項11所述之通訊方法，其中該協定程序的一兄弟程序分叉出該等介面程序。
如請求項11所述之通訊方法，其中該等介面程序儲存該對應之已啟用的介面的配置及狀態，其中該等配置包含該對應之已啟用的介面的標識符。
如請求項11所述之通訊方法，其中該等介面程序的每一者更設計以： <br/>設置一計時器；以及 <br/>響應於該計時器超時，調用一計時器回調函式； <br/>其中，該計時器回調函式設計以透過該狀態機更新該對應的介面資料庫； <br/>其中，該網路更新事件包括該計時器超時，並且該回調函式包括該計時器回調函式。
如請求項11所述之通訊方法，其中該計時器回調函式更設計以： <br/>參考並根據該對應的介面資料庫儲存的該資料，在該狀態機中執行一狀態轉移； <br/>執行對應於該狀態轉移的一操作；以及 <br/>更新該對應的介面資料庫。
如請求項11所述之通訊方法，其中該計算裝置配置以使用一網路協定與該等網路裝置通訊，其中該等介面程序的每一者更設計以： <br/>響應於該對應之已啟用的介面自該等網路裝置中的一者接收關於該網路協定的一訊息，調用一訊息回調函式，其中該訊息回調函式設計以： <br/>參考並根據該對應的介面資料庫儲存的該資料，在該狀態機中執行一狀態轉移； <br/>執行對應於該狀態轉移的一操作；以及 <br/>更新該對應的介面資料庫； <br/>其中，該網路更新事件包括該對應之已啟用的介面接收該訊息，並且該回調函式包括該訊息回調函式。
如請求項17所述之通訊方法，其中該處理電路更配置以： <br/>響應於該等已啟用的介面中的一者接收該訊息，喚醒該對應之介面程序；以及 <br/>響應於運行該對應之介面程序，執行該對應之介面程序的該訊息回調函式。
如請求項17所述之通訊方法，其中該網路協定為生成樹協定，並且該訊息是協定數據單元。
如請求項19所述之通訊方法，其中該協定程序更設計以： <br/>基於該協定資料庫儲存的該資料，計算一生成樹，以決定該等已啟用的介面的狀態。
一種可替換按鍵的鍵盤系統，包含：<br/> 一磁吸片，具有磁力；<br/> 一電路板，包括一沿一上下方向疊設於該磁吸片上的電路板體，及複數設置於該電路板體的觸發件，該電路板體具有複數分別供該等觸發件設置的鍵位區，每一該鍵位區具有複數定位孔；及<br/> 複數按鍵，沿該上下方向分別設置於該等鍵位區上，並可受到該磁吸片的磁力而分別被吸附於該等鍵位區，每一該按鍵包括一鍵帽、一設置於該鍵帽下方且具有導磁性而能被該磁吸片的磁力吸附於各自的該鍵位區的金屬板、一設置於該鍵帽及該金屬板之間的剪刀腳組，及一穿設於該剪刀腳組內並設置於該金屬板的彈性組，該金屬板具有一金屬板體、複數自該金屬板體向下延伸的定位銷，及一形成於該金屬板體的板穿孔，該等定位銷分別可穿入對應的該鍵位區的該等定位孔，該板穿孔對應於各自的該觸發件，當該鍵帽受壓後會連動該剪刀腳組並壓抵該彈性組，使該彈性組部分穿過該板穿孔而抵壓該觸發件，每一該彈性組具有一設置於各自的該金屬板的薄膜，及一設置於該薄膜的彈性體，該薄膜具有一薄膜穿孔，該彈性體具有一設置於該薄膜上的上抵壓部，及一連接該上抵壓部並朝下延伸且對應該薄膜穿孔的下抵壓部，該彈性體受壓後可連動使該下抵壓部部分朝下穿過該薄膜穿孔及各自的該板穿孔而抵壓各自的該觸發件。
如請求項1所述的可替換按鍵的鍵盤系統，其中，該電路板體為軟性電路板。
如請求項1所述的可替換按鍵的鍵盤系統，其中，該金屬板的材質為鐵。
如請求項1所述的可替換按鍵的鍵盤系統，其中，該電路板還包括複數設置於該電路板體的發光件。
如請求項4所述的可替換按鍵的鍵盤系統，其中，每一該鍵位區上設置有兩個該等發光件。
如請求項1所述的可替換按鍵的鍵盤系統，還包含一基板，該基板沿該上下方向設置於該磁吸片下方。
一種圍束型低壓固結灌漿工法，其包含： <br/>在至少一基樁之周圍以一高壓之單管灌漿方法成形複數圍束樁，該等圍束樁環繞該至少一基樁且該等圍束樁彼此相連，藉此一圍束區形成於該至少一基樁與該等圍束樁之間； <br/>以一低壓之滲透灌漿方法在該圍束區內灌注一水泥漿，直至飽壓滿漿； <br/>其中，該至少一基樁具有一直徑長度，各該圍束樁與其最接近的該至少一基樁之間的淨距離介於該直徑長度的1.5倍至1.75倍，兩相鄰的該圍束樁的灌注位置之間的間隔距離為該直徑長度的0.5倍，各該圍束樁的直徑大於或等於該直徑長度的0.5倍再加上5公分。
如請求項1所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中，在該至少一基樁之周圍以該高壓之單管灌漿方法成形該複數圍束樁之前進一步包含： <br/>在該至少一基樁之周圍培土夯實。
如請求項1所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中： <br/>該至少一基樁的數量為複數支，且任兩該基樁之間的淨距離介於該直徑長度的3倍至3.5倍。
如請求項3所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中： <br/>各該圍束樁的灌漿深度至地表之間的距離介於該直徑長度的15倍至20倍。
如請求項1或2所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中，該高壓之單管灌漿方法的灌漿壓力大於或等於180kg/cm<sup>2</sup>；漿液凝固時間介於8秒至12秒。<sup> </sup>
如請求項5所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中，該高壓之單管灌漿方法中的鑽桿轉速大於或等於21rpm，鑽桿拔升速度小於或等於5cm/20sec。
如請求項6所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中： <br/>該等圍束樁的28天單軸抗壓強度大於或等於15kg/cm<sup>2</sup>。
如請求項1或2所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中： <br/>該低壓之滲透灌漿方法的起灌壓力為5kg/cm<sup>2</sup>。
如請求項8所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中： <br/>該水泥漿中之水與水泥的比例為1:1。
如請求項9所述之圍束型低壓固結灌漿工法，其中： <br/>該圍束區固結後的28天單軸抗壓強度大於或等於15kg/cm<sup>2</sup>。<sup> </sup>
一種壓接裝置，其特徵在於包括： <br/>載台部，供顯示用面板以緣部伸出的方式載置； <br/>壓接頭部，能夠沿水平方向、垂直方向及旋轉方向移動且將電子零件壓接於所述顯示用面板； <br/>支承部，於所述壓接頭部的垂直方向上相向設置，能夠沿水平方向、垂直方向及旋轉方向移動且自非壓接面側對所述顯示用面板的所述緣部進行支撐；及 <br/>控制部，進行使所述支承部及所述壓接頭部移動的控制， <br/>所述控制部進行如下控制： <br/>基於預先設定的所述顯示用面板上的所述電子零件的封裝位置資訊，相對於所述顯示用面板上的對應的電極行，調整對所述電子零件進行保持的所述壓接頭部及所述支承部的方向。
如請求項1所述的壓接裝置，其更包括攝像部，所述攝像部對所述顯示用面板的所述緣部所設置的所述電極行的對準標記進行拍攝， <br/>所述控制部於拍攝所述對準標記後使所述支承部移動至壓接位置。
如請求項2所述的壓接裝置，其中，所述控制部進行如下控制：使所述壓接頭部及所述支承部同時移動而定位於攝像位置。
如請求項1至3中任一項所述的壓接裝置，其中，所述控制部進而進行如下控制：於所述支承部及所述壓接頭部移動時使所述載台部固定。
如請求項2所述的壓接裝置，其中，多個所述對準標記沿著所述顯示用面板的緣部配置於同一直線上。
如請求項2所述的壓接裝置，其中，多個所述對準標記沿著所述顯示用面板的緣部配置於不同的直線上。
如請求項1所述的壓接裝置，其中， <br/>所述壓接頭部包括多個壓接頭部， <br/>所述支承部包括多個支承部， <br/>所述控制部進行如下控制： <br/>基於預先設定的所述顯示用面板上的所述電子零件的封裝位置資訊，相對於所述顯示用面板上的對應的電極行，調整對所述電子零件進行保持的多個所述壓接頭部及多個所述支承部的方向。
一種顯示用面板之製造方法，將顯示用面板以緣部伸出的方式載置於載台部， <br/>對壓接頭部及支承部進行控制而將電子零件壓接於所述顯示用面板，所述壓接頭部沿水平方向、垂直方向及旋轉方向移動，所述支承部於所述壓接頭部的垂直方向上相向設置，沿水平方向、垂直方向及旋轉方向移動，且所述顯示用面板之製造方法的特徵在於， <br/>所述控制中進行如下控制： <br/>基於預先設定的所述顯示用面板上的電子零件的封裝位置資訊，相對於所述顯示用面板上的對應的電極行，調整所述壓接頭部及所述支承部的方向。
一種中控平台，包括： <br/>可拉伸面板，包括： <br/>第一面板； <br/>第一可拉伸膜，設置在該第一面板的一側；以及 <br/>第一膠層，連接該第一面板與該第一可拉伸膜，其中該第一面板的楊氏模量對該第一膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000且小於或等於10 <sup>5</sup>以及 <br/>至少一伸縮機構，設置在該第一面板背對該第一可拉伸膜的一側，且適於帶動該可拉伸面板變形。
如請求項1所述的中控平台，其中該可拉伸面板具有彼此相對的操作面與背面，該至少一伸縮機構抵接在該可拉伸面板的該背面，且適於帶動該可拉伸面板沿著相交於該操作面的方向變形。
如請求項2所述的中控平台，其中該至少一伸縮機構為多個伸縮機構，該些伸縮機構分別沿著彼此相交的第一方向與第二方向間隔排列，且該第一方向與該第二方向垂直於該操作面的法線方向。
如請求項3所述的中控平台，其中該些伸縮機構在該操作面上的正投影呈現蜂巢狀的排列分布。
如請求項3所述的中控平台，其中各該些伸縮機構適於帶動該可拉伸面板的局部往該背面的一側凹陷或往該操作面的一側凸起。
如請求項1所述的中控平台，其中該第一面板的該楊氏模量小於100 MPa。
如請求項1所述的中控平台，還包括： <br/>第二膠層，設置在該第一面板背對該第一可拉伸膜的一側，且連接該第一面板；以及 <br/>第二可拉伸膜，設置在該第二膠層背對該第一面板的一側，且連接該第二膠層，其中該第一面板的該楊氏模量對該第二膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000，且該第一可拉伸膜與該第二可拉伸膜各自的楊氏模量小於該第一面板的該楊氏模量。
如請求項7所述的中控平台，其中該第一膠層與該第二膠層各自的厚度大於該第一面板的厚度。
如請求項7所述的中控平台，還包括： <br/>第二面板，設置在該第二可拉伸膜背對該第一面板的一側；以及 <br/>第三膠層，連接該第二面板與該第二可拉伸膜，其中該第二面板的楊氏模量對該第三膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000，且該第二面板的該楊氏模量小於100 MPa。
如請求項9所述的中控平台，還包括： <br/>第四膠層，設置在該第二面板背對該第一面板的一側，且連接該第二面板，其中該第二面板的該楊氏模量對該第四膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000；以及 <br/>第三可拉伸膜，設置在該第四膠層背對該第二面板的一側，且連接該第四膠層，該第三可拉伸膜的楊氏模量小於該第二面板的該楊氏模量。
如請求項10所述的中控平台，其中該第三膠層與該第四膠層各自的厚度大於該第二面板的厚度。
一種固定/釋放機構，適於固定或頂出地釋放一物件，包括：<br/> 一按壓結構，沿一第一軸向移動；<br/> 一卡合結構，連動於該按壓結構，而沿一第二軸向移動；以及<br/> 一頂出結構，連動於該按壓結構，而沿一第三軸向轉動，其中<br/> 當該按壓結構位於一第一位置時，該物件被該卡合結構固定，<br/> 當該按壓結構移動至一第二位置時，該卡合結構被帶動而釋放該物件，且該頂出結構被帶動而頂推該物件。
如請求項1所述的固定/釋放機構，更包括一座體，其中該按壓結構與該卡合結構可移動地設置於該座體，該頂出結構包括相對的一第一端、一第二端及位於該第一端與該第二端之間的一轉軸，該轉軸樞接於該座體，該第一端位於該座體內且抵接該按壓結構，該第二端延伸於該座體外。
如請求項1所述的固定/釋放機構，其中該按壓結構包括一第一斜面，該卡合結構包括朝向該第一斜面的一第二斜面，當該按壓結構由該第一位置移動至該第二位置時，該第一斜面推抵該第二斜面。
如請求項3所述的固定/釋放機構，其中該按壓結構包括一第三斜面，該第三斜面朝向的方向相反於該第一斜面朝向的方向，該卡合結構包括朝向該第三斜面的一第四斜面，當該按壓結構從該第二位置移動至該第一位置時，該第三斜面推抵該第四斜面。
如請求項1所述的固定/釋放機構，更包括一彈性件，設置於該按壓結構的下方，用以使該按壓結構回到該第一位置。
如請求項5所述的固定/釋放機構，其中該卡合結構包括一第五斜面及一擋止面，當該物件被安裝至該固定/釋放機構時，該物件推抵該第五斜面，該卡合結構移動且帶動該按壓結構移動至該第二位置，該彈性件蓄積一彈性位能，當該物件移動至該卡合結構的該第五斜面的下方時，該彈性件釋放該彈性位能，而使該按壓結構與該卡合結構復位，該擋止面朝向該物件。
如請求項6所述的固定/釋放機構，其中當該按壓結構位於該第二位置時，該頂出結構的最高點高於該擋止面。
一種電路板模組，包括：<br/> 一電路板本體；<br/> 一物件，可拆卸地設置於該電路板本體；以及<br/> 一如請求項1至6中任一項所述的固定/釋放機構，設置於該電路板本體，其中當該物件設置於該電路板本體時，該固定/釋放機構位於該物件旁，以固定或是頂出地釋放該物件。
如請求項8所述的電路板模組，其中該物件包括一第一物件端部，該固定/釋放機構固定或是推頂該第一物件端部，該第一物件端部包括一端部斜面，當該物件被安裝至該固定/釋放機構時，該物件的該端部斜面推抵該卡合結構。
如請求項9所述的電路板模組，更包括：<br/> 一固定座，設置於該電路板本體，且包括一第一磁吸件，其中該物件包括相對於該第一物件端部的一第二物件端部，該第二物件端部包括一第二磁吸件，該第二磁吸件磁吸於該第一磁吸件。
一種金屬防火門輕質化周邊骨架組成結構，包括：<br/> 二門板，為金屬材質製造平面片體，中央具呈平行之面板部，並於外側垂直彎折設置側板部，二該側板部具間隔，並二該面板部與二該側板部間具容置空間；<br/> 一骨架，為金屬材質，中央具一中空部，又具一外側面、一內側面；二對應該外側面垂直之外表面；二該外表面之間距對應該容置空間寬度，並該骨架設於該容置空間側方，二該外表面分別與二該門板之面板部內側貼靠，該外側面與該側板部內側貼靠，並使該骨架之外側面與該側板部固接；<br/> 一防火材，設於該容置空間位置；<br/> 又更包括一遮煙條，該遮煙條設於該門板之側板部外側位置。
如請求項1所述之金屬防火門輕質化周邊骨架組成結構，其中該骨架之外側面與該門板之側板部由點焊固接。
如請求項1所述之金屬防火門輕質化周邊骨架組成結構，其中該骨架為方形管體。
如請求項1所述之金屬防火門輕質化周邊骨架組成結構，其中該防火材一側與該骨架之內側面貼靠。
如請求項1所述之金屬防火門輕質化周邊骨架組成結構，其中該防火材為防火棉。
如請求項1所述之金屬防火門輕質化周邊骨架組成結構，其中該防火材為防火板。
一種電子裝置，包含：<br/> 一系統，該系統包含一中央處理單元(CPU)；<br/> 一圖形處理單元(GPU)；<br/> 一電池，適於供電至該系統以及該圖形處理單元；<br/> 一圖形處理單元溫度偵測器，鄰近於該圖形處理單元，適於產生該圖形處理單元之一圖形處理單元溫度偵測值；<br/> 一電量偵測器，連接於該電池，適於產生該電池之一電量值；<br/> 一控制單元，連接於該中央處理單元以及該電量偵測器，適於在該電量值高於一電量預設值時，啟動一超頻功能，並在該圖形處理單元溫度偵測值低於一溫度預設值、該圖形處理單元未運作或是該系統之耗能小於一功耗預設值時，將該中央處理單元之功耗限制由一原始瓦數提升至一超頻瓦數；以及<br/> 一中央處理單元溫度偵測器，鄰近於該中央處理單元，適於產生該中央處理單元之一中央處理單元溫度偵測值；<br/> 其中，當該超頻功能處於啟動狀態，該控制單元適於在該中央處理單元溫度偵測值高於一第一溫度預設值且持續超過一第一預設時間時，將該中央處理單元之功耗限制由該超頻瓦數回復至該原始瓦數，當該超頻功能處於啟動狀態且該中央處理單元之功耗限制已回復至該原始瓦數，該控制單元適於在該中央處理單元溫度偵測值降低至一第二溫度預設值且持續超過一第二預設時間時，將該中央處理單元之功耗限制由該原始瓦數提升至該超頻瓦數。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該超頻瓦數與該原始瓦數之差值為該圖形處理單元之設定功耗之一預設比例。
如請求項2所述之電子裝置，其中，該預設比例係介於40%至60%。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該電量值係該電池之剩餘容量百分比，該電池預設值係介於20%至30%。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該第一溫度預設值高於該第二溫度預設值，該第一預設時間長於該第二預設時間。
一種電子裝置，包含：<br/> 一系統，包含一中央處理單元；<br/> 一圖形處理單元；<br/> 一電池，適於供電至該系統以及該圖形處理單元；<br/> 一電量偵測器，連接於該電池，適於產生該電池之一電量值；<br/> 一控制單元，連接於該中央處理單元以及該電量偵測器，適於在該電量值高於一電量預設值時，啟動一超頻功能，並在該圖形處理單元未運作或是該系統之耗能小於一功耗預設值時，將該中央處理單元之功耗限制由一原始瓦數提升至一超頻瓦數；以及<br/> 一中央處理單元溫度偵測器，鄰近於該中央處理單元，適於產生該中央處理單元之一中央處理單元溫度偵測值；<br/> 其中，當該超頻功能處於啟動狀態，該控制單元適於在該中央處理單元溫度偵測值高於一第一溫度預設值且持續超過一第一預設時間時，將該中央處理單元之功耗限制由該超頻瓦數回復至該原始瓦數，當該超頻功能處於啟動狀態且該中央處理單元之功耗限制已回復至該原始瓦數，該控制單元適於在該中央處理單元溫度偵測降低至一第二溫度預設值且持續超過一第二預設時間時，將該中央處理單元之功耗限制由該原始瓦數提升至該超頻瓦數。
一種超頻方法，適用於一電子裝置，該電子裝置包含一系統、一圖形處理單元以及一電池，該系統包含一中央處理單元，該超頻方法包含：<br/> 啟動一超頻功能；<br/> 確認該電池之一電量值是否高於一電量預設值；<br/> 當該電量值高於該電量預設值時，確認該系統之耗能是否小於一功耗預設值；<br/> 當該系統之耗能小於該功耗預設值，將該中央處理單元之功耗限制由一原始瓦數提升至一超頻瓦數；以及<br/> 當該中央處理單元之一溫度偵測值高於一第一溫度預設值且持續超過一第一預設時間時，將該中央處理單元之功耗限制由該超頻瓦數回復至該原始瓦數；<br/> 當該中央處理單元之該溫度偵測值降低至一第二溫度預設值且持續超過一第二預設時間，將該中央處理單元之功耗限制由該原始瓦數提升至該超頻瓦數。
如請求項7所述之超頻方法，其中，該超頻瓦數與該原始瓦數之差值為該圖形處理單元之設定功耗之一預設比例。
如請求項8所述之超頻方法，其中，該預設比例係介於40%至60%。
如請求項7所述之超頻方法，其中，該電量值係該電池之剩餘容量百分比，該電池預設值係介於20%至30%。
如請求項7所述之超頻方法，其中，該第一溫度預設值高於該第二溫度預設值，該第一預設時間長於該第二預設時間。
一種觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中該觸控板包含一控制器，該控制方法包括以下步驟：<br/> a. 判斷是否有一單一物件接觸該觸控板，若是則進行步驟b；<br/> b. 判斷該單一物件之下壓力是否超過一輕壓門檻值，若是，該控制器發送一按鍵被按壓之訊號給一作業系統，並繼續進行步驟c；<br/> c. 當該單一物件之下壓力超過一重壓門檻值時，則進入一按鍵鎖定模式，其中該重壓門檻值大於該輕壓門檻值，該輕壓門檻值大於一釋放門檻值；<br/> d. 於該按鍵鎖定模式中，該控制器持續發送該按鍵被按壓之訊號給該作業系統，並判斷該單一物件是否滿足一解除條件；<br/> e1. 其中若步驟d中判斷未滿足該解除條件後，則該控制器持續發送該按鍵被按壓之訊號給該作業系統；及<br/> e2. 其中若步驟d中判斷滿足該解除條件後，再判斷該單一物件之下壓力是否低於該釋放門檻值，當判斷該單一物件之下壓力低於該釋放門檻值，則該控制器發送一按鍵未被按壓訊號給該作業系統。
如請求項1所述之觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中於該步驟d中，該解除條件為：判斷該單一物件之下壓力是否再次超過該重壓門檻值。
如請求項1所述之觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中於該步驟d中，該解除條件為：判斷該單一物件之下壓力是否再次超過該輕壓門檻值。
如請求項1所述之觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中於該步驟d中，該解除條件為：判斷該單一物件是否離開該觸控板。
如請求項1至4中任一項所述之觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中於該步驟b中，若判斷為否，則判斷該單一物件之下壓力是否低於一釋放門檻值，若是，則該控制器發送該按鍵未被按壓訊號給該作業系統。
如請求項1至4中任一項所述之觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中於該步驟e2中，當判斷該單一物件之下壓力高於該釋放門檻值，則該控制器持續發送該按鍵被按壓之訊號給該作業系統。
如請求項5所述之觸控板之按鍵鎖定的控制方法，其中於該步驟e2中，當判斷該單一物件之下壓力高於該釋放門檻值，則該控制器持續發送該按鍵被按壓之訊號給該作業系統。
一種充電裝置，包括：<br/> 一電源接頭，包括多個電性端子；<br/> 一充電座體，包括多個電性接點；及<br/> 一底座，包括：<br/> 一底板，適於與該充電座體結合，該底板具有一插接槽，該插接槽對應於該多個電性接點；及<br/> 一活動件，可活動地設置於該底板，該活動件鄰接於該插接槽處，其中響應該電源接頭插接於該底座的該插接槽，該些電性端子分別電性連接該些電性接點，且該活動件卡掣該充電座體；<br/> 其中該活動件可滑動地設置於該底板而具有一限位位置及一釋放位置；響應該電源接頭插接於該底座的該插接槽，該活動件位於該限位位置以卡掣該充電座體，在該活動件位於該釋放位置時，不卡掣該充電座體而使該充電座體相對該底座在至少一特定方向具有一活動自由度。
如請求項1所述之充電裝置，其中該充電座體具有一受掣部，該活動件包括一受抵部及一卡掣部，該活動件適於藉該受抵部受該電源接頭驅動而自該釋放位置朝該限位位置滑動；於該活動件位於該限位位置，該活動件的該卡掣部卡掣於該充電座體的該受掣部，以限位該充電座體不脫離於該底座；於該活動件位於該釋放位置時，該活動件的該卡掣部不卡掣於該充電座體的該受掣部，該充電座體適於脫離該底座。
如請求項2所述之充電裝置，其中該底板具有一容置槽，該容置槽連通該插接槽，該活動件可滑動地設置於該容置槽，該受抵部位於該插接槽，於該電源接頭插接於該插接槽時，該電源接頭抵頂該受抵部使該活動件適於移動至該限位位置。
如請求項2所述之充電裝置，其中該活動件更包括一基板及一勾板，該勾板之一端樞接於該基板之一端，該勾板之另一端具有該卡掣部，該基板之另一端具有該受抵部，於該電源接頭插接於該底座時，該電源接頭抵頂該受抵部並連動該勾板樞轉，以使該卡掣部卡掣於該受掣部。
如請求項1所述之充電裝置，其中該底座更包括至少一鎖固件，該活動件具有至少一對應鎖固孔，各該鎖固件適於穿設於該充電座體、該底板及該活動件的各該對應鎖固孔。
如請求項5所述之充電裝置，其中各該對應鎖固孔具有一組入段及一限位段，於該活動件位於該釋放位置時，各該鎖固件的一頸部位於各該對應鎖固孔的該組入段；於該活動件位於該限位位置時，各該鎖固件的該頸部位於各該對應鎖固孔的該限位段，使得該限位段限位該充電座體於該底板。
如請求項6所述之充電裝置，其中各該鎖固件的該頸部的一寬度對應各該對應鎖固孔的該限位段的一寬度，各該鎖固件的一端部的一寬度對應各該對應鎖固孔的該組入段的一寬度，各該鎖固件的該頸部的該寬度小於各該鎖固件的該端部的該寬度。
如請求項1所述之充電裝置，其中該底座更包括一復位件，該復位件的一端固定於該底板，另一端固定於該活動件，該復位件常態提供一恢復力以使該活動件具有朝該釋放位置移動之勢能。
如請求項1所述之充電裝置，其中該底板包括至少一插設部，該充電座體包括至少一對應匹配部，該充電座體適於藉該至少一插設部插入該至少一對應匹配部而與該底板結合，並限制只有在該至少一特定方向具有該活動自由度。
一種充電裝置總成，適於供具有多個電性端子之一電源接頭插接而提供電源，包括：<br/> 一充電座體，包括多個電性接點，該多個電性接點對應於該多個電性端子；及<br/> 一底座，包括：<br/> 一底板，適於與該充電座體結合，該底板具有一插接槽，該插接槽對應於該多個電性接點；及<br/> 一活動件，可活動地設置於該底板，該活動件鄰接於該插接槽處，其中在該電源接頭插入於該插接槽時，該活動件適於卡掣該充電座體；<br/> 其中該活動件可滑動地設置於該底板而具有一限位位置及一釋放位置；該活動件位於該限位位置以卡掣該充電座體，該活動件位於該釋放位置時，不卡掣該充電座體而使該充電座體相對該底座在至少一特定方向上具有一活動自由度。
如請求項10所述之充電裝置總成，其中該充電座體具有一受掣部，該活動件具有一受抵部及一卡掣部，於該活動件位於該限位位置，該活動件的該卡掣部卡掣於該充電座體的該受掣部，以限位該充電座體不脫離於該底座；於該活動件位於該釋放位置時，該活動件的該卡掣部不卡掣於該充電座體的該受掣部，該充電座體適於脫離該底座。
如請求項11所述之充電裝置總成，其中該底板具有一容置槽，該容置槽連通該插接槽，該活動件可滑動地設置於該容置槽且該受抵部外凸於該插接槽。
如請求項11所述之充電裝置總成，其中該活動件包括一基板及一勾板，該勾板之一端樞接於該基板之一端，該勾板之另一端具有該卡掣部；於該活動件自該釋放位置朝該限位位置滑動，該勾板連動地樞轉，以使該卡掣部卡掣於該受掣部。
如請求項10所述之充電裝置總成，其中該底座更包括一鎖固件，該活動件具有一鎖固孔，該鎖固件穿設於該充電座體、該底板及該活動件的該鎖固孔。
如請求項10所述之充電裝置總成，其中該底座更包括一復位件，該復位件的一端固定於該底板，另一端固定於該活動件，該復位件常態提供一恢復力以使將該活動件具有朝該釋放位置移動之勢能。
如請求項10所述之充電裝置總成，其中該底板包括至少一插設部，該充電座體包括至少一對應匹配部，該充電座體藉該至少一插設部插入該至少一對應匹配部而與該底板結合，並限制只有在該至少一特定方向具有該活動自由度。
一種充電裝置總成，適於供具有多個電性端子之一電源接頭插接而提供電源，包括：<br/> 一充電座體，包括：<br/> 一殼體，具有一插接槽，該插接槽內具有多個電性接點，該多個電性接點對應於該多個電性端子；及<br/> 一活動件，可活動地設置於該殼體，該活動件鄰接於該插接槽處；以及<br/> 一底座，適於與該充電座體結合，於該電源接頭插入於該插接槽時，該活動件適於卡掣該底座；<br/> 其中該活動件可滑動地設置於該殼體而具有一限位位置及一釋放位置，該活動件並具有一卡掣部；於該活動件位於該限位位置，該活動件的該卡掣部卡掣該底座，以限位該充電座體不脫離於該底座；於該活動件位於該釋放位置時，該活動件的該卡掣部不卡掣該底座，該充電座體適於脫離該底座。
一種阻劑組成物，含有由金屬原子及具有3個以上之配位性官能基的配位子構成的金屬錯合物， <br/>該具有3個以上之配位性官能基的配位子為下式(1a)或(1b)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="154px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a、b及c分別獨立地為0、1、2或3；d、e及f分別獨立地為0、1、2、3或4； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為氫原子、羥基、鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基； <br/>R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~20之烴基； <br/>Z為碳原子或矽原子； <br/>R<sup>6</sup>為氫原子、羥基、鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基； <br/>R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>及R<sup>9</sup>分別獨立地為也可含有雜原子之碳數1~20之烴基； <br/>虛線表示和金屬原子之原子鍵。
如請求項1之阻劑組成物，其中，該金屬為鋅。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1或2之阻劑組成物於基板上形成阻劑膜， <br/>對前述阻劑膜以高能射線進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜進行顯影來形成阻劑圖案。
如請求項3之圖案形成方法，其中，該高能射線為電子束或極紫外線。
一種用於將一前面板（2）可拆卸地固定在一抽屜（3）上，較佳是在一抽屜側壁（4）上的固定裝置（1），包括：<br/> - 一傢俱配件（5），該傢俱配件（5）可預先安裝在一前面板（2）上，較佳包括一鎖定銷，<br/> - 較佳分配給一抽屜（3）的一夾持裝置（6），其中該夾持裝置（6）佈置在一支架（7）上，並且當該傢俱配件（5）的至少一部分插入時，該夾持裝置（6）夾住該傢俱配件（5），<br/> - 用於該夾持裝置（6）的一保護裝置（8），較佳是閉鎖裝置，該保護裝置（8）防止該傢俱配件（5）從該夾持裝置（6）或該固定裝置（1）中意外脫落，其中該保護裝置（8）包括用於將該傢俱配件（5）從該夾持裝置（6）或該固定裝置（1）中鬆開的一釋放機構（9），以及<br/> - 至少一個調節裝置（10），藉由該至少一個調節裝置（10），可在該傢俱配件（5）固定在該固定裝置（1）的固定狀態（11）下，調節該傢俱配件（5）的至少一部分相對於該支架（7）的一垂直位置和/或側向橫向位置，其中該至少一個調節裝置（10）包括至少一個起動機構（12），<br/> 其特徵在於：該釋放機構（9）和該至少一個起動機構（12）在該傢俱配件（5）固定於該固定裝置（1）上的該固定狀態（11）下，在垂直方向（13）上相對於該支架（7）基本上處於同一高度，並且當該釋放機構（9）啟動時，該釋放機構（9）在垂直方向（13）上保持高度不變。
如請求項1所述的固定裝置（1），其中該至少一個調節裝置（10）佈置在該傢俱配件（5）上，以及/或者設置用於調節該傢俱配件（5）的該垂直位置的一第一調節裝置（10a）及/或用於該調節傢俱配件（5）的該側向橫向位置的一其他調節裝置（10b），以及/或者當該至少一個起動機構（12）啟動時，該至少一個起動機構（12）在垂直方向（13）上保持高度不變。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中該釋放機構（9）的一旋轉軸與該保護裝置（8）和/或該夾持裝置（6）的該旋轉軸基本一致，以及/或者該至少一個起動機構（12）的一旋轉軸與該至少一個調節裝置（10）的該旋轉軸基本一致，其中較佳提供：該釋放機構（9）和/或該至少一個起動機構（12）包括用於一螺絲刀的一工具座（15）。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中該支架（7）<br/> - 包括一底板（16），該底板（16）的高度是該夾持裝置（6）在垂直方向（13）上的一伸展度的至少兩倍，較佳是至少三倍，以及/或者<br/> - 包括佈置在該夾持裝置（6）上方的一遮蓋裝置（17），該遮蓋裝置（17）朝著該前面板（2）的方向伸出該支架（7），以便在該固定狀態（11）下支承在該前面板（2）上。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中該支架（7）<br/> - 包括在側向橫向（18）上彼此間隔開來的至少兩個凸舌（19），用於在該傢俱配件（5）的側向橫向（18）上進行雙側導引或支承，其中較佳地至少一個凸舌（19）是折彎的，並且/或者一對從該支架（7）對稱伸出的凸舌（19）佈置在用於該傢俱配件（5）的該固定裝置（1）的一安裝座（22）的一頂面（20）和/或一底面（21）上，以及/或者<br/> - 包含恰好一個底板（16），該夾持裝置（6）佈置在該恰好一個底板（16）上。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中提供用於調節該前面板（2）的該側向橫向位置的一調節裝置（10），其中該調節裝置（10）的一螺紋（23）藉由僅一個螺距（24）或僅在一側與該傢俱配件（5）咬合來調整該位置。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中提供用於調節該前面板（2）的該垂直位置的一調節裝置（10），一偏心輪（25）與該傢俱配件（5）的較佳是起伏狀的一輪廓（26）或凹槽（27）處於作用性連接，以調節該位置。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中提供一耦合裝置（28），用於將該夾持裝置（6）的該運動和該保護裝置（8）的該運動耦合起來。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中該夾持裝置（6）和/或該保護裝置（8）<br/> - 繃有彈簧地安裝在該支架（7）上，以及/或者<br/> - 藉由一螺栓（29）佈置在該支架（7）的兩側，其中該螺栓（29）佈置在一導槽孔（30）內，以及/或者<br/> - 被設計成鉤（31）或連桿（32），以及/或者<br/> - 可移動進入一釋放位置，在該釋放位置上，該傢俱配件（5）相對於該固定裝置（1）可移動，以及可移動進入一鎖定位置，在該鎖定位置上，防止該傢俱配件（5）從該固定裝置（1）意外脫落，以及/或者<br/> - 包括較佳是L形的一保護輪廓（33），可將該螺栓（29）佈置在該保護輪廓（33）上以便夾緊，<br/> 其中較佳提供：該夾持裝置（6）佈置在該支架（7）的一側以及該保護裝置(8）佈置在該支架（7）與此相對的一側。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中至少一個鉚釘（34），較佳是至少兩個鉚釘（34），在該傢俱配件（5）的以垂直方向定位的一穩定槽孔（35）中受導引。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中該夾持裝置（6）在該傢俱配件（5）插入時自動夾住或夾起該傢俱配件（5），並且能自動將該傢俱配件（5）拉向該抽屜（3）。
如請求項1或2所述的固定裝置（1），其中該傢俱配件（5）包括一鎖定銷（36），該鎖定銷（36）位於該至少一個調節裝置（10）下方，並且/或者可以在該釋放機構（9）下方插入該夾持裝置（6）中。
一種用於如請求項1至12中之任一項所述的固定裝置（1）的傢俱配件（5），其中該傢俱配件（5）包括至少一個調節裝置（10），藉由該至少一個調節裝置（10），可對該傢俱配件（5）的一部分相對於該傢俱配件（5）的另一部分的一垂直位置和/或側向橫向位置進行調節，其特徵在於：該傢俱配件（5）是相對於一縱向（37）非對稱的設計，其中，沿側向橫向（18）定位的一鎖定銷（36）相對於該縱向（37）在垂直方向（13）上佈置在該傢俱配件（5）的一下端或一上端之上。
如請求項13所述的傢俱配件（5），其中該傢俱配件（5）包括基本上相互平行的兩個平板（38），該鎖定銷（36）和/或該至少一個調節裝置（10）和/或一基體（39）和/或至少一個鉚釘（34）佈置在該等兩個平板（38）之間。
一種用於如請求項1至12中之任一項所述的固定裝置（1）的夾持裝置（6），其中該夾持裝置（6）佈置在一支架（7）上並且被設計用於：當一傢俱配件（5）的至少一部分插入時，該夾持裝置（6）夾住該傢俱配件（5），其中該夾持裝置（6）包括一保護裝置（8），該保護裝置（8）設計用於防止該傢俱配件（5）從該夾持裝置（6）中意外脫落，其中該夾持裝置（6）或該保護裝置（8）包括用於從該夾持裝置（6）中鬆開該傢俱配件（5）的一釋放機構（9），其特徵在於：該釋放機構（9）以可移動的方式與該夾持裝置（6）或該保護裝置（8）共軸地佈置在該支架（7）上。
一種抽屜（3），該抽屜（3）具有至少一個如請求項1至12中之任一項所述的固定裝置（1），該固定裝置（1）較佳具有至少一個如請求項13或14所述的傢俱配件（5）以及/或者至少一個如請求項15所述的夾持裝置（6）。
一種藉由如請求項1至12中之任一項所述的固定裝置（1）將一前面板（2）固定在一抽屜（3）上的方法，其特徵在於下列方法步驟：<br/> - 為了使該固定裝置（1）轉換進入該固定狀態（11）中，將較佳如請求項13或14所述的配件部件（5）插入較佳如請求項15所述的夾持裝置（6）中，並且由該保護裝置（8）鎖定<br/> - 該至少一個調節裝置（10）的該至少一個起動機構（12）在該固定裝置（1）轉入該固定狀態（11）的過程之中或之後，相對於該保護裝置（8）的該釋放機構（9），在垂直方向（13）上相對於該支架（7）基本上位於同一高度。
如請求項17所述的方法，其中啟動該保護裝置（8）的該釋放機構（9），並且該夾持裝置（6）和/或該保護裝置（8）與該釋放機構（9）共軸旋轉。
一種多功能扣件，其包括有：一容器，其頂部具有一開口，該容器的外側環設一凸緣，該凸緣鄰近該開口；一連接單元，其一端與該容器連接，並鄰近該開口，該連接單元包括有一第一鏤空部；及一蓋體，其包括有一頂面部及一環型的壁體，該壁體環設於該頂面部的底部，該壁體的內部間隔設有複數第一卡掣件，以各該第一卡掣件卡固於該凸緣的底面，使該蓋體封閉該開口；該壁體的一側延伸有一環體，該環體穿設於該第一鏤空部內，藉此開啟該蓋體後，該蓋體以該環體懸掛於該連接單元上。
如請求項1所述之多功能扣件，其中該蓋體更包括有一防盜扣件，該防盜扣件的兩側設有一易撕條，且該防盜扣件的內側設有一第二卡掣件，以該第二卡掣件卡固於該凸緣的底面；該壁體具有一缺口，各該易撕條兩側與該缺口可拆式連接，藉由向上推動該蓋體，使各該第一卡掣件與該第二卡掣件脫離該凸緣，以令該蓋體與該開口分離，同時各該易撕條受力而斷裂。
如請求項1或2所述之多功能扣件，其中該蓋體的頂面部延伸出一撥片，且該撥片位於該環體的另一側；該環體上設有一拆裝口，藉由該拆裝口與該第一鏤空部組裝或拆卸。
如請求項1所述之多功能扣件，其中該蓋體的頂面部的底面設有一環形的溝槽，該蓋體封閉該開口時，該容器設有該開口的頂部進入該溝槽中，使該開口與該頂面部液密結合。
如請求項1所述之多功能扣件，其中該連接單元更具有一第二鏤空部，該第二鏤空部具有一拆裝口，該拆裝口提供一帶體通過並穿設於該第二鏤空部中，藉此吊掛該容器。
一種多功能扣件，其包括有：一連接單元，其包括有一第一鏤空部，其係提供穿設於一杯體的杯耳上；及一蓋體，其包括有一頂面部及一環型的壁體，該壁體環設於該頂面部的底部，該頂面部的一側與該連接單元結合，藉由該頂面部封閉該杯體的杯口。
如請求項6所述之多功能扣件，其中該連接單元的頂部及底部分別凸設有一抵靠部及一卡掣部，當該蓋體掀開時，以該抵靠部與該杯耳接觸，該卡掣部可拆式的卡固於該杯耳上，以固定該蓋體。
如請求項6所述之多功能扣件，其中該頂面部的底面設有一環形的溝槽，該蓋體封閉該杯口時，該杯口進入該溝槽中，使該杯口與該頂面部液密結合。
如請求項6所述之多功能扣件，其中該頂面部的底面設有一保溫元件，當該杯體內盛裝一熱飲時，以該保溫元件吸收與釋放該熱飲的熱氣，藉此保溫。
如請求項6所述之多功能扣件，其中該頂面部的頂面或底面設有一隔熱材質，該隔熱材質為隔熱保溫漆或鋁箔。
如請求項6所述之多功能扣件，其中該頂面部的頂面設有一感溫變色層，且該感溫變色層中包括有至少一圖案及至少一文字，藉由該感溫變色層的顏色變化及該圖案變化來判斷溫度高低。
一種具有垂直場板的碳化矽元件，包含： <br/>一碳化矽基底，具有一正面與一反面； <br/>一碳化矽漂移區，位於該碳化矽基底的該正面上； <br/>多個場板，位於該碳化矽漂移區中，該多個場板在垂直方向上堆疊並被一絕緣層所分隔； <br/>一閘極，位於該碳化矽漂移區中並從該碳化矽漂移區的表面露出，該閘極位於該些場板上方並在該垂直方向與該些場板重疊； <br/>一源極電極，位於該碳化矽漂移區上；以及 <br/>一汲極電極，位於該碳化矽基底的該反面上。
如申請專利範圍第1項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，其中該絕緣層由第一絕緣材料層與第二絕緣材料層構成，該第一絕緣材料層位於該閘極與該些場板之間以及各個該些場板之間，該第二絕緣材料層位於該閘極以及該些場板的側壁與該碳化矽漂移區之間。
如申請專利範圍第1項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，更包含一層間絕緣層位於該閘極與該源極電極之間。
如申請專利範圍第1項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，更包含體極區分別位於該閘極兩側的該碳化矽漂移區中。
如申請專利範圍第4項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，更包含一源極摻雜區與一接觸摻雜區位於每一該體極區上。
如申請專利範圍第4項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，其中該碳化矽基底為n型重度摻雜，該碳化矽漂移區為n型輕度摻雜，該體極區為p型中度摻雜。
如申請專利範圍第1項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，其中該些場板與該閘極的材質為多晶矽。
如申請專利範圍第1項所述之具有垂直場板的碳化矽元件，其中該源極電極與該汲極電極的材質為鋁、鎳、鈦或金。
一種具有垂直場板的碳化矽元件的製造方法，包含： <br/>提供一碳化矽基底； <br/>在該碳化矽基底的正面上形成一第一碳化矽漂移區材料層； <br/>在該第一碳化矽漂移區材料層上形成一疊層結構，該疊層結構由多個場板材料層與多個第一絕緣材料層交互堆疊而成； <br/>在該疊層結構上形成一閘極材料層； <br/>進行一光刻製程圖案化該閘極材料層與該疊層結構，如此該閘極材料層變為一閘極而該些場板材料層變為多個場板； <br/>在該閘極、該些場板以及該第一碳化矽漂移區材料層上形成一共形的第二絕緣材料層； <br/>在該第二絕緣材料層上形成一第二碳化矽漂移區材料層，該第二碳化矽漂移區材料層與該第一碳化矽漂移區材料層共同構成一碳化矽漂移區；以及 <br/>在該碳化矽漂移區上與該閘極上形成源極電極，以及在該碳化矽基底的背面上形成汲極電極。
如申請專利範圍第9項所述之具有垂直場板的碳化矽元件的製造方法，更包含在該第二絕緣材料層形成後進行一回蝕刻製程移除製程平面上的該第二絕緣材料層，僅留下位於該閘極、該些場板以及該些第一絕緣材料層的側壁上的該第二絕緣材料層，如此該第二絕緣材料層與該些第一絕緣材料層共同構成一絕緣層。
如申請專利範圍第9項所述之具有垂直場板的碳化矽元件的製造方法，更包含在該第二碳化矽漂移區材料層形成後進行一化學機械平坦化製程，移除位於該閘極上的該第二碳化矽漂移區材料層，使得該第二碳化矽漂移區材料層、該閘極以及該絕緣層的頂面齊平。
如申請專利範圍第9項所述之具有垂直場板的碳化矽元件的製造方法，更包含在該碳化矽漂移區形成後進行一離子佈植製程，在該碳化矽漂移區上形成體極區。
如申請專利範圍第12項所述之具有垂直場板的碳化矽元件的製造方法，更包含在該碳化矽漂移區形成後，進行一離子佈植製程在每一該體極區上形成一源極摻雜區與一接觸摻雜區。
如申請專利範圍第9項所述之具有垂直場板的碳化矽元件的製造方法，更包含在該源極電極形成前在該閘極上形成一層間絕緣層。
一種微電子裝置，其包括： <br/>第一整合的裝置晶粒，其具有包含第一接合層的第一表面； <br/>第二整合的裝置晶粒，其設置在所述第一整合的裝置晶粒上；以及 <br/>第一散熱元件，其在無黏著劑下直接接合至所述第一整合的裝置晶粒的所述第一接合層，其中所述第一散熱元件與所述第二整合的裝置晶粒橫向地相鄰，其中在所述微電子裝置的操作期間，通過所述第一散熱元件的熱通量大於通過所述第二散熱元件的熱通量， <br/>其中在所述第一散熱元件和所述第一整合的裝置晶粒之間的介面包括導體至導體的直接接合以及介電質至介電質的直接接合。
如請求項1所述的微電子裝置，其進一步包括第二散熱元件，其設置在所述第一散熱元件的第二接合層上方，並且在無黏著劑下直接接合至所述第一散熱元件的所述第二接合層。
如請求項2所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件包括導熱路徑，用於將熱從所述第一整合的裝置晶粒傳遞至所述第二散熱元件。
如請求項2所述的微電子裝置，其中，所述第二散熱元件為散熱器。
如請求項2所述的微電子裝置，其中，所述第二散熱元件為包含流體冷卻液的熱導管。
如請求項2所述的微電子裝置，其進一步包括第三整合的裝置晶粒和第三散熱元件，其中所述第三散熱元件在無黏著劑下直接接合至所述第一整合的裝置晶粒的所述第一接合層，所述第三散熱元件與所述第一散熱元件間隔開，並且所述第三整合的裝置晶粒設置於所述第二散熱元件和所述第三散熱元件之間。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件設置在所述第一整合的裝置晶粒的產生熱的部分上方。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件配置為減少通過所述第二整合的裝置晶粒的熱流。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第二整合的裝置晶粒包括矽，且所述第一散熱元件的導熱率高於矽的導熱率。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件的熱膨脹係數是小於10μm/m℃。
如請求項10所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件的導熱率在室溫下高於150Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件的導熱率高於所述第二整合的裝置晶粒的導熱率。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第二整合的裝置晶粒在無黏著劑下直接接合到所述第一整合的裝置晶粒。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件包括鑽石、奈米纖維、奈米多孔的金屬、石墨、或GeSe。
如請求項1所述的微電子裝置，其中，所述第一散熱元件設置於所述第一表面的內部位置上，並且所述內部位置遠離所述第一整合的裝置晶粒的外邊緣。
一種微電子裝置，其包括： <br/>第一半導體元件，其具有界定所述第一半導體元件的第一表面之第一接合層； <br/>至少一第二半導體元件，其在無中介黏著劑下直接接合至所述第一半導體元件的所述第一接合層；以及 <br/>熱塊，其在無中介黏著劑下直接接合到所述第一半導體元件的所述第一接合層，其中所述熱塊與所述至少一第二半導體元件相鄰，所述熱塊將熱從所述第一半導體元件傳遞到設置在所述熱塊上方的散熱器， <br/>其中在所述微電子裝置的操作期間，通過所述熱塊的熱通量大於通過所述至少一第二半導體元件的熱通量， <br/>其中所述熱塊設置在所述第一表面的內部位置，其中所述內部位置遠離所述第一半導體元件的外邊緣。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的熱膨脹係數是小於10μm/m℃。
如請求項17所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的導熱率在室溫下高於150Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊被配置為減少流經所述至少一第二半導體元件的熱流。
如請求項19所述的微電子裝置，其中，所述至少一第二半導體元件包括矽，且所述熱塊在裝置操作溫度附近的導熱率高於矽的導熱率。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的熱膨脹係數與所述第一半導體元件的熱膨脹係數基本上相似。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述第一半導體元件包括矽，並且所述熱塊的熱膨脹係數與矽的熱膨脹係數基本上相似。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的熱膨脹係數低於銅的熱膨脹係數。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的熱膨脹係數低於7μm/m℃。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的導熱率高於所述至少一第二半導體元件的導熱率。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊的導熱率與銅的導熱率相差在10%以內。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊由非導電材料或半導體材料形成。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊與所述第一半導體元件的所述第一接合層之間的介面包括介電質至介電質的直接接合。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述熱塊透過熱介面材料接合到所述散熱器。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述至少一第二半導體元件在無中介黏著劑下直接混合接合到所述第一半導體元件的所述第一接合層，其中所述至少一第二半導體元件與所述第一半導體元件之間的介面包括導體至導體以及介電質至介電質的直接接合。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述散熱器與所述至少一第二半導體元件接觸。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述散熱器在無中介黏著劑下直接接合到所述至少一第二半導體元件。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述散熱器在無中介黏著劑下直接接合到所述熱塊。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述第一半導體元件包括整合的裝置晶粒。
如請求項16所述的微電子裝置，其中，所述至少一第二半導體元件包括整合的裝置晶粒。
一種形成微電子裝置的方法，所述方法包括： <br/>提供具有第一表面的第一半導體元件； <br/>將第二半導體元件和熱塊定位在所述第一半導體元件的所述第一表面上，其中所述熱塊與所述第二半導體元件橫向地相鄰，並且其中所述熱塊設置在所述第一表面的內部位置上，其中所述內部位置遠離所述第一半導體元件的外邊緣； <br/>在無中介黏著劑下將所述第二半導體元件和所述熱塊直接接合到所述第一半導體元件上；以及 <br/>在所述熱塊和所述第二半導體元件上方提供散熱器，其中所述熱塊在所述第一半導體元件和所述散熱器之間提供熱路徑， <br/>其中在所述微電子裝置的操作期間，通過所述熱塊的熱通量大於通過所述第二半導體元件的熱通量。
如請求項36所述的方法，其中，所述熱塊的熱膨脹係數是小於10μm/m℃。
如請求項36所述的方法，其中，所述熱塊的導熱率在室溫下高於150Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>。
一種動態顯示驅動多穩態顯示器，包含有： 一時序控制電路單元，產生一時序控制訊號；<br/>一驅動電路單元，連接該時序控制電路單元，並接收該時序控制訊號；<br/>一面板單元，連接該驅動電路單元；<br/>其中，該時序控制訊號包含有一資料訊號，且該資料訊號包含有一像素動態顯示標頭數據及一像素動態顯示波形數據；<br/>其中，該驅動電路單元根據該像素動態顯示標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素顯示驅動訊號的一像素顯示電壓值；<br/>其中，該驅動電路單元具有一半工作總數，且該驅動電路單元根據該半工作總數與該像素動態顯示波形數據決定輸出具有該像素顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一像素顯示驅動時長。
如請求項1所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素清除標頭數據；<br/>其中，該驅動電路單元根據該像素清除標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素清除驅動訊號。
如請求項1所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素清除標頭數據及一像素清除波形數據；<br/>其中，該驅動電路單元根據該像素清除標頭數據決定輸出至該面板單元的一像素清除驅動訊號的一像素清除電壓值，且該驅動電路單元根據該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一像素清除驅動時長。
如請求項1所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元包含有：<br/>一標頭設定控制埠，連接該驅動電路單元，輸出一標頭設定訊號至該驅動電路單元；<br/>一資料訊號輸出埠，連接該驅動電路單元，輸出該資料訊號至該驅動電路單元；<br/>其中，當該資料訊號輸出埠輸出的該資料訊號為該像素動態顯示標頭數據時，該標頭設定控制埠輸出的該標頭設定訊號為高電壓準位。
如請求項3所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該像素清除標頭數據包含有一像素正清除電壓數據及一像素負清除電壓數據；<br/>其中，該像素正清除電壓數據包含有一第一像素正清除電壓值及一第二像素正清除電壓值，且該像素負清除電壓數據包含有一第一像素負清除電壓值及一第二像素負清除電壓值；<br/>其中，該像素清除波形數據包含有複數個像素電極清除數據；<br/>其中，該些像素電極清除數據至少包含有一第一像素電極清除數據，且該第一像素電極清除數據包含有一第一清除電壓單位數；<br/>其中，該第一清除電壓單位數與該半工作總數分別為偶數，且該驅動電路單元係將雙倍的該半工作總數減去該第一清除電壓單位數決定一第一剩餘清除電壓單位數；<br/>其中，當該驅動電路單元根據該半工作總數與該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的該像素清除驅動時長時，該驅動電路單元係根據該像素清除波形數據的該第一清除電壓單位數決定輸出至一第一像素電極且具有該第一像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第一清除時長，該驅動電路單元係根據該第一剩餘清除電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第二清除時長；並且，該驅動電路單元係根據該像素清除波形數據的該第一清除電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第一像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第三清除時長，該驅動電路單元係根據該第一剩餘清除電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號的一第四清除時長。
如請求項1至4中任一項所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該像素動態顯示標頭數據包含有一像素正顯示電壓數據及一像素負顯示電壓數據；<br/>其中，該像素正顯示電壓數據包含有一第一像素正顯示電壓值及一第二像素正顯示電壓值，且該像素負顯示電壓數據包含有一第一像素負顯示電壓值及一第二像素負顯示電壓值；<br/>其中，該像素動態顯示波形數據包含有複數個像素電極顯示數據；<br/>其中，該些像素電極顯示數據至少包含有一第一像素電極顯示數據，且該第一像素電極顯示數據包含有一第一顯示電壓單位數；<br/>其中，該第一顯示電壓單位數與該半工作總數分別為偶數，且該驅動電路單元將該半工作總數減去該第一顯示電壓單位數決定一第一剩餘顯示電壓單位數；<br/>其中，當該驅動電路單元根據該半工作總數與該像素動態顯示波形數據決定輸出具有該像素顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的該像素顯示驅動時長時，該驅動電路單元係根據該像素動態顯示波形數據的該第一顯示電壓單位數決定輸出至一第一像素電極且具有該第一像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第一顯示時長，該驅動電路單元係根據該半工作總數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第二顯示時長，該驅動電路單元係根據該第一剩餘顯示電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第一像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第三顯示時長；並且，該驅動電路單元係根據該像素動態顯示波形數據的該第一顯示電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第一像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第四顯示時長，該驅動電路單元係根據該半工作總數決定輸出至該第一像素電極且具有該第二像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第五顯示時長，並且該驅動電路單元係根據該第一剩餘顯示電壓單位數決定輸出至該第一像素電極且具有該第一像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的一第六顯示時長。
如請求項3所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元還包含有：<br/>一數位類比轉換控制埠，連接該驅動電路單元，輸出一轉換控制訊號至該驅動電路單元，且該轉換控制訊號包含有複數計數訊號；<br/>其中，該像素清除標頭數據包含有一像素正清除電壓數據及一像素負清除電壓數據；<br/>其中，該像素正清除電壓數據包含有一第一像素正清除電壓值及一第二像素正清除電壓值，且該像素負清除電壓數據包含有一第一像素負清除電壓值及一第二像素負清除電壓值；<br/>其中，該像素清除波形數據包含有複數個像素電極清除數據；<br/>其中，該些像素電極清除數據至少包含有一第一像素電極清除數據，該第一像素電極清除數據包含有一第一清除電壓單位數，該第一清除電壓單位數與該半工作總數分別為偶數；<br/>其中，當該驅動電路單元根據該半工作總數與該像素清除波形數據決定輸出具有該像素清除電壓值的該像素清除驅動訊號的該像素清除驅動時長時，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第1個至第A個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號至一第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第A+1個至第A+B個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第A+B+1個至第2B個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素正清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極；並且，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第2B+1個至第2B+A個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第2B+A+1個至第3B+A個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第3B+A+1個至第4B個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素負清除電壓值的該像素清除驅動訊號至該第一像素電極；<br/>其中，A為該第一清除電壓單位數，B為該半工作總數。
如請求項1至4中任一項所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元還包含有：<br/>一數位類比轉換控制埠，連接該驅動電路單元，輸出一轉換控制訊號至該驅動電路單元，且該轉換控制訊號包含有複數計數訊號；<br/>其中，該像素動態顯示標頭數據包含有一像素正顯示電壓數據及一像素負顯示電壓數據；<br/>其中，該像素正顯示電壓數據包含有一第一像素正顯示電壓值及一第二像素正顯示電壓值，且該像素負顯示電壓數據包含有一第一像素負顯示電壓值及一第二像素負顯示電壓值；<br/>其中，該像素動態顯示波形數據包含有複數個像素電極顯示數據；<br/>其中，該些像素電極顯示數據至少包含有一第一像素電極顯示數據，該第一像素電極顯示數據包含有一第一顯示電壓單位數，該第一顯示電壓單位數與該半工作總數分別為偶數；<br/>其中，當該驅動電路單元根據該半工作總數與該像素動態顯示波形數據決定輸出具有該像素顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號的該像素顯示驅動時長時，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第1個至第D個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至一第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第該D+1個至第D+B個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第D+B+1個至第2B個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素正顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極；並且，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第2B+1個至第2B+D個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第2B+D+1個至第3B+D個的該計數訊號之間輸出具有該第二像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極，該驅動電路單元係於該數位類比轉換控制埠輸出第3B+D+1個至第4B個的該計數訊號之間輸出具有該第一像素負顯示電壓值的該像素顯示驅動訊號至該第一像素電極；<br/>其中，B為該半工作總數，D為該第一顯示電壓單位數。
如請求項1所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該時序控制訊號包含有一掃描訊號，且該掃描訊號包含有一線路動態顯示標頭數據及一線路動態顯示波形數據；<br/>其中，該驅動電路單元根據該線路動態顯示標頭數據決定輸出至該面板單元的一線路驅動訊號的一線路驅動電壓值，且該驅動電路單元根據該線路驅動電壓值及該線路動態顯示波形數據決定輸出至該面板單元的該線路驅動訊號的一訊號波形。
如請求項1所述的動態顯示驅動多穩態顯示器，其中，該面板單元具有一第一線路電極與一第L線路電極，L為大於1的正整數，且該第一線路電極與該第L線路電極分別電連接該驅動電路單元；<br/>其中，4倍的該半工作總數是代表一次的工作時長，當該驅動電路單元輸出至該第一線路電極的一線路驅動訊號的波形與輸出至該第L線路電極的一第L線路驅動訊號的波形之間具有(L-1)次工作時長的延遲。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 一第一記憶體陣列，其包含複數個第一記憶體單元；<br/> 一第二記憶體陣列，其包含複數個第二記憶體單元，該第二記憶體陣列沿著一第一側向方向靠近該第一記憶體陣列實體定位；<br/> 一第一輸入/輸出(I/O)電路，其沿著該第一側向方向與該第二記憶體陣列相對該第一記憶體陣列實體定位；<br/> 一第二輸入/輸出電路，其沿著該第一側向方向與該第一記憶體陣列相對該第二記憶體陣列實體定位；及<br/> 一第一位元線，其至少可操作地耦接至該第一輸入/輸出電路、該些第一記憶體單元中之一第一者的一第一通道閘電晶體、及該些第二記憶體單元中之一第一者的一第一通道閘電晶體；<br/> 其中該些第一記憶體單元中之該第一者的該第一通道閘電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有在垂直於該第一側向方向的一第二側向方向上延伸的一第一長度，該些第二記憶體單元中之該第一者的該第一通道閘電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的一第二長度，且其中該第一長度短於該第二長度。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一位元線至少包括在該第一側向方向上延伸的一第一金屬軌道、在該第二側向方向上延伸的一第二金屬軌道、在該第一側向方向上延伸的一第三金屬軌道、在該第二側向方向上延伸的一第四金屬軌道、及在該第一側向方向上延伸的一第五金屬軌道。
如請求項1所述之記憶體電路，其進一步包含：<br/> 一第二位元線，其至少可操作地耦接至該第二輸入/輸出電路、該些第二記憶體單元中之該第一者的一第二通道閘電晶體、及該些第一記憶體單元中之該第一者的一第二通道閘電晶體；<br/> 其中該些第二記憶體單元中之該第一者的該第二通道閘電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的該第一長度，且該些第一記憶體單元中之該第一者的該第二通道閘電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的該第二長度。
如請求項3所述之記憶體電路，其中該第二位元線至少包括在該第一側向方向上延伸的一第一金屬軌道、在該第二側向方向上延伸的一第二金屬軌道、在該第一側向方向上延伸的一第三金屬軌道、在該第二側向方向上延伸的一第四金屬軌道、及在該第一側向方向上延伸的第五金屬軌道，且其中該第一及第五金屬軌道設置在一第一金屬化層中，該第二及第四金屬軌道設置在該第一金屬化層上方的一第二金屬化層中，且該第三金屬軌道設置在該第二金屬化層上方的一第三金屬化層中。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一位元線可操作地進一步耦接至該些第一記憶體單元中之一第二者的一第一通道閘電晶體及該些第二記憶體單元中之一第二者的一第一通道閘電晶體，且其中該些第一記憶體單元中之該第二者的該第一通道閘電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的該第一長度，該些第二記憶體單元中之該第二者的該第一通道閘電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的該第二長度。
一種記憶體電路，其包含：<br/> 一第一記憶體陣列的一第一記憶體單元，該第一記憶體單元包含分別可操作地耦接至一第一位元線、一第二位元線、與該第一位元線互補的一第三位元線、及與該第二位元線互補的一第四位元線的一第一通道閘電晶體、一第二通道閘電晶體、一第三通道閘電晶體、及一第四通道閘電晶體；及<br/> 沿著一第一側向方向相對於該第一記憶體陣列實體設置的一第二記憶體陣列的一第二記憶體單元，該第二記憶體單元包含分別可操作地耦接至該第二位元線、該第一位元線、該第四位元線、及該第三位元線的一第五通道閘電晶體、一第六通道閘電晶體、一第七通道閘電晶體、及一第八通道閘電晶體；<br/> 其中該第一位元線、該第二位元線、該第三位元線、及該第四位元線各個至少包括在該第一側向方向上延伸的一第一金屬軌道、在垂直於該第一側向方向的一第二側向方向上延伸的一第二金屬軌道、在該第一側向方向上延伸的一第三金屬軌道、在該第二側向方向上延伸的一第四金屬軌道、及在該第一側向方向上延伸的一第五金屬軌道，且其中該第一及第五金屬軌道設置在一第一金屬化層中，該第二及第四金屬軌道設置在一第二金屬化層中，且該第三金屬軌道設置在一第三金屬化層中。
如請求項6所述之記憶體電路，其中該第一、第三、第五、及第七通道閘電晶體各個具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的一第一長度，該第二、第四、第六、及第八通道閘電晶體各個具有一閘極結構，該閘極結構具有一第二長度，且其中該第一長度短於該第二長度。
如請求項6所述之記憶體電路，其進一步包含：<br/> 一第一輸入/輸出(I/O)電路，其沿著該第一側向方向與該第二記憶體陣列相對該第一記憶體陣列實體定位；及<br/> 一第二輸入/輸出電路，其沿著該第一側向方向與該第一記憶體陣列相對該第二記憶體陣列實體定位。
一種用於製造記憶體電路的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在一基板的一第一區域中形成包含複數個第一記憶體單元的一第一記憶體陣列；<br/> 在沿著一第一側向方向靠近該第一區域定位的該基板的一第二區域中形成包含複數個第二記憶體單元的一第二記憶體陣列；<br/> 在沿著該第一側向方向與該第二記憶體陣列相對該第一記憶體陣列定位的該基板的一第三區域中形成一第一輸入/輸出(I/O)電路；<br/> 在沿著該第一側向方向與該第一記憶體陣列相對該第二記憶體陣列定位的一第四區域中形成一第二輸入/輸出電路；<br/> 形成用以將該第一輸入/輸出電路可操作地耦接至該些第一記憶體單元中之各者的一第一通道閘電晶體並可操作地耦接至該些第二記憶體單元中之各者的一第一通道閘電晶體的一第一位元線；及<br/> 形成用以將該第二輸入/輸出電路可操作地耦接至該些第一記憶體單元中之各者的一第二通道閘電晶體並可操作地耦接至該些第二記憶體單元中之各者的一第二通道閘電晶體的一第二位元線；<br/> 其中該些第一記憶體單元中之各者的該第一通道閘電晶體及該些第二記憶體單元中之各者的該第二通道閘電晶體各個具有一閘極結構，該閘極結構具有在垂直於該第一側向方向的一第二側向方向上延伸的一第一長度，該些第一記憶體單元中之各者的該第二通道閘電晶體及該些第二記憶體單元中之各者的該第一通道閘電晶體各個具有一閘極結構，該閘極結構具有在該第二側向方向上延伸的一第二長度，且其中該第一長度短於該第二長度。
如請求項9所述之方法，其中<br/> 形成一第一位元線之該步驟包含以下步驟：<br/> 形成在該第一側向方向上且在該基板上方的複數個金屬化層中之一第一者中延伸的一第一金屬軌道；<br/> 形成在該第二側向方向上且在該些金屬化層的在該第一金屬化層上方的一第二者中延伸的一第二金屬軌道；<br/> 形成在該第一側向方向上且在該些金屬化層的在該第二金屬化層上方的一第三者中延伸的一第三金屬軌道；<br/> 形成在該第二側向方向上且在該第二金屬化層中延伸的一第四金屬軌道；及<br/> 形成在該第一側向方向上且在該第一金屬化層中延伸的一第五金屬軌道；<br/> 形成一第二位元線之該步驟包含以下步驟：<br/> 形成在該第一側向方向上且在該第一金屬化層中延伸的一第六金屬軌道；<br/> 形成在該第二側向方向上且在該第二金屬化層中延伸的一第七金屬軌道；<br/> 形成在該第一側向方向上且在該第三金屬化層中延伸的一第八金屬軌道；<br/> 形成在該第二側向方向上且在該第二金屬化層中延伸的一第九金屬軌道；及<br/> 形成在該第一側向方向上且在該第一金屬化層中延伸的一第十金屬軌道。
一種倒噴機構，其用以設於一罐體內，且用以連接一氣霧劑閥門；該倒噴機構包含： 一本體，該本體具有： <br/>一共同通道座，其包含： <br/>一共同通道，其形成於該共同通道座的內部，且連通於該氣霧劑閥門； <br/>一正噴連通口，其連通於該共同通道； <br/>一切換座，其與該共同通道座並排設置，該切換座包含： <br/>一珠體通道，其形成於該切換座內部，且連通於該氣霧劑閥門；及 <br/>一倒噴連通口，其形成於該切換座的底端，該倒噴連通口連通該珠體通道及該共同通道； <br/>一止擋部，其設置於該切換座的頂端開口； <br/>一珠體，其能移動地設於該珠體通道內，且選擇性地連通或阻斷該倒噴連通口；及 <br/>至少一倒噴座，其包含： <br/>一斜接端，其連接於該切換座； <br/>一接入端，其遠離該切換座且與該切換座之間呈有夾角的傾斜； <br/>一倒噴液劑通道，其形成於該至少一倒噴座的內部，該倒噴液劑通道連通於該倒噴連通口； <br/>一內卡合部，其形成於該倒噴座的內環側面內；及 <br/>一停滯環面，其環繞形成於該倒噴座內； <br/>至少一固定環，其設置於該至少一倒噴座，該至少一固定環具有： <br/>一固定孔，其貫穿形成於該至少一固定環，該固定孔的兩端分別有一固定入口及一固定出口； <br/>一外卡合部，其形成於該至少一固定環的外環側面； <br/>一溝槽，其貫穿形成於該至少一固定環的側壁，且位於該固定出口的周緣；以及 <br/>至少一倒噴軟管，其設置於該本體的該倒噴座，該至少一倒噴軟管的末端貫穿於該至少一固定環且凸出於該固定出口，且該至少一倒噴軟管的末端與該倒噴連通口互相連通，該至少一倒噴軟管的前端形成有一倒噴吸水口。
如請求項1所述之倒噴機構，其中： <br/>該至少一倒噴軟管為一軟質可彎曲的低密度聚乙烯(LDPE)的細管，且該至少一倒噴軟管的內徑介於1.40至1.50公釐(mm)，而該至少一倒噴軟管的外徑介於2.00至2.10公釐(mm)。
如請求項1或2所述之倒噴機構，其中： <br/>該至少一固定環的該固定孔的內徑由該固定入口往該固定出口方向漸縮；其中，當該至少一倒噴軟管未穿設於該至少一固定環時，該固定出口的內徑小於該至少一倒噴軟管的外徑。
如請求項3所述之倒噴機構，其中： <br/>該至少一固定環的該外卡合部為一環凸緣；該倒噴座的該內卡合部為一環凹槽，藉此該至少一固定環的該外卡合部能與該至少一倒噴座的該內卡合部互相卡合。
如請求項1或2所述之倒噴機構，其中： <br/>該至少一倒噴座的數量為兩個該倒噴座、該至少一固定環的數量為兩個該固定環、且該至少一倒噴軟管的數量為兩支該倒噴軟管，該等倒噴軟管分別穿設於該等固定環，且該等固定環分別設置於該等倒噴座的內部。
一種液劑容器，其包含： <br/>一罐體，其為一中空體，並具有一安裝開口； <br/>一氣霧劑閥門，其係被密封固定於該罐體的該安裝開口上，該氣霧劑閥門具有一液劑入口及一液劑出口，該液劑入口位於該罐體的內部空間，該液劑出口位於該罐體外；該液劑入口連通該液劑出口；一閥座，其設於該氣霧劑閥門的固定蓋的底部，該閥座具有一凸塊及一延伸管，該凸塊形成於該閥座的外周面，該延伸管形成於該閥座的底部，且該液劑入口位於該延伸管的底端； <br/>一倒噴機構，其連接於該氣霧劑閥門，該倒噴機構具有： <br/>一本體，該本體具有： <br/>一共同通道座，其包含： <br/>一共同通道，其形成於該共同通道座的內部，且連通於該氣霧劑閥門的該液劑入口； <br/>一正噴連通口，其連通於該共同通道； <br/>一切換座，其與該共同通道座並排設置，該切換座包含： <br/>一珠體通道，其形成於該切換座的內部，且連通於該共同通道及該氣霧劑閥門的該液劑入口； <br/>一倒噴連通口，其形成於該切換座的底端，該倒噴連通口連通該珠體通道及該共同通道； <br/>一止擋部，其設置於該切換座的頂端開口；及 <br/>一珠體，其能移動地設於該珠體通道內，且選擇性地連通或阻斷該倒噴連通口；及 <br/>至少一倒噴座，其包含： <br/>一斜接端，其連接於該切換座； <br/>一接入端，其遠離該切換座且與該切換座之間呈有夾角的傾斜； <br/>一倒噴液劑通道，其形成於該至少一倒噴座的內部，該倒噴液劑通道連通於該倒噴連通口； <br/>一內卡合部，其形成於該倒噴座的內環側面；及 <br/>一停滯環面，其環繞形成於該倒噴座內； <br/>至少一固定環，其設置於該至少一倒噴座，該至少一固定環具有： <br/>一固定孔，其貫穿形成於該至少一固定環，該固定孔的兩端分別有一固定入口及一固定出口； <br/>一外卡合部，其形成於該至少一固定環的外環側面； <br/>一溝槽，其貫穿形成於該至少一固定環的側壁，且位於該固定出口的周緣；以及 <br/>至少一倒噴軟管，其設置於該本體的該倒噴座，該至少一倒噴軟管的末端貫穿於該至少一固定環且向外凸出於該固定出口，且該至少一倒噴軟管與該倒噴連通口互相連通，該至少一倒噴軟管的前端形成有一倒噴吸水口；以及 <br/>一正噴吸液管，其設於該本體的一正噴接合管的內孔，且連通於該氣霧劑閥門。
如請求項6所述之液劑容器，其中： 該閥座具有一凸塊，其凸出形成於該閥座的外周面，該凸塊位於該切換座的頂端開口，藉此防止該珠體經由該頂端開口脫離該珠體通道。
如請求項6或7所述之液劑容器，其中，該至少一倒噴軟管為一軟質可彎曲的低密度聚乙烯(LDPE)的細管，且該至少一倒噴軟管的內徑介於1.40至1.50公釐(mm)，而該至少一倒噴軟管的外徑介於2.00至2.10公釐(mm)。
如請求項6或7所述之液劑容器，其中： <br/>該閥座的該延伸管具有一凹陷平面，且該共同通道座的內環側面有與該延伸管的該凹陷平面的輪廓相對應的一凸起平面；該延伸管的外徑沿由上往下的方向漸縮，而該共同通道的內徑沿由上往下的方向漸縮，當該閥座的底部接合於該共同通道座的頂端時，該凹陷平面與該凸起平面緊密貼合。
一種測試座，適於固定於一電路板上，該測試座係包括：基座，具有相對之第一表面和第二表面以及連通該第一表面及該第二表面之複數通孔，各該通孔分別包含臨近該第二表面之大孔徑段及臨近該第一表面之小孔徑段，且於該大孔徑段與該小孔徑段連接處具有一階狀結構；導電彈性片，位該基座之該第二表面；以及複數彈力金屬件，分別設於該複數通孔內，且各具有一肩部且一端接觸該導電彈性片，其中，於該測試座固定於該電路板時，該肩部與該階狀結構係相隔一間距。
如請求項1所述之測試座，其中，各該彈力金屬件分別包含本體、底部接觸單元以及頂部接觸單元，該頂部接觸單元與該本體連接處形成該肩部，以及該本體之長度加上該底部接觸單元之長度小於或等於該大孔徑段之長度。
如請求項1所述之測試座，其中，該基座包含上蓋與維持件，該上蓋包含該小孔徑段及部分該大孔徑段，以及該維持件包含剩餘之該大孔徑段。
如請求項3所述之測試座，其中，該維持件所包含之該大孔徑段係為一直通孔。
如請求項3所述之測試座，其中，該導電彈性片更包括用以鎖固或黏貼於該維持件上以支撐該些彈力金屬件之框架。
如請求項1所述之測試座，其中，各該彈力金屬件未碰觸該階狀結構，使各該彈力金屬件未產生預壓。
一種測試座，適於固定至一電路板上，該測試座係包括：基座，具有相對之第一表面和第二表面以及連通該第一表面及該第二表面之複數通孔，且各該通孔分別包含一階狀結構；導電彈性片，位該基座之該第二表面；以及複數彈力金屬件，分別設於該複數通孔內，且各具有一肩部且一端接觸該導電彈性片，以於該測試座固定於該電路板時，各該彈力金屬件係實質未受該階狀結構擠壓。
如請求項7所述之測試座，其中，各該彈力金屬件分別包含本體、底部接觸單元以及頂部接觸單元，該頂部接觸單元與該本體連接處形成該肩部，以及各該通孔分別包含臨近該第二表面之大孔徑段及臨近該第一表面之小孔徑段，且該本體之長度加上該底部接觸單元之長度小於或等於該大孔徑段之長度。
如請求項8所述之測試座，其中，該基座包含上蓋與維持件，該上蓋包含該小孔徑段及部分該大孔徑段，以及該維持件包含剩餘之該大孔徑段。
如請求項9所述之測試座，其中，該維持件所包含之該大孔徑段係為一直通孔。
如請求項9所述之測試座，其中，該導電彈性片更包括用於鎖固或黏貼於該維持件上以支撐該些彈力金屬件之框架。
一種電壓控制裝置，包括： <br/>一控制單元，依據一需求電壓與一迴授信號，產生一電壓階層； <br/>一處理單元，接收該電壓階層，並依據該電壓階層，產生一電流信號；以及 <br/>一迴授感測單元，接收一電壓信號，並依據該電壓信號，產生該迴授信號，其中該電壓信號因應於該電流信號而產生。
如請求項1所述之電壓控制裝置，其中該控制單元將該需求電壓轉換為一預設電壓階層，比較該迴授信號與一預設電壓，以產生一比較信號，依據該比較信號與一預設值，產生一補償電壓階層，對該預設電壓階層與該補償電壓階層進行運算，產生一運算結果，以及依據該運算結果，產生該電壓階層。
如請求項2所述之電壓控制裝置，其中該控制單元確認該比較信號是否與該預設值相符，響應於該控制單元確認該比較信號與該預設值相符，該控制單元維持輸出該補償電壓階層，響應於該控制單元確認該比較信號與該預設值不相符，該控制單元產生該補償電壓階層。
如請求項3所述之電壓控制裝置，其中響應於該控制單元確認該比較信號與該預設值不相符，該控制單元確認該比較信號是否小於該預設值，響應於該控制單元確認該比較信號小於該預設值，該控制單元產生一第一電壓階層作為該補償電壓階層，響應於該控制單元確認該比較信號未小於該預設值，該控制單元產生一第二電壓階層作為該補償電壓階層。
如請求項2所述之電壓控制裝置，其中該需求電壓與該預設電壓透過一基本輸入輸出系統設定及儲存。
如請求項1所述之電壓控制裝置，其中該控制單元包括： <br/>一暫存器，儲存該需求電壓與該預設電壓； <br/>一第一轉換單元，接收該需求電壓，將該需求電壓轉換為一預設電壓階層； <br/>一第二轉換單元，接收該迴授信號，並將該迴授信號轉換為一參考信號； <br/>一比較單元，接收該參考信號與該預設電壓，比較該參考信號與該預設電壓，以產生一比較信號； <br/>一補償單元，接收該比較信號，並依據該比較信號與一預設值，產生一補償電壓階層； <br/>一運算單元，對該預設電壓階層與該補償電壓階層進行運算，產生一運算結果； <br/>一電壓階層產生單元，接收該運算結果，並依據該運算結果，產生該電壓階層；以及 <br/>一傳輸單元，接收並傳輸該電壓階層。
如請求項1所述之電壓控制裝置，其中該處理單元包括一對照表，其中該對照表具有該電壓階層與一電流的對應關係。
如請求項7所述之電壓控制裝置，其中該處理單元依據該對照表，查詢該電壓階層對應的該電流，以產生該電流信號。
如請求項1所述之電壓控制裝置，其中該迴授感測單元對該電壓信號進行分壓，以產生該迴授信號。
如請求項9所述之電壓控制裝置，其中該迴授感測單元包括： <br/>一第一電阻，具有一第一端與一第二端，該第一電阻的該第一端接收該電壓信號，該第一電阻的該第一端耦接該控制單元，並產生該迴授信號；以及 <br/>一第二電阻，具有一第一端與一第二端，該第二電阻的該第一端耦接該第一電阻的該第二端，該第二電阻的該第二端耦接一接地端。
如請求項1所述之電壓控制裝置，更包括： <br/>一轉換單元，將該電流信號轉換為該電壓信號。
一種電壓控制裝置的操作方法，包括： <br/>透過一控制單元，依據一需求電壓與一迴授信號，產生一電壓階層； <br/>透過一處理單元，接收該電壓階層，並依據該電壓階層，產生一電流信號；以及 <br/>透過一迴授感測單元，接收一電壓信號，並依據該電壓信號，產生該迴授信號，其中該電壓信號因應於該電流信號而產生。
如請求項12所述之電壓控制裝置的操作方法，其中透過該控制單元，依據該需求電壓與該迴授信號，產生該電壓階層的步驟包括： <br/>將該需求電壓轉換為一預設電壓階層； <br/>比較該迴授信號與一預設電壓，以產生一比較信號； <br/>依據該比較信號與一預設值，產生一補償電壓階層； <br/>對該預設電壓階層與該補償電壓階層進行運算，產生一運算結果；以及 <br/>依據該運算結果，產生該電壓階層。
如請求項13所述之電壓控制裝置的操作方法，其中依據該比較信號與該預設值，產生該補償電壓階層的步驟包括： <br/>確認該比較信號是否與該預設值相符； <br/>響應於確認該比較信號與該預設值相符，維持輸出該補償電壓階層； <br/>響應於確認該比較信號與該預設值不相符，產生該補償電壓階層。
如請求項14所述之電壓控制裝置的操作方法，其中響應於確認該比較信號與該預設值不相符，產生該補償電壓階層的步驟包括： <br/>響應於確認該比較信號與該預設值不相符，確認該比較信號是否小於該預設值； <br/>響應於確認該比較信號小於該預設值，產生一第一電壓階層作為該補償電壓階層；以及 <br/>響應於確認該比較信號未小於該預設值，產生一第二電壓階層作為該補償電壓階層。
如請求項13所述之電壓控制裝置的操作方法，其中該需求電壓與該預設電壓透過一基本輸入輸出系統設定及儲存。
如請求項12所述之電壓控制裝置的操作方法，其中該處理單元包括一對照表，其中該對照表具有該電壓階層與一電流的對應關係。
如請求項17所述之電壓控制裝置的操作方法，其中該透過該處理單元，接收該電壓階層，並依據該電壓階層，產生該電流信號的步驟包括： <br/>該處理單元依據該對照表，查詢該電壓階層對應的該電流，以產生該電流信號。
如請求項12所述之電壓控制裝置的操作方法，其中透過該迴授感測單元，接收該電壓信號，並依據該電壓信號，產生該迴授信號的步驟包括： <br/>透過該迴授感測單元，接收該電壓信號，並對該該電壓信號進行分壓，產生該迴授信號。
如請求項12所述之電壓控制裝置的操作方法，更包括： <br/>透過一電壓轉換器，將該電流信號轉換為該電壓信號。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體， <br/><img align="absmiddle" height="120px" width="248px" file="ed10678.jpg" alt="ed10678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>n為0、1、2、3或4； <br/>R<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="72px" width="27px" file="ed10680.jpg" alt="ed10680.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>s、t、u、v、p及q中之每一者獨立地為0、1、2或3，限制條件為s及t之總和為1、2、3或4，u及v之總和為1、2、3或4且p及q之總和為1、2、3或4； <br/>y為1； <br/>z為0或1； <br/>Z<sup>1</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>2</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>3</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>4</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>5</sup>為CH<sub>2</sub>、CHR<sup>25</sup>、CR<sup>25</sup>R<sup>25</sup>、C(=O)、NR<sup>25</sup>、O或S(O)<sub>0-2</sub>； <br/>各R<sup>25</sup>獨立地為H、鹵基、烷基或羥基烷基； <br/>N為0, 1, 2, 3或4； <br/>R<sup>2</sup>為C<sub>2-40</sub>烷氧基； <br/>R<sup>5</sup>、R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>係各自獨立地為H； <br/>R<sup>6</sup>為H、鹵基、烷基、鹵烷基、羥基、烷氧基、鹵烷氧基、烷硫基、亞碸基、磺醯基、羧基、酯、-CN、-NO<sub>2</sub>、胺基、醯胺基、亞磺醯胺基或磺醯胺基；及 <br/>各R<sup>9</sup>係獨立地選自鹵基、烷基、-OH、烷氧基、-CN及胺基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中各R<sup>9</sup>獨立地為氟。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中該化合物具有式(XII)： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="266px" file="ed10682.jpg" alt="ed10682.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>為<img align="absmiddle" height="72px" width="27px" file="ed10680.jpg" alt="ed10680.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>s、t、u、v、p及q中之每一者獨立地為0、1、2或3，限制條件為s及t之總和為1、2、3或4，u及v之總和為1、2、3或4且p及q之總和為1、2、3或4； <br/>y為1； <br/>z為0或1； <br/>Z<sup>1</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>2</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>3</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>4</sup>為CH或N； <br/>Z<sup>5</sup>為CH<sub>2</sub>、CHR<sup>25</sup>、CR<sup>25</sup>R<sup>25</sup>、C(=O)、NR<sup>25</sup>、O或S(O)<sub>0-2</sub>； <br/>各R<sup>25</sup>獨立地為H、鹵基、烷基或羥基烷基； <br/>R<sup>211</sup>為C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>40</sub>烷基、C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>40</sub>烯基或C<sub>2</sub><sub>-</sub><sub>40</sub>炔基； <br/>R<sup>6</sup>為H、鹵基、烷基、鹵烷基、羥基、烷氧基、鹵烷氧基、烷硫基、亞碸基、磺醯基、羧基、酯、-CN、-NO<sub>2</sub>、胺基、醯胺基、亞磺醯胺基或磺醯胺基；及 <br/>R<sup>91</sup>及R<sup>92</sup>係獨立地選自H及鹵基。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中R<sup>91</sup>及R<sup>92</sup>係獨立地選自H及F。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中R<sup>6</sup>為鹵烷氧基、亞碸基或磺醯基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，R<sup>6</sup>為亞碸基或磺醯基。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中z為1。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中s、t、u、v、p及q為1。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中Z<sup>1</sup>及Z<sup>3</sup>為CH。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中Z<sup>2</sup>及Z<sup>4</sup>為N。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中Z<sup>5</sup>為S(O)或S(O)<sub>2</sub>。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中Z<sup>5</sup>為CH<sub>2</sub>、CHR<sup>25</sup>或CR<sup>25</sup>R<sup>25</sup>。
如請求項1至4中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體，其中Z<sup>5</sup>為S、NR<sup>25</sup>或O。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至13中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體； <br/>視情況其中： <br/>該醫藥組合物係用於非經腸（parenteral）投藥；或 <br/>該醫藥組合物包含該化合物之醫藥學上可接受之鹽。
一種如請求項1至13中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽、經同位素增濃之類似物、立體異構體、立體異構體之混合物或互變異構體之用途，其係用於製備治療疾病或病症之藥物，該疾病或病症係選自病原性血管相關病症、癌症、視網膜閉塞性血管疾病、早產兒視網膜病變、糖尿病性視網膜病變及年齡相關之黃斑變性。
如請求項15之用途，其中： <br/>該癌症為結腸癌、乳癌、前列腺癌、肺癌、肝癌、胰臟癌、卵巢癌、膀胱癌、腎臟癌、食道癌、子宮頸癌、子宮內膜癌、黑素瘤、腦癌、神經膠質瘤、神經母細胞瘤、骨肉瘤、軟骨肉瘤、胃癌瘤、神經膠質瘤、間皮瘤、卡堡氏肉瘤、脂肪肉瘤、滑膜肉瘤或威爾姆氏腫瘤；或 <br/>該疾病或病症為視網膜閉塞性血管疾病或早產兒視網膜病變；或 <br/>該疾病或病症為糖尿病性視網膜病變；或 <br/>該疾病或病症為年齡相關之黃斑變性；及/或 <br/>該化合物促效色素上皮衍生因子(PEDF)受體或抑制血管生成。
如請求項16之用途，其中該血管生成為病原性血管生成。
一種智慧門鎖機構，包括：<br/>一結構體，該結構體設有一第一軸桿、一第二軸桿及一第三軸桿；<br/>一扣板，樞設在該第一軸桿並以一第一復位元件預設在一開鎖位置，且該扣板可旋轉至一全鎖位置以及位於該開鎖位置及該全鎖位置之間的一半鎖位置；<br/>一鎖板，樞設在該第二軸桿並以一第二復位元件預設一鎖定位置以勾抓該扣板於該半鎖位置或該全鎖位置，並可旋轉釋放該扣板；<br/>一驅動組件，包括一馬達、一雙向推桿以及一解鎖連桿組，該雙向推桿樞設在該第三軸桿；及<br/>一多功能繼動器，連接該解鎖連桿組，該多功能繼動器包括一鎖板繼動部、一破冰繼動部以及一解鎖部，<br/>其中，該馬達驅動該雙向推桿沿一解鎖方向旋轉帶動該解鎖連桿組，該解鎖連桿組使該多功能繼動器旋轉，該鎖板繼動部推動鎖板以解鎖扣板，且該破冰繼動部與該解鎖部同時旋轉。
如請求項1所述的智慧門鎖機構，更包括一破冰繼動器，樞設於該第二軸桿且與該扣板連動，當該鎖板繼動部推動鎖板而未解鎖該扣板，該馬達驅動該雙向推桿沿該解鎖方向持續旋轉帶動該解鎖連桿組以推動該多功能繼動器之該破冰繼動部，該破冰繼動部帶動該破冰繼動器以使該扣板解鎖。
如請求項1所述的智慧門鎖機構，其中該驅動組件更包括一上鎖連桿組，該上鎖連桿組包括一上鎖繼動器、一勾爪以及一導軌臂，該扣板包括一受動勾，該馬達驅動該雙向推桿沿一上鎖方向旋轉帶動該上鎖繼動器，該導軌臂導引該勾爪移動而帶動該受動勾以使該扣板上鎖。
如請求項3所述的智慧門鎖機構，其中該勾爪包括一導柱，該導軌臂包括一導軌，該導柱設置於該導軌。
如請求項3所述的智慧門鎖機構，其中該多功能繼動器轉動時同時將該導軌臂推離該扣板。
如請求項5所述的智慧門鎖機構，其中當該多功能繼動器轉動時能夠將該導軌臂推離該扣板而使該勾爪的移動路徑脫離該扣板。
如請求項5所述的智慧門鎖機構，其中當該雙向推桿推動該上鎖繼動器而使該扣板向該全鎖位置轉動時，該多功能繼動器能夠同時轉動而帶動該勾爪脫離該扣板。
如請求項7所述的智慧門鎖機構，其中該多功能繼動器連接有一拉索，該拉索能夠拉動該多功能繼動器轉動而將該鎖板推離該扣板。
如請求項1所述的智慧門鎖機構，其中該鎖板繼動部及該破冰繼動部為該多功能繼動器延伸出的支臂。
如請求項3所述的智慧門鎖機構，更包含一控制電路板以及一破冰繼動器，該破冰繼動器樞設在該第二軸桿並勾接該扣板而與該扣板連動旋轉，該破冰繼動器上設置有一第一磁性元件，且該控制電路板上對應該扣板的該開鎖位置、該全鎖位置及該半鎖位置設有複數扣板感測器，<br/>其中當該扣板位於該開鎖位置、該全鎖位置及該半鎖位置時，該控制電路板能夠藉由對應的各該扣板感測器分別偵測到該第一磁性元件。
如請求項10所述的智慧門鎖機構，其中當該控制電路板測得該扣板自該開鎖位置旋轉至該半鎖位置，該控制電路板驅動該雙向推桿推動該上鎖繼動器，進而將該扣板轉動至該全鎖位置。
如請求項10所述的智慧門鎖機構，其中該多功能繼動器推動該破冰繼動器進而帶動該扣板。
如請求項10所述的智慧門鎖機構，其中當該雙向推桿帶動該多功能繼動器轉動後，且該控制電路板未測得該扣板位於該開鎖位置，則該雙向推桿繼續轉動而使該多功能繼動器繼續轉動至帶動該扣板將該扣板推移至該開鎖位置。
如請求項10所述的智慧門鎖機構，其中該鎖板上設置有一第二磁性元件，且該控制電路板上對應設有一鎖板感測器，當該鎖板轉動而釋放該扣板時，該控制電路板能夠藉由對應的該鎖板感測器偵測到該第二磁性元件。
如請求項14所述的智慧門鎖機構，其中當該雙向推桿帶動該多功能繼動器轉動至該控制電路板測得該鎖板釋放該扣板，且該控制電路板未測得該扣板位於該開鎖位置，則該雙向推桿繼續轉動而使該多功能繼動器繼續轉動至帶動該扣板將該扣板推移至該開鎖位置。
如請求項1所述的智慧門鎖機構，其中該多功能繼動器連接有一拉索，該拉索能夠拉動該多功能繼動器轉動而將該鎖板推離該扣板。
一種反射型空白光罩，用於製作以極紫外線為光源的圖案轉印用的反射型光罩，所述反射型空白光罩具有： <br/>基板； <br/>反射層，形成於所述基板上且包含多層膜；以及 <br/>吸收層，形成於所述反射層上， <br/>所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為合計50原子%以上的鎳（Ni）及氧（O），且所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）為在0.5至3.0之間。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含鉭（Ta）、銥（Ir）、鎢（W）、鈀（Pd）、鉻（Cr）、釕（Ru）、鉬（Mo）、或矽（Si）。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述吸收層為單層，且所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含銥（Ir）、鎢（W）、鈀（Pd）、鉻（Cr）、釕（Ru）、鉬（Mo）、或矽（Si）。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含鉭（Ta）或銥（Ir）。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）為1.0以上。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為50原子%以上的所述鎳（Ni）。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述吸收層的膜密度為4.0 g/cm<sup>3</sup>以上， <br/>所述吸收層的膜厚為17 nm以上且45 nm以下的範圍內。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，所述吸收層的膜厚為19 nm以上且40 nm以下的範圍內。
如請求項1所述的反射型空白光罩，其中，在所述吸收層上更具有蝕刻罩幕層。
如請求項9所述的反射型空白光罩，其中，所述蝕刻罩幕層的膜厚為30 nm以下。
一種反射型光罩，是以極紫外線為光源的圖案轉印用的反射型光罩，具有： <br/>基板； <br/>反射層，形成於所述基板上且包含多層膜；以及 <br/>經圖案化的吸收層，形成於所述反射層上， <br/>所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為合計50原子%以上的鎳（Ni）及氧（O），且所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）在0.5至3.0之間。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含鉭（Ta）、銥（Ir）、鎢（W）、鈀（Pd）、鉻（Cr）、釕（Ru）、鉬（Mo）、或矽（Si）。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述吸收層為單層，且所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含銥（Ir）、鎢（W）、鈀（Pd）、鉻（Cr）、釕（Ru）、鉬（Mo）、或矽（Si）。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含鉭（Ta）或銥（Ir）。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）為1.0以上。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為50原子%以上的所述鎳（Ni）。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述吸收層的膜密度為4.0 g/cm<sup>3</sup>以上， <br/>所述吸收層的膜厚為17 nm以上且45 nm以下的範圍內。
如請求項11所述的反射型光罩，其中，所述吸收層的膜厚為19 nm以上且40 nm以下的範圍內。
一種反射型光罩之製造方法，是製造以極紫外線為光源的圖案轉印用的反射型光罩的方法，具有： <br/>在基板上形成包含多層膜的反射層的步驟； <br/>在所述反射層上形成吸收層的步驟；以及 <br/>將所述吸收層圖案化的步驟， <br/>所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為合計50原子%以上的鎳（Ni）及氧（O），且所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）在0.5至3.0之間。
一種反射型光罩之製造方法，是製造使用了如請求項1至10中任一項所述的反射型空白光罩的反射型光罩的方法，具有： <br/>將所述吸收層圖案化的步驟， <br/>所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為合計50原子%以上的鎳（Ni）及氧（O），且所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）在0.5至3.0之間。
如請求項20所述的反射型光罩之製造方法，其中，所述吸收層為單層，且所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含銥（Ir）、鎢（W）、鈀（Pd）、鉻（Cr）、釕（Ru）、鉬（Mo）、或矽（Si）。
一種反射型光罩之製造方法，是製造如請求項11至18中任一項所述的反射型光罩的方法，具有： <br/>在所述基板上形成包含多層膜的所述反射層的步驟； <br/>在所述反射層上形成所述吸收層的步驟；以及 <br/>將所述吸收層圖案化的步驟， <br/>所述吸收層包含相對於所述吸收層的總原子數為合計50原子%以上的鎳（Ni）及氧（O），且所述氧（O）相對於所述鎳（Ni）的原子數比（O/Ni）在0.5至3.0之間。
如請求項22所述的反射型光罩之製造方法，其中，所述吸收層為單層，且所述吸收層在相對於所述吸收層的總原子數為5原子%以上且50原子%以下的範圍內包含銥（Ir）、鎢（W）、鈀（Pd）、鉻（Cr）、釕（Ru）、鉬（Mo）、或矽（Si）。
一種控制電路，包括：<br/> 延遲部，輸入第一訊號，該延遲部包括串聯的複數個延遲單元，該複數個延遲單元中的每一個延遲輸入該第一訊號，該第一訊號為一開始訊號或一基準時脈訊號；<br/> 檢測部，輸入結束訊號，其中當該第一訊號為一開始訊號時，該結束訊號為該開始訊號的延遲訊號，在該開始訊號輸入該延遲部後，該結束訊號輸入該檢測部時，該檢測部檢測出至該結束訊號輸入時，該開始訊號在該複數個延遲單元中通過的延遲單元的數量，以及<br/> 控制部，當該第一訊號為一基準時脈訊號時，控制該延遲部中該基準時脈訊號的傳輸路徑，使該基準時脈訊號從該延遲部輸出時，該基準時脈訊號通過的延遲單元的數量與該檢測部檢測到的延遲單元的數量相等。
如請求項1所述之控制電路，其中，該控制部控制該基準時脈訊號通過該延遲部形成旁通路徑來傳輸，以使該基準時脈訊號在該延遲部輸出時，該第一訊號通過延遲單元的數量與該檢測部檢測到延遲單元的數量相等。
如請求項2所述之控制電路，其中在該延遲部中，該基準時脈訊號從該延遲部輸出時通過延遲單元的數量不同於旁通路徑的數量；<br/> 該控制部在該複數個旁通路徑中，選擇該基準時脈訊號從該延遲部輸出時，該基準時脈訊號通過延遲單元的數量等於該檢測部檢測到與延遲單元數量相等的旁通路徑的數量，並控制通過所選擇的旁通路徑來傳輸該基準時脈訊號。
如請求項2所述之控制電路，其中該旁通路徑包括至少一個延遲單元。
如請求項1所述之控制電路，其中該檢測部包括鎖存部，亦即與該複數個延遲單元的每一個對應的鎖存部，當該結束訊號輸入時，將對應的延遲單元輸出的訊號鎖存；<br/> 當該結束訊號輸入時，該檢測部檢測該複數個延遲單元中，由對應的鎖存部鎖存與該開始訊號相同值的訊號的延遲單元的數量，作為該結束訊號輸入時，該開始訊號通過延遲單元的數量。
如請求項5所述之控制電路，其中該複數個延遲單元中至少一個延遲單元包括：第一延遲元件，使該開始訊號或該基準時脈訊號延遲；第二延遲元件，連接到該第一延遲元件的輸出；以及第三延遲元件，連接該第一延遲元件和對應的鎖存部之間。
如請求項5所述之控制電路，其中該鎖存部包括正反器電路。
如請求項7所述之控制電路，其中該正反器電路包括D型正反器電路。
如請求項1所述之控制電路，其中該延遲部形成俯視U字形。
如請求項1所述之控制電路，其中該複數個延遲單元中的每一個包括使該開始訊號或該基準時脈訊號延遲的複數個延遲元件。
如請求項10所述之控制電路，其中該複數個延遲單元中的每一個包括偶數個NAND電路作為該複數個延遲元件。
一種半導體記憶裝置，包括如請求項1至11任一項記載之控制電路。
一種半導體記憶裝置的控制方法，該控制方法包括：<br/> 將第一訊號輸入延遲部，該延遲部包括串聯的複數個延遲單元，該複數個延遲單元中的每一個延遲輸入的該第一訊號，該第一訊號為一開始訊號或一基準時脈訊號，當該第一訊號為一開始訊號時，在該開始訊號輸入該延遲部後，該開始訊號的延遲訊號亦即結束訊號輸入一控制電路時，檢測出該複數個延遲單元中，在該結束訊號輸入時，該開始訊號通過的延遲單元的數量的步驟；以及<br/> 當該第一訊號為該基準時脈訊號時，控制該延遲部中該基準時脈訊號的傳輸路徑，使該基準時脈訊號從該延遲部輸出時，該基準時脈訊號通過延遲單元的數量與檢測到的延遲單元的數量相等的步驟。
一種電芯監控模組，包括： <br/>一電芯，具有一正極極頭、一負極極頭及一絕緣上蓋，該正極極頭與該負極極頭設置在該絕緣上蓋； <br/>一電路板，設置在該絕緣上蓋上，該電路板具有一正極電源焊盤、一正極電壓焊盤、一負極電源焊盤及一負極電壓焊盤； <br/>一正極導體，設置在該電芯上，該正極導體包括一正極連接部、一正極電源接腳及一正極電壓接腳，該正極連接部電性連接該正極極頭，該正極電源接腳電性連接該正極連接部及該正極電源焊盤，該正極電壓接腳電性連接該正極連接部及該正極電壓焊盤；及 <br/>一負極導體，設置在該電芯上，該負極導體包括一負極連接部、一負極電源接腳及一負極電壓接腳，該負極連接部電性連接該負極極頭，該負極電源接腳電性連接該負極連接部及該負極電源焊盤，該負極電壓接腳電性連接該負極連接部及該負極電壓焊盤。
如請求項1所述之電芯監控模組，其中該正極導體具有一正極緩衝部，該正極緩衝部設置在該正極電源接腳與該正極電壓接腳的至少其中之一者。
如請求項2所述之電芯監控模組，其中該正極緩衝部係呈弧形、V字型或U字型。
如請求項1所述之電芯監控模組，其中該負極導體具有一負極緩衝部，該負極緩衝部設置在該負極電源接腳與該負極電壓接腳的至少其中之一者。
如請求項4所述之電芯監控模組，其中該負極緩衝部係呈弧形、V字型或U字型。
如請求項1所述之電芯監控模組，其中該正極連接部與該負極連接部皆為長條形、矩形、弧形、半圓環形或圓環形。
如請求項1所述之電芯監控模組，其中該正極電源接腳、該正極電壓接腳、該負極電源接腳及該負極電壓接腳皆為長條狀、平板狀或線狀。
如請求項1所述之電芯監控模組，其還包括一外蓋，該外蓋設置在該絕緣上蓋上並遮蔽該電路板的至少一部份、該正極導體的至少一部份及該負極導體的至少一部份。
如請求項1所述之電芯監控模組，其中該電芯具有一排氣閥，該電路板具有對應該排氣閥位置的一穿槽。
如請求項1所述之電芯監控模組，其中該電芯具有一排氣閥，該排氣閥位於該電路板與該正極導體之間或位於該電路板與該負極導體之間。
一種主機殼，其改良在於，包括： <br/>殼體，所述殼體具有底壁、端壁與兩個側壁，所述端壁與兩個所述側壁垂直連接於所述底壁，兩個所述側壁垂直連接於所述端壁之相對兩側，所述底壁、所述端壁與兩個所述側壁圍成安裝空間，所述端壁於所述安裝空間內設有連接器； <br/>載具，所述載具位於所述安裝空間內並包括主體及把手，所述主體包括底板及設於所述底板相對兩側之立板，所述把手包括橫條及設於所述橫條相對兩側之連接板，兩個所述連接板分別可旋轉地連接於同側之所述立板，使所述把手能相對所述主體於使用位置與收納位置之間轉動； <br/>當所述把手於所述收納位置時，所述橫條貼於所述端壁；當所述把手於所述使用位置時，所述橫條脫離所述端壁並位於所述主體上方以供握持。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述底板平行於所述底壁，兩個所述立板垂直連接於所述底板，兩個所述連接板垂直於所述橫條，兩個所述立板、兩個所述連接板與兩個所述側壁相平行，所述橫條平行於所述端壁，所述把手能於所述使用位置與所述收納位置之間之轉動角度為直角。
如請求項1所述之主機殼，其中：每個所述立板設有軸孔，每個所述連接板設有轉軸，每個所述轉軸插入同側之所述軸孔中，使得所述連接板可以繞所述轉軸相對所述立板旋轉。
如請求項3所述之主機殼，其中：每個所述立板設有弧槽，所述弧槽以所述軸孔為圓心，每個所述連接板設有滑銷，每個所述滑銷插入同側之所述弧槽中，並可以沿著所述弧槽滑動，以引導所述連接板可以繞所述轉軸相對所述立板旋轉。
如請求項1所述之主機殼，其中：每個所述立板設有第一定位孔，每個所述連接板具有一個定位件，當所述把手於所述使用位置時，所述定位件對準同側之所述第一定位孔，所述定位件可以插入同側之所述第一定位孔，以將所述把手定位於所述使用位置。
如請求項5所述之主機殼，其中：每個所述立板還設有第二定位孔，當所述把手於所述收納位置時，所述定位件對準同側之所述第二定位孔，所述定位件可以插入同側之所述第二定位孔，以將所述把手定位於所述收納位置。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述橫條設有多個插口，多個所述插口沿所述橫條之長度方向間隔排列設置，每個所述插口貫穿所述橫條朝向所述端壁之一側，所述端壁設有多個間隔設置之凸台，當所述把手於所述收納位置時，每個所述凸台插入對應之一個所述插口中，以定位所述把手於所述端壁。
如請求項7所述之主機殼，其中：所述插口之寬度由內向外逐漸增大，以引導所述凸台進入所述插口，所述凸台之徑向尺寸由內向外逐漸增大，使得所述凸台與所述端壁之間形成限位槽，所述限位槽用於容納所述插口之邊緣，以對所述橫條限位。
如請求項1所述之主機殼，其中：所述端壁之內側設有多個相平行之加強條，每個所述加強條之兩端分別連接同側之所述側壁，當所述把手於所述收納位置時，所述橫條形成一個所述加強條。
一種伺服器，其改良在於：所述伺服器包括連接器、匯流排、線纜及如請求項1至9中任一項所述之主機殼，所述連接器設於所述端壁，所述匯流排設於所述載具之所述底板，所述線纜之兩端分別插接於所述匯流排與所述連接器，以電連接所述匯流排與所述連接器。
一種發光元件，其包括： <br/> 第一電極； <br/> 在該第一電極上的第一電洞傳輸層； <br/> 在該第一電洞傳輸層上的第二電洞傳輸層； <br/> 在該第二電洞傳輸層上的電致發光層；及 <br/> 第二電極， <br/> 其中該第二電洞傳輸層包括具有二個苯並[b]萘並[1,2-d]呋喃骨架的芳香胺化合物，及 <br/> 其中該電致發光層包括發射藍色螢光的螢光材料。
一種發光元件，其包括： <br/> 第一電極； <br/> 在該第一電極上的第一電洞傳輸層； <br/> 在該第一電洞傳輸層上的第二電洞傳輸層； <br/> 在該第二電洞傳輸層上的第三電洞傳輸層； <br/> 在該第三電洞傳輸層上的電致發光層；及 <br/> 第二電極， <br/> 其中該第一電洞傳輸層包括第一材料， <br/> 其中該第二電洞傳輸層包括具有二個苯並[b]萘並[1,2-d]呋喃骨架的芳香胺化合物， <br/> 其中該第三電洞傳輸層包括第二材料， <br/> 其中該芳香胺化合物的HOMO能階低於該第一材料的HOMO能階，及 <br/> 其中該第二材料的HOMO能階低於該芳香胺化合物的HOMO能階。
根據請求項1或2之發光元件， <br/> 其中該芳香胺化合物係由通式(G0)表示： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="295px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中Ar<sup>1</sup>、Ar<sup>2</sup>和Ar<sup>3</sup>分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數6至25的二價芳烴基， <br/> 其中Ar<sup>4</sup>表示取代或未取代的碳原子數6至25的芳烴基， <br/> 其中n、m和l分別獨立地表示0或1的整數， <br/> 其中A<sup>1</sup>表示通式(g0)或通式(g1)， <br/> 其中A<sup>2</sup>表示通式(g0)或通式(g1)， <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="295px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中Ar<sup>5</sup>和Ar<sup>6</sup>分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數6至13的二價芳烴基，及 <br/> 其中R<sup>1</sup>至R<sup>18</sup>分別獨立地表示氫、碳原子數1至6的烴基、碳原子數3至6的環烴基、碳原子數1至6的烷氧基、氰基、鹵素、碳原子數1至6的鹵代烷基、及取代或未取代的碳原子數6至25的芳烴基中的任一者。
根據請求項3之發光元件， <br/> 其中R<sup>1</sup>至R<sup>18</sup>分別獨立地表示氫或取代或未取代的碳原子數6至13的芳烴基。
根據請求項3之發光元件， <br/> 其中R<sup>6</sup>和R<sup>15</sup>分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數6至13的芳烴基。
根據請求項3之發光元件， <br/> 其中Ar<sup>1</sup>、Ar<sup>2</sup>、和Ar<sup>3</sup>表示伸苯基，及 <br/> 其中Ar<sup>5</sup>和Ar<sup>6</sup>表示對-伸苯基。
根據請求項3之發光元件， <br/> 其中A<sup>1</sup>和A<sup>2</sup>分別獨立地表示通式(g0)。
根據請求項7之發光元件， <br/> 其中R<sup>1</sup>至R<sup>9</sup>分別獨立地表示氫或取代或未取代的碳原子數6至13的芳烴基。
根據請求項7之發光元件， <br/> 其中R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup>和R<sup>7</sup>至R<sup>9</sup>分別獨立地表示氫，及 <br/> 其中R<sup>6</sup>表示苯基。
根據請求項9之發光元件， <br/> 其中該芳香胺化合物係如結構式(102)或(103)表示， <br/><img align="absmiddle" height="598px" width="996px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項7之發光元件， <br/> 其中R<sup>1</sup>至R<sup>9</sup>分別獨立地表示氫。
根據請求項11之發光元件， <br/> 其中該芳香胺化合物係如結構式(117)表示， <br/><img align="absmiddle" height="650px" width="531px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項3之發光元件， <br/> 其中A<sup>1</sup>和A<sup>2</sup>分別獨立地表示通式(g1)。
根據請求項13之發光元件， <br/> 其中R<sup>10</sup>至R<sup>18</sup>分別獨立地表示氫或取代或未取代的碳原子數6至13的芳烴基。
根據請求項13之發光元件， <br/> 其中R<sup>10</sup>至R<sup>14</sup>和R<sup>16</sup>至R<sup>18</sup>分別獨立地表示氫，及 <br/> 其中R<sup>15</sup>表示氫或苯基。
根據請求項15之發光元件， <br/> 其中該芳香胺化合物係如結構式(106)表示， <br/><img align="absmiddle" height="605px" width="496px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
根據請求項1之發光元件， <br/> 其中該螢光材料包括蒽骨架或芘骨架。
一種螢幕重心檢測裝置，其包括：<br/> 一檢測箱，其具有一頂面部，該頂面部上具有一定位槽，該定位槽之底面分佈設有複數個壓力感應器，該複數個壓力感應器連接一顯示器，供傳輸並顯示至少一檢測數值；<br/> 一校正板，其供容納並定位於該定位槽內，該校正板之板面上具有一中心定位點，該中心定位點之周圍分佈設有複數個校正定位點，供分別放置一砝碼；以及<br/> 一檢測架，其具有一定位板，供替換該校正板以容納並定位於該定位槽內，該定位板之頂面上具有一直立件，該直立件之頂端具有一連接件，該連接件供鎖接並替換一校正螢幕及一待測螢幕。
如請求項1之螢幕重心檢測裝置，其中該頂面部為四方形，該頂面部之周緣具有四個側板及四個第一邊角，該四個側板圍繞形成該定位槽；該校正板及該定位板分別與該定位槽具有相同之外形，供分別容納並定位於該定位槽內。
如請求項2之螢幕重心檢測裝置，其中該定位槽之底面分佈設有四個壓力感應器，該四個壓力感應器分別位於該四個第一邊角之內側。
如請求項1之螢幕重心檢測裝置，其中該校正板之該中心定位點之周圍分佈設有四個校正定位點，該四個校正定位點分別位於一虛擬四邊形之四個第二邊角上，該四個校正定位點分別與該中心定位點具有相等之距離。
如請求項4之螢幕重心檢測裝置，其中該中心定位點及該四個校正定位點之任一校正定位點分別為圓圈形狀。
如請求項5之螢幕重心檢測裝置，其中該校正螢幕之前端具有一平面部，該平面部之中間點位於該中心定位點之圓心位置的正上方。
一種如請求項1至6其中任一項之螢幕重心檢測裝置之檢測方法，其包括下列步驟：<br/> A.將該砝碼依次放置於該校正板之該複數個校正定位點上，以進行裝置準確度之第一次校正；<br/> B.第一次校正完成之後，將該校正板取下並替換為該定位板，該連接件連接該校正螢幕，同時在該顯示器上顯示一支架模式，以進行裝置準確度之第二次校正；<br/> C.第二次校正完成之後，拆下該校正螢幕並連接該待測螢幕，讓該待測螢幕水平設置，之後再點擊該顯示器上之一水平測量鍵，以顯示並記錄該待測螢幕之一第一重心點之數值；以及<br/> D.將該待測螢幕旋轉90度之後，點擊該顯示器上之一垂直測量鍵，以顯示並記錄該待測螢幕之一第二重心點之數值，同時依據該第一重心點及該第二重心點之數值以計算出該待測螢幕的重心，並顯示於該顯示器上。
如請求項7之螢幕重心檢測裝置之檢測方法，其中該砝碼為圓柱狀，該校正板之該中心定位點為圓圈形狀；在步驟A之前更包括一荷重元檢測步驟，係選擇該顯示器上之一校正模式，點擊歸零鍵之後，再將該砝碼放置於該中心定位點之圓圈內，藉以顯示該砝碼之重量誤差值，進而判斷該複數個壓力感應器是否正常。
如請求項7之螢幕重心檢測裝置之檢測方法，其中該砝碼為圓柱狀，該校正板之該中心定位點及該四個校正定位點之任一校正定位點分別為圓圈形狀；步驟A包括一中心原點檢測步驟，係選擇該顯示器上之一校正模式，點擊歸零鍵之後，再將該砝碼放置於該中心定位點之圓圈內以進行檢測，之後再將該顯示器上所顯示之一即時值填入一中心偏移值之欄位中，藉以對應抵消該即時值，並在重新浮動顯示該砝碼中心點之另一即時值之後，判斷該檢測箱是否正常。
如請求項9之螢幕重心檢測裝置之檢測方法，其中，步驟A更包括一個四象限檢測步驟，係在該中心原點檢測步驟之後，將該砝碼依次放置於該校正板的該四個校正定位點之圓圈内，經由分別浮動顯示該即時值以判斷是否異常，並在出現異常數值時，回到該中心原點檢測步驟以重置該砝碼中心點之偏移值。
如請求項10之螢幕重心檢測裝置之檢測方法，其中該校正板、該直立件、該連接件及該校正螢幕在該顯示器上顯示之一即時數值之後，若是出現異常數值時，再回到該中心原點檢測步驟及該四象限檢測步驟以重新校正。
如請求項7之螢幕重心檢測裝置之檢測方法，其中該砝碼為圓柱狀，該校正板之該中心定位點為圓圈形狀，該校正螢幕之前端具有一平面部，該平面部之中間點位於該中心定位點之圓心位置的正上方；在步驟B中，係先定位該校正板、該直立件及該連接件，點擊歸零鍵之後，再裝上該校正螢幕以進行裝置準確度之第二次校正。
一種碟式煞車，其具備有：卡鉗本體，其被配置為跨越碟式轉子；一對摩擦襯墊，其被配置於上述碟式轉子之兩側部；及襯墊彈簧，其朝碟盤半徑方向內側對該摩擦襯墊附加勢能；上述卡鉗本體係於跨越上述碟式轉子之外周的橋接部設置有拔插上述摩擦襯墊的頂部開口部，上述摩擦襯墊係於碟盤圓周方中央部突設有懸吊片，且藉由沿碟盤軸向懸架在上述頂部開口部的掛鉤銷插通於該懸吊片而朝碟盤軸向可移動地被懸吊支撐；其特徵在於： <br/>上述襯墊彈簧具備有： <br/>彎曲片，其抵接至上述掛鉤銷之碟盤半徑方向內側； <br/>旋入側襯墊彈性部，其自該彎曲片朝車輛前進時之碟盤旋入側延伸，且朝碟盤半徑方向內側按壓上述摩擦襯墊；及 <br/>卡止片，其被設於上述旋入側襯墊彈性部之前端，且被卡止在上述頂部開口部之車輛前進時之碟盤旋入側面之碟盤半徑方向內側。
如請求項1之碟式煞車，其中，於上述旋入側襯墊彈性部之中間部具備有旋入側抵接片，該旋入側抵接片具有可抵接至雙方之上述摩擦襯墊之碟盤半徑方向外側面的長度。
如請求項1之碟式煞車，其中，上述襯墊彈簧具備有旋出側襯墊彈性部，該旋出側襯墊彈性部係自上述彎曲片朝車輛前進時之碟盤旋出側延伸，且朝碟盤半徑方向內側按壓上述摩擦襯墊， <br/>上述摩擦襯墊，至少於車輛前進時之碟盤半徑方向外側面之碟盤旋出側，具備有朝碟盤半徑方向外側突出的突部， <br/>上述旋出側襯墊彈性部係被形成為朝摩擦襯墊側形成凸形的彎曲狀，且於前端具備有抵接至上述突部之碟盤旋入側面的旋出側抵接片， <br/>該旋出側抵接片，具有可抵接至雙方之上述摩擦襯墊之上述突部之碟盤旋入側面的長度，並且，於前端具有朝碟盤半徑方向外側突出的突出片。
如請求項2之碟式煞車，其中，上述襯墊彈簧具備有旋出側襯墊彈性部，該旋出側襯墊彈性部係自上述彎曲片朝車輛前進時之碟盤旋出側延伸，且朝碟盤半徑方向內側按壓上述摩擦襯墊， <br/>上述摩擦襯墊，至少於車輛前進時之碟盤半徑方向外側面之碟盤旋出側，具備有朝碟盤半徑方向外側突出的突部， <br/>上述旋出側襯墊彈性部係被形成為朝摩擦襯墊側形成凸形的彎曲狀，且於前端具備有抵接至上述突部之碟盤旋入側面的旋出側抵接片， <br/>該旋出側抵接片，具有可抵接至雙方之上述摩擦襯墊之上述突部之碟盤旋入側面的長度，並且，於前端具有朝碟盤半徑方向外側突出的突出片。
如請求項1之碟式煞車，其中，上述旋入側襯墊彈性部，於中間部具備有抵接至上述摩擦襯墊之碟盤半徑方向外側面的旋入側抵接片，並具備有：旋入側第一傾斜片及旋入側第二傾斜片；該旋入側第一傾斜片係自上述彎曲片朝向上述旋入側抵接片逐漸地朝碟盤半徑方向內側傾斜；該旋入側第二傾斜片係自上述旋入側抵接片朝向上述卡止片以較上述旋入側第一傾斜片略微平緩的傾斜角度逐漸地朝碟盤半徑方向內側傾斜；上述旋入側抵接片具有可抵接至雙方之上述摩擦襯墊之碟盤半徑方向外側面的長度，並且朝向寬度方向中央部逐漸地被形成為朝碟盤半徑方向內側傾斜，上述卡止片被形成為朝碟盤半徑方向外側傾斜。
如請求項1之碟式煞車，其中，上述卡鉗本體係於上述頂部開口部之車輛前進時之碟盤旋入側面之碟盤半徑方向內側，具備有卡止上述襯墊彈簧的卡止槽，上述卡止片係被形成為朝碟盤半徑方向外側傾斜。
如請求項1至6中任一項之碟式煞車，其中，上述彎曲片係將碟盤旋出側之端部配置為較碟盤旋入側之端部位於碟盤半徑方向外側。
如請求項1至6中任一項之碟式煞車，其中，上述彎曲片，於碟盤旋出側之端部具備有朝碟盤旋出側延伸的平面部。
如請求項3或4之碟式煞車，其中，於上述旋入側襯墊彈性部及上述旋出側襯墊彈性部之任一者設置有顯示安裝方向的指標。
一種光學組合器，包含： 一透光基板；以及<br/> 一色料元件，連接至該透光基板，並配置以吸收在至少一特定波長範圍內的光，<br/> 其中該色料元件包含一梯度色料實質上在平行於該透光基板的一表面的一方向上由一第一色料逐漸轉變為一第二色料。
如請求項1所述之光學組合器，其中該色料元件包含一過渡金屬元素或一稀土金屬元素摻雜於該透光基板內。
如請求項1所述之光學組合器，其中該色料元件包含膠體粒子混入該透光基板內。
如請求項1所述之光學組合器，其中該色料元件包含色料分子混入該透光基板內，且該些色料分子包含氧化錫。
如請求項1所述之光學組合器，其中該色料元件包含一反射膜鍍在該透光基板的該表面上。
一種光學裝置，包含：<br/> 一影像投影機，配置以發射影像光；以及<br/> 一光學組合器，設置於該影像光的一光路上，其中該光學組合器包含一色料元件配置以吸收在至少一特定波長範圍內的光，<br/> 其中該光學組合器進一步包含一透光基板，該色料元件包含一梯度色料實質上在平行於該透光基板的一表面的一方向上由一第一色料逐漸轉變為一第二色料。
如請求項6所述之光學裝置，其中該色料元件包含一過渡金屬元素或一稀土金屬元素摻雜於該透光基板內。
如請求項6所述之光學裝置，其中該色料元件包含膠體粒子混入該透光基板內。
如請求項6所述之光學裝置，其中該色料元件包含色料分子混入該透光基板內，且該些色料分子包含氧化錫。
如請求項6所述之光學裝置，其中該色料元件包含一反射膜鍍在該透光基板上。
如請求項10所述之光學裝置，其中該反射膜鍍在該表面上，且該影像光入射到該反射膜上。
如請求項6所述之光學裝置，其中該方向實質上遠離該影像投影機，該第一色料偏紅色，且該第二色料偏藍色。
一種光學裝置，包含：<br/> 一影像投影機，配置以發射影像光；以及<br/> 一光學組合器，設置於該影像光的一光路上，其中該光學組合器包含一色料元件配置以吸收在至少一特定波長範圍內的光，<br/> 其中該光學組合器進一步包含一透光基板，該色料元件包含一反射膜鍍在該透光基板上，該透光基板具有彼此相對的一第一表面以及一第二表面，該影像光朝向該第一表面發射，且該反射膜鍍在該第二表面上。
一種半導體記憶裝置，其包含： <br/>第1配線； <br/>第2配線； <br/>第1記憶串，其包含： <br/>第1選擇電晶體，其具有耦合至上述第1配線之一端； <br/>第1記憶胞電晶體，其具有耦合至上述第1選擇電晶體之另一端之一端； <br/>第2記憶胞電晶體，其具有耦合至上述第1記憶胞電晶體之另一端之一端； <br/>第2選擇電晶體，其具有耦合至上述第2記憶胞電晶體之另一端之一端； <br/>第3選擇電晶體，其具有：耦合至上述第2選擇電晶體之另一端之一端、及耦合至上述第2配線之另一端； <br/>第2記憶串，其包含： <br/>第4選擇電晶體，其具有耦合至上述第1配線之一端； <br/>第3記憶胞電晶體，其具有耦合至上述第4選擇電晶體之另一端之一端； <br/>第4記憶胞電晶體，其具有耦合至上述第3記憶胞電晶體之另一端之一端； <br/>第5選擇電晶體，其具有耦合至上述第4記憶胞電晶體之另一端之一端；及 <br/>第6選擇電晶體，其具有：耦合至上述第5選擇電晶體之另一端之一端、及耦合至上述第2配線之另一端； <br/>第1選擇閘極線，其耦合至上述第1選擇電晶體之閘極； <br/>第2選擇閘極線，其耦合至上述第2選擇電晶體之閘極； <br/>第3選擇閘極線，其耦合至上述第4選擇電晶體之閘極； <br/>第4選擇閘極線，其耦合至上述第5選擇電晶體之閘極； <br/>第5選擇閘極線，其耦合至上述第3選擇電晶體之閘極、及上述第6選擇電晶體之閘極； <br/>第1字元線，其耦合至上述第1記憶胞電晶體之閘極、及上述第3記憶胞電晶體之閘極； <br/>第2字元線，其耦合至上述第2記憶胞電晶體之閘極、及上述第4記憶胞電晶體之閘極；及 <br/>電壓產生電路；其中 <br/>於自上述第1記憶胞電晶體讀出資料之讀出動作之第1期間中，上述電壓產生電路： <br/>施加大於接地電壓之第1電壓至上述第1選擇閘極線； <br/>施加小於上述第1電壓但大於上述接地電壓之第2電壓至上述第3選擇閘極線； <br/>施加第3電壓至上述第1字元線； <br/>施加大於上述第3電壓之第4電壓至上述第2字元線； <br/>施加第5電壓至上述第4選擇閘極線，上述第5電壓係使上述第5選擇電晶體斷開之電壓；及 <br/>施加大於上述接地電壓之第6電壓至上述第5選擇閘極線。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1配線係位元線，且 <br/>上述第2配線係源極線。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含： <br/>基板，其具有表面，上述表面延伸於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向上；其中 <br/>上述第1字元線及第2字元線延伸於上述第1方向及上述第2方向上， <br/>上述第1字元線及第2字元線係積層於與上述第1方向及上述第2方向交叉之第3方向上， <br/>上述第1選擇閘極線及上述第2選擇閘極線延伸於上述第1方向及上述第2方向上， <br/>上述第1選擇閘極線及上述第2選擇閘極線係位於沿著上述第3方向之相同層級(level)，且 <br/>上述第1選擇閘極線及上述第2選擇閘極線係於上述第1方向上彼此對準(aligned)。
如請求項3之半導體記憶裝置，其中上述第1配線線性地延伸於上述第2方向。
如請求項4之半導體記憶裝置，其中上述基板係耦合至上述第2配線。
如請求項3之半導體記憶裝置，其中上述基板係耦合至上述第2配線。
如請求項3之半導體記憶裝置，其進而包含： <br/>第1半導體柱，其延伸於上述第3方向，且具有耦合至上述基板之一端、及耦合至上述第1配線之另一端； <br/>第1電荷儲存膜，其包圍上述第1半導體柱，而面向上述第1字元線及上述第2字元線； <br/>第2半導體柱，其延伸於上述第3方向，且具有耦合至上述基板之一端、及耦合至上述第1配線之另一端；及 <br/>第2電荷儲存膜，其包圍上述第2半導體柱，而面向上述第1字元線及上述第2字元線。
如請求項7之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1半導體柱、上述第1電荷儲存膜及上述第1字元線形成上述第1記憶胞電晶體， <br/>上述第1半導體柱、上述第1電荷儲存膜及上述第2字元線形成上述第2記憶胞電晶體， <br/>上述第2半導體柱、上述第2電荷儲存膜及上述第1字元線形成上述第3記憶胞電晶體，且 <br/>上述第2半導體柱、上述第2電荷儲存膜及上述第2字元線形成上述第4記憶胞電晶體。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述第1、第2、第3、及第4記憶胞電晶體之各者係配置為儲存2位元以上之資料。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而包含： <br/>基板，其具有表面，上述表面延伸於與第1方向及第2方向平行之平面； <br/>第1記憶體柱，其延伸於與上述基板之上述表面正交之第3方向，上述第1記憶體柱具有耦合至上述基板之下端、及耦合至上述第1配線之上端；及 <br/>第2記憶體柱，其延伸於上述第3方向，且具有耦合至上述基板之下端、及耦合至上述第1配線之上端；其中 <br/>上述第1字元線延伸為與上述基板之上述表面平行之層， <br/>上述第2字元線延伸為與上述基板之上述表面平行之層， <br/>上述第1字元線與上述第2字元線於上述第2方向上隔開，且 <br/>上述第1及第2記憶體柱於上述第3方向上貫通上述第1及第2字元線。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1配線係位元線，且 <br/>上述第2配線係源極線。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中上述第1選擇閘極線包含：在上述第3方向上於上述第1配線與上述第1字元線之間之複數個堆積層(stacked layers)。
如請求項12之半導體記憶裝置，其中上述第2選擇閘極線包含：在上述第3方向上於上述基板與上述第1字元線之間之複數個堆積層。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中上述第2選擇閘極線包含：在上述第3方向上於上述基板與上述第1字元線之間之複數個堆積層。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中上述第3選擇電晶體係：在上述第3方向上於上述基板與上述第2選擇電晶體之間。
如請求項15之半導體記憶裝置，其中上述第6選擇電晶體係：在上述第3方向上於上述基板與上述第5選擇電晶體之間。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中上述第6選擇電晶體係：在上述第3方向上於上述基板與上述第5選擇電晶體之間。
一種絕緣導熱粒子，包括：<br/> 交聯的改質氮化硼，其係包含氮化硼粒子、耦合劑及交聯劑反應後的產物，其中該氮化硼粒子至少佔該交聯的改質氮化硼的總重量的92wt%；<br/> 其中該耦合劑係選自由氧基矽烷類耦合劑、鈦酸酯類耦合劑、異氰酸酯類耦合劑和磷酸酯類耦合劑所組成之群組；而該交聯劑選自於含有兩個或兩個以上反應官能基之芳香族類或脂肪族類化合物所組成之群組，且該反應官能基包含羧基、酸酐、胺基、羥基或異氰酸基；<br/> 其中，該絕緣導熱粒子的一平均粒徑為1800至4200nm，且累計總量90%的粒子尺寸(D90)小於6000nm。
如請求項1所述之絕緣導熱粒子，其中該絕緣導熱粒子的一平均粒徑為3500至4000nm。
如請求項1所述之絕緣導熱粒子，其中該絕緣導熱粒子的累計總量10%的粒子尺寸(D10)小於1750nm，該絕緣導熱粒子的累計總量50%的粒子尺寸(D50)小於2500nm。
如請求項1所述之絕緣導熱粒子，其中該絕緣導熱粒子的比表面積為2至25 m²/g，密度為2.8g/cm<sup>3</sup>至3.5g/cm<sup>3</sup>。
一種絕緣導熱高分子，包含：<br/> 複數個如請求項1至4任一項所述之絕緣導熱粒子，其中該絕緣導熱粒子佔該絕緣導熱高分子之總重量的70至90wt%；以及<br/> 一高分子材料，其中該絕緣導熱粒子分散於該高分子材料中；<br/> 其中該絕緣導熱高分子的導熱係數大於2.25 W/m*K。
如請求項5所述之絕緣導熱高分子，其中該高分子材料係選自聚二甲基矽氧烷、熱塑性聚氨酯、丁基橡膠、乙丙橡膠、丁苯橡膠、丙烯酸橡膠、以及氟橡膠所構成之群組。
如請求項5所述之絕緣導熱高分子，其中該絕緣導熱高分子的密度在2.75至3.25g/cm<sup>3</sup>之間，該絕緣導熱高分子的熱擴散係數大於0.95mm<sup>2</sup>/s，且該絕緣導熱高分子的比熱容在0.78至1.10 J/g*K之間。
如請求項5所述之絕緣導熱高分子，其中該絕緣導熱粒子佔該絕緣導熱高分子之總重量的70至80wt%。
一種絕緣導熱粒子的製造方法，包含：<br/> 一脫層步驟，將複數個氮化硼粒子及第一溶劑加入於一反應器中，並以超音波震盪至少三小時，而獲得複數個脫層氮化硼粒子；<br/> 一改質步驟，將一耦合劑加入該反應器中與該些脫層氮化硼粒子加熱迴流，以獲得複數個改質氮化硼粒子，其中該耦合劑與該些氮化硼粒子的重量比值為0.01至0.1，其中該耦合劑係選自由氧基矽烷類耦合劑、鈦酸酯類耦合劑、異氰酸酯類耦合劑和磷酸酯類耦合劑所構成之群組；<br/> 一交聯步驟，將該些改質氮化硼粒子、第二溶劑及交聯劑混合，加熱迴流獲得交聯的改質氮化硼粒子，其中該交聯劑與該些改質氮化硼粒子的重量比值為0.03至0.08，該交聯劑選自於含有兩個或兩個以上反應官能基之芳香族類或脂肪族類化合物所組成之群組，該反應官能基包含羧基(carboxy group)、酸酐、胺基、羥基或異氰酸基；以及<br/> 一粉碎步驟，將該交聯的改質氮化硼粒子取出，乾燥後並進行粉碎，獲得一平均粒徑為1800至4200nm，且累計總量90%的粒子尺寸(D90)為5000至7000nm的複數個絕緣導熱粒子。
如請求項9所述之絕緣導熱粒子的製造方法，其中該絕緣導熱粒子的累計總量10%的粒子尺寸(D10)為1500至2000nm，該絕緣導熱粒子的累計總量50%的粒子尺寸(D50)為2000至3000奈米。
如請求項9所述之絕緣導熱粒子的製造方法，該第一溶劑與該耦合劑不會發生反應，且該第二溶劑係為甲苯或乙苯。
一種負極材料，其特徵在於，所述負極材料包括石墨及位於所述石墨至少部分表面的碳層；<br/> 採用拉曼光譜分別測試所述負極材料的顆粒表面及顆粒切面，位於1300cm<sup>-1</sup>~1350cm<sup>-1</sup>範圍內的D特徵峰的峰面積與位於1500cm<sup>-1</sup>~1580cm<sup>-1</sup>範圍內的G特徵峰的峰面積比值為I<sub>D</sub>/I<sub>G</sub>，測得所述負極材料的顆粒表面的I<sub>D</sub>/I<sub>G</sub>比值為A，所述負極材料的顆粒切面的I<sub>D</sub>/I<sub>G</sub>比值為B，1.70≤A≤3.00，0.47≤B≤0.8，1.22＜A-B≤2.10；<br/> 採用原子力顯微鏡測試所述負極材料的顆粒表面，在所述負極材料的顆粒表面隨機選取1μm<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>1μm測試區域，所述測試區域內相對於基準面的高度偏差絕對值的算術平均值為S nm，15nm≤S≤60nm，其中S=<img align="absmiddle" height="14px" width="28px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，n≥5，Z為測試區域內任一測試點相對於所述基準面的高度偏差值，其中所述基準面是通過檢測和分析針尖與樣品表面原子間的微弱作用力來確定的等位面，是所有測試點高度值的平均值對應的平面。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述石墨包括人造石墨和天然石墨中的至少一種。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述石墨的固定碳含量≥95%。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述碳層的厚度為15nm~250nm。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述碳層包括無定形碳。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述負極材料的中值粒徑為4μm~25μm。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述負極材料的比表面積≤6m<sup>2</sup>/g。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述負極材料的振實密度為0.75g/cm<sup>3</sup>~1.3g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1所述之負極材料，其中，所述負極材料的吸油值為38 mL/100g~48 mL/100g。
一種鋰離子電池，其特徵在於，所述鋰離子電池包括如請求項1至請求項9中任一項所述之負極材料。
一種網路裝置，適於連接一內部網路(LAN)以及一外部網路(WAN)，用以接收一網路封包，且具有一轉發鏈(forward chain)，該轉發鏈適於在將該網路封包傳送至該外部網路前，對該網路封包進行內容檢測，該網路裝置包含：<br/>一內網連接埠，適於電性耦接於該內部網路；<br/>一外網連接埠，適於電性耦接於該外部網路；<br/>一網路封包判斷單元，電性耦接於該內網連接埠，適於判斷該網路封包之該目的位址是否為一內部網路位址；以及<br/>一網路位址轉換(NAT)單元，電性耦接於該網路封包獲取單元，適於對該目的位址進行位址轉換；<br/>其中，當該目的位址為該內部網路位址，該網路位址轉換單元將該目的位址轉換為一廣域網路位址，並將該網路封包送往該轉發鏈進行內容檢測。
如請求項1所述之網路裝置，更包含一網路封包轉發單元，電性耦接於該網路位址轉換單元，適於將檢測後之該網路封包由該廣域網路位址轉發至該內部網路位址。
如請求項1所述之網路裝置，其中，該轉發鏈適於對該網路封包進行深度封包檢測(DPI)。
如請求項1所述之網路裝置，其中，該網路裝置係一路由器(Router)、一交換器(Switch)或是一閘道器(Gateway)。
如請求項1所述之網路裝置，其中，該轉發鏈適於檢測該網路封包之內容。
一種網路控制方法，適用於一網路裝置，該網路裝置連接一內部網路(LAN)以及一外部網路(WAN)，用以接收一網路封包，且具有一轉發鏈(forward chain)，該轉發鏈適於在將該網路封包傳送至該外部網路前，對該網路封包進行內容檢測，該網路控制方法包含：<br/>確認該網路封包之該目的位址是否為一內部網路位址；以及<br/>若是該目的位址為該內部網路位址，將該目的位址轉換為一廣域網路位址，並將該網路封包送往該轉發鏈進行內容檢測。
如請求項6所述之網路控制方法，其中，該轉發鏈適於對該網路封包進行深度封包檢測(DPI)。
如請求項6所述之網路控制方法，其中，該網路裝置係一路由器(Router)、一交換器(Switch)或是一閘道器(Gateway)。
如請求項6所述之網路控制方法，其中，該轉發鏈適於檢測該網路封包之內容。
如請求項6所述之網路控制方法，更包含：<br/>將確認不具危害之該網路封包由該廣域網路位址轉發至該目的位址。
一種導光模組，包含：<br/> 一發光元件，提供一光線；<br/> 一導光元件，具有一中空空間，該中空空間供該光線通過，其中該發光元件設置於該導光元件的一端；<br/> 一遮光元件，設置於該導光元件的另一端，且包含至少一通孔，該遮光元件用以遮蔽該光線的一部份，且該光線的另一部分通過該至少一通孔；以及<br/> 一殼體，抵頂該遮光元件，其中該光線的該另一部分投射於該殼體形成一光指示圖形；<br/> 其中，該導光元件及該遮光元件皆包含一阻光材料。
如請求項1所述之導光模組，其中該導光元件及該遮光元件一體成型。
如請求項1所述之導光模組，更包含：<br/> 一密封件，設置於該導光元件及該遮光元件之間。
如請求項1所述之導光模組，其中該遮光元件更包含：<br/> 一入光面，朝向該導光元件；<br/> 一出光面，朝向該殼體；及<br/> 至少一環形內壁，環繞該至少一通孔；<br/> 其中，該至少一通孔由該入光面朝該出光面漸縮，該至少一通孔的一中心軸與該至少一環形內壁形成一夾角，該夾角大於等於5度且小於等於10度。
如請求項1所述之導光模組，其中該至少一通孔的數量為複數，該些通孔的相鄰二者之間的一間距大於等於1毫米。
如請求項1所述之導光模組，其中該殼體包含：<br/> 一主體區，沿平行該至少一通孔的一中心軸具有一第一厚度；<br/> 一過渡區，連接該主體區，且沿平行該至少一通孔的該中心軸具有一第二厚度；及<br/> 一透光區，連接該過渡區，沿平行該至少一通孔的該中心軸具有一第三厚度，其中該遮光元件對應該透光區；<br/> 其中，該第二厚度大於該第三厚度，且該第二厚度小於該第一厚度。
如請求項1所述之導光模組，其中該導光元件及該遮光元件的任一者具有一厚度X及一透光率Y，該透光率符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="73px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7所述之導光模組，其中該導光元件及該遮光元件的任一者具有該厚度X及該透光率Y，該透光率符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="50px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之導光模組，其中該導光元件包含至少一導光內壁，該至少一導光內壁用於將該光線由該發光元件反射至該遮光元件。
一種電子裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一電路單元，設置於該基板；<br/> 一發光元件，設置於該基板，並提供一光線；<br/> 一導光元件，具有一中空空間，該中空空間供該光線通過，其中該發光元件設置於該導光元件的一端；<br/> 一遮光元件，設置於該導光元件的另一端，且包含至少一通孔，該遮光元件用以遮蔽該光線的一部份，且該光線的另一部分通過該至少一通孔；以及<br/> 一殼體，抵頂該遮光元件，其中該光線的該另一部分投射於該殼體形成一光指示圖形；<br/> 其中，該導光元件及該遮光元件皆包含一阻光材料。
如請求項10所述之電子裝置，其中該導光元件及該遮光元件一體成型。
如請求項10所述之電子裝置，更包含：<br/> 一密封件，設置於該導光元件及該遮光元件之間。
如請求項10所述之電子裝置，其中該遮光元件更包含：<br/> 一入光面，朝向該導光元件；<br/> 一出光面，朝向該殼體；及<br/> 至少一環形內壁，環繞該至少一通孔；<br/> 其中，該至少一通孔由該入光面朝該出光面漸縮，該至少一通孔的一中心軸與該至少一環形內壁形成一夾角，該夾角大於等於5度且小於等於10度。
如請求項10所述之電子裝置，其中該至少一通孔的數量為複數，該些通孔的相鄰二者之間的一間距大於等於1毫米。
如請求項10所述之電子裝置，其中該殼體容置該基板、該電路單元、該發光元件、該導光元件及該遮光元件，且包含：<br/> 一主體區，沿平行該至少一通孔的一中心軸具有一第一厚度；<br/> 一過渡區，連接該主體區，且沿平行該至少一通孔的該中心軸具有一第二厚度；及<br/> 一透光區，連接該過渡區，沿平行該至少一通孔的該中心軸具有一第三厚度，其中該遮光元件對應該透光區；<br/> 其中，該第二厚度大於該第三厚度，且該第二厚度小於該第一厚度。
如請求項10所述之電子裝置，其中該導光元件及該遮光元件的任一者具有一厚度X及一透光率Y，該透光率符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="73px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項16所述之電子裝置，其中該導光元件及該遮光元件的任一者具有該厚度X及該透光率Y，該透光率符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="50px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10所述之電子裝置，其中該導光元件包含至少一導光內壁，該至少一導光內壁用於將該光線由該基板反射至該遮光元件。
如請求項10所述之電子裝置，其中該電路單元為一處理器或一輸入輸出連接埠。
如請求項10所述之電子裝置，其中該導光元件連接該基板及該殼體以形成一封閉空間。
一種金錢薄荷細胞外囊泡溶液，其金錢薄荷細胞外囊泡濃度為1×10<sup>5</sup>顆/毫升至1×10<sup>9</sup>顆/毫升，其中所述金錢薄荷細胞外囊泡之粒徑中位數為50奈米至200奈米。
如請求項1所述之金錢薄荷細胞外囊泡溶液，其中金錢薄荷包含金錢薄荷之葉片、葉柄或其組合。
如請求項2所述之金錢薄荷細胞外囊泡溶液，其中該葉片之葉長為2公分至8公分，葉寬為0.2公分至2公分。
如請求項1所述之金錢薄荷細胞外囊泡溶液，其包含一賦形劑。
一種如請求項1至4中任一項所述之金錢薄荷細胞外囊泡溶液之製備方法，其包括： <br/>(1) 將金錢薄荷與一溶劑混合並進行均質處理，得到一均質混合物，其中金錢薄荷與該溶劑之重量比為1:1至1:10； <br/>(2) 將該均質混合物離心並過濾，得到一粗製之金錢薄荷細胞外囊泡溶液；及 <br/>(3) 純化該粗製之金錢薄荷細胞外囊泡溶液，獲得所述金錢薄荷細胞外囊泡溶液。
一種如請求項1至4中任一項所述之金錢薄荷細胞外囊泡溶液用於製備預防、治療或減緩發炎性疾病之藥物之用途。
如請求項6所述之用途，其中所述預防、治療或減緩發炎性疾病包含降低介白素-1β表現量，或降低介白素-6表現量。
如請求項6所述之用途，其中該發炎性疾病包含皮疹、敏感肌膚、濕疹、牛皮癬、紅斑性狼瘡或其組合。
一種電子裝置，其包括：<br/>一金屬殼體，包括一第一殼體部分與一第二殼體部分；以及<br/>一天線結構，設置於該第一殼體部分與該第二殼體部分之間，該天線結構包括:<br/>一散熱支架，具有相對設置的一第一表面與一第二表面，以及相對設置的一第三表面與一第四表面，該第三表面及該第四表面連接於該第一表面與該第二表面之間，且該散熱支架具有多個通孔，多個該通孔貫通該第一表面及該第二表面；<br/>一輻射件，設置於該第一表面，該輻射件包括一輻射部、一接地部及一饋入部，該接地部及該饋入部連接於該輻射部；以及<br/>一接地金屬件，設置於該第二表面、該第三表面及該第四表面，該接地部連接於該接地金屬件，該接地金屬件位於該第三表面的部位電性連接於該第一殼體部分，該接地金屬件位於該第四表面的部位電性連接於該第二殼體部分；<br/>其中，該第一殼體部分與該第二殼體部分之中的其中一個與該輻射部的上緣相距一第一距離，該第一殼體部分與該第二殼體部分之中的另一個與該輻射部的上緣相距一第二距離，該第一距離與該第二距離的比例為2.1:1。
如請求項1所述的電子裝置，其中，該輻射部包括一第一支臂與一第二支臂，該饋入部連接於該第一支臂與該第二支臂之間，該第一支臂與該第二支臂相對於該饋入部往相反方向延伸，該第一支臂的長度大於該第二支臂的長度，該接地部連接於該第一支臂。
如請求項2所述的電子裝置，其中，該饋入部電性連接於一饋入件，該天線結構通過該饋入件饋入訊號，使該饋入部及該第一支臂用於被激發而產生一第一操作頻帶，以及使該饋入部及該第二支臂用於被激發而產生一第二操作頻帶及一第三操作頻帶，且該第二操作頻帶及該第三操作頻帶皆高於該第一操作頻帶。
如請求項3所述的電子裝置，其中，該第一操作頻帶的範圍為2400 MHz至2500 MHz，該第二操作頻帶的範圍為5150 MHz至5850 MHz，該第三操作頻帶的範圍為5925 MHz至7125 MHz。
如請求項3所述的電子裝置，其中，該第一距離介於該第一操作頻帶的0.035倍波長至0.045倍波長之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中，多個該通孔於該第一表面形成一散熱風口區域，且該輻射件位於該散熱風口區域外。
如請求項1所述的電子裝置，其中，多個該通孔於該第一表面形成一散熱風口區域，且該輻射件的至少一部分位於該散熱風口區域內。
如請求項7所述的電子裝置，其中，多個該通孔分成兩排，兩排該通孔併排配置，每一排該通孔平行於該輻射部的延伸方向，且該輻射部的至少一部分位於兩排該通孔之間。
如請求項1所述的電子裝置，還包括具有一螢幕的一顯示部件，其中，當該電子裝置處於被使用者操作的形態時，該第一表面朝向該顯示部件。
如請求項9所述的電子裝置，其中，該第一殼體部分的前緣切齊該散熱支架的該第一表面，而該第二殼體部分的前緣凸出於該散熱支架的該第一表面。
一種天線結構，設置於一金屬殼體中，該金屬殼體包括一第一殼體部分與一第二殼體部分，該天線結構包括：<br/>一散熱支架，具有相對設置的一第一表面與一第二表面，以及相對設置的一第三表面與一第四表面，該第三表面及該第四表面連接於該第一表面與該第二表面之間，且該散熱支架具有多個通孔，多個該通孔貫通該第一表面及該第二表面；<br/>一輻射件，設置於該第一表面，該輻射件包括一輻射部、一接地部及一饋入部，該接地部及該饋入部連接於該輻射部；以及<br/>一接地金屬件，設置於該第二表面、該第三表面及該第四表面，該接地部連接於該接地金屬件，該接地金屬件位於該第三表面的部位電性連接於該第一殼體部分，該接地金屬件位於該第四表面的部位電性連接於該第二殼體部分；<br/>其中，該第一殼體部分與該第二殼體部分之中的其中一個與該輻射部的上緣相距一第一距離，該第一殼體部分與該第二殼體部分之中的另一個與該輻射部的上緣相距一第二距離，該第一距離與該第二距離的比例為2.1:1。
如請求項11所述的天線結構，其中，該輻射部包括一第一支臂與一第二支臂，該饋入部連接於該第一支臂與該第二支臂之間，該第一支臂與該第二支臂相對於該饋入部往相反方向延伸，該第一支臂的長度大於該第二支臂的長度，該接地部連接於該第一支臂。
如請求項12所述的天線結構，其中，該饋入部電性連接於一饋入件，該天線結構通過該饋入件饋入訊號，使該饋入部及該第一支臂用於被激發而產生一第一操作頻帶，以及使該饋入部及該第二支臂用於被激發而產生一第二操作頻帶及一第三操作頻帶，且該第二操作頻帶及該第三操作頻帶皆高於該第一操作頻帶。
如請求項13所述的天線結構，其中，該第一操作頻帶的範圍為2400 MHz至2500 MHz，該第二操作頻帶的範圍為5150 MHz至5850 MHz，該第三操作頻帶的範圍為5925 MHz至7125 MHz。
如請求項13所述的天線結構，其中，該第一距離介於該第一操作頻帶的0.035倍波長至0.045倍波長之間。
如請求項11所述的天線結構，其中，多個該通孔於該第一表面形成一散熱風口區域，且該輻射部位於該散熱風口區域外。
如請求項11所述的天線結構，其中，多個該通孔於該第一表面形成一散熱風口區域，且該輻射部的至少一部分位於該散熱風口區域內。
如請求項17所述的天線結構，其中，多個該通孔分成兩排，兩排該通孔併排配置，且每一排該通孔沿該輻射部的延伸方向排列，且該輻射部的至少一部分位於兩排該通孔之間。
一種具防護遮蔽之食品承放架，其包含有：<br/> 一框架，藉由數個框條彼此相接而呈矩形柱狀，內部具有一置放空間，該置放空間內相對的兩側分別由上至下對稱設有複數個組接於該框條上的托架，以供放置盤子；<br/> 複數固定遮網，分別遮蔽該框架之頂部、底部、左側、右側及後側；<br/> 一活動遮網，設於該框架之前側，該活動遮網具有二導柱，，該二導柱分別設於該框架之前側左右相對的框條上，該二導柱分別於相對側設有一滑槽，該二導柱的兩端分別與一固定桿的兩端相組接，一活動桿分別以其兩端插設於對應側的滑槽內而活動設於該二導柱之間，該活動桿與組設於該二導柱上端部的固定桿之間設有一摺疊紗網，該摺疊紗網沿一軸向具有複數經由多次正摺與反摺而形成之摺面，該活動桿沿該二滑槽移動一併牽引該摺疊紗網，使該摺疊紗網呈一完全展開狀態、一部分摺疊收合狀態或一完全摺疊收合狀態。
如請求項1所述之具防護遮蔽之食品承放架，其中，組設於該二導柱上端部之固定桿下方間隔一距離分別於該二導柱設有一阻擋部，該距離大於或等於該活動桿之寬度，藉由該阻擋部使該滑槽內寬度局部縮小。
如請求項2所述之具防護遮蔽之食品承放架，其中，該些固定遮網包括一紗網及一框體，該紗網固定於該框體內。
一種複合波長雷射光源的光感測裝置，包含：<br/> 一光發射模組，包含一獨立光源，該獨立光源提供一單一波長光線，該單一波長光線的波長範圍介於700奈米(nm)至1700奈米(nm)；<br/> 一光導引模組，耦合該光發射模組，該光導引模組包含複數光學元件及複數光纖單元，該光導引模組接收該光發射模組發射之該單一波長光線，並將該單一波長光線導引至一待測物，以激發該待測物產生複數光學訊號，所述光纖單元還包含一發射端光纖及一接收端光纖；及<br/> 一光學處理模組，與該光導引模組相耦合，該光學處理模組包含一光譜分析單元與一數據處理單元，用以接收並分析來自該光導引模組的所述光學訊號；<br/> 其中，該光發射模組藉由該發射端光纖耦合該光導引模組，該光導引模組藉由該接收端光纖耦合該光學處理模組，該獨立光源可調整以選擇性地發射所述波長範圍內之該單一波長光線，該單一波長光線經由所述光學元件及所述光纖單元導引至該待測物，並由該待測物返回所述光學訊號，進而傳導至該光學處理模組。
如請求項1所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中，該獨立光源為近紅外(NIR)雷射光源或短波紅外(SWIR)雷射光源。
如請求項2所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中該獨立光源為短波紅外雷射光源，且發射波長為1064奈米(nm)的該單一波長光線。
如請求項1所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中，所述光學元件更包含複數光線操控元件及複數光學濾波器，所述光線操控元件用以調整該單一波長光線及所述光學訊號的傳輸路徑，所述光學濾波器用以選擇性地過濾該單一波長光線及所述光學訊號。
如請求項4所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中，所述光線操控元件係選自由一鏡子、一透鏡、一二向色鏡及其組合所組成的群組，並沿該單一波長光線及所述光學訊號的傳輸路徑配置，以引導該單一波長光線至該待測物，並收集由該待測物所產生之所述光學訊號。
如請求項5所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中，所述光學濾波器包含一雷射光濾波器及一長通濾波器，該雷射光濾波器配置於部分之所述光纖單元及部分之所述光線操控元件之間，該長通濾波器配置於部分之所述光線操控元件之間。
如請求項1所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中該接收端光纖為環狀光纖束結構且包含具有不同偏移量排列之光纖，用以收集來自不同深度的所述光學訊號並導向該光學處理模組。
如請求項1所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中，該光譜分析單元包含一光譜儀以及一偵測器，該光譜儀耦合該接收端光纖以接收所述光學訊號，該偵測器耦合該光譜儀以將所述光學訊號轉換為複數電訊號。
如請求項8所述之複合波長雷射光源的光感測裝置，其中，該數據處理單元為一電腦系統，用以接收並處理所述電訊號。
一種光體積變化描記圖法量測裝置，包括：<br/> 一光源，被配置以產生一發射訊號；<br/> 一感光元件，被配置以接收一待測物反射該發射訊號所產生的一反射訊號，並對應該反射訊號產生一類比訊號；<br/> 一訊號轉換器，被配置以將該類比訊號轉換為一數位訊號，其中該數位訊號具有一振幅；以及<br/> 一處理器，被配置以在該振幅大於或等於一預設振幅的一持續時間大於或等於一預設時間時，進入一量測模式，<br/> 其中：<br/> 當該待測物不存在，或該感光元件並未接收到該反射訊號時，該振幅位於一第一範圍；<br/> 當該感光元件和該待測物之間具有一傾斜角度時，該振幅位於一第二範圍；以及<br/> 當該感光元件平行於或貼合於該待測物時，該振幅位於一第三範圍，<br/> 其中，該第三範圍大於該第二範圍，該第二範圍大於該第一範圍，且該預設振幅為該第三範圍的下限。
如請求項1所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中在該振幅大於或等於該預設振幅的該持續時間大於或等於該預設時間時，擷取該數位訊號的操作包括：<br/> 該處理器量測該數位訊號在一第一區間的該振幅；<br/> 響應於該振幅在該第一區間大於或等於該預設振幅，量測該數位訊號在一第二區間的該振幅；<br/> 響應於該振幅在該第二區間中大於或等於該預設振幅，量測該數位訊號在一第三區間的該振幅；以及<br/> 響應於該振幅在該第三區間中大於或等於該預設振幅，該處理器進入該量測模式，<br/> 其中，該預設時間為該第一區間、該第二區間以及該第三區間之時間的總和，且該第一區間、該第二區間以及該第三區間依序相連。
如請求項2所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中響應於該處理器進入該量測模式，該處理器更擷取該數位訊號處於該第一區間、該第二區間或該第三區間的部分。
如請求項2所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中響應於該振幅在該第一區間、該第二區間或該第三區間小於該預設振幅，該處理器進入一非量測模式。
如請求項1所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中該預設時間包括複數區間，且該數位訊號的該振幅為在該等區間之每一者中，該數位訊號的一最大電壓值和一最小電壓值之間的差。
如請求項1所述之光體積變化描記圖法量測裝置，更包括一顯示器，被配置以自該處理器接收對應該數位訊號的一顯示訊號。
如請求項6所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中該顯示訊號為對應該待測物之光體積變化特性的一脈波，或對應該待測物之吸收光譜特性的一數值。
如請求項1所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中該反射訊號為一光體積變化描記圖訊號。
如請求項1所述之光體積變化描記圖法量測裝置，其中該發射訊號為紅光、紅外光或綠光。
一種電子設備，能夠供一可插拔模組沿著一插入方向插入，該電子設備包括：<br/> 一面板；<br/> 一插槽，具有一前開口及一後開口，該前開口開設於該面板中，該插槽包括：<br/> 一插槽殼體及附接於該插槽殼體的一第一卡鉤，該插槽殼體及該第一卡鉤位於該電子設備內，且該插槽殼體延伸於該前開口及該後開口之間；及<br/> 一可插拔模組接收器，具有一接收口，該可插拔模組接收器設置於該電子設備內，且該可插拔模組接收器包括：<br/> 一接收器殼體及附接於該接收器殼體的一第二卡鉤；<br/> 其中：<br/> 該前開口、該後開口及該接收口沿著該插入方向對齊以供該可插拔模組插入；及<br/> 該第一卡鉤及該第二卡鉤經配置以於該可插拔模組插入該電子設備後分別扣住該可插拔模組。
如請求項1所述之電子設備，其中該可插拔模組接收器經配置以穿過該插槽的該後開口，使得該可插拔模組接收器的該接收口位於該插槽的該前開口及該後開口之間。
一種可插拔模組，能夠插入一電子設備，該可插拔模組包括：<br/> 一本體，包括：<br/> 一前段本體，包括該本體的一前端；及<br/> 一後段本體，包括該本體的一尾端；<br/> 一第一上鎖凸部，位於該前段本體；<br/> 一第二上鎖凸部，位於該後段本體；及<br/> 一解鎖板，該解鎖板的至少一部分容置於該前段本體中；<br/> 其中：<br/> 該第一上鎖凸部及該第二上鎖凸部經配置以在該可插拔模組插入該電子設備後分別與該電子設備相扣；及<br/> 該解鎖板經配置以在由該前端往該尾端的一平移方向中平移而解除該第一上鎖凸部與該電子設備之間的該相扣以及該第二上鎖凸部與該電子設備之間的該相扣。
如請求項3所述之可插拔模組，其中該前段本體比該後段本體更粗。
如請求項3所述之可插拔模組，其中該解鎖板包括一第一解鎖部及一第二解鎖部，該第一解鎖部經配置以解除該第一上鎖凸部與該電子設備之間的該相扣，且該第二解鎖部經配置以解除該第二上鎖凸部與該電子設備之間的該相扣。
如請求項5所述之可插拔模組，其中該第二解鎖部經配置以在該後段本體的一外表面上平移。
如請求項3所述之可插拔模組，進一步包括一連接器，連接至該前端。
如請求項7所述之可插拔模組，其中該連接器為一同軸(Coaxial)連接器。
如請求項3所述之可插拔模組，進一步包括一拉板，該拉板樞接於該前段本體。
如請求項9所述之可插拔模組，其中該拉板經配置以藉由相對於該前段本體的樞轉來推動該解鎖板，使該解鎖板在由該前端往該尾端的該平移方向中平移。
一種電子設備，包括：<br/> 一插槽，包括：<br/> 一第一卡鉤，位於該插槽中；<br/> 一可插拔模組接收器，包括：<br/> 一第二卡鉤，位於該可插拔模組接收器中；及<br/> 一可插拔模組，包括：<br/> 一本體，包括：<br/> 一前段本體，包括該本體的一前端；及<br/> 一後段本體，包括該本體的一尾端；<br/> 一第一上鎖凸部，位於該前段本體；及<br/> 一第二上鎖凸部，位於該後段本體；<br/> 其中：<br/> 該可插拔模組經配置以沿著一插入方向穿過該插槽並插入該可插拔模組接收器；<br/> 該可插拔模組的該第一上鎖凸部經配置以與該插槽的該第一卡鉤相扣；及<br/> 該可插拔模組的該第二上鎖凸部經配置以與該可插拔模組接收器的該第二卡鉤相扣。
如請求項11所述之電子設備，進一步包括一解鎖板，該解鎖板經配置以沿著該本體平移，且該解鎖板的至少一部分容置於該前段本體中。
如請求項12所述之電子設備，其中：<br/> 該解鎖板經配置以在由該前端往該尾端的一平移方向中平移而解除該第一上鎖凸部與該第一卡鉤之間的該相扣以及該第二上鎖凸部與該第二卡鉤之間的該相扣。
如請求項13所述之電子設備，進一步包括一拉板，該拉板樞接於該前段本體，其中該拉板經配置以藉由相對於該前段本體的樞轉來推動該解鎖板，使該解鎖板在由該前端往該尾端的該平移方向中平移。
如請求項13所述之電子設備，其中當該可插拔模組插入該可插拔模組接收器後，該平移方向與該插入方向相同。
如請求項11所述之電子設備，其中該可插拔模組接收器的至少一部分位於該插槽中。
如請求項12所述之電子設備，其中該前段本體比該後段本體更粗，且該解鎖板的至少一部分經配置以在該後段本體的一外表面上平移。
如請求項11所述之電子設備，進一步包括一同軸連接器，連接至該前端。
如請求項18所述之電子設備，進一步包括一拉板，該拉板具有一拉板孔洞並且樞接於該前段本體，該拉板經配置以在相對於該前段本體樞轉時，讓該同軸連接器穿過該拉板孔洞。
如請求項11所述之電子設備，進一步包括一電路板，該電路板設置於該電子設備中，且該可插拔模組接收器固定於該電路板上，其中：<br/> 該電路板在該電子設備中的一位置經設置使得該可插拔模組接收器與該插槽於該插入方向中對齊。
一種角度檢測系統，用於檢測一實質上為直線運動的待測物在運動過程中的角度偏移，該角度檢測系統包括：<br/>偏振光源，用於發出一第一偏振光束，該第一偏振光束具有第一線偏振態；<br/>分光元件，設置在該第一偏振光束的傳遞路徑上，該第一偏振光束通過該分光元件後產生一第二偏振光束和一第三偏振光束，其中該第二偏振光束具有一第二線偏振態，該第三偏振光束具有一第三線偏振態，該第二線偏振態實質上垂直於該第三線偏振態；<br/>第一光感測元件，用於接收該第二偏振光束；<br/>第二光感測元件，用於接收該第三偏振光束；<br/>透鏡組，設置於該第二偏振光束和該第三偏振光束的光路上，該透鏡組具有正屈光度，其中該第一光感測元件和該第二光感測元件位於該透鏡組的焦平面上；以及<br/>一差動放大電路，電性連接該第一光感測元件和該第二光感測元件。
如請求項1所述的角度檢測系統，其中該差動放大電路包括一第一輸出端和第二輸出端，該第一輸出端輸出的訊號和該第二輸出端輸出的訊號傳遞至一正規化電路。
如請求項1所述的角度檢測系統，其中該分光元件為沃拉斯頓稜鏡(wollaston prism)。
如請求項3所述的角度檢測系統，其中該分光元件的消光比大於等於100000:1。
如請求項3所述的角度檢測系統，其中該第一光感測元件和該第二光感測元件分別位於該第一偏振光束的延伸線的相對兩側，且該第一光感測元件和該第二光感測元件分別以該延伸線為對稱軸呈對稱設置。
如請求項1所述的角度檢測系統，其中該第一光感測元件、該第二光感測元件、該透鏡組和該分光元件為一感測模組，該感測模組設置於該待測物上。
如請求項1所述的角度檢測系統，其中該第一偏振光束的行進方向和該第三偏振光束的行進方向之間具有一分光角，該分光角小於等於20度且大於0度。
如請求項1所述的角度檢測系統，其中該偏振光源還包括：<br/>光源，用於發出一光束；以及<br/>偏振分束器，設置在該光束的傳遞路徑上，該光束通過該偏振分束器後產生該第一偏振光束。
如請求項8所述的角度檢測系統，其中該偏振分束器為格蘭-湯普遜稜鏡(Glan–Thompson prism)。
如請求項9所述的角度檢測系統，其中該偏振分束器的消光比大於等於100000:1。
一種電磁干擾(EMI)超標的分析方法，由一電腦系統實施，該方法包括：<br/>取得一目標EMI的一受測頻譜影像；<br/>使用經訓練的一分類模型判斷該受測頻譜影像是否顯示該目標EMI超標；以及<br/>響應於判定該受測頻譜影像顯示該目標EMI超標，使用經訓練的一物件辨識模型偵測該受測頻譜影像中的一或多個超標頻率點及識別該等超標頻率點各自對應的一雜訊來源。
如請求項1所述之方法，更包括：<br/>使用一第一訓練資料集訓練該分類模型，其中該第一訓練資料集包括複數筆第一訓練資料，每筆第一訓練資料包括一歷史EMI的一訓練頻譜影像及關聯於該訓練頻譜影像的一第一類別標籤，該第一類別標籤指示該訓練頻譜影像是否顯示該歷史EMI超標。
如請求項2所述之方法，更包括：<br/>將一EMI測試報告轉換成一測試報告影像；以及<br/>根據關聯於該訓練頻譜影像的邊界資訊，從該測試報告影像擷取該訓練頻譜影像。
如請求項1所述之方法，更包括：<br/>使用一第二訓練資料集訓練該物件辨識模型，其中該第二訓練資料集包括複數筆第二訓練資料，每筆第二訓練資料包括：<br/>一歷史EMI的一超標訓練頻譜影像；<br/>關聯於該超標訓練頻譜影像的一或多個定位標籤，其中每一定位標籤對應該歷史EMI的一超標頻率點；以及<br/>該一或多個定位標籤各自關聯的一第二類別標籤，該第二類別標籤指示該超標頻率點的一雜訊來源類別。
如請求項4所述之方法，更包括：<br/>將一EMI測試報告轉換成一測試報告影像；以及<br/>從該測試報告影像解析(parse)出該雜訊來源類別。
一種用以分析電磁干擾(EMI)超標的電腦系統，包括：<br/>一儲存裝置，儲存一程式；以及<br/>一處理裝置，從該儲存裝置載入該程式以執行以下步驟：<br/>從一目標EMI取得一受測頻譜影像；<br/>使用經訓練的一分類模型判斷該受測頻譜影像是否顯示該目標EMI超標；以及<br/>響應於判定該受測頻譜影像顯示該目標EMI超標，使用經訓練的一物件辨識模型偵測該受測頻譜影像中的一或多個超標頻率點及識別該等超標頻率點各自對應的一雜訊來源。
如請求項6所述之電腦系統，其中該處理裝置更使用一第一訓練資料集訓練該分類模型，其中該第一訓練資料集包括複數筆第一訓練資料，每筆第一訓練資料包括一歷史EMI的一訓練頻譜影像及關聯於該訓練頻譜影像的一第一類別標籤，該第一類別標籤指示該訓練頻譜影像是否顯示該歷史EMI超標。
如請求項7所述之電腦系統，其中該處理裝置更執行：<br/>將一EMI測試報告轉換成一測試報告影像，並根據關聯於該訓練頻譜影像的邊界資訊，從該測試報告影像擷取該訓練頻譜影像。
如請求項6所述之電腦系統，其中該處理裝置更使用一第二訓練資料集訓練該物件辨識模型，其中該第二訓練資料集包括複數筆第二訓練資料，每筆第二訓練資料包括：<br/>一歷史EMI的一超標訓練頻譜影像；<br/>關聯於該超標訓練頻譜影像的一或多個定位標籤，其中每一定位標籤對應該歷史EMI的一超標頻率點；以及<br/>該一或多個定位標籤各自關聯的一第二類別標籤，該第二類別標籤指示該超標頻率點的一雜訊來源類別。
如請求項9所述之電腦系統，其中該處理裝置更執行：<br/>將一EMI測試報告轉換成一測試報告影像，從該測試報告影像解析(parse)出該雜訊來源類別。
一種多人機介面系統，包括： <br/>多個人機介面，包括： <br/>一第一人機介面； <br/>一第二人機介面；及 <br/>一運算裝置，耦接該第一人機介面及該第二人機介面，並被配置來執行一編輯軟體來設定該第一人機介面及該第二人機介面的一共享記憶區塊；<br/>其中該編輯軟體透過該共享記憶區塊進行該第一人機介面及該第二人機介面的記憶體共享操作，該共享記憶區塊配置有一虛擬位址空間，分別映射至該第一人機介面的一第一記憶體及該第二人機介面的一第二記憶體；<br/>其中該第一人機介面被配置來透過該共享記憶區塊，存取映射至該虛擬位址空間的該第一記憶體及/或該第二記憶體，以及該第二人機介面被配置來透過該共享記憶區塊，存取映射至該虛擬位址空間的該第一記憶體及/或該第二記憶體； <br/>其中該第一人機介面變更該第一記憶體的內容或該第二人機介面變更該第二記憶體的內容時，該第一記憶體及/或該第二記憶體的內容透過該虛擬位址空間的映射同步至該第二人機介面的該第二記憶體及／或該第一人機介面的該第一記憶體。
如請求項1所述的多人機介面系統，其中該編輯軟體被配置來將該多個人機介面編輯為屬於同一個群組專案的多個群組成員、編輯該群組專案中的多個變量、編輯該群組專案以設定該共享記憶區塊並分別配置該共享記憶區塊至各該群組成員，以及產生一執行程式、一腳本或一設定資料並部署該執行程式、該腳本或該設定資料至該群組專案的該多個群組成員，其中該多個人機介面操作該執行程式、該腳本或該設定資料而執行在一運行環境，其中各該變量為該多個人機介面的共用參數。
如請求項2所述的多人機介面系統，其中該群組專案中的該多個變量包括該多個人機介面的系統參數、記憶體位址、與所有人機介面的連接設定、該多個人機介面的畫面參數及所有人機介面標籤中的至少一者。
如請求項2所述的多人機介面系統，其中更包括多個操作設備 ，該多個操作設備包括一第一操作設備及一第二操作設備，其中該第一操作設備連接於該第一人機介面及該第二操作設備連接於該第二人機介面。
如請求項4所述的多人機介面系統，其中該編輯軟體被配置來設定該第一人機介面及該第二人機介面的一共用設備資源，該共用設備資源包括該第一操作設備及該第二操作設備的標籤、通訊設定資訊及暫存器資訊，其中該第一人機介面被配置來基於該共用設備資源請求該群組專案中的該第二人機介面存取該第二操作設備的設備資料，並且該第二人機介面被配置來基於該共用設備資源請求該群組專案中的該第一人機介面存取該第一操作設備的設備資料。
如請求項2所述的多人機介面系統，其中該共享記憶區塊包括多個共享區塊，該多個共享區塊包括一第一共享區塊及一第二共享區塊，該第一共享區塊的擁有者是該第一人機介面及該第二共享區塊的擁有者是該第二人機介面，其中各該共享區塊的擁有者具有各該共享區塊的變更權限並被配置來觸發非擁有者的該多個人機介面對於各該共享區塊的同步行為。
如請求項2所述的多人機介面系統，其中該第二人機介面被配置來於欲將更新資料寫入映射至該共享記憶區塊的該第二記憶體時向屬於該共享記憶區塊的擁有者的該第一人機介面發出一全域更新請求，該第一人機介面被配置來依據該全域更新請求來基於該更新資料變更該共享記憶區塊的內容，並發出一全域通知向該群組專案的各該群組成員廣播該更新資料，使各該群組成員儲存該更新資料至本地端儲存區塊以維持與該共享記憶區塊的同步。
如請求項2所述的多人機介面系統，其中該多個群組成員之一被配置來執行群組廣播以發出一切換請求至該群組專案的該多個人機介面，該切換請求用來從該多個人機介面選出該共享記憶區塊的一新的擁有者人機介面使該新的擁有者人機介面具有該共享記憶區塊的變更及管理權限。
如請求項8所述的多人機介面系統，其中該多個人機介面基於該多個人機介面的每一者的一協商號碼來決定該新的擁有者人機介面。
如請求項9所述的多人機介面系統，其中該協商號碼是依據亂數、預先決定的優先權值、該多個人機介面的執行效能來決定。
一種多人機介面系統，包括： <br/>多個人機介面，包括： <br/>一第一人機介面，連接一第一操作設備； <br/>一第二人機介面，連接一第二操作設備；及 <br/>一運算裝置，耦接該第一人機介面及該第二人機介面並執行一編輯軟體來設定該第一人機介面及該第二人機介面的一共用設備資源； <br/>其中該共用設備資源配置包括該第一操作設備的記憶體空間及該第二操作設備的記憶體空間，其中該第一操作設備的該記憶體空間記錄第一操作設備資料並且該第二操作設備的該記憶體空間記錄第二操作設備資料； <br/>其中該第一人機介面透過該第一操作設備存取該第一操作設備資料，以及透過該共用設備資源存取該第二操作設備資料； <br/>其中該第二人機介面透過該第二操作設備存取該第二操作設備資料，以及透過該共用設備資源存取該第一操作設備資料； <br/>其中第一操作設備的該記憶體空間的擁有者是該第一人機介面及該第二操作設備的該記憶體空間的擁有者是該第二人機介面，並且該第一人機介面具有該第一操作設備的該記憶體空間的變更及管理權限，該第二人機介面具有該第二操作設備的該記憶體空間的變更及管理權限。
如請求項11所述的多人機介面系統，其中該編輯軟體被配置來將該多個人機介面編輯為屬於同一個群組專案的多個群組成員，編輯該群組專案中的多個變量，以及產生一執行程式、一腳本或一設定資料並部署該執行程式、該腳本或該設定資料至該群組專案的該多個群組成員，其中該多個人機介面操作該執行程式、該腳本或該設定資料而執行在一運行環境，其中各該變量為該多個人機介面的共用參數。
如請求項12所述的多人機介面系統， <br/>其中該編輯軟體被配置來編輯該第一操作設備及該第二操作設備與該多個人機介面之間的協定配置與通道配置以及該第一操作設備及該第二操作設備的暫存器資訊以產生該共用設備資源；以及 <br/>該第一人機介面被配置來從所連接的該第一操作設備直接存取該第一操作設備資料； <br/>其中當該第一操作設備從與該第一人機介面耦接變更至與該第二人機介面耦接時，該第一人機介面被配置來讀取該共用設備資源以通過該群組專案中的該第二人機介面來取得該第一操作設備的該第一操作設備資料。
如請求項12所述的多人機介面系統，其中該共用設備資源包括該群組專案的該多個群組成員的設備配置、設備資源及標籤位址，其中該設備配置包括連接埠資訊，以及該設備資源包括設備的電流及電壓中的至少其中一者。
一種用於多人機介面的資源共享方法，應用於具有多個人機介面的一系統，該系統至少包括一第一人機介面、一第二人機介面及分別耦接該第一人機介面及該第二人機介面的一運算裝置，並且該資源共享方法包括： <br/>由該運算裝置執行一編輯軟體來設定該第一人機介面及該第二人機介面的一共享記憶區塊，並透過該共享記憶區塊進行該第一人機介面及該第二人機介面的記憶體共享操作，其中該共享記憶區塊配置有一虛擬位址空間，分別映射至該第一人機介面的一第一記憶體及該第二人機介面的一第二記憶體；<br/>由該第一人機介面透過該共享記憶區塊，存取映射至該虛擬位址空間的該第一記憶體及／或該第二記憶體；<br/>由該第二人機介面透過該共享記憶區塊，存取映射至該虛擬位址空間的該第一記憶體及／或該第二記憶體； <br/>於該第一人機介面變更該第一記憶體的內容時，該第一記憶體的內容透過該虛擬位址空間的映射同步至該第二人機介面的該第二記憶體；及 <br/>於該第二人機介面變更該第二記憶體的內容時，該第二記憶體的內容透過該虛擬位址空間的映射同步至該第一人機介面的該第一記憶體。
如請求項15所述的資源共享方法，更包括： <br/>透過該編輯軟體來編輯歸屬於一群組專案的該多個人機介面的為多個群組成員； <br/>透過該編輯軟體來編輯該群組專案中的多個變量，其中各該變量為該多個人機介面的共用參數； <br/>編譯該群組專案以設定該共享記憶區塊並分別配置該共享記憶區塊至各該群組成員，以及產生一執行程式、一腳本或一設定資料並部署該執行程式、該腳本或該設定資料至該群組專案中的各該群組成員；以及 <br/>由各該群組成員操作該執行程式、該腳本或該設定資料而執行在一運行環境。
如請求項16所述的資源共享方法，其中該群組專案中的該多個變量包括該多個人機介面的系統參數、記憶體位址、與所有人機介面的連接設定、該多個人機介面的畫面參數及所有人機介面標籤中的至少一者。
如請求項16所述的資源共享方法，其中該系統更包括多個操作設備，該多個操作設備包括一第一操作設備及一第二操作設備，其中該第一操作設備連接於該第一人機介面及該第二操作設備連接於該第二人機介面。
如請求項18所述的資源共享方法，其中更包括： <br/> 由該編輯軟體設定該第一人機介面及該第二人機介面的一共用設備資源，其中該共用設備資源包括該第一操作設備及該第二操作設備的標籤、通訊設定資訊及暫存器資訊； <br/> 由該第一人機介面基於該共用設備資源請求該群組專案中的該第二人機介面存取該第二操作設備的設備資料；及 <br/> 由該第二人機介面基於該共用設備資源請求該群組專案中的該第一人機介面存取該第一操作設備的設備資料。
如請求項16所述的資源共享方法，其中該共享記憶區塊包括多個共享區塊，該多個共享區塊包括一第一共享區塊及一第二共享區塊，其中該第一共享區塊的擁有者是該第一人機介面及該第二共享區塊的擁有者是該第二人機介面，並且各該共享區塊的擁有者具有各該共享區塊的變更權限並可觸發非擁有者的該多個人機介面對於各該共享區塊的同步行為。
如請求項16所述的資源共享方法，其中更包括： <br/>由該第二人機介面於欲將更新資料寫入映射至該共享記憶區塊的該第二記憶體時向屬於該共享記憶區塊的擁有者的該第一人機介面發出一全域更新請求； <br/>由該第一人機介面依據該全域更新請求來基於該更新資料變更該共享記憶區塊的內容；以及 <br/>由該第一人機介面發出一全域通知向各該群組成員群組廣播該更新資料，使各該群組成員儲存該更新資料至本地端儲存區塊，以維持與該共享記憶區塊的同步。
如請求項16所述的資源共享方法，還包括： <br/>藉由各該群組成員之一執行群組廣播一切換請求至該多個人機介面，其中該切換請求用來從該多個人機介面選出該共享記憶區塊的一新的擁有者人機介面，使該新的擁有者人機介面具有該共享記憶區塊的變更及管理權限。
如請求項22所述的資源共享方法，其中該多個人機介面基於該多個人機介面的每一者的一協商號碼來決定該新的擁有者人機介面。
如請求項23所述的資源共享方法，其中該協商號碼是依據亂數、預先決定的優先權值、該多個人機介面的執行效能來決定。
一種用於多人機介面的資源共享方法，應用於具有多個人機介面的一系統，該系統至少包括一第一人機介面、一第二人機介面及分別耦接該第一人機介面及該第二人機介面的一運算裝置，其中該第一人機介面連接一第一操作設備並且該第二人機介面連接一第二操作設備，並且該資源共享方法包括： <br/>由該運算裝置執行一編輯軟體來設定該第一人機介面及該第二人機介面的一共用設備資源，其中該共用設備資源包括該第一操作設備的記憶體空間以及該第二操作設備的記憶體空間，其中該第一操作設備的該記憶體空間記錄第一操作設備資料並且該第二操作設備的該記憶體空間記錄第二操作設備資料； <br/>由該第一人機介面透過該第一操作設備存取該第一操作設備資料，以及透過該共用設備資源存取該第二操作設備資料；及 <br/>由該第二人機介面透過該第二操作設備存取該第二操作設備資料，以及透過該共用設備資源存取該第一操作設備資料； <br/>其中第一操作設備的該記憶體空間的擁有者是該第一人機介面及該第二操作設備的該記憶體空間的擁有者是該第二人機介面，並且該第一人機介面具有該第一操作設備的該記憶體空間的變更及管理權限，該第二人機介面具有該第二操作設備的該記憶體空間的變更及管理權限。
如請求項25所述的資源共享方法，其中更包括： <br/>由該編輯軟體將該多個人機介面編輯為屬於同一個群組專案的多個群組成員； <br/>由該編輯軟體編輯該群組專案中的多個變量，其中各該變量為該多個人機介面的共用參數；以及 <br/>編譯該群組專案以產生一執行程式、一腳本或一設定資料並部署該執行程式、該腳本或該設定資料至該群組專案的該多個群組成員，其中該多個人機介面操作該執行程式、該腳本或該設定資料而執行在一運行環境。
如請求項26所述的資源共享方法，其中更包括： <br/>由該編輯軟體編輯該第一操作設備及該第二操作設備與該多個人機介面之間的協定配置與通道配置以及該第一操作設備及該第二操作設備的暫存器資訊以產生該共用設備資源； <br/>由該第一人機介面從所連接的該第一操作設備直接存取該第一操作設備資料；及 <br/>當該第一操作設備從與該第一人機介面耦接變更至與該第二人機介面耦接時，由該第一人機介面讀取該共用設備資源以通過該第二人機介面來取得該第一操作設備的該第一操作設備資料。
如請求項26所述的資源共享方法，其中該共用設備資源包括該群組專案的該多個群組成員的設備配置、設備資源及標籤位址，其中該設備配置包括連接埠資訊，以及該設備資源包括設備的電流及電壓中的至少其中一者。
一種具順應運動功能的六軸並聯機器人，包括：<br/>一移動平台，具有一第一表面；<br/>一基座平台，具有一第二表面；<br/>多個第一關節元件，分別設置於該第一表面；<br/>多個第二關節元件，分別設置於該第二表面；<br/>六個線性致動器，分別透過該多個第一關節元件及該多個第二關節元件設置在該移動平台與該基座平台間，並且各該線性致動器分別具有一線性馬達及一馬達驅動器，其中該移動平台具有一目標位姿以及相對於多個方向上的多個抵抗力道，並且各該馬達驅動器被配置來分別執行下列動作：<br/>動作a) 根據該目標位姿進行一逆向運動學計算，以獲得各該線性致動器要維持該移動平台在該目標位姿所需追隨的一線性移動量，並產生對應的一位置命令；<br/>動作b) 根據該目標位姿計算一雅可比矩陣(Jacobian matrix)；<br/>動作c) 基於該雅可比矩陣及該多個抵抗力道計算該六個線性致動器的一受力分佈，並產生對應的一力量命令；<br/>動作d) 依據該位置命令及該力量命令控制對應的該線性馬達，以維持該移動平台於該目標位姿；及<br/>動作e) 於該移動平台接受一外力且該外力超出該多個抵抗力道之一時，控制對應的該線性馬達進行順應性運動。
如請求項1所述的六軸並聯機器人，其中各該馬達驅動器更被配置來分別執行下列動作：<br/>接受一外部操作以設定該移動平台的該目標位姿；及<br/>接受該外部操作以設定該移動平台相對於多個方向上的該多個抵抗力道，其中該多個抵抗力道包括卡式座標系上的三軸力量及三軸力矩。
如請求項1所述的六軸並聯機器人，其中各該馬達驅動器更被配置來分別執行下列動作以實現該動作e)：<br/>動作e1) 持續監控對應的該線性馬達的該線性移動量的一變化；<br/>動作e2) 判斷所接受的該外力是否超出該多個抵抗力道之一；<br/>動作e3) 於判斷該外力超出該多個抵抗力道之一時控制對應的該線性馬達進行退讓以進行順應性運動；<br/>動作e4) 判斷該線性馬達的該線性移動量的該變化是否超過一閥值；及<br/>動作e5) 於對該線性馬達的該線性移動量的該變化超過該閥值時發送停止繼續移動的一警示訊號。
如請求項1所述的六軸並聯機器人，其中各該馬達驅動器更被配置來分別執行下列動作以實現該動作a)：<br/>輸入該移動平台以一基座平台座標系為基準的該目標位姿、該移動平台的一中心點與各該第一關節元件間的一第一距離、該基座平台的一中心點與各該第二關節元件間的一第二距離、代表該移動平台上較接近的兩個該第一關節元件間的夾角的一半數值的一第一夾角，以及代表該基座平台上較接近的兩個該第二關節元件間的夾角的一半數值的一第二夾角；<br/>依據該第二距離及該第二夾角計算各該第二關節元件在該基座平台座標系下的一第二座標位置；<br/>依據該第一距離及該第一夾角計算各該第一關節元件在該基座平台座標系下的一第一座標位置；及<br/>基於該移動平台以該基座平台座標系為基準的該目標位姿，依序對各該第一關節元件的該第一座標位置進行一座標轉換矩陣乘法，並且與對應之各該第二關節元件取歐幾里得距離以獲得對應之各該線性致動器的該線性移動量。
如請求項1所述的六軸並聯機器人，其中各該馬達驅動器更被配置來分別執行下列動作以實現該動作b)：<br/>動作b1) 輸入該移動平台當前的該目標位姿，並輸入預設的一微小增益變化量；<br/>動作b2) 建立一位姿陣列[X Y Z A B C]<sup>T</sup>，其中X、Y、Z為對應的該移動平台的一端點於一X軸、一Y軸及一Z軸上的位置，A、B、C為該端點的歐拉角，T為轉置；<br/>動作b3)將該位姿陣列中的任一項矩陣元素的數值加上該微小增益變化量；<br/>動作b4) 透過該逆向運動學分別計算在當前的該目標位姿下對應的該線性致動器的一變化前線性移動量，並計算加上該微小增益變化量後的一變化後位姿所對應的該線性致動器的一變化後線性移動量；<br/>動作b5) 依據該變化前線性移動量及該變化後線性移動量計算一變化差值，並利用該變化差值及於該動作b3)中取得的該項矩陣元素的數值計算該雅可比矩陣的該項矩陣元素的最終數值；及<br/>動作b6) 重覆執行該動作b3)至該動作b5)六次，直到獲得該雅可比矩陣的六個該矩陣元素的最終數值，以完成該雅可比矩陣。
如請求項5所述的六軸並聯機器人，其中各該馬達驅動器更被配置來分別執行下列動作以實現該動作c)：<br/>取得該移動平台的一等效總質量、該移動平台的一等效質心向量、移動平台所受的一等效外力的一X軸方向分量、一Y軸方向分量及一Z軸方向分量、該移動平台所受的一等效力矩向量，以及由該等效外力及該等效力矩向量構成的一向量矩陣；<br/>取得該目標位姿及對應的該線性致動器的該線性移動量，以計算該雅可比矩陣；及<br/>依據一第一公式計算對應的該線性致動器要維持該移動平台在該目標位姿所需追隨的一線性推力向量：<img align="absmiddle" height="14px" width="76px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中f為各該線性致動器的該線性推力向量，J<sup>T</sup>為該雅可比矩陣，F為該向量矩陣，<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該等效質心向量，m為該等效總質量，<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為重力向量。
一種六軸並聯機器人的順應運動方法，應用於具有一移動平台、一基座平台、分別設置於該移動平台的一第一表面的多個第一關節元件、分別設置於該基座平台的一第二表面的多個第二關節元件，以及分別透過該多個第一關節元件及該多個第二關節元件設置於該移動平台與該基座平台之間的六個線性致動器，其中該移動平台具有一目標位姿以及相對於多個方向上的多個抵抗力道，各該線性致動器分別具有一線性馬達及一馬達驅動器，並且該順應運動方法包括下列步驟：<br/>步驟a) 由各該馬達驅動器根據該目標位姿進行一逆向運動學計算，以獲得各該線性致動器要維持該移動平台在該目標位姿所需追隨的一線性移動量，並產生對應的一位置命令；<br/>步驟b) 由各該馬達驅動器根據該目標位姿計算一雅可比矩陣；<br/>步驟c) 由各該馬達驅動器基於該雅可比矩陣及該多個抵抗力道計算該六個線性致動器的一受力分佈，並產生對應的一力量命令；<br/>步驟d) 由各該馬達驅動器依據該位置命令及該力量命令控制對應的該線性馬達，以維持該移動平台於該目標位姿；及<br/>步驟e) 於該移動平台接受一外力且該外力超出該多個抵抗力道之一時，由各該馬達驅動器控制各該線性致動器進行順應性運動。
如請求項7所述的順應運動方法，該步驟a)之前更包括：<br/>步驟a01) 由各該馬達驅動器接受一外部操作以設定該移動平台的該目標位姿；及<br/>步驟a02) 由各該馬達驅動器接受該外部操作以設定該移動平台相對於多個方向上的該多個抵抗力道，其中該多個抵抗力道包括卡式座標系上的三軸力量及三軸力矩。
如請求項7所述的順應運動方法，其中該步驟e)包括：<br/>步驟e1) 持續監控對應的該線性馬達的該線性移動量的一變化；<br/>步驟e2) 判斷所接受的該外力是否超出該多個抵抗力道之一；<br/>步驟e3) 於判斷該外力超出該多個抵抗力道之一時控制對應的該線性馬達進行退讓以進行順應性運動；<br/>步驟e4) 判斷該線性馬達的該線性移動量的該變化是否超過一閥值；及<br/>步驟e5) 於對該線性馬達的該線性移動量的該變化超過該閥值時發送停止繼續移動的一警示訊號。
如請求項7所述的順應運動方法，其中該步驟a)包括：<br/>步驟a1) 輸入該移動平台以一基座平台座標系為基準的該目標位姿、該移動平台的一中心點與各該第一關節元件間的一第一距離、該基座平台的一中心點與各該第二關節元件間的一第二距離、代表該移動平台上較接近的兩個該第一關節元件間的夾角的一半數值的一第一夾角，以及代表該基座平台上較接近的兩個該第二關節元件間的夾角的一半數值的一第二夾角；<br/>步驟a2) 依據該第二距離及該第二夾角計算各該第二關節元件在該基座平台座標系下的一第二座標位置；<br/>步驟a3) 依據該第一距離及該第一夾角計算各該第一關節元件在該基座平台座標系下的一第一座標位置；及<br/>步驟a4) 基於該移動平台以該基座平台座標系為基準的該目標位姿，依序對各該第一關節元件的該第一座標位置進行一座標轉換矩陣乘法，並且與對應之各該第二關節元件取歐幾里得距離以獲得對應之各該線性致動器的該線性移動量。
如請求項7所述的順應運動方法，其中該步驟b)包括：<br/>步驟b1) 輸入該移動平台當前的該目標位姿，並輸入預設的一微小增益變化量；<br/>步驟b2) 建立一位姿陣列[X Y Z A B C]<sup>T</sup>，其中X、Y、Z為對應的該移動平台的一端點於一X軸、一Y軸及一Z軸上的位置，A、B、C為該端點的歐拉角，T為轉置；<br/>步驟b3)將該位姿陣列中的任一項矩陣元素的數值加上該微小增益變化量；<br/>步驟b4) 透過該逆向運動學分別計算在當前的該目標位姿下對應的該線性致動器的一變化前線性移動量，並計算加上該微小增益變化量後的一變化後位姿所對應的該線性致動器的一變化後線性移動量；<br/>步驟b5) 依據該變化前線性移動量及該變化後線性移動量計算一變化差值，並利用該變化差值及於該步驟b3)中取得的該項矩陣元素的數值計算該雅可比矩陣的該項矩陣元素的最終數值；及<br/>步驟b6) 重覆執行該步驟b3)至該步驟b5)六次，直到獲得該雅可比矩陣的六個該矩陣元素的最終數值，以完成該雅可比矩陣。
如請求項11所述的順應運動方法，其中該步驟c)包括：<br/>步驟c1) 取得該移動平台的一等效總質量、該移動平台的一等效質心向量、移動平台所受的一等效外力的一X軸方向分量、一Y軸方向分量及一Z軸方向分量、該移動平台所受的一等效力矩向量，以及由該等效外力及該等效力矩向量構成的一向量矩陣；<br/>步驟c2) 取得該目標位姿及對應的該線性致動器的該線性移動量，以計算該雅可比矩陣；及<br/>步驟c3) 依據一第一公式計算對應的該線性致動器要維持該移動平台在該目標位姿所需追隨的一線性推力向量：<img align="absmiddle" height="14px" width="76px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中f為各該線性致動器的該線性推力向量，J<sup>T</sup>為該雅可比矩陣，F為該向量矩陣，<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該等效質心向量，m為該等效總質量，<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為重力向量。
一種耐燃工材，其包括：<br/> 一具有複數孔隙的基材，其係以一耐燃材料製成，該基材具有柔軟特性；以及<br/> 一耐燃填充層，其填充於該基材的該些孔隙，該耐燃填充層之材料包含一膠合物、一阻燃劑及一膨脹劑，該膠合物之重量份大於該阻燃劑之重量份，該阻燃劑之重量份大於該膨脹劑之重量份，該膠合物、該阻燃劑與該膨脹劑之重量份介於5：2：1至20：2：1之間或5：3：1至20：3：1之間。
如請求項1所述之耐燃工材，其中，該基材呈一片狀，該耐燃工材更包括一黏合層，該黏合層形成於該基材之一側。
如請求項2所述之耐燃工材，其中，該耐燃材料之材料為一軟木或一泡棉。
如請求項3所述之耐燃工材，其中，該泡棉為乙烯醋酸乙烯酯共聚物（EVA）泡棉、聚乙烯（PE）泡棉、交聯聚乙烯（XPE）泡棉、聚氨酯（PU）泡棉、植物纖維泡棉、矽膠泡棉、金屬泡棉或氣凝膠泡棉。
如請求項2所述之耐燃工材，其中，該膠合物之材料為矽氧樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素甲醛樹脂、聚醯亞胺、聚苯硫醚或聚醚醚酮。
如請求項2所述之耐燃工材，其中，該阻燃劑之材料為氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鹽氫氧化鎂、紅磷、有機磷酸酯、聚磷酸銨、十溴二苯醚、六溴環十二烷、氯化石蠟、聚矽氧烷、有機矽化合物、三聚氰胺、聚膦腈、膨脹石墨或碳奈米管。
如請求項2所述之耐燃工材，其中，該膨脹劑之材料為戊烷、異丁烷、氟利昂、二氧化碳、發泡水泥、膨脹珍珠岩、偶氮二異丁腈、偶氮二甲醯胺、碳酸鈉或5-磺酰肼苯並三氮唑。
一種耐燃工材之製作方法，其包括：<br/> 步驟S1：提供一具有複數孔隙的基材，該基材具有柔軟特性，將該基材浸泡於一液態狀的耐燃填充層，使該耐燃填充層填充於該基材的該些孔隙，該耐燃填充層之材料包含一膠合物、一阻燃劑及一膨脹劑，該膠合物之重量份大於該阻燃劑之重量份，該阻燃劑之重量份大於該膨脹劑之重量份，該膠合物、該阻燃劑與該膨脹劑之重量份介於5：2：1至20：2：1之間或5：3：1至20：3：1之間；以及<br/> 步驟S2：由該液態狀的耐燃填充層取出該基材，並對該基材進行烘乾，從而獲得一耐燃工材；<br/> 其中，烘乾的溫度介於該基材最大耐溫溫度與該耐燃填充層固化溫度之間。
如請求項8所述之耐燃工材之製作方法，其中，於該步驟S1之前具有一步驟A1，於該步驟A1中，先將該顆粒狀的阻燃劑混合至該液態狀的膠合物，再將該顆粒狀的膨脹劑混合至該液態狀的膠合物，從而獲得該液態狀的耐燃填充層，而該基材的該些孔隙大於該阻燃劑之粒徑與該膨脹劑之粒徑。
如請求項8所述之耐燃工材之製作方法，其中，於該步驟S1之前具有一步驟A2，於該步驟A2中，將該顆粒狀的阻燃劑與該顆粒狀的膨脹劑混合，將混合後之該阻燃劑與該膨脹劑混合至該液態狀的膠合物，從而獲得該液態狀的耐燃填充層，而該基材的該些孔隙大於該阻燃劑之粒徑與該膨脹劑之粒徑。
一種中介層，包含：<br/> 一互連區域，包括一個或多個前側金屬層、一個或多個背側金屬層以及將該互連區域中的該一個或多個前側金屬層連接到該一個或多個背側金屬層的複數個矽通孔，其中該互連區域大於用於生產的一微影系統的一曝光區域，其中，該互連區域被分割成兩個或多個子區域，該兩個或多個子區域的每一個等於或小於該微影系統的該曝光區域；<br/> 一排除區域，其中該排除區域圍繞該互連區域的一週長；以及<br/> 一第一密封環區域，包括一第一密封環互連結構，其中該第一密封環區域圍繞該排除區域的一週長。
如請求項1所述的中介層，進一步包含一第二密封環區域，該第二密封環區域包含一第二密封環互連結構，其中該第二密封環區域圍繞該第一密封環區域的一週長。
如請求項2所述的中介層，進一步包含一個或多個半導體元件，功能性地耦合到一個或多個排除區域互連結構、該第一密封環互連結構，和/或該第二密封環互連結構，其中該一個或多個半導體元件被配置為修改該排除區域互連結構、該第一密封環互連結構，和/或與該一個或多個半導體元件耦合的該第二密封環互連結構的一電導率。
一種半導體系統，包含：<br/> 兩個或多個裸晶，該兩個或多個裸晶的每一個具有被配置為執行一任務的一個或多個功能組件；以及<br/> 一中介層，功能性地與該兩個或多個裸晶中的每一個耦合，並且被配置為將從該兩個或多個裸晶中的每一個接收的複數個訊號傳輸到該兩個或多個裸晶中的另一個和/或另一電子元件，其中，該中介層包含:<br/> 一互連區域，包含一個或多個前側金屬層、一個或多個背側金屬層以及將該互連區域中的該一個或多個前側金屬層連接到該一個或多個背側金屬層的複數個矽通孔，其中該互連區域大於用於生產的一微影系統的一曝光區域；<br/> 一排除區域，其中該排除區域圍繞該互連區域的一週長；<br/> 一第一密封環區域，包含一第一密封環互連結構，其中該第一密封環區域圍繞該排除區域的一週長；以及<br/> 一個或多個半導體元件，功能性地耦合到一個或多個排除區域互連結構，和/或該第一密封環互連結構，其中該一個或多個半導體元件被配置為修改該排除區域互連結構，和/或與該一個或多個半導體元件耦合的該第一密封環互連結構的一電導率。
如請求項4所述的半導體系統，進一步包含一第二密封環區域，該第二密封環區域包含一第二密封環互連結構，其中該第二密封環區域圍繞該第一密封環區域的一週長。
如請求項5所述的半導體系統，其中該第一密封環區域和/或該第二密封環區域的複數個角落具有複數個對角線邊緣。
如請求項5所述的半導體系統，進一步包含位於該第一密封環區域和/或該第二密封環區域的一個或多個角落處的一個或多個裂縫緩解特徵。
一種半導體系統的形成方法，包含：<br/> 指定要在一晶圓上生產的一中介層的複數個部分，其中該中介層的該些部分包含一互連區域、一排除區域與該中介層的一第一密封環區域，其中該排除區域圍繞該互連區域，而該第一密封環區域圍繞該排除區域；<br/> 利用一微影系統在該互連區域中形成一個或多個前側金屬層、一個或多個背側金屬層以及將該一個或多個前側金屬層連接到該一個或多個背側金屬層的複數個矽通孔，其中該互連區域大於該微影系統的一曝光區域，其中透過先用該微影系統曝光一第一子區域，接著用該微影系統曝光一第二子區域，將該互連區域分割成至少該第一子區域和該第二子區域，該第一子區域和該第二子區域的每一個等於或小於該微影系統的該曝光區域，其中該第一子區域和該第二子區域之間的複數個相鄰邊緣重疊；以及<br/> 在該第一密封環區域中形成一第一密封環互連結構。
如請求項8所述的方法，進一步包含在該晶圓中形成一個或多個半導體元件，該一個或多個半導體元件功能性地耦合到一個或多個排除區域互連結構和/或該第一密封環互連結構，其中該一個或多個半導體元件被配置為修改該排除區域互連結構和/或與該一個或多個半導體元件耦合的該第一密封環互連結構的一電導率。
如請求項8所述的方法，進一步包含:<br/> 指定圍繞該第一密封環區域的一第二密封環區域；以及<br/> 在該第二密封環區域中形成一第二密封環互連結構。
一種檢查一薄膜的方法，包含以下步驟：<br/> 藉由執行複數個相應操作來產生複數個強度量測，其中該些相應操作中的每一者包含以下步驟：<br/> 使第一輻射照射該薄膜，這導致該薄膜產生第二輻射；及<br/> 量測該第二輻射的一強度；<br/> 根據該些強度量測判定一時間相依的強度增加；及<br/> 基於該時間相依的強度增加預測一薄膜壽命，<br/> 其中量測該第二輻射的該強度之步驟進一步包含以下步驟：量測一第一波長的一第一強度分量；及量測一第二波長的一第二強度分量。
如請求項1所述之方法，其中量測該第二輻射的該強度之步驟進一步包含以下步驟：量測選自由402 nm、425 nm、450 nm、475 nm、515 nm、550 nm、555 nm、600 nm、640 nm、690 nm、745 nm及855 nm組成的群組的兩個或更多個波長。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：產生該第一輻射以包含與該第一波長及該第二波長中的至少一者不同的一第三波長。
如請求項1所述之方法，其中預測該薄膜壽命之步驟進一步包含以下步驟：判定該第二輻射的該時間相依的強度增加與一相應材料特性之間的一相關性，<br/> 其中該相應材料特性包含該薄膜對包含一極紫外波長的輻射的一透射率。
如請求項1所述之方法，其中：<br/> 該薄膜安裝在一微影機內的一遮罩上；且<br/> 使用安裝在該微影機內的一第一輻射源及一第二輻射偵測器進行該些強度量測。
一種檢查一微影系統組件的方法，包含以下步驟：<br/> 第一輻射照射安裝在一遮罩上的一薄膜上；<br/> 量測該薄膜回應於該第一輻射與該薄膜的一相互作用而產生的第二輻射的一強度；及<br/> 根據該第二輻射的該強度判定該薄膜的一厚度或一密度中的至少一者，<br/> 其中量測該第二輻射的該強度之步驟進一步包含以下步驟：量測一第一波長的一第一強度分量；及量測一第二波長的一第二強度分量。
如請求項6所述之方法，其中：<br/> 該薄膜及該遮罩安裝在一微影機內；且<br/> 使用分別安裝在該微影機內的一第一輻射源及一第二輻射偵測器量測該強度。
如請求項6所述之方法，其中該薄膜包含一碳奈米管層，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 基於該第二輻射的多個強度值及一相應材料特性之間的一預定相關性預測一薄膜壽命，<br/> 其中該相應材料特性包含該薄膜對一波長為13.5 nm的輻射的一透射率。
一種微影系統組件，包含：<br/> 一遮罩，<br/> 一薄膜，安裝在該遮罩上；<br/> 一第一輻射源，用以使該第一輻射照射該遮罩；及<br/> 一偵測器，用以量測該薄膜回應於該第一輻射與該薄膜的一相互作用而產生的第二輻射，<br/> 其中該偵測器進一步用以量測該第二輻射的一第一波長的一第一強度分量及一第二波長的一第二強度分量。
如請求項9所述之微影系統組件，其中：<br/> 該第一輻射源用以產生第一輻射，該第一輻射包含以下波長之一：<br/> 150 nm至350 nm的一第三波長；<br/> 495 nm至570 nm的一第三波長；或<br/> 包含一白光光譜的複數個波長；且<br/> 該偵測器用以量測選自由402 nm、425 nm、450 nm、475 nm、515 nm、550 nm、555 nm、600 nm、640 nm、690 nm、745 nm及855 nm組成的群組的兩個或更多個波長的多個強度。
一種動態窗戶外牆遮陽系統，係一遮陽系統，包括：一外牆遮陽裝置，其具有寬度與高度超過窗戶，可固定安裝在窗戶外牆牆面上的一組牆框及一安裝在該組牆框上的第一遮陽扇組；該組牆框上端設有一個以上的第一樞設部及一第一伺服馬達，而兩側內部，則形成有一對滑軌槽道；該對滑軌槽道中組裝有一對第一滑座，且上端設一上通道形成相通；該對第一滑座上各設有一延伸出該組牆框表面的第一樞接凸耳，且與該第一伺服馬達之間，係在該對滑軌槽道與該上通道內設有一組第一傳動機構；該第一伺服馬達，係電性連接一第一驅動器得到驅動電力，並由一第一編碼器反饋編碼訊號給該第一驅動器，驅動該第一伺服馬達作一旋轉角度旋轉與定位；該組第一傳動機構，用於將該第一伺服馬達的該旋轉角度旋轉動作傳遞至該對第一滑座，操控該對第一滑座在該對滑軌槽道中作昇降動作與定位；該第一遮陽扇組，係由一對剛性第一遮陽扇葉板相互樞接組成，其一端與該一個以上第一樞設部樞接，另一端，則與該對第一滑座的該第一樞接凸耳樞接，使該對第一滑座在該對滑軌槽道中昇降滑動位置改變時，可帶動該第一遮陽扇組的該第一遮陽扇葉板作相互間變動折角的角度變化，且該第一伺服馬達操控對第一滑座從一起始點滑動至一終點的位置變化，係作為該對第一遮陽扇葉板間，從180°至近0°的該變動折角調節或調整，再且，該對第一滑座從該起始點至該終點滑動，並分段形成多個定位節點，定義出號數遞增的多個節點值，以及，將該對第一滑座滑移至每一該節點值節點位置時的該第一伺服馬達旋轉角度，定義出呼應該多個節點值號數的多個節點旋轉角度；一處理器，係以軟體程式，在建立的一自動模式下，至少編寫有一時段節點調控程序及一時段照度節點調校程序，並在一資料庫中，至少寫入有多筆第一扇日照座標點節點值及多筆時段節點照度範圍設定值；該多筆第一扇日照座標點節點值，係在一日照軌跡的模型中，建立多個日照座標點與節點值，成為該多筆第一扇日照標點節點值；該多筆時段節點照度範圍設定值，係在太陽光線一般程度時侯，由不同時段的該時段節點調控程序的執行，在該對第一遮陽扇葉板間的該變動折角的角度完成調控後，取時段與節點值作為參數，在該時段當時，從室內量測到的照度值給予正負一定比例，即成為該多筆時段節點照度範圍設定值；一日照軌跡計算模組，係與該處理器電性連接，其是該外牆遮陽裝置的地理座標位置與朝向，及根據萬年曆日期的日照方位角度變化計算出每天日照軌跡數據送交給該處理器；該處理器每日設定時段，由該自動模式執行該時段節點調控程序，係由該日照軌跡數據的接收，從該資料庫中生成該多筆第一扇日照座標點節點值時的座標點建立模型，將該日照軌跡數據導入該模型，轉換成為時段日照點座標值，檢索該資料庫中的該第一扇日照座標點節點值，產生第一扇時段節點命令；一控制器，係電性連接該處理器及該第一驅動器，用於接收該處理器的該第一扇時段節點命令，加以記錄成第一扇時段節點記錄值，並以該第一伺服馬達所定義的多個節點旋轉角度，作為該第一扇時段節點命令的轉換依據，輸出一旋轉角控制指令給該第一驅動器，驅動該第一伺服馬達作為呼應節點值命令的旋轉角度旋轉與定位，操控該對第一滑座滑移到呼應節點值命令的節點位置，調整該對第一遮陽扇葉板間的該變動折角的角度，使該對第一遮陽扇葉板在此時段，以該變動折角的角度調整後的狀態遮擋陽光；一室內照度檢知器，為一設在窗戶內面，可檢知室內明暗度的感光器，其是與該處理器電性連接，用於將室內照度數據送出給該處理器，使該處理器在完成該時段節點調控程序後，執行該時段照度節點調校程序時，將該室內照度數據整合該第一扇時段節點記錄值成為第一扇時段節點照度值來和該資料庫中的該時段節點照度範圍設定值比對，判定是否停止時段節點調校，在不停止調校的判定下，並以產生第一扇節點遞增命令或第一扇節點遞減命令送出給該控制器，由該控制器輸出旋轉角遞增或遞減的一旋轉角控制指令給該第一驅動器，驅動該第一伺服馬達作出遞增或遞減節點旋轉角度的旋轉與定位，調整該對第一遮陽扇葉板間的該變動折角的角度加大或減小，調校室內照度。
如請求項1所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該外牆遮陽裝置的該組第一傳動機構上設有一第一剎車器，該第一剎車器，係常態鎖住該組第一傳動機構處於剎車狀態，限制該對第一滑座在該多個定位節點中的其中一個定位節點位置，不得滑動或換位，且該第一剎車器，係與該控制器電性連接，並在該控制器對該第一驅動器輸出有旋轉角控制指令時，同步控制該第一剎車器解除剎車，以及，在該第一伺服馬達旋轉角度到位時，控制該第一剎車器恢復到剎車狀態。
如請求項1~2項中任一項所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該處理器還建立有一手動模式，且該處理器的一訊號輸入端及一訊號輸出端，並設有一設定/選擇器及一顯示器，用於該資料庫中資料設定或變更，以及，可選擇該手動模式是否使用及對該自動模式進行每日執行的時段設定；該手動模式，係在該資料庫中寫入有多筆第一扇節點選取值，供該手動模式執行時選擇產生第一扇手動節點命令，送交該控制器輸出呼應節點值命令的一旋轉角控制指令給該第一驅動器，驅動該第一伺服馬達操控該對第一遮陽扇葉板間的該變動折角到想要的角度。
如請求項3所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該處理器的該時段照度節點調校程序的執行，還編寫有一時段室溫節點調節程序，該時段室溫節點調節程序的啟用，是在該第一扇時段節點照度值落入該時段節點照度範圍設定值內時，由該設定/選擇器選擇開啟室溫調節來執行；且該時段室溫節點調節程序，並由該處理器的一訊號輸入端電性連接一室溫檢知器及在該資料庫中寫入日期時段溫差範圍設定值，執行時，是將該室溫檢知器的室內溫度數據與日期時段室外溫度值比較所形成的日期時段溫差值與該資料庫中的該日期時段溫差範圍設定值比對，判定是否停止室溫節點調節，在不停止的判定下，並以產生第一扇節點遞增命令，或是第一扇節點遞減命令送出給該控制器，修改變更該第一扇時段節點記錄值，並由該控制器輸出旋轉角遞增或旋轉角遞減的一旋轉角控制指令給該第一驅動器，驅動該第一伺服馬達作出遞增或遞減節點旋轉角度的旋轉與定位，調整該對第一遮陽扇葉板間的該變動折角的角度再加大或減小。
如請求項1所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該外牆遮陽裝置的該組牆框上還安裝有一第二遮陽扇組，且該組牆框下端並設有一個以上的第二樞設部及一第二伺服馬達，而兩側內部的該對滑軌槽道下方，則形成有一對非該第一滑座昇降路徑的下段滑軌槽道；該下段滑軌槽道中組裝有一對第二滑座，且下端設一通道形成相通；該對第二滑座上各設有一延伸出該組牆框表面的第二樞接凸耳，且與該第二伺服馬達之間，在該對下段滑軌槽道與該下通道內設有一組第二傳動機構；該第二伺服馬達，係電性連接一第二驅動器得到驅動電力，並以一第二編碼器反饋編碼訊號給該第二驅動器，驅動該第二伺服馬達作一旋轉角度旋轉與定位；該組第二傳動機構，用於將該第二伺服馬達的該旋轉角度旋轉動作傳遞至該對第二滑座，操控該對第二滑座在該對下段滑軌槽道中作昇降動作與定位；該第二遮陽扇組，係由一對剛性第二遮陽扇葉板相互樞接組成，其一端與該一個以上第二樞設部樞接，另一端，則與該對第二滑座的該第二樞接凸耳樞接，使該對第二滑座在該對下段滑軌槽道中昇降滑動位置改變，可帶動該第二遮陽扇組的該第二遮陽扇葉板作相互間變動折角的角度變化；且該第二伺服馬達操控該對第二滑座從一起始點滑動至一終點的位置變化時，係作為該對第二遮陽扇葉板間，從180°至近0°的該變動折角調節或調整，再且，該對第二滑座從該起始點至該終點滑動，並分段形成多個定位節點，定義出號數遞增的多個節點值，以及，將該對第二滑座滑移至每一該節點值節點位置時的該第二伺服馬達旋轉角度，定義出呼應該多個節點值號數的多個節點旋轉角度；其中，該處理器的該資料庫中，該多筆第一扇日照座標點節點值的寫入，還一併寫入多筆第二扇日照座標點節點值，使該時段節點調控程序執行時，一併產生該第一扇時段節點命令與第二扇時段節點命令給該控制器記憶該第一扇時段節點記錄值與第二扇時段節點記錄值，並各對該第一驅動器及該第二驅動器輸出呼應節點值命令的一旋轉角控制指令，驅動該第一伺服馬達與該第二伺服馬達，分別作出呼應節點值命令的旋轉角度旋轉與定位，操控該對第一滑座與該對第二滑座滑移到呼應節點值命令的節點位置，配合性或協調性的調整該對第一遮陽扇葉板與該對第二遮陽扇葉板間的該變動折角的角度；且該時段照度節點調校程序接續執行時，係將該室內照度數據分別整合該第一扇時段節點記錄值與該第二扇時段節點記錄值成為第一扇時段節點照度值與第二扇時段節點照度值來和該資料庫中的該時段節點照度範圍設定值比對，在不停止調校的判定下，並以產生第一及/或第二扇節點遞增命令，或是產生第一及/或第二扇節點遞減命令送出給該控制器，由該控制器輸出旋轉角遞增或旋轉角遞減的至少一旋轉角控制指令給該第一驅動器及/或該第二驅動器，驅動該第一伺服馬達及/或該第二伺服馬達作出遞增或遞減節點旋轉角度的旋轉與定位，調整該對第一遮陽扇葉板及/或該對第二遮陽扇葉板間的該變動折角的角度加大或減小，調校室內照度。
如請求項5所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該組第一傳動機構與該組第二傳動機構，分別設有一第一剎車器及一第二剎車器；該第一剎車器及該第二剎車器，係各常態鎖住該組第一傳動機構與該組第二傳動機構處於剎車狀態，限制該對第一滑座與該對第二滑座在該多個定位節點中的其中一個定位節點位置，不得滑動換位，且該第一剎車器與該第二剎車器，係分別與該控制器電性連接，並在該控制器對該第一驅動器及/或第二驅動器輸出有旋轉角控制指令時，同步控制該第一剎車器及/或該第二剎車器解除剎車，以及，在該第一伺服馬達及/或該第二伺服馬達旋轉角度到位時，控制該第一剎車器及/或第二剎車器恢復到剎車狀態。
如請求項5~6項中任一項所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該處理器還建立有一手動模式，且該處理器的一訊號輸入端及一訊號輸出端，並設有一設定/選擇器及一顯示器，用於該資料庫中資料設定或變更，以及，可選擇該手動模式是否使用及對該自動模式進行每日執行的時段設定；該手動模式，係在該資料庫中寫入有多筆第一扇節點選取值及多筆第二扇節點選取值，供該手動模式執行時選擇產生第一扇手動節點命令及/或第二扇手動節點命令，送交該控制器輸出呼應節點值命令的一旋轉角控制指令給該第一驅動器及/或該第二驅動器，驅動該第一伺服馬達及/或該第二伺服馬達操控該對第一遮陽扇葉板及/或該對第二遮陽扇葉板間的該變動折角到想要的角度。
如請求項7所述之動態窗戶外牆遮陽系統，其中，該處理器的該時段照度節點調校程序的執行，還編寫有一時段室溫節點調節程序，該時段室溫節點調節程序的啟用，是在該第一扇時段節點照度值及/或該第二扇時段節點照度值落入該時段節點照度範圍設定值內時，由該設定/選擇器選擇開啟室溫調節來執行；且該時段室溫節點調節程序，並由該處理器的一訊號輸入端電性連接一室溫檢知器及在該資料庫中寫入日期時段溫差範圍設定值，執行時，是將該室溫檢知器的室內溫度數據與日期時段室外溫度值比較所形成的日期時段溫差值與該資料庫中的該日期時段溫差範圍設定值比對，判定是否停止室溫節點調節，在不停止的判定下，並以產生該第一扇節點遞增命令及/或第二扇節點遞增命令，或是第一扇節點遞減命令及/或第二扇節點遞減命令送出給該控制器，修改變更該第一扇時段節點記錄值/第二扇時段節點記錄值，並由該控制器輸出旋轉角遞增或旋轉角遞減的一旋轉角控制指令給該第一驅動器及/或該第二驅動器，驅動該第一伺服馬達及/或該第二伺服馬達作出遞增或遞減節點旋轉角度的旋轉與定位，調整該對第一遮陽扇葉板及/或該第二遮陽扇葉板間的該變動折角的角度再加大或減小。
一種夾持機構，用於與承載盤配合，其中，該夾持機構包括：驅動盤、多個夾持部和多個同步傳動機構；<br/>該驅動盤用於與該承載盤轉動連接，多個該夾持部沿該承載盤的周向間隔排布，該同步傳動機構與該夾持部一一對應設置，該同步傳動機構包括軸部，且藉由該軸部與該承載盤轉動連接，以使該同步傳動機構的相背的第一端和第二端繞該軸部的軸向轉動，該第一端與該驅動盤連接，該第二端與該夾持部連接；<br/>在該承載盤與該驅動盤相對轉動的情況下，該驅動盤藉由多個該同步傳動機構分別驅動多個該夾持部沿該承載盤的徑向同步靠近或遠離該承載盤。
如請求項1所述的夾持機構，其中，該同步傳動機構包括第一傳動組件、第二傳動組件和第三傳動組件；<br/>該驅動盤藉由該第一傳動組件與該第二傳動組件連接，該第二傳動組件的一端與該第一傳動組件轉動連接，該第二傳動組件的另一端與該第三傳動組件轉動連接，該軸部設於該第二傳動組件，以使該第二傳動組件的相背的一端和另一端繞該軸部的軸向轉動，該第三傳動組件與該夾持部連接。
如請求項2所述的夾持機構，其中，該第一傳動組件包括第一套筒、第一滑動杆和轉動臂；<br/>該第一套筒套設於該第一滑動杆，且與該第一滑動杆滑動連接，該第一滑動杆的一端與該驅動盤連接；<br/>該轉動臂轉動連接於該第一套筒的外壁，該第二傳動組件的一端與該轉動臂連接。
如請求項3所述的夾持機構，其中，該轉動臂的兩端分別設有軸套，該第一套筒的相背的兩側分別設有軸座，該軸套套設於該軸座，以使該轉動臂的兩端分別轉動連接於該第一套筒的外壁。
如請求項3所述的夾持機構，其中，該第一套筒與該第一滑動杆之間設有第一直線軸承。
如請求項3所述的夾持機構，其中，該第一傳動組件還包括連接件，該第一滑動杆的一端設有連接法蘭，該驅動盤的邊緣設有凸出的安裝部，該連接件分別與該連接法蘭以及該安裝部連接。
如請求項6所述的夾持機構，其中，該第一傳動組件還包括第一彈性件，該第一彈性件套設於該第一滑動杆，且彈性支撐於該連接法蘭與該第一套筒之間。
如請求項2所述的夾持機構，其中，該第二傳動組件包括固定座、傳動杆和該軸部，該固定座與該承載盤固定連接，該傳動杆藉由該軸部鉸接於該固定座，該傳動杆的一端與該第一傳動組件轉動連接，該傳動杆的另一端與該第三傳動組件轉動連接。
如請求項2所述的夾持機構，其中，該第三傳動組件包括第二套筒和第二滑動杆，該承載盤與該第二套筒固定連接，該第二套筒套設於該第二滑動杆，且與該第二滑動杆滑動連接，該第二滑動杆的一端與該第二傳動組件轉動連接，該第二滑動杆的另一端與該夾持部固定連接。
如請求項9所述的夾持機構，其中，該第二套筒與該第二滑動杆之間設有第二直線軸承。
如請求項9所述的夾持機構，其中，該第三傳動組件還包括第二彈性件，該第二彈性件套設於該第二滑動杆，且彈性支撐於該第二滑動杆的連接該第二傳動組件的一端與該第二套筒之間。
如請求項1所述的夾持機構，其中，該驅動盤包括驅動盤本體和驅動機構，該驅動盤本體用於與該承載盤轉動連接，該驅動機構分別與該驅動盤本體以及該承載盤連接，用於驅動該驅動盤本體與該承載盤相對轉動。
如請求項1所述的夾持機構，其中，該夾持部包括連接座和夾持頭，該夾持頭設於該連接座的頂部，該連接座與該同步傳動機構的該第二端連接，該夾持頭用於與晶圓接觸，在該承載盤與該驅動盤相對轉動的情況下，多個該夾持頭沿該承載盤的徑向同步靠近或遠離該承載盤。
如請求項13所述的夾持機構，其中，該連接座的側面設有凸起的弧形導向結構，該弧形導向結構與該承載盤導向配合。
一種承載組件，其中，包括承載盤和請求項1-14中任一項所述的夾持機構。
一種晶圓清洗設備，其中，包括：清洗腔室和請求項15所述的承載組件，該承載組件設置於該清洗腔室中。
一種用於受電裝置的自適應方法，包含： <br/> 獲取一供電裝置的一供電能力資訊；<br/> 根據該供電能力資訊，請求該供電裝置提供一最大功率；<br/> 接收該供電裝置接受該請求的一訊息，且接收該供電裝置提供的一受限的最大功率；<br/> 在該供電裝置提供該受限的最大功率時，偵測並追蹤一直流電壓的一斜率； <br/> 在該供電裝置提供該受限的最大功率時，若該直流電壓的該斜率有變化，依序降低及提升一負載，直到該直流電壓的該斜率對應於一零斜率，以得到調整後之該負載；及<br/> 根據調整後之該負載，估計該供電裝置提供的該受限的最大功率以更新該供電能力資訊。
如請求項1所述之自適應方法，更包含： <br/> 根據該供電能力資訊，請求該供電裝置提供該最大功率，且根據該最大功率配置該負載。
如請求項1所述之自適應方法，更包含： <br/> 根據調整後之該負載及該直流電壓的值，估計該供電裝置的該受限的最大功率。
如請求項1所述之自適應方法，其中該受限的最大功率對應於觸發該供電裝置的一保護機制的一閾值。
如請求項4所述之自適應方法，其中該保護機制為過載保護、過功率保護及過電流保護中之一者。
如請求項4所述之自適應方法，其中若該受限的最大功率與該最大功率的差值大於一預定值，代表觸發該供電裝置的該保護機制的該閾值小於該供電裝置提供的該供電能力資訊中的該最大功率。
如請求項1所述之自適應方法，更包含：<br/> 根據需求自更新後之該供電能力資訊選擇所需的一電壓及一電流；及<br/> 請求該供電裝置提供所需的該電壓及該電流。
如請求項1所述之自適應方法，更包含：<br/> 基於電力傳輸協議，與該供電裝置溝通，以獲取該供電裝置的該供電能力資訊。
一種受電裝置，包含： <br/> 一連接器，用以耦接至一供電裝置；<br/> 一電壓偵測電路，電性連接該連接器；及<br/> 一控制電路，電性連接該連接器及該電壓偵測電路，其中該控制電路用以：<br/> 獲取一供電裝置的一供電能力資訊；<br/> 根據該供電能力資訊，請求該供電裝置提供一最大功率；<br/> 接收該供電裝置接受該請求的一訊息，且接收該供電裝置提供的一受限的最大功率；<br/> 在該供電裝置提供該受限的最大功率時，透過該電壓偵測電路偵測並追蹤一直流電壓的一斜率； <br/> 在該供電裝置提供該受限的最大功率時，若該直流電壓的該斜率有變化，依序降低及提升一負載，直到該直流電壓的該斜率對應於一零斜率，以得到調整後之該負載；及<br/> 根據調整後之該負載，估計該供電裝置提供的該受限的最大功率以更新該供電能力資訊。
如請求項9所述之受電裝置，其中該控制電路更用以根據該供電能力資訊，請求該供電裝置提供該最大功率，且根據該最大功率配置該負載。
如請求項9所述之受電裝置，其中該控制電路更用以根據調整後之該負載及該直流電壓的值，估計該供電裝置的該受限的最大功率。
如請求項9所述之受電裝置，其中該受限的最大功率對應於觸發該供電裝置的一保護機制的一閾值。
如請求項12所述之受電裝置，其中該保護機制為過載保護、過功率保護及過電流保護中之一者。
如請求項12所述之受電裝置，其中若該受限的最大功率與該最大功率的差值大於一預定值，代表觸發該供電裝置的該保護機制的該閾值小於該供電裝置提供的該供電能力資訊中的該最大功率。
如請求項9所述之受電裝置，其中該控制電路更用以：<br/> 根據需求自更新後之該供電能力資訊選擇所需的一電壓及一電流；及<br/> 請求該供電裝置提供所需的該電壓及該電流。
如請求項9所述之受電裝置，其中該供電裝置為通用序列匯流排電力傳輸供電裝置，其中該受電裝置為通用序列匯流排電力傳輸受電裝置，且其中該供電裝置及該受電裝置支持電力傳輸協議。
一種用於一電子裝置的自適應方法，包含：<br/> 自一直流電源連接器，接收一外接式電源供應器提供的一受限的最大功率；<br/> 在該外接式電源供應器提供該受限的最大功率時，偵測並追蹤一直流電壓的一斜率； <br/> 在該外接式電源供應器提供該受限的最大功率時，若該直流電壓的該斜率有變化，依序降低及提升一負載，直到該直流電壓的該斜率對應於一零斜率，以得到調整後之該負載；及<br/> 根據調整後之該負載，估計該外接式電源供應器提供的該受限的最大功率以更新輸出功率資訊。
如請求項17所述之自適應方法，更包含：<br/> 在接收該外接式電源供應器提供的該受限的最大功率時，根據一額定功率配置該負載。
如請求項18所述之自適應方法，其中該受限的最大功率對應於該外接式電源供應器的一保護機制的一閾值。
如請求項19所述之自適應方法，其中若該直流電壓的該斜率有變化，代表觸發該外接式電源供應器的該保護機制的該閾值小於該電子裝置的該額定功率。
一種複合光學膜，包括：<br/> 一第一光學膜，其中，所述第一光學膜包括一第一基材，其中一第一樹脂材料塗佈於所述第一基材的上表面上，其中，多個第一多面凹槽形成在所述第一樹脂材料中，且每一第一多面凹槽包括四個側表面以形成該第一多面凹槽的一封閉的內側周圍，其中，一第二樹脂材料被塗佈在所述第一基板的下表面上，其中多個第二多面凹槽形成在所述第二樹脂材料中，且每一第二多面凹槽包括四個側表面以形成該第二多面凹槽的一封閉的內側周圍。
如請求項1所述的複合光學膜，其中，所述多個第一多面凹槽中的每個多面凹槽為一錐體凹槽。
如請求項1所述的複合光學膜，其中，所述第一基材包括PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)。
一種電源裝置，包含： <br/>一液冷機架，包含一第一液冷板及在該第一液冷板上方的一第二液冷板； <br/>一第一電路模組，設置在該第一液冷板與該第二液冷板之間，包含一第一電路板、一第一元件、一第二元件及複數個第三元件，該第一元件及該第二元件設置於該第一電路板靠近該第二液冷板的一表面上，該第一元件的高度大於該第二元件的高度，該些第三元件的高度實質上相同，該些第三元件設置於該第一電路板靠近該第一液冷板的一表面，該些第三元件所產生的熱直接或間接傳導到第一液冷板；以及 <br/>一導熱結構，設置於該第一電路模組與該第二液冷板之間，包含對應於該第一元件的一第一區塊及對應於該第二元件的一第二區塊，該第一區塊與該第二區塊的厚度差約等於該第一元件及該第二元件之間的高度差，該第一元件所產生的熱及該第二元件所產生的熱分別透過該導熱結構的該第一區塊及該第二區塊傳導到該第二液冷板，該導熱結構包含一導熱膠、一凸塊、一絕緣導熱墊及一金屬散熱片中的一或多者。
如請求項1的電源裝置，其中： <br/>當該導熱結構包含該導熱膠時，該導熱膠包含對應於該第一元件的一第一膠體及對應於該第二元件的一第二膠體，該第二膠體與該第一膠體之間的厚度差約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差；或是 <br/>當該導熱結構包含該凸塊時，該凸塊設置於該第二液冷板上並對應於該第二元件，該凸塊的厚度約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差；或是 <br/>當該導熱結構包含該絕緣導熱墊時，該絕緣導熱墊包含對應於該第一元件的一第一區域及對應於該第二元件的一第二區域，該第二區域與該第一區域之間的厚度差約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差；或是 <br/>當該導熱結構包含該金屬散熱片時，該金屬散熱片包含對應於該第一元件的一第一部分及對應於該第二元件的一第二部分，該第二部分與該第一部分之間的厚度差約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差。
如請求項1的電源裝置，其中該導熱結構包含該導熱膠及該凸塊，該導熱膠包含設置於該第一元件上的一第一膠體及設置於該第二元件上的一第二膠體，該凸塊設置於該第二液冷板上並對應於該第二元件，該凸塊與該第二膠體的厚度總和減去該第一膠體的厚度約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差。
如請求項1的電源裝置，其中該導熱結構包含該導熱膠及該絕緣導熱墊，該導熱膠包含設置於該第一元件上的一第一膠體及設置於該第二元件上的一第二膠體，該絕緣導熱墊設置於該導熱膠與該第二液冷板之間並包含對應於該第一元件的一第一區域及對應於該第二元件的一第二區域，該第二區域與該第二膠體的厚度總和減去該第一區域與該第一膠體的厚度總和約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差。
如請求項3或4的電源裝置，其中該導熱結構包含該導熱膠及該金屬散熱片，該導熱膠包含設置於該第一元件上的一第一膠體及設置於該第二元件上的一第二膠體，該金屬散熱片設置於該導熱膠與該第二液冷板之間並包含對應於該第一元件的一第一部分及對應於該第二元件的一第二部分，該第二部分與該第二膠體的厚度總和減去該第一部分與該第一膠體的厚度總和約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差。
如請求項1的電源裝置，還包含： <br/>一第二電路模組，包含一第二電路板及複數個第四元件，該第二電路板位於該第一液冷板的一側且位於該第二液冷板的下方，該些第四元件設置於該第二電路板靠近該第二液冷板的一表面，該些第四元件的高度實質上相同且大於該第一元件的高度； <br/>其中，該第二液冷板包含對應於第一電路模組的第一板塊及對應於第二電路模組的第二板塊，該第二板塊的厚度小於該第一板塊的厚度，使得使得該些第四元件直接或間接接觸該第二板塊，並且該第二電路板的一底面與該第一液冷板的一底面齊平。
如請求項1的電源裝置，其中 <br/>該第一液冷板具有一第一流入口、一第一流出口及一第一流道，該第一流入口及該第一流出口位於該第一液冷板的一第一側，該第一流道位於該第一液冷板內並連通該第一流入口及該第一流出口； <br/>該第二液冷板具有一第二流入口、一第二流出口及一第二流道，該第二流入口及該第二流出口位於該第二液冷板對應於該第一側的一側，該第二流道位於該第二液冷板內並連通該第二流入口及該第二流出口；以及 <br/>液冷機架還包含一分歧管，該分歧管鄰近於該第一側且可拆卸地連接於該第一流入口、該第一流出口、第二流入口及第二流出口，並具有一流入埠及一流出埠，該流入埠與該第一流入口及該第二流入口連通，該流出埠與該第一流出口及該第二流出口連通。
一種電源裝置，包含： <br/>一液冷機架，由下到上依序包含一第一液冷板、一第二液冷板及一第三液冷板； <br/>一第一電路模組，設置在該第一液冷板與該第二液冷板之間，包含一第一電路板、一第一元件、一第二元件及複數個第三元件，該第一元件及該第二元件設置於該第一電路板靠近該第二液冷板的一表面上，該第一元件的高度大於該第二元件的高度，該第二液冷板設有對應於該第二元件的一凸塊，該凸塊的厚度約等於該第一元件與該第二元件之間的高度差，該些第三元件的高度實質上相同，該些第三元件設置於該第一電路板靠近該第一液冷板的一表面並直接或間接接觸該第一液冷板； <br/>一第二電路模組，包含一第二電路板及複數個第四元件，該第二電路板位於該第一液冷板的一側且位於該第二液冷板的下方，該些第四元件設置於該第二電路板靠近該第二液冷板的一表面，該些第四元件的高度實質上相同且大於該第一元件的高度，該第二液冷板包含對應於該第一電路模組的第一板塊及對應於該第二電路模組的第二板塊，該第二板塊的厚度小於該第一板塊的厚度，使得該第一元件直接或間接接觸該第一板塊，且該第四元件直接或間接接觸該第二板塊； <br/>一第三電路模組，設置於該第二液冷板與該第三液冷板之間，包含一第三電路板、一第五元件、一第六元件及複數個第七元件，該第五元件及該第六元件設置於該第三電路板靠近該第二液冷板的一表面上，該第五元件的高度大於該第六元件的高度，該些第七元件的高度實質上相同，該些第七元件設置於該第三電路板靠近該第三液冷板的一表面並直接或間接接觸該第三液冷板；以及 <br/>一金屬散熱片，設置於該第三電路模組與該第二液冷板之間，並包含對應於該第五元件的一第一部分及對應於該第六元件的一第二部分，該第二部分與該第一部分之間的厚度差約等於該第五元件與該第六元件之間的高度差。
如請求項8的電源裝置，還包含： <br/>一絕緣導熱墊，設置於該金屬散熱片與該第二液冷板之間，或設置於該第三電路模組與該第三液冷板之間，或設置於該第一電路模組與該第一液冷板之間，或設置於該第一電路模組與該第二液冷板之間。
如請求項8的電源裝置，還包含： <br/>一導熱膠，設置於該第三電路模組與該金屬散熱片之間。
如請求項8的電源裝置，其中 <br/>該第一液冷板具有一第一流入口、一第一流出口及一第一流道，該第一流入口及該第一流出口位於該第一液冷板的一第一側，該第一流道位於該第一液冷板內並連通該第一流入口及該第一流出口； <br/>該第二液冷板具有一第二流入口、一第二流出口及一第二流道，該第二流入口及該第二流出口位於該第二液冷板對應於該第一側的一側，該第二流道位於該第二液冷板內並連通該第二流入口及該第二流出口； <br/>該第三液冷板具有一第三流入口、一第三流出口及一第三流道，該第三流入口及該第三流出口位於該第三液冷板對應於該第一側的一側，該第三流道位於該第三液冷板內並連通該第三流入口及該第三流出口；以及 <br/>液冷機架還包含一分歧管，該分歧管鄰近於該第一側且可拆卸地連接於該第一流入口、該第一流出口、該第二流入口、該第二流出口、該第三流入口及該第三流出口，並具有一流入埠及一流出埠，該流入埠與該第一流入口、該第二流入口及該第三流入口連通，該流出埠與該第一流出口、該第二流出口及該第三流出口連通。
一種電源系統，包含： <br/>複數個如請求項7或11的電源裝置，該些電源裝置在平行該第一液冷板的該第一側的一方向上並排；以及 <br/>一液冷母座，可拆卸地連接於該些電源裝置的每一者的該分歧管的該流入埠及該流出埠，並具有一輸入埠及一輸出埠，該輸入埠連通該些電源裝置的每一者的該流入埠，且該輸出埠連通該些電源裝置的每一者的該流出埠。
如請求項12的電源系統，還包含： <br/>一電匯流排，位於該液冷母座遠離該些電源裝置的一側，並電連接於該些電源裝置；以及 <br/>一絕緣導熱片，設置於該電匯流排與該液冷母座之間，該電匯流排所產生的熱透過該絕緣導熱片傳導到該液冷母座。
一種防墜連接裝置，包括：<br/>一吊掛座，設有一橫桿，於該橫桿的兩端分別連接一側桿，於該二側桿與該橫桿之間形成一凹部，該凹部具有一缺口；該二側桿分別包括一桿部與一套筒，各該桿部連接於該橫桿，各該套筒連接於各該桿部背離該橫桿的一端，各該套筒具有一閂穿孔，該二閂穿孔相對地位於該缺口的兩側；於該二側桿其中之一的表面形成一閂扣座，該閂扣座的其中一側連接於該套筒，另一側連接於該桿部，於該閂扣座連接於該套筒的部分形成一連通口，該連通口通往該側桿的該閂穿孔；<br/>一閂扣，結合於該閂扣座且可移動於一鎖定位置與一釋放位置之間；該閂扣具有一扣合部，該閂扣處於該鎖定位置時，該扣合部由該連通口伸入對應的該閂穿孔內；該閂扣處於該釋放位置時，該扣合部移出該連通口；以及<br/>一活動閂，具有一閂桿，該閂桿可拆卸地穿置於該二閂穿孔以關閉該缺口；於該閂桿的外周面形成一卡合槽，該卡合槽正對該連通口；該閂扣的該扣合部嵌入該卡合槽，藉此固定該活動閂的軸向位置。
如請求項1所述之防墜連接裝置，其中該閂扣座具有一閂扣槽，該閂扣置入該閂扣槽，且該閂扣的中間部分可轉動地結合於該閂扣座，於該閂扣槽形成一彈簧座，於該彈簧座設置一壓縮彈簧，該壓縮彈簧頂推該閂扣相對於該扣合部的另一側。
如請求項1所述之防墜連接裝置，其中該閂扣座包括一閂扣槽與一環壁，該環壁圍繞該閂扣槽；該連通口連通該閂扣槽與該閂穿孔，於該閂扣槽連接於該桿部的部分形成一彈簧座；該閂扣置入該閂扣槽且中間具有一軸孔，於該環壁的相對兩側各形成一固定孔；於該軸孔樞穿設有一軸桿，該軸桿的兩端分別固定於各該固定孔；該扣合部形成於該閂扣面向該連通口的一側，於該彈簧座設置一壓縮彈簧，該壓縮彈簧頂推該閂扣相對於該扣合部的另一側。
如請求項1所述之防墜連接裝置，其中於該閂桿的外周面的兩側分別形成一卡孔，於各該卡孔設置一卡件，各該卡件的一部分凸出於該閂桿的表面且卡合於該二套筒其中之一的內側；於該閂桿的一端連接一頭部，該頭部擋止於該套筒的外側，於該頭部設置一按鈕，用以控制各該卡件的凸出或退縮狀態；當該按鈕受壓時釋放各該卡件使其可退縮至該卡孔內。
如請求項4所述之防墜連接裝置，其中於該頭部的外端面的中央形成一按鈕槽，該按鈕槽係沿該閂桿的軸向延伸的長孔，該按鈕槽的內端係封閉端且伸抵該閂桿內；各該卡孔的內端與該按鈕槽相通；於該按鈕槽穿置一操作桿，該操作桿具有一柱狀部與一錐桿部，該柱狀部的外周面抵靠於該二卡件，該錐桿部的外周面形成一容置空間，用於容納各該卡件的另一部分；於該操作桿的內端與該按鈕槽的內端之間設置一復位彈簧，該操作桿的外端伸出該頭部，該按鈕形成於該操作桿的外端部；當該按鈕受壓時驅動該柱狀部由抵靠於該二卡件的位置移開而釋放各該卡件，且使該錐桿部移動至該二卡孔的內側，允許各該卡件退縮至該卡孔內。
如請求項5所述之防墜連接裝置，其中於該頭部的外周面形成一定位銷孔，該定位銷孔與該按鈕槽相通；於該操作桿的外周面形成一定位溝，該定位溝係沿該閂桿的軸向延伸的長溝；於該定位銷孔結合一定位銷，該定位銷的內端伸入該定位溝內。
一種套組，其包含小瓶或裝置，其中該小瓶或裝置預裝載以下： <br/>(A) SEQ ID NO: 96之重組AAV載體； <br/>(B) SEQ ID NO: 105之重組AAV載體；或 <br/>(C) 該SEQ ID NO: 96之重組AAV載體及該SEQ ID NO: 105之重組AAV載體。
一種套組，其包含小瓶或裝置，其中該小瓶或裝置預裝載以下： <br/>(A) 重組AAV載體，其按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) CAG啟動子，其包含SEQ ID NO: 98之CMV早期增強子元件、SEQ ID NO: 99之雞β肌動蛋白基因序列及SEQ ID NO: 100之嵌合內含子； <br/>(iii) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子1至(及貫穿至(and through)) 21的5'OTOF編碼區，其中該5'OTOF編碼區為SEQ ID NO: 101； <br/>(iv) SEQ ID NO: 102之SD內含子序列； <br/>(v) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列； <br/>(B) 重組AAV載體，其按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列； <br/>(iii) SEQ ID NO: 106之SA內含子序列； <br/>(iv) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子22至(及貫穿至)外顯子48的3'OTOF編碼區，其中該3'OTOF編碼區為SEQ ID NO: 107； <br/>(v) SEQ ID NO: 108之bgH polyA序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列； <br/>或 (C) 如 (A) 及 (B) 之重組AAV載體。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載組成物，該組成物包含：包含SEQ ID NO: 96之重組AAV載體的第一rAAV粒子及包含SEQ ID NO: 105之重組AAV載體的第二rAAV粒子。
如請求項3之套組，其中當將該組成物引入人類細胞中時，該SEQ ID NO: 96及SEQID NO: 105之重組AAV載體彼此發生多聯化或同源重組，從而在該細胞內形成編碼全長耳畸蛋白之蛋白的重組核酸。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載複數重組腺相關病毒(rAAV)載體，該複數rAAV載體包含： <br/>a) 第一rAAV載體，其包含SEQ ID NO: 96之核酸序列；及 <br/>b) 第二rAAV載體，其包含SEQ ID NO: 105之核酸序列。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載複數重組腺相關病毒(rAAV)載體，該複數rAAV載體包含： <br/>a) 第一rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 61之CAG啟動子； <br/>(iii) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子1至(及貫穿至(and through)) 21的5'OTOF編碼區，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少90%一致且編碼與SEQ ID NO: 101所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(iv) SD內含子序列； <br/>(v) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列；及 <br/>b) 第二rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列； <br/>(iii) SA內含子序列； <br/>(iv) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子22至(及貫穿至)外顯子48的3'OTOF編碼區，其中該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少90%一致且編碼與SEQ ID NO: 107所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(v) polyA序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列。
如請求項6之套組，其中(a) 該SD內含子序列為SEQ ID NO: 102，(b) 該SA內含子序列為SEQ ID NO: 106，或(c) 該SD內含子序列為SEQ ID NO: 102且該SA內含子序列為SEQ ID NO: 106。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載複數重組腺相關病毒(rAAV)載體，其包含： <br/>a) 第一rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) CAG啟動子； <br/>(iii) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子1至(及貫穿至(and through)) 21的5'OTOF編碼區，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少80%一致且編碼與SEQ ID NO: 101所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(iv) SEQ ID NO: 102之SD內含子序列； <br/>(v) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列；及 <br/>b) 第二rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列； <br/>(iii) SEQ ID NO: 106之 SA內含子序列； <br/>(iv) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子22至(及貫穿至)外顯子48的3'OTOF編碼區，其中該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少80%一致且編碼與SEQ ID NO: 107所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(v) polyA序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列。
如請求項8之套組，其中該CAG啟動子包含：(i) SEQ ID NO: 98之CMV早期增強子元件、SEQ ID NO: 99之雞β肌動蛋白基因序列及SEQ ID NO: 100之嵌合內含子；或(ii) SEQ ID NO: 61。
如請求項6至9中任一項之套組，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少95%一致且該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少95%一致。
如請求項6至9中任一項之套組，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少99%一致且該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少99%一致。
如請求項6至9中任一項之套組，其中 <br/>(a) 該5'OTOF編碼區包含SEQ ID NO: 101； <br/>(b) 該3'OTOF編碼區包含SEQ ID NO: 107； <br/>(c) 該polyA為具有SEQ ID NO: 108之序列之bGH polyA；或 <br/>(d) (a)、(b)或(c)之任意組合。
如請求項8或9之套組，其中 <br/>(a) 該第一rAAV載體包含根據SEQ ID NO: 96之核酸序列； <br/>(b) 該第二rAAV載體包含根據SEQ ID NO: 105之核酸序列；或 <br/>(c) 該第一rAAV載體包含根據SEQ ID NO: 96之核酸序列且該第二rAAV載體包含根據SEQ ID NO: 105之核酸序列。
如請求項5至9中任一項之套組，其中該第一及第二rAAV載體各自用AAV衣殼殼體化。
如請求項14之套組，其中 <br/>(a) 殼體化該第一rAAV載體之該AAV衣殼係選自下列中任一血清型：AAV1、AAV2、AAV3、AAV4、AAV5、AAV6、AAV7、AAV8、AAV9、AAVrh8、AAVrh10、AAVrh39、AAVrh43或Anc80；及/或 <br/>(b) 殼體化該第二rAAV載體之該AAV衣殼係選自下列中任一血清型：AAV1、AAV2、AAV3、AAV4、AAV5、AAV6、AAV7、AAV8、AAV9、AAVrh8、AAVrh10、AAVrh39、AAVrh43或Anc80。
如請求項14之套組，其中該第一rAAV載體用Anc80衣殼殼體化且該第二rAAV載體用Anc80衣殼殼體化。
如請求項16之套組，其中該Anc80衣殼包含與SEQ ID NO: 109所表示之多肽具有至少85%序列一致性之多肽。
如請求項16之套組，其中該Anc80衣殼包含SEQ ID NO: 109之多肽序列。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載組成物，該組成物包含用Anc80衣殼殼體化之第一rAAV載體及用Anc80衣殼殼體化之第二rAAV載體，其中： <br/>a) 該第一rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 61之CAG啟動子； <br/>(iii) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子1至(及貫穿至(and through)) 21的5'OTOF編碼區，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少95%一致且編碼與SEQ ID NO: 101所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(iv) SD內含子序列； <br/>(v) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列；且 <br/>b) 該第二rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列； <br/>(iii) SA內含子序列； <br/>(iv) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子22至(及貫穿至)外顯子48的3'OTOF編碼區，其中該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少95%一致且編碼與SEQ ID NO: 107所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(v) polyA序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列； <br/>其中該組成物進一步包含一或多種醫藥學上可接受之載劑、稀釋劑或賦形劑。
如請求項19之套組，其中 <br/>(a) 該SD內含子序列為SEQ ID NO: 102； <br/>(b) 該SA內含子序列為SEQ ID NO: 106；或 <br/>(c) 該SD內含子序列為SEQ ID NO: 102及該SA內含子序列為SEQ ID NO: 106。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載組成物，該組成物包含用Anc80衣殼殼體化之第一rAAV載體及用Anc80衣殼殼體化之第二rAAV載體，其中： <br/>a) 該第一rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) CAG啟動子； <br/>(iii) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子1至(及貫穿至(and through)) 21的5'OTOF編碼區，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少80%一致且編碼與SEQ ID NO: 101所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(iv) SEQ ID NO: 102之SD內含子序列； <br/>(v) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列；且 <br/>b) 該第二rAAV載體按5'至3'之順序包含： <br/>(i) SEQ ID NO: 97之5' ITR序列； <br/>(ii) SEQ ID NO: 103之AK致重組序列； <br/>(iii) SEQ ID NO: 106之SA內含子序列； <br/>(iv) 包含<i>OTOF </i>cDNA之外顯子22至(及貫穿至)外顯子48的3'OTOF編碼區，其中該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少80%一致且編碼與SEQ ID NO: 107所編碼相同之胺基酸序列； <br/>(v) polyA序列；及 <br/>(vi) SEQ ID NO: 104之3' ITR序列； <br/>其中該組成物進一步包含一或多種醫藥學上可接受之載劑、稀釋劑或賦形劑。
如請求項21之套組，其中該CAG啟動子包含：(i) SEQ ID NO: 98之CMV早期增強子元件、SEQ ID NO: 99之雞β肌動蛋白基因序列及SEQ ID NO: 100之嵌合內含子；或(ii) SEQ ID NO: 61。
如請求項19至22中任一項之套組，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少95%一致且該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少95%一致。
如請求項19至22中任一項之套組，其中該5'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 101至少99%一致且該3'OTOF編碼區與SEQ ID NO: 107至少99%一致。
如請求項19至22中任一項之套組，其中 <br/>(a) 該5'OTOF編碼區包含SEQ ID NO: 101； <br/>(b) 該3'OTOF編碼區包含SEQ ID NO: 107； <br/>(c) 該polyA為具有SEQ ID NO: 108之序列之bGH polyA；或 <br/>(d) (a)至(c)之任意組合。
如請求項19至22中任一項之套組，其中 <br/>(a) 該第一rAAV載體包含SEQ ID NO: 96之核酸序列； <br/>(b) 該第二rAAV載體包含SEQ ID NO: 105之核酸序列；或 <br/>(c) 該第一rAAV載體包含SEQ ID NO: 96之核酸序列且該第二rAAV載體包含SEQ ID NO: 105之核酸序列。
如請求項19至22中任一項之套組，其中殼體化該第一rAAV載體之該Anc80衣殼包含與SEQ ID NO: 109具有至少85%序列一致性之多肽；且殼體化該第二rAAV載體之該Anc80衣殼包含與SEQ ID NO: 109具有至少85%序列一致性之多肽。
如請求項27之套組，其中殼體化該第一rAAV載體之該Anc80衣殼包含SEQ ID NO: 109之多肽序列；且殼體化該第二rAAV載體之該Anc80衣殼包含SEQ ID NO: 109之多肽序列。
一種包含小瓶或裝置之套組，該小瓶或裝置預裝載組成物，該組成物包含如請求項5至18中任一項之複數rAAV載體。
如請求項29之套組，其進一步包含一或多種醫藥學上可接受之載劑、稀釋劑或賦形劑。
如請求項19至22、29及30中任一項之套組，其中該組成物經調配成適用於耳蝸內投與、水性組成物、或包含合成外淋巴溶液。
如請求項1、2、3、5、6、8、19、21及29中任一項之套組，其中該裝置包含針或微導管。
如請求項32之套組，其中： <br/>(a) 該針包含彎曲部分及成角度尖端； <br/>(b) 該微導管經成形以使得該微導管可經由外耳道進入中耳腔且使該微導管之末端與圓窗膜(RWM)接觸；或 <br/>(c) 該微導管包含遠端，該遠端包含至少一個直徑為10至1000微米之微針。
如請求項1、2、3、5、6、8、19、21及29中任一項之套組，其進一步包含使用說明書。
一種常溫固化低碳排生物基樹脂組成物，其按重量份計之成份包含：<br/> 50至70重量份之一生物基環氧樹脂；以及30至50重量份之一固化劑，該固化劑係選自由一聚醯胺(polyamide)、一脂肪族多胺(aliphatic polyamine)、一芳香胺(aromatic amine)、一改性多胺(modified polyamine)、一聚硫醇(polythiol)、一尿類衍生物(carbamide derivative)、一咪唑類衍生物(iminazole derivative)以及上述化合物之混合物所組成之群組中之一，其中該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物經攪拌混合後係於一室溫下固化成型，該生物基環氧樹脂係選自由一生物基雙酚A型環氧樹脂(bisphenol A type bio-basedd epoxy)、一生物基雙酚F型環氧樹脂(bisphenol F type bio-basedd epoxy)、一生物基酚醛型環氧樹脂(phenolic type bio-basedd epoxy)以及上述生物基環氧樹脂之混合物所組成之群組中之一。
如請求項1所述之常溫固化低碳排生物基樹脂組成物，其中該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物固化成型後之一抗拉強度為大於或等於350 kgf/cm<sup>2</sup>。
如請求項2所述之常溫固化低碳排生物基樹脂組成物，其中該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物固化成型後之一抗壓強度為大於或等於620 kgf/cm<sup>2</sup>。
如請求項3所述之常溫固化低碳排生物基樹脂組成物，其中該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物固化成型後之一抗彎強度為大於或等於620 kgf/cm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之常溫固化低碳排生物基樹脂組成物，進一步包含：<br/> 0.5至3.0重量份之一抗氧化劑，其中該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物經攪拌混合後係於該室溫下固化成型，該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物固化成型後遵循 ASTM G154-1測試標準進行一耐紫外線測試720小時後之一第一抗拉強度與該常溫固化低碳排生物基樹脂組成物固化成型後未進行該耐紫外線測試之一第二抗拉強度之一比例係大於或等於80%。
一種測量裝置，具備由第1測量部、第2測量部、第3測量部、第4測量部中任2個以上所構成的測量部；第1測量部，是針對星形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第1洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第1電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第2測量部，是針對星形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第2洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第2電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第3測量部，是針對三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第3洩漏電流檢測部檢測出已分支的單相電路所流動的洩漏電流，並以第3電壓檢測部檢測出連結有負載之相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第4測量部，是針對三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第4洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第4電壓檢測部檢測出連結有負載之相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 並具備選擇處理部，是從前述測量部中選擇任一個， <br/> 前述第1測量部中連結有負載的兩個相中的至少一個相，與前述第2測量部中連結有負載的兩個相不同。
如請求項1記載之測量裝置，其中，前述第1測量部是基於以前述第1洩漏電流檢測部所檢測之洩漏電流的波形、以前述第1電壓檢測部所檢測之電壓的波形，藉由同步檢波的積分運算，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 前述第2測量部是基於以前述第2洩漏電流檢測部所檢測之洩漏電流的波形、以前述第2電壓檢測部所檢測之電壓的波形，藉由同步檢波的積分運算，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 前述第3測量部是基於以前述第3洩漏電流檢測部所檢測之洩漏電流的波形、以前述第3電壓檢測部所檢測之電壓的波形，藉由同步檢波的積分運算，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 前述第4測量部是基於以前述第4洩漏電流檢測部所檢測之洩漏電流的波形、以前述第4電壓檢測部所檢測之電壓的波形，藉由同步檢波的積分運算，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分。
一種測量裝置，具備：測量部，是針對星形連結或三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結或三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第1洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第1電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，測量對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分；以及 <br/> 選擇處理部，是從第1狀態、第2狀態、第3狀態、第4狀態之任兩個以上的狀態中選擇一個狀態；第1狀態是，第1相、第2相、第3相、中性線被星形連結之三相式交流電源連接於前述被測量電線路，而負載連接於第1相、第2相、第3相中任1或2相與中性線；第2狀態是，第1相、第2相、第3相被星形連結之三相式交流電源連接於前述被測量電線路，而負載連接於第1相、第2相、第3相中任2或3相；第3狀態是，第1相、第2相、第3相被三角形連結且任1相接地之三相式交流電源連接於前述被測量電線路，而負載連接於接地相與未接地之1相或2相；第4狀態是，第1相、第2相、第3相被三角形連結且任1相接地之三相式交流電源連接於前述被測量電線路，而負載連接於未接地之二個相或三個相； <br/> 前述測量部是， <br/> 當前述選擇處理部選擇前述第1狀態或前述第3狀態，則基於前述被測量電線路所流動之洩漏電流的波形，並基於前述負載所連結之第1相、第2相、第3相中任一相與中性線之間所施加之電壓的波形，算出包含在前述洩漏電流內由對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 當前述選擇處理部選擇前述第2狀態，則基於前述被測量電線路所流動之洩漏電流的波形，並基於前述負載所連結之兩個相之間所施加之電壓的波形，算出包含在前述洩漏電流內由對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 當前述選擇處理部選擇前述第4狀態，則基於前述被測量電線路所流動之洩漏電流的波形，並基於前述負載所連結之相之間所施加之電壓的波形，算出包含在前述洩漏電流內由對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分。
一種測量方法，具備：選擇處理工序，是從多個運算部中選擇任一個，該多個運算部是針對星形連結或三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結或三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以不同結構運算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分；以及 <br/> 測量工序，是以前述選擇處理工序所選擇的測量部，來進行測量； <br/> 前述測量部是由第1測量部、第2測量部、第3測量部、第4測量部中任2個以上所構成， <br/> 第1測量部，是針對星形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支為單相交流的電線路，以第1洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第1電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第2測量部，是針對星形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支為單相交流的電線路，以第2洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第2電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第3測量部，是針對三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第3洩漏電流檢測部檢測出已分支的單相電路所流動的洩漏電流，並以第3電壓檢測部檢測出連結有負載之相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第4測量部，是針對三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第4洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第4電壓檢測部檢測出連結有負載之相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分， <br/> 前述第1測量部中連結有負載的兩個相中的至少一個相，與前述第2測量部中連結有負載的兩個相不同。
一種測量程式，用以使電腦執行： <br/> 選擇處理工序，是從多個運算部中選擇任一個，該多個運算部是針對星形連結或三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結或三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以不同結構運算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分；以及 <br/> 測量工序，是以前述選擇處理工序所選擇的測量部，來進行測量； <br/> 前述測量部是由第1測量部、第2測量部、第3測量部、第4測量部中任2個以上所構成， <br/> 第1測量部，是針對星形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支為單相交流的電線路，以第1洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第1電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第2測量部，是針對星形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從星形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支為單相交流的電線路，以第2洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第2電壓檢測部檢測出連結有負載之二相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第3測量部，是針對三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第3洩漏電流檢測部檢測出已分支的單相電路所流動的洩漏電流，並以第3電壓檢測部檢測出連結有負載之相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分； <br/> 第4測量部，是針對三角形連結三相式交流電源所連接的被測量電線路，或者針對從三角形連結三相式交流電源所構成之三相電路所連接的被測量電線路分支出來，而從三相交流分支且配電為單相交流的電線路，以第4洩漏電流檢測部檢測出連結有負載之被測量電線路所流動的洩漏電流，並以第4電壓檢測部檢測出連結有負載之相之間所施加的電壓，然後基於該洩漏電流之波形與該電壓之波形，算出對地絕緣電阻所造成的洩漏電流成分， <br/> 前述第1測量部中連結有負載的兩個相中的至少一個相，與前述第2測量部中連結有負載的兩個相不同。
一種保護性約束輔助裝置，包含：<br/>一外殼(10)，由硬性材質製成，呈圓弧狀的長形片體，具有一內凹面(11)及一外凸面(12)，該內凹面(11)朝向內側，該外凸面(12)朝向外側，該外殼(10)上設有一第一窗口(13)，該內凹面(11)形成一開口(111)，該外凸面(12)兩側各設有一補強凸條(15)；<br/>一內層(20)，由軟性材質製成，固定於該外殼(10)的內凹面(11)上，該內層(20)上設有一第二窗口(21)，該第二窗口(21)與該第一窗口(13)相對，該內層(20)的內側形成一貼靠面(23)；及<br/>複數固定帶(30)，均勻間隔繞設於該外殼(10)上，用於將該外殼(10)連同該內層(20)穩固地固定於患者的手肘內側，該第一窗口(13)及該第二窗口(21)恰對正患者的肘窩。
如請求項1所述之保護性約束輔助裝置，其中該外殼(10)上設有複數第一透氣孔(14)，該內層(20)上設有複數第二透氣孔(22)，該第二透氣孔(22)與該第一透氣孔(14)相對。
如請求項2所述之保護性約束輔助裝置，其中該第二透氣孔(22)的尺寸小於該第一透氣孔(14)。
如請求項1所述之保護性約束輔助裝置，其中該補強凸條(15)上設有複數穿設孔(151)，而以該複數穿設孔(151)供該複數固定帶(30)穿設。
如請求項1所述之保護性約束輔助裝置，其中該內層(20)與該外殼(10)之間以黏結方式固定。
如請求項1所述之保護性約束輔助裝置，其中該固定帶(30)一端結合有一扣環(31)，並於該固定帶(30)上設有能夠相對黏扣結合的一公黏扣部(32)與一母黏扣部(33)，以該扣環(31)供該固定帶(30)穿設後反折，利用該公黏扣部(32)與該母黏扣部(33)黏扣結合，搭配該外殼(10)形成一環圈狀。
一種工具定位盤，其包含有一盤本體，該盤本體包含有一基板層、結合於該基板層頂側的一第一泡棉層，以及結合於該基板層底側的一第二泡棉層，該盤本體經由真空成形製程，而成形出凹陷於該盤本體頂側的至少一定位槽。
如請求項1所述之工具定位盤，其中該基板層為塑膠薄板，該第一泡棉層為發泡材質。
如請求項2所述之工具定位盤，其中該第二泡棉層為發泡材質。
一種工具定位盤的製造方法，其包含有以下步驟： <br/>成形一片狀的盤本體，該盤本體包含一基板層、結合於該基板層頂側的一第一泡棉層，以及結合於該基板層底側的一第二泡棉層；以及 <br/>將該片狀的盤本體置入一真空成形裝置，經由真空成形製程，而成形出凹陷於該盤本體的頂側的至少一定位槽。
如請求項4所述之工具定位盤的製造方法，其中該基板層為塑膠薄板，該第一泡棉層為發泡材質。
如請求項5所述之工具定位盤的製造方法，其中所述的真空成形製程包含以下步驟： <br/>將該盤本體加熱軟化； <br/>將該真空成形裝置的一成形模具朝該盤本體相對移動，並且抽取該盤本體與該成形模具之間的空氣，使該盤本體貼合該成形模具，進而成形出凹陷於該盤本體頂側的該至少一定位槽；以及 <br/>該成形模具相對遠離成形後的該盤本體。
如請求項4至6中任一項所述之工具定位盤的製造方法，其中該第二泡棉層為發泡材質。
一種拉門用閂鎖裝置，係具備： <br/>前面板，係於下部具有操作用開口部，且在周緣部中固著於拉門之前面面板之安裝用開口的前面側周緣； <br/>後面板，係隔著間隔固著在前述前面板的背面側； <br/>鎖具單元，係以貫通前述前面板之上部之方式固著； <br/>自動鎖定凸輪，係以相對於前述鎖具單元的轉子在旋轉方向上具有預定之活動餘隙之方式結合，且與該轉子一起在上鎖位置與解鎖位置之間可自如地轉動； <br/>切換彈簧，係將前述自動鎖定凸輪朝前述上鎖位置彈推，並且在該自動鎖定凸輪轉動至前述解鎖位置的中間位置，越過作用方向的死點而往前述解鎖位置彈推； <br/>軸桿，係軸支於前述前面板與前述後面板之間，且具有圓軸部和角軸部； <br/>槓桿手柄，係設置為在上部的基端部中以可相對自如旋轉之方式嵌合於前述軸桿的圓軸部，且可在鎖定位置與非鎖定位置之間以前述軸桿為中心自如地擺動，前述下部以可從前述操作用開口部往前述拉門的前面側擺動操作之方式露出，藉由持續往前述非鎖定位置側的擺動操作而可開啟該拉門； <br/>連桿板，係重疊於前述槓桿手柄的背面側，以不可相對旋轉之方式嵌合於前述軸桿的角軸部，且與該軸桿一起自如地轉動於前述鎖定位置與前述非鎖定位置之間，且具備往側方延伸而連接於輔助鎖的連桿臂； <br/>復歸彈簧，係將前述槓桿手柄和前述連桿板往前述鎖定位置旋轉彈推；及 <br/>旋轉控制凸輪，係重疊於前述連桿板的背面側，以不可相對旋轉之方式嵌合於前述軸桿的角軸部； <br/>前述槓桿手柄係在與前述軸桿同心圓弧狀之上緣的左右對稱位置具備鎖止突起和驅動突起； <br/>前述連桿板的連桿臂係以於該連桿板位於前述鎖定位置時使前述輔助鎖卡合於固定框的鎖扣具，而於位於前述非鎖定位置時使該輔助鎖從該鎖扣具脫離的方式設置，且於前述基端部的上緣具有受動抵接面，該受動抵接面係於前述槓桿手柄往前述非鎖定位置轉動時抵接於前述驅動突起，而使該連桿板往前述非鎖定位置側轉動； <br/>前述旋轉控制凸輪係具備凸輪驅動突起，該凸輪驅動突起從與前述連桿板之上緣重疊的圓弧狀上緣往上方朝半徑方向突出； <br/>前述自動鎖定凸輪係具備：鎖止凸輪部，係在前述上鎖位置抵接於前述槓桿手柄的鎖止突起而阻止該槓桿手柄往前述非鎖定位置轉動；及受動凸輪部，係於前述旋轉控制凸輪與該槓桿手柄和前述連桿板一同往前述非鎖定位置轉動時抵接於前述凸輪驅動突起，使該自動鎖定凸輪以越過前述切換彈簧之死點之方式往前述上鎖位置轉動； <br/>藉由上述構成，從而構成為：當前述槓桿手柄從前述非鎖定位置回復至前述鎖定位置時，前述自動鎖定凸輪會自動地回復至前述上鎖位置。
如請求項1所述之拉門用閂鎖裝置，更具備止擋突起，該止擋突起係突出於前述前面板的背面； <br/>前述自動鎖定凸輪更具備：第一停止凸輪部，係在前述上鎖位置抵接於前述止擋突起的一側面；及第二停止凸輪部，係在前述解鎖位置抵接於前述止擋突起的另一側面；藉由上述構成，從而構成為：限制該自動鎖定凸輪於前述上鎖位置與前述解鎖位置之間的轉動角度。
一種農時計裝置，係包括：<br/>一外框，其上設有一充電指示燈及一電源插孔，內部設有一無線網路單元、一儲存單元、及一連接該充電指示燈、該電源插孔、該無線網路單元與該儲存單元之控制單元，該儲存單元儲存有數個作物資料，該控制單元用以主控解析資訊，可根據充電狀態控制該充電指示燈顯示變化，並透過該無線網路單元連接一雲端伺服器，經由該雲端伺服器使該農時計裝置可與至少一異地裝置建立遠端連線，自動每日定時將來自該至少一異地裝置之作物狀態經由無線網路下載更新，以更新儲存於該儲存單元的該些作物資料；<br/>一電子紙顯示單元，係設於該外框正面上並與該控制單元電性連接，依據該控制單元所傳輸之該些作物資料，將農作物的各種姿態以圖像與簡單的文字資訊顯示於一作物資訊畫面上，該作物資訊畫面包含一作物生長週期插圖區域、一作物名稱區域、一作物產區區域、一作物生長週期名稱區域、一當時月份區域、及一生長週期區域，並可每日定時自動即時更新該作物資訊畫面，以動態調整該農時計裝置顯示當下農作物生長階段，俾供呈現同一時節各地各異的農作物生長情形；<br/>一充電電池，設置在該外框中並與該控制單元電性連接，用以提供該農時計裝置所需的電力；<br/>一充電底座，具有一座體、一充電柱及一充電孔，該座體具有一凹槽以供該外框可分離地插設，該充電柱插入該外框的該電源插孔以與該充電電池電性連接，該充電孔可供一外部電源連接，該外部電源可與該充電柱電性連接；以及<br/>一輸入單元，包含數個設置在該外框或該充電底座上的控制按鈕，該些控<br/>制按鈕與該控制單元電性連接，用以對該電子紙顯示單元的該作物資訊畫面進<br/>行不同農作物與顯示資訊的切換控制。
依申請專利範圍第1項所述之農時計裝置，其中，該無線網路<br/>單元係為蜂窩通訊網路（GSM / 3G / 4G / 5G）、藍牙（Bluetooth）無線通訊、Wi-Fi無線網路、及物聯網（Internet of Things）其中之一或兩者以上之組合。
依申請專利範圍第1項所述之農時計裝置，其中，在該外框插<br/>置在該充電底座的該座體中，且該充電柱插置在該外框的該電源插孔中而與該充電電池電性連接，以及該外部電源插入該充電孔的情況下，該控制單元在充電中的狀態時控制該充電指示燈亮紅色，而電量充滿時控制該充電指示燈亮綠色。
依申請專利範圍第1項所述之農時計裝置，更包括一磁性元件，<br/>設於該外框背面上，用以將該外框磁吸固定於一金屬平面上。
依申請專利範圍第1項所述之農時計裝置，其中，該雲端伺服<br/>器係為應用程式伺服器，用以儲存並執行一網路媒體平台之主程式。
依申請專利範圍第5項所述之農時計裝置，其中，該網路媒體<br/>平台為Line上的聊天機器人（ChatBot）或是自建資料平台網站。
依申請專利範圍第1項所述之農時計裝置，其中，該異地裝置<br/>為智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦、桌上型電腦或具備IP位址連網功能之裝置。
依申請專利範圍第1項所述之農時計裝置，其中，在該作物資<br/>訊畫面中，該生長週期區域係將時鐘的1至12點的刻度轉化為1年12個月份，分層呈現農作物不同的生長週期，與中央的該作物生長週期插圖區域搭配呈現農作物在各個生長週期的樣貌，通過該作物生長週期名稱區域以不同顏色顯示每個<br/>農作物在各階段的時長，並以該當時月份區域的白底數字表示當下時節，再通<br/>過該作物名稱區域與該作物產區區域顯示農作物名稱與其產地。
一種冷卻液分配裝置，該冷卻液分配裝置包括：<br/> 一備援電池模組，耦接至一電源；<br/> 一變頻器，耦接至該電源與該備援電池模組，當該電源未掉電時，該電源供電給該變頻器，以及，當該電源掉電時，該備援電池模組供電給該變頻器；<br/> 一控制器，耦接至該變頻器；以及<br/> 一泵，耦接至該變頻器，該變頻器提供一輸出交流電壓至該泵，<br/> 其中，該變頻器包括：<br/> 一整流器，耦接至該電源，該整流器將該電源所提供的一輸入交流電壓給予整流成一第一直流電壓；<br/> 一逆變器，耦接至該整流器以接收該第一直流電壓，將該第一直流電壓轉換為該輸出交流電壓以提供至該泵；以及<br/> 一電容，耦接於該整流器與該逆變器；<br/> 其中，該冷卻液分配裝置更包括：<br/> 一第一開關，耦接於該電源與該整流器之間；<br/> 一第二開關，耦接於該逆變器；<br/> 一第三開關，耦接於該備援電池模組與該逆變器之間；以及<br/> 一第一二極體，耦接於該備援電池模組與該第二開關之間；<br/> 其中，<br/> 該控制器耦接於該第一開關、該第二開關及該第三開關；<br/> 當該電源未掉電時，該第一開關導通，該第二開關及該第三開關截止；以及<br/> 當該電源掉電時，該第一開關截止，該第二開關及該第三開關導通；<br/> 其中，該冷卻液分配裝置更包括一第四開關，該第四開關耦接於該電源與該備援電池模組之間，該控制器耦接於該第四開關，<br/> 其中，當該電源未掉電時，該第四開關導通；以及，當該電源掉電時，該第四開關截止，<br/> 其中，該備援電池模組包括：<br/> 一交流至直流充電電路，耦接於該第四開關並輸出一第二直流電壓；<br/> 複數個電池模組，該些電池模組串聯連接；<br/> 一第十一開關，耦接於該第一二極體；以及<br/> 一第十二開關，耦接於該第三開關，該第十一開關及該第十二開關耦接於該交流至直流充電電路以接收該第二直流電壓，該第十一開關及該第十二開關耦接於該些電池模組；<br/> 其中，<br/> 當該電源未掉電時，該第十一開關及該第十二開關配置為將該交流至直流充電電路與該些電池模組耦接；<br/> 當該電源掉電時，該第十一開關及該第十二開關配置為將該些電池模組耦接至該第一二極體及該第三開關。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該逆變器包括：<br/> 一第五開關；<br/> 一第六開關，耦接至該第五開關及一第一輸出端；<br/> 一第七開關；<br/> 一第八開關，耦接至該第七開關及一第二輸出端；<br/> 一第九開關；<br/> 一第十開關，耦接至該第九開關及一第三輸出端；以及<br/> 兩輸入端，耦接至該整流器以接收該第一直流電壓；<br/> 其中該第五開關、該第七開關及該第九開關耦接至該兩輸入端的一者，該第六開關、該第八開關及該第十開關耦接至該兩輸入端的另一者，該控制器輸出複數個開關信號至該第五開關、該第六開關、該第七開關、該第八開關、該第九開關及該第十開關，該輸出交流電壓為一三相輸出交流電壓，該逆變器透過該第一輸出端、該第二輸出端及該第三輸出端提供該三相輸出交流電壓至該泵。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該逆變器包括：<br/> 一第五開關；<br/> 一第六開關，耦接至該第五開關及一第一輸出端；<br/> 一第七開關；<br/> 一第八開關，耦接至該第七開關及一第二輸出端；以及<br/> 兩輸入端，耦接至該整流器以接收該第一直流電壓；<br/> 其中該第五開關及該第七開關耦接至該輸入端的一者，該第六開關及該第八開關耦接至該輸入端的另一者，該控制器輸出複數個開關信號至該第五開關、該第六開關、該第七開關及該第八開關，該逆變器透過該第一輸出端及該第二輸出端提供該輸出交流電壓至該泵。
如請求項2或3所述之冷卻液分配裝置，其中該控制器調整前述複數個開關信號的一開關頻率。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中<br/> 該第十一開關及該第十二開關為三路開關。
一種冷卻液分配方法，包括：<br/> 接收一電源；<br/> 當該電源未掉電時，由該電源供電給一變頻器；<br/> 當該電源掉電時，由一備援電池模組供電給該變頻器；以及<br/> 該變頻器提供一輸出交流電壓至一泵，<br/> 其中，當該電源未掉電時，該電源對該備援電池模組進行充電。
如請求項6所述之冷卻液分配方法，其中，該變頻器提供該輸出交流電壓至該泵之該步驟包括：<br/> 由一整流器將該電源所提供的一輸入交流電壓給予整流成一第一直流電壓；以及<br/> 由一逆變器將該第一直流電壓轉換為該輸出交流電壓，以提供至該泵。
如請求項7所述之冷卻液分配方法，其中，<br/> 當該電源未掉電時，控制耦接於該電源與該整流器之間的一第一開關導通，控制耦接於該逆變器的一第二開關截止，控制耦接於該備援電池模組與該逆變器之間的一第三開關截止；以及<br/> 當該電源掉電時，控制該第一開關截止，控制該第二開關及該第三開關導通。
一種浮動主軸座，用以供一加工主軸設置於內，該浮動主軸座包含：<br/>一主體，其具有<br/>一第一空壓管路；<br/>複數第一活塞，其可沿一主要浮動方向移動地設於該主體內，該第一空壓管路的壓力驅使該等第一活塞朝該主要浮動方向移動；<br/>一浮動件，其可沿該主要浮動方向移動地設於該主體內，並且被該等第一活塞朝該主要浮動方向推抵；該浮動件具有<br/>一第二空壓管路；<br/>複數第二活塞，其可沿該主要浮動方向移動地設於該浮動件；該第二空壓管路的壓力驅使該等第二活塞朝該主要浮動方向移動；<br/>一主軸夾持結構，其可沿該主要浮動方向移動地設於該主體內，並且被該等第二活塞朝該主要浮動方向推抵；該主軸夾持結構具有<br/>一夾持件，其可垂直於該主要浮動方向地轉動，並且用於夾持該加工主軸。
如請求項1所述之浮動主軸座，其中<br/>各該第一活塞具有<br/>一氣密部，其受該第一空壓管路的壓力驅使而傾向朝該主要浮動方向移動；<br/>一推抵部，其外徑小於該氣密部的外徑，且朝該主要浮動方向推抵該浮動件；<br/>該主體上形成有<br/>複數活塞槽，各該活塞槽的一端連通該第一空壓管路；該等第一活塞分別設於該等活塞槽內，各該活塞槽的內徑與相對應的該第一活塞的該氣密部的該外徑相對應以使該第一空壓管路保持氣密；<br/>複數排氣通道，各該排氣通道的一端連通外部空間，另一端連通其中一該活塞槽相對該第一空壓管路的一端。
如請求項1或2所述之浮動主軸座，其中<br/>該主體上形成有複數浮動導引槽，其沿該主要浮動方向延伸；<br/>該主軸夾持結構包含複數導引件，其分別可滑動地穿設該等浮動導引槽以使該主軸夾持結構可沿該主要浮動方向移動。
如請求項3所述之浮動主軸座，其中<br/>該主軸夾持結構包含一外環，該外環上凹設形成有複數珠槽；<br/>該等導引件各為一滾珠，各該導引件可相對滾動地穿設其中一珠槽。
如請求項1或2所述之浮動主軸座，其中該主軸夾持結構包含<br/>一外環，其可沿該主要浮動方向移動地設於該主體內；<br/>一內環，其樞設該外環；該夾持件連接該內環。
如請求項5所述之浮動主軸座，其中<br/>該夾持件樞設該內環；<br/>該夾持件相對該內環的樞轉軸線與該內環相對該外環的樞轉軸線非平行。
如請求項1或2所述之浮動主軸座，其中該等第二活塞的數量大於該等第一活塞的數量。
如請求項1或2所述之浮動主軸座，其中<br/>該浮動件上凹設形成有至少一運輸固定槽；<br/>該浮動主軸座進一步包含至少一運輸固定件；<br/>其中，當該浮動主軸座處於一非使用狀態時，該至少一運輸固定件貫穿該主體且穿設該至少一運輸固定槽以限制該浮動件相對該主體移動。
一種浮動工具，包含<br/>一加工主軸；<br/>一浮動主軸座，該加工主軸設置於該浮動主軸座內，該浮動主軸座包含<br/>一主體，其具有<br/>一第一空壓管路；<br/>複數第一活塞，其可沿一主要浮動方向移動地設於該主體內，該第一空壓管路的壓力驅使該等第一活塞朝該主要浮動方向移動；<br/>一浮動件，其可沿該主要浮動方向移動地設於該主體內，並且被該等第一活塞朝該主要浮動方向推抵；該浮動件具有<br/>一第二空壓管路；<br/>複數第二活塞，其可沿該主要浮動方向移動地設於該浮動件；該第二空壓管路的壓力驅使該等第二活塞朝該主要浮動方向移動；<br/>一主軸夾持結構，其可沿該主要浮動方向移動地設於該主體內，並且被該等第二活塞朝該主要浮動方向推抵；該主軸夾持結構具有<br/>一夾持件，其可垂直於該主要浮動方向地轉動，並且用於夾持該加工主軸。
一種漢方調味南洋風味飲糖漿的製備方法，其包含下列步驟：<br/>步驟S1：將至少一漢方藥混合材料加入一水中並以大於100℃的溫度於一預定時間內熬煮，其中各該漢方藥混合材料的總重量與該水的重量的比例為1:3；其中各該漢方藥混合材料是至少一漢方藥；其中各該漢方藥是包含由漢方藥材中的人參、天門冬及乾地黃所組成的三才湯、或由漢方藥材中的山楂、神麴、半夏、茯苓、陳皮、胡蘿蔔子、連翹及白朮所組成的大安丸；<br/>步驟S2：將熬煮完成的各該漢方藥混合材料及該水進行濾渣，以形成一第一水藥；<br/>步驟S3：在該第一水藥中加入該水以形成一第二水藥；其中該第一水藥與該水的重量比例為1:0.5；<br/>步驟S4：在該第二水藥中加入該水及一鳳梨汁，以形成一第三水藥；其中該水與該第二水藥的重量比例為1:1；其中該鳳梨汁與該第二水藥的重量比例為3:1；<br/>步驟S5：在該第三水藥中加入一椰子粉及一冰糖以形成一第四水藥；其中該椰子粉在該第四水藥中所佔的重量百分比為10％；其中該冰糖在該第四水藥中所佔的重量百分比為12.5％至15％；<br/>步驟S6：在該第四水藥中加入一香蘭葉汁以形成一第五水藥；其中該香蘭葉汁在該第五水藥中所佔的重量百分比為0.1％至0.5％；<br/>步驟S7：將該第五水藥熬煮至大於100℃的溫度，之後冷卻至50℃；及<br/>步驟S8：將該第五水藥進行濾渣，之後冷卻至20℃至30℃之間即完成一糖漿。
如請求項1所述之製備方法，其中在步驟S5中進一步包含加入一香草精。
如請求項1所述之製備方法，其中在該步驟S5中的該椰子粉，是由新鮮椰子中提取出的椰肉，經過乾燥和研磨而形成該椰子粉；其中該椰子粉是事先用烤箱以100℃的溫度烤40分鐘後，才加入該第三水藥中。
如請求項1所述之製備方法，其中在該步驟S6中的該香蘭葉汁，是由香蘭葉（Pandanus amaryllifolius）磨成汁之後而形成該香蘭葉汁；其中該香蘭葉汁是事先用120℃的溫度熬煮3分鐘後，之後冷卻至50℃，才加入該第四水藥中。
如請求項1所述之製備方法，其中在步驟S2中的濾渣方式是以離心脫水的技藝進行；其中在步驟S8中的濾渣方式是以離心脫水的技藝進行。
如請求項1所述之製備方法，其中在步驟S2中的各該漢方藥混合材料及該水是以40目的篩網進行濾渣；其中在步驟S8中的該第五水藥以90目的篩網進行濾渣。
如請求項1所述之製備方法，其中在該步驟S8中的該糖漿是供用以與飲用液體相混合而形成漢方調味南洋風味飲；其中飲用液體包含水、氣泡水、果汁、牛奶或椰奶。
一種呼吸聲識別系統，包括：<br/>一資料庫，包括複數筆原始呼吸音頻及複數筆呼吸疾病類別，將該些原始呼吸音頻劃分為至少一訓練資料集及至少一測試資料集，該訓練資料集包括複數筆第一音頻，該測試資料集包括複數筆第二音頻；<br/>一過採樣單元，通訊連接該資料庫，該過採樣單元包括一比較器、一除法器、一取整函數單元及一複製單元，將該些呼吸疾病類別自該資料庫讀取每一呼吸疾病類別可用的一樣本總數，將該樣本總數輸入到一比較器中，該比較器識別出樣本數最多的類別做為一關鍵因子，透過該除法器將該關鍵因子除以該樣本總數並通過該取整函數單元以得到一自適應係數，該自適應係數決定該些第一音頻中各類別樣本的複製次數，並由該複製單元執行對應複製；<br/>一預處理引擎，通訊連接該資料庫及該過採樣單元，通過一動態音頻串接方法或一音頻裁剪方法，將該些第一音頻及該些第二音頻的音頻數據長度調整為3秒，以形成複數筆第一呼吸音信號及複數筆第二呼吸音信號；<br/>一處理器，通訊連接該預處理引擎，將預處理後的該些第一呼吸音信號及該些第二呼吸音信號特徵提取以產生複數個梅爾頻譜圖，其中跳步大小(hop size)為128，FFT點數設為256，並在50 Hz至2500 Hz之頻率範圍進行裁剪；以及<br/>一人工智慧模型，電性連接該處理器，使用一殘差學習框(residual learning framework)將該些梅爾頻譜圖在該人工智慧模型中進行演算，以完成一初始訓練模組及一呼吸分類結果；<br/>其中該人工智慧模型包括一卷積層、一批量正規化層、ReLU激活函數及至少一殘差塊，該殘差塊中的一捷徑連接(shortcut connections)將輸入直接加到該殘差塊的輸出上，使得該人工智慧模型能夠學習恆等映射。
如請求項1所述之呼吸聲識別系統，其中該動態音頻串接方法係為通過一音頻裁剪模組消除該些第一音頻及該些第二音頻的時間間隙，該些第一音頻及該些第二音頻被裁剪後，通過一串接模組，將裁剪後的音頻與一輸入音頻結合，以形成一串接音頻；評估該串接音頻的音頻長度，若達到目標時長3秒，則該串接音頻將被確定並輸出；若該串接音頻未達到目標時長，則該時間間隙會重新計算所需補足之音頻長度，並傳回該裁剪模組以產生新的音頻片段；當前串接的音頻將成為下一輪串接的輸入，並重複此過程直到達到目標時長。
如請求項2所述之呼吸聲識別系統，其中該動態音頻串接方法係為在該些第一音頻及該些第二音頻的時長大於或等於固定長度的一半，通過裁剪超出固定長度之部分，並將裁剪後的音頻與該輸入音頻進行串接以達到所需的長度。
如請求項2所述之呼吸聲識別系統，其中該動態音頻串接方法係為在該些第一音頻及該些第二音頻的時長小於固定長度的一半，且與該輸入音頻串接後仍無法達到3秒鐘時，將再次執行音頻串接，並將串接後的音頻作為下一輪之輸入音頻，以持續進行串接處理直到達成目標時長。
如請求項2所述之呼吸聲識別系統，其中該動態音頻串接方法係為在該輸入音頻和該些第一音頻或該些第二音頻之總時長達到或超過3秒鐘時，僅裁剪該些第一音頻或該些第二音頻之超出部分，並將該輸入音頻與裁剪後之音頻片段進行串接，以形成符合3秒長度之串接音頻。
如請求項1所述之呼吸聲識別系統，其中該處理器將該些第一呼吸音信號及該些第二呼吸音信號加載為數字格式，並應用一預加重濾波器(pre-emphasis filter)增強高頻，將該些第一呼吸音信號及該些第二呼吸音信號分段為重疊的複數個幀，每一幀都乘以一漢明(Hamming)窗口函數，對這些幀進行一短時傅里葉變換，將該些第一呼吸音信號及該些第二呼吸音信號的時域信號轉換為頻域信號。
如請求項6所述之呼吸聲識別系統，其中將從該短時傅里葉變換得到的一功率頻譜圖，使用一梅爾濾波器組映射到梅爾尺度，調整頻率以模擬人耳的敏感度，對該梅爾頻譜圖進行對數變換，壓縮動態範圍，以得到以音頻的頻率隨時間變化的該梅爾頻譜圖。
如請求項1所述之呼吸聲識別系統，其中該人工智慧模型的核心由四個殘差塊組成，每一殘差塊都包含複數層卷積層、一批量歸一化及一ReLU激活函數。
如請求項1所述之呼吸聲識別系統，其中該呼吸分類結果與一真實呼吸分類之間產生一差異值，該差異值為透過下列公式1的一焦點損失(Focal loss)之一損失函數計算而得到的，<br/>公式1： FL(p<sub>t</sub>) = −α(1− p<sub>t</sub>)<sup>γ</sup>log(pt)，<br/>其中p<sub>t</sub>是正確類別的預測概率，γ為一聚焦參數，設為2，α為權重因子，設為0.25，FL(p<sub>t</sub>)即為該呼吸分類結果的該焦點之該損失函數。
如請求項1所述之呼吸聲識別系統，其中該人工智慧模型中的該卷積層對該梅爾頻譜圖進行卷積演算以產生一卷積資料；該卷積資料接著依序透過批量正規化層進行批量歸一化處理(batch normalization)，並應用該ReLU激活函數進行非線性運算，再經一最大池化層(max pooling)以降低空間維度，於該殘差塊處理後，使用一全局平均池化層(global average pooling)將每一梅爾頻譜圖縮減為單一值，並透過全連接層(fully connected layer)進行分類演算以產生該呼吸分類結果。
一種單向棘輪扳手，其包含有：<br/> 一扳手本體，具有一頭部與一連接該頭部之柄部，於該頭部形成一貫穿該頭部之貫孔，該頭部之一側又形成一第一棘齒部；<br/> 一棘輪頭，具有一環部與一連接該環部之延伸部，於該延伸部形成一貫穿該延伸部之套接孔，該環部之一側形成一第二棘齒部，該棘輪頭之延伸部可活動地穿設於該扳手本體之貫孔，且該第二棘齒部再嚙合於該第一棘齒部；以及<br/> 一活動頭，固定該棘輪頭之延伸部的一端，並與該扳手本體之頭部具有一間隙，根據該棘輪頭之作動，該活動頭可相對該扳手本體之頭部產生位移；<br/> 其中，該活動頭具有一活動板與一彈性件，該活動板形成一連接孔，該活動板透過該連接孔去套接並固定該棘輪頭之延伸部的一端，而該彈性件係套設於該棘輪頭之延伸部，其一端抵接於該扳手本體之頭部，另一端抵接於該活動板；該棘輪頭之延伸部穿設該扳手本體之貫孔後，係凸出於該貫孔外，再結合至該活動頭之活動板。
如請求項1所述單向棘輪扳手，其中該扳手本體之頭部的內周面還形成一止擋段，該活動頭之彈性件的一端即抵接於該止擋段。
如請求項1所述單向棘輪扳手，其中該間隙形成於該活動頭之活動板與該扳手本體之間，該間隙之寬度大於或等於該扳手本體之第一棘齒部及該棘輪頭之第二棘齒部的齒高。
一種單向棘輪扳手結構，其包含有：<br/> 一扳手本體，具有一頭部與一連接該頭部之柄部，該頭部形成一貫穿該頭部之貫孔；<br/> 一棘輪頭，具有一貫穿頂面及底面之套接孔，該棘輪頭穿設於該扳手本體之頭部的貫孔；以及<br/> 一轉動組，設置於該扳手本體之頭部與該棘輪頭之間，該轉動組具有一棘齒部與一連接該棘齒部之作動部，該作動部位於該棘齒部與該扳手本體的頭部之間，根據該作動部相對該棘齒部之位移，使該棘輪頭可相對於該扳手本體朝單一方向轉動；<br/> 其中，該轉動組之棘齒部具有複數個棘齒，該等棘齒設置於該棘輪頭之外周面，該作動部具有複數個滾動件及複數個彈性件，於任一該棘齒設置任一該彈性件，且於任一該彈性件之一端設置該等滾動件，該等滾動件為抵接或不抵接於鄰近之該棘齒與該扳手本體之頭部；該作動部之該等滾動件分為大尺寸與小尺寸之規格，以一個大尺寸之該滾動件搭配一個小尺寸之該滾動件去設置於任一該彈性件之一端。
如請求項1所述單向棘輪扳手結構，其中該扳手本體之頭部的內周面還形成一止擋段，該棘輪頭被該止擋段圍繞，而該轉動組的側面係抵接於該止擋段。
如請求項1所述單向棘輪扳手結構，其中還包含有一定位板與一定位扣，該定位板之外周面形成一第一定位槽，且該扳手本體之頭部的內周面形成一第二定位槽，該棘輪頭穿設該貫孔後，該定位板套設該棘輪頭之一端並抵接於該轉動組之側面，而該定位扣被設置於該第一定位槽與該第二定位槽，以限制該棘輪頭與該轉動組於該貫孔中的位置。
一種六口閥裝置，其包括：<br/>一殼體，其具有一第一入口、一第一出口、一第二入口、一第二出口、一第三入口及一第三出口；<br/>一中央通道，其係設於該殼體內且連通該第一入口及該第一出口；該中央通道用以供一工作流體通過；<br/>一第一通道，其係設於該殼體內且連通該第二入口及該第二出口；該第一通道上及該中央通道之間設有一第一閥體、一第一彈性元件及一第一感壓薄膜； 該第一閥體係連結該第一感壓薄膜，且該第一彈性元件係對該第一感壓薄膜產生一第一推力；及<br/>一第二通道，其係設於該殼體內且連通該第三入口及該第三出口；該第二通道上及該中央通道之間設有一第二閥體、一第二彈性元件及一第二感壓薄膜；該第二閥體係連結該第二感壓薄膜，且該第二彈性元件係對該第二感壓薄膜產生一第二推力；<br/>其中，該六口閥裝置係具有一常壓模式及一降壓模式；<br/>當在該常壓模式時，該工作流體之壓力係大於一參考壓力，使得該第一感壓薄膜推壓該第一閥體，並使該第一通道呈斷路狀；且，使得該第二感壓薄膜推壓該第二閥體，並使該第二通道呈通路狀；及<br/>當在該降壓模式時，該工作流體之壓力係小於該參考壓力，使得該第一感壓薄膜不推壓該第一閥體，並使該第一通道呈通路狀；且，使得該第二感壓薄膜不推壓該第二閥體，並使該第二通道呈斷路狀。
如請求項1所述之六口閥裝置，其中，該第一通道又具有一第一流道，該第一流道連通於該第二入口及該第二出口之間，並具有一錐形開口，且該第一閥體係具有一錐形端及一設於該錐形端的第一O形環；當在該常壓模式時，該錐形端對應於該錐形開口，並且該第一O形環貼合於該錐形開口的內側壁面，進而封閉該第一流道；當在該降壓模式時，該錐形端脫離該錐形開口，使得該第一流道連通該第二入口及該第二出口。
如請求項1所述之六口閥裝置，其又包括一壓力微調機構，該壓力微調機構用以調整該第二彈性元件之壓縮量。
如請求項3所述之六口閥裝置，其中：<br/>該第二通道係具有一第二流道，該第二流道連通於該第三入口及該第三出口之間，並且該第二流道之內側壁面具有一錐形段，而該第二閥體具有一第二O形環；<br/>在該常壓模式時；該第二O形環脫離該錐形段，使得該第二流道連通該第三入口及該第三出口；及<br/>當在該降壓模式時，該第二O形環貼合於該錐形段，進而封閉該第二流道。
如請求項4所述之六口閥裝置，其中，該第二彈性元件之二端分別頂抵該第二閥體及該壓力微調機構，且該壓力微調機構螺設於該第二流道中。
如請求項1所述之六口閥裝置，其又包括一洩壓安全閥，該洩壓安全閥設置於該第二通道，並且具有一安全壓力值；其中，當該第三入口內之壓力小於該安全壓力值，該洩壓安全閥呈一關閉狀態，使該第三入口及該第三出口之間不連通；當該第三入口內之壓力大於該安全壓力值，該洩壓安全閥呈一開啟狀態，並且連通該第三入口及該第三出口。
如請求項6所述之六口閥裝置，其中，該洩壓安全閥設置於該第二閥體上，並且具有一容置槽、一第一通孔、一第二通孔、一第三彈性元件及一洩壓閥體；該第一通孔設於該容置槽之一端並連通該第三入口，該第二通孔設於該容置槽之一側並連通該第三出口，該第三彈性元件設置於該容置槽內，並且用以推抵該洩壓閥體；當該第三入口內之壓力小於該安全壓力值，該第三彈性元件推抵該洩壓閥體封閉該第一通孔；當該第三入口內之壓力大於該安全壓力值，該洩壓閥體脫離該第一通孔，使得該容置槽連通該第三入口及該第三出口。
一種智能顧客互動狀態管理系統，適於與多個終端電子裝置通訊，並包含：<br/>一資料推薦主機；<br/>一資料庫主機，電連接於該資料推薦主機，且儲存有相關於一顧客的一顧客資料；<br/>一狀態管理主機，電連接於該資料庫主機；及<br/>多個前台主機，電連接於該狀態管理主機；<br/>該資料推薦主機根據該顧客資料產生對應於該顧客的一顧客推薦項目清單，該顧客推薦項目清單包含有排序的多個推薦項目，各該推薦項目對應於一推薦項目素材資料；<br/>該狀態管理主機接收該顧客推薦項目清單並產生一對應於該顧客推薦項目清單的接觸紀錄，該接觸紀錄用於紀錄該顧客推薦項目清單的該等推薦項目當中最近一次被用於接觸該顧客的該推薦項目；<br/>當該等前台主機其中一者正被用於服務該顧客時，該狀態管理主機判斷該接觸紀錄是否指示出該等推薦項目皆未曾被用於接觸該顧客；<br/>當該狀態管理主機判斷該接觸紀錄指示出該等推薦項目皆未曾被用於接觸該顧客，該狀態管理主機使該前台主機提供該顧客推薦項目清單中排序第一之該推薦項目對應的該推薦項目素材資料給該終端電子裝置；<br/>當該狀態管理主機判斷該接觸紀錄並非指示出該等推薦項目皆未曾被用於接觸該顧客，該狀態管理主機判斷是否滿足一切換條件；<br/>當該狀態管理主機判斷出未滿足該切換條件，該狀態管理主機使該前台主機提供該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該推薦項目素材資料給該終端電子裝置；<br/>當該狀態管理主機判斷出已滿足該切換條件，該狀態管理主機使該前台主機提供該顧客推薦項目清單中排在該接觸紀錄指示的該推薦項目的下一個順位的該推薦項目對應的該推薦項目素材資料給該終端電子裝置。
如請求項1所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該狀態管理主機還產生多個分別對應於該等推薦項目的回饋紀錄，各該回饋紀錄包含一點擊次數紀錄，各該點擊次數紀錄用於紀錄該終端電子裝置被操作去點擊該推薦項目素材資料的次數，該狀態管理主機於判斷是否滿足該切換條件時，是判斷該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該點擊次數紀錄是否達到一點擊次數門檻值。
如請求項1所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該狀態管理主機還產生多個分別對應於該等推薦項目的回饋紀錄，各該回饋紀錄包含一曝光次數紀錄，各該曝光次數紀錄用於紀錄對應的該推薦項目對應的該推薦項目素材資料被提供給該終端電子裝置的次數，該狀態管理主機於判斷是否滿足該切換條件時，是判斷該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該曝光次數紀錄是否達到一曝光次數門檻值。
如請求項1所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該狀態管理主機還產生多個分別對應於該等推薦項目的回饋紀錄，各該回饋紀錄包含一沒興趣點擊次數紀錄，各該沒興趣點擊次數紀錄用於紀錄該終端電子裝置被操作去點擊該推薦項目素材資料對應的一沒興趣選項的次數，該狀態管理主機於判斷是否滿足該切換條件時，是判斷該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該沒興趣點擊次數紀錄是否達到一沒興趣點擊次數門檻值。
如請求項2至4其中任一項所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該狀態管理主機將該回饋紀錄更新至該顧客資料。
如請求項5所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該顧客資料還包含該顧客於一金融機構的一交易紀錄及一往來紀錄。
如請求項1所述的智能顧客互動狀態管理系統，還包含電連接於該等前台主機的一內容中心主機，各該前台主機自該內容中心主機取得各該推薦項目對應的該推薦項目素材資料。
如請求項1所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該資料推薦主機產生多個分別對應於多位顧客的顧客推薦項目清單，該資料推薦主機使用多個推薦演算法其中一者以產生各該顧客推薦項目清單，對於各該推薦演算法所產生多筆顧客推薦項目清單，該資料推薦主機根據各該顧客推薦項目清單對應的一推薦結果紀錄產生對應於該推薦演算法的多個效果評比指標。
如請求項8所述的智能顧客互動狀態管理系統，其中，該等效果評比指標其中一者為一曝光量、一點擊量或一購買量。
一種智能顧客互動狀態管理方法，藉由一智能顧客互動狀態管理系統實施，該智能顧客互動狀態管理系統適於與多個終端電子裝置通訊並包含一資料推薦主機、一資料庫主機、一狀態管理主機及多個前台主機，該資料庫主機儲存有相關於一顧客的一顧客資料，該方法包含：<br/>該資料推薦主機根據該顧客資料產生對應於該顧客的一顧客推薦項目清單，該顧客推薦項目清單包含有排序的多個推薦項目，各該推薦項目對應於一推薦項目素材資料；<br/>該狀態管理主機接收該顧客推薦項目清單並產生一對應於該顧客推薦項目清單的接觸紀錄，該接觸紀錄用於紀錄該顧客推薦項目清單的該等推薦項目當中最近一次被用於接觸該顧客的該推薦項目；<br/>當該等前台主機其中一者正被用於服務該顧客時，該狀態管理主機判斷該接觸紀錄是否指示出該等推薦項目皆未曾被用於接觸該顧客；<br/>當該狀態管理主機判斷該接觸紀錄指示出該等推薦項目皆未曾被用於接觸該顧客，該狀態管理主機使該前台主機提供該顧客推薦項目清單中排序第一之該推薦項目對應的該推薦項目素材資料給該終端電子裝置；<br/>當該狀態管理主機判斷該接觸紀錄並非指示出該等推薦項目皆未曾被用於接觸該顧客，該狀態管理主機判斷是否滿足一切換條件；<br/>當該狀態管理主機判斷出未滿足該切換條件，該狀態管理主機使該前台主機提供該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該推薦項目素材資料給該終端電子裝置；及<br/>當該狀態管理主機判斷出已滿足該切換條件，該狀態管理主機使該前台主機提供該顧客推薦項目清單中排在該接觸紀錄指示的該推薦項目的下一個順位的該推薦項目對應的該推薦項目素材資料給該終端電子裝置。
如請求項10所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該狀態管理主機還產生多個分別對應於該等推薦項目的回饋紀錄，各該回饋紀錄包含一點擊次數紀錄，各該點擊次數紀錄用於紀錄該終端電子裝置被操作去點擊該推薦項目素材資料的次數，該狀態管理主機於判斷是否滿足該切換條件時，是判斷該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該點擊次數紀錄是否達到一點擊次數門檻值。
如請求項10所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該狀態管理主機還產生多個分別對應於該等推薦項目的回饋紀錄，各該回饋紀錄包含一曝光次數紀錄，各該曝光次數紀錄用於紀錄對應的該推薦項目對應的該推薦項目素材資料被提供給該終端電子裝置的次數，該狀態管理主機於判斷是否滿足該切換條件時，是判斷該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該曝光次數紀錄是否達到一曝光次數門檻值。
如請求項10所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該狀態管理主機還產生多個分別對應於該等推薦項目的回饋紀錄，各該回饋紀錄包含一沒興趣點擊次數紀錄，各該沒興趣點擊次數紀錄用於紀錄該終端電子裝置被操作去點擊該推薦項目素材資料對應的一沒興趣選項的次數，該狀態管理主機於判斷是否滿足該切換條件時，是判斷該接觸紀錄指示的該推薦項目對應的該沒興趣點擊次數紀錄是否達到一沒興趣點擊次數門檻值。
如請求項11至13其中任一項所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該狀態管理主機將該回饋紀錄更新至該顧客資料。
如請求項14所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該顧客資料還包含該顧客於一金融機構的一交易紀錄及一往來紀錄。
如請求項10所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該智能顧客互動狀態管理系統還包含一內容中心主機，各該前台主機自該內容中心主機取得各該推薦項目對應的該推薦項目素材資料。
如請求項10所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該資料推薦主機產生多個分別對應於多位顧客的顧客推薦項目清單，該資料推薦主機使用多個推薦演算法其中一者以產生各該顧客推薦項目清單，對於各該推薦演算法所產生多筆顧客推薦項目清單，該資料推薦主機根據各該顧客推薦項目清單對應的一推薦結果紀錄產生對應於該推薦演算法的多個效果評比指標。
如請求項17所述的智能顧客互動狀態管理方法，其中，該等效果評比指標其中一者為一曝光量、一點擊量或一購買量。
一種煙霧判斷系統，包括：<br/> 一處理裝置；以及<br/> 一儲存裝置，耦接該處理裝置，並且用以儲存一第一影像分割模型以及一第二影像分割模型，<br/> 其中該處理裝置將一第一輸入影像輸入至該第一影像分割模型，以取得標記一前景區域的一第一輸出影像，並且該處理裝置將該第一輸入影像輸入至該第二影像分割模型，以取得標記一可能煙霧區域的一第二輸出影像以及標記一天空區域的一第三輸出影像，<br/> 其中該處理裝置對該第一輸出影像與該第二輸出影像進行交集運算，以取得標記一準確煙霧區域的一第四輸出影像，<br/> 其中該處理裝置根據該第三輸出影像在該天空區域中的多個像素值的一第一平均亮度以及該第四輸出影像在該準確煙霧區域中的多個像素值的一第二平均亮度來判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為一白煙影像或一黑煙影像。
如請求項1所述的煙霧判斷系統，其中該第一影像分割模型為一光流分割模型。
如請求項2所述的煙霧判斷系統，其中該光流分割模型根據該第一輸入影像、一第二輸入影像以及一光流閾值來產生標記有該前景區域的該第一輸出影像。
如請求項3所述的煙霧判斷系統，其中該第一輸入影像以及該第二輸入影像為相鄰幀的影像。
如請求項1所述的煙霧判斷系統，其中該第二影像分割模型為一語意分割模型。
如請求項5所述的煙霧判斷系統，其中該語意分割模型為一深度學習模型。
如請求項1所述的煙霧判斷系統，其中當該第一平均亮度大於該第二平均亮度時，該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該黑煙影像，<br/> 其中當該第一平均亮度小於或等於該第二平均亮度時，該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像。
如請求項1所述的煙霧判斷系統，其中該處理裝置計算該第三輸出影像在該天空區域中的該些像素值的一像素值標準差，並且該處理裝置根據該第一平均亮度減掉該像素值標準差與一標準差倍數參數相乘的數值的結果來判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像或該黑煙影像。
如請求項8所述的煙霧判斷系統，其中當該第一平均亮度減掉該像素值標準差與該標準差倍數參數相乘的數值的結果大於該第二平均亮度時，該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該黑煙影像，<br/> 其中當該第一平均亮度減掉該像素值標準差與該標準差倍數參數相乘的數值的結果小於或等於該第二平均亮度時，該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像。
如請求項1所述的煙霧判斷系統，還包括：<br/> 一攝影裝置，耦接該處理裝置，並且用以取得該第一輸入影像。
一種煙霧判斷方法，包括：<br/> 通過一處理裝置將一第一輸入影像輸入至一第一影像分割模型，以取得標記一前景區域的一第一輸出影像；<br/> 通過該處理裝置將該第一輸入影像輸入至一第二影像分割模型，以取得標記一可能煙霧區域的一第二輸出影像以及標記一天空區域的一第三輸出影像；<br/> 通過該處理裝置對該第一輸出影像與該第二輸出影像進行交集運算，以取得標記一準確煙霧區域的一第四輸出影像；以及<br/> 通過該處理裝置根據該第三輸出影像在該天空區域中的多個像素值的一第一平均亮度以及該第四輸出影像在該準確煙霧區域中的多個像素值的一第二平均亮度來判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為一白煙影像或一黑煙影像。
如請求項11所述的煙霧判斷方法，其中該第一影像分割模型為一光流分割模型。
如請求項12所述的煙霧判斷方法，其中取得該第一輸出影像的步驟包括：<br/> 通過該處理裝置執行該光流分割模型，以根據該第一輸入影像、一第二輸入影像以及一光流閾值來產生標記有該前景區域的該第一輸出影像。
如請求項13所述的煙霧判斷方法，其中該第一輸入影像以及該第二輸入影像為相鄰幀的影像。
如請求項11所述的煙霧判斷方法，其中該第二影像分割模型為一語意分割模型。
如請求項15所述的煙霧判斷方法，其中該語意分割模型為一深度學習模型。
如請求項11所述的煙霧判斷方法，其中判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像或該黑煙影像的步驟包括：<br/> 當該第一平均亮度大於該第二平均亮度時，通過該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該黑煙影像；以及<br/> 當該第一平均亮度小於或等於該第二平均亮度時，通過該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像。
如請求項11所述的煙霧判斷方法，其中判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像或該黑煙影像的步驟包括：<br/> 通過該處理裝置計算該第三輸出影像在該天空區域中的該些像素值的一像素值標準差；以及<br/> 通過該處理裝置根據該第一平均亮度減掉該像素值標準差與一標準差倍數參數相乘的數值的結果來判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像或該黑煙影像。
如請求項18所述的煙霧判斷方法，其中判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像或該黑煙影像的步驟還包括：<br/> 當該第一平均亮度減掉該像素值標準差與該標準差倍數參數相乘的數值的結果大於該第二平均亮度時，通過該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該黑煙影像；以及<br/> 當該第一平均亮度減掉該像素值標準差與該標準差倍數參數相乘的數值的結果小於或等於該第二平均亮度時，通過該處理裝置判斷該第四輸出影像的該準確煙霧區域內的影像為該白煙影像。
如請求項11所述的煙霧判斷方法，還包括：<br/> 通過該處理裝置操作一攝影裝置，以取得該第一輸入影像。
一種於電子裝置中提供與應用程式之ANR錯誤有關之資訊之方法，其包括如下步驟： <br/>獲得與上述ANR錯誤有關之發生訊號； <br/>請求包括上述ANR錯誤之日誌資訊之傾印檔案； <br/>將上述傾印檔案儲存於上述應用程式之內部儲存空間；及 <br/>將儲存於上述應用程式之內部儲存空間之上述傾印檔案傳輸至應用程式伺服器； <br/>其中上述傾印檔案係由堆棧跟蹤結構構成之檔案，該堆棧跟蹤結構係表示在上述應用程式之執行過程中呼叫包括主線程之至少一個線程之順序者；及 <br/>其中上述傾印檔案包括於發生上述ANR錯誤之時點上述應用程式中各線程之執行狀態資訊； <br/>其中獲得與上述ANR錯誤有關之發生訊號之步驟包括如下步驟：藉由上述電子裝置之操作系統內核而獲得於上述應用程式中產生之與上述ANR錯誤有關之發生訊號； <br/>其中請求上述傾印檔案之步驟包括如下步驟： <br/>呼叫上述電子裝置之操作系統運行時間；及 <br/>將複製上述傾印檔案並儲存於上述應用程式之內部儲存空間之請求傳輸至上述操作系統運行時間；及 <br/>其中上述應用程式之內部儲存空間係其讀取權限被賦予給上述應用程式之儲存空間。
如請求項1之提供之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述應用程式伺服器接收與發生上述ANR錯誤之位置及原因有關之資訊。
如請求項1之提供之方法，其中與上述ANR錯誤有關之發生訊號係用以於上述應用程式終止並發生上述ANR錯誤之情形時請求儲存上述傾印檔案之訊號。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊電路； <br/>記憶體；及 <br/>處理器； <br/>上述處理器以如下方式構成： <br/>獲得與應用程式之ANR錯誤有關之發生訊號， <br/>請求包括上述ANR錯誤之日誌資訊之傾印檔案， <br/>將上述傾印檔案儲存於上述應用程式之內部儲存空間， <br/>將儲存於上述應用程式之內部儲存空間之上述傾印檔案傳輸至應用程式伺服器； <br/>其中上述傾印檔案係由堆棧跟蹤結構構成之檔案，該堆棧跟蹤結構係表示在上述應用程式之執行過程中呼叫包括主線程之至少一個線程之順序者；及 <br/>其中上述傾印檔案包括於發生上述ANR錯誤之時點上述應用程式中各線程之執行狀態資訊； <br/>其中上述處理器以如下方式構成： <br/>藉由上述電子裝置之操作系統內核而獲得於上述應用程式中產生之與上述ANR錯誤有關之發生訊號； <br/>呼叫上述電子裝置之操作系統運行時間，及 <br/>將複製上述傾印檔案並儲存於上述應用程式之內部儲存空間之請求傳輸至上述操作系統運行時間；及 <br/>其中上述應用程式之內部儲存空間係其讀取權限被賦予給上述應用程式之儲存空間。
如請求項4之電子裝置，其中上述處理器以如下方式構成： <br/>自上述應用程式伺服器接收與發生上述ANR錯誤之位置及原因有關之資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種全自動智慧建屋系統，包括：<br/> 一中央AI平台，其採用一基於 Transformer 之類神經網路，被配置為即時產生並更新一施工排程；<br/> 一AI設計模組，作業連接於所述中央AI平台，配置為基於基地參數、法規限制、氣候資料以及使用者所定功能需求，自動產生一建築的二維及三維的結構圖；<br/> 一材料選配模組，作業連接於所述中央AI平台，配置為：<br/> 從一材料資料庫擷取模組化建材之元件資料；<br/> 依永續性指標與結構相容性對從該材料資料庫擷取之元件進行排名，其中體碳值低於一預定閾值之建材被賦予較高排名；以及<br/> 輸出一構築清單及與所述施工排程協調之配送順序；<br/> 一自動施工機具控制模組，作業連接於所述中央AI平台，配置為透過一時間同步之 5G 專網派遣並協調多個無人施工裝置，該無人施工裝置包括三維列印機、機械手臂與自走吊掛車；<br/> 一建材運輸與定位模組，作業連接於所述中央AI平台，配置為控制一自動導引車將所述模組化建材由一待料區搬運至安裝座標，並並藉由一視覺式對準子系統於預定位置容許公差內對準所述模組化建材；<br/> 一數位雙生模組，配置為維持該建築之虛擬複本並持續與安裝於所述無人施工裝置之感測器實地資料同步，以比對虛實施工進度；<br/> 一安全與環境監測模組，配置為取得包括風速、降雨及地面振動之環境參數，並在任一所述環境參數或依據影像分析所推估之風擎物體風險超過一風險閾值時，輸出一安全警示訊號；<br/> 一碳足跡計算模組，配置為對各工序計算溫室氣體排放，將每一施工工序之排放量至少以每一公斤 CO₂ 當量關聯至一施工任務識別碼，並聚合成一生命週期評估報告；以及<br/> 一區塊鏈註冊模組，配置為將不可竄改紀錄寫入一分散式帳本，該不可竄改紀錄至少包括對應於各施工任務識別碼之：<br/> 該模組化建材之批次識別碼；<br/> 所述無人施工裝置之操作參數； <br/> 驗收結果；以及<br/> 所述碳足跡計算模組提供之排放量資料；<br/> 其中，該區塊鏈註冊模組執行一智慧合約，僅於完成一預定驗收檢查清單後釋出一保固證書；<br/> 其中，所述中央AI平台統籌所述模組的資料流，於所述數位雙生模組偵測到虛實施工偏差或所述安全與環境監測模組之安全警示訊號被觸發時，動態重新排程施工任務與所述無人施工裝置之派遣，並並向所述無人施工裝置發出控制指令，使所述建築於減少人為介入下完成架構。
如請求項1所述之全自動智慧建屋系統，其中所述建材運輸與定位模組之自動導引車配合所述視覺式對準子系統，能達成 ±2 公釐之定位精度。
如請求項1所述之全自動智慧建屋系統，其中所述數位雙生模組進一步配置為提供一擴增實境介面，使遠端監督者可將即時施工狀態覆疊於工地實景。
如請求項1所述之全自動智慧建屋系統，其中所述安全與環境監測模組整合一卷積神經網路以預測風擎物體之軌跡，並在預測所述風擎物體將進入一危險區域，先行將所述無人施工裝置撤離該危險區域。
如請求項1所述之全自動智慧建屋系統，進一步包括一客戶互動模組，配置為鑄造一非同質化代幣，該非同質化代幣編碼由買方所選擇之一客製化室內設計選項。
如請求項1所述之全自動智慧建屋系統，其中所述材料選配模組所選配之模組化建材為一智慧建材，該智慧建材包括：<br/> 一多孔吸碳結構層，包括天然矽土、火山灰、氫氧化鎂及天然植物纖維，具有吸附並固存二氧化碳之功能；<br/> 一奈米抗菌塗層，設於所述多孔吸碳結構層之表面，該奈米抗菌塗層包括光觸媒奈米材料以提供自潔及抗菌效果；<br/> 一智慧感測模組，內嵌於該智慧建材中，該智慧感測模組配置為感測所述建材之運作參數或空氣品質資料並將其上傳至所述中央AI平台；<br/> 一太陽能供能模組，配置於該智慧建材中，以提供所述智慧感測模組之用電；其中，所述智慧建材之吸碳數據可經由所述區塊鏈註冊模組自動上傳並以NFT碳權憑證形式記錄於區塊鏈。
一種具自動夾持功能的充氣嘴，該充氣嘴(1)用於與一氣嘴(2)結合以進行充氣作業，該氣嘴(2)的外周緣設有一下凹的卡制段(2A)，該充氣嘴(1)有一沿軸向延伸的中心(1A)及有一遠離該中心(1A)的外緣部(1B)，該充氣嘴(1)另有一與該軸向交錯的徑向，該充氣嘴(1)包含： <br/>一充氣嘴本體(10)，一端設有一氣嘴插孔(11)與該中心(1A)對應，另一端設有一與該氣嘴插孔(11)相通的進氣孔(12)，該氣嘴插孔(11)周圍設有至少一斜向滑槽(15)，該斜向滑槽(15)靠近該氣嘴插孔(11)方向為鄰近該中心(1A)，該斜向滑槽(15)遠離該氣嘴插孔(11)方向為鄰近該外緣部(1B)同時遠離該中心(1A)； <br/>至少一活動卡制件(20)，安裝於該充氣嘴本體(10)的該斜向滑槽(15)，該活動卡制件(20)設有一可嵌入該卡制段(2A)的卡結部(21)，該活動卡制件(20)可受控制在一卡制位置(20A)、一推抵位置(20B)與一釋放位置(20C)之間移動，該卡制位置(20A)係該活動卡制件(20)配合該斜向滑槽(15)的斜度於鄰近該氣嘴插孔(11)方向時靠近該中心(1A)，該推抵位置(20B)係該活動卡制件(20)配合該斜向滑槽(15)的斜度於遠離該氣嘴插孔(11)方向時鄰近該外緣部(1B)同時遠離該中心(1A)，該活動卡制件(20)在該卡制位置(20A)及該推抵位置(20B)時，係位於一限位空間(521)內，限制該活動卡制件(20)無法在該充氣嘴本體(10)徑向往該外緣部(1B)方向位移，該活動卡制件(20)在該釋放位置(20C)時，係位於一釋放空間(522)內，使該活動卡制件(20)可在該充氣嘴本體(10)徑向往該外緣部(1B)方向位移； <br/>一歸位手段，用以歸位該活動卡制件(20)，使該活動卡制件(20)的卡結部(21)常態保持在該卡制位置(20A)，當該氣嘴(2)插入該充氣嘴本體(10)的氣嘴插孔(11)時，該活動卡制件(20)可被該氣嘴(2)的卡制段(2A)沿該斜向滑槽(15)的斜度推動遠離該中心(1A)至該推抵位置(20B)，隨後在該歸位手段的作用下沿該斜向滑槽(15)的斜度滑移靠近該中心(1A)返回至該卡制位置(20A)，達到卡結部(21)卡掣該氣嘴(2)的該卡制段(2A)，如此在該卡制位置(20A)與該推抵位置(20B)之間反復位移，直到該氣嘴(2)插入至預定位置，此時該活動卡制件(20)回到該卡制位置(20A)，該氣嘴(2)的卡制段(2A)將被該活動卡制件(20)的該卡結部(21)牢固咬合定位；及 <br/>一操作手段，用以控制該活動卡制件(20)，帶動該活動卡制件(20)至該釋放位置(20C)，令該活動卡制件(20)的該卡結部(21)離開該卡制段(2A)，以便將該充氣嘴本體(10)的氣嘴插孔(11)與該氣嘴(2)分離。
如請求項1所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該至少一斜向滑槽(15)的數量為二或二以上，均等設置於該氣嘴插孔(11)周圍，該至少一活動卡制件(20)的數量與該至少一斜向滑槽的數量對應。
如請求項1所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該歸位手段包含一復位彈簧(30)及一環件(40)，該復位彈簧(30)與該環件(40)套設於該充氣嘴本體(10)上，該環件(40)在該復位彈簧(30)的彈力作用下，可於位移或轉動後自動復位，並且該環件(40)與該至少一活動卡制件(20)接觸，該環件(40)周緣凸設至少一連動凸部(41)。
如請求項3所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該活動卡制件(20)一端設有一限制緣(22)，該操作手段為一套筒(50)，該釋放位置(20C)設置於該套筒(50)，該套筒(50)可轉動地套設於該充氣嘴本體(10)上，該套筒(50)一端設有一插孔(51)，該插孔(51)與該充氣嘴本體(10)的氣嘴插孔(11)相對，該套筒(50)另一端設有一容置孔(52)，該容置孔(52)與該插孔(51)相通，該限位空間(521)及該釋放空間(522)設置於該容置孔(52)底壁，並位於該插孔(51)周側，該容置孔(52)底壁遠離該插孔(51)處設有至少一連動凹槽(523)，利用該連動凹槽(523)與該環件(40)的連動凸部(41)契合連動，該容置孔(52)的底部於該插孔(51)周側凸設有一環狀的限制壁(524)，該限制壁(524)周緣設有至少一頂抵凸部(525)，該限制緣(22)可與該限制壁(524)配合，形成限制作用，確保該活動卡制件(20)在移動時平穩順暢。
如請求項4所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該至少一活動卡制件(20)常態下位於該限位空間(521)內限位。
如請求項4所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該活動卡制件(20)外部設有一第一滑動斜面(23)，內部設有一第二滑動斜面(24)，該套筒(50)的該容置孔(52)內周壁靠近底壁處設有一導引斜面(526)，該第一滑動斜面(23)與該導引斜面(526)接觸滑移，該第二滑動斜面(24)與該斜向滑槽(15)接觸滑移，導引該活動卡制件(20)平穩順暢移動。
如請求項1所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該推抵位置(20B)與該釋放位置(20C)為不同位置。
如請求項1所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該氣嘴插孔(11)內部設有一抵桿(13)及一止氣件(14)。
如請求項8所述之具自動夾持功能的充氣嘴，其中該抵桿(13)穿過該止氣件(14)，該止氣件(14)安裝在一定位套(16)端部，該定位套(16)受一彈性元件(17)彈抵。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>將半導體晶粒的底側耦接到基板的頂側； <br/>提供組合件，所述組合件包括金屬層和從所述金屬層延伸的多個金屬柱； <br/>將所述組合件耦接到所述基板，其中每個所述多個金屬柱的第一柱末端在一位置處附接到所述基板的所述頂側，所述位置在所述半導體晶粒所覆蓋的所述基板的所述頂側之一區域的橫向外部； <br/>在所述金屬層和所述基板的所述頂側之間形成囊封物，所述囊封物橫向圍繞所述半導體晶粒以及每個所述多個金屬柱的橫向柱側；以及 <br/>移除所述組合件的所述金屬層以從所述囊封物曝露每個所述多個金屬柱的第二柱末端。
如請求項1所述的方法，其中前述將所述組合件耦接至所述基板包括藉由黏著構件來將每個所述多個金屬柱的所述第一柱末端耦接到所述基板的所述頂側。
如請求項2所述的方法，其中所述黏著構件包括焊料。
如請求項1所述的方法，其中所述組合件包括載體，並且所述方法包括移除帶有所述金屬層的所述組合件的所述載體。
如請求項1所述的方法，其中所述金屬層包括銅。
如請求項1所述的方法，其中所述組合件包括絕緣構件，並且所述方法包括移除帶有所述金屬層的所述組合件的所述絕緣構件。
如請求項6所述的方法，其中在移除所述絕緣構件之前，所述絕緣構件接觸所述囊封物的頂側以及所述半導體晶粒的頂側。
如請求項1所述的方法，其中所述囊封物包括模具材料。
如請求項1所述的方法，其中前述移除所述組合件的所述金屬層包括研磨所述組合件的所述金屬層。
如請求項1所述的方法，其進一步包括在所述基板的底側上形成互連結構。
一種製造半導體裝置的方法，所述方法包括： <br/>將半導體晶粒的底側耦接到基板的頂側； <br/>提供組合件，所述組合件包括金屬層以及從所述金屬層延伸的多個金屬柱； <br/>將所述組合件耦接到所述基板，其中每個所述多個金屬柱的第一柱末端藉由黏著構件而附接到所述基板的所述頂側； <br/>在所述金屬層和所述基板的所述頂側之間形成囊封物，所述囊封物橫向圍繞所述半導體晶粒和每個所述多個金屬柱的橫向柱側；以及 <br/>移除所述組合件的所述金屬層以從所述囊封物曝露每個所述多個金屬柱的第二柱末端。
如請求項11所述的方法，其中所述黏著構件包括焊料。
如請求項11所述的方法，其中所述金屬層包括銅。
如請求項11所述的方法，其中所述囊封物包括模具材料。
如請求項11所述的方法，其中前述移除所述組合件的所述金屬層包括研磨所述組合件的所述金屬層。
如請求項11所述的方法，其進一步包括在所述基板的底側上形成互連結構。
一種半導體裝置，其包括： <br/>基板，所述基板具有基板頂側、基板底側以及延伸於所述基板頂側以及所述基板底側之間的基板橫向側； <br/>半導體晶粒，所述半導體晶粒具有晶粒頂側、晶粒底側以及延伸於所述晶粒頂側以及所述晶粒底側之間的晶粒橫向側，其中所述晶粒底側耦接到所述基板頂側； <br/>多個金屬柱，每個所述多個金屬柱包括第一柱末端、與所述第一柱末端相對的第二柱末端以及延伸於所述第一柱末端和所述第二柱末端之間的橫向柱側，所述第一柱末端藉由黏著構件而耦接到所述基板頂側，其中每個所述多個金屬柱橫向地定位在由所述半導體晶粒所覆蓋的所述基板頂側之一區域的外部； <br/>模具材料，所述模具材料直接接觸所述基板頂側的至少一部分、所述晶粒橫向側的至少一部分、每個所述多個金屬柱的所述橫向柱側的至少一部分以及所述黏著構件的至少一部分，其中每個所述多個金屬柱的所述第二柱末端從所述模具材料曝露，且其中每個所述多個金屬柱的所述第二柱末端與所述模具材料的頂側共平面；以及 <br/>互連結構，所述互連結構耦接到所述基板底側。
如請求項17所述的半導體裝置，其中所述黏著構件包括焊料。
如請求項17所述的半導體裝置，其中每個所述多個金屬柱包括銅柱，所述銅柱的寬度不大於15μm。
如請求項17所述的半導體裝置，其中所述晶粒頂側從所述模具材料曝露。
一種感光性樹脂組成物，其係含有以下成分： <br/>（A）鹼可溶性高分子、 <br/>（B）具有乙烯性不飽和鍵之化合物、及 <br/>（C）光聚合起始劑； <br/>該感光性樹脂組成物，係進一步含有以下成分： <br/>（D）具有（d1）三唑骨架、以及（d2）長鏈烷基胺或長鏈烷基伸烷基二胺骨架之成分；且 <br/>該（A）成分，係具有以下作為其構成單元之單體成分： <br/>（b）苯乙烯； <br/>具有該（b）苯乙烯之單體成分之比率，以該（A）成分中所有單體成分之合計質量為基準，係50質量%以上； <br/>並用複數個（A）成分時，（A）成分中之單體成分之比率係複數個（A）成分中單體之含量之加權平均值； <br/>該（D）成分係具有（d1）三唑骨架之化合物、以及具有（d2）長鏈烷基胺或長鏈烷基伸烷基二胺骨架之化合物的混合物； <br/>該（d2）長鏈烷基胺骨架之化合物，係以下述式（2）表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="319px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，R<sub>1</sub>係表示氫原子或者直鏈狀或支鏈狀烷基，R<sub>2</sub>、R<sub>2</sub>’分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀烷基，且R<sub>2</sub>、R<sub>2</sub>’的碳數合計為9以上）； <br/>該（d2）長鏈烷基伸烷基二胺骨架之化合物，係以下述式（3）表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="619px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，R<sub>3</sub>係表示碳數9以上的直鏈狀或支鏈狀烷基，且n為1以上的整數）。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中，該（A）成分的重量平均分子量係未滿50000。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中，該（d2）長鏈烷基胺或長鏈烷基伸烷基二胺骨架係碳數16以上的烷基胺或烷基伸烷基二胺。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中，該（D）成分係具有羧基。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中，該（d1）三唑骨架係具有羧基苯并三唑結構。
如請求項1所述之感光性樹脂組成物，其中，該（C）成分係含有六芳基聯咪唑化合物。
一種感光性元件，其係具備支撐膜、及形成於該支撐膜上之含有感光性樹脂組成物之感光性樹脂層； <br/>該感光性樹脂組成物係含有以下成分： <br/>（A）鹼可溶性高分子、 <br/>（B）具有乙烯性不飽和鍵之化合物、 <br/>（C）光聚合起始劑、及 <br/>（D）具有（d1）三唑骨架、以及（d2）長鏈烷基胺或長鏈烷基伸烷基二胺骨架之成分；且 <br/>該（A）成分，係具有以下作為其構成單元之單體成分： <br/>（b）苯乙烯； <br/>具有該（b）苯乙烯之單體成分之比率，以該（A）成分中所有單體成分之合計質量為基準，係50質量%以上； <br/>並用複數個（A）成分時，（A）成分中之單體成分之比率係複數個（A）成分中單體之含量之加權平均值； <br/>該（D）成分係具有（d1）三唑骨架之化合物、以及具有（d2）長鏈烷基胺或長鏈烷基伸烷基二胺骨架之化合物的混合物； <br/>該（d2）長鏈烷基胺骨架之化合物，係以下述式（2）表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="639px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，R<sub>1</sub>係表示氫原子或者直鏈狀或支鏈狀烷基，R<sub>2</sub>、R<sub>2</sub>’分別獨立表示直鏈狀或支鏈狀烷基，且R<sub>2</sub>、R<sub>2</sub>’的碳數合計為9以上）； <br/>該（d2）長鏈烷基伸烷基二胺骨架之化合物，係以下述式（3）表示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="619px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，R<sub>3</sub>係表示碳數9以上的直鏈狀或支鏈狀烷基，且n為1以上的整數）。
如請求項7所述之感光性元件，其中，該（A）成分的重量平均分子量係未滿50000。
如請求項7所述之感光性元件，其中，該（d2）長鏈烷基胺或長鏈烷基伸烷基二胺骨架係碳數16以上的烷基胺或烷基伸烷基二胺。
如請求項7所述之感光性元件，其中，該（D）成分係具有羧基。
如請求項7所述之感光性元件，其中，該（d1）三唑骨架係具有羧基苯并三唑結構。
如請求項7所述之感光性元件，其中，該（C）成分係含有六芳基聯咪唑化合物。
如請求項7所述之感光性元件，其中，其係該支撐膜、該感光性樹脂層、及保護膜之積層體。
一種USB擴充裝置，包括：<br/>一上行埠連接器，適於耦接至一USB主機；<br/>一第一下行埠連接器，適於耦接至一第一外部裝置；<br/>一第二下行埠連接器，適於耦接至一第二外部裝置；<br/>一電力傳輸控制器，耦接至該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器的每一者的一配置通道接腳；<br/>一路由電路，耦接至該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器的每一者的多組差動資料接腳對，以及耦接至該電力傳輸控制器，其中該路由電路基於該電力傳輸控制器的控制而選擇性提供該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器之間的資料傳輸路徑；以及<br/>一自適應充電直通電路，耦接至該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器的每一者的一電力接腳，以及耦接至該電力傳輸控制器，其中該自適應充電直通電路基於該電力傳輸控制器的控制而選擇性運行於一充電直通模式或一自適應充電模式，<br/>該自適應充電直通電路在該充電直通模式中將該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器其中一者的一輸入功率傳輸給該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器其中另一者，以及<br/>該自適應充電直通電路在該自適應充電模式中將該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器其中一者的一輸入功率分配給該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器中的其餘者。
如請求項1所述的USB擴充裝置，其中該第一外部裝置為一第一USB裝置，該第二外部裝置為一第二USB裝置，<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，該第一USB裝置耦接至該第一下行埠連接器，以及該第二USB裝置耦接至該第二下行埠連接器，則該自適應充電直通電路將該USB主機所提供的該輸入功率分配給該第一USB裝置與該第二USB裝置。
如請求項1所述的USB擴充裝置，其中該USB主機為一手持式行動電話或一平板電腦，該第一外部裝置為一電源適配器或一行動電源，而該第二外部裝置為一USB裝置。
如請求項3所述的USB擴充裝置，其中，<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，該電源適配器或該行動電源耦接至該第一下行埠連接器，以及該USB裝置耦接至該第二下行埠連接器，則該路由電路將該上行埠連接器的所述多組差動資料接腳對耦接至該第二下行埠連接器。
如請求項1所述的USB擴充裝置，更包括：<br/>一濕度偵測電路，耦接至該上行埠連接器以及該電力傳輸控制器，其中該濕度偵測電路偵測該上行埠連接器的一目標接腳與一地之間的一寄生電化學阻抗，以及該濕度偵測電路基於該寄生電化學阻抗獲知該上行埠連接器的一溼度資訊。
如請求項5所述的USB擴充裝置，其中該目標接腳包括該第一USB連接器的一邊帶使用接腳或該配置通道接腳。
如請求項5所述的USB擴充裝置，其中該濕度偵測電路基於該溼度資訊而決定是否通知該電力傳輸控制器去切斷該自適應充電直通電路的一電力傳輸。
如請求項1所述的USB擴充裝置，其中該自適應充電直通電路包括：<br/>一直流直流轉換器，受控於該電力傳輸控制器；<br/>一第一功率開關，受控於該電力傳輸控制器，其中該第一功率開關的一第一端耦接至該上行埠連接器的該電力接腳，以及該第一功率開關的一第二端耦接至該直流直流轉換器的一功率輸入端；<br/>一第二功率開關，受控於該電力傳輸控制器，其中該第二功率開關的一第一端耦接至該第一下行埠連接器的該電力接腳，以及該第二功率開關的一第二端耦接至該直流直流轉換器的該功率輸入端；<br/>一第三功率開關，受控於該電力傳輸控制器，其中該第三功率開關的一第一端耦接至該第二下行埠連接器的該電力接腳，以及該第三功率開關的一第二端耦接至該直流直流轉換器的該功率輸入端；<br/>一第四功率開關，受控於該電力傳輸控制器，其中該第四功率開關的一第一端耦接至該上行埠連接器的該電力接腳，以及該第四功率開關的一第二端耦接至該直流直流轉換器的一第一功率輸出端；<br/>一第五功率開關，受控於該電力傳輸控制器，其中該第五功率開關的一第一端耦接至該第一下行埠連接器的該電力接腳，以及該第五功率開關的一第二端耦接至該直流直流轉換器的一第二功率輸出端；以及<br/>一第六功率開關，受控於該電力傳輸控制器，其中該第六功率開關的一第一端耦接至該第二下行埠連接器的該電力接腳，以及該第六功率開關的一第二端耦接至該直流直流轉換器的一第三功率輸出端。
如請求項8所述的USB擴充裝置，其中，<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，一電源適配器或一行動電源耦接至該第一下行埠連接器，以及未有任何外部裝置耦接至該第二下行埠連接器，則該第一功率開關與該第二功率開關為導通，該第三功率開關、該第四功率開關、該第五功率開關與該第六功率開關為截止，以及該直流直流轉換器為禁能。
如請求項8所述的USB擴充裝置，其中，<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，一電源適配器或一行動電源耦接至該第一下行埠連接器，以及未有任何外部裝置耦接至該第二下行埠連接器，則該第二功率開關與該第四功率開關為導通，該第一功率開關、該第三功率開關、該第五功率開關與該第六功率開關為截止，以及該直流直流轉換器使用該電源適配器或該行動電源所提供的該輸入功率去產生一充電功率給該USB主機。
如請求項8所述的USB擴充裝置，其中，<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，一電源適配器或一行動電源耦接至該第一下行埠連接器，以及一USB裝置耦接至該第二下行埠連接器，則該第二功率開關、該第四功率開關與該第六功率開關為導通，該第一功率開關、該第三功率開關與該第五功率開關為截止，該直流直流轉換器使用該電源適配器或該行動電源所提供的該輸入功率去產生一充電功率給該USB主機，以及該直流直流轉換器使用該電源適配器或該行動電源所提供的該輸入功率去產生一輸出功率給該USB裝置。
如請求項1所述的USB擴充裝置，其中該路由電路包括：<br/>一第一多工電路，受控於該電力傳輸控制器，其中該第一多工電路的多組共同端對分別耦接至該上行埠連接器的所述多組差動資料接腳對，以及該第一多工電路的多組選擇端對分別耦接至該第一下行埠連接器的所述多組差動資料接腳對；以及<br/>一第二多工電路，受控於該電力傳輸控制器，其中該第二多工電路的多組共同端對分別耦接至該上行埠連接器的所述多組差動資料接腳對，以及該第二多工電路的多組選擇端對分別耦接至該第二下行埠連接器的所述多組差動資料接腳對。
如請求項1所述的USB擴充裝置，其中該路由電路包括：<br/>一再驅動器，受控於該電力傳輸控制器，其中該再驅動器的多組第一端對分別耦接至該上行埠連接器的所述多組差差動資料接腳對；<br/>一第一多工電路，受控於該電力傳輸控制器，其中該第一多工電路的多組共同端對分別耦接至該再驅動器的多組第二端對，以及該第一多工電路的多組選擇端對分別耦接至該第一下行埠連接器的所述多組差動資料接腳對；以及<br/>一第二多工電路，受控於該電力傳輸控制器，其中該第二多工電路的多組共同端對分別耦接至該再驅動器的所述多組第二端對，以及該第二多工電路的多組選擇端對分別耦接至該第二下行埠連接器的所述多組差動資料接腳對。
一種USB擴充裝置的操作方法，包括：<br/>基於該USB擴充裝置的一電力傳輸控制器的控制，由該USB擴充裝置的一路由電路選擇性提供該USB擴充裝置的一上行埠連接器、一第一下行埠連接器與一第二下行埠連接器之間的資料傳輸路徑，其中該上行埠連接器適於耦接至一USB主機，該第一下行埠連接器適於耦接至一第一外部裝置，該第二下行埠連接器適於耦接至一第二外部裝置，該電力傳輸控制器耦接至該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器的每一者的一配置通道接腳，該路由電路耦接至該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器的每一者的多組差動資料接腳對，以及該路由電路耦接至該電力傳輸控制器；<br/>基於該電力傳輸控制器的控制，由該USB擴充裝置的一自適應充電直通電路選擇性運行於一充電直通模式或一自適應充電模式，其中該自適應充電直通電路耦接至該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器的每一者的一電力接腳，以及該自適應充電直通電路耦接至該電力傳輸控制器；<br/>在該充電直通模式中，由該自適應充電直通電路將該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器其中一者的一輸入功率傳輸給該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器其中另一者；以及<br/>在該自適應充電模式中，由該自適應充電直通電路將該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器其中一者的一輸入功率分配給該上行埠連接器、該第一下行埠連接器與該第二下行埠連接器中的其餘者。
如請求項14所述的操作方法，其中該第一外部裝置為一第一USB裝置，該第二外部裝置為一第二USB裝置，以及該操作方法更包括：<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，該第一USB裝置耦接至該第一下行埠連接器，以及該第二USB裝置耦接至該第二下行埠連接器，由該自適應充電直通電路將該USB主機所提供的該輸入功率分配給該第一USB裝置與該第二USB裝置。
如請求項14所述的操作方法，其中該USB主機為一手持式行動電話或一平板電腦，該第一外部裝置為一電源適配器或一行動電源，而該第二外部裝置為一USB裝置，以及該操作方法更包括：<br/>響應於該USB主機耦接至該上行埠連接器，該電源適配器或該行動電源耦接至該第一下行埠連接器，以及該USB裝置耦接至該第二下行埠連接器，由該路由電路將該上行埠連接器的所述多組差動資料接腳對耦接至該第二下行埠連接器。
如請求項14所述的操作方法，更包括：<br/>由該USB擴充裝置的一濕度偵測電路偵測該上行埠連接器的一目標接腳與一地之間的一寄生電化學阻抗，其中該濕度偵測電路耦接至該上行埠連接器以及該電力傳輸控制器；以及<br/>由該濕度偵測電路基於該寄生電化學阻抗獲知該上行埠連接器的一溼度資訊。
如請求項17所述的操作方法，其中該目標接腳包括該第一USB連接器的一邊帶使用接腳或該配置通道接腳。
如請求項17所述的操作方法，更包括：<br/>由該濕度偵測電路基於該溼度資訊而決定是否通知該電力傳輸控制器去切斷該自適應充電直通電路的一電力傳輸。
一種液晶顯示裝置，包括配置為矩陣狀的多個像素，<br/>該等像素的至少其中一個包括：<br/>第一導電膜，具有作為掃描線的功能以及電晶體之閘極電極的功能；<br/>半導體膜，具有配置於該第一導電膜上的區域，並且具有該電晶體的通道形成區域；<br/>第二導電膜，與該半導體膜電連接，並且具有作為像素電極的功能；<br/>第三導電膜，具有與該第二導電膜重疊的區域，並且具有作為共用電極的功能；<br/>第四導電膜，與該半導體膜電連接，並且具有作為該電晶體之源極或汲極其中一個的功能，並且具有作為信號線的功能；以及<br/>第五導電膜，與該半導體膜電連接，並且具有作為該電晶體之源極或汲極其中另外一個的功能，<br/>其中，該第三導電膜具有與該第一導電膜正交的區域，並且不與該通道形成區域重疊，<br/>該第三導電膜具有開口部，<br/>該開口部具有在第一方向延伸的第一部分，以及在與該第一方向正交的第二方向延伸的第二部分，<br/>在俯視圖中，該開口部之第一部分的至少一部分與該開口部之第二部分的至少一部分係位於該第四導電膜與相對於該第四導電膜的該第二導電膜的端部之間的區域，<br/>在俯視圖中，該第五導電膜具有與該第一導電膜平行或者略微平行的第一區域，並且在該第一區域中，具有與該第二導電膜重疊並且與該第三導電膜重疊的部分，以及與該第二導電膜重疊並且不與該第三導電膜重疊的部分。
一種液晶顯示裝置，包括配置為矩陣狀的多個像素，<br/>該等像素的至少其中一個包括：<br/>第一導電膜，具有作為掃描線的功能以及電晶體之閘極電極的功能；<br/>半導體膜，具有配置於該第一導電膜上的區域，並且具有該電晶體的通道形成區域；<br/>第二導電膜，與該半導體膜電連接，並且具有作為像素電極的功能；<br/>第三導電膜，具有與該第二導電膜重疊的區域，並且具有作為共用電極的功能；<br/>第四導電膜，與該半導體膜電連接，並且具有作為該電晶體之源極或汲極其中一個的功能，並且具有作為信號線的功能；以及<br/>第五導電膜，與該半導體膜電連接，並且具有作為該電晶體之源極或汲極其中另外一個的功能，<br/>其中，該第三導電膜具有與該第一導電膜正交的區域，並且不與該通道形成區域重疊，<br/>該第三導電膜具有開口部，<br/>該開口部具有在第一方向延伸的第一部分，以及在與該第一方向正交的第二方向延伸的第二部分，<br/>在俯視圖中，該開口部之第一部分的至少一部分與該開口部之第二部分的至少一部分係位於該第四導電膜與相對於該第四導電膜的該第二導電膜的端部之間的區域，<br/>在俯視圖中，該第五導電膜具有與該第一導電膜平行或者略微平行的第一區域，並且在該第一區域中，具有與該第二導電膜重疊並且與該第三導電膜重疊的部分，以及與該第二導電膜重疊並且不與該第三導電膜重疊的部分，<br/>在俯視圖中，該半導體膜不具有與該第一導電膜不重疊的區域。
如請求項1或2的液晶顯示裝置，其中，該第三導電膜具有位於該第二導電膜上方的區域。
一種鎖固結構，用於可拆卸地固定硬碟，所述硬碟開設有第一卡孔和第二卡孔，所述第一卡孔沿第一方向凹陷，所述第二卡孔沿第二方向凹陷，其改良在於，所述鎖固結構包括：<br/>托盤，包括頂板、側板和第一凸柱，所述頂板和所述側板用於圍設成收容腔，所述收容腔用於收容所述硬碟，所述第一凸柱固定於所述頂板上，並沿所述第一方向朝向所述收容腔中延伸，所述第一凸柱用於卡持所述第一卡孔，所述側板上開設有卡槽；以及<br/>彈片，位於所述收容腔中，所述彈片用於沿所述第一方向可移動地設置於所述側板上，所述彈片包括第一端、第二端、第二凸柱和凸起，所述第一端和所述第二端連接，所述第一端用於和所述側板可移動地連接，所述第二凸柱和所述凸起位於所述第二端相反的兩側，所述第二凸柱沿所述第二方向朝向所述收容腔延伸，所述第二凸柱用於卡持所述第二卡孔，所述凸起用於卡持於所述卡槽中；<br/>其中，所述第二端用於相對於所述第一端產生形變，以使所述卡槽解除對所述凸起的限位以及所述第二凸柱解除對所述第二卡孔的限位。
如請求項1所述之鎖固結構，其中，所述鎖固結構還包括固定板，所述固定板位於所述彈片背離所述側板的一側，所述固定板固定於所述側板上，所述彈片的部分暴露於所述固定板。
如請求項2所述之鎖固結構，其中，所述第一端位於所述側板和所述固定板之間，所述第二端暴露於所述固定板。
如請求項3所述之鎖固結構，其中，所述固定板包括本體部，所述本體部朝向所述側板的表面開設有凹槽，所述第一端位於所述凹槽中。
如請求項4所述之鎖固結構，其中，所述固定板還包括第一導向柱，所述第一導向柱位於所述凹槽中，並固定於所述本體部上，所述第一導向柱沿所述第二方向朝向所述側板延伸；所述第一端開設有滑槽，所述第一導向柱沿所述第二方向穿設於所述滑槽，所述滑槽用於所述彈片沿所述第一方向移動。
如請求項4所述之鎖固結構，其中，所述固定板還包括第二導向柱，所述第二導向柱沿所述第二方向朝向所述側板延伸；所述第一端開設有導向槽，所述導向槽由所述第一端的端部朝向背離所述頂板的方向凹陷；所述導向槽用於所述彈片沿所述第一方向朝向所述頂板移動時卡持所述第二導向柱。
如請求項4所述之鎖固結構，其中，所述凹槽的側壁形成第一阻擋部，所述彈片還包括第二阻擋部，所述第二阻擋部相對所述第一端凸伸，所述第一阻擋部用於沿所述第一方向阻擋所述第二阻擋部。
如請求項1至7中任意一項所述之鎖固結構，其中，所述凸起包括弧面和阻擋面，所述弧面為所述凸起靠近所述頂板的表面，所述弧面與所述第二端的表面為連續的表面，所述阻擋面為所述凸起背離所述頂板的表面，所述第二端開設有通孔，所述通孔靠近所述阻擋面的一側，所述通孔截斷所述阻擋面和所述第二端的表面。
如請求項1所述之鎖固結構，其中，所述托盤還包括底板，所述底板連接所述頂板和所述側板，所述底板、所述頂板和所述側板共同圍設成所述收容腔。
一種硬碟組件，其改良在於，包括：<br/>如請求項1至9中任意一項所述之鎖固結構；以及<br/>硬碟，所述硬碟可拆卸地固定於所述鎖固結構中。
一種用於食品檢測的模型建立方法，藉由一運算裝置來實施，該運算裝置包含一處理模組及一訊號連接該處理模組的儲存模組，該儲存模組儲存有多個相關於多個同一食品種類之食品的食品紀錄資料，每一食品紀錄資料包含一指示出對應於該食品與另一食品種類混和比例的食品純度資料、多個藉由化學檢測方式所獲得相關於該等食品之化學性質的化學檢測資料、多個藉由化學檢測方式所獲得相關於該等食品之化學性質且用於判別該等食品之品質的食品品質資料、多個藉由一辨色儀器所獲得相關於該等食品之外觀色澤的色差檢測資料、多個藉由化學檢測方式所獲得相關於該等食品揮發過程所產生之氣體的氣體檢測資料、多個藉由一氣體感測器所獲得相關於該等食品揮發過程所產生之氣體的氣體感測資料，及多個藉由一影像感測器所獲得相關於該等食品之影像的影像資料，該用於食品檢測的模型建立方法包含以下步驟：<br/>(A)對於每一食品紀錄資料，該處理模組根據該等化學檢測資料、該等色差檢測資料，及該等氣體檢測資料獲得一影像檢測訓練資料中的標記資料部分，並根據該影像資料獲得該影像檢測訓練資料中的特徵資料部分；<br/>(B)對於每一食品紀錄資料，該處理模組根據該等食品品質資料獲得一品質分析訓練資料中的標記資料部分，並根據該等化學檢測資料、該等色差檢測資料、該等氣體檢測資料，及該等氣體感測資料獲得該品質分析訓練資料中的特徵資料部分；<br/>(C)對於每一食品紀錄資料，該處理模組根據該食品純度資料獲得一純度分析訓練資料中的標記資料部分，並根據該等食品品質資料獲得該純度分析訓練資料中的特徵資料部分；<br/>(D)該處理模組根據該等影像檢測訓練資料利用一卷積神經網路獲得一用於預測一輸入食品影像之一組成輸出結果的影像檢測模型，該輸入食品影像包含一歸屬該食品種類之輸入食品的食品影像部分，其中，該組成輸出結果包含該輸入食品所對應的預測化學檢測資料、預測色差檢測資料，及預測氣體檢測資料；<br/>(E)該處理模組根據該等品質分析訓練資料利用一類神經網路獲得一用於預測歸屬該食品種類之該輸入食品之一品質輸出結果的品質分析模型，其中，該品質輸出結果包含該輸入食品所對應的預測食品品質資料；及<br/>(F)該處理模組根據該等純度分析訓練資料利用一循環神經網路獲得一用於預測歸屬該食品種類之輸入食品之一純度輸出結果資料的純度分析模型，其中，該純度輸出結果包含該輸入食品所對應的預測食品純度資料。
如請求項1所述的用於食品檢測的模型建立方法，在步驟(E)前，還包含以下子步驟：<br/>(G)對於每一食品紀錄資料，該處理模組根據該食品純度資料將該食品純度資料歸類於多個純度類別之其中一者，並根據該食品純度資料所對應之該純度類別獲得一分類訓練資料中的標記資料部分，並根據該等化學檢測資料、該等色差檢測資料，及該等氣體檢測資料獲得該分類訓練資料中的特徵資料部分；<br/>(H)該處理模組根據該等分類訓練資料利用一分類演算法獲得一用於分類出歸屬於該食品種類之該輸入食品所屬之該純度類別的純度分類模型；<br/>(J)對於每一食品紀錄資料，該處理模組根據該食品純度資料所對應之該純度類別加入該品質分析訓練資料獲得該品質分析訓練資料中的特徵資料部分，以更新該品質分析訓練資料；及<br/>其中，在步驟(E)中，該處理模組根據更新後的該等品質分析訓練資料利用該類神經網路獲得該品質分析模型。
如請求項2所述的用於食品檢測的模型建立方法，在步驟(J)前，還包含以下步驟：<br/>(K)對於每一食品紀錄資料，該處理模組根據該食品純度資料獲得一迴歸訓練資料中的標記資料部分，並根據該等化學檢測資料、該等色差檢測資料，及該等氣體檢測資料獲得該迴歸訓練資料中的特徵資料部分；<br/>(L)該處理模組根據該等迴歸訓練資料利用一迴歸分析演算法獲得一用於預測歸屬於該食品種類之該輸入食品與另一食品種類之另一食品之一混和比例的純度迴歸模型；及<br/>其中，在步驟(J)中，該處理模組除了根據該純度類別獲得該品質分析訓練資料外，還根據該食品純度資料獲得該品質分析訓練資料中的特徵資料部分，以更新該品質分析訓練資料，並在步驟(E)中，該處理模組根據更新後的該品質分析訓練資料利用該類神經網路獲得該品質分析模型。
一種自動升降車，其至少包括：<br/> 一車架，內部具有一容置空間，並收容設置一控制模組與一控制面板，該控制模組分別電性連接一位移感測器、一無線接收器與一開關；<br/> 一升降裝置，具有連接於該車架頂部的一升降架，該升降架頂部設有一平台，又該升降裝置具有設於該容置空間的一電池模組與一動力模組，該電池模組分別與該動力模組、該控制模組、、該控制面板與該開關電性連接，而該動力模組連動該升降架；<br/> 一第一輪組，連接於該車架底部的一側，具有一第一伺服馬達與一第二伺服馬達，該第一伺服馬達與該第二伺服馬達分別連接並帶動一第一車輪與一第二車輪；<br/> 一第二輪組，連接於該車架底部的另一側，具有一第三伺服馬達與一第四伺服馬達，該第三伺服馬達與該第四伺服馬達分別連接並帶動一第三車輪與一第四車輪；<br/> 藉此，控制模組依預設命令控制該等伺服馬達，使該等伺服馬達分別控制對應的該等車輪，令該等車輪分別具有獨立的旋轉方向和速度，產生的斜向摩擦力合成運動向量，進行全向運動，同時，該控制模組控制該動力模組連動該升降架，將該平台抬升到指定高度，同時觸發位移感測器產生中斷訊號回傳到該控制模組，令該控制模組再次控制該動力模組，連動該升降架將該平台降低到預設高度，藉此，達成自動升降車的結構。
如請求項1所述之自動升降車，其中該車架兩端的底部分別具有一凹部，該等凹部分別連接該第一輪組與該第二輪組。
如請求項1所述之自動升降車，其中該等車輪是麥克納姆輪。
如請求項1所述之自動升降車，其中該第一輪組與該第二輪組頂部分別設有一第一檔板與一第二檔板。
如請求項1所述之自動升降車，其中該動力模組可以是液壓缸、氣壓缸或馬達。
如請求項1所述之自動升降車，其中該動力模組連動該升降架支產生上下動作的機構可以是液壓推桿、氣壓推桿、線性軸承、蝸桿傳動。
如請求項1所述之自動升降車，更包括一殼體，其包括：<br/> 一第一板體與一第二板體，分別連接在該車架的前後兩端面；<br/> 一第三板體與一第四板體，分別連接在該車架的左右兩側面；以及，<br/> 一個或一個以上的底板，連接在該車架的底部。
如請求項1所述之自動升降車，其中該控制模組之該預設命令為來自該控制模組或無線接收器。
一種光電板之太陽電池層的回收設備，適用於回收處理一光電板的一層體單元，該層體單元包括一太陽電池層，及一包覆於該太陽電池層的封裝材，該太陽電池層具有數個水平間隔分布的太陽電池片，該封裝材具有設置於該太陽電池層之上下兩側的一上層與一下層，該回收設備包含：<br/>一輸送裝置，可被驅動而往一輸送方向帶動該層體單元；<br/>一限位裝置，用以設置在該層體單元的上下其中一側，並用以限位靠抵於被該輸送裝置帶動通過之該層體單元區段的上下對應側；及<br/>一刨除裝置，用以設置在該層體單元之上下另一側，並包括一個可被驅動而在一個朝該限位裝置擠壓該層體單元的刨除位置，及一個脫離該層體單元的脫離位置間上下位移的刀具，當該刀具位於該刨除位置時，可用以擠切穿過被該輸送裝置帶動通過之該層體單元區段的對應側之該下層或該上層，而刨除所述太陽電池層。
如請求項1所述的光電板之太陽電池層的回收設備，其中，輸送裝置具有兩個相配合往該輸送方向拉引該層體單元的夾具。
如請求項2所述的光電板之太陽電池層的回收設備，其中，該限位裝置具有一朝向該刨除裝置且平坦的限位面，該限位面可用以供該層體單元靠抵。
如請求項1所述的光電板之太陽電池層的回收設備，其中，該刀具具有一個用以刨除所述太陽電池片的刃部，該刃部具有相背的一頂面與一底面，該頂面與該底面的夾角不小於20度且不大於45度。
如請求項1所述的光電板之太陽電池層的回收設備，還包含一設置於該限位裝置的超音波產生裝置，該超音波產生裝置能被驅動產生一震動訊號，而連動該限位裝置震動。
如請求項5所述的光電板之太陽電池層的回收設備，還包含一設置於該刨除裝置的超音波產生裝置，該超音波產生裝置能被驅動產生一電訊號，而連動該刨除裝置震動。
一種光電板之太陽電池層的回收方法，適用於回收處理一光電板的一層體單元，該層體單元包括一太陽電池層，及一包覆於該太陽電池層的封裝材，該太陽電池層具有數個水平間隔分布的太陽電池片，該封裝材具有設置於該太陽電池層之上下兩側的一上層與一下層，所述回收方法包含以下步驟：<br/>一設置步驟，使一輸送裝置將該層體單元移送至上下間隔設置的一刨除裝置與一限位裝置之間；<br/>一推擠步驟，使該刨除裝置將該層體單元推擠靠抵於該限位裝置，並使該刨除裝置的一刀具朝該層體單元位移至一預訂高度，而朝該限位裝置方向局部擠壓該層體單元，使該刀具之刀刃位於所述太陽電池層高度範圍；及<br/>一刨除步驟，使該輸送裝置與該層體單元相對該刀具移動，使該刀具擠切穿過該層體單元的對應側之該下層或上層，而刨除被該輸送裝置帶動通過之該層體單元區段中的每一該太陽電池片。
如請求項7所述的光電板之太陽電池層的回收方法，其中，在該刨除步驟時，是使該輸送裝置朝一輸送方向將該層體單元拉引通過該刀具。
如請求項8所述的光電板之太陽電池層的回收方法，其中，該輸送裝置包括兩個可用以相配合夾持該層體單元的夾具，於該刨除步驟，會使該輸送裝置反覆執行一拉引作業一預定次數，該輸送裝置每次執行該拉引作業時，會使該等夾具自一釋放狀態相向靠近變化至一夾持該層體單元的夾持狀態，並使該等夾具朝該輸送方向移動而帶動該層體單元位移一預定距離，接著，會使該等夾具變化至互相遠離而不夾持該層體單元的該釋放狀態，並使該等夾具朝相反於該輸送方向的方向回移該預定距離。
如請求項7所述的光電板之太陽電池層的回收方法，其中，於該刨除步驟，使一超音波產生裝置產生一震動訊號，而連動該刨除裝置或該限位裝置震動。
一種半導體結構，其中，該半導體結構包括：<br/>基材；<br/>多個沿第一方向和第二方向排列的儲存單元，每個該儲存單元包括第一電晶體和與該第一電晶體連接的第一憶阻器，以及第二電晶體和與該第二電晶體連接的第二憶阻器；其中，該第一方向和該第二方向為平行於該基材的平面的方向，該第一方向和該第二方向相交；<br/>多條沿該第一方向延伸的第一位線和多條沿該第一方向延伸的第二位線，其中，每相鄰兩排沿該第一方向排列的該儲存單元中，第一排中的全部該第一憶阻器和第二排中的全部該第二憶阻器與同一條該第一位線連接，第一排中的全部該第二憶阻器和第二排中的全部該第一憶阻器與同一條該第二位線連接。
根據請求項1所述的半導體結構，其中，還包括：<br/>多條沿該第一方向延伸的源極線，其中，同一排沿該第一方向延伸的該儲存單元中，全部該第一電晶體和全部該第二電晶體與同一條該源極線連接。
根據請求項1所述的半導體結構，其中，還包括：<br/>第一導電連接層，位於該第一憶阻器和該第二憶阻器上，與該第一憶阻器和該第二憶阻器電連接；<br/>第二導電連接層，位於該第一導電連接層上，該第二導電連接層包括第一子導電連接層和第二子導電連接層；其中，每相鄰兩排沿該第一方向排列的該儲存單元中，第一排中的該第一憶阻器和第二排中的與第一排的該第一憶阻器呈對角分佈的該第二憶阻器通過該第一子導電連接層電連接，第一排中的該第二憶阻器和第二排中的與第一排的該第二憶阻器呈對角分佈的該第一憶阻器通過該第二子導電連接層電連接。
根據請求項3所述的半導體結構，其中，<br/>該第一位線位於該第一子導電連接層上，與該第一子導電連接層電連接；<br/>該第二位線位於該第二子導電連接層上，與該第二子導電連接層電連接。
根據請求項1所述的半導體結構，其中，還包括：<br/>多條沿該第二方向延伸的第一字線和多條沿該第二方向延伸的第二字線，其中，同一排沿該第二方向排列的全部該第一電晶體與該第一字線連接，同一排沿該第二方向排列的全部該第二電晶體與該第二字線連接。
一種半導體結構的製備方法，其中，該半導體結構的製備方法包括：<br/>提供基材；<br/>形成多個沿第一方向和第二方向排列的儲存單元，每個該儲存單元包括第一電晶體和與該第一電晶體連接的第一憶阻器，以及第二電晶體和與該第二電晶體連接的第二憶阻器；其中，該第一方向和該第二方向為平行於該基材的平面的方向，該第一方向和該第二方向相交；<br/>形成多條沿該第一方向延伸的第一位線和多條沿該第一方向延伸的第二位線，其中，每相鄰兩排沿該第一方向排列的該儲存單元中，第一排中的全部該第一憶阻器和第二排中的全部該第二憶阻器與同一條該第一位線連接，第一排中的全部該第二憶阻器和第二排中的全部該第一憶阻器與同一條該第二位線連接。
根據請求項6所述的半導體結構的製備方法，其中，還包括：<br/>在形成該第一位線和該第二位線之前，形成多條沿該第一方向延伸的源極線，其中，同一排沿該第一方向延伸的該儲存單元中，全部該第一電晶體和全部該第二電晶體與同一條該源極線連接。
根據請求項6所述的半導體結構的製備方法，其中，還包括：<br/>在形成該第一位線和該第二位線之前，形成位於該第一憶阻器和該第二憶阻器上的第一導電連接層，該第一導電連接層與該第一憶阻器和該第二憶阻器電連接；<br/>形成位於該第一導電連接層上的第二導電連接層，該第二導電連接層包括第一子導電連接層和第二子導電連接層；其中，每相鄰兩排沿該第一方向排列的該儲存單元中，第一排中的該第一憶阻器和第二排中的與第一排的該第一憶阻器呈對角分佈的該第二憶阻器通過該第一子導電連接層電連接，第一排中的該第二憶阻器和第二排中的與第一排的該第二憶阻器呈對角分佈的該第一憶阻器通過該第二子導電連接層電連接。
根據請求項8所述的半導體結構的製備方法，其中，<br/>該第一位線位於該第一子導電連接層上，與該第一子導電連接層電連接；<br/>該第二位線位於該第二子導電連接層上，與該第二子導電連接層電連接。
根據請求項6所述的半導體結構的製備方法，其中，還包括：<br/>在形成該第一位線和該第二位線之前，形成多條沿該第二方向延伸的第一字線和多條沿該第二方向延伸的第二字線，其中，同一排沿該第二方向排列的全部該第一電晶體與該第一字線連接，同一排沿該第二方向排列的全部該第二電晶體與該第二字線連接。
一種酚樹脂發泡體之加熱分解處理方法，其特徵在於在單核酚類化合物或水/單核酚類化合物之溶液中，於260℃以上370℃以下、1.5 MPa以上20 MPa以下、及60分鐘以上240分鐘以下之條件下對酚樹脂發泡體進行加熱及加壓處理，藉此以95%以上之分解率獲得分解處理物。
一種分解處理物，其係藉由如請求項1之加熱分解處理方法而獲得者。
一種酚樹脂發泡體，其係使添加有如請求項2之分解處理物之酚樹脂發泡硬化而獲得者。
一種藉由酚樹脂發泡體之加熱分解而獲得之分解處理物，其含有𠮿□0.01%以上2.0%以下。
一種酚樹脂發泡體，其係使添加有如請求項1之分解處理物之酚樹脂發泡硬化而獲得者。
一種膜狀構件，具備含有鎳及磷之膜狀的第1部分，以及位於前述第1部分其中一個主面側且含有鎳、氧及磷之第2部分的膜狀構件；其特徵係前述第2部分中之磷的含有量，係為前述第1部分中之磷的含有量以上；並且，在以掃描型電子顯微鏡觀察前述膜狀構件之法線方向上前述第2部分側主面，以獲得二次電子像，並對前述二次電子像之亮度分布進行大津法二值化處理以求得臨限值時，前述亮度分布中，從前述臨限值到高亮度側的第1領域與比前述臨限值更低亮度側的第2領域皆具有峰值；在以前述臨限值將前述二次電子像二值化以獲得二值圖像，並求得前述二值圖像中前述第1領域的圓換算直徑Φ1的平均值之第1長度L1與，針對前述二值圖像以前述第1領域之重心為母點進行沃羅諾伊分割所獲得的沃羅諾伊圖中之沃羅諾伊領域的圓換算直徑Φ2的平均值之第2長度L2時，以L2/L1所定義的平均尖銳度Ps為1.3以上。
如請求項1所記載之膜狀構件，其中，對前述第2部分側主面照射波長範圍0.8μm至2.0μm的光時之全反射率的平均值Rt為2%以下。
如請求項1所記載之膜狀構件，其中，前述第2部分中之磷的含有量為4.5質量%以上7質量%以下。
如請求項3所記載之膜狀構件，其中，前述第1部分為鎳磷系合金，前述第2部分為與前述第1部分連續之鎳磷系合金的氧化物，且前述第1部分相對於前述第2部分之磷的含有量比Rp為1.0以上。
如請求項1所記載之膜狀構件，其中，由前述圓換算直徑Φ1與前述圓換算直徑Φ2，經由Φ2/Φ1算出之個別尖銳度Pi的變動係數，為0.4以下。
如請求項3所記載之膜狀構件，其中，前述第1部分包含鎳磷鍍層，前述第2部分包含與前述第1部分連續的鎳磷鍍層之改質部。
如請求項6所記載之膜狀構件，其中，前述改質部為前述鎳磷鍍層的氧化物，且前述第1部分相對於前述第2部分之磷的含有量比為1.0以上。
如請求項1所記載之膜狀構件，其中，前述第1部分的平均厚度為6μm以下。
如請求項8所記載之膜狀構件，其中，前述第2部分的平均厚度為2μm以下。
一種機能構件，其特徵係具備基材與設置於前述基材上之如請求項1至請求項9中任一項所記載之膜狀構件，且對前述膜狀構件側照射波長範圍0.8μm至2.0μm的光時之全反射率的平均值Rt為2%以下。
一種基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，包含下列步驟：<br/>一光罩定義步驟，取得一目標圖案，並以該目標圖案建立一光罩結構，該光罩結構包括複數底層，該目標圖案包括一圖案輪廓、一設置於該圖案輪廓內部的骨架線、複數等距離設置該圖案輪廓上的剖分點、複數連接該複數剖分點並以最短距離連接該骨架線之片段線、複數分別連接相鄰二剖分點之初始側邊，及複數分別連接相鄰二片段線之第一側邊，相鄰二片段線與連接之骨架線及第一側邊定義出其中之一底層的輪廓；<br/>一第一調整步驟，使用控制器對該光罩結構進行運算，用以調整該複數第一側邊的位置並確認該光罩結構的真確度。
如請求項1所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，該光罩結構更包括複數分別設置於該複數底層上方的頂層，該目標圖案更包括複數設置該圖案輪廓上的目標點、複數分別連接相鄰二片段線之第二側邊，及複數分別連接相鄰二片段線之第三側邊，每一目標點位於相鄰二剖分點之間，相鄰二片段線與連接之第二側邊及第三側邊定義出其中之一頂層的輪廓，於該第一調整步驟中，該控制器模擬時，調整該複數第二側邊與該複數第三側邊的位置，藉此調整該光罩結構的對比度。
如請求項2所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，該第一調整步驟中具有一第一子步驟，於該光罩定義步驟中，該複數初始側邊與該複數第一側邊的間距分別為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該複數第一側邊與該複數第二側邊的間距分別為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該複數第二側邊與該複數第三側邊的間距分別為<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，於該第一子步驟中，設定<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>以確認該第一側邊的位置，調整<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以確認該複數第二側邊的位置，調整<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以確認該複數第三側邊的位置。
如請求項3所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，於該光罩定義步驟中，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的計算式如下，<br/><img align="absmiddle" height="9px" width="51px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="9px" width="56px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="8px" width="21px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該骨架線與該複數第一側邊的距離，<br/><img align="absmiddle" height="8px" width="10px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相對<img align="absmiddle" height="8px" width="21px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的百分比，<br/><img align="absmiddle" height="8px" width="22px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該骨架線與該複數第二側邊的距離，<br/><img align="absmiddle" height="8px" width="11px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相對<img align="absmiddle" height="8px" width="22px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的百分比。
如請求項4所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，於該第一調整步驟中，<img align="absmiddle" height="8px" width="10px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的初始值為0%，並於該控制器的運算中逐漸遞增，<img align="absmiddle" height="8px" width="11px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的初始值為100%，並於該控制器的運算中逐漸遞減。
如請求項5所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，該第一調整步驟中還具有一於該第一子步驟之後的第二子步驟，及一與該第二子步驟及該第一子步驟連接之第三子步驟，於該第二子步驟中，以該目標圖案對該模擬圖案進行真確度及對比度的分析，當對比度符合收斂時，結束該第一調整步驟，當對比度不符合收斂時，執行該第三子步驟，於該第三子步驟中，調整<img align="absmiddle" height="8px" width="10px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="8px" width="11px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，並執行該第一子步驟。
如請求項2所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，更包含一於該第一調整步驟之後的第二調整步驟，於該第二調整步驟中，調整該光罩結構之輪廓使其平滑。
如請求項7所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，於該第二調整步驟中，是以邊緣修正模組進行該複數底層與該複數頂層之邊緣平滑的計算，該複數第一側邊、該複數第二側邊與該複數第三側邊的中間分別定義一中間點，每一中間點連接鄰近之二中間點分別定義一第一向量及一第二向量，該第一向量的值為<img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該第二向量的值為<img align="absmiddle" height="8px" width="3px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="2px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="8px" width="3px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的夾角為<img align="absmiddle" height="7px" width="12px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="40px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項8所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，於該第二調整步驟中，該複數第一側邊、該複數第二側邊與該複數第三側邊的兩端分別定義一第一原始端及一第二原始端，該第一原始端與該中間點之間定義一第一調整點，該第二原始端與該中間點之間定義一第二調整點，每一第一側邊、每一第二側邊與每一第三側邊的第一調整點及第二調整點，分別連接鄰近第一側邊、第二側邊與第三側邊之第二調整點及第一調整點。
如請求項9所述基於兩層幾何曲線的光罩製程校正方法，其中，於該第二調整步驟中，該中間點與該第一原始端及該第二原始端的距離為<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該中間點與該第一調整點及該第二調整點的距離為<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="8px" width="48px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相對<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的百分比。
一種用於黑膠唱片的聚氯乙烯膠粒的製造方法，包含：<br/> 一決定步驟，決定一目標壓製溫度；<br/> 一配料步驟，將一第一聚氯乙烯樹脂、一第二聚氯乙烯樹脂及至少一微量添加劑混合，形成一樹脂混合物；其中，所述第一聚氯乙烯樹脂具有一第一平均聚合度，所述第二聚氯乙烯樹脂具有一第二平均聚合度，並且所述第一平均聚合度大於所述第二平均聚合度；<br/> 一造粒步驟，將所述樹脂混合物進行混練及造粒，形成聚氯乙烯膠粒；<br/> 一分析步驟，對所述聚氯乙烯膠粒進行動態機械分析(DMA)，獲得一第一溫度曲線及一第二溫度曲線，並將所述第一溫度曲線與所述第二溫度曲線於溫度高於120 °C之區段的交會點溫度定義為一交點溫度；其中，所述第一溫度曲線為一儲存模數（Storage Modulus）溫度曲線，並且所述第二溫度曲線為一損耗模數（Loss Modulus）溫度曲線；以及<br/> 一比對步驟，比對所述交點溫度與所述目標壓製溫度；<br/> 其中，當所述交點溫度與所述目標壓製溫度之間的差值的絕對值大於4°C時，返回所述配料步驟，調整所述第一聚氯乙烯樹脂與所述第二聚氯乙烯樹脂間的重量比例及/或所述微量添加劑的添加比例，並且執行所述造粒步驟、所述分析步驟及所述比對步驟，循環上述步驟，直至所述交點溫度與所述目標壓製溫度之間差值的絕對值小於4°C。
如請求項1所述的製造方法，其中，所述目標壓製溫度是介於170°C至185°C。
如請求項1所述的製造方法，其中，所述交點溫度與所述目標壓製溫度之間的差值的絕對值大於2°C時，返回所述配料步驟，調整所述第一聚氯乙烯樹脂與所述第二聚氯乙烯樹脂間的重量比例及/或所述微量添加劑的添加比例，並執行所述造粒步驟、所述分析步驟及所述比對步驟，循環上述步驟，直至所述交點溫度與所述目標壓製溫度之間差值的絕對值小於2°C。
如請求項1所述的製造方法，其中，所述微量添加劑包含一第一安定劑及一第二安定劑，所述第一安定劑為鈣鋅安定劑，並且所述第二安定劑為有機錫安定劑。
如請求項4所述的製造方法，其中，調整所述樹脂混合物的組成比例的步驟包含：<br/> 先調整所述第一聚氯乙烯樹脂與所述第二聚氯乙烯樹脂間的用量比例，使所述交點溫度與所述目標壓製溫度之間的差值的絕對值低於10°C的一容忍誤差範圍；及<br/> 再調整所述第一安定劑與所述第二安定劑的用量比例，微調所述交點溫度與所述目標壓製溫度之間的差值的絕對值低於4°C。
如請求項1所述的製造方法，其中，所述第一平均聚合度與所述第二平均聚合度之間的差值介於50至300。
如請求項1所述的製造方法，其中，所述第一平均聚合度介於580至680，並且所述第二平均聚合度介於380至520。
如請求項7所述的製造方法，其中，所述第一聚氯乙烯樹脂及所述第二聚氯乙烯樹脂皆為高純度聚氯乙烯樹脂，其殘留單體氯乙烯含量不大於1 ppm、且灰分含量不大於0.1 wt%。
如請求項1所述的製造方法，其中，所述微量添加劑進一步包含內滑劑、外滑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、及色料；其中，所述內滑劑選自硬脂酸丁酯、硬脂酸辛酯或棕櫚酸丁酯；所述外滑劑選自聚乙烯蠟或聚丙烯蠟；所述抗靜電劑選自聚氧乙烯硬脂醇醚、聚氧乙烯山嵛醇醚、聚氧乙烯胺蠟、烷基乳酸酯或聚甘油酯；所述抗氧化劑選自酚類抗氧化劑、亞磷酸酯類抗氧化劑或硫醚類抗氧化劑；且所述色料為碳黑。
一種用於黑膠唱片的聚氯乙烯膠粒，其特徵在於，所述聚氯乙烯膠粒是由一樹脂混合物形成，且所述樹脂混合物包含：<br/> 一第一聚氯乙烯樹脂，具有一第一平均聚合度；<br/> 一第二聚氯乙烯樹脂，具有一第二平均聚合度，且所述第一平均聚合度大於所述第二平均聚合度；以及<br/> 至少一微量添加劑，包含：一鈣鋅安定劑以及一有機錫安定劑；<br/> 其中，所述聚氯乙烯膠粒經動態機械分析(DMA)所得的一儲存模數曲線與一損耗模數曲線，在溫度高於120 °C之區段的交點溫度介於170 °C至185 °C。
一種黑膠唱片，其通過請求項10所述的聚氯乙烯膠粒製備而成。
一種影像編碼器，其包含：<br/> 電路；以及<br/> 耦接至前述電路之記憶體；<br/> 前述電路在操作時，<br/> 從編碼樹單元(CTU)獲得影像區塊；<br/> 進行非矩形分割區預測程序，前述非矩形分割區預測程序是基於第一參數，針對前述影像區塊，(a)在前述影像區塊中定義具有非矩形形狀的第一分割區以及對前述第一分割區以複數個像素重疊的第二分割區，(b)使用前述第一分割區的第一運動向量求出前述第一分割區的第一值，(c)使用前述第二分割區的第二運動向量求出前述第二分割區的第二值，(d)針對前述第一分割區與前述第二分割區重疊的前述複數個像素，將前述第一值與前述第二值加權，(e)使用經加權的前述第一值與經加權的前述第二值來編碼前述影像區塊，<br/> 在框內預測應用於前述影像區塊時，不對前述影像區塊進行前述非矩形分割區預測程序。
一種影像解碼器，其包含：<br/> 電路；以及<br/> 耦接至前述電路之記憶體；<br/> 前述電路在操作時，<br/> 從編碼樹單元(CTU)獲得影像區塊；<br/> 進行非矩形分割區預測程序，前述非矩形分割區預測程序是基於第一參數，針對前述影像區塊，(a)在前述影像區塊中定義具有非矩形形狀的第一分割區以及對前述第一分割區以複數個像素重疊的第二分割區，(b)使用前述第一分割區的第一運動向量求出前述第一分割區的第一值，(c)使用前述第二分割區的第二運動向量求出前述第二分割區的第二值，(d)針對前述第一分割區與前述第二分割區重疊的前述複數個像素，將前述第一值與前述第二值加權，(e)使用經加權的前述第一值與經加權的前述第二值來解碼前述影像區塊，<br/> 在框內預測應用於前述影像區塊時，不對前述影像區塊進行前述非矩形分割區預測程序。
一種非暫時性電腦可讀取之記錄媒體，其儲存位元串流，<br/> 前述位元串流包含用以使解碼裝置針對影像區塊執行非矩形分割區預測程序的第一參數，<br/> 前述非矩形分割區預測程序包括以下事項：<br/> 從編碼樹單元(CTU)獲得前述影像區塊，<br/> 在前述影像區塊中定義具有非矩形形狀的第一分割區以及對前述第一分割區以複數個像素重疊的第二分割區；<br/> 使用前述第一分割區的第一運動向量而求出前述第一分割區的第一值；<br/> 使用前述第二分割區的第二運動向量而求出前述第二分割區的第二值；<br/> 針對前述第一分割區與前述第二分割區重疊的前述複數個像素，加權前述第一值與前述第二值；以及<br/> 使用經加權的前述第一值與經加權的前述第二值來解碼前述影像區塊，<br/> 在框內預測應用於前述影像區塊時，不以前述解碼裝置對前述影像區塊進行前述非矩形分割區預測程序。
一種L字型通訊連接器，具備：<br/> 導電性的第1筒狀構件，其嵌合於相對側連接器，沿著第1中心軸延伸；<br/> 導電性的第2筒狀構件，其沿著在與前述第1中心軸交叉的方向延伸的第2中心軸延伸；<br/> 繫接部，其將前述第1筒狀構件和前述第2筒狀構件連接；及<br/> 壓接部，其連接於前述第2筒狀構件且與通訊電纜的一通訊用導體壓接連接，<br/> 於前述繫接部彎曲的情況下，在前述第2筒狀構件與前述第1筒狀構件相互重疊的部分，形成有建立彼此的電氣導通之接觸部。
如請求項1之L字型通訊連接器，其中，<br/> 前述接觸部為與前述第1筒狀構件的兩側面重疊之前述第2筒狀構件的兩側面的端部，藉由前述第2筒狀構件的兩側面的端部間的間隔比前述第1筒狀構件的兩側面的寬度狹窄，構成為於前述繫接部彎曲的情況下，前述第2筒狀構件的兩側面的端部會壓接於前述第1筒狀構件的兩側面。
如請求項2之L字型通訊連接器，其中<br/> 在前述接觸部形成有導引部，該導引部從前述第2筒狀構件的兩側面的端部朝遠離前述第1筒狀構件的兩側面之方向延伸。
如請求項1至3中任一項之L字型通訊連接器，其中<br/> 前述通訊電纜係同軸電纜，前述壓接部係壓接連接於同軸電纜的外導體。
一種下壓升降式刀口的屏蔽門結構，包含有一屏蔽室，該屏蔽室的入口裝設有兩門框架，該些門框架之間裝設有一屏蔽門，該些門框架分別設置有兩外刀口，該屏蔽門的左、右兩側分別設有一內刀口，該些外刀口中的相鄰兩個外刀口的頂點間具有固定間隙，使該些內刀口中的其中一個內刀口能夠緊密地嵌插進去以達到屏蔽的功能，並能夠組合成一刀口組；<br/>該屏蔽門的內部裝設有一連桿，該屏蔽門的底端內部裝設有一導軌座，該屏蔽門的底端裝設有一升降式刀口，該連桿能夠驅動該升降式刀口沿著該導軌座向下作動，該升降式刀口的底端裝設有兩鈹銅彈片，該升降式刀口的下方裝設有一無刀口門檻座，該些鈹銅彈片能夠與該無刀口門檻座接合，以達成電磁波隔離。
如請求項1所述之下壓升降式刀口的屏蔽門結構，其中該屏蔽門的內部橫向裝設有一傳動連桿，該傳動連桿的中間位置裝設有一旋臂，該旋臂的另一端連結一軸承，該軸承藉由一軸承連接桿來連結另一端的該軸承，另一端的該軸承連接於該連桿上。
如請求項1所述之下壓升降式刀口的屏蔽門結構，其中該連桿裝設有兩凸輪軸承，該連桿能夠推動該些凸輪軸承，該些凸輪軸承係滾動於該導軌座的導槽內。
一種功率裝置，包括：<br/>一基板；<br/>至少一功率晶片，設置於該基板；以及<br/>一散熱組件，包括一導熱板，該導熱板具有一吸熱面，該吸熱面設置有一熱擴散結構，在該熱擴散結構內圍設形成一擴散腔室，在該擴散腔室內填注有一工作流體且設置有至少一導熱塊，該導熱塊對應該功率晶片的位置配置且熱連接在該功率晶片及該導熱板之間。
如請求項1所述之功率裝置，其中在該擴散腔室內設置有一毛細元件。
如請求項1所述之功率裝置，其中該熱擴散結構包含一導熱封蓋，該導熱封蓋罩蓋在該導熱板的該吸熱面且貼附該基板，該導熱封蓋與該導熱板密封而在該導熱板及該導熱封蓋之間形成該擴散腔室。
如請求項3所述之功率裝置，其中在該導熱板的該吸熱面舖設有一毛細元件。
如請求項3所述之功率裝置，其中該導熱封蓋形成有一凹部，且該凹部朝向該導熱板配置而圍設形成該擴散腔室。
如請求項3所述之功率裝置，其中該導熱塊設置在該導熱封蓋。
如請求項3所述之功率裝置，其中該導熱塊設置在該導熱板的該吸熱面。
如請求項3所述之功率裝置，其中在該導熱板的該吸熱面設置有一毛細元件，且該毛細元件容置在該擴散腔室內。
如請求項1所述之功率裝置，其中該熱擴散結構包含一導熱封蓋及一底板，該導熱封蓋罩蓋在該底板，該導熱封蓋與該導熱板密封而在該導熱板及該導熱封蓋之間形成該擴散腔室，該底板貼附在該導熱板的該吸熱面且該導熱封蓋貼附該基板。
如請求項9所述之功率裝置，其中該導熱封蓋形成有一凹部，且該凹部朝向該導熱板配置而與該底板圍設形成該擴散腔室。
如請求項9所述之功率裝置，其中在該導熱封蓋設置有一毛細元件，且該毛細元件容置在該擴散腔室內。
如請求項9所述之功率裝置，其中在該底板設置有一毛細元件，且該毛細元件容置在該擴散腔室內。
如請求項2所述之功率裝置，其中該導熱板具有與該吸熱面位於該導熱板上相對側的一散熱面，且在該散熱面上設置有一對流熱交換結構。
一種舌頭阻抗言語吞嚥訓練裝置，包括：<br/> 一外筒，具有一筒體，該筒體沿軸向界定出一貫穿狀的筒室，並該筒室呈階級狀而具有兩徑圍不同的區段；<br/> 一活塞桿，具有一插設於該筒室之徑圍較大區段的桿體，該桿體兩端分別位於該筒室內以及外露於該筒室，該桿體位於該筒室內的一端固設有一用於抵貼於該筒體內壁的抵貼件與一反推棒，該反推棒延伸出該筒室另一端，該桿體另一端則固設有一舌感片者。
如請求項1所述之舌頭阻抗言語吞嚥訓練裝置，其中，該反推棒固設有一握把者。
如請求項2所述之舌頭阻抗言語吞嚥訓練裝置，其中，該反推棒或該握把設有至少一迴響件，該迴響件電性連接一感應控制模組者。
一種用於產生和更新機器學習模型的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 決定自與一處理腔室相關聯的一經訓練的機器學習模型被訓練以來，該處理腔室的性能度量已經變化，其中該經訓練的機器學習模型被配置為接收與該處理腔室的一製程相關聯的感測器資料作為輸入，並產生對該處理腔室的性能的一第一指示作為輸出；<br/> 決定該處理腔室的該等性能度量的一變化是一逐漸變化還是一突然變化；以及下列其中一個步驟：<br/> 回應於決定該處理腔室的該等條件的該變化是一逐漸變化，執行一第一訓練過程以產生一新的經訓練的機器學習模型，該新的經訓練的機器學習模型被配置為接收該處理腔室的感測器資料作為輸入並產生對該處理腔室在該逐漸變化之後的性能的一第二指示作為輸出；或<br/> 回應於決定該處理腔室的該等條件的該變化是一突然變化，執行一第二訓練過程以產生該新的經訓練的機器學習模型，該新的經訓練的機器學習模型被配置為接收該處理腔室的感測器資料作為輸入並產生對該處理腔室在該突然變化之後的性能的一第三指示作為輸出，其中該第二訓練過程與該第一訓練過程不同，並且其中該第二訓練過程包括基於依據由該突然變化導致的製程資料的一個或多個差異來調整在該突然變化之前收集的歷史製程資料，以產生用於執行該第二訓練過程的合成的訓練資料。
如請求項1所述的方法，其中該第一訓練過程包括以下步驟：<br/> 接收在一第一時間窗內產生的第一製程資料，其中該第一時間窗包括在產生用於訓練該經訓練的機器學習模型的資料時的一時間；<br/> 接收在一第二時間窗內產生的第二製程資料，其中該第二時間窗包括在產生用於訓練該經訓練的機器學習模型的資料之後的一時間；<br/> 產生包括該第一製程資料和該第二製程資料的一訓練資料集；以及<br/> 使用該訓練資料集訓練該新的機器學習模型，以產生該新的經訓練的機器學習模型，其中該新的經訓練的機器學習模型的該輸出包括對該處理腔室的性能的一第二指示，並且其中由該新的機器學習模型產生的對性能的該第二指示比由該經訓練的機器學習模型產生的對性能的第一指示更準確。
如請求項2所述的方法，其中訓練該新的機器學習模型的步驟包括以下步驟：產生要應用於該訓練資料集的權重，其中來自該第二製程資料的資料被加權為對該訓練該新的經訓練的機器學習模型的步驟有比來自該第一製程資料的資料更顯著的影響。
如請求項2所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收新的製程資料，其中該新的製程資料與在產生該新的機器學習模型之後發生的一處理作業相關聯；<br/> 向該新的機器學習模型提供該新的製程資料；<br/> 從該新的機器學習模型接收輸出；以及<br/> 根據該輸出執行一改正動作。
如請求項1所述的方法，其中該第二訓練過程進一步包括以下步驟：<br/> 基於以下項目來產生該合成的製程資料：(i)與在該處理腔室的該變化之前處理的產品相關聯的舊的歷史製程資料，以及(ii)與在該處理腔室的該變化之後處理的產品相關聯的新的製程資料；<br/> 產生包括該合成的製程資料的一訓練資料集；以及<br/> 使用該訓練資料集訓練一新的機器學習模型，以產生該新的機器學習模型，其中該新的機器學習模型被配置為輸出對該處理腔室的性能的一第二指示，並且其中由該新的機器學習模型輸出的對該處理腔室的性能的該第二指示比由該經訓練的機器學習模型輸出的對該處理腔室的性能的該第一指示更準確。
如請求項5所述的方法，其中產生合成的製程資料的步驟包括以下步驟：<br/> 計算舊的歷史製程資料與新的製程資料之間的一個或多個差異；以及<br/> 利用該一個或多個差異來產生合成的製程資料。
如請求項6所述的方法，其中計算一個或多個差異的步驟包括以下步驟：<br/> 對準資料，使得該舊的歷史製程資料的每個資料點具有該新的製程資料的一對應資料點；以及<br/> 將一組製程資料的每個資料點的資料值從另一組製程資料減去，以產生差異資料，並且其中產生合成的製程資料的步驟包括以下步驟：<br/> 產生介於0與1之間的一隨機數或偽隨機數；<br/> 將該隨機數或偽隨機數乘以該差異資料；以及<br/> 將該隨機數或偽隨機數與該差異資料的乘積與該歷史製程資料加總起來。
如請求項5所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收新的製程資料，其中該新的製程資料與在產生該新的機器學習模型之後發生的一處理作業相關聯；<br/> 向該新的機器學習模型提供該新的製程資料；<br/> 從該新的機器學習模型接收輸出；以及<br/> 根據該輸出執行一改正動作。
如請求項1所述的方法，其中該處理腔室的該等條件的該逐漸變化包括以下一個或多個項目：<br/> 一個或多個腔室部件的性能的一逐漸變化；或<br/> 要由該處理腔室處理的輸入材料的一逐漸變化。
如請求項1所述的方法，其中該處理腔室的該等條件的該突然變化是由以下一個或多個項目導致的：<br/> 替換該處理腔室的一部件；<br/> 對該處理腔室執行維護；<br/> 在該處理腔室中實行的一製程配方的一變化；<br/> 使用該處理腔室生產的產品的一設計的一變化；或<br/> 要在該處理腔室中處理的輸入材料的一變化。
如請求項1所述的方法，其中該輸入感測器資料包括該處理腔室中的一基板的原位光譜資料，並且其中對該處理腔室的性能的該第一指示包括對一處理操作的進度的一指示。
一種用於產生和更新機器學習模型的系統，該系統包括記憶體和與該記憶體耦合的一處理設備，其中該處理設備被配置為：<br/> 決定自與一處理腔室相關聯的一經訓練的機器學習模型被訓練以來，該處理腔室的性能度量已經變化，其中該經訓練的機器學習模型被配置為接收與該處理腔室的一製程相關聯的感測器資料作為輸入，並產生對該處理腔室的性能的一第一指示作為輸出；<br/> 決定該處理腔室的該等性能度量的一變化是一逐漸變化還是一突然變化；以及下列其中一個步驟：<br/> 回應於決定該處理腔室的該等條件的該變化是一逐漸變化，執行一第一訓練過程以產生一新的經訓練的機器學習模型，該新的經訓練的機器學習模型被配置為接收該處理腔室的感測器資料作為輸入並產生對該處理腔室在該逐漸變化之後的性能的一第二指示作為輸出；或<br/> 回應於決定該處理腔室的該等條件的該變化是一突然變化，執行一第二訓練過程以產生該新的經訓練的機器學習模型，該新的經訓練的機器學習模型被配置為接收該處理腔室的感測器資料作為輸入並產生對該處理腔室在該突然變化之後的性能的一第三指示作為輸出，其中該第二訓練過程與該第一訓練過程不同，並且其中該第二訓練過程包括產生用於執行該第二訓練過程的合成的訓練資料，該合成的訓練資料係基於依據由該突然變化導致的製程資料的一個或多個差異來調整在該突然變化之前收集的歷史製程資料。
如請求項12所述的系統，其中該第一訓練過程包括以下步驟：<br/> 接收在一第一時間窗內產生的第一製程資料，其中該第一時間窗包括在訓練該經訓練的機器學習模型之前的一時間；<br/> 接收在一第二時間窗內產生的第二製程資料，其中該第二時間窗包括在訓練該經訓練的機器學習模型之後的一時間；<br/> 產生包括該第一製程資料和該第二製程資料的一訓練資料集；以及<br/> 使用該訓練資料集訓練該新的機器學習模型，以產生該新的經訓練的機器學習模型，其中該新的經訓練的機器學習模型的該輸出包括對該處理腔室的性能的一第二指示，並且其中由該新的機器學習模型產生的對性能的該第二指示比由該經訓練的機器學習模型產生的對性能的該第一指示更準確。
如請求項13所述的系統，其中訓練該新的機器學習模型的步驟包括以下步驟：產生要應用於該訓練資料集的權重，其中來自該第二製程資料的資料被加權為對該訓練該新的經訓練的機器學習模型的步驟有比來自該第一製程資料的資料更顯著的影響。
如請求項12所述的系統，其中該第二訓練過程進一步包括以下步驟：<br/> 基於以下項目來產生合成的製程資料：(i)與在該處理腔室的該變化之前處理的產品相關聯的舊的歷史製程資料，以及(ii)與在該處理腔室的該變化之後處理的產品相關聯的新的製程資料；<br/> 產生包括該合成的製程資料的一訓練資料集；以及<br/> 使用該訓練資料集訓練一新的機器學習模型，以產生該新的經訓練的機器學習模型，其中該新的機器學習模型被配置為輸出對該處理腔室的性能的一第二指示，並且其中由該新的機器學習模型輸出的對該處理腔室的性能的該第二指示比由該經訓練的機器學習模型輸出的對該處理腔室的性能的該第一指示更準確。
如請求項15所述的系統，其中產生合成的製程資料的步驟包括以下步驟：<br/> 計算舊的歷史製程資料與新的製程資料之間的一個或多個差異；以及<br/> 利用該一個或多個差異來產生合成的製程資料。
一種儲存指令的非暫時性機器可讀取儲存媒體，該等指令當被執行時，導致一處理設備執行包括以下步驟的操作：<br/> 決定自與一處理腔室相關聯的一經訓練的機器學習模型被訓練以來，該處理腔室的性能度量已經變化，其中該經訓練的機器學習模型被配置為接收與該處理腔室的一製程相關聯的感測器資料作為輸入，並產生對該處理腔室的性能的一第一指示作為輸出；<br/> 決定該處理腔室的該等性能度量的一變化是一逐漸變化還是一突然變化；以及下列其中一個步驟：<br/> 回應於決定該處理腔室的該等條件的該變化是一逐漸變化，執行一第一訓練過程以產生一新的經訓練的機器學習模型，該新的經訓練的機器學習模型被配置為接收該處理腔室的感測器資料作為輸入並產生對該處理腔室在該逐漸變化之後的性能的一第二指示作為輸出；或<br/> 回應於決定該處理腔室的該等條件的該變化是一突然變化，執行一第二訓練過程以產生該新的經訓練的機器學習模型，該新的經訓練的機器學習模型被配置為接收該處理腔室的感測器資料作為輸入並產生對該處理腔室在該突然變化之後的性能的一第三指示作為輸出，其中該第二訓練過程與該第一訓練過程不同，並且其中該第二訓練過程包括產生用於執行該第二訓練過程的合成的訓練資料，該合成的訓練資料係基於依據由該突然變化導致的製程資料的一個或多個差異來調整在該突然變化之前收集的歷史製程資料。
如請求項17所述的非暫時性機器可讀取儲存媒體，其中該第一訓練過程包括以下步驟：<br/> 接收在一第一時間窗內產生的第一製程資料，其中該第一時間窗包括在產生用於訓練該經訓練的機器學習模型的資料時的一時間；<br/> 接收在一第二時間窗內產生的第二製程資料，其中該第二時間窗包括在產生用於訓練該經訓練的機器學習模型的資料之後的一時間；<br/> 產生包括該第一製程資料和該第二製程資料的一訓練資料集；以及<br/> 使用該訓練資料集訓練該新的機器學習模型以產生該新的經訓練的機器學習模型，其中該新的機器學習模型的該輸出比該經訓練的機器學習模型的該輸出更準確。
如請求項17所述的非暫時性機器可讀取儲存媒體，其中該第二訓練過程進一步包括以下步驟：<br/> 基於以下項目來產生合成的製程資料：(i)與在該處理腔室的該變化之前處理的產品相關聯的舊的歷史製程資料，以及(ii)與在該處理腔室的該變化之後處理的產品相關聯的新的製程資料；<br/> 產生包括該合成的製程資料的一訓練資料集；以及<br/> 使用該訓練資料集訓練一新的機器學習模型以產生該新的機器學習模型，其中該新的機器學習模型的輸出比該經訓練的機器學習模型的輸出更準確。
如請求項19所述的非暫時性機器可讀取儲存媒體，其中產生合成的製程資料的步驟包括以下步驟：<br/> 計算新的製程資料與歷史製程資料之間的一個或多個差異；以及<br/> 利用該一個或多個差異來產生合成的製程資料。
一種水凝膠組合物，其中，原料包括羧甲基纖維素類原料、海藻酸類原料和鈣源，且所述原料中各成分的質量關係滿足： <br/>W<sub>1</sub>=m<sub>2</sub>/（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>）×100%，且15%≤W<sub>1</sub>≤35%； <br/>f=m<sub>4</sub>/m<sub>3</sub>，且0.09≤f≤5.00； <br/>其中，m<sub>1</sub>為所述羧甲基纖維素類原料的質量，m<sub>2</sub>為所述海藻酸類原料的質量，m<sub>3</sub>為所述海藻酸類原料中羧基的質量，以及m<sub>4</sub>為所述鈣源中的Ca<sup>2+</sup>的質量，以及 <br/>所述水凝膠組合物由以下方法所製得：將所述羧甲基纖維素類原料和所述海藻酸類原料分散於一溶液中以獲得第一混合液，混合均勻後烘乾製得A料，然後將所述A料與所述鈣源混合製得。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述f滿足：0.5≤f≤5.00。
如請求項1或2所述之水凝膠組合物，其中，所述水凝膠組合物吸水後形成水凝膠，所述水凝膠組合物的介質吸水率≥40倍；所述水凝膠的彈性模量≥150Pa。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述羧甲基纖維素類原料在一溶液中的濃度為2 wt%時的黏度≥1000 mPa·S；以及 <br/>所述羧甲基纖維素類原料包括羧甲基纖維素或其鹽，所述羧甲基纖維素的鹽包括羧甲基纖維素鈉、羧甲基纖維素鉀和羧甲基纖維素銨中的任一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述海藻酸類原料在一溶液中的濃度為2 wt%時的黏度≥2000 mPa·S；以及 <br/>所述海藻酸類原料包括海藻酸或其鹽，所述海藻酸的鹽包括海藻酸鈉、海藻酸鉀和海藻酸銨中的任一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述鈣源包括碳酸鈣、氯化鈣、檸檬酸鈣、乳酸鈣、葡萄糖酸鈣、醋酸鈣或磷酸鈣中的至少一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述水凝膠組合物的粒徑為0.1 mm~2 mm。
一種水凝膠組合物的製備方法，其中，原料包括羧甲基纖維素類原料、海藻酸類原料和鈣源，且所述原料中各成分的質量關係滿足： W<sub>1</sub>=m<sub>2</sub>/（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>）×100%，且15%≤W<sub>1</sub>≤35%； <br/>f=m<sub>4</sub>/m<sub>3</sub>，且0.09≤f≤5.00； <br/>其中，m<sub>1</sub>為所述羧甲基纖維素類原料的質量，m<sub>2</sub>為所述海藻酸類原料的質量，m<sub>3</sub>為所述海藻酸類原料中羧基的質量，以及m<sub>4</sub>為所述鈣源中的Ca<sup>2+</sup>的質量；以及 <br/>所述製備方法包括：將所述羧甲基纖維素類原料和所述海藻酸類原料分散於一溶液中以獲得第一混合液，混合均勻後烘乾製得A料，然後將所述A料與所述鈣源混合製得。
如請求項8所述之製備方法，其中，所述A料的製備過程中，所述第一混合液中聚合物的濃度為1 wt%~10 wt%；其中，所述聚合物的濃度是將所述羧甲基纖維素類原料和所述海藻酸類原料的質量加總後計算所得，混合均勻後烘乾製得所述A料，然後將所述A料與所述鈣源混合製得； <br/>所述烘乾之溫度為70℃~150℃。
一種如請求項1至7中任一項所述之水凝膠組合物在製備消化道內占位產品中的應用。
一種預測性維護之方法，包含：<br/> 接收離線資料，該離線資料指示對應於進行一製造製程之製造設備的歷史操作狀況和歷史製造資訊；<br/> 接收即時資料，該即時資料指示對應於該製造設備的當前操作狀況和當前製造資訊；以及<br/> 使用將該離線資料以及該即時資料作為輸入的一訓練模型來計算一設備健康狀態度量，該設備健康狀態度量包括該製造設備之至少一組件的一預期剩餘使用壽命(RUL)。
如請求項1之預測性維護之方法，其中指示歷史操作狀況的該離線資料和指示當前操作狀況的該即時資料包含從該製造設備的一或更多感測器接收的資料。
如請求項1之預測性維護之方法，其中使用物理為基模擬資料來訓練該模型。
如請求項3之預測性維護之方法，其中該物理為基模擬資料包含在該製造設備的一第一空間位置的估計資料，該估計資料係基於在該製造設備之物理感測器所處的一或更多其他空間位置所測量之感測器資料而被估計。
如請求項4之預測性維護之方法，其中該估計資料為該所測量之感測器資料的一內插。
如請求項1之預測性維護之方法，其中使用關聯於使用該製造製程加工之基材的量測資料來訓練該模型。
如請求項1之預測性維護之方法，更包含：擷取指示歷史操作狀況之該離線資料和指示當前操作狀況之該即時資料的特徵，且其中該訓練模型將所擷取的所述特徵作為輸入。
如請求項1之預測性維護之方法，更包含：<br/> 基於指示當前操作狀況的該即時資料來檢測該製造設備的一異常狀況；以及<br/> 響應檢測該製造設備的該異常狀況，識別關聯於該製造設備之故障的一型式。
如請求項8之預測性維護之方法，其中檢測該製造設備的該異常狀況係基於指示當前操作狀況之該即時資料和指示歷史操作狀況之該離線資料的一比較。
如請求項8之預測性維護之方法，其中識別關聯於該製造設備之故障的該型式包含使用一歷史故障資料庫將指示當前操作狀況的該即時資料進行分類。
如請求項8之預測性維護之方法，其中識別關聯於該製造設備之故障的該型式包含使用物理為基模擬資料將指示當前操作狀況的該即時資料進行分類。
如請求項1之預測性維護之方法，更包含：<br/> 識別該製造設備之所述當前操作狀況的一變更以及所述當前操作狀況中的該變更將改變該製造設備之該至少一組件的該預期剩餘使用壽命的可能性；以及<br/> 遞交所述當前操作狀況之所述被識別的變更。
如請求項12之預測性維護之方法，其中基於該物理為基模擬資料來識別該製造設備之所述當前操作狀況的該變更。
如請求項1之預測性維護之方法，更包含：<br/> 計算關聯於進行該製造製程之第二製造設備的一第二設備健康狀態度量，其中該第二設備健康狀態度量係基於具有該製造設備之該至少一組件的該第二製造設備；以及<br/> 基於該第二設備健康狀態度量遞交從該製造設備移除該至少一組件以在該第二製造設備中使用的建議。
如請求項14之預測性維護之方法，其中響應判定該至少一組件的該RUL低於一預定閾值而計算該第二設備健康狀態度量。
如請求項15之預測性維護之方法，其中響應判定對應於該至少一組件在該第二製造設備中被使用時的一第二RUL超過該至少一組件在該製造設備中被使用時的該RUL而遞交該建議。
如請求項1之預測性維護之方法，更包含：使用該預期RUL用於及時訂購，以在故障之前更換該至少一組件。
如請求項1之預測性維護之方法，其中該訓練模型為一深度學習模型。
一種塗料組成物，特徵在於包含被膜形成樹脂(A)及硬化劑(B)，且<br/> 該塗料組成物於溫度23℃、頻率0.50Hz及應力測定範圍0.1～100Pa之條件下之動態黏彈性測定中，以應力為0.1Pa時之儲存彈性模數G'<sub>1</sub>為基準，儲存彈性模數首次減少10%時之應力σ<sub>2</sub>係於3.5～100Pa之範圍內。
如請求項1之塗料組成物，其中前述被膜形成樹脂(A)包含聚胺甲酸酯樹脂(A1)。
如請求項2之塗料組成物，其中以前述塗料組成物中之合計樹脂固形物成分量為基準，前述聚胺甲酸酯樹脂(A1)之含量係於1.0～30質量%之範圍內。
如請求項1至3中任一項之塗料組成物，其於溫度23℃、頻率0.50Hz及應力測定範圍0.1～100Pa之條件下之動態黏彈性測定中，應力為0.1Pa時之tanδ<sub>1</sub>(損耗彈性模數/儲存彈性模數)之值小於1，於應力大於0.1Pa之範圍內tanδ之值首次成為1時之應力σ<sub>3</sub>係於10～100Pa之範圍內。
如請求項1至3中任一項之塗料組成物，其中前述儲存彈性模數G'<sub>1</sub>係於5.0～150Pa之範圍內。
如請求項1至3中任一項之塗料組成物，其固形物成分濃度係於40～60質量%之範圍內。
如請求項1至3中任一項之塗料組成物，其進一步包含黏性調整劑(C)。
如請求項7之塗料組成物，其中以前述塗料組成物中之合計樹脂固形物成分100質量份為基準，前述黏性調整劑(C)之含量係於0.05～1.00質量份之範圍內。
如請求項1至3中任一項之塗料組成物，其中於藉由三塗一烤方式來形成由第一塗膜、第二塗膜及透明塗層塗膜所構成之多層塗膜之情形時，前述塗料組成物用於形成第一塗膜。
一種多層塗膜形成方法，包括如下步驟：<br/> 步驟(I-1)：於被塗物上塗裝如請求項1至8中任一項之塗料組成物，形成未硬化之第一塗膜；<br/> 步驟(I-2)：於前述步驟(I-1)中所形成之未硬化之第一塗膜上塗裝第二塗料組成物，形成未硬化之第二塗膜；<br/> 步驟(I-3)：於前述步驟(I-2)中所形成之未硬化之第二塗膜上塗裝透明塗層塗料組成物，形成未硬化之透明塗層塗膜；以及<br/> 步驟(I-4)：對前述步驟(I-1)中所形成之未硬化之第一塗膜、前述步驟(I-2)中所形成之未硬化之第二塗膜及前述步驟(I-3)中所形成之未硬化之透明塗層塗膜進行一次性加熱硬化。
一種半導體結構，包括：<br/> 一電晶體，包括一第一源極/汲極部分、一閘極部分、和一第二源極/汲極部分，該閘極部分設置在該第一源極/汲極部分上方，該第二源極/汲極部分設置在該閘極部分上方，其中，該第一源極/汲極部分和該第二源極/汲極部分分別具有一電極；以及<br/> 一電阻切換式隨機存取記憶體結構，設置在該電晶體上，該電阻切換式隨機存取記憶體結構包括：<br/> 一底電極，共形地設置在該第二源極/汲極部分的該電極上；<br/> 一電阻切換層，共形地設置在該底電極上；及<br/> 一頂電極，共形地設置在該電阻切換層上。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該電晶體包括：<br/> 該第一源極/汲極部分；<br/> 一通道部分，設置在該第一源極/汲極部分上；<br/> 該第二源極/汲極部分，設置在該通道部分上；以及<br/> 該閘極部分，環繞該通道部分。
如請求項2所述之半導體結構，其中，該第一源極/汲極部分和該第二源極/汲極部分分別更具有一未摻雜或輕摻雜部分，位在各自的該電極與該通道部分之間，且其中，該閘極部分包括一閘極介電質和一閘極電極，該閘極介電質設置在該通道部分的一側壁上，該閘極電極設置在該閘極介電質上。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該第一源極/汲極部分和該第二源極/汲極部分各自的該電極由矽化物形成。
如請求項3所述之半導體結構，其中，該閘極電極具有一水平延伸部分。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該電晶體的該第一源極/汲極部分為該電晶體的源極，該第二源極/汲極部分為該電晶體的汲極。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該底電極覆蓋該電晶體的該第二源極/汲極部分的該電極的頂部，進一步沿著該電極的一側壁延伸並完全覆蓋該側壁。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該底電極直接設置在該電晶體的該第二源極/汲極部分的該電極上。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該底電極、該電阻切換層與該頂電極分別為鐘形形狀。
如請求項1所述之半導體結構，進一步包括：<br/> 一基板，其中，該第一源極/汲極部分的該電極設置在該基板中；<br/> 一第一層間介電結構，設置在該基板上且位在該電晶體的該閘極部分下方；<br/> 一第二層間介電結構，設置在該第一層間介電結構上且位在該電阻切換式隨機存取記憶體結構下方；以及<br/> 一第三層間介電結構，設置在該第二層間介電結構上並覆蓋該電阻切換式隨機存取記憶體結構。
如請求項1所述之半導體結構，其中，該電晶體的該第一源極/汲極部分的該電極耦接至一源極線，該電晶體的該閘極部分的一閘極電極通過該閘極電極的一水平延伸部分耦接至一字元線，且該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該頂電極耦接至一位元線。
一種半導體結構的製造方法，包括：<br/> 形成一電晶體，其中，該電晶體包括一第一源極/汲極部分、一閘極部分、和一第二源極/汲極部分，該閘極部分設置在該第一源極/汲極部分上方，該第二源極/汲極部分設置在該閘極部分上方，其中，該第一源極/汲極部分和該第二源極/汲極部分分別具有一電極；<br/> 共形地形成一電阻切換式隨機存取記憶體結構的一底電極在該第二源極/汲極部分的該電極上；<br/> 共形地形成該電阻切換式隨機存取記憶體結構的一電阻切換層在該底電極上；以及<br/> 共形地形成該電阻切換式隨機存取記憶體結構的一頂電極在該電阻切換層上。
如請求項12所述之半導體結構的製造方法，其中，其中，形成該電晶體包括：<br/> 通過離子植入製程在一基板的一主動層的中間部分定義一通道層；<br/> 圖案化該主動層，以形成該第一源極/汲極部分的一未摻雜或輕摻雜部分、一通道部分、和該第二源極/汲極部分的一未摻雜或輕摻雜部分，其中，該通道部分位在該第一源極/汲極部分的該未摻雜或輕摻雜部分上，該第二源極/汲極部分的該未摻雜或輕摻雜部分位在該通道部分上；<br/> 通過自對準矽化物製程形成該第二源極/汲極部分的該電極和該第一源極/汲極部分的該電極；<br/> 形成一第一層間介電結構在該基板上並露出該通道部分；<br/> 形成一閘極介電質在該第一層間介電結構上，其中，該閘極介電質環繞該通道部分的一側壁；以及<br/> 形成一閘極電極在該閘極介電質上。
如請求項13所述之半導體結構的製造方法，其中，該閘極電極被形成為具有一水平延伸部分。
如請求項13所述之半導體結構的製造方法，進一步包括：<br/> 形成一第二層間介電結構在該第一層間介電結構上並露出該第二源極/汲極部分的該電極；<br/> 其中，該電阻切換式隨機存取記憶體結構形成在該第二層間介電結構上。
如請求項15所述之半導體結構的製造方法，進一步包括：<br/> 形成一第三層間介電結構在該第二層間介電結構上並覆蓋該電阻切換式隨機存取記憶體結構；以及<br/> 形成一第一接觸件穿過該第三層間介電結構、該第二層間介電結構、和該第一層間介電結構並連接該電晶體的該第一源極/汲極部分的該電極，形成一第二接觸件穿過該第三層間介電結構和第二層間介電結構並連接該電晶體的該閘極電極的一水平延伸部分，以及形成一第三接觸件穿過該第三層間介電結構並連接該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該頂電極。
如請求項16所述之半導體結構的製造方法，<br/> 其中，該第一層間介電結構、該第二層間介電結構、和該第三層間介電結構分別包括一底部蝕刻停止層、一主介電層、和一頂部蝕刻停止層，該主介電層位在該底部蝕刻停止層上，該頂部蝕刻停止層位在該主介電層上；且<br/> 其中，該半導體結構的製造方法進一步包括：<br/> 在形成該第二層間介電結構的該底部蝕刻停止層之後，形成一第一間隔物在該電晶體的該第一源極/汲極部分的該電極上方穿過該第二層間介電結構的該底部蝕刻停止層、該第一層間介電結構的該頂部蝕刻停止層、和該第一層間介電結構的該主介電層；<br/> 在形成該第三層間介電結構的該底部蝕刻停止層之後，形成一第二間隔物在該電晶體的該閘極電極的該水平延伸部分上方穿過該第三層間介電結構的該底部蝕刻停止層、該第二層間介電結構的該頂部蝕刻停止層、和該第二層間介電結構的該主介電層，並形成一第三間隔物在該第一間隔物的上方穿過該第三層間介電結構的該底部蝕刻停止層、該第二層間介電結構的該頂部蝕刻停止層、和該第二層間介電結構的該主介電層。
如請求項17所述之半導體結構的製造方法，其中，其中，形成該第一接觸件、形成該第二接觸件、以及形成該第三接觸件包括：<br/> 同時地形成一第一孔到達該電晶體的該第一源極/汲極部分的該電極並移除該第三間隔物和該第一間隔物、形成一第二孔到達該電晶體的該閘極電極的該水平延伸部分並移除該第二間隔物、和形成一第三孔到達該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該頂電極；以及<br/> 分別在該第一孔、該第二孔、和該第三孔中形成該第一接觸件、該第二接觸件、和該第三接觸件。
如請求項12所述之半導體結構的製造方法，其中，該電阻切換式隨機存取記憶體結構的該底電極、該電阻切換層、和該頂電極被形成為鐘形形狀。
一種水凝膠組合物，其中，原料包括羧甲基纖維素類原料、海藻酸類原料、易溶類原料、鈣源和二氧化矽，且所述原料中各成分的質量關係滿足： <br/>W<sub>1</sub>=m<sub>2</sub>/（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>）×100%，且10%≤W<sub>1</sub>≤70%； <br/>W<sub>2</sub>=m<sub>5</sub>/（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>+m<sub>5</sub>+m<sub>6</sub>）×100%，且5%≤W<sub>2</sub>≤30%； <br/>W<sub>3</sub>=m<sub>6</sub>/（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>+m<sub>5</sub>+m<sub>6</sub>）×100%，且5%≤W<sub>3</sub>≤25%； <br/>W<sub>4</sub>=（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>）/（m<sub>1</sub>+m<sub>2</sub>+m<sub>5</sub>+m<sub>6</sub>）×100%，且65%≤W<sub>4</sub>≤90%；以及 <br/>f=m<sub>4</sub>/m<sub>3</sub>，且0.2≤f≤2.0； <br/>其中，m<sub>1</sub>為所述羧甲基纖維素類原料的質量，m<sub>2</sub>為所述海藻酸類原料的質量，m<sub>3</sub>為所述海藻酸類原料中羧基的質量，m<sub>4</sub>為所述鈣源中的Ca<sup>2+</sup>的質量，m<sub>5</sub>為二氧化矽的質量，以及m<sub>6</sub>為所述易溶類原料的質量；以及 <br/>所述易溶類原料包括聚乙烯醇、聚乙二醇、環糊精和蔗糖中的至少一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述W<sub>1</sub>滿足：12%≤W<sub>1</sub>≤25%，所述W<sub>2</sub>滿足：9%≤W<sub>2</sub>≤25%，所述W<sub>3</sub>滿足：5%≤W<sub>3</sub>≤20%，所述W<sub>4</sub>滿足：70%≤W<sub>4</sub>≤90%，以及所述f滿足：0.4≤f≤2.0。
如請求項1或2所述之水凝膠組合物，其中，所述易溶類原料的溶解度大於或等於100 g/L。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述羧甲基纖維素類原料在水溶液中的濃度為2wt%時的黏度≥4000 mPa·S；以及 <br/>所述羧甲基纖維素類原料包括羧甲基纖維素或其鹽，且所述羧甲基纖維素的鹽包括羧甲基纖維素鈉、羧甲基纖維素鉀和羧甲基纖維素銨中的任一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述海藻酸類原料在水溶液中的濃度為2wt%時的黏度≥2000 mPa·S；以及 <br/>所述海藻酸類原料包括海藻酸或其鹽，且所述海藻酸的鹽包括海藻酸鈉、海藻酸鉀和海藻酸銨中的任一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述鈣源包括碳酸鈣、氯化鈣、檸檬酸鈣、乳酸鈣、葡萄糖酸鈣、醋酸鈣或磷酸鈣中的至少一種。
如請求項1所述之水凝膠組合物，其中，所述水凝膠組合物的粒徑為0.1 mm~3 mm。
一種如請求項1至7中任一項所述水凝膠組合物的製備方法，其中，包括將所述羧甲基纖維素類原料、所述海藻酸類原料和二氧化矽分散於水中以形成一混合液，混合均勻後烘乾製得A料，然後將所述A料、所述鈣源和所述易溶類原料混合製得。
如請求項8所述之製備方法，其中，所述A料的製備過程中所述混合液中的聚合物濃度為4%~10%，所述烘乾的溫度為45℃~100℃，且所述聚合物濃度是將所述羧甲基纖維素類原料和所述海藻酸類原料的質量加總後計算所得。
一種如請求項1至7中任一項所述水凝膠組合物在製備消化道內占位產品中的應用。
一種仿生動物，包含：<br/> 一軀體；<br/> 一腿部，樞接於該軀體；以及<br/> 一腳部機構，包含：<br/> 一腳部支架，樞接於該腿部；<br/> 一第一爪，固定於該腳部支架，該第一爪隨著該腳部支架繞一第一旋轉軸旋轉；<br/> 一第二爪，樞接於該第一爪之一側，該第二爪繞一第二旋轉軸旋轉；<br/> 一第三爪，樞接於該第一爪之另一側，該第三爪繞一第三旋轉軸旋轉；以及<br/> 一腳蹼，固定於該第一爪、該第二爪與該第三爪；<br/> 其中，該第一旋轉軸與該第二旋轉軸間之一第一夾角大於0度且小於90度，該第一旋轉軸與該第三旋轉軸間之一第二夾角大於0度且小於90度，且該第一夾角等於該第二夾角。
如請求項1所述之仿生動物，其中：<br/> 該腿部具有一第一突出部，該腳部支架具有一第一上死點以及一第一下死點，該第一突出部配置為止擋該第一上死點與該第一下死點，以限制該第一爪的旋轉角度；<br/> 該第二爪具有一第二突出部，該第一爪具有一第二上死點以及一第二下死點，該第二突出部配置為止擋該第二上死點與該第二下死點，以限制該第二爪的旋轉角度；<br/> 該第三爪具有一第三突出部，該第一爪具有一第三上死點以及一第三下死點，該第三突出部配置為止擋該第三上死點與該第三下死點，以限制該第三爪的旋轉角度。
如請求項1所述之仿生動物，其中該腳部機構另包含三固定片，該三固定片分別固定於該第一爪、該第二爪與該第三爪，以夾持該腳蹼。
如請求項1所述之仿生動物，另包含：<br/> 一管線導引支架，設置於該軀體上；<br/> 一第一頸部支架，可轉動地連接於該管線導引支架；<br/> 一第二頸部支架，樞接於該第一頸部支架；<br/> 一第一線盤，設置於該軀體上；<br/> 一第一管線固定支架，設置於該軀體上，且鄰近該第一線盤；<br/> 二第一驅動線，各該第一驅動線的一端固定於該第一線盤，各該第一驅動線的另一端穿過該第一管線固定支架與該管線導引支架而固定於該第二頸部支架；以及<br/> 一第一頸部馬達，設置於該軀體中，且連接於該第一線盤。
如請求項4所述之仿生動物，另包含：<br/> 一第三頸部支架，樞接於該第二頸部支架；<br/> 一第二線盤，設置於該軀體上；<br/> 一第二管線固定支架，設置於該軀體上，且鄰近該第二線盤；<br/> 二第二驅動線，各該第二驅動線的一端固定於該第二線盤，各該第二驅動線的另一端穿過該第二管線固定支架與該管線導引支架而固定於該第三頸部支架；以及<br/> 一第二頸部馬達，設置於該軀體中，且連接於該第二線盤。
如請求項5所述之仿生動物，另包含：<br/> 一第四頸部支架，樞接於該第三頸部支架；<br/> 一第三線盤，設置於該軀體上；<br/> 一第三管線固定支架，設置於該軀體上，且鄰近該第三線盤；<br/> 二第三驅動線，各該第三驅動線的一端固定於該第三線盤，各該第三驅動線的另一端穿過該第三管線固定支架與該管線導引支架而固定於該第四頸部支架；<br/> 一第三頸部馬達，設置於該軀體中，且連接於該第三線盤；以及<br/> 一頭部外殼，連接於該第四頸部支架。
如請求項6所述之仿生動物，另包含：<br/> 一下頜轉接支架，連接於該第四頸部支架；<br/> 一下頜，樞接於該下頜轉接支架，該下頜與該頭部外殼之一上頜形成該仿生動物之一嘴部；<br/> 一第四線盤，設置於該軀體上；<br/> 一第四管線固定支架，設置於該軀體上，且鄰近該第四線盤；<br/> 二第四驅動線，各該第四驅動線的一端固定於該第四線盤，各該第四驅動線的另一端穿過該第四管線固定支架與該管線導引支架而固定於該下頜；以及<br/> 一下頜馬達，設置於該軀體中，且連接於該第四線盤。
如請求項7所述之仿生動物，其中該下頜轉接支架與該第四頸部支架一體成型。
如請求項7所述之仿生動物，另包含一揚聲器，設置於該軀體上，其中該揚聲器配合該嘴部之開合動作發出聲音。
如請求項4所述之仿生動物，另包含：<br/> 一轉接件，設置於該軀體上；<br/> 一第一齒輪，可轉動地設置於該轉接件上，該第一頸部支架固定於該第一齒輪；<br/> 一止推軸承，夾置於該轉接件與該第一齒輪之間；<br/> 一第二齒輪，與該第一齒輪嚙合；以及<br/> 一頭部馬達，設置於該軀體中，且連接於該第二齒輪。
如請求項1所述之仿生動物，其中該軀體包含一上殼以及一下殼，該仿生動物另包含：<br/> 一尾部擺臂，樞接於該上殼，該尾部擺臂具有一卡合部；<br/> 一尾部馬達，設置於該軀體中，且連接於該尾部擺臂；<br/> 一尾部固定支架，固定於該下殼；<br/> 一尾部轉接支架，樞接於該尾部固定支架，該尾部轉接支架具有一卡合孔，該卡合部卡合於該卡合孔；以及<br/> 一尾部外殼，固定於該尾部轉接支架。
如請求項1所述之仿生動物，其中該軀體包含一上殼、一下殼以及一第一密封圈，該第一密封圈夾置於該上殼與該下殼之間，該第一密封圈具有一外凸緣、一內凸緣以及一第一凹槽，該第一凹槽位於該外凸緣與該內凸緣之間，該下殼具有一凸台，該上殼具有一第二凹槽，該第一密封圈嵌設於該第二凹槽中，該凸台嵌設於該第一凹槽中，該外凸緣與該內凸緣夾置於該上殼與該下殼之間。
如請求項1所述之仿生動物，其中該軀體之一下殼具有一第一套筒部，該腿部具有一第二套筒部，該第二套筒部套設於該第一套筒部之外側，該仿生動物另包含一腿部馬達、一腿部轉接支架、一傳動軸、一第二密封圈以及一軸承，該腿部馬達設置於該軀體中，該腿部轉接支架連接於該腿部馬達，該傳動軸連接於該腿部與該腿部轉接支架，該第二密封圈與該軸承套設於該傳動軸，且位於該第二套筒部中。
如請求項1所述之仿生動物，另包含一重心機構，設置於該軀體中，該重心機構包含：<br/> 一固定板；<br/> 一托架，固定於該固定板；<br/> 一重心控制馬達，設置於該托架上；<br/> 二導桿，固定於該固定板之二側；<br/> 二線性軸承，設置於該二導桿上；<br/> 一電池模組，連接於該二線性軸承；以及<br/> 一傳動組件，連接於該重心控制馬達與該電池模組；<br/> 其中，該重心控制馬達經由該傳動組件驅動該電池模組沿該二導桿移動，以轉移該仿生動物之重心。
如請求項14所述之仿生動物，其中該傳動組件包含一曲柄、一連桿以及一轉接板，該曲柄連接於該重心控制馬達，該轉接板連接於該電池模組，該連桿連接於該曲柄與該轉接板。
如請求項1所述之仿生動物，另包含三紅外線感測器，設置於該軀體中，該三紅外線感測器之位置分別對應該仿生動物之前方、左方及右方。
一種顯示裝置，包括：<br/>第一基板，具有第一邊；<br/>第二基板，連接所述第一基板且具有第二邊，其中所述第二邊不對齊所述第一邊，且所述第一邊與所述第二邊鄰近所述顯示裝置的第一側；<br/>多個第一發光單元與多個第一虛設單元，設置於所述第一基板上，其中於俯視中，第一數量的所述多個第一虛設單元設置於所述第一邊與所述多個第一發光單元之間；以及<br/>多個第二發光單元與多個第二虛設單元，設置於所述第二基板上，其中於該俯視中，第二數量的所述多個第二虛設單元設置於所述第二邊與所述多個第二發光單元之間；<br/>其中，所述第一數量不同於所述第二數量。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一基板具有與所述第一邊相對設置的另一邊，其中第三數量的所述多個第一虛設單元設置於所述另一邊與所述多個第一發光單元之間。
如請求項2所述的顯示裝置，其中所述第三數量不同於所述第一數量。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個第一發光單元與所述多個第二發光單元包括接墊與電子單元。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述多個第一虛設單元與所述多個第二虛設單元包括虛設接墊。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括：<br/>第三基板，具有第三邊，其中所述第三邊鄰近所述顯示裝置的所述第一側。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述第一邊具有第一延伸線，所述第二邊具有第二延伸線，所述第三邊具有第三延伸線，其中所述第一延伸線與所述第二延伸線之間的距離不同於所述第二延伸線與所述第三延伸線之間的距離。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括：<br/>第一接合件，圍繞所述第一基板與所述第二基板。
如請求項8所述的顯示裝置，其中所述第一基板具有第一連接邊，所述第二基板具有第二連接邊，所述第一連接邊與所述第二連接邊透過所述第一接合件彼此連接。
如請求項8所述的顯示裝置，更包括：<br/>第二接合件，圍繞所述第一基板、所述第二基板以及所述第一接合件。
一種包括如請求項1所述的顯示裝置的投影系統，更包括：<br/>成像層，與所述顯示裝置相對設置，且包括擋風鏡。
一種電路板加工方法，應用於電路板加工設備處理覆銅板，其特徵在於，該電路板加工設備包括一電鍍缸、一電源及一導電件，該電鍍缸用於容納感光膜溶液，該電源設於該電鍍缸外，該導電件設於該電鍍缸內並連接該電源的負極，該方法係包括：<br/>在該感光膜溶液浸沒至少部分該導電件時，移動該覆銅板至該電鍍缸中並至少部分浸沒於該感光膜溶液，控制該覆銅板與該導電件間隔；<br/>將該覆銅板與該電源的正極電連接；以及<br/>控制該電源在該覆銅板上輸出預設電壓，該感光膜溶液中的離子在預設電壓的作用下吸附於該覆銅板上形成一感光膜層。
如請求項1所述之電路板加工方法，其中控制該電源在該覆銅板上輸出預設電壓的步驟之後，還包括：控制該覆銅板浸沒於該感光膜溶液持續第一預設時長；該第一預設時長結束後，移動該覆銅板遠離該感光膜溶液。
如請求項2所述之電路板加工方法，其中該電鍍缸內沿長度方向間隔設有多個該導電件，該電鍍缸具有進板端和出板端；控制該覆銅板浸沒於該感光膜溶液持續該第一預設時長的步驟包括：帶動浸沒於該感光膜溶液中的該覆銅板從該電鍍缸的進板端向出板端移動。
如請求項1所述之電路板加工方法，其中該電路板加工設備具有多個間隔設置的該電鍍缸，每一該電鍍缸內分別設有該感光膜溶液和該導電件，控制該電源在該覆銅板上輸出預設電壓的步驟之後，還包括：帶動該覆銅板依次進入多個該電鍍缸，並控制該覆銅板浸沒於每一該電鍍缸內的感光膜溶液持續第二預設時長；在該覆銅板浸沒於每個該電鍍缸內的感光膜溶液並持續該第二預設時長後，移動該覆銅板遠離感光膜溶液。
如請求項1至4中任一項所述之電路板加工方法，其中該電路板加工設備還包括與該電源正極電連接的夾具，該方法還包括：控制該夾具夾持該覆銅板移動。
如請求項1所述之電路板加工方法，其中移動該覆銅板至該電鍍缸中的步驟之前，該方法還包括：添加該感光膜溶液至該電鍍缸中並浸沒至少部分該導電件；將該覆銅板表面加工粗糙。
如請求項6所述之電路板加工方法，其中將該覆銅板表面加工粗糙的步驟包括：使用藥水刻蝕該覆銅板表面；使用清水沖洗掉該覆銅板表面的藥水。
如請求項2或4所述之電路板加工方法，其中移動該覆銅板遠離該感光膜溶液的步驟之後，還包括：清除該覆銅板表面殘留的感光膜溶液。
如請求項1所述之電路板加工方法，其中該電路板加工設備包括該電鍍缸、該電源以及該導電件，該電鍍缸用於供感光膜溶液容納，該電鍍缸內設有間隔設置的安裝位和鍍膜位，該鍍膜位用於供該覆銅板容納，該電源設於該電鍍缸外，該導電件設於該安裝位並與該電源的負極電連接，該導電件與該覆銅板間隔設置，以供該感光膜溶液浸沒該導電件和該覆銅板的至少部分。
如請求項9所述之電路板加工方法，其中該電路板加工設備還包括一夾具，該夾具與該電源的正極電連接，該夾具用於夾持該覆銅板移動，以使該覆銅板與該電源的正極電連接。
一種扭力結構，其係包括：<br/> 一第一本體；<br/> 一第二本體，該第二本體係與該第一本體相樞設或相組設，該第二本體係部份容設於該第一本體內，該第二本體一端係設有一驅動部；<br/> 一調整組，該調整組係與該第一本體及該第二本體相組設；<br/> 一彈簧組，該彈簧組容設於該第二本體內，該彈簧組一端抵於該第二本體內，該彈簧組另端係直接或間接抵於該調整組之端部處，該彈簧組係使該第二本體達預設扭力值時具有扭力跳脫之功效，該彈簧組包括：一第一彈性件、一第一間隔件、一第二間隔件及一第二彈性件；<br/> 該第一彈性件容設於該第二本體內，該第一彈性件一端設有一第一端，該第一端彈抵於該第二本體內，該第一彈性件另端設有一第二端；<br/> 該第一間隔件一端係供該第二端相頂抵，該第一間隔件係為一圓片體狀，該第一間隔件之直徑係配合該第一彈性件之直徑相頂抵，該第一間隔件中間位置處係設有一穿槽；<br/> 該第二間隔件係設有一第一容槽，該第二間隔件一端係設有一第三端，該第三端係與該第一間隔件另端相頂抵，該第二間隔件另端係設有一第四端；<br/> 該第二彈性件係與該第一彈性件規格不同，該第二彈性件係部份容設於該第一容槽內，該第二彈性件一端設有一第五端，該第五端係抵於該第一間隔件上，該第一間隔件係抵於該第一彈性件及該第二彈性件之間，該第二彈性件另端設有一第六端，該第六端係直接或間接抵於該調整組，該第二彈性件不受該調整組壓抵時，該第六端係凸露於該第一容槽外，該第二彈性件受該調整組壓抵後，該第二彈性件受壓縮，該第二彈性件係會全部隱於該第一容槽內。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一本體係為一圓桿體狀，該第一本體一端係套設有一握把，該第一本體內設有一容槽供所需之元件相容設，該容槽呈圓槽狀；該驅動部係凸露於該第一本體外，該驅動部係呈四角頭狀或扳手頭狀，該第二本體另端之外周面設有複數定位槽，該複數定位槽隱於該第一本體內，該複數定位槽係以該第二本體之軸心呈環狀排列狀，該複數定位槽之數量係為十個或二十個，該複數定位槽係呈凹弧形槽狀，該複數定位槽係與該驅動部相遠離，該第二本體設有複數第一固定部，該複數第一固定部隱於該第一本體內，該複數第一固定部設於該複數定位槽處，該複數第一固定部以該第二本體之軸心呈間隔環狀排列狀，該複數第一固定部之數量係為二個，該二個第一固定部相對該第二本體呈相對稱狀，該複數第一固定部係呈圓穿槽狀，該第二本體係呈圓體狀；設有一控制組，該控制組係套設於該第一本體上，該控制組係可作動至一鎖固位置及一非鎖固位置以控制該第一本體相對該第二本體呈不轉動狀或可轉動狀，該控制組係於該第一本體上軸向移位或旋轉移位作動；設有一固定座組，該固定座組組設於該第二本體內，該固定座組無法相對該第二本體移位或轉動，該固定座組係組設於該第一固定部處；該調整組係與該第一本體、該第二本體及該固定座組相組設；該控制組作動至該非鎖固位置，該第一本體相對該第二本體轉動，該第一本體係帶動該調整組於該固定座組內螺旋及移位或任何作動方式以調整扭力值。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一彈性件使該第二本體達預設扭力值具有扭力跳脫之功效。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該穿槽係呈圓貫穿槽狀。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一容槽係使該第二間隔件呈一中空管體狀。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二彈性件之外直徑係小於該第一彈性件之外直徑。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二彈性件之線徑係小於該第一彈性件之線徑。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二彈性件之長度係小於該第一彈性件之長度。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第二彈性件受該調整組之頂抵而壓縮於該第一容槽內時，該調整組係抵於該第四端上，該第一本體相對該第二本體再轉動時，該調整組推動該第二間隔件，該第二間隔件係位移而頂抵該第一間隔件，使該第一間隔件係壓抵該第一彈性件，亦即係為該第一彈性件作動，以調整該第一彈性件之壓縮程度而調整更大之扭力值。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該驅動部係呈六角槽狀、多角槽狀或各式槽狀，該第一本體以自己之軸心轉動而驅動該第二本體，使該第二本體以自己為軸心轉動而超過預設之扭力值時，該第二本體係具扭力跳脫之功效，該扭力結構即為扭力起子結構狀態。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該調整組靠近該第二彈性件係呈螺桿狀，結構上係屬於該第一本體及該第二本體之間呈相組設結構。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一間隔件與該第二間隔件係呈一體狀，增設一第三間隔件，該第三間隔件係與該第六端相頂抵，該第三間隔件設有一第三容槽，該第三容槽供該第六端容設，該第三間隔件另端係直接或間接與該調整組相頂抵。
如請求項1所述之扭力結構，其中，該第一間隔件係呈一管體狀，該第一間隔件係增設一第二容槽，該第二容槽係供該第二彈性件部份容設，該第二彈性件係容抵於該第二容槽內，該第二彈性件係部份容設於該第一容槽內，該第一彈性件係部份套抵於該第一間隔件之外周緣，該第一彈性件與該第二彈性件係有部份長度交錯，亦即該第二彈性件係部份在該第一彈性件內，該第二容槽與該第一容槽係呈同軸心狀，該第二容槽之直徑係小於該第一容槽直徑。
如請求項1所述之扭力結構，其中，增設一第三彈性件，該第三彈性件係與該第二彈性件規格不同，或該第三彈性件係與該第一彈性件及該第二彈性件規格不同，該第三彈性件之直徑係大於該第二彈性件之直徑，該第三彈性件係組設於該第二彈性件外部，該第三彈性件一端係設有一第七端，該第七端係與該第一間隔件相頂抵，該第三彈性件另端係設有一第八端，該第八端係與該第六端呈齊平狀，該第八端及該第六端直接或間接與該調整組相頂抵。
一種皮下注射用膠原蛋白增生劑組合物，包含：<br/> 一PLA（聚乳酸）微球，該PLA微球內部具有一力學導引性之骨架結構，其中該骨架結構包含：<br/> 彼此平行排列之複數拱柱結構，各該拱柱結構係由複數個具備弧形曲率之雙弧形支撐壁、及至少一垂直於該PLA微球徑向方向之徑向支撐區彼此相連構成；<br/> 其中，單顆該微球於受壓測試中，於荷重至少為2mN之作用力下不發生結構塌陷或永久性形變；以及<br/> 一凝膠劑，用以與該PLA微球混合；<br/> 其中，該PLA微球內部包埋或吸附一低敏原短鏈肽膠原蛋白，且該PLA微球係經由射線或環氧乙烷滅菌處理而形成。
如請求項1所述之皮下注射用膠原蛋白增生劑組合物，其中該低敏原短鏈肽膠原蛋白的分子量介於7,000～11,000Da之間。
如請求項1所述之皮下注射用膠原蛋白增生劑組合物，其中該凝膠劑選自羧甲基纖維素（NaCMC）、玻尿酸、明膠、海藻酸或其混合物，濃度介於0.5～2%（w/v）之間。
如請求項1所述之皮下注射用膠原蛋白增生劑組合物，更包含一緩衝液或一賦形劑，用以添加於該凝膠劑內。
如請求項1所述之皮下注射用膠原蛋白增生劑組合物，其中該PLA微球與該凝膠劑之質量比在1:9～3:7之範圍內。
一種用於製備如請求項1至5任一項所述之皮下注射用膠原蛋白增生劑組合物的製備方法，包含下列步驟：<br/> 提供一第一製程以製備一PLA（聚乳酸）微球；以及<br/> 提供一凝膠劑，該凝膠劑用以與該PLA微球混合；<br/> 其中，該凝膠劑係通過121℃～134℃之高壓蒸氣滅菌，且該PLA微球係經由射線滅菌或環氧乙烷滅菌處理而形成。
如請求項6所述之製備方法，其中該第一製程的製備步驟為：<br/> (a).將一PLA原料溶解於有機溶劑形成有機相；<br/> (b).將一短鏈肽膠原蛋白溶解於內水相；<br/> (c).進行複乳化，並透過溶劑揮發或萃取使該PLA原料固化為一PLA微球；以及<br/> (d).篩網分級或離心分離該PLA微球後，乾燥並以射線或環氧乙烷滅菌。
如請求項7所述之製備方法，其中步驟(c)中之攪拌速度為500～3000rpm，且溫度控制於25～40℃之範圍內，以形成該多孔拱橋結構。
如請求項6所述之製備方法，其中該射線滅菌選自伽瑪射線或電子束射線，累積劑量在5～30kGy之間。
如請求項6所述之製備方法，其中該凝膠劑以高壓蒸氣滅菌15~30分鐘後冷卻，且於一無菌操作環境中與該PLA微球混合。
一種油彩顏料組合物，包含有由亞麻仁油、稀釋油及甘油所組成的基底油；植物色粉；蛋殼粉；茭白筍殼粉；以及氧化鋅等混合而成，該些成分占比為:亞麻仁油24.4%(W/W)；稀釋油7.3%(W/W)；甘油1.5%(W/W)；氧化鋅9.8%(W/W)；蛋殼粉5.9%(W/W)；茭白筍殼粉2.4%(W/W)；植物色粉48.7%(W/W)，其中，該稀釋油包含向日葵油、大豆油或其混合。
如請求項1所述之油彩顏料組合物，其中，該茭白筍殼粉的顆粒大小在150-240 μm，該蛋殼粉的顆粒大小在30-100μm。
如請求項1所述之油彩顏料組合物，其中，該植物色粉選自馬藍、蓼藍、菘藍、木藍或其組合。
一種油彩顏料組合物的製備方法，包含:將茭白筍殼及蛋殼清潔並乾燥後粉末化；取天然的植物色粉、蛋殼粉、茭白筍殼粉混合均勻；在前述混合粉末中加入氧化鋅做為防腐及穩定劑，以及加入甘油做為潤滑與柔軟劑；加入亞麻仁油，持續攪拌，直到所有粉末充分分散並形成膏狀質地，再加入稀釋油繼續攪拌到全部混合。
如請求項4所述之油彩顏料組合物的製備方法，其中，該方法包含將完成的油彩顏料密封及熟化。
如請求項4所述之油彩顏料組合物的製備方法，其中，該些成分占比為:亞麻仁油24.4%(W/W)；稀釋油7.3%(W/W)；甘油1.5%(W/W)；氧化鋅9.8%(W/W)；蛋殼粉5.9%(W/W)；茭白筍殼粉2.4%(W/W)；植物色粉48.7%(W/W)。
如請求項4所述之油彩顏料組合物的製備方法，其中，該茭白筍殼粉的顆粒大小在150-240 μm，該蛋殼粉的顆粒大小在30-100μm。
如請求項4所述之油彩顏料組合物的製備方法，其中，該稀釋油選用向日葵油、大豆油、亞麻仁油或其混合。
如請求項4所述之油彩顏料組合物的製備方法，其中，該植物色粉選自馬藍、蓼藍、菘藍、木藍或其組合。
一種液位感測裝置，係應用於一待感測體，該待感測體的一液面距離一地面係為一液面高度，該液位感測裝置包含： <br/>一第一微控制器；以及 <br/>複數之電導度感測器，該些電導度感測器係電性連接至該第一微控制器，該些電導度感測器係沿著垂直於該地面的一垂直方向被依序地設置以形成一電導度感測器陣列， <br/>其中，該第一微控制器被配置為儲存該些電導度感測器的每一個的一高度資料；該些電導度感測器的每一個被配置為感測該待感測體的一電導度以產生一電導度感測訊號並且傳送該電導度感測訊號至該第一微控制器，使得該第一微控制器被配置為依據該電導度感測訊號得到對應於該待感測體的該電導度的一電導度資料；該第一微控制器被配置為依據複數之該高度資料以及複數之該電導度資料判斷該液面高度以得到一液面高度資料；該第一微控制器被配置為將感測到該待感測體的該電導度的距離該地面最遠的該電導度感測器的該高度資料作為該液面高度的該液面高度資料。
如請求項1所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一溫度感測器，該溫度感測器係電性連接至該第一微控制器， <br/>其中，該溫度感測器被配置為感測該待感測體以產生一溫度感測訊號並且傳送該溫度感測訊號至該第一微控制器，使得該第一微控制器被配置為得到該待感測體的一溫度資料。
如請求項2所述之液位感測裝置，係更應用於一無線保真路由器以及一雲端裝置，該液位感測裝置更包含： <br/>一邊緣人工智慧電路，該邊緣人工智慧電路係電性連接至該第一微控制器， <br/>其中，該第一微控制器被配置為傳送該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料至該邊緣人工智慧電路；該邊緣人工智慧電路被配置為處理和分析該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料以得到一處理訊號；該邊緣人工智慧電路被配置為藉由無線保真技術無線地傳送該處理訊號經由該無線保真路由器至該雲端裝置。
如請求項3所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一遠距離無線通訊電路，該遠距離無線通訊電路係電性連接至該第一微控制器， <br/>其中，該液位感測裝置被配置為藉由該遠距離無線通訊電路無線地傳送該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料至另一個該液位感測裝置，或者是該液位感測裝置被配置為藉由該遠距離無線通訊電路無線地接收該另一個該液位感測裝置的該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料。
如請求項4所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一電池組，該電池組係電性連接至該第一微控制器；以及 <br/>一太陽能板，該太陽能板係電性連接至該電池組， <br/>其中，該太陽能板被配置為對該電池組充電；該電池組被配置為供電至該第一微控制器。
如請求項5所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一第二微控制器，該第二微控制器係電性連接至該第一微控制器； <br/>一多協定收發器，該多協定收發器係電性連接至該第二微控制器；以及 <br/>一第三微控制器，該第三微控制器係電性連接至該多協定收發器、該些電導度感測器以及該溫度感測器， <br/>其中，該些電導度感測器的每一個被配置為藉由該第三微控制器、該多協定收發器以及該第二微控制器傳送該電導度感測訊號至該第一微控制器；該溫度感測器被配置為藉由該第三微控制器、該多協定收發器以及該第二微控制器傳送該溫度感測訊號至該第一微控制器。
如請求項6所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一窄頻物聯網電路，該窄頻物聯網電路係電性連接至該第一微控制器；以及 <br/>一用戶識別模組電路，該用戶識別模組電路係電性連接至該窄頻物聯網電路， <br/>其中，該用戶識別模組電路被配置為傳送一用戶識別模組資料至該窄頻物聯網電路；該第一微控制器被配置為傳送該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料至該窄頻物聯網電路；該窄頻物聯網電路被配置為基於該用戶識別模組資料無線地傳送該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料至該雲端裝置。
如請求項7所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一重力感測器，該重力感測器係電性連接至該第三微控制器；以及 <br/>一氣壓感測器，該氣壓感測器係電性連接至該第一微控制器。
如請求項8所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一藍牙通訊電路，該藍牙通訊電路係電性連接至該第一微控制器， <br/>其中，該第一微控制器被配置為傳送該液面高度資料、該電導度資料以及該溫度資料至該藍牙通訊電路。
如請求項9所述之液位感測裝置，更包含： <br/>一電力銀行裝置，該電力銀行裝置係電性連接至該第一微控制器， <br/>其中，該電力銀行裝置被配置為供電至該第一微控制器。
一種偏光玻璃，包括：<br/>金屬層，係由略呈針狀的多個金屬微粒平行地且定向分散而形成，且該金屬層從該偏光玻璃的兩表面朝向內側形成；以及<br/>金屬鹵化物層，形成於該金屬層之中，並具有金屬鹵化物微粒；<br/>其中，該偏光玻璃的總厚度小於等於0.12mm；<br/>其中，該金屬層的厚度為0.010mm至0.028mm；<br/>其中，該金屬鹵化物層的厚度為0.001mm至0.064mm。
如請求項1所述之偏光玻璃，其中該金屬鹵化物層的厚度為0.001mm至0.060mm。
一種偏光玻璃，包括：<br/>金屬層，略呈針狀的多個金屬微粒平行地且定向分散而形成，且該金屬層從該偏光玻璃的兩表面朝向內側形成；以及<br/>金屬鹵化物層，形成於該金屬層之中，並具有金屬鹵化物微粒；<br/>其中，該偏光玻璃的總厚度小於等於0.08mm；<br/>其中，該金屬層的厚度為0.010mm至0.030mm；<br/>其中，該金屬鹵化物層的厚度為0.001mm至0.060mm。
如請求項3所述之偏光玻璃，其中金屬層的厚度為0.010mm至0.028mm。
如請求項1至3任一項所述之偏光玻璃，其中該金屬鹵化物層的厚度為0.001mm至0.050mm。
如請求項1至4任一項所述之偏光玻璃，其中該金屬微粒係為銀之微粒。
一種偏光玻璃，包括：<br/>金屬層，略呈針狀的多個金屬微粒平行地且定向分散而形成，且該金屬層從該偏光玻璃的兩表面朝向內側形成；以及<br/>金屬鹵化物層，形成於該金屬層之中，並具有金屬鹵化物微粒；<br/>其中，原料組成中作為必要成分包含7wt%以下的BaO或SrO；<br/>其中，該偏光玻璃的總厚度小於0.12mm；<br/>其中，該金屬層的厚度為0.010mm至0.030mm；<br/>其中，該金屬鹵化物層的厚度為0.001mm至0.060mm；<br/>其中，該金屬微粒係為銀之微粒。
如請求項7所述之偏光玻璃，其中金屬層的厚度為0.010mm至0.028mm。
如請求項7所述之偏光玻璃，其中該金屬鹵化物層的厚度為0.001mm至0.050mm。
一種光隔離器，包括如請求項1至9任一項所述之偏光玻璃。
一種整合式農業管理系統，用於露天或半露天耕作，該整合式農業管理系統包含：<br/> 一天然防護罩子系統，包括：<br/> 至少一支撐結構，其配置於一耕作區上方；<br/> 多個散布單元，由該支撐結構支撐，並排列以對位於下方之作物噴灑一可生物分解之防護配方；及<br/> 多個致動器，耦合於該支撐結構，所述致動器可控制以調整該支撐結構之開口角度；<br/> 一AI決策模組，其配置以：<br/> 接收來自一環境感測陣列之感測數據，該感測數據指示至少環境條件與病蟲害活動；<br/> 基於所接收之感測數據，預測微氣候變化及病蟲害爆發之可能性；<br/> 產生用以調節所述散布單元之噴灑參數及經由該一或多個致動器調整罩棚之控制訊號；及<br/> 產生供自主機械裝置操作之指令；<br/> 一自主營運子系統，包括多個移動式機器人單元，每一移動式機器人單元配置以根據該AI決策模組之操作指令執行播種、施肥、病蟲害偵測、修剪、收成或分級等任一作業；及<br/> 一區塊鏈資料子系統，其配置以：<br/> 即時記錄由所述散布單元及移動式機器人單元所觸發之事件；及<br/> 產生安全且防竄改之耕作操作紀錄，其中至少一紀錄以非同質化代幣形式表示，用於追溯或碳權用途。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，其中該支撐結構包括至少一可延伸框架或可收納樑，其適於將所述散布單元以大致網格狀排列於作物上方，從而實現大致均勻之噴灑覆蓋。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，其中每一散布單元包括：<br/> 一可變幾何噴嘴，其配置以產生約10微米至約150微米之體積中位徑之可調尺寸液滴；及<br/> 一幫浦，其配置以根據該AI決策模組之指令控制噴灑流量。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，其中該可生物分解之防護配方包含至少一種植物精油、一種微生物製劑、一種藻類萃取物，或其組合，其中該AI決策模組依據所偵測之害蟲壓力或病害風險動態調整濃度。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，更包括一碳權管理模組，其配置以：<br/> 計算於預定期間內作物生物質所累積封存之碳總量；<br/> 於區塊鏈帳本上更新前述碳權餘額；及<br/> 觸發發行或轉讓一指示已累積碳權之數位代幣，其中該數位代幣可經由區塊鏈資料子系統追溯。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，其中該AI決策模組包含一基於多頭注意力Transformer架構之深度學習模型，該模型訓練以預測至少下列之一：<br/> 於後續24至48小時內之逐時溫度或降雨機率；<br/> 特定作物之病害爆發臨界點；及<br/> 一預期極端天氣事件之時間窗口。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，其中該自主營運子系統進一步包括：<br/> 一任務排程器，其配置以根據移動式機器人單元之位置、電池電量或已安裝之農業工具至少其中之一，分配田間作業；及<br/> 一通訊模組，允許移動式機器人單元間即時數據共享。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，其中該區塊鏈資料子系統配置以：<br/> 接收每一次噴灑作業或機器人作業完成之事件數據；<br/> 將事件數據打包為交易；<br/> 將該等交易廣播至一運行權益證明共識演算法之區塊鏈網路；及<br/> 發行或更新包含產銷履歷、農藥使用紀錄或累積碳封存指標至少其中之一之NFT。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，進一步包含：<br/> 一數位分身產生器，其可操作性地連接至該AI決策模組及區塊鏈資料子系統，該數位分身產生器配置以基於即時感測數據、機器人作業數據及鏈上交易紀錄，建立一耕作區三維虛擬模型；及<br/> 一使用者介面，用以顯示該三維虛擬模型，使遠端監控、模擬及查閱每一生產批次NFT或區塊鏈儲存之事件細節得以實現。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，進一步包含：<br/> 一再生能源子系統，包括：<br/> 一可撓式光伏陣列，配置以安裝於支撐結構或罩棚上或整合於其中；及<br/> 一相變熱電模組，其配置以於白天儲存太陽熱能，並於夜間利用熱梯度產生電力；及<br/> 一電源管理模組，用以在AI決策模組與移動式機器人單元間分配電力，其中該電源管理模組依據能源可用性與用電需求，啟用或關閉所述移動式機器人單元之充電站。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，進一步包括一地下防護與根部營養子系統，其包含至少一地下滴灌單元、一根部有益微生物施灑單元、一根圈保護強化單元、及一根部微加溫單元，以直接於作物根區提供水分、養分及生物防護，並調控土壤微環境以增強根部健康與抗病性。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，進一步包含一補強與系統維護子系統，其包含一區域覆蓋層修補單元、一模組自我診斷與維護單元、一入口區域自動消毒單元、以及一智慧病蟲監測單元，用於自動維護防護罩結構、監測並確保各子系統的正常運作，阻隔外來病原侵入並及時偵測病蟲害，以提升系統整體運行穩定性。
如請求項1所述之整合式農業管理系統，進一步包括一水質與水分應用調節子系統，包含至少一灌溉水質監測單元、一土壤水分感測單元、與一過濾與給水控制單元，藉以即時監控灌溉水源水質及土壤濕度，並由該AI決策模組自動調節灌溉供水和施肥濃度，使作物生長環境之水分與養分維持在最佳平衡狀態。
一種升降式烘碗機的防夾方法，包括：<br/> 於該烘碗機移動時，取得用來移動該烘碗機的一驅動馬達的一驅動值；<br/> 計算該驅動值在一移動偵測時間內的一移動平均值；<br/> 根據該移動平均值取得對應目前該烘碗機的一承載重量的一重量閥值；以及<br/> 於該移動偵測時間後，判斷取得最新的該驅動值與一防夾值的相對大小，其中該防夾值為該移動平均值與該重量閥值兩者相加；以及<br/> 於該移動偵測時間後取得的該驅動值大於該防夾值時，執行一防夾機制。
如請求項1所述的升降式烘碗機的防夾方法，其中當該烘碗機移動的方向為下降移動時，該防夾機制為控制該烘碗機停止移動；當該烘碗機移動的方向為上升移動時，該防夾機制為控制該烘碗機停止往上方移動並改由往下方移動。
如請求項1所述的升降式烘碗機的防夾方法，更包括：<br/> 於該移動偵測時間之前，過濾該驅動馬達的一突波電流；<br/> 於該移動偵測時間後取得的該驅動值小於該防夾值時，該烘碗機持續移動並直到移動到一預設位置才停止移動，其中當該烘碗機的移動方向為下降移動時，該預設位置為該烘碗機可移動位置中的底部位置；當該烘碗機的移動方向為上升移動時，該預設位置為該烘碗機可移動位置中的頂部位置；<br/> 於該移動偵測時間之前，檢查一異常旗標，當該異常旗標為一正常狀態時，才執行該移動平均值的計算，以及當該異常旗標為一異常狀態時，則延遲一緩衝時間，並將該異常旗標設定為該正常狀態後，才執行該移動平均值的計算。
如請求項1所述的升降式烘碗機的防夾方法，更包括：<br/> 設置一上升重量曲線及一下降重量曲線，其中該上升重量曲線是由該烘碗機於多組不同承載重量下於上升移動過程中取得的該驅動馬達的該驅動值，並藉由這些驅動值連線形成該上升重量曲線，該下降重量曲線是由該烘碗機於多組不同承載重量下於下降移動過程中取得的該驅動馬達的該驅動值，並藉由這些驅動值連線形成該下降重量曲線；<br/> 於該上升重量曲線中的多個不同重量區間中設置相對應該重量閥值為一上升重量單位值，該些重量區間是由相鄰兩個該驅動值連線形成的區間；<br/> 於該下降重量曲線中的多個不同重量區間中設置相對應該重量閥值為為一下降重量單位值，該些重量區間是由相鄰兩個該驅動值連線形成的區間；<br/> 根據該烘碗機的移動方向及該移動平均值確定使用相對應的該上升重量單位值或該下降重量單位值；<br/> 其中當該烘碗機於上升移動時，確定使用該移動平均值落於該上升重量曲線中的多種不同重量區間的其中一個所對應的該上升重量單位值以作為計算該防夾值時使用；<br/> 其中當該烘碗機於下降移動時，確定使用該移動平均值落於該下降重量曲線中的多種不同重量區間的其中一個所對應的該下降重量單位值以作為計算該防夾值時使用。
如請求項1所述的升降式烘碗機的防夾方法，更包括：<br/> 於該烘碗機的一感應電路感應到一物體時，判斷感應到該物體的一感應時間是否符一預設條件；<br/> 當該感應時間符合該預設條件中的一第一預設時間時，且該烘碗機位於可移動位置的頂部位置時，控制該烘碗機下降移動；<br/> 當該感應時間符合該預設條件中的一第二預設時間時，且該烘碗機位於可移動位置的底部位置時，控制該烘碗機上升移動；<br/> 當該感應時間符合該預設條件中的該第一預設時間或該第二預設時間時，且該烘碗機並未位於可移動位置的頂部位置或底部位置時，則維持目前該烘碗機不移動。
一種升降式烘碗機的防夾裝置，包括：<br/> 一驅動馬達；<br/> 一偵測電路；<br/> 一控制電路，電性連接該驅動馬達及該偵測電路，根據一輸入操作控制該驅動馬達移動該烘碗機；<br/> 其中該控制電路經配置以執行：<br/> 於該烘碗機移動時，透過該偵測電路取得該驅動馬達的一驅動值；<br/> 計算該驅動值在一移動偵測時間內的一移動平均值；<br/> 根據該移動平均值取得對應目前該烘碗機的一承載重量的一重量閥值；以及<br/> 於該移動偵測時間後，判斷取得最新的該驅動值與一防夾值的相對大小，其中該防夾值為該移動平均值與該重量閥值兩者相加；以及<br/> 於該移動偵測時間後取得的該驅動值大於該防夾值時，執行一防夾機制。
如請求項6所述的防夾裝置，其中當該烘碗機移動的方向為下降移動時，該防夾機制為該控制電路控制該烘碗機停止移動；當該烘碗機移動的方向為上升移動時，該防夾機制為該控制電路控制該烘碗機停止往上方移動並改由往下方移動。
如請求項6所述的防夾裝置，其中該控制電路更包括：<br/> 於該移動偵測時間之前，過濾該驅動馬達的一突波電流；<br/> 於該移動偵測時間後取得的該驅動值小於該防夾值時，該烘碗機持續移動並直到移動到一預設位置才停止移動，其中當該烘碗機的移動方向為下降移動時，該預設位置為該烘碗機可移動位置中的底部位置；當該烘碗機的移動方向為上升移動時，該預設位置為該烘碗機可移動位置中的頂部位置；<br/> 於該移動偵測時間之前，檢查一異常旗標，當該異常旗標為一正常狀態時，才執行該移動平均值的計算，以及當該異常旗標為一異常狀態時，則延遲一緩衝時間，並將該異常旗標設定為該正常狀態後，才執行該移動平均值的計算；<br/> 於該烘碗機的一感應電路感應到一物體時，該控制電路判斷感應到該物體的一感應時間是否符一預設條件；<br/> 當該感應時間符合該預設條件中的一第一預設時間時，且該烘碗機位於可移動位置的頂部位置時，該控制電路控制該烘碗機下降移動；<br/> 當該感應時間符合該預設條件中的一第二預設時間時，且該烘碗機位於可移動位置的底部位置時，該控制電路控制該烘碗機上升移動；<br/> 當該感應時間符合該預設條件中的該第一預設時間或該第二預設時間時，且該烘碗機並未位於可移動位置的頂部位置或底部位置時，則該控制電路維持目前該烘碗機不移動。
如請求項6所述的防夾裝置，其中該控制電路更包括：<br/> 設置一上升重量曲線及一下降重量曲線，其中該上升重量曲線是由該烘碗機於多組不同承載重量下於上升移動過程中取得的該驅動馬達的該驅動值，並藉由這些驅動值連線形成該上升重量曲線，該下降重量曲線是由該烘碗機於多組不同承載重量下於下降移動過程中取得的該驅動馬達的該驅動值，並藉由這些驅動值連線形成該下降重量曲線；<br/> 於該上升重量曲線中的多個不同重量區間中設置相對應該重量閥值為一上升重量單位值，該些重量區間是由相鄰兩個該驅動值連線形成的區間；<br/> 於該下降重量曲線中的多個不同重量區間中設置相對應該重量閥值為一下降重量單位值，該些重量區間是由相鄰兩個該驅動值連線形成的區間；<br/> 根據該烘碗機的移動方向及該移動平均值確定使用相對應的該上升重量單位值或該下降重量單位值；<br/> 其中當該烘碗機於上升移動時，確定使用該移動平均值落於該上升重量曲線中的多種不同重量區間的其中一個所對應的該上升重量單位值；<br/> 其中當該烘碗機於下降移動時，確定使用該移動平均值落於該下降重量曲線中的多種不同重量區間的其中一個所對應的該下降重量單位值。
一種升降式烘碗機，具有如請求項6至9中其中一項的升降式烘碗機的防夾裝置。
一種電源控制電路，包括：<br/> 一第一輸入開關，被配置以響應於一第一控制訊號將一第一輸入電壓輸出至一電壓轉換器；<br/> 一第一開關元件，被配置以耦接在該第一輸入開關和一接地端之間，並受一第一比較電壓控制以導通或斷開；<br/> 一第二開關元件，被配置以耦接在該第一開關元件和該接地端之間，並受一第二比較電壓和一第三比較電壓控制以導通或斷開；以及<br/> 一第一比較器、一第二比較器以及一第三比較器，被配置以根據該第一輸入電壓、一第二輸入電壓、一第三輸入電壓以及一參考電壓分別產生該第一比較電壓、該第二比較電壓以及該第三比較電壓。
如請求項1所述之電源控制電路，其中該第一輸入開關透過一第一二極體耦接至該電壓轉換器，該第二開關元件透過一第二二極體和一第三二極體分別接收該第二比較電壓和該第三比較電壓。
如請求項1所述之電源控制電路，更包括：<br/> 一第一電阻，被配置以耦接在該第一比較器之輸出端和一供應電壓之間；<br/> 一第二電阻，被配置以耦接在該第二比較器之輸出端和該供應電壓之間；以及<br/> 一第三電阻，被配置以耦接在該第三比較器之輸出端和該供應電壓之間。
如請求項3所述之電源控制電路，其中：<br/> 響應於該第一輸入電壓大於該參考電壓，該第一比較器輸出該供應電壓作為該第一比較電壓；<br/> 響應於該第二輸入電壓大於該參考電壓，該第二比較器輸出該供應電壓作為該第二比較電壓；以及<br/> 響應於該第三輸入電壓大於該參考電壓，該第三比較器輸出該供應電壓作為該第三比較電壓。
如請求項1所述之電源控制電路，更包括：<br/> 一控制器，被配置以根據一供電預設模式、該第一輸入電壓、該第二輸入電壓以及該第三輸入電壓產生該第一控制訊號，<br/> 其中，響應於該第一輸入電壓不存在，該控制器輸出該第一控制訊號以斷開該第一輸入開關。
如請求項1所述之電源控制電路，其中：<br/> 該第一比較器包括被配置以接收該第一輸入電壓的一第一正相輸入端，以及被配置以接收該參考電壓的一第一反相輸入端；<br/> 該第二比較器包括被配置以接收該第二輸入電壓的一第二正相輸入端，以及被配置以接收該參考電壓的一第二反相輸入端；以及<br/> 該第三比較器包括被配置以接收該第三輸入電壓的一第三正相輸入端，以及被配置以接收該參考電壓的一第三反相輸入端。
如請求項1所述之電源控制電路，其中：<br/> 該第一開關元件包括一第一電晶體，該第一電晶體被配置以透過一第一控制端接收該第一比較電壓；以及<br/> 該第二開關元件包括一第二電晶體，耦接在該第一控制端和該接地端之間，並被配置以透過一第二控制端接收該第二比較電壓和該第三比較電壓。
如請求項1所述之電源控制電路，更包括：<br/> 一第二輸入開關，被配置以響應於一第二控制訊號，將該第二輸入電壓輸出至該電壓轉換器；<br/> 一第三開關元件，被配置以耦接在該第二輸入開關和該接地端之間，並受該第二比較電壓控制以導通或斷開；以及<br/> 一第四開關元件，被配置以耦接在該第三開關元件和該接地端之間，並受該第一比較電壓和該第三比較電壓控制以導通或斷開。
如請求項8所述之電源控制電路，其中響應於該第一輸入電壓和該第二輸入電壓同時存在，該第一控制訊號和該第二控制訊號根據一供電預設模式控制該第一輸入開關和該第二輸入開關中之一者導通，以將對應的該第一輸入電壓或該第二輸入電壓輸出至該電壓轉換器。
如請求項8所述之電源控制電路，其中該第一輸入開關和該第二輸入開關分別為一常關開關。
一種用於一帶電粒子裝置的偵測器，該偵測器包含一基板，該基板包含：一第一元件，其經組態以偵測高於一第一能量臨限值之信號粒子；及一第二元件，其經組態以偵測低於一第二能量臨限值之信號粒子，其中該等第一及第二元件中之至少一者為一基於電荷的偵測器(charge based detector)或一半導體偵測器。
如請求項1之偵測器，其中該第一元件為一半導體偵測器且該第二元件為一基於電荷的偵測器。
如請求項1或2之偵測器，其進一步包含在該第一元件與該第二元件之間的一屏蔽元件。
如請求項3之偵測器，其進一步包含一電絕緣元件，該電絕緣元件具有在該屏蔽元件之兩側上之兩個薄部分。
如請求項1或2之偵測器，其中高於該第一能量臨限值之該等信號粒子包含反向散射電子且低於該第二能量臨限值之該等信號粒子包含次級電子。
如請求項5之偵測器，其中該等反向散射電子經組態以提供關於一樣本之一表面下面之結構的資訊。
如請求項6之偵測器，其中該等結構包含埋設缺陷(buried defects)。
如請求項1或2之偵測器，其中該第一能量臨限值及該第二能量臨限值實質上相同或具有一偏移(offset)。
一種偵測器系統，其包含複數個如請求項1之偵測器，其中該複數個偵測器係以一共面(co-planar)組態而配置並且包含在一共同基板中，該複數個偵測器之每一者對應於一多射束陣列之一各別子射束。
一種多射束系統，其包含如請求項9之偵測器系統。
一種形成半導體結構的方法，包含： <br/>提供一結構，該結構包含： <br/>一底部源極/汲極特徵， <br/>一底部接觸蝕刻終止層，設置在該底部源極/汲極特徵上方， <br/>一底部層間介電層，設置在該底部接觸蝕刻終止層上方，其中該底部接觸蝕刻終止層之一厚度小於該底部層間介電層之一厚度， <br/>一頂部源極/汲極特徵，設置在該底部層間介電層上方， <br/>一頂部接觸蝕刻終止層，設置在該頂部源極/汲極特徵及該底部層間介電層上方，及 <br/>一頂部層間介電層，設置在該頂部源極/汲極特徵上方，其中該頂部接觸蝕刻終止層之一厚度小於該頂部層間介電層之一厚度； <br/>形成在該頂部層間介電層及該底部層間介電層中延伸的一溝槽，其中該溝槽曝露出該頂部源極/汲極特徵及該底部源極/汲極特徵； <br/>在該溝槽中沉積一金屬前驅物及一含磷前驅物，從而在該頂部源極/汲極特徵及該底部源極/汲極特徵上方形成一金屬磷化物層；及 <br/>在該溝槽中及該金屬磷化物層上方形成一金屬填充層。
如請求項1所述之方法，進一步包含：在該金屬磷化物層上方形成一矽化物層。
如請求項1所述之方法，進一步包含：在將該金屬前驅物及該含磷前驅物沉積在該溝槽中之前，在該底部源極/汲極特徵上方而非在該頂部源極/汲極特徵上方形成一矽化物層， <br/>其中該矽化物層設置在該金屬磷化物層與該底部源極/汲極特徵之間。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含一金屬鹵化物、一配位錯合物、或其組合，且 <br/>其中該配位錯合物中之多個配位基包含三烷基環戊二烯基、雙烷基環戊二烯基烷基脒基、三烷基脒基、三-(烷基乙醯丙酮)基、三[N,N-雙(三甲基矽烷)醯胺基]、四(二烷基醯胺基)基、環戊二烯基金屬氯化物、或其組合。
如請求項1所述之方法，其中該含磷前驅物包含P、PH<sub>3</sub>、P<sub>2</sub>H<sub>4</sub>、P<sub>n</sub>H<sub>n+2</sub>、磷、膦、磷烷、磷烯、P(SiH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>、P(Si(C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>)<sub>3</sub>)<sub>3</sub>、P(C<sub>x</sub>H<sub>2x+1</sub>)<sub>3</sub>、P(C<sub>y</sub>H<sub>2y-1</sub>)<sub>3</sub>、三苯基膦、三(2-呋喃基)膦、白磷、或其組合， <br/>其中n等於或小於約3，m等於或小於約8，x等於或小於約8，y等於或大於約5且等於或小於約8。
一種形成半導體結構的方法，包含： <br/>提供一結構，該結構包含： <br/>一主動區，包含一通道區及相鄰於該通道區的一源極/汲極區， <br/>一閘極結構，在該通道區上方， <br/>一源極/汲極特徵，在該源極/汲極區上方， <br/>一接觸蝕刻終止層，在該源極/汲極特徵上方，及 <br/>一層間介電層，在該接觸蝕刻終止層上方； <br/>在該接觸蝕刻終止層及該層間介電層中形成一溝槽，以曝露該源極/汲極特徵； <br/>在該溝槽中提供一金屬前驅物及一磷源，從而在該源極/汲極特徵上方形成一金屬磷化物層； <br/>在該金屬磷化物層上方形成一矽化物層；及 <br/>在該溝槽中形成一金屬填充層。
如請求項6所述之方法，其中該金屬前驅物包含一金屬鹵化物、一配位錯合物、或其組合。
一種半導體結構，包含： <br/>一底部電晶體及設置在該底部電晶體上方的一頂部電晶體，其中該底部電晶體包含一底部源極/汲極特徵及設置在該底部源極/汲極特徵上方的一底部介電層，其中該頂部電晶體包含一頂部源極/汲極特徵及設置在該頂部源極/汲極特徵上方的一頂部介電層； <br/>一接觸特徵，延伸穿過該頂部介電層及該底部介電層，其中該接觸特徵之一電導率大於該頂部源極/汲極及該底部源極/汲極特徵之多個電導率；及 <br/>多個金屬磷化物層及多個金屬矽化物層，設置在該頂部源極/汲極特徵與該接觸特徵之間及該底部源極/汲極特徵與該接觸特徵之間， <br/>其中該些金屬磷化物層包含一第一金屬及磷， <br/>其中該些金屬矽化物層包含不同於該第一金屬的一第二金屬。
如請求項8所述之半導體結構，其中該些金屬矽化物層設置在該些金屬磷化物層與該接觸特徵之間。
如請求項8所述之半導體結構，其中該第一金屬包含Zr、Hf、Sc、Y、Yb、La、Er、Dy、Ce、或其組合，且 <br/>其中該第二金屬包含Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Re、Ru、Os、Ni、Pd、Pt、Zn、或其組合。
一種錯誤報告方法，其係藉由伺服器而進行者，其包括如下步驟： <br/>基於相對於第1錯誤而選擇之分析對象資訊，確認發生於彼此間進行服務呼叫之複數個服務伺服器中之第1服務伺服器之上述第1錯誤之原因； <br/>基於上述分析對象資訊中之至少一部分，產生關於所確認之上述原因之報告資訊； <br/>自上述複數個服務伺服器中確認與所確認之上述原因對應之第2服務伺服器；及 <br/>將所產生之上述報告資訊傳輸至為上述第2服務伺服器而指定之管理者終端，該管理者終端係分別為上述複數個服務伺服器而指定之複數個管理者終端中之一者； <br/>其中確認上述第1錯誤之上述原因之步驟包括： <br/>確認上述第1服務伺服器中發生之上述第1錯誤，該第1服務伺服器係彼此間進行服務呼叫之上述複數個服務伺服器中之一者； <br/>基於上述第1錯誤之類型資訊，判斷上述第1錯誤是否具有呼叫依存性； <br/>基於上述第1錯誤是否具有上述呼叫依存性，選擇上述複數個服務伺服器之錯誤歷史資訊及資源歷史資訊中之至少一部分作為上述分析對象資訊；及 <br/>基於上述分析對象資訊，確認上述第1錯誤之上述原因。
如請求項1之錯誤報告方法，其中選擇上述分析對象資訊之步驟係若確認為上述第1錯誤具有上述呼叫依存性，則選擇如下兩種資訊作為上述分析對象資訊：(i)至少一個第2錯誤之第2屬性資訊，其係於上述錯誤歷史資訊中包括之複數個錯誤之屬性資訊中，基於上述第1錯誤之第1屬性資訊中之至少一部分而選擇者；及(ii)上述第2錯誤中之至少一部分之第2資源資訊，其係於發生上述第2錯誤之上述第2服務伺服器之計算資源相關資料中，與上述第2錯誤中之至少一部分之發生情況對應者，該計算資源相關資料包括於上述資源歷史資訊中。
如請求項2之錯誤報告方法，其中上述第1屬性資訊包括上述第1錯誤之追蹤ID、發生時刻、輸入參數、API路徑、伺服器IP、異常處理方式、錯誤訊息及上述類型資訊中之至少一部分。
如請求項3之錯誤報告方法，其中上述第2錯誤係藉由計算上述複數個錯誤之上述屬性資訊中之至少一部分與上述第1屬性資訊中之至少一部分間之相似度，並確認上述相似度為臨界值以上之錯誤而選擇。
如請求項2之錯誤報告方法，其中確認上述原因之步驟係基於上述第2屬性資訊中之至少一部分，導出上述第1錯誤及上述第2錯誤間之呼叫關係，並分析上述呼叫關係，將上述第2錯誤中之於上述呼叫關係中最先發生並誘發其他錯誤之特定錯誤確認為上述原因。
如請求項5之錯誤報告方法，其中確認上述原因之步驟係將於上述特定錯誤發生前產生臨界值以上之資源之特定服務追加確認為參考因素，該特定服務係基於與上述特定錯誤對應之特定資源資訊而確認者，該特定資源資訊係上述第2資源資訊之至少一部分。
如請求項1之錯誤報告方法，其中選擇上述分析對象資訊之步驟係於確認為上述第1錯誤不具有上述呼叫依存性之情形時，於上述資源歷史資訊中包括之上述第1服務伺服器之計算資源相關資料中，選擇與上述第1錯誤之發生情況對應之第1資源資訊作為上述分析對象資訊； <br/>上述確認原因之步驟係將上述第1錯誤確認為上述原因。
如請求項7之錯誤報告方法，其中確認上述原因之步驟係將於上述第1錯誤發生前產生臨界值以上之資源之特定服務追加確認為參考因素，該特定服務係基於上述第1資源資訊而確認。
如請求項1之錯誤報告方法，其中上述報告資訊係基於上述原因之屬性資訊及相應原因發生情況之資源資訊而產生，該屬性資訊及上述相應原因發生情況之上述資源資訊係基於上述錯誤歷史資訊及上述資源歷史資訊中之至少一部分而確認。
如請求項9之錯誤報告方法，其中若基於上述類型資訊而確認為上述第1錯誤具有上述呼叫依存性，則上述報告資訊係進而基於上述原因與上述第1錯誤間之呼叫關係而產生。
如請求項9之錯誤報告方法，其中於上述原因之類型資訊指示資料庫錯誤之情形時，上述報告資訊係進而基於與上述原因相關之資料庫之上述相應原因發生時點之計算資源相關資料而產生。
如請求項9之錯誤報告方法，其中於除上述原因之外追加確認參考因素之情形時，上述報告資訊係進而基於上述參考因素之屬性資訊及上述參考因素與上述原因之關係資訊而產生。
如請求項8之錯誤報告方法，其中確認作為上述第1錯誤之上述原因之特定錯誤被確認為原因之每小時次數資訊，僅於上述每小時次數資訊為臨界值以上之情形時，將上述報告資訊傳輸至為上述第2服務伺服器而指定之上述管理者終端。
如請求項13之錯誤報告方法，其中上述報告資訊進而包括被確認為指定之時間段內最多原因之至少一個注意錯誤之資訊。
如請求項1之錯誤報告方法，其中上述錯誤歷史資訊係按照錯誤發生之時間順序來包括上述各服務伺服器發生之上述錯誤之屬性資訊，並將發生之後經過臨界值以上之時間之上述錯誤自上述錯誤歷史資訊刪除。
如請求項1之錯誤報告方法，其中上述資源歷史資訊包括按指定之週期記錄上述各服務伺服器之CPU、記憶體及網路資料中之至少一部分所得之資料。
如請求項16之錯誤報告方法，其中上述資源歷史資訊進而包括按指定之週期記錄資料庫之CPU、記憶體、網路資料、及上述資料庫所接收到之資料請求中之至少一部分所得之資料，該資料庫係與上述各服務伺服器中之至少一部分繫結而進行動作者。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行請求項1至17中之任一項之方法之程式。
一種伺服器，其係報告錯誤者，其包括儲存命令之記憶體、及以如下方式設定之處理器： <br/>與上述記憶體連接，基於相對於第1錯誤而選擇之分析對象資訊，確認發生於彼此間進行服務呼叫之複數個服務伺服器中之第1服務伺服器之上述第1錯誤之原因；基於上述分析對象資訊中之至少一部分，產生關於所確認之上述原因之報告資訊；自上述複數個服務伺服器中確認與所確認之上述原因對應之第2服務伺服器；及將所產生之上述報告資訊傳輸至為上述第2服務伺服器而指定之管理者終端，該管理者終端係分別為上述複數個服務伺服器而指定之複數個管理者終端中之一者； <br/>其中確認上述第1錯誤之上述原因之步驟包括： <br/>確認上述第1服務伺服器中發生之上述第1錯誤，該第1服務伺服器係彼此間進行服務呼叫之上述複數個服務伺服器中之一者； <br/>基於上述第1錯誤之類型資訊，判斷上述第1錯誤是否具有呼叫依存性； <br/>基於上述第1錯誤是否具有上述呼叫依存性，選擇上述複數個服務伺服器之錯誤歷史資訊及資源歷史資訊中之至少一部分作為上述分析對象資訊；及 <br/>基於上述分析對象資訊，確認上述第1錯誤之上述原因。
一種快扣腰帶頭，適用於設置一帶體，<br/>該快扣腰帶頭包含一基座、一旋轉臂以及一快扣勾爪，該旋轉臂的中間段與後段分別樞接於該基座與該快扣勾爪，該基座被建構成能固定在該帶體的一端，該快扣勾爪被建構成能夠可拆式的定位在該帶體的另一端的一穿孔；<br/>該快扣勾爪包含一底座、一弧板從該底座的下方延伸，該快扣勾爪包含一第一靴部以及一第二靴部從該弧板的一下凹表面向下方延伸，其特徵在於：<br/>該第一靴部位於該弧板的該下凹表面的中間部分，該第二靴部相較於該第一靴部是位於鄰近該弧板的端部；<br/>於該弧板的該下凹表面建構出一基準線，且該第一靴部以及該第二靴部的一延伸方向與該基準線垂直時，該第二靴部超過該基準線的一長度是小於該第一靴部在超過該基準線的一長度；<br/>該第二靴部具有一靴頭以及一靴身，該靴身的二端分別連接該下凹表面以及該靴頭，當該帶體呈現彎曲狀態且該快扣勾爪可拆式的定位在該帶體的另一端的任一個該穿孔時，該第二靴部的該靴頭位於該穿孔的一環壁面內。
如請求項1所述之快扣腰帶頭，其中該第二靴部的該靴身於該延伸方向的一延伸長度小於該穿孔深度。
如請求項1所述之快扣腰帶頭，其中該第二靴部的該靴頭於該延伸方向的厚度為該穿孔深度的1/2.5至1/5。
如請求項1所述之快扣腰帶頭，其中該第二靴部的該靴頭的頂部與底部具有倒角輪廓。
如請求項1或4所述之快扣腰帶頭，其中該第一靴部具有一靴頭以及一靴身，該第一靴部的該靴身的二端分別連接該下凹表面以及該第一靴部的該靴頭，該第一靴部的該靴頭於該延伸方向的厚度為該穿孔深度的1/2.5至1/5，該第一靴部的該靴身於該延伸方向的一延伸長度不大於該穿孔深度。
如請求項1或4所述之快扣腰帶頭，其中該下凹表面從該弧板的端部至該第一靴部之間的弧長定義成一第一弧長，該下凹表面從該第一靴部至該弧板的另一端部之間的弧長定義成一第二弧長，該第一弧長與該第二弧長的比例為1:0.8至1:1.5。
如請求項5所述之快扣腰帶頭，其中相較於該第一靴部的該靴身，該第一靴部的該靴頭的凸出寬度略等於該第一靴部的該靴頭於該延伸方向的厚度。
如請求項5所述之快扣腰帶頭，其中相較於該第一靴部的該靴身，該第一靴部的該靴頭的凸出寬度介於0.3公分至0.45公分之間。
如請求項1所述之快扣腰帶頭，其中該第一靴部以及該第二靴部的數量相同且為複數個。
一種舉重腰帶，包含請求項1至9項中任一項所述之快扣腰帶頭，以及一帶體，其厚度在0.8公分至1.5公分，該帶體具有複數個穿孔以容設該快扣腰帶頭的靴部，其中，該複數個穿孔的輪廓與該快扣腰帶頭的靴部的底部輪廓偏離0.15公分至0.25公分。
一種可辨識人數的車輛防盜系統，設置於一車輛的內部，該可辨識人數的車輛防盜系統包括：<br/> 一儲存媒體，包括一訊號特徵資料庫，該訊號特徵資料庫儲存複數個訊號特徵；<br/> 一訊號發射器，用以對該車輛的內部發射出一第一訊號，該第一訊號被該車輛的內部環境反射、折射、繞射和衰減以形成一第二訊號；<br/> 一訊號接收器，用以接收該第二訊號；以及<br/> 一處理單元，電性連接該儲存媒體和該訊號接收器，該訊號接收器將該第二訊號傳送至該處理單元，該處理單元將該等訊號特徵和該第二訊號的功率延遲特徵進行比對，以判斷出該車輛的內部的實際人數，並獲得一車輛的內部的實際人數資訊。
如請求項1所述的可辨識人數的車輛防盜系統，其中，該等訊號特徵至少包括一無人訊號特徵以及包含至少一名車內人員訊號特徵，該處理單元將該無人訊號特徵、該包含至少一名車內人員訊號特徵和該第二訊號進行比對，並判斷出該車輛的內部的實際人數為無人或包含至少一名車內人員。
如請求項1所述的可辨識人數的車輛防盜系統，其中，該第一訊號和該第二訊號的訊號頻譜範圍介於2GHz～7GHz之間。
如請求項1所述的可辨識人數的車輛防盜系統，其中，該訊號發射器為LTE訊號發射器、Wi-Fi訊號發射器或藍牙訊號發射器，該訊號接收器為LTE訊號接收器、Wi-Fi訊號接收器或藍牙訊號接收器。
如請求項1所述的可辨識人數的車輛防盜系統，進一步包括一通訊單元，該通訊單元電性連接於該處理單元並且與一行動裝置連線，該通訊單元用以將該車輛的內部的實際人數資訊傳送至該行動裝置。
如請求項1所述的可辨識人數的車輛防盜系統，其中，該車輛包含一座椅，該訊號接收器設置於該座椅。
一種可辨識人數的車輛防盜方法，包括下列步驟：<br/> 一訊號發射器對一車輛的內部發射出一第一訊號，該第一訊號被該車輛的內部環境反射、折射、繞射和衰減以形成一第二訊號；<br/> 一訊號接收器接收該第二訊號，該訊號接收器將該第二訊號傳送至一處理單元；以及<br/> 該處理單元將一儲存媒體的一訊號特徵資料庫的複數個訊號特徵和該第二訊號的功率延遲特徵進行比對，以判斷出該車輛的內部的實際人數，並獲得一車輛的內部的實際人數資訊。
如請求項7所述的可辨識人數的車輛防盜方法，其中，判斷出該車輛的內部的實際人數的步驟包括：該等訊號特徵至少包含一無人訊號特徵以及包含至少一名車內人員訊號特徵，該處理單元將該無人訊號特徵、該包含至少一名車內人員訊號特徵和該第二訊號進行比對，並判斷出該車輛的內部的實際人數為無人或包含至少一名車內人員。
如請求項7所述的可辨識人數的車輛防盜方法，其中，該第一訊號和該第二訊號的訊號頻譜範圍介於2GHz～7GHz之間。
如請求項7所述的可辨識人數的車輛防盜方法，其中，該訊號發射器為LTE訊號發射器、Wi-Fi訊號發射器或藍牙訊號發射器，該訊號接收器為LTE訊號接收器、Wi-Fi訊號接收器或藍牙訊號接收器。
如請求項7所述的可辨識人數的車輛防盜方法，其中，在判斷出該車輛的內部的實際人數的步驟之後進一步包括下列步驟：一通訊單元將該車輛的內部的實際人數資訊傳送至一行動裝置。
一種導針繞線裝置，組配將一線體繞設於一電極，該導針繞線裝置包括：<br/> 一導針模組，包括一導針本體部以及一導針轉動部，其中該導針本體部沿一第一軸向貫穿該導針轉動部，且包括彼此相反的一前端和一後端，該導針本體部允許沿該第一軸向相對該導針轉動部滑動；<br/> 一基座；<br/> 一轉動模組，樞接設置於該基座與該導針模組的該導針轉動部之間，組配驅動該導針模組以一第二軸向為中心相對該基座於縱向上下擺動一角度，其中該第二軸向垂直該第一軸向；<br/> 一凸輪引導組件，固定於該基座上，且包括至少一導引溝，於空間上相對該後端設置；以及<br/> 一凸輪軸承組，套接至該導針本體部的該後端，且包括至少一嚙合部與該凸輪引導組件的該至少一導引溝相嚙合，其中該轉動模組驅動該導針模組擺動該角度時，該導針本體部通過該後端上該凸輪軸承組的該至少一嚙合部與該凸輪引導組件的該至少一導引溝的嚙合作用，帶動該導針本體部的該前端沿該第一軸向相對該第二軸向滑動一位移距離，並使該前端維持於固定的橫向位移量。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該轉動模組包括一齒輪組及一驅動電機，該驅動電機通過該齒輪組驅動該導針轉動部以該第二軸向為中心相對該基座於縱向上下擺動。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該導針本體部與該導針轉動部通過一滾珠花鍵軸連接。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該導針模組更包括一導針座，該導針本體部固定於該導針座上，且該導針座滑動地連接該導針轉動部。
如請求項4中所述的導針繞線裝置，其中該導針座與該導針轉動部通過一滑軌組件連接，使該至少一嚙合部與該至少一導引溝的嚙合作用帶動該導針本體部以及該導針座相對該導針轉動部於該第一軸向上滑動位移。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該至少一導引溝和該至少一嚙合部均相對於該第一軸向對稱地成對設置。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該導針本體部的該前端的位置相對該基座的擺動角度與該導針本體部的長度之間存在關係式，以獲取一凸輪曲線補償，使該前端維持於橫向位移量為零。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該導針本體部的該前端相對該第二軸向的位置之座標為(X<sub>1</sub>，Z<sub>1</sub>)，則該導針本體部的該前端於縱向擺動一角度<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>後，該後端補償的座標為(X<sub>2</sub>，Z<sub>2</sub>)符合：<br/> X<sub>2</sub>=<img align="absmiddle" height="9px" width="64px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> Z<sub>2</sub>=<img align="absmiddle" height="9px" width="64px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中L為該導針本體部的長度。
如請求項8中所述的導針繞線裝置，其中該角度範圍介於45˚至-45˚之間。
如請求項1中所述的導針繞線裝置，其中該導針本體部的該前端沿一繞線路徑將該線體繞設於該電極，該線體由該導針本體部的該後端導入，經該前端導出後繞設於該電極上。
如請求項10中所述的導針繞線裝置，其中該繞線路徑環繞該電極，包括一上昇垂直位移路徑、一上端水平位移路徑、一下降垂直位移路徑以及一下端水平位移路徑，其中該導針本體部於該上昇垂直位移路徑和該上端水平位移路徑時，向下擺動至一第一角度，其中該導針本體部於該下降垂直位移路徑和該下端水平位移路徑時，向上擺動一第二角度。
如請求項11中所述的導針繞線裝置，其中該第一角度和該第二角度為45˚。
一種導針繞線裝置，組配將一線體繞設於一電極，該導針繞線裝置包括：<br/> 一導針模組，包括一導針本體部，其中該導針本體部沿一第一軸向設置，且包括彼此相反的一前端和一後端；<br/> 一基座；<br/> 一轉動模組，樞接設置於該基座與該導針模組之間，組配驅動該導針模組以一第二軸向為中心相對該基座於縱向上下擺動一角度，其中該第二軸向垂直該第一軸向；以及<br/> 一引導模組，連接該導針本體部的該後端，組配驅動該導針本體部於該第一軸向上滑動，其中該轉動模組驅動該導針模組擺動該角度時，該引導模組帶動該導針本體部的該前端沿該第一軸向相對該第二軸向滑動一位移距離，並使該前端維持於固定的橫向位移量。
如請求項13中所述的導針繞線裝置，其中該導針模組包括一導針轉動部，該轉動模組包括一齒輪組及一驅動電機，該驅動電機通過該齒輪組驅動該導針轉動部以該第二軸向為中心於縱向上下擺動。
如請求項14中所述的導針繞線裝置，其中該導針本體部與該導針轉動部通過一滾珠花鍵軸連接。
如請求項14中所述的導針繞線裝置，其中該導針模組包括一導針座，該導針本體部固定於該導針座上，該導針座滑動地連接該導針轉動部，且通過該引導模組帶動該導針本體部以及該導針座相對該導針轉動部於該第一軸向上滑動位移。
如請求項16中所述的導針繞線裝置，其中該導針座與該導針轉動部通過一滑軌組件連接，使該引導模組帶動該導針本體部以及該導針座相對該導針轉動部於該第一軸向上滑動位移。
如請求項16中所述的導針繞線裝置，其中該引導模組包括：<br/> 一凸輪引導組件，固定於該基座上，且包括至少一導引溝，於空間上相對該後端設置；以及<br/> 一凸輪軸承組，套接至該導針本體部的該後端，且包括至少一嚙合部與該凸輪引導組件的該至少一導引溝相嚙合，其中該轉動模組驅動該導針模組擺動該角度時，該導針本體部通過該後端上該凸輪軸承組的該至少一嚙合部與該凸輪引導組件的該至少一導引溝的嚙合作用，帶動該導針本體部的該前端沿該第一軸向相對該導針轉動部滑動一位移距離，並使該前端維持於固定的橫向位移量。
如請求項13所述的導針繞線裝置，其中該電極包括複數個電極，該複數個電極環繞設置形成一環形框架，該環形框架更包括複數個電極槽，該複數個電極及該複數個電極槽，彼此交替排列。
如請求項19所述的導針繞線裝置，其中該導針本體部的該前端係由外向內面向該環形框架的外環面，以將該線體繞設於該電極上。
一種用於鋼版開孔之自動設計方法，由一電腦系統所實施，包括下列步驟：<br/> 接收電路佈局資料，該電路佈局資料包含多個電子元件各自關聯的元件類型資訊、引腳數量資訊及引腳幾何資訊；<br/> 使用經訓練的一機器學習模型，基於至少一電子元件關聯的該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊，預測該至少一電子元件對應的開孔圖樣資訊；以及<br/> 將該至少一電子元件對應的該開孔圖樣資訊整合到該電路佈局資料中，以生成開孔佈局資料。
如請求項1所述之方法，更包括：<br/> 查詢一開孔資料庫以判斷每一電子元件是否對應於該開孔資料庫中之一既存封裝資料；以及<br/> 對於該些電子元件中具有對應的該既存封裝資料的每一者，從該開孔資料庫中取得該既存封裝資料對應的開孔圖樣作為該電子元件對應的該開孔圖樣資訊。
如請求項2所述之方法，更包括：<br/> 對於該些電子元件中不具有對應的該既存封裝資料的每一者，查詢該開孔資料庫中是否存在與該電子元件關聯的該引腳數量資訊相符的該既存封裝資料；以及<br/> 對於該些電子元件中不存在該引腳數量資訊相符的該既存封裝資料的每一者，使用經訓練的該機器學習模型預測該電子元件對應的該開孔圖樣資訊。
如請求項3所述之方法，更包括：<br/> 對於該些電子元件中存在該引腳數量資訊相符的該既存封裝資料的每一者，判斷該電子元件所對應的元件圖像是否與該既存封裝資料所對應之一封裝圖像具有高於一相似度閾值之一圖像相似度；<br/> 對於該些電子元件中具有高於該相似度閾值之該圖像相似度的每一者，將該既存封裝資料所對應的該開孔圖樣作為該電子元件對應的該開孔圖樣資訊；以及<br/> 對於該些電子元件中不具有高於該相似度閾值之該圖像相似度的每一者，使用經訓練的該機器學習模型預測該電子元件對應的該開孔圖樣資訊。
如請求項1所述之方法，其中該機器學習模型是使用一訓練資料集進行訓練，該訓練資料集包含多筆訓練資料，其中每筆訓練資料包括：<br/> 一歷史電子元件關聯的歷史元件類型資訊、歷史引腳數量資訊及歷史引腳幾何資訊；以及<br/> 該歷史電子元件對應的歷史開孔圖樣資訊。
如請求項5所述之方法，其中該歷史元件類型資訊是基於該歷史開孔圖樣資訊之長度、寬度、面積及朝向所決定。
如請求項1所述之方法，其中該開孔圖樣資訊包含開孔類型資訊及開孔位置資訊，且經訓練的該機器學習模型包括：<br/> 一分類器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊預測該開孔類型資訊；以及<br/> 一回歸器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊預測該開孔位置資訊。
如請求項1所述之方法，其中該開孔圖樣資訊包含開孔類型資訊及開孔位置資訊，且經訓練的該機器學習模型包括：<br/> 一特徵提取模組，經訓練以從該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊提取一共享特徵表示；以及<br/> 一多輸出模組，包括：<br/> 一分類器，經訓練以基於該共享特徵表示預測該開孔類型資訊；以及<br/> 一回歸器，經訓練以基於該共享特徵表示預測該開孔位置資訊。
如請求項1所述之方法，其中該開孔圖樣資訊包含開孔類型資訊及開孔位置資訊，且經訓練的該機器學習模型包括：<br/> 一分類器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊預測該開孔類型資訊；以及<br/> 一回歸器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊、該引腳幾何資訊及該開孔類型資訊預測該開孔位置資訊。
如請求項7-9任一項所述之方法，其中該分類器是採用隨機森林演算法所實作。
如請求項1所述之方法，更包括：<br/> 將該開孔佈局資料提供給一自動化開孔裝置，及控制該自動化開孔裝置依據該開孔佈局資料執行一鋼板之開孔加工。
一種用於鋼版開孔之自動設計的系統，包括：<br/> 一處理單元；以及<br/> 一儲存單元，耦接該處理單元，且儲存一電腦程式，該電腦程式包含多個指令，當該處理單元載入該電腦程式時，該些指令致使該處理單元執行下列步驟：<br/> 接收電路佈局資料，該電路佈局資料包含多個電子元件各自關聯的元件類型資訊、引腳數量資訊及引腳幾何資訊；<br/> 使用經訓練的一機器學習模型，基於至少一電子元件關聯的該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊，預測該至少一電子元件對應的開孔圖樣資訊；以及<br/> 將該至少一電子元件對應的該開孔圖樣資訊整合到該電路佈局資料中，以生成開孔佈局資料。
如請求項12所述之系統，其中該儲存單元更儲存一開孔資料庫，且該些指令更致使該處理單元執行下列步驟：<br/> 查詢該開孔資料庫以判斷每一電子元件是否對應於該開孔資料庫中之一既存封裝資料；以及<br/> 對於該些電子元件中具有對應的該既存封裝資料的每一者，從該開孔資料庫中取得該既存封裝資料對應的開孔圖樣作為該電子元件對應的該開孔圖樣資訊。
如請求項13所述之系統，其中該些指令更致使該處理單元執行下列步驟：<br/> 對於該些電子元件中不具有對應的該既存封裝資料的每一者，查詢該開孔資料庫中是否存在與該電子元件關聯的該引腳數量資訊相符的該既存封裝資料；以及<br/> 對於該些電子元件中不存在該引腳數量資訊相符的該既存封裝資料的每一者，使用經訓練的該機器學習模型預測該電子元件對應的該開孔圖樣資訊。
如請求項14所述之系統，其中該些指令更致使該處理單元執行下列步驟：<br/> 對於該些電子元件中存在該引腳數量資訊相符的該既存封裝資料的每一者，判斷該電子元件所對應的元件圖像是否與該既存封裝資料所對應之一封裝圖像具有高於一相似度閾值之一圖像相似度；<br/> 對於該些電子元件中具有高於該相似度閾值之該圖像相似度的每一者，將該既存封裝資料所對應的該開孔圖樣作為該電子元件對應的該開孔圖樣資訊；以及<br/> 對於該些電子元件中不具有高於該相似度閾值之該圖像相似度的每一者，使用經訓練的該機器學習模型預測該電子元件對應的該開孔圖樣資訊。
如請求項12所述之系統，其中該機器學習模型是使用一訓練資料集進行訓練，該訓練資料集包含多筆訓練資料，其中每筆訓練資料包括：<br/> 一歷史電子元件關聯的歷史元件類型資訊、歷史引腳數量資訊及歷史引腳幾何資訊；以及<br/> 該歷史電子元件對應的歷史開孔圖樣資訊。
如請求項12所述之系統，其中該開孔圖樣資訊包含開孔類型資訊及開孔位置資訊，且經訓練的該機器學習模型包括：<br/> 一分類器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊預測該開孔類型資訊；以及<br/> 一回歸器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊預測該開孔位置資訊。
如請求項12所述之系統，其中該開孔圖樣資訊包含開孔類型資訊及開孔位置資訊，且經訓練的該機器學習模型包括：<br/> 一特徵提取模組，經訓練以從該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊提取一共享特徵表示；以及<br/> 一多輸出模組，包括：<br/> 一分類器，經訓練以基於該共享特徵表示預測該開孔類型資訊；以及<br/> 一回歸器，經訓練以基於該共享特徵表示預測該開孔位置資訊。
如請求項12所述之系統，其中該開孔圖樣資訊包含開孔類型資訊及開孔位置資訊，且經訓練的該機器學習模型包括：<br/> 一分類器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊及該引腳幾何資訊預測該開孔類型資訊；以及<br/> 一回歸器，經訓練以基於該元件類型資訊、該引腳數量資訊、該引腳幾何資訊及該開孔類型資訊預測該開孔位置資訊。
如請求項12所述之系統，其中該些指令更致使該處理單元將該開孔佈局資料提供給一自動化開孔裝置，及控制該自動化開孔裝置依據該開孔佈局資料執行一鋼板之開孔加工。
一種多醣蛋白質型界面活性劑，係具有通式(I)結構之界面活性劑，<figure><img align="absmiddle" height="125px" width="499px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>式中n表示蛋白質重複單位數，其值為20~1000，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>分別為H或碳鏈數1~20之有機基；R表示脂肪酸化合物中-CH<sub>2</sub>-段之數量，其值為6~30之整數；m為多醣重複單位數，其值為2~3000，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>分別為H、OH、CH<sub>2</sub>OH或碳鏈數1~6之烷基。
如申請專利範圍第1項之多醣蛋白質型界面活性劑，其中該式中n表示蛋白質重複單位數，其值為28~800，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>分別為H或碳鏈數1~12之有機基；R表示脂肪酸化合物中-CH<sub>2</sub>-段之數量，其值為8~26之整數；m為多醣重複單位數，其值為2~600，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>分別為H、OH、CH<sub>2</sub>OH或碳鏈數1~3之烷基。
一種如申請專利範圍第1至2項中任一項之多醣蛋白質型界面活性劑之製備方法，包含(a)至(c)之合成步驟如下：步驟(a)多醣與丙二醇之合成，獲得第一階段產物A；步驟(b)蛋白質與不同碳鏈數之脂肪酸合成，獲得一系列脂肪酸改質第二階段產物B；步驟(c)將步驟(a)之多醣第一階段產物A與步驟(b)之第二階段產物B之反應合成，再抽氣減壓去除水反應，獲得一系列多醣蛋白質型界面活性劑。
如申請專利範圍第3項之多醣蛋白質型界面活性劑之製備方法，包含(a)至(c)之合成步驟如下：步驟(a) 多醣與丙二醇之合成將多醣與丙二醇，置於配有鐵氟龍攪拌棒及溫控棒之四口反應瓶中，加入催化劑，緩緩升溫，並維持在100~140℃下反應2~8小時，而後冷卻至80~100℃得第一階段產物A；步驟(b) 蛋白質與脂肪酸合成將蛋白質與不同鏈長的脂肪酸，置於裝配有攪拌棒、溫度計之四口反應瓶中，加入催化劑，並均勻攪拌緩緩加熱至溫度140~200℃，於此溫度恆溫反應4~10小時，得一系列脂肪酸改質之第二階段產物B；步驟(c) 多醣蛋白質型界面活性劑合成係將步驟(a)之第一階段產物A與步驟(b)之第二階段產物B，再加入催化劑，置於反應瓶中並均勻攪拌升溫至80~160℃，並利用抽氣減壓去除水分至外接H管，反應1~5小時，合成一系列多醣蛋白質型界面活性劑。
如申請專利範圍第4項之多醣蛋白質型界面活性劑之製備方法，其中，步驟(a)之催化劑為鹼；(b)、(c)之催化劑選自：4-二甲氨基吡啶、四異丙醇鈦、硫酸、鹽酸之至少一種。
如申請專利範圍第5項之多醣蛋白質型界面活性劑之製備方法，其中，步驟(a)之催化劑選自：氫氧化鈉、氫氧化鉀；步驟(b)~(c)之催化劑為四異丙醇鈦。
一種分散劑材料，其包含如申請專利範圍第1至2項中任一項之多醣蛋白質型界面活性劑為材料者，其係用於作為纖維染整助劑、無機奈米粉體之分散劑領域中。
一種乳化劑材料，其包含如申請專利範圍第1至2項中任一項之多醣蛋白質型界面活性劑為材料者。
如申請專利範圍第8項之乳化劑材料，其係用於作為化妝品、醫藥品、食品、工業製品之乳化領域中。
一種手動式之易脫離的流體加壓裝置，係包括：<br/> 一固定殼體，係具有一前板、二外側板、一外頂板、一外底板、一固定柱及一開口；該前板係具有二第一管接頭，該二外側板係彼此平行，該外頂板與該外底板係彼此平行；該固定柱係連結於該外頂板與該外底板之間；該前板、該二外側板、該外頂板及該外底板係相連結而形成一第一空間，該開口係連通該第一空間；<br/> 一活動抽屜，係伸入該第一空間內；且該活動抽屜係具有一抽屜前板、一抽屜後板、一內頂板及一內底板；該抽屜前板與該抽屜後板係彼此平行，該抽屜後板係具有一抽屜握把，該內頂板係具有一上導引槽及一上樞接部；該內底板係對應該內頂板，而具有一下導引槽及一下樞接部；該內頂板及該內底板係彼此平行；該抽屜前板、該抽屜後板、該內頂板及該內底板係相連結，而形成連通該第一空間之一第二空間、一上開口及一下開口；<br/> 一流體處理裝置，係設於該活動抽屜上，並位於該第二空間內，該流體處理裝置係具有一流體加壓裝置及二第二管接頭；該二第二管接頭係分別以一端連通該流體加壓裝置，且該二第二管接頭係分別以另端連通該二第一管接頭；及<br/> 一省力機構，係對應該活動抽屜而設，該省力機構係具有二主桿、二彎桿及一操作握把；該二主桿係分別具有二勾部、二導引凸部及二連桿樞接部；該二彎桿係分別具有二第一端、二短桿部、二帶動部、二彎曲部及二第二端；<br/> 其中：<br/> 該二勾部係用以勾住或脫離該固定柱；<br/> 該二導引凸部係分別連結於該上導引槽與該下導引槽，並可相對滑動；<br/> 該二連桿樞接部係分別樞接於該二第一端，使該二彎桿可分別伸過該上開口及該下開口，並可自由移動；<br/> 該二帶動部係分別連結於該上樞接部與該下樞接部，使該二彎桿可分別與該活動抽屜相對移動；及<br/> 該操作握把係連結於該二第二端，且位於該抽屜後板之外。
如請求項1所述之手動式之易脫離的流體加壓裝置，其中：<br/> 該上導引槽係具有一上斜槽段；<br/> 該下導引槽係具有一下斜槽段；及<br/> 當該活動抽屜移出該固定殼體之過程中，該二導引凸部係分別進入該上斜槽段及該下斜槽段，進而可推移該二勾部脫離該固定柱。
如請求項1所述之手動式之易脫離的流體加壓裝置，其中，該流體加壓裝置係為水泵浦。
一種用於傳導式電子武器的電極，包含： <br/> 電極本體，包含與第二本體端相對的第一本體端； <br/> 電極頭，包含與第二頭端相對的第一頭端，其中，該第二頭端耦接到該電極本體的該第一本體端；以及 <br/> 吸收器，耦接到該電極頭，其中，該吸收器包含界定該吸收器外部部分的第一材料和界定該吸收器內部部分的第二材料，且其中，該第一材料與該第二材料不同。
如請求項1之電極，其中，該第一材料包含可變形材料。
如請求項1之電極，其中，該第二材料包含剛性材料。
如請求項1之電極，其中，該第一材料和該第二材料包含非導電材料。
如請求項1之電極，其中，該吸收器的該內部部分接觸該電極頭的該第一頭端。
如請求項1之電極，其中，該吸收器包含被界定穿過該吸收器的該外部部分和該內部部分的通道。
如請求項1之電極，其中，該吸收器耦接到該電極頭的該第一頭端。
如請求項1之電極，其中，該吸收器在位於該電極頭的該第一頭端與該第二頭端之間的該電極頭的中間段處耦接到該電極頭。
如請求項8之電極，其中，該吸收器的該內部部分定位於該電極頭的該中間段的前方。
一種用於傳導式電子武器的電極的吸收器墊，該吸收器墊包含： <br/> 吸收器本體，具有與第二吸收器端相對的第一吸收器端，其中，該吸收器本體包含第一材料；以及 <br/> 芯，設置在該吸收器本體內，其中，該芯包含第二材料，且其中，該第一材料不同於該第二材料。
如請求項10之吸收器墊，其中，該芯界定該吸收器本體的內部部分。
如請求項10之吸收器墊，其中，該芯至少部分地被該吸收器本體包圍。
如請求項10之吸收器墊，其中，該芯完全地被該吸收器本體包圍。
如請求項10之吸收器墊，其中，該第一材料包含可變形材料，且其中，該第二材料包含剛性材料。
如請求項10之吸收器墊，其中，該芯包含環形形狀。
如請求項10之吸收器墊，其中，該芯包含沿軸向向前方向朝向該第一吸收器端延伸的臂。
如請求項10之吸收器墊，其中，該芯包含界定在該芯的徑向邊緣處的多個臂，且其中，該多個臂各自沿軸向向前方向朝向該第一吸收器端延伸。
一種用於傳導式電子武器的電極，包含： <br/> 電極本體，包含與第二本體端相對的第一本體端； <br/> 電極頭，包含與第二頭端相對的第一頭端，其中，該第二頭端耦接到該電極本體的該第一本體端；以及 <br/> 吸收器，耦接到該電極頭，該吸收器包含： <br/> 吸收器本體，具有與第二吸收器端相對的第一吸收器端；以及 <br/> 芯，設置在該吸收器本體內，其中，該芯定位該電極頭附近，且其中，該芯被配置為為該吸收器提供剛性結構。
如請求項18之電極，還包含耦接到該電極頭的第一頭端的矛，其中，該矛延伸穿過該吸收器的該吸收器本體和該芯。
如請求項18之電極，其中，該吸收器本體包含第一材料，該芯包含第二材料，其中，該第一材料包含可變形材料，且其中，該第二材料包含剛性材料。
一種雷達波的處理方法，透過一處理裝置實現，該處理方法包括：<br/> 透過該處理裝置取得一回波訊號，並產生該回波訊號的一原始資料，其中該回波訊號是由一雷達訊號反射而產生；<br/> 透過該處理裝置將該原始資料進行一第一濾波處理，並自該原始資料取得該第一濾波處理所限制的訊號頻段內的一生理感測資料；以及<br/> 透過該處理裝置自該生理感測資料取得至少一動態特徵，其中該生理感測資料對應於一位移資訊，且該至少一動態特徵及該位移資訊用於偵測一生理活動。
如請求項1所述的雷達波的處理方法，其中該至少一動態特徵包括分別對應於一速度資訊及一加速度資訊的二動態特徵，且該位移資訊、該速度資訊及該加速度資訊對應於該生理活動。
如請求項2所述的雷達波的處理方法，其中自該生理感測資料取得該二動態特徵的步驟包括：<br/> 對該生理感測資料進行一微分處理，其中該速度資訊的該微分處理為一階微分，且該加速度資訊的該微分處理為二階微分。
如請求項3所述的雷達波的處理方法，其中該生理感測資料經該微分處理後產生一微分資料，且該處理方法更包括：<br/> 自頻率域的該微分資料取得一心率資訊及一自然諧振頻率（Natural resonance frequency），其中該心率資訊及該自然諧振頻率用於偵測血壓。
如請求項1所述的雷達波的處理方法，其中該原始資料包括一同相（In-phase）訊號及一正交（Quadrature）訊號。
如請求項5所述的雷達波的處理方法，更包括：<br/> 自經該第一濾波處理的該同相訊號及該正交訊號取得一相位資料，其中該生理感測資料包括該相位資料。
如請求項2所述的雷達波的處理方法，其中自該生理感測資料取得該二動態特徵的步驟包括：<br/> 對該生理感測資料進行多個延遲處理，並產生多個延遲資料，其中該些延遲資料對應的該些延遲處理的延遲時間不同；以及<br/> 自該些延遲資料分離出一主要資料，其中該主要資料對應於心衝擊圖（Ballistocardiogram），且該主要資料用於產生該二動態特徵。
如請求項7所述的雷達波的處理方法，其中自該些延遲資料分離出該主要資料的步驟包括：<br/> 將該原始資料進行一第二濾波處理，並自該原始資料取得該第二濾波處理所限制的訊號頻段內的一輔助資料；<br/> 串接該些延遲資料，並產生一串接資料；以及<br/> 依據該輔助資料透過獨立成分分析（Independent Component Analysis，ICA）自該串接資料分離出該主要資料。
如請求項4所述的雷達波的處理方法，更包括：<br/> 依據該自然諧振頻率、該位移資訊、該速度資訊及該加速度資訊產生一資料集；以及<br/> 使用該資料集訓練一機器學習模型的參數，或透過經訓練的該機器學習模型決定該資料集對應的一血壓資訊。
如請求項9所述的雷達波的處理方法，其中該資料集更包括該心率資訊。
一種雷達波的處理裝置，包括：<br/> 一記憶體，儲存一程式碼；以及<br/> 一處理器，耦接該記憶體，載入該程式碼並執行：<br/> 取得一回波訊號，並產生該回波訊號的一原始資料，其中該回波訊號是由一雷達訊號反射而產生；<br/> 將該原始資料進行一第一濾波處理，並自該原始資料取得該第一濾波處理所限制的訊號頻段內的一生理感測資料；以及<br/> 自該生理感測資料取得至少一動態特徵，其中該生理感測資料對應於一位移資訊，且該至少一動態特徵及該位移資訊用於偵測一生理活動。
如請求項11所述的雷達波的處理裝置，其中該至少一動態特徵包括分別對應於一速度資訊及一加速度資訊的二動態特徵，且該位移資訊、該速度資訊及該加速度資訊對應於該生理活動。
如請求項12所述的雷達波的處理裝置，其中該處理器更執行：<br/> 對該生理感測資料進行一微分處理，其中該速度資訊的該微分處理為一階微分，且該加速度資訊的該微分處理為二階微分。
如請求項13所述的雷達波的處理裝置，其中該生理感測資料經該微分處理後產生一微分資料，且該處理器更執行：<br/> 自頻率域的該微分資料取得一心率資訊及一自然諧振頻率，其中該心率資訊及該自然諧振頻率用於偵測血壓。
如請求項11所述的雷達波的處理裝置，其中該原始資料包括一同相訊號及一正交訊號。
如請求項15所述的雷達波的處理裝置，其中該處理器更執行：<br/> 自經該第一濾波處理的該同相訊號及該正交訊號取得一相位資料，其中該生理感測資料包括該相位資料。
如請求項12所述的雷達波的處理裝置，其中該處理器更執行：<br/> 對該生理感測資料進行多個延遲處理，並產生多個延遲資料，其中該些延遲資料對應的該些延遲處理的延遲時間不同；以及<br/> 自該些延遲資料分離出一主要資料，其中該主要資料對應於心衝擊圖，且該主要資料用於產生該二動態特徵。
如請求項17所述的雷達波的處理裝置，其中該處理器更執行：<br/> 將該原始資料進行一第二濾波處理，並自該原始資料取得該第二濾波處理所限制的訊號頻段內的一輔助資料；<br/> 串接該些延遲資料，並產生一串接資料；以及<br/> 依據該輔助資料透過獨立成分分析自該串接資料分離出該主要資料。
如請求項14所述的雷達波的處理裝置，其中該處理器更執行：<br/> 依據該自然諧振頻率、該位移資訊、該速度資訊及該加速度資訊產生一資料集；以及<br/> 使用該資料集訓練一機器學習模型的參數，或透過經訓練的該機器學習模型決定該資料集對應的一血壓資訊。
如請求項19所述的雷達波的處理裝置，其中該資料集更包括該心率資訊，且該處理裝置更包括：<br/> 一接收器，用以接收該回波訊號。
一種電子裝置，具有：<br/>結構體，在剖面圖中具有不同曲率半徑的曲面；<br/>二次電池，配置成與該結構體重疊，並且剖面是彎曲的；<br/>顯示部，藉由該結構體配置成與該二次電池重疊；<br/>該二次電池，係藉由形成於該結構體的開口部，與該顯示部電連接，<br/>將該結構體穿戴在人體身上時，該二次電池可以隨著該結構體彎曲。
一種電子裝置，具有：<br/>結構體，在剖面圖中具有不同曲率半徑的曲面；<br/>二次電池，配置成與該結構體重疊，並且剖面是彎曲的；<br/>顯示部，藉由該結構體配置成與該二次電池重疊；<br/>該二次電池，係藉由形成於該結構體的開口部，與該顯示部電連接，<br/>該顯示部具有EL元件，<br/>將該結構體穿戴在人體身上時，該二次電池可以隨著該結構體彎曲。
一種電子裝置，具有：<br/>結構體，在剖面圖中具有第一曲面與第二曲面；<br/>二次電池，配置成與該結構體的該第二曲面重疊，並且剖面是彎曲的；<br/>顯示部，藉由該結構體配置成與該二次電池重疊；<br/>該第一曲面係設置在該結構體的端部，<br/>該第二曲面係設置在該結構體的中央部，<br/>該第二曲面的曲率半徑係大於該第一曲面的曲率半徑，<br/>該結構體的端部，係比該結構體的中央部更容易彎曲，<br/>穿戴該結構體時，該二次電池可以隨著該結構體彎曲。
一種電子裝置，具有：<br/>結構體，在剖面圖中具有第一曲面與第二曲面；<br/>二次電池，配置成與該結構體的該第二曲面重疊，並且剖面是彎曲的；<br/>顯示部，藉由該結構體配置成與該二次電池重疊；<br/>該第一曲面係設置在該結構體的端部，<br/>該第二曲面係設置在該結構體的中央部，<br/>該第二曲面的曲率半徑係大於該第一曲面的曲率半徑，<br/>該結構體的端部，係比該結構體的中央部更容易彎曲，<br/>該顯示部具有EL元件，<br/>穿戴該結構體時，該二次電池可以隨著該結構體彎曲。
如請求項3或者4之電子裝置，其中，<br/>該二次電池以及該顯示部係不配置於該結構體的該第一曲面。
一種具備有電腦裝置的蝕刻形狀評估系統， <br/> 前述電腦裝置，係具有處理部與資料記憶部； <br/> 前述資料記憶部，係保存有基本模型圖像； <br/> 前述處理部，係， <br/> 取得掃描型電子顯微鏡所拍攝到的，一個或者複數的製作用剖面觀察圖像； <br/> 前述製作用剖面觀察圖像上應用有網格狀範本； <br/> 各深度位置對應的前述網格狀範本的區域中，剖面輪廓線的尺寸寬度為最大值的區域內圖像，也就是素材圖像，將被界定； <br/> 擷取前述素材圖像，接合它們製作蒙太奇圖像； <br/> 前述資料記憶部，係將前述蒙太奇圖像作為前述基本模型圖像給保存。
如請求項1之蝕刻形狀評估系統，其中， <br/> 前述網格狀範本的區域的垂直方向中的大小，可以隨著蝕刻形狀評估的精度而變更。
如請求項1之蝕刻形狀評估系統，其中， <br/> 成為蝕刻形狀評估的對象的蝕刻形狀，係為使用孔的遮罩圖案蝕刻成的形狀。
如請求項1之蝕刻形狀評估系統，其中， <br/> 前述處理部，係， <br/> 取得掃描型電子顯微鏡所拍攝到的，一個或者複數的評價用剖面觀察圖像； <br/> 判斷前述基本模型圖像與前述評價用剖面觀察圖像的相似性。
如請求項4之蝕刻形狀評估系統，其中， <br/> 前述基本模型圖像，包含，從前述判斷中被認為有相似性的前述評價用剖面觀察圖像中擷取的相似剖面圖案圖像。
如請求項4之蝕刻形狀評估系統，其中， <br/> 前述判斷，具有使用人工智慧(AI)進行圖像辨識的特徵。
一種蝕刻形狀評估方法，其中： <br/> 在電腦裝置的處理部中， <br/> 取得掃描型電子顯微鏡所拍攝到的，一個或者複數的製作用剖面觀察圖像； <br/> 前述製作用剖面觀察圖像上應用有網格狀範本； <br/> 各深度位置對應的前述網格狀範本的區域中，剖面輪廓線的尺寸寬度為最大值的區域內圖像，也就是素材圖像，將被界定； <br/> 擷取前述素材圖像，接合他們製作蒙太奇圖像； <br/> 在前述電腦裝置的資料記憶部中，將前述蒙太奇圖像作為基本模型圖像給保存。
如請求項7之蝕刻形狀評估方法，其中， <br/> 在前述處理部中， <br/> 取得掃描型電子顯微鏡所拍攝到的，一個或者複數的評價用剖面觀察圖像； <br/> 判斷前述基本模型圖像與前述評價用剖面觀察圖像的相似性。
一種生理特徵圖譜量測裝置，包括： <br/>至少一第一波長光燈，每一該第一波長光燈產生一第一波長光投射於一選定區域上； <br/>至少一第一紅外光燈，每一該第一紅外光燈產生一第一紅外光投射於該選定區域上； <br/>至少一第二紅外光燈，每一該第二紅外光燈產生一第二紅外光投射於該選定區域上；其中該第一紅外光與該第二紅外光之波長不同； <br/>一影像擷取單元，分別接收自該選定區域上反射且對應於該第一波長光之第一反射光、自該選定區域上反射且對應於該第一紅外光之第一反射紅外光、以及自該選定區域上反射且對應於該第二紅外光之第二反射紅外光；及 <br/>一分析運算單元，根據所接收之該第一反射光及該第一反射紅外光以產生一第一深度之生理特徵指數集，以及根據所接收之該第一反射光及該第二反射紅外光以產生一第二深度之生理特徵指數集。
如請求項1所述之裝置，其中該第一深度之生理特徵指數集包含複數第一深度之生理特徵指數，每一該第一深度之生理特徵指數對應於該選定區域上之一二維座標以及一第一深度座標；該第二深度之生理特徵指數集包含複數第二深度之生理特徵指數，每一該第二深度之生理特徵指數對應於該選定區域上之一二維座標以及一第二深度座標；其中該第一深度座標不同於該第二深度座標。
如請求項2所述之裝置，進一步包含一立體生理特徵圖譜建構單元，該立體生理特徵圖譜建構單元經配置以： <br/>根據該些第一深度之生理特徵指數以及各該第一深度之生理特徵指數對應之該二維座標以及該第一深度座標產生一第一深度生理特徵圖譜； <br/>根據該些第二深度之生理特徵指數以及各該第二深度之生理特徵指數對應之該二維座標以及該第二深度座標產生一第二深度生理特徵圖譜；以及 <br/>根據該第一深度生理特徵圖譜及該第二深度生理特徵圖譜產生一立體生理特徵圖譜。
如請求項1所述之裝置，該第一深度之生理特徵指數集或該第二深度之生理特徵指數集之生理特徵指數包括血氧濃度指數、帶氧血紅素之濃度、缺氧血紅素之濃度或血糖濃度。
如請求項1所述之裝置，其中該第一紅外光與該第二紅外光之波長包括850±20nm、890±20nm或940±20nm。
如請求項1所述之裝置，更包括至少一第二波長光燈，每一該第二波長光燈產生一第二波長光投射於該選定區域上，其中該第一波長光與該第二波長光之波長不同。
如請求項6所述之裝置，其中該影像擷取單元，分別接收自該選定區域上反射且對應於該第二波長光之第二反射光；該分析運算單元，根據所接收之該第二反射光及該第一反射紅外光以產生該第一深度之生理特徵指數集，以及根據所接收之該第二反射光及該第二反射紅外光以產生該第二深度之生理特徵指數集。
如請求項1所述之裝置，其中該分析運算單元係分析該第一反射光、該第一反射紅外光與該第二反射紅外光之光強度。
一種生理特徵圖譜量測方法，包括： <br/>投射至少一第一波長光、至少一第一紅外光、至少一第二紅外光於一選定區域上，其中該第一紅外光與該第二紅外光之波長不同； <br/>分別接收自該選定區域上反射且對應於該第一波長光之第一反射光、自該選定區域上反射且對應於該第一紅外光之第一反射紅外光、以及自該選定區域上反射且對應於該第二紅外光之第二反射紅外光；及 <br/>根據所接收之該第一反射光及該第一反射紅外光產生一第一深度之生理特徵指數集，以及根據所接收之該第一反射光及該第二反射紅外光產生一第二深度之生理特徵指數集。
如請求項9所述之方法，其中該第一深度之生理特徵指數集包含複數第一深度之生理特徵指數，每一該第一深度之生理特徵指數對應於該選定區域上之一二維座標以及一第一深度座標；該第二深度之生理特徵指數集包含複數第二深度之生理特徵指數，每一該第二深度之生理特徵指數對應於該選定區域上之一二維座標以及一第二深度座標；其中該第一深度座標不同於該第二深度座標。
如請求項10所述之方法，進一步包含： <br/>根據該些第一深度之生理特徵指數以及各該第一深度之生理特徵指數對應之該二維座標以及該第一深度座標產生一第一深度生理特徵圖譜； <br/>根據該些第二深度之生理特徵指數以及各該第二深度之生理特徵指數對應之該二維座標以及該第二深度座標產生一第二深度生理特徵圖譜；以及 <br/>根據該第一深度生理特徵圖譜及該第二深度生理特徵圖譜產生一立體生理特徵圖譜。
如請求項9所述之方法，該第一深度之生理特徵指數集或該第二深度之生理特徵指數集之生理特徵指數包括血氧濃度指數、帶氧血紅素之濃度、缺氧血紅素之濃度或血糖濃度。
如請求項9所述之方法，其中該第一紅外光與該第二紅外光之波長包括850±20nm、890±20nm或940±20nm。
如請求項9所述之方法，更包括投射至少一第二波長光於該選定區域上，其中該第一波長光與該第二波長光之波長不同。
如請求項14所述之方法，更包括分別接收自該選定區域上反射且對應於該第二波長光之第二反射光；根據所接收之該第二反射光及該第一反射紅外光產生該第一深度之生理特徵指數集，以及根據所接收之該第二反射光及該第二反射紅外光產生該第二深度之生理特徵指數集。
如請求項9所述之方法，其中產生該第一深度之生理特徵指數集，係根據所接收之該第一反射光及該第一反射紅外光之光強度；產生該第二深度之生理特徵指數集，係根據所接收之該第一反射光與該第二反射紅外光之光強度。
一種生理特徵圖譜量測裝置，包括： <br/>一燈源單元，包括複數個第一波長光燈及複數個不同波長之紅外光燈，且該複數個第一波長光燈與該複數個不同波長之紅外光燈交錯地配置，可分別投射出第一波長光與複數道不同波長之紅外光於一選定區域上，其中該選定區域具有複數個座標點； <br/>一光源控制單元，控制該複數個第一波長光燈與該複數個不同波長之紅外光燈，交替投射該第一波長光與該複數道不同波長之紅外光至該選定區域上； <br/>一影像擷取單元，對應於該複數個座標點中之每一座標點，分別接收自該選定區域上反射且對應於該第一波長光之第一反射光與複數道對應於該複數道不同波長之紅外光之反射紅外光；及 <br/>一分析運算單元，分析該每一座標點對應之該第一反射光與該複數道反射紅外光，並運算該每一座標點對應之一生理特徵指數。
如請求項17所述之裝置，該燈源單元更包括複數個第二波長光燈與該複數個不同波長之紅外光燈交錯地配置，可投射出第二波長光於該選定區域上，其中該第二波長光之波長不同於該第一波長光之波長。
如請求項18所述之裝置，其中該光源控制單元控制該複數個第二波長光燈與該複數個不同波長之紅外光燈，交替投射該第二波長光與該複數道不同波長之紅外光至該選定區域上；該影像擷取單元，對應於該複數個座標點中之該每一座標點，分別接收自該選定區域上反射且對應於該第二波長光之第二反射光與該複數道對應於該複數道不同波長之紅外光之反射紅外光；該分析運算單元，分析該每一座標點對應之該第二反射光與該複數道反射紅外光，並運算該每一座標點對應之該生理特徵指數。
如請求項17所述之裝置，其中該分析運算單元係分析該每一座標點對應之該第一反射光與該複數道反射紅外光之光強度。
如請求項17所述之裝置，更包括一立體生理特徵圖譜建構單元，自該每一座標點對應之該生理特徵指數建構一立體生理特徵圖譜，且該立體生理特徵圖譜建構單元係由該分析運算單元控制。
一種生理特徵圖譜量測方法，包括： <br/>投射第一波長光與複數道不同波長之紅外光於一選定區域上，其中該選定區域具有複數個座標點； <br/>控制該第一波長光與該複數道不同波長之紅外光交替投射至該選定區域上； <br/>對應於該複數個座標點中之每一座標點，分別接收自該選定區域上反射且對應於該第一波長光之第一反射光與複數道對應於該複數道不同波長之紅外光之反射紅外光；及 <br/>分析該每一座標點對應之該第一反射光與該複數道反射紅外光，並運算該每一座標點對應之一生理特徵指數。
如請求項22所述之方法，更包括投射第二波長光於該選定區域上，其中該第二波長光之波長不同於該第一波長光之波長。
如請求項23所述之方法，更包括控制該第二波長光與該複數道不同波長之紅外光交替投射至該選定區域上；對應於該複數個座標點中之每一座標點，分別接收自該選定區域上反射且對應於該第二波長光之第二反射光與該複數道對應於該複數道不同波長之紅外光之反射紅外光；分析該每一座標點對應之該第二反射光與該複數道反射紅外光，並運算該每一座標點對應之該生理特徵指數。
如請求項22所述之方法，其中該分析該每一座標點對應之該第一反射光與該複數道反射紅外光的步驟，係包括分析該每一座標點對應之該第一反射光與該複數道反射紅外光之光強度的步驟。
如請求項22所述之方法，更包括自該每一座標點對應之該生理特徵指數建構一立體生理特徵圖譜。
一種PVC外牆板的製造方法，包含以下步驟：<br/> 第一製備作業，備置數個面料顆粒，該等面料顆粒是由一面料組成物經造粒後所製得，該面料組成物的成分包括聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，PVC)、壓克力加工助劑、滑劑，及碳酸鈣(CaCO<sub>3</sub>)，以該面料組成物的總重為100 wt%計，該聚氯乙烯的重量範圍為65~80 wt%，該碳酸鈣的重量範圍為15~25 wt%，該面料組成物的該聚氯乙烯的聚合度介於1250~1500間；<br/> 第二製備作業，備置一底料組成物，該底料組成物的成分包括聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，PVC)、鈣鋅安定劑、壓克力加工助劑、滑劑、偶氮二甲醯胺(Azodicarbonamide)，及碳酸鈣(CaCO<sub>3</sub>)，以該底料組成物的總重為100 wt%計，該聚氯乙烯的重量範圍為55~75 wt%，該碳酸鈣的重量範圍為15~25 wt%，該底料組成物的該聚氯乙烯的聚合度介於1250~1500間；<br/> 押出作業，將該等面料顆粒以一第一押出機押出成型，以得到一面料，並將該底料組成物以一第二押出機押出成型，以得到一底料；及<br/> 成型作業，將該面料與該底料經由共押出技術(Co-Extrusion)押出成型，以得到一成品，該成品為PVC外牆板。
如請求項1所述的方法，其中，於該成型作業後，還包含一裁切作業，裁切該成品，以得到數個板片。
如請求項1所述的方法，其中，於該第一製備作業中，該面料組成物的成分還包括有機錫安定劑、鋇鋅安定劑，及鈦白粉。
如請求項1所述的方法，其中，於該第二製備作業中，該底料組成物的該聚氯乙烯的聚合度為1250。
如請求項1所述的方法，其中，於該押出作業中，該第一押出機被配置為單螺桿押出機(Single Screw Extruder)。
如請求項1所述的方法，其中，於該押出作業中，該第二押出機被配置為雙螺桿押出機(Twin Screw Extruder)。
如請求項5所述的方法，其中，於該押出作業中，該第一押出機包括一第一料斗、一連接該第一料斗的第一輸料通道，及一連接該第一輸料通道且相反於該第一料斗的第一出口，該等面料顆粒能由該第一料斗進入該第一輸料通道，該第一輸料通道內的溫度由該第一料斗至該第一出口具有一第一溫度區間，該第一溫度區間的範圍介於150~190℃。
如請求項6所述的方法，其中，於該押出作業中，該第二押出機包括一第二料斗、一連接該第二料斗的第二輸料通道，及一連接該第二輸料通道且相反於該第二料斗的第二出口，該底料組成物能由該第二料斗進入該第二輸料通道，該第二輸料通道內的溫度由該第二料斗至該第二出口具有一第二溫度區間，及一第三溫度區間，該第二溫度區間的範圍介於150~220℃，該第三溫度區間的範圍介於120~165℃。
一種PVC外牆板，其是藉由請求項1至8中任一項所述的方法所製得。
如請求項9所述的PVC外牆板，包含數個板片，每一該板片包括一形成有一外表面與一內表面的基壁，及一形成在該基壁的該內表面的嵌合壁，該基壁具有一嵌合肋，該嵌合肋具有一第一端，及一厚度大於該第一端的第二端，該嵌合壁與該基壁相配合界定一鄰近於該內表面且形狀對應該嵌合肋的嵌合槽，每一該板片的該嵌合肋能嵌入於另一該板片的該嵌合槽。
一種加法器樹裝置，包含：<br/> 一第一加法器電路，用以：<br/> 接收一第一運算數及一第二運算數作為該第一加法器電路的一輸入；以及<br/> 產生一負總和值，其中該負總和值為該第一運算數與該第二運算數的一總和的一邏輯反相；以及<br/> 一第二加法器電路，用以：<br/> 接收該負總和值及一附加運算數作為該第二加法器電路的一輸入；以及<br/> 產生一正總和值作為該第二加法器電路的一輸出，其中該正總和值等於該第一運算數與該第二運算數的一總和加上該附加運算數的一邏輯反相。
如請求項1所述的加法器樹裝置，其中該第一加法器電路及該第二加法器電路中的一或多者包含至多24個電晶體。
如請求項1所述的加法器樹裝置，進一步包含一第三加法器電路，該第三加法器電路用以接收來自該第一加法器電路的一第三運算數、一第四運算數及一進位輸出。
如請求項3所述的加法器樹裝置，其中該第一加法器電路及該第三加法器電路為一第一級的一部分，且該第二加法器電路為一第二級的一部分。
如請求項3所述的加法器樹裝置，進一步包含一反相器，該反相器用以接收由該第一加法器電路產生的一負總和輸出，且其中該第三加法器電路用以經由該反相器的一輸出接收該進位輸出。
如請求項1所述的加法器樹裝置，其中該第一加法器電路耦接至一乘法器電路，以自該乘法器電路接收該第一運算數及該第二運算數。
如請求項1所述的加法器樹裝置，進一步包含一第三加法器電路，該第三加法器電路用以作為一第三級的一部分且用以接收該正總和值作為該第三加法器電路的一輸入。
一種乘法累加電路，包含：<br/> 一乘法器電路，用以產生多個部分積；以及<br/> 一加法器樹電路，用以：<br/> 接收該多個部分積；<br/> 產生一中間總和，該中間總和對應於由該多個部分積中的至少兩者的一第一對應總和而經邏輯反相；以及<br/> 基於該中間總和及一第二運算數產生一輸出總和，其中該輸出總和對應於該中間總和與該第二運算數的一第二對應總和而經邏輯反相。
如請求項8所述的乘法累加電路，其中該乘法器電路包含至少一查找表。
一種乘法累加電路的操作方法，包含以下步驟：<br/> 藉由一加法器樹電路的一第一加法器電路接收一第一運算數及一第二運算數作為該第一加法器電路的一輸入；<br/> 藉由該第一加法器電路產生一負總和值，其中該負總和值為該第一運算數與該第二運算數的一總和的一邏輯反相；<br/> 藉由該加法器樹電路的一第二加法器電路接收該負總和值及一第二值作為該第二加法器電路的一輸入；以及<br/> 藉由該第二加法器電路產生一正總和值作為該第二加法器電路的一輸出，其中該正總和值等於該第一運算數與該第二運算數的一總和加上該第二值的一邏輯反相。
一種提派肽(tirzepatide)或其醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備治療、預防或延遲患者之具有射血分數正常之心臟衰竭(HFpEF)之發展的藥物，其中該藥物係用於每週一次投與至該患者。
如請求項1之用途，其中該患者患有2型糖尿病。
如請求項1或2之用途，其中該患者的體重為肥胖。
如請求項1或2之用途，其中該患者的體重不為肥胖。
如請求項1或2之用途，其中該藥物之投與提供降低之HFpEF住院治療風險。
如請求項1或2之用途，其中該藥物之投與導致因HFpEF而死亡之風險降低。
如請求項1或2之用途，其中該患者的六分鐘步行測試提高約10%。
如請求項1或2之用途，其中該患者以下結果複合出現之風險降低： HFpEF住院治療或死亡。
如請求項1或2之用途，其中該藥物包含選自約5.0 mg、約10.0 mg及約15.0 mg之量之提派肽或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項9之用途，其中提派肽或其醫藥上可接受之鹽之該量為約15.0 mg。
如請求項1或2之用途，其中該藥物之每週一次投與係持續至少2年。
如請求項1或2之用途，其中該患者患有下列中之任一者：多種心血管風險因素而無確立的心血管疾病；或確立的心血管疾病。
一種自動定位扣件改良結構，係包括有一套筒、一定位組件、一旋扣定位件、一彈性件及一驅動套體，其中：<br/> 該套筒之主體為設有內部縱向貫穿之透孔，並且該透孔之頂部處係設有較大的收納空間，且該主體底部設有凸出之定位凸部；<br/> 該定位組件之定位柱體底部為設有穿設於該主體之該收納空間內的一固定塊，且該定位柱體內部設有縱向貫穿至該固定塊內之一穿孔，而該定位柱體頂部橫向剖設有一限位槽，而該固定塊底部係凹設有與該穿孔相連接之一容置空間；<br/> 該旋扣定位件之桿體為穿出該定位柱體的該穿孔處，且該桿體底部凸出之定位塊為收納於該套筒的該透孔內，係再該定位塊底部延伸有一定位部，並於該桿體頂部組裝有一限位桿；<br/> 該彈性件為套設於該旋扣定位件之該桿體處，並位於該定位柱體的該容置空間內；<br/> 該驅動套體內部形成有呈中空狀並供該定位柱體定位之組裝空間，並且該驅動套體內部設有對應該旋扣定位件之該限位桿二側末端位置並呈向上漸窄狀的二固定槽，其中該限位桿二側末端係沿著該二固定槽傾斜之壁面向上位移形成定位，而該旋扣定位件於一預設第一扣件及一預設第二扣件之間進行鎖定動作時，該限位桿係會隨著該驅動套體向上移動而遠離該限位槽，以限制該彈性件空間並形成彈性壓縮變形，而該旋扣定位件進行非鎖定動作時，該限位桿係會抵持於該限位槽內並提供該彈性件彈性回復力的延展空間進而推動該定位塊脫離鎖定動作。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該驅動套體之該二固定槽係具有底部空間較大並向上漸窄延伸的一導引段及頂部空間較小的一固定段，並於該導引段的二側壁面之間設有向上傾斜延伸之導引壁。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該套筒之該收納空間底部形成有環繞該透孔之底板，並且該底板外圍環繞縱向延伸有與該主體頂部形成階差之抵持壁，而該定位組件之該固定塊底部設有抵持於該底板上之一對位面，再於該固定塊頂部周圍環繞設有略凸於該固定塊外壁之抵持凸塊，且該抵持凸塊底部係抵持在該抵持壁頂面處。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該套筒之該定位凸部周緣形成有能直接鉚接於該預設第一扣件內之一鉚接部。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該定位組件之該容置空間內頂部形成之頂面處透設有一第一定位孔，並且於固定塊的內壁面對正該第一定位孔縱向延伸有一滑移限位槽，而該旋扣定位件之該定位塊之頂部形成有對應該頂面處的一抵持面，並於該抵持面的至少一側透設有一第二定位孔，且該彈性件為套設於該旋扣定位件之該桿體處，並位於該定位塊與該定位柱體之間，且該彈性件頂部延伸有伸入於該定位柱體之該固定塊底部並沿著該滑移限位槽滑入該第一定位孔內進行定位的一第一固定端，而該彈性件底部延伸有伸入該定位塊的該第二定位孔內進行定位的一第二固定端。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該定位組件之該定位柱體頂面至少一側延伸有至少一限位部，且該定位柱體底部外壁設有凸出之卡制部，並且該卡制部的至少一側凸設有對應該至少一限位部位置的至少一卡制凸緣，在於該至少一卡制凸緣與該至少一限位部之間形成有一卡制空間，並且於該至少一卡制凸緣二側形成有一滑移槽。
如請求項6所述之自動定位扣件改良結構，其中該 驅動套體底側向內部凸設對應該滑移槽的至少一定位凸塊，在於該驅動套體底側凹設有對應至少一限位部的至少一限位凹槽。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該旋扣定位件之該 定位部二側各延伸有一擋止塊，且該擋止塊的頂部形成有一擋止面，並且該二擋止塊的另相對二側各傾斜延伸有一推動面。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該驅動套體一側形成之扳動部二側設有防滑結構。
如請求項1所述之自動定位扣件改良結構，其中該旋扣定位件之該定位塊於該底部形成有一推抵面。
一種藉由電子裝置而實行之方法，其包括如下步驟： <br/>識別顯示於利用電子商務服務之用戶之用戶終端中之對象商品； <br/>基於上述對象商品之複數個屬性中之至少一部分，識別與上述對象商品相關之對象商品群；及 <br/>將購買選項組件傳輸至上述用戶終端，該購買選項組件係藉由上述用戶終端中顯示之畫面之第1軸上排列之第1按鈕群及與上述第1軸有所區別之第2軸上排列之第2按鈕群，使得上述對象商品群進行分類；且 <br/>上述第1按鈕群係使上述用戶可選擇與上述複數個屬性中之第1屬性相關之選項之按鈕之集合， <br/>上述第2按鈕群係使上述用戶可選擇與第2屬性相關之選項之按鈕之集合，該第2屬性係與上述第1屬性相區別， <br/>其中上述第1按鈕群或上述第2按鈕群中包括之按鈕基於上述用戶與上述電子商務服務之活動資訊而確定， <br/>其中上述活動資訊包含表示在由上述用戶購買之商品之評論分數當中最低評論分數的最小值評論分數資訊及表示在上述用戶進入之網頁上所顯示之商品之最大個數的最大值數量資訊之至少一者，且 <br/>其中上述第1按鈕群或上述第2按鈕群中所包括之按鈕藉由排除對應於具有小於由上述最小值評論分數資訊所表示之上述最低評論分數之評論分數之商品或是若顯示於上述網頁超過由上述最大值數量資訊所表示之上述最大個數之商品之按鈕而確定。
如請求項1之方法，其中識別上述對象商品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述對象商品之商品頁面，識別上述對象商品。
如請求項1之方法，其中上述對象商品之複數個屬性包括與商品銷售實績相關之屬性、與商品種類相關之屬性、與商品名稱相關之屬性、與商品價格相關之屬性、與商品等級相關之屬性、與商品重量相關之屬性、與商品個數相關之屬性、與商品原產地相關之屬性、與商品評論相關之屬性、或與商品配送方式相關之屬性中之至少一部分。
如請求項1之方法，其中識別上述對象商品群之步驟包括如下步驟： <br/>識別複數個對象關鍵字，該複數個對象關鍵字係以與上述對象商品之上述複數個屬性各者對應之方式確定；及 <br/>基於刊載於上述電子商務服務之候補商品之第1關鍵字與上述複數個對象關鍵字中之至少一部分之間之對應關係，使上述候補商品包括於上述對象商品群， <br/>其中使上述候補商品包括於上述對象商品群之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述候補商品之第2關鍵字與上述複數個對象關鍵字中之至少一部分具有禁止關聯關係之判定，將上述候補商品自上述對象商品群中排除。
如請求項1之方法，其中將上述購買選項組件傳輸至上述用戶終端之步驟包括如下步驟： <br/>產生使得僅可選擇上述對象商品群中之一部分之上述購買選項組件。
如請求項5之方法，其中產生上述購買選項組件之步驟包括如下步驟： <br/>基於商品價格，以僅可選擇上述對象商品群中之一部分之方式產生上述購買選項組件。
如請求項5之方法，其中產生上述購買選項組件之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述電子商務服務內之上述用戶之活動資訊，以僅可選擇上述對象商品群中之一部分之方式產生上述購買選項組件。
如請求項1之方法，其中上述第1按鈕群或上述第2按鈕群中包括之按鈕於顯示於上述用戶終端時，突出與上述對象商品不同之屬性。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟：響應於自上述用戶終端獲得之上述用戶對上述購買選項組件之選擇，將用以對與上述選擇對應之替代商品進行結算之結算組件傳輸至上述用戶終端。
如請求項9之方法，其中上述結算組件覆蓋於包括上述購買選項組件之上述對象商品之商品頁面而顯示。
如請求項9之方法，其中上述結算組件無需自上述對象商品之商品頁面轉換為上述替代商品之商品頁面便進行顯示。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器而執行之電腦程式者，上述電腦程式以使上述處理器執行如請求項1至請求項11中之任一項之方法之方式構成。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊介面，其以可與網路進行通訊之方式構成； <br/>處理器，其以執行包括一個以上之指令之電腦程式之方式構成；及 <br/>記憶體，其儲存有上述電腦程式；且 <br/>上述處理器以如下方式構成： <br/>於藉由上述處理器執行上述電腦程式時，執行如請求項1至請求項11中之任一項之方法。
一種基於大型語言模型的醫療語意補全方法，包含：<br/> 藉由一多模態輸入模組接收一多模態訊號；<br/> 藉由一轉換模組辨識該多模態訊號並對該多模態訊號進行修正與詞彙標準化，而將該多模態訊號轉換為一結構化醫療語句；<br/> 藉由一語意處理模組依據一實體識別模型辨識該結構化醫療語句中的病徵詞而產生複數語意片段，並自該些語意片段中萃取複數初始節點，同時對該些語意片段進行事件時間軸標記；<br/> 藉由一語意補全模組依據一大型語言模型分析該些語意片段而推測隱性的症狀以生成複數補全語意，並將該些初始節點與該些補全語意投影至一知識圖譜而演算生成至少一補全節點；<br/> 藉由一歷史醫療文本聯動分析模組依據一歷史醫療文本而調整該些語意片段的權重，並依據一時間序列模型分析該些語意片段及該些補全語意而推測症狀的演化路徑以生成一下階段症狀預測結果；以及<br/> 藉由一圖譜構建模組整合該些初始節點、該些補全語意、該至少一補全節點及該下階段症狀預測結果而建構一症狀圖譜；<br/> 其中，該些初始節點及該至少一補全節點的類型為症狀、病名、時間事件及潛在風險因子之任一者。
如請求項1所述之基於大型語言模型的醫療語意補全方法，其中該多模態訊號為一文字資料、一語音訊號、一結構化資料、一半結構化資料及一分結構化資料之任一者或任意組合。
如請求項1所述之基於大型語言模型的醫療語意補全方法，其中該轉換模組以一醫學語料嵌入模型對該多模態訊號進行詞級錯誤偵測與語意比對而修正該多模態訊號，並以一醫學知識庫映射模型實現詞彙標準化。
如請求項1所述之基於大型語言模型的醫療語意補全方法，更包含：<br/> 藉由該語意處理模組將該些語意片段轉換為複數語意嵌入向量；<br/> 其中，該歷史醫療文本聯動分析模組以一語意相似度模型比對該些語意嵌入向量與該歷史醫療文本所轉換的複數歷史語意向量，並根據相似度而調整該些語意片段的權重。
如請求項1所述之基於大型語言模型的醫療語意補全方法，其中該歷史醫療文本聯動自該些語意片段的時間軸標記取得一時間語境特徵，並將該時間語境特徵、該些語意片段及該些補全語意輸入該時間序列模型而生成該下階段症狀預測結果。
如請求項5所述之基於大型語言模型的醫療語意補全方法，其中該時間語境特徵包含一症狀發生時間、一症狀持續時間及一症狀轉變關係。
如請求項1所述之基於大型語言模型的醫療語意補全方法，其中該圖譜構建模組於該些初始節點及該至少一補全節點之間建立語意連結而形成複數邊線；<br/> 其中，該些邊線的類型為因果、時間先後、共現及邏輯推論之任一者。
一種基於大型語言模型的醫療語意補全系統，包含：<br/> 一資料庫，儲存有一實體識別模型、一大型語言模型、一知識圖譜、一歷史醫療文本及一時間序列模型；<br/> 一多模態輸入模組，用以接收一多模態訊號；以及<br/> 一伺服器，訊號連接該資料庫及該多模態輸入模組，並包含：<br/> 一轉換模組，用以辨識該多模態訊號並對該多模態訊號進行修正與詞彙標準化，而將該多模態訊號轉換為一結構化醫療語句；<br/> 一語意處理模組，用以依據該實體識別模型辨識該結構化醫療語句中的病徵詞而產生複數語意片段，並自該些語意片段中萃取複數初始節點，同時對該些語意片段進行事件時間軸標記；<br/> 一語意補全模組，用以依據該大型語言模型分析該些語意片段而推測隱性的症狀以生成複數補全語意，並將該些初始節點與該些補全語意投影至該知識圖譜而演算生成至少一補全節點；<br/> 一歷史醫療文本聯動分析模組，用以依據該歷史醫療文本而調整該些語意片段的權重，並依據該時間序列模型分析該些語意片段及該些補全語意而推測症狀的演化路徑以生成一下階段症狀預測結果；及<br/> 一圖譜構建模組，用以整合該些初始節點、該些補全語意、該至少一補全節點及該下階段症狀預測結果而建構一症狀圖譜；<br/> 其中，該些初始節點及該至少一補全節點的類型為症狀、病名、時間事件及潛在風險因子之任一者。
如請求項8所述之基於大型語言模型的醫療語意補全系統，其中該多模態訊號為一文字資料、一語音訊號、一結構化資料、一半結構化資料及一分結構化資料之任一者或任意組合。
如請求項8所述之基於大型語言模型的醫療語意補全系統，其中該轉換模組以一醫學語料嵌入模型對該多模態訊號進行詞級錯誤偵測與語意比對而修正該多模態訊號，並以一醫學知識庫映射模型實現詞彙標準化。
如請求項8所述之基於大型語言模型的醫療語意補全系統，其中該語意處理模組更用以將該些語意片段轉換為複數語意嵌入向量；<br/> 其中，該歷史醫療文本聯動分析模組以一語意相似度模型比對該些語意嵌入向量與該歷史醫療文本所轉換的複數歷史語意向量，並根據相似度而調整該些語意片段的權重。
如請求項8所述之基於大型語言模型的醫療語意補全系統，其中該歷史醫療文本聯動分析模組自該些語意片段的時間軸標記取得一時間語境特徵，並將該時間語境特徵、該些語意片段及該些補全語意輸入該時間序列模型而生成該下階段症狀預測結果。
如請求項12所述之基於大型語言模型的醫療語意補全系統，其中該時間語境特徵包含一症狀發生時間、一症狀持續時間及一症狀轉變關係。
如請求項8所述之基於大型語言模型的醫療語意補全系統，其中該圖譜構建模組於該些初始節點及該至少一補全節點之間建立語意連結而形成複數邊線；<br/> 其中，該些邊線的類型為因果、時間先後、共現及邏輯推論之任一者。
一種光學測量系統，測量樣本當中包含的層的厚度，也就是測量膜厚，包含： <br/>測量裝置，使用者能夠用其中一隻手把持； <br/>探測器，該使用者能夠用另一隻手把持；以及 <br/>光纖，光學連接該測量裝置與該探測器， <br/>其中該測量裝置包含光源， <br/>其中該探測器構成為將該光源產生並且由該光纖導引的光作為測量光而照射該樣本，同時將在該樣本產生的反射光作為觀測光而導引至該光纖， <br/>其中該測量裝置更包含： <br/>分光測量部，輸出由該光纖導引的該觀測光的每個波長的強度；以及 <br/>膜厚算出部，從基於該觀測光的每個波長的強度算出的分光反射率，算出該樣本的膜厚， <br/>其中該光纖包含與該測量裝置光學連接的第一光纖、與該探測器光學連接的第二光纖、以及可拆卸式連接該第一光纖與該第二光纖的耦合器。
如請求項1之光學測量系統，其中透過該耦合器連接的該探測器被構成為能夠在複數個種類的該探測器之間更換。
如請求項1之光學測量系統，其中該測量裝置為該使用者能夠用其中一隻手的手掌把持的形狀，該探測器為該使用者能夠用另一隻手的一部分手指把持的形狀。
如請求項1之光學測量系統，其中該第一光纖包括： <br/>第一分岔光纖，與該光源光學連接； <br/>第二分岔光纖，與該分光測量部光學連接；以及 <br/>分岔部，匯集該第一分岔光纖以及該第二分岔光纖。
如請求項1至4中任何1項之光學測量系統，其中該探測器的端面呈平坦圓形， <br/>其中在該探測器的端面的中心部分，形成有該測量光以及該觀測光通過的凹陷。
如請求項1至4中任何1項之光學測量系統，其中該樣本呈圓筒形， <br/>其中該探測器包括用於支持該樣本的一對支持部材， <br/>其中該一對支持部材在截面觀察下配置成V字形， <br/>其中在該一對支持部材之間，設置有該測量光以及該觀測光通過的間隔。
如請求項1至4中任何1項之光學測量系統，其中該測量裝置在該使用者用其中一隻手把持的狀態下，在被該使用者可以辨識的位置處具有顯示器。
如請求項7之光學測量系統，其中該測量裝置在該顯示器顯示算出的該膜厚以及測量信賴度，該測量信賴度示意算出的該膜厚是在何等程度下被適當測量的。
一種具有阻力及煞車裝置的運動器材，包含：<br/> 一控制模組，包含:<br/> 一輸入介面，用以供用戶輸入一指令，該指令包含一阻力等級；<br/> 一驅動電路；以及<br/> 一控制單元，電性連接該驅動電路以及該輸入介面；<br/> 一飛輪； <br/> 一驅動輪，用戶施力使該驅動輪旋轉，該驅動輪透過一連動件連接該飛輪以驅動該飛輪旋轉；以及<br/> 至少一電磁鐵，鄰近該飛輪並電性連接該驅動電路；<br/> 其中，該控制單元根據該阻力等級，令該驅動電路輸出對應該阻力等級的一電流給予該電磁鐵，以產生一第一相應阻力給予該飛輪。
如請求項1之運動器材，更包含：<br/> 一煞車把手，電性連接該控制單元；<br/> 其中該煞車把手包含一開關，當用戶操作該煞車把手使該開關輸出一電信號，該控制單元偵測到該電信號後令該驅動電路輸出一煞止電流給該電磁鐵，使該電磁鐵產生一第一煞止阻力予該飛輪從而停止該飛輪。
如請求項2之運動器材，其中該電磁鐵設置於該飛輪與該驅動輪之間，該電磁鐵包含靠近該飛輪的一第一線圈部以及靠近該驅動輪的一第二線圈部，該控制單元根據該阻力等級，令該驅動電路輸出對應該阻力等級的該電流給予該電磁鐵，使該第一線圈部產生該第一相應阻力給予該飛輪以及該第二線圈部產生一第二相應阻力給予該驅動輪。
如請求項3之運動器材，其中當用戶操作該煞車把手使該開關輸出一電信號，該控制單元偵測到該電信號並令該驅動電路輸出該煞止電流給該電磁鐵，使該第一線圈部產生該第一煞止阻力予該飛輪以及該第二線圈部產生一第二煞止阻力予該驅動輪，從而同時停止該飛輪以及該驅動輪。
如請求項3之運動器材，其中該第一線圈部包含一弧面，該弧面與該飛輪具有一間距。
如請求項2之運動器材，其中該電磁鐵設置於該飛輪與該驅動輪之間，該電磁鐵包含其兩端分別靠近該飛輪及該驅動輪的一線圈部，該控制單元根據該阻力等級，令該驅動電路輸出對應該阻力等級的該電流給予該電磁鐵，使該線圈部同時產生該第一相應阻力給予該飛輪以及一第二相應阻力給予該驅動輪。
如請求項6之運動器材，其中當用戶操作該煞車把手使該開關輸出一電信號，該控制單元偵測到該電信號並令該驅動電路輸出該煞止電流給該電磁鐵，使該線圈部產生該第一煞止阻力予該飛輪以及一第二煞止阻力予該驅動輪，從而同時停止該飛輪以及該驅動輪。
如請求項4或7之運動器材，其中該第一煞止阻力大於該第二煞止阻力。
如請求項2之運動器材，其中該驅動輪包含導磁材料。
如請求項2之運動器材，其中該開關包含一紅外線偵測開關。
如請求項2之運動器材，其中該開關包含一滾珠傾角開關。
如請求項2之運動器材，更包含一速度感測器以感測該飛輪的轉速，該速度感測器電性連接該控制單元，該驅動電路輸出該煞止電流直到該飛輪的轉速為0 rpm。
一種測試作業箱裝置，至少包含有:<br/> 一作業箱，係在一平台的中間接設有一箱體，致該平台的周圍形成有數個置放區以圍繞該箱體，又該箱體的各側邊分別設有一第一進出口，該數個置放區對應各該第一進出口則分別設有一輸送台組並延伸至該作業箱內部；<br/> 一溫度調控預放盤，係設於作業箱內部，並與箱體上之電控箱的一電力或/及一電訊的線路，以及一冷媒管、一加熱元件之連結；<br/> 一測頭裝置，係設於該作業箱內部，並位於各該輸送台組之間；及<br/> 一三軸移動吸盤裝置，係設於該作業箱內部並架設於該測頭裝置與各該輸送台組的上方，且其更包含有一主體、三軸滑軌組、一轉向裝置及一吸盤，其中該主體接設於該三軸滑軌組之間，且該主體接設該轉向裝置，而該轉向裝置再接設該吸盤。
如請求項1所述測試作業箱裝置，其中各該輸送台組至少置放一載盤，即各該輸送台組可對各該載盤進行箱內與箱外之間的輸送移動，且藉由該三軸移動吸盤裝置所設該吸盤用以從其中一載盤吸附一晶片後，移動到該溫度調控預放盤或/及該測頭裝置內進行測試，待測試完後進行分類，再由該吸盤移動或/及轉向定位該晶片置入於相對應分類的另一載盤內。
如請求項2所述測試作業箱裝置，其中該作業箱內外所置放之載盤，將其區分為一個供給載盤的置放區及數個收納載盤的置放區，又各該輸送台組係由一外輸送台與一內輸送台組所構成；另在各該內輸送台組之間設有數個溫度調控預放盤，且該數個溫度調控預放盤分別外接該冷媒管，而該冷媒管再連接一冷凝壓縮機，而各該度調控預放盤可預先對待測晶片自身的溫度進行冷或熱調節後，再被送入該測頭裝置進行測試，或者可以提供測試完後的晶片進行回溫。
如請求項3所述測試作業箱裝置，其中對應該箱體的各側邊所設各該第一進出口的下方分別設有一第二進出口，而各該內輸送台組又分別由一上內輸送台與一下內輸送台所構成，其中各該上內輸送台分別對應該第一進出口，而各該下內輸送台則分別對應該第二進出口；另各該外輸送台分別架設於一升降單元上，而各該升降單元可分別驅動該外輸送台升降位於該第一進出口與或第二進出口；又在各該升降單元上接設有一載盤收納單元。
如請求項4所述測試作業箱裝置，其中各該作業箱內設有一環形轉盤，且各該下內輸送台則設於該環形轉盤上，又在該環形轉盤的內緣接設有一齒輪，且該齒輪受一馬達驅動；又其中更包含有一辨識單元，且該辨識單元更包含有數個辨識鏡頭以裝設於該作業箱所設該箱體內部的頂端面上，同時位於所對應各該上內輸送台上所承接載盤的正上方，另在該數個辨識鏡頭之間設有一攝影機。
如請求項4所述測試作業箱裝置，其中該作業箱所設該箱體內部的側壁面上方設有至少一第一靜電消除器，且該第一靜電消除器會產生等離子氣體來吹向該箱體的內部；另在該箱體內部側壁面的中間對應著各該載盤收納單元，則分別設有一第二靜電消除器，且各該第二靜電消除器會產生等離子氣體經由該箱體的各側邊內壁所設數個直向排列的氣孔組吹向位於箱外所對應的該載盤收納單元。
如請求項4所述測試作業箱裝置，其中各該載盤的運送路徑係以路徑e、路徑d或/及路徑f來進行各空盤及測試之轉換及輸送。
如請求項3、4、5、6或7所述測試作業箱裝置，其中該測頭裝置可進行水平位移而可靠攏或遠離其所設一下測座，且該測頭裝置所設一測頭可進行上翻作動，以利進行拆換或維護；又該測頭裝置更包含有一測頭下壓接觸力調整單元，且該測頭下壓接觸力調整單元用以調節該測頭壓抵測試晶片的接觸力；另該作業箱設為四方型箱體並具有四個側邊，而其所設該平台亦設為四方型板體並具有四個置放區提供置放一個各該供給載盤及三個各該收納載盤，又該三個收納載盤更區分有良好、不良與重測之類別。
如請求項8所述測試作業箱裝置，其中該測頭裝置係更包含有一座體，且在該座體上的四周結設有數個升降作動器，而該升降作動器的頂端則結設有一下壓板，又該下壓板與該測頭之間結設有數個微型秤重傳感器，另在該座體對應該測頭則設有一開口，以利該測頭底部下壓穿伸，且該測頭外接另一冷媒管、另一加熱元件。
如請求項3所述測試作業箱裝置，其中該三軸移動吸盤裝置的一座標零點可以設在位於該作業箱內的各該載盤、各該溫度調控預放盤與晶片測試區域任一處。
一種封裝測試分選機，係使用請求項5至10任一項所述測試作業箱裝置，至少包含有:<br/> 一測試作業箱裝置；<br/> 數個支撐腳裝置，係分別結設於該測試作業箱裝置所設該平台的各角落，以提供對該測試作業箱裝置進行高度升降、定位固定或/及水平調整；及<br/> 一控制單元，係以電力或/及訊號電性連接該數個支撐腳裝置與該測試作業箱裝置。
如請求項11所述封裝測試分選機，其中該測試作業箱裝置所設該作業箱的頂端更設有一電控箱，且該電控箱內設一電源供應單元及一溫控單元，又其中該電源供應單元供應機台整個電源，而該溫控單元則供應各冷媒管的冷媒，並搭配溫度感測器，以用來對各該溫度調控預放盤、該測頭裝置來進行熱量吸收和傳遞熱量。
如請求項12所述封裝測試分選機，其中更包含有一濕度調控單元，且該濕度調控單元更包含有數條吸附型乾燥器，而該數條吸附型乾燥器安裝於該數個支撐腳裝置內部，又各該數條吸附型乾燥器分別設有一連通管組以連通該測試作業箱裝置所設該作業箱的內部，使該濕度調控單元再搭配一濕度感測器，讓該數條吸附型乾燥器能夠用來調控該作業箱內部合適的濕度。
如請求項13所述封裝測試分選機，其中該控制單元更訊號電性連接該測試作業箱裝置及其所設該電源供應單元、該溫控單元、該辨識單元與一示警單元及該濕度調控單元，且該控制單元亦設於該電控箱的內部並向外延伸設有一螢幕以提供人員對機台所有的操作控制、作業錯誤示警或/及影片回放。
如請求項11所述封裝測試分選機，其中該數個支撐腳裝置分別設有一外罩殼體，且該外罩殼體內部安裝包含有一馬達單元及一傳動螺桿，且在各該馬達單元的轉軸上結設各該傳動螺桿，而各該傳動螺桿再結設於該平台的各角落所設一螺帽，另在各該傳動螺桿的底部樞接一腳輪組以外露於該外罩殼體。
如請求項15所述封裝測試分選機，其中各該支撐腳裝置所設該外罩殼體係由一外側硬罩體及一內側軟罩體所構成，以利各該支撐腳裝置驅動該測試作業箱裝置所設該平台的各角落進行上下升降位移；另各該支撐腳裝置搭配一陀螺儀，且該陀螺儀訊號電性連接該控制單元，以用來控制該測試作業箱裝置的水平度。
一種封裝基板之製法，係包括：<br/>將至少一核心板體設於一承載件上之支撐件之開槽中，其中，該核心板體係定義有相對之第一側與第二側，並以其第二側設於該承載件上，且該核心板體係具有複數貫穿該核心板體之導電柱，且該支撐件係為包含複數邊框之框架，以排設複數該邊框而構成該開槽；<br/>於該承載件上形成包覆層，以令該包覆層填入該開槽中，使該包覆層包覆該核心板體以固定該核心板體，其中，該核心板體之第一側之導電柱係外露於該包覆層；<br/>移除該承載件，以獲取基板模組；<br/>於一結合層之相對兩側上分別結合一該基板模組，且各該核心板體以其第二側設於該結合層上；<br/>於各該基板模組上形成基材，使該基材覆蓋該核心板體之第一側；<br/>於各該核心板體之第一側上藉由該基材形成一電性連接該導電柱之佈線結構；<br/>移除該結合層；<br/>於該佈線結構與該核心板體之第二側上分別形成一防焊層，以令該佈線結構與該導電柱外露於該防焊層；<br/>移除該支撐件及其上之結構；以及<br/>移除該核心板體側面之包覆層。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該支撐件之邊框為組合式，且該邊框為直條狀或L形。
如請求項2所述之封裝基板之製法，其中，該支撐件係為非連續邊框型之框架，各該邊框之間係形成有複數間隔。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該支撐件之邊框為分離式，且該邊框為直條狀或L形，其兩端部具有凹部或凸部。
如請求項4所述之封裝基板之製法，其中，該支撐件係為連續邊框型之框架，各該邊框之間係形成有複數間隔，且該間隔中係外露該凸部。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該開槽中形成有至少一橫跨之支架。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該核心板體係為玻璃。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該包覆層係為油墨或膠材。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該基材係包含一絕緣層及一結合該絕緣層之金屬層，以令該絕緣層壓合於該核心板體之第一側上，且藉由該金屬層製作該佈線結構。
如請求項1所述之封裝基板之製法，其中，該佈線結構係包含至少一設於該核心板體上之絕緣層、及一形成於該絕緣層上且電性連接該導電柱之佈線層。
一種用於微型器件高精度配置之電場操控方法，其特徵在於，包括下列步驟：<br/> 1.1 提供一源基板，其上承載至少一微型器件，所述微型器件尺寸介於約1微米至約5毫米，包含獨立晶粒或積體電路中需高精度定位之微觀結構單元；<br/> 1.2 提供一電場操控裝置，包含至少一層微電極結構，經配置以生成空間-時間可編程之動態電場型態，所述動態電場型態包括掃描型、旋轉型、行波型或其任意組合，具備分層電場梯度，透過電壓相位差調控產生方向性場力，以實現微型器件在三維空間中之軌跡控制與姿態穩定；<br/> 1.3 施加多模態時序控制電壓至所述微電極結構，所述電壓包含直流、交流或脈衝模式之組合，電壓範圍為約50伏特至約500伏特，頻率範圍為約10 kHz至約10 MHz，用於選擇性拾取、懸浮並傳輸所述微型器件；<br/> 1.4 執行空間懸浮校正步驟，所述步驟利用視覺感測單元即時檢測所述微型器件之三維位置與姿態，並透過具備本地處理與雲端運算之AI控制模組，基於預訓練之深度學習模型（包括但不限於卷積神經網路（CNN）、時序神經網路（RNN）等架構）與增量式學習，生成電場參數調整指令，動態優化場型切換策略，實現所述微型器件在Pitch、Yaw與Roll三軸方向之姿態校正，校正精度達0.5微米及1度以內；<br/> 1.5 於所述空間懸浮校正步驟中，進一步透過距離控制模組協調釋放端與接收端之Z軸距離與平行度，以配合懸浮與定位需求，實現同步控制；<br/> 1.6 將經校正之微型器件導引至目標基板之預定三維座標，於接近接觸階段施加局部電場梯度，執行控制時間介於約10微秒至約500毫秒之緩衝釋放，以限制作用衝擊力小於0.1毫牛頓，所述緩衝釋放包含施加脈衝式局部電場，並根據微型器件與目標基板之距離及材料特性動態調整電場強度與頻率，實現小於0.5微米之配置精度。
如請求項1所述之方法，其特徵在於，所述微觀結構單元包括微凸塊、矽穿孔接點、對位標記或晶粒邊緣定位點，且所述方法進一步包含識別所述微觀結構單元之介電特性，動態調整電場參數以適應不同結構特性與幾何差異。
如請求項1所述之方法，其特徵在於，所述微型器件為高頻寬記憶體晶粒，所述空間懸浮校正步驟透過深度學習模型分析視覺感測數據，識別微凸塊或矽穿孔接點之幾何分佈，動態調整電場頻率（10 kHz至1 MHz）與梯度，實現微凸塊陣列對位誤差小於0.3微米。
如請求項1所述之方法，其特徵在於，所述目標基板為單一曲率、多重曲率或非均勻曲率之三維曲面載板，所述方法進一步包含曲面適應性場型調整步驟，根據由外部掃描模組獲得之基板三維輪廓動態生成電場型態，確保曲面基板上的穩定配置。
如請求項1所述之方法，其特徵在於，所述微型器件選自MicroLED晶粒、量子點晶粒、微感測器晶粒或堆疊式晶粒封裝單元，且所述方法進一步包含根據器件材料特性調整電場參數，確保兼容性。
一種用於微型器件高精度配置之電場操控系統，其特徵在於，包括：<br/> 6.1 一電場操控裝置，包含至少一層由導電材料（選自金、銅、ITO或石墨烯）構成之微電極結構，微電極間距介於約5微米至約500微米，經配置以生成可編程動態電場型態（如請求項1所述），具備局部聚焦能力之陣列，用於微型器件之精確操控；<br/> 6.2 一可程式化電壓控制單元，與所述電場操控裝置耦合，施加多模態時序控制電壓，電壓範圍為約50伏特至約500伏特，頻率範圍為約10 kHz至約10 MHz，產生靜電力或介電泳力，驅動微型器件之拾取、懸浮、傳輸與緩衝釋放；<br/> 6.3 一視覺感測單元，包含至少二視角之攝影機，用於即時檢測微型器件之三維位置、姿態及軌跡，生成回饋數據；<br/> 6.4 一AI控制模組，採用分散式架構，包含本地處理單元與雲端運算單元，所述本地處理單元即時處理回饋數據並生成場型切換指令，雲端運算單元根據歷次配置數據進行優化學習，基於深度學習模型（包括但不限於卷積神經網路（CNN）、時序神經網路（RNN）等架構）動態生成電場參數調整策略，從懸浮校正階段至最終定位階段實現Pitch、Yaw與Roll三軸之精確姿態調整，並透過增量式學習適應不同器件類型；<br/> 6.5 一距離控制模組，與所述AI控制模組及電場操控裝置耦合，用於協調釋放端與接收端之Z軸距離與平行度，以配合懸浮與定位需求，實現同步控制。
如請求項6所述之系統，其中，所述AI控制模組包含一可更新資料庫，儲存電場操作模式、時序脈衝模板與場型映射表。
如請求項6所述之系統，進一步包含目標基板端之輔助微電極結構，用於生成協同電場，所述AI控制模組綜合操控頭與目標基板電場，進行最佳化雙向聯動控制。
如請求項6所述之系統，進一步包含一熱效應補償模組，包含紅外線溫度感測器，透過PID控制算法調整脈衝電場佔空比，維持微電極結構溫度於25±2°C。
如請求項6所述之系統，進一步包含一曲面適應模組，利用結構光掃描生成目標基板三維輪廓數據，與AI控制模組協同，實現平面或曲面基板之高精度配置。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認與應用軟體中包括之一個以上之層相關之第1資訊及與一個以上之模組之公用部分及私用部分相關的第2資訊，該一個以上之模組係對應於上述一個以上之層各者； <br/>確認與上述一個以上之模組間之依存關係相關之第3資訊； <br/>確認與上述一個以上之模組間之已變更之依存關係相關的第4資訊； <br/>基於上述第3資訊及上述第4資訊，藉由比較上述第3資訊與上述第4資訊，確認上述一個以上之模組中已變更依存關係之至少一個模組； <br/>基於上述第1資訊、上述第2資訊及上述第4資訊，針對上述至少一個模組確認是否遵守依存性規則；及 <br/>提供與是否遵守上述依存性規則相關之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述依存性規則包括如下規則： <br/>第1規則，其係指上述至少一個模組中之第1模組之公用部分或上述第1模組之私用部分不能依存於第2模組之私用部分；及 <br/>第2規則，其係指上述至少一個模組中之下層中包括之第3模組不能依存於上層中包括之第4模組。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述一個以上之模組中之第5模組之公用部分包括與上述第5模組相關之介面及資料模型， <br/>上述第5模組之私用部分包括上述介面之一個以上之實作。
如請求項3之資訊提供方法，其中於發佈上述應用軟體時，實現上述一個以上之實作中之與要發佈上述應用軟體之地區對應之實作。
如請求項1之資訊提供方法，其中與是否遵守上述依存性規則相關之資訊包括如下資訊： <br/>與上述至少一個模組中未遵守上述依存性規則之第6模組相關之資訊；及 <br/>與上述第6模組未遵守之規則相關之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其係藉由自用戶終端獲得拉動請求而揭示者。
如請求項6之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於已確認到未遵守上述至少一個模組之依存性規則之情形時，產生以拒絕上述拉動請求之方式設定之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中確認上述第1資訊及上述第2資訊之步驟包括如下步驟： <br/>獲得包括層設定資訊及模組設定資訊之上述應用軟體之架構資訊； <br/>基於上述層設定資訊而確認上述第1資訊，並 <br/>基於上述模組設定資訊而確認上述第2資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中確認上述第3資訊之步驟包括如下步驟： <br/>自用戶終端獲得拉動請求；及 <br/>基於上述拉動請求，確認上述第3資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認與要發佈上述應用軟體之地區相關之資訊； <br/>確認上述至少一個模組之私用部分中包括之一個以上之實作中之與要發佈上述應用軟體之地區對應的至少一個實作；及 <br/>基於上述第1資訊、上述第2資訊及上述第4資訊，針對上述至少一個實作確認是否遵守上述依存性規則。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊部； <br/>記憶體；及 <br/>控制部； <br/>上述控制部如下： <br/>確認與構成應用軟體之一個以上之層相關之第1資訊及與上述一個以上之層各者中包括之一個以上之模組之公用部分及私用部分相關的第2資訊， <br/>確認與上述一個以上之模組間之依存關係相關之第3資訊， <br/>確認與上述一個以上之模組間之已變更之依存關係相關的第4資訊； <br/>基於上述第3資訊及上述第4資訊，藉由比較上述第3資訊與上述第4資訊，確認上述一個以上之模組中已變更依存關係之至少一個模組； <br/>基於上述第1資訊、上述第2資訊及上述第4資訊，針對上述至少一個模組確認是否遵守依存性規則， <br/>提供與確認是否遵守上述依存性規則之結果相關之資訊。
一種光學濾波器，其包括： <br/>基板； <br/>第一層，其與所述基板相鄰且包含第一材料， <br/>所述第一材料至少包含矽和氫； <br/>第二層，其包含與所述第一材料不同的第二材料， <br/>所述第二材料至少包含鉭， <br/>在所述第二層中的所述第二材料與所述第一層中的所述第一材料相鄰，且 <br/>所述第一層在所述基板與所述第二層之間；以及 <br/>第三層，其包含不同於所述第一材料和所述第二材料的第三材料， <br/>所述第三材料至少包含矽和氧，以及 <br/>在所述第三層中的所述第三材料與所述第二層中的所述第二材料相鄰。
如請求項1之光學濾波器，其中該第一材料是氫化矽（Si:H）基材料。
如請求項1之光學濾波器，其中該第二材料是五氧化鉭（Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>）基材料。
如請求項1之光學濾波器，其中該第三材料是二氧化矽（SiO<sub>2</sub>）基材料。
如請求項1之光學濾波器，其進一步包括： <br/>第四層，其包含所述第一材料， <br/>其中，在所述第四層中的所述第一材料與所述第三層中的所述第三材料相鄰。
如請求項5之光學濾波器，其進一步包括： <br/>第五層，其包含所述第二材料， <br/>其中，在所述第五層中的所述第二材料與所述第四層中的所述第一材料相鄰。
如請求項6之光學濾波器，其進一步包括： <br/>第六層，其包含所述第三材料， <br/>其中在所述第六層中的所述第三材料與所述第五層中的所述第二材料相鄰。
一種光學濾波器，其包括： <br/>基板； <br/>第一層，其與所述基板相鄰且包含第一材料， <br/>所述第一材料至少包括矽和氫； <br/>第二層，其包含與所述第一材料不同的第二材料， <br/>所述第二材料至少包含矽和氧；且 <br/>在所述第二層中的第二材料與所述第一層中的第一材料相鄰，且 <br/>所述第一層在所述基板與所述第二層之間； <br/>第三層，其包含與所述第一材料和所述第二材料不同的第三材料， <br/>所述第三材料至少包含鉭；且 <br/>在所述第三層中的所述第三材料與所述第二層中的所述第二材料相鄰；以及 <br/>第四層，其包含所述第一材料， <br/>在所述第四層中的所述第一材料與所述第三層中的所述第三材料相鄰。
如請求項8之光學濾波器，其中該第一材料是氫化矽（Si:H）基材料。
如請求項8之光學濾波器，其中該第二材料是二氧化矽（SiO<sub>2</sub>）基材料。
如請求項8之光學濾波器，其中所述第三材料是五氧化鉭（Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>）基材料。
如請求項8之光學濾波器，其進一步包括： <br/>第五層，其包含所述第二材料， <br/>其中在所述第五層中的所述第二材料與所述第四層中的所述第一材料相鄰。
如請求項12之光學濾波器，其進一步包括： <br/>第六層，其包含所述第三材料， <br/>其中在所述第六層中的所述第三材料與所述第五層中的所述第二材料相鄰。
如請求項13之光學濾波器，其進一步包括： <br/>第七層，其包含所述第一材料， <br/>其中在所述第七層的所述第一材料與所述第六層中的所述第三材料相鄰。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>自用戶之終端接收包括用戶之資訊之物品管理頁面連接請求； <br/>基於上述用戶之資訊，確認上述用戶銷售之一個以上之物品；及 <br/>將物品管理頁面提供至上述用戶之終端，該物品管理頁面包括上述一個以上之物品之配送詳細資訊、及基於上述一個以上之物品之配送詳細資訊而確認的上述一個以上之物品之配送進度管理資訊；且 <br/>上述物品管理頁面包括用以完成第1物品之訂貨之第1按鈕資訊，該第1物品係上述一個以上之物品中之可提供與上述電子裝置提供之服務有關聯之第1配送服務者， <br/>其中可對上述一個以上之物品提供配送服務之複數個配送服務包括上述第1配送服務及第2配送服務，上述第2配送服務未與上述電子裝置提供之服務有關聯， <br/>上述物品管理頁面進而包括第3按鈕資訊，該第3按鈕資訊係用以完成上述一個以上之物品中之可提供上述第2配送服務之第2物品的訂貨者，及 <br/>其中當對應於該第3按鈕資訊之用以產生該第2物品之運單資訊之請求被獲得時，該方法進一步包含： <br/>確認該複數個配送服務中之用於處理該第2物品之配送的配送服務； <br/>確認對應於經確認之該配送服務之運單格式；及 <br/>基於經確認之該運單格式及該第2物品之配送詳細資訊，來獲得用以產生該第2物品之該運單資訊之檔案。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述第1配送服務包括如下之配送服務：運營上述電子裝置所提供之服務之主體對物品進行配送處理。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述配送詳細資訊包括上述一個以上之物品各者之訂單號資訊、物品詳細資訊、配送地資訊、訂單日期資訊、預計出庫日期資訊中之至少一者， <br/>上述配送進度管理資訊包括區分為至少一個階段之至少一個配送進度狀態資訊。
如請求項3之資訊提供方法，其中上述至少一個階段包括結算完成階段、訂貨確認完成階段、出庫階段、正在配送階段、及配送完成階段， <br/>上述至少一個配送進度狀態資訊各者包括上述一個以上之物品中之與各階段對應之物品之數量的資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得與上述第1按鈕資訊對應之上述用戶之第1輸入； <br/>對應於上述第1輸入，對上述一個以上之物品中之可提供上述第1配送服務之上述第1物品進行分類；及 <br/>將包括上述第1物品之配送詳細資訊之物品管理頁面提供至上述用戶之終端。
如請求項5之資訊提供方法，其中上述一個以上之物品包括自海外配送之第1類型之物品及自國內配送之第2類型之物品， <br/>上述第1類型之物品是否分類為上述第1物品係由上述第1配送服務之管理伺服器確定。
如請求項5之資訊提供方法，其中包括上述第1物品之配送詳細資訊之物品管理頁面包括第2按鈕資訊，該第2按鈕資訊係用以確認上述第1物品之運單資訊者。
如請求項7之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得與上述第2按鈕資訊對應之上述用戶之第2輸入；及 <br/>對應於上述第2輸入，將運單資訊產生請求傳輸至上述第1配送服務之管理伺服器，該運單資訊產生請求包括上述用戶之資訊、及至少一個第1物品之配送詳細資訊。
如請求項8之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述第1配送服務之管理伺服器接收與上述至少一個第1物品之運單資訊對應之鏈接資訊，該至少一個第1物品之運單資訊係基於運單資訊產生請求而產生者；及 <br/>將包括上述鏈接資訊之上述物品管理頁面提供至上述用戶之終端。
如請求項9之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於與上述鏈接資訊對應之用戶之第3輸入，將上述至少一個第1物品之運單資訊傳輸至上述用戶之終端。
如請求項10之資訊提供方法，其中上述第1物品之運單資訊包括： <br/>第1條碼資訊，其與如下之區帶相關，即，用以於利用上述第1配送服務進行之配送過程中臨時裝載上述第1物品之區帶；第2條碼資訊，其與上述第1物品之運單號相關；配送地址相關資訊，其與上述第1物品對應；及上述第1物品之銷售者及購買者資訊。
如請求項11之資訊提供方法，其中上述第1條碼資訊藉由分類裝置而讀取，該分類裝置係配置於與上述第1配送服務對應之營地或分撥中心而將物品分類並移動至裝載區帶者， <br/>上述第2條碼資訊係藉由對上述第1物品進行配送之上述第1配送服務之配送員之終端而讀取。
如請求項1之資訊提供方法，其中獲得該檔案包括如下步驟： <br/>將配送服務管理頁面提供至上述用戶之終端，該配送服務管理頁面係用以上傳產生上述第2物品之該運單資訊所需之檔案者。
如請求項13之資訊提供方法，其中獲得該檔案進而包括如下步驟： <br/>藉由上述配送服務管理頁面而自上述用戶之終端接收上述檔案；及 <br/>其中該電子裝置將包括上述檔案之上述第2物品之該運單資訊產生請求提供至上述第2配送服務之管理伺服器。
如請求項1之資訊提供方法，其中確認用於處理該第2物品之配送的配送服務包含提供頁面，該頁面包含用以於上述複數個配送服務中選擇用於處理配送上述第2物品之配送服務之資訊。
一種電子裝置，其係用以提供資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存有至少一個程式；及 <br/>處理器； <br/>該處理器如下： <br/>執行上述至少一個程式，藉此 <br/>自用戶之終端接收包括用戶之資訊之物品管理頁面連接請求； <br/>基於上述用戶之資訊，確認上述用戶銷售之一個以上之物品；及 <br/>將物品管理頁面提供至上述用戶之終端，該物品管理頁面包括上述一個以上之物品之配送詳細資訊、及基於上述一個以上之物品之配送詳細資訊而確認之上述一個以上之物品的配送進度管理資訊， <br/>其中上述物品管理頁面包括用以完成第1物品之訂貨之第1按鈕資訊，該第1物品係上述一個以上之物品中之可提供與上述電子裝置提供之服務有關聯的第1配送服務者， <br/>其中可對上述一個以上之物品提供配送之複數個配送服務包括上述第1配送服務及第2配送服務，上述第2配送服務未與上述電子裝置提供之服務有關聯， <br/>上述物品管理頁面進而包括第3按鈕資訊，該第3按鈕資訊係用以完成上述一個以上之物品中之可提供上述第2配送服務之第2物品的訂貨者，及 <br/>其中當對應於該第3按鈕資訊之用以產生該第2物品之運單資訊之請求被獲得時，該處理器進一步經組態以： <br/>確認該複數個配送服務中之用於處理該第2物品之配送的配送服務； <br/>確認對應於經確認之該配送服務之運單格式；及 <br/>基於經確認之該運單格式及該第2物品之配送詳細資訊，來獲得用以產生該第2物品之該運單資訊之檔案。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之資訊提供方法之程式。
一種用來檢測與校正一馬達裝置之一控制訊號的方法，包含有：<br/> 判斷該控制訊號的一輸入電壓值是否為一定值；<br/> 因應該輸入電壓值不為該定值，判斷該控制訊號是否可被解碼；<br/> 因應該控制訊號不可被解碼，判斷該控制訊號是否為一定頻訊號；<br/> 因應該控制訊號不是該定頻訊號，對該控制訊號進行一校正操作以產生一校正後訊號，以供根據該控制訊號之多個取樣電壓的一平均電壓來對該校正後訊號進行一邏輯檢測操作，以產生一檢測結果；以及<br/> 根據該檢測結果來對該馬達裝置進行一對應操作。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 因應該輸入電壓值不為該定值，該控制訊號不可被解碼，並且該控制訊號不是該定頻訊號，將該控制訊號視為一通訊訊號。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 對該控制訊號進行多個取樣操作以產生該多個取樣電壓；以及<br/> 對該多個取樣電壓進行一平均操作以產生該平均電壓。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 在一取樣時間內對該控制訊號進行多個取樣操作以產生該多個取樣電壓；<br/> 根據該多個取樣電壓來取得在該取樣時間內之該控制訊號的一最大電壓與一最小電壓；以及<br/> 對該最大電壓與該最小電壓進行一平均操作以產生該平均電壓。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 針對多個取樣窗之中的每一個取樣窗，在所述每一個取樣窗的範圍內進行多個取樣操作以產生該多個取樣電壓，以供進行一第一平均操作來產生一取樣窗平均電壓；以及<br/> 對多個取樣窗平均電壓進行一第二平均操作以產生該平均電壓。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 因應該輸入電壓值為該定值，對一計數器的一計數值加一，並判斷該計數值是否大於一預定值；以及<br/> 因應該計數值大於該預定值，將該控制訊號視為具有類比類型的一馬達控制訊號，以供進行該馬達裝置的運轉控制。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 因應該控制訊號可被解碼，將該控制訊號視為一通訊訊號，並根據該平均電壓來對該通訊訊號進行該邏輯檢測操作，以產生該檢測結果。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含有：<br/> 因應該控制訊號是該定頻訊號，將該控制訊號視為具有脈衝寬度調變類型的一馬達控制訊號，以供進行該馬達裝置的運轉控制。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中對該控制訊號進行該校正操作以產生該校正後訊號的步驟包含有：<br/> 對該控制訊號與該平均電壓進行一比較操作以產生一輸出訊號，以供作為該校正後訊號。
如申請專利範圍第9項所述之方法，其中對該控制訊號與該平均電壓進行該比較操作以產生該輸出訊號的步驟包含有：<br/> 因應該控制訊號的一電壓位準係大於該平均電壓，將該輸出訊號的一電壓位準拉高至一第一電壓位準；以及<br/> 因應該控制訊號的該電壓位準係不大於該平均電壓，將該輸出訊號的該電壓位準拉低至一第二電壓位準，其中該第二電壓位準係小於該第一電壓位準。
一種用來檢測與校正一馬達裝置之一控制訊號的控制電路，包含有：<br/> 一儲存電路，用以儲存一程式碼；<br/> 一控制邏輯電路，用以加載並執行該程式碼，其中該程式碼指示該控制邏輯電路進行一控制訊號檢測與校正程序，以及該控制訊號檢測與校正程序包含有：<br/> 判斷該控制訊號的一輸入電壓值是否為一定值；<br/> 因應該輸入電壓值不為該定值，判斷該控制訊號是否可被解碼；<br/> 因應該控制訊號不可被解碼，判斷該控制訊號是否為一定頻訊號；<br/> 因應該控制訊號不是該定頻訊號，對該控制訊號進行一校正操作以產生一校正後訊號，以供根據該控制訊號之多個取樣電壓的一平均電壓來對該校正後訊號進行一邏輯檢測操作，以產生一檢測結果；以及<br/> 根據該檢測結果來對該馬達裝置進行一對應操作。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 因應該輸入電壓值不為該定值，該控制訊號不可被解碼，並且該控制訊號不是該定頻訊號，將該控制訊號視為一通訊訊號。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 對該控制訊號進行多個取樣操作以產生該多個取樣電壓；以及<br/> 對該多個取樣電壓進行一平均操作以產生該平均電壓。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 在一取樣時間內對該控制訊號進行多個取樣操作以產生該多個取樣電壓；<br/> 根據該多個取樣電壓來取得在該取樣時間內之該控制訊號的一最大電壓與一最小電壓；以及<br/> 對該最大電壓與該最小電壓進行一平均操作以產生該平均電壓。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 針對多個取樣窗之中的每一個取樣窗，在所述每一個取樣窗的範圍內進行多個取樣操作以產生該多個取樣電壓，以供進行一第一平均操作來產生一取樣窗平均電壓；以及<br/> 對多個取樣窗平均電壓進行一第二平均操作以產生該平均電壓。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制電路另包含有一計數器，以及該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 因應該輸入電壓值為該定值，對該計數器的一計數值加一，並判斷該計數值是否大於一預定值；以及<br/> 因應該計數值大於該預定值，將該控制訊號視為具有類比類型的一馬達控制訊號，以供進行該馬達裝置的運轉控制。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 因應該控制訊號可被解碼，將該控制訊號視為一通訊訊號，並根據該平均電壓來對該通訊訊號進行該邏輯檢測操作，以產生該檢測結果。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，其中該控制訊號檢測與校正程序另包含有：<br/> 因應該控制訊號是該定頻訊號，將該控制訊號視為具有脈衝寬度調變類型的一馬達控制訊號，以供進行該馬達裝置的運轉控制。
如申請專利範圍第11項所述之控制電路，另包含有：<br/> 一比較器，用以對該控制訊號與該平均電壓進行一比較操作以產生一輸出訊號，以供作為該校正後訊號。
如申請專利範圍第19項所述之控制電路，其中該比較器另用以：<br/> 因應該控制訊號的一電壓位準係大於該平均電壓，將該輸出訊號的一電壓位準拉高至一第一電壓位準；以及<br/> 因應該控制訊號的該電壓位準係不大於該平均電壓，將該輸出訊號的該電壓位準拉低至一第二電壓位準，其中該第二電壓位準係小於該第一電壓位準。
一種握把帶，包括：<br/> 一帶狀本體，定義相垂直之一第一方向及一第二方向，包括沿該第一方向延伸之二長邊及沿該第二方向延伸之二短邊，該二長邊經熱壓形成二斜向延伸之斜面。
如請求項1所述的握把帶，其中該帶狀本體為熱塑性材質。
如請求項2所述的握把帶，其中該帶狀本體為發泡材質，該帶狀本體另包括連接於該二長邊之間之一中段，該中段之一密度小於各該長邊之一密度。
如請求項1所述的握把帶，其中該帶狀本體另包括位於相對二側之一第一側及一第二側，該二斜面形成於該第一側，該第二側具有一端面，該帶狀本體另具有二收邊部，各該收邊部經熱壓而形成且連接於該端面及其中一該斜面之間。
如請求項1所述的握把帶，另包括一皮料層，該帶狀本體另包括位於相對二側之一第一側及一第二側，該二斜面形成於該第一側，該第二側具有一端面，該皮料層設於該端面，該皮料層的相對二側具有二側邊部，該二側邊部分別與該二長邊齊平。
如請求項3所述的握把帶，其中該帶狀本體另包括位於相對二側之一第一側及一第二側，該二斜面形成於該第一側，該第二側具有一端面，該帶狀本體另具有二收邊部，各該收邊部經熱壓而形成且連接於該端面及其中一該斜面之間；該握把帶另包括一皮料層，該皮料層設於該端面，該皮料層的相對二側具有二側邊部，該二側邊部分別與該二長邊齊平；該二側邊部與該收邊部係共同受熱壓而成形；該帶狀本體之一厚度尺寸為該皮料層之一厚度尺寸之4.0倍到12.0倍；該皮料層的該厚度尺寸範圍為0.25 mm至0.6mm；該帶狀本體係乙烯醋酸乙烯酯(Ethylene-Vinyl Acetate, EVA)、聚氨酯（Polyurethane, PU）、熱塑性彈性體(Thermoplastic Elastomer, TPE)或熱塑性橡膠(Thermo-Plastic Rubber, TPR)材料製成；該皮料層係PU皮、TPU 合成皮或PVC 皮製成。
一種如請求項1至4其中任一項所述的握把帶之製作方法，包括以下步驟：<br/> 備一初始帶狀本體；及<br/> 進行熱壓，以一模具裝置對至少該初始帶狀本體熱壓出該二斜向延伸之斜面並同時進行裁切。
如請求項7所述的握把帶之製作方法，其中該模具裝置包括一第一模具及一第二模具，該第二模具具有一模穴，該模穴之相對二內側具有二斜壓面，該第一模具及該第二模具上下熱壓合該初始帶狀本體，該第一模具設有一第一切斷部，該第二模具設有一第二切斷部，該二斜壓面熱壓該初始帶狀本體形成該二斜面並且以該第一切斷部及該第二切斷部共同切斷該初始帶狀本體。
如請求項8所述的握把帶之製作方法，另包括以下步驟：備一初始皮料層，於該進行熱壓的步驟中，該初始帶狀本體及該初始皮料層自該模穴朝該第一模具的方向依序設於該模穴內，該初始帶狀本體及該初始皮料層共同被熱壓且同時被切斷熱壓收邊以形成相互結合的該帶狀本體及該皮料層。
如請求項9所述的握把帶之製作方法，其中於進行熱壓的步驟，該第一模具及該第二模具分別加熱到溫度範圍為140度到250度熱壓該初始帶狀本體及該初始皮料層；該帶狀本體係乙烯醋酸乙烯酯(Ethylene-Vinyl Acetate, EVA)、聚氨酯(Polyurethane, PU)、熱塑性彈性體(Thermoplastic Elastomer, TPE)或熱塑性橡膠(Thermo-Plastic Rubber, TPR)材料製成；該皮料層係PU皮、TPU合成皮或PVC皮製成。
一種定位裝置，包括：<br/> 一基座，包括一主體且該主體底側具有一固定部，於該主體及該固定部之內部具有一容置腔；<br/> 一定位座，包括卡合於該基座之該容置腔中的卡掣部，該卡掣部向上延伸之柱體外壁面凹陷形成有至少一導引構造，該導引構造包括第一定位壁、導弧部及第二定位壁，於該卡掣部與該柱體內部各形成有呈連通狀的收納槽及通道，該柱體頂面凹陷形成有與該通道呈垂直的限位槽；<br/> 一固定件，包括穿設於該定位座之該通道中的桿體，該桿體頂端穿設有一定位桿，且該定位桿二端抵接於該定位座之該限位槽中，而該桿體向下延伸有位於該定位座之該收納槽中的擋止體，及該擋止體再向下延伸有一定位體，於該桿體外部套設有二端抵持於該定位座及該擋止體之間的彈性件；以及<br/> 一套蓋，其內部具有一容納室且該容納室中形成有供該定位桿容置及固定的至少一組裝部，於該容納室的內壁再形成有接觸於該定位座之該導引構造處的至少一抵持肋，其中，該定位裝置固定於預設第一板材之第一穿孔中，而該套蓋已預先朝第一方向旋動一預定角度且該彈性件呈現未壓縮及已扭轉變形狀態，及該固定件頂端之該定位桿位於該定位座之該限位槽，該套蓋內部之該抵持肋位於該第一定位壁處形成擋止；於鎖扣時將該預設第一板材朝向預設第二板材旋動靠近，外露於該基座底側的該定位體恰可對位於該預設第二板材之第二穿孔並迫入其中，及該固定件頂端之該定位桿自該定位座之該限位槽向上脫離並抵持於該柱體頂面，便使該彈性件產生扭轉復位旋動及壓縮而使該套蓋及該固定件朝第二方向旋動，該套蓋內部之該抵持肋由該第一定位壁順沿該導弧部滑移至該第二定位壁處形成擋止，而使該固定件之該擋止體收納於該定位座之該收納槽中及該定位體抵持於該預設第二板材底側形成鎖固狀態；於解鎖時，再度將該套蓋朝第一方向旋動至預定角度，並使該基座底側的該定位體對位於該預設第二板材之第二穿孔，受到彈性件產生縱向復位力，可使該固定件之該定位桿自該柱體頂面回歸至該定位座之該限位槽中及該定位體自該基座底側外露，該套蓋內部之該抵持肋由該第二定位壁順沿該導弧部滑移至該第一定位壁處形成擋止，而便於將該定位體與該預設第二板材分離。
如請求項1所述之定位裝置，其中該基座之該固定部係為透過衝壓鉚合或焊接固定於該預設第一板材之該第一穿孔中。
如請求項1所述之定位裝置，其中該基座之該固定部一側具有呈削切狀之防轉面，且該預設第一板材之該第一穿孔對應該固定部之該防轉面處形成有一擋止邊。
如請求項1所述之定位裝置，其中該定位座之該卡掣部與該柱體之間具有呈外凸狀的擋止環，而該基座之該容置腔對應該擋止環處形成有一限位壁，且該限位壁轉折對應該卡掣部處形成有一抵持壁。
如請求項1所述之定位裝置，其中該定位座之該卡掣部係由複數凸塊及複數凹槽交錯所構成，而該導引構造係為與柱體外壁面之同軸向凹槽，於凹槽二側各形成有該第一定位壁及該第二定位壁且於二者之間形成有該導弧部。
如請求項1所述之定位裝置，其中該固定件之桿體具有供該定位桿穿設的穿槽，該桿體向下延伸有呈圓柱狀的該擋止體，及該擋止體向下延伸有呈『T』字型的該定位體，且該定位體於二長邊形成斜削的推抵面及於二短邊形成抵持於該預設第二板材底側的鎖定部。
如請求項1所述之定位裝置，其中該彈性件具有插接於該固定件之擋止體的定位孔中的第一定位端，及插接於該定位座之該收納槽中呈凹陷狀的定位槽處的第二定位端。
如請求項1所述之定位裝置，其中該套蓋朝一側凸設有供使用者手部施力旋動且呈弧形板狀之操作部。
如請求項1所述之定位裝置，其中該套蓋設有二組裝部，該組裝部包括由該容納室開口向底側收縮傾斜的導斜面，該導斜面末端具有較大斜率的定位部，越過該定位部形成有供該定位桿容置的固定槽，該套蓋對應該固定槽二端外部皆設有對抗定位桿穿設時向外撐抵應力的缺孔。
如請求項1所述之定位裝置，其中該套蓋頂面設有包括箭頭及已解開鎖頭之指示圖像。
一種透水混凝土，其包括經預處理再生混凝土粒料（Recycled Concrete Aggregate, RCA）及膠結材料，其中該經預處理RCA具有約2 mm至20 mm之預定粒徑尺寸、小於或等於約30%之洛杉磯磨損率以及小於或等於約6.0%之吸水率。
如請求項1之透水混凝土，其中該膠結材料包括水泥。
如請求項1之透水混凝土，其中該經預處理RCA對該膠結材料的預定骨膠比為約3至5。
如請求項1之透水混凝土，其中該經預處理RCA的比重大於或等於約2.36。
如請求項1之透水混凝土，其中該經預處理RCA的筒壓強度大於或等於約80 kgf/cm²。
如請求項1之透水混凝土，其具有約10%至18%之預定孔隙率。
如請求項1之透水混凝土，其具有大於約21 MPa至35 MPa之預定28天抗壓強度。
如請求項1之透水混凝土，其具有大於約1.0 mm/s之預定透水係數。
如請求項1之透水混凝土，其進一步包括減水緩凝劑。
一種製備如請求項1至9中任一項之透水混凝土的方法，其包括：<br/> 收集含有混凝土成分之廢棄物，以取得廢混凝土塊；<br/> 將該廢混凝土塊進行破碎及篩分處理，以取得經預處理RCA，其中該經預處理RCA具有約2 mm至20 mm之預定粒徑尺寸、小於或等於約30%之洛杉磯磨損率以及小於或等於約6.0%之吸水率；以及<br/> 將該經預處理RCA與膠結材料依據預定骨膠比均勻混合，以製備出透水混凝土。
如請求項10之方法，其中該含有混凝土成分之廢棄物包括營建廢棄物。
如請求項10之方法，其中該預定骨膠比為約3至5。
如請求項10之方法，其進一步包括於將該經預處理RCA與該膠結材料混合時添加減水緩凝劑。
一種經預處理RCA，其具有約2 mm至20 mm之預定粒徑尺寸、小於或等於約30%之洛杉磯磨損率以及小於或等於約6.0%之吸水率。
一種透水混凝土層狀結構，其包括如請求項1至9中任一項之透水混凝土所形成的層。
如請求項15之透水混凝土層狀結構，其包括透水磚或透水混凝土鋪面。
如請求項16之透水混凝土層狀結構，其中該透水磚包括面層及底層，且該底層、或該面層與該底層皆包括該透水混凝土。
如請求項16之透水混凝土層狀結構，其中該透水混凝土鋪面包括面層、底層及路基，其中該底層、或該面層與該底層皆包括該透水混凝土。
如請求項18之透水混凝土層狀結構，其中該透水混凝土鋪面進一步包括過濾層及連結層中至少一者。
一種優惠資訊處理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>於會員資格之複數個優惠中，確定適用於目標商品之一個以上之優惠，其中該一個以上之優惠包含會員資格專用折扣優惠； <br/>確定該目標商品之第1價格與第2價格，其中該第1價格係未應用該會員資格專用折扣優惠之價格，該第2價格係應用該會員資格專用折扣優惠之價格； <br/>確定處於未加入該會員資格之狀態之用戶之會員資格加入類型，其中該會員資格加入類型係新加入或再次加入中之一者；及 <br/>基於該會員資格加入類型，將目標頁面提供予該用戶之終端，該目標頁面包含關於該第1價格之第1資訊、關於該第2價格之第2資訊及關於該一個以上之優惠之第3資訊， <br/>其中基於該會員資格加入類型，將該目標頁面提供予該用戶之終端，該目標頁面包含關於該第1價格之該第1資訊、關於該第2價格之該第2資訊及關於該一個以上之優惠之該第3資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於該會員資格加入類型，確定從該第1價格或該第2價格優先呈現給該用戶之目標價格， <br/>其中基於該會員資格加入類型，確定從該第1價格或該第2價格優先呈現給該用戶之該目標價格之步驟包括如下步驟： <br/>若是該會員資格加入類型係該再次加入時，確定該第1價格與該第2價格之差是否小於該會員資格之會費； <br/>若是該第1價格與該第2價格之該差小於該會員資格之該會費，該第1價格確定為該目標價格；及 <br/>若是該第1價格與該第2價格之該差大於或等於該會員資格之該會費，該第2價格確定為該目標價格。
如請求項1之優惠資訊處理方法，其中關於該第1價格之該第1資訊顯示於該目標頁面之第1區域， <br/>其中關於該第2價格之該第2資訊顯示於該目標頁面之第2區域，及 <br/>其中該第1區域與該第2區域在該目標頁面內彼此不同。
如請求項2之優惠資訊處理方法，其中在該目標頁面內，以第1顏色顯示上述第1價格，以不同於該第1顏色之第2顏色顯示上述第2價格。
如請求項1之優惠資訊處理方法，其中基於該會員資格加入類型，確定從該第1價格或該第2價格優先呈現給該用戶之該目標價格之步驟包括如下步驟： <br/>若是該會員資格加入類型係該新加入時，該第1價格確定為該目標價格。
如請求項2之優惠資訊處理方法，其中若是該第1價格確定為該目標價格，該第1區域在該目標頁面上位於該第2區域上方。
如請求項2之優惠資訊處理方法，其中若是該第2價格確定為該目標價格，該第2區域在該目標頁面上位於該第1區域上方。
如請求項1之優惠資訊處理方法，其中對於該新加入，加入該會員資格時無需支付該會員資格之會費，及 <br/>其中對於該再次加入，加入該會員資格時需支付該會員資格之會費。
如請求項1之優惠資訊處理方法，其中該一個以上之優惠進一步包含不同於該會員資格專用折扣優惠之一個以上之目標優惠。
如請求項8之優惠資訊處理方法，其中基於該會員資格加入類型，將該目標頁面提供予該用戶之終端，該目標頁面包含關於該第1價格之該第1資訊、關於該第2價格之該第2資訊及關於該一個以上之優惠之該第3資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於該會員資格加入類型，確定該一個以上之目標優惠之優先級。
如請求項9之優惠資訊處理方法，其中基於該會員資格加入類型，確定該一個以上之目標優惠之優先級之步驟包括如下步驟： <br/>若是該會員資格加入類型係該再次加入時，從該一個以上之目標優惠中確定該用戶在先前加入該會員資格時具有使用歷史之第1優惠；及 <br/>確定該第1優惠的優先級高於一個以上之第2優惠的優先級， <br/>其中該一個以上之第2優惠係該一個以上之目標優惠中不包括該第1優惠的剩餘優惠。
如請求項9之優惠資訊處理方法，其中根據確定的該優先級，在該目標頁面內顯示該一個以上之目標優惠。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器； <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>且電子裝置以如下方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至11中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有命令者，該命令係於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至11中任一項之方法。
一種易潔之管接頭，用來連接PFA管、PTFE管等軟質管件，用來輸送超潔淨藥液，該管件具有內徑D0、外徑D02、管壁厚度t；<br/> 該管接頭包含有：一緊鎖螺帽、一迫緊環、一接頭本體；<br/> 該緊鎖螺帽的內部具有一中心孔、一施力點、一內螺牙、一環形面，該緊鎖螺帽的中心孔內徑D02；該環形面為徑向平面位於該緊鎖螺帽內部的底部，該施力點位於該環形面其厚度t3，t3/t＞3.5，該內螺牙由根徑到外徑的厚度t5， t5/t＞3.5；<br/> 該迫緊環具有一中心孔、一迫緊點與一受力點，該迫緊環的外徑D3，該迫緊環的中心孔內徑D02；該迫緊環的徑向截面厚度t4，t4=(D3-D02)/2；該迫緊環的截面為對稱梯形在相鄰該中心孔具有長底邊且長底邊兩端都有倒角，在迫緊時倒角成為該迫緊點，該迫緊環的該迫緊點具有一施壓角β，55°≤β≤75°；該迫緊環的長度L3以長底邊二端為基準；<br/> 該接頭本體具有一中心孔、一螺牙部、一外側筒、一環形槽、一管接部，該接頭本體的中心孔內徑D0；該外側筒、該環形槽、該管接部都連結在該接頭本體並同心於該中心孔；該環形槽介於該外側筒與該管接部間，且該環形槽的底部為該接頭本體；該外側筒為環狀空心結構具有內徑D3，軸向空間可以容納該迫緊環，且該外側筒的內徑與該迫緊環的外徑成滑配；該緊鎖螺帽的中心孔、該迫緊環的中心孔、該接頭本體的中心孔構成該管接頭的中心孔； <br/> 該螺牙部裝設在該外側筒的外表面且螺牙根徑D7，其外表面為至少5個完整粗齒形的螺牙，該外側筒的長度L2稍大於於該螺牙部的長度；<br/> 該外側筒的厚度t2為由螺牙根徑D7到內徑D3間的厚度，t2=(D7-D3)/2；<br/> 該管接部包含有一圓錐部、一圓筒部，該圓錐部的一圓錐面具有圓錐角ψ，該圓錐面的最大直徑D1max等於該圓筒部的外徑D2，該圓錐部的前端相鄰該中心孔有一倒角，該倒角的最大外徑為環形的一尖點，該尖點的直徑D6；該圓筒部的厚度t1，t1=(D2-D0)/2，由該管接部前端到該環形槽底部的長度L1，當該管件為12/8吋時，L1/D0=0.58，屬於一種短壯結構；<br/> 組裝：該管件需要先穿過該緊鎖螺帽與該迫緊環，再對該管件之端部用治具進行擴管成一擴管部，該擴管部有一擴管轉折與一收縮轉折而包含有一圓錐管與一圓筒管，該圓錐管的圓錐角接近於ψ，該圓筒管與該圓錐管分別套在該圓筒部與該圓錐部，該圓錐部的該圓錐面與圓錐管之內徑面接觸；該內螺牙具有至少五個完整粗齒形的螺牙用來耦合該螺牙部；<br/> 緊鎖：組裝時，將該緊鎖螺帽之該內螺牙緊鎖在該接頭本體的該螺牙部而產生一迫緊力F，該迫緊力F來自該緊鎖螺帽內部的該施力點緊貼該迫緊環的該受力點，使該迫緊環上的該迫緊點將該圓錐管的管壁緊壓於該圓錐部；在緊鎖時，該外側筒的端部與該緊鎖螺帽之底部的環形面之間留有軸向的一軸向間距，該外側筒內徑的軸向空間加上該軸向間距能容納該迫緊環之長度；<br/> 迫緊力F：組裝時，該緊鎖螺帽之該內螺牙緊鎖在該接頭本體的該螺牙部，該施力點為圓周形而施加圓周形的該迫緊力F，該迫緊力F與該中心孔之中心線有一軸心角γ，0°≤γ≤10°，該迫緊力F跟該圓錐部的該圓錐面的法線形成一施力角θ， 5°≤θ≤15°，該圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤85°，該圓錐面法線與中心孔中心線夾角為90°-ψ/2，θ=90°-ψ/2-γ；該圓筒部的厚度t1，當該管件為12/8吋時，t1/t=2.0；<br/> 抗拉力：組裝時，藉由該圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤85°，該迫緊力F的該施力角θ，5°≤θ≤15°，能使管壁材料硬化堆積而產生抗拉能力；<br/> 密封線：組裝產生一種界面密封，係由該迫緊力F施加在該迫緊點而會在該圓錐管與該圓錐部上形成圓周形的一密封線可以隔離管內的流體，該密封線為圓周形其直徑D5，D5＞D02，該密封線位於管壁材料沒有硬化的位置；該圓錐面只有由該中心孔到該密封線間的環形面積會接觸流體；<br/> 強度與同心：該緊鎖螺帽的厚度t5，t5/t＞3.5，而該迫緊環的厚度t4由該外側筒內徑引導，加上該管接部結構屬於短壯形結構可以確保該密封線維持圓周形而維持密封有效性；<br/> 三角狹縫：組裝後，在該擴管轉折的位置處，該圓錐管具有圓弧不會完全貼合該圓錐部而留有一縫隙s，而且該圓錐部的該尖點與該擴管轉折之間留有一三角狹縫，該三角狹縫的底邊開口連通該中心孔，而該三角狹縫的底邊開口再加上該倒角會使得底邊開口的寬度增加；<br/> 縫隙s：該中心孔到該密封線直徑D5的距離為該縫隙s的長度；該施力角θ，5°≤θ≤15°、該圓筒部厚度t1，可以確保該管件受迫緊時會有高的管壁材料硬化堆積；該迫緊環由該外側筒內徑引導，相關參數及厚度可以確保該密封線維持圓周形而維持密封有效性；<br/> 其特徵在於，根據前述特徵進行改良而包括：<br/> 該迫緊環的徑向截面厚度t4，t4=t1，2.0≤t1/t≤2.2；<br/> 該圓筒部有足夠的結構強度，其結構厚度與長度的參數為， 2.0≤t1/t≤2.2，0.4≤L1/D0≤1.2；<br/> 該圓錐部的前端具有該倒角使該圓錐面具有一內凹圓錐面、一外凸圓錐面，該內凹圓錐面位於該中心孔的周圍其外圍為該外凸圓錐面；<br/> 該外凸圓錐面具有一圓錐角ψ，其半圓錐角ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該迫緊力F施加在該外凸圓錐面時該施力角θ，該迫緊力F與中心孔之中心線有一軸心角γ，0°≤γ≤10°，5°≤θ≤15°，θ=90°-ψ/2-γ；<br/> 該內凹圓錐面具有一圓錐角φ，其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°；在該內凹圓錐面的最大直徑處具有一結構角α，α=φ/2+ψ/2，140°≤α≤160°，該密封線的直徑D5，D2＞D5＞D6＞D02。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，強度與同心：承受該迫緊力F的結構強度主要來自二方面，其一是該緊鎖螺帽的厚度t5及該外側筒的厚度t2，其結構厚度與長度的參數為，t5/t＞3.5，2.0≤t2/t≤3.0，1.7≥L2/D0≥0.7，其二是該迫緊環的支撐結構與短壯型的該管接部，其結構厚度與長度的參數為，t4=t1，2.0≤t1/t≤2.2，t3/t＞3.5，0.4≤L1/D0≤1.2，7.0≥L3/t≥4.0；合適的該施力角θ，5°≤θ≤15°，加上鈍角的該結構角α，140°≤α，使得該密封線的直徑D5所在的位置，D5＞D6＞D02，在緊鎖後會產生管壁材料硬化堆積。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，該內凹圓錐面最大直徑D6，D6=D0+2.4t，該外凸圓錐面最大直徑D2，D2=D0+2t1。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，該密封線直徑D5大於該內凹圓錐面最大直徑D6且位於管壁材料沒有硬化的位置， D5=D0+3.4t。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，該內凹圓錐面其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°，使得該縫隙s之三角狹縫的截面變成三角環形的一三角槽，該倒角之尖點為該內凹圓錐面的最大直徑D6處，該結構角α，140°≤α≤160°，具有足夠結構強度能維持該三角槽的開口寬度與該尖點的深度。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，該外凸圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，2.0≤t1/t≤2.2，0.4≤L1/D0≤1.2，該迫緊力F的該施力角θ，5°≤θ≤15°，施加在該外凸圓錐面成圓周形的該密封線。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，該密封線直徑D5位在該外凸圓錐面，2.0≤t1/t≤2.2，0.4≤L1/D0≤1.2，其半圓錐角ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該施力角θ，5°≤θ≤15°，該結構角α，160°≤α≤140°，不會使該密封線直徑D5加大而維持較短的縫隙長度，且在緊鎖後會產生管壁材料硬化堆積。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，硬化堆積，合適的該施力角θ，5°≤θ≤15°，θ=90°-ψ/2-γ，加上鈍角的該結構角α，140°≤α≤160°，使得該迫緊點位置在緊鎖後會產生管壁材料硬化堆積。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，抗拉力： 該外凸圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該迫緊力F的該施力角θ，5°≤θ≤15°，該迫緊點位於該外凸圓錐面上能使管壁材料硬化堆積而產生抗拉能力。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，縫隙s：該密封線、該圓錐管與該圓錐部之間會存在該縫隙s成為化學藥品殘留區域，該內凹圓錐面其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°，加上該尖點的直徑D6，會打開原有縫隙s使該內凹圓錐面全部接觸流體，由該中心孔周緣到該尖點的直徑D6到該密封線直徑D5間的縫隙s也會接觸流體；該迫緊力F施加在該外凸圓錐面時其半圓錐角ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該施力角θ，5°≤θ≤15°，不會使該密封線直徑D5加大而維持較短的縫隙長度。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，三角槽：該縫隙s是因為該圓錐管與該圓錐部間產生的狹長縫隙，現在有該內凹圓錐面其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°，使得該縫隙s的截面變成三角環形的一三角槽，該密封線為該三角槽的頂點，該密封線代表該三角槽的最大深度，該密封線直徑D5，D5=D0+3.4t，該尖點的直徑D6，D6=D0+2.4t，使得縫隙s的長度大為縮小並侷限於該密封線附近，該三角槽的開口底部為該中心孔，三角截面的底邊開口直接連接該中心孔。
如請求項1所述之易潔之管接頭，其中，當該迫緊環的厚度t4，t4=2t，當該圓筒部的厚度t1，t1=2t，當該內凹圓錐面的最大直徑D6，D6= D0+2.4t，當該密封線的直徑D5，D5= D0+3.4t，該縫隙s的長度約為0.5t。
一種易潔之管接頭，用來連接PFA管、PTFE管等軟質管件，用來輸送超潔淨藥液，該管件具有內徑D0、外徑D02、管壁厚度t；<br/> 該管接頭包含有：一緊鎖螺帽、一迫緊環、一接頭本體；<br/> 該緊鎖螺帽的內部具有一中心孔、一施力點、一內螺牙、一環形面，該緊鎖螺帽的中心孔內徑D02；該環形面為徑向平面位於該緊鎖螺帽內部的底部，該施力點位於該環形面其厚度t3，t3/t＞3.5，該內螺牙由根徑到外徑的厚度t5， t5/t＞3.5；<br/> 該迫緊環具有一中心孔、一迫緊點與一受力點，該迫緊環的外徑D3，該迫緊環的中心孔內徑D02；該迫緊環的徑向截面厚度t4，t4=(D3-D02)/2；該迫緊環的截面為對稱梯形在相鄰該中心孔具有長底邊且長底邊兩端都有倒角，在迫緊時倒角成為該迫緊點，該迫緊環的該迫緊點具有一施壓角β，55°≤β≤75°；該迫緊環的長度L3以長底邊二端為基準；<br/> 該接頭本體具有一中心孔、一螺牙部、一外側筒、一環形槽、一管接部，該接頭本體的中心孔內徑D0；該外側筒、該環形槽、該管接部都連結在該接頭本體並同心於該中心孔；該環形槽介於該外側筒與該管接部間，且該環形槽的底部為該接頭本體；該外側筒為環狀空心結構具有內徑D3，軸向空間可以容納該迫緊環，且該外側筒的內徑與該迫緊環的外徑成滑配；該緊鎖螺帽的中心孔、該迫緊環的中心孔、該接頭本體的中心孔構成該管接頭的中心孔；<br/> 該螺牙部裝設在該外側筒的外表面且螺牙根徑D7，其外表面為至少5個完整粗齒形的螺牙，該外側筒的長度L2稍大於於該螺牙部的長度；<br/> 該外側筒的厚度t2為由螺牙根徑D7到內徑D3間的厚度，t2=(D7-D3)/2；<br/> 該管接部包含有一圓錐部、一圓筒部，該圓錐部的一圓錐面具有圓錐角ψ，該圓錐面的最大直徑D1max等於該圓筒部的外徑D2，該圓錐部的前端相鄰該中心孔有一倒角，該倒角的最大外徑為環形的一尖點，該尖點的直徑D6；該圓筒部的厚度t1，t1=(D2-D0)/2，由該管接部前端到該環形槽底部的長度L1，當該管件為12/8吋時，L1/D0=0.58，屬於一種短壯結構；<br/> 組裝：該管件需要先穿過該緊鎖螺帽與該迫緊環，再對該管件之端部用治具進行擴管成一擴管部，該擴管部有一擴管轉折與一收縮轉折而包含有一圓錐管與一圓筒管，該圓錐管的圓錐角接近於ψ，該圓筒管與該圓錐管分別套在該圓筒部與該圓錐部，該圓錐部的該圓錐面與圓錐管之內徑面接觸；該內螺牙具有至少五個完整粗齒形的螺牙用來耦合該螺牙部；<br/> 緊鎖：組裝時，將該緊鎖螺帽之該內螺牙緊鎖在該接頭本體的該螺牙部而產生一迫緊力F，該迫緊力F來自該緊鎖螺帽內部的該施力點緊貼該迫緊環的該受力點，使該迫緊環上的該迫緊點將該圓錐管的管壁緊壓於該圓錐部；在緊鎖時，該外側筒的端部與該緊鎖螺帽之底部的環形面之間留有軸向的一軸向間距，該外側筒內徑的軸向空間加上該軸向間距能容納該迫緊環之長度；<br/> 迫緊力F：組裝時，該緊鎖螺帽之該內螺牙緊鎖在該接頭本體的該螺牙部，該施力點為圓周形而施加圓周形的該迫緊力F，該迫緊力F與該中心孔之中心線有一軸心角γ，0°≤γ≤10°，該迫緊力F跟該圓錐部的該圓錐面的法線形成一施力角θ， 5°≤θ≤15°，該圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤85°，該圓錐面法線與中心孔中心線夾角為90°-ψ/2，θ=90°-ψ/2-γ；該圓筒部的厚度t1，當該管件為12/8吋時，t1/t=2.0；<br/> 抗拉力：組裝時，藉由該圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤85°，該迫緊力F的該施力角θ，5°≤θ≤15°，能使管壁材料硬化堆積而產生抗拉能力；<br/> 密封線：組裝產生一種界面密封，係由該迫緊力F施加在該迫緊點而會在該圓錐管與該圓錐部上形成圓周形的一密封線可以隔離管內的流體，該密封線為圓周形其直徑D5，D5＞D02，該密封線位於管壁材料沒有硬化的位置；該圓錐面只有由該中心孔到該密封線間的環形面積會接觸流體；<br/> 強度與同心：該緊鎖螺帽的厚度t5，t5/t＞3.5，而該迫緊環的厚度t4由該外側筒內徑引導，加上該管接部結構屬於短壯形結構可以確保該密封線維持圓周形而維持密封有效性；<br/> 三角狹縫：組裝後，在該擴管轉折的位置處，該圓錐管具有圓弧不會完全貼合該圓錐部而留有一縫隙s，而且該圓錐部的該尖點與該擴管轉折之間留有一三角狹縫，該三角狹縫的底邊開口連通該中心孔，而該三角狹縫的底邊開口再加上該倒角會使得底邊開口的寬度增加；<br/> 縫隙s：該中心孔到該密封線直徑D5的距離為該縫隙s的長度；該施力角θ，5°≤θ≤15°、該圓筒部厚度t1，可以確保該管件受迫緊時會有高的管壁材料硬化堆積；該迫緊環由該外側筒內徑引導，相關參數及厚度可以確保該密封線維持圓周形而維持密封有效性；<br/> 其特徵在於，根據前述特徵進行改良而包括：<br/> 該緊鎖螺帽還具有一固定槽，該固定槽為圓形內凹孔且位於該中心孔圓周外圍用來安裝該迫緊環，該固定槽的內徑D3，該固定槽的底部為該施力點其厚度t3，t3/t＞3.5，該固定槽的徑向厚度t6係由內徑D3到該緊鎖螺帽外徑，t6/t＞6.0；該環形面為徑向平面連接該內螺牙與該固定槽；<br/> 該迫緊環的徑向截面厚度t4，2.0≤t4/t≤3.0，t4=t1；該迫緊環的長度L3，5.0≤L3/t≤9.0；<br/> 該接頭本體還具有一圓柱部；該外側筒、該環形槽、該管接部都連結在該圓柱部並同心於該中心孔，該圓柱部再連接到該接頭本體；<br/> 該外側筒的長度L2，0.6≥L2/D0≥0.22，至少容納該螺牙部的二個完整粗齒形的螺牙；該外側筒的厚度t2為由螺牙齒根徑D7到內徑D3間的厚度，2.0≤t2/t≤3.0；該環形面的徑向寬度等於該外側筒的厚度t2；<br/> 該圓柱部的長度L4至少容納該螺牙部的三個完整粗齒形的螺牙；螺牙根徑D7到該中心孔的內徑D0的厚度t7，t7=(D7-D0)/2，t7 ＞6t；<br/> 該環形槽介於該外側筒與該管接部間，且該環形槽的底部為該圓柱部；該環形槽的寬度等於該圓筒管的管壁厚度t，該環形槽的深度等於該管接部的長度L1，0.3≤L1/D0≤0.8；該外側筒與該圓柱部有相同外徑，該外側筒為環狀空心結構具有內徑D3；<br/> 該螺牙部至少有五個完整粗齒形的螺牙，裝設於該外側筒與該圓柱部外表面且螺牙根徑D7，該螺牙部的長度L5，L5=L2+L4，0.7≤L5/D0≤1.7，該外側筒的外表面長度L2至少有二個完整粗齒形的螺牙，該圓柱部的外表面至少有三個完整粗齒形的螺牙；<br/> 該圓錐部的前端具有該倒角使該圓錐面具有一內凹圓錐面、一外凸圓錐面，該內凹圓錐面位於該中心孔的周圍其外圍為該外凸圓錐面，該內凹圓錐面的最大直徑也是該倒角之尖點的直徑D6，該外凸圓錐面最大直徑D2也是該圓筒部的外徑D2；<br/> 該外凸圓錐面具有一圓錐角ψ，其半圓錐角ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該迫緊力F施加在該迫緊點在該外凸圓錐面時該施力角θ，該迫緊力F與中心孔之中心線有一軸心角γ，0°≤γ≤10°，5°≤θ≤15°，θ=90°-ψ/2-γ；<br/> 該內凹圓錐面具有一圓錐角φ，其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°；在該內凹圓錐面具有最大外徑D6處具有一結構角α，140°≤α，該密封線直徑D5，D2＞D5＞D6＞D02。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，強度與同心：承受該迫緊力F的強度主要來自二方面，其一是該緊鎖螺帽的厚度t5及該外側筒與該圓柱部的厚度，其結構厚度與長度的參數為，t7/t＞6.0，t5/t＞3.5，2.0≤t2/t≤3.0，0.6≥L2/D0≥0.22，0.7≤L5/D0≤1.7，該外側筒外表面長度L2至少有二個完整粗齒形的螺牙，該圓柱部的外表面至少有三個完整粗齒形的螺牙；其二是該迫緊環的支撐結構與短壯型的該管接部，其結構厚度與長度的參數為，t4=t1， 2.0≤t1/t≤3.0，0.3≤L1/D0≤0.8，t3/t＞3.5，t6/t＞6.0。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，該內凹圓錐面最大直徑D6，D6=D0+2.4t，該外凸圓錐面最大直徑D2，D2=D0+2t1。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，該密封線直徑D5大於該內凹圓錐面最大直徑D6且位於管壁材料沒有硬化的位置， D5=D0+3.4t。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，該內凹圓錐面其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°，使得該縫隙s之三角狹縫的截面變成三角環形的一三角槽，該倒角之尖點為該內凹圓錐面的最大直徑D6處，該結構角α，140°≤α≤160°，具有足夠結構強度能維持該三角槽的開口寬度與該尖點的深度。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，該外凸圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，2.0≤t1/t≤3.0，0.3≤L1/D0≤0.8，該迫緊力F的該施力角θ，5°≤θ≤15°，施加在該外凸圓錐面成圓周形的該密封線。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，該密封線直徑D5位在該外凸圓錐面，2.0≤t1/t≤3.0，0.3≤L1/D0≤0.8，其半圓錐角ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該施力角θ，5°≤θ≤15°，該結構角α，160°≤α≤140°，不會使該密封線直徑D5加大而維持較短的縫隙長度，且在緊鎖後會產生管壁材料硬化堆積。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，硬化堆積，合適的該施力角θ，5°≤θ≤15°，θ=90°-ψ/2-γ，加上鈍角的該結構角α，140°≤α≤160°，使得該迫緊點位置在緊鎖後會產生管壁材料硬化堆積。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，抗拉力： 該外凸圓錐面的半圓錐角為ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該迫緊力F的該施力角θ，5°≤θ≤15°，該迫緊點位於該外凸圓錐面上能使管壁材料硬化堆積而產生抗拉能力。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，縫隙s：該密封線、該圓錐管與該圓錐部之間會存在該縫隙s成為化學藥品殘留區域，該內凹圓錐面其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°，加上該尖點的直徑D6，會打開原有縫隙s使該內凹圓錐面全部接觸流體，由該中心孔周緣到該尖點的直徑D6到該密封線直徑D5間的縫隙s也會接觸流體；該迫緊力F施加在該外凸圓錐面時其半圓錐角ψ/2，70°≤ψ/2≤80°，該施力角θ，5°≤θ≤15°，不會使該密封線直徑D5加大而維持較短的縫隙長度。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，三角槽：該縫隙s是因為該圓錐管與該圓錐部間產生的狹長縫隙，現在有該內凹圓錐面其半圓錐角φ/2，70°≤φ/2≤80°，使得該縫隙s的截面變成三角環形的一三角槽，該密封線為該三角槽的頂點，該密封線代表該三角槽的最大深度；該密封線直徑D5，D5=D0+3.4t，該尖點的直徑D6，D6=D0+2.4t，使得縫隙s的長度大為縮小並侷限於該密封線直徑D5附近，該三角槽的開口底部為該中心孔三角截面的底邊開口直接連接該中心孔。
如請求項13所述之易潔之管接頭，其中，當該迫緊環的厚度t4，t4=2t，當該圓筒部的厚度t1，t1=2t，當該內凹圓錐面的最大直徑D6，D6= D0+2.4t，當該密封線的直徑D5，D5= D0+3.4t，該縫隙s的長度約為0.5t。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置實行者，其包括如下步驟： <br/>獲得利用上述電子裝置所提供之服務之第1用戶之第1位置資訊； <br/>於上述服務上向上述第1用戶提供對應於上述第1位置資訊而確認之第1公共派送地點之資訊； <br/>獲得將上述第1公共派送地點設定為派送地址之上述第1用戶之第1輸入；及 <br/>基於上述第1輸入，向上述第1用戶提供與上述第1公共派送地點對應之商店之資訊， <br/>其中，當由上述第1用戶針對上述商店中包括之第1商店而產生將上述第1公共派送地點設定為派送地址之第1公開團體訂單時，判斷參與上述第1公開團體訂單之複數個用戶中包括之特定用戶是否對應於錯誤參與者或兒戲參與者，且 <br/>其中，判斷上述特定用戶是否對應於上述錯誤參與者或上述兒戲參與者係基於： <br/>根據上述特定用戶之位置資訊確認上述特定用戶於上述第1公共派送地點之一物品自取是否為可行的；及 <br/>根據上述特定用戶之連接服務之歷史資訊所確認之上述特定用戶之最後連接時點是否早於一固定期間。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>對應於上述服務中所管理之固定地域而設定複數個公共派送地點；及 <br/>針對上述複數個公共派送地點中包括之各公共派送地點，設定上述固定地域內之與上述各公共派送地點對應之各派送地區區域。
如請求項2之資訊提供方法，其中上述第1公共派送地點包括於上述複數個公共派送地點中， <br/>上述第1公共派送地點係基於上述第1位置資訊包括於上述固定地域內之上述第1公共派送地點所對應之第1派送地區區域中而為上述第1用戶進行確認。
如請求項2之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述複數個公共派送地點中確認位於與上述第1位置資訊相距固定距離以內之一個以上之公共派送地點；及 <br/>基於用以於上述服務上變更派送地址之上述第1用戶之第2輸入，向上述第1用戶提供上述一個以上之公共派送地點之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得用以產生上述第1公開團體訂單的上述第1用戶之第3輸入；及 <br/>基於上述第3輸入，向上述第1用戶提供用於上述第1公開團體訂單之公開團體訂單產生資訊； <br/>上述公開團體訂單產生資訊包括表示上述第1公開團體訂單之派送地址被設定為上述第1公共派送地點之資訊。
如請求項5之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>設定與上述第1公開團體訂單對應之派送員管理資訊。
如請求項6之資訊提供方法，其中上述派送員管理資訊係基於滿足第1條件、第2條件、及第3條件中之至少一個條件而為了上述第1團體訂單設定者，該第1條件係上述第1公開團體訂單中包括之全部訂單之個數為第1臨限個數以上者，該第2條件係上述第1公開團體訂單中包括之全部訂單之訂購物品之數量為第2臨限個數以上者，該第3條件係上述第1公開團體訂單之總結算金額為臨限金額以上者。
如請求項6之資訊提供方法，其中上述派送員管理資訊包括指示為了上述第1公開團體訂單而分配具備可配送固定數量以上之物品之移動工具之派送員的資訊、及提供給上述派送員之追加獎勵之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認將上述第1公共派送地點設定為派送地址之一個以上之公開之團體訂單；及 <br/>基於用以於上述服務上參與團體訂單之上述第1用戶之第4輸入，向上述第1用戶提供上述一個以上之公開之團體訂單之資訊。
如請求項9之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得上述第1用戶選擇上述一個以上之公開之團體訂單中包括之第2公開團體訂單的第5輸入；及 <br/>基於上述第5輸入，向上述第1用戶提供用以參與上述第2公開團體訂單之頁面。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括： <br/>處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存一個以上之指令； <br/>於執行上述一個以上之指令時，控制上述處理器，以使上述處理器實行如下步驟： <br/>獲得利用上述電子裝置所提供之服務之第1用戶之第1位置資訊； <br/>於上述服務上向上述第1用戶提供對應於上述第1位置資訊而確認之第1公共派送地點之資訊； <br/>獲得將上述第1公共派送地點設定為派送地址之上述第1用戶之第1輸入；及 <br/>基於上述第1輸入，向上述第1用戶提供與上述第1公共派送地點對應之商店之資訊， <br/>其中，當由上述第1用戶針對上述商店中包括之第1商店而產生將上述第1公共派送地點設定為派送地址之第1公開團體訂單時，判斷參與上述第1公開團體訂單之複數個用戶中包括之特定用戶是否對應於錯誤參與者或兒戲參與者，且 <br/>其中，判斷上述特定用戶是否對應於上述錯誤參與者或上述兒戲參與者係基於： <br/>根據上述特定用戶之位置資訊確認上述特定用戶於上述第1公共派送地點之一物品自取是否為可行的；及 <br/>根據上述特定用戶之連接服務之歷史資訊所確認之上述特定用戶之最後連接時點是否早於一固定期間。
一種平鋪顯示設備，包含：一設定板，用於產生控制命令訊號；多個像素，該些像素各包括一微型發光二極體；以及多個顯示模組，透過一第一介面電路彼此連接，其中該第一介面電路在該些顯示模組的相鄰顯示模組之間配置具有回饋迴路類型的雙向序列介面，其中該設定板透過第二介面電路連接於該些顯示模組的第一顯示模組，且該設定板用於透過該第二介面電路傳輸多同步訊號至該些顯示模組。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該設定板更透過第三介面電路連接至該第一顯示模組，且該第三介面電路配置單向序列介面。
如請求項2所述的平鋪顯示設備，其中該設定板更透過第四介面電路連接至該第一顯示模組，且該設定板透過該第四介面電路傳輸影像資料至該些顯示模組。
如請求項3所述的平鋪顯示設備，其中該第四介面電路基於V-by-One(Vx1)方案被實現。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該控制命令訊號被依序存入該些顯示模組的多個臨時緩衝器中，且該些臨時緩衝器的每一者中的該控制命令訊號基於該多同步訊號於該些顯示模組的多個目標記憶體中被同時更新。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該些顯示模組的每一者更包含：一第一主接口及一第一從接口，用於透過前向序列周邊介面傳輸該控制命令訊號至相鄰的顯示模組；以及一第二主接口及一第二從接口，用於透過反向序列周邊介面傳輸與該控制命令訊號對應的一控制響應訊號至相鄰的顯示模組。
如請求項6所述的平鋪顯示設備，其中該控制命令訊號包含：一標頭區，包括表示關於一目標顯示模組的一種控制命令及位置資訊的一命令訊號，以基於該控制命令訊號執行目標操作；一資料區，包括一控制命令資料；以及一資訊區，包括用於傳送/接收錯誤檢查的一檢查標誌訊號。
如請求項6所述的平鋪顯示設備，其中該目標顯示模組產生包括控制命令資料的一執行結果的該控制響應訊號，且其中該控制響應訊號基於一旁路方案回饋至該第一顯示模組，其中在該旁路方案中，該控制響應訊號透過該反向序列周邊介面通過至少一個顯示模組直到該第一顯示模組。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該第一介面電路及該第二介面電路彼此實體分離。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該些像素安裝於薄膜電晶體背板上，該薄膜電晶體背板實現在主動矩陣結構中。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中對應於該控制命令訊號的目標操作的一執行時間響應於該多同步訊號在該些顯示模組中相等。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該些顯示模組分別產生多個控制響應訊號，該些控制響應訊號各包括該控制命令資料的一執行結果，且當該些控制響應訊號被存入該些顯示模組的第一者的暫存器時，該設定板透過單一序列周邊介面的主輸入從輸出從該暫存器接收該些控制響應訊號。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該設定板透過雙向通訊改變除了該些顯示模組的第一者以外的多個顯示模組的每一者的記憶體資料，及接收除了該些顯示模組的該第一者以外的該些顯示模組的每一者產生的檢查標誌訊號。
如請求項1所述的平鋪顯示設備，其中該些顯示模組分別用於執行多個寫入操作，且當該些顯示模組中的一者產生的檢查標誌訊號發生錯誤時，該設定板控制該些顯示模組再次執行該些寫入操作。
如請求項14所述的平鋪顯示設備，其中當該些顯示模組的任一者產生的該檢查標誌訊號發生該錯誤時，該設定板控制該些顯示模組的第一者再次執行該些寫入操作中的對應者。
如請求項14所述的平鋪顯示設備，其中當該些顯示模組中的該者產生的該檢查標誌訊號發生該錯誤時，該設定板控制該些顯示模組的其中一者再次執行該些寫入操作中的對應者。
一種應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，藉由一數位控制放電加工裝置及一邊緣處理裝置共同實施，該數位控制放電加工裝置包括一放電加工機、一電連接該放電加工機的資料擷取單元、一電連接該放電加工機的執行控制單元，及一電連接該資料擷取單元與該執行控制單元的上位控制器，該資料擷取單元用於擷取並生成一加工數據，該執行控制單元用於驅使該放電加工機作動，該邊緣處理裝置訊號連接該數位控制放電加工裝置，且預先儲存一目標加工數據、一預設數據集及一集成學習演算法，該預設數據集具有複數預設加工條件，及複數對應該等預設加工條件的預設加工數據，該機器學習模型訓練方法包含以下步驟：<br/> (A)藉由該執行控制單元根據一加工條件驅使該放電加工機作動，並由該資料擷取單元生成該加工數據，該加工數據具有一電極消耗率及一材料移除率；<br/> (B)藉由該邊緣處理裝置根據該預設數據集的該等預設加工條件與該等預設加工數據來運行該集成學習演算法，以訓練並生成一第一機器學習模型、一第二機器學習模型與一第三機器學習模型；<br/> (C)藉由該邊緣處理裝置接收該加工條件，並由該第一機器學習模型根據該加工條件進行預測而輸出一消耗率預測值，並由該第二機器學習模型根據該加工條件進行預測而輸出一移除率預測值；<br/> (D)藉由該邊緣處理裝置接收該加工數據，並判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間及該移除率預測值與該材料移除率間是否皆呈現一收斂狀態，當該邊緣處理裝置判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間或該移除率預測值與該材料移除率間未呈現該收斂狀態，便令該加工條件與該加工數據加入該預設數據集；<br/> (E)藉由該邊緣處理裝置根據更新後的該預設數據集來運行該集成學習演算法，以訓練並生成更新後的該第一機器學習模型、更新後的該第二機器學習模型與更新後的該第三機器學習模型；及<br/> (F)藉由更新後的該第三機器學習模型根據該目標加工數據進行預測而輸出更新後的該加工條件，並發送更新後的該加工條件至該執行控制單元。
如請求項1所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，其中，在步驟(D)中，藉由該邊緣處理裝置接收該加工數據，當該邊緣處理裝置判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間及該移除率預測值與該材料移除率間皆呈現該收斂狀態，便定義該加工條件為一推薦加工條件且發送該推薦加工條件至該上位控制器。
如請求項2所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，該邊緣處理裝置預先儲存一計數值，該計數值預設等於0，其中，在步驟(D)中，藉由該邊緣處理裝置接收該加工數據，當該邊緣處理裝置計算出該消耗率預測值與該電極消耗率間的絕對差值除以該消耗率預測值之比值小於5%，且該移除率預測值與該材料移除率間的絕對差值除以該移除率預測值之比值小於5%，令該計數值+1，當該邊緣處理裝置判斷該計數值大於3，便判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間及該移除率預測值與該材料移除率間皆呈現該收斂狀態。
如請求項1所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，其中，在步驟(D)中，藉由該邊緣處理裝置接收該加工數據，當該邊緣處理裝置計算出該消耗率預測值與該電極消耗率間的絕對差值除以該消耗率預測值之比值大於5%，或該移除率預測值與該材料移除率間的絕對差值除以該移除率預測值之比值大於5%，便令該加工條件與該加工數據加入該預設數據集。
如請求項1所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，其中，在步驟(D)中，定義該加工數據的權重值為W、該消耗率預測值與該電極消耗率之絕對差值為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及該移除率預測值與該材料移除率之絕對差值為<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，W=3×(1-<img align="absmiddle" height="10px" width="21px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)。
一種應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，藉由一數位控制放電加工裝置予以實施，該數位控制放電加工裝置包括一放電加工機、一電連接該放電加工機的資料擷取單元、一電連接該放電加工機的執行控制單元，及一電連接該資料擷取單元與該執行控制單元的上位控制器，該資料擷取單元用於擷取並生成一加工數據，該執行控制單元用於驅使該放電加工機作動，該上位控制器預先儲存一目標加工數據、一預設數據集及一集成學習演算法，該預設數據集具有複數預設加工條件，及複數對應該等預設加工條件的預設加工數據，該訓練方法包含以下步驟：<br/> (A)藉由該執行控制單元根據一加工條件驅使該放電加工機作動，並由該資料擷取單元生成該加工數據，該加工數據具有一電極消耗率及一材料移除率；<br/> (B)藉由該上位控制器根據該預設數據集的該等預設加工條件與該等預設加工數據來運行該集成學習演算法，以訓練並生成一第一機器學習模型、一第二機器學習模型與一第三機器學習模型；<br/> (C)藉由該上位控制器接收該加工條件，並由該第一機器學習模型根據該加工條件進行預測而輸出一消耗率預測值，並由該第二機器學習模型根據該加工條件進行預測而輸出一移除率預測值；<br/> (D)藉由該上位控制器接收該加工數據，並判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間及該移除率預測值與該材料移除率間是否皆呈現一收斂狀態，當該上位控制器判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間或該移除率預測值與該材料移除率間未呈現該收斂狀態，便令該加工條件與該加工數據加入該預設數據集；<br/> (E)藉由該上位控制器根據更新後的該預設數據集來運行該集成學習演算法，以訓練並生成更新後的該第一機器學習模型、更新後的該第二機器學習模型與更新後的該第三機器學習模型；及<br/> (F)藉由更新後的該第三機器學習模型根據該目標加工數據進行預測而輸出更新後的該加工條件，並發送更新後的該加工條件至該執行控制單元。
如請求項6所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，其中，在步驟(D)中，藉由該上位控制器接收該加工數據，當該上位控制器判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間及該移除率預測值與該材料移除率間皆呈現該收斂狀態，便定義該加工條件為一推薦加工條件且予以儲存。
如請求項7所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，該上位控制器預先儲存一計數值，該計數值預設等於0，其中，在步驟(D)中，藉由該上位控制器接收該加工數據，當該上位控制器計算出該消耗率預測值與該電極消耗率間的絕對差值除以該消耗率預測值之比值小於5%，且該移除率預測值與該材料移除率間的絕對差值除以該移除率預測值之比值小於5%，令該計數值+1，當該上位控制器判斷該計數值大於3，便判斷該消耗率預測值與該電極消耗率間及該移除率預測值與該材料移除率間皆呈現該收斂狀態。
如請求項6所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，其中，在步驟(D)中，藉由該上位控制器接收該加工數據，當該上位控制器計算出該消耗率預測值與該電極消耗率間的絕對差值除以該消耗率預測值之比值大於5%，或該移除率預測值與該材料移除率間的絕對差值除以該移除率預測值之比值大於5%，便令該加工條件與該加工數據加入該預設數據集。
如請求項6所述的應用於數位控制放電加工裝置的機器學習模型訓練方法，其中，在步驟(D)中，定義該加工數據的權重值為W、該消耗率預測值與該電極消耗率之絕對差值為<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，及該移除率預測值與該材料移除率之絕對差值為<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，W=3×(1-<img align="absmiddle" height="10px" width="21px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)。
一種超音波式流量計的箝置機構，具備：<br/> 保持部，夾住並保持直管狀的測定管；及<br/> 超音波收發部，具有一對壓電振動器，一對前述壓電振動器設置於前述測定管的長度方向的兩處並進行超音波的入射及出射；<br/> 前述保持部由一對台座部、一對按壓片及兩對側壁部所構成，一對前述台座部與一對前述壓電振動器對應地設置並載置前述測定管，一對前述按壓片藉由彈性體所為的彈性力從上方按壓一對前述台座部上的前述測定管，兩對前述側壁部設置於一對前述台座部與一對前述按壓片之間並在從上下方向按壓前述測定管時從兩側夾住前述測定管從而限制於寬度方向擴展的前述測定管的移動；<br/> 將構成兩對前述側壁部之各個側壁部對前述測定管的抵接面設為以上方向內突出的方式傾斜的傾斜面，將前述抵接面對前述測定管的抵接處作成位於比前述測定管中的於寬度方向最擴展處稍微上方。
一種超音波式流量計的箝置機構，具備：<br/> 保持部，夾住並保持直管狀的測定管；及<br/> 超音波收發部，具有一對壓電振動器，一對前述壓電振動器設置於前述測定管的長度方向的兩處並進行超音波的入射及出射；<br/> 前述保持部由一對台座部、一對按壓片及兩對側壁部所構成，一對前述台座部與一對前述壓電振動器對應地設置並載置前述測定管，一對前述按壓片藉由彈性體所為的彈性力從上方按壓一對前述台座部上的前述測定管，兩對前述側壁部設置於一對前述台座部與一對前述按壓片之間並在從上下方向按壓前述測定管時從兩側夾住前述測定管從而限制於寬度方向擴展的前述測定管的移動；<br/> 於構成兩對前述側壁部之各個側壁部沿著前述測定管的中心軸的方向設置複數個凹凸部。
如請求項2所記載之超音波式流量計的箝置機構，其中複數個前述凹凸部由於上下方向延伸的槽部所構成。
如請求項1至3中任一項所記載之超音波式流量計的箝置機構，其中由本體部及蓋部所構成，前述本體部與外部機器連接，前述蓋部能夠開閉地連結於前述本體部；<br/> 於前述本體部配置一對前述台座部及兩對前述側壁部，於前述蓋部配置一對前述按壓片。
如請求項1至3中任一項所記載之超音波式流量計的箝置機構，其中一對前述壓電振動器經由配置於一對前述台座部的下部的一對聲匹配層朝向彼此對向的斜上方對稱地配置。
如請求項5所記載之超音波式流量計的箝置機構，其中從一個前述壓電振動器出射的超音波於經由前述聲匹配層作為導波而於前述測定管傳播後入射至另一個前述壓電振動器。
一種市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制裝置，其包括：至少一密閉暫存倉，其係於負壓下儲存一預定體積的市政汙泥，該密閉暫存倉包括一氣密門，該氣密門連接有一自動開關系統，該密閉暫存倉更設有一除臭裝置，該密閉暫存倉設於一複合基燃料棒生產線周邊，該複合基燃料棒生產線包括有一汙泥預處理站、一汙泥乾燥站及一燃料棒成型站；至少一臭氣收集管，其係分別與該密閉暫存倉、該汙泥預處理站、該汙泥乾燥站及該燃料棒成型站連接，以收集該密閉暫存倉、該汙泥預處理站、該汙泥乾燥站及該燃料棒成型站之臭氣；一臭氣處理系統，其係與該臭氣收集管連接並包括一洗滌塔、一生物濾床及一活性炭吸附裝置，該臭氣處理系統接收該臭氣並以該洗滌塔、該生物濾床及該活性炭吸附裝置淨化該臭氣，該洗滌塔係以化學吸收法去除該臭氣中的無機污染物，該無機汙染物包括硫化氫及氨氣；該生物濾床係以微生物代謝作用分解該臭氣中的有機物；該活性炭吸附裝置提供去除該臭氣中的殘留有害物質，該臭氣處理系統設有一線上監測裝置，用以即時監測該臭氣之濃度及成分；以及一自動化控制系統，與該密閉暫存倉、該臭氣收集管、該臭氣處理系統及該線上監測裝置連接，該自動化控制系統包括一可編程邏輯控制器或一分佈式控制系統，以該自動化控制系統控制該密閉暫存倉的負壓、該臭氣收集管的流量調節、該臭氣處理系統的運行參數調整，並依據該線上監測裝置之監測資料自動調整該臭氣處理系統之參數。
如請求項1所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制裝置，其中該除臭裝置係為臭氧發生器或生物除臭裝置。
請求項1所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制裝置，其中該洗滌塔中的洗滌液和該生物濾床中的填料係為可循環使用的材料；該活性炭吸附裝置採用多級吸附和再生技術。
如請求項1所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制裝置，其中該自動化控制系統具備遠程監控、故障報警及緊急處理功能，該自動化控制系統依據該線上監測裝置之資料調整該洗滌塔之洗滌液流量、該生物濾床之濕度及該活性炭吸附裝置之再生週期；該線上監測裝置包含硫化氫感測器及揮發性有機化合物監測儀；該臭氣收集管包含高效離心風機，以提高臭氣收集效率。
如請求項1所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制裝置，其中該密閉暫存倉採用不銹鋼材質，負壓維持於-4.5kPa至-5.5kPa。
如請求項1所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制裝置，其中該臭氣處理系統於入口及出口處配置該線上監測裝置，以監測硫化氫濃度及揮發性有機化合物濃度。
一種市政汙泥複合基燃料生產過程中臭氣控制方法，其特徵在於，包括以下步驟：於一負壓之密閉暫存倉儲存一市政汙泥，該密閉暫存倉設有一氣密門及一自動開關系統，並於該密閉暫存倉內以一除臭裝置初步降解臭氣；於該密閉暫存倉、一汙泥預處理站、一汙泥乾燥站及一燃料棒成型站分別設置至少一臭氣收集管，收集該密閉暫存倉、該汙泥預處理站、該汙泥乾燥站及該燃料棒成型站之臭氣，並送入一臭氣處理系統，其包括一洗滌塔、一生物濾床及一活性炭吸附裝置，並設有一線上監測裝置，以該洗滌塔去除該臭氣中之硫化氫及氨氣，以該生物濾床以微生物代謝作用分解該臭氣中之有機物，以該活性炭吸附裝置去除該臭氣中之殘留有害物質，以該線上監測裝置即時監測該臭氣處理系統之臭氣濃度及成分；以及以一自動化控制系統控制該密閉暫存倉之負壓、該臭氣收集管之流量、該臭氣處理系統之運行參數，並依據該線上監測裝置之監測資料自動調整該臭氣處理系統之參數。
如請求項7所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制方法，其中該自動化控制系統包含可編程邏輯控制器或分佈式控制系統，並具備遠程監控及故障報警功能。
如請求項7所述之市政汙泥複合基燃料生產過程中的臭氣控制方法，其中該線上監測裝置監測硫化氫濃度及揮發性有機化合物濃度，並於濃度超標時自動調整該洗滌塔之洗滌液流量或該生物濾床之濕度。
一種應用於高齡者之排尿行為分析系統，包含： <br/>一腳踏板，供以設置於一排尿設備前方，該腳踏板設有一壓力感測器及一體重感測器，該壓力感測器用以於一使用者踩踏在該腳踏板後感測並取得複數壓力資訊，且該壓力感測器係解析該等壓力資訊以生成一站立啟始訊號及一足部壓力分布數據，該體重感測器用以於該使用者踩踏在該腳踏板後感測並取得一體重資訊； <br/>一使用者辨識模組，與該腳踏板電訊連接，包含： <br/>一儲存單元，存有複數使用者特徵資訊，該等使用者特徵資訊分別具有一體重資料及一足部壓力資料； <br/>一體重辨識單元，用以接收該體重資訊並與該等使用者特徵資訊進行比對，進而撈取出至少一個該使用者特徵資訊而生成一分群資訊；及 <br/>一足部壓力辨識單元，與該體重辨識單元及該儲存單元電訊連接，用以接收該足部壓力分布數據及該分群資訊，該足部壓力辨識單元僅將該分群資訊指向之該使用者特徵資訊與該足部壓力分布數據進行比對，以確認該使用者身分； <br/>一排尿感測模組，設於該排尿設備且與該腳踏板電訊連接，該排尿感測模組包含一非接觸式感測單元，用以蒐集該使用者於排尿期間之複數排尿訊號，其中，該排尿感測模組係於接收該站立啟始訊號後始啟動該非接觸式感測單元； <br/>一處理模組，與該排尿感測模組電訊連接，用以接收該等排尿訊號，並處理分析而取得一排尿資訊；及 <br/>一分析模組，與該處理模組及該使用者辨識模組電訊連接，用以接收該排尿資訊並執行一異常評估程序，該異常評估程序係針對該排尿資訊與對應該使用者之一個人化排尿行為輪廓資訊及/或對應該使用者生理特徵之一群體資訊進行比對，以產出一異常評估結果。
如請求項1所述之排尿行為分析系統，其中，該分析模組執行該異常評估程序時，係優先將該排尿資訊與該個人化排尿行為輪廓資訊進行比對，當該個人化排尿行為輪廓資訊不存在時，始將該排尿資訊與該群體資訊進行比對。
如請求項2所述之排尿行為分析系統，其中，該分析模組包含一個人行為輪廓建立單元，用以於該個人化排尿行為輪廓資訊不存在時，執行一行為輪廓建立程序，該行為輪廓建立程序係收集記錄對應同一該使用者之多個該排尿資訊後對其進行統計分析，進而形成對應該使用者之該個人化排尿行為輪廓資訊。
如請求項3所述之排尿行為分析系統，其中，該行為輪廓建立程序係針對同一該使用者之多個該排尿資訊計算行為變異性，並於該等排尿資訊之數量累計至一預設門檻值，且行為變異性低於一穩定性臨界值時，始形成對應該使用者之該個人化排尿行為輪廓資訊。
如請求項4所述之排尿行為分析系統，其中，該異常評估程序中，該排尿資訊係與該個人化排尿行為輪廓資訊及/或該群體資訊比對後取得一初步排尿行為狀態，並分析該初步排尿行為狀態是否出現至少一異常項目，其中該異常項目為日間與夜間排尿頻率顯著差異、平均流速或瞬時流速逐次下降、排尿持續時間異常延長、排尿中斷或間歇其中之一或其結合者。
如請求項5所述之排尿行為分析系統，其中，該非接觸式感測單元包含一聲音感測器及一濕度感測器，而使該等排尿訊號之屬性為聲學訊號、水流聲變化訊號及濕度變化訊號。
如請求項6所述之排尿行為分析系統，其中，該排尿資訊包含排尿開始時間、排尿結束時間、排尿持續時間、平均流速及瞬時流速變化。
如請求項7所述之排尿行為分析系統，其中，該分析模組包含一風險分級單元，用以將該異常評估結果進行風險分級，以產出一健康風險結果。
如請求項8所述之排尿行為分析系統，其中，該腳踏板具有一警示模組，與該分析模組、一醫療照護系統及/或裝載於一行動裝置之一應用程式電訊連接，用以於該健康風險結果之等級高於一設定值時，傳送一警示通知至該醫療照護系統及/或該應用程式。
如請求項9所述之排尿行為分析系統，其中，該使用者辨識模組、該處理模組及該分析模組係設置於該腳踏板。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；以及一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成包括一位移結構及一限位結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，而該限位結構設有一第一限位孔及一穿於該第一限位孔之第一限位件，該第一限位件固定於該安裝件，以該第一滾動件之第一滾面在該第一導引面進行活動位移；該限位結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；其中，該限位結構具有一第一面及一相反於該第一面之第二面，且該第一鎖定特徵凸於該第一面及該第二鎖定特徵凸於該第二面。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；以及一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成包括一位移結構及一限位結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，而該限位結構設有一第一限位孔及一穿於該第一限位孔之第一限位件，該第一限位件固定於該安裝件，以該第一滾動件之第一滾面在該第一導引面進行活動位移；該限位結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；其中，該滑軌總成包括一第一軌及一第二軌，該第二軌設有一解鎖特徵，且該第二鎖定特徵相對於該解鎖特徵。
如請求項2所述之滑軌機構，其中，該限位結構具有一第一面及一相反於該第一面之第二面，且該第一鎖定特徵凸於該第一面及該第二鎖定特徵凸於該第二面。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；以及一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成包括一位移結構及一限位結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，而該限位結構設有一第一限位孔及一穿於該第一限位孔之第一限位件，該第一限位件固定於該安裝件，以該第一滾動件之第一滾面在該第一導引面進行活動位移；該限位結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；其中，該限位結構設有一第二限位孔及一穿於該第二限位孔之第二限位件，該第二鎖定特徵位於該第一限位件與該第二限位件之間，且該第一鎖定特徵位於該第一限位件之上方。
如請求項4所述之滑軌機構，其中，該滑軌總成包括一第一軌及一第二軌，該第二軌設有一解鎖特徵，且該第二鎖定特徵相對於該解鎖特徵。
如請求項2或5所述之滑軌機構，其中，該第一軌設在該安裝件上、該限位結構位於該第一軌之尾端及該解鎖特徵設在該第二軌之尾部，且該第二軌與該限位結構之間設有一距離。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；以及一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成包括一位移結構及一限位結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，而該限位結構設有一第一限位孔及一穿於該第一限位孔之第一限位件，該第一限位件固定於該安裝件，以該第一滾動件之第一滾面在該第一導引面進行活動位移；該限位結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；該限位結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；其中，該第一牆延伸一第四牆，該第四牆設有一定位特徵，且該第一鎖定特徵相對於該定位特徵。
如請求項1或2或4或7所述之滑軌機構，其中，該滑軌總成包括一彈性元件，該彈性元件之一端連接該限位結構，而該彈性元件之另一端連接該安裝件。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；以及一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成包括一位移結構及一限位結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，而該限位結構設有一第一限位孔及一穿於該第一限位孔之第一限位件，該第一限位件固定於該安裝件，以該第一滾動件之第一滾面在該第一導引面進行活動位移；其中，該第一牆延伸一第四牆、該第二牆延伸一第五牆及該第二牆上設有一第二導引面，且該安裝件之下方裝設至少一第二滾動件，該第二滾動件之第二滾面在該第二導引面進行活動位移，以該第一滾動件之第一側面抱持該第四牆及該第二滾動件之第二側面抱持該第五牆。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；以及一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成上設有一位移結構及一限位結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，該第一滾動件之第一滾面在該第一導引面進行活動位移，使該滑軌總成藉由該第一導引面而在該支撐架進行活動位移，而該限位結構裝設在該位移結構上，使該限位結構在該位移結構進行上下位移；該限位結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成，該第一牆延伸一第四牆，該第四牆設有一定位特徵，且該第一鎖定特徵相對於該定位特徵。
一種泵浦，包含： <br/>一驅動單元，具有一中空室，該中空室內設有一轉軸，該驅動單元包含一座體，該中空室設於該座體內，且該轉軸由一馬達延伸出； <br/>一殼體，組接於該驅動單元，並界定出一液體流道，該殼體設有與該液體流道相連通的一進液端及一出液端； <br/>複數液體輸送單元，配置於該中空室內，各該液體輸送單元包含一固定筒、一活動筒及一彈性元件，該固定筒由陶瓷材料製成，以螺結方式固定於該殼體的一端面，該固定筒內部貫穿設有一通孔，該通孔經由該液體流道與該進液端及該出液端相連通，該活動筒亦由陶瓷材料製成，可軸向滑動地套設於該固定筒外周側，該活動筒內部設有一容室，該容室經由該固定筒的通孔與該液體流道相連通，該彈性元件套設於該活動筒的外周側，並抵接於該活動筒與該殼體之間，用於將該活動筒朝向該驅動單元的方向施予預壓力； <br/>一旋轉盤，配置於該中空室內，與該驅動單元的轉軸連結並隨之旋轉，該旋轉盤具有一傾斜表面，該旋轉盤之該傾斜表面係由陶瓷材料製成，該傾斜表面與各該活動筒之一端保持接觸； <br/>當該驅動單元驅動該旋轉盤旋轉時，藉由該旋轉盤的傾斜表面，推動各該活動筒克服該彈性元件的預壓力而產生軸向位移，並於旋轉週期中依序驅使各該活動筒進行往復運動，使對應的該容室週期性地自該進液端吸入液體，並於壓縮行程中將液體自該出液端排出，以實現連續的液體輸送。
如請求項1所述之泵浦，其中該殼體包含相互疊置的一上殼體、一中間殼體以及一下殼體，該中間殼體位於該上殼體與該下殼體之間。
如請求項2所述之泵浦，其中該進液端與該出液端設置於該上殼體。
如請求項2所述之泵浦，其中該中間殼體的液體流道上設有複數逆止閥。
如請求項1所述之泵浦，其中該彈性元件為彈簧。
一種顯示裝置，包括：一基板，包含一第一子像素及一第二子像素；一第一發光裝置，設置於該基板的該第一子像素上；一第二發光裝置，設置於該基板的該第二子像素上；一光學層，設置於該第一發光裝置及該第二發光裝置上；一第一透鏡，設置於該光學層上，該第一透鏡與該第一子像素重疊；一第二透鏡，設置於該光學層上，該第二透鏡與該第二子像素重疊；一開槽，設置在該光學層，該開槽與在該第一子像素與該第二子像素之間的一邊界重疊；以及一填充物，設置在該開槽中，該填充物包含與該第一透鏡及該第二透鏡相同的一材料。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該開槽的一側壁呈正向錐度傾斜。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該填充物與該第一透鏡的一邊緣及該第二透鏡的一邊緣相接觸。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該光學層相對於該基板的一上表面設置比該填充物相對於該基板的一上表面更靠近該基板。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一透鏡及該第二透鏡具有延伸在一第一方向上的一條形的一平面形狀。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該第二透鏡在該第一方向上的一長度不同於該第一透鏡在該第一方向上的一長度。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該第一透鏡在垂直於該第一方向的一第二方向上的一長度與該第二透鏡在該第二方向上的一長度相同。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二透鏡被設置於與該第一透鏡的一相同層上。
如請求項1所述之顯示裝置，更包括：一封裝層，設置於該第一發光裝置與該光學層之間及該第二發光裝置與該光學層之間；以及一黑矩陣，設置於該封裝層與該光學層之間，其中該第一發光裝置及該第二發光裝置設置於該黑矩陣外側，其中該黑矩陣包含與該開槽重疊的一區域。
如請求項9所述之顯示裝置，其中該填充物與該開槽中的該黑矩陣相接觸。
一種立體輸送系統控制方法，用於控制一立體輸送系統，該立體輸送系統包含一下層軌道、一上層軌道、一第一升降裝置、一輸送車以及一系統控制裝置，該上層軌道位於該下層軌道沿一高度方向的一上方，該第一升降裝置包含一第一升降豎井、一第一升降平台及一第一升降控制器，該第一升降豎井包含一第一下層開口及一第一上層開口，該第一下層開口連通該下層軌道的一端，該第一上層開口沿該高度方向位於該第一下層開口的一上方且連通該上層軌道的一端，該第一升降平台可動地位於該第一升降豎井內，且用以與該下層軌道及該上層軌道其中一者對應，一第一目標點訊息位於該第一升降豎井內，該輸送車沿該下層軌道或該上層軌道移動，並進出該第一升降豎井，該輸送車包含一目標點探測器及一輸送車控制器，該輸送車控制器訊號連接該目標點探測器，該系統控制裝置訊號連接該輸送車控制器，其中該立體輸送系統控制方法包含：<br/> 一輸送車進入步驟，該系統控制裝置傳送一第一時刻目標點指令予該輸送車控制器，使該輸送車依據該第一時刻目標點指令由該下層軌道經該第一下層開口進入該第一升降豎井，該輸送車停止於該第一升降平台；以及<br/> 一第一升降平台移動步驟，該第一升降控制器控制該第一升降平台自一第一下層位置上升至一第一上層位置並對齊該上層軌道，以供該輸送車自該第一上層開口離開該第一升降豎井；<br/> 其中，該目標點探測器基於該第一目標點訊息提供一第一探測訊息，該輸送車控制器依據該第一探測訊息，判定該輸送車是否到達對應該第一時刻目標點指令的一第一時刻目標點。
如請求項1所述之立體輸送系統控制方法，其中該輸送車更包含一車身訊息，該第一升降裝置更包含一車身進入探測器位於該第一升降豎井內並訊號連接該第一升降控制器，於該輸送車進入步驟中，當該輸送車經該第一下層開口進入該第一升降豎井，該車身進入探測器基於該車身訊息傳送一輸送車進入訊號予該第一升降控制器，該第一升降控制器判定該輸送車進入該第一升降豎井。
如請求項2所述之立體輸送系統控制方法，更包含一輸送車離開步驟，該第一升降裝置更包含一車身離開探測器位於該第一升降豎井外或鄰近該第一上層開口，於該輸送車離開步驟中，該輸送車經該第一上層開口離開該第一升降豎井，該車身離開探測器基於該車身訊息傳送一輸送車離開訊號予該第一升降控制器，該第一升降控制器判定該輸送車離開該第一升降豎井。
如請求項3所述之立體輸送系統控制方法，其中該第一升降豎井至少具有一第一下層空間及一第一上層空間，該第一下層空間對應該第一下層開口，該第一上層空間對應該第一上層開口，該第一目標點訊息位於該第一上層空間，該輸送車更包含一距離感測器，於該輸送車進入步驟中，該輸送車經該第一下層開口進入該第一升降豎井的該第一下層空間，該輸送車控制器讀取該距離感測器感測到的該輸送車前方的一可行距離，若該可行距離小於或等於一閾值，該輸送車控制器控制該輸送車停止移動；該第一升降平台移動步驟使該輸送車由該第一下層空間上升至該第一上層空間；於該輸送車離開步驟中，該目標點探測器基於該第一目標點訊息發出該第一探測訊息，該輸送車控制器判定到達該第一時刻目標點，該輸送車控制器啟動該輸送車由該第一上層開口離開該第一升降豎井。
如請求項3所述之立體輸送系統控制方法，其中該第一升降豎井至少具有一第一下層空間及一第一上層空間，該第一下層空間對應該第一下層開口，該第一上層空間對應該第一上層開口，該第一目標點訊息位於該第一下層空間，該第一升降豎井更包含一第二目標點訊息位於該第一上層空間，於該輸送車進入步驟中，該輸送車依據該第一時刻目標點指令進入該第一升降豎井的該第一下層空間後，該目標點探測器基於該第一目標點訊息發出該第一探測訊息，該輸送車控制器判定到達該第一時刻目標點，控制該輸送車停止移動並傳送一第一時刻目標點到達訊號予該系統控制裝置，該系統控制裝置傳送一第二時刻目標點指令予該輸送車控制器；該第一升降平台移動步驟使該輸送車由該第一下層空間上升至該第一上層空間；於該輸送車離開步驟中，該目標點探測器基於該第二目標點訊息發出一第二探測訊息，該輸送車控制器判定到達對應該第二時刻目標點指令的一第二時刻目標點，並啟動該輸送車由該第一上層開口離開該第一升降豎井。
如請求項4或5所述之立體輸送系統控制方法，更包含一第一升降平台離開步驟，其於該輸送車離開步驟後執行，其中，於該第一升降平台移動步驟中，該第一升降控制器判定該輸送車進入該第一升降豎井後，該第一升降控制器控制該第一升降平台自該第一下層位置上升至該第一上層位置；於該第一升降平台離開步驟中，該第一升降控制器判定該輸送車離開該第一升降豎井後，該第一升降控制器控制該第一升降平台沿該高度方向離開該第一上層位置。
如請求項5所述之立體輸送系統控制方法，其中於該輸送車進入步驟中，當該系統控制裝置接收該第一時刻目標點到達訊號後，該系統控制裝置發出一目標樓層指令予該第一升降控制器；於該第一升降平台移動步驟中，該第一升降控制器依據該目標樓層指令控制該第一升降平台移至對應該目標樓層指令的一目標樓層位置。
如請求項4或5所述之立體輸送系統控制方法，其中於該輸送車進入步驟中，該系統控制裝置傳送該第一時刻目標點指令予該輸送車控制器時，更發出一目標樓層指令予該第一升降控制器；於該第一升降平台移動步驟中，該第一升降控制器依據該目標樓層指令控制該第一升降平台移至對應該目標樓層指令的一目標樓層位置。
如請求項2所述之立體輸送系統控制方法，更包含一中間層軌道沿該高度方向位於該下層軌道及該上層軌道之間，該第一升降豎井更包含一第一中間層開口連通該中間層軌道的一端，該車身訊息提供二資訊，於該第一升降平台移動步驟中，該車身進入探測器取得該車身訊息提供之該二資訊中的一者，該第一升降控制器依據該二資訊中的該一者選擇使該第一升降平台要移至該第一上層位置以對應該第一上層開口，或選擇使該第一升降平台移至一第一中間層位置以對應該第一中間層開口。
一種立體輸送系統，包含：<br/> 一下層軌道；<br/> 一上層軌道，位於該下層軌道沿一高度方向的一上方；<br/> 一第一升降裝置，包含：<br/> 一第一升降豎井，包含一第一下層開口及一第一上層開口，該第一下層開口連通該下層軌道的一端，該第一上層開口沿該高度方向位於該第一下層開口的一上方且連通該上層軌道的一端；<br/> 一第一升降平台，可動地位於該第一升降豎井內，且用以與該下層軌道及該上層軌道其中一者對應；<br/> 一第一升降控制器，用以控制該第一升降平台升降；及<br/> 一第一目標點訊息，位於該第一升降豎井內；<br/> 一輸送車，沿該下層軌道或該上層軌道移動，並進出該第一升降豎井，且該輸送車包含：<br/> 一目標點探測器，基於該第一目標點訊息提供一第一探測訊息；及<br/> 一輸送車控制器，訊號連接該目標點探測器；以及<br/> 一系統控制裝置，訊號連接該輸送車控制器；<br/> 其中，該系統控制裝置傳送一第一時刻目標點指令予該輸送車控制器，該輸送車依據該第一時刻目標點指令由該下層軌道經該第一下層開口進入該第一升降豎井，該輸送車停止於該第一升降平台，該第一升降控制器控制該第一升降平台自一第一下層位置上升至一第一上層位置，並對齊該上層軌道，以供該輸送車自該第一上層開口離開該第一升降豎井；<br/> 其中，該輸送車控制器依據該第一探測訊息，判定該輸送車是否到達對應該第一時刻目標點指令的一第一時刻目標點。
如請求項10所述之立體輸送系統，其中該輸送車更包含一車身訊息，該第一升降裝置更包含一車身進入探測器位於該第一升降豎井內並訊號連接該第一升降控制器，當該輸送車經該第一下層開口進入該第一升降豎井，該車身進入探測器基於該車身訊息傳送一輸送車進入訊號予該第一升降控制器，該第一升降控制器判定該輸送車進入該第一升降豎井。
如請求項11所述之立體輸送系統，其中該第一升降裝置更包含一車身離開探測器位於該第一升降豎井外或鄰近該第一上層開口，當該輸送車經該第一上層開口離開該第一升降豎井，該車身離開探測器基於該車身訊息傳送一輸送車離開訊號予該第一升降控制器，該第一升降控制器判定該輸送車離開該第一升降豎井。
如請求項12所述之立體輸送系統，其中該第一升降豎井至少具有一第一下層空間及一第一上層空間，該第一下層空間對應該第一下層開口，該第一上層空間對應該第一上層開口，該第一目標點訊息位於該第一上層空間，該輸送車更包含一距離感測器，該輸送車經該第一下層開口進入該第一升降豎井的該第一下層空間後，該輸送車控制器讀取該距離感測器感測到的該輸送車前方的一可行距離，若該可行距離小於或等於一閾值，該輸送車控制器控制該輸送車停止移動，待該輸送車由該第一下層空間上升至該第一上層空間，該目標點探測器基於該第一目標點訊息發出該第一探測訊息，該輸送車控制器判定到達該第一時刻目標點，啟動該輸送車由該第一上層開口離開該第一升降豎井。
如請求項12所述之立體輸送系統，其中該第一升降豎井至少具有一第一下層空間及一第一上層空間，該第一下層空間對應該第一下層開口，該第一上層空間對應該第一上層開口，該第一目標點訊息位於該第一下層空間，該第一升降豎井更包含一第二目標點訊息位於該第一上層空間，該輸送車依據該第一時刻目標點指令進入該第一升降豎井的該第一下層空間後，該目標點探測器基於該第一目標點訊息發出該第一探測訊息，該輸送車控制器判定到達該第一時刻目標點，控制該輸送車停止移動並傳送一第一時刻目標點到達訊號予該系統控制裝置，該系統控制裝置傳送一第二時刻目標點指令予該輸送車控制器，待該輸送車由該第一下層空間上升至該第一上層空間，該目標點探測器基於該第二目標點訊息發出一第二探測訊息，該輸送車控制器判定到達對應該第二時刻目標點指令的一第二時刻目標點，並啟動該輸送車由該第一上層開口離開該第一升降豎井。
如請求項11所述之立體輸送系統，更包含一中間層軌道沿該高度方向位於該下層軌道及該上層軌道之間，該第一升降豎井更包含一第一中間層開口連通該中間層軌道的一端，該車身訊息提供二資訊，該車身進入探測器取得該車身訊息提供之該二資訊中的一者，該第一升降控制器依據該二資訊中的該一者選擇使該第一升降平台要移至該第一上層位置以對應該第一上層開口，或選擇使該第一升降平台移至一第一中間層位置以對應該第一中間層開口。
如請求項10所述之立體輸送系統，更包含第二升降裝置，包含：<br/> 一第二升降豎井，包含一第二下層開口及一第二上層開口，該第二下層開口連通該下層軌道的另一端，該第二上層開口沿該高度方向位於該第二下層開口的一上方且連通該上層軌道的另一端；<br/> 一第二升降平台，可動地位於該第二升降豎井內，且用以與該下層軌道及該上層軌道其中一者對應；以及<br/> 一第二升降控制器，用以控制該第二升降平台升降。
如請求項10所述之立體輸送系統，更包含第二升降裝置，包含：<br/> 一第二升降豎井，包含一第二下層開口及一第二上層開口，該第二下層開口連通該下層軌道的另一端，該第二上層開口沿該高度方向位於該第二下層開口的一上方且連通該上層軌道的另一端；以及<br/> 一第二升降平台，可動地位於該第二升降豎井內，且用以與該下層軌道及該上層軌道其中一者對應； <br/> 其中，該第一升降控制器控制該第二升降平台升降。
一種樹脂組成物，其包含(A)具有馬來醯亞胺基之聚醚醚酮化合物、 <br/> (B)環氧樹脂、及 <br/> (C)活性酯系硬化劑， <br/> 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A)成分之含量為1質量%以上25質量%以下， <br/> 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分之含量為5質量%以上30質量%以下， <br/> 將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(C)成分之含量為1質量%以上30質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中(A)成分之數平均分子量為10000以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中(A)成分於末端具有馬來醯亞胺基。
如請求項1之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之樹脂成分定為100質量%時，(A)成分之含量為5質量%以上60質量%以下，前述樹脂成分為樹脂組成物之不揮發成分中去除無機填充材的成分。
如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分包含萘酚型環氧樹脂。
如請求項1之樹脂組成物，其中(C)成分係選自二環戊二烯型活性酯系硬化劑及包含萘結構之萘型活性酯系硬化劑中之1種以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中(B)成分與(C)成分之量比，係作為(C)成分之活性基之合計數相對於(B)成分之環氧基之合計數的比率為0.01以上5以下， <br/> 前述(B)成分之環氧基之合計數，係將樹脂組成物中存在之(B)成分的不揮發成分之質量除以環氧當量之值全部合計而得之值， <br/> 前述(C)成分之活性基之合計數，係將樹脂組成物中存在之(C)成分的不揮發成分之質量除以活性酯基當量之值全部合計而得之值。
如請求項1之樹脂組成物，其中進而包含與(A)成分不同之(D)具有聚合性不飽和基之樹脂。
如請求項8之樹脂組成物，其中(D)成分為含有馬來醯亞胺基及芳香環之樹脂。
如請求項1之樹脂組成物，其中進而包含(E)無機填充材。
如請求項1之樹脂組成物，其係絕緣層形成用。
如請求項1之樹脂組成物，其係在絕緣層上形成導體層時，用以形成該絕緣層的樹脂組成物。
一種樹脂薄片，其包含支撐體，與設置於該支撐體上之樹脂組成物層，該樹脂組成物層包含如請求項1之樹脂組成物。
一種印刷配線板，其包含藉由如請求項1~12中任一項之樹脂組成物的硬化物而形成之絕緣層。
一種半導體裝置，其包含如請求項14之印刷配線板。
一種用於一電子元件製造系統的工廠介面，該工廠介面包括： <br/>一內部空間，該內部空間由一底部、一頂部和複數個側部限定，其中該複數個側部包含一背側及一前側，該背側經配置為面向該電子元件製造系統的一傳送腔室，且該前側包含用於接收基板載體的一或更多第一裝載端口及一或更多第二裝載端口，其中該前側包含在該一或更多第一裝載端口及該一或更多第二裝載端口之間的一凸起部分，該凸起部分從該前側突出遠離且在該工廠介面之中提供額外的空間； <br/>該裝載閘整合至該工廠介面的該內部空間中，使得該裝載閘整體佈置在該工廠介面的該內部空間之中，其中該裝載閘包含一第一門及一第二門，該第一門近似垂直於該背側，且該第二門近似平行於該背側且可由一傳送腔室機器人出入，其中該工廠介面的該背側與該第二門近似齊平；及 <br/>一工廠介面機器人，該工廠介面機器人經設置在該工廠介面的該內部空間內，其中該工廠介面機器人經配置為在一組基板載體與該裝載閘之間傳送基板。
如請求項1所述的工廠介面，進一步包括： <br/>一第二裝載閘，該第二裝載閘經設置在該工廠介面的該內部空間內；及 <br/>一第二工廠介面機器人，該第二工廠介面機器人經配置為在一第二組基板載體與該第二裝載閘之間傳送基板。
如請求項2所述的工廠介面，其中該複數個側部包括一右側及一左側，其中該工廠介面機器人經設置在靠近該左側的該內部空間內，其中該第二工廠介面機器人經設置在靠近該右側的該內部空間內，且其中該裝載閘和該第二裝載閘經設置成靠近該背側且在該工廠介面機器人和該第二工廠介面機器人之間，使得該裝載閘比該第二裝載閘更靠近該工廠介面機器人，且該第二裝載閘比該裝載閘更靠近該第二工廠介面機器人。
如請求項3所述的工廠介面，進一步包括： <br/>一第一組裝載端口，該第一組裝載端口用於接收該組基板載體，其中該第一組裝載端口經定位在靠近該左側之該前側的一第一部分處；及 <br/>一第二組裝載端口，該第二組裝載端口用於接收該第二組基板載體，其中該第二組裝載端口經定位在靠近右側之該前側的一第二部分處。
如請求項4所述的工廠介面，進一步包括： <br/>經定位在該第一組裝載端口中的一裝載端口下方的一基板存儲容器或計量設備中的至少一者。
如請求項2所述的工廠介面，進一步包括： <br/>一通孔，該通孔經設置在該裝載閘的上方或下方的該工廠介面的該內部空間內，其中該工廠介面機器人經配置為藉由該通孔將一基板傳送到該第二工廠介面機器人。
如請求項1所述的工廠介面，其中該複數個側部包括一右側和一左側，其中該工廠介面機器人經設置在靠近該左側的該內部空間內，其中該裝載閘經設置成鄰接該背側且在該工廠介面機器人與該右側之間。
如請求項1所述的工廠介面，其中該裝載閘為一批量裝載閘。
如請求項1所述的工廠介面，進一步包括： <br/>一第二裝載閘，該第二裝載閘經設置在該工廠介面的該內部空間內且在該裝載閘下方。
如請求項1所述的工廠介面，其中該前包括一中央部分、一左前部分和一右前部分，其中該中央部分從該左前部分、該右前部分及該背側突出遠離，其中用於從該組基板載體接收一第一基板載體的一第一裝載端口經定位在該左前部分上的一第一位置處，且用於從該組基板載體接收一第二基板載體的一第二裝載端口經定位在該右前部分上的一第二位置處。
如請求項10所述的工廠介面，進一步包括： <br/>一通孔，該通孔經設置在位於遠離該左前部分、該右前部分及該背側突出的該中央部分處的該工廠介面的該內部空間內，其中該工廠介面機器人經配置為藉由該通孔將一基板傳送到該第二工廠介面機器人。
如請求項1所述的工廠介面，其中該凸起部分包含用於在該裝載閘上進行維護的一出入門，其中該出入門與該凸起部分的一頂部部分為相同的一高度。
如請求項1所述的工廠介面，其中該凸起部分包含一頂部部分，該頂部部分具有獨立於該工廠介面的一頂部部分的一高度。
一種電子元件製造系統，包括： <br/>一傳送腔室； <br/>複數個處理腔室，該複數個處理腔室連接至該傳送腔室； <br/>一裝載閘，該裝載閘具有一第一側和一第二側，該第二側與該裝載閘的該第一側近似垂直，其中該裝載閘的該第一側連接到該傳送腔室，其中該裝載閘包含一第一門及一第二門，該第一門近似平行於該第一側且可由一傳送腔室機器人出入，且該第二門近似平行於該第二側； <br/>一工廠介面，該工廠介面連接到該裝載閘的該第一側，其中該裝載閘整合至該工廠介面的一內部空間內，使得該裝載閘整體佈置在該工廠介面的該內部空間之中，其中該裝載閘的該第一側與該工廠介面的一背側近似齊平，其中該工廠介面的一第一側包含從該前側突出遠離以在該工廠介面之中提供額外的空間的一凸起部分；及 <br/>一工廠介面機器人，該工廠介面機器人經設置在該工廠介面的該內部空間內，其中該工廠介面機器人經配置為在一組基板載體與該裝載閘之間傳送基板。
如請求項14所述的電子元件製造系統，進一步包括： <br/>一第二裝載閘，具有一第三側及近似垂直於該第二裝載閘的該第三側的一第四側，其中該第二裝載閘的該第三側連接至該傳送腔室，其中該第二裝載閘包含近似平行於該第三側且可由該傳送腔室機器人出入一第三門； <br/>一第二工廠介面，連接至該第二裝載閘的該第四側；及 <br/>一第二工廠介面機器人，該第二工廠介面機器人經設置在該第二工廠介面的該內部空間內，其中該第二工廠介面機器人經配置為在一第二組基板載體與第二第一裝載閘之間傳送基板。
如請求項15所述的電子元件製造系統，其中該工廠介面包括一大氣環境，且該第二工廠介面包括一第二大氣環境。
如請求項15所述的電子元件製造系統，其中該裝載閘和該第二裝載閘每者皆為一堆疊的裝載閘，該堆疊的裝載閘具有位於不同垂直位凖處的一對上部內腔室和一對下部內腔室，其中該電子元件製造系統進一步包括： <br/>一通孔，該通孔經設置在該等成對的上部內腔室與該等成對的下部內腔室之間，其中該工廠介面機器人經配置為藉由該通孔將一基板傳送到該第二工廠介面機器人。
如請求項14所述的電子元件製造系統，其中該工廠介面包括用於接收該組基板載體的一組裝載端口。
一種用於傳輸基板的方法，包括以下步驟： <br/>藉由一工廠介面機器人從一基板載體取回一基板；及 <br/>透過該工廠介面機器人將該基板放置在一裝載閘內，該裝載閘經設置成整體在一工廠介面的一內部空間之中，其中該裝載閘包含一第一門及一第二門，該第一門近似垂直於該工廠介面的一背側，且該第二門近似平行於該背側且可由一傳送腔室機器人出入，其中該背側經設置成面向一傳送腔室且與該第二門近似齊平，其中該工廠介面包含一前側，該前側包含一或更多裝載端口，其中該前側包含在該一或更多裝載端口的一第一裝載端口及一第二裝載端口之間的一凸起部分，該凸起部分從該前側突出遠離且在該工廠介面之中提供額外的空間。
如請求項19所述的方法，進一步包含以下步驟： <br/>藉由該工廠介面機器人將一第二基板從一基板載體取回； <br/>從該工廠介面機器人傳送該第二基板至一第二工廠介面機器人，其中該工廠介面機器人及該第二工廠介面機器人經設置於該工廠介面之中；及 <br/>透過該第二工廠介面機器人將該基板放置於一第二裝載閘內，該第二裝載閘經設置於該工廠介面之中。
如請求項20所述的方法，其中該工廠介面機器人不能出入該第二裝載閘。
如請求項20所述的方法，其中藉由一通孔傳送該基板，該通孔經設置於該工廠介面的一內部空間內在該第二裝載閘的上方或下方。
一種汽車方向機舵桿拆卸工具，包括：<br/>一動力臂，該動力臂的第一端連接一手柄；<br/>一承力板，該承力板與該動力臂的第二端相連接；該動力臂與該承力板之間具有一夾角；<br/>二支撐銷，分別組裝於該承力板，二該支撐銷保持平行，且其間保持一間距。
如請求項1所述的汽車方向機舵桿拆卸工具，其中，該承力板採一體化結構連接於該動力臂的該第二端。
如請求項1所述的汽車方向機舵桿拆卸工具，其中，該支撐銷包含一螺栓、一金屬套管、一彈性套、以及一圓頭螺帽；該螺栓的一桿體穿過該承力板上的一預設孔位，該桿體的末端設一螺紋段；該金屬套管，為中空金屬圓管，套設於該螺栓的該桿體的外部；該彈性套，為彈性體所製成的中空圓管，該彈性套套置於該金屬套管的外部；該螺栓的該螺紋段穿出該彈性套後鎖接該圓頭螺帽。
一種圖像編碼裝置，將圖像的區塊編碼，其具備：<br/> 電路；及<br/> 與前述電路結合的記憶體，<br/> 前述電路在動作中，<br/> 從編碼樹單元(CTU)取得區塊，<br/> 使用第1分割模式，於第1方向將前述區塊分割成複數個子區塊，<br/> 將前述複數個子區塊編碼，<br/> 在前述區塊的尺寸為Nx2N像素，且前述第1方向是沿著2N像素，並且N為整數的情況下，前述第1分割模式包含將前述區塊分割成包含至少1個N/4x2N像素尺寸的子區塊之複數個子區塊，並且排除將前述區塊分割成2個N/2x2N像素尺寸的子區塊，且包含分割成N/4x2N像素尺寸的第1子區塊、N/2x2N像素尺寸的第2子區塊、及N/4x2N像素尺寸的第3子區塊，前述第2子區塊插入於前述第1子區塊及前述第3子區塊之間。
一種圖像解碼裝置，將圖像的區塊解碼，其具備：<br/> 電路；及<br/> 與前述電路結合的記憶體，<br/> 前述電路在動作中，<br/> 從編碼樹單元(CTU)取得區塊，<br/> 使用第1分割模式，於第1方向將前述區塊分割成複數個子區塊，<br/> 將前述複數個子區塊解碼，<br/> 在前述區塊的尺寸為Nx2N像素，且前述第1方向是沿著2N像素，並且N為整數的情況下，前述第1分割模式包含將前述區塊分割成包含至少1個N/4x2N像素尺寸的子區塊之複數個子區塊，並且排除將前述區塊分割成2個N/2x2N像素尺寸的子區塊，且包含分割成N/4x2N像素尺寸的第1子區塊、N/2x2N像素尺寸的第2子區塊、及N/4x2N像素尺寸的第3子區塊，前述第2子區塊插入於前述第1子區塊及前述第3子區塊之間。
一種非暫時性記憶媒體，其保存位元流，<br/> 前述位元流包含用以使接收前述位元流的電腦進行解碼處理的資訊，<br/> 前述資訊包含用以使前述電腦執行解碼處理之至少關於第1分割模式的資訊，<br/> 前述解碼處理為前述電腦執行以下處理：<br/> 從編碼樹單元(CTU)取得區塊；<br/> 使用前述第1分割模式，於第1方向將前述區塊分割成複數個子區塊；<br/> 將前述複數個子區塊解碼；及<br/> 在前述區塊的尺寸為Nx2N像素，且前述第1方向是沿著2N像素，並且N為整數的情況下，前述第1分割模式包含將前述區塊分割成包含至少1個N/4x2N像素尺寸的子區塊之複數個子區塊，並且排除將前述區塊分割成2個N/2x2N像素尺寸的子區塊，且包含分割成N/4x2N像素尺寸的第1子區塊、N/2x2N像素尺寸的第2子區塊、及N/4x2N像素尺寸的第3子區塊，前述第2子區塊插入於前述第1子區塊及前述第3子區塊之間。
一種十一胜肽，其具有一如序列辨識編號：1所示的胺基酸序列。
一種如請求項1所述的十一胜肽供應用於製備一用來美白皮膚之組成物的用途。
一種如請求項1所述的十一胜肽供應用於製備一用來抗氧化之組成物的用途。
如請求項2或3所述的用途，其中該組成物是食品組成物。
如請求項2或3所述的用途，其中該組成物是藥學組成物。
如請求項5所述的用途，其中該藥學組成物是呈一供口服投藥、非經腸道投藥或局部投藥的劑型。
如請求項2或3所述的用途，其中該組成物是藥妝品組成物。
一種十四胜肽，其具有一如序列辨識編號：1所示的胺基酸序列。
一種如請求項1所述的十四胜肽供應用於製備一用來美白皮膚之組成物的用途。
一種如請求項1所述的十四胜肽供應用於製備一用來抗氧化之組成物的用途。
如請求項2或3所述的用途，其中該組成物是食品組成物。
如請求項2或3所述的用途，其中該組成物是藥學組成物。
如請求項5所述的用途，其中該藥學組成物是呈一供口服投藥、非經腸道投藥或局部投藥的劑型。
如請求項2或3所述的用途，其中該組成物是藥妝品組成物。
一種具有雙儲油空間的風扇軸承固定裝置，係包括：<br/> 一基座，係具有一底板及一環形牆部；該環形牆部係由該底板向上延伸出，該環形牆部係具有一牆部內表面及一牆部外表面，且該環形牆部係具有一牆部高度；<br/> 一軸承，係設於該環形牆部內，該軸承係具有一軸承外表面、一軸承內表面、一軸承下表面及一軸承上表面；該軸承外表面係供該軸承接觸該牆部內表面，用以將該軸承固定於該基座，該軸承內表面係用以接觸及容納一風扇旋轉軸，該軸承下表面與該底板之間係形成一第一儲油空間；及<br/> 一固定蓋，係覆蓋於該環形牆部及該軸承上；該固定蓋係具有一蓋頂部及一蓋身部；該蓋頂部係覆蓋該軸承上表面；且該蓋頂部係具有一中央通孔，該風扇旋轉軸係穿過該中央通孔後再接觸而固定於該軸承內表面；該蓋身部係接觸而固定於該牆部外表面，該環形牆部、該軸承及該固定蓋之間係形成一第二儲油空間；<br/> 其中，該軸承係具有一軸承高度；<br/> 該牆部高度係為該軸承高度之50%~90%之間；及<br/> 該環形牆部係具有一環形斜面；該環形斜面係與該固定蓋間隔開，且該環形斜面與該固定蓋之間的空間係為該第二儲油空間之一部分。
如請求項1所述之具有雙儲油空間的風扇軸承固定裝置，其中，該環形斜面係由該環形牆部之該牆部高度之40%至60%處，向上及向內傾斜。
如請求項1所述之具有雙儲油空間的風扇軸承固定裝置，其中，該蓋身部與該牆部外表面之固定方式，係為緊配合、熔接、螺紋配合其中至少一者。
如請求項1所述之具有雙儲油空間的風扇軸承固定裝置，其中，該底板係又包括一耐磨板，該耐磨板係用以接觸該風扇旋轉軸。
一種鐵礦的燒結方法，其包含步驟：<br/> 提供一鐵礦；<br/> 對該鐵礦進行一升溫步驟，以0.3℃/秒至0.7℃/秒的一升溫速率從室溫升溫該鐵礦達1200℃至1300℃之間持溫3至40分鐘；以及<br/> 對該鐵礦進行一降溫步驟，以0.05℃/秒至0.15℃/秒的一降溫速率從1200℃至1300℃之間降溫該鐵礦達室溫，以獲得一改質鐵礦。
如請求項1所述之鐵礦的燒結方法，其中在該升溫步驟中，更包含步驟：以0.3℃/秒至0.7℃/秒的該升溫速率從室溫升溫該鐵礦達700℃至800℃之間持溫5至15分鐘；以及以0.3℃/秒至0.7℃/秒的該升溫速率從700℃至800℃之間升溫該鐵礦達1200℃至1300℃之間持溫3至8分鐘。
如請求項1所述之鐵礦的燒結方法，其中該鐵礦包含：67wt%至70wt%的Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、18wt%至21wt%的CaO、9wt%至10wt%的SiO<sub>2</sub>、1.5wt%至2wt%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>以及不可避免的雜質。
如請求項3所述之鐵礦的燒結方法，其中該鐵礦的一鹼度係介於1.8至2.2之間，其中該鹼度係CaO與SiO<sub>2</sub>的重量比值。
如請求項1所述之鐵礦的燒結方法，其中該改質鐵礦的鐵酸鈣相的比例係介於18%至40%之間。
如請求項1所述之鐵礦的燒結方法，其中該升溫步驟係在99%至99.5%的氮氣與0.5%至1%的氧氣的一氣氛下以0.3升/分至0.7升/分的一氣氛流量進行。
如請求項1所述之鐵礦的燒結方法，其中提供該鐵礦的步驟包含：提供由粒徑為大於0且小於等於10um的鐵礦粉末壓錠而成的該鐵礦。
一種晶圓清洗方法，用以清洗一晶圓，其中該晶圓已浸泡過硫酸，包含：<br/> 提供一清洗槽，並確認該清洗槽已實質排空；<br/> 置入該晶圓於該清洗槽後，提供一清洗溶劑以沖洗該晶圓，並同時排放該清洗溶劑；及<br/> 停止排放該清洗溶劑一段時間並待該清洗溶劑已實質覆蓋該晶圓後，再次沖洗該晶圓。
如請求項1所述之晶圓清洗方法，其中提供一清洗溶劑係提供一去離子水（Deionized Water）。
如請求項1所述之晶圓清洗方法，其中置入該晶圓包含置入一晶圓盒（Wafer Cassette），該晶圓盒可容納複數晶圓。
如請求項1所述之晶圓清洗方法，更包含導入一鈍性氣體以沖洗該晶圓，並同時排放該清洗溶劑。
如請求項4所述之晶圓清洗方法，其中導入一鈍性氣體係導入一氮氣（N<sub>2</sub>）。
如請求項1所述之晶圓清洗方法，其中沖洗該晶圓之步驟包含上部沖洗及下部沖洗該晶圓。
一種晶圓清洗設備，用於清洗一晶圓，其中該晶圓已浸泡過硫酸，包含：<br/> 一清洗槽，用以容置該晶圓；<br/> 一溶劑導入口，用以提供一清洗溶劑於該清洗槽中以沖洗該晶圓；及<br/> 一溶劑排放口，用以排放該清洗溶劑至該清洗槽外，<br/> 其中，置入該晶圓前需確認該清洗槽已實質排空後，該溶劑導入口方可提供一清洗溶劑以沖洗該晶圓，並同時自該溶劑排放口排放該清洗溶劑。
如請求項7所述之晶圓清洗設備，其中該溶劑導入口提供之該清洗溶劑係一去離子水（Deionized Water）。
如請求項7所述之晶圓清洗設備，其中該清洗槽可容置包含複數晶圓之一晶圓盒，且該晶圓盒之側壁具有複數通孔，使該清洗溶劑得經由該等通孔沖洗該等晶圓。
如請求項7所述之晶圓清洗設備，更包含一氣體導入口，用以提供一鈍性氣體於該清洗槽中。
如請求項10所述之晶圓清洗設備，其中該氣體導入口導入之該鈍性氣體係一氮氣（N<sub>2</sub>）。
如請求項7所述之晶圓清洗設備，其中該溶劑導入口沖洗包含一上部溶劑導入口及一下部溶劑導入口，分別設置於清洗槽之一上部位置及一下部位置，以分別上部沖洗及下部沖洗該晶圓。
一種樹脂，包括如下式A的化合物：<br/><br/><img align="absmiddle" height="15px" width="209px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式A)<br/> 其中，X<sub>1</sub>為<img align="absmiddle" height="43px" width="81px" file="ed10179.jpg" alt="ed10179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，X<sub>2</sub>為<img align="absmiddle" height="42px" width="88px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，X<sub>3</sub>為<img align="absmiddle" height="43px" width="92px" file="ed10181.jpg" alt="ed10181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，X<sub>4</sub>為<img align="absmiddle" height="42px" width="90px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，Y<sub>1</sub>至Y<sub>4</sub>各自獨立地為<img align="absmiddle" height="46px" width="47px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自獨立地為H、一具有經取代或未經取代之C2至C7烯基、一具有經取代或未經取代之C2至C7炔基、馬來醯亞胺、甘油醚、氰酸酯、-COCH<sub>3</sub>、<img align="absmiddle" height="19px" width="41px" file="ed10187.jpg" alt="ed10187.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="63px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="69px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="55px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="61px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="33px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="47px" file="ed10196.jpg" alt="ed10196.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="58px" file="ed10198.jpg" alt="ed10198.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="47px" file="ed10199.jpg" alt="ed10199.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="50px" file="ed10201.jpg" alt="ed10201.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="45px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="17px" width="51px" file="ed10205.jpg" alt="ed10205.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，R<sub>3</sub>、R<sub>3</sub><sup>’</sup>、R<sub>3</sub><sup>’ ’</sup> 和R<sub>3</sub><sup>’ ’ ’</sup>各自獨立地為<img align="absmiddle" height="42px" width="35px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="35px" file="ed10208.jpg" alt="ed10208.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，R<sub>4</sub>至R<sub>11</sub>、R<sub>4</sub><sup>’</sup>至R<sub>11</sub><sup>’</sup>、R<sub>4</sub><sup>’ ’</sup>至R<sub>11</sub><sup>’’</sup>、R<sub>4</sub><sup>’’’</sup>至R<sub>11</sub><sup>’’’</sup>各自獨立地為H、一經取代或未經取代之C1至C5烷基、一經取代或未經取代之C2至C5烯基；<br/> 其中，R<sub>12</sub>為H或<img align="absmiddle" height="28px" width="16px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，R<sub>13</sub>和R<sub>14</sub>各自獨立地為H、C1至C12烷基或CF<sub>3</sub>；以及<br/> 其中，<i>m、n、o</i>及<i>p</i>為大於0的整數或非整數。
如請求項1所述的樹脂，其中，X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>和X<sub>4</sub>各自獨立地為<img align="absmiddle" height="41px" width="93px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="119px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="112px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="95px" width="93px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至2任一項所述的樹脂，其中該樹脂為一小分子量聚芳醚樹脂，分子量低於5000。
一種熱固化的樹脂組合物，包含請求項1至2任一項的式A的重複單元。
一種熱固化的樹脂組合物，包含：<br/> 請求項1至2任一項的樹脂；<br/> 一輔助可固化樹脂；<br/> 一增韌劑；以及<br/> 一填料。
如請求項5所述的樹脂組合物，其中該輔助可固化樹脂包括一聚苯醚樹脂、一苯並噁嗪樹脂、一雙馬來醯亞胺樹脂、一環氧樹脂或前述的組合。
如請求項5所述的樹脂組合物，用於製成銅箔基板、增層材料、封裝製程膜、接著層或印刷電路板。
一種硬化體，包含請求項1至2任一項的樹脂。
一種電子封裝結構，其包括： <br/>基板，所述基板包括： <br/>導線，其彼此間隔開；以及 <br/>基板囊封劑，其插入在所述導線之間，其中所述基板囊封劑具有基板頂側和相對於所述基板頂側的基板底側； <br/>電子裝置，其耦合到所述導線；以及 <br/>封裝主體，其囊封所述電子裝置，其中： <br/>所述電子裝置包括主表面以及設置在所述主表面與所述導線之第一導線之間的導電結構； <br/>所述第一導線包括： <br/>第一部分，其包含在所述基板頂側處從所述基板囊封劑暴露的第一部分頂側和在所述基板底側處從所述基板囊封劑暴露的相對的第一部分底側；以及 <br/>第二部分，其包含在所述基板頂側處從所述基板囊封劑暴露的第二部分頂側； <br/>其中所述第一部分包括第一厚度， <br/>其中所述第二部分包括小於所述第一厚度的第二厚度， <br/>其中所述第二部分與所述第一部分是一體的且從所述第一部分橫向地延伸， <br/>其中所述第一部分頂側及所述第二部分頂側兩者限定從所述基板囊封劑暴露的所述第一導線之頂側， <br/>其中所述電子裝置的所述導電結構耦合至在所述第一導線之所述頂側上的連接點，並且 <br/>其中從所述基板囊封劑暴露之所述第一部分底側的至少一部分在所述連接點的覆蓋區之外。
如請求項1的電子封裝結構，其中： <br/>所述第一部分包含在所述第一部分底側及所述第二部分底側之間延伸的第一橫向側，並且第二橫向側與所述第一橫向側相對。
如請求項2的電子封裝結構，其中： <br/>所述電子裝置與所述連接點重疊。
如請求項2的電子封裝結構，其中： <br/>所述基板囊封劑接觸所述第一部分的所述第一橫向側和所述第一部分的所述第二橫向側。
如請求項2的電子封裝結構，其中： <br/>所述第一部分的所述第一橫向側的至少一部分從所述基板囊封劑暴露。
如請求項1的電子封裝結構，其中： <br/>所述第一部分頂側和所述第二部分頂側共平面。
如請求項6的電子封裝結構，其中： <br/>所述封裝主體在所述第一部分頂側和所述第二部分頂側上。
如請求項1的電子封裝結構，其中： <br/>在所述封裝主體和所述基板囊封劑之間的界面靠近所述基板頂側。
一種製造電子封裝結構的方法，其包括： <br/>提供基板，所述基板包括： <br/>導線，其彼此間隔開；以及 <br/>基板囊封劑，其插入在所述導線之間，其中所述基板囊封劑具有基板頂側和相對於所述基板頂側的基板底側； <br/>提供電子裝置，其耦合到所述導線；以及 <br/>提供封裝主體，其囊封所述電子裝置，其中： <br/>所述電子裝置包括主表面以及設置在所述主表面與所述導線之第一導線之間的導電結構；並且 <br/>所述第一導線包括： <br/>第一部分，其包含在所述基板頂側處從所述基板囊封劑暴露的第一部分頂側和在所述基板底側處從所述基板囊封劑暴露的相對的第一部分底側；以及 <br/>第二部分，其包含在所述基板頂側處從所述基板囊封劑暴露的第二部分頂側； <br/>其中所述第一部分包括第一厚度， <br/>其中所述第二部分包括小於所述第一厚度的第二厚度， <br/>其中所述第二部分與所述第一部分是一體的且從所述第一部分橫向地延伸， <br/>其中所述第一部分頂側及所述第二部分頂側兩者限定從所述基板囊封劑暴露的所述第一導線之頂側， <br/>其中所述電子裝置的所述導電結構耦合至在所述第一導線之所述頂側上的連接點， <br/>其中從所述基板囊封劑暴露之所述第一部分底側的至少一部分在所述連接點的覆蓋區之外，並且 <br/>其中在所述封裝主體和所述基板囊封劑之間的界面靠近所述基板頂側。
如請求項9的方法，其中： <br/>所述第一部分包含在所述第一部分底側及所述第二部分底側之間延伸的第一橫向側，並且第二橫向側與所述第一橫向側相對。
如請求項10的方法，其中： <br/>提供所述電子裝置包括耦合所述電子裝置與所述連接點重疊。
如請求項10的方法，其中： <br/>提供所述基板包括提供接觸所述第一部分的所述第一橫向側和所述第一部分的所述第二橫向側之所述基板囊封劑。
如請求項10的方法，其中： <br/>提供所述基板包括提供從所述基板囊封劑暴露之所述第一部分的所述第一橫向側的至少一部分。
如請求項9的方法，其中： <br/>所述第一部分頂側和所述第二部分頂側共平面。
如請求項14的方法，其中： <br/>提供所述封裝主體包括提供在所述第一部分頂側和所述第二部分頂側上的所述封裝主體。
一種輔具驗配方法，運用於一電子裝置及一數據收集單元，該電子裝置通訊連接該數據收集單元，該數據收集單元對應於一測試者設置，該輔具驗配方法包含以下步驟：<br/> (A) 該電子裝置預存一分類模型；<br/> (B) 該數據收集單元收集該測試者於進行一特定運動時的一運動資料，並輸出至該電子裝置；及<br/> (C) 該電子裝置接收步驟(B)的該運動資料，並根據該運動資料得出一骨盆運動數據，該電子裝置使用該分類模型，根據該骨盆運動數據得出一分類結果，該分類結果相關於一輔具建議資訊。
如請求項1所述的輔具驗配方法，其中，於步驟(B)中，該數據收集單元設置於該測試者後腰處，並包括用以輸出該運動資料的一慣性測量器、一陀螺儀，及一三軸加速度規，該骨盆運動數據相關於該測試者的骨盆於一垂直平面上的擺動角度。
如請求項1所述的輔具驗配方法，其中，於步驟(B)中，該數據收集單元包括複數設置於該測試者對應骨盆前上髂嵴與後上髂嵴至少其中一處的標記件，及一影像擷取裝置，該影像擷取裝置朝該等標記件拍攝一影像，並以該影像作為該運動資料，於步驟(C)中，該電子裝置還根據該運動資料運算出該骨盆運動數據，該骨盆運動數據相關於該測試者的骨盆於一垂直平面上的擺動角度。
如請求項1所述的輔具驗配方法，其中，於步驟(A)中，還包含以下子步驟：<br/> (A1) 該數據收集單元收集複數訓練者於進行該特定運動時的該運動資料，並輸出至該電子裝置；<br/> (A2) 該電子裝置接收步驟(A1)的該等運動資料，並根據每一該運動資料得出對應的該骨盆運動數據，該電子裝置連結每一該骨盆運動數據與對應的一分類標籤，並至少使用該等骨盆運動數據與對應的該等分類標籤作為一訓練資料集，該電子裝置以該訓練資料集建立該分類模型。
如請求項4所述的輔具驗配方法，其中，於步驟(A)中，還包含以下子步驟：<br/> (A3) 該數據收集單元收集一修正者於進行該特定運動時的該運動資料，並輸出至該電子裝置；<br/> (A4) 該電子裝置接收步驟(A3)的該運動資料，並根據該運動資料得出該骨盆運動數據，該電子裝置使用步驟(A2)所訓練完成的該分類模型，根據該骨盆運動數據得出該分類結果；<br/> (A5) 該數據收集單元收集該修正者使用一輔具進行該特定運動時的該運動資料，並輸出至該電子裝置，該輔具對應於步驟(A4)所得出的該分類結果；<br/> (A6) 該電子裝置接收步驟(A5)的該運動資料，並根據該運動資料得出對應的該骨盆運動數據，該電子裝置於判斷該骨盆運動數據符合一優化條件後，將該骨盆運動數據、與步驟(A4)所得出的該分類結果所對應的該分類標籤加入該訓練資料集；及<br/> (A7) 於執行複數次步驟(A3)~步驟(A6)後，以新的該訓練資料集訓練該分類模型。
如請求項1所述的輔具驗配方法，還包含以下步驟：<br/> (D) 該電子裝置預存一小腿骨盆對應模型；<br/> 其中，於步驟(B)中，該運動資料相關於一小腿運動數據，於步驟(C)中，該電子裝置根據該運動資料得出該小腿運動數據，再使用該小腿骨盆對應模型，根據該小腿運動數據得出該骨盆運動數據，於步驟(D)中，還包括以下子步驟：<br/> (D1) 該數據收集單元收集複數訓練者於進行該特定運動時的該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據，並輸出至該電子裝置；<br/> (D2) 該電子裝置接收步驟(D1)的該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據，該電子裝置使用該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據訓練該小腿骨盆對應模型。
如請求項1所述的輔具驗配方法，還包含以下步驟：<br/> (E) 該電子裝置預存一骨盆小腿對應模型；及<br/> (F)該電子裝置使用該骨盆小腿對應模型，根據該骨盆運動數據得出一小腿運動數據，該電子裝置根據該小腿運動數據得出一下肢動力資料，該下肢動力資料相關於小腿的肌肉活化程度與運動力學參數；<br/> 其中，於步驟(E)中，還包括以下子步驟：<br/> (E1) 該數據收集單元收集複數訓練者於進行該特定運動時的該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據，並輸出至該電子裝置；及<br/> (E2) 該電子裝置接收步驟(E1)的該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據，該電子裝置使用該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據訓練該骨盆小腿對應模型。
如請求項1所述的輔具驗配方法，還包含以下步驟：<br/> (G) 該電子裝置預存一骨盆動力對應模型；及<br/> (H) 該電子裝置使用該骨盆動力對應模型，根據該骨盆運動數據得出一下肢動力資料，該下肢動力資料相關於小腿的肌肉活化程度與運動力學參數；<br/> 其中，於步驟(G)中，還包括以下子步驟：<br/> (G1) 該數據收集單元收集複數訓練者於進行該特定運動時的該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據，並輸出至該電子裝置；及<br/> (G2) 該電子裝置接收步驟(G1)的該等小腿運動數據與對應的該等骨盆運動數據，該電子裝置根據每一該小腿運動數據得出對應的該下肢動力資料，並將每一該下肢動力資料連結至對應的該骨盆運動數據，該電子裝置使用該等骨盆運動數據與對應的該等下肢動力資料訓練該骨盆動力對應模型。
一種集成封裝件，其中，所述集成封裝件包括： <br/>一天線模組，所述天線模組包括： <br/>一天線模組基底；和 <br/>一頂部天線結構，所述頂部天線結構設置在所述天線模組基底上； <br/>一第一再分布結構，所述第一再分布結構設置在所述天線模組的底表面上，所述第一再分布結構包括被配置成與所述頂部天線結構進行電磁能量耦合的底部天線結構；以及 <br/>一半導體晶片，所述半導體晶片安裝在所述第一再分布結構的底表面上並且與所述底部天線結構電耦合。
如請求項1所述的集成封裝件，其中所述集成封裝件進一步包括： <br/>第一密封劑，所述第一密封劑密封所述天線模組，其中所述第一密封劑的底表面與所述天線模組的底表面齊平或共面。
如請求項2所述的集成封裝件，其中，所述集成封裝件進一步包括： <br/>一第二密封劑，所述第二密封劑設置在所述第一再分布結構的所述底表面上並且密封所述半導體晶片； <br/>至少一個導電柱，所述至少一個導電柱延伸穿過所述第二密封劑並且與所述第一再分布結構電耦合；以及 <br/>一第二再分布結構，所述第二再分布結構設置在所述第二密封劑的底表面上並且與所述導電柱電耦合。
如請求項3所述的集成封裝件，其中，所述集成封裝件進一步包括： <br/>多個互連凸塊，所述多個互連凸塊設置在所述第一再分布結構與所述半導體晶片之間，以用於將所述半導體晶片與所述第一再分布結構電耦合。
如請求項4所述的集成封裝件，其中，所述第二密封劑的至少一部分設置在所述半導體晶片與所述第二再分布結構之間。
如請求項3所述的集成封裝件，其中，所述集成封裝件進一步包括： <br/>多個互連凸塊，所述多個互連凸塊設置在所述第二再分布結構與所述半導體晶片之間，以用於將所述半導體晶片與所述第二再分布結構電耦合。
如請求項3所述的集成封裝件，其中，所述集成封裝件進一步包括： <br/>多個導電凸塊，所述多個導電凸塊設置在所述第二再分布結構的底表面上並且與所述第二再分布結構電耦合。
如請求項1所述的集成封裝件，其中，所述天線模組基底包含模塑料。
如請求項8所述的集成封裝件，其中，所述天線模組進一步包括： <br/>一蓋鈍化層，所述蓋鈍化層設置在所述天線模組基底上並且覆蓋所述頂部天線結構。
如請求項8所述的集成封裝件，其中，所述天線模組進一步包括： <br/>一底部鈍化層，所述底部鈍化層設置在所述天線模組基底與所述頂部天線結構之間。
如請求項1所述的集成封裝件，其中，所述頂部天線結構與所述底部天線結構之間的距離基於所述頂部天線結構和所述底部天線結構的圖案、以及所述頂部天線結構與所述底部天線結構之間的介電材料的介電常數和耗散因子來確定。
一種用於製造集成封裝件的方法，其中，所述方法包括： <br/>提供一天線模組，其中所述天線模組包括天線模組基底和設置在所述天線模組基底上的頂部天線結構； <br/>在所述天線模組的底表面上形成一第一再分布結構，其中所述第一再分布結構包括被配置成與所述頂部天線結構進行電磁能量耦合的底部天線結構；以及 <br/>將一半導體晶片安裝在所述第一再分布結構上，其中所述半導體晶片與所述底部天線結構電耦合。
如請求項12所述的方法，其中在所述天線模組的底表面上形成所述第一再分布結構包括： <br/>將所述天線模組附接在一載體上； <br/>在所述載體上形成一第一密封劑，以密封所述天線模組； <br/>移除所述載體，以暴露所述第一密封劑的底表面，其中所述第一密封劑的底表面與所述天線模組的底表面齊平或共面；以及 <br/>在所述天線模組的底表面和所述第一密封劑的底表面上形成所述第一再分布結構。
如請求項13所述的方法，其中，所述方法進一步包括： <br/>在所述第一再分布結構上形成至少一個導電柱； <br/>在所述第一再分布結構上形成一第二密封劑，以密封所述半導體晶片；以及 <br/>在所述第二密封劑上形成一第二再分布結構，其中所述第二再分布結構通過所述導電柱與所述第一再分布結構電耦合。
如請求項14所述的方法，其中，將所述半導體晶片安裝在所述第一再分布結構上包括： <br/>在所述半導體晶片的有源表面上形成多個互連凸塊；以及 <br/>通過所述多個互連凸塊將所述半導體晶片安裝在所述第一再分布結構上。
如請求項15所述的方法，其中，所述第二密封劑的至少一部分形成於所述半導體晶片與所述第二再分布結構之間。
如請求項14所述的方法，其中，將所述半導體晶片安裝在所述第一再分布結構上包括： <br/>在所述半導體晶片的有源表面上形成多個互連凸塊；以及 <br/>將所述半導體晶片附接在所述第一再分布結構上，其中所述多個互連凸塊與所述第一再分布結構相背對。
如請求項14所述的方法，其中，所述方法進一步包括： <br/>在所述第二再分布結構上形成多個導電凸塊，以與所述第二再分布結構電耦合。
如請求項14所述的方法，其中，提供所述天線模組包括： <br/>提供包含模塑料的一模制基底；以及 <br/>在所述模制基底上形成所述頂部天線結構。
如請求項19所述的方法，其中，提供所述天線模組進一步包括： <br/>在所述模制基底上形成所述頂部天線結構之前，在所述模制基底上形成一底部鈍化層。
如請求項19所述的方法，其中，提供所述天線模組進一步包括： <br/>在所述頂部天線結構上形成一蓋鈍化層。
一種晶圓搬運設備的牙叉裝置，包含：<br/> 一牙叉體，包含一基部以及連接該基部的一端的末端部；以及<br/> 兩個感測器，設置在該末端部之遠離該基部的端面，其中一個該感測器的偵測方向相對於該端面的法線向上偏斜一第一角度，另一個該感測器的偵測方向相對於該端面的法線向下偏斜一第二角度，且該第一角度和該第二角度大於10度且小於90度。
根據請求項1所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，該末端部的數量為2，該兩個感測器設置在其中一個該末端部之遠離該基部的端面；該牙叉裝置還包含另兩個感測器，該另兩個感測器設置在另一個該末端部之遠離該基部的端面；以及在該另兩個感測器中，其中一個該感測器的偵測方向相對於其所在的末端部之遠離該基部的端面的法線向上偏斜一第三角度，另一個該感測器的偵測方向相對於其所在的末端部之遠離該基部的端面的法線向下偏斜一第四角度，且該第三角度和該第四角度大於10度且小於90度。
根據請求項1或2所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，各該感測器包含一投光器和一受光器，該投光器的發射光軸和該受光器的接收光軸相交且共同構成該感測器的偵測方向。
根據請求項1或2所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，各該感測器切齊或凸出於其所在的末端部之遠離該基部的端面。
根據請求項4所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，各該感測器還包含一感測器殼體，該感測器殼體包含用於允許該感測器進行偵測的一偵測供應殼部、圍繞地設在該偵測供應殼部周緣且不平行於該偵測供應殼部的一延伸部以及設在該延伸部的一暴露口，該暴露口的位置對應該感測器的偵測方向的朝向。
根據請求項2所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，在同一個末端部上的該些感測器凸出於或切齊該末端部之遠離該基部的端面，且沿著垂直於該端面的法線的一垂直軸向錯開。
根據請求項2所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，在同一個末端部上的該些感測器凸出於末端部之遠離該基部的端面，且沿著垂直於該端面的法線的一垂直軸向的投影相互重疊。
根據請求項3所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，該感測器的該投光器的發射光軸和該受光器的接收光軸的夾角大於90度且小於180度。
根據請求項1或2所述的晶圓搬運設備的牙叉裝置，其中，該第一角度大於該第二角度。
一種晶圓搬運設備，包含如請求項1或2所述的牙叉裝置。
一種自動解鎖機構，適用於一托盤，其中該托盤包含一底板、以及立設在該底板上且彼此鄰接之一第一側板與一第二側板，該自動解鎖機構包含：<br/> 至少一把手組件，配置以裝設在該第一側板，其中該至少一把手組件之每一者包含：<br/> 一握把，配置以設於該第一側板之一外側面上，其中該握把可沿一第一方向相對於該第一側板之該外側面在一第一位置與一第二位置之間移動；<br/> 一連接組件，配置以從該第一側板之一內側面經由該第一側板連接該握把；<br/> 一第一凸輪，配置以可轉動地設於該底板上，且包含一第一凸輪本體、與一卡勾結構，其中該卡勾結構接合在該第一凸輪本體之一端，且配置以穿過該第二側板之一穿孔；<br/> 一第二凸輪，接合於該連接組件且鄰近該第一凸輪本體之另一端，其中該第二凸輪配置以可轉動地設於該底板上，以帶動該第一凸輪轉動；以及<br/> 一復位組件，設於該底板上，且配置以當該握把從該第二位置移動到該第一位置時復位該第一凸輪、以及當該握把從該第二位置移動到該第一位置時復位該第二凸輪。
如請求項1所述之自動解鎖機構，其中該握把包含二端部，該握把處於該第一位置時，該二端部抵靠於該第一側板之該外側面。
如請求項2所述之自動解鎖機構，其中該連接組件包含一連接基座、以及立設於該連接基座上之二連接支撐件，其中該二連接支撐件穿過該第一側板且分別連接該二端部。
如請求項3所述之自動解鎖機構，其中該二連接支撐件之每一者之一外徑小於該二端部之每一者之一外徑。
如請求項3所述之自動解鎖機構，其中該連接組件更包含二凸耳自該連接基座之相對二端凸伸而出。
如請求項5所述之自動解鎖機構，其中該二凸耳分別夾設於該第二凸輪之相對二側，以連接該第二凸輪與該連接基座。
如請求項5所述之自動解鎖機構，其中該連接組件更包含一連接板，該連接板貼設於該連接基座上，且該二凸耳自該連接板之相對二端凸伸而出。
如請求項3所述之自動解鎖機構，其中當該握把處於該第二位置時，該連接基座抵靠於該第一側板之該內側面。
如請求項1所述之自動解鎖機構，其中該第一凸輪更包含一止擋板接合在該卡勾結構上，該止擋板配置以在該握把處於該第一位置時抵靠該第二側板。
如請求項9所述之自動解鎖機構，其中該第一凸輪更包含一斜面板接合在該卡勾結構上，當該握把處於該第一位置時，該斜面板與該第二側板之間具有一夾角，且該夾角大於或等於45˚。
如請求項1所述之自動解鎖機構，其中該第一凸輪本體具有一第一軸孔貫穿該第一凸輪本體。
如請求項11所述之自動解鎖機構，其中該至少一把手組件更包含：<br/> 一第一轉軸，樞設於該第一軸孔與該底板中，以連接該第一凸輪與該托盤；以及<br/> 一第一扣件，扣合該第一轉軸，以定位該第一轉軸於該底板上。
如請求項1所述之自動解鎖機構，其中：<br/> 該第二凸輪具有一連動軸孔與一第二軸孔；以及<br/> 該至少一把手組件更包含：<br/> 一連動軸，穿設於該連動軸孔中，且與該連接組件接合；以及<br/> 一第二轉軸，樞設於該第二軸孔與該底板中。
如請求項13所述之自動解鎖機構，其中該連動軸線接觸該連動軸孔之一內緣。
如請求項13所述之自動解鎖機構，其中該連動軸孔之一徑向尺寸大於該連動軸之一徑向尺寸。
如請求項13所述之自動解鎖機構，其中該連動軸孔為一方形通孔。
如請求項1所述之自動解鎖機構，其中：<br/> 當該握把自該第一位置移動至該第二位置時，該握把帶動該連接組件朝該第一側板之該內側面移動；<br/> 該連接組件進一步帶動該第二凸輪沿一第一轉動方向轉動，而帶動該第一凸輪沿一第二轉動方向轉進該第二側板內，使得該卡勾結構脫離一機櫃，其中該第二轉動方向與該第一轉動方向相反。
如請求項1所述之自動解鎖機構，其中該復位組件包含：<br/> 一第一復位元件，設於該第一凸輪上且配置以當該握把自該第二位置移動到該第一位置時復位該第一凸輪；以及<br/> 一第二復位元件，設於該第二凸輪上且配置以當該握把自該第二位置移動到該第一位置時復位該第二凸輪。
如請求項18所述之自動解鎖機構，其中當該托盤不再受力後，該第一復位元件與該第二復位元件分別將該第一凸輪與該第二凸輪復位回該握把處於該第一位置時的位置。
如請求項18所述之自動解鎖機構，其中當該至少一把手組件受力推動該托盤進入一機櫃時，該卡勾結構受該機櫃之一機櫃結構推動而使該第一凸輪沿一第二轉動方向轉動，直至該卡勾結構與該機櫃結構分離，該第一復位元件接著帶動該卡勾結構沿一第一轉動方向轉動，使該第一凸輪復位為當該握把在該第一位置時的位置，其中該第一轉動方向與該第二轉動方向相反。
一種聚合物膜，其包含第一層、第二層及第三層，且該第一層設置於該第二層及該第三層之間；其中，該第一層包括一第一聚乙烯醇縮醛；其中於該第一聚乙烯醇縮醛中，分子量介於100,000至1,200,000 Da之成分的含量為70至80 wt.%，且該第一層的玻璃轉移溫度為-16.00℃至5.00℃。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，於該第一聚乙烯醇縮醛中，分子量介於100,000至1,200,000 Da之成分的含量為70至72 wt.%。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第一層的玻璃轉移溫度為-16.00℃至-10.00℃。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，於該第一聚乙烯醇縮醛中，分子量大於1,000,000 Da之成分的含量為2.0至9.0 wt.%。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為230,000至520,000 Da。
如請求項5所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為250,000至480,000 Da。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的聚合度為2000至4500。
如請求項7所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的聚合度為2200至4200。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的羥基含量為23.0至28.0 mol%。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的乙醯度為7.0至12.0 mol%。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第一聚乙烯醇縮醛的縮醛度為60.0至68.0 mol%。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第二層包含一第二聚乙烯醇縮醛，且該第二聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為200,000至280,000 Da。
如請求項1所述之聚合物膜，其中，該第三層包含第三聚乙烯醇縮醛，且該第三聚乙烯醇縮醛的重量平均分子量為200,000至280,000 Da。
如請求項1至13任一項所述之聚合物膜，其中，該第一層進一步包含一可塑劑。
如請求項14所述之聚合物膜，其中，該可塑劑相對於100重量份之該第一聚乙烯醇縮醛的含量為大於55重量份且小於80重量份。
一種夾層玻璃，其包含：<br/> 一第一玻璃片；<br/> 一第二玻璃片；以及<br/> 一如請求項1至13任一項所述之聚合物膜，其設置於該第一玻璃片與第二玻璃片之間。
一種推測裝置，其推測馬達軸承磨耗監測裝置的調整值，該馬達軸承磨耗監測裝置係根據檢測與罐裝馬達泵之馬達的轉子相對於定子的位置變化對應的磁通變化之多個檢測線圈各自的檢測訊號，監測支撐前述轉子之旋轉軸的軸承之磨耗狀態，其中， <br/>多個前述檢測線圈分別安裝於前述定子，輸出表示前述磁通變化的前述檢測訊號， <br/>多個前述檢測線圈包含多個推力檢測線圈，該多個推力檢測線圈檢測前述旋轉軸在推力方向上的前述磁通變化， <br/>多個前述推力檢測線圈包含成組之第1推力檢測線圈及其他成組之第2推力檢測線圈， <br/>在前述推力方向上， <br/>前述第1推力檢測線圈配置於前述定子之一方向側的端部， <br/>前述第2推力檢測線圈配置於前述定子之另一方向側的端部， <br/>前述調整值包含前述推力方向上的推力調整值， <br/>前述推力調整值包含： <br/>在前述轉子相對於前述定子分別位於第1位置、第2位置、第3位置時，分別從前述第1推力檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第1推力合成訊號的電壓值，以及分別從前述第2推力檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第2推力合成訊號的電壓值； <br/>或 <br/>可根據前述第1推力合成訊號的前述電壓值及前述第2推力合成訊號的前述電壓值計算的前述推力方向上的前述磨耗狀態的推力判定基準， <br/>前述第1位置係在前述推力方向上的前述旋轉軸相對於前述軸承的機械可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述一方向側最大限度移動後的位置， <br/>前述第2位置係在前述可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述另一方向側最大限度移動後的位置， <br/>前述第3位置係前述第1位置與前述第2位置的中間位置， <br/>該推測裝置具有： <br/>儲存部，其儲存習得之推力學習模型，該習得之推力學習模型係以在輸入包含前述馬達的額定電流值、前述可移動範圍的長度、前述檢測線圈的匝數及前述推力方向上的前述轉子相對於前述定子的位置的推力輸入資料時輸出前述推力調整值的方式進行機械學習而得； <br/>取得部，其取得前述推力輸入資料；及 <br/>推測部，其將藉由前述取得部所取得之前述推力輸入資料輸入至前述推力學習模型，而推測前述推力調整值。
如請求項1所述之推測裝置，其中，前述推力輸入資料包含前述馬達的額定電壓值及/或前述馬達的額定頻率。
如請求項1所述之推測裝置，其中，前述推力輸入資料包含馬達框號來代替前述匝數，該馬達框號規定前述馬達的輸出、前述馬達的尺寸及前述匝數的組合。
如請求項1所述之推測裝置，其中， <br/>多個前述檢測線圈包含多個徑向檢測線圈，該多個徑向檢測線圈檢測前述旋轉軸在徑方向上的前述磁通變化， <br/>多個前述徑向檢測線圈包含成組之第1徑向檢測線圈及其他成組之第2徑向檢測線圈， <br/>在前述推力方向上， <br/>前述第1徑向檢測線圈配置於前述定子之前述一方向側的端部， <br/>前述第2徑向檢測線圈配置於前述定子之前述另一方向側的端部， <br/>前述軸承係藉由前述罐裝馬達泵的處理液進行潤滑的滑動軸承， <br/>前述調整值包含前述徑方向上的徑向調整值， <br/>前述徑向調整值包含： <br/>在前述轉子相對於前述定子位於第4位置時，分別從前述第1徑向檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第1徑向合成訊號的電壓值，以及分別從前述第2徑向檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第2徑向合成訊號的電壓值； <br/>或 <br/>根據前述第1徑向合成訊號的前述電壓值及前述第2徑向合成訊號的前述電壓值所生成的前述徑方向上的前述磨耗狀態的徑向判定基準， <br/>前述第4位置係在前述徑方向上的前述旋轉軸相對於前述軸承的機械可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述徑方向最大限度移動後的位置， <br/>前述儲存部儲存習得之徑向學習模型，該習得之徑向學習模型係以在輸入包含前述額定電流值及前述匝數的徑向輸入資料時輸出前述徑向調整值的方式進行機械學習而得， <br/>前述取得部取得前述徑向輸入資料， <br/>前述推測部將藉由前述取得部所取得之前述徑向輸入資料輸入至前述徑向學習模型，而推測前述徑向調整值。
一種推測程式，其使電腦發揮作為如請求項1所述之推測裝置的功能。
一種推測方法，其係藉由推測馬達軸承磨耗監測裝置之調整值的推測裝置執行的前述調整值的推測方法，該馬達軸承磨耗監測裝置係根據檢測與罐裝馬達泵之馬達的轉子相對於定子的位置變化對應的磁通變化之多個檢測線圈各自的檢測訊號，監測支撐前述轉子之旋轉軸的軸承之磨耗狀態，其中， <br/>多個前述檢測線圈分別安裝於前述定子，輸出表示前述磁通變化的前述檢測訊號， <br/>多個前述檢測線圈包含多個推力檢測線圈，該多個推力檢測線圈檢測前述旋轉軸在推力方向上的前述磁通變化， <br/>多個前述推力檢測線圈包含成組之第1推力檢測線圈及其他成組之第2推力檢測線圈， <br/>在前述推力方向上， <br/>前述第1推力檢測線圈配置於前述定子之一方向側的端部， <br/>前述第2推力檢測線圈配置於前述定子之另一方向側的端部， <br/>前述調整值包含前述推力方向上的推力調整值， <br/>前述推力調整值包含： <br/>在前述轉子相對於前述定子分別位於第1位置、第2位置、第3位置時，分別從前述第1推力檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第1推力合成訊號的電壓值，以及分別從前述第2推力檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第2推力合成訊號的電壓值； <br/>或 <br/>根據前述第1推力合成訊號的前述電壓值及前述第2推力合成訊號的前述電壓值所生成的前述推力方向上的前述磨耗狀態的推力判定基準， <br/>前述第1位置係在前述推力方向上的前述旋轉軸相對於前述軸承的機械可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述一方向側最大限度移動後的位置， <br/>前述第2位置係在前述可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述另一方向側最大限度移動後的位置， <br/>前述第3位置係前述第1位置與前述第2位置的中間位置， <br/>前述推測裝置具備：儲存部，其儲存習得之推力學習模型，該習得之推力學習模型係以在輸入包含前述馬達的額定電流值、前述可移動範圍的長度、前述檢測線圈的匝數及前述推力方向上的前述轉子相對於前述定子的位置的推力輸入資料時輸出前述推力調整值的方式進行機械學習而得， <br/>該推測方法包含： <br/>取得步驟，在該步驟中，前述推測裝置取得前述推力輸入資料；及 <br/>推測步驟，在該步驟中，前述推測裝置將藉由前述取得步驟所取得之前述推力輸入資料輸入至前述推力學習模型，而推測前述推力調整值。
一種馬達軸承磨耗監測裝置，其係根據檢測與罐裝馬達泵之馬達的轉子相對於定子的位置變化對應的磁通變化之多個檢測線圈各自的檢測訊號，監測支撐前述轉子之旋轉軸的軸承之磨耗狀態，其中， <br/>多個前述檢測線圈分別安裝於前述定子，輸出表示前述磁通變化的前述檢測訊號， <br/>多個前述檢測線圈包含多個推力檢測線圈，該多個推力檢測線圈檢測前述旋轉軸在推力方向上的前述磁通變化， <br/>多個前述推力檢測線圈包含成組之第1推力檢測線圈及其他成組之第2推力檢測線圈， <br/>在前述推力方向上， <br/>前述第1推力檢測線圈配置於前述定子之一方向側的端部， <br/>前述第2推力檢測線圈配置於前述定子之另一方向側的端部， <br/>該馬達軸承磨耗監測裝置具有： <br/>儲存部，其儲存習得之推力學習模型，該習得之推力學習模型係以在輸入包含前述馬達的額定電流值、前述推力方向上的前述旋轉軸相對於前述軸承的機械可移動範圍的長度、前述檢測線圈的匝數及前述推力方向上的前述轉子相對於前述定子的位置的推力輸入資料時輸出推力調整值的方式進行機械學習而得； <br/>取得部，其取得前述推力輸入資料；及 <br/>推測部，其將藉由前述取得部所取得之前述推力輸入資料輸入至前述推力學習模型，而推測前述推力調整值， <br/>前述推力調整值包含： <br/>在前述轉子相對於前述定子分別位於第1位置、第2位置、第3位置時，分別從前述第1推力檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第1推力合成訊號的電壓值，以及分別從前述第2推力檢測線圈輸出之前述檢測訊號所合成的第2推力合成訊號的電壓值； <br/>或 <br/>根據前述第1推力合成訊號的前述電壓值及前述第2推力合成訊號的前述電壓值所生成的前述推力方向上的前述磨耗狀態的推力判定基準， <br/>前述第1位置係在前述可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述一方向側最大限度移動後的位置， <br/>前述第2位置係在前述可移動範圍內，前述轉子相對於前述定子往前述另一方向側最大限度移動後的位置， <br/>前述第3位置係前述第1位置與前述第2位置的中間位置。
一種罐裝馬達泵，其具有： <br/>轉子； <br/>定子，其使前述轉子旋轉； <br/>旋轉軸，其傳遞前述轉子的旋轉； <br/>軸承，其可旋轉地支撐前述旋轉軸； <br/>多個檢測線圈，其安裝於前述定子，檢測與前述轉子相對於前述定子的位置變化對應的磁通變化；及 <br/>馬達軸承磨耗監測裝置，其根據前述檢測線圈的輸出訊號監測前述軸承的磨耗狀態， <br/>前述馬達軸承磨耗監測裝置係如請求項7之馬達軸承磨耗監測裝置。
一種價卡資料處理方法，由一價卡資料處理系統實施，該價卡資料處理系統適用於與一資料儲存系統及多個被設置於一銷售門市的價卡顯示裝置配合應用，該價卡資料處理系統儲存有多個價卡圖像模板，該資料儲存系統儲存有一包含多筆商品資料的商品主檔，以及一對應於該銷售門市的門市檯帳資料，該等商品資料分別對應於多個種類的商品，且每一商品資料包括一模板類型標記；該價卡資料處理方法包含：<br/> (A)根據該門市檯帳資料產生一對應於該銷售門市且包含多個商品識別碼的商品清單，其中，該等商品識別碼分別對應於該等種類之商品中於該銷售門市販售的其中多個種類的門市商品；<br/> (B)將該商品主檔中被該等商品識別碼所指示出的其中多筆商品資料分別作為多筆分別對應於該等價卡顯示裝置的匹配商品資料；<br/> (C)對於每一匹配商品資料，根據該匹配商品資料以及一與該匹配商品資料對應於同一個價卡顯示裝置的現行價卡資料，判斷該匹配商品資料是否符合一價卡更新條件，於判斷結果為是時，將該匹配商品資料作為一目標匹配商品資料，於判斷結果為否時，不將該匹配商品資料作為目標匹配商品資料，其中，該價卡更新條件包含該匹配商品資料所包括的一卡面資訊部分與該現行價卡資料所包括的另一卡面資訊部分不完全相同；<br/> (D)對每一筆目標匹配商品資料執行一價卡圖像生成處理，其中，該價卡圖像生成處理包含：根據該目標匹配商品資料的該模板類型標記，將該等價卡圖像模板的其中一者作為一對應於該目標匹配商品資料的目標價卡圖像模板，且根據該目標匹配商品資料及該目標價卡圖像模板產生一對應於該目標匹配商品資料的價卡圖像；及<br/> (E)將該價卡圖像提供至該目標匹配商品資料所對應的該價卡顯示裝置，以使該價卡顯示裝置顯示該價卡圖像。
如請求項1所述的價卡資料處理方法，該等價卡圖像模板包含M個各屬於一即期商品類型的即期價卡圖像模板，每一即期價卡圖像模板包含一指定效期欄位、一對應於該指定效期欄位的即期價格欄位，以及一非即期價格欄位；其中，在步驟(D)，該價卡圖像生成處理包含：判斷該目標匹配商品資料的該模板類型標記是否指示出該即期商品類型，於判斷結果為是時，將該M個即期價卡圖像模板的其中一者作為該目標價卡圖像模板，且根據該目標匹配商品資料獲得一指定商品效期、一即期出清價格及一非即期價格，並根據該指定商品效期、該即期出清價格、該非即期價格及該目標價卡圖像模板產生該價卡圖像，其中，該價卡資料處理系統產生該價卡圖像的方式，包含使該指定商品效期被呈現於該目標價卡圖像模板的該指定效期欄位、使該即期出清價格被呈現於該目標價卡圖像模板的該即期價格欄位，以及使該非即期價格被呈現於該目標價卡圖像模板的該非即期價格欄位。
如請求項1所述的價卡資料處理方法，該資料儲存系統還儲存有一包含多筆促銷資料的促銷設定檔，每一促銷資料對應於該等商品資料的其中一商品資料，且指示出該其中一商品資料所對應之該種商品的一促銷規則，該等價卡圖像模板包含N個各屬於一促銷商品類型的促銷價卡圖像模板，每一促銷價卡圖像模板包含一促銷模式欄位，以及一對應於該促銷模式欄位的促銷價格欄位；其中，在步驟(D)，該價卡圖像生成處理包含：判斷該目標匹配商品資料的該模板類型標記是否指示出該促銷商品類型，於判斷結果為是時，將該N個促銷價卡圖像模板的其中一者作為該目標價卡圖像模板，根據該等促銷資料中與該目標匹配商品資料對應的其中一筆最優先匹配促銷資料，獲得一相關於該最優先促銷資料所指示出之該促銷規則的促銷模式訊息，以及一對應於該促銷模式訊息的促銷價格，並根據該促銷模式訊息及該促銷價格產生該價卡圖像，其中，該價卡資料處理系統產生該價卡圖像的方式，包含使該促銷模式訊息被呈現於該目標價卡圖像模板的該促銷模式欄位，以及使該促銷價格被呈現於該目標價卡圖像模板的該促銷價格欄位。
如請求項3所述的價卡資料處理方法，每一促銷資料包含一指示出一促銷優先等級的優先等級參數；該價卡資料處理方法還包含介於步驟(B)及(D)之間的：(F)根據該促銷設定檔對每一匹配商品資料執行一促銷匹配處理，其中，該促銷匹配處理包含：判斷該促銷設定檔的該等促銷資料中是否包含與該匹配商品資料對應的其中一或多筆匹配促銷資料，於判斷結果為是時，從該或該等匹配促銷資料中決定出其中一筆對應於該匹配商品資料的最優先匹配促銷資料，其中，在該促銷設定檔的該等促銷資料中包含有多筆該匹配促銷資料的情況下，該價卡資料處理系統決定出該最優先匹配促銷資料的方式包含：根據該等匹配促銷資料的該等優先等級參數，從該等匹配促銷資料中選出促銷優先等級最高的其中一或多筆候選促銷資料，在僅有單一筆候選促銷資料的情況下，將該候選促銷資料作為該最優先匹配促銷資料，在有多筆候選促銷資料的情況下，獲得每一候選促銷資料所對應的一促銷後單件商品價格，並將該等候選促銷資料中所對應之該促銷後單件商品價格最低的該候選促銷資料作為該最優先匹配促銷資料。
一種價卡資料處理系統，適用於與一資料儲存系統及多個被設置於一銷售門市的價卡顯示裝置配合應用，該資料儲存系統儲存有一包含多筆商品資料的商品主檔，以及一對應於該銷售門市的門市檯帳資料，該等商品資料分別對應於多個種類的商品，且每一商品資料包括一模板類型標記；該價卡資料處理系統包含：<br/> 一處理單元，適用於與該資料儲存系統及該等價卡顯示裝置電連接；及<br/> 一儲存單元，電連接該處理單元，且儲存有多個價卡圖像模板；<br/> 其中，該處理單元用於：<br/> 根據該門市檯帳資料產生一對應於該銷售門市且包含多個商品識別碼的商品清單，其中，該等商品識別碼分別對應於該等種類之商品中於該銷售門市販售的其中多個種類的門市商品；<br/> 將該商品主檔中被該等商品識別碼所指示出的其中多筆商品資料分別作為多筆分別對應於該等價卡顯示裝置的匹配商品資料；<br/> 對於每一匹配商品資料，根據該匹配商品資料以及一與該匹配商品資料對應於同一個價卡顯示裝置的現行價卡資料，判斷該匹配商品資料是否符合一價卡更新條件，於判斷結果為是時，將該匹配商品資料作為一目標匹配商品資料，於判斷結果為否時，不將該匹配商品資料作為目標匹配商品資料，其中，該價卡更新條件包含該匹配商品資料所包括的一卡面資訊部分與該現行價卡資料所包括的另一卡面資訊部分不完全相同；<br/> 對每一筆目標匹配商品資料執行一價卡圖像生成處理，其中，該價卡圖像生成處理包含：根據該目標匹配商品資料的該模板類型標記，將該等價卡圖像模板的其中一者作為一對應於該目標匹配商品資料的目標價卡圖像模板，且根據該目標匹配商品資料及該目標價卡圖像模板產生一對應於該目標匹配商品資料的價卡圖像；及<br/> 將該價卡圖像提供至該目標匹配商品資料所對應的該價卡顯示裝置，以使該價卡顯示裝置顯示該價卡圖像。
如請求項5所述的價卡資料處理系統，該等價卡圖像模板包含M個各屬於一即期商品類型的即期價卡圖像模板，每一即期價卡圖像模板包含一指定效期欄位、一對應於該指定效期欄位的即期價格欄位，以及一非即期價格欄位；其中，該價卡圖像生成處理包含：判斷該目標匹配商品資料的該模板類型標記是否指示出該即期商品類型，於判斷結果為是時，將該M個即期價卡圖像模板的其中一者作為該目標價卡圖像模板，且根據該目標匹配商品資料獲得一指定商品效期、一即期出清價格及一非即期價格，並根據該指定商品效期、該即期出清價格、該非即期價格及該目標價卡圖像模板產生該價卡圖像，其中，該處理單元產生該價卡圖像的方式，包含使該指定商品效期被呈現於該目標價卡圖像模板的該指定效期欄位、使該即期出清價格被呈現於該目標價卡圖像模板的該即期價格欄位，以及使該非即期價格被呈現於該目標價卡圖像模板的該非即期價格欄位。
如請求項5所述的價卡資料處理系統，該資料儲存系統還儲存有一包含多筆促銷資料的促銷設定檔，每一促銷資料對應於該等商品資料的其中一商品資料，且指示出該其中一商品資料所對應之該種商品的一促銷規則，該等價卡圖像模板包含N個各屬於一促銷商品類型的促銷價卡圖像模板，每一促銷價卡圖像模板包含一促銷模式欄位，以及一對應於該促銷模式欄位的促銷價格欄位；其中，該價卡圖像生成處理包含：判斷該目標匹配商品資料的該模板類型標記是否指示出該促銷商品類型，於判斷結果為是時，將該N個促銷價卡圖像模板的其中一者作為該目標價卡圖像模板，根據該等促銷資料中與該目標匹配商品資料對應的其中一筆最優先匹配促銷資料，獲得一相關於該最優先促銷資料所指示出之該促銷規則的促銷模式訊息，以及一對應於該促銷模式訊息的促銷價格，並根據該促銷模式訊息及該促銷價格產生該價卡圖像，其中，該處理單元產生該價卡圖像的方式，包含使該促銷模式訊息被呈現於該目標價卡圖像模板的該促銷模式欄位，以及使該促銷價格被呈現於該目標價卡圖像模板的該促銷價格欄位。
如請求項7所述的價卡資料處理系統，每一促銷資料包含一指示出一促銷優先等級的優先等級參數；其中，該處理單元還用於根據該促銷設定檔對每一匹配商品資料執行一促銷匹配處理，其中，該促銷匹配處理包含：判斷該促銷設定檔的該等促銷資料中是否包含與該匹配商品資料對應的其中一或多筆匹配促銷資料，於判斷結果為是時，從該或該等匹配促銷資料中決定出其中一筆對應於該匹配商品資料的最優先匹配促銷資料，其中，在該促銷設定檔的該等促銷資料中包含有多筆該匹配促銷資料的情況下，該處理單元決定出該最優先匹配促銷資料的方式包含：根據該等匹配促銷資料的該等優先等級參數，從該等匹配促銷資料中選出促銷優先等級最高的其中一或多筆候選促銷資料，在僅有單一筆候選促銷資料的情況下，將該候選促銷資料作為該最優先匹配促銷資料，在有多筆候選促銷資料的情況下，獲得每一候選促銷資料所對應的一促銷後單件商品價格，並將該等候選促銷資料中所對應之該促銷後單件商品價格最低的該候選促銷資料作為該最優先匹配促銷資料。
一種電漿處理方法，包括循環地實施一循環，該循環包含以下步驟：<br/> 實施一輝光階段，包含<br/> 將包含一第一源功率（SP）功率準位的一第一SP脈衝提供至一SP電極維持一第一持續時間，以在一電漿處理室中產生一電容耦合電漿，該第一SP脈衝於該輝光階段結束時終止；以及<br/> 在該輝光階段之後實施一餘輝階段，該餘輝階段包含在該電容耦合電漿的餘輝中，將一偏壓功率（BP）脈衝列提供至一BP電極維持在約10μs與約100μs之間的一第二持續時間，該BP電極與在該電漿處理室內之一目標基板耦合，該BP脈衝列包含複數BP尖峰，該複數BP尖峰之每一者係具有一第一BP功率準位的一直流（DC）脈衝。
如請求項1之電漿處理方法，其中該輝光階段更包含將包含一第二BP功率準位的一BP脈衝提供至該BP電極，該第二BP功率準位大於該第一BP功率準位。
如請求項1之電漿處理方法，其中該複數BP尖峰之每一者具有小於約2.5μs的一短持續時間。
如請求項1之電漿處理方法，其中該BP脈衝列的該複數BP尖峰係在大於約400kHz之頻率下提供至該BP電極。
如請求項1之電漿處理方法，其中該餘輝階段更包含：<br/> 將一第二SP脈衝提供至該SP電極，該第二SP脈衝包含小於該第一SP功率準位的一第二SP功率準位。
如請求項1之電漿處理方法，其中該循環更包含：<br/> 在該輝光階段之後且在該餘輝階段之前實施一第一關閉階段，該第一關閉階段包含在該第一關閉階段期間，不對該SP電極提供源功率且不對該BP電極提供偏壓功率。
如請求項6之電漿處理方法，其中該複數BP尖峰之每一者具有小於約2.5μs的一短持續時間。
如請求項1之電漿處理方法，其中該餘輝階段更包含在該BP脈衝列之後將一單BP尖峰提供至該BP電極，該單BP尖峰包含大於該第一BP功率準位的一BP尖峰功率準位，其中該單BP尖峰的持續時間小於該BP脈衝列的持續時間。
一種電漿蝕刻方法，包括：<br/> 實施一第一開啟階段，包含將一源功率（SP）脈衝施加至一SP電極，以在一電漿處理室中產生電漿，該SP脈衝在該第一開啟階段期間包含一第一SP功率準位；<br/> 在該第一開啟階段之後實施一第二開啟階段，該第二開啟階段包含將一偏壓功率（BP）脈衝列施加至一BP電極，該BP電極與在該電漿處理室內之一目標基板耦合，該BP脈衝列包含複數BP尖峰，該複數BP尖峰之每一者係一直流（DC）脈衝，該DC脈衝具有一第一BP功率準位，並將該電漿之離子朝該目標基板加速，以在該目標基板之一可蝕刻材料中蝕刻一凹部；<br/> 在該第二開啟階段之後實施一角隅蝕刻階段，該角隅蝕刻階段包含施加一單BP尖峰，該單BP尖峰包含大於該第一BP功率準位的一第二BP功率準位，其中該單BP尖峰的持續時間小於該BP脈衝列的持續時間；以及<br/> 在該角隅蝕刻階段之後實施一副產物管理階段，該副產物管理階段包含<br/> 以小於該第一SP功率準位的一第二SP功率準位將源功率施加至該SP電極，以及<br/> 以小於該第一BP功率準位的一第三BP功率準位將偏壓功率施加至該BP電極。
如請求項9之電漿蝕刻方法，其中該複數BP尖峰之每一者具有小於約2.5μs的一短持續時間。
如請求項9之電漿蝕刻方法，其中該BP脈衝列的該複數BP尖峰係在大於約400kHz之頻率下提供至該BP電極。
如請求項9之電漿蝕刻方法，更包括：<br/> 循環地實施一循環，該循環包含該第一開啟階段、該第二開啟階段、該角隅蝕刻階段、及該副產物管理階段。
如請求項9之電漿蝕刻方法，其中該第一開啟階段更包含：<br/> 同時地施加一BP脈衝及該SP脈衝，該BP脈衝包含大於該第一BP功率準位的一第四BP功率準位。
如請求項9之電漿蝕刻方法，其中該第二SP功率準位及該第三BP功率準位均大於零。
一種電漿蝕刻方法，包含：<br/> 實施一第一開啟階段，包含將一源功率（SP）脈衝施加至一SP電極，以在一電漿處理室中產生電漿，該SP脈衝在該第一開啟階段期間包含一第一SP功率準位；<br/> 在該第一開啟階段之後實施一第一關閉階段，持續時間為大於約5μs，該第一關閉階段包含將該第一SP功率準位減少至零以及不施加偏壓功率；<br/> 在該第一關閉階段之後實施一第二開啟階段，該第二開啟階段包含將一偏壓功率（BP）脈衝列施加至一BP電極，該BP電極與在該電漿處理室內之一目標基板耦合，該BP脈衝列包含複數BP尖峰，該複數BP尖峰之每一者係一直流（DC）脈衝，該DC脈衝具有一第一BP功率準位，並將該電漿之離子朝該目標基板加速，以在該目標基板之一可蝕刻材料中蝕刻一凹部；以及<br/> 在該第二開啟階段之後實施一角隅蝕刻階段，該角隅蝕刻階段包含施加一單BP尖峰，該單BP尖峰包含大於該第一BP功率準位的一第二BP功率準位，其中該單BP尖峰的持續時間小於該BP脈衝列的持續時間。
如請求項15之電漿蝕刻方法，其中該BP脈衝列之該複數BP尖峰係在大於約400kHz之頻率下提供至該BP電極。
如請求項15之電漿蝕刻方法，更包括：<br/> 在該角隅蝕刻階段之後實施一副產物管理階段，該副產物管理階段包含<br/> 以小於該第一SP功率準位的一第二SP功率準位將源功率施加至該SP電極，以及<br/> 以小於該第一BP功率準位的一第三BP功率準位將偏壓功率施加至該BP電極。
如請求項17之電漿蝕刻方法，其中該第二SP功率準位及該第三BP功率準位均大於零。
如請求項15之電漿蝕刻方法，更包括：<br/> 循環地實施一循環，該循環包含該第一開啟階段、該第一關閉階段、該第二開啟階段、及該角隅蝕刻階段。
如請求項15之電漿蝕刻方法，其中該第一開啟階段更包含：<br/> 同時地施加一BP脈衝及該SP脈衝，該BP脈衝包含大於該第一BP功率準位的一BP功率準位。
一種用於非決定性處理系統之治理紀錄生成方法，其特徵在於包括：<br/>(a)依據一治理啟動指令啟動一治理會話或等效之治理處理期間，並產生一啟動識別碼，以建立該治理期間之起始追蹤基準；<br/>(b)接收至少一輸入資料，該輸入資料包括使用者輸入資料或由應用程式、外部事件或代理程序自動產生之資料，並於不變動其語意內容之前提下執行輸入結構化處理，以形成至少一結構化分割資料，使該輸入資料於後續治理驗證期間得以一致化標識；<br/>(c)基於前述啟動識別碼，於治理會話期間產生一持久之統一追蹤識別碼，使其作為該治理會話生命週期中跨步驟治理資料之統一鏈結識別基準；<br/>(d)於該治理會話期間，將至少一治理資料項目封裝為至少一治理封存單元，<br/>前述治理資料項目包括前述結構化分割資料、<br/>至少一非決定性處理系統之輸出資料或其行為結果，<br/>或對應之治理中繼資料之至少一者，<br/>並以密碼學鏈結方式關聯至前述統一追蹤識別碼，使該治理封存單元具備可驗證不可變性。<br/>(e)於後續治理驗證或行為重播期間，利用前述統一追蹤識別碼驗證該治理封存單元之來源、角色關聯性與不可變性，以完整重建推論語境。
如請求項1之方法，其中，前述統一追蹤識別碼係直接採用前述啟動識別碼，或係基於該啟動識別碼之密碼學衍生結果，以確保於該治理會話生命週期中之各治理資料具備一致鏈結性與不可竄改性。
如請求項1之方法，其中，前述輸入結構化處理係包括對前述輸入資料建立至少一規範化索引、序列化標識或治理中繼資料，以使該資料於後續治理驗證或行為重播期間得以進行一致化比對，而不變動該資料原始語意內容。
如請求項1之方法，其中，前述治理封存單元之密碼學鏈結方式係包括對其內部封裝資料計算至少一雜湊值、雜湊鏈或梅克爾根，並對該鏈結結果進行簽章、驗證或不可變儲存，以強化該治理封存單元之不可變性。
如請求項1之方法，進一步包括於該治理會話生命週期中，依據前述統一追蹤識別碼，連續記錄至少一多步驟推論或決策序列，並將每一決策步驟之輸入與輸出封裝為對應之治理封存單元，以使該治理會話之整體推論路徑可被追溯。
如請求項5之方法，其中，前述治理封存單元進一步包含至少一治理中繼資料，該治理中繼資料係用以記錄於各決策步驟中所使用之外部工具識別資訊、工具調用參數、子流程識別碼或推論依據，以利後續對該決策步驟之行為成立條件進行驗證。
如請求項1之方法，其中，前述治理封存單元進一步封裝該治理會話之終止狀態，該終止狀態包括正常完成、中途終止、超時終止、外部中斷或因系統例外而未完成者之至少一者。
如請求項1之方法，其中，前述行為結果包括成功輸出、空回應、異常輸出、錯誤狀態、超時狀態或當機訊號之至少一者。
一種非決定性處理系統，其包含至少一處理器與一記憶體，該處理器配置以執行如請求項1至請求項8任一項所述之治理紀錄生成方法。
如請求項9之系統，其中該系統進一步配置以產生一治理封存單元之資料結構，該資料結構包括：<br/>(a)一統一追蹤識別碼欄位，用以提供該資料結構於治理會話生命週期內之跨步驟鏈結基準；<br/>(b)一結構化輸入資料欄位，用以儲存經語意不變動之輸入結構化處理程序所得之規範化使用者輸入資料；<br/>(c)一輸出資料欄位，用以儲存至少一非決定性處理系統之輸出資料；<br/>(d)一治理中繼資料欄位，用以記錄該治理會話期間所產生之步驟識別資訊、工具使用資訊、子流程識別資訊或其他行為脈絡資料；及<br/>(e)一密碼學證明欄位，其中包含對前述欄位資料計算所得之一或多項密碼學鏈結證明，以確保該資料結構於儲存及驗證期間具備不可變性與來源可驗證性。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒介，其上儲存有可由處理器執行之指令，當該指令被執行時，使該處理器執行如請求項1至請求項8任一項所述之治理紀錄生成方法。
如請求項1之方法，其中，前述治理會話之多步驟推論可由多個代理模型以序列或併發方式執行，並於治理封存單元中記錄各代理之角色識別、輸入來源與序列鏈結資訊，以支援多代理協作之推論路徑追溯。
一種專利商品化與績效關係建議系統，其包含有：<br/> 一雲端伺服器，其與一專利檢索系統及一商品銷售系統連線，該雲端伺服器由該專利檢索系統下載每季的一專利申請資訊及由該商品銷售系統取得一商品銷售資訊，該專利申請資訊包括專利申請的數量、種類、分類號、申請人、專利名稱、專利說明書、申請專利範圍及專利圖式，該商品銷售資訊包括企業銷售商品的數量、類別、銷售額、商品名稱及商品說明；<br/> 一資料處理器，其與該雲端伺服器耦接，該資料處理器具有：<br/> 一雙元構築模組，其接收該專利申請資訊及該商品銷售資訊，該雙元構築模組對每季的該專利申請資訊進行技術分析，並且該雙元構築模組將該專利申請資訊分類為一創新性專利資訊及一實用性專利資訊；<br/> 一專利探索模組，其與該雙元構築模組耦接，該專利探索模組對該創新性專利資訊與該商品銷售資訊進行比對分析，當該創新性專利資訊的創新性技術與該商品銷售資訊的內容匹配時，該專利探索模組產生一商品佈局建議報告及預測一商品上市數量；<br/> 一專利利用模組，其與該雙元構築模組耦接，該專利利用模組對該實用性專利資訊與該商品銷售資訊進行比對分析，當該實用性專利資訊的實用性技術與該商品銷售資訊的內容近似時，該專利利用模組產生一商品改良建議報告；以及<br/> 一終端裝置，其與該資料處理器及該雲端伺服器耦接，該終端裝置以文字、圖表、虛擬實境或擴增實境之其中一種或組合方式呈現該商品佈局建議報告及該商品改良建議報告。
如請求項1所述之專利商品化與績效關係建議系統，其中，該資料處理器具有一失衡評估模組，該失衡評估模組與該專利探索模組及該專利利用模組耦接，該失衡評估模組將與該創新性專利資訊匹配的該商品銷售資訊定義為一創新性商品資訊，該失衡評估模組將與該實用性專利資訊近似的該商品銷售資訊定義為一實用性商品資訊；當該創新性商品資訊與該實用性商品資訊間之相差數量大於或等於一預設數量值時，該失衡評估模組生成一正向績效評估資訊，該正向績效評估資訊以文字、圖表、虛擬實境或擴增實境之其中一種或組合方式呈現於該終端裝置。
如請求項2所述之專利商品化與績效關係建議系統，其中，該失衡評估模組具有一回歸單元，該回歸單元以一普通最小平方法檢驗該正向績效評估資訊，當該正向績效評估資訊符合一預設評估值時，該回歸單元令該失衡評估模組生成該正向績效評估資訊。
如請求項1所述之專利商品化與績效關係建議系統，其中，該雲端伺服器與一新聞資料系統連線；該資料處理器具有一新聞取得模組，該新聞取得模組與該專利探索模組耦接，該新聞取得模組在該新聞資料系統中搜尋一產業競爭資訊，該產業競爭資訊包括企業的新產品、新技術、合作、開發、廣告、促銷、降價及參展，該專利探索模組依據該產業競爭資訊調整該商品佈局建議報告與該商品上市數量。
如請求項4所述之專利商品化與績效關係建議系統，其中，該新聞取得模組具有一搜尋單元及一選擇單元，該搜尋單元與該選擇單元耦接，該搜尋單元以網路爬蟲技術在該新聞資料系統中搜尋該產業競爭資訊，該選擇單元依據一選擇準則選擇合適的該產業競爭資訊。
如請求項1所述之專利商品化與績效關係建議系統，其中，該雙元構築模組具有一篩選單元及一建構單元，該篩選單元與該建構單元耦接，該篩選單元依據該商品銷售資訊找出該專利申請資訊的技術領域及對應該技術領域的專利申請，該建構單元依據找出的該專利申請資訊技術內容將其分類為該創新性專利資訊與該實用性專利資訊。
一種專利商品化與績效關係建議方法，其包含有：<br/> 步驟S1：以一雲端伺服器由一專利檢索系統下載每季的一專利申請資訊及由一商品銷售系統取得一商品銷售資訊，該專利申請資訊包括專利申請的數量、種類、分類號、申請人、專利名稱、專利說明書、申請專利範圍及專利圖式，該商品銷售資訊包括企業銷售商品的數量、類別、銷售額、商品名稱及商品說明；<br/> 步驟S2：以一資料處理器的一雙元構築模組對每季的該專利申請資訊進行技術分析，並且該雙元構築模組將該專利申請資訊分類為一創新性專利資訊及一實用性專利資訊；<br/> 步驟S3：以該資料處理器的一專利探索模組對該創新性專利資訊與該商品銷售資訊進行比對分析，當該創新性專利資訊的創新性技術與該商品銷售資訊的內容匹配時，該專利探索模組產生一商品佈局建議報告及預測一商品上市數量；<br/> 步驟S4：以該資料處理器的一專利利用模組對該實用性專利資訊與該商品銷售資訊進行比對分析，當該實用性專利資訊的實用性技術與該商品銷售資訊的內容近似時，該專利利用模組產生一商品改良建議報告；以及<br/> 步驟S5：以一終端裝置呈現該商品佈局建議報告及該商品改良建議報告。
一種具緩衝功能的升降桿，其包括：<br/> 一支撐組件；<br/> 至少一移動組件，其滑設於該支撐組件且選擇性相對該支撐組件軸向移動；<br/> 一末端組件，其滑設於該移動組件且選擇性相對該移動組件軸向移動；以及<br/> 一緩衝端蓋，其設於該移動組件且能夠限制該末端組件下降時的速度，該緩衝端蓋設一雙向閥，該雙向閥具有一第一路徑及一第二路徑，當該雙向閥下方的流體經由該雙向閥流入該雙向閥上方時，流體同時流經該第一路徑及該第二路徑，當該雙向閥上方的流體經由該雙向閥流入該雙向閥下方時，流體僅流經該第二路徑。
如請求項1所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該第二路徑的截面積小於該第一路徑的截面積。
如請求項2所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該雙向閥包括一閥座、一閥蓋環、一閥心及一彈性件，該緩衝端蓋設一容置孔，該閥座設於該容置孔的一肩部內，該閥座具有一軸管，該閥蓋環連接於該閥座遠離該肩部的一端，該閥心能夠軸向移動的設於該閥座及該閥蓋環之間，該閥心具有一小徑段及一大徑段，該小徑段穿設於該軸管內，該大徑段能夠選擇性封閉該閥蓋環，該閥心開設一與該閥心軸線平行且貫穿該大徑段的細微流道，該彈性件設於該大徑段與該軸管之間，當該閥心的該大徑段未封閉該閥蓋環使其間呈導通狀時構成該第一路徑，該細微流道構成該第二路徑。
如請求項2或3所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該支撐組件包括一底座、一支撐管及一夾持器，該底座徑向設一出入口，該支撐管套設於該底座，該夾持器設於該支撐管的頂端。
如請求項4所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該出入口設一接嘴，該接嘴能夠銜接打氣筒或具有電磁閥的幫浦。
如請求項4所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該支撐組件還包括一收折式腳架。
如請求項4所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該移動組件包括一滑管及一夾束器，該滑管滑設於該支撐管內，該夾束器設於該滑管的頂端且裸露於該支撐管外。
如請求項7所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該末端組件包括一末端管及一末端蓋，該末端管滑設於該滑管內，該末端蓋設於該末端管的底端。
如請求項8所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該末端組件更包括一固定裝置，該固定裝置設於該末端管的頂端，用以安裝天線模組或防衛性軍事器材等物件。
如請求項8所述之具緩衝功能的升降桿，其中，該夾持器選擇性夾持固定於該滑管的外表面，該夾束器選擇性夾持固定於該末端管的外表面，該夾持器或該夾束器採用快拆式夾具。
一種織物面料，包括：<br/>複數條聚酯纖維，其中各該聚酯纖維包括互相混合的一聚酯和二氧化鈦粉末，該聚酯由包括苯二甲酸、新戊二醇及乙二醇的一組成物聚合而成，<br/>其中該織物面料具有：<br/>80 gsm至250 gsm的基重；<br/>不小於1.0 ml/小時的水分乾燥速率，其中該水分乾燥速率是藉由水洗該織物面料後，再藉由AATCC201乾燥速率測試方法測得；以及<br/>大於或等於85的防透視指數，其中該防透視指數是藉由JIS L1923B防透視測試方法測試該織物面料測得。
如請求項1所述之織物面料，其中在該聚酯和該二氧化鈦粉末中，該二氧化鈦粉末為0.25 wt%至10 wt%。
如請求項1所述之織物面料，其中該織物面料在濕潤狀態下藉由JIS L1923B防透視測試方法所測定之防透視指數為大於或等於85。
如請求項1所述之織物面料，其中該水分乾燥速率為1.1 ml/小時～1.7 ml/小時。
如請求項1所述之織物面料，其中該苯二甲酸、該新戊二醇及該乙二醇的一莫耳數比為1：0.06~0.12：0.88~0.94。
一種聚酯纖維，包括：<br/>一聚酯，該聚酯由包括苯二甲酸、新戊二醇及乙二醇的一組成物聚合而成，其中該苯二甲酸包括對苯二甲酸，該苯二甲酸、該新戊二醇及該乙二醇的一莫耳數比為1：0.06~0.12：0.88~0.94，其中該聚酯藉由熱示差掃描分析所測定之熱焓值為30 J/g以下，該聚酯的本質黏度為0.50 dL/g至0.80 dL/g；以及<br/>二氧化鈦粉末，與該聚酯互相混合，其中在該聚酯和該二氧化鈦粉末中，該二氧化鈦粉末為0.25 wt%至10 wt%。
如請求項6所述之聚酯纖維，其中在該苯二甲酸、該乙二醇和該新戊二醇中，該新戊二醇為8 wt%以下。
如請求項6所述之聚酯纖維，其中該苯二甲酸更包括間苯二甲酸，該對苯二甲酸與該間苯二甲酸的一莫耳比為1：0.005~0.03。
如請求項6所述之聚酯纖維，其中該聚酯纖維的纖維線徑為20丹尼至150丹尼。
如請求項6所述之聚酯纖維，其中該聚酯纖維具有2.5 g/d至3.5 g/d的強力範圍以及15%至40%的伸長率。
一種用於海水電解產氫用電極的多元金屬硫化物材料的製造方法，包含：<br/> 合成步驟，將2.5 mmol的硝酸鎳水合物、2.5 mmol的硝酸鐵水合物、6 ml的甘油及34ml的異丙醇經混合所得到的混合溶液於水熱反應釜中進行水熱反應，再自經水熱反應的該混合溶液於經自然冷卻及以酒精離心清洗後的沉澱產物烘乾取得金屬甘油化物；及<br/> 硫化步驟，在100 mg的該金屬甘油化物溶解於40 ml的無水酒精所取得的金屬甘油化物溶液中添加167 mg的硫乙醯胺，並於水熱反應釜進行水熱反應，將經水熱反應的該金屬甘油化物溶液冷卻後，將沉澱產物依序以酒精及去離子水離心清洗，再將沉澱產物烘乾以取得用於海水電解產氫用電極的鹼性膜材料的多元金屬硫化物材料。
如請求項1所述的多元金屬硫化物材料的製造方法，其中於該合成步驟中，係以150 ˚C進行水熱反應10 小時。
如請求項1所述的多元金屬硫化物材料的製造方法，其中於該合成步驟中，將該沉澱產物以60 ˚C烘乾至少12 小時。
如請求項1所述的多元金屬硫化物材料的製造方法，其中於該硫化步驟中，係以160 ˚C進行水熱反應8 小時。
如請求項1所述的多元金屬硫化物材料的製造方法，其中於該硫化步驟中，係藉由將該硫化產物以60 ˚C烘乾至少12 小時而取得該多元金屬硫化物材料。
一種用於海水電解產氫用電極的多元金屬硫化物材料的製造方法，包含：<br/> 合成步驟，將1.6 mmol的La(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>·6H<sub>2</sub>O、0.4 mmol的Sr(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>及含有Cr、Mn、Fe、Co、Ni 離子各0.4 mmol的硫酸鹽溶解於40 ml的去離子水中以得到起始溶液，將該起始溶液於持續攪拌下加入以0.141 g C<sub>6</sub>H<sub>8</sub>O<sub>7</sub> 溶於 3 ml 去離子水製成的檸檬酸溶液，靜置15 分鐘後將 20 ml 的0.6M NaOH 加入並繼續攪拌3小時以形成沉澱物，將該沉澱物離心並以去離子水及乙醇交互洗滌五次，於60 ℃真空烘箱中乾燥24 小時以上，完全乾燥後將該沉澱物粉末予以研磨，並在750 ℃下進行12 小時的退火處理，使用管式爐對鑭鍶高熵鈣鈦礦進行化學氣相沉積的陰離子摻雜；<br/> 硫化步驟，將該鑭鍶高熵鈣鈦礦與硫磺粉混合後放入坩堝，其中鑭鍶高熵鈣鈦礦：硫磺粉的質量比為1:1、1:3或1:5，接著放進管式爐，通入Ar 氣氛以5 ℃/min 的升溫速率升到300 ℃，並維持0.5 h，接著回到室溫後取出，以取得用於海水電解產氫用電極的多元金屬硫化物材料。
一種二醯亞胺二酯化合物，係下式(b-1)、(b-2)、(b-5)、(b-6)及式(b-8)表示之化合物之任一者， <br/><img align="absmiddle" height="170px" width="272px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種電子裝置，其包括： <br/>補片，其包括補片頂側、補片底側、補片信號路徑、一或多個補片介電層以及在所述補片頂側及所述補片底側之間的補片橫向側； <br/>基板，其包括基板頂側、基板底側、基板信號路徑以及一或多個基板介電層，其中所述一或多個基板介電層圍繞所述一或多個補片介電層及所述補片橫向側； <br/>第一半導體晶粒，其在所述基板頂側之上； <br/>第二半導體晶粒，其在所述基板頂側之上； <br/>導電互連，其沿著所述基板底側，其中所述基板信號路徑提供在所述導電互連中的一或多者及所述第一半導體晶粒之間的第一信號路徑，並提供在所述導電互連中的一或多者及所述第二半導體晶粒之間的第二信號路徑；並且 <br/>其中所述補片信號路徑提供在所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒之間的信號路徑。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更稠密的信號佈線密度。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑的線路比所述基板信號路徑的線路更細。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更精細的間距。
如請求項1所述之電子裝置，其中每個導電互連垂直跨越個別補片橫向側。
如請求項1所述之電子裝置，其包括： <br/>第一晶粒互連，其經由所述基板頂側將所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒耦接至所述基板信號路徑； <br/>第二晶粒互連，其經由所述補片頂側將所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒耦接至所述補片信號路徑；以及 <br/>非導電材料，其圍繞所述第一晶粒互連及所述第二晶粒互連。
如請求項6所述之電子裝置，其中所述第二晶粒互連小於所述第一晶粒互連。
如請求項6所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更稠密的信號佈線密度。
如請求項6所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑的線路比所述基板信號路徑的線路更細。
如請求項6所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更精細的間距。
如請求項6所述之電子裝置，其中每個導電互連垂直跨越所述補片。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述補片包括半導體製造類型的後段製程互連層，所述後段製程互連層包括無機介電材料。
一種電子裝置，其包括： <br/>基板，其包括基板頂側、基板底側及基板信號路徑； <br/>第一半導體晶粒，其包括第一晶粒頂側及第一晶粒底側，其中所述第一晶粒底側耦接至所述基板頂側； <br/>第二半導體晶粒，其包括第二晶粒頂側及第二晶粒底側，其中所述第二晶粒底側耦接至所述基板頂側； <br/>補片，其包括補片頂側、補片底側、補片信號路徑、耦接至所述補片信號路徑的補片上部金屬接點以及耦接至所述補片信號路徑的補片下部金屬接點，其中所述補片下部金屬接點沿著所述補片底側，且其中所述補片上部金屬接點突出於所述補片頂側之上，並經由所述基板底側將所述補片信號路徑中的一或多者耦接至所述基板信號路徑中的一或多者；以及 <br/>非導電材料，其在所述補片頂側及所述基板底側之間，其中所述非導電材料橫向圍繞所述補片上部金屬接點；以及 <br/>導電互連，其耦接至所述基板底側，其中所述導電互連從所述補片橫向位移。
如請求項13所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑經由所述補片上部金屬接點提供在所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒之間的一或多個信號路徑。
如請求項14所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更稠密的信號佈線。
如請求項13所述之電子裝置，其中： <br/>所述基板包括基板線路； <br/>所述補片包括補片線路；以及 <br/>所述補片線路比所述基板線路更細。
如請求項14所述之電子裝置，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更精細的間距。
如請求項14所述之電子裝置，其中所述導電互連的每個垂直跨越所述補片。
如請求項13所述之電子裝置，其中所述補片包括半導體製造類型的後段製程互連層，所述後段製程互連層包括無機介電材料。
一種製造電子裝置的方法，所述方法包括： <br/>提供基板，所述基板包括基板頂側、基板底側、基板信號路徑以及一或多個基板介電層； <br/>提供補片，所述補片包括補片頂側、補片底側、補片信號路徑、一或多個補片介電層以及在所述補片頂側及所述補片底側之間的補片橫向側，其中所述一或多個基板介電層圍繞所述一或多個補片介電層及所述補片橫向側； <br/>提供第一半導體晶粒於所述基板頂側之上； <br/>提供第二半導體晶粒於所述基板頂側之上； <br/>沿著所述基板底側提供導電互連，其中所述基板信號路徑提供在所述導電互連中的一或多者及所述第一半導體晶粒之間的第一信號路徑，並提供在所述導電互連中的一或多者及所述第二半導體晶粒之間的第二信號路徑；並且 <br/>其中所述補片信號路徑提供在所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒之間的信號路徑。
如請求項20所述之方法，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更稠密的信號佈線密度。
如請求項20所述之方法，其中所述補片信號路徑的線路比所述基板信號路徑的線路更細。
如請求項20所述之方法，其中所述補片信號路徑具有比所述基板信號路徑更精細的間距。
如請求項20所述之方法，其中每個導電互連垂直跨越個別補片橫向側。
如請求項20所述之方法，其包括： <br/>提供第一晶粒互連，其經由所述基板頂側將所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒耦接至所述基板信號路徑； <br/>提供第二晶粒互連，其經由所述補片頂側將所述第一半導體晶粒及所述第二半導體晶粒耦接至所述補片信號路徑；以及 <br/>提供非導電材料，其圍繞所述第一晶粒互連及所述第二晶粒互連。
如請求項25所述之方法，其中所述第二晶粒互連小於所述第一晶粒互連。
如請求項20所述之方法，其中所述補片包括半導體製造類型的後段製程互連層，所述後段製程互連層包括無機介電材料。
一種不同熔點材料粉末鑄造容器型多孔結構，具有一「V字型杯體」，為玻璃、陶瓷、金屬、礦物等異材質間的粉末鑄造而成。
如請求項1所述之不同熔點材料粉末鑄造容器型多孔結構，該容器型多孔結構的粉末鑄造乃由低熔點的粉末狀材料熔合高熔點的粉末狀材料。
如請求項1所述之不同熔點材料粉末鑄造容器型多孔結構，其異材質粉末狀材料的顆粒大小乃自容器口緣到容器底部呈現由細顆粒粉末到粗顆粒粉末的排列。
如請求項1所述之不同熔點材料粉末鑄造容器型多孔結構，其容器壁面的厚度乃自容器口緣到容器底部呈現由薄到厚的漸變結構。
一種行動裝置磁吸環結構，包括：一第一磁吸部，該第一磁吸部為環狀結構；以及一第二磁吸部，為環狀結構或一彎曲結構，與該第一磁吸部相連；其中該第一磁吸部以及該第二磁吸部具磁性，該行動裝置磁吸環結構設置於一行動裝置保護結構或一行動裝置支撐結構。
如請求項1所述的行動裝置磁吸環結構，其中該第二磁吸部為形狀對應該第一磁吸部的環狀結構或對應該第一磁吸部一部分的彎曲結構。
如請求項1所述的行動裝置磁吸環結構，更包含一第三磁吸部，其為一非環狀結構，該第三磁吸部設置於該第一磁吸部以及該第二磁吸部之間。
如請求項1所述的行動裝置磁吸環結構，更包含一裝飾層，該裝飾層設置於該第一磁吸部，以及該第二磁吸部的一面。
如請求項4所述的行動裝置磁吸環結構，其中該裝飾層具有大致對應該第一磁吸部，以及該第二磁吸部的形狀。
如請求項3所述的行動裝置磁吸環結構，其中該第一磁吸部非接觸該第二磁吸部，或該第三磁吸部非相互接觸該第二磁吸部。
如請求項3所述的行動裝置磁吸環結構，更包含一裝飾層，該裝飾層設置於該第一磁吸部，該第二磁吸部以及該第三磁吸部的一面。
如請求項7所述的行動裝置磁吸環結構，其中該裝飾層具有大致對應該第一磁吸部，該第二磁吸部以及該第三磁吸部的形狀。
一種電子鎖的防火結構，該電子鎖的構造包括：一外面板、一鎖體，以及一內面板，該外面板配置於一門扇的外側面，該內面板配置於該門扇的內側面，該鎖體係配置於該門扇並且介於該外面板和該內面板之間；該外面板包括一第一外殼，以及配置在該第一外殼的內部的一第一電路單元；該內面板包括一第二外殼，以及配置在該第二外殼的內部的一第二電路單元；其特徵在於：在該外面板、該鎖體和該內面板三者之間配置至少一防火體，且該防火體填充於該第一外殼和該第二外殼的內部的孔洞和間隙。
如請求項1所述電子鎖的防火結構，其中該防火體的材料係選自由：蠕蟲石墨粉、已膨脹成為多孔性結構的蠕蟲石墨，以及泡沫金屬所組成的群組，其中該泡沫金屬的材料包含：銅、鋁和鎳其中的任一種。
如請求項1所述電子鎖的防火結構，其中該外面板和該鎖體之間配置有該防火體，該內面板和該鎖體之間配置有該防火體。
一種氣墊床氣壓調整控制裝置，用於控制氣墊床末端處的管狀氣囊組，所述管狀氣囊組包括一第一管狀氣囊、一第二管狀氣囊、一第三管狀氣囊、一第四管狀氣囊及一第五管狀氣囊，所述氣墊床氣壓調整控制裝置包括：<br/>一下蓋，所述下蓋具有多個第一進氣口、多個第二進氣口、一第一出氣口、一第二出氣口、一第三出氣口、一第四出氣口及一第五出氣口，所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口分別連接於所述第一管狀氣囊、所述第二管狀氣囊、所述第三管狀氣囊、所述第四管狀氣囊及所述第五管狀氣囊，所述多個第一進氣口及所述多個第二進氣口連接於一空氣幫浦；以及<br/>一轉盤，所述轉盤設置於所述下蓋上，所述轉盤能在所述下蓋上轉動，所述轉盤的一面具有三第一流道、一第二流道及一洩氣孔，所述三第一流道位於所述轉盤的中心的外側處，所述第二流道靠近所述轉盤的邊緣，所述第二流道與所述多個第一進氣口中的至少兩個相連通，而使所述第一進氣口輸入的空氣能輸送至所述第二流道，所述洩氣孔與所述轉盤的外部相通；<br/>其中能驅動所述轉盤轉動，使所述轉盤的所述三第一流道、所述第二流道及所述洩氣孔，能選擇性的對應於所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口，用以進行交替充氣、洩氣及均壓操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述多個第一進氣口的數量為三個，所述多個第一進氣口間隔的設置，所述多個第二進氣口的數量為三個，所述多個第二進氣口間隔的設置。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述轉盤連接於一驅動裝置，所述驅動裝置為機械裝置、電子裝置、氣動裝置或手動裝置。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述第二出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口與所述第二流道連通，使空氣能通過所述第二流道輸送至所述第二出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口，而後分別輸送至所述第二管狀氣囊、所述第三管狀氣囊、所述第四管狀氣囊及所述第四管狀氣囊，以維持均壓，且所述第一出氣口與所述洩氣孔相對，使所述第一管狀氣囊進行洩氣的操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述第一出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口與所述第二流道連通，使空氣能通過所述第二流道輸送至所述第一出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口，而後分別輸送至所述第一管狀氣囊、所述第三管狀氣囊、所述第四管狀氣囊及所述第五管狀氣囊，以維持均壓，且所述第二出氣口與所述洩氣孔相對，使所述第二管狀氣囊進行洩氣的操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口與所述第二流道連通，使空氣能通過所述第二流道輸送至所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口，而後分別輸送至所述第一管狀氣囊、所述第二管狀氣囊、所述第四管狀氣囊及所述第四管狀氣囊，以維持均壓，且所述第三出氣口與所述洩氣孔相對，使所述第三管狀氣囊進行洩氣的操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口及所述第五出氣口與所述第二流道連通，使空氣能通過所述第二流道輸送至所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口及所述第五出氣口，而後分別輸送至所述第一管狀氣囊、所述第二管狀氣囊、所述第三管狀氣囊及所述第五管狀氣囊，以維持均壓，且所述第四出氣口與所述洩氣孔相對，使所述第四管狀氣囊進行洩氣的操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口及所述第四出氣口與所述第二流道連通，使空氣能通過所述第二流道輸送至所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口及所述第四出氣口，而後分別輸送至所述第一管狀氣囊、所述第二管狀氣囊、所述第三管狀氣囊及所述第四管狀氣囊，以維持均壓，且所述第五出氣口與所述洩氣孔相對，使所述第五管狀氣囊進行洩氣的操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述多個第二進氣口分別與所述多個第一流道連通，並使所述第一出氣口及所述第四出氣口與所述第一流道連通，所述第二出氣口及所述第五出氣口與另一所述第一流道連通，所述第三出氣口與又一所述第一流道連通，使所述多個第二進氣口輸入的空氣分別通過所述多個第一流道輸送至所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口，而後分別輸送至所述第一管狀氣囊、所述第二管狀氣囊、所述第三管狀氣囊、所述第四管狀氣囊及所述第五管狀氣囊，且能進行所述第一管狀氣囊、所述第四管狀氣囊與所述第二管狀氣囊、所述第五管狀氣囊交替的操作。
如請求項1所述的氣墊床氣壓調整控制裝置，其中所述下蓋及所述轉盤之間設置一氣密墊片，所述氣密墊片具有多個穿孔，所述多個穿孔分別與所述多個第一進氣口、所述多個第二進氣口、所述第一出氣口、所述第二出氣口、所述第三出氣口、所述第四出氣口及所述第五出氣口相對應。
一種鎖定機構，其係應用於一摺疊機構，用以控制該摺疊機構相互樞接的一第一樞接件及一第二樞接件兩者間呈展開狀態或呈可摺疊狀態，包含：<br/>一第一結合件，設置於該第一樞接件；<br/>一第二結合件，設置於該第二樞接件；<br/>一操作件，介於該第一結合件與該第二結合件之間，具有一操作件本體、一限位結構及設於該限位結構兩側的二限位部，該操作件用以控制該第一結合件與該第二結合件間呈鎖定狀態或呈解鎖狀態；及<br/>一彈性件，連接該操作件並與其協同動作。
如請求項1所述之鎖定機構，其中該第一結合件於其相異二端各設一固定部，各該固定部朝該第一結合件之相異二側分別形成一結合槽及一凸部。
如請求項2所述之鎖定機構，其中該操作件設置於該第二結合件，當該第一結合件與該第二結合件間呈鎖定狀態時，該些限位部對應地嵌入該些結合槽，當該第一結合件與該第二結合件間呈解鎖狀態時，該些限位部脫離該些結合槽。
如請求項1所述之鎖定機構，其中該操作件本體設有一腔室，該腔室用以容設該彈性件。
如請求項4所述之鎖定機構，其中該第二結合件具有一止擋部，該腔室更具有相連通的一第一空間及一第二空間，該第二空間的寬度較該第一空間的寬度窄，該彈性件設置於該第一空間，該止擋部嵌設於該第二空間。
如請求項1所述之鎖定機構，其中各該限位部遠離該操作件本體之一側具有一斜面。
如請求項1所述之鎖定機構，其中該操作件相對的兩端更分別設有一按壓部及一凸簷。
如請求項7所述之鎖定機構，其中該按壓部呈彎折狀，具有略呈垂直的一第一彎折部及一第二彎折部。
如請求項7所述之鎖定機構，其中第二結合件設有一定位座，該操作件本體貫穿該定位座的一穿孔。
如請求項9所述之鎖定機構，其中該凸簷被限制於該定位座之底側。
一種電子支付管理平台，包含：<br/> 一輸入／輸出裝置，用以：<br/> 供一建檔人員輸入第一合作通路資料；以及<br/> 將該第一合作通路資料提供給一管理人員審核，並自該管理人員接收一審核結果；<br/> 一處理器，與該輸入／輸出裝置連接，且用以當該審核結果為審核成功時，透過該輸入／輸出裝置自一資料庫取得第一認證資料並將該第一認證資料與該第一合作通路資料綁定，其中，該第一認證資料對應於一或多個特約機構；以及<br/> 一儲存器，與該輸入／輸出裝置及該處理器連接，且用以當該審核結果為審核成功時，儲存該第一合作通路資料、及該第一認證資料；<br/> 其中，該處理器還用以透過該輸入／輸出裝置自該資料庫取得第二認證資料，並將該第二認證資料與該第一合作通路資料綁定，該第二認證資料對應於一或多個特約機構。
如請求項1所述的電子支付管理平台，其中，該第一認證資料包含一認證識別碼以及一認證秘密字串。
如請求項1所述的電子支付管理平台，其中，該輸入／輸出裝置還用以自該管理人員接收一查詢資料指令，且該處理器還用以根據該查詢資料指令從該儲存器中讀出該第一合作通路資料。
如請求項1所述的電子支付管理平台，其中，該輸入／輸出裝置還用以自該管理人員接收一刪除資料指令，且該處理器還用以根據該刪除資料指令從該儲存器中刪除該第一合作通路資料。
如請求項1所述的電子支付管理平台，其中，該輸入／輸出裝置還用以自該管理人員接收一異動資料指令，且該處理器還用以根據該異動資料指令修改該第一合作通路資料。
如請求項1所述的電子支付管理平台，其中，該第二認證資料包含一認證識別碼以及一認證秘密字串。
一種人工智慧多功能姿態補償型防震模組，其特徵在於，包括：一錸金屬外殼支撐結構，用以保護及支撐內部各模組；一纖維吸震層模組，分別設置於該錸金屬外殼支撐結構內週圍及配置予上下端；一磁流變液層模組，配置於該纖維吸震層模組之內側，且包含至少一電磁線圈；一人工智慧感測控制模組，包含至少一感測單元及一控制單元，該控制單元電性連接該電磁線圈；一傾角補償結構模組，設置於接觸地面點兩側，被動式機械結構，包含至少一大輪件及一小輪件，該大輪件與該小輪件相互接觸配置，並固定設置於該外殼支撐結構內之對應位置；其中特徵在於，該人工智慧感測控制模組及該磁流變液層模組形成對應配置關係，該傾角補償結構模組為輔助姿態調整，藉以達成多層吸震與穩定效果。
如請求項1之人工智慧多功能姿態補償型防震模組，其中該纖維吸震層模組由椰殼纖維與海藻纖維組成。
如請求項1之人工智慧多功能姿態補償型防震模組，其中該磁流變液層模組包含至少一電磁線圈，用以依據該人工智慧感測控制模組產生之控制訊號調整阻尼強度。
如請求項1所述之人工智慧多功能姿態補償型防震模組，其中該傾角補償結構模組係為一被動式機械補償結構，不包含任何主動驅動元件，其包含至少一大輪件及一小輪件，該大輪件與該小輪件相互接觸配置，並固定設置於該錸金屬外殼支撐結構之對應位置，藉由幾何接觸關係於受力時產生傾角補償效果。
如請求項1之人工智慧多功能姿態補償型防震模組，該人工智慧多功能姿態補償型防震模組適用於晶圓製程設備、車輛、飛機或其他需穩定平台之設備上。
一種可快速組卸之止血帶，其包括：<br/>一帶體，其一端設置有一環扣，並在其上表面設置有一收縮繩體與一固定繩體；<br/>一組卸裝置，設置於帶體上，該組卸裝置更包括有：<br/>一基座，具有一柱體、二對應之導引槽、一導引孔、二對應之對接孔、二對應之抵迫部與二對應之凹槽，且柱體乃與帶體之固定繩體相連接；<br/>一接設件，同時穿設於基座二對應之對接孔，該接設件之外側並設置有二對應之齒輪，該接設件並與帶體之收縮繩體相連接；<br/>一抵擋件，嵌設於基座二對應之導引槽內，該抵擋件並具有一前凸體，該前凸體乃穿設於基座之導引孔內，該抵擋件並抵迫於接設件之齒輪；<br/>一上蓋，具有二對應之對接孔、二對應之導引槽與一導引孔，其中二對應之對接孔乃對應於基座二對應之對接孔，且上述接設件更同時穿設於上蓋二對應之對接孔，使上蓋可與基座相連接，以及讓上蓋可進行往復之轉動；<br/>一板機，嵌設於上蓋二對應之導引槽內，該板機並具有一前凸體，該前凸體乃穿設於上蓋之導引孔內，該板機並抵迫於接設件之齒輪。
如請求項1所述之可快速組卸之止血帶，其中帶體之表面乃設置有魔鬼氈。
如請求項1所述之可快速組卸之止血帶，其中抵擋件之前凸體上乃套設有一彈性元件。
如請求項1所述之可快速組卸之止血帶，其中板機之前凸體上乃套設有一彈性元件。
一種機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，用於檢核一事業單位的多個營運資料是否包含個人資料，該事業單位包括多個下屬單位，該機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統包括：一資料庫，具有多個儲存空間，該等儲存空間分別對應於該等下屬單位，該等營運資料電子化後的多個電子資料儲存於該資料庫，該等電子資料依照與該等下屬單位的相關程度分別儲存於該等儲存空間；一流程自動化控制裝置，與該資料庫形成訊號連接；多個工作者終端裝置，與該流程自動化控制裝置形成訊號連接，該等工作者終端裝置分別對應於該等下屬單位；以及至少一管理者終端裝置，與該流程自動化控制裝置形成訊號連接；其中該流程自動化控制裝置從該資料庫下載該等電子資料，而且將該等電子資料依照與該等下屬單位的關聯傳送至該等工作者終端裝置，該等工作者終端裝置分別對該等電子資料進行檢核處理而形成多個檢核後電子資料及多個檢核結果資料，該等工作者終端裝置分別將該等檢核後電子資料及該等檢核結果資料傳送至該流程自動化控制裝置，該流程自動化控制裝置將該等檢核結果資料傳送至該至少一管理者終端裝置，且將該等檢核後電子資料傳送至該資料庫。
如請求項1所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其更包括一資料掃瞄輸入裝置，與該資料庫形成訊號連接，該資料掃瞄輸入裝置對該事業單位的多個書面的營運資料掃瞄以轉換成該等電子資料的至少一部分。
如請求項1所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中該流程自動化控制裝置於每個月的一第一日期下載該等電子資料。
如請求項3所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中該流程自動化控制裝置於該第一日期的一離峰時間下載該等電子資料。
如請求項4所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中當該流程自動化控制裝置於一第二日期未收到對應於一個該工作者終端裝置的該檢核後電子資料及該檢核結果資料時，該流程自動化控制裝置發出一第一提醒訊息至該工作者終端裝置，該第二日期晚於該第一日期。
如請求項5所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中該流程自動化控制裝置同步傳送該第一提醒訊息至該至少一管理者終端裝置。
如請求項5所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中當該工作者終端裝置傳送一未排入或未完成訊息至該流程自動化控制裝置時，該流程自動化控制裝置不發出該第一提醒訊息至該工作者終端裝置。
如請求項5所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中當該流程自動化控制裝置於一第三日期收到對應於一個該工作者終端裝置的該檢核後電子資料與預設的格式不符時，該流程自動化控制裝置發出一第二提醒訊息至該工作者終端裝置。
如請求項5所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中該流程自動化控制裝置於每個月的一第三日期將該等檢核後電子資料傳送至該資料庫並將該等檢核結果資料傳送至該至少一管理者終端裝置，該第三日期晚於該第二日期。
如請求項1所述的機器流程自動化個人資料防護檢核作業系統，其中該資料庫具有一管理介面，該流程自動化控制裝置、該等工作者終端裝置及該至少一管理者終端裝置經由該管理介面對該資料庫進行存取。
一種行動裝置支撐結構，包含一第一基板以及一第二基板，該第二基板一端與該第一基板藉由一彎折部連接，該第一基板及該第二基板以該彎折部為支點並藉由該彎折部相對於彼此翻折以形成一夾角，其特徵在於該行動裝置支撐結構更包含：<br/>一第一支撐體，該第一支撐體與該第一基板相連，該第一支撐體可相對於該第一基板翻摺；<br/>一第二支撐體，該第二支撐體與該第二基板相連，該第二支撐體可相對於該第二基板翻摺；<br/>其中，該第一支撐體與該第二支撐體為片狀且可藉由非永久固定方式相互相連而至少部分直接貼合或間接貼合。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中，該第一支撐體或該第二支撐體具有磁性。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中於一收納狀態中，該第一支撐體以及該第二支撐體分別直接或間接貼合該第一基板與該第二基板。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中於一支撐狀態中，該第一支撐體與該第一基板以及該第二支撐體與該第二基板分別相對彎折，該第一支撐體與該第二支撐體至少部分直接貼合或間接貼合。
如請求項4所述的行動裝置支撐結構，其中於該支撐狀態中，該第一支撐體可與該第二支撐體任何一處貼合。
如請求項5所述的行動裝置支撐結構，其中於該支撐狀態中，該第一支撐體與該第二支撐體以不同處貼合時，該夾角大小隨之改變。
如請求項6所述的行動裝置支撐結構，其中當該第一支撐體與該第二支撐體相貼合的面積越大，該夾角的角度越小，該行動裝置支撐結構的支撐高度增高，當該第一支撐體與該第二支撐體相貼合的面積越小，該夾角的角度越大，該行動裝置支撐結構的支撐高度降低。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中於一支撐狀態中，將該行動裝置支撐結構立於一平面時，該第二支撐體位於該第一支撐體下方。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中該第一支撐體與該第二支撐體的摩擦力係數大於該行動裝置支撐結構的其他部分的摩擦力係數。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中該第一基板或該第二基板具有磁性。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，其中該第一基板的一面可以非永久固定方式或永久固定方式與一行動裝置耦合。
如請求項1所述的行動裝置支撐結構，該第一基板或該第二基板更包含一容置空間以收納一片狀物品。
如請求項11所述的行動裝置支撐結構，其中該第一基板或該第二基板為該行動裝置的背蓋或保護結構。
一種胰島素針劑，包含有：<br/> 一主體注射裝置，具有一劑量設定器、一數字顯示螢幕、一語音模組、一光源提示模組及一處理單元；<br/> 該數字顯示螢幕，係可根據該劑量設定器之調整，顯示出對應之胰島素劑量的數字；<br/> 該語音模組，係可根據該劑量設定器之調整，語音播報出對應之胰島素劑量；<br/> 該光源提示模組，於完成劑量設定或準備注射時發出閃爍光以透過光源提醒；<br/> 該處理單元，電性連接該語音模組與光源提示模組，用以控制語音播報及光源閃爍。
如請求項1所述之胰島素針劑，其中該語音模組包括一語音晶片與一微型揚聲器，該語音晶片儲存多筆預錄語音資料以供劑量播報使用。
如請求項1所述之胰島素針劑，其中該光源提示模組為一LED燈。
如請求項1所述之胰島素針劑，其中該處理單元包括一微控制器，用以接收劑量設定器之輸入信號，並依該信號觸發該語音模組與光源提示模組之對應動作。
如請求項1所述之胰島素針劑，其中進一步包括一電源模組，設有一可充電電池及一電源開關，提供數字顯示螢幕、語音模組、光源提示模組與處理單元所需電力。
如請求項5所述之胰島素針劑，其中該電源模組進一步包括一USB充電介面，供外部電源進行充電操作。
一種線上文字客服系統，包含：<br/> 一客服主機，用以支援一App文字客服服務；及<br/> 一值機主機，連接該客服主機；<br/> 其中：該客服主機透過該App文字客服服務的一介面接獲一客戶的一轉接專人請求，並將其傳送予該值機主機；該值機主機安排一客服專員接續提供該App文字客服服務；該客服主機更用以促使該介面執行一身分驗證。
如請求項1所述之線上文字客服系統，其中該身分驗證為一次性密碼（OTP）驗證。
如請求項1所述之線上文字客服系統，其中該客服主機依該客服專員的一身分驗證請求執行該身分驗證。
如請求項1所述之線上文字客服系統，其中該值機主機於該身分驗證通過後，才安排該客服專員接續提供該App文字客服服務。
如請求項1所述之線上文字客服系統，其中該值機主機於該身分驗證通過後，自動取得該客戶的一個人資訊，並將其提供予該客服專員。
如請求項5所述之線上文字客服系統，其中該個人資訊包括信用卡結帳日、信用卡刷卡被拒原因、貸款核貸日、貸款到期日、貸款利率或其組合。
一種醫療影像分析裝置，訊號連接一醫院主機，包括：<br/> 一影像處理裝置，由該醫院主機接收複數個醫療影像資訊後，將該些醫療影像資訊的影像格式轉換為NIfTI格式，並根據該些醫療影像資訊的類型進行對應的標準化處理後，對該些醫療影像資訊進行資料增強(Data Augmentation)及重取樣(Resample)，產生一標準建模影像資訊；<br/> 一三維建模裝置，通訊連接該影像處理裝置，使用一深度學習模型根據功能性解剖學之定義對該標準建模影像資訊進行器官結構之分區處理，並依據所分區之該器官結構進行標記並上色，生成一彩色三維立體模型檔案；以及，<br/> 一統計分析裝置，通訊連接該三維建模裝置，將該彩色三維立體模型檔案擷取相關該器官結構、一病灶之位置資訊與統計特徵，生成一分析報告。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，其中該病灶的辨識方法係基於nnunet 添加分類任務，目前分類任務集中於分辨圖像是正常或異常，其後可延伸至多類別分類。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，其中當該些醫療影像資訊為磁振造影影像時，影像處理裝置對磁振造影影像進行的標準化處理為Z-score。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，其中當該些醫療影像資訊為電腦斷層掃描影像時，影像處理模組對電腦斷層掃描影像進行的標準化處理依序為收集所有樣本、去除極端值及Z-score。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，其中該些醫療影像資訊的影像格式為DICOM格式。
如請求項5所述的醫療影像分析裝置，其中該些醫療影像資訊的影像格式用以轉換的數量大於10張。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，還包括一深度學習訓練資料庫，通訊連接該影像處理裝置及該三維建模裝置，自該影像處理裝置接收並儲存該標準建模影像資訊及自該三維建模裝置接收並儲存對應的該彩色三維立體模型檔案，提供該深度學習模型所需的訓練資料集和驗證資料集。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，其中該彩色三維立體模型檔案為立體光刻格式。
如請求項1所述的醫療影像分析裝置，其中該深度學習模型包括nnUnet、nnTrans或SwinUNETR。
一種醫學影像處理裝置，通訊連接一醫院主機，包括：<br/> 一影像處理單元，通訊連接該醫院主機，接收自該醫院主機傳輸的複數個醫療影像後，判別該醫療影像之種類，將該些醫療影像轉換為RAS（Right-Anterior-Superior）座標系統之格式，並根據該些醫療影像之種類進行對應之前處理，影像處理模組使用一深度學習模型，對前處理後之該些醫療影像執行器官辨識與分割，產生對應之複數個彩色分割遮罩；以及<br/> 一三維建模單元，通訊連接該影像處理單元，依據該些彩色分割遮罩產生對應之一三維立體模型，生成一立體模型檔案，並投影至使用者所指定之位置。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，其中當該些醫療影像為磁振造影影像時，影像處理單元對磁振造影影像進行的前處理為Z-score。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，其中當該醫療影像為電腦斷層掃描影像時，影像處理單元對電腦斷層掃描影像進行的前處理依序為收集所有樣本、去除極端值及Z-score。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，其中該影像處理單元根據一病灶識別特徵執行病灶區域之辨識與分割，產生對應之一病灶識別分割遮罩。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，其中該深度學習模型為nnU-Net、nnTrans或SUNETR之一。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，其中立體模型檔案為立體光刻（STL）格式。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，還包括一影像遮罩資料庫，通訊連接該影像處理單元，以自該影像處理單元接收並儲存該些醫療影像及對應的該彩色分割遮罩，並提供該深度學習模型所需的訓練資料集和驗證資料集。
如請求項1所述的醫學影像處理裝置，其中該三維建模單元還根據該些彩色分割遮罩所對應之不同解剖結構或病灶區域進行標記與上色，使所產生之該三維立體模型中各結構以不同色彩區隔顯示。
一種可充電設備之保護電路，所述可充電設備還包括電池及加速度傳感器，所述加速度傳感器接收供電電壓，並用於當所述供電電壓大於預設之第一電壓閾值，且所述可充電設備之加速度大於預設加速度閾值時，輸出開機訊號，所述開機訊號用於控制所述可充電設備開機，其改良在於，所述保護電路包括：<br/> 分壓電路，電連接於所述電池之第一端，用於接收觸發訊號，並根據所述觸發訊號對所述電池之第一端電壓進行分壓，得到第一電壓；<br/> 保護模塊，電連接於所述分壓電路，用於當接收到所述第一電壓時，調節所述供電電壓，以使得所述供電電壓小於所述第一電壓閾值。
如請求項1所述之保護電路，其中，所述保護模塊包括控制電路、供電引腳及電壓檢測引腳，所述供電引腳電連接所述分壓電路之輸出端，所述控制電路電連接於所述供電引腳及所述電壓檢測引腳，所述控制電路用於：<br/> 當所述第一電壓小於預設之第二電壓閾值時，調節所述電壓檢測引腳之電壓為第二電壓，以調節所述供電電壓；<br/> 其中，所述供電電壓小於輸出電壓差，所述輸出電壓差為所述電池之第一端電壓與所述電壓檢測引腳電壓之差，所述電池之第一端電壓與所述第二電壓之差小於所述第一電壓閾值。
如請求項2所述之保護電路，其中，所述可充電設備還包括穩壓器，所述穩壓器之輸入端電連接於所述電池之第一端及所述電壓檢測引腳，所述穩壓器之輸出端電連接在於所述加速度傳感器，所述穩壓器用於根據所述電池之第一端電壓與所述電壓檢測引腳電壓之差，輸出所述供電電壓。
如請求項2所述之保護電路，其中，所述分壓電路包括開關管、第一分壓電阻及第二分壓電阻，所述第一分壓電阻之第一端電連接於所述電池之第一端，所述第一分壓電阻之第二端電連接於所述第二分壓電阻之一端及所述保護模塊之所述供電引腳，所述第二分壓電阻之另一端電連接於所述開關管之第一端，所述開關管之第二端接地，所述開關管之控制端用於接收所述觸發訊號，所述開關管響應於所述觸發訊號而導通。
如請求項2所述之保護電路，其中，所述保護模塊還包括上拉開關及下拉開關，所述上拉開關之第一端接收所述電池之第一端電壓，所述上拉開關之第二端電連接於所述電壓檢測引腳，所述下拉開關之第一端接地，所述下拉開關之第二端電連接於所述電壓檢測引腳，所述上拉開關之控制端與所述下拉開關之控制端均電連接於所述控制電路。
如請求項5所述之保護電路，其中，所述控制電路用於：<br/> 當所述第一電壓小於預設之第二電壓閾值時，控制所述上拉開關導通，所述下拉開關斷開，以調節所述電壓檢測引腳之電壓為第二電壓。
如請求項2所述之保護電路，其中，所述保護模塊還包括電池連接引腳、輸出連接引腳及充放電開關，所述電池連接引腳電連接於所述電池之第二端及接地，所述輸出連接引腳電連接於所述電壓檢測引腳，所述充放電開關電連接於所述電池連接引腳與所述輸出連接引腳之間，所述控制電路用於：<br/> 當所述第一電壓小於預設之第二電壓閾值時，控制所述充放電開關斷開。
如請求項3所述之保護電路，其中，所述可充電設備還包括微控制器，所述微控制器之供電端電連接於所述穩壓器之輸出端，所述微控制器之傳感訊號端電連接於所述加速度傳感器，所述微控制器之觸發訊號端電連接於所述分壓電路；<br/> 所述微控制器用於根據所述開機訊號，控制所述可充電設備開機，並用於根據預設之過放電保護指令，輸出所述觸發訊號。
如請求項4所述之保護電路，其中，所述分壓電路還包括延遲電路，所述延遲電路包括延遲電容及延遲電阻，所述延遲電容與所述延遲電阻之第一端均電連接於所述開關管之控制端，所述延遲電容之第二端接地，所述延遲電阻之第二端接收所述觸發訊號。
一種可充電設備，其中，包括電池、加速度傳感器、穩壓器、微控制器及如請求項1至9中任一項所述之保護電路；<br/> 所述穩壓器用於接收所述電池之第一端電壓，並根據所述電池之第一端電壓與所述保護模塊之電壓檢測引腳電壓，輸出供電電壓；<br/> 所述加速度傳感器接收所述供電電壓，用於當所述供電電壓大於預設之第一電壓閾值，且所述可充電設備之加速度大於預設加速度閾值時，輸出開機訊號；<br/> 所述微控制器接收所述供電電壓，用於根據所述開機訊號控制所述可充電設備開機，且用於根據預設之過放電保護指令，輸出觸發訊號；<br/> 所述保護電路用於根據所述觸發訊號調節所述供電電壓，以使得所述供電電壓小於所述第一電壓閾值。
一種燈條結構之改良，包含：<br/> 一發光模組，具有一電路板，分別與複數個發光元件呈電性連結，各該發光元件順延該電路板的長方向以相等間距排布設置；<br/> 一導光體，環繞成形於該發光模組之外圍後，與一出光層相連，使該出光層構成一長方面；以及<br/> 一自發光層，成形於該出光層或該出光層的任一鄰面，其由一膠體材料與一蓄光型螢光粉混合而成。
如請求項1所述之燈條結構之改良，其中，一反射體包覆於該導光體的外層，用於反射由該發光元件所射出的一光線，使該光線可集中輸出。
如請求項2所述之燈條結構之改良，其中，該發光元件透過該電路板進行驅動發亮，產生對應波長的一發散光，並以散射形式朝向該導光體入射，並經由位於該導光體外層之該反射體進行多次反射擴散，使一第一光源可均勻導出至該出光層之外。
如請求項2所述之燈條結構之改良，其中，該反射體外包覆有一阻隔層。
如請求項1所述之燈條結構之改良，其中，該電路板為一軟性印刷電路板。
如請求項1所述之燈條結構之改良，其中，該電路板尾端組設有一電性接口，可與外接的一電源線進行電性連結。
如請求項1所述之燈條結構之改良，其中，該自發光層藉由該蓄光型螢光粉中所儲存之能量，主動釋放對應波長之光線，並產生一第二光源。
如請求項1所述之燈條結構之改良，其中，一具備可撓性的防斷片沿該電路板呈平行組構。
一種燈條結構之改良，包含：<br/> 一發光模組，具有一電路板，分別與複數個發光元件呈電性連結，各該發光元件順延該電路板的長方向以相等間距排布設置；<br/> 一導光體，環繞成形於該發光模組之外圍後，與一出光層相連，使該出光層構成一長方面；<br/> 一蓄光型螢光片，組設於該出光層或該出光層之任一鄰面；以及<br/> 一透光層，對應重疊於該螢光片，用以將該蓄光型螢光片釋出的一光源經由該透光層傳導釋放。
如請求項9所述之燈條結構之改良，其中，一反射體包覆於該導光體的外層，用於反射由該發光元件所射出的一光線，使該光線可集中輸出。
如請求項10所述之燈條結構之改良，其中，該發光元件透過該電路板進行驅動發亮，產生對應波長的一發散光，並以散射形式朝向該導光體入射，並經由位於該導光體外層之該反射體進行多次反射擴散，使一第一光源可均勻導出至該出光層之外。
如請求項10所述之燈條結構之改良，其中，該反射體外包覆有一阻隔層。
如請求項9所述之燈條結構之改良，其中，該電路板為一軟性印刷電路板。
如請求項9所述之燈條結構之改良，其中，該電路板尾端組設有一電性接口，可與外接的一電源線進行電性連結。
如請求項9所述之燈條結構之改良，其中，該蓄光型螢光片為一具備可撓性的透明片材，並與一蓄光型螢光粉進行混合、塗布、夾層處理之任一種，以形成長條形的一自發光結構。
如請求項9所述之燈條結構之改良，其中，該蓄光型螢光片藉由一蓄光型螢光粉中所儲存之能量，主動釋放對應波長之光線，並產生一第二光源。
如請求項9所述之燈條結構之改良，其中，一具備可撓性的防斷片沿該電路板呈平行組構。
一種燈條結構之改良，包含：<br/> 一發光模組，具有一電路板，分別與複數個發光元件呈電性連結，各該發光元件順延該電路板的長方向以相等間距排布設置；<br/> 一導光體，環繞成形於該發光模組之外圍，並有一反射體，成形於該導光體的外層；<br/> 一透光層，成型於該反射體外部表面；<br/> 一透明板，表面貼附有一蓄光型螢光貼紙；以及<br/> 該蓄光型螢光貼紙對應組設重疊於該透光層，使該蓄光型螢光貼紙釋出的一光源可經由該透光層傳導釋放。
如請求項18所述之燈條結構之改良，其中，該電路板為一軟性印刷電路板。
如請求項18所述之燈條結構之改良，其中，該電路板尾端組設有一電性接口，可與外接的一電源線進行電性連結。
如請求項18所述之燈條結構之改良，其中，該蓄光型螢光貼紙塗佈有一蓄光型螢光粉，可於無光源的狀態下自行釋放該光源。
如請求項21所述之燈條結構之改良，其中，該蓄光型螢光貼紙藉由該蓄光型螢光粉中所儲存之能量，主動釋放對應波長之光線，並產生一第二光源。
如請求項18所述之燈條結構之改良，其中，該透明板具有可撓性。
如請求項18所述之燈條結構之改良，其中，一具備該蓄光型螢光貼紙的透明板沿該電路板呈平行組構。
如請求項18所述之燈條結構之改良，其中，該反射體外包覆有一阻隔層。
一種燈條結構之改良，包含：<br/> 一發光模組，具有一電路板，分別與複數個發光元件呈電性連結，各該發光元件順延該電路板的長方向以相等間距排布設置；<br/> 一導光體，環繞成形於該發光模組之外圍，並有一反射體，包覆於該導光體的外層；<br/> 一透光層，成型於該導光體外表面；以及<br/> 一螢光板對應組設重疊於該透光層，使該螢光板釋出的一光源可經由該透光層傳導釋放。
一種膽固醇液晶顯示裝置，包括：<br/> 依次堆疊佈置的一第一液晶模組、一第二液晶模組、一第三液晶模組，以及一太陽能電池模組；<br/> 該第一液晶模組包括一第一上基板、一第一下基板和夾持在該第一上基板與該第一下基板之間的一第一膽固醇液晶層，該第一上基板和該第一下基板上分別設有多個第一電極，該第一膽固醇液晶層用於反射一第一色光，且該第一色光為藍色光；<br/> 該第二液晶模組包括一第二上基板、一第二下基板和夾持在該第二上基板與該第二下基板之間的一第二膽固醇液晶層，該第二上基板和該第二下基板上分別設有多個第二電極，該第二膽固醇液晶層用於反射不同於該第一色光的一第二色光，且該第二上基板和/或該第二下基板靠近該第二膽固醇液晶層的一側設有一配向層；<br/> 該第三液晶模組包括一第三上基板、一第三下基板和夾持在所述第三上基板與所述第三下基板之間的一第三膽固醇液晶層，該第三上基板和該第三下基板上分別設有多個第三電極，該第三膽固醇液晶層用於反射不同於該第一色光和該第二色光的一第三色光，該第三上基板和/或該第三下基板靠近該第三膽固醇液晶層的一側設有一配向層；<br/> 該太陽能電池模組設置在該第三液晶模組遠離該第二液晶模組的一側，該太陽能電池模組包括一電力輸出端，該電力輸出端與該第一液晶模組、該第二液晶模組及該第三液晶模組中的至少一個液晶模組的電極電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中該第二色光為綠色光，且該第三色光為紅色光。
如申請專利範圍第2項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中，<br/> 該第一膽固醇液晶層的液晶旋轉螺距落在200nm至370nm的範圍；和/或<br/> 該第二膽固醇液晶層的液晶旋轉螺距落在260nm至450nm的範圍；和/或<br/> 該第三膽固醇液晶層的液晶旋轉螺距落在320nm至540nm的範圍。
如申請專利範圍第1項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中，<br/> 該第二上基板和該第二下基板上分別設有一第一上配向層和一第一下配向層，該第二膽固醇液晶層夾持在該第一上配向層和該第一下配向層之間；和/或<br/> 該第三上基板和該第三下基板上分別設有一第二上配向層和一第二下配向層，該第三膽固醇液晶層夾持在該第二上配向層和該第二下配向層之間。
如申請專利範圍第4項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中該第一上配向層具有一第一預傾角，使該第二膽固醇液晶層的液晶分子沿一水準方向或一垂直方向配置；該第一下配向層具一第二預傾角，使該第二膽固醇液晶層的液晶分子沿該水準方向或該垂直方向配置；和/或<br/> 該第二上配向層具有一第三預傾角，使該第三膽固醇液晶層的液晶分子沿該水準方向或該垂直方向配置；該第二下配向層具有一第四預傾角，使該第三膽固醇液晶層的液晶分子沿該水準方向或該垂直方向配置。
如申請專利範圍第1項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中該太陽能電池模組還包括：<br/> 一底板和至少一光伏單元，其中該至少一光伏單元設置在該底板上且位於該第三下基板之遠離該第三膽固醇液晶層的一側。
如申請專利範圍第6項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中該太陽能電池模組包括多個光伏單元，該些光伏單元在該底板上陣列分佈，每一該光伏單元均與該電力輸出端電性連接。
如申請專利範圍第6項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中該底板採用一吸光材料製成或該底板上設有一吸光層。
如申請專利範圍第1項所述的膽固醇液晶顯示裝置，其中該電力輸出端與該第一液晶模組、該第二液晶模組及該第三液晶模組中的每一個液晶模組的電極電性連接。
一種膽固醇液晶顯示裝置，包括：<br/> 依次堆疊佈置的一第一液晶模組、一第二液晶模組和一太陽能電池模組；<br/> 該第一液晶模組包括一第一上基板、一第一下基板和夾持在該第一上基板與該第一下基板之間的一第一膽固醇液晶層，該第一上基板和該第一下基板上分別設有多個第一電極，該第一膽固醇液晶層用於反射一第一色光；<br/> 該第二液晶模組包括一第二上基板、一第二下基板和夾持在該第二上基板與該第二下基板之間的一第二膽固醇液晶層，該第二上基板和該第二下基板上分別設有多個第二電極，該第二膽固醇液晶層用於反射不同於該第一色光的一第二色光，該第二上基板和/或該第二下基板靠近該第二膽固醇液晶層的的一側設有配向層；<br/> 該太陽能電池模組設置在該第二液晶模組遠離該第一液晶模組的一側，該太陽能電池模組包括一電力輸出端，且該電力輸出端與該第一液晶模組及該第二液晶模組中的至少一個液晶模組的電極電性連接。
一種次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，包括：<br/> 一控制器；<br/> 一次毫米發光二極體 (Mini LED)背光板，其安裝至一液晶顯示器(LCD)面板之背面以作為背光源，該Mini LED背光板之正面具有多個Mini LED，其中該(Mini LED)背光板之背面劃分為至少一散熱區域並且該散熱區域劃分為一抽熱風區域與一送冷風區域；<br/> 至少一抽熱風風扇，其分別連接至該控制器且安裝至該Mini LED背光板的背面，其中每一該抽熱風風扇分別對應地安裝至該抽熱風區域且用以抽出該抽熱風區域內部的熱空氣；<br/> 至少一送冷風風扇，其分別連接至該控制器且安裝至該Mini LED背光板的背面，其中每一該送冷風風扇分別對應地安裝至該送冷風區域且用以將冷空氣送進至該送冷風區域內部；以及<br/> 多個溫度偵測模組，其分別連接至該控制器且安裝至每一該散熱區域，該些溫度偵測模組用以分別獨立偵測每一該散熱區域內該些Mini LED或腔體的一實時溫度的數值，並且回傳至該控制器，<br/> 其中當該散熱區域的該實時溫度的數值超過一預定標準溫度值時，該控制器則控制位於該散熱區域的該抽熱風風扇與該送冷風風扇同步進行轉動，並且根據該實時溫度的數值來決定且調整風扇轉速。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，其中當該散熱區域的該實時溫度的數值低於一預定標準溫度值時，該控制器則控制位於該散熱區域的該抽熱風風扇與該送冷風風扇同步降低轉速或停止轉動。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，其中每一該抽熱風風扇與該Mini LED背光板的背面之間具有多個透氣孔，並且每一該送冷風風扇與該Mini LED背光板的背面之間具有該些透氣孔。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，其中該控制器透過脈衝訊號的頻率來分別控制每一該抽熱風風扇與每一該送冷風風扇的風扇轉速。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，其中當該控制器決定要該散熱區域進行散熱時，則該散熱區域的該抽熱風風扇與該送冷風風扇同步進行轉動以形成一個氣流循環，以提高散熱效率。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，其中該抽熱風風扇之數量等於該送冷風風扇之數量。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置更包括：<br/> 多個轉速偵測模組，其分別連接至該控制器且分別對應連接至每一該抽熱風風扇與每一該送冷風風扇，該些轉速偵測模組分別用以獨立偵測每一該抽熱風風扇與每一該送冷風風扇的轉速是否異常。
如請求項1所述之次毫米發光二極體背光板的智能風扇控制裝置，其中該控制器分別獨立且定時偵測每一該抽熱風風扇與每一該送冷風風扇的風扇波形。
一種電連接器，包括： <br/>殼體，所述殼體包括在縱向方向上延伸的壁； <br/>多個端子，所述多個端子中的每個包括配合接觸部、尾部以及在所述配合接觸部和尾部之間的中間部，所述多個端子的所述配合接觸部沿所述壁設置；以及 <br/>遮罩件，包括： <br/>多個第一部分，所述多個第一部分中的每個包括凹陷部，使得所述多個端子中的一個或多個端子設置在所述凹陷部內，以及 <br/>多個第二部分，與所述多個端子對準，所述多個第二部分中的每個連接所述多個第一部分中的相鄰的第一部分。
如請求項1所述的電連接器，其中， <br/>所述多個第一部分至少部分地嵌入至所述殼體的所述壁內。
如請求項1所述的電連接器，其中，所述多個第二部分中的每個包括： <br/>子部，所述子部連接相鄰的所述第一部分，以及 <br/>從所述子部延伸出的一個或多個樑部，所述一個或多個樑部與所述多個端子的所述配合接觸部對準。
如請求項3所述的電連接器，其中， <br/>所述多個第二部分中的每個包括與所述多個端子的尾部對準的一個或多個尾部。
如請求項4所述的電連接器，其中， <br/>所述殼體包括基部； <br/>從所述壁突出的壁； <br/>所述遮罩件的所述多個第二部分藉由所述殼體的所述基部固定保持，並且 <br/>所述遮罩件的所述多個第二部分的尾部延伸至所述殼體的所述基部之外。
如請求項1所述的電連接器，其中， <br/>所述多個端子是多個第一端子的對，且設置在所述遮罩件的所述多個第一部分的各個第一部分的所述凹陷部內；並且 <br/>所述電連接器包括一個或多個第二端子，所述第二端子在縱向方向上與所述多個端子對準並且未被所述遮罩件遮罩。
如請求項1所述的電連接器，其中， <br/>所述殼體為上殼體；並且 <br/>所述電連接器包括具有多個通孔的下殼體，所述多個端子的尾部和所述遮罩件的尾部延伸至所述多個通孔內。
如請求項7的電連接器，包括： <br/>多個焊球，所述多個焊球中的每個附接至所述遮罩件的尾部或各個端子的尾部，其中，所述多個焊球中的每個至少部分地容納於所述下殼體的所述多個通孔中的各個通孔內。
一種電連接器，包括： <br/>多個端子，所述多個端子中的每個包括配合接觸部、尾部以及在配合接觸部和尾部之間的中間部，所述多個端子包括設置在第一列中的第一多個端子和設置在第二列中的第二多個端子； <br/>第一遮罩件，包括： <br/>多個第一部分，多個第一部分中的每個包括凹陷部，使得所述第一多個端子中的一個或多個端子設置在所述凹陷部內；以及 <br/>多個第二部分，多個第二部分在列方向上與所述第一多個端子對準，多個第二部分中的每個連接多個第一部分中相鄰的第一部分；以及 <br/>第二遮罩件，包括： <br/>多個第一部分，多個第一部分中的每個包括凹陷部，使得所述第二多個端子中的一個或多個端子設置在所述凹陷部內；以及 <br/>多個第二部分，多個第二部分在列方向上與所述第一多個端子對準，多個第二部分中的每個連接多個第一部分中相鄰的第一部分。
如請求項9所述的電連接器，包括： <br/>殼體，所述殼體包括在列方向上延伸的壁，所述壁包括第一側面和與所述第一側面相對的第二側面； <br/>所述第一多個端子設置在所述壁的所述第一側面上；並且 <br/>所述第二多個端子設置在所述壁的所述第二側面上。
如請求項10所述的電連接器，其中， <br/>所述殼體包括基部、從所述基部突出的壁、多個第一通道以及多個第二通道，所述多個第一通道在垂直於所述列方向的配合方向上從所述基部延伸至所述壁內，所述多個第二通道位於所述基部內且連接所述多個第一通道中相鄰的第一通道。
如請求項11所述的電連接器，其中， <br/>所述殼體包括多個第三通道，所述多個第三通道在列方向上與所述多個第二通道對準；並且 <br/>所述多個端子至少部分地設置在所述殼體的所述多個第三通道中的各個第三通道內。
如請求項12所述的電連接器，其中， <br/>所述多個第三通道包括多個第三通道的對； <br/>所述多個第三通道的對中的每對與所述多個第一通道中的第一通道對準；並且 <br/>所述多個第三通道包括從所述多個第一通道偏移的一個或多個第三通道。
如請求項12所述的電連接器，其中， <br/>多個端子中的每個包括在所述殼體的所述基部上方的配合接觸部、在所述殼體的所述基部下方延伸的尾部；並且 <br/>所述第一遮罩件和所述第二遮罩件的多個第二部分中的每個包括在所述殼體的所述基部上方的一個或多個樑部，所述樑部與所述第一列和所述第二列中的各個列中的所述多個端子的所述配合接觸部對準，以及在所述殼體的所述基部下方延伸的一個或多個尾部，一個或多個尾部與所述第一列和所述第二列中各個列中的所述多個端子的尾部對準。
如請求項12所述的電連接器，其中， <br/>所述多個第一通道包括第一多個第一通道和第二多個第一通道；並且 <br/>所述多個第二通道包括第一多個第二通道以及第二多個第二通道，所述第一多個第二通道位於所述壁的所述第一側面上的所述基部內並連接所述第一多個第一通道中的相鄰的第一通道，所述第二多個第二通道位於所述壁的所述第二側面上的所述基部內並連接所述第二多個第一通道中的相鄰的第一通道。
如請求項15所述的電連接器，其中， <br/>所述第一遮罩件的多個第一部分至少部分地設置在所述殼體的所述第一多個第一通道中的各個第一通道內； <br/>所述第一遮罩件的多個第二部分至少部分地設置在所述殼體的所述第一多個第二通道中的各個第二通道內； <br/>所述第二遮罩件的多個第一部分至少部分地設置在所述殼體的所述第二多個第一通道中的各個第一通道內；並且 <br/>所述第二遮罩件的多個第二部分至少部分地設置在所述殼體的所述第二多個第二通道中的各個第二通道內。
如請求項16所述的電連接器，其中， <br/>所述多個第三通道包括第一多個第三通道以及第二多個第三通道，所述第一多個第三通道在所述壁的所述第一側面上在列方向上與所述第一多個第二通道對準，所述第二多個第三通道在所述壁的所述第二側面上在列方向上與所述第二多個第二通道對準； <br/>所述第一多個端子至少部分地設置在所述殼體的所述第一多個第三通道中的各個第三通道內；並且 <br/>所述第二多個端子至少部分地設置在所述殼體的所述第二多個第三通道中的各個第三通道內。
一種電連接器，包括： <br/>殼體，包括： <br/>基部， <br/>從所述基部突出的多個壁，所述多個壁中的每個在縱向方向上延伸，並且 <br/>分別在所述多個壁中的相鄰壁之間的多個間距； <br/>多個信號端子，沿著所述多個壁設置，所述多個信號端子中的每個包括彎曲至所述多個間距中的每個內的配合接觸部；以及 <br/>多個電源端子，所述多個電源端子關於在縱向方向上延伸的線對稱設置。
如請求項18所述的電連接器，包括： <br/>多個遮罩件，所述多個遮罩件中的每個包括： <br/>多個第一部分，所述多個第一部分至少部分地嵌入至所述殼體的所述多個壁中的壁內，並且所述多個第一部分中的每個對應於沿著所述壁設置的一個或多個信號端子，以及 <br/>多個第二部分，所述多個第二部分與沿著所述壁設置的所述一個或多個信號端子對準，所述多個第二部分中的每個連接所述多個第一部分中相鄰的第一部分。
如請求項19所述的電連接器，包括： <br/>電源引腳和電源插座，所述電源引腳和所述電源插座關於在縱向方向上延伸的線對稱設置； <br/>所述殼體包括在縱向方向上延伸的肋條，並且所述肋條包括插槽；以及 <br/>所述電源插座設置在所述殼體的所述肋條的所述插槽內，並配置為容納配合電連接器的電源引腳，所述配合電連接器具有與所述電連接器的配合介面相同的配合介面。
一種滑鼠墊，包括：一墊體、一第一表層及一第二表層，該第一表層及該第二表層分別覆設於該墊體之相對二側，該第二表層係以PU皮料製成，該第一表層之一第一邊緣朝該第二表層的方向下彎並壓縮該墊體之一第二邊緣以共同形成一收合邊部。
如請求項1所述的滑鼠墊，其中該第一表層包括設於相對二側之一第一上表面及一第一下表面，該第一下表面連接於該墊體，該第二表層包括一第二上表面、一第二下表面及一側端面，該第二上表面連接於該墊體，該側端面橫向連接於該第二上表面及該第二下表面之間，該第一下表面連接至少部分之該側端面。
如請求項2所述的滑鼠墊，其中該第一表層及該第二表層同時受熱壓夾合使該第二表層的該側端面熔接該第一下表面。
如請求項1所述的滑鼠墊，其中該第一表層包括設於相對二側之一第一上表面、一第一下表面及一側表面，該側表面橫向連接於該第一上表面及該第一下表面之間，該第一下表面連接該墊體，該第二表層包括一第二上表面及一第二下表面，該第二上表面連接於該墊體，該第二上表面至少部分受熱熔接該側表面。
如請求項1所述的滑鼠墊，其中該墊體係聚氨酯（Polyurethane, PU）材料製成，該墊體具有複數孔隙，該第一表層及該第二表層同時受熱壓夾合使該第二表層至少部分可熔融滲入至少部分之該複數孔隙並熔接於該墊體。
如請求項1所述的滑鼠墊，其中該第一表層的一厚度尺寸大於等於該第二表層的一厚度尺寸的0.7倍至2倍。
如請求項6所述的滑鼠墊，其中該第二表層的該厚度尺寸範圍為0.25 mm 至 0.6 mm。
如請求項1所述的滑鼠墊，其中該收合邊部為弧形角。
如請求項8所述的滑鼠墊，其中該弧形角之一曲率半徑範圍為3.5mm至6.0mm。
如請求項3所述的滑鼠墊，其中該墊體係聚氨酯（Polyurethane, PU）材料製成，該墊體具有複數孔隙，該第一表層及該第二表層同時受熱壓夾合使該第二表層至少部分可熔融滲入至少部分之該複數孔隙並熔接於該墊體；該第一表層的一厚度尺寸大於等於該第二表層的一厚度尺寸的0.8倍至1.2倍；該第二表層的該厚度尺寸範圍為0.25mm至0.6mm；該第一表層為一織布，該第一表層構成複數網孔，該第二表層的該側端面受熱壓熔融滲入至少部分之該複數網孔以相互熔接；該墊體之一厚度尺寸為該第二表層之該厚度尺寸之6.0倍到15.0倍；該收合邊部為弧形角；該弧形角之一曲率半徑範圍為3.5mm至6.0mm。
一種數位影像對保系統，包括：一第一運算裝置，用於接收一預約對保時間點；一第二運算裝置，通訊連接該第一運算裝置，用於輸出該預約對保時間點，並接收對應於該預約對保時間點的一確認指令；以及一伺服器，通訊連接該第一運算裝置及該第二運算裝置，用於提供該預約對保時間點至該第二運算裝置，且根據該確認指令建立一視訊會議並將該視訊會議的一連結傳送至該第一運算裝置及該第二運算裝置用以管理該第一運算裝置及該第二運算裝置之間的連接；其中該第一運算裝置及該第二運算裝置更用於透過該連結進入該視訊會議，且該第二運算裝置透過該視訊會議傳輸關聯於對保作業的一影像資料至該第一運算裝置，該第一運算裝置將該影像資料上傳至該伺服器，該伺服器更用於辨識該影像資料的初始格式並根據該第一運算裝置的組態資料將該影像資料的該初始格式轉換為該第一運算裝置所適用的資料格式，以供審核該對保作業。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該第一運算裝置更用於接收一資料重整指令，並根據該資料重整指令以一第一申貸資料欄位至該伺服器的一資料庫索取對應於該第一申貸資料欄位的申貸資料以更新多個第二申貸資料欄位，該伺服器更用於將該些第二申貸資料欄位套印至一申貸契約。
如請求項2所述的數位影像對保系統，其中該伺服器用於依序將多個預存字型檔套印多個待顯示字元至該申貸契約，並在成功套印該些待顯示字元後停止嘗試後續字型。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該伺服器更用於根據該預約對保時間點設定一關閉時間點，並於超過該關閉時間點時關閉該視訊會議的該連結。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該伺服器用於根據該第二運算裝置的作業系統資訊設置一顯示參數，在該第二運算裝置進入該視訊會議時設置該顯示參數以保持螢幕恆亮，並於該第二運算裝置離開該視訊會議時清除該顯示參數以恢復該第二運算裝置之省電控制。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該視訊會議係使用WebRTC協定，且具有一腳本程式，該腳本程式為以 JavaScript 編寫之動態介面控制程式。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該第一運算裝置更用於傳輸一申貸契約至該第二運算裝置，該第二運算裝置更用於接收對該申貸契約的一簽章驗證指令，並根據該簽章驗證指令執行一驗證程序。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該伺服器具有一影片回放模組，該第一運算裝置透過該影片回放模組回放該影像資料，該伺服器透過該影片回放模組檢測該影像資料的影片載入狀態以於未載入或載入失敗時觸發跳轉或重試機制，並據以設定快取控制參數以拒絕快取或限制該第一運算裝置的快取行為。
如請求項1所述的數位影像對保系統，其中該第一運算裝置更用於根據關聯於審核所需資料的一或多個預設特徵擷取該影像資料中的一或多個存證影像以供審核該對保作業，並將該一或多個存證影像儲存並上傳至該伺服器。
一種導電層結構，該結構包括依序層疊配置之：<br/> 一第一電極；<br/> 一導電水凝膠體；<br/> 一第二電極；<br/> 該導電水凝膠體包含:<br/> 一單體，其包含二甲基丙烯醯胺、丙烯酸或2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸的其一或任意組合；<br/> 一交聯劑，其包含N,N'-亞甲基雙丙烯醯胺；<br/> 一起始劑，其包含熱固化型起始劑或光固化型起始劑；<br/> 一聚合物，其包含聚乙烯吡咯烷酮；<br/> 一助劑，其包含聚乙二醇；<br/> 一導電介質，其包含氯化鉀；以及<br/> 一溶劑，其包含純水。
如請求項1所述的導電層結構，其中:持續通入至少2.0mA之一穩定直流電於上述兩電極之間，使該導電水凝膠體靠近該第一電極或該第二電極區域於至少6小時內未產生銅化合物之沉積，且該導電水凝膠體中於6小時內的電阻上升斜率不大於3Ω/min。
如請求項2所述的導電層結構，其中:該直流電為5.5mA，使該導電水凝膠體靠近該第一電極或該第二電極區域於至少2小時內未產生銅化合物之沉積，且該導電水凝膠體中於2小時內的電阻上升斜率不大於3Ω/min。
如請求項2所述的導電層結構，其中:該直流電為5.5mA，使該導電水凝膠體靠近該第一電極或該第二電極區域於至少2小時內未產生銅化合物之沉積，且該導電水凝膠體中於2小時內的電阻上升斜率不大於3Ω/min。
如請求項2、3或4所述的導電層結構，其中:該銅化合物包含氧化亞銅、氧化銅、氯化銅或氫氧化銅。
如請求項1、2、3或4所述的導電層結構，其中:熱固化型起始劑包含過硫酸銨或光固化型起始劑Irgacure 2959。
如請求項1、2、3或4所述的導電層結構，其中:該第一電極及/或該第二電極包含金屬或非金屬；該非金屬包含皮膚。
一種移動式機箱裝置，包括：<br/> 一滑軌部；<br/> 一機箱，設置於該滑軌部；以及<br/> 一移動控制部，設置於該滑軌部且連接該機箱，並控制該機箱於該滑軌部移動；<br/> 其中該移動控制部包括：<br/> 一移動控制盒，設置於該滑軌部，該移動控制盒具有一機箱偵測電路及一支撐件，該機箱偵測電路偵測該機箱的一工作狀態及控制該支撐件由該移動控制盒向外伸展或向內收納於該移動控制盒內；<br/> 一連動部，連接該支撐件與該機箱之間；<br/> 一電控部，設置於該移動控制盒一側，該電控部電性連接該機箱偵測電路，並根據該機箱偵測電路的控制對該連動部進行鎖扣或解鎖。
如請求項1所述的移動式機箱裝置，其中該機箱偵測電路包括：<br/> 一驅動部，驅動該支撐件並經由該連動部帶動該機箱的移動；<br/> 一第一偵測電路，偵測該機箱位置的一機箱溫度；<br/> 一第一傳輸介面；以及<br/> 一第一控制電路，電性連接該驅動部、該第一偵測電路及該第一傳輸介面，該第一控制電路透過該第一偵測電路及該第一傳輸介面取得該機箱的該工作狀態，並輸出一移動訊號給該驅動部。
如請求項2所述的移動式機箱裝置，其中該驅動部包括：<br/> 一齒輪箱，連接該支撐件；<br/> 一馬達，連接該齒輪箱；<br/> 一驅動器，電性連接該第一控制電路及該馬達，該驅動器接收該移動訊號，並根據該移動訊號驅動該馬達運轉而帶動該齒輪箱轉動，以及由轉動的該齒輪箱帶動該支撐件移動，該支撐件為單向鏈條。
如請求項1所述的移動式機箱裝置，其中該連動部包括：<br/> 一鎖定部；<br/> 一插銷部；<br/> 一按壓部，連接該鎖定部及該插銷部，該按壓部根據外部壓力的按壓控制該鎖定部鎖定於一第一鎖定位置或一第二鎖定位置，以及該插銷部透過該按壓部與該鎖定部連動。
如請求項4所述的移動式機箱裝置，其中該連動部更包括一固定槽，該插銷部於該鎖定部鎖定於該第一鎖定位置時穿設該固定槽。
如請求項5所述的移動式機箱裝置，其中該鎖定部包括：<br/> 一鎖定推桿，具有一推動環；<br/> 一固定環；<br/> 一彈性件，套設於該鎖定推桿，且該彈性件的兩端分別抵靠於該固定環及該鎖定推桿的該推動環；<br/> 一第一旋轉件，與該鎖定推桿的一端相抵靠，該第一旋轉件外面環設有多個間隔排列的旋轉部，且每一該旋轉部形成有一斜面；<br/> 一第二旋轉件，形成有一定位槽供該第一旋轉件插入，該第二旋轉件具有一固定部及一鋸齒部，該鋸齒部相鄰於該第一旋轉件的該旋轉部，且該旋轉部的斜面與該鋸齒部相互抵靠，該固定部於在該第二旋轉件外面環設有多個固定塊；<br/> 一鎖定環，內部形成有中空的一孔洞供該第二旋轉件插入，且該固定塊固定於該鎖定環內部形成的多個間隔排列的一第一鎖定槽或一第二鎖定槽，其中該第一鎖定槽的長度大於該第二鎖定槽的長度。
如請求項6所述的移動式機箱裝置，其中該電控部包括一電控馬達、一電控齒輪部及一推桿，該電控馬達連接於該電控齒輪部一側，該電控齒輪部另一側連接於該推桿，該電控馬達電性連接該機箱偵測電路，並根據該機箱偵測電路的控制而移動該推桿的位置在一鎖扣位置或一解鎖位置。
如請求項7所述的移動式機箱裝置，其中該鎖扣位置是指該連動部的該第二旋轉件位在該電控部內且抵靠該推桿的位置，該解鎖位置是指將該第二旋轉件移動於該電控部外面並與該電控部一側相鄰的位置。
一種伺服器機櫃，包括：<br/> 多個如請求項1所述的移動式機箱裝置；以及<br/> 一機櫃控制電路，電性連接各該機箱偵測電路，並取得各該機箱偵測電路回報的該些工作狀態；<br/> 其中該機櫃控制電路根據該些工作狀態分別判斷各該機箱，該機櫃控制電路輸出一移動訊號給出現異常的該機箱相對應的該機箱偵測電路，該機箱偵測電路根據接收到的該移動訊號控制相對應的該機箱移動於該伺服器機櫃外。
如請求項9所述的伺服器機櫃，其中各該機箱移動裝置是堆疊分佈設置於該伺服器機櫃內，該機櫃控制電路包括一氣流感測器，該機櫃控制電路控制該氣流感測器感測該伺服器機櫃內部的氣流流動，且根據該氣流感測器的感測結果為異常時輸出該移動訊號給該些機箱偵測電路的至少一個。
一種烘乾裝置，其包括： <br/> 殼體組件，所述殼體組件限定出容納腔；<br/> 吸濕組件，所述吸濕組件可轉動地設置於所述容納腔內，所述吸濕組件繞轉動軸線轉動；所述吸濕組件將所述容納腔分隔成沿軸向分佈的第一空間和第二空間；所述第一空間與所述烘乾裝置的進氣口連通；所述第二空間與所述烘乾裝置的出氣口連通；所述殼體組件包括第一底壁，所述第一底壁位於所述第一空間側，所述第一底壁在所述轉動軸線處內凹，以在所述第一底壁的外側形成容納凹槽、以及在所述第一底壁的內側形成第一凸台；所述容納凹槽的第一底部在所述轉動軸線處還開設有第一安裝通孔；以及<br/> 驅動組件，所述驅動組件包括固定體和驅動軸，所述固定體的至少部分位於所述容納凹槽內；所述驅動軸穿設於所述第一安裝通孔並與所述吸濕組件連接，以驅動所述吸濕組件相對所述第一凸台轉動。
如請求項1所述之烘乾裝置，其中，所述烘乾裝置還包括：<br/> 散熱器，所述散熱器設置於所述固定體的周側，所述散熱器的至少部分位於所述容納凹槽內；<br/> 其中，所述散熱器包括：<br/> 第一筒狀部，所述第一筒狀部環設於所述固定體的周側；以及<br/> 至少兩個散熱片部，所述至少兩個散熱片部間隔設置於所述第一筒狀部的周側。
如請求項2所述之烘乾裝置，其中，所述散熱器與所述第一底部連接，所述固定體被限位於所述散熱器和所述第一底部限定的空間內。
如請求項3所述之烘乾裝置，其中，所述散熱器還包括：<br/> 封擋部和走線通孔；其中，所述封擋部與所述第一筒狀部連接；所述封擋部位於所述固定體遠離所述第一底部的一側；所述走線通孔開設於所述封擋部和所述第一筒狀部的連接處；所述驅動組件的線纜穿過所述走線通孔從所述散熱器引出；<br/> 和/或，<br/> 至少兩個安裝耳部，其中，所述至少兩個安裝耳部間隔設置於所述第一筒狀部的周側；所述至少兩個安裝耳部開設有第一通孔；所述第一底部開設有與所述第一通孔位置對應的第一連接孔，以使第一緊固件穿過所述第一通孔與所述第一連接孔連接。
如請求項1所述之烘乾裝置，其中，所述吸濕組件包括吸濕本體；所述吸濕本體限定出沿所述轉動軸線設置的安裝孔；<br/> 所述第一凸台上設置有呈筒狀的固定壁部，所述固定壁部沿所述第一安裝通孔的周側設置、且至少部分地位於所述安裝孔內；所述固定壁部限定出安裝槽； <br/> 所述烘乾裝置還包括：<br/> 軸承，所述軸承設置於所述安裝槽內；所述軸承的外圈固定於所述固定壁部；所述軸承的內圈與所述驅動軸連接。
如請求項5所述之烘乾裝置，其中，所述吸濕組件還包括支撐組件，所述支撐組件用於承托所述吸濕本體、且分別與所述驅動軸和所述軸承的內圈連接；所述支撐組件包括第一支撐件；<br/> 所述第一支撐件包括第二筒狀部，所述第二筒狀部位於所述安裝孔內、且所述第二筒狀部的內表面限定出沿所述轉動軸線設置的驅動軸容納孔；所述驅動軸插設於所述驅動軸容納孔內，所述第二筒狀部的外表面與所述軸承的內圈的內表面接觸。
如請求項6所述之烘乾裝置，其中，所述第一支撐件還包括：第三筒狀部和翻邊；所述第三筒狀部包括筒底和筒側壁，所述翻邊與所述筒側壁遠離所述筒底的一端連接；所述第二筒狀部位於所述筒側壁限定出的腔體內且與所述筒底連接；所述固定壁部的至少部分和所述軸承的至少部分位於所述第二筒狀部的外表面和所述筒側壁的內表面限定的空間內；<br/> 所述第一支撐件還包括至少一個傾斜筋部，所述至少一個傾斜筋部由所述筒側壁的內表面延伸至所述第二筒狀部的外表面、且與所述筒底連接，所述軸承的內圈的頂端與所述至少一個傾斜筋部接觸，以限定所述軸承的內圈在軸向的位置；所述至少一個傾斜筋部與所述軸承的外圈間隔設置。
如請求項7所述之烘乾裝置，其中，所述支撐組件還包括：<br/> 第二支撐件，所述第二支撐件包括呈板狀的第三連接部；<br/> 其中，所述第三筒狀部插設於所述安裝孔內、且與所述第三連接部連接；所述翻邊和所述第三連接部分別壓設於所述吸濕本體的相對兩側。
如請求項8所述之烘乾裝置，其中，所述第二支撐件還包括與所述第三連接部連接的第四連接部；<br/> 其中，所述第三筒狀部和所述第四連接部分別從相反方向插設於所述安裝孔內、且相互卡接。
如請求項9所述之烘乾裝置，其中，所述支撐組件還包括：<br/> 第三支撐件；其中，所述第三支撐件呈輻條狀；所述第三支撐件的中部開設有貫通的第二安裝通孔，所述第三筒狀部穿過所述第二安裝通孔並插設於所述安裝孔內；所述第三支撐件包括位於所述第二安裝通孔周向的搭接部分，所述搭接部分面向所述第一凸台的表面與所述翻邊接觸，所述搭接部分背離所述第一凸台的表面與所述吸濕本體接觸。
如請求項10所述之烘乾裝置，其中，所述搭接部分背離所述第一凸台的表面具有至少兩個第一凸起部；所述至少兩個第一凸起部與所述吸濕本體接觸；<br/> 和/或，<br/> 所述第三連接部面向所述吸濕組件的表面具有至少兩個第二凸起部；所述至少兩個第二凸起部與所述吸濕本體接觸。
如請求項1所述之烘乾裝置，其中，所述殼體組件包括位於所述第一空間側的底殼和位於所述第二空間側的頂殼，所述底殼包括所述第一底壁；所述底殼還包括：<br/> 第一側壁，所述第一側壁位於所述第一底壁的周側；<br/> 固定壁部，所述固定壁部呈筒狀；所述固定壁部設置於所述第一凸台上、且位於所述第一安裝通孔的周側；<br/> 兩個第一凸臂，所述兩個第一凸臂從所述第一凸台向外周側延伸至所述第一側壁；所述兩個第一凸臂將所述第一空間分隔成沿周向分佈的第一潮濕腔體和第二潮濕腔體；以及<br/> 第一台階部，所述第一台階部分別與所述第一底壁和所述第一側壁連接；所述第一台階部呈半弧狀、且設置於所述第一安裝通孔的一側；所述第一台階部位於所述第一潮濕腔體側。
如請求項12所述之烘乾裝置，其中，所述頂殼包括： <br/> 第一頂壁，所述第一頂壁與所述第一底壁在軸向間隔設置；所述第一頂壁的部分內凹，以在所述第一頂壁的外側形成扇形的加熱凹槽、以及在所述第一頂壁的內側形成扇形的凸起部分；所述加熱凹槽的第二底部上開設有扇形的加熱通孔；所述凸起部分在所述轉動軸線處形成第二凸台、以及在所述加熱通孔的兩側形成從所述第二凸台向所述加熱通孔的外周側延伸的兩個第二凸臂；所述第二凸台和所述第一凸台在軸向分別位於所述吸濕組件的相對兩側，兩個第二凸臂和兩個第一凸臂在軸向分別位於所述吸濕組件的相對兩側；所述兩個第二凸臂將所述第二空間分隔成沿周向分佈的乾燥腔體和加熱腔體；所述乾燥腔體和所述第一潮濕腔體在軸向位置對應；所述加熱腔體和所述第二潮濕腔體在軸向位置對應；<br/> 第二側壁，所述第二側壁位於所述第一頂壁的周側；所述第二側壁與所述第一側壁固定連接；以及<br/> 第二台階部，所述第二台階部分別與所述第一頂壁和所述第二側壁連接；所述第二台階部呈半弧狀；所述第二台階部和所述第一台階部在軸向分別位於所述吸濕組件的相對兩側；所述第二台階部位於所述乾燥腔體側；<br/> 其中，所述吸濕組件位於所述第一頂壁和所述第一底壁之間。
如請求項13所述之烘乾裝置，其中，所述底殼還包括至少三個第三凸起部，其中，所述至少三個第三凸起部分別對應設置於所述第一台階部和所述兩個第一凸臂靠近所述第一側壁側的區域；在所述底殼與所述吸濕組件在軸向的距離中，所述底殼上的所述至少三個第三凸起部在軸向與所述吸濕組件之間的距離最小；<br/> 和/或，<br/> 所述頂殼還包括至少四個第四凸起部，其中，所述至少四個第四凸起部分別對應設置於所述第二台階部、所述兩個第二凸臂靠近所述第二側壁側的區域和所述第二凸台；在所述頂殼與所述吸濕組件在軸向的距離中，所述頂殼上的所述至少四個第四凸起部在軸向與所述吸濕組件之間的距離最小。
如請求項13所述之烘乾裝置，其中，所述第一側壁具有第一豁口和第二豁口；其中，所述第一豁口與所述第一潮濕腔體連通、且位於靠近所述第二潮濕腔體側，所述第二豁口與所述第二潮濕腔體連通；<br/> 所述底殼還包括：<br/> 第二底壁，所述第二底壁在周向設置於所述第一豁口的一側且與所述第一底壁通過第一傾斜壁連接；所述第二底壁開設有所述進氣口；所述第二底壁與所述頂殼之間的軸向距離大於所述第一底壁與所述頂殼之間的軸向距離；<br/> 第四底壁，所述第四底壁在周向設置於所述第二豁口的一側且與所述第一底壁通過第二傾斜壁連接；所述第四底壁與所述頂殼之間的軸向距離大於所述第一底壁與所述頂殼之間的軸向距離；所述第四底壁開設有排水口；<br/> 第五底壁，所述第五底壁設置於所述第二底壁和所述第四底壁之間並與所述第四底壁連接；以及<br/> 第三底壁，所述第三底壁在軸向間隔設置於所述第二底壁和所述第五底壁的頂側，所述第三底壁在周向設置於所述第一豁口以及所述第一側壁位於所述第一豁口和所述第二豁口之間的部分的一側；所述第三底壁與所述第二底壁對應的位置開設有第一風機安裝口，所述第三底壁與所述第五底壁對應的位置開設有連通開口。
如請求項15所述之烘乾裝置，其中，所述第二側壁具有第三豁口，所述第三豁口與所述乾燥腔體連通、且位於靠近所述加熱腔體側，所述第三豁口、所述第二豁口和所述第一豁口沿所述轉動軸線的圓周方向相鄰設置；<br/> 所述頂殼還包括：<br/> 第一延伸部，所述第一延伸部在所述第三豁口處從所述第一頂壁向外周側延伸、且伸出所述第二側壁； <br/> 第二頂壁，所述第二頂壁在軸向間隔設置於所述第一延伸部的底側；在所述第二頂壁和所述第一延伸部之間限定出所述出氣口； <br/> 第三頂壁，所述第三頂壁設置於所述加熱通孔的外周且與所述第二側壁連接；所述第三頂壁與所述第五底壁在軸向的位置對應、且在所述第三頂壁與所述第五底壁之間限定出貫通所述連通開口的進風腔；所述第三頂壁開設有第二風機安裝口；以及<br/> 第四頂壁，所述第四頂壁設置於所述加熱通孔的外周且與所述第二側壁通過第三傾斜壁連接，並與所述第三頂壁相鄰設置；所述第四頂壁與所述第四底壁在軸向的位置對應、且在所述第四頂壁與所述第四底壁之間限定出冷凝腔體；所述冷凝腔體與所述進風腔連通；所述第四頂壁與所述底殼之間的軸向距離大於所述第一頂壁與所述底殼之間的軸向距離。
如請求項16所述之烘乾裝置，其中，所述殼體組件還包括：罩殼、導風殼和加熱器殼；所述烘乾裝置還包括：第一風機、第二風機、加熱器和設置於所述冷凝腔體的冷凝器；<br/> 其中，所述第一風機與所述罩殼固定連接；所述罩殼固定於所述第三底壁的第一風機安裝口處，所述第一風機的進風口與所述進氣口的位置對應；所述第一風機的出風口與所述第一豁口的位置對應；<br/> 所述加熱器殼包括：扇形頂壁和與所述扇形頂壁的周側連接的環形側壁，所述扇形頂壁和所述環形側壁在所述轉動軸線處內凹形成扇形凹槽，所述扇形頂壁和所述環形側壁在與所述扇形凹槽相對的一側開設有進風側口；所述扇形頂壁和所述環形側壁限定出加熱器安裝槽，所述環形側壁遠離所述扇形頂壁的一端還限定出所述加熱器安裝槽的槽口；所述加熱器固定於所述加熱器安裝槽中；所述加熱器殼安裝於所述加熱凹槽處、且所述環形側壁位於所述槽口周側的部分插設於所述加熱通孔內，使得所述加熱器與所述加熱通孔的位置對應；<br/> 所述第二風機固定於所述第三頂壁的第二風機安裝口處，所述第二風機的進風口在所述第二風機安裝口處通過所述進風腔與所述冷凝腔體連通；<br/> 所述導風殼設置於所述加熱器殼和所述第二風機之間，所述導風殼的入口與所述第二風機的出風口連通，所述導風殼的出口與所述進風側口連通；<br/> 其中，部分所述第一底壁、部分所述第一側壁、部分所述吸濕組件和所述兩個第一凸臂限定出所述第一潮濕腔體，部分所述第一頂壁、部分所述第一側壁、部分所述吸濕組件和所述兩個第二凸臂限定出所述乾燥腔體，所述進氣口通過所述第一風機和所述第一潮濕腔體連通；<br/> 部分所述第一底壁、部分所述第一側壁、部分所述吸濕組件和所述兩個第一凸臂限定出所述第二潮濕腔體，所述加熱器殼和部分所述吸濕組件限定出所述加熱腔體。
如請求項17所述之烘乾裝置，其中，所述底殼還包括：<br/> 兩個第一限位壁，所述兩個第一限位壁在第一方向間隔設置於所述第四底壁；以及<br/> 兩個第二限位壁，所述兩個第二限位壁在第二方向間隔設置於所述第四底壁；在所述兩個第二限位壁和所述兩個第一限位壁之間限定出安裝空間；所述兩個第二限位壁和所述兩個第一限位壁在所述安裝空間的四個角處限定出直角卡槽；其中，所述第二方向和所述第一方向垂直；<br/> 其中，所述冷凝器包括冷凝本體和四個卡接壁；所述冷凝本體位於所述安裝空間內；所述四個卡接壁沿軸向方向設置於所述冷凝本體的四個邊緣、且分別對應插設於四個所述直角卡槽內。
一種洗滌設備，其包括：設備框架、洗滌筒和如請求項1至18中任一項所述之烘乾裝置；<br/> 所述設備框架限定出容納空間，所述洗滌筒可轉動地設置於所述容納空間內，所述烘乾裝置固定在所述設備框架上、且位於所述洗滌筒的頂側或底側；所述進氣口和所述出氣口分別與所述洗滌筒的不同區域連通。
一種物聯網系統，包含：<br/>一用戶端，其被配置為可根據一用戶的一帳戶從一物聯網伺服器取得一私鑰，並基於該用戶的一上傳資訊利用該私鑰產生一資料包，該資料包包含該上傳資訊以及根據該上傳資訊所產生的一簽章，該用戶端也被配置為將該資料包發送給一區塊鏈平臺，<br/>其中，該物聯網伺服器用於分配經過非對稱加密的一金鑰。
如請求項1所述的物聯網系統，其中該用戶端也被配置為以下其中之一：<br/>從該區塊鏈平臺取得該資料包，並可根據該帳戶從該物聯網伺服器取得一公鑰，以對該資料包中的該簽章進行驗證；<br/>利用該私鑰對該資料包中的該上傳資訊進行加密；以及<br/>利用該公鑰對該資料包中的該上傳資訊進行解密。
如請求項2所述的物聯網系統，還包含：<br/>一資訊採集設備，其配置為用於採集一物聯網資料以及從該物聯網伺服器取得該私鑰以及該公鑰，並利用該私鑰加密並打包該物聯網資料，以形成一物聯網資料包，並將該物聯網資料包發送給該區塊鏈平臺以及在一物聯網中廣播，<br/>其中，該物聯網資料包含一第一數據和一第二數據，該第一數據是由該資訊採集設備本身主動產生的數據，該第二數據是該資訊採集設備在該物聯網中接收到的且由該物聯網中的其他資訊採集設備主動產生並在該物聯網中廣播的資料。
如請求項3所述的物聯網系統，其中該資訊採集設備也被配置為：<br/>利用該公鑰對接收的該物聯網資料包進行解密以取得該物聯網資料，並與自身主動產生的該第一數據對比，剔除相同的數據，並利用該私鑰對修改後的該第一數據以及該第二數據重新加密並打包形成該物聯網資料包，並將該物聯網資料包發送至該區塊鏈平臺以及在該物聯網中廣播。
如請求項4所述的物聯網系統，其中該用戶端也被配置為：<br/>從該區塊鏈平臺取得該物聯網資料包，並利用該公鑰對該物聯網資料包進行解密。
一種推牌機構，其包括：一驅動齒輪；一從動齒輪，與所述驅動齒輪嚙合；一推牌桿，與所述從動齒輪連接；其中，所述從動齒輪驅動所述推牌桿轉動；一導向板，其中，所述導向板上設有環形的一導向槽，所述推牌桿的內端部設有導件，所述導件沿著一導向槽的軌跡運動並帶動所述推牌桿運動；以及一蓋板，蓋在所述導向板的上方並與所述從動齒輪固定連接，所述蓋板上設有用於安裝所述推牌桿的一導向通道，所述推牌桿能沿著所述導向通道做直線運動。
如請求項1所述的推牌機構，其中，所述從動齒輪包含一齒形部和一凸台部，所述凸台部與所述齒形部呈一體式，並且所述凸台部設在所述齒形部的上方，所述凸台部與所述蓋板緊固。
如請求項1所述的推牌機構，其中，所述蓋板包含一端蓋部和一凸起部，所述凸起部設在所述端蓋部上並徑向凸出所述端蓋部的外周圍面，所述端蓋部上設有一腔室，所述導向通道設在所述凸起部上並與所述腔室連通。
如請求項1所述的推牌機構，其中，所述推牌桿的內端部設有數量為多個的一調節孔，所述導件通過軸位螺釘安裝在其中一個所述調節孔。
如請求項1~4中任一項所述的推牌機構，其中，所述導件為軸承。
如請求項1~4中任一項所述的推牌機構，其中，所述導件為滾輪。
一種電動麻將桌，其包括請求項1~6中任一項所述的推牌機構，所述電動麻將桌更包含：一儲牌架，具有一螺旋儲牌槽，所述儲牌架的上端面設有一上安裝槽，所述儲牌架的下端面設有一下安裝槽，所述下安裝槽與所述上安裝槽連通，所述驅動齒輪安裝在所述上安裝槽內，所述從動齒輪安裝在所述下安裝槽內並與所述驅動齒輪嚙合。
如請求項7所述的電動麻將桌，其中，所述儲牌架的所述上端面設有一導向板槽，所述導向板槽環繞在所述上安裝槽的四周，所述導向板安裝在所述導向板槽上。
一種機車坐墊吸震組件，包括：<br/> 一座墊座，其在騎乘者乘坐區之下方設有一開孔，且該開孔周緣具有一環形邊緣；<br/> 一吸震本體，其為一彈性薄板或膜片並橫跨該開孔，所述吸震本體具有可變形之中央部及其周緣部；以及<br/> 一固定結構，於周向多個間隔位置將所述周緣部固定於所述環形邊緣，使所述中央部不受座墊座支撐而得以相對該環形邊緣在厚度方向撓曲位移。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述周緣部設有一環形加厚珠邊，其厚度大於所述中央部。
如請求項2所述之機車坐墊吸震組件，其中所述固定結構包含多個夾扣件，各夾扣件具有向內開口之收納通道，以夾持方式容納所述環形加厚珠邊。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述周緣部設有多個通孔，而所述固定結構包含多個緊固件分別穿過該等通孔並固定至所述環形邊緣。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述開孔為圓形或橢圓形。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述吸震本體為矽膠材質。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述座墊座於該開孔周圍設有環形加強環或多個螺柱座供固定結構安裝。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述中央部於厚度方向呈鼓形或曲面形。
如請求項1所述之機車坐墊吸震組件，其中所述周向多個固定位置大致均勻分布於所述環形邊緣。
一種機車座墊改裝套件，包括：<br/> 一吸震本體，其為一彈性薄板或膜片並橫跨該開孔，所述吸震本體具有可變形之中央部及其周緣部；以及<br/> 多個固定件，配置為將所述吸震本體之周緣部固定於一座墊座的一開孔之一環形邊緣。
一種裝置，其特徵在於，用以固定與展示環形飾品，包含：一基座平台；及設置於該基座平台上的至少一支撐構件，所述支撐構件供環形飾品套掛並展開。
如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，所述環形飾品包含但不限於項鍊、手鍊、腳鍊、戒指、開口式手環，或其他可環繞之飾品。
如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，所述支撐構件突出於該基座平台，且其形態包含但不限於柱狀、錐狀或其他立體凸設構件。
如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，所述支撐構件與基座平台之結合方式包含但不限於榫卯結合、黏膠固定、磁性吸附、機械固定或一體成型。
一種收納展示盒，其特徵在於，包含：一外盒；以及一裝置，設置於該外盒內，所述裝置包含一基座平台及至少一支撐構件，所述支撐構件設置於該基座平台上，並突出於該基座平台，以供環型飾品套掛並展開；所述外盒覆蓋所述裝置及飾品。
如申請專利範圍第5項所述之收納展示盒，其中，所述外盒具有透視部分，以提供視覺展示與外部保護功能。
如申請專利範圍第5項所述之收納展示盒，其中，所述外盒與裝置之結合方式包含但不限於嵌合、卡合、磁吸、黏著或其他保持組裝狀態的方式。
一種經組態以在一受測裝置(DUT)之測試期間監控一機電開關之過電流之設備，該設備包括： <br/>一機電開關，其經組態以電串聯耦合至該DUT以控制傳送至該DUT之測試訊號； <br/>一電流量測感測器，其直接串聯連接至該機電開關且經組態以藉由在該機電開關之操作期間直接量測來自該機電開關之一測試訊號來監控該機電開關中之一過電流狀態； <br/>一偵測電路系統，其電耦合至該電流量測感測器且經組態以產生一比較訊號，該比較訊號指示該測試訊號與一參考臨限電流之間的一比較；及 <br/>一監控電路系統，其電耦合至該偵測電路系統且經組態以判定是否偵測到該過電流狀態。
如請求項1之設備，其中該設備係一半導體裝置測試器。
如請求項1之設備，其中該機電開關包括一機電繼電器或一微機電系統(MEMS)開關。
如請求項1之設備，其中一主動固態裝置未串聯連接至該機電開關。
如請求項1之設備，其中該電流量測感測器包括串聯連接至該機電開關之一電阻器，且其中量測該測試訊號包括量測橫跨該電阻器之一電壓。
如請求項5之設備，其中該電阻器具有在0.001歐姆至1,000,000歐姆之間的一電阻。
如請求項5之設備，其中該偵測電路系統包括： <br/>一類比轉數位轉換器(ADC)，其經組態以接收該電壓且產生一數位訊號，及 <br/>一比較器，其經組態以接收該數位訊號及該參考臨限電流且產生比較該數位訊號與該參考臨限電流之該比較訊號。
如請求項5之設備，其中該偵測電路系統包括： <br/>一數位轉類比轉換器(DAC)，其經組態以接收該參考臨限電流且產生一類比訊號，及 <br/>一比較器，其經組態以接收該類比訊號及該電壓且產生比較該類比訊號與該電壓之該比較訊號。
如請求項5之設備，其中該監控電路系統包括經組態以產生一過大電流訊號之一專用積體電路(application specific integrated circuit)或一場可程式化閘陣列。
一種經組態以在半導體裝置測試期間偵測一類比電訊號之安定之半導體測試設備，該設備包括： <br/>一半導體裝置測試器，其經組態以在其中接收一受測裝置(DUT)； <br/>一輸入訊號源及一訊號量測感測器，該輸入訊號源經組態以將一輸入訊號提供至該DUT，該訊號量測感測器經組態以量測該輸入訊號，該訊號量測感測器經組態以藉由直接量測該輸入訊號來監控一電訊號之安定； <br/>一偵測電路系統，其經組態以自該訊號量測感測器接收一量測輸入訊號；及 <br/>一電腦系統，其經組態以電連接至該偵測電路系統，該電腦系統包含一非暫時性電腦儲存媒體，其儲存在由一或多個處理器執行時引起該一或多個處理器執行操作之指令，該等操作包括： <br/>在彼此不重疊之循序量測窗內隨時間追蹤該量測輸入訊號， <br/>其中各量測窗跨越一恆定量測時段及一恆定訊號值範圍，同時根據該量測輸入訊號之變化來移位，使得各量測窗與對應於前一量測窗之該量測輸入訊號之至少一部分重疊； <br/>設定表示具有未移位恆定訊號值範圍之連續且未移位量測窗之一數目之一安定計數；及 <br/>在偵測到由該等循序量測窗追蹤之該量測輸入訊號已滿足或超過該安定計數之後判定已達到一安定點。
如請求項1之設備，其中該訊號量測感測器係一安培計或為直接串聯連接至該受測裝置之一電阻器。
如請求項1之設備，其中該偵測電路系統係一類比轉數位轉換器。
如請求項1之設備，其中該偵測電路系統電連接至一電腦系統，該電腦系統電連接至經組態以將一輸入訊號供應至一受測裝置之一輸入訊號源。
一種非暫時性電腦儲存媒體，其儲存在由一或多個處理器執行時引起該一或多個處理器執行操作之指令，該等操作包括： <br/>在一半導體裝置測試器中偵測提供於其中之一受測裝置(DUT)； <br/>將一輸入訊號提供至該DUT且量測該輸入訊號以得到一量測輸入訊號； <br/>在與該量測輸入訊號重疊之循序量測窗內隨時間追蹤該量測輸入訊號， <br/>其中各量測窗跨越一恆定量測時段及一恆定訊號值範圍，同時根據該輸入訊號之變化來移位，一第一量測窗與一第一量測輸入訊號值重疊且連續量測窗與各前一量測窗之輸入訊號量測之一平均值重疊； <br/>設定表示具有未移位恆定訊號值範圍之連續且未移位量測窗之一數目之一安定計數；及 <br/>在偵測到由該等循序量測窗追蹤之該量測輸入訊號已滿足或超過該安定計數之後判定已達到一安定點。
如請求項5之非暫時性電腦儲存媒體，其中設定該安定計數包括量測一量測窗內之輸入訊號量測之一階導數及基於與該量測窗內之輸入訊號量測之該一階導數成反比之一關係來設定該安定計數。
如請求項5之非暫時性電腦儲存媒體，其中該等操作進一步包括基於橫跨該等循序量測窗改變該等輸入訊號量測之一階導數來設定該安定計數複數次。
如請求項5之非暫時性電腦儲存媒體，其中判定已達到該安定點進一步包括判定該安定點在該量測輸入訊號之一預期值範圍內。
如請求項6之非暫時性電腦儲存媒體，其中輸入訊號量測之該一階導數包括一量測窗內之每X軸單位之連續輸入訊號量測之間的一記錄差。
如請求項5之非暫時性電腦儲存媒體，其中追蹤包括以圖形表示該量測輸入訊號，且其中該恆定量測時段跨越一第一圖軸且該恆定訊號值範圍跨越一第二圖軸。
一種變壓器的組裝機構，包括：<br/>一繞線架，該繞線架上具有一第一連結機構；<br/>一線圈組，係繞設在該繞線架上；<br/>一磁芯，係穿設於該繞線架與該線圈組感應；<br/>一絕緣底座，該絕緣底座上具有一第二連結機構；以及，<br/>一第一線座，該第一線座上具有至少一第一對接機構，以該第一對接機構與該第一連結機構接合使其暫被固定在該繞線架上與該線圈組連線，連線完成後卸下該第一線座朝該絕緣底座方向旋轉與該第二連結機構接合。
如請求項1所述之變壓器的組裝機構，其中該線圈組包括一初級側線圈及一次級側線圈串列繞設在該繞線架上，該第一連結機構的位置相鄰於該次級側線圈。
如請求項1或2所述之變壓器的組裝機構，其中該第一線座上還包括一第二對接機構用與該第二連結機構接合。
如請求項1或2所述之變壓器的組裝機構，其中該第一線座上佈設有至少一第一線槽提供該線圈組的出線端置入及隔離。
如請求項1或2所述之變壓器的組裝機構，其中該第一線座上佈設有至少一第一接腳提供該線圈組的出線端連接與外部訊號溝通。
如請求項4所述之變壓器的組裝機構，還包括有一外部電路板，其中該線圈組的出線端卡入該第一線槽中固定後與該電路板連線，完成後卸下該第一線座，連同該電路板一起朝該絕緣底座方向旋轉與該第二連結機構接合。
如請求項5所述之變壓器的組裝機構，還包括有一外部電路板，其中該第一接腳與該線圈組的出線端及該電路板連線，完成後卸下該第一線座，連同該電路板一起朝該絕緣底座方向旋轉與該第二連結機構接合。
如請求項1或2所述之變壓器的組裝機構，其中該絕緣底座係包含並組設於該磁芯及該繞線架上增加該變壓器的絕緣隔離。
一種自動製備飲品設備，包含：<br/> 一製備桶，具有一萃取液出口，該萃取液出口設有一原料濾網；<br/> 一沖泡原料提供模組，以一入料管路連接該製備桶：<br/> 一水源供給模組，以一供水管路連接該製備桶；<br/> 一飲品儲存桶，位於該製備桶的下方，以一飲品儲存管路連接該製備桶的該萃取液出口，使該製備桶的飲品穿過該原料濾網進入該飲品儲存桶；<br/> 其特徵在於，<br/> 該製備桶具有一抽吸口貫穿其一桶壁或其一桶底，該抽吸口與該萃取液出口間隔設置；以及<br/> 一原料渣抽吸泵，以一除渣管路連接該製備桶的該抽吸口，用以抽離該製備桶中的一原料渣。
如請求項1所述之自動製備飲品設備，其中，該原料渣抽吸泵以一蒐集管路連接一原料渣收集盒，該原料渣收集盒具有孔徑小於該原料渣的一原料渣濾水濾網。
如請求項2所述之自動製備飲品設備，其中，該原料渣收集盒內部的該原料渣濾水濾網高於該原料渣收集盒的底部，該原料渣收集盒中還包含一原料渣推桿，用以將該原料渣濾水濾網上方的該原料渣轉移至該原料渣收集盒的底部。
如請求項1所述之自動製備飲品設備，其中，該除渣管路設有一除渣閥門，用以控制該除渣管路的連通與阻斷。
如請求項4所述之自動製備飲品設備，其中，該除渣閥門的閥門尺寸介於1英吋至4英吋之間。
如請求項4所述之自動製備飲品設備，其中，該除渣閥門包含逆止閥、球閥或電磁閥。
如請求項1所述之自動製備飲品設備，其中，該水源供給模組包含一旋轉噴水頭，該旋轉噴水頭至少將水流噴灑至該製備桶中。
如請求項1所述之自動製備飲品設備，其中，該水源供給模組用以將水流噴灑至該製備桶，以於該製備桶中產生旋轉水流。
如請求項1所述之自動製備飲品設備，其中，該水源供給模組用以將水流斜向噴灑至該製備桶中。
如請求項1所述之自動製備飲品設備，其中，該製備桶具有一上蓋，該入料管路、該供水管路連接至該製備桶的該桶壁。
如請求項10所述之自動製備飲品設備，其中，該水源供給模組的供水管路包含一主要環形通道沿著該桶壁設置，以及複數個傾斜噴嘴沿著主要環形通道周向佈設，該水源供給模組提供的水流經過該些傾斜噴嘴後斜向噴灑至該製備桶中。
如請求項1或11所述之自動製備飲品設備，其中，該入料管路設有一原料提供閥門，用以控制該入料管路的連通與阻斷。
如請求項1至11中任一項所述之自動製備飲品設備，其中，該抽吸口的位置高於該萃取液出口。
如請求項1至11中任一項所述之自動製備飲品設備，其中，該製備桶的桶底形成一環形凹槽，該抽吸口位於形成於該環形凹槽的該桶壁，該環形凹槽的一內環面高於該環形凹槽的一環形槽底，該環形凹槽的一內環面銜接該製備桶的該萃取液出口。
如請求項4所述之自動製備飲品設備，其中，該製備桶的該桶底與該桶壁之間形成一環形斜坡，該除渣閥門的入口對準該環形斜坡上形成的該抽吸口的傾斜角度。
如請求項1至11、15中任一項所述之自動製備飲品設備，更包含一第二熱水供給模組，以一預熱水支路管路連接該水源供給模組的該供水管路且以一高溫熱水管路連接該製備桶。
一種具殺菌功能之除塵裝置，包括：一掃把主體，其上方有一殺菌燈，當開啟一殺菌燈開關即可提供殺菌作用；一接地掃毛，其設於掃把主體上；一流理梳，其設於畚斗，該畚斗與掃把主體相鄰放置，當毛髮纏繞於設於掃把主體上的接地掃毛時，流理梳可用來清除毛髮；因此，本創作在於解決掃地時毛髮纏繞和掃地無法完全清潔的問題，有效增加掃地效率和掃把壽命的同時也增加了清潔度。
如請求項1所述之具殺菌功能之除塵裝置，其中掃把主體，由殺菌燈與接地掃毛所組成。
如請求項2所述之具殺菌功能之除塵裝置，其中接地掃毛為具彈性且可導電材料。
如請求項3所述之具殺菌功能之除塵裝置，其中畚斗上的流理梳是由數個長形硬質材料組成。
一種膠帶封箱裝置，包含：一殼體，其內部係設置有一導軌及一傳動件，兩側係分別設有輸送帶，以供箱體經該輸送帶位移至該殼體內側，該導軌下方適當位置係設有角度導引部，該傳動件係設有一固定桿；一膠帶截斷艙座，係樞接於該傳動件之該固定桿，藉由該傳動件帶動平穩環繞該箱體，其包含一導軌輔助凸掣、一平行摩擦面，以及供裝設膠帶的軸桿，並於鄰近該軸桿的適當位置處設有一刀片；一壓箱裝置，係設於該殼體的一側，其係設有一架體，於該架體上方設有一套筒，於該套筒穿設一連桿，使該連桿穿設一彈簧後連結於該殼體，該架體下方係設有複數定位滾軸及導弧曲桿，以供該箱體的上方之箱蓋能平穩貼合位移至該殼體內側定位，並藉由該導弧曲桿使該箱體之箱蓋可呈更加平穩狀態；藉此，該膠帶截斷艙座可平穩環繞該箱體進行膠帶封裝，直至該導軌輔助凸掣行經該角度導引部，因該膠帶截斷艙座重量使該刀片產生位移偏差而截斷該膠帶，再向上復位於該導軌內以重複進行膠帶封裝。
如請求項1所述之膠帶封箱裝置，其中，該導軌之該角度導引部係為V狀之凹陷。
如請求項1所述之膠帶封箱裝置，其中，該傳動件的兩側係分別囓接於第一導輪及第二導輪，於其中之該第一導輪樞接一傳動機，藉由該傳動機帶動該第一導輪，進而帶動該傳動件構成平穩環繞運行。
如請求項1所述之膠帶封箱裝置，其中，該膠帶截斷艙座之該刀片一側係設有一半圓形摩擦面，俾當該膠帶於封箱後且該膠帶截斷艙座復位該導軌內時，藉由該半圓形摩擦面將該膠帶之截斷端施壓撫平緊密黏貼於該箱體底部。
如請求項1所述之膠帶封箱裝置，其中，該壓箱裝置之該連桿的上方係設有一定位件，使該連桿可上下調整並藉由該定位件定位，藉以調整該定位滾軸及該導弧曲桿，俾對應不同尺寸的該箱體。
如請求項1所述之膠帶封箱裝置，其中，該導弧曲桿係為1/4圓連結於該架體一側，俾當該箱體之該箱蓋經過該導弧曲桿時，可將反向之該箱蓋滑順導引至該定位滾軸下方構成平穩定位。
如請求項1所述之膠帶封箱裝置，其中，該膠帶內側係設為對應該軸桿之多邊形，藉以提升相互嵌合密度。
一種複合單向布的製造系統，包括：<br/>一放捲單元，用於沿一第一方向同時供給並展開多條單向布；<br/>一合併單元，連接於該放捲單元，用於將沿該第一方向供給的該多條單向布合併為布層；<br/>一上膠單元，鄰設於該合併單元，用於對合併後的該第一方向之該多條單向布施加一膠材；<br/>一預乾單元，連接於該上膠單元，用於乾燥該膠材，使合併後的該第一方向之該多條單向布形成可貼合之布層；<br/>一第二放捲單元，連接於該預乾單元，用於沿一第二方向同時供給並展開多條單向布；<br/>一預貼合單元，鄰設於該第二放捲單元，用於將該第二方向的多條單向布疊加到該第一方向之多條單向布；<br/>一熱輥層壓單元，鄰設於該預貼合單元，用於對該第一方向與該第二方向之多條單向布，進行熱壓貼合，形成一交叉層壓布；以及<br/>一收捲單元，鄰設於該熱輥層壓單元，用於將該交叉層壓布收捲成卷材。
如請求項1所述之複合單向布的製造系統，其中，該第一方向與該第二方向相互垂直。
如請求項2所述之複合單向布的製造系統，更包含連接於該合併單元的一蓄力單元，其為一間歇進給機構，用於調節進給張力與間歇輸送，且該上膠單元連接於該蓄力單元。
如請求項3所述之複合單向布的製造系統，其中，該上膠單元為一噴塗裝置或一滾輪塗佈裝置。
如請求項4所述之複合單向布的製造系統，更包括連接於該預貼合單元的一裁切單元，用於對被疊加之該第二方向的多條單向布的材料邊緣進行裁切，且該熱輥層壓單元連接於該裁切單元。
如請求項5所述之複合單向布的製造系統，更包括連接於該熱輥層壓單元的一乾燥單元，用於乾燥經熱壓貼合的該交叉層壓布，且該乾燥單元為一隧道式烘箱。
如請求項6所述之複合單向布的製造系統，更包括連接於該乾燥單元的一第二裁切單元，用於對經乾燥之該交叉層壓布的材料邊緣進行裁切。
如請求項7所述之複合單向布的製造系統，其中，該第二裁切單元為一電熱刀裁切裝置。
如請求項8所述之複合單向布的製造系統，其中，該收捲單元為具張力控制之自動收捲裝置。
如請求項9所述之複合單向布的製造系統，更包括連接該第二放捲單元的一第二合併單元，用於將沿該第二方向供給的該多條單向布合併為布層，且該預貼合單元連接於該第二合併單元，使該預貼合單元對該第二合併單元合併後的該第二方向之該多條單向布疊加到該第一方向之多條單向布。
一種穀物加工裝置，其包括有：<br/> 一個機台；<br/> 一個乾燥爐，該乾燥爐固設於該機台，該乾燥爐包括有一個爐筒，該爐筒呈筒狀，該爐筒內設置有一個加熱腔，該爐筒的筒壁設置有數個外加熱器，該外加熱器能夠提供熱能使該加熱腔內的溫度升高；<br/> 一個熱風機，該熱風機能夠往該加熱腔內吹出熱風並使熱風在該加熱腔內360°循環流動。
如請求項1所述之穀物加工裝置，其中該熱風機包括有一個機身、一個進氣管，該機身設置於該乾燥爐外並連接於該機台，該進氣管的一端連接於該機身且另一端穿過該爐筒並設置於該加熱腔內。
如請求項2所述之穀物加工裝置，其中該熱風機包括有一個吹嘴，該吹嘴連接於該進氣管相反於該機身的一端並能夠沿該加熱腔內壁的切線方向吹出熱風。
如請求項1所述之穀物加工裝置，其中該爐筒沿水平方向延伸，該乾燥爐包括有一個爐心，該爐心設置於該加熱腔內，該爐心呈柱狀並沿水平方向延伸。
如請求項4所述之穀物加工裝置，其中該爐心內設置有數個內加熱器，該內加熱器能夠提供熱能使該加熱腔內的溫度升高。
如請求項1所述之穀物加工裝置，其中該爐筒沿垂直方向延伸，該乾燥爐包括有一個軌道，該軌道呈中心軸線沿垂直方向延伸的螺紋結構並設置於該加熱腔內。
如請求項6所述之穀物加工裝置，其中該軌道沿垂直方向的截面呈平板狀，該軌道能夠提供熱能發熱使該加熱腔內的溫度升高。
如請求項6所述之穀物加工裝置，其中該乾燥爐包括有一個爐心，該爐心設置於該加熱腔內，該爐心呈柱狀並沿垂直方向延伸，該軌道環繞該爐心至少一周且一側連接於該爐心的外周緣，該軌道相反於該爐心的一側連接於該爐筒的內周緣。
如請求項8所述之穀物加工裝置，其中該爐心內設置有數個內加熱器，該內加熱器能夠提供熱能使該加熱腔內的溫度升高。
如請求項6所述之穀物加工裝置，其中該熱風機包括有一個機身、一個進氣管，該機身設置於該乾燥爐外並連接於該機台，該進氣管的一端連接於該機身且另一端穿過該爐筒並設置於該加熱腔內。
如請求項10所述之穀物加工裝置，其中該熱風機包括有一個吹嘴，該吹嘴連接於該進氣管相反於該機身的一端，該吹嘴的開口方向不垂直地朝向該軌道表面並能夠吹出熱風。
如請求項1所述之穀物加工裝置，其中該乾燥爐包括有呈中空結構的一個進料管，該進料管包括有一個下段、一個上段及一個進料閥門，該下段連接於該爐筒外並連通該加熱腔，該上段連接於該下段相反於該爐筒的一端，該進料閥門能夠沿該進料管徑向移動地設置於該下段與該上段之間，該進料閥門能夠選擇性地阻斷該下段與該上段的空間連接。
如請求項12所述之穀物加工裝置，其中該機台設置有一個進料控制器，該進料控制器能夠伸縮且一端連接於該進料閥門，該進料控制器伸縮的過程能夠帶動該進料閥門移動並阻斷或連通該下段與該上段的空間連接。
如請求項12所述之穀物加工裝置，其中該上段相反於該下段的一端連接有一個備料桶，該加工裝置包括有一個送料機，該送料機能夠往該備料桶內傾倒穀物。
如請求項1所述之穀物加工裝置，其中該爐筒沿垂直方向的下緣設置有一個卸料口，該卸料口連通該加熱腔與該爐筒外部，該乾燥爐包括有一個卸料閥門，該卸料閥門樞設於該爐筒外並選擇性地開放或封閉該卸料口。
如請求項15所述之穀物加工裝置，其中該機台設置有一個卸料控制器，該卸料控制器能夠伸縮且一端連接於該卸料閥門，該卸料控制器伸縮的過程能夠帶動該卸料閥門轉動並開放或封閉該卸料口。
如請求項1所述之穀物加工裝置，其中該爐筒沿垂直方向的上緣設置有一個排氣口，該排氣口連通該加熱腔與該爐筒外部，該乾燥爐包括有一個排氣管，該排氣管設置於該爐筒並連接於該排氣口。
一種便利更換及穿戴式位移裝置，包括：一鞋套，與使用者足部貼合；一鞋套硬底，其設於該鞋套主體下方，可以提供基本的支撐；一扣合機構，其連結一鞋套和一鞋墊，需手動將鞋墊和鞋套扣合；一鞋墊，其用於代替足部和地面接觸；因此，本創作在於便利更換及穿戴，有效減少使用者的使用時間，藉此省去諸多不方便。
如請求項1所述之便利更換及穿戴式位移裝置，其中於脫卸時使用者僅需拉開鞋套開口，即可迅速將足部自鞋套裝置抽離，而鞋墊與鞋套仍維持扣合狀態，以利後續再次穿戴，具備可重複使用之效益。
如請求項2所述之便利更換及穿戴式位移裝置，其中鞋套本體與鞋套硬底固定為一體，使用者僅需如同穿襪般將足部插入，即可完成鞋套之穿戴，達成快速便利之效果，並且鞋套硬底能提供基本的支撐。
如請求項3所述之便利更換及穿戴式位移裝置，其中，可用於扣合鞋墊和鞋套，此裝置可以合併成一完整體。
如請求項4所述之便利更換及穿戴式位移裝置，其中鞋墊可以有多種樣式，不僅可以配合當下情形更換樣式，且同時減少更換時間。
一種秒扣式餐盒，其包含有一盒體(1)，以及一能翻折蓋合於所述盒體(1)上的蓋體(2)，其特徵在於：<br/>所述盒體(1)具有一底面(11)，由所述底面(11)相應側邊緣處分別依序相應向上延伸設置的前、左、後、右側面(12、13、14、15)，設於所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相互之間的左前、左後、右後、右前接合部(16、17、18、19)，以及一由所述底面(11)與所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相配合界定出的容置空間(100)；<br/>所述蓋體(2)的一側與所述後側面(14)相應側邊樞接，而前側邊緣處向外延伸設一前延伸片(21)；<br/>所述左前、左後、右後、右前接合部(16、17、18、19)，皆具有呈相鄰設置狀的一第一扇形片(10)及一第二扇形片(20)；<br/>所述前側面(12)頂邊緣中央凹設有一呈T字型的中央卡扣(3)；<br/>所述前延伸片(21)對應於所述中央卡扣(3)處，設有一呈ㄩ字形的中央卡槽(4)，能供所述中央卡扣(3)鉤扣定位，讓所述蓋體(2)蓋合於所述盒體(1)上；<br/>所述中央卡槽(4)與所述蓋體(2)間，設有一間隔(5)。
如請求項1所述的秒扣式餐盒，其中：所述蓋體(2)的左、右側邊緣處，分別向外延伸設有一補強部(30)；<br/>所述中央卡槽(4)的寬度，小於所述中央卡扣(3)的橫向段；<br/>所述左側面(13)的頂邊緣處，相應延伸設有一可彎折的左翼片(131)；<br/>所述右側面(15)的頂邊緣處，相應延伸設有一可彎折的右翼片(151)。
如請求項2所述的秒扣式餐盒，其中：所述中央卡扣(3)的垂直部分的兩側，與所述前側面(12)連接處間，分別還各設有一凹陷部(31)。
如請求項3所述的秒扣式餐盒，其中：所述蓋體(2)蓋合於所述盒體(1)上時，所述蓋體(2)與所述凹陷部(31)間，形成至少一透氣間隙(40)。
如請求項4所述的秒扣式餐盒，其中：所述容置空間(100)內還設有至少一分隔部(6)，所述分隔部(6)能供將所述容置空間(100)分隔形成數個放置區塊(101)。
一種秒扣式餐盒，其包含有一盒體(1)，以及一能翻折蓋合於所述盒體(1)上的蓋體(2)，其特徵在於：<br/>所述盒體(1)具有一底面(11)，由所述底面(11)相應側邊緣處分別依序相應向上延伸設置的前、左、後、右側面(12、13、14、15)，設於所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相互之間的左前、左後、右後、右前接合部(16、17、18、19)，以及一由所述底面(11)與所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相配合界定出的容置空間(100)；<br/>所述蓋體(2)的一側與所述後側面(14)相應側邊樞接，而前側邊緣處向外延伸設有一前延伸片(21)、左側邊緣處向外延伸設有一左延伸片(22)、右側邊緣處向外延伸設有一右延伸片(23)；<br/>所述左前、左後、右後、右前接合部(16、17、18、19)，皆具有呈相鄰設置狀的一第一扇形片(10)及一第二扇形片(20)；<br/>所述前側面(12)頂邊緣中央凹設有一呈T字型的中央卡扣(3)；<br/>所述前延伸片(21)對應於所述中央卡扣(3)處，設有一呈ㄩ字形的中央卡槽(4)，能供所述中央卡扣(3)鉤扣定位，讓所述蓋體(2)蓋合於所述盒體(1)上；<br/>所述中央卡槽(4)與所述蓋體(2)間，設有一間隔(5)；<br/>所述左延伸片(22)與所述右延伸片(23)，於所述蓋體(2)蓋合於所述盒體(1)上時，能往所述蓋體(2)內側方向彎折後，一同卡入所述容置空間(100)中。
如請求項6所述的秒扣式餐盒，其中：所述中央卡槽(4)的寬度，小於所述中央卡扣(3)的橫向段。
如請求項7所述的秒扣式餐盒，其中：所述中央卡扣(3)的垂直部分的兩側，與所述前側面(12)連接處間，分別還各設有一凹陷部(31)；<br/>所述中央卡槽(4)的寬度，小於所述中央卡扣(3)的橫向段。
如請求項8所述的秒扣式餐盒，其中：所述蓋體(2)蓋合於所述盒體(1)上時，所述蓋體(2)與所述凹陷部(31)間，形成至少一透氣間隙(40)。
如請求項9所述的秒扣式餐盒，其中：所述容置空間(100)內還設有至少一分隔部(6)，所述分隔部(6)能供將所述容置空間(100)分隔形成數個放置區塊(101)。
一種料架立柱之開孔，其係設於一料架立柱，該料架立柱係包含有：<br/>一立柱本體，該立柱本體包括一結合板及二支撐板，該結合板的中央形成縱向延伸且朝內凹陷之一溝槽，該溝槽之兩側係對稱設有複數開孔及複數穿孔，各該開孔係與各該穿孔呈相互穿插設置，使相鄰之二該開孔之間設有該穿孔，各該開孔之側邊中段位置係朝外漸擴並形成一嵌掣部，而二該支撐板係延伸於該結合板之兩側，各該支撐板係具有一支撐段及一補強段，各該支撐段係連接於該結合板，且各該支撐段設置呈縱向排列之複數第一結合孔，各該補強段係延伸於各該支撐段異於該結合板之一端並朝內凹設，且各該補強段設置呈縱向排列之複數第二結合孔。
如請求項1所述之料架立柱之開孔，其中，各該開孔之中段的孔徑係大於其兩端的孔徑。
如請求項1所述之料架立柱之開孔，其中，二該支撐段之間的距離係大於二該補強段之間的距離。
如請求項1所述之料架立柱之開孔，其中，各該支撐段與各該補強段之銜接處係形成有一傾斜面。
一種雙C抱焊料架橫樑，其係包含有：<br/>一橫樑主體，該橫樑主體係由一第一C型鋼片與一第二C型鋼片相互卡合焊接而成，該第一C型鋼片係具有一體連接之一第一上卡扣部、一第一支撐部及一第一下卡扣部，該第一支撐部之兩端係分別連接該第一上卡扣部與該第一下卡扣部，且該第一支撐部朝內凹設有二第一凹槽，並於二該第一凹槽之間凹設一第一溝槽，此外，該第二C型鋼片係具有一體連接之一第二上卡扣部、一第二支撐部及一第二下卡扣部，該第二上卡扣部係卡扣於該第一上卡扣部之內側，該第二支撐部之兩端係分別連接該第二上卡扣部與該第二下卡扣部，且該第二支撐部朝內凹設有二第二凹槽，並於二該第二凹槽之間凹設一第二溝槽，而該第二下卡扣部係卡合於該第一下卡扣部之外側；<br/>一連接單元，該連接單元包括二連接片，二該連接片係設於該橫樑主體之兩端。
如請求項1所述之雙C抱焊料架橫樑，其中，二該第一凹槽之深度係大於該第一溝槽之深度。
如請求項1所述之雙C抱焊料架橫樑，其中，二該第二凹槽之深度係大於該第二溝槽之深度。
如請求項1所述之雙C抱焊料架橫樑，其中，各該連接片係呈L字形。
如請求項1所述之雙C抱焊料架橫樑，其中，各該連接片係設有複數呈間隔設置之鈎扣。
一種料架立柱之斷面，其係設於一料架立柱，該料架立柱係包含有：<br/>一立柱本體，該立柱本體包括一結合板及二支撐板，該結合板的中央形成縱向延伸且朝內凹陷之一溝槽，二該支撐板係延伸於該結合板之兩側，各該支撐板係具有一支撐段及一補強段，各該支撐段係連接於該結合板，各該補強段係延伸於各該支撐段異於該結合板之一端並朝內凹設，其中，二該支撐段之間的距離係大於二該補強段之間的距離，且各該支撐段與各該補強段之銜接處係形成有一傾斜面。
如請求項1所述之料架立柱之斷面，其中，該溝槽之兩側係對稱設有複數開孔及複數穿孔，各該開孔係與各該穿孔呈相互穿插設置，使相鄰之二該開孔之間設有該穿孔。
如請求項2所述之料架立柱之斷面，其中，各該開孔之側邊中段位置係朝外漸擴並形成一嵌掣部，使各該開孔之中段的孔徑係大於其兩端的孔徑。
如請求項1所述之料架立柱之斷面，其中，各該支撐段設置呈縱向排列之複數第一結合孔。
如請求項1所述之料架立柱之斷面，其中，各該補強段設置呈縱向排列之複數第二結合孔。
一種閣樓式鋼平台之方管柱，其係包含有：<br/>一管柱本體，其係為一矩形柱體，該管柱本體包括複數側板，各該側板於靠近一端端緣處係設置複數第一穿孔，並於靠近中段處設置複數第二穿孔，且各該側板於對應該等第一穿孔之一端係共同圍設形成一開口，另端係同時結合一支撐底板，各該側板與該支撐底板之連接處設置一強化肋板。
如請求項1所述之閣樓式鋼平台之方管柱，其中，該等第一穿孔係沿該側板之縱向呈間隔設置。
如請求項1所述之閣樓式鋼平台之方管柱，其中，該等強化肋板係呈梯形狀。
一種紙容器，包含：<br/> 一紙桶，由紙類材料製成，並包括一桶底壁，及一圍繞結合於該桶底壁周緣且向上延伸的桶圍壁，該桶圍壁包括一位於頂側且界定出一開口的桶頂緣；及<br/> 一紙蓋，由紙類材料製成，該紙蓋可拆離地封蓋在該紙桶頂部，並包括一位在該桶圍壁之該開口上方的蓋頂壁，及一圍繞結合於該蓋頂壁周緣的蓋圍壁，該蓋圍壁包括一由該蓋頂壁向下延伸且用於套置在該桶頂緣外圍的下圍部，及一由該下圍部頂側同體向上延伸且突出該蓋頂壁的上垣部，該上垣部與該蓋頂壁相配合界定出一承載槽。
如請求項1所述的紙容器，其中，該紙蓋還包括一設置在該蓋圍壁內圍且連接該蓋頂壁底部的內凸環，該內凸環用於靠置在該桶頂緣上。
如請求項1所述的紙容器，其中，該紙桶的該桶圍壁還包括一位於底側且向內包捲該桶底壁周緣的桶捲邊。
如請求項1所述的紙容器，其中，該紙桶的該桶圍壁的直徑為20~30公分，該桶圍壁的高度為20~40公分。
如請求項4所述的紙容器，其中，該紙蓋的該蓋圍壁的高度為4~5公分，該承載槽的深度為0.5~1公分。
一種紙桶，由紙類材料製成，並包括：一桶底壁，及一圍繞結合於該桶底壁周緣且向上延伸的桶圍壁，該桶圍壁包括一位於頂側且界定出一開口的桶頂緣。
如請求項6所述的紙桶，其中，該桶圍壁還包括一位於底側且向內包捲該桶底壁周緣的桶捲邊。
如請求項6所述的紙桶，其中，該桶圍壁的直徑為20~30公分，該桶圍壁的高度為20~40公分。
一種紙蓋，由紙類材料製成，並包括：一蓋頂壁，及一圍繞結合於該蓋頂壁周緣的蓋圍壁，該蓋圍壁包括一由該蓋頂壁向下延伸的下圍部，及一由該下圍部頂側同體向上延伸且突出該蓋頂壁的上垣部，該上垣部與該蓋頂壁相配合界定出一承載槽。
如請求項9所述的紙蓋，還包括一設置在該蓋圍壁內圍且連接該蓋頂壁底部的內凸環。
如請求項9所述的紙蓋，其中，該蓋圍壁的高度為4~5公分，該承載槽的深度為0.5~1公分。
一種可調高度層疊箱體結構，係包含：<br/>一箱體，係由一底面及自該底面垂直延伸的複數側面圍設形成一容置空間，該複數側面包括相對設置的一第一側面及一第二側面；<br/>其中，該第一側面設有沿垂直方向錯位分布的兩組卡合單元，包含：一組位於該第一側面外側的第一卡合部件，一組位於該第一側面內側的第二卡合部件；<br/>該第二側面設有沿垂直方向錯位分布的兩組卡合單元，包含：一組位於該第二側面外側的第二卡合部件，一組位於該第二側面內側的第一卡合部件；<br/>其特徵乃在於，該第一卡合部件與該第二卡合部件係可相互對應嵌合，該第一卡合部件與該第二卡合部件具有不同的高度差，使兩個箱體層疊時，當上層箱體之第一側面對準下層箱體之第一側面時，上層箱體外側之第一卡合部件與下層箱體內側之第二卡合部件卡掣，形成低位卡合；當上層箱體之第一側面對準下層箱體之第二側面時，上層箱體外側之第一卡合部件與下層箱體內側之第一卡合部件卡掣，形成高位卡合。
如申請專利範圍第1項所述之可調高度層疊箱體結構，其中，該第一卡合部件與該第二卡合部件分別各設有導向結構，用於在層疊過程中引導卡合部件的準確對位，避免錯位或卡合不良。
如申請專利範圍第1項所述之可調高度層疊箱體結構，其中，該第一卡合部件與該第二卡合部件分別各設有一凸起結構與一凹槽結構，且該凸起結構的頂端設有導斜面，該凹槽結構的入口處設有漸縮導引面，用於降低層疊時的對位誤差並提升卡合流暢度。
如申請專利範圍第1項所述之可調高度層疊箱體結構，其中，該箱體的側面設有模組化擴充接口，可加裝滾輪支架、伸縮拉桿或外部掛鉤，以適應物流搬運與移動需求。
如申請專利範圍第1項所述之可調高度層疊箱體結構，其中，該箱體的側面設有手提孔，用於便於用戶搬運和移動箱體。
如申請專利範圍第1項所述之可調高度層疊箱體結構，其中，該箱體的卡合部件設置有鎖定機構，用於在卡合完成後進一步固定卡合部件，避免因外力而鬆脫。
如申請專利範圍第1項所述之可調高度層疊箱體結構，其中，該箱體的側面設有透明窗口，便於觀察箱體內部的存放情況。
一種卡緣連接器，包括：<br/> 底座，具有供板卡插入的卡槽；<br/> 槓桿彈片，轉動連接於所述底座；<br/> 耳扣，轉動連接於所述底座的第一端，並連接於所述槓桿彈片的第一臂；<br/> 觸壓件，滑動連接於所述底座；<br/> 連動件，連接於所述觸壓件與所述槓桿彈片的第二臂；<br/> 其中，所述卡槽內設置有供所述觸壓件滑動連接的隔塊，所述底座的第二端與所述隔塊之間具有間距以形成觸壓區，所述觸壓件設置有伸入所述觸壓區的受力塊，所述隔塊朝向所述觸壓區的一面設置有讓位口；所述受力塊用於供所述板卡插入所述觸壓區的部位抵壓，所述讓位口用於供所述板卡插入所述觸壓區的部位朝接近所述隔塊的方向移動。
如請求項1所述的卡緣連接器，其中，所述讓位口的寬度大於等於所述板卡的厚度。
如請求項1所述的卡緣連接器，其中，所述隔塊設置有滑動槽，所述滑動槽沿所述板卡的插拔方向延伸設置，所述滑動槽連通於所述讓位口；所述觸壓件部分容置並滑動連接於所述滑動槽。
如請求項3所述的卡緣連接器，其中，所述卡槽的槽底設置有定位口，所述定位口連通於所述滑動槽，所述受力塊至少部分收容於所述定位口。
如請求項4所述的卡緣連接器，其中，所述受力塊背離所述卡槽槽口的一側設置有收縮部，所述收縮部的寬度朝背離所述卡槽槽口的方向逐漸減少。
如請求項3所述的卡緣連接器，其中，所述底座設置有限位槽，所述限位槽與所述滑動槽平行設置，所述限位槽連通於所述卡槽，且所述限位槽貫穿所述底座的側面；所述連動件穿設於所述限位槽，並連接於所述槓桿彈片的第二臂。
如請求項6所述的卡緣連接器，其中，所述觸壓件外露於所述滑動槽的部分設置有安裝孔，所述安裝孔的位置對應於所述限位槽設置；所述連動件插接於所述安裝孔，並穿設於所述限位槽。
如請求項7所述的卡緣連接器，其中，所述限位槽貫穿所述底座的相對兩側，所述連動件的中部穿設於所述安裝孔，所述連動件的兩端分別穿設於鄰近的所述限位槽。
如請求項6所述的卡緣連接器，其中，所述限位槽的中部設置有拓寬部，所述拓寬部的兩側槽壁向內凹陷。
如請求項1所述的卡緣連接器，其中，所述底座背離所述卡槽槽口的一面設置有切除口，所述切除口的位置對應於所述讓位口設置，且所述切除口連通於所述讓位口。
一種安全帶扣，包括： <br/>一座部；以及 <br/>一扣部，連接該座部，其中該扣部具有一第一卡扣槓和一第二卡扣槓，該第一卡扣槓位與該座部相對，且該第二卡扣槓位於該第一卡扣槓和該座部之間。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該扣部包括一金屬扣部。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該座部包括一金屬座部。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該扣部和該座部呈一體結構。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該第一卡扣槓和該第二卡扣槓並排設置。
如請求項5所述之安全帶扣，其中該第一卡扣槓和該第二卡扣槓之間的距離介於5 mm～10 mm。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該扣部更具有一第一卡扣口和一第二卡扣口，該第一卡扣口位於該第一卡扣槓和該第二卡扣槓之間，該第二卡扣口位於該第二卡扣槓和該座部之間。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該扣部更具有一第一連接槓和一第二連接槓，該第一連接槓和該第二連接槓連接該座部且彼此並排，該第一卡扣槓和該第二卡扣槓位於該第一連接槓和該第二連接槓之間，且連接該第一連接槓和該第二連接槓，該第一卡扣槓和該第二卡扣槓在該第一連接槓和該第二連接槓之間的一長度介於10 mm～15 mm。
如請求項1所述之安全帶扣，其中該扣部更具有一第一側面、一第二側面和一端面，該第一側面和該第二側面彼此相對，該端面背對該座部並連接該第一側面和該第二側面，該第一卡扣槓和該第二卡扣槓位於該第一側面和該第二側面之間，該扣部在該第一側面和該第二側面之間的一寬度介於17 mm～25 mm。
如請求項9所述之安全帶扣，其中在從該第一側面指向該第二側面的方向上，該座部的一寬度介於50 mm～60 mm。
一種半導體元件，包括：<br/> 一半導體疊層，由一平面圖觀之具有相對的一第一邊以及一第二邊，該半導體疊層包括一第一導電型半導體結構、一第二導電型半導體結構以及設置於第一導電型半導體結構及該第二導電型半導體結構之間的一活性區，<br/> 其中，該第一導電型半導體結構包括至少一第一接觸區域以及至少一第二接觸區域，該第一接觸區域鄰近該第一邊，該第二接觸區域鄰近該第二邊，<br/> 其中，任一個該第一接觸區域的面積大於任一個該第二接觸區域的面積。
如請求項1所述之半導體元件，其中該些第一接觸區域的總面積大於該些第二接觸區域的總面積。
如請求項1所述之半導體元件，更包括：<br/> 一第一電極，設置於該半導體疊層，該第一電極通過該第一接觸區域及該第二接觸區域電性連接該第一導電型半導體結構；以及<br/> 一第二電極，設置於該半導體疊層，該第二電極電性連接該第二導電型半導體結構。
如請求項3所述之半導體元件，由該平面圖觀之，其中該半導體疊層具有相對的一第三邊以及一第四邊，該第三邊連接於該第一邊與該第二邊的一側，該第四邊連接於該第一邊與該第二邊的另一側；<br/> 其中，該第一導電型半導體結構包括複數個第三接觸區域，該些第三接觸區域鄰近該第三邊，該些第三接觸區域包括至少一第一部分以及至少一第二部分，其中該第一部分位於該第三邊與該第二電極之間，該第二部分位於該第三邊與該第一電極之間；<br/> 其中，任一個該第一部分的面積小於任一個該第二部分的面積。
如請求項4所述之半導體元件，其中該第一導電型半導體結構包括複數個第四接觸區域，該些第四接觸區域包括至少一第三部分以及至少一第四部分，其中該第三部分位於該第四邊與該第二電極之間，該第四部分位於該第四邊與該第一電極之間，任一個該第三部分的面積小於任一個該第四部分的面積。
如請求項5所述之半導體元件，其中該半導體疊層具有垂直相交的一第一中軸以及一第二中軸，該第一中軸平行該第三邊及該第四邊，該第二中軸平行該第一邊及該第二邊，該第一部分及該第三部分位於該第二中軸的一側，而該第二部分及該第四部分位於該第二中軸的另一側。
如請求項6所述之半導體元件，其中該第一導電型半導體結構包括至少一第五接觸區域，該半導體疊層包括設置於該第一中軸上的至少一第一通孔部，其中該第五接觸區域位於該第一通孔部內。
如請求項7所述之半導體元件，其中該第一通孔部為一條狀。
如請求項7所述之半導體元件，其中該第一部分與該第二部分相連，及/或該第三部分與該第四部分相連。
如請求項7所述之半導體元件，其中該第一導電型半導體結構包括至少一第六接觸區域，該半導體疊層包括設置於該第二中軸上的至少一第二通孔部，其中該第六接觸區域位於該第二通孔部內。
如請求項10所述之半導體元件，其中該第一部分與該第二部分係不相連，及/或該第三部分與該第四部分係不相連。
如請求項10所述之半導體元件，其中任一個該第五接觸區域的面積大於任一個該第六接觸區域的面積。
如請求項1至11其中之一所述之半導體元件，其中該第一導電型半導體結構係為n型半導體層，該第二導電型半導體結構係為p型半導體層。
一種冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，包括：<br/>一熱源回收裝置，用以吸收一冷凍倉儲外部之餘熱以加熱鹵水，產生熱鹵水；<br/>一蒸發器，設於該冷凍倉儲中，通過一除霜管路連接該熱源回收裝置，該蒸發器接收該熱鹵水以對該蒸發器進行除霜，再將該熱鹵水除霜後冷卻形成的冰鹵水通過該除霜管路輸送回該熱源回收裝置以進行加熱；以及<br/>一分流裝置，設於該冷凍倉儲中，包括一控制器及複數電動閥，該控制器連接該等電動閥，該等電動閥電性連接該蒸發器，該控制器用以切換該等電動閥，以在一除霜模式時開啟該除霜管路以將該熱鹵水導入該蒸發器，及在一製冷模式時開啟一製冷管路以使外部之冰鹵水流入該蒸發器。
如請求項1所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該熱源回收裝置為一空氣對液體熱交換器，能吸收常溫空間之熱能並同時降低該常溫空間之溫度以達成空調效果。
如請求項1所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，更包括一循環泵，且該除霜管路包括一除霜入水管及一除霜出水管，該循環泵通過該除霜管路連接該熱源回收裝置及該蒸發器，該循環泵將該熱源回收裝置加熱後的該熱鹵水通過該除霜入水管加壓輸送至該蒸發器，而該蒸發器輸出的該冰鹵水通過該除霜出水管輸送到該熱源回收裝置。
如請求項3所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該循環泵為乙二醇鹵水泵，將經由該熱源回收裝置加熱後之乙二醇鹵水輸送至該蒸發器進行除霜。
如請求項1所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該等電動閥包括一冰鹵水入水電動閥、一冰鹵水出水電動閥、一熱鹵水入水電動閥及一熱鹵水出水電動閥，在除霜模式下，依序關閉該冰鹵水入水電動閥及該冰鹵水出水電動閥，並開啟該熱鹵水入水電動閥及該熱鹵水出水電動閥。
如請求項3所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該製冷模式下，依序關閉該熱鹵水入水電動閥及該熱鹵水出水電動閥，並開啟該冰鹵水入水電動閥及該冰鹵水出水電動閥。
如請求項1所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該蒸發器之風扇在除霜過程中暫停運轉，以提升除霜效率與均勻性。
如請求項1所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該除霜後之冰鹵水進入公共區域或辦公空間進行熱交換，使該冰鹵水溫度上升後再返回該熱源回收裝置。
如請求項1所述之冷凍倉儲蒸發器之熱鹵水除霜系統，其中該外部之冰鹵水係由一冷凍鹵水主機提供。
一種單排翼截式葉片之防火閘門結構，具有一開啟狀態與一閉闔狀態，其包括：<br/> 一矩形框體，其左右兩側分別設置有複數個第一穿孔；<br/> 複數個翼截式葉片，其任一者之兩端分別設置有一鎖孔，利用一螺絲同時穿設該複數個第一穿孔中的任一者及該鎖孔，以使該複數個翼截式葉片對應設置於該矩形框體內側且能分別轉動，其中該複數個翼截式葉片任一者之內部設置有一第一容置空間；<br/> 複數個驅動部件，分別設置於該矩形框體的左右兩側之外側，並分別連接於該複數個翼截式葉片任一者之兩端的該鎖孔；<br/> 一第一熔絲片，其設置於該矩形框體之頂端內側，且其另一端連接設置於該矩形框體內側的該複數個翼截式葉片中最頂端的葉片並具有一拉力，於溫度達到一預定值時會熔斷失去該拉力，並使該複數個翼截式葉片由該開啟狀態進入該閉闔狀態；以及<br/> 複數個閉鎖機構，分別設置於該複數個翼截式葉片上，於該複數個翼截式葉片進入該閉闔狀態後將其鎖固。
如請求項1所述之防火閘門結構，其中該複數個驅動部件任一者包括：<br/> 一連動件，其上設置有複數個第二穿孔，以使該螺絲同時穿設該複數個第二穿孔的任一者、該複數個第一穿孔的任一者以及該鎖孔進行鎖固，藉此控制該複數個翼截式葉片同步開闔；以及<br/> 至少一個彈力件，其一端連接設置於該連動件的上端及/或下端，另一端則連接設置於該矩形框體上。
如請求項2所述之防火閘門結構，其中該至少一個彈力件具有彈力對應於該第一熔絲片之該拉力，用以控制該複數個翼截式葉片進入閉闔狀態。
如請求項1所述之防火閘門結構，其中該第一容置空間中設置有複數支撐件使該第一容置空間分隔形成複數個腔體。
如請求項4所述之防火閘門結構，其中該複數個腔體中任一者包含吸音材料及/或絕熱阻燃材料。
如請求項1所述之防火閘門結構，其中該複數個閉鎖機構任一者包括：<br/> 一本體件，其上側設置有一銷孔，而下側設置有複數個定位套管，且該複數個定位套管之管口於垂直方向上相互平行；<br/> 一第二熔絲片，其連接設置於該本體件上，且其下側具有一開孔；以及<br/> 一插銷件，其呈現L形，一端穿設於該開孔中，另一端則同時穿設於該複數個定位套管中，其中<br/> 當該第二熔絲片熔斷時，該插銷件掉落嵌合於下方的另一閉鎖機構的銷孔中，以將該複數個翼截式葉片之間進行鎖固。
如請求項6所述之防火閘門結構，其中該第二熔絲片之熔點高於該第一熔絲片。
如請求項1所述之防火閘門結構，其中該開啟狀態與該閉闔狀態，係該複數個翼截式葉片藉由八字形相對式或平行單向式來轉動而達成。
如請求項1所述之防火閘門結構，該預定值為74°C。
如請求項1所述之防火閘門結構，其中該矩形框體之上側、下側、左側及右側，可分別進一步設置有一中空蓋板，該中空蓋板包括：<br/> 一板材，以及<br/> 一蓋體，嵌合設置於該板材上，並與該板材之間形成中空結構而作為一第二容置空間，其中<br/> 該第二容置空間及/或該矩形框體與該中空蓋板之間，可用以填充絕熱阻燃材料。
一種車用安全帶感測系統，所述車用安全帶感測系統包含：<br/> 一帶狀物，具一可捲收端與一自由端，所述帶狀物能夠由所述可捲收端朝外拉出，並於無拉出狀態下被捲收回所述可捲收端；<br/> 一第一感應部，設置於所述帶狀物之第一面且鄰近所述可捲收端；以及<br/> 一第二感應部，設置於所述帶狀物之與所述第一面相對之第二面，且位置對應於所述第一感應部，使得所述第一感應部與所述第二感應部相對設置；<br/> 其中，當所述帶狀物未被拉出或拉出長度低於預定長度時，所述第一感應部與所述第二感應部相互感應，形成一感應訊號；<br/> 當所述帶狀物拉出超過所述預定長度時，所述第一感應部與所述第二感應部將分離，中斷所述感應訊號；<br/> 藉由所述感應訊號之有無，以判斷所述帶狀物之拉出長度是否達到所述預定長度。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部與所述第二感應部為具導電特性之耦接式結構，藉由兩者導通與否產生所述感應訊號，且所述結構包含以下任一材料：超薄銅箔、導電銀膠或碳基導電墨。
如請求項2所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部與所述第二感應部之電壓值小於5V。
如請求項2所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部與所述第二感應部由絕緣層包覆，以避免外部導體裸露造成人體觸電風險。
如請求項2所述之車用安全帶感測系統，其中，所述感應訊號之有無，可透過電阻式觸碰偵測方式進行判斷。
如請求項2所述之車用安全帶感測系統，進一步包含一保護元件，所述保護元件包含一保險絲、限流電阻或瞬態電壓抑制元件（TVS）。
如請求項2所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部與所述第二感應部為經印刷工藝形成之超薄導電路徑，厚度低於20微米。
如請求項2所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部與所述第二感應部為分別編織於所述帶狀物之內層中之導電紗線，所述導電紗線包含銅纖維或銀纖維，並於所述帶狀物未拉出狀態下形成耦接以達成導通。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，進一步包含一警示燈，所述警示燈與所述第一感應部與所述第二感應部訊號相連，所述警示燈並於偵測為有感應訊號時點亮以進行視覺提示。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，進一步包含一蜂鳴器，所述蜂鳴器與所述第一感應部與所述第二感應部訊號相連，所述蜂鳴器並於偵測為有感應訊號時驅動發出聲響提示。
如請求項10所述之車用安全帶感測系統，進一步包含一座椅重量感測器，以判斷是否有乘員著座，其中當所述座椅重量感測器判斷有乘員著座，且所述感應訊號為中斷狀態時，使所述蜂鳴器發出聲響提示。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，進一步包含一插扣開關感測器，設置於一插扣裝置上，以判斷所述帶狀物是否插入扣具中。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部為設置於一滑軌上的一霍爾感測器，所述第二感應部為設置於所述帶狀物上的一磁性元件，藉由所述帶狀物於滑軌內的移動，偵測所述磁性元件是否接近所述霍爾感測器，以判斷所述帶狀物之拉出狀態。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，其中，所述第一感應部為設置於一滑軌上的一光電感測器，所述第二感應部為設置於所述帶狀物上的一反光元件，藉由所述帶狀物於滑軌內的移動，使所述反光元件是否位於所述光電感測器之感測範圍內，以判斷所述帶狀物之拉出狀態。
如請求項1所述之車用安全帶感測系統，進一步包含一影像辨識感測單元，以藉由視覺辨識分析所述帶狀物是否繞過乘員身體。
一種塔基組裝設備，包括一內圈和一外殼，該內圈包括一珠碗和一中子，該珠碗螺接於該中子的一端，該外殼套設於該內圈的外周，且該外殼和該內圈之間設置有一滾珠組，其中，該塔基組裝設備包括：<br/> 一擰緊機構，包括一擰緊頭和一第一驅動件，該擰緊頭與該珠碗仿形，並與該珠碗對接，該第一驅動件驅動該擰緊頭繞其軸線轉動；以及<br/> 一研磨機構，包括一第一研磨頭和一第二驅動件，該第一研磨頭與該外殼仿形，並與該外殼對接，該第二驅動件驅動該第一研磨頭繞其軸線轉動。
如請求項1所述之塔基組裝設備，還包括一第一檢測機構，該第一檢測機構包括：<br/> 一第二研磨頭，與該外殼仿形，並與該外殼對接；<br/> 一第三驅動件，驅動該第二研磨頭繞其軸線轉動；<br/> 一第一扭矩感測器，設置於該第二研磨頭和該第三驅動件之間。
如請求項2所述之塔基組裝設備，還包括一第二檢測機構，該第二檢測機構包括：<br/> 一定位臺，該內圈載放並定位於該定位臺；<br/> 一第一抵推模組，包括一抵板和一安裝板，該抵板滑動連接於該安裝板，並抵觸該外殼沿其徑向的一側，該抵板和該安裝板之間設置有一位移感測器；<br/> 一第二抵推模組，包括一推板和一第四驅動件，該第四驅動件驅動該推板推抵該外殼沿其徑向的另一側，該推板和該第四驅動件之間設置有一壓力感測器。
如請求項3所述之塔基組裝設備，其中，該定位臺包括：<br/> 一載塊，容放該內圈；<br/> 一定位板和一移動模組，該定位板與該移動模組傳動連接，並與該載塊一同夾持該內圈。
如請求項3所述之塔基組裝設備，還包括一轉盤和一旋轉模組，該轉盤通超一載臺載放一塔基，該載臺與該中子遠離該珠碗的一端仿形，該旋轉模組驅動該轉盤繞其軸線轉動；<br/> 該擰緊機構、該研磨機構、該第一檢測機構和該第二檢測機構沿該轉盤的周向依次設置。
如請求項5所述之塔基組裝設備，其中，該轉盤沿其周向均勻排列有至少五個該載臺，該轉盤每轉動一次後，所有該載臺中連續的四個分別位於該擰緊機構、該研磨機構、該第一檢測機構和該第二檢測機構處。
如請求項5所述之塔基組裝設備，其中，該第二檢測機構還包括一搬運模組，該搬運模組將該塔基由該轉盤搬運至該定位臺。
如請求項7所述之塔基組裝設備，還包括一次品下料通道和一良品下料通道，該搬運模組還將該塔基由該轉盤搬運至該次品下料通道，或者，將該塔基由該定位臺搬運至該次品下料通道或該良品下料通道。
如請求項1所述之塔基組裝設備，其中，該擰緊頭和該第一驅動件之間設置有一第二扭矩感測器。
如請求項1所述之塔基組裝設備，其中，該第一研磨頭和該第二驅動件之間設置有一第三扭矩感測器。
一種鞋底成型模具，用以供成型一鞋底，其包含有：<br/> 可彼此併合或分開之一第一模部與一第二模部；<br/> 一模室，由該第一模部與該第二模部所定義，位於該第一模部與該第二模部之間，當該第一模部與該第二模部彼此併合之同時封閉該模室，當該第一模部與該第二模部彼此分開之同時開放該模室；<br/> 一主流道，設於該第一模部上，並於該第一模部之外側表面上形成一入口；<br/> 二支流道，分設於該第一模部上並與該主流道相連通，且各自於該模室之一側室壁上分別形成一出口。
如請求項1所述的鞋底成型模具，其中，該模室可以在開放狀態下容納一片狀的補強件於其中。
如請求項2所述之鞋底成型模具，其中，當該第一模部與該第二模部併合時，沿著各該出口的軸向方向對該補強件作正投影時，各該出口在該投影方向上不會被該補強件所遮擋。
如請求項3所述之鞋底成型模具，其中，該補強件包含有至少二通孔，分別同軸於各該出口之軸向。
如請求項3所述之鞋底成型模具，其中，該補強件位於各該出口之間。
如請求項1所述之鞋底成型模具，其中，該鞋底為鞋中底。
如請求項1所述之鞋底成型模具，其中，該模具所包含之模室數量為二。
如請求項1所述之鞋底成型模具，其中，該模具所包含的主流道為二、支流道為二對，並使各該支流道於該模室室壁上所形成之出口分別對應於該鞋底形狀的不同位置。
一種栽培裝置，包含：<br/>一容器，具有一封閉的底部，使該容器具有一容置空間，該容器係具有一環牆，該環牆上具有至少一側孔，該至少一側孔貫穿該環牆的內、外壁；<br/>培養基材，置入於該容置空間，該培養基材係具有吸水性；及<br/>一植栽體，置於該至少一側孔，該植栽體內用以置入土壤、植栽幼苗或種子。
如請求項1之栽培裝置，其中，該容器為一圓形的塑膠管。
如請求項1之栽培裝置，其中，該容器的上端具有一覆蓋件，該覆蓋件具有數穿孔。
如請求項1之栽培裝置，其中，該容器具有一提件，該提件的二端樞接在該容器。
如請求項1之栽培裝置，其中，該培養基材為樹皮或/及椰子纖維。
如請求項5之栽培裝置，其中，該樹皮為松樹樹皮。
如請求項1之栽培裝置，其中，該培養基材的頂部置放至少一儲液體，該儲液體為具有透水性的袋體內置入吸水材料。
如請求項1之栽培裝置，其中，該植栽體為一空心管體。
如請求項1之栽培裝置，其中，該植栽體的斷面形狀、尺寸與該至少一側孔的斷面形狀、尺寸相配合。
如請求項1之栽培裝置，其中，該植栽體與該至少一側孔之間還填置防漏材。
一種近眼顯示系統，包括： <br/>一圖像生成裝置，用以提供具有一第一偏振態的影像光束，其中該圖像生成裝置為一液晶顯示器； <br/>一偏振分光元件，配置於具有該第一偏振態的該影像光束的光路徑上；以及 <br/>一第一反射模組，配置於來自該偏振分光元件的具有該第一偏振態的該影像光束的光路徑上，其中該第一反射模組用以將具有該第一偏振態的該影像光束反射以形成傳遞回該偏振分光元件且具有一第二偏振態的影像光束，其中該偏振分光元件用以讓具有該第二偏振態的該影像光束往偏離該圖像生成裝置的方向傳遞。
如請求項1所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件用以將具有該第一偏振態的該影像光束反射至該第一反射模組，且用以讓具有該第二偏振態的該影像光束穿透而傳遞出該近眼顯示系統。
如請求項1所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件用以讓具有該第一偏振態的該影像光束穿透而傳遞至該第一反射模組，且用以將具有該第二偏振態的該影像光束反射而傳遞出該近眼顯示系統。
如請求項1所述的近眼顯示系統，其中該第一反射模組包括： <br/>一第一反射鏡，配置於該影像光束的光路徑上；以及 <br/>一第一四分之一波片，配置於該偏振分光元件與該第一反射鏡之間的該影像光束的光路徑上。
如請求項1所述的近眼顯示系統，更包括一透鏡，配置於傳遞出該近眼顯示系統的該影像光束的光路徑上。
如請求項5所述的近眼顯示系統，其中該透鏡為菲涅耳透鏡。
如請求項5所述的近眼顯示系統，其中該透鏡為非球面透鏡或自由曲面透鏡。
如請求項5所述的近眼顯示系統，其中該透鏡具有正屈光度。
如請求項1所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件用以讓具有該第一偏振態的該影像光束穿透，該偏振分光元件用以將具有該第二偏振態的該影像光束反射，且該近眼顯示系統更包括一第二反射模組，配置於被該偏振分光元件反射的具有該第二偏振態的該影像光束的光路徑上，且用以將具有該第二偏振態的該影像光束反射以形成傳遞回該偏振分光元件且具有該第一偏振態的影像光束，其中該偏振分光元件用以讓傳遞回該偏振分光元件且具有該第一偏振態的該影像光束穿透而傳遞出該近眼顯示系統。
如請求項9所述的近眼顯示系統，更包括一透鏡，配置於傳遞出該近眼顯示系統的該影像光束的光路徑上，其中該透鏡的光軸平行於該圖像生成裝置與該第一反射模組，且垂直於該第二反射模組。
如請求項10所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件相對於該透鏡的該光軸傾斜45度。
如請求項9所述的近眼顯示系統，更包括一透鏡，配置於傳遞出該近眼顯示系統的該影像光束的光路徑上，其中一眼睛透過該透鏡看到該圖像生成裝置的虛像的距離落在0.8至2.0公尺的範圍內。
如請求項9所述的近眼顯示系統，其中該第一反射模組包括： <br/>一第一反射鏡，配置於該影像光束的光路徑上；以及 <br/>一第一四分之一波片，配置於該偏振分光元件與該第一反射鏡之間的該影像光束的光路徑上，且 <br/>該第二反射模組包括： <br/>一第二反射鏡，配置於該影像光束的光路徑上；以及 <br/>一第二四分之一波片，配置於該偏振分光元件與該第二反射鏡之間的該影像光束的光路徑上，其中該第一偏振態為P偏振態，且該第二偏振態為S偏振態。
如請求項13所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件為偏振分光器或反射式增亮偏光膜。
如請求項9所述的近眼顯示系統，其中該第一反射模組為一第一反射鏡，該第二反射模組為一第二反射鏡，該第一偏振態與該第二偏振態之一為左旋圓偏振態，且該第一偏振態與該第二偏振態之另一為右旋圓偏振態。
如請求項15所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件為膽固醇液晶層。
如請求項9所述的近眼顯示系統，其中該圖像生成裝置包括一液晶顯示面板及一第三四分之一波片，該第三四分之一波片配置於該偏振分光元件與該液晶面板之間。
如請求項9所述的近眼顯示系統，其中該圖像生成裝置與該第二反射模組呈夾90度配置，該第二反射模組與該第一反射模組呈夾90度配置，且該圖像生成裝置與該第一反射模組彼此平行配置於該偏振分光元件的相對兩側。
如請求項18所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件相對於該圖像生成裝置、該第一反射模組及該第二反射模組均呈45度傾斜配置。
如請求項1所述的近眼顯示系統，其中該偏振分光元件用以讓具有該第二偏振態的該影像光束往垂直於具有該第一偏振態的該影像光束的傳遞方向傳遞。
一種手機架裝置，其主要係包括有夾持座及置放座；其中：<br/> 該夾持座，其於後端與一夾爪透過樞接件相樞設結合，另於該夾持座與該夾爪之間穿設有螺桿，於該螺桿一端螺設結合有偏心把手，利用該偏心把手帶動該螺桿以控制該夾持座與該夾爪前端進行夾持動作，另於該夾持座後端面設有螺設部，並對應該螺設部周緣形成有第一齒盤；<br/> 該置放座，其對應該夾持座之該螺設部開設有穿孔，令該穿孔套設於該螺設部外，於該穿孔內緣形成有頂撐部，且於該穿孔周緣對應該第一齒盤形成有相嚙合之第二齒盤，令一結合件於套設有頂撐片後經由該置放座與該螺設部螺設結合固定，並於該頂撐部與該頂撐片之間對應該結合件外緣套設有彈性元件，以利用該彈性元件之彈性頂撐力令該第一齒盤與該第二齒盤確實嚙合固定，而於該置放座設有導槽，於該導槽外端設有擋止部，另對應該置放座設有夾固座，該夾固座則對應該導槽內延伸設有延伸槽，於該擋止部內端與該延伸槽內端之間則設有置放座彈性件，以利用該置放座彈性件之彈性頂撐力令該置放座與該夾固座之間保持有夾固力。
如請求項1所述手機架裝置，其中，該夾持座與該夾爪前端形成相對應之半圓弧狀。
如請求項1所述手機架裝置，其中，該夾持座與該夾爪之間對應該樞接件外套設結合有夾持座彈性件，以利用該夾持座彈性件之彈性頂撐力讓該夾持座與該夾爪之間保持一彈性張力。
一種可自動切換管路之過濾裝置智能系統，包括：三通開關閥、開關閥控制器、漏水感知器及過濾裝置；且該三通開關閥、該開關閥控制器及該漏水感知器，彼此之間則是電性連接； <br/>該三通開關閥，則設置有源水輸入端、過濾側通路、源水側通路及開關閥，且該開關閥可控制該源水輸入端連通至該過濾側通路或該源水側通路；其中，該源水輸入端則經由管線連接至外部源水管路；該過濾側通路則經由管線連接至該過濾裝置之進水端，並經由該過濾裝置之出水端以管線連接至屋內用水管路；該源水側通路則經由管線連接至屋內用水管路；<br/> 該漏水感知器，則可設置於地面或低點位置以偵測漏水狀態並對應輸出代表漏水或非漏水的電訊號；<br/> 該開關閥控制器若是接收到該漏水感知器之非漏水的電訊號，則會致動該三通開關閥之該開關閥進而使得該源水輸入端連通至該過濾側通路，外部源水則會先經過該過濾裝置以進行淨水過濾程序後再輸送至屋內用水管路來提供乾淨的過濾水源使用；<br/> 或是，該開關閥控制器若是接收到該漏水感知器之漏水的電訊號，則會致動該三通開關閥之該開關閥進而使得該源水輸入端連通至該源水側通路，外部源水則會直接輸送至屋內用水管路而不經過該過濾裝置之過濾管路來持續供應水源的使用。
一種定位組件，適於將一第一電子裝置及一第二電子裝置固設於一基板上，該基板具有一固定座以及一支撐柱，該固定座具有一第一連接埠及一第二連接埠分別用以電性連接該第一電子裝置及該第二電子裝置，該支撐柱具有一內螺紋部，該定位組件包含：<br/> 一螺鎖件，包含依序銜接的一頭部、一第一螺紋段、一中段及一第二螺紋段，該第一螺紋段及該第二螺紋段適配於該內螺紋部；以及<br/> 一限位件，包含依序銜接的一第一限位部、一銜接部及一第二限位部，該第一限位部可分離地結合於該螺鎖件的該頭部；<br/> 其中，響應於該螺鎖件的該第二螺紋段鎖設於該支撐柱的該內螺紋部，該螺鎖件的該頭部靠抵於該第一電子裝置及該第二電子裝置，該第二限位部位於該第二電子裝置遠離該固定座的一端。
如請求項1所述之定位組件，其中該螺鎖件沿一第一方向延伸長度，該頭部為沿該第一方向延伸長度的柱體且具有一開槽，該限位件的該第一限位部可分離地結合於該頭部的該開槽。
如請求項2所述之定位組件，其中該頭部包含複數止滑部，該些止滑部位於該頭部的外表面。
如請求項3所述之定位組件，其中該些止滑部為沿該第一方向開設的凹槽。
如請求項2所述之定位組件，其中該開槽自該頭部的表面沿垂直於該第一方向的一第二方向凹陷，該限位件的該第一限位部具有二側爪及一中間爪，該中間爪銜接於二該側爪的一端之間，二該側爪的另一端彼此間隔以形成一開口。
如請求項5所述之定位組件，其中該第一限位部與該銜接部垂直銜接。
如請求項5所述之定位組件，其中該開槽包含二側壁及一底面，二該側壁彼此平行相對並分別銜接於該底面，該限位件的該第一限位部的二該側爪及該中間爪平行於二該側壁。
如請求項1所述之定位組件，其中該限位件的該第二限位部包含彼此銜接的一抓握段及一止擋段，該抓握段銜接於該銜接部且平行貼抵於該銜接部，該止擋段與該第一限位部延伸至該銜接部的同一側。
如請求項8所述之定位組件，其中該止擋段包含依序銜接的一第一部分、一第二部分及一第三部分，該第一部分垂直銜接該抓握段，該第二部分有角度地銜接於該第一部分，該第三部分平行貼抵於該第二部分。
如請求項8所述之定位組件，其中該抓握段的長度為該銜接部的長度的20%~30%。
一種具有儲存及應用回生能量的加工系統，包含：<br/> 一加工機，包含接受一AC市電的一馬達，該馬達發生速率變化時能夠產生一回生電能；<br/> 一回生能量收集裝置，電性連接該馬達用以接收及儲存該回生電能，並能夠輸出該回生電能至該馬達；該回生能量收集裝置包含：<br/> 一橋式整流器，由複數二極體組成用以接收該馬達所輸出的回生電能並進行交/直流電轉換；<br/> 一儲能模組，電性連接該橋式整流器用以儲能及輸出直流電；<br/> 一電流感測器，電性連接該儲能模組，用以即時偵測該儲能模組供應至該馬達的直電流變化；<br/> 一控制器，電性連接該儲能模組與該電流感測器，用以偵測該儲能模組的儲能狀態及電流；<br/> 一逆變器，電性連接該電流感測器，用以進行直/交流電轉換；<br/> 一無縫電源切換模組，連結該AC市電，以及電性連接該馬達、該逆變器與該控制器，該AC市電與來自該逆變器的交流電在該無縫電源切換模組進行無縫切換與通過，且通過該無縫電源切換模組的交流電輸至該馬達。
如請求項1所述之具有儲存及應用回生能量的加工系統，更包含一耗能電阻與一旁通開關的組合，其中該旁通開關安裝在該橋式整流器與該儲能模組間的電流路徑，該旁通開關連接該控制器，該耗能電阻連接該旁通開關。
如請求項1所述之具有儲存及應用回生能量的加工系統，其中該無縫電源切換模組為包含金屬氧化物半導體場效電晶體的雙向開關元件。
如請求項1所述之具有儲存及應用回生能量的加工系統，其中該儲能模組為至少一超級電容。
如請求項1所述之具有儲存及應用回生能量的加工系統，其中該控制器包含一微處理與一具備零交越切換邏輯的組合。
如請求項1所述之具有儲存及應用回生能量的加工系統，更包含一電壓除錯模組連接在該儲能模組的輸出端及連接該控制器。
如請求項1所述之具有儲存及應用回生能量的加工系統，其中該儲能模組包含複數儲能單元及一電壓均衡單元，該電壓均衡單元連接各該儲能單元。
一種定點式物料切割裝置，係設置於一儲坑的出入口，該儲坑用於儲放一廢棄物，包含：<br/> 一基座，係固設於該儲坑的出入口的一側；以及<br/> 一刀具，係固設於該基座的頂面，其包含一刀身、一刀刃與一固定件，該刀刃係形成於該刀身的一端緣，並對應於該出入口，該刀身係透過該固定件而固設於該基座的頂面。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該基座係沿著該儲坑的出入口邊緣平行而設。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該刀具係貼附於該基座的頂面。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該刀刃係沿著該儲坑的出入口的邊緣平行而設。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該刀刃與該儲坑的出入口邊緣具有一第一角度，該第一角度係大於0°。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該刀身的底面與該基座的頂面具有一第二角度，該第二角度係大於0°。
如請求項6之定點式物料切割裝置，其中該刀具還包含一固定孔與一角度調節件，該固定孔係開設於該刀身，該固定孔為長孔，該固定孔的長邊係朝該刀刃方向延伸，該固定件係穿過該固定孔並固定於該基座的頂面；該角度調節件係抵頂於該刀身與該基座之間，使得該刀身底面與該基座的頂面之間形成該第二角度。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該基座的頂面相鄰並列設置有兩組該刀具，第一組該刀具係靠近該出入口，第一組該刀具的該刀身係貼附於該基座的頂面；第二組該刀具係遠離該出入口，第二組該刀具的該刀身係呈仰角而設，其與該基座的頂面具有一第二角度。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該基座的頂面相鄰並列設置有兩組該刀具，第一組該刀具係靠近該出入口；第二組該刀具係遠離該出入口；第一組該刀具與第二組該刀具的該刀身皆係呈仰角而設，其與該基座的頂面皆具有一第二角度。
如請求項1之定點式物料切割裝置，其中該基座還包含一立架， 該立架係縱向地固設在該基座的頂面，且靠近於該基座的其中一端部，該立架固設一附加刀具，該附加刀具包含一縱向刀身、一縱向刀刃與一附加刀具固定件，該縱向刀刃係形成於該縱向刀身的一端緣，該縱向刀身係透過該附加刀具固定件而固設於該立架的側面，該縱向刀刃對應於該基座上方。
一種鐵捲門防風裝置，係設置在一鐵捲門下方，包含：<br/> 一支架本體，包含一底座、一前擋部、一後擋部、一容置部與至少一插件，該前擋部與該後擋部係一前一後地設置在該底座上方，該前擋部與該後擋部之間形成該容置部，該插件設置在該底座下方；以及<br/> 一固定組件，包含一基部與至少一插孔，該基部係位於該鐵捲門下方，該插孔設置在該基部上方，而該插孔的位置與該插件的位置相對應；<br/> 其中，該插件係插入該插孔，使得該支架本體直立於該基部上方，並對應於該鐵捲門下方。
如請求項1之鐵捲門防風裝置，其中該前擋部的頂端內側還形成有一朝前側上方延伸的前導引面，該後擋部的頂端內側還形成有一朝後側上方延伸的後導引面。
如請求項1之鐵捲門防風裝置，其中該前擋部與該後擋部之間係間隔有一預定距離，以形成該容置部，該預定距離係略大於該鐵捲門的寬度。
如請求項1之鐵捲門防風裝置，其中該插件設置有兩個，其分別設置在該底座下方，位在最前側的該插件係對應在該前擋部的前方，位在最後側的該插件係對應在該後擋部的後方。
如請求項1之鐵捲門防風裝置，其中該支架本體還包括一前分岔部與一後分岔部，該前分岔部係由該前擋部的頂端分別朝左側與右側上方延伸而成，該後分岔部係由該後擋部的頂端分別朝左側與右側上方延伸而成。
如請求項5之鐵捲門防風裝置，其中該前分岔部的內側還形成有一朝前側上方延伸的前導引面，該後分岔部的內側還形成有一朝後側上方延伸的後導引面。
如請求項1之鐵捲門防風裝置，其中該固定組件還包含一遮蓋，該遮蓋係可拆式地蓋合於該插孔。
如請求項1之鐵捲門防風裝置，其中該固定組件還包含一溝槽，該溝槽係設置在該基部上方，其與該底座吻合，該插孔係設置於該溝槽的槽底。
如請求項8之鐵捲門防風裝置，其中該固定組件還包含一遮蓋，該遮蓋係可拆式地蓋合於該溝槽。
一種飲料容器回收機，包括：<br/> 投瓶口（10），用於投放飲料容器；<br/> 可旋轉識別倉（20），設有識別倉入口（21）、識別倉出口（22）和旋轉軸（24）；<br/> 旋轉驅動機構（60），所述旋轉驅動機構（60）用於驅動識別倉（20）繞旋轉軸（24）旋轉；及<br/> 減容機構（50），設有減容機構入口（51）、減容機構出口（53）及壓縮裝置（52），所述壓縮裝置（52）用於對飲料容器進行物理壓縮以減小其體積；<br/> 識別倉入口（21）在狀態1下與投瓶口（10）對齊，以使飲料容器從投瓶口（10）進入識別倉（20）；同時，識別倉出口（22）與減容機構入口（51）相互錯位，識別倉出口（22）與減容機構入口（51）分別被關閉；<br/> 識別倉入口（21）在狀態2下通過旋轉驅動機構（60）驅動識別倉（20）旋轉預設角度後與投瓶口（10）錯位，同時，識別倉出口（22）與減容機構入口（51）對齊，以使飲料容器從識別倉（20）進入減容機構（50）。
如請求項1所述的飲料容器回收機，還包括：<br/> 識別模組（30），設置於識別倉（20）的上方，用於檢測飲料容器的可回收性；<br/> 傳送機構（40），設置於識別倉（20）的下方，並貫穿識別倉入口（21）和識別倉出口（22），用於將飲料容器從識別倉入口（21）輸送至識別倉出口（22）。
如請求項2所述的飲料容器回收機，其中，所述識別模組（30）包括以下感測器中的一種或多種：<br/> AI圖像識別單元，安裝於識別倉（20）內，用於檢測飲料容器的可回收性；<br/> 金屬感測器，安裝於識別倉（20）內，用於檢測飲料容器的材質；<br/> 重量感測器，安裝於傳送機構（22），用於檢測飲料容器的重量。
如請求項2所述的飲料容器回收機，其中，所述傳送機構（40）為皮帶輸送機或螺旋輸送機，其輸送方向與識別倉（20）的旋轉軸（24）垂直；所述減容機構（50）的壓縮裝置（52）為壓縮輥組或液壓壓縮裝置。
如請求項2所述的飲料容器回收機，還包括控制系統，所述控制系統與識別模組（30）、旋轉驅動機構（60）連接，當識別模組（30）檢測到可回收飲料容器時，通過所述控制系統控制旋轉驅動機構（60）切換至狀態2。
如請求項1所述的飲料容器回收機，還包括關閉件，所述識別倉出口（22）與減容機構入口（51）在狀態1下被關閉件鎖閉，所述投瓶口（10）在狀態2下被關閉件鎖閉。
如請求項6所述的飲料容器回收機，其中，所述關閉件包括用於關閉識別倉出口（22）的第一關閉件（23）和用於關閉減容機構入口（51）以及投瓶口（10）的第二關閉件（54）；在狀態1時，所述第二關閉件（54）關閉減容機構入口（51）；在狀態2時，所述第二關閉件（54）關閉投瓶口（10）；處於狀態1與狀態2中間過程中，所述減容機構入口（51）與所述投瓶口（10）均被所述第二關閉件（54）關閉；所述第二關閉件（54）設置在識別倉（20）底部，所述第一關閉件（23）設置在識別倉出口（22）後方的機櫃上。
如請求項6所述的飲料容器回收機，其中，所述關閉件為弧形擋板，其弧度與識別倉（20）的旋轉軌跡匹配；並且，所述弧形擋板的表面設有密封層。
如請求項1所述的飲料容器回收機，其中，所述旋轉驅動機構（60）包括旋轉驅動電機（61）和傳動元件，所述傳動元件與識別倉（20）連接，用於驅動識別倉（20）繞其旋轉軸（24）旋轉30°-90°；旋轉軸（24）通過帶座軸承（63）固定於機架。
如請求項9所述的飲料容器回收機，其中，所述傳動元件包括驅動軸（62）、驅動柄（64）、連杆（65）及傳動軸（66），驅動柄（64）與驅動軸（62）相對固定連結，驅動軸（62）與旋轉驅動電機（61）連接，連杆（65）有兩個並分別設置在識別倉（20）的兩側，連杆（65）的一端與驅動柄（64）的一端鉸接，另一端與傳動軸（66）連接。
一種清潔設備的地刷，包括，<br/> 底座，所述底座具有吸汙口，所述吸汙口用於吸取待清潔面的汙物；<br/> 滾刷，轉動連接於所述底座；<br/> 支撐輪，設置於所述底座靠近所述滾刷的一側；<br/> 滾輪，設置於所述支撐輪遠離所述滾刷的一側；以及<br/> 控制組件，設置於所述滾刷的靠近所述滾輪的一側，所述控制組件包括刮板、驅動組件及控制器，所述刮板由支撐部和貼合部組成，所述控制器透過所述驅動組件與所述刮板連接，所述控制器被配置為根據不同工況控制所述刮板的旋轉角度。
根據請求項1所述的地刷，其中，根據不同工況控制所述刮板的旋轉角度包括：根據所述清潔設備的地刷的狀態資訊以及所述刮板的位置資訊，調整所述刮板到預設位置使其與所述清潔設備的地刷的狀態資訊匹配。
根據請求項2所述的地刷，其中，根據所述清潔設備的地刷的狀態資訊以及所述刮板的位置資訊，調整所述刮板到預設位置使其與所述清潔設備的地刷的狀態資訊匹配，包括：<br/> 響應於所述清潔設備沿第一方向運動，控制所述刮板的旋轉角度使其與待清潔面緊密接觸；以及<br/> 響應於所述清潔設備沿第二方向運動，控制所述刮板的旋轉角度使其與待清潔面具有預設間隔，所述預設間隔為2mm-5mm。
根據請求項2所述的地刷，其中，根據所述清潔設備的地刷的狀態資訊以及所述刮板的位置資訊，調整所述刮板到預設位置使其與所述清潔設備的地刷的狀態資訊匹配，包括：<br/> 響應於所述清潔設備以強力模式清潔，控制所述刮板的旋轉角度使其與待清潔面緊密接觸; 或<br/> 響應於所述清潔設備以經濟模式清潔，控制所述刮板的旋轉角度使其與待清潔面具有預設間隔。
根據請求項2所述的地刷，其中，根據所述清潔設備的地刷的狀態資訊以及所述刮板的位置資訊，調整所述刮板到預設位置使其與所述清潔設備的地刷的狀態資訊匹配，包括：<br/> 響應於所述清潔設備進行自清潔，控制所述刮板的旋轉角度使其至少與所述滾刷的外輪廓面接觸；或<br/> 響應於所述清潔設備進行自清潔，控制所述刮板的旋轉角度使其與所述滾刷接觸的位置位於所述滾刷的外輪廓之內。
根據請求項1所述的地刷，其中，所述驅動組件包括：<br/> 馬達，具有輸出軸，用於提供正轉和/或反轉的驅動力；<br/> 連接件，與所述刮板連接，所述連接件在所述馬達的驅動下帶動所述刮板在預設角度內移動。
根據請求項6所述的地刷，其中，所述驅動組件還包括：<br/> 碼盤，與所述馬達的輸出軸連接，用於記錄所述輸出軸的旋轉角度。
根據請求項7所述的地刷，其中，所述輸出軸的旋轉角度為0-30度。
根據請求項6所述的地刷，其中，所述驅動組件還包括：<br/> 主動齒輪，與所述馬達的輸出軸連接；<br/> 從動齒輪，與所述主動齒輪嚙合並帶動所述連接件轉動。
根據請求項3或4所述的地刷，其中，所述刮板與所述待清潔面緊密接觸時的夾角為80-100度。
一種清潔設備，包括如請求項1至10中任一項所述的清潔設備的地刷。
一種清潔系統，包括如請求項11所述的清潔設備以及與其相配合的座體或基站。
一種全自動智能廚房電器收納櫃，其包括：<br/> 一廚房電器收納櫃，具有一機體及一門板；該機體具有一電器收納空間，該機體的正面形成該電器收納空間的一開口；該門板活動樞接在該機體的正面；<br/> 一第一電源插座，設置在該電器收納空間內的任一側壁，用於提供置放在該電器收納空間的廚房電器的插頭插設，在該廚房電器運行狀態下持續供電給該廚房電器；<br/> 一主控制器，設置在該機體中，連接在該第一電源插座，用於控制該廚房電器收納櫃的啟動及停止；<br/> 一觸控操作面板，設置在該機體的前面，並連接該主控制器，用於提供使用者操作；<br/> 一排氣風扇，設置在該機體中，並連接該主控制器，用於該廚房電器運行狀態下持續運轉以排出該電器收納空間的熱氣到該機體外；<br/> 一感測模組，連接於該主控制器，用於感測該廚房電器運行狀態下通過該第一電源插座的電壓/電流或該電器收納空間的溫度，以回饋一第一感測訊號至該主控制器，使該主控制器依預設程式自動控制該排氣風扇運轉；並用於在未感測到電壓/電流通過或未感測到溫度時，回饋一第二感測訊號至該主控制器，使該主控制器依預設程式自動控制該排氣風扇停止；以及<br/> 一開關門感應裝置，連接在該主控制器，用於偵測該門板開啟或關閉時，回饋一第三感測訊號至該主控制器，使該主控制器控制該第一電源插座通電或斷電。
如請求項1所述的全自動智能廚房電器收納櫃，其中該感測模組包括一電壓/電流偵測模組及一溫度感測模組；該電壓/電流偵測模組偵測通過該第一電源插座的電壓/電流；該溫度感測模組感應該電器收納空間的溫度。
如請求項1所述的全自動智能廚房電器收納櫃，其中該開關門感應裝置為電磁開關器或微動開關器。
如請求項1所述的全自動智能廚房電器收納櫃，其中該排氣風扇設置在該機體的一夾層中。
如請求項1所述的全自動智能廚房電器收納櫃，其中更包括一第二電源插座，設置在該電器收納空間內的任一側壁，連接在該主控制器，用於提供置放在該電器收納空間的廚房電器的插頭插設。
如請求項1所述的全自動智能廚房電器收納櫃，更包括一照明裝置，設置在該電器收納空間的頂面或任一側面。
如請求項6所述的全自動智能廚房電器收納櫃，其中該照明裝置為一LED燈具。
一種模組化的即時視訊互動應用系統，包括：<br/> 一模組倉儲與配置中心，用於儲存多個模組定義檔與多個模組資源檔；以及<br/> 一可攜式電子裝置，通訊連接該模組倉儲與配置中心，並用於運行一客製化程式、一動態模組載入器及一互動流程引擎，其中該客製化程式用於載入一即時互動視訊模組，取得一模組流程調度及一互動功能請求並發送至該模組倉儲與配置中心；該動態模組載入器通訊連接該客製化程式，並用於依據該互動功能請求從該模組倉儲與配置中心取得該些模組定義檔中的至少一候選模組定義檔及該些模組資源檔中的至少一候選模組資源檔；以及該互動流程引擎通訊連接該客製化程式，並用於依據該模組流程調度載入一預設流程腳本或配置一自定義流程腳本；其中客製化程式更用於整合該即時互動視訊模組、該預設流程腳本或該自定義流程腳本中的一者、該至少一候選模組定義檔以及該至少一候選模組資源檔以作為一視訊軟體運行。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，該可攜式電子裝置更用於運行一互動模組，且該客製化程式更用於載入一事件橋接層，該事件橋接層用於將該視訊軟體運行中產生的即時資料發送至該互動模組，並接收該互動模組產生的邏輯同步資訊。
如請求項2所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該事件橋接層透過事件中心實現該視訊軟體與該互動模組之間的即時資料傳遞與邏輯同步。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該即時互動視訊模組採用網頁即時通訊（Web Real-Time Communication，WebRTC）或即時訊息傳輸協定（Real-Time Messaging Protocol，RTMP）。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該些模組定義檔採用JSON格式或YAML格式。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該可攜式電子裝置與該模組倉儲與配置中心透過網頁通訊協定（WebSocket）或訊息佇列遙測傳輸協定（Message Queuing Telemetry Transport，MQTT）彼此通訊連接。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該客製化程式更用於載入一核心模組，在該視訊軟體運行時，該核心模組用於提供介面引導與登入功能。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該互動功能請求包括：視訊會議、教學互動、客服問答以及視覺介面配置。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該互動流程引擎更用於在該視訊軟體結束後，儲存一互動流程腳本。
如請求項1所述的模組化的即時視訊互動應用系統，其中該模組倉儲與配置中心更用於管理該些模組定義檔與該些模組資源檔的版本資訊與相依關係。
一種即時外匯議價系統，包含：<br/> 一介面主機，具有一使用者介面程式以及與外部網路通訊連接的一輸出/輸入埠，該介面主機用於接收關聯於一使用者的交易資訊及感測數據；一運算主機，電性連接該介面主機，並透過該介面主機的輸出/輸入埠通訊連接一市場數據庫；以及一儲存裝置，電性連接於該運算主機，且該儲存裝置儲存有一金融反洗錢模組數據庫及一歷史數據庫，其中該運算主機透過該介面主機接收到交易資訊及感測數據之後，根據該感測數據以及由該金融反洗錢模組數據庫及該歷史數據庫所取得的資料，由該運算主機執行一多模態時序融合風險評估以產生一風險分數，且該運算主機根據該市場數據庫的資料及該風險分數執行一波動式匯率調節以產生一議價區間，並在該運算主機判斷該交易資訊的一期望價格落於該議價區間之中時，由該運算主機生成一遠端驗證報告並透過該介面主機輸出予該使用者。
如請求項1所述的即時外匯議價系統，其中該多模態時序融合風險評估包含：由該運算主機透過一時間對齊技術，將該金融反洗錢模組數據庫所輸出的金融反洗錢模組數據、該歷史數據庫中關於該使用者的歷史數據以及該感測數據進行同步處理，並藉由一多模態時序融合模型進行特徵整合，生成該風險分數。
如請求項2所述的即時外匯議價系統，其中該金融反洗錢模組數據包含制裁名單比對、客戶風險分級及交易金額的至少一者。
如請求項2所述的即時外匯議價系統，其中該歷史數據包含歷史位置、歷史心率及歷史敲鍵頻率的至少一者。
如請求項2所述的即時外匯議價系統，其中該感測數據包含歷全球定位系統位置、加速度數值、心率變化、聲紋相似度及敲鍵頻率至少一者。
如請求項1所述的即時外匯議價系統，其中該波動式匯率調節包含：由該運算主機根據該風險分數以及取自該市場數據庫的一基準匯率、一市場波動度、一市場流動性深度及一歷史成交滑點，以一議價區間方程式計算獲得該議價區間。
一種浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，包含：<br/> 一板體，該板體呈矩形，其具有一聚氨酯骨架層及一浮石填充層，該聚氨酯骨架層具有複數微孔，且該聚氨酯骨架層的平均發泡密度為0.7 g/cm³，該浮石填充層由大小及密度接近的複數浮石所組成，該複數浮石均勻填充於該聚氨酯骨架層之中。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該複數浮石係使用廢棄浮石。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該複數浮石的粒徑為2至3公分。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該複數浮石與該聚氨酯骨架層混合的均勻程度誤差範圍在±15%以內。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該板體的硬度為邵氏硬度90±5度。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該板體經海水浸漬測試，硬度變化不超過±10%，且體積變化介於-5%至+10%之間。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該板體耐衝擊強度≥85（J/m）。
如請求項1所述之浮石結合聚氨酯之微孔彈性板，其中，該板體耐磨耗性≥0.65（c.c）。
一種可攜式樂器盒，該可攜式樂器盒具有：箱體及支撐架，該箱體藉由連接元件結合可摺疊收闔之支撐架，該箱體具有保護墊及功能元件，該功能元件可選擇性採用魔鬼氈、卡榫、螺絲鎖合或黏著劑固定於保護墊。
如請求項1之可攜式樂器盒，該保護墊係為一單層或多層彈性材料製成，該彈性材料可選用發泡材料、塑膠、橡膠、紙張或紡織品，其中多層彈性材料可進一步採用真空層或瓦楞紙層。
如請求項1之可攜式樂器盒，該功能元件具有訊號傳輸單元及電源，可藉由手機控制功能元件之開啟或關閉，該訊號傳輸單元可選用藍芽、WIFI、藍芽、nRF52系列、SimpleLink Bluetooth模組、EZ-BLE模組、ESP32模組、Blue Gecko模組、RN模組或USB。
如請求項1之可攜式樂器盒，該功能元件包括溫溼度感測裝置及溫溼度控制裝置，該溫溼度控制裝置具有冷卻裝置、乾燥裝置或加熱裝置，該功能元件藉由端子線與電源連接。
如請求項4之可攜式樂器盒，該功能元件可藉由啟動電源而開啟，當該溫濕度感測器偵測之溫度或濕度高於預設值，可啟動冷卻裝置或乾燥裝置，當該溫濕度感測器偵測之溫度低於預設值，可啟動加熱裝置。
一種可攜式樂器盒，該可攜式樂器盒具有：箱體及支撐架，該箱體藉由連接元件結合可摺疊收闔之支撐架，該箱體具有保護墊、多媒體播放裝置及功能元件，該多媒體播放裝置及功能元件可選擇性採用魔鬼氈、卡榫、螺絲鎖合或黏著劑固定於保護墊之適當位置。
如請求項1之可攜式樂器盒，該保護墊係為一單層或多層彈性材料製成，該彈性材料可選用發泡材料、塑膠、橡膠、紙張或紡織品，其中多層彈性材料可進一步採用真空層或瓦楞紙層。
如請求項1之可攜式樂器盒，該多媒體播放裝置包括揚聲器及電源，該揚聲器安裝於箱體內部，箱體內部使用適當之音箱材料製成，以利樂器盒之箱體做為擴音元件之音箱。
如請求項1之可攜式樂器盒，該箱體材料可選用中密度纖維板(MDF)、膠合板或實木；該膠合板可選用樺木合板，該實木可選用花梨木或櫻桃木；可進一步於箱體內部適當部位安裝內部吸音或隔音材料，其可選用吸音棉或吸音板，該吸音棉可選用PU泡棉、PE泡棉、玻璃纖維棉等，該吸音板可選用聚酯纖維或木絲等。
如請求項3之可攜式樂器盒，該多媒體播放裝置具有訊號傳輸單元及電源，該訊號傳輸單元可選用藍芽、WIFI、藍芽、nRF52系列、SimpleLink Bluetooth模組、EZ-BLE模組、ESP32模組、Blue Gecko模組、RN模組或USB。
如請求項1之可攜式樂器盒，該功能元件包括殺菌裝置，該殺菌裝置可選用紫外光產生器或臭氧產生器，該功能元件藉由端子線與電源連接，該殺菌裝置可藉由啟動電源而開啟，該殺菌裝置可藉由手機人為啟動紫外光產生器或臭氧產生器。
一種可供寵物啃咬之餵食器，包含本體及功能部，藉由連結裝置連接本體及功能部；該本體包含掌部及指部，該指部具有擠壓單元、貯存單元及單一或複數個流通孔，該貯存單元可填充定量營養劑、藥劑或食物泥漿，該貯存單元的內容物經由擠壓指部而打開流通孔，使內容物流至流通孔而進行餵食，該指部可和掌部一體成形而固定於掌部，亦可選擇製作一或複數個指部為可拆卸式指部，藉由連結裝置連接於掌部。
如申請專利範圍第1項之可供寵物啃咬之餵食器，該連結裝置可選用螺紋、卡榫、內外徑差或套環。
如申請專利範圍第1項之可供寵物啃咬之餵食器，該本體可設置多種紋路，使牙齒咬合或摩擦時，提升長牙的牙床產生止癢之效用。
如申請專利範圍第1項之可供寵物啃咬之餵食器，該流通孔可製作於本體，可選擇製作單一或複數個孔洞，孔洞可以為圓形、橢圓形、十字形、不規則形。
如申請專利範圍第1項之可供寵物啃咬之餵食器，該流通孔的流出端上緣進一步設置防止逆流的單向閥。
如申請專利範圍第1項之可供寵物啃咬之餵食器，該本體可進一步設置功能部，該功能部包含開關元件、線路裝置、收放音裝置及功能元件，該功能元件可選用快閃記憶體、藍芽、音樂、燈光、計時器或語言學習等裝置，可以經由藍芽連接手機，讓手機的音樂或語音功能藉由收放音裝置而傳送出來。
一種清潔設備，包括：<br/> 殼體，包括容納腔和與容納腔連通的語音孔；<br/> 控制板，設置於所述容納腔內，所述控制板設置有語音模組，所述語音模組與所述語音孔對應設置；以及<br/> 防護件，設置於所述殼體與所述控制板之間，並環設於所述語音孔。
根據請求項1所述的清潔設備，其中，所述殼體包括凸設於所述容納腔的凸台，所述語音孔設置於所述凸台，所述防護件的至少部分設置於所述凸台與所述控制板之間，並分別與所述控制板及所述凸台接觸。
根據請求項2所述的清潔設備，其中，所述防護件包括防護部和握持部，所述防護部設置於所述凸台與所述控制板之間，並分別與所述控制板及所述凸台接觸，所述握持部設置於所述凸台外。
根據請求項3所述的清潔設備，其中，所述防護部包括連通口，所述連通口與所述語音孔連通。
根據請求項3所述的清潔設備，其中，所述握持部包括止擋面，所述止擋面與所述凸台的外壁抵接。
根據請求項3所述的清潔設備，其中，沿所述殼體的厚度方向，所述防護部在所述殼體的投影與所述凸台在所述殼體的投影重疊。
根據請求項2所述的清潔設備，其中，所述凸台靠近所述控制板的一側設置有限位槽，所述防護件的至少部分設置於所述限位槽。
根據請求項1至7中任一項所述的清潔設備，其中，所述殼體包括第一殼體和第二殼體，所述第一殼體和所述第二殼體連接形成所述容納腔，所述語音孔設置於所述第一殼體，所述控制板與所述第一殼體固定連接。
根據請求項8所述的清潔設備，其中，所述殼體還包括裝飾板，所述裝飾板設置於所述容納腔外，並與所述第一殼體連接；<br/> 所述裝飾板包括與所述語音孔連通的連接孔，所述第一殼體的外表面設置有密封件，所述密封件環設於所述語音孔，所述裝飾板與所述密封件接觸。
根據請求項1至7中任一項所述的清潔設備，其中，所述清潔設備還包括彈性件，所述殼體包括觸控部，所述控制板設置有觸控模組，所述彈性件設置於所述觸控部與所述觸控模組之間。
根據請求項10所述的清潔設備，其中，所述彈性件包括彈性部和與所述彈性部連接的連接部，所述彈性部設置於所述觸控部與所述觸控模組之間；<br/> 所述控制板包括卡槽，所述連接部設置於所述卡槽。
一種清潔系統，包括清潔基站及如請求項1至11中任一項所述的清潔設備，所述清潔設備可分離地連接於所述清潔基站。
一種可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，可設於軟水壺的壺蓋吸口上，其結構包括：一超濾濾芯係第1道濾芯及一活性碳纖維濾芯係第2道濾芯，該超濾濾芯底部結合一活性碳纖維濾芯，該超濾濾芯前端設有第一組裝段後端設有第一組接段，第一組裝段及第一組接段外徑處設有O型環凹槽，並設有O型環，超濾濾芯中心處形成一透孔，透孔前端設有流體出口，流體出口後端透孔內設有中空絲膜，該活性碳纖維濾芯前端設有第二組裝段後端設有第二組接段，該第二組裝段中心處設有與第一組接段外徑相同的第一組接槽，第一組接槽中心處形成一透孔，透孔內設有活性碳纖維，活性碳纖維濾芯後端外徑處設有O型環凹槽及O型環，活性碳纖維濾芯底部設有流體入口，流體入口上設有複數篩孔，該第一組接槽內恰可容置第一組接段，組成一可利用自體結構多段組合拆解並進行自體反向逆洗的快拆式濾芯。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該超濾濾芯的第一組裝段套設於軟水壺的壺蓋吸口上，可進行第1道濾芯過濾軟水壺內原水。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該超濾濾芯的第一組接段套設在活性碳纖維濾芯的第一組接槽內，並將超濾濾芯的第一組裝段套設於軟水壺的壺蓋吸口上，可進行第1道濾芯加第2道濾芯過濾軟水壺內原水。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該超濾濾芯的第一組接段套設於軟水壺的壺蓋吸口上，可利用軟水壺內清水進行超濾濾芯自體反向逆洗清洗濾芯，係第1道濾芯的逆洗。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該超濾濾芯的第一組接段套設在活性碳纖維濾芯的第一組接槽內，並將第二組接段套設於軟水壺的壺蓋吸口上，可利用軟水壺內清水進行超濾濾芯及活性碳纖維濾芯自體反向逆洗清洗濾芯，係第1道濾芯加第2道濾芯同時逆洗。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該活性碳纖維濾芯後端第二組接段上可延伸套接第3道濾芯，可進行第1道濾芯加第2道濾芯加第3道濾芯用於過濾特定水源水質，該第3道濾芯可依使用者所需，視當地水源水質狀態進行調整組裝，可變換或擴充可過濾特定物質之濾心材質。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該第一組接段容置於第一組接槽，該第二組接段可容置接設第3道濾芯的組接槽，進行延伸複數道濾芯以上組接。
如請求項1所述之可多段組合拆解進行自體反向逆洗的快拆式濾芯，其中，該活性碳纖維濾芯前端第二組裝段的第一組接槽中可設置熔噴布或等效之濾材，加強過濾功能及延長超濾濾芯的使用壽命。
一種植栽棚架固定結構，主要包括：複數枝棚架與複數個棚架固定件；其中：<br/>該棚架固定件的一側處設有一呈C字形的環形卡扣本體，該環形卡扣本體的內徑略小於該棚架的外徑，讓該環形卡扣本體緊迫夾住於該棚架的任意位置，該棚架固定件對應於該環形卡扣本體另一側的中間位置處設有一結合座，其中一該棚架固定件的該結合座上設有一呈圓型的結合部，該結合部上同軸設有一呈圓型的擴大部，另一該棚架固定件的該結合座上設有一結合凹槽，讓該擴大部結合於該結合凹槽中，該結合凹槽開口的兩側處向內設有二凸軌，二該凸軌之間的空間可供該結合部滑穿，該結合凹槽的底部設有一止擋部，作為阻擋該結合部之用，該結合凹槽對應於該擴大部處設有一槽口，該槽口的頂部設有一彈性卡塊，作為定位並防止該擴大部脫出之用，該棚架固定件係以該結合部為中心自由轉動角度，僅需壓按該彈性卡塊，即可解除該彈性卡塊與該擴大部的定位關係者。
如請求項1所述之植栽棚架固定結構，其中：該棚架固定件係由塑膠材料射出一體成型者。
如請求項1所述之植栽棚架固定結構，其中：該環形卡扣本體開口的兩側處分別向外設有二扳開部，作為扳開該環形卡扣本體之用者。
一種植栽牽繩固定結構，主要包括：複數枝棚架、複數條牽繩與複數個牽繩固定件；其中：<br/>該牽繩固定件的一側處設有一呈C字形的環形卡扣本體，該環形卡扣本體的內徑略小於該棚架的外徑，讓該環形卡扣本體緊迫夾住於該棚架的任意位置，該牽繩固定件對應於該環形卡扣本體另一側的中間位置處設有一槽口，該槽口的底部設有一呈弧形的穿設部，該穿設部的上方處設有一頸縮部，該頸縮部的上方處向外設有一開口部，僅需將該牽繩從該開口部通過該頸縮部，並於該穿設部纏繞數圈後再依序穿設綁固於相鄰該牽繩固定件的該穿設部者。
如請求項4所述之植栽牽繩固定結構，其中：該牽繩固定件係由塑膠材料射出一體成型者。
如請求項4所述之植栽牽繩固定結構，其中：該環形卡扣本體開口的兩側處分別向外設有二扳開部，作為扳開該環形卡扣本體之用者。
一種塑身褲結構，其係由一對應人體前腹部之前束腹片及一對應人體臀部之後束臀片相對疊合縫製所構成，使該塑身褲形成有供束緊穿載者腰部之一腰口部與供穿載者雙腿穿出之二腿口部，再者該二腿口部間形成有一褲檔部；其特徵在於：<br/>該後束臀片對應人體兩側臀部位置形成有一透孔區，且該後束臀片於該透孔區上設置有一可變容積片，且面積大於該透孔區，用以增加人體臀部的容量。
如請求項1所述之塑身褲結構，其中該可變容積片於其表面經由緊密縫製形成複數縱向之彈性導向縫線，以產生額外的提托與集中效果。
如請求項1所述之塑身褲結構，其中該可變容積片之彈性係數略小於該後束臀片。
如請求項1所述之塑身褲結構，其中該可變容積片可以選自低克重彈性布層，使其具有更佳的容積量及透氣性。
如請求項1所述之塑身褲結構，其中該褲檔部之內側設置有一限位覆片，且於該限位覆片與該褲檔部之間則界定出一穿置區，該穿置區係用以限位衛生棉之翼片，使衛生棉能被可靠固定，避免於穿著過程中產生移位。
如請求項1至5中任一項所述之塑身褲結構，其中該可變容積片可透過熱壓黏固工法結合於該後束臀片上。
如請求項1至5中任一項所述之塑身褲結構，其中該可變容積片可透過車縫固定工法結合於該後束臀片上。
一種塑身褲結構，該塑身褲結構亦可延伸設計為一連身式衣褲結構，其包含一對應人體上身之胸衣部以及一對應人體下身之衣褲部，兩者相連以形成一體化之連身衣褲，其特徵在於：<br/>該衣褲部於對應人體兩側臀部位置形成有一透孔區，並於該透孔區上配置有一可變容積片，藉此提供臀部容量調整與塑形效果。
如請求項8所述之塑身褲結構，其中該可變容積片於其表面經由緊密縫製形成複數縱向之彈性導向縫線，以產生額外的提托與集中效果。
如請求項8所述之塑身褲結構，其中該可變容積片之彈性係數略小於該衣褲部。
如請求項8所述之塑身褲結構，其中該可變容積片可以選自低克重彈性布層，使其具有更佳的容積量及透氣性。
如請求項8所述之塑身褲結構，其中該衣褲部具有一褲檔部，而該褲檔部之內側設置有一限位覆片，且於該限位覆片與該褲檔部之間則界定出一穿置區，該穿置區係用以限位衛生棉之翼片，使衛生棉能被可靠固定，避免於穿著過程中產生移位。
如請求項8至12中任一項所述之塑身褲結構，其中該可變容積片可透過熱壓黏固工法結合於該衣褲部上。
如請求項8至12中任一項所述之塑身褲結構，其中該可變容積片可透過車縫固定工法結合於該衣褲部上。
一種閣樓式鋼平台之沖孔樓板，其係包含有：<br/>一樓板本體，該樓板本體具有一主板與二結合側板，二該結合側板係立設於該主板之兩側，各該結合側板上貫設有複數穿孔，該等穿孔係呈等距間隔設置，此外，各該結合側板異於該主板之一端係朝內延伸有一補強片，該主板於對應各該補強片之位置係設有複數呈縱向排列之貫孔。
如請求項1所述之閣樓式鋼平台之沖孔樓板，其中，該樓板本體之材質係為鋼鐵。
如請求項1所述之閣樓式鋼平台之沖孔樓板，其中，該等穿孔係為橢圓形狀。
一種閣樓式鋼平台之主次樑結構，其係包含有：<br/>一樑架本體，該樑架本體包括一主板與二結合側板，該主板具有一第一結合段與二第二結合段，該第一結合段係位於該主板之中央位置，二該第二結合段係位於該第一結合段之兩側，各該第二結合段係設置呈縱向排列之複數第二結合孔，且該第一結合段與各該第二結合段之間分別形成縱向延伸且朝內凹陷之一溝槽，該第一結合段於鄰近各該溝槽係分別設置呈縱向排列之複數第一結合孔，二該結合側板係立設於該主板之兩側，各該結合側板上貫設有複數穿孔，該等穿孔呈等距間隔設置，此外，各該結合側板異於該主板之一端係朝內延伸有一補強片。
如請求項1所述之閣樓式鋼平台之主次樑結構，其中，該樑架本體之材質係為鋼鐵。
如請求項1所述之閣樓式鋼平台之主次樑結構，其中，該等穿孔係為橢圓形狀。
一種位移檢測組件，包括：<br/> 至少一個發光組件（100），所述發光組件（100）用於向目標面（300）投射檢測光；<br/> 檢測器（200），所述目標面對所述檢測光的鏡面反射光的傳播區域，與所述檢測器（200）所在區域無重疊，所述檢測器（200）用於接收所述目標面（300）對所述檢測光的漫反射光，並生成圖像訊息。
如請求項1所述的位移檢測組件，其中，<br/> 所述發光組件（100）向所述目標面（300）投射的所述檢測光在所述目標面（300）的投影，與所述檢測器（200）在所述目標面（300）上的投影具有重合區域。
如請求項1所述的位移檢測組件，其中，<br/> 所述發光組件（100）包括單一發光件；<br/> 或者，所述發光組件（100）包括發光件（110）和透鏡（120），所述透鏡（120）位於所述發光件（110）光射出的一側，所述發光件（110）用於向所述透鏡（120）投射初始光，所述初始光經過所述透鏡（120）折射而形成所述檢測光而投射至所述目標面（300）。
如請求項1所述的位移檢測組件，其中，<br/> 所述發光組件（100）包括發光件（110），所述發光件（110）包括點光源、面光源、線光源其中至少一種。
如請求項1所述的位移檢測組件，其中，<br/> 所述發光組件（100）為單一一個，或者，所述發光組件（100）的數量為多個，多個所述發光組件（100）位於所述檢測器（200）的不同側。
如請求項1所述的位移檢測組件，其中，所述位移檢測組件還包括：<br/> 外殼（400），所述發光組件（100）和所述檢測器（200）均與所述外殼（400）連接；<br/> 高度調節件（500），所述高度調節件（500）與所述外殼（400）連接，所述高度調節件（500）用於調節所述外殼（400）與所述目標面（300）的距離，以使所述發光組件（100）與所述目標面（300）的距離保持一致。
如請求項6所述的位移檢測組件，其中，<br/> 所述高度調節件（500）包括彈性件，所述彈性件用於向所述外殼（400）施加向著所述目標面（300）移動的彈力。
如請求項1所述的位移檢測組件，其中，所述位移檢測組件還包括：<br/> 吸光件（600），所述吸光件（600）設置於經所述目標面（300）的鏡面反射光的投影區域內，所述吸光件（600）用於吸收所述檢測光經所述目標面（300）的鏡面反射光。
如請求項8所述的位移檢測組件，其中，<br/> 所述吸光件（600）包括吸光貼面和/或鏤空和/或內陷空間。
一種清潔機器人，包括至少一個如請求項1至9中任一項所述的位移檢測組件（10），以及機器人主體（20），<br/> 所述位移檢測組件（10）與所述機器人主體（20）連接。
一種多媒體誦經模組，適用於與一使用者的一使用者終端裝置通訊連接，該多媒體誦經模組包含：<br/> 一伺服單元，包括一處理模組、一訊號連接該處理模組的儲存模組，及一訊號連接該處理模組的資料庫模組，該儲存模組儲存有數個相關於該使用者的帳戶資料，該資料庫模組儲存有數個經文影音畫面；及<br/> 一介面單元，能由該使用者於該使用者終端裝置操作，並經由一通訊網路訊號連接該伺服單元，該介面單元包括一用於顯示一登入選項的登入介面、一用於顯示數個播放選項的操作介面，及一用於顯示對應的該經文影音畫面的播放介面，當該使用者於該登入選項輸入一登入資料時，該處理模組判斷該登入資料是否對應於該帳戶資料，並在驗證成功後，使該介面單元顯示該操作介面，當該使用者於該操作介面點選其中一該播放選項時，該處理模組根據該播放選項控制該介面單元，使該播放介面顯示對應的該經文影音畫面。
如請求項1所述的多媒體誦經模組，其中，該伺服單元還包括一訊號連接該處理模組的輸入模組，該輸入模組供一管理端操作以輸入一文字資料，該處理模組根據一字幕預設格式轉換該文字資料為一可滾動之字幕字串，並於該經文影音畫面的播放期間，控制該介面單元將該字幕字串以跑馬燈的形式顯示於該經文影音畫面上。
如請求項2所述的多媒體誦經模組，其中，該文字資料包括日期、廟宇名稱、或活動名稱的任一者或其組合。
如請求項1所述的多媒體誦經模組，其中，該介面單元的該播放介面還用於顯示一留言選項，當該使用者點選該留言選項時，該播放介面顯示一編輯畫面，該編輯畫面用於顯示一文字視窗，以供該使用者輸入一留言內容。
如請求項4所述的多媒體誦經模組，其中，該處理模組根據一留言預設格式轉換該留言內容為一可滾動之留言字串，並於該經文影音畫面的播放期間，控制該介面單元將該留言字串以跑馬燈的形式顯示於該經文影音畫面上。
如請求項4所述的多媒體誦經模組，其中，該伺服單元的該處理模組用於接收一管理端的一操作指令，並根據該操作指令下載全部的該留言內容或刪除其中一該留言內容。
如請求項1所述的多媒體誦經模組，其中，該經文影音畫面包括一第一神尊影像，該資料庫模組還儲存有數個影像資料，該介面單元的該播放介面還用於顯示一樣式選項，當該使用者點選該樣式選項時，該處理模組根據一影像識別結果，從該資料庫模組中擷取對應於該第一神尊影像的該影像資料，並生成更新後的該經文影音畫面。
如請求項1所述的多媒體誦經模組，其中，該等經文影音畫面為預錄之誦經影片。
如請求項1所述的多媒體誦經模組，其中，該資料庫模組還儲存有數個符文影像畫面，該播放介面還用於顯示對應的該符文影像畫面，該伺服單元還包括一訊號連接該處理模組的輸入模組，該輸入模組供一管理端操作以輸入一名單資料，該處理模組根據一名單預設格式轉換該名單資料為一可滾動之名單字串，並於該符文影像畫面的播放期間，控制該介面單元將該名單字串以跑馬燈的形式顯示於該符文影像畫面上。
如請求項1所述的多媒體誦經模組，其中，該伺服單元的該處理模組用於接收或設定一排程資料，該排程資料具有一時間參數，該處理模組經由該通訊網路於該時間參數對應之時間傳送一推播通知至該使用者終端裝置，當該使用者點選該推播通知時，該介面單元顯示對應的該經文影音畫面。
一種異常紀錄處理系統，適用於與一目標伺服系統配合應用；該異常紀錄處理系統包含：<br/> 一處理單元；及<br/> 一儲存單元，與該處理單元電連接；<br/> 其中，該處理單元用於：<br/> 獲得一由該目標伺服系統所提供的異常紀錄資料；<br/> 根據該異常紀錄資料所包含的一異常程度標記，確認該異常紀錄資料所指示出的一異常等級，並根據該異常等級執行一對應於該異常紀錄資料的警示通知程序；及<br/> 根據該異常紀錄資料所包含的一異常訊息，產生一對應於該異常紀錄資料的異常分析資料，並將該異常分析資料儲存於該儲存單元，其中，該異常分析資料包含一對應於該異常紀錄資料的異常類型歸類結果。
如請求項1所述的異常紀錄處理系統，還適用於與一資料庫系統配合應用；其中，該處理單元適用於與該資料庫系統電連接，並且，該處理單元獲得該異常紀錄資料的方式包含：根據一預設異常關鍵字對該資料庫系統所儲存的多個紀錄資料片段進行搜尋，且於搜尋到該等紀錄資料片段中包含有該預設異常關鍵字的其中一個目標紀錄資料片段時，根據該目標紀錄資料片段所包含的一紀錄識別碼，從該目標紀錄資料片段以外的其他該等紀錄資料片段中，搜尋出包含有該紀錄識別碼的其中N個關聯紀錄資料片段，並將該N個關聯紀錄資料片段及該目標紀錄資料片段組合為該異常紀錄資料，其中，N為大於等於1的整數。
如請求項1所述的異常紀錄處理系統，還適用於與多個使用端裝置配合應用；其中：<br/> 該儲存單元儲存有一通知規則資料，該通知規則資料包含多個分別指示出多個異常等級的異常程度代碼、多筆分別對應於該等異常程度代碼且各自指示出該等使用端裝置之其中一或多者的通知對象資料，以及多個分別指示出多個不同之提示頻率的頻率參數；及<br/> 該處理單元適用於與該等使用端裝置電連接，並且，該處理單元執行該警示通知程序的方式包含：根據該異常紀錄資料的該異常程度標記，將該等異常程度代碼中與該異常程度標記匹配的該異常程度代碼作為一目標異常程度代碼，將該目標異常程度代碼所對應的該通知對象資料及該頻率參數分別作為一目標通知對象資料及一目標頻率參數，並以該目標頻率參數所指示出的該提示頻率傳送一對應於該異常紀錄資料的異常提醒通知至該目標通知對象資料所指示出的每一使用端裝置。
如請求項1所述的異常紀錄處理系統，其中：<br/> 該儲存單元儲存有一包含多個異常識別碼的異常識別資料；及<br/> 該處理單元產生該異常類型歸類結果的方式包含：<br/> 在判斷出該異常訊息所包含的一異常狀態碼與該等異常識別碼中用於表示一連線失敗類別的一連線失敗識別碼相符時，判斷該異常訊息所包含的一IP位址是否符合一預設位址條件；及<br/> 於判定該IP位址符合該預設位址條件時，將該異常紀錄資料歸類為該連線失敗類別中的一容器連線異常子類別，且產生指示出該連線失敗類別及該容器連線異常子類別的該異常類型歸類結果。
如請求項4所述的異常紀錄處理系統，還適用於與一可通訊裝置配合應用；其中，該處理單元產生該異常分析資料的方式還包含：<br/> 於判定該IP位址不符合該預設位址條件時，傳送一連線測試指令至該可通訊裝置，並判斷是否接收到一來自該可通訊裝置且對應該連線測試指令的連線成功通知；<br/> 於判定未接收到該連線成功通知時，將該異常紀錄資料歸類為一網路異常類別，且產生指示出該網路異常類別的該異常類型歸類結果；及<br/> 於判定有接收到該連線成功通知時，將該異常紀錄資料歸類為該連線失敗類別中的一主機連線異常子類別，且產生指示出該連線失敗類別及該主機連線異常子類別的該異常類型歸類結果。
如請求項4所述的異常紀錄處理系統，其中，該預設位址條件包含該IP位址符合一第一位址子條件及一第二位址子條件的其中一者，其中，該第一位址子條件代表該IP位址與一預設特定位址相符，該第二位址子條件代表該IP位址所包括的一位址部分與一預設特定字串相符。
如請求項1所述的異常紀錄處理系統，其中：<br/> 該儲存單元儲存有一包含多個異常識別碼的異常識別資料；及<br/> 該處理單元產生該異常類型歸類結果的方式包含：在判斷出該異常訊息所包含的一異常狀態碼與該等異常識別碼中用於表示一連接端口異常類別的一端口異常識別碼相符時，根據該異常訊息所指示出的一傳入資料類型，將該異常紀錄資料歸類為該連接端口異常類別中之多個閘道器異常子類別中的其中一個目標閘道器異常子類別，且產生指示出該連接端口異常類別及該目標閘道器異常子類別的該異常類型歸類結果。
如請求項7所述的異常紀錄處理系統，其中，當該異常訊息所指示出的該傳入資料類型為一JSON資料類型時，該處理單元是將該等閘道器異常子類別中的一應用程式介面閘道器異常子類別作為該目標閘道器異常子類別，當該異常訊息所指示出的該傳入資料類型為一XML資料類型時，該處理單元是將該等閘道器異常子類別中的一訊息佇列閘道器異常子類別作為該目標閘道器異常子類別。
如請求項1所述的異常紀錄處理系統，其中：<br/> 該儲存單元儲存有一包含多個異常識別碼的異常識別資料；及<br/> 該處理單元產生該異常類型歸類結果的方式包含：<br/> 在判斷出該異常訊息所包含的一異常狀態碼與該等異常識別碼中用於表示一系統錯誤類別的一系統錯誤識別碼相符時，判斷該異常訊息中是否包含一與資料格式相關的格式異常關鍵字；<br/> 在判斷出該異常訊息中包含該格式異常關鍵字時，從該異常訊息中擷取出一被傳送至該目標伺服系統的請求訊息，並根據該請求訊息所呈現出的資料格式類型對該請求訊息執行一格式檢查程序；及<br/> 在該格式檢查程序的執行結果為格式錯誤時，將該異常紀錄資料歸類為一資料格式錯誤類別，且產生指示出該資料格式錯誤類別的該異常類型歸類結果。
一種用於將扁平連接對象物連接於複數個同軸電纜的易鎖轉接連接器，該扁平連接對象物包括複數個電極部及一對凹口或凸耳，該複數個電極部形成於該扁平連接對象物的插入端，該對凹口或凸耳係分別形成於該扁平連接對象物的相對的兩個側邊緣且鄰近該插入端，該易鎖轉接連接器包括：<br/> 絕緣殼體，包含供該扁平連接對象物沿第一方向插入的嵌合開口以及與該嵌合開口相對的安裝槽；<br/> 導電外殼，固定於該絕緣殼體，該導電外殼包含外殼基部及可相對於該外殼基部移動的可動部，該可動部包含操作部、彈臂及一對鎖定部，該操作部係透過該彈臂與該外殼基部相連，使得該操作部可在鎖定位置與解鎖位置之間移動且恆常地偏置到該鎖定位置，每一個鎖定部包含延伸部及止擋凸片，該延伸部係自該操作部延伸進入該嵌合開口，該止擋凸片係被形成在該延伸部的遠端，使得當該扁平連接對象物被插入至該嵌合開口時，該對鎖定部的止擋凸片會與該對凹口或凸耳卡合，防止該扁平連接對象物自該易鎖轉接連接器脫離；<br/> 接觸件組合體，配置於該安裝槽，該接觸件組合體由第一子組合體及第二子組合體所構成，該第一子組合體包含複數個第一接觸件及第一絕緣體構件，該複數個第一接觸件係沿與該第一方向垂直的第二方向排列且由該第一絕緣體構件保持，該第二子組合體包含複數個第二接觸件及第二絕緣體構件，該複數個第二接觸件係沿該第二方向排列且由該第二絕緣體構件保持，該第一子組合體及該第二子組合體係配置成該複數個第一接觸件及該複數個第二接觸件係在與該第一方向及該第二方向垂直的第三方向隔開；以及<br/> 纜線總成，包含該複數個同軸電纜及接地條，每一個同軸電纜包含中心導體、圍繞該中心導體的介電質、圍繞該介電質的外導體及圍繞該外導體的護套，該接地條共同連接於該複數個同軸電纜的外導體，<br/> 其中， 每一個第一接觸件包含：第一保持部，由該第一絕緣體構件保持；第一接觸臂，自該第一保持部的一端延伸進入該嵌合開口；第一接觸部，形成在該第一接觸臂的端部；及第一連接部，自該第一絕緣體構件露出；<br/> 該複數個第一接觸件的第一接觸部將分別與插入該嵌合開口的該扁平連接對象物的電極部電性接觸，該複數個同軸電纜的中心導體分別焊接至該複數個第一接觸件的第一連接部；<br/> 每一個第二接觸件包含：第二保持部，由該第二絕緣體構件保持；第二接觸臂，自該第二保持部的一端延伸進入該嵌合開口；第二接觸部，形成在該第二接觸臂的端部；及第二連接部，至少一部分的第二接觸件的第二連接部自該第二絕緣體構件露出；<br/> 該至少一部分的第二接觸件與該接地條係藉由該導電外殼而電連接。
如請求項1所述的易鎖轉接連接器，其中，該導電外殼進一步形成有複數個第一接地連接部及複數個第二接地連接部，該複數個第一接地連接部係與該至少一部分的第二接觸件的第二連接部電連接，該複數個第二接地連接部係與該接地條電連接。
如請求項2所述的易鎖轉接連接器，其中，每一個第一接地連接部係形成於該導電外殼的外殼基部的前緣且構造成L形狀，以便與該至少一部分的第二接觸件的第二連接部電性接觸。
如請求項2所述的易鎖轉接連接器，其中，每一個第二接地連接部係形成於該導電外殼的外殼基部的後緣且構造成在該第三方向延伸的帶狀形狀，以便與該接地條電性接觸或被焊接至該接地條。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖轉接連接器，其中，該導電外殼係形成有定向成與該第三方向垂直的支撐平台，用於在將該複數個同軸電纜的中心導體分別焊接至該複數個第一接觸件的第一連接部的過程中支撐該纜線總成。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖轉接連接器，其中，該扁平連接對象物進一步包含包覆該扁平連接對象物的一部分的導電層，當該扁平連接對象物插入該嵌合開口時，該複數個第二接觸件的第二接觸部會與該扁平連接對象物的該導電層電性接觸。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖轉接連接器，其中，該絕緣殼體的上主表面與該操作部之間存在間隙，允許該操作部在被按壓時向下移動。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖轉接連接器，其中，該易鎖轉接連接器進一步包含密封構件，藉由密封構件來密封該接地條及每一個同軸電纜的中心導體被焊接至該第一連接部的部分。
如請求項8所述的易鎖轉接連接器，其中，該密封構件係光固化樹脂。
如請求項1至4中任一項所述的易鎖轉接連接器，其中，該第一絕緣體構件及該複數個第一接觸件係藉由嵌入成形而一體成形，且該第二絕緣體構件及該複數個第二接觸件係藉由嵌入成形而一體成形。
一種清潔設備，包括：<br/> 殼體，所述殼體的周側設置有操作空間；以及<br/> 蓋體，可拆卸地連接所述殼體，所述蓋體的周側在所述操作空間的相應位置處具有著力部，所述著力部高於所述操作空間的底部；<br/> 其中，所述操作空間便於接合工具或手指作用於所述著力部，以將所述蓋體從所述殼體分離。
根據請求項1所述的清潔設備，其中，所述操作空間延伸至所述殼體的頂面。
根據請求項1所述的清潔設備，其中，所述著力部至所述操作空間底部的距離為L1，所述著力部至所述殼體周部頂端的距離為L2，其中，L1＞L2。
根據請求項3所述的清潔設備，其中，所述蓋體設置於所述殼體的頂部內沿。
根據請求項1至4中任一項所述的清潔設備，還包括：<br/> 檢測裝置，裝配於主機上，所述檢測裝置包括檢測模組，所述檢測模組朝向所述操作空間。
根據請求項5所述的清潔設備，其中，所述殼體的頂部設置有凹部，所述凹部與所述蓋體相適配，用於接合所述蓋體，所述凹部延伸至所述殼體的周側，所述檢測裝置裝配在所述凹部。
根據請求項6所述的清潔設備，其中，所述凹部延伸至所述操作空間的底部。
根據請求項5所述的清潔設備，其中，所述檢測裝置包括：驅動機構，具有可升降的輸出部，所述檢測模組連接所述驅動機構的輸出部。
根據請求項8所述的清潔設備，其中，所述檢測裝置還包括：<br/> 位置確認件，用於確認所述檢測模組處於第一檢測位置或第二檢測位置。
一種清潔系統，包括相配合使用的基站以及請求項1至9中任一項所述的清潔設備。
一種栽培照明控制系統，適於照明一植物，並包含：<br/> 一照明單元；及<br/> 一控制單元，電連接於該照明單元；<br/> 該控制單元每日控制該照明單元以一照明程序照射該植物，該照明程序包含模擬白天日照的一日光階段、於該日光階段之後且模擬黑夜的一黑暗階段、於該日光階段之前且模擬日出的一曙光階段，及於該日光階段之後且於該黑暗階段之前且模擬日落的一暮光階段。
如請求項1所述的栽培照明控制系統，其中，該照明單元受控而發出的紅光與藍光的比例介於1：20至20：1之間。
如請求項2所述的栽培照明控制系統，其中，該照明單元受控而發出的紅光與藍光的比例介於1.5：1至5：1之間。
如請求項3所述的栽培照明控制系統，其中，該照明單元受控而發出的紅光與藍光的比例為3：1。
如請求項1所述的栽培照明控制系統，其中，該曙光階段及該暮光階段的時間長度大致相同。
如請求項5所述的栽培照明控制系統，其中，該曙光階段及該暮光階段的時間長度介於10至120分鐘之間。
如請求項6所述的栽培照明控制系統，其中，該曙光階段及該暮光階段的時間長度介於30至90分鐘之間。
如請求項7所述的栽培照明控制系統，其中，該曙光階段及該暮光階段的時間長度為60分鐘。
如請求項1所述的栽培照明控制系統，其中，於該曙光階段及該暮光階段，該控制單元根據一線性函數、一指數函數、一邏輯斯諦函數、一分段線性插值函數或一人工智慧演算法決定該照明單元的光強度的漸變效果。
一種清潔設備的基站，包括：<br/> 清洗槽，用於清洗清潔設備的清潔單元；<br/> 吸污管，包括吸污口與排污口，所述吸污口與所述清洗槽流體連通，污水通過所述吸污口進入所述吸污管並從所述排污口排出所述吸污管；以及<br/> 檢測裝置，設置於污水流經路徑上，用於檢測污水的清潔程度。
如請求項1所述的清潔設備的基站，其中，所述檢測裝置設置於所述吸污管的側部，或串接在所述吸污管上。
如請求項1或2所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述污水流經路徑包括存水部，所述檢測裝置位於所述存水部的位置處。
如請求項1或2所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述吸污管包括彎曲部；沿著重力方向，所述彎曲部包括一個高位管段，其位置不高於排污口；所述高位管段位於所述彎曲部中最高位置；所述檢測裝置位於所述高位管段的下游側且不高於所述高位管段。
如請求項4所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 在污水流經路徑上，所述檢測裝置設置於所述高位管段下游的水平段或者上升段。
如請求項1所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述檢測裝置套設於所述吸污管的外壁。
如請求項1所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述吸污管包括透光部，所述檢測裝置位於所述透光部的一側。
如請求項1所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述檢測裝置包括光線發射模組和檢測模組，所述檢測模組包括濁度感測器和/或總溶解固體感測器。
如請求項1所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述清洗槽位於所述基站本體的底部，所述吸污管及所述檢測裝置位於所述清洗槽與所述基站本體的側壁之間。
如請求項4所述的清潔設備的基站，其中，<br/> 所述基站包括支架，所述支架用於支撐所述彎曲部。
一種清潔系統，包括：<br/> 清潔設備；以及<br/> 如請求項1至10中任一項所述的清潔設備的基站。
一種清潔設備，包括：<br/> 殼體，所述殼體上形成有臂倉，所述臂倉上形成有倉口；<br/> 蓋體組件，所述蓋體組件連接於所述殼體，所述蓋體組件上形成有缺口以對所述倉口進行避讓；<br/> 機械臂，所述機械臂與所述殼體連接，並通過所述倉口伸出所述臂倉或收納至所述臂倉。
如請求項1所述的清潔設備，其中，<br/> 所述蓋體組件包括第一蓋板和第二蓋板，所述第一蓋板可拆卸地連接於所述殼體，所述第二蓋板連接於所述殼體。
如請求項2所述的清潔設備，其中，<br/> 沿所述清潔設備的行進方向，所述第二蓋板佈置在所述殼體上位於行進方向的前端，所述第一蓋板佈置在所述殼體上位於所述行進方向的後端。
如請求項2所述的清潔設備，其中，<br/> 所述第一蓋板和所述第二蓋板中的至少一者上形成有所述缺口，以使所述機械臂能夠從所述臂倉伸出或收納至所述臂倉。
如請求項2所述的清潔設備，其中，<br/> 所述第一蓋板上形成有第一避讓口，所述第二蓋板上形成有第二避讓口，所述第一蓋板與所述第二蓋板拼接，所述第一避讓口與所述第二避讓口拼接形成所述缺口以對所述倉口進行避讓。
如請求項2所述的清潔設備，還包括：<br/> 功能器件，所述功能器件設置在所述殼體內；<br/> 其中，所述第一蓋板至少覆蓋部分所述功能器件。
如請求項6所述的清潔設備，其中，所述功能器件包括：<br/> 集塵盒，所述第一蓋板用於覆蓋在所述集塵盒上。
如請求項2所述的清潔設備，其中，<br/> 所述第一蓋板上設置有磁性件，所述第一蓋板磁吸連接於所述殼體；<br/> 所述第二蓋板上形成有卡扣，所述第二蓋板卡接於所述殼體。
如請求項2至8中任一項所述的清潔設備，其中，<br/> 所述倉口的長度方向垂直於所述清潔設備的行進方向。
如請求項9所述的清潔設備，還包括：<br/> 臂倉框架，所述臂倉框架圍繞所述倉口的周側佈置，所述蓋體組件的第一蓋板和第二蓋板圍繞在所述臂倉框架的周側。
如請求項10所述的清潔設備，還包括：<br/> 功能調節模組，所述功能調節模組設置在所述蓋體組件上，用於控制功能器件的作業方式；<br/> 急停模組，所述急停模組設置在所述臂倉框架上，並至少用於控制所述機械臂執行安全作業模式。
如請求項11所述的清潔設備，其中，<br/> 所述急停模組與所述功能調節模組間隔佈置。
如請求項11所述的清潔設備，其中，<br/> 至少部分所述功能調節模組佈置於所述蓋體組件的第二蓋板上。
如請求項13所述的清潔設備，其中，<br/> 所述第二蓋板上形成有第一安裝孔，所述功能調節模組設置在所述第一安裝孔內；<br/> 所述臂倉框架上設置有第二安裝孔，所述急停模組設置在所述第二安裝孔內。
如請求項14所述的清潔設備，還包括：<br/> 控制裝置，所述控制裝置設置在所述殼體內，連接於所述急停模組和所述功能調節模組。
如請求項1所述的清潔設備，還包括：<br/> 避障模組，所述蓋體組件上形成有安裝口，所述避障模組設置在所述殼體內，部分所述避障模組處於所述安裝口處。
如請求項16所述的清潔設備，其中，<br/> 所述安裝口形成於所述蓋體組件的第一蓋板上。
如請求項16所述的清潔設備，其中，<br/> 所述安裝口的內壁相對於所述蓋體組件的外觀面形成有斜面，所述斜面的傾角大於或等於17.5°，小於或等於22.5°。
如請求項1至8中任一項所述的清潔設備，其中，還包括：<br/> 倉門，所述倉門連接於所述殼體，用於覆蓋所述倉口。
一種清潔系統，包括：<br/> 如請求項1至19中任一項所述的清潔設備；<br/> 基站，所述基站用於容納所述清潔設備。
一種單向導濕吸濕快乾織帶，其特徵在於，由經紗和緯紗交織而成織帶主體，所述經紗包括第一經紗（11）和第二經紗（12）；所述第一經紗（11）與緯紗（13）的彈性小於第二經紗（12）的彈性；<br/> 所述第一經紗（11）與緯紗（13）按照平紋組織交織，所述第二經紗（12）與緯紗（13）按照M上N下組織交織，其中M與N均為大於等於二的整數；<br/> 所述織帶主體包括由第一經紗（11）和緯紗（13）交織形成的弧形部（1），及由第二經紗（12）形成的彈性紗線層（2），且弧形部（1）與彈性紗線層（2）之間具有一空腔（3）。
如申請專利範圍第1項所述之單向導濕吸濕快乾織帶，其中，所述第二經紗（12）與緯紗（13）按照三上三下、四上四下組織交織。
如申請專利範圍第1項所述之單向導濕吸濕快乾織帶，其中，所述第一經紗（11）為尼龍拉伸變形絲（Draw Textured Yarn，DTY）長絲，所述緯紗為尼龍全拉伸絲（Full Drawn Yarn，FDY）長絲。
如申請專利範圍第3項所述之單向導濕吸濕快乾織帶，其中，所述尼龍全拉伸絲（Full Drawn Yarn，FDY）長絲呈扁平狀。
如申請專利範圍第1項所述之單向導濕吸濕快乾織帶，其中，所述第二經紗（12）為氨綸長絲、T400彈性長絲或T800彈性長絲。
如申請專利範圍第1項所述之單向導濕吸濕快乾織帶，其中，所述第二經紗（12）為尼龍彈性包芯紗，所述尼龍彈性包芯紗包括芯紗和包覆絲，所述芯紗為彈性長絲，所述包覆絲為尼龍長絲。
如申請專利範圍第6項所述之單向導濕吸濕快乾織帶，其中，所述織帶主體的一側具有經起絨所形成的絨毛層。
一種顯示器，包含：<br/> 一顯示面板；<br/> 一影像縮放元件，包含一螢幕顯示處理單元，該螢幕顯示處理單元配置為接收來自一視訊來源的一來源幀影像及來自一控制指令源的一螢幕顯示觸發訊號，以根據該螢幕顯示觸發訊號取得一螢幕顯示配置，並將相應於該螢幕顯示觸發訊號的一螢幕顯示影像疊加於該來源幀影像而形成一輸出幀影像，其中該輸出幀影像包含一鑑別像素；以及<br/> 一影像輸出元件，經由二傳輸通道耦接於該影像縮放元件，配置為分別經由該二傳輸通道接收該螢幕顯示配置及該輸出幀影像，該影像輸出元件還耦接該顯示面板，配置為響應於一備妥判斷邏輯為真而將該輸出幀影像輸出至該顯示面板，其中該影像輸出元件包含一邏輯單元，該邏輯單元配置為執行該備妥判斷邏輯，該備妥判斷邏輯為：檢測到該螢幕顯示配置中的一始能參數為一始能狀態，檢測到該鑑別像素的一座標位置對應於該螢幕顯示配置中的一螢幕顯示座標參數，且檢測到該鑑別像素的像素值對應於一螢幕顯示背景色。
如請求項1所述之顯示器，其中該邏輯單元配置為依據掃描方向將該輸出幀影像中的每一像素作為該鑑別像素，並依序對每一該鑑別像素執行該備妥判斷邏輯。
如請求項1所述之顯示器，其中當該備妥判斷邏輯為真時，該鑑別像素位於該螢幕顯示影像的掃描起點。
如請求項1所述之顯示器，其中該影像輸出元件還配置為響應於該備妥判斷邏輯為真，根據一立體影像格式對該輸出幀影像進行格式轉換，並將經格式轉換的該輸出幀影像輸出至該顯示面板。
如請求項1所述之顯示器，其中該影像縮放元件傳送該螢幕顯示背景色給該影像輸出元件。
如請求項1所述之顯示器，其中該螢幕顯示背景色是預儲存在該螢幕顯示處理單元之設定值。
如請求項1所述之顯示器，其中該邏輯單元配置為根據該螢幕顯示座標參數確定一螢幕顯示區域，並響應於該鑑別像素的該座標位置位於該螢幕顯示區域中而確定該座標位置對應於該螢幕顯示座標參數。
如請求項1所述之顯示器，其中該控制指令源位於該影像縮放元件中。
如請求項1所述之顯示器，其中該控制指令源位於該影像縮放元件外部。
如請求項1所述之顯示器，其中該螢幕顯示配置及該螢幕顯示影像經過位置調整處理，以匹配於符合一立體影像格式的該來源幀影像。
一種人工智慧維運與資安整合系統，適配於提供一租戶的一用戶使用，包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以接收複數個操作；<br/> 一處理器，與該輸入輸出裝置耦接，其中該處理器包括：<br/> 一人工智慧資安整合平台，配置以接收雲端網路環境，並提供自動化維運、智能資源調度及主動式資安防護，且包括：<br/> 一資源註冊模組，配置以接收該租戶的一服務需求內容，其中該服務需求內容包括一服務名稱、一電子郵件、一版本、一資源需求、一網路設定或其組合；<br/> 一資源驗證模組，訊號連接該資源註冊模組，配置以檢查該服務需求內容的一輸入格式；<br/> 一服務部署模組，訊號連接該資源驗證模組，配置以將該服務需求內容轉換為一結構化參數檔；<br/> 一智能資源分析模組，訊號連接該服務部署模組，配置以根據一行業及預算條件來分析該結構化參數檔，以產生一資源分析結果；以及<br/> 一系統工程師模組，訊號連接該智能資源分析模組及該服務部署模組，配置以根據該資源分析結果及該用戶的一角色權限、一預算層級及一即時資源使用率進行資源分配，以產生一資源分配建議；以及<br/> 一中控平台，訊號連接該人工智慧資安整合平台，配置以監控該人工智慧資安整合平台。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該服務部署模組更配置以接收一設定配置檔案，並自動解析成該結構化參數檔並建立新的一部署腳本及一主機清單。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該人工智慧資安整合平台進一步包括：<br/> 一容器編排模組，訊號連接該服務部署模組，配置以與該服務部署模組交換一部署指令及一資源使用率。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該人工智慧資安整合平台進一步包括：<br/> 一雲端整合模組，訊號連接該服務部署模組，配置以整合並統一管理一私有雲環境資源，其中該私有雲環境資源包括一運算資源、一網路資源、一映像資源或其組合。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該人工智慧資安整合平台進一步包括：<br/> 一資源共享模組，訊號連接該系統工程師模組，配置以根據該資源分配建議自動選擇一資源層級及一資料來源，其中該資料來源包括一本地伺服器資源池、一租戶資料池或其組合。
如請求項5所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中當該中控平台的資源不足或任務需求跨地域部署時，該資源共享模組更配置以透過一資源通道協定啟動一遠端資源調用程式。
如請求項6所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中透過該資源通道協定建立一加密通道，使該中控平台的複數個節點與一遠端主機之間得以安全傳輸資料。
如請求項5所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該資源共享模組包括一資源虛擬化層，<br/> 其中透過該資源虛擬化層，該資源共享模組更配置以利用一軟體層虛擬化技術將單一實體資源分割為複數個虛擬實例，且各該虛擬實例可獨立分派不同的該用戶或一任務。
如請求項5所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該資源共享模組更配置以提供一第三方開發者或一企業上傳共享資源，以形成一共享資源池。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該行業及預算條件包括一行業類別、一預算限制、一延遲容忍度、一性能需求或其組合。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該服務部署模組更配置以於部署完成後，將一服務部署資料傳送至該系統工程師模組，以完成服務的自動註冊及監控初始化。
如請求項11所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該服務部署資料包括一容器配置、一服務埠號、一版本資訊及一執行狀態資料。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該中控平台進一步包括：<br/> 一資安維運模組，訊號連接該人工智慧資安整合平台及該輸入輸出裝置，配置以監控該人工智慧資安整合平台的複數個資安資料，並利用一人工智慧偵測模型判斷該些資安資料是否有異常以識別一潛在威脅事件，其中當判斷該些資安資料有異常時，該資安維運模組更配置以利用一資安決策引擎執行一資安防禦操作。
如請求項13所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該資安防禦操作包括一封鎖引擎、一服務隔離控制器、一節點隔離機制、一人工審核通知或其組合。
如請求項13所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該資安維運模組的該人工智慧偵測模型包括一行為學習模型及一異常事件分析模型，其中該行為學習模型以基於複數個歷史操作紀錄與複數個使用行為建立一正常行為基準線，且該異常事件分析模型即時辨識一潛在威脅行為，並即時分析並計算該潛在威脅行為與該正常行為基準線的一偏差，以供後續該資安決策引擎採取對應防禦動作。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該系統工程師模組更包括一可視化監控子模組，其中該可視化監控子模組配置以即時擷取一遠端主機的一螢幕畫面或一介面影像，並利用一影像辨識演算法分析該螢幕畫面或該介面影像內容，以判斷一異常狀況或一系統錯誤提示。
如請求項16所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該可視化監控子模組更配置以擷取該遠端主機的該螢幕畫面或該介面影像之一即時影像後，分析擷取該螢幕畫面或該介面影像的特徵並比對異常，並根據辨識結果自動生成一修復操作。
如請求項17所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該修復操作包括一重新啟動服務、一釋放資源、一提示人工介入操作或其組合。
如請求項1所述之人工智慧維運與資安整合系統，其中該系統工程師模組更配置以將所有的該資源分配建議、一資源使用率、一記憶體占用率、一任務進度回饋、該資源分析結果至該智能資源分析模組，以自我優化資源調度能力。
一種隨身手機架定位結構，其構成包含一腰帶，該腰帶外緣的帶面上設有一個或一個以上的定位套，該定位套內緣中空，可供手機架一端的桿體插套設置。
依請求項１所述之隨身手機架定位結構，其中該腰帶二端分別設有快拆公件及快拆母件，利用該快拆公件及快拆母件插套配合，可方便使用者戴上或卸下腰帶。
一種複合式桿上型高壓線路開關套管，包含：<br/> 一套管本體，係設有一腔室，於該腔室結合一開關外殼；<br/> 一套管中心導體，係設於該套管本體，為高壓電流之主通路，其包含設置於該套管中心導體外圍之圓柱狀分壓電阻，該圓柱狀分壓電阻沿該套管中心導體軸向平行配置，用以形成高壓端與低壓端間之穩定電壓分壓；包覆於該圓柱狀分壓電阻外部，以提供電氣絕緣及柔性緩衝之第一內被覆橡膠及外被覆橡膠；包封於該第一內被覆橡膠外部，以作為結構支撐及高介電層之環氧樹脂；<br/> 一真空滅弧室開關或隔離開關，係設該腔室，藉由單一導體結構同時達成導電、開斷及電壓偵測之功能。
如請求項1所述之複合式桿上型高壓線路開關套管，其中，該分壓電阻之外部以環氧樹脂包覆固化，以形成一電場均勻之固體介電環境，並具防潮、防震及耐溫變化之特性。
如請求項1所述之複合式桿上型高壓線路開關套管，其中，該套管本體的內緣與該開關外殼之法蘭介面，係設有半導橡膠與第二內被覆橡膠，以形狀法分散該腔室外緣的表面電應力，均壓電場並防止表面放電。
如請求項1所述之複合式桿上型高壓線路開關套管，其中，該套管本體外層係設有第一半導塗層及第二半導塗層，用以形成導電屏蔽層，使內外電位差形成均壓分佈，防止局部放電。
如請求項4所述之複合式桿上型高壓線路開關套管，其中，該第一半導塗層及該第二半導塗層，係可藉由導電碳黑或金屬氧化物所填充形成。
一種電梯門結構，包含：一框體以及複數個石膏板；<br/> 該框體定義出該電梯門結構的一上下方向、一前後方向以及一延伸方向，該延伸方向包含一第一側方向朝向一組電梯門結構之間的形成的門口、以及一第二側方向垂直於該上下方向與該前後方向且遠離該第一側方向；<br/> 該框體包含一主殼體、一上隔板以及一下隔板，該上隔板與該下隔板容設於該主殼體形成的空間中；<br/> 其中，該主殼體包含一後板、一上板、一第一側向側板朝向該第一側方向以及一第二側向側板朝向該第二側方向，<br/> 該主殼體(10)的該後板、該第一側向側板以及該第二側向側板沿著該主殼體(10)的該上板的輪廓向下延伸，該第一側向側板(14a,14b,14c)與該第二側向側板(15a)的沿著該上下方向延伸的邊界，分別銜接於該後板的位於該第一側方向與該第二側方向的邊界，<br/> 該第一側向側板與該第二側向側板的分別具有一前側部分(14f,15f)，銜接至該上板位於前方的一部分輪廓，使該第一側向側板的該前側部分(14f)、該第二側向側板的該前側部分(15f)以及該上板的一部分邊界共同形成該主殼體(10)的一前方開口(101)，使位於該主殼體(10)下方的該第一側向側板、該第二側向側板以及該後板的一部分邊界共同形成該主殼體(10)的一下方開口(102)；<br/> 該上隔板(20)包含一後板(21)、一上板(22)、一前側板(23)、一第一側向遮板(24)以及一第二側向遮板(25)，<br/> 該上隔板(20)的該後板(21)、該第一側向遮板(24)以及該第二側向遮板(25)沿著該上隔板(20)的該上板(22)的輪廓向下延伸，該上隔板(20)的該上板(22)具有一上板凸起部分(22a)朝向該第一側方向凸出，該上隔板(20)的該第一側向遮板(24)銜接於該上隔板(20)的該上板(22)未形成該上板凸起部分(22a)的輪廓；<br/> 其中，於該延伸方向上，該上隔板(20)的該前側板(23)的寬度小於該上隔板(20)的該後板(21)的寬度；<br/> 該下隔板(60)包含一後板(61)、一上板(62)、一前側板(63)、一第一側向遮板(64)以及一第二側向遮板(65)，<br/> 該下隔板(60)的該後板(61)、該第一側向遮板(64)以及該第二側向遮板(65)沿著該下隔板(60)的該上板(62)的輪廓向下延伸，該下隔板(60)的該上板(62)具有一上板凸起部分(62a)朝向該第一側方向凸出，該下隔板(60)的該第一側向遮板(64)銜接於該下隔板(60)的該上板(62)未形成該上板凸起部分(62a)的輪廓；<br/> 其中，於該延伸方向上，該下隔板(60)的該前側板(63)的寬度小於該下隔板(60)的該後板(61)的寬度；<br/> 該複數個石膏板，從該前方開口(101)或該下方開口(102)置入該主殼體(10)之中，該複數個石膏板包含一上石膏板(41)、一中央石膏板(35)、以及一凸起部分石膏板(47)；<br/> 其中，該上石膏板(41)位於該上隔板(20)的該上板(22)與該主殼體(10)的該上板(12)之間，<br/> 其中，該中央石膏板(35)位於該上隔板(20)的該上板(22)以及該下隔板(60)的該上板(62)之間，<br/> 其中，於該延伸方向上，該主殼體(10)的該前方開口(101)的寬度小於該上石膏板(41)與該中央石膏板(35)的寬度；<br/> 其中，該凸起部分石膏板(47)的一上方側邊緣(473)與一下方側邊緣(474)被限位於該上隔板(20)的該上板凸起部分(22a)與該下隔板(60)的該上板凸起部分(62a)之間，且容設於該主殼體(10)的位於該第一側方向的容室。
如請求項1所述之電梯門結構，其中，該主殼體(10)的該第一側向側板形成階梯狀的輪廓，該凸起部分石膏板(47)包含並排的複數個石膏板單元，定位於該第一側向側板(14a,14b)形成的凸起空間之中。
如請求項1所述之電梯門結構，其中，該複數個石膏板包含一第一側石膏板(43)，位於該中央石膏板(35)與該凸起部分石膏板(47)之間，<br/> 該第一側石膏板(43)被建構成透過複數個定位件對應固定於該上隔板(20)的該第一側向遮板(24)以及該下隔板(60)的該第一側向遮板(64)，該第一側石膏板(43)的一上方側邊緣(433)位於該上石膏板(41)的一下方表面(41D)的下方。
如請求項1所述之電梯門結構，其中，該複數個石膏板包含一前石膏板(33)，於該延伸方向上，該主殼體(10)的該前方開口(101)的寬度小於該前石膏板(33)的寬度，且該前石膏板(33)的寬度大於該中央石膏板(35)的寬度；<br/> 該框體包含一中間封板(50)用以將該前石膏板(33)定位於該中央石膏板(35)。
如請求項4所述之電梯門結構，其中，該中間封板(50)包含一前側封板(53)、一第一側向封板(54)以及一第二側向封板(55)，該第一側向封板(54)與該第二側向封板(55)分別從該前側封板(53)位於該第一側方向與該第二側方向的邊界，朝向該主殼體(10)的該後板(11)延伸而形成，該第一側向封板(54)以及該第二側向封板(55)分別具有一安裝孔(54a)，<br/> 該前石膏板(33)具有複數個定位穿孔(33E1)分別對準該第一側向封板(54)與該第二側向封板(55)，當該前石膏板(33)設置於該主殼體(10)之中時，該些定位穿孔(33E1)被該主殼體(10)的該第一側向側板與該第二側向側板的該前側部分(14f,15f)所遮蔽；<br/> 該主殼體(10)的該第一側向側板與該第二側向側板的該前側部分(14f,15f)的設有複數個穿孔(14f1,15f1)，<br/> 該第一側向封板(54)以及該第二側向封板(55)穿過該主殼體(10)對應的該些穿孔，以及該前石膏板(33)的該些定位穿孔(33E1)之後，分別對準該中央石膏板(35)的位於一第一側表面(35A)與一第二側表面(35B)上各自的一側面凹口(35A1)；<br/> 該中間封板(50)、該前石膏板(33)、該中央石膏板(35)之間的定位結構被建構成，能使一定位件從外側貫穿該第一側向側板或該第二側向側板的至少一者、該中間封板(50)位於同一側的該安裝孔(54a)、以及該中央石膏板(35)的位於同一側表面(35A,35B)的該側面凹口(35A1)。
如請求項1所述之電梯門結構，其中該框體包含一下隔板後檔片(70)，該下隔板後檔片(70)包含一後檔片側板(71)以及一後檔片上板(72)，該後檔片上板(72)從該後檔片側板(71)的上方邊界延伸，該下隔板後檔片(70)的該後檔片側板(71)定位於該主殼體(10)的該後板(11)，使該後檔片上板(72)抵頂該下隔板(60)的該後板(61)。
如請求項6所述之電梯門結構，其中該複數個石膏板包含一後石膏板(31)，該後石膏板(31)位於該中央石膏板(35)與該主殼體(10)的該後板(11)之間，該後石膏板(31)位於該下隔板(60)的該後板(61)的後方，該後石膏板(31)的一下方側邊緣(314)抵靠並定位在該下隔板後檔片(70)的該後檔片上板(72)。
如請求項4所述之電梯門結構，其中該複數個石膏板包含一下石膏薄板(49)，該下隔板(60)的該上板(62)接觸並支撐該下石膏薄板(49)的一下方表面(49D)，該下石膏薄板(49)的一上方表面(49C)支撐該前石膏板(33)的一下方側邊緣(334)，以及該中央石膏板(35)的一下方表面(35D)。
如請求項1所述之電梯門結構，其中該複數個石膏板包含一前下石膏薄板(37)，該前下石膏薄板(37)由一定位件固定於該下隔板(60)的該前側板(63)，於該延伸方向上，該主殼體(10)的該前方開口(101)的寬度小於該前下石膏薄板(37)的寬度。
如請求項1所述之電梯門結構，其中該中央石膏板(35)與該凸起部分石膏板(47)是同一個石膏板的不同部分，該複數個石膏板包含一第一側石膏板(43)，位於該凸起部分石膏板(47)與該主殼體的該第一側向側板之間。
如請求項1所述之電梯門結構，其中該複數個石膏板包含一第二側石膏板(45)，位於該中央石膏板(35)與該主殼體(10)的該第二側向側板(15a)之間，<br/> 該第二側石膏板(45)被建構成透過複數個定位件對應固定於該上隔板(20)的該第二側向遮板(25)以及該下隔板(60)的該第二側向遮板(65)，該第二側石膏板(45)的一上方側邊緣(453)位於該上石膏板(41)的一下方表面(41D)的下方。
一種10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其係包含有：<br/> 一殼體，該殼體係為球型；<br/> 一固定架，並組設於該殼體外；<br/> 一多向推進模組，其係包含有4個垂直推進器和2個水平推進器，並分別組裝於該固定架；<br/> 一燈光模組，其係配置於該殼體；<br/> 一控制單元，其係電性連接該多向推進模組以及該燈光模組。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，該多向推進模組係具有前進、後退、左旋轉、右旋轉、垂直上浮、垂直下潛、前翻滾、後翻滾、左翻滾和右翻滾等10種運動模式。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，更包含有一基板和一蓋體，該蓋體係配置於該基板外，該蓋體係採用非透明材料，該蓋體係包含有一上蓋和一下蓋，該上蓋和該下蓋之外型係為半圓型殼體或半球型殼體，且該上蓋和該下蓋之端部係向外延伸有一定位柱，該殼體係配置於該蓋體外，該殼體係包含有一第一半部和一第二半部，該第一半部和該第二半部之內側面係分別抵接於該上蓋和該下蓋之定位柱。
依據請求項3所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，更包含一配重模組，其係配置於該基板下方，該配重模組包含至少一配重件用以進行配重分配以及調整浮心與重心的距離。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，該殼體係採用高強度之透明防水耐壓材料，該殼體係包含有一第一半部和一第二半部，該第一半部和該第二半部外周緣處係分別設有相對應之複數個組裝部以及複數個定位部，該固定架係相對該複數個組裝部或該複數個定位部分別設有一結合部。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，該固定架內側面係延伸有至少一抵靠部，該至少一抵靠部係抵靠於該殼體外周緣處，使該殼體與該固定架之間係維持有一預定距離。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，該固定架包含有8個固定支架，該等固定支架係呈扇環形，並且以兩兩一對之方式相互重疊排列，每對固定支架係相互連接成環形，且每對固定支架之兩端係分別透過一固定夾具以及一水平推進器支架加以夾持固定並連接與其相鄰之另一對固定支架，同時每對固定支架之間係透過一垂直推進器支架加以夾持固定，每一垂直推進器係組裝於該垂直推進器支架，每一水平推進器係組裝於該水平推進器支架。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，該殼體之外表面係設有至少一延伸部，該燈光模組係配置於該蓋體之外環面、該延伸部及/或該殼體之內環面的位置處。
依據請求項1所述之10種運動模式之表演功能水下遙控載具，其中，該控制單元係進一步包含有一動作燒錄模組、一燈光效果模組和一表演控制模組，該動作燒錄模組係於該控制單元內燒錄有一預設控制程式，用以控制該多向推進模組執行動作控制，而該燈光效果模組係包含一燈光效果控制程式，用以控制該燈光模組執行預設之燈光效果，以形成動作與燈光之同步視覺表現，該表演控制模組係用以分別控制每一垂直推進器和每一水平推進器之轉速與方向。
一種具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，包括： <br/>一槍身部件，包含一槍身部及一槍身座，並具有位於該槍身座遠離該槍身部一端上的一進氣端部、以及設於該進氣端部上的一進氣孔；以及 <br/>一供氣部件，連結於該槍身部件上作組裝或分離，該供氣部件具有一供氣座、以及設於該供氣座上的一供氣單元，該供氣座具有一第一端部並設有一彈性刺銷，該彈性刺銷具有一刺破端與一密合端，並設有一通孔以貫通該刺破端至該密合端，且該彈性刺銷係彈性活動地設置於該供氣座內並以該密合端突出於該第一端部，而該刺破端則朝向該供氣單元； <br/>其中，該槍身座上設有一槍身樞部，該供氣座上則設有一供氣樞部，該槍身樞部與該供氣樞部相樞接而連結，而該供氣部件係以該供氣座之第一端部朝向該槍身部件的該進氣端部作組裝，且該彈性刺銷之密合端對位至該進氣孔而使該彈性刺銷於該供氣座內位移，以供該刺破端刺向該供氣單元內作供氣。
如請求項１所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該供氣座還具有一第二端部，該第二端部上設有一接口，且該供氣單元具有一出氣端並與該接口連接。
如請求項２所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該出氣端上係具有一刺破膜並對應該刺破端。
如請求項３所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該供氣單元係於其出氣端內設有位於該刺破膜內側的一閥嘴。
如請求項２或３所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該接口係與該出氣端以螺紋螺合連接。
如請求項５所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該供氣單元係為一氣瓶。
如請求項１所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該彈性刺銷係為一插銷並以一彈性元件將該插銷活動設置於該供氣座內。
如請求項１所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該供氣座內還設有一定位閥件，該定位閥件上設有相連的一第一閥孔與一第二閥孔，該第一閥孔用以供該彈性刺銷通過並能於該供氣座內位移，而該第二閥孔則用以限制該彈性刺銷於該供氣座內位移。
如請求項８所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該彈性刺銷上係設有凹入的一環槽，當該彈性刺銷於該供氣座內位移且該刺破端刺向該供氣內，該定位閥件以該第二閥孔與該環槽作對應。
如請求項８或９所述之具可旋轉刺破之氣槍供氣結構，其中該供氣座內還設有一支撐件、一推抵件與一釋放件，該支撐件將該推抵件推動該定位閥件作彈性位移，而該釋放件則反向推動該定位閥件朝向該支撐件並擠壓該推抵件。
一種微機電接觸式彈簧針，用以接觸一錫球(200)，且包含： <br/>一微機電探針(100)，具有一基座(110)、位於該基座(110)之一側的一第一主體部(140)、位於該第一主體部(140)之一側的一第二主體部(150)、位於該第二主體部(150)之一側的一第三主體部(160)以及位於該第三主體部(160)之一側的一第四主體部(170)，其中該第二主體部(150)與該第三主體部(160)之間具有一第一階差(L1)，該第三主體部(160)與該第四主體部(170)之間具有一第二階差(L2)； <br/>一連接筒體(12)，設置於該微機電探針(100)的一側，且用以鉚接於該第二主體部(150)與該第三主體部(160)之間的該第一階差(L1)以形成複數個上凹入部(11)以及鉚接於該第三主體部(160)與該第四主體部(170)之間的該第二階差(L2)以形成複數個下凹入部(13)，該複數個上凹入部(11)與該複數個下凹入部(13)使該微機電探針(100)與該連接筒體(12)穩固定位； <br/>一柱塞(14)，設置於該連接筒體(12)的一側，且用以朝該微機電探針(100)移動；以及 <br/>一彈性部件(16)，設置於該微機電探針(100)與該柱塞(14)之間。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該連接筒體(12)的該複數個上凹入部(11)與該複數個下凹入部(13)沿一垂直方向(V)錯位設置。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該彈性部件(16)容置於該連接筒體(12)中。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該彈性部件(16a)裸露於該連接筒體(12a)外。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該連接筒體(12)的該複數個上凹入部(11)的個數不同於該複數個下凹入部(13)的個數。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該微機電探針(100)的該第一主體部(140)具有一底部階級(141)，而該連接筒體(12)具有一頂表面(15)，該頂表面(15)用以抵靠該底部階級(141)以穩固定位該微機電探針(100)與該連接筒體(12)。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該微機電探針(100)具有四個第一接觸部(120)，該四個第一接觸部(120)於該基座(110)上沿兩對稱基準線(A)對稱設置。
如請求項7所述之微機電接觸式彈簧針，其中該四個第一接觸部(120)之每一者具有一接合邊(124)，使得該四個第一接觸部(120)的該四個接合邊(124)共同圍成一接觸區域(B)。
如請求項8所述之微機電接觸式彈簧針，其中該微機電探針(100)具有位於該接觸區域(B)的中央位置的一第二接觸部(130)，且當該微機電探針(100)與該錫球(200)接觸時，該四個第一接觸部(120)的該四個接合邊(124)與該第二接觸部(130)接觸該錫球(200)。
如請求項1所述之微機電接觸式彈簧針，其中該連接筒體(12b)的該複數個上凹入部(11b)與該複數個下凹入部(13b)對齊設置。
一種充電站，包含：<br/> 一充電樁；以及<br/> 一電腦，與該充電樁電性連接，且用以：<br/> 向該充電樁傳送一檢查指令；<br/> 判斷該充電樁是否在一檢查期間內根據該檢查指令傳送檢查資料；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該檢查期間內傳送該檢查資料時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，其中，該電腦還用以：<br/> 判斷該充電樁是否在一心跳期間內主動地傳送一心跳訊息；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該心跳期間內主動地傳送該心跳訊息時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，其中，該充電樁還包含一充電槍，且該電腦還用以：<br/> 記錄該充電樁在該充電槍插入一電動載具，且該充電樁開始對該電動載具充電後主動地傳送的第一充電狀態資料的一時間點；<br/> 判斷該充電樁是否在該時間點後的一狀態間隔期間內主動地傳送第二充電狀態資料；以及<br/> 當判斷該充電樁沒有在該狀態間隔期間內主動地傳送該第二充電狀態資料時，重啟該充電樁。
如請求項1所述的充電站，還包含與該電腦電性連接的一攝影機，其中，該攝影機用以監控一車位，以產生一車位狀態資料，且該電腦還用以：<br/> 自該充電樁接收充電狀態資料；<br/> 向該攝影機傳送一查詢指令，以取得該車位狀態資料；<br/> 判斷該車位狀態資料是否與該充電狀態資料一致；以及<br/> 當判斷該車位狀態資料與該充電狀態資料不一致時，重啟該充電樁。
如請求項4所述的充電站，還包含與該攝影機電性連接的一揚聲器，其中，該揚聲器用以根據該攝影機所攝取的畫面提示充電樁操作流程。
如請求項4所述的充電站，還包含與該攝影機電性連接的一燈具，其中，該燈具用以根據該攝影機所攝取的畫面提示充電樁操作流程。
如請求項4所述的充電站，還包含與該攝影機電性連接的一顯示器，其中，該顯示器用以根據該攝影機所攝取的畫面提示充電樁操作流程。
如請求項1-7其中任一項所述的充電站，其中，該電腦係基於開放充電點協議來重啟該充電樁。
如請求項1-7其中任一項所述的充電站，其中，該電腦係透過該充電樁的一應用程式介面來重啟該充電樁。
如請求項1-7其中任一項所述的充電站，還包含與該電腦和該充電樁電性連接的一電力開關控制器，其中，該電腦係透過該電力開關控制器對該充電樁強制斷電，並於一中斷期間後恢復供電，以重啟該充電樁。
一種自行車升降座管之消除間隙結構，係包含有:<br/> 一上內管，係該上內管的表面設有二固定槽；<br/> 一卡閘件，其中該卡閘件的一缸體部位套設於該上內管之內部；<br/> 一下管組，其中該下管組更包含有一下外管，又其中該下外管套設覆蓋於該上內管之表面，且該下管組接設於該卡閘件之底部；及<br/> 一迫緊組件，係該迫緊組件設置於該下外管所設一碗部，且該迫緊組件接設於該上內管及該下外管之間，且該迫緊組件鄰近該上內管的該二固定槽。
如請求項1所述自行車升降座管之消除間隙結構，其中該迫緊組件更包含有一外襯組、一內襯組及一壓迫環，又其中該外襯組及該內襯組倆倆互相擠壓，並將該壓迫環接設於該外襯組的上方。
如請求項2所述自行車升降座管之消除間隙結構，又其中該外襯組的二第一塊體及該內襯組的二第二塊體為相對所設一角度，使該二第一塊體及該二第二塊體互相擠壓。
如請求項3所述自行車升降座管之消除間隙結構，其中該迫緊組件另包含有二緊迫螺絲，且該二緊迫螺絲分別接設於該壓迫環所設二孔洞，而該二緊迫螺絲螺設並抵頂於該外襯組的第一塊體。
如請求項1或3所述自行車升降座管之消除間隙結構，其中該迫緊組件藉由二扣環接設於該下外管的碗部，而該二扣環分別卡設於該碗部的二凹槽。
如請求項1所述自行車升降座管之消除間隙結構，其中該下管組更包含有一軸芯及一控制件，又其中該軸芯一端接設於該卡閘件的缸體部位，而該軸芯另一端接設於該控制件。
如請求項1所述自行車升降座管之消除間隙結構，其中該上內管及該下外管設為橢圓管、非圓形管、異形管或錐形管。
如請求項3所述自行車升降座管之消除間隙結構，其中該內襯組的二第二塊體中心設有一凸榫，且該凸榫相對應該上內管所設二定位滑槽。
一種自行車之升降座管，係包含有:<br/> 一上內管，係該上內管的表面設有二固定槽；<br/> 一氣壓棒，係該氣壓棒所設一缸體套設於該上內管之內部；<br/> 一下管組，係該下管組更包含有一下外管，且該下外管之頂端設有一碗部，又其中該碗部與該下外管之部分套設於該上內管之外側，且該氣壓棒接設於該下管組的底端；及<br/> 一固定組件，係該固定組件設置於該下管組的碗部，且該固定組件另包含有一旋轉帽蓋及一上環，且該上環固設於該固定組件，並位於該下管組的該碗部，另該旋轉帽蓋接設於該上環之上方，且該旋轉帽蓋接設於該下管組的端部，使該旋轉帽蓋銜接於該碗部及該上內管之間。
如請求項1所述自行車之升降座管，其中該固定組件更包含有一外襯套組及一內襯套組，又其中該外襯套組及該內襯套組互相擠壓形成數個接觸面。
如請求項2所述自行車之升降座管，其中該外襯套組的二第一塊體及該內襯套組的第二塊體互為相對形成一錐度角，且該數個接觸面的形狀為具有錐度之面積，使該二第一塊體及該二第二塊體互相擠壓固定。
如請求項3所述自行車之升降座管，其中該固定組件另設有一扣環接設於該下外管的碗部所設一凹槽，又其中該上內管具有一錐度之圓錐體，且該錐度與該內襯套組的該第二塊體所設一內錐角互相對應。
如請求項4所述自行車之升降座管，其中該內襯套組的二第二塊體中心設有一凸榫，且該凸榫相對應配合該上內管所設二定位滑槽。
如請求項3所述自行車之升降座管，其中該固定組件另包含有二結合螺絲，且該二結合螺絲分別固設於該上環所設二螺孔，而該二結合螺絲螺設並抵頂於該外襯套組的該二第一塊體之頂端。
如請求項6所述自行車之升降座管，其中該旋轉帽蓋底端設有一上楔塊部，而該上環設有相對應該上楔塊部之一下楔塊部，且該上楔塊部抵頂於該下楔塊部。
如請求項7所述自行車之升降座管，其中該上楔塊部與該下楔塊部之間設數個凸部及一凹槽，且該旋轉帽蓋設有一C型扣環接設於該下外管的該碗部之外側。
如請求項8所述自行車之升降座管，其中該旋轉帽蓋的該上楔塊部的設有一第一高部及一第一低度，又其中該上環的該下楔塊部設有一第二高部及一第二低度。
如請求項1所述自行車之升降座管，其中該上內管及該下外管設為橢圓管、非圓形管或異形管。
一種自行車車架和座管結合的安裝結構，係包含有:<br/> 一車架，係該車架設有一下管及一直管，其中該直管與該下管互相連接；<br/> 一承座組件，係該承座組件接設於該車架的該直管之內部；<br/> 至少一固定繩組件，係該固定繩組件接設於該下管的內部，且設有一觸發開關件其中一端接設於該承座組件；及<br/> 一座管組，係該座管組包含有一底座，且該底座接設於該承座組件上方，並該座管組與該車架的該直管連接形成一中管。
如請求項1所述自行車車架和座管結合的安裝結構，其中該承座組件更包含有一鎖付件及一中管承座，而該鎖付件接設於該中管承座的下方，又其中該鎖付件及該中管承座焊接固定於該車架的直管內部，又其中該中管承座設有一容置空間及一通孔。
如請求項2所述自行車車架和座管結合的安裝結構，其中該座管組更包含有一伸縮缸及一控制件，而該控制件接設於該底座，且該底座接設於該伸縮缸之底部，又該底座設有一凸塊部，而該底座的側邊設有一限位孔，又其中該凸塊部相對應於該中管承座的該容置空間，而該限位孔也對應於該通孔互相連通。
如請求項3所述自行車車架和座管結合的安裝結構，其中該承座組件另包含有一限位件，其中該限位件穿伸於該中管承座的該通孔及該底座的該限位孔，使該限位件同時固定該中管承座及該底座。
如請求項2所述自行車車架和座管結合的安裝結構，其中該鎖付件及該中管承座接設方式為螺設。
如請求項1所述自行車車架和座管結合的安裝結構，其中該觸發開關件設為一繩體、一電磁閥或一微型馬達。
如請求項6所述自行車車架和座管結合的安裝結構，其中該承座組件更包含有一撥桿，又其中該觸發開關件設為該繩體，而該繩體所設一頭部接設於該撥桿。
一種販賣機貨物推送裝置，包含：<br/> 一貨盤，具有一能承載貨物的承載板與一成形在上述承載板的定位壁，上述定位壁設有複數個定位凹槽；<br/> 一可拆式連接板，設有一避讓開口、一與上述避讓開口間隔設置的驅動連接部、一從動連接部與一位於上述驅動連接部與從動連接部之間的連動連接部，並選擇性組卸於上述貨盤，使得上述避讓開口對應於其中一個上述定位凹槽共同形成一卡合開口；<br/> 一驅動機構，具有一基座與一驅動源，上述基座設有一連接於上述驅動源的本體部與一從上述本體部延伸形成的卡合部，上述本體部連接於上述驅動連接部，而上述卡合部設置於上述卡合開口，使得上述卡合部同時卡合於上述定位壁與可拆式連接板以將上述驅動機構定位於上述貨盤與可拆式連接板；<br/> 一第一輸送機構，具有一第一傳動件與一第一螺旋彈簧，上述第一傳動件插入於上述卡合部以連接於上述驅動源，使得上述驅動源能帶動上述第一傳動件轉動，而上述第一螺旋彈簧裝配於上述第一傳動件；<br/> 一第二輸送機構，具有一第二傳動件與一第二螺旋彈簧，上述第二傳動件連接於上述從動連接部，而上述第二螺旋彈簧裝配於上述第二傳動件；以及<br/> 一連動機構，用以使上述第一傳動件與第二傳動件能以相反方向同步轉動，並設置在上述連動連接部以位於上述第一輸送機構與第二輸送機構之間。
如請求項1所述販賣機貨物推送裝置，其中，上述卡合部設有一卡合柱體與一從上述卡合柱體延伸形成的卡合凸耳，上述卡合柱體位於上述卡合開口的內部，而上述卡合凸耳外凸於上述卡合開口的外部以能抵觸於上述定位壁與可拆式連接板，進而上述卡合凸耳能防止上述驅動機構脫離於上述卡合開口。
如請求項1所述販賣機貨物推送裝置，其中，上述可拆式連接板具有一連接本體與一從上述連接本體延伸形成的定位插接塊，上述避讓開口、驅動連接部與連動連接部均設置於上述連接本體，而上述從動連接部設置於上述定位插接塊，當上述可拆式連接板與上述貨盤組裝時，上述定位插接塊能穿入另一個上述定位凹槽。
如請求項3所述販賣機貨物推送裝置，其中，被上述卡合部穿入的上述定位凹槽設為一驅動用凹槽，而被上述定位插接塊穿入的上述定位凹槽設為一連接用凹槽，且至少一個上述定位凹槽位於上述驅動用凹槽與連接用凹槽之間。
一種分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，包括有：一攪碎處理倉體，其內部設有一攪碎室，該攪碎室其上方設有一第一接承口及其下方呈開放狀，該攪碎處理倉體內部設有一第一攪碎機構及一第二攪碎機構，該第一攪碎機構設有一第一馬達及由該第一馬達驅動轉動之第一刀片組，該第二攪碎機構設有一第二馬達及由該第二馬達驅動轉動之第二刀片組，該第一刀片組與該第二刀片組相對設於該攪碎室中並相互錯位設置；一乾燥處理倉體，設置結合於該攪碎處理倉體其底部，該乾燥處理倉體內部設有一乾燥攪拌室，該乾燥攪拌室其上方設有一第二接承口及其下方設有一乾燥餘料出口，該第二接承口與該攪碎室其下方相對應設置，且該乾燥攪拌室內設有至少一加熱器，該乾燥處理倉體內部設有一攪拌機構，該攪拌機構設有一第三馬達及由該第三馬達驅動轉動之攪拌器，該攪拌器相對設於該乾燥攪拌室中，該乾燥處理倉體內部設有一餘料導出機構，該餘料導出機構設有一第四馬達及由該第四馬達驅動轉動之螺旋葉轉軸，該螺旋葉轉軸相對設於該乾燥攪拌室中並設置於該乾燥餘料出口上方。
如請求項1所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該乾燥處理倉體其內部進一步設有一抽氣機及一過濾室，該抽氣機相通連結該乾燥攪拌室及該過濾室，且該過濾室內部設有至少一種過濾材。
如請求項2所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該抽氣機設有一進氣口及一出氣口，該進氣口連結一抽氣管至該乾燥攪拌室，令該乾燥攪拌室與該進氣口形成相通，該出氣口直接連結至該過濾室，讓該過濾室與該出氣口形成相通。
如請求項1所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該攪碎處理倉體及該乾燥處理倉體能分層相疊結合，並進一步結合於一分層式廚餘機，該分層式廚餘機包括有一頂部倉體及一底部倉體，該攪碎處理倉體及該乾燥處理倉體相疊結合並設置於該頂部倉體與該底部倉體之間，該頂部倉體其頂部具有一開口。
如請求項4所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該分層式廚餘機包括有一撒水機構，其包括有一進水管口、至少一上部噴灑頭及至少一下部噴灑頭，該進水管口設置露出於該頂部倉體外部並與外部預設之水管連接，該上部噴灑頭設置於該頂部倉體之開口的上緣位置並與該進水管口相連接，該下部噴灑頭相對設置於該攪碎室其底部位置並透過一下部延伸管與該進水管口相連接。
如請求項4所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該分層式廚餘機包括有一控制面板，該控制面板電性連接有一控制電路器，該控制電路器分別與該第一馬達、該第二馬達、該第三馬達、該第四馬達及該加熱器電性連接。
如請求項6所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該控制面板能結合設置於該頂部倉體外部，且該控制面板設有一顯示螢幕及設有複數控制鍵，該控制電路器能結合設置於該攪碎處理倉體內部。
如請求項4所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該攪碎處理倉體於其底部周圍向內縮並縱向延伸設有第二定位凸緣，該乾燥處理倉體於其底部周圍向內縮並縱向延伸設有第三定位凸緣，該攪碎處理倉體底部之第二定位凸緣能嵌入該乾燥處理倉體，該乾燥處理倉體底部之第三定位凸緣能嵌入該底部倉體。
如請求項4所述之分層式廚餘機之攪碎及乾燥處理裝置，其中該頂部倉體於其二平行對應的側壁外部底緣分別設有一第一扣鉤，該攪碎處理倉體於其二平行對應的側壁外部上緣分別設有一第一扣件，且該攪碎處理倉體於其二平行對應的側壁外部底緣分別設有一第二扣鉤，該乾燥處理倉體於其二平行對應的側壁外部上緣分別設有一第二扣件，且該乾燥處理倉體於其二平行對應的側壁外部底緣分別設有一第三扣鉤，該底部倉體於其二平行對應的側壁外部上緣分別設有一第三扣件，令該攪碎處理倉體所設之第一扣件能扣於該頂部倉體之第一扣鉤，該乾燥處理倉體所設之第二扣件能扣於該攪碎處理倉體之第二扣鉤，該底部倉體所設之第三扣件能扣於該乾燥處理倉體之第三扣鉤。
一種自行車之車把手轉向測試設備，其包含有：<br/> 一測試台，具有一底座、一升降機構、一橫移機構與一前推機構，該升降機構設置於該底座，該橫移機構組接於該升降機構並可沿著該升降機構位移，該前推機構組接於該橫移機構並可沿著該橫移機構位移，而該前推機構可垂直於該橫移機構之前側面產生伸縮的作動；<br/> 一前輪定位台，設置於該測試台之底座，該前輪定位台具有一前輪固定座與一定位模組，該定位模組連接於該前輪固定座，並固定或釋放該前輪固定座相對於該底座轉動；以及<br/> 一動力源，係連接該測試台之該升降機構、該橫移機構、該前推機構與該前輪定位台之前輪固定座。
如請求項1所述的自行車之車把手轉向測試設備，其中該測試台之升降機構包含有二導柱及二升降導塊，該等導柱之間間隔一距離設置於該底座，於各該導柱的前側分別設置一個該升降導塊，該等升降導塊連接至該動力源並可沿著該導柱上下位移。
如請求項2所述的自行車之車把手轉向測試設備，其中該測試台之橫移機構包含有一連接樑及二橫移導塊，該連接樑之兩端分別組接該升降機構之該等升降導塊，該連接樑設置有二水平導槽，該等橫移導塊分別穿過該等水平導槽再連接至該動力源，該等橫移導塊可沿著該等水平導槽位移。
如請求項3所述的自行車之車把手轉向測試設備，其中該測試台之前推機構包含有二推臂及二伸縮組件，該等推臂分別組接於該橫移機構之該等橫移導塊，於各該推臂內設置一個該伸縮組件，該等伸縮組件之一端部係凸出至該等推臂的外側，該等伸縮組件之另一端部連接至該動力源並可相對於該等推臂伸縮。
如請求項1所述的自行車之車把手轉向測試設備，其中該前輪定位台還具有一調整座，其包含有一轉把、一導引單元與一銜接平台，該轉把與該導引單元設置於該銜接平台，該轉把連接至該導引單元，該導引單元再組接至該前輪固定座，該銜接平台的底側組接至該測試台的底座，而該前輪固定座及該定位模組則設置於該銜接平台的頂側，使該調整座可帶動該前輪固定座相對於該底座位移。
如請求項1或5所述的自行車之車把手轉向測試設備，其中該前輪定位台之前輪固定座具有一夾持組件與一轉盤，該夾持組件組接於該轉盤之頂側，該轉盤連接至該動力源。
如請求項1所述的自行車之車把手轉向測試設備，其中還包含有一後輪定位台，其設置於該測試台的底座或是設置於該測試台之底座沒有設置該升降機構之一側的外側。
一種飲料分享壺，內置一飲料包，該飲料包具有一閥門開關，用以控制該飲料包之一內容物之輸出，該飲料分享壺包含：<br/>一盒體，內部具有一容置空間，用以容置該飲料包，該盒體包括一第一立面、一第二立面、一第三立面及一第四立面，該第一立面、該第二立面、該第三立面及該第四立面依序互以側邊並排相連，且各底部具有一底面組合片，各該底面組合片相互搭接為一組合底面，該第一立面與該第二立面之各底部連接於該組合底面之相對面側，該第三立面及該第四立面之各底部連接於該組合底面之另一對面側，該容置空間包括該組合底面、該第一立面、該第二立面、該第三立面及該第四立面之共同圈圍空間，該第一立面具有一安裝口，該閥門開關透過該安裝口凸伸於該盒體外，且固定於該安裝口；<br/>一第一蓋體，自該第一立面與該第二立面之一第一頂部延伸片，且各該第一頂部延伸片相對搭接形成該第一蓋體，將該第一蓋體蓋於該容置空間頂面；以及一第二蓋體，自該第三立面與該第四立面之一第二頂部延伸片，且各該第二頂部延伸片相互對接形成該第二蓋體，且將該第二蓋體蓋合於該第一蓋體上。
如請求項1所述之飲料分享壺，其中，該第一蓋體設置一公母扣件，且於各該第一頂部延伸片搭接疊合時相結合。
如請求項2所述之飲料分享壺，其中，該公母扣件為一凸緣與對應之一槽孔相互穿套卡扣。
如請求項2或3所述之飲料分享壺，其中，各該第二頂部延伸片設一抵靠區域，且各該抵靠區域設置含凹孔之一把手部，且至少一把手部具有一約束片，當各該第二頂部延伸片以各該抵靠區域互相貼合對接後，以該約束片穿過各該凹孔後包夾各該把手部，使各該把手部相互結合。
如請求項4所述之飲料分享壺，其中，該第一頂部延伸片具有一扣片，各該扣片設一扣孔，各該抵靠區域具有一凸耳，當各該抵靠區域相互抵貼合後各該凸耳相對疊合，再將各該扣片之該扣孔套入對應之各凸耳。
如請求項1所述之飲料分享壺，其中，該飲料包更包含一輸入口，用以輸入該內容物。
如請求項1所述之飲料分享壺，其中，該盒體為單片薄板彎折成形。
如請求項1或7所述之飲料分享壺，其中，該盒體為紙盒。
一種車窗遮陽簾結構，其特徵在於，包括︰<br/> 至少二基座，係分別設有至少二穿孔；<br/> 至少二吸盤，係設於該基座下端，該吸盤上端設有一孔洞且對應該基座之該穿孔；<br/> 多個固定件，係穿套設於該基座之該穿孔且固定設於該基座下端之該吸盤之該孔洞；<br/> 至少二萬向接頭（Uuiversal Joint），係包含相互連接之一固定端及設於該固定端上端之一活動端，該固定端下端設於該基座；<br/> 至少二伸縮桿，其由多個套管構成且下端設於該萬向接頭之該活動端，該伸縮桿上端設有一結合固定件；<br/> 一遮陽簾組，係設於該基座前端，該遮陽簾組內設有一捲收遮陽簾，該捲收遮陽簾外端連接設有一端橫桿且對應固定於該伸縮桿上端之該結合固定件；<br/> 利用該吸盤吸附於車輛之前擋風玻璃，利用該萬向接頭調整該伸縮桿角度並固定該捲收遮陽簾，以遮住該車輛之方向盤前方及駕駛手臂與前胸或遮住整個該前擋風玻璃避免陽光直接照射。
如申請專利範圍第1項所述之車窗遮陽簾結構，其中，所述基座形狀係呈但不限於長條形狀。
如申請專利範圍第1項所述之車窗遮陽簾結構，其中，所述固定件係為但不限於螺絲或嵌柱。
如申請專利範圍第1項所述之車窗遮陽簾結構，其中，所述伸縮桿之該結合固定件係為但不限於夾持結合固定件或鉤扣結合固定件。
如申請專利範圍第1項所述之車窗遮陽簾結構，其中，所述遮陽簾組之該端橫桿中央設有至少一拉繩。
如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之車窗遮陽簾結構，其中，所述捲收遮陽簾內部設有捲收該捲收遮陽簾之至少一捲收彈簧。
一種航姿航向參考系統，其包括：<br/> 一處理器，其具有一演算單元；以及<br/> 一感測器，其與該處理器連接，並用以提供一感測值予該處理器；其中，<br/> 該演算單元係根據一演算法處理該感測值，並提供一角度值。
如請求項1所述的航姿航向參考系統，其中，該處理器為微控制器。
如請求項1所述的航姿航向參考系統，其中，該感測器包括：單軸感測器、雙軸感測器、三軸感測器、六軸感測器、九軸感測器、或上述之任意組合。
如請求項3所述的航姿航向參考系統，其中，該感測器為九軸感測器，其包括加速度計、陀螺儀及磁力計。
如請求項1所述的航姿航向參考系統，其中，該演算法包含一擴展卡爾曼濾波器(Extended Kalman filter)。
如請求項1所述的航姿航向參考系統，其中，該演算單元更根據該角度值之變化量及一累積時間提供一輸出訊號，該輸出訊號包括俯仰角訊號、翻滾角訊號、偏轉角訊號、加速度三維感測值、角速度三維感測值、磁場三維感測值、或上述之任意組合。
如請求項1所述的航姿航向參考系統，其中，該感測值包括：加速度三維感測值、角速度三維感測值、磁場三維感測值、或上述之任意組合。
如請求項1所述的航姿航向參考系統，其中，該角度值包括：俯仰角(pitch)、翻滾角(roll)、偏轉角(yaw)、或上述之任意組合，其中，該俯仰角(pitch)為±90°、該翻滾角(roll)為±180°、以及該偏轉角(yaw)為±0°至360°。
一種機器人，其設有一如請求項1至8任一項所述的航姿航向參考系統，其中，該機器人包括步行機器人、搬運機器人、操作機器人、或探勘機器人。
一種載具，其設有一如請求項1至8任一項所述的航姿航向參考系統，其中，該載具包括：飛行載具、地面載具、水面載具、或水下載具。
一種姿態感測系統，其包括：<br/> 一處理器，其具有一演算單元；以及<br/> 一感測器，其與該處理器連接，並用以提供一感測值予該處理器；其中，<br/> 該演算單元係根據一演算法處理該感測值，並提供一角度值。
如請求項1所述的姿態感測系統，其中，該處理器為微控制器。
如請求項1所述的姿態感測系統，其中，該感測器包括：單軸感測器、雙軸感測器、三軸感測器、六軸感測器、九軸感測器、或上述之任意組合。
如請求項3所述的姿態感測系統，其中，該感測器為九軸感測器，其包括加速度計、陀螺儀及磁力計。
如請求項1所述的姿態感測系統，其中，該演算法包含一卡爾曼濾波器(Kalman filter)。
如請求項1所述的姿態感測系統，其中，該演算單元更根據該角度值之變化量及一累積時間，判斷是否提供一通知訊息。
如請求項1所述的姿態感測系統，其中，該感測值包括：加速度三維感測值、角速度三維感測值、或上述之組合。
如請求項1所述的姿態感測系統，其中，該角度值包括：俯仰角(pitch)及翻滾角(roll)，其中，該俯仰角(pitch)為±90°，該翻滾角(roll)為±90°。
一種智慧感測裝置，其包括：一主體，其包括穿戴裝置、輔助裝置、或握持裝置，其中，該主體設有一如請求項1至8任一項所述的姿態感測系統。
如請求項9所述的智慧感測裝置，其中，更包括：<br/> 該穿戴裝置包括：頭盔、眼鏡、耳機、項鏈、手環、手錶、戒指、腰帶、衣、鞋、護肘、護膝、或復健用外骨骼；<br/> 該輔助裝置包括：助行器、或拐杖；以及<br/> 該握持裝置包括：手把。
一種翼端飛行燈，設於機翼的翼端，包括：<br/> 一底座；<br/> 一發光單元，設於該底座上，包括一控制件，以及與該控制件電性連接之一前導航燈、一後導航燈以及一側向導航燈，該控制件控制該前導航燈、該後導航燈與該側向導航燈之光線亮度以及頻閃作動；<br/> 一反射件，設於該底座上，且該前導航燈、該後導航燈以及該側向導航燈分別露出於該反射件，該反射件對應該前導航燈具有一第一反射部，該第一反射部於一第一範圍反射該前導航燈之光線；該反射件對應該後導航燈具有一第二反射部，該第二反射部於一第二範圍反射該後導航燈之光線；以及<br/> 一燈殼，設於該底座而罩設該發光單元及該反射件。
如請求項1所述之翼端飛行燈，其中，該控制件設有一保護件，該控制件通過該保護件而電性連接該前導航燈、該後導航燈以及該側向導航燈之至少一者，當該前導航燈、該後導航燈及/或該側向導航燈電流超載時，該保護件由導通變為斷路而斷開與該控制件之間的電路。
如請求項1所述之翼端飛行燈，其中，該第一反射部包括多段反射區，該多段反射區依坡度自低緩至陡峭依序相連，各段反射區彼此具有不同的反射角度。
如請求項1所述之翼端飛行燈，進一步包括一散熱件，該散熱件固定在該控制件的一電路板，該前導航燈、該後導航燈以及該側向導航燈分別電性連接該電路板，且該前導航燈、該後導航燈以及該側向導航燈分別與該散熱件接觸以而進行熱交換。
如請求項4所述之翼端飛行燈，其中，該前導航燈包括一第一前燈板和一第二前燈板分別連接該電路板，而該後導航燈包括一第一後燈板和一第二後燈板分別連接該電路板，該側向導航燈則包括一側燈板被固定在該第一前燈板和該第一後燈板之間，而該第二前燈板在該第一前燈板的前方，該第二後燈板則在該第一後燈板的後方。
如請求項5所述之翼端飛行燈，其中，該第一前燈板、該第二前燈板、該第一後燈板、該第二後燈板，以及該側燈板，分別設有頻閃燈，且該第一前燈板與該第二前燈板的至少一者，以及該第一後燈板與該第二後燈板的至少一者，分別具有一位置燈，各該頻閃燈由該控制件控制閃爍頻率，而各該位置燈以所在機翼之方位呈左紅右綠而常亮。
如請求項5所述之翼端飛行燈，其中，該側燈板呈橫向固定在該散熱件，且被一H形支架輔助支撐在該散熱件上。
如請求項1所述之翼端飛行燈，其中，該底座於底部設一防水橡膠，用以貼設在機翼的翼端，以防止水從該底座與該機翼的翼端之間滲入。
如請求項1所述之翼端飛行燈，其中，該底座於頂部設一防水矽膠，該燈殼設於該底座時，該防水矽膠被夾固在該燈殼與該底座之間，用以防止水從該底座與該燈殼之間滲入。
如請求項1所述之翼端飛行燈，其中，該底座於底部伸設一線組套管，該發光單元的接線可從該線組套管向外拉出。
一種背栓螺絲之改良結構，係包含一螺絲本體，以及穿設於該螺絲本體之波浪華司、置於該波浪華司後端之套環、置於該套環後端之墊圈、置於該墊圈後端之螺母，俾於組裝時，於石材背面切出倒錐孔，再將該螺絲本體植入該倒錐孔中，藉由該螺母鎖緊螺絲本體，令該套環推動該波浪華司，使該波浪華司完全展開與該倒錐孔緊密吻合，形成無應力的凸型結合，其特徵在於：<br/> 該螺絲本體係於一端設有概呈錐形之頭部，於頭部之斜面鄰近端部處，設有兩個或兩個以上之突塊，俾於該波浪華司展開時，得以使其凹部卡合於該突塊，以防止該波浪華司產生空轉。
如請求項1所述之背栓螺絲之改良結構，其中，該突塊係設為弧形。
一種自行車踏板，其包含有：<br/> 一本體；<br/> 至少一防滑柱，其係設置於本體的一側表面上，於每一防滑柱外側套設有一保護件；以及<br/> 至少一止滑柱，每一止滑柱係一體成型設置於本體一側表面上。
如請求項1所述之自行車踏板，其中於本體的兩側面上分別設置有至少一個的防滑柱。
如請求項1所述之自行車踏板，其中於本體的兩側面上分別設置有複數個的防滑柱。
如請求項1至3任一項所述之自行車踏板，其中每一防滑柱包含有一螺栓及一螺帽，該螺栓係穿設於本體表面的一穿孔中，再與該螺帽相螺合，而保護件係套設於螺栓外周圍。
如請求項4所述之自行車踏板，其中每一防滑柱的保護件係為橡膠或塑膠等塑性材質所製成。
如請求項5所述之自行車踏板，其中每一防滑柱的螺栓頂端設置有一可封閉螺栓頂端工具孔的防塵塞。
如請求項6所述之自行車踏板，其中本體的兩側面上分別設置有至少一個的止滑柱。
如請求項6所述之自行車踏板，其中於本體的兩側面上分別設置有複數個的止滑柱。
如請求項1至3任一項所述之自行車踏板，其中於本體的兩側面上分別設置有至少一個的止滑柱。
如請求項1至3任一項所述之自行車踏板，其中於本體的兩側面上分別設置有複數個的止滑柱。
一種衣物處理設備，具有循環風道(510)，所述衣物處理設備包括滾筒(100)和空氣循環件(200)，所述空氣循環件(200)用於使空氣在所述滾筒(100)和所述循環風道(510)內循環流動；<br/> 所述衣物處理設備還包括驅動件(300)，所述驅動件(300)包括相互獨立旋轉的第一輸出軸(310)和第二輸出軸(320)，所述第一輸出軸(310)與所述滾筒(100)驅動連接，所述第二輸出軸(320)與所述空氣循環件(200)驅動連接。
如請求項1所述之衣物處理設備，其中，所述驅動件(300)為雙轉子馬達，所述第一輸出軸(310)和所述第二輸出軸(320)分別連接一個轉子。
如請求項2所述之衣物處理設備，其中，所述第一輸出軸(310)和所述第二輸出軸(320)同軸且相背設置。
如請求項1所述之衣物處理設備，其中，所述第一輸出軸(310)的軸線與所述滾筒(100)的軸線相平行。
如請求項1所述之衣物處理設備，其中，所述衣物處理設備還包括傳動組件(400)，所述傳動組件(400)驅動連接於所述第一輸出軸(310)和所述滾筒(100)之間。
如請求項5所述之衣物處理設備，其中，所述第一輸出軸(310)上套設安裝有第一傳動輪(311)；<br/> 所述傳動組件(400)包括第一傳動帶(410)、第二傳動帶(420)以及傳動件(430)，所述傳動件(430)包括第二傳動輪(431)和第三傳動輪(432)，所述第二傳動輪(431)和所述第三傳動輪(432)驅動連接；<br/> 所述第一傳動帶(410)套設在所述第一傳動輪(311)和所述第二傳動輪(431)的外圈，所述第二傳動帶(420)套設在所述第三傳動輪(432)和所述滾筒(100)的外圈。
如請求項6所述之衣物處理設備，其中，所述衣物處理設備還包括安裝殼(500)，所述傳動件(430)還包括傳動本體(433)和彈性連接體(434)，所述傳動本體(433)套設在所述第一輸出軸(310)上，並能夠在所述第一輸出軸(310)上轉動；所述第二傳動輪(431)和所述第三傳動輪(432)均安裝在所述傳動本體(433)上，並均能夠在所述傳動本體(433)上轉動；<br/> 所述彈性連接體(434)的第一端與所述安裝殼(500)連接，所述彈性連接體(434)的第二端與所述傳動本體(433)連接，並向所述傳動本體(433)施加沿背離所述滾筒(100)的方向的拉力，以使所述第一傳動帶(410)和所述第二傳動帶(420)保持張緊狀態。
如請求項7所述之衣物處理設備，其中，在重力方向上，所述滾筒(100)位於所述驅動件(300)和/或所述傳動件(430)的上方。
如請求項8所述之衣物處理設備，其中，所述驅動件(300)還包括驅動本體(330)，所述第一輸出軸(310)和所述第二輸出軸(320)均安裝在所述驅動本體(330)上；<br/> 在所述重力方向上，所述滾筒(100)的正投影覆蓋所述驅動本體(330)、所述第一輸出軸(310)以及所述第二輸出軸(320)的部分結構的正投影和/或所述傳動件(430)的正投影。
如請求項6所述之衣物處理設備，其中，所述第二傳動輪(431)和所述第三傳動輪(432)均位於所述第一輸出軸(310)和/或所述第二輸出軸(320)遠離所述滾筒(100)的一側。
如請求項1至10中任一項所述之衣物處理設備，其中，所述空氣循環件(200)為葉輪，所述葉輪套設安裝在所述第二輸出軸(320)上。
如請求項11所述之衣物處理設備，其中，所述滾筒(100)具有垂直於重力方向的中截面，所述葉輪位於所述中截面的下方。
一種電磁爐專用鍋具結構改良，其構成包含一由鐵磁<br/> 性金屬製成的鍋具本體，該鍋具本體外緣至少設有一隔熱層，及一位於該隔熱層外的防護層，該隔熱層係由非鐵磁性材料製成，具有低傳熱係數特性，用以阻擋該鍋具本體產生的高溫向外傳導，而該防護層係由非鐵磁性材料製成，用以加強該隔熱層的結構強度。
依據申請專利範圍第1項所述之電磁爐專用鍋具結構<br/> 改良，其中該鍋具本體可由不銹鋼材料製成。
依據申請專利範圍第1項所述之電磁爐專用鍋具結構<br/> 改良，其中該隔熱層可由泡棉或琺瑯材料製成。
依據申請專利範圍第1項所述之電磁爐專用鍋具結構<br/> 改良，其中該防護層可由塑膠、鋁或陶瓷，具有耐磨抗刮堅韌之非鐵磁性材料製成。
依據申請專利範圍第1項所述之電磁爐專用鍋具結構<br/> 改良，其中該鍋具本體與隔熱層可固定為一體或分離式結構，若是為分離式結構時，該隔熱層的內層亦設有一防護層。
依據申請專利範圍第1項所述之電磁爐專用鍋具結構<br/> 改良，其中該鍋具本體外緣與隔熱層之間可設一熱導層，該熱導層係一封閉且抽真空的空間，並於空間內注入適當比例的液體，據以當該鍋具本體底部產生高溫時，該液體會氣化將熱能往鍋具壁側傳播，達到快速均溫和增進熱傳播的效果。
依據申請專利範圍第6項所述之電磁爐專用鍋具結構<br/> 改良，其中該液體可為水、乙醇、氨。
一種電磁爐專用鍋具結構改良，其構成包含一由鐵<br/> 磁性金屬製成的鍋具本體，以及一套組於該鍋具本體外緣的熱導層，該熱導層內緣係一封閉且抽真空的空間，並於空間內注入適當比例的液體，據以當該鍋具本體底部產生高溫時，該液體會氣化將熱能往鍋具壁側傳播，達到快速均溫、增進熱傳播及隔熱效果。
依據申請專利範圍第8項所述之電磁爐專用鍋具結<br/> 構改良，其中該液體可為水、乙醇、氨。
依據申請專利範圍第8項所述之電磁爐專用鍋具<br/> 結構改良，其中該熱導層外緣可再套設一隔熱層，該隔熱層係由非鐵磁性材料製成，具有低傳熱係數特性，用以阻擋該鍋具本體產生的高溫向外傳導，其外緣設有一防護層，用以加強該隔熱層的結構強度。
一種維運建議生成系統，包含：<br/> 一維運伺服器，儲存一歷史紀錄資料及一專業知識資料；及<br/> 一分析伺服器，電連接該維運伺服器，並儲存一大型語言模型；<br/> 該分析伺服器自該維運伺服器接收到一包含一異常事件的告警資料；<br/> 該分析伺服器根據該告警資料、該歷史紀錄資料及該專業知識資料輸入至該大型語言模型以產生一對應於該告警資料的障礙排除建議資料。
如請求項1所述的維運建議生成系統，其中，該維運伺服器整合該告警資料及該障礙排除建議資料產生一包含該告警資料及該障礙排除建議資料的解決方案報告。
如請求項1所述的維運建議生成系統，其中，該維運伺服器對該告警資料執行一預處理程序時，對該告警資料進行格式化、去重及歸類。
如請求項1所述的維運建議生成系統，其中，<br/> 該分析伺服器執行該大型語言模型時，從該告警資料中擷取出一對應於該告警資料的錯誤類別、一對應於該告警資料的錯誤代碼、一對應於該告警資料的錯誤訊息、一對應於該告警資料的時間戳及一對應於該告警資料的組件資料，並根據該錯誤類別、該錯誤代碼、該錯誤訊息、該時間戳、該組件資料、該歷史紀錄資料及該專業知識資料以產生對應於該告警資料的該障礙排除建議資料。
一種具高麗菜酸之米蛋糕結構，其主要包括：<br/> 一米質蛋糕基體，係以米穀粉為主要結構原料，該米質蛋糕基體於烘焙後形成多孔結構以支撐整個米質蛋糕基體；及<br/> 一複合酸菜部，設於所述米質蛋糕基體中，該複合酸菜部係由複數醃漬蔬菜形成之分散相或連續相結構；<br/> 其中，所述醃漬蔬菜於烘焙過程中均勻分佈於該米質蛋糕基體中，使整體形成鹹酸與米香並存之一複合蛋糕本體。
如請求項1所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述米穀粉為經細磨處理之白米粉末，顆粒細度介於80目至120目之間，以形成細緻且均勻之米質蛋糕基體。
如請求項1或2所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述米質蛋糕基體可以進一步配合杏仁粉、糖粉、蛋黃、蛋白及奶油混合形成。
如請求項1所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述醃漬蔬菜是醃黃瓜。
如請求項1所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述醃漬蔬菜為經脫鹽、切碎及低溫烘乾處理之高麗菜酸顆粒。
如請求項1、4或5所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述醃漬蔬菜之切碎尺寸控制於1.5公分至2公分之間，並於160°C至165°C環境下烘製15至20分鐘，使其表面乾爽而內部保持纖維彈性。
如請求項6所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述複合酸菜部中之醃漬蔬菜含水率控制於10%至12%之間，以避免蛋糕結構坍塌並確保風味均勻分佈。
如請求項7所述之具高麗菜酸之米蛋糕結構，其中所述醃漬蔬菜於烘焙過程中釋放微量水氣與酸味物質，藉毛細作用向外擴散並與該米質蛋糕基體融合，形成中心鹹香、外層米香之層次結構。
一種管塞，包含：<br/> 一管狀殼體，具有一流道，該管狀殼體包含：<br/> 一殼本體，定義該流道；<br/> 一冠狀結構，環繞該殼本體之一外表面；以及<br/> 一干涉凸環，自該殼本體之該外表面突伸；以及<br/> 一標籤環，與該管狀殼體卡合，該標籤環包含一環本體並具有自該環本體凹陷之一干涉槽，其中該干涉凸環與該干涉槽係硬干涉地彼此卡合。
如請求項1所述之管塞，其中該冠狀結構具有一外表面，該標籤環進一步具有一齊平面，且該冠狀結構之該外表面與該標籤環之該齊平面共平面。
如請求項2所述之管塞，其中該標籤環之該齊平面位於該環本體之靠近該冠狀結構之一端。
如請求項2所述之管塞，其中該標籤環進一步具有與該齊平面連接之一環狀斜面。
如請求項4所述之管塞，其中該標籤環之該齊平面具有鄰接該冠狀結構之一直線邊緣以及定義該環狀斜面之一部位之一弧形邊緣。
如請求項1所述之管塞，其中該冠狀結構在該管狀殼體之一軸向上具有六角形之形狀。
如請求項1所述之管塞，其中該干涉凸環與該冠狀結構隔開。
如請求項1所述之管塞，其中該管狀殼體進一步包含自該殼本體之該外表面突伸之一環狀卡鈎，且該干涉凸環位於該冠狀結構與該環狀卡鈎之間。
如請求項8所述之管塞，其中該干涉凸環、該干涉槽以及該環狀卡鈎係沿著該管狀殼體之一周向延伸。
如請求項1所述之管塞，進一步包含設置於該管狀殼體之該流道中之一活塞。
一種雙效冷卻循環空調衣，包含衣服、吸水件、複數個進氣風扇以及電源裝置，其中：該衣服包括外布層連接對應內布層，且外布層內側與內布層內側之間構成導流通道，外布層為不透氣布，內布層則為透氣布，外布層下段設有複數個進風口，而外布層上段設有複數個出風口，進風口、出風口分別連通於導流通道，內布層中段在內側設置有透氣式置物袋；該吸水件放置於置物袋內；該複數個進氣風扇分別對應連接外布層之進風口，且各進氣風扇之進風總面積大於各出風口之總面積；該電源裝置包括電源線電性連接各進氣風扇，以控制供應電源；藉上，各進氣風扇吸送外部空氣進入進風口形成氣流，讓氣流沿著導流通道往上流動通過吸水件旁側，並且吸水件對氣流進行蒸發吸熱降溫，然後氣流從出風口加速朝外噴出，讓氣流降壓產生氣體絕熱現象，達到再次降溫效果。
如申請專利範圍第1項所述之雙效冷卻循環空調衣，其中該外布層外側與置物袋對應於導流通道各設置有用於啟閉之拉鏈。
如申請專利範圍第1項所述之雙效冷卻循環空調衣，其中該衣服之導流通道之前後相隔寬度朝向出風口逐漸縮減。
如申請專利範圍第1項所述之雙效冷卻循環空調衣，其中該吸水件為吸水布。
如申請專利範圍第1項所述之雙效冷卻循環空調衣，其中該外布層與內布層下段設有對接閉合部，對接閉合部設置有貫穿外布層及內布層之進出風口，進出風口設置有風扇，以吸送外部空氣通過進出風口形成氣流。
如申請專利範圍第5項所述之雙效冷卻循環空調衣，其中該內布層於遠離外布層之表面對應進出風口設置有遮風布，遮風布具有引導氣流朝上吹送之出氣口。
如申請專利範圍第1項所述之雙效冷卻循環空調衣，其中該電源裝置之電源線依序連接有開關與行動電源。
一種用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，包括：一供液組件(1)，用於提供標準溶液；一脫氣組件(2)，輸入端連接在所述供液組件(1)的出液管上、用於對所述供液組件(1)抽出的標準溶液實現脫氣；一連續注射組件(3)，通過分液結構(4)與所述脫氣組件(2)的輸出端連接，所述分液結構(4)用於切換流道、以實現所述連續注射組件(3)的連續注射；一霧化組件(5)，連接在所述分液結構(4)的輸出端上、用於標準溶液的霧化噴出；一監測組件(6)，設於所述霧化組件(5)與所述分液結構(4)之間的通液管路上、對管路內部的標準液流量進行監測。
根據請求項1所述的用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，所述供液組件(1)包括儲液瓶(11)、導溫筒(12)和恆溫冷卻器(13)；標準溶液存放於所述儲液瓶(11)內，所述儲液瓶(11)置於所述導溫筒(12)內，所述恆溫冷卻器(13)的冷卻端貼設於所述導溫筒(12)上。
根據請求項2所述的用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，所述脫氣組件(2)包括膜管組件(21)、真空脫氣腔(22)、真空泵(23)、電磁閥(24)和壓力傳感器(25)；所述膜管組件(21)包括膜管殼體和脫氣膜管，所述脫氣膜管位於所述膜管殼體內、且兩端頭均伸出所述膜管殼體作爲進液端和出液端，所述膜管殼體內部的空腔和所述真空脫氣腔(22)連通，所述真空泵(23)與所述真空脫氣腔(22)通過電磁閥(24)連接，所述壓力傳感器(25)設於所述真空脫氣腔(22)的殼體上、且壓力傳感器(25)的感應端與所述真空脫氣腔(22)內部連通，所述壓力傳感器(25)、真空泵(23)、電磁閥(24)均和真空泵(23)的控制器電性連接。
根據請求項3所述的用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，所述連續注射組件(3)包括安裝台(31)、第一注射器(32)和第二注射器(33)，所述第一注射器(32)和所述第二注射器(33)平行設於所述安裝台(31)上，並通過安裝台(31)背部的螺桿滑移結構實現所述第一注射器(32)和所述第二注射器(33)的交替注射。
根據請求項4所述的用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，所述分液結構(4)爲八向切換閥，所述膜管組件(21)的出液端一分爲二和所述分液結構(4)的兩個進口連接，所述第一注射器(32)和所述第二注射器(33)分別和所述分液結構(4)的切換口連接。
根據請求項5所述的用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，所述霧化組件(5)爲超音波噴嘴。
根據請求項6所述的用於微粒質量濃度校準的脫氣與連續供液裝置，其特徵在於，所述監測組件(6)包括監測殼體(61)、光發射器(62)和光接收器(63)；所述監測殼體(61)的兩端分別設有管路接頭、分別通過管路與分液結構(4)和所述霧化組件(5)連通，所述監測殼體(61)與所述分液結構(4)連接的管路一分爲二和所述分液結構(4)的兩個出口連接，所述光發射器(62)和所述光接收器(63)分別固定相對設於所述監測殼體(61)的上、下兩端面上，所述監測殼體(61)上開設有供所述光發射器(62)的光線穿過的觀測孔，所述光發射器(62)和所述光接收器(63)均和系統的控制器電性連接。
一種炒食機鍋鏟控制裝置，包含： <br/>一基座，包含一座體、一馬達、一第一軸承與一第二軸承，該馬達、該第一軸承與該第二軸承係分別設置於該座體上，該馬達與該第一軸承相鄰而設，該馬達的轉軸中心與該第一軸承的軸心界定出一基準軸，該基準軸係呈傾斜設置； <br/>一制動機構，包含一主動轉盤、一制動桿、一搖擺件、一制動桿套件與一第一鍋鏟套件，該主動轉盤係設置於該馬達，該制動桿具有一第一制動桿端部與一第二制動桿端部，該第一制動桿端部係偏心地鉸接於該主動轉盤表面，該搖擺件的一端係鉸接於該第一軸承，其另一端表面設置該制動桿套件，該制動桿套件係可滑動地套設於該制動桿，使得該制動桿可相對於該制動桿套件產生軸向伸縮位移，該第一鍋鏟套件係設置於該第二制動桿端部； <br/>一限位機構，包含一被動轉盤、一限位桿、一容置殼、一第二鍋鏟套件與一限位滑塊，該被動轉盤係鉸接於該第二軸承，該限位桿具有一第一限位桿端部與一第二限位桿端部，該第一限位桿端部係偏心地鉸接於該被動轉盤表面，該容置殼係設置於該第二限位桿端部，其內部設置該第二鍋鏟套件與該限位滑塊； <br/>一鍋鏟組件，其包含一鍋鏟桿、一限位槽道與一炒頭，該限位槽道係形成於該刀桿的外周面，其沿著該鍋鏟桿的軸向而設，該第一鍋鏟套件係固定式地套設於該鍋鏟桿靠近前端的位置，該第二鍋鏟套件係可伸縮式地套設於該鍋鏟桿靠近後端的位置，該限位滑塊係嵌入該限位槽道，該炒頭係設置於該鍋鏟桿前端。
如請求項1之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該限位槽道界定有一長距離直線段、一螺旋線段與一短距離直線段，該長距離直線段係位於該限位槽道最前端，其沿著該鍋鏟桿的軸向平行而設，該螺旋線段係銜接於該長距離直線段的後端，其環繞該鍋鏟桿的周向並沿著該鍋鏟桿的軸向延伸，以呈螺旋狀，該短距離直線段係銜接於該螺旋線段的後端，其沿著該鍋鏟桿的軸向平行而設，且該短距離直線段的長度小於該長距離直線段的長度。
如請求項1之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該制動桿設置有一關節與一關節套件，該關節套件係可拆式地套設在該關節。
如請求項3之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該關節具有一凸軸與一凹部，該凸軸係凸設於該制動桿的外周面上，該凹部係凹設於該制動桿的外周面上，且該凸軸與該凹部係對應於同一軸向，該關節套件具有一L形槽與一定位凸柱，該L形槽係凹設於該關節套件的內周面上，其一端連通至該關節套件的一端部，末端則位於該關節套件內，該定位凸柱係凸設於該關節套件的內周面上，且該L形槽的末端與該定位凸柱係對應於同一軸向，其中，當該關節套件套設在該關節時，該凸軸可由該關節套件的一端部插入至該關節套件的末端，而該定位凸柱可嵌入該凹部。
如請求項1之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該限位桿設置有一關節與一關節套件，該關節套件係可拆式地套設在該關節。
如請求項5之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該關節具有一凸軸與一凹部，該凸軸係凸設於該限位桿的外周面上，該凹部係凹設於該限位桿的外周面上，且該凸軸與該凹部係對應於同一軸向，該關節套件具有一L形槽與一定位凸柱，該L形槽係凹設於該關節套件的內周面上，其一端連通至該關節套件的一端部，末端則位於該關節套件內，該定位凸柱係凸設於該關節套件的內周面上，且該L形槽的末端與該定位凸柱係對應於同一軸向，其中，當該關節套件套設在該關節時，該凸軸可由該關節套件的一端部插入至該關節套件的末端，而該定位凸柱可嵌入該凹部。
如請求項1之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該鍋鏟桿的外側設置有一蛇管。
如請求項7之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該蛇管的兩端分別固設於該第一鍋鏟套件與該容置殼。
如請求項7之炒食機鍋鏟控制裝置，其中該蛇管的兩端分別固設於該容置殼與該鍋鏟桿末端。
一種抗氧化萃取物包裝結構，包含：<br/> 一容置主體，其內部形成有一容置空間；以及<br/> 一萃取物，其容置於該容置空間中；其中<br/> 該萃取物包含一食茱萸萃取物、一金錢薄荷萃取物、一石蓮花萃取物、或上述之任意組合。
如請求項1所述的包裝結構，其中，該容置主體包含殼體、網體、瓶體、罐體、袋體、盒體、管體、箱體、膜體、微脂體、或微胞。
如請求項1所述的包裝結構，其中，該萃取物以下列一者或多者之形式存在，包含液體、顆粒體、片體、錠體、餅體、粉體、膠體、凍體及膏體。
如請求項1所述的包裝結構，其中，該容置主體具有一取用部，其形成於該容置主體之一端，並與該容置空間連通。
如請求項1所述的包裝結構，其中，該容置主體具有一通孔，其形成於該容置主體之一端，並與該容置空間連通。
如請求項1所述的包裝結構，其中，該萃取物包含該食茱萸萃取物、該金錢薄荷萃取物及該石蓮花萃取物。
如請求項6所述的包裝結構，其中：<br/> 該食茱萸萃取物、該金錢薄荷萃取物及該石蓮花萃取物之重量比為(0.1至10)：(0.1至10)：(0.1至10)；及/或<br/> 該食茱萸萃取物、該金錢薄荷萃取物及該石蓮花萃取物分別為水萃取物。
如請求項6所述的包裝結構，其中，該萃取物的製備方法包含：<br/> 混合步驟：混合一食茱萸、一金錢薄荷、一石蓮花及一溶劑以得到一萃取原料，其中該食茱萸、該金錢薄荷及該石蓮花有一混合重量比；以及<br/> 萃取步驟：以一萃取溫度加熱該萃取原料，以取得該萃取物。
如請求項8所述的包裝結構，其中，在該萃取物的製備方法中：<br/> 該混合重量比為(0.1至10)：(0.1至10)：(0.1至10)；及/或<br/> 該溶劑為水。
如請求項8所述的包裝結構，其中，在該萃取物的製備方法中：<br/> 該萃取溫度係介於70℃至100℃之間。
一種具有彈簧的眼鏡，包含：<br/> 一主鏡框，下方具有一主結合槽；<br/> 一鼻中架，可活動地結合於該主鏡框的下方且相鄰該主結合槽，該鼻中架具有一側結合槽；<br/> 一鏡片，可拆卸地結合於該主結合槽及該側結合槽；<br/> 一桿件，一端固定結合於該主鏡框，該桿件的另一端朝該鼻中架延伸，該鼻中架有一抵止部對應位於該桿件的兩端之間；<br/> 一彈簧，一端固定於該桿件的另一端，該彈簧另一端固定於該抵止部；<br/> 透過以一外力拉動該鼻中架遠離該主鏡框，使該彈簧受該抵止部壓縮而儲存一彈性位能，且該鏡片脫離該側結合槽與該主結合槽而拆卸該鏡片；<br/> 施加該外力，該鏡片重新卡入該側結合槽與該主結合槽之其一後，透過移除該外力，使該彈簧釋放該彈性位能而推動該抵止部，進而帶動該鼻中架復位，該鏡片並重新結合於該側結合槽與該主結合槽之另一。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，該主結合槽的數量為二，且兩個該主結合槽彼此在該主鏡框下方左右相鄰，該鼻中架對應位於兩個該主結合槽之間；該側結合槽的數量為二，且兩個該側結合槽彼此相對位於該鼻中架的左右兩側；該鏡片的數量為二，其中一鏡片結合於對應的其中一主結合槽與其中一側結合槽，另一鏡片結合於對應的另一主結合槽與另一側結合槽。
如請求項2所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，每一主結合槽皆包含左右相鄰並彼此連通的一第一結合槽及一第二結合槽，該第二結合槽遠離該鼻中架，每一鏡片有左右相對的二側緣及位於所述側緣之間的一上緣，且該每一鏡片的其中一側緣皆凸伸有一結合部；該每一鏡片結合於該主鏡框及該鼻中架時，該上緣結合於該第一結合槽，該結合部結合於該第二結合槽，另一側緣結合於所述側結合槽。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，有二鼻托，分別結合於該鼻中架的左右兩側。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，該主鏡框中有一第一容納槽，該鼻中架有一第二容納槽連通該第一容納槽，有一套筒或一螺帽位於該第一容納槽中且固定結合於該主鏡框，該桿件的一端固定結合於該套筒或該螺帽。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，該主鏡框朝該鼻中架凸伸有一滑塊，該鼻中架對應該滑塊而設置有凹入的一滑槽，以該外力拉動該鼻中架或該鼻中架復位時，該滑塊係在該滑槽中滑動。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，該桿件係為一雙層螺絲，該彈簧的一端直接固定於該雙層螺絲的另一端；或者，該桿件係為一大頭螺絲，該彈簧的一端直接固定於該大頭螺絲的另一端；或者，有一墊片固定結合於該桿件的另一端，該彈簧的一端係固定結合於該墊片。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，進一步，該主鏡框的左右兩側各樞接有一鏡腳。
如請求項1所述之具有彈簧的眼鏡，其中，該側結合槽的數量為二，且兩個該側結合槽彼此相對位於該鼻中架的左右兩側，該鏡片的數量為一，兩個所述側結合槽對應該鏡片而彼此連通。
一種板材的邊角修飾用刀具，係包括刀架及至少二個以上之刀具，其中：<br/> 該刀架係包括軸柄部、自該軸柄部一側延伸之軸桿部；<br/> 該至少二個以上之刀具係分別包括有組裝於該軸桿部處之軸孔，再於各該刀具的周緣凹設有呈傾斜狀之刀刃。
如請求項1所述之板材的邊角修飾用刀具，其中該刀架係設有組裝於加工機具處之軸柄部，並於該軸柄部一側延設有供該至少二個以上之刀具組裝之軸桿部。
如請求項2所述之板材的邊角修飾用刀具，其中該加工機具係為電腦輔助加工機，以供工作人員輸入待加工板材的長度、寬度及厚度相關尺寸資訊，即供驅動該刀架及該刀具運作。
如請求項1所述之板材的邊角修飾用刀具，其中該刀架於相對該軸柄部的該軸桿部另側端部設有螺紋段，並供止擋螺帽鎖設固定，且該止擋螺帽一側設有抵持於最外側的該刀具的該軸孔周緣處之抵擋緣部。
如請求項1所述之板材的邊角修飾用刀具，其中該至少二個以上之刀具二側分別設有供相互嵌卡、定位之凸緣部及凹環槽。
如請求項1所述之板材的邊角修飾用刀具，其中該至少二個以上刀具為分別凹設有呈梯形狀、Ｕ形狀或Ｖ形狀之傾斜狀該刀刃。
一種電聲弦樂器拾音裝置，係應用於電聲弦樂器，其特徵在於，該電聲弦樂器拾音裝置，包括：<br/> 一主框架結構，設置於該電聲弦樂器之內部，該主框架結構設有至少一開口，該開口連接至少一拾音裝置卡夾容置空間；<br/> 至少一拾音裝置卡夾，由一卡夾結構、至少一卡扣、一拾音裝置與至少一拾音裝置固定裝置所組成該拾音裝置卡夾，該拾音裝置卡夾插入固定至該拾音裝置卡夾容置空間之內部，該卡扣設置於該卡夾結構之側面，用於固定該拾音裝置卡夾至該拾音裝置卡夾容置空間，該拾音裝置設置於該拾音裝置卡夾之上端，通過該拾音裝置固定裝置將該拾音裝置固定至該拾音裝置卡夾。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電聲弦樂器係為電吉他或低音電吉他（Bass guitar）。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該拾音裝置選自單線圈拾音器、雙線圈拾音器、唇形管拾音器、堆疊式單線圈拾音器、鐵軌式拾音器、刀片式拾音器、主動式拾音器、壓電式拾音器、光學式拾音器及麥克風構成一群組其中之一或其任意組合。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構通過包括3D材料列印、CNC切削等方式製造而成。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構所構成之材質選自高強度塑膠、碳纖尼龍及苯二甲酸乙二酯-碳纖維複合材料（PET-CF）構成一群組其中之一種或其組合。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構為二開口與二拾音裝置卡夾容置空間之形式，該拾音裝置卡夾容置空間之中間間隔為該電聲弦樂器之木材。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構可通過一組合結構所構成，該組合結構由一上部結構與一下部結構所組成，並通過將該上部結構與該下部結構上下組合而成該主框架結構。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構為一體成形構成。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該拾音裝置卡夾設有至少一拾音裝置高度調整裝置，該拾音裝置高度調整裝置係由一螺絲所構成，通過控制該螺絲之咬合深度，以此調整該拾音裝置與該電聲弦樂器之琴弦之間之距離。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該拾音裝置固定裝置設置於該拾音裝置卡夾之上端四角，固定該拾音裝置之底邊。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該拾音裝置卡夾之卡夾開口可對應不同造型之該拾音裝置進行適配，並可通過更換不同該卡夾開口之造型之上蓋對應不同造型之該拾音裝置進行適配。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電聲弦樂器拾音裝置設有一電路系統，該電路系統包括至少一彈簧針與至少一接線，通過該接線電性連接該拾音裝置與該彈簧針，以此實現對拾音裝置之電性控制手段。
如請求項12所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該彈簧針係呈一列設置於該拾音裝置卡夾之側面位置。
如請求項12所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該彈簧針係呈一列設置於該拾音裝置卡夾之底邊側面之位置。
如請求項12所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該接線係使用包括快拆接頭、焊接與螺絲鎖固等方式，進行該拾音裝置與該彈簧針之電性連接。
如請求項12所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電路系統可進一步包括至少一電池與至少一電路板，該電池與該電路板電性連接該彈簧針與該接線，進行該拾音裝置之不同伏特之電壓轉換。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電路板可設置於該主框架結構或該拾音裝置卡夾。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電路板可為印刷電路板（Printed circuit board）或軟性印刷電路板（Flexible Printed Circuit）。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電池可設置於該主框架結構。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電路板設有至少一接觸銲點。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該彈簧針電性連接至位於電路板末端之接觸銲點。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該電路系統可進一步包括至少一燈光效果模組，實現該電聲弦樂器彈奏時同步產生燈光效果。
如請求項22所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該燈光效果模組係為一發光二極體（LED）模組，該發光二極體模組可通過與部分之該彈簧針電性連接與該電路板電性連接，根據該電聲弦樂器之彈奏力道，觸動該彈簧針產生電壓，由該電路板監測電壓之信號變化映射該發光二極體模組產生燈光效果，包括該發光二極體模組之亮度、顏色或閃爍模式等。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構設置一琴橋。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構設置至少一共鳴孔，於該主框架結構之構成之材質之內部。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構設置至少一榫接槽，於該榫接槽灌入密封材料形成一機械鎖定結構。
如請求項26所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該密封材料包括環氧樹酯。
如請求項16所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該卡夾結構為雙層結構，該雙層結構包括一上層結構與一下層結構，該上層結構之內部可固定該拾音裝置，該下層結構之內部可設置前述該電路系統之該電池、電路板與該接線。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該卡扣為可拆卸式。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該卡扣材質選自高強度塑膠、碳纖尼龍及苯二甲酸乙二酯-碳纖維複合材料（PET-CF）構成一群組其中之一種或其組合之高韌性材質。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該主框架結構之外表面設置至少一紋路，該紋路可填充環氧樹脂。
如請求項1所述之電聲弦樂器拾音裝置，其中該拾音裝置卡夾之內部設置至少一滑軌，便於該拾音裝置沿該滑軌進入該拾音裝置卡夾並固定完成。
一種攜帶式馬桶簡易結構，其特徵在於，包括︰<br/> 一底座單元(11)，其包括有多個板件(112)，該些板件(112)可彎折地互相連接；<br/> 一上蓋單元(16)，其包括有一孔洞(161)及至少一抵頂部(162)，該孔洞(161)貫穿該上蓋單元(16)中心，該抵頂部(162)位於該上蓋單元(16)的側邊；<br/> 其中，當多個板件(112)展開時，該上蓋單元(16)的抵頂部(162)可選擇性地與該板件(112)外緣相抵接。
如申請專利範圍第1項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，當多個板件(112)展開時，該上蓋單元(16)的抵頂部(162)可選擇性地與該板件(112)外緣相卡合。
如申請專利範圍第1項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該板件(112)的數目為4個以上。
如申請專利範圍第3項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該板件(112)的數目為偶數。
如申請專利範圍第1項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該板件(112)為正方形板或長方形板。
如申請專利範圍第1項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該孔洞(161)為圓形孔或橢圓形孔。
如申請專利範圍第1項所述之攜帶式馬桶簡易結構，更包括有一塑膠袋(8)，該塑膠袋(8)可選擇性地套設在該底座單元(11)之內。
如申請專利範圍第7項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該塑膠袋(8)套設於該些板件(112)的內側壁。
如申請專利範圍第1項所述之攜帶式馬桶簡易結構，更包括有一耦合座單元(6)，該耦合座單元(6)可選擇性地與該上蓋單元(16)互相結合。
如申請專利範圍第9項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該耦合座單元(6)包括有一凸出的耦合件(62)，該耦合件(62)可選擇性地插入該孔洞(161)。
如申請專利範圍第10項所述之攜帶式馬桶簡易結構，其中，該耦合件(62)與該孔洞(161)成緊配合狀態。
一種增壓打氣筒，其包括有：<br/> 一個頭座；<br/> 一個汽缸組，該汽缸組包括有一個第一汽缸、一個第二汽缸及一個連通管，該第一汽缸的一端連接於該頭座且另一端套設於該第二汽缸外，該第二汽缸鄰近該頭座的一端設置有一個第一活塞，該第一汽缸相反於該頭座的一端設置有一個第一端蓋，該第一端蓋接觸該第二汽缸的外周緣，該第二汽缸相反於該頭座的一端設置有一個第二端蓋，該連通管的一端插設於該第二汽缸內且鄰近該第二端蓋，該連通管鄰近該第二端蓋的一端設置有一個第二活塞，該第二活塞接觸該第二汽缸的內周緣，該連通管遠離該第二端蓋的一端凸出該第二汽缸外並連接於該頭座，該第二汽缸能夠同步相對該第一汽缸與該連通管滑移，該第一活塞接觸該連通管的外周緣及該第一汽缸的內周緣，該連通管設置有連通該第二汽缸與該頭座的一個連通道；<br/> 一個洩氣閥，該洩氣閥連接於該頭座，該洩氣閥設置有一個洩氣孔及一個閥體，該洩氣孔與該連通道相連通，該閥體能夠在封閉位置與洩氣位置之間移動，該閥體在該封閉位置時，該閥體封閉該洩氣孔，該閥體在該洩氣位置時，該連通道的氣體能由該洩氣孔流出。
如請求項1所述之增壓打氣筒，其中該第一汽缸的內部空間設置有一個第一區及一個第二區，該第一區設置於該第一活塞鄰近該頭座的一側，該第二區設置於該第一活塞相反於該頭座的一側，該第一端蓋僅供氣流由外部進入該第二區。
如請求項2所述之增壓打氣筒，其中該第二汽缸的內部空間設置有一個第三區及一個第四區，該第三區設置於該第二活塞鄰近該頭座的一側，該第四區設置於該第二活塞相反於該頭座的一側，該第二活塞僅供氣流由該第三區流向該第四區，該第二汽缸沿徑向穿設有一個側孔，該側孔連通該第二區與該第三區。
如請求項3所述之增壓打氣筒，其中該第二活塞內設置有一個止逆閥，該止逆閥僅供氣流由該第四區進入該連通管。
如請求項1所述之增壓打氣筒，其中該洩氣閥包括有一個氣通件、一個閥座及一個彈性件，該氣通件樞設於該頭座，該氣通件設置有一個氣通孔，該閥座連接於該氣通件的一端，該洩氣孔設置於該閥座，該洩氣孔透過該氣通孔與該第一汽缸相連通，該閥體的一端設置於該洩氣孔內且另一端凸出該閥座外，該彈性件設置於該氣通孔內，該彈性件的一端抵靠於該閥座且另一端抵靠於該閥體，該彈性件能夠頂推該閥體往該封閉位置移動。
如請求項5所述之增壓打氣筒，其中該氣通件設置有一個出氣通道，該出氣通道連通該氣通孔，該出氣通道設置於該氣通件相反於閥座的一端。
如請求項5所述之增壓打氣筒，其中該頭座連接有一個壓力錶，該壓力錶連接於該頭座相反於該第一汽缸的一端，該壓力錶與該第一汽缸及該氣通孔相連通。
一種光固化3D印表機之離形膜變形分離偵測裝置，包括：<br/> 一載台，乃包含一上框體、及一設於該上框體下方之下框體；<br/> 一膜體，乃設於該上框體與該下框體之間，並受該上框體與該下框體共同夾持；<br/> 一發光裝置，乃設於該膜體之下方處，以對該膜體上方之樹脂材料進行光固化動作；<br/> 一列印載體，乃設於該載台上方處，以藉升降動作搭配該發光裝置及該樹脂材料予以成型一物品； <br/> 至少一張力感測器，乃設於該下框體與該膜體之間，以感測該膜體之變形張力；及<br/> 一緊急停止模組，係與該張力感測器、該發光裝置及該列印載體資訊連結，以接收該張力感測器之感測訊號來控制該發光裝置及該列印載體是否停止運作。
如請求項1所述之光固化3D印表機之離形膜變形分離偵測裝置，其中該發光裝置係具有數個發光件，各該發光件係散發出紫外光線。
如請求項1所述之光固化3D印表機之離形膜變形分離偵測裝置，其中該緊急停止模組係為控制晶片。
如請求項1所述之光固化3D印表機之離形膜變形分離偵測裝置，其中該膜體為撓性膜體。
如請求項1所述之光固化3D印表機之離形膜變形分離偵測裝置，其中該列印載體係具有一升降裝置、及一設於該升降裝置上之座體。
如請求項5所述之光固化3D印表機之離形膜變形分離偵測裝置，其中該升降裝置、該發光裝置、該張力感測器、及該緊急停止模組係資訊連結一控制裝置。
一種模組化串流推論系統，包含：<br/> 至少一終端裝置，上傳一人工智慧模型；<br/> 一雲端平台，訊號連接該至少一終端裝置，以接收該人工智慧模型，該雲端平台內建有一推論引擎以及一事件產生模組，該推論引擎根據一推論任務列表對該人工智慧模型進行一模型推論，且該推論任務列表包含至少一推論任務，該推論引擎係根據該人工智慧模型對一輸入影像執行該至少一推論任務，並根據一事件條件產生對應之一推論結果，該事件產生模組續將該推論結果轉換為一事件資料；以及<br/> 一雲端資料庫，訊號連接該雲端平台，以儲存該事件資料。
如請求項1所述之模組化串流推論系統，其中該雲端平台更提供一使用者介面，以供建立、設定或修改該推論任務列表及該事件條件。
如請求項2所述之模組化串流推論系統，其中該至少一終端裝置係透過該使用者介面上傳該人工智慧模型，並對該人工智慧模型進行一格式驗證。
如請求項2所述之模組化串流推論系統，其中該至少一終端裝置更可透過該使用者介面進行一事件資訊顯示、一事件影回收及一事件裁決介面等事件管理。
如請求項1或2所述之模組化串流推論系統，其中該事件條件包含：一標準化事件邏輯模版、一基礎事件邏輯、一判定邏輯組合機制、一標準化事件資料結構、一錄影功能、一事件馬賽克功能或一事件資訊收集和上傳功能。
如請求項2所述之模組化串流推論系統，其中該至少一終端裝置更具有一上傳應用程式介面，以訊號連接該雲端平台之該使用者介面。
如請求項1所述之模組化串流推論系統，其中該推論任務列表包含複數該推論任務時，該推論引擎根據該推論任務列表中之一班表時間依序進行該模型推論。
如請求項1所述之模組化串流推論系統，其中該事件資料包含一時間戳、一座標、一類別標籤以及一影片。
如請求項1所述之模組化串流推論系統，其中該雲端平台更內建有一擷取引擎，該擷取引擎電性連接該推論引擎，以自外部擷取該輸入影像並傳輸至該推論引擎。
如請求項1所述之模組化串流推論系統，其中該事件產生模組更包含：<br/> 一狀態檢查器，接收該推論結果，並進行一事件狀態的判斷邏輯，以產生一第一運算結果；<br/> 一邏輯運算器，其係根據該第一運算結果，進行多個該事件條件之間的邏輯運算，以產生一第二運算結果；以及<br/> 一事件上傳器，接收該第二運算結果，以將該第二運算結果包裝成特定事件格式之該事件資料。
如請求項10所述之模組化串流推論系統，其中該事件資料係為一違規事件資料。
如請求項11所述之模組化串流推論系統，其中該違規事件資料包含一時間戳、一座標、一類別標籤以及一影片。
如請求項1所述之模組化串流推論系統，其中該人工智慧模型係為一物件偵測模型、一姿勢偵測模型或一定向邊框偵測模型。
一種網球拍護線釘結構，其包含：一基體，具有配合一網球拍拍框外側面輪廓的形狀；該基體具有一外表面和一內表面；數個護線軸，自該基體的該內表面一體延伸成型，該些護線軸適於穿過該拍框預設的穿線孔，每一該護線軸具有遠離該基體的一開放端；以及數個線孔，分別軸向貫穿該些護線軸，每一該線孔於該基體的該外表面形成一第一開口，並於該護線軸的該開放端形成一第二開口；該第二開口之孔徑大於該第一開口之孔徑，使該護線釘結構於該第一開口位置的實體材料體積大於該第二開口位置的實體材料體積，藉以使該護線釘結構之重心偏向該基體。
如請求項1所述的網球拍護線釘結構，其中，該第一開口呈圓形孔，該第二開口呈長圓形孔或橢圓形孔。
如請求項2所述的網球拍護線釘結構，其中，該第二開口的短軸大於該第一開口之孔徑。
如請求項1所述的網球拍護線釘結構，其中，該護線釘結構的材質為尼龍。
如請求項4所述的網球拍護線釘結構，其中，該護線釘結構的重量較同體積的通用塑料護線釘重約4.5公克。
如請求項1所述的網球拍護線釘結構，其中，該護線釘結構是配置於該網球拍拍框的3點鐘、6點鐘、9點鐘及12點鐘方位的至少其中之一區域。
如請求項1所述的網球拍護線釘結構，其中，一組該護線釘結構包含8個該護線軸。
一種具有可調式隔板之容器，至少包含：<br/> 一容器，係具有凹槽；<br/> 至少一隔板，係可移動的設置於前述容器之凹槽內，前述隔板係設置平板部，前述平板部的形狀係配合前述容器之凹槽的形狀而設，且前述平板部的左側及右側係分別設置橫向的支撐板，前述支撐板係與前述容器之凹槽之側壁相互平行設置。
根據申請專利範圍第1項所述之具有可調式隔板之容器，其中前述容器之凹槽上方係設置一蓋子。
根據申請專利範圍第1項所述之具有可調式隔板之容器，其中前述容器係為圓形容器，且前述隔板可於該圓形容器內旋轉移動。
根據申請專利範圍第1項所述之具有可調式隔板之容器，其中前述隔板之平板部係設置至少一縱向插槽。
根據申請專利範圍第4項所述之具有可調式隔板之容器，其中前述縱向插槽係為複數，且該複數縱向插槽係分佈於前述平板部的上端與下端。
一種工作行程導向的數位語言學習系統，包含：<br/> 設定單元；<br/> 作息單元，訊號連接該設定單元；<br/> 語言學習單元，訊號連接該作息單元；<br/> 其中，該設定單元係供第一使用者或第二使用者設定個人資料、帳號、密碼、語言、受照護者資料、健康記錄項目、受照護者的需求；<br/> 其中，該第一使用者藉由該作息單元進行設定作息表與標註注意事項，該作息單元將該作息表與該標註注意事項轉換為該第二使用者所使用的語言，該作息表分為多個階段工作；<br/> 其中，該語言學習單元依據該作息表與該第二使用者的語言學習程度，以產生與工作內容相關的學習句子，該作息單元於各該些階段工作開始前，將工作內容通知發送給或提醒該第二使用者，該工作內容通知包含該工作內容與該學習句子。
如請求項1所述之工作行程導向的數位語言學習系統，其中，該設定單元具有第一使用者設定裝置與第二使用者設定裝置；該工作行程導向的數位語言學習系統更具有雙向即時訊息單元，該雙向即時訊息單元訊號連接該設定單元。
如請求項2所述之工作行程導向的數位語言學習系統，其中，該第一使用者設定裝置具有設定人機介面、綁定第二使用者介面、邀請家庭成員介面、付費方案介面或語言設定介面，該第二使用者設定裝置具有設定第二使用者資料介面、檢視介面或變更語言介面。
如請求項2所述之工作行程導向的數位語言學習系統，其中，該雙向即時訊息單元具有第一使用者通訊介面與第二使用者通訊介面。
如請求項1所述之工作行程導向的數位語言學習系統，其中，該作息單元具有第一使用者作息表設定介面、標註注意事項介面、作息表顯示介面或通知介面。
如請求項1所述之工作行程導向的數位語言學習系統，其中，該語言學習單元具有程度介面、作息表對應介面、學習介面或查核介面。
如請求項1所述之工作行程導向的數位語言學習系統，更包含每日健康記錄單元，該每日健康記錄單元訊號連接該設定單元，該每日健康記錄單元具有設定追蹤健康記錄項目介面、健康記錄項目顯示介面或匯出介面。
一種從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，包含： <br/>一銅液調製單元，用於接收含銅廢液並均質化，配置有還原劑供應裝置，用以進行受控還原反應，並具備pH值調控裝置，用以將所得之預處理還原液之pH值調控於約2.0至3.5之區間； <br/>一樹脂萃取單元，與該銅液調製單元連接，包含複數螯合樹脂塔，並配置成可實施連續式旋轉木馬模式操作，用以選擇性吸附預處理還原液中的銅離子，實現銅離子與雜質的分離提濃，並將該螯合樹脂塔經酸性溶液洗脫後，產生一高純度銅溶液； <br/>一反應器，與該樹脂萃取單元連接，用於接收該高純度銅溶液，該反應器配置有一沉澱劑添加裝置及一攪拌裝置，藉由控制該沉澱劑添加裝置之添加速率與該攪拌裝置之攪拌強度，以精確調控反應系統之過飽和度，進而生成一含有鹼式碳酸銅沉澱之漿料； <br/>一管式膜洗滌單元，與該反應器連接，係為管式超濾膜，用於對該鹼式碳酸銅沉澱漿料進行滲濾洗滌與固液分離，進而生成一濃縮漿料；以及 <br/>一脫水單元，與該管式膜洗滌單元連接，用於接收該濃縮漿料並進行脫水處理，以獲得高純度鹼式碳酸銅產物。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該銅液調製單元與該樹脂萃取單元之間設有一過濾裝置，用於去除預處理還原液中的懸浮固體或大顆粒雜質。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該樹脂萃取單元包含一銅離子濃度偵測器，用於監測吸附段末端出水，並於偵測到銅離子濃度上升時，觸發自動閥門組切換螯合樹脂塔進入再生階段。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該反應器配置之溫控裝置，係將沉澱反應的溫度控制在約約30°C至70°C。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該管式膜洗滌單元的滲濾液出水端連接有一導電度偵測器，用於即時偵測滲濾液的導電度，以確認該濃縮漿料所含的鹼式碳酸銅是否已達到高純度要求。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該脫水單元所獲得之高純度鹼式碳酸銅產物之純度大於95%。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該銅液調製單元具備pH值控制裝置與氧化還原電位（ORP）控制裝置。
如請求項1所述之從含銅工業廢液中提濃並純化回收高純度鹼式碳酸銅之系統，其中，該反應器包含：一沉澱劑添加裝置、一攪拌裝置以及一溫控裝置及一控制系統。
一種都更危老建築重建整合系統，包含： 一所有權人閘道模組，用以訊號連接複數個所有權人裝置；<br/> 一建商閘道模組，用以訊號連接至少一建商裝置；<br/> 一管理閘道模組，用以訊號連接至少一管理裝置；<br/> 一核心運算模組，訊號連接該所有權人閘道模組、該管理閘道模組與該建商閘道模組，該核心運算模組被配置為：<br/> 建立一諮詢討論平台，且透過該所有權人閘道模組與該些所有權人裝置通訊，並於該諮詢討論平台中記錄該些所有權人裝置所上傳的複數個對話內容並以一人工智慧模型基於該些對話內容產生一重建需求條件；<br/> 透過該建商閘道模組與該至少一建商裝置通訊，且接收來自該至少一建商裝置所上傳的一重建資料，並該人工智慧模型依據該重建資料與該重建需求條件進行媒合，於媒合成功後，生成一合約草案文件與一簽約流程文件；<br/> 透過該管理閘道模組與該至少一管理裝置通訊，且將該合約草案文件與該簽約流程文件傳送至該至少一管理裝置，並接收來自該至少一管理裝置所上傳的一全案管理報告文件；以及<br/> 將該全案管理報告文件透過該所有權人閘道模組傳送給該些所有權人裝置。
如請求項1所述之都更危老建築重建整合系統，其中該諮詢討論平台供該些所有權人裝置以文字及或影音召開一聯合更新會以形成該些對話內容，並且該核心運算模組透過該人工智慧模型之一會議代理程式基於該些對話內容生成一會議紀錄、一摘要及該重建需求條件，並且該重建需求條件為該些所有權人裝置數位簽署。
如請求項2所述之都更危老建築重建整合系統，包含一區塊鏈閘道模組，用以訊號連接一區塊鏈網路及該核心運算模組；該核心運算模組配置為：透過該區塊鏈閘道模組將該些對話內容、該會議紀錄、該摘要及該重建需求條件保存於該區塊鏈網路。
如請求項1所述之都更危老建築重建整合系統，包含一金融閘道模組，用以訊號連接至少一銀行端裝置及該核心運算模組；該核心運算模組配置為：透過該金融閘道模組與該至少一銀行端裝置通訊，且自該至少一銀行端裝置取得一貸款條件與利率及透過該人工智慧模型生成一貸款試算資料，並將該貸款條件與利率及該貸款試算資料透過該所有權人閘道模組傳送到該些所有權人裝置。
如請求項1所述之都更危老建築重建整合系統，包含一政府閘道模組，用以訊號連接一法規來源裝置及該核心運算模組；該核心運算模組配置為：透過該政府閘道模組與該法規來源裝置通訊，以自該法規來源裝置取得一法規資料，並且該人工智慧模型基於該法規資料判斷該合約草案文件與該全案管理報告文件的合法性。
如請求項5所述之都更危老建築重建整合系統，其中該政府閘道模組用以訊號連接一地質資料來源裝置；該核心運算模組配置為：透過該政府閘道模組與該地質資料來源裝置通訊，以自該地質資料來源裝置取得一土地區域的一地質資料，並且該人工智慧模型基於該地質資料生成該土地區域的一防災報告文件並傳送到該諮詢討論平台。
如請求項1所述之都更危老建築重建整合系統，其中該核心運算模組配置為：<br/> 建立一教育平台；<br/> 接收來自該至少一管理裝置所上傳的一教育訓練資料，該人工智慧模型基於該教育訓練資料生成一教學媒體，並將該教學媒體傳送到該教育平台；<br/> 將該教育平台連結至該諮詢討論平台。
一種自行車之車頭碗定位裝置，其包含有：<br/> 一定位底座，具有至少一定位孔；<br/> 一迫緊環，透過一軸承組接至該定位底座，使該迫緊環可相對於該定位底座轉動，該迫緊環具有一容置槽，該容置槽貫穿該迫緊環的頂面及底面；<br/> 一上蓋，設置於該迫緊環之頂側，該上蓋具有一第一穿孔，且於該上蓋的外周面形成一環接部；<br/> 一轉動環，可轉動地套接於該上蓋之環接部，該轉動環之底側內凹形成有一導引槽，該導引槽之一端為一大徑端，另一端為一小徑端，由該大徑端至該小徑端呈現漸縮之形狀，而該大徑端與該小徑端之間即形成一斜環面；<br/> 一定位銷件，穿設於該迫緊環之容置槽、該上蓋之第一穿孔及該轉動環之導引槽，該定位銷件之一端抵接於該轉動環之斜環面，另一端則朝向該定位底座，而該定位銷件之外周面凸出形成一凸緣部；以及<br/> 一彈性件，設置於該迫緊環之容置槽內，該彈性件有一端抵接於該定位銷件的凸緣部；<br/> 其中，當該轉動環相對於該上蓋轉動時，可帶動該定位銷件在一解鎖位置與一鎖定位置之間移動；當該定位銷件位於該解鎖位置時，該定位銷件之頂端鄰近於該轉動環之導引槽的大徑端，且該定位銷件之底端位於該定位底座之定位孔的上方；當該定位銷件位於該鎖定位置時，該定位銷件之頂端鄰近於該轉動環之導引槽的小徑端，且該凸緣部壓縮該彈性件，該定位銷件之底端則穿入至該定位底座的定位孔內。
如請求項1所述的自行車之車頭碗定位裝置，其中該定位底座和該上蓋之間設置一遮蔽該迫緊環之分隔環，該分隔環具有一頂蓋部與一連接於該頂蓋部之底緣的環蓋部，於該頂蓋部形成一連通該上蓋之第一穿孔的貫孔，該定位銷件係穿設於該貫孔。
如請求項2所述的自行車之車頭碗定位裝置，其中該分隔環之頂蓋部的頂面還凸出形成至少一限位凸塊，該轉動環之底側內凹形成至少一限位槽，該限位凸塊經由該上蓋的至少一第二穿孔穿入至該限位槽內。
如請求項1所述的自行車之車頭碗定位裝置，其中該迫緊環之容置槽包含一上容置部與一下容置部，該上容置部連接於該下容置部，且該上容置部之內徑大於該下容置部之內徑，該彈性件係設置於該上容置部，且該彈性件未抵接於該定位銷件之凸緣部的一端抵接於該上容置部的底端。
如請求項1所述的自行車之車頭碗定位裝置，其中該上蓋包含有一第一蓋體與一第二蓋體，該第二蓋體還具有一底環部，該底環部之頂部向外延伸形成該環接部，該第一蓋體組接於該第二蓋體之環接部的頂部。
如請求項1所述的自行車之車頭碗定位裝置，其中該定位銷件還包含有一上銷件與一下銷件，該上銷件具有該凸緣部且頂端抵接於該轉動環之斜環面，該下銷件自頂面內凹形成一結合槽，透過該結合槽組接該上銷件之底端，該定位銷件位於該解鎖位置時該上銷件之底端距離該結合槽的底端間隔一距離，而該下銷件之底端朝向該定位底座設置。
如請求項6所述的自行車之車頭碗定位裝置，其中該彈性件還包含有一外彈簧與一內彈簧，該外彈簧未抵接於該凸緣部的一端係抵接於該迫緊環，該內彈簧未抵接於該凸緣部的一端則抵接於該下銷件的頂部端緣。
一種金融產品行銷系統，適用於與一客戶端裝置通訊，並包含：<br/> 一行員端裝置，電連接該客戶端裝置；<br/> 一金融產品參數伺服器，電連接該行員端裝置，儲存多個分別對應於多個產品的產品代碼；<br/> 一資料交換伺服器，電連接該金融產品參數伺服器；及<br/> 一網頁平台伺服器，電連接該資料交換伺服器及該客戶端裝置；<br/> 該金融產品參數伺服器根據一指示該或該等產品代碼的已選定產品資料產生一對應於一識別碼的行銷產品代碼資料及一對應於該識別碼的行銷產品連結；<br/> 該金融產品參數伺服器將該行銷產品代碼資料及該行銷產品連結傳送至該資料交換伺服器以供該資料交換伺服器儲存；<br/> 當該網頁平台伺服器自該客戶端裝置接收到一由該客戶端裝置根據一行銷宣傳資料的該行銷產品連結所產生的開啟指令時，該網頁平台伺服器自該資料交換伺服器找出對應於該行銷產品連結的該識別碼所對應的行銷產品代碼資料；<br/> 該網頁平台伺服器根據該行銷產品代碼資料取得該已選定產品資料所指示的該或該等產品代碼；<br/> 該網頁平台伺服器根據該已選定產品資料所指示的該或該等產品代碼以提供一行銷介面至該客戶端裝置。
如請求項1所述的金融產品行銷系統，其中，<br/> 該金融產品參數伺服器提供一呈現該等產品的產品選擇介面至該行員端裝置；<br/> 當該行員端裝置傳送一指示出該等產品的其中一者或其中多者的選擇指令至該金融產品參數伺服器時，該金融產品參數伺服器根據該選擇指令指示出的該或該等產品所對應的該或該等產品代碼產生該已選定產品資料。
如請求項1所述的金融產品行銷系統，其中，<br/> 該金融產品參數伺服器還儲存多個對應於每一產品的申辦流程及多個分別對應於該等申辦流程的流程代碼；<br/> 該金融產品參數伺服器根據該已選定產品資料指示的該或該等產品代碼及一已選定申辦流程資料所指示的該或該等流程代碼以產生對應於該識別碼的該行銷產品代碼資料及對應於該識別碼的該行銷產品連結；<br/> 該網頁平台伺服器根據該行銷產品代碼資料取得該已選定產品資料所指示的該或該等產品代碼及該已選定申辦流程資料所指示的該或該等流程代碼；<br/> 該網頁平台伺服器根據該已選定產品資料所指示的該或該等產品代碼及該已選定申辦流程資料所指示的該或該等流程代碼以提供該行銷介面至該客戶端裝置。
如請求項3所述的金融產品行銷系統，其中，<br/> 該金融產品參數伺服器提供包含分別對應於該等產品的該等產品代碼及分別對應於該等申辦流程的該等流程代碼的一產品選擇介面至該行員端裝置；<br/> 當該行員端裝置傳送一包含該等產品的其中一者或其中多者及對應於各該產品的該或該等申辦流程的選擇指令至該金融產品參數伺服器時，該金融產品參數伺服器根據該行員端裝置傳送的該或該等產品所對應的該或該等產品代碼產生該已選定產品資料；<br/> 該金融產品參數伺服器根據對應於該或該等產品的該或該等申辦流程所對應的該或該等流程代碼產生對應於該已選定產品資料的該已選定申辦流程資料。
如請求項3所述的金融產品行銷系統，其中，該等產品代碼及該等流程代碼各自屬於二進制，<br/> 該金融產品參數伺服器是將該已選定產品資料所指示的該或該等產品代碼自二進制轉換為十進制，並將該已選定申辦流程資料所指示的該或該等流程代碼自二進制轉換為十進制，以產生對應於該識別碼並包含屬於十進制的該已選定產品資料及該已選定申辦流程資料的行銷產品代碼資料；<br/> 該金融產品參數伺服器傳送該行銷產品代碼資料至該資料交換伺服器；<br/> 該網頁平台伺服器將該行銷產品代碼資料包含的該已選定產品資料及該已選定申辦流程資料各自從十進制轉換為二進制，以取得該已選定產品資料所指示的該或該等產品代碼及該已選定申辦流程資料所指示的該或該等流程代碼。
一種翻轉轉向機構，係用以將放置在一第一位置且呈一第一擺向的一物件，改變該物件為一第二擺向並移動至一第二位置，其中該第一擺向與該第二擺向為非平行方向，其特徵在於包括：<br/> 一基座；<br/> 一第一承載座，係結合於該基座且受控制而能夠於兩個定點位置之間移動，該第一承載座具有一中空軸管；<br/> 一翻轉機構，係安裝在該第一承載座上且包括有一轉軸和一驅動單元，其中該轉軸穿設該中空軸管且一端構成一轉接部，該驅動單元用以帶動該轉軸轉動；<br/> 一第二承載座，係固接於該轉軸之該轉接部；<br/> 一取物單元，係結合於該第二承載座且受控制而能夠於兩個定點位置之間移動，該取物單元具有一取物部，該取物部用以夾持或是鬆釋該物件。
如請求項1所述之翻轉轉向機構，其中該轉軸之該轉接部具有一斜接面，該第二承載座的一端部固接該斜接面，該轉軸轉動時能夠帶動該第二承載座翻轉。
如請求項1所述之翻轉轉向機構，包括一第一控制單元和一第二控制單元，該第一控制單元安裝在該基座上且包括有一第一移動件，該第二控制單元安裝在該第二承載座上且包括有一第二移動件；其中該第一移動件固接該第一承載座，且能夠帶動該第一承載座沿著一第一方向移動，該第二移動件固接該取物單元，且能夠帶動該取物單元沿著一第二方向移動，其中該第一方向與該第二方向為非平行方向。
如請求項3所述之翻轉轉向機構，其中該第一控制單元和該第二控制單元的至少一者為動力壓缸。
如請求項1所述之翻轉轉向機構，其中該基座與該第一承載座係以滑行對方式配合。
如請求項1所述之翻轉轉向機構，其中該第二承載座與該取物單元係以滑行對方式配合。
如請求項1所述之翻轉轉向機構，其中該翻轉機構之該驅動單元包括有至少一從動件和至少一驅動件，該至少一從動件與該轉軸以齧合方式連動，該至少一驅動件用以帶動該至少一從動件往復移動。
如請求項7所述之翻轉轉向機構，其中該驅動單元包括有一齒輪，該齒輪套設該轉軸，該至少一從動件包括一鍊條，該鍊條繞過該齒輪且具有相異的兩端；該至少一驅動件包括一第一驅動件和一第二驅動件，該第一驅動件連接該鍊條的一端，該第二驅動件連接該鍊條的另一端，該第一驅動件和該第二驅動件分別受控制而相對移動並拉動該鍊條，該鍊條透過該齒輪帶動該轉軸以一第一旋向或是一第二旋向轉動，其中該第一旋向與該第二旋向為相反方向。
如請求項8所述之翻轉轉向機構，其中該第一驅動件和該第二驅動件的至少一者透過一軸端接頭連結該鍊條，該軸端接頭與所連接的驅動件以可調整對接長度的方式連接。
一種快速氣嘴接頭，其包括有：<br/> 一個外殼，該外殼沿虛擬的一個貫軸設置有一個滑槽，該外殼沿該貫軸軸向設置有一個第一端及一個相反於該第一端的第二端，該滑槽由該第一端往該第二端的方向延伸；<br/> 一個夾緊裝置，該夾緊裝置設置於該滑槽內，該夾緊裝置包括有一個推座、至少一個卡固件及一個擋環部，該推座鄰近該第一端並沿該貫軸軸向設置有一個氣嘴插孔，該推座設置有至少一個容置槽，該卡固件能夠沿虛擬的一個基準線移動地設置於該容置槽內，該基準線與該貫軸之間鄰近該第二端的一側形成一個斜角，該斜角小於90度，該夾緊裝置能夠在夾緊位置與釋放位置之間滑移，該夾緊裝置在該夾緊位置時，該卡固件靠近該貫軸並嚙合法式氣嘴的外螺紋或英式氣嘴汽門芯的外螺紋，該夾緊裝置在該釋放位置時，該卡固件接觸該擋環部並使該卡固件遠離該貫軸且脫離氣嘴。
如請求項1所述之快速氣嘴接頭，其中該夾緊裝置共包括有兩個卡固件，該推座共設置有兩個容置槽，該兩個卡固件分別能夠移動地設置於該兩個容置槽內，該夾緊裝置在該夾緊位置時，該兩個卡固件靠近該貫軸，該夾緊裝置在該釋放位置時，該兩個卡固件遠離該貫軸。
如請求項2所述之快速氣嘴接頭，其中該容置槽沿該基準線軸向延伸，該容置槽的一端連通該氣嘴插孔且另一端連接於該推座的外周緣，該兩個容置槽分別設置於該推座相反的兩側。
如請求項3所述之快速氣嘴接頭，其中該夾緊裝置包括有一個前擋環，該前擋環固定結合於該滑槽的內周緣，該擋環部設置於該前擋環鄰近該第二端的一側，該推座鄰近該第一端的一端插接於該前擋環，該夾緊裝置在該釋放位置時，該卡固件相反的兩端凸出該容置槽並分別抵靠於該擋環部，該卡固件的兩端之間設置有一個卡固部，該夾緊裝置在該夾緊位置時，該卡固部凸伸進入該氣嘴插孔。
如請求項4所述之快速氣嘴接頭，其中該夾緊裝置包括有一個彈性件，該彈性件套設於該推座的外周緣，該彈性件的一端頂推該推座且另一端頂推該卡固件凸出該容置槽兩端鄰近該第二端的一側，該彈性件提供推力使該卡固件往鄰近該貫軸的方向移動。
如請求項5所述之快速氣嘴接頭，其中該卡固部呈方桿狀，該卡固件凸出該容置槽的兩端分別呈圓桿狀。
如請求項1所述之快速氣嘴接頭，其中該夾緊裝置包括有一個後蓋，該後蓋連接於該推座相反於該第一端的一端且凸出該第二端，該夾緊裝置在該夾緊位置時，該推座與該後蓋同步往鄰近該第二端的方向移動，該夾緊裝置在該釋放位置時，該推座與該後蓋同步往鄰近該第一端的方向移動。
如請求項1所述之快速氣嘴接頭，其中該外殼沿該貫軸徑向設置有一個側通道，該側通道與該滑槽相連通，且該側通道設置於該第一端與該第二端之間。
一種驅動頭，其主要包含有：<br/> 一連接本體， 一端設有一驅動連接部；以及<br/> 一驅動本體，係自該連接本體另一端沿其軸線凸設形成，該驅動本體包含有至少四驅動壁部、複數第一弧型壁部、複數第二弧型壁部與複數導引壁部，而每一該導引壁部沿其軸向於其兩側係各設有一該第一弧型壁部與一該第二弧型壁部，且每一該驅動壁部沿其軸向於其兩側係各設有一該第一弧型壁部與一該第二弧型壁部；<br/> 其中，每一該導引壁部係自鄰接該連接本體端朝其另端漸縮；<br/> 其中，該等驅動壁部、該等第一弧型壁部、該等導引壁部與該等第二弧型壁部係交錯設置。
如請求項1所述之驅動頭，進一步地，該等第一弧型壁部與該等第二弧型壁部沿該等導引壁部之軸向係為對稱結構或不對稱結構其中之一者。
如請求項1所述之驅動頭，進一步地，該驅動本體自該連接本體端沿其軸向依序形成一第一倒角段、一轉接段、一第二倒角段與一頂面，其中，該第一倒角段之側壁係自一端所鄰接之該連接本體端朝另端之該轉接段漸縮，而該第二倒角段之側壁係自一端所鄰接之該轉接段朝該另端之該頂面漸縮。
如請求項3所述之驅動頭，進一步地，沿該第一倒角段之徑向之側壁係凹設形成而具有一第一弧角，而沿該第二倒角段之徑向之側壁係凸設形成而具有一第二弧角，該第一弧角與該第二弧角之差值係大於或等於零但小於或等於20度。
一種使用如請求項1所述之驅動頭之鎖固件，該鎖固件主要係包含有：<br/> 一螺頭，係具有至少四個螺頭驅動卡止壁部、複數第一螺頭弧型卡止壁部、複數第二螺頭弧型卡止壁部、複數螺頭限位壁部與一錐形槽，而該等螺頭驅動卡止壁部係環狀排列且彼此間隔設置，並分別抵接限位對應之該驅動頭之該等驅動壁部，且每一該螺頭驅動卡止壁部之一側係鄰接一該第一螺頭弧型卡止壁部，而另一側係鄰接一該第二螺頭弧型卡止壁部，另，每一該螺頭限位壁部之一側沿其軸向並鄰接一該第一螺頭弧型卡止壁部，而另一側係鄰接一該第二螺頭弧型卡止壁部，而該錐形槽一端係分別鄰接該等螺頭驅動卡止壁部、該等第一螺頭弧型卡止壁部、該等第二螺頭弧型卡止壁部與該等螺頭限位壁部並沿該螺頭之軸向朝其另端漸縮形成；<br/> 一螺桿，由該螺頭沿其軸向朝螺頭另端延伸，該螺桿之外週側並設有至少一螺紋；<br/> 其中，每一該螺頭限位壁部與每一該螺頭驅動卡止壁部之間係設有一該第一螺頭弧型卡止壁部或一該第二螺頭弧型卡止壁部其中之一者；<br/> 其中，每一該螺頭限位壁部係自該錐形槽端沿其軸向朝另端漸擴。
如請求項5所述之鎖固件，進一步地，該螺頭設有一限位段與一漸縮段，而該螺頭自該限位段一端係沿該螺頭之軸向凹設形成該等螺頭驅動卡止壁部、該等第一螺頭弧型卡止壁部、該等第二螺頭弧型卡止壁部與該等螺頭限位壁部，且該螺頭於該限位段之另端係連接該漸縮段，該漸縮段沿該螺頭之軸向自鄰接之該限位段端朝其另端漸縮凹設形成該錐形槽。
如請求項6所述之鎖固件，進一步地，該等螺頭驅動卡止壁部、該等第一螺頭弧型卡止壁部、該等第二螺頭弧型卡止壁部與該等螺頭限位壁部和鄰接之該錐形槽之間更設有一第一環型卡止部，而其另端則形成一第二環型卡止部，使該驅動頭係至少組設於該螺頭之該限位段。
如請求項7所述之鎖固件，進一步地，該等螺頭驅動卡止壁部係各設有一平面抵接段，每一該平面抵接段係自該第一環型卡止部沿該螺頭軸向朝該第二環型卡止部延伸形成之平面。
一種形成如請求項5所述之該鎖固件之一成型沖具，該成型沖具主要包含有：<br/> 一沖針結合部；以及<br/> 一沖針本體部，係自該沖針結合部之一端沿其軸線設置形成，該沖針本體部包含有至少四驅動成型壁部、複數第一弧型成型壁部、複數第二弧型成型壁部與複數導引成型壁部，而每一該導引成型壁部沿其軸向於其兩側係各設有一該第一弧型成型壁部與一該第二弧型成型壁部，且每一該驅動成型壁部沿其軸向於其兩側係各設有一該第一弧型成型壁部與一該第二弧型成型壁部；<br/> 其中，每一該導引成型壁部係自鄰接該沖針結合部之一端朝其另端漸縮；<br/> 其中，該等驅動成型壁部、該等第一弧型成型壁部、該等導引成型壁部與該等第二弧型成型壁部係交錯設置。
如請求項9所述之成型沖具，進一步地，該等導引成型壁部係各設有一平面抵接成型段，每一該平面抵接成型段係自鄰接之該沖針結合部之一端沿該成型沖具之軸向朝其另端延伸所形成之平面。
一種高效率散熱風扇，包含：<br/> 一外殼；<br/> 一定子，安裝於該外殼之中；<br/> 一轉子；以及<br/> 一葉輪，其中該轉子安裝於該葉輪之中並與該定子轉動耦合，且該葉輪包含：<br/> 一輪轂；<br/> 一加強環，連接於該輪轂的周緣，其中該加強環包含一第一表面以及一第二表面；<br/> 一第一葉片組，由該加強環的該第一表面軸向向外延伸；以及<br/> 一第二葉片組，由該加強環的該第二表面軸向向外延伸，且其中該第一葉片組包含複數個第一葉片，該第二葉片組包含複數個第二葉片，且該些第一葉片或該些第二葉片的厚度與該葉輪的高度的比例介於0.0125至0.014之間。
一種高效率散熱風扇，包含:<br/> 一外殼；以及<br/> 一定子，安裝於該外殼之中；<br/> 一轉子；以及<br/> 一葉輪，其中該轉子安裝於該葉輪之中並與該定子轉動耦合，且該葉輪包含：<br/> 一輪轂；<br/> 一加強環，連接於該輪轂的周緣，其中該加強環包含一第一表面以及一第二表面；<br/> 一第一葉片組，由該加強環的該第一表面軸向向外延伸；以及<br/> 一第二葉片組，由該加強環的該第二表面軸向向外延伸，且其中該第一葉片組包含複數個第一葉片，該第二葉片組包含複數個第二葉片，且該些第一葉片或該些第二葉片的厚度與該葉輪的高度的比例介於0.008至0.021875之間。
一種高效率散熱風扇，包含:<br/> 一外殼；以及<br/> 一定子，安裝於該外殼之中；<br/> 一轉子；以及<br/> 一葉輪，其中該轉子安裝於該葉輪之中並與該定子轉動耦合，且該葉輪包含：<br/> 一輪轂；<br/> 一加強環，連接於該輪轂的周緣，其中該加強環包含一第一表面以及一第二表面；<br/> 一第一葉片組，由該加強環的該第一表面軸向向外延伸；以及<br/> 一第二葉片組，由該加強環的該第二表面軸向向外延伸，且其中該第一葉片組包含複數個第一葉片，該第二葉片組包含複數個第二葉片，且該些第一葉片或該些第二葉片的厚度與該葉輪的高度的比例介於0.005至0.025之間。
一種高效率散熱風扇，包含：<br/> 一外殼；<br/> 一定子，安裝於該外殼之中；<br/> 一轉子；以及<br/> 一葉輪，其中該轉子安裝於該葉輪之中並與該定子轉動耦合，且該葉輪包含：<br/> 一輪轂；<br/> 一加強環，連接於該輪轂的周緣，其中該加強環包含一第一表面以及一第二表面；<br/> 一第一葉片組，由該加強環的該第一表面軸向向外延伸；以及<br/> 一第二葉片組，由該加強環的該第二表面軸向向外延伸，且其中該第一葉片組包含複數個第一葉片，該第二葉片組包含複數個第二葉片，且該些第一葉片或該些第二葉片的厚度約介於0.2毫米至0.35毫米之間，該葉輪的高度約介於16毫米至25毫米之間。
如請求項1至4任一項所述之高效率散熱風扇，其中該第一葉片組包含約90至150個該些第一葉片，或該第二葉片組包含約90至150個該些第二葉片。
如請求項1至4任一項所述之高效率散熱風扇，其中該些第一葉片的第一葉片高度約為該葉輪的葉輪高度的45％至55％之間。
如請求項1至4任一項所述之高效率散熱風扇，其中該第一葉片組的葉片數量與該第二葉片組的葉片數量相同。
如請求項1至4任一項所述之高效率散熱風扇，其中該些第一葉片的位置與該些第二葉片的位置對稱設置。
如請求項1至4任一項所述之高效率散熱風扇，其中該第一葉片的延伸方向與該第二葉片組的延伸方向相同。
如請求項1至4任一項所述之高效率散熱風扇，其中該外殼包含複數個入風口以及複數個出風口。
一種分離式車架，包含有：<br/> 一前車架，具有一前側及一後側，該後側的頂部設有一座管束，該座管束的後側設有一鎖定部，而該後側的底部設有一連接件，並在該連接件設有一卡扣部；<br/> 一後車架，具有一朝向該前車架之組設側，該組設側的頂端設有一可與該鎖定部相互對應靠接之靠合部，而在該組設側的底端設有一與該連接件的卡扣部相互對應扣接之連接座；以及<br/> 一鎖固單元，用以穿經該靠合部並相對鎖設於該鎖定部上，使該前車架與該後車架可拆卸地結合在一起。
如請求項1所述之分離式車架，其中，該前車架之前側由一頭管構成，該前車架之後側由一立管構成，該立管的頂部設有該座管束，且在該頭管的頂部後側與該座管束的前側之間連接有一上管，並於該立管的底部設有該連接件，而該頭管的底部後側連接有一朝該立管的底部方向延伸且與該連接件相接之下管，該連接件具有一頂面及一與該頂面相反的底面，該立管與該下管分別固接於該頂面上，並在該連接件的底面形成有該卡扣部。
如請求項1所述之分離式車架，其中，該鎖定部呈朝後凸伸之塊體狀並具有一靠接斜面，且於該靠接斜面上開設有一鎖定螺孔，而該靠合部於朝向該前車架之一側形成有一可對應貼合於該靠接斜面上之靠合面，並於該靠合部上開設有可與該鎖定螺孔相互對正的穿孔，該鎖固單元具有一螺紋段及一與該螺紋段相接之外擴頭端，該鎖固單元以該螺紋段穿經該靠合部之穿孔而相對鎖設於該鎖定部之鎖定螺孔中，並透過旋鎖該鎖固單元使該外擴頭端相對壓抵該靠合部，以帶動該靠合面靠抵於該靠接斜面上而相互結合。
如請求項3所述之分離式車架，其中，該鎖定部由該座管束一體凸伸形成。
如請求項3所述之分離式車架，其中，該鎖定部由另一焊接於該座管束上之塊體所構成。
如請求項3所述之分離式車架，其中，該外擴頭端上接設有數個可供人手施力握持轉動之撥桿。
如請求項3所述之分離式車架，其中，該外擴頭端於朝向該螺紋段之端面上形成有一迫緊斜面，並透過旋鎖該鎖固單元以迫使該外擴頭端之迫緊斜面可相對壓抵於該靠合部之穿孔周緣所形成之一環斜面上。
如請求項1所述之分離式車架，其中，該連接件呈朝上彎曲之弧片狀，而該連接座呈橫置之短圓管狀，且該連接座之外周面形狀與該連接件之底面形狀相互對應而可相互搭接在一起。
如請求項1或8所述之分離式車架，其中，該卡扣部係由呈圓孔狀之通孔構成，並於該連接座朝向該前車架之外周面上凸設有可對應扣入於該連接件之卡扣部中的凸塊。
如請求項1或8所述之分離式車架，其中，後車架具有一後上叉及一後下叉，該後上叉的底端與該後下叉的後端傾斜相接，使該後上叉的頂端與該後下叉的前端可相互構成該後車架之組設側，並於該後上叉的頂端透過焊接固接或是可拆卸的組接方式相對接設有該靠合部。
一種具RFID之推車，供設置一行動裝置，包含：<br/> 一推車，包含一車體、複數輪子及一扶手，該扶手設置於該車體，該些輪子設置於該車體底部；以及<br/> 一支架，設置於該扶手或該車體，該支架包含一背板、至少一對側板、一底板及一RFID標籤，該至少一對側板分別設置於該背板之相對兩側，該底板設置於該背板之底部，該RFID標籤設置於該背板，藉此，當該行動裝置容置於該支架，該RFID標籤能供該行動裝置讀取信號。
如請求項1所述之具RFID之推車，包含一支撐架，該支撐架與該扶手或該車體連結，且該支撐架與該支架連結。
如請求項2所述之具RFID之推車，包含一連結結構，該連結結構具有一貫孔，該支撐架頂部穿設於該貫孔中，該連結結構鎖固於該背板。
如請求項2所述之具RFID之推車，其中該支撐架包含於一縱向參考面上延伸形成之一縱桿，該背板與該縱向參考面之一夾角介於10至20度之間。
如請求項4所述之具RFID之推車，其中該背板與該縱向參考面之夾角為15度。
如請求項1所述之具RFID之推車，其中各該側板包含相連接之一第一段及一第二段，該第一段一端連接該背板之側緣，相對另一端沿著與該背板垂直的方向延伸並與該第二段之一端連接，該第二段之另一端沿著與該背板平行的方向延伸。
如請求項1所述之具RFID之推車，該底板包含相連接之一第三段及一第四段，該第三段一端連接該背板之底緣，相對另一端沿著與該背板垂直的方向延伸並與該第四段之一端連接，該第四段之另一端沿著與該背板平行的方向延伸。
如請求項1所述之具RFID之推車，該RFID標籤於該背板上之一RFID覆蓋區域大於等於該背板面積的70%。
如請求項8所述之具RFID之推車，其中該RFID覆蓋區域位於遠離該背板之該底板之一側。
如請求項1所述之具RFID之推車，該背板頂部具有一V型缺口。
一種卡牌遊戲裝置，包括：<br/> 數個第一層卡牌，各該第一層卡牌乃分別於一面處具有一第一現況圖面部，另一面處係具有一第一早期圖面部；<br/> 數個第二層卡牌，各該第二層卡牌乃分別堆疊設於各該第一層卡牌一側，且各該第二層卡牌乃分別於一面處具有一線索說明部；<br/> 數個第三層卡牌，各該第三層卡牌乃分別堆疊設於各該第二層卡牌一側，且各該第三層卡牌乃分別於一面處具有一完成型態圖面部；<br/> 數個標示元件，各該標示元件係活動設於各該第一現況圖面部上；及<br/> 一移動決定元件，係位於各該第一層卡牌之外側處。
如請求項1所述之卡牌遊戲裝置，其中各該第一層卡牌係具有一外框體，該外框體上兩對向之內側處設有一軸體，該軸體上樞設有一轉片，該第一現況圖面部及該第一早期圖面部乃設於該轉片上。
如請求項1所述之卡牌遊戲裝置，其中該第一現況圖面部係為地理現況之地圖圖案。
如請求項1所述之卡牌遊戲裝置，其中該第一早期圖面部係為早期地理的地圖圖案或基礎建設圖片。
如請求項4所述之卡牌遊戲裝置，其中該線索說明部係為對應該第一早期圖面部之內容敘述。
如請求項1所述之卡牌遊戲裝置，其中該完成型態圖面部係為一動物部分身體之圖片或空白的圖片，當各該完成型態圖面部完成拼湊後，即完成一完整之動物圖片。
如請求項6所述之卡牌遊戲裝置，其中該完成型態圖面部上具動物部分身體之圖片係為浮雕、雷雕、或照片。
如請求項1所述之卡牌遊戲裝置，其中各該標示元件係為棋子。
如請求項1所述之卡牌遊戲裝置，其中該移動決定元件係為骰子或輪盤。
一種冷卻液分配裝置，用以冷卻複數發熱裝置，包括: <br/>一冷卻液分配單元，包含一箱體、設置在該箱體中的一泵浦、連接該泵浦的一總出水管及一總入水管； <br/>一進水管組，設置在所述發熱裝置的一側，包含一進水主管及間隔設置在該進水主管的複數進水分管，該進水主管連接該總出水管，該些進水分管包含不同管徑尺寸的轉接管，該些進水分管透過該些轉接管連接該進水主管，並分別連接對應的所述發熱裝置的進水口；以及 <br/> 一回流管組，設置在所述發熱裝置的一側，包含一回流主管及間隔設置在該回流主管的複數回流分管，該回流主管連接該總入水管，該些回流分管分別連接對應的所述發熱裝置的出水口； <br/> 其中， 該進水主管連接該些進水分管的總管口面積，小於或等於該回流主管連接該些回流分管的總管口面積。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該進水主管對應該些轉接管分別設置有一進水管口，接近該冷卻液分配單元的進水管口尺寸小於遠離該冷卻液分配單元的進水管口尺寸。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該些回流分管連接該總入水管的管口尺寸相同。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中部分的進水分管設置有調節閥。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該進水主管及該回流主管位於所述發熱裝置的不同側邊。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該進水主管及該回流主管位於所述發熱裝置的同一側邊。
如請求項6所述之冷卻液分配裝置，其中各回流分管的長度大於各進水分管的長度。
如請求項6所述之冷卻液分配裝置，其中所述發熱裝置的發熱量大時，對應的進水分管會加大管徑尺寸。
一種冷卻液分配模組，包括： <br/>一進水管組，包含一進水主管及間隔設置在該進水主管的複數進水分管，該進水主管連接一總出水管，該些進水分管包含不同管徑尺寸的轉接管，該些進水分管透過該些轉接管連接該進水主管，並分別連接對應的一發熱裝置的進水口；以及 <br/>一回流管組，包含一回流主管及間隔設置在該回流主管的複數回流分管，該回流主管連接一總入水管，該些回流分管分別連接對應的所述發熱裝置的出水口； <br/> 其中， 該進水主管連接該些進水分管的總管口面積，小於或等於該回流主管連接該些回流分管的總管口面積。
一種定位鏈條，其包含有：<br/> 一鉤掛件，其一側形成有一勾取部，而另一側形成有一相反於該勾取部位置之結合部；<br/> 一定位組件，其具有一本體及一鎖合件，而前述該本體內部形成有一可供該鎖合件螺合的鎖合孔，另該本體外側設有一環繞之螺紋部，至於該鎖合件之一端形成有一連接口，相反該連接口的另一端形成有一與該鎖合孔對應的鎖合段，該鎖合件與該本體可藉由該鎖合段與該鎖合孔的螺合或退出，以形成結合或分離的設置；及<br/> 一鏈片組，其由複數金屬鏈片串接而成，每一該鏈片係以一體沖壓而成，以使該每一鏈片具有一第一片，一第二片，一分別與該第一、第二片連接的連接件，而前述該第一、第二片上分別開設有一開孔，且當該連接件彎折後，該開孔位置會相對應設置，該每一開孔區分為一第一區與一第二區，該第二區鄰近該連接件，每一該連接件經彎折後形成有一銜接空間，使該第一片與該第二片由處於同一平面，轉換為上下對應的平行設置，當相鄰鏈片之一彎折後，另一未彎折的鏈片可經由該第一片或第二片，直接自彎折後該鏈片的開孔處穿過後再行彎折，並使其另一該連接件位於其一該第一區處時，部分該第一、第二片被包覆於該銜接空間內，以串接形成該鏈片組，同時位於該等鏈片之第一個該鏈片的該開孔對應結合於該結合部內，且位於該等鏈片中最後一個該鏈片之彎折後的連接件與該連接口接合。
根據請求項1所述定位鏈條，其中，該第一片與該第二片於該開孔處向內形成有一對應的限位塊，且該限位塊位於該第一區內。
根據請求項1所述定位鏈條，其中，該第一片與該第二片的外徑大於該連接件的外徑。
一種互動式抽吸訓練系統，包含：<br/> 一伺服器，具有一資料庫，該資料庫儲存抽吸訓練相關技術；<br/> 一終端設備，耦合連接該伺服器，該終端設備具有一使用者介面，一使用者透過該終端設備連線該伺服器，及操作該使用者介面以使用該資料庫的抽吸訓練相關技術進行訓練；及<br/> 一進度追蹤模組，分別耦合連接該終端設備及該伺服器，該進度追蹤模組收集該使用者的訓練表現，產生該使用者之一表現指標並回傳該資料庫。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該資料庫的抽吸訓練相關技術包括解剖知識、程序安全協議及病人溝通材料。
如請求項2之互動式抽吸訓練系統，其中，該解剖知識包括：氣道通道、支氣管結構及分泌物清除相關的生理機制。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該資料庫儲存針對內科病房、外科病房、長照機構及加護病房制訂的專門訓練內容及實施情境。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，各該使用者操作該使用者介面進行互動，以探索抽吸程序及相關的氣管、支氣管、肺泡結構。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該進度追蹤模組記錄該表現指標，包括個人訓練的完成率、設備配對練習的準確度分數、程序完成的時間，及在不同抽吸情境中的錯誤頻率模式。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該使用者介面呈現折線圖、長條圖及能力熱圖，以顯示個人化的訓練進度圖表。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該進度追蹤模組的自主學習模式，供各該使用者自訂選項，包括回饋頻率、即時或延遲糾正回饋、學習速度、訓練難度，及個人化的學習與臨床實習時間表。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該資料庫儲存真實案例及臨床表現的資料，各該使用者使用該終端設備體驗模擬情境的訓練過程，包括臨床實習的真實時間壓力、設備限制及醫病溝通。
如請求項1之互動式抽吸訓練系統，其中，該資料庫儲存模擬遊戲的回應內容、計分演算法及進展邏輯，各該使用者透過該終端設備在模擬遊戲中嘗試導航抽吸導管通過呼吸道路徑，及互動式控制操作導管插入深度、抽吸壓力水平及撤回時機，該終端設備依據操作技術給予對應的視覺、聽覺或觸覺的提示回饋。
一種引流液監測貼片，包含：<br/> 一感測晶片，具有一感測範圍，用於感測流體流量並轉換為一電訊號；<br/> 一顯示單元，電性連結該感測晶片，將該電訊號以數字顯示，該顯示單元位於該感測晶片之該感測範圍的另一側；及<br/> 一黏貼層，位於該感測晶片之該感測範圍側，該感測晶片透過該黏貼層固定於一引流管之管壁，該感測範圍監測通過該引流管之流體。
如請求項1之引流液監測貼片，其中，該感測晶片是微機電系統裝置。
如請求項2之引流液監測貼片，其中，該感測晶片利用熱傳導、電磁感應或科氏力原理。
如請求項1之引流液監測貼片，其中，該顯示單元是液晶螢幕。
如請求項1之引流液監測貼片，其中，該黏貼層是雙面離型紙材料。
如請求項1之引流液監測貼片，其中，該感測晶片的上表面覆蓋一保護殼。
如請求項6之引流液監測貼片，其中，該顯示單元設置在該保護殼的外表面上。
如請求項1之引流液監測貼片，其中，該感測晶片依據流體動力學原理，利用公式ΔT×A=V計算引流液總流量，其中，T代表液體流動時間（秒），A代表液體流速（立方公尺／秒或公升／秒），V代表總流量（立方公尺或公升）。
一種骨組織重建規劃系統，包含：<br/> 一骨組織重建規劃裝置，具有一骨組織重建規劃模型；以及<br/> 一電子裝置，透過一網路耦接該骨組織重建規劃裝置，用以擷取一骨組織的外觀影像傳送至該骨組織重建規劃裝置；<br/> 其中該骨組織重建規劃模型根據該骨組織的該外觀影像提供對應該骨組織的一骨組織重建規畫建議，以及提供預期骨組織修復後的一輪廓影像。
如請求項1所述之骨組織重建規劃系統，其中該骨組織重建規劃裝置，更包括：<br/> 一儲存裝置，儲存至少一指令；以及<br/> 一處理器，耦接於該儲存裝置，用以存取該至少一指令以執行該骨組織重建規劃模型。
如請求項2所述之骨組織重建規劃系統，其中該儲存裝置更包括一醫學影像資料庫，該醫學影像資料庫中儲存有至少一筆骨組織的電腦斷層影像。
如請求項3所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器更擷取該至少一筆骨組織的電腦斷層影像，將該至少一筆骨組織的電腦斷層影像轉換為具立體光刻形式檔案標準的至少一筆原始骨組織影像。
如請求項4所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器更響應對該至少一筆原始骨組織影像上的一標註植體操作，建立一具座標資訊的至少一筆植體影像，以及包含該標註植體的至少一筆理想骨組織輪廓影像。
如請求項5所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器更將該至少一筆原始骨組織影像、該至少一筆植體影像以及該至少一筆理想骨組織輪廓影像轉換為符合醫療數位影像傳輸協定的影像檔案。
如請求項6所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器根據該至少一筆理想骨組織輪廓影像對該至少一筆原始骨組織影像以及該至少一筆植體影像進行深度學習以建立該骨組織重建規劃模型。
如請求項4所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器更響應對該至少一筆原始骨組織影像上的一描繪操作，建立一具座標資訊的至少一筆理想骨組織輪廓影像。
如請求項8所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器更將該至少一筆原始骨組織影像以及該至少一筆理想骨組織輪廓影像轉換為符合醫療數位影像傳輸協定的影像檔案。
如請求項9所述之骨組織重建規劃系統，其中該處理器根據該至少一筆理想骨組織輪廓影像對該至少一筆原始骨組織影像進行深度學習以建立該骨組織重建規劃模型。
一種倒流香之展示結構，其包括：<br/> 一倒流香座，係由一紙板一體成形摺疊而成；<br/> 一置香平台，係界定於該倒流香座頂面；<br/> 一隔熱件，係設於該置香平台上；<br/> 一流香孔，係貫穿形成於該置香平台及該隔熱件上；<br/> 一流香斜面，係由該置香平台底面向下向外延伸形成且連通該流香孔；<br/> 複數限位壁，係凸出形成於該流香斜面兩側；及<br/> 複數造景結合孔，係分別形成於各該限位壁上，以供設置至少一造景元件於該流香斜面上。
如請求項1所述之倒流香之展示結構，其中各該造景結合孔係具有一鄰近該流香斜面之後景結合部、及至少一位於該後景結合部一側之前景結合部。
如請求項1所述之倒流香之展示結構，其中該紙板上具有複數固定部、及複數與該固定部對應結合之對接部，以供固定該倒流香座之結構。
如請求項3所述之倒流香之展示結構，其中各該固定部及各該對接部係利用黏合、插置、或卡扣之方式結合。
如請求項1所述之倒流香之展示結構，其中該倒流香座於該流香斜面背離該置香平台一側具有一流香底座，且該流香底座之面積係大於該置香平台之面積。
如請求項1所述之倒流香之展示結構，其中該隔熱件一面具有一耐火層，另一面具有一隔熱層。
如請求項6所述之倒流香之展示結構，其中該耐火層係為玻璃纖維、陶瓷纖維、或矽酸鹽纖維。
如請求項6所述之倒流香之展示結構，其中該隔熱層係為矽膠、耐熱發泡材、礦物棉、或鋁箔。
如請求項6所述之倒流香之展示結構，其中該耐火層及該隔熱層間具有一抗輻射層。
如請求項9所述之倒流香之展示結構，其中該抗輻射層係為鋁箔、鍍鋁膜、或氧化鋁塗層。
一種精神症狀與對應治療手段之學習教具，包含：<br/> 複數角色卡，每一該角色卡的形狀為四邊形，並記載有一精神患者資訊、一第一治療權重資訊，及一第二治療權重資訊；<br/> 複數治療卡，每一該治療卡的形狀為四邊形，並記載有一精神藥物資訊，每一該角色卡的該第一治療權重資訊對應該等精神藥物資訊中的其中一者，該第二治療權重資訊對應該等精神藥物資訊中的另外一者；及<br/> 複數症狀卡，每一該症狀卡的形狀為四邊形，並記載有一精神症狀資訊，每一該精神症狀資訊對應該等精神患者資訊中的其中一者及該等精神藥物資訊中的其中一者，該等角色卡、該等治療卡與該等症狀卡鄰近放置。
如請求項1所述的精神症狀與對應治療手段之學習教具，其中，將該等症狀卡的其中一部份定義為一衛教卡，每一該衛教卡還記載有一對應各自的該精神症狀資訊的衛教資訊。
如請求項1所述的精神症狀與對應治療手段之學習教具，還包含複數醫囑卡，每一該醫囑卡的形狀為四邊形，每一該醫囑卡對應任一該症狀卡且記載有一特殊治療資訊，該特殊治療資訊包含施打針劑或調整藥物。
如請求項1所述的精神症狀與對應治療手段之學習教具，其中，該等精神患者資訊包含精神症狀活躍、情緒不穩，及睡眠障礙，該等精神藥物資訊包含對應精神症狀活躍的抗精神病藥物、對應情緒不穩的情緒穩定藥物，及對應睡眠障礙的鎮靜安眠藥物，該等精神症狀資訊包含對應精神症狀活躍的幻覺、妄想或自語、對應情緒不穩的焦慮、易怒或憂鬱，及對應睡眠障礙的失眠、早醒或日夜顛倒。
一種具握持功能之折疊工具組，包括：<br/> 一第一工具組，其由複數個工具單元組成，該工具單元兩端分別為一做功端及一連結端；<br/> 一支架，其具相互平行之第一側板及第二側板，該第一側板及該第二側板間形成一空間，該支架兩端分別為一前端及一後端，該些工具單元連結端樞接於該前端，該後端形成有兩伸入部；<br/> 一定位組件，其係由一彈性件及一定位件構成，該彈性件一端頂掣於該支架之該後端，該定位件兩端分別為一受抵端及一凸伸端，該受抵端連接並受該彈性件之彈力抵頂；<br/> 一把手，其呈中空套筒狀且套合於該支架，該把手具有一外壁及一內緣，該外壁形成一握持部，該內緣間形成一容置部，該把手兩端分別為一底端及一頂端，該把手靠近該底端及該頂端處分別開設有貫通該外壁至該內緣之第一定位孔及第二定位孔，該內緣形成有兩限位部，該兩限位部與該支架之該兩伸入部相互嵌合，該支架位於該容置部靠近該底端處使該定位件之該凸伸端伸入並卡掣於該第一定位孔時為第一位置，該支架於該容置部靠近該頂端處使該定位件之該凸伸端伸入並卡掣於該第二定位孔時為第二位置，按壓該凸伸端使該定位件縮入該第一定位孔或該第二定位孔時，該支架與該把手能夠於該第一位置至該第二位置間相對線性滑移，且該支架與該把手受限於該兩限位部與該兩伸入部之嵌合而限制其相互周向旋轉，當扭轉該握持部使該把手轉動時，得以驅動該支架隨該把手同步轉動。
如請求項1所述的具握持功能之折疊工具組，其中該彈性件係置於該空間使該彈性件頂掣於該後端之該第一側板，該後端之該第二側板開設有一穿孔，該定位件之該凸伸端係凸出該穿孔，該兩伸入部係為該後端之該第一側板及該第二側板，該兩限位部係於該內緣形成之兩溝槽。
如請求項1所述的具握持功能之折疊工具組，其中該第一側板及該第二側板皆開設有一導溝，該兩限位部係於該內緣兩側各設有一導塊，該導塊穿伸過該導溝。
如請求項1所述的具握持功能之折疊工具組，其中該支架於該後端設一壁板，該壁板分別連接該第一側板及該第二側板。
如請求項4所述的具握持功能之折疊工具組，其中該壁板挖設有一通孔，該支架之該後端設有一棘輪組，該棘輪組有一作動部及一固定部，該固定部係以一被鎖件穿入該通孔進入該支架之該空間，該被鎖件係受一固鎖件鎖緊，使該固定部被定位於該壁板，該作動部相對該固定部棘動。
如請求項5所述的具握持功能之折疊工具組，其中，該棘輪組相反於該固定部之一端設有一切換件，當該支架與該把手位於該第二位置時，該切換件露出該把手之容置部，操作該切換件能夠使該棘輪組改換棘動方向。
如請求項6所述的具握持功能之折疊工具組，其中，該作動部周身設一抵槽，該彈性件係頂掣於該抵槽，該作動部周身設有兩凸塊，兩伸入部係為該兩凸塊，該兩限位部係於該內緣形成之兩溝槽。
如請求項1至請求項7任一項所述的具握持功能之折疊工具組，其中該支架於該前端及該後端間設有一支撐肋，該支撐肋兩端分別連接該第一側板及該第二側板；該前端之該第一側板及該第二側板各設有一第一樞孔，兩該第一樞孔穿設且固定有一螺桿與一螺母。
如請求項8所述的具握持功能之折疊工具組，其中該複數個工具單元係同向排列，使該第一工具組之一端皆為該工具單元之該做功端，並使該第一工具組之另一端皆為該工具單元之該連結端，該前端之該第一側板及該第二側板各設有一第一樞孔，兩該第一樞孔穿設且固定有一螺桿與一螺母，該第一側板及該第二側板間之該螺桿成為一第一樞軸，該第一樞軸不相對該第一樞孔轉動，該複數個工具單元之連結端係樞接於該第一樞軸。
如請求項9所述的具握持功能之折疊工具組，其包含一第二工具組，其由複數個工具單元組成，該工具單元兩端皆分別為一做功端及一連結端，該複數個工具單元係同向排列，使該第二工具組之一端皆為該工具單元之該做功端，並使該第二工具組之另一端皆為該工具單元之該連結端；該支架之前端之該第一側板及該第二側板各設有一第二樞孔，兩該第二樞孔係以垂直於該第一側板及該第二側板延伸方向遠離該第一樞孔，兩該第二樞孔穿設且固定且固定有一螺桿與一螺母，該第一側板及該第二側板間之該螺桿成為一第二樞軸，該第二樞軸不相對該第二樞孔轉動，該複數個工具單元之連結端係樞接於該第二樞軸。
一種萬向轉接座之改良，係包含二轉接片，該二轉接片相面對設置，各該轉接片相面對的一側面設有一球窩部及一配接部，其特徵在於：各該轉接片的該球窩部具有一穿孔。
如請求項1所述之萬向轉接座之改良，其中各該穿孔是由金屬車削加工而形成。
如請求項1所述之萬向轉接座之改良，其中各該轉接片的該球窩部的表面形成有止滑紋路。
如請求項1所述之萬向轉接座之改良，其中該穿孔的直徑為該球窩部的開口長度的60%～80%。
如請求項1所述之萬向轉接座之改良，其中該穿孔為圓形或橢圓形。
一種框體結構，包括：一外框，係由複數第一框件與複數第二框件所形成之預設輪廓外形，並共同界定出一風道且兩端分別視為一進風端與一出風端，其中：各該第一框件，分別採上、下水平配置，具有：複數第一凸部與複數第一凹部，配對共同形成於該第一框件相反兩側端面；一第一槽盤，係沿該第一框件預設端面，朝該風道延伸形成，提供一朝向該出風端之槽盤；各該第二框件，採左、右直立配置，兩端分別與各該第一框件直交連接，具有：複數第二凸部與複數第二凹部，配對共同形成於各該第二框件相反兩側端面；一第二槽盤，沿各該第二框件預設端面，朝該風道延伸形成，提供一朝向該出風端之槽盤；以及一進風壓框，具有h形截面輪廓且對應該進風端組設於該外框，限縮該進風端之截面。
如請求項1所述框體結構，其中該進風壓框包括：複數第一壓框件，具有h形截面輪廓，採上、下水平配，具有：一第一外片段，一邊端對應匹配之各該第一凹部組設，另一邊端則朝該風道延伸，且該第一外片段延伸方向之兩端分別設有一退讓缺口，讓該第一外片段兩端組設於匹配之各該第二凹部時，能讓匹配之各該第二凸部穿伸；一第一延伸段，水平組設於該第一外片段，預設端面抵接匹配之各該第一框件，而延伸方向之兩端截面分別與各該第二框件抵接；及一第一內片段，與該第一外片段平行配置，直交連接該第一延伸段，使延伸方向之兩端截面分別與各該第二框件抵接；以及複數第二壓框件，具有h形截面輪廓，採左、右配置，組設於各該第二框件，具有：一第二外片段，一邊端組設於匹配之各該第二凹部，另一邊端朝該風道延伸；一第二延伸段，水平組設於該第二外片段，且預設端面抵接匹配之各該第二框件，而延伸方向之兩端截面分別與各該第一壓框件抵接；及一第二內片段，與該第二外片段平行配置，直交連接該第二延伸段，使延伸方向之兩端截面分別與各該第一壓框件抵接。
如請求項1所述框體結構，其中該外框組接有：一進風護網，配置於該外框與該進風壓框之間，並抵接該第一槽盤與該第二槽盤設置，配置於該風道；一出風護網，橫跨該風道出風端截面，局部疊設匹配之各該第一凹部與各該第二凹部；一過濾材，容置於該風道中，並被該第一槽盤、該第二槽盤、及該出風護網共同夾持。
如請求項3所述框體結構，其中該外框內周側對應該過濾材位置，塗設有一第二黏著劑，使該過濾材外周側與該外框內周側黏接。
如請求項3所述框體結構，其中該外框組接有：一出風壓框，組設於該外框，並抵接該出風護網，包括：複數第一壓條，上、下對應各該第一框件組設，預設端面具有一第一退讓凹部，提供該第一凸部容置；及複數第二壓條，左、右對應各該第二框件組設，且預設端面具有一第二退讓凹部，提供該第二凸部容置，另外各該第二壓條延伸方向之兩端，分別抵接各該第一壓條。
如請求項5所述框體結構，其中該出風壓框外側端面，貼設有複數彈性膠條。
如請求項3所述框體結構，其中該過濾材包括：一百褶濾網，具預設網目；複數第一濾材邊條，分設於該百褶濾網褶線方向之兩端，係由一硬邊部及設於該硬邊部預設端面之第一毛邊部所組成；以及複數第二濾材邊條，分設於與該百褶濾網褶線方向平行之兩端，為一可撓曲變形之羊毛氈。
如請求項1所述框體結構，其中該進風壓框外側端面，貼設有複數彈性膠條。
如請求項1所述框體結構，其中各該第二框件具有複數橫跨各該第二框件截斷面之框件鎖座。
如請求項1所述框體結構，其中各該第一框件兩端截斷面，分別塞設有一塞件，且該塞件預設端面凹設有複數容室。
一種行李箱之腳輪組合結構，包含有：<br/> 一本體，具有一體部，一與該體部連接的外固部，一與該體部連接且與該外固部相反面的內固部，及一由該外固部設置的第一栓孔；<br/> 一外座，具有一與該本體之該外固部靠設的撐部，一與該撐部連接的第一卡部，一與該撐部相反面的接輪部，及一由該撐部設置的第二栓孔；<br/> 一內台，具有一與該本體之該內固部接設的蓋部，一與該蓋部相反面的背部，一與該外座之該第一卡部卡接的第二卡部，及一由該蓋部與該背部相通的第三栓孔，並藉以一栓件連結該本體之該第一栓孔、該外座之該第二栓孔及該內台之該第三栓孔；<br/> 一腳輪，裝設於該外座之該接輪部。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一連通該外固部與該內固部的穿孔，該內台之該第二卡部穿過該本體之該穿孔。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一連通該外固部與該內固部的穿孔，該外座之該第一卡部穿過該本體之該穿孔。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一下凸區及一與該下凸區相反面的上凹區，該外座具有一與該本體之該下凸區配合的凹撐區，該內台具有一與該本體之該上凹區配合的凸蓋區。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一下凹區及一與該下凹區相反面的上凸區，該外座具有一與該本體之該下凹區配合的凸撐區，該內台具有一與該本體之該上凸區配合的凹蓋區。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一下斜區及一上斜區，該外座具有一與該下斜區配合的斜撐區，該內台具有一與該上斜區上方配合的斜蓋區。
如請求項6所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體之該第一栓孔穿設該下斜區與該上斜區，該外座之該第二栓孔穿設該斜撐區，該內台之該第三栓孔穿設該斜蓋區。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該外座之該撐部形成多數肋片，該內台之該背部形成多數肋片。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一與該外固部連接的接緣，該外座具有一與該撐部連接且與該接緣靠設的座邊。
如請求項1所述行李箱之腳輪組合結構，其中，該本體具有一與該內固部連接的接緣，該內台具有一與該蓋部連接且與該接緣靠設的台邊。
一種飛行器之冷卻隔熱組成，是包含：一飛行器；一冷卻隔熱組成，該冷卻隔熱組成位於飛行器外殼下部位置，且不得少於飛行器外殼三分之二之表面積，其可作為飛行器再次重返大氣層時冷卻隔熱作用；前述冷卻隔熱組成包含：複數個耐高溫之隔熱瓦、及連結在飛行器外殼之複數支持部件、及飛行器外殼內所埋設一體成形之複數散熱循環系統所組成；而本創作的改良是在：沿著前述飛行器外殼一側適當範圍內，與飛行器外殼一體成形之複數個支持部件，該支持部件上端是採尖銳造型設計而成之定位部，該定位部可快速插入隔熱瓦內部，可使隔熱瓦結合定位於飛行器外殼內，而隔熱瓦與隔熱瓦之間隙與隔熱瓦與飛行器外殼之間隙，該間隙視為一互通之導熱道，該導熱道除可將隔熱瓦因大氣磨擦所產生的熱，藉由支持部件導引到飛行器外殼內，再藉由飛行器外殼內的複數散熱循環系統將熱帶出，達成一冷卻隔熱結構。
如申請專利範圍第1項所述之飛行器之冷卻隔熱組成，其中導熱道係包含一導熱道口、一導熱道中，該導熱道口塗滿相當厚度厚度的絕熱膏，可斷絕熱進入不銹鋼製的飛行器外殼中及導熱道中；導熱道中可以充填導熱膏，用以增加導熱速度；可輔助隔熱瓦因大氣磨擦所產生的熱，藉由支持部件導引到飛行器外殼內，再藉由飛行器外殼內的複數散熱循環系統將熱帶出，達成一冷卻隔熱結構。
一種再保風險預估系統，包含：<br/> 一儲存裝置，儲存一預期案件生成模組； <br/> 一處理器，與該儲存裝置電性連接，用以存取該預期案件生成模組以執行以下程序：<br/> (a) 依據一第一篩選標準將一歷史保單資料區分為一第一大額案件資料和第一非大額案件資料；<br/> (b) 針對該第一非大額案件資料中的保單資料進行模擬分析，產生一模擬結果；<br/> (c) 依據一第一核保設定資訊調整該模擬結果，產生一非大額案件預期結果；<br/> (d) 依據一第二核保設定資訊調整該第一大額案件資料產生一大額案件預期結果；以及<br/> (e) 結合該非大額案件預期結果和該大額案件預期結果產生一總預期案件結果。
如請求項1所述之再保風險預估系統，更包含一預估損失模組儲存於該儲存裝置中，且該處理器存取該預估損失模組以執行以下程序：<br/> (f) 利用一第二篩選標準將該總預期案件結果中的保單資料區分為一第二大額案件資料和一第二非大額案件資料；<br/> (g) 利用一損失金額模型針對該第二非大額案件資料進行預測，產生一預測損失結果；<br/> (h) 計算該第二大額案件資料相對應之一實際損失，產生一實際損失結果；以及<br/> (i) 結合將該預測損失結果和該實際損失結果，產生一預估總損失結果。
如請求項1所述之再保風險預估系統，其中該程序(b)更包含：<br/> 該第一非大額案件資料依據一類別特徵和一數值特徵進行分類產生相對應之一類別特徵資料和一數值特徵資料；<br/> 該類別特徵資料和該數值特徵資料分別進行一第一模擬分析法和一第二模擬分析法後產生一第一模擬結果和一第二模擬結果，且其中該第一模擬分析法和該第二模擬分析法不相同；以及<br/> 結合該第一模擬結果和該第二模擬結果，產生該模擬結果。
如請求項3所述之再保風險預估系統，其中該第一模擬分析法包含聯合機率分析，而該第二模擬分析法包含耦合分析、隨機抽樣分析、逆轉換運算或其組合。
如請求項3所述之再保風險預估系統，其中該第一模擬結果和該第二模擬結果分別以一第三核保設定資訊和一第四核保設定資訊調整產生該模擬結果。
如請求項1所述之再保風險預估系統，更包含於該程序(b)中於模擬分析之前和之後進行驗證程序，當該驗證程序之結果符合一預定驗證標準時，產生該模擬結果。
如請求項3所述之再保風險預估系統，其中該程序(b)更包含：<br/> 以該第一模擬結果決定該類別特徵資料的模擬順序，再以該第二模擬分析法產生該第二模擬結果。
如請求項2所述之再保風險預估系統，其中該程序(f)更包含：<br/> 利用該損失金額模型預測該第二非大額案件的預失金額並進行排序得到一排序結果；<br/> 透過百分位數將該排序結果進行資料分群，以形成低風險群、中風險群與高風險群；以及<br/> 分別針對該低風險群、該中風險群與該高風險群，分別套用決策樹模型，再以一歷史損失級距和隨機分配法進行處理，以得到該預測損失結果。
如請求項2所述之再保風險預估系統，更包含一再保模組儲存於該儲存裝置中，且該處理器存取該再保模組以執行以下程序：<br/> 透過一再保設定資訊依據該總預期案件結果和該預估總損失結果產生一分保明細資訊。
如請求項9所述之再保風險預估系統，更包含一分析模組儲存於該儲存裝置中，其中該分析模組用以針對該分保明細資訊進行以下分析：分出/自留分析、估損分布分析、大額損失分析、風險結構分析、比例型合約統計分析、累積曝險計算或其組合。
一種浸沒式電子設備，其包括：<br/> 一散熱裝置，包含：<br/> 一外殼，具有一容納腔體及位於所述容納腔體之外的一機座；<br/> 一電源模組，包含有設置於所述容納腔體之內的一電源供應器、及安裝於所述機座且電性耦接於所述電源供應器的一供電埠；及<br/> 一循環散熱模組，設置於所述容納腔體之內，並且所述循環散熱模組包含有多條管路；以及<br/> 一可攜式電腦，其能沿一預設方向可拆卸地安裝於所述機座之上、以選擇性地處於一組合模式或一分離模式；其中，所述可攜式電腦包含：<br/> 一機殼，具有一冷卻腔體、及連接於所述冷卻腔體的多個出入埠與一注入埠；及<br/> 一主機模組，包含：<br/> 一處理單元，安裝於所述冷卻腔體之內；<br/> 一開關單元，安裝於所述冷卻腔體且電性耦接於所述處理單元；<br/> 一電源連接埠，安裝於所述冷卻腔體的底壁且電性耦接於所述處理單元；及<br/> 一信號埠，安裝於所述冷卻腔體的側壁且電性耦接於所述處理單元，用以供至少一個外部電子構件插接且電性耦接至所述處理單元；<br/> 其中，當所述可攜式電腦設置於所述機座而處於所述組合模式時，所述電源連接埠插設於所述供電埠、以使所述處理單元電性耦接於所述電源供應器，多個所述出入埠分別連接於多條所述管路、以使所述冷卻腔體流體耦接於所述循環散熱模組，所述注入埠用以供一冷卻液體注入至所述冷卻腔體之內，以使所述冷卻液體能浸沒所述處理單元且通過所述循環散熱模組於所述冷卻腔體之內形成一循環液流。
如請求項1所述的浸沒式電子設備，其中，所述容納腔體具有一第一區段及相連於所述第一區段的一第二區段，並且所述機座相連於所述第一區段的內緣的底端與所述第二區段的內緣的底端、以共同定義有一插拔空間；其中，當所述可攜式電腦設置於所述機座而處於所述組合模式時，所述機殼位於所述插拔空間。
如請求項2所述的浸沒式電子設備，其中，所述預設方向垂直於所述機座，並且所述機殼的外型互補於所述外殼的外型。
如請求項2所述的浸沒式電子設備，其中，所述冷卻腔體的外表面凹設形成有一操作槽，並且多個所述出入埠及所述注入埠位於所述操作槽；其中，當所述可攜式電腦設置於所述機座而處於所述組合模式時，所述操作槽鄰近於所述容納腔體的所述第二區段。
如請求項4所述的浸沒式電子設備，其中，所述冷卻腔體包含有相互連通的一第一腔體與一第二腔體，並且所述第一腔體與所述第二腔體共同定義出所述操作槽，多個所述出入埠安裝於所述第一腔體，所述注入埠安裝於所述第二腔體；其中，當所述可攜式電腦設置於所述機座而處於所述組合模式時，所述第二腔體位於所述第一區段的所述內緣與所述第二區段的所述內緣所形成的一角落。
如請求項1所述的浸沒式電子設備，其中，所述處理單元包含有：<br/> 一主機板，電性耦接於所述開關單元、所述電源連接埠、及所述信號埠；及<br/> 一中央處理器與一顯示卡，其安裝於所述主機板。
如請求項6所述的浸沒式電子設備，其中，所述機殼包含有位於所述冷卻腔體內的一導流管，並且所述導流管的一端安裝於其中一個所述出入埠，而所述導流管的另一端面向所述中央處理器。
如請求項7所述的浸沒式電子設備，其中，所述機殼包含有罩蓋於所述中央處理器的一罩體，並且所述導流管的所述另一端安裝且連通於所述罩體。
如請求項6所述的浸沒式電子設備，其中，多條所述管路包含有分別連接於多個所述出入埠的一輸出管路及至少一條輸入管路，所述循環散熱模組包含有：<br/> 一循環幫浦，連接於所述輸出管路；及<br/> 一散熱單元，連接於所述循環幫浦及至少一條所述輸入管路；<br/> 其中，當所述可攜式電腦設置於所述機座而處於所述組合模式時，所述散熱單元朝向所述主機板正投影所形成的一投影區域，其覆蓋所述主機板的至少50%面積。
如請求項1所述的浸沒式電子設備，其中，所述主機模組包含有安裝於所述冷卻腔體頂壁的一提把，用以供手持移動所述可攜式電腦。
如請求項1所述的浸沒式電子設備，其中，當所述可攜式電腦不安裝於所述機座而處於所述分離模式時，所述冷卻腔體不用以容納所述冷卻液體，並且所述可攜式電腦能通過所述電源連接埠插接於一外部電源模組而運作。
一種浸沒式電子設備，其包括：<br/> 一散熱裝置，包含：<br/> 一外殼；及<br/> 一循環散熱模組，設置於所述外殼之內，並且所述循環散熱模組包含有多條管路；以及<br/> 一可攜式電腦，其安裝於所述外殼之內；其中，所述可攜式電腦包含：<br/> 一機殼，具有一冷卻腔體、及連接於所述冷卻腔體的多個出入埠與一注入埠；其中，多個所述出入埠分別連接於多條所述管路、以使所述冷卻腔體流體耦接於所述循環散熱模組；<br/> 一電源模組，包含有設置於所述冷卻腔體之內的一電源供應器；及<br/> 一主機模組，包含：<br/> 一處理單元，安裝於所述冷卻腔體之內且電性耦接於所述電源供應器；及<br/> 一信號埠，安裝於所述冷卻腔體且裸露於所述外殼，並且所述信號埠電性耦接於所述處理單元，用以供至少一個外部電子構件插接且電性耦接至所述處理單元；<br/> 其中，所述注入埠用以供一冷卻液體注入至所述冷卻腔體之內，以使所述冷卻液體能浸沒所述處理單元且通過所述循環散熱模組於所述冷卻腔體之內形成一循環液流。
如請求項12所述的浸沒式電子設備，其中，所述冷卻腔體包含有：<br/> 一第一腔體，容納所述處理單元，並且多個所述出入埠與所述注入埠連接於所述第一腔體的底側；<br/> 一第二腔體，相連於所述第一腔體的所述底側且彼此連通，並且所述第二腔體容納所述電源供應器；及<br/> 一第三腔體，連通於所述第一腔體與所述第二腔體，並且所述第三腔體位於所述第一腔體與所述第二腔體的一側；其中，所述信號埠與所述注入埠安裝於所述第三腔體，並且所述注入埠位於所述第一腔體、所述第二腔體、及所述第三腔體所共同圍繞的一缺口之內。
如請求項12所述的浸沒式電子設備，其中，所述處理單元包含有：<br/> 一主機板，電性耦接於所述信號埠與所述電源供應器，並且所述電源供應器位於所述主機板的正下方；及<br/> 一中央處理器與一顯示卡，其安裝於所述主機板。
如請求項14所述的浸沒式電子設備，其中，多條所述管路包含有分別連接於多個所述出入埠的一輸出管路及兩條輸入管路，所述循環散熱模組包含有：<br/> 一循環幫浦，連接於所述輸出管路；及<br/> 一散熱單元，連接於所述循環幫浦及兩條所述輸入管路。
如請求項15所述的浸沒式電子設備，其中，所述機殼包含有：<br/> 兩個導流管，位於所述冷卻腔體內，並且兩個所述導流管的一端分別安裝於兩個所述出入埠，而兩個所述導流管的另一端分別面向所述中央處理器及所述顯示卡的一圖形處理器；及<br/> 兩個罩體，分別罩蓋於所述中央處理器與所述圖形處理器，並且兩個所述導流管的所述另一端分別安裝且連通於兩個所述罩體。
如請求項14所述的浸沒式電子設備，其中，所述機殼包含有位於所述冷卻腔體內的兩個導流管，並且兩個所述導流管的一端安裝於兩個所述出入埠，而所述導流管的另一端面向所述中央處理器與所述顯示卡的一圖形處理器。
如請求項17所述的浸沒式電子設備，其中，所述機殼包含有分別罩蓋於所述中央處理器與所述圖形處理器的兩個罩體，並且兩個所述導流管的所述另一端分別安裝且連通於兩個所述罩體。
一種浸沒式電子設備，其包括：<br/> 一散熱裝置，包含：<br/> 一外殼，具有一容納腔體及位於所述容納腔體之外的一機座；<br/> 一電源模組，包含有設置於所述容納腔體之內的一電源供應器、及安裝於所述機座且電性耦接於所述電源供應器的一供電埠；及<br/> 一循環散熱模組，設置於所述容納腔體之內；以及<br/> 一可攜式電腦，包含：<br/> 一機殼，具有一冷卻腔體、及連接於所述冷卻腔體的一注入埠；及<br/> 一主機模組，包含：<br/> 一處理單元，安裝於所述冷卻腔體之內；<br/> 一電源連接埠，安裝於所述冷卻腔體的底壁且電性耦接於所述處理單元；及<br/> 一信號埠，安裝於所述冷卻腔體的側壁且電性耦接於所述處理單元；<br/> 其中，所述可攜式電腦能沿一預設方向以所述電源連接埠插設於所述供電埠而處於一組合模式，以使所述處理單元電性耦接於所述電源供應器，並且所述冷卻腔體能被流體耦接於所述循環散熱模組，以使所述注入埠用以供一冷卻液體注入至所述冷卻腔體之內；<br/> 其中，所述可攜式電腦能不安裝於所述機座而處於一分離模式，以使所述冷卻腔體不用以容納所述冷卻液體。
如請求項19所述的浸沒式電子設備，其中，所述預設方向垂直於所述機座，並且所述機殼的外型互補於所述外殼的外型。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基底，具有一第一導電型；<br/> 一第一埋層，具有一第二導電型，設置於該基底內；<br/> 一功率元件，設置於該第一埋層中；<br/> 一密封環，設置於該基底內，圍繞該第一埋層，其中該密封環具有該第一導電型；以及<br/> 一第二埋層，具有該第二導電型，設置於該基底內，位於該第一埋層和該密封環之間，且該第二埋層與該第一埋層和該密封環均側向隔開，<br/> 其中該第一埋層係配置為電耦接至該功率元件的一輸入電壓，該第二埋層係配置為電耦接至該功率元件的一輸出電壓。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該基底的一部分位於該第一埋層和該第二埋層之間，且該第一埋層、該基底的該部分和該第二埋層構成一寄生雙極性接面電晶體箝制結構，該第二埋層和該基底構成一寄生二極體箝制結構。
如請求項1所述之半導體裝置，還包括一摻雜區，具有該第一導電型，位於該第一埋層和該第二埋層之間，設置該基底內，其中該摻雜區係配置為電耦接至一接地電壓，且該摻雜區與該第一埋層、該第二埋層和該密封環均側向隔開。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該密封環係配置為電耦接至一接地電壓。
如請求項1所述之半導體裝置，還包括一摻雜區，具有該第一導電型，設置於該基底內，位於該第一埋層和該密封環之間，其中該摻雜區包括複數個區塊，該複數個區塊與該第一埋層、該第二埋層和該密封環均側向隔開，且該複數個區塊均配置為電耦接至一接地電壓。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該密封環係配置為電耦接至該接地電壓。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該第二埋層包括複數個區塊，該摻雜區的該複數個區塊和該第二埋層的該複數個區塊沿著該功率元件的一側邊交替地排列且彼此側向隔開。
如請求項5所述之半導體裝置，還包括一第三埋層，具有該第二導電型，設置於該基底內，位於該第一埋層和該密封環之間，且該第三埋層係配置為電耦接至該功率元件的該輸入電壓。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該第二埋層包括複數個區塊，該第二埋層的該複數個區塊、該摻雜區的該複數個區塊和該第三埋層沿著該功率元件的一側邊交替地排列且彼此側向隔開，且該摻雜區的一個該區塊位於該第二埋層的一個該區塊和該第三埋層之間。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一基底，具有一第一導電型；<br/> 一第一埋層，具有一第二導電型，設置於該基底內；<br/> 一功率元件，設置於該第一埋層中；<br/> 一第二埋層，具有該第二導電型，設置於該基底內，位於該功率元件的一側邊，且該第二埋層和該第一埋層在一第一方向上側向隔開；<br/> 一第三埋層，具有該第二導電型，設置於該基底內，位於該功率元件的該側邊，且該第三埋層和該第二埋層在一第二方向上側向隔開；以及<br/> 一摻雜區，具有該第一導電型，設置於該基底內，位於該功率元件的該側邊，其中該第二埋層、該摻雜區和該第三埋層在該第二方向上側向隔開且交替地排列，該摻雜區位於該第二埋層和該第三埋層之間，<br/> 其中該第一埋層和該第三埋層均配置為電耦接至該功率元件的一輸入電壓，該第二埋層係配置為電耦接至該功率元件的一輸出電壓，該摻雜區係配置電耦接至一接地電壓。
一種帶鋸機鋸切半自動控制結構改良，包含有帶鋸機的底座和鋸切用鋸弓本體，一連控鋸弓做鋸切速率控制的油壓缸和供夾置定位工件的鉗夾座；其特徵在於：底座與鋸切操作的鋸弓本體間，以單一油壓缸連結，將油壓缸上注油口的油壓回路連結到調壓閥組，通過調壓閥組內設相連通油路，供油料經加壓馬達啟控，由貯油槽吸出注入到調壓閥組連通管路後，經節流閥調節內部流動油料的穩壓流動，超壓部份由節流閥另一出口回流到貯油槽內，而在輸出油路中段設裝支管，將油料導入到工件夾固的鉗夾座驅動壓缸，做為工件的的夾固與鬆放操作；油路末段設裝流量閥，供油壓缸穩定壓持，有效達到鋸切速率的調整變換與鋸切安全與品質的維持；油壓缸的注油口與通氣孔呈平衡穩壓的油料輸出、入控制，鋸切下壓時，油料由注油口輸入後，油壓缸伸長操作，缸體下半內部空氣由通氣孔排出，形成伸出的緩衝輔助；鋸切後，加壓馬達停止轉控，使油料由注油口回流經由電磁閥開啟，回流到貯油槽，形成單一油料口的循環操作；鋸弓本體與底座樞接一端，組接有緩衝的彈性件數條，鋸切後，卸料前，配合油壓缸停止增壓操作，鋸弓可達到自動微上移的輔助操作，形成鋸弓舉起時的省力緩衝輔助，使鋸切操作達到半自動的省力操作功效目的。
如申請專利範圍第1項所述帶鋸機鋸切半自動控制結構改良，其中油壓缸呈單一油壓缸組裝，分設單一注油口與調壓閥組的注油管路相連及一通氣孔，供形成油壓缸伸縮操作的相對緩衝操作。
如申請專利範圍第1項所述之帶鋸機鋸切半自動控制結構改良，其中調壓閥組輸出油路中段設裝有支管用以組裝檢示用的油錶，方便壓力值檢視。
一種手機殼結構，其用以包覆於一手機；該手機殼結構具有： <br/>一殼體，其用於包覆於該手機；該殼體具有： <br/> 一邊框，其圍繞形成一圈；當該殼體包覆於該手機時，該邊框圍繞並貼合該手機的四邊； <br/> 一背板，其連接於該邊框的一側；當該殼體包覆於該手機時，該背板位於該手機的背面； <br/> 一鏡頭窗，其貫穿形成於該背板；當該殼體包覆於該手機時，該鏡頭窗的位置對應於該手機的鏡頭； <br/>一緩衝環，其具有彈性，並設置於該殼體的該鏡頭窗的內側；該緩衝環具有： <br/> 一第一環部，其自該鏡頭窗的內側向該邊框延伸；當該殼體包覆於該手機時，該緩衝環的該第一環部位於該殼體及該手機之間； <br/> 一第二環部，其相對於該第一環部，並圍繞於該鏡頭窗的內側；該第二環部朝遠離該手機的方向延伸； <br/>一保護環，其設置於該緩衝環的該第二環部；當該殼體包覆於該手機時，該保護環遠離該緩衝環的一端至該手機背面的距離大於該鏡頭突出該手機背面的高度。
如請求項1所述之手機殼結構，其中，該第一環部的上下二對邊分別朝向邊框延伸。
如請求項1所述之手機殼結構，其中： <br/>該殼體具有： <br/> 複數第一卡合部，其形成於該鏡頭窗的內側； <br/>該緩衝環具有： <br/> 複數第二卡合部，其形成於該緩衝環的外側，並位於該第一環部及該第二環部之間；各該第一卡合部與各該第二卡合部相卡合，使該緩衝環設置於該殼體的該鏡頭窗的內側。
如請求項3所述之手機殼結構，其中，該鏡頭窗呈一矩形，且該矩形的四角為圓角；該等第一卡合部分別位於該四圓角。
如請求項1所述之手機殼結構，其中： <br/>該緩衝環具有： <br/> 一環形槽，其內凹形成於該緩衝環的該第二環部； <br/>該保護環具有： <br/> 一環形凸部，其形成於該保護環的一側，並穿設於該環形槽中，使該保護環設置於該緩衝環的該第二環部。
如請求項5所述之手機殼結構，其中，該環形凸部具有複數穿孔，該緩衝環的該第二環部穿設於該等穿孔。
如請求項5所述之手機殼結構，其中，該保護環固設於該緩衝環。
如請求項1所述之手機殼結構，其中，該保護環具有至少一凹陷部，該至少一凹陷部形成於該保護環的內環面。
如請求項1至8中任一項所述之手機殼結構，其中，該緩衝環固設於該殼體。
一種電子鎖具功能擴充結構，其包括：<br/>一電子鎖主機，其設置一顯示器、一近場通訊模組、一供儲存一資料對照表單元之儲存模組、一操控模組、至少一擴充插槽及至少一設置於該擴充插槽之扣鎖結構；及<br/>至少一擴充套件，其設置一標籤及一ID辨識標籤，其中該電子鎖主機經操作該操控模組解鎖，並將該擴充套件中的該標籤及該ID辨識標籤通過該近場通訊模組辨識，而後與該資料對照表單元進行主機擴充套件類型比對，再由該電子鎖主機連結一遠端資料庫進行線上擴充套件類型比對，均符合後由該顯示器顯示安裝位置與方式，同時啟動該扣鎖結構，經插入該擴充套件後自動上鎖該扣鎖結構。
如請求項1所述之電子鎖具功能擴充結構，其中該近場通訊模組為NFC或RFID。
如請求項1所述之電子鎖具功能擴充結構，其中該標籤為NFC標籤或RFID標籤。
如請求項1所述之電子鎖具功能擴充結構，其中該扣鎖結構為機械式扣鎖、電磁扣鎖或磁吸式扣鎖。
如請求項1所述之電子鎖具功能擴充結構，其中該擴充套件為串流平台套件、虹膜偵測套件、指紋偵測套件、門禁套件、事項通知套件或公佈欄套件。
一種行李箱之提把組合結構，包含有：<br/> 一本體，具有兩隔孔；<br/> 一裝座單元，具有一與該本體靠設的上座，兩與該上座接設的下座，兩與該本體之隔孔對應的第一裝槽，兩位於該第一裝槽內的第一卡部；<br/> 兩連接單元，設於該本體之該隔孔，各該連接單元具有一與該裝座單元之該第一卡部卡接的第二卡部，兩耳槽，兩與該耳槽相通的銷配孔； <br/> 一握持單元，具有一把部，兩分別與各該連接單元之該耳槽配合的把耳，兩與該銷配孔滑配的連銷。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，各該連接單元具有一與該裝座單元之該下座裝配的下體。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該裝座單元之該兩第一卡部係同向設置，該連接單元之該兩第二卡部係同向設置。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該裝座單元之該第一卡部為凹部，該連接單元之該第二卡部為凸部。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該裝座單元之該第一卡部有一呈斜面的第一卡邊，該連接單元之該第二卡部有一呈斜面且與該第一卡邊配合的第二卡邊。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該裝座單元之該第一裝槽具有一第一槽及一與該第一槽連通的第二槽，該第一槽的寬度大於該第二槽的寬度。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該裝座單元之左右兩側都有該第一卡部，該連接單元之左右兩側都有該第二卡部。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該連接單元之該銷配孔具有一供該握持單元之該連銷滑配的銷配面。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該握持單元具有一把件，該把件具有該把部及該把耳，該連銷係組合於該把件。
如請求項1所述之行李箱之提把組合結構，其中，該裝座單元具有一下固定孔，該連接單元具有一與該下固定孔對應的上固定孔，並以一螺栓穿過該裝座單元之該下固定孔且與該上固定孔螺接固定。
一種垂直式簡易植栽架及其給水系統，其主要係由垂直式簡易植栽架與光照設備及給水系統所組合而成；其中垂直式簡易植栽架係由複數支支架、托架、橫桿、托盤及盆栽所組成，支架作為支撐係立於並固定於一固定體，為堅硬長條桿者，其端面可為”<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="ed10005.bmp" alt="其他非圖式ed10005.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>”狀或為”口”狀且其上開有規則大小、形狀、間距相同的複數孔洞，利用該設計使托架可調整高度組置在支架上；而托架除配合支架面上的孔洞而設有結合用之卡塊外，並於其上設有卡槽孔及固定光照設備用之小孔洞或配合孔，藉由卡塊卡入於支架之孔洞內及側端面抵住支架面，使托架能快速且牢固地組置於支架上；橫桿係架設於複數的托架上，具有支撐與連接複數構件組立成立體式架體者以供托盤、盆栽等物品放置之用，藉其固定連接面相對於托架上的卡槽孔處預設的缺口卡入於至少兩托架端面上之卡槽孔內，進而使該等至少兩托架得以連結成一體；托盤係放置於兩托架及橫桿上並作為集水或者與支撐盆栽之用，可為單一構件或複數組合而成；盆栽係可放置於托盤上供種植植物之用；<br/>光照設備係為LED燈條或燈管等發光物者，利用固定帶穿於小孔洞固定於托架之面底處，或插置於在兩托架上預設之配合孔中，亦可串聯或並聯方式設置複數光照設備，藉此能提供光照給盆栽；<br/>給水系統主要係由進水管與平衡壓力管口及給水管口所組成，其中，平衡壓力管口與給水管口係以H字型相連通且管口高度相同等方式設置於每一植栽層邊，於每一植栽層上可設置複數個給水管口，藉由進水管端頭銜接水源輸送至多個給水管口內，各給水管口內可設有至少一條以上且吸水性佳之吸水性柔軟材料，並使吸水性柔軟材料另一端置入於盆栽中，藉吸水性柔軟材料將給水管口內之水源提供給盆栽，完成一用水比例省、構造簡單、組立及拆卸皆容易快速且製造成本低廉之垂直式簡易植栽架及其給水系統者。
如申請專利範圍第1項所述垂直式簡易植栽架及其給水系統，其中，托架形狀可為三角形者，其端面可呈”<img align="absmiddle" height="19px" width="4px" file="ed10025.bmp" alt="其他非圖式ed10025.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>”或“<img align="absmiddle" height="16px" width="8px" file="ed10026.bmp" alt="其他非圖式ed10026.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>”狀者，其側端面上設有至少一個以上的卡塊及於上端面上開設有至少一個以上的卡槽孔與正面上開設至少二個以上的小孔洞，其中卡塊為倒勾型卡塊者，藉倒勾型卡塊卡入於支架之孔洞內用倒勾勾住支架以及利用托架的側端面抵觸著支架，進而令托架能很牢固地組置於支架上並能因支架上之複數孔洞而調整托架高度，卡槽孔係供橫桿結合用，利用橫桿底面對應於該卡槽孔處之缺口卡入卡槽孔內，使橫桿能很輕易地組置於兩支以上的托架上，進而使橫桿、托架與支架等三者組置成一體。
如申請專利範圍第1項所述垂直式簡易植栽架及其給水系統，其中，托架形狀亦可為長方形者，其端面可呈”<img align="absmiddle" height="20px" width="5px" file="ed10027.bmp" alt="其他非圖式ed10027.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>”或“<img align="absmiddle" height="16px" width="8px" file="ed10028.bmp" alt="其他非圖式ed10028.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>”狀者，其側端面上設有至少一個以上的卡塊及於正面上開設至少二個以上供橫桿設置用之孔洞與至少二個以上供光照設備設置用之配合孔，其中，卡塊亦為倒勾型卡塊者，於正面上的孔洞之形狀以橫桿之端面形狀而定，而固定光照設備用之配合孔係配合光照設備之形狀而定者。
一種往復式移動裝置，包括：<br/> 一驅動組件；<br/> 一座體；<br/> 一往復機構，包含有一懸吊組件與一致動部，該懸吊組件包含有至少二第一彈片，任相鄰的二該第一彈片呈面對面間隔配置，該至少二第一彈片定義有至少一連接端與一自由端，該至少一連接端連結該座體，該致動部設於該自由端而成連動關係，該致動部受該驅動組件推抵；及<br/> 一工作組件，連接該自由端而成同動關係。
如請求項1所述的往復式移動裝置，其中該驅動組件包含有一轉動馬達與一凸輪，該轉動馬達動力連接該凸輪，該凸輪受該轉動馬達驅動而旋轉以壓抵該致動部。
如請求項2所述的往復式移動裝置，另包含有一待感應件與一感測器，該待感應件凸設於該凸輪之徑向，該感測器設於該凸輪之徑向上的外側用以感應該待感應件，當該感測器感應到該待感應件通過，該轉動馬達執行反向轉動。
如請求項2所述的往復式移動裝置，另包含有一碰撞件與二擋止件，該碰撞件凸設於該凸輪之徑向，該二擋止件分設於該凸輪之徑向上的外側，該二擋止件於該凸輪之周向上呈間隔配置且位於該碰撞件之移動路徑上以限制該碰撞件之行程。
如請求項1所述的往復式移動裝置，其中該工作組件包含有一固定座、一活動座、一調整件與一工作頭組，該活動座可沿一第二方向移動地設於該固定座，該調整件可移動地設於該固定座且用以沿該第二方向推抵該活動座，該工作頭組設於該活動座；其中，該第二方向異於二該第一彈片面對面之方向。
如請求項5所述的往復式移動裝置，其中該工作組件另包含有至少一拉伸彈簧，該至少一拉伸彈簧之二端分別連接該固定座與該活動座。
如請求項5所述的往復式移動裝置，其中該活動座包含有二第二彈片，二該第二彈片之一端連接於該固定座，二該第二彈片之另一端連接該活動座；其中，二該第二彈片呈面對面間隔配置且方向係橫向於二該第一彈片面對面配置的方向。
如請求項1所述的往復式移動裝置，其中該工作組件另包含有一主體、一應變規與一吸嘴，該主體連接於該自由端，該應變規連接於該主體與該吸嘴之間。
如請求項1至8其中任一項所述的往復式移動裝置，其中該至少二第一彈片係沿一第一方向呈間隔配置，當該致動部受該驅動組件推抵時，該致動部與該工作組件係沿該第一方向移動，該往復機構另包含有至少一復位彈簧，該至少一復位彈簧之二端分別連接該座體與該自由端。
如請求項6所述的往復式移動裝置，其中該驅動組件包含有一轉動馬達與一凸輪，該轉動馬達動力連接該凸輪，該凸輪受該轉動馬達驅動而旋轉以壓抵該致動部；該往復式移動裝置，另包含有一待感應件、一感測器、一碰撞件與二擋止件，該待感應件凸設於該凸輪之徑向，該感測器設於該凸輪之徑向上的外側用以感應該待感應件，當該感測器感應到該待感應件通過，該轉動馬達執行反向轉動，該碰撞件凸設於該凸輪之徑向，該二擋止件分設於該凸輪之徑向上的外側，該二擋止件於該凸輪之周向上呈間隔配置且位於該碰撞件之移動路徑上以限制該碰撞件之行程；該活動座包含有二第二彈片，二該第二彈片之一端連接於該固定座，二該第二彈片之另一端連接該活動座；其中，二該第二彈片呈面對面間隔配置且方向係橫向於二該第一彈片面對面配置的方向；該工作組件另包含有一主體、一應變規與一吸嘴，該主體連接於該自由端，該應變規連接於該主體與該吸嘴之間；該至少二第一彈片係沿一第一方向呈間隔配置，當該致動部受該驅動組件推抵時，該致動部與該工作組件係沿該第一方向移動，該往復機構另包含有至少一復位彈簧，該至少一復位彈簧之二端分別連接該座體與該自由端；該主體包含有該活動座與該固定座；該工作頭組包含該應變規與該吸嘴；該至少二第一彈片之數量為四，四該第一彈片於該第一方向上呈平行配置；該第二方向垂直於該第一方向；該至少一拉伸彈簧之數量為複數個；該工作組件另包含有一第一構件、一第二構件與至少一彈性組件，該第一構件設於該活動座，該第二構件透過該至少一彈性組件而可偏擺地設於該第一構件，該工作頭組設於該第二構件，該至少一彈性組件包含有呈交錯配置之二第三彈片。
一種取放裝置，其包括：<br/> 一基體組件；<br/> 多個取放組件，其穿設於該基體組件，每一該取放組件被配置成用於拾取至少一物件或釋放所拾取的該至少一物件；<br/> 至少一第一驅動組件，其對應於至少一該取放組件，該至少一第一驅動組件被配置成用於驅使所對應之至少一該取放組件朝一第一方向進行位移；<br/> 一連動組件，其能活動地連接於該多個取放組件與該基體組件；以及<br/> 一第二驅動組件，其能活動地連接於該連動組件，該第二驅動組件被配置成用於驅使該連動組件朝一第二方向進行位移，以使該連動組件帶動該多個取放組件相對於該第一方向進行轉動。
如請求項1所述之取放裝置，其中，該基體組件包括：<br/> 一第一基座元件，其具有多個流道，該多個流道被配置成用於容置該至少一第一驅動組件與該多個取放組件；以及<br/> 一第二基座元件，其鄰近於該第一基座元件，該第二基座元件具有多個通道，該多個通道被配置成用於容置該多個取放組件。
如請求項2所述之取放裝置，其中，每一該取放組件具有一推抵部、一流體接收部、一主體部以及一拾取部，該推抵部位於該流道，該流體接收部連接該推抵部與該主體部且位於該推抵部與該主體部之間，該流體接收部位於該第一基座元件與該第二基座元件之間，該主體部連接該拾取部且位於該流體接收部與該拾取部之間，該主體部位於該通道且能活動地連接於該連動組件，該拾取部被配置成用於拾取該至少一物件或釋放所拾取的該至少一物件。
如請求項2所述之取放裝置，還包括多個該第一驅動組件，每一該第一驅動組件容置於其中一該流道且對應於其中一該取放組件。
如請求項1所述之取放裝置，其中，該連動組件包括：<br/> 一連鎖元件，其能活動地連接於該多個取放組件與該基體組件；以及<br/> 一偏心元件，其連接該第二驅動組件且能活動地連接於該連鎖元件；<br/> 其中，當該第二驅動組件驅使該偏心元件進行一偏心旋轉時，該偏心元件驅使該連鎖元件朝該第二方向進行位移，以使該連鎖元件帶動該多個取放組件相對於該第一方向進行轉動。
如請求項1所述之取放裝置，其中，該連動組件包括：<br/> 一連鎖元件，其能活動地連接於該多個取放組件與該基體組件；<br/> 一彈性元件，其連接於該連鎖元件與該基體組件；以及<br/> 一偏心元件，其連接該第二驅動組件且能活動地連接於該連鎖元件；<br/> 其中，當該第二驅動組件驅使該偏心元件進行一偏心旋轉時，該偏心元件驅使該連鎖元件朝該第二方向進行位移，以使該連鎖元件帶動該多個取放組件相對於該第一方向進行轉動。
如請求項1所述之取放裝置，其中，該連動組件包括：<br/> 一連鎖元件，其能活動地連接於該多個取放組件與該基體組件；<br/> 一限位元件，其能活動地連接於該基體組件；<br/> 一彈性元件，其連接該連鎖元件與該限位元件；以及<br/> 一偏心元件，其連接該第二驅動組件且能活動地連接於該連鎖元件與該限位元件；<br/> 其中，當該第二驅動組件驅使該偏心元件進行一偏心旋轉時，該偏心元件驅使該連鎖元件與該限位元件朝該第二方向進行位移，以使該連鎖元件帶動該多個取放組件相對於該第一方向進行轉動。
如請求項7所述之取放裝置，其中，該連動組件還包括一遮板元件，其連接於該限位元件；其中，該取放裝置還包括一偵測組件，其設置於該基體組件，該偵測組件被配置成用於偵測該遮板元件之活動。
如請求項5至7中任一項所述之取放裝置，其中，該連鎖元件包括：<br/> 一聯動件，其能活動地連接於該偏心元件與該基體組件，該聯動件具有多個固定結構，相鄰的二該固定結構之間具有一預定間距；以及<br/> 多個活動件，每一該活動件之其中一端連接於其中一該取放組件，每一該活動件之另外一端位於相鄰的二該固定結構之間；<br/> 其中，當該偏心元件進行該偏心旋轉且該偏心元件驅使該聯動件朝該第二方向進行位移時，該聯動件藉由該多個固定結構帶動該多個活動件之該另外一端進行轉動，以使每一該活動件之該其中一端帶動所對應之該取放組件相對於該第一方向進行轉動。
如請求項1所述之取放裝置，其中，該第一方向與每一該取放組件之一軸心平行或重疊。
一種具有三色撥切開關的杯燈，包含：<br/> 一杯燈殼座，包括一沿一前後方向延伸且朝前開放的管部，及一自該管部前側朝前並朝外延伸的杯部，該管部具有一連接該杯部的後側的環繞壁，及一連接該環繞壁後側的基壁，該杯部呈杯型，該環繞壁、該基壁及該杯部共同圍繞界定一容置空間；<br/> 一電路單元，包括一設置於該容置空間內的電路板、一設置於該電路板並可朝前發光的第一發光模組、一設置於該電路板並可朝前發出與該第一發光模組顏色相異的光色的第二發光模組、一電連接該第一發光模組及該第二發光模組且位於該第一發光模組及該第二發光模組後方的驅動電路組、一電連接該第一發光模組、該第二發光模組及該驅動電路組的切換開關，及一設置於該杯燈殼座並可連動該切換開關的撥切開關；及<br/> 一燈罩，設置於該杯部且位於該電路單元前側。
如請求項1所述的具有三色撥切開關的杯燈，其中，該撥切開關設置於該杯部。
如請求項2所述的具有三色撥切開關的杯燈，其中，該電路單元還包括二穿過該基壁且電連接該驅動電路組的導電柱。
如請求項3所述的具有三色撥切開關的杯燈，其中，該杯燈殼座及該等導電柱符合GU10規格。
如請求項1所述的具有三色撥切開關的杯燈，其中，該撥切開關設置於該基壁。
如請求項5所述的具有三色撥切開關的杯燈，其中，該電路單元還包括一穿過該環繞壁且電連接該驅動電路組的電源線。
如請求項1所述的具有三色撥切開關的杯燈，其中，該第一發光模組具有複數串聯並可發出一第一光色的第一發光二極體，該第二發光模組具有複數串聯並可發出一與該第一光色相異的第二光色的第二發光二極體，該切換開關可於一第一模式、一第二模式及一第三模式之間切換，於該第一模式時，該等第一發光二極體通電而發出該第一光色，該等第二發光二極體不通電，於該第二模式時，該等第二發光二極體通電而發出該第二光色，該等第一發光二極體不通電，於該第三模式時，該等第一發光二極體通電，該等第二發光二極體通電，該等第一發光二極體及該等第二發光二極體共同發光而混合出一與該第一光色及該第二光色相異的第三光色。
一種反應氣體供應裝置，適於設置在一煙氣輸送管路，該煙氣輸送管路連接於一反應器用以輸送一煙氣至該反應器，該反應氣體供應裝置包含：<br/> 一氨水供應總成，用以供應氨水；及<br/> 一氣化總成，包括連接於該氨水供應總成用以氣化該氨水的一氣化元件、連接於該煙氣輸送管路與該氣化元件之間的一導流組件，及連接於該煙氣輸送管路與該氣化元件之間的一供氣管路，該導流組件用以將該煙氣輸送管路所輸送的該煙氣的一部分輸送至該氣化元件，使得該氣化元件利用該煙氣的熱量將該氨水氣化成反應氣體並且通過該供氣管路輸送至該煙氣輸送管路。
如請求項1所述的反應氣體供應裝置，其中，該導流組件包含一鼓風機、連接於該煙氣輸送管路與該鼓風機之間的一旁通管路，及連接於該鼓風機與該氣化元件之間的一輸氣管路，該鼓風機構造成運轉時通過該旁通管路吸取該煙氣輸送管路內的該煙氣的一部分並且通過該輸氣管路輸送至該氣化元件。
如請求項2所述的反應氣體供應裝置，其中，該煙氣輸送管路的兩相反端分別連接該反應器及一集塵器，該旁通管路間隔位於該集塵器與該供氣管路之間且鄰近於該集塵器。
如請求項1所述的反應氣體供應裝置，其中，該氣化元件為利用該煙氣的熱量將該氨水蒸發成該反應氣體的一蒸發器。
如請求項4所述的反應氣體供應裝置，其中，該導流組件包含一鼓風機、連接於該煙氣輸送管路與該鼓風機之間的一旁通管路，及連接於該鼓風機與該氣化元件之間的一輸氣管路，該鼓風機構造成運轉時通過該旁通管路吸取該煙氣輸送管路內的該煙氣的一部分並且通過該輸氣管路輸送至該氣化元件，該供氣管路間隔位於該旁通管路與該反應器之間且鄰近於該反應器。
如請求項1至5其中任一項所述的反應氣體供應裝置，其中，該氨水供應總成包括一氨水供應源、一泵、連接於該氨水供應源與該泵之間的一第一輸液管路、連接於該泵與該氣化元件之間的一第二輸液管路、一霧化空氣供應源，及連接於該霧化空氣供應源與該第二輸液管路之間的一霧化空氣輸送管路，該泵構造成運轉時通過該第一輸液管路吸取該氨水供應源所供應的該氨水並通過該第二輸液管路輸送至該氣化元件，該霧化空氣輸送管路用以將該霧化空氣供應源所產生的霧化空氣輸送至該第二輸液管路，以使該第二輸液管路輸送該霧化空氣與該氨水混合後的霧化的該氨水至該氣化元件。
一種煙氣排放設備，包括：<br/> 一煙氣排放裝置，包含一集塵器、一反應器、一煙氣輸送管路，及一排放總成，該反應器為一選擇性觸媒反應器，該煙氣輸送管路的兩相反端分別連接該集塵器及該反應器，該煙氣輸送管路用以將該集塵器所排出的煙氣輸送至該反應器，該排放總成連接於該反應器用以排放該煙氣；及<br/> 如請求項1至6其中任一項所述的反應氣體供應裝置。
一種廢稀硫酸回收合成硫酸鋁之設備，其包含有：<br/>一回收鋁儲存設備，所述回收鋁儲存設備用以儲存一回收鋁料；<br/>一廢酸儲存槽，所述廢酸儲存槽用以配合一廢酸儲存泵抽取並儲存一廢酸，所述廢酸為硫酸；<br/>一溶解反應槽，所述溶解反應槽用以配合一原水泵抽取將該廢酸儲存槽內之所述廢酸加入所述溶解反應槽內，所述溶解反應槽內更用以加入該回收鋁儲存設備存放之所述回收鋁料，並加入一催化劑與所述回收鋁料及該廢酸進行溶解反應生成一反應液；<br/>一調整槽，所述調整槽設有一調整槽攪拌機，該溶解反應槽配合一中繼泵將所述反應液抽取到該調整槽並以該調整槽攪拌機攪拌；<br/>一壓濾機，所述壓濾機配合一壓濾泵抽取該調整槽內攪拌後之該反應液並施加壓力將所述反應液分離出一濾液與一廢渣，所述濾液進入一濾液槽；<br/>一成品槽，所述成品槽設有一成品槽攪拌機，配合一濾液泵抽取所述濾液槽中的該濾液到所述成品槽並以該成品槽攪拌機攪拌獲得一硫酸鋁成品；<br/>一硫酸鋁成品儲存槽，所述硫酸鋁成品儲存槽配合一成品泵抽取該硫酸鋁成品儲存，該硫酸鋁成品儲存槽更可配合一出料泵抽取所述硫酸鋁成品至一槽車上運輸出貨。
如請求項1所述的廢稀硫酸回收合成硫酸鋁之設備，其中，所述廢酸儲存泵及該壓濾泵連接有一空壓機，所述廢酸儲存泵及該壓濾泵是以氣動的方式驅動。
如請求項1所述的廢稀硫酸回收合成硫酸鋁之設備，其中，所述硫酸鋁成品是硫酸鋁溶液。
如請求項1所述的廢稀硫酸回收合成硫酸鋁之設備，其中，所述廢酸是以IBC桶存放供該廢酸儲存泵抽取。
如請求項1所述的廢稀硫酸回收合成硫酸鋁之設備，其中，所述廢酸為稀硫酸。
一種隔震估算系統，係架設於一平台上，使用者可透過一電子裝置連線至該平台，並於該電子裝置輸入複數基本建築參數進行估算，該系統係至少包含：<br/>一隔震方案資料庫，該隔震方案資料庫係儲存有複數隔震工程方案資料；<br/>一建築成本資料庫，該建築成本資料庫係儲存有複數成本資料；<br/>一運算單元，該運算單元可接收該使用者輸入的基本建築參數並分別與該隔震方案資料庫、該建築成本資料庫相連接，該運算單元可將該等基本建築參數套入該隔震方案資料庫與建築成本資料庫中進行運算，提供一隔震建築估算結果，該隔震建築估算結果具有對應該等基本建築參數的隔震建築建設方案與建設成本。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該基本建築參數至少包含樓高、坪數、樓層數、用途。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該基本建築參數更包含預算成本。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該隔震方案資料庫所儲存的隔震工程方案資料係可包含有隔震結構的型式、數量與配置方式。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該建築成本資料庫所儲存的成本資料係可包含建築材料成本、施工人員成本與施工工時。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該建築成本資料庫所儲存的成本資料係可即時更新。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該平台係為線上平台或雲端平台。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該電子裝置係以有線訊號或無線訊號連線至該平台。
如請求項1所述之隔震估算系統，其中該電子裝置可為智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦或桌上型電腦之其一者。
一種封裝結構，包含：<br/> 一晶片，該晶片具有一導體墊與部分地覆蓋該導體墊的一鈍化層；<br/> 一介電層，在該晶片上並覆蓋該鈍化層；<br/> 一金屬層，在該介電層與該晶片上並接觸該導體墊；<br/> 一導電夾片，在該金屬層上；<br/> 一銲料，在該金屬層與該導電夾片之間；<br/> 複數個導體柱，在該銲料與該晶片之間。
如請求項1所述之封裝結構，其中該些導體柱在該晶片的該導體墊的正上方。
如請求項2所述之封裝結構，其中該些導體柱更在該介電層的正上方。
如請求項3所述之封裝結構，其中在該介電層的正上方的該些導體柱的複數個頂表面與在該晶片的該導體墊的正上方的該些導體柱的複數個頂表面齊平。
如請求項1所述之封裝結構，其中該些導體柱在該介電層的正上方。
如請求項1所述之封裝結構，其中該些導體柱在該晶片與該金屬層之間，且該金屬層包覆該些導體柱的複數個側壁與複數個頂表面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該些導體柱在該金屬層與該銲料之間，且該銲料包覆該些導體柱的複數個側壁與複數個頂表面。
如請求項1所述之封裝結構，其中該導電夾片包含一第一部分與一第二部分，該第一部分接觸該銲料，該第二部分連接該第一部分且相對該第一部分往下凹折，該些導體柱在該介電層的正上方，且排列於該介電層的遠離該導電夾片的該第二部分的一側。
如請求項8所述之封裝結構，其中該些導體柱更排列於該介電層的靠近該導電夾片的該第二部分的一側。
如請求項1所述之封裝結構，其中該導電夾片與該些導體柱之間具有實體隔離。
一種可懸掛於寵物籠之運動滾輪結構，係運用在一寵物籠之籠體或籠壁內，其包含有：<br/>一滾輪體，呈環狀結構且外周形成防卡腳之網狀結構，該滾輪體的內側形成一踏面部；<br/>一支撐網架，連接於該滾輪體的一端，提供該滾輪體轉動支撐功能，該支撐網架具有一支撐橫桿，並於該支撐橫桿的中央設置一軸孔；<br/>一轉軸組，設於該滾輪體中心，用以支撐並使該滾輪體可旋轉，該轉軸組包括一轉軸及一軸承組件，該軸承組件套設於該轉軸與該軸孔之間，以提供該滾輪體轉動輕盈效果；<br/>一掛架，該掛架的一端供該轉軸組設置，且該掛架設有兩個對稱設置並提供懸掛於籠壁功能的掛鉤；<br/>以及一固定件，該固定件螺合於該支撐網架相對於該掛架的另一側，以定位該軸承組件；<br/>藉由該掛架之掛鉤，使得整體結構能懸掛或勾掛於籠體內。
如請求項1所述之可懸掛於寵物籠之運動滾輪結構，其中，該掛架相對於該轉軸設置的一側底部設有一螺紋桿，該螺紋桿可穿出籠體之籠壁，並以一鎖定墊片自外側螺合固定，使該掛架同時具有掛置與鎖固籠體之功能。
如請求項1所述之可懸掛於寵物籠之運動滾輪結構，其中，該掛鉤為彎鉤狀，可鉤掛於籠壁之一橫桿。
如請求項1所述之可懸掛於寵物籠之運動滾輪結構，其中，該掛架呈T字形結構。
如請求項1所述之可懸掛於寵物籠之運動滾輪結構，其中，該滾輪體與該支撐網架為可拆卸結構。
如請求項1所述之可懸掛於寵物籠之運動滾輪結構，其中，該滾輪體之輪面呈圓弧。
一種麻將的驅動裝置，包括輸送軌道、儲牌軌道（1）以及送牌軌道（2），<br/> 所述輸送軌道用於將麻將按個輸送至儲牌軌道（1），<br/> 所述儲牌軌道（1）用於將接收到麻將成列堆疊，<br/> 所述送牌軌道（2）用於將堆疊好的麻將抬升送出，<br/> 其特徵在於：還包括，<br/> 一帶有控制器的馬達（3），用於輸出動力；<br/> 一推牌桿（4），用於與帶有控制器的馬達（3）連接，在控制器的控制下由馬達（3）驅動發生動作；<br/> 一感應裝置（7），感應裝置（7）與控制器電性連接，並且用於感應從輸送軌道輸送至儲牌軌道（1）的麻將；<br/> 一銜接裝置（5），所述銜接裝置（5）安裝在儲牌軌道（1）的入口處，用於接收從輸送軌道上落下的麻將，並將麻將進行堆疊後通過推牌桿（4）推入儲牌軌道（1）；<br/> 一升降驅動裝置（6），所述升降驅動裝置（6）與送牌軌道（2）連接，所述送牌軌道（2）包括轉動設置的承托板（21），所述承托板（21）用於接收從儲牌軌道（1）推送過來的麻將，所述升降驅動裝置（6）作用於承托板（21）使承托板（21）進行升降；所述升降驅動裝置（6）的動力來源於推牌桿（4），所述推牌桿（4）可作用於升降驅動裝置（6）使升降驅動裝置（6）對承托板（21）發生升降；<br/> 所述銜接裝置（5）包括一旋轉疊牌座（51），所述旋轉疊牌座（51）轉動設置在儲牌軌道（1）的入口處且位於輸送軌道的出口處，所述旋轉疊牌座（51）整體結構呈L型設置分為限位板（512）和支撐板（511），所述支撐板（511）用於接收麻將，所述限位板（512）用於與推牌桿（4）發生抵觸；<br/> 所述推牌桿（4）在馬達（3）作用下發生轉動，轉動時與限位板（512）發生抵觸形成三種狀態：第一狀態：所述推牌桿（4）推動限位板（512）使得支撐板（511）相對儲牌軌道（1）發生翹起用於承接麻將；第二狀態：所述推牌桿（4）轉動後使得限位板（512）發生轉動從而使支撐板（511）相對儲牌軌道（1）形成同一平面用於承接堆疊的麻將；第三狀態：所述推牌桿（4）繼續轉動使限位板（512）脫離推牌桿（4），同時推動形成堆疊的麻將至儲牌軌道（1）內，此時所述支撐板（511）轉動至低於儲牌軌道（1）。
如請求項1所述的麻將的驅動裝置，其特徵在於：所述升降驅動裝置（6）包括轉動設置的引導件（61），所述引導件（61）設置有推桿（62），所述承托板（21）遠離儲牌軌道（1）的一端轉動安裝在送牌軌道（2）上，所述承托板（21）靠近儲牌軌道（1）的一端在推桿（62）的作用下進行升降，所述承托板（21）傾斜時與儲牌軌道（1）發生銜接，所述承托板（21）水準時將麻將送出。
如請求項2所述的麻將的驅動裝置，其特徵在於：所述引導件（61）設置有導槽（63），所述推牌桿（4）設置有導向件（41），所述推牌桿（4）轉動時導向件（41）進入導槽（63）內推動引導件（61），所述引導件（61）發生轉動使推桿（62）引導承托板（21）發生向下傾斜與儲牌軌道（1）發生銜接，所述導槽（63）呈人字形設置，所述推牌桿（4）反向轉動時使導向件（41）繼續沿導槽（63）運動，從而帶動引導件（61）反向轉動使推桿（62）發生轉動時抵觸承托板（21）向上運動至水準狀態。
如請求項3所述的麻將的驅動裝置，其特徵在於：所述推桿（62）設置有兩根，包括推桿一（621）和推桿二（622），所述承托板（21）設置有第一導向部（22）和第二導向部（23），所述引導件（61）轉動時，所述推桿一（621）與第一導向部（22）抵觸配合使得承托板（21）轉動；所述推桿二（622）與第二導向部（23）接觸時，所述推桿一（621）與第一導向部（22）脫離，所述推桿二（622）繼續轉動從而使承托板（21）繼續轉動。
如請求項1所述的麻將的驅動裝置，其特徵在於：還包括一磁控開關（8），所述磁控開關（8）設置於推牌桿（4）下方，所述磁控開關（8）與控制器電性連接，用於控制馬達（3）帶動推牌桿（4）的啟停。
如請求項1所述的麻將的驅動裝置，其特徵在於：所述儲牌軌道（1）設置為弧形，所述推牌桿（4）在馬達（3）的作用下沿著弧形的儲牌軌道（1）運行。
一種麻將機，其特徵在於：包括如請求項1至請求項6任一項所述的麻將的驅動裝置。
一種電子扭力扳手，包含：<br/> 一管身，包含：<br/> 一小徑部；<br/> 一橋接部，連接該小徑部；及<br/> 一大徑部，連接該橋接部；<br/> 其中，該橋接部的一外徑自該小徑部朝該大徑部的一方向逐漸增大，該大徑部具有一第一外徑，且該大徑部包含：<br/> 一凹陷部，該凹陷部的一深度為該第一外徑的0.4倍至0.6倍；<br/> 至少一第一溝槽，位於該凹陷部並凹設於該大徑部的一內壁；及<br/> 至少一第二溝槽，位於該凹陷部並凹設於該大徑部的該內壁；<br/> 一數位面板，包含：<br/> 至少一第一凸起部對應嵌設該至少一第一溝槽；及<br/> 至少一第二凸起部對應嵌設該至少一第二溝槽；以及<br/> 一連接部，組設於該數位面板與該管身之間，且該連接部之一側嵌設於該至少一第一溝槽。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該數位面板更包含複數燈源，該些燈源彼此並列，且該些燈源位於該連接部的一內側。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該數位面板包含二凸塊，且該二凸塊嵌合該連接部。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該數位面板的該至少一第一凸起部與該連接部之該側相銜接，並位於該至少一第一溝槽。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該數位面板包含一電路板，且該電路板位於該數位面板的一第一表面上。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該至少一第一溝槽具有一圓角，該至少一第一凸起部係抵頂該圓角。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該大徑部具有一第一管壁厚度，該小徑部具有一第二管壁厚度。
如請求項7所述之電子扭力扳手，其中該第二管壁厚度為該第一管壁厚度的1倍至2倍。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該小徑部具有一第二外徑，且該第一外徑為該第二外徑的1倍至2倍。
如請求項1所述之電子扭力扳手，其中該至少一第二溝槽較該至少一第一溝槽遠離該橋接部。
一種心臟照護系統，係包含有：<br/> 一行動裝置，其係資料連結一聊天應用程式，該聊天應用程式內包含有一訊息介面、一點選介面以及一輸入介面彼此之間資訊連結：<br/> 一雲端平台，其係與聊天應用程式資料連結；該雲端平台內係資料連結有一推播模組以及一資訊模組；<br/> 該推播模組，其係於預定時間內資訊連結該訊息介面，並推播一推播訊息給至該訊息介面，該行動裝置並可透過該輸入介面輸入有一回饋訊息供該推播模組接受以及儲存；<br/> 一資訊模組，其具有數個資訊選項，該等資訊選項資料連結於該點選介面，該點選介面可對應預定的資訊選項，該資訊選項並可提供相對應的資訊於該訊息介面上。
如請求項1所述之心臟照護系統，其中：該聊天應用程式係為一LINE BOT( 自動化聊天機器人)。
如請求項1所述之心臟照護系統，其中：該等資訊選項係包含有一認識冠心症選項、一藥物選項、一飲食選項、一復健運動選項、一戒菸選項以及一其他資訊選項。
如請求項1所述之心臟照護系統，其中：該輸入介面係為一虛擬鍵盤。
如請求項1所述之心臟照護系統，其中：該雲端平台更包含有一儲存模組，該儲存模組資訊連結於該推播模組以及該資訊模組，該資訊模組將該資訊選項儲存於該儲存模組內，同時，該推播模組也會將該行動裝置之回饋訊息儲存於該儲存模組內。
如請求項1所述之心臟照護系統，其中：該行動裝置係為一手機、一平板或一筆記型電腦所構成。
一種雙壓電噴射閥，其中，包括：<br/> 主殼體，內部具有容納空間，該主殼體上還具有進氣介面與排氣介面，該進氣介面以及該排氣介面均與該容納空間連通的，該進氣介面用於與外部低溫氣源連通，該排氣介面用於將該容納空間中的氣體排出；<br/> 出膠噴嘴，設置於該主殼體的外部，該出膠噴嘴具有進膠口與噴射口，該出膠噴嘴上還具有控制端，該控制端用於控制該進膠口與該噴射口接通或斷開，該控制端的至少部分延伸至該容納空間的內部；<br/> 雙壓電組件，設置在該容納空間內，用於驅動該出膠噴嘴的該控制端運動，以實現該出膠噴嘴上該進膠口與該噴射口的接通或斷開。
如請求項1所述的雙壓電噴射閥，其中，該進氣介面處設置有第一接頭，該第一接頭用於將該進氣介面與外部管路連通，該排氣介面處設置有第二接頭，該第二接頭用於將該排氣介面與外部管路連通。
如請求項2所述的雙壓電噴射閥，其中，該雙壓電噴射閥還包括供膠單元，該供膠單元的出口與該進膠口相互連通，該主殼體上設置有固定結構，該供膠單元通過該固定結構連接於該主殼體。
如請求項3所述的雙壓電噴射閥，其中，該固定結構包括卡裝件，該卡裝件的第一端連接於該主殼體，該卡裝件的第二端向遠離該主殼體的方向延伸，該卡裝件上設置有用於容納該供膠單元的卡裝槽。
如請求項4所述的雙壓電噴射閥，其中，該卡裝件的第一端與該主殼體轉動連接，該主殼體上設置有用於固定該出膠噴嘴的卡扣組件，且該出膠噴嘴的至少部分與該卡扣組件轉動連接，該卡裝件的第一端的轉動軸線與該出膠噴嘴的轉動軸線均位於同一條直線上。
如請求項1至5中任一項所述的雙壓電噴射閥，其中，該雙壓電組件包括底座、驅動槓桿、壓電堆疊部以及壓緊件，該底座上具有安裝面，該驅動槓桿與該安裝面間隔設置，該驅動槓桿具有驅動部與工作部，該驅動部與該工作部分別位於該驅動槓桿的兩端，該工作部用於與該出膠噴嘴的控制端連接，以在該驅動槓桿運動時驅動該控制端運動，該壓電堆疊部的數量為兩個，兩個該壓電堆疊部均支撐於該安裝面與該驅動部之間，兩個該壓電堆疊部沿該驅動槓桿的長度方向間隔設置，該壓電堆疊部用於在施加在自身上的電壓變化時改變自身的高度，以推動該驅動槓桿運動，且兩個該壓電堆疊部的高度變化方向始終相反，該壓緊件的至少部分連接於該驅動槓桿，該壓緊件用於向該驅動槓桿施加朝向該壓電堆疊部的力，以將該驅動槓桿壓緊於該壓電堆疊部的頂部區域，且該壓緊件與該驅動槓桿的連接位為第一連接位，該壓電堆疊部與該驅動槓桿的連接位為第二連接位，該第一連接位位於兩個該第二連接位之間。
如請求項6所述的雙壓電噴射閥，其中，該雙壓電組件還包括導熱板，該導熱板的數量為兩個，兩個該導熱板分別位於該雙壓電組件的兩側，且兩個該導熱板均與兩個該壓電堆疊部的側面相互抵接。
如請求項7所述的雙壓電噴射閥，其中，該工作部上設置有用於與該出膠噴嘴的該控制端連接的壓頭部，該壓頭部與該工作部之間設置有調節結構，且該調節結構用於調節該壓頭部與該工作部的相對位置。
如請求項8所述的雙壓電噴射閥，其中，該壓電堆疊部與該驅動槓桿和/或該底座之間還設置有偏轉結構，且在該壓電堆疊部的高度尺寸發生變化時、該壓電堆疊部可通過該偏轉結構進行整體偏轉。
一種點膠設備，其中，包括如請求項1至9中任一項所述的雙壓電噴射閥。
一種省電燈具結構，其係包含有：<br/>一燈具，其內部係設有連接導通於一電源開關的一中央處理器；<br/>一光敏電阻，其係連設導通於該中央處理器，該光敏電阻係用以感測室外光源的光通量，再傳遞訊號至該中央處理器，令該中央處理器藉由該電源開關調整電流大小，再加以補足室內光源至所預設的光通量；<br/>一紅外線人體感測器，其係連設導通於該中央處理器，當偵測到室內空間內存在動態性人體時則開啓該電源開關，反之，待偵測室內空間呈靜止狀態至一預設時間時，則關閉該電源開關。
如請求項1所述之省電燈具結構，其中，該燈具之該中央處理器係設有一熱敏電阻，當該燈具的高溫熱度到達一個限制值時，該熱敏電阻則傳達訊息至該中央處理器，令該電源開關強制關閉者。
如請求項1所述之省電燈具結構，其中，該中央處理器更可增設一調控該光敏電阻之光通量限制值的可變電阻。
如請求項1所述之省電燈具結構，其中，該紅外線人體感測器相對該中央處理器之間係設有一計時器。
一種公私燈具之雙電源供應省電結構，其係包含有：<br/>一設於公用區域的燈具，其中該燈具內設有一燈泡，而該燈泡之供電係分別導通於一公用電源及一私用電源，該公用電源及該私用電源與該燈具間係分別連設有公用電流及私用電流，且該公用電源及該私用電源的預定位置係分別設有一公用開關及一私用開關；<br/>藉此，令該設於公用區域的該燈泡得分別藉由該公用開關或該私用開關控制導通。
如請求項1所述之公私燈具之雙電源供應省電結構，其中，當該公用開關切至ON狀態，且該私用開關切至OFF狀態時，則該燈具及該燈泡係與該公用電源呈電性導通；當該公用開關切至OFF狀態，且該私用開關切至ON狀態時，則該燈具及該燈泡係與該私用電源呈電性導通；當該公用開關切至ON狀態，且該私用開關切至ON狀態時，則該燈具及該燈泡係與該公用電源呈電性導通。
如請求項1所述之公私燈具之雙電源供應省電結構，其中，該燈具、該燈泡與該公用開關及該私用開關間係各設有一中央處理器(CPU)及一熱敏電阻，當該燈泡及該燈具的高溫熱度到達一個限制值時，該熱敏電阻則傳達到訊息至該中央處理器，令該公用開關或該私用開關強制關閉該公用電源或該私用電源的電性導通。
如請求項3所述之公私燈具之雙電源供應省電結構，其中，該中央處理器更可增設一調控該熱敏電阻之高溫限制值的可變電阻。
一種具微奈米金屬和石墨之LED燈具散熱器結構，其係包含有：<br/>一LED燈板，該LED燈板係依序由一導熱層、一絕緣層與一電路板結合而成，至少一個LED燈附著於該電路板上，該導熱層上則設有數凸柱突出於該LED燈板外；<br/>一散熱鰭片座，該散熱鰭片座具有數散熱鰭片與中央具有一接合面，該接合面設有與該LED燈板之數該凸柱對應之數凹槽，透過該凸柱與該凹槽之嵌合，使該LED燈板結合於該散熱鰭片座上，藉此增加該LED燈板與該散熱鰭片座的接觸面積，而將熱從該LED燈板快速傳遞至數該散熱鰭片上散熱。
如請求項1所述之具微奈米金屬和石墨之LED燈具散熱器結構，其中，該LED燈板之導熱層與該散熱鰭片座之該接合面之間，包括平面接合處與該凸柱與該凹槽嵌合處可設有導熱膏。
如請求項1所述之具微奈米金屬和石墨之LED燈具散熱器結構，其中，該散熱鰭片座與該導熱層係由石墨粉末、樹脂乳膠與微奈米金屬粉末混合後射出成型之結構者。
如請求項1所述之具微奈米金屬和石墨之LED燈具散熱器結構，其中，該具微奈米金屬和石墨之LED燈具散熱器結構可結合一燈罩。
一種太陽能光電直流線路溫度感測系統，其係包含：<br/>一微控制器；<br/>一感測單元，該感測單元係電性連接該微控制器，該感測單元包括至少一溫度感測器，該溫度感測器係用以偵測溫度，並能產生一溫度感測訊號回傳至該微控制器，該微控制器依據該溫度感測訊號判斷溫度是否達到設定值，並發出一控制指令至一繼電器；<br/>該繼電器，該繼電器係電性連接該微控制器，該繼電器係依據該控制指令，以對電路進行開關的控制；<br/>一發光單元，該發光單元係電性連接該繼電器，該發光單元包括至少一發光件，該發光件係受該繼電器控制其發亮或熄滅，其中，在無異常狀況下(溫度未超過所述設定值)，該發光件係會發亮，若偵測到異常時(溫度超過所述設定值)，則該繼電器係會控制該發光件熄滅，由此來區分各電路的異常狀況。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，還包含一蜂鳴器，該蜂鳴器係電性連接該繼電器，並受該繼電器控制其作動，若偵測到異常時，該繼電器係會控制該蜂鳴器發出聲響。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，該微控制器係為型號為Arduino Mega 2560之控制電路板。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，該溫度感測器之型號係為DS18B20之觸碰式熱敏電阻。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，該繼電器係採用具有八個通道(8 Relay)之繼電器。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，該發光件係為LED燈。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，所述設定值為使用者預先設定好之溫度數值。
如請求項1所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，該微控制器係供連接一外部電源。
如請求項8所述之太陽能光電直流線路溫度感測系統，其中，該微控制器係可供應該溫度感測器所需之電源能量。
一種容置模組，用於整合在一電子裝置(ED)的一機箱(ED1)內；其中，該機箱(ED1)的一側板(ED10)開設有至少一第一開口(ED11)，且所述容置模組(AM)包括：<br/> 一第一容置單元(1)，包括：<br/> 一第一罩體(11)，包括一第一右側板(11R1)、一第一左側板(11L1)以及連接於該第一右側板(11R1)與該第一左側板(11L1)之間的一第一蓋板(11C1)，且該第一蓋板(11C1)的底面形成有M個第一導引通道(11G1)；<br/> N個第一長板形間隔件(12)，設置在該第一罩體(11)內，其中，N為正整數，且各所述第一長板形間隔件(12)的底側與頂側分別連接該機箱(ED1)的底部與該第一蓋板(11C1)；以及<br/> M個第一抽取式長板形間隔件(13)，設置在該第一罩體(11)內，其中，M為正整數，且各所述第一抽取式長板形間隔件(13)的頂側對應嵌於各所述第一導引通道(11G1)內；<br/> 其中，N個所述第一長板形間隔件(12)與M個所述第一抽取式長板形間隔件(13)在該第一罩體(11)內界定出P個第一容置空間，且各所述第一容置空間具有一第一入口位於該第一開口(ED11)處；<br/> 其中，將L個所述第一抽取式長板形間隔件(13)抽離該第一罩體(11)之後，N個所述第一長板形間隔件(12)與M-L個所述第一抽取式長板形間隔件(13)在該第一罩體(11)內界定出Q個所述第一容置空間以及L個第二容置空間；<br/> 其中，L、P、Q皆為正整數，P= N+M+1，且Q=(N-L)+(M-L)+1；<br/> 其中，各所述第二容置空間具有一第二入口位於該第一開口(ED11)處，且所述第二容置空間的寬度為所述第一容置空間的兩倍。
如請求項1所述之容置模組，其中，所述電子裝置(ED)為選自於由伺服器、邊緣伺服器、分散式儲存系統、人工智慧計算節點、電信級核心路由器、資料中心交換器、5G基地台運算單元、工業邊緣閘道器、和網路安全設備所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之容置模組，其中，該第一蓋板(11C1)上設有：<br/> 複數個穿孔(11H0)；<br/> 複數個凹槽(11R0)；<br/> M個第一螺孔排，其中，各所述第一螺孔排包含J個第一螺孔(11S1)；<br/> M個第一嵌合孔排，其中，各所述第一嵌合孔排包含K個第一嵌合孔(11E1)；<br/> M個第二螺孔排，其中，各所述第二螺孔排包含J個第二螺孔(11S2)；<br/> M個第二嵌合孔排，其中，各所述第二嵌合孔排包含K個第二嵌合孔(11E2)；<br/> N個第三螺孔排，其中，各所述第三螺孔排包含J個第三螺孔(11S3)；<br/> N個第三嵌合孔排，其中，各所述第三嵌合孔排包含K個第三嵌合孔(11E3)；<br/> 一第一右側安裝片(1RS1)；<br/> 一第一左側安裝片(1LS1)；以及<br/> N個第一安裝板(1MP1)；<br/> 其中，J、K皆為正整數，該第一右側安裝片(1RS1)連接該第一右側板(11R1)的前側與該第一蓋板(11C1)的前側，該第一左側安裝片(1LS1)連接該第一左側板(11L1)的前側與該第一蓋板(11C1)的前側，且各所述第一安裝板(1MP1)皆連接該第一蓋板(11C1)的前側。
如請求項3所述之容置模組，其中，該第一右側板(11R1)的底側與該第一左側板(11L1)的底側分別形成有一第一右支撐片(1RB1)與一第一左支撐片(1LB1)，且該第一右支撐片(1RB1)與該第一左支撐片(1LB1)連接該機箱(ED1)的底部。
如請求項4所述之容置模組，其中，該第一容置單元(1)更包括：<br/> M個第一右導引件(1RG1)，且各所述第一右導引件(1RG1)包括：<br/> 一第一右導引板(1RP1)，其板身上設有一第一定位孔(1RH1)，且其頂側設有 K個第一插入片(1RI1)；<br/> 一第一結合板(1RC1)，連接該第一右導引板(1RP1)的頂側，且具有J個第一定位穿孔(1RT1)；及<br/> 一第一安裝片(1RM1)，連接該第一右導引板(1RP1)的前側；<br/> M個第一左導引件(1LG1)，且各所述第一左導引件(1LG1)包括：<br/> 一第一左導引板(1LP1)，其板身上設有一第二定位孔(1LH2)，且其頂側設有 K個第二插入片(1LI2)；<br/> 一第二結合板(1LC2)，連接該第一左導引板(1LP1)的頂側，且具有J個第二定位穿孔(1LT2)；及<br/> 一第二安裝片(1LM2)，連接該第一左導引板(1LP1)的前側；以及<br/> M個第一球頭定位銷(1B)；<br/> 其中，各所述第一球頭定位銷(1B)包括一第一銷身(1B1)、形成於該第一銷身(1B1)的前端的一第一定位翼(1B2)、埋於該第一銷身(1B1)內的一第一彈性件、以及一第一定位件(1B3)；<br/> 其中，所述第一定位翼(1B2)嵌於所述第一左導引板(1LP1)的該第二定位孔(1LH2)內，且該第一定位件(1B3)包括連接該第一彈性件的一第二連接部以及露出該第二定位孔(1LH2)的一第一定位球頭；<br/> 其中，所述第一結合板(1RC1)結合至該第一蓋板(11C1)，且該第一結合板(1RC1)的該J個第一定位穿孔(1RT1)分別對應一個所述第一螺孔排的該J個第一螺孔(11S1)；<br/> 其中，當所述第一結合板(1RC1)結合至該第一蓋板(11C1)之時，該第一右導引板(1RP1)的該K個第一插入片(1RI1)分別對應插入一個所述第一嵌合孔排的該K個第一嵌合孔(11E1)，且該第一安裝片(1RM1)與該第一右側安裝片(1RS1)、該第一安裝板(1MP1)和該第一左側安裝片(1LS1)位於同一垂直面；<br/> 其中，所述第二結合板(1LC2)結合至該第一蓋板(11C1)，且該第二結合板(1LC2)的該J個第二定位穿孔(1LT2)分別對應一個所述第二螺孔排的該J個第二螺孔(11S2)；<br/> 其中，當所述第二結合板(1LC2)結合至該第一蓋板(11C1)之時，該第一左導引板(1LP1)的該K個第二插入片(1LI2)分別對應插入一個所述第二嵌合孔排的該K個第二嵌合孔(11E2)，且該第二安裝片(1LM2)與該第一右側安裝片(1RS1)、該第一安裝板(1MP1)和該第一左側安裝片(1LS1)位於同一垂直面；<br/> 其中，所述第一右導引板(1RP1)和所述第一左導引板(1LP1)在該第一罩體(11)內圍出所述第一導引通道(11G1)。
如請求項5所述之容置模組，其中，各所述第一長板形間隔件(12)包括：<br/> 一第一隔板(12P1)，其板身上設有至少一第一導引結構(12G1)，且其頂側設有 K個第三插入片(12I3)；<br/> 一第三結合板(12C3)，連接該第一隔板(12P1)的頂側，且具有J個第三定位穿孔(12T3)；以及<br/> 一第一支撐片(12S1)，連接該第一隔板(12P1)的底側；<br/> 其中，所述第三結合板(12C3)結合至該第一蓋板(11C1)，且該第三結合板(12C3)的該J個第三定位穿孔(12T3)分別對應一個所述第三螺孔排的該J個第三螺孔(11S3)；<br/> 其中，當所述第三結合板(12C3)結合至該第一蓋板(11C1)之時，該第一隔板(12P1)的該K個第三插入片(12I3)分別對應插入一個所述第三嵌合孔排的該K個第三嵌合孔(11E3)；<br/> 其中，該第一支撐片(12S1)連接該機箱(ED1)的底部。
如請求項6所述之容置模組，其中，各所述第一抽取式長板形間隔件(13)包括：<br/> 一第一抽取式隔板(13P1)，其板身上設有至少一第二導引結構(13G2)、一第三定位孔(13H3)與一第一指拉孔(13F1)；<br/> 其中，當所述第一抽取式長板形間隔件(13)的頂側嵌於對應的所述第一導引通道(11G1)內之時，該第三定位孔(13H3)與該第一右導引板(1RP1)的該第一定位孔(1RH1)以及該第一左導引板(1LP1)的該第二定位孔(1LH2)相對，且對應的所述第一球頭定位銷(1B)的該第一定位件(1B3)的該第一定位球頭係嵌入該第三定位孔(13H3)。
如請求項7所述之容置模組，係更包括：<br/> 一中介支撐板(3)，其表面上設有M個導引結構(3G)，其底面上設有複數個第一凸塊(3B1)，且其板身上形成有複數個螺孔(3S0)、J個第一穿孔(3T1)與J個第二穿孔(3T2)；<br/> 其中，該中介支撐板(3)的右側邊設有K個右缺口(3RN)，該中介支撐板(3)的左側邊設有K個左缺口(3LN)，該J個第一穿孔(3T1)鄰近該中介支撐板(3)的右側邊，且該J個第二穿孔(3T2)鄰近該中介支撐板(3)的左側邊；<br/> 其中，在該中介支撐板(3)堆疊於該第一蓋板(11C1)之上，該複數個螺孔(3S0)分別對應該複數個穿孔(11H0)，且該複數個第一凸塊(3B1)分別對應嵌入該複數個凹槽(11R0)。
如請求項8所述之容置模組，係更包括：<br/> 一第二容置單元(2)，堆疊於該中介支撐板(3)之上，且包括：<br/> 一第二罩體(21)，包括一第二右側板(21R2)、一第二左側板(21L2)以及連接於該第二右側板(21R2)與該第二左側板(21L2)之間的一第二蓋板(21C2)，且該第二蓋板(21C2)的底面形成有M個第二導引通道(21G2)；<br/> N個第二長板形間隔件(22)，設置在該第二罩體(21)內，且各所述第二長板形間隔件(22)的底側與頂側分別連接該中介支撐板(3)與該第二蓋板(21C2)；以及<br/> M個第二抽取式長板形間隔件(23)，設置在該第二罩體(21)內，且各所述第二抽取式長板形間隔件(23)的頂側對應嵌於各所述第二導引通道(21G2)內；<br/> 其中，N個所述第二長板形間隔件(22)與M個所述第二抽取式長板形間隔件(23)在該第二罩體(21)內界定出P個第三容置空間，且各所述第三容置空間具有一第三入口位於該第一開口(ED11)處；<br/> 其中，將L個所述第二抽取式長板形間隔件(23)抽離該第二罩體(21)之後，N個所述第二長板形間隔件(22)與M-L個所述第二抽取式長板形間隔件(23)在該第二罩體(21)內界定出Q個所述第三容置空間以及L個第四容置空間；<br/> 其中，所述第三容置空間的寬度與所述第一容置空間相同，所述第四容置空間的寬度與所述第二容置空間相同，且各所述第四容置空間具有一第四入口位於該第一開口(ED11)處；<br/> 其中，當所述第二抽取式長板形間隔件(23)的頂側嵌於對應的所述第二導引通道(21G2)內之時，其底側同時嵌於對應的所述導引結構(3G)內。
如請求項9所述之容置模組，其中，該第二蓋板(21C2)上設有：<br/> 複數個第二凸塊(21B2)；<br/> M個第四螺孔排，其中，各所述第四螺孔排包含J個第四螺孔(21S4)；<br/> M個第四嵌合孔排，其中，各所述第四嵌合孔排包含K個第四嵌合孔(21E4)；<br/> M個第五螺孔排，其中，各所述第五螺孔排包含J個第五螺孔(21S5)；<br/> M個第五嵌合孔排，其中，各所述第五嵌合孔排包含K個第五嵌合孔(21E5)；<br/> N個第六螺孔排，其中，各所述第六螺孔排包含J個第六螺孔(21S6)；<br/> N個第六嵌合孔排，其中，各所述第六嵌合孔排包含K個第六嵌合孔(21E6)；<br/> 一第二右側安裝片(2RS2)；<br/> 一第二左側安裝片(2LS2)；以及<br/> N個第二安裝板(2MP2)；<br/> 其中，該第二右側安裝片(2RS2)連接該第二右側板(21R2)的前側與該第二蓋板(21C2)的前側，該第二左側安裝片(2LS2)連接該第二左側板(21L2)的前側與該第二蓋板(21C2)的前側，且各所述第二安裝板(2MP2)皆連接該第二蓋板(21C2)的前側。
如請求項10所述之容置模組，係更包括：<br/> 一第二右支撐片(2RB2)，連接該第二右側板(21R2)的底側，且向下抵接該中介支撐板(3)，並具有J個第七螺孔(21S7)分別對應該J個第一穿孔(3T1)；<br/> K個第四插入片(21I4)，連接該第二右側板(21R2)的底側，且分別對應嵌入該K個右缺口(3RN)；<br/> 一第二左支撐片(2LB2)連接該第二左側板(21L2)的底側，且向下抵接該中介支撐板(3)，並具有J個第八螺孔(21S8)分別對應該J個第二穿孔(3T2)；以及<br/> K個第五插入片(21I5)，連接該第二左側板(21L2)的底側，且分別對應嵌入該K個左缺口(3LN)。
如請求項11所述之容置模組，其中，該第二容置單元(2)更包括：<br/> M個第二右導引件(2RG2)，且各所述第二右導引件(2RG2)包括：<br/> 一第二右導引板(2RP2)，其板身上設有一第四定位孔(2RH4)，且其頂側設有 K個第六插入片(2RI6)；<br/> 一第四結合板(2RC4)，連接該第二右導引板(2RP2)的頂側，且具有J個第四定位穿孔(2RT4)；及<br/> 一第三安裝片(2RM3)，連接該第二右導引板(2RP2)的前側；<br/> M個第二左導引件(2LG2)，且各所述第二左導引件(2LG2)包括：<br/> 一第二左導引板(2LP2)，其板身上設有一第五定位孔(2LH5)，且其頂側設有 K個第七插入片(2LI7)；<br/> 一第五結合板(2LC5)，連接該第二左導引板(2LP2)的頂側，且具有J個第五定位穿孔(2LT5)；及<br/> 一第四安裝片(2LM4)，連接該第二左導引板(2LP2)的前側；以及<br/> M個第二球頭定位銷(2B)；<br/> 其中，各所述第二球頭定位銷(2B)包括一第二銷身(2B1)、形成於該第二銷身(2B1)的前端的一第二定位翼(2B2)、埋於該第二銷身(2B1)內的一第二彈性件、以及一第二定位件(2B3)；<br/> 其中，所述第二定位翼(2B2)嵌於所述第第二左導引板(2LP2)的該第五定位孔(2LH5)內，且該第二定位件(2B3)包括連接該第二彈性件的一第二連接部以及露出該第五定位孔(2LH5)的一第二定位球頭；<br/> 其中，所述第四結合板(2RC4)結合至該第二蓋板(21C2)，且該第四結合板(2RC4)的該J個第四定位穿孔(2RT4)分別對應一個所述第四螺孔排的該J個第四螺孔(21S4)；<br/> 其中，當所述第四結合板(2RC4)結合至該第二蓋板(21C2)之時，該第二右導引板(2RP2)的該K個第六插入片(2RI6)分別對應插入一個所述第四嵌合孔排的該K個第四嵌合孔(21E4)，且該第三安裝片(2RM3)與該第二右側安裝片(2RS2)、該第二安裝板(2MP2)和該第二左側安裝片(2LS2)位於同一垂直面；<br/> 其中，所述第五結合板(2LC5)結合至該第二蓋板(21C2)，且該第五結合板(2LC5)的該J個第五定位穿孔(2LT5)分別對應一個所述第五螺孔排的該J個第五螺孔(21S5)；<br/> 其中，當所述第五結合板(2LC5)結合至該第二蓋板(21C2)之時，該第二左導引板(2LP2)的該K個第七插入片(2LI7)分別對應插入一個所述第五嵌合孔排的該K個第五嵌合孔(21E5)，且該第四安裝片(2LM4)與該第二右側安裝片(2RS2)、該第二安裝板(2MP2)和該第二左側安裝片(2LS2)位於同一垂直面；<br/> 其中，所述第二右導引板(2RP2)和所述第二左導引板(2LP2)在該第二罩體(21)內圍出所述第二導引通道(21G2)。
如請求項12所述之容置模組，其中，各所述第二長板形間隔件(22)包括：<br/> 一第二隔板(22P2)，其板身上設有至少一第三導引結構(22G3)，且其頂側設有 K個第八插入片(22I8)；<br/> 一第六結合板(22C6)，連接該第二隔板(22P2)的頂側，且具有J個第六定位穿孔(22T6)；以及<br/> 一第二支撐片(22S2)，連接該第二隔板(22P2)的底側；<br/> 其中，所述第六結合板(22C6)結合至該第二蓋板(21C2)，且該第六結合板(22C6)的該J個第六定位穿孔(22T6)分別對應一個所述第六螺孔排的該J個第六螺孔(21S6)；<br/> 其中，當所述第六結合板(22C6)結合至該第二蓋板(21C2)之時，該第二隔板(22P2)的該K個第八插入片(22I8)分別對應插入一個所述第六嵌合孔排的該K個第六嵌合孔(21E6)；<br/> 其中，該第二支撐片(22S2)抵接該中介支撐板(3)的表面。
如請求項13所述之容置模組，其中，各所述第二抽取式長板形間隔件(23)包括：<br/> 一第二抽取式隔板(23P2)，其板身上設有至少一第四導引結構(23G4)、一第六定位孔(23H6)與一第二指拉孔(23F2)；<br/> 其中，當所述第二抽取式長板形間隔件(23)的頂側嵌於對應的所述第二導引通道(21G2)內之時，該第六定位孔(23H6)與該第二右導引板(2RP2)的該第四定位孔(2RH4)以及該第二左導引板(2LP2)的該第五定位孔(2LH5)相對，且對應的所述第二球頭定位銷(2B)的該第二定位件(2B3)的該第二定位球頭係嵌入該第六定位孔(23H6)。
如請求項14所述之容置模組，係更包括：疊置在該第一罩體(11)之上的一框架(1F)，且該框架(1F)包括：<br/> 一第一板件(1F1)，具有一右端側、一上端側、一左端側、以及一下端側；<br/> 一第二板件(1F2)，同樣具有一右端側、一上端側、一左端側、以及一下端側，且以其所述右端側連接該第一板件(1F1)的該左端側；<br/> 一第三板件(1F3)，同樣具有一右端側、一上端側、一左端側、以及一下端側，且以其所述左端側連接該第一板件(1F1)的該左端側；<br/> 一第四板件(1F4)，具有一右端側、一前端側、一左端側、以及一後端側，其中，該前端側連接該第一板件(1F1)的該上端側，該右端側連接該第三板件(1F3)的該上端側，且該左端側連接該第二板件(1F2)的該上端側；以及<br/> 一第五板件(1F5)，同樣具有一右端側、一前端側、一左端側、以及一後端側，其中，該前端側連接該第一板件(1F1)的該下端側，該右端側連接該第三板件(1F3)的該下端側，且該左端側連接該第二板件(1F2)的該下端側；<br/> 其中，該第一板件(1F1)開設有至少一第一前開口(1F11)；<br/> 其中，該第五板件(1F5)向下連接該第一蓋板(11C1)。
如請求項15所述之容置模組，係更包括：一方形面板(1P)，其結合至該機箱(ED1)以封閉部分或全部的該第一開口(ED11)，且同時封閉該第一前開口(1F11)。
如請求項14所述之容置模組，係更包括：疊置在該第一罩體(11)之上且用以容置至少一個電子模組的一底座(15)，且該底座(15)具有一第二面板(151)用以封閉部分或全部的該第一開口(ED11)。
如請求項17所述之容置模組，其中，該電子模組具有至少一個通信接口，且該第二面板(151)形成有至少一個第二前開口(1511)，使得該至少一個通信接口通過該至少一個第二前開口(1511)而自該第二面板(151)露出。
一種電子裝置，包括一機箱(ED1)與容置在該機箱(ED1)內的至少一電子晶片與至少一電子模組，其特徵在於，該機箱(ED1)設置有至少一個如請求項1至請求項18之中任一項所述之容置模組(AM)。
一種補償治具製造公差之系統，包含：<br/> 一控制器；以及<br/> 一輸送設備，電性連接該控制器，當該輸送設備上的一待測物與一治具的至少一定位銷之間具有公差時，該控制器移動該輸送設備以補償校正該公差。
如請求項1所述之補償治具製造公差之系統，其中該輸送設備包含；<br/> 一驅動裝置，電性連接該控制器； <br/> 一馬達裝置，電性連接該驅動裝置；以及<br/> 一輸送軌道裝置，電性連接該馬達裝置，該控制器透過該驅動裝置驅動該馬達裝置以移動該輸送軌道裝置。
如請求項2所述之補償治具製造公差之系統，其中該輸送軌道裝置與一前站機台的軌道對齊，使該輸送軌道裝置自該前站機台接收該待測物。
如請求項3所述之補償治具製造公差之系統，其中該待測物包含至少一定位孔，當該輸送軌道裝置上的該待測物的該至少一定位孔與該至少一定位銷之間具有該公差時，該控制器透過該驅動裝置驅動該馬達裝置以移動該輸送軌道裝置，從而補償校正該公差，使該待測物的該至少一定位孔得以對準該至少一定位銷。
如請求項4所述之補償治具製造公差之系統，其中該控制器透過該驅動裝置驅動該馬達裝置以控制該輸送軌道裝置下降，使該至少一定位銷穿過該待測物的該至少一定位孔，從而對該待測物進行測試。
如請求項5所述之補償治具製造公差之系統，其中在該測試完成後，該控制器透過該驅動裝置驅動該馬達裝置以控制該輸送軌道裝置上昇，將該待測物帶起與該前站機台等高，該輸送軌道裝置移動回與該前站機台的軌道對齊的位置。
如請求項4所述之補償治具製造公差之系統，其中該治具包含一儲存裝置，該控制器將補償校正該公差所對應的該輸送軌道裝置移動的一偏移值寫入該儲存裝置。
如請求項2所述之補償治具製造公差之系統，其中該驅動裝置包含；<br/> 一第一伺服驅動器，電性連接該控制器；以及<br/> 一第二伺服驅動器，電性連接該控制器。
如請求項8所述之補償治具製造公差之系統，其中該馬達裝置包含：<br/> 一第一馬達，電性連接該第一伺服驅動器；以及<br/> 一第二馬達，電性連接該第二伺服驅動器。
如請求項9所述之補償治具製造公差之系統，其中該輸送軌道裝置包含：<br/> 一第一輸送軌道，電性連接該第一馬達；以及<br/> 一第二輸送軌道，電性連接該第二馬達。
一種以車燈顯示充電電量的滑板車，包含有：<br/> 一車燈；<br/> 一控制器，連接該車燈；<br/> 一電池，連接該控制器；<br/> 一充電器，對該電池進行充電，於充電時可由該控制器根據電池電量驅動該車燈以一燈號以不同循環頻率亮滅，以顯示充電電量狀態；其中，電量越高該燈號之循環頻率越快。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該車燈包含一位於前方的頭燈。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該車燈包含兩分別位於兩側的方向燈。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該車燈包含一位於後方的尾燈。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該車燈包含兩分別位於兩側的側照明燈。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中該燈號之亮滅循環頻率為以下模式：電池電量於0%~小於20%時該燈號之循環頻率為0.3Hz，電量於20%~小於40%時該燈號之循環頻率為0.5Hz，電量於40%~小於60%時該燈號之循環頻率為1.0Hz，電量於60%~小於80%時該燈號之循環頻率為1.5Hz，電量高於80%則燈號恆亮。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該燈號包含一呼吸燈號及一閃爍燈號，可控制選擇該呼吸燈號或該閃爍燈號。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該燈號包含一呼吸燈號。
如請求項1所述之以車燈顯示充電電量的滑板車，其中，該燈號包含一閃爍燈號。
一種電源機櫃，包含： 一第一機櫃，包含複數個第一電源架，其中該些第一電源架用以設置複數個第一裝置，且該些第一電源架對應於複數個橫向位置；<br/> 一第二機櫃，包含複數個第二電源架，其中該些第二電源架用以設置複數個第二裝置，且該些第二電源架對應於該些橫向位置；以及<br/> 複數個供電匯流排，沿著該些橫向位置而設置，其中該些供電匯流排的每一者耦接於該些第一電源架及該些第二電源架中對應於同一個橫向位置的對應一者，以在該些第一裝置及該些第二裝置之間傳輸電力。
如請求項1所述之電源機櫃，還包含：<br/> 一主幹匯流排，設置於該第一機櫃的一直向位置，且與該些供電匯流排相連接。
如請求項2所述之電源機櫃，其中該主幹匯流排用以將該些第一裝置提供的直流電分配至該些供電匯流排，或者將該些供電匯流排傳輸的直流電分配至該些第一裝置。
如請求項1所述之電源機櫃，其中該些供電匯流排的每一者包含一正極匯流排及一負極匯流排，以傳輸一直流電力。
如請求項1所述之電源機櫃，其中該些供電匯流排用以使該些第二裝置相互並聯。
如請求項1所述之電源機櫃，其中從該第一機櫃至該些第二電源架中對應於同一個橫向位置的對應多者之間，該些供電匯流排的長度實質上相等。
如請求項1所述之電源機櫃，其中該些第一裝置的每一者為一種供電裝置，該些第二裝置的每一者為一種負載裝置，該些供電匯流排用以傳輸直流電，以供電使該些第二裝置運轉。
如請求項1所述之電源機櫃，其中該些第一裝置的每一者為一種伺服器，該些第二裝置的每一者為一種供電裝置，該些供電匯流排用以傳輸直流電，以供電使該些第一裝置運轉。
一種電源機櫃，包含：<br/> 一第一機櫃，包含複數個第一電源架，其中該些第一電源架用以設置複數個第一裝置，且該些第一電源架對應於複數個橫向位置；<br/> 一第二機櫃，包含複數個第二電源架，其中該些第二電源架用以設置複數個第二裝置，且該些第二電源架對應於該些橫向位置；以及<br/> 複數個供電匯流排，沿著該些橫向位置而設置，以耦接於該些第一電源架及該些第二電源架，其中該些供電匯流排用以傳輸該些第一裝置或該些第二裝置提供的複數個供應電力，且該些供電匯流排所傳輸的該些供應電力係彼此獨立。
如請求項9所述之電源機櫃，還包含：<br/> 一主幹匯流排，設置於該第一機櫃的一直向位置，且與該些供電匯流排相連接。
如請求項10所述之電源機櫃，其中該主幹匯流排用以將該些第一裝置提供的直流電分配至該些供電匯流排，或者將該些供電匯流排傳輸的直流電分配至該些第一裝置。
如請求項9所述之電源機櫃，其中該些供電匯流排的每一者包含一正極匯流排及一負極匯流排，以傳輸一直流電力。
如請求項9所述之電源機櫃，其中該些供電匯流排用以使該些第二裝置相互並聯。
如請求項9所述之電源機櫃，其中從該第一機櫃至該些第二電源架中對應於同一個橫向位置的對應多者之間，該些供電匯流排的長度實質上相等。
如請求項9所述之電源機櫃，其中該些第一裝置的每一者為一種供電裝置，該些第二裝置的每一者為一種負載裝置，該些供電匯流排用以傳輸該些第一裝置提供的直流電，以供電使該些第二裝置運轉。
如請求項9所述之電源機櫃，其中該些第一裝置的每一者為一種伺服器，該些第二裝置的每一者為一種供電裝置，該些供電匯流排用以傳輸該些第二裝置提供的直流電，以供電使該些第一裝置運轉。
一種錄音文稿自動處理系統，適用於與一錄音文稿資料庫裝置及一第一使用者終端裝置通訊，該錄音文稿資料庫裝置儲存多筆錄音文稿資料，每一該錄音文稿資料對應一商品名稱及一商品屬性，並包括多筆文稿資料，每一該文稿資料對應一商品通路；該錄音文稿自動處理系統包含：<br/> 一通訊單元，其能與該錄音文稿資料庫裝置及該第一使用者終端裝置建立通訊管道；<br/> 一儲存單元，儲存一商品屬性對照表，該商品屬性對照表包含分別對應的多個商品名稱與多個商品屬性；及<br/> 一處理單元，電連接該通訊單元及該儲存單元，以藉由該通訊單元與該錄音文稿資料庫裝置及該第一使用者終端裝置通訊，並存取該儲存單元；<br/> 其中，當該處理單元接收到來自該第一使用者終端裝置的一包括一商品名稱及一商品通路的錄音文稿設定請求時，該處理單元執行一機器人流程自動化程序；<br/> 該機器人流程自動化程序開啟一文稿設定頁面，該文稿設定頁面包括多個商品通路欄位，該機器人流程自動化程序根據該商品屬性對照表找到該錄音文稿設定請求包括的該商品名稱對應的該商品屬性，並自該錄音文稿資料庫裝置讀取與該錄音文稿設定請求包括的該商品名稱及其對應的該商品屬性對應的該錄音文稿資料，並自讀取的該錄音文稿資料中取得與該錄音文稿設定請求包括的該商品通路對應的該文稿資料，且將取得的該文稿資料輸入至該文稿設定頁面的該等商品通路欄位其中與該錄音文稿設定請求包含的該商品通路對應的至少一商品通路欄位而產生一待上線錄音文稿資料，該機器人流程自動化程序將該待上線錄音文稿資料儲存於該儲存單元後，傳送一作業完成通知至該第一使用者終端裝置。
如請求項1所述的錄音文稿自動處理系統，其中，當該處理單元接收到來自該第一使用者終端裝置的該錄音文稿設定請求時，該處理單元判斷該錄音文稿設定請求的該商品名稱符合一錄音條件，才執行該機器人流程自動化程序。
如請求項1所述的錄音文稿自動處理系統，其中，當該機器人流程自動化程序無法產生並儲存該待上線錄音文稿資料時，該機器人流程自動化程序傳送一作業失敗通知至該第一使用者終端裝置。
如請求項1所述的錄音文稿自動處理系統，其中，該處理單元還經由該通訊單元與一第二使用者終端裝置通訊，當該機器人流程自動化程序產生並儲存該待上線錄音文稿資料時，還傳送一覆核請求至該第二使用者終端裝置。
如請求項4所述的錄音文稿自動處理系統，其中，當該機器人流程自動化程序接收到來自該第二使用者終端裝置的一對應該覆核請求的覆核成功通知時，該機器人流程自動化程序才傳送該作業成功通知至該第一使用者終端裝置。
如請求項5所述的錄音文稿自動處理系統，其中，該處理單元還經由該通訊單元與一第三使用者終端裝置通訊，當該機器人流程自動化程序接收到來自該第二使用者終端裝置的該覆核成功通知時，還傳送一上線通知至該第三使用者終端裝置。
如請求項4所述的錄音文稿自動處理系統，其中，當該機器人流程自動化程序接收到來自該第二使用者終端裝置的一對應該覆核請求的覆核失敗通知時，該機器人流程自動化程序傳送一作業失敗通知至該第一使用者終端裝置。
一種可串接式燈效插槽結構，包含：<br/> 一內蓋，包含一基板、一安裝牆面從該基板的一外側面延伸而形成、以及一第一側板從該基板的一第一側邊朝向與該安裝牆面相同的延伸方向而形成，該安裝牆面與該基板共同形成一安裝槽，該基板具有一簍空花紋朝向該安裝槽，該基板在其一第二側邊的邊界形成一第一開槽，該第一側板的邊界形成一第二開槽；<br/> 一燈效，設置於該安裝槽，該燈效具有一燈光單元朝向該簍空花紋、以及二端口背離該簍空花紋；<br/> 一擴散單元，設置於該安裝槽中，位於該燈效與該簍空花紋之間；以及<br/> 一外蓋，設置於該安裝牆面所形成的該安裝槽的開口，該外蓋具有一定位口使該端口裸露於該安裝槽的外側。
如請求項1所述之可串接式燈效插槽結構，其中該擴散單元包含複數個擴散板，該些擴散板彼此間隔設置、且沿著該燈光單元的出光方向依序排列。
如請求項1所述之可串接式燈效插槽結構，其中該外蓋具有一外板卡止於該安裝槽的開口、以及一內板被容設於該安裝牆面內部。
一種氣凝膠隔熱毯，包括：<br/> 基材，其厚度介於1釐米至40釐米；以及 <br/> 氣凝膠層，嵌入該基材或設置於該基材之表面，包括：<br/> 植物纖維素，其表面具有水溶性高分子，長度介於0.5微米至50 微米；以及<br/> 二氧化矽顆粒，連接該水溶性高分子，其粒徑介於8奈米至200奈米。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該基材之材料選自玻璃纖維、陶瓷纖維及礦物纖維之任一者。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該植物纖維素之長寬比介於10至100。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該植物纖維素佔該氣凝膠層之重量比介於35 %至70 %。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該水溶性高分子選自陽離子澱粉(cationic starch)、聚乙烯亞胺(polyethyleneimine)、二甲胺-環氧氯丙烷共聚物(poly(dimethylamine(co)epichlorohydrin))、二甲基胺－環氧氯丙烷－乙二胺共聚物(poly(dimethylamine-co-epichlorohydrin-co-ethylenediamine))、聚醯胺－環氧氯丙烷(polyamide-epichlorohydrin)及雙氰二胺樹脂(dicyandiamide resins)之任一者。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該二氧化矽顆粒佔該氣凝膠層之重量比介於30 %至65 %。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該氣凝膠層之密度介於0.08 g/cm³至0.30 g/cm³。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，其中該氣凝膠層之導熱係數介於0.012 W/mK至0.050 W/mK。
如請求項1所述氣凝膠隔熱毯，進一步包含疏水層，其中氣凝膠層設置於該基材之表面，該疏水層設置於該氣凝膠層之表面。
如請求項9所述氣凝膠隔熱毯，其中該疏水層之材料選自矽烷偶聯劑。
一種四肢護套，包括：一彈性筒狀本體，係由彈性纖維紗線編織而成，該彈性筒狀本體界定出一內部容置空間，並具有一上開口及一下開口，用以套設於使用者之肢體；其中，該彈性筒狀本體設有一無痕收邊結構，該無痕收邊結構位於該上開口或該下開口之邊緣，該無痕收邊結構係配置為使該邊緣平整貼合於使用者之皮膚表面，以防止該彈性筒狀本體於穿戴時壓擠皮膚，造成印痕。
如請求項1所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體之材質包含尼龍（Nylon）纖維及萊卡（Lycra）彈性纖維。
如請求項2所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體之材質組成比例為48%之尼龍66（Nylon 66）及52%之萊卡運動纖維（Lycra Sport）。
如請求項1所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體係依據人體肢體曲線進行立體編織，使該彈性筒狀本體由該下開口至該上開口之間呈現非等管徑之漸進式變化，以對應貼合使用者之肢體線條。
如請求項1所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體具有預定之彈性係數，經配置以在套設於該肢體時，對該肢體施加一徑向之束縛壓力，該壓力係用以穩定該肢體之肌群並減少肌肉晃動。
如請求項5所述之四肢護套，其中該徑向之束縛壓力係配置為足以減緩該肢體因久站或久坐產生之腫脹。
如請求項1所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體形成一小腿護套，該彈性筒狀本體之軸向長度係配置為覆蓋使用者之腳踝至膝蓋下方之區域，且該上開口之孔徑大於該下開口之孔徑。
如請求項1所述之四肢護套，其中該無痕收邊結構之織法密度與該彈性筒狀本體其它區域相同，並不形成回捲車縫，該無痕收邊結構用以分散該邊緣對皮膚之局部壓迫力，以減少脫下後之壓痕產生。
如請求項1所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體之編織結構具有透氣性，且該彈性纖維紗線具有吸濕排汗之功能。
如請求項1所述之四肢護套，其中該彈性筒狀本體形成一大腿護套、一上臂護套或一前臂護套。
一種導光板，包括： <br/>一本體，具有一第一表面、一第二表面和一入光面，該第一表面和該第二表面相對，該入光面連接該第一表面以及該第二表面，在一第一方向上，該第一表面依序更具有一第一區域、一第二區域和一第三區域，該第一區域位於該入光面與該第二區域之間，且該第一方向垂直於該入光面； <br/>多個第一光學微結構，設置於該第一區域和該第二區域，其中每一該些第一光學微結構具有連接該第一表面的一曲面；以及 <br/>多個第二光學微結構，設置於該第二區域和該第三區域，其中每一該些第二光學微結構具有連接該第一表面的一結構面，且該結構面與該第一表面的一夾角大於或等於18°且小於或等於23°。
如請求項1所述之導光板，其中該些第一光學微結構及該些第二光學微結構凹陷於該第一表面，且每一該些第二光學微結構的該結構面朝向該入光面。
如請求項1所述之導光板，其中每一該些第一光學微結構的該曲面朝向該入光面凸出。
如請求項1所述之導光板，其中在該第一方向上，該第一區域的一第一長度占該第一表面的一本體長度的5%～20%。
如請求項1所述之導光板，其中在該第一方向上，該第二區域的一第二長度占該第一表面的一本體長度的5%～20%。
如請求項1所述之導光板，其中該第二表面包括一顯示區及一非顯示區，該非顯示區連接該入光面，且該非顯示區位於該顯示區與該入光面之間，至少部分的該些第一光學微結構重疊於該非顯示區。
如請求項1所述之導光板，其中該第一表面更具有一空白區域，該空白區域設置於該入光面與該第一區域之間，該空白區域不設有微結構。
如請求項1所述之導光板，其中位於該第二區域的該些第一光學微結構的數量在該第一方向上呈線性變化或非線性變化地漸減，位於該第二區域的該些第二光學微結構的數量在該第一方向上呈線性變化或非線性變化地漸增。
如請求項1所述之導光板，其中每一該些第一光學微結構在該第一方向上的寬度介於8um～30um，在一第二方向上的長度介於8um～30um，且在該第一表面的一法向上的高度介於1um～12um，其中該第二方向垂直於該第一方向及該法向。
如請求項1所述之導光板，其中每一該些第一光學微結構更具有一端面，該端面連接該曲面與該第一表面，該曲面具有連接該端面的一邊緣，且該邊緣與該第一表面之間的最大距離介於1um～12um，且該邊緣具有兩端點，該兩端點位於該第一表面且該兩端點的距離介於8um～30um，該端面具有連接該第一表面的一底緣，每一該些第一光學微結構的該曲面具有連接該第一表面的一曲底緣，該曲底緣具有背對該底緣凸出的一頂點，該頂點與該底緣之間的最大距離介於8um～30um。
如請求項10所述之導光板，其中該邊緣呈曲線，且該邊緣的曲率介於5um～30um。
如請求項1所述之導光板，其中每一該些第一光學微結構的該曲面相對於該第一表面具有一脊線，該脊線的曲率半徑介於90um～200um。
一種背光模組，包括： <br/>一導光板，包括： <br/>一本體，具有一第一表面、一第二表面和一入光面，該第一表面和該第二表面相對，該入光面連接該第一表面以及該第二表面，在一第一方向上，該第一表面依序更具有一第一區域、一第二區域和一第三區域，該第一區域連接該入光面，且該第一方向垂直於該入光面； <br/>多個第一光學微結構，設置於該第一區域和該第二區域，其中每一該些第一光學微結構具有連接該第一表面的一曲面；以及 <br/>多個第二光學微結構，設置於該第二區域和該第三區域，其中每一該些第二光學微結構具有連接該第一表面的一結構面，且該結構面與該第一表面的一夾角大於或等於18°且小於或等於23°； <br/>多個發光元件，與該入光面相對設置； <br/>一第一稜鏡片，與該導光板相對設置，且該第二表面朝向該第一稜鏡片，其中該第一稜鏡片具有多個第一稜鏡結構；以及 <br/>一第二稜鏡片，設置於該第一稜鏡片的背對該導光板的一側，其中每一該些第二稜鏡片具有多個第二稜鏡結構。
如請求項13所述之背光模組，其中該第一稜鏡片與該第二稜鏡片分別為一正稜鏡片，每一該些第一稜鏡結構具有一第一頂角，該第一頂角的角度大於90°，且每一該些第一稜鏡結構沿一第一延伸方向延伸，每一該些第二稜鏡結構沿一第二延伸方向延伸，該第一延伸方向與該入光面的延伸平面的夾角大於75°且小於或等於90°，該第二延伸方向與該入光面的延伸平面的夾角小於15°。
如請求項13所述之背光模組，其中該第一稜鏡片為一逆稜鏡片，且該第二稜鏡片為一正稜鏡片，且每一該些第一稜鏡結構沿一第一延伸方向延伸，每一該些第二稜鏡結構沿一第二延伸方向延伸，該第一延伸方向與該入光面的延伸平面的夾角大於75°且小於或等於90°，該第二延伸方向與該入光面的延伸平面的夾角小於15°。
如請求項15所述之背光模組，其中該第一稜鏡片的折射率大於該第二稜鏡片的折射率。
一種電鍍液製造機的鈦板結構，所述電鍍液製造機的鈦板結構用以設置於一電鍍液製造機的一液槽中，所述電鍍液製造機的鈦板結構包含：<br/> 一支撐機構，其包含一支撐架及兩個連接部，兩個所述連接部與所述支撐架的一端連接，兩個所述連接部用以與所述液槽中的一提把結構連接；<br/> 一片狀鈦結構，其長度及寬度分別為408～412公釐及288～292公釐，所述片狀鈦結構的厚度介於1.8～2.2公釐，所述片狀鈦結構包含：<br/> 一固持部，其位於所述片狀鈦結構的一端，所述固持部為一平坦結構，所述固持部與所述支撐架的另一端連接；<br/> 多個長條片體，相鄰的兩個所述長條片體的長邊相互連接，其中一個所述長條片體的一長邊與所述固持部連接，多個所述長條片體與所述固持部一體成形地設置，且多個所述長條片體共同構成一波浪狀結構；各個所述長條片體的寬度介於9～13公釐；<br/> 一末端部，其位於所述片狀鈦結構的另一端，所述末端部為一平坦結構，所述末端部的長度為28～32公釐；所述末端部用以與所述液槽中的一固定結構相互卡合。
如請求項1所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述電鍍液製造機的鈦板結構包含29個所述長條片體。
如請求項1所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述末端部的一側面，與位於同一側的兩個所述長條片體的相接位置的直線距離介於8～12公釐。
如請求項1所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述固持部與所述末端部，分別位於相互平行的不同平面。
如請求項1所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述連接部相反於所述支撐架的一端，至所述末端部相反於所述波浪狀結構的一端的直線距離為601～605公釐。
如請求項1所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，各個所述連接部為圓柱狀結構，且所述連接部的長度為48～52公釐；圓柱狀結構的外徑為28～32公釐。
如請求項1所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述支撐架包含一橫向連接片、兩個縱向連接片及一圓柱結構，所述橫向連接片的兩端與兩個所述縱向連接片的一端連接，所述橫向連接片與所述固持部相連接，所述圓柱結構的兩端與兩個所述縱向連接片的另一端連接，所述橫向連接片、兩個所述縱向連接片及所述圓柱結構共同構成四邊形結構。
如請求項7所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述圓柱結構的外徑介於8～12公釐。
如請求項7所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述橫向連接片的長度介於20～24公釐；所述縱向連接片的寬度介於18～22公釐。
如請求項7所述的電鍍液製造機的鈦板結構，其中，所述橫向連接片與所述固持部是通過多個鎖固件相互固定。
一種均等平衡塑身筋膜衣，係對應人體形狀縫製成連體式塑身衣本體，塑身衣本體包括有前身布體與後身布體，前身布體與後身布體各為彈性布，且沿著前身布體與後身布體兩側對接縫合，以形成胸部、背部、腹部、臀部與兩左右相對腿部，胸部與背部在相對頂端對接縫合；前身布體內表面覆蓋縫設有前身吸濕排汗布，後身布體在內表面覆蓋縫設有後身吸濕排汗布，沿著背部中間之兩側縫設有兩間隔排列之彈力條，兩彈力條分別從背部頂緣往下延伸到臀部，且後身布體在背部對應人體腰椎橫向貫穿設置有開縫隙。
如申請專利範圍第1項所述之均等平衡塑身筋膜衣，其中該開縫隙位於兩彈力條之間。
如申請專利範圍第1項所述之均等平衡塑身筋膜衣，其中該前身布體與後身布體具有遠紅外線能量。
如申請專利範圍第1項所述之均等平衡塑身筋膜衣，其中該前身吸濕排汗布與後身吸濕排汗布具有遠紅外線能量。
如申請專利範圍第1項所述之均等平衡塑身筋膜衣，其中該前身布體在胸部內表面覆蓋設置有托胸布。
如申請專利範圍第5項所述之均等平衡塑身筋膜衣，其中該托胸布為抗菌除臭布料。
一種車輛安全影像檢視系統，包含：<br/> 一投影裝置，設置在一車輛前方車燈位置，該投影裝置內部具有微型顯示器，用來顯示符號、影像或文字種類的投影資訊，並由該投影裝置將該投影資訊投射到該車輛前方路面以供駕駛人、路人檢視；<br/> 一計算模組，連接該投影裝置，該計算模組用來產生該投影資訊的內容，並控制該投影裝置進行投射；<br/> 一攝影機，設置於該車輛上，並連接該計算模組，使該攝影機即時監控該車輛周圍的環境影像，以將該環境影像輸入該計算模組，計算產生相關內容結合至該投影資訊中進行投射顯示。
如請求項1所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該車輛內部設置有一車內攝影機，與該計算模組連接，拍攝車內影像與駕駛人之駕駛影像，並傳輸至該計算模組產生相關內容結合至該投影資訊中。
如請求項2所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該計算模組結合有人工智慧模組，用來強化該環境影像、該車內影像與該駕駛影像的內容識別。
如請求項1所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該車輛後方車燈位置設置有另一投影裝置，以將該投影資訊投射到該車輛後方路面以供後方車輛檢視。
如請求項4所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該投影裝置係與該前方或後方車燈一體成型製作。
如請求項1所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該計算模組以藍牙或Wi-Fi連接該微型顯示器及該攝影機。
如請求項1所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該計算模組連接有一導航系統，以將路徑資訊結合至該投影資訊投射出來。
如請求項1所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該計算模組連接有一外接裝置，該外接裝置係為手機、平板、智慧型穿戴裝置或其他智慧型設備，以通過該外接裝置操作該計算模組，或由該外接裝置取得該計算模組內的資訊進行其它應用。
如請求項1所述之車輛安全影像檢視系統，其中，該計算模組結合在該車輛的車用電腦中，利用該車用電腦操作該計算模組的功能。
一種智慧足部健康檢測系統，其特徵在於，包括:<br/> 一掃描裝置，具有一容置空間可供使用者置入足部，該容置空間內壁具有複數個攝影機，該掃描裝置一側具有一底座，該底座可360度旋轉帶動該些攝影機掃描並擷取多角度高解析度之一足部影像；<br/> 一AI自動判讀模組，對該足部影像進行即時分析，用以辨識紅腫、潰瘍、感染等病徵，並產生一AI分析結果；以及<br/> 一無線通訊模組，將該足部影像及該AI分析結果即時傳輸至遠端醫療端。
如請求項1所述之智慧足部健康檢測系統，其中，該AI自動判讀模組包括:<br/> 一分級警報模組，根據該AI分析結果，將病徵風險分級，並提供相應之警示。
如請求項2所述之智慧足部健康檢測系統，其中，該AI自動判讀模組還包括:<br/> 一歷史影像資料庫單元，用以比對即時影像與歷史影像，加以追蹤病灶變化趨勢。
如請求項3所述之智慧足部健康檢測系統，其中，該AI自動判讀模組還包括:<br/> 一風險模型優化模組，持續更新AI演算法以提升該分級警報模組之準確性。
如請求項1所述之智慧足部健康檢測系統，其中，還包括:<br/> 一雲端平台，該平台具備:<br/> 一足部健康資料之雲端儲存與管理模組；<br/> 一醫療機構資料串接系統，將雲端儲存之該足部健康資料與醫療機構資料庫連接。
如請求項1所述之智慧足部健康檢測系統，其中，該系統包括:<br/> 一擴充模組介面，用以外接一足部溫度感測模組及一血液循環監測模組。
如請求項1所述之智慧足部健康檢測系統，其中，該掃描裝置為一圓柱體。
如請求項1至7中任一項所述之智慧足部健康檢測系統，其中，該掃描裝置為可攜式設計。
一種飾板結構之改良，供組裝或拆卸於一展示牆面，其包含：<br/> 一板體，兩端長邊一體成型有一對折邊結構，該對折邊結構之側壁成型有數個抵接緣，各該抵接緣之凹陷處界定形成一容納空間；<br/> 數個彈簧夾件，設置於各該抵接緣的該容納空間中，且該彈簧夾件尾端的一接觸面與該板體相固定連接；以及<br/> 該展示牆面包括有數個連接板，各該連接板分別橫向組構於該展示牆面的一框架上，各該連接板上開設有數對組接槽，且各該組接槽之位置與各該彈簧夾件相對應，使各該彈簧夾件可嵌入至該組接槽、或自該組接槽的槽內中脫離。
如專利範圍請求項1所述之飾板結構之改良，其中，該數個彈簧夾件的設置數量根據該板體的一實際尺寸大小進行調整。
如專利範圍請求項1所述之飾板結構之改良，其中，各該彈簧夾件由可撓曲的一彈簧鋼片所製成。
如專利範圍請求項1所述之飾板結構之改良，其中，該彈簧夾件受到外部施力而產生彈性形變時，可自動回復至原始形狀，並產生一夾持力。
如專利範圍請求項1所述之飾板結構之改良，其中，該組接槽的一入口之高度低於一槽內空間之高度，且該槽內空間之高度與各該彈簧夾件的一原始高度一致。
如專利範圍請求項5所述之飾板結構之改良，其中，該彈簧夾件具有一斜坡狀導引面，當該斜坡狀導引面受外力朝向該組接槽的該入口邊緣擠壓，使該彈簧夾件的一上下間隔呈相對縮短，且當該彈簧夾件進入該組接槽的該槽內空間後，該彈簧夾件根據一彈力作用自動回復至該原始高度。
如專利範圍請求項5所述之飾板結構之改良，其中，一吸附裝置對準該板體的表面進行吸附固定後，透過施加一拉力，使設於該組接槽的該槽內空間之該彈簧夾件即因受該拉力作用下產生一彈性形變，使一上下間距相對縮短後，自該組接槽的該入口抽出脫離以解除夾持關係。
如專利範圍請求項1所述之飾板結構之改良，其中，該板體與該展示牆面可進行一圖樣上色、一印刷或一貼附裝置膜之任一種表面處理。
一種具複合吸附劑之化學濾網，係包括：<br/>至少一吸附模組，該吸附模組係為一蜂巢結構，該蜂巢結構之吸附模組係以複數玻璃纖維、複數碳纖維之其中任一或其組合為基材；以及<br/>一複合吸附劑，該複合吸附劑係由一沸石及一金屬有機框架(MOF)依比例混合而成，該複合吸附劑係附著於該吸附模組之基材上，並於該基材上形成至少一孔隙，當一氣流通過該吸附模組時，該吸附模組之基材的孔隙係具有該複合吸附劑，使能透過該複合吸附劑來吸附一氨氣。
一種具複合吸附劑之化學濾網，係包括：<br/>至少一吸附模組，該吸附模組係為一蜂巢結構，該蜂巢結構之吸附模組係以複數玻璃纖維、複數碳纖維之其中任一或其組合為基材；以及<br/>一複合吸附劑，該複合吸附劑係由一沸石及一離子交換樹脂(Ion-exchange Resin)依比例混合而成，該複合吸附劑係附著於該吸附模組之基材上，並於該基材上形成至少一孔隙，當一氣流通過該吸附模組時，該吸附模組之基材的孔隙係具有該複合吸附劑，使能透過該複合吸附劑來吸附一氨氣。
如申請專利範圍第1項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該沸石與該金屬有機框架(MOF)係進一步形成粉末，該粉末直徑為1微米至50微米之其中任一。
如申請專利範圍第1項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該比例係進一步為該沸石與該金屬有機框架(MOF)從0.1：1至10：1之間其中任一比例。
如申請專利範圍第2項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該沸石與該離子交換樹脂(Ion-exchange Resin)係進一步形成粉末，該粉末直徑為1微米至50微米之其中任一。
如申請專利範圍第2項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該比例係進一步為該沸石與該離子交換樹脂(Ion-exchange Resin)從0.1：1至10：1之間其中任一比例。
如申請專利範圍第1或2項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該複合吸附劑係進一步放入一混合液中，該混合液係由至少一有機溶劑及至少一無機黏劑混合而成，再將該基材浸泡於該混合液中一段時間，使該複合吸附劑能透過該混合液來附著於該基材上。
如申請專利範圍第7項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該基材浸泡於該混合液中一段時間後係進一步將該基材取出並放置一段時間，讓附著於該基材上的該混合液能乾燥硬化，再將乾燥硬化後的該基材進行高溫鍛燒，以將附著於該基材上的該混合液之有機溶劑燒除。
如申請專利範圍第7項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該有機溶劑係進一步為乙醚、二氯甲烷、苯、四氯甲烷及氯仿之其中任一或其組合的有機化合物。
如申請專利範圍第7項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該無機黏劑係進一步為矽溶膠、丙烯酸酯及醋酸乙烯之其中任一或其組合。
如申請專利範圍第1或2項所述之具複合吸附劑之化學濾網，其中該複合吸附劑係進一步其比表面積為500至3600m2/m3之間。
一種乾衣機機蓋，包括：<br/> 機蓋本體（10）；<br/> 以及除毛罩，設置在所述機蓋本體（10）靠近滾筒的側壁上；<br/> 其特徵在於：所述除毛罩遠離所述機蓋本體（10）的側面為迎風面（201），所述迎風面（201）上設置有若干過風孔（200）以實現乾衣機的空氣從滾筒側穿過所述除毛罩；所述若干過風孔（200）中至少部分的橫截面具有第一方向和第二方向，在第一方向上具有第一寬度，在第二方向上具有第二寬度，第一方向與第二方向交叉，第一寬度大於第二寬度；部分過風孔（200）的第一寬度大於其餘過風孔（200）的第一寬度。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：第一寬度最大的過風孔（200）避開所述迎風面（201）的中心。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：相鄰的最大第一寬度的過風孔（200）之間設置有若干其它過風孔（200）。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：第一寬度最大的過風孔（200）沿著所述迎風面（201）的中心周向均勻分佈。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：過風孔（200）的第一寬度在10-50mm之間。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：具有第一寬度和第二寬度的過風孔（200）為條形孔。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：所述迎風面（201）為朝遠離所述機蓋本體（10）的一側凸出的弧面。
根據請求項1所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：還包括機蓋過濾器（30）；所述機蓋過濾器（30）可拆連接在所述除毛罩上；所述機蓋過濾器（30）位於所述過風孔（200）的出風側並且用於收集經過所述過風孔（200）的毛髮。
根據請求項8所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：所述機蓋過濾器（30）四周邊緣與所述除毛罩之間設置有密封圈。
根據請求項8所述的一種乾衣機機蓋，其特徵在於：所述機蓋過濾器（30）包括過濾框座和設置在所述過濾框座上的絲網。
一種乾衣機，其特徵在於：包括請求項1至10中任一項所述的機蓋。
一種促進舌下吸收之活性結構，其包括：<br/> 一中空核心；以及<br/> 一吸收促進層，包覆該中空核心，該吸收促進層包括同心設置的一第一磷脂質層及一第二磷脂質層，其中該第一磷脂質層與該第二磷脂質層之間具有一夾層空間。
如請求項1所述的促進舌下吸收之活性結構，其中，該活性結構以粒子形式存在，其粒徑在30奈米至200奈米的範圍內。
如請求項1所述的促進舌下吸收之活性結構，其中，該第一磷脂質層是由複數個第一磷脂分子所組成，且每一個該第一磷脂分子具有一第一親水端及遠離該第一親水端的一第一疏水端，該第二磷脂質層是由複數個第二磷脂分子所組成，且每一個該第二磷脂分子具有一第二親水端及遠離該第二親水端的一第二疏水端；其中，複數個該第一疏水端與複數個該第二疏水端彼此相對，且朝向該吸收促進層的內部延伸。
如請求項3所述的促進舌下吸收之活性結構，其中，該第一磷脂質層與該第二磷脂質層是來源於以下中的一種或多種：由蛋黃卵磷脂、蛋清卵磷脂、大豆卵磷脂、磷蝦磷脂、玉米卵磷脂及棉籽油卵磷脂。
一種營養素結構，其包括如請求項1至4中任一項所述的活性結構以及至少一營養素，且至少一該營養素封裝在該中空核心及/或該夾層空間中。
如請求項5所述的營養素結構，其中，至少一該營養素包括至少一脂溶性營養素，且至少一該脂溶性營養素封裝在該夾層空間中。
如請求項6所述的營養素結構，其中，至少一該脂溶性營養素包含脂溶性維生素及脂溶性植化素中的至少一種；該脂溶性維生素為維生素A、維生素D、維生素E或維生素K，該脂溶性植化素為β-胡蘿蔔素、葉黃素、茄紅素、玉米黃素、薑黃素或三萜類。
如請求項5所述的營養素結構，其中，至少一該營養素包括至少一水溶性營養素，且至少一該水溶性營養素封裝在該中空核心中。
如請求項8所述的營養素結構，其中，至少一該水溶性營養素選自於由水溶性維生素、礦物質、類黃酮、酚酸、葡萄糖胺、水溶性生物活性肽以及水溶性輔酶Q10所組成的群組。
如請求項5所述的營養素結構，其中，至少一該營養素包括至少一脂溶性營養素及至少一水溶性營養素，至少一該脂溶性營養素封裝在該夾層空間中，且至少一該水溶性營養素封裝在該中空核心中。
一種具碳纖維之改質水泥塊，包含：<br/> 一水泥塊本體，係由漿狀水泥固化而成；以及<br/> 複數碳纖維混合體，係均勻地混合於該水泥塊本體中；<br/> 其中，每一個該碳纖維混合體皆包含一去膠碳纖維與複數抗靜電粒子，該去膠碳纖維係為表面未殘留有樹脂或黏合基體的碳纖維絲，該等抗靜電粒子附著於該去膠碳纖維的表面。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該等碳纖維混合體係不交疊地設置於該水泥塊本體內。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該等抗靜電粒子的材料係選擇自二氧化矽、固態矽溶膠、超細粉末狀二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣、氫氧化鎂、氧化鎂、偏鋁酸鈣、偏矽酸鈣、偏鋁酸鎂、偏矽酸鎂、石英微粉、偏高嶺土、礦渣微粉或飛灰。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該抗靜電粒子的粒徑為100至1000 nm。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該碳纖維混合體相對於該水泥塊本體的重量百分比為0.5至2 wt%。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該碳纖維混合體相對於該水泥塊本體的重量百分比為1.75 wt%為最佳。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該去膠碳纖維與該抗靜電粒子的比例為1:1至4:1。
如請求項1之具碳纖維之改質水泥塊，其中該去膠碳纖維與該抗靜電粒子的比例2:1為最佳。
一種多功能行車記錄器，其裝設於一機車，該多功能行車記錄器包括有一本體、一全球定位單元及一警示燈柱，該多功能行車記錄器之特徵在於該本體包含一控制單元，該控制單元電性連接該全球定位單元及該警示燈柱，該全球定位單元傳送一定位訊號予該控制單元，該控制單元在該機車接近測速地點前傳送一第一警報訊號予該警示燈柱以產生一警報。
如請求項1所述之多功能行車記錄器，其中該警示燈柱包含複數燈珠。
如請求項2所述之多功能行車記錄器，其中各該燈珠包含至少一白色燈珠、一紅色燈珠及一藍色燈珠。
如請求項1所述之多功能行車記錄器，進一步包含一傾倒感測器，該傾倒感測器與該控制單元電性連接，該傾倒感測器在檢測到該機車傾倒時，向該控制單元發送一傾倒訊號，該控制單元依該傾倒訊號產生一第二警報訊號。
如請求項4所述之多功能行車記錄器，其中該第二警報訊號使該警示燈柱持續發出該警報。
如請求項5所述之多功能行車記錄器，其中該警示燈柱包含複數燈珠。
如請求項1所述之多功能行車記錄器，進一步包含一鎖檔鍵，該鎖檔鍵電性連接該控制單元。
如請求項1或4所述之多功能行車記錄器，進一步包含一蜂鳴器，該蜂鳴器電性連接該控制單元。
如請求項8所述之多功能行車記錄器，其中該蜂鳴器設於該本體或該警示燈柱。
如請求項7所述之多功能行車記錄器，其中該鎖檔鍵包含至少一燈珠。
如請求項1所述之多功能行車記錄器，其中該警示燈柱有線電性連接或藍牙無線電性連接該控制單元。
如請求項1所述之多功能行車記錄器，其中該警示燈柱以至少一魔鬼氈、綁帶或磁性零件可拆卸地設於該機車之車頭。
如請求項7所述之多功能行車記錄器，進一步包含一蜂鳴器，該蜂鳴器電性連接該控制單元，該蜂鳴器設於該鎖檔鍵。
一種搖擺式雷射邊緣縫合設備 ，適用於加工複數材料顆粒，以形成複數沿一上下方向層疊結合的堆疊層，該搖擺式雷射邊緣縫合設備 包含：<br/> 一機台裝置，適用於供該等材料顆粒鋪設；及<br/> 一加工裝置，包括八設置於該機台裝置的雷射單元，每一該雷射單元具有一照射範圍，並適用於在該照射範圍內沿複數加工軌跡照射該等材料顆粒，以結合該等加工軌跡上的該等材料顆粒，每一該堆疊層由該等雷射單元共同加工形成，每兩相鄰雷射單元的照射範圍部分重疊形成一重疊區，每一該重疊區具有數量對應該等堆疊層的縫合部，每一該縫合部由相鄰兩雷射單元的該等加工軌跡的重疊部分組成，相鄰堆疊層對應的該等縫合部在該上下方向上偏移。
如請求項1所述的搖擺式雷射邊緣縫合設備 ，其中，該等雷射單元被配置為兩個呈2×2陣列排列的組合。
如請求項1所述的搖擺式雷射邊緣縫合設備 ，其中，該等雷射單元被配置為兩個呈4×1陣列排列的組合。
如請求項1所述的搖擺式雷射邊緣縫合設備 ，還包含一訊號連接該等雷射單元的控制裝置，該控制裝置用來控制每一該雷射單元的該加工軌跡。
一種端子成型模具組，係用於將一金屬柱狀單元依序加工成一中空端子成品，其包含有：<br/> 一預成型模具單元，包含一第一預成型模具及一第二預成型模具，用以將該柱狀單元之兩端分別軸向加工形成一內凹導角部，並塑形該柱狀單元之兩端的外周緣形成一外圓弧部；<br/> 一深拉伸模具，設置於預成型模具單元之後，具有一拉伸公模及一拉伸母模，該拉伸公模沿軸向伸設一拉伸沖頭，該拉伸母模具有一開口向上之深孔模穴，且該深孔模穴之底面設有一環狀內凹之定位面，用以定位經該第一預成型模具及該第二預成型模具加工後之該柱狀單元，藉由該拉伸沖頭將該柱狀單元進行軸向擠壓延伸，以形成具有一深槽之中空半成品；以及，<br/> 一沖孔模具，設置於該深拉伸模具之後，該沖孔模具包含一沖孔公模及一沖孔母模，用以沖切該中空半成品之封閉底層產生一廢料片，該沖孔公模與該沖孔母模其中一者之內部貫穿設有一排料通道，透過該排料通道對通過之廢料片產生側向摩擦阻力，使廢料片於該排料通道內堆積結合成一廢料柱體後排出。
如請求項1所述之端子成型模具組，其中，該第一預成型模具具有相對應之一第一公模及一第一母模，該第一公模之端面中心設有一軸向凸出之第一導角成型部，用以將該柱狀單元之第一端面軸向壓制內凹形成該內凹導角部，該第一母模具有一開口向上之第一模穴，沿該第一模穴之底面邊緣設有一第一圓弧成型面，用以將該柱狀單元之第二端面的外周緣塑形成該外圓弧部。
如請求項1所述之端子成型模具組，其中，該第二預成型模具設置於該第一預成型模具之後，具有相對應之一第二公模及一第二母模，該第二公模之端面中心設有一軸向凸出之第二導角成型部，用以將該柱狀單元之第二端面軸向壓制形成一內凹導角部，該第二母模具有一開口向上之第二模穴，用以承接經該第一預成型模具加工後並翻轉180°之該柱狀單元，該第二模穴之底部設有一環狀內凹之第二圓弧成型面，用以將該柱狀單元之第一端面的外周緣塑形成一外圓弧部。
如請求項1所述之端子成型模具組，其中，該沖孔公模沿軸向伸設一沖桿，該沖桿之末端中心設有一圓錐狀定位凸部，該沖孔母模內設有一供容置該柱狀單元之模孔，該排料通道貫穿該模孔之底部以連通外部。
如請求項4所述之端子成型模具組，其中，該排料通道於入口處形成有一環狀切削緣，該環狀切削緣之孔徑小於該模孔之內徑，以構成承載該柱狀單元之環狀承托面，該圓錐狀定位凸部之底部直徑係小於該環狀切削緣之孔徑。
如請求項1所述之端子成型模具組，其中，該排料通道貫穿該沖孔公模設置，且該沖孔公模之底部具有一平整沖切端面，該沖孔母模具有一軸向通孔，該軸向通孔內設有一可軸向移動之沖桿，該沖桿之頂部中心設有一圓錐狀定位凸部。
如請求項6所述之端子成型模具組，其中，該排料通道於入口處形成一環狀切削緣，該環狀切削緣之孔徑小於該軸向通孔之內徑，以構成供抵推該柱狀單元之推壓面，且該圓錐狀定位凸部之頂部直徑係小於該環狀切削緣之孔徑。
如請求項1所述之端子成型模具組，其中，該排料通道之內壁面具有倒錐度或粗糙面結構，以對通過至廢料片產生側向摩擦力。
如請求項1所述之端子成型模具組，其中，更包括一整形模具，設於該第一預成型模具或該第二預成型模具之後，該整形模具包含一整形公模及一對應之整形母模，該整形公模之底部軸向凸設一第一整形凸部，該整形母模沿軸向設有一整形模穴，該整形模穴之底部對應該第一整形凸部同軸設有一第二整形凸部，藉由該整形公模與該整形母模相配合，以對該柱狀單元之外部輪廓及其兩端之內凹導角部進行擠壓整形。
一種效能預測系統，用以預測位於一地理區域之多個反射板之效能，該效能預測系統包括：<br/> 一終端設備，位於該地理區域，並用以向該反射板發射一電波訊號；<br/> 一訊號接收裝置，其位置對應該多個反射板之位置，其中該多個反射板用以導引該電波訊號至該訊號接收裝置，該電波訊號包含在不同時段之多種無線品質指標；以及<br/> 一雲端伺服器，電性連接該訊號接收裝置，並無線連接一使用者裝置，其中該雲端伺服器存有對應該地理區域與該不同時段之場域標準值，並用以從該訊號接收裝置取得該多種無線品質指標，且據此計算在該不同時段之場域實測值，該雲端伺服器用以比較該場域實測值及其對應之該場域標準值，以計算在包括該不同時段之總時段中的一異常累積值，在該異常累積值位於不同預設區間時，該雲端伺服器傳送對應之警示訊號給該使用者裝置。
如請求項1所述之效能預測系統，其中該雲端伺服器將該場域實測值綁定該地理區域之位置。
如請求項1所述之效能預測系統，其中該多種無線品質指標包括參考訊號接收功率（RSRP）、接收訊號強度指示（RSSI）、訊號雜訊比（SNR）、訊號干擾雜訊比（SINR）與 物理資源區塊（PRB）使用率。
如請求項3所述之效能預測系統，其中該場域實測值<img align="absmiddle" height="29px" width="214px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示權重，<img align="absmiddle" height="7px" width="24px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示第<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小時之該參考訊號接收功率，<img align="absmiddle" height="7px" width="21px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示第<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小時之該接收訊號強度指示，<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示第<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小時之該訊號雜訊比，<img align="absmiddle" height="7px" width="23px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示第<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小時之該訊號干擾雜訊比，<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示第<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小時之該物理資源區塊使用率，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為整數，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>大於或等於0，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>小於或等於23，<i>norm</i>(·)表示正規化函數。
如請求項4所述之效能預測系統，其中該場域標準值以<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示，<img align="absmiddle" height="7px" width="69px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，在<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>≧θ時，<img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，在<img align="absmiddle" height="7px" width="16px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>＜θ時，<img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，θ表示門檻值，該異常累積值K = <img align="absmiddle" height="7px" width="26px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<i>T</i>表示該總時段。
如請求項1所述之效能預測系統，其中該訊號接收裝置為無線基地台。
如請求項1所述之效能預測系統，其中該終端設備為行動裝置、智慧型手機、筆記型電腦或平板電腦。
一種刀夾，包含一基體、二夾爪及一彈簧，其中該二夾爪樞接該基體且位於該基體的兩側，每一該夾爪係能夠在一夾合位置與一打開位置之間樞擺，該彈簧設置在該二夾爪之間；其特徵在於：<br/> 該二夾爪分別具有一抵壓面，該彈簧的兩端分別與一該抵壓面接觸，且該彈簧具有一中心軸線延伸通過各該抵壓面，當該二夾爪於該夾合位置與該打開位置之間樞擺時，該中心軸線維持垂直通過各該抵壓面。
如請求項1所述之刀夾，其中每一該夾爪包括有一夾臂和一轉向件，該夾臂樞接該基體且兩端分別構成一夾持部和一作用部，該轉向件具有該抵壓面及與該抵壓面相背對設置的一抵接部，該抵接部與該作用部以球面對方式配合。
如請求項2所述之刀夾，其中該夾臂之該作用部為一弧面構成，該轉向件包括一半球頭和一穩定桿，該半球頭之球面構成該抵接部且與該弧面配合，該半球頭之底面構成該抵壓面，該穩定桿一端連接該底面，該彈簧套設該穩定桿。
如請求項3所述之刀夾，其中該夾臂具有一導槽沿著該弧面凹設而成，該轉向件具有一導塊自該半球頭之球面突起形成，該導塊嵌入該導槽中。
如請求項3所述之刀夾，其中一該夾爪之轉向件的穩定桿具有一第一插接孔，另一該夾爪之轉向件的穩定桿具有一第二插接孔，一彈簧銷的兩端分別插入該第一插接孔和該第二插接孔，其中該彈簧銷的外徑大於該第一插接孔的孔徑而小於該第二插接孔的孔徑。
如請求項3所述之刀夾，其中一該夾爪之轉向件的穩定桿具有一插接孔，另一該夾爪之轉向件的穩定桿具有一小徑段，該小徑段的一部份插入該插接孔中，且該小徑段的外徑小於該插接孔的孔徑。
如請求項2所述之刀夾，其中該夾臂之該作用部為一弧面構成，該轉向件包括一半球頭、一穩定桿及一環形凸垣，該半球頭之球面構成該抵接部且與該弧面接觸，該半球頭之底面構成該抵壓面，該穩定桿和該環形凸垣自該底面凸起形成，且該環形凸垣圍繞該穩定桿；該彈簧的一部分位於該穩定桿和該環形凸垣之間。
如請求項7所述之刀夾，其中該穩定桿自該底面凸起的高度大於該環形凸垣自該底面凸起的高度。
如請求項7所述之刀夾，其中該夾臂具有一導槽沿著該弧面凹設而成，該轉向件具有一導塊自該半球頭之球面突起形成，該導塊嵌入該導槽中。
一種基於前置處理系統之異常交易防護系統，包括：<br/> 一自動櫃員機，接收一客戶端的一交易請求；以及<br/> 一伺服器，連接所述自動櫃員機，包括：<br/> 一前置處理系統，通訊連接所述自動櫃員機，包括：<br/> 一通訊介面，通訊連接所述自動櫃員機；<br/> 一嵌入式人工智慧識別模型，通訊連接所述通訊介面，接收所述自動櫃員機的所述交易請求，包括：<br/> 一第一運算單元，用以分析所述交易請求的一交易屬性；<br/> 一第二運算單元，用以分析所述交易請求的一行為序列；以及<br/> 一第三運算單元，連接所述第一運算單元與所述第二運算單元，用以依據所述第一運算單元與所述第二運算單元之分析結果計算出一風險評分；<br/> 一決策控制模組，連接所述嵌入式人工智慧識別模型，用以判斷所述風險評分為一高風險級別、一中風險級別與一低風險級別，並根據所述高風險級別、所述中風險級別與所述低風險級別各別進行一控制決策；以及<br/> 一風險樣本學習模型，連接所述嵌入式人工智慧識別模型與所述決策控制模組，用以接收所述決策控制模組的所述控制決策與標記所述交易請求為一異常交易行為，並採用統計學整合多種所述交易屬性進行建立與更新模型。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述通訊介面配置以透過 TCP/IP 網路接收來自所述自動櫃員機之一交易請求封包，並將所述交易請求封包解析為所述交易請求的特徵數據。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述決策控制模組判斷所述風險評分為所述高風險級別時，所述決策控制模組經由所述通訊介面發送一阻斷訊號至所述自動櫃員機。
如請求項3所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述阻斷訊號係為一拒絕交易代碼 (Response Code)，且所述交易請求未被傳送至後端核心帳務主機。
如請求項4所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述決策控制模組判斷所述風險評分為所述低風險級別時，所述決策控制模組經由所述通訊介面傳送所述交易請求至所述後端核心帳務主機。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述決策控制模組判斷所述風險評分為所述高風險級別時，所述決策控制模組經由所述通訊介面發送一警示通知至一客服人員，並指示所述客服人員打電話複核所述客戶端的身分、所述交易請求與交易目的。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述決策控制模組判斷所述風險評分為所述中風險級別時，所述決策控制模組經由所述通訊介面發送一手機簡訊OTP驗證於所述客戶端。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述第一運算單元採用梯度提升決策樹 (Gradient Boosting Decision Tree)演算法。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述第二運算單元採用長短期記憶（Long Short-Term Memory）類神經網路，用以接收所述交易屬性之時間序列資料，並分析所述交易屬性與一歷史交易行為之時序關聯性。
如請求項1所述之基於前置處理系統之異常交易防護系統，其中所述交易屬性包含交易金額、交易時間、所述自動櫃員機位置及帳戶歷史模式。
一種微藻養殖系統，包括：<br/> 一微藻供應槽，用以儲放一混合液，該混合液內含有一微藻藻種及一導磁液；<br/> 一氣體供應槽，用以儲放一氣體，該氣體中含有二氧化碳；<br/> 一氣液混合槽，連接該微藻供應槽及該氣體供應槽；<br/> 一磁力驅動器，設置於該氣液混合槽的下方；<br/> 一光反應槽，連接該氣液混合槽；以及<br/> 一控制模組，電性連接該磁力驅動器，並用以控制該微藻供應槽及該氣體供應槽連通或不連通該氣液混合槽，以及控制該磁力驅動器及該光反應槽運作或停止，使該混合液在該氣液混合槽與該光反應槽之間進行循環。
如請求項1所述之微藻養殖系統，其中，該磁力驅動器包括一內轉子、二軸承、一外定子及一電源供應器，該二軸承沿著該內轉子的一軸線方向間隔設置於該內轉子上，該外定子圍繞該內轉子及該二軸承設置，該電源供應器電性連接該外定子及該控制模組，該控制模組透過控制該電源供應器，使該內轉子旋轉。
如請求項1所述之微藻養殖系統，其中，該磁力驅動器包括至少二電磁鐵及一電源供應器，該至少二電磁鐵間隔排列設置於該氣液混合槽的下方，該電源供應器電性連接該至少二電磁鐵及該控制模組，該控制模組透過控制該電源供應器，使該至少二電磁鐵依序通電及斷電。
如請求項1所述之微藻養殖系統，其中，該光反應槽為一封閉式光反應器。
如請求項1所述之微藻養殖系統，還包括一收成槽及一藻類數量感測器，該收成槽連接該氣液混合槽，該藻類數量感測器設置於該光反應槽的一輸出端與該氣液混合槽之間，並電性連接該控制模組，該藻類數量感測器用以檢測一成藻數量，當該成藻數量高於一閾值時，該控制模組控制該光反應槽不連通該氣液混合槽，以及控制該收成槽連通該氣液混合槽，使該混合液排放至該收成槽。
一種具有電子標籤之推車，包含：<br/> 一車體，包括一架體、一把手及複數個輪子；其中，該把手設置於該架體，該些輪子設置於該架體之底部；以及<br/> 一電子標籤，該電子標籤設置於該把手，藉此，當一行動裝置接近該電子標籤的感應範圍內時，該行動裝置的一顯示幕會呈現該電子標籤的內建資訊。
如請求項1所述之具有電子標籤之推車，其中該把手包括有一管體及一管套，該管體連接該架體，該管套套設該管體，該電子標籤設置於該管套。
如請求項2所述之具有電子標籤之推車，其中該管套具有一容槽，該電子標籤位於該容槽中。
如請求項3所述之具有電子標籤之推車，包括有一蓋體，該蓋體結合該管套且覆蓋該容槽。
如請求項3所述之具有電子標籤之推車，其中該管套之該容槽的開口面向該管體，該電子標籤位於該管體與該管套之間。
如請求項2所述之具有電子標籤之推車，其中該管套為塑料經射出加工而成形且包覆該電子標籤。
如請求項1所述之具有電子標籤之推車，其中該把手包括有一管體及一管套，該管體連接該架體且具有一凹槽，該電子標籤位於該凹槽，該管套套設該管體且覆蓋該電子標籤。
如請求項1所述之具有電子標籤之推車，其中該把手於該電子標籤之對應位置設置有一提醒標示。
一種支撐裝置，用以承載一顯示器於一工作面，該支撐裝置包括：<br/>一支撐架，設置於該工作面，並包含一立柱、一滑車及一開口，該滑車滑設於該立柱內，該開口形成於該立柱並外露該滑車；<br/>一凸頸件，固接於該滑車並沿一第一軸線延伸，並包含一容置空間、一開槽及二導引塊，該開槽連通該容置空間，所述導引塊相間隔地位於該開槽的相對兩側；<br/>一伸縮件，設於該容置空間並能相對該凸頸件滑動；以及<br/>一止動模組，設於該伸縮件的一端，用以於一卡止狀態及一釋放狀態之間變換，並包含一轉軸及一凸輪，該轉軸部分設於該容置空間，且部分沿垂直該第一軸線的一第二軸線延伸出該開槽，該凸輪設於該容置空間外並固接於該轉軸；<br/>其中，當該止動模組在該釋放狀態時，該轉軸遠離所述導引塊，且該凸輪部分位於該開槽，藉此使該伸縮件能相對該凸頸件滑動，當該止動模組在該卡止狀態時，該轉軸鄰近所述導引塊，且該凸輪未位於該開槽，藉此使該伸縮件無法相對該凸頸件滑動。
如請求項1所述之支撐裝置，其中，當該止動模組從該釋放狀態變換至該卡止狀態時，該凸輪沿該第二軸線旋轉，並自該開槽滑動至所述導引塊，使該轉軸沿該第二軸線朝所述導引塊移動，當該止動模組從該卡止狀態變換至該釋放狀態時，該凸輪沿該第二軸線旋轉，並自所述導引塊滑動至該開槽，使該轉軸沿該第二軸線遠離所述導引塊。
如請求項2所述之支撐裝置，更包含一彈性件及一平華司，該彈性件套設於該轉軸並位於該容置空間，該平華司套設於該轉軸並位於所述導引塊及該彈性件之間，當該止動模組從該釋放狀態變換至該卡止狀態時，該彈性件壓縮，該平華司緊迫抵接所述導引塊，藉此增加該平華司與所述導引塊間的摩擦，當該止動模組從該卡止狀態變換至該釋放狀態時，該彈性件回彈，該平華司未緊迫抵接所述導引塊，藉此減少該平華司與所述導引塊間的摩擦。
如請求項3所述之支撐裝置，其中，該凸輪具有二凸部及二凹部，所述凸部沿該第二軸線朝外延伸並相間隔，所述凹部分別形成於任二所述凸部之間並相間隔，當該止動模組在該釋放狀態時，所述凸部容設於該開槽，所述凹部分別對應所述導引塊，當該止動模組在該卡止狀態時，所述凸部分別抵接所述導引塊，所述凹部對應該開槽。
如請求項4所述之支撐裝置，其中，該伸縮件包含一凹槽及一鎖固件，該凹槽具有一弧狀端面，該鎖固件設於該凹槽並與該弧狀端面相間隔，該轉軸設於該凹槽並抵接於該弧狀端面，且受該鎖固件限位，藉此使該止動模組與該伸縮件沿該第一軸線同動。
如請求項5所述之支撐裝置，其中，該轉軸具有一盤體及一軸體，該盤體設於該凹槽且其相對兩端分別抵接該弧狀端面及該鎖固件，該軸體沿該第二軸線自該盤體朝外延伸並穿出該開槽，該彈性件套設於該軸體並位於該盤體及所述導引塊之間，該凸輪更具有一固接孔，該固接孔沿該第二軸線貫設並供該軸體穿設。
如請求項6所述之支撐裝置，其中，該止動模組更包含一固定栓，該凸輪更具有二穿孔，該轉軸更具有一通孔，該固定栓穿設所述穿孔及該通孔。
如請求項7所述之支撐裝置，更包含一操作件，該操作件具有一銷體，該銷體能穿設該固接孔，且該銷體的截面匹配於該固接孔的截面且為非圓形截面，藉此該操作件能控制該止動模組於該釋放狀態及該卡止狀帶之間變換。
如請求項3所述之支撐裝置，其中，該彈性件是一波浪形華司。
如請求項1至9中任一項所述之支撐裝置，更包含複數滾輪，所述滾輪相間隔地設於該伸縮件的相對兩側，並與所述伸縮件共同容設於該容置空間，藉此該伸縮件能經由所述滾輪相對該凸頸件往復滑動。
如請求項10所述之支撐裝置，更包含一承載件，該承載件連接於該伸縮件的另一端，並用以承載該顯示器。
一種影像檢視系統，包含：<br/> 一投影裝置，該投影裝置內部具有微型顯示單元，用來顯示符號、影像或文字種類的投影資訊，並由該投影裝置將該投影資訊進行投射顯示，提供投射位置附近的人進行檢視；<br/> 一主控模組，連接該投影裝置，該主控模組用來產生該投影資訊的內容，並控制該投影裝置進行投射；<br/> 一攝影裝置，用來即時拍攝一監控區域的環境影像，該攝影裝置連接該主控模組，將該環境影像輸入該主控模組，計算產生相關內容結合至該投影資訊中進行投射顯示。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該主控模組結合有人工智慧模組，用來強化該環境影像的內容識別。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該投影裝置設置有一個以上，以同時投影至多個位置，以供不同方向的人進行檢視。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該攝影裝置設置有一個以上，以同時拍攝不同的該監控區域，或同一監控區域的多個位置，提高監控的準確性。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該主控模組以藍牙或Wi-Fi連接該微型顯示單元及該攝影裝置。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該主控模組連接有一外接裝置，該外接裝置係為手機、平板、智慧型穿戴裝置或其他智慧型設備，以通過該外接裝置操作該主控模組，或由該外接裝置取得該主控模組內的資訊進行其它應用。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該主控模組結合一外接電腦，利用該外接電腦操作該主控模組的功能。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該投影裝置，設置在一車輛前方車燈位置；該主控模組，連接該投影裝置；該攝影裝置，設置於該車輛上，並連接該主控模組，使該攝影裝置即時監控該車輛周圍的環境影像，以將該環境影像輸入該主控模組，計算產生相關內容結合至該投影資訊中進行投射顯示。
如請求項8所述之影像檢視系統，其中，該車輛後方車燈位置設置有另一投影裝置，以將該投影資訊投射到該車輛後方路面以供後方車輛檢視。
如請求項9所述之影像檢視系統，其中，該投影裝置係與該前方或後方車燈一體成型製作。
如請求項10所述之影像檢視系統，其中，該主控模組連接有一導航模組，以將路徑資訊結合至該投影資訊投射出來。
如請求項1所述之影像檢視系統，其中，該主控模組連接有一電池，以提供電力給該主控模組、該投影裝置、該攝影裝置使用。
一種沙發結構，包括：<br/> 一底座；<br/> 一椅墊，設置於該底座上；<br/> 一靠背，設置於該底座或該椅墊上，該靠背具有一前側，該前側具有內凹<br/> 之一第一支撐結構及一第二支撐結構，該靠背具有相反之一頂端及一底端，該底端較該頂端靠近該椅墊，該第一支撐結構較該第二支撐結構靠近該頂端，該第一支撐結構將該靠背區分為一上區域及一下區域，該第二支撐結構將該下區域區分為一左區域及一右區域；以及<br/> 二扶手，其中一個該扶手位於該椅墊及該靠背之其中一側，另一個該扶手位於該椅墊及該靠背之另一側。
如請求項1所述之沙發結構，其中，該頂端及該底端之間的延伸方向為一縱向，該第二支撐結構沿著該縱向延伸，該靠背另具有相反之一左端及一右端，該左端及該右端之間的延伸方向為一橫向，該第一支撐結構沿著該橫向延伸。
如請求項1所述之沙發結構，其中，該靠背與該椅墊係可拆裝的結合。
如請求項1所述之沙發結構，其中，該二扶手皆具有一體銜接之一豎直部及一弧部，其中一個該豎直部位於該椅墊的其中一側，另一個該豎直部位於該椅墊的另一側，其中一個該弧部位於該靠背的左端，另一個該弧部位於該靠背的右端。
一種具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，包括：<br/> 連通之一製程腔、一搬運腔及一待鍍物架腔，該搬運腔位於該製程腔及該<br/> 待鍍物架腔之間；<br/> 該搬運腔，具有一第一腔壁；<br/> 該待鍍物架腔，具有一第二腔壁； 以及<br/> 一溫控單元，具有連接之一溫度控制裝置、一熱交換裝置，該熱交換裝置<br/> 供以容納一工作流體，該溫度控制裝置供以調整該工作流體之溫度，該熱交換裝置設置於該第一腔壁及該第二腔壁。
如請求項1所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，該溫控單元另具有一溫度檢測器，該溫度檢測器與該溫度控制裝置訊號連接，該溫度檢測器裝設於該熱交換裝置，該溫度檢測器供以偵測該熱交換裝置之溫度。
如請求項1所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，另具有一控制閥，該控制閥裝設於該熱交換裝置。
如請求項1所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，該溫度控制裝置及該熱交換裝置之數量皆為一，該熱交換裝置包含銜接之一第一軀段及一第二軀段，該第一軀段設置於該第一腔壁，該第二軀段設置於該第二腔壁，該第一軀段連接該溫度控制裝置之一出液口，該第二軀段連接該溫度控制裝置之一入液口。
如請求項1所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，該溫度控制裝置及該熱交換裝置之數量皆為二，其中一個該溫度控制裝置為一第一溫度控制裝置，另一個該溫度控制裝置為一第二溫度控制裝置，其中一個該熱交換裝置為一第一熱交換裝置，另一個該熱交換裝置為一第二熱交換裝置；<br/> 該第一熱交換裝置與該第一溫度控制裝置連接，該第一熱交換裝置供以容<br/> 納一第一工作流體，該第一溫度控制裝置供以調整該第一工作流體之溫度，該第一熱交換裝置設置於該第一腔壁；<br/> 該第二熱交換裝置與該第二溫度控制裝置連接，該第二熱交換裝置供以容<br/> 納一第二工作流體，該第二溫度控制裝置供以調整該第二工作流體之溫度，該第二熱交換裝置設置於該第二腔壁。
如請求項5所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，該溫控單元另具有二溫度檢測器，其中一個該溫度檢測器為一第一溫度檢測器，另一個該溫度檢測器為一第二溫度檢測器，該第一溫度檢測器與該第一溫度控制裝置訊號連接，該第二溫度檢測器與該第二溫度控制裝置訊號連接，該第一溫度檢測器裝設於該第一熱交換裝置，該第二溫度檢測器裝設於該第二熱交換裝置，該第一溫度檢測器供以偵測該第一熱交換裝置之溫度，該第二溫度檢測器供以偵測該第二熱交換裝置之溫度。
如請求項5所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，該溫控單元另具有二溫度檢測器，其中一個該溫度檢測器為一第一溫度檢測器，另一個該溫度檢測器為一第二溫度檢測器，該第一溫度檢測器與該第一溫度控制裝置訊號連接，該第二溫度檢測器與該第二溫度控制裝置訊號連接，該第一溫度檢測器裝設於該搬運腔，該第二溫度檢測器裝設於該待鍍物架腔，該第一溫度檢測器供以偵測該搬運腔之溫度，該第二溫度檢測器供以偵測該待鍍物架腔之溫度。
如請求項5所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，另具有二控制閥，其中一個該控制閥為一第一控制閥，另一個該控制閥為一第二控制閥，該第一控制閥裝設於該第一熱交換裝置，該第二控制閥裝設於該第二熱交換裝置。
如請求項1所述之具有溫度保持裝置之三腔式濺鍍機，其中，該熱交換裝置或該搬運腔或該待鍍物架腔外另包覆一隔熱裝置。
一種可調整嘴位的多嘴拉花杯，用來盛裝奶泡，包含：<br/>一杯體，具有與底部平行的一第一開口，該第一開口下方內側形成一環形槽；及一多嘴杯環，上方邊緣形成多個不同嘴型的拉花嘴，下方向內縮形成一第二開口，並於該第二開口上方外側固接一O型環，<br/>其中，透過該O型環套接於該環形槽中，該杯體與該多嘴杯環不透水地連接。
如請求項1所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中該拉花嘴的嘴型為尖嘴型、圓嘴型及三角平嘴型。
如請求項1所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中該些嘴型具有相同外觀但不同尺寸。
如請求項1所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中相鄰二個拉花嘴的尖部距離相同。
如請求項1所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中該杯體外部進一步包覆一防燙套。
如請求項5所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中該防燙套的材質為合成纖維布、棉布、人造皮革、動物皮革或塑膠。
如請求項1所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中該杯體與該多嘴杯環的材質為304不鏽鋼。
如請求項1所述的可調整嘴位的多嘴拉花杯，其中該杯體進一步連結一杯把。
一種輸電電塔群的資訊傳輸系統，傳輸多個次級電塔的一第一環境資訊與一主要電塔的一第二環境資訊，該輸電電塔群的資訊傳輸系統包括：<br/> 多個次級檢測設備，每一該次級檢測設備各自配置於相應該次級電塔，各該次級檢測設備具有一第一偵測單元組、一第一通訊單元與一第一處理單元，該第一處理單元連接於該第一偵測單元組與該第一通訊單元，該第一偵測單元組獲取所配置的該次級電塔的該第一環境資訊，該第一通訊單元接收其他該次級檢測設備的該第一環境資訊，該第一處理單元將所配置的該次級電塔的該第一環境資訊依序加入至所接獲其他該次級檢測設備的該第一環境資訊中並封裝為新的該第一環境資訊；以及<br/> 一主要檢測設備，具有一第二偵測單元組、一第二通訊單元、一衛星通訊單元與一第二處理單元，該第二處理單元連接於該第二偵測單元組、該第二通訊單元與該衛星通訊單元，該第二偵測單元組獲取該主要電塔的該第二環境資訊，該第二通訊單元接收全部的該些第一環境資訊，該第二處理單元將該些第一環境資訊與該第二環境資訊封裝為一回報資訊，該衛星通訊單元發送該回報資訊至一通訊衛星，由該通訊衛星轉發該回報資訊至一伺服器。
如請求項1所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該第一偵測單元組包括一風速風向計、多個地表傾斜計、多個定置型傾斜計、一雨量計、一水壓計或其所選的組合。
如請求項1所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該第二偵測單元組包括一風速風向計、多個地表傾斜計、多個定置型傾斜計、一雨量計、一水壓計或其所選的組合。
如請求項2或3中任一項所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該第一偵測單元組獲取所屬的該風速風向計的一風力資訊、該地表傾斜計的一待測表面傾斜資訊、該定置型傾斜計的一地層位移資訊、該雨量計的一雨量資訊與該水壓計的一水壓資訊；該第二偵測單元組獲取所屬的該地表傾斜計的另一該待測表面傾斜資訊、該定置型傾斜計的另一該地層位移資訊、該雨量計的另一該雨量資訊與該水壓計的另一該水壓資訊。
如請求項1所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該衛星通訊單元的匹配低軌道衛星、中軌道衛星或同步軌道衛星。
如請求項1所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該第一通訊單元的通訊種類為乙太網路、紫蜂無線通訊、藍芽無線通訊、LoRa無線通訊、無線電頻率網狀網路或組合；該第二通訊單元的通訊種類為乙太網路、紫蜂無線通訊、藍芽無線通訊、LoRa無線通訊、無線電頻率網狀網路或組合。
如請求項6所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該些第一通訊單元與該第二通訊單元串接形成一單鍊拓樸。
如請求項6所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該些第一通訊單元形成無線電頻率網狀網路拓樸，由該主要電塔間隔距離最短的該次級電塔收集所有該第一環境資訊並發送至該第二通訊單元。
如請求項7或8中任一項所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該第二處理單元根據所接收的該些第一環境資訊的生成位置與該第二環境資訊並封裝為回報資訊。
如請求項1所述的輸電電塔群的資訊傳輸系統，其中該伺服器執行一遠端監控程式與一即時通訊程式，該遠端監控程式根據多個監測資訊產生一環境資訊報表，該即時通訊程式將一警示訊息推播至一客戶端。
一種智慧型交易量預測與動態調節系統，包含：<br/> 一線上資料庫，儲存一預設期限內的多個交易資料；<br/> 一歷史資料庫，儲存超過該預設期限的多個歷史交易資料；以及<br/> 一預測調節伺服器，通訊連接該線上資料庫、該歷史資料庫及一前置處理系統，其中該預測調節伺服器包含：<br/> 一交易資料分析蒐集模組，配置為收集該些交易資料，並根據一判斷事件時程從該些歷史交易資料中收集多個分析歷史交易資料；<br/> 一交易量智慧預測模組，配置為根據該些交易資料和該些分析歷史交易資料產生一預測交易量；以及<br/> 一資源調節模組，配置為根據該預測交易量對該前置處理系統進行一調節設定。
如請求項1所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該預測調節伺服器還包含：<br/> 一資料標註分類模組，配置為根據一常態交易資訊和一外部資訊判斷該些交易資料和該些分析歷史交易資料中的每一個為一規律型高峰類型或一過渡型高峰類型，以進行標註。
如請求項2所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該資料標註分類模組還根據一標註結果對該些交易資料和該些分析歷史交易資料進行分類。
如請求項3所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該資料標註分類模組還將標註為該過渡型高峰類型的該些交易資料和該些分析歷史交易資料中的每一個，進一步分類於一節日過渡型高峰類型或一活動過渡型高峰類型。
如請求項4所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該交易量智慧預測模組根據標註和分類的該些交易資料和該些分析歷史交易資料產生該預測交易量。
如請求項2所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該資料標註分類模組在進行標註之前，轉換該些交易資料和該些分析歷史交易資料至一標準化格式。
如請求項1所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該預測調節伺服器還包含：<br/> 一系統效能監控模組，配置為擷取該前置處理系統的一實際交易量，並比對該實際交易量和該預測交易量的一差值是否超過一閾值；<br/> 在該差值超過該閾值時，該系統效能監控模組將該實際交易量回饋至該交易量智慧預測模組，該交易量智慧預測模組根據該實際交易量執行一調整訓練步驟，且更新該預測交易量。
如請求項7所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該系統效能監控模組還監控該前置處理系統的一效能指標，且在該效能指標落入一調整範圍時，該系統效能監控模組將該效能指標回饋至該資源調節模組，該資源調節模組還根據該效能指標對該前置處理系統進行該調節設定。
如請求項8所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該系統效能監控模組還比對該效能指標和一同期歷史效能指標的一差量是否超過一異常增加量，在該差量超過該異常增加量時，該系統效能監控模組產生一警示結果。
如請求項1所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該資源調節模組還根據該調節設定產生一資源使用報表。
如請求項10所述之智慧型交易量預測與動態調節系統，其中該預測調節伺服器還包含：<br/> 一系統分析擴充資源模組，配置為根據該資源使用報表和該前置處理系統的一實際資源配備資料，判斷是否擴充該前置處理系統的一系統資源配備，並據以產生一判斷結果。
一種電源纜線的收放裝置，包含：<br/> 一電源供應設備，用以提供一電力；<br/> 一捲繞器，具有一架體、及一能夠樞轉地設在該架體的捲線軸；<br/> 一馬達，動力連接該捲繞器，用以帶動該捲線軸轉動；<br/> 一電源供應線，電性連接該電源供應設備，以獲得該電力，並具有一捲繞在該捲線軸的電線體、及一與一任務設備連接的電線端部；<br/> 一張力感測器，連接該捲繞器，根據捲繞在該捲線軸的電線體的直徑變化，以產生一張力值訊號；以及<br/> 一張力控制系統，電性連接該張力感測器及該馬達，用以接收該張力值訊號，並根據該張力值訊號控制該馬達的扭力、轉速、或停止時保持該電源供應線張力的靜止轉矩。
如請求項1所述之電源纜線的收放裝置，其中，還包含二導向輪，供該電源供應線的電線體穿置在二該導向輪之間。
如請求項1所述之電源纜線的收放裝置，其中，該捲繞器固設在一載體，該電源纜線的收放裝置還包含一導向器，該導向器樞設在該載體，並具有一供該電線體穿出的導向通道。
如請求項3所述之電源纜線的收放裝置，其中，該電源供應設備固設在該載體。
如請求項1所述之電源纜線的收放裝置，其中，該電源供應線捲繞在一第一線軸；該電源纜線的收放裝置還包括一第一導輪、一鋼繩線、及一第二導輪；該第一導輪用以供該電源供應線掛繞；該鋼繩線具有一捲繞在該捲線軸的鋼線體、及一與該任務設備連接的鋼線端部；該第二導輪用以供該鋼繩線掛繞。
如請求項1所述之電源纜線的收放裝置，其中，該任務設備為無人機或高空氣球。
如請求項1所述之電源纜線的收放裝置，其中，該馬達為步進馬達或伺服馬達。
如請求項1所述之電源纜線的收放裝置，其中，該電源供應線與該電源供應設備之間係透過無線方式進行電性連接。
一種模組化散熱風扇組，其特徵在於，包括：至少兩個風扇主體以及中間連接件，相鄰兩個所述風扇主體透過所述中間連接件實現組合；<br/> 每一所述風扇主體包括外框架，所述外框架上設有拼接公部件，所述拼接公部件包括探針組件以及撞珠組件；<br/> 所述中間連接件的兩側設有與所述拼接公部件配合的拼接母部件，所述拼接母部件包括導電觸片以及限位塊，所述導電觸片與所述探針組件配合實現電性連接，所述限位塊與所述撞珠組件活動連接配合。
如請求項1所述的模組化散熱風扇組，其中，所述撞珠組件包括：第一球形珠、第二球形珠、上方柱狀筒以及下方柱狀筒，所述上方柱狀筒與所述下方柱狀筒相對設置在所述外框架上，所述第一球形珠透過彈簧收容於所述上方柱狀筒內，所述第二球形珠透過彈簧收容於所述下方柱狀筒內；<br/> 所述上方柱狀筒與所述下方柱狀筒之間形成卡固缺口，所述第一球形珠與所述第二球形珠均在所述彈簧的作用下朝向所述卡固缺口；<br/> 所述拼接母部件的限位塊上形成與所述第一球形珠、所述第二球形珠配合的仿珠凹槽。
如請求項2所述的模組化散熱風扇組，其中，所述探針組件包括基台以及多個探針，所述基台安裝於所述外框架上，多個所述探針固定於所述基台上。
如請求項3所述的模組化散熱風扇組，其中，所述外框架的側壁上形成內陷的藏匿槽，所述探針組件設於所述藏匿槽的內壁上。
如請求項3所述的模組化散熱風扇組，其中，所述探針為POGO彈針結構，所述探針包括針軸、針管以及設置在所述針軸與所述針管之間的彈性件；當所述拼接公部件與所述拼接母部件配合時，所述導電觸片接觸並抵壓在所述探針上。
如請求項5所述的模組化散熱風扇組，其中，所述導電觸片為銅材質結構，且所述導電觸片與所述針軸的表面鍍金。
如請求項1所述的模組化散熱風扇組，其中，同一個所述中間連接件的兩個所述導電觸片透過柔性電路板實現電性連接，所述柔性電路板設於所述中間連接件的內部。
如請求項7所述的模組化散熱風扇組，其中，所述中間連接件為中空的塑料材質結構或橡膠材質結構。
如請求項1所述的模組化散熱風扇組，其中，所述風扇主體包括扇葉以及馬達，所述外框架上設有中空的筒身，所述筒身的其中一個端面設有固定架，所述馬達固定安裝於所述固定架上，所述扇葉可轉動地設置於所述外框架的筒身內，所述扇葉與所述馬達的輸出軸連接。
如請求項9所述的模組化散熱風扇組，其中，所述外框架內設有電路板，所述電路板電性連接所述馬達及所述探針組件。
一種蔬果肥料植入遠紅外線之量子裝置，主要在於：量子艙的內部設有複數個蔬果肥料，該量子艙外部的周圍處設有複數個量子裝置，該量子裝置包括：一本體、一蓋體、一礦晶、一電流擴大裝置、一中頻電流裝置、一大磁石與一藍寶石；其中：<br/>該本體內部設有一容置空間，該容置空間可供容納設置該礦晶與該電流擴大裝置；<br/>該蓋體係蓋設於該本體上方，該蓋體內部設有一容置空間，該容置空間可供容納設置該中頻電流裝置；<br/>該礦晶係裝設於該本體的該容置空間中，藉以產生靜電脈衝波，該礦晶表面的中心位置處設有一凹陷槽，作為容納設置該藍寶石之用；<br/>該電流擴大裝置設有單層電漿片總成，該電漿片總成為量子等級，該電漿片總成係由複數個銅多絞線線圈與複數個紅銅貼布與一紅銅片所組合而成，該銅多絞線線圈係由複數條銅線揉搓為一束狀，並於外部包覆一層絕緣皮，該紅銅貼布係呈板片狀，且由一層該銅多絞線線圈與一層該紅銅貼布互相重疊而成，該紅銅片係設置於第一層該銅多絞線線圈與第一層該紅銅貼布之間，最外面上、下兩層該紅銅貼布係分別平貼裝設於磁石與該礦晶，藉以產生放射的磁場波；<br/>該中頻電流裝置係由複數個該磁石所組成，複數個該磁石係平貼裝設於該紅銅貼布上，由該磁石加大放射磁場波，該中頻電流裝置係先輸入直流電，經過該中頻電流裝置控制，升壓之後，可以產生高電壓、微電流，微電流經過複數個該磁石與該紅銅貼布之後，即產生放射磁場波，由放射磁場波撞擊該礦晶，產生電脈衝波；<br/>該大磁石的外徑大於該礦晶的該凹陷槽內徑，該大磁石係設置於該礦晶的該凹陷槽上，作為增加磁場之用；<br/>該藍寶石係裝設於該大磁石的底面處，當該中頻電流裝置輸出微電流時，即產生放射磁場波，同時由放射磁場波撞擊該藍寶石，該藍寶石產生靜電脈衝的遠紅外線波後，再經由該礦晶折射放大遠紅外線波，藉以將遠紅外線植入該蔬果肥料中，使其具有遠紅外線能量者。
一種一體式升降機具，其包含：<br/> 一控制箱，其內部具有一容置空間，該容置空間設有一動力源；以及<br/> 一升降桿組，其設置於該控制箱之該容置空間且部分外露於該容置空間，其中，該升降桿組具有兩驅動件、兩節桿、兩鎖扣及一引導桿，該兩驅動件連接於該動力源與該兩節桿及該引導桿之間，該兩鎖扣分別設於該兩節桿，該兩節桿之外徑不同，且大外徑的其中一該節桿套接於小外徑之另一該節桿，小外徑之另一該節桿套接於該引導桿，其中，當其中一該鎖扣為解鎖狀態時，該動力源能驅使對應之其中一該驅動件帶動對應之其中一該節桿或該引導桿進行升降動作。
如請求項1所述之一體式升降機具，其中，該控制箱具有一箱殼及一蓋板，該蓋板樞設於該箱殼，該蓋板能封閉該箱殼，以於該箱殼內形成該容置空間。
如請求項2所述之一體式升降機具，其中，該箱殼之頂面開設有一開孔，該兩節桿具有相反設置之一第一端及一第二端，該兩節桿之該第一端露出該開孔，該兩鎖扣設於該兩節桿之該第一端。
如請求項3所述之一體式升降機具，其中，該兩驅動件設置於該控制箱之該容置空間且與該動力源連接，該兩節桿之該第二端該兩驅動件連接。
如請求項4所述之一體式升降機具，其中，該兩驅動件係相互堆疊設置於該動力源與該兩節桿及該引導桿之間。
如請求項5所述之一體式升降機具，其中，該動力源為氣壓缸，該動力源利用壓縮空氣驅使該兩驅動件推動該兩節桿及該引導桿進行升降動作。
如請求項6所述之一體式升降機具，其中，該兩驅動件分別具有一基部、一第一凸緣及一第二凸緣，該第一凸緣及該第二凸緣凸設於該基部之外周緣，該兩節桿之該第二端及該引導桿之一端抵接於該第二凸緣。
如請求項7所述之一體式升降機具，其中，該升降桿組具有複數密封環，該兩驅動件之該第一凸緣與該第二凸緣之間設有一環槽，各該密封環設於該環槽。
如請求項8所述之一體式升降機具，其中，該兩驅動件之底面與該第一凸緣之一側面齊平，其中一該驅動件之該第二凸緣鄰近另一該驅動件之頂面。
如請求項3至9中任一項所述之一體式升降機具，其中，每一該鎖扣具有兩扣件及兩鎖固件，該兩扣件概呈半弧形且能對稱連接於每一該節桿之該第一端，該兩扣件之兩端具有一缺口，該兩鎖固件能將該兩扣件固定並控制該兩缺口大小，以調整該兩扣件環設之內徑。
一種調飲機的衛生輸出系統，係設於一調飲機中，該系統至少包含：<br/>多個儲料槽，該等儲料槽可至少區分為一第一儲料槽、一第二儲料槽與一第三儲料槽，該各儲料槽至少具有一支管，且該等儲料槽分別容置有一原料液體，該第一儲料槽的原料液體為純水或飲用水；<br/>一主管路，該主管路至少具有一匯流管與一輸出端，該匯流管的一端係為封閉，且該匯流管的一側分別與該等儲料槽的支管連接，該輸出端設於該匯流管的另一端，該輸出端可將該等原料液體輸出並供一容器盛接，令該等原料液體於該容器中混合形成一混合飲料；<br/>至少一控制單元，該控制單元係連接該等儲料槽，該控制單元可控制該等儲料槽分別輸出其原料液體，並控制該第一儲料槽的純水或飲用水最後輸出將該主管路中其他殘留的原料液體沖出。
如請求項1所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該第二儲料槽容置的原料液體可為茶類、乳類、酒類或果汁之其一種。
如請求項1所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該第三儲料槽容置的原料液體可為茶類、乳類、酒類或果汁之其一種。
如請求項1所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該第一儲料槽、第二儲料槽與第三儲料槽的支管，係由該匯流管的封閉端開始依序連接設於該匯流管上。
如請求項1所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該第二儲料槽容置的原料液體可為高酒精濃度的酒類。
如請求項1所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該控制單元控制該等儲料槽輸出其原料液體時，係控制該第二儲料槽倒數第二進行輸出，並控制該第一儲料槽最後進行輸出。
如請求項1所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該各儲料槽更具有一控制閥，該控制閥係設於該各儲料槽的支管上，該各控制閥控制該各儲料槽的原料液體輸出。
如請求項7所述之調飲機的衛生輸出系統，其中該等儲料槽的控制閥係被該控制單元連接控制。
一種智能貨幣兌換建議與下單系統，包含： <br/> 一智能貨幣兌換建議與下單伺服器；以及<br/> 一金融機構客戶電腦裝置，連接於該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，以供一客戶，啟用自動下單，並通過該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，智能判斷下單與結匯時機，進而進行結匯以及記錄一兌匯交易資訊。
如請求項1所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，包含：<br/> 一旅遊資訊與偏好輸入模組，接收來自於該金融機構客戶電腦裝置所輸入的一旅遊資訊與偏好需求。
如請求項2所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一自動下單啟用模組，連接於該旅遊資訊與偏好輸入模組，以啟用一自動下單功能。
如請求項3所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一智能匯率預測模組，連接於該自動下單啟用模組，以利用人工智能，進行匯率預測。
如請求項4所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一個人化兌匯建議模組，連接於該智能匯率預測模組，以提供該金融機構客戶電腦裝置的使用者對應的兌匯建議。
如請求項5所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一自動下單排程模組，連接於該個人化兌匯建議模組，以根據該些兌匯建議，自動進行下單排程。
如請求項6所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一匯率資訊監測模組，連接於該自動下單排程模組，以持續監控匯率資訊。
如請求項7所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一下單與結匯模組，連接於該匯率資訊監測模組，以進行下單與結匯。
如請求項8所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一交易資料記錄模組，連接於該下單與結匯模組，以記錄該兌匯交易資訊。
如請求項9所述之智能貨幣兌換建議與下單系統，其中該智能貨幣兌換建議與下單伺服器，更包含：<br/> 一通知模組，連接於該交易資料記錄模組，以將該兌匯交易資訊傳送至該金融機構客戶電腦裝置。
一種具舒眠舒壓效果之營養品組合物膠囊，其特徵在於，該具舒眠舒壓效果之營養品組合物膠囊，包括：<br/>一膠囊體，係分別設有對接之一左殼及一右殼，該左殼及該右殼對接且於內部形成一容納室；<br/>多個顆粒體，係裝設於該膠囊體之該容納室，該顆粒體之成分包含：麩胺酸發酵物、南非醉茄根萃取物、L-色胺酸、檸檬酸鈣、芝麻素。
如申請專利範圍第1項所述之具舒眠舒壓效果之營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體成分之該麩胺酸發酵物係混合設有糊精。
如申請專利範圍第1項所述之具舒眠舒壓效果之營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體成分之該南非醉茄根萃取物混合設有牛奶。
如申請專利範圍第2項所述之具舒眠舒壓效果之營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體成分之該南非醉茄根萃取物混合設有牛奶。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之具舒眠舒壓效果之營養品組合物膠囊，其中，所述膠囊體成分包含：羥丙基甲基纖維素、純水、鹿角菜膠、氯化鉀。
一種支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其特徵在於，該支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，包括：<br/>一膠囊體，係分別設有對接之一左殼及一右殼，該左殼及該右殼對接且於內部形成一容納室；<br/>多個顆粒體，係裝設於該膠囊體之該容納室，該顆粒體成分包含：維生素C、硒酵母、維生素E粉、檸檬酸鈣、維生素A粉、柑橘生物類黃酮、難消化性麥芽糊精、葡萄糖酸鎂。
如申請專利範圍第1項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體成分之該維生素E粉係包含乙酸dl-α-生育醇酯、辛烯基丁二酸鈉澱枌、乾燥葡萄糖漿、二氧化矽。
如申請專利範圍第1項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體成分之該維生素A粉包含乾燥葡萄糖漿、阿拉伯膠、玉米澱粉、維生素A醋酸鹽、生育醇。
如申請專利範圍第2項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體成分之該維生素A粉包含乾燥葡萄糖漿、阿拉伯膠、玉米澱粉、維生素A醋酸鹽、生育醇。
如申請專利範圍第4項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體之該維生素A粉包含之該生育醇係作為抗氧化劑之維生素E。
如申請專利範圍第1項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體之該柑橘生物類黃酮設有麥芽糊精。
如申請專利範圍第5項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述顆粒體之該柑橘生物類黃酮設有麥芽糊精。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之支持甲狀腺細胞合成過程之抗氧化營養品組合物膠囊，其中，所述膠囊體成分包含：羥丙基甲基纖維素、純水、鹿角菜膠、氯化鉀。
一種一體式水冷散熱裝置，其包括有：<br/>一水泵，其包括有一金屬製的泵殼，以及設於該泵殼上之一入水口及一出水口，其中該泵殼具有一用以接觸熱源之導熱面；<br/>一金屬製的管路，其一端連接於該水泵之入水口，另一端連接於該水泵之出水口，令該水泵與該管路構成一封閉循環管道；<br/>一填充於該封閉循環管道之冷卻液，其受該水泵之驅動而沿該管路循環流動；<br/>一散熱鰭片組，其與該管路接觸結合。
如請求項1所述之一體式水冷散熱裝置，其中，該泵殼係為銅製。
如請求項1所述之一體式水冷散熱裝置，其中，該管路係為銅製。
如請求項1所述之一體式水冷散熱裝置，其中，該散熱鰭片組定義有一上側面及一下側面，該水泵係位於該下側面，該管路係延伸至該上側面。
如請求項4所述之一體式水冷散熱裝置，其中，該散熱鰭片組之下側面設有一凹部，該水泵係容置於該凹部中，該導熱面係稍微伸出該凹部外。
如請求項4所述之一體式水冷散熱裝置，其中，該散熱鰭片組之上側面設有一溝槽，該管路係容置於該溝槽中。
如請求項1至6任一項所述之一體式水冷散熱裝置，其中，更包括有一風扇組，其設於該散熱鰭片組之一側，該風扇組用以產生一吹向該散熱鰭片組之氣流。
一種多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其特徵在於，所述的裝置包括：<br/> 第一顯示幕（1）；通過迴轉支撐結構與所述的第一顯示幕（1）相連接的第二顯示幕（2）；<br/> 滑動聯動機構，與所述的迴轉支撐結構配合，用於實現所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）之間的多級角度調節；以及<br/> 設置在所述的滑動聯動機構上的定位機構，所述的定位機構通過設置在其上的彈簧彈珠結構實現所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）之間的檔位觸覺鎖定。
如請求項1所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，所述的迴轉支撐結構包括連桿（3）和迴轉軸（4），其中，所述的連桿（3）一端與所述的迴轉軸（4）相連接，另一端與所述的第一顯示幕（1）的側壁相鉸接；所述的迴轉軸（4）設置在所述的滑動聯動機構的端部，其內置阻尼機構。
如請求項2所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，所述的滑動聯動機構包括：<br/> 相對設置的滑軌（5）；<br/> 設置在所述的滑軌（5）上的滑動桿（6）；<br/> 穿插在所述的滑軌（5）和滑動桿（6）上進行滑動定位的滑動件（7），且所述的滑動件（7）的上端與所述的第一顯示幕（1）的側壁相鉸接，並帶動所述的第一顯示幕（1）在滑軌（5）上實現滑動；以及<br/> 設置在所述的滑軌（5）下表面上的彈簧組件，所述的彈簧組件用於與所述的滑動件（7）相配合，使得所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）實現檔位觸覺鎖定。
如請求項3所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，<br/> 當所述的滑動件（7）滑動到遠離所述的迴轉軸（4）的一側，且卡設在所述的滑軌（5）端部時，所述的連桿（3）在所述的第一顯示幕（1）的帶動下處於鎖定狀態，使得所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）處於第一閉合檔位。
如請求項3所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，<br/> 當所述的滑動件（7）滑動到靠近所述的迴轉軸（4）的一側，且卡設在所述的滑軌（5）末端時，所述的滑動件（7）驅動所述的迴轉軸（4）發生旋轉，並帶動所述的連桿（3）將所述的第一顯示幕（1）的側壁垂直於所述的第二顯示幕（2），使得所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）處於第二閉合檔位。
如請求項3所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，所述的彈簧組件包括彈簧柱（8），以及設置在其內的彈簧珠；<br/> 當所述的滑動件（7）滑動到彈簧柱（8）位置處時，所述的彈簧珠卡設到所述的滑動件（7）中，使得所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）實現檔位觸覺鎖定，所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）處於第三閉合檔位。
如請求項6所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）之間形成V形散熱空間。
如請求項1至7中任一項所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，所述的第一顯示幕（1）與第二顯示幕（2）內均安裝有PCB板。
如請求項1至7中任一項所述的多級角度可調的滑動雙屏CPU水冷散熱裝置，其中，所述的裝置整體固定在下塑膠件（9）上，且所述的下塑膠件（9）固定在水冷散熱頭上。
一種蛇形簾軌道及滑塊組件，包含： <br/>一軌道桿，包括一桿體、一滑動空間、一開口與兩承托部，該桿體係呈長條狀，其內部沿著其軸向形成長條狀的該滑動空間，該桿體下方沿著其軸向形成長條狀的該開口，該滑動空間通過該開口而與該桿體外部相通，該等承托部係位於該開口的相對兩側； <br/>複數定位滑塊，每一個該定位滑塊包含一定位本體、複數第一輪體、一第一磁性件、一快速組裝孔與一第一窗簾布吊掛孔，該定位本體上方係容置於該滑動空間，該定位本體下方係通過該開口露出至該桿體外，該等第一輪體係成對地設置於該定位本體上方，且該等第一輪體係置於該等承托部上方，該第一磁性件係設置於該定位本體的一側邊，該快速組裝孔與該第一窗簾布吊掛孔皆係開設於該定位本體，該快速組裝孔係位於該桿體內，該第一窗簾布吊掛孔係位於該桿體外； <br/>複數定距滑塊，每一個該定距滑塊包含一定距本體、複數第二輪體與一第二窗簾布吊掛孔，該定距本體上方係容置於該滑動空間，該定距本體下方係通過該開口露出至該桿體外，該等第二輪體係成對地設置於該定距本體上方，且該等第二輪體係置於該等承托部上方，該第二窗簾布吊掛孔係設置於該定距本體下端，並位於該桿體外； <br/>一連接件，包含一繩體與複數連接扣，該等連接扣係等距地固設於該繩體上，位於該繩體最外端的該等連接扣係分別扣入該等定位滑塊的該等快速組裝孔，其餘的該等連接扣係分別樞設於該等定距滑塊的該等定距本體上端；以及 <br/>複數端蓋，每一個該端蓋包含一蓋體、一抵靠件、一緊固螺絲與一第二磁性件，該蓋體係罩蓋於該桿體的端部，該緊固螺絲係穿過該蓋體下方並於該桿體內螺合於該抵靠件，該抵靠件與該蓋體下方用於緊密地夾住該等承托部，該第二磁性件係形成於該抵靠件相對於該蓋體的一側； <br/>其中，該等定距滑塊係相鄰而設，該等定位滑塊係分別位於該等定距滑塊的最外端。
如請求項1之蛇形簾軌道及滑塊組件，其中該等承托部上方設置兩墊塊。
如請求項1之蛇形簾軌道及滑塊組件，其中該定位本體係由一第一部分與一第二部分所組裝而成，該第一部分與該第二部分係分別對應於該定位本體的左側與右側，而該第一部分與該第二部分係相互鉸接。
如請求項3之蛇形簾軌道及滑塊組件，其中該等第一輪體係分別設置於該第一部分上方與該第二部分上方，該第一磁性件係設置於該第二部分的右側邊，該快速組裝孔與該第一窗簾布吊掛孔係一上一下地開設於該第一部分。
如請求項1之蛇形簾軌道及滑塊組件，其中該定距本體下端樞設一樞轉塊，該第二窗簾布吊掛孔係開設於該樞轉塊。
一種紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，包含；<br/> 一基板，為片狀底座；<br/> 一透明成型罩膜，覆設於該基板上方，並與該基板周緣接合形成封裝空間；<br/> 一針具容納槽，形成於該透明成型罩膜內部，其形狀對應一紋繡針具之外型，使該紋繡針具置入後固定不晃動；<br/> 至少一染料杯容納槽，形成於該透明成型罩膜內部並位於該針具容納槽之一側，該染料杯容納槽係用以直接盛裝紋繡用染料而構成一染料杯使用；<br/> 其中，該紋繡針具與該染料杯容納槽係同時設置並封裝於該封裝空間內，使使用者於拆封後即可同時取得該紋繡針具及可使用之染料杯。
如請求項1所述之紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，其中該基板係由紙板、塑膠板或複合材料所製成。
如請求項1所述之紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，其中該透明成型罩膜係由熱塑性材料經熱壓成型或真空成型方式製成。
如請求項1所述之紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，其中該至少一染料杯容納槽包含一第一染料杯容納槽及一第二染料杯容納槽，二者相鄰設置，以供同時盛裝至少兩種不同顏色之染料。
如請求項1所述之紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，其中該透明成型罩膜之周緣設有一封膜接合面，該封膜接合面係透過熱壓、黏合或封膜方式與該基板接合，以形成氣密或半氣密封裝。
如請求項1所述之紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，其中該透明成型罩膜或該基板之一側設有一撕開線或易撕口，以供使用者沿該撕開線掀開該透明成型罩膜。
如請求項1所述之紋繡針具與染料杯整合之無菌封裝套組，其中該針具容納槽或該染料杯容納槽周圍設有至少一定位凹槽，用以限制該紋繡針具或該染料杯容納槽內之染料於運輸或存放過程中之位移或溢出。
一種適用於小排量機車之模組化鳥嘴式前土除裝置，包含；<br/> 一前土除裝置本體，係設置於機車前輪上方；<br/> 該前土除裝置本體之前端形成一向前延伸之鳥嘴式遮擋部；<br/> 該前土除裝置本體兩側設有至少一固定耳座，該固定耳座上設有固定孔，以供對應鎖附於機車原有固定位置；<br/> 藉此，使該前土除裝置得以免改動原車結構而快速安裝。
如請求項1所述之適用於小排量機車之模組化鳥嘴式前土除裝置，其中該前土除裝置本體係以 3D 列印方式成型。
如請求項1所述之適用於小排量機車之模組化鳥嘴式前土除裝置，其中該鳥嘴式遮擋部呈斜向前下延伸，以增加對泥水及碎石之遮擋效果。
如請求項1所述之適用於小排量機車之模組化鳥嘴式前土除裝置，其中該固定耳座係對稱設置於前土除裝置本體兩側。
如請求項1所述之適用於小排量機車之模組化鳥嘴式前土除裝置，其中該前土除裝置本體後側進一步設有貼合段，用以貼合原車前土除或前叉結構，該貼合段設有一貼合固定孔。
一種智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，適用於公務用交通設備，包含：<br/>一主控裝置，具有多組指示鍵；<br/>其中所述指示鍵包括警報單元、燈控單元及雙控單元；<br/>一即時觸發單元，電性連接於該主控裝置，並可於使用者操作時即時觸發至少一該警報單元；以及<br/>所述主控裝置耦接於至少一揚聲器及至少一警示燈之警示警報設備，以依據所選指示鍵輸出對應之警報音或燈號。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該警報單元包括：警車模式、消防模式、救護模式及驅趕模式，並可依使用情境切換輸出對應警報音。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該燈控單元控制方向燈與警示燈，以輸出對應之閃爍訊號。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該雙控單元同步輸出警報音與警示燈號，以增強警示警報效果。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，進一步包含一聲波輸出輸入單元，藉由發話器輸出即時廣播訊息或接收語音輸入。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，進一步包含一保全證據單元，耦接於行車記錄器、攝影機或密錄器，並設有鎖檔開關，用以保護影像及音訊檔案免於刪除或覆蓋。
如申請專利範圍第6項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該保全證據單元可於緊急事件觸發時自動啟動錄影與錄音功能。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，進一步包含一訊號收發單元，具有雲端訊號傳輸功能，以將錄影、錄音或警示資料即時傳送至警政單位伺服器。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該主控裝置設有組立支架，以便於安裝於不同型態之交通設備並調整角度。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該警示警報設備分別設有組立支架，以便於安裝於不同型態之交通設備並調整角度。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型即時觸發多功能警示警報裝置，其中該公務用交通設備選自於：警車、警用機車、消防車、救護車、警用船艇或警用直升機。
一種捲門偵測模組，包括：一外殼，由相對合的一上殼及一下殼組成，該上殼與該下殼內構成一腔室，於該上殼內面具沿一第一軸線方向凸起之主軸座，該主軸座呈環狀而具有一軸承孔，該下殼內面具沿該第一軸線方向凸起之主托環，該主托環呈環狀而具有一內孔；一主轉輪，結合於該主軸座，包括一主轉盤及於第一軸線方向的兩相對側分別具有一凸軸及一從動齒輪，一主軸孔沿該第一軸線自該從動齒輪貫穿至該凸軸，該凸軸插入該主軸座之軸承孔呈樞轉關係，該從動齒輪則位於該主托環之內孔，該主托環之末端抵靠該主轉盤下側面；該從動齒輪為外齒輪型式，其至少一部分齒部顯露於下殼外；一電路板置於外殼內，其具有一插接埠及至少一感應元件，該插接埠之接口位於該外殼外側；一第一編碼組配置在該主轉盤上繞第一軸線一直徑範圍，提供該感應元件感應訊號觸發。
如請求項1所述的捲門偵測模組，其進一步包括：於該上殼內面具沿一第二軸線方向凸起之副軸座，該副軸座呈環狀而具有一軸承孔，該下殼內面具沿該第二軸線方向凸起之副托環，該副托環呈環狀而具有一內孔；一副轉輪，結合於該副軸座，包括一副轉盤及於第二軸線方向的上側具有一副凸軸，該副凸軸插入該副軸座之軸承孔呈樞轉關係；一副軸孔沿該第二軸線貫穿副轉盤至凸軸；該下殼內面具沿該第二軸線方向凸起之副托環，該副托環呈環狀而具有一定位孔，該副托環之末端抵靠該副轉盤下側面；一第二編碼組配置在副轉盤上繞第二軸線一直徑範圍，提供另一感應元件感應訊號觸發；該副轉盤及該主轉盤之周緣各環設有與另一方相互嚙合之齒部。
如請求項2所述的捲門偵測模組，其中，該電路板沿該上殼內面橫越第一軸線與第二軸線之間至該上殼之兩相對側，其中電路板一端嵌入上殼之一側具有之凹槽，電路板另一端另一側抵靠上殼內緣。
如請求項1所述的捲門偵測模組，其中，該插接埠及兩個感應元件位於電路板同一側，兩個感應元件分別朝向第一編碼組及第二編碼方向配置。
如請求項1所述的捲門偵測模組，其中，下殼具有沿腔室圍繞的側牆，上殼具有沿側牆內側之凸緣，凸緣於電路板位置形成缺口部，下殼之側牆則具凸部嵌入該缺口部並抵住電路板，以及阻隔該插接埠位於外殼外側。
如請求項1所述的捲門偵測模組，其中，該第一編碼組及第二編碼組是由多數凸齒組成，該些凸齒呈片狀朝軸向延伸並依編碼變化寬度及間隔，該感應元件為光感應器受凸齒通過觸發產生感應訊號。
一種捲門驅動裝置，具有請求項2至請求項6任一項所述的捲門偵測模組，以及，具有 一個傳動基盤於軸向端面具有一安裝區設置該捲門偵測模組，該安裝區有一第一軸柱及一第二軸柱分別自下殼之內孔及定位孔插入，第一軸柱末段結合至主轉輪之主軸孔形成相互樞轉關係，第二軸柱末段結合至副轉輪之副軸孔形成相互樞轉關係；上殼對應主軸孔及副軸孔具有兩個螺絲穿孔，以螺絲自上殼外旋鎖至第一軸柱及一第二軸柱端面以固定外殼。
如請求項7所述的捲門驅動裝置，其中，該第二軸柱外圍具有一導柱插入定位孔，導柱呈圓錐柱狀，該定位孔則具與導柱相配合之錐度。
如請求項8所述的捲門驅動裝置，其中，兩個承托柱自下殼的兩插孔伸入腔室，承托柱未端穿過電路板的兩個透孔抵住上殼內面的凸墊。
一種筒形爆竹支撐架，用於供至少一煙火紙管(3)放置，包含： <br/>一主盒體(1)，其內部形成有一容置空間(13)，而其一頂部(1a)具有連通該容置空間(13)的一開口(12)，使該煙火紙管(3)藉由該開口(12)設置於該容置空間(13)內；以及 <br/>至少一支撐結構(2)，設置於該主盒體(1)的一外側表面(111)上，且該支撐結構(2)具有一摺疊板(21)、一支撐板(22)與一底板(23)，其中該摺疊板(21)的一端連接靠近該主盒體(1)之該頂部(1a)的位置，而該摺疊支撐板(22)的另一端連接該底板(23)的一端，而該底板(23)的另一端連接靠近該主盒體(1)之一底部的位置，以及該結構支撐板(22)的一底部(1b)； <br/>其中，在一組裝狀態下，該支撐結構(2)之該支撐板(22)的另一端抵頂著該摺疊板(21)，以增加該支撐結構(2)的穩定性，且該主盒體(1)的一側、該支撐結構(2)之該摺疊板(21)與該底板(23)三者呈現一三角形態樣，以支撐著該主盒體(1)。
如請求項1所述之筒形爆竹支撐架，其中該主盒體(1)具有四個側板(11)，且該四個側板(11)圍成一方柱形狀。
如請求項2所述之筒形爆竹支撐架，其中該支撐結構(2)為四個支撐結構(2)，且每一該支撐結構(2)對應設置於該主盒體(1)的每一該側板(11)之該外側表面(111)，使該支撐結構(2)在該組裝狀態下穩固地支撐著該主盒體(1)。
如請求項1所述之筒形爆竹支撐架，其中該支撐結構(2)之該摺疊板(21)具有一摺痕部(213)，且該摺疊板(21)藉由該摺痕部(213)的分成一第一板體(211)與一第二板體(212)，且該支撐結構(2)之該摺疊板(21)藉由該摺痕部(213)進行一對摺動作。
如請求項4所述之筒形爆竹支撐架，其中在一收納狀態下，該底板(23)往該主盒體(1)的方向移動，而該摺疊板(21)藉由該摺痕部(213)進行該對摺動作，使該摺痕部(213)之該第一板體(211)、該摺痕部(213)之該第二板體(212)、該支撐板(22)與該底板(23)堆疊在一起，並貼合著該主盒體之該外側表面。
如請求項4所述之筒形爆竹支撐架，其中該第一板體(211)的一長度小於該第二板體(212)的一長度。
如請求項1所述之筒形爆竹支撐架，其中該支撐板(22)的一頂端凸設有一卡合部(221)，而該支撐結構(2)之該摺疊板(21)上貫穿有一容置孔(214)，在該組裝狀態下，該支撐板(22)上的該卡合部(221)用於插設至該容置孔(214)中，使該支撐板(22)之該頂端抵頂住該摺疊板(21)。
如請求項7所述之筒形爆竹支撐架，其中該摺疊板(21)之該容置孔(214)位於該摺疊板(21)之一摺痕部(213)的位置。
如請求項7所述之筒形爆竹支撐架，其中該支撐板(22)之該卡合部(221)的兩側分別具有兩個凸耳部(2211)，當該卡合部(221)插設至該摺疊板(21)之該容置孔(214)中時，該兩個凸耳部(2211)用於增加該支撐板(22)連接於該摺疊板(21)的穩定性。
一種具有充電式滑鼠墊的鍵盤模組，係至少包含：<br/>一鍵盤本體，係可放置於一平面上使用；<br/>一滑鼠墊結構，係嵌設於該鍵盤本體的一側並可伸出或縮回該鍵盤本體中，該滑鼠墊結構至少包含一盤體、一無線充電單元與一支撐部，該盤體的一端係相對設於該鍵盤本體上，該無線充電單元係設於該盤體中並與該鍵盤本體電性連接，該無線充電單元可供一無線滑鼠進行充電，該支撐部設於該盤體的另一端並可頂抵於該平面上。
如請求項1所述之具有充電式滑鼠墊的鍵盤模組，其中該鍵盤本體係為筆記型電腦的鍵盤。
如請求項1所述之具有充電式滑鼠墊的鍵盤模組，其中該鍵盤本體係為一般鍵盤。
如請求項1所述之具有充電式滑鼠墊的鍵盤模組，其中該鍵盤本體更包含有至少一軌道，該軌道係與該滑鼠墊結構的一側彼此嵌合，令該滑鼠墊結構可滑動伸出或滑動縮回該鍵盤本體中。
如請求項1所述之具有充電式滑鼠墊的鍵盤模組，其中該盤體更包含複數片體與至少一軸體，該等片體係彼此相鄰設置，該軸體係連接設於該等片體之間上，使該等片體彼此相對樞接可折合收起或展開。
如請求項1所述之具有充電式滑鼠墊的鍵盤模組，其中該滑鼠墊結構更包含有一控制開關，該控制開關設於該盤體另一端的外側上，且該控制開關可與該鍵盤本體結合連接或解除連接。
一種隔音墊，其包含有：<br/> 一第一披覆層；以及<br/> 一隔音層，其一側抵接於該第一披覆層，該隔音層具有複數個單絲，各該單絲形成有複數個凸段與複數個凹段，且該等單絲採交錯排列，使該等凸段與該等凹段共同形成複數個鏤空部。
如請求項1所述的隔音墊，其中還包含一第二披覆層，其相對於該第一披覆層設置，該隔音層被設置於該第一披覆層與該第二披覆層之間。
如請求項2所述的隔音墊，其中該第一披覆層及該第二披覆層係選用不織布（Non-woven Fabric）。
如請求項2所述的隔音墊，其中該第一披覆層及該第二披覆層之厚度為0.1-15 mm。
如請求項1所述的隔音墊，其中該隔音層之各該單絲為中空結構或實心結構，其係選用高分子熱塑性塑膠（Polymer Thermoplastics）製成。
如請求項1所述的隔音墊，其中該隔音層之各該單絲之該等凸段與該等凹段係為規則之外形或不規則之外形。
如請求項6所述的隔音墊，其中該隔音層之各該單絲的該等凸段與該等凹段為規則之外形時，各該凸段與各該凹段與該第一披覆層之間共同形成複數個導水部，該等導水部分別形成圓弧形、錐形或多邊形之外形。
如請求項1所述的隔音墊，其中該隔音層之各該單絲的直徑為0.5-1.5 mm。
如請求項1所述的隔音墊，其中該隔音層之厚度為5-25 mm。
一種電子設備防護袋，包含：<br/> 一容置部，包含一包覆體、一容置空間與一開口，該容置空間係形成於該包覆體內部，該開口係形成於該容置空間下方，該包覆體的至少一表面具備可透視特性；<br/> 一封口部，位於該容置部下方；<br/> 一出線口，位於該容置部下方；以及<br/> 一吊掛部，位於該容置部上方。
如請求項1所述之電子設備防護袋，其中該包覆體包含一第一面與一第二面，該第一面與該第二面係於上方、左方與右方邊緣密合，以於其內部形成該容置空間。
如請求項1所述之電子設備防護袋，其中該包覆體表面具有一標示區。
如請求項1之電子設備防護袋，其中該封口部包含一蓋體與一膠體，該蓋體係由該包覆體沿著該開口之方向延伸而成，該膠體係形成於該蓋體對應於該開口之表面。
如請求項4所述之電子設備防護袋，其中該膠體之黏性係大於該包覆體本身之抗撕裂強度。
如請求項4所述之電子設備防護袋，其中該出線口係為該開口之一部分，其係透過該蓋體之寬度小於該開口之寬度，使得該蓋體黏貼於該包覆體後，於該包覆體下方露出該出線口。
如請求項1所述之電子設備防護袋，其中該出線口係形成於該包覆體的左側下方或右側下方。
如請求項1所述之電子設備防護袋，其中該吊掛部包含一吊掛孔與一補強結構，該補強結構包含複數個補強線段，各該補強線段係形成於該吊掛孔周圍。
如請求項8所述之電子設備防護袋，其中各該補強線段係透過熱壓而成，各該補強線段係以該吊掛孔為中心呈放射狀或環狀分布。
如請求項1所述之電子設備防護袋，其中該吊掛部係由該包覆體朝上延伸並反摺重疊而成，使得該吊掛部之厚度大於該包覆體之厚度。
一種可掀式模組化護罩，包含：<br/> 一外框架單元，包括沿一第一方向延伸且沿一第二方向間隔設置的一第一邊架及一第二邊架，及二沿該第一方向間隔設置並連接該第一邊架及該第二邊架間的第三邊架，該第二方向垂直該第一方向，每一該第三邊架具有一連接該第一邊架的第一邊條，及一連接該第二邊架的第二邊條，該第一邊條可相對該第二邊條轉動；<br/> 一內框架單元，包括二沿該第一方向間隔設置並可沿該第一方向移動的第四邊架，及二沿該第一方向延伸並連接該等第四邊架間的第五邊架，每一第四邊架具有一對應於該第一邊架的一側的第三邊條，及一對應於該第二邊架的一側的第四邊條，該第三邊條可相對該第四邊條轉動，該等第五邊架分別可相對該第一邊架及該第二邊架沿該第一方向移動；<br/> 一窗架單元，包括一設置於該等第四邊架間並可沿該等第四邊架移動的窗框，及一由該窗框圍繞界定的窗口；及<br/> 一防護單元，包括一設置於該窗框及其中一該第五邊架間的第一遮擋組、一設置於該窗框及其中另一該第五邊架間的第二遮擋組、二分別設置於該等第三邊條沿該第一方向相反該窗框的一側且分別連接對應側的該等第一邊條的第三遮擋組，及二分別設置於該等第四邊條沿該第一方向相反該窗框的一側且分別連接對應側的該等第二邊條的第四遮擋組，該第一遮擋組可相對該窗框轉動，該等第三遮擋組分別可相對該等第四遮擋組轉動，該第一遮擋組可於該第一邊架及該窗框之間伸展或收合，該第二遮擋組可於該第二邊架及該窗框之間伸展或收合，該等第三遮擋組及該等第四遮擋組可沿該第一方向伸展或收合。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，還包含一定位單元，該定位單元包括二分別設置於該等第二邊條的第一擋件，及二分別設置於該等第四邊條的第二檔件，當該等第一邊條分別相對該等第二邊條轉動時，該等第一擋件分別相反該等第二邊條的一側可分別抵於該等第一邊條以分別對該等第一邊條限位，該等第二檔件分別相反該等第四邊條的一側可分別抵於該等第三邊條以分別對該等第三邊條限位。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，還包含一定位單元，該定位單元包括二可伸縮的第一推拉件，及二可伸縮的第二推拉件，每一該第一推拉件的兩相反端分別可轉動地設置於各自的該第一邊條及各自的該第二邊條，每一該第二推拉件的兩相反端分別可轉動地設置於各自的該第三邊條及各自的該第四邊條，該等第一推拉件及該等第二推拉件伸長時，該等第一邊條分別與該等第二邊條沿該第二方向延展，該等第一推拉件及該等第二推拉件縮短時，該等第一邊條分別相對該等第二邊條翻轉。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，每一遮擋組具有複數間隔排列的支撐片，及一設置於該等支撐片的遮擋片，每一支撐片具有一端緣，每一遮擋片具有複數分別設置於該等端緣的脊區，及複數分別連接相鄰的兩個脊區並相對該等脊區呈凹陷狀的谷區。
如請求項4所述的可掀式模組化護罩，其中，每一遮擋組還具有複數分別設置於對應的該等脊區且依序部分疊合的鱗片，每一鱗片自各自的該脊區跨過相鄰的另一脊區。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，該第一邊架具有一朝內開放並沿該第一方向延伸的第一導槽，該第二邊架具有一朝內開放並沿該第一方向延伸的第二導槽，該等第五邊架分別可沿該第一方向移動地穿設於該第一導槽及該第二導槽，該等第三遮擋組分別相反該等第四遮擋組的一側可沿該第一方向移動地穿設於該第一導槽，該等第四遮擋組分別相反該等第三遮擋組的一側可沿該第一方向移動地穿設於該第二導槽。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，該等第三邊條具有二相對設置的第三導槽，該等第四邊條具有二相對設置的第四導槽，該第一遮擋組沿該第一方向的兩相反側分別穿設於該等第三導槽，該第二遮擋組沿該第一方向的兩相反側分別穿設於該等第四導槽。
一種行星滾柱螺柱組，其包含：<br/> 二軸承式保持器，係間隔地設置；該軸承式保持器包含一保持器本體、複數個滾柱凹槽及一滾珠組；該保持器本體係呈環狀結構；複數個該滾柱凹槽係以該保持器本體的中心為準而環狀陣列於該保持器本體的一相對面，該相對面為面向另一該保持器本體的一面；該滾珠組的複數個滾珠係環狀排列於該保持器本體的內周或外周；以及，<br/> 複數個行星滾柱，係對應於各該滾柱凹槽而設置於二該軸承式保持器之間；該行星滾柱的二端之間係具有一滾柱螺紋；其中，該行星滾柱的二端係分別呈一尖錐狀結構。
如請求項1所述的行星滾柱螺柱組，其中，該滾柱凹槽在該保持器本體的徑向方向上設有一滾柱置入口；該行星滾柱螺柱組包含一定位環，該定位環設置於該保持器本體，以封閉該滾柱置入口。
如請求項2所述的行星滾柱螺柱組，其中，該保持器本體的內周或外周設有一階梯部；該定位環係設置於該階梯部，且齊平於該保持器本體的端面。
如請求項2所述的行星滾柱螺柱組，其中，該保持器本體的內周或外周設有一滾珠溝槽；該滾珠組的複數個滾珠係環狀排列於該滾珠溝槽。
如請求項4所述的行星滾柱螺柱組，其中，該保持器本體的其中一端面係設有一滾珠置入口；該滾珠置入口連通該保持器本體的端面外側及該滾珠溝槽；該保持器本體包含一定位塊；該定位塊係可拆卸地設置於該滾珠置入口，以封閉該滾珠置入口。
如請求項2至5中任一項所述的行星滾柱螺柱組，其中，該行星滾柱螺柱組係應用於一行星滾柱螺桿，該行星滾柱螺桿包含一螺桿、一螺帽以及二限位環；該螺桿係具有外螺紋；該螺帽內部具有內螺紋；該螺帽的內周面係設有二環狀溝槽；二該環狀溝槽分別鄰近於該螺帽的二端；二該限位環係分別位於二該環狀溝槽；該行星滾柱螺柱組係位於該螺帽中；該行星滾柱螺柱組的複數個該行星滾柱係環繞該螺桿配置，且該行星滾柱的滾柱螺紋嚙合於該螺桿的外螺紋及該螺帽的內螺紋，以相對於該螺桿形成行星運動；該行星滾柱螺柱組的該滾珠組的複數個滾珠係環狀排列於該保持器本體的外周。
如請求項6所述的行星滾柱螺柱組，其中，該行星滾柱螺柱組的該保持器本體的該滾柱凹槽的該滾柱置入口係朝向該保持器本體的中心方向；該行星滾柱螺柱組的該定位環係外張地設置於該保持器本體的內周。
如請求項2至5中任一項所述的行星滾柱螺柱組，其中，該行星滾柱螺柱組係應用於一反向式行星滾柱螺桿；該反向式行星滾柱螺桿包含一螺桿、一螺帽、二固定軸承及一外套件；該螺桿係具有外螺紋；該螺帽內部具有內螺紋；該螺帽的內周面係設有二環狀溝槽；二該環狀溝槽分別鄰近於該螺帽的二端；行星滾柱螺柱組係位於該螺帽中；該行星滾柱螺柱組的複數個該行星滾柱係環繞該螺桿配置，且該行星滾柱的滾柱螺紋嚙合於該螺桿的外螺紋及該螺帽的內螺紋，以相對於該螺桿形成行星運動；該行星滾柱螺柱組的該滾珠組的複數個滾珠係環狀排列於該保持器本體的內周；二該固定軸承係設置於該螺帽的外周，且分別鄰近於該螺帽的二端；該外套件係呈筒狀結構；二該固定軸承係固定於該外套件中，且分別鄰近於該外套件的二端。
如請求項8所述的行星滾柱螺柱組，其中，該行星滾柱螺柱組的該保持器本體的該滾柱凹槽的該滾柱置入口係朝向該保持器本體的外側方向；該行星滾柱螺柱組的該定位環係內縮地設置於該保持器本體的內周。
一種對接針筒，用以安裝至一主體針筒，該主體針筒包括一界定出一主體容室的主體筒身、一設置於該主體筒身且連通該主體容室的主接頭，及一能移動地伸入該主體容室的主體推桿，該對接針筒包含：<br/> 一對接筒身，界定出一對接容室；<br/> 一凸緣，圍繞並連接於該對接筒身，該凸緣的外輪廓為多邊形；<br/> 一對接頭，連接於該對接筒身且連通該對接容室，該對接頭能分離地結合至該主接頭，使該主體容室連通該對接容室；及<br/> 一對接推桿，能移動地伸入該對接容室內。
如請求項1所述的對接針筒，其中，該凸緣的外輪廓為六邊形。
如請求項1所述的對接針筒，其中，該對接推桿包括一桿部、一連接於該桿部的一端的活塞墊，及一連接於該桿部的另一端的柄部，該柄部的外輪廓為多邊形。
如請求項3所述的對接針筒，其中，該柄部的外輪廓為六邊形。
如請求項1所述的對接針筒，其中，該對接推桿包括一桿部、一連接於該桿部的一端的活塞墊、四圍繞並連接於該活塞墊的止漏環，及一連接於該桿部的另一端的柄部。
如請求項1所述的對接針筒，其中，該主接頭為公魯爾接頭並具有一插入端、一圍繞該插入端且形成有一內螺紋段的環壁，及一連接於該插入端與該環壁之間的連接壁，該插入端、該環壁與該連接壁共同界定出一環槽，該對接頭為母魯爾接頭並具有一連接於該對接筒身的頭部，及一設置於該頭部並與該內螺紋段相配合的外螺紋段，該外螺紋段能與該內螺紋段螺合而使該對接頭的該頭部伸入該環槽內。
如請求項1所述的對接針筒，其中，該對接推桿包括一桿部、一連接於該桿部的一端的活塞墊、一連接於該桿部的另一端的柄部，及複數間隔地設置於該柄部相反該桿部的一側的止滑條。
一種針筒組合，包含：<br/> 一主體針筒，包括一界定出一主體容室的主體筒身、一連接於該主體筒身的主接頭，及一能移動地伸入該主體容室內的主體推桿；及<br/> 一對接針筒，包括一界定出一對接容室的對接筒身、一圍繞並連接於該對接筒身的凸緣、一連接於該對接筒身的對接頭，及一能移動地伸入該對接容室內的對接推桿，該凸緣的外輪廓為多邊形，該對接頭能分離地結合至該主接頭，使該主體容室連通該對接容室。
如請求項8所述的針筒組合，其中，該主接頭為公魯爾接頭並具有一插入端、一圍繞該插入端且形成有一內螺紋段的環壁，及一連接於該插入端與該環壁之間的連接壁，該插入端、該環壁與該連接壁共同界定出一環槽，該對接頭為母魯爾接頭並具有一連接於該對接筒身的頭部，及一設置於該頭部的外側並與該內螺紋段相配合的外螺紋段，該外螺紋段能與該內螺紋段螺合而使該對接頭的該頭部伸入該環槽內並圍繞該插入端。
一種網印機的刮刀裝置，包含：<br/> 一基架；<br/> 至少一升降驅動單元，設置於該基架；<br/> 一升降台單元，連接該至少一升降驅動單元並可受該至少一升降驅動單元帶動而沿一上下方向升降；<br/> 一角度轉動單元，包括二連接於該升降台單元的底部的連接件、一連接該等連接件的連接架、一設置於該連接架的減速機、一連動該減速機的驅動馬達，及一穿過該減速機並可受該減速機連動而偏轉的芯軸，該芯軸沿一第一方向的兩相反側分別可樞轉地連接於該等連接件，該第一方向垂直該上下方向：及<br/> 一刮刀單元，包括二連接該芯軸且位於該減速機沿該第一方向的兩相反側的延伸架，及至少一連接於該等延伸架的刮刀模組，每一刮刀模組具有一連接該等延伸架且沿該第一方向延伸的刮刀匣，及一設置於該刮刀匣的刮刀。
如請求項1所述的網印機的刮刀裝置，其中，該升降台單元包括一連接該至少一升降驅動單元的頂架總成，及二設置於該頂架總成的導引總成，該頂架總成包括一連接該至少一升降驅動單元的第一台座、一沿該上下方向間隔設置於該第一台座下方的第二台座，及複數連接該第一台座及該第二台座的支架，該等導引總成沿該第一方向間隔設置，每一該導引總成具有一位於該第一台座及該第二台座間的第一導引塊、一位於該第二台座下方的第二導引塊、一位於第二台座及該第二導引塊間的中央導引塊、複數可沿該上下方向移動地穿過該中央導引塊及該第二台座且兩端分別連接該第一導引塊及該第二導引塊的導引桿，及一彈性模組，該彈性模組具有一可沿該上下方向移動地穿過該第一導引塊且穿設於該第二台座的穿桿、一可移動地穿設於該中央導引塊且連接該穿桿並可朝上抵於該第一導引塊的第一軸件、一穿設於該中央導引塊且套設於該第一軸件的第一彈簧、一穿設於該中央導引塊的第二軸件，及一穿設於該中央導引塊且套設於該第二軸件的第二彈簧，該第一彈簧與該第二彈簧的彈性係數相異。
如請求項2所述的網印機的刮刀裝置，還包含二分別設置於該等導引總成的荷重感測器，每一該荷重感測器設置於各自的該第二軸件與各自的該第二導引塊間以量測兩者間的荷重。
如請求項1所述的網印機的刮刀裝置，其中，該至少一升降驅動單元包括一設置於該基架的第一螺帽座、一沿該上下方向延伸且螺接於該第一螺帽座的第一導螺桿、一供該第一導螺桿設置且連接該升降台單元的馬達支架，及一連動該第一導螺桿轉動的升降馬達，該升降馬達運轉而連動該第一導螺桿時，該第一導螺桿沿該上下方向帶動該馬達支架及該升降台單元升降。
如請求項1所述的網印機的刮刀裝置，其中，每一延伸架具有一位於該芯軸下方的延伸部、一位於該芯軸上方的固定部，及二穿設於固定部並螺鎖於該延伸部以固定該芯軸的螺桿。
如請求項5所述的網印機的刮刀裝置，其中，該角度轉動單元還包括一設置於該等固定部的其中一者並朝該連接架延伸的感測片，及一設置於該連接架對應該感測片處以量測該感測片隨該芯軸轉動的轉動角度的角度感測器。
如請求項1所述的網印機的刮刀裝置，還包含一剎車單元，該剎車單元包括二分別設置該芯軸且位於該減速機沿該第一方向的兩相反側的剎車器，該等剎車器可用於鎖死該芯軸以使該芯軸不會轉動。
如請求項7所述的網印機的刮刀裝置，其中，該等剎車器為放電剎車器，並可於未通電時鎖死該芯軸以使該芯軸不會轉動。
如請求項1所述的網印機的刮刀裝置，其中，該減速機的減速比大於六十。
如請求項1所述的網印機的刮刀裝置，還包含二沿該第一方向間隔設置且樞接於該基架的平移單元，每一該平移單元包括一平移馬達、一沿一第二方向延伸並可受該平移馬達帶動而繞自身軸心轉動的第二導螺桿、一螺接於該第二導螺桿並可受該第二導螺桿連動而沿該第二方向移動的第二螺帽座，及一樞接於該第二螺帽座及該基架的樞軸，該第二方向垂直該第一方向及該上下方向。
一種電路板搬運裝置，適用於搬運複數電路板，每一該電路板具有一上邊緣，及一下邊緣，該電路板搬運裝置包含：<br/> 一架體，界定出一內部空間；<br/> 複數承載單元，設置於該架體且沿一前後方向排列；及<br/> 複數夾持單元，每一該夾持單元用以夾持對應的該電路板的該上邊緣，並放置於對應的該承載單元，使對應的該電路板容置於該內部空間。
如請求項1所述的電路板搬運裝置，其中，該架體包括二沿一橫交該前後方向的左右方向位於該內部空間的兩相反側的側框部，每一該承載單元包括二分別設置於該等側框部且沿該左右方向相間隔的支撐件，每一該夾持單元包括一沿該左右方向延伸的上橫桿，及至少一設置於該上橫桿且用以夾持該電路板的上夾具，每一該上橫桿具有二沿該左右方向相反設置且用以抵靠於對應的該承載單元的該等支撐件的上端部。
如請求項2所述的電路板搬運裝置，其中，每一該支撐件具有一沿一橫交該前後方向與該左右方向的上下方向延伸的軌道，及一設置於該軌道的頂端且用以承載對應的該上端部的承載部，該電路板搬運裝置還包含複數配重單元，每一該配重單元用以夾持於對應的該電路板的該下邊緣，並能沿對應的該二軌道移動。
如請求項3所述的電路板搬運裝置，其中，每一該配重單元包括一沿該左右方向延伸的下橫桿，及至少一設置於該下橫桿且用以夾持該電路板的下夾具，每一該下橫桿具有二沿該左右方向相反設置且分別能沿對應的該二軌道移動的下端部。
如請求項4所述的電路板搬運裝置，其中，每一該下夾具具有二沿該前後方向設置的彈性部、二分別連接於該等彈性部且用以夾持該電路板的夾持部，及二分別連接於該等夾持部的勾部，每一該下夾具的該二勾部反向朝外且朝下彎曲延伸。
如請求項2所述的電路板搬運裝置，其中，每一該支撐件具有一用以供對應的該上橫桿的其中一該上端部抵靠的承載部，每一該上橫桿還具有二分別設置於該等上端部的擋止部，每一該承載部用以限制對應的該擋止部朝該架體內側的方向移動。
如請求項6所述的電路板搬運裝置，其中，每一該承載部具有一朝上且沿該左右方向朝遠離另外一該承載部的方向傾斜延伸的橫向導引面。
如請求項2所述的電路板搬運裝置，其中，每一該支撐件具有一用以供對應的該上橫桿的該等上端部抵靠的承載部，及二沿該前後方向位於對應的該承載部的兩相反側的限位部，每一該限位部用以限制對應的該上端部沿該前後方向移動。
如請求項8所述的電路板搬運裝置，其中，每一該限位部具有一朝上且朝遠離對應的該限位部的方向傾斜延伸的縱向導引面。
如請求項1所述的電路板搬運裝置，其中，每一該夾持單元具有至少一用以夾持該電路板的上夾具，每一該上夾具具有二沿該前後方向設置的彈性部、二分別連接於該等彈性部且用以夾持該電路板的夾持部，及二分別連接於該等夾持部的勾部，每一該上夾具的該二勾部反向朝外且朝上彎曲延伸。
一種捲取氣壓軸結構改良，包含有：<br/>一軸體，其具有一中央區域與位於該中央區域兩側之端部區域；<br/>該軸體之外周面於所述中央區域具有第一外徑，所述軸體之外周面於所述端部區域具有第二外徑，且該第一外徑大於該第二外徑，使所述軸體之外周面由中央向兩側呈漸縮外形；以及<br/>多個氣壓孔，配置於所述中央區域並與所述軸體內部之氣壓腔連通，以供承載紙筒時形成一較佳之貼合支撐狀態，從而使捲繞於所述紙筒之外之薄膜卷具較佳之平整度。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該第一外徑大於所述第二外徑0.5mm至3mm。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該第二外徑外側連接有一第三外徑，且該第二外徑大於該第三外徑0.5mm至3mm。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該中央區域與該端部區域呈漸縮外形，進而構成一連續曲面，該連續曲面以橄欖狀或鼓形之輪廓。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該等氣壓孔係沿軸向排列之多個長條形槽孔，且該等氣壓孔內分別設有一鋼鍵凸台。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該等氣壓孔係用以使所述軸體之內部氣壓腔對所述紙筒之中央區域提供夾持支撐。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該軸體之兩端區域具有最小外徑，以供連接捲取機具之軸承座或傳動機構。
如請求項1所述之捲取氣壓軸結構改良，其中，該中央區域具有一第一軸長，所述端部區域具有一第二軸長，且所述第一軸長大於所述第二軸長。
一種冷氣排水頭結構，至少包括：一管狀本體(1、1a、1b)，於該管狀本體(1、1a、1b)一端設有一插接端(11)及一連結端(12)，該插接端(11)與連結端(12)之間設有一向外全周側擴張之承托部(111)；該插接端(11)周側設有至少一鏤空部(112)，該鏤空部(112)遠離該承托部(111)的一端邊緣，設有朝向該承托部(111)延伸之彈性臂(113)，該彈性臂(113)接近該承托部(111)的一端設有向外周側突出之抵壓部(1132)。
如請求項1所述之冷氣排水頭結構，其中該插接端(11)周側設有複數等間隔排列之鏤空部(112)，且該插接端(11)遠離該承托部(111)的一端設為全周無中斷之邊緣。
如請求項2所述之冷氣排水頭結構，其中該管狀本體(1a、1b)中段設有一彎折部(13)，該彎折部(13)具有一彎折角度(Z)，該彎折角度(Z)的數值不大於90度。
如請求項3所述之冷氣排水頭結構，其中該管狀本體(1b)之該彎折部(13)的彎折角度(Z)等於90度。
如請求項1或2或3或4所述之冷氣排水頭結構，其中該彈性臂(113)兩旁側分別與該鏤空部(112)之間保留一側縫隙(1121)。
如請求項1或2或3或4所述之冷氣排水頭結構，其中該承托部(111)由外周側朝中央逐漸形成一朝向遠離該插接端(11)之傾斜凹陷結構；該連結端(12)遠離該插接端(11)的一端外周側設有至少一斜凸緣(121)。
如請求項5所述之冷氣排水頭結構，其中該承托部(111)由外周側朝中央逐漸形成一朝向遠離該插接端(11)之傾斜凹陷結構；該連結端(12)遠離該插接端(11)的一端外周側設有至少一斜凸緣(121)。
如請求項1或2或3或4所述之冷氣排水頭結構，其中該彈性臂(113)遠離該承托部(111)的一端設有斜面(1131)。
如請求項5所述之冷氣排水頭結構，其中該彈性臂(113)遠離該承托部(111)的一端設有斜面(1131)。
如請求項6所述之冷氣排水頭結構，其中該彈性臂(113)遠離該承托部(111)的一端設有斜面(1131)。
一種電解式臭氧水產生器，包括主體模組（1），其特徵在於，所述主體模組（1）內部從上到下依次設有過濾組件（2）和電解組件（3），所述主體模組（1）左側設置進水口（11），所述主體模組（1）右側設有出水口（12），所述進水口（11）處於主體模組（1）內部的端部還設有水流感應單元（4），所述主體模組（1）底部還設有與水流感應單元（4）相配合的電控組件（6）。
如申請專利範圍第1項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述過濾組件（2）包括濾芯（21）和支撐架（22），所述濾芯（21）設置在支撐架（22）外側。
如申請專利範圍第1項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述電解組件（3）包括陽極板（31）、陰極板（32）以及質子交換膜（33），所述質子交換膜（33）處於陽極板（31）與陰極板（32）之間。
如申請專利範圍第3項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述水流感應單元（4）包括扇葉（41）、嵌裝于扇葉（41）中心軸的磁鐵塊（42）及固定於主體模組（1）外壁的霍爾感測器（43）。
如申請專利範圍第4項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述電控組件（6）包括PCB控制板（61）、繼電器（62）及電源適配器（63），所述PCB控制板（61）集成過流保護電路，並與電解組件（3）、霍爾感測器（43）電連接。
如申請專利範圍第5項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述進水口（11）外壁設有螺紋絲牙，所述出水口（12）內壁設有螺紋槽，所述主體模組（1）內壁還設有用於安裝過濾組件（2）和電解組件（3）的卡槽（13）。
如申請專利範圍第6項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述卡槽（13）包括第一卡槽（131）和第二卡槽（132），所述過濾組件（2）與第一卡槽（131）拆卸連接，所述電解組件（3）與第二卡槽（132）卡接連接。
如申請專利範圍第1-7任一項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述主體模組（1）頂部還設有透明觀察蓋（5）。
如申請專利範圍第1-7任一項所述之電解式臭氧水產生器，其中，所述進水口（11）和出水口（12）內壁還設有密封膠圈。
一種簡易安裝的上下開合型窗簾，包含一可固定在門框、窗框或玻璃頂部的上定位件、一可固定在門框、窗框或玻璃底部的下定位件、一設置在該上、下定位件之間的窗簾主體、以及至少一穿設該窗簾主體並迴繞於該上定位件和下定位件的線繩，其中該窗簾主體包含一上軌、一下軌、以及一可展開收合地設置在該上軌和該下軌之間的簾布，其特徵在於：<br/> 該線繩具有繞設在該上定位件的上支撐段、一繞設在該下定位件的下支撐段、以及一上、下穿設於該簾布並交錯繞設在該上、下軌之間的繞線段，且該繞線段的頂部和底部分別連接上支撐段和下支撐段之間，使該窗簾主體透過該線繩懸掛定位於該上、下定位件之間；以及<br/> 通過該線繩的上支撐段使該窗簾主體的上軌能夠活動靠近或遠離該上定位件底部，通過該線繩的下支撐段使該窗簾主體的下軌能夠活動靠近或遠離該下定位件頂部，通過該繞線段使該簾布能夠在該上軌及下軌之間展開或收合。
如請求項1所述之簡易安裝的上下開合型窗簾，其中，該上、下定位件分別為一線槽，該線槽供該線繩之上支撐段或下支撐段定位。
如請求項2所述之簡易安裝的上下開合型窗簾，其中，該線槽設置在一定位桿上，該定位桿能黏著固定在門框、窗框或玻璃上。
如請求項1至3任一項所述之簡易安裝的上下開合型窗簾，其中，該線繩的數量為二，每一線繩的繞線段頂部從該上軌的兩端分別向上延伸連接形成該上支撐段，每一線繩的繞線段底部從該下軌的兩端分別向下延伸形成一第一端、一第二端，該第一端和對應的第二端連接形成該下支撐段。
如請求項4所述之簡易安裝的上下開合型窗簾，其中，該二第一端和該二第二端之間設有一彈性元件相互連接，該彈性元件的彈力令每一線繩的第一端、第二端、繞線段和上支撐段維持緊繃的狀態。
如請求項5所述之簡易安裝的上下開合型窗簾，其中，該二線繩的其中一線繩的繞線段上、下穿設於該簾布的兩側，另一線繩的繞線段上、下穿設於該簾布的中央。
如請求項1至3任一項所述之簡易安裝的上下開合型窗簾，其中，該簾布為百褶簾、風琴簾或蜂巢簾。
一種複合型輕鋼架，包括：<br/>一骨架連結座係灌注成型所有連結孔皆預置型，中心圓孔能固定消防設備，固定於牆邊或上方皆有防脫設計，H型骨架單元結構受外力時，能將應力平均分散，達極佳強度、剛度和載重力並達成輕化目標，側方T字形凹槽，結合L型防脫吊架，亦可斜撐於骨架連結座上，上方可設複合線槽B或複合線槽C，足夠供照明、資訊迴路走線，下方則供線型燈組及複合線槽A裝設，使電、資、消整合達到完美境界，並使其作品達到載重高、高強度、高空間應用、高安規、便力維護且能重複使用之規格化，新型複合型輕鋼架。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，其中連結座孔位皆為預置型產品，其特色有連結、穿線、預留消防撒水孔設備接地之功能。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，其中連結基座結合L型吊架，固定牆邊或上方有防脫功能，且連結座結合L型吊架與ㄇ型吊架，固定於牆上方也有防脫功能。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，其結構為H字型，藉此增其載重、並分散受力能力，其中心結構為H字形可再滑入同型鋁擠補強而形成荷重可變。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，H字型骨架下方，可結合線型燈組與複合線槽A，使空間重複交互應用，過程免二次加工之簡易結構。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，H字型骨架上方，能滑入複合線槽B，內部能區分電力、資訊、消防管路獨立架設，且可於複合線槽B上方堆疊複合線槽C使空間重複應用，讓照明、消防迴路、資訊線路四通無虞。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，H字骨架下方T字形凹槽，免加工可掛置任何電、資、消設備之空間重複應用。
如請求項1所述之複合型輕鋼架，骨架連結座與H字骨架結合過程，蜂巢封板有倒凸結構防晃動及位移之功能。
一種抽吸裝置，包括：<br/> 一抽氣幫浦，配置以產生負壓抽氣；及<br/> 一吸附瓶，與該抽氣幫浦連接，該吸附瓶包括：<br/> 一吸附瓶身，具有一內部空間，該內部空間配置以容置一吸附物；<br/> 一吸附瓶蓋，設置在該吸附瓶身的一瓶口，以將該吸附瓶身的該內部空間密封；<br/> 一第一導管，設置在該吸附瓶蓋上，從該吸附瓶身的該內部空間延伸至該吸附瓶身外，配置以吸取該吸附物；<br/> 一第二導管，設置在該吸附瓶蓋上，連接該吸附瓶蓋與該抽氣幫浦；<br/> 一尼龍透氣膜，設置在該第二導管中；<br/> 一乾燥裝置，設置在該吸附瓶身的該內部空間；及<br/> 一導電導線，從該吸附瓶身的該內部空間延伸至該吸附瓶身外。
如請求項1所述之抽吸裝置，其中在該吸附瓶身外，該第一導管的一末端具有一吸嘴。
如請求項2所述之抽吸裝置，其中該吸嘴深入一反應器的內部吸取聚集在該反應器內壁的該吸附物。
如請求項1所述之抽吸裝置，其中該尼龍透氣膜的孔徑在0.1至1微米之間。
如請求項1所述之抽吸裝置，其中該吸附瓶蓋包括一第一導管轉接孔、一第二導管轉接孔與一導電導線設置孔。
如請求項5所述之抽吸裝置，其中在該吸附瓶身的該內部空間，該導電導線沿該第一導管的導管壁外部設置，並且該導電導線從該吸附瓶蓋的該導電導線設置孔延伸至該吸附瓶身外。
如請求項6所述之抽吸裝置，其中在該吸附瓶身外，該導電導線與一接地元件連接。
如請求項1所述之抽吸裝置，其中該乾燥裝置包括：<br/> 一乾燥劑填充筒；<br/> 一乾燥劑，設置在該乾燥劑填充筒內；及<br/> 一轉接頭，連接該乾燥劑填充筒與該吸附瓶蓋。
如請求項8所述之抽吸裝置，其中該乾燥劑填充筒的容量在50至100mL之間。
如請求項8所述之抽吸裝置，其中該轉接頭配置使得該乾燥裝置為可拆卸的，以更換該乾燥劑。
一種滑動組件，用於產生繞一軸線旋轉的滑動，其包括： 一第一組裝件，具有一第一表面和多個滑動凸體，該第一表面與該軸線垂直；<br/> 一第二組裝件，具有一第二表面和多個容置槽，該第二表面與該軸線垂直且與該第一表面對應，該等容置槽設置於該第二表面；以及<br/> 多個滑動凸體，與該第一組裝件一體成型且凸出於該第一表面；<br/> 其中該等滑動凸體分別可滑動地結合於該等容置槽，使得該第一表面相對於該第二表面以繞該軸線旋轉的方式相對滑動。
如請求項1所述的滑動組件，其中該等容置槽包括至少一個限位槽，至少一個該限位槽具有彼此相向設置且相對於該軸線傾斜的兩個槽壁，該滑動凸體可滑動地抵接於至少一個該限位槽的兩個該槽壁。
如請求項1或2所述的滑動組件，其中該等容置槽包括至少一個組裝槽，至少一個該組裝槽具有相向設置且與該軸線平行的槽壁，且至少一個該組裝槽的兩個該槽壁的間距大於該滑動凸體的尺寸。
如請求項1所述的滑動組件，其中至少兩個該滑動凸體彼此具有相對於該軸線180<sup>o</sup>的角距離，且至少兩個該容置槽彼此具有相對於該軸線180<sup>o</sup>的角距離。
如請求項1所述的滑動組件，其中每個該容置槽為圓弧形結構且該軸線穿過該圓弧形結構的圓心。
如請求項1所述的滑動組件，其中每個該滑動凸體為球體的部分結構。
一種光圈裝置，其包括：<br/> 如請求項1至6中任一項所述的滑動組件；<br/> 多個光圈葉片，可轉動地設置於該第一組裝件與該第二組裝件，且該等光圈葉片互相堆疊以形成一光圈；以及<br/> 一驅動組件，設置於該第一組裝件和該第二組裝件，使得該第一組裝件繞該軸線相對於該第二組裝件旋轉，且進而使得該等光圈葉片移動以改變該光圈的直徑。
如請求項7所述的光圈裝置，其更包括一牽引結構，該牽引結構包括多個軸柱和多個牽引銷，該第一組裝件還具有遠離該第一表面的一第一頂面，該第二組裝件還具有遠離該第二表面的一第二頂面，該第一頂面圍繞該第二頂面且可相對該第二頂面繞該軸線轉動，該等軸柱設置在該第一頂面，該等牽引銷設置在該第二頂面，每個該光圈葉片具有一軸孔和一導槽，該軸孔與該軸柱轉動組接，該導槽與該牽引銷滑動組接。
如請求項8所述的光圈裝置，其中該第一組裝件具有一環狀結構，該第一表面和該第一頂面分別位於該環狀結構的相對兩端；該第二組裝件具有一筒狀結構和一環狀凸緣，該第二頂面位於該筒狀結構的軸向端部，該環狀凸緣位於該筒狀結構遠離該第二頂面的另一個軸向端部，該第二表面位於該環狀凸緣。
如請求項9所述的光圈裝置，其中該第二組裝件還具有多個凸台，該等凸台設置於該環狀凸緣，該等容置槽分別形成於該等凸台，且該第二表面位於該等凸台的頂面。
如請求項10所述的光圈裝置，其中該第一組裝件更具有多個凸塊，該等凸塊設置於該第一表面，每個該凸塊位於兩個相鄰的該凸台之間。
如請求項7所述的光圈裝置，其中該驅動組件包括設置於該第一組裝件的至少一個磁鐵和設置於該第二組裝件的至少一個線圈，電流流經至少一個該線圈，使得至少一個該線圈與至少一個該磁鐵產生電磁效應，進而使得至少一個該磁鐵相對於至少一個該線圈移動。
一種突波防護單元，其包括一第一電阻元件、一第二電阻元件、一第一突波防護元件、一第二突波防護元件以及一電容元件，該第一突波防護元件的第一端與該第一電阻元件的第一端電連接，該第二突波防護元件的第一端與該第二電阻元件的第一端電連接，該第一電阻元件的第二端和該第二電阻元件的第二端均與該電容元件的第一端電連接，該第一突波防護元件的第二端、該第二突波防護元件的第二端以及該電容元件的第二端均接地；<br/> 其中，該突波防護單元應用於一不支持乙太網路供電功能的電路，該不支持乙太網路供電功能的電路包括一連接器，該連接器的至少一個差動對的抽頭與該第一電阻元件的第一端電連接，該連接器的其餘差動對的抽頭與該第二電阻元件的第一端電連接。
如請求項1所述的突波防護單元，其中，該連接器包括四個差動對，其中，該四個差動對中，一個差動對的抽頭與該第一電阻元件的第一端電連接，其餘三個差動對的抽頭分別與該第二電阻元件的第一端電連接。
如請求項1所述的突波防護單元，其中，該連接器包括四個差動對，其中，該四個差動對中，兩個差動對的抽頭與該第一電阻元件的第一端電連接，其餘兩個差動對的抽頭分別與該第二電阻元件的第一端電連接。
如請求項1所述的突波防護單元，其中，<br/> 該第一電阻元件和該第二電阻元件相同；和/或，<br/> 該第一突波防護元件與該第二突波防護元件相同。
如請求項1所述的突波防護單元，其中，<br/> 該第一突波防護元件包括以下中的至少一種：一半導體放電管、一氣體放電管、一壓敏電阻、一空氣放電管；和/或，<br/> 該第二突波防護元件包括以下中的至少一種：一半導體放電管、一氣體放電管、一壓敏電阻、一空氣放電管。
如請求項1至5中任一項所述的突波防護單元，其中，<br/> 該第一電阻元件的阻值大於或等於25歐姆且小於或等於100歐姆；和/或，<br/> 該第二電阻元件的阻值大於或等於25歐姆且小於或等於100歐姆。
如請求項1至5中任一項所述的突波防護單元，其中，該電容元件的電容值大於或等於10皮法拉且小於或等於2.2奈法拉。
一種不支持乙太網路供電功能的電路，其包括一連接器以及如請求項1至7中任一項所述突波防護單元。
如請求項8所述的不支持乙太網路供電功能的電路，其中，該連接器的共模扼流圈的磁環由兩根線或三根線並繞。
如請求項8或9所述的不支持乙太網路供電功能的電路，其中，該不支持乙太網路供電功能的電路包括一主板晶片側和一線纜側，該線纜側透過該連接器與該主板晶片側電連接。
一種包裝指南生成系統，包括：<br/> 一螢幕；<br/> 一輸入模組，用以接收一使用情境資料；<br/> 一包裝指南生成模組，用以根據該使用情境資料，生成一包裝指南；以及<br/> 一介面處理模組，訊號連接該包裝指南生成模組、該螢幕和該輸入模組，該介面處理模組用以根據該包裝指南，生成一包裝指南介面於該螢幕。
如請求項1所述之包裝指南生成系統，其中該包裝指南生成系統更包括一資料處理模組，該資料處理模組訊號連接該輸入模組並包括一商品資訊處理單元；該輸入模組更用以接收一包裝詢問資料，該包裝詢問資料包括一商品資料；該商品資訊處理單元用以分析該包裝詢問資料和該商品資料。
如請求項2所述之包裝指南生成系統，其中該資料處理模組更包括一歷史包裝指南處理單元；該包裝詢問資料更包括一歷史包裝指南資料；該歷史包裝指南處理單元用以分析該包裝詢問資料和該歷史包裝指南資料。
如請求項3所述之包裝指南生成系統，其中該資料處理模組更包括一包材資訊處理單元；該包裝詢問資料更包括一包材資訊資料；該包材資訊處理單元用以分析該包裝詢問資料和該包材資訊資料。
如請求項4所述之包裝指南生成系統，其中該資料處理模組更包括一場域及設備資訊處理單元；該包裝詢問資料更包括一場域及設備資訊資料；該場域及設備資訊處理單元用以分析該包裝詢問資料和該場域及設備資訊資料。
如請求項5所述之包裝指南生成系統，其中該資料處理模組更包括一資料整合單元，該資料整合單元用以根據該商品資訊處理單元、該歷史包裝指南處理單元、該包材資訊處理單元和該場域及設備資訊處理單元分析的結果，生成一資料整合結果。
如請求項6所述之包裝指南生成系統，其中該輸入模組更用以接收一政策資料。
如請求項7所述之包裝指南生成系統，更包括一包裝策略生成模組，該包裝策略生成模組訊號連接該輸入模組，該包裝策略生成模組包括一記憶模型調教單元和一包裝策略生成單元；該記憶模型調教單元用以根據該政策資料和該資料整合結果，生成一記憶模型；該包裝策略生成單元用以根據該記憶模型，生成一商品包裝標籤和一包裝策略。
如請求項8所述之包裝指南生成系統，其中該包裝指南生成模組，更用以根據該使用情境資料、該商品包裝標籤和該包裝策略，生成該包裝指南。
一種鍋蓋的操控及定位機構，適用於封閉一鍋具的一頂端開口，包含：<br/> 一基座，固定設置於該鍋具的底端，且該基座之一端部延伸至超出該鍋具的後側邊緣、左側邊緣或右側邊緣，並形成一固定座；<br/> 一支臂，固定安裝於該固定座上，並包含一上端部；以及<br/> 一鍋蓋夾臂，用以緊固夾持一鍋蓋，且該鍋蓋夾臂以可樞轉方式安裝於該支臂之該上端部；<br/> 其中，該鍋蓋夾臂以該支臂的該上端部為樞轉中心，於向下樞轉時使該鍋蓋下壓以封閉該鍋具的該頂端開口，並於向上樞轉時可逐漸掀開該鍋蓋，當該鍋蓋夾臂與該支臂呈一直線或平行配置時，該鍋蓋定位於與該鍋具的該頂端開口呈垂直的全開狀態。
如請求項1所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該鍋具為電鍋、電子鍋、冷藏保鮮鍋或其他具有頂端開口之容器。
如請求項1所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該基座係以螺固、卡扣、焊接或一體成形方式固定於該鍋具的底端。
如請求項1所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該支臂為直臂、彎折臂或可調長度之伸縮臂。
如請求項1所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該鍋蓋夾臂包含一夾持端，該夾持端為彈性夾持式、卡扣式或螺固式，用以可拆卸或不可拆卸地固定該鍋蓋。
如請求項1所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該鍋蓋夾臂與該支臂的上端部之間設有一樞軸組件，使該鍋蓋夾臂可相對於該支臂進行樞轉運動。
如請求項6所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該樞軸組件包含一阻尼結構、一彈性回復結構或一定位結構，以提供該鍋蓋於不同開啟角度下之穩定性。
如請求項7所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，當該鍋蓋夾臂樞轉至全開狀態時，該鍋蓋位於該鍋具的後側或側邊之上方，且其平面大致垂直於該鍋具的頂端開口。
如請求項1所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該固定座設置於該鍋具後側，以避免該鍋蓋於開啟狀態時干擾到使用者之操作。
如請求項8所述的鍋蓋的操控及定位機構，其中，該鍋蓋於全開狀態時可藉由該鍋蓋夾臂與該支臂之相對配置而自動維持定位，無須外力支撐。
如請求項3所述的鍋蓋的操控及定位機構，還包含一腳墊，固定設置於該固定座的底部。
一種寵物跳台，包括：<br/> 一底座，具有一立柱孔；<br/> 一立柱，包括沿一軸向排列的多個柱子單元，各該柱子單元包括一柱體與一連接桿，於各該柱體上面的中央形成一連接孔，各該連接桿係形狀配合各該連接孔形狀的桿體，各該連接桿的上端結合於各該柱體下面的中央，各該連接桿沿該軸向的長度大於各該連接孔沿該軸向的長度；最下方的該柱子單元的該連接桿可拆卸地結合於該立柱孔固定；上下相鄰的任二個柱子單元中，位於上方的該柱子單元的該連接桿可拆卸地結合於位於下方的該柱子單元的該連接孔，於位於上方的該柱子單元的該柱體與位於下方的該柱子單元的該柱體之間形成一插板空間，該連接桿位於該插板空間的部分定義為一露出桿段；該立柱具有複數個該插板空間；以及<br/> 一下層板，於該下層板的邊緣向內形成一下凹溝，該下凹溝的外端具有一下入口；該下層板背離該下凹溝的部分形成一台部；該下層板鄰接於該下凹溝的部分插入該些插板空間的其中之一，對應該插板空間的該露出桿段穿過該下凹溝。
如請求項1所述之寵物跳台，其中於該下層板的正上方設有一上層板，於該上層板的邊緣向內形成一上凹溝，該上凹溝位於該下凹溝的正上方，該上凹溝的外端具有一上入口；該上層板背離該上凹溝的部分形成一蓋部；該上層板鄰接於該上凹溝的部分插入該些插板空間之中未被該下層板插入的另一插板空間，對應該插板空間的該露出桿段穿過該上凹溝；於該下層板背離該下凹溝的邊緣與該上層板背離該上凹溝的邊緣之間連接一側板，於該台部、該蓋部與該側板之間形成一寵物窩。
如請求項2所述之寵物跳台，其中該側板的下邊緣與上邊緣係一體連接於該下層板背離該下凹溝的邊緣與該上層板背離該上凹溝的邊緣。
如請求項3所述之寵物跳台，其中該下層板、該上層板與該側板分別係矩形的板體，於該下層板的上面、該側板朝向該立柱的表面與該上層板的下面以凹入的型態設有二隔板溝，該二隔板溝沿垂直於該軸向的方向間隔且分別具有一對插口，至少於該二隔板溝的其中之一插入設有一隔板。
如請求項2所述之寵物跳台，其中該側板的下邊緣與該下層板背離該下凹溝的邊緣之間，以及該側板的上邊緣與該上層板背離該上凹溝的邊緣之間分別連接一鉸鏈。
如請求項2所述之寵物跳台，其中於該下層板位於該下入口兩側的部分可拆卸地結合一下橫桿，該下橫桿封閉該下入口；於該上層板位於該上入口兩側的部分可拆卸地結合一上橫桿，該上橫桿封閉該上入口。
如請求項6所述之寵物跳台，其中於該下層板位於該下入口兩側的部分分別穿設一下孔，該下橫桿係橫跨於該下入口，於該下橫桿的兩端部分別穿設一下橫桿穿孔，於各該下橫桿穿孔與各該下孔插設一下插銷；於該上層板位於該上入口兩側的部分分別穿設一上孔，該上橫桿係橫跨於該上入口，於該上橫桿的兩端部分別穿設一上橫桿穿孔，於各該上橫桿穿孔與各該上孔插設一上插銷。
如請求項2所述之寵物跳台，其中最下方的該柱子單元的該連接桿係以緊配合的方式插設於該立柱孔；上下相鄰的任二個柱子單元中，位於上方的該柱子單元的該連接桿係以緊配合的方式插設於位於下方的該柱子單元的該連接孔。
如請求項2所述之寵物跳台，其中該立柱孔係螺孔，各該連接桿係螺桿，各該連接孔係螺孔；最下方的該柱子單元的該連接桿係螺鎖於該立柱孔；上下相鄰的任二個柱子單元中，位於上方的該柱子單元的該連接桿係螺鎖於位於下方的該柱子單元的該連接孔。
一種地磚止滑劑塗抹裝置，包含：<br/> 一瓶體，其兩端分別形成一瓶口及一底部，並該瓶口及該底部共同界定形成一容置空間，該容置空間中供以容設一地磚止滑劑；以及<br/> 一塗覆件組，其係由一殼體及一滾輪所組成，該殼體對應裝設於該瓶體的該瓶口處，該滾輪呈可滾動地組設於該殼體內。
如申請專利範圍請求項1所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，該瓶口之外周壁環設有複數外螺紋，各該外螺紋與該殼體相對應螺合設置。
如申請專利範圍請求項2所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，更具有一蓋體與所述各該外螺紋相對應螺合設置，並該蓋體之外周緣設有複數止滑紋。
如申請專利範圍請求項1所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，更具有一封閉件對應嵌設於所述該瓶口處，該封閉件之中央處開設一孔洞供所述該地磚止滑劑流出。
如申請專利範圍請求項4所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，更具有一防漏膜對應貼覆所述該孔洞，該防漏膜用以防止所述該地磚止滑劑由該孔洞流出。
如申請專利範圍請求項1所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，該瓶體之兩側分別形成一握持部，該握持部更凸設複數止滑部以便於握持防止手滑。
如申請專利範圍請求項6所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，各該止滑部可呈等距或不等距排列設置。
如申請專利範圍請求項1所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，該瓶體成型有一透明視窗，可令使用者觀看該瓶體內的該地磚止滑劑之剩餘量。
如申請專利範圍請求項1所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，當該瓶體的該瓶口向下時，該地磚止滑劑可經由該容置空間，經由該殼體流向該滾輪。
如申請專利範圍請求項1所述之地磚止滑劑塗抹裝置，其中，該滾輪的材質為聚酯纖維。
一種微型顯示器改良結構，包含：<br/> 一顯示陣列單元，係為一微發光二極體顯示器（Micro LED Display），具顯示符號、影像或文字種類之投影資訊的用途；<br/> 一電路板單元，係為一印刷電路板（PCB），該顯示陣列單元裝設於該電路板單元中；<br/> 一散熱單元，該散熱單元是一板狀，其中一面連接該電路板單元，另一面垂直延伸出鰭片狀體或複數柱狀體其中之一。
如請求項1之微型顯示器改良結構，其中，該散熱單元與至少二個固定單元連接，透過該固定單元將該散熱單元固定於電路板單元。
如請求項1之微型顯示器改良結構，其中，該散熱單元材質係為鋁、銅或鋁銅合金其中之一。
如請求項1之微型顯示器改良結構，其中，該顯示陣列單元焊接於該電路板單元，使該顯示陣列單元透過該電路板單元，能夠與其他元件進行電連接及訊號連接。
如請求項1之微型顯示器改良結構，其中，該顯示陣列單元、該電路板單元、該散熱單元裝設於一外殼中，該外殼之一端連接一光學鏡頭單元，且該光學鏡頭、該顯示陣列單元與該電路板單元、該散熱單元呈順序排列，透過該光學鏡頭單元，使該投影資訊能被放大且更清晰地呈現。
一種冷氣排水孔結構改良，其包含有至少一排水孔座與一排水管，所述排水孔座與該排水管係設於一牆體內，其中：<br/>所述排水孔座具有一基座，該基座凸設有一組合部，所述組合部相對於該基座之軸心傾斜20度到60度之間，該組合部中心貫通有一排水孔，所述排水孔外擴有一組裝孔，該組裝孔用以卡固設置所述排水管，該牆體係於二板模之間使混凝土凝固後移除該板模形成，所述排水孔座係預先以該基座固定於所述板模內側使混凝土位於二該板模之間與所述排水孔座及該排水管外，而使所述排水孔座與該排水管設於該牆體內。
如請求項1所述之冷氣排水孔結構改良，其中，所述排水孔座的數量為一個，該排水孔座固定於其中一個所述板模內側。
如請求項1所述之冷氣排水孔結構改良，其中，所述排水孔座的數量為二個，二該排水孔座各別固定於二所述板模內側，所述排水管兩端係卡於二該排水孔座之組裝孔內。
如請求項1所述之冷氣排水孔結構改良，其中，所述排水孔座是利用釘子將該基座固定於所述板模內側上。
一種含磷化合物，其係具有下式（I）之結構：<br/><img align="absmiddle" height="132px" width="134px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式（I）<br/> 其中，<br/> R1、R2、R3、R4各自獨立選自氫原子、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、及C3至C6環烷基，且各R1、各R2、各R3、及各R4可相同或不同；<br/> R19、R20各自獨立選自<img align="absmiddle" height="20px" width="38px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="53px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、及<img align="absmiddle" height="24px" width="59px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> R17、R18各自獨立選自<img align="absmiddle" height="122px" width="89px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="125px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="44px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="98px" width="59px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="83px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="69px" width="109px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="36px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="65px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="62px" width="105px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、及R<sup>a</sup>各自獨立選自C1至C6烴基、C1至C6烷氧基、及C3至C6環烷基，且當存在二個以上之R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、或R<sup>a</sup>時，各R<sup>6</sup>、各R<sup>7</sup>、或各R<sup>a</sup>可相同或不同；<br/> R<sup>8</sup>各自獨立選自-CH<sub>2</sub>-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-CO-、-SO<sub>2</sub>-、及-O-； <br/> m、ma各自獨立為0至4的整數，n為0至3的整數，p為0或1，m和n的總和不超過4；以及<br/> *代表鍵結位置。
如請求項1所述之含磷化合物，其中R19、R20各自獨立為<img align="absmiddle" height="20px" width="38px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="40px" width="53px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且R17、R18各自獨立為<img align="absmiddle" height="122px" width="89px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="125px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="44px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="36px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="65px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="62px" width="105px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中p為0，且R<sup>6</sup>、R<sup>8</sup>、R<sup>a</sup>、m、及ma係如請求項1所定義。
如請求項2所述之含磷化合物，其中R17、R18各自獨立為<img align="absmiddle" height="122px" width="89px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="94px" width="36px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且R<sup>a</sup>及ma係如請求項1所定義。
一種耐燃耐熱組合物，包含：<br/> 第一反應性成分，其係選自以下群組：環氧樹脂、酚醛樹脂、苯并噁嗪樹脂、具有烯烴型碳-碳不飽和雙鍵（olefinic carbon-carbon double bond）之聚苯醚樹脂、含烯丙基化合物、馬來醯亞胺化合物、含烯丙基化合物與馬來醯亞胺化合物之共聚物、及其組合；以及<br/> 如請求項1至3中任一項所述之含磷化合物。
如請求項4所述之耐燃耐熱組合物，其中該具有烯烴型碳-碳不飽和雙鍵之聚苯醚樹脂係選自以下群組：雙羥基聚苯醚樹脂、甲基丙烯酸聚苯醚樹脂、乙烯基聚苯醚樹脂、及其組合。
如請求項4所述之耐燃耐熱組合物，其中該含烯丙基化合物係選自以下群組：二烯丙基雙酚A、二烯丙基雙酚F、二烯丙基雙酚S、及其組合。
如請求項4所述之耐燃耐熱組合物，其中該馬來醯亞胺化合物係選自以下群組：雙馬來醯亞胺化合物、三馬來醯亞胺化合物、四馬來醯亞胺化合物、及其組合。
如請求項4至7中任一項所述之耐燃耐熱組合物，進一步包含選自以下群組之成分：填料、催化劑、彈性體、分散劑、增韌劑、黏度調整劑、塑化劑、偶合劑、及其組合。
一種半固化片，其係藉由將如請求項4至8中任一項所述之耐燃耐熱組合物含浸或塗佈一基材，並乾燥該經含浸或塗佈之基材而製得。
一種金屬箔積層板，其係藉由將如請求項9所述之半固化片與金屬箔加以層合而製得，或係藉由將如請求項4至8中任一項所述之耐燃耐熱組合物塗佈於金屬箔並乾燥該經塗佈之金屬箔而製得。
一種可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其包括：<br/> 一內膽，所述內膽為一中空容器；<br/> 一進水管，所述進水管設置於所述內膽內；<br/> 一出水管；<br/> 一加熱器；<br/> 一隔艙，所述隔艙為一中空體，所述隔艙設置於所述內膽內，所述加熱器及所述出水管設置在所述隔艙內，所述隔艙的上端靠近所述出水管的上端，所述隔艙至少一側設有至少一進水口，冷水能通過所述至少一進水口進入所述隔艙內，以所述加熱器加熱冷水，所述隔艙的上端設有至少一出水口，熱水能通過所述至少一出水口流出所述隔艙外；以及<br/> 一隔熱板，所述隔熱板設置於所述內膽內，所述隔熱板呈橫置狀設置，所述隔熱板設置於所述隔艙的外側，所述進水管及所述至少一進水口位於所述隔熱板的下方，所述隔熱板能將所述隔艙的外側上下區隔，使所述隔熱板能將熱水和冷水隔開；<br/> 其中，冷水能經由所述進水管進入所述內膽內的所述隔熱板的下方處，冷水能通過所述至少一進水口輸送至所述隔艙中，所述加熱器能將冷水加熱至高溫，熱水向上升，再由所述至少一出水口及所述出水管輸出熱水。
如請求項1所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述出水管是直立的設置於所述隔艙內，所述出水管的上端伸出所述隔艙。
如請求項1所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述至少一進水口設置於所述隔艙的一側下半部。
如請求項1所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述內膽內設置一導流結構，所述導流結構包含一第一板體、一第二板體及一第三板體，所述第一板體呈橫置狀設置，所述第一板體的邊緣連接於所述內膽的內緣，所述第一板體及所述隔艙的所述至少一出水口位於相同的水平高度，所述第二板體呈直立狀設置，所述第二板體連接於所述第一板體的一側，所述第二板體向上延伸，所述第二板體上設有至少一通孔，所述第三板體呈直立狀設置，所述第三板體連接於所述第一板體的底部，所述第三板體向下延伸，所述第三板體的邊緣連接於所述內膽的內緣。
如請求項4所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述出水管的上端的水平高度高於所述第一板體的水平高度。
如請求項4所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述隔熱板的邊緣連接於所述內膽的內緣及所述第三板體。
如請求項4所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述出水管的上端穿過所述第一板體，所述出水管的上端伸出至所述第一板體的上方。
如請求項4所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述第二板體的上端高於所述出水管的上端。
如請求項1所述的可提高出水溫度的儲熱式電熱水器，其中，所述出水管設置在所述隔艙內遠離所述至少一進水口處。
一種基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，包括由電性連接之複數個硬體電路所組成的複數個硬體模組，該些硬體模組包括：<br/> 一通訊模組，通訊連接一外部裝置；<br/> 一情境話題設定模組，通訊連接該通訊模組，使用一語言模型設定一測驗主題與情境，以產生個性化測驗問題，並根據一使用者的一回復資訊動態調整對話內容；<br/> 一測驗結果分析模組，通訊連接該通訊模組及該情境話題設定模組，接收該情境話題設定模組傳輸的測驗主題與情境以及該回復資訊，並依據該回復資訊解析該使用者之個性特質、偏好及行為特徵，以生成一個人化測驗結果；以及<br/> 一個性化推薦模組，通訊連接該通訊模組及該測驗結果分析模組，依據該個人化測驗結果生成至少一項相關之金融商品、金融服務或行銷活動之一個性化推薦結果。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，其中該外部裝置為使用者通訊裝置。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，其中該通訊模組還通訊連接一外部系統，當使用者點選取該個性化推薦模組產生的該個性化推薦結果時，將該個性化推薦結果連接至對應的外部系統以供後續使用。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，其中該語言模型為自然語言模型，用以依據該回復資訊即時產生後續對話句子或追問問題，以形成一互動式測驗流程。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，其中該情境話題設定模組根據該回復資訊計算不同回答的影響力，以用於調整後續測驗問題之對話內容及該測驗結果分析模組的該個性化測驗結果生成。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，其中該測驗結果分析模組還根據該個人化測驗結果生成複數個標籤，用以表示使用者之個性特質、偏好或行為特徵，並供個性化推薦模組進行推薦匹配。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，其中該個性化推薦結果包括透過推薦摘要技術自動產生推薦產品或服務特點之描述。
如請求項1所述的基於生成式AI的互動測驗及個性化推薦系統，還包括一統計分析模組，通訊連接該通訊模組及該個性化推薦模組，用以統計分析使用者之互動次數、分享次數及點選次數，並生成一使用者使用行為分析報告。
一種收款帳戶驗證系統，適用於一使用端裝置，並包含：<br/> 一儲存單元，儲存一指定演算法、多筆客戶帳號及多筆分別對應該等客戶帳號的客戶辨識資料；及<br/> 一處理單元，電連接於該儲存單元及該使用端裝置；<br/> 該處理單元接收來自於該使用端裝置的一匯出帳號資料、一收款資料及一匯款金額，該收款資料包含一收款帳號資料及一收款驗證資料；<br/> 該處理單元根據該收款帳號資料搜尋該等客戶帳號，並將與該收款帳號資料相符的該客戶帳號作為一指定客戶帳號；<br/> 該處理單元將該指定客戶帳號對應的該客戶辨識資料經由一指定演算法產生一客戶驗證用資料；<br/> 在該處理單元判定該收款驗證資料相同於該客戶驗證用資料後，該處理單元使該匯款金額自該匯出帳號資料轉入該收款帳號資料。
如請求項1所述的收款帳戶驗證系統，其中，<br/> 該處理單元接收來自於該使用端裝置的一收款方辨識資料，該處理單元將該收款方辨識資料經由該指定演算法產生該收款驗證資料；<br/> 該處理單元傳送該收款驗證資料至該使用端裝置。
如請求項2所述的收款帳戶驗證系統，其中，該收款方辨識資料包含一收款方名稱。
如請求項1所述的收款帳戶驗證系統，其中，該收款資料屬於一筆數字。
如請求項1所述的收款帳戶驗證系統，其中，該指定演算法屬於雜湊演算法。
一種多層次前開行李箱，包含有：<br/> 一第一箱，具有一箱體，一與該箱體相接的第一開合部；<br/> 一第二箱，具有一箱體，一與該第一箱之該箱體相接且與該第一箱之該第一開合部開合的第二開合部，一與該第二箱之該箱體相接且與該第二開合部相反側設置的第三開合部；<br/> 一前蓋，具有一蓋體，一與該蓋體相接且與該第二箱之該第三開合部開合的第四開合部，一與該第四開合部相反側設置的第五開合部；其中，該第五開合部小於該第四開合部；<br/> 一前上蓋，具有一蓋體，一與該蓋體相接且與該前蓋之該第五開合部開合的第六開合部。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該前蓋之該第五開合部係位於該前蓋之該蓋體的上半部。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該前蓋具有一上撐緣，該前上蓋具有一上靠緣，該前上蓋打開時該上靠緣頂抵於該前蓋之該上撐緣。
如請求項3所述之多層次前開行李箱，其中，該前蓋之該上撐緣為凹槽。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該前上蓋之深度小於該前蓋之深度。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該第二箱之該第三開合部具有一第三下開合部及一接續的第三上開合部，該前蓋之該第四開合部具有一第四下開合部及一接續的第四上開合部，該第三下開合部與該第四下開合部的上端較下端靠近該第二開合部。
如請求項6所述之多層次前開行李箱，其中，該第二箱之該第三開合部的第三下開合部與該前蓋之該第四開合部的第四下開合部呈弧狀或斜狀。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該前蓋具有一頂面，該頂面高凸於該前蓋之該第五開合部。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該第二箱之該箱體具有一下撐緣，該前蓋之該蓋體具有一於打開時可與該下撐緣頂抵的下靠緣。
如請求項1所述之多層次前開行李箱，其中，該前上蓋之該蓋體具有一穿孔，該前上蓋具有一蓋合於該穿孔的孔蓋。
一種液體與粉末負壓混合裝置，包括：<br/> 一粉末瓶，包括一瓶體、一由該瓶體限定且可存放一粉末的混合空間及一連通該混合空間的瓶口；<br/> 一瓶塞，包括一塞體、一連通地設置於該塞體的通道與一連接該塞體且封閉該通道的頂部，該塞體塞入該瓶口內而密封該混合空間，該混合空間被封閉後被配置為負壓狀態，該頂部具有一對準該通道的穿刺區，該穿刺區為一薄部分且在靠近該混合空間的一側具有一預壓痕，當該混合空間為負壓狀態時，該薄部分及該預壓痕為凹陷，該穿刺區供一滴瓶的一滴液口刺穿；<br/> 一外封件，包括一固定在該瓶口的環部、一連接該環部而壓制於該塞體的該頂部且露出該穿刺區的蓋環，該蓋環包括一中空部及一沿從該中空部徑向凸出的定位孔；以及<br/> 一對位套件，包括一連接該蓋環的連接部及一設置於該連接部遠離該蓋環的一端的套環，該連接部具有一對應該中空部設置的定位凸環及一從該定位凸環徑向凸出的定位凸塊，該定位凸塊在該定位凸環連接該中空部時對應於該定位孔設置，而限制該對位套件相對該外封件在軸向旋轉，該滴瓶可拆卸地固定於該套環上後，該滴液口穿越該定位凸環及該中空部且刺穿該穿刺區，並伸入該通道且連通該混合空間。
如請求項1所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，還包括一封蓋，該封蓋可拆卸地遮蔽封閉該套環遠離該連接部的一端。
如請求項1所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該環部壓合地固定在該瓶口的一外緣。
如請求項1所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該對位套件的該連接部熱熔加工地連接至該蓋環。
如請求項1所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該蓋環包括一環體以及一部分地連接該環體的掀部，該掀部被配置為可沿一方向被撕裂而使該外封件被破壞而從該粉末瓶移除。
如請求項5所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該對位套件的該連接部熱熔加工地連接至該掀部。
如請求項5所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該蓋環具有多個介於該掀部與該環體之間環狀間隔排列且貫穿該蓋環的間隙。
如請求項7所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該外封件還具有多個導引壓痕，該導引壓痕設置於該環部及該蓋環且分別連接至任一該間隙。
如請求項1所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該預壓痕為一凹槽。
如請求項9所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該凹槽為一字形或十字形。
如請求項1所述的液體與粉末負壓混合裝置，其中，該對位套件的該連接部係先受熱熔加工地連接至該外封件的該蓋環，再壓合加工地將該外封件的該環部固定在該瓶口的一外緣。
一種智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，包括：<br/> 一伺服器，接收個人數據以產生並發出一對應頻率；以及<br/> 一同步裝置，與該伺服器透過一智能裝置中繼資訊連接以接收該對應頻率，並與多個可控電動產品資訊連接，包含：<br/> 至少一通訊模組，與該智能裝置及該些可控電動產品的通訊單元資訊連接；<br/> 一控制模組，將該對應頻率透過該至少一通訊模組發送給所有可控電動產品的控制單元，以同步該些可控電動產品於運作時依照該對應頻率週期性輸出不同能量；及<br/> 一電源模組，與該至少一通訊模組及該控制模組電連接，可提供運作所需的電力。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，進一步包含一回饋感測器，該回饋感測器與該伺服器透過該智能裝置中繼資訊連接並安裝於人體表面，用以偵測人體的體徵訊號，並將該體徵訊號的數值透過該智能裝置中繼回傳該伺服器。
如請求項2所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該體徵訊號為血壓、脈搏、體溫、心律變異、呼吸頻率或腦電波。
如請求項2所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該智能裝置中安裝一應用程式（APP）以執行該伺服器與該同步裝置間的訊號傳輸，並提供一顯示介面於該智能裝置的螢幕上，以便使用者操以輸入該個人數據。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該智能裝置為智慧手錶、智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦或桌上型電腦。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中個人數據為當下時間、出生日、星象、生理數據、天氣或生理節律。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該些可控電動產品輸出能量的型態為光能、熱能、機械能、電能或磁能。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該控制模組可針對特定可控電動產品，依時序於不同點位以該對應頻率週期性輸出能量。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該通訊模組為藍芽模組、Wi-Fi模組、Zigbee模組、USB模組、控制器區域網路（Controller Area Network，CAN）通訊模組或Modbus通訊模組。
如請求項1所述之智慧型視觸覺同步回饋與環境場域調節系統，其中該可控電動產品為電漿球、發熱衣物、具有震動功能的帽子、燈具、汽車電腦、按摩器、智能床墊或智能地墊。
一種防墜器的安全索把手，包括：<br/> 一把手本體，沿一中心軸向依序包括一頂靠部與一握把部，該頂靠部與該握把部彼此相連；該把手本體內形成一鋼纜通道，該鋼纜通道沿該中心軸向貫穿該頂靠部與該握把部；<br/> 一安全索，穿過該鋼纜通道，於該安全索背離該頂靠部的一端形成一套環；以及<br/> 一彈簧，係沿該中心軸向延伸的螺旋彈簧，該彈簧位於該鋼纜通道內且套設於該安全索，該彈簧的兩端分別形成一第一固定部與一第二固定部，該第一固定部固定於該鋼纜通道的壁面，該第二固定部固定於該安全索位於該鋼纜通道內的部分。
如請求項1所述之防墜器的安全索把手，其中於該鋼纜通道的壁面形成一固定段，該固定段的位置對應於該握把部鄰接於該頂靠部的部分；該彈簧的該第一固定部固定於該固定段。
如請求項2所述之防墜器的安全索把手，其中該固定段係錐形孔；該第一固定部嵌設於該固定段內。
如請求項1至3中任一項所述之防墜器的安全索把手，其中於該鋼纜通道對應該頂靠部的一端形成一第一開口，且於該鋼纜通道對應該握把部的另一端形成一第二開口；該安全索包括一鋼纜與一彈簧固定環；該鋼纜穿過該鋼纜通道、該第一開口與該第二開口，該套環係形成於該鋼纜穿出該第二開口的一端，該彈簧固定環緊束該鋼纜固定，且該彈簧固定環的至少部分穿過該第二開口而位於該鋼纜通道內，該第二固定部係沿該中心軸向延伸的直桿體，該第二固定部插設於該彈簧固定環內固定。
如請求項4所述之防墜器的安全索把手，其中該把手本體係具有彈性的結構，於該頂靠部形成多個鏤空的橫溝，該些橫溝以環繞於該鋼纜通道的方式形成於該頂靠部，該些橫溝分別與該鋼纜通道相通，且該些橫溝延伸的方向分別垂直於該中心軸向。
一種擺飾品組件，包含：<br/> 一支架，包括一底座及一立柱，該立柱連接該底座；<br/> 至少一連接件，係以可拆離的方式連接該立柱；<br/> 至少一告示牌，係連接該至少一連接件，該至少一告示牌具有一牌面，該牌面上具有一告示符號。
如請求項1所述之擺飾品組件，其中該至少一告示牌係以可拆離的方式連接該至少一連接件。
如請求項1所述之擺飾品組件，其中該至少一連接件具有一扣合部及一連結部，該扣合部包括有二勾扣，該二勾扣包夾該立柱；該至少一告示牌係以黏接、磁吸、卡扣的方式連接該至少一連接件之該連結部。
如請求項2或3所述之擺飾品組件，其中該至少一連接件和該至少一告示牌的數量為複數個，該些連接件和該些告示牌是以一對一的方式相結合。
如請求項1所述之擺飾品組件，包括有至少一輔件，該至少一輔件以可拆離的方式連接該連接件。
如請求項5所述之擺飾品組件，其中該至少一連接件的數量為複數個，該至少一輔件連結部分的連接件。
如請求項1所述之擺飾品組件，其中該至少一連接件與該至少一告示牌為一體成形者。
一種具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其包括有：<br/> 一玩偶本體，其內部具有一容置空間，且該玩偶本體之表面設有一連通該容置空間之第一開口；<br/> 一氣動組件，設置於該容置空間內，該氣動組件包括一受壓部及一與該受壓部連通之彈性延伸部，該彈性延伸部係對應於該第一開口設置；<br/> 一固定組件，設置於該玩偶本體之外部表面，該固定組件形成有至少一供手指穿設之穿戴孔；<br/> 其中，當該玩偶本體受外力擠壓時，該受壓部被壓迫使氣體充入該彈性延伸部，使該彈性延伸部膨脹且至少一部分經由該第一開口凸出於該玩偶本體之外。
如請求項1所述之具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其中，該第一開口係位於該玩偶本體之臀部位置。
如請求項1所述之具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其中，該受壓部係為由橡膠或矽膠材質一體成型製成之氣囊。
如請求項1所述之具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其中，該彈性延伸部為由淺色之彈性薄膜材質製成。
如請求項1所述之具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其中，該固定組件係設置於該玩偶本體之腹部或底側。
如請求項3所述之具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其中，該固定組件包括二並排設置之彈性板片，該二彈性板片可彈性地伸展或捲收，以調整該穿戴孔之內徑尺寸。
如請求項1所述之具動態視覺效果之可穿戴式玩偶裝置，其中，該玩偶本體之外觀係呈動物或擬人化角色之造型。
一種耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，包含：<br/> 一彈性鬆緊套體，包含一彈性包覆層，該彈性包覆層界定有一穿戴室，該穿戴室係供穿戴於人體耳部，且該穿戴室對應人體耳部之複數穴位位置設置有一第一彈性按摩單元、一第二彈性按摩單元及一第三彈性按摩單元，其中：<br/> 該第一彈性按摩單元包含一穿伸固定於該彈性包覆層之第一彈性鋼線，該第一彈性鋼線之兩端分別設置有一第一右側珠體及一第一左側珠體；<br/> 該第二彈性按摩單元包含一第二彈性鋼線，該第二彈性鋼線之一端形成一第二定位端，該第二定位端係固定設置於該彈性包覆層之預定位置，該第二彈性鋼線之另一端固設有一第二珠體；<br/> 該第三彈性按摩單元包含一穿伸固定於該彈性包覆層之第三彈性鋼線，該第三彈性鋼線之兩端分別設置有一第三右側珠體及一第三左側珠體；以及<br/> 一絨毛外覆罩，設有一組合部，該組合部係罩覆組裝於該彈性鬆緊套體之外表面，該絨毛外覆罩具有一呈開放狀之中心部，該中心部對位於人體耳部之中央耳道位置，且該絨毛外覆罩係由發熱材質製成，並區分形成一第一區段、一第二區段及一第三區段，該第一區段、第二區段及第三區段分別對應配置於該第一彈性按摩單元、第二彈性按摩單元及第三彈性按摩單元之外側位置。
如請求項1所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中，該第一彈性按摩單元之第一右側珠體及第一左側珠體係藉由該第一彈性鋼線繞設於耳部之前側及後側位置，使該第一右側珠體彈性按壓於耳部之前側位置，並使該第一左側珠體彈性按壓於耳部之後側位置；<br/> 該第二彈性按摩單元之第二珠體係藉由該第二彈性鋼線繞設於耳部之前側位置，使該第二珠體彈性按壓於耳部之前側位置；<br/> 該第三彈性按摩單元之第三右側珠體及第三左側珠體係藉由該第三彈性鋼線繞設於耳部之前側及後側位置，使該第三右側珠體彈性按壓於耳部之前側位置，並使該第三左側珠體彈性按壓於耳部之後側位置。
如請求項2所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中該第一左側珠體係對應按壓於人體耳部之神門穴位置；<br/> 該第一右側珠體係對應按壓於人體耳部之坐骨神經穴位置；<br/> 該第二珠體係對應按壓於人體耳部之胰臟穴位置；<br/> 該第三左側珠體係對應按壓於人體耳部之三焦穴位置；<br/> 該第三右側珠體係對應按壓於人體耳部之頸後穴位置。
如請求項1所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中，該第一左側珠體、第一右側珠體、第二珠體、第三左側珠體及第三右側珠體係分別由能量水晶石材質製成。
如請求項1所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中，該絨毛外覆罩之發熱材質係由添加陶瓷粉末或石墨烯粉末之聚丙烯腈（Acrylic）纖維，或石墨烯纖維所構成，以提供溫熱效果。
如請求項1所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中，該彈性鬆緊套體於該第二彈性按摩單元之第二珠體相對位置，進一步設置有一第二固定部，以輔助穩定該第二珠體之按壓位置。
如請求項1所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中，該絨毛外覆罩之外側進一步套設有一絨毛覆罩，該絨毛覆罩對應該中心部設置有一皮革扣體，該皮革扣體貫穿形成有複數貫穿孔，且該絨毛覆罩具有一穿戴部，以供穿戴並定位該絨毛外覆罩，並於其表面區分形成一第一區層、一第二區層及一第三區層，分別對應配置於該絨毛外覆罩之第一區段、第二區段及第三區段。
如請求項7所述之耳部穴位刺激兼具溫熱效果之耳部按摩器，其中，該皮革扣體係藉由黏結方式或縫合方式固定設置於該絨毛覆罩之中央位置。
一種可轉換背包系統，其包括：<br/> 一主布體，所述主布體於攤開狀態下具有複數個相連區域，所述複數個相連區域包括：一上蓋區、位於所述上蓋區之下方之一主背區、位於所述主背區之下方之一過渡區、以及位於所述過渡區之下方之一下延伸區；<br/> 一第一側片區域及一第二側片區域，自所述主背區之相對兩側橫向延伸，並分別沿第一及第二摺疊線連接於所述主背區，所述主背區與所述第一側片區域及所述第二側片區域於攤開狀態下形成十字形之外形；<br/> 一第一長條扣合件及一第二長條扣合件，各自沿對應之所述第一摺疊線及第二摺疊線延伸於所述主布體的一側邊緣，其延伸範圍至少涵蓋所述過渡區及所述下延伸區，其中所述第一側片區域及所述第二側片區域能分別繞所述第一摺疊線及第二摺疊線向所述主背區摺疊，且當所述第一長條扣合件及第二長條扣合件處於閉合狀態時，將所述第一側片區域及第二側片區域扣合於所述主布體，以與所述下延伸區共同界定一背包構形之內部收納空間； <br/> 一緩衝墊，配置於所述主布體上方，覆蓋至少所述主背區，並向所述下延伸區延伸；以及<br/> 一睡袋布片，以與所述緩衝墊重疊之方式連接於所述主布體；<br/> 其中，在所述背包系統之攤平構形下，所述第一長條扣合件及所述第二長條扣合件處於開啟狀態，且所述第一側片區域及第二側片區域、所述主背區、所述過渡區及所述下延伸區大致位於同一平面上以形成一睡墊表面，且所述睡袋布片可展開覆蓋於所述睡墊表面上以容納躺臥其上的使用者；且<br/> 其中，在所述背包構形下，所述睡袋布片是收納於所述內部收納空間內。
如請求項1所述之可轉換背包系統，其中所述主布體係由一單一連續布料形成，以界定所述上蓋區、所述主背區、所述過渡區及所述下延伸區。
如請求項1所述之可轉換背包系統，其中所述下延伸區於所述背包構形下向上摺疊，並形成所述內部收納空間之一前壁及／或一底壁的一部分。
如請求項1所述之可轉換背包系統，進一步包括一前蓋區，所述前蓋區與所述上蓋區連續，其中所述前蓋區於所述背包構形下能向前摺疊以覆蓋所述內部收納空間之一上開口，並經由至少一插扣固定於所述背包系統之前側部。
如請求項1所述之可轉換背包系統，其中所述緩衝墊包括一泡棉墊或一分段式泡棉墊，所述泡棉墊或分段式泡棉墊被構造成於所述背包構形下提供背負支撐，且於所述攤平構形下提供睡眠舒適性。
如請求項1所述之可轉換背包系統，進一步包括一墊體收納袋，所述墊體收納袋由所述主布體與一內襯布片之間形成，並至少延伸跨越所述主背區及所述下延伸區，其中一摺疊睡墊可插入至所述墊體收納袋中並自其中取出。
如請求項1所述之可轉換背包系統，其中所述睡袋布片沿所述主布體之周緣部分連接，以形成一具有開口並鄰接所述上蓋區之睡袋包覆空間。
如請求項1所述之可轉換背包系統，其中至少一所述側片區域包括一透明窗部，所述透明窗部由一透明高分子片材形成，以便於於所述背包構形下由側面視察置放於所述內部收納空間中的物品。
如請求項1所述之可轉換背包系統，進一步包括一容量調整扣合件，所述容量調整扣合件橫跨配置於所述過渡區，介於所述主背區與所述下延伸區之間，其中，開啟所述容量調整扣合件可於所述背包構形下增加所述內部收納空間之有效高度，且閉合所述容量調整扣合件可減少所述有效高度。
如請求項1所述之可轉換背包系統，進一步包括：<br/> 一對肩帶，所述肩帶連接於所述主背區，並被構造成於所述背包構形下供使用者將所述背包系統背負於背部；以及<br/> 一腰帶及一胸帶，所述腰帶及所述胸帶分別耦接於所述肩帶或所述主布體。
如請求項1所述之可轉換背包系統，其中所述下延伸區沿其下緣進一步延伸形成一封口延伸區，且所述第一長條扣合件及所述第二長條扣合件自所述封口延伸區之下端附近向上延伸至鄰近所述上蓋區之上方開口，使得於閉合所述第一長條扣合件及所述第二長條扣合件時，所述背包構形之所述上方開口被封閉。
一種績效管理系統，其包含：<br/> 一控制機構，其作為該績效管理系統運作時之運算處理、設定控制與整合；<br/> 一過程管理與毛利計算機構，其電連接該控制機構，該過程管理與毛利計算機構至少作為目標與任務管理、毛利計算參數設定以及毛利計算與績效分析；<br/> 一考核週期管理機構，其電連接該控制機構，該考核週期管理機構至少作為支援考核之模式，且建立流程引擎與通知機制，並提供考核表單與量表自定義功能；<br/> 一回饋機構，其電連接該控制機構，該回饋機構至少作為收集評比回饋，且提供匿名化與隱私保護設定，並產出回饋摘要與視覺化報表，以整合職能評估結果；<br/> 一績效紀錄與日誌機構，其電連接該控制機構，該績效紀錄與日誌機構至少作為分類日誌之建立，且提供即時紀錄介面，並整合考核資料與趨勢檢索功能，以連結至一專案管理系統與一教育訓練管理系統；以及<br/> 一績效分析與改善機構，其電連接該控制機構，該績效分析與改善機構至少作為績效儀表板之顯示、產出績效分析與改善報告、建立績效改善計畫、建立追蹤績效改善計畫、整合教育訓練投資報酬率以及整合員工投資報酬率數據。
如請求項1所述之績效管理系統，其中該控制機構、該過程管理與毛利計算機構、該考核週期管理機構、該回饋機構、該績效紀錄與日誌機構、以及該績效分析與改善機構為應用程式、軟體、硬體、中央處理器、AI處理器、邏輯電路或單晶片，並該控制機構、該過程管理與毛利計算機構、該考核週期管理機構、該回饋機構、該績效紀錄與日誌機構、以及該績效分析與改善機構為整合至電腦、伺服器、記憶體、硬碟或智慧型手機。
如請求項1所述之績效管理系統，其中該過程管理與毛利計算機構包括有一目標與任務管理模組、一毛利計算參數設定模組及一毛利計算與績效分析模組。
如請求項3所述之績效管理系統，其中該目標與任務管理模組用以建立目標設定、建立對齊邏輯、追蹤任務以及追蹤行為績效，且以視覺化介面呈現任務進度，並進行整合評分與績效結算。
如請求項3所述之績效管理系統，其中該毛利計算參數設定模組具有設定頁面功能，以作為基本薪資設定、部門參數設定、職稱參數設定、計算公式設定、獎金分配規則設定以及權限與稽核設定。
如請求項3所述之績效管理系統，其中該毛利計算與績效分析模組用以進行營收與成本追蹤，並進立自動化計算引擎，且以儀表板加以呈現。
一種企業文化管理系統，其包含：<br/> 一控制機構，其作為該企業文化管理系統運作時之運算處理、設定控制與整合；<br/> 一企業文化手冊管理機構，其電連接該控制機構，該企業文化手冊管理機構至少作為文化手冊編輯、文化手冊發布、文化傳播、以及文化評估與追蹤；<br/> 一獎項資料庫管理機構，其電連接該控制機構，該獎項資料庫管理機構至少作為獎項目錄之建立，並提供篩選、推薦、更新以及截止提醒；<br/> 一文件儲存管理機構，其電連接該控制機構，該文件儲存管理機構至少作為文件管理、文件上傳、文件追蹤、文件彙整、文件整合以及文件備份；<br/> 一申請輔助機構，其電連接該控制機構，該申請輔助機構至少作為文件申請、文案產生、簡報輸出以及進度追蹤；<br/> 一文件分析機構，其電連接該控制機構，該文件分析機構至少作為文件品質偵測、警示通知以及文件規格建議；以及<br/> 一影響力評估機構，其電連接該控制機構，該影響力評估機構至少作為整合資料進行成效分析、產出報獎潛力模型、提供推薦建議、提供成果摘要、產出提報文件以及分析企業文化對組織績效的影響力。
如請求項1所述之企業文化管理系統，其中該控制機構、該企業文化手冊管理機構、該獎項資料庫管理機構、該文件儲存管理機構、該申請輔助機構、該文件分析機構與該影響力評估機構為應用程式、軟體、硬體、中央處理器、AI處理器、邏輯電路或單晶片，並該控制機構、該企業文化手冊管理機構、該獎項資料庫管理機構、該文件儲存管理機構、該申請輔助機構與該文件分析機構為整合至電腦、伺服器、記憶體、硬碟或智慧型手機。
如請求項1所述之企業文化管理系統，其中該企業文化手冊管理機構包括有一文化手冊編輯與發布模組、一文化傳播機制模組及一文化評估與追蹤模組。
如請求項3所述之企業文化管理系統，其中該文化手冊編輯與發布模組用以建立企業願景、企業使命以及企業核心價值觀，且定義行為準則與文化規範，並編寫組織故事與創辦理念。
如請求項3所述之企業文化管理系統，其中該文化傳播機制模組用以作為新進員工文化導讀、文化故事平台分享、定期文化活動提醒以及文化價值觀融入績效評估。
如請求項3所述之企業文化管理系統，其中該文化評估與追蹤模組用以作為員工文化認同度調查、文化實踐行為觀察記錄、顯示文化指標儀表板以及產出文化落實分析報告。
一種繼電器裝置，包括： <br/>開關組件； <br/>多個引腳，電性連接所述開關組件； <br/>絕緣件，包覆所述開關組件與部分所述多個引腳；以及 <br/>導磁件，鄰接於所述開關組件與所述多個引腳。
如請求項1所述的繼電器裝置，其中所述絕緣件與所述導磁件為一體成型之膠體結構。
如請求項2所述的繼電器裝置，其中所述開關組件包括開關與線圈，且所述開關與所述線圈皆設置於所述膠體結構內。
如請求項2所述的繼電器裝置，更包括殼體，其中所述殼體具有圍繞所述開關組件與部分所述多個引腳的腔室，且所述膠體結構填滿所述腔室。
如請求項1所述的繼電器裝置，更包括基座，其中： <br/>所述基座具有相對的第一側與第二側； <br/>所述開關組件設置於所述第一側； <br/>所述多個引腳由所述第一側貫穿至所述第二側； <br/>所述導磁件包括第一導磁件與第二導磁件； <br/>所述第一導磁件設置於所述第一側上；以及 <br/>所述第二導磁件設置於所述第二側上。
如請求項5所述的繼電器裝置，其中所述第二導磁件直接接觸所述第二側上的所述多個引腳。
如請求項5所述的繼電器裝置，其中所述絕緣件包括被所述基座分隔開的第一絕緣件與第二絕緣件，所述第一絕緣件與所述第一導磁件為一體成型之膠體結構，所述第二絕緣件與所述第二導磁件為一體成型之另一膠體結構。
如請求項1所述的繼電器裝置，其中所述開關組件與所述多個引腳之間具有連接部分，所述導磁件僅包覆所述連接部分。
如請求項8所述的繼電器裝置，其中所述絕緣件與所述導磁件為單離之結構。
如請求項8所述的繼電器裝置，其中所述導磁件內縮於所述絕緣件。
一種3D列印單簧樂器簧片，係以一3D列印技術加以製成，用以設置於一單簧樂器之一吹嘴，並且包含：<br/> 一根部；以及<br/> 一斜面部，係自該根部沿一延伸方向延伸出，並且具有以一稜線分隔且彼此對稱之二斜面；<br/> 其中，該斜面部之厚度係沿該延伸方向而逐漸遞減，該稜線係自該根部沿該延伸方向延伸出，且該二斜面係由該稜線分別朝向該斜面部之兩側向下傾斜延伸。
如請求項1所述之3D列印單簧樂器簧片，其中，該單簧樂器係為一單簧管與一薩克斯風中之一者。
如請求項1所述之3D列印單簧樂器簧片，其中，該3D列印單簧樂器簧片之內部填充樣式係為同心填充樣式（Concentric infill）。
如請求項1所述之3D列印單簧樂器簧片，其中，該3D列印單簧樂器簧片係利用一熱塑性聚合物加以製成。
如請求項4所述之3D列印單簧樂器簧片，其中，該熱塑性聚合物係為PLA與PLA+中之一者。
如請求項1所述之3D列印單簧樂器簧片，其中，該3D列印技術係為一熔融沉積成型技術（Fused Deposition Modeling, FDM）。
一種具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，安裝於一伺服主機中，該伺服主機與多個使用者裝置資訊連接，包括：<br/> 一前端應用模組，經由網際網路供該些使用者裝置連線操作，並供每一使用者裝置透過使用具有特定使用者角色的使用者帳號進行登錄；<br/> 一即時資料庫模組，儲存多個詞彙集、使用者帳號、班級資料及學習成效資料；<br/> 一身分驗證模組，與該前端應用模組及該即時資料庫模組資訊連接，通過該前端應用模組依使用者角色控管對該即時資料庫模組中詞彙集及學習成效資料之存取權限；<br/> 一內容管理模組，與該前端應用模組及該即時資料庫模組資訊連接，用以透過教師角色的使用者帳號的使用者裝置建立包含多個詞彙項目之詞彙集，並將所述詞彙集指派至至少一班級資料中；<br/> 一學習活動模組，與該前端應用模組及該即時資料庫模組資訊連接，用以透過該前端應用模組提供學生角色的使用者帳號的使用者裝置多種互動式詞彙學習活動；以及<br/> 一成效追蹤模組，與該前端應用模組及該即時資料庫模組資訊連接，用以於學生角色的使用者帳號的使用者裝置完成任一互動式詞彙學習活動時，即時記錄並同步更新對應之成績於該即時資料庫模組對應的學習成效資料中，並將該學習成效資料即時提供教師角色的使用者帳號的使用者裝置檢視，以達成課堂學習成效之即時管理。
如請求項1所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中每一詞彙項目包含文字資料及至少一多媒體資料。
如請求項2所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，進一步包含一語音合成模組，該語音合成模組與該即時資料庫模組資訊連接，自動產生關於該詞彙項目的發音資料。
如請求項3所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中該多媒體資料包含由語音合成模組自動產生之發音資料。
如請求項1所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中每一學生角色的使用者帳號關聯性地連結一個班級資料與一個學習成效資料。
如請求項5所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中每一學生角色的使用者帳號能存取被指派至其所屬班級資料之詞彙集。
如請求項1所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中該互動式詞彙學習活動包含至少一互動式輸入活動，且該成效追蹤模組依該互動式輸入活動之結果記錄學習成績於對應的學習成效資料中。
如請求項7所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中該互動式輸入活動為拼音模式練習活動。
如請求項1所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中該成效追蹤模組依班級資料分類顯示多個學生角色的使用者帳號之學習成效資料。
如請求項1所述之具有拼音模式練習活動與教師績效追蹤的整合式課堂語言學習平台，其中該使用者裝置為智慧型手機或電腦。
一種應用於旋轉軸之電極接合方法的治具組，包含：<br/> 一治具，該治具包括一沿一上下方向延伸且呈管狀的管壁，及一穿設於該管壁的頂部的固定桿；<br/> 一旋轉軸，沿該上下方向穿設並銲接於該管壁底部，該旋轉軸包括一與該管壁相間隔的凹槽；<br/> 一電極材料層，連接於該治具與該管壁間；及<br/> 一承載架，包括一底架、一位於該底架上方的頂架，及複數連接於該底架及該頂架間的連接柱，該頂架具有複數沿該上下方向貫穿且彼此相間隔的穿設孔，每一穿設孔的內徑大於該管壁的外徑，該管壁穿入其中一穿設孔，該固定桿抵住該頂架的上方而完成固定。
如請求項1所述的應用於旋轉軸之電極接合方法的治具組，其中，該承載架還包括複數設置於該底架且對應該等穿設孔的收集盒。
如請求項1所述的應用於旋轉軸之電極接合方法的治具組，其中，該治具及該承載架的材質為高熱傳導材料，該電極材料層為銅金屬或銅合金。
一種具負氧離子之排油煙機，係包含有：一排油煙機本體，其內部設有一風機，用以將烹飪時所產生之油煙排出；一控制盒，係設置於該排油煙機本體前側，該控制盒內具有一電源控制電路板及一操作顯示模組，另該控制盒上具有一入風口及一出風口；一負氧離子產生裝置，係設置該控制盒內，其中該負氧離子產生裝置係藉由該入風口吸入空氣，經電離後再由該出風口排出，以形成一獨立於排油煙機主風道之外之負氧離子氣流路徑。
依據申請專利範圍第1項所述之具負氧離子之排油煙機，其中，該負氧離子產生裝置更包含有：一高壓模組，係設置於該控制盒內；一風扇，係設置於該控制盒內；一放電模組，係對應該出風口而設置於該控制盒內，並位於該風扇前方且與該高壓模組電性連接，該放電模組進一步包含有一固定架，該固定架係固定於該控制盒內，另該放電模組於該固定架二側分別設有一放電針板及一高壓地線板，使該放電針板及該高壓地線板相互平行並具有一預定之距離。
依據申請專利範圍第1項所述之具負氧離子之排油煙機，其中，該操作顯示模組更包含有：一顯示板，該顯示板上設有數個觸控鍵，每一該觸控鍵內皆設有一LED燈組，另該顯示板上設有一速度顯示器；一框架，係設於該顯示板前方，該框架對應該等LED燈組設有數個隔光框體；一透光膠膜，係設於該框架前方，該透光膠膜對應該等隔光框體分別具有一顯示圖面。
依據申請專利範圍第3項所述之具負氧離子之排油煙機，其中，該風機係選用交流馬達，而該電源控制電路板可使該風機之交流馬達具有無段變速之功能，並將風速顯示於該速度顯示器上。
依據申請專利範圍第1項所述之具負氧離子之排油煙機，其中，該控制盒包含有一盒體，該盒體更包含有：一散熱座，係以鋁合金為材質，該電源控制電路板底部具有一導熱板，該導熱板係直接貼附於該散熱座上；一上蓋，係設於該散熱座上，使該散熱座與上蓋之間具有容置空間，且該上蓋係以透明之壓克力為材質，該入風口係設於該上蓋上方，而該出風口則設於該上蓋前方。
一種發電機之飛輪軸承裝置，其包含有一飛輪軸承裝置、一主控制器與一發電機，其中：所述飛輪軸承裝置位於一近真空空間內，所述飛輪軸承裝置具有一飛輪，該飛輪兩端各設有一磁浮軸承，當所述飛輪轉動時帶動該發電機產生電能，所述主控制器可控制一真空抽取裝置用以抽出該近真空空間內的空氣令其接近真空狀態，所述主控制器以綠電驅動一馬達傳動所述飛輪，並以該飛輪帶動所述發電機用以發電，所述馬達以一轉速感知器感測其轉速，於該馬達到達一定轉速後透過一離合器脫離該飛輪，所述飛輪設有數內磁力部，該飛輪外設有數外磁力部，所述外磁力部與該內磁力部之間磁力相斥以調整該飛輪與轉動方向相同的力矩，以維持該發電機產生的電能，當所述轉速感知器感測到該飛輪轉速不足時再透過所述離合器令該馬達與所述飛輪連接，將該飛輪的轉速拉回正常速度。
如請求項1所述的發電機之飛輪軸承裝置，其中，所述發電機產出的電可以儲存在儲電裝置、家用電及儲電系統或以市電形式供電。
如請求項1所述的發電機之飛輪軸承裝置，其中，所述主控制器以一真空感測器偵側該近真空空間內的真空度，並用以調整所述真空抽取裝置的運轉強度。
如請求項1所述的發電機之飛輪軸承裝置，其中，所述飛輪外側使用剛性較強的複合材料以減少因高速運作而產生變形的損耗。
如請求項1所述的發電機之飛輪軸承裝置，其中，所述馬達是透過皮帶與齒輪傳動該飛輪。
一種自動啟閉裝置，設於一排水設施，包含一基座，及一樞設於該基座的蓋體，該自動啟閉裝置包含：<br/> 一浮力致動單元，定義出一作業路徑；及<br/> 一鎖固單元，設置於該基座，該鎖固單元包含一受力開關件，一連接該受力開關件的傳動連桿，及一連接該傳動連桿的卡掣件，該受力開關件至少部分位於該浮力致動單元的該作業路徑；<br/> 其中，該鎖固單元包含一由該卡掣件限制該蓋體的第一狀態，及一由該浮力致動單元施力於該受力開關件驅使該卡掣件釋放該蓋體的第二狀態。
如請求項1所述的自動啟閉裝置，其中，該浮力致動單元包含一設置於該基座的容置筒，及一活動設置於該容置筒內的第一浮力件，該第一浮力件的活動軌跡定義為該作業路徑。
如請求項2所述的自動啟閉裝置，其中，該容置筒的一端具有一進水孔，該容置筒的另端具有一第一泄水孔，該第一泄水孔的孔徑小於該進水孔的孔徑。
如請求項3所述的自動啟閉裝置，其中，該容置筒於該第一泄水孔設有一止回單元，該止回單元包含一用以遮蔽該第一泄水孔的封堵件，該封堵件的尺寸大於該第一泄水孔的孔徑。
如請求項2所述的自動啟閉裝置，其中，該浮力致動單元更包含一與該容置筒連通的集水管，該集水管的一端顯露於該基座的一受水面並形成一集水開口。
如請求項1所述的自動啟閉裝置，其中，該受力開關件包含一樞接於該基座的轉動部，該傳動連桿連接該受力開關件的位置與該轉動部呈間隔配置。
如請求項1所述的自動啟閉裝置，其中，該基座設有一用以導引該卡掣件的軌道。
一種自動護欄系統，設於一排水設施，該排水設施設有如請求項1所述的自動啟閉裝置，該自動護欄系統包含：<br/> 複數第一導管，分別包含一提供液體進入的入口端及一連通該入口端的腔室；<br/> 複數第二浮力件，分別設置於該些第一導管的該些腔室；以及<br/> 一圍束件，連接該些第二浮力件；<br/> 其中，該些第二浮力件包含一位於該些第一導管低處的第三狀態，以及一受浮力作用產生上升至該些第一導管高處的第四狀態，當液體經由該入口端進入該腔室並上升至一預定高度時，該些第二浮力件因浮力作用由該第三狀態切換至該第四狀態。
如請求項8所述的自動護欄系統，其中，該自動護欄系統更包含一連接該些第一導管的第二導管，該第二導管設有一對外連通的第二泄水孔。
如請求項9所述的自動護欄系統，其中，每一該第二浮力件分別為一低密度的泡沫柱，且每一該泡沫柱外徑對應每一該腔室的內徑。
一種驅動裝置，包含：<br/> 一外殼結構；<br/> 一控制器模組，容置於該外殼結構內；<br/> 一馬達模組，容置於該外殼結構內且與該控制器模組在一軸線的延伸方向上間隔設置，該馬達模組包括一沿該軸線的延伸方向延伸並能夠受到該控制器模組驅動而樞轉的馬達轉軸，該馬達轉軸具有一鄰近該控制器模組的轉軸端部；及<br/> 一散熱模組，包括一熱傳導結構及一導流結構，該熱傳導結構貼靠於該控制器模組鄰近該馬達模組的一側與該外殼結構，並用於將該控制器模組的熱能傳導至該外殼結構以向外發散；該導流結構具有一設置於該轉軸端部的風扇，該風扇能夠受到該馬達轉軸帶動而轉動，以將該外殼結構外的氣體吸入該外殼結構內形成一通過該控制器模組與該馬達模組之間的氣流。
如請求項1所述的驅動裝置，其中，該外殼結構包括在該軸線的延伸方向上間隔設置的一控制器殼體及一馬達殼體，該控制器殼體供該控制器模組容置於內，該馬達殼體供該馬達模組容置於內；該熱傳導結構位於該控制器殼體內，且該熱傳導結構的兩相反側分別貼靠於該控制器模組鄰近該馬達模組的一側與該控制器殼體的內表面。
如請求項2所述的驅動裝置，其中，該控制器模組包括至少一個電路板及多個設置在該電路板鄰近該馬達模組的一面的電子元件；該熱傳導結構具有多個繞該軸線排列布置的熱傳導件，各該熱傳導件的兩相反面分別貼靠於至少一個該電子元件鄰近該馬達模組的一側與該控制器殼體的內表面，以將相應的該電子元件運作時所產生的熱能傳導至該控制器殼體而向外發散。
如請求項1所述的驅動裝置，其中，該熱傳導結構具有至少一個熱傳導件，該熱傳導件為一均溫板或一熱管。
如請求項2所述的驅動裝置，其中，該控制器殼體與該馬達殼體共同界定出一散熱空間；該轉軸端部延伸至該散熱空間；該導流結構還具有一設置於該控制器殼體與該馬達殼體之間的導流件，該導流件將該散熱空間分隔成一鄰近該控制器殼體的進氣通道，及一鄰近該馬達殼體的出氣通道，該導流件具有一連通該進氣通道與該出氣通道的導流孔；該風扇能夠受到該馬達轉軸帶動而轉動，以將該外殼結構外的氣體吸入該外殼結構內，形成依序通過該進氣通道、該導流孔與該出氣通道而與該控制器殼體、該馬達殼體熱交換的該氣流。
如請求項5所述的驅動裝置，其中，該馬達殼體具有一環繞該軸線的馬達殼圍繞壁，及一設置於該馬達殼圍繞壁的外表面的散熱鰭片。
如請求項5所述的驅動裝置，其中，該外殼結構還包括多個環繞該軸線相互間隔地排列布置的支撐件，各該支撐件的兩相反側分別連接於該控制器殼體與該導流件，相鄰的兩個該支撐件界定出一連通該進氣通道的進氣口。
如請求項5所述的驅動裝置，其中，該導流件具有一呈環狀且界定出該導流孔的板體部，及一自該板體部的外周緣朝遠離該控制器殼體的方向延伸的環壁部，該環壁部與該馬達殼體共同界定出一連通該出氣通道的出氣口。
一種拉門按壓回彈器，其包括：<br/> 一滑軌架，呈中空狀；<br/> 一滑輪組，該滑輪組活動設置於該滑軌架內，並得以沿著該滑軌架內活動位移，且該滑輪組具有相互樞接之一滑塊件、一作動件，該作動件未樞接該滑塊件的一端具有一樞擺槽、一樞擺件，該樞擺件的一端固定於該樞擺槽之槽底一側，該樞擺件的另一端在該樞擺槽之槽底另一側得以活動的左右樞擺，並朝該樞擺槽之槽底相反側凸起有一作動塊；<br/> 一切換座，活動裝設於該滑軌架，該切換座的兩端分別具有一止擋部、一作動部，該作動部具有一作動槽，該作動塊活動於該作動槽內位移，又該作動槽具有一出入口，且該作動槽內具有一導引件，使該作動槽內部形成一第一路徑、一第二路徑，該導引件與該作動槽的內壁面形成一中繼槽，且該第一路徑、該第二路徑、該中繼槽、該出入口相通，又該止擋部具有一組裝孔、一彈性件組，該組裝孔朝向該作動部，該彈性件組活動裝設於該組裝孔，且該彈性件組之部分凸出於該組裝孔；<br/> 其中，該作動塊通過該出入口進入該作動部內，利用該作動件彈抵該彈性件組，使該作動塊得以受該導引件的導引經由該第一路徑進入並停留於該中繼槽，再次利用該作動件彈抵及釋放該彈性件組，使該作動塊脫離該中繼槽，經由該第二路徑通過該出入口，並離開該作動部。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該止擋部另設有一緩衝件，該緩衝件位於靠近該組裝孔處，當該活動塊經由該第一路徑位移時，該作動部活動的靠抵該緩衝件。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該彈性件組進一步包含一彈性件、一迫抵件，該彈性件的部分活動裝設於該組裝孔，該彈性件的另一部分凸出於該組裝孔，並與該迫抵件套組連接。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該導引件進一步具有一第一導引面，該第一路徑進一步包含一第一變向段，當作動塊經由該第一路徑位移時，該作動件壓縮該彈性件組，該作動塊受該第一導引面的導引進入該第一變向段，當該彈性件組釋放而推動該作動件時，該作動塊脫離該第一變向段並進入該中繼槽。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該導引件進一步具有一第二導引面，該第二路徑進一步包含一第二變向段，當作動塊經由該第二路徑位移時，該作動件壓縮該彈性件組，該作動塊受該第二導引面的導引脫離該中繼槽並進入該第二變向段，當該彈性件組釋放而推動該作動件時，該作動塊脫離該第二變向段並往該出入口方向位移。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該作動部進一步具有複數第三導引面，各第三導引面分別位於該出入口的兩側，確保該作動塊受各第三導引面的導引通過該出入口，進入該作動部內。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該滑塊件與該作動件相互樞接的一端具有一樞接槽，該作動件對應該樞接槽具有一樞接部，一樞接件貫穿該樞接槽與該樞接部而使該樞接槽、該樞接部相互樞接。
如請求項1所述之拉門按壓回彈器，其中該滑軌架進一步具有一安裝槽，該安裝槽與該滑軌架內部相通，又該切換座進一步具有一安裝部，該安裝部活動卡設於該安裝槽。
如請求項8所述之拉門按壓回彈器，其中該安裝槽的兩側分別朝向彼此方向延伸有一勾部，該安裝部貫穿具有複數鎖固孔，且該切換座之該安裝部對應各勾部具有一卡抵部，當該安裝部活動卡設於該安裝槽時，複數鎖固件穿過各鎖固孔並迫抵於該安裝槽之槽底，使該卡抵部與各勾部相互迫緊。
如請求項8所述之拉門按壓回彈器，其中該滑軌架之該安裝槽相對側具有複數軌道部，該滑塊件的兩側分別設有相互對應之滑輪部，各滑輪部滑組於各軌道部。
一種捕蚊魚缸，係包含：<br/>魚缸本體、捕蚊燈座主體、誘蚊燈和電擊網所組合而成，其中，魚缸本體與一般魚缸無異，位於最下方，捕蚊燈座主體位於魚缸本體上方，與一般的捕蚊燈無異，內部包含誘蚊燈、電擊網，以及開關、電路板、電線等習知的必要零主件，惟捕蚊燈座主體的底部鏤空，誘蚊燈的功用是誘引蚊子，電擊網位於魚缸本體上方，用於擊殺蚊子，使用時，打開捕蚊燈座主體開關，當蚊子飛進捕蚊燈座主體內部並觸及電擊網就會被電擊，同時掉落魚缸之中成為裡面魚的飼料。
一種伸縮式掛鉤機構，包含： <br/>一殼體本體(1)，包含一上殼體(11)與一下殼體(12)，其中該上殼體(11)蓋合至該下殼體(12)，且該上殼體(11)與該下殼體(12)之間形成有一本體容置空間(1s)，且在該殼體本體(1)的一側端開設有連通該本體容置空間(1s)的一本體側端開口(1a)；以及 <br/>一伸縮組件(2)，可滑動式的設置於該殼體本體(1)之該本體容置空間(1s)內，且該伸縮組件(2)包含一伸縮桿(21)與複數個掛鉤(22)，該複數個掛鉤(22)設置於該伸縮桿(21)的一伸縮桿(21)底部； <br/>其中，在一使用狀態下，該伸縮組件(2)自該殼體本體(1)的該本體側端開口(1a)往一第一方向(D)滑動，使該伸縮組件(2)的一部份及該複數個掛鉤(22)其中至少一者位於該殼體本體(1)的外側，以供一掛件(C)設置於該掛鉤(22)上，在一收納狀態下，該伸縮組件(2)往該第一方向(D)的反方向滑動，使該伸縮組件(2)整體收回該殼體本體(1)之該本體容置空間(1s)內。
如請求項1所述之伸縮式掛鉤機構，其中該上殼體(11)開設有一上容置槽(111)，且該上容置槽(111)與該上殼體(11)之一上殼體側端之間形成一上殼體側端開口(111a)。
如請求項2所述之伸縮式掛鉤機構，其中該上殼體(11)之該上容置槽(111)與該上殼體(11)之一上殼體(11)底部之間形成一上殼體底部開口(111b)。
如請求項3所述之伸縮式掛鉤機構，其中該下殼體(12)開設有一下容置槽(121)，且該下殼體(12)之該下容置槽(121)與該下殼體(12)之一下殼體頂部之間形成一下殼體頂部開口(121b)，使該上殼體(11)與該下殼體(12)連接時，該上殼體(11)之該上殼體側端開口(111a)對應該下殼體(12)之該下殼體頂部開口(121b)，讓該上殼體(11)之該上容置槽(111)連通於該下殼體(12)之該下容置槽(121)，以形成該本體容置空間(1s)。
如請求項4所述之伸縮式掛鉤機構，其中該下容置槽(121)與該下殼體(12)之一下殼體側端之間形成一下殼體側端開口(121a)，且該上殼體(11)與該下殼體(12)連接時，該上殼體(11)之該上殼體側端開口(111a)與該下殼體(12)之該下殼體側端開口(121a)皆位於該殼體本體(1)的同一該側端，使該殼體本體(1)的該側端形成該本體側端開口(1a)。
如請求項4所述之伸縮式掛鉤機構，其中該下殼體(12)之該下殼體頂部開口(121b)的一寬度小於該下殼體(12)之該下容置槽(121)的一寬度，使該下殼體(12)的兩側向內形成兩個嵌合部(122)。
如請求項1所述之伸縮式掛鉤機構，其中該上殼體(11)具有複數個上固定孔(112)，且該上固定孔(112)自該上殼體(11)之一上殼體頂部貫穿至一上殼體(11)底部。
如請求項7所述之伸縮式掛鉤機構，其中該下殼體(12)具有複數個下固定孔(123)，且該下固定孔(123)自該下殼體(12)之一下殼體頂部貫穿至一下殼體底部，使該上殼體(11)與該下殼體(12)藉由複數個鎖固件(3)穿過該上殼體(11)之該上固定孔(112)與該下殼體(12)之該下固定孔(123)，以將該上殼體(11)與該下殼體(12)鎖固在一起。
如請求項2所述之伸縮式掛鉤機構，其中該上殼體(11)之該上容置槽(111)的兩側具有兩個滑軌(113)，而該伸縮組件(2)之該伸縮桿(21)對應該上殼體(11)之該兩個滑軌(113)的兩側具有兩個滑槽(211)，使該伸縮桿(21)藉由該滑槽(211)自該上殼體(11)之該兩個滑軌(113)上滑動。
如請求項9所述之伸縮式掛鉤機構，其中在該伸縮組件(2)之該伸縮桿(21)相鄰該兩個滑槽(211)的一端具有一把手(23)，該把手(23)用於供一使用者將該伸縮組件(2)拉往該第一方向(D)移動。
如請求項1所述之伸縮式掛鉤機構，其中該複數個掛鉤(22)其中相鄰的兩者彼此間隔一段距離設置，且該複數個掛鉤(22)的複數個鉤部(221)皆朝向同一方向。
一種施工用練習板，以供貼膜施工之練習，其包含：<br/> 一第一表面；<br/> 一第二表面，其平行於該第一表面，並與該第一表面之形狀相同，呈對稱設置；<br/> 一外周緣，其連接於該第一表面及該第二表面之間，並界定有複數個角度練習區，其中，該等角度練習區包含至少一直角段、至少一鈍角段及至少一銳角段，用以練習多種角度之貼膜裁切；<br/> 至少一通孔，其貫穿設於該第一表面及該第二表面之間，用以練習通孔之貼膜裁切與收邊。
如請求項1所述之施工用練習板，其中，該外周緣更界定有複數個邊緣練習區，每一個該邊緣練習區係設於兩個該角度練習區之間，且該等邊緣練習區包含至少一直線段及至少一弧線段，用以練習多種邊緣之貼膜裁切。
如請求項2所述之施工用練習板，其中，該等角度練習區更包含至少一導圓角段。
如請求項3所述之施工用練習板，其中，該等角度練習區係具有一個該直角段、一個該導圓角段、一個該鈍角段及一個該銳角段，該等邊緣練習區係具有一第一直線段、一第二直線段及一第三直線段等三個該直線段、及一個該弧線段，其中，該第一直線段及該第三直線段係互相平行，該第二直線段及該弧線段皆係連接於該第一直線段及該第三直線段之間，而該直角段係設於該第一直線段及該第二直線段之間，該導圓角段係設於該第二直線段及該第三直線段之間，該鈍角段係設於該第三直線段及該弧線段之間，該銳角段係設於該弧線段及該第一直線段之間。
如請求項1至4中任一項所述之施工用練習板，其更包含至少一玻璃夾具組件，可拆卸地設於該外周緣之一側，並於該第一表面及該第二表面上形成一貼膜施工之障礙區。
如請求項1至4中任一項所述之施工用練習板，其中，該至少一通孔係三個以上，垂直相鄰之兩通孔具有不同大小之孔徑，而水平相鄰之兩通孔具有相同孔徑。
如請求項6所述之施工用練習板，其更包含一門把手組件，可拆卸地穿設於該水平相鄰之兩通孔，以橫向設置於該第一表面及該第二表面之間。
如請求項1至4中任一項所述之施工用練習板，其中，該至少一通孔係具有兩第一通孔及兩第二通孔，該兩第一通孔係水平相鄰，並具有相同孔徑，該兩第二通孔係水平相鄰，並具有相同孔徑，而各該第一通孔與各該第二通孔係垂直相鄰，且各該第一通孔之孔徑係小於各該第二通孔。
如請求項8所述之施工用練習板，其中，該兩第一通孔之間距與該兩第二通孔之間距相同。
如請求項8所述之施工用練習板，其更包含一門把手組件，可拆卸地穿設於該兩第一通孔，以橫向設置於該第一表面及該第二表面之間。
一種濾膜清洗設備，包含:<br/> 一機架單元；及<br/> 至少一清洗單元，包括一設置於該機架單元的下桶模組、一可拆卸地設置於該下桶模組的上桶體、一設置於該下桶模組的排水器，及一鎖固模組，該下桶模組具有一界定出一下桶槽的下桶體、一設置於該下桶槽內並界定出一氣洗孔的氣洗管、一設置於該下桶體並與該下桶槽連通的第一進氣管、一設置於該下桶體並與該氣洗孔連通的第二進氣管、一設置於該下桶體的上方的曝氣盤、一夾置於該曝氣盤的底面與該下桶體之間的下密封環，及一設置於該曝氣盤的頂面的上密封環，該曝氣盤形有一與該氣洗管套接的套接孔，及數與該下桶槽連通的曝氣孔，該上桶體界定出一上桶槽，該上桶槽連通於該氣洗孔與該等曝氣孔，該上密封環夾置於該上桶體與該曝氣盤的頂面之間，該排水器與該下桶槽連通，該鎖固模組設置於該下桶體與該上桶體之間，並用於將該上桶體與該下桶體鎖固在一起。
如請求項1所述的濾膜清洗設備，其中，該下桶模組還具有一設置於該第一進氣管的第一管接頭，該排水器設置於該第一管接頭，並經由該第一管接頭與該第一進氣管連通於該下桶槽。
如請求項2所述的濾膜清洗設備，其中，該下桶模組還具有一設置於該第二進氣管的第二管接頭，該排水器是一種排水閥。
如請求項1所述的濾膜清洗設備，其中，該下桶體具有一下桶底壁、一從該下桶底壁的周緣朝上延伸出的下桶周壁，及一從該下桶周壁的頂端朝外延伸出的下凸緣壁，該下凸緣壁形成有數下穿孔，該曝氣盤還形成有數對應於該等下穿孔的外圍穿孔，該上桶體具有一上桶周壁，及一從該上桶周壁的底端朝外延伸出的上凸緣壁，該上凸緣壁形成有數對應於該等外圍穿孔的上穿孔，該鎖固模組具有數對應於該等上穿孔的鎖固螺栓，及數鎖固螺帽，每一鎖固螺栓穿過各別的上穿孔、各別的外圍穿孔與各別的下穿孔，每一鎖固螺帽螺鎖於各別的鎖固螺栓，並用於將該上凸緣壁、該曝氣盤與該下凸緣壁鎖固在一起。
如請求項1所述的濾膜清洗設備，其中，該鎖固模組具有數彈簧壓縮搭扣，每一彈簧壓縮搭扣具有一設置於該上桶體的固定扣件，及一設置於該下桶體的活動扣件，該活動扣件可拆卸地卡扣於該固定扣件。
如請求項1所述的濾膜清洗設備，還包含一中央供氣單元，並包含數清洗單元，該中央供氣單元設置於該機架單元，並包括一供氣管，及數設置於該供氣管的開關閥，該等開關閥連通於該等清洗單元的下桶模組的第一進氣管與第二進氣管。
如請求項1所述的濾膜清洗設備，包含數清洗單元，該機架單元包括一底架、一設置於該底架並界定出一集水空間的集水盤，及一設置於該底架的第一側框架，該第一側框架具有一沿一橫方向延伸的扶手桿，該等清洗單元設置於該集水盤。
如請求項7所述的濾膜清洗設備，還包含一中央供氣單元，該第一側框架還具有一在一縱方向相對於該扶手桿並沿該橫方向延伸的安裝橫桿，及數間隔地設置於該安裝橫桿並沿一高度方向延伸的安裝豎桿，該中央供氣單元包括一設置於該等安裝豎桿的供氣管，及數設置於該供氣管的開關閥，該等開關閥連通於該等清洗單元的下桶模組的第一進氣管與第二進氣管。
如請求項7所述的濾膜清洗設備，其中，該集水盤形成一與該集水空間連通的排水孔。
如請求項7所述的濾膜清洗設備，其中，該機架單元還包括一設置於該底架並在一縱方向上相對於該第一側框架的第二側框架、一沿該縱方向延伸並連接於該第一側框架與該第二側框架之間的補強樑，及數設置於該底架的滾輪。
一種曝氣管，包含有一管體，該管體的底部具有一封底將底部封閉，該管體的頂部為一開放口，該管體在底部與頂部之間具有一封板將管體內部隔開，該封板設有貫穿兩面的複數發散孔，在該封板與封底之間形成一封閉的氣室，該氣室設有一進氣孔，在該封板與該開放口之間形成一發散室，該氣室由進氣孔與外部相通，該氣室由發散孔與發散室相通，該發散室的頂部由開放口與外部相通。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，該些發散孔的總截面積小於進氣孔的截面積。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，該發散孔的孔徑在0.5mm-1.5mm，該進氣孔的孔徑在10mm-15mm。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，該發散孔的孔徑為1.0mm，該進氣孔的孔徑為12mm。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，在該發散室的管體內壁設有複數條軸向的摩擦板，在該封板上對應於該每一摩擦板的兩側各設有一該發散孔。
如申請專利範圍第5項中所述之曝氣管，其中，該摩擦板的底部與封板連結在一起。
如申請專利範圍第6項中所述之曝氣管，其中，該摩擦板由封板往上延伸到接近開放口。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，在該進氣孔位置設有一接頭，供連接外部的供氣裝置。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，該管體包含由一第一管體及一第二管體結合而成，其中，該第一管體及該第二管體的結合處在該封板與該封底之間。
如申請專利範圍第1項中所述之曝氣管，其中，該進氣孔設於該封底。
一種手機支架，包括一座體，該座體內側設有一磁吸部，用以吸附於一手機殼上，而該座體上則設有一氣囊部；其改良在於：<br/> 該座體於該氣囊部之周圍設有一環形架體，該環形架體係可活動開啟於該座體上，並可旋轉繞動於該座體上。
如請求項1所述之手機支架，其中該氣囊部係可升降於該座體上。
如請求項1所述之手機支架，其中該環形架體係包含有一第一支架與一第二支架，其中該第一支架與該第二支架之間係設有一樞軸，使該第一支架可開啟或蓋合於該第二支架上，且開啟時，該環形架體的第一支架與第二支架可旋轉繞動於該座體上。
如請求項3所述之手機支架，其中該座體設有一凹陷部，用以供該環形架體容置於內。
如請求項4所述之手機支架，其中該凹陷部設有一齒部，該第二支架設有一卡部，該卡部可彈卡於該座體之齒部上，並發出聲音。
一種專用於單口消防栓上之旋轉活動裝置，係以模組化架設於單口消防栓底部，主要結構係由上固定承座體、下固定承座體所組合而成；藉由下固定承座體套置於上固定承座體下，使上、下固定承座體間能旋轉轉動，上、下固定承座體之側面上分別各設一定位螺桿，且於該兩定位螺桿上套設一定位卡扣及一插梢，使上、下固定承座體又能被固定成一體者。
如申請專利範圍第1項所述專用於單口消防栓上之旋轉活動裝置，其中，上固定承座體整體略呈T字形管體，中心孔為水源銜接口，上端面配合單口消防栓之連接座銜接螺桿數設有等數等位之螺孔，藉由螺桿使其能與單口消防栓螺固成一體。
如申請專利範圍第1項所述專用於單口消防栓上之旋轉活動裝置，其中，下固定承座體之中心孔係作為套合在上固定承座體上用，其端面上亦配合水源銜接管之連接座銜接螺桿數設有等數等位之螺孔，藉由螺桿使其能與水源銜接管螺固成一體者。
如申請專利範圍第1項所述專用於單口消防栓上之旋轉活動裝置，其中，上、下固定承座體之套合面上設有滾動鋼珠與密封O型環，其中下固定承座體側面上並設有一注入潤滑油至滾動鋼珠用之油嘴，藉以達到減少其間的摩擦係數與增加轉動性以及防止滲水者。
一種雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，用以安裝於一頭盔，其係包含有：<br/> 一雙眼雙筒夜視鏡，其係包含有一鏡橋組總成，該鏡橋組總成底部之兩側係分別設有一磁性件，該鏡橋組總成之兩側係分別樞接有一轉動件，每一轉動件之底部係連接有一鏡筒本體，每一鏡筒本體兩端係分別具有一目鏡組總成和一物鏡組總成，每一鏡筒本體相對該磁性件之位置處係設有一磁偵測元件，每一磁偵測元件係電性連接該每一鏡筒本體；<br/> 一頭盔結合座，其係可安裝於該頭盔，並包含有一本體、一頭盔安裝架和一旋轉支架，該本體係包含有一旋轉部，該頭盔安裝架係用以定位並固定該本體，該旋轉支架係包含有一滑軌、一水平調整件和一固定件，該滑軌係固設於該旋轉部，該水平調整件係設於該滑軌上方並具有一對水平調整按鈕嚙合於該滑軌，該固定件係設於該滑軌下方並固定於該水平調整件，該固定件可供固定該雙眼雙筒夜視鏡。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，該磁偵測元件可於一預定範圍內偵測該磁性件之磁性，使每一鏡筒本體向上側翻會自動斷電。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，該鏡橋組總成之前側係設有電性連接之一開關和一電池室。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，該鏡橋組總成之一側係設有一外接電源接頭。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，該磁性件係為一磁鐵。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，每一轉動件之外側係設有一瞳距調節螺絲。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，該本體係包含有一垂直高度調整開關，該旋轉部內係依序穿設有一套筒和一觀測模式切換開關，該套筒係以偏心方式連接一傾斜角度調整旋鈕。
依據請求項1所述之雙眼雙筒夜視鏡及其頭盔結合座，其中，該鏡橋組總成之一側係設有一外接電源接頭，該外接電源接頭係電性連接一電池盒，該電池盒係可配置於該頭盔之後側。
一種震盪砂光研磨裝置調整結構，包含：<br/> 一基座；<br/> 一震動研磨軸，設置於該基座；<br/> 一輸送單元，設置於該基座，該輸送單元位於該震動研磨軸的下方並且與該震動研磨軸保持一定距離；<br/> 一第一驅動單元，設置於該基座並連接該震動研磨軸的軸心，以驅動該震動研磨軸沿軸線自轉；<br/> 一第二驅動單元，設置於該基座並包含一齒輪箱、一凸輪、一連桿及一滑座，該凸輪結合設置於該齒輪箱的一出力軸，該連桿的兩端分別偏心結合該凸輪及該滑座，該滑座連動結合該震動研磨軸，用以驅動該震動研磨軸沿上述軸線往復位移，該凸輪徑向貫設一第一容置孔以及軸向貫設一第二容置孔，該第一容置孔與該第二容置孔相互連通，該第一容置孔容設該出力軸，該第二容置孔設置一調壓件，該調壓件藉由旋入該第二容置孔而軸向抵推該出力軸；及<br/> 一第三驅動單元，設置於該基座並連接該輸送單元，以驅動該輸送單元。
如請求項1所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該出力軸表面形成一凹槽，該第二容置孔具有一適形部，該適形部的輪廓對應該凹槽之形狀，且該適形部貼抵於該凹槽的部分表面。
如請求項1所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該輸送單元包含一第一轉動軸、一第二轉動軸、複數固定件、一支撐板及一輸送帶，該支撐板設置於該基座，該第一轉動軸以及該第二轉動軸分別透過該複數固定件可轉動地樞接於該支撐板的兩側，該第一轉動軸連接該第三驅動單元，該輸送帶繞設於該第一轉動軸以及該第二轉動軸，並經由該支撐板之表面滑動支承，由該第一轉動軸之轉動帶動該輸送帶進行循環位移。
如請求項3所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該基座更包含一底部支架，該底部支架的側邊設置一調高組件，該調高組件連接該支撐板，該調高組件包括一螺柱及一旋轉單元，該旋轉單元係螺合於該螺柱，藉由轉動該旋轉單元以驅動該螺柱轉動，進而使該輸送單元產生垂直位移。
如請求項4所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該輸送單元側邊設置複數定位件，該複數定位件係限制該輸送單元與該底部支架之間的相對位移。
如請求項3所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該第二轉動軸兩端結合的各該固定件係分別結合一水平校準結構，各該水平校準結構用以微調該第二轉動軸兩端的水平傾斜角度，以調整該第二轉動軸之軸線與該第一轉動軸之軸線間之平行度。
如請求項6所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，各該水平校準結構包含一第一固定座、一第二固定座及一調整螺絲，該第一固定座設置於該支撐板的側邊，該第二固定座設置於該固定件的側邊，該第一固定座與該第二固定座呈相互平行且分別具有一第一通孔及一第二通孔，該調整螺絲螺合於該第一通孔與該第二通孔，藉由旋轉該調整螺絲以改變該第一固定座與該第二固定座之相對間距，進而微調該第二轉動軸之水平傾斜角度。
如請求項1所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該震動研磨軸的外部設置一第一殼體，該第一驅動單元之部分結構的外部設置一第二殼體，該第一殼體與該第二殼體分別固設於該基座並界定出獨立的容置空間。
如請求項8所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該第一殼體遠離該第一驅動單元的一端設置一軸座孔，該軸座孔內容設一軸承座及設置於該軸承座內的一軸承，該震動研磨軸的一端穿設並支承於該軸承。
如請求項9所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該第一殼體與該第二殼體之間設置複數校準螺栓，該複數校準螺栓係跨設於該第一殼體與該第二殼體之交界面，用以微調該第一殼體相對於該第二殼體之角位移。
如請求項8所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，更包括一上蓋，該上蓋設置於該第一殼體的上方，該上蓋係呈光滑表面，該上蓋表面設置一排出口。
如請求項11所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該排出口內部設置十字形的一分隔單元，該分隔單元將該排出口區隔為大小相同的四等分。
如請求項11所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該第一殼體於頂端一側設置一第一鎖固單元，該第一殼體於頂端的另一側設置一第二鎖固單元，該第二鎖固單元的位置介於該二第一鎖固單元之間，該二第一鎖固單元及該第二鎖固單元係用以鎖固該上蓋的底緣。
如請求項1所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該基座更包含一底座，該底座的表面稱抵該基座的底部，該底座的底面具有複數延片，該複數延片朝向異於該底座的方向延伸。
如請求項1所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該基座具有至少一中段支撐板，該中段支撐板位於該基座的中段位置，且該中段支撐板的兩端與該基座對稱的內壁面連接。
如請求項15所述之震盪砂光研磨裝置調整結構，其中，該基座具有一支撐軸套，該支撐軸套貫設於該中段支撐板，該支撐軸套用以容設該震動研磨軸的一端。
一種溝槽式碳化矽功率裝置，包含:<br/> 一碳化矽磊晶層，包括一頂面、一相反於該頂面的底面、兩個間隔地設置並自該頂面朝向該底面延伸的閘極溝槽，及一間隔地設置在該等閘極溝槽間且自該頂面朝向該底面延伸的源極溝槽；<br/> 兩個閘極氧化層，分別位於該等閘極溝槽內，且覆蓋該等閘極溝槽內的該碳化矽磊晶層；<br/> 兩個閘極多晶矽層，分別位於該等閘極溝槽內，且被該等閘極氧化層圍繞，並露出各自的頂面；<br/> 一源極多晶矽層，位於該源極溝槽內；<br/> 一阻隔氧化層，位於該源極溝槽內，且疊置在該源極多晶矽層的一頂面上；<br/> 一接觸金屬層，疊置在該阻隔氧化層上。
如請求項1所述的溝槽式碳化矽功率裝置，其中，該阻隔氧化層的材料為二氧化矽。
如請求項1所述的溝槽式碳化矽功率裝置，其中，該接觸金屬層的材料選自鎳或鈦。
如請求項1所述的溝槽式碳化矽功率裝置，還包含一源極氧化層，該源極氧化層位於該源極溝槽內，且覆蓋該源極溝槽內的該碳化矽磊晶層，且圍繞該源極多晶矽層，並露出該源極多晶矽層的該頂面。
如請求項1所述的溝槽式碳化矽功率裝置，還包括兩個介電層，且該等介電層分別疊置在該等閘極多晶矽層的該等頂面。
一種安全防爆電湯匙，其包括：一電熱管及一絕緣接頭，該電熱管經過彎折延伸後將兩端結合於該絕緣接頭；該電熱管具有一金屬管體，該金屬管體內設有一中間封閉塞以分隔成一發熱段及一延伸段；該發熱段內設有一發熱絲及一填充物質，該延伸段內設有一保險絲，並使該發熱絲穿過該中間封閉塞與該保險絲連接；該金屬管體分別設有兩端部封閉塞及兩端子針，該兩端部封閉塞封閉該金屬管體的兩端，該兩端子針分別穿過該兩端部封閉塞，其中一端子針與該保險絲連接，另一端子針與該發熱絲連接；藉此使該保險絲位於該電熱管中空的延伸段內，防止該發熱段加工時造成該保險絲損壞。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該金屬管體的發熱段經過壓縮、彎曲或塑型加工成一加熱部。
如請求項1或2所述之安全防爆電湯匙，其中該金屬管體為一不銹鋼管體。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該填充物質為矽利康粉或氧化鎂粉其中之一。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該保險絲的規格為電流2A～3A，電壓100V～250V，溫度100℃～160℃。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該發熱絲的電阻值係介於105Ω～125Ω之間。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該中間封閉塞與該兩端部封閉塞為耐熱絕緣材質製成的柱體或錐體。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該兩端子針的一端穿過該兩端部封閉塞以凸出於該金屬管體的兩端，並分別連接在該絕緣接頭。
如請求項1所述之安全防爆電湯匙，其中該絕緣接頭具有一電源線及一插頭。
如請求項9所述之安全防爆電湯匙，其中該絕緣接頭一側一體成型一鉤部。
一種環形內旋刮齒刀座模組，可外部掛載在一工具機的一主軸，該環形內旋刮齒刀座模組包含：<br/> 一定位裝置，包括一適用於安裝在該主軸的第一定位件，及一能卸離地接合於該第一定位件的第二定位件，該第一定位件具有一非圓形的第一定位部及一貫穿兩相反邊的第一通孔，該第一定位部是漸縮凸部或漸擴凹部的其中一者，該第二定位件具有一非圓形的第二定位部及一貫穿兩相反邊的第二通孔，該第二定位部是漸縮凸部或漸擴凹部的另一者，且能與該第一定位部以凹凸配合方式相接合；及<br/> 一刀具傳動裝置，供該定位裝置的第二定位件設置，當該第二定位件接合於該第一定位件時，能使該刀具傳動裝置與該主軸連接，該刀具傳動裝置包括一傳動單元及一刀座單元，該傳動單元具有一能轉動地穿過該第二定位件的第二通孔與該第一定位件的第一通孔且用來軸接該主軸的轉動軸，及一被該轉動軸帶動的傳動輪組，該傳動輪組具有一供該轉動軸固定穿設且繞一第一軸線轉動的第一轉動輪，及一繞一第二軸線轉動且被該第一轉動輪帶動的第二轉動輪，該第二軸線與該第一軸線平行間隔，該刀座單元連接該第二轉動輪，且具有一被該第二轉動輪帶動而繞該第二軸線轉動的環形內旋刮齒刀座。
如請求項1所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該傳動單元還具有一安裝座，該傳動輪組安裝在該安裝座，且還具有一傳動帶，該傳動帶環繞且咬合於該第一轉動輪與該第二轉動輪。
如請求項2所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該安裝座具有一環繞該第一軸線且供該轉動軸的一端穿設的第一容孔、一環繞該第二軸線且供該刀座單元設置的第二容孔，及一位於該第一容孔與該第二容孔之間的墊塊，該傳動單元還具有一夾置在該安裝座與該第二定位件間的固定座，該固定座的一側抵靠固定在該安裝座頂面與該墊塊，且該固定座的另一側供該第二定位件鎖固。
如請求項2所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該刀座單元還具有一固定連接於該環形內旋刮齒刀座與該第二轉動輪的軸座，及一套設在該軸座且位於該軸座與該安裝座之間的刀座軸承。
如請求項4所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該刀座單元還具有一固定環，該固定環環繞在該軸座且鎖固在該安裝座的一側且擋止該刀座軸承。
如請求項1所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該傳動輪組還具有二個套設在該轉動軸且位於該第一轉動輪的兩相反側的傳動軸承，及一鎖固在該轉動軸並擋止其中一該傳動軸承的壓蓋。
如請求項6所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該傳動單元還具有一供該傳動輪組設置的安裝座，及一鎖固在該安裝座並遮住該壓蓋的端蓋。
如請求項1所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該第一定位件的第一定位部具有一第一頂緣及一在一深度方向相反於該第一頂緣的第一底緣，該第一頂緣與該第一底緣皆呈圓角三角形，界定一通過該第一頂緣的三個圓角的內假想圓，及一通過該第一底緣的三個圓角的外假想圓，該外假想圓與該內假想圓是圓心相同的同心圓。
如請求項1所述的環形內旋刮齒刀座模組，其中，該第一轉動輪的外徑小於該第二轉動輪的外徑，且該第一轉動輪與該第二轉動輪的外環面都具有多個齒。
一種工具機，包含：<br/> 一機座單元；<br/> 一主軸單元，設置在該機座單元且包括一主軸；及<br/> 一如請求項1至請求項9中任一項所述的環形內旋刮齒刀座模組，該環形內旋刮齒刀座模組可外部掛載在該主軸。
一種風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其包含： <br/>一風車組件，其包含： <br/>一風車單元及一動力軸，該風車單元連接於該動力軸，且該風車單元驅動該動力軸； <br/>一電壓產生單元，其連接於該動力軸，藉此該風車組件驅動該電壓產生單元； <br/>一凝結器，其電性連接於該電壓產生單元；以及 <br/>一收集器，其設置於該凝結器旁，該收集器用以收集該凝結器的水。
如請求項1所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中，該電壓產生單元包含一發電機。
如請求項2所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中，該動力軸具有一第一齒輪，該發電機具有一第二齒輪，該第一齒輪與該第二齒輪互相咬合，藉此該動力軸驅動該發電機。
如請求項2所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中，該發電機為一高壓高頻發電機，且該電壓產生單元進一步包含： <br/>一變壓器及一整流器，該變壓器與該整流器電性連接於該發電機與該凝結器。
如請求項4所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中，該變壓器的一框架為鐵氧體材質。
如請求項1至5中任一項所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中該凝結器是金屬材質。
如請求項1至5中任一項所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中，該凝結器具有一腔室與一開口，該腔室位於該凝結器的內部，並透過該開口與該凝結器的外部連通。
如請求項7所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其進一步包含： <br/>一壓縮機，其連接於該動力軸，藉此該動力軸驅動該壓縮機，該壓縮機用以壓縮一氣體； <br/>一渦流管，其穿設於該凝結器的該腔室，該渦流管具有： <br/>一冷氣出口及一熱氣出口，其分別形成於該渦流管的相對兩端部；及 <br/>一輸入口，該輸入口形成於該渦流管之管壁，且位於該冷氣出口及該熱氣出口之間；以及 <br/>一輸氣組件，其連接於該渦流管的該輸入口以及該壓縮機，藉此該氣體從該壓縮機輸入該渦流管。
如請求項1至5中任一項所述之風能動力的電子式靜電輔助凝水裝置，其中，該凝結器為網狀。
一種投資交易法規遵循管理系統，設置於一主機，該主機之一傳輸單元接收一法規條文及/或一交易訊息，該投資交易法規遵循管理系統包含：<br/> 一法規管理單元，連接該傳輸單元，包含：<br/> 一因子庫，儲存複數參數因子，該些參數因子包含一個或多個約束條件欄位；<br/> 一法規條文組成模組，連接該傳輸單元與該因子庫，該法規條文組成模組判斷該法規條文的該約束條件，組裝一法規檢核條文；及<br/> 一法規檢核條文庫，連接該法規條文組成模組，儲存該法規檢核條文；及<br/> 一檢核管理單元，連接該傳輸單元與該法規管理單元，包含：<br/> 一法規投組檢核設定庫，儲存一檢核清單，該檢核清單根據該交易訊息產生；及<br/> 一檢核執行模組，連接該傳輸單元與該法規投組檢核設定庫，判斷該交易訊息中的一交易項目，並依據該法規檢核條文啟動對應該交易訊息的一檢核，產生一檢核結果；<br/> 其中，該檢核執行模組根據該交易項目中的至少一交易階段資料產生相應的該檢核結果。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該法規檢核條文包含一因子法規設定檔，該因子法規設定檔由該些參數因子的該約束條件組裝而成。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該法規檢核條文包含一投資限制設定檔，該投資限制設定檔包含不可投資的一標的群組。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該法規檢核條文包含一信用評等設定檔，該信用評等設定檔包含設定最低允許投資的一信用等級。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該法規檢核條文包含一反向法規設定檔，該反向法規設定檔包含禁止短線的一交易條件。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該法規檢核條文包含一期權法規設定檔。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該法規檢核條文包含一固定法規設定檔。
如請求項1所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該檢核管理單元更包含一審查模組，連接該檢核執行模組，該審查模組根據該檢核結果判斷該交易項目之一審查部門標籤。
如請求項8所述之投資交易法規遵循管理系統，其中於該審查部門標籤為一投資部時，該審查模組自動回傳一免覆查訊號至該檢核執行模組，該檢核執行模組根據該免覆查訊號產生一放行訊號。
如請求項8所述之投資交易法規遵循管理系統，其中於該審查部門標籤為一風控部時，該審查模組傳送一覆查訊號至該檢核執行模組，該檢核執行模組根據該覆查訊號產生一警示訊號。
如請求項10所述之投資交易法規遵循管理系統，更包含一電子裝置，包含一使用者介面，於接收到該警示訊號時，顯示該交易項目之該檢核結果及一警示內容，供一使用者輸入一覆審訊息，該檢核執行模組根據該覆審訊息產生一放行訊號或一拒絕訊號。
如請求項11所述之投資交易法規遵循管理系統，其中該檢核管理單元更包含一報表模組，連接該檢核執行模組，該報表模組儲存該放行訊號與該拒絕訊號。
一種水質淨化調整器，其中包括： <br/>至少兩磁性元件、金屬環、彈性元件以及陶瓷塊，設置於轉換管內相互連接，且各該磁性元件具有形成於其表面之多道切溝，該切溝係具有預定之切溝深度與夾角，該陶瓷塊設置於該磁性元件之下游且具有預定的螺旋溝深度與夾角之螺旋形狀，該金屬環介於兩個該磁性元件之間，該彈性元件介於該磁性元件與該陶瓷塊之間。
如請求項1所述之水質淨化調整器，其中，該磁性元件及該陶瓷塊於該轉換管內以等距方式排列。
如請求項1所述之水質淨化調整器，其中該磁性元件具有兩個，分為第一磁性元件及第二磁性元件，並該轉換管內依該第一磁性元件、該金屬環、該第二磁性元件、該彈性元件以及該陶瓷塊的順序排列。
如請求項3所述之水質淨化調整器，其中該第一磁性元件與該第二磁性元件之磁極方向彼此相同。
如請求項1所述之水質淨化調整器，該磁性元件具有12~15齒。
如請求項5所述之水質淨化調整器，其中該齒為等邊三角形。
如請求項6所述之水質淨化調整器，其中複數該齒之間夾角為60~90度。
如請求項1所述之水質淨化調整器，其中該陶瓷塊之螺谷深度為3~5mm。
如請求項1所述之水質淨化調整器，其中該陶瓷塊之螺距為3.4~5.4mm。
如請求項1所述之水質淨化調整器，其中該磁性元件與陶瓷塊之直徑與長度相同。
一種化學品供應系統，包含：<br/> 一化學品供應主管路； <br/> 一圓弧形彎管；以及<br/> 一連接套管組，其中該圓弧形彎管設置於該化學品供應主管路以及該連接套管組之間，其中該圓弧形彎管具有一彎管外徑以及一彎管圓弧半徑，且該彎管圓弧半徑大於該彎管外徑。
如請求項1所述之化學品供應系統，其中該彎管圓弧半徑大於兩倍的該彎管外徑。
如請求項1所述之化學品供應系統，其中該連接套管組，包含：<br/> 一連接內套管，用以連接一連接管路；以及<br/> 一連接外套管，將該連接管路密接於該連接內套管。
如請求項3所述之化學品供應系統，其中該連接套管組，更包含：<br/> 一第一定位環，設置於該連接內套管以及該連接外套管之間。
如請求項4所述之化學品供應系統，其中該連接套管組，更包含：<br/> 一第二定位環，設置於該連接內套管以及該連接管路之間。
如請求項5所述之化學品供應系統，其中該連接內套管，包含一連接內套管前端，該連接內套管前端的一內套管前端內徑大於該連接管路的一連接管內徑。
如請求項1所述之化學品供應系統，更包含：<br/> 一三通閥，連接於該化學品供應主管路以及該圓弧形彎管之間。
如請求項7所述之化學品供應系統，更包含：<br/> 一化學品取樣管；<br/> 一開關閥，連接於該化學品取樣管；以及<br/> 一取樣出口，連接於該開關閥，其中，該化學品取樣管連接於該三通閥，且該化學品取樣管包含一取樣管管徑以及一取樣管長度，且該取樣管長度小於5公分。
如請求項7所述之化學品供應系統，更包含：<br/> 一化學品取樣管；<br/> 一開關閥，連接於該化學品取樣管；以及<br/> 一取樣出口，連接於該開關閥，其中，該化學品取樣管連接於該三通閥，且該化學品取樣管包含一取樣管管徑以及一取樣管長度，且該取樣管長度小於4.2*該取樣管管徑的0.46次方。
如請求項1所述之化學品供應系統，更包含：<br/> 一化學品驅動裝置，連接於該化學品供應主管路之上；以及<br/> 一減振基座，用以支撐該化學品驅動裝置。
一種紅外線感測器，包含：<br/> 一襯底，具有一內壁，該內壁具有一底部及連接該底部的一圍繞部；<br/> 一晶片，固定連接於該底部；<br/> 至少一吸氣劑，固定連接於該圍繞部；<br/> 一光窗，位於該襯底頂部；及<br/> 一封裝外殼，設置於該光窗的外壁。
如請求項1所述的紅外線感測器，其中，該圍繞部具有相反的兩個側面，該紅外線感測器包含兩個吸氣劑，該等吸氣劑分別固定連接於該等側面。
如請求項1所述的紅外線感測器，其中，該圍繞部具有相反的兩個側面，該紅外線感測器包含三個吸氣劑，該等吸氣劑分別固定連接於該內壁的該底部及該等側面。
如請求項1所述的紅外線感測器，還包含位於該襯底頂部四周的一金屬層，及固定連接於該金屬層內壁的一增透層，該光窗固定連接於該增透層的外壁頂部。
如請求項1所述的紅外線感測器，其中，該封裝外殼由柯伐合金所製成。
如請求項1所述的紅外線感測器，還包含固定連接於該封裝外殼的內壁中部的一固定框。
如請求項1所述的紅外線感測器，還包含固定連接於該封裝外殼的外壁底部的一底座。
如請求項7所述的紅外線感測器，還包含固定連接於該底座的一墊片。
如請求項1所述的紅外線感測器，還包含一陶瓷管殼，及固定連接於該陶瓷管殼底部左右側的多個管腳，該襯底連接於該陶瓷管殼的內壁底部。
如請求項1所述的紅外線感測器，其中，該封裝外殼的內壁頂部形成有用以容納和固定該光窗一方形槽。
如請求項1所述的紅外線感測器，其中，該吸氣劑為一薄膜型吸氣劑。
一種玩具槍彎折構造，包括：<br/>一槍本體：<br/>該槍本體於一前端固設一基座，該基座徑向於該槍本體向內凸設一軸桿與一支桿；且該槍本體內襯設一活塞；<br/>一槍管組件：包括相互套設之一內槍管與一外槍管；<br/>一樞轉座：<br/>該樞轉座之前端固接於該外槍管的後端，該樞轉座形成相連之二平行瓣體，各該瓣體各設一穿孔，且該二穿孔穿套於該軸桿外緣而使該樞轉座以該軸桿為軸點而可樞轉；且該樞轉座下方設一與該槍本體同軸向之壓縮彈簧，該壓縮彈簧之第一端連結於該樞轉座下部之一銷件，第二端連結於該基座之一固定銷；該二瓣體下部各延伸一受推部；<br/>一連接座：<br/>該連接座組接於該樞轉座下部，包括軟質的一墊環，該墊環組接於該內槍管後端，使該內槍管與該活塞之頭部於未樞轉狀態下形成銜通；且該連接座下部設有二抵止部；<br/>一護弓：<br/>該護弓可向前扳轉及可彈性回位，其穿套於該支桿外緣，上部內側設一推抵部及二側抵部，於該槍管組件沿該軸桿樞轉狀態下，該推抵部對該抵止部形成相對推抵卡掣，且該側抵部與該受推部形成相對推抵卡掣，可以令其於拉伸該壓縮彈簧，而當其於相對樞轉狀態下，該推抵部迫過及該抵止部，及該側抵部迫過該受推部後，令該壓縮彈簧回復，致該槍管組件能被彎折。
如請求項1所述之玩具槍彎折構造，其中該連接座包括二瓣座，該抵止部分設於該二瓣座下部。
如請求項2所述之玩具槍彎折構造，該墊環組合於一彈道調節單元，該彈道調節單元包括一螺栓，該螺栓穿伸於一均固定於該二瓣座之一旋轉鈕，且該螺栓上端螺組於一移座，該移座的上端內部套組一壓塊，該壓塊對於該墊環形成壓制，該墊環的內側突設一突部，經由相對旋動該旋轉鈕而令該螺栓螺旋帶動該移座上下移位，當該移座下移而藉由該壓塊下壓時，該墊環內部的該突部即下壓，以令塑膠子彈被擊發而通過該墊環時，因該突部的作用而調節彈道。
如請求項3所述之玩具槍彎折構造，該壓塊對於該墊環形成壓制，係透過該壓塊下方另設一壓輪而對該墊環形成壓制。
一種果昔設備，其包含： <br/>一機體，內部定義有一作業空間，且設有一控制單元； <br/>一識別模組，設於該機體並與該控制單元電性連接，用以讀取一容器之識別資訊； <br/>一載運平台，設於該作業空間內並與該控制單元電性連接，受該控制單元控制以承載該容器於一預定行程間位移，其中該載運平台設有一容器定位部及一清洗集水區； <br/>一流體定量供應裝置，設於該機體內並與該控制單元電性連接，用以對該容器注入流體； <br/>一升降攪拌模組，設於該作業空間內且位於該載運平台之位移行程上方，並與該控制單元電性連接，該升降攪拌模組包含一攪拌刀組、一驅動馬達以及一升降致動機構，該攪拌刀組受該驅動馬達驅動而旋轉，且受該升降致動機構驅動而同步執行垂直往復運動，以於該容器內進行二維複合攪拌； <br/>一噴淋組件，設於該作業空間內並與該控制單元電性連接，用以對該攪拌刀組噴射清洗流體；以及 <br/>一乾燥單元，設於該作業空間內並與該控制單元電性連接，用以對該攪拌刀組供應熱氣流進行烘乾。
如請求項1所述之果昔設備，其中該載運平台更包含一隔板，該隔板設置於該容器定位部與該清洗集水區之間，以將該容器定位部與該清洗集水區相互隔離。
如請求項1所述之果昔設備，其中該識別模組包含一掃描器或一讀卡機，該識別資訊係對應為一條碼或一RFID電子標籤。
如請求項1所述之果昔設備，其中該升降攪拌模組更包含一防濺彈性封蓋，該防濺彈性封蓋係受一彈性元件彈抵，以於該攪拌刀組降下進入該容器時，該防濺彈性封蓋蓋設並壓合於該容器之口緣。
如請求項1所述之果昔設備，其中該機體之前側設有一可開啟之蓋子，用以供該容器置入或取出。
如請求項1所述之果昔設備，其中該控制單元更具備網路通訊功能，用以將作業產生之銷售數據回傳至一AI雲端大數據進行分析，並將分析後之資訊整合呈現於一雲端主機。
如請求項1所述之果昔設備，其中該機體更設有一溫度顯示及控制器以及一門控磁閥，分別用以執行溫度管控與門徑偵測。
如請求項6所述之果昔設備，其中該控制單元電性連接一Wifi接收器組，用以將作業數據無線傳輸至該雲端主機。
如請求項1所述之果昔設備，其中該流體定量供應裝置包含一給水器組及一加熱泵。
一種果昔設備，其包含： <br/>一機體，內部定義有一作業空間，且設有一控制單元； <br/>一識別模組，設於該機體並與該控制單元電性連接，用以讀取一容器之識別資訊； <br/>一載運平台，設於該作業空間內並與該控制單元電性連接，受該控制單元控制以承載該容器於一預定行程間位移，其中該載運平台設有一容器定位部及一清洗集水區； <br/>一流體定量供應裝置，設於該機體內並與該控制單元電性連接，用以對該容器注入流體； <br/>一升降攪拌模組，設於該作業空間內且位於該載運平台之位移行程上方，並與該控制單元電性連接，該升降攪拌模組包含一攪拌刀組、一驅動馬達以及一升降致動機構，該攪拌刀組受該驅動馬達驅動而旋轉，且受該升降致動機構驅動而同步執行垂直往復運動，以於該容器內進行二維複合攪拌；以及 <br/>一噴淋組件，設於該作業空間內並與該控制單元電性連接，用以對該攪拌刀組噴射清洗流體。
如請求項10所述之果昔設備，其中該載運平台更包含一隔板，該隔板設置於該容器定位部與該清洗集水區之間，以將該容器定位部與該清洗集水區相互隔離。
如請求項10所述之果昔設備，其中該識別模組包含一掃描器或一讀卡機，該識別資訊係對應為一條碼或一RFID電子標籤。
如請求項10所述之果昔設備，其中該升降攪拌模組更包含一防濺彈性封蓋，該防濺彈性封蓋係受一彈性元件彈抵，以於該攪拌刀組降下進入該容器時，該防濺彈性封蓋蓋設並壓合於該容器之口緣。
如請求項10所述之果昔設備，其中該機體之前側設有一可開啟之蓋子，用以供該容器置入或取出。
如請求項10所述之果昔設備，其中該控制單元更具備網路通訊功能，用以將作業產生之銷售數據回傳至一AI雲端大數據進行分析，並將分析後之資訊整合呈現於一雲端主機。
如請求項10所述之果昔設備，其中該機體更設有一溫度顯示及控制器以及一門控磁閥，分別用以執行溫度管控與門徑偵測。
如請求項15所述之果昔設備，其中該控制單元電性連接一Wifi接收器組，用以將作業數據無線傳輸至該雲端主機。
如請求項10所述之果昔設備，其中該流體定量供應裝置包含一給水器組及一加熱泵。
一種高壓氣體輸送粉煤之取樣裝置，包含：旋風分離器，具有混合物入口、粉媒出口及氣體出口，所述混合物入口開設在所述旋風分離器側邊，所述粉媒出口設置在所述旋風分離器的底部，所述氣體出口設置在所述旋風分離器的頂部；取樣瓶，設置在所述粉媒出口下方，用於收集分離出的粉煤；以及導氣管，連接所述氣體出口，用以排出殘餘氣體。
如請求項1所述之高壓氣體輸送粉煤之取樣裝置，其中，所述混合物入口為切線式入口，藉以產生旋轉氣流。
如請求項1所述之高壓氣體輸送粉煤之取樣裝置，其中，所述取樣瓶為塑膠瓶。
如請求項1所述之高壓氣體輸送粉煤之取樣裝置，其中，所述高壓氣體輸送粉煤之取樣裝置係用於冶金高爐粉煤氣力輸送取樣。
一種工具機用端子加工治具，安裝於工具機的加工平台上，並可與氣油壓系統連接，且該氣油壓系統電性連接一控制面板，以由該控制面板控制該端子加工治具的動作，該端子加工治具包括有：<br/> 一基座；及<br/> 多數個裝設於該基座上的治具組，其中該每一治具組包括有：<br/> 兩第一推桿結構，該兩第一推桿結構分別具有一第一推桿；<br/> 一第二推桿結構，該第二推桿結構具有一第二推桿；<br/> 一第一轉角缸及一第二轉角缸，設置於該兩第一推桿結構之間，該第一轉角缸具有一第一旋臂，該第二轉角缸具有一第二旋臂；及<br/> 一置放部，設置於該兩第一推桿結構、該第二推桿結構、該第一轉角缸與該第二轉角缸的周側，該置放部上設置有多數個檢知孔，且該置放部的至少兩側邊分別設置有一末端擋塊及複數個固定擋塊；<br/> 其中，該第一推桿與該第二推桿係用以推動端子於該置放部上定位，且於該端子定位後，該第一旋臂與該第二旋臂係用以夾持並固定該端子。
如請求項1所述之工具機用端子加工治具，其中該置放部上設置有一切換定位擋塊，以供不同長度之端子進行定位。
如請求項1所述之工具機用端子加工治具，其中該兩第一推桿與該第二推桿為可伸縮之推桿。
如請求項1所述之工具機用端子加工治具，其中該第一轉角缸與該第二轉角缸分別驅動該第一旋臂與該第二旋臂旋轉，以對端子進行夾持並固定。
如請求項1所述之工具機用端子加工治具，其中該些檢知孔係用以噴出氣體，以檢測該端子與該置放部之間是否存在間隙。
一種半導體零件之托盤，以成對方式疊合使用，以承載至少複數個半導體零件，該半導體零件之托盤包含：<br/> 一外框，包含二第一邊框及二第二邊框，該二第二邊框分別連接該二第一邊框；<br/> 複數個連接肋，各該連接肋大致與該二第二邊框平行，且連接該二第一邊框，該等連接肋與該外框共同定義出複數個承載區；<br/> 複數個支撐架，各該支撐架分別裝設於該承載區之一中，透過複數個連接件與該外框及該等連接肋的至少之一連接，各該支撐架包含二第一支撐肋及二第二支撐肋，該二第一支撐肋分別與該二第二支撐肋連接，其中在鄰近於各該第一支撐肋及各該第二支撐肋之一交接點處，該第一支撐肋具有一第一限位件及一第一抵接件、該第二支撐肋具有一第二限位件及一第二抵接件，該第一限位件及該第二限位件朝垂直於該外框的一法線方向延伸，該第一抵接件及該第二抵接件朝向該承載區延伸；以及<br/> 複數個軟性包覆件，各該軟性包覆件位於該支撐架上的角落，包覆在該第一支撐肋的一部份、該第一限位件、該第一抵接件、該第二支撐肋的一部份、該第二限位件及該第二抵接件；<br/> 其中該外框的一第一表面設置有一槽道，該外框的一第二表面設置有複數個突塊，當該半導體零件之托盤以成對方式疊合使用時，該半導體零件之托盤的該等突塊疊設於另一半導體零件之托盤的該槽道上。
如請求項1所述之半導體零件之托盤，更包含二提取部，該二提取部分別由該外框的該二第二邊框向外延伸出。
如請求項2所述之半導體零件之托盤，其中該二提取部之一具有一卡合槽，且一卡合塊卡合於該卡合槽中。
如請求項3所述之半導體零件之托盤，其中該卡合塊上具有一條碼標籤。
如請求項1所述之半導體零件之托盤，其中該第一邊框及該第二邊框交接形成的四邊角，其中該四邊角中一第一邊角具有與另外三邊角不同的形狀，該等突塊之一至少由該第一邊角延伸。
如請求項1所述之半導體零件之托盤，其中各該連接肋的一表面具有一第一突起部，且在另一表面具有一第一凹槽，當該半導體零件之托盤以成對方式疊合使用時，該半導體零件之托盤的該第一突起部裝設於該另一半導體零件之托盤的該第一凹槽中。
如請求項6所述之半導體零件之托盤，更包含一第二連接件，該第二連接件連接於該外框與該第一支撐肋或該第二支撐肋之間，該第二連接件的一表面具有一第二突起部，且在另一表面具有一第二凹槽，當該半導體零件之托盤以成對方式疊合使用時，該半導體零件之托盤的該第二突起部裝設於該另一半導體零件之托盤的該第二凹槽中，以該第一支撐肋或該第二支撐肋的一上表面做為一水平基準平面，該第一突起部與該第二突起部具有大致相同的高度。
如請求項1所述之半導體零件之托盤，其中在鄰近於各該第一支撐肋與各該第二支撐肋之一交接處，該第一支撐肋具有一第一延伸件，該第二支撐肋具有一第二延伸件，該第一延伸件及該第二延伸件朝垂直於該外框的該法線方向，且相反於該第一限位件、該第二限位件之方向延伸，且該第一延伸件與該第一限位件在一垂直投影方向錯位、該第二延伸件與該第二限位件在該垂直投影方向上錯位。
如請求項8所述之半導體零件之托盤，其中該軟性包覆件更包覆該第一延伸件及該第二延伸件。
如請求項1所述之半導體零件之托盤，其中該二第一邊框上開設有至少一開口。
一種電路板，包括：<br/> 一基板，具有一第一表面層及一第二表面層，該第一表面層及該第二表面層位於該基板的相對兩側，該第一表面層形成有相互分離的多個無線電路佈線區，且於每一該無線電路佈線區中設有一晶片設置區，該晶片設置區包括一散熱區；以及<br/> 多個導熱塊，每一該導熱塊設置於該基板內部且分別對應每一該散熱區，以對該晶片設置區設置的一功率晶片進行散熱。
如請求項1所述的電路板，其中多個無線電路佈線區環繞設置於該基板的一基準位置的周圍，且任兩個相鄰該晶片設置區以該基準位置為圓心形成相同的一夾角。
如請求項2所述的電路板，其中各該晶片設置區與該基準位置的一距離互為相同。
如請求項3所述的電路板，其中該晶片設置區與該基板側邊的一最短距離小於該晶片設置區與該基準位置的距離。
如請求項1所述的電路板，其中該第二表面層與每一個該導熱塊相接觸位置設置一導熱擴散層。
如請求項5所述的電路板，其中該導熱擴散層的設置面積大於該晶片設置區。
如請求項5所述的電路板，其中該導熱擴散層的設置位置與該無線電路佈線區相對應。
如請求項5所述的電路板，其中該導熱擴散層為銅箔層。
如請求項1所述的電路板，其中該無線電路佈線區更包括一屏蔽區，該屏蔽區供設置一金屬屏蔽件，以對該基板上產生的一干擾訊號進行屏蔽。
如請求項5所述的電路板，其中該基板為多層板，該導熱塊與該多層板中的一或多個接地金屬層相接觸。
如請求項1所述的電路板，其中該導熱塊的厚度小於或等於該基板的厚度。
如請求項1所述的電路板，其中該導熱塊為銅塊。
如請求項10所述的電路板，其中該導熱塊與位於該散熱區的該功率晶片之間更包括一第一黏著層，並使該功率晶片之熱源經由該第一黏著層傳導至該導熱塊。
如請求項13所述的電路板，其中該第一黏著層為錫膏層。
如請求項14所述的電路板，其中該導熱塊與該基板內部側壁之間更包括一第二黏著層，該導熱塊透過該第二黏著層將熱源傳導至該接地金屬層。
如請求項15所述的電路板，其中該導熱塊與該導熱擴散層之間更包括一第三黏著層，該導熱塊透過該第三黏著層將熱源傳導至該導熱擴散層。
如請求項16所述的電路板，其中該第二黏著層與該第三黏著層分別為銅膏層。
如請求項1所述的電路板，其中該晶片設置區更包括一接腳區，該接腳區設置於該散熱區的外側。
一種真岩薄板結構，其特徵在於，該真岩薄板，包括︰<br/> 一天然石材粉層，係呈板形狀；<br/> 一合成水泥層，係設於該天然石材粉層上端且呈板形狀，該合成水泥層係包含由水泥混合纖維；<br/> 利用該天然石材粉層及該合成水泥層壓製結合成一體形成一板塊。
如申請專利範圍第1項所述之真岩薄板結構，其中，所述真岩薄板之該天然石材粉層厚度係小該合成水泥層厚度。
如申請專利範圍第2項所述之真岩薄板結構，其中，所述真岩薄板之該天然石材粉層之厚度係為0.3-0.5公分。
如申請專利範圍第3項所述之真岩薄板結構，其中，所述真岩薄板之該合成水泥層厚度係為0.7-0.8公分。
一種茶飲料降溫系統，其包括：<br/> 一主架體；<br/> 一升降裝置，其設於該主架體上；<br/> 一降溫裝置，其安裝於該升降裝置，並由該升降裝置驅動該降溫裝置相對該主架體上下移動；該降溫裝置包括一冷卻管，該冷卻管之一端以一入水管連接於一泵浦，其另一端連通一出水管，由該泵浦經一水源輸送冷卻液進入該入水管，流經該冷卻管並從該出水管流出完成一冷卻循環；<br/> 一中控模組，訊號連接於該升降裝置及該降溫裝置，該中控模組具有一顯示螢幕及可供操控該升降裝置與該降溫裝置之複數按鍵。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中，該中控模組配置為可設定一冷卻循環時間並記錄該降溫裝置之運作時間，當該運作時間達到該冷卻循環時間，該中控模組自動停止該降溫裝置運作。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中，還包括用於感測液體溫度之一感溫元件，該感溫元件訊號連接於該中控模組，該中控模組配置為可設定一目標溫度值，根據該感溫元件所測得的實際溫度與該目標溫度值之間的差值，決定啟動或停止該降溫裝置。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中，該冷卻管環繞成軸向相鄰的複數圈，亦或沿軸向往復彎繞並圈圍呈筒狀。
如請求項4所述之茶飲料降溫系統，其中，該降溫裝置還包括一攪拌機構，該攪拌機構配置為由該中控模組設定攪拌轉速及攪拌時間，其包括一攪拌葉片及驅動該攪拌葉片轉動之一驅動馬達，該攪拌葉片穿設於該冷卻管所圈圍之空間內，且可相對該冷卻管轉動。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中，該入水管與該出水管至少其中之一為透明或半透明狀管。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中，該主架體具有連通於該出水管之一儲水箱，該泵浦設置於該儲水箱內並抽取儲水箱內的冷卻液進行冷卻循環。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中， 該升降裝置包含有一升降馬達、一滑軌以及一組設板，該滑軌及該升降馬達組設於該主架體上，該降溫裝置安裝於該組設板，且該組設板受該升降馬達驅動沿該滑軌相對該主架體上下位移。
如請求項1所述之茶飲料降溫系統，其中，該主架體具有一承載台，該承載台設於該冷卻管之下方，可供放置一茶飲桶。
如請求項9所述之茶飲料降溫系統，其中，該承載台之其中一面設有一限位擋板，其餘三面分別設有一圍板，且該些圍板之高度大於該限位擋板之高度，並由該限位擋板與該些圍板圈圍供放置該茶飲桶之一冷卻腔室。
一種黑苦瓜萃取粉包，包含：<br/> 一包裝袋，界定出一封閉的容置空間；及<br/> 一黑苦瓜粉末組成物，設置於該容置空間並包括黑苦瓜萃取物，及麥芽糊精。
如請求項1所述的黑苦瓜萃取粉包，其中，該黑苦瓜萃取物具有苦瓜總蛋白，及苦瓜多醣，以該黑苦瓜的重量百分比為100wt%，該苦瓜總蛋白的含量為不小於5wt%，該苦瓜多醣的含量為不小於50wt%。
如請求項1所述的黑苦瓜萃取粉包，其中，該包裝袋包括二片材，每一該片材具有一袋體，及一圍繞並連接該袋體的環封部，該等環封部彼此連接，該等袋體共同界定出該容置空間。
如請求項3所述的黑苦瓜萃取粉包，其中，該等環封部形成有至少一易撕口。
一種青汁粉包，包含：<br/> 一包裝袋，界定出一封閉的容置空間；及<br/> 一青汁粉末組成物，設置於該容置空間並包括青汁粉，及賦形劑。
如請求項1所述的青汁粉包，其中，以該青汁粉末組成物的重量百分比為100wt%，該青汁粉的含量為不小於80wt%，該賦形劑的含量為不大於20wt%。
如請求項1所述的青汁粉包，其中，該賦形劑為硬脂酸鎂或二氧化矽。
如請求項1所述的青汁粉包，其中，該青汁粉末組成物的粒徑為不大於100目。
如請求項1所述的青汁粉包，其中，該包裝袋包括二片材，每一該片材具有一袋體，及一圍繞並連接該袋體的環封部，該等環封部彼此連接，該等袋體共同界定出該容置空間。
如請求項5所述的青汁粉包，其中，該等環封部形成有至少一易撕口。
一種具照明功能的天花板風扇，包含：<br/> 一基座，適於組裝至天花板，並形成有朝下連通室內空間的一氣流口；<br/> 一風扇模組，配置於該基座，適於導引氣流通過該氣流口；及<br/> 一照明模組，配置於該基座，並具有一發光部位於該氣流口的外周。
如請求項1所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該基座包括一環框，該氣流口形成於該環框的一端，該發光部配置於該環框。
如請求項1或2所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該發光部呈完整的環狀，並圍繞於該氣流口的外周。
如請求項2所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該氣流口呈圓形，該發光部環設於該環框的外周面。
如請求項2所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該照明模組包括至少一發光元件以形成該發光部，該照明模組具有一均光罩結合於該環框，並將該發光元件包覆於該均光罩內。
如請求項2所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該風扇模組包括一馬達及數個扇葉，該數個扇葉適於受該馬達驅動旋轉，該數個扇葉位於該環框的徑向範圍內。
如請求項6所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該風扇模組包括一導風罩，該導風罩配置於該基座並遮蔽該數個扇葉。
如請求項7所述之具照明功能的天花板風扇，其中，該導風罩結合該環框或可相對於該環框旋轉。
如請求項1所述之具照明功能的天花板風扇，另包含一控制單元，該控制單元電性連接該照明模組及該風扇模組，用以控制該風扇模組的一馬達運作，或控制該照明模組的至少一發光元件的明滅或改變色溫、色相或飽和度。
一種基於網路嗅探技術的平行測試系統，應用於一電控設備，該基於網路嗅探技術的平行測試系統包含： <br/>一原始電腦，透過一網路交換器連接該電控設備，該原始電腦接收一測試訊息並根據該測試訊息產生一原始回應訊息； <br/>一嗅探電腦，連接該網路交換器以擷取該測試訊息及該原始回應訊息，且該嗅探電腦根據該測試訊息產生並傳送一模擬測試訊息；以及 <br/>一測試電腦，連接該嗅探電腦以接收該模擬測試訊息，且該測試電腦根據該模擬測試訊息產生並傳送一測試回應訊息至該嗅探電腦； <br/>其中，該嗅探電腦比對該原始回應訊息及該測試回應訊息以驗證該測試電腦的複數測試項目。
如請求項1所述基於網路嗅探技術的平行測試系統，其中： <br/>該複數測試項目包含一回應內容測試及一回應時間測試。
如請求項1所述基於網路嗅探技術的平行測試系統，其中： <br/>該電控設備透過一可程式邏輯控制器、一分散式控制系統或一電腦數值控制系統控制。
如請求項1所述基於網路嗅探技術的平行測試系統，其中： <br/>該嗅探電腦執行一監聽模式以擷取該測試訊息及該原始回應訊息。
如請求項1所述基於網路嗅探技術的平行測試系統，其中： <br/>當該嗅探電腦擷取該測試訊息後，該嗅探電腦儲存該測試訊息於一第一訊息佇列； <br/>該嗅探電腦讀取該第一訊息佇列中的該測試訊息且根據該測試訊息模擬該電控設備的通訊流程以產生該模擬測試訊息。
如請求項5所述基於網路嗅探技術的平行測試系統，其中： <br/>該嗅探電腦儲存該原始回應訊息於一第二訊息佇列，且該第二訊息佇列與該第一訊息佇列的位址不同。
一種道路資訊顯示裝置，包含：<br/> 一控制模組，包含一訊號傳遞模組，該訊號傳遞模組自一電子裝置接收一顯示訊號；<br/> 至少一顯示模組，訊號連接該控制模組，該至少一顯示模組接收該顯示訊號，並根據該顯示訊號顯示至少一顯示畫面；以及<br/> 一固定結構，用以將該至少一顯示模組固定於一物體上；<br/> 其中，該訊號傳遞模組透過一無線傳輸協定與該電子裝置進行資料傳輸及接收，該訊號傳遞模組以該無線傳輸協定自該電子裝置接收該顯示訊號。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，其中該無線傳輸協定包括長期演進協定、無線網路或行動通訊標準其中之一。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，其中該至少一顯示畫面包含一路線資訊、一路況資訊、一政府宣導資訊、一廣告資訊或一交通指引資訊。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，其中該固定結構用以將該至少一顯示模組固定於一路面的一電線桿。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，其中該固定結構用以將該至少一顯示模組固定於一公車站牌、一路標桿體、一告示板、一大眾運輸交通工具或一建築物。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，其中該至少一顯示模組為一膽固醇液晶顯示器或一半穿透半反射液晶顯示器。
如請求項6所述之道路資訊顯示裝置，其中該至少一顯示模組更包含一電池模組，該電池模組對該至少一顯示模組供電。
如請求項7所述之道路資訊顯示裝置，該至少一顯示模組更包含一發電模組，該發電模組電性連接該電池模組，用以接收穿透該至少一顯示模組之一顯示面的一環境光，並將該環境光轉換為一電能儲存於該電池模組。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，更包含：<br/> 一感測模組，訊號連接該至少一顯示模組與該控制模組，並用以感測一環境資訊，以將該環境資訊轉換為一感測資訊；<br/> 其中，該至少一顯示模組接收該感測資訊，並將該感測資訊顯示於該至少一顯示畫面。
如請求項9所述之道路資訊顯示裝置，其中該訊號傳遞模組用以接收該環境資訊，並將該環境資訊傳輸至該電子裝置。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，更包含：<br/> 一影像擷取模組，訊號連接該控制模組，並用以擷取一環境影像，並將該環境影像傳送至該控制模組；<br/> 其中，該訊號傳遞模組接收該環境影像，並將該環境影像傳遞至該電子裝置。
如請求項1所述之道路資訊顯示裝置，其中該至少一顯示模組的數量為複數，該些顯示模組拼接顯示該至少一顯示畫面。
如請求項12所述之道路資訊顯示裝置，其中該固定結構對應該些顯示模組，該些顯示模組可獨立拆卸地與該固定結構連接。
一種道路資訊顯示系統，包含：<br/> 複數如請求項1至請求項13中任一項所述之道路資訊顯示裝置；以及<br/> 一訊號傳遞裝置，設置於該些道路資訊顯示裝置的外部，並訊號連接該些道路資訊顯示裝置的複數該訊號傳遞模組與該電子裝置，該訊號傳遞裝置透過一第一無線傳輸協定自該電子裝置接收該顯示訊號，再透過一第二無線傳輸協定將該顯示訊號傳遞至該些道路資訊顯示裝置。
如請求項14所述之道路資訊顯示系統，其中該第一無線傳輸協定為長期演進協定，而該第二無線傳輸協定為無線網路。
一種防夾機構，其裝設於椅子之一手扶桿之底側，並包圍位於該手扶桿下方的一調整組，其包括：<br/> 一本體，該本體具有相對設置之一第一遮擋壁、一第二遮擋壁、連接該第一遮擋壁、該第二遮擋壁之一第三遮擋壁，以及與該第一遮擋壁、該第二遮擋壁、該第三遮擋壁相連之一連接壁，該連接壁與該手扶桿之底側鎖接，且該第一遮擋壁、該第二遮擋壁、該第三遮擋壁及該連接壁形成具有一作動口之一作動空間，又該調整組之部分位於該作動空間內。
如請求項1所述之防夾機構，其中該連接壁之表面貫穿有複數第一裝設孔，且該連接壁進一步具有一裝設口，該裝設口、各第一裝設孔分別與該作動空間相通。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第二遮擋壁的一端延伸一耳部，該耳部之表面貫穿有至少一第二裝設孔。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第一遮擋壁連接該第三遮擋壁的一端具有一第一卡接部，該第三遮擋壁對應該第一卡接部具有一第一卡凸部，該第一卡接部與該第一卡凸部相互卡接。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第二遮擋壁連接該第三遮擋壁的一端具有一第二卡接部，該第三遮擋壁對應該第二卡接部具有一第二卡凸部，該第二卡接部與該第二卡凸部相互卡接。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第一遮擋壁未與該連接壁相連的一側具有一第一弧凹部，且該第二遮擋壁未與該連接壁相連的一側具有一第二弧凹部。
如請求項1所述之防夾機構，其中另外包含一單頭外接件，又該第三遮擋壁之表面貫穿有複數第一外接孔，各第一外接孔與該作動空間相通，且該單頭外接件活動插設、鎖接於各第一外接孔任一個。
如請求項1所述之防夾機構，其中另外包含一雙頭外接件，又該第二遮擋壁之表面貫穿有複數第二外接孔，各第二外接孔與該作動空間相通，且該雙頭外接件活動插設、鎖接於任兩個第二外接孔。
如請求項1所述之防夾機構，其中該第二遮擋壁相連該連接壁的相反側呈弧彎狀。
一種具有接地功能的風扇，包括： <br/>一內部組件，包含一電路板； <br/>一外殼，具有一殼內空間，該電路板在該殼內空間內設置於該外殼，該外殼包含一金屬板和設置於該金屬板的一側牆，該金屬板為一可導電的金屬板片，該金屬板與該側牆之間共同形成該殼內空間的至少一部分，該內部組件收容於該殼內空間內；以及 <br/>一金屬接地件，為一可導電的金屬件且連接於該金屬板與該電路板之間； <br/>其中，該電路板經由該金屬接地件電性連接於該金屬板。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該電路板固設於該金屬板。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該金屬接地件為一接地腳，該接地腳係自該金屬板一體延伸。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該金屬板具有一周緣，該側牆對應該周緣設置。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該金屬板包含一居中部、一外圍部和複數銜接肋，該外圍部彼此間隔地圍繞該居中部，該外圍部和該居中部分別具有彼此間隔相對的二邊緣，各該銜接肋連接於該外圍部的該邊緣與該居中部的該邊緣之間，該電路板固設於該居中部且具有一導電部，該金屬接地件係自二該邊緣的其中之一一體延伸並插接於該導電部。
如請求項5所述之具有接地功能的風扇，其中該金屬板在彼此間隔相對的該外圍部的該邊緣與該居中部的該邊緣之間形成有至少一開孔，該金屬接地件經由該開孔插接於該導電部。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該外殼還包含一膠座，該膠座為一高分子化合物座體，該膠座設置於該金屬板且具有一軸套結構，該內部組件還包含一扇輪，該扇輪可轉動地連接於該軸套結構，該電路板經由該膠座設置於該金屬板。
如請求項7所述之具有接地功能的風扇，其中該膠座係包射成型於該金屬板上。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該側牆為一高分子化合物牆板。
如請求項9所述之具有接地功能的風扇，其中該側牆係包射成型於該金屬板。
如請求項9所述之具有接地功能的風扇，其中該外殼包含彼此固定的一第一殼體和一第二殼體，該第一殼體包含該金屬板和該側牆，該側牆和該第二殼體分別具有彼此對應的複數固定件和複數固定部，各該固定件和各該固定部彼此固定。
如請求項11所述之具有接地功能的風扇，其中該固定件係為一凸柱，各該固定件係自該側牆一體凸伸，該固定部係為對應於該固定件的一插孔，各該固定部開設於該第二殼體，各該固定件對應各該固定部插入並經由熱熔而彼此固定。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該側牆為一金屬牆板。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該外殼包含彼此固定的一第一殼體和一第二殼體，該第一殼體包含該金屬板和該側牆。
如請求項1所述之具有接地功能的風扇，其中該金屬板承載有該內部組件。
一種水表的外掛感測裝置，以供固定於一水表上，該水表的外掛感測裝置係包含有：<br/> 一本體，形成可透視的一視窗部，該本體的內周緣向下凸設具有可彈性撐張之複數夾爪，以供彈性的夾持固定於該水表的一罩蓋上。
如請求項1之水表的外掛感測裝置，其中，該本體係以透明材質所製成，藉以於該本體的頂緣形成該視窗部。
如請求項1之水表的外掛感測裝置，其中，該本體係設呈環狀。
如請求項1之水表的外掛感測裝置，其中，該夾爪之端緣形成內鉤的一鉤部。
如請求項1之水表的外掛感測裝置，其中，該本體的頂緣以鏤空方式形成該視窗部。
如請求項5之水表的外掛感測裝置，其中，該視窗部內鑲嵌入一透明片。
如請求項1之水表的外掛感測裝置，進一步設有一固定座，該固定座結合於該本體的內周緣位置。
如請求項7之水表的外掛感測裝置，進一步設有一感應器，該感應器係固定於該固定座。
如請求項8之水表的外掛感測裝置，其中，該固定座係設有複數螺接部，該感應器鎖固於該等螺接部上。
如請求項8之水表的外掛感測裝置，其中，該感應器透過一訊號線連接至一控制器，該控制器內設置有處理單元及電池之數位化組件。
如請求項10之水表的外掛感測裝置，其中，該控制器係固定於該水表的周緣。
如請求項10之水表的外掛感測裝置，其中，該水表係安裝於一水表箱內，該控制器則固定於該水表箱內。
一種自動化光學檢測設備，包含：<br/> 一基座；<br/> 一承載單元，設置於該基座上，並包括一可沿平行一第一軸線之方向來回移動的帶動模組，及一連接於該帶動模組並能沿一垂直於該第一軸線而縱向延伸之轉軸線轉動的載台，該載台適用於供一待測物設置，該待測物具有一正面，及一圍繞該正面的外周緣；<br/> 一龍門單元，可沿平行該第一軸線之方向來回移動地設置於該基座上，並包括二沿一垂直於該第一軸線之第二軸線而間隔地設置於該承載單元相反兩側的側支架，及一在高於該載台之位置銜接於該等側支架之間的橫支架；及<br/> 一檢測單元，設置於該龍門單元，並包括一安裝於該橫支架且適用於檢測該待測物之該正面的第一檢測模組，及二分別設置於該等側支架且朝向該載台之相反兩側的第二檢測模組，其中，該等第二檢測模組適用於在該載台及該龍門單元沿該第一軸線彼此反向移動的同時，分別檢測該待測物之該外周緣沿該第二軸線間隔的相反兩側。
如請求項1所述的自動化光學檢測設備，其中，該承載單元之該載台包括多個可沿縱向升降且適用於頂升及承接該待測物的頂接件。
如請求項1所述的自動化光學檢測設備，其中，該第一檢測模組包括二沿該第二軸線彼此間隔地設置於該橫支架上的影像擷取器。
一種相機模組，包括： <br/>第一鏡筒，用以容納第一鏡片組；以及 <br/>第二鏡筒，用以容納第二鏡片組並容納在所述第一鏡筒內， <br/>其中所述第一鏡筒的第一內表面和所述第二鏡筒的第二外表面配置為在第一連接點或第二連接點處彼此接觸。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第一鏡筒和所述第二鏡筒是由具有不同線性膨脹係數的材料組成。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第二鏡片組包含玻璃鏡片和塑膠鏡片。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第二鏡片組包含至少一個玻璃鏡片，以及 <br/>所述玻璃鏡片設置在最接近所述第一連接點或所述第二連接點的位置。
如請求項1所述的相機模組，其中在所述第一連接點處，所述第一內表面具有多邊形橫截面形狀，且所述第二外表面具有圓形橫截面形狀。
如請求項1所述的相機模組，其中在所述第一連接點處，所述第一內表面具有圓形橫截面形狀，且所述第二外表面具有多邊形橫截面形狀。
如請求項1所述的相機模組，其中在所述第一連接點和所述第二連接點之間形成緩衝空間，且在所述緩衝空間中，所述第一內表面和所述第二外表面彼此不接觸。
如請求項1所述的相機模組，其中所述第二連接點是所述第一鏡筒和所述第二鏡筒之間的螺紋連接。
一種相機模組，包括： <br/>第一鏡筒，用以容納第一鏡片組； <br/>第二鏡筒，用以容納第二鏡片組並容納在所述第一鏡筒內；以及 <br/>突出部，從所述第二鏡筒的外表面朝向所述第一鏡筒的內表面延伸。
如請求項9所述的相機模組，其中所述突出部圍繞所述第二鏡筒的光軸間隔設置。
如請求項9所述的相機模組，其中所述突出部沿所述第二鏡筒的長度方向間隔設置。
如請求項9所述的相機模組，其中所述突出部在光軸方向上的長度等於或大於所述第二鏡片組中且最接近所述突出部設置的近端鏡片的肋部厚度。
如請求項9所述的相機模組，其中所述第二鏡片組包含至少一個玻璃鏡片，且 <br/>所述玻璃鏡片設置於最接近所述突出部的位置。
如請求項9所述的相機模組，其中在所述第一鏡筒和所述第二鏡筒之間設置緩衝空間，所述緩衝空間用以容納所述第二鏡片組的膨脹變形。
如請求項14所述的相機模組，其中所述第二鏡片組包含塑膠鏡片，且 <br/>所述塑膠鏡片設置於鄰近所述緩衝空間的位置。
一種腦電波乾式電極裝置，包括： <br/>一環形套件，形成中空； <br/>一環狀電極保護件，形成中空，其平面上設置複數個第一保護突起部；以及 <br/>一金屬電極組件，夾固於該環形套件與該環狀電極保護件之間，包括： <br/>一金屬導板、一金屬電極板、一電極接頭及複數個金屬探針，其中，該金屬導板的第二平面與該金屬電極板的第一平面電連接，其中，該電極接頭電連接該金屬導板的第一平面且置於該環形套件之中空處，以及其中，該複數個金屬探針電連接該金屬電極板的第二平面，每一金屬探針包括一探針固定部、一彈簧及一探針頭，該彈簧設置於該探針固定部之內部，該探針頭連接該彈簧； <br/>其中，該複數個第一保護突起部包圍該複數個金屬探針； <br/>其中，在該複數個金屬探針受到外力推壓時，該探針頭與該複數個第一保護突起部齊平，以及在該複數個金屬探針未受到外力推壓時，該探針頭相對於該複數個第一保護突起部突出。
如請求項1之腦電波乾式電極裝置，該電極接頭與一電源接頭以磁吸方式電連接，而使得該腦電波乾式電極裝置相對於該電源接頭於水平方向旋轉。
如請求項1之腦電波乾式電極裝置，其中，該環形套件與該環狀電極保護件以一黏著劑黏合、或以一螺絲鎖固、或一卡榫卡合固定。
如請求項1之腦電波乾式電極裝置，其中，該金屬電極板之第二平面上更設有複數個第二保護突起部，與該複數個金屬探針交錯分布，其中，該複數個第二保護突起部與該複數個第一保護突起部齊平。
如請求項1之腦電波乾式電極裝置，其中，該環狀電極保護件使用橡膠、或是生物相容性之塑膠、或絕緣材料。
如請求項1之腦電波乾式電極裝置，更包括一參考電位金屬板，設置於該環形套件與該金屬導板之間，其中該參考電位金屬板設有一貫穿孔，該電極接頭穿設於該貫穿孔中，且該參考電位金屬板與該電極接頭及該金屬導板彼此絕緣。
如請求項6之腦電波乾式電極裝置，更包括一共模雜訊去除電路，耦接一差動放大電路，其中，該共模雜訊去除電路接收來自該金屬電極組件及該參考電位金屬板的訊號，並於去除共模雜訊後，將處理過的訊號傳送至該差動放大電路。
一種弓角結構，其包括:<br/> 一釣具，其界定一本體結構及一位於該本體結構一端且具一穿線孔之穿線部及另一端具第一出線孔之第一出線部，其中該本體結構一側界定一具第二出線孔之第二出線部，該穿線孔分別與該第一出線孔及該第二出線孔連通。
如請求項1所述之弓角結構，其中該本體結構形成一第一通道及一第二通道，該第一通道連通於該穿線孔及該第一出線孔之間，該第二通道連通於該穿線孔與該第二出線孔之間。
如請求項2所述之弓角結構，其中該第一通道與該第二通道位於該穿線孔處為同一通道。
如請求項1所述之弓角結構，其中該第二出線部凸出形成於該本體結構一側。
如請求項1所述之弓角結構，其中該本體結構位於該穿線部之寬度大於位於該第一出線部之寬度。
一種半自動彈蓋盒結構，包括： <br/>一盒座，具有一外周壁、一凹陷部及形成在該凹陷部內部的一前側內壁及一後側內壁，該前側內壁設有貫穿該外周壁的一透空孔，該後側內壁具有與該前側內壁朝上方逐漸增加間距的一傾斜面； <br/>一上蓋，對應該盒座蓋合，該上蓋設有一貫穿孔；以及 <br/>一雙向彈簧針，穿接於該貫穿孔且容置於該凹陷部，該雙向彈簧針包含裸露出該貫穿孔兩端且可相對該貫穿孔伸縮的一前彈簧針、一後彈簧針及夾持在該前彈簧針與該後彈簧針之間的一彈性元件，該前彈簧針穿入該透空孔，該後彈簧針抵持該傾斜面； <br/>其中，該前彈簧針被推動脫離出該透空孔時會壓縮該彈性元件，該彈性元件彈性恢復會帶動該後彈簧針沿著該傾斜面上移，以令該上蓋相對該盒座彈開。
如請求項1所述之半自動彈蓋盒結構，其中該雙向彈簧針包含穿固於該貫穿孔的一管套，該前彈簧針與該後彈簧針一端穿接於該管套及另一端分別裸露在該管套的兩端。
如請求項2所述之半自動彈蓋盒結構，其中該管套的外周緣具有迫緊地咬合於該貫穿孔內周緣的一撮花。
如請求項1所述之半自動彈蓋盒結構，其中該前彈簧針與該後彈簧針中至少一者設有收容該彈性元件的一插孔。
如請求項1所述之半自動彈蓋盒結構，其中該盒座具有一第一卡榫，該上蓋向下延伸有一彈性卡臂及自該彈性卡臂末端延伸有卡合在該第一卡榫下方的一第二卡榫。
如請求項5所述之半自動彈蓋盒結構，其中該第一卡榫在其下緣形成一下斜面，該第二卡榫在其上緣形成一上斜面，該下斜面與該上斜面相止擋。
如請求項5所述之半自動彈蓋盒結構，其中該雙向彈簧針與該彈性卡臂分別配置在該上蓋的前側左、右端。
如請求項5所述之半自動彈蓋盒結構，其中該盒座設有一下陷槽，該第一卡榫自該下陷槽的內周緣突伸，該彈性卡臂容置於該下陷槽。
如請求項8所述之半自動彈蓋盒結構，其中該凹陷部與該下陷槽分別配置在該盒座的前側左、右端。
如請求項1所述之半自動彈蓋盒結構，其中該盒座與該上蓋之其一者設有至少一樞孔及另一者延伸有樞接於該樞孔的至少一樞軸，該樞孔與該樞軸配置在該上蓋的後側。
如請求項1所述之半自動彈蓋盒結構，其中該盒座向上突伸有一凸台，該上蓋為圍設在該凸台一側的一U型蓋，該凸台的頂部具有複數控制開關。
如請求項1所述之半自動彈蓋盒結構，其中該外周壁在其前側設有一接線區及安裝於該接線區的複數插接孔，該上蓋延伸有配置在該接線區上側的一限位板，該限位板的底緣設有複數限位槽。
一種冷板散熱器，包括：基座以及至少二冷板模組，所述至少二冷板模組透過彈性夾持件固定安裝在所述基座上，所述至少二冷板模組各自包括底座以及蓋板，所述底座開設有用於容納冷卻液的收容腔，且所述蓋板蓋設於所述收容腔的開口處，所述底座的側面開設有通孔，所述通孔與所述收容腔貫通；相鄰兩個所述冷板模組之間設有波紋管，所述波紋管的兩端分別連接在兩個所述通孔的內壁上，所述冷卻液透過所述波紋管實現在多個所述至少二冷板模組之間流動；所述波紋管上形成若干管節，每一所述管節具有一凸起的波峰，且相鄰兩個所述管節之間形成一凹陷的波谷。
如請求項1所述的冷板散熱器，其中，所述波紋管與所述通孔的內壁釺焊連接，所述波紋管的兩端至少有兩個管節插接到所述通孔內，且所述通孔的開口邊緣與所述波紋管的其中一個所述波峰焊接。
如請求項1所述的冷板散熱器，其中，所述通孔內設有內套筒，所述內套筒與所述通孔的內壁之間形成卡持間隙，所述波紋管的兩端部分插接到所述卡持間隙內；所述波紋管釺焊連接所述內套筒與所述通孔的內壁，所述波紋管的部分所述波峰抵持在所述通孔內壁，所述波紋管的部分所述波谷抵持在所述內套筒上，且所述通孔的開口邊緣與所述波紋管的其中一個所述波峰焊接。
如請求項1所述的冷板散熱器，其中，所述底座與所述波紋管均採用銅材質結構。
如請求項4所述的冷板散熱器，其中，相鄰兩個所述冷板模組之間的間隙為3-6毫米。
如請求項1所述的冷板散熱器，其中，所述彈性夾持件具有兩個彈性臂，所述蓋板上均開設有與所述彈性臂適配的定位槽，所述彈性夾持件可拆卸地卡持在所述基座上，安裝時所述彈性臂收容於所述定位槽內，且所述彈性臂壓持在所述蓋板上，從而將所述至少二冷板模組鎖止在所述基座上。
如請求項6所述的冷板散熱器，其中，所述彈性夾持件上設有倒鉤部，所述基座上設有與所述倒鉤部配合的卡扣端口，當所述彈性夾持件與所述基座配合時，所述倒鉤部穿設所述卡扣端口。
如請求項7所述的冷板散熱器，其中，所述彈性夾持件採用一體成型的彈簧鋼材質結構。
一種抽水機之電源管理系統，其主要係包括有電源管理系統；其中：<br/> 該電源管理系統，其設有微控制器，於該微控制器分別連接有系統電池、繼電器觸發控制模組，以利用該系統電池供應整體系統所需用電，同時利用該微控制器檢測該系統電池之蓄電量，該繼電器觸發控制模組分別連接有無線通訊模組、充放電控制器、功率控制器、引擎驅動泵控制器，以令該繼電器觸發控制模組能分別切換控制所連接之該無線通訊模組、該充放電控制器、該功率控制器、該引擎驅動泵控制器進行作動，該無線通訊模組供傳輸相關訊息，該充放電控制器供連接該系統電池，且於該充放電控制器連接有外部充電模組，以能利用該充放電控制器控制該外部充電模組對該系統電池進行充電作業，該功率控制器供連接直流接觸器，且令該直流接觸器與引擎驅動泵電池連接，以令該功率控制器控制一穩定功率經由該直流接觸器讓該引擎驅動泵電池對引擎驅動泵穩定提供電能，該引擎驅動泵控制器連接引擎驅動泵發電模組，且令該引擎驅動泵發電模組分別連接該引擎驅動泵電池及電流控制器，而該電流控制器則與該充放電控制器連接，以令該引擎驅動泵控制器驅動控制該引擎驅動泵發電模組進行作動，讓該引擎驅動泵發電模組能對該引擎驅動泵電池進行充電，及讓該引擎驅動泵發電模組能透過該電流控制器經由該充放電控制器之控制對該系統電池進行充電。
如請求項1所述抽水機之電源管理系統，其中，該系統電池為磷酸電池、鋰電池任一種。
如請求項1所述抽水機之電源管理系統，其中，該外部充電模組為太陽能發電單元、市電單元任一種之外部電能。
如請求項1所述抽水機之電源管理系統，其中，該外部充電模組為太陽能發電單元、市電單元兩種組合之外部電能。
如請求項1所述抽水機之電源管理系統，其中，該無線通訊模組供傳輸相關訊息至遠端監控端。
如請求項1所述抽水機之電源管理系統，其中，該無線通訊模組供傳輸相關訊息至相關人員行動裝置處。
如請求項1所述抽水機之電源管理系統，其中，該微控制器連接有水位計，該水位計供偵測水位高低。
一種印刷電路板，包含：<br/> 一線路層，具有數個電子線路及至少一支撐塊分布於一基板上，該數個電子線路的電路接點位於該基板之一安裝區域內，該至少一支撐塊位於該安裝區域的角落，該至少一支撐塊之一邊緣位於該安裝區域內；及<br/> 一阻焊層，覆蓋在該基板及該線路層上，該阻焊層係覆蓋該安裝區域、該數個電路接點及該至少一支撐塊以外的區域，該阻焊層位於該安裝區域的角落之一印刷邊界，與該至少一支撐塊之該邊緣之間的距離係一露出寬度。
如請求項1之印刷電路板，其中，該至少一支撐塊的兩側分別具有數個支撐線，該阻焊層覆蓋該安裝區域、該數個電路接點、該至少一支撐塊及該數個支撐線以外的區域，各該支撐線平行鄰近之該數個電路接點。
如請求項2之印刷電路板，其中，各該支撐線位於該安裝區域內的露出長度是100微米〜200微米，該至少一支撐塊之該露出寬度是25微米〜35微米。
如請求項1之印刷電路板，其中，該阻焊層之該印刷邊界在該安裝區域的角落形成內凹導圓之一弧角，該弧角的半徑是100微米〜250微米。
如請求項1之印刷電路板，其中，該至少一支撐塊之該露出寬度是50微米〜200微米。
如請求項1～5中任一項之印刷電路板，其中，該線路層具有一挖空區域，該挖空區域位於該安裝區域角落的外圍，該阻焊層覆蓋該挖空區域，該挖空區域與該印刷邊界之間的間隔距離是100微米〜200微米。
一種架體，提供一車用電子裝置設置，該架體包含：<br/> 一固定座；<br/> 一驅動模組，設置於該固定座；以及<br/> 一安裝支架，連接該驅動模組；<br/> 其中，該驅動模組基於一控制訊號啟動，該驅動模組帶動該安裝支架相對該固定座進行一位移行程，該位移行程改變該安裝支架的姿態，該驅動模組令該安裝支架於一第一位置及一第二位置之間切換。
如請求項1所述的架體，其中，該驅動模組包含一致動器，及一連接該致動器與該安裝支架的傳動單元，該傳動單元將動能傳遞至該安裝支架。
如請求項2所述的架體，其中，該傳動單元包含至少二連接該致動器與該安裝支架的齒輪，該至少二齒輪傳遞該致動器產生的動力至該安裝支架，該至少二齒輪相互形成一減速機構。
如請求項3所述的架體，其中，該位移行程界定出一連續作動區間，該至少二齒輪於該連續作動區間內保持嚙合，該安裝支架被允許停留於該連續作動區間內的任意位置。
如請求項2或3所述的架體，其中，該控制訊號自一控制單元，該致動器基於該控制訊號決定該安裝支架相對於該固定座的姿態。
如請求項5所述的架體，其中，該位移行程關聯於一設定參數，該設定參數界定該第一位置與該第二位置之間的一展開角度。
如請求項1所述的架體，其中，該安裝支架包含一連桿及二分別設於該連桿二側的支臂，該驅動模組驅動該連桿，使該二支臂形成同步連動關係。
一種線圈組件，包括：<br/> 一第一導磁板，包括一安裝平面和中心通孔，該安裝平面連續地延伸；以及<br/> 一線圈，包括一圈體和與該圈體連接的兩個引線，該圈體具有一第一端面、一外側面和一內側面，該第一端面位於該外側面和該內側面之間，該外側面沿該圈體的周向延伸並與該內側面相背離，該中心通孔與該圈體中心對應；<br/> 該線圈透過該第一端面與該安裝平面連接，且該兩個引線由該外側面伸出。
如請求項1所述的線圈組件，其中，該引線包括一第一連接端，兩個該第一連接端位於該圈體的兩側，且兩個該第一連接端位於該外側面靠近該安裝平面的一側。
如請求項2所述的線圈組件，其中，該安裝平面的具有一外邊；<br/> 該圈體在該第一導磁板投影的方向上，該外側面位於該外邊內側，且該安裝平面位於該外邊和該外側面間的區域形成一安裝間隙；<br/> 該第一連接端貼設於該外側面並沿該安裝間隙延伸。
如請求項1所述的線圈組件，其中，該線圈組件還包括：<br/> 一電路板，設置於該第一導磁板背離該安裝平面的板面；<br/> 該引線還包括一第二連接端，該第二連接端向該電路板延伸並與該電路板電性連接。
一種鏡頭模組，包括：<br/> 一安裝部，包括一移動座和一固定座；<br/> 一成像部，設置於該移動座；<br/> 一第一鏡頭，設置於該固定座；以及<br/> 一驅動部，包括一磁性組件和如請求項1至4中任一項所述的線圈組件，該磁性組件和該線圈組件中的一者設置於該移動座，另一者設置於該固定座；<br/> 該線圈組件產生的磁場作用於該磁性組件，以帶動該成像部靠近或遠離該第一鏡頭。
如請求項5所述的鏡頭模組，其中，該第一端面朝向該第一鏡頭的側向；<br/> 該安裝部還包括兩個導向結構：<br/> 該磁性組件設置於該移動座且位於兩個該導向結構的之間，該移動座透過兩個該導向結構沿該第一鏡頭的軸向移動。
如請求項6所述的鏡頭模組，其中，該移動座具有兩個第一導向槽；<br/> 該固定座具有與兩個該第一導向槽分別相對設置的兩個第二導向槽；<br/> 該安裝部包括複數個滾珠，該些滾珠組成分別與兩個該第一導向槽對應的兩個滾珠組，該滾珠組可滾動地設置於對應的該第一導向槽和對應的該第二導向槽之間並形成該導向結構。
如請求項7所述的鏡頭模組，其中，該第一導向槽和該第二導向槽均為一梯形槽；<br/> 該移動座的該梯形槽與該固定座的該梯形槽的朝向相反，且該梯形槽沿該第一鏡頭的軸向延伸。
如請求項7所述的鏡頭模組，其中，一第一導向槽的一端凸設有一第一擋塊，該第一擋塊向一第二導向槽凸起；<br/> 該第二導向槽遠離該第一擋塊的一端凸設有一第二擋塊，該第二擋塊向該第一導向槽凸起；<br/> 該移動座向該第一鏡頭移動預定距離，該滾珠組的兩端的該滾珠分別與該第一擋塊和該第二擋塊抵接。
如請求項7所述的鏡頭模組，其中，該磁性組件包括兩個磁性部，兩個該磁性部沿該第一鏡頭的軸向排列；<br/> 該磁性部朝向該第一導磁板的一側與該安裝平面平行，且該磁性部的磁性力作用於該第一導磁板，以帶動該第一導向槽和該第二導向槽與該滾珠抵接。
如請求項10所述的鏡頭模組，其中，該磁性組件還包括一第二導磁板；<br/> 該磁性部包括一第一磁體和一第二磁體，一該磁性部的該第一磁體吸合在該第二磁體和該第二導磁板之間，另一該磁性部的該第二磁體吸合在該第一磁體和該第二導磁板之間，且兩個該第一磁體的極性相反設置。
如請求項11所述的鏡頭模組，其中，該磁性組件還包括一導磁塊，該導磁塊遠離該線圈組件的一側與一第二導磁板抵接，且一導磁塊吸附在兩個磁性部之間。
如請求項5所述的鏡頭模組，其中，該固定座包括一頂殼、一安裝立板和一底殼，該頂殼蓋設於該底殼並形成一容置腔，該頂殼具有一安裝孔，該移動座和該安裝立板設置於容置腔，該第一鏡頭該安裝孔中；<br/> 該線圈組件設置於該安裝立板，該磁性組件設置於該移動座。
如請求項13所述的鏡頭模組，其中，該鏡頭模組還包括一柔性電路板，該柔性電路板設置於一底殼，該柔性電路板包括一第一連接區、一連接臂和一第二連接區，一第一連接區位於一成像部背離該第一鏡頭的一側，該第一連接區與該成像部電性連接且相互固定，該第二連接區位於容置腔的外側；<br/> 該移動座上移時，該成像部帶動該第一連接區一同上移，且該連接臂彎曲並產生復位彈力。
如請求項14所述的鏡頭模組，其中，該固定座還包括一底框，該底框具有相互背離的一第一安裝面和一第二安裝面，該第二安裝面具有一避讓區；<br/> 該頂殼的邊緣與該第一安裝面抵接，該底殼與該第二安裝面抵接，該避讓區與該底殼間隔設置且相對側形成一避讓縫隙；<br/> 該底框圍繞該第一連接區、該連接臂和至少部分該安裝立板設置，且該第二連接區由該避讓縫隙穿出。
如請求項15所述的鏡頭模組，其中，該底框包括至少一個墊塊；<br/> 在該第一鏡頭軸向的截面方向上，該第一安裝面圍繞該移動座並與該移動座錯開，且一該墊塊位於該第一安裝面內側並與該移動座遠離該線圈組件一側的部分區域重合。
一種液壓系統的油管接頭，其包含： <br/> 一管身；以及 <br/> 至少一接頭結構，其設於該管身的一端，且包含 <br/> 一本體，其設有一凹槽、一延伸孔及一內壁，該凹槽凹設於該本體的一端，該延伸孔自該凹槽的槽底延伸而連通該管身的內部，該延伸孔的孔徑小於所述凹槽的內徑，該內壁圍繞該凹槽的內部；以及 <br/> 一密封膜，該密封膜具有彈性，且繃緊地套設於該本體而遮蓋於該凹槽的槽口，該密封膜能於受力時從所述槽口的中央處破裂、進入該凹槽內，並因自身的彈性回復力而朝向該內壁的方向收縮。
如請求項1所述之液壓系統的油管接頭，其中所述本體於外周凹設有一環溝，該接頭結構包含有一扣環，該扣環連接於該密封膜的外周緣，且卡入該環溝內。
如請求項1所述之液壓系統的油管接頭，其中所述內壁於該凹槽的槽口處形成圓角。
如請求項1至3中任一項所述之液壓系統的油管接頭，其中所述本體設有一卡合柱，該卡合柱與該凹槽分別位於該本體的兩端，該卡合柱伸入該管身內，且徑向地凸設有複數個凸部，該複數個凸部與該管身相卡掣。
一種潛在被害人防詐系統，包含：<br/> 一潛在被害人名單管理模組；<br/> 多個金融產品系統；及<br/> 一跨產品風險整合模組，電連接於該潛在被害人名單管理模組與該等金融產品系統之間，以供該潛在被害人名單管理模組串接於該等金融產品系統；<br/> 該潛在被害人名單管理模組接收多筆交易紀錄資料；<br/> 該潛在被害人名單管理模組根據該等交易紀錄資料判斷所對應的多位客戶的交易行為是否符合多個異常交易行為其中一者；<br/> 當該潛在被害人名單管理模組根據該等交易紀錄資料判斷出所對應的該等客戶其中一位或多位客戶的交易行為符合該等異常交易行為其中一者，該潛在被害人名單管理模組將符合的各個客戶對應的一客戶識別資料加入一潛在被害人名單；<br/> 該潛在被害人名單管理模組經由該跨產品風險整合模組將該潛在被害人名單傳送給該等金融產品系統；<br/> 各該金融產品系統於執行一交易程序時，判斷是否該交易程序對應的一客戶的一客戶識別資料與該潛在被害人名單的該等客戶識別資料其中一者相符且該交易程序與多個特定交易程序其中一者相符；<br/> 當該金融產品系統判斷出該交易程序對應的該客戶的該客戶識別資料與該潛在被害人名單的該等客戶識別資料其中一者相符且該交易程序與該等特定交易程序其中一者相符，該金融產品系統執行多個預警程序其中至少一者。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等異常交易行為其中一者為轉帳至一警示帳戶。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等特定交易程序其中一者為網銀申請額度調升程序。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等特定交易程序其中一者為申辦新卡片程序。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等特定交易程序其中一者為網路認證交易程序。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等預警程序其中一者為暫停交易程序。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等預警程序其中一者為預警訊息發送程序。
如請求項1所述的潛在被害人防詐系統，其中，該等預警程序其中一者為強化身份驗證程序。
一種跨境交易系統，適用於與一由一客戶控制的客戶端裝置、一電連接該客戶端裝置的信用卡收單伺服器及一電連接該信用卡收單伺服器的信用卡發卡伺服器通訊，並包含：<br/> 一跨境電商伺服器，電連接該客戶端裝置，並儲存一對應於該客戶的電商會員編號；<br/> 一境外支付機構伺服器，電連接該跨境電商伺服器；<br/> 一跨境代收轉付伺服器，電連接該境外支付機構伺服器；及<br/> 一電子支付伺服器，電連接該客戶端裝置、該跨境代收轉付伺服器及該信用卡收單伺服器，並儲存一對應於該電商會員編號的電子支付會員編號； <br/> 該跨境電商伺服器傳送一包含一交易金額、該電商會員編號及一信用卡資料的電商交易請求至該境外支付機構伺服器；<br/> 該境外支付機構伺服器傳送一包含該電商會員編號的境外支付交易請求至該跨境代收轉付伺服器；<br/> 該跨境代收轉付伺服器傳送一包含該電商會員編號的代收轉付交易請求至該電子支付伺服器；<br/> 該境外支付機構伺服器將該交易金額及該信用卡資料傳送至該跨境代收轉付伺服器；<br/> 該跨境代收轉付伺服器將該交易金額及該信用卡資料傳送至該電子支付伺服器；<br/> 該電子支付伺服器傳送該交易金額、該信用卡資料及該電子支付會員編號至該信用卡收單伺服器，使該信用卡發卡伺服器根據該交易金額、該信用卡資料及該電子支付會員編號執行一授權儲值程序；<br/> 該電子支付伺服器自該信用卡收單伺服器接收一對應於該授權儲值程序的授權儲值完成通知；<br/> 該電子支付伺服器執行一電子支付付款程序，並產生一對應於該電子支付付款程序的電子支付付款完成通知，且將該電子支付付款完成通知傳送至該跨境代收轉付伺服器；<br/> 該跨境代收轉付伺服器執行一代收轉付付款程序，並產生一對應於該代收轉付付款程序的代收轉付付款完成通知，且將該代收轉付付款完成通知傳送至該境外支付機構伺服器；<br/> 該境外支付機構伺服器執行一境外支付付款程序，並產生一對應於該境外支付付款程序的境外支付付款完成通知，且將該境外支付付款完成通知傳送至該跨境電商伺服器。
如請求項1所述的跨境交易系統，其中，<br/> 在該跨境代收轉付伺服器傳送該代收轉付交易請求至該電子支付伺服器之後，該電子支付伺服器產生一對應於該電商會員編號所對應的電子支付會員編號的令牌及一包含該令牌的身分認證網址，並將該身分認證網址傳送至該跨境代收轉付伺服器；<br/> 該境外支付機構伺服器自該跨境代收轉付伺服器接收該身分認證網址，並將該交易金額及該信用卡資料傳送至該跨境代收轉付伺服器；<br/> 該跨境代收轉付伺服器將該交易金額及該信用卡資料傳送至該電子支付伺服器；<br/> 該境外支付機構伺服器將該身分認證網址傳送該客戶端裝置，使該電子支付伺服器提供一身分認證頁面至該客戶端裝置；<br/> 當該電子支付伺服器自該客戶端裝置接收到一對應於該身分認證頁面的身分驗證指令時，執行一對應於該身分驗證指令的身分驗證程序，以產生一對應於該身分驗證程序的身分驗證結果；<br/> 當該電子支付伺服器判斷出該身分驗證結果指示出通過身分驗證時，提供一交易指示頁面至該客戶端裝置；<br/> 當該電子支付伺服器自該客戶端裝置接收到一對應於該交易指示頁面的交易確認指令時，該電子支付伺服器傳送該交易金額、該信用卡資料及該電子支付會員編號至該信用卡收單伺服器。
如請求項2所述的跨境交易系統，其中，該電商交易請求還包含一3D驗證需求資料，其中，該3D驗證需求資料指示出是否需要執行3D驗證；<br/> 該境外支付機構伺服器自該跨境代收轉付伺服器接收該身分認證網址，並將該交易金額、該信用卡資料及該3D驗證需求資料傳送至該跨境代收轉付伺服器；<br/> 該跨境代收轉付伺服器將該交易金額、該信用卡資料及該3D驗證需求資料傳送至該電子支付伺服器；<br/> 在該電子支付伺服器傳送該交易金額、該信用卡資料及該電子支付會員編號至該信用卡收單伺服器之前，判斷該3D驗證需求資料是否指示出需要執行3D驗證；<br/> 當該電子支付伺服器判斷出該3D驗證需求資料指示出不需要執行3D驗證時，傳送該交易金額、該信用卡資料及該電子支付會員編號至該信用卡收單伺服器。
如請求項3所述的跨境交易系統，其中，<br/> 當該電子支付伺服器判斷出該3D驗證需求資料指示出需要執行3D驗證時，提供一信用卡交易指示頁面至該客戶端裝置，使該電子支付伺服器自該客戶端裝置接收到一對應於該信用卡交易指示頁面的信用卡交易確認指令時，該信用卡發卡伺服器執行一3D驗證程序，並傳送該交易金額、該信用卡資料及該電子支付會員編號至該信用卡收單伺服器。
一種電子簽單收執系統，適用於與一客戶端裝置通訊，並包含：<br/> 一刷卡裝置；及<br/> 一電簽伺服器，電連接該客戶端裝置及該刷卡裝置；<br/> 該電簽伺服器產生一對應於一交易資料所對應的一簽單資料的識別碼及一包含該識別碼的簽單連結，並將該簽單連結傳送至該刷卡裝置；<br/> 該刷卡裝置以條碼的形式顯示該簽單連結以供該客戶端裝置掃描；<br/> 當該客戶端裝置以該簽單連結連線至該電簽伺服器，該電簽伺服器將該簽單連結包含的該識別碼所對應的該簽單資料傳送至該客戶端裝置以供該客戶端裝置顯示該簽單資料。
如請求項1所述的電子簽單收執系統，其中，該簽單資料包括一交易卡號；<br/> 在該電簽伺服器將該簽單資料傳送至該客戶端裝置之前，該電簽伺服器提供一卡號驗證頁面；<br/> 當該電簽伺服器自該客戶端裝置接收到一對應於該卡號驗證頁面的待驗證號碼時，判斷該待驗證號碼與該交易卡號的末N碼是否相符，其中，該待驗證號碼為N個號碼，N為大於0的正整數；<br/> 當該電簽伺服器判斷該待驗證號碼與該交易卡號的末N碼相符時，將該簽單資料傳送至該客戶端裝置。
如請求項1所述的電子簽單收執系統，其中，該刷卡裝置根據該簽單連結產生一對應於該簽單連結的簽單條碼，並顯示該簽單條碼以供該客戶端裝置掃描。
一種具有抗氧化作用之水光針飲品結構，包含： <br/>一異型袋，其具有一袋體及一容置空間，該袋體周邊係經封合固定形成一封邊，且該袋體之頂部形成一向上延伸之頭部，並設有至少一撕開口，該撕開口供以撕開該頭部以開啟該容置空間；及 <br/>一液態內容物，容納於該容置空間中，該液態內容物之成分包含有：水、水蜜桃濃縮汁、異麥芽寡糖、蘋果濃縮汁、白葡萄濃縮汁、余甘子萃取物、DL-蘋果酸、越桔萃取物、甘蔗萃取物、番茄濃縮物、柑橘萃取物、檸檬酸鈉、流行鏈球菌發酵物、米萃取物、果糖粉、玉米糖膠、醋磺內酯鉀、鮭魚鼻軟骨萃取物及羅漢果醣苷萃取物。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該封邊係透過熱封、超音波封合、高頻封合或感應封合之其中一種方式形成。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該頭部之側緣設有相對兩撕開口。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該頭部係設置於該袋體頂部之一側位置。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該頭部之寬度小於該袋體之寬度。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該袋體之兩側邊呈現非對稱形狀。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該異型袋之材質為複合薄膜。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該流行鏈球菌發酵物包含透明質酸鈉。
如請求項1所述之具有抗氧化作用之水光針飲品結構，其中該鮭魚鼻軟骨萃取物包含非變性二型膠原蛋白。
一種提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，包含：<br/> 一通訊單元，接受一待授權裝置訪問；以及<br/> 一處理單元，連接該通訊單元，該處理單元於該待授權裝置訪問時執行以下程序：<br/> 提供一電子憑證予該待授權裝置；以及<br/> 判斷該待授權裝置關聯的用戶身分資訊與一已綁定裝置關聯的用戶身分資訊相同時，發送一授權要求予該已綁定裝置；<br/> 其中，該處理單元未接獲該已綁定裝置回傳的一同意授權通知時限制提供予該待授權裝置的金融服務，並於接獲該同意授權通知時提供對等的金融服務予該待授權裝置。
如請求項1所述的提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，其中，該金融服務伺服器具有一記憶單元，該記憶單元連接該處理單元，該記憶單元存有該已綁定裝置關聯的該用戶身分資訊。
如請求項2所述的提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，其中，該處理單元接獲該已綁定裝置回傳一註銷通知時註銷該電子憑證。
如請求項3所述的提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，其中，該處理單元於該待授權裝置訪問時生成一身分狀態提示，該身分狀態提示經該通訊單元發送予該待授權裝置。
如請求項3所述的提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，其中，該處理單元於該已綁定裝置訪問時向該已綁定裝置提供一裝置管理資料，該裝置管理資料以一圖形化使用者介面顯示於該已綁定裝置。
如請求項5所述的提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，其中，該裝置管理資料包含一基於該待授權裝置的訪問所產生的登入地資訊。
如請求項6所述的提供多裝置授權管理的金融服務伺服器，其中，該裝置管理資料包含一基於該待授權裝置的訪問所產生的登入時間資訊，及一基於該已綁定裝置回傳的該同意授權通知所產生的授權時間資訊。
一種可調整輸出功率的電池充電器，包括： <br/>一USB TYPE-C接頭； <br/>一PD電力接收端協商晶片，與該USB TYPE-C接頭的一電壓腳位(VBUS)及一對通道設定腳位(CC1及CC2)連接，以對應接收一輸入電壓(VB)及一對通道設定電壓訊號； <br/>一電源開關，分別連接該USB TYPE-C接頭的該電壓腳位(VBUS)及該PD電力接收端協商晶片的一控制信號端，以控制該電源開關的導通供電與關閉不供電； <br/>一第一直流/直流轉換器，連接該電源開關的一輸出端以接收一電源電壓； <br/>一第二直流/直流轉換器，連接該電源開關的該輸出端以接收該電源電壓； <br/>一微控制器，連接該PD電力接收端協商晶片以從該PD電力接收端協商晶片接收一供電資訊，該微控制器連接該第一直流/直流轉換器以傳送一第一充電參數給該第一直流/直流轉換器，該微控制器連接該第二直流/直流轉換器以傳送一第二充電參數給該第二直流/直流轉換器； <br/>一第一電池連接座，連接與該第一直流/直流轉換器以接收該第一直流/直流轉換器的一第一充電電壓，該第一電池連接座連接該微控制器以傳送該第一電池連接座的一第一電池狀態資訊給該微控制器； <br/>一第二電池連接座，連接該第二直流/直流轉換器以接收該第二直流/直流轉換器的一第二充電電壓，該第二電池連接座連接與該微控制器以傳送該第二電池連接座的一第二電池狀態資訊給該微控制器。
如請求項1所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該電源開關為一功率電晶體。
如請求項1所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該第一電池連接座具有K個串連的電池槽以供安置待充電的電池，K為正整數。
如請求項3所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該第一電池連接座具有自動偵測並獲取該第一電池狀態資訊的功能，該第一電池狀態資訊包含該K個串連的電池槽中安置的串連電池之個數及相對應的一充電電壓上限。
如請求項1所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該PD電力接收端協商晶片與支持USB的PD協定的一外部電源進行協商，以從該外部電源取得該供電資訊，該供電資訊包含該輸入電壓的一電壓準位及一最大供電功率。
如請求項1所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中基於該PD電力接收端協商晶片所提供的該供電資訊、該第一電池連接座所提供的該第一電池狀態資訊、及該第二電池連接座所提供的該第二電池狀態資訊，該微控制器計算出該第一充電參數，該第一充電參數規定了該第一直流/直流轉換器所輸出的該第一充電電壓的一電壓上限及一充電功率。
如請求項3所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該第一直流/直流轉換器使用固定功率充電的方式來對該第一電池連接座的電池槽中的串聯電池進行充電。
如請求項3所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該第一電池連接座提供在該電池槽中的電池的一電池健康度（SoH）給該微控制器，該微控制器根據該電池健康度調降該第一充電電壓的電壓上限，所述電壓上限調降的一調降幅度係正比於該電池槽中的電池的一電池內阻。
如請求項1所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該微控制器經由該USB TYPE-C接頭接收一韌體資料以更新該微控制器中的韌體。
如請求項8所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中 <br/>當該電池健康度大於一健康比例時，設定單顆電池充電電壓上限為一電池額定電壓； <br/>當該電池健康度小於等於該健康比例時，設定該單顆電池充電電壓上限為該電池額定電壓減去一調降幅度。
如請求項10所述之可調整輸出功率的電池充電器，其中該健康比例為60%，該電池額定電壓為4.2V，該調降幅度為0.2V。
一種旋切式剝線器，包含：<br/> 一把手架，包括二沿一第一方向相反設置的把手，及一連接於該等把手間的第一線架，該第一線架具有一沿一第二方向延伸的第一弧部，及至少一連接該第一弧部的第一樞接部，該第一弧部具有一相反該至少一第一樞接部的一側的第一抵頂區，該第二方向垂直該第一方向；<br/> 一蓋合件，包括一第二線架，該第二線架具有一沿該第二方向延伸的第二弧部，及至少一連接該第二弧部並可與該至少一第一樞接部相對轉動的第二樞接部，該第二弧部具有一相反該至少一第二樞接部的一側的第二抵頂區，該第二線架可相對該第一線架於一蓋合位置及一開啟位置之間偏轉，於該蓋合位置時，該第二抵頂區抵於該第一抵頂區，使該第一弧部與該第二弧部共同圍繞界定一沿該第二方向貫通的置線空間，於該開啟位置時，該第二抵頂區遠離該第一抵頂區；<br/> 一樞轉單元，包括一樞接於該至少一第一樞接部及該至少一第二樞接部的樞軸，及至少一設置於該樞軸的第一彈簧，該至少一第一彈簧的兩端分別抵頂於該第一弧部及該第二弧部，以使該第二線架恆受到朝該蓋合位置偏轉的趨勢力；<br/> 一剝線刀，設置於該第一弧部，且刀刃延伸至該第一弧部相鄰該第二弧部的一側；及<br/> 一固定單元，包括一可轉動地設置於該第一弧部的第一卡掣件，該第二線架相對該第一線架於該蓋合位置時，該第一卡掣件不對該蓋合件限位，該第二線架相對該第一線架於該開啟位置時，該第一卡掣件勾住該蓋合件並對該蓋合件限位。
如請求項1所述的旋切式剝線器，其中，該蓋合件還包括一設置於該第二線架相反該第二抵頂區的一側的蓋合件固定塊，該固定單元還包括一第二彈簧，該第一卡掣件具有一樞接於該第一弧部的第三樞接部、一連接該第三樞接部並可用於勾住該蓋合件固定塊的第一卡勾部，及一連接該第三樞接部相反該第一卡勾部的一側的第一扳動部，該第二彈簧設置於該第一弧部及該第一扳動部間，並對該第一扳動部施加恆使該第一扳動部遠離該第一弧部的趨勢力，該第二線架相對該第一線架於該開啟位置時，該第一卡勾部勾住該蓋合件固定塊並對該蓋合件固定塊限位，該第二線架相對該第一線架於該蓋合位置時，該第一卡勾部脫離該蓋合件固定塊而不對該蓋合件固定塊限位。
如請求項2所述的旋切式剝線器，其中，該第一卡掣件還具有一連接該第三樞接部並可延伸至該第一弧部相鄰該第二弧部的一側的推抵部。
如請求項1所述的旋切式剝線器，其中，該蓋合件還包括一設置於該第二線架相反該第二抵頂區的一側的蓋合件固定塊，該第一卡掣件具有一樞接於該第一弧部的第三樞接部、一連接該第三樞接部並可用於勾住該蓋合件固定塊的第一卡勾部，及一連接該第三樞接部並可延伸至該第一弧部相鄰該第二弧部的一側的推抵部，該第二線架相對該第一線架於該開啟位置時，該第一卡勾部勾住該蓋合件固定塊並對該蓋合件固定塊限位，該第二線架相對該第一線架於該蓋合位置時，該第一卡勾部脫離該蓋合件固定塊而不對該蓋合件固定塊限位。
如請求項1所述的旋切式剝線器，其中，該固定單元還包括一可轉動地設置於該第二弧部的第二卡掣件，該第二線架相對該第一線架於該蓋合位置時，該第二卡掣件可勾住該把手架，該第二線架相對該第一線架於該開啟位置時，該第二卡掣件遠離該把手架。
如請求項5所述的旋切式剝線器，其中，該把手架還包括一設置於該第一線架相鄰該第一抵頂區的一側的把手架固定塊，該固定單元還包括一第三彈簧，該第二卡掣件具有一樞接於該第二弧部的第四樞接部、一連接該第四樞接部並可用於勾住該把手架固定塊的第二卡勾部，及一連接該第四樞接部相反該第二卡勾部一側的第二扳動部，該第三彈簧設置於該第二弧部及該第二扳動部間，並對該第二扳動部施加恆使該第二扳動部遠離該第二弧部的趨勢力，該第二線架相對該第一線架於該蓋合位置時，該第二卡勾部勾住該把手架固定塊並對該把手架固定塊限位，該第二線架相對該第一線架於該開啟位置時，該第二卡勾部脫離該把手架固定塊而不對該把手架固定塊限位。
如請求項6所述的旋切式剝線器，其中，該把手架還包括一設置於該第一線架的脊板，該第一線架具有二沿該第二方向分別設置於該脊板的兩相反側的第一樞接部，該第二線架具有二沿第二方向分別設置於該脊板的兩相反側的第二樞接部，該樞軸樞接於該脊板、該等第一樞接部及該等第二樞接部，該樞轉單元包括二第一彈簧，該等第一彈簧沿該第二方向位於該脊板的兩相反側，每一該第一彈簧位於該脊板及各自的該第二樞接部之間。
如請求項7所述的旋切式剝線器，其中，該第一卡掣件與該剝線刀分別位於該脊板沿該第二方向的兩相反側，該第一卡掣件與該第二卡掣件位於該脊板沿該第二方向的同一側。
一種具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，包含：<br/> 一安裝座，包括一座體，及一設置於該座體的卡塊，該座體具有一操控面，及一沿著一軸線由該操控面軸向往內連通的軸孔，該卡塊徑向突入該軸孔；<br/> 一電磁閥，位於該軸孔遠離該操控面之一端，能在一第一狀態與一第二狀態間切換；及<br/> 一開關件，包括一可繞著該軸線轉動且能沿著該軸線軸向移動地設置於該軸孔中的控桿，該控桿具有一第一限位槽、一連接該第一限位槽且軸向往外延伸的直通道，及一連接該直通道遠離該第一限位槽之一端的第二限位槽，該第二限位槽與該第一限位槽角度間隔且可供該卡塊擇一卡掣；<br/> 該開關件被驅動能相對於該安裝座在一第一位置與一第二位置間移動，用以切換該電磁閥；該開關件移至該第一位置時，該卡塊對應插置於該第一限位槽；欲切換該電磁閥的狀態時，按壓並轉動該開關件，使該卡塊相對從該第一限位槽軸向通過該直通道再橫向插置於該第二限位槽，該開關件即移至該第二位置。
如請求項1所述的具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，還包含一設置在該開關件與該電磁閥之間的彈性件，該彈性件在該開關件被按壓且朝內軸向移動的同時蓄積一彈力，並在該開關件被反轉使該卡塊相對從該第二限位槽移至該直通道時，該彈性件即釋放該彈力讓該卡塊軸向移回該第一限位槽。
如請求項1所述的具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，其中，該座體的該操控面具有相間隔的一第一標記與一第二標記，該開關件還包括一連接該控桿伸出該軸孔之一端且位在該操控面上的指針，該開關件移至該第一位置時，該指針指向該第一標記，該開關件移至該第二位置時，該指針指向該第二標記。
如請求項3所述的具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，其中，該開關件還包括一設置於該指針遠離該操控面之一側上的插槽。
如請求項1所述的具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，其中，該直通道的一端直向連通該第一限位槽且另一端橫向連通該第二限位槽。
如請求項5所述的具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，其中，該卡塊具有一位於鄰近該軸線之一側中央的弧邊，及分別連接該弧邊之兩端的一卡邊與一擋邊，該控桿具有一軸向延伸且與該弧邊嵌合的軸心面、分別徑向連接該軸心面之內外兩端的一內壁面與一外壁面、一位於該內壁面與該外壁面之間且與該內壁面角度間隔的中壁面、一軸向延伸且連接該內壁面之一側與該外壁面之一側的連接面、一軸向延伸且連接該內壁面之另一側與該中壁面之一側的第一槽面，及一軸向延伸且連接該外壁面之另一側與該中壁面之另一側的第二槽面，該開關件位於該第一位置時，該卡塊的該卡邊抵靠於該第一槽面，該擋邊抵靠於該連接面，該開關件位於該第二位置時，該卡塊的該卡邊抵靠於該第二槽面。
如請求項6所述的具有可上鎖電磁閥的真空產生裝置，其中，該外壁面的弧度等於該內壁面與該中壁面的弧度合。
一種可提升酶活性的濃縮系統，包含：<br/> 一桶槽單元，包括一用於盛裝一待濃縮液的桶槽，及一連接該桶槽且用以輸送該待濃縮液的輸液管；<br/> 一過濾單元，包括至少一連接該輸液管的中空纖維膜管、數個連接於該至少一中空纖維膜管的廢液管，及一連接於該至少一中空纖維膜管遠離該輸液管之一端的回收管，每一該中空纖維膜管具有一外管部，及複數穿設於該外管部內的中空膜管，該外管部與該等中空膜管間界定一連通該等廢液管的廢液空間，該等中空膜管接收該輸液管輸送的該待濃縮液，並過濾出一廢液而形成一濃縮液至該回收管，該廢液被過濾至該廢液空間並由該等廢液管輸出；及<br/> 一廢液槽，連接該等廢液管，用於由該等廢液管接收過濾出的該廢液。
如請求項1所述的可提升酶活性的濃縮系統，其中，該過濾單元還包括一連接於該至少一中空纖維膜管和該輸液管之間的調壓裝置，該調壓裝置用於調整該待濃縮液流入至該至少一中空纖維膜管的流速。
如請求項1所述的可提升酶活性的濃縮系統，其中，該桶槽具有一用於盛裝該待濃縮液的內桶層，及一圍繞該內桶層的外桶層，該外桶層與該內桶層相配合界定一冷卻空間。
如請求項3所述的可提升酶活性的濃縮系統，還包含一連接於該桶槽且用以調整溫度的控溫單元，該控溫單元包括一冰水機、一連接該冰水機與該外桶層的出水管，及一連接該外桶層與該冰水機的入水管，該出水管與該入水管分別連通該冷卻空間，用以供冰水由該冰水機經該出水管流至該冷卻空間，再由該入水管流回該冰水機。
如請求項1所述的可提升酶活性的濃縮系統，其中，該回收管遠離該至少一中空纖維膜管之一端連接該桶槽，該濃縮液由該回收管流至該桶槽作為新的該待濃縮液。
如請求項5所述的可提升酶活性的濃縮系統，還包含一連接該桶槽的冷凍乾燥單元，該冷凍乾燥單元用於由該桶槽接收該濃縮液並進行冷凍乾燥處理。
如請求項1所述的可提升酶活性的濃縮系統，其中，該待濃縮液具有一原始酵素液及逆滲透水。
一種多芯筆，包括： <br/>筆桿，上述筆桿包括桿體、筆頭和多個滑動按鈕，上述筆頭可轉動地設置在上述桿體的第一端部，上述筆頭上設置有進出孔，上述進出孔偏心佈置於上述筆頭的軸線的一側，上述筆頭的內壁還設置有旋轉驅動部；上述桿體的第二端部上設置有多個滑槽，上述滑動按鈕可滑動地設置在對應的上述滑槽中； <br/>多個筆芯，上述筆芯插在上述桿體中並連接在對應的上述滑動按鈕上； <br/>彈簧，上述彈簧位於上述桿體中並被配置成對上述筆芯或上述滑動按鈕施加彈力； <br/>其中，上述旋轉驅動部被配置成受上述筆芯抵接以帶動上述筆頭在上述筆桿上轉動並引導上述筆芯的筆尖插入到上述進出孔中，上述進出孔被配置成供上述筆芯的筆尖伸出至上述筆頭的外部。
如請求項1所述的多芯筆，其中上述旋轉驅動部突出於上述筆頭的內壁，上述旋轉驅動部的側部設置有導向斜面，上述導向斜面朝向上述進出孔方向傾斜延伸； <br/>上述導向斜面被配置成與上述筆芯抵接以帶動上述筆頭在上述筆桿上轉動。
如請求項2所述的多芯筆，其中上述旋轉驅動部的兩側部分別設置有上述導向斜面。
如請求項1所述的多芯筆，其中上述桿體的第一端部設置有支撐軸，上述支撐軸的軸線與上述筆頭的轉動軸線共線，上述筆頭上可轉動地設置在上述支撐軸上。
如請求項4所述的多芯筆，其中上述筆頭上設置有軸孔，上述進出孔佈置在上述軸孔的一側，上述支撐軸插在上述軸孔中；上述支撐軸的自由端部還設置有防脫頭，上述防脫頭抵靠在上述筆頭的外部被配置成防止上述筆頭從上述支撐軸上脫落。
如請求項5所述的多芯筆，其中上述桿體的第一端部的端面設置有上述支撐軸，上述桿體的第一端部的端面上設置有多個貫穿孔，上述貫穿孔被配置成供對應位置處的上述筆芯穿過，上述貫穿孔與對應的上述滑動按鈕相對佈置。
如請求項1所述的多芯筆，其中上述桿體包括第一桿、第二桿和連接套； <br/>上述第一桿一端部設置有上述筆頭，上述第一桿的另一端部設置有外螺紋； <br/>上述第二桿的一端部設置有上述滑槽，上述連接套可轉動地設置在上述第二桿的另一端部； <br/>上述連接套的內壁設置有內螺紋，上述連接套通過上述內螺紋和上述外螺紋配合連接在上述第一桿上。
如請求項7所述的多芯筆，其中上述連接套的內壁設置有內螺紋和定位筋，上述第二桿的外壁上設置有環形卡槽，上述連接套套在上述第二桿的外部，上述定位筋卡在上述環形卡槽中且上述定位筋繞上述連接套的軸線方向可滑動地設置在上述環形卡槽中； <br/>上述第一桿的另一端部設置有外螺紋，上述連接套通過上述內螺紋和上述外螺紋配合連接在上述第一桿上。
如請求項1所述的多芯筆，其中上述滑槽的兩側壁上設置有凸起的導向筋，上述滑動按鈕的兩側設置有導向槽，上述導向筋可滑動地設置在上述導向槽中。
如請求項1所述的多芯筆，其中上述桿體的第一端部的內部設置有多個插槽，多個上述插槽繞上述桿體的中心分佈，上述桿體的第一端部還設置有多個貫穿孔，上述貫穿孔連通對應的上述插槽； <br/>上述彈簧插在對應的上述插槽中，上述筆芯的尾部插在上述滑動按鈕上，上述筆芯的頭部插在上述彈簧中，上述彈簧夾在上述筆芯和上述筆桿之間。
一種立柱貨架，其包含： <br/>複數立柱，該等立柱彼此之間間隔設置，各該立柱形成有一連結孔，該連結孔具有： <br/>一大孔部及一小孔部，該小孔部和該大孔部互相連通，且該小孔部位於該大孔部的下方； <br/>至少一托架結構，其連接於其中兩該立柱，該至少一托架結構具有： <br/>兩連結板，該兩連結板分別連接於該兩立柱，且各該連結板位於該連結孔的位置；及 <br/>一載物樑，其連接於該兩連結板；以及 <br/>複數固定件組，其分別設置於該等連結板，且各該固定件組穿設於其所設置的該連結板所連接的該立柱之該連結孔，各該固定件組包含： <br/>一螺栓，其具有： <br/>一栓頭部，其位於該立柱背對於該連結板的一側；及 <br/>一螺桿部，其連接於該栓頭部，且貫穿於該連結板及穿設於該連結孔；及 <br/>一螺帽，其套設於該螺桿部，且位於該連結板背對於該立柱的一側，藉此該螺帽和該栓頭部共同緊固該連結板和該立柱； <br/>其中，該大孔部的內徑大於該螺栓之該栓頭部的外徑，且該小孔部的寬度小於該栓頭部的外徑； <br/>其中，各該立柱為一空心管體，且該連結孔貫穿該立柱的管壁，且該栓頭部位於該立柱的內部。
如請求項1所述之立柱貨架，其中，該至少一托架結構的各該連結板往遠離其所連接的該立柱凹陷而形成一凹槽，該立柱設置於該凹槽內。
如請求項1所述之立柱貨架，其中，該至少一托架結構的各該連結板凸出形成一支臂，該支臂的延伸方向不平行於該立柱的長度方向，且該載物樑連接於該支臂遠離該立柱的一端。
如請求項3所述之立柱貨架，其中，該至少一托架結構進一步包含： <br/>兩支撐座，其分別固接於該兩連結板的該支臂遠離該立柱的一端，且該載物樑藉由該支撐座連接於該支臂。
如請求項4所述之立柱貨架，其中： <br/>該支撐座為一橫截面為L型的片體，且該載物樑為一方型管體，藉此該載物樑的外壁面和該支撐座的表面互相貼合。
如請求項1所述之立柱貨架，其中，該立柱貨架進一步具有： <br/>複數基座，該等基座分別連接於該等立柱的其中一端，各該立柱藉由該基座直立設置於地面。
一種應用於顏面骨整形手術之導板套組，其包括：<br/> 一切割導板，該切割導板係具有一齒模部及一切割部，該切割部係透過一連接部與該齒模部連接，且該切割部周圍更具有複數鑽孔導引部，藉由該齒模部係與一患者之牙齒相對應，並令該切割部定位於該患者之顏面骨，該些鑽孔導引部係用以引導一醫師於該顏面骨進行鑽孔並產生複數預鑽孔，且該切割部係用以引導該醫師於該顏面骨進行切割；以及<br/> 一定位固定骨板，該定位固定骨板具有複數鎖固孔，且該些鎖固孔係與該些預鑽孔相對應，並藉由複數鎖固件穿過該鎖固孔並鎖入該些預鑽孔中，將該定位固定骨板鎖固於該患者被切割後之顏面骨兩端。
如請求項1所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該切割部係包括第一切割部與第二切割部，該第一切割部與該第二切割部之間具有一間隙，並透過至少一接合部令該第一切割部與該第二切割部相連接，而該些鑽孔導引部係分別設置於該第一切割部與該第二切割部。
如請求項1所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該齒模部係包括複數與上顎牙齒對應之模穴或複數與下顎牙齒對應之模穴或兩者兼具。
如請求項1所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該些鎖固孔係分別設置於該定位固定骨板的邊角處。
如請求項1所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該定位固定骨板更具有一梯形結構。
如請求項5所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該梯形結構具有一非等寬之凸出面。
如請求項5所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該梯形結構係為一前凸之梯形結構或一後凸之梯形結構。
如請求項1所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該定位固定骨板更具有至少一輔助孔。
如請求項1至8中任一項所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中顏面骨係為一上頜骨或一下頜骨。
如請求項1至8中任一項所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該切割導板與該定位固定骨板係以3D列印製造而成。
如請求項10所述之應用於顏面骨整形手術之導板套組，其中該定位固定骨板係為3D列印之金屬骨板。